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WO2019194042A1 - トランジスタの製造方法 - Google Patents

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WO2019194042A1
WO2019194042A1 PCT/JP2019/013184 JP2019013184W WO2019194042A1 WO 2019194042 A1 WO2019194042 A1 WO 2019194042A1 JP 2019013184 W JP2019013184 W JP 2019013184W WO 2019194042 A1 WO2019194042 A1 WO 2019194042A1
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WO
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layer
substrate
barrier layer
bonding
gan
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2019/013184
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English (en)
French (fr)
Inventor
拓也 星
佑樹 吉屋
杉山　弘樹
松崎　秀昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to US16/981,603 priority Critical patent/US11430875B2/en
Publication of WO2019194042A1 publication Critical patent/WO2019194042A1/ja
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a transistor using a nitride semiconductor.
  • nitride semiconductors such as GaN have a large band gap and high breakdown field strength
  • electronic devices such as transistors composed of nitride semiconductors exhibit high breakdown voltage characteristics.
  • the nitride semiconductor has polarization in the c-axis direction, for example, by forming a heterojunction between AlGaN and GaN, a high-density sheet carrier of about 10 13 cm ⁇ 3 spontaneously due to the polarization effect. Can be formed.
  • GaN-based high electron mobility transistors manufactured using the above-described features are used for wireless communication ICs that require a high frequency of several GHz or higher and a high output of 200 W or higher. Has already been put to practical use. In the future, GaN-based HEMTs with improved high-frequency characteristics from tens to hundreds of GHz will be required to expand wireless communication capacity. In order to improve the high-frequency characteristics of the HEMT, further scaling of the device is effective.
  • a buffer layer 302 a channel layer 303, and a barrier layer 304 formed by epitaxial growth are sequentially stacked on a substrate 301.
  • the channel layer 303 is made of GaN
  • the barrier layer 304 is made of AlGaN.
  • the barrier layer 304 and the channel layer 303 have different polarization magnitudes.
  • a sheet carrier two-dimensional electron gas
  • a gate electrode 311 is formed on the barrier layer 304 by a well-known semiconductor manufacturing process, and a source electrode 312 and a drain electrode 313 are formed with the gate electrode 311 interposed therebetween.
  • the gate electrode 311 is a so-called Schottky connection, and the source electrode 312 and the drain electrode 313 are ohmically connected to the channel layer 303.
  • the shortening of the gate length causes a so-called short channel effect in which the electric field from the gate is less effective at the channel layer. For this reason, it is important to shorten the gate-channel distance in correspondence with the shortening of the gate length. In order to shorten the gate-channel distance, it is conceivable to make the barrier layer made of AlGaN thinner.
  • Non-Patent Document 1 A technique for controlling the polarity of GaN has been reported.
  • a general GaN-based device is crystal growth and device fabrication in a so-called Ga polarity (Group III polarity) state.
  • a technique for crystal growth with the N-polarity (Group V polarity) plane as the principal plane orientation has also been reported (Non-Patent Document 1).
  • the direction of polarization is reversed as compared with a device fabricated with a conventional Ga polarity.
  • the barrier layer is closer to the substrate side than the channel layer, the gate-channel distance is constant even when the gate length is reduced. It is expected that the high frequency characteristics can be further expanded as compared with the Ga polar device.
  • crystal growth of a nitride semiconductor uses a heterogeneous substrate such as sapphire or SiC.
  • a nitride semiconductor with a main surface made of N-pole the off-angle and the like are controlled in advance, such as sapphire.
  • a technique such as forming a special buffer layer by nitriding the surface of the substrate is required. The introduction of such a special buffer layer is greatly affected by the characteristics of each crystal growth apparatus and the substrate characteristics, and requires high technology.
  • Non-patent Document 2 In recent years, there has been reported an N-polar growth technique using an N-polar GaN substrate produced with the N-polar plane as the principal plane orientation, but it was a homoepitaxial growth system that does not use such a special buffer layer. However, the problems in the crystal growth process as described above remain, and a high technique is required to fabricate a HEMT using a high-quality nitride semiconductor grown by high-quality N-polar epitaxial growth (Non-patent Document 2).
  • Non-Patent Document 3 As a technique for solving the above-described problems, the production of HEMTs using GaN with a main surface of N polarity by substrate transfer has been reported (Non-Patent Document 3).
  • a HEMT structure is formed on a Si substrate by epitaxially growing GaN with the main surface of Ga polarity.
  • these are bonded to a dissimilar substrate by a predetermined bonding technique via hydrogen silsesquioxane (HSQ).
  • HSQ hydrogen silsesquioxane
  • the Si substrate is removed, the epitaxially grown GaN layer is exposed, and a HEMT manufacturing process is performed to form a GaN HEMT having a main surface of N polarity.
  • Non-Patent Document 3 The advantage of the technology of Non-Patent Document 3 described above is that N polarity does not grow. Since the growth of Ga-polar GaN is already technically mature, it is relatively easy to produce a HEMT structure of AlGaN / GaN with Ga-polarity on a Si substrate, and the above-mentioned problems in N-polar growth occur. Absent.
  • Substrate transfer includes a technique of bonding two wafers facing each other and bonding them at a high temperature and a high pressure, and a so-called surface activated bonding in which the surfaces are bonded with plasma activated.
  • the influence on the transistor characteristics cannot be excluded from the viewpoint of damage to the crystal.
  • the original transistor characteristics may not be brought out by introducing crystal defects due to the bonding.
  • the conventional technique has a problem that the device characteristics are deteriorated due to crystal defects in the bonded joint portion.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to suppress deterioration of device characteristics due to crystal defects in a bonded joint.
  • the method for manufacturing a transistor according to the present invention includes a first step of forming a buffer layer made of a nitride semiconductor on a first substrate, a first barrier layer made of a nitride semiconductor, a channel layer, a second barrier layer, A second step of growing a crystal on the buffer layer in a state where the main surface is a group III polar surface in this order, and a second bonding layer made of a nitride semiconductor is formed on the second substrate.
  • a second barrier layer, a channel layer, and a first barrier layer are formed on the second substrate in this order on the second substrate with the main surface being a group V polar surface.
  • the channel layer is made of a material having a smaller band gap than the first barrier layer and the second barrier layer
  • the first barrier layer is made of at least one of AlGaN, InAlN, InAlGaN, AlN, and GaN
  • the second barrier layer is made of AlGaN, InAlN, InAlGaN, It is composed of at least one of AlN and GaN
  • at least one of the first junction layer and the second junction layer is composed of a nitride semiconductor doped with C, Fe, Zn, or Mg and having a high resistance or p-type. To do.
  • the method for manufacturing a transistor according to the present invention includes a first step of forming a buffer layer made of a nitride semiconductor on a first substrate, a first barrier layer made of a nitride semiconductor, a channel layer, a second barrier layer, A first step in which a first bonding layer is crystal-grown on the buffer layer in a state in which the main surface is a group III polar surface in this order; and the first substrate is opposed to the first bonding layer and the second substrate. A third step of bonding the second substrate, a part or all of the buffer layer and the first substrate are removed, and a second barrier layer, a channel layer, and a first barrier layer are formed on the second substrate.
  • Forming a transistor comprising: a second substrate on a second substrate;
  • the channel layer is made of a material having a smaller band gap than the first barrier layer and the second barrier layer, the channel layer is made of at least one of GaN, InGaN, AlGaN, and InN, and the first barrier layer is made of
  • the second barrier layer is composed of at least one of AlGaN, InAlN, InAlGaN, AlN, GaN, and the first junction layer is composed of C, Fe, and AlGaN, InAlN, InAlGaN, AlN, and GaN. It is made of a nitride semiconductor doped with Zn or Mg to have a high resistance or a p-type.
  • the method for manufacturing a transistor further includes a sixth step of forming a second bonding layer made of a nitride semiconductor on the second substrate before the first substrate and the second substrate are bonded to each other.
  • the first substrate and the second substrate may be bonded to each other with the first bonding layer and the second substrate facing each other.
  • the second bonding layer may be made of a nitride semiconductor doped with C, Fe, Zn, or Mg to have a high resistance or a p-type.
  • a HEMT made of GaN having a main surface of N polarity is produced, so that an excellent effect can be obtained in that deterioration of device characteristics due to crystal defects in the bonded joint can be suppressed.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for explaining the method for manufacturing a transistor in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for describing the method for manufacturing the transistor in Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 1C is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for describing the method for manufacturing the transistor in Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 1D is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for explaining the method for manufacturing the transistor in the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1E is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for describing the method for manufacturing the transistor in Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for describing the method for manufacturing a transistor in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 2B is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for explaining the method for manufacturing the transistor in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 2C is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for describing the method for manufacturing the transistor in Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 2D is a cross-sectional view showing the state of an intermediate step for describing the method for manufacturing the transistor in Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a high electron mobility transistor.
  • Embodiment 1 First, a method for manufacturing a transistor according to Embodiment 1 of the present invention will be described with reference to FIGS. 1A to 1E.
  • a buffer layer 102 made of a nitride semiconductor is formed on a first substrate 101 (first step).
  • the first barrier layer 103, the channel layer 104, the second barrier layer 105, and the first bonding layer 106 made of a nitride semiconductor are placed on the buffer layer 102 in such a state that the main surface is a group III polar surface. Crystals grow (second step).
  • the separation sacrificial layer 107 is formed on the buffer layer 102, and the first barrier layer 103 is formed thereon.
  • the composition gradient layer 108 is formed on the second barrier layer 105, and the first bonding layer 106 is formed thereon.
  • the composition gradient layer 108 is formed in contact with the second barrier layer 105 and the first bonding layer 106.
  • Each layer may be formed by a well-known metal organic chemical vapor deposition method.
  • the first substrate 101 is made of, for example, Al 2 O 3 .
  • the first substrate 101 may be SiC, single crystal Si, or the like, and may be made of a material that can be used for growing a nitride semiconductor such as GaN.
  • the buffer layer 102 may be made of GaN, for example.
  • the buffer layer 102 may be a low temperature growth GaN buffer layer for so-called initial nucleation.
  • the buffer layer 102 may be made of AlN.
  • the peeling sacrificial layer 107 may be made of GaN.
  • the first barrier layer 103 may be made of AlGaN
  • the channel layer 104 may be made of GaN
  • the second barrier layer 105 may be made of AlGaN.
  • the Al composition and thickness of the first barrier layer 103 and the second barrier layer 105 may be set as appropriate depending on the application region of the transistor.
  • first barrier layer 103 and the second barrier layer 105 are made of a material having a larger band gap than the channel layer 104.
  • the first barrier layer 103 and the second barrier layer 105 are not limited to AlGaN, and may be composed of AlN, AlInN, or AlInGaN.
  • the first barrier layer 103 and the second barrier layer 105 may be made of at least one of AlGaN, InAlN, InAlGaN, AlN, and GaN.
  • the channel layer 104 may be made of undoped GaN, for example.
  • the channel layer 104 may be a composite channel having a stacked structure with InGaN, InN, or the like.
  • the channel layer 104 may be composed of at least one of GaN, InGaN, AlGaN, and InN.
  • the composition gradient layer 108 is made of, for example, AlGaN.
  • the composition gradient layer 108 is designed so that the Al composition of AlGaN gradually changes from a high state to a low state from the second barrier layer 105 side.
  • the first bonding layer 106 is formed by growing high-resistance AlGaN doped with iron (Fe) on the composition gradient layer 108 thus configured.
  • the Al composition of the first bonding layer 106 is set smaller than the Al composition of the composition gradient layer 108 made of AlGaN.
  • the first bonding layer 106 may be composed of GaN doped with Fe. Note that it is important that the first bonding layer 106 be a high-resistance layer. For this reason, in the first bonding layer 106, doping is not limited to Fe, and may be, for example, zinc (Zn) or carbon (C). For the purpose of canceling the leakage current, the first bonding layer 106 may be made of a p-type nitride semiconductor using magnesium (Mg) or the like as a dopant.
  • Mg magnesium
  • the first barrier layer 103, the channel layer 104, the second barrier layer 105, and the first bonding layer 106 described above can easily obtain a group III polarity state by a general growth method using a GaN buffer layer. It is easy to grow a crystal with the surface being a group III polar surface.
  • Fe and Zn may be mixed due to impurity diffusion in the epitaxial growth layer during crystal growth, and Mg may be affected by the memory effect in the growth furnace.
  • C doping unlike normal epitaxial growth conditions, growth conditions in which C is likely to be mixed but crystal quality is likely to deteriorate may be used.
  • the first bonding layer 106 is formed as the uppermost layer, the influence on the first barrier layer 103, the channel layer 104, and the second barrier layer 105 which are lower than the first bonding layer 106 can be suppressed. Although these layers are important in the characteristics of the HEMT, according to the embodiment, the first bonding layer 106 having a high resistance for suppressing leakage current can be formed while maintaining high crystal quality in these layers. .
  • a second bonding layer 122 made of a nitride semiconductor is formed on the second substrate 121 (third step).
  • the second bonding layer 122 is formed over the second substrate 121 with the buffer layer 123 interposed therebetween.
  • the buffer layer 123 and the second bonding layer 122 may be sequentially grown on the second substrate 121 by a well-known metal organic chemical vapor deposition method.
  • the second substrate 121 may be made of a material that can be used for growing a nitride semiconductor such as GaN.
  • substrate 121 should just be comprised from SiC excellent in a thermal radiation characteristic supposing the application to a high frequency device.
  • the buffer layer 123 may be made of a nitride semiconductor containing Al, such as AlN or AlGaN.
  • the second bonding layer 122 may be made of, for example, GaN doped with Fe. In this case as well, the second bonding layer 122 doped with Fe is formed in the uppermost layer, so that the influence of the impurity introduction on the layers below the second bonding layer 122 is the same as described above. small.
  • the first substrate 101 and the second substrate 121 are bonded together with the first bonding layer 106 and the second bonding layer 122 facing each other (fourth step).
  • the uppermost layer grown on the first substrate 101 and the uppermost layer grown on the second substrate 121 are brought into contact with each other and bonded together.
  • a well-known wafer bonding method may be used.
  • a technique by direct bonding is desirable.
  • a technique such as surface activated bonding is used in which surface activation is performed by irradiation with plasma, and bonding is performed by applying pressure under normal temperature or heating of about several hundred degrees.
  • a technique of applying a high pressure between the first substrate 101 and the second substrate 121 and heating to a high temperature may be used.
  • the damage caused by the wafer bonding is the bonding layer doped with Fe to increase the resistance on any of the substrates, and the other first barrier layer 103, channel layer 104, and second barrier layer 105. It is possible to almost eliminate the influence on the above.
  • the surface flatness observed with an atomic force microscope or the like requires a flatness of about 1 nm or less in terms of mean square roughness.
  • the surface of the first bonding layer 106 and the surface of the second bonding layer 122 that are the bonding surfaces may be planarized by chemical mechanical polishing (CMP) or the like before bonding. Good.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • Such planarization causes damage to the first bonding layer 106 and the second bonding layer 122.
  • the layer to be planarized has a high resistance, as described above. The influence on the transistor characteristics due to the damage to the crystal can be reduced.
  • the buffer layer 102 and the first substrate 101 are removed, and the second barrier layer 105, the channel layer 104, and the first barrier layer 103 are formed on the second substrate 121 as shown in FIG. 1D.
  • the main surface is formed on the second substrate 121 with the group V polar surface (fifth step).
  • the first substrate 101 can be peeled by using a known technique such as laser lift-off.
  • the buffer layer 102 has a heterostructure of GaN / AlGaN, the first substrate 101 is removed to some extent by a grinding and polishing technique such as CMP, and then the first substrate is used by using selective etching of GaN / AlGaN. 101 can be removed.
  • the first substrate 101 may be made of Si, and the first substrate 101 may be removed using selective etching characteristics with the buffer layer 102 made of GaN.
  • first substrate 101 and exposing the buffer layer 102 and the peeling sacrificial layer 107 they are polished and planarized by CMP, and selective etching is used to expose the first barrier layer 103. Good.
  • a transistor including the second barrier layer 105, the channel layer 104, and the first barrier layer 103 is formed on the second substrate 121 (sixth step).
  • a gate electrode 124 is formed on the first barrier layer 103, and a source electrode 125 and a drain electrode 126 are formed with the gate electrode 124 interposed therebetween.
  • the gate electrode 124 has a so-called Schottky connection.
  • the source electrode 125 and the drain electrode 126 are ohmically connected to the channel layer 104.
  • a mask having openings at positions where the source electrode 125 and the drain electrode 126 are formed is formed by known photolithography. Thereafter, a metal as an electrode material is deposited on the opening of the mask.
  • the metal may be any material that can generally form an ohmic contact with the channel layer 104.
  • a laminated structure such as Ti / Al / Ni / Au is generally used. These metals are formed by techniques such as sputtering and high vacuum electron beam evaporation.
  • an alloy layer with a compound semiconductor is formed by high-temperature heat treatment at 800 ° C. or higher in a nitrogen gas atmosphere. Thereafter, the gate electrode 124 is formed.
  • the gate electrode 124 may be made of a metal that forms a Schottky contact with the first barrier layer 103. Further, an insulating film having a high dielectric constant or the like may be formed as a gate insulating film between the gate electrode 124 and the first barrier layer 103 in advance.
  • the first barrier layer 103, the channel layer 104, and the second barrier layer 105 grown on the second substrate 121 with the main surface being a group III polar surface are formed on the second substrate 121.
  • the main surface is laminated on the second substrate 121 as a group V polar surface.
  • the second barrier layer 105, the channel layer 104, and the first barrier layer 103 stacked on the second substrate 121 are in a state in which the main surface is a group V polarity surface.
  • the bonded first bonding layer 106 and second bonding layer 122 are doped with Fe. For this reason, in these layers, carriers are trapped in a deep level in the semiconductor band gap, and electric conduction is suppressed, and the resistance is increased. For this reason, according to the first embodiment, it is possible to suppress the influence of crystal defects generated by bonding on the transistor characteristics.
  • these high resistance layers are usually introduced closer to the substrate than the channel layer when formed by epitaxial growth.
  • dopants such as Fe and Zn, for example, are materials that easily diffuse into a region above the doped layer during epitaxial growth, and attention must be paid to epitaxial growth in the production of HEMTs that do not perform normal transfer.
  • the Fe-doped layer is grown as the last layer to be formed, the diffusion of Fe or Zn into the region below this can be minimized.
  • the first bonding layer 106 and the second bonding layer 122 are high resistance layers, but the present invention is not limited to this. At least one of the first bonding layer 106 and the second bonding layer 122 only needs to be made of a nitride semiconductor doped with C, Fe, Zn, or Mg to have a high resistance or a p-type.
  • the first bonding layer 106 may be made of undoped GaN
  • the second bonding layer 122 may be made of GaN doped with Fe.
  • Embodiment 2 Next, a method for manufacturing a transistor according to Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to FIGS. 2A to 2D.
  • a buffer layer 202 made of a nitride semiconductor is formed on a first substrate 201 (first step).
  • the first barrier layer 203, the channel layer 204, the second barrier layer 205, and the first bonding layer 206 made of a nitride semiconductor are placed on the buffer layer 202 in such a state that the main surface is a group III polar surface. Crystals grow (second step).
  • the separation sacrificial layer 207 is formed on the buffer layer 202, and the first barrier layer 203 is formed thereon.
  • the composition gradient layer 208 is formed on the second barrier layer 205, and the first bonding layer 206 is formed thereon.
  • the composition gradient layer 208 is formed in contact with the second barrier layer 205 and the first bonding layer 206.
  • Each layer may be formed by a well-known metal organic chemical vapor deposition method.
  • the first substrate 201 is made of, for example, Al 2 O 3 .
  • the first substrate 201 may be SiC, single crystal Si, or the like, and may be made of a material that can be used for growing a nitride semiconductor such as GaN.
  • the buffer layer 202 may be made of GaN, for example.
  • the buffer layer 202 may be a low-temperature grown GaN buffer layer for so-called initial nucleation. Further, the buffer layer 202 may be made of AlN.
  • the peeling sacrificial layer 207 may be made of GaN.
  • the first barrier layer 203 may be made of AlGaN
  • the channel layer 204 may be made of GaN
  • the second barrier layer 205 may be made of AlGaN.
  • the Al composition and thickness of the first barrier layer 203 and the second barrier layer 205 may be set as appropriate depending on the application region of the transistor.
  • first barrier layer 203 and the second barrier layer 205 are made of a material having a larger band gap than the channel layer 204.
  • the first barrier layer 203 and the second barrier layer 205 are not limited to AlGaN, and may be composed of AlN, AlInN, or AlInGaN.
  • the first barrier layer 203 and the second barrier layer 205 may be made of at least one of AlGaN, InAlN, InAlGaN, AlN, and GaN.
  • the channel layer 204 may be made of undoped GaN, for example.
  • the channel layer 204 may be a composite channel having a stacked structure with InGaN, InN, or the like.
  • the channel layer 204 may be composed of at least one of GaN, InGaN, AlGaN, and InN.
  • the composition gradient layer 208 is made of, for example, AlGaN.
  • the composition gradient layer 208 is designed so that the Al composition of AlGaN gradually changes from a high state to a low state from the second barrier layer 205 side.
  • the first bonding layer 206 is formed by growing high-resistance AlGaN doped with iron (Fe) on the composition gradient layer 208 thus configured.
  • the Al composition of the first bonding layer 206 is set smaller than the Al composition of the composition gradient layer 208 made of AlGaN.
  • the first bonding layer 206 may be composed of GaN doped with Fe. Note that it is important that the first bonding layer 206 be a high-resistance layer. Therefore, in the first bonding layer 206, doping is not limited to Fe, and may be, for example, zinc (Zn) or carbon (C). For the purpose of canceling the leakage current, the first bonding layer 206 may be made of a p-type nitride semiconductor using magnesium (Mg) or the like as a dopant.
  • Mg magnesium
  • the first barrier layer 203, the channel layer 204, the second barrier layer 205, and the first bonding layer 206 described above can easily obtain a group III polarity state by a general growth method using a GaN buffer layer. It is easy to grow a crystal with the surface being a group III polar surface.
  • the configuration described above is the same as that of the first embodiment described above.
  • Fe and Zn may be mixed due to impurity diffusion in the epitaxial growth layer during crystal growth, and Mg may be affected by the memory effect in the growth furnace.
  • C doping unlike normal epitaxial growth conditions, growth conditions in which C is likely to be mixed but crystal quality is likely to deteriorate may be used.
  • the first bonding layer 206 is formed as the uppermost layer, the influence on the first barrier layer 203, the channel layer 204, and the second barrier layer 205 that are lower than the first bonding layer 206 can be suppressed. Although these layers are important in the characteristics of the HEMT, according to the embodiment, the high-resistance first bonding layer 206 for suppressing leakage current can be formed while maintaining high crystal quality in these layers. .
  • the second substrate 221 may be made of a material that can be used for growing a nitride semiconductor such as GaN.
  • substrate 221 should just be comprised from SiC excellent in a thermal radiation characteristic supposing application to a high frequency device.
  • the buffer layer 123 may be made of a nitride semiconductor containing Al, such as AlN or AlGaN.
  • a well-known wafer bonding method may be used.
  • a technique by direct bonding is desirable.
  • a technique such as surface activated bonding is used in which surface activation is performed by irradiation with plasma, and bonding is performed by applying pressure under normal temperature or heating of about several hundred degrees.
  • a technique of applying a high pressure between the first substrate 201 and the second substrate 221 and heating to a high temperature may be used.
  • the first bonding layer 206 doped with Fe to increase the resistance is damaged by the wafer bonding, and the effects on the first barrier layer 203, the channel layer 204, the second barrier layer 205, etc. other than this are affected. Can be almost eliminated.
  • the surface flatness observed with an atomic force microscope or the like needs to have a mean square roughness of about 1 nm or less.
  • the surface of the first bonding layer 206 to be a bonding surface and the surface of the second substrate 221 may be planarized by chemical mechanical polishing (CMP) or the like before bonding. .
  • CMP chemical mechanical polishing
  • Such planarization causes damage to the first bonding layer 206.
  • the first bonding layer 206 has a high resistance, as described above, due to damage to the crystal. The influence on the transistor characteristics can be reduced.
  • the buffer layer 202 and the first substrate 201 are removed, and the second barrier layer 205, the channel layer 204, and the first barrier layer 203 are formed on the second substrate 221, as shown in FIG. 2C.
  • the main surface is formed on the second substrate 221 with the group V polar surface (fourth step).
  • the first substrate 201 can be peeled off by using a known technique such as laser lift-off.
  • the buffer layer 202 has a heterostructure of GaN / AlGaN, and the first substrate 201 is removed to some extent by a grinding / polishing technique such as CMP. Thereafter, the selective etching of GaN / AlGaN is used to make the substrate 1 Can be removed.
  • the first substrate 201 may be made of Si, and the first substrate 201 may be removed using selective etching characteristics with the buffer layer 202 made of GaN.
  • a transistor including the second barrier layer 205, the channel layer 204, and the first barrier layer 203 is formed on the second substrate 221 (fifth step).
  • the gate electrode 124 is formed on the first barrier layer 203, and the source electrode 125 and the drain electrode 126 are formed with the gate electrode 124 interposed therebetween.
  • the gate electrode 124 has a so-called Schottky connection.
  • the source electrode 125 and the drain electrode 126 are ohmically connected to the channel layer 204.
  • a mask having openings at positions where the source electrode 125 and the drain electrode 126 are formed is formed by known photolithography. Thereafter, a metal as an electrode material is deposited on the opening of the mask.
  • the metal may be any material that can generally form an ohmic contact with the channel layer 204.
  • a laminated structure such as Ti / Al / Ni / Au is generally used. These metals are formed by techniques such as sputtering and high vacuum electron beam evaporation.
  • an alloy layer with a compound semiconductor is formed by high-temperature heat treatment at 800 ° C. or higher in a nitrogen gas atmosphere. Thereafter, the gate electrode 124 is formed.
  • the gate electrode 124 may be made of a metal that forms a Schottky contact with the first barrier layer 203. Further, an insulating film having a high dielectric constant or the like may be formed in advance as a gate insulating film between the gate electrode 124 and the first barrier layer 203.
  • the first barrier layer 203, the channel layer 204, and the second barrier layer 205 that are grown on the second substrate 221 with the main surface being a group III polar surface are formed on the second substrate 221.
  • the main surface is laminated on the second substrate 221 as a group V polar surface.
  • the second barrier layer 205, the channel layer 204, and the first barrier layer 203 stacked on the second substrate 221 are in a state in which the main surface is a group V polar surface.
  • the bonded first bonding layer 206 is doped with Fe. For this reason, in the first bonding layer 206, carriers are trapped in a deep level in the semiconductor band gap, and electric conduction is suppressed, and the resistance is increased. For this reason, according to the second embodiment, it is possible to suppress the influence of crystal defects generated by bonding on the transistor characteristics.
  • the high resistance layer as described above is usually introduced closer to the substrate than the channel layer when formed by epitaxial growth.
  • dopants such as Fe and Zn, for example, are materials that easily diffuse into a region above the doped layer during epitaxial growth, and attention must be paid to epitaxial growth in the production of HEMTs that do not perform normal transfer.
  • the Fe-doped layer is grown as the last layer to be formed, the diffusion of Fe or Zn into the region below this can be minimized.
  • the first bonding layer 206 is a high resistance layer and the second substrate 221 is bonded to the first bonding layer 206.
  • the present invention is not limited to this.
  • a second bonding layer made of a nitride semiconductor is formed on the second substrate 221 (sixth step), and the second bonding layer and the first bonding layer 206 are bonded to face each other.
  • the first substrate 201 and the second substrate 221 may be bonded together (third step).
  • the second bonding layer may also be made of a nitride semiconductor doped with C, Fe, Zn, or Mg to increase the resistance or the p-type.
  • the substrate transfer is performed by bonding through the first bonding layer composed of the nitride semiconductor doped with C, Fe, Zn, or Mg and made high resistance or p-type.
  • the HEMT made of GaN with the main surface having N polarity is manufactured, so that it is possible to suppress the deterioration of the device characteristics due to the crystal defect of the bonded joint.

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Abstract

第１基板（１０１）の上に、第１バリア層（１０３）、チャネル層（１０４）、第２バリア層（１０５）、Ｆｅをドープした高抵抗なＡｌＧａＮからなる第１接合層（１０６）を形成し、この後、第１接合層（１０６）と、Ｆｅをドープした高抵抗なＧａＮからなる第２接合層（１２２）と向かい合わせた状態で第１基板（１０１）と第２基板（１２１）とを貼り合わせる。

Description

トランジスタの製造方法
　本発明は、窒化物半導体を用いたトランジスタの製造方法に関する。
　ＧａＮなどの窒化物半導体は、バンドギャップが大きく高い絶縁破壊電界強度を有することから、窒化物半導体から構成したトランジスタなどの電子デバイスは、高い耐圧特性を示す。また、窒化物半導体は、ｃ軸方向に分極を有するため、例えば、ＡｌＧａＮとＧａＮとのヘテロ接合を形成することによって、分極の効果によって自発的に１０13ｃｍ-3程度の高密度のシートキャリアが形成可能である。
　上述したような特徴を利用して作製されるＧａＮ系の高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor ：ＨＥＭＴ）は、数ＧＨｚ以上の高周波かつ２００Ｗ以上の高出力が要求される無線通信用ＩＣ用途において、すでに実用化されている。今後、無線通信容量の拡大に向けて、数十から数百ＧＨｚ程度まで、さらに高周波特性を向上させたＧａＮ系ＨＥＭＴが必要となる。ＨＥＭＴの高周波特性の向上のためには、デバイスのさらなるスケーリングが有効である。
　ここで、窒化物半導体を用いたＨＥＭＴの基本的な構成について、図３を参照して説明する。このＨＥＭＴは、まず、基板３０１の上、エピタキシャル成長によって形成されたバッファ層３０２、チャネル層３０３，バリア層３０４が順次に積層されている。チャネル層３０３は、ＧａＮから構成され、バリア層３０４は、ＡｌＧａＮから構成されている。
　バリア層３０４とチャネル層３０３とは、分極の大きさが異なり、この結果、バリア層３０４とチャネル層３０３との界面のチャネル層３０３の側に、シートキャリア（２次元電子ガス）が形成される。このような状態の半導体積層構造に対して、よく知られた半導体製造プロセスにより、バリア層３０４の上に、ゲート電極３１１を形成し、ゲート電極３１１を挾んでソース電極３１２，ドレイン電極３１３を形成する。ゲート電極３１１は、いわゆるショットキー接続とし、ソース電極３１２，ドレイン電極３１３は、チャネル層３０３にオーミック接続させる。
　上述したようなＨＥＭＴにおいて、デバイススケーリングのためには、ゲート長を短くすることが考えられる。しかし、短ゲート長化は、同時にゲートからの電界がチャネル層へ効きにくくなる、いわゆる短チャネル効果を引き起こす。このため、ゲート長の短縮と対応し、ゲート－チャネル間距離も短くすることが重要となる。ゲート－チャネル間距離の短縮には、ＡｌＧａＮからなるバリア層をより薄くすることが考えられる。
　しかし、ＡｌＧａＮの層とＧａＮの層とのヘテロ接合によるＨＥＭＴの場合、ＡｌＧａＮからなるバリア層とＧａＮからなるチャネル層との分極差によって、シートキャリアを形成している。このため、むやみにＡｌＧａＮ層を薄層化すると、分極の効果が弱まり、シートキャリア密度の低下、すなわち抵抗の増大が引き起こされる。この問題の解決策として、ＡｌＧａＮ層におけるＡｌ組成の増大や、Ｉｎとの混晶化による分極電界の増大が考えられる。しかしながら、混晶組成増大による結晶品質の劣化や信頼性への影響が懸念される。
　上述した薄層化による問題を解決するために、ＧａＮの極性を制御する技術が報告されている。一般的なＧａＮ系素子は、いわゆるＧａ極性(ＩＩＩ族極性)の状態で、結晶成長およびデバイス作製される。一方、Ｎ極性（Ｖ族極性）面を主面方位として結晶成長しデバイス作製する技術も報告されている（非特許文献１）。このデバイスにおいては、従来のＧａ極性で作製されたデバイスと比べて分極の向きが反転しており、ＡｌＧａＮバリア層を、ＧａＮチャネル層よりも基板側に形成することで、ＧａＮチャネルとＡｌＧａＮバリア（バックバリア層）との界面にシートキャリアを形成することができる。
　このようなＮ極性ＨＥＭＴ構造は、バリア層がチャネル層よりも基板側にくるため、ゲート長を縮小しても、ゲート－チャネル間距離は一定であることから、短チャネル効果を抑制し、従来のＧａ極性デバイスよりもさらに高周波特性を拡大することができると期待される。
　上述したように、高周波特性の向上が期待されるＮ極性ＨＥＭＴではあるが、結晶成長が非常に難しいという課題を有する。一般に、窒化物半導体の結晶成長は、サファイアやＳｉＣなどの異種基板を用いるが、主表面をＮ極製として窒化物半導体を結晶成長させるためには、オフ角などがあらかじめ制御されたサファイアなどの基板の表面窒化処理によって特殊なバッファ層を形成する、などといった技術を必要とする。このような特殊なバッファ層の導入は、結晶成長装置ごとの特性や基板の素性の影響が大きく、高い技術を要する。また、このようにしてＮ極性のＧａＮを得られたとしても、この後の結晶成長は、成長途中のＮ極性からＧａ極性への極性反転や、表面平坦性の悪化、不純物が取り込まれやすい、などといった問題がある。
　近年、Ｎ極性面を主面方位として作製されたＮ極性ＧａＮ基板を用い、Ｎ極性成長する技術が報告されているが、このような特殊なバッファ層を用いないホモエピタキシャル成長の系であったとしても、上記のような結晶成長過程における課題は残存し、高品質のＮ極性エピタキシャル成長した高品質な窒化物半導体によるＨＥＭＴ作製するためには、高い技術を要する（非特許文献２）。
　上記のような課題を解決する技術として、基板転写により主表面をＮ極性としたＧａＮによるＨＥＭＴの作製が報告されている（非特許文献３）。非特許文献３においては、まず、Ｓｉ基板上に、主表面をＧａ極性とした状態でＧａＮをエピタキシャル成長することでＨＥＭＴ構造を形成する。次に、これらを水素シルセスキオキサン（Hydrogen Silsesquixane；ＨＳＱ）を介し、所定の貼り合わせ技術により異種基板に貼り合わせる。この後、Ｓｉ基板を除去し、エピタキシャル成長させたＧａＮの層を露出させ、ＨＥＭＴの製造プロセスを実施することで、主表面をＮ極性としたＧａＮによるＨＥＭＴを形成する。
　上述した非特許文献３の技術の利点は、Ｎ極性成長しないところになる。Ｇａ極性ＧａＮの成長は、すでに技術的に成熟されているため、Ｓｉ基板上にＧａ極性でＡｌＧａＮ／ＧａＮによるＨＥＭＴ構造を作製するのは比較的容易であり、前述したＮ極性成長における課題が生じない。
S. Wienecke et al., "N-Polar GaN Cap MISHEMT With Record Power Density Exceeding 6.5 W/mm at 94 GHz", IEEE Electron Device Letters, vol. 38, no. 3, pp. 359-362, 2017. T. Akasaka et al., "Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN", Journal of Crystal Growth, vol. 468, pp. 821-826, 2017. J. W. Chung et al., "N-Face GaN/AlGaN HEMTs Fabricated Through Layer Transfer Technology", IEEE Electron Device Letters, vol. 30, no. 2, pp. 113-116, 2009.
　ところで、さらなる高周波特性の向上に向けて、上述した基板転写により作製したＨＥＭＴにも課題が存在する。基板転写時の接合界面の影響である。基板転写は、２枚のウェハを対向して貼り合わせ、高温かつ高圧によって接合する技術や、プラズマによって表面を活性化した状態で接合する、いわゆる表面活性化接合などがある。いずれの技術においても、結晶へのダメージという観点から、トランジスタ特性への影響を排除しきれない。上述した貼り合わせ技術では、接合による結晶欠陥の導入で、本来のトランジスタ特性が引き出せない可能性がある。
　上述したような貼り合わせによる接合部の結晶品質が、デバイス特性に及ぼす影響としては、例えばソースからドレインへのリーク電流が想定される。ソースとドレインとの間には、ゲート電位がオフ状態であれば、理想的には電流は流れない。しかし、接合部に欠陥が多数導入されると、これらの欠陥準位を介してソース－ドレイン間にリーク電流が流れるようになる。このように、従来の技術では、貼り合わせた接合部の結晶欠陥によりデバイス特性が劣化するという問題があった。
　本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、貼り合わせた接合部の結晶欠陥によるデバイス特性の劣化の抑制を目的とする。
　本発明に係るトランジスタの製造方法は、第１基板の上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する第１工程と、窒化物半導体からなる第１バリア層、チャネル層、第２バリア層、第１接合層を、これらの順に主表面をＩＩＩ族極性面とした状態でバッファ層の上に結晶成長する第２工程と、第２基板の上に窒化物半導体からなる第２接合層を形成する第３工程と、第１接合層と第２接合層と向かい合わせた状態で第１基板と第２基板とを貼り合わせる第４工程と、バッファ層の一部または全部および第１基板を除去し、第２基板の上に、第２バリア層、チャネル層、第１バリア層が、これらの順に主表面をＶ族極性面とした状態で第２基板の上に形成された状態とする第５工程と、第１基板を除去した後で、第２バリア層、チャネル層、第１バリア層からなるトランジスタを第２基板の上に形成する第６工程とを備え、チャネル層は、第１バリア層および第２バリア層よりバンドギャップの小さい材料から構成し、チャネル層は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮの少なくとも１つから構成し、第１バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、第２バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、第１接合層および第２接合層の少なくとも一方は、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成する。
　本発明に係るトランジスタの製造方法は、第１基板の上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する第１工程と、窒化物半導体からなる第１バリア層、チャネル層、第２バリア層、第１接合層を、これらの順に主表面をＩＩＩ族極性面とした状態でバッファ層の上に結晶成長する第２工程と、第１接合層と第２基板と向かい合わせた状態で第１基板と第２基板とを貼り合わせる第３工程と、バッファ層の一部または全部および第１基板を除去し、第２基板の上に、第２バリア層、チャネル層、第１バリア層が、これらの順に主表面をＶ族極性面とした状態で第２基板の上に形成された状態とする第４工程と、第１基板を除去した後で、第２バリア層、チャネル層、第１バリア層からなるトランジスタを第２基板の上に形成する第５工程とを備え、チャネル層は、第１バリア層および第２バリア層よりバンドギャップの小さい材料から構成し、チャネル層は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮの少なくとも１つから構成し、第１バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、第２バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、第１接合層は、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成する。
　上記トランジスタの製造方法において、第１基板と第２基板とを貼り合わせる前に、第２基板の上に窒化物半導体からなる第２接合層を形成する第６工程をさらに備え、第３工程では、第１接合層と第２基板と向かい合わせた状態で第１基板と第２基板とを貼り合わせるようにしてもよい。また、第２接合層は、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成してもよい。
　以上説明したように、本発明によれば、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成した第１接合層を介して貼り合わせることによる基板転写により、主表面をＮ極性としたＧａＮによるＨＥＭＴを作製するので、貼り合わせた接合部の結晶欠陥によるデバイス特性の劣化が抑制できるという優れた効果が得られる。
図１Ａは、本発明の実施の形態１におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図１Ｂは、本発明の実施の形態１におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図１Ｃは、本発明の実施の形態１におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図１Ｄは、本発明の実施の形態１におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図１Ｅは、本発明の実施の形態１におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図２Ａは、本発明の実施の形態２におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図２Ｂは、本発明の実施の形態２におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図２Ｃは、本発明の実施の形態２におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図２Ｄは、本発明の実施の形態２におけるトランジスタの製造方法を説明するための途中工程の状態を示す断面図である。 図３は、高電子移動度トランジスタの構成を示す断面図である。
　以下、本発明の実施の形態おけるトランジスタの製造方法について説明する。
［実施の形態１］
　はじめに、本発明の実施の形態１におけるトランジスタの製造方法について図１Ａ～図１Ｅを参照して説明する。
　まず、図１Ａに示すように、第１基板１０１の上に窒化物半導体からなるバッファ層１０２を形成する（第１工程）。次いで、窒化物半導体からなる第１バリア層１０３、チャネル層１０４、第２バリア層１０５、第１接合層１０６を、これらの順に主表面をＩＩＩ族極性面とした状態でバッファ層１０２の上に結晶成長する（第２工程）。ここで、実施の形態１では、バッファ層１０２の上に剥離犠牲層１０７を形成し、この上に、第１バリア層１０３を形成している。また、第２バリア層１０５の上に、組成傾斜層１０８を形成し、この上に、第１接合層１０６を形成している。組成傾斜層１０８は、第２バリア層１０５および第１接合層１０６に接して形成する。各層は、よく知られた有機金属気相成長法により形成すればよい。
　第１基板１０１は、例えば、Ａｌ2Ｏ3から構成する。なお、第１基板１０１は、ＳｉＣや単結晶のＳｉなどでもよく、ＧａＮなどの窒化物半導体の成長に用いることができる材料から構成すればよい。また、バッファ層１０２は、例えば、ＧａＮから構成すればよい。バッファ層１０２は、いわゆる初期核形成を行うための低温成長ＧａＮ緩衝層を適用すればよい。また、バッファ層１０２は、ＡｌＮから構成してもよい。
　また、剥離犠牲層１０７は、ＧａＮから構成すればよい。また、第１バリア層１０３は、ＡｌＧａＮから構成し、チャネル層１０４は、ＧａＮから構成し、第２バリア層１０５は、ＡｌＧａＮから構成すればよい。この場合、第１バリア層１０３、第２バリア層１０５のＡｌ組成および厚さは、トランジスタの応用領域に応じて適宜に設定すればよい。
　なお、第１バリア層１０３、第２バリア層１０５は、チャネル層１０４よりもバンドギャップが大きい材料から構成することが重要である。第１バリア層１０３、第２バリア層１０５は、ＡｌＧａＮに限らず、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＮから構成してもよい。第１バリア層１０３、第２バリア層１０５は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成すればよい。
　チャネル層１０４は、例えば、アンドープのＧａＮから構成すればよい。また、チャネル層１０４は、ＩｎＧａＮやＩｎＮなどとの積層構造によるコンポジットチャネルとしてもよい。チャネル層１０４は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮの少なくとも１つから構成すればよい。
　次に、組成傾斜層１０８は、例えば、ＡｌＧａＮから構成する。組成傾斜層１０８は、ＡｌＧａＮのＡｌ組成を、第２バリア層１０５の側からにかけて、高い状態から低い状態へと徐々に変化するように設計する。このように構成した組成傾斜層１０８の上に、鉄（Ｆｅ）をドープした高抵抗なＡｌＧａＮを成長することで第１接合層１０６とする。この構成において、第１接合層１０６のＡｌ組成は、ＡｌＧａＮによる組成傾斜層１０８のＡｌ組成よりも小さく設定する。
　なお、第１接合層１０６は、ＦｅをドープしたＧａＮから構成してもよい。なお、第１接合層１０６は、高抵抗な層とすることが重要である。このため、第１接合層１０６においては、ドーピングはＦｅに限らず、例えば亜鉛（Ｚｎ）や炭素（Ｃ）でもよい。また、リーク電流を打ち消す目的として、第１接合層１０６は、マグネシウム（Ｍｇ）などをドーパントとして用いたｐ型の窒化物半導体から構成してもよい。
　上述した第１バリア層１０３、チャネル層１０４、第２バリア層１０５、第１接合層１０６は、一般的なＧａＮバッファ層を用いる成長法によれば、ＩＩＩ族極性の状態が得られやすく、主表面をＩＩＩ族極性面とした状態で結晶成長することは容易である。
　ところで、Ｆｅ、Ｚｎは、結晶成長最中のエピタキシャル成長層への不純物拡散による混入、Ｍｇについては成長炉内のメモリ効果による影響が生じる場合がある。また、Ｃドープの場合は、通常のエピタキシャル成長条件とは異なり、Ｃが混入しやすいが結晶品質が低下しやすい成長条件を用いることがある。しかし、第１接合層１０６は、最上層として形成するため、これよりも下層の第１バリア層１０３、チャネル層１０４、第２バリア層１０５への影響を抑制することができる。これらの層は、ＨＥＭＴの特性において重要であるが、実施の形態によれば、これらの層における高い結晶品質を維持したまま、リーク電流抑制のための高抵抗な第１接合層１０６が形成できる。
　次に、図１Ｂに示すように、第２基板１２１の上に、窒化物半導体からなる第２接合層１２２を形成する（第３工程）。実施の形態１では、第２基板１２１の上に、バッファ層１２３を介して第２接合層１２２を形成する。例えば、よく知られた有機金属気相成長法により、第２基板１２１の上に、バッファ層１２３，第２接合層１２２を順次に結晶成長すればよい。
　第２基板１２１は、ＧａＮなどの窒化物半導体の成長に用いることができる材料から構成すればよい。例えば、第２基板１２１は、高周波デバイスへの適用を想定し、放熱特性に優れるＳｉＣから構成すればよい。バッファ層１２３は、例えば、ＡｌＮやＡｌＧａＮなどのＡｌを含む窒化物半導体から構成すればよい。
　第２接合層１２２は、例えば、ＦｅをドープしたＧａＮから構成すればよい。なお、この場合においても、前述同様であり、Ｆｅをドープする第２接合層１２２は、最上層に形成されるため、不純物導入による影響は、第２接合層１２２より下の層への影響は小さい。
　次に、図１Ｃに示すように、第１接合層１０６と第２接合層１２２と向かい合わせた状態で第１基板１０１と第２基板１２１とを貼り合わせる（第４工程）。第１基板１０１の上に成長させた最上層と、第２基板１２１の上に成長させた最上層とを当接させて貼り合わせる。
　上述した貼り合わせは、よく知られたウェハ接合法を用いればよい。ウェハ接合は、直接接合による技術が望ましく、例えばプラズマを照射して表面活性な状態とし、常温または数百度程度の加熱下で、圧力を印加して接合する表面活性化接合などの技術を用いる。熱処理の影響を排除できるのであれば、第１基板１０１と第２基板１２１との間に高い圧力を加え、かつ高温に加熱することによって接合する技術を用いてもよい。なお、ウェハ接合によってダメージを受けるのは、どちらの基板上においても、Ｆｅをドープして高抵抗化した接合層であり、これ以外の第１バリア層１０３、チャネル層１０４、第２バリア層１０５などへの影響は、ほとんど無くすことが可能である。
　上述したような直接接合を行うためには、貼り合わせの面の高い平坦性が要求される。例えば、ＧａＮ層同士の表面活性化接合であれば、原子間力顕微鏡等で観測した表面平坦性として、平均二乗粗さで１ｎｍ以下程度の平坦性が必要である。このような高い平坦性を得るために、貼り合わせ面となる第１接合層１０６の表面および第２接合層１２２の表面を、接合する前に、化学機械研磨（ＣＭＰ）などによって平坦化してもよい。このような平坦化により、第１接合層１０６および第２接合層１２２へのダメージが生じるが、実施の形態によれば、平坦化される層が高抵抗化されているため、前述のように、結晶へのダメージによるトランジスタ特性への影響を小さくすることができる。
　次に、バッファ層１０２の一部または全部および第１基板１０１を除去し、図１Ｄに示すように、第２基板１２１の上に、第２バリア層１０５、チャネル層１０４、第１バリア層１０３が、これらの順に主表面をＶ族極性面とした状態で第２基板１２１の上に形成された状態とする（第５工程）。
　例えば、レーザリフトオフなどの公知の技術を用いることで、第１基板１０１を剥離することは可能である。また、バッファ層１０２を、ＧａＮ／ＡｌＧａＮのヘテロ構造とし、ＣＭＰなどの研削研磨技術によってある程度、第１基板１０１を除去し、この後、ＧａＮ／ＡｌＧａＮの選択エッチングを利用することで、第１基板１０１を除去することができる。また、第１基板１０１をＳｉから構成し、ＧａＮから構成したバッファ層１０２との選択エッチング特性を利用し、第１基板１０１を除去してもよい。
　第１基板１０１を除去してバッファ層１０２，剥離犠牲層１０７を露出させた後、これらをＣＭＰによって研磨して平坦化し、また選択エッチングを用いることで、第１バリア層１０３を露出させればよい。
　次に、第１基板１０１を除去した後で、第２バリア層１０５、チャネル層１０４、第１バリア層１０３からなるトランジスタを第２基板１２１の上に形成する（第６工程）。例えば、図１Ｅに示すように、第１バリア層１０３の上に、ゲート電極１２４を形成し、ゲート電極１２４を挾んでソース電極１２５，ドレイン電極１２６を形成する。ゲート電極１２４は、いわゆるショットキー接続とする。また、ソース電極１２５，ドレイン電極１２６は、チャネル層１０４にオーミック接続させる。
　例えば、ソース電極１２５，ドレイン電極１２６を形成する箇所に開口を備えたマスクを、公知のフォトリソグラフィによって形成する。この後、マスクの開口部に電極材料とする金属を堆積する。この金属は、一般的にチャネル層１０４とオーミックコンタクトを形成できる材料であればよく、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕなどの積層構造が一般的に用いられる。これらの金属は、スパッタ法や高真空電子線蒸着法などの技術によって形成される。また、オーミックコンタクト形成のために、金属を堆積した後、窒素ガスの雰囲気で、８００℃以上の高温加熱処理により化合物半導体との合金層を形成する。この後、ゲート電極１２４を形成する。ゲート電極１２４は、第１バリア層１０３とショットキー接触を形成する金属から構成すればよい。また、ゲート電極１２４と第１バリア層１０３との間に、誘電率の高い絶縁膜などをゲート絶縁膜としてあらかじめ形成しておいてもよい。
　上述した実施の形態１によれば、第２基板１２１の上に主表面をＩＩＩ族極性面として成長された第１バリア層１０３、チャネル層１０４、第２バリア層１０５は、第２基板１２１の上に転写されたことにより、第２基板１２１の上で主表面をＶ族極性面として積層された状態となる。言い換えると、第２基板１２１の上に、積層された第２バリア層１０５、チャネル層１０４、第１バリア層１０３は、主表面をＶ族極性面とされた状態となる。
　また、貼り合わせられた第１接合層１０６および第２接合層１２２は、Ｆｅがドープされている。このため、これらの層では、半導体のバンドギャップ内の深い準位にキャリアがトラップされるようになり、電気伝導が抑制され、抵抗を高くする効果を備えた状態となる。このため、実施の形態１によれば、貼り合わせによって発生する結晶欠陥のトランジスタ特性への影響が抑制できる。
　ところで、通常これらの高抵抗層は、エピタキシャル成長によって形成する際、チャネル層よりも基板に近い側に導入される。しかし、例えばＦｅやＺｎなどのドーパントは、エピタキシャル成長の際に、ドープした層よりも上層の領域に拡散しやすい材料であり、通常の転写を行わないＨＥＭＴの作製においてはエピタキシャル成長においては注意を要する。しかし、実施の形態によれば、最後に形成する層としてＦｅドープ層を成長するため、これより下の領域へのＦｅやＺｎの拡散を極力小さくすることができる。
　なお、以上に説明した実施の形態１では、第１接合層１０６および第２接合層１２２を、高抵抗な層としたが、これに限るものではない。第１接合層１０６および第２接合層１２２の少なくとも一方が、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成されていればよい。例えば、第１接合層１０６は、アンドープのＧａＮから構成し、第２接合層１２２は、ＦｅをドープしたＧａＮから構成してもよい。
［実施の形態２］
　次に、本発明の実施の形態２におけるトランジスタの製造方法について図２Ａ～図２Ｄを参照して説明する。
　まず、図２Ａに示すように、第１基板２０１の上に窒化物半導体からなるバッファ層２０２を形成する（第１工程）。次いで、窒化物半導体からなる第１バリア層２０３、チャネル層２０４、第２バリア層２０５、第１接合層２０６を、これらの順に主表面をＩＩＩ族極性面とした状態でバッファ層２０２の上に結晶成長する（第２工程）。ここで、実施の形態２では、バッファ層２０２の上に剥離犠牲層２０７を形成し、この上に、第１バリア層２０３を形成している。また、第２バリア層２０５の上に、組成傾斜層２０８を形成し、この上に、第１接合層２０６を形成している。組成傾斜層２０８は、第２バリア層２０５および第１接合層２０６に接して形成する。各層は、よく知られた有機金属気相成長法により形成すればよい。
　第１基板２０１は、例えば、Ａｌ2Ｏ3から構成する。なお、第１基板２０１は、ＳｉＣや単結晶のＳｉなどでもよく、ＧａＮなどの窒化物半導体の成長に用いることができる材料から構成すればよい。また、バッファ層２０２は、例えば、ＧａＮから構成すればよい。バッファ層２０２は、いわゆる初期核形成を行うための低温成長ＧａＮ緩衝層を適用すればよい。また、バッファ層２０２は、ＡｌＮから構成してもよい。
　また、剥離犠牲層２０７は、ＧａＮから構成すればよい。また、第１バリア層２０３は、ＡｌＧａＮから構成し、チャネル層２０４は、ＧａＮから構成し、第２バリア層２０５は、ＡｌＧａＮから構成すればよい。この場合、第１バリア層２０３、第２バリア層２０５のＡｌ組成および厚さは、トランジスタの応用領域に応じて適宜に設定すればよい。
　なお、第１バリア層２０３、第２バリア層２０５は、チャネル層２０４よりもバンドギャップが大きい材料から構成することが重要である。第１バリア層２０３、第２バリア層２０５は、ＡｌＧａＮに限らず、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＮから構成してもよい。第１バリア層２０３、第２バリア層２０５は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成すればよい。
　チャネル層２０４は、例えば、アンドープのＧａＮから構成すればよい。また、チャネル層２０４は、ＩｎＧａＮやＩｎＮなどとの積層構造によるコンポジットチャネルとしてもよい。チャネル層２０４は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮの少なくとも１つから構成すればよい。
　次に、組成傾斜層２０８は、例えば、ＡｌＧａＮから構成する。組成傾斜層２０８は、ＡｌＧａＮのＡｌ組成を、第２バリア層２０５の側からにかけて、高い状態から低い状態へと徐々に変化するように設計する。このように構成した組成傾斜層２０８の上に、鉄（Ｆｅ）をドープした高抵抗なＡｌＧａＮを成長することで第１接合層２０６とする。この構成において、第１接合層２０６のＡｌ組成は、ＡｌＧａＮによる組成傾斜層２０８のＡｌ組成よりも小さく設定する。
　なお、第１接合層２０６は、ＦｅをドープしたＧａＮから構成してもよい。なお、第１接合層２０６は、高抵抗な層とすることが重要である。このため、第１接合層２０６においては、ドーピングはＦｅに限らず、例えば亜鉛（Ｚｎ）や炭素（Ｃ）でもよい。また、リーク電流を打ち消す目的として、第１接合層２０６は、マグネシウム（Ｍｇ）などをドーパントとして用いたｐ型の窒化物半導体から構成してもよい。
　上述した第１バリア層２０３、チャネル層２０４、第２バリア層２０５、第１接合層２０６は、一般的なＧａＮバッファ層を用いる成長法によれば、ＩＩＩ族極性の状態が得られやすく、主表面をＩＩＩ族極性面とした状態で結晶成長することは容易である。なお、上述した構成は、前述した実施の形態１と同様である。
　ところで、Ｆｅ、Ｚｎは、結晶成長最中のエピタキシャル成長層への不純物拡散による混入、Ｍｇについては成長炉内のメモリ効果による影響が生じる場合がある。また、Ｃドープの場合は、通常のエピタキシャル成長条件とは異なり、Ｃが混入しやすいが結晶品質が低下しやすい成長条件を用いることがある。しかし、第１接合層２０６は、最上層として形成するため、これよりも下層の第１バリア層２０３、チャネル層２０４、第２バリア層２０５への影響を抑制することができる。これらの層は、ＨＥＭＴの特性において重要であるが、実施の形態によれば、これらの層における高い結晶品質を維持したまま、リーク電流抑制のための高抵抗な第１接合層２０６が形成できる。
　次に、図２Ｂに示すように、第１接合層２０６と第２基板２２１と向かい合わせた状態で第１基板２０１と第２基板２２１とを貼り合わせる（第３工程）。第２基板２２１は、ＧａＮなどの窒化物半導体の成長に用いることができる材料から構成すればよい。例えば、第２基板２２１は、高周波デバイスへの適用を想定し、放熱特性に優れるＳｉＣから構成すればよい。バッファ層１２３は、例えば、ＡｌＮやＡｌＧａＮなどのＡｌを含む窒化物半導体から構成すればよい。
　上述した貼り合わせは、よく知られたウェハ接合法を用いればよい。ウェハ接合は、直接接合による技術が望ましく、例えばプラズマを照射して表面活性な状態とし、常温または数百度程度の加熱下で、圧力を印加して接合する表面活性化接合などの技術を用いる。熱処理の影響を排除できるのであれば、第１基板２０１と第２基板２２１との間に高い圧力を加え、かつ高温に加熱することによって接合する技術を用いてもよい。なお、ウェハ接合によってダメージを受けるのは、Ｆｅをドープして高抵抗化した第１接合層２０６であり、これ以外の第１バリア層２０３、チャネル層２０４、第２バリア層２０５などへの影響は、ほとんど無くすことが可能である。
　上述したような直接接合を行うためには、貼り合わせの面の高い平坦性が要求される。例えば、ＧａＮ層とＳｉＣ基板との表面活性化接合であれば、原子間力顕微鏡等で観測した表面平坦性として、平均二乗粗さで１ｎｍ以下程度の平坦性が必要である。このような高い平坦性を得るために、貼り合わせ面となる第１接合層２０６の表面および第２基板２２１の表面を、接合する前に、化学機械研磨（ＣＭＰ）などによって平坦化してもよい。このような平坦化により、第１接合層２０６へのダメージが生じるが、実施の形態によれば、第１接合層２０６が高抵抗化されているため、前述のように、結晶へのダメージによるトランジスタ特性への影響を小さくすることができる。
　次に、バッファ層２０２の一部または全部および第１基板２０１を除去し、図２Ｃに示すように、第２基板２２１の上に、第２バリア層２０５、チャネル層２０４、第１バリア層２０３が、これらの順に主表面をＶ族極性面とした状態で第２基板２２１の上に形成された状態とする（第４工程）。
　例えば、レーザリフトオフなどの公知の技術を用いることで、第１基板２０１を剥離することは可能である。また、バッファ層２０２を、ＧａＮ／ＡｌＧａＮのヘテロ構造とし、ＣＭＰなどの研削研磨技術によってある程度、第１基板２０１を除去し、この後、ＧａＮ／ＡｌＧａＮの選択エッチングを利用することで、基板１を除去することができる。また、第１基板２０１をＳｉから構成し、ＧａＮから構成したバッファ層２０２との選択エッチング特性を利用し、第１基板２０１を除去してもよい。
　第１基板２０１を除去してバッファ層２０２，剥離犠牲層２０７を露出させた後、これらをＣＭＰによって研磨して平坦化し、また選択エッチングを用いることで、第１バリア層２０３を露出させればよい。
　次に、第１基板２０１を除去した後で、第２バリア層２０５、チャネル層２０４、第１バリア層２０３からなるトランジスタを第２基板２２１の上に形成する（第５工程）。例えば、図２Ｅに示すように、第１バリア層２０３の上に、ゲート電極１２４を形成し、ゲート電極１２４を挾んでソース電極１２５，ドレイン電極１２６を形成する。ゲート電極１２４は、いわゆるショットキー接続とする。また、ソース電極１２５，ドレイン電極１２６は、チャネル層２０４にオーミック接続させる。
　例えば、ソース電極１２５，ドレイン電極１２６を形成する箇所に開口を備えたマスクを、公知のフォトリソグラフィによって形成する。この後、マスクの開口部に電極材料とする金属を堆積する。この金属は、一般的にチャネル層２０４とオーミックコンタクトを形成できる材料であればよく、例えばＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕなどの積層構造が一般的に用いられる。これらの金属は、スパッタ法や高真空電子線蒸着法などの技術によって形成される。また、オーミックコンタクト形成のために、金属を堆積した後、窒素ガスの雰囲気で、８００℃以上の高温加熱処理により化合物半導体との合金層を形成する。この後、ゲート電極１２４を形成する。ゲート電極１２４は、第１バリア層２０３とショットキー接触を形成する金属から構成すればよい。また、ゲート電極１２４と第１バリア層２０３との間に、誘電率の高い絶縁膜などをゲート絶縁膜としてあらかじめ形成しておいてもよい。
　上述した実施の形態２によれば、第２基板２２１の上に主表面をＩＩＩ族極性面として成長された第１バリア層２０３、チャネル層２０４、第２バリア層２０５は、第２基板２２１の上に転写されたことにより、第２基板２２１の上で主表面をＶ族極性面として積層された状態となる。言い換えると、第２基板２２１の上に、積層された第２バリア層２０５、チャネル層２０４、第１バリア層２０３は、主表面をＶ族極性面とされた状態となる。
　また、貼り合わせられた第１接合層２０６は、Ｆｅがドープされている。このため、第１接合層２０６では、半導体のバンドギャップ内の深い準位にキャリアがトラップされるようになり、電気伝導が抑制され、抵抗を高くする効果を備えた状態となる。このため、実施の形態２によれば、貼り合わせによって発生する結晶欠陥のトランジスタ特性への影響が抑制できる。
　ところで、通常、上述したような高抵抗層は、エピタキシャル成長によって形成する際、チャネル層よりも基板に近い側に導入される。しかし、例えばＦｅやＺｎなどのドーパントは、エピタキシャル成長の際に、ドープした層よりも上層の領域に拡散しやすい材料であり、通常の転写を行わないＨＥＭＴの作製においてはエピタキシャル成長においては注意を要する。しかし、実施の形態によれば、最後に形成する層としてＦｅドープ層を成長するため、これより下の領域へのＦｅやＺｎの拡散を極力小さくすることができる。
　なお、以上に説明した実施の形態２では、第１接合層２０６を高抵抗な層とし、第１接合層２０６に第２基板２２１を接合したが、これに限るものではない。例えば、第２基板２２１の上に、窒化物半導体からなる第２接合層を形成し（第６工程）、この第２接合層と第１接合層２０６とを向かい合わせて接合することで、第１基板２０１と第２基板２２１とを貼り合わせてもよい（第３工程）。また、第２接合層においても、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成してもよい。
　以上に説明したように、本発明では、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成した第１接合層を介して貼り合わせることによる基板転写により、主表面をＮ極性としたＧａＮによるＨＥＭＴを作製するので、貼り合わせた接合部の結晶欠陥によるデバイス特性の劣化が抑制できるようになる。
　なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。
　１０１…第１基板、１０２…バッファ層、１０３…第１バリア層、１０４…チャネル層、１０５…第２バリア層、１０６…第１接合層、１０７…剥離犠牲層、１０８…組成傾斜層、１２１…第２基板、１２２…第２接合層、１２３…バッファ層、１２４…ゲート電極、１２５…ソース電極、１２６…ドレイン電極。

Claims (4)

  1. 　第１基板の上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する第１工程と、
    　窒化物半導体からなる第１バリア層、チャネル層、第２バリア層、第１接合層を、これらの順に主表面をＩＩＩ族極性面とした状態で前記バッファ層の上に結晶成長する第２工程と、
    　第２基板の上に窒化物半導体からなる第２接合層を形成する第３工程と、
    　前記第１接合層と前記第２接合層と向かい合わせた状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる第４工程と、
    　前記バッファ層の一部または全部および前記第１基板を除去し、前記第２基板の上に、前記第２バリア層、前記チャネル層、前記第１バリア層が、これらの順に主表面をＶ族極性面とした状態で前記第２基板の上に形成された状態とする第５工程と、
    　前記第１基板を除去した後で、前記第２バリア層、前記チャネル層、前記第１バリア層からなるトランジスタを前記第２基板の上に形成する第６工程と
    　を備え、
    　前記チャネル層は、前記第１バリア層および前記第２バリア層よりバンドギャップの小さい材料から構成し、
    　前記チャネル層は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮの少なくとも１つから構成し、
    　前記第１バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、
    　前記第２バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、
    　前記第１接合層および前記第２接合層の少なくとも一方は、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成する
    　ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
  2. 　第１基板の上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する第１工程と、
    　窒化物半導体からなる第１バリア層、チャネル層、第２バリア層、第１接合層を、これらの順に主表面をＩＩＩ族極性面とした状態で前記バッファ層の上に結晶成長する第２工程と、
    　前記第１接合層と第２基板と向かい合わせた状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる第３工程と、
    　前記バッファ層の一部または全部および前記第１基板を除去し、前記第２基板の上に、前記第２バリア層、前記チャネル層、前記第１バリア層が、これらの順に主表面をＶ族極性面とした状態で前記第２基板の上に形成された状態とする第４工程と、
    　前記第１基板を除去した後で、前記第２バリア層、前記チャネル層、前記第１バリア層からなるトランジスタを前記第２基板の上に形成する第５工程と
    　を備え、
    　前記チャネル層は、前記第１バリア層および前記第２バリア層よりバンドギャップの小さい材料から構成し、
    　前記チャネル層は、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＮの少なくとも１つから構成し、
    　前記第１バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、
    　前記第２バリア層は、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＮ、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＧａＮの少なくとも１つから構成し、
    　前記第１接合層は、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成する
    　ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
  3. 　請求項２記載のトランジスタの製造方法において、
    　前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる前に、前記第２基板の上に窒化物半導体からなる第２接合層を形成する第６工程をさらに備え、
    　前記第３工程では、前記第１接合層と前記第２基板と向かい合わせた状態で前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる
    　ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
  4. 　請求項３記載のトランジスタの製造方法において、
    　前記第２接合層は、Ｃ、Ｆｅ、ＺｎまたはＭｇがドープされて高抵抗化またはｐ型化された窒化物半導体から構成する
    　ことを特徴とするトランジスタの製造方法。
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