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WO2018123035A1 - ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置 - Google Patents

ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置 Download PDF

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WO2018123035A1
WO2018123035A1 PCT/JP2016/089153 JP2016089153W WO2018123035A1 WO 2018123035 A1 WO2018123035 A1 WO 2018123035A1 JP 2016089153 W JP2016089153 W JP 2016089153W WO 2018123035 A1 WO2018123035 A1 WO 2018123035A1
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WO
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target
control unit
background luminance
image
unit
Prior art date
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PCT/JP2016/089153
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English (en)
French (fr)
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裕計 細田
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Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to US16/389,867 priority patent/US10976664B2/en
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    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/002—Supply of the plasma generating material
    • H05G2/0027—Arrangements for controlling the supply; Arrangements for measurements
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means

Definitions

  • the present disclosure relates to a target imaging device and an extreme ultraviolet light generation device.
  • an LPP Laser Produced Plasma
  • DPP discharge Produced Plasma
  • a target imaging device includes a delay circuit that receives a timing signal from the outside and outputs a first trigger signal at a timing delayed by a first delay time from the time of reception of the timing signal;
  • An illumination light source that emits light based on a first trigger signal; and an imaging unit that is arranged to capture an image of a shadow of the target by irradiating the target that is the observation target with light emitted from the illumination light source;
  • a processing unit that performs image processing including processing for measuring background luminance from a captured image captured by the imaging unit, and a control unit that performs control to adjust the first delay time based on the background luminance.
  • An extreme ultraviolet light generation apparatus includes a chamber in which plasma is generated, a target supply unit that supplies a target that is a plasma generation source in the chamber, and a target supply unit.
  • a target passage detection device that detects the passage of the target supplied into the chamber and outputs a target passage detection signal; receives the target passage detection signal; and delays by a first delay time from the reception of the target passage detection signal By irradiating a target to be observed with a delay circuit that outputs the first trigger signal at the timing, an illumination light source that emits light based on the first trigger signal, and a light emitted from the illumination light source,
  • a shooting unit arranged in the chamber for shooting a shadow image of the target, and a background brightness from the shot image shot by the shooting unit.
  • a processing unit that performs image processing including a process of measuring and a control unit that performs control to adjust the first delay time based on the background luminance, and a target supplied from the target supply unit to the inside of the chamber By irradiating with laser light, the target is turned into plasma and extreme ultraviolet light is generated.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target imaging apparatus.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a first configuration example of the illumination unit in the target image measurement device.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a second configuration example of the illumination unit in the target image measurement device.
  • FIG. 5 is a timing chart of the target image measurement device.
  • FIG. 6 is a graph exemplarily showing a change in the light emission timing of the flash lamp.
  • FIG. 1 is a diagram schematically illustrating a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system.
  • FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target imaging apparatus.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a first configuration example of the illumination unit in the target image measurement device.
  • FIG. 4 is a
  • FIG. 7 is a graph showing a situation in which the background luminance of the photographed image is lowered due to aging deterioration or state change of the flash lamp.
  • Figure 8 is a timing chart showing an example of a case where the delay time T FL Configuring FL trigger is incorrect status.
  • FIG. 9 is an image diagram of a captured image captured by the image sensor in accordance with the light emission state of the flash lamp.
  • FIG. 10 is a graph showing a line profile indicating the signal strength in the horizontal direction indicated by a broken line in each of the images A to C shown in FIG.
  • FIG. 11 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including the target imaging apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram exemplarily showing an image of image data of a captured image obtained from the image sensor.
  • FIG. 13 is a graph showing a luminance histogram in the captured image shown in FIG.
  • FIG. 14 is a diagram illustrating an example of a plurality of measurement areas set in an image area of a captured image.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating an example of a captured image.
  • FIG. 16 is a diagram illustrating another example of a captured image.
  • FIG. 17 is a flowchart of the TFL adjustment process in the target imaging apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 18 is a flowchart of image data analysis processing.
  • FIG. 19 is a flowchart showing the processing content of the background luminance acquisition a.
  • FIG. 20 is a flowchart showing the processing content of the background luminance acquisition b.
  • FIG. 21 is a flowchart showing the processing contents of background luminance acquisition c.
  • FIG. 22 is a flowchart showing the processing contents of background luminance acquisition d.
  • FIG. 23 is a flowchart showing the processing content of background luminance acquisition e.
  • FIG. 24 is a chart summarizing the merits and demerits of each of the background luminance acquisitions a to e.
  • FIG. 25 is a flowchart showing the processing contents of TFL optimization.
  • FIG. 26 is a configuration diagram exemplarily showing a configuration of an EUV light generation apparatus including a target imaging apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 27 is a flowchart of the TFL adjustment process including the FL discharge voltage change process in the second embodiment.
  • FIG. 28 is a flowchart showing the processing contents of the FL discharge voltage change.
  • FIG. 29 is a flowchart showing the contents of processing for acquiring the correlation between the discharge voltage and the optimum delay time.
  • FIG. 30 is a diagram schematically showing a target state estimated when a time of picosecond order has elapsed from the start of irradiation of a pre-pulse laser beam having a pulse width of picosecond order on the target.
  • FIG. 31 is a diagram schematically illustrating a target state estimated at the time when nanosecond order time has elapsed from the start of irradiation of prepulse laser light having a pulse width of picosecond order on the target.
  • FIG. 32 is a diagram schematically showing the state of the diffusion target at the time when about 1 ⁇ s has elapsed from the start of irradiation of the pre-pulse laser beam having a pulse width on the order of picoseconds on the target.
  • FIG. 1 schematically shows a configuration of an exemplary LPP type EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation device 12 may be used with at least one laser device 14.
  • a system including the EUV light generation apparatus 12 and the laser apparatus 14 is referred to as an EUV light generation system 10.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a chamber 16 and a target supply unit 18.
  • the chamber 16 is a container that can be sealed.
  • the target supply unit 18 is configured to supply the target material into the chamber 16, and is attached to penetrate the wall of the chamber 16, for example.
  • the material of the target substance may include, but is not limited to, tin, terbium, gadolinium, lithium, xenon, or a combination of any two or more thereof.
  • the wall of the chamber 16 is provided with at least one through hole.
  • the through hole is closed by the window 20, and the pulse laser beam 22 output from the laser device 14 is transmitted through the window 20.
  • an EUV light collecting mirror 24 having a spheroidal reflecting surface is disposed.
  • the EUV light collector mirror 24 has a first focus and a second focus.
  • a multilayer reflective film in which molybdenum and silicon are alternately laminated is formed on the surface of the EUV light collector mirror 24.
  • the EUV light collector mirror 24 is disposed so that, for example, the first focus is located in the plasma generation region 26 and the second focus is located in an intermediate focusing point (IF) 28.
  • IF intermediate focusing point
  • a through hole 30 is provided at the center of the EUV light collector mirror 24, and the pulse laser beam 23 passes through the through hole 30.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a control unit 40, a target sensor 42, and the like.
  • the target sensor 42 is configured to detect one or more of the presence, trajectory, position, and speed of the target 44.
  • the target sensor 42 may have an imaging function.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a connection portion 48 that communicates the inside of the chamber 16 and the inside of the exposure apparatus 46. Inside the connecting portion 48, a wall 52 in which an aperture 50 is formed is provided inside the connecting portion 48. The wall 52 is arranged so that the aperture 50 is located at the second focal position of the EUV light collector mirror 24.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a laser light transmission device 54, a laser light condensing mirror 56, a target collection unit 58 for collecting the target 44, and the like.
  • the laser light transmission device 54 includes an optical element for defining the transmission state of the laser light and an actuator for adjusting the position, posture, and the like of the optical element.
  • the target recovery unit 58 is disposed on an extension line in the direction in which the target 44 output into the chamber 16 travels.
  • the laser device 14 may be a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) system.
  • the laser device 14 may be configured to include a master oscillator (not shown), an optical isolator (not shown), and a plurality of CO 2 laser amplifiers (not shown).
  • a solid-state laser can be adopted as the master oscillator.
  • the wavelength of the laser beam output from the master oscillator is, for example, 10.59 ⁇ m, and the repetition frequency of pulse oscillation is, for example, 100 kHz.
  • the pulsed laser light 21 output from the laser device 14 passes through the window 20 as the pulsed laser light 22 through the laser light transmission device 54 and enters the chamber 16.
  • the pulse laser beam 22 travels along the at least one laser beam path in the chamber 16, is reflected by the laser beam collector mirror 56, and is irradiated to the at least one target 44 as the pulse laser beam 23.
  • the target supply unit 18 is configured to output the target 44 formed of the target material toward the plasma generation region 26 inside the chamber 16.
  • the target 44 is irradiated with at least one pulse included in the pulsed laser light 23.
  • the target 44 irradiated with the pulse laser beam is turned into plasma, and radiation light 60 is emitted from the plasma.
  • the EUV light 62 included in the radiation light 60 is selectively reflected by the EUV light collector mirror 24.
  • the EUV light 62 reflected by the EUV light condensing mirror 24 is condensed at the intermediate condensing point 28 and output to the exposure device 46.
  • a single target 44 may be irradiated with a plurality of pulses included in the pulsed laser light 23.
  • the control unit 40 is configured to control the entire EUV light generation system 10.
  • the control unit 40 is configured to process the detection result of the target sensor 42. Based on the detection result of the target sensor 42, the control unit 40 may be configured to control the timing at which the target 44 is output, the output direction of the target 44, and the like, for example. Furthermore, the control unit 40 may be configured to control, for example, the oscillation timing of the laser device 14, the traveling direction of the pulse laser light 22, the condensing position of the pulse laser light 23, and the like.
  • the various controls described above are merely examples, and other controls may be added as necessary.
  • control unit 40 and other control devices can be realized by a combination of hardware and software of one or a plurality of computers.
  • Software is synonymous with program.
  • Programmable controllers are included in the concept of computers.
  • control unit 40 and other control devices may be connected to each other via a communication network such as a local area network or the Internet.
  • program units may be stored in both local and remote memory storage devices.
  • Pulse laser light may mean laser light including a plurality of pulses.
  • Laser light may mean not only pulsed laser light but general laser light.
  • Target is an object to be irradiated with laser light introduced into the chamber.
  • the target irradiated with the laser light is turned into plasma and emits EUV light.
  • Droplet is a form of target supplied into the chamber.
  • a droplet is synonymous with a droplet-like target.
  • a droplet can mean a target that has become substantially spherical due to the surface tension of the molten target material.
  • “Diffusion target” means a target diffused into fine particles or the like when the target is irradiated with pulsed laser light.
  • a fine particle group of the target material may be referred to as “mist”.
  • the diffusion target may contain plasma.
  • a diffusion target (mist) is one form of the target.
  • Pulsma light is radiation light emitted from a plasma target.
  • the emitted light includes EUV light.
  • EUV light is an abbreviation for “extreme ultraviolet light”.
  • FIG. 2 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation device including a target imaging device.
  • the EUV light generation device 12 includes a target passage detection device 70 and a target image measurement device 90.
  • the target passage detection device 70 and the target image measurement device 90 are mounted on the chamber 16.
  • the target passage detection device 70 includes an illumination unit 71 and a measurement unit 81.
  • the illumination unit 71 includes an illumination light source 72, an illumination optical system 74, and an optical filter 76.
  • the illumination light source 72 may be a monochromatic laser light source or a lamp that emits a plurality of wavelengths.
  • the illumination light source 72 may include an optical fiber, and the optical fiber is connected to the illumination optical system 74.
  • the illumination optical system 74 includes a condenser lens.
  • the illumination unit 71 is disposed outside the chamber 16 through the window 78. Window 78 is attached to the wall of chamber 16. The window 78 may be included in the components of the illumination optical system 74.
  • the measurement unit 81 includes an optical filter 82, a measurement optical system 84, and an optical sensor 86.
  • the optical sensor 86 includes one or more light receiving surfaces.
  • the optical sensor 86 can be configured by any one of a photodiode, a photodiode array, an avalanche photodiode, a photomultiplier tube, a multi-pixel photon counter, and an image intensifier.
  • the optical sensor 86 outputs an electrical signal corresponding to the amount of received light.
  • the measurement optical system 84 includes a lens that transfers an image of a target illuminated with illumination light from the illumination light source 72 onto the element of the optical sensor 86.
  • the measuring unit 81 is disposed outside the chamber 16 through the window 88.
  • the window 88 is attached to the wall of the chamber 16 so as to face the window 78.
  • the window 88 may be included in the components of the measurement optical system 84.
  • the illumination unit 71 and the measurement unit 81 are attached to the chamber 16 so as to face each other across the target passing position.
  • the target image measurement device 90 includes an illumination unit 91 and a measurement unit 101.
  • the illumination unit 91 includes a flash lamp 92 as an illumination light source and an illumination optical system 94.
  • the illumination unit 91 is disposed outside the chamber 16 through the window 98.
  • Window 98 is attached to the wall of chamber 16.
  • a collimating lens is used for the illumination optical system 94.
  • the measuring unit 101 includes an optical filter 102, an imaging optical system 104, a shutter 105, a transfer optical system 106, and an image sensor 107.
  • the image sensor 107 for example, a CCD (Charge-Coupled Device) image sensor can be used.
  • the measuring unit 101 is disposed outside the chamber 16 through the window 108.
  • the window 108 is attached to the wall of the chamber 16 so as to face the window 98.
  • the illumination unit 91 and the measurement unit 101 are attached to the chamber 16 so as to face each other across the target passing position.
  • the window 98 serves as a light emission port that emits light emitted from the flash lamp 92 toward the target.
  • the window 98 corresponds to a form of “first window”.
  • the window 108 serves as a light incident port for introducing light that has passed around the target into the measurement unit 101.
  • the window 108 corresponds to a form of “second window”.
  • the control unit 40 includes a processing unit 110 and a delay circuit 112.
  • the processing unit 110 processes image data of an image captured by the image sensor 107.
  • the delay circuit 112 receives the target passage detection signal from the target passage detection device 70 and generates various trigger signals such as an FL trigger, a shutter trigger, an imaging trigger, and a drive laser output trigger based on the reception of the target passage detection signal. To do.
  • the notation of FL represents “flash lamp”.
  • the facing direction of the window 98 of the illumination unit 91 and the window 108 of the measurement unit 101 may be orthogonal to the droplet trajectory that is the travel path of the droplet, or may be non-orthogonal to the droplet trajectory.
  • the EUV light generation apparatus 12 is used together with the drive laser generation unit 114.
  • the drive laser generator 114 corresponds to a configuration including the laser device 14 and the laser light transmission device 54 described in FIG. In FIG. 2, the illustration of the laser beam transmission device 54, the laser beam collector mirror 56, the EUV beam collector mirror 24, and the like shown in FIG. 1 is omitted.
  • the drive laser generator 114 may be configured to include a plurality of laser devices.
  • the drive laser generator 114 of this example includes a pre-pulse laser device and a main pulse laser device (not shown).
  • the chamber 16 is provided with an exhaust device (not shown) and a pressure sensor (not shown).
  • the chamber 16 is connected to a gas supply device (not shown).
  • the target supply unit 18 includes a tank (not shown) that stores the target material, a nozzle that includes a nozzle hole that outputs the target material, and a diagram arranged in the nozzle.
  • a piezoelectric element not shown.
  • a heater (not shown) and a temperature sensor (not shown) are disposed on the outer side surface of the tank.
  • the EUV light generation apparatus 12 includes a pressure regulator (not shown) that regulates the pressure in the tank that stores the target material.
  • the nozzle of the target supply unit 18 is formed in such a shape that the molten target material is jetted into the chamber 16.
  • liquid tin can be employed.
  • a plasma generation region 26 inside the chamber 16 is located on an extension line in the central axis direction of the nozzle.
  • XYZ orthogonal coordinate axes are introduced for convenience of explanation regarding directions.
  • the direction in which the target material droplets are output from the target supply unit 18 is the Y-axis direction.
  • the direction in which EUV light is led out from the chamber 16 toward the exposure apparatus 46 (see FIG. 1) is the X-axis direction, and the direction perpendicular to the paper surface of FIG. 2 is the Z-axis direction.
  • control unit 40 Based on the detection value of a pressure sensor (not shown) attached to the chamber 16, the control unit 40 exhausts and supplies gas using an exhaust device (not shown) so that the pressure in the chamber 16 falls within a predetermined range.
  • Control gas supply from The predetermined range of the pressure in the chamber 16 is, for example, a value between several Pascals [Pa] and several hundred Pascals [Pa].
  • the target supply unit 18 forms the droplet 116 by, for example, a continuous jet method.
  • the nozzle is vibrated, a standing wave is applied to the flow of the target material ejected in a jet shape from the nozzle hole, and the target material is periodically separated.
  • the separated target material can form a free interface by its own surface tension to form a droplet 116.
  • the control unit 40 controls the heater attached to the tank of the target supply unit 18 to heat the target material in the tank to a predetermined temperature equal to or higher than the melting point.
  • the control unit 40 controls the heater to heat the tin in the tank to a predetermined temperature in the temperature range of 250 ° C. to 290 ° C., which is equal to or higher than the melting point, thereby controlling the temperature of the tin in the tank. To do.
  • the melting point of tin is 232 ° C.
  • the control unit 40 controls the pressure regulator so that the pressure in the tank becomes a pressure at which a jet of liquid tin can be output from the nozzle hole at a predetermined speed.
  • the control unit 40 transmits a signal for supplying a voltage having a predetermined waveform to the piezo element so that the droplet 116 is generated.
  • a voltage having a predetermined waveform is supplied to the piezo element, the piezo element vibrates.
  • regular disturbance is given to the molten tin jet output from the nozzle hole by the vibration of the nozzle hole.
  • the jet-shaped molten tin is divided into droplets 116, and the droplets 116 having a uniform volume can be generated.
  • the drive laser generator 114 includes a prepulse laser device configured to output a prepulse laser beam and a main pulse laser device configured to output a main pulse laser beam.
  • a droplet-shaped target is irradiated with a pre-pulse laser beam to diffuse the target, and after forming a diffusion target, the diffusion target is irradiated with a main pulse laser beam. .
  • the main pulse laser beam is irradiated to the diffusion target, the target material can be efficiently converted into plasma. According to this, the conversion efficiency (Conversion Efficiency: CE) from the energy of pulsed laser light to the energy of EUV light can be improved.
  • Conversion Efficiency: CE Conversion Efficiency
  • the pre-pulse laser beam for forming the diffusion target includes a short pulse whose pulse width is less than 1 nanosecond [ns], preferably less than 500 picoseconds [ps], more preferably less than 50 picoseconds [ps]. Is done. Further, in the pre-pulse laser beam, the fluence of each pulse is not more than the fluence of each pulse of the main pulse laser beam, and is 6.5 J / cm 2 or more, preferably 30 J / cm 2 or more, more preferably 45 J / cm 2. It is said above.
  • the target can be broken into fine particles and diffused by shortening the pulse width of each pulse of the pre-pulse laser beam.
  • the target when the diffused target is irradiated with the main pulse laser beam, the target can be efficiently converted to plasma and CE can be improved.
  • the target collection unit 58 collects the droplet 116 that has passed through the plasma generation region 26 without being irradiated with the pulse laser beam 23 or a part of the droplet that has not been diffused by the irradiation with the pulse laser beam 23.
  • the illumination unit 71 of the target passage detection device 70 illuminates the target introduced into the chamber 16 from the target supply unit 18.
  • the intensity of light received by the measuring unit 81 decreases.
  • a change in light intensity accompanying the passage of the target is detected by the optical sensor 86.
  • the optical sensor 86 outputs a target detection signal indicating the target passage timing to the control unit 40.
  • the control unit 40 generates a target passage detection signal at a timing when the target detection signal falls below a predetermined threshold voltage.
  • the measurement unit 81 may generate a target passage detection signal, and the measurement unit 81 may output the target passage detection signal to the control unit 40. That is, the target passage detection device 70 may detect the passage of the target by the optical sensor 86 and transmit a target passage detection signal to the control unit 40.
  • the delay circuit 112 gives a delay time set in advance to each of the devices of the flash lamp 92, the shutter 105, the image sensor 107, and the drive laser generator 114 to the received target passage detection signal.
  • a trigger signal for each is output.
  • the set delay time for each device is triggered from the time until the target reaches the designated point in the plasma generation region 26. It is determined by subtracting the internal delay time and transmission time of each device that receives the signal.
  • the trigger signal given to the flash lamp 92 is called “FL trigger”.
  • the trigger signal given to the shutter 105 is called “shutter trigger”.
  • the trigger signal given to the image sensor 107 is referred to as “imaging trigger”.
  • the trigger signal given to the drive laser generator 114 is referred to as “drive laser output trigger”.
  • the operation of the delay circuit 112 synchronizes the light emission of the flash lamp 92, the opening operation of the shutter 105, and the exposure (imaging operation) of the image sensor 107. That is, due to the action of the delay circuit 112, the shutter 105 opens based on the shutter trigger at the timing when the flash lamp 92 emits light based on the FL trigger, and the image sensor 107 performs exposure using the imaging trigger.
  • the target image measurement device 90 images the target near the plasma generation region 26.
  • Image data acquired via the image sensor 107 is sent to the processing unit 110 of the control unit 40, and image processing is performed in the processing unit 110.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a first configuration example of the illumination unit 91 in the target image measurement device 90.
  • the illumination unit 91 illustrated in FIG. 3 is housed in a case 96 with a flash lamp 92 and an illumination optical system 94, and the case 96 is directly attached to the chamber wall 16A.
  • the chamber wall 16 ⁇ / b> A is a part of the wall of the chamber 16.
  • the flash lamp 92 is disposed in the vicinity of the illumination optical system 94. Illumination light emitted from a flash lamp 92 housed in a case 96 directly attached to the chamber wall 16A is irradiated in the vicinity of the plasma generation region 26 through the illumination optical system 94 and the window 98.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a second configuration example of the illumination unit 91 in the target image measurement device 90.
  • the flash lamp 92 of the illumination unit 91 illustrated in FIG. 4 is not disposed in the vicinity of the illumination optical system 94 but is disposed far away from the illumination optical system 94.
  • the illumination unit 91 includes an optical fiber 93 that guides the illumination light emitted from the flash lamp 92 to the illumination optical system 94.
  • Illumination light emitted from the flash lamp 92 shown in FIG. 4 is transmitted to the illumination optical system 94 in the case 96 using the optical fiber 93.
  • the illumination light is collimated by the illumination optical system 94 in the vicinity of the chamber by optical fiber transmission, and is irradiated near the plasma generation region 26.
  • it may replace with the optical fiber 93, or may employ
  • the flash lamp 92 can be placed away from the chamber 16.
  • FIG. 5 is a timing chart of the target image measuring device.
  • the target passage detection signal is a timing signal that serves as a reference for the timing of each trigger signal of the imaging trigger, shutter trigger, and FL trigger.
  • the delay circuit 112 gives necessary delay times from the time of reception of the target passage detection signal, and outputs trigger signals for imaging trigger, shutter trigger, and FL trigger.
  • the delay circuit 112 generates an imaging trigger delayed by a delay time T ccd from the time of reception of the target passage detection signal, and transmits the imaging trigger to the image sensor 107.
  • the length of time for which the imaging trigger is ON is approximately 1 millisecond, for example.
  • the delay circuit 112 generates a shutter trigger delayed by a delay time T str from the time of receiving the target passage detection signal, and transmits the shutter trigger to the shutter 105.
  • the length of time for which the shutter trigger is ON is approximately 20 nanoseconds, for example.
  • the delay circuit 112 generates an FL trigger delayed by a delay time T FL from the time of reception of the target passage detection signal, and transmits the FL trigger to the flash lamp 92.
  • the length of time for which the FL trigger is ON is, for example, approximately 10 microseconds.
  • “FL light emission” in FIG. 5 indicates the light emission intensity of the flash lamp 92 to which the FL trigger is input.
  • the light emission intensity of the flash lamp 92 indicates the brightness of illumination light by flash light emission.
  • the flash lamp 92 is a high-intensity pulse light source, and starts to emit light with a slight delay from the trigger input. The emission intensity reaches a peak at a time of T emit from the trigger input timing, and then the emission intensity is attenuated.
  • FIG. 5 shows an example in which the FL trigger delay time TFL is appropriately set.
  • the timing of the light emission peak of the flash lamp 92 substantially matches the timing of the shutter trigger.
  • the area (integrated value) of the hatched portion HA that overlaps the ON period of the shutter trigger in the FL emission corresponds to the background luminance of the image captured by the image sensor 107.
  • FIG. 6 is a graph exemplarily showing a change in the light emission timing of the flash lamp.
  • the horizontal axis indicates the time difference (elapsed time) from the input of the FL trigger, and the unit is nanosecond [ns]. The origin of the horizontal axis is at the time of trigger input.
  • the vertical axis represents the emission intensity of the flash lamp.
  • the light emission waveform indicated by Date.X indicates the light emission state of the flash lamp measured at a specific date and time X. For example, Date.
  • the light emission waveform of X indicates the initial performance of the flash lamp.
  • the light emission waveform indicated by Date.Z indicates the light emission state of the flash lamp measured at a specific date and time Z sufficiently long after the date and time X. As the flash lamp 92 is used for a long time, the time difference from the trigger input of the flash lamp 92 to light emission becomes longer.
  • the trigger input timing to the flash lamp 92 is synchronized with the exposure timing of the imaging system in the measurement unit 101 at the initial stage when the use of the apparatus is started, that is, the integrated light amount (photographed image within the exposure time). The amount of background light) is adjusted to maximize. Thereafter, the timing of the trigger input to the flash lamp 92 is not adjusted.
  • Date In the apparatus state set so that the timing of the light emission peak in the light emission waveform of X and the timing of the shutter trigger substantially coincide with each other, Date.
  • the light emission waveform is Z
  • the amount of illumination light emitted during the ON period of the shutter trigger decreases.
  • the time from the trigger input of the flash lamp 92 to the light emission changes due to the aging deterioration or state change of the flash lamp 92, and the synchronization with the exposure timing of the imaging system is lost.
  • FIG. 7 is a graph showing a situation in which the background luminance of the photographed image is lowered due to aging deterioration or state change of the flash lamp 92.
  • the horizontal axis of FIG. 7 represents time, and the unit is month.
  • the vertical axis represents the background luminance.
  • “X” in FIG. 7 indicates Date.
  • X represents a date
  • “Z” in FIG. Represents the date of Z.
  • “Y” in FIG. 7 indicates a specific date between X and Y.
  • the background luminance decreases as the flash lamp 92 is used for a long time.
  • FIG. 8 shows an example in which the FL trigger delay time TFL is set inappropriately.
  • the light emission state indicated by symbol A is the same waveform as the light emission state shown in FIG. 5, and the light emission peak substantially coincides with the shutter trigger timing. .
  • the time difference from the trigger input timing of the FL trigger to the light emission of the flash lamp 92 becomes longer, and the light emission peak of the flash lamp 92 and the timing of the shutter trigger are shifted. It shows the state.
  • the area of the hatched portion H B which overlaps with the ON period of the shutter trigger is smaller than the area of the hatched portion H A described in FIG. 5, the background brightness of the captured image is reduced. Further, when the state of the code C is entered, the ON period of the shutter trigger and the FL light emission period are shifted, and the background luminance of the captured image is extremely lowered.
  • FIG. 9 is an image diagram of a photographed image photographed by the image sensor 107 when the time difference from the input of the FL trigger to the FL emission is the respective states of A, B, and C in FIG.
  • An image A shown in the leftmost part of FIG. 9 is an image diagram of a photographed image photographed by the image sensor 107 when the time difference from the input of the FL trigger to the FL emission is in the state indicated by “A” in FIG. 6. It is.
  • An image B shown in the center of FIG. 9 is an image diagram of a photographed image taken by the image sensor 107 when the time difference from the input of the FL trigger to the FL emission is in the state shown by “B” in FIG. is there.
  • the image C shown on the rightmost side of FIG. 9 is an image diagram of a photographed image taken by the image sensor 107 when the time difference from the input of the FL trigger to the FL emission is in the state indicated by “C” in FIG. It is.
  • the image of the image captured by the image sensor 107 is as shown in FIG.
  • the background gradually becomes darker as image A ⁇ image B ⁇ image C.
  • a black circle in each of the images A, B, and C is a shadow of a droplet.
  • the line profile indicating the signal strength in the horizontal direction indicated by the broken line in each of the images A to C is as shown in FIG.
  • the horizontal axis in FIG. 10 represents the position in the horizontal direction
  • the vertical axis represents the signal intensity, that is, the luminance.
  • the signal intensity can be represented by a pixel count value in the image data, that is, a digital signal value.
  • the line profile indicated by “A” in FIG. 10 is a cross-sectional profile of the line indicated by the broken line a in the image A of FIG.
  • the line profile indicated by “B” in FIG. 10 is a cross-sectional profile of the line indicated by the broken line b in the image B of FIG.
  • the line profile indicated by “C” in FIG. 10 is a cross-sectional profile of the line indicated by the broken line c in the image C of FIG.
  • the signal intensity is lower in the shadow portion of the target than in the background portion.
  • the fluctuation in the background signal is due to thermal noise.
  • the target signal is a signal that captures a shadow portion of the target.
  • the background brightness is low as in the image B
  • the background luminance decreases as in the image C
  • the synchronization with the exposure timing is lost, and the integrated light quantity within the exposure time is lowered, so that the contrast between the shadow of the target and the background is lowered, and the target The measurement accuracy is reduced.
  • FIG. 11 is a diagram schematically illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target imaging apparatus according to the first embodiment.
  • the control unit 40 performs control to adjust the delay time of the delay circuit 112 using the result of the background luminance measurement of the captured image by the processing unit 110.
  • the processing unit 110 measures the background luminance of the captured image based on the image data of the captured image obtained from the image sensor 107.
  • FIG. 12 shows an example of the image data of the captured image.
  • the shot image shows the shadow of the droplet.
  • the following measurement methods a to c can be employed.
  • Measurement method a The average count value of the entire captured image is used as the background luminance.
  • the count value refers to the digital signal value of the pixel.
  • the count value is expressed as a numerical value at the stage of a predetermined number of gradations, and the count value increases as the luminance increases. For example, when the predetermined number of gradations is 256 gradations (8 bits), the count value is represented by any numerical value in the range of 0 to 255.
  • Measurement method b The maximum count value in the entire image of the photographed image is adopted as the background luminance.
  • Measurement method c The count value corresponding to the peak of the histogram of the count value of the entire captured image is adopted as the background luminance.
  • FIG. 13 shows a luminance histogram in the photographed image shown in FIG.
  • the horizontal axis represents the count value of each pixel of the captured image, and the vertical axis represents the number of corresponding pixels.
  • the arrow “a” in the figure indicates the position on the histogram of the background luminance acquired by the measuring method a.
  • the arrow “b” in the figure indicates the position on the histogram of background luminance acquired by the measurement method b.
  • the arrow “c” in the figure indicates the position on the histogram of background luminance acquired by the measurement method c.
  • the following measurement methods d and e can be adopted.
  • Measurement method d A plurality of measurement areas are set in advance in the image area of the photographed image, and the average value of the average count values of the plurality of measurement areas is adopted as the background luminance.
  • FIG. 14 shows a rectangular measurement frame that defines the boundaries of the measurement areas W1, W2, W3, and W4.
  • An average value (average count value) is calculated only within each measurement frame, and an average value of four average count values for each of the measurement regions W1, W2, W3, and W4 is adopted as the background luminance.
  • the plurality of measurement regions preferably include at least two measurement regions having different positions in the Y direction and different positions in the X direction.
  • Measurement method e A plurality of measurement areas are set in advance in the image area of the photographed image, and the average count value of each of the remaining measurement areas excluding the measurement area including the target among the plurality of measurement areas The average value is adopted as the background luminance.
  • FIG. 15 is an example of a captured image.
  • the photographed image of FIG. 15 is a photographed image in a direction in which the target advances from the top to the bottom of the screen.
  • the measurement area W2 and the measurement area W4 including the target among the plurality of measurement areas W1 to W4 set in advance are excluded from the calculation of the background luminance.
  • an average count value is obtained for each of the remaining measurement area W1 and measurement area W3, and the average value of the two average count values for each of the measurement areas W1 and W3 is employed as the background luminance.
  • Whether or not a target is included in each measurement region can be determined by, for example, one of the following two methods or a combination of both.
  • the control unit 40 holds information on the supply position of the target output from the target supply unit 18.
  • the target supply unit 18 is attached to the chamber 16 via a two-dimensional stage (not shown).
  • the control unit 40 controls a target supply position by controlling a two-dimensional stage (not shown).
  • the control unit 40 holds a target supply position as control information of the two-dimensional stage.
  • the control unit 40 can determine the position of the target in the captured image based on the information on the target supply position.
  • the presence / absence of a target can be determined from information on the minimum luminance in each measurement region in the captured image. As described above, the target appears as a shadow in the captured image. Since the shadow portion has a low luminance, it can be determined that the target is included in the measurement region when the minimum luminance of the pixels in the measurement region is lower than a predetermined value.
  • FIG. 16 shows another example of the photographed image.
  • the captured image shown in FIG. 16 is an image captured in a direction in which the target advances from the left to the right of the screen.
  • the measurement area W3 including the target and the measurement area W4 out of the plurality of measurement areas W1, W2, W3, and W4 set in advance in the image area of the captured image are excluded from the calculation of the background luminance.
  • an average count value is obtained for each of the measurement region W1 and the measurement region W2, and an average value of two average count values for each measurement region is employed as the background luminance.
  • the measurement area for calculating the background luminance in the captured image is fixed and limited in advance, so that the amount of calculation is small compared to the measurement methods a to c. Background brightness can be acquired at high speed.
  • the background luminance measurement may be always performed, for example, every time target measurement is performed, or at a rate of once for a plurality of target measurements. Then, when the measured background luminance falls below a predetermined reference luminance allowable fluctuation range (for example, 90%), the TFL adjustment is performed.
  • T FL adjustment means adjusting the delay time T FL of the FL trigger to an optimal value.
  • the TFL adjustment may be performed periodically after the lapse of a prescribed period of about one week to one month.
  • FIG. 17 is a flowchart of the T FL adjustment processing in the target imaging apparatus according to the first embodiment. Each step of the flowchart shown in FIG. 14 can be implemented by executing a program by one or more CPUs (Central Processing Units) functioning as the control unit 40.
  • CPUs Central Processing Units
  • step S11 the control unit 40, setting the allowable variation width ⁇ in advance reference brightness Q 0.
  • ⁇ 0.9 means that 90% of the reference luminance Q 0 is allowed.
  • the delay time T FL of the FL trigger is adjusted in advance, and the control unit 40 sets T FL adjusted in advance.
  • F 0 indicates the state of adjustment completion (adjusted).
  • step S14 the control unit 40 determines whether image data is received from the image sensor 107 or not. In the case of No determination in step S14, the control unit 40 loops the process of step S14 and waits for reception of image data.
  • step S14 when the control unit 40 receives the image data captured by the target imaging device, the control unit 40 proceeds to step S16.
  • step S16 the processing unit 110 performs image data analysis.
  • the processing unit 110 acquires the background luminance Q of the captured image in the image data analysis.
  • any one of the measurement methods a to e described above or an appropriate combination thereof can be used. Details of the processing contents of the image data analysis (step S16) will be described later.
  • step S20 the control unit 40 determines whether less than the allowable fluctuation range ⁇ background luminance Q is the reference brightness Q 0. That is, the control unit 40 determines whether satisfy Q ⁇ Q 0.
  • the product of the reference luminance Q 0 and allowable variation width ⁇ is an example of a permissible lower limit brightness. Allowable lower limit luminance is not limited to the form that is set as the reference luminance Q 0 by the product of the allowable variation range alpha.
  • the allowable lower limit luminance may be a predetermined value.
  • step S20 If Q ⁇ ⁇ Q 0 in step S20, the process returns to step S14 and waits for reception of the next image data.
  • step S20 if less than the product of the allowable variation range ⁇ background luminance Q is the reference brightness Q 0, the control unit 40 proceeds to step S22.
  • step S24 the control unit 40 executes a subroutine for TFL optimization processing.
  • the details of the TFL optimization process will be described later with reference to FIG.
  • a background luminance calculation process is performed, and a delay time is corrected based on the calculation result.
  • the adjustment flag F is changed in the process of T FL optimization, and F can take any value of ⁇ 1, 2, 3, 4 ⁇ .
  • FIG. 18 is a flowchart of image data analysis processing.
  • the image data analysis process includes a target position and / or shape measurement subroutine (step S40) and a background luminance acquisition subroutine (step S42).
  • step S40 the control unit 40 measures the target position and / or shape.
  • the processing unit 110 of the control unit 40 measures at least one of a droplet diameter, a droplet position, a droplet interval, and a mist (diffusion target) spreading shape from the captured image.
  • step S42 the control unit 40 measures the background luminance by adopting a process corresponding to one of the five measurement methods a to e as a background luminance acquisition subroutine.
  • the background luminance acquisition process based on the measurement method a is referred to as “background luminance acquisition a”.
  • the background luminance acquisition process based on the measurement method b is referred to as “background luminance acquisition b”.
  • the background luminance acquisition process based on the measurement method c is referred to as “background luminance acquisition c”.
  • the background luminance acquisition process based on the measurement method d is referred to as “background luminance acquisition d”.
  • the background luminance acquisition process based on the measurement method e is referred to as “background luminance acquisition e”.
  • FIG. 19 is a flowchart showing the processing content of the background luminance acquisition a.
  • the processing unit 110 calculates the average luminance I ave of the image.
  • the average luminance here is obtained by calculating the average value of the count number of each pixel of the digital image data obtained from the CCD image sensor which is the image sensor 107, that is, the average value of the pixel values of the entire photographed image.
  • step S52 the control unit 40 employs I ave as the background luminance Q.
  • FIG. 20 is a flowchart showing the processing content of the background luminance acquisition b.
  • the processing unit 110 calculates the maximum luminance I max of the image.
  • the maximum luminance here is obtained by specifying the largest count number among the count numbers of each pixel of the digital image data obtained from the CCD image sensor which is the image sensor 107.
  • step S62 the control unit 40 employs I max as the background luminance Q.
  • FIG. 21 is a flowchart showing the processing content of background luminance acquisition c.
  • step S70 the processing unit 110 creates a luminance histogram of the image.
  • the processing unit 110 creates a luminance histogram as described with reference to FIG. 13 based on the count value of each pixel of the captured image.
  • step S72 the processing unit 110 acquires the peak value I peak of the luminance histogram.
  • the peak value of the luminance histogram is a count value of the pixel having the maximum number of corresponding pixels, and means a count value corresponding to the peak.
  • step S74 the control unit 40 adopts I peak as the background luminance Q.
  • FIG. 22 is a flowchart showing the processing contents of background luminance acquisition d.
  • step S82 the control unit 40, the background luminance Q k of each measurement region is initialized, and initializes the index m for specifying the measurement area to be operated on.
  • k is an index for identifying each of the N window measurement areas.
  • step S ⁇ b> 82 the processing unit 110 acquires the average luminance I ave within the mth measurement frame.
  • the m-th measurement frame is synonymous with the m-th measurement region.
  • step S84 the control unit 40 increments the value of m and newly sets m + 1 to the value of m.
  • step S85 the control unit 40 determines whether m exceeds N window . If m is equal to or smaller than N window in step S85, the process returns to step S82, and the processes in steps S82 to S85 are repeated.
  • step S85 if m exceeds N window , the control unit 40 proceeds to step S86.
  • FIG. 23 is a flowchart showing the processing content of background luminance acquisition e.
  • step S91 the control unit 40 performs various initialization processes necessary for the calculation.
  • step S92 the control unit 40 acquires the average luminance I ave and the minimum luminance I min within the mth measurement frame.
  • the processing unit 110 performs processing for obtaining the average luminance I ave and the minimum luminance I min within the mth measurement frame.
  • step S93 the control unit 40 determines whether (I ave ⁇ I min ) / I ave is smaller than ⁇ .
  • step S93 when it is determined that (I ave ⁇ I min ) / I ave is smaller than ⁇ , the control unit 40 proceeds to step S94.
  • step S93 determines in step S93 that (I ave ⁇ I min ) / I ave is equal to or larger than ⁇
  • the control unit 40 proceeds to step S95.
  • step S96 the control unit 40 increments the value of m and newly sets m + 1 to the value of m.
  • step S97 the control unit 40 determines whether m exceeds N window . If m is equal to or smaller than N window in step S97, the process returns to step S92, and the processes in steps S92 to S97 are repeated.
  • step S97 if the control unit 40 determines that m exceeds N window , the process proceeds to step S98.
  • the background luminance acquisition a and the background luminance acquisition b are sequential processing, and thus processing is easy.
  • the background luminance acquisition c, d, and e is slightly complicated in processing.
  • the background luminance acquisition a, b, and c takes time to process because the processing range is the entire image.
  • the background luminance acquisition d and the background luminance acquisition e can be processed in a short time because the processing range is limited to the range defined by the area frame.
  • the target image in the background luminance acquisition b, c, and e, the target image has little influence on the background luminance in principle.
  • the background luminance acquisition a and the background luminance acquisition d the background luminance is affected by the target image.
  • FIG. 24 comprehensively evaluates, the background luminance acquisition e of the background luminance acquisition a to e is the most preferable method.
  • FIG. 25 is a flowchart showing the processing contents of TFL optimization. Before describing each step in detail, the entire process shown in FIG. 25 will be outlined.
  • ⁇ T is a step size of a predetermined adjustment amount. For example, ⁇ T is set to 50 nanoseconds [ns].
  • the newly set TFL is reflected on the apparatus (step S30 in FIG. 17), and N sample times are taken again (steps S100 to S102 in FIG. 25).
  • the average value of the background luminance is obtained for the image data of the captured image obtained by each of the N sample times, and is set as Q ave 2 (step S104).
  • step S104 the newly set TFL is reflected on the apparatus (step S30 in FIG. 17), and N sample times are taken again.
  • An average value of the background luminance is obtained for the image data of the captured image obtained by each of the N sample times, and is set as Q ave 3 (step S104).
  • step S100 the control unit 40 adds the background luminance Q to the current integrated value Q sum to obtain a new integrated value Q sum . Further, the control unit 40 increments N of the number of measurements and sets N + 1 as a new N.
  • step S102 the control unit 40 determines whether N is equal to or less than N sample .
  • determination of step S102 is YES determination, the control part 40 transfers to step S24 of FIG.
  • step S110 the control unit 80 newly and T FL a value obtained by subtracting from the T FL by [Delta] T.
  • Step S110 corresponds to adjustment in a direction (minus direction) to shorten the delay time. Modified T FL at step S110 is reflected in the device in step S30 in FIG. 17.
  • step S112 when the control unit 40 determines that Q ave 2 ⁇ Q ave 0 , the process proceeds to step S118, and 1 is added to the value of F of the adjustment flag.
  • T FL determined in step S126 is set to an optimum value of T FL .
  • T FL defined in step S126 is reflected in the device at step S30. In this way, TFL is adjusted so that the background luminance is the highest.
  • the measurement unit 101 described in the first embodiment corresponds to an example of a “photographing unit”.
  • the combination of the target image measuring device 90 and the control unit 40 corresponds to an example of a “target photographing device”.
  • the target passage detection signal corresponds to an example of a timing signal received from the outside.
  • the FL trigger corresponds to an example of “first trigger signal”
  • T FL corresponds to an example of “first delay time”.
  • the imaging trigger corresponds to an example of “second trigger signal”
  • T ccd corresponds to an example of “second delay time”.
  • the shutter trigger corresponds to an example of “third trigger signal”
  • T str corresponds to an example of “third delay time”.
  • FIG. 26 is a configuration diagram exemplarily illustrating a configuration of an EUV light generation apparatus including a target imaging apparatus according to a second embodiment. A difference between the second embodiment shown in FIG. 26 and the first embodiment described in FIG. 11 will be described.
  • the control unit 40 includes an FL discharge voltage control unit 124 in addition to the processing unit 110 and the delay circuit 112.
  • the FL discharge voltage control unit 124 designates a discharge voltage for the flash lamp 92.
  • the designation method of the discharge voltage by the FL discharge voltage control unit 124 is performed by analog voltage or communication.
  • the FL discharge voltage control unit 124 increases the background voltage by increasing the discharge voltage of the flash lamp 92 when the amount of light emitted during FL emission is reduced based on the processing result of the processing unit 110. Control to match the reference brightness.
  • FIG. 27 is a flowchart of the TFL adjustment process including the FL discharge voltage change process in the second embodiment.
  • steps that are the same as those in the flowchart described in FIG. 17 are given the same step numbers, and descriptions thereof are omitted.
  • step S10 a process (step S10) of “obtaining the correlation between the discharge voltage and the optimum delay time” is added to the preceding stage of step S11, and “FL discharge voltage” is added between step S26 and step S28.
  • step S27 The “change” process (step S27) is added.
  • FIG. 28 is a flowchart showing the processing contents of the FL discharge voltage change.
  • the flash lamp 92 emits light by discharging the voltage stored in the capacitor.
  • the FL discharge voltage control unit 124 calculates the optimum discharge voltage V opt from the current discharge voltage V curr using the fact that the light emission quantity of the flash lamp 92 is proportional to the square of the charge voltage (step S142).
  • V opt exceeds the maximum discharge voltage V max from the minimum discharge voltage V min that is the assumed use voltage range, the discharge voltage is limited to V min or V max (steps S146, S152), A warning is issued (steps S148 and S154).
  • step S140 the FL discharge voltage control unit 124 acquires the current discharge voltage V curr . Further, FL discharge voltage control unit 124, the maximum discharge voltage V max available, to obtain the minimum discharge voltage V min.
  • step S142 FL discharge voltage control unit 124 determines the optimal discharge voltage V opt background brightness becomes the reference brightness Q 0.
  • step S144 the FL discharge voltage control unit 124 determines whether or not V opt is larger than V min .
  • V opt ⁇ V min the process proceeds to step S146.
  • step S146 the FL discharge voltage control unit 124 sets V opt to V min .
  • step S148 FL discharge voltage control unit 124 issues a warning informing that the discharge voltage is limited to V min. For example, the warning may be displayed on a display (not shown) connected to the control unit 40.
  • step S144 When it is determined in step S144 that V opt > V min , or after step S148, the process proceeds to step S150.
  • step S150 the FL discharge voltage control unit 124 determines whether or not V opt is smaller than V max . If V opt ⁇ V max , the process proceeds to step S152. In step S152, FL discharge voltage control unit 124, a V opt and V max. Further, in step S154, FL discharge voltage control unit 124 issues a warning informing that the discharge voltage is limited to V max.
  • step S150 If it is determined in step S150 that V opt ⁇ V max , or after step S154, the process proceeds to step S156.
  • step S156 the FL discharge voltage control unit 124 sets the discharge voltage of the flash lamp 92 to Vopt . Since the light emission timing changes when the discharge voltage is changed, the FL discharge voltage control unit 124 performs a process of correcting the light emission timing change due to the discharge voltage of the flash lamp 92 in step S158.
  • the process of “obtaining the correlation between the discharge voltage and the optimum delay time” shown in step S10 of FIG. 27 is a step of obtaining information necessary for the correction process in step S158 of FIG.
  • FIG. 29 is a flowchart showing the contents of processing for acquiring the correlation between the discharge voltage and the optimum delay time.
  • FL delay Request (emission peak timing) T i (step S228). Thereafter, the FL discharge voltage control unit 124 generalizes the correlation between the discharge voltage and the optimum FL delay time as a linear function by the least square method (step S240).
  • step S200 FL discharge voltage control unit 124, the setting of the maximum discharge voltage V max, setting the minimum discharge voltage V min, and sets the initial T FL.
  • the maximum discharge voltage V max is set to 1000 volts [V].
  • the minimum discharge voltage Vmin is set to 500 volts [V]. It is set the initial T FL in 4000 nanoseconds [ns].
  • step S202 the FL discharge voltage control unit 124 sets the data acquisition interval ⁇ V of the discharge voltage.
  • step S206 the FL discharge voltage control unit 124 determines whether i is M or less. If the FL discharge voltage control unit 124 determines in step S206 that i ⁇ M, the process proceeds to step S210.
  • step S214 to step S230 is the same as the processing from step S14 to step S30 described in FIG.
  • the FL discharge voltage control unit 124 increments i and sets i + 1 as a new i.
  • Step S206 loops of step S230, the optimal FL delay time T i in each discharge voltage V i is obtained.
  • step S206 When i exceeds M in step S206, the FL discharge voltage control unit 124 proceeds to step S240.
  • the correlation between the discharge voltage and the optimum FL delay time is generalized as a linear function.
  • the same measurement is performed in advance using a photodiode or the like for the flash lamp alone, and the discharge voltage and the optimum FL A linear function indicating the correlation of the delay time may be obtained.
  • the discharge voltage of the flash lamp is adjusted with respect to the decrease in the total amount of emitted light due to the deterioration of the flash lamp over time. It is possible to suppress a decrease in background luminance. As a result, the background luminance can be maintained at an appropriate reference luminance.
  • the target image measurement device 90 captures the droplet-shaped target.
  • the target image measurement device 90 uses a prepulse laser as a target.
  • the diffusion target after irradiation with light may be photographed.
  • FIG. 30 to 32 are cross-sectional views schematically showing a diffusion target generation process when the target is irradiated with prepulse laser light having a pulse width on the order of picoseconds.
  • FIG. 30 shows a target state estimated when a time of picosecond order has elapsed from the start of irradiation of a pre-pulse laser beam having a pulse width of picosecond order on the target.
  • FIG. 31 shows the state of the target estimated when a time on the order of nanoseconds has elapsed from the start of irradiation of the pre-pulse laser beam having a pulse width on the order of picoseconds on the target.
  • FIG. 32 shows the state of the diffusion target at the time when about 1 ⁇ s has elapsed from the start of irradiation of the prepulse laser beam having a pulse width on the order of picoseconds on the target.
  • This prepulse laser beam has a fluence of, for example, 6.5 J / cm 2 or more, and can irradiate the target within a time on the order of picoseconds. Therefore, the energy of the light irradiated onto the target per unit time is large. Therefore, powerful laser ablation can occur in a short time. For this reason, the reaction by laser ablation is also large, and it is estimated that a shock wave is generated inside the target.
  • the shock wave Since the shock wave travels almost perpendicular to the surface of the target irradiated with the prepulse laser beam, it is focused on the center of the droplet-shaped target.
  • the wave front of the shock wave is initially a substantially hemispherical shape that is substantially parallel to the surface of the target. As the shock wave converges, energy concentrates, and when the concentrated energy exceeds a certain level, the droplet-shaped target begins to break.
  • the target destruction is presumed to start from a substantially hemispherical wavefront of a shock wave whose energy exceeds a certain level by focusing. This is considered to be the reason why the target diffused in a dome shape on the incident side of the pre-pulse laser beam as shown in FIGS.
  • FIG. 30 it is estimated that powerful laser ablation has occurred, but the time during which laser ablation has occurred is very short, and it is estimated that the time until the shock wave reaches the center of the target is also short. Is done. Then, as shown in FIG. 31, it is presumed that the target has begun to be destroyed when the time on the order of nanoseconds has elapsed. This is presumed to be the reason why the center of gravity of the target has not moved so much from the position before the irradiation with the pre-pulse laser beam, as shown in FIG.
  • the target image measurement apparatus 90 can be configured by appropriately setting the delay times of the drive laser output trigger, the imaging trigger, the shutter trigger, and the FL trigger.
  • the diffusion target can be measured.

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Abstract

本開示の一観点に係るターゲット撮影装置は、外部からタイミング信号を受信し、タイミング信号の受信時から第１の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第１のトリガ信号を出力する遅延回路と、第１のトリガ信号に基づいて発光する照明光源と、照明光源から発せられた光が観察対象であるターゲットに照射されることにより、ターゲットの影の像を撮影するよう配置された撮影部と、撮影部によって撮影された撮影画像から背景輝度を計測する処理を含む画像処理を行う処理部と、背景輝度に基づいて第１の遅延時間を調整する制御を行う制御部と、を備える。

Description

ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置
　本開示は、ターゲット撮影装置及び極端紫外光生成装置に関する。
　近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、２０ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ；Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
　ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ　Ｐｒｏｄｕｃｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）式の装置との３種類の装置が提案されている。
特開２００１－２４２５０３号公報
概要
　本開示の１つの観点に係るターゲット撮影装置は、外部からタイミング信号を受信し、タイミング信号の受信時から第１の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第１のトリガ信号を出力する遅延回路と、第１のトリガ信号に基づいて発光する照明光源と、照明光源から発せられた光が観察対象であるターゲットに照射されることにより、ターゲットの影の像を撮影するよう配置された撮影部と、撮影部によって撮影された撮影画像から背景輝度を計測する処理を含む画像処理を行う処理部と、背景輝度に基づいて第１の遅延時間を調整する制御を行う制御部と、を備える。
　本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、内部でプラズマが生成されるチャンバと、チャンバの内部にプラズマの発生源となるターゲットを供給するターゲット供給部と、ターゲット供給部からチャンバの内部に供給されたターゲットの通過を検出してターゲット通過検出信号を出力するターゲット通過検出装置と、ターゲット通過検出信号を受信し、ターゲット通過検出信号の受信時から第１の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第１のトリガ信号を出力する遅延回路と、第１のトリガ信号に基づいて発光する照明光源と、照明光源から発せられた光が観察対象であるターゲットに照射されることにより、ターゲットの影の像を撮影するようチャンバに配置された撮影部と、撮影部によって撮影された撮影画像から背景輝度を計測する処理を含む画像処理を行う処理部と、背景輝度に基づいて第１の遅延時間を調整する制御を行う制御部と、を備え、ターゲット供給部からチャンバの内部に供給されたターゲットにレーザ光を照射することによりターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する。
　本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す図である。 図２は、ターゲット撮影装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図３は、ターゲット画像計測装置における照明部の第１構成例を模式的に示す図である。 図４は、ターゲット画像計測装置における照明部の第２構成例を模式的に示す図である。 図５は、ターゲット画像計測装置のタイミングチャートである。 図６は、フラッシュランプの発光タイミングの変化を例示的に示したグラフである。 図７は、フラッシュランプの経年劣化や状態変化等に起因して撮影画像の背景輝度が低下する様子を示したグラフである。 図８は、ＦＬトリガの遅延時間ＴＦＬの設定が不適切な状態となる場合の例を示したタイミングチャートである。 図９は、フラッシュランプの発光状態に応じて画像センサによって撮影される撮影画像のイメージ図である。 図１０は、図９に示した各画像Ａ～Ｃにおいて破線で示した水平方向の信号強度を示すラインプロファイルを示すグラフである。 図１１は、第１実施形態に係るターゲット撮影装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。 図１２は、画像センサから得られる撮影画像の画像データのイメージを例示的に示す図である。 図１３は、図１２に示した撮影画像における輝度ヒストグラムを示すグラフである。 図１４は、撮影画像の画像領域内に設定される複数の計測領域の例を示す図である。 図１５は、撮影画像の例を示す図である。 図１６は、撮影画像の他の例を示す図である。 図１７は、第１実施形態に係るターゲット撮影装置におけるＴＦＬ調整処理のフローチャートである。 図１８は、画像データ解析処理のフローチャートである。 図１９は、背景輝度取得ａの処理内容を示すフローチャートである。 図２０は、背景輝度取得ｂの処理内容を示すフローチャートである。 図２１は、背景輝度取得ｃの処理内容を示すフローチャートである。 図２２は、背景輝度取得ｄの処理内容を示すフローチャートである。 図２３は、背景輝度取得ｅの処理内容を示すフローチャートである。 図２４は、背景輝度取得ａ～ｅのそれぞれのメリット及びデメリットをまとめた図表である。 図２５は、ＴＦＬ最適化の処理内容を示すフローチャートである。 図２６は、第２実施形態に係るターゲット撮影装置を含んだＥＵＶ光生成装置の構成を例示的に示した構成図である。 図２７は、第２実施形態におけるＦＬ放電電圧変更の処理を含むＴＦＬ調整処理のフローチャートである。 図２８は、ＦＬ放電電圧変更の処理内容を示すフローチャートである。 図２９は、放電電圧と最適遅延時間の相関を取得する処理の内容を示すフローチャートである。 図３０は、ターゲットにピコ秒オーダーのパルス幅を有するプリパルスレーザ光の照射開始からピコ秒オーダーの時間が経過した時点において推定されるターゲットの状態を模式的に示す図である。 図３１は、ターゲットにピコ秒オーダーのパルス幅を有するプリパルスレーザ光の照射開始からナノ秒オーダーの時間が経過した時点において推定されるターゲットの状態を模式的に示す図である。 図３２は、ターゲットにピコ秒オーダーのパルス幅を有するプリパルスレーザ光の照射開始から約１μｓの時間が経過した時点における拡散ターゲットの状態を模式的に示す図である。
実施形態
　－目次－
１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　１．２　動作
２．用語の説明
３．ターゲット撮影装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
　３．１　構成
　３．２　動作
４．フラッシュランプの配置形態
　４．１　第１構成例
　４．２　動作
　４．３　第２構成例
　４．４　動作
５．ターゲット画像計測装置のトリガ関係の説明
６．課題
　６．１　第１の課題
　６．２　第２の課題
７．第１実施形態
　７．１　構成
　７．２　動作
　７．３　ＴＦＬ調整の実施タイミングについて
　７．４　ＴＦＬ調整処理アルゴリズムの例
　７．５　効果
８．第２実施形態
　８．１　構成
　８．２　動作
　８．３　効果
９．拡散ターゲットの計測について
　以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。
　以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
　１．極端紫外光生成システムの全体説明
　１．１　構成
　図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１２は、少なくとも１つのレーザ装置１４と共に用いられる場合がある。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１２及びレーザ装置１４を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１０と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６と、ターゲット供給部１８とを含む。
　チャンバ１６は、密閉可能な容器である。ターゲット供給部１８は、ターゲット物質をチャンバ１６内部に供給するよう構成され、例えば、チャンバ１６の壁を貫通するように取り付けられる。ターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
　チャンバ１６の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられている。その貫通孔は、ウインドウ２０によって塞がれ、ウインドウ２０をレーザ装置１４から出力されるパルスレーザ光２２が透過する。チャンバ１６の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ光集光ミラー２４が配置される。ＥＵＶ光集光ミラー２４は、第１の焦点及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ光集光ミラー２４の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成される。ＥＵＶ光集光ミラー２４は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２６に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ；Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ　Ｆｏｃｕｓｉｎｇ　ｐｏｉｎｔ）２８に位置するように配置される。ＥＵＶ光集光ミラー２４の中央部には貫通孔３０が設けられ、貫通孔３０をパルスレーザ光２３が通過する。
　ＥＵＶ光生成装置１２は、制御部４０と、ターゲットセンサ４２等を含む。ターゲットセンサ４２は、ターゲット４４の存在、軌跡、位置、及び速度のうちいずれか、又は複数を検出するよう構成される。ターゲットセンサ４２は、撮像機能を備えてもよい。
　また、ＥＵＶ光生成装置１２は、チャンバ１６の内部と露光装置４６の内部とを連通させる接続部４８を含む。接続部４８内部には、アパーチャ５０が形成された壁５２が設けられる。壁５２は、そのアパーチャ５０がＥＵＶ光集光ミラー２４の第２の焦点位置に位置するように配置される。
　さらに、ＥＵＶ光生成装置１２は、レーザ光伝送装置５４、レーザ光集光ミラー５６、ターゲット４４を回収するためのターゲット回収部５８等を含む。レーザ光伝送装置５４は、レーザ光の伝送状態を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備える。ターゲット回収部５８は、チャンバ１６内に出力されたターゲット４４が進行する方向の延長線上に配置される。
　レーザ装置１４は、ＭＯＰＡ（Ｍａｓｔｅｒ　Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ　Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）システムであってよい。レーザ装置１４は、図示せぬマスターオシレータと、図示せぬ光アイソレータと、複数台の図示せぬＣＯ２レーザ増幅器とを含んで構成され得る。マスターオシレータには固体レーザを採用することができる。マスターオシレータが出力するレーザ光の波長は、例えば１０．５９μｍであり、パルス発振の繰り返し周波数は、例えば１００ｋＨｚである。
　１．２　動作
　図１を参照して、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システム１０の動作を説明する。レーザ装置１４から出力されたパルスレーザ光２１は、レーザ光伝送装置５４を経て、パルスレーザ光２２としてウインドウ２０を透過してチャンバ１６内に入射する。パルスレーザ光２２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ１６内を進み、レーザ光集光ミラー５６で反射されて、パルスレーザ光２３として少なくとも１つのターゲット４４に照射される。
　ターゲット供給部１８は、ターゲット物質によって形成されたターゲット４４をチャンバ１６内部のプラズマ生成領域２６に向けて出力するよう構成される。ターゲット４４には、パルスレーザ光２３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射される。パルスレーザ光が照射されたターゲット４４はプラズマ化し、そのプラズマから放射光６０が放射される。放射光６０に含まれるＥＵＶ光６２は、ＥＵＶ光集光ミラー２４によって選択的に反射される。ＥＵＶ光集光ミラー２４によって反射されたＥＵＶ光６２は、中間集光点２８で集光され、露光装置４６に出力さる。なお、１つのターゲット４４に、パルスレーザ光２３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
　制御部４０は、ＥＵＶ光生成システム１０全体の制御を統括するよう構成される。制御部４０は、ターゲットセンサ４２の検出結果を処理するよう構成される。ターゲットセンサ４２の検出結果に基づいて、制御部４０は、例えば、ターゲット４４が出力されるタイミング、ターゲット４４の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、制御部４０は、例えば、レーザ装置１４の発振タイミング、パルスレーザ光２２の進行方向、パルスレーザ光２３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
　本開示において、制御部４０その他の制御装置は、１台又は複数台のコンピュータのハードウェア及びソフトウェアの組み合わせによって実現することが可能である。ソフトウェアはプログラムと同義である。プログラマブルコントローラはコンピュータの概念に含まれる。
　また、複数の制御装置の機能を１台の制御装置で実現することも可能である。さらに本開示において、制御部４０その他の制御装置は、ローカルエリアネットワークやインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムユニットは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
　２．用語の説明
　「パルスレーザ光」は、複数のパルスを含むレーザ光を意味し得る。
　「レーザ光」は、パルスレーザ光に限らずレーザ光一般を意味し得る。
　「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してＥＵＶ光を放射する。
　「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。ドロップレットは、ドロップレット状のターゲットと同義である。ドロップレットは、溶融したターゲット物質の表面張力によってほぼ球状となったターゲットを意味し得る。
　「拡散ターゲット」は、ターゲットにパルスレーザ光が照射されたことにより微細な粒子等に拡散したターゲットを意味する。ターゲット物質の微細な粒子群を「ミスト」という場合がある。拡散ターゲットにはプラズマが含まれる場合がある。拡散ターゲット（ミスト）は、ターゲットの一形態である。
　「プラズマ光」は、プラズマ化したターゲットから放射された放射光である。当該放射光にはＥＵＶ光が含まれている。
　「ＥＵＶ光」という表記は、「極端紫外光」の略語表記である。
　３．ターゲット撮影装置を含むＥＵＶ光生成装置の説明
　３．１　構成
　図２は、ターゲット撮影装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。ＥＵＶ光生成装置１２は、ターゲット通過検出装置７０と、ターゲット画像計測装置９０とを備えている。ターゲット通過検出装置７０とターゲット画像計測装置９０は、チャンバ１６に搭載される。
　ターゲット通過検出装置７０は、照明部７１と計測部８１とを含んで構成される。照明部７１は、照明光源７２と、照明光学系７４と、光学フィルタ７６とを含んで構成される。照明光源７２は単色光のレーザ光源又は複数波長を出射するランプでもよい。また照明光源７２は光ファイバを含んでもよく、光ファイバは照明光学系７４に接続される。照明光学系７４は集光レンズを含んで構成される。照明部７１は、ウインドウ７８を介してチャンバ１６の外側に配置される。ウインドウ７８はチャンバ１６の壁に取り付けられている。ウインドウ７８は、照明光学系７４の構成要素に含まれてもよい。
　計測部８１は、光学フィルタ８２と、計測光学系８４と、光センサ８６とを含んで構成される。光センサ８６は、１つ若しくは複数の受光面を含む。光センサ８６は、フォトダイオード、フォトダイオードアレイ、アバランシェフォトダイオード、光電子増倍管、マルチピクセルフォトンカウンター、及びイメージインテンシファイアのうちのいずれかによって構成することができる。光センサ８６は受光量に応じた電気信号を出力する。計測光学系８４は、照明光源７２からの照明光により照明されたターゲットの像を光センサ８６の素子上に転写するレンズを含んで構成される。
　計測部８１は、ウインドウ８８を介してチャンバ１６の外側に配置される。ウインドウ８８は、ウインドウ７８と対向してチャンバ１６の壁に取り付けられている。ウインドウ８８は、計測光学系８４の構成要素に含まれてもよい。照明部７１と計測部８１は、ターゲットの通過位置を挟んで互いに対向するようにチャンバ１６に取り付けられる。
　ターゲット画像計測装置９０は、照明部９１と計測部１０１とを含んで構成される。照明部９１は、照明光源としてのフラッシュランプ９２と、照明光学系９４とを含んで構成される。照明部９１は、ウインドウ９８を介してチャンバ１６の外側に配置される。ウインドウ９８はチャンバ１６の壁に取り付けられている。照明光学系９４には、コリメートレンズが用いられる。
　計測部１０１は、光学フィルタ１０２と、結像光学系１０４と、シャッタ１０５と、転写光学系１０６と、画像センサ１０７と、を含んで構成される。画像センサ１０７として、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサを用いることができる。計測部１０１は、ウインドウ１０８を介してチャンバ１６の外側に配置される。ウインドウ１０８は、ウインドウ９８と対向してチャンバ１６の壁に取り付けられている。照明部９１と計測部１０１は、ターゲットの通過位置を挟んで互いに対向するようにチャンバ１６に取り付けられる。
　ウインドウ９８は、フラッシュランプ９２から発せられた光をターゲットに向けて出射する光出射ポートの役割を果たす。ウインドウ９８は「第１のウインドウ」の一形態に相当する。ウインドウ１０８はターゲットの周辺を通過した光を計測部１０１に導入する光入射ポートの役割を果たす。ウインドウ１０８は「第２のウインドウ」の一形態に相当する。
　制御部４０は、処理部１１０と、遅延回路１１２とを含む。処理部１１０は、画像センサ１０７によって撮影された画像の画像データを処理する。遅延回路１１２は、ターゲット通過検出装置７０からのターゲット通過検出信号を受信し、ターゲット通過検出信号の受信に基づいてＦＬトリガ、シャッタトリガ、撮像トリガ、及びドライブレーザ出力トリガなど各種のトリガ信号を生成する。ＦＬの表記は「フラッシュランプ」を表す。
　照明部９１のウインドウ９８と、計測部１０１のウインドウ１０８の対向方向は、ドロップレットの進行経路であるドロップレット軌道と直交してもよいし、ドロップレット軌道と非直交であってもよい。
　ＥＵＶ光生成装置１２は、ドライブレーザ生成部１１４と共に用いられる。ドライブレーザ生成部１１４は、図１で説明したレーザ装置１４及びレーザ光伝送装置５４を含んだ構成に相当する。なお、図２では、図１に示したレーザ光伝送装置５４、レーザ光集光ミラー５６、及びＥＵＶ光集光ミラー２４等の図示を省略した。ドライブレーザ生成部１１４は、複数台のレーザ装置を含んで構成されてもよい。本例のドライブレーザ生成部１１４は、図示せぬプリパルスレーザ装置及びメインパルスレーザ装置を含んで構成される。
　チャンバ１６には、図示せぬ排気装置と、図示せぬ圧力センサとが設けられている。また、チャンバ１６は図示せぬガス供給装置と接続される。
　ターゲット供給部１８の詳細な構成は図示されていないが、ターゲット供給部１８は、ターゲット物質を貯蔵する図示せぬタンクと、ターゲット物質を出力するノズル孔を含むノズルと、ノズルに配置された図示せぬピエゾ素子と、を含む。また、タンクの外側側面部には図示せぬヒータと図示せぬ温度センサとが配置される。さらに、ＥＵＶ光生成装置１２は、ターゲット物質を貯蔵するタンク内の圧力を調節する図示せぬ圧力調節器を備えている。ターゲット供給部１８のノズルは、溶融したターゲット物質をチャンバ１６内へジェット状に噴出するような形状で形成されている。ノズル孔から出力させるターゲット物質の一例として、液体スズを採用し得る。ノズルの中心軸方向の延長線上には、チャンバ１６の内部にあるプラズマ生成領域２６が位置する。
　３．２　動作
　図２において、方向に関する説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標軸を導入する。ターゲット供給部１８からターゲット物質のドロップレットを出力する方向をＹ軸の方向とする。チャンバ１６から露光装置４６（図１参照）に向かってＥＵＶ光を導出する方向をＸ軸の方向とし、図２の紙面に垂直な方向をＺ軸の方向とする。
　制御部４０は、チャンバ１６に取り付けられている図示せぬ圧力センサの検出値に基づいて、チャンバ１６内の圧力が所定の範囲内となるように、図示せぬ排気装置による排気及びガス供給装置からのガス供給を制御する。チャンバ１６内の圧力の所定の範囲とは、例えば、数パスカル［Ｐａ］から数百パスカル［Ｐａ］の間の値である。
　ターゲット供給部１８は、例えば、コンティニュアスジェット方式によりドロップレット１１６を形成する。コンティニュアスジェット方式では、ノズルを振動させて、ノズル孔からジェット状に噴出したターゲット物質の流れに定在波を与え、ターゲット物質を周期的に分離する。分離されたターゲット物質は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット１１６を形成し得る。
　制御部４０は、ターゲット供給部１８のタンクに取り付けられているヒータを制御することにより、タンク内のターゲット物質を融点以上の所定の温度まで加熱する。ターゲット物質がスズである場合、制御部４０はヒータを制御することにより、タンク内のスズを融点以上の２５０℃から２９０℃の温度範囲の所定の温度まで加熱してタンク内のスズを温調する。スズの融点は２３２℃である。また、制御部４０は、タンク内の圧力がノズル孔から所定の速度で液体スズのジェットを出力し得る圧力となるように圧力調節器を制御する。
　次に制御部４０は、ドロップレット１１６が生成するように、ピエゾ素子に所定の波形の電圧を供給する信号を送信する。ピエゾ素子に所定の波形の電圧が供給されることによりピエゾ素子が振動する。その結果、ノズル孔から出力される溶融スズのジェットに、ノズル孔の振動によって規則的な擾乱が与えられる。これにより、ジェット状の溶融スズがドロップレット１１６に分断され、均一な体積のドロップレット１１６が生成され得る。
　ドライブレーザ生成部１１４は、プリパルスレーザ光を出力するよう構成されたプリパルスレーザ装置と、メインパルスレーザ光を出力するよう構成されたメインパルスレーザ装置とを含んで構成される。本実施形態におけるＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置１２では、ドロップレット状のターゲットにプリパルスレーザ光を照射してターゲットを拡散させ、拡散ターゲットを形成した後、この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する。このように、拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射すれば、ターゲット物質が効率良くプラズマ化され得る。これによれば、パルスレーザ光のエネルギーからＥＵＶ光のエネルギーへの変換効率（Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ：ＣＥ）が向上し得る。
　拡散ターゲットを形成するためのプリパルスレーザ光は、各パルスのパルス幅が１ナノ秒［ｎｓ］未満、好ましくは５００ピコ秒［ｐｓ］未満、さらに好ましくは５０ピコ秒［ｐｓ］未満の短パルスとされる。さらに、プリパルスレーザ光は、各パルスのフルーエンスが、メインパルスレーザ光の各パルスのフルーエンス以下で、かつ、６．５Ｊ／ｃｍ２以上、好ましくは３０Ｊ／ｃｍ２以上、さらに好ましくは４５Ｊ／ｃｍ２以上とされる。
　このような構成によれば、プリパルスレーザ光の各パルスのパルス幅を短くすることにより、ターゲットを細かい粒子状に破壊して拡散させ得る。これにより、拡散したターゲットにメインパルスレーザ光を照射したときに、ターゲットが効率良くプラズマ化され、ＣＥが向上し得る。
　なお、メインパルスレーザ光の照射に先行して複数のプリパルスレーザ光をターゲットに照射する構成を採用してもよい。
　ターゲット回収部５８は、パルスレーザ光２３が照射されずにプラズマ生成領域２６を通過したドロップレット１１６や、パルスレーザ光２３の照射によっても拡散しなかったドロップレットの一部分を回収する。
　ターゲット通過検出装置７０の照明部７１は、ターゲット供給部１８からチャンバ１６内に導入されたターゲットを照明する。ターゲットが所定の位置を通過すると計測部８１に受光される光強度が低下する。ターゲットの通過に伴う光強度の変化は、光センサ８６により検出される。光センサ８６は、ターゲットの通過タイミングを示すターゲット検出信号を制御部４０に出力する。
　制御部４０は、ターゲット検出信号が所定の閾値電圧を下回ったタイミングでターゲット通過検出信号を生成する。なお、計測部８１においてターゲット通過検出信号を生成し、計測部８１から制御部４０にターゲット通過検出信号が出力されてもよい。すなわち、ターゲット通過検出装置７０は、光センサ８６によってターゲットの通過を検出し、制御部４０にターゲット通過検出信号を送信してもよい。
　遅延回路１１２は、受信したターゲット通過検出信号に対して、フラッシュランプ９２、シャッタ１０５、画像センサ１０７及びドライブレーザ生成部１１４の各装置に対してそれぞれ予め設定された遅延時間を付与して、装置ごとのトリガ信号を出力する。フラッシュランプ９２、シャッタ１０５、画像センサ１０７及びドライブレーザ生成部１１４の各装置について、それぞれ設定された装置ごとの遅延時間は、ターゲットがプラズマ生成領域２６の指定地点に到達するまでの時間から、トリガ信号を受信する各装置の内部遅延時間及び伝送時間を差し引いて定める。
　フラッシュランプ９２に与えられるトリガ信号を「ＦＬトリガ」という。シャッタ１０５に与えられるトリガ信号を「シャッタトリガ」という。画像センサ１０７に与えられるトリガ信号を「撮像トリガ」という。ドライブレーザ生成部１１４に与えられるトリガ信号を「ドライブレーザ出力トリガ」という。
　遅延回路１１２の働きにより、フラッシュランプ９２の発光、シャッタ１０５の開動作、及び画像センサ１０７の露光（撮像動作）が同期する。すなわち、遅延回路１１２の働きにより、ＦＬトリガに基づいてフラッシュランプ９２が発光したタイミングでシャッタトリガに基づいてシャッタ１０５が開き、撮像トリガによって画像センサ１０７が露光を行う。
　その結果として、ターゲット画像計測装置９０は、プラズマ生成領域２６付近のターゲットを撮像する。画像センサ１０７を介して取得された画像データは、制御部４０の処理部１１０に送られ、処理部１１０において画像処理される。
　４．フラッシュランプの配置形態
　４．１　第１構成例
　図３は、ターゲット画像計測装置９０における照明部９１の第１構成例を模式的に示す図である。図３に例示した照明部９１は、ケース９６内にフラッシュランプ９２と照明光学系９４と収容され、チャンバ壁１６Ａにケース９６が直接取り付けられている。チャンバ壁１６Ａは、チャンバ１６の壁の一部である。
　４．２　動作
　図３に示すように、フラッシュランプ９２は、照明光学系９４の近傍に配置される。チャンバ壁１６Ａに直付けされたケース９６に収容されているフラッシュランプ９２から発せられた照明光は、照明光学系９４及びウインドウ９８を介してりプラズマ生成領域２６の付近に照射される。
　４．３　第２構成例
　図４は、ターゲット画像計測装置９０における照明部９１の第２構成例を示す図である。図４に例示する照明部９１のフラッシュランプ９２は、照明光学系９４の近傍に配置せず、照明光学系９４から十分な距離を隔てた遠方に配置される。また、照明部９１は、フラッシュランプ９２から発せられた照明光を照明光学系９４へと導く光ファイバ９３を備えている。
　４．４　動作
　図４に示したフラッシュランプ９２から発せられた照明光は、光ファイバ９３を用いてケース９６内の照明光学系９４へ伝送される。照明光は、光ファイバ伝送によりチャンバ付近で照明光学系９４によりコリメートされ、プラズマ生成領域２６の付近に照射される。なお、光ファイバ９３に代えて、又は、これと組み合わせて、ミラーを用い、照明光を伝送する光伝送光路を採用してもよい。図４で例示したとおり、フラッシュランプ９２は、チャンバ１６から離れた位置に置くことができる。
　５．ターゲット画像計測装置のトリガ関係の説明
　図５は、ターゲット画像計測装置のタイミングチャートである。ターゲット通過検出信号は、撮像トリガ、シャッタトリガ、及びＦＬトリガの各トリガ信号のタイミングの基準となるタイミング信号である。遅延回路１１２は、ターゲット通過検出信号の受信時からそれぞれ必要な遅延時間を与えて、撮像トリガ、シャッタトリガ及びＦＬトリガの各トリガ信号を出力する。
　遅延回路１１２は、ターゲット通過検出信号の受信時から遅延時間Ｔｃｃｄだけ遅延させた撮像トリガを生成し、撮像トリガを画像センサ１０７に送信する。撮像トリガがＯＮとなる時間の長さは、例えば、概ね１ミリ秒である。
　遅延回路１１２は、ターゲット通過検出信号の受信時から遅延時間Ｔｓｔｒだけ遅延させたシャッタトリガを生成し、シャッタトリガをシャッタ１０５に送信する。シャッタトリガがＯＮとなる時間の長さは、例えば、概ね２０ナノ秒である。遅延回路１１２は、ターゲット通過検出信号の受信時から遅延時間ＴＦＬだけ遅延させたＦＬトリガを生成し、ＦＬトリガをフラッシュランプ９２に送信する。ＦＬトリガがＯＮとなる時間の長さは、例えば、概ね１０マイクロ秒である。
　図５における「ＦＬ発光」は、ＦＬトリガが入力されたフラッシュランプ９２の発光強度を示している。フラッシュランプ９２の発光強度は、フラッシュ発光による照明光の輝度を示している。フラッシュランプ９２は、高輝度パルス光源であり、トリガ入力から少し遅れて発光し始め、トリガ入力タイミングからＴｅｍｉｔの時間で発光強度がピークに達し、その後、発光強度が減衰する。
　図５は、ＦＬトリガの遅延時間ＴＦＬの設定が適切な状態の例を示している。ＦＬトリガの遅延時間ＴＦＬの設定が適切な状態である場合、フラッシュランプ９２の発光ピークのタイミングがシャッタトリガのタイミングに概ね一致する。図５中、ＦＬ発光におけるシャッタトリガのＯＮ期間に重なるハッチング部ＨＡの面積（積分値）が画像センサ１０７によって撮影される画像の背景輝度に相当する。
　６．課題
　６．１　第１の課題
　フラッシュランプ９２を長期間にわたって使用していると、フラッシュランプ９２の放電電極の損耗や、封入ガスの劣化、電子回路部品の劣化等によって、フラッシュランプ９２のトリガ入力から発光までの時間差が変化する。
　図６は、フラッシュランプの発光タイミングの変化を例示的に示したグラフである。横軸は、ＦＬトリガの入力時からの時間差（経過時間）を示しており、単位はナノ秒［ｎｓ］である。横軸の原点はトリガ入力時である。縦軸はフラッシュランプの発光強度を示している。図６において、Ｄａｔｅ.Ｘで示した発光波形は、ある特定の日時Ｘにおいて計測されたフラッシュランプの発光状態を示している。例えば、Ｄａｔｅ．Ｘの発光波形は、フラッシュランプの初期性能を示している。図６において、Ｄａｔｅ.Ｚで示した発光波形は、日時Ｘから十分に長期間経過した特定の日時Ｚにおいて計測されたフラッシュランプの発光状態を示している。フラッシュランプ９２の長期間の使用に伴い、フラッシュランプ９２のトリガ入力から発光までの時間差が長くなる。
　従来、フラッシュランプ９２へのトリガ入力のタイミングは、装置の使用を開始する初期の段階で、計測部１０１における撮像系の露光タイミングと同期するように、つまり、露光時間内の積分光量（撮影画像の背景光量）が最大化するように、調整される。そして、その後は、フラッシュランプ９２へのトリガ入力のタイミングの調整は行われない。
　したがって、Ｄａｔｅ．Ｘの発光波形における発光ピークのタイミングと、シャッタトリガのタイミングとを概ね一致させるよう設定された装置状態において、Ｄａｔｅ．Ｚのような発光波形になると、シャッタトリガのＯＮ期間に照射される照明光の光量が低下する。
　すなわち、フラッシュランプ９２の経年劣化や状態変化によってフラッシュランプ９２のトリガ入力から発光までの時間が変化することにより、撮像系の露光タイミングとの同期が崩れる。
　図７は、フラッシュランプ９２の経年劣化や状態変化等に起因して撮影画像の背景輝度が低下する様子を示したグラフである。図７の横軸は、時間を表しており、単位は月（month）である。縦軸は背景輝度を示している。図７中の「Ｘ」は、図６のＤａｔｅ．Ｘの日付けを表し、図７の「Ｚ」は、図６のＤａｔｅ．Ｚの日付けを表す。図７中の「Ｙ」は、ＸとＹの間の特定の日付けを指す。図７に示すように、フラッシュランプ９２の長期間の使用により、背景輝度が低下していく。
　図８は、ＦＬトリガの遅延時間ＴＦＬの設定が不適切な状態となる場合の例を示している。図８の最下段に示したＦＬ発光の波形のうち、符号Ａで示した発光状態は、図５に示した発光状態と同じ波形であり、発光ピークがシャッタトリガのタイミングと概ね一致している。
　これに対し、符号Ｂと符号Ｃで示したそれぞれの波形は、ＦＬトリガのトリガ入力タイミングからフラッシュランプ９２の発光までの時間差が長くなり、フラッシュランプ９２の発光ピークとシャッタトリガのタイミングがずれている状態を示している。
　図５において、トリガ入力のタイミングから発光のピークに達するまでの時間差を発光ピーク到達時間Ｔｅｍｉｔとすると、図５におけるＦＬ発光のＴｅｍｉｔが、フラッシュランプ９２の劣化等により、例えば、図８に示すＴｅｍｉｔ－Ｂに変化する。
　この場合、例えば、符号Ｂの状態では、シャッタトリガのＯＮ期間と重なるハッチング部ＨＢの面積が図５で説明したハッチング部ＨＡの面積よりも減少し、撮影画像の背景輝度が低下する。また、符号Ｃの状態になると、シャッタトリガのＯＮ期間と、ＦＬ発光期間とがずれてしまい、撮影画像の背景輝度が極端に低下する。
　図９は、ＦＬトリガの入力からＦＬ発光までの時間差が、図８のＡ、Ｂ、及びＣのそれぞれの状態である場合に、画像センサ１０７によって撮影される撮影画像のイメージ図である。図９の最左に示した画像Ａは、ＦＬトリガの入力からＦＬ発光までの時間差が、図６において「Ａ」で示した状態である場合に、画像センサ１０７によって撮影される撮影画像のイメージ図である。図９の中央に示した画像Ｂは、ＦＬトリガの入力からＦＬ発光までの時間差が、図８の「Ｂ」で示した状態である場合に、画像センサ１０７によって撮影される撮影画像のイメージ図である。図９の最右に示した画像Ｃは、ＦＬトリガの入力からＦＬ発光までの時間差が、図８の「Ｃ」で示した状態である場合に、画像センサ１０７によって撮影される撮影画像のイメージ図である。
　フラッシュランプ９２の長期間の使用により、ＦＬトリガ入力から発光までの時間差が、図８のＡ→Ｂ→Ｃのように変化したとすると、画像センサ１０７によって撮像される画像のイメージは、図９の画像Ａ→画像Ｂ→画像Ｃのように次第に背景が暗くなる。画像Ａ、画像Ｂ及び画像Ｃの各画像における黒丸は、ドロップレットの影である。
　各画像Ａ～Ｃにおいて破線で示した水平方向の信号強度を示すラインプロファイルは、図１０のようになる。図１０の横軸は水平方向の位置を表し、縦軸は信号強度、すなわち輝度を表す。なお、信号強度は、画像データにおける画素のカウント値、つまり、デジタル信号値で表すことができる。
　図１０中「Ａ」で示したラインプロファイルは、図９の画像Ａにおける破線ａで示したラインの断面プロファイルである。図１０中「Ｂ」で示したラインプロファイルは、図９の画像Ｂにおける破線ｂで示したラインの断面プロファイルである。図１０中「Ｃ」で示したラインプロファイルは、図９の画像Ｃにおける破線ｃで示したラインの断面プロファイルである。図１０に示す各ラインプロファイルにおいて、ターゲットの影の部分は、背景部分に比べて信号強度が低くなる。背景部分の信号の変動は熱ノイズによるものである。画像Ａのように背景が明るい撮影画像の場合、ターゲットの影と背景との明暗の差が大きく、ターゲットの影に相当するターゲット信号を適切に判別できる。ターゲット信号とは、ターゲットの影の部分を捉えた信号である。
　一方、画像Ｂのように、背景輝度が低い条件では、ターゲット信号とノイズの判別が困難になる。さらに、画像Ｃのように背景輝度が低下すると、ターゲットであるのか背景のノイズであるのかを判別不能なものとなり得る。つまり、背景輝度が低下すると、信号レベルが低下し、ターゲット信号に対するノイズの影響が相対的に大きくなる。その結果、撮影画像に基づくターゲットの位置や形状などの計測の誤差が拡大し、最悪の場合には計測不能に陥る。
　上述のように、フラッシュランプ９２の経年劣化や状態変化によって、露光タイミングとの同期が崩れ、露光時間内の積分光量が低下することにより、ターゲットの影と背景とのコントラストが低下して、ターゲットの計測精度が低下する。
　６．２　第２の課題
　また、第２の課題として、フラッシュランプを長期に使用した場合、フラッシュランプの発光光量の総量も経年劣化で低下する。フラッシュランプの発光光量自体が低下することにより、図７及び図８で説明したような現象が発生し得る。その結果として、上述した第１の課題と同様に、撮影画像に基づくターゲットの位置や形状などの計測の誤差拡大や最悪の場合には計測不能に陥るおそれがある。第１の課題と第２の課題は複合的に発生し得る。
　７．第１実施形態
　７．１　構成
　図１１は、第１実施形態に係るターゲット撮影装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を概略的に示す図である。制御部４０は、処理部１１０による撮影画像の背景輝度計測の結果を用いて、遅延回路１１２の遅延時間を調整する制御を行う。
　７．２　動作
　処理部１１０は、画像センサ１０７から得られる撮影画像の画像データを基に、撮影画像の背景輝度を計測する。図１２に、撮影画像の画像データのイメージを例示的に示す。撮影画像には、ドロップレットの影が映っている。このような撮影画像から、背景輝度を計測する方法として、例えば、次のような計測方法ａ～ｃを採用し得る。
　計測方法ａ：撮影画像の画像内全体の平均カウント値を背景輝度として採用する。カウント値とは画素のデジタル信号値を指す。カウント値は、画素が受けた光の強さを所定の階調数の段階における数値として表され、輝度が高いほどカウント値は大きくなる。例えば、所定の階調数が２５６階調（８ビット）である場合、カウント値は、０から２５５の範囲のいずれかの数値で表される。
　計測方法ｂ：撮影画像の画像内全体の中の最大カウント値を背景輝度として採用する。
　計測方法ｃ：撮影画像の画像内全体のカウント値のヒストグラムのピークに対応するカウント値を背景輝度として採用する。
　図１３は、図１２に示した撮影画像における輝度ヒストグラムを示す。横軸は、撮影画像の各ピクセルのカウント値であり、縦軸は該当ピクセル数を表す。図中の「ａ」の矢印は、計測方法ａによって取得する背景輝度のヒストグラム上の位置を示している。図中の「ｂ」の矢印は、計測方法ｂによって取得する背景輝度のヒストグラム上の位置を示している。図中の「ｃ」の矢印は、計測方法ｃによって取得する背景輝度のヒストグラム上の位置を示している。
　また、撮影画像から背景輝度を計測する他の方法として、次のような計測方法ｄ、ｅを採用し得る。
　計測方法ｄ：撮影画像の画像領域内に予め複数の計測領域を設定しておき、複数の計測領域のそれぞれの平均カウント値の平均値を背景輝度として採用する。
　例えば、図１４に示すように、撮影画像の画像領域内に予め４つの計測領域Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４を設定しておく。図１４には、各計測領域Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４の境界を規定する四角形の計測枠が示されている。それぞれの計測枠内でのみ平均値（平均カウント値）を計算し、計測領域Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４ごとの４つの平均カウント値の平均値を背景輝度として採用する。複数の計測領域は、Ｙ方向の位置が異なり、かつＸ方向の位置が異なる少なくとも２つの計測領域を含むことが好ましい。
　計測方法ｅ：撮影画像の画像領域内に予め複数の計測領域を設定しておき、複数の計測領域のうち、ターゲットが含まれた計測領域を除いた残りの計測領域のそれぞれの平均カウント値の平均値を背景輝度として採用する。
　図１５は、撮影画像の例である。図１５の撮影画像は、画面の上から下に向かってターゲットが進行する向きで撮影が行われたものである。図１５の例では、予めの設定した複数の計測領域Ｗ１～Ｗ４のうち、ターゲットを含む計測領域Ｗ２及び計測領域Ｗ４については、背景輝度の計算から除外する。この場合、残りの計測領域Ｗ１と計測領域Ｗ３のそれぞれについて平均カウント値を求め、それら計測領域Ｗ１、Ｗ３ごとの２つの平均カウント値の平均値を背景輝度として採用する。
　各計測領域にターゲットが含まれるか否かの判定は、例えば、次の２つの方法のいずれか、又は両方の組み合わせで行うことができる。
　［ターゲットの有無の判定方法１］ターゲットの供給位置の情報に基づき判定する。制御部４０は、ターゲット供給部１８から出力するターゲットの供給位置の情報を保持している。ターゲット供給部１８は、図示せぬ二次元ステージを介してチャンバ１６に取り付けられている。制御部４０は、図示せぬ二次元ステージを制御してターゲットの供給位置を制御する。制御部４０は、二次元ステージの制御情報として、ターゲットの供給位置を保持している。制御部４０は、このターゲット供給位置の情報を基に、撮影画像内におけるターゲットの位置を判定し得る。
　［ターゲットの有無の判定方法２］撮影画像における各計測領域内の最低輝度の情報からターゲットの有無を判定できる。既述のとおり、撮影画像においてターゲットは影として映る。影の部分は輝度が低くなるため、計測領域内の画素の最低輝度が予め定められた規定の値よりも低い値である場合には、計測領域内にターゲットが含まれていると判定できる。
　図１６は、撮影画像の他の例である。図１６に示した撮影画像は、画面の左から右に向かってターゲットが進行する向きで撮影が行われたものである。画像センサ１０７の向きによって、図１６のような撮影画像になる場合があり得る。図１６の場合、撮影画像の画像領域内に予めの設定した複数の計測領域Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４のうち、ターゲットを含む計測領域Ｗ３及び計測領域Ｗ４については、背景輝度の計算から除外する。この場合、計測領域Ｗ１と計測領域Ｗ２のそれぞれについて平均カウント値を求め、それら計測領域ごとの２つの平均カウント値の平均値を背景輝度として採用する。
　計測方法ｄ、又は計測方法ｅによれば、撮影画像内において背景輝度を計算するための計測領域を予め固定して限定することにより、計測方法ａ～ｃと比較して、演算量が少なく、高速に背景輝度を取得することができる。
　また、計測方法ｅで説明したように、ターゲットが含まれる計測領域を演算の対象から除外することによって、ターゲットの状態による平均輝度のばらつきが抑制される。
　図１４～図１６で例示したように、撮影画像の画像領域内に複数の計測領域を予め設定しておくことにより、ターゲットがいずれかの計測領域に含まれた場合に計測不能となることを防止することができる。
　７．３　ＴＦＬ調整の実施タイミングについて
　背景輝度計測は、例えば、ターゲット計測を行うごとに毎回、又は、複数回のターゲット計測につき１回の割合で、常時実施してもよい。そして、計測された背景輝度が予め定めた基準輝度の許容変動幅（例えば９０％）を下回った場合に、ＴＦＬ調整を実施する。ＴＦＬ調整とは、ＦＬトリガの遅延時間ＴＦＬを最適な値に調整することを意味する。
　また、計測された背景輝度が基準輝度の９０％を下回らない場合であっても、１週間から１ヶ月程度の規定の期間経過ごとに定期的に、ＴＦＬ調整を実施してもよい。
　７．４　ＴＦＬ調整処理アルゴリズムの例
　図１７は、第１実施形態に係るターゲット撮影装置におけるＴＦＬ調整処理のフローチャートである。図１４に示すフローチャートの各ステップは、制御部４０として機能する１つ又は複数のＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）がプログラムを実行することにより実施され得る。
　ステップＳ１１において、制御部４０は、予め基準輝度Ｑ０と許容変動幅αを設定しておく。許容変動幅αは、例えばα＝０．９とされる。α＝０．９とは、基準輝度Ｑ０の９０％までを許容することを意味する。
　ステップＳ１２において、制御部４０は、フラッシュトリガの遅延時間ＴＦＬを設定し、かつ、調整フラグＦをＦ＝０とする。ステップＳ１２の段階で、ＦＬトリガの遅延時間ＴＦＬは、事前に調整されているとし、制御部４０は、事前に調整されているＴＦＬを設定する。調整フラグＦは、ＴＦＬ調整の状態を示すフラグである。本例の場合、Ｆ＝０、１、２、３、４のいずれかの値を取り得る。
　Ｆ＝０は、調整完了（調整済み）の状態を表す。
　Ｆ＝１は、調整開始の状態を表す。Ｆ＝１の状態において現在のＴＦＬ値での背景輝度を取得する。
　Ｆ＝２は、調整中の第１状態を表す。Ｆ＝２の状態においてＴＦＬをマイナス側に変更した場合の背景輝度データの取得が行われる。
　Ｆ＝３は、調整中の第２状態を表す。Ｆ＝３の状態においてＴＦＬをプラス側に変更した場合の背景輝度データの取得が行われる。
　Ｆ＝４は、調整中の第３状態を表す。Ｆ＝４は、ＴＦＬの最適化処理が完了したことを示す。
　ステップＳ１４において、制御部４０は、画像センサ１０７から画像データを受信したか否かを判定する。ステップＳ１４にてＮｏ判定の場合、制御部４０はステップＳ１４の処理をループさせ、画像データの受信を待つ。
　ステップＳ１４において、制御部４０は、ターゲット撮像装置で撮影された画像データを受信すると、ステップＳ１６に移行する。
　ステップＳ１６において、処理部１１０は、画像データ解析を行う。処理部１１０は、画像データ解析の中で撮影画像の背景輝度Ｑを取得する。背景輝度Ｑの取得方法については、既に説明した計測方法ａ～ｅのいずれか、又はこれらの適宜の組み合わせを用いることができる。画像データ解析（ステップＳ１６）の処理内容の詳細は後述する。
　ステップＳ１８において、制御部４０は、調整フラグがＦ＝０であるか否かを判定する。ステップＳ１８の判定において、制御部４０がＦ＝０であると判定すると、ステップＳ２０に進む。ステップＳ２０において、制御部４０は、背景輝度Ｑが基準輝度Ｑ０に対する許容変動幅αを下回っているか否か判定する。すなわち、制御部４０はＱ＜αＱ０を満たすか否かを判定する。基準輝度Ｑ０と許容変動幅αの積は、許容下限輝度の一例に相当する。許容下限輝度は、基準輝度Ｑ０と許容変動幅αの積によって設定される形態に限らない。許容下限輝度は、予め決められた値であっても構わない。
　ステップＳ２０において、Ｑ≧αＱ０である場合には、ステップＳ１４に戻り、次の画像データの受信を待機する。
　一方、ステップＳ２０において、背景輝度Ｑが基準輝度Ｑ０と許容変動幅αの積を下回っている場合、制御部４０は、ステップＳ２２に進む。
　ステップＳ２２において、制御部４０は、調整フラグをＦ＝１とし、かつ、撮影回数を示す変数ＮにＮ＝１を設定する。また、制御部４０は、背景輝度の積算値ＱｓｕｍをＱｓｕｍ＝Ｑとし、かつ、背景輝度の平均値Ｑａｖｅ ０＝０として、ステップＳ１４に戻る。
　その後、処理部１１０が画像データを受信して、ステップＳ１６を経て、ステップＳ１８に至ると、Ｆ＝１となっているため、ステップＳ１８の判定にてＮｏ判定となり、ステップＳ２４に移行する。
　ステップＳ２４において、制御部４０は、ＴＦＬ最適化の処理のサブルーチンを実行する。ＴＦＬ最適化処理の内容について詳細は、図２５を用いて後述する。ＴＦＬ最適化の処理では、背景輝度の計算処理を行い、計算の結果に基づいた遅延時間の修正を行う。ＴＦＬ最適化の処理の過程で調整フラグＦは変更され、Ｆは{１、２、３、４}のいずれかの値を取り得る。
　ステップＳ２６において、制御部４０はＦ＝４であるか否かを判定する。ステップＳ２６において、制御部４０がＦ＝４を満たさないと判定した場合は、ステップＳ３０に進み、ＴＦＬの変更を装置に反映させてステップＳ１４に戻る。
　ＴＦＬの最適化の処理が完了して、最適なＴＦＬの値が決定した場合、調整フラグはＦ＝４となる。ステップＳ２６において、制御部４０がＦ＝４であると判定した場合は、ステップＳ２８に進む。ステップＳ２８において制御部４０は、調整フラグをＦ＝０に戻して、ステップＳ３０に進み、最適化したＴＦＬを反映させて、ステップＳ１４に戻る。
　図１８は、画像データ解析処理のフローチャートである。画像データ解析処理は、ターゲット位置及び／又は形状計測のサブルーチン（ステップＳ４０）と、背景輝度取得のサブルーチン（ステップＳ４２）とを含んで構成される。
　ステップＳ４０において、制御部４０は、ターゲット位置及び／又は形状の計測を行う。例えば、制御部４０の処理部１１０は、撮影画像からドロップレットの径、ドロップレットの位置、ドロップレットの間隔、及びミスト（拡散ターゲット）の広がり形状のうち、少なくとも１つを計測する。
　ステップＳ４２において、制御部４０は、背景輝度取得のサブルーチンとして、計測方法ａ～ｅの５つの方法のうち、いずれかの計測方法に対応する処理を採用して背景輝度を計測する。計測方法ａに基づく背景輝度の取得処理を「背景輝度取得ａ」と表記する。計測方法ｂに基づく背景輝度の取得処理を「背景輝度取得ｂ」と表記する。計測方法ｃに基づく背景輝度の取得処理を「背景輝度取得ｃ」と表記する。計測方法ｄに基づく背景輝度の取得処理を「背景輝度取得ｄ」と表記する。計測方法ｅに基づく背景輝度の取得処理を「背景輝度取得ｅ」と表記する。
　図１９は、背景輝度取得ａの処理内容を示すフローチャートである。ステップＳ５０において、処理部１１０は、画像の平均輝度Ｉａｖｅを計算する。ここでいう平均輝度は、画像センサ１０７であるＣＣＤイメージセンサから得られるデジタル画像データの各画素のカウント数の平均値、すなわち、撮影画像全体の画素値の平均値を計算することによって求められる。
　ステップＳ５２において、制御部４０は、背景輝度ＱとしてＩａｖｅを採用する。
　図２０は、背景輝度取得ｂの処理内容を示すフローチャートである。ステップＳ６０において、処理部１１０は、画像の最大輝度Ｉｍａｘを計算する。ここでいう最大輝度は、画像センサ１０７であるＣＣＤイメージセンサから得られるデジタル画像データの各画素のカウント数の中から、最も大きなカウント数を特定することによって求められる。
　ステップＳ６２において、制御部４０は、背景輝度ＱとしてＩｍａｘを採用する。
　図２１は、背景輝度取得ｃの処理内容を示すフローチャートである。
　ステップＳ７０において、処理部１１０は、画像の輝度ヒストグラムを作成する。処理部１１０は、撮影画像の各ピクセルのカウント値を基に、図１３で説明したような輝度ヒストグラムを作成する。
　その後、ステップＳ７２において、処理部１１０は、輝度ヒストグラムのピーク値Ｉｐｅａｋを取得する。輝度ヒストグラムのピーク値は、該当ピクセル数が最大となる画素のカウント値であり、ピークに対応するカウント値を意味する。
　ステップＳ７４において、制御部４０は、背景輝度ＱとしてＩｐｅａｋを採用する。
　図２２は、背景輝度取得ｄの処理内容を示すフローチャートである。ステップＳ８０において、制御部４０は、計測領域の個数Ｎｗｉｎｄｏｗを設定する。図１４で説明した例ではＮｗｉｎｄｏｗ＝４である。
　ステップＳ８２において、制御部４０は、計測領域ごとの背景輝度Ｑｋを初期化し、かつ、演算対象とする計測領域を指定するインデックスｍを初期化する。ステップＳ８２の初期化処理により、Ｑｋ＝０（ｋ＝１，２、・・・Ｎｗｉｎｄｏｗ）及びｍ＝１に設定される。ｋは、Ｎｗｉｎｄｏｗ個の計測領域の各々を識別するインデックスである。
　ステップＳ８２において、処理部１１０は、ｍ番目の計測枠内の平均輝度Ｉａｖｅを取得する。ｍ番目の計測枠内とは、ｍ番目の計測領域と同義である。
　ステップＳ８３において、制御部４０は、Ｑｍ＝Ｉａｖｅとし、ステップＳ８４に進む。
　ステップＳ８４において、制御部４０は、ｍの値をインクリメントし、ｍ＋１を新たにｍの値に設定する。
　次いで、ステップＳ８５において、制御部４０は、ｍがＮｗｉｎｄｏｗを超えたか否かの判定を行う。ステップＳ８５において、ｍがＮｗｉｎｄｏｗ以下であれば、ステップＳ８２に戻り、ステップＳ８２～Ｓ８５の処理を繰り返す。
　ステップＳ８５において、ｍがＮｗｉｎｄｏｗを超えた場合には、制御部４０はステップＳ８６に進む。
　ステップＳ８６において、処理部１１０は、Ｎｗｉｎｄｏｗ個のＱｋ（ｋ＝１，２、・・・Ｎｗｉｎｄｏｗ）の平均値を計算し、算出された平均値を撮影画像の背景輝度Ｑとして採用する。
　図２３は、背景輝度取得ｅの処理内容を示すフローチャートである。ステップＳ９０において、制御部４０は、計測領域の個数Ｎｗｉｎｄｏｗを設定する。図１５及び図１６で説明した例ではＮｗｉｎｄｏｗ＝４である。
　ステップＳ９１において、制御部４０は、演算に必要な各種の初期化処理を行う。制御部４０は、計測領域ごとの計測データの有効／無効を判定するパラメータｐｋを初期化してｐｋ＝０（ｋ＝１，２，・・・Ｎｗｉｎｄｏｗ）とする。制御部４０は、計測領域ごとの背景輝度Ｑｋを初期化してＱｋ＝０（ｋ＝１，２、・・・Ｎｗｉｎｄｏｗ）とする。制御部４０は、演算対象とする計測領域を指定するインデックスｍをｍ＝１に設定する。また、制御部４０は、計測枠内にターゲットが存在するか否かの判定基準となるβの値を、例えばβ＝０．２と設定する。
　ステップＳ９２において、制御部４０は、ｍ番目の計測枠内の平均輝度Ｉａｖｅと最小輝度Ｉｍｉｎを取得する。処理部１１０は、ｍ番目の計測枠内の平均輝度Ｉａｖｅと最小輝度Ｉｍｉｎを求める処理を行う。ステップＳ９３において、制御部４０は、（Ｉａｖｅ－Ｉｍｉｎ）／Ｉａｖｅがβよりも小さいか否かを判定する。
　計測枠内にターゲットが含まれている場合、（Ｉａｖｅ－Ｉｍｉｎ）／Ｉａｖｅの値は１に近い値となる。一方、計測枠内にターゲットが含まれていない場合、（Ｉａｖｅ－Ｉｍｉｎ）／Ｉａｖｅの値は０に近い値となる。
　ステップＳ９３において、制御部４０は、（Ｉａｖｅ－Ｉｍｉｎ）／Ｉａｖｅがβよりも小さいと判定した場合は、ステップＳ９４に進む。ステップＳ９４において、制御部４０は、ｐｍ＝１とし、かつ、Ｑｍ＝Ｉａｖｅとした後、ステップＳ９６に進む。
　一方、ステップＳ９３において、制御部４０は、（Ｉａｖｅ－Ｉｍｉｎ）／Ｉａｖｅがβ以上であると判定した場合は、ステップＳ９５に進む。ステップＳ９５において、制御部４０は、ｐｍ＝０とした後、ステップＳ９６に進む。
　ステップＳ９６において、制御部４０は、ｍの値をインクリメントして、ｍ＋１を新たにｍの値に設定する。
　ステップＳ９７において、制御部４０は、ｍがＮｗｉｎｄｏｗを超えたか否かの判定を行う。ステップＳ９７において、ｍがＮｗｉｎｄｏｗ以下であれば、ステップＳ９２に戻り、ステップＳ９２～Ｓ９７の処理を繰り返す。
　ステップＳ９７において、制御部４０は、ｍがＮｗｉｎｄｏｗを超えたと判定すると、ステップＳ９８に進む。
　ステップＳ９８において、処理部１１０は、Ｑ＝Σ（ｐｋＱｋ）／Σ（ｐｋ）の計算式に従い、撮影画像の背景輝度Ｑを求める。Σはｋ＝１からＮｗｉｎｄｏｗまでの総和を求めることを表す。これにより、ｐｍ＝０となった計測枠の計測データは除外され、ｐｍ＝１となった計測枠の計測データのみを用いて背景輝度Ｑが算出される。
　図１９～図２３で説明した背景輝度取得ａ～ｅのそれぞれのメリット及びデメリットを図２４の表にまとめた。表中の「Ａ」は相対的に評価が高いことを示しており、表中の「Ｂ」は「Ａ」に比べて評価が劣ることを示している。
　処理の複雑さに関して、背景輝度取得ａと背景輝度取得ｂは、逐次処理のため、処理は容易である。この点、背景輝度取得ｃ、ｄ及びｅは、処理がやや複雑となる。
　処理範囲に関して、背景輝度取得ａ、ｂ及びｃは、処理範囲が画像全体のため、処理に時間がかかる。一方、背景輝度取得ｄと背景輝度取得ｅは、処理範囲が領域枠で規定される範囲に限定されるので短時間で処理できる。
　ターゲット像の影響に関して、背景輝度取得ｂ、ｃ及びｅでは、原理的にターゲット像は背景輝度にほとんど影響を与えない。一方、背景輝度取得ａと背景輝度取得ｄでは、背景輝度がターゲット像の影響を受ける。
　熱ノイズの影響は、背景輝度取得ｂの計測結果のみに表れる。
　図２４から総合的に評価すると、背景輝度取得ａ～ｅのうち、背景輝度取得ｅの処理が最も好ましい方法である。
　図２５は、ＴＦＬ最適化の処理内容を示すフローチャートである。各ステップを詳述する前に、図２５に示す処理の全体を概説する。制御部４０は、現在のＴＦＬでＮｓａｍｐｌｅ回の撮影を行いそれぞれの撮影により得られた撮影画像の画像データについて、背景輝度の平均値を求めＱａｖｅ ０＝Ｑａｖｅ １として保存する（ステップＳ１０７）。
　その後、制御部４０はＦ＝２とし（ステップＳ１０８）、ＴＦＬからΔＴだけ差し引く（ステップＳ１１０）。ΔＴは、予め定められた調整量の刻み幅であり、例えば、ΔＴは５０ナノ秒［ｎｓ］に定められている。こうして新たに設定されたＴＦＬを装置に反映させ（図１７のステップＳ３０）、再び、Ｎｓａｍｐｌｅ回の撮影を行う（図２５のステップＳ１００～Ｓ１０２）。Ｎｓａｍｐｌｅ回それぞれの撮影によって得られた撮影画像の画像データについて背景輝度の平均値を求め、Ｑａｖｅ ２とする（ステップＳ１０４）。
　制御部４０は、Ｑａｖｅ ２＞Ｑａｖｅ ０ならば、Ｑａｖｅ ０＝Ｑａｖｅ ２とし（ステップＳ１１４）、再びＴＦＬからΔＴだけ差し引く（ステップＳ１１０）。そして、新たに設定されたＴＦＬを装置に反映させ（図１７のステップＳ３０）、再び、Ｎｓａｍｐｌｅ回の撮影を行う（図２５のステップＳ１００～Ｓ１０２）。Ｎｓａｍｐｌｅ回それぞれの撮影によって得られた撮影画像の画像データについて背景輝度の平均値を求め、Ｑａｖｅ ２とする（ステップＳ１１４）。
　一方、ステップＳ１１２において、制御部４０は、Ｑａｖｅ ２≦Ｑａｖｅ ０ならば、調整フラグをＦ＝３とし（ステップＳ１１８）、ＴＦＬにΔＴだけ加える（ステップＳ１１２）。
　こうして新たに設定されたＴＦＬを装置に反映させ（図１７のステップＳ３０）、再び、Ｎｓａｍｐｌｅ回の撮影を行う。Ｎｓａｍｐｌｅ回それぞれの撮影によって得られた撮影画像の画像データについて背景輝度の平均値を求め、Ｑａｖｅ ３とする（ステップＳ１０４）。
　ステップＳ１１２において、制御部４０は、Ｑａｖｅ ３＞　Ｑａｖｅ ０ならば、Ｑａｖｅ ０＝Ｑａｖｅ ３とし（ステップＳ１１４）、再びＴＦＬからΔＴだけ加える（ステップＳ１２２）。そして、新たに設定されたＴＦＬを装置に反映させ（図１７のステップＳ３０）、再び、Ｎｓａｍｐｌｅ回の撮影を行う（図２５のステップＳ１００～Ｓ１０２）。Ｎｓａｍｐｌｅ回それぞれの撮影によって得られた撮影画像の画像データについて背景輝度の平均値を求め、Ｑａｖｅ ３とする（ステップＳ１１４）。
　一方、ステップＳ１１２において、制御部４０は、Ｑａｖｅ ３≦Ｑａｖｅ ０ならば、調整フラグをＦ＝４とし（ステップＳ１１８、Ｓ１２４）、ＴＦＬからΔＴだけ差し引く（ステップＳ１２６）。その後、図１７のメインフローに戻って、新たに設定されたＴＦＬを装置に反映させ（ステップＳ３０）、かつ、調整フラグをＦ＝０とすることで（ステップＳ２８）、調整完了とする。
　図２５に示したフローチャートの各ステップを詳述する。ステップＳ１００において、制御部４０は、現在の積算値Ｑｓｕｍに背景輝度Ｑを加えて、新たな積算値Ｑｓｕｍとする。また、制御部４０は、測定回数のＮをインクリメントして、Ｎ＋１を新たなＮとする。
　ステップＳ１０２において、制御部４０は、ＮがＮｓａｍｐｌｅ以下であるか否かの判定を行う。ステップＳ１０２の判定がＹＥＳ判定である場合、制御部４０は、図１７のステップＳ２４に移行する。
　一方、図２５のステップＳ１０２において、ＮがＮｓａｍｐｌｅを超えた場合、制御部４０は、ステップＳ１０４に移行する。ステップＳ１０４において、制御部４０は、積算値ＱｓｕｍをＮｓａｍｐｌｅで除算して背景輝度の平均値Ｑａｖｅ Ｆを求める。また、制御部４０は、ＱｓｕｍとＮをリセットし、Ｑｓｕｍ＝０、Ｎ＝０とする。
　ステップＳ１０６において、制御部４０は、調整フラグがＦ＝１であるか否かの判定を行う。ステップＳ１０６において、制御部４０がＦ＝１であると判定すると、ステップＳ１０７に進む。
　ステップＳ１０７において、制御部４０は、Ｑａｖｅ ０＝Ｑａｖｅ Ｆとする。また、ステップＳ１０８において、制御部４０は調整フラグをＦ＝２にする。
　次いで、ステップＳ１１０において、制御部８０は、ＴＦＬからΔＴだけ引いた値を新たにＴＦＬとする。ステップＳ１１０は、遅延時間を短縮する方向（マイナス方向）に調整することに相当している。ステップＳ１１０にて変更されたＴＦＬは、図１７のステップＳ３０において装置に反映される。
　調整フラグがＦ＝２の状態で、図２５のステップＳ１０６に到来すると、ステップＳ１０６の判定はＮｏ判定となり、ステップＳ１１２に移行する。
　ステップＳ１１２において、制御部４０は、Ｑａｖｅ ＦがＱａｖｅ ０よりも大きいか否かを判定する。Ｑａｖｅ Ｆ＞Ｑａｖｅ ０を満たす場合、制御部８０は、ステップＳ１１４に進み、Ｑａｖｅ ０の値をＱａｖｅ Ｆに更新する。例えば、Ｆ＝２である場合のＱａｖｅ ２がＱａｖｅ ２＞Ｑａｖｅ ０を満たす場合は、ステップＳ１１４にてＱａｖｅ ０＝Ｑａｖｅ ２とされる。
　ステップＳ１１６において、制御部４０は、Ｆ＝２であるか否かを判定する。ステップＳ１１６にてＦ＝２を満たすと判定されると、ステップＳ１１０に進み、同様の処理が繰り返される。
　ＴＦＬについてΔＴずつマイナス方向の調整を行うと、やがて、ステップＳ１１２においてＱａｖｅ ２≦Ｑａｖｅ ０となりうる。ステップＳ１１２において、制御部４０がＱａｖｅ ２≦Ｑａｖｅ ０と判定した場合、ステップＳ１１８に移行し、調整フラグのＦの値に１を加える。
　次いで、ステップＳ１２０において、制御部４０は、Ｆ＝３であるか否かを判定する。ステップＳ１２０にてＦ＝３であると判定されると、ステップＳ１２２に進み、ＴＦＬにΔＴを加えて、新たにＴＦＬとする。ステップＳ１２２にて変更されたＴＦＬは、図１７のステップＳ３０において装置に反映される。
　調整フラグがＦ＝３の状態で、図２５のステップＳ１１２に到来し、Ｑａｖｅ ３＞Ｑａｖｅ ０を満たす場合、制御部８０は、ステップＳ１１４に進み、Ｑａｖｅ ０の値をＱａｖｅ ３とする。Ｆ＝３の場合、ステップＳ１１６はＮＯ判定となり、ステップＳ１２２に進み、再びにＴＦＬからΔＴだけ引いた値を新たにＴＦＬとする。ステップＳ１２２は、遅延時間を長くする方向（プラス方向）に調整することに相当している。
　ステップＳ１１０にて変更されたＴＦＬは、図１７のステップＳ３０において装置に反映される。ＴＦＬについてΔＴずつプラス方向の調整を行うと、やがて、ステップＳ１１２においてＱａｖｅ ３≦Ｑａｖｅ ０となりうる。ステップＳ１１２において、制御部４０がＱａｖｅ ３≦Ｑａｖｅ ０と判定した場合、ステップＳ１１８に移行し、調整フラグのＦの値に１を加える。Ｆ＝３の状態でステップＳ１１８に到来すると、ステップＳ１２０の判定がＮＯ判定となる。この場合、ステップＳ１２４において、制御部４０はＦ＝４として、ステップＳ１２６に移行する。ステップＳ１２６において制御部４０は、ＴＦＬからΔＴだけ差し引き、新たなＴＦＬとする。ステップＳ１２６で定められたＴＦＬが最適なＴＦＬの値とされる。ステップＳ１２６の後、図１７のステップＳ２６に進むと、ステップＳ２６の判定でＹＥＳ判定となり、ステップＳ２８に進む。制御部４０はステップＳ２８にて調整フラグをＦ＝０に戻し、ＴＦＬ調整を完了する。ステップＳ１２６で定められたＴＦＬはステップＳ３０にて装置に反映される。こうして、背景輝度が最も高くなるようにＴＦＬが調整される。
　第１実施形態において説明した計測部１０１は「撮影部」の一例に相当する。ターゲット画像計測装置９０と、制御部４０との組み合わせは「ターゲット撮影装置」の一例に相当する。ターゲット通過検出信号は、外部から受信するタイミング信号の一例に相当する。ＦＬトリガは「第１のトリガ信号」の一例に相当し、ＴＦＬは「第１の遅延時間」の一例に相当する。撮影トリガは「第２のトリガ信号」の一例に相当し、Ｔｃｃｄは「第２の遅延時間」の一例に相当する。シャッタトリガは「第３のトリガ信号」の一例に相当し、Ｔｓｔｒは「第３の遅延時間」の一例に相当する。
　７．５　効果
　ターゲットの影を捉えた撮影画像から背景輝度を計測してＦＬトリガの遅延時間を調整することにより、適切な明るさの撮影画像を得ることができる。これにより、フラッシュランプの発光タイミングとシャッタトリガとの同期崩れによる背景輝度の低下を抑制することができ、背景輝度を概ね一定に保つことができる。第１実施形態によれば、フラッシュランプ９２の経年劣化や状態変化による背景輝度の低下を抑えて、ターゲットの計測精度を維持することができる。
８．第２実施形態
　８．１　構成
　図２６は、第２実施形態に係るターゲット撮影装置を含んだＥＵＶ光生成装置の構成を例示的に示した構成図である。図２６に示す第２実施形態について、図１１で説明した第１実施形態との相違点を説明する。
　図２２に示す第２実施形態において、制御部４０は、処理部１１０と遅延回路１１２に加えてＦＬ放電電圧制御部１２４を含んでいる。ＦＬ放電電圧制御部１２４は、フラッシュランプ９２に対して放電電圧を指定する。ＦＬ放電電圧制御部１２４による放電電圧の指定方法は、アナログ電圧又は通信により行う。
　８．２　動作
　ＦＬ放電電圧制御部１２４は、処理部１１０による処理結果を基に、ＦＬ発光時に放出される光量が低下した際に、フラッシュランプ９２の放電電圧を上昇させることによって、背景輝度を基準輝度に合わせる制御を行う。
　図２７は、第２実施形態におけるＦＬ放電電圧変更の処理を含むＴＦＬ調整処理のフローチャートである。図２７において、図１７で説明したフローチャートと共通するステップには同一のステップ番号を付し、その説明は省略する。
　図２７に示すフローチャートは、ステップＳ１１の前段に、「放電電圧と最適遅延時間の相関を取得」する処理（ステップＳ１０）が追加され、かつ、ステップＳ２６とステップＳ２８の間に、「ＦＬ放電電圧変更」の処理（ステップＳ２７）が追加されている。
　第２実施形態では、ステップＳ２４の処理を経てＴＦＬの最適化の処理が完了し、Ｆ＝４となった段階で（ステップＳ２６にてＹＥＳ判定となった場合に）、ＦＬ放電電圧変更の処理（ステップＳ２７）を実施する。
　図２８は、ＦＬ放電電圧変更の処理内容を示すフローチャートである。各ステップを詳述する前に、図２８に示すＦＬ放電電圧変更の処理の概要を説明する。フラッシュランプ９２は、コンデンサに蓄えた電圧を放電することによって発光する。ＦＬ放電電圧制御部１２４は、フラッシュランプ９２の発光光量が充電電圧の２乗に比例することを利用して、現在の放電電圧Ｖｃｕｒｒから最適な放電電圧Ｖｏｐｔを計算する（ステップＳ１４２）。そして、算出されたＶｏｐｔが使用想定電圧範囲である最小放電電圧Ｖｍｉｎから最大放電電圧Ｖｍａｘの範囲を超える場合、放電電圧をＶｍｉｎ又はＶｍａｘでリミットして（ステップＳ１４６、Ｓ１５２）、ワーニングを出す（ステップＳ１４８、Ｓ１５４）。
　また、放電電圧を変更すると、ＦＬトリガから発光開始タイミングまでの時間が変わるため、最適な遅延時間ＴＦＬの設定値に補正を加える（ステップＳ１５８）。
　図２８に示したフローチャートの各ステップを詳述する。ステップＳ１４０において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、現在の放電電圧Ｖｃｕｒｒを取得する。また、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、使用可能な最大放電電圧Ｖｍａｘと、最小放電電圧Ｖｍｉｎを取得する。
　次いで、ステップＳ１４２において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、背景輝度が基準輝度Ｑ０となる最適な放電電圧Ｖｏｐｔを決定する。ＦＬ放電電圧制御部１２４は、Ｖｏｐｔ＝ｓｑｒｔ（Ｑ０／Ｑａｖｅ ０）Ｖｃｕｒｒの式に基づき、Ｖｏｐｔを決定する。なお、ｓｑｒｔ（Ｑ０／Ｑａｖｅ ０）は、Ｑ０／Ｑａｖｅ ０の平方根を意味する。
　ステップＳ１４４において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ＶｏｐｔがＶｍｉｎよりも大きいか否かを判定する。Ｖｏｐｔ≦Ｖｍｉｎである場合、ステップＳ１４６に移行する。ステップＳ１４６において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ＶｏｐｔをＶｍｉｎとする。また、ステップＳ１４８において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、放電電圧がＶｍｉｎに制限された旨を知らせるワーニングを出す。ワーニングの出し方として、例えば、制御部４０に接続された図示せぬディスプレイなどに警告表示を行うなどの態様があり得る。
　ステップＳ１４４において、Ｖｏｐｔ＞Ｖｍｉｎであると判定された場合、又はステップＳ１４８の後は、ステップＳ１５０に進む。
　ステップＳ１５０において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ＶｏｐｔがＶｍａｘよりも小さいか否かを判定する。Ｖｏｐｔ≧Ｖｍａｘである場合、ステップＳ１５２に移行する。ステップＳ１５２において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ＶｏｐｔをＶｍａｘとする。また、ステップＳ１５４において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、放電電圧がＶｍａｘに制限された旨を知らせるワーニングを出す。
　ステップＳ１５０において、Ｖｏｐｔ＜Ｖｍａｘであると判定された場合、又はステップＳ１５４の後は、ステップＳ１５６に進む。
　ステップＳ１５６において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、フラッシュランプ９２の放電電圧をＶｏｐｔに設定する。放電電圧を変更すると、発光タイミングが変わるため、ステップＳ１５８において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、フラッシュランプ９２の放電電圧による発光タイミング変化を補正する処理を行う。ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ＴＦＬ＝ＴＦＬ＋（ｄＴＦＬ／ｄＶ）（Ｖｏｐｔ－Ｖｃｕｒｒ）の式に基づき、ＴＦＬを補正する。式中の「ｄＴＦＬ／ｄＶ」は、図２７のステップＳ１０によって取得される相関情報から得られる。図２７のステップＳ１０に示した「放電電圧と最適遅延時間の相関を取得」する処理は、図２８のステップＳ１５８における補正処理に必要な情報を取得するステップである。
　図２９は、放電電圧と最適遅延時間の相関を取得する処理の内容を示すフローチャートである。各ステップを詳述する前に、図２９のフローチャートの概要を説明する。ＦＬ放電電圧制御部１２４は、最小放電電圧Ｖｍｉｎから最大放電電圧ＶｍａｘまでをＭ分割し（ステップＳ２０１０～Ｓ２０２）、各放電電圧Ｖｉ（ｉ＝０，１,・・・Ｍ）で最適ＦＬ遅延時間(発光ピークタイミング)＝Ｔｉを求める（ステップＳ２２８）。その後、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、最小二乗法で、一次関数として放電電圧と最適ＦＬ遅延時間の相関を一般化する（ステップＳ２４０）。
　以下、各ステップを順に説明する。ステップＳ２００において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、最大放電電圧Ｖｍａｘの設定、最小放電電圧Ｖｍｉｎの設定、及び初期のＴＦＬを設定する。具体的な設定値の一例として、最大放電電圧Ｖｍａｘは１０００ボルト［Ｖ］に設定される。最小放電電圧Ｖｍｉｎは５００ボルト［Ｖ］に設定される。初期のＴＦＬを４０００ナノ秒［ｎｓ］に設定される。
　ステップＳ２０２において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、最小放電電圧Ｖｍｉｎから最大放電電圧Ｖｍａｘまでの電圧範囲の分割数Ｍを設定する。具体的な設定値の一例として、Ｍ＝５に設定される。また、ステップＳ２０２において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、放電電圧のデータ取得間隔ΔＶを設定する。ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ΔＶ＝（Ｖｍａｘ－Ｖｍｉｎ）／Ｍの式に従い、データ取得間隔ΔＶを設定する。Ｖｍａｘ＝１０００ボルト［Ｖ］、Ｖｍｉｎ＝５００ボルト［Ｖ］、分割数Ｍ＝５の場合、ΔＶ＝１００ボルト［Ｖ］に設定される。
　ステップＳ２０４において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、変数の初期化を行う。すなわち、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、調整フラグＦをＦ＝０に初期化し、かつ、放電電圧のインデックスｉをｉ＝０に初期化する。
　次いで、ステップＳ２０６において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ｉがＭ以下であるか否かを判定する。ステップＳ２０６においてＦＬ放電電圧制御部１２４がｉ≦Ｍを満たしていると判定すると、ステップＳ２１０に進む。
　ステップＳ２１０において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ＦＬの放電電圧をＶｉ＝Ｖｍｉｎ＋ΔＶ×ｉに設定する。
　続くステップＳ２１４からステップＳ２３０の処理は、図１７で説明したステップＳ１４からステップＳ３０の処理と同様であるため、説明を省略する。
　図２９のステップＳ２２６において、ＦＬ放電電圧制御部１２４はＦ＝４である場合に、ステップＳ２２８に進む。
　ステップＳ２２８において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、調整フラグをＦ＝０に戻し、Ｔｉ＝ＴＦＬとする。また、ＦＬ放電電圧制御部１２４はｉをインクリメントして、ｉ＋１を新たなｉとして設定する。
　ステップＳ２０６からステップＳ２３０のループにより、各放電電圧Ｖｉにおける最適なＦＬ遅延時間Ｔｉが得られる。
　ステップＳ２０６においてｉがＭを超えると、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ステップＳ２４０に移行する。
　ステップＳ２４０において、ＦＬ放電電圧制御部１２４は、ｉ＝０からＭまでの（Ｖｉ，Ｔｉ）のデータを基に、最小二乗法でＶｉに対するＴｉの傾きｄＴＦＬ／ｄＶと接片ＴＦＬ０を求める。こうして、放電電圧と最適ＦＬ遅延時間の相関を一次関数として一般化する。
　なお、図２９で示したフローチャートによって、放電電圧と最適ＦＬ遅延時間の相関を求める態様の他、フラッシュランプ単体でフォトダイオードなどを用いて事前に同様の計測を実施して、放電電圧と最適ＦＬ遅延時間の相関を示す一次関数を求めてもよい。
　８．３　効果
　第２実施形態によれば、第１実施形態の効果に加え、フラッシュランプの経年劣化による発光光量の総量の低下に対して、フラッシュランプの放電電圧を調整することにより、撮影画像の背景輝度の低下を抑制することができる。これにより、背景輝度を適正な基準輝度に維持することができる。
　９．拡散ターゲットの計測について
　第１実施形態及び第２実施形態の説明においては、ターゲット画像計測装置９０がドロップレット状のターゲットを撮影する例を説明したが、ターゲット画像計測装置９０は、ターゲットにプリパルスレーザ光を照射した後の拡散ターゲットを撮影してもよい。
　図３０～図３２は、ターゲットにピコ秒オーダーのパルス幅を有するプリパルスレーザ光が照射された場合の拡散ターゲットの生成過程を模式的に示す断面図である。図３０は、ターゲットにピコ秒オーダーのパルス幅を有するプリパルスレーザ光の照射開始からピコ秒オーダーの時間が経過した時点において推定されるターゲットの状態を示す。図３１は、ターゲットにピコ秒オーダーのパルス幅を有するプリパルスレーザ光の照射開始からナノ秒オーダーの時間が経過した時点において推定されるターゲットの状態を示す。図３２は、ターゲットにピコ秒オーダーのパルス幅を有するプリパルスレーザ光の照射開始から約１μｓの時間が経過した時点における拡散ターゲットの状態を示す。
　図３０に示すように、ドロップレット状のターゲットにプリパルスレーザ光が照射されると、ターゲット表面にプリパルスレーザ光のエネルギーの一部が吸収され得る。その結果、プリパルスレーザ光が照射されたターゲット表面からほぼ垂直にターゲットの外側に向かうイオンや原子等の噴射を伴う、レーザアブレーションが発生し得る。これにより、プリパルスレーザ光が照射されたターゲット表面に対して垂直かつターゲット内部に向かって、レーザアブレーションによる反作用が働き得る。
　このプリパルスレーザ光は、例えば、６．５Ｊ／ｃｍ２以上のフルーエンスを有し、ピコ秒オーダーの時間内でターゲット照射を終了し得るので、時間あたりにターゲットへ照射される光のエネルギーが大きい。したがって、強力なレーザアブレーションが短時間で発生し得る。このため、レーザアブレーションによる反作用も大きく、ターゲットの内部に衝撃波が発生するものと推測される。
　衝撃波は、プリパルスレーザ光が照射されたターゲットの表面に対してほぼ垂直に進行するため、ドロップレット状のターゲットのほぼ中心に集束する。衝撃波の波面は、当初、ターゲットの表面とほぼ平行なほぼ半球面状である。衝撃波が集束するに伴って、エネルギーが集中し、集中したエネルギーが一定の大きさを超えると、ドロップレット状のターゲットの破壊が始まる。
　ターゲットの破壊は、集束することによってエネルギーが一定の大きさを超えた衝撃波の、ほぼ半球面状の波面から始まるものと推測される。このことが、図３１及び図３２に示すように、ターゲットがプリパルスレーザ光の入射側にドーム型に拡散した理由であると考えられる。
　図３０において、衝撃波がドロップレット状のターゲットの中心にまで集束すると、エネルギーが最も集中し、ターゲットの残りの部分も一気に破壊され得る。このことが、図３２に示すように、ターゲットがプリパルスレーザ光の進行方向側に円環状に拡散した理由であると考えられる。
　また、図３０においては、強力なレーザアブレーションが発生していると推測されるが、レーザアブレーションが発生している時間は僅かであり、衝撃波がターゲットの中心に到達するまでの時間も短いと推測される。そして、図３１に示すように、おそらくナノ秒オーダーの時間が経過した時にはターゲットが破壊され始めていると推測される。このことが、図３２に示すように、ターゲットの重心がプリパルスレーザ光の照射前の位置からあまり移動していない理由であると推測される。
　第１実施形態及び第２実施形態で説明したＥＵＶ光生成装置１２において、ドライブレーザ出力トリガ、撮像トリガ、シャッタトリガ、及びＦＬトリガの遅延時間を適切に設定することにより、ターゲット画像計測装置９０は、拡散ターゲットを計測し得る。
　上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図している。したがって、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
　本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

Claims (18)

  1. 　外部からタイミング信号を受信し、前記タイミング信号の受信時から第１の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第１のトリガ信号を出力する遅延回路と、
    　前記第１のトリガ信号に基づいて発光する照明光源と、
    　前記照明光源から発せられた光が観察対象であるターゲットに照射されることにより、前記ターゲットの影の像を撮影するよう配置された撮影部と、
    　前記撮影部によって撮影された撮影画像から背景輝度を計測する処理を含む画像処理を行う処理部と、
    　前記背景輝度に基づいて前記第１の遅延時間を調整する制御を行う制御部と、
    　を備えるターゲット撮影装置。
  2. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記照明光源から発せられた光を前記ターゲットに向けて出射する光出射ポートと、
    　前記ターゲットの周辺を通過した光を前記撮影部に導入する光入射ポートとは、互いに前記ターゲットの通過位置を挟んで対向する位置に配置されるターゲット撮影装置。
  3. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記撮影部は、画像センサと、シャッタと、を含み、
    　前記遅延回路は、前記タイミング信号の受信時から第２の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第２のトリガ信号である撮像トリガを出力し、かつ、前記タイミング信号の受信時から第３の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第３のトリガ信号であるシャッタトリガを出力し、
    　前記撮像トリガに基づいて、前記画像センサによる撮影が行われ、
    　前記シャッタトリガに基づいて、前記シャッタの開閉が行われるターゲット撮影装置。
  4. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記制御部は、前記第１の遅延時間の設定を変えて前記背景輝度の計測を行い、前記背景輝度が最も高くなるように前記第１の遅延時間を調整するターゲット撮影装置。
  5. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記処理部は、前記撮影部によって取得される前記撮影画像ごとに、前記撮影画像から前記ターゲットの位置及び形状の少なくとも一方に関する情報を得るための計測を行うターゲット計測処理と、前記背景輝度を計測する処理とを行うターゲット撮影装置。
  6. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記制御部は、前記処理部により計測された前記背景輝度が許容下限輝度を下回った場合に、前記第１の遅延時間を調整する制御を行うターゲット撮影装置。
  7. 　請求項６に記載のターゲット撮影装置であって、
    　予め基準輝度と前記基準輝度に対する許容変動幅とが設定され、
    　前記制御部は、前記処理部により計測された前記背景輝度が、前記基準輝度と前記許容変動幅とで規定される前記許容下限輝度を下回った場合に、前記第１の遅延時間を調整する制御を行うターゲット撮影装置。
  8. 　請求項６に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記制御部は、前記処理部により計測された前記背景輝度が、前記許容下限輝度を下回った場合に、前記第１の遅延時間を短縮するターゲット撮影装置。
  9. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記処理部は、前記撮影画像の各ピクセルのカウント値を基に、前記撮影画像の画像内全体の平均カウント値を算出する処理を行い、
    　前記制御部は、前記背景輝度として前記平均カウント値を取得するターゲット撮影装置。
  10. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記処理部は、前記撮影画像の各ピクセルのカウント値から、前記撮影画像の画像内全体における最大カウント値を特定する処理を行い、
    　前記制御部は、前記背景輝度として前記最大カウント値を取得するターゲット撮影装置。
  11. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記処理部は、前記撮影画像の各ピクセルのカウント値を基に、前記撮影画像の画像内全体の前記カウント値のヒストグラムを作成して、前記ヒストグラムのピークに対応するカウント値を特定する処理を行い、
    　前記制御部は、前記背景輝度として前記ピークに対応するカウント値を取得するターゲット撮影装置。
  12. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記処理部は、前記撮影画像の画像領域内に予め複数の計測領域が設定され、
    　前記計測領域ごとに、それぞれの計測領域内の平均カウント値を算出し、かつ、前記算出された前記計測領域ごとの前記平均カウント値の平均値を算出する処理を行い、
    　前記制御部は、前記背景輝度として前記平均値を取得するターゲット撮影装置。
  13. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記処理部は、前記撮影画像の画像領域内に予め複数の計測領域が設定され、
    　前記複数の計測領域のうち、前記ターゲットの影が含まれている計測領域を演算から除外して、前記ターゲットの影が含まれていない残りの計測領域ごとに、それぞれの計測領域内の平均カウント値を算出し、かつ、前記算出された前記計測領域ごとの平均カウント値の平均値を算出する処理を行い、
    　前記制御部は、前記背景輝度として前記平均値を取得するターゲット撮影装置。
  14. 　請求項１に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記照明光源は、フラッシュランプであるターゲット撮影装置。
  15. 　請求項１４に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記フラッシュランプの放電電圧を指定する放電電圧制御部を備え、
    　前記放電電圧制御部は、前記処理部によって計測される前記背景輝度に基づいて前記フラッシュランプの放電電圧を調整する制御を行うターゲット撮影装置。
  16. 　請求項１５に記載のターゲット撮影装置であって、
    　前記放電電圧制御部は、現在の放電電圧と、前記処理部によって計測された前記背景輝度と、予め定められた基準輝度と、を基に、背景輝度が前記基準輝度となるために最適な放電電圧を決定する処理を行い、
    　前記制御部は、前記放電電圧制御部による放電電圧の設定の変更に伴い、放電電圧と最適遅延時間の関係を基に、前記前記第１の遅延時間の補正を行うターゲット撮影装置。
  17. 　内部でプラズマが生成されるチャンバと、
    　前記チャンバの内部に前記プラズマの発生源となるターゲットを供給するターゲット供給部と、
    　前記ターゲット供給部から前記チャンバの内部に供給された前記ターゲットの通過を検出してターゲット通過検出信号を出力するターゲット通過検出装置と、
    　前記ターゲット通過検出信号を受信し、前記ターゲット通過検出信号の受信時から第１の遅延時間だけ遅延させたタイミングで第１のトリガ信号を出力する遅延回路と、
    　前記第１のトリガ信号に基づいて発光する照明光源と、
    　前記照明光源から発せられた光が観察対象である前記ターゲットに照射されることにより、前記ターゲットの影の像を撮影するよう前記チャンバに配置された撮影部と、
    　前記撮影部によって撮影された撮影画像から背景輝度を計測する処理を含む画像処理を行う処理部と、
    　前記背景輝度に基づいて前記第１の遅延時間を調整する制御を行う制御部と、
    　を備え、
    　前記ターゲット供給部から前記チャンバの内部に供給された前記ターゲットにレーザ光を照射することにより前記ターゲットをプラズマ化して極端紫外光を生成する極端紫外光生成装置。
  18. 　請求項１７に記載の極端紫外光生成装置であって、
    　前記チャンバは、前記照明光源から発せられた光を前記ターゲットに向けて出射する光出射ポートとしての第１のウインドウと、
    　前記ターゲットの周辺を通過した光を前記撮影部に導入する光入射ポートとしての第２のウインドウと、を備え、
    　前記第１のウインドウと前記第２のウインドウとは、互いに前記ターゲットの通過位置を挟んで対向する位置に配置される極端紫外光生成装置。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110913128B (zh) * 2019-11-11 2021-04-23 苏州浩哥文化传播有限公司 一种舞台摄像装置的多方位智能控制方法
EP3840395B1 (en) * 2019-12-18 2021-11-03 Axis AB Camera and method for introducing light pulses in an image stream
JP2023506415A (ja) 2019-12-20 2023-02-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極端紫外線光源の較正システム
WO2023204244A1 (ja) * 2022-04-19 2023-10-26 日本製鉄株式会社 鋼板加工装置及び鋼板加工装置の制御方法
JP2024058754A (ja) * 2022-10-17 2024-04-30 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び電子デバイスの製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009104924A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP2014086523A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
WO2014147901A1 (ja) * 2013-03-21 2014-09-25 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法、並びにパルスレーザ光の集光ビーム計測装置及び集光ビーム計測方法
WO2015041260A1 (ja) * 2013-09-17 2015-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5909244A (en) * 1996-04-15 1999-06-01 Massachusetts Institute Of Technology Real time adaptive digital image processing for dynamic range remapping of imagery including low-light-level visible imagery
JPH11105307A (ja) * 1997-08-05 1999-04-20 Ricoh Co Ltd 液滴の噴射特性測定システム
US6341183B1 (en) * 1998-10-27 2002-01-22 The Regents Of The University Of California Graphical user interface for image acquisition and processing
JP2001242503A (ja) 2000-02-28 2001-09-07 Hitachi Ltd 露光制御装置
US6941005B2 (en) * 2002-11-01 2005-09-06 Coulter International Corp. Monitoring and control of droplet sorting
US7394083B2 (en) * 2005-07-08 2008-07-01 Cymer, Inc. Systems and methods for EUV light source metrology
JP2009012206A (ja) * 2007-07-02 2009-01-22 Konica Minolta Ij Technologies Inc インクジェットヘッド検査装置及び検査方法
JP2015524599A (ja) * 2012-07-06 2015-08-24 イーティーエイチ・チューリッヒ 液滴ターゲットとレーザとの間の相互作用を制御するための方法、および、前記方法を行なうための装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009104924A (ja) * 2007-10-24 2009-05-14 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP2014086523A (ja) * 2012-10-23 2014-05-12 Gigaphoton Inc 極端紫外光生成装置
WO2014147901A1 (ja) * 2013-03-21 2014-09-25 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び極端紫外光の生成方法、並びにパルスレーザ光の集光ビーム計測装置及び集光ビーム計測方法
WO2015041260A1 (ja) * 2013-09-17 2015-03-26 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置

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