WO2020075760A1

WO2020075760A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた電子機器

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Publication number: WO2020075760A1
Application number: PCT/JP2019/039830
Authority: WO
Inventors: 裕基中野; 太郎八巻; 聡美田崎; 加藤　朋希
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 2018-10-09
Filing date: 2019-10-09
Publication date: 2020-04-16
Anticipated expiration: 2021-04-09

Abstract

陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された発光層とを有し、前記発光層が、下記式（１）で表される化合物（Ｒ１～Ｒ１３のうちの少なくとも１つは分岐アルキル基又はシクロアルキル基を含む）と、下記式（１１）で表される化合物（Ａｒ１０１及びＡｒ１０２はアリール基）とを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。

Description

有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた電子機器

　本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた電子機器に関する。

　有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ということがある）に電圧を印加すると、陽極から正孔が、また陰極から電子が、それぞれ発光層に注入される。そして、発光層において、注入された正孔と電子とが再結合し、励起子が形成される。

　特許文献１には、有機ＥＬ素子の発光層のドーパント材料として、ホウ素原子と窒素原子で複数の芳香族環を連結した多環芳香族化合物、及びホスト材料として特定のアントラセン系化合物を用いることが開示されている。

国際公開第２０１６／１５２５４４号

　しかしながら、特許文献１に開示される有機ＥＬ素子は、発光効率が十分高いとはいえず、改善の余地があった。
　本発明の目的は、発光効率に優れる有機ＥＬ素子、及び当該有機ＥＬ素子を用いた電子器機を提供することである。

　本発明者らが鋭意検討を行った結果、式（１）で表される化合物（ドーパント）と、式（１１）で表される特定の構造を有する化合物（ホスト材料）とを組み合わせて発光層に用いることにより、高い発光効率を示す有機ＥＬ素子が得られることを見出し、本発明を完成した。
　本発明によれば、以下の有機ＥＬ素子及び電子器機が提供される。
１．陰極と、
　陽極と、
　前記陰極と前記陽極との間に配置された発光層と、
を有し、
　前記発光層が、
下記式（１）で表される化合物と、
下記式（１１）で表される化合物と、
を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（１）中、
　Ａｒ_１は、Ｒ_３及びＲ_１３のいずれか一方又は両方と互いに結合して置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　Ａｒ_２は、Ｒ_５及びＲ_６のいずれか一方又は両方と互いに結合して置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＡｒ_１及びＡｒ_２は、それぞれ独立に、
環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は
環形成原子数５～５０の複素環基である。
　Ｒ_１～Ｒ_１３のうちの隣接する２つ以上の１組以上は、互いに結合して、置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成しない。
　前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの少なくとも１つは、－Ｌ－Ｒ_９０８である。
　前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与せず、かつ－Ｌ－Ｒ_９０８ではないＲ_１～Ｒ_１３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｌ－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基である。
　Ｌは、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基である。
　Ｒ_９０８は、
置換もしくは無置換の炭素数３～５０の分岐アルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基である。
　Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換若しくは無置換の炭素数３～５０の分岐アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基である。
　Ｌが２個以上存在する場合、２個のＬは、同一でもよく、異なっていてもよい。
　Ｒ_９０１～Ｒ_９０８が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０１～Ｒ_９０８のそれぞれは同一でもよく、異なっていてもよい。
　ｍ及びｎは、それぞれ独立に、Ａｒ_１及びＡｒ_２である環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素基に置換可能なＲ_１及びＲ_２の数である。ｍが２以上の場合、２以上のＲ_１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、ｎが２以上の場合、２以上のＲ_２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）

（式（１１）中、
　Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニルイル基、
置換もしくは無置換のターフェニルイル基、
置換もしくは無置換のアントリル基、
置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
置換もしくは無置換のベンゾフェナントリル基である。
　Ｌ_１０１及びＬ_１０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換のフェニレン基、
置換もしくは無置換のナフチレン基、
置換もしくは無置換のビフェニルジイル基、
置換もしくは無置換のターフェニルジイル基、
置換もしくは無置換のアントリレン基、
置換もしくは無置換のフェナントリレン基、又は
置換もしくは無置換のベンゾフェナントリレン基である。
　Ｒ_１０１～Ｒ_１０４のうちの隣接する２つ以上、及びＲ_１０５～Ｒ_１０８のうちの隣接する２つ以上は、互いに結合して環を形成しない。
　Ｒ_１０１～Ｒ_１０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基である。
　Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、前記式（１）で定義した通りである。）

２．上記１に記載の有機ＥＬ素子を備える電子機器。

　本発明によれば、発光効率に優れる有機ＥＬ素子、及び当該有機ＥＬ素子を用いた電子器機が提供できる。

本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。

［定義］
　本明細書において、水素原子とは、中性子数が異なる同位体、即ち、軽水素（protium）、重水素（deuterium）、三重水素（tritium）を包含する。

　本明細書において、化学構造式中、「Ｒ」等の記号や重水素原子を表す「Ｄ」が明示されていない結合可能位置には、水素原子、即ち、軽水素原子、重水素原子、又は三重水素原子が結合しているものとする。

　本明細書において、環形成炭素数とは、原子が環状に結合した構造の化合物（例えば、単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子のうちの炭素原子の数を表す。当該環が置換基によって置換される場合、置換基に含まれる炭素は環形成炭素数には含まない。以下で記される「環形成炭素数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ベンゼン環は環形成炭素数が６であり、ナフタレン環は環形成炭素数が１０であり、ピリジン環は環形成炭素数５であり、フラン環は環形成炭素数４である。また例えば、９，９－ジフェニルフルオレニル基の環形成炭素数は１３であり、９，９’－スピロビフルオレニル基の環形成炭素数は２５である。
　また、ベンゼン環やナフタレン環に置換基として例えばアルキル基が置換している場合、当該アルキル基の炭素数は、環形成炭素数の数に含めない。

　本明細書において、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造（例えば単環、縮合環、環集合）の化合物（例えば単環化合物、縮合環化合物、架橋化合物、炭素環化合物、複素環化合物）の当該環自体を構成する原子の数を表す。環を構成しない原子（例えば環を構成する原子の結合を終端する水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。以下で記される「環形成原子数」については、特筆しない限り同様とする。例えば、ピリジン環の環形成原子数は６であり、キナゾリン環の環形成原子数は１０であり、フラン環の環形成原子数は５である。ピリジン環やキナゾリン環の炭素原子にそれぞれ結合している水素原子や置換基を構成する原子については、環形成原子数の数に含めない。

　本明細書において、「置換もしくは無置換の炭素数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「炭素数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の炭素数を表すものであり、置換されている場合の置換基の炭素数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。

　本明細書において、「置換もしくは無置換の原子数ＸＸ～ＹＹのＺＺ基」という表現における「原子数ＸＸ～ＹＹ」は、ＺＺ基が無置換である場合の原子数を表すものであり、置換されている場合の置換基の原子数は含めない。ここで、「ＹＹ」は「ＸＸ」よりも大きく、「ＸＸ」と「ＹＹ」はそれぞれ１以上の整数を意味する。

　「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「無置換」とはＺＺ基が置換基で置換されておらず、水素原子が結合していることを意味する。あるいは、「置換もしくは無置換のＺＺ基」という場合における「置換」とはＺＺ基における１つ以上の水素原子が、置換基と置き換わっていることを意味する。「ＡＡ基で置換されたＢＢ基」という場合における「置換」も同様に、ＢＢ基における１つ以上の水素原子が、ＡＡ基と置き換わっていることを意味する。

　以下、本明細書に記載の置換基について説明する。
　本明細書に記載の「無置換のアリール基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「無置換の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアルケニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキニル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、２～５０であり、好ましくは２～２０、より好ましくは２～６である。
　本明細書に記載の「無置換のシクロアルキル基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、３～５０であり、好ましくは３～２０、より好ましくは３～６である。
　本明細書に記載の「無置換のアリーレン基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「無置換の２価の複素環基」の環形成原子数は、本明細書に別途記載のない限り、５～５０であり、好ましくは５～３０、より好ましくは５～１８である。
　本明細書に記載の「無置換のアルキレン基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～２０、より好ましくは１～６である。

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリール基」の具体例（具体例群Ｇ１）としては、以下の無置換のアリール基及び置換のアリール基等が挙げられる。（ここで、無置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「無置換のアリール基」である場合を指し、置換のアリール基とは「置換もしくは無置換のアリール基」が「置換のアリール基」である場合を指す。）以下、単に「アリール基」という場合は、「無置換のアリール基」と「置換のアリール基」の両方を含む。
　「置換のアリール基」は「無置換のアリール基」が置換基を有する場合であり、下記の「無置換のアリール基」が置換基を有する基や、置換のアリール基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアリール基」の例や「置換のアリール基」の例は一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアリール基」には、「無置換のアリール基」が置換基を有する基がさらに置換基を有する基や、「置換のアリール基」がさらに置換基を有する基等も含まれる。

　無置換のアリール基：
フェニル基、
ｐ－ビフェニル基、
ｍ－ビフェニル基、
ｏ－ビフェニル基、
ｐ－ターフェニル－４－イル基、
ｐ－ターフェニル－３－イル基、
ｐ－ターフェニル－２－イル基、
ｍ－ターフェニル－４－イル基、
ｍ－ターフェニル－３－イル基、
ｍ－ターフェニル－２－イル基、
ｏ－ターフェニル－４－イル基、
ｏ－ターフェニル－３－イル基、
ｏ－ターフェニル－２－イル基、
１－ナフチル基、
２－ナフチル基、
アントリル基、
ベンゾアントリル基、
フェナントリル基、
ベンゾフェナントリル基、
フェナレニル基、
ピレニル基、
クリセニル基、
ベンゾクリセニル基、
トリフェニレニル基、
ベンゾトリフェニレニル基、
テトラセニル基、
ペンタセニル基、
フルオレニル基、
９，９’－スピロビフルオレニル基、
ベンゾフルオレニル基、
ジベンゾフルオレニル基、
フルオランテニル基、
ベンゾフルオランテニル基、
ペリレニル基

　置換のアリール基：
ｏ－トリル基、
ｍ－トリル基、
ｐ－トリル基、
パラ－キシリル基、
メタ－キシリル基、
オルト－キシリル基、
パラ－イソプロピルフェニル基、
メタ－イソプロピルフェニル基、
オルト－イソプロピルフェニル基、
パラ－ｔ－ブチルフェニル基、
メタ－ｔ－ブチルフェニル基、
オルト－ｔ－ブチルフェニル基、
３，４，５－トリメチルフェニル基、
９，９－ジメチルフルオレニル基、
９，９－ジフェニルフルオレニル基、
９，９－ジ（４－メチルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ジ（４－イソプロピルフェニル）フルオレニル基、
９，９－ジ（４－ｔブチルフェニル）フルオレニル基、
シアノフェニル基、
トリフェニルシリルフェニル基、
トリメチルシリルフェニル基、
フェニルナフチル基、
ナフチルフェニル基

　本明細書に記載の「複素環基」は、環形成原子にヘテロ原子を少なくとも１つ含む環状の基である。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子、及びホウ素原子が挙げられる。
　本明細書に記載の「複素環基」は、単環の基であっても縮合環の基であってもよい。
　本明細書に記載の「複素環基」は、芳香族複素環基であっても脂肪族複素環基であってもよい。
　本明細書に記載の「置換もしくは無置換の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ２）としては、以下の無置換の複素環基及び置換の複素環基等が挙げられる。（ここで、無置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「無置換の複素環基」である場合を指し、置換の複素環基とは「置換もしくは無置換の複素環基」が「置換の複素環基」である場合を指す。）以下、単に「複素環基」という場合は、「無置換の複素環基」と「置換の複素環基」の両方を含む。
　「置換の複素環基」は「無置換の複素環基」が置換基を有する場合であり、下記の「無置換の複素環基」が置換基を有する基や、置換の複素環基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換の複素環基」の例や「置換の複素環基」の例は一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換の複素環基」には、「無置換の複素環基」が置換基を有する基がさらに置換基を有する基や、「置換の複素環基」がさらに置換基を有する基等も含まれる。

　窒素原子を含む無置換の複素環基：
ピロリル基、
イミダゾリル基、
ピラゾリル基、
トリアゾリル基、
テトラゾリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ピリジル基、
ピリダジニル基、
ピリミジニル基、
ピラジニル基、
トリアジニル基、
インドリル基、
イソインドリル基、
インドリジニル基、
キノリジニル基、
キノリル基、
イソキノリル基、
シンノリル基、
フタラジニル基、
キナゾリニル基、
キノキサリニル基、
ベンゾイミダゾリル基、
インダゾリル基、
フェナントロリニル基、
フェナントリジニル基、
アクリジニル基、
フェナジニル基、
カルバゾリル基、
ベンゾカルバゾリル基、
モルホリノ基、
フェノキサジニル基、
フェノチアジニル基、
アザカルバゾリル基、
ジアザカルバゾリル基

　酸素原子を含む無置換の複素環基：
フリル基、
オキサゾリル基、
イソオキサゾリル基、
オキサジアゾリル基、
キサンテニル基、
ベンゾフラニル基、
イソベンゾフラニル基、
ジベンゾフラニル基、
ナフトベンゾフラニル基、
ベンゾオキサゾリル基、
ベンゾイソキサゾリル基、
フェノキサジニル基、
モルホリノ基、
ジナフトフラニル基、
アザジベンゾフラニル基、
ジアザジベンゾフラニル基、
アザナフトベンゾフラニル基、
ジアザナフトベンゾフラニル基

　硫黄原子を含む無置換の複素環基：
チエニル基、
チアゾリル基、
イソチアゾリル基、
チアジアゾリル基、
ベンゾチオフェニル基、
イソベンゾチオフェニル基、
ジベンゾチオフェニル基、
ナフトベンゾチオフェニル基、
ベンゾチアゾリル基、
ベンゾイソチアゾリル基、
フェノチアジニル基、
ジナフトチオフェニル基、
アザジベンゾチオフェニル基、
ジアザジベンゾチオフェニル基、
アザナフトベンゾチオフェニル基、
ジアザナフトベンゾチオフェニル基

　窒素原子を含む置換の複素環基：
（９－フェニル）カルバゾリル基、
（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、
（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、
（９－ナフチル）カルバゾリル基、
ジフェニルカルバゾール－９－イル基、
フェニルカルバゾール－９－イル基、
メチルベンゾイミダゾリル基、
エチルベンゾイミダゾリル基、
フェニルトリアジニル基、
ビフェニリルトリアジニル基、
ジフェニルトリアジニル基、
フェニルキナゾリニル基、
ビフェニリルキナゾリニル基

　酸素原子を含む置換の複素環基：
フェニルジベンゾフラニル基、
メチルジベンゾフラニル基、
ｔ－ブチルジベンゾフラニル基、
スピロ［９Ｈ－キサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基

　硫黄原子を含む置換の複素環基：
フェニルジベンゾチオフェニル基、
メチルジベンゾチオフェニル基、
ｔ－ブチルジベンゾチオフェニル基、
スピロ［９Ｈ－チオキサンテン－９，９’－［９Ｈ］フルオレン］の１価の残基

　窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子のうち少なくとも１つを含む下記無置換の複素環の環形成原子に結合した１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の基、及び下記無置換の複素環の環形成原子に結合した１つの水素原子を除くことにより誘導される１価の基が置換基を有する基：

　式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）において、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａは、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、ＮＨ、ＣＨ_２である。ただし、Ｘ_Ａ及びＹ_Ａのうち少なくとも１つは酸素原子、硫黄原子、又はＮＨである。
　上記式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）で表される複素環は、任意の位置で結合を有して１価の複素環基となる。
　上記式（ＸＹ－１）～（ＸＹ－１８）で表される無置換の複素環から誘導される１価の基が置換基を有するとは、これらの式中の骨格を構成する炭素原子に結合した水素原子が置換基に置き換わっている場合、あるいは、Ｘ_ＡやＹ_ＡがＮＨもしくはＣＨ_２であり、これらＮＨもしくはＣＨ_２における水素原子が、置換基と置き換わっている状態を指す。

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ３）としては、以下の無置換のアルキル基及び置換のアルキル基が挙げられる。（ここで、無置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「無置換のアルキル基」である場合を指し、置換のアルキル基とは「置換もしくは無置換のアルキル基」が「置換のアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキル基」という場合は、「無置換のアルキル基」と「置換のアルキル基」の両方を含む。
　「置換のアルキル基」は「無置換のアルキル基」が置換基を有する場合であり、下記の「無置換のアルキル基」が置換基を有する基や、置換のアルキル基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルキル基」の例や「置換のアルキル基」の例は一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルキル基」には、「無置換のアルキル基」が置換基を有する基がさらに置換基を有する基や、「置換のアルキル基」がさらに置換基を有する基等も含まれる。

　無置換のアルキル基：
メチル基、
エチル基、
ｎ－プロピル基、
イソプロピル基、
ｎ－ブチル基、
イソブチル基、
ｓ－ブチル基、
ｔ－ブチル基

　置換のアルキル基：
ヘプタフルオロプロピル基（異性体を含む）、
ペンタフルオロエチル基、
２,２,２－トリフルオロエチル基、
トリフルオロメチル基

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルケニル基」の具体例（具体例群Ｇ４）としては、以下の無置換のアルケニル基及び置換のアルケニル基等が挙げられる。（ここで、無置換のアルケニル基とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「無置換のアルケニル基」である場合を指し、「置換のアルケニル基」とは「置換もしくは無置換のアルケニル基」が「置換のアルケニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルケニル基」という場合は、「無置換のアルケニル基」と「置換のアルケニル基」の両方を含む。
　「置換のアルケニル基」は「無置換のアルケニル基」が置換基を有する場合であり、下記の「無置換のアルケニル基」が置換基を有する基や、置換のアルケニル基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のアルケニル基」の例や「置換のアルケニル基」の例は一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のアルケニル基」には、「無置換のアルケニル基」が置換基を有する基がさらに置換基を有する基や、「置換のアルケニル基」がさらに置換基を有する基等も含まれる。

　無置換のアルケニル基及び置換のアルケニル基：
ビニル基、
アリル基、
１－ブテニル基、
２－ブテニル基、
３－ブテニル基、
１，３－ブタンジエニル基、
１－メチルビニル基、
１－メチルアリル基、
１，１－ジメチルアリル基、
２－メチルアリル基、
１，２－ジメチルアリル基

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキニル基」の具体例（具体例群Ｇ５）としては、以下の無置換のアルキニル基等が挙げられる。（ここで、無置換のアルキニル基とは、「置換もしくは無置換のアルキニル基」が「無置換のアルキニル基」である場合を指す。）以下、単に「アルキニル基」という場合は、「無置換のアルキニル基」と「置換のアルキニル基」の両方を含む。
　「置換のアルキニル基」は「無置換のアルキニル基」が置換基を有する場合であり、下記の「無置換のアルキニル基」が置換基を有する基等が挙げられる。

　無置換のアルキニル基：
エチニル基

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」の具体例（具体例群Ｇ６）としては、以下の無置換のシクロアルキル基及び置換のシクロアルキル基等が挙げられる。（ここで、無置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「無置換のシクロアルキル基」である場合を指し、置換のシクロアルキル基とは「置換もしくは無置換のシクロアルキル基」が「置換のシクロアルキル基」である場合を指す。）以下、単に「シクロアルキル基」という場合は、「無置換のシクロアルキル基」と「置換のシクロアルキル基」の両方を含む。
　「置換のシクロアルキル基」は「無置換のシクロアルキル基」が置換基を有する場合であり、下記の「無置換のシクロアルキル基」が置換基を有する基や、置換のシクロアルキル基の例等が挙げられる。尚、ここに列挙した「無置換のシクロアルキル基」の例や「置換のシクロアルキル基」の例は一例に過ぎず、本明細書に記載の「置換のシクロアルキル基」には、「無置換のシクロアルキル基」が置換基を有する基がさらに置換基を有する基や、「置換のシクロアルキル基」がさらに置換基を有する基等も含まれる。

　無置換の脂肪族環基：
シクロプロピル基、
シクロブチル基、
シクロペンチル基、
シクロヘキシル基、
１－アダマンチル基、
２－アダマンチル基、
１－ノルボルニル基、
２－ノルボルニル基

　置換のシクロアルキル基：
４－メチルシクロヘキシル基

　本明細書に記載の－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）で表される基の具体例（具体例群Ｇ７）としては、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ１）（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ２）（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｓｉ（Ｇ３）（Ｇ３）（Ｇ３）、
－Ｓｉ（Ｇ５）（Ｇ５）（Ｇ５）、
－Ｓｉ（Ｇ６）（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」である。
　Ｇ２は具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」である。
　Ｇ３は具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」である。
　Ｇ５は具体例群Ｇ５に記載の「アルキニル基」である。
　Ｇ６は具体例群Ｇ６に記載の「シクロアルキル基」である。

　本明細書に記載の－Ｏ－（Ｒ_９０４）で表される基の具体例（具体例群Ｇ８）としては、
－Ｏ（Ｇ１）、
－Ｏ（Ｇ２）、
－Ｏ（Ｇ３）、
－Ｏ（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」である。
　Ｇ２は具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」である。
　Ｇ３は具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」である。
　Ｇ６は具体例群Ｇ６に記載の「シクロアルキル基」である。

　本明細書に記載の－Ｓ－（Ｒ_９０５）で表される基の具体例（具体例群Ｇ９）としては、
－Ｓ（Ｇ１）、
－Ｓ（Ｇ２）、
－Ｓ（Ｇ３）、
－Ｓ（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」である。
　Ｇ２は具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」である。
　Ｇ３は具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」である。
　Ｇ６は具体例群Ｇ６に記載の「シクロアルキル基」である。

　本明細書に記載の－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）で表される基の具体例（具体例群Ｇ１０）としては、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ１）、
－Ｎ（Ｇ２）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ１）（Ｇ２）、
－Ｎ（Ｇ３）（Ｇ３）、
－Ｎ（Ｇ６）（Ｇ６）
が挙げられる。
　ここで、
　Ｇ１は具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」である。
　Ｇ２は具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」である。
　Ｇ３は具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」である。
　Ｇ６は具体例群Ｇ６に記載の「シクロアルキル基」である。

　本明細書に記載の「ハロゲン原子」の具体例（具体例群Ｇ１１）としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

　本明細書に記載の「アルコキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」である。「無置換のアルコキシ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０、より好ましくは１～１８である。
　本明細書に記載の「アルキルチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ３）で表される基であり、ここで、Ｇ３は具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」である。「無置換のアルキルチオ基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、１～５０であり、好ましくは１～３０、より好ましくは１～１８である。
　本明細書に記載の「アリールオキシ基」の具体例としては、－Ｏ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」である。「無置換のアリールオキシ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「アリールチオ基」の具体例としては、－Ｓ（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ１は具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」である。「無置換のアリールチオ基」の環形成炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、６～５０であり、好ましくは６～３０、より好ましくは６～１８である。
　本明細書に記載の「アラルキル基」の具体例としては、－（Ｇ３）－（Ｇ１）で表される基であり、ここで、Ｇ３は具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」であり、Ｇ１は具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」である。従って、「アラルキル基」は、「アリール基」が置換した、「置換のアルキル基」の一実施形態である。「無置換のアリール基」が置換した「無置換のアルキル基」である「無置換のアラルキル基」の炭素数は、本明細書に別途記載のない限り、７～５０であり、好ましくは７～３０、より好ましくは７～１８である。
　「アラルキル基」の具体例としては、例えば、ベンジル基、１－フェニルエチル基、２－フェニルエチル基、１－フェニルイソプロピル基、２－フェニルイソプロピル基、フェニル－ｔ－ブチル基、α－ナフチルメチル基、１－α－ナフチルエチル基、２－α－ナフチルエチル基、１－α－ナフチルイソプロピル基、２－α－ナフチルイソプロピル基、β－ナフチルメチル基、１－β－ナフチルエチル基、２－β－ナフチルエチル基、１－β－ナフチルイソプロピル基、２－β－ナフチルイソプロピル基等が挙げられる。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリール基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはフェニル基、ｐ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｏ－ビフェニル基、ｐ－ターフェニル－４－イル基、ｐ－ターフェニル－３－イル基、ｐ－ターフェニル－２－イル基、ｍ－ターフェニル－４－イル基、ｍ－ターフェニル－３－イル基、ｍ－ターフェニル－２－イル基、ｏ－ターフェニル－４－イル基、ｏ－ターフェニル－３－イル基、ｏ－ターフェニル－２－イル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ピレニル基、クリセニル基、トリフェニレニル基、フルオレニル基、９，９’－スピロビフルオレニル基、９，９－ジフェニルフルオレニル基等である。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリル基、イソキノリル基、キナゾリニル基、ベンゾイミダゾリル基、フェナントロリニル基、カルバゾリル基（１－カルバゾリル基、２－カルバゾリル基、３－カルバゾリル基、４－カルバゾリル基、９－カルバゾリル基）、ベンゾカルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ナフトベンゾフラニル基、アザジベンゾフラニル基、ジアザジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、ナフトベンゾチオフェニル基、アザジベンゾチオフェニル基、ジアザジベンゾチオフェニル基、（９－フェニル）カルバゾリル基（（９－フェニル）カルバゾール－１－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－２－イル基、（９－フェニル）カルバゾール－３－イル基、又は（９－フェニル）カルバゾール－４－イル基）、（９－ビフェニリル）カルバゾリル基、（９－フェニル）フェニルカルバゾリル基、ジフェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルカルバゾール－９－イル基、フェニルトリアジニル基、ビフェニリルトリアジニル基、ジフェニルトリアジニル基、フェニルジベンゾフラニル基、フェニルジベンゾチオフェニル基、インドロカルバゾリル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、キノキサリニル基、ピロリル基、インドリル基、ピロロ［３，２，１－ｊｋ］カルバゾリル基、フラニル基、ベンゾフラニル基、チオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ピラゾリル基、イミダゾリル基、ベンズイミダゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、ベンズオキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、イソチアゾリル基、ベンズイソチアゾリル基、チアジアゾリル基、イソオキサゾリル基、ベンズイソオキサゾリル基、ピロリジニル基、ピぺリジニル基、ピぺラジニル基、イミダゾリジニル基、インドロ［３，２，１－ｊｋ］カルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基等である。

　上記ジベンゾフラニル基及びジベンゾチオフェニル基は、本明細書に別途記載のない限り、具体的には以下のいずれかの基である。

　式（ＸＹ－７６）～（ＸＹ－７９）中、Ｘ_Ｂは、酸素原子又は硫黄原子である。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアルキル基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔ－ブチル基等である。

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアリーレン基」は、別途記載のない限り、上記「アリール基」を２価にした基をいう。「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」を２価にした基等が挙げられる。すなわち、「置換もしくは無置換のアリーレン基」の具体例（具体例群Ｇ１２）としては、具体例群Ｇ１に記載の「アリール基」の環形成炭素に結合している１つの水素を除いた基である。

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」を２価にした基等が挙げられる。すなわち、「置換もしくは無置換の２価の複素環基」の具体例（具体例群Ｇ１３）としては、具体例群Ｇ２に記載の「複素環基」の環形成原子に結合している１つの水素を除いた基である。

　本明細書に記載の「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」を２価にした基等が挙げられる。すなわち、「置換もしくは無置換のアルキレン基」の具体例（具体例群Ｇ１４）としては、具体例群Ｇ３に記載の「アルキル基」のアルカン構造を形成する炭素に結合している１つの水素を除いた基である。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換のアリーレン基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは以下いずれかの基である。

　式（ＸＹ－２０）～（ＸＹ－２９）、（ＸＹ－８３）及び（ＸＹ－８４）中、Ｒ_９０８は、置換基である。
　ｍ９０１は、０～４の整数であり、ｍ９０１が２以上のとき、複数存在するＲ_９０８は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　式（ＸＹ－３０）～（ＸＹ－４０）中、Ｒ_９０９は、それぞれ独立に、水素原子、又は置換基である。２個のＲ_９０９は、単結合を介して互いに結合して環を形成してもよい。

　式（ＸＹ－４１）～（ＸＹ－４６）中、Ｒ_９１０は、置換基である。
　ｍ９０２は０～６の整数である。ｍ９０２が２以上のとき、複数存在するＲ_９１０は互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。

　本明細書に記載の置換もしくは無置換の２価の複素環基は、本明細書に別途記載のない限り、好ましくは以下いずれかの基である。

　式（ＸＹ－５０）～（ＸＹ－６０）中、Ｒ_９１１は、水素原子、又は置換基である。

　上記式（ＸＹ－６５）～（ＸＹ－７５）中、Ｘ_Ｂは、酸素原子又は硫黄原子である。

　本明細書において、「隣接する２つ以上の１組以上が、互いに結合して、置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成する」場合について、母骨格がアントラセン環である下記式（ＸＹ－８０）で表されるアントラセン化合物の場合を例として説明する。

　例えば、Ｒ_９２１～Ｒ_９３０のうちの「隣接する２つ以上の１組以上が、互いに結合して、環を形成する」場合の１組となる隣接する２つとは、Ｒ_９２１とＲ_９２２、Ｒ_９２２とＲ_９２３、Ｒ_９２３とＲ_９２４、Ｒ_９２４とＲ_９３０、Ｒ_９３０とＲ_９２５、Ｒ_９２５とＲ_９２６、Ｒ_９２６とＲ_９２７、Ｒ_９２７とＲ_９２８、Ｒ_９２８とＲ_９２９、及びＲ_９２９とＲ_９２１である。

　上記「１組以上」とは、上記隣接する２つの２組以上が同時に環を形成してもよいことを意味する。例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ａを形成し、同時にＲ_９２５とＲ_９２６とが互いに結合して環Ｂを形成した場合は、下記式（ＸＹ－８１）で表される。

　「隣接する２つ以上」が環を形成する場合とは、例えば、Ｒ_９２１とＲ_９２２とが互いに結合して環Ａを形成し、Ｒ_９２２とＲ_９２３とが互いに結合して環Ｃを形成し、Ｒ_９２１～Ｒ_９２３の互いに隣接する３つでアントラセン母骨格に縮合する、Ｒ_９２２を共有する環Ａ及び環Ｃを形成した場合は、下記式（ＸＹ－８２）で表される。

　上記式（ＸＹ－８１）及び（ＸＹ－８２）において形成された環Ａ～Ｃは、飽和又は不飽和の環である。
　「不飽和の環」とは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を意味する。「飽和の環」とは、脂肪族炭化水素環又は脂肪族複素環を意味する。
　例えば、上記式（ＸＹ－８１）に示す、Ｒ_９２１とＲ_９２２が互いに結合して形成された環Ａは、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、１以上の任意の元素とで形成する環を意味する。具体例としては、Ｒ_９２１とＲ_９２２で環Ａを形成する場合において、Ｒ_９２１が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、Ｒ_９２２が結合するアントラセン骨格の炭素原子と、４つの炭素原子とで不飽和の環を形成する場合、Ｒ_９２１とＲ_９２２とで形成する環はベンゼン環となる。また、飽和の環を形成する場合には、シクロヘキサン環となる。

　ここで、「任意の元素」は、好ましくは、Ｃ元素、Ｎ元素、Ｏ元素、Ｓ元素である。任意の元素において（例えばＣ元素又はＮ元素の場合）、環形成に関与しない結合は、水素原子等で終端されてもよいし、任意の置換基で置換されてもよい。Ｃ元素以外の任意の元素を含む場合、形成される環は複素環となる。
　飽和又は不飽和の環を構成する「１以上の任意の元素」は、好ましくは２個以上１５個以下、より好ましくは３個以上１２個以下、さらに好ましくは、３個以上５個以下である。

　芳香族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ１において具体例として挙げられたアリール基が、水素原子で終端された構造が挙げられる。
　芳香族複素環の具体例としては、具体例群Ｇ２において具体例として挙げられた芳香族複素環基が、水素原子で終端された構造が挙げられる。
　脂肪族炭化水素環の具体例としては、具体例群Ｇ６において具体例として挙げられたシクロアルキル基が、水素原子で終端された構造が挙げられる。
　上記の「飽和又は不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基は、例えば後述する「任意の置換基」である。上記の「飽和又は不飽和の環」が置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した「本明細書に記載の置換基」の項で説明した置換基である。

　本明細書における一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基（以下、「任意の置換基」と呼ぶことがある。）は、
無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）
（ここで、
Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基である。Ｒ_９０１～Ｒ_９０７が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０１～Ｒ_９０７のそれぞれは同一でもよく、異なっていてもよい。）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基
からなる群から選択される基である。

　一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～５０のアルキル基、
環形成炭素数６～５０のアリール基、及び
環形成原子数５～５０の１価の複素環基
からなる群から選択される基である。

　一実施形態においては、前記「置換もしくは無置換の」という場合の置換基は、
炭素数１～１８のアルキル基、
環形成炭素数６～１８のアリール基、及び
環形成原子数５～１８の１価の複素環基
からなる群から選択される基である。

　上記任意の置換基の各基の具体例は、上述した通りである。

　本明細書において、特にことわらない限り、隣接する任意の置換基同士で、飽和又は不飽和の環（好ましくは、置換もしくは無置換の飽和もしくは不飽和の、５員環又は６員環、より好ましくは、ベンゼン環）を形成してもよい。
　本明細書において、特にことわらない限り、任意の置換基は、さらに置換基を有してもよい。任意の置換基がさらに有する置換基としては、上記任意の置換基と同様のものが挙げられる。

［有機ＥＬ素子］
　本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、
　陰極と、
　陽極と、
　前記陰極と前記陽極との間に配置された発光層と、
を有し、
　前記発光層が、
下記式（１）で表される化合物と、
下記式（１１）で表される化合物と、
を含有することを特徴とする。

　上記式（１）及び（１１）における各基については後述する。

（式（１）で表される化合物）
　式（１）で表される化合物について説明する。

　前記式（１）における、「直鎖アルキル基」とは、分岐（側鎖）を有さず、炭素原子が一列に繋がった構造を有するアルキル基である。「分岐アルキル基」とは、「直鎖アルキル基」以外のアルキル基である。具体的には、少なくとも１つの側鎖アルキル基が置換した直鎖アルキル基である。アルキル基が分岐を有するためには、炭素数は３個以上である。
　「分岐アルキル基」の具体例としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ｓ－ブチル基、ｔ－ブチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。

　前記式（１）における、「分岐アルキル基」及び「シクロアルキル基」は、嵩高い基であり、立体障害性を有する基である。「立体障害」とは、分子内及び分子間で分子を構成する各部分（moiety）がぶつかることによって回転等が制限されることをいう。

　前記式（１）において、「Ａｒ_１は、Ｒ_３及びＲ_１３のいずれか一方又は両方と互いに結合して置換もしくは無置換の複素環を形成する」、及び「Ａｒ_２は、Ｒ_５及びＲ_６のいずれか一方又は両方と互いに結合して置換もしくは無置換の複素環を形成する」について、具体例を示して説明する。例えば、Ａｒ_１がＲ_３と互いに結合して窒素原子を含む複素環Ｈａを形成する場合を下記式（１－１）で示す。尚、下記式（１－１）中には記載していないが、環Ｈａは任意の置換基を有していてもよい。当該任意の置換基は、Ｒ_１であってもよいし、Ｒ_１以外の置換基であってもよい。

（式（１－１）中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_４～Ｒ_１３、ｍ及びｎは、前記式（１）で定義した通りである。
　Ｈａは、窒素原子を環形成元素として含む環である。環Ｈａは、置換基を有していてもよい。）

　「Ｒ_１～Ｒ_１３のうちの隣接する２つ」とは、具体的には、Ｒ_１が複数存在するときのＲ_１同士、Ｒ_２が複数存在するときのＲ_２同士、Ｒ_３とＲ_４、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_６とＲ_７、Ｒ_７とＲ_８、Ｒ_８とＲ_９、Ｒ_１０とＲ_１１、Ｒ_１１とＲ_１２、及びＲ_１２とＲ_１３の各組を意味する。

　「Ｒ_３～Ｒ_１３のうちの隣接する２つ以上の１組以上が、互いに結合して、置換若しくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成する」について、具体例を示して説明する。例えば、下記式（１－２）は、Ｒ_７とＲ_８の１組が無置換のベンゼン環を形成した場合を示す。下記式（１－３）は、Ｒ_８とＲ_９の１組が無置換のベンゼン環を形成した場合を示す。下記式（１－４）は、Ｒ_７とＲ_８及びＲ_１１とＲ_１２の２組が、それぞれ無置換のベンゼン環を形成した場合を示す。下記式（１－５）は、Ｒ_８とＲ_９及びＲ_１０とＲ_１１の２組が、それぞれ無置換のベンゼン環を形成した場合を示す。

（式（１－２）～（１－５）中、Ａｒ_１、Ａｒ_２、Ｒ_１～Ｒ_５、Ｒ_７、Ｒ_９、Ｒ_１０～Ｒ_１２、ｍ及びｎは、前記式（１）で定義した通りである。）

　「置換もしくは無置換の複素環を形成しないＡｒ_１及びＡｒ_２は、それぞれ独立に、環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は環形成原子数５～５０の複素環基である。」、及び「ｍ及びｎは、それぞれ独立に、Ａｒ_１及びＡｒ_２である環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は環形成原子数５～５０の複素環基に置換可能なＲ_１及びＲ_２の数である。」について説明する。
　ｍ及びｎが０である場合、即ち、Ｒ_１及びＲ_２がＡｒ_１及びＡｒ_２に置換しない場合には、Ａｒ_１及びＡｒ_２は、それぞれ、Ｎのみと結合する１価の芳香族炭化水素基又は１価の複素環基であり、ｍ及びｎが１である場合には、Ａｒ_１及びＡｒ_２はそれぞれ、１個のＲ_１とＮ、及び１個のＲ_２とＮと結合する２価の基である。また、例えば、ｍ及びｎが２以上である場合には、Ａｒ_１及びＡｒ_２はそれぞれ、Ｎとｍ個のＲ_１、及びＮとｎ個のＲ_２とそれぞれ結合する（ｍ＋１）価及び（ｎ＋１）価の基である。

　一実施形態においては、前記式（１）における、前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの１～５個が、－Ｌ－Ｒ_９０８（式中、Ｌ及びＲ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。）である。

　一実施形態においては、前記式（１）における、Ａｒ_１及びＡｒ_２の両方が、前記置換もしくは無置換の複素環を形成しない。

　一実施形態においては、前記式（１）で表される化合物が、下記式（２）で表される化合物である。

（式（２）中、Ｒ_１～Ｒ_１３は、前記式（１）で定義した通りである。
　ｍ１及びｎ１は、それぞれ独立に、０～５の整数である。ｍ１が２以上の場合、２以上のＲ_１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、ｎ１が２以上の場合、２以上のＲ_２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）

　一実施形態においては、前記式（１）で表される化合物が、下記式（３）で表される化合物である。

（式（３）中、Ｒ_４、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_１１及びＲ_１２は、前記式（１）で定義した通りである。
　Ｒ_１４～Ｒ_１９は、前記式（１）におけるＲ_１及びＲ_２と同じである。）

　一実施形態においては、前記式（１）における、前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの１つ以上が、それぞれ独立に、
－Ｌ－Ｒ_９０８（式中、Ｌ及びＲ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。）であり、
　前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与せず、かつ－Ｌ－Ｒ_９０８でもないＲ_１～Ｒ_１３が水素原子である。

　一実施形態においては、前記式（１）で表される化合物が、下記式（５）で表される化合物である。

（式（５）中、
　Ｒ_４ｂは、水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基、
－Ｌ－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、又は
－Ｌ－Ｒ_９０８である。
　Ｒ_７ｃ、Ｒ_８ｃ、Ｒ_１１ｃ、Ｒ_１２ｃ及びＲ_１４ｃ～Ｒ_１９ｃは、それぞれ独立に、
水素原子、又は
－Ｌ－Ｒ_９０８である。
　Ｌ、Ｒ_９０６～Ｒ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。
　但し、Ｒ_４ｂ、Ｒ_７ｃ、Ｒ_８ｃ、Ｒ_１１ｃ、Ｒ_１２ｃ及びＲ_１４ｃ～Ｒ_１９ｃのうちの少なくとも１つは、－Ｌ－Ｒ_９０８である。）

　一実施形態においては、前記式（１）で表される化合物が、下記式（６）で表される化合物である。

（式（６）中、
　Ｒ_８ｄ、Ｒ_１１ｄ、Ｒ_１５ｄ及びＲ_１８ｄは、それぞれ独立に、－Ｌ_１－Ｒ_９０８ａである。
　Ｒ_４ｅは、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基、
－Ｌ－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、又は
－Ｌ_１－Ｒ_９０８である。
　Ｌ、及びＲ_９０６～Ｒ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。
　Ｌ_１は、単結合である。
　Ｒ_９０８ａは、置換もしくは無置換の炭素数３～５０の分岐アルキル基である。）

　一実施形態においては、前記式（１）における、前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの少なくとも１つが、－Ｌ_１－Ｒ_９０８ｂ
（式中、
　Ｌ_１は、単結合であり、
　Ｒ_９０８ｂは、
置換もしくは無置換の炭素数４～５０の分岐アルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数４～５０のシクロアルキル基である）である。

　一実施形態においては、前記式（１）におけるＬが単結合である。

　上記式（１）～（３）及び（５）における各置換基、及び「置換もしくは無置換の」という場合の置換基の詳細は、本明細書の［定義］の欄に記載の通りである。

　以下に、式（１）で表される化合物の具体例を記載するが、これらは例示に過ぎず、式（１）で表される化合物は下記具体例に限定されるものではない。下記具体例化合物における「ｔＢｕ」はｔｅｒｔ－ブチル基を表す。

　式（１）で表される化合物は、例えば、まず３つのベンゼン環を連結基（Ｎ－Ａｒ_１－（Ｒ_１）_ｍを含む基及びＮ－Ａｒ_２－（Ｒ_２）_ｎを含む基）で結合させることで中間体を製造し（第１反応）、３つのベンゼン環を連結基（Ｂを含む基）で結合させることで最終生成物を製造することができる（第２反応）。第１反応ではバッハブルト－ハートウィッグ反応等のアミノ化反応を適用できる。第２反応では、タンデムヘテロフリーデルクラフツ反応等を適用できる。

（式（１１）で表される化合物）
　次に、式（１１）で表される化合物について説明する。

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニルイル基、
置換もしくは無置換のアントリル基、又は
置換もしくは無置換のフェナントリル基である。

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＬ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換のフェニレン基、
置換もしくは無置換のナフチレン基、又は
置換もしくは無置換のビフェニルジイル基である。

　一実施形態においては、前記式（１１）で表される化合物が、下記式（１２）で表される化合物である。

（式（１２）中、Ａｒ_１０１、Ａｒ_１０２、Ｌ_１０２及びＲ_１０１～Ｒ_１０８は、前記式（１１）で定義した通りである。）

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、下記式（ｂ１）～（ｂ６）で表される１価の基からなる群から選択される。

（式（ｂ１）～（ｂ６）中、
　Ｒ_ａは、環形成炭素数１～５０のアルキル基である。
　ｐは、０～５の整数である。
　ｑは、０～４の整数である。
　ｒは、０～３の整数である。
　Ｒ_ａが２以上ある場合、複数のＲ_ａは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）

　一実施形態においては、前記式（１２）で表される化合物は、下記式（１２－１）～（１２－６）で表される化合物からなる群から選択される。

（式（１２－１）～（１２－６）中、Ａｒ_１０２、Ｌ_１０２及びＲ_１０１～Ｒ_１０８は、前記式（１１）で定義した通りである。）

　一実施形態においては、前記式（１１）で表される化合物は、下記式（１４）で表される化合物である。

（式（１４）中、Ａｒ_１０１、Ａｒ_１０２、Ｌ_１０１及びＬ_１０２は、前記式（１１）で定義した通りである。
　Ｒ_１０２Ａは、置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基である。）

　一実施形態においては、前記式（１１）で表される化合物は、下記式（１４－１）で表される化合物である。

（式（１４－１）中、Ａｒ_１０１、Ａｒ_１０２、Ｌ_１０１及びＬ_１０２は、前記式（１１）で定義した通りである。）

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＬ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、単結合、又は下記式（ｃ１）～（ｃ１９）で表される２価の基からなる群から選択される。

（式（ｃ１）～（ｃ１９）中、
　Ｒ_ａは、環形成炭素数１～５０のアルキル基である。
　ｐは、０～５の整数である。
　ｑは、０～４の整数である。
　ｒは、０～３の整数である。
　ｓは、０～２の整数である。
　Ｒ_ａが２以上ある場合、複数のＲ_ａは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１０８が水素原子である。

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換のフェニル基、
無置換のナフチル基、
無置換のビフェニルイル基、
無置換のアントリル基、
無置換のフェナントリル基、又は
無置換のベンゾフェナントリル基である。

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＬ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換のフェニレン基、又は
無置換のナフチレン基である。

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換のフェニル基、又は
無置換のナフチル基であり、
　Ｌ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
単結合、
無置換のフェニレン基、又は
無置換のナフチレン基である。

　一実施形態においては、前記式（１１）で表される化合物が、下記式（１３）で表される化合物である。

（式（１３）中、Ａｒ_１０１、Ａｒ_１０２及びＬ_１０２は、前記式（１１）で定義した通りである。）

　一実施形態においては、前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換の１－ナフチル基、又は
無置換の２－ナフチル基であり、
　Ｌ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
単結合、又は
無置換のフェニレン基である。

　上記式（１１）～（１３）、（ｂ１）～（ｂ６）、及び（ｃ１）～（ｃ１９）における各置換基、及び「置換もしくは無置換の」という場合の置換基の詳細は、本明細書の［定義］の欄に記載の通りである。

　以下に、式（１１）で表される化合物の具体例を記載するが、これらは例示に過ぎず、式（１１）で表される化合物は下記具体例に限定されるものではない。

　本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、前述したように、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された発光層とを有し、前記発光層が、下記式（１）で表される化合物と、下記式（１１）で表される化合物とを含有する以外は、本発明の効果を損なわない限りにおいて、従来公知の材料、素子構成を適用することができる。

　式（１）で表される化合物の発光層中の含有量は、発光層全体に対して、１質量％以上２０質量％以下が好ましい。また、式（１１）で表される化合物の発光層中の含有量は、発光層全体に対して、８０質量％以上９９質量％以下が好ましい。

　本発明の有機ＥＬ素子の一態様は、陽極と発光層との間に正孔輸送層を有することが好ましい。

　本発明の有機ＥＬ素子の一態様は、陰極と発光層との間に電子輸送層を有することが好ましい。

　以下、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の層構成について説明する。
　本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、陰極及び陽極からなる１対の電極間に有機層を備えている。有機層は、有機化合物を包含する層を少なくとも１層含む。あるいはまた、有機層は、有機化合物を包含する複数の層が積層されてなる。有機層は、１または複数の有機化合物のみからなる層を有してもよい。有機層は、有機化合物と、無機化合物とを同時に包含する層を有してもよい。有機層は、１または複数の無機化合物のみからなる層を有してもよい。
　有機層が包含する層のうちの少なくとも１層が、発光層である。有機層は、例えば、１層の発光層として構成されていてもよく、また、有機ＥＬ素子の層構成で採用され得る他の層を含んでいてもよい。有機ＥＬ素子の層構成で採用され得る層としては、特に限定されるものではないが、例えば、陽極と発光層との間に設けられる正孔輸送帯域（正孔輸送層、正孔注入層、電子阻止層、励起子阻止層等）、発光層、スペース層、陰極と発光層との間に設けられる電子輸送帯域（電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層等）等が挙げられる。

　本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子は、例えば、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であってもよく、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよい。また、単独の発光ユニットを有するシンプル型であってもよく、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。
　なお、「発光ユニット」とは、有機層を含み、該有機層のうちの少なくとも１層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光する最小単位を言う。
　また、本明細書に記載の「発光層」とは、発光機能を有する有機層である。発光層は、例えば、燐光発光層、蛍光発光層等であり、また、１層でも複数層でもよい。
　発光ユニットは、燐光発光層や蛍光発光層を複数有する積層型であってもよく、この場合、例えば、燐光発光層で生成された励起子が蛍光発光層に拡散することを防ぐためのスペース層を各発光層の間に有していてもよい。

　シンプル型有機ＥＬ素子としては、例えば、陽極／発光ユニット／陰極のような素子構成が挙げられる。
　発光ユニットの代表的な層構成を以下に示す。カッコ内の層は任意である。
（ａ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｂ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｃ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｄ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｅ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｆ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｇ）（正孔注入層／）正孔輸送層／第１燐光発光層／スペース層／第２燐光発光層／スペース層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｈ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／スペース層／第１蛍光発光層／第２蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｉ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｊ）（正孔注入層／）正孔輸送層／電子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｋ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｌ）（正孔注入層／）正孔輸送層／励起子阻止層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｍ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｎ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／蛍光発光層（／第１電子輸送層／第２電子輸送層／電子注入層）
（ｏ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｐ）（正孔注入層／）第１正孔輸送層／第２正孔輸送層／燐光発光層（／第１電子輸送層／第２電子輸送層／電子注入層）
（ｑ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｒ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／正孔阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｓ）（正孔注入層／）正孔輸送層／蛍光発光層／励起子阻止層（／電子輸送層／電子注入層）
（ｔ）（正孔注入層／）正孔輸送層／燐光発光層／励起子阻止層（／電子輸送層／電子注入層）

　ただし、本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子の層構成は、これらに限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子が、正孔注入層及び正孔輸送層を有する場合には、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層が設けられていることが好ましい。また、有機ＥＬ素子が、電子注入層及び電子輸送層を有する場合には、電子輸送層と陰極との間に電子注入層が設けられていることが好ましい。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のそれぞれは、１層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。

　複数の燐光発光層、及び、燐光発光層と蛍光発光層は、それぞれ互いに異なる色の発光層であってもよい。例えば、前記発光ユニット（ｆ）は、正孔輸送層／第１燐光発光層（赤色発光）／第２燐光発光層（緑色発光）／スペース層／蛍光発光層（青色発光）／電子輸送層とすることもできる。
　なお、各発光層と、正孔輸送層又はスペース層との間に、電子阻止層を設けてもよい。また、各発光層と電子輸送層との間に、正孔阻止層を設けてもよい。電子阻止層や正孔阻止層を設けることにより、電子又は正孔を発光層内に閉じ込めて、発光層における電荷の再結合確率を高め、発光効率を向上させることができる。

　タンデム型有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、例えば、陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／陰極のような素子構成が挙げられる。
　第１発光ユニット及び第２発光ユニットは、例えば、それぞれ独立に、上述した発光ユニットから選択することができる。
　中間層は、一般的に、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、コネクター層、又は中間絶縁層とも呼ばれる。中間層は、第１発光ユニットに電子を、第２発光ユニットに正孔を供給する層であり、公知の材料により形成することができる。
　第１発光ユニット及び第２発光ユニットのうち、いずれか一方だけが本発明の一態様の発光層であってもよく、両方が本発明の一態様の発光層であってもよい。

　以下、本明細書に記載の有機ＥＬ素子の各層の機能や材料等について説明する。

（基板）
　基板は、有機ＥＬ素子の支持体として用いられる。基板は、波長４００～７００ｎｍの可視光領域の光の透過率が５０％以上であることが好ましく、また、平滑な基板が好ましい。基板の材料としては、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、石英ガラス、プラスチック等が挙げられる。また、基板として、可撓性基板を用いることができる。可撓性基板とは、折り曲げることができる（フレキシブルな）基板を指し、例えば、プラスチック基板等が挙げられる。プラスチック基板を形成する材料の具体例としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。また、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

（陽極）
　陽極としては、例えば、金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物等であって、仕事関数の大きい（具体的には、４．０ｅＶ以上）ものを用いることが好ましい。陽極の材料の具体例としては、酸化インジウム－酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素もしくは酸化ケイ素を含有する酸化インジウム－酸化スズ、酸化インジウム－酸化亜鉛、酸化タングステン、酸化亜鉛を含有する酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。また、金、銀、白金、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、及びこれらの金属の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。

　陽極は、通常、これらの材料をスパッタリング法により基板上に成膜することにより形成される。例えば、酸化インジウム－酸化亜鉛は、酸化インジウムに対して１～１０質量％の酸化亜鉛を添加したターゲットを用いて、スパッタリング法により形成することができる。また、例えば、酸化タングステン、又は酸化亜鉛を含有する酸化インジウムは、酸化インジウムに対して酸化タングステンを０．５～５質量％、又は酸化亜鉛を０．１～１質量％添加したターゲットを用いて、スパッタリング法により形成することができる。
　陽極の他の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、塗布法、インクジェット法、スピンコート法等が挙げられる。例えば、銀ペースト等を用いる場合は、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。

　なお、陽極に接して形成される正孔注入層は、陽極の仕事関数に関係なく正孔注入が容易である材料を用いて形成される。このため、陽極には、一般的な電極材料、例えば、金属、合金、導電性化合物、これらの混合物を用いることができる。具体的には、リチウム、セシウム等のアルカリ金属；マグネシウム；カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属；これらの金属を含む合金（例えば、マグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム）；ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属；希土類金属を含む合金等の仕事関数の小さい材料を陽極に用いることもできる。

（正孔注入層）
　正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層であり、陽極から有機層に正孔を注入する機能を有する。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、電子吸引性（アクセプター性）の化合物、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）等が挙げられる。これらの中でも、芳香族アミン化合物、アクセプター性の化合物が好ましく、より好ましくはアクセプター性の化合物である。

　芳香族アミン化合物の具体例としては、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’－ビス（Ｎ－｛４－［Ｎ’－（３－メチルフェニル）－Ｎ’－フェニルアミノ］フェニル｝－Ｎ－フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。

　アクセプター性の化合物としては、例えば、電子吸引基を有する複素環誘導体、電子吸引基を有するキノン誘導体、アリールボラン誘導体、ヘテロアリールボラン誘導体等が好ましく、具体例としては、ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン、２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノキノジメタン（略称：Ｆ４ＴＣＮＱ）、１，２，３－トリス［（シアノ）（４－シアノ－２，３，５，６－テトラフルオロフェニル）メチレン］シクロプロパン等が挙げられる。
　アクセプター性の化合物を用いる場合、正孔注入層は、さらにマトリックス材料を含むことが好ましい。マトリックス材料としては、有機ＥＬ素子用の材料として公知の材料を用いることができ、例えば、電子供与性（ドナー性）の化合物を用いることが好ましい。

（正孔輸送層）
　正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層であり、陽極から有機層に正孔を輸送する機能を有する。

　正孔輸送性の高い物質としては、１０^－６ｃｍ^２／（Ｖ・ｓ）以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましく、例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、高分子化合物等が挙げられる。

　芳香族アミン化合物の具体例としては、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＡＦＬＰ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ）、４，４’，４”－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等が挙げられる。

　カルバゾール誘導体の具体例としては、４，４’－ジ（９－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、９－［４－（９－カルバゾリル）フェニル］－１０－フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、９－フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）等が挙げられる。

　アントラセン誘導体の具体例としては、２－ｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）などが挙げられる。

　高分子化合物の具体例としては、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、及びポリ（４－ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等が挙げられる。

　電子輸送性よりも正孔輸送性の方が高い化合物であれば、正孔輸送層に、これら以外の物質を用いてもよい。

　正孔輸送層は、単層でもよく、２層以上が積層されていてもよい。この場合、発光層に近い側に、正孔輸送性の高い物質のうち、エネルギーギャップのより大きい物質を含む層を配置することが好ましい。

（発光層）
　発光層は、発光性の高い物質（ドーパント材料）を含む層である。ドーパント材料としては、種々の材料を用いることができ、例えば、蛍光発光性化合物（蛍光ドーパント）、燐光発光性化合物（燐光ドーパント）等を用いることができる。蛍光発光性化合物とは、一重項励起状態から発光可能な化合物であり、これを含む発光層は蛍光発光層と呼ばれる。また、燐光発光性化合物とは、三重項励起状態から発光可能な化合物であり、これを含む発光層は、燐光発光層と呼ばれる。

　発光層は、通常、ドーパント材料、及びこれを効率よく発光させるためのホスト材料を含有する。なお、ドーパント材料は、文献によっては、ゲスト材料、エミッター、又は発光材料と称する場合もある。また、ホスト材料は、文献によっては、マトリックス材料と称する場合もある。
　１つの発光層に、複数のドーパント材料、及び複数のホスト材料を含んでもよい。また、発光層が複数であってもよい。

　本明細書では、蛍光ドーパントと組み合わされたホスト材料を、「蛍光ホスト」と称し、燐光ドーパントと組み合わされたホスト材料を「燐光ホスト」と称する。なお、蛍光ホストと燐光ホストとは、分子構造のみで区分されるものではない。燐光ホストとは、燐光ドーパントを含有する燐光発光層を形成する材料であるが、蛍光発光層を形成する材料として利用できないことを意味するものではない。蛍光ホストについても同様である。

　発光層におけるドーパント材料の含有量は、特に限定されるものではないが、十分な発光及び濃度消光の観点から、例えば、０．１～７０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．１～３０質量％、さらに好ましくは１～３０質量％、よりさらに好ましくは１～２０質量％、特に好ましくは１～１０質量％である。

＜蛍光ドーパント＞
　蛍光ドーパントとしては、本発明の一態様で用いる蛍光ドーパントとともに用いることができるものとして、例えば、縮合多環芳香族誘導体、スチリルアミン誘導体、縮合環アミン誘導体、ホウ素含有化合物、ピロール誘導体、インドール誘導体、カルバゾール誘導体等が挙げられる。これらの中でも、縮合環アミン誘導体、ホウ素含有化合物、カルバゾール誘導体が好ましい。
　縮合環アミン誘導体としては、例えば、ジアミノピレン誘導体、ジアミノクリセン誘導体、ジアミノアントラセン誘導体、ジアミノフルオレン誘導体、ベンゾフロ骨格が１つ以上縮環したジアミノフルオレン誘導体等が挙げられる。
　ホウ素含有化合物としては、例えば、ピロメテン誘導体、トリフェニルボラン誘導体等が挙げられる。

　青色系の蛍光ドーパントとしては、本発明の一態様で用いる蛍光ドーパントとともに用いることができるものとして、例えば、ピレン誘導体、スチリルアミン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、フルオレン誘導体、ジアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体等が挙げられる。具体的には、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）等が挙げられる。

　緑色系の蛍光ドーパントとしては、本発明の一態様で用いる蛍光ドーパントとともに用いることができるものとして、例えば、芳香族アミン誘導体等が挙げられる。具体的には、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）－２－アントリル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、Ｎ－［９，１０－ビス（１，１’－ビフェニル－２－イル）］－Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ－フェニルアントラセン－２－アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９－トリフェニルアントラセン－９－アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）等が挙げられる。

　赤色系の蛍光ドーパントとしては、本発明の一態様で用いる蛍光ドーパントとともに用いることができるものとして、テトラセン誘導体、ジアミン誘導体等が挙げられる。具体的には、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）テトラセン－５，１１－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＴＤ）、７，１４－ジフェニル－Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラキス（４－メチルフェニル）アセナフト［１，２－ａ］フルオランテン－３，１０－ジアミン（略称：ｐ－ｍＰｈＡＦＤ）等が挙げられる。

＜燐光ドーパント＞
　燐光ドーパントとしては、例えば、燐光発光性の重金属錯体、燐光発光性の希土類金属錯体が挙げられる。
　重金属錯体としては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等が挙げられる。重金属錯体は、イリジウム、オスミウム、及び白金から選択される金属のオルトメタル化錯体が好ましい。
　希土類金属錯体としては、例えば、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等が挙げられる。具体的には、トリス（アセチルアセトナート）（モノフェナントロリン）テルビウム（III）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス（１，３－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（III）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１－（２－テノイル）－３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（III）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。これらの希土類金属錯体は、異なる多重度間の電子遷移により、希土類金属イオンが発光するため、燐光ドーパントとして好ましい。

　青色系の燐光ドーパントとしては、例えば、イリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体等が挙げられる。具体的には、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（III）テトラキス（１－ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（III）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２－（３’，５’－ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）等が挙げられる。

　緑色系の燐光ドーパントとしては、例えば、イリジウム錯体等が挙げられる。具体的には、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１，２－ジフェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾラト）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｂｉ）_２（ａｃａｃ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））等が挙げられる。

　赤色系の燐光ドーパントとしては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体、テルビウム錯体、ユーロピウム錯体等が挙げられる。具体的には、ビス［２－（２’－ベンゾ［４，５－α］チエニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（III）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナート）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（III）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィリン白金（II）（略称：ＰｔＯＥＰ）等が挙げられる。

＜ホスト材料＞
　ホスト材料としては、本発明の一態様で用いるホスト材料とともに用いることができるものとして、例えば、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体；インドール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、イソキノリン誘導体、キナゾリン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素環化合物；ナフタレン誘導体、トリフェニレン誘導体、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ナフタセン誘導体、フルオランテン誘導体等の縮合芳香族化合物；トリアリールアミン誘導体、縮合多環芳香族アミン誘導体等の芳香族アミン化合物等が挙げられる。ホスト材料は、複数種を併用してもよい。

　金属錯体の具体例としては、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（III）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（III）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（II）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（III）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（II）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＢＴＺ）等が挙げられる。

　複素環化合物の具体例としては、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）等が挙げられる。

　縮合芳香族化合物の具体例としては、９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３”－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２－ジメトキシ－５，１１－ジフェニルクリセン等が挙げられる。

　芳香族アミン化合物の具体例としては、Ｎ，Ｎ－ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）－Ｎ，９－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＦＬＤＰＢｉ、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）等が挙げられる。

　蛍光ホストとしては、蛍光ドーパントよりも高い一重項準位を有する化合物が好ましく、例えば、複素環化合物、縮合芳香族化合物等が挙げられる。縮合芳香族化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ナフタセン誘導体等が好ましい。

　燐光ホストとしては、燐光ドーパントよりも高い三重項準位を有する化合物が好ましく、例えば、金属錯体、複素環化合物、縮合芳香族化合物等が挙げられる。これらの中でも、例えば、インドール誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、イソキノリン誘導体、キナゾリン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ナフタレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオランテン誘導体等が好ましい。

（電子輸送層）
　電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質としては、１０^－６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質であることが好ましく、例えば、金属錯体、芳香族複素環化合物、芳香族炭化水素化合物、高分子化合物等が挙げられる。

　金属錯体としては、例えば、アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等が挙げられる。具体的には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（III）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム（III）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（II）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（II）（略称：ＺｎＢＴＺ）等が挙げられる。

　芳香族複素環化合物としては、例えば、ベンズイミダゾール誘導体、イミダゾピリジン誘導体、ベンズイミダゾフェナントリジン誘導体等のイミダゾール誘導体；ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体等のアジン誘導体；キノリン誘導体、イソキノリン誘導体、フェナントロリン誘導体等の含窒素六員環構造を含む化合物（複素環にホスフィンオキサイド系の置換基を有するものも含む。）等が挙げられる。具体的には、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３－ビス［５－（ｐｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－フェニル－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）等が挙げられる。

　芳香族炭化水素化合物としては、例えば、アントラセン誘導体、フルオランテン誘導体等が挙げられる。

　高分子化合物の具体例としては、ポリ［（９，９－ジヘキシルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）等が挙げられる。

　正孔輸送性よりも電子輸送性の方が高い化合物であれば、電子輸送層に、これら以外の物質を用いてもよい。

　電子輸送層は、単層でもよく、２層以上が積層されていてもよい。この場合、発光層に近い側に、電子輸送性の高い物質のうち、エネルギーギャップのより大きい物質を含む層を配置することが好ましい。

　電子輸送層には、例えば、アルカリ金属、マグネシウム、アルカリ土類金属、これらのうちの２以上の金属を含む合金等の金属；８－キノリノラトリチウム（略称：Ｌｉｑ）等のアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物等の金属化合物が含まれていてもよい。　アルカリ金属、マグネシウム、アルカリ土類金属、又はこれらのうちの２以上の金属を含む合金等の金属が、電子輸送層に含まれる場合、その含有量は、特に限定されるものではないが、０．１～５０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．１～２０質量％、さらに好ましくは１～１０質量％である。
　アルカリ金属化合物、又はアルカリ土類金属化合物等の金属化合物の金属化合物が電子輸送層に含まれる場合、その含有量は、１～９９質量％であることが好ましく、より好ましくは１０～９０質量％である。なお、電子輸送層が複数層である場合の発光層側にある層は、これらの金属化合物のみで形成することもできる。

（電子注入層）
　電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層であり、陰極から発光層へ効率よく電子注入する機能を有する。電子注入性の高い物質としては、例えば、アルカリ金属、マグネシウム、アルカリ土類金属、これらの化合物等が挙げられる。具体的には、リチウム、セシウム、カルシウム、フッ化リチウム、フッ化セシウム、フッ化カルシウム、リチウム酸化物等が挙げられる。その他、電子輸送性を有する物質に、アルカリ金属、マグネシウム、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物を含有させたもの、例えば、Ａｌｑにマグネシウムを含有させたもの等を用いることもできる。

　また、電子注入層には、有機化合物及びドナー性の化合物を含む複合材料を用いることもできる。有機化合物がドナー性の化合物から電子を受け取るため、このような複合材料は電子注入性及び電子輸送性に優れている。
　有機化合物としては、受け取った電子の輸送性に優れた物質が好ましく、例えば、上述した電子輸送性の高い物質である金属錯体や芳香族複素環化合物等を用いることができる。
　ドナー性の化合物としては、有機化合物に電子を供与することができる物質であればよく、例えば、アルカリ金属、マグネシウム、アルカリ土類金属、希土類金属等が挙げられる。具体的には、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、具体的には、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

（陰極）
　陰極は、金属、合金、導電性化合物、及びこれらの混合物等であって、仕事関数の小さい（具体的には、３．８ｅＶ以下）ものを用いることが好ましい。陰極の材料としては、例えば、リチウム、セシウム等のアルカリ金属；マグネシウム；カルシウム、ストロンチウム等のアルカリ土類金属；これらの金属を含む合金（例えば、マグネシウム－銀、アルミニウム－リチウム）；ユーロピウム、イッテルビウム等の希土類金属；希土類金属を含む合金等が挙げられる。
　陰極は、通常、真空蒸着法やスパッタリング法で形成される。また、銀ペースト等を用いる場合は、塗布法やインクジェット法等を用いることができる。

　また、電子注入層が設けられる場合、仕事関数の大小に関わらず、アルミニウム、銀、ＩＴＯ、グラフェン、ケイ素もしくは酸化ケイ素を含有する酸化インジウム－酸化スズ等、種々の導電性材料を用いて陰極を形成することができる。これらの導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することができる。

（絶縁層）
　有機ＥＬ素子は、薄膜に電界を印加するため、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に薄膜絶縁層を挿入してもよい。
　絶縁層に用いられる物質の具体例としては、酸化アルミニウム、フッ化リチウム、酸化リチウム、フッ化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ゲルマニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。絶縁層には、これらの混合物を用いることもでき、また、これらの物質を含む複数の層の積層体とすることもできる。

（スペース層）
　スペース層は、例えば、蛍光発光層と燐光発光層とを積層する場合に、燐光発光層で生成する励起子の蛍光発光層への拡散の防止や、キャリアバランスの調整のために、両層間に設けられる。スペース層は、複数の燐光発光層の間等に設けることもできる。
　スペース層は、複数の発光層間に設けられるため、電子輸送性及び正孔輸送性を兼ね備えた物質で形成することが好ましい。また、隣接する燐光発光層内の三重項エネルギーの拡散を防止する観点から、三重項エネルギーが２．６ｅＶ以上であることが好ましい。
　スペース層に用いられる物質としては、上述した正孔輸送層に用いられる物質と同様のものが挙げられる。

（電子阻止層、正孔阻止層、励起子阻止層）
　発光層に隣接して、電子阻止層、正孔阻止層、励起子（トリプレット）阻止層等を設けてもよい。
　電子阻止層とは、発光層から正孔輸送層へ電子が漏出することを阻止する機能を有する層である。正孔阻止層とは、発光層から電子輸送層へ正孔が漏出することを阻止する機能を有する層である。励起子阻止層は、発光層で生成した励起子が隣接する層へ拡散することを阻止し、励起子を発光層内に閉じ込める機能を有する層である。

（中間層）
　タンデム型有機ＥＬ素子では、中間層が設けられる。

（層形成方法）
　有機ＥＬ素子の各層の形成方法は、別途の記載がない限り、特に限定されるものではない。形成方法としては、乾式成膜法、湿式成膜法等の公知の方法を用いることができる。乾式成膜法の具体例としては、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマ法、イオンプレーティング法等が挙げられる。湿式成膜法の具体例としては、スピンコーティング法、ディッピング法、フローコーティング法、インクジェット法等の各種塗布法が挙げられる。

（膜厚）
　有機ＥＬ素子の各層の膜厚は、別途の記載がない限り、特に限定されるものではない。膜厚が小さすぎると、ピンホール等の欠陥が生じやすく、十分な発光輝度が得られない。一方、膜厚が大きすぎると、高い駆動電圧が必要となり、効率が低下する。このような観点から、膜厚は、通常、１ｎｍ～１０μｍが好ましく、より好ましくは１ｎｍ～０．２μｍである。

［電子機器］
　本発明の一態様に係る電子機器は、上述した本発明の一態様に係る有機ＥＬ素子を備えている。電子機器の具体例としては、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品；テレビ、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ等の表示装置；照明、車両用灯具の発光装置等が挙げられる。

　次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容に何ら制限されるものではない。

＜化合物＞
　実施例１～２０の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１）で表される化合物を以下に示す。

　実施例１～２０の有機ＥＬ素子の製造に用いた、式（１１）で表される化合物を以下に示す。

　比較例１～５の有機ＥＬ素子の製造に用いた、比較化合物を以下に示す。

　実施例１～２０及び比較例１～５の有機ＥＬ素子の製造に用いた、他の化合物を以下に示す。

実施例１
（有機ＥＬ素子の作製）
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（陽極）付きガラス基板（ジオマティック株式会社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。ＩＴＯの膜厚は、１３０ｎｍとした。
　洗浄後の透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極が形成されている側の面上に透明電極を覆うようにして化合物ＨＡ－１を蒸着し、膜厚５ｎｍのＨＡ－１膜を形成した。このＨＡ－１膜は、正孔注入層として機能する。

　このＨＡ－１膜の成膜に続けて化合物ＨＴ－１を蒸着し、ＨＡ－１膜上に膜厚８０ｎｍのＨＴ－１膜を成膜した。このＨＴ－１膜は正孔輸送層（第１正孔輸送層）として機能する。
　ＨＴ－１膜の成膜に続けて化合物ＨＴ－２を蒸着し、ＨＴ－１膜上に膜厚１０ｎｍのＨＴ－２膜を成膜した。このＨＴ－２膜は電子阻止層（第２正孔輸送層）として機能する。
　ＨＴ－２膜上に化合物ＢＨ－１（ホスト材料）及び化合物ＢＤ－１（ドーパント材料）を化合物ＢＤ－１の割合が２質量％となるように共蒸着し、膜厚２５ｎｍのＢＨ－１：ＢＤ－１膜を成膜した。このＢＨ－１：ＢＤ－１膜は発光層として機能する。

　この発光層上に化合物ＥＴ－１を蒸着して、膜厚１０ｎｍのＥＴ－１膜を成膜した。このＥＴ－１膜は正孔障壁層として機能する。
　ＥＴ－１膜上に化合物ＥＴ－２を蒸着して、膜厚１５ｎｍのＥＴ－２膜を成膜した。このＥＴ－２膜は電子輸送層として機能する。このＥＴ－２膜上にＬｉＦを蒸着して、膜厚１ｎｍのＬｉＦ膜を形成した。このＬｉＦ膜上に金属Ａｌを蒸着して、膜厚８０ｎｍの金属陰極を形成し、有機ＥＬ素子を作製した。

　得られた有機ＥＬ素子の層構成は下記の通りである。
ＩＴＯ（１３０）／ＨＡ－１（５）／ＨＴ－１（８０）／ＨＴ－２（１０）／ＢＨ－１：ＢＤ－１（２５：２質量％）／ＥＴ－１（１０）／ＥＴ－２（１５）／ＬｉＦ（１）／Ａｌ（８０）
　括弧内の数字は膜厚（単位：ｎｍ）を表す。また、同じく括弧内において、パーセント表示された数字は、発光層におけるドーパント材料の割合（質量％）を示す。

（有機ＥＬ素子の評価）
　得られた有機ＥＬ素子の初期特性を、室温下、ＤＣ（直流）定電流１０ｍＡ／ｃｍ^２駆動で測定した。駆動電圧の測定結果を表１に示す。
　また、電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ^２となるように有機ＥＬ素子に電圧を印加し、ＥＬ発光スペクトルを分光放射輝度計ＣＳ－１０００（コニカミノルタ株式会社製）にて計測した。得られた分光放射輝度スペクトルから、外部量子効率ＥＱＥ（％）を算出した。結果を表１に示す。

実施例２～２０及び比較例１～５
　ホスト材料及びドーパント材料として表１に示す化合物を用いた以外、実施例１と同じ方法で有機ＥＬ素子を作製し、評価した。結果を表１－１～１－４に示す

　表１－１～１－４の結果から、特定のホスト材料と特定のドーパント材料を組み合わせた実施例１～２０の有機ＥＬ素子は、比較例１～５と比較して、高い外部量子効率を示すことが分かる。

　実施例で用いた側鎖に芳香族炭化水素基を有するＢＨ－１乃至ＢＨ－４は、電子輸送性が高く、正孔トラップ性の低いドーパント材料でも再結合領域の拡散を抑制でき、発光効率が向上する傾向がある。一方で、比較例１～５で用いた立体障害基を有しない、ホウ素原子と窒素原子で複数の芳香族環を連結したＢＤ－Ｃ１は、分子間相互作用に起因して、スペクトル幅が広くなったり、発光効率が低下したりする傾向がある。しかし、ホスト材料ＢＨ－１乃至ＢＨ－４の効果は、ドーパント材料ＢＤ－Ｃ１の分子間相互作用が強い場合には、十分には発揮されないことがわかった。

　これに対し、実施例で用いた、立体障害基を有する、ホウ素原子と窒素原子で複数の芳香族環を連結したＢＤ－１乃至ＢＤ－４と、ホスト材料ＢＨ－１乃至ＢＨ－５とを組み合わせると、ドーパント材料の分子間相互作用が抑制され、ホスト材料ＢＨ－１乃至ＢＨ－４による、発光効率の向上効果が発揮されることがわかる。

　前記式（１）で表される化合物が、上記立体障害性を有する基（即ち、分岐アルキル基又はシクロアルキル基）を少なくとも１つ有することにより、分子間相互作用に起因して、発光効率が向上する効果が得られる。

　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献、及び本願のパリ条約による優先権の基礎となる出願の内容を全て援用する。

Claims

　陰極と、
　陽極と、
　前記陰極と前記陽極との間に配置された発光層と、
を有し、
　前記発光層が、
下記式（１）で表される化合物と、
下記式（１１）で表される化合物と、
を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（１）中、
　Ａｒ_１は、Ｒ_３及びＲ_１３のいずれか一方又は両方と互いに結合して置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　Ａｒ_２は、Ｒ_５及びＲ_６のいずれか一方又は両方と互いに結合して置換もしくは無置換の複素環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の複素環を形成しない。
　前記置換もしくは無置換の複素環を形成しないＡｒ_１及びＡｒ_２は、それぞれ独立に、
環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素基、又は
環形成原子数５～５０の複素環基である。
　Ｒ_１～Ｒ_１３のうちの隣接する２つ以上の１組以上は、互いに結合して、置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成するか、あるいは置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環を形成しない。
　前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの少なくとも１つは、－Ｌ－Ｒ_９０８である。
　前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与せず、かつ－Ｌ－Ｒ_９０８ではないＲ_１～Ｒ_１３は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｌ－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基である。
　Ｌは、
単結合、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリーレン基である。
　Ｒ_９０８は、
置換もしくは無置換の炭素数３～５０の分岐アルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基である。
　Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換若しくは無置換の炭素数３～５０の分岐アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基である。
　Ｌが２個以上存在する場合、２個のＬは、同一でもよく、異なっていてもよい。
　Ｒ_９０１～Ｒ_９０８が２個以上存在する場合、２個以上のＲ_９０１～Ｒ_９０８のそれぞれは同一でもよく、異なっていてもよい。
　ｍ及びｎは、それぞれ独立に、Ａｒ_１及びＡｒ_２である環形成炭素数６～５０の芳香族炭化水素基に置換可能なＲ_１及びＲ_２の数である。ｍが２以上の場合、２以上のＲ_１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、ｎが２以上の場合、２以上のＲ_２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）

（式（１１）中、
　Ａｒ_１０１及びＡｒ_１０２は、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニルイル基、
置換もしくは無置換のターフェニルイル基、
置換もしくは無置換のアントリル基、
置換もしくは無置換のフェナントリル基、又は
置換もしくは無置換のベンゾフェナントリル基である。
　Ｌ_１０１及びＬ_１０２は、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換のフェニレン基、
置換もしくは無置換のナフチレン基、
置換もしくは無置換のビフェニルジイル基、
置換もしくは無置換のターフェニルジイル基、
置換もしくは無置換のアントリレン基、
置換もしくは無置換のフェナントリレン基、又は
置換もしくは無置換のベンゾフェナントリレン基である。
　Ｒ_１０１～Ｒ_１０４のうちの隣接する２つ以上、及びＲ_１０５～Ｒ_１０８のうちの隣接する２つ以上は、互いに結合して環を形成しない。
　Ｒ_１０１～Ｒ_１０８は、それぞれ独立に、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０のアルキル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルケニル基、
置換もしくは無置換の炭素数２～５０のアルキニル基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数３～５０のシクロアルキル基、
－Ｓｉ（Ｒ_９０１）（Ｒ_９０２）（Ｒ_９０３）、
－Ｏ－（Ｒ_９０４）、
－Ｓ－（Ｒ_９０５）、
－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、
置換もしくは無置換の環形成炭素数６～５０のアリール基、又は
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基である。
　Ｒ_９０１～Ｒ_９０７は、前記式（１）で定義した通りである。）
　前記式（１）における、前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの１～５個が、－Ｌ－Ｒ_９０８（式中、Ｌ及びＲ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。）である、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１）における、Ａｒ_１及びＡｒ_２の両方が、前記置換もしくは無置換の複素環を形成しない、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１）で表される化合物が、下記式（２）で表される化合物である、請求項１～３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（２）中、Ｒ_１～Ｒ_１３は、前記式（１）で定義した通りである。
　ｍ１及びｎ１は、それぞれ独立に、０～５の整数である。ｍ１が２以上の場合、２以上のＲ_１は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよく、ｎ１が２以上の場合、２以上のＲ_２は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
　前記式（１）で表される化合物が、下記式（３）で表される化合物である、請求項１～４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（３）中、Ｒ_４、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_１１及びＲ_１２は、前記式（１）で定義した通りである。
　Ｒ_１４～Ｒ_１９は、前記式（１）におけるＲ_１及びＲ_２と同じである。）
　前記式（１）における、前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの１つ以上が、それぞれ独立に、
－Ｌ－Ｒ_９０８（式中、Ｌ及びＲ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。）であり、
　前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与せず、かつ－Ｌ－Ｒ_９０８でもないＲ_１～Ｒ_１３が水素原子である、請求項１～５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１）で表される化合物が、下記式（５）で表される化合物である、請求項１～５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（５）中、
　Ｒ_４ｂは、水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基、
－Ｌ－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、又は
－Ｌ－Ｒ_９０８である。
　Ｒ_７ｃ、Ｒ_８ｃ、Ｒ_１１ｃ、Ｒ_１２ｃ及びＲ_１４ｃ～Ｒ_１９ｃは、それぞれ独立に、
水素原子、又は
－Ｌ－Ｒ_９０８である。
　Ｌ、Ｒ_９０６～Ｒ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。
　但し、Ｒ_４ｂ、Ｒ_７ｃ、Ｒ_８ｃ、Ｒ_１１ｃ、Ｒ_１２ｃ及びＲ_１４ｃ～Ｒ_１９ｃのうちの少なくとも１つは、－Ｌ－Ｒ_９０８である。）
　前記式（１）で表される化合物が、下記式（６）で表される化合物である、請求項１～７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（６）中、
　Ｒ_８ｄ、Ｒ_１１ｄ、Ｒ_１５ｄ及びＲ_１８ｄは、それぞれ独立に、－Ｌ_１－Ｒ_９０８ａである。
　Ｒ_４ｅは、
水素原子、
置換もしくは無置換の炭素数１～５０の直鎖アルキル基、
置換もしくは無置換の環形成原子数５～５０の１価の複素環基、
－Ｌ－Ｎ（Ｒ_９０６）（Ｒ_９０７）、又は
－Ｌ_１－Ｒ_９０８である。
　Ｌ、及びＲ_９０６～Ｒ_９０８は、前記式（１）で定義した通りである。
　Ｌ_１は、単結合である。
　Ｒ_９０８ａは、置換もしくは無置換の炭素数３～５０の分岐アルキル基である。）
　前記式（１）における、前記置換もしくは無置換の複素環の形成、及び前記置換もしくは無置換の飽和又は不飽和の環の形成のいずれにも関与しないＲ_１～Ｒ_１３のうちの少なくとも１つが、－Ｌ_１－Ｒ_９０８ｂ
（式中、
　Ｌ_１は、単結合であり、
　Ｒ_９０８ｂは、
置換もしくは無置換の炭素数４～５０の分岐アルキル基、又は
置換もしくは無置換の環形成炭素数４～５０のシクロアルキル基である）である、請求項１～８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１）におけるＬが単結合である、請求項１～９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
置換もしくは無置換のフェニル基、
置換もしくは無置換のナフチル基、
置換もしくは無置換のビフェニルイル基、
置換もしくは無置換のアントリル基、又は
置換もしくは無置換のフェナントリル基である、請求項１～１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１１）におけるＬ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
単結合、
置換もしくは無置換のフェニレン基、
置換もしくは無置換のナフチレン基、又は
置換もしくは無置換のビフェニルジイル基である、請求項１～１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１１）で表される化合物が、下記式（１２）で表される化合物である、請求項１～１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（１２）中、Ａｒ_１０１、Ａｒ_１０２、Ｌ_１０２及びＲ_１０１～Ｒ_１０８は、前記式（１１）で定義した通りである。）
　前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、下記式（ｂ１）～（ｂ６）で表される１価の基からなる群から選択される、請求項１～１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（ｂ１）～（ｂ６）中、
　Ｒ_ａは、環形成炭素数１～５０のアルキル基である。
　ｐは、０～５の整数である。
　ｑは、０～４の整数である。
　ｒは、０～３の整数である。
　Ｒ_ａが２以上ある場合、複数のＲ_ａは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
　前記式（１１）におけるＬ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、単結合、又は下記式（ｃ１）～（ｃ１９）で表される２価の基からなる群から選択される、請求項１～１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（ｃ１）～（ｃ１９）中、
　Ｒ_ａは、環形成炭素数１～５０のアルキル基である。
　ｐは、０～５の整数である。
　ｑは、０～４の整数である。
　ｒは、０～３の整数である。
　ｓは、０～２の整数である。
　Ｒ_ａが２以上ある場合、複数のＲ_ａは互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。）
　前記式（１１）におけるＲ_１０１～Ｒ_１０８が水素原子である、請求項１～１５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換のフェニル基、
無置換のナフチル基、
無置換のビフェニルイル基、
無置換のアントリル基、
無置換のフェナントリル基、又は
無置換のベンゾフェナントリル基である、請求項１～１０及び１２～１６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１１）におけるＬ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換のフェニレン基、又は
無置換のナフチレン基である、請求項１～１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換のフェニル基、又は
無置換のナフチル基であり、
　Ｌ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
単結合、
無置換のフェニレン基、又は
無置換のナフチレン基である、請求項１～１８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記式（１１）で表される化合物が、下記式（１３）で表される化合物である、請求項１～１９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

（式（１３）中、Ａｒ_１０１、Ａｒ_１０２及びＬ_１０２は、前記式（１１）で定義した通りである。）
　前記式（１１）におけるＡｒ_１０１及びＡｒ_１０２が、それぞれ独立に、
無置換の１－ナフチル基、又は
無置換の２－ナフチル基であり、
　Ｌ_１０１及びＬ_１０２が、それぞれ独立に、
単結合、又は
無置換のフェニレン基である、請求項１～２０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記陽極と前記発光層との間に正孔輸送層を有する請求項１～２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　前記陰極と前記発光層との間に電子輸送層を有する請求項１～２２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
　請求項１～２３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備える電子機器。