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WO2021256113A1 - 発光装置、及び表示装置 - Google Patents

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WO2021256113A1
WO2021256113A1 PCT/JP2021/017461 JP2021017461W WO2021256113A1 WO 2021256113 A1 WO2021256113 A1 WO 2021256113A1 JP 2021017461 W JP2021017461 W JP 2021017461W WO 2021256113 A1 WO2021256113 A1 WO 2021256113A1
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WO
WIPO (PCT)
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light emitting
emitting device
electrode
pixel
emitting element
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2021/017461
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English (en)
French (fr)
Inventor
博之 柏原
利仁 三浦
利昭 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Semiconductor Solutions Corp
Original Assignee
Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Semiconductor Solutions Corp filed Critical Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority to JP2022532378A priority Critical patent/JP7703534B2/ja
Priority to CN202180041056.XA priority patent/CN115836399A/zh
Priority to US18/000,849 priority patent/US20230215904A1/en
Priority to DE112021003267.4T priority patent/DE112021003267T5/de
Priority to KR1020227041656A priority patent/KR102855669B1/ko
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    • H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies

Definitions

  • This disclosure relates to a light emitting device and a display device.
  • Light emitting elements Light Emitting Diodes: LEDs
  • LEDs Light Emitting Diodes
  • a substrate provided with a light emitting element spread over a plurality of pixels and a substrate provided with a drive circuit for driving the light emitting element are joined to each other, and then the pixels are placed on the light emitting element. It is manufactured by providing a phosphor or a color filter for each.
  • a light emitting device such as a display device using such a light emitting element
  • crosstalk that is, light leakage
  • the light emitting device includes a light emitting element unit provided separately for each pixel, a pixel electrode provided for each pixel on the first surface side of the light emitting element unit, and the light emitting device.
  • the light emitting element is provided with a common electrode provided separately from the adjacent pixels on the second surface side opposite to the first surface of the element unit and the common electrode provided for each pixel. It is provided with an electrode connecting portion that is electrically connected in a plane region different from the plane region in which the portion is provided.
  • the display device includes a light emitting element unit provided separately for each pixel, a pixel electrode provided for each pixel on the first surface side of the light emitting element unit, and the light emitting device.
  • the light emitting element is provided with a common electrode provided separately from the adjacent pixels on the second surface side opposite to the first surface of the element unit and the common electrode provided for each pixel. It is provided with an electrode connecting portion that is electrically connected in a plane region different from the plane region in which the portion is provided.
  • the light emitting element unit is provided separately for each pixel, and the pixel electrode is provided for each pixel on the first surface side of the light emitting element unit.
  • the common electrode is provided on the second surface side opposite to the first surface of the light emitting element portion separately from the adjacent pixels, and the common electrode is a plane different from the plane region where the light emitting element portion is provided. It is electrically connected by an electrode connection portion provided in the region.
  • the pixel electrode, the light emitting element unit, and the common electrode can be separated from each other between adjacent pixels.
  • FIG. 1 is a vertical cross-sectional view illustrating the overall configuration of the light emitting device according to the present embodiment.
  • the light emitting device 1 includes, for example, a light emitting element unit 132, a pixel electrode 131, a common electrode 133, an electrode connecting unit 134, a contact unit 135, and a light shielding unit 141. , Insulating layers 140, 142, phosphor layer 151, pixel separating layer 150, protective layer 152, penetrating via 123, metal joint 122, multilayer wiring 121, interlayer insulating layer 120, and drive substrate 110. And prepare.
  • the light emitting device 1 is, for example, a display device that performs RGB color display by converting the light emitted from the light emitting element unit 132 separated for each pixel into red light, green light, and blue light by the phosphor layer 151. Is.
  • the light emitting element unit 132 is a compound semiconductor layer that is provided separately for each pixel and emits light by itself when an electric field is applied.
  • electrons are injected from one electrode and holes are injected from the other electrode.
  • the injected electrons and holes are combined inside the light emitting device unit 132 to emit light according to the size of the band gap of the compound semiconductor constituting the light emitting device unit 132.
  • the light emitting device unit 132 is composed of a laminated structure of a group III-V compound semiconductor.
  • the light emitting element unit 132 includes p-GaN (GaN doped with p-type impurities), p-AlGaN (AlGaN doped with p-type impurities), and an ultrathin layer having a small bandgap as a layer having a large bandgap. It is provided with a laminated structure of multiple quantum well structures (Multi Quantum Wells: MQWs) in which sandwiched structures are laminated in multiple layers, n-GaN (GaN doped with n-type impurities), and u-GaN (undoped GaN). You may.
  • MQWs Multiple Quantum Wells
  • the pixel electrode 131 is an electrode to which an independent potential can be applied to each pixel, and is provided for each pixel on the first surface side (lower side facing FIG. 1) of the light emitting element unit 132.
  • the pixel electrode 131 may be a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au, or ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO, or the like. It may be composed of a single-layer structure of the transparent conductive material or a laminated structure of a plurality of layers.
  • the common electrode 133 is an electrode capable of applying a common potential to a plurality of pixels, and has a plurality of electrodes on the second surface side (upper side facing FIG. 1) opposite to the first surface of the light emitting element unit 132. It is provided by being electrically connected over the pixels.
  • the common electrode 133 may be composed of a single-layer structure or a multi-layer laminated structure of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO, SnO, or TiO. good.
  • one electrode that is, the common electrode 133 that applies an electric field to the light emitting element unit 132 is shared by each pixel, so that the number of electrical connections between the light emitting element unit 132 and the drive substrate 110 is increased. Can be reduced. Therefore, the light emitting device 1 can more easily electrically connect the light emitting element unit 132 and the drive substrate 110 even when the pixels are miniaturized.
  • the common electrode 133 is provided separately from the adjacent pixels.
  • the common electrode 133 of each pixel is electrically connected by the electrode connecting portion 134, so that a common potential can be applied over a plurality of pixels.
  • the electrode connecting portion 134 is provided in a plane region different from the plane region in which the light emitting element portion 132 is provided, and electrically connects the common electrode 133 of each pixel.
  • the electrode connecting portion 134 may be provided so as to project from a plane region different from the plane region where the light emitting element portion 132 is provided, and may be provided integrally with the common electrode 133 with the same material and the same layer. The details of the electrode connecting portion 134 will be described later with reference to FIG.
  • the contact portion 135 is provided so as to be on the same side as the pixel electrode 131 with respect to the electrode connection portion 134.
  • the contact portion 135 can be electrically connected to the common electrode 133 from the same side as the pixel electrode 131 by being provided in the electrode connecting portion 134 projecting from the region where the light emitting element portion 132 is provided. ..
  • the contact portion 135 is a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au, or ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO, or the like. It may be composed of a single-layer structure of the transparent conductive material or a laminated structure of a plurality of layers.
  • the light-shielding portion 141 is provided by a light-shielding material, and is provided so as to cover the light emitting element portion 132, the pixel electrode 131, the common electrode 133, the electrode connection portion 134, and the drive substrate 110 side of the contact portion 135.
  • the light-shielding portion 141 may be provided with a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni, or an organic material such as carbon.
  • the light-shielding portion 141 is provided so as to cover the drive substrate 110 side with respect to the light-emitting element portion 132 and open the phosphor layer 151 side. According to this, the light-shielding unit 141 can suppress the light emitted from the light-emitting element unit 132 from entering the drive substrate 110 side.
  • the light-shielding portion 141 is provided so as to separate the light-emitting element portions 132 of each pixel from each other.
  • the light emitting device 1 since the light emitting element unit 132 is provided separately for each pixel, it is possible to provide a light shielding unit 141 between the light emitting element units 132 of each pixel. According to this, the light emitting device 1 can further suppress the leakage of light between the pixels.
  • the insulating layers 140 and 142 are provided by an insulating material, and are provided so as to embed the periphery of the light emitting element portion 132, the pixel electrode 131, and the common electrode 133.
  • the insulating layers 140 and 142 electrically insulate the light emitting element unit 132, the pixel electrode 131, and the common electrode 133 for each pixel, so that the light emitting element unit 132 can be driven for each pixel.
  • the insulating layers 140 and 142 may be provided with an insulating oxynitride such as SiO x , SiN x , SiON, or Al 2 O 3.
  • the phosphor layer 151 contains a light conversion substance that converts the color of the light emitted from the light emitting element unit 132.
  • the phosphor layer 151 is provided, for example, on the side not covered by the light-shielding portion 141, corresponding to the light-emitting element portion 132 of each pixel.
  • the phosphor layer 151 can, for example, convert the blue light emitted from the light emitting element unit 132 into red light and green light, respectively, so that the light emitting device 1 can emit light of the three primary colors of red, green, and blue. You may do so.
  • the phosphor layer 151 converts the white light emitted from the light emitting element unit 132 into blue light, red light, and green light, respectively, so that the light emitting device 1 converts light of the three primary colors of red, green, and blue. It may be possible to emit.
  • the phosphor layer 151 may contain, for example, an inorganic fluorescent material, an organic fluorescent material, quantum dots, or the like as a light conversion substance.
  • the pixel separation layer 150 is provided so as to separate the phosphor layer 151 from each pixel between the phosphor layers 151 in order to prevent mixing of the light conversion substance between the pixels.
  • the pixel separation layer 150 may be made of a light-shielding (or non-transparent) material in order to suppress color mixing between pixels.
  • the protective layer 152 is a layer that protects the phosphor layer 151 and the like from the external environment, and is provided on the side opposite to the side where the light emitting element portion 132 is provided with respect to the phosphor layer 151.
  • the protective layer 152 is provided as, for example, a single-layer film made of one kind of light-transmitting insulating material such as SiO x , SiN x , SiON, or Al 2 O 3, or a laminated film made of two or more of these. May be done.
  • the protective layer 152 may be provided with a light-transmitting inorganic material such as borosilicate glass, quartz glass, or sapphire glass, or a light-transmitting organic material such as an acrylic resin.
  • the penetrating via 123 is provided by a conductive material and extends from the pixel electrode 131 or the contact portion 135 toward the drive substrate 110.
  • the penetrating via 123 can electrically connect the pixel electrode 131 or the contact portion 135 and the metal joint portion 122 provided at the interface between the insulating layer 140 and the interlayer insulating layer 120.
  • the penetrating via 123 may be composed of a single-layer structure of a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au, or a laminated structure of a plurality of layers.
  • the metal joint 122 is provided with a metal such as Cu, and is provided at the interface between the insulating layer 140 and the interlayer insulating layer 120.
  • the metal joint portion 122 is an electrode exposed from the insulating layer 140 when the insulating layer 140 provided with the light emitting element portion 132 and the interlayer insulating layer 120 on which the drive substrate 110 is laminated are bonded together. It is provided by joining an electrode exposed from the interlayer insulating layer 120.
  • the metal joint portion 122 can electrically connect the through via 123 provided in the insulating layer 140 and the multilayer wiring 121 provided in the interlayer insulating layer 120. According to this, since the light emitting device 1 can electrically connect the penetrating via 123 and the multilayer wiring 121 with a simple structure such as the metal joint portion 122, the wiring structure can be further simplified. can.
  • the multilayer wiring 121 is a wiring provided by a conductive material and provided over a plurality of layers inside the interlayer insulating layer 120.
  • the multilayer wiring 121 can electrically connect the metal joint portion 122 provided at the interface between the insulating layer 140 and the interlayer insulating layer 120 and each element provided on the drive substrate 110.
  • the multilayer wiring 121 may be composed of, for example, a single-layer structure of a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au, or a laminated structure of a plurality of layers.
  • the interlayer insulating layer 120 is provided with an insulating material and electrically separates the wirings of the multilayer wiring 121 from each other.
  • the interlayer insulating layer 120 may be provided with an insulating oxynitride such as SiO x , SiN x , SiON, or Al 2 O 3.
  • the drive board 110 includes a circuit for driving the light emitting element unit 132 of each pixel.
  • the drive substrate 110 may be, for example, a semiconductor substrate made of Si or the like, or a resin substrate made of a PCB (Polychlorinated Biphenyl) or the like.
  • the drive board 110 may include a pixel circuit that individually drives the light emitting element unit 132 for each pixel, and a common circuit that scans each pixel in the vertical direction or the horizontal direction.
  • the pixel circuit includes a plurality of MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Unit Field-Effective Transistor) and is provided for each pixel.
  • the pixel circuit is, for example, electrically connected to the contact portion 135 electrically connected to the common electrode 133 and the pixel electrode 131 of each pixel.
  • the common circuit includes a vertical drive circuit and a horizontal drive circuit that sequentially scan each of the vertical drive lines and the horizontal drive lines orthogonal to each other. Each of the intersections of the vertical drive line and the horizontal drive line corresponds to each of the pixels, and the light emitting device 1 sequentially drives the vertical drive line and the horizontal drive line included in the common circuit to sequentially drive each of the pixels. It can be driven.
  • FIG. 2 is an orthographic projection showing the pixel electrode 131, the light emitting element portion 132, the common electrode 133, the electrode connection portion 134, and the contact portion 135 extracted.
  • the common electrode 133, the second light emitting element unit 132B, the first light emitting element unit 132A, and the pixel electrode 131 are provided in order of being stacked.
  • the first light emitting device unit 132A corresponds to, for example, a laminated structure of p-GaN, p-AlGaN, and multiple quantum well structures (MQWs)
  • the second light emitting device unit 132B corresponds to, for example, n-GaN and u-.
  • the laminated structure of GaN corresponds to the laminated structure of GaN.
  • the light emitting element unit 132 is configured by the first light emitting element unit 132A and the second light emitting element unit 132B.
  • the second light emitting element unit 132B, the first light emitting element unit 132A, and the pixel electrode 131 are provided in an island shape separated from each other for each pixel, and the common electrode 133 is provided between the adjacent pixels. It is provided separately from each other.
  • the common electrode 133 of each pixel is electrically connected by an electrode connecting portion 134 provided so as to project from a region provided with the first light emitting element portion 132A and the second light emitting element portion 132B.
  • the electrode connecting portion 134 projecting from the region where the first light emitting element portion 132A and the second light emitting element portion 132B are provided is further provided with a contact portion 135 which is an electrical contact with the common electrode 133. Be done.
  • the electrode connecting portion 134 may be provided integrally with the common electrode 133 as a layer continuous with the common electrode 133 with the same material. That is, the electrode connecting portion 134 may be configured by a single-layer structure of a transparent conductive material of ITO, IZO, ZnO, SnO, or TiO, or a laminated structure of a plurality of layers, similarly to the common electrode 133. Further, the electrode connecting portion 134 may be electrically connected to the common electrode 133 of each pixel from the same direction side on a plane. In such a case, the electrode connecting portion 134 and the common electrode 133 of each pixel are provided so as to have a comb-shaped planar shape.
  • the electrode connecting portion 134 When the electrode connecting portion 134 is provided as a layer continuous with the common electrode 133, the number of steps can be reduced by forming and shaping the electrode connecting portion 134 and the common electrode 133 at the same time. Further, since the electrode connecting portion 134 can limit the light propagation path by shape processing, it is also possible to further suppress the leakage of light between the pixels via the common electrode 133 and the electrode connecting portion 134. .. Further, the difference in refractive index between air (refractive index 1.0) and ITO (refractive index about 2.0) is the difference in refractive index between air (refractive index 1.0) and GaN (refractive index about 2.5).
  • the electrode connecting portion 134 When the electrode connecting portion 134 is provided with the same transparent conductive material as the common electrode 133, the electrode connecting portion 134 is interposed via the electrode connecting portion 134 by suppressing refraction at the boundary with air. It is also possible to further suppress the leakage of light between the refracted pixels.
  • the light emitting element unit 132 is provided in an island-like structure separated from each other for each pixel, so that the light emitting element unit 132 is provided in a structure in which the light emitting element unit 132 is spread over a plurality of pixels. In comparison, leakage of light between pixels can be suppressed.
  • the common electrodes 133 to which a common potential is supplied to each pixel are separated from each other between the pixels, and the electrode connecting portion 134 is provided so as to project from the region where the light emitting element portion 132 is provided. It is electrically connected at. According to this, the common electrode 133 can suppress the leakage of light between the pixels through the common electrode 133.
  • FIGS. 3A to 3U are vertical cross-sectional views showing one step of the manufacturing method of the light emitting device 1 according to the present embodiment.
  • the light emitting device portion 132 is formed by epitaxially growing a III-V compound semiconductor on a crystal growth substrate 160 such as Si or sapphire.
  • the light emitting device unit 132 is formed by sequentially stacking III-V compound semiconductors in the order of, for example, p-GaN, p-AlGaN, multiple quantum well structures (MQWs), n-GaN, and u-GaN. May be good.
  • the oxide film 140A is formed by forming a SiO x or the like on the light emitting element portion 132.
  • the oxide film 140A is provided, for example, in order to bond the support substrate 161 to the light emitting element portion 132 in the subsequent step.
  • the support substrate 161 is bonded to the oxide film 140A.
  • the support substrate 161 for example, a Si substrate or the like can be used.
  • the top and bottom are inverted with respect to FIG. 3B.
  • the crystal growth substrate 160 is removed from the light emitting device unit 132.
  • the crystal growth substrate 160 can be removed from the light emitting element portion 132 by grinding with a grinder, wet etching, or the like. Further, the crystal growth substrate 160 may be removed from the light emitting element portion 132 by using CMP (Chemical Mechanical Polishing), dry etching, or the like.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • a transparent conductive material such as ITO is formed on the light emitting element portion 132 to form a common electrode 133 including the electrode connecting portion 134.
  • the insulating layer 142 is formed by forming a SiO x film on the common electrode 133.
  • the support substrate 162 is bonded to the insulating layer 142.
  • the support substrate 162 for example, a Si substrate or the like can be used.
  • the top and bottom are inverted with respect to FIG. 3F.
  • the support substrate 161 is removed from above the oxide film 140A.
  • the support substrate 161 can be removed from the oxide film 140A by grinding with a grinder, wet etching, or the like.
  • the oxide film 140A is patterned by lithography and etching to form an opening 131H in the oxide film 140A.
  • the opening 131H is provided to form the pixel electrode 131 in the subsequent process.
  • the pixel electrode 131 is formed by forming a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au so as to embed the opening 131H. To form.
  • the oxide film 140A and the light emitting element portion 132 are formed using lithography and etching.
  • the opening 135H is formed in.
  • the opening 135H is provided to form the contact portion 135 in the subsequent process, and the transparent conductive material exposed at the opening 135H serves as the electrode connecting portion 134.
  • a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au is formed on the electrode connection portion 134 inside the opening 135H. By doing so, the contact portion 135 is formed.
  • the oxide film 140A, the light emitting element portion 132, the common electrode 133, and the insulating layer 142 are patterned by lithography and etching to separate the light emitting element portion 132 from each other for each pixel.
  • the portion 130H is formed.
  • the opening 130H is formed so that the light emitting element portion 132 is separated from each other for each pixel and the common electrode 133 of each pixel is electrically connected by the electrode connecting portion 134.
  • the insulating layer 140 and the light-shielding portion 141 are formed so as to embed each pixel.
  • the insulating layer 140 is provided by forming a film of SiO x or the like using, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like.
  • the light-shielding portion 141 is provided by forming a film of a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni except on the pixel electrode 131 and the contact portion 135.
  • the opening 123H is formed in the insulating layer 140 in the region corresponding to the pixel electrode 131 and the contact portion 135.
  • the opening 123H is provided to form a penetrating via 123 that is electrically connected to each of the pixel electrode 131 and the contact portion 135 in a later step.
  • a penetrating via 123 is formed by forming a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au so as to embed the opening 123H.
  • a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au so as to embed the opening 123H.
  • An electrode to be a metal joint 122 is formed on the penetrating via 123 in a later step.
  • the drive board 110 on which the interlayer insulating layer 120 including the multilayer wiring 121 is laminated is attached to the laminated structure formed in the steps of FIGS. 3A to 3P.
  • the laminated structure formed in the steps of FIGS. 3A to 3P and the drive substrate 110 are bonded so that the insulating layer 140 and the interlayer insulating layer 120 face each other.
  • the electrodes exposed on the surface are bonded to each other to form a metal bonding portion 122.
  • the top and bottom are inverted with respect to FIG. 3P.
  • the support substrate 162 is removed from above the insulating layer 142.
  • the support substrate 162 can be removed from the top of the insulating layer 142 by grinding with a grinder, wet etching, or the like.
  • the insulating layer 142 is entirely etched to the extent that a part of the light-shielding portion 141 is exposed. According to this, since the distance from the light emitting surface of the light emitting device 1 to the light emitting element unit 132 can be further shortened, the efficiency of extracting light from the light emitting element unit 132 can be further improved.
  • the phosphor layer 151 and the pixel separation layer 150 are formed on the insulating layer 142.
  • the phosphor layer 151 may be composed of, for example, quantum dots
  • the pixel separation layer 150 may be composed of, for example, Al.
  • a light-transmitting insulating material such as SiO x , SiN x , SiON, or Al 2 O 3 is formed on the phosphor layer 151 and the pixel separation layer 150. Then, the protective layer 152 is formed.
  • the light emitting device 1 according to the present embodiment can be manufactured by the above steps.
  • FIG. 4 is a plan view showing the plan shapes of the common electrode 133A and the electrode connection portion 134A of the light emitting device according to the first modification.
  • the electrode connecting portion 134 may electrically connect the six common electrodes 133.
  • the number of common electrodes 133 to which the electrode connecting portion 134 is electrically connected is not limited to the three shown in FIG.
  • the electrode connecting portion 134 may be electrically connected to a plurality of common electrodes 133, and the number thereof is not particularly limited.
  • FIG. 5 is a plan view showing the plan shape of the common electrode 133B and the electrode connection portion 134B of the light emitting device according to the second modification.
  • the common electrode 133B does not have to completely cover the second surface of the light emitting element portion 132. That is, the common electrode 133B may apply an electric field to the light emitting element portion 132 at a part of the second surface of the light emitting element portion 132.
  • FIG. 6 is a plan view showing the plan shape of the common electrode 133C and the electrode connection portion 134C of the light emitting device according to the third modification.
  • the common electrode 133C and the electrode connecting portion 134C have Pd, Ti, TiN other than the transparent conductive material. It may be composed of a metal material such as W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au. In such a case, the light emitting element unit 132 can emit light from the second surface not covered by the common electrode 133.
  • FIG. 7 is a plan view showing the plan shapes of the common electrode 133D and the electrode connection portion 134D of the light emitting device according to the fourth modification.
  • the connection portion between the common electrode 133D and the electrode connection portion 134D may be shaped.
  • the connection portion between the common electrode 133D and the electrode connection portion 134D may be formed in a constricted planar shape in order to further narrow the light propagation path. According to this, the common electrode 133D and the electrode connecting portion 134D can further suppress the leakage of light between the pixels via the electrode connecting portion 134D.
  • FIG. 8 is a top view showing the pixel electrode 131, the light emitting element portion 132, the common electrode 133, the electrode connection portion 134, and the contact portion 135 of the light emitting device according to the fifth modification.
  • each pixel including the pixel electrode 131 and the light emitting element unit 132 and the electrode connecting portion 134 that electrically connects the common electrode 133 of each pixel may be arranged in a matrix. That is, each pixel including the pixel electrode 131 and the light emitting element portion 132 may be provided in an arbitrary arrangement, and the electrode connecting portion 134 for electrically connecting the common electrode 133 of each pixel is provided in an arbitrary shape. May be done.
  • Each pixel including the pixel electrode 131 and the light emitting element portion 132 may be provided in a delta arrangement which is an equilateral triangle apex arrangement.
  • FIG. 9 extracts the pixel electrode 131, the light emitting element unit 132 (second light emitting element unit 132B and the first light emitting element unit 132A), the common electrode 133, the electrode connection portion 134, and the contact portion 135 according to the sixth modification. It is an orthographic projection shown by. As shown in FIG. 9, the laminated structure of the light emitting element unit 132 may be in the reverse order of the laminated structure shown in FIG.
  • the light emitting element unit 132 includes a first light emitting element unit 132A in which p-GaN, p-AlGaN, and multiple quantum well structures (MQWs) are laminated in this order from the common electrode 133 side, n-GaN, and n-GaN. It may be configured by the second light emitting element unit 132B in which u-GaN is laminated.
  • a first light emitting element unit 132A in which p-GaN, p-AlGaN, and multiple quantum well structures (MQWs) are laminated in this order from the common electrode 133 side, n-GaN, and n-GaN. It may be configured by the second light emitting element unit 132B in which u-GaN is laminated.
  • MQWs multiple quantum well structures
  • FIG. 10 is a vertical sectional view illustrating the overall configuration of the light emitting device according to the present embodiment.
  • the light emitting device 2 is common to, for example, the light emitting element unit 232 and the first pixel electrode 231A and the second pixel electrode 231B (both are collectively referred to as a pixel electrode 231). Electrode 233, electrode connection part 241 and contact part 235, insulating layer 240, phosphor layer 251, pixel separation layer 250, through via 223, metal joint part 222, multi-layer wiring 221 and interlayer insulation.
  • the layer 220 and the drive board 210 are provided.
  • FIG. 11 shows the positional relationship between the penetrating via 223 and the metal joint 222 and each pixel P on a plane.
  • FIG. 11 is a plan view showing the positional relationship between the penetrating via 223 and the metal joint 222 and each pixel P in a plane.
  • each pixel P may be provided, for example, as a red pixel (R), a green pixel (G), and a blue pixel (B) arranged in a rectangular shape in one direction.
  • the penetrating via 223 electrically connected to the pixel electrodes 231 of the red pixel (R), the green pixel (G), and the blue pixel (B) is the red pixel (R), the green pixel (G), and the blue. It may be arranged so as to be electrically connected to the metal joint 222 arranged in a matrix in the region where the pixel (B) is provided.
  • the penetrating via 223 electrically connected to the contact portion 235 may be arranged so as to be electrically connected to the metal joint portions 222 arranged in a matrix. According to this, the light emitting device 2 can arrange the penetrating via 223 and the metal joint 222 more efficiently.
  • the first pixel electrode 231A and the second pixel electrode 231B constitute a pixel electrode to which an independent potential can be applied to each pixel, and the first surface side of the light emitting element unit 232 (lower side facing FIG. 10). ) Is provided for each pixel.
  • the first pixel electrode 231A may be made of a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au
  • the second pixel electrode 231B may be ITO, IZO. , ZnO, SnO, or a transparent conductive material such as TiO.
  • the common electrode 233 is an electrode capable of applying a common potential to a plurality of pixels, and is the uppermost layer on the second surface side (upper side facing FIG. 10) opposite to the first surface of the light emitting element unit 232. It is provided by being electrically connected to the side surface of the.
  • the common electrode 233 may be composed of a single-layer structure of a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au, or a laminated structure of a plurality of layers.
  • the common electrode 233 of each pixel is electrically connected by the electrode connecting portion 241 so that a common potential can be applied over a plurality of pixels.
  • the electrode connecting portion 241 is provided so as to surround the periphery of the light emitting element portion 232 of each pixel with a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni.
  • the electrode connecting portion 241 can electrically connect the common electrode 233 of each pixel to each other by being electrically connected to the common electrode 233 of each pixel and the electrode connecting portion 241 surrounding the periphery of the adjacent pixel. can.
  • the electrode connecting portion 241 may be provided so as to surround the periphery of the light emitting element portion 232 of each pixel at a height extending from the common electrode 233 to the first pixel electrode 231A. According to this, the electrode connecting portion 241 can shield the space between the light emitting element portions 232 of each pixel. In such a case, the electrode connecting portion 241 can also serve as the function of the light shielding portion 141 in the light emitting device 1 according to the first embodiment. Details of the electrode connecting portion 241 will be described later with reference to FIGS. 12A and 12B.
  • FIG. 12A is a vertical cross-sectional view showing the pixel electrode 231, the light emitting element portion 232, the common electrode 233, the electrode connection portion 241 and the contact portion 235 extracted.
  • FIG. 12B is a top view showing the pixel electrode 231, the light emitting element portion 232, the common electrode 233, the electrode connection portion 241 and the contact portion 235 extracted.
  • the second light emitting element unit 232B, the first light emitting element unit 232A, and the pixel electrode 231 are provided in a stacked manner in this order.
  • the first light emitting device unit 232A corresponds to, for example, a laminated structure of p-GaN, p-AlGaN, and multiple quantum well structures (MQWs)
  • the second light emitting device unit 232B corresponds to, for example, n-GaN and u-.
  • the laminated structure of GaN corresponds to the laminated structure of GaN.
  • the light emitting element unit 232 is configured by the first light emitting element unit 232A and the second light emitting element unit 232B.
  • a common electrode 233 is provided on the side surface of u-GaN in the lowermost layer of the second light emitting element unit 232B.
  • the second light emitting element unit 232B, the first light emitting element unit 232A, and the pixel electrode 231 are provided in an island shape separated from each other for each pixel, and the electrode connecting portion 241 is the second light emitting element unit 232B, the first light emitting unit. It is provided so as to surround the element portion 232A and the pixel electrode 231.
  • the electrode connecting portion 241 is electrically connected to the common electrode 233 provided on the side surface of the lowermost layer of the second light emitting element portion 232B, and is provided so as to surround the periphery of the light emitting element portion 232 of each pixel. It is electrically connected to the electrode connection portion 241. As a result, the electrode connecting portion 241 can electrically connect the common electrode 233 of each pixel.
  • the electrode connecting portion 241 is provided so as to be electrically separated from the first light emitting element portion 232A and the second light emitting element portion 232B.
  • the electrode connecting portion 241 is provided with a metal material having a light-shielding property higher than the laminated height of the second light emitting element portion 232B, the first light emitting element portion 232A, and the pixel electrode 231 so that the light emitting element of each pixel is provided. It is possible to suppress the leakage of light between the portions 232.
  • a contact portion 235 that serves as an electrical contact with the common electrode 233 is provided on the electrode connection portion 241.
  • the contact portion 235 can be electrically connected by the penetrating via 223 from the same side as the pixel electrode 231.
  • the contact portion 235 may be composed of a single-layer structure of a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au, or a laminated structure of a plurality of layers.
  • the light emitting device 2 can further improve the light emitting area ratio in the light emitting element unit 232 by providing the common electrode 233 on the side surface of the light emitting element unit 232. Further, the light emitting device 2 is provided with a light emitting element portion 232 having an island-like structure separated from each other for each pixel, and surrounds the light emitting element portion 232 of each pixel with an electrode connecting portion 241 that also functions as a light shielding portion. This makes it possible to suppress light leakage between pixels.
  • FIGS. 13A to 13V are vertical cross-sectional views showing one step of the manufacturing method of the light emitting device 2 according to the present embodiment.
  • a light emitting device portion 232 is formed by epitaxially growing a III-V compound semiconductor on a crystal growth substrate 260 such as Si or sapphire.
  • the light emitting device unit 232 is formed by sequentially stacking III-V compound semiconductors in the order of, for example, u-GaN, n-GaN, multiple quantum well structures (MQWs), p-AlGaN, and p-GaN. May be good.
  • the second pixel electrode 231B is formed by forming a transparent conductive material such as ITO on the light emitting element portion 232.
  • the oxide film 240A is formed by forming a SiO x or the like on the second pixel electrode 231B.
  • the oxide film 240A is provided, for example, in order to bond the support substrate 261 to the light emitting element portion 232 in the subsequent step.
  • the support substrate 261 is bonded to the oxide film 240A.
  • the support substrate 261 for example, a Si substrate or the like can be used.
  • the top and bottom are inverted with respect to FIG. 13C.
  • the crystal growth substrate 260 is removed from the light emitting device unit 232.
  • the crystal growth substrate 260 can be removed from the light emitting element portion 232 by grinding with a grinder, wet etching, or the like. Further, the crystal growth substrate 260 may be removed from the light emitting element unit 232 by using CMP (Chemical Mechanical Polishing), dry etching, or the like.
  • CMP Chemical Mechanical Polishing
  • the light emitting element portion 232 is patterned by using lithography and etching to form the opening 233H in the light emitting element portion 232.
  • the opening 233H is provided to form the common electrode 233 in the subsequent process.
  • a common electrode 233 is formed by forming a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au so as to embed the opening 233H. To form.
  • the insulating layer 242 is formed by forming a film of SiO x or the like on the light emitting element portion 232 and the common electrode 233.
  • the support substrate 262 is bonded to the insulating layer 242.
  • the support substrate 262 for example, a Si substrate or the like can be used.
  • the top and bottom are inverted with respect to FIG. 13H.
  • the support substrate 261 is removed from above the oxide film 240A.
  • the support substrate 261 can be removed from the oxide film 240A by grinding with a grinder, wet etching, or the like.
  • the oxide film 240A is patterned using lithography and etching to form an opening 231H in the oxide film 240A.
  • the opening 231H is provided to form the first pixel electrode 231A in the subsequent process.
  • the first pixel is formed by forming a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au so as to embed the opening 231H.
  • the electrode 231A is formed.
  • an oxide film 240A is further formed on the first pixel electrode 231A.
  • the opening portion that separates the light emitting element portion 232 from each other for each pixel Form 230H.
  • the opening 230H is formed so as to expose the common electrode 233.
  • the sidewall 240B is formed by forming a film of SiO x or the like on the inner side surface of the opening 230H.
  • the sidewall 240B is provided to electrically insulate the electrode connecting portion 241 formed inside the opening 230H and the light emitting element portion 232.
  • the electrode connection portion 241 is formed by forming a film having a light-shielding metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni so as to embed the opening 230H. do.
  • a light-shielding metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni
  • the insulating layer 240 is formed so as to embed each pixel.
  • the insulating layer 240 is provided by forming a film of SiO x or the like using, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition) or the like.
  • the contact portion 235 is formed by forming a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au on the electrode connecting portion 241.
  • the surface is flattened by further forming an insulating layer 240.
  • the surface of the insulating layer 240 may be flattened by using CMP or etch back.
  • a penetrating via 223 electrically connected to the first pixel electrode 231A and the contact portion 235 is formed. Specifically, by patterning the insulating layer 240 using lithography and etching, an opening is formed in the insulating layer 240 in the region corresponding to the first pixel electrode 231A and the contact portion 235.
  • a penetrating via 223 is formed by forming a metal material such as Pd, Ti, TiN, W, Al, Cu, Pt, Ag, Ni, or Au so as to embed the formed opening.
  • An electrode to be a metal joint 222 is formed on the penetrating via 223 in the subsequent process.
  • the drive board 210 on which the interlayer insulating layer 220 including the multilayer wiring 221 is laminated is attached to the laminated structure formed in the steps of FIGS. 13A to 13S.
  • the laminated structure formed in the steps of FIGS. 13A to 13S is bonded to the drive substrate 210 so that the insulating layer 240 and the interlayer insulating layer 220 face each other.
  • the electrodes exposed on the surface are bonded to each other to form a metal bonding portion 222.
  • the top and bottom are inverted with respect to FIG. 13S.
  • the support substrate 262 and the insulating layer 242 are removed from above the light emitting element portion 232 and the common electrode 233.
  • the support substrate 262 can be removed from above the light emitting element portion 232 and the common electrode 233 by using grinding with a grinder, wet etching, or the like.
  • the phosphor layer 251 and the pixel separation layer 250 are formed on the light emitting element unit 232 and the common electrode 233.
  • the phosphor layer 251 may be composed of, for example, quantum dots
  • the pixel separation layer 250 may be composed of, for example, Al.
  • the light emitting device 2 according to the present embodiment can be manufactured by the above steps.
  • FIG. 14 is a vertical sectional view showing the pixel electrode 231 of the light emitting device, the light emitting element portion 232, the common electrode 233A, the electrode connecting portion 241 and the contact portion 235 of the light emitting device according to the first modification.
  • the common electrode 233A may be provided as a transparent electrode on the surface of the second light emitting element unit 232B.
  • the common electrode 233A is provided with a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, SnO, or TiO so as to project from the second light emitting element portion 232B, so that the common electrode 233A can be electrically connected to the electrode connecting portion 241. May be connected.
  • the light emitting device according to the first modification can further simplify the manufacturing process.
  • FIG. 15 is a vertical sectional view showing the pixel electrode 231 of the light emitting device, the light emitting element portion 232, the common electrode 233B, the electrode connecting portion 241 and the contact portion 235 of the light emitting device according to the second modification.
  • the common electrode 233B may be provided in a part of the surface of the second light emitting element portion 232B with a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni. ..
  • the first light emitting element portion 232A and the second light emitting element portion 232B can be formed. A region that emits light can be secured. According to this, the light emitting device according to the second modification can further simplify the manufacturing process.
  • FIG. 16 is a vertical sectional view showing the pixel electrode 231 of the light emitting device, the light emitting element portion 232, the common electrode 233C, the electrode connecting portion 241 and the contact portion 235 of the light emitting device according to the third modification.
  • the common electrode 233C is made of a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni, and is a part of the surface of the second light emitting element portion 232B and the second light emitting element. It may be provided on both sides of the portion 232B.
  • the light emitting device according to the third modification can further reduce the contact resistance between the second light emitting element unit 232B and the common electrode 233.
  • FIG. 17 is a vertical cross-sectional view illustrating the overall configuration of the light emitting device according to the present embodiment.
  • the light emitting device 3 includes, for example, a first light emitting element unit 322A and a second light emitting element unit 322B (both are collectively referred to as a light emitting element unit 332) and a pixel electrode 331.
  • a common electrode 333, an electrode connecting portion 334, a contact portion 335, a light shielding portion 341, an insulating layer 340, and a phosphor layer 351 are provided.
  • the light emitting element portion 332, the pixel electrode 331, the common electrode 333, the electrode connecting portion 334, the contact portion 335, the light shielding portion 341, the insulating layer 340, and the phosphor layer 351 are described in the light emitting device 1 according to the first embodiment. It is substantially the same as the light emitting element unit 132, the pixel electrode 131, the common electrode 133, the electrode connection unit 134, the contact unit 135, the light shielding unit 141, the insulating layer 140, and the phosphor layer 151 described above.
  • the light emitting element unit 332 is provided in an island-like structure in which each pixel is separated from each other, so that the light emitting device 3 is provided between the pixels. It is possible to suppress the leakage of light.
  • the common electrode 333 and the electrode connecting portion 334 connect adjacent pixels with a transparent conductive material, so that the adjacent pixels are adjacent to each other. It is possible to cause light leakage between them.
  • the electrode connecting portion 334 by providing the electrode connecting portion 334 with a light absorbing portion described later, it is possible to further suppress the leakage of light between adjacent pixels via the electrode connecting portion 334. Details of the electrode connecting portion 334 and the light absorbing portion will be described later with reference to FIG.
  • FIG. 18 is a plan view showing the common electrode 333 and the electrode connection portion 334 extracted.
  • the common electrode 333 and the electrode connection portion 334 are the same material and the same in a single-layer structure of a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, SnO, or TiO, or a laminated structure of a plurality of layers. It is provided integrally in one layer.
  • the electrode connecting portion 334 may be provided so as to have a comb-shaped planar shape by being electrically connected to the common electrode 333 of each pixel from the same direction side on the plane.
  • a light absorbing portion 336 made of a material having a higher light absorption rate than the transparent conductive material constituting the electrode connecting portion 334 is provided.
  • the material constituting the light absorption unit 336 is not particularly limited as long as it is a material having light absorption characteristics, and is a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni, carbon, or the like. It may be an organic material of. Since the light absorbing portion 336 is included inside the electrode connecting portion 334, when the light propagating inside the electrode connecting portion 334 is reflected, the light can be attenuated based on the light absorption rate.
  • the shape and arrangement of the light absorption unit 336 may be any shape and arrangement.
  • the light absorption unit 336 is provided with a plurality of slit shapes extending in the same direction. May be done. By arranging the slit-shaped light absorbing portions 336 in the direction orthogonal to the extending method, the light propagating inside the electrode connecting portion 334 can be attenuated more efficiently.
  • the light emitting device 3 by providing the light absorption unit 336 inside the electrode connection unit 334, it is possible to prevent light from leaking to adjacent pixels by using the electrode connection unit 334 as a propagation path. can.
  • (First manufacturing method) 19A to 19G are vertical cross-sectional views showing one step of the first manufacturing method of the light emitting device 3 according to the present embodiment.
  • the first manufacturing method is a method in which the electrode connecting portion 334 is first formed and then the light absorbing portion 336 is formed.
  • a light emitting device portion 332 is formed by epitaxially growing a III-V compound semiconductor on a crystal growth substrate 360 such as Si or sapphire.
  • the light emitting device unit 332 is formed by sequentially stacking III-V compound semiconductors in the order of, for example, p-GaN, p-AlGaN, multiple quantum well structures (MQWs), n-GaN, and u-GaN. May be good.
  • a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, SnO, or TIO is formed on the light emitting element portion 332 to form an electrode connecting portion 334 and a common electrode 333 (FIG. 19B). Not shown).
  • a patterned resist 370 is formed on the electrode connection portion 334 by using lithography.
  • the opening portion 336H is formed by performing dry etching or wet etching using the resist 370 as a mask.
  • the opening 336H is provided to form the light absorbing portion 336 in the subsequent process.
  • the resist 370 is removed from the electrode connection portion 334.
  • the light absorption portion 336 is formed by forming a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni so as to embed the opening 336H.
  • the light absorbing portion 336 formed on the electrode connecting portion 334 is removed by CMP (Chemical Mechanical Polishing) or dry etching to connect the electrode including the light absorbing portion 336 inside.
  • the portion 334 can be formed.
  • (Second manufacturing method) 20A and 20B are vertical cross-sectional views showing one step of the second manufacturing method of the light emitting device 3 according to the present embodiment.
  • the second manufacturing method is a method in which the light absorbing portion 336 is first formed and then the electrode connecting portion 334 is formed.
  • the light emitting device portion 332 is formed by epitaxially growing a III-V compound semiconductor on the crystal growth substrate 360.
  • a metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni is formed on the light emitting element unit 332 and patterned by lithography or the like to form a light absorption unit 336. To form.
  • the electrode connecting portion 334 and the electrode connecting portion 334 are formed by forming a transparent conductive material such as ITO, IZO, ZnO, SnO, or TiO on the light absorbing portion 336 and the light emitting element portion 332.
  • a common electrode 333 (not shown) is formed.
  • the electrode connecting portion 334 formed on the light absorbing portion 336 is removed by CMP (Chemical Mechanical Polishing) or dry etching to remove the electrode connecting portion 336 including the light absorbing portion 336 inside. 334 can be formed.
  • FIG. 21 is a plan view showing the plan shape of the common electrode 333, the electrode connecting portion 334, and the light absorbing portion 336A of the light emitting device according to the first modification.
  • the light absorption unit 336A may be provided at the connection portion between the common electrode 333 and the electrode connection portion 334. In such a case, the propagation of light from the common electrode 333 to the electrode connection portion 334 is blocked by the light absorption unit 336A, so that the light emitting device 3 leaks light between the pixels via the electrode connection portion 334. It is possible to prevent crowding.
  • the light absorption unit 336A is provided with a conductive metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni.
  • FIG. 22 is a plan view showing the plan shape of the common electrode 333, the electrode connecting portion 334, and the light absorbing portion 336B of the light emitting device according to the second modification.
  • the light absorption unit 336B may be provided so as to spread over the entire electrode connection unit 334.
  • the light propagating from the common electrode 333 is absorbed by the electrode connecting portion 334 (that is, the light absorbing portion 336B), so that the light emitting device 3 has the light between the pixels via the electrode connecting portion 334. Leakage can be prevented.
  • the light absorption unit 336B is provided with a conductive metal material such as W, Ti, TiN, Cu, Al, or Ni.
  • FIG. 23 is a plan view showing the plan shape of the common electrode 333, the electrode connecting portion 334, and the light absorbing portion 336C of the light emitting device according to the third modification.
  • the light absorption unit 336C may be provided in an island-shaped slit shape.
  • the light absorption unit 336C may be provided at the connection portion between the common electrode 333 and the electrode connection portion 334 in the shape of a plurality of island-shaped slits extending in the same direction.
  • the light absorption unit 336C can attenuate the light propagating from the common electrode 333 to the electrode connection unit 334 by reflection, so that the light emitting device 3 uses the light between the pixels via the electrode connection unit 334. Can be prevented from leaking.
  • the electrode connection unit 334 can be electrically connected without interrupting the adjacent common electrode 333. According to this, the electrode connecting portion 334 can prevent the interface between the common electrode 333 and the electrode connecting portion 334 that causes interface resistance and the light absorbing portion 336C from being generated in the middle of the conductive path.
  • FIG. 24 is a plan view showing the plan shape of the common electrode 333, the electrode connecting portion 334, and the light absorbing portion 336D of the light emitting device according to the fourth modification.
  • the light absorption unit 336D may be provided in an island-shaped dot shape.
  • the light absorption unit 336D may be provided on the electrode connection unit 334 in the shape of a plurality of island-shaped rectangular dots arranged in a staggered manner or the like. In such a case, the light absorption unit 336D can attenuate the light propagating from the common electrode 333 to the electrode connection unit 334 by reflection, so that the light emitting device 3 uses the light between the pixels via the electrode connection unit 334.
  • the electrode connection unit 334 can be electrically connected without interrupting the adjacent common electrode 333. According to this, the electrode connecting portion 334 can prevent the interface between the common electrode 333 and the electrode connecting portion 334 that causes interface resistance and the light absorbing portion 336D from being generated in the middle of the conductive path.
  • FIG. 25 is a plan view showing the plan shape of the common electrode 333, the electrode connecting portion 334, and the light absorbing portion 336E of the light emitting device according to the fifth modification.
  • the light absorption unit 336E may be provided in an island-shaped slit shape.
  • the light absorbing portion 336E may be provided in the electrode connecting portion 334 in the shape of a plurality of island-shaped slits extending in a plurality of directions.
  • the light emitting device 3 prevents the light from leaking between the pixels via the electrode connection unit 334. Can be prevented.
  • the electrode connection unit 334 can be electrically connected without interrupting the adjacent common electrode 333. According to this, the electrode connecting portion 334 can prevent the interface between the common electrode 333 and the electrode connecting portion 334 that causes interface resistance and the light absorbing portion 336E from being generated in the middle of the conductive path.
  • the light emitting devices 1, 2, and 3 according to the embodiment of the present disclosure can be applied to various display devices that display an image signal input from the outside or an image signal generated internally.
  • the light emitting devices 1, 2, and 3 according to the present embodiment can be applied to a television device, a digital camera, a notebook personal computer, a mobile phone, a smartphone, or the like.
  • FIG. 26 an example of application examples of the light emitting devices 1, 2 and 3 according to the present embodiment is shown.
  • FIG. 26 is a schematic view showing the appearance of a television device to which the light emitting devices 1, 2, and 3 according to the present embodiment are applied.
  • the television device 10 has, for example, an image display unit 11 including a front panel 12 and a filter glass 13.
  • the light emitting devices 1, 2, and 3 according to the present embodiment may be applied to the image display unit 11.
  • the technology according to the present disclosure may have the following configuration. According to the technique according to the present disclosure having the following configuration, the pixel electrode, the light emitting element portion, and the common electrode are separated from each other between adjacent pixels. Therefore, the light emitting device and the display device according to the present embodiment can suppress the leakage of light through the pixel electrode, the light emitting element unit, and the common electrode between adjacent pixels.
  • the effects exerted by the techniques according to the present disclosure are not necessarily limited to the effects described herein, and may be any of the effects described in the present disclosure.
  • the common electrode is provided on the side surface of the lowermost layer on the second surface side of the laminated structure of the light emitting element portion.
  • the common electrode is provided with a transparent conductive material and is provided.
  • the electrode connecting portion further includes a light absorbing portion provided of a material having a higher light absorption rate than the transparent conductive material.
  • the electrode connection portion is provided with the transparent conductive material and is provided with the transparent conductive material.
  • the light emitting device unit includes a III-V compound semiconductor.
  • a display device including an electrode connecting portion that electrically connects the common electrode provided for each pixel in a plane region different from the plane region provided with the light emitting element portion.

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Abstract

画素ごとに互いに分離されて設けられた発光素子部（１３２）と、発光素子部（１３２）の第１面側に前記画素ごとに設けられた画素電極（１３１）と、発光素子部（１３２）の前記第１面と反対の第２面側に、隣接する前記画素との間で互いに分離されて設けられた共通電極（１３３）と、前記画素ごとに設けられた共通電極（１３３）を、発光素子部（１３２）が設けられた平面領域と異なる平面領域にて電気的に接続する電極接続部（１３４）とを備える、発光装置。

Description

発光装置、及び表示装置
　本開示は、発光装置、及び表示装置に関する。
　電気エネルギーを光エネルギーに変換する発光素子（Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）は、応答速度が速く、かつ消費電力が低いため、表示装置などの光源として注目されている（例えば、特許文献１）。
　発光素子を用いた表示装置は、例えば、複数の画素に広がって発光素子が設けられた基板と、発光素子を駆動させる駆動回路が設けられた基板とを接合した後、発光素子の上に画素ごとに蛍光体又はカラーフィルタなどを設けることで製造される。
特開２０１８－１８２２８２号公報
　このような発光素子を用いた表示装置等の発光装置では、画素間でのクロストーク（すなわち、光の漏れ込み）をより低減することが望まれる。
　よって、隣接する画素間での光の漏れ込みをより低減することが可能な発光装置、及び表示装置を提供することが望ましい。
　本開示の一実施形態に係る発光装置は、画素ごとに互いに分離されて設けられた発光素子部と、前記発光素子部の第１面側に前記画素ごとに設けられた画素電極と、前記発光素子部の前記第１面と反対の第２面側に、隣接する前記画素との間で互いに分離されて設けられた共通電極と、前記画素ごとに設けられた前記共通電極を、前記発光素子部が設けられた平面領域と異なる平面領域にて電気的に接続する電極接続部とを備える。
　本開示の一実施形態に係る表示装置は、画素ごとに互いに分離されて設けられた発光素子部と、前記発光素子部の第１面側に前記画素ごとに設けられた画素電極と、前記発光素子部の前記第１面と反対の第２面側に、隣接する前記画素との間で互いに分離されて設けられた共通電極と、前記画素ごとに設けられた前記共通電極を、前記発光素子部が設けられた平面領域と異なる平面領域にて電気的に接続する電極接続部とを備える。
　本開示の一実施形態に係る発光装置、及び表示装置では、発光素子部は、画素ごとに互いに分離されて設けられ、画素電極は、発光素子部の第１面側に画素ごとに設けられ、共通電極は、発光素子部の第１面と反対の第２面側に、隣接する画素との間で互いに分離されて設けられ、共通電極は、発光素子部が設けられた平面領域と異なる平面領域に設けられた電極接続部にて電気的に接続される。これにより、例えば、本実施形態に係る発光装置、及び表示装置は、隣接する画素間で画素電極、発光素子部、及び共通電極を互いに分離することができる。
本開示の第１の実施形態に係る発光装置の全体構成を説明する縦断面図である。 画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した正投影図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態の第１の変形例に係る発光装置の共通電極及び電極接続部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第２の変形例に係る発光装置の共通電極及び電極接続部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第３の変形例に係る発光装置の共通電極及び電極接続部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第４の変形例に係る発光装置の共通電極及び電極接続部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第５の変形例に係る発光装置の画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した上面図である。 同実施形態の第６の変形例に係る画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した正投影図である。 本開示の第２の実施形態に係る発光装置の全体構成を説明する縦断面図である。 貫通ビア及び金属接合部と、各画素との平面での位置関係を示す平面図である。 画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した縦断面図である。 画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した上面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態の第１の変形例に係る発光装置の画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した縦断面図である。 同実施形態の第２の変形例に係る発光装置の画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した縦断面図である。 同実施形態の第３の変形例に係る発光装置の画素電極、発光素子部、共通電極、電極接続部、及びコンタクト部を抽出して示した縦断面図である。 本開示の第３の実施形態に係る発光装置の全体構成を説明する縦断面図である。 共通電極及び電極接続部を抽出して示した平面図である 同実施形態に係る発光装置の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第２の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態に係る発光装置の第２の製造方法の一工程を示す縦断面図である。 同実施形態の第１の変形例に係る発光装置の共通電極、電極接続部、及び光吸収部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第２の変形例に係る発光装置の共通電極、電極接続部、及び光吸収部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第３の変形例に係る発光装置の共通電極、電極接続部、及び光吸収部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第４の変形例に係る発光装置の共通電極、電極接続部、及び光吸収部の平面形状を示す平面図である。 同実施形態の第５の変形例に係る発光装置の共通電極、電極接続部、及び光吸収部の平面形状を示す平面図である。 本開示の一実施形態に係る発光装置が適用されるテレビジョン装置の外観を示す模式図である。
　以下、本開示における実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下で説明する実施形態は本開示の一具体例であって、本開示にかかる技術が以下の態様に限定されるわけではない。また、本開示の各構成要素の配置、寸法、及び寸法比等についても、各図に示す様態に限定されるわけではない。
　なお、説明は以下の順序で行う。
　１．第１の実施形態
　　１．１．全体構成
　　１．２．詳細構成
　　１．３．製造方法
　　１．４．変形例
　２．第２の実施形態
　　２．１．全体構成
　　２．２．詳細構成
　　２．３．製造方法
　　２．４．変形例
　３．第３の実施形態
　　３．１．全体構成
　　３．２．詳細構成
　　３．３．製造方法
　　３．４．変形例
　４．適用例
　＜１．第１の実施形態＞
　（１．１．全体構成）
　まず、図１を参照して、本開示の第１の実施形態に係る発光装置の全体構成について説明する。図１は、本実施形態に係る発光装置の全体構成を説明する縦断面図である。
　図１に示すように、本実施形態に係る発光装置１は、例えば、発光素子部１３２と、画素電極１３１と、共通電極１３３と、電極接続部１３４と、コンタクト部１３５と、遮光部１４１と、絶縁層１４０、１４２と、蛍光体層１５１と、画素分離層１５０と、保護層１５２と、貫通ビア１２３と、金属接合部１２２と、多層配線１２１と、層間絶縁層１２０と、駆動基板１１０とを備える。発光装置１は、例えば、画素ごとに分離された発光素子部１３２から発せられた光を蛍光体層１５１にて赤色光、緑色光、及び青色光に変換することでＲＧＢカラー表示を行う表示装置である。
　発光素子部１３２は、画素ごとに互いに分離されて設けられ、電界の印加によって自発光する化合物半導体層である。発光素子部１３２では、一方の電極から電子が注入され、他方の電極から正孔が注入される。注入された電子及び正孔は、発光素子部１３２の内部で結合することで、発光素子部１３２を構成する化合物半導体のバンドギャップの大きさに応じた光を放出する。
　具体的には、発光素子部１３２は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体の積層構造にて構成される。例えば、発光素子部１３２は、ｐ－ＧａＮ（ｐ型不純物がドープされたＧａＮ）、ｐ－ＡｌＧａＮ（ｐ型不純物がドープされたＡｌＧａＮ）、バンドギャップが小さい極薄層をバンドギャップが大きい層で挟み込んだ構造を多重に積層した多重量子井戸構造（Ｍｕｌｔｉ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｗｅｌｌｓ：ＭＱＷｓ）、ｎ－ＧａＮ（ｎ型不純物がドープされたＧａＮ）、及びｕ－ＧａＮ（アンドープのＧａＮ）の積層構造にて設けられてもよい。
　画素電極１３１は、画素ごとに独立した電位を印加することが可能な電極であり、発光素子部１３２の第１面側（図１に正対して下側）に画素ごとに設けられる。例えば、画素電極１３１は、Ｐｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、若しくはＡｕなどの金属材料、又はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、若しくはＺｎＯなどの透明導電性材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。
　共通電極１３３は、複数の画素に共通の電位を印加することが可能な電極であり、発光素子部１３２の第１面と反対の第２面側（図１に正対して上側）に複数の画素に亘って電気的に接続されて設けられる。例えば、共通電極１３３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、ＳｎＯ、又はＴｉＯなどの透明導電性材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。
　発光装置１では、発光素子部１３２に電界を印加する一方の電極（すなわち、共通電極１３３）を各画素で共通とすることで、発光素子部１３２と駆動基板１１０との電気的な接続の数を低減することができる。したがって、発光装置１は、画素の微細化を進めた場合であっても、より容易に発光素子部１３２と駆動基板１１０とを電気的に接続することが可能となる。
　ここで、共通電極１３３は、隣接する画素との間で互いに分離されて設けられる。各画素の共通電極１３３は、電極接続部１３４によって電気的に接続されることで、複数の画素に亘って共通の電位を印加することができる。
　電極接続部１３４は、発光素子部１３２が設けられた平面領域と異なる平面領域に設けられ、各画素の共通電極１３３を電気的に接続する。具体的には、電極接続部１３４は、発光素子部１３２が設けられた平面領域と異なる平面領域に張り出して設けられ、共通電極１３３と同一材料かつ同一層で一体化して設けられてもよい。電極接続部１３４の詳細については、図２を参照して後述する。
　コンタクト部１３５は、電極接続部１３４に対して画素電極１３１と同じ側となるように設けられる。コンタクト部１３５は、発光素子部１３２が設けられた領域から張り出す電極接続部１３４に設けられることにより、共通電極１３３に対して画素電極１３１と同じ側から電気的に接続することが可能である。例えば、コンタクト部１３５は、Ｐｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、若しくはＡｕなどの金属材料、又はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、若しくはＺｎＯなどの透明導電性材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。
　遮光部１４１は、遮光性材料によって設けられ、発光素子部１３２、画素電極１３１、共通電極１３３、電極接続部１３４、及びコンタクト部１３５の駆動基板１１０側を覆うように設けられる。遮光部１４１は、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、若しくはＮｉなどの金属材料、又はカーボンなどの有機材料にて設けられてもよい。
　具体的には、遮光部１４１は、発光素子部１３２に対して駆動基板１１０側を覆い、蛍光体層１５１側を開放するように設けられる。これによれば、遮光部１４１は、発光素子部１３２から発せられた光が駆動基板１１０側に進入することを抑制することができる。
　また、遮光部１４１は、各画素の発光素子部１３２の間を互いに離隔するように設けられる。発光装置１では、発光素子部１３２が画素ごとに分離されて設けられるため、各画素の発光素子部１３２の間に遮光部１４１を設けることが可能である。これによれば、発光装置１は、画素間での光の漏れ込みをより抑制することができる。
　絶縁層１４０、１４２は、絶縁性材料によって設けられ、発光素子部１３２、画素電極１３１、及び共通電極１３３の周囲を埋め込むように設けられる。絶縁層１４０、１４２は、発光素子部１３２、画素電極１３１、及び共通電極１３３を画素ごとに電気的に絶縁することで、発光素子部１３２が画素ごとに駆動することを可能とする。絶縁層１４０、１４２は、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、又はＡｌ２Ｏ３などの絶縁性の酸窒化物にて設けられてもよい。
　蛍光体層１５１は、発光素子部１３２から放出された光の色を変換する光変換物質を含む。蛍光体層１５１は、例えば、各画素の発光素子部１３２に対応して、遮光部１４１にて覆われていない側に設けられる。蛍光体層１５１は、例えば、発光素子部１３２から発せられた青色光を赤色光及び緑色光にそれぞれ変換することで、発光装置１が赤色、緑色、及び青色の三原色の光を発することができるようにしてもよい。または、蛍光体層１５１は、発光素子部１３２から発せられた白色光を青色光、赤色光、及び緑色光にそれぞれ変換することで、発光装置１が赤色、緑色、及び青色の三原色の光を発することができるようにしてもよい。蛍光体層１５１は、例えば、光変換物質として、無機蛍光材料、有機蛍光材料、又は量子ドットなどを含んでもよい。
　画素分離層１５０は、画素間での光変換物質の混合を防止するために、蛍光体層１５１の間に蛍光体層１５１を画素ごとに離隔するように設けられる。画素分離層１５０は、画素間での混色を抑制するために、遮光性を有する（又は透明ではない）材料で構成されてもよい。
　保護層１５２は、蛍光体層１５１等を外部環境から保護する層であり、蛍光体層１５１に対して発光素子部１３２が設けられた側と反対側に設けられる。保護層１５２は、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、又はＡｌ２Ｏ３などの光透過性を有する絶縁性材料の１種からなる単層膜、又はこれら２種以上からなる積層膜として設けられてもよい。または、保護層１５２は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、若しくはサファイアガラスなどの光透過性を有する無機材料、又はアクリル樹脂などの光透過性を有する有機材料にて設けられてもよい。
　貫通ビア１２３は、導電性材料によって設けられ、画素電極１３１又はコンタクト部１３５から駆動基板１１０に向かって延在して設けられる。貫通ビア１２３は、画素電極１３１又はコンタクト部１３５と、絶縁層１４０及び層間絶縁層１２０の界面に設けられた金属接合部１２２とを電気的に接続することができる。例えば、貫通ビア１２３は、Ｐｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。
　金属接合部１２２は、Ｃｕなどの金属によって設けられ、絶縁層１４０及び層間絶縁層１２０の界面に設けられる。具体的には、金属接合部１２２は、発光素子部１３２が設けられた絶縁層１４０と、駆動基板１１０が積層された層間絶縁層１２０とを貼り合わせる際に、絶縁層１４０から露出する電極と、層間絶縁層１２０から露出する電極とを接合することで設けられる。金属接合部１２２は、絶縁層１４０に設けられた貫通ビア１２３と、層間絶縁層１２０に設けられた多層配線１２１とを電気的に接続することができる。これによれば、発光装置１は、金属接合部１２２のような単純な構造で貫通ビア１２３と、多層配線１２１とを電気的に接続することができるため、配線構造をより単純化することができる。
　多層配線１２１は、導電性材料によって設けられ、層間絶縁層１２０の内部に複数層に亘って設けられた配線である。多層配線１２１は、絶縁層１４０及び層間絶縁層１２０の界面に設けられた金属接合部１２２と、駆動基板１１０に設けられた各素子とを電気的に接続することができる。多層配線１２１は、例えば、Ｐｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。
　層間絶縁層１２０は、絶縁性材料によって設けられ、多層配線１２１の各配線を互いに電気的に分離する。層間絶縁層１２０は、例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、又はＡｌ２Ｏ３などの絶縁性の酸窒化物にて設けられてもよい。
　駆動基板１１０は、各画素の発光素子部１３２をそれぞれ駆動させる回路を含む。駆動基板１１０は、例えば、Ｓｉなどで構成された半導体基板であってもよく、ＰＣＢ（Ｐｏｌｙ　Ｃｈｌｏｒｉｎａｔｅｄ　Ｂｉｐｈｅｎｙｌ）などで構成された樹脂基板であってもよい。
　例えば、駆動基板１１０は、発光素子部１３２を画素ごとに個別に駆動させる画素回路と、各画素を垂直方向又は水平方向に走査する共通回路とを含んでもよい。画素回路は、複数のＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｉｅｌｄ－Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含み、画素ごとに設けられる。画素回路は、例えば、共通電極１３３と電気的に接続されたコンタクト部１３５、及び各画素の画素電極１３１と電気的に接続される。共通回路は、互いに直交する垂直駆動線及び水平駆動線の各々を順次走査する垂直駆動回路及び水平駆動回路を含む。垂直駆動線及び水平駆動線の各々の交点に、画素の各々と対応しており、発光装置１は、共通回路に含まれる垂直駆動線及び水平駆動線を順次駆動させることで、画素の各々を駆動させることができる。
　（１．２．詳細構成）
　続いて、図２を参照して、本実施形態に係る発光装置１の詳細構成について説明する。図２は、画素電極１３１、発光素子部１３２、共通電極１３３、電極接続部１３４、及びコンタクト部１３５を抽出して示した正投影図である。
　図２に示すように、共通電極１３３、第２発光素子部１３２Ｂ、第１発光素子部１３２Ａ、及び画素電極１３１は、順に積層されて設けられる。第１発光素子部１３２Ａは、例えば、ｐ－ＧａＮ、ｐ－ＡｌＧａＮ、及び多重量子井戸構造（ＭＱＷｓ）の積層構造に対応し、第２発光素子部１３２Ｂは、例えば、ｎ－ＧａＮ、及びｕ－ＧａＮの積層構造に対応する。第１発光素子部１３２Ａ及び第２発光素子部１３２Ｂにて発光素子部１３２が構成される。
　ここで、第２発光素子部１３２Ｂ、第１発光素子部１３２Ａ、及び画素電極１３１は、画素ごとに互いに分離された島状形状にて設けられ、共通電極１３３は、隣接する画素との間で互いに分離されて設けられる。各画素の共通電極１３３は、第１発光素子部１３２Ａ及び第２発光素子部１３２Ｂが設けられた領域から張り出して設けられた電極接続部１３４にて電気的に接続される。なお、第１発光素子部１３２Ａ及び第２発光素子部１３２Ｂが設けられた領域から張り出して設けられた電極接続部１３４には、共通電極１３３との電気的な接点となるコンタクト部１３５がさらに設けられる。
　電極接続部１３４は、共通電極１３３と連続した層として共通電極１３３と同一材料で一体化して設けられてもよい。すなわち、電極接続部１３４は、共通電極１３３と同様に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、又はＴｉＯの透明導電性材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。また、電極接続部１３４は、各画素の共通電極１３３と平面上の同一方向側から電気的に接続されていてもよい。このような場合、電極接続部１３４、及び各画素の共通電極１３３は、櫛歯状の平面形状となるように設けられる。
　電極接続部１３４が共通電極１３３と連続した層として設けられる場合、電極接続部１３４及び共通電極１３３は、同時に成膜及び形状加工されることにより、工程数を削減することができる。また、電極接続部１３４は、形状加工によって光の伝搬経路を制限することできるため、共通電極１３３及び電極接続部１３４を介した画素間での光の漏れ込みをさらに抑制することも可能である。さらに、空気（屈折率１．０）－ＩＴＯ（屈折率約２．０）間の屈折率差は、空気（屈折率１．０）－ＧａＮ（屈折率約２．５）間の屈折率差よりも小さいため、電極接続部１３４が共通電極１３３と同一の透明導電性材料にて設けられる場合、電極接続部１３４は、空気との境界における反射を抑制することで、電極接続部１３４を介した画素間での光の漏れ込みをさらに抑制することも可能である。
　本実施形態に係る発光装置１は、発光素子部１３２を画素ごとに互いに分離された島状構造にて設けることにより、発光素子部１３２が複数の画素に広がった構造にて設けられた場合と比較して、画素間での光の漏れ込みを抑制することができる。また、発光装置１では、各画素で共通の電位が供給される共通電極１３３は、画素間で互いに分離されており、発光素子部１３２が設けられた領域から張り出して設けられた電極接続部１３４にて電気的に接続される。これによれば、共通電極１３３は、共通電極１３３を介した画素間での光の漏れ込みを抑制することができる。
　（１．３．製造方法）
　次に、図３Ａ～図３Ｕを参照して、本実施形態に係る発光装置１の製造方法について説明する。図３Ａ～図３Ｕは、本実施形態に係る発光装置１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。
　まず、図３Ａに示すように、Ｓｉ又はサファイア等の結晶成長基板１６０の上にＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させることで、発光素子部１３２を形成する。発光素子部１３２は、例えば、ｐ－ＧａＮ、ｐ－ＡｌＧａＮ、多重量子井戸構造（ＭＱＷｓ）、ｎ－ＧａＮ、及びｕ－ＧａＮの順でＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を順次積層することで形成されてもよい。
　続いて、図３Ｂに示すように、発光素子部１３２の上にＳｉＯｘなどを成膜することで酸化膜１４０Ａを形成する。酸化膜１４０Ａは、例えば、後段の工程で発光素子部１３２に支持基板１６１を接合させるために設けられる。
　次に、図３Ｃに示すように、酸化膜１４０Ａに支持基板１６１を接合する。支持基板１６１は、例えば、Ｓｉ基板などを用いることができる。なお、図３Ｃでは、図３Ｂに対して上下が反転している。
　その後、図３Ｄに示すように、発光素子部１３２から結晶成長基板１６０を除去する。具体的には、結晶成長基板１６０は、グラインダーによる研削、又はウェットエッチングなどを用いることで、発光素子部１３２から除去され得る。また、結晶成長基板１６０は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）又はドライエッチングなどを用いることで、発光素子部１３２から除去されてもよい。
　続いて、図３Ｅに示すように、発光素子部１３２の上にＩＴＯなどの透明導電性材料を成膜することで、電極接続部１３４を含む共通電極１３３を形成する。
　次に、図３Ｆに示すように、共通電極１３３の上にＳｉＯｘを成膜することで絶縁層１４２を形成する。
　その後、図３Ｇに示すように、絶縁層１４２に支持基板１６２を接合する。支持基板１６２は、例えば、Ｓｉ基板などを用いることができる。なお、図３Ｇでは、図３Ｆに対して上下が反転している。
　続いて、図３Ｈに示すように、酸化膜１４０Ａの上から支持基板１６１を除去する。例えば、グラインダーによる研削、又はウェットエッチングなどを用いることで、酸化膜１４０Ａの上から支持基板１６１を除去することができる。
　次に、図３Ｉに示すように、リソグラフィ及びエッチングを用いて酸化膜１４０Ａをパターニングすることで、酸化膜１４０Ａに開口部１３１Ｈを形成する。開口部１３１Ｈは、後段の工程にて画素電極１３１を形成するために設けられる。
　その後、図３Ｊに示すように、開口部１３１Ｈを埋め込むようにＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料を成膜することで、画素電極１３１を形成する。
　続いて、図３Ｋに示すように、リソグラフィ及びエッチングを用いて酸化膜１４０Ａ及び発光素子部１３２をパターニングすることで、画素電極１３１を形成した領域と別の領域の酸化膜１４０Ａ及び発光素子部１３２に開口部１３５Ｈを形成する。開口部１３５Ｈは、後段の工程にてコンタクト部１３５を形成するために設けられ、開口部１３５Ｈにて露出された透明導電性材料が電極接続部１３４となる。
　次に、図３Ｌに示すように、開口部１３５Ｈの内部の電極接続部１３４の上にＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料を成膜することで、コンタクト部１３５を形成する。
　その後、図３Ｍに示すように、リソグラフィ及びエッチングを用いて酸化膜１４０Ａ、発光素子部１３２、共通電極１３３、及び絶縁層１４２をパターニングすることで、発光素子部１３２を画素ごとに互いに分離する開口部１３０Ｈを形成する。このとき、開口部１３０Ｈは、発光素子部１３２が画素ごとに互いに分離されつつ、各画素の共通電極１３３が電極接続部１３４にて電気的に接続されるように形成される。
　続いて、図３Ｎに示すように、各画素を埋め込むように絶縁層１４０及び遮光部１４１を形成する。絶縁層１４０は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いてＳｉＯｘなどを成膜することで設けられる。また、遮光部１４１は、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの金属材料を画素電極１３１及びコンタクト部１３５の上を除いて成膜することで設けられる。
　次に、図３Ｏに示すように、リソグラフィ及びエッチングを用いて絶縁層１４０をパターニングすることで、画素電極１３１及びコンタクト部１３５に対応する領域の絶縁層１４０に開口部１２３Ｈを形成する。開口部１２３Ｈは、後段の工程にて、画素電極１３１及びコンタクト部１３５の各々と電気的に接続する貫通ビア１２３を形成するために設けられる。
　その後、図３Ｐに示すように、開口部１２３Ｈを埋め込むようにＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料を成膜することで、貫通ビア１２３を形成する。なお、貫通ビア１２３の上には、後段の工程にて金属接合部１２２となる電極が形成される。
　続いて、図３Ｑに示すように、図３Ａ～図３Ｐの工程で形成された積層構造体に対して、多層配線１２１を含む層間絶縁層１２０が積層された駆動基板１１０を貼り合わせる。具体的には、絶縁層１４０と、層間絶縁層１２０とが対向するように、図３Ａ～図３Ｐの工程で形成された積層構造体と、駆動基板１１０とを貼り合わせる。ここで、絶縁層１４０と、層間絶縁層１２０との界面では、互いに表面に露出された電極同士が接合されることで、金属接合部１２２が形成される。なお、図３Ｑでは、図３Ｐに対して上下が反転している。
　次に、図３Ｒに示すように、絶縁層１４２の上から支持基板１６２を除去する。例えば、グラインダーによる研削、又はウェットエッチングなどを用いることで、絶縁層１４２の上から支持基板１６２を除去することができる。
　その後、図３Ｓに示すように、遮光部１４１の一部が露出される程度まで絶縁層１４２を全体的にエッチングする。これによれば、発光装置１における光の射出面から発光素子部１３２までの距離をより短くすることができるため、発光素子部１３２からの光の取り出し効率をより高めることができる。
　続いて、図３Ｔに示すように、絶縁層１４２の上に蛍光体層１５１及び画素分離層１５０を形成する。蛍光体層１５１は、例えば、量子ドットなどで構成され、画素分離層１５０は、例えば、Ａｌなどで構成されてもよい。
　次に、図３Ｕに示すように、蛍光体層１５１及び画素分離層１５０の上に、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、又はＡｌ２Ｏ３などの光透過性の絶縁性材料を成膜することで、保護層１５２を形成する。
　以上の工程にて本実施形態に係る発光装置１を製造することができる。
　（１．４．変形例）
　続いて、図４～図９を参照して、本実施形態に係る発光装置１の第１～第６の変形例について説明する。
　（第１の変形例）
　図４は、第１の変形例に係る発光装置の共通電極１３３Ａ及び電極接続部１３４Ａの平面形状を示す平面図である。例えば、図４に示すように、電極接続部１３４は、６つの共通電極１３３を電気的に接続してもよい。
　すなわち、電極接続部１３４が電気的に接続する共通電極１３３の数は、図２に示す３つに限定されない。電極接続部１３４は、複数の共通電極１３３を電気的に接続していればよく、数は特に限定されない。
　（第２の変形例）
　図５は、第２の変形例に係る発光装置の共通電極１３３Ｂ及び電極接続部１３４Ｂの平面形状を示す平面図である。例えば、図５に示すように、共通電極１３３Ｂは、発光素子部１３２の第２面をすべて覆っていなくともよい。すなわち、共通電極１３３Ｂは、発光素子部１３２の第２面の一部にて発光素子部１３２に電界を印加していてもよい。
　（第３の変形例）
　図６は、第３の変形例に係る発光装置の共通電極１３３Ｃ及び電極接続部１３４Ｃの平面形状を示す平面図である。例えば、図６に示すように、共通電極１３３Ｃが発光素子部１３２の第２面をすべて覆っていない場合、共通電極１３３Ｃ及び電極接続部１３４Ｃは、透明導電性材料以外のＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料で構成されてもよい。このような場合、発光素子部１３２は、共通電極１３３で覆われていない第２面から光を発することができる。
　（第４の変形例）
　図７は、第４の変形例に係る発光装置の共通電極１３３Ｄ及び電極接続部１３４Ｄの平面形状を示す平面図である。例えば、図７に示すように、共通電極１３３Ｄと電極接続部１３４Ｄとの接続部は形状加工されていてもよい。具体的には、共通電極１３３Ｄと電極接続部１３４Ｄとの接続部は、光の伝搬経路をより狭めるために括れた平面形状にて形成されていてもよい。これによれば、共通電極１３３Ｄ及び電極接続部１３４Ｄは、電極接続部１３４Ｄを介した画素間での光の漏れ込みをさらに抑制することができる。
　（第５の変形例）
　図８は、第５の変形例に係る発光装置の画素電極１３１、発光素子部１３２、共通電極１３３、電極接続部１３４、及びコンタクト部１３５を抽出して示した上面図である。図８に示すように、画素電極１３１及び発光素子部１３２を含む各画素と、各画素の共通電極１３３を電気的に接続する電極接続部１３４とは、行列状に配置されてもよい。すなわち、画素電極１３１及び発光素子部１３２を含む各画素は、任意の配置で設けられてもよく、各画素の共通電極１３３を電気的に接続する電極接続部１３４は、任意の形状にて設けられてもよい。なお、画素電極１３１及び発光素子部１３２を含む各画素は、正三角形の頂点配置であるデルタ配置にて設けられてもよい。
　（第６の変形例）
　図９は、第６の変形例に係る画素電極１３１、発光素子部１３２（第２発光素子部１３２Ｂ及び第１発光素子部１３２Ａ）、共通電極１３３、電極接続部１３４、及びコンタクト部１３５を抽出して示した正投影図である。図９に示すように、発光素子部１３２の積層構造は、図２で示した積層構造と逆順となっていてもよい。具体的には、発光素子部１３２は、共通電極１３３側から順に、ｐ－ＧａＮ、ｐ－ＡｌＧａＮ、及び多重量子井戸構造（ＭＱＷｓ）を積層した第１発光素子部１３２Ａと、ｎ－ＧａＮ、及びｕ－ＧａＮを積層した第２発光素子部１３２Ｂとによって構成されてもよい。
　＜２．第２の実施形態＞
　（２．１．全体構成）
　続いて、図１０を参照して、本開示の第２の実施形態に係る発光装置の全体構成について説明する。図１０は、本実施形態に係る発光装置の全体構成を説明する縦断面図である。
　図１０に示すように、本実施形態に係る発光装置２は、例えば、発光素子部２３２と、第１画素電極２３１Ａ及び第２画素電極２３１Ｂ（両者を合わせて画素電極２３１とも称する）と、共通電極２３３と、電極接続部２４１と、コンタクト部２３５と、絶縁層２４０と、蛍光体層２５１と、画素分離層２５０と、貫通ビア２２３と、金属接合部２２２と、多層配線２２１と、層間絶縁層２２０と、駆動基板２１０とを備える。
　発光素子部２３２、コンタクト部２３５、絶縁層２４０、蛍光体層２５１、画素分離層２５０、貫通ビア２２３、金属接合部２２２、多層配線２２１、層間絶縁層２２０、及び駆動基板２１０については、第１の実施形態に係る発光装置１にて説明した発光素子部１３２、コンタクト部１３５、絶縁層１４０、蛍光体層１５１、画素分離層１５０、貫通ビア１２３、金属接合部１２２、多層配線１２１、層間絶縁層１２０、及び駆動基板１１０と実質的に同様である。
　なお、貫通ビア２２３及び金属接合部２２２と、各画素Ｐとの平面での位置関係を図１１に示す。図１１は、貫通ビア２２３及び金属接合部２２２と、各画素Ｐとの平面での位置関係を示す平面図である。
　図１１に示すように、各画素Ｐは、例えば、赤色画素（Ｒ）、緑色画素（Ｇ）、及び青色画素（Ｂ）として矩形形状にて一方向に配列されて設けられてもよい。また、赤色画素（Ｒ）、緑色画素（Ｇ）、及び青色画素（Ｂ）の画素電極２３１と電気的に接続された貫通ビア２２３は、赤色画素（Ｒ）、緑色画素（Ｇ）、及び青色画素（Ｂ）が設けられた領域に行列状に配置された金属接合部２２２と電気的に接続されるように配置されてもよい。コンタクト部２３５と電気的に接続する貫通ビア２２３は、同様に、行列状に配置された金属接合部２２２と電気的に接続されるように配置されてもよい。これによれば、発光装置２は、貫通ビア２２３及び金属接合部２２２をより効率的に配置することができる。
　第１画素電極２３１Ａ及び第２画素電極２３１Ｂは、画素ごとに独立した電位を印加することが可能な画素電極を構成し、発光素子部２３２の第１面側（図１０に正対して下側）に画素ごとに設けられる。例えば、第１画素電極２３１Ａは、Ｐｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料で構成されてもよく、第２画素電極２３１Ｂは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、又はＴｉＯなどの透明導電性材料で構成されてもよい。
　共通電極２３３は、複数の画素に共通の電位を印加することが可能な電極であり、発光素子部２３２の第１面と反対の第２面側（図１０に正対して上側）の最上層の側面と電気的に接続されて設けられる。例えば、共通電極２３３は、Ｐｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。各画素の共通電極２３３は、電極接続部２４１によって電気的に接続されることで、複数の画素に亘って共通の電位を印加することができる。
　電極接続部２４１は、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの金属材料にて各画素の発光素子部２３２の周囲を囲むように設けられる。電極接続部２４１は、各画素の共通電極２３３、及び隣接する画素の周囲を囲む電極接続部２４１と電気的に接続されることにより、各画素の共通電極２３３を互いに電気的に接続することができる。
　また、電極接続部２４１は、共通電極２３３から第１画素電極２３１Ａまで延在する高さにて各画素の発光素子部２３２の周囲を囲むように設けられてもよい。これによれば、電極接続部２４１は、各画素の発光素子部２３２の間を遮光することできる。このような場合、電極接続部２４１は、第１の実施形態に係る発光装置１における遮光部１４１の機能を兼ねることができる。電極接続部２４１の詳細については、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して後述する。
　（２．２．詳細構成）
　次に、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照して、本実施形態に係る発光装置２の詳細構成について説明する。図１２Ａは、画素電極２３１、発光素子部２３２、共通電極２３３、電極接続部２４１、及びコンタクト部２３５を抽出して示した縦断面図である。図１２Ｂは、画素電極２３１、発光素子部２３２、共通電極２３３、電極接続部２４１、及びコンタクト部２３５を抽出して示した上面図である。
　図１２Ａ及び図１２Ｂに示すように、第２発光素子部２３２Ｂ、第１発光素子部２３２Ａ、及び画素電極２３１は、順に積層されて設けられる。第１発光素子部２３２Ａは、例えば、ｐ－ＧａＮ、ｐ－ＡｌＧａＮ、及び多重量子井戸構造（ＭＱＷｓ）の積層構造に対応し、第２発光素子部２３２Ｂは、例えば、ｎ－ＧａＮ、及びｕ－ＧａＮの積層構造に対応する。第１発光素子部２３２Ａ及び第２発光素子部２３２Ｂにて発光素子部２３２が構成される。第２発光素子部２３２Ｂの最下層のｕ－ＧａＮの側面には、共通電極２３３が設けられる。
　第２発光素子部２３２Ｂ、第１発光素子部２３２Ａ、及び画素電極２３１は、画素ごとに互いに分離された島状にて設けられ、電極接続部２４１は、第２発光素子部２３２Ｂ、第１発光素子部２３２Ａ、及び画素電極２３１の周囲を囲むように設けられる。電極接続部２４１は、第２発光素子部２３２Ｂの最下層の側面に設けられた共通電極２３３と電気的に接続しており、かつ各画素の発光素子部２３２の周囲を囲むように設けられた電極接続部２４１と電気的に接続している。これにより、電極接続部２４１は、各画素の共通電極２３３を電気的に接続することができる。なお、電極接続部２４１は、第１発光素子部２３２Ａ及び第２発光素子部２３２Ｂと互いに電気的に離隔されるように設けられる。
　また、電極接続部２４１は、遮光性を有する金属材料によって、第２発光素子部２３２Ｂ、第１発光素子部２３２Ａ、及び画素電極２３１の積層高さよりも高く設けられることで、各画素の発光素子部２３２の間で光の漏れ込みが生じることを抑制することができる。
　さらに、電極接続部２４１の上には、共通電極２３３との電気的な接点となるコンタクト部２３５が設けられる。これにより、コンタクト部２３５は、画素電極２３１と同じ側から貫通ビア２２３にて電気的に接続することが可能となる。コンタクト部２３５は、Ｐｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて構成されてもよい。
　本実施形態に係る発光装置２は、共通電極２３３を発光素子部２３２の側面に設けることにより、発光素子部２３２における発光面積率をより向上させることができる。また、発光装置２は、発光素子部２３２を画素ごとに互いに分離された島状構造にて設け、かつ各画素の発光素子部２３２の周囲を遮光部の機能を兼ねる電極接続部２４１にて囲むことにより、画素間での光の漏れ込みを抑制することができる。
　（２．３．製造方法）
　次に、図１３Ａ～図１３Ｖを参照して、本実施形態に係る発光装置２の製造方法について説明する。図１３Ａ～図１３Ｖは、本実施形態に係る発光装置２の製造方法の一工程を示す縦断面図である。
　まず、図１３Ａに示すように、Ｓｉ又はサファイア等の結晶成長基板２６０の上にＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させることで、発光素子部２３２を形成する。発光素子部２３２は、例えば、ｕ－ＧａＮ、ｎ－ＧａＮ、多重量子井戸構造（ＭＱＷｓ）、ｐ－ＡｌＧａＮ、及びｐ－ＧａＮの順でＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を順次積層することで形成されてもよい。
　続いて、図１３Ｂに示すように、発光素子部２３２の上にＩＴＯなどの透明導電性材料を成膜することで、第２画素電極２３１Ｂを形成する。
　次に、図１３Ｃに示すように、第２画素電極２３１Ｂの上にＳｉＯｘなどを成膜することで酸化膜２４０Ａを形成する。酸化膜２４０Ａは、例えば、後段の工程で発光素子部２３２に支持基板２６１を接合させるために設けられる。
　その後、図１３Ｄに示すように、酸化膜２４０Ａに支持基板２６１を接合する。支持基板２６１は、例えば、Ｓｉ基板などを用いることができる。なお、図１３Ｄでは、図１３Ｃに対して上下が反転している。
　続いて、図１３Ｅに示すように、発光素子部２３２から結晶成長基板２６０を除去する。具体的には、結晶成長基板２６０は、グラインダーによる研削、又はウェットエッチングなどを用いることで、発光素子部２３２から除去され得る。また、結晶成長基板２６０は、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）又はドライエッチングなどを用いることで、発光素子部２３２から除去されてもよい。
　次に、図１３Ｆに示すように、リソグラフィ及びエッチングを用いて発光素子部２３２をパターニングすることで、発光素子部２３２に開口部２３３Ｈを形成する。開口部２３３Ｈは、後段の工程にて共通電極２３３を形成するために設けられる。
　その後、図１３Ｇに示すように、開口部２３３Ｈを埋め込むようにＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料を成膜することで、共通電極２３３を形成する。
　続いて、図１３Ｈに示すように、発光素子部２３２及び共通電極２３３の上にＳｉＯｘなどを成膜することで絶縁層２４２を形成する。
　次に、図１３Ｉに示すように、絶縁層２４２に支持基板２６２を接合する。支持基板２６２は、例えば、Ｓｉ基板などを用いることができる。なお、図１３Ｉでは、図１３Ｈに対して上下が反転している。
　その後、図１３Ｊに示すように、酸化膜２４０Ａの上から支持基板２６１を除去する。例えば、グラインダーによる研削、又はウェットエッチングなどを用いることで、酸化膜２４０Ａの上から支持基板２６１を除去することができる。
　続いて、図１３Ｋに示すように、リソグラフィ及びエッチングを用いて酸化膜２４０Ａをパターニングすることで、酸化膜２４０Ａに開口部２３１Ｈを形成する。開口部２３１Ｈは、後段の工程にて第１画素電極２３１Ａを形成するために設けられる。
　その後、図１３Ｌに示すように、開口部２３１Ｈを埋め込むようにＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料を成膜することで、第１画素電極２３１Ａを形成する。
　続いて、図１３Ｍに示すように、第１画素電極２３１Ａの上にさらに酸化膜２４０Ａを成膜する。
　次に、図１３Ｎに示すように、リソグラフィ及びエッチングを用いて酸化膜２４０Ａ、第２画素電極２３１Ｂ、及び発光素子部２３２をパターニングすることで、発光素子部２３２を画素ごとに互いに分離する開口部２３０Ｈを形成する。このとき、開口部２３０Ｈは、共通電極２３３を露出させるように形成される。
　その後、図１３Ｏに示すように、開口部２３０Ｈの内部の側面にＳｉＯｘなどを成膜することでサイドウォール２４０Ｂを形成する。サイドウォール２４０Ｂは、開口部２３０Ｈの内部に形成される電極接続部２４１と発光素子部２３２とを電気的に絶縁するために設けられる。
　続いて、図１３Ｐに示すように、開口部２３０Ｈを埋め込むようにＷ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの遮光性を有する金属材料を成膜することで、電極接続部２４１を形成する。
　次に、図１３Ｑに示すように、各画素を埋め込むように絶縁層２４０を形成する。絶縁層２４０は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などを用いてＳｉＯｘなどを成膜することで設けられる。また、電極接続部２４１の上にＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料を成膜することで、コンタクト部２３５を形成する。
　その後、図１３Ｒに示すように、さらに絶縁層２４０を成膜することで表面を平坦化する。なお、絶縁層２４０の表面の平坦化は、ＣＭＰ又はエッチバックを用いることで行われてもよい。
　続いて、図１３Ｓに示すように、第１画素電極２３１Ａ及びコンタクト部２３５と電気的に接続する貫通ビア２２３を形成する。具体的には、リソグラフィ及びエッチングを用いて絶縁層２４０をパターニングすることで、第１画素電極２３１Ａ及びコンタクト部２３５に対応する領域の絶縁層２４０に開口部を形成する。形成された開口部を埋め込むようにＰｄ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｎｉ、又はＡｕなどの金属材料を成膜することで、貫通ビア２２３を形成する。なお、貫通ビア２２３の上には、後段の工程にて金属接合部２２２となる電極が形成される。
　次に、図１３Ｔに示すように、図１３Ａ～図１３Ｓの工程で形成された積層構造体に対して、多層配線２２１を含む層間絶縁層２２０が積層された駆動基板２１０を貼り合わせる。具体的には、絶縁層２４０と、層間絶縁層２２０とが対向するように、図１３Ａ～図１３Ｓの工程で形成された積層構造体と、駆動基板２１０とを貼り合わせる。ここで、絶縁層２４０と、層間絶縁層２２０との界面では、互いに表面に露出された電極同士が接合されることで、金属接合部２２２が形成される。なお、図１３Ｔでは、図１３Ｓに対して上下が反転している。
　その後、図１３Ｕに示すように、発光素子部２３２及び共通電極２３３の上から支持基板２６２及び絶縁層２４２を除去する。例えば、グラインダーによる研削、又はウェットエッチングなどを用いることで、発光素子部２３２及び共通電極２３３の上から支持基板２６２を除去することができる。
　続いて、図１３Ｖに示すように、発光素子部２３２及び共通電極２３３の上に蛍光体層２５１及び画素分離層２５０を形成する。蛍光体層２５１は、例えば、量子ドットなどで構成され、画素分離層２５０は、例えば、Ａｌなどで構成されてもよい。
　以上の工程にて本実施形態に係る発光装置２を製造することができる。
　（２．４．変形例）
　続いて、図１４～図１６を参照して、本実施形態に係る発光装置２の第１～第３の変形例について説明する。
　（第１の変形例）
　図１４は、第１の変形例に係る発光装置の画素電極２３１、発光素子部２３２、共通電極２３３Ａ、電極接続部２４１、及びコンタクト部２３５を抽出して示した縦断面図である。例えば、図１４に示すように、共通電極２３３Ａは、第２発光素子部２３２Ｂの表面に透明電極として設けられてもよい。具体的には、共通電極２３３Ａは、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、又はＴｉＯなどの透明導電性材料にて第２発光素子部２３２Ｂから張り出すように設けられることで、電極接続部２４１と電気的に接続してもよい。これによれば、第１の変形例に係る発光装置は、製造工程をより簡略化することが可能である。
　（第２の変形例）
　図１５は、第２の変形例に係る発光装置の画素電極２３１、発光素子部２３２、共通電極２３３Ｂ、電極接続部２４１、及びコンタクト部２３５を抽出して示した縦断面図である。例えば、図１５に示すように、共通電極２３３Ｂは、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの金属材料にて第２発光素子部２３２Ｂの表面の一部領域に設けられてもよい。このような場合、第２発光素子部２３２Ｂの表面のうち共通電極２３３Ｂが設けられない領域を透明な絶縁層２４２にて覆うことで、第１発光素子部２３２Ａ及び第２発光素子部２３２Ｂは、光を放出する領域を確保することができる。これによれば、第２の変形例に係る発光装置は、製造工程をより簡略化することが可能である。
　（第３の変形例）
　図１６は、第３の変形例に係る発光装置の画素電極２３１、発光素子部２３２、共通電極２３３Ｃ、電極接続部２４１、及びコンタクト部２３５を抽出して示した縦断面図である。例えば、図１６に示すように、共通電極２３３Ｃは、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの金属材料にて第２発光素子部２３２Ｂの表面の一部領域、及び第２発光素子部２３２Ｂの側面の両方に設けられてもよい。このような場合、第２発光素子部２３２Ｂの表面のうち共通電極２３３Ｃが設けられない領域を透明な絶縁層２４２にて覆うことで、第１発光素子部２３２Ａ及び第２発光素子部２３２Ｂは、光を放出する領域を確保することができる。これによれば、第３の変形例に係る発光装置は、第２発光素子部２３２Ｂと共通電極２３３との間のコンタクト抵抗をより低減することができる。
　＜３．第３の実施形態＞
　（３．１．全体構成）
　次に、図１７を参照して、本開示の第３の実施形態に係る発光装置の全体構成について説明する。図１７は、本実施形態に係る発光装置の全体構成を説明する縦断面図である。
　図１７に示すように、本実施形態に係る発光装置３は、例えば、第１発光素子部３２２Ａ及び第２発光素子部３２２Ｂ（両者を合わせて発光素子部３３２とも称する）と、画素電極３３１と、共通電極３３３と、電極接続部３３４と、コンタクト部３３５と、遮光部３４１と、絶縁層３４０と、蛍光体層３５１とを備える。
　発光素子部３３２、画素電極３３１、共通電極３３３、電極接続部３３４、コンタクト部３３５、遮光部３４１、絶縁層３４０、及び蛍光体層３５１については、第１の実施形態に係る発光装置１にて説明した発光素子部１３２、画素電極１３１、共通電極１３３、電極接続部１３４、コンタクト部１３５、遮光部１４１、絶縁層１４０、及び蛍光体層１５１と実質的に同様である。
　したがって、本実施形態に係る発光装置３は、第１の実施形態に係る発光装置１と同様に、発光素子部３３２が画素ごとに互いに分離された島状構造にて設けられるため、画素間での光の漏れ込みを抑制することができる。しかしながら、共通電極３３３及び電極接続部３３４は、隣接する画素間を透明導電性材料にて接続しているため、共通電極３３３及び電極接続部３３４が光の伝搬経路となることで、隣接する画素間で光の漏れ込みを発生させる可能性があり得る。本実施形態に係る発光装置３は、電極接続部３３４に後述する光吸収部を設けることにより、隣接する画素間で電極接続部３３４を介して光が漏れ込むことをさらに抑制することができる。電極接続部３３４及び光吸収部の詳細については、図１８を参照して後述する。
　（３．２．詳細構成）
　続いて、図１８を参照して、本実施形態に係る発光装置３の詳細構成について説明する。図１８は、共通電極３３３及び電極接続部３３４を抽出して示した平面図である。
　図１８に示すように、共通電極３３３及び電極接続部３３４は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、又はＴｉＯなどの透明導電性材料の単層構造、又は複数層の積層構造にて同一材料かつ同一層で一体化して設けられる。電極接続部３３４は、各画素の共通電極３３３と平面上の同一方向側から電気的に接続されることで、櫛歯状の平面形状となるように設けられてもよい。
　ここで、電極接続部３３４の内部には、電極接続部３３４を構成する透明導電性材料よりも光の吸収率が高い材料で構成された光吸収部３３６が設けられる。具体的には、光吸収部３３６を構成する材料は、光の吸収特性を有する材料であれば特に限定されず、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、若しくはＮｉなどの金属材料、又はカーボンなどの有機材料であってもよい。光吸収部３３６は、電極接続部３３４の内部に含まれることにより、電極接続部３３４の内部を伝搬する光を反射する際に、光吸収率に基づいて光を減衰させることができる。
　光吸収部３３６の形状及び配置は、任意の形状及び配置であってもよいが、例えば、図１８に示すように、光吸収部３３６は、同一方向に延在する複数のスリット形状にて設けられてもよい。スリット形状の光吸収部３３６は、延在方法と直交する方向に配列されることで、電極接続部３３４の内部を伝搬する光をより効率的に減衰させることができる。
　よって、本実施形態に係る発光装置３は、電極接続部３３４の内部に光吸収部３３６を設けることにより、電極接続部３３４を伝搬経路として光が隣接する画素に漏れこむことを抑制することができる。
　（３．３．製造方法）
　次に、図１９Ａ～図２０Ｂを参照して、本実施形態に係る発光装置３の製造方法について説明する。以下では、光吸収部３３６を内部に含む電極接続部３３４の形成方法についてのみ説明する。本実施形態に係る発光装置３の製造方法のその他の工程については、第１の実施形態に係る発光装置１の製造方法と同様であるため、ここでの説明は省略する。
　（第１の製造方法）
　図１９Ａ～図１９Ｇは、本実施形態に係る発光装置３の第１の製造方法の一工程を示す縦断面図である。第１の製造方法は、電極接続部３３４を先に形成した後、光吸収部３３６を形成する方法である。
　まず、図１９Ａに示すように、Ｓｉ又はサファイア等の結晶成長基板３６０の上にＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させることで、発光素子部３３２を形成する。発光素子部３３２は、例えば、ｐ－ＧａＮ、ｐ－ＡｌＧａＮ、多重量子井戸構造（ＭＱＷｓ）、ｎ－ＧａＮ、及びｕ－ＧａＮの順でＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を順次積層することで形成されてもよい。
　続いて、図１９Ｂに示すように、発光素子部３３２の上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、又はＴｉＯなどの透明導電性材料を成膜することで、電極接続部３３４及び共通電極３３３（図示せず）を形成する。
　次に、図１９Ｃに示すように、リソグラフィを用いて、電極接続部３３４の上にパターニングされたレジスト３７０を形成する。
　その後、図１９Ｄに示すように、レジスト３７０をマスクとしてドライエッチング又はウェットエッチングを行うことで、電極接続部３３４の一部領域を除去し、開口部３３６Ｈを形成する。開口部３３６Ｈは、後段の工程にて光吸収部３３６を形成するために設けられる。
　続いて、図１９Ｅに示すように、電極接続部３３４からレジスト３７０を除去する。
　次に、図１９Ｆに示すように、開口部３３６Ｈを埋め込むようにＷ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの金属材料を成膜することで光吸収部３３６を形成する。
　その後、図１９Ｇに示すように、電極接続部３３４の上に形成された光吸収部３３６をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）又はドライエッチングなどで除去することで、光吸収部３３６を内部に含む電極接続部３３４を形成することができる。
　（第２の製造方法）
　図２０Ａ及び図２０Ｂは、本実施形態に係る発光装置３の第２の製造方法の一工程を示す縦断面図である。第２の製造方法は、光吸収部３３６を先に形成した後、電極接続部３３４を形成する方法である。
　まず、図１９Ａと同様に、結晶成長基板３６０の上にＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させることで、発光素子部３３２を形成する。
　続いて、図２０Ａに示すように、発光素子部３３２の上にＷ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの金属材料を成膜し、リソグラフィ等でパターニングすることで、光吸収部３３６を形成する。
　次に、図２０Ｂに示すように、光吸収部３３６及び発光素子部３３２の上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、又はＴｉＯなどの透明導電性材料を成膜することで、電極接続部３３４及び共通電極３３３（図示せず）を形成する。
　その後、図１９Ｇと同様に、光吸収部３３６の上に形成された電極接続部３３４をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）又はドライエッチングなどで除去することで、光吸収部３３６を内部に含む電極接続部３３４を形成することができる。
　（３．４．変形例）
　続いて、図２１～図２５を参照して、本実施形態に係る発光装置３の第１～第５の変形例について説明する。
　（第１の変形例）
　図２１は、第１の変形例に係る発光装置の共通電極３３３、電極接続部３３４、及び光吸収部３３６Ａの平面形状を示す平面図である。例えば、図２１に示すように、光吸収部３３６Ａは、共通電極３３３と、電極接続部３３４との接続部分に設けられていてもよい。このような場合、共通電極３３３から電極接続部３３４への光の伝搬は、光吸収部３３６Ａにて遮断されるため、発光装置３は、電極接続部３３４を介した画素間での光の漏れ込みを防止することができる。なお、第１の変形例では、光吸収部３３６Ａは、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの導電性を有する金属材料で設けられる。
　（第２の変形例）
　図２２は、第２の変形例に係る発光装置の共通電極３３３、電極接続部３３４、及び光吸収部３３６Ｂの平面形状を示す平面図である。例えば、図２２に示すように、光吸収部３３６Ｂは、電極接続部３３４の全体に広がって設けられてもよい。このような場合、共通電極３３３から伝搬する光は、電極接続部３３４（すなわち、光吸収部３３６Ｂ）で吸収されるため、発光装置３は、電極接続部３３４を介した画素間での光の漏れ込みを防止することができる。なお、第２の変形例では、光吸収部３３６Ｂは、Ｗ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｃｕ、Ａｌ、又はＮｉなどの導電性を有する金属材料で設けられる。
　（第３の変形例）
　図２３は、第３の変形例に係る発光装置の共通電極３３３、電極接続部３３４、及び光吸収部３３６Ｃの平面形状を示す平面図である。例えば、図２３に示すように、光吸収部３３６Ｃは、島状のスリット形状にて設けられてもよい。具体的には、光吸収部３３６Ｃは、同一方向に延在する複数の島状のスリット形状にて、共通電極３３３と、電極接続部３３４との接続部分に設けられてもよい。このような場合、光吸収部３３６Ｃは、共通電極３３３から電極接続部３３４へ伝搬する光を反射によって減衰させることができるため、発光装置３は、電極接続部３３４を介した画素間での光の漏れ込みを防止することができる。また、光吸収部３３６Ｃは、島状に設けられるため、電極接続部３３４は、隣接する共通電極３３３を途切れさせることなく電気的に接続することができる。これによれば、電極接続部３３４は、導電路の途中に、界面抵抗を生じさせる共通電極３３３及び電極接続部３３４と、光吸収部３３６Ｃとの界面が発生することを防止することができる。
　（第４の変形例）
　図２４は、第４の変形例に係る発光装置の共通電極３３３、電極接続部３３４、及び光吸収部３３６Ｄの平面形状を示す平面図である。例えば、図２４に示すように、光吸収部３３６Ｄは、島状のドット形状にて設けられてもよい。具体的には、光吸収部３３６Ｄは、互い違い等で配列された複数の島状の矩形ドット形状にて電極接続部３３４に設けられてもよい。このような場合、光吸収部３３６Ｄは、共通電極３３３から電極接続部３３４へ伝搬する光を反射によって減衰させることができるため、発光装置３は、電極接続部３３４を介した画素間での光の漏れ込みを防止することができる。また、光吸収部３３６Ｄは、島状に設けられるため、電極接続部３３４は、隣接する共通電極３３３を途切れさせることなく電気的に接続することができる。これによれば、電極接続部３３４は、導電路の途中に、界面抵抗を生じさせる共通電極３３３及び電極接続部３３４と、光吸収部３３６Ｄの界面が発生することを防止することができる。
　（第５の変形例）
　図２５は、第５の変形例に係る発光装置の共通電極３３３、電極接続部３３４、及び光吸収部３３６Ｅの平面形状を示す平面図である。例えば、図２５に示すように、光吸収部３３６Ｅは、島状のスリット形状にて設けられてもよい。具体的には、光吸収部３３６Ｅは、複数の方向に延在する複数の島状のスリット形状にて、電極接続部３３４に設けられてもよい。このような場合、光吸収部３３６Ｅは、電極接続部３３４へ伝搬した光を反射によって減衰させることができるため、発光装置３は、電極接続部３３４を介した画素間での光の漏れ込みを防止することができる。また、光吸収部３３６Ｅは、島状に設けられるため、電極接続部３３４は、隣接する共通電極３３３を途切れさせることなく電気的に接続することができる。これによれば、電極接続部３３４は、導電路の途中に、界面抵抗を生じさせる共通電極３３３及び電極接続部３３４と、光吸収部３３６Ｅとの界面が発生することを防止することができる。
　＜４．適用例＞
　本開示の一実施形態に係る発光装置１、２、３は、外部から入力された画像信号、又は内部にて生成された画像信号を表示する各種表示装置に適用することが可能である。例えば、本実施形態に係る発光装置１、２、３は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、又はスマートフォンなどに適用することが可能である。図２６を参照して、本実施形態に係る発光装置１、２、３の適用例の一例を示す。図２６は、本実施形態に係る発光装置１、２、３が適用されるテレビジョン装置の外観を示す模式図である。
　図２６に示すように、テレビジョン装置１０は、例えば、フロントパネル１２及びフィルタガラス１３を含む画像表示部１１を有する。本実施形態に係る発光装置１、２、３は、画像表示部１１に適用されてもよい。
　以上、第１～第３の実施形態、及び変形例を挙げて、本開示にかかる技術を説明した。ただし、本開示にかかる技術は、上記実施形態等に限定されるわけではなく、種々の変形が可能である。
　さらに、各実施形態で説明した構成および動作の全てが本開示の構成および動作として必須であるとは限らない。たとえば、各実施形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素は、任意の構成要素として理解されるべきである。
　本明細書および添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるとして記載された様態に限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するとして記載された様態に限定されない」と解釈されるべきである。
　本明細書で使用した用語には、単に説明の便宜のために用いており、構成及び動作を限定する目的で使用したわけではない用語が含まれる。たとえば、「右」、「左」、「上」、「下」などの用語は、参照している図面上での方向を示しているにすぎない。また、「内側」、「外側」という用語は、それぞれ、注目要素の中心に向かう方向、注目要素の中心から離れる方向を示しているにすぎない。これらに類似する用語や同様の趣旨の用語についても同様である。
　なお、本開示にかかる技術は、以下のような構成を取ることも可能である。以下の構成を備える本開示にかかる技術によれば、隣接する画素間で画素電極、発光素子部、及び共通電極が互いに分離されるようになる。よって、本実施形態に係る発光装置、及び表示装置は、隣接する画素間で画素電極、発光素子部、及び共通電極を介した光の漏れ込みが発生することを抑制することができる。本開示にかかる技術が奏する効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されるわけではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
（１）
　画素ごとに互いに分離されて設けられた発光素子部と、
　前記発光素子部の第１面側に前記画素ごとに設けられた画素電極と、
　前記発光素子部の前記第１面と反対の第２面側に、隣接する前記画素との間で互いに分離されて設けられた共通電極と、
　前記画素ごとに設けられた前記共通電極を、前記発光素子部が設けられた平面領域と異なる平面領域にて電気的に接続する電極接続部と
を備える、発光装置。
（２）
　前記共通電極及び前記電極接続部は、同一材料かつ同一層で一体化して設けられる、上記（１）に記載の発光装置。
（３）
　前記電極接続部は、前記画素ごとに設けられた前記共通電極と同一方向側から電気的に接続する、上記（２）に記載の発光装置。
（４）
　前記画素の各々の前記共通電極、及び前記電極接続部は、全体で櫛歯状形状となるように設けられる、上記（３）に記載の発光装置。
（５）
　前記電極接続部は、前記共通電極から前記画素電極まで延在する高さにて前記画素の各々の周囲を囲む平面形状にて設けられる、上記（１）に記載の発光装置。
（６）
　前記電極接続部は、前記発光素子部と互いに離隔されて設けられる、上記（５）に記載の発光装置。
（７）
　前記電極接続部は、遮光性材料で設けられる、上記（６）に記載の発光装置。
（８）
　前記共通電極は、前記発光素子部の積層構造の前記第２面側の最下層の側面に設けられる、上記（５）～（７）のいずれか一項に記載の発光装置。
（９）
　前記共通電極は、透明導電性材料で設けられ、
　前記電極接続部は、前記透明導電性材料よりも光吸収率が高い材料で設けられた光吸収部をさらに含む、上記（１）に記載の発光装置。
（１０）
　前記電極接続部は、前記透明導電性材料で設けられ、
　前記光吸収部は、前記電極接続部の内部に島状の平面形状にて設けられる、上記（９）に記載の発光装置。
（１１）
　前記光吸収部は、複数のドット状形状にて設けられる、上記（１０）に記載の発光装置。
（１２）
　前記光吸収部は、一方向に延在する、又は複数方向に延在する複数のスリット状形状にて設けられる、上記（１０）に記載の発光装置。
（１３）
　前記光吸収部は、金属材料で設けられる、上記（１０）～（１２）のいずれか一項に記載の発光装置。
（１４）
　前記電極接続部には、前記画素電極と同じ側から電気的に接続可能なコンタクト部がさらに設けられる、上記（１）～（１３）のいずれか一項に記載の発光装置。
（１５）
　前記共通電極は、透明導電性材料で設けられる、上記（１）～（１４）のいずれか一項に記載の発光装置。
（１６）
　前記発光素子部は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む、上記（１）～（１５）のいずれか一項に記載の発光装置。
（１７）
　画素ごとに互いに分離されて設けられた発光素子部と、
　前記発光素子部の第１面側に前記画素ごとに設けられた画素電極と、
　前記発光素子部の前記第１面と反対の第２面側に、隣接する前記画素との間で互いに分離されて設けられた共通電極と、
　前記画素ごとに設けられた前記共通電極を、前記発光素子部が設けられた平面領域と異なる平面領域にて電気的に接続する電極接続部と
を備える、表示装置。
　本出願は、日本国特許庁において２０２０年６月１６日に出願された日本特許出願番号２０２０－１０３８１５号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (17)

  1. 　画素ごとに互いに分離されて設けられた発光素子部と、
    　前記発光素子部の第１面側に前記画素ごとに設けられた画素電極と、
    　前記発光素子部の前記第１面と反対の第２面側に、隣接する前記画素との間で互いに分離されて設けられた共通電極と、
    　前記画素ごとに設けられた前記共通電極を、前記発光素子部が設けられた平面領域と異なる平面領域にて電気的に接続する電極接続部と
    　を備える、発光装置。
  2. 　前記共通電極及び前記電極接続部は、同一材料かつ同一層で一体化して設けられる、請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記電極接続部は、前記画素ごとに設けられた前記共通電極と同一方向側から電気的に接続する、請求項２に記載の発光装置。
  4. 　前記画素の各々の前記共通電極、及び前記電極接続部は、全体で櫛歯状形状となるように設けられる、請求項３に記載の発光装置。
  5. 　前記電極接続部は、前記共通電極から前記画素電極まで延在する高さにて前記画素の各々の周囲を囲む平面形状にて設けられる、請求項１に記載の発光装置。
  6. 　前記電極接続部は、前記発光素子部と互いに離隔されて設けられる、請求項５に記載の発光装置。
  7. 　前記電極接続部は、遮光性材料で設けられる、請求項６に記載の発光装置。
  8. 　前記共通電極は、前記発光素子部の積層構造の前記第２面側の最下層の側面に設けられる、請求項５に記載の発光装置。
  9. 　前記共通電極は、透明導電性材料で設けられ、
    　前記電極接続部は、前記透明導電性材料よりも光吸収率が高い材料で設けられた光吸収部をさらに含む、請求項１に記載の発光装置。
  10. 　前記電極接続部は、前記透明導電性材料で設けられ、
    　前記光吸収部は、前記電極接続部の内部に島状の平面形状にて設けられる、請求項９に記載の発光装置。
  11. 　前記光吸収部は、複数のドット状形状にて設けられる、請求項１０に記載の発光装置。
  12. 　前記光吸収部は、一方向に延在する、又は複数方向に延在する複数のスリット状形状にて設けられる、請求項１０に記載の発光装置。
  13. 　前記光吸収部は、金属材料で設けられる、請求項１０に記載の発光装置。
  14. 　前記電極接続部には、前記画素電極と同じ側から電気的に接続可能なコンタクト部がさらに設けられる、請求項１に記載の発光装置。
  15. 　前記共通電極は、透明導電性材料で設けられる、請求項１に記載の発光装置。
  16. 　前記発光素子部は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含む、請求項１に記載の発光装置。
  17. 　画素ごとに互いに分離されて設けられた発光素子部と、
    　前記発光素子部の第１面側に前記画素ごとに設けられた画素電極と、
    　前記発光素子部の前記第１面と反対の第２面側に、隣接する前記画素との間で互いに分離されて設けられた共通電極と、
    　前記画素ごとに設けられた前記共通電極を、前記発光素子部が設けられた平面領域と異なる平面領域にて電気的に接続する電極接続部と
    　を備える、表示装置。
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