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WO2020261777A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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WO2020261777A1
WO2020261777A1 PCT/JP2020/018832 JP2020018832W WO2020261777A1 WO 2020261777 A1 WO2020261777 A1 WO 2020261777A1 JP 2020018832 W JP2020018832 W JP 2020018832W WO 2020261777 A1 WO2020261777 A1 WO 2020261777A1
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WO
WIPO (PCT)
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filter
high frequency
frequency module
terminal
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2020/018832
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
優佑 浪花
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication of WO2020261777A1 publication Critical patent/WO2020261777A1/ja
Priority to US17/644,650 priority patent/US12143136B2/en
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    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/1638—Special circuits to enhance selectivity of receivers not otherwise provided for
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    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/38—Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving

Definitions

  • the present invention generally relates to a high frequency module and a communication device, and more particularly to a high frequency module including a plurality of filters and a communication device including a high frequency module.
  • the filter device described in Patent Document 1 includes a first filter that passes a reception signal in the first frequency band of the reception signals input from the antenna terminal, and a second frequency of the reception signals input from the antenna terminal. It has a second filter that passes a received signal in the band.
  • the first filter and the second filter are laminated in a predetermined direction (thickness direction of the mounting substrate).
  • An object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device capable of suppressing deterioration of filter characteristics while achieving miniaturization.
  • the high frequency module includes a common terminal, a first filter, a second filter, a mounting board, and an external connection terminal.
  • the first filter is connected to the common terminal and passes the first signal in the first frequency band.
  • the second filter is connected to the common terminal and passes a second signal in a second frequency band different from the first frequency band.
  • the first filter is mounted on the mounting board.
  • the external connection terminal connects the first filter and the mounting board.
  • the second filter is laminated on the first filter.
  • the external connection terminal is the common terminal.
  • the communication device includes the high frequency module and a signal processing circuit.
  • the signal processing circuit processes the first signal and the second signal.
  • the high-frequency module and communication device According to the high-frequency module and communication device according to the above aspect of the present invention, it is possible to suppress deterioration of filter characteristics while achieving miniaturization.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of the high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit configuration diagram showing a front-end module as the same high-frequency module.
  • FIG. 3A is a schematic view showing the connection between the filter and the inductor in the high frequency module according to the comparative example.
  • FIG. 3B is a schematic view showing the connection between the filter and the inductor in the high frequency module according to another comparative example.
  • FIG. 3C is a schematic view showing the connection between the filter and the inductor in the high frequency module according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the same front-end module.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of a front-end module as a high-frequency module according to the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing the high frequency module according to the second modification of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the high frequency module according to the third modification of the first embodiment.
  • FIG. 8A is a cross-sectional view taken along the line X1-X2 of FIG.
  • FIG. 8B is a cross-sectional view of the high frequency module according to the fourth modification of the first embodiment.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a filter unit in the high frequency module according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a filter unit in the same high frequency module.
  • FIG. 11A is a schematic plan view of a filter unit in the high frequency module according to the comparative example.
  • FIG. 11B is a schematic plan view of a filter unit in the high frequency module according to the first modification of the second embodiment.
  • FIG. 12A is a schematic plan view of a filter unit in the high frequency module according to the comparative example.
  • FIG. 12B is a schematic plan view of a filter unit in the high frequency module according to the second modification of the second embodiment.
  • 12A and 12B are schematic views, and the ratio of the size and the thickness of each component in the drawing does not necessarily reflect the actual dimensional ratio.
  • the high frequency module 1 is used, for example, in a communication device 200 (see FIG. 2) that supports multimode / multiband.
  • the communication device 200 is, for example, a mobile phone (for example, a smartphone), but is not limited to this, and may be, for example, a wearable terminal (for example, a smart watch) or the like.
  • the high frequency module 1 is provided in, for example, a multi-band compatible communication device 200 conforming to a communication standard such as LTE (Long Term Evolution).
  • the high frequency module 1 is configured to be compatible with carrier aggregation.
  • the high frequency module 1 performs simultaneous communication in a plurality of frequency bands. Specifically, the high frequency module 1 receives a transmitted wave transmitted by bundling radio waves (carriers) in a plurality of frequency bands.
  • the high-frequency module 1 includes a common terminal, a first filter 21, a second filter 22, a mounting board 3, and an external connection terminal 8a.
  • the common terminal is, for example, a first input terminal 211 electrically connected to the first filter 21.
  • the first filter 21 is electrically connected to the common terminal and passes the first signal in the first frequency band.
  • the second filter 22 is electrically connected to the common terminal and passes a second signal in a second frequency band different from the first frequency band.
  • the first filter 21 is mounted on the mounting board 3.
  • the external connection terminal 8a electrically connects the first filter 21 and the mounting board 3.
  • the second filter 22 is laminated on the first filter 21.
  • the external connection terminal 8a is a common terminal.
  • the communication device 200 includes a high frequency module 1 and a signal processing circuit 202.
  • the signal processing circuit 202 processes a first signal that passes through the first filter 21 and a second signal that passes through the second filter 22.
  • each of the first filter 21 and the second filter 22 is electrically connected to a common terminal (for example, the first input terminal 211).
  • the second filter 22 is laminated on the first filter 21, and the first filter 21 is connected to the mounting substrate 3 via an external connection terminal 8a as a common terminal. Therefore, the ground terminal area on the lower mounting surface of the first filter 21 can be increased as compared with the case where the terminal of the first filter 21 and the terminal of the second filter 22 are provided separately without being shared. .. As a result, deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 can be suppressed.
  • the size can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are separately mounted on the mounting substrate 3. That is, according to the high frequency module 1 and the communication device 200, it is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 while reducing the size.
  • the high frequency module 1 includes a mounting substrate 3, a first filter 21, a second filter 22, a third filter 23, and a third filter. It includes a 4-filter 24 and a switch IC (Integrated Circuit) 10. Further, the high frequency module 1 includes a first matching circuit (matching circuit) 6, a second matching circuit 7, a plurality of external connection electrodes 9, a first resin layer 11, and a second resin layer 12.
  • the mounting board 3 has a first main surface 31 and a second main surface 32.
  • the first main surface 31 and the second main surface 32 face each other in the first direction D1, which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • Electronic components such as the first filter 21 constituting the high frequency module 1 are mounted on the first main surface 31 and the second main surface 32.
  • the first filter 21, the second filter 22, the third filter 23, the fourth filter 24, the first matching circuit 6 and the second matching circuit 7 are mounted on the first main surface 31, and the switch IC 10 is the first. 2 Mounted on the main surface 32.
  • the first filter 21 is, for example, a high frequency filter.
  • the first filter 21 passes the received signal (first signal) in the first frequency band among the received signals received by the antenna 201 (see FIG. 2).
  • the first frequency band includes, for example, the Band 1 communication band.
  • the communication band of Band 1 is 2110 MHz-2170 MHz.
  • the first filter 21 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via a plurality of external connection terminals (first external connection terminals) 8a.
  • the first filter 21 is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave resonator is, for example, a SAW (Surface Acoustic Wave) resonator.
  • the SAW resonator includes, for example, a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate.
  • the first filter 21 has a one-to-one correspondence with the plurality of series arm resonators on one piezoelectric substrate. It has a plurality of IDT electrodes and a plurality of IDT electrodes having a one-to-one correspondence with a plurality of parallel arm resonators.
  • the piezoelectric substrate is, for example, a lithium tantalate substrate, a lithium niobate substrate, or the like.
  • the second filter 22 is, for example, a high frequency filter.
  • the second filter 22 passes the received signal (second signal) in the second frequency band among the received signals received by the antenna 201 (see FIG. 2).
  • the second frequency band includes, for example, the Band 3 communication band.
  • the communication band of Band 3 is 1805 MHz-1880 MHz.
  • the second filter 22 is connected to the first filter 21 via a plurality of external connection terminals 8b, and is further connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the first filter 21 and the external connection terminals 8a. ..
  • the second filter 22 is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave resonator is, for example, a SAW resonator.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are arranged in the first direction D1, which is the thickness direction of the mounting substrate 3. That is, the first filter 21 and the second filter 22 overlap in a plan view from the first direction D1. In other words, the first filter 21 and the second filter 22 are stacked in the order of the first filter 21 and the second filter 22 from the first main surface 31 side in the first direction D1.
  • the second filter 22 is applied to the filter 113d (see FIG. 2) of the filter group 113 described later together with the first filter 21.
  • the third filter 23 is, for example, a high frequency filter.
  • the third filter 23 passes the received signal (third signal) in the third frequency band among the received signals received by the antenna 201 (see FIG. 2).
  • the third frequency band includes, for example, the Band 40 communication band.
  • the communication band of Band 40 is 2300 MHz-2400 MHz.
  • the third filter 23 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via a plurality of external connection terminals (second external connection terminals) 8c.
  • the third filter 23 is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave resonator is, for example, a SAW resonator.
  • the fourth filter 24 is, for example, a high frequency filter.
  • the fourth filter 24 passes the received signal (fourth signal) in the fourth frequency band among the received signals received by the antenna 201 (see FIG. 2).
  • the fourth frequency band includes, for example, the Band 41 communication band.
  • the communication band of Band 41 is 2496 MHz-2690 MHz.
  • the fourth filter 24 is connected to the third filter 23 via the plurality of external connection terminals 8d, and further connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the third filter 23 and the plurality of external connection terminals 8d. ing.
  • the fourth filter 24 is, for example, an elastic wave filter.
  • each of the plurality of series arm resonators and the plurality of parallel arm resonators is composed of elastic wave resonators.
  • the surface acoustic wave resonator is, for example, a SAW resonator.
  • the third filter 23 and the fourth filter 24 are arranged in the first direction D1, which is the thickness direction of the mounting substrate 3. That is, the third filter 23 and the fourth filter 24 overlap in a plan view from the first direction D1.
  • the third filter 23 and the fourth filter 24 are stacked in the order of the third filter 23 and the fourth filter 24 from the first main surface 31 side in the first direction D1.
  • the fourth filter 24, together with the third filter 23, is applied to the filter 113g (see FIG. 2) of the filter group 113 described later.
  • Band 1, Band 3, Band 40, and Band 41 can be used at the same time when receiving signals by carrier aggregation. That is, in the high frequency module 1, simultaneous communication is possible between the first filter 21, the second filter 22, the third filter 23, and the fourth filter 24.
  • the switch IC 10 is an integrated circuit including a plurality of low noise amplifiers 4A and 4B and an antenna switch 5.
  • Each of the plurality of low noise amplifiers 4A and 4B has an input terminal and an output terminal.
  • the low noise amplifier 4A for example, amplifies a received signal in a predetermined frequency band input to the input terminal through the second filter 22 and outputs the received signal from the output terminal. That is, the low noise amplifier 4A amplifies and outputs the received signal that has passed through the second filter 22.
  • the low noise amplifier 4B for example, amplifies the reception signal of a predetermined frequency band input to the input terminal through the third filter 23 and outputs it from the output terminal. That is, the low noise amplifier 4B amplifies and outputs the received signal that has passed through the third filter 23.
  • the low noise amplifier 4A is applied to, for example, the amplifier circuit 116b (see FIG. 2) of the amplifier unit 116 described later. Further, the low noise amplifier 4B is applied to, for example, the amplifier circuit 116d (see FIG. 2) of the amplifier unit 116.
  • the antenna switch 5 is, for example, an SPST (Single Pole Single Throw) type switch.
  • the antenna switch 5 is connected between the antenna 201 (see FIG. 2) and the filter group 113 (see FIG. 2), and is in a conductive state connecting the antenna 201 and the filter group 113, and the antenna 201 and the filter group 113. It switches between a non-conducting state that cuts off between and.
  • the antenna switch 5 is applied to the first switch unit 111 (see FIG. 2) described later.
  • the switch IC10 including the low noise amplifiers 4A and 4B and the antenna switch 5 is mounted on the second main surface 32 of the mounting board 3 as shown in FIG.
  • the switch IC 10 overlaps the first filter 21 and the second filter 22 in a plan view from the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. More specifically, the antenna switch 5 included in the switch IC 10 overlaps a part of the first filter 21 and the second filter 22 in a plan view from the first direction D1.
  • the switch IC 10 overlaps a part of the third filter 23 and the fourth filter 24 in a plan view from the first direction D1. More specifically, the antenna switch 5 included in the switch IC 10 overlaps a part of the third filter 23 and the fourth filter 24 in a plan view from the first direction D1.
  • the first matching circuit 6 has a plurality of inductors 61 and 62.
  • the inductor 61 is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3 in a state of being adjacent to the first filter 21 and the second filter 22.
  • the inductor 62 is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3 in a state of being adjacent to the third filter 23 and the fourth filter 24.
  • "adjacent" means that no other electronic component exists between two adjacent electronic components. In FIG. 1, no other electronic component exists between the first filter 21, the second filter 22, and the inductor 61 (first matching circuit 6). Further, in FIG. 1, no other electronic component exists between the third filter 23 and the fourth filter 24 and the inductor 62 (first matching circuit 6).
  • the inductor 61 is connected to the antenna switch 5 of the switch IC 10 via the via 13A. Further, the inductor 61 is connected to the first filter 21 and the second filter 22 via the conductor 14A. That is, the inductor 61 of the first matching circuit 6 is connected between the first filter 21, the second filter 22, and the antenna switch 5.
  • the inductor 62 is connected to the antenna switch 5 of the switch IC 10 via the via 13B. Further, the inductor 62 is connected to the third filter 23 and the fourth filter 24 via the conductor 14B. That is, the inductor 62 of the first matching circuit 6 is connected between the third filter 23 and the fourth filter 24 and the antenna switch 5.
  • the first matching circuit 6 is applied to, for example, the first matching circuit unit 112 (see FIG. 2) described later.
  • the switch IC 10 overlaps with the first matching circuit 6 (inductors 61 and 62) in a plan view from the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. More specifically, the antenna switch 5 included in the switch IC 10 overlaps with the first matching circuit 6 in a plan view from the first direction D1. As a result, the path (wiring length) between the antenna switch 5 and the first matching circuit 6 can be shortened.
  • the antenna switch 5 overlaps a part of the first filter 21 and the second filter 22 in a plan view from the first direction D1.
  • the conductor 14A connecting the first matching circuit 6 (inductor 61) and the first filter 21 and the second filter 22 is compared with the case where the antenna switch 5 does not overlap with the first filter 21 and the second filter 22.
  • the path (wiring length) from the antenna switch 5 to the first filter 21 and the second filter 22 can be shortened.
  • the first matching circuit 6 (inductor 61), the first filter 21, and the second filter 22 are adjacent to each other.
  • the conductor 14A connecting the first matching circuit 6, the first filter 21, and the second filter 22 can be further shortened, and as a result, the antenna switch 5 can be transferred to the first filter 21 and the second filter 22.
  • the route (wiring length) can be further shortened.
  • the second matching circuit 7 has a plurality of inductors 71 and 72.
  • the inductor 71 is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3 in a state of being adjacent to the first filter 21 and the second filter 22. That is, no other electronic component exists between the first filter 21, the second filter 22, and the inductor 71 (second matching circuit 7).
  • the inductor 72 is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3 in a state of being adjacent to the third filter 23 and the fourth filter 24. That is, no other electronic component exists between the third filter 23 and the fourth filter 24 and the inductor 72 (second matching circuit 7).
  • the inductor 71 is connected to the low noise amplifier 4A of the switch IC 10 via the via 13C.
  • the inductor 72 is connected to the low noise amplifier 4B of the switch IC 10 via the via 13D.
  • the second matching circuit 7 is applied to, for example, the second matching circuit unit 115 (see FIG. 2) described later.
  • a plurality of external connection electrodes 9 are provided on the second main surface 32 of the mounting substrate 3.
  • the plurality of external connection electrodes 9 connect the high frequency module 1 to a mother substrate on which a signal processing circuit 202 (see FIG. 2) described later is mounted.
  • the plurality of external connection electrodes 9 are, for example, columnar (for example, columnar) electrodes.
  • the material of the plurality of external connection electrodes 9 is, for example, a metal (for example, copper, a copper alloy, etc.).
  • the first resin layer 11 covers electronic components such as the first filter 21 mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3 on the first main surface 31 side of the mounting board 3.
  • the second resin layer 12 covers an electronic component such as a switch IC10 mounted on the second main surface 32 of the mounting board 3 on the second main surface 32 side of the mounting board 3.
  • the material of the first resin layer 11 and the material of the second resin layer 12 may be the same or different.
  • FIGS. 3A to 3C are schematic views showing the terminal arrangements of the first filter 21 and the second filter 22 according to the comparative example.
  • FIG. 3C is a schematic view showing the terminal arrangement of the first filter 21 and the second filter 22 according to the present embodiment.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are mounted on the mounting board 3, respectively.
  • a first input terminal 211, a first output terminal 212, and a plurality of ground terminals 213 are electrically connected to the first filter 21.
  • the first filter 21 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the first input terminal 211, the first output terminal 212, and the plurality of ground terminals 213.
  • Each of the first input terminal 211, the first output terminal 212, and the plurality of ground terminals 213 is, for example, an external connection terminal (first external connection terminal) 8a.
  • a second input terminal 221 and a second output terminal 222 and a plurality of ground terminals 223 are electrically connected to the second filter 22.
  • the second filter 22 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the second input terminal 221 and the second output terminal 222 and the plurality of ground terminals 223.
  • Each of the second input terminal 221 and the second output terminal 222 and the plurality of ground terminals 223 are, for example, external connection terminals 8b.
  • the external connection terminals 8a and 8b are, for example, solder bumps, but may be metal bumps.
  • the first input terminal 211 of the first filter 21 and the inductor 61 of the first matching circuit 6 are connected by a bonding wire 301, and the second input terminal 221 of the second filter 22 and the first matching are first matched. It is connected to the inductor 61 of the circuit 6 by a bonding wire 302.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are stacked in the order of the first filter 21 and the second filter 22 from the first main surface 31 side in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. In this state, it is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3. That is, in FIG. 3B, the first filter 21 and the second filter 22 overlap in a plan view from the first direction D1.
  • the first input terminal 211 electrically connected to the first filter 21 and the second input terminal 221 electrically connected to the second filter 22 are separately provided. The first input terminal 211 is connected to the mounting board 3.
  • the second input terminal 221 is connected to the mounting board 3 via the external connection terminal 8a constituting the first input terminal 211 among the plurality of external connection terminals 8a.
  • the first input terminal 211 of the first filter 21 and the inductor 61 of the first matching circuit 6 are connected by a bonding wire 301, and the second input terminal 221 of the second filter 22 and the first matching are first matched. It is connected to the inductor 61 of the circuit 6 by a bonding wire 302.
  • the inductor 61 of the first matching circuit 6 is provided. Two bonding wires 301 and 302 are required to connect to and from.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are the first filter 21 and the second filter 22 from the first main surface 31 side in the first direction D1. It is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3 in a state of being stacked in order. That is, the first filter 21 and the second filter 22 overlap in a plan view from the first direction D1. Further, in the high frequency module 1, the first input terminal 211 of the first filter 21 and the second input terminal 221 of the second filter 22 are electrically connected to form a common terminal. That is, in the high frequency module 1, the first input terminal 211 electrically connected to the first filter 21 is a common terminal.
  • the high frequency module 1 if there is one bonding wire 301 that connects the inductor 61 of the first matching circuit 6 to the first input terminal 211 of the first filter 21 and the second input terminal 221 of the second filter 22. Often, the number of wires can be reduced as compared with the cases of FIGS. 3A and 3B. That is, the first input terminal 211 and the second input terminal 221 can be bundled between the first filter 21 and the second filter 22, which can improve the degree of freedom in arranging the filters.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are laminated in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. Therefore, the size of the mounting board 3 can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are mounted separately on the mounting board 3. As a result, the high frequency module 1 provided with the mounting substrate 3 can also be miniaturized.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are electrically connected to a common terminal (here, the first input terminal 211), and the first filter 21 and the second filter 22 pass through the common terminal. 2
  • the filter 22 is connected to the mounting board 3.
  • the second filter 22 is laminated on the first filter 21. Therefore, the ground terminal area on the lower mounting surface of the first filter 21 can be increased as compared with the case where the terminal of the first filter 21 and the terminal of the second filter 22 are provided separately without being shared. .. As a result, deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 can be suppressed.
  • the size can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are separately mounted on the mounting substrate 3. That is, according to the high frequency module 1, it is possible to suppress the deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 while reducing the size.
  • the first filter 21 is connected to the antenna switch 5 via the first input terminal 211.
  • the second filter 22 is connected to the antenna switch 5 via the second input terminal 221.
  • the first input terminal (common terminal) 211 and the mounting board 3 are connected, and the second input terminal 221 and the mounting board 3 are connected via the first input terminal 211. ..
  • the path (wiring length) between the first filter 21 and the second filter 22 and the antenna switch 5 can be shortened.
  • the high frequency module 1 is configured to simultaneously communicate with the first filter 21, the second filter 22, the third filter 23, and the fourth filter 24.
  • the first signal passing through the first filter 21, the second signal passing through the second filter 22, the third signal passing through the third filter 23, and the fourth signal passing through the fourth filter 24 are antennas. They are bundled together at the input end of the switch 5 (hereinafter, also referred to as a "bundle point").
  • the phases of the third frequency band of the third filter 23 with respect to the first frequency band of the first filter 21 and the second frequency band of the second filter 22 at the bundling point are from the antenna switch 5 to the first filter 21 and the second filter.
  • the wiring length up to 22 causes a clockwise phase, and the inductance of the first matching circuit 6 and the parasitic capacitance of the antenna switch 5 cause a counterclockwise phase. Therefore, by shortening the wiring length from the antenna switch 5 to the first filter 21 and the second filter 22, the characteristics of the third frequency band when the first frequency band, the second frequency band, and the third frequency band are bundled are improved. It has the advantage of getting better.
  • the high frequency module 1 according to the present embodiment can be applied as the front end module 100 shown in FIG.
  • the front-end module 100 as the high-frequency module 1 is provided in the communication device 200.
  • the communication device 200 includes a front-end module 100, a signal processing circuit 202, and an antenna 201.
  • the communication device 200 transmits and receives signals via the antenna 201. Note that, in FIG. 2, only the circuit on the receiving side is shown, and the circuit on the transmitting side is omitted.
  • the front-end module 100 is arranged, for example, in the front-end portion of a multi-mode / multi-band compatible mobile phone.
  • the front-end module 100 is built in, for example, a multi-band compatible mobile phone conforming to a communication standard such as LTE.
  • the front-end module 100 has a plurality of paths (signal paths) through which a plurality of high-frequency signals having different frequency bands are transmitted.
  • the front-end module 100 includes a first switch unit 111, a first matching circuit unit 112, a filter group 113, a third switch unit 114, a second matching circuit unit 115, and an amplification unit. It includes 116 and a second switch unit 117.
  • the first switch unit 111, the second switch unit 117, the third switch unit 114, and the amplification unit 116 are included in the switch IC 10 (see FIG. 1).
  • the switch IC 10 is configured by integrating the first switch unit 111, the second switch unit 117, the third switch unit 114, and the amplification unit 116 into one chip.
  • the plurality of signal paths are paths through which signals pass through the switch IC 10, the filter group 113, the first matching circuit section 112, and the second matching circuit section 115.
  • the signal has a plurality of signal paths in the order of the first switch unit 111, the first matching circuit unit 112, the filter group 113, the third switch unit 114, the second matching circuit unit 115, the amplification unit 116, and the second switch unit 117. Pass through any of.
  • the first switch unit 111 includes, for example, switches 111a to 111c.
  • the switches 111a to 111c are, for example, FET (Field Effect Transistor) switches or diode switches made of GaAs or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor).
  • the input terminal of the first switch unit 111 is connected to the antenna 201. Further, the output terminal of the first switch unit 111 is connected to the input terminal of the filter group 113.
  • the first switch unit 111 divides the signal received by the antenna 201 into signal paths for each of the filters 113a to 113g constituting the filter group 113.
  • the connection state of each of the switches 111a to 111c is switched according to, for example, a control signal from the RF signal processing circuit 203 described later.
  • the first switch unit 111 is composed of an antenna switch 5 (see FIG. 1).
  • the first matching circuit unit 112 includes, for example, inductors 112a to 112g.
  • Each of the inductors 112a to 112g is a circuit element for matching the impedance between the first switch unit 111 and the filter group 113.
  • One end of each of the inductors 112a to 112g is connected to a path connecting the switches 111a to 111c of the first switch unit 111 and the filters 113a to 113g of the filter group 113, and the other end is connected to the reference terminal (ground). ..
  • each of the inductors 112a to 112g may be connected in series with respect to the above path.
  • the first matching circuit unit 112 is not limited to the inductors 112a to 112g, and may be a capacitor or a circuit in which an inductor and a capacitor are combined.
  • the inductor 112d of the first matching circuit unit 112 is composed of the inductor 61 of the first matching circuit 6, and the inductor 112g of the first matching circuit unit 112 is composed of the inductor 62 of the first matching circuit 6. ..
  • the filter group 113 includes filters 113a to 113 g composed of an elastic surface wave resonator, a bulk acoustic wave (BAW) resonator, an FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator), or the like. Have.
  • the filters 113a to 113g may be configured by an LC resonance circuit or the like. In the present embodiment, the filters 113a to 113g are composed of surface acoustic wave resonators.
  • the output terminal of the filter group 113 is connected to the input terminal of the third switch unit 114.
  • the filter 113a is, for example, a triplexer in which the input terminals of the three filters are made into common terminals. Further, each of the filters 113d and 113g is, for example, a duplexer in which the input terminals of the two filters are made into common terminals. In the filter 113a, the input terminals of the three filters are bundled by the common terminal 118a. In the filter 113d, the input terminals of the two filters are bundled by the common terminal 118b. In the filter 113g, the input terminals of the two filters are bundled by the common terminal 118c.
  • the two filters constituting the filter 113d are composed of the first filter 21 and the second filter 22, and the two filters constituting the filter 113g are composed of the third filter 23 and the fourth filter 24. .. That is, in the present embodiment, the common terminal 118b is a common terminal of the first filter 21 and the second filter 22, and the common terminal 118c is a common terminal of the third filter 23 and the fourth filter 24.
  • the third switch unit 114 includes switches 114a to 114d.
  • the switches 114a to 114c are, for example, FET switches or diode switches made of GaAs or CMOS.
  • Each output terminal of the switches 114a to 114d is connected to an input terminal of the second matching circuit unit 115.
  • each input terminal of the switches 114a to 114d is connected to the filter group 113, and each output terminal of the switches 114a to 114d is connected to the inductors 115a to 115d of the second matching circuit unit 115.
  • Each of the switches 114a to 114d selects a signal that has passed through the filters 113a to 113g, and outputs the selected signal to the second matching circuit unit 115.
  • the connection state of each of the switches 114a to 114c is switched according to, for example, a control signal from the RF signal processing circuit 203.
  • the second matching circuit unit 115 includes inductors 115a to 115d.
  • Each of the inductors 115a to 115d is a circuit element for matching the impedance of the third switch unit 114 and the amplification unit 116.
  • One end of each of the inductors 115a to 115d is connected to the corresponding switch among the switches 114a to 114d, and the other end is connected to the corresponding amplifier circuit among the amplifier circuits 116a to 116d.
  • Each of the inductors 115a to 115d may be connected between the path connecting the third switch unit 114 and the amplification unit 116 and the ground.
  • the second matching circuit unit 115 is not limited to the inductors 115a to 115g, and may be a capacitor or a circuit in which an inductor and a capacitor are combined.
  • the inductor 115b of the second matching circuit unit 115 is composed of the inductor 71 of the second matching circuit 7
  • the inductor 115d of the second matching circuit unit 115 is composed of the inductor 72 of the second matching circuit 7. ..
  • the amplifier unit 116 includes amplifier circuits 116a to 116d. Each of the amplifier circuits 116a to 116d amplifies the received signal that has passed through the first switch unit 111, the first matching circuit unit 112, the filter group 113, the third switch unit 114, and the second matching circuit unit 115. Each of the amplifier circuits 116a to 116d is, for example, a low noise amplifier. Each input terminal of the amplifier circuits 116a to 116d is connected to the corresponding inductor of the inductors 115a to 115d. Each output terminal of the amplifier circuits 116a to 116d is connected to the second switch unit 117. In the present embodiment, the amplifier circuit 116b is composed of the low noise amplifier 4A, and the amplifier circuit 116d is composed of the low noise amplifier 4B.
  • the second switch unit 117 includes, for example, switches 117a to 117g.
  • the switches 117a to 117c are, for example, FET switches or diode switches made of GaAs or CMOS.
  • the second switch unit 117 is connected to the RF signal processing circuit 203 of the signal processing circuit 202.
  • the second switch unit 117 distributes the received signal amplified by the amplification unit 116 to a predetermined terminal of the RF signal processing circuit 203.
  • the connection state of each of the switches 117a to 117c is switched according to, for example, a control signal from the RF signal processing circuit 203.
  • the signal processing circuit 202 includes, for example, an RF signal processing circuit 203 and a baseband signal processing circuit 204.
  • the RF signal processing circuit 203 is, for example, an RFIC (Radio Frequency Integrated Circuit), and performs signal processing on a high frequency signal.
  • the baseband signal processing circuit 204 is, for example, a BBIC (Baseband Integrated Circuit), and performs predetermined signal processing on a transmission signal from the outside of the signal processing circuit 202.
  • the received signal processed by the baseband signal processing circuit 204 is used, for example, for image display as an image signal or for a telephone call as an audio signal.
  • the front-end module 100 transmits a high-frequency signal (here, a received signal) between the antenna 201 and the RF signal processing circuit 203 of the signal processing circuit 202.
  • a high-frequency signal here, a received signal
  • the baseband signal processing circuit 204 is not an essential component.
  • the front-end module 100 includes a mounting board 120 corresponding to the mounting board 3 described above.
  • the mounting board 120 (3) has a first main surface 121 (31) and a second main surface 122 (32).
  • the first main surface 121 and the second main surface 122 face each other in the first direction D1, which is the thickness direction of the mounting substrate 120.
  • the first main surface 121 is provided with a first matching circuit unit 112, a filter group 113, and a second matching circuit unit 115.
  • a switch IC 110 is provided on the second main surface 122.
  • the first matching circuit section 112, the filter group 113, and the second matching circuit section 115 are covered with the first resin 161 on the first main surface 121 side.
  • the switch IC 110 is covered with the second resin 162 on the second main surface 122 side.
  • the first resin 161 corresponds to the above-mentioned first resin layer 11
  • the second resin 162 corresponds to the above-mentioned second resin layer 12.
  • the front end module 100 further includes a plurality of electrodes 150.
  • the plurality of electrodes 150 are provided on the second main surface 122.
  • the plurality of electrodes 150 are arranged around the switch IC 110 on the second main surface 122.
  • the first switch unit 111 of the switch IC 110 receives a high frequency signal via the plurality of electrodes 150.
  • the plurality of electrodes 150 may be copper pillars (copper pins), electrodes such as plating or copper paste, solder, or the like.
  • the plurality of electrodes 150 correspond to the plurality of external connection electrodes 9 described above.
  • the duplexer filter 113d is composed of a first filter 21 and a second filter 22. Further, the filter 113g, which is a duplexer, is composed of a third filter 23 and a fourth filter 24.
  • the first switch unit 111 uses the filter 113d (first filter 21 and second filter 22). It overlaps with a part of.
  • the first filter 21, the second filter 22, and the inductor 112d are arranged so as to be adjacent to each other in the second direction D2. Further, in the front-end module 100, the third filter 23 and the fourth filter 24 and the inductor 112 g are arranged so as to be adjacent to each other in the second direction D2.
  • the output terminal 101 of the first switch unit 111 is connected to the inductor 112d via the via 102.
  • the inductor 112d is connected to the first filter 21 and the second filter 22 via the conductor 103.
  • the first switch unit 111 is connected to the first filter 21 and the second filter 22 via the via 102 and the inductor 112d.
  • the first switch unit 111 is the first filter 21 and the first filter 21 and the first switch unit 111 in a plan view from the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. 2 It overlaps with a part of the filter 22. Further, the first switch unit 111 overlaps a part of the first matching circuit unit 112 in a plan view from the first direction D1. As a result, the path (wiring length) from the first switch unit 111 to the first filter 21 and the second filter 22 can be shortened.
  • the first matching circuit unit 112 is the first filter 21 in the second direction D2 which is orthogonal to the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting board 120. And adjacent to the second filter 22. As a result, the path (wiring length) from the first switch unit 111 to the first filter 21 and the second filter 22 can be further shortened.
  • the high-frequency module 1 As shown in FIG. 1, a second resin layer is formed on the second main surface 32 side of the mounting substrate 3 so as to cover the switch IC 10 mounted on the second main surface 32. 12 is provided. Further, the high frequency module 1 includes a plurality of external connection electrodes 9 formed in a columnar shape, and is connected to the mother substrate by the plurality of external connection electrodes 9.
  • the second resin layer is omitted on the second main surface 32 side of the mounting substrate 3, and a plurality of external connection electrodes formed in a spherical shape. It may be connected to the mother substrate by 9A.
  • Each of the plurality of external connection electrodes 9A is, for example, a ball bump formed in a spherical shape.
  • the material of the ball bump is, for example, gold, copper, solder or the like.
  • the high frequency module 1 of the receiving system that receives the received signal from the antenna 201 and outputs the received signal to the RF signal processing circuit 203 is illustrated, but as shown in FIGS. 7 and 8A, the receiving system is illustrated.
  • the high frequency module 1B may be a combination of the above and the transmission system.
  • the high frequency module 1B according to the third modification will be described with reference to FIGS. 7 and 8A.
  • the high-frequency module 1B includes a first filter 21, a second filter 22, a fifth filter 25, a sixth filter 26, and switches ICs 10 and 18. Further, the high frequency module 1B includes a first matching circuit 6, a second matching circuit 7, a third matching circuit 16, a fourth matching circuit 17, and a power amplifier 15.
  • the switch IC 10 includes a low noise amplifier 4 and an antenna switch 5. Since the third matching circuit 16 corresponds to the first matching circuit 6 and the fourth matching circuit 17 corresponds to the second matching circuit 7, the third matching circuit 16 and the fourth matching circuit 17 are described here. The explanation is omitted. Further, since the switch IC 18 has the same configuration as the switch IC 10, the description of the switch IC 18 will be omitted.
  • Each of the first filter 21 and the second filter 22 is a reception filter that passes a reception signal received through the antenna 201 (see FIG. 2), for example.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are arranged in the order of the first filter 21 and the second filter 22 from the first main surface 31 side in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. It is provided on the first main surface 31 of the mounting substrate 3 in a laminated state. That is, the first filter 21 and the second filter 22 overlap in a plan view from the first direction D1.
  • Each of the fifth filter 25 and the sixth filter 26 is, for example, a filter for transmission through which a transmission signal transmitted via the antenna 201 is passed.
  • the fifth filter 25 and the sixth filter 26 are arranged in the order of the fifth filter 25 and the sixth filter 26 from the first main surface 31 side in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. It is provided on the first main surface 31 of the mounting substrate 3 in a laminated state. That is, the fifth filter 25 and the sixth filter 26 overlap in a plan view from the first direction D1.
  • the first matching circuit 6 is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3.
  • the first matching circuit 6 is adjacent to the first filter 21 and the second filter 22 in the second direction D2 which is the direction orthogonal to the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • the power amplifier 15 is mounted on the first main surface 31 of the mounting board 3.
  • the power amplifier 15 is adjacent to the fifth filter 25 and the sixth filter 26 in the second direction D2, which is a direction orthogonal to the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • the switch IC 10 is mounted on the second main surface 32 of the mounting board 3.
  • the switch IC 10 overlaps with the first filter 21, the second filter 22, the fifth filter 25, and the sixth filter 26 in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • Each input terminal of the first filter 21 and the second filter 22 is connected to the antenna switch 5 via the first matching circuit 6. Further, each output terminal of the first filter 21 and the second filter 22 is connected to the low noise amplifier 4 via the second matching circuit 7.
  • Each input terminal of the 5th filter 25 and the 6th filter 26 is connected to the power amplifier 15 via the 4th matching circuit 17. Further, each output terminal of the fifth filter 25 and the sixth filter 26 is connected to the antenna switch 5 via the third matching circuit 16.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are laminated in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. Therefore, the size of the mounting board 3 can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are mounted separately on the mounting board 3. As a result, the high frequency module 1B provided with the mounting substrate 3 can also be miniaturized.
  • the first input terminal 211 of the first filter 21 and the mounting board 3 are connected, and the second input terminal 221 of the second filter 22 and the mounting board 3 are first connected. It is connected via an input terminal (common terminal) 211.
  • the second filter 22 is laminated on the first filter 21. Therefore, as compared with the case where the first input terminal 211 of the first filter 21 and the second input terminal 221 of the second filter 22 are provided separately without being shared, the ground on the mounting surface of the lower first filter 21 The terminal area can be increased. As a result, deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 can be suppressed.
  • the size can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are separately mounted on the mounting substrate 3. That is, according to the high frequency module 1B, it is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 while reducing the size.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are laminated in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3. Therefore, the size of the mounting board 3 can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are mounted separately on the mounting board 3. As a result, the high frequency module 1C provided with the mounting substrate 3 can also be miniaturized.
  • the first input terminal 211 of the first filter 21 and the mounting board 3 are connected, and further connected to the second input terminal 221 of the second filter 22. It is connected to the mounting board 3 via the first input terminal (common terminal) 211.
  • the second filter 22 is laminated on the first filter 21. Therefore, as compared with the case where the first input terminal 211 of the first filter 21 and the second input terminal 221 of the second filter 22 are provided separately without being shared, the ground on the mounting surface of the lower first filter 21 The terminal area can be increased. As a result, deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 can be suppressed.
  • the size can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are separately mounted on the mounting substrate 3. That is, according to the high frequency module 1C, it is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 while reducing the size.
  • the switch IC 10 overlaps the entire first filter 21 and the second filter 22 in the plan view from the first direction D1, but the switch IC 10 is the first in the plan view from the first direction D1. It may overlap with a part of the filter 21 and the second filter 22. That is, the switch IC 10 may overlap with at least a part of the first filter 21 and the second filter 22 in a plan view from the first direction D1.
  • the switch IC 10 overlaps the entire first matching circuit 6 in the plan view from the first direction D1, but the switch IC 10 is the first matching circuit in the plan view from the first direction D1. It may overlap with a part of 6. That is, the switch IC 10 may overlap with at least a part of the first matching circuit 6 in a plan view from the first direction D1.
  • the antenna switch 5 included in the switch IC 10 overlaps the entire first matching circuit 6 in a plan view from the first direction D1, but the antenna switch 5 is the first direction D1. It may overlap with a part of the first matching circuit 6 in a plan view from the above. That is, the antenna switch 5 may overlap with at least a part of the first matching circuit 6 in a plan view from the first direction D1.
  • the elastic wave resonators constituting the first filter 21 to the fourth filter 24 are SAW resonators, but the elastic wave resonators are not limited to SAW resonators.
  • the elastic wave resonator may be, for example, a first elastic wave resonator.
  • the first elastic wave resonator is provided on a substrate having a front surface and a back surface, a low sound velocity film provided on the front surface of the substrate, a piezoelectric layer provided on the low sound velocity film, and a piezoelectric layer.
  • the IDT electrode is provided.
  • the bass velocity film is provided directly or indirectly on the substrate.
  • the piezoelectric layer is provided directly or indirectly on the bass velocity film.
  • the sound velocity of the bulk wave propagating is slower than the sound velocity of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the speed of sound of the bulk wave propagating is faster than the speed of sound of the elastic wave propagating in the piezoelectric layer.
  • the material of the piezoelectric layer is, for example, lithium tantalate.
  • the material of the bass velocity film is, for example, silicon oxide.
  • the substrate is, for example, a silicon substrate.
  • the thickness of the piezoelectric layer is, for example, 3.5 ⁇ or less, where ⁇ is the wavelength of the elastic wave determined by the electrode finger period of the IDT electrode.
  • the thickness of the bass sound film is, for example, 2.0 ⁇ or less.
  • a part of the surface acoustic wave resonators constituting the first filter 21 to the fourth filter 24 may be a SAW resonator, and the rest may be a first elastic wave resonator. That is, the first filter 21 to the fourth filter 24 may be made of different materials.
  • the elastic wave resonator is preferably a SAW resonator.
  • the elastic wave resonator is preferably the first elastic wave resonator. In this way, by selecting the optimum elastic wave resonator for each frequency band to be used, it is possible to suppress the deterioration of the filter characteristics of each filter.
  • the elastic wave resonator may be, for example, a BAW resonator.
  • the communication band of the first filter 21 is Band 1
  • the communication band of the second filter 22 is Band 3
  • the communication band of the third filter 23 is Band 40
  • the communication band of the third filter 23 may be, for example, Band 7 or Band 41.
  • the communication band of the first filter 21 may be Band 25 and the communication band of the second filter 22 may be Band 66.
  • the communication band of the third filter 23 may be, for example, Band 30. It may be Band 7 or Band 41.
  • the communication band of the first filter 21 may be Band 34 and the communication band of the second filter 22 may be Band 39.
  • the communication band of the third filter 23 may be, for example, Band 7. It may be Band 41.
  • the high frequency module according to the second embodiment includes a mounting substrate 3 and a plurality of filter units 2 as shown in FIG. Further, the high frequency module according to the second embodiment includes a switch IC, a first matching circuit, and a second matching circuit.
  • the switch IC, the first matching circuit, and the second matching circuit are the same as those of the high frequency module 1 according to the first embodiment, and the description thereof will be omitted here.
  • each of the plurality of filter units 2 is also referred to as a "first filter unit 2a" and a "second filter unit 2b".
  • the mounting board 3 has a first main surface 31 and a second main surface 32.
  • the first main surface 31 and the second main surface 32 face each other in the first direction D1, which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • Electronic components such as a plurality of filter units 2 constituting the high-frequency module are mounted on the first main surface 31 and the second main surface 32.
  • a plurality of filter units 2 are mounted on the first main surface 31.
  • the first filter unit 2a has a first filter 21 and a third filter 23, as shown in FIG. That is, in the first filter unit 2a, the first filter 21 and the third filter 23 are integrated on one chip. Further, in the first filter unit 2a, the first filter 21 and the third filter 23 are arranged in the second direction D2 which is the direction orthogonal to the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • the first filter unit 2a is connected to the mounting board 3 via a plurality of external connection terminals 8a. Each of the plurality of external connection terminals 8a is, for example, a solder bump, but may be a gold bump.
  • the first filter 21 and the third filter 23 are the same as the first filter 21 and the third filter 23 according to the first embodiment, and description thereof will be omitted here.
  • the second filter unit 2b has a second filter 22 and a fourth filter 24, as shown in FIG. That is, in the second filter unit 2b, the second filter 22 and the fourth filter 24 are integrated on one chip. Further, in the second filter unit 2b, the second filter 22 and the fourth filter 24 are arranged in the second direction D2.
  • the second filter unit 2b is connected to the first filter unit 2a via a plurality of external connection terminals 8b, and is connected to the mounting board 3 via the first filter unit 2a.
  • Each of the plurality of external connection terminals 8b is, for example, a solder bump, but may be a gold bump.
  • the second filter 22 and the fourth filter 24 are the same as the second filter 22 and the fourth filter 24 according to the first embodiment, and description thereof will be omitted here.
  • the first filter 21 of the first filter unit 2a and the second filter 22 of the second filter unit 2b are first in the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • the first filter 21 and the second filter 22 are stacked (arranged) in this order from the main surface 31 side. That is, the first filter 21 and the second filter 22 overlap in a plan view from the first direction D1.
  • the third filter 23 of the first filter unit 2a and the fourth filter 24 of the second filter unit 2b are the third from the first main surface 31 side in the first direction D1.
  • the filter 23 and the fourth filter 24 are stacked (arranged) in this order. That is, the third filter 23 and the fourth filter 24 overlap in a plan view from the first direction D1.
  • a first input terminal 211, a first output terminal 212, and a plurality of ground terminals 213 are electrically connected to the first filter 21 of the first filter unit 2a.
  • Each of the first input terminal 211, the first output terminal 212, and the plurality of ground terminals 213 is, for example, an external connection terminal (first external connection terminal) 8a.
  • a second input terminal 221 and a second output terminal 222 and a plurality of ground terminals 223 are electrically connected to the second filter 22 of the second filter unit 2b.
  • Each of the second input terminal 221 and the second output terminal 222 and the plurality of ground terminals 223 are, for example, external connection terminals 8b.
  • a third input terminal 231 and a third output terminal 232 and a plurality of ground terminals 233 are electrically connected to the third filter 23 of the first filter unit 2a.
  • Each of the third input terminal 231 and the third output terminal 232 and the plurality of ground terminals 233 is, for example, an external connection terminal 8a.
  • a fourth input terminal 241 and a fourth output terminal 242 and a plurality of ground terminals 243 are electrically connected to the fourth filter 24 of the second filter unit 2b.
  • Each of the fourth input terminal 241 and the fourth output terminal 242 and the plurality of ground terminals 243 is, for example, an external connection terminal 8b.
  • the first input terminal 211 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3.
  • the second input terminal 221 is electrically connected to the external connection terminal 8a constituting the first input terminal 211 among the plurality of external connection terminals 8a, and the first of the mounting board 3 is connected via the external connection terminal 8a. It is connected to the main surface 31. That is, in the high frequency module according to the second embodiment, the first input terminal 211 and the mounting board 3 are connected, and the second input terminal 221 and the mounting board 3 are connected via the first input terminal 211. .. In the high frequency module according to the second embodiment, the first input terminal 211 is a common terminal.
  • the third input terminal 231 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3.
  • the fourth input terminal 241 is electrically connected to the external connection terminal 8a constituting the third input terminal 231 among the plurality of external connection terminals 8a, and the first of the mounting board 3 is connected via the external connection terminal 8a. It is connected to the main surface 31. That is, in the high frequency module according to the second embodiment, the third input terminal 231 and the mounting board 3 are connected, and the fourth input terminal 241 and the mounting board 3 are connected via the third input terminal 231. ..
  • the first output terminal 212 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3.
  • the second output terminal 222 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the corresponding external connection terminal 8a among the plurality of external connection terminals 8a.
  • the third output terminal 232 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3.
  • the fourth output terminal 242 is connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the corresponding external connection terminal 8a among the plurality of external connection terminals 8a.
  • Each ground terminal 213 and each ground terminal 233 are connected to the first main surface 31 of the mounting board 3. Further, each ground terminal 223 and each ground terminal 243 are connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the corresponding external connection terminal 8a among the plurality of external connection terminals 8a.
  • the first filter portion 2a and the second filter portion 2b are laminated in the thickness direction D1 of the mounting substrate 3. Therefore, the size of the mounting board 3 can be reduced as compared with the case where the first filter section 2a and the second filter section 2b are mounted separately on the mounting board 3. As a result, the high frequency module provided with the mounting substrate 3 can also be miniaturized.
  • the first input terminal 211 of the first filter 21 and the mounting board 3 are connected, and the second input terminal 221 of the second filter 22 and the mounting board 3 are first connected. It is connected via the input terminal 211.
  • the second filter 22 is laminated on the first filter 21. Therefore, as compared with the case where the first input terminal 211 of the first filter 21 and the second input terminal 221 of the second filter 22 are provided separately without being shared, the ground on the mounting surface of the lower first filter 21 The terminal area can be increased. As a result, deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 can be suppressed.
  • the size can be reduced as compared with the case where the first filter 21 and the second filter 22 are separately mounted on the mounting substrate 3. That is, according to the high frequency module, it is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of the first filter 21 while reducing the size.
  • the third input terminal 231 of the third filter 23 and the mounting board 3 are connected, and the fourth input terminal 241 of the fourth filter 24 and the mounting board 3 are connected to the third. It is connected via the input terminal 231.
  • the fourth filter 24 is laminated on the third filter 23. Therefore, as compared with the case where the third input terminal 231 of the third filter 23 and the fourth input terminal 241 of the fourth filter 24 are provided separately without being shared, the ground on the mounting surface of the lower third filter 23 is compared. The terminal area can be increased. As a result, deterioration of the filter characteristics of the third filter 23 can be suppressed.
  • the fourth filter 24 is laminated on the third filter 23, the size can be reduced as compared with the case where the third filter 23 and the fourth filter 24 are separately mounted on the mounting substrate 3. That is, according to the high frequency module, it is possible to suppress deterioration of the filter characteristics of the third filter 23 while reducing the size.
  • the first input terminal 211 which is a common terminal, is adjacent to the plurality of ground terminals 213 in a plan view from the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting board 3. Is preferable. As a result, it is possible to suppress a decrease in isolation between the common terminal and another terminal (for example, the first output terminal 212). The same applies to the third filter 23 and the fourth filter 24.
  • the second output terminal 222 is attached to the first main surface 31 of the mounting board 3 via the corresponding external connection terminal 8a among the plurality of external connection terminals 8a. It is connected.
  • the fourth output terminal 242 is the first main surface of the mounting board 3 via the corresponding external connection terminal 8a among the plurality of external connection terminals 8a. It is connected to 31.
  • the second filter 22 has a second input end (input end) 22A and a second output end (output end) 22B, and the second output end 22B has a bonding wire 303. It may be connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via.
  • a second signal is input to the second input terminal 22A.
  • the second output terminal 22B outputs a second signal.
  • the fourth filter 24 may have a fourth input end 24A and a fourth output end 24B, and the fourth output end 24B may be connected to the first main surface 31 of the mounting board 3 via a bonding wire 304. ..
  • a fourth signal is input to the fourth input terminal 24A.
  • the fourth output terminal 24B outputs the fourth signal.
  • the first output end 21B of the first filter 21 and the second output end 22B of the second filter 22 are electrically connected to the first output terminal 212.
  • the first direction D1 which is the thickness direction of the mounting substrate 3.
  • the third output end 23B of the third filter 23 and the fourth output end 24B of the fourth filter 24, which are electrically connected to the third output terminal 232 are first. They are lined up at predetermined intervals in a state of being electrically insulated in the direction D1.
  • the support 8e instead of the external connection terminal.
  • the support 8e is, for example, a solder bump, but may be a gold bump.
  • the support 8e may or may not be electrically connected to the second filter 22.
  • the support 8e is not electrically connected to either the second filter 22 or the fourth filter 24. Therefore, the support 8e may be made of, for example, a resin or the like.
  • the support 8e may be connected to any of a plurality of ground terminals 223 and 243. As a result, the ground region in the first filter unit 2a and the second filter unit 2b can be increased.
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C) includes a common terminal (for example, a first input terminal 211), a first filter (21), a second filter (22), and a mounting board. (3) and an external connection terminal (8a) are provided.
  • the first filter (21) is connected to a common terminal and passes the first signal in the first frequency band.
  • the second filter (22) is connected to a common terminal and passes a second signal in a second frequency band different from the first frequency band.
  • the first filter (21) is mounted on the mounting board (3).
  • the external connection terminal (8a) connects the first filter (21) and the mounting board (3).
  • the second filter (22) is laminated on the first filter (21).
  • the external connection terminal (8a) is a common terminal.
  • the high frequency module (1) further includes a switch IC (10) in the first aspect.
  • the switch IC (10) includes an antenna switch (5) connected to the first filter (21) and the second filter (22).
  • the mounting board (3) has a first main surface (31) and a second main surface (32) facing each other in the thickness direction (D1) of the mounting board (3).
  • the first filter (21) is provided on the first main surface (31).
  • the switch IC (10) is provided on the second main surface (32).
  • the switch IC (10) overlaps at least a part of the first filter (21) and the second filter (22) in a plan view from the thickness direction (D1).
  • the path (wiring length) between the first filter (21) and the second filter (22) and the switch IC (10) can be shortened.
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C) according to the third aspect further includes a matching circuit (6) in the second aspect.
  • the matching circuit (6) is connected between the first filter (21) and the second filter (22) and the antenna switch (5).
  • the matching circuit (6) is provided on the first main surface (31) in a state of being adjacent to the first filter (21) and the second filter (22).
  • the path (wiring length) between the first filter (21) and the second filter (22) and the matching circuit (6) can be shortened.
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C) according to the fourth aspect further includes a second external connection terminal (8c) and a third filter (23) in the second or third aspect.
  • the second external connection terminal (8c) is different from the first external connection terminal (8a) as an external connection terminal.
  • the third filter (23) is electrically connected to the second external connection terminal (8c) and passes a third signal in a third frequency band different from the first frequency band and the second frequency band.
  • the third filter (23) is connected to the mounting board (3) via the second external connection terminal (8c).
  • the common terminal and the second external connection terminal (8c) are bundled via the antenna switch (5).
  • the first signal, the second signal, and the third signal are simultaneously transmitted or received by carrier aggregation or dual connectivity.
  • the filter characteristics of the third filter (23) can be improved.
  • the switch IC (10) is connected to at least a part of the matching circuit (6) in a plan view from the thickness direction (D1). overlapping.
  • the path (wiring length) between the switch IC (10) and the matching circuit (6) can be shortened.
  • the antenna switch (5) overlaps with at least a part of the matching circuit (6) in a plan view from the thickness direction (D1). There is.
  • the path (wiring length) between the antenna switch (5) and the matching circuit (6) can be shortened.
  • the high frequency module (1; 1A; 1B; 1C) according to the seventh aspect further has a plurality of ground terminals (213, 223) in any one of the first to sixth aspects.
  • the plurality of ground terminals (213, 223) are connected to the ground provided on the mounting board (3).
  • the common terminal is adjacent to a plurality of ground terminals (213, 223) in a plan view from the thickness direction (D1).
  • the high frequency module (1) further includes an input terminal (221), an output terminal (222), and a support (8e) in the seventh aspect.
  • the input terminal (221) is electrically connected to the second filter (22).
  • the output terminal (222) is electrically connected to the second filter (22).
  • the support (8e) is arranged between the first filter (21) and the second filter (22) in the thickness direction (D1).
  • the support (8e) is not electrically connected to at least the input terminal (221) and the output terminal (222).
  • the bonding strength and bonding balance of the second filter (22) with respect to the first filter (21) can be improved.
  • the support (8e) is connected to any of a plurality of ground terminals (213, 223).
  • the ground area of each of the first filter (21) and the second filter (22) can be increased.
  • the second filter (21) has an input end (22A) to which the second signal is input and an output end (22A) to output the second signal. 22B) and.
  • the output end (22B) is connected to the mounting board (3) via a bonding wire (303).
  • the first filter (21) and the second filter (22) are formed of different materials.
  • the first filter (21) and the second filter (22) are selected by selecting the optimum material for each frequency band used in each of the first filter (21) and the second filter (22). It is possible to suppress the deterioration of the filter characteristics of each of the above.
  • the communication device (200) includes a high frequency module (1; 1A; 1B; 1C) according to any one of the first to eleventh aspects, and a signal processing circuit (202).
  • the signal processing circuit (202) processes the first signal and the second signal.

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Abstract

小型化を図りつつ、フィルタ特性の低下を抑制することができる高周波モジュール及び通信装置を提供する。高周波モジュール（１）は、共通端子と、第１フィルタ（２１）と、第２フィルタ（２２）と、実装基板（３）と、外部接続端子（８ａ）と、を備える。第１フィルタ（２１）は、共通端子に接続され、第１周波数帯域の第１信号を通過させる。第２フィルタ（２２）は、共通端子に接続され、第２周波数帯域の第２信号を通過させる。実装基板（３）は、第１フィルタ（２１）が実装される。外部接続端子（８ａ）は、第１フィルタ（２１）と実装基板（３）とを接続する。第２フィルタ（２２）は、第１フィルタ（２１）上に積層されている。外部接続端子（８ａ）は、共通端子である。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、一般に高周波モジュール及び通信装置に関し、より詳細には、複数のフィルタを備える高周波モジュール、及び高周波モジュールを備える通信装置に関する。
　従来、１つのアンテナで受信する受信信号を複数の周波数帯域に分けて、周波数帯域ごとに出力するように構成されたフィルタ装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
　特許文献１に記載のフィルタ装置は、アンテナ端子から入力される受信信号のうち第１の周波数帯域の受信信号を通過させる第１フィルタと、アンテナ端子から入力される受信信号のうち第２の周波数帯域の受信信号を通過させる第２フィルタと、を有する。このフィルタ装置では、第１フィルタと第２フィルタとが所定の方向（実装基板の厚さ方向）に積層されている。
国際公開第２０１８／２３５４３３号
　特許文献１に記載のフィルタ装置では、例えば、第１フィルタ上に第２フィルタが積層されている場合に、第１フィルタの入力端子と第２フィルタの入力端子とを下側の第１フィルタの実装面にそれぞれ設けることで、第１フィルタの実装面におけるグランド端子領域が小さくなる。その結果、第１フィルタのフィルタ特性が低下するという問題があった。
　本発明の目的は、小型化を図りつつ、フィルタ特性の低下を抑制することができる高周波モジュール及び通信装置を提供することにある。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、共通端子と、第１フィルタと、第２フィルタと、実装基板と、外部接続端子と、を備える。前記第１フィルタは、前記共通端子に接続され、第１周波数帯域の第１信号を通過させる。前記第２フィルタは、前記共通端子に接続され、前記第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域の第２信号を通過させる。前記実装基板は、前記第１フィルタが実装される。前記外部接続端子は、前記第１フィルタと前記実装基板とを接続する。前記第２フィルタは、前記第１フィルタ上に積層されている。前記外部接続端子は、前記共通端子である。
　本発明の一態様に係る通信装置は、前記高周波モジュールと、信号処理回路と、を備える。前記信号処理回路は、前記第１信号及び前記第２信号を処理する。
　本発明の上記態様に係る高周波モジュール及び通信装置によれば、小型化を図りつつ、フィルタ特性の低下を抑制することができる。
図１は、実施形態１に係る高周波モジュールの模式的な断面図である。 図２は、同上の高周波モジュールとしてのフロントエンドモジュールを示す回路構成図である。 図３Ａは、比較例に係る高周波モジュールにおけるフィルタとインダクタとの接続を示す模式図である。図３Ｂは、別の比較例に係る高周波モジュールにおけるフィルタとインダクタとの接続を示す模式図である。図３Ｃは、実施形態１に係る高周波モジュールにおけるフィルタとインダクタとの接続を示す模式図である。 図４は、同上のフロントエンドモジュールの断面図である。 図５は、実施形態１の変形例１に係る高周波モジュールとしてのフロントエンドモジュールの断面図である。 図６は、実施形態１の変形例２に係る高周波モジュールを模式的に表した断面図である。 図７は、実施形態１の変形例３に係る高周波モジュールの模式的な平面図である。 図８Ａは、図７のＸ１－Ｘ２断面図である。図８Ｂは、実施形態１の変形例４に係る高周波モジュールの断面図である。 図９は、実施形態２に係る高周波モジュールにおけるフィルタ部の模式的な断面図である。 図１０は、同上の高周波モジュールにおけるフィルタ部の模式的な平面図である。 図１１Ａは、比較例に係る高周波モジュールにおけるフィルタ部の模式的な平面図である。図１１Ｂは、実施形態２の変形例１に係る高周波モジュールにおけるフィルタ部の模式的な平面図である。 図１２Ａは、比較例に係る高周波モジュールにおけるフィルタ部の模式的な平面図である。図１２Ｂは、実施形態２の変形例２に係る高周波モジュールにおけるフィルタ部の模式的な平面図である。
　以下の実施形態１等において参照する図１、図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図４、図５、図６、図７、図８Ａ、図８Ｂ、図９、図１０、図１１Ａ、図１１Ｂ、図１２Ａ及び図１２Ｂは、いずれも模式的な図であり、図中の各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。
　（実施形態１）
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１及び通信装置２００について、図１～図４を参照して説明する。
　（１）高周波モジュールの全体構成
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の通信装置２００（図２参照）に用いられる。通信装置２００は、例えば、携帯電話（例えば、スマートフォン）であるが、これに限らず、例えば、ウェアラブル端末（例えば、スマートウォッチ）等であってもよい。
　高周波モジュール１は、例えば、ＬＴＥ（Long Term Evolution）等の通信規格に準拠したマルチバンド対応の通信装置２００に設けられる。高周波モジュール１は、キャリアアグリゲーション（Carrier Aggregation）に対応可能に構成されている。本実施形態では、高周波モジュール１は、複数の周波数帯で同時通信を行う。具体的には、高周波モジュール１は、複数の周波数帯の電波（キャリア）を束ねて送信された送信波を受信する。
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、図１に示すように、共通端子と、第１フィルタ２１と、第２フィルタ２２と、実装基板３と、外部接続端子８ａと、を備える。共通端子は、例えば、第１フィルタ２１に電気的に接続される第１入力端子２１１である。第１フィルタ２１は、共通端子に電気的に接続され、第１周波数帯域の第１信号を通過させる。第２フィルタ２２は、共通端子に電気的に接続され、第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域の第２信号を通過させる。実装基板３は、第１フィルタ２１が実装される。外部接続端子８ａは、第１フィルタ２１と実装基板３とを電気的に接続する。
　第２フィルタ２２は、第１フィルタ２１上に積層されている。外部接続端子８ａは、共通端子である。
　本実施形態に係る通信装置２００は、図２に示すように、高周波モジュール１と、信号処理回路２０２と、を備える。信号処理回路２０２は、第１フィルタ２１を通過する第１信号、及び第２フィルタ２２を通過する第２信号を処理する。
　本実施形態に係る高周波モジュール１及び通信装置２００では、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の各々は、共通端子（例えば、第１入力端子２１１）に電気的に接続されている。そして、第２フィルタ２２は、第１フィルタ２１上に積層され、第１フィルタ２１は、共通端子としての外部接続端子８ａを介して実装基板３に接続されている。そのため、第１フィルタ２１の端子と第２フィルタ２２の端子とを共通化しないで別々に設けた場合に比べて、下側の第１フィルタ２１の実装面におけるグランド端子領域を大きくすることができる。その結果、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。また、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層しているので、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とを別々に実装基板３に実装する場合に比べて小型化を図ることができる。つまり、高周波モジュール１及び通信装置２００によれば、小型化を図りつつ、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　（２）高周波モジュールの各構成要素
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、図１に示すように、実装基板３と、第１フィルタ２１と、第２フィルタ２２と、第３フィルタ２３と、第４フィルタ２４と、スイッチＩＣ（Integrated Circuit）１０と、を備える。さらに、高周波モジュール１は、第１整合回路（整合回路）６と、第２整合回路７と、複数の外部接続電極９と、第１樹脂層１１と、第２樹脂層１２と、を備える。
　（２．１）実装基板
　実装基板３は、図１に示すように、第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１主面３１及び第２主面３２は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において互いに対向している。第１主面３１及び第２主面３２には、高周波モジュール１を構成する第１フィルタ２１等の電子部品が実装される。本実施形態では、第１フィルタ２１、第２フィルタ２２、第３フィルタ２３、第４フィルタ２４、第１整合回路６及び第２整合回路７が第１主面３１に実装され、スイッチＩＣ１０が第２主面３２に実装される。
　（２．２）第１フィルタ
　第１フィルタ２１は、例えば、高周波フィルタである。第１フィルタ２１は、アンテナ２０１（図２参照）が受信した受信信号のうち、第１周波数帯域の受信信号（第１信号）を通過させる。第１周波数帯域は、例えば、Ｂａｎｄ１の通信バンドを含む。Ｂａｎｄ１の通信バンドは、２１１０ＭＨｚ－２１７０ＭＨｚである。第１フィルタ２１は、複数の外部接続端子（第１外部接続端子）８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　第１フィルタ２１は、例えば、弾性波フィルタである。第１フィルタ２１は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波共振子は、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子である。
　ＳＡＷ共振子は、例えば、圧電体基板と、圧電体基板上に設けられているＩＤＴ電極と、を含む。第１フィルタ２１は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々をＳＡＷ共振子により構成する場合、１つの圧電体基板上に、複数の直列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、複数の並列腕共振子に一対一に対応する複数のＩＤＴ電極と、を有している。圧電体基板は、例えば、リチウムタンタレート基板、リチウムニオベイト基板等である。
　（２．３）第２フィルタ
　第２フィルタ２２は、例えば、高周波フィルタである。第２フィルタ２２は、アンテナ２０１（図２参照）が受信した受信信号のうち、第２周波数帯域の受信信号（第２信号）を通過させる。第２周波数帯域は、例えば、Ｂａｎｄ３の通信バンドを含む。Ｂａｎｄ３の通信バンドは、１８０５ＭＨｚ－１８８０ＭＨｚである。第２フィルタ２２は、複数の外部接続端子８ｂを介して第１フィルタ２１に接続され、さらに第１フィルタ２１及び外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　第２フィルタ２２は、例えば、弾性波フィルタである。第２フィルタ２２は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波共振子は、例えば、ＳＡＷ共振子である。
　高周波モジュール１では、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とが実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１に並んでいる。つまり、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とは、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。言い換えると、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、第１方向Ｄ１において第１主面３１側から第１フィルタ２１、第２フィルタ２２の順に積層されている。第２フィルタ２２は、第１フィルタ２１とともに、後述のフィルタ群１１３のフィルタ１１３ｄ（図２参照）に適用される。
　（２．４）第３フィルタ
　第３フィルタ２３は、例えば、高周波フィルタである。第３フィルタ２３は、アンテナ２０１（図２参照）が受信した受信信号のうち、第３周波数帯域の受信信号（第３信号）を通過させる。第３周波数帯域は、例えば、Ｂａｎｄ４０の通信バンドを含む。Ｂａｎｄ４０の通信バンドは、２３００ＭＨｚ－２４００ＭＨｚである。第３フィルタ２３は、複数の外部接続端子（第２外部接続端子）８ｃを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　第３フィルタ２３は、例えば、弾性波フィルタである。第３フィルタ２３は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波共振子は、例えば、ＳＡＷ共振子である。
　（２．５）第４フィルタ
　第４フィルタ２４は、例えば、高周波フィルタである。第４フィルタ２４は、アンテナ２０１（図２参照）が受信した受信信号のうち、第４周波数帯域の受信信号（第４信号）を通過させる。第４周波数帯域は、例えば、Ｂａｎｄ４１の通信バンドを含む。Ｂａｎｄ４１の通信バンドは、２４９６ＭＨｚ－２６９０ＭＨｚである。第４フィルタ２４は、複数の外部接続端子８ｄを介して第３フィルタ２３に接続され、さらに第３フィルタ２３及び複数の外部接続端子８ｄを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　第４フィルタ２４は、例えば、弾性波フィルタである。第４フィルタ２４は、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子の各々が弾性波共振子により構成されている。弾性波共振子は、例えば、ＳＡＷ共振子である。
　本実施形態では、第３フィルタ２３と第４フィルタ２４とが、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１に並んでいる。つまり、第３フィルタ２３と第４フィルタ２４とが、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。言い換えると、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４は、第１方向Ｄ１において第１主面３１側から第３フィルタ２３、第４フィルタ２４の順に積層されている。第４フィルタ２４は、第３フィルタ２３とともに、後述のフィルタ群１１３のフィルタ１１３ｇ（図２参照）に適用される。
　ここで、Ｂａｎｄ１とＢａｎｄ３とＢａｎｄ４０とＢａｎｄ４１とは、キャリアアグリゲーションによる信号の受信を行う場合に、同時に利用可能である。つまり、高周波モジュール１では、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２と第３フィルタ２３と第４フィルタ２４とで同時通信が可能である。
　（２．６）スイッチＩＣ
　スイッチＩＣ１０は、図１に示すように、複数のローノイズアンプ４Ａ，４Ｂと、アンテナスイッチ５と、を含む集積回路である。
　複数のローノイズアンプ４Ａ，４Ｂの各々は、入力端子及び出力端子を有する。ローノイズアンプ４Ａは、例えば、第２フィルタ２２を通過して入力端子に入力された所定の周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。つまり、ローノイズアンプ４Ａは、第２フィルタ２２を通過した受信信号を増幅して出力する。ローノイズアンプ４Ｂは、例えば、第３フィルタ２３を通過して入力端子に入力された所定の周波数帯域の受信信号を増幅して出力端子から出力する。つまり、ローノイズアンプ４Ｂは、第３フィルタ２３を通過した受信信号を増幅して出力する。ローノイズアンプ４Ａは、例えば、後述の増幅部１１６の増幅回路１１６ｂ（図２参照）に適用される。また、ローノイズアンプ４Ｂは、例えば、増幅部１１６の増幅回路１１６ｄ（図２参照）に適用される。
　アンテナスイッチ５は、例えば、ＳＰＳＴ（Single Pole Single Throw）型のスイッチである。アンテナスイッチ５は、アンテナ２０１（図２参照）とフィルタ群１１３（図２参照）との間に接続され、アンテナ２０１とフィルタ群１１３との間を接続する導通状態と、アンテナ２０１とフィルタ群１１３との間を遮断する非導通状態と、を切り替える。アンテナスイッチ５は、後述の第１スイッチ部１１１（図２参照）に適用される。
　高周波モジュール１では、ローノイズアンプ４Ａ，４Ｂ及びアンテナスイッチ５を含むスイッチＩＣ１０は、図１に示すように、実装基板３の第２主面３２に実装されている。そして、スイッチＩＣ１０は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２と重なっている。より詳細には、スイッチＩＣ１０に含まれているアンテナスイッチ５は、第１方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の一部と重なっている。
　また、高周波モジュール１では、スイッチＩＣ１０は、第１方向Ｄ１からの平面視で、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４の一部と重なっている。より詳細には、スイッチＩＣ１０に含まれているアンテナスイッチ５は、第１方向Ｄ１からの平面視で、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４の一部と重なっている。
　（２．７）第１整合回路
　第１整合回路６は、複数のインダクタ６１，６２を有する。インダクタ６１は、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２に隣接している状態で、実装基板３の第１主面３１に実装されている。インダクタ６２は、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４に隣接している状態で、実装基板３の第１主面３１に実装されている。本明細書等において「隣接する」とは、隣り合う２つの電子部品間に他の電子部品が存在していないことをいう。図１では、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とインダクタ６１（第１整合回路６）との間に他の電子部品が存在していない。また、図１では、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４とインダクタ６２（第１整合回路６）との間に他の電子部品が存在していない。
　インダクタ６１は、ビア１３Ａを介してスイッチＩＣ１０のアンテナスイッチ５に接続されている。また、インダクタ６１は、導体１４Ａを介して第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２に接続されている。つまり、第１整合回路６のインダクタ６１は、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とアンテナスイッチ５との間に接続されている。インダクタ６２は、ビア１３Ｂを介してスイッチＩＣ１０のアンテナスイッチ５に接続されている。また、インダクタ６２は、導体１４Ｂを介して第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４に接続されている。つまり、第１整合回路６のインダクタ６２は、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４とアンテナスイッチ５との間に接続されている。第１整合回路６は、例えば、後述の第１整合回路部１１２（図２参照）に適用される。
　高周波モジュール１では、スイッチＩＣ１０は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視で、第１整合回路６（インダクタ６１，６２）と重なっている。より詳細には、スイッチＩＣ１０に含まれているアンテナスイッチ５は、第１方向Ｄ１からの平面視で、第１整合回路６と重なっている。これにより、アンテナスイッチ５と第１整合回路６との間の経路（配線長）を短くすることができる。
　また、高周波モジュール１では、上述のように、アンテナスイッチ５は、第１方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の一部と重なっている。これにより、アンテナスイッチ５が第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２と重なっていない場合に比べて、第１整合回路６（インダクタ６１）と第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とを接続する導体１４Ａを短くすることができる。その結果、アンテナスイッチ５から第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２への経路（配線長）を短くすることができる。
　さらに、高周波モジュール１では、第１整合回路６（インダクタ６１）と第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とが隣接している。これにより、第１整合回路６と第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とを接続する導体１４Ａを更に短くすることができ、その結果、アンテナスイッチ５から第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２への経路（配線長）を更に短くすることができる。
　（２．８）第２整合回路
　第２整合回路７は、複数のインダクタ７１，７２を有する。インダクタ７１は、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２に隣接している状態で、実装基板３の第１主面３１に実装されている。つまり、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とインダクタ７１（第２整合回路７）との間に他の電子部品が存在していない。インダクタ７２は、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４に隣接している状態で、実装基板３の第１主面３１に実装されている。つまり、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４とインダクタ７２（第２整合回路７）との間に他の電子部品が存在していない。
　インダクタ７１は、ビア１３Ｃを介してスイッチＩＣ１０のローノイズアンプ４Ａに接続されている。インダクタ７２は、ビア１３Ｄを介してスイッチＩＣ１０のローノイズアンプ４Ｂに接続されている。第２整合回路７は、例えば、後述の第２整合回路部１１５（図２参照）に適用される。
　（２．９）外部接続電極
　複数の外部接続電極９は、実装基板３の第２主面３２上に設けられている。複数の外部接続電極９は、高周波モジュール１を、後述の信号処理回路２０２（図２参照）等が実装されているマザー基板に接続する。複数の外部接続電極９は、例えば、柱状（例えば、円柱状）の電極である。複数の外部接続電極９の材料は、例えば、金属（例えば、銅、銅合金等）である。
　（２．１０）樹脂層
　第１樹脂層１１は、実装基板３の第１主面３１側において実装基板３の第１主面３１に実装されている第１フィルタ２１等の電子部品を覆っている。第２樹脂層１２は、実装基板３の第２主面３２側において実装基板３の第２主面３２に実装されているスイッチＩＣ１０等の電子部品を覆っている。なお、第１樹脂層１１の材料と第２樹脂層１２の材料とは同じであってもよいし、異なっていてもよい。
　（３）各フィルタの端子配置
　次に、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の端子配置について、図３Ａ～図３Ｃを参照して説明する。図３Ａ及び図３Ｂは、比較例に係る第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の端子配置を示す模式図である。図３Ｃは、本実施形態に係る第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の端子配置を示す模式図である。
　図３Ａでは、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、実装基板３に対してそれぞれ実装されている。第１フィルタ２１には、第１入力端子２１１、第１出力端子２１２及び複数のグランド端子２１３が電気的に接続されている。そして、第１フィルタ２１は、第１入力端子２１１、第１出力端子２１２及び複数のグランド端子２１３を介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。第１入力端子２１１、第１出力端子２１２及び複数のグランド端子２１３の各々は、例えば、外部接続端子（第１外部接続端子）８ａである。第２フィルタ２２には、第２入力端子２２１、第２出力端子２２２及び複数のグランド端子２２３が電気的に接続されている。そして、第２フィルタ２２は、第２入力端子２２１、第２出力端子２２２及び複数のグランド端子２２３を介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。第２入力端子２２１、第２出力端子２２２及び複数のグランド端子２２３の各々は、例えば、外部接続端子８ｂである。外部接続端子８ａ，８ｂは、例えば、はんだバンプであるが、金属バンプであってもよい。図３Ａでは、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と第１整合回路６のインダクタ６１との間をボンディングワイヤ３０１により接続し、かつ、第２フィルタ２２の第２入力端子２２１と第１整合回路６のインダクタ６１との間をボンディングワイヤ３０２により接続している。
　図３Ｂでは、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において第１主面３１側から第１フィルタ２１、第２フィルタ２２の順に積層された状態で、実装基板３の第１主面３１に実装されている。つまり、図３Ｂでは、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。図３Ｂでは、第１フィルタ２１に電気的に接続されている第１入力端子２１１と第２フィルタ２２に電気的に接続されている第２入力端子２２１とが別々に設けられている。第１入力端子２１１は、実装基板３に接続されている。第２入力端子２２１は、複数の外部接続端子８ａのうち第１入力端子２１１を構成する外部接続端子８ａを介して実装基板３に接続されている。図３Ｂでは、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と第１整合回路６のインダクタ６１との間をボンディングワイヤ３０１により接続し、かつ、第２フィルタ２２の第２入力端子２２１と第１整合回路６のインダクタ６１との間をボンディングワイヤ３０２により接続している。
　このように、図３Ａ及び図３Ｂでは、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と第２フィルタ２２の第２入力端子２２１とが別々に設けられているため、第１整合回路６のインダクタ６１との間を接続するために２本のボンディングワイヤ３０１，３０２が必要である。
　これに対して、高周波モジュール１では、図３Ｃに示すように、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、第１方向Ｄ１において第１主面３１側から第１フィルタ２１、第２フィルタ２２の順に積層された状態で、実装基板３の第１主面３１に実装されている。つまり、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。また、高周波モジュール１では、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と第２フィルタ２２の第２入力端子２２１とが電気的に接続されており、共通端子化されている。つまり、高周波モジュール１では、第１フィルタ２１に電気的に接続されている第１入力端子２１１が共通端子である。したがって、高周波モジュール１では、第１整合回路６のインダクタ６１と第１フィルタ２１の第１入力端子２１１及び第２フィルタ２２の第２入力端子２２１とを接続する１本のボンディングワイヤ３０１があればよく、図３Ａ及び図３Ｂの場合に比べて配線本数を減らすことができる。つまり、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２との間で第１入力端子２１１と第２入力端子２２１とを束ねることができ、これによりフィルタの配置の自由度を向上させることができる。
　また、高周波モジュール１では、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とを積層している。そのため、実装基板３に対して第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２を別々に実装する場合に比べて実装基板３の小型化を図ることができる。その結果、実装基板３を備える高周波モジュール１についても小型化を図ることができる。
　また、高周波モジュール１では、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２が共通端子（ここでは、第１入力端子２１１）に電気的に接続されており、この共通端子を介して第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２を実装基板３に接続している。さらに、高周波モジュール１では、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層している。そのため、第１フィルタ２１の端子と第２フィルタ２２の端子とを共通化しないで別々に設けた場合に比べて、下側の第１フィルタ２１の実装面におけるグランド端子領域を大きくすることができる。その結果、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。また、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層しているので、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とを別々に実装基板３に実装する場合に比べて小型化を図ることができる。つまり、高周波モジュール１によれば、小型化を図りつつ、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　また、第１フィルタ２１は、第１入力端子２１１を介してアンテナスイッチ５に接続されている。第２フィルタ２２は、第２入力端子２２１を介してアンテナスイッチ５に接続されている。そして、高周波モジュール１では、第１入力端子（共通端子）２１１と実装基板３とを接続し、かつ、第２入力端子２２１と実装基板３とを第１入力端子２１１を介して接続している。これにより、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とアンテナスイッチ５との間の経路（配線長）を短くすることができる。
　ところで、高周波モジュール１は、上述のように、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２と第３フィルタ２３と第４フィルタ２４とで同時通信を行うように構成されている。この場合、第１フィルタ２１を通過する第１信号、第２フィルタ２２を通過する第２信号、第３フィルタ２３を通過する第３信号、及び第４フィルタ２４を通過する第４信号は、アンテナスイッチ５の入力端（以下、「束ね点」ともいう）において１つに束ねられることになる。例えば、束ね点における第１フィルタ２１の第１周波数帯域及び第２フィルタ２２の第２周波数帯域に対する第３フィルタ２３の第３周波数帯域の位相は、アンテナスイッチ５から第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２までの配線長によって時計回りの位相になり、第１整合回路６のインダクタンス及びアンテナスイッチ５の寄生容量によって反時計回りの位相になる。そのため、アンテナスイッチ５から第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２までの配線長を短くすることによって、第１周波数帯域、第２周波数帯域及び第３周波数帯域を束ねる場合における第３周波数帯域の特性がよくなるという利点がある。
　（４）適用例
　本実施形態に係る高周波モジュール１は、図２に示すフロントエンドモジュール１００として適用可能である。
　高周波モジュール１としてのフロントエンドモジュール１００は、通信装置２００に備えられる。通信装置２００は、図２に示すように、フロントエンドモジュール１００と、信号処理回路２０２と、アンテナ２０１と、を備える。通信装置２００は、アンテナ２０１を介して信号の送受信を行う。なお、図２では、受信側の回路のみを図示し、送信側の回路を省略している。
　（４．１）フロントエンドモジュール
　まず、フロントエンドモジュール１００の回路構成について、図２を参照して説明する。
　フロントエンドモジュール１００は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンド部に配置される。フロントエンドモジュール１００は、例えば、ＬＴＥ等の通信規格に準拠したマルチバンド対応の携帯電話に内蔵される。フロントエンドモジュール１００は、互いに周波数帯域の異なる複数の高周波信号が伝送される複数の経路（信号経路）を有する。
　フロントエンドモジュール１００は、図２に示すように、第１スイッチ部１１１と、第１整合回路部１１２と、フィルタ群１１３と、第３スイッチ部１１４と、第２整合回路部１１５と、増幅部１１６と、第２スイッチ部１１７と、を備える。第１スイッチ部１１１、第２スイッチ部１１７、第３スイッチ部１１４及び増幅部１１６は、スイッチＩＣ１０（図１参照）に含まれる。言い換えると、第１スイッチ部１１１、第２スイッチ部１１７、第３スイッチ部１１４及び増幅部１１６が１チップ化されることで、スイッチＩＣ１０が構成される。
　複数の信号経路は、スイッチＩＣ１０、フィルタ群１１３、第１整合回路部１１２及び第２整合回路部１１５を信号が通過する経路である。上記信号は、第１スイッチ部１１１、第１整合回路部１１２、フィルタ群１１３、第３スイッチ部１１４、第２整合回路部１１５、増幅部１１６及び第２スイッチ部１１７の順序で複数の信号経路のいずれかを通過する。
　（４．１．１）第１スイッチ部
　第１スイッチ部１１１は、例えば、スイッチ１１１ａ～１１１ｃを有する。スイッチ１１１ａ～１１１ｃは、例えば、ＧａＡｓ又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）からなるＦＥＴ（Field Effect Transistor）スイッチ、又はダイオードスイッチである。第１スイッチ部１１１の入力端子は、アンテナ２０１に接続される。また、第１スイッチ部１１１の出力端子は、フィルタ群１１３の入力端子に接続される。第１スイッチ部１１１は、アンテナ２０１で受信された信号を、フィルタ群１１３を構成するフィルタ１１３ａ～１１３ｇごとの信号経路に分ける。スイッチ１１１ａ～１１１ｃの各々は、例えば、後述のＲＦ信号処理回路２０３からの制御信号に従って接続状態が切り替えられる。本実施形態では、第１スイッチ部１１１がアンテナスイッチ５（図１参照）により構成されている。
　（４．１．２）第１整合回路部
　第１整合回路部１１２は、例えば、インダクタ１１２ａ～１１２ｇを有する。インダクタ１１２ａ～１１２ｇの各々は、第１スイッチ部１１１とフィルタ群１１３とのインピーダンスを整合させるための回路素子である。インダクタ１１２ａ～１１２ｇの各々は、一端が第１スイッチ部１１１のスイッチ１１１ａ～１１１ｃとフィルタ群１１３のフィルタ１１３ａ～１１３ｇとを接続する経路に接続され、他端が基準端子（グランド）に接続される。なお、インダクタ１１２ａ～１１２ｇの各々は、上記経路に対して直列に接続されていてもよい。また、第１整合回路部１１２は、インダクタ１１２ａ～１１２ｇに限らず、キャパシタ、又はインダクタとキャパシタとを組み合わせた回路であってもよい。本実施形態では、第１整合回路部１１２のインダクタ１１２ｄが第１整合回路６のインダクタ６１により構成され、第１整合回路部１１２のインダクタ１１２ｇが第１整合回路６のインダクタ６２により構成されている。
　（４．１．３）フィルタ群
　フィルタ群１１３は、弾性表面波共振子、バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）共振子又はＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）等により構成されたフィルタ１１３ａ～１１３ｇを有する。なお、フィルタ１１３ａ～１１３ｇは、ＬＣ共振回路等により構成されてもよい。本実施形態では、フィルタ１１３ａ～１１３ｇは、弾性表面波共振子により構成されている。フィルタ群１１３の出力端子は、第３スイッチ部１１４の入力端子に接続される。
　フィルタ１１３ａは、例えば、３つのフィルタの入力端子が共通端子化されたトリプレクサである。また、フィルタ１１３ｄ及び１１３ｇの各々は、例えば、２つのフィルタの入力端子が共通端子化されたデュプレクサである。フィルタ１１３ａでは、３つのフィルタの入力端子が共通端子１１８ａによって束ねられている。フィルタ１１３ｄでは、２つのフィルタの入力端子が共通端子１１８ｂによって束ねられている。フィルタ１１３ｇでは、２つのフィルタの入力端子が共通端子１１８ｃによって束ねられている。
　本実施形態では、フィルタ１１３ｄを構成する２つのフィルタが第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２により構成され、フィルタ１１３ｇを構成する２つのフィルタが第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４により構成されている。つまり、本実施形態では、共通端子１１８ｂは第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の共通端子であり、共通端子１１８ｃは第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４の共通端子である。
　（４．１．４）第３スイッチ部
　第３スイッチ部１１４は、スイッチ１１４ａ～１１４ｄを有する。スイッチ１１４ａ～１１４ｃは、例えば、ＧａＡｓ又はＣＭＯＳからなるＦＥＴスイッチ、又はダイオードスイッチである。スイッチ１１４ａ～１１４ｄの各々の出力端子は、第２整合回路部１１５の入力端子に接続される。具体的には、スイッチ１１４ａ～１１４ｄの各々の入力端子は、フィルタ群１１３に接続され、スイッチ１１４ａ～１１４ｄの各々の出力端子は、第２整合回路部１１５のインダクタ１１５ａ～１１５ｄに接続される。スイッチ１１４ａ～１１４ｄの各々は、フィルタ１１３ａ～１１３ｇを通過した信号を選択し、第２整合回路部１１５へ選択した信号を出力する。スイッチ１１４ａ～１１４ｃの各々は、例えば、ＲＦ信号処理回路２０３からの制御信号に従って接続状態が切り替えられる。
　（４．１．５）第２整合回路部
　第２整合回路部１１５は、インダクタ１１５ａ～１１５ｄを有する。インダクタ１１５ａ～１１５ｄの各々は、第３スイッチ部１１４と増幅部１１６とのインピーダンスを整合させるための回路素子である。インダクタ１１５ａ～１１５ｄの各々は、一端がスイッチ１１４ａ～１１４ｄのうち対応するスイッチに接続され、他端が増幅回路１１６ａ～１１６ｄのうち対応する増幅回路に接続される。なお、インダクタ１１５ａ～１１５ｄの各々は、第３スイッチ部１１４と増幅部１１６とを結ぶ経路とグランドとの間に接続されていてもよい。また、第２整合回路部１１５は、インダクタ１１５ａ～１１５ｇに限らず、キャパシタ、又はインダクタとキャパシタとを組み合わせた回路であってもよい。本実施形態では、第２整合回路部１１５のインダクタ１１５ｂが第２整合回路７のインダクタ７１により構成され、第２整合回路部１１５のインダクタ１１５ｄが第２整合回路７のインダクタ７２により構成されている。
　（４．１．６）増幅部
　増幅部１１６は、増幅回路１１６ａ～１１６ｄを有する。増幅回路１１６ａ～１１６ｄの各々は、第１スイッチ部１１１、第１整合回路部１１２、フィルタ群１１３、第３スイッチ部１１４及び第２整合回路部１１５を通過した受信信号を増幅する。増幅回路１１６ａ～１１６ｄの各々は、例えば、ローノイズアンプである。増幅回路１１６ａ～１１６ｄの各々の入力端子は、インダクタ１１５ａ～１１５ｄのうち対応するインダクタに接続される。増幅回路１１６ａ～１１６ｄの各々の出力端子は、第２スイッチ部１１７に接続される。本実施形態では、増幅回路１１６ｂがローノイズアンプ４Ａにより構成され、増幅回路１１６ｄがローノイズアンプ４Ｂにより構成されている。
　（４．１．７）第２スイッチ部
　第２スイッチ部１１７は、例えば、スイッチ１１７ａ～１１７ｇを有する。スイッチ１１７ａ～１１７ｃは、例えば、ＧａＡｓ又はＣＭＯＳからなるＦＥＴスイッチ、又はダイオードスイッチである。第２スイッチ部１１７は、信号処理回路２０２のＲＦ信号処理回路２０３に接続される。第２スイッチ部１１７は、増幅部１１６で増幅された受信信号を、ＲＦ信号処理回路２０３の所定の端子に振り分ける。スイッチ１１７ａ～１１７ｃの各々は、例えば、ＲＦ信号処理回路２０３からの制御信号に従って接続状態が切り替えられる。
　（４．２）信号処理回路
　信号処理回路２０２は、例えば、ＲＦ信号処理回路２０３と、ベースバンド信号処理回路２０４と、を含む。ＲＦ信号処理回路２０３は、例えば、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）であり、高周波信号に対する信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路２０４は、例えば、ＢＢＩＣ（Baseband Integrated Circuit）であり、信号処理回路２０２の外部からの送信信号に対する所定の信号処理を行う。ベースバンド信号処理回路２０４で処理された受信信号は、例えば、画像信号として画像表示のために、又は、音声信号として通話のために使用される。フロントエンドモジュール１００は、アンテナ２０１と信号処理回路２０２のＲＦ信号処理回路２０３との間で高周波信号（ここでは、受信信号）を伝達する。通信装置２００では、ベースバンド信号処理回路２０４は必須の構成要素ではない。
　（４．３）フロントエンドモジュールの構造
　次に、フロントエンドモジュール１００の構造について、図４を参照して説明する。
　フロントエンドモジュール１００は、上述の実装基板３に相当する実装基板１２０を備える。実装基板１２０（３）は、第１主面１２１（３１）及び第２主面１２２（３２）を有する。第１主面１２１及び第２主面１２２は、実装基板１２０の厚さ方向である第１方向Ｄ１において互いに対向している。第１主面１２１には、第１整合回路部１１２、フィルタ群１１３及び第２整合回路部１１５が設けられている。第２主面１２２には、スイッチＩＣ１１０が設けられている。第１整合回路部１１２、フィルタ群１１３及び第２整合回路部１１５は、第１主面１２１側において第１樹脂１６１により覆われている。スイッチＩＣ１１０は、第２主面１２２側において第２樹脂１６２により覆われている。第１樹脂１６１は上述の第１樹脂層１１に対応し、第２樹脂１６２は上述の第２樹脂層１２に対応している。
　フロントエンドモジュール１００は、複数の電極１５０を更に備える。複数の電極１５０は、第２主面１２２上に設けられている。複数の電極１５０は、第２主面１２２において、スイッチＩＣ１１０の周囲に配置されている。スイッチＩＣ１１０の第１スイッチ部１１１は、高周波の信号を、複数の電極１５０を介して受信する。なお、複数の電極１５０は、銅ピラー（銅ピン）、めっき若しくは銅ペースト等の電極、又ははんだ等であってもよい。複数の電極１５０は、上述の複数の外部接続電極９に対応している。
　フロントエンドモジュール１００では、デュプレクサであるフィルタ１１３ｄは、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２で構成されている。また、デュプレクサであるフィルタ１１３ｇは、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４で構成されている。
　フロントエンドモジュール１００においても、実装基板１２０を第１方向Ｄ１から見た場合、つまり実装基板１２０を平面視した場合、第１スイッチ部１１１は、フィルタ１１３ｄ（第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２）の一部と重なっている。
　フロントエンドモジュール１００では、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２とインダクタ１１２ｄとが第２方向Ｄ２において隣接するように配置されている。また、フロントエンドモジュール１００では、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４とインダクタ１１２ｇとが第２方向Ｄ２において隣接するように配置されている。
　例えば、第１スイッチ部１１１の出力端子１０１は、ビア１０２を介してインダクタ１１２ｄに接続されている。インダクタ１１２ｄは、導体１０３を介して第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２に接続されている。この構成により、第１スイッチ部１１１は、ビア１０２及びインダクタ１１２ｄを介して、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２に接続されている。
　（５）変形例
　以下、実施形態１に係る高周波モジュール１（フロントエンドモジュール１００）の変形例について説明する。
　（５．１）変形例１
　実施形態１では、図４に示すように、高周波モジュール１としてのフロントエンドモジュール１００において、第１スイッチ部１１１、第２スイッチ部１１７、第３スイッチ部１１４及び増幅部１１６が１チップ化されることで、スイッチＩＣ１０を構成している。これに対して、図５に示すように、第１スイッチ部１１１、第２スイッチ部１１７、第３スイッチ部１１４及び増幅部１１６が別々に設けられていてもよい。
　変形例１に係るフロントエンドモジュール１００では、図５に示すように、第１スイッチ部１１１は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視で、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の一部と重なっている。また、第１スイッチ部１１１は、第１方向Ｄ１からの平面視で、第１整合回路部１１２の一部と重なっている。これにより、第１スイッチ部１１１から第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２への経路（配線長）を短くすることができる。
　また、変形例１に係るフロントエンドモジュール１００では、第１整合回路部１１２は、実装基板１２０の厚さ方向である第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２において、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２と隣接している。これにより、第１スイッチ部１１１から第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２への経路（配線長）を更に短くすることができる。
　（５．２）変形例２
　変形例２に係る高周波モジュール１Ａについて、図６を参照して説明する。
　実施形態１に係る高周波モジュール１では、図１に示すように、実装基板３の第２主面３２側において、第２主面３２上に実装されているスイッチＩＣ１０を覆うように第２樹脂層１２が設けられている。また、高周波モジュール１は、円柱状に形成されている複数の外部接続電極９を備えており、これら複数の外部接続電極９によりマザー基板に接続されている。
　これに対して、図６に示す高周波モジュール１Ａのように、実装基板３の第２主面３２側において第２樹脂層が省略されており、かつ、球状に形成されている複数の外部接続電極９Ａによりマザー基板に接続されていてもよい。
　複数の外部接続電極９Ａの各々は、例えば、球状に形成されているボールバンプである。ボールバンプの材料は、例えば、金、銅、はんだ等である。
　（５．３）変形例３
　実施形態１では、アンテナ２０１から受信信号を受信して、この受信信号をＲＦ信号処理回路２０３へ出力する受信系の高周波モジュール１を例示したが、図７及び図８Ａに示すように、受信系と送信系とを組み合わせた高周波モジュール１Ｂであってもよい。以下、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂについて、図７及び図８Ａを参照して説明する。
　変形例３に係る高周波モジュール１Ｂは、図７に示すように、第１フィルタ２１と、第２フィルタ２２と、第５フィルタ２５と、第６フィルタ２６と、スイッチＩＣ１０，１８と、を備える。さらに、高周波モジュール１Ｂは、第１整合回路６と、第２整合回路７と、第３整合回路１６と、第４整合回路１７と、パワーアンプ１５と、を備える。スイッチＩＣ１０は、ローノイズアンプ４と、アンテナスイッチ５と、を含む。なお、第３整合回路１６は第１整合回路６に対応し、第４整合回路１７は第２整合回路７に対応しているため、ここでは第３整合回路１６及び第４整合回路１７についての説明を省略する。また、スイッチＩＣ１８についてもスイッチＩＣ１０と同様の構成であるため、スイッチＩＣ１８についての説明も省略する。
　第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の各々は、例えば、アンテナ２０１（図２参照）を介して受信する受信信号を通過させる受信用のフィルタである。第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、図８Ａに示すように、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において第１主面３１側から第１フィルタ２１、第２フィルタ２２の順に積層された状態で実装基板３の第１主面３１に設けられている。つまり、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。
　第５フィルタ２５及び第６フィルタ２６の各々は、例えば、アンテナ２０１を介して送信される送信信号を通過させる送信用のフィルタである。第５フィルタ２５及び第６フィルタ２６は、図８Ａに示すように、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において第１主面３１側から第５フィルタ２５、第６フィルタ２６の順に積層された状態で実装基板３の第１主面３１に設けられている。つまり、第５フィルタ２５及び第６フィルタ２６は、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。
　第１整合回路６は、図８Ａに示すように、実装基板３の第１主面３１に実装されている。第１整合回路６は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２において第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２に隣接している。
　パワーアンプ１５は、図８Ａに示すように、実装基板３の第１主面３１に実装されている。パワーアンプ１５は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２において第５フィルタ２５及び第６フィルタ２６に隣接している。
　スイッチＩＣ１０は、図８Ａに示すように、実装基板３の第２主面３２に実装されている。スイッチＩＣ１０は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において、第１フィルタ２１、第２フィルタ２２、第５フィルタ２５及び第６フィルタ２６と重なっている。
　第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の各々の入力端子は、第１整合回路６を介してアンテナスイッチ５に接続されている。また、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の各々の出力端子は、第２整合回路７を介してローノイズアンプ４に接続されている。
　第５フィルタ２５及び第６フィルタ２６の各々の入力端子は、第４整合回路１７を介してパワーアンプ１５に接続されている。また、第５フィルタ２５及び第６フィルタ２６の各々の出力端子は、第３整合回路１６を介してアンテナスイッチ５に接続されている。
　変形例３に係る高周波モジュール１Ｂでは、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とが積層されている。そのため、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２を別々に実装基板３に実装する場合に比べて実装基板３の小型化を図ることができる。その結果、実装基板３を備える高周波モジュール１Ｂについても小型化を図ることができる。
　また、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂでは、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と実装基板３とを接続し、さらに第２フィルタ２２の第２入力端子２２１と実装基板３とを第１入力端子（共通端子）２１１を介して接続している。さらに、高周波モジュール１Ｂでは、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層している。そのため、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と第２フィルタ２２の第２入力端子２２１とを共通化しないで別々に設けた場合に比べて、下側の第１フィルタ２１の実装面におけるグランド端子領域を大きくすることができる。その結果、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。また、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層しているので、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とを別々に実装基板３に実装する場合に比べて小型化を図ることができる。つまり、高周波モジュール１Ｂによれば、小型化を図りつつ、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　（５．４）変形例４
　変形例３では、図８Ａに示すように、高周波モジュール１Ｂにおいて、ローノイズアンプ４とアンテナスイッチ５とが１チップ化されることで、スイッチＩＣ１０を構成している。これに対して、図８Ｂに示す高周波モジュール１Ｃのように、ローノイズアンプ４とアンテナスイッチ５とが別々に設けられていてもよい。それ以外の構成については、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂと同様であり、ここでは詳細な説明を省略する。
　変形例４に係る高周波モジュール１Ｃでは、図８Ｂに示すように、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１に積層されている。そのため、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とを別々に実装基板３に実装する場合に比べて、実装基板３の小型化を図ることができる。その結果、実装基板３を備える高周波モジュール１Ｃについても小型化を図ることができる。
　また、変形例４に係る高周波モジュール１Ｃでは、図８Ｂに示すように、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と実装基板３とを接続し、さらに第２フィルタ２２の第２入力端子２２１と実装基板３とを第１入力端子（共通端子）２１１を介して接続されている。さらに、高周波モジュール１Ｃでは、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層している。そのため、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と第２フィルタ２２の第２入力端子２２１とを共通化しないで別々に設けた場合に比べて、下側の第１フィルタ２１の実装面におけるグランド端子領域を大きくすることができる。その結果、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。また、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層しているので、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とを別々に実装基板３に実装する場合に比べて小型化を図ることができる。つまり、高周波モジュール１Ｃによれば、小型化を図りつつ、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　（５．５）その他の変形例
　以下、実施形態１のその他の変形例を列挙する。
　実施形態１では、スイッチＩＣ１０が、第１方向Ｄ１からの平面視で第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の全体と重なっているが、スイッチＩＣ１０は、第１方向Ｄ１からの平面視で第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の一部と重なっていてもよい。つまり、スイッチＩＣ１０は、第１方向Ｄ１からの平面視で第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の少なくとも一部と重なっていればよい。
　また、実施形態１では、スイッチＩＣ１０が、第１方向Ｄ１からの平面視で第１整合回路６の全体と重なっているが、スイッチＩＣ１０は、第１方向Ｄ１からの平面視で第１整合回路６の一部と重なっていてもよい。つまり、スイッチＩＣ１０は、第１方向Ｄ１からの平面視で第１整合回路６の少なくとも一部と重なっていればよい。
　また、実施形態１では、スイッチＩＣ１０に含まれているアンテナスイッチ５が、第１方向Ｄ１からの平面視で第１整合回路６の全体と重なっているが、アンテナスイッチ５は、第１方向Ｄ１からの平面視で第１整合回路６の一部と重なっていてもよい。つまり、アンテナスイッチ５は、第１方向Ｄ１からの平面視で第１整合回路６の少なくとも一部と重なっていればよい。
　実施形態１では、第１フィルタ２１～第４フィルタ２４を構成する弾性波共振子がＳＡＷ共振子であるが、弾性波共振子はＳＡＷ共振子に限らない。弾性波共振子は、例えば、第１弾性波共振子であってもよい。第１弾性波共振子は、表面及び裏面を有する基板と、基板の表面上に設けられている低音速膜と、低音速膜上に設けられている圧電体層と、圧電体層上に設けられているＩＤＴ電極と、を備える。低音速膜は、基板上に直接的又は間接的に設けられている。圧電体層は、低音速膜上に直接的又は間接的に設けられている。低音速膜では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも伝搬するバルク波の音速が低速である。基板では、圧電体層を伝搬する弾性波の音速より伝搬するバルク波の音速が高速である。圧電体層の材料は、例えば、リチウムタンタレートである。低音速膜の材料は、例えば、酸化ケイ素である。基板は、例えば、シリコン基板である。圧電体層の厚さは、例えば、ＩＤＴ電極の電極指周期で定まる弾性波の波長をλとしたときに、３．５λ以下である。低音速膜の厚さは、例えば、２．０λ以下である。
　また、第１フィルタ２１～第４フィルタ２４を構成する弾性波共振子の一部がＳＡＷ共振子で、残りが第１弾性波共振子であってもよい。つまり、第１フィルタ２１～第４フィルタ２４が異なる材料で形成されていてもよい。例えば、Ｂａｎｄ１の通信バンドを利用する第１フィルタ２１では、弾性波共振子はＳＡＷ共振子であることが好ましい。また、Ｂａｎｄ３を利用する第２フィルタ２２では、弾性波共振子は第１弾性波共振子であることが好ましい。このように、利用する周波数帯域ごとに最適な弾性波共振子を選択することにより、各フィルタのフィルタ特性の低下を抑制することができる。さらに、弾性波共振子は、例えば、ＢＡＷ共振子であってもよい。
　実施形態１では、第１フィルタ２１の通信バンドがＢａｎｄ１で、第２フィルタ２２の通信バンドがＢａｎｄ３で、第３フィルタ２３の通信バンドがＢａｎｄ４０であるが、第１フィルタ２１、第２フィルタ２２及び第３フィルタ２３の通信バンドはこれらに限定されない。例えば、第１フィルタ２１の通信バンドがＢａｎｄ１で、第２フィルタ２２の通信バンドがＢａｎｄ３の場合、第３フィルタ２３の通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ７であってもよいし、Ｂａｎｄ４１であってもよい。また、第１フィルタ２１の通信バンドがＢａｎｄ２５で、第２フィルタ２２の通信バンドがＢａｎｄ６６であってもよく、この場合、第３フィルタ２３の通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ３０であってもよいし、Ｂａｎｄ７であってもよいし、Ｂａｎｄ４１であってもよい。さらに、第１フィルタ２１の通信バンドがＢａｎｄ３４で、第２フィルタ２２の通信バンドがＢａｎｄ３９であってもよく、この場合、第３フィルタ２３の通信バンドは、例えば、Ｂａｎｄ７であってもよいし、Ｂａｎｄ４１であってもよい。
　（実施形態２）
　実施形態１では、１つのフィルタからなる第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２を積層しているが、図９に示すように、複数のフィルタを含むフィルタ部２を積層してもよい。以下、実施形態２に係る高周波モジュールについて、図９及び図１０を参照して説明する。
　（１）高周波モジュールの構成
　実施形態２に係る高周波モジュールは、図９に示すように、実装基板３と、複数のフィルタ部２と、を備える。さらに、実施形態２に係る高周波モジュールは、スイッチＩＣと、第１整合回路と、第２整合回路と、を備える。なお、スイッチＩＣ、第１整合回路及び第２整合回路については実施形態１に係る高周波モジュール１と同様であり、ここでは説明を省略する。以下の説明において、複数のフィルタ部２を区別する場合には、複数のフィルタ部２の各々を「第１フィルタ部２ａ」、「第２フィルタ部２ｂ」ともいう。
　（１．１）実装基板
　実装基板３は、図９に示すように、第１主面３１及び第２主面３２を有する。第１主面３１及び第２主面３２は、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において互いに対向している。第１主面３１及び第２主面３２には、高周波モジュールを構成する複数のフィルタ部２等の電子部品が実装される。本実施形態では、複数のフィルタ部２が第１主面３１に実装される。
　（１．２）第１フィルタ部
　第１フィルタ部２ａは、図９に示すように、第１フィルタ２１と、第３フィルタ２３と、を有する。つまり、第１フィルタ部２ａでは、第１フィルタ２１と第３フィルタ２３とが１チップに集積されている。また、第１フィルタ部２ａでは、第１フィルタ２１と第３フィルタ２３とが、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２に並んでいる。第１フィルタ部２ａは、複数の外部接続端子８ａを介して実装基板３に接続されている。複数の外部接続端子８ａの各々は、例えば、はんだバンプであるが、金バンプであってもよい。なお、第１フィルタ２１及び第３フィルタ２３は、実施形態１に係る第１フィルタ２１及び第３フィルタ２３と同様であり、ここでは説明を省略する。
　（１．３）第２フィルタ部
　第２フィルタ部２ｂは、図９に示すように、第２フィルタ２２と、第４フィルタ２４と、を有する。つまり、第２フィルタ部２ｂでは、第２フィルタ２２と第４フィルタ２４とが１チップに集積されている。また、第２フィルタ部２ｂでは、第２フィルタ２２と第４フィルタ２４とが第２方向Ｄ２に並んでいる。第２フィルタ部２ｂは、複数の外部接続端子８ｂを介して第１フィルタ部２ａに接続されており、第１フィルタ部２ａを介して実装基板３に接続されている。複数の外部接続端子８ｂの各々は、例えば、はんだバンプであるが、金バンプであってもよい。なお、第２フィルタ２２及び第４フィルタ２４は、実施形態１に係る第２フィルタ２２及び第４フィルタ２４と同様であり、ここでは説明を省略する。
　実施形態２に係る高周波モジュールでは、第１フィルタ部２ａの第１フィルタ２１と第２フィルタ部２ｂの第２フィルタ２２とが、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において、第１主面３１側から第１フィルタ２１、第２フィルタ２２の順に積層（配置）されている。つまり、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２は、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。
　また、実施形態２に係る高周波モジュールでは、第１フィルタ部２ａの第３フィルタ２３と第２フィルタ部２ｂの第４フィルタ２４とが、第１方向Ｄ１において、第１主面３１側から第３フィルタ２３、第４フィルタ２４の順に積層（配置）されている。つまり、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４は、第１方向Ｄ１からの平面視で重なっている。
　（２）各フィルタ部の端子配置
　次に、第１フィルタ部２ａ及び第２フィルタ部２ｂの端子配置について、図１０を参照して説明する。
　第１フィルタ部２ａの第１フィルタ２１には、第１入力端子２１１、第１出力端子２１２及び複数のグランド端子２１３が電気的に接続されている。第１入力端子２１１、第１出力端子２１２及び複数のグランド端子２１３の各々は、例えば、外部接続端子（第１外部接続端子）８ａである。第２フィルタ部２ｂの第２フィルタ２２には、第２入力端子２２１、第２出力端子２２２及び複数のグランド端子２２３が電気的に接続されている。第２入力端子２２１、第２出力端子２２２及び複数のグランド端子２２３の各々は、例えば、外部接続端子８ｂである。第１フィルタ部２ａの第３フィルタ２３には、第３入力端子２３１、第３出力端子２３２及び複数のグランド端子２３３が電気的に接続されている。第３入力端子２３１、第３出力端子２３２及び複数のグランド端子２３３の各々は、例えば、外部接続端子８ａである。第２フィルタ部２ｂの第４フィルタ２４には、第４入力端子２４１、第４出力端子２４２及び複数のグランド端子２４３が電気的に接続されている。第４入力端子２４１、第４出力端子２４２及び複数のグランド端子２４３の各々は、例えば、外部接続端子８ｂである。
　第１入力端子２１１は、実装基板３の第１主面３１に接続されている。第２入力端子２２１は、複数の外部接続端子８ａのうち第１入力端子２１１を構成する外部接続端子８ａに電気的に接続されており、この外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。つまり、実施形態２に係る高周波モジュールでは、第１入力端子２１１と実装基板３とを接続し、かつ、第２入力端子２２１と実装基板３とを第１入力端子２１１を介して接続している。実施形態２に係る高周波モジュールでは、第１入力端子２１１が共通端子である。
　第３入力端子２３１は、実装基板３の第１主面３１に接続されている。第４入力端子２４１は、複数の外部接続端子８ａのうち第３入力端子２３１を構成する外部接続端子８ａに電気的に接続されており、この外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。つまり、実施形態２に係る高周波モジュールでは、第３入力端子２３１と実装基板３とを接続し、かつ、第４入力端子２４１と実装基板３とを第３入力端子２３１を介して接続している。
　第１出力端子２１２は、実装基板３の第１主面３１に接続されている。第２出力端子２２２は、複数の外部接続端子８ａのうち対応する外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　第３出力端子２３２は、実装基板３の第１主面３１に接続されている。第４出力端子２４２は、複数の外部接続端子８ａのうち対応する外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　各グランド端子２１３及び各グランド端子２３３は、実装基板３の第１主面３１に接続されている。また、各グランド端子２２３及び各グランド端子２４３は、複数の外部接続端子８ａのうち対応する外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　実施形態２に係る高周波モジュールでは、実装基板３の厚さ方向Ｄ１において第１フィルタ部２ａと第２フィルタ部２ｂとを積層させている。そのため、第１フィルタ部２ａと第２フィルタ部２ｂとを別々に実装基板３に実装する場合に比べて実装基板３の小型化を図ることができる。その結果、実装基板３を備える高周波モジュールについても小型化を図ることができる。
　また、実施形態２に係る高周波モジュールでは、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と実装基板３とを接続し、かつ、第２フィルタ２２の第２入力端子２２１と実装基板３とを第１入力端子２１１を介して接続している。さらに、実施形態２に係る高周波モジュールでは、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層している。そのため、第１フィルタ２１の第１入力端子２１１と第２フィルタ２２の第２入力端子２２１とを共通化しないで別々に設けた場合に比べて、下側の第１フィルタ２１の実装面におけるグランド端子領域を大きくすることができる。その結果、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。また、第１フィルタ２１上に第２フィルタ２２を積層しているので、第１フィルタ２１と第２フィルタ２２とを別々に実装基板３に実装する場合に比べて小型化を図ることができる。つまり、高周波モジュールによれば、小型化を図りつつ、第１フィルタ２１のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　さらに、実施形態２に係る高周波モジュールでは、第３フィルタ２３の第３入力端子２３１と実装基板３とを接続し、かつ、第４フィルタ２４の第４入力端子２４１と実装基板３とを第３入力端子２３１を介して接続している。また、実施形態２に係る高周波モジュールでは、第３フィルタ２３上に第４フィルタ２４を積層している。そのため、第３フィルタ２３の第３入力端子２３１と第４フィルタ２４の第４入力端子２４１とを共通化しないで別々に設けた場合に比べて、下側の第３フィルタ２３の実装面におけるグランド端子領域を大きくすることができる。その結果、第３フィルタ２３のフィルタ特性の低下を抑制することができる。また、第３フィルタ２３上に第４フィルタ２４を積層しているので、第３フィルタ２３と第４フィルタ２４とを別々に実装基板３に実装する場合に比べて小型化を図ることができる。つまり、高周波モジュールによれば、小型化を図りつつ、第３フィルタ２３のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　ここで、共通端子である第１入力端子２１１は、図１０に示すように、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１からの平面視で、複数のグランド端子２１３に隣接していることが好ましい。これにより、共通端子と他の端子（例えば、第１出力端子２１２）との間のアイソレーションの低下を抑制することができる。また、第３フィルタ２３及び第４フィルタ２４についても同様である。
　（３）変形例
　以下、実施形態２に係る高周波モジュールの変形例について説明する。
　（３．１）変形例１
　実施形態２に係る高周波モジュールでは、図１１Ａに示すように、第２出力端子２２２は、複数の外部接続端子８ａのうち対応する外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。また、実施形態２に係る高周波モジュールでは、図１１Ａに示すように、第４出力端子２４２は、複数の外部接続端子８ａのうち対応する外部接続端子８ａを介して実装基板３の第１主面３１に接続されている。
　これに対して、図１１Ｂに示すように、第２フィルタ２２が第２入力端（入力端）２２Ａ及び第２出力端（出力端）２２Ｂを有し、第２出力端２２Ｂがボンディングワイヤ３０３を介して実装基板３の第１主面３１に接続されていてもよい。第２入力端２２Ａには、第２信号が入力される。第２出力端２２Ｂは、第２信号を出力する。また、第４フィルタ２４が第４入力端２４Ａ及び第４出力端２４Ｂを有し、第４出力端２４Ｂがボンディングワイヤ３０４を介して実装基板３の第１主面３１に接続されていてもよい。第４入力端２４Ａには、第４信号が入力される。第４出力端２４Ｂは、第４信号を出力する。
　変形例１に係る高周波モジュールでは、図１１Ｂに示すように、第１出力端子２１２に電気的に接続されている第１フィルタ２１の第１出力端２１Ｂと第２フィルタ２２の第２出力端２２Ｂとが、実装基板３の厚さ方向である第１方向Ｄ１において電気的に絶縁された状態で所定の間隔を空けて並んでいる。また、変形例１に係る高周波モジュールでは、第３出力端子２３２に電気的に接続されている第３フィルタ２３の第３出力端２３Ｂと第４フィルタ２４の第４出力端２４Ｂとが、第１方向Ｄ１において電気的に絶縁された状態で所定の間隔を空けて並んでいる。
　これにより、第１出力端子２１２と第２出力端子２２２とが第１方向Ｄ１と直交する方向である第２方向Ｄ２において所定の間隔を空けて並んでいる場合（図１１Ａ参照）に比べて、第１出力端２１Ｂと第２出力端２２Ｂとの間のアイソレーションを確保することができる。これにより、第１フィルタ２１及び第２フィルタ２２の各々におけるアッテネーションが改善される。また、第３出力端子２３２及び第４出力端子２４２についても同様である。
　（３．２）変形例２
　例えば、第１フィルタ部２ａと第２フィルタ部２ｂとを実装基板３の厚さ方向Ｄ１において積層する場合を想定する。この場合、実装基板３の第１主面３１側に配置される第１フィルタ２１及び第３フィルタ２３については、第１出力端子２１２及び第３出力端子２３２を第２フィルタ部２ｂ側に接続しなくてもよいため、外部接続端子が省略されていてもよい（図１２Ａ参照）。
　しかしながら、上述の外部接続端子を省略した場合には、第１フィルタ部２ａに対する第２フィルタ部２ｂの接合強度及び接合バランスが低下する可能性がある。そのため、図１２Ｂに示すように、上記外部接続端子の代わりに、支持体８ｅを設けることが好ましい。支持体８ｅは、例えば、はんだバンプであるが、金バンプであってもよい。支持体８ｅは、第２フィルタ２２に対して電気的に接続されていてもよいし、電気的に接続されていなくてもよい。変形例２では、支持体８ｅは、第２フィルタ２２及び第４フィルタ２４のいずれにも電気的に接続されていない。したがって、支持体８ｅは、例えば、樹脂等で構成されていてもよい。このように、支持体８ｅを設けることにより、第１フィルタ部２ａに対する第２フィルタ部２ｂの接合強度及び接合バランスの低下を抑制することができる。
　なお、支持体８ｅは、複数のグランド端子２２３，２４３のいずれかに接続されていてもよい。これにより、第１フィルタ部２ａ及び第２フィルタ部２ｂにおけるグランド領域を大きくすることができる。
　（まとめ）
　以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
　第１の態様に係る高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ）は、共通端子（例えば、第１入力端子２１１）と、第１フィルタ（２１）と、第２フィルタ（２２）と、実装基板（３）と、外部接続端子（８ａ）と、を備える。第１フィルタ（２１）は、共通端子に接続され、第１周波数帯域の第１信号を通過させる。第２フィルタ（２２）は、共通端子に接続され、第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域の第２信号を通過させる。実装基板（３）は、第１フィルタ（２１）が実装される。外部接続端子（８ａ）は、第１フィルタ（２１）と実装基板（３）とを接続する。第２フィルタ（２２）は、第１フィルタ（２１）上に積層されている。外部接続端子（８ａ）は、共通端子である。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　第２の態様に係る高周波モジュール（１）は、第１の態様において、スイッチＩＣ（１０）を更に備える。スイッチＩＣ（１０）は、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）に接続されているアンテナスイッチ（５）を含む。実装基板（３）は、実装基板（３）の厚さ方向（Ｄ１）において互いに対向する第１主面（３１）及び第２主面（３２）を有する。第１フィルタ（２１）は、第１主面（３１）上に設けられている。スイッチＩＣ（１０）は、第２主面（３２）上に設けられている。スイッチＩＣ（１０）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）の少なくとも一部と重なっている。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）とスイッチＩＣ（１０）との間の経路（配線長）を短くすることができる。
　第３の態様に係る高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ）は、第２の態様において、整合回路（６）を更に備える。整合回路（６）は、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）とアンテナスイッチ（５）との間に接続されている。整合回路（６）は、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）に隣接している状態で第１主面（３１）上に設けられている。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）と整合回路（６）との間の経路（配線長）を短くすることができる。
　第４の態様に係る高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ）は、第２又は３の態様において、第２外部接続端子（８ｃ）と、第３フィルタ（２３）と、を更に備える。第２外部接続端子（８ｃ）は、外部接続端子としての第１外部接続端子（８ａ）と異なる。第３フィルタ（２３）は、第２外部接続端子（８ｃ）に電気的に接続され、第１周波数帯域及び第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域の第３信号を通過させる。第３フィルタ（２３）は、第２外部接続端子（８ｃ）を介して実装基板（３）に接続されている。高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ）では、共通端子と第２外部接続端子（８ｃ）とがアンテナスイッチ（５）を介して束ねられている。高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ）では、第１信号と第２信号と第３信号とがキャリアアグリゲーション、又はデュアルコネクティビティにより同時に送信又は受信される。
　この態様によれば、第３フィルタ（２３）のフィルタ特性を向上させることができる。
　第５の態様に係る高周波モジュール（１）では、第３又は４の態様において、スイッチＩＣ（１０）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、整合回路（６）の少なくとも一部と重なっている。
　この態様によれば、スイッチＩＣ（１０）と整合回路（６）との間の経路（配線長）を短くすることができる。
　第６の態様に係る高周波モジュール（１）では、第５の態様において、アンテナスイッチ（５）は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で、整合回路（６）の少なくとも一部と重なっている。
　この態様によれば、アンテナスイッチ（５）と整合回路（６）との間の経路（配線長）を短くすることができる。
　第７の態様に係る高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ）は、第１～６の態様のいずれか１つにおいて、複数のグランド端子（２１３，２２３）を更に有する。複数のグランド端子（２１３，２２３）は、実装基板（３）に設けられているグランドに接続される。共通端子は、厚さ方向（Ｄ１）からの平面視で複数のグランド端子（２１３，２２３）に隣接している。
　この態様によれば、第１信号端子及び第２信号端子と他の端子（例えば第２出力端子２２２）との間のアイソレーションの低下を抑制することができる。
　第８の態様に係る高周波モジュール（１）は、第７の態様において、入力端子（２２１）と、出力端子（２２２）と、支持体（８ｅ）と、を更に備える。入力端子（２２１）は、第２フィルタ（２２）に電気的に接続されている。出力端子（２２２）は、第２フィルタ（２２）に電気的に接続されている。支持体（８ｅ）は、厚さ方向（Ｄ１）における第１フィルタ（２１）と第２フィルタ（２２）との間に配置されている。支持体（８ｅ）は、少なくとも入力端子（２２１）及び出力端子（２２２）に電気的に接続されていない。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）に対する第２フィルタ（２２）の接合強度及び接合バランスを向上させることができる。
　第９の態様に係る高周波モジュール（１）では、第８の態様において、支持体（８ｅ）は、複数のグランド端子（２１３，２２３）のいずれかに接続されている。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）の各々のグランド領域を大きくすることができる。
　第１０の態様に係る高周波モジュール（１）では、第７の態様において、第２フィルタ（２１）は、第２信号が入力される入力端（２２Ａ）と、第２信号を出力する出力端（２２Ｂ）と、を有する。出力端（２２Ｂ）は、ボンディングワイヤ（３０３）を介して実装基板（３）に接続されている。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）の第１出力端子（２１２）と第２フィルタ（２２）の第２出力端子（２２２）との間のアイソレーションの低下を抑制することができる。
　第１１の態様に係る高周波モジュール（１）では、第１～１０の態様のいずれか１つにおいて、第１フィルタ（２１）と第２フィルタ（２２）とが異なる材料で形成されている。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）の各々で利用する周波数帯域ごとに最適な材料を選択することにより、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）の各々のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
　第１２の態様に係る通信装置（２００）は、第１～１１の態様のいずれか１つに係る高周波モジュール（１；１Ａ；１Ｂ；１Ｃ）と、信号処理回路（２０２）と、を備える。信号処理回路（２０２）は、第１信号及び第２信号を処理する。
　この態様によれば、第１フィルタ（２１）及び第２フィルタ（２２）のフィルタ特性の低下を抑制することができる。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ　高周波モジュール
３　実装基板
５　アンテナスイッチ
６　第１整合回路（整合回路）
８ａ　外部接続端子（第１外部接続端子、共通端子）
８ｃ　外部接続端子（第２外部接続端子）
８ｅ　支持体
１０　スイッチＩＣ
２１　第１フィルタ
２２　第２フィルタ
２２Ａ　第２入力端（入力端）
２２Ｂ　第２出力端（出力端）
２３　第３フィルタ
３１　第１主面
３２　第２主面
２００　通信装置
２０２　信号処理回路
２１１　第１入力端子（共通端子）
２１３　グランド端子
２２１　第２入力端子（入力端子）
２２２　第２出力端子（出力端子）
２２３　グランド端子
３０３　ボンディングワイヤ
Ｄ１　第１方向（厚さ方向）

Claims (12)

  1. 　共通端子と、
    　前記共通端子に接続され、第１周波数帯域の第１信号を通過させる第１フィルタと、
    　前記共通端子に接続され、前記第１周波数帯域と異なる第２周波数帯域の第２信号を通過させる第２フィルタと、
    　前記第１フィルタが実装される実装基板と、
    　前記第１フィルタと前記実装基板とを接続する外部接続端子と、を備え、
    　前記第２フィルタは、前記第１フィルタ上に積層されており、
    　前記外部接続端子は、前記共通端子である、
    　高周波モジュール。
  2. 　前記第１フィルタ及び前記第２フィルタに接続されているアンテナスイッチを含むスイッチＩＣを更に備え、
    　前記実装基板は、前記実装基板の厚さ方向において互いに対向する第１主面及び第２主面を有し、
    　前記第１フィルタは、前記第１主面上に設けられ、
    　前記スイッチＩＣは、前記第２主面上に設けられており、
    　前記スイッチＩＣは、前記厚さ方向からの平面視で、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタの少なくとも一部と重なっている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　前記第１フィルタ及び前記第２フィルタと前記アンテナスイッチとの間に接続されている整合回路を更に備え、
    　前記整合回路は、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタに隣接している状態で前記第１主面上に設けられている、
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記外部接続端子としての第１外部接続端子と異なる第２外部接続端子と、
    　前記第２外部接続端子に電気的に接続され、前記第１周波数帯域及び前記第２周波数帯域と異なる第３周波数帯域の第３信号を通過させる第３フィルタと、を更に備え、
    　前記第３フィルタは、前記第２外部接続端子を介して前記実装基板に接続され、
    　前記共通端子と前記第２外部接続端子とが前記アンテナスイッチを介して束ねられており、
    　前記第１信号と前記第２信号と前記第３信号とがキャリアアグリゲーション、又はデュアルコネクティビティにより同時に送信又は受信される、
    　請求項２又は３に記載の高周波モジュール。
  5. 　前記スイッチＩＣは、前記厚さ方向からの平面視で、前記整合回路の少なくとも一部と重なっている、
    　請求項３又は４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記アンテナスイッチは、前記厚さ方向からの平面視で、前記整合回路の少なくとも一部と重なっている、
    　請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記実装基板に設けられているグランドに電気的に接続される複数のグランド端子を更に備え、
    　前記共通端子は、前記厚さ方向からの平面視で前記複数のグランド端子に隣接している、
    　請求項１～６のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第２フィルタに電気的に接続されている入力端子と、
    　前記第２フィルタに電気的に接続されている出力端子と、
    　前記厚さ方向における前記第１フィルタと前記第２フィルタとの間に配置されている支持体と、を更に備え、
    　前記支持体は、少なくとも前記入力端子及び前記出力端子に電気的に接続されていない、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記支持体は、前記複数のグランド端子のいずれかに電気的に接続されている、
    　請求項８に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第２フィルタは、前記第２信号が入力される入力端と、前記第２信号を出力する出力端と、を有し、
    　前記出力端は、ボンディングワイヤにより前記実装基板に接続されている、
    　請求項７に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記第１フィルタと前記第２フィルタとが異なる材料で形成されている、
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、
    　前記第１信号及び前記第２信号を処理する信号処理回路と、を備える、
    　通信装置。
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