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WO2019117018A1 - ネガ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

ネガ型感光性樹脂組成物 Download PDF

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Publication number
WO2019117018A1
WO2019117018A1 PCT/JP2018/044977 JP2018044977W WO2019117018A1 WO 2019117018 A1 WO2019117018 A1 WO 2019117018A1 JP 2018044977 W JP2018044977 W JP 2018044977W WO 2019117018 A1 WO2019117018 A1 WO 2019117018A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
resin composition
photosensitive resin
negative photosensitive
compound
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/044977
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
光太郎 山田
高橋 秀幸
川島 正行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to KR1020207004577A priority Critical patent/KR102668383B1/ko
Priority to JP2019559594A priority patent/JP7375546B2/ja
Priority to CN201880080113.3A priority patent/CN111480114B/zh
Publication of WO2019117018A1 publication Critical patent/WO2019117018A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00Processes of polymerisation
    • C08F2/46Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C08F2/48Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation by ultraviolet or visible light
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G75/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing sulfur with or without nitrogen, oxygen, or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G75/02Polythioethers
    • C08G75/04Polythioethers from mercapto compounds or metallic derivatives thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/075Silicon-containing compounds

Definitions

  • the present invention relates to, for example, a negative photosensitive resin composition used for the production of optical elements such as quantum dot displays, TFT arrays, thin film solar cells and the like.
  • a method is used in which an organic layer such as a light emitting layer or an inorganic layer is a dot and pattern printing is performed by an inkjet (IJ) method Sometimes.
  • IJ inkjet
  • a partition is provided along the outline of the dot to be formed, and an ink containing the material of the organic layer or the inorganic layer is injected into a section (hereinafter also referred to as an opening) surrounded by the partition.
  • the resultant is then dried and / or heated to form dots of a desired pattern.
  • Patent Document 1 describes a technique of using a partition in the manufacture of an organic TFT and further imparting liquid repellency to the partition.
  • Patent Document 2 describes a compound having a (meth) allyl group, and two or more mercapto groups as a photosensitive composition which hardly causes film reduction in an exposed area during development, particularly in color filter applications, and has good sensitivity and adhesion.
  • a photosensitive resin composition containing a compound having the compound, a photopolymerization initiator, and an alkali-soluble resin.
  • the present invention is made from the above-mentioned viewpoint, and in order to apply to an optical element with high accuracy, the adhesion of the partition wall to the base material is good, and the residue in the opening can be reduced, for example It aims at provision of a negative photosensitive resin composition used for manufacture of optical elements, such as a quantum dot display, a TFT array, and a thin film solar cell.
  • the present invention has the following aspects.
  • R is a hydrogen atom or a methyl group
  • n is an integer of 2 or more
  • X is an n-valent organic group
  • Q is -CH 2 -or a single bond.
  • the thiol compound is contained in an amount of 0.0001 to 1 mol of a mercapto group with respect to 1 mol of ethylenic double bonds contained in the total solid content of the negative photosensitive resin composition
  • the adhesion of the partition to the base material is good and the residue in the opening can be reduced, for example, a quantum dot display, a TFT array, in order to apply to a highly accurate optical element.
  • the negative photosensitive resin composition used for manufacture of optical elements, such as a thin film solar cell, can be provided.
  • Acid value refers to the number of milligrams of potassium hydroxide required to neutralize resin acid and the like in 1 g of a sample. An acid value can be measured according to the measuring method of JISK 0070, and a unit is mgKOH / g.
  • (Meth) acryloyl group” is a generic term for "methacryloyl group” and "acryloyl group”. The same applies to (meth) acrylic acid and (meth) acrylate.
  • (Meth) allyl” is a generic term for "allyl” and “methallyl”.
  • (Iso) cyanurate” is a generic term for "cyanurate” and “isocyanurate”.
  • the group represented by formula (x) may be simply described as group (x). Moreover, the compound represented by Formula (y) may only be described as a compound (y).
  • the equation (x) and the equation (y) indicate arbitrary equations.
  • the "resin mainly composed of a certain component” or “the resin mainly composed of a certain component” means that the content ratio of the component occupies 50% by mass or more with respect to the total amount of the resin.
  • the “side chain” is a group other than a hydrogen atom or a halogen atom which is bonded to a carbon atom constituting the main chain in a polymer in which a repeating unit consisting of carbon atoms constitutes the main chain.
  • Total solid content of the photosensitive resin composition means a component which forms a cured film described later among the components contained in the photosensitive resin composition, and the photosensitive resin composition is heated at 140 ° C for 24 hours. The residue is obtained by removing the solvent. The total solid content can also be calculated from the preparation amount.
  • a film made of a cured product of a composition containing a resin as a main component is referred to as a "resin cured film".
  • coated the photosensitive resin composition on the base material is called “coating film”, and the film which dried it is called “drying film.”
  • a film obtained by curing the “dry film” is a “resin cured film”.
  • “resin cured film” may only be called “cured film.”
  • the cured resin film may be in the form of partition walls formed to divide a predetermined region on the substrate into a plurality of sections. For example, the following “ink” is injected into the section partitioned by the partition, that is, the opening surrounded by the partition, and “dots" are formed.
  • Ink is a general term for a liquid having an optical and / or electrical function after drying, curing, and the like.
  • optical elements such as quantum dot displays, TFT arrays, thin film solar cells, color filters and the like
  • dots as various constituent elements may be pattern printed by an ink jet (IJ) method using the ink for forming the dots.
  • IJ ink jet
  • “Ink” includes inks used in such applications.
  • Ink repellency is a property that repels the ink, and has water repellency and / or oil repellency.
  • the ink repellency can be evaluated, for example, by the contact angle when the ink is dropped.
  • the "ink affinity” is a property contrary to the ink repellency, and can be evaluated by the contact angle when the ink is dropped.
  • the ink affinity can be evaluated by evaluating the degree of wetting spread of the ink (wet spreadability of the ink) when the ink is dropped on the basis of a predetermined standard.
  • Dot refers to the smallest area that can be light modulated in an optical element.
  • an optical element such as a quantum dot display, a TFT array, a thin film solar cell, or a color filter
  • 1 dot 1 pixel in black and white display
  • 3 dots (R (red) and G (green) in color display. ), B (blue), etc.) 1 pixel.
  • Optical element in the present specification is used as a term including electronic devices.
  • % represents “% by mass”
  • part represents “part by mass”.
  • to representing a numerical range is a range that also includes a lower limit value and an upper limit value, respectively.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention is an alkali soluble resin containing an aromatic ring in the main chain and having an acid group and an ethylenic double bond in the molecule and having an acid value of 40 or more (hereinafter referred to as alkali soluble resin Characterized by containing (A), a photo radical polymerization initiator (hereinafter also referred to as a photo polymerization initiator (B)), and the compound (I) represented by the above formula (I) I assume.
  • the negative photosensitive resin composition is cured by exposure to form a cured film.
  • a non-exposed part will not harden
  • the cured film can be in the form of a partition in which the predetermined region is divided into a plurality of sections.
  • the alkali-soluble resin (A) and the compound (I) react with each other by the radicals generated from the photopolymerization initiator (B), and are cured. Form a cured film.
  • compound (I) functions as a crosslinking agent.
  • the present inventors have used an alkali-soluble resin (A) and a compound (I) in combination to form a cross-linking agent having a plurality of (meth) acryloyl groups conventionally used as a cross-linking agent and an alkali-soluble resin (A) While the adhesion to the substrate is improved and the pattern shape can be made better as compared to the case where the combination is combined, the affinity to the substrate is not high in the uncured state of the unexposed area, the developer Were found to be easy to be removed during the treatment with and to make it difficult for the residue to remain.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention further comprises, if necessary, an ink repellent agent, a thiol compound having two or more mercapto groups in one molecule (hereinafter also referred to as a thiol compound (C)), a compound (also referred to as a thiol compound). It contains a crosslinking agent having two or more ethylenic double bonds in the molecule other than I) (hereinafter also referred to as crosslinking agent (D)), a solvent, a colorant, a UV absorber, and other optional components.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention also contains, as an alkali soluble resin, a photosensitive resin having an acidic group and an ethylenic double bond in one molecule other than the alkali soluble resin (A). It is also good.
  • the alkali soluble resin is mainly composed of an alkali soluble resin (A).
  • the alkali-soluble resin (A) is a photosensitive resin containing an aromatic ring in its main chain and having an acid group and an ethylenic double bond in its molecule and having an acid value of 40 mg KOH / g or more.
  • the alkali-soluble resin (A) contains an aromatic ring in the main chain and has an acid value of 40 mg KOH / g or more, so the negative photosensitive resin composition obtained by combining with the compound (I) has a developability It becomes favorable, and coexistence of the base material adhesiveness in an exposure part and the reduction of the residue in a non-exposure part can be achieved.
  • the acid value is preferably 45 mg KOH / g or more, more preferably 50 mg KOH / g or more from the viewpoint of the residue.
  • the upper limit of the acid value of the alkali-soluble resin (A) is preferably 100 mg KOH / g, more preferably 80 mg KOH / g, from the viewpoint of adhesion to the substrate.
  • bivalent aromatic ring structures such as a phenylene group, a naphthylene group, an anthracenylene group, are mentioned.
  • the carbon atom in the aromatic ring may be substituted by a hetero atom such as an oxygen atom, a nitrogen atom or a sulfur atom.
  • a phenylene group is preferable, and a biphenyl group in which two phenylene groups are bonded is particularly preferable.
  • alkali-soluble resin (A) As an acidic group which alkali-soluble resin (A) has, Preferably, a carboxy group, phenolic hydroxyl group, a sulfo group, a phosphoric acid group etc. are mentioned, You may use 2 or more types together.
  • the acid value of the alkali-soluble resin (A) can be adjusted by the introduction amount of the acidic group.
  • the ethylenic double bond of the alkali-soluble resin (A) is preferably a double having addition polymerization such as (meth) acryloyl group, (meth) allyl group, vinyl group, vinyloxy group, vinyloxyalkyl group and the like.
  • a bond is mentioned, You may use together 2 or more types.
  • part or all of the hydrogen atoms in the ethylenic double bond may be substituted with an alkyl group, preferably a methyl group.
  • alkali-soluble resin (A) a resin (A1-1) having an aromatic ring in the main chain and having a side chain having an acidic group and a side chain having an ethylenic double bond, an aromatic ring in the main chain Resin containing an acid group and an ethylenic double bond (A1-2), an epoxy resin containing an acid group, and a side chain having an acid group and a side chain having an ethylenic double bond;
  • the monomer (A1-3) etc. which contain an aromatic ring in the part which comprises a chain are mentioned. Each of these may be used in combination of two or more.
  • the resin (A1-2) is prepared by reacting an epoxy resin containing an aromatic ring in its main chain with a compound having a carboxy group and an ethylenic double bond described later, and then reacting with a polyvalent carboxylic acid or an anhydride thereof.
  • a carboxy group can be introduced by reacting an epoxy resin containing an aromatic ring with a polyvalent carboxylic acid or an anhydride thereof in the main chain into which an ethylenic double bond has been introduced.
  • epoxy resin for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, trisphenol methane type epoxy resin, epoxy resin having naphthalene skeleton, the following formula (A1- Examples thereof include an epoxy resin having a biphenyl skeleton represented by 2a), an epoxy resin represented by the following formula (A1-2b), and an epoxy resin having a biphenyl skeleton represented by the following formula (A1-2c).
  • v is an integer of 1 to 50, preferably an integer of 2 to 10.
  • the hydrogen atoms of the benzene ring are each independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, halogen An atom or a part of hydrogen atoms may be substituted by a phenyl group which may be substituted by a substituent.
  • R31, R32, R33 and R34 each independently represent a hydrogen atom, a chlorine atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and w is an integer of 0 to 10) is there.
  • each benzene ring is independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen atom, or a phenyl group wherein some hydrogen atoms may be substituted by a substituent Group may be substituted, and u is an integer of 0 to 10.
  • the polyvalent carboxylic acid anhydride is reacted after reacting the epoxy resin represented by the formulas (A1-2a) to (A1-2c) with a compound having a carboxy group and an ethylenic double bond
  • a mixture of a dicarboxylic acid anhydride and a tetracarboxylic acid dianhydride is used as the polyvalent carboxylic acid anhydride.
  • the molecular weight can be controlled by changing the ratio of dicarboxylic acid anhydride to tetracarboxylic acid dianhydride.
  • Preferred examples of the compound having a carboxy group and an ethylenic double bond include (meth) acrylic acid, vinylacetic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, cinnamic acid, and salts thereof, ) Acrylic acid is particularly preferred.
  • the mass average molecular weight (hereinafter also referred to as Mw) of the alkali-soluble resin (A) is preferably 1.5 ⁇ 10 3 to 30 ⁇ 10 3 .
  • Mw is more preferably 2 ⁇ 10 3 or more.
  • Mw is more preferably 15 ⁇ 10 3 or less.
  • the number average molecular weight (hereinafter also referred to as Mn) is preferably 500 to 20 ⁇ 10 3 .
  • Mn is more preferably 1.0 ⁇ 10 3 or more, and Mn is more preferably 10 ⁇ 10 3 or less
  • the content of the alkali-soluble resin in the total solid content of the negative photosensitive resin composition is preferably 5 to 80%.
  • the content ratio is more preferably 10% or more.
  • the content ratio is more preferably 60% or less.
  • the photocurability and developability of a negative photosensitive resin composition are favorable in a content rate being the said range.
  • the compound (I) is a compound having n (n is 2 or more) ethylenic double bonds in the molecule and functioning as a crosslinking agent, as shown by the following formula (I).
  • Compound (I) does not have a polar functional group at the molecular end, and therefore does not have high affinity to a substrate. Therefore, it is easy to be removed at the time of processing with a developer, and a residue hardly remains.
  • R in CH 2 CRCR—Q— group is preferably a hydrogen atom.
  • n representing the number of CH 2 CRCR—Q groups is preferably 3 or more from the viewpoint of adhesion to a substrate. n is preferably 10 or less, more preferably 6 or less, from the viewpoint of solubility in a developer.
  • X is an n-valent organic group.
  • X is, for example, a linear (linear or branched, and may have a cyclic structure) hydrocarbon group, and an ester bond, an ether bond, or a terminal or between carbon atoms and carbon atoms, It may have an alkylene oxide bond, an amide bond, a urethane bond, -S- or a divalent amino group, and the hydrogen atom of the hydrocarbon group is a hydroxyl group, an epoxy group, a glycidyl group, an oxetanyl group, a mercapto group, an amino group, a nitro It may be substituted by a group, a carboxyl group, a sulfo group or a phosphate group. From the viewpoint of heat resistance, X is preferably an organic group having no ethylene double bond. When X is a chain hydrocarbon group, the number of carbon atoms in X is preferably 1 to 20, and more preferably 1
  • X is preferably a cyclic group.
  • X is a cyclic group, as in X, a ring-constituting atom in X is bonded to a CH 2 CRCR-Q- group directly or via an ester bond, ether bond, amide bond or urethane bond. It says a group.
  • the ring constituting the skeleton (hereinafter, simply referred to as a ring) is a hydrocarbon ring or a hetero ring, and may be an aromatic ring or an aliphatic ring.
  • the number of members of the ring is preferably 4 to 18 from the viewpoint of residue reduction.
  • the number of members of the ring is more preferably 5 or more.
  • the number of members of the ring is more preferably 12 or less.
  • the ring may be a single ring or a structure in which a plurality of rings are linked. When a plurality of rings are bonded, the total number of members of the plurality of rings is preferably within the range of the number of members of the above-mentioned rings.
  • the ring is preferably an aliphatic ring, more preferably a heteroaliphatic ring.
  • a hetero atom a nitrogen atom, an oxygen atom, a sulfur atom is mentioned, A nitrogen atom is preferable.
  • X is a cyclic group
  • specific examples of the ring include (iso) cyanuric ring, benzene ring, cyclohexane ring, adamantane ring, norbornene ring, tetraoxaspiroundecane ring, nadiimide ring, etc.
  • the cyanuric ring is preferred.
  • a compound having a reactive group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amino group or a carboxyl group (except when Q is a single bond), an isocyanate group or a halogen atom at the end of CH 2 CRCR—Q group;
  • Compounds having two or more reactive groups, such as polyhydric alcohols, polyhydric carboxylic acids or their acid anhydrides, polyhydric isocyanates, polyhydric amines, etc., compounds (I) Can be mentioned.
  • a compound having a hydroxyl group at the end of CH 2 CRCR—Q group is CH 2 CRCR—Q—OH, and the same applies to other groups.
  • the bonding end of the group X to the CH 2 CRCR—Q— group is constituted by an ester bond, an ether bond, an amide bond, a urethane bond or the like.
  • the compound (I) of the above (A) include trivinylcyclohexane, trimeth (allyl) cyclohexane, tri (meth) allyl (iso) cyanurate, di (meth) allyl monoglycidyl (iso) cyanurate, trivinyl (iso) ) Cyanurate, divinyl monoglycidyl (iso) cyanurate, ethoxylated (iso) cyanuric acid tri (meth) arylate, 3,9-divinyl-2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane, 3, 9-di (meth) allyl-2,4,8,10-tetraoxaspiro [5.5] undecane and the like can be mentioned.
  • Specific examples of the compound (I) in which the end of the group X is an ether bond include diethylene glycol di (meth) arylate, trimethylolpropane tri (meth) arylate, pentaerythritol tri (meth) arylate and pentaerythritol tetra (meth) arylate , Ditrimethylolpropane tetra (meth) arylate, dipentaerythritol penta (meth) arylate, dipentaerythritol hexa (meth) arylate, diethylene glycol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, pentaerythritol trivinyl ether, pentaerythritol tetravinyl ether, ditrimethylol Propane tetravinyl ether, dipentaerythritol pentavinyl ether, dipentaerythr
  • (Meth) allyl fumarate, di (meth) allyl endomethylene tetrahydroanhydride, tri (meth) allyl trimellitate, divinyl phthalate, divinyl isophthalate, divinyl terephthalate, divinyl maleate, divinyl fumarate, divinyl end methylenetetrahydroanhydride Phthalate, trivinyl trimellitate, etc. may be mentioned.
  • the compound (I) a compound represented by any one of the following formulas (I-1) to (I-5) is preferable, and a compound (I-1) in which X is a cyclic group, a compound (I-2) and compound (I-3) are more preferable, and triallyl isocyanurate is particularly preferable.
  • the compound in which X is a cyclic group has good diffusivity to the developer and can further reduce the residue of the opening.
  • triallyl isocyanurate is highly hydrophilic and can further reduce the residue of the opening.
  • R is a hydrogen atom or a methyl group
  • Q is -CH 2 -or a single bond.
  • the compounds (I) may be used in combination of two or more.
  • the content ratio of the compound (I) in the total solid content of the negative photosensitive resin composition is preferably 1 to 50%.
  • the content ratio is more preferably 5% or more.
  • the content ratio is more preferably 40% or less.
  • the photocurability and developability of a negative photosensitive resin composition are favorable in a content rate being the said range, and while the partition obtained by having base-material adhesiveness, the residue of an opening part is fully reduced. Furthermore, when used together with the ink repellent agent, the liquid repellency tends to be high.
  • the content ratio of the compound (I) to 100% of the alkali-soluble resin is preferably 5 to 500%.
  • the content ratio is more preferably 10% or more.
  • the content ratio is more preferably 100% or less.
  • the photopolymerization initiator (B) in the present invention is not particularly limited as long as it is a compound having a function as a photoradical polymerization initiator which generates a radical by an actinic ray.
  • Examples of the photopolymerization initiator (B) include those described in, for example, [0130], [0131] of WO2014 / 046209, and, for example, [0089], [0090] of WO2014 / 069478. Specifically, benzophenones, thioxanthones, aminobenzoic acids, aliphatic amines, acetophenones and oxime esters are disclosed.
  • photopolymerization initiators (B) benzophenones, thioxanthones, aminobenzoic acids and aliphatic amines are preferred because they may exhibit a sensitizing effect when used together with other radical initiators. Specifically, the combined use with acetophenones is more preferable, and the combined use of benzophenones and acetophenones or the combined use of thioxanthones and acetophenones is more preferable.
  • the photopolymerization initiator (B) may be used in combination of two or more.
  • the content ratio of the photopolymerization initiator (B) in the total solid content of the negative photosensitive resin composition is preferably 0.1 to 50%.
  • the content ratio is more preferably 0.5% or more, and particularly preferably 1% or more.
  • the content ratio is more preferably 30% or less, and particularly preferably 15% or less.
  • the photocurability and developability of a negative photosensitive resin composition are favorable in a content rate being the said range.
  • the ink repellent agent is a component optionally contained in the negative photosensitive resin composition of the present invention.
  • an ink repellent agent having a fluorine atom in its molecule (hereinafter also referred to as an ink repellent agent (E)) is preferable.
  • Ink repellent agent (E) when it has a fluorine atom in the molecule, moves to the upper surface in the process of forming a cured film using the negative photosensitive resin composition containing it (upper surface migration) and repellent Excellent in ink properties.
  • the upper layer portion including the upper surface of the obtained cured film becomes a layer in which the ink repellent agent (E) is densely present (hereinafter also referred to as ink repellent layer), and is cured. Ink repellency is imparted to the upper surface of the film.
  • the content of fluorine atoms in the ink repellent agent (E) is preferably 1 to 40%.
  • the content is more preferably 5% or more, and particularly preferably 10% or more.
  • the content is more preferably 35% or less, particularly preferably 32% or less.
  • Favorable ink repellency can be provided to the upper surface of a cured film when the content of fluorine atoms is at least the lower limit value of the above range, and the content is at most the upper limit value with other components in the negative photosensitive resin composition. Compatibility is good.
  • the ink repellent agent (E) in the ink repellent layer is not reactive per se, the polymerization of the photocurable component such as the alkali soluble resin (A) and the compound (I) in the negative photosensitive resin composition, It is present in embedded form in the cured resin obtained by the crosslinking reaction.
  • the photocurable component such as the alkali soluble resin (A) and the compound (I) in the negative photosensitive resin composition
  • the ink repellent agent (E) has an ethylenic double bond, whereby the ethylenic property of the ink repellent agent (E) transferred to the upper surface Radicals act on double bonds, and ink repellent agent (E) is mixed with other components having an ethylenic double bond contained in ink repellent agent (E) or ink repellent agent (E) and negative photosensitive resin composition by (co) polymerization Crosslinking becomes possible. This reaction is promoted by an optionally contained thiol compound (C) (described later).
  • the fixability in the upper layer part of the cured film of ink repellent agent (E), ie, an ink repellent layer can be improved.
  • the ink repellent agent (E) is used as the ink repellent layer even if the exposure amount at the time of exposure is low. It can be fixed well.
  • the surface of the cured film or partition in contact with the atmosphere is more susceptible to the reaction inhibition by oxygen, but the radical reaction by the thiol compound (C) is almost the inhibition by oxygen Since it does not receive, it is particularly advantageous for fixing the ink repellent agent (E) at a low exposure amount.
  • the ink repellent agent (E) can be sufficiently suppressed from being detached from the ink repellent layer or the top surface of the ink repellent layer being peeled off.
  • the ink repellent agent (E) examples include an ink repellent agent (E1) composed of a compound whose main chain is a hydrocarbon chain and which contains a fluorine atom in its side chain.
  • the ink repellent agent (E) may be a partial hydrolytic condensate of a hydrolyzable silane compound. Two or more hydrolyzable silane compounds may be used in combination.
  • an ink repellent agent (E) which consists of a partial hydrolytic condensate of a hydrolysable silane compound the following ink repellent agent (E2) is mentioned.
  • the ink repellent agent (E1) and the ink repellent agent (E2) are used alone or in combination.
  • the ink repellent agent (E1) is a compound whose main chain is a hydrocarbon chain and which contains a side chain having a fluorine atom.
  • the Mw of the ink repellent agent (E1) is preferably 100 to 1.0 ⁇ 10 6 .
  • the Mw is more preferably 5.0 ⁇ 10 3 or more.
  • Mw is more preferably 1.0 ⁇ 10 5 or less.
  • ink repellent agent (E1) examples include those described in, for example, [0079] to [0102] of WO 2014/046209, and, for example, [0144] to [0171] of WO 2014/069478.
  • the ink repellent agent (E2) is a partial hydrolysis condensate of a hydrolyzable silane compound mixture (hereinafter, also referred to as “mixture (M)”).
  • the mixture (M) is a hydrolyzable silane compound having a fluoroalkylene group and / or a fluoroalkyl group, and a group in which a hydrolyzable group is bonded to a silicon atom (hereinafter, “hydrolyzable silane compound (s1) ) As an essential component, and optionally includes hydrolyzable silane compounds other than the hydrolyzable silane compound (s1).
  • hydrolysable silane compound which a mixture (M) contains arbitrarily the following hydrolysable silane compounds (s2) and (s3) are mentioned.
  • a hydrolysable silane compound which a mixture (M) contains arbitrarily a hydrolysable silane compound (s2) is especially preferable.
  • Hydrolyzable silane compound (s2) a hydrolyzable silane compound in which four hydrolyzable groups are bonded to a silicon atom.
  • Hydrolyzable silane compound (s3) A hydrolyzable silane compound having a group having an ethylenic double bond and a group in which a hydrolyzable group is bonded to a silicon atom and containing no fluorine atom.
  • the mixture (M) can optionally contain one or more hydrolyzable silane compounds other than the hydrolyzable silane compounds (s1) to (s3).
  • hydrolyzable silane compounds include hydrolyzable silane compounds (s4) having only a hydrocarbon group and a hydrolyzable group as a group to be bonded to a silicon atom, and a mercapto group and a hydrolyzable group, and fluorine A hydrolyzable silane compound (s5) containing no atoms, a hydrolyzable silane compound (s6) containing an epoxy group and a hydrolysable group and containing no fluorine atom, an oxyalkylene group and a hydrolyzable silyl group And hydrolyzable silane compounds (s7) which do not contain a fluorine atom.
  • hydrolyzable silane compounds (s1) to (s3) and the other hydrolyzable silane compounds for example, [0034] to [0072] of WO2014 / 046209, for example, [0096] to [0136] of WO2014 / 069478. And the like.
  • Specific examples of the compound (s1) include F (CF 2 ) 4 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 , F (CF 2 ) 6 CH 2 CH 2 Si (OCH 3 ) 3 and F (CF 2 ) 3 OCF (CF 3) CF 2 O (CF 2) 2 CH 2 CH 2 Si (OCH 3) 3 and the like.
  • Specific examples of the compound (s2) include Si (OCH 3 ) 4 and Si (OCH 2 CH 3 ) 4 .
  • Specific examples of the compound (s3) include CH 2 CHCHCOO (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 and CH 2 CC (CH 3 ) COO (CH 2 ) 3 Si (OCH 3 ) 3 .
  • n1 to n3 represent the mole fraction of each constitutional unit relative to the total molar amount of the constitutional unit.
  • n1> 0, n2 ⁇ 0, n3 ⁇ 0, n1 + n2 + n3 1.
  • n1: n2: n3 correspond to the feed composition of the compounds (s1), (s2) and (s3) in the mixture (M).
  • the molar ratio of each component is designed from the balance of the effects of each component.
  • n1 is preferably 0.02 to 0.4 in an amount such that the content of fluorine atoms in the ink repellent agent (E1) falls within the above-mentioned preferable range.
  • n2 is preferably 0 to 0.98, particularly preferably 0.05 to 0.6.
  • n3 is preferably 0 to 0.8, and particularly preferably 0.2 to 0.5.
  • the Mw of the ink repellent agent (E2) is preferably 500 or more, preferably less than 1.0 ⁇ 10 6 , and particularly preferably 5.0 ⁇ 10 3 or less.
  • ink repellent agent (E2) is easy to shift to the upper surface. If it is less than the upper limit value, the opening residue is preferably reduced.
  • Mw of ink repellent agent (E2) can be adjusted with manufacturing conditions.
  • the ink repellent agent (E2) can be produced by subjecting the mixture (M) described above to hydrolysis and condensation reaction by a known method.
  • a catalyst a commonly used inorganic acid such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid or phosphoric acid, or an organic acid such as acetic acid, oxalic acid or maleic acid.
  • alkali catalysts such as sodium hydroxide and tetramethyl ammonium hydroxide (TMAH), as needed.
  • TMAH tetramethyl ammonium hydroxide
  • a well-known solvent can be used for the said reaction.
  • the ink repellent agent (E2) obtained by the above reaction may be blended with the solvent in the form of a solution in the negative photosensitive resin composition.
  • the content ratio of the ink repellent agent (E) in the total solid content of the negative photosensitive resin composition is preferably 0.01 to 15%.
  • the content ratio is more preferably 0.03% or more.
  • the content ratio is more preferably 5% or less, particularly preferably 1.5% or less.
  • the upper surface of the cured film formed from a negative photosensitive resin composition as the content rate is more than the lower limit of the said range has excellent ink repellency.
  • the adhesiveness of a cured film and a base material becomes favorable as it is below the upper limit of the said range.
  • the thiol compound (C) optionally contained in the negative photosensitive resin composition of the present invention is a compound having two or more mercapto groups in one molecule.
  • the radical of the thiol compound (C) is generated by the radical generated from the photopolymerization initiator (B) at the time of exposure to cause the alkali-soluble resin ( A)
  • a so-called ene-thiol reaction occurs which acts on ethylenic double bonds such as compound (I).
  • This ene-thiol reaction has high chain transferability because it does not suffer from reaction inhibition by oxygen, unlike ordinary ethylenic double bond radical polymerization, and it also cures at the same time as polymerization, so a cured product
  • the shrinkage rate at the time of becoming is also low, and it has advantages such as being easy to obtain a uniform network.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention contains the thiol compound (C), it can be sufficiently cured even with a low exposure amount as described above, so the developability becomes good, and the base material in the exposed area It can contribute to the coexistence of the adhesion and the reduction of the residue in the non-exposed area.
  • the thiol compound (C) when the thiol compound (C) is contained, photocuring is sufficiently performed even in the upper layer portion including the upper surface of the partition which is particularly susceptible to reaction inhibition by oxygen. Therefore, when the negative photosensitive resin composition further contains an ink repellent agent, the thiol compound (C) can also contribute to imparting good ink repellency to the upper surface of the partition.
  • the number of mercapto groups in the thiol compound (C) is preferably 2 to 10, more preferably 3 to 8, and still more preferably 3 to 5 in one molecule.
  • the molecular weight of the thiol compound (C) is not particularly limited.
  • the mercapto group equivalent (hereinafter also referred to as SH equivalent) represented by [molecular weight / number of mercapto groups] in the thiol compound (C) is preferably 40 to 1,000, from the viewpoint of curability at a low exposure amount, -500 are more preferable, and 40-250 are particularly preferable.
  • thiol compound (C) examples include tris (2-mercaptopropanoyloxyethyl) isocyanurate, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), trimethylolpropane tristhioglycolate, pentaerythritol tristhioglycolide.
  • the content ratio thereof is a mercapto group with respect to 1 mol of ethylenic double bonds contained in the total solid in the negative photosensitive resin composition.
  • the amount is preferably 0.0001 to 1 mole.
  • the content ratio is more preferably 0.0005 mol or more, and particularly preferably 0.001 mol or more.
  • the content is more preferably 0.5 mol or less.
  • the content of the thiol compound (C) in the total solid content is preferably 1 to 20%.
  • the content ratio is more preferably 3% or more.
  • the content ratio is more preferably 15% or less.
  • the crosslinking agent (D) optionally contained in the negative photosensitive resin composition of the present invention is an alkali soluble resin (A), an ink repellent agent (E), and two or more in one molecule other than the compound (I). It is a compound having an ethylenic double bond.
  • the negative photosensitive resin composition contains the crosslinking agent (D) in addition to the compound (I), whereby the curability of the negative photosensitive resin composition at the time of exposure is further improved, and the cured film is efficiently obtained. It can be formed.
  • the crosslinking agent (D) preferably has an ethylenic double bond in the (meth) acryloyl group.
  • ethylenic double bonds For example, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, ethoxylated isocyanurate tri (meth) acrylate, urethane acrylate and the like Is preferred.
  • the crosslinking agent (D) may be used in combination of two or more.
  • the negative photosensitive resin composition contains a crosslinking agent (D)
  • its content is preferably 1 to 2000%, more preferably 1 to 1000%, relative to 100% of the compound (I).
  • the content of the crosslinking agent (D) in the total solid content is preferably 1 to 70%.
  • the content ratio is more preferably 5% by mass or more. On the other hand, the content ratio is more preferably 50% or less.
  • the ratio of the total amount of the compound (I) and the crosslinking agent (D) to 100% of the alkali-soluble resin is preferably 1 to 1400%.
  • the proportion of the total amount is more preferably 10% or more.
  • the proportion of the total amount is more preferably 500%.
  • solvent By containing the solvent, the viscosity of the negative photosensitive resin composition of the present invention is reduced, and the negative photosensitive resin composition can be easily applied to the substrate surface. As a result, the coating film of the negative photosensitive resin composition of uniform film thickness can be formed.
  • a well-known solvent is used as a solvent.
  • the solvent may be used in combination of two or more.
  • the solvent examples include alkylene glycol alkyl ethers, alkylene glycol alkyl ether acetates, alcohols, solvent naphthas and the like.
  • at least one solvent selected from the group consisting of alkylene glycol alkyl ethers, alkylene glycol alkyl ether acetates, and alcohols is preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol
  • the content of the solvent in the negative photosensitive resin composition is preferably 50 to 99% with respect to the total amount of the composition.
  • the content ratio is more preferably 60% or more, and particularly preferably 65% or more.
  • the content ratio is more preferably 95% or less, and particularly preferably 90% or less.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention contains a coloring agent in the case of providing a light shielding property to a cured film, in particular, a partition depending on the use.
  • a coloring agent in the case of providing a light shielding property to a cured film, in particular, a partition depending on the use.
  • the colorant in the present invention include carbon black, aniline black, anthraquinone black pigment, indole black pigment, perylene black pigment and the like.
  • Mixtures of organic and / or inorganic pigments such as red pigments, blue pigments and green pigments can also be used.
  • the content ratio of the colorant in the total solid content is preferably 5 to 65%.
  • the content ratio is more preferably 10% or more.
  • the content ratio is more preferably 50% or less.
  • the negative photosensitive resin composition obtained as it is the said range has a favorable sensitivity, and the partition formed is excellent in light-shielding property.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention may contain an ultraviolet absorber having absorption in the ultraviolet region having a wavelength of 200 to 400 nm, in particular an ultraviolet absorber having reactivity. You may use together 2 or more types of ultraviolet absorbers.
  • the ultraviolet absorber appropriately absorbs light irradiated during exposure, whereby curing in the vicinity of the substrate interface is suppressed, and development residues in the opening portion Can also contribute to the reduction of
  • the reactivity of the ultraviolet absorber is preferably photoreactivity. It is obtained by reacting with a reactive component such as a photocurable alkali-soluble resin (A) or compound (I) when the negative photosensitive resin composition is cured if the ultraviolet absorber has reactivity. It is firmly fixed to the cured film or partition wall. Thereby, the bleed out from the cured film or partition wall of the ultraviolet absorber is suppressed to a low level.
  • a reactive component such as a photocurable alkali-soluble resin (A) or compound (I)
  • the ultraviolet absorber is preferably a compound having a benzophenone skeleton, a benzotriazole skeleton, a cyanoacrylate skeleton or a triazine skeleton, and as the reactive group, a group having an ethylenic double bond, for example, a (meth) acryloyl group is preferable.
  • the ultraviolet absorber preferably, the reactive ultraviolet absorber may be used in combination of two or more.
  • the content ratio of the ultraviolet absorber in the total solid content is preferably 0.01 to 20%.
  • the content ratio is more preferably 0.1% or more, and particularly preferably 0.5% or more.
  • the content ratio is more preferably 15% or less, and particularly preferably 10% or less.
  • the content ratio of the ultraviolet light absorber to 100% of the alkali-soluble resin is preferably 0.1 to 300%.
  • the content ratio is more preferably 0.8% or more.
  • the content ratio is more preferably 100% or less.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention may further contain, if necessary, a polymer dispersant, a dispersion aid, a silane coupling agent, fine particles, a curing accelerator, a thickener, a plasticizer, an antifoaming agent, and a leveling agent. Two or more other additives such as an agent and an anti-repelling agent may be contained, respectively.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention is obtained by mixing predetermined amounts of the above-mentioned respective components.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention can be used, for example, in the manufacture of optical elements such as quantum dot displays, TFT arrays, thin film solar cells, color filters and the like. Specifically, the effect can be exhibited particularly by using for forming a cured film or a partition used for an optical element such as a quantum dot display, a TFT array, a thin film solar cell or the like.
  • a negative photosensitive resin composition containing an ink repellent agent if used, it is possible to produce a cured film having excellent ink repellency on the upper surface, in particular, a partition wall.
  • the ink repellent agent (E) most of the ink repellent agent (E) is sufficiently fixed to the ink repellent layer, and is present at a low concentration in the partition below the ink repellent layer Since the ink repellent agent (E) is also sufficiently photocured on the partition walls, it is difficult for the ink repellent agent (E) to migrate into the opening portion surrounded by the partition walls at the time of development, and hence an opening where the ink can be uniformly applied. Part is obtained.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention is applied to the surface of a substrate such as a substrate, and optionally dried. After removing the solvent and the like, it is obtained by curing by exposure.
  • the cured resin film obtained exhibits a particularly remarkable effect when used in an optical element, in particular, a quantum dot display, a TFT array, and a thin film solar cell.
  • the partition which consists of a resin cured film using the negative photosensitive resin composition of this invention is formed in the form which divides a substrate surface into some division for dot formation.
  • the partition wall is masked after exposure to a portion to be a dot formation partition before exposure to a coating film made of a negative photosensitive resin composition, and then development is performed. It is obtained by doing. By development, the non-exposed portions are removed by masking, and the openings corresponding to the dot-forming sections are formed together with the partition walls.
  • the partition walls according to the embodiments of the present invention exhibit particularly remarkable effects when used in optical elements, in particular, quantum dot displays, TFT arrays, and thin film solar cells.
  • the drying method may, for example, be heating and drying, drying under reduced pressure and drying under reduced pressure.
  • the heating temperature is preferably 50 to 120.degree.
  • the light irradiated during exposure is preferably light having a wavelength of 100 to 600 nm, more preferably light having a wavelength of 300 to 500 nm, particularly preferably light including i-line (365 nm), h-line (405 nm) or g-line (436 nm). In addition, light of 330 nm or less may be cut as needed.
  • Exposure amount In any of the above exposure method, for example, preferably 5 ⁇ 1,000mJ / cm 2, more preferably 5 ⁇ 500mJ / cm 2, more preferably 5 ⁇ 300mJ / cm 2, 5 ⁇ 200mJ / cm 2 is particularly preferred, and 5 to 50 mJ / cm 2 is most preferred.
  • the exposure amount is suitably optimized by the wavelength of the light to irradiate, the composition of a negative photosensitive resin composition, the thickness of a coating film, etc.
  • the exposure time per unit area is not particularly limited, and is designed based on the exposure power of the exposure apparatus used and the required exposure amount. In the case of scan exposure, the exposure time can be obtained from the light scanning speed.
  • the exposure time per unit area is usually about 1 to 60 seconds.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention crosslinking of the alkali-soluble resin (A) by the compound (I) is carried out in the exposure section together with radical polymerization of the alkali-soluble resin (A) at the time of exposure.
  • the curability of alkali-soluble resin (A) in a cured film improves, and the favorable cured film of base-material adhesiveness is obtained.
  • a cured film having the same curability as the conventional cured film can be obtained even with a low exposure amount.
  • the development is carried out using an alkaline developer, thereby forming barrier ribs and openings.
  • an alkaline developer thereby forming barrier ribs and openings.
  • removal of the non-exposed area is easy, and the residue at the opening is reduced.
  • the cured portion which is an exposed portion, is resistant to erosion and peeling by an alkaline developer during development. Therefore, since the exposed portion is not easily affected by long-term development, it is advantageous for removing the residue of the opening.
  • the negative photosensitive resin composition contains an ink repellent agent
  • an ink repellent layer is formed on the uppermost layer including the upper surface of the partition, and an alkali soluble resin (A) is mainly formed on the lower side of the ink repellent layer.
  • Compound (I) and optionally contained thiol compound (C), crosslinking agent (D), and other photocurable components are photocured to form a layer containing substantially no ink repellent agent.
  • the partition may be further heated.
  • the heating temperature is preferably 130 to 250 ° C. The heating makes the hardening of the partition stronger.
  • the ink repellent agent is contained, the ink repellent agent is fixed more firmly by the ink repellent layer.
  • the partition is provided
  • the substrate may be subjected to UV / ozone treatment.
  • the partition formed of the negative photosensitive resin composition of the present invention preferably has a width of, for example, 100 ⁇ m or less, and particularly preferably 20 ⁇ m or less. Further, the distance between adjacent partition walls (the width of the pattern) is preferably 300 ⁇ m or less, and particularly preferably 100 ⁇ m or less. The height of the partition wall is preferably 0.05 to 50 ⁇ m, and particularly preferably 0.2 to 10 ⁇ m.
  • the partition formed from the negative photosensitive resin composition of this invention has few unevenness
  • the partition which concerns on this invention can be utilized as a partition which makes the opening part an ink injection area
  • the partition has ink repellency
  • the opening surrounded by the partition wall has good wettability of the ink, it is possible to print the ink uniformly on a desired area without the occurrence of repelling or the like.
  • the cured resin film obtained using the negative photosensitive resin composition of the present invention preferably has a water contact angle of 60 degrees or more on the surface, and more preferably 80 degrees or more.
  • the water contact angle can be easily set in the above range, and in particular, 80 degrees or more can be easily achieved.
  • the contact angle of a propylene-glycol-monomethyl-ether acetate (PGMEA) is 30 degrees or more on the surface, and the said resin cured film has 40 degrees or more more preferable.
  • the PGMEA contact angle can be easily set to the above range, and when a high PGMEA contact angle is required, the negative photosensitive resin composition can be used as the ink repellent agent. It is preferable to contain.
  • a resin cured film is formed on a base material, and is used as it is.
  • the surface of the cured resin film means the upper surface of the cured resin film.
  • the ink repellent property on the surface of the resin cured film is similarly expressed on the upper surface of the partition wall. That is, regardless of whether the ink used in the IJ method is aqueous or oil-based, the upper surface of the partition has the property of sufficiently repelling the ink, and the contamination and repelling of the ink can be sufficiently suppressed at the opening.
  • the contact angle is measured for each water droplet or PGMEA droplet by placing water droplets or PGMEA droplets on three positions on the surface of the cured film in accordance with JIS R 3257 "Wettability test method for substrate glass surface" by static droplet method. . Drops are at 2 ⁇ l / droplet and measurements are made at 20 ° C. The contact angle is determined from the average value of three measurements.
  • the partition according to the present invention is an optical element having a partition located between dots adjacent to a plurality of dots on the substrate surface on which dots are formed by the IJ method, particularly a quantum dot display, a TFT array, a partition of a thin film solar cell Useful as.
  • An optical element having a partition formed using the negative photosensitive resin composition of the present invention in particular, a quantum dot display, a TFT array or a thin film solar cell has a residue at the opening partitioned by the partition as described above Since the ink is reduced, it is possible for the ink to spread uniformly and uniformly. Furthermore, the partition wall is excellent in the adhesion to a substrate. If the adhesion between the partition walls and the base material is insufficient, for example, the ink may cause problems due to the diffusion outside the opening.
  • the partition wall is, for example, an inorganic oxide such as glass, aluminum oxide, tantalum oxide or titanium oxide, an inorganic nitride such as silicon nitride or aluminum nitride, polyimide, polyamide, polyester, polyacrylate, radical photopolymerization system, photo cationic polymerization Al, Au, etc., which are excellent in adhesion to substrates made of insulating materials such as organic light curing resins, copolymers containing an acrylonitrile component, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol, novolac resin, organic compounds such as cyanoethyl pullulan, etc.
  • the optical element having the partition according to the present invention is an optical element having dots formed with high accuracy, in particular, a quantum dot display, by the improvement of the base material adhesion of the partition and the reduction of the residue of the opening. It is a TFT array or a thin film solar cell.
  • the quantum dot display can be manufactured, for example, as follows, but is not limited thereto.
  • a translucent electrode such as ITO is deposited on a translucent substrate such as glass by sputtering or the like. This translucent electrode is patterned as needed.
  • partition walls are formed in a grid shape in plan view along the outline of each dot by photolithography including application, exposure and development.
  • the electrically emitting nanoparticle solution is applied and dried to prepare a module . Thereby, a quantum dot display having excellent color reproducibility can be obtained.
  • a TFT array element In a TFT array element, a plurality of dots are arranged in a matrix in plan view, a TFT is provided on each dot as a pixel electrode and a switching element for driving the same, and an inorganic semiconductor layer as a semiconductor layer including a channel layer of the TFT Or an element in which an organic semiconductor layer is used.
  • the organic TFT array element is provided, for example, as a TFT array substrate in a liquid crystal element.
  • the TFT array can be manufactured, for example, as follows, but is not limited thereto.
  • a gate electrode of aluminum or an alloy thereof is formed on a light-transmitting substrate such as glass by sputtering or the like. The gate electrode is patterned as needed.
  • a gate insulating film such as silicon nitride is formed by plasma CVD or the like.
  • the source electrode and the drain electrode may be formed on the gate insulating film.
  • the source electrode and the drain electrode can be formed by, for example, forming a metal thin film of aluminum, gold, silver, copper, or an alloy thereof by vacuum evaporation or sputtering.
  • the source electrode and the drain electrode As a method of patterning the source electrode and the drain electrode, after forming a metal thin film, the resist is applied, exposed and developed to leave the resist on the portion where the electrode is to be formed, and then exposed with phosphoric acid or aqua regia There is a method of removing metal and finally removing the resist.
  • a metal thin film such as gold
  • the resist is coated in advance, exposed and developed to leave the resist on the portion where the electrode is not desired to be formed, and then the metal thin film is formed.
  • the source electrode and the drain electrode may be formed by a method such as ink jet using metal nanocolloid such as silver or copper.
  • partition walls are formed in a grid shape in plan view along the outline of each dot by photolithography including application, exposure and development.
  • a semiconductor solution is applied in the dots by the IJ method, and the solution is dried to form a semiconductor layer.
  • an organic semiconductor solution or an inorganic coating type oxide semiconductor solution can also be used.
  • the source electrode and the drain electrode may be formed using a method such as inkjet after the formation of the semiconductor layer.
  • a transparent electrode such as ITO is formed by sputtering or the like, and a protective film such as silicon nitride is formed.
  • Examples 1 to 17 are Examples, and Examples 18 to 20 are Comparative Examples.
  • the column was maintained at 37 ° C., and tetrahydrofuran was used as an eluent at a flow rate of 0.2 mL / min, and 40 ⁇ L of a 0.5% tetrahydrofuran solution of a measurement sample was injected.
  • Alkali-soluble resin (A) A1: Resin in which cresol novolac type epoxy resin is reacted with acrylic acid and then 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, and acryloyl group and carboxy group are introduced with hexane and purified with hexane (alkali soluble resin A1), acid value 80 mg KOH / g).
  • alkali soluble resin A1 Resin in which cresol novolac type epoxy resin is reacted with acrylic acid and then 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, and acryloyl group and carboxy group are introduced with hexane and purified with hexane
  • alkali soluble resin A1 Resin in which cresol novolac type epoxy resin is reacted with acrylic acid and then 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride, and acryloyl group and carboxy group are introduced with hexane and purified with hexane (alkali soluble
  • A2 Resin obtained by reacting a bisphenol A type epoxy resin with acrylic acid and then with 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride to introduce an acryloyl group and a carboxy group with hexane (alkali soluble resin A2), acid value 50 mg KOH / g).
  • the composition (70% of solid content, 30% of PGMEA) of alkali-soluble resin (A2) was used in manufacture of a negative photosensitive resin composition.
  • the temperature is maintained at 70 ° C. for 4 hours, and then cooled to room temperature, and the Mw is 12,800, the dispersion degree is 2.5, and the acid value is 34 mg KOH / g A-R-1) was obtained.
  • a composition solid content 33%, PGMEA 67%) of an alkali-soluble resin (A-R-1) was used.
  • Resin prepared by reacting cresol novolac type epoxy resin with acrylic acid and then 1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride and introducing acryloyl group and carboxy group with hexane Alkali-soluble resin (A-R-2), acid value 30 mg KOH / g).
  • Alkali-soluble resin (A-R-2) solid content 70%, PGMEA 30%
  • Copolymer 1 (50.0 g), AOI (21.7 g), DBTDL (0.087 g), BHT (1.1 g) in a 300 mL glass flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a heating device And MEK (128.1 g) were charged and reacted at 40 ° C. for 48 hours while stirring to obtain a solution of a polymer (E1-1).
  • Heptane was added to the MEK solution of the obtained polymer (E1-1), reprecipitation purification was performed, and vacuum drying was performed to obtain 64.1 g of the polymer (E1-1).
  • Mn was 36520
  • Mw was 68610
  • the content of fluorine atoms was 14.7%.
  • Copolymer 2 (50.0 g), AOI (21.7 g), DBTDL (0.087 g), BHT (1.1 g) in a 300 mL glass flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a heating device And MEK (128.1 g) were charged and reacted at 40 ° C. for 48 hours while stirring to obtain a solution of a polymer (E1-2).
  • Heptane was added to the MEK solution of the obtained polymer (E1-2), reprecipitation purification was performed, and vacuum drying was performed to obtain 63.8 g of a polymer (E1-2).
  • Mn was 18460
  • Mw was 48890
  • the fluorine atom content was 20.7%.
  • UV absorber UVA-1; 2,4-dihydroxybenzophenone UVA-2; 2- (2'-hydroxy-5'-methacryloyloxyethylphenyl) -2H-benzotriazole surfactant; BYK 302 (manufactured by Bick Chemie) (solvent) PGME; propylene glycol monomethyl ether EDM; diethylene glycol ethyl methyl ether PGMEA; propylene glycol monomethyl ether acetate
  • Example 1 (Production of Negative-type Photosensitive Resin Composition) Alkali-soluble resin (A), compound (I), photopolymerization initiator (B), thiol compound (C), crosslinking agent (D), reactive ultraviolet absorber, surfactant, and solvent shown in Table 1
  • the composition was put in a 200 cm 3 stirring container so as to have the composition shown in Table 1, and stirred for 3 hours to produce a negative photosensitive resin composition 1.
  • the above negative photosensitive resin composition 1 is applied to the surface of the glass substrate obtained above using a spinner, and then dried on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes to form a dry film having a thickness of 2.4 ⁇ m. Formed. With respect to the obtained dried film, UV light of the ultrahigh pressure mercury lamp whose exposure power (exposure output) of 365 nm conversion is 300 mW / cm 2 was irradiated on the entire surface at one time. By this method, the irradiation time was adjusted so that the exposure amount was 50 mJ / cm 2 to manufacture a cured film. In any case, light of 330 nm or less was cut off during exposure.
  • the glass substrate after the above-mentioned exposure processing was subjected to immersion processing in a 2.38% aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide for 60 seconds, rinsed with water, and then dried. Next, this was heated on a hot plate at 230 ° C. for 60 minutes to obtain a cured film without an opening.
  • the photomask used had a line / space design of 20 ⁇ m / 50 ⁇ m, 10 ⁇ m / 50 ⁇ m, 8 ⁇ m / 50 ⁇ m, 6 ⁇ m / 50 ⁇ m, 4 ⁇ m / 50 ⁇ m.
  • the glass substrate after the above-mentioned exposure processing was developed by being immersed in a 2.38% aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide for 60 seconds, and the non-exposed portion was washed away with water and dried. Then, it is heated on a hot plate at 230 ° C. for 60 minutes to form a cured film with a spacing of 50 ⁇ m and five lines each having a width of 20 ⁇ m, 10 ⁇ m, 8 ⁇ m, 6 ⁇ m, and 4 ⁇ m. Patterned film 1 was obtained.
  • the above negative photosensitive resin composition 1 is coated on the organic film of the obtained glass substrate with an organic film using a spinner, and then dried on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes to obtain a film thickness of 2.
  • a dry film of 4 ⁇ m was formed.
  • UV light of an ultra-high pressure mercury lamp having an exposure power (exposure output) in terms of 365 nm of 300 mW / cm 2 was simultaneously irradiated on the entire surface through a photomask (exposure amount is 50 mJ / cm 2 ). At the time of exposure, light of 330 nm or less was cut.
  • the separation distance between the dry film and the photomask was 50 ⁇ m.
  • the photomask used had a line / space design of 20 ⁇ m / 50 ⁇ m, 10 ⁇ m / 50 ⁇ m, 8 ⁇ m / 50 ⁇ m, 6 ⁇ m / 50 ⁇ m, 4 ⁇ m / 50 ⁇ m.
  • the glass substrate after the above-mentioned exposure processing was developed by being immersed in a 2.38% aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide for 60 seconds, and the non-exposed portion was washed away with water and dried. Then, it is heated on a hot plate at 230 ° C. for 60 minutes to form a cured film with a spacing of 50 ⁇ m and five lines each having a width of 20 ⁇ m, 10 ⁇ m, 8 ⁇ m, 6 ⁇ m, and 4 ⁇ m. Patterned film 2 was obtained.
  • the substrate having an ITO layer on a glass substrate is coated with the above negative photosensitive resin composition 1 using a spinner on the ITO layer, and then dried on a hot plate at 100 ° C. for 2 minutes, A dry film having a thickness of 2.4 ⁇ m was formed.
  • the obtained dried film has an exposure pattern (exposure output) equivalent to 365 nm of 300 mW / cm through a photomask having a pattern of openings (a lattice pattern of 100 ⁇ m ⁇ 200 ⁇ m for the light shielding portion and 20 ⁇ m for the light transmitting portion).
  • the UV light of the extra-high pressure mercury lamp which is 2 was collectively irradiated on the whole surface (exposure amount is 50 mJ / cm 2 ). At the time of exposure, light of 330 nm or less was cut. Moreover, the separation distance between the dry film and the photomask was 50 ⁇ m.
  • the glass substrate after the above-mentioned exposure processing was developed by being immersed in a 2.38% aqueous solution of tetramethyl ammonium hydroxide for 60 seconds, and the non-exposed portion was washed away with water and dried.
  • a patterned film 3 was obtained as a cured film having a pattern corresponding to the opening pattern of the photomask.
  • Water droplets or PGMEA droplets were placed on the upper surface of the cured film at three locations in accordance with JIS R 3257 "Test method for wettability of substrate glass surface" by the static droplet method, and each droplet or PGMEA droplet was measured.
  • the droplet was 2 ⁇ L / droplet, and the measurement was performed at 20 ° C.
  • the contact angle was determined from the average of three measurements.
  • Example 2 to 20 A negative photosensitive resin composition, a partition wall, and a cured film were produced in the same manner as in Example 1 except that the negative photosensitive resin composition was changed to the composition shown in Table 1 or Table 2, Example 1 The same evaluation was performed. The evaluation results of each example are shown in Tables 1 and 2 together with the composition of the negative photosensitive resin composition. In Tables 1 and 2, a blank means the blending amount "0".

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Abstract

高精度な光学素子に適用するために、隔壁の基材との密着性が良好であるとともに、開口部における残渣の低減が可能な、例えば、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造に用いられるネガ型感光性樹脂組成物の提供。 主鎖に芳香族環を含み分子中に酸性基とエチレン性二重結合とを有し酸価が40mgKOH/g以上のアルカリ可溶性樹脂と、光ラジカル重合開始剤と、下記式(I)で示される化合物(I)と、を含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。 (Rは水素原子またはメチル基であり、nは2以上の整数であり、Xはn価の有機基であり、Qは-CH-または単結合である。Qが単結合の場合、Qと結合するXの末端は-C(=O)を含まない。2以上のnで囲まれる基は同一であっても異なってもよい。)

Description

ネガ型感光性樹脂組成物
 本発明は、例えば、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造に用いるネガ型感光性樹脂組成物に関する。
 量子ドットディスプレイ、TFT(Thin Film Transistor)アレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造においては、発光層等の有機層または無機層をドットとして、インクジェット(IJ)法にてパターン印刷する方法を用いることがある。かかる方法においては、形成しようとするドットの輪郭に沿って隔壁を設け、該隔壁で囲まれた区画(以下、開口部ともいう。)内に、有機層または無機層の材料を含むインクを注入し、これを乾燥および/または加熱等することにより所望のパターンのドットを形成する。
 上記において、インクジェット(IJ)法にてパターン印刷をする際には、隣接するドット間におけるインクの混合防止とドット形成におけるインクの均一塗布のため、隔壁に撥インク性を持たせる技術が検討されている。例えば、特許文献1には、有機TFTの製造において隔壁を用い、さらに隔壁に撥液性を持たせる技術が記載されている。
 一方、近年、ネガ型感光性樹脂組成物を用いた隔壁形成においては、高精度な光学素子を得るために、得られる隔壁が基材と十分な密着性を有するとともに、開口部における該組成物の残渣が極めて少ないことが求められている。特許文献2には、特にカラーフィルタ用途において、現像時に露光部の膜減りが生じにくく感度や密着性が良好な感光性組成物として、(メタ)アリル基を有する化合物、2以上のメルカプト基を有する化合物、光重合開始剤、アルカリ可溶性樹脂を含有する感光性樹脂組成物が開示されている。
 しかしながら、特許文献2に開示される感光性樹脂組成物でも、近年の高精度の光学素子に求められるレベルにおいては、隔壁の基材密着性と開口部の残渣の低減の両立を達成することはできていない。
国際公開第2010/058662号 日本特開2010-39481号公報
 本発明は、上記観点からなされたものであって、高精度の光学素子に適用するために、隔壁の基材への密着性が良好であるとともに、開口部における残渣の低減が可能な、例えば、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造に用いられるネガ型感光性樹脂組成物の提供を目的とする。
 本発明は、以下の態様を有する。
[1]主鎖に芳香族環を含み分子中に酸性基とエチレン性二重結合とを有し酸価が40mgKOH/g以上のアルカリ可溶性樹脂と、光ラジカル重合開始剤と、下記式(I)で示される化合物(I)と、を含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
(ただし、式(I)中、Rは水素原子またはメチル基であり、nは2以上の整数であり、Xはn価の有機基であり、Qは-CH-または単結合である。Qが単結合の場合、Qと結合するXの末端は-C(=O)を含まない。2以上のnで囲まれる基は同一であっても異なってもよい。)
[2]前記化合物(I)が、環状化合物である[1]のネガ型感光性樹脂組成物。
[3]前記化合物(I)が、脂肪族ヘテロ環状化合物である[1]のネガ型感光性樹脂組成物。
[4]前記アルカリ可溶性樹脂を、ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中、5~80質量%含有する[1]~[3]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[5]前記光ラジカル重合開始剤をネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中、0.1~50質量%含有する[1]~[4]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[6]前記式(I)で示される化合物(I)を、ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中、1~50質量%含有する[1]~[5]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[7]さらに、1分子中にメルカプト基を2個以上有するチオール化合物を含有する[1]~[6]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[8]前記チオール化合物を、ネガ型感光性樹脂組成物中の全固形分が有するエチレン性二重結合の1モルに対してメルカプト基が0.0001~1モルとなる量含有する[1]~[7]のネガ型感光性樹脂組成物。
[9]さらに、撥インク剤を含有する[1]~[8]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[10]前記撥インク剤は、エチレン性二重結合を有する[9]のネガ型感光性樹脂組成物。
[11]前記撥インク剤は、1~40質量%のフッ素含有率を有する[9]または[10]のネガ型感光性樹脂組成物。
[12]前記撥インク剤を、ネガ型感光性樹脂組成物中の全固形分中、0.01~15質量含有する[9]~[11]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[13]さらに、溶媒を含有する[1]~[12]のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
[14]前記ネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂硬化膜の表面における水接触角が60度以上である[1]~[136]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
[15]前記ネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂硬化膜の表面におけるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート接触角が30度以上である[1]~[13]のいずれかのネガ型感光性樹脂組成物。
 本発明によれば、高精度な光学素子に適用するために、隔壁の基材への密着性が良好であるとともに、開口部における残渣の低減が可能な、例えば、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子の製造に用いられるネガ型感光性樹脂組成物を提供できる。
 本明細書における用語の意味は、それぞれ、以下のとおりである。
 「酸価」とは、試料1g中の樹脂酸等を中和するのに必要な水酸化カリウムのミリグラム数をいう。酸価は、JIS K 0070の測定方法に準じて測定でき、単位はmgKOH/gである。
 「(メタ)アクリロイル基」は、「メタクリロイル基」と「アクリロイル基」の総称である。(メタ)アクリル酸、および(メタ)アクリレートもこれに準じる。「(メタ)アリル」とは、「アリル」と「メタリル」の総称である。「(イソ)シアヌレート」とは、「シアヌレート」と「イソシアヌレート」の総称である。
 式(x)で表される基を、単に基(x)と記載することがある。また、式(y)で表される化合物を、単に化合物(y)と記載することがある。ここで、式(x)、式(y)は、任意の式を示している。
 「ある成分を主として構成される樹脂」または「ある成分を主体とする樹脂」とは、該成分の含有割合が樹脂全量に対して50質量%以上を占めることをいう。
 「側鎖」とは、炭素原子からなる繰り返し単位が主鎖を構成する重合体において、主鎖を構成する炭素原子に結合する、水素原子またはハロゲン原子以外の基である。
 「感光性樹脂組成物の全固形分」とは、感光性樹脂組成物が含有する成分のうち後述する硬化膜を形成する成分を意味し、感光性樹脂組成物を140℃で24時間加熱して溶媒を除去した残存物から求める。なお、全固形分量は仕込み量からも計算できる。
 樹脂を主成分とする組成物の硬化物からなる膜を「樹脂硬化膜」という。感光性樹脂組成物を基材上に塗布した膜を「塗膜」、それを乾燥させた膜を「乾燥膜」という。該「乾燥膜」を硬化させて得られる膜は「樹脂硬化膜」である。また、「樹脂硬化膜」を単に「硬化膜」ということもある。
 樹脂硬化膜は、基材上の所定の領域を複数の区画に仕切る形に形成された隔壁の形態であってもよい。隔壁で仕切られた区画、すなわち隔壁で囲まれた開口部に、例えば、以下の「インク」が注入され、「ドット」が形成される。
 「インク」とは、乾燥、硬化等した後に、光学的および/または電気的な機能を有する液体を総称する用語である。量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池、カラーフィルタ等の光学素子においては、各種構成要素としてのドットを、該ドット形成用のインクを用いてインクジェット(IJ)法によりパターン印刷することがある。「インク」には、かかる用途に用いられるインクが含まれる。
 「撥インク性」とは、上記インクをはじく性質であり、撥水性および/または撥油性を有する。撥インク性は、例えば、インクを滴下したときの接触角により評価できる。「親インク性」は撥インク性と相反する性質であり、インクを滴下したときの接触角により評価できる。または、インクを滴下したときのインクの濡れ広がりの程度(インクの濡れ広がり性)を所定の基準で評価することにより親インク性が評価できる。
 「ドット」とは、光学素子における光変調可能な最小領域を示す。量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池、カラーフィルタ等の光学素子においては、白黒表示の場合に1ドット=1画素であり、カラー表示の場合に例えば3ドット(R(赤)、G(緑)、B(青)等)=1画素である。本明細書における「光学素子」は、エレクトロニクスデバイスを含む用語として用いる。
 特に説明のない場合、「%」は、「質量%」を表し、「部」は、「質量部」を表す。また、数値範囲を表す「~」では、それぞれ、下限値、上限値をも含む範囲である。
[ネガ型感光性樹脂組成物]
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、主鎖に芳香族環を含み分子中に酸性基とエチレン性二重結合とを有し酸価が40以上のアルカリ可溶性樹脂(以下、アルカリ可溶性樹脂(A)ともいう。)と、光ラジカル重合開始剤(以下、光重合開始剤(B)ともいう。)と、上記式(I)で示される化合物(I)と、を含有することを特徴とする。
 通常、ネガ型感光性樹脂組成物は露光により硬化して硬化膜を形成する。この際、マスキング等により基材上に所定の形状の露光部と非露光部を形成させれば、非露光部は硬化せず基材上からアルカリ現像液にて選択的に除去できる。その結果、硬化膜を、所定の領域を複数の区画に仕切る形の隔壁の形態とすることができる。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、上記露光部においては、光重合開始剤(B)から発生したラジカルによりアルカリ可溶性樹脂(A)と化合物(I)が反応し硬化して基材上に硬化膜を形成する。上記反応において、化合物(I)は架橋剤として機能する。本発明者らは、アルカリ可溶性樹脂(A)と化合物(I)を組み合わせて用いることで、従来から架橋剤として使用されている(メタ)アクリロイル基を複数個有する架橋剤とアルカリ可溶性樹脂(A)を組み合わせた場合に比べて、基材との密着性が向上しパターン形状を良好なものとできる一方、非露光部の未硬化状態では、基材との親和性が高くないため、現像液での処理の際に除去されやすく残渣が残りにくくなることを見出した。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、さらに必要に応じて、撥インク剤、1分子中にメルカプト基を2個以上有するチオール化合物(以下、チオール化合物(C)ともいう。)、化合物(I)以外の分子内に2個以上のエチレン性二重結合を有する架橋剤(以下、架橋剤(D)ともいう。)、溶媒、着色剤、紫外線吸収剤、その他の任意成分を含有する。本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、また、アルカリ可溶性樹脂として、アルカリ可溶性樹脂(A)以外の、1分子中に酸性基とエチレン性二重結合とを有する感光性樹脂を含有してもよい。
(アルカリ可溶性樹脂)
 アルカリ可溶性樹脂は、アルカリ可溶性樹脂(A)を主体とする。アルカリ可溶性樹脂(A)は、主鎖に芳香族環を含み、分子中に酸性基とエチレン性二重結合とを有する、酸価が40mgKOH/g以上の感光性樹脂である。アルカリ可溶性樹脂(A)は、主鎖に芳香族環を含み、酸価が40mgKOH/g以上であることで、化合物(I)と組み合わせて得られるネガ型感光性樹脂組成物は、現像性が良好となり、露光部における基材密着性と非露光部における残渣の低減の両立が達成できる。酸価は、残渣の観点から45mgKOH/g以上が好ましく、50mgKOH/g以上がより好ましい。アルカリ可溶性樹脂(A)の酸価の上限は、基材に対する密着性の観点から100mgKOH/gが好ましく、80mgKOH/gがより好ましい。
 アルカリ可溶性樹脂(A)の主鎖に含まれる芳香族環としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基等の二価の芳香族環構造が挙げられる。芳香族環における炭素原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子に置換されていてもよい。芳香族環としてはフェニレン基が好ましく、2個のフェニレン基が結合したビフェニル基が特に好ましい。
 アルカリ可溶性樹脂(A)が有する酸性基としては、好ましくは、カルボキシ基、フェノール性水酸基、スルホ基、リン酸基等が挙げられ、2種以上を併用してもよい。アルカリ可溶性樹脂(A)の酸価は、酸性基の導入量により調整できる。
 アルカリ可溶性樹脂(A)が有するエチレン性二重結合としては、好ましくは、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アリル基、ビニル基、ビニルオキシ基、ビニルオキシアルキル基等の付加重合性を有する二重結合が挙げられ、2種以上を併用してもよい。なお、エチレン性二重結合中の水素原子の一部または全てが、アルキル基、好ましくはメチル基で置換されていてもよい。
 アルカリ可溶性樹脂(A)としては、主鎖に芳香族環を含み、酸性基を有する側鎖とエチレン性二重結合を有する側鎖とを有する樹脂(A1-1)、主鎖に芳香族環を含むエポキシ樹脂に、酸性基とエチレン性二重結合とを導入した樹脂(A1-2)、酸性基を有する側鎖とエチレン性二重結合を有する側鎖とを有し、重合して主鎖を構成する部分に芳香族環を含む単量体(A1-3)等が挙げられる。これらは、それぞれ、2種以上を併用してもよい。
 樹脂(A1-2)は、主鎖に芳香族環を含むエポキシ樹脂と、後述するカルボキシ基とエチレン性二重結合とを有する化合物とを反応させた後に、多価カルボン酸またはその無水物とを反応させることにより合成することができる。具体的には、主鎖に芳香族環を含むエポキシ樹脂と、カルボキシ基とエチレン性二重結合を有する化合物とを反応させることにより、該エポキシ樹脂にエチレン性二重結合が導入される。次に、エチレン性二重結合が導入された主鎖に、芳香族環を含むエポキシ樹脂に多価カルボン酸またはその無水物を反応させることにより、カルボキシ基を導入することができる。
 エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂、下式(A1-2a)で表されるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、下式(A1-2b)で表されるエポキシ樹脂、下式(A1-2c)で表されるビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 (式(A1-2a)中、vは、1~50の整数であり、2~10の整数が好ましい。ベンゼン環の水素原子は、それぞれ独立に、炭素原子数1~12のアルキル基、ハロゲン原子、または一部の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基、で置換されていてもよい。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 (式(A1-2b)中、R31、R32、R33及びR34は、それぞれ独立に、水素原子、塩素原子又は炭素原子数が1~5のアルキル基であり、wは、0~10の整数である。)
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 (式(A1-2c)中、各ベンゼン環の水素原子は、それぞれ独立に炭素原子数1~12のアルキル基、ハロゲン原子、又は一部の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基、で置換されていてもよい。uは、0~10の整数である。)
 なお、式(A1-2a)~(A1-2c)で表されるエポキシ樹脂と、カルボキシ基とエチレン性二重結合を有する化合物とを反応させた後に、多価カルボン酸無水物を反応させる場合、多価カルボン酸無水物として、ジカルボン酸無水物及びテトラカルボン酸二無水物の混合物を用いることが好ましい。ジカルボン酸無水物とテトラカルボン酸二無水物の比率を変化させることにより、分子量を制御することができる。
 カルボキシ基とエチレン性二重結合とを有する化合物としては、(メタ)アクリル酸、ビニル酢酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、ケイ皮酸、またはこれらの塩等が好ましく、(メタ)アクリル酸が特に好ましい。
 アルカリ可溶性樹脂(A)の質量平均分子量(以下、Mwともいう。)は、1.5×10~30×10が好ましい。Mwは2×10以上がより好ましい。一方、Mwは15×10以下がより好ましい。また、数平均分子量((以下、Mnともいう。)は、500~20×10が好ましい。Mnは1.0×10以上がより好ましい。一方、Mnは10×10以下がより好ましい。MwおよびMnが上記範囲の下限値以上であると、露光時の硬化が十分であり、上記範囲の上限値以下であると、現像性が良好である。
 ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中のアルカリ可溶性樹脂の含有割合は、5~80%が好ましい。含有割合は10%以上がより好ましい。一方で含有割合は60%以下がより好ましい。含有割合が上記範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物の光硬化性および現像性が良好である。
(化合物(I))
 化合物(I)は、下記式(I)で示されるとおり、分子内にn個(nは2以上)のエチレン性二重結合を有する、架橋剤として機能する化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 ただし、式(I)中、各記号の定義は、上記したとおりである。
 化合物(I)は、分子末端に極性官能基を有しないため、基材との親和性が高くない。そのため、現像液での処理の際に除去されやすく残渣が残りにくい。
 化合物(I)は、分子内に2個以上のCH=CR-Q-基を有し、CH=CR-Q-基以外に、(メタ)アクリロイル基等のエチレン性二重結合を含有しない。2個以上のCH=CR-Q-基は同一であっても異なってもよい。
 CH=CR-Q-基のRは水素原子が好ましい。具体的には、CH=CR-Q-基は、CH=CH-、またはCH=CH-CH-が好ましい。
 化合物(I)において、CH=CR-Q-基の数を示すnは、基材に対する密着性の観点から3以上が好ましい。nは、現像液への溶解性の観点から10以下が好ましく、6以下がより好ましい。
 式(I)中、Xはn価の有機基である。Xは、例えば、鎖状(直鎖状または分岐状であって、環状構造を含んでいてもよい)の炭化水素基であり、末端または炭素原子-炭素原子間に、エステル結合、エーテル結合、アルキレンオキシド結合、アミド結合、ウレタン結合、-S-、2価アミノ基を有してもよく、炭化水素基の水素原子が水酸基、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、メルカプト基、アミノ基、ニトロ基、カルボキシル基、スルホ基、リン酸基に置換されていてもよい。耐熱性の観点より、Xはエチレン二重結合を有しない有機基が好ましい。Xが鎖状炭化水素基の場合、Xにおける炭素原子数は1~20が好ましく、1~10がより好ましい。
 Xは、開口部の残渣低減の観点から、環状の基が好ましい。Xが環状の基であるとは、Xにおいて環を構成する原子が、直接、または、エステル結合、エーテル結合、アミド結合またはウレタン結合を介してCH=CR-Q-基と結合する構成の基をいう。
 環状の基において、骨格を構成する環(以下、単に、環という。)は、炭化水素環またはヘテロ環であり、芳香族環であっても脂肪族環であってもよい。環の員数は、残渣低減の観点より4~18が好ましい。環の員数は5以上がより好ましい。一方で環の員数は12以下がより好ましい。環は単環であってもよく、複数の環が結合した構造でもよい。複数の環が結合している場合は、複数の環の合計の員数が、上記環の員数の範囲内であるのが好ましい。Xが環状の基である場合、環は脂肪族環が好ましく、ヘテロ脂肪族環がより好ましい。ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が挙げられ、窒素原子が好ましい。
 Xが環状の基の場合、環として、具体的には、(イソ)シアヌル環、ベンゼン環、シクロヘキサン環、アダマンタン環、ノルボルネン環、テトラオキサスピロウンデカン環、ナジイミド環等が挙げられ、(イソ)シアヌル環が好ましい。
 化合物(I)としては、(A)CH=CR-Q-基が直接炭化水素基の主鎖を構成する原子や、環の構成原子に直接結合する化合物(I)、(B)例えば、CH=CR-Q-基の末端に水酸基、エポキシ基、アミノ基、カルボキシル基(ただし、Qが単結合の場合を除く)、イソシアネート基、ハロゲン原子等の反応性基を有する化合物と、該反応性基に反応性を有する基を2個以上有する化合物、例えば、多価アルコール、多価カルボン酸またはその酸無水物、多価イソシアネート、多価アミン等を反応して得られる化合物(I)が挙げられる。
 上記(B)の場合、CH=CR-Q-基の末端に水酸基を有する化合物とはCH=CR-Q-OHであり、他の基についても同様である。(B)の場合、基XのCH=CR-Q-基との結合末端は、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、ウレタン結合等で構成される。
 上記(A)の化合物(I)として具体的には、トリビニルシクロヘキサン、トリメタ(アリル)シクロヘキサン、トリ(メタ)アリル(イソ)シアヌレート、ジ(メタ)アリルモノグリシジル(イソ)シアヌレート、トリビニル(イソ)シアヌレート、ジビニルモノグリシジル(イソ)シアヌレート、エトキシ化(イソ)シアヌル酸トリ(メタ)アリレート、3,9-ジビニル-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン、3,9-ジ(メタ)アリル-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン等が挙げられる。
 基Xの末端がエーテル結合である化合物(I)として具体的には、ジエチレングリコールジ(メタ)アリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アリレート、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリスリトールトリビニルエーテル、ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル、ジトリメチロールプロパンテトラビニルエーテル、ジペンタエリスリトールペンタビニルエーテル、ジペンタエリスリトールヘキサビニルエーテル等が挙げられる。
 基Xの末端がエステル結合である化合物(I)として具体的には、ジ(メタ)アリルフタレート、ジ(メタ)アリルイソフタレート、ジ(メタ)アリルテレフタレート、ジ(メタ)アリルマレエート、ジ(メタ)アリルフマレート、ジ(メタ)アリルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタレート、トリ(メタ)アリルトリメリテート、ジビニルフタレート、ジビニルイソフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルマレエート、ジビニルフマレート、ジビニルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタレート、トリビニルトリメリテート等が挙げられる。
 これらの中でも、化合物(I)としては、以下の式(I-1)~(I-5)のいずれかに示される化合物が好ましく、Xが環状の基である化合物(I-1)、化合物(I-2)、化合物(I-3)がより好ましく、トリアリルイソシアヌレートが特に好ましい。Xが環状の基である化合物は、現像液への拡散性が良く、開口部の残渣をより低減できる。さらに、トリアルルイソシアヌレートは親水性が高く、開口部の残渣をさらに低減できる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
(ただし、式(I-1)~(I-5)中、Rは水素原子またはメチル基であり、Qは-CH-または単結合である。)
 化合物(I)は2種以上を組み合わせて用いてもよい。ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の化合物(I)の含有割合は、1~50%が好ましい。含有割合は5%以上がより好ましい。一方で含有割合は40%以下がより好ましい。含有割合が上記範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物の光硬化性および現像性が良好であり、得られる隔壁は基材密着性を有するとともに開口部の残渣が十分に低減される。さらに、撥インク剤と共に使用した場合、撥液性が高くなる傾向がある。また、アルカリ可溶性樹脂の100%に対する化合物(I)の含有割合は、5~500%が好ましい。含有割合は10%以上がより好ましい。一方で含有割合は100%以下がより好ましい。
(光重合開始剤(B))
 本発明における光重合開始剤(B)は、活性光線によりラジカルを発生する光ラジカル重合開始剤としての機能を有する化合物であれば特に制限されない。
 光重合開始剤(B)としては、WO2014/046209の例えば、[0130]、[0131]、WO2014/069478の例えば、[0089]、[0090]に記載したもの等が挙げられる。具体的にはベンゾフェノン類、チオキサントン類、アミノ安息香酸類、脂肪族アミン類、アセトフェノン類、オキシムエステル類が開示されている。
 光重合開始剤(B)のなかでも、ベンゾフェノン類、チオキサントン類、アミノ安息香酸類、脂肪族アミン類は、その他のラジカル開始剤と共に用いると、増感効果を発現することがあり好ましい。具体的には、アセトフェノン類との併用がより好ましく、ベンゾフェノン類とアセトフェノン類との併用またはチオキサントン類とアセトフェノン類との併用がさらに好ましい。光重合開始剤(B)は、2種以上を併用してもよい。
 ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の光重合開始剤(B)の含有割合は、0.1~50%が好ましい。含有割合は0.5%以上がより好ましく、1%以上が特に好ましい。一方で含有割合は30%以下がより好ましく、15%以下が特に好ましい。含有割合が上記範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物の光硬化性および現像性が良好である。
(撥インク剤)
 撥インク剤は、本発明のネガ型感光性樹脂組成物が任意に含有する成分である。撥インク剤としては、分子内にフッ素原子を有する撥インク剤(以下、撥インク剤(E)ともいう。)が好ましい。撥インク剤(E)は、分子内にフッ素原子を有すると、これを含有するネガ型感光性樹脂組成物を用いて硬化膜を形成する過程で上面に移行する性質(上面移行性)および撥インク性に優れる。撥インク剤(E)を用いることで、得られる硬化膜の上面を含む上層部は、撥インク剤(E)が密に存在する層(以下、撥インク層ということもある。)となり、硬化膜上面に撥インク性が付与される。
 撥インク剤(E)中のフッ素原子の含有率は1~40%が好ましい。含有率は5%以上がより好ましく、10%以上が特に好ましい。一方で含有率は35%以下がより好ましく、32%以下が特に好ましい。フッ素原子の含有率が上記範囲の下限値以上であると、硬化膜上面に良好な撥インク性を付与でき、上限値以下であると、ネガ型感光性樹脂組成物中の他の成分との相溶性が良好になる。
 撥インク層において撥インク剤(E)は、それ自体が反応性でない場合には、ネガ型感光性樹脂組成物中のアルカリ可溶性樹脂(A)、化合物(I)等の光硬化成分の重合、架橋反応により得られる硬化樹脂中に埋め込まれる形で存在する。
 撥インク層への撥インク剤(E)の定着性を向上させる観点から、撥インク剤(E)がエチレン性二重結合を有することで、上面に移行した撥インク剤(E)のエチレン性二重結合にラジカルが作用して、撥インク剤(E)同士または撥インク剤(E)とネガ型感光性樹脂組成物が含有するエチレン性二重結合を有する他成分と(共)重合による架橋が可能となる。なお、この反応は任意に含有するチオール化合物(C)(後述する)により促進される。
 これにより、ネガ型感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化膜の製造において、撥インク剤(E)の硬化膜の上層部、すなわち撥インク層における定着性を向上できる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、特にチオール化合物(C)を含有する場合には、露光の際の露光量が低い場合であっても撥インク剤(E)を撥インク層に十分に定着させることができる。
 上記のとおり、通常、エチレン性二重結合がラジカル重合する場合、硬化膜や隔壁の大気に接する面ほど酸素による反応阻害を受けやすいが、チオール化合物(C)によるラジカル反応は酸素による阻害はほとんど受けないため、低露光量での撥インク剤(E)の定着に特に有利である。さらに、隔壁製造においては、現像を行う際に、撥インク剤(E)が撥インク層から脱離したり、撥インク層の上面が剥がれたりするのを十分に抑制できる。
 撥インク剤(E)としては、例えば、主鎖が炭化水素鎖であり、側鎖にフッ素原子を含む化合物からなる撥インク剤(E1)が挙げられる。撥インク剤(E)としては、加水分解性シラン化合物の部分加水分解縮合物であってもよい。加水分解性シラン化合物は、2種以上を併用してもよい。加水分解性シラン化合物の部分加水分解縮合物からなる撥インク剤(E)として、具体的には、以下の撥インク剤(E2)が挙げられる。
 撥インク剤(E1)および撥インク剤(E2)は、単独で、または組み合わせて用いられる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物においては、耐紫外線/オゾン性の点に優れる点で、特に撥インク剤(E2)を用いることが好ましい。
<撥インク剤(E1)>
 撥インク剤(E1)は、主鎖が炭化水素鎖であり、フッ素原子を有する側鎖を含む化合物である。撥インク剤(E1)のMwは、100~1.0×10が好ましい。Mwは5.0×10以上がより好ましい。一方でMwは1.0×10以下がより好ましい。Mwが下限値以上であると、ネガ型感光性樹脂組成物を用いて硬化膜を形成する際に、撥インク剤(E1)が上面移行しやすい。上限値以下であると開口部残渣が少なくなり好ましい。
 撥インク剤(E1)として、具体的には、WO2014/046209の例えば[0079]~[0102]、WO2014/069478の例えば[0144]~[0171]に記載されたもの等が挙げられる。
<撥インク剤(E2)>
 撥インク剤(E2)は、加水分解性シラン化合物混合物(以下、「混合物(M)」ともいう。)の部分加水分解縮合物である。該混合物(M)は、フルオロアルキレン基および/またはフルオロアルキル基、および、ケイ素原子に加水分解性基が結合した基とを有する加水分解性シラン化合物(以下、「加水分解性シラン化合物(s1)」ともいう。)を必須成分として含み、任意に加水分解性シラン化合物(s1)以外の加水分解性シラン化合物を含む。混合物(M)が任意に含有する加水分解性シラン化合物としては、以下の加水分解性シラン化合物(s2)、(s3)が挙げられる。混合物(M)が任意に含有する加水分解性シラン化合物としては、加水分解性シラン化合物(s2)が特に好ましい。
 加水分解性シラン化合物(s2);ケイ素原子に4個の加水分解性基が結合した加水分解性シラン化合物。
 加水分解性シラン化合物(s3);エチレン性二重結合を有する基とケイ素原子に加水分解性基が結合した基とを有し、フッ素原子を含まない加水分解性シラン化合物。
 混合物(M)は、任意に加水分解性シラン化合物(s1)~(s3)以外の加水分解性シラン化合物を1種または2種以上含むことができる。
 その他の加水分解性シラン化合物としては、ケイ素原子に結合する基として炭化水素基と加水分解性基のみを有する加水分解性シラン化合物(s4)、メルカプト基と加水分解性基とを有し、フッ素原子を含まない加水分解性シラン化合物(s5)、エポキシ基と加水分解性基とを有し、フッ素原子を含有しない加水分解性シラン化合物(s6)、オキシアルキレン基と加水分解性シリル基を有し、フッ素原子を含まない加水分解性シラン化合物(s7)等が挙げられる。
 加水分解性シラン化合物(s1)~(s3)およびその他の加水分解性シラン化合物としては、WO2014/046209の例えば、[0034]~[0072]、WO2014/069478の例えば、[0096]~[0136]に記載されたもの等が挙げられる。化合物(s1)の具体例としては、F(CFCHCHSi(OCH、F(CFCHCHSi(OCHおよびF(CFOCF(CF)CFO(CFCHCHSi(OCHが挙げられる。化合物(s2)の具体例としては、Si(OCH、Si(OCHCHが挙げられる。化合物(s3)の具体例としては、CH=CHCOO(CHSi(OCH,CH=C(CH)COO(CHSi(OCHが挙げられる。
 撥インク剤(E2)の一例として、化合物(s1)をn1含み、化合物(s2)をn2、(s3)をn3含む混合物(M)の部分加水分解縮合物が挙げられる。
 ここで、n1~n3は構成単位の合計モル量に対する各構成単位のモル分率を示す。n1>0、n2≧0、n3≧0、n1+n2+n3=1である。
 n1:n2:n3は混合物(M)における化合物(s1)、(s2)、(s3)の仕込み組成と一致する。
 各成分のモル比は、各成分の効果のバランスから設計される。
 n1は、撥インク剤(E1)におけるフッ素原子の含有率が上記好ましい範囲となる量において、0.02~0.4が好ましい。n2は0~0.98が好ましく、0.05~0.6が特に好ましい。n3は0~0.8が好ましく、0.2~0.5が特に好ましい。
 撥インク剤(E2)のMwは、500以上が好ましく、1.0×10未満が好ましく、5.0×10以下が特に好ましい。Mwが下限値以上であると、ネガ型感光性樹脂組成物を用いて硬化膜を形成する際に、撥インク剤(E2)が上面移行しやすい。上限値未満であると、開口部残渣が少なくなり好ましい。撥インク剤(E2)のMwは、製造条件により調節できる。
 撥インク剤(E2)は、上述した混合物(M)を、公知の方法により加水分解および縮合反応させることで製造できる。この反応には、通常用いられる塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸、あるいは、酢酸、シュウ酸、マレイン酸等の有機酸を触媒として用いることが好ましい。また、必要に応じて水酸化ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)等のアルカリ触媒を用いてもよい。上記反応には公知の溶媒を用いることができる。上記反応で得られる撥インク剤(E2)は、溶媒とともに溶液の性状でネガ型感光性樹脂組成物に配合してもよい。
 ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中の撥インク剤(E)の含有割合は、0.01~15%が好ましい。含有割合は0.03%以上がより好ましい。一方で含有割合は5%以下がより好ましく、1.5%以下が特に好ましい。含有割合が上記範囲の下限値以上であると、ネガ型感光性樹脂組成物から形成される硬化膜の上面は優れた撥インク性を有する。上記範囲の上限値以下であると、硬化膜と基材との密着性が良好になる。
(チオール化合物(C))
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物が任意に含有するチオール化合物(C)は、1分子中にメルカプト基を2個以上有する化合物である。本発明のネガ型感光性樹脂組成物がチオール化合物(C)を含有すれば、露光時に光重合開始剤(B)から生成したラジカルによりチオール化合物(C)のラジカルが生成してアルカリ可溶性樹脂(A)、化合物(I)等のエチレン性二重結合に作用する、いわゆるエン-チオール反応が生起する。このエン-チオール反応は、通常のエチレン性二重結合がラジカル重合するのと異なり、酸素による反応阻害を受けないため、高い連鎖移動性を有し、さらに重合と同時に架橋も行うため、硬化物となる際の収縮率も低く、均一なネットワークが得られやすい等の利点を有する。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物が、チオール化合物(C)を含有する場合には、上述のようにして低露光量でも十分に硬化できることから、現像性が良好となり、露光部における基材密着性と非露光部における残渣の低減の両立に寄与できる。
 また、チオール化合物(C)を含有する場合、特に酸素による反応阻害を受け易い隔壁上面を含む上層部においても光硬化が十分に行われる。したがって、ネガ型感光性樹脂組成物がさらに、撥インク剤を含有する場合には、チオール化合物(C)は、隔壁上面への良好な撥インク性の付与にも寄与できる。
 チオール化合物(C)中のメルカプト基は、1分子中に2~10個含むことが好ましく、3~8個がより好ましく、3~5個がさらに好ましい。
 チオール化合物(C)の分子量は特に制限されない。チオール化合物(C)における、[分子量/メルカプト基数]で示されるメルカプト基当量(以下、SH当量ともいう。)は、低露光量での硬化性の観点から、40~1,000が好ましく、40~500がより好ましく、40~250が特に好ましい。
 チオール化合物(C)としては、具体的には、トリス(2-メルカプトプロパノイルオキシエチル)イソシアヌレート、ペンタエリスリトールテトラキス(3-メルカプトブチレート)、トリメチロールプロパントリスチオグリコレート、ペンタエリスリトールトリスチオグリコレート、ペンタエリスリトールテトラキスチオグリコレート、ジペンタエリスリトールヘキサチオグリコレート、トリメチロールプロパントリス(3-メルカプトプロピオネート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3-メルカプトプロピオネート)、トリス-[(3-メルカプトプロピオニルオキシ)-エチル]-イソシアヌレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(3-メルカプトプロピオネート)、トリメチロールプロパントリス(3-メルカプトブチレート)、ペンタエリスリトールテトラキス(3-メルカプトブチレート)、ジペンタエリスリトールヘキサ(3-メルカプトブチレート)、トリメチロールプロパントリス(2-メルカプトイソブチレート)、1,3,5-トリス(3-メルカプトブチリルオキシエチル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6(1H,3H,5H)-トリオン、トリフェノールメタントリス(3-メルカプトプロピオネート)、トリフェノールメタントリス(3-メルカプトブチレート)、トリメチロールエタントリス(3-メルカプトブチレート)、2,4,6-トリメルカプト-S-トリアジン、1,4-ビス(3-メルカプトブチリルオキシ)ブタン等が挙げられる。
 チオール化合物(C)は、2種以上を併用してもよい。
 ネガ型感光性樹脂組成物がチオール化合物(C)を含有する場合、その含有割合は、ネガ型感光性樹脂組成物中の全固形分が有するエチレン性二重結合の1モルに対してメルカプト基が0.0001~1モルとなる量が好ましい。含有割合は0.0005モル以上がより好ましく、0.001モル以上が特に好ましい。一方で含有量は0.5モル以下がより好ましい。含有割合が上記範囲であると、低露光量においてもネガ型感光性樹脂組成物の光硬化性および現像性が良好である。チオール化合物(C)の全固形分中の含有割合は、1~20%が好ましい。含有割合は3%以上がより好ましい。一方で含有割合は15%以下がより好ましい。
(架橋剤(D))
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物が任意に含有する架橋剤(D)は、アルカリ可溶性樹脂(A)、撥インク剤(E)、化合物(I)以外の1分子中に2個以上のエチレン性二重結合を有する化合物である。ネガ型感光性樹脂組成物は、化合物(I)に加えて架橋剤(D)を含むことにより、露光時におけるネガ型感光性樹脂組成物の硬化性がさらに向上し、効率的に硬化膜を形成することができる。
 架橋剤(D)はエチレン性二重結合を(メタ)アクリロイル基中に有することが好ましい。架橋剤(D)として具体的には、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ(メタ)アクリレート、ε-カプロラクトン変性トリス(2-ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリ(メタ)アクリレート、およびウレタンアクリレート等が挙げられる。
 光反応性の点からは、多数のエチレン性二重結合を有することが好ましい。例えば、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、エトキシ化イソシアヌル酸トリ(メタ)アクリレートおよびウレタンアクリレート等が好ましい。架橋剤(D)は、2種以上を併用してもよい。
 ネガ型感光性樹脂組成物が架橋剤(D)を含有する場合、その含有割合は、化合物(I)の100%に対して、1~2000%が好ましく、1~1000%がより好ましい。架橋剤(D)の全固形分中の含有割合は、1~70%が好ましい。含有割合は5質量%以上がより好ましい。一方で含有割合は50%以下がより好ましい。また、アルカリ可溶性樹脂の100%に対する化合物(I)および架橋剤(D)の合計量の割合は、1~1400%が好ましい。合計量の割合は10%以上がより好ましい。一方で合計量の割合は500%がより好ましい。
(溶媒)
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、溶媒を含有することで粘度が低減され、ネガ型感光性樹脂組成物の基材表面への塗布がしやすくなる。その結果、均一な膜厚のネガ型感光性樹脂組成物の塗膜が形成できる。溶媒としては公知の溶媒が用いられる。溶媒は、2種以上を併用してもよい。
 溶媒としては、アルキレングリコールアルキルエーテル類、アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート類、アルコール類、ソルベントナフサ類等が挙げられる。なかでも、アルキレングリコールアルキルエーテル類、アルキレングリコールアルキルエーテルアセテート類、およびアルコール類からなる群から選ばれる少なくとも1種の溶媒が好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートおよび2-プロパノールからなる群から選ばれる少なくとも1種の溶媒がさらに好ましい。
 ネガ型感光性樹脂組成物における溶媒の含有割合は、組成物全量に対して50~99%が好ましい。含有割合は60%以上がより好ましく、65%以上が特に好ましい。一方で含有割合は95%以下がより好ましく、90%以下が特に好ましい。
(着色剤)
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、用途に応じて、硬化膜、特には隔壁に遮光性を付与する場合に、着色剤を含有する。本発明における着色剤としては、カーボンブラック、アニリンブラック、アントラキノン系黒色顔料、インドール系黒色顔料、ペリレン系黒色顔料などが挙げられる、具体的には、C.I.ピグメントブラック1、6、7、12、20、31等が挙げられる。赤色顔料、青色顔料および緑色顔料等の有機顔料および/または無機顔料の混合物を用いることもできる。
 着色剤は、2種以上を併用してもよい。本発明のネガ型感光性樹脂組成物が、着色剤を含有する場合には、全固形分中の着色剤の含有割合は、5~65%が好ましい。含有割合は10%以上がより好ましい。一方で含有割合は50%以下がより好ましい。上記範囲であると得られるネガ型感光性樹脂組成物は感度が良好であり、また、形成される隔壁は遮光性に優れる。
(紫外線吸収剤)
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、波長200~400nmの紫外線領域に吸収を有する紫外線吸収剤、特には、反応性を有する紫外線吸収剤を含有してもよい。紫外線吸収剤は、2種以上を併用してもよい。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物が紫外線吸収剤を含有すると、露光時に照射される光を紫外線吸収剤が適度に吸収することで、基板界面付近における硬化が抑制され、開口部の現像残渣の減少にも寄与できる。
 紫外線吸収剤の反応性は光反応性が好ましい。紫外線吸収剤が反応性を有するとネガ型感光性樹脂組成物が硬化する際に、光硬化性を有するアルカリ可溶性樹脂(A)や化合物(I)等の反応性成分と反応して、得られる硬化膜や隔壁に強固に固定される。これにより、紫外線吸収剤の硬化膜や隔壁からのブリードアウトは低いレベルに抑制される。 
 紫外線吸収剤は、ベンゾフェノン骨格、ベンゾトリアゾール骨格、シアノアクリレート骨格またはトリアジン骨格を有する化合物が好ましく、反応性基としては、エチレン性二重結合を有する基、例えば、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
 紫外線吸収剤、好ましくは、反応性を有する紫外線吸収剤は、2種以上を併用してもよい。本発明のネガ型感光性樹脂組成物が、紫外線吸収剤を含有する場合には、全固形分中の紫外線吸収剤の含有割合は、0.01~20%が好ましい。含有割合は0.1%以上がより好ましく、0.5%以上が特に好ましい。一方で含有割合は15%以下がより好ましく、10%以下が特に好ましい。含有割合が上記範囲であると、ネガ型感光性樹脂組成物の感度が良好であり、隔壁は密着性が向上するとともに現像残渣が低減される。また、アルカリ可溶性樹脂の100%に対する紫外線吸収剤の含有割合は、0.1~300%が好ましい。含有割合は0.8%以上がより好ましい。一方で含有割合は100%以下がより好ましい。
(その他の成分)
 本発明におけるネガ型感光性樹脂組成物はさらに、必要に応じて、高分子分散剤、分散助剤、シランカップリング剤、微粒子、硬化促進剤、増粘剤、可塑剤、消泡剤、レベリング剤およびハジキ防止剤等の他の添加剤を、それぞれ、2種以上含有してもよい。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、上記各成分の所定量を混合して得られる。本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、例えば、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池、カラーフィルタ等の光学素子の製造に使用可能である。具体的には、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池等の光学素子に用いる硬化膜や隔壁の形成に用いることで特に効果が発揮できる。
 本発明において、撥インク剤を含有するネガ型感光性樹脂組成物を用いれば、上面に良好な撥インク性を有する硬化膜、特には隔壁の製造が可能である。また、撥インク剤(E)を用いる場合には、撥インク剤(E)のほとんどは、撥インク層に十分に定着しており、撥インク層よりも下の部分の隔壁に低濃度で存在する撥インク剤(E)も隔壁が十分に光硬化しているため、現像時に、撥インク剤(E)が隔壁で囲まれた開口部内にマイグレートしにくく、よってインクが均一に塗布できる開口部が得られる。
[樹脂硬化膜および隔壁の製造]
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いて樹脂硬化膜を得るには、例えば、基板等の基材の表面に本発明のネガ型感光性樹脂組成物を塗布し、必要に応じて乾燥して溶媒等を除去した後、露光することで硬化して得られる。得られる樹脂硬化膜は、光学素子、特には、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池に用いられる場合に特に顕著な効果が発揮される。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いた樹脂硬化膜からなる隔壁は、基板表面をドット形成用の複数の区画に仕切る形に形成される。隔壁は、例えば、上記の樹脂硬化膜の製造において、ネガ型感光性樹脂組成物からなる塗膜に対して、露光前にドット形成用の区画となる部分にマスキングを施し、露光した後、現像することで得られる。現像によって、マスキングにより非露光の部分が除去されドット形成用の区画に対応する開口部が隔壁とともに形成される。本発明の実施形態の隔壁は、光学素子、特には、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池に用いられる場合に特に顕著な効果が発揮される。
 なお、露光前に、塗膜から乾燥によりネガ型感光性樹脂組成物が含有する溶媒等の揮発成分を除去するのが好ましい。乾燥方法としては、加熱乾燥、減圧乾燥および減圧加熱乾燥等が挙げられる。溶媒の種類にもよるが、加熱乾燥の場合、加熱温度は50~120℃が好ましい。ネガ型感光性樹脂組成物が撥インク剤を含有する場合には、この乾燥過程において、撥インク剤は乾燥膜の上層部に移行する。
 露光時に照射する光としては、可視光;紫外線;遠紫外線;KrFエキシマレーザ光、ArFエキシマレーザ光、Fエキシマレーザ光、Krエキシマレーザ光、KrArエキシマレーザ光およびArエキシマレーザ光等のエキシマレーザ光;X線;電子線等が挙げられる。照射する光としては、波長100~600nmの光が好ましく、300~500nmの光がより好ましく、i線(365nm)、h線(405nm)またはg線(436nm)を含む光が特に好ましい。また、必要に応じて330nm以下の光をカットしてもよい。
 露光方式としては、全面一括露光、スキャン露光等が挙げられる。同一箇所に対して複数回に分けて露光してもよい。この際、複数回の露光条件は同一でも同一でなくても構わない。
 露光量は、上記いずれの露光方式においても、例えば、5~1,000mJ/cmが好ましく、5~500mJ/cmがより好ましく、5~300mJ/cmがさらに好ましく、5~200mJ/cmが特に好ましく、5~50mJ/cmが最も好ましい。なお、露光量は、照射する光の波長、ネガ型感光性樹脂組成物の組成および塗膜の厚さ等により、適宜好適化される。
 単位面積当たりの露光時間は特に制限されず、用いる露光装置の露光パワーおよび必要な露光量等から設計される。なお、スキャン露光の場合、光の走査速度から露光時間が求められる。単位面積当たりの露光時間は通常1~60秒程度である。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、上記露光部において、露光時にアルカリ可溶性樹脂(A)のラジカル重合とともに、化合物(I)によるアルカリ可溶性樹脂(A)の架橋が行われる。これにより、本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、硬化膜におけるアルカリ可溶性樹脂(A)の硬化性が向上し、基材密着性の良好な硬化膜が得られる。または、低露光量でも従来の硬化膜と同等の硬化性を有する硬化膜が得られる。
 現像はアルカリ現像液を用いて行われ、これにより隔壁と開口部が形成される。本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、非露光部の除去が容易であり、開口部における残渣は低減される。また、露光部である硬化部分は、現像の際のアルカリ現像液による浸食や剥離に耐性を有する。したがって、露光部が長時間の現像にも影響を受けにくいことから開口部の残渣の除去等に有利である。
 なお、ネガ型感光性樹脂組成物が撥インク剤を含む場合には、隔壁の上面を含む最上層には撥インク層が形成され、撥インク層の下側には、主としてアルカリ可溶性樹脂(A)、化合物(I)および任意に含有するチオール化合物(C)、架橋剤(D)、さらにそれ以外の光硬化成分が光硬化して、撥インク剤をほとんど含有しない層が形成される。
 現像後、隔壁をさらに加熱してもよい。加熱温度は130~250℃が好ましい。加熱により隔壁の硬化がより強固なものとなる。また、撥インク剤を含有する場合、撥インク剤は、撥インク層により強固に定着する。
 なお、開口部の親インク性を確実に得ることを目的として、上記加熱後、開口部に存在する可能性があるネガ型感光性樹脂組成物の現像残渣等を除去するために、隔壁付きの基板に対して紫外線/オゾン処理を施してもよい。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物から形成される隔壁は、例えば、幅が100μm以下であることが好ましく、20μm以下であることが特に好ましい。また、隣接する隔壁間の距離(パターンの幅)は300μm以下であることが好ましく、100μm以下であることが特に好ましい。隔壁の高さは0.05~50μmであることが好ましく、0.2~10μmであることが特に好ましい。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物から形成される隔壁は、上記幅に形成された際の縁の部分に凹凸が少なく直線性に優れることが好ましい。それにより、たとえ微細なパターンであっても精度の高いパターン形成が可能となる。このような精度の高いパターン形成が行えれば、特に、量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池用の隔壁として有用である。
 本発明に係る隔壁は、IJ法にてパターン印刷を行う際に、その開口部をインク注入領域とする隔壁として利用できる。隔壁が撥インク性を有する場合には、隔壁をその開口部が所望のインク注入領域と一致するように形成して用いれば、隔壁上面が良好な撥インク性を有することから、隔壁を超えて所望しない開口部すなわちインク注入領域にインクが注入されること(コンタミネイション)を抑制できる。また、隔壁で囲まれた開口部は、インクの濡れ広がり性が良好であるので、はじき等が発生することなくインクを所望の領域に均一に印刷することが可能となる。
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いて得られる樹脂硬化膜は表面において水接触角が60度以上であるのが好ましく、80度以上がより好ましい。ネガ型感光性樹脂組成物が撥インク剤を含有する場合、水接触角を上記範囲としやすく、特に80度以上を達成しやすい。また、上記樹脂硬化膜は表面においてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)の接触角が30度以上であるのが好ましく、40度以上がより好ましい。特に、ネガ型感光性樹脂組成物が撥インク剤を含有する場合、PGMEA接触角を上記範囲としやすく、高いPGMEA接触角が求められる場合には、ネガ型感光性樹脂組成物は撥インク剤を含有するのが好ましい。
 なお、樹脂硬化膜は基材上に形成され、そのまま使用される。このような態様において、樹脂硬化膜の表面とは、樹脂硬化膜の上面を意味する。樹脂硬化膜の表面における撥インク性の性質は、隔壁の上面においても同様に発現される。すなわち、IJ法に用いられるインクが水性であっても油性であっても、隔壁上面は十分にインクをはじく性質を有するとともに、開口部においてはインクのコンタミネイションやはじきを十分に抑制できる。
 ここで、接触角は、静滴法により、JIS R3257「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」に準拠して、硬化膜表面3ヶ所に水滴またはPGMEA滴を載せ、各水滴またはPGMEA滴について測定する。液滴は2μL/滴とし、測定は20℃で行う。接触角は、3測定値の平均値から求める。
 本発明に係る隔壁を用いれば、上記のとおりIJ法によるパターン印刷が精巧に行える。よって、本発明に係る隔壁は、ドットがIJ法で形成される基板表面に複数のドットと隣接するドット間に位置する隔壁を有する光学素子、特に量子ドットディスプレイ、TFTアレイ、薄膜太陽電池の隔壁として有用である。
[光学素子]
 本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成された隔壁を有する光学素子、特には、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池は、上記のとおり隔壁で仕切られた開口部において残渣が低減されていることから、インクがムラなく均一に濡れ広がることが可能である。さらに、隔壁は基材密着性に優れる。隔壁と基材の密着が不十分な場合、例えば、インクが開口部以外に拡散することにより問題となる。
 隔壁が形成される基材としては、光学素子の種類により、各種無機材料、有機材料からなる基材が適宜選択される。隔壁は、例えば、ガラス、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン等の無機酸化物や、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、アクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂、シアノエチルプルラン等の有機化合物等の絶縁材料からなる基材に対する密着性に優れる他、Al、Au、Ag、Pt、Pd、Cu、Cr、Mo、In、Zn、Mg等やこれらを含む合金または酸化物等、またはカーボンナノチューブ等の有機導電体、スズドープ酸化インジウム(ITO)、亜鉛ドープ酸化インジウム(IZO)等の導電材料からなる基材に対する密着性にも優れる。
 本発明に係る隔壁を有する光学素子は、隔壁の基材密着性の改善と開口部の残渣低減がなされていることで、精度よく形成されたドットを有する光学素子、特には、量子ドットディスプレイ、TFTアレイまたは薄膜太陽電池である。
 量子ドットディスプレイは、例えば、以下のように製造できるがこれに限定されない。
 ガラス等の透光性基板にITO等の透光性電極をスパッタ法等によって成膜する。この透光性電極は必要に応じてパターニングされる。
 次に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用い、塗布、露光および現像を含むフォトリソグラフィ法により、各ドットの輪郭に沿って、平面視格子状に隔壁を形成する。
 次に、ドット内に、IJ法により必要に応じて電荷注入材料溶液および/または電荷輸送材料溶液を塗布、乾燥した後、電気的に発光するナノ粒子溶液を塗布、乾燥してモジュールを作製する。これにより色再現性の優れた量子ドットディスプレイが得られる。
 TFTアレイ素子とは、複数のドットが平面視マトリクス状に配置され、各ドットに画素電極とこれを駆動するためのスイッチング素子としてTFTが設けられ、TFTのチャネル層を含む半導体層として無機半導体層または有機半導体層が用いられる素子である。有機TFTアレイ素子は、例えば、液晶素子にTFTアレイ基板として備えられる。
 TFTアレイは、例えば、以下のように製造できるがこれに限定されない。
 ガラス等の透光性基板にアルミニウムやその合金等のゲート電極をスパッタ法等によって成膜する。このゲート電極は必要に応じてパターニングされる。
 次に、窒化ケイ素等のゲート絶縁膜をプラズマCVD法等によって形成する。ゲート絶縁膜上にソース電極、ドレイン電極を形成してもよい。ソース電極およびドレイン電極は、例えば、真空蒸着やスパッタリングでアルミニウム、金、銀、銅、またはそれらの合金などの金属薄膜を形成し、作製することができる。
 ソース電極およびドレイン電極をパターニングする方法としては、金属薄膜を形成後、レジストを塗装し、露光、現像して電極を形成させたい部分にレジストを残し、その後、リン酸や王水などで露出した金属を除去、最後にレジストを除去する手法がある。また、金などの金属薄膜を形成させた場合は、予めレジストを塗装し、露光、現像して電極を形成させたくない部分にレジストを残し、その後金属薄膜を形成後、金属薄膜と共にフォトレジストを除去する手法もある。また、銀や銅等の金属ナノコロイド等を用いてインクジェット等の手法により、ソース電極およびドレイン電極を形成してもよい。
 次に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いて、塗布、露光および現像を含むフォトリソグラフィ法により、各ドットの輪郭に沿って、平面視格子状に隔壁を形成する。
 次にドット内に半導体溶液をIJ法によって塗布し、溶液を乾燥させることによって半導体層を形成する。この半導体溶液としては有機半導体溶液、無機の塗布型酸化物半導体溶液も用いることができる。ソース電極、ドレイン電極は、この半導体層形成後にインクジェットなどの手法を用いて形成されてもよい。
 最後にITO等の透光性電極をスパッタ法等によって成膜し、窒化ケイ素等の保護膜を成膜することで形成する。
 以下、実施例に基づいて本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。例1~17が実施例、例18~20が比較例である。
 各特性の測定は以下の方法で行った。
[数平均分子量(Mn)、質量平均分子量(Mw)]
 ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により、ポリスチレンを標準物質として測定した。ゲルパーミエーションクロマトグラフィとしては、HPLC-8220GPC(東ソー社製)を使用した。カラムとしては、shodex LF-604を3本、接続したものを使用した。検出器としては、RI検出器を使用した。標準物質としては、EasiCal PS1(Polymer Laboratories社製)を使用した。さらに、測定する際は、カラムを37℃で保持し、溶離液としては、テトラヒドロフランを用い、流速を0.2mL/分とし、測定サンプルの0.5%テトラヒドロフラン溶液40μLを注入した。
[フッ素原子の含有率]
 1,4-ジトリフルオロメチルベンゼンを標準物質として、19F NMR測定により算出した。
 [酸価]
 酸価は、原料の配合割合から理論的に算出した。
 以下の各例において用いた各化合物の略号について以下に示す。
(アルカリ可溶性樹脂(A))
 A1;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂にアクリル酸、次いで1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸を反応させて、アクリロイル基とカルボキシ基とを導入した樹脂をヘキサンで精製した樹脂(アルカリ可溶性樹脂(A1)、酸価80mgKOH/g)。ネガ型感光性樹脂組成物の製造においてはアルカリ可溶性樹脂(A1)の組成物(固形分70%、PGMEA30%)を使用した。
 A2;ビスフェノールA型エポキシ樹脂にアクリル酸、次いで1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸を反応させて、アクリロイル基とカルボキシ基とを導入した樹脂をヘキサンで精製した樹脂(アルカリ可溶性樹脂(A2)、酸価50mgKOH/g)。ネガ型感光性樹脂組成物の製造においてはアルカリ可溶性樹脂(A2)の組成物(固形分70%、PGMEA30%)を使用した。
 A-R-1;撹拌機および還流冷却器、滴下ロート及び攪拌機を備えた1Lのフラスコ内に窒素を0.02L/分で流して窒素雰囲気とした後、PGMEA305部を入れ、撹拌しながら70℃まで加熱した。次いで、メタクリル酸60部、3,4-エポキシトリシクロ[5.2.1.02.6]デシルアクリレート240部及び、PGMEA140部に溶解して溶液を調製し、該溶液を、滴下ロートを用いて4時間かけて、70℃に保温したフラスコ内に滴下した。一方、重合開始剤2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)30部をPGMEA225部に溶解した溶液を、別の滴下ロートを用いて4時間かけてフラスコ内に滴下した。
 重合開始剤の溶液の滴下が終了した後、4時間、70℃に保持し、その後室温まで冷却して、Mwは、12,800、分散度は2.5、酸価34mgKOH/gの樹脂(A-R-1)を得た。ネガ型感光性樹脂組成物の製造においてはアルカリ可溶性樹脂(A-R-1)の組成物(固形分33%、PGMEA67%)を使用した。
 A-R-2;クレゾールノボラック型エポキシ樹脂にアクリル酸、次いで1,2,3,6-テトラヒドロ無水フタル酸を反応させて、アクリロイル基とカルボキシ基とを導入した樹脂をヘキサンで精製した樹脂(アルカリ可溶性樹脂(A-R-2)、酸価30mgKOH/g)。ネガ型感光性樹脂組成物の製造においてはアルカリ可溶性樹脂(A-R-2)の組成物(固形分70%、PGMEA30%)を使用した。
(化合物(I))
 I-11;トリアリルイソシアヌレート(上記式(I-1)中、RがH、Qが-CH-の化合物)
 I-21;3,9-ジビニル-2,4,8,10-テトラオキサスピロ[5.5]ウンデカン(上記式(I-2)中、RがH、Qが単結合の化合物)
 I-31;1,3,4-トリビニルシクロヘキサン(上記式(I-3)中、1,3,4位に、RがH、Qが単結合の化合物)
 I-41;ペンタエリスリトールトリアリルエーテル(上記式(I-4)中、YがH、RがH、Qが-CH-の化合物)
 I-42;ペンタエリスリトールテトラビニルエーテル(上記式(I-4)中、YがCH=CR-Q-基、RがH、Qが単結合の化合物)
(光重合開始剤(B))
 B-1;2-メチル-1-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オン
 EAB;4,4'-ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン
(チオール化合物(C))
 C-1;1,3,5-トリス(3-メルカプトブチリルオキシエチル)-1,3,5-トリアジン-2,4,6(1H,3H,5H)-トリオン
(架橋剤(D))
 DPHA;ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
(撥インク剤(E))
 以下の原料化合物を用いて、以下のようにして合成した。
 MEK;2-ブタノン
 X-8201;ジメチルシリコーン鎖含有メタクリレート(信越化学工業社製、X-24-8201)
 C6FMA;CH=C(CH)COOCHCH(CF
 MAA;メタクリル酸
 2-HEMA;2-ヒドロキシエチルメタクリレート
 AOI;2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート
 DBTDL;ジブチル錫ジラウレート
 BHT;2,6-ジ-t-ブチル-p-クレゾール
 化合物(s1)に相当する化合物(s1-1);F(CFCHCHSi(OCH(公知の方法で製造した。)
 化合物(s2)に相当する化合物(s2-1);Si(OC
 化合物(s3)に相当する化合物(s3-1);CH=CHCOO(CHSi(OCH
[撥インク剤(E1-1)の合成]
 撹拌機を備えた内容積1Lのオートクレーブに、MEK(420.0g)、X-8201(27.0g)、C6FMA(66.6g)、MAA(14.4g)、2-HEMA(72.0g)および2,2’-アゾビス(4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル)(1.4g)を仕込み、窒素雰囲気下に撹拌しながら、30℃で24時間重合させ、共重合体1の溶液を得た。得られた共重合体1のMEK溶液にヘプタンを加え再沈精製し、真空乾燥し、共重合体1の148.7gを得た。Mnは17320、Mwは51200であった。
 温度計、撹拌機、加熱装置を備えた内容量300mLのガラス製フラスコに、共重合体1(50.0g)、AOI(21.7g)、DBTDL(0.087g)、BHT(1.1g)およびMEK(128.1g)を仕込み、撹拌しながら、40℃で48時間反応させ、重合体(E1-1)の溶液を得た。得られた重合体(E1-1)のMEK溶液にヘプタンを加え再沈精製し、真空乾燥し、重合体(E1-1)の64.1gを得た。Mnは36520、Mwは68610であり、フッ素原子の含有率は14.7%であった。
[撥インク剤(E1-2)の合成]
 撹拌機を備えた内容積1Lのオートクレーブに、MEK(420.0g)、C6FMA(93.6g)、MAA(14.4g)、2-HEMA(72.0g)および2,2’-アゾビス(4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル)(2.9g)を仕込み、窒素雰囲気下に撹拌しながら、30℃で24時間重合させ、共重合体2の溶液を得た。得られた共重合体2のMEK溶液にヘプタンを加え再沈精製し、真空乾燥し、共重合体2の150.3gを得た。Mnは12370、Mwは37660であった。
 温度計、撹拌機、加熱装置を備えた内容量300mLのガラス製フラスコに、共重合体2(50.0g)、AOI(21.7g)、DBTDL(0.087g)、BHT(1.1g)およびMEK(128.1g)を仕込み、撹拌しながら、40℃で48時間反応させ、重合体(E1-2)の溶液を得た。得られた重合体(E1-2)のMEK溶液にヘプタンを加え再沈精製し、真空乾燥し、重合体(E1-2)の63.8gを得た。Mnは18460、Mwは48890であり、フッ素原子の含有率は20.7%であった。
[撥インク剤(E2-1)の合成]
 撹拌機を備えた1,000cmの三口フラスコに、化合物(s1-1)の15.0g、化合物(s2-1)の20.0g、化合物(s3-1)の27.0gを入れて、加水分解性シラン化合物混合物を得た。次いで、この混合物にIPA(2-プロパノール)の284.3gを入れて、原料溶液とした。
 得られた原料溶液に、1%塩酸水溶液を30.0g滴下した。滴下終了後、40℃で5時間撹拌して、撥インク剤(E2-1)のIPA溶液(撥インク剤(E2-1)濃度;10%、以下、撥インク剤((E2-1))溶液ともいう。)を得た。なお、反応終了後、反応液の成分をガスクロマトグラフィを使用して測定し、原料としての各化合物が検出限界以下になったことを確認した。また、得られた撥インク剤(E2-1)のMnMnは1200、Mwは1310であり、フッ素原子の含有率は21.0%であった。
(紫外線吸収剤)
 UVA-1;2,4-ジヒドロキシベンゾフェノン
 UVA-2;2-(2’-ヒドロキシ-5’-メタクリロイルオキシエチルフェニル)-2H-ベンゾトリアゾール
 界面活性剤;BYK302(ビックケミー社製)
(溶媒)
 PGME;プロピレングリコールモノメチルエーテル
 EDM;ジエチレングリコールエチルメチルエーテル
 PGMEA;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
[例1]
(ネガ型感光性樹脂組成物の製造)
 表1に示す、アルカリ可溶性樹脂(A)、化合物(I)、光重合開始剤(B)、チオール化合物(C)、架橋剤(D)、反応性紫外線吸収剤、界面活性剤、および溶媒を表1の組成になるように、200cmの撹拌用容器に入れ、3時間撹拌してネガ型感光性樹脂組成物1を製造した。
(硬化膜の製造)
 10cm四方のガラス基板をエタノールで30秒間超音波洗浄し、次いで、5分間のUV/O処理を行った。UV/O処理には、UV/O発生装置としてPL2001N-58(センエンジニアリング社製)を使用した。254nm換算の光パワー(光出力)は10mW/cmであった。
 上記で得られたガラス基板表面に、スピンナを用いて、上記ネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μmの乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括で照射した。この方法で、露光量が50mJ/cmとなるように照射時間を調整して硬化膜を製造した。なお、いずれの場合も露光の際に、330nm以下の光はカットした。
 次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に60秒間浸漬処理し、水により洗い流した後、乾燥させた。次いで、これをホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、開口部のない硬化膜を得た。
(パターン膜1の製造)(Cu密着性評価用)
 ガラス基板上にCu層を有する基板を用い、そのCu層上に、スピンナを用いて、上記ネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μmの乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、フォトマスクを介して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括で照射した(露光量は50mJ/cm)。露光の際に、330nm以下の光はカットした。また、乾燥膜とフォトマスクとの離間距離は50μmとした。フォトマスクは、ライン/スペースが20μm/50μm、10μm/50μm、8μm/50μm、6μm/50μm、4μm/50μmの設計のものを使用した。
 次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に60秒間浸漬して現像し、非露光部を水により洗い流し、乾燥させた。次いで、これをホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、硬化膜として50μmの間隔を置いて、それぞれの幅が、20μm、10μm、8μm、6μm、および4μmであるラインを5本有するパターン膜1を得た。
(パターン膜2の製造)(有機膜密着性評価用)
 ガラス基板上にDL-1000(東レ社製、ポジ型ポリイミド感光性レジスト)を、スピンナを用いて塗布した後、110℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.0μmの乾燥膜を形成した。2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に40秒間浸漬して現像し、乾燥させた。次いで、これをホットプレート上、220℃で60分間加熱することにより、有機膜が全面に付いたガラス基板を得た。
 得られた有機膜付きガラス基板の有機膜上に、スピンナを用いて、上記ネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μmの乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、フォトマスクを介して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括で照射した(露光量は50mJ/cm)。露光の際に、330nm以下の光はカットした。また、乾燥膜とフォトマスクとの離間距離は50μmとした。フォトマスクは、ライン/スペースが20μm/50μm、10μm/50μm、8μm/50μm、6μm/50μm、4μm/50μmの設計のものを使用した。
 次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に60秒間浸漬して現像し、非露光部を水により洗い流し、乾燥させた。次いで、これをホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、硬化膜として50μmの間隔を置いて、それぞれの幅が、20μm、10μm、8μm、6μm、および4μmであるラインを5本有するパターン膜2を得た。
(パターン膜3の製造)(ITO付きガラス;XPS残渣分析用)
 ガラス基板上にITO層を有する基板を用い、そのITO層上に、スピンナを用いて、上記ネガ型感光性樹脂組成物1を塗布した後、100℃で2分間、ホットプレート上で乾燥させ、膜厚2.4μmの乾燥膜を形成した。得られた乾燥膜に対して、開口パターンを有するフォトマスク(遮光部が100μm×200μm、光透過部が20μmの格子状パターン)を介して、365nm換算の露光パワー(露光出力)が300mW/cmである超高圧水銀ランプのUV光を全面一括照射した(露光量は50mJ/cm)。露光の際に、330nm以下の光はカットした。また、乾燥膜とフォトマスクとの離間距離は50μmとした。
 次いで、上記露光処理後のガラス基板を2.38%テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液に60秒間浸漬して現像し、非露光部を水により洗い流し、乾燥させた。次いで、ホットプレート上、230℃で60分間加熱することにより、フォトマスクの開口パターンに対応したパターンを有する硬化膜としてパターン膜3を得た。
(評価)
 得られたネガ型感光性樹脂組成物1および硬化膜、パターン膜1~3について、以下の評価を実施した。評価結果をネガ型感光性樹脂組成物1の組成とともに表1に示す。
<硬化膜の膜厚>
 レーザ顕微鏡(キーエンス社製、装置名;VK-8500)を用いて測定した。
<撥インク性>
 上記で得られた硬化膜上面の水接触角およびPGMEA接触角を下記の方法で測定し、撥インク性の評価とした。
 静滴法により、JIS R3257「基板ガラス表面のぬれ性試験方法」に準拠して、硬化膜上面3ヶ所に水滴またはPGMEA滴を載せ、各水滴またはPGMEA滴について測定した。液滴は2μL/滴とし、測定は20℃で行った。接触角は、3測定値の平均値から求めた。
<密着力>
 パターン膜1およびパターン膜2を用いて以下の(1)、(2)の密着性を試験した。
(1)銅
<現像時間(60秒)残し解像度>
 パターン膜1に関し、下記の基準で長時間現像に対する耐剥離性を評価した。
 ◎;少なくとも10μmの線幅のラインが残っている。
 ○;少なくとも20μmの線幅のラインが残っている。
 ×;すべてのライン/スペースサンプルにおいてライン部分が剥離した。
(2)有機膜
<現像時間(60秒)残し解像度>
 パターン膜2に関し、下記の基準で長時間現像に対する耐剥離性を評価した。
 ◎;少なくとも10μmの線幅のラインが残っている。
 ○;少なくとも20μmの線幅のラインが残っている。
 ×;すべてのライン/スペースサンプルにおいてライン部分が剥離した。
<開口部残渣>
 パターン膜3付きのITO基板における開口部の中央部分について以下の条件でX線光電子分光法(XPS)により表面解析を行った。XPSにより測定された開口部表面のC/In値(炭素原子濃度に対するインジウム原子濃度の比の値)が5.0未満のものを「◎」、5.0~8.0のものを「○」、8.0以上のものを「×」とした。
[XPSの条件]
装置;アルバックファイ社製Quantera‐SXM、
X線源;Al Kα、X線のビームサイズ;約20μmφ、測定エリア;約20μmφ、
検出角;試料面から45°、測定ピーク;F1s、
測定時間(Acquired Timeとして);5分以内、
解析ソフト;MultiPak
[例2~20]
 例1において、ネガ型感光性樹脂組成物を表1または表2に示す組成に変更した以外は、同様の方法で、ネガ型感光性樹脂組成物、隔壁、および硬化膜を製造し、例1と同様の評価を行った。各例の評価結果をそれぞれネガ型感光性樹脂組成物の組成とともに表1および表2に示す。なお、表1および表2において空欄は配合量「0」を意味する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
 表1および表2からわかるように、実施例である例1~17のネガ型感光性樹脂組成物を用いて得られた隔壁は基材との密着性が良好であるとともに、開口部における残渣の低減が実現されている。
 なお、2017年12月11日に出願された日本特許出願2017-236753号の明細書、特許請求の範囲、図面、および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims (15)

  1.  主鎖に芳香族環を含み、分子中に酸性基とエチレン性二重結合とを有し、かつ酸価が40mgKOH/g以上のアルカリ可溶性樹脂と、光ラジカル重合開始剤と、下記式(I)で示される化合物(I)と、を含有することを特徴とするネガ型感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
    (ただし、式(I)中、Rは水素原子またはメチル基であり、nは2以上の整数であり、Xはn価の有機基であり、Qは-CH-または単結合である。Qが単結合の場合、Qと結合するXの末端は-C(=O)を含まない。2以上のnで囲まれる基は同一であっても異なってもよい。)
  2.  前記化合物(I)が、環状化合物である請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  3.  前記化合物(I)が、脂肪族ヘテロ環状化合物である請求項1に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  4.  前記アルカリ可溶性樹脂を、ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中、5~80質量%含有する請求項1~3のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  5.  前記光ラジカル重合開始剤を、ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中、0.1~50質量%含有する請求項1~4のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  6.  前記式(I)で示される化合物(I)を、ネガ型感光性樹脂組成物における全固形分中、1~50質量%含有する請求項1~5のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  7.  さらに、1分子中にメルカプト基を2個以上有するチオール化合物を含有する請求項1~6のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  8.  前記チオール化合物を、ネガ型感光性樹脂組成物中の全固形分が有するエチレン性二重結合の1モルに対してメルカプト基が0.0001~1モルとなる量含有する請求項7に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  9.  さらに、撥インク剤を含有する請求項1~8のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  10.  前記撥インク剤は、エチレン性二重結合を有する請求項9に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  11.  前記撥インク剤は、1~40質量%のフッ素含有率を有する請求項9または10に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  12.  前記撥インク剤を、ネガ型感光性樹脂組成物中の全固形分中、0.01~15質量含有する請求項9~11のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  13.  さらに、溶媒を含有する請求項1~12のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  14.  前記ネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂硬化膜の表面における水接触角が60度以上である請求項1~13いずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  15.  前記ネガ型感光性樹脂組成物を用いて形成される樹脂硬化膜の表面におけるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート接触角が30度以上である請求項1~13のいずれか1項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
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