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WO2021048986A1 - 半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2021048986A1
WO2021048986A1 PCT/JP2019/035973 JP2019035973W WO2021048986A1 WO 2021048986 A1 WO2021048986 A1 WO 2021048986A1 JP 2019035973 W JP2019035973 W JP 2019035973W WO 2021048986 A1 WO2021048986 A1 WO 2021048986A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive layer
dicing
die bonding
integrated film
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2019/035973
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
裕太 小関
祐樹 中村
大輔 山中
達也 矢羽田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corp
Original Assignee
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Showa Denko Materials Co Ltd
Priority to JP2021545057A priority Critical patent/JP7287477B2/ja
Priority to PCT/JP2019/035973 priority patent/WO2021048986A1/ja
Priority to TW109127740A priority patent/TWI842941B/zh
Publication of WO2021048986A1 publication Critical patent/WO2021048986A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H10W72/071—

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device, a method for selecting an adhesive layer, a dicing / die bonding integrated film provided with an adhesive layer, and a method for manufacturing the same.
  • Patent Document 1 discloses an adhesive sheet (dicing die bonding sheet) having both a function of fixing a semiconductor wafer in a dicing process and a function of adhering a semiconductor chip to a substrate in a dicing process. In the dicing step, the semiconductor wafer and the adhesive layer are separated into individual pieces to obtain a chip with an adhesive piece.
  • Patent Document 2 discloses a conductive film-like adhesive and a dicing tape with a film-like adhesive whose heat dissipation after curing is higher than that before curing.
  • the present inventors put metal particles of 75% by mass or more on the adhesive layer of the dicing / die bonding integrated film based on the total mass of the adhesive layer. After blending, it was found that the adhesion between the adhesive layer and the adhesive layer tends to be insufficient. If the adhesion between the two is insufficient, there will be a problem that the chip with the adhesive piece is separated from the adhesive layer in the dicing step.
  • the present disclosure is excellent because it can sufficiently suppress the detachment of the adhesive pieced chip from the adhesive layer in the dicing step of forming a plurality of adhesive pieced chips on the adhesive layer by individualizing the wafer and the adhesive layer.
  • a method capable of efficiently manufacturing a semiconductor device having a heat dissipation property is provided.
  • the present disclosure also provides a method for selecting an adhesive layer useful for efficiently manufacturing the semiconductor device, a dicing / die bonding integrated film provided with the adhesive layer, and a method for manufacturing the same.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
  • This manufacturing method includes the following steps, and the adhesive layer of the dicing / die bonding integrated film contains 75% by mass or more of metal particles based on the total mass of the adhesive layer.
  • Step of attaching a wafer to the adhesive layer of the integrated film Step of obtaining a plurality of adhesive pieced chips by separating the wafer and the adhesive layer
  • Adhesive pieced chip Step of picking up from the adhesive layer Step of mounting the chip with adhesive piece on the substrate or other chips
  • the adhesion between the adhesive layer and the adhesive layer is enhanced by carrying out the step (B) (active energy ray irradiation step) before the step (D) (dicing step).
  • step (B) active energy ray irradiation step
  • step (C) may be carried out after the step (B), or the step (B) may be carried out after the step (C).
  • the T-shaped peeling strength B of the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer after irradiation with the active energy ray may be larger than the T-shaped peeling strength A of both before irradiation with the active energy ray.
  • the lower limit of the T-shaped peeling strength B after irradiation with the active energy ray is, for example, 0.07 N / 25 mm from the viewpoint of sufficient adhesion between the two in the dicing step.
  • the upper limit of the T-shaped peel strength B is, for example, 0.5 N / 25 mm from the viewpoint of excellent pick-up property.
  • the T-shaped peeling strength referred to here means a value calculated by the method described in the examples.
  • the active energy rays may modify at least one of the surface of the metal particles contained in the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer in contact with the surface of the metal particles and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the present inventors speculate that this is the main cause of the increase in the adhesiveness of the particles.
  • the present inventors have confirmed by SEM (scanning electron microscope) that the metal particles originally contained in the adhesive layer are attached to the surface of the adhesive layer separated from the adhesive layer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer contains a resin having a carbon-carbon double bond that is reactive to irradiation with active energy rays.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is easily modified by irradiation with active energy rays to increase the adhesion to the metal particles.
  • One aspect of the present disclosure is a method of selecting an adhesive layer that constitutes a dicing / die bonding integrated film together with a base material layer and an adhesive layer.
  • This selection method includes the following steps, and selects an adhesive layer in which the T-type peeling strength B after irradiation with the active energy ray is larger than the T-shaped peeling strength A before irradiation with the active energy ray.
  • a process of obtaining an adhesive layer containing the above metal particles for dying and die bonding ⁇ A process of irradiating an active energy ray toward the integrated film ⁇
  • a pressure-sensitive adhesive layer before irradiation of the active energy ray And the step of measuring the T-shaped peeling strength A of the adhesive layer and the step of measuring the T-shaped peeling strength B of the adhesive layer and the adhesive layer after irradiation with active energy rays.
  • One aspect of the present disclosure relates to a method for producing a dicing / die bonding integrated film including a base material layer, an adhesive layer, and an adhesive layer in this order.
  • This manufacturing method includes the following steps. -A step of preparing a dicing film including a base material layer and an adhesive layer provided on one surface of the base material layer-75% by mass based on the total mass of the adhesive layer on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Step to obtain dicing / die bonding integrated film by forming an adhesive layer containing the above metal particles ⁇ Adhesive to the adhesive layer by irradiating the dicing / die bonding integrated film with active energy rays Step to increase the T-shaped peeling strength of the agent layer
  • a dicing / die bonding integrated film useful for efficiently manufacturing a semiconductor device having excellent heat dissipation can be manufactured.
  • the adhesive layer selected by the above-mentioned selection method according to the present disclosure may be used as the adhesive layer.
  • One aspect of this disclosure relates to a dicing / die bonding integrated film.
  • This integrated film is provided so as to cover a base material layer, an adhesive layer having a first surface facing the base material layer and a second surface on the opposite side thereof, and a central portion of the second surface.
  • the interface between the adhesive layer and the adhesive layer is a region corresponding to the bonding position of the wafer in the adhesive layer and has a region irradiated with energy rays, and the adhesive layer in the region is provided with the adhesive layer.
  • the T-shaped peeling strength of the adhesive layer is 0.07 N / 25 mm or more.
  • the adhesive layer and the adhesive layer have sufficient adhesion by irradiation with active energy rays. Therefore, in the dicing step, it is possible to sufficiently prevent the chip with the adhesive piece from coming off from the adhesive layer. Further, since the dicing / die bonding integrated film is already irradiated with the active energy rays, the step of irradiating the active energy rays in the manufacturing process of the semiconductor device can be omitted.
  • the T-shaped peeling strength of the adhesive layer and the adhesive layer is, for example, 0.5 N / 25 mm or less from the viewpoint of excellent pick-up property.
  • the adhesive layer may contain a thermosetting resin component, and the thermal conductivity of the adhesive layer after heat curing is, for example, 1.5 to 20 W / m ⁇ K.
  • the thermal conductivity of the adhesive layer after thermosetting can be adjusted by adjusting the amount and type of metal particles to be blended in the adhesive layer.
  • a method capable of efficiently manufacturing a semiconductor device having excellent heat dissipation is provided. Further, according to the present disclosure, a method for selecting an adhesive layer useful for efficiently manufacturing the semiconductor device, a dicing / die bonding integrated film provided with the adhesive layer, and a method for manufacturing the same are provided. To.
  • FIG. 1A is a plan view showing an embodiment of a dicing / diebonding integrated film
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along line BB shown in FIG. 1A
  • FIG. 2 is a schematic view showing a state in which a dicing ring is attached to the peripheral edge of the adhesive layer of the dicing / die bonding integrated film and a wafer is attached to the surface of the adhesive layer.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor device. 4 (a) to 4 (d) are cross-sectional views schematically showing a process of manufacturing a chip with an adhesive piece.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a process of manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • the numerical range indicated by using "-" in the present specification indicates a range including the numerical values before and after "-" as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the upper limit value or the lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit value or the lower limit value of another numerical range described stepwise.
  • the upper limit value or the lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples.
  • (meth) acrylate means acrylate or the corresponding methacrylate.
  • FIG. 1A is a plan view showing a dicing / diebonding integrated film according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 1A. is there.
  • the dicing ring DR is attached to the peripheral edge of the adhesive layer 2 of the dicing / die bonding integrated film 10 (hereinafter, simply referred to as “film 10” in some cases), and the dicing ring DR is attached to the surface of the adhesive layer 5.
  • film 10 the dicing ring DR is attached to the surface of the adhesive layer 5.
  • It is a schematic diagram which shows the state in which the wafer W is attached.
  • the film 10 is applied to a manufacturing process of a semiconductor device including a dicing step of individualizing a wafer W into a plurality of chips and a subsequent pick-up step (see FIGS. 4 (c) and 4 (d)). ..
  • a manufacturing process of a semiconductor device including a dicing step of individualizing a wafer W into a plurality of chips and a subsequent pick-up step (see FIGS. 4 (c) and 4 (d)). ..
  • an embodiment in which one laminate of the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive layer 5 is formed on the square base material layer 1 is illustrated, but the base material layer 1 has a predetermined length.
  • the laminated body of the pressure-sensitive adhesive layer 2 and the adhesive layer 5 may be arranged at predetermined intervals so as to have a length (for example, 100 m or more) and line up in the longitudinal direction thereof.
  • the film 10 may further include a cover film (not shown) that covers the adhesive layer 5.
  • the film 10 has a base material layer 1, a pressure-sensitive adhesive layer 2 having a first surface 2a facing the base material layer 1 and a second surface 2b on the opposite side thereof, and a second surface 2b of the pressure-sensitive adhesive layer 2.
  • An adhesive layer 5 provided so as to cover the central portion of the above is provided in this order.
  • the T-shaped peeling intensity at the interface between the two layers after irradiation with active energy rays is 0.07 N / 25 mm or more, 0.1 to 0.5 N / 25 mm, 0.15 to 0.4 N / 25 mm, or 0.2. It may be ⁇ 0.4N / 25mm.
  • each layer constituting the film 10 will be described.
  • the adhesive layer 5 contains (a) metal particles, and may further contain (b) a thermosetting resin, (c) a curing agent, and (d) an elastomer, if necessary.
  • the adhesive layer 5 is thermosetting and can be in a semi-cured (B stage) state and then in a completely cured product (C stage) state after the curing treatment.
  • the thermal conductivity of the adhesive layer 5 after curing is, for example, 1.5 to 20 W / m ⁇ K.
  • the thermal conductivity of the adhesive layer 5 after curing is 1.6 W / m ⁇ K or more, 1.7 W / m ⁇ K or more, 2.0 W / m ⁇ K or more, or 2.3 W / m ⁇ K or more. It may be there.
  • the thermal conductivity referred to here means a value calculated by the method described in the examples.
  • Component (a) Metal particles
  • the component (a) is a component used to enhance the thermal conductivity of the adhesive layer 5 and enhance the heat dissipation of the semiconductor device.
  • the component (a) include nickel particles, copper particles, silver particles, and aluminum particles.
  • particles obtained by coating the surface of base particles (for example, metal particles or resin particles) with metal may be used. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the component (a) may be silver particles or metal particles (for example, copper particles or the like) whose surface is coated with silver because it is difficult to be oxidized.
  • the shape of the component (a) is not particularly limited, and is, for example, flaky or spherical.
  • the average particle size of the component (a) may be 0.01 to 10 ⁇ m.
  • the average particle size of the component (a) is 0.01 ⁇ m or more, it is possible to prevent an increase in viscosity when the adhesive varnish is produced, and a desired amount of the component (a) can be contained in the adhesive layer 5.
  • the adhesive layer 5 can secure the wettability to the adherend and exhibit better adhesiveness.
  • the average particle size of the component (a) is 10 ⁇ m or less, the film formability is more excellent, and the conductivity due to the addition of metal particles tends to be further improved.
  • the average particle size of the component (a) may be 0.1 ⁇ m or more, 0.5 ⁇ m or more, 1.0 ⁇ m or more, or 1.5 ⁇ m or more, and may be 8.0 ⁇ m or less, 7.0 ⁇ m or less, 6.0 ⁇ m or less. , 5.0 ⁇ m or less, 4.0 ⁇ m or less, or 3.0 ⁇ m or less.
  • the average particle size of the component (a) means the particle size (D 50 ) when the ratio (volume fraction) to the volume of the entire component (a) is 50%.
  • the average particle size (D 50 ) of the component (a) is determined by a laser scattering method of a suspension in which the component (a) is suspended in water using a laser scattering type particle size measuring device (for example, Microtrac). It can be obtained by measuring.
  • the content of the component (a) is 75% by mass or more based on the total amount of the adhesive layer 5.
  • the content of the component (a) may be 77% by mass or more, 80% by mass or more, 83% by mass or more, or 85% by mass or more based on the total amount of the adhesive layer 5.
  • the upper limit of the content of the component (a) is not particularly limited, but may be 95% by mass or less, 92% by mass or less, or 90% by mass or less based on the total amount of the adhesive layer 5.
  • Component (b) Thermosetting resin
  • the component (b) is a component having a property of forming a three-dimensional bond between molecules and being cured by heating or the like, and is a component exhibiting an adhesive action after curing.
  • the component (b) may be an epoxy resin.
  • the component (b) may contain an epoxy resin that is liquid at 25 ° C.
  • the epoxy resin can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in the molecule.
  • the epoxy resin may have two or more epoxy groups in the molecule.
  • the epoxy resin examples include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, and bisphenol F novolac type epoxy resin.
  • Stilben type epoxy resin triazine skeleton containing epoxy resin, fluorene skeleton containing epoxy resin, triphenol methane type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, xylylene type epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, dicyclopentadiene type
  • examples thereof include epoxy resins, polyfunctional phenols, and polycyclic aromatic diglycidyl ether compounds such as anthracene. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the epoxy resin may be a bisphenol type epoxy resin or a cresol novolac type epoxy resin from the viewpoint of heat resistance of the cured product and the like.
  • the epoxy resin may be an epoxy resin that is liquid at 25 ° C.
  • an epoxy resin that is liquid at 25 ° C.
  • a die bonding film having a predetermined surface roughness tends to be easily obtained.
  • the physical smoothing process it tends to be possible to perform the physical smoothing process under milder conditions.
  • commercially available epoxy resins liquid at 25 ° C. include EXA-830CRP (trade name, manufactured by DIC Corporation) and YDF-8170C (trade name, manufactured by Nippon Steel Chemical & Materials Co., Ltd.).
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is not particularly limited, but may be 90 to 300 g / eq, 110 to 290 g / eq, or 110 to 290 g / eq.
  • the epoxy equivalent of the component (A) is in such a range, it tends to be easy to secure the fluidity of the adhesive composition when forming the adhesive layer 5 while maintaining the bulk strength of the adhesive layer 5. is there.
  • the content of the component (b) may be 0.1% by mass or more, 1% by mass or more, 2% by mass or more, or 3% by mass or more, and is 15% by mass or less, based on the total amount of the adhesive layer 5. , 12% by mass or less, 10% by mass or less, or 8% by mass or less.
  • the mass ratio of the epoxy resin to the component (b) is 10 to 100 as a percentage. %, 40-100%, 60% -100%, or 80% -100%.
  • the content of the epoxy resin is 1% by mass or more, 2% by mass or more, 3% by mass or more, or based on the total amount of the adhesive layer 5. It may be 4% by mass or more.
  • the content of the epoxy resin may be 15% by mass or less, 12% by mass or less, 10% by mass or less, or 8% by mass or less.
  • the component (c) may be a phenol resin that can serve as a curing agent for the epoxy resin.
  • the phenol resin can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in the molecule.
  • examples of the phenol resin include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol and aminophenol, and / or naphthols such as ⁇ -naphthol, ⁇ -naphthol and dihydroxynaphthalene, and formaldehyde and the like.
  • Phenols such as novolak-type phenol resin, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, and phenol obtained by condensing or co-condensing with a compound having an aldehyde group of
  • phenol aralkyl resin synthesized from naphthols and dimethoxyparaxylene or bis (methoxymethyl) biphenyl, naphthol aralkyl resin, biphenyl aralkyl type phenol resin, phenyl aralkyl type phenol resin and the like can be mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the hydroxyl group equivalent of the phenol resin may be 40 to 300 g / eq, 70 to 290 g / eq, or 100 to 280 g / eq.
  • the hydroxyl group equivalent of the phenol resin is 40 g / eq or more, the storage elastic modulus of the film tends to be further improved, and when it is 300 g / eq or less, it is possible to prevent problems due to the generation of foaming, outgas, etc. ..
  • Ratio of the epoxy equivalent of the epoxy resin as the component (b) to the hydroxyl equivalent of the phenol resin as the component (b) / the epoxy equivalent of the epoxy resin as the component / the hydroxyl equivalent of the phenol resin as the component (c) ) Indicates 0.30 / 0.70 to 0.70 / 0.30, 0.35 / 0.65 to 0.65 / 0.35, 0.40 / 0.60 to 0 from the viewpoint of curability. It may be .60 / 0.40, or 0.45 / 0.55 to 0.55 / 0.45.
  • the equivalent amount ratio is 0.30 / 0.70 or more, more sufficient curability tends to be obtained.
  • the equivalent equivalent ratio is 0.70 / 0.30 or less, it is possible to prevent the viscosity from becoming too high, and it is possible to obtain more sufficient fluidity.
  • the content of the component (c) may be 0.1% by mass or more, 1% by mass or more, 2% by mass or more, or 3% by mass or more, and is 15% by mass or less, based on the total amount of the adhesive layer 5. , 12% by mass or less, 10% by mass or less, or 8% by mass or less.
  • the component (d) is, for example, a polyimide resin, an acrylic resin, a urethane resin, a polyphenylene ether resin, a polyetherimide resin, a phenoxy resin, a modified polyphenylene ether resin, or the like, and has a crosslinkable functional group.
  • the acrylic resin means a polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester.
  • the acrylic resin may be a polymer containing a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester having a crosslinkable functional group such as an epoxy group, an alcoholic or phenolic hydroxyl group, or a carboxy group as a structural unit.
  • the acrylic resin may be an acrylic rubber such as a copolymer of (meth) acrylic acid ester and acrylonitrile. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • acrylic resins examples include SG-70L, SG-708-6, WS-023 EK30, SG-280 EK23, HTR-860P-3, HTR-860P-3CSP, HTR-860P-3CSP-3DB ( (Made by Nagase ChemteX Corporation) and the like.
  • the glass transition temperature (Tg) of the component (d) may be ⁇ 50 to 50 ° C. or ⁇ 30 to 20 ° C.
  • Tg of the acrylic resin When the Tg of the acrylic resin is ⁇ 50 ° C. or higher, the tackiness of the adhesive layer 5 is lowered, so that the handleability tends to be further improved.
  • Tg of the acrylic resin When the Tg of the acrylic resin is 50 ° C. or lower, the fluidity of the adhesive composition when forming the adhesive layer 5 tends to be more sufficiently secured.
  • the glass transition temperature (Tg) of the component (d) means a value measured using a DSC (thermal differential scanning calorimeter) (for example, manufactured by Rigaku Co., Ltd., trade name: Thermo Plus 2).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the component (d) may be 50,000 to 1.2 million, 100,000 to 1.2 million, or 300,000 to 900,000. When the weight average molecular weight of the component (d) is 50,000 or more, the film forming property tends to be superior. When the weight average molecular weight of the component (d) is 1.2 million or less, the fluidity of the adhesive composition when forming the adhesive layer 5 tends to be more excellent.
  • the weight average molecular weight (Mw) is a value measured by gel permeation chromatography (GPC) and converted using a calibration curve using standard polystyrene.
  • the measuring device for the weight average molecular weight (Mw) of the component, the measuring conditions, and the like are as follows.
  • the content of the component (d) may be 0.1% by mass or more, 0.5% by mass or more, 1% by mass or more, or 2% by mass or more based on the total amount of the adhesive layer 5, and is 10% by mass. % Or less, 8% by mass or less, 6% by mass or less, or 5% by mass or less.
  • the adhesive layer 5 may further contain (e) a curing accelerator.
  • a curing accelerator When the adhesive layer 5 contains the component (e), the adhesiveness and the connection reliability tend to be more compatible.
  • the component (e) include imidazoles and derivatives thereof, organophosphorus compounds, secondary amines, tertiary amines, quaternary ammonium salts and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type. Among these, the component (e) may be imidazoles and derivatives thereof from the viewpoint of reactivity.
  • imidazoles examples include 2-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole and the like. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the content of the component (e) may be 0.001 to 1% by mass based on the total amount of the adhesive layer 5. When the content of the component (e) is in such a range, the adhesiveness and the connection reliability tend to be more compatible.
  • the adhesive layer 5 may further contain a coupling agent, an antioxidant, a rheology control agent, a leveling agent, and the like as other components other than the components (a) to (e).
  • a coupling agent include ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, and the like. ..
  • the content of other components may be 0.01 to 3% by mass based on the total amount of the adhesive layer 5.
  • the adhesive layer 5 can be produced by forming an adhesive composition containing the above-mentioned component (a),, if necessary, the components (b) to (e) and other components in the form of a film. it can.
  • Such an adhesive layer 5 can be formed by applying an adhesive composition to a support film (not shown).
  • the adhesive composition can be used as a solvent-diluted adhesive varnish.
  • the adhesive layer 5 can be formed by applying the adhesive varnish to the support film and removing the solvent by heating and drying.
  • the solvent is not particularly limited as long as it can dissolve components other than the component (a).
  • the solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesityrene, cumene and p-simene; aliphatic hydrocarbons such as hexane and heptane; cyclic alkanes such as methylcyclohexane; tetrahydrofuran, 1,4-dioxane and the like.
  • Cyclic ethers such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone; Carbonated esters such as ethylene carbonate and propylene carbonate; amides such as N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide and N-methyl-2-pyrrolidone can be mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more type.
  • the solvent may be toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, or cyclohexanone from the viewpoint of solubility and boiling point.
  • the concentration of the solid component in the adhesive varnish may be 10 to 80% by mass based on the total mass of the adhesive varnish.
  • the adhesive varnish can be prepared by mixing and kneading the components (a) to (e), other components, and a solvent.
  • the order of mixing and kneading each component is not particularly limited and can be set as appropriate.
  • Mixing and kneading can be carried out by appropriately combining a disperser such as a normal stirrer, a raft machine, a triple roll, a ball mill, and a bead mill.
  • air bubbles in the varnish may be removed by vacuum degassing or the like.
  • the support film to which the varnish is coated is not particularly limited, and examples thereof include films such as polytetrafluoroethylene, polyethylene, polypropylene, polymethylpentene, polyethylene terephthalate, and polyimide.
  • the thickness of the support film may be, for example, 10 to 200 ⁇ m or 20 to 170 ⁇ m.
  • a known method can be used, and examples thereof include a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, a bar coating method, and a curtain coating method. Be done.
  • the conditions for heat drying are not particularly limited as long as the solvent used is sufficiently volatilized, but may be, for example, 0.1 to 90 minutes at 50 to 200 ° C.
  • the thickness of the adhesive layer 5 can be appropriately adjusted according to the application, but may be, for example, 3 to 200 ⁇ m. When the thickness of the adhesive layer 5 is 3 ⁇ m or more, the adhesive force tends to be sufficient, and when the thickness is 200 ⁇ m or less, the heat dissipation tends to be sufficient.
  • the thickness of the adhesive layer 5 may be 10 to 100 ⁇ m or 120 to 75 ⁇ m from the viewpoint of adhesive strength and thinning of the semiconductor device.
  • the surface roughness of the first surface 5a is, for example, 1.0 ⁇ m or less
  • the surface roughness of the second surface 5b is, for example, 1.0 ⁇ m or less.
  • the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 2 in contact with the second surface 5b will be referred to as the first surface 5a
  • the surface on the side to which the wafer W is bonded will be referred to as the second surface 5b.
  • the surface roughness referred to here means the arithmetic mean roughness Ra
  • the "arithmetic mean roughness Ra" means the value calculated by the method described in the examples.
  • the measurement magnification may be 50 to 100 times.
  • the surface 5b When the second surface 5b is formed by a manufacturing method in which an adhesive varnish is applied to a support film and the solvent is removed by heating and drying, the surface is usually rough regardless of the components contained in the adhesive varnish. The roughness tends to be 1.0 ⁇ m or less.
  • the first surface 5a when the first surface 5a is formed by a manufacturing method in which an adhesive varnish is applied to a support film and the solvent is removed by heating and drying, the first surface 5a usually tends to be affected by the components contained in the adhesive varnish. ..
  • the surface roughness of the surface of the first surface 5a is adjusted to 1.0 ⁇ m or less by using, for example, particles having an average particle size of 5.0 ⁇ m or less and / or component (a) of spherical particles. Can be done.
  • the surface roughness of the first surface 5a exceeds 1.0 ⁇ m, the surface roughness can be adjusted to 1.0 ⁇ m or less by, for example, performing a physical smoothing treatment.
  • the smoothing treatment can be performed, for example, by pressing the first surface 5a of the adhesive layer 5 via a polyethylene film (PE film), a polyethylene terephthalate film (PET film), or the like.
  • the adhesive layer 5 may be heated.
  • the pressing can be performed using, for example, a rubber roll, a metal roll, or the like.
  • the load at the time of pressing may be 0.01 to 3.0 MPa or 0.3 to 1.0 MPa. When the load at the time of pressing is 0.01 MPa or more, a sufficient smoothing effect tends to be obtained, and when the load at the time of pressing is 3.0 MPa or less, the load on the device is reduced and continuous processing is performed. Tends to be possible.
  • the heating temperature at the time of pressing may be room temperature (20 ° C.) to 200 ° C. or 50 ° C. to 140 ° C. When the heating temperature at the time of pressing is 200 ° C. or lower, it tends to be possible to suppress the progress of the curing reaction of the adhesive layer 5.
  • the smoothing treatment can be performed under milder conditions by including the epoxy resin in which the component (a) is liquid at 25 ° C. in a predetermined range. By adjusting the conditions of the smoothing treatment (for example, temperature and pressure), the T-shaped peeling strength of the first surface 5a of the adhesive layer 5 and the second surface 2b of the adhesive layer 2 can be improved. ..
  • the conditions for the smoothing treatment are, for example, a temperature of 140 ° C.
  • factors that affect the T-shaped peeling intensity include the irradiation amount of the active energy rays of the film 10 and the aging conditions (for example, temperature and period).
  • the aging conditions are, for example, a temperature of 40 ° C. and a period of 4 days.
  • the surface roughness of the first surface 5a is preferably larger than the surface roughness of the second surface 5b.
  • the surface roughness of the first surface 5a is 1.0 ⁇ m or less, for example, 0.9 ⁇ m or less, 0.8 ⁇ m or less, or 0.75 ⁇ m or less from the viewpoint of preventing deterioration of adhesiveness due to the surface roughness. You can.
  • the surface roughness of the first surface 5a is 0.25 ⁇ m or more, 0.3 ⁇ m or more, 0.4 ⁇ m or more, 0.5 ⁇ m or more, from the viewpoint of preventing deterioration of the anchor effect due to the surface smoothness becoming too high. It may be 0.6 ⁇ m or more, or 0.65 ⁇ m or more.
  • the surface roughness of the second surface 5b may be, for example, 0.9 ⁇ m or less, 0.8 ⁇ m or less, 0.7 ⁇ m or less, or less than 0.65 ⁇ m, and is 0.25 ⁇ m or more and 0. It may be 3 ⁇ m or more, 0.4 ⁇ m or more, or 0.45 ⁇ m or more.
  • the second surface 5b is in contact with the semiconductor wafer, the base material, or the like.
  • the first surface 5a may be exposed by laminating and transferring the film 10 at about 40 to 80 ° C.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be made of a pressure-sensitive adhesive used in the field of dicing tape. That is, the pressure-sensitive adhesive layer 2 may be made of a pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive or a pressure-sensitive adhesive that is cured by being irradiated with active energy (for example, ultraviolet rays).
  • active energy for example, ultraviolet rays
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 contains a resin having a carbon-carbon double bond that is reactive to irradiation with active energy rays
  • the pressure-sensitive adhesive layer 2 is modified by irradiation with active energy rays, whereby the adhesive layer 2 is modified. Adhesion with metal particles existing on the first surface 5a of 5 is likely to be improved.
  • the film constituting the base material layer 1 examples include plastic films such as polytetrafluoroethylene film, polyethylene terephthalate film, polyethylene film, polypropylene film, polymethylpentene film, and polyimide film. Further, the base material layer 1 may be subjected to surface treatment such as primer coating, UV treatment, corona discharge treatment, polishing treatment, and etching treatment, if necessary.
  • the film 10 is useful for efficiently manufacturing a semiconductor device having excellent heat dissipation.
  • the film 10 is manufactured through the following steps.
  • the dose of the active energy ray to the film 10 is, for example, 10 ⁇ 1000 mJ / cm 2, may be 100 ⁇ 700mJ / cm 2 or 200 ⁇ 500mJ / cm 2.
  • a suitable adhesive layer may be selected as follows. That is, by implementing a selection method including the following steps, an adhesive layer in which the T-type peeling strength B after irradiation with the active energy ray is larger than the T-shaped peeling strength A before irradiation with the active energy ray is selected. Can be done.
  • -A process of irradiating the above dicing / die bonding integrated film with active energy rays -A step of measuring the T-shaped peeling strength A of the adhesive layer 2 and the adhesive layer before irradiation with active energy rays.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a semiconductor device.
  • the semiconductor device 100 shown in this figure includes a substrate 70, four chips S1, S2, S3, S4 laminated on the surface of the substrate 70, electrodes (not shown) on the surface of the substrate 70, and four chips S1. , S2, S3, S4 are electrically connected with wires W1, W2, W3, W4, and a sealing layer 50 for sealing these.
  • the substrate 70 is, for example, an organic substrate and may be a metal substrate such as a lead frame. From the viewpoint of suppressing the warp of the semiconductor device 100, the thickness of the substrate 70 is, for example, 70 to 140 ⁇ m, and may be 80 to 100 ⁇ m.
  • the four chips S1, S2, S3, and S4 are laminated via the cured product 5C of the adhesive piece 5P.
  • the shapes of the chips S1, S2, S3, and S4 in a plan view are, for example, a square or a rectangle.
  • the area of the chips S1, S2, S3, S4 is 9 mm 2 or less, and may be 0.1 to 4 mm 2 or 0.1 to 2 mm 2.
  • the length of one side of the chips S1, S2, S3, and S4 is, for example, 3 mm or less, and may be 0.1 to 2.0 mm or 0.1 to 1.0 mm.
  • the thickness of the chips S1, S2, S3, S4 is, for example, 10 to 170 ⁇ m, and may be 25 to 100 ⁇ m.
  • the length of one side of the four chips S1, S2, S3, and S4 may be the same or different from each other, and the thickness is also the same.
  • the method for manufacturing the semiconductor device 100 includes the step of preparing the film 10 described above, attaching the wafer W to the adhesive layer 5 of the film 10, and dicing ring DR on the second surface 2b of the adhesive layer 2.
  • the step of picking up from the first region 3a of the agent layer 2 and the step of mounting the chip S1 on the substrate 70 via the adhesive piece 5P are included.
  • the above-mentioned film 10 is prepared. As shown in FIGS. 4A and 4B, the film 10 is attached so that the adhesive layer 5 is in contact with one surface of the wafer W. Further, the dicing ring DR is attached to the second surface 2b of the pressure-sensitive adhesive layer 2.
  • the wafer W is fragmented into chips S.
  • the adhesive layer 5 is also individualized to become an adhesive piece 5P.
  • Examples of the dicing method include a method using a dicing blade or a laser.
  • the wafer W may be thinned by grinding the wafer W prior to dicing the wafer W.
  • the adhesive layer 2 is pushed up by the pin 42 while the chips S are separated from each other by expanding the base material layer 1 under normal temperature or cooling conditions.
  • the piece 5P is peeled off, and the tip 8 with the adhesive piece is sucked by the suction collet 44 and picked up.
  • the manufacturing method of the semiconductor device 100 will be specifically described with reference to FIGS. 5 to 7.
  • the first-stage chip S1 (chip S) is crimped to a predetermined position on the substrate 70 via the adhesive piece 5P.
  • the adhesive piece 5P is cured by heating.
  • the adhesive piece 5P is cured to become a cured product 5C.
  • the curing treatment of the adhesive piece 5P may be carried out in a pressurized atmosphere from the viewpoint of reducing voids.
  • the second-stage chip S2 is mounted on the surface of the chip S1 in the same manner as the mounting of the chip S1 on the substrate 70. Further, the structure 60 shown in FIG. 6 is manufactured by mounting the third-stage and fourth-stage chips S3 and S4. After the chips S1, S2, S3, S4 and the substrate 70 are electrically connected by wires W1, W2, W3, W4 (see FIG. 7), the semiconductor element and the wire are sealed by the sealing layer 50. The semiconductor device 100 shown in 3 is completed.
  • the symbols in Table 1 mean the following components.
  • Adhesive varnish A was used to form the adhesive layer.
  • the vacuum-defoamed adhesive varnish A was applied onto a polyethylene terephthalate (PET) film (thickness 38 ⁇ m) that had been subjected to a mold release treatment as a support film.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the applied varnish was heat-dried at 90 ° C. for 5 minutes and then at 140 ° C. for 5 minutes in two steps to form a B-stage adhesive layer (thickness 20 ⁇ m) on the support film.
  • the surface roughness (arithmetic mean roughness Ra) of the first surface of the adhesive layer (the surface in contact with the adhesive layer) was measured at a magnification of 50 using a shape measuring laser microscope VK-X100 (manufactured by Keyence Co., Ltd.). It was determined by measuring at double. The results are shown in Table 2.
  • Thermal conductivity of the measurement sample was calculated by the following formula. The results are shown in Table 2.
  • Thermal conductivity (W / m ⁇ K) specific heat (J / kg ⁇ K) x thermal diffusivity (m 2 / s) x specific gravity (kg / m 3 )
  • the specific heat, thermal diffusivity, and specific gravity were measured by the following methods. Higher thermal conductivity means better heat dissipation.
  • the acrylic resin to be blended in the pressure-sensitive adhesive layer was synthesized as follows. That is, the following components were placed in a flask having a capacity of 2000 ml equipped with a three-one motor, a stirring blade, and a nitrogen introduction tube.
  • 2-Hydroxyethyl acrylate 100 g ⁇
  • the solution containing the acrylic resin (A) obtained as described above was vacuum dried at 60 ° C. overnight.
  • the solid content obtained by this was elementally analyzed by a fully automatic elemental analyzer (manufactured by Elemental Co., Ltd., trade name: varioEL), and the content of the introduced 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was calculated from the nitrogen content. , 0.50 mmol / g.
  • the polystyrene-equivalent weight average molecular weight of (A) acrylic resin was determined using the following device. That is, SD-8022 / DP-8020 / RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation was used, Gelpack GL-A150-S / GL-A160-S manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd. was used for the column, and tetrahydrofuran was used as the eluent. GPC measurement was performed. As a result, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight was 800,000. The hydroxyl value and acid value measured according to the method described in JIS K0070 were 61.1 mgKOH / g and 6.5 mgKOH / g.
  • a varnish for forming an adhesive layer was prepared by mixing the following components.
  • the pressure-sensitive adhesive layer formed by this varnish is cured by being irradiated with ultraviolet rays.
  • the amount of ethyl acetate (solvent) was adjusted so that the total solid content of the varnish was 25% by mass.
  • a polyethylene terephthalate film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 38 ⁇ m) with a mold release treatment on one surface was prepared.
  • a varnish for forming an adhesive layer was applied to the surface subjected to the mold release treatment using an applicator, and then dried at 80 ° C. for 5 minutes.
  • a laminate (dicing film) composed of a polyethylene terephthalate film and an adhesive layer (thickness 30 ⁇ m) formed on the polyethylene terephthalate film was obtained.
  • a polyolefin film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 80 ⁇ m) with corona treatment on one side was prepared.
  • the surface treated with corona and the pressure-sensitive adhesive layer of the laminated body were bonded together at room temperature.
  • the pressure-sensitive adhesive layer was transferred to the polyolefin film (cover film) by pressing with a rubber roll.
  • the pressure-sensitive adhesive layer according to this example was obtained by leaving it at room temperature for 3 days.
  • a laminated film was obtained by laminating the adhesive layer and the adhesive layer at 25 ° C.
  • the laminated film was irradiated with ultraviolet rays of 300 mJ / cm 2 (illuminance: 100 mW / cm 2).
  • a dicing / die bonding integrated film according to Example 1 was obtained through a step of aging for 4 days under a temperature condition of 40 ° C.
  • T-shaped peeling strength The T-shaped peeling strength at the interface between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer is measured according to the method described in JIS K6854-3: 1999 "Adhesive-Peeling Adhesive Strength Test Method-Part 3: T-shaped Peeling". did. The following conditions were set as follows. The results are shown in Table 2. ⁇ Temperature: 23 °C ⁇ Width of test piece: 25 mm ⁇ Peeling speed: 10 mm / min
  • the silicon wafer with the dicing / die bonding integrated film was separated into a plurality of chips with adhesive pieces (size 2 mm ⁇ 2 mm) by blade dicing. After dicing, the presence or absence of tip flying was confirmed. The results are shown in Table 2.
  • Dicer DFD6361 (manufactured by Disco Corporation) -Blade: ZH05-SD4000-N1-70-BB (manufactured by Disco Corporation) ⁇ Blade rotation speed: 40,000 rpm ⁇ Dicing speed: 30 mm / sec ⁇ Blade height: 90 ⁇ m ⁇ Depth of cut from the surface of the dicing film base material: 20 ⁇ m ⁇ Amount of water during dicing Blade cooler: 1.5 L / min shower: 1.0 L / min Spray: 1.0 L / min
  • Example 2 Except for the fact that the adhesive varnish B was used to form the adhesive layer and that the second surface of the adhesive layer was smoothed before the adhesive layer and the adhesive layer were bonded together.
  • a dicing / die bonding integrated film was obtained in the same manner as in Example 1. The evaluation results are shown in Table 2. The conditions for the smoothing process were as follows. ⁇ Temperature 140 °C ⁇ Pressure 0.5MPa ⁇ Speed 0.1m / min
  • a method capable of efficiently manufacturing a semiconductor device having excellent heat dissipation is provided. Further, according to the present disclosure, a method for selecting an adhesive layer useful for efficiently manufacturing the semiconductor device, a dicing / die bonding integrated film provided with the adhesive layer, and a method for manufacturing the same are provided. To.

Landscapes

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  • Dicing (AREA)

Abstract

本開示に係る半導体装置の製造方法は、（Ａ）基材層と粘着剤層と接着剤層とをこの順序で備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、（Ｂ）この一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射する工程と、（Ｃ）接着剤層に対してウェハを貼る工程と、（Ｄ）ウェハ及び接着剤層を個片化することによって複数の接着剤片付きチップを得る工程と、（Ｅ）接着剤片付きチップを粘着剤層からピックアップする工程と、（Ｆ）接着剤片付きチップを基板又は他のチップ上にマウントする工程とを含み、接着剤層が当該接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含有する。

Description

半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法
　本開示は、半導体装置の製造方法、接着剤層の選定方法、並びに、接着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法に関する。
　従来、半導体装置は以下の工程を経て製造される。まず、ダイシング用粘着シートに半導体ウェハを貼り付け、その状態で半導体ウェハを半導体チップに個片化する（ダイシング工程）。その後、ピックアップ工程、圧着工程及びダイボンディング工程等が実施される。特許文献１は、ダイシング工程において半導体ウェハを固定する機能と、ダイボンディング工程において半導体チップを基板と接着させる機能とを併せ持つ粘接着シート（ダイシングダイボンディングシート）を開示する。ダイシング工程において、半導体ウェハ及び接着剤層を個片化することで、接着剤片付きチップが得られる。
　近年、電力の制御等を行うパワー半導体装置と称されるデバイスが普及している。パワー半導体装置は供給される電流に起因して熱が発生しやすく、優れた放熱性が求められる。特許文献２は硬化後の放熱性が硬化前の放熱性よりも高い導電性フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付きダイシングテープを開示する。
特開２００８－２１８５７１号公報 特許第６３９６１８９号公報
　本発明者らは、優れた放熱性を有する半導体装置を開発する過程において、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層に、当該接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を配合したところ、接着剤層と粘着剤層の密着性が不十分となりやすいことを見出した。両者の密着性が不十分であると、ダイシング工程において粘着剤層から接着剤片付きチップが離脱するという不具合が生じる。
　本開示は、ウェハ及び接着剤層を個片化して複数の接着剤片付きチップを粘着剤層上に作製するダイシング工程において、粘着剤層からの接着剤片付きチップの離脱を十分に抑制でき、優れた放熱性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法を提供する。また、本開示は、上記半導体装置を効率的に製造するのに有用な接着剤層を選定する方法、並びに、接着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法を提供する。
　従来、接着剤層と粘着剤層の密着性を低下させる手法として、粘着剤層に活性エネルギー線（例えば紫外線）を照射することが知られている（特許文献１段落［００８８］参照）。本発明者らは、接着剤層が多量の金属粒子を含んでいると、活性エネルギー線の照射によって接着剤層と粘着剤層の密着性がかえって増大することを見出し、以下の本開示に係る発明を完成させるに至った。
　本開示の一側面は半導体装置の製造方法に関する。この製造方法は以下の工程を含み、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの接着剤層が当該接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含有する。
（Ａ）基材層と、粘着剤層と、接着剤層とをこの順序で備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程
（Ｂ）上記一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射する工程
（Ｃ）上記一体型フィルムの接着剤層に対してウェハを貼る工程
（Ｄ）ウェハ及び接着剤層を個片化することによって複数の接着剤片付きチップを得る工程
（Ｅ）接着剤片付きチップを粘着剤層からピックアップする工程
（Ｆ）接着剤片付きチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程
　上記製造方法によれば、（Ｄ）工程（ダイシング工程）よりも前に、（Ｂ）工程（活性エネルギー線照射工程）を実施することで、接着剤層と粘着剤層の密着性を高めることができ、ダイシング工程において、粘着剤層からの接着剤片付きチップの離脱を十分に抑制できる。なお、上記製造方法において、（Ｂ）工程の後に（Ｃ）工程を実施してもよいし、（Ｃ）工程の後に（Ｂ）工程を実施してもよい。
　本開示において、活性エネルギー線の照射後における粘着剤層と接着剤層のＴ形はく離強度Ｂは、活性エネルギー線の照射前における両者のＴ形はく離強度Ａよりも大きければよい。活性エネルギー線の照射後におけるＴ形はく離強度Ｂの下限値は、ダイシング工程における両者の十分な密着性の観点から、例えば、０．０７Ｎ／２５ｍｍである。他方、Ｔ形はく離強度Ｂの上限値は、優れたピックアップ性の観点から、例えば、０．５Ｎ／２５ｍｍである。なお、ここでいうＴ形はく離強度は、実施例に記載の方法で算出された値を意味する。
　接着剤層が多量の金属粒子を含んでいる場合、接着剤層に含まれる金属粒子の表面及びこれに接する粘着剤層の少なくとも一方を活性エネルギー線が改質することが金属粒子と粘着剤層の密着性が増大する主因であると本発明者らは推察する。本発明者らは、接着剤層からはく離された粘着剤層の表面に、もともと接着剤層に含まれていた金属粒子が付着していることをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で確認した。
　本開示の一態様において、粘着剤層は、活性エネルギー線の照射に対する反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有する。この場合、活性エネルギー線の照射によって粘着剤層が改質されて金属粒子との密着性が増大しやすい。
　本開示の一側面は、基材層及び粘着剤層とともにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを構成する接着剤層の選定方法である。この選定方法は以下の工程を含み、活性エネルギー線の照射後のＴ形はく離強度Ｂが活性エネルギー線の照射前におけるＴ形はく離強度Ａよりも大きい接着剤層を選定する。
・基材層と、基材層の一方の面上に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングフィルムを準備する工程
・粘着剤層の表面上に、接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含む接着剤層を形成することによってダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得る工程
・上記一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射する工程
・活性エネルギー線の照射前における粘着剤層と接着剤層のＴ形はく離強度Ａを測定する工程
・活性エネルギー線の照射後における粘着剤層と接着剤層のＴ形はく離強度Ｂを測定する工程
　この選定方法によれば、優れた放熱性を有する半導体装置を効率的に製造するのに有用な接着剤層を選定することができる。
　本開示の一側面は、基材層と、粘着剤層と、接着剤層とをこの順序で備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法に関する。この製造方法は、以下の工程を含む。
・基材層と、基材層の一方の面上に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングフィルムを準備する工程
・粘着剤層の表面上に、接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含む接着剤層を形成することによってダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得る工程
・上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射することによって、粘着剤層と接着剤層のＴ形はく離強度を増大させる工程
　この製造方法によれば、優れた放熱性を有する半導体装置を効率的に製造するのに有用なダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを製造することができる。この製造方法において、接着剤層として、本開示に係る上記選定方法によって選定された接着剤層を使用してもよい。
　本開示の一側面はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに関する。この一体型フィルムは、基材層と、基材層と対面する第１の表面及びその反対側の第２の表面を有する粘着剤層と、第２の表面の中央部を覆うように設けられた接着剤層とを備え、粘着剤層と接着剤層の界面は接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域であってエネルギー線が照射された領域を有し、当該領域における粘着剤層と接着剤層のＴ形はく離強度が０．０７Ｎ／２５ｍｍ以上である。
　上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、活性エネルギー線の照射によって粘着剤層と接着剤層が十分な密着性を有している。このため、ダイシング工程において、粘着剤層からの接着剤片付きチップの離脱を十分に抑制できる。また、上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムは、活性エネルギー線が既に照射された状態であるから、半導体装置の製造プロセスにおいて活性エネルギー線を照射する工程を省略できる。
　上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、粘着剤層と接着剤層のＴ形はく離強度は、優れたピックアップ性の観点から、例えば、０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。上記接着剤層は熱硬化性樹脂成分を含んでもよく、熱硬化後の接着剤層の熱伝導率は、例えば、１．５～２０Ｗ／ｍ・Ｋである。接着剤層に配合する金属粒子の量及び種類によって熱硬化後の接着剤層の熱伝導率を調整することができる。
　本開示によれば、ウェハ及び接着剤層を個片化して複数の接着剤片付きチップを粘着剤層上に作製するダイシング工程において、粘着剤層からの接着剤片付きチップの離脱を十分に抑制でき、優れた放熱性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法が提供される。また、本開示によれば、上記半導体装置を効率的に製造するのに有用な接着剤層の選定方法、並びに、当該接着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法が提供される。
図１（ａ）はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの一実施形態を示す平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）に示すＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。 図２はダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの粘着剤層の周縁部にダイシングリングが貼り付けられるとともに、接着剤層の表面にウェハが貼り付けられた状態を示す模式図である。 図３は半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。 図４（ａ）～図４（ｄ）は、接着剤片付きチップを製造する過程を模式的に示す断面図である。 図５は図３に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図６は図３に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。 図７は図３に示す半導体装置を製造する過程を模式的に示す断面図である。
　以下、図面を適宜参照しながら、本開示の実施形態について説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。
　本明細書における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。
　本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はそれに対応するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリル共重合体等の他の類似表現についても同様である。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム＞
　図１（ａ）は、本実施形態に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを示す平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＢ－Ｂ線に沿った模式断面図である。図２はダイシング・ダイボンディング一体型フィルム１０（以下、場合により、単に「フィルム１０」という。）の粘着剤層２の周縁部にダイシングリングＤＲが貼り付けられるとともに、接着剤層５の表面にウェハＷが貼り付けられた状態を示す模式図である。フィルム１０は、ウェハＷを複数のチップに個片化するダイシング工程及びその後のピックアップ工程を含む半導体装置の製造プロセスに適用されるものである（図４（ｃ）及び図４（ｄ）参照）。なお、本実施形態においては、正方形の基材層１の上に、粘着剤層２及び接着剤層５の積層体が一つ形成された態様を例示したが、基材層１が所定の長さ（例えば、１００ｍ以上）を有し、その長手方向に並ぶように、粘着剤層２及び接着剤層５の積層体が所定の間隔で配置された態様であってもよい。フィルム１０は、接着剤層５を覆うカバーフィルム（不図示）を更に備えてもよい。
　フィルム１０は、基材層１と、基材層１と対面する第１の表面２ａ及びその反対側の第２の表面２ｂを有する粘着剤層２と、粘着剤層２の第２の表面２ｂの中央部を覆うように設けられた接着剤層５とをこの順序で備える。多量の金属粒子を含む接着剤層５と粘着剤層２との界面に活性エネルギー線が照射されることで、両層の密着性を向上している。すなわち、活性エネルギー線照射後の両層の界面におけるＴ形はく離強度は０．０７Ｎ／２５ｍｍ以上であり、０．１～０．５Ｎ／２５ｍｍ、０．１５～０．４Ｎ／２５ｍｍ又は０．２～０．４Ｎ／２５ｍｍであってもよい。以下、フィルム１０を構成する各層について説明する。
（接着剤層）
　接着剤層５は、（ａ）金属粒子を含有し、必要に応じて、（ｂ）熱硬化性樹脂、（ｃ）硬化剤、及び（ｄ）エラストマーを更に含有していてもよい。接着剤層５は、熱硬化性であり、半硬化（Ｂステージ）状態を経て、硬化処理後に完全硬化物（Ｃステージ）状態となり得る。
　多量に含まれる金属粒子により、硬化後の接着剤層５は優れた熱伝導性を有する。硬化後の接着剤層５の熱伝導率は、例えば、１．５～２０Ｗ／ｍ・Ｋである。硬化後の接着剤層５の熱伝導率が１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であると、放熱性に優れる半導体装置を製造し得る。硬化後の接着剤層５の熱伝導率は、１．６Ｗ／ｍ・Ｋ以上、１．７Ｗ／ｍ・Ｋ以上、２．０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、又は２．３Ｗ／ｍ・Ｋ以上であってよい。なお、ここでいう熱伝導率は、実施例に記載の方法で算出された値を意味する。
（ａ）成分：金属粒子
　（ａ）成分は、接着剤層５の熱伝導性を高め、半導体装置の放熱性を高めるために用いられる成分である。（ａ）成分としては、例えば、ニッケル粒子、銅粒子、銀粒子、アルミニウム粒子が挙げられる。（ａ）成分として、基材粒子（例えば、金属粒子又は樹脂粒子）の表面を金属で被覆した粒子を使用してもよい。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（ａ）成分は、酸化され難いことから、銀粒子又は金属粒子（例えば、銅粒子等）の表面を銀で被覆した粒子であってよい。
　（ａ）成分の形状は、特に制限されず、例えば、フレーク状、球状等である。（ａ）成分の平均粒径は、０．０１～１０μｍであってよい。（ａ）成分の平均粒径が０．０１μｍ以上であると、接着剤ワニスを作製したときの粘度上昇を防ぎ、所望の量の（ａ）成分を接着剤層５に含有させることができるとともに、接着剤層５の被着体への濡れ性を確保してより良好な接着性を発揮させることができる傾向にある。（ａ）成分の平均粒径が１０μｍ以下であると、フィルム成形性により優れ、金属粒子の添加による導電性をより向上させることができる傾向にある。また、このような範囲にすることによって、接着剤層５の厚さをより薄くすることができ、更に半導体チップを高積層化することができるとともに、接着剤層５から金属粒子が突き出すことによるチップクラックの発生を防止することができる傾向にある。（ａ）成分の平均粒径は、０．１μｍ以上、０．５μｍ以上、１．０μｍ以上、又は１．５μｍ以上であってもよく、８．０μｍ以下、７．０μｍ以下、６．０μｍ以下、５．０μｍ以下、４．０μｍ以下、又は３．０μｍ以下であってもよい。（ａ）成分の平均粒径が５．０μｍ以下であると、物理的な平滑化処理を行わなくても、所定の表面粗さを有する接着剤層５が得られ易い傾向にある。なお、（ａ）成分の平均粒径は、（ａ）成分全体の体積に対する比率（体積分率）が５０％のときの粒径（Ｄ５０）を意味する。（ａ）成分の平均粒径（Ｄ５０）は、レーザー散乱型粒径測定装置（例えば、マイクロトラック）を用いて、水中に（ａ）成分を懸濁させた懸濁液をレーザー散乱法によって測定することによって求めることができる。
　（ａ）成分の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、７５質量％以上である。（ａ）成分の含有量が、接着剤層５の全量を基準として、７５質量％以上であると、接着剤層５の熱伝導率を向上させることができ、結果として、放熱性を向上させることができる。（ａ）成分の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、７７質量％以上、８０質量％以上、８３質量％以上、又は８５質量％以上であってもよい。（ａ）成分の含有量の上限は、特に制限されないが、接着剤層５の全量を基準として、９５質量％以下、９２質量％以下、又は９０質量％以下であってよい。
（ｂ）成分：熱硬化性樹脂
　（ｂ）成分は、加熱等によって、分子間で三次元的な結合を形成し硬化する性質を有する成分であり、硬化後に接着作用を示す成分である。（ｂ）成分は、エポキシ樹脂であってよい。（ｂ）成分は、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含んでいてもよい。エポキシ樹脂は、分子内にエポキシ基を有するものであれば、特に制限なく用いることができる。エポキシ樹脂は、分子内に２以上のエポキシ基を有しているものであってよい。
　エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦノボラック型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリアジン骨格含有エポキシ樹脂、フルオレン骨格含有エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、キシリレン型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、多官能フェノール類、アントラセン等の多環芳香族類のジグリシジルエーテル化合物などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、エポキシ樹脂は、硬化物の耐熱性等の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂又はクレゾールノボラック型エポキシ樹脂であってよい。
　エポキシ樹脂は、２５℃で液状のエポキシ樹脂であってよい。このようなエポキシ樹脂を用いることによって、所定の表面粗さを有するダイボンディングフィルムが得られ易い傾向にある。また、物理的な平滑化処理を行う場合であっても、より温和な条件で行うことができる傾向にある。２５℃で液状のエポキシ樹脂の市販品としては、例えば、ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製）、ＹＤＦ－８１７０Ｃ（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社）等が挙げられる。
　エポキシ樹脂のエポキシ当量は、特に制限されないが、９０～３００ｇ／ｅｑ、１１０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１１０～２９０ｇ／ｅｑであってよい。（Ａ）成分のエポキシ当量がこのような範囲にあると、接着剤層５のバルク強度を維持しつつ、接着剤層５を形成する際の接着剤組成物の流動性を確保し易い傾向にある。
　（ｂ）成分の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、０．１質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、又は８質量％以下であってよい。
　（ｂ）成分が２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む場合、（ｂ）成分に対する当該エポキシ樹脂の質量比（当該エポキシ樹脂の質量／（ｂ）成分の全質量）は、百分率で、１０～１００％、４０～１００％、６０％～１００％、又は８０％～１００％であってよい。（ｂ）成分が２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む場合、当該エポキシ樹脂の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、１質量％以上、２質量％以上、３質量％以上、又は４質量％以上であってよい。当該エポキシ樹脂の含有量は、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、又は８質量％以下であってよい。
（ｃ）成分：硬化剤
　（ｃ）成分は、エポキシ樹脂の硬化剤となり得るフェノール樹脂であってよい。フェノール樹脂は、分子内にフェノール性水酸基を有するものであれば特に制限なく用いることができる。フェノール樹脂としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα－ナフトール、β－ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、アリル化ビスフェノールＡ、アリル化ビスフェノールＦ、アリル化ナフタレンジオール、フェノールノボラック、フェノール等のフェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノールアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂、フェニルアラルキル型フェノール樹脂などが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　フェノール樹脂の水酸基当量は、４０～３００ｇ／ｅｑ、７０～２９０ｇ／ｅｑ、又は１００～２８０ｇ／ｅｑであってよい。フェノール樹脂の水酸基当量が４０ｇ／ｅｑ以上であると、フィルムの貯蔵弾性率がより向上する傾向にあり、３００ｇ／ｅｑ以下であると、発泡、アウトガス等の発生による不具合を防ぐことが可能となる。
　（ｂ）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量と（ｃ）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量との比（（ｂ）成分であるエポキシ樹脂のエポキシ当量／（ｃ）成分であるフェノール樹脂の水酸基当量）は、硬化性の観点から、０．３０／０．７０～０．７０／０．３０、０．３５／０．６５～０．６５／０．３５、０．４０／０．６０～０．６０／０．４０、又は０．４５／０．５５～０．５５／０．４５であってよい。当該当量比が０．３０／０．７０以上であると、より充分な硬化性が得られる傾向にある。当該当量比が０．７０／０．３０以下であると、粘度が高くなり過ぎることを防ぐことができ、より充分な流動性を得ることができる。
　（ｃ）成分の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、０．１質量％以上、１質量％以上、２質量％以上、又は３質量％以上であってよく、１５質量％以下、１２質量％以下、１０質量％以下、又は８質量％以下であってよい。
（ｄ）成分：エラストマー
　（ｄ）成分としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等であって、架橋性官能基を有するものが挙げられる。ここで、アクリル樹脂とは、（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーを意味する。アクリル樹脂は、構成単位として、エポキシ基、アルコール性又はフェノール性水酸基、カルボキシ基等の架橋性官能基を有する（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位を含むポリマーであってよい。また、アクリル樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルとアクリルニトリルとの共重合体等のアクリルゴムであってもよい。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　アクリル樹脂の市販品としては、例えば、ＳＧ－７０Ｌ、ＳＧ－７０８－６、ＷＳ－０２３　ＥＫ３０、ＳＧ－２８０　ＥＫ２３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３ＣＳＰ－３ＤＢ（いずれもナガセケムテックス株式会社製）等が挙げられる。
　（ｄ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－５０～５０℃又は－３０～２０℃であってよい。アクリル樹脂のＴｇが－５０℃以上であると、接着剤層５のタック性が低くなるため取り扱い性がより向上する傾向にある。アクリル樹脂のＴｇが５０℃以下であると、接着剤層５を形成する際の接着剤組成物の流動性をより充分に確保できる傾向にある。ここで、（ｄ）成分のガラス転移温度（Ｔｇ）は、ＤＳＣ（熱示差走査熱量計）（例えば、株式会社リガク製、商品名：Ｔｈｅｒｍｏ　Ｐｌｕｓ　２）を用いて測定した値を意味する。
　（ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５万～１２０万、１０万～１２０万、又は３０万～９０万であってよい。（ｄ）成分の重量平均分子量が５万以上であると、成膜性により優れる傾向にある。（ｄ）成分の重量平均分子量が１２０万以下であると、接着剤層５を形成する際の接着剤組成物の流動性により優れる傾向にある。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値である。
　（ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）の測定装置、測定条件等は、以下のとおりである。
　ポンプ：Ｌ－６０００（株式会社日立製作所製）
　カラム：ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４４０（日立化成株式会社製）、ゲルパック（Ｇｅｌｐａｃｋ）ＧＬ－Ｒ４５０（日立化成株式会社製）、及びゲルパックＧＬ－Ｒ４００Ｍ（日立化成株式会社製）（各１０．７ｍｍ（直径）×３００ｍｍ）をこの順に連結したカラム
　溶離液：テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）
　サンプル：試料１２０ｍｇをＴＨＦ５ｍＬに溶解させた溶液
　流速：１．７５ｍＬ／分
　（ｄ）成分の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、０．１質量％以上、０．５質量％以上、１質量％以上、又は２質量％以上であってよく、１０質量％以下、８質量％以下、６質量％以下、又は５質量％以下であってよい。
（ｅ）成分：硬化促進剤
　接着剤層５は、（ｅ）硬化促進剤を更に含有していてもよい。接着剤層５が（ｅ）成分を含有することによって、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。（ｅ）成分としては、例えば、イミダゾール類及びその誘導体、有機リン系化合物、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、（ｅ）成分は、反応性の観点から、イミダゾール類及びその誘導体であってよい。
　イミダゾール類としては、例えば、２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－メチルイミダゾール等が挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　（ｅ）成分の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、０．００１～１質量％であってよい。（ｅ）成分の含有量がこのような範囲にあると、接着性と接続信頼性とをより両立することができる傾向にある。
　接着剤層５は、（ａ）成分～（ｅ）成分以外のその他の成分として、カップリング剤、抗酸化剤、レオロジーコントロール剤、レベリング剤等をさらに含有していてもよい。カップリング剤としては、例えば、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。その他の成分の含有量は、接着剤層５の全量を基準として、０．０１～３質量％であってよい。
　接着剤層５は、上述の（ａ）成分、必要に応じて、（ｂ）成分～（ｅ）成分及びその他の成分を含有する接着剤組成物をフィルム状に形成することによって作製することができる。このような接着剤層５は、接着剤組成物を支持フィルム（不図示）に塗布することによって形成することができる。接着剤組成物は、溶剤で希釈された接着剤ワニスとして用いることができる。接着剤ワニスを用いる場合は、接着剤ワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去することによって接着剤層５を形成することができる。
　溶剤は、（ａ）成分以外の成分を溶解できるものであれば特に制限されない。溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素；メチルシクロヘキサンなどの環状アルカン；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。これらは、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのうち、溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、又はシクロヘキサノンであってもよい。接着剤ワニス中の固形成分濃度は、接着剤ワニスの全質量を基準として、１０～８０質量％であってよい。
　接着剤ワニスは、（ａ）成分～（ｅ）成分、その他の成分、及び溶剤を、混合、混練することによって調製することができる。なお、各成分の混合、混練の順序は特に制限されず、適宜設定することができる。混合及び混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル、ビーズミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。接着剤ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してもよい。
　上記ワニスが塗工される支持フィルムとしては、特に制限はなく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド等のフィルムが挙げられる。支持フィルムの厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。
　接着剤ワニスを支持フィルムに塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。加熱乾燥の条件は、使用した溶剤が充分に揮発する条件であれば特に制限はないが、例えば、５０～２００℃で０．１～９０分間であってもよい。
　接着剤層５の厚さは、用途に合わせて、適宜調整することができるが、例えば、３～２００μｍであってよい。接着剤層５の厚さが３μｍ以上であると、接着力が充分となる傾向にあり、２００μｍ以下であると、放熱性が充分となる傾向にある。接着剤層５の厚さは、接着力及び半導体装置の薄型化の観点から、１０～１００μｍ又は１２０～７５μｍであってもよい。
　接着剤層５において、第１の表面５ａの表面粗さは、例えば、１．０μｍ以下であり、第２の表面５ｂの表面粗さは、例えば、１．０μｍ以下である。粘着剤層２の第２の表面５ｂと接する表面を第１の表面５ａとし、ウェハＷが貼り合わされる側の面を第２の表面５ｂとして以下説明する。なお、ここでいう表面粗さは、算術平均粗さＲａを意味し、「算術平均粗さＲａ」は、実施例に記載の方法で算出された値を意味する。測定倍率は、５０～１００倍であってもよい。
　第２の表面５ｂは、接着剤ワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去する製造方法によって形成される場合、通常、接着剤ワニスの含有成分に依らず、当該面の表面粗さは１．０μｍ以下となる傾向にある。一方、第１の表面５ａは、接着剤ワニスを支持フィルムに塗布し、溶剤を加熱乾燥して除去する製造方法によって形成される場合、通常、接着剤ワニスの含有成分の影響を受ける傾向にある。第１の表面５ａは、例えば、平均粒径５．０μｍ以下の粒子、及び／又は、球状粒子の（ａ）成分を用いることによって、当該表面の表面粗さを１．０μｍ以下に調整することができる。なお、第１の表面５ａの表面粗さが１．０μｍを超える場合、例えば、物理的な平滑化処理を行うことによって、その表面粗さを１．０μｍ以下に調整することができる。
　平滑化処理は、例えば、接着剤層５の第１の表面５ａをポリエチレンフィルム（ＰＥフィルム）、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）等を介して押圧することによって行うことができる。この場合、接着剤層５を加温しながら行ってもよい。押圧は、例えば、ゴムロール、金属ロール等を用いて行うことができる。押圧する際の荷重は、０．０１～３．０ＭＰａ又は０．３～１．０ＭＰａであってよい。押圧する際の荷重が０．０１ＭＰａ以上であると、充分な平滑化効果が得られる傾向にあり、押圧する際の荷重が３．０ＭＰａ以下であると、装置の負担を減らして連続的な処理が可能となる傾向にある。押圧する際の加温温度は、室温（２０℃）～２００℃又は５０℃～１４０℃であってよい。押圧する際の加温温度が２００℃以下であると、接着剤層５の硬化反応が進行するのを抑制できる傾向にある。なお、平滑化処理は、（ａ）成分が２５℃で液状のエポキシ樹脂を所定の範囲で含むことによって、より温和な条件で行うことが可能となり得る。平滑化処理の条件（例えば、温度及び圧力）を調整することで、接着剤層５の第１の表面５ａと粘着剤層２の第２の表面２ｂのＴ形はく離強度を向上させることができる。平滑化処理の条件は、例えば、温度１４０℃及び圧力０．５ＭＰａである。平滑化処理の条件の他に、Ｔ形はく離強度に影響を与える因子として、フィルム１０の活性エネルギー線の照射量、並びに、エイジング条件（例えば、温度及び期間）などが挙げられる。エイジング条件は、例えば、温度４０℃及び期間４日である。
　第１の表面５ａの表面粗さは、第２の表面５ｂの表面粗さよりも大きいことが好ましい。このような接着剤層５をフィルム１０に適用することによって、ダイシング時における接着剤層５と粘着剤層２との密着力により優れ、チップ飛び等を抑制できる傾向にある。
　第１の表面５ａの表面粗さは、表面粗さによる接着性の低下を防ぐ観点から、１．０μｍ以下であり、例えば、０．９μｍ以下、０．８μｍ以下、又は０．７５μｍ以下であってよい。第１の表面５ａの表面粗さは、表面の平滑性が高くなり過ぎることによるアンカー効果の低下を防ぐ観点から、０．２５μｍ以上、０．３μｍ以上、０．４μｍ以上、０．５μｍ以上、０．６μｍ以上、又は０．６５μｍ以上であってよい。第２の表面５ｂの表面粗さは、同様の観点から、例えば、０．９μｍ以下、０．８μｍ以下、０．７μｍ以下、又は０．６５μｍ未満であってよく、０．２５μｍ以上、０．３μｍ以上、０．４μｍ以上、又は０．４５μｍ以上であってよい。
　なお、第１の表面５ａ（粘着剤層２と接している側の面）の表面粗さを測定するに際しては、例えば、半導体ウェハ、基材等に対して第２の表面５ｂが接するようにフィルム１０を、４０～８０℃程度でラミネートして転写することによって第１の表面５ａを露出させればよい。
（粘着剤層）
　粘着剤層２は、ダイシングテープの分野で使用される粘着剤からなるものであればよい。すなわち、粘着剤層２は、感圧型の粘着剤からなるものであっても、活性エネルギー（例えば紫外線）が照射されることによって硬化する粘着剤からなるものであってもよい。活性エネルギー線の照射に対する反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を粘着剤層２が含有する場合、活性エネルギー線の照射によって粘着剤層２が改質され、これにより、接着剤層５の第１の表面５ａに存在する金属粒子との密着性が向上しやすい。
　基材層１を構成するフィルムとして、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムなどが挙げられる。また、基材層１は、必要に応じて、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理が施されていてもよい。
＜ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法＞
　フィルム１０は、優れた放熱性を有する半導体装置を効率的に製造するのに有用である。フィルム１０は以下の工程を経て製造される。
・基材層１と、基材層１の一方の面上に設けられた粘着剤層２とを備えるダイシングフィルム３を準備する工程。
・粘着剤層２の表面上に接着剤層５を形成することによってダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得る工程。
・ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射することによって、粘着剤層と接着剤層のＴ形はく離強度を増大したフィルム１０を得る工程。
　フィルム１０に対する活性エネルギー線の照射量は、例えば、１０～１０００ｍＪ／ｃｍ２であり、１００～７００ｍＪ／ｃｍ２又は２００～５００ｍＪ／ｃｍ２であってもよい。
＜接着剤層の選定方法＞
　フィルム１０を製造するに先立ち、好適な接着剤層（ダイボンディングフィルム）を以下のようにして選定してもよい。すなわち、以下の工程を含む選定方法を実施することで、活性エネルギー線の照射後のＴ形はく離強度Ｂが活性エネルギー線の照射前におけるＴ形はく離強度Ａよりも大きい接着剤層を選定することができる。
・基材層１と、基材層１の一方の面上に設けられた粘着剤層２とを備えるダイシングフィルム３を準備する工程。
・粘着剤層２の表面上に接着剤層を形成することによってダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得る工程。
・上記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射する工程。
・活性エネルギー線の照射前における粘着剤層２と接着剤層のＴ形はく離強度Ａを測定する工程。
・活性エネルギー線の照射後における粘着剤層２と接着剤層のＴ形はく離強度Ｂを測定する工程。
＜半導体装置及びその製造方法＞
　図３は半導体装置の一例を模式的に示す断面図である。この図に示す半導体装置１００は、基板７０と、基板７０の表面上に積層された四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と、基板７０の表面上の電極（不図示）と四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４とを電気的に接続するワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４と、これらを封止している封止層５０とを備える。
　基板７０は、例えば、有機基板であり、リードフレーム等の金属基板であってもよい。基板７０は、半導体装置１００の反りを抑制する観点から、基板７０の厚さは、例えば、７０～１４０μｍであり、８０～１００μｍであってもよい。
　四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、接着剤片５Ｐの硬化物５Ｃを介して積層されている。平面視におけるチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の形状は、例えば正方形又は長方形である。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の面積は９ｍｍ２以下であり、０．１～４ｍｍ２又は０．１～２ｍｍ２であってもよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは、例えば、３ｍｍ以下であり、０．１～２．０ｍｍ又０．１～１．０ｍｍであってもよい。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の厚さは、例えば、１０～１７０μｍであり、２５～１００μｍであってもよい。なお、四つのチップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の一辺の長さは同じであっても、互いに異なっていてもよく、厚さについても同様である。
　半導体装置１００の製造方法は、上述のフィルム１０を準備する工程と、フィルム１０の接着剤層５に対してウェハＷを貼るとともに、粘着剤層２の第２の表面２ｂに対してダイシングリングＤＲを貼る工程と、ウェハＷを複数のチップＳに個片化する工程（ダイシング工程）と、接着剤片付きチップ８（チップＳ１と接着剤片５Ｐの積層体、図４（ｄ）参照）を粘着剤層２の第１の領域３ａからピックアップする工程と、接着剤片５Ｐを介してチップＳ１を、基板７０上にマウントする工程とを含む。
　図４（ａ）～図４（ｄ）を参照しながら、接着剤片付きチップ８の作製方法の一例について説明する。まず、上述のフィルム１０を準備する。図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、ウェハＷの一方の面に接着剤層５が接するようにフィルム１０を貼り付ける。また、粘着剤層２の第２の表面２ｂに対してダイシングリングＤＲを貼り付ける。
　ウェハＷ、接着剤層５及び粘着剤層２をダイシングする。これにより、図４（ｃ）に示すように、ウェハＷが個片化されてチップＳとなる。接着剤層５も個片化されて接着剤片５Ｐとなる。ダイシング方法としては、ダイシングブレード又はレーザーを用いる方法が挙げられる。なお、ウェハＷのダイシングに先立ってウェハＷを研削することによって薄膜化してもよい。
　ダイシング後、図４（ｄ）に示されるように、常温又は冷却条件下において基材層１をエキスパンドすることによってチップＳを互いに離間させつつ、ピン４２で突き上げることによって粘着剤層２から接着剤片５Ｐをはく離させるとともに、接着剤片付きチップ８を吸引コレット４４で吸引してピックアップする。
　図５～図７を参照しながら、半導体装置１００の製造方法について具体的に説明する。まず、図５に示すように、接着剤片５Ｐを介して一段目のチップＳ１（チップＳ）を基板７０の所定の位置に圧着する。次に、加熱によって接着剤片５Ｐを硬化させる。これにより、接着剤片５Ｐが硬化して硬化物５Ｃとなる。接着剤片５Ｐの硬化処理は、ボイドの低減の観点から、加圧雰囲気下で実施してもよい。
　基板７０に対するチップＳ１のマウントと同様にして、チップＳ１の表面上に二段目のチップＳ２をマウントする。更に、三段目及び四段目のチップＳ３，Ｓ４をマウントすることによって図６に示す構造体６０が作製される。チップＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４と基板７０とをワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４で電気的に接続した後（図７参照）、封止層５０によって半導体素子及びワイヤを封止することによって図３に示す半導体装置１００が完成する。
　以下、実施例により本開示について説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。
［接着剤ワニスの調製］
　表１に示す記号及び組成比（単位：質量％）で、（ｂ）熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂、（ｃ）硬化剤としてのフェノール樹脂、及び（ｄ）エラストマーとしてのアクリルゴムにシクロヘキサノンを加え、撹拌し混合物を得た。各成分が溶解した後、混合物に（ａ）金属粒子を加えて、ディスパー翼を用いて撹拌し、各成分が均一になるまで分散した。その後、（ｅ）硬化促進剤を加え、各成分が均一になるまで分散することによって、接着剤ワニスＡ～Ｃを得た。
　表１の記号は下記の成分を意味する。
（ａ）金属粒子
・２０％Ａｇ－Ｃｕ－ＭＡ（福田金属箔粉工業株式会社製、銀コート銅粉の製品名、形状：フレーク状、平均粒径（レーザー５０％粒径（Ｄ５０））：６．０～８．８μｍ）
（ｂ）熱硬化性樹脂
・ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ、２５℃で液状）
・Ｎ５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノール型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２０３ｇ／ｅｑ）
・ＹＤＣＮ－７００－１０（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社製、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量：２１５ｇ／ｅｑ）
（ｃ）硬化剤
・ＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化成株式会社製、フェノール樹脂、粘度（１５０℃）：０．３１～０．４３Ｐａ・ｓ（３．１～４．３ｐｏｉｓｅ）、水酸基当量：１７５ｇ／ｅｑ）
・ＨＥ－１００Ｃ－３０（商品名、エア・ウォーター株式会社製、フェニルアラキル型フェノール樹脂、粘度（１５０℃）：０．２７～０．４１Ｐａ・ｓ（２．７～４．１ｐｏｉｓｅ）、水酸基当量：１７０ｇ／ｅｑ）
（ｄ）エラストマー
・ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量：１００万、Ｔｇ：－７℃）
（ｅ）硬化促進剤
・キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
＜実施例１＞
［接着剤層の形成］
　接着剤層の形成に、接着剤ワニスＡを用いた。真空脱泡した接着剤ワニスＡを、支持フィルムとしての離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ３８μｍ）上に塗布した。塗布したワニスを、９０℃で５分間、続いて１４０℃で５分間の二段階で加熱乾燥し、支持フィルム上に、Ｂステージ状態の接着剤層（厚さ２０μｍ）を形成した。
［表面粗さの測定］
　接着剤層の第１の表面（粘着剤層と接する側の面）の表面粗さ（算術平均粗さＲａ）を、形状測定レーザマイクロスコープＶＫ－Ｘ１００（キーエンス株式会社製）を用いて倍率５０倍で測定することによって求めた。結果を表２に示す。
［熱伝導率の測定］
（測定試料の作製）
　Ｌｅｏｎ１３ＤＸ（株式会社ラミーコーポレーション製）を用いて、厚さが１００μｍ以上になるように接着剤層を７０℃でラミネートして積層体を得た。積層体に対して、１１０℃で３０分間、１７５℃で１８０分間の熱履歴を与え、測定試料を得た。
（熱伝導率の測定）
　測定試料の熱伝導率は、下記式によって算出した。結果を表２に示す。
　熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）＝比熱（Ｊ／ｋｇ・Ｋ）×熱拡散率（ｍ２／ｓ）×比重（ｋｇ／ｍ３）
　なお、比熱、熱拡散率、及び比重は以下の方法によって測定した。熱伝導率が高くなることは、放熱性により優れることを意味する。
（比熱（２５℃）の測定）
・測定装置：示差走査熱量測定装置（株式会社パーキンエルマージャパン製、商品名：ＤＳＣ８５００）
・基準物質：サファイア
・昇温速度：１０℃／分
・昇温温度範囲：２０℃～１００℃
（熱拡散率の測定）
・測定装置：熱拡散率測定装置（ネッチ・ジャパン株式会社社製、商品名：ＬＦＡ４６７　ＨｙｐｅｒＦｌａｓｈ）
・測定試料の処理：測定試料の両面をカーボンスプレーで黒化処理
・測定方法：キセノンフラッシュ法
・測定雰囲気温度：２５℃
（比重の測定）
・測定装置：電子比重計（アルファミラージュ株式会社製、商品名：ＳＤ２００Ｌ）
・測定方法：アルキメデス法
［粘着剤層の形成］
　粘着剤層に配合するアクリル樹脂を次のようにして合成した。すなわち、スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌのフラスコに以下の成分を入れた。
・酢酸エチル（溶剤）：６３５ｇ
・２－エチルヘキシルアクリレート：３９５ｇ
・２－ヒドロキシエチルアクリレート：１００ｇ
・メタクリル酸：５ｇ
・アゾビスイソブチロニトリル：０．０８ｇ
　十分に均一になるまで内容物を撹拌した後、流量５００ｍｌ／分にて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて７８℃まで昇温し、昇温後６時間重合させた。次に、スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍｌの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａにて４．５時間加温後、室温（２５℃、以下同様）に冷却した。
　次に酢酸エチルを４９０ｇ加えて撹拌し希釈した。これに重合禁止剤としてメトキノンを０．０２５ｇ、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．１０ｇ添加した後、２－メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、カレンズＭＯＩ（商品名））を４２．５ｇ加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。次いで、酢酸エチルを加え、アクリル樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、連鎖重合可能な官能基を有する（Ａ）アクリル樹脂を含む溶液を得た。
　上記のようにして得た（Ａ）アクリル樹脂を含む溶液を６０℃で一晩真空乾燥した。これによって得られた固形分を全自動元素分析装置（エレメンタール社製、商品名：ｖａｒｉｏＥＬ）にて元素分析し、導入された２－メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を窒素含有量から算出したところ、０．５０ｍｍｏｌ／ｇであった。
　また、以下の装置を使用して（Ａ）アクリル樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量を求めた。すなわち、東ソー株式会社製ＳＤ－８０２２／ＤＰ－８０２０／ＲＩ－８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ａ１５０－Ｓ／ＧＬ－Ａ１６０－Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いてＧＰＣ測定を行った。その結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は８０万であった。ＪＩＳ　Ｋ００７０に記載の方法に準拠して測定した水酸基価及び酸価は６１．１ｍｇＫＯＨ／ｇ及び６．５ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
　以下の成分を混合することで、粘着剤層形成用のワニスを調製した。なお、このワニスによって形成される粘着剤層は紫外線が照射されることによって硬化するものである。酢酸エチル（溶剤）の量は、ワニスの総固形分含有量が２５質量％となるように調整した。
・（Ａ）アクリル樹脂溶液：１００ｇ（固形分）
・（Ｂ）光重合開始剤（１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア１８４、「イルガキュア」は登録商標）：０．８ｇ
・（Ｂ）光重合開始剤（ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）－フェニルフォスフィンオキサイド、チバスペシャリティケミカルズ株式会社製、イルガキュア８１９、「イルガキュア」は登録商標）：０．２ｇ
・（Ｃ）架橋剤（多官能イソシアネート、日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートＬ、固形分：７５％）：８．０ｇ（固形分）
・酢酸エチル（溶剤）
　一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて粘着剤層形成用のワニスを塗布した後、８０℃で５分間乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルムと、その上に形成された粘着剤層（厚さ３０μｍ）とからなる積層体（ダイシングフィルム）を得た。
　一方の面にコロナ処理が施されたポリオレフィンフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ８０μｍ）を準備した。コロナ処理が施された面と、上記積層体の粘着剤層とを室温にて貼り合わせた。次いで、ゴムロールで押圧することで粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した。その後、室温で３日間放置することで本実施例に係る粘着剤層を得た。
［ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの作製］
　接着剤層と粘着剤層を２５℃で貼り合わせることによって、積層フィルムを得た。この積層フィルムに対して３００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線（照度：１００ｍＷ／ｃｍ２）を照射した。その後、４０℃の温度条件で４日にわたってエイジングする工程を経て実施例１に係るダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。
［Ｔ形はく離強度の測定］
　接着剤層と粘着剤層の界面のＴ形はく離強度を、ＪＩＳ　Ｋ６８５４－３：１９９９「接着剤－はく離接着強さ試験方法－第３部：Ｔ形はく離」に記載の方法に準拠して測定した。以下の条件は以下のとおりとした。結果を表２に示す。
・温度：２３℃
・試験片の幅：２５ｍｍ
・はく離速度：１０ｍｍ／分
［ダイシング性の評価］
　シリコンウェハ（直径：１２インチ、厚さ：５０μｍ）及びダイシングリングにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを以下条件で貼り付けた。シリコンウェハ及びダイシングリングを貼り付けた後のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのＭＤ方向の伸びは、１．０～１．３％程度であった。
（貼付条件）
・貼付装置：ＤＦＭ２８００（株式会社ディスコ製）
・貼付温度：７０℃
・貼付速度：１０ｍｍ／ｓ
・貼付テンションレベル：レベル６
　次いで、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム付きシリコンウェハをブレードダイシングによって複数の接着剤片付きチップ（サイズ２ｍｍ×２ｍｍ）に個片化した。ダイシング後にチップ飛の有無を確認した。結果を表２に示す。
（ダイシング条件）
・ダイサー：ＤＦＤ６３６１（株式会社ディスコ製）
・ブレード：ＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＢＢ（株式会社ディスコ製）
・ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
・ダイシング速度：３０ｍｍ／秒
・ブレードハイト：９０μｍ
・ダイシングフィルムの基材表面からの切り込み深さ：２０μｍ
・ダイシング時の水量
　　ブレードクーラー：１．５Ｌ／分
　　シャワー：１．０Ｌ／分
　　スプレー：１．０Ｌ／分
＜比較例１＞
　接着剤層と粘着剤層の積層フィルムに対して紫外線を照射しなかったことの他は、実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。評価結果を表２に示す。
＜実施例２＞
　接着剤層の形成に接着剤ワニスＢを使用したこと、及び、接着剤層と粘着剤層を貼り合わせる前に、接着剤層の第２の表面の平滑化処理を行ったことの他は実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。評価結果を表２に示す。なお、平滑化処理の条件は以下のとおりとした。
・温度１４０℃
・圧力０．５ＭＰａ
・速度０．１ｍ／分
＜比較例２＞
　接着剤層と粘着剤層の積層フィルムに対して紫外線を照射しなかったことの他は、実施例２と同様にしてダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。評価結果を表２に示す。
＜比較例３＞
　接着剤層の形成に接着剤ワニスＣを使用したことの他は実施例１と同様にしてダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。評価結果を表２に示す。
＜比較例４＞
　接着剤層と粘着剤層の積層フィルムに対して紫外線を照射しなかったことの他は比較例３と同様にしてダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得た。評価結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 ※１　評価不実施
　本開示によれば、ウェハ及び接着剤層を個片化して複数の接着剤片付きチップを粘着剤層上に作製するダイシング工程において、粘着剤層からの接着剤片付きチップの離脱を十分に抑制でき、優れた放熱性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法が提供される。また、本開示によれば、上記半導体装置を効率的に製造するのに有用な接着剤層の選定方法、並びに、当該接着剤層を備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルム及びその製造方法が提供される。
１…基材層、２…粘着剤層、２ａ…第１の表面、２ｂ…第２の表面、３…ダイシングフィルム、５…接着剤層、５ａ…第１の表面、５ｂ…第２の表面、８…接着剤片付きチップ、１０…ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム、７０…基板、１００…半導体装置、Ｗ…ウェハ

Claims (11)

  1. （Ａ）基材層と、粘着剤層と、接着剤層とをこの順序で備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを準備する工程と、
    （Ｂ）前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射する工程と、
    （Ｃ）前記接着剤層に対してウェハを貼る工程と、
    （Ｄ）前記ウェハ及び前記接着剤層を個片化することによって複数の接着剤片付きチップを得る工程と、
    （Ｅ）前記接着剤片付きチップを前記粘着剤層からピックアップする工程と、
    （Ｆ）前記接着剤片付きチップを、基板又は他のチップ上にマウントする工程と、
    を含み、
    　前記接着剤層が当該接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含有する、半導体装置の製造方法。
  2. 　前記活性エネルギー線の照射後における前記粘着剤層と前記接着剤層のＴ形はく離強度Ｂが、前記活性エネルギー線の照射前におけるＴ形はく離強度Ａよりも大きい、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記粘着剤層が、前記活性エネルギー線の照射に対する反応性を有する炭素－炭素二重結合を有する樹脂を含有する、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　基材層及び粘着剤層とともにダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを構成する接着剤層の選定方法であって、
    　基材層と、前記基材層の一方の面上に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングフィルムを準備する工程と、
    　前記粘着剤層の表面上に、当該接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含む接着剤層を形成することによってダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得る工程と、
    　前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射する工程と、
    　前記活性エネルギー線の照射前における前記粘着剤層と前記接着剤層のＴ形はく離強度Ａを測定する工程と、
    　前記活性エネルギー線の照射後における前記粘着剤層と前記接着剤層のＴ形はく離強度Ｂを測定する工程と、
    を含み、
    　前記活性エネルギー線の照射後のＴ形はく離強度Ｂが前記活性エネルギー線の照射前におけるＴ形はく離強度Ａよりも大きい前記接着剤層を選定する、接着剤層の選定方法。
  5. 　前記活性エネルギー線の照射後におけるＴ形はく離強度Ｂが０．０７Ｎ／２５ｍｍ以上である、請求項４に記載の接着剤層の選定方法。
  6. 　前記活性エネルギー線の照射後におけるＴ形はく離強度Ｂが０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項４又は５に記載の接着剤層の選定方法。
  7. 　基材層と、粘着剤層と、接着剤層とをこの順序で備えるダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法であって、
    　基材層と、前記基材層の一方の面上に設けられた粘着剤層とを備えるダイシングフィルムを準備する工程と、
    　前記粘着剤層の表面上に、当該接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含む接着剤層を形成することによってダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを得る工程と、
    　前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムに向けて活性エネルギー線を照射することによって、前記粘着剤層と前記接着剤層のＴ形はく離強度を増大させる工程と、
    を含む、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
  8. 　前記接着剤層が請求項４～６のいずれか一項に記載の選定方法によって選定された接着剤層である、請求項７に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの製造方法。
  9. 　基材層と、
    　前記基材層と対面する第１の表面及びその反対側の第２の表面を有する粘着剤層と、
    　前記第２の表面の中央部を覆うように設けられた接着剤層と、
    を備え、
    　前記接着剤層は、当該接着剤層の全質量基準で７５質量％以上の金属粒子を含有し、
    　前記粘着剤層と前記接着剤層の界面は、前記接着剤層におけるウェハの貼付け位置に対応する領域であってエネルギー線が照射された領域を有し、
    　当該領域における前記粘着剤層と前記接着剤層のＴ形はく離強度が０．０７Ｎ／２５ｍｍ以上である、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  10. 　前記粘着剤層と前記接着剤層のＴ形はく離強度が０．５Ｎ／２５ｍｍ以下である、請求項９に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
  11. 　前記接着剤層が熱硬化性樹脂成分を含み、
    　熱硬化後の前記接着剤層の熱伝導率が１．５～２０Ｗ／ｍ・Ｋである、請求項９又は１０に記載のダイシング・ダイボンディング一体型フィルム。
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