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WO2021117581A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2021117581A1
WO2021117581A1 PCT/JP2020/044914 JP2020044914W WO2021117581A1 WO 2021117581 A1 WO2021117581 A1 WO 2021117581A1 JP 2020044914 W JP2020044914 W JP 2020044914W WO 2021117581 A1 WO2021117581 A1 WO 2021117581A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode fingers
layer
elastic wave
bus bar
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2020/044914
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
山本　浩司
克也 大門
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to CN202080080738.7A priority Critical patent/CN114731147A/zh
Publication of WO2021117581A1 publication Critical patent/WO2021117581A1/ja
Priority to US17/750,435 priority patent/US12388414B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02897—Means for compensation or elimination of undesirable effects of strain or mechanical damage, e.g. strain due to bending influence
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
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    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
    • H03H9/02866—Means for compensation or elimination of undesirable effects of bulk wave excitation and reflections

Definitions

  • the present invention generally relates to an elastic wave device, and more particularly to an elastic wave device including a piezoelectric layer.
  • each of the plurality of elastic wave resonators includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate and having a pair of comb-shaped electrodes facing each other. ..
  • Each of the pair of comb-shaped electrodes consists of a bus bar electrode arranged so as to extend in the elastic wave propagation direction, and a plurality of electrode fingers connected to the bus bar electrode and arranged so as to extend in the direction orthogonal to the elastic wave propagation direction.
  • the elastic wave filter device further includes a connection wiring for connecting the bus bar electrode of one elastic wave resonator and the bus bar electrode of another elastic wave resonator.
  • Patent Document 1 describes that the piezoelectric substrate may have a laminated structure in which a high sound velocity support substrate, a low sound velocity film, and a piezoelectric film (piezoelectric body layer) are laminated in this order.
  • the stress applied to the piezoelectric layer may increase due to the difference in linear expansion coefficient between the piezoelectric layer and the IDT electrode and the connecting wiring. .. Therefore, in the piezoelectric layer, a region overlapping the gap between the bus bar electrode of one elastic wave resonator and a plurality of electrode fingers in a plan view from the thickness direction of the high-frequency support substrate (support substrate), and , There was a concern that polarization reversal would occur in the region overlapping the gaps between the bus bar electrodes of other elastic wave resonators and the plurality of electrode fingers.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device capable of suppressing the occurrence of polarization reversal.
  • the elastic wave device includes a support substrate, a piezoelectric layer, a plurality of first electrode fingers, a plurality of second electrode fingers, a plurality of third electrode fingers, and a plurality of fourth electrode fingers.
  • a first bus bar, a connection portion, and a fourth bus bar are provided.
  • the piezoelectric layer is provided on the support substrate.
  • the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers are provided on the piezoelectric layer.
  • the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers are arranged apart from each other in the first direction intersecting in the thickness direction of the support substrate.
  • the plurality of third electrode fingers and the plurality of fourth electrode fingers are provided on the piezoelectric layer.
  • the plurality of third electrode fingers and the plurality of fourth electrode fingers are arranged apart from each other in a second direction intersecting the thickness direction of the support substrate.
  • the first bus bar is provided on the piezoelectric layer and is connected to one end of the plurality of first electrode fingers.
  • the connection includes a second bus bar and a third bus bar.
  • the second bus bar is provided on the piezoelectric layer and is connected to one end of the plurality of second electrode fingers.
  • the third bus bar is provided on the piezoelectric layer and is connected to one end of the plurality of third electrode fingers.
  • the fourth bus bar is provided on the piezoelectric layer and is connected to one end of the plurality of fourth electrode fingers.
  • the elastic wave device further includes a stress relaxation layer.
  • the stress relaxation layer is provided between the second connecting portion and the piezoelectric layer.
  • the second bus bar faces the other end of the plurality of first electrode fingers.
  • the third bus bar faces the other end of the plurality of fourth electrode fingers.
  • the stress relaxation layer has a gap between the plurality of first electrode fingers and the second bus bar, and the plurality of fourth electrode fingers and the third electrode finger in a plan view from the thickness direction of the support substrate. The gap between the busbar and the busbar has not been reached.
  • the elastic wave device can suppress the occurrence of polarization reversal.
  • FIG. 1A is a plan view of the elastic wave device according to the first embodiment.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1A with respect to the elastic wave device of the same.
  • FIG. 2 is a dimensional explanatory view of the elastic wave device of the same as above.
  • FIG. 3A is an explanatory diagram of the stress applied to the first main surface of the piezoelectric layer.
  • FIG. 3B is an explanatory diagram of the stress applied to the first main surface of the piezoelectric layer when the stress relaxation layer is not provided.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the elastic wave device according to the second embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the elastic wave device according to the third embodiment.
  • FIGS. 1A, 1B, 2, 3A, 3B, 4 and 5 referred to in the following embodiments 1 to 3 and the like are schematic views, and the ratios of the sizes and thicknesses of the respective components in the drawings. However, it does not always reflect the actual dimensional ratio.
  • the elastic wave device 1 includes a support substrate 2, a piezoelectric layer 5, a plurality of first electrode fingers 61, a plurality of second electrode fingers 62, a plurality of third electrode fingers 63, and a plurality of fourth electrode fingers 64.
  • a first connection unit 71, a second connection unit 72 (connection unit), and a third connection unit 73 are provided.
  • the plurality of first electrode fingers 61 and the plurality of second electrode fingers 62 are provided on the piezoelectric layer 5.
  • the plurality of third electrode fingers 63 and the plurality of fourth electrode fingers 64 are provided on the piezoelectric layer 5.
  • the first connecting portion 71 is provided on the piezoelectric layer 5.
  • the first connecting portion 71 includes a first bus bar 81 connected to one end 611 of a plurality of first electrode fingers 61.
  • the second connecting portion 72 is provided on the piezoelectric layer 5.
  • the second connecting portion 72 includes a second bus bar 82 and a third bus bar 83.
  • the second bus bar 82 is connected to one end 621 of the plurality of second electrode fingers 62 and faces the first bus bar 81 and the plurality of first electrode fingers 61.
  • the third bus bar 83 is connected to one end 631 of the plurality of third electrode fingers 63.
  • the third connection portion 73 is provided on the piezoelectric layer 5.
  • the third connection portion 73 includes a fourth bus bar 84.
  • the fourth bus bar 84 is connected to one end 641 of the plurality of fourth electrode fingers 64 and faces the third bus bar 83 and the plurality of third electrode fingers 63.
  • the elastic wave device 1 further includes a stress relaxation layer 9.
  • the stress relaxation layer 9 is provided between the second connecting portion 72 and the piezoelectric layer 5.
  • the first IDT (Interdigital Transducer) electrode 111 is composed of a plurality of first electrode fingers 61, a plurality of second electrode fingers 62, a first bus bar 81, and a second bus bar 82.
  • the second IDT electrode 112 is composed of a plurality of third electrode fingers 63, a plurality of fourth electrode fingers 64, a third bus bar 83, and a fourth bus bar 84.
  • the elastic wave device 1 further includes a low sound velocity film 4 provided between the support substrate 2 and the piezoelectric layer 5. Further, the elastic wave device 1 further includes a hypersonic film 3 provided between the support substrate 2 and the hypersonic film 4.
  • the support substrate 2 supports the piezoelectric layer 5.
  • the support substrate 2 also supports the hypersonic film 3 and the low sound velocity film 4, and supports the piezoelectric layer 5 via the high sound velocity film 3 and the low sound velocity film 4. ing.
  • the support substrate 2 has a first main surface 21 and a second main surface 22 facing each other.
  • the first main surface 21 and the second main surface 22 face each other in the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the support substrate 2 has a rectangular shape in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2, but the support substrate 2 is not limited to this, and may be, for example, a square shape.
  • the thickness of the support substrate 2 is preferably 10 ⁇ ( ⁇ : wavelength of elastic wave determined by the electrode finger pitch P1) ⁇ m or more and 180 ⁇ m or less, and as an example, it is 120 ⁇ m.
  • the support substrate 2 is, for example, a silicon substrate.
  • the plane orientation of the first main surface 21 of the support substrate 2 is, for example, the (100) plane, but is not limited to this, and may be, for example, the (110) plane or the (111) plane.
  • the propagation direction of the elastic wave can be set without being restricted by the plane direction of the support substrate 2.
  • the piezoelectric layer 5 has a first main surface 51 and a second main surface 52 facing each other.
  • the first main surface 51 and the second main surface 52 face each other in the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 is a positive surface in the direction of the polarization axis of the piezoelectric layer 5, but the surface is not limited to this and may be a negative surface.
  • the positive plane in the direction of the polarization axis means a plane in the piezoelectric layer 5 in the direction in which the positive side of the polarization component faces.
  • the negative surface in the direction of the polarization axis means a surface in the piezoelectric layer 5 in the direction in which the negative side of the polarization component faces.
  • the piezoelectric layer 5 is formed of, for example, a ⁇ ° Y-cut X-propagated LiTaO 3 piezoelectric single crystal.
  • the ⁇ ° Y-cut X-propagation LiTaO 3 piezoelectric single crystal is formed in the direction from the Y axis to the Z axis with the X axis as the central axis when the three crystal axes of the LiTaO 3 piezoelectric single crystal are the X axis, the Y axis, and the Z axis.
  • It is a LiTaO 3 single crystal cut along a plane whose normal axis is rotated by ⁇ °, and is a single crystal in which an elastic surface wave propagates in the X-axis direction.
  • ⁇ and ⁇ ⁇ 180 ⁇ n are synonymous (crystallographically equivalent).
  • n is a natural number.
  • the piezoelectric layer 5 is not limited to the ⁇ ° Y-cut X-propagated LiTaO 3 piezoelectric single crystal, and may be, for example, ⁇ ° Y-cut X-propagated LiTaO 3 piezoelectric ceramics.
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is 3.5 ⁇ or less, for example, when the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger pitch (electrode finger cycle) P1 of the first IDT electrode 111 and the second IDT electrode 112 is ⁇ .
  • the electrode finger pitch P1 will be described in the column of “(2.3) IDT electrode” described later.
  • the TCF Temporal Coefficient of Frequency
  • the sound velocity of the elastic wave can be easily adjusted by setting the thickness of the piezoelectric layer 5 to 1.5 ⁇ or less.
  • the thickness of the piezoelectric layer 5 is not limited to 3.5 ⁇ or less, and may be larger than 3.5 ⁇ .
  • the wavelength of the elastic wave is 2.0 ⁇ m.
  • the elastic wave device 1 when the thickness of the piezoelectric layer 5 is 3.5 ⁇ or less, the Q value becomes high as described above, but a higher-order mode occurs.
  • the above-mentioned low-sound velocity film 4 and high-sound velocity film 3 are provided so as to reduce the higher-order mode even if the thickness of the piezoelectric layer 5 is 3.5 ⁇ or less.
  • the mode of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 5 there is a longitudinal wave, an SH wave, an SV wave, or a mode in which these are combined.
  • a mode containing SH waves as a main component is used as a main mode.
  • the higher-order mode is a spurious mode generated on the higher frequency side than the main mode of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 5.
  • the mode of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 5 is "the mode mainly composed of SH waves is the main mode” is determined by, for example, the parameters of the piezoelectric layer 5 (material, oiler angle, thickness, etc.).
  • Parameters of the first IDT electrode 111 and the second IDT electrode 112 material, thickness, electrode finger pitch P1, etc.
  • parameters of the bass velocity film 4 material, thickness, etc.
  • Euler angles of the piezoelectric layer 5 can be determined by analysis.
  • the material of the piezoelectric layer 5 is not limited to lithium tantalate (LiTaO 3 ), for example, lithium niobate (LiNbO 3 ), zinc oxide (ZnO), aluminum nitride (AlN), or lead zirconate titanate (PZT). ) May be.
  • the piezoelectric layer 5 is made of, for example, a Y-cut X-propagated LiNbO 3 piezoelectric single crystal or piezoelectric ceramics
  • the elastic wave device 1 can use a mode containing SH waves as a main component as a main mode.
  • the single crystal material and cut angle of the piezoelectric layer 5 are determined according to, for example, the required specifications of the filter included in the elastic wave device 1 (passing characteristics, attenuation characteristics, temperature characteristics, filter characteristics such as bandwidth) and the like. , It may be decided as appropriate.
  • the elastic wave device 1 includes a plurality of IDT electrodes 110.
  • the plurality of IDT electrodes 110 include the first IDT electrode 111 and the second IDT electrode 112 described above.
  • the plurality of IDT electrodes 110 are provided on the piezoelectric layer 5. More specifically, the plurality of IDT electrodes 110 are provided on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 on the side opposite to the second main surface 52 on the support substrate 2 side.
  • the first IDT electrode 111 has a first bus bar 81, a second bus bar 82, a plurality of first electrode fingers 61, and a plurality of second electrode fingers 62.
  • the second bus bar 82 faces the first bus bar 81.
  • the plurality of first electrode fingers 61 are connected to the first bus bar 81 and extend to the second bus bar 82 side.
  • the plurality of first electrode fingers 61 are formed integrally with the first bus bar 81 and are separated from the second bus bar 82.
  • the plurality of second electrode fingers 62 are connected to the second bus bar 82 and extend to the first bus bar 81 side.
  • the plurality of second electrode fingers 62 are formed integrally with the second bus bar 82 and are separated from the first bus bar 81.
  • the first IDT electrode 111 is a normal type IDT electrode. Hereinafter, the first IDT electrode 111 will be described in more detail.
  • the first bus bar 81 and the second bus bar 82 of the first IDT electrode 111 have a long shape whose longitudinal direction is the first direction D1 orthogonal to the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the first bus bar 81 and the second bus bar 82 of the first IDT electrode 111 have a long shape with the first direction D1, which is the elastic wave propagation direction, as the longitudinal direction.
  • the first bus bar 81 and the second bus bar 82 face each other in a direction orthogonal to both the thickness direction D0 and the first direction D1 of the support substrate 2 (hereinafter, also referred to as the first defined direction). We are in contact with each other.
  • the plurality of first electrode fingers 61 are connected to the first bus bar 81 and extend toward the second bus bar 82.
  • the plurality of first electrode fingers 61 extend from the first bus bar 81 along the first defined direction.
  • the tips (the other end 612) of the plurality of first electrode fingers 61 and the second bus bar 82 are separated from each other.
  • the plurality of first electrode fingers 61 have the same length and width as each other.
  • the plurality of second electrode fingers 62 are connected to the second bus bar 82 and extend toward the first bus bar 81.
  • the plurality of second electrode fingers 62 extend from the second bus bar 82 along the first defined direction.
  • the tips (the other end 622) of the plurality of second electrode fingers 62 and the first bus bar 81 are separated from each other.
  • the plurality of second electrode fingers 62 have the same length and width as each other.
  • the length of the plurality of second electrode fingers 62 is the same as the length of the plurality of first electrode fingers 61.
  • the width of the plurality of second electrode fingers 62 is the same as the width of the plurality of first electrode fingers 61.
  • a plurality of first electrode fingers 61 and a plurality of second electrode fingers 62 are arranged apart from each other in the first direction D1 intersecting the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the plurality of first electrode fingers 61 and the plurality of second electrode fingers 62 are alternately arranged one by one in the first direction D1 so as to be separated from each other, but the present invention is not limited thereto.
  • the adjacent first electrode finger 61 and the second electrode finger 62 are separated from each other.
  • the first bus bar 81 is a conductor portion for making a plurality of first electrode fingers 61 have the same potential.
  • the second bus bar 82 is a conductor portion for making a plurality of second electrode fingers 62 have the same potential (equal potential).
  • the first IDT electrode 111 has an intersecting region 121 defined by a plurality of first electrode fingers 61 and a plurality of second electrode fingers 62.
  • the intersecting region 121 is an area between the envelope at the tips of the plurality of first electrode fingers 61 and the envelope at the tips of the plurality of second electrode fingers 62.
  • the first IDT electrode 111 excites elastic waves in the intersecting region 121.
  • the electrode finger pitch P1 of the first IDT electrode 111 is the distance between the center lines of two adjacent first electrode fingers 61 among the plurality of first electrode fingers 61, or the adjacent 2 among the plurality of second electrode fingers 62. It is defined by the distance between the centerlines of the two second electrode fingers 62. The distance between the center lines of the two adjacent second electrode fingers 62 is the same as the distance between the center lines of the two adjacent first electrode fingers 61.
  • the logarithm of the first electrode finger 61 and the second electrode finger 62 is 100 pairs as an example. That is, the first IDT electrode 111 has 100 first electrode fingers 61 and 100 second electrode fingers 62 as an example.
  • the second IDT electrode 112 has a third bus bar 83, a fourth bus bar 84, a plurality of third electrode fingers 63, and a plurality of fourth electrode fingers 64.
  • the fourth bus bar 84 faces the third bus bar 83.
  • the plurality of third electrode fingers 63 are connected to the third bus bar 83 and extend to the fourth bus bar 84 side.
  • the plurality of third electrode fingers 63 are formed integrally with the third bus bar 83 and are separated from the fourth bus bar 84.
  • the plurality of fourth electrode fingers 64 are connected to the fourth bus bar 84 and extend to the third bus bar 83 side.
  • the plurality of fourth electrode fingers 64 are formed integrally with the fourth bus bar 84 and are separated from the third bus bar 83.
  • the second IDT electrode 112 is a normal type IDT electrode. Hereinafter, the second IDT electrode 112 will be described in more detail.
  • the third bus bar 83 and the fourth bus bar 84 of the second IDT electrode 112 have a long shape whose longitudinal direction is the second direction D2 orthogonal to the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the third bus bar 83 and the fourth bus bar 84 of the second IDT electrode 112 have a long shape with the second direction D2, which is the elastic wave propagation direction, as the longitudinal direction.
  • the third bus bar 83 and the fourth bus bar 84 face each other in a direction orthogonal to both the thickness direction D0 and the second direction D2 of the support substrate 2 (hereinafter, also referred to as a second defined direction).
  • the second direction D2 is parallel to the first direction D1. Therefore, the second defined direction is parallel to the first defined direction.
  • the plurality of third electrode fingers 63 are connected to the third bus bar 83 and extend toward the fourth bus bar 84.
  • the plurality of third electrode fingers 63 extend from the third bus bar 83 along the second defined direction.
  • the tips of the plurality of third electrode fingers 63 (the other end 632) and the fourth bus bar 84 are separated from each other.
  • the plurality of third electrode fingers 63 have the same length and width as each other.
  • the plurality of fourth electrode fingers 64 are connected to the fourth bus bar 84 and extend toward the third bus bar 83.
  • the plurality of fourth electrode fingers 64 extend from the fourth bus bar 84 along the second defined direction.
  • the tips (the other end 642) of the plurality of fourth electrode fingers 64 and the third bus bar 83 are separated from each other.
  • the plurality of fourth electrode fingers 64 have the same length and width as each other.
  • the length of the plurality of fourth electrode fingers 64 is the same as the length of the plurality of third electrode fingers 63.
  • the width of the plurality of fourth electrode fingers 64 is the same as the width of the plurality of third electrode fingers 63.
  • a plurality of third electrode fingers 63 and a plurality of fourth electrode fingers 64 are arranged so as to be separated from each other in the second direction D2 intersecting the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the plurality of third electrode fingers 63 and the plurality of fourth electrode fingers 64 are alternately arranged one by one in the second direction D2 so as to be separated from each other, but the present invention is not limited thereto.
  • the adjacent third electrode finger 63 and the fourth electrode finger 64 are separated from each other.
  • the third bus bar 83 is a conductor portion for making a plurality of third electrode fingers 63 have the same potential.
  • the fourth bus bar 84 is a conductor portion for making a plurality of fourth electrode fingers 64 have the same potential (equal potential).
  • the second IDT electrode 112 has an intersecting region 122 defined by a plurality of third electrode fingers 63 and a plurality of fourth electrode fingers 64.
  • the intersecting region 122 is an area between the envelope at the tips of the plurality of third electrode fingers 63 and the envelope at the tips of the plurality of fourth electrode fingers 64.
  • the second IDT electrode 112 excites elastic waves in the intersecting region 122.
  • the electrode finger pitch P1 of the second IDT electrode 112 is the distance between the center lines of two adjacent third electrode fingers 63 among the plurality of third electrode fingers 63, or the adjacent 2 of the plurality of fourth electrode fingers 64. It is defined by the distance between the centerlines of the two fourth electrode fingers 64. The distance between the center lines of the two adjacent fourth electrode fingers 64 is the same as the distance between the center lines of the two adjacent third electrode fingers 63.
  • the logarithm of the third electrode finger 63 and the fourth electrode finger 64 is 100 pairs as an example. That is, the second IDT electrode 112 has, for example, 100 third electrode fingers 63 and 100 fourth electrode fingers 64.
  • the plurality of IDT electrodes 110 have conductivity.
  • the materials of the plurality of IDT electrodes 110 are, for example, Al (aluminum), Cu (copper), Pt (platinum), Au (gold), Ag (silver), Ti (tungsten), Ni (nickel), Cr (chromium). , Mo (molybdenum), W (tungsten), Ta (tantal), Mg (magnesium), Fe (iron), or an alloy mainly composed of any of these metals.
  • the plurality of IDT electrodes 110 may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated.
  • the plurality of IDT electrodes 110 are laminated with, for example, a first metal film made of a Ti film formed on the piezoelectric layer 5 and a second metal film made of an Al film formed on the first metal film. Includes membrane.
  • the first metal film has a function as an adhesive film.
  • the material of the first metal film is Ti, but the material is not limited to this, and may be, for example, Cr or NiCr.
  • the material of the second metal film is Al, but the material is not limited to this, and may contain, for example, Al and Cu.
  • the thickness of the first metal film is thinner than the thickness of the second metal film.
  • the first connecting portion 71 has conductivity.
  • the first connecting portion 71 is provided on the piezoelectric layer 5.
  • the first connecting portion 71 is provided directly on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5.
  • the first connection portion 71 includes the first bus bar 81.
  • the first bus bar 81 is connected to a plurality of first electrode fingers 61. Therefore, the first connecting portion 71 is connected to a plurality of first electrode fingers 61 and includes a part of the first IDT electrode 111.
  • the first connection portion 71 is integrally formed with a plurality of first electrode fingers 61.
  • the first connecting portion 71 extends from the plurality of first electrode fingers 61 to the side opposite to the second bus bar 82 side.
  • the first connection portion 71 has a first layer 71A and a second layer 71B.
  • the first layer 71A is integrally formed with a plurality of first electrode fingers 61.
  • the second layer 71B is formed on the side opposite to the piezoelectric layer 5 in the first layer 71A.
  • the first layer 71A is formed integrally with the plurality of first electrode fingers 61 with the same material and the same thickness as the plurality of first electrode fingers 61.
  • the material of the first layer 71A is, for example, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, Ta, Mg, Fe, or an alloy mainly composed of any of these metals. .. Further, the first layer 71A may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated. Further, the first layer 71A is, for example, a laminated film of a first metal film made of a Ti film formed on the piezoelectric layer 5 and a second metal film made of an Al film formed on the first metal film. including. The first metal film has a function as an adhesive film. The material of the first metal film is Ti, but the material is not limited to this, and may be, for example, Cr or NiCr. The material of the second metal film is Al, but the material is not limited to this, and may contain, for example, Al and Cu.
  • the material of the second layer 71B is, for example, Al, but is not limited to this, and may be Cu, may contain Al and Cu, or may contain Al, Cu, Ti, and Pt. Good.
  • the second layer 71B contains, for example, Al, Cu, Ti, and Pt, a laminated film in which a Ti film, an AlCu film, a Ti film, a Pt film, and a Ti film are arranged in this order from the first layer 71A side. It may be.
  • the thickness of the second layer 71B is thicker than the thickness of the first layer 71A.
  • the second connection portion 72 has conductivity.
  • the second connecting portion 72 is provided on the piezoelectric layer 5.
  • a part of the second connecting portion 72 is provided directly on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5, and the remaining part is the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 via the stress relaxation layer 9. It is indirectly provided on the top.
  • the second connection portion 72 includes a second bus bar 82 and a third bus bar 83.
  • the second bus bar 82 is connected to the plurality of second electrode fingers 62 and faces the first bus bar 81 and the plurality of first electrode fingers 61.
  • the third bus bar 83 is connected to a plurality of third electrode fingers 63. Therefore, the second connecting portion 72 is connected to the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of third electrode fingers 63, and includes a part of the first IDT electrode 111 and a part of the second IDT electrode 112. I'm out.
  • the second connection portion 72 has a first connection end portion 721 including the second bus bar 82 and a second connection end portion 722 including the third bus bar 83. In the second connection portion 72, the width H1 (see FIG.
  • the width H1 of the intersection region 121 between the plurality of first electrode fingers 61 and the plurality of second electrode fingers 62 is longer than the first length L1 (see FIG. 2), which is the length of the one direction D1.
  • the width H1 is preferably the first length L1 or more.
  • the width H2 of the second connection end portion 722 in the second direction D2 is the second direction D2 of the intersection region 122 between the plurality of third electrode fingers 63 and the plurality of fourth electrode fingers 64. It is longer than the second length L2 (see FIG. 2), which is the length in.
  • the width H2 is preferably the second length L2 or more.
  • the width H5 in the portion 725 between the first connection end portion 721 and the second connection end portion 722 is smaller than the first length L1 and the second length L2.
  • the resistance does not fall below the first length L1 and the second length L2.
  • the second connection portion 72 is integrally formed with the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of third electrode fingers 63.
  • the second connecting portion 72 extends to the side opposite to the first bus bar 81 side when viewed from the plurality of second electrode fingers 62. Further, the second connecting portion 72 extends to the side opposite to the fourth bus bar 84 side when viewed from the plurality of third electrode fingers 63.
  • the second connection portion 72 has a first layer (lower layer) 72A and a second layer (upper layer) 72B.
  • the first layer 72A has the same material and the same thickness as the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of third electrode fingers 63, and is integrally formed with the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of third electrode fingers 63. Has been done.
  • the second layer 72B is formed on the opposite side of the first layer 72A from the piezoelectric layer 5.
  • the second layer 72B has the same material and the same thickness as the second layer 71B of the first connecting portion 71.
  • the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of third electrode fingers 63 are electrically connected only via the second connecting portion 72.
  • the second connection portion 72 does not include a pad electrode.
  • the material of the first layer 72A is, for example, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, Ta, Mg, Fe, or an alloy mainly composed of any of these metals. .. Further, the first layer 71A may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated. Further, the first layer 72A is, for example, a laminated film of a first metal film made of a Ti film formed on the piezoelectric layer 5 and a second metal film made of an Al film formed on the first metal film. including. The first metal film has a function as an adhesive film. The material of the first metal film is Ti, but the material is not limited to this, and may be, for example, Cr or NiCr. The material of the second metal film is Al, but the material is not limited to this, and may contain, for example, Al and Cu.
  • the material of the second layer 72B is, for example, Al, but is not limited to this, and may be Cu, may contain Al and Cu, or may contain Al, Cu, Ti, and Pt. Good.
  • the second layer 71B contains, for example, Al, Cu, Ti, and Pt, a laminated film in which a Ti film, an AlCu film, a Ti film, a Pt film, and a Ti film are arranged in this order from the first layer 71A side. It may be.
  • the thickness of the second layer 72B is thicker than the thickness of the first layer 72A.
  • the second connection portion 72 may have at least the first layer 72A of the first layer 72A and the second layer 72B. From the viewpoint of reducing the resistance of the second connecting portion 72, it is preferable that the second connecting portion 72 has both the first layer 72A and the second layer 72B. When the second connection portion 72 has both the first layer 72A and the second layer 72B, both the first layer 72A and the second layer 72B have a length in the third direction D3 of the first length. It is preferable that the length is not less than L1 and the second length L2.
  • the third connection portion 73 has conductivity.
  • the third connection portion 73 is provided on the piezoelectric layer 5.
  • the third connecting portion 73 is provided directly on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5.
  • the third connection portion 73 includes the fourth bus bar 84.
  • the fourth bus bar 84 is connected to a plurality of fourth electrode fingers 64. Therefore, the third connecting portion 73 is connected to a plurality of fourth electrode fingers 64 and includes a part of the second IDT electrode 112.
  • the third connection portion 73 is integrally formed with a plurality of third electrode fingers 63.
  • the third connection portion 73 extends from the plurality of fourth electrode fingers 64 to the side opposite to the third bus bar 83 side.
  • the third connection portion 73 has a first layer 73A and a second layer 73B.
  • the first layer 73A is integrally formed with a plurality of fourth electrode fingers 64.
  • the second layer 73B is formed on the opposite side of the first layer 73A from the piezoelectric layer 5.
  • the first layer 73A is formed integrally with the plurality of fourth electrode fingers 64 with the same material and the same thickness as the plurality of fourth electrode fingers 64.
  • the material of the first layer 73A is, for example, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, Ta, Mg, Fe, or an alloy mainly composed of any of these metals. .. Further, the first layer 71A may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated. Further, the first layer 73A is, for example, a laminated film of a first metal film made of a Ti film formed on the piezoelectric layer 5 and a second metal film made of an Al film formed on the first metal film. including. The first metal film has a function as an adhesive film. The material of the first metal film is Ti, but the material is not limited to this, and may be, for example, Cr or NiCr. The material of the second metal film is Al, but the material is not limited to this, and may contain, for example, Al and Cu.
  • the material of the second layer 73B is, for example, Al, but is not limited to this, and may be Cu, may contain Al and Cu, or may contain Al, Cu, Ti, and Pt. Good.
  • the second layer 71B contains, for example, Al, Cu, Ti, and Pt, a laminated film in which a Ti film, an AlCu film, a Ti film, a Pt film, and a Ti film are arranged in this order from the first layer 71A side. It may be.
  • the thickness of the second layer 73B is thicker than the thickness of the first layer 71A.
  • the stress relaxation layer 9 is provided between the second connecting portion 72 and the piezoelectric layer 5.
  • the stress relaxation layer 9 has a gap 102 between the plurality of first electrode fingers 61 and the second bus bar 82, and the plurality of fourth electrode fingers 64 and the third in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2. It has not reached the gap 103 with the bus bar 83.
  • the stress relaxation layer 9 is one piece between the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of third electrode fingers 63. In other words, there is only one stress relaxation layer 9 provided on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 between the second connecting portion 72 and the piezoelectric layer 5, and the first of the piezoelectric layer 5 is provided. It is one continuous layer that is not divided into a plurality of portions on the main surface 51.
  • the material of the stress relaxation layer 9 is, for example, silicon oxide or polyimide, but is not limited to these, for example, hafnium oxide (HfO 2 ), niobium oxide (Nb 2 O 5 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), and the like. It may be tungsten oxide (WO 3 ) or cerium oxide (CeO 2).
  • the stress relaxation layer 9 has, for example, a rectangular shape in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2, but is not limited to this, and may be, for example, a square shape.
  • the stress relaxation layer 9 intersects (here, orthogonally) with the second connecting portion 72 in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the stress relaxation layer 9 has a first overhanging portion 93 and a second overhanging portion 94.
  • the first overhanging portion 93 projects from the first end 723 of the second connecting portion 72 in the width direction D3 in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the width direction D3 of the second connecting portion 72 is parallel to the first direction D1 and the second direction D2, but the present invention is not limited to this, and the width direction D3 may be non-parallel.
  • the second connection portion 72 corresponds to the wiring width direction that defines the wiring width when the portion of the second connection portion 72 excluding the second bus bar 82 and the third bus bar 83 is regarded as wiring.
  • the second overhanging portion 94 projects from the second end 724 of the width direction D3 of the second connecting portion 72 in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the distance L13 between the ends 91 on the side of the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of first electrode fingers 61 in the stress relaxation layer 9 in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2 (FIG. 2) is longer than the distance L11 (see FIG. 2) between the ends 72A1 on the side of the plurality of second electrode fingers 62 in the first layer 72A of the second connection portion 72 and the plurality of first electrode fingers 61.
  • the lengths of the plurality of first electrode fingers 61 vary, the ends 91 on the side of the plurality of second electrode fingers 62 in the stress relaxation layer 9 and the longest first of the plurality of first electrode fingers 61.
  • the distance from the electrode finger 61 (the first electrode finger 61 whose tip is closest to the second connection portion 72) is defined as the distance L13.
  • the distance L23 between the ends 92 on the side of the plurality of third electrode fingers 63 in the stress relaxation layer 9 and the plurality of fourth electrode fingers 64 in the plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2 (See FIG. 2) is longer than the distance L21 (see FIG. 2) between the ends 72A2 on the side of the plurality of third electrode fingers 63 in the first layer 72A of the second connecting portion 72 and the plurality of fourth electrode fingers 64.
  • the lengths of the plurality of fourth electrode fingers 64 vary, the end 92 of the stress relaxation layer 9 on the side of the plurality of third electrode fingers 63 and the longest fourth of the plurality of fourth electrode fingers 64.
  • the distance from the electrode finger 64 (the fourth electrode finger 64 whose tip is closest to the second connection portion 72) is defined as the distance L23.
  • the distance L13 between the ends 91 on the side of the plurality of second electrode fingers 62 and the plurality of first electrode fingers 61 in the stress relaxation layer 9 in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2 (FIG. 2) is longer than the distance L12 (see FIG. 2) between the plurality of second electrode finger 62-side ends 72B1 and the plurality of first electrode fingers 61 in the second layer 72B.
  • the elastic wave device 1 in a plan view of the support substrate 2 from the thickness direction D0, a plurality of ends 92 on the third electrode finger 63 side of the stress relaxation layer 9 and a plurality of fourth electrodes 92.
  • the distance L23 (see FIG. 2) from the electrode finger 64 is longer than the distance L22 (see FIG. 2) between the ends 72B2 on the side of the plurality of third electrode fingers 63 in the second layer 72B and the plurality of fourth electrode fingers 64. ..
  • bass velocity film 4 is provided between the piezoelectric layer 5 and the support substrate 2.
  • the low sound velocity film 4 is indirectly provided on the support substrate 2 via the high sound velocity film 3.
  • the bass velocity film 4 is a film in which the sound velocity of the bulk wave propagating in the bass velocity film 4 is lower than the sound velocity of the bulk wave propagating in the piezoelectric layer 5.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating in the support substrate 2 is higher than the speed of sound of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 5.
  • the bulk wave propagating on the support substrate 2 is the lowest sound velocity bulk wave among the plurality of bulk waves propagating on the support substrate 2.
  • the low sound velocity film 4 is provided between the high sound velocity film 3 and the piezoelectric layer 5.
  • the low sound velocity film 4 is provided between the high sound velocity film 3 and the piezoelectric layer 5, so that the sound velocity of the elastic wave is lowered.
  • Elastic waves have the property that energy is concentrated in a medium that is essentially low sound velocity. Therefore, it is possible to enhance the effect of confining the energy of the elastic wave in the piezoelectric layer 5 and in the first IDT electrode 111 and the second IDT electrode 112 in which the elastic wave is excited. As a result, the elastic wave device 1 can reduce the loss and increase the Q value as compared with the case where the low sound velocity film 4 is not provided.
  • the material of the bass velocity film 4 is, for example, silicon oxide.
  • the material of the bass velocity film 4 is not limited to silicon oxide.
  • the material of the bass velocity film 4 may be, for example, glass, silicon nitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine, carbon, or boron to silicon oxide, or a material containing each of the above materials as a main component.
  • the elastic wave device 1 can improve the temperature characteristics when the bass velocity film 4 is silicon oxide.
  • the elastic constant of lithium tantalate has a negative temperature characteristic, and silicon oxide has a positive temperature characteristic. Therefore, in the elastic wave device 1, the absolute value of TCF can be reduced.
  • the thickness of the bass velocity film 4 is preferably 2.0 ⁇ or less, where ⁇ is the wavelength of the elastic wave determined by the above-mentioned electrode finger pitch P1.
  • the thickness of the bass velocity film 4 is, for example, 670 nm.
  • the hypersonic film 3 is provided between the support substrate 2 and the low sound velocity film 4.
  • the hypersonic film 3 is provided directly on the first main surface 21 of the support substrate 2.
  • the hypersonic film 3 is a film in which the sound velocity of the bulk wave propagating in the hypersonic film 3 is higher than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer 5.
  • the thickness of the hypersonic film 3 is, for example, 200 nm, 300 nm, and 400 nm.
  • the hypersonic film 3 functions to prevent the energy of the elastic wave in the main mode from leaking to the structure below the hypersonic film 3.
  • the elastic wave device 1 when the thickness of the high-pitched sound film 3 is sufficiently thick, the energy of the elastic wave in the main mode is distributed throughout the piezoelectric layer 5 and the low-sound velocity film 4, and the low-sound velocity film of the high-pitched sound film 3 is distributed. It is also distributed on a part of the 4 side, and is not distributed on the support substrate 2.
  • the mechanism by which the elastic wave is confined by the treble membrane 3 is the same as that of the love wave type surface wave, which is a non-leakage SH wave.
  • the material of the hypersonic film 3 is, for example, silicon nitride.
  • the material of the treble speed film 3 is not limited to silicon nitride, and for example, diamond-like carbon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon, sapphire, piezoelectric material (lithium tantalate, lithium niobate, or crystal), alumina, and the like. It may be at least one material selected from the group consisting of zirconia, cozilite, mulite, steatite, forsterite, magnesia, and diamond.
  • the material of the hypersonic film 3 may be a material containing any of the above-mentioned materials as a main component, or a material containing a mixture containing any of the above-mentioned materials as a main component.
  • a piezoelectric substrate having a laminated structure of a support substrate 2, a hypersonic film 3, a low sound velocity film 4, and a piezoelectric layer 5 is prepared.
  • the stress relaxation layer 9 is formed on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 in the piezoelectric substrate.
  • the stress relaxation layer 9 is formed by using, for example, a film forming technique, a photolithography technique, and an etching technique.
  • the material of the stress relaxation layer 9 is polyimide
  • a photolithography technique is used to form the stress relaxation layer 9.
  • a resist layer is formed on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 in the piezoelectric substrate.
  • a plurality of first electrode fingers 61, a plurality of second electrode fingers 62, a plurality of third electrode fingers 63, and a plurality of fourth electrodes A first resist patterned so as to expose the areas to be formed of the finger 64, the first layer 71A of the first connection portion 71, the first layer 72A of the second connection portion 72, and the first layer 73A of the third connection portion 73. Form a layer.
  • the laminated film that is the basis of the first layer 72A of 72 and the first layer 73A of the third connection portion 73 is placed on the piezoelectric layer 5 by a vapor deposition method (the exposed region of the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5). It is formed on the top and on the surface of the stress relaxation layer 9.
  • the laminated film has a laminated structure of a first metal film (for example, Ti film) and a second metal film (for example, Al film) on the first metal film.
  • the laminated film is patterned by removing the unnecessary film on the first resist layer and the first resist layer by performing lift-off.
  • a plurality of first electrode fingers 61, a plurality of second electrode fingers 62, a plurality of third electrode fingers 63, and a plurality of fourth electrode fingers 64 of the laminated film are placed on the piezoelectric layer 5.
  • the portion corresponding to the first layer 71A of the first connection portion 71, the first layer 72A of the second connection portion 72, and the first layer 73A of the third connection portion 73 is left.
  • the unnecessary film is a portion of the laminated film formed in the third step that is formed on the first resist layer.
  • the second layer 71B of the first connection portion 71, the second layer 72B of the second connection portion 72, and the second layer 73B of the third connection portion 73 are formed.
  • the second layer 71B of the first connection portion 71, the second layer 72B of the second connection portion 72, and the second layer 73B of the third connection portion 73 are formed by a thin film forming technique (for example, a vapor deposition method or a sputtering method), a photolithography technique.
  • a thin film forming technique for example, a vapor deposition method or a sputtering method
  • a photolithography technique for example, a vapor deposition method or a sputtering method
  • it is formed by using an etching technique it is not limited to this, and may be formed by using, for example, a lift-off method.
  • a plurality of elastic wave devices 1 are obtained by dicing a wafer containing the plurality of elastic wave devices 1 after the fifth step.
  • the method for manufacturing the elastic wave device 1 is an example and is not particularly limited.
  • the elastic wave device 1 includes a stress relaxation layer 9 provided between the second connecting portion 72 and the piezoelectric layer 5.
  • the stress relaxation layer 9 has a gap 102 between the plurality of first electrode fingers 61 and the second bus bar 82 and a plurality of fourth electrode fingers 64 in a plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2.
  • the gap 103 between the bus bar 83 and the third bus bar 83 has not been reached.
  • the elastic wave device 1 it is possible to suppress the occurrence of polarization reversal. Whether or not polarization inversion occurs in the region overlapping the gaps 102 and 103 in the piezoelectric layer 5 can be confirmed, for example, by observing with a scanning probe microscope.
  • FIG. 3A is an explanatory diagram of the stress applied to the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5.
  • FIG. 3B is an explanatory diagram of the stress applied to the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 when the stress relaxation layer 9 is not provided.
  • 3A and 3B are diagrams for explaining an estimation mechanism in which the stress applied to the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 is relaxed by the stress relaxation layer 9.
  • the arrows drawn along the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 indicate the direction of the stress applied to the first main surface 51, and the length of the arrow indicates the magnitude of the stress. ing.
  • the coefficient of linear expansion of the piezoelectric layer 5 is compared with that of an elastic wave device having a configuration in which the piezoelectric layer 5 also serves as a support substrate. Due to the difference between the coefficient of linear expansion of the first layer 72A of the second connecting portion 72 and the coefficient of linear expansion of the first layer 72A of the second connecting portion 72, the stress applied to the region overlapping the gaps 102 and 103 on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 is the linear expansion of the piezoelectric layer 5.
  • the stress relaxation layer 9 When the stress relaxation layer 9 is provided, the stress from the second connection portion 72 is absorbed by the stress relaxation layer 9, so that the first main body of the piezoelectric layer 5 is compared with the case where the stress relaxation layer 9 is not provided.
  • the stress applied to the region overlapping the gaps 102 and 103 on the surface 51 can be relaxed.
  • the average magnitude of stress applied to the regions overlapping the gaps 102 and 103 on the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5 is average as compared with the configuration without the stress relaxation layer 9. The value can be reduced by, for example, about 20%.
  • the elastic wave device 1a according to the second embodiment is different from the elastic wave device 1 according to the first embodiment in that it does not include the hypersonic film 3 of the elastic wave device 1 according to the first embodiment. That is, in the elastic wave device 1a according to the second embodiment, the bass velocity film 4 is directly provided on the first main surface 21 of the support substrate 2.
  • the elastic wave device 1a according to the second embodiment has the same stress relaxation layer 9 as the elastic wave device 1 according to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of polarization reversal.
  • the elastic wave device 1b according to the third embodiment is different from the elastic wave device 1 according to the first embodiment in that it does not include the hypersonic film 3 and the low sound velocity film 4 of the elastic wave device 1 according to the first embodiment. That is, in the elastic wave device 1b according to the third embodiment, the piezoelectric layer 5 is directly provided on the first main surface 21 of the support substrate 2.
  • the support substrate 2 is a hypersonic support substrate.
  • the support substrate 2 includes silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cozilite, mullite, steatite, forsterite, magnesia, and diamond. Contains at least one material selected from the group consisting of.
  • the elastic wave device 1b according to the third embodiment has the same stress relaxation layer 9 as the elastic wave device 1 according to the first embodiment, it is possible to suppress the occurrence of polarization reversal.
  • the above embodiments 1 to 3 are only one of various embodiments of the present invention.
  • the above embodiments 1 to 3 can be variously modified according to the design and the like as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the elastic wave devices 1, 1a and 1b are separate from the stress relaxation layer 9, and may include a stress relaxation layer interposed between the first connection portion 71 and the piezoelectric layer 5. Further, the elastic wave devices 1, 1a and 1b may be separate from the stress relaxation layer 9 and may include a stress relaxation layer interposed between the third connection portion 73 and the piezoelectric layer 5.
  • the shape of the stress relaxation layer 9 in the plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2 is appropriately changed according to the shape of the second connection portion 72 in the plan view from the thickness direction D0 of the support substrate 2. You may.
  • the elastic wave devices 1, 1a and 1b appropriately connect a plurality of IDT electrodes 110 by a plurality of connecting portions (including a first connecting portion 71, a second connecting portion 72 and a third connecting portion 73).
  • a ladder type filter may be configured, or a vertically coupled type filter may be configured.
  • the plurality of IDT electrodes 110 are normal IDT electrodes, but are not limited to this, and may be, for example, an IDT electrode to which apodization weighting is applied, or an inclined IDT electrode.
  • the crossing width increases from one end in the propagation direction of the elastic wave toward the center, and decreases as the crossing width approaches from the center to the other end in the propagation direction of the elastic wave.
  • the elastic wave device 1 includes a first reflector arranged on one side and one side of the first IDT electrode 111 in the first direction D1, and one side and the other side of the second IDT electrode 112 in the second direction D2. It may further include a second reflector arranged one by one on each side.
  • the first reflector reflects elastic waves having the first direction D1 as the elastic wave propagation direction.
  • the second reflector reflects elastic waves having the second direction D2 as the elastic wave propagation direction.
  • the first reflector and the second reflector are provided directly on, for example, the first main surface 51 of the piezoelectric layer 5.
  • Each of the first reflector and the second reflector is, for example, a short-circuit grating, but is not limited to this, and may be, for example, an open grating, a positive / negative reflection type grating, or the like.
  • Each of the first reflector and the second reflector has conductivity.
  • the material of the first reflector and the second reflector is mainly composed of, for example, Al, Cu, Pt, Au, Ag, Ti, Ni, Cr, Mo, W, Ta, Mg, Fe or any of these metals. It is an alloy, etc.
  • each of the first reflector and the second reflector may have a structure in which a plurality of metal films made of these metals or alloys are laminated.
  • Each of the first reflector and the second reflector is, for example, a first metal film made of a Ti film formed on the piezoelectric layer 5 and a second metal made of an Al film formed on the first metal film. Includes a laminated film with a film.
  • the elastic wave device (1; 1a; 1b) includes a support substrate (2), a piezoelectric layer (5), a plurality of first electrode fingers (61), and a plurality of second electrode fingers (1). 62), a plurality of third electrode fingers (63), a plurality of fourth electrode fingers (64), a first bus bar (81), a connection portion (second connection portion 72), and a fourth bus bar (84). And.
  • the plurality of first electrode fingers (61) and the plurality of second electrode fingers (62) are provided on the piezoelectric layer (5).
  • the plurality of first electrode fingers (61) and the plurality of second electrode fingers (62) are arranged apart from each other in the first direction (D1) intersecting the thickness direction (D0) of the support substrate (2). ..
  • the plurality of third electrode fingers (63) and the plurality of fourth electrode fingers (64) are provided on the piezoelectric layer (5).
  • the plurality of third electrode fingers (63) and the plurality of fourth electrode fingers (64) are arranged apart from each other in the second direction (D2) intersecting the thickness direction (D0) of the support substrate (2). ..
  • the first bus bar (81) is provided on the piezoelectric layer (5) and is connected to one end (611) of a plurality of first electrode fingers (61).
  • the connecting portion (second connecting portion 72) includes a second bus bar (82) and a third bus bar (83).
  • the second bus bar (82) is provided on the piezoelectric layer (5) and is connected to one end (621) of a plurality of second electrode fingers (62).
  • the third bus bar (83) is provided on the piezoelectric layer (5) and is connected to one end (631) of a plurality of third electrode fingers (63).
  • the fourth bus bar (84) is provided on the piezoelectric layer (5) and is connected to one end (641) of a plurality of fourth electrode fingers (64).
  • the elastic wave device (1; 1a; 1b) further includes a stress relaxation layer (9).
  • the stress relaxation layer (9) is provided between the connecting portion (72) and the piezoelectric layer (5).
  • the second bus bar (82) faces the other end (612) of the plurality of first electrode fingers (61).
  • the third bus bar (83) faces the other end (642) of the plurality of fourth electrode fingers (64).
  • the stress relaxation layer (9) is a gap (102) between the plurality of first electrode fingers (61) and the second bus bar (82) in a plan view from the thickness direction (D0) of the support substrate (2). And the gap (103) between the plurality of fourth electrode fingers (64) and the third bus bar (83) have not been reached.
  • the elastic wave device (1; 1a; 1b) according to the first aspect, it is possible to suppress the occurrence of polarization reversal.
  • the stress relaxation layer (9) has a plurality of first electrodes in a plan view from the thickness direction (D0) of the support substrate (2).
  • the gap (102) between the finger (61) and the second bus bar (82) and the gap (103) between the plurality of fourth electrode fingers (64) and the third bus bar (83) have not been reached.
  • the excitation characteristics of the elastic wave device (1; 1a; 1b) are less likely to deteriorate.
  • the stress relaxation layer (9) has a first overhanging portion (93) and a second overhanging portion (94). And have.
  • the first overhanging portion (93) is a plan view from the thickness direction (D0) of the support substrate (2), and is the first end (723) of the connecting portion (second connecting portion 72) in the width direction (D3).
  • the second overhanging portion (94) is a plan view from the thickness direction (D0) of the support substrate (2), and is the second end (724) of the connecting portion (second connecting portion 72) in the width direction (D3). Overhanging from.
  • a margin can be taken for the variation in the position of the stress relaxation layer (9) in the width direction (D3) of the connecting portion (second connecting portion 72).
  • the connecting portion (second connecting portion 72) is the first connecting end portion including the second bus bar (82). (721) and a second connecting end (722) including a third bus bar (83).
  • the width (H1) of the first connection end portion (721) in the first direction (D1) has a plurality of first electrode fingers (61) and a plurality of second electrode fingers (61). It is equal to or greater than the first length (L1), which is the length in the first direction (D1) of the intersection region (121) with 62).
  • the width (H2) of the second connection end portion (722) in the second direction (D2) has a plurality of third electrode fingers (63) and a plurality of fourth electrode fingers (). It is equal to or greater than the second length (L2), which is the length of the intersection region (122) with 64) in the second direction (D2).
  • the resistance of the connecting portion (second connecting portion 72) can be reduced, and the loss can be reduced.
  • the elastic wave device (1; 1a; 1b) according to the fourth aspect is based on the third aspect.
  • the width (H5) at the portion (725) between the first connection end portion (721) and the second connection end portion (722) is the first length (L1). And not less than the second length (L2).
  • the resistance of the connecting portion (second connecting portion 72) can be further reduced, and the loss can be reduced.
  • the stress relaxation layer (9) is a plurality of second electrode fingers (62). It is one piece between the third electrode finger (63) and the third electrode finger (63).
  • the stress applied to the region overlapping each of the gaps (102, 103) in the piezoelectric layer (5) can be further relaxed.
  • the connecting portion is a plurality of second electrode fingers (62). ) And a plurality of third electrode fingers (63).
  • the connecting portion (second connecting portion 72), the plurality of second electrode fingers (62), and the plurality of third electrode fingers (63) are provided. Deterioration of characteristics can be suppressed as compared with the case where there is a contact interface.
  • the connecting portion (second connecting portion 72) is the first layer (72A). It has a second layer (72B) and.
  • the first layer (72A) is integrally formed with a plurality of second electrode fingers (62) and a plurality of third electrode fingers (63).
  • the second layer (72B) is formed on the side opposite to the piezoelectric layer (5) in the first layer (72A).
  • the resistance of the connecting portion (second connecting portion 72) can be reduced, and the loss can be reduced.
  • the distance (L13) between the end (91) on the second electrode finger (62) side and the plurality of first electrode fingers (61) is the distance (L13) on the side of the plurality of second electrode fingers (62) in the first layer (72A). It is longer than the distance (L11) between the end (72A1) and the plurality of first electrode fingers (61).
  • the distance (L23) from is longer than the distance (L21) between the ends (72A2) on the side of the plurality of third electrode fingers (63) in the first layer (72A) and the plurality of fourth electrode fingers (64).
  • the stress relaxation layer (9) is viewed from the thickness direction (D0) of the support substrate (2).
  • the distance (L13) between the plurality of second electrode fingers (62) side ends (91) and the plurality of first electrode fingers (61) in the second layer (72B) is the plurality of second electrode fingers (62). It is longer than the distance (L12) between the side end (72B1) and the plurality of first electrode fingers (61).
  • the distance (L23) from is longer than the distance (L22) between the ends (72B2) on the side of the plurality of third electrode fingers (63) in the second layer (72B) and the plurality of fourth electrode fingers (64).
  • the connecting portion does not include the pad electrode.
  • the influence of stress applied to the pad electrode via the bump connected to the pad electrode can be eliminated.
  • the elastic wave device (1; 1a) according to the eleventh aspect further includes a bass velocity film (4) in any one of the first to tenth aspects.
  • the bass velocity film (4) is provided between the support substrate (2) and the piezoelectric layer (5).
  • the piezoelectric layer (5) contains at least one material selected from the group of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride or lead zirconate titanate.
  • the low sound velocity film (4) contains at least one material selected from the group containing silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine or carbon or boron to silicon oxide.
  • the loss can be reduced and the Q value can be increased as compared with the case where the bass velocity film (4) is not provided.
  • the elastic wave device (1) further includes a low sound velocity film (4) and a high sound velocity film (3) in any one of the first to tenth aspects.
  • the bass velocity film (4) is provided between the support substrate (2) and the piezoelectric layer (5).
  • the hypersonic film (3) is provided between the support substrate (2) and the hypersonic film (4).
  • the piezoelectric layer (5) contains at least one material selected from the group of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride or lead zirconate titanate.
  • the low sound velocity film (4) contains at least one material selected from the group containing silicon oxide, glass, silicon nitride, tantalum oxide, a compound obtained by adding fluorine or carbon or boron to silicon oxide.
  • the treble film (3) is made of diamond-like carbon, aluminum oxide, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, silicon, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cordierite, mulite, steatite, etc. Includes at least one material selected from the group consisting of forsterite, magnesia, and diamond.
  • the elastic wave device (1) it is possible to suppress the elastic wave from leaking to the support substrate (2), and it is possible to increase the Q value.
  • the piezoelectric layer (5) is made of lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride or titanium. It contains at least one material selected from the group of lead zirconate acid.
  • the support substrate (2) is made of silicon, aluminum nitride, aluminum oxide, silicon carbide, silicon nitride, sapphire, lithium tantalate, lithium niobate, crystal, alumina, zirconia, cozilite, mullite, steatite, forsterite, magnesia, etc. And at least one material selected from the group consisting of diamonds.
  • the elastic wave device (1b) according to the thirteenth aspect, it is possible to suppress leakage of elastic waves to the support substrate (2), and it is possible to increase the Q value.
  • the stress relaxation layer (9) is made of silicon oxide, polyimide, hafnium oxide, niobium oxide, and the like. Includes at least one material selected from the group consisting of tantalum oxide, tungsten oxide, and cerium oxide.

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Abstract

分極反転の発生を抑制する。弾性波装置（１）では、複数の第１電極指（６１）及び複数の第２電極指（６２）は、圧電体層（５）上に設けられている。複数の第３電極指（６３）及び複数の第４電極指（６４）は、圧電体層（５）上に設けられている。接続部は、第２バスバー（８２）と、第３バスバー（８３）と、を含む。第２バスバー（８２）は、圧電体層（５）上に設けられ、複数の第２電極指（６２）の一方端に接続されている。第３バスバー（８３）は、圧電体層（５）上に設けられ、複数の第３電極指（６３）の一方に接続されている。応力緩和層（９）は、接続部と圧電体層（５）との間に設けられている。応力緩和層（９）は、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、複数の第１電極指（６１）と第２バスバー（８２）との間のギャップ（１０２）と、複数の第４電極指（６４）と第３バスバー（８３）との間のギャップ（１０３）と、に至っていない。

Description

弾性波装置
　本発明は、一般に弾性波装置に関し、より詳細には、圧電体層を備える弾性波装置に関する。
　従来、弾性波装置として、圧電基板と、１枚の圧電基板を共有する複数の弾性波共振子と、を備える弾性波フィルタ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された弾性波フィルタ装置では、複数の弾性波共振子のそれぞれが、圧電基板と、圧電基板上に形成され、対向する一対の櫛形電極を有するＩＤＴ電極と、を含んでいる。一対の櫛形電極のそれぞれは、弾性波伝搬方向に延びるように配置されたバスバー電極と、バスバー電極に接続され、弾性波伝搬方向の直交方向に延びるように配置された複数の電極指とで構成されている。また、弾性波フィルタ装置は、さらに、一の弾性波共振子のバスバー電極と他の弾性波共振子のバスバー電極とを接続する接続配線を備えている。
　特許文献１には、圧電基板が、高音速支持基板と、低音速膜と、圧電膜（圧電体層）とがこの順に積層された積層構造であってもよい旨が記載されている。
特開２０１７－１９５５８０号公報
　特許文献１に記載された弾性波装置のように圧電基板が積層構造の場合、圧電体層とＩＤＴ電極及び接続配線との線膨張係数差により圧電体層にかかる応力が大きくなることがあった。このため、圧電体層において、高音速支持基板（支持基板）の厚さ方向からの平面視で、一の弾性波共振子のバスバー電極と複数の電極指との間のギャップに重なる領域、及び、他の弾性波共振子のバスバー電極と複数の電極指との間のギャップに重なる領域で、分極反転が生じてしまう懸念があった。
　本発明の目的は、分極反転の発生を抑制することが可能な弾性波装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、支持基板と、圧電体層と、複数の第１電極指及び複数の第２電極指と、複数の第３電極指及び複数の第４電極指と、第１バスバーと、接続部と、第４バスバーと、を備える。前記圧電体層は、前記支持基板上に設けられている。前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指は、前記圧電体層上に設けられている。前記複数の第１電極指及び前記複数の第２電極指は、前記支持基板の厚さ方向に交差する第１方向において互いに離隔して並んでいる。前記複数の第３電極指及び前記複数の第４電極指は、前記圧電体層上に設けられている。前記複数の第３電極指及び前記複数の第４電極指は、前記支持基板の前記厚さ方向に交差する第２方向において互いに離隔して並んでいる。前記第１バスバーは、前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第１電極指の一方端に接続されている。前記接続部は、第２バスバーと、第３バスバーと、を含む。前記第２バスバーは、前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第２電極指の一方端に接続されている。前記第３バスバーは、前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第３電極指の一方端に接続されている。前記第４バスバーは、前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第４電極指の一方端に接続されている。前記弾性波装置は、応力緩和層を更に備える。前記応力緩和層は、前記第２接続部と前記圧電体層との間に設けられている。前記第２バスバーは、前記複数の第１電極指の他方端と対向している。前記第３バスバーは、前記複数の第４電極指の他方端と対向している。前記応力緩和層は、前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記複数の第１電極指と前記第２バスバーとの間のギャップと、前記複数の第４電極指と前記第３バスバーとの間のギャップと、に至っていない。
　本発明の一態様に係る弾性波装置は、分極反転の発生を抑制することが可能となる。
図１Ａは、実施形態１に係る弾性波装置の平面図である。図１Ｂは、同上の弾性波装置に関し、図１ＡのＡ－Ａ線断面図である。 図２は、同上の弾性波装置の寸法説明図である。 図３Ａは、圧電体層の第１主面にかかる応力の説明図である。図３Ｂは、応力緩和層を備えていない場合に圧電体層の第１主面にかかる応力の説明図である。 図４は、実施形態２に係る弾性波装置の断面図である。 図５は、実施形態３に係る弾性波装置の断面図である。
　以下の実施形態１～３等において参照する図１Ａ、１Ｂ、２、３Ａ、３Ｂ、４及び５は、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　（１）弾性波装置の全体構成
　以下、実施形態１に係る弾性波装置１について、図１Ａ、１Ｂ及び２を参照して説明する。
　弾性波装置１は、支持基板２と、圧電体層５と、複数の第１電極指６１及び複数の第２電極指６２と、複数の第３電極指６３及び複数の第４電極指６４と、第１接続部７１と、第２接続部７２（接続部）と、第３接続部７３と、を備える。複数の第１電極指６１及び複数の第２電極指６２は、圧電体層５上に設けられている。複数の第３電極指６３及び複数の第４電極指６４は、圧電体層５上に設けられている。第１接続部７１は、圧電体層５上に設けられている。第１接続部７１は、複数の第１電極指６１の一方端６１１に接続されている第１バスバー８１を含む。第２接続部７２は、圧電体層５上に設けられている。第２接続部７２は、第２バスバー８２と、第３バスバー８３と、を含む。第２バスバー８２は、複数の第２電極指６２の一方端６２１に接続され第１バスバー８１及び複数の第１電極指６１に対向している。第３バスバー８３は、複数の第３電極指６３の一方端６３１に接続されている。第３接続部７３は、圧電体層５上に設けられている。第３接続部７３は、第４バスバー８４を含む。第４バスバー８４は、複数の第４電極指６４の一方端６４１に接続され第３バスバー８３及び複数の第３電極指６３に対向している。弾性波装置１は、応力緩和層９を更に備える。応力緩和層９は、第２接続部７２と圧電体層５との間に設けられている。
　弾性波装置１では、複数の第１電極指６１と複数の第２電極指６２と第１バスバー８１と第２バスバー８２とで第１ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極１１１が構成されている。また、弾性波装置１では、複数の第３電極指６３と複数の第４電極指６４と第３バスバー８３と第４バスバー８４とで第２ＩＤＴ電極１１２が構成されている。
　弾性波装置１は、支持基板２と圧電体層５との間に設けられている低音速膜４を更に備える。また、弾性波装置１は、支持基板２と低音速膜４との間に設けられている高音速膜３を更に含む。
　（２）弾性波装置の各構成要素
　（２．１）支持基板
　支持基板２は、圧電体層５を支持している。実施形態１に係る弾性波装置１では、支持基板２は、高音速膜３及び低音速膜４も支持しており、高音速膜３及び低音速膜４を介して圧電体層５を支持している。
　支持基板２は、互いに対向する第１主面２１及び第２主面２２を有する。第１主面２１と第２主面２２とは、支持基板２の厚さ方向Ｄ０において対向している。支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、支持基板２は長方形状であるが、これに限らず、例えば正方形状であってもよい。
　支持基板２の厚さは、１０λ（λ：電極指ピッチＰ１により定まる弾性波の波長）μｍ以上１８０μｍ以下が好適であり、一例として、例えば、１２０μｍである。支持基板２は、例えば、シリコン基板である。この場合、支持基板２の第１主面２１の面方位は、例えば、（１００）面であるが、これに限らず、例えば、（１１０）面、（１１１）面であってもよい。弾性波の伝搬方位は、支持基板２の面方位に制約されずに設定することができる。
　（２．２）圧電体層
　圧電体層５は、互いに対向する第１主面５１及び第２主面５２を有する。第１主面５１と第２主面５２とは、支持基板２の厚さ方向Ｄ０において対向している。圧電体層５の第１主面５１は、圧電体層５の分極軸方向におけるプラス面であるが、これに限らず、マイナス面であってもよい。分極軸方向におけるプラス面とは、圧電体層５中の分極成分のプラス側が向いている方向に有る面をいう。分極軸方向におけるマイナス面とは、圧電体層５中の分極成分のマイナス側が向いている方向に有る面をいう。
　圧電体層５は、例えば、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶から形成されている。Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶は、ＬｉＴａＯ３圧電単結晶の３つの結晶軸をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸とした場合に、Ｘ軸を中心軸としてＹ軸からＺ軸方向にΓ°回転した軸を法線とする面で切断したＬｉＴａＯ３単結晶であって、Ｘ軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶である。圧電体層５のカット角は、カット角をΓ［°］、圧電体層５のオイラー角を（φ，θ，ψ）をすると、Γ＝θ＋９０°である。ただし、Γと、Γ±１８０×ｎは同義である（結晶学的に等価である）。ここにおいて、ｎは、自然数である。圧電体層５は、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電単結晶に限定されず、例えば、Γ°ＹカットＸ伝搬ＬｉＴａＯ３圧電セラミックスであってもよい。
　圧電体層５の厚さは、例えば、第１ＩＤＴ電極１１１及び第２ＩＤＴ電極１１２の電極指ピッチ（電極指周期）Ｐ１で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。電極指ピッチＰ１については、後述の「（２．３）ＩＤＴ電極」の欄で説明する。弾性波装置１は、圧電体層５の厚さが３．５λ以下である場合、Ｑ値が高くなる。また、弾性波装置１は、圧電体層５の厚さを２．５λ以下とすることで、ＴＣＦ（Temperature Coefficient of Frequency）を小さくすることができる。さらに、弾性波装置１では、圧電体層５の厚さを１．５λ以下とすることで、弾性波の音速の調整が容易になる。なお、圧電体層５の厚さは、３．５λ以下であることに限定されず、３．５λより大きくてもよい。実施形態１に係る弾性波装置１では、例えば、弾性波の波長が２．０μｍである。
　ところで、弾性波装置１では、圧電体層５の厚さが３．５λ以下である場合、上述したようにＱ値が高くなるが、高次モードが発生する。弾性波装置１では、圧電体層５の厚さが３．５λ以下であっても、高次モードを低減させるように、上述の低音速膜４及び高音速膜３が設けられている。
　弾性波装置１では、圧電体層５を伝搬する弾性波のモードとして、縦波、ＳＨ波、若しくはＳＶ波、又はこれらが複合したモードが存在する。弾性波装置１では、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用している。高次モードとは、圧電体層５を伝搬する弾性波のメインモードよりも高周波数側に発生するスプリアスモードのことである。圧電体層５を伝搬する弾性波のモードが「ＳＨ波を主成分とするモードをメインモード」であるか否かについては、例えば、圧電体層５のパラメータ（材料、オイラー角及び厚さ等）、第１ＩＤＴ電極１１１及び第２ＩＤＴ電極１１２のパラメータ（材料、厚さ及び電極指ピッチＰ１等）、低音速膜４のパラメータ（材料、厚さ等）等のパラメータを用いて、有限要素法により変位分布を解析し、ひずみを解析することにより、確認することができる。圧電体層５のオイラー角は、分析により求めることができる。
　圧電体層５の材料は、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ３）に限定されず、例えば、リチウムニオベイト（ＬｉＮｂＯ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又はチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）であってもよい。圧電体層５が、例えば、ＹカットＸ伝搬ＬｉＮｂＯ３圧電単結晶又は圧電セラミックスからなる場合、弾性波装置１は、ＳＨ波を主成分とするモードをメインモードとして使用することができる。なお、圧電体層５の単結晶材料、カット角については、例えば、弾性波装置１に含まれるフィルタの要求仕様（通過特性、減衰特性、温度特性及び帯域幅等のフィルタ特性）等に応じて、適宜、決定すればよい。
　（２．３）ＩＤＴ電極
　弾性波装置１は、複数のＩＤＴ電極１１０を備えている。複数のＩＤＴ電極１１０は、上述の第１ＩＤＴ電極１１１及び第２ＩＤＴ電極１１２を含む。複数のＩＤＴ電極１１０は、圧電体層５上に設けられている。より詳細には、複数のＩＤＴ電極１１０は、圧電体層５の支持基板２側の第２主面５２とは反対側の第１主面５１上に設けられている。
　第１ＩＤＴ電極１１１は、第１バスバー８１と、第２バスバー８２と、複数の第１電極指６１と、複数の第２電極指６２と、を有する。第２バスバー８２は、第１バスバー８１に対向している。
　複数の第１電極指６１は、第１バスバー８１に接続され第２バスバー８２側に延びている。複数の第１電極指６１は、第１バスバー８１と一体に形成されており、第２バスバー８２とは離れている。支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第１電極指６１と第２バスバー８２との間には、ギャップ１０２がある。
　複数の第２電極指６２は、第２バスバー８２に接続され第１バスバー８１側に延びている。複数の第２電極指６２は、第２バスバー８２と一体に形成されており、第１バスバー８１とは離れている。支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第２電極指６２と第１バスバー８１との間には、ギャップ１０１がある。
　第１ＩＤＴ電極１１１は、正規型のＩＤＴ電極である。以下、第１ＩＤＴ電極１１１について、より詳細に説明する。
　第１ＩＤＴ電極１１１の第１バスバー８１及び第２バスバー８２は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０に直交する第１方向Ｄ１を長手方向とする長尺状である。言い換えれば、第１ＩＤＴ電極１１１の第１バスバー８１及び第２バスバー８２は、弾性波伝搬方向である第１方向Ｄ１を長手方向とする長尺状である。第１ＩＤＴ電極１１１では、第１バスバー８１と第２バスバー８２とは、支持基板２の厚さ方向Ｄ０と第１方向Ｄ１との両方に直交する方向（以下、第１規定方向ともいう）において対向し合っている。
　複数の第１電極指６１は、第１バスバー８１に接続され第２バスバー８２に向かって延びている。ここにおいて、複数の第１電極指６１は、第１バスバー８１から第１規定方向に沿って延びている。複数の第１電極指６１の先端（他方端６１２）と第２バスバー８２とは離れている。ここにおいて、複数の第１電極指６１の先端と第２バスバー８２との間に、上述のギャップ１０２がある。例えば、複数の第１電極指６１は、互いの長さ及び幅が同じである。
　複数の第２電極指６２は、第２バスバー８２に接続され第１バスバー８１に向かって延びている。ここにおいて、複数の第２電極指６２は、第２バスバー８２から第１規定方向に沿って延びている。複数の第２電極指６２の先端（他方端６２２）と第１バスバー８１とは離れている。ここにおいて、複数の第２電極指６２の先端と第１バスバー８１との間に、上述のギャップ１０１がある。例えば、複数の第２電極指６２は、互いの長さ及び幅が同じである。図１Ａの例では、複数の第２電極指６２の長さは、複数の第１電極指６１の長さと同じである。また、図１Ａの例では、複数の第２電極指６２の幅は、複数の第１電極指６１の幅と同じである。
　第１ＩＤＴ電極１１１では、複数の第１電極指６１及び複数の第２電極指６２が、支持基板２の厚さ方向Ｄ０に交差する第１方向Ｄ１において互いに離隔して並んでいる。ここにおいて、複数の第１電極指６１及び複数の第２電極指６２は、第１方向Ｄ１において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいるが、これに限定されない。隣り合う第１電極指６１と第２電極指６２とは離れている。第１バスバー８１は、複数の第１電極指６１を同じ電位にするための導体部である。第２バスバー８２は、複数の第２電極指６２を同じ電位（等電位）にするための導体部である。
　第１ＩＤＴ電極１１１は、複数の第１電極指６１と複数の第２電極指６２とで規定される交差領域１２１を有している。交差領域１２１は、複数の第１電極指６１の先端の包絡線と複数の第２電極指６２の先端の包絡線との間の領域である。第１ＩＤＴ電極１１１は、交差領域１２１において、弾性波を励振する。
　第１ＩＤＴ電極１１１の電極指ピッチＰ１は、複数の第１電極指６１のうち隣り合う２つの第１電極指６１の中心線間の距離、又は、複数の第２電極指６２のうち隣り合う２つの第２電極指６２の中心線間の距離で定義される。隣り合う２つの第２電極指６２の中心線間の距離は、隣り合う２つの第１電極指６１の中心線間の距離と同じである。
　実施形態１に係る弾性波装置１の第１ＩＤＴ電極１１１では、第１電極指６１と第２電極指６２との対数は、一例として１００対である。つまり、第１ＩＤＴ電極１１１は、一例として、１００本の第１電極指６１と、１００本の第２電極指６２と、を有している。
　第２ＩＤＴ電極１１２は、第３バスバー８３と、第４バスバー８４と、複数の第３電極指６３と、複数の第４電極指６４と、を有する。第４バスバー８４は、第３バスバー８３に対向している。
　複数の第３電極指６３は、第３バスバー８３に接続され第４バスバー８４側に延びている。複数の第３電極指６３は、第３バスバー８３と一体に形成されており、第４バスバー８４とは離れている。支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第３電極指６３と第４バスバー８４との間には、ギャップ１０４がある。
　複数の第４電極指６４は、第４バスバー８４に接続され第３バスバー８３側に延びている。複数の第４電極指６４は、第４バスバー８４と一体に形成されており、第３バスバー８３とは離れている。支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第４電極指６４と第３バスバー８３との間には、ギャップ１０３がある。
　第２ＩＤＴ電極１１２は、正規型のＩＤＴ電極である。以下、第２ＩＤＴ電極１１２について、より詳細に説明する。
　第２ＩＤＴ電極１１２の第３バスバー８３及び第４バスバー８４は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０に直交する第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状である。言い換えれば、第２ＩＤＴ電極１１２の第３バスバー８３及び第４バスバー８４は、弾性波伝搬方向である第２方向Ｄ２を長手方向とする長尺状である。第２ＩＤＴ電極１１２では、第３バスバー８３と第４バスバー８４とは、支持基板２の厚さ方向Ｄ０と第２方向Ｄ２との両方に直交する方向（以下、第２規定方向ともいう）において対向し合っている。実施形態１に係る弾性波装置１では、第２方向Ｄ２は、第１方向Ｄ１と平行である。したがって、第２規定方向は、第１規定方向と平行である。
　複数の第３電極指６３は、第３バスバー８３に接続され第４バスバー８４に向かって延びている。ここにおいて、複数の第３電極指６３は、第３バスバー８３から第２規定方向に沿って延びている。複数の第３電極指６３の先端（他方端６３２）と第４バスバー８４とは離れている。ここにおいて、複数の第３電極指６３の先端と第４バスバー８４との間に、上述のギャップ１０４がある。例えば、複数の第３電極指６３は、互いの長さ及び幅が同じである。
　複数の第４電極指６４は、第４バスバー８４に接続され第３バスバー８３に向かって延びている。ここにおいて、複数の第４電極指６４は、第４バスバー８４から第２規定方向に沿って延びている。複数の第４電極指６４の先端（他方端６４２）と第３バスバー８３とは離れている。ここにおいて、複数の第４電極指６４の先端と第３バスバー８３との間に、上述のギャップ１０３がある。例えば、複数の第４電極指６４は、互いの長さ及び幅が同じである。図１Ａの例では、複数の第４電極指６４の長さは、複数の第３電極指６３の長さと同じである。また、図１Ａの例では、複数の第４電極指６４の幅は、複数の第３電極指６３の幅と同じである。
　第２ＩＤＴ電極１１２では、複数の第３電極指６３及び複数の第４電極指６４が、支持基板２の厚さ方向Ｄ０に交差する第２方向Ｄ２において互いに離隔して並んでいる。ここにおいて、複数の第３電極指６３及び複数の第４電極指６４は、第２方向Ｄ２において、１本ずつ交互に互いに離隔して並んでいるが、これに限定されない。隣り合う第３電極指６３と第４電極指６４とは離れている。第３バスバー８３は、複数の第３電極指６３を同じ電位にするための導体部である。第４バスバー８４は、複数の第４電極指６４を同じ電位（等電位）にするための導体部である。
　第２ＩＤＴ電極１１２は、複数の第３電極指６３と複数の第４電極指６４とで規定される交差領域１２２を有している。交差領域１２２は、複数の第３電極指６３の先端の包絡線と複数の第４電極指６４の先端の包絡線との間の領域である。第２ＩＤＴ電極１１２は、交差領域１２２において、弾性波を励振する。
　第２ＩＤＴ電極１１２の電極指ピッチＰ１は、複数の第３電極指６３のうち隣り合う２つの第３電極指６３の中心線間の距離、又は、複数の第４電極指６４のうち隣り合う２つの第４電極指６４の中心線間の距離で定義される。隣り合う２つの第４電極指６４の中心線間の距離は、隣り合う２つの第３電極指６３の中心線間の距離と同じである。
　実施形態１に係る弾性波装置１の第２ＩＤＴ電極１１２では、第３電極指６３と第４電極指６４との対数は、一例として１００対である。つまり、第２ＩＤＴ電極１１２は、一例として、１００本の第３電極指６３と、１００本の第４電極指６４と、を有している。
　複数のＩＤＴ電極１１０は、導電性を有する。複数のＩＤＴ電極１１０の材料は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｔｉ（チタン）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｆｅ（鉄）又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、複数のＩＤＴ電極１１０は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。また、複数のＩＤＴ電極１１０は、例えば、圧電体層５上に形成されたＴｉ膜からなる第１金属膜と、第１金属膜上に形成されたＡｌ膜からなる第２金属膜との積層膜を含む。第１金属膜は、密着膜としての機能を有する。第１金属膜の材料は、Ｔｉであるが、これに限らず、例えば、Ｃｒ又はＮｉＣｒであってもよい。また、第２金属膜の材料は、Ａｌであるが、これに限らず、例えば、ＡｌとＣｕとを含んでいてもよい。第１金属膜の厚さは、第２金属膜の厚さよりも薄い。
　（２．４）第１接続部
　第１接続部７１は、導電性を有する。第１接続部７１は、圧電体層５上に設けられている。第１接続部７１は、圧電体層５の第１主面５１上に直接設けられている。
　第１接続部７１は、第１バスバー８１を含む。第１バスバー８１は、複数の第１電極指６１に接続されている。したがって、第１接続部７１は、複数の第１電極指６１に接続されており、第１ＩＤＴ電極１１１の一部を含んでいる。
　第１接続部７１は、複数の第１電極指６１と一体に形成されている。第１接続部７１は、複数の第１電極指６１から第２バスバー８２側とは反対側へ延びている。
　第１接続部７１は、第１層７１Ａと、第２層７１Ｂと、を有する。第１層７１Ａは、複数の第１電極指６１と一体に形成されている。第２層７１Ｂは、第１層７１Ａにおける圧電体層５とは反対側に形成されている。第１層７１Ａは、複数の第１電極指６１と同じ材料かつ同じ厚さで、複数の第１電極指６１と一体に形成されている。
　第１層７１Ａの材料は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｆｅ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、第１層７１Ａは、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。また、第１層７１Ａは、例えば、圧電体層５上に形成されたＴｉ膜からなる第１金属膜と、第１金属膜上に形成されたＡｌ膜からなる第２金属膜との積層膜を含む。第１金属膜は、密着膜としての機能を有する。第１金属膜の材料は、Ｔｉであるが、これに限らず、例えば、Ｃｒ又はＮｉＣｒであってもよい。また、第２金属膜の材料は、Ａｌであるが、これに限らず、例えば、ＡｌとＣｕとを含んでいてもよい。
　第２層７１Ｂの材料は、例えば、Ａｌであるが、これに限らず、Ｃｕでもよいし、ＡｌとＣｕとを含んでいてもよいし、ＡｌとＣｕとＴｉとＰｔとを含んでいてもよい。第２層７１Ｂは、例えば、ＡｌとＣｕとＴｉとＰｔとを含んでいる場合、第１層７１Ａ側から、Ｔｉ膜、ＡｌＣｕ膜、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜及びＴｉ膜がこの順に並んだ積層膜であってもよい。第２層７１Ｂの厚さは、第１層７１Ａの厚さよりも厚い。
　（２．５）第２接続部
　第２接続部７２は、導電性を有する。第２接続部７２は、圧電体層５上に設けられている。第２接続部７２の一部は、圧電体層５の第１主面５１上に直接設けられており、残りの部分は、応力緩和層９を介して圧電体層５の第１主面５１上に間接的に設けられている。
　第２接続部７２は、第２バスバー８２と、第３バスバー８３と、を含む。第２バスバー８２は、複数の第２電極指６２に接続され第１バスバー８１及び複数の第１電極指６１に対向している。第３バスバー８３は、複数の第３電極指６３に接続されている。したがって、第２接続部７２は、複数の第２電極指６２及び複数の第３電極指６３に接続されており、第１ＩＤＴ電極１１１の一部と、第２ＩＤＴ電極１１２の一部と、を含んでいる。第２接続部７２は、第２バスバー８２を含む第１接続端部７２１と、第３バスバー８３を含む第２接続端部７２２と、を有する。第２接続部７２では、第１方向Ｄ１における第１接続端部７２１の幅Ｈ１（図２参照）が、複数の第１電極指６１と複数の第２電極指６２との交差領域１２１の第１方向Ｄ１の長さである第１長さＬ１（図２参照）よりも長い。第２接続部７２の抵抗を小さくする観点から、幅Ｈ１は、第１長さＬ１以上であるのが好ましい。また、第２接続部７２では、第２方向Ｄ２における第２接続端部７２２の幅Ｈ２が、複数の第３電極指６３と複数の第４電極指６４との交差領域１２２の第２方向Ｄ２での長さである第２長さＬ２（図２参照）よりも長い。第２接続部７２の抵抗を小さくする観点から、幅Ｈ２は、第２長さＬ２以上であるのが好ましい。第２接続部７２では、第１接続端部７２１と第２接続端部７２２との間の部分７２５における幅Ｈ５（図２参照）が、第１長さＬ１及び第２長さＬ２を下回ってもよいが、第２接続部７２の抵抗を小さくする観点から、第１長さＬ１及び第２長さＬ２を下回らないのが好ましい。
　第２接続部７２は、複数の第２電極指６２及び複数の第３電極指６３と一体に形成されている。第２接続部７２は、複数の第２電極指６２から見て第１バスバー８１側とは反対側へ延びている。また、第２接続部７２は、複数の第３電極指６３から見て第４バスバー８４側とは反対側へ延びている。
　第２接続部７２は、第１層（下層）７２Ａと、第２層（上層）７２Ｂと、を有する。第１層７２Ａは、複数の第２電極指６２及び複数の第３電極指６３と同じ材料かつ同じ厚さであり、複数の第２電極指６２及び複数の第３電極指６３と一体に形成されている。第２層７２Ｂは、第１層７２Ａにおける圧電体層５とは反対側に形成されている。第２層７２Ｂは、第１接続部７１の第２層７１Ｂと同じ材料かつ同じ厚さである。実施形態１に係る弾性波装置１では、複数の第２電極指６２と複数の第３電極指６３とは第２接続部７２のみを介して電気的に接続されている。第２接続部７２は、パッド電極を含まない。
　第１層７２Ａの材料は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｆｅ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、第１層７１Ａは、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。また、第１層７２Ａは、例えば、圧電体層５上に形成されたＴｉ膜からなる第１金属膜と、第１金属膜上に形成されたＡｌ膜からなる第２金属膜との積層膜を含む。第１金属膜は、密着膜としての機能を有する。第１金属膜の材料は、Ｔｉであるが、これに限らず、例えば、Ｃｒ又はＮｉＣｒであってもよい。また、第２金属膜の材料は、Ａｌであるが、これに限らず、例えば、ＡｌとＣｕとを含んでいてもよい。
　第２層７２Ｂの材料は、例えば、Ａｌであるが、これに限らず、Ｃｕでもよいし、ＡｌとＣｕとを含んでいてもよいし、ＡｌとＣｕとＴｉとＰｔとを含んでいてもよい。第２層７１Ｂは、例えば、ＡｌとＣｕとＴｉとＰｔとを含んでいる場合、第１層７１Ａ側から、Ｔｉ膜、ＡｌＣｕ膜、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜及びＴｉ膜がこの順に並んだ積層膜であってもよい。第２層７２Ｂの厚さは、第１層７２Ａの厚さよりも厚い。
　第２接続部７２は、第１層７２Ａと第２層７２Ｂとのうち少なくとも第１層７２Ａを有していればよい。第２接続部７２の低抵抗化の観点において、第２接続部７２は、第１層７２Ａと第２層７２Ｂとの両方を有していることが好ましい。第２接続部７２は、第１層７２Ａと第２層７２Ｂとの両方を有している場合、第１層７２Ａ及び第２層７２Ｂの両方とも第３方向Ｄ３における長さが、第１長さＬ１及び第２長さＬ２を下回らないことが好ましい。
　（２．６）第３接続部
　第３接続部７３は、導電性を有する。第３接続部７３は、圧電体層５上に設けられている。第３接続部７３は、圧電体層５の第１主面５１上に直接設けられている。
　第３接続部７３は、第４バスバー８４を含む。第４バスバー８４は、複数の第４電極指６４に接続されている。したがって、第３接続部７３は、複数の第４電極指６４に接続されており、第２ＩＤＴ電極１１２の一部を含んでいる。
　第３接続部７３は、複数の第３電極指６３と一体に形成されている。第３接続部７３は、複数の第４電極指６４から第３バスバー８３側とは反対側へ延びている。
　第３接続部７３は、第１層７３Ａと、第２層７３Ｂと、を有する。第１層７３Ａは、複数の第４電極指６４と一体に形成されている。第２層７３Ｂは、第１層７３Ａにおける圧電体層５とは反対側に形成されている。第１層７３Ａは、複数の第４電極指６４と同じ材料かつ同じ厚さで、複数の第４電極指６４と一体に形成されている。
　第１層７３Ａの材料は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｆｅ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、第１層７１Ａは、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。また、第１層７３Ａは、例えば、圧電体層５上に形成されたＴｉ膜からなる第１金属膜と、第１金属膜上に形成されたＡｌ膜からなる第２金属膜との積層膜を含む。第１金属膜は、密着膜としての機能を有する。第１金属膜の材料は、Ｔｉであるが、これに限らず、例えば、Ｃｒ又はＮｉＣｒであってもよい。また、第２金属膜の材料は、Ａｌであるが、これに限らず、例えば、ＡｌとＣｕとを含んでいてもよい。
　第２層７３Ｂの材料は、例えば、Ａｌであるが、これに限らず、Ｃｕでもよいし、ＡｌとＣｕとを含んでいてもよいし、ＡｌとＣｕとＴｉとＰｔとを含んでいてもよい。第２層７１Ｂは、例えば、ＡｌとＣｕとＴｉとＰｔとを含んでいる場合、第１層７１Ａ側から、Ｔｉ膜、ＡｌＣｕ膜、Ｔｉ膜、Ｐｔ膜及びＴｉ膜がこの順に並んだ積層膜であってもよい。第２層７３Ｂの厚さは、第１層７１Ａの厚さよりも厚い。
　（２．７）応力緩和層
　応力緩和層９は、第２接続部７２と圧電体層５との間に設けられている。応力緩和層９は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第１電極指６１と第２バスバー８２との間のギャップ１０２と、複数の第４電極指６４と第３バスバー８３との間のギャップ１０３と、に至っていない。応力緩和層９は、複数の第２電極指６２と複数の第３電極指６３との間において１ピースである。言い換えれば、第２接続部７２と圧電体層５との間において圧電体層５の第１主面５１上に設けられる応力緩和層９は、１つだけであり、圧電体層５の第１主面５１上において複数の部分に分割されていない１つの連続層である。
　応力緩和層９の材料は、例えば、酸化ケイ素又はポリイミドであるが、これらに限らず、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化タングステン（ＷＯ３）又は酸化セリウム（ＣｅＯ２）であってもよい。
　応力緩和層９は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、例えば、長方形状であるが、これに限らず、例えば、正方形状であってもよい。応力緩和層９は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、第２接続部７２と交差（ここでは、直交）している。応力緩和層９は、第１張出部９３と、第２張出部９４と、を有する。第１張出部９３は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、第２接続部７２の幅方向Ｄ３の第１端７２３から張り出している。実施形態１に係る弾性波装置１では、第２接続部７２の幅方向Ｄ３は、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２と平行であるが、これに限らず、非平行であってもよい。第２接続部７２は、第２接続部７２において第２バスバー８２及び第３バスバー８３を除いた部分を配線としてみたときの配線幅を規定する配線幅方向に相当する。第２張出部９４は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、第２接続部７２の幅方向Ｄ３の第２端７２４から張り出している。
　弾性波装置１では、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、応力緩和層９における複数の第２電極指６２側の端９１と複数の第１電極指６１との距離Ｌ１３（図２参照）が、第２接続部７２の第１層７２Ａにおける複数の第２電極指６２側の端７２Ａ１と複数の第１電極指６１との距離Ｌ１１（図２参照）よりも長い。なお、複数の第１電極指６１の長さにばらつきがある場合、応力緩和層９における複数の第２電極指６２側の端９１と、複数の第１電極指６１のうち一番長い第１電極指６１（先端が第２接続部７２に最も近い第１電極指６１）との距離を距離Ｌ１３とする。
　また、弾性波装置１では、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、応力緩和層９における複数の第３電極指６３側の端９２と複数の第４電極指６４との距離Ｌ２３（図２参照）が、第２接続部７２の第１層７２Ａにおける複数の第３電極指６３側の端７２Ａ２と複数の第４電極指６４との距離Ｌ２１（図２参照）よりも長い。なお、複数の第４電極指６４の長さにばらつきがある場合、応力緩和層９における複数の第３電極指６３側の端９２と、複数の第４電極指６４のうち一番長い第４電極指６４（先端が第２接続部７２に最も近い第４電極指６４）との距離を距離Ｌ２３とする。
　弾性波装置１では、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、応力緩和層９における複数の第２電極指６２側の端９１と複数の第１電極指６１との距離Ｌ１３（図２参照）が、第２層７２Ｂにおける複数の第２電極指６２側の端７２Ｂ１と複数の第１電極指６１との距離Ｌ１２（図２参照）よりも長い。
　また、弾性波装置１では、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、図２に示すように、応力緩和層９における複数の第３電極指６３側の端９２と複数の第４電極指６４との距離Ｌ２３（図２参照）が、第２層７２Ｂにおける複数の第３電極指６３側の端７２Ｂ２と複数の第４電極指６４との距離Ｌ２２（図２参照）よりも長い。
　（２．８）低音速膜
　低音速膜４は、圧電体層５と支持基板２との間に設けられている。実施形態１に係る弾性波装置１では、低音速膜４は、高音速膜３を介して支持基板２上に間接的に設けられている。
　低音速膜４は、圧電体層５を伝搬するバルク波の音速よりも、低音速膜４を伝搬するバルク波の音速が低速となる膜である。支持基板２では、圧電体層５を伝搬する弾性波の音速よりも、支持基板２を伝搬するバルク波の音速が高速である。ここにおいて、支持基板２を伝搬するバルク波は、支持基板２を伝搬する複数のバルク波のうち最も低音速なバルク波である。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、低音速膜４は、高音速膜３と圧電体層５との間に設けられている。弾性波装置１では、低音速膜４が高音速膜３と圧電体層５との間に設けられていることにより、弾性波の音速が低下する。弾性波は、本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質を有する。したがって、圧電体層５内及び弾性波が励振されている第１ＩＤＴ電極１１１内及び第２ＩＤＴ電極１１２内それぞれへの弾性波のエネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。その結果、弾性波装置１は、低音速膜４が設けられていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
　低音速膜４の材料は、例えば、酸化ケイ素である。低音速膜４の材料は、酸化ケイ素に限定されない。低音速膜４の材料は、例えば、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素、炭素、若しくはホウ素を加えた化合物、又は、上記各材料を主成分とする材料であってもよい。
　弾性波装置１は、低音速膜４が酸化ケイ素の場合、温度特性を改善することができる。リチウムタンタレートの弾性定数は負の温度特性を有し、酸化ケイ素は正の温度特性を有する。したがって、弾性波装置１では、ＴＣＦの絶対値を小さくすることができる。
　低音速膜４の厚さは、上述の電極指ピッチＰ１で定まる弾性波の波長をλとすると、２．０λ以下であることが好ましい。低音速膜４の厚さは、例えば６７０ｎｍである。低音速膜４の厚さを２．０λ以下とすることにより、膜応力を低減させることができ、その結果、弾性波装置１の製造時に支持基板２の元になるウェハ（例えば、シリコンウェハ）の反りを低減させることができ、良品率の向上及び特性の安定化が可能となる。
　（２．９）高音速膜
　高音速膜３は、支持基板２と低音速膜４との間に設けられている。ここにおいて、高音速膜３は、支持基板２の第１主面２１上に直接的に設けられている。高音速膜３は、圧電体層５を伝搬する弾性波の音速よりも、高音速膜３を伝搬するバルク波の音速が高速となる膜である。高音速膜３の厚さは、例えば２００ｎｍ、３００ｎｍ、４００ｎｍである。
　高音速膜３は、メインモードの弾性波のエネルギーが高音速膜３より下の構造に漏れるのを抑制するように機能する。弾性波装置１では、高音速膜３の厚さが十分に厚い場合、メインモードの弾性波のエネルギーは圧電体層５及び低音速膜４の全体に分布し、高音速膜３の低音速膜４側の一部にも分布し、支持基板２には分布しないことになる。高音速膜３により弾性波を閉じ込めるメカニズムは非漏洩なＳＨ波であるラブ波型の表面波の場合と同様のメカニズムであり、例えば、文献「弾性表面波デバイスシミュレーション技術入門」、橋本研也、リアライズ社、ｐ．２６－２８に記載されている。上記メカニズムは、音響多層膜によるブラッグ反射器を用いて弾性波を閉じ込めるメカニズムとは異なる。
　高音速膜３の材料は、例えば、窒化ケイ素である。高音速膜３の材料は、窒化ケイ素に限らず、例えば、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、シリコン、サファイア、圧電体（リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、又は水晶）、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料であってもよい。高音速膜３の材料は、上述したいずれかの材料を主成分とする材料、又は、上述したいずれかの材料を含む混合物を主成分とする材料であってもよい。
　（３）弾性波装置の製造方法
　以下では、弾性波装置１の製造方法について簡単に説明する。
　弾性波装置１の製造方法では、少なくとも、以下の第１工程～第５工程を行う。
　第１工程では、支持基板２と高音速膜３と低音速膜４と圧電体層５との積層構造を有する圧電性基板を準備する。
　第２工程では、圧電性基板における圧電体層５の第１主面５１に、応力緩和層９を形成する。応力緩和層９の材料が酸化ケイ素の場合には、例えば、成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用して応力緩和層９を形成する。応力緩和層９の材料がポリイミドの場合には、第２工程では、例えば、フォトリソグラフィ技術を利用して応力緩和層９を形成する。
　第２工程では、圧電性基板における圧電体層５の第１主面５１に、レジスト層を形成する。ここにおいて、第２工程では、圧電体層５の第１主面５１のうち、複数の第１電極指６１、複数の第２電極指６２、複数の第３電極指６３、複数の第４電極指６４、第１接続部７１の第１層７１Ａ、第２接続部７２の第１層７２Ａ及び第３接続部７３の第１層７３Ａの形成予定領域を露出させるようにパターニングされた第１レジスト層を形成する。
　第３工程では、第１電極指６１、複数の第２電極指６２、複数の第３電極指６３、複数の第４電極指６４、第１接続部７１の第１層７１Ａ、第２接続部７２の第１層７２Ａ及び第３接続部７３の第１層７３Ａの元になる積層膜を蒸着法により圧電体層５上（圧電体層５の第１主面５１のうち露出している領域上及び応力緩和層９の表面上）に形成する。積層膜は、第１金属膜（例えば、Ｔｉ膜）と第１金属膜上の第２金属膜（例えば、Ａｌ膜）との積層構造を有する。
　第４工程では、リフトオフを行うことにより、第１レジスト層及び第１レジスト層上の不要膜を除去することで、積層膜をパターニングする。これにより、第４工程では、圧電体層５上に、積層膜のうち複数の第１電極指６１、複数の第２電極指６２、複数の第３電極指６３、複数の第４電極指６４、第１接続部７１の第１層７１Ａ、第２接続部７２の第１層７２Ａ及び第３接続部７３の第１層７３Ａに対応する部分を残す。ここにおいて、不要膜は、第３工程で形成した積層膜のうち第１レジスト層上に形成されていた部分である。
　第５工程では、第１接続部７１の第２層７１Ｂ、第２接続部７２の第２層７２Ｂ及び第３接続部７３の第２層７３Ｂを形成する。第１接続部７１の第２層７１Ｂ、第２接続部７２の第２層７２Ｂ及び第３接続部７３の第２層７３Ｂは、薄膜形成技術（例えば、蒸着法又はスパッタ法）、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用して形成するが、これに限らず、例えば、リフトオフ法を利用して形成してもよい。
　弾性波装置１の製造方法では、第５工程よりも後で、複数の弾性波装置１を含むウェハをダイシングすることで、複数個の弾性波装置１（チップ）を得る。弾性波装置１の製造方法は、一例であり、特に限定されない。
　（４）まとめ
　実施形態１に係る弾性波装置１は、第２接続部７２と圧電体層５との間に設けられている応力緩和層９を備える。ここにおいて、応力緩和層９は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視で、複数の第１電極指６１と第２バスバー８２との間のギャップ１０２と、複数の第４電極指６４と第３バスバー８３との間のギャップ１０３と、に至っていない。
　実施形態１に係る弾性波装置１では、分極反転の発生を抑制することが可能となる。圧電体層５においてギャップ１０２、１０３それぞれに重なる領域で分極反転が生じているか否かは、例えば、走査型プローブ顕微鏡（Scanning Probe Microscope）による観察によって確認することができる。
　図３Ａは、圧電体層５の第１主面５１にかかる応力の説明図である。図３Ｂは、応力緩和層９を備えていない場合に圧電体層５の第１主面５１にかかる応力の説明図である。図３Ａ及び３Ｂは、圧電体層５の第１主面５１にかかる応力が応力緩和層９により緩和される推定メカニズムを説明するための図である。図３Ａ及び３Ｂの各々において、圧電体層５の第１主面５１に沿って記載してある矢印は、第１主面５１にかかる応力の向きを示し、矢印の長短で応力の大小を表している。つまり、矢印が長いほど応力が大きく、矢印が短いほど応力が小さいことを示している。圧電体層５と支持基板２とが直接又は間接的に貼り合わされた構成においては、圧電体層５が支持基板を兼ねている構成の弾性波装置と比べて、圧電体層５の線膨張係数と第２接続部７２の第１層７２Ａの線膨張係数との差により圧電体層５の第１主面５１においてギャップ１０２、１０３それぞれに重なる領域にかかる応力が、圧電体層５の線膨張係数と支持基板２の線膨張係数との差の影響によって、より大きくなる場合がある。応力緩和層９を備える場合には、第２接続部７２からの応力を応力緩和層９が吸収することにより、応力緩和層９を備えていない場合と比べて、圧電体層５の第１主面５１においてギャップ１０２、１０３それぞれに重なる領域にかかる応力を緩和できる。応力緩和層９を備えた構成では、応力緩和層９を備えていない構成と比べて、圧電体層５の第１主面５１においてギャップ１０２、１０３それぞれに重なる領域にかかる応力の大きさの平均値を例えば２割程度小さくすることができる。
　（実施形態２）
　次に、実施形態２に係る弾性波装置１ａについて、図４を参照して説明する。実施形態２に係る弾性波装置１ａに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態２に係る弾性波装置１ａは、実施形態１に係る弾性波装置１の高音速膜３を備えていない点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。すなわち、実施形態２に係る弾性波装置１ａでは、低音速膜４が、支持基板２の第１主面２１上に直接的に設けられている。
　実施形態２に係る弾性波装置１ａは、実施形態１に係る弾性波装置１と同じ応力緩和層９を備えているので、分極反転の発生を抑制することが可能となる。
　（実施形態３）
　次に、実施形態３に係る弾性波装置１ｂについて、図５を参照して説明する。実施形態３に係る弾性波装置１ｂに関し、実施形態１に係る弾性波装置１と同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
　実施形態３に係る弾性波装置１ｂは、実施形態１に係る弾性波装置１の高音速膜３及び低音速膜４を備えていない点で、実施形態１に係る弾性波装置１と相違する。すなわち、実施形態３に係る弾性波装置１ｂでは、圧電体層５が、支持基板２の第１主面２１上に直接的に設けられている。
　実施形態３に係る弾性波装置１ｂでは、支持基板２は、高音速支持基板である。支持基板２は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
　実施形態３に係る弾性波装置１ｂは、実施形態１に係る弾性波装置１と同じ応力緩和層９を備えているので、分極反転の発生を抑制することが可能となる。
　上記の実施形態１～３は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態１～３は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
　弾性波装置１、１ａ、１ｂは、応力緩和層９とは別体で、第１接続部７１と圧電体層５との間に介在する応力緩和層を備えていてもよい。また、弾性波装置１、１ａ、１ｂは、応力緩和層９とは別体で、第３接続部７３と圧電体層５との間に介在する応力緩和層を備えていてもよい。
　また、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視での応力緩和層９の形状は、支持基板２の厚さ方向Ｄ０からの平面視での第２接続部７２の形状に応じて適宜変更してもよい。
　また、弾性波装置１、１ａ、１ｂは、複数のＩＤＴ電極１１０を、複数の接続部（第１接続部７１、第２接続部７２及び第３接続部７３を含む）によって適宜接続することにより、ラダー型フィルタを構成してあってもよいし、縦結合型フィルタを構成してあってもよい。
　複数のＩＤＴ電極１１０は、正規型のＩＤＴ電極であるが、これに限らず、例えば、アポダイズ重み付けが施されているＩＤＴ電極であってもよいし、傾斜ＩＤＴ電極であってもよい。アポダイズ重み付けが施されているＩＤＴ電極では、弾性波の伝搬方向の一端部から中央に近づくにつれて交差幅が大きくなり、弾性波の伝搬方向の中央から他端部に近づくにつれて交差幅が小さくなる。
　また、弾性波装置１は、第１方向Ｄ１において第１ＩＤＴ電極１１１の一方側及び他方側に１つずつ配置された第１反射器と、第２方向Ｄ２において第２ＩＤＴ電極１１２の一方側及び他方側に１つずつ配置された第２反射器と、を更に備えていてもよい。第１反射器は、第１方向Ｄ１を弾性波伝搬方向とする弾性波を反射する。第２反射器は、第２方向Ｄ２を弾性波伝搬方向とする弾性波を反射する。
　第１反射器及び第２反射器は、例えば、圧電体層５の第１主面５１上に直接設けられる。第１反射器及び第２反射器の各々は、例えば、短絡グレーティングであるが、これに限らず、例えば、開放グレーティング、正負反射型グレーティング等であってもよい。
　第１反射器及び第２反射器の各々は、導電性を有する。第１反射器及び第２反射器の材料は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｆｅ又はこれらの金属のいずれかを主体とする合金等である。また、第１反射器及び第２反射器の各々は、これらの金属又は合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。第１反射器及び第２反射器の各々は、例えば、圧電体層５上に形成されたＴｉ膜からなる第１金属膜と、第１金属膜上に形成されたＡｌ膜からなる第２金属膜との積層膜を含む。
　（態様）
　本明細書には、以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）は、支持基板（２）と、圧電体層（５）と、複数の第１電極指（６１）及び複数の第２電極指（６２）と、複数の第３電極指（６３）及び複数の第４電極指（６４）と、第１バスバー（８１）と、接続部（第２接続部７２）と、第４バスバー（８４）と、を備える。複数の第１電極指（６１）及び複数の第２電極指（６２）は、圧電体層（５）上に設けられている。複数の第１電極指（６１）及び複数の第２電極指（６２）は、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）に交差する第１方向（Ｄ１）において互いに離隔して並んでいる。複数の第３電極指（６３）及び複数の第４電極指（６４）は、圧電体層（５）上に設けられている。複数の第３電極指（６３）及び複数の第４電極指（６４）は、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）に交差する第２方向（Ｄ２）において互いに離隔して並んでいる。第１バスバー（８１）は、圧電体層（５）上に設けられており、複数の第１電極指（６１）の一方端（６１１）に接続されている。接続部（第２接続部７２）は、第２バスバー（８２）と、第３バスバー（８３）と、を含む。第２バスバー（８２）は、圧電体層（５）上に設けられており、複数の第２電極指（６２）の一方端（６２１）に接続されている。第３バスバー（８３）は、圧電体層（５）上に設けられており、複数の第３電極指（６３）の一方端（６３１）に接続されている。第４バスバー（８４）は、圧電体層（５）上に設けられおり、複数の第４電極指（６４）の一方端（６４１）に接続されている。弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）は、応力緩和層（９）を更に備える。応力緩和層（９）は、接続部（７２）と圧電体層（５）との間に設けられている。第２バスバー（８２）は、複数の第１電極指（６１）の他方端（６１２）と対向している。第３バスバー（８３）は、複数の第４電極指（６４）の他方端（６４２）と対向している。応力緩和層（９）は、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、複数の第１電極指（６１）と第２バスバー（８２）との間のギャップ（１０２）と、複数の第４電極指（６４）と第３バスバー（８３）との間のギャップ（１０３）と、に至っていない。
　第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、分極反転の発生を抑制することが可能となる。
　また、第１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）は、応力緩和層（９）が支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、複数の第１電極指（６１）と第２バスバー（８２）との間のギャップ（１０２）と、複数の第４電極指（６４）と第３バスバー（８３）との間のギャップ（１０３）と、に至っていないことにより、弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）の励振特性を劣化させにくい。
　第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第１の態様において、応力緩和層（９）は、第１張出部（９３）と、第２張出部（９４）と、を有する。第１張出部（９３）は、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、接続部（第２接続部７２）の幅方向（Ｄ３）の第１端（７２３）から張り出している。第２張出部（９４）は、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、接続部（第２接続部７２）の幅方向（Ｄ３）の第２端（７２４）から張り出している。
　第２の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、接続部（第２接続部７２）の幅方向（Ｄ３）における応力緩和層（９）の位置のばらつきに対するマージンをとれる。
　第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第１又は２の態様において、接続部（第２接続部７２）は、第２バスバー（８２）を含む第１接続端部（７２１）と、第３バスバー（８３）を含む第２接続端部（７２２）と、を有する。接続部（第２接続部７２）では、第１方向（Ｄ１）における第１接続端部（７２１）の幅（Ｈ１）が、複数の第１電極指（６１）と複数の第２電極指（６２）との交差領域（１２１）の第１方向（Ｄ１）の長さである第１長さ（Ｌ１）以上である。接続部（第２接続部７２）では、第２方向（Ｄ２）における第２接続端部（７２２）の幅（Ｈ２）が、複数の第３電極指（６３）と複数の第４電極指（６４）との交差領域（１２２）の第２方向（Ｄ２）での長さである第２長さ（Ｌ２）以上である。
　第３の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、接続部（第２接続部７２）の抵抗を低減でき、損失を低減できる。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）は、第３の態様に基づく。接続部（第２接続部７２）では、第１接続端部（７２１）と第２接続端部（７２２）との間の部分（７２５）における幅（Ｈ５）が、第１長さ（Ｌ１）及び第２長さ（Ｌ２）を下回らない。
　第４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、接続部（第２接続部７２）の抵抗を、より低減でき、損失を低減できる。
　第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第１～４の態様のいずれか一つにおいて、応力緩和層（９）は、複数の第２電極指（６２）と複数の第３電極指（６３）との間において１ピースである。
　第５の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、圧電体層（５）において各ギャップ（１０２，１０３）それぞれに重なる領域にかかる応力を、より緩和することが可能となる。
　第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第１～５の態様のいずれか一つにおいて、接続部（第２接続部７２）は、複数の第２電極指（６２）及び複数の第３電極指（６３）と一体に形成されている。
　第６の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、接続部（第２接続部７２）と、複数の第２電極指（６２）及び複数の第３電極指（６３）との接触界面がある場合と比べて、特性劣化を抑制できる。
　第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第１～６の態様のいずれか一つにおいて、接続部（第２接続部７２）は、第１層（７２Ａ）と、第２層（７２Ｂ）と、を有する。第１層（７２Ａ）は、複数の第２電極指（６２）及び複数の第３電極指（６３）と一体に形成されている。第２層（７２Ｂ）は、第１層（７２Ａ）における圧電体層（５）とは反対側に形成されている。
　第７の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、接続部（第２接続部７２）の低抵抗化を図れ、損失を低減可能となる。
　第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第７の態様において、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、応力緩和層（９）における複数の第２電極指（６２）側の端（９１）と複数の第１電極指（６１）との距離（Ｌ１３）が、第１層（７２Ａ）における複数の第２電極指（６２）側の端（７２Ａ１）と複数の第１電極指（６１）との距離（Ｌ１１）よりも長い。支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、応力緩和層（９）における複数の第３電極指（６３）側の端（９２）と複数の第４電極指（６４）との距離（Ｌ２３）が、第１層（７２Ａ）における複数の第３電極指（６３）側の端（７２Ａ２）と複数の第４電極指（６４）との距離（Ｌ２１）よりも長い。
　第８の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、応力緩和層（９）の位置のばらつきに対するマージンを、より大きくとれる。
　第９の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第７又は８の態様において、支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、応力緩和層（９）における複数の第２電極指（６２）側の端（９１）と複数の第１電極指（６１）との距離（Ｌ１３）が、第２層（７２Ｂ）における複数の第２電極指（６２）側の端（７２Ｂ１）と複数の第１電極指（６１）との距離（Ｌ１２）よりも長い。支持基板（２）の厚さ方向（Ｄ０）からの平面視で、応力緩和層（９）における複数の第３電極指（６３）側の端（９２）と複数の第４電極指（６４）との距離（Ｌ２３）が、第２層（７２Ｂ）における複数の第３電極指（６３）側の端（７２Ｂ２）と複数の第４電極指（６４）との距離（Ｌ２２）よりも長い。
　第９の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、応力緩和層（９）の位置のばらつきに対するマージンを、より大きくとれる。
　第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、第１～９の態様のいずれか一つにおいて、接続部（第２接続部７２）は、パッド電極を含まない。
　第１０の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、パッド電極に接続されるバンプを介してパッド電極にかかる応力の影響を排除できる。
　第１１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）は、第１～１０の態様のいずれか一つにおいて、低音速膜（４）を更に備える。低音速膜（４）は、支持基板（２）と圧電体層（５）との間に設けられている。圧電体層（５）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム又はチタン酸ジルコン酸鉛の群から選択される少なくとも１種の材料を含む。低音速膜（４）は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物を含む群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
　第１１の態様に係る弾性波装置（１；１ａ）では、低音速膜（４）を備えていない場合に比べて、損失を低減し、Ｑ値を高めることができる。
　第１２の態様に係る弾性波装置（１）は、第１～１０の態様のいずれか一つにおいて、低音速膜（４）と、高音速膜（３）と、を更に備える。低音速膜（４）は、支持基板（２）と圧電体層（５）との間に設けられている。高音速膜（３）は、支持基板（２）と低音速膜（４）との間に設けられている。圧電体層（５）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム又はチタン酸ジルコン酸鉛の群から選択される少なくとも１種の材料を含む。低音速膜（４）は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物を含む群から選択される少なくとも１種の材料を含む。高音速膜（３）は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
　第１２の態様に係る弾性波装置（１）では、弾性波が支持基板（２）に漏れるのを抑制することが可能となり、Ｑ値を高めることが可能となる。
　第１３の態様に係る弾性波装置（１ｂ）では、第１～１０の態様のいずれか一つにおいて、圧電体層（５）は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム又はチタン酸ジルコン酸鉛の群から選択される少なくとも１種の材料を含む。支持基板（２）は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
　第１３の態様に係る弾性波装置（１ｂ）では、弾性波が支持基板（２）に漏れるのを抑制することが可能となり、Ｑ値を高めることが可能となる。
　第１４の態様に係る弾性波装置（１；１ａ；１ｂ）では、第１１～１３の態様のいずれか一つにおいて、応力緩和層（９）は、酸化ケイ素、ポリイミド、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステン、及び酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む。
　１、１ａ、１ｂ　弾性波装置
　２　支持基板
　２１　第１主面
　２２　第２主面
　３　高音速膜
　４　低音速膜
　５　圧電体層
　５１　第１主面
　５２　第２主面
　６１　第１電極指
　６１１　一方端
　６１２　他方端
　６２　第２電極指
　６２１　一方端
　６２２　他方端
　６３　第３電極指
　６３１　一方端
　６３２　他方端
　６４　第４電極指
　６４１　一方端
　６４２　他方端
　７１　第１接続部
　７１Ａ　第１層
　７１Ｂ　第２層
　７２　第２接続部（接続部）
　７２Ａ　第１層
　７２Ａ１　端
　７２Ａ２　端
　７２Ｂ　第２層
　７２Ｂ１　端
　７２Ｂ２　端
　７２１　第１接続端部
　７２２　第２接続端部
　７２３　第１端
　７２４　第２端
　７２５　部分
　７３　第３接続部
　７３Ａ　第１層
　７３Ｂ　第２層
　８１　第１バスバー
　８２　第２バスバー
　８３　第３バスバー
　８４　第４バスバー
　９　応力緩和層
　９１　端
　９２　端
　９３　第１張出部
　９４　第２張出部
　１０１　ギャップ
　１０２　ギャップ
　１０３　ギャップ
　１０４　ギャップ
　１１０　ＩＤＴ電極
　１１１　第１ＩＤＴ電極
　１１２　第２ＩＤＴ電極
　１２１　交差領域
　１２２　交差領域
　Ｄ０　厚さ方向
　Ｄ１　第１方向
　Ｄ２　第２方向
　Ｄ３　幅方向
　Ｈ１　第１幅
　Ｈ２　第２幅
　Ｈ５　幅
　Ｌ１　第１長さ
　Ｌ２　第２長さ
　Ｌ１１　距離
　Ｌ１２　距離
　Ｌ１３　距離
　Ｌ２１　距離
　Ｌ２２　距離
　Ｌ２３　距離

Claims (14)

  1. 　支持基板と、
    　前記支持基板上に設けられている圧電体層と、
    　前記圧電体層上に設けられており、前記支持基板の厚さ方向に交差する第１方向において互いに離隔して並んでいる複数の第１電極指及び複数の第２電極指と、
    　前記圧電体層上に設けられており、前記支持基板の前記厚さ方向に交差する第２方向において互いに離隔して並んでいる複数の第３電極指及び複数の第４電極指と、
    　前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第１電極指の一方端に接続されている第１バスバーと、
    　前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第２電極指の一方端に接続されている第２バスバーと、前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第３電極指の一方端に接続されている第３バスバーと、を含む接続部と、
    　前記圧電体層上に設けられており、前記複数の第４電極指の一方端に接続されている第４バスバーと、を備え、
    　前記接続部と前記圧電体層との間に設けられている応力緩和層を更に備え、
    　前記第２バスバーは、前記複数の第１電極指の他方端と対向しており、
    　前記第３バスバーは、前記複数の第４電極指の他方端と対向しており、
    　前記応力緩和層は、前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記複数の第１電極指と前記第２バスバーとの間のギャップと、前記複数の第４電極指と前記第３バスバーとの間のギャップと、に至っていない、
    　弾性波装置。
  2. 　前記応力緩和層は、
    　　前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記接続部の幅方向の第１端から張り出している第１張出部と、
    　　前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視で、前記接続部の幅方向の第２端から張り出している第２張出部と、を有する、
    　請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記接続部は、
    　　前記第２バスバーを含む第１接続端部と、
    　　前記第３バスバーを含む第２接続端部と、を有し、
    　前記接続部では、
    　　前記第１方向における前記第１接続端部の幅が、前記複数の第１電極指と前記複数の第２電極指との交差領域の前記第１方向の長さである第１長さ以上であり、
    　　前記第２方向における前記第２接続端部の幅が、前記複数の第３電極指と前記複数の第４電極指との交差領域の前記第２方向の長さである第２長さ以上である、
    　請求項１又は２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１接続端部と前記第２接続端部との間の部分における幅が、前記第１長さ及び前記第２長さを下回らない、
    　請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記応力緩和層は、前記複数の第２電極指と前記複数の第３電極指との間において１ピースである、
    　請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記接続部は、前記複数の第２電極指及び前記複数の第３電極指と一体に形成されている、
    　請求項１～５のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記接続部は、
    　　前記複数の第２電極指及び前記複数の第３電極指と一体に形成されている第１層と、
    　　前記第１層における前記圧電体層とは反対側に形成されている第２層と、を有する、
    　請求項１～６のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  8. 　前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視で、
    　　前記応力緩和層における前記複数の第２電極指側の端と前記複数の第１電極指との距離が、前記第１層における前記複数の第２電極指側の端と前記複数の第１電極指との距離よりも長く、
    　　前記応力緩和層における前記複数の第３電極指側の端と前記複数の第４電極指との距離が、前記第１層における前記複数の第３電極指側の端と前記複数の第４電極指との距離よりも長い、
    　請求項７に記載の弾性波装置。
  9. 　前記支持基板の前記厚さ方向からの平面視で、
    　　前記応力緩和層における前記複数の第２電極指側の端と前記複数の第１電極指との距離が、前記第２層における前記複数の第２電極指側の端と前記複数の第１電極指との距離よりも長く、
    　　前記応力緩和層における前記複数の第３電極指側の端と前記複数の第４電極指との距離が、前記第２層における前記複数の第３電極指側の端と前記複数の第４電極指との距離よりも長い、
    　請求項７又は８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記接続部は、パッド電極を含まない、
    　請求項１～９のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜を更に備え、
    　前記圧電体層は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム又はチタン酸ジルコン酸鉛の群から選択される少なくとも１種の材料を含み、
    　前記低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物を含む群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  12. 　前記支持基板と前記圧電体層との間に設けられている低音速膜と、
    　前記支持基板と前記低音速膜との間に設けられている高音速膜と、を更に備え、
    　前記圧電体層は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム又はチタン酸ジルコン酸鉛の群から選択される少なくとも１種の材料を含み、
    　前記低音速膜は、酸化ケイ素、ガラス、酸窒化ケイ素、酸化タンタル、酸化ケイ素にフッ素又は炭素又はホウ素を加えた化合物を含む群から選択される少なくとも１種の材料を含み、
    　前記高音速膜は、ダイヤモンドライクカーボン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  13. 　前記圧電体層は、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、酸化亜鉛、窒化アルミニウム又はチタン酸ジルコン酸鉛の群から選択される少なくとも１種の材料を含み、
    　前記支持基板は、シリコン、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、及びダイヤモンドからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
    　請求項１～１０のいずれか一項に記載の弾性波装置。
  14. 　前記応力緩和層は、酸化ケイ素、ポリイミド、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化タングステン、及び酸化セリウムからなる群から選択される少なくとも１種の材料を含む、
    　請求項１１～１３のいずれか一項に記載の弾性波装置。
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