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WO2018190030A1 - 発光素子および発光装置 - Google Patents

発光素子および発光装置 Download PDF

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WO2018190030A1
WO2018190030A1 PCT/JP2018/008234 JP2018008234W WO2018190030A1 WO 2018190030 A1 WO2018190030 A1 WO 2018190030A1 JP 2018008234 W JP2018008234 W JP 2018008234W WO 2018190030 A1 WO2018190030 A1 WO 2018190030A1
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WO
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layer
light
light emitting
reflective
emitting element
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PCT/JP2018/008234
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French (fr)
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御友　重吾
達史 濱口
中島　博
仁道 伊藤
佐藤　進
秀和 川西
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Priority to US16/490,369 priority patent/US11011888B2/en
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity

Definitions

  • the present disclosure relates to a light emitting element and a light emitting device.
  • a technique for converting the wavelength of light emitted from a surface emitting laser is disclosed.
  • the light emitting device includes a stacked body.
  • the stacked body includes an active layer and a first semiconductor layer and a second semiconductor layer that sandwich the active layer.
  • the light emitting device further includes a current confinement layer having an opening, a concave first reflecting mirror on the first semiconductor layer side, and a second reflecting mirror on the second semiconductor layer side, sandwiching the stacked body and the opening.
  • a vertical resonator is further disposed between the first reflecting layer disposed at a position facing the first reflecting mirror with a predetermined gap between the first reflecting mirror and the first reflecting layer, and the vertical resonator.
  • a phosphor layer that converts the wavelength of light leaked from the light.
  • the light emitting device includes a plurality of light emitting elements. Each light emitting element has the same components as the above light emitting element.
  • the first semiconductor layer-side reflecting mirror (first reflecting mirror) is concave. Thereby, the light leaking from the first reflecting mirror spreads by the concave first reflecting mirror.
  • the first reflecting layer is provided at a position facing the first reflecting mirror with a predetermined gap therebetween, and the first reflecting mirror and the first reflecting mirror are provided.
  • a phosphor layer is provided between the layers. Thereby, the light leaking from the first reflecting mirror enters the phosphor layer with a wide radiation angle.
  • the light reflected from the first reflecting layer is the light leaking from the first reflecting mirror in the phosphor layer.
  • the incident light is incident on a different location from the passing location.
  • the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer is improved as compared with the case where the light leaked from the first reflecting mirror enters the phosphor layer with a narrow wide radiation angle. That is, the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer is improved without separating the phosphor layer from the first reflecting mirror.
  • the uniformity of the intensity distribution of light emitted from the phosphor layer is improved without the phosphor layer being far away from the first reflecting mirror. Therefore, the element can be reduced in size.
  • the effect of this indication is not necessarily limited to the effect described here, Any effect described in this specification may be sufficient.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element of FIG. 6. It is a figure showing the cross-sectional structural example of the light emitting element which concerns on 3rd Embodiment of this indication. It is a figure which represents typically the mode of the light emission in the light emitting element of FIG. It is a figure which represents typically the mode of the light emission in the light emitting element of FIG.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element of FIG. 10. It is a figure showing the cross-sectional structural example of the light emitting element which concerns on 4th Embodiment of this indication.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element of FIG. 14. It is a figure showing the cross-sectional structural example of the light emitting element which concerns on 5th Embodiment of this indication. It is a figure which represents typically the mode of the light emission in the light emitting element of FIG. It is a figure which represents typically the mode of the light emission in the light emitting element of FIG. It is a figure showing the modification of the cross-sectional structure of the light emitting element of FIG.
  • First embodiment (light emitting device) 2. Modified example of first embodiment (light emitting element) 3. Second embodiment (light emitting device) 4). Modified example of second embodiment (light emitting device) 5). Third Embodiment (Light Emitting Element) 6). Modified example of the third embodiment (light emitting device) 7). Fourth embodiment (light emitting device) 8). Modified example of the fourth embodiment (light emitting device) 9. Fifth embodiment (light emitting device) 10. Modified example of the fifth embodiment (light emitting device) 11. Sixth embodiment (light emitting device) 12 Seventh embodiment (light emitting device)
  • FIG. 1 illustrates a cross-sectional configuration example of the light emitting element 10.
  • the light-emitting element 10 is a top emission type semiconductor laser that can be suitably applied to thin applications that require low power consumption, thin applications that require a large area, and the like.
  • the light emitting element 10 includes a vertical resonator.
  • the vertical resonator is configured to oscillate at a predetermined oscillation wavelength ⁇ 0 by two DBRs (distributed Bragg reflectors) facing each other in the normal direction of the substrate 11 described later.
  • the vertical resonator is composed of two DBR layers that sandwich a substrate 11, a laminate 12 described later, and an opening 13A of a current confinement layer 13 described later. That is, the substrate 11 is a substrate provided inside the vertical resonator.
  • the two DBR layers are composed of a DBR layer 17 (first reflecting mirror) on the semiconductor layer 12a side described later and a DBR layer 16 (second reflecting mirror) on the semiconductor layer 12c side described later.
  • the DBR layer 17 is formed in contact with the back surface of the substrate 11.
  • the stacked body 12 includes, for example, an active layer 12b and two semiconductor layers that sandwich the active layer 12b.
  • the two semiconductor layers are composed of a semiconductor layer 12a near the substrate 11 and a semiconductor layer 12c separated from the substrate 11.
  • the light emitting element 10 includes, for example, a semiconductor layer 12a, an active layer 12b, a semiconductor layer 12c, a current confinement layer 13, an electrode layer 14, an electrode pad 15, and a DBR layer 16 in this order from the substrate 11 side on a substrate 11. Yes.
  • the light emitting element 10 further includes, for example, a DBR layer 17, a reflective layer 18, a phosphor layer 19, a reflector 21, and a reflective layer 22 on the back side of the substrate 11.
  • the stacked body 12 may have, for example, a contact layer on the outermost surface on the semiconductor layer 12c side for bringing the semiconductor layer 12c and the electrode layer 14 into ohmic contact with each other.
  • the contact layer may be a layer formed by doping a high-concentration impurity with respect to the outermost surface of the semiconductor layer 12c, or may be formed on the outermost surface of the semiconductor layer 12c formed separately from the semiconductor layer 12c. It may be a layer in contact.
  • the DBR layer 16 corresponds to a specific example of “second reflecting mirror” of the present disclosure.
  • the DBR layer 17 corresponds to a specific example of “first reflecting mirror” of the present disclosure.
  • the reflective layer 18 corresponds to a specific example of “second reflective layer” of the present disclosure.
  • the reflector 21 corresponds to a specific example of “third reflective layer” of the present disclosure.
  • the reflective layer 22 corresponds to a specific example of “first reflective layer” of the present disclosure.
  • the substrate 11 is a crystal growth substrate used when epitaxially growing the stacked body 12.
  • the substrate 11 and the laminate 12 are made of a gallium nitride based semiconductor.
  • the substrate 11 is, for example, a GaN substrate.
  • the stacked body 12 is made of, for example, GaN, AlGaN, AlInN, GaInN, AlGaInN, or the like.
  • the semiconductor layer 12a is made of, for example, GaN.
  • the semiconductor layer 12a includes, for example, silicon (Si) as an n-type impurity. That is, the semiconductor layer 12a is an n-type semiconductor layer.
  • the semiconductor layer 12c is made of, for example, GaN.
  • the semiconductor layer 12c contains, for example, magnesium (Mg), zinc (Zn), etc.
  • the semiconductor layer 12c is a p-type semiconductor layer.
  • the active layer 12b has, for example, a quantum well structure.
  • a quantum well structure As a kind of quantum well structure, a single quantum well structure (QW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure) is mentioned, for example.
  • the quantum well structure has a structure in which well layers and barrier layers are alternately stacked.
  • As a combination of the well layer and the barrier layer for example, (In y Ga (1-y) N, GaN), (In y Ga (1-y) N, In z Ga (1-z) N) [where, y> z], (In y Ga (1-y) N, AlGaN), and the like.
  • the current confinement layer 13 is a layer for constricting the current injected into the active layer 12b.
  • the current confinement layer 13 is configured by, for example, an insulating layer having an opening 13A.
  • the insulating layer for example, is formed in contact with the outermost surface of the laminate 12, for example, it is constituted by an inorganic material such as SiO 2.
  • the insulating layer may be constituted by a high resistance region formed by injecting impurities into the stacked body 12 from the semiconductor layer 12c side of the stacked body 12.
  • the light emitting element 10 may have a function equivalent to that of the current confinement layer 13 instead of the current confinement layer 13.
  • the light emitting element 10 may include, for example, a contact layer having a size equivalent to that of the opening 13A between the semiconductor layer 12c and the electrode layer 14. Such a contact layer is formed, for example, by forming a contact layer over the entire surface of the semiconductor layer 12c and then selectively etching it by the RIE (Reactive Ion Etching) method or the like. By providing such a contact layer, current confinement can be performed.
  • the light emitting element 10 may have, for example, an annular oxidized region formed by partially oxidizing a part of the stacked body 12 from the lateral direction. By providing such an oxide region, current confinement can be performed.
  • the opening 13A has, for example, a circular shape. The diameter of the opening 13A is, for example, about 10 ⁇ m.
  • the electrode layer 14 is in contact with the surface of the stacked body 12 exposed at the bottom surface of the opening 13A of the current confinement layer 13.
  • the electrode layer 14 is made of, for example, a transparent conductive material. Examples of the transparent conductive material used for the electrode layer 14 include ITO (Indium Tin Oxide).
  • the electrode pad 15 is electrically connected to an external electrode or circuit, and is electrically connected to the electrode layer 14. For example, the electrode pad 15 is in contact with a portion of the electrode layer 14 that is not opposed to the opening 13A.
  • the electrode pad 15 is made of, for example, Pd / Ti / Pt / Au, Ti / Pd / Au, Ti / Ni / Au, or the like.
  • the light-emitting element 10 includes an electrode electrically connected to the semiconductor layer 12a in addition to the electrode layer 14 as an electrode for injecting current into the active layer 12b. This electrode is not illustrated in the drawings.
  • the DBR layers 16 and 17 are each composed of, for example, a dielectric multilayer film.
  • the dielectric multilayer film has a structure in which low refractive index layers and high refractive index layers are alternately stacked.
  • Examples of the material for the dielectric multilayer film constituting the DBR layers 16 and 17 include SiO 2 , SiN, Al 2 O 3 , Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 , TiO 2 , AlN, MgO, and ZrO 2. It is done.
  • examples of the combination of the low refractive index layer and the high refractive index layer include SiO 2 / SiN, SiO 2 / Nb 2 O 5 , SiO 2 / ZrO 2 , SiO 2 / AlN, SiO 2 / Ta 2 O 5 and the like.
  • the dielectric multilayer film constituting the DBR layers 16 and 17 is formed by a film forming method such as sputtering, CVD, or vapor deposition.
  • the substrate 11 has a protruding portion 11A that protrudes on the opposite side to the laminated body 12 on the back surface.
  • the surface of the protrusion 11 ⁇ / b> A has a convex shape that protrudes to the opposite side of the stacked body 12. It is preferable that the curvature radius of the surface of the protrusion 11A is larger than the resonator length in the vertical resonator. This is because when the radius of curvature of the surface of the protruding portion 11A is equal to or less than the resonator length of the vertical resonator, the optical field confinement becomes excessive and light loss is likely to occur.
  • the DBR layer 17 is formed following the surface of the protruding portion 11A and functions as a concave (or concave curved surface) reflecting mirror for the vertical resonator.
  • the diameter of the protruding portion 11A is, for example, about 40 ⁇ m.
  • the DBR layer 16 is formed following the surface of the electrode layer 14 and is formed in contact with the surface of the electrode layer 14. In the DBR layer 16, a portion of the DBR layer 16 that faces the opening 13A is substantially flat.
  • the active layer 12 b is preferably arranged closer to the DBR layer 16 and the current confinement layer 13 than the DBR layer 17. This is because the optical field confinement in the active layer 12b is strengthened and laser oscillation is facilitated.
  • the shortest distance DCI from the center of gravity of the area of the current confinement layer 13 to the inner edge of the opening 13A satisfies the following expression.
  • the region where the light reflected by the DBR layer 17 is collected is included in the region where the active layer 12b has gain by current injection, and stimulated emission of light from the carrier is promoted, and laser oscillation This is because it becomes easy.
  • the derivation of the following equation is disclosed in, for example, H. Kogelnik and T. Li, “Laser Beams and Resonators”, Applied Optics / Vol. 5, No. 10 / October 1966. ⁇ 0 is also called a beam waist radius.
  • the reflection layer 18 is formed following the surface of the DBR layer 17 and is formed in contact with the surface of the DBR layer 17.
  • the reflective layer 18 is disposed between the DBR layer 17 and the phosphor layer 19.
  • the reflective layer 18 reflects light (yellow light Ly described later) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19.
  • the reflective layer 18 is made of, for example, a dielectric multilayer film.
  • the phosphor layer 19 is disposed between the DBR layer 17 and the reflective layer 22.
  • the phosphor layer 19 is in contact with the reflective layer 18.
  • the phosphor layer 19 converts the wavelength of light leaking from the DBR layer 17 (that is, the vertical resonator).
  • the phosphor layer 19 is a part of the light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 (that is, the vertical resonator) out of the blue light Lb generated in the active layer 12 b. Part is absorbed and yellow light Ly is generated.
  • the phosphor layer 19 includes light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 (that is, the vertical resonator) among the blue light Lb generated in the active layer 12 b. May be absorbed to generate white light Lw.
  • the reflector 21 is formed so as to cover the side surface of the phosphor layer 19 and not to cover a portion of the reflecting surface 22A facing the opening 13A.
  • the reflector 21 is a heat radiating body made of a material containing metal such as aluminum, and releases heat generated in the phosphor layer 19 to the outside through the reflector 21.
  • the reflector 21 is formed, for example, in contact with the back surface of the substrate 11 and covers, for example, not only the side surface of the phosphor layer 19 but also the side surfaces of the DBR layer 17 and the reflection layer 18.
  • the reflective layer 22 is disposed at a position facing the DBR layer 17 with a predetermined gap.
  • the reflective layer 22 has a reflective surface 22 ⁇ / b> A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 22A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12, for example.
  • the reflection layer 22 has, for example, a reflectance with respect to light leaked from the DBR layer 17 (blue light Lb) rather than a reflectance with respect to light (yellow light Ly described later) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19.
  • the reflective layer 22 transmits part of the light (yellow light Ly) generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19. Further, for example, as shown in FIG. 2, the reflective layer 22 reflects much of the light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 and is scattered in the phosphor layer 19 at the same time. A part of the incident blue light Lb is transmitted. As a result, the reflective layer 22 emits white light Lw, which is a combined light of the blue light Lb and the yellow light Ly, to the outside.
  • the reflection layer 22 transmits a part of the light (white light Lw) generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19 and leaks from the DBR layer 17. A large amount of (blue light Lb) may be reflected.
  • the reflective layer 22 has a reflectance with respect to light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 rather than a reflectance with respect to light (white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19.
  • the larger Bragg reflector is included.
  • the reflection layer 22 emits light (white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the outside.
  • the light wavelength-converted by the phosphor layer 19 is yellow light Ly, for example, as shown in FIG. 2, most of the light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 is caused by the reflective layer 22. At the same time as being reflected, a part of the blue light Lb re-entered by being scattered in the phosphor layer 19 is transmitted through the reflection layer 22. As a result, white light Lw that is a combined light of the blue light Lb and the yellow light Ly is emitted from the reflection layer 22 to the outside.
  • the light wavelength-converted by the phosphor layer 19 is the white light Lw, for example, as shown in FIG. 3, a part of the light (white light Lw) generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19 Passes through the reflective layer 22. As a result, light (white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 is emitted from the reflective layer 22 to the outside.
  • a technique for converting the wavelength of light emitted from a surface emitting laser has been disclosed.
  • a laser beam is spread by irradiating a phosphor with a laser beam through a thick transparent substrate, and further transparent by an optical film and one mirror of a vertical resonator formed so as to sandwich the transparent substrate.
  • Wavelength conversion has been performed by reciprocating the laser beam through the substrate and uniformly irradiating the phosphor with the laser beam.
  • it is necessary to provide a thick transparent substrate between the surface emitting laser and the phosphor it is not easy to reduce the size of the element.
  • the DBR layer 17 is concave (or concave). Thereby, the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is spread by the concave (or concave curved surface) DBR layer 17.
  • the reflective layer 22 is provided at a position facing the DBR layer 17 with a predetermined gap, and the phosphor layer 19 is provided between the DBR layer 17 and the reflective layer 22. Yes. Thereby, the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a wide radiation angle.
  • the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is reflected obliquely by the reflective layer 22, the light reflected by the reflective layer 22 is the DBR layer 17 (vertical resonator) of the phosphor layer 19. ) Is incident on a location different from the location where the light leaked from. As a result, compared with the case where the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a narrow wide radiation angle, the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves.
  • the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • the reflective layer 22 has a reflective surface 22A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 22 ⁇ / b> A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12.
  • the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves. That is, the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size.
  • the reflective layer 22 includes a Bragg reflector that has a greater reflectance with respect to the light leaking from the DBR layer 17 than the reflectance with respect to the light generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19.
  • a Bragg reflector that has a greater reflectance with respect to the light leaking from the DBR layer 17 than the reflectance with respect to the light generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19.
  • white light Lw which is a combined light of blue light Lb and yellow light Ly, can be emitted to the outside, or white light Lw generated by the phosphor layer 19 can be emitted to the outside.
  • a reflective layer 18 is provided between the DBR layer 17 and the phosphor layer 19. Thereby, it can prevent that the light produced
  • a reflector 21 is provided that covers the side surface of the phosphor layer 19 and that does not cover the portion of the reflecting surface 22A that faces the opening 13A.
  • generated by wavelength conversion by the fluorescent substance layer 19 and the light reflected by the reflection layer 22 can be reflected toward the reflection layer 22 side.
  • the light generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19 and the light reflected by the reflection layer 22 can be effectively used as an optical output to the outside.
  • the reflector 21 is a heat radiator comprised with the material containing a metal, the heat which generate
  • the phosphor layer 19 is in contact with the reflective layer 18. Thereby, it is possible to realize a white light emitting element having a small size and a bright and stable color.
  • FIG. 4 illustrates a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element 10.
  • the light emitting element 10 includes a resin layer 23 or an air layer 24 between the reflective layer 18 and the phosphor layer 19. That is, the phosphor layer 19 is disposed to face the reflective layer 18 with the resin layer 23 or the air layer 24 interposed therebetween.
  • the resin layer 23 is made of, for example, polyimide. Even in this case, the element can be reduced in size. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • FIG. 5 illustrates a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element 10.
  • the reflector 21 is formed not only on the back surface of the substrate 11 but also on the surface of the end portion of the reflective layer 18.
  • the size of the element in the width direction can be reduced.
  • the heat generated in the phosphor layer 19 can be dissipated to the outside via the reflector 21 more quickly.
  • FIG. 6 illustrates a cross-sectional configuration example of the light emitting element 20.
  • the light emitting element 20 corresponds to the light emitting element 10 of the above-described embodiment, in which the reflective layer 18, the reflector 21, and the reflective layer 22 are omitted and a reflective layer 25 is provided instead. Therefore, in the present embodiment, the phosphor layer 19 is in contact with the DBR layer 17.
  • the reflective layer 25 corresponds to specific examples of “first reflective layer” and “fourth reflective layer” of the present disclosure.
  • the reflection layer 25 covers the side surface of the phosphor layer 19 and is formed so as to reflect the light leaking from the DBR layer 17 and the light generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the laminate 12 side. ing.
  • the reflective layer 25 covers not only the side surface of the phosphor layer 19 but also the bottom surface.
  • a portion of the reflective layer 25 that faces the bottom surface of the phosphor layer 19 has a reflective surface 25 ⁇ / b> A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 25A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12, for example.
  • the reflective layer 25 is a heat radiating body made of a material containing metal such as aluminum, and releases heat generated in the phosphor layer 19 to the outside through the reflective layer 25.
  • the reflective layer 25 is formed, for example, in contact with the back surface of the substrate 11 and covers, for example, not only the side surface of the phosphor layer 19 but also the side surface of the DBR layer 17.
  • the reflection layer 25 reflects, for example, light (yellow light Ly or white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 and also reflects light (blue light Lb) leaking from the DBR layer 17. Thereby, the reflective layer 25 reflects the light (yellow light Ly or white light Lw) generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the laminated body 12 side as shown in FIGS. . The reflection layer 25 further reflects light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 to the laminated body 12 side and simultaneously scatters in the phosphor layer 19 as shown in FIGS. The blue light Lb that is reincident due to the reflection is reflected to the laminated body 12 side.
  • the light (blue light Lb and yellow light Ly) reflected by the reflective layer 25 becomes white light Lw that is a combined light of the blue light Lb and the yellow light Ly, as shown in FIG.
  • the light is emitted from the periphery of the DBR layer 16 to the outside.
  • the white light Lw generated in the phosphor layer 19 is emitted to the outside from the peripheral edge of the DBR layer 16, for example.
  • the emission of the white light Lw to the outside is not limited to the periphery of the DBR layer 16.
  • the electrode pad 15 may be provided with an opening, and the white light Lw may be emitted from the opening.
  • the DBR layer 17 is concave (or concave). Thereby, the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is spread by the concave (or concave curved surface) DBR layer 17.
  • the reflective layer 25 is provided at a position facing the DBR layer 17 with a predetermined gap, and the phosphor layer 19 is provided between the DBR layer 17 and the reflective layer 25. Yes. Thereby, the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a wide radiation angle.
  • the light reflected by the reflective layer 25 is the DBR layer 17 (vertical resonator) of the phosphor layer 19.
  • the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves.
  • the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • the reflective layer 25 has a reflective surface 25A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 25 ⁇ / b> A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12.
  • the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves. That is, the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size.
  • the reflective layer 25 is a heat radiator made of a material containing metal
  • the heat generated in the phosphor layer 19 can be dissipated to the outside through the reflective layer 25. it can.
  • a decrease in conversion efficiency of the phosphor layer 19 due to heat storage can be suppressed.
  • the phosphor layer 19 is in contact with the DBR layer 17. Thereby, it is possible to realize a white light emitting element having a small size and a bright and stable color.
  • FIG. 9 illustrates a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element 20.
  • the light emitting element 20 includes a resin layer 23 or an air layer 24 between the DBR layer 17 and the phosphor layer 19. That is, the phosphor layer 19 is disposed to face the DBR layer 17 with the resin layer 23 or the air layer 24 interposed therebetween. Even in this case, the element can be reduced in size as in the second embodiment. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • FIG. 10 illustrates a cross-sectional configuration example of the light emitting element 30.
  • the light emitting element 30 corresponds to the light emitting element 20 of the second embodiment, in which the reflective layer 25 is omitted and a reflective layer 26 is provided instead. Further, the light emitting element 30 is configured to be able to output light from the side surface of the phosphor layer 19.
  • the reflective layer 26 corresponds to a specific example of “first reflective layer” of the present disclosure.
  • the reflection layer 26 covers the bottom surface of the phosphor layer 19 and is formed so as to reflect the light leaking from the DBR layer 17 and the light generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the laminate 12 side. ing.
  • a portion of the reflective layer 26 that faces the bottom surface of the phosphor layer 19 has a reflective surface 26 ⁇ / b> A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 26 ⁇ / b> A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12, for example.
  • the reflective layer 26 may be a heat radiator made of a material containing a metal such as aluminum, for example. In this case, the reflective layer 26 releases the heat generated in the phosphor layer 19 to the outside through the reflective layer 26.
  • the reflective layer 26 is formed in contact with the bottom surface of the phosphor layer 19.
  • the reflective layer 26 reflects, for example, light (yellow light Ly or white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 and also emits light (blue light Lb) leaking from the DBR layer 17. Thereby, the reflection layer 26 reflects the light (yellow light Ly or white light Lw) generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the laminated body 12 side as shown in FIGS. 11 and 12, for example. . The reflection layer 26 further reflects light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 to the laminated body 12 side, and simultaneously scatters in the phosphor layer 19 as shown in FIGS. The blue light Lb that is reincident due to the reflection is reflected to the laminated body 12 side.
  • the light (blue light Lb and yellow light Ly) reflected by the reflective layer 26 becomes white light Lw that is a combined light of the blue light Lb and the yellow light Ly.
  • the light is emitted from the periphery of the DBR layer 16 to the outside.
  • the white light Lw generated in the phosphor layer 19 is emitted to the outside from the periphery of the DBR layer 16, for example.
  • the light (blue light Lb and yellow light Ly) reflected by the reflective layer 26 propagates in the phosphor layer 19 to generate the blue light Lb and the yellow light Ly.
  • the white light Lw that is the combined light is emitted from the end face of the phosphor layer 19 to the outside.
  • the light (white light Lw) reflected by the reflective layer 26 propagates through the phosphor layer 19 and exits from the end face of the phosphor layer 19 to the outside.
  • the DBR layer 17 is concave (or concave). Thereby, the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is spread by the concave (or concave curved surface) DBR layer 17.
  • the reflective layer 26 is provided at a position facing the DBR layer 17 with a predetermined gap, and the phosphor layer 19 is provided between the DBR layer 17 and the reflective layer 26. Yes. Thereby, the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a wide radiation angle.
  • the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is reflected obliquely by the reflective layer 26, the light reflected by the reflective layer 26 is the DBR layer 17 (vertical resonator) of the phosphor layer 19. ) Is incident on a location different from the location where the light leaked from. As a result, compared with the case where the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a narrow wide radiation angle, the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves.
  • the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • the reflective layer 26 has a reflective surface 26A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 26 ⁇ / b> A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12.
  • the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves. That is, the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size.
  • the light emitting element 30 is configured to be able to output light from the side surface of the phosphor layer 19. As a result, more light can be extracted, and thus a white light-emitting element having a small size and a bright and stable color can be realized.
  • the phosphor layer 19 is in contact with the DBR layer 17. Thereby, it is possible to realize a white light emitting element having a small size and a bright and stable color.
  • the reflective layer 26 is a heat radiator made of a material containing a metal
  • the heat generated in the phosphor layer 19 can be dissipated to the outside through the reflective layer 26. it can.
  • a decrease in conversion efficiency of the phosphor layer 19 due to heat storage can be suppressed.
  • FIG. 13 illustrates a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element 30.
  • the light emitting element 30 includes a resin layer 23 or an air layer 24 between the DBR layer 17 and the phosphor layer 19. That is, the phosphor layer 19 is disposed to face the DBR layer 17 with the resin layer 23 or the air layer 24 interposed therebetween. Even in this case, the element can be miniaturized as in the third embodiment. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • FIG. 14 illustrates a cross-sectional configuration example of the light emitting element 40.
  • the light emitting element 40 corresponds to the light emitting element 10 of the first embodiment in which the reflector 21 and the reflective layer 22 are omitted and a reflective layer 26 is provided instead. Further, the light emitting element 40 is configured to be able to output light from the side surface of the phosphor layer 19.
  • the reflection layer 26 covers the bottom surface of the phosphor layer 19 and is formed so as to reflect the light leaking from the DBR layer 17 and the light generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the laminate 12 side. ing.
  • a portion of the reflective layer 26 that faces the bottom surface of the phosphor layer 19 has a reflective surface 26 ⁇ / b> A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 26 ⁇ / b> A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12, for example.
  • the reflective layer 26 may be a heat radiator made of a material containing a metal such as aluminum, for example. In this case, the reflective layer 26 releases the heat generated in the phosphor layer 19 to the outside through the reflective layer 26.
  • the reflective layer 26 is formed in contact with the bottom surface of the phosphor layer 19.
  • the reflection layer 26 reflects, for example, light (yellow light Ly or white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 and also reflects light (blue light Lb) leaking from the DBR layer 17.
  • the reflective layer 26 reflects light (yellow light Ly or white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the laminated body 12 side.
  • the reflective layer 26 reflects light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 toward the laminate 12 and simultaneously scatters in the phosphor layer 19. The blue light Lb that is reincident due to the reflection is reflected to the laminated body 12 side.
  • the light (blue light Lb and yellow light Ly) reflected by the reflective layers 26 and 18 propagates in the phosphor layer 19, and the blue light Lb and yellow light are transmitted.
  • the white light Lw which is a combined light with Ly, is emitted from the end face of the phosphor layer 19 to the outside.
  • the light (white light Lw) reflected by the reflection layers 26 and 18 propagates in the phosphor layer 19 and is emitted to the outside from the end face of the phosphor layer 19. .
  • the DBR layer 17 is concave (or concave). Thereby, the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is spread by the concave (or concave curved surface) DBR layer 17.
  • the reflective layer 26 is provided at a position facing the DBR layer 17 with a predetermined gap, and the phosphor layer 19 is provided between the DBR layer 17 and the reflective layer 26. Yes. Thereby, the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a wide radiation angle.
  • the light reflected by the reflecting layer 26 is the DBR layer 17 (vertical resonator) of the phosphor layer 19.
  • the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves.
  • the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • the reflective layer 26 has a reflective surface 26A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 26 ⁇ / b> A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12.
  • the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform than the case where the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a narrow wide radiation angle. improves. That is, the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size.
  • the phosphor layer 19 is in contact with the reflective layer 18. Thereby, it is possible to realize a white light emitting element having a small size and a bright and stable color.
  • the reflective layer 26 is a heat radiator made of a material containing a metal
  • the heat generated in the phosphor layer 19 can be dissipated to the outside through the reflective layer 26. it can.
  • a decrease in conversion efficiency of the phosphor layer 19 due to heat storage can be suppressed.
  • FIG. 17 illustrates a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element 40.
  • the light emitting element 40 includes a resin layer 23 or an air layer 24 between the reflective layer 18 and the phosphor layer 19. That is, the phosphor layer 19 is disposed to face the reflective layer 18 with the resin layer 23 or the air layer 24 interposed therebetween. Even in this case, the element can be reduced in size as in the fourth embodiment. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • FIG. 18 illustrates a cross-sectional configuration example of the light emitting element 50.
  • the light emitting element 50 corresponds to the light emitting element 40 of the fourth embodiment in which the reflective layer 26 is omitted and the reflective layer 22 is provided instead. Further, the light emitting element 50 is configured to be able to output light from the side surface of the phosphor layer 19.
  • the reflective layer 22 is disposed at a position facing the DBR layer 17 with a predetermined gap.
  • the reflective layer 22 has a reflective surface 22 ⁇ / b> A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 22A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12, for example.
  • the reflection layer 22 has, for example, a reflectance with respect to light leaked from the DBR layer 17 (blue light Lb) rather than a reflectance with respect to light (yellow light Ly described later) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19.
  • the reflective layer 22 transmits part of the light (yellow light Ly) generated by the wavelength conversion by the phosphor layer 19. Further, for example, as shown in FIG. 19, the reflective layer 22 reflects much of the light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 and is scattered within the phosphor layer 19 at the same time. A part of the incident blue light Lb is transmitted. As a result, the reflective layer 22 emits white light Lw, which is a combined light of the blue light Lb and the yellow light Ly, to the outside. Further, for example, as shown in FIG. 19, the light (blue light Lb and yellow light Ly) reflected by the reflective layers 22 and 18 propagates in the phosphor layer 19, and the blue light Lb and the yellow light Ly are transmitted. The white light Lw, which is the combined light with the light, is emitted from the end face of the phosphor layer 19 to the outside.
  • the reflective layer 22 transmits part of light (white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 and light leaked from the DBR layer 17.
  • a large amount of (blue light Lb) may be reflected.
  • the reflective layer 22 has a reflectance with respect to light (blue light Lb) leaked from the DBR layer 17 rather than a reflectance with respect to light (white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19.
  • the larger Bragg reflector is included.
  • the reflection layer 22 emits light (white light Lw) generated by wavelength conversion by the phosphor layer 19 to the outside.
  • the light (white light Lw) reflected by the reflection layers 22 and 18 propagates in the phosphor layer 19 and is emitted to the outside from the end face of the phosphor layer 19. .
  • the DBR layer 17 is concave (or concave). Thereby, the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is spread by the concave (or concave curved surface) DBR layer 17.
  • the reflective layer 22 is provided at a position facing the DBR layer 17 with a predetermined gap, and the phosphor layer 19 is provided between the DBR layer 17 and the reflective layer 22. Yes. Thereby, the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a wide radiation angle.
  • the light leaking from the DBR layer 17 (vertical resonator) is reflected obliquely by the reflective layer 22, the light reflected by the reflective layer 22 is the DBR layer 17 (vertical resonator) of the phosphor layer 19. ) Is incident on a location different from the location where the light leaked from. As a result, compared with the case where the light leaked from the DBR layer 17 (vertical resonator) enters the phosphor layer 19 with a narrow wide radiation angle, the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves.
  • the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • the reflective layer 22 has a reflective surface 22A that does not follow the surface shape of the DBR layer 17.
  • the reflection surface 22 ⁇ / b> A is a plane having a normal line parallel to the normal line of the stacked body 12.
  • the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is more uniform. improves. That is, the uniformity of the intensity distribution of the light emitted from the phosphor layer 19 is improved even if the phosphor layer 19 is not far from the DBR layer 17 (vertical resonator). Therefore, the element can be reduced in size.
  • the phosphor layer 19 is in contact with the reflective layer 18. Thereby, it is possible to realize a white light emitting element having a small size and a bright and stable color.
  • FIG. 21 shows a modification of the cross-sectional configuration of the light emitting element 50.
  • the light emitting element 50 includes a resin layer 23 or an air layer 24 between the reflective layer 18 and the phosphor layer 19. That is, the phosphor layer 19 is disposed to face the reflective layer 18 with the resin layer 23 or the air layer 24 interposed therebetween. Even in this case, the element can be reduced in size as in the fifth embodiment. Further, it is possible to realize a white light-emitting element having a small color and a bright and stable color.
  • FIG. 22 illustrates a cross-sectional configuration example of the light emitting device 60.
  • the light emitting device 60 corresponds to a device including a plurality of the light emitting elements 10 according to the first embodiment.
  • each light emitting element 10 is configured to be driven independently of each other, for example.
  • the electrode pads 15 of each light emitting element 10 are electrically separated from each other.
  • FIG. 23 illustrates a cross-sectional configuration example of the light emitting device 70.
  • the light emitting device 70 corresponds to a device including a plurality of the light emitting elements 20 of the second embodiment.
  • each light emitting element 20 is configured to be driven independently of each other, for example.
  • the electrode pads 15 of each light emitting element 20 are electrically separated from each other.
  • this indication can take the following composition.
  • a stacked body including an active layer, and a first semiconductor layer and a second semiconductor layer sandwiching the active layer; A current confinement layer having an opening; A concave first reflecting mirror on the side of the first semiconductor layer and a second reflecting mirror on the side of the second semiconductor layer, sandwiching the stacked body and the opening, A first reflective layer disposed at a position facing the first reflective mirror via a predetermined gap; A light emitting device comprising: a phosphor layer that is disposed between the first reflecting mirror and the first reflecting layer and converts the wavelength of light leaking from the first reflecting mirror.
  • the light emitting element according to (2) wherein the reflection surface is a plane having a normal line parallel to a normal line of the stacked body.
  • the first reflective layer includes a Bragg reflector that has a greater reflectivity for light leaking from the first reflector than the reflectivity for light generated by wavelength conversion by the phosphor layer. (1) Thru
  • the light emitting element as described in. (7)
  • the side surface of the phosphor layer is covered, and the light leaking from the first reflecting mirror together with the first reflecting layer and the light generated by wavelength conversion by the phosphor layer are reflected to the laminate side.
  • the light emitting device according to any one of (1) to (3), further including a formed fourth reflective layer.
  • the phosphor layer is disposed to face the second reflective layer via a resin layer or an air layer.
  • each of the light emitting elements is A stacked body including an active layer, and a first semiconductor layer and a second semiconductor layer sandwiching the active layer; A current confinement layer having an opening; A concave first reflecting mirror on the side of the first semiconductor layer and a second reflecting mirror on the side of the second semiconductor layer, sandwiching the stacked body and the opening, A first reflective layer disposed at a position facing the first reflective mirror via a predetermined gap;
  • a light emitting device comprising: a phosphor layer that is disposed between the first reflecting mirror and the first reflecting layer and converts the wavelength of light leaking from the first reflecting mirror.

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Abstract

本開示の一実施形態に係る発光素子は、積層体を備えている。積層体は、活性層と、活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含んでいる。この発光素子は、さらに、開口部を有する電流狭窄層と、積層体および開口部を挟み込む、第１半導体層側の凹面状の第１反射鏡および第２半導体層側の第２反射鏡とを備えている。この発光素子は、さらに、第１反射鏡と所定の間隙を介して対向する位置に配置された第１反射層と、第１反射鏡と第１反射層との間に配置され、第１反射鏡から漏れ出た光を波長変換する蛍光体層とを備えている。

Description

発光素子および発光装置
　本開示は、発光素子および発光装置に関する。
　面発光レーザの出射光を波長変換する技術が開示されている。
特開２００４－１３４６３３号公報
　ところで、上記特許文献では、面発光レーザと蛍光体との間に、厚い透明基板を設ける必要があるので、素子の小型化が容易ではないという問題があった。従って、素子を小型化することの可能な発光素子および発光装置を提供することが望ましい。
　本開示の一実施形態に係る発光素子は、積層体を備えている。積層体は、活性層と、活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含んでいる。この発光素子は、さらに、開口部を有する電流狭窄層と、積層体および開口部を挟み込む、第１半導体層側の凹面状の第１反射鏡および第２半導体層側の第２反射鏡からなる垂直共振器とを備えている。この発光素子は、さらに、第１反射鏡と所定の間隙を介して対向する位置に配置された第１反射層と、第１反射鏡と第１反射層との間に配置され、垂直共振器から漏れ出た光を波長変換する蛍光体層とを備えている。
　本開示の一実施形態に係る発光装置は、複数の発光素子を備えている。各発光素子は、上記の発光素子と同一の構成要素を有している。
　本開示の一実施形態に係る発光素子および発光装置では、第１半導体層側の反射鏡（第１反射鏡）が凹面状となっている。これにより、第１反射鏡から漏れ出た光は、凹面状の第１反射鏡によって広がる。また、本開示の一実施形態に係る発光素子および発光装置では、第１反射鏡と所定の間隙を介して対向する位置に第１反射層が設けられており、第１反射鏡と第１反射層との間に蛍光体層が設けられている。これにより、第１反射鏡から漏れ出た光は広放射角で蛍光体層に入射する。さらに、第１反射鏡から漏れ出た光は第１反射層で斜めに反射されるので、第１反射層で反射された光が蛍光体層のうち、第１反射鏡から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、第１反射鏡から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層に入射した場合と比べて、蛍光体層から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層を第１反射鏡から遠く離さなくても、蛍光体層から放射される光の強度分布の均一性が向上する。
　本開示の一実施形態に係る発光素子および発光装置によれば、蛍光体層を第１反射鏡から遠く離さなくても、蛍光体層から放射される光の強度分布の均一性が向上するようにしたので、素子を小型化することができる。なお、本開示の効果は、ここに記載された効果に必ずしも限定されず、本明細書中に記載されたいずれの効果であってもよい。
本開示の第１の実施の形態に係る発光素子の断面構成例を表す図である。 図１の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１の発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。 図１の発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。 本開示の第２の実施の形態に係る発光素子の断面構成例を表す図である。 図６の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図６の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図６の発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。 本開示の第３の実施の形態に係る発光素子の断面構成例を表す図である。 図１０の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１０の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１０の発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。 本開示の第４の実施の形態に係る発光素子の断面構成例を表す図である。 図１４の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１４の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１４の発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。 本開示の第５の実施の形態に係る発光素子の断面構成例を表す図である。 図１８の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１８の発光素子における発光の様子を模式的に表す図である。 図１８の発光素子の断面構成の一変形例を表す図である。 本開示の第６の実施の形態に係る発光装置の断面構成例を表す図である。 本開示の第７の実施の形態に係る発光装置の断面構成例を表す図である。
　以下、本開示を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明は本開示の一具体例であって、本開示は以下の態様に限定されるものではない。また、本開示は、各図に示す各構成要素の配置や寸法、寸法比などについても、それらに限定されるものではない。なお、説明は、以下の順序で行う。

　　１．第１の実施の形態（発光素子）
　　２．第１の実施の形態の変形例（発光素子）
　　３．第２の実施の形態（発光素子）
　　４．第２の実施の形態の変形例（発光素子）
　　５．第３の実施の形態（発光素子）
　　６．第３の実施の形態の変形例（発光素子）
　　７．第４の実施の形態（発光素子）
　　８．第４の実施の形態の変形例（発光素子）
　　９．第５の実施の形態（発光素子）
　　１０．第５の実施の形態の変形例（発光素子）
　　１１．第６の実施の形態（発光装置）
　　１２．第７の実施の形態（発光装置）
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
　本開示の第１の実施の形態に係る発光素子１０の構成について説明する。図１は、発光素子１０の断面構成例を表したものである。
　発光素子１０は、薄型で低消費電力が要求される用途や、薄型で大面積が要求される用途などに好適に適用可能な上面出射型の半導体レーザである。発光素子１０は、垂直共振器を備えている。垂直共振器は、後述の基板１１の法線方向において互いに対向する２つのＤＢＲ（distributed Bragg reflector）によって所定の発振波長λ0で発振するように構成されている。垂直共振器は、基板１１と、後述の積層体１２と、後述の電流狭窄層１３の開口部１３Ａとを挟み込む２つのＤＢＲ層によって構成されている。つまり、基板１１は、垂直共振器の内側に設けられた基板である。上記２つのＤＢＲ層は、後述の半導体層１２ａ側のＤＢＲ層１７（第１反射鏡）と、後述の半導体層１２ｃ側のＤＢＲ層１６（第２反射鏡）とにより構成されている。ＤＢＲ層１７は、基板１１の裏面に接して形成されている。積層体１２は、例えば、活性層１２ｂと、活性層１２ｂを挟み込む２つの半導体層とを含んで構成されている。上記２つの半導体層は、基板１１寄りの半導体層１２ａと、基板１１から離れた半導体層１２ｃとにより構成されている。
　発光素子１０は、例えば、基板１１上に、半導体層１２ａ、活性層１２ｂ、半導体層１２ｃ、電流狭窄層１３、電極層１４、電極パッド１５およびＤＢＲ層１６を、基板１１側からこの順に備えている。発光素子１０は、例えば、さらに、基板１１の裏面側に、ＤＢＲ層１７、反射層１８、蛍光体層１９、反射体２１および反射層２２を備えている。積層体１２は、例えば、半導体層１２ｃ側の最表面に、半導体層１２ｃと電極層１４とを互いにオーミック接触させるためのコンタクト層を有していてもよい。コンタクト層は、半導体層１２ｃの最表面に対して高濃度の不純物をドープすることにより形成された層であってもよいし、半導体層１２ｃとは別に形成された、半導体層１２ｃの最表面に接する層であってもよい。
　ＤＢＲ層１６が、本開示の「第２反射鏡」の一具体例に対応する。ＤＢＲ層１７が、本開示の「第１反射鏡」の一具体例に対応する。反射層１８が、本開示の「第２反射層」の一具体例に対応する。反射体２１が、本開示の「第３反射層」の一具体例に対応する。反射層２２が、本開示の「第１反射層」の一具体例に対応する。
　基板１１は、積層体１２をエピタキシャル結晶成長させる際に用いられた結晶成長基板である。基板１１および積層体１２は、窒化ガリウム系の半導体によって構成されている。基板１１は、例えば、ＧａＮ基板である。積層体１２は、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＧａＩｎＮ、ＡｌＧａＩｎＮなどによって構成されている。半導体層１２ａは、例えばＧａＮによって構成されている。半導体層１２ａには、ｎ型不純物として、例えば、シリコン（Ｓｉ）などが含まれている。つまり、半導体層１２ａは、ｎ型半導体層である。半導体層１２ｃは、例えばＧａＮによって構成されている。半導体層１２ｃには、ｐ型不純物として、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）や亜鉛（Ｚｎ）などが含まれている。つまり、半導体層１２ｃは、ｐ型半導体層である。活性層１２ｂは、例えば、量子井戸構造を有している。量子井戸構造の種類としては、例えば、単一量子井戸構造（ＱＷ構造）、または、多重量子井戸構造（ＭＱＷ構造）が挙げられる。量子井戸構造は、井戸層および障壁層を交互に積層させた構造となっている。井戸層および障壁層の組合せとしては、例えば、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＧａＮ）、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＩｎzＧａ(1-z)Ｎ）［但し、ｙ＞ｚ］、（ＩｎyＧａ(1-y)Ｎ，ＡｌＧａＮ）などが挙げられる。
　電流狭窄層１３は、活性層１２ｂに注入する電流を狭窄するための層である。電流狭窄層１３は、例えば、開口部１３Ａを有する絶縁層によって構成されている。絶縁層は、例えば、積層体１２の最表面に接して形成されており、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料によって構成されている。なお、絶縁層は、積層体１２の半導体層１２ｃ側から積層体１２内に不純物を注入することによって形成された高抵抗領域によって構成されていてもよい。発光素子１０は、電流狭窄層１３と同等の機能を有するものを、電流狭窄層１３の代わりに備えていてもよい。発光素子１０は、例えば、半導体層１２ｃと、電極層１４との間に、開口部１３Ａと同等の大きさを有するコンタクト層を備えていてもよい。このようなコンタクト層は、例えば、半導体層１２ｃの表面全体にコンタクト層を形成したのち、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法等により選択的にエッチングすることにより形成される。このようなコンタクト層が設けられることによっても、電流狭窄を行うことができる。また、発光素子１０は、例えば、積層体１２の一部の層を横方向から部分的に酸化することにより形成された環状の酸化領域を有していてもよい。このような酸化領域が設けられることによっても、電流狭窄を行うことができる。開口部１３Ａは、例えば、円形状となっている。開口部１３Ａの直径は、例えば、１０μｍ程度となっている。
　電極層１４は、積層体１２のうち、電流狭窄層１３の開口部１３Ａの底面に露出している面に接している。電極層１４は、例えば、透明導電性材料によって構成されている。電極層１４に用いられる透明導電性材料としては、例えば、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)などが挙げられる。電極パッド１５は、外部の電極あるいは回路と電気的に接続されるものであり、電極層１４と電気的に接続されている。電極パッド１５は、例えば、電極層１４のうち開口部１３Ａと非対向の部分に接している。電極パッド１５は、例えば、Ｐｄ／Ｔｉ／Ｐｔ／ＡｕやＴｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕなどによって構成されている。発光素子１０は、活性層１２ｂに電流を注入するための電極として、電極層１４の他に、半導体層１２ａと電気的に接続された電極を備えている。なお、この電極は、図面には例示されていない。
　ＤＢＲ層１６，１７は、それぞれ、例えば、誘電体多層膜によって構成されている。誘電体多層膜は、低屈折率層と高屈折率層とを交互に積層させた構造となっている。低屈折率層の厚さは、λ0／４n1（ｎ1は低屈折率層の屈折率）の奇数倍となっていることが好ましい。高屈折率層の厚さは、λ0／４n2（ｎ2は高屈折率層の屈折率）の奇数倍となっていることが好ましい。ＤＢＲ層１６，１７を構成する誘電体多層膜の材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ2、ＡｌＮ、ＭｇＯ、ＺｒＯ2が挙げられる。ＤＢＲ層１６，１７を構成する誘電体多層膜において、低屈折率層および高屈折率層の組み合わせとしては、例えば、ＳｉＯ2／ＳｉＮ、ＳｉＯ2／Ｎｂ2Ｏ5、ＳｉＯ2／ＺｒＯ2、ＳｉＯ2／ＡｌＮ、ＳｉＯ2／Ｔａ2Ｏ5などが挙げられる。ＤＢＲ層１６，１７を構成する誘電体多層膜は、例えば、スパッタ、ＣＶＤまたは蒸着などの成膜法によって形成されている。
　基板１１は、積層体１２とは反対側に突出した突出部１１Ａを裏面に有している。突出部１１Ａの表面は、積層体１２とは反対側に突出した凸面状となっている。突出部１１Ａの表面の曲率半径は、垂直共振器における共振器長よりも大きくなっていることが好ましい。突出部１１Ａの表面の曲率半径が垂直共振器における共振器長以下となっている場合には、光場閉じ込めが過剰になり光損失が生じやすくなるからである。ＤＢＲ層１７は、この突出部１１Ａの表面に倣って形成されており、垂直共振器にとっては、凹面状（または凹曲面状）の反射鏡として機能する。突出部１１Ａの直径は、例えば、４０μｍ程度となっている。一方、ＤＢＲ層１６は、電極層１４の表面に倣って形成されており、電極層１４の表面に接して形成されている。ＤＢＲ層１６は、ＤＢＲ層１６のうち、開口部１３Ａと対向する部分は、ほぼ平坦となっている。活性層１２ｂは、ＤＢＲ層１７と比べて、ＤＢＲ層１６および電流狭窄層１３に近接して配置されていることが好ましい。これにより、活性層１２ｂにおける光場閉じ込めが強くなり、レーザ発振が容易となるからである。また、電流狭窄層１３の面積重心点から、開口部１３Ａの内縁までの最短距離ＤCIが以下の式を満たしていることが好ましい。これにより、ＤＢＲ層１７によって反射された光が集光される領域が、電流注入によって活性層１２ｂが利得を持つ領域に含まれるようになり、キャリアからの光の誘導放出が促進され、レーザ発振が容易となるからである。なお、以下の式の導出は、例えば，H. Kogelnik and T. Li, "Laser Beams and Resonators", Applied Optics/Vol. 5, No. 10/ October 1966 に開示されている。また、ω0はビームウェスト半径とも呼ばれる。
　ＤCI≧ω0／２
　但し、
　ω0 2≡（λ0／π）｛ＬOR（ＲDBR－ＬOR）｝1/2
　ここで、
　λ0：発振波長
　ＬOR：共振器長
　ＲDBR：ＤＢＲ層１７の曲率半径（＝突出部１１Ａの表面の曲率半径）
　反射層１８は、ＤＢＲ層１７の表面に倣って形成されており、ＤＢＲ層１７の表面に接して形成されている。反射層１８は、ＤＢＲ層１７と蛍光体層１９との間に配置されている。反射層１８は、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（後述の黄色光Ｌｙ）を反射する。反射層１８は、例えば、誘電体多層膜によって構成されている。
　蛍光体層１９は、ＤＢＲ層１７と反射層２２との間に配置されている。蛍光体層１９は、反射層１８に接している。蛍光体層１９は、ＤＢＲ層１７（つまり垂直共振器）から漏れ出た光を波長変換する。蛍光体層１９は、例えば、図２に示したように、活性層１２ｂで生成された青色光Ｌｂのうち、ＤＢＲ層１７（つまり垂直共振器）から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の一部を吸収し、黄色光Ｌｙを生成する。なお、蛍光体層１９は、例えば、図３に示したように、活性層１２ｂで生成された青色光Ｌｂのうち、ＤＢＲ層１７（つまり垂直共振器）から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の一部を吸収し、白色光Ｌｗを生成してもよい。
　反射体２１は、蛍光体層１９の側面を覆うとともに、反射面２２Ａのうち開口部１３Ａと対向する箇所を覆わないように形成されている。反射体２１は、アルミニウムなどの金属を含む材料で構成された放熱体であり、蛍光体層１９で発生した熱を、当該反射体２１を介して外部に放出する。反射体２１は、例えば、基板１１の裏面に接して形成されており、例えば、蛍光体層１９の側面だけでなく、ＤＢＲ層１７および反射層１８の側面も覆っている。
　反射層２２は、ＤＢＲ層１７と所定の間隙を介して対向する位置に配置されている。反射層２２は、ＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２２Ａを有している。反射面２２Ａは、例えば、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。反射層２２は、例えば、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（後述の黄色光Ｌｙ）に対する反射率よりも、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）に対する反射率の方が大きいブラッグ反射鏡を含んで構成されている。これにより、反射層２２は、例えば、図２に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙ）の一部を透過する。反射層２２は、さらに、例えば、図２に示したように、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の多くを反射すると同時に、蛍光体層１９内で散乱されるなどして再入射した青色光Ｌｂの一部を透過する。その結果、反射層２２は、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗを外部に出射する。
　なお、反射層２２は、例えば、図３に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）の一部を透過するとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の多くを反射するようになっていてもよい。この場合、反射層２２は、例えば、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）に対する反射率よりも、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）に対する反射率の方が大きいブラッグ反射鏡を含んで構成されている。このとき、反射層２２は、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）を外部に出射する。
[動作]
　このような構成の発光素子１０では、半導体層１２ｃと電気的に接続された電極層１４と、半導体層１２ａと電気的に接続された電極層との間に所定の電圧が印加されると、開口部１３Ａを通して活性層１２ｂに電流が注入され、これにより電子と正孔の再結合による発光が生じる。この光は、一対のＤＢＲ層１６およびＤＢＲ層１７により反射され、所定の発振波長λ0でレーザ発振が生じる。そして、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の一部が蛍光体層１９によって波長変換される。
　蛍光体層１９によって波長変換された光が黄色光Ｌｙである場合には、例えば、図２に示したように、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の多くが反射層２２によって反射されると同時に、蛍光体層１９内で散乱されるなどして再入射した青色光Ｌｂの一部が反射層２２を透過する。その結果、反射層２２からは、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗが外部に出射される。
　蛍光体層１９によって波長変換された光が白色光Ｌｗである場合には、例えば、図３に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）の一部が反射層２２を透過する。その結果、反射層２２からは、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）が外部に出射される。
[効果]
　次に、本実施の形態に係る発光素子１０での効果について説明する。
　従来から、面発光レーザの出射光を波長変換する技術が開示されている。従来では、厚い透明基板を介して蛍光体にレーザ光を照射することによりレーザビームを広げ、さらに、透明基板を挟み込むように形成された、光学膜と垂直共振器の一方のミラーとにより、透明基板を介してレーザ光を往復させ、蛍光体に均一にレーザ光を照射することにより、波長変換が行われていた。しかし、このような方法では、面発光レーザと蛍光体との間に、厚い透明基板を設ける必要があるので、素子の小型化が容易ではなかった。
　一方、本実施の形態では、ＤＢＲ層１７が凹面状（または凹曲面状）となっている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は、凹面状（または凹曲面状）のＤＢＲ層１７によって広がる。また、本実施の形態では、ＤＢＲ層１７と所定の間隙を介して対向する位置に反射層２２が設けられており、ＤＢＲ層１７と反射層２２との間に蛍光体層１９が設けられている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は広放射角で蛍光体層１９に入射する。さらに、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は反射層２２で斜めに反射されるので、反射層２２で反射された光が蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態では、反射層２２がＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２２Ａを有している。具体的には、反射面２２Ａは、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光の多くが反射層２２で斜めに反射されるので、反射層２２で反射された光の多くが蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。
　また、本実施の形態では、反射層２２が蛍光体層１９による波長変換により生成された光に対する反射率よりも、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光に対する反射率の方が大きいブラッグ反射鏡を含んで構成されている場合には、ブラッグ反射鏡を透過した光だけを外部に出射させることができる。その結果、例えば、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗを外部に出射させたり、蛍光体層１９で生成された白色光Ｌｗを外部に出射させたりすることができる。
　また、本実施の形態では、ＤＢＲ層１７と蛍光体層１９との間に反射層１８が設けられている。これにより、蛍光体層１９による波長変換により生成された光が積層体１２側に散逸してしまうのを防ぐことができる。その結果、蛍光体層１９による波長変換により生成された光を、外部への光出力として有効に利用することができる。
　また、本実施の形態では、蛍光体層１９の側面を覆うとともに、反射面２２Ａのうち開口部１３Ａと対向する箇所を覆わないように形成された反射体２１が設けられている。これにより、蛍光体層１９による波長変換により生成された光や、反射層２２で反射された光を反射層２２側に向けて反射することができる。その結果、蛍光体層１９による波長変換により生成された光や、反射層２２で反射された光を、外部への光出力として有効に利用することができる。
　また、本実施の形態において、反射体２１が金属を含む材料で構成された放熱体である場合には、蛍光体層１９で発生した熱を、反射体２１を介して外部に放散させることができる。その結果、蓄熱による蛍光体層１９の変換効率の低下を抑制することができる。
　また、本実施の形態では、蛍光体層１９は、反射層１８に接している。これにより、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜２．第１の実施の形態の変形例＞
　次に、第１の実施の形態の発光素子１０の変形例について説明する。
[変形例Ａ]
　図４は、発光素子１０の断面構成の一変形例を表したものである。本変形例では、発光素子１０は、反射層１８と蛍光体層１９との間に、樹脂層２３または空気層２４を備えている。つまり、蛍光体層１９は、樹脂層２３または空気層２４を介して反射層１８と対向配置されている。樹脂層２３は、例えば、ポリイミドなどにより構成されている。このようにした場合であっても、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
[変形例Ｂ]
　図５は、発光素子１０の断面構成の一変形例を表したものである。本変形例では、反射体２１が基板１１の裏面だけでなく、反射層１８の端部の表面にも接して形成されている。このようにした場合には、素子の幅方向の大きさを小さくすることができる。また、蛍光体層１９の幅方向の大きさが小さくなるので、蛍光体層１９で発生した熱をより一層、速やかに反射体２１を介して外部に放散させることができる。
＜３．第２の実施の形態＞
　次に、本開示の第２の実施の形態に係る発光素子２０について説明する。
[構成]
　図６は、発光素子２０の断面構成例を表したものである。発光素子２０は、上記実施の形態の発光素子１０において、反射層１８、反射体２１および反射層２２を省略し、その代わりに反射層２５を備えたものに相当する。従って、本実施の形態では、蛍光体層１９は、ＤＢＲ層１７に接している。反射層２５は、本開示の「第１反射層」「第４反射層」の一具体例に対応する。
　反射層２５は、蛍光体層１９の側面を覆うとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光と、蛍光体層１９による波長変換により生成された光とを積層体１２側に反射するように形成されている。反射層２５は、蛍光体層１９の側面だけでなく底面も覆っている。反射層２５のうち、蛍光体層１９の底面と対向する部分は、ＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２５Ａを有している。反射面２５Ａは、例えば、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。反射層２５は、アルミニウムなどの金属を含む材料で構成された放熱体であり、蛍光体層１９で発生した熱を当該反射層２５を介して外部に放出する。反射層２５は、例えば、基板１１の裏面に接して形成されており、例えば、蛍光体層１９の側面だけでなく、ＤＢＲ層１７の側面も覆っている。
　反射層２５は、例えば、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙまたは白色光Ｌｗ）を反射するとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）も反射する。これにより、反射層２５は、例えば、図７、図８に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙまたは白色光Ｌｗ）を積層体１２側に反射する。反射層２５は、さらに、例えば、図７、図８に示したように、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）を積層体１２側に反射すると同時に、蛍光体層１９内で散乱されるなどして再入射した青色光Ｌｂを積層体１２側に反射する。その結果、反射層２５で反射された光（青色光Ｌｂおよび黄色光Ｌｙ）は、例えば、図７に示したように、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗとなって、例えば、ＤＢＲ層１６の周縁から外部に出射する。また、例えば、図８に示したように、蛍光体層１９で生成された白色光Ｌｗを、例えば、ＤＢＲ層１６の周縁から外部に出射する。なお、白色光Ｌｗの外部への出射は、ＤＢＲ層１６の周縁に限らない。例えば、電極パッド１５に開口部が設けられており、その開口部から白色光Ｌｗが出射するようになっていてもよい。
[効果]
　本実施の形態では、ＤＢＲ層１７が凹面状（または凹曲面状）となっている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は、凹面状（または凹曲面状）のＤＢＲ層１７によって広がる。また、本実施の形態では、ＤＢＲ層１７と所定の間隙を介して対向する位置に反射層２５が設けられており、ＤＢＲ層１７と反射層２５との間に蛍光体層１９が設けられている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は広放射角で蛍光体層１９に入射する。さらに、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は反射層２５で斜めに反射されるので、反射層２５で反射された光が蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態では、反射層２５がＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２５Ａを有している。具体的には、反射面２５Ａは、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光の多くが反射層２５で斜めに反射されるので、反射層２５で反射された光の多くが蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。
　また、本実施の形態において、反射層２５が金属を含む材料で構成された放熱体である場合には、蛍光体層１９で発生した熱を、反射層２５を介して外部に放散させることができる。その結果、蓄熱による蛍光体層１９の変換効率の低下を抑制することができる。
　また、本実施の形態では、蛍光体層１９は、ＤＢＲ層１７に接している。これにより、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜４．第２の実施の形態の変形例＞
　次に、第２の実施の形態の発光素子２０の変形例について説明する。
[変形例Ｃ]
　図９は、発光素子２０の断面構成の一変形例を表したものである。本変形例では、発光素子２０は、ＤＢＲ層１７と蛍光体層１９との間に、樹脂層２３または空気層２４を備えている。つまり、蛍光体層１９は、樹脂層２３または空気層２４を介してＤＢＲ層１７と対向配置されている。このようにした場合であっても、上記第２の実施の形態と同様、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜５．第３の実施の形態＞
　次に、本開示の第３の実施の形態に係る発光素子３０について説明する。
[構成]
　図１０は、発光素子３０の断面構成例を表したものである。発光素子３０は、上記第２の実施の形態の発光素子２０において、反射層２５を省略し、その代わりに反射層２６を備えたものに相当する。さらに、発光素子３０は、蛍光体層１９の側面から光出力ができるように構成されている。反射層２６は、本開示の「第１反射層」の一具体例に対応する。
　反射層２６は、蛍光体層１９の底面を覆うとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光と、蛍光体層１９による波長変換により生成された光とを積層体１２側に反射するように形成されている。反射層２６のうち、蛍光体層１９の底面と対向する部分は、ＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２６Ａを有している。反射面２６Ａは、例えば、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。反射層２６は、例えば、アルミニウムなどの金属を含む材料で構成された放熱体となっていてもよい。この場合、反射層２６は、蛍光体層１９で発生した熱を、当該反射層２６を介して外部に放出する。反射層２６は、蛍光体層１９の底面に接して形成されている。
　反射層２６は、例えば、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙまたは白色光Ｌｗ）を反射するとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）も射する。これにより、反射層２６は、例えば、図１１、図１２に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙまたは白色光Ｌｗ）を積層体１２側に反射する。反射層２６は、さらに、例えば、図１１、図１２に示したように、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）を積層体１２側に反射すると同時に、蛍光体層１９内で散乱されるなどして再入射した青色光Ｌｂを積層体１２側に反射する。その結果、例えば、図１１に示したように、反射層２６で反射された光（青色光Ｌｂおよび黄色光Ｌｙ）は、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗとなって、例えば、ＤＢＲ層１６の周縁から外部に出射する。また、例えば、図１２に示したように、蛍光体層１９で生成された白色光Ｌｗを、例えば、ＤＢＲ層１６の周縁から外部に出射する。さらに、例えば、図１１に示したように、反射層２６で反射された光（青色光Ｌｂおよび黄色光Ｌｙ）は、蛍光体層１９内を伝播して、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗとなって、蛍光体層１９の端面から外部に出射する。また、例えば、図１２に示したように、反射層２６で反射された光（白色光Ｌｗ）は、蛍光体層１９内を伝播して、蛍光体層１９の端面から外部に出射する。
[効果]
　本実施の形態では、ＤＢＲ層１７が凹面状（または凹曲面状）となっている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は、凹面状（または凹曲面状）のＤＢＲ層１７によって広がる。また、本実施の形態では、ＤＢＲ層１７と所定の間隙を介して対向する位置に反射層２６が設けられており、ＤＢＲ層１７と反射層２６との間に蛍光体層１９が設けられている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は広放射角で蛍光体層１９に入射する。さらに、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は反射層２６で斜めに反射されるので、反射層２６で反射された光が蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態では、反射層２６がＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２６Ａを有している。具体的には、反射面２６Ａは、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光の多くが反射層２６で斜めに反射されるので、反射層２６で反射された光の多くが蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。
　また、本実施の形態では、発光素子３０は、蛍光体層１９の側面から光出力ができるように構成されている。これにより、より多くの光を取り出すことができるので、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態では、蛍光体層１９は、ＤＢＲ層１７に接している。これにより、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態において、反射層２６が金属を含む材料で構成された放熱体である場合には、蛍光体層１９で発生した熱を、反射層２６を介して外部に放散させることができる。その結果、蓄熱による蛍光体層１９の変換効率の低下を抑制することができる。
＜６．第３の実施の形態の変形例＞
　次に、第３の実施の形態の発光素子３０の変形例について説明する。
[変形例Ｄ]
　図１３は、発光素子３０の断面構成の一変形例を表したものである。本変形例では、発光素子３０は、ＤＢＲ層１７と蛍光体層１９との間に、樹脂層２３または空気層２４を備えている。つまり、蛍光体層１９は、樹脂層２３または空気層２４を介してＤＢＲ層１７と対向配置されている。このようにした場合であっても、上記第３の実施の形態と同様、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜７．第４の実施の形態＞
　次に、本開示の第４の実施の形態に係る発光素子４０について説明する。
[構成]
　図１４は、発光素子４０の断面構成例を表したものである。発光素子４０は、上記第１の実施の形態の発光素子１０において、反射体２１および反射層２２を省略し、その代わりに反射層２６を備えたものに相当する。さらに、発光素子４０は、蛍光体層１９の側面から光出力ができるように構成されている。
　反射層２６は、蛍光体層１９の底面を覆うとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光と、蛍光体層１９による波長変換により生成された光とを積層体１２側に反射するように形成されている。反射層２６のうち、蛍光体層１９の底面と対向する部分は、ＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２６Ａを有している。反射面２６Ａは、例えば、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。反射層２６は、例えば、アルミニウムなどの金属を含む材料で構成された放熱体となっていてもよい。この場合、反射層２６は、蛍光体層１９で発生した熱を、当該反射層２６を介して外部に放出する。反射層２６は、蛍光体層１９の底面に接して形成されている。
　反射層２６は、例えば、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙまたは白色光Ｌｗ）を反射するとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）も反射する。これにより、反射層２６は、例えば、図１５、図１６に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙまたは白色光Ｌｗ）を積層体１２側に反射する。反射層２６は、さらに、例えば、図１５、図１６に示したように、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）を積層体１２側に反射すると同時に、蛍光体層１９内で散乱されるなどして再入射した青色光Ｌｂを積層体１２側に反射する。その結果、例えば、図１５に示したように、反射層２６，１８で反射された光（青色光Ｌｂおよび黄色光Ｌｙ）は、蛍光体層１９内を伝播して、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗとなって、蛍光体層１９の端面から外部に出射する。また、例えば、図１６に示したように、反射層２６，１８で反射された光（白色光Ｌｗ）は、蛍光体層１９内を伝播して、蛍光体層１９の端面から外部に出射する。
[効果]
　本実施の形態では、ＤＢＲ層１７が凹面状（または凹曲面状）となっている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は、凹面状（または凹曲面状）のＤＢＲ層１７によって広がる。また、本実施の形態では、ＤＢＲ層１７と所定の間隙を介して対向する位置に反射層２６が設けられており、ＤＢＲ層１７と反射層２６との間に蛍光体層１９が設けられている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は広放射角で蛍光体層１９に入射する。さらに、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は射層２６で斜めに反射されるので、反射層２６で反射された光が蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態では、反射層２６がＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２６Ａを有している。具体的には、反射面２６Ａは、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光の多くが反射層２６で斜めに反射されるので、反射層２６で反射された光の多くが蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。
　また、本実施の形態では、蛍光体層１９は、反射層１８に接している。これにより、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態において、反射層２６が金属を含む材料で構成された放熱体である場合には、蛍光体層１９で発生した熱を、反射層２６を介して外部に放散させることができる。その結果、蓄熱による蛍光体層１９の変換効率の低下を抑制することができる。
＜８．第４の実施の形態の変形例＞
　次に、第４の実施の形態の発光素子２０の変形例について説明する。
[変形例Ｅ]
　図１７、発光素子４０の断面構成の一変形例を表したものである。本変形例では、発光素子４０は、反射層１８と蛍光体層１９との間に、樹脂層２３または空気層２４を備えている。つまり、蛍光体層１９は、樹脂層２３または空気層２４を介して反射層１８と対向配置されている。このようにした場合であっても、上記第４の実施の形態と同様、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜９．第５の実施の形態＞
　次に、本開示の第５の実施の形態に係る発光素子５０について説明する。
[構成]
　図１８は、発光素子５０の断面構成例を表したものである。発光素子５０は、上記第４の実施の形態の発光素子４０において、反射層２６を省略し、その代わりに反射層２２を備えたものに相当する。さらに、発光素子５０は、蛍光体層１９の側面から光出力ができるように構成されている。
　反射層２２は、ＤＢＲ層１７と所定の間隙を介して対向する位置に配置されている。反射層２２は、ＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２２Ａを有している。反射面２２Ａは、例えば、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。反射層２２は、例えば、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（後述の黄色光Ｌｙ）に対する反射率よりも、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）に対する反射率の方が大きいブラッグ反射鏡を含んで構成されている。これにより、反射層２２は、例えば、図１９に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（黄色光Ｌｙ）の一部を透過する。反射層２２は、さらに、例えば、図１９に示したように、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の多くを反射すると同時に、蛍光体層１９内で散乱されるなどして再入射した青色光Ｌｂの一部を透過する。その結果、反射層２２は、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗを外部に出射する。さらに、例えば、図１９に示したように、反射層２２，１８で反射された光（青色光Ｌｂおよび黄色光Ｌｙ）は、蛍光体層１９内を伝播して、青色光Ｌｂと黄色光Ｌｙとの合成光である白色光Ｌｗとなって、蛍光体層１９の端面から外部に出射する。
　なお、反射層２２は、例えば、図２０に示したように、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）の一部を透過するとともに、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）の多くを反射するようになっていてもよい。この場合、反射層２２は、例えば、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）に対する反射率よりも、ＤＢＲ層１７から漏れ出た光（青色光Ｌｂ）に対する反射率の方が大きいブラッグ反射鏡を含んで構成されている。このとき、反射層２２は、蛍光体層１９による波長変換により生成された光（白色光Ｌｗ）を外部に出射する。さらに、例えば、図２０に示したように、反射層２２，１８で反射された光（白色光Ｌｗ）は、蛍光体層１９内を伝播して、蛍光体層１９の端面から外部に出射する。
[効果]
　本実施の形態では、ＤＢＲ層１７が凹面状（または凹曲面状）となっている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は、凹面状（または凹曲面状）のＤＢＲ層１７によって広がる。また、本実施の形態では、ＤＢＲ層１７と所定の間隙を介して対向する位置に反射層２２が設けられており、ＤＢＲ層１７と反射層２２との間に蛍光体層１９が設けられている。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は広放射角で蛍光体層１９に入射する。さらに、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光は反射層２２で斜めに反射されるので、反射層２２で反射された光が蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　また、本実施の形態では、反射層２２がＤＢＲ層１７の表面形状に倣わない反射面２２Ａを有している。具体的には、反射面２２Ａは、積層体１２の法線と平行な法線を有する平面である。これにより、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光の多くが反射層２２で斜めに反射されるので、反射層２２で反射された光の多くが蛍光体層１９のうち、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が通過した箇所とは異なる箇所に入射する。その結果、ＤＢＲ層１７（垂直共振器）から漏れ出た光が狭広放射角で蛍光体層１９に入射した場合と比べて、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。つまり、蛍光体層１９をＤＢＲ層１７（垂直共振器）から遠く離さなくても、蛍光体層１９から放射される光の強度分布の均一性が向上する。従って、素子を小型化することができる。
　また、本実施の形態では、蛍光体層１９は、反射層１８に接している。これにより、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜１０．第５の実施の形態の変形例＞
　次に、第５の実施の形態の発光素子５０の変形例について説明する。
[変形例Ｆ]
　図２１、発光素子５０の断面構成の一変形例を表したものである。本変形例では、発光素子５０は、反射層１８と蛍光体層１９との間に、樹脂層２３または空気層２４を備えている。つまり、蛍光体層１９は、樹脂層２３または空気層２４を介して反射層１８と対向配置されている。このようにした場合であっても、上記第５の実施の形態と同様、素子を小型化することができる。また、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜１１．第６の実施の形態＞
　次に、本開示の第６の実施の形態に係る発光装置６０について説明する。
　図２２は、発光装置６０の断面構成例を表したものである。発光装置６０は、上記第１の実施の形態の発光素子１０を複数備えたものに相当する。ここで、各発光素子１０は、例えば、互いに独立に駆動可能に構成されている。各発光素子１０の電極パッド１５は、互いに電気的に分離されている。本実施の形態では、上記第１の実施の形態と同様、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
＜１２．第７の実施の形態＞
　次に、本開示の第７の実施の形態に係る発光装置７０について説明する。
　図２３は、発光装置７０の断面構成例を表したものである。発光装置７０は、上記第２の実施の形態の発光素子２０を複数備えたものに相当する。ここで、各発光素子２０は、例えば、互いに独立に駆動可能に構成されている。各発光素子２０の電極パッド１５は、互いに電気的に分離されている。本実施の形態では、上記第２の実施の形態と同様、小型でありながら、明るく安定した色の白色発光素子を実現することができる。
　以上、複数の実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記各実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。なお、本明細書中に記載された効果は、あくまで例示である。本開示の効果は、本明細書中に記載された効果に限定されるものではない。本開示が、本明細書中に記載された効果以外の効果を持っていてもよい。
　また、例えば、本開示は以下のような構成を取ることができる。
（１）
　活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、
　開口部を有する電流狭窄層と、
　前記積層体および前記開口部を挟み込む、前記第１半導体層側の凹面状の第１反射鏡および前記第２半導体層側の第２反射鏡と、
　前記第１反射鏡と所定の間隙を介して対向する位置に配置された第１反射層と、
　前記第１反射鏡と前記第１反射層との間に配置され、前記第１反射鏡から漏れ出た光を波長変換する蛍光体層と
　を備えた
　発光素子。
（２）
　前記第１反射層は、前記第１反射鏡の表面形状に倣わない反射面を有する
　（１）に記載の発光素子。
（３）
　前記反射面は、前記積層体の法線と平行な法線を有する平面である
　（２）に記載の発光素子。
（４）
　前記第１反射層は、前記蛍光体層による波長変換により生成された光に対する反射率よりも、前記第１反射鏡から漏れ出た光に対する反射率の方が大きいブラッグ反射鏡を含む
　（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の発光素子。
（５）
　前記第１反射鏡と蛍光体層との間に配置され、前記蛍光体層による波長変換により生成された光を反射する第２反射層を更に備えた
　（１）ないし（４）のいずれか一項に記載の発光素子。
（６）
　前記蛍光体層の側面を覆うとともに、前記反射面のうち前記開口部と対向する箇所を覆わないように形成された第３反射層を更に備えた
　（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の発光素子。
（７）
　前記第３反射層は、金属を含む材料で構成された放熱体である
　（６）に記載の発光素子。
（８）
　前記蛍光体層の側面を覆うとともに、前記第１反射層とともに前記第１反射鏡から漏れ出た光と、前記蛍光体層による波長変換により生成された光とを前記積層体側に反射するように形成された第４反射層を更に備えた
　（１）ないし（３）のいずれか一項に記載の発光素子。
（９）
　前記第４反射層は、金属を含む材料で構成された放熱体である
　（８）に記載の発光素子。
（１０）
　当該発光素子は、前記蛍光体層の側面から光出力ができるように構成されている
　（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の発光素子。
（１１）
　前記蛍光体層は、前記第２反射層に接している
　（５）に記載の発光素子。
（１２）
　前記蛍光体層は、樹脂層または空気層を介して前記第２反射層と対向配置されている
　（５）に記載の発光素子。
（１３）
　前記蛍光体層は、前記第１反射鏡に接している
　（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の発光素子。
（１４）
　前記蛍光体層は、樹脂層または空気層を介して前記第１反射鏡と対向配置されている
　（１）ないし（５）のいずれか一項に記載の発光素子。
（１５）
　複数の発光素子を備え、
　各前記発光素子は、
　活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、
　開口部を有する電流狭窄層と、
　前記積層体および前記開口部を挟み込む、前記第１半導体層側の凹面状の第１反射鏡および前記第２半導体層側の第２反射鏡と、
　前記第１反射鏡と所定の間隙を介して対向する位置に配置された第１反射層と、
　前記第１反射鏡と前記第１反射層との間に配置され、前記第１反射鏡から漏れ出た光を
波長変換する蛍光体層と
　を有する
　発光装置。
　本出願は、日本国特許庁において２０１７年４月１４日に出願された日本特許出願番号第２０１７－０８０３５４号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願のすべての内容を参照によって本出願に援用する。
　当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。

Claims (15)

  1. 　活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、
    　開口部を有する電流狭窄層と、
    　前記積層体および前記開口部を挟み込む、前記第１半導体層側の凹面状の第１反射鏡および前記第２半導体層側の第２反射鏡と、
    　前記第１反射鏡と所定の間隙を介して対向する位置に配置された第１反射層と、
    　前記第１反射鏡と前記第１反射層との間に配置され、前記第１反射鏡から漏れ出た光を波長変換する蛍光体層と
    　を備えた
    　発光素子。
  2. 　前記第１反射層は、前記第１反射鏡の表面形状に倣わない反射面を有する
    　請求項１に記載の発光素子。
  3. 　前記反射面は、前記積層体の法線と平行な法線を有する平面である
    　請求項２に記載の発光素子。
  4. 　前記第１反射層は、前記蛍光体層による波長変換により生成された光に対する反射率よりも、前記第１反射鏡から漏れ出た光に対する反射率の方が大きいブラッグ反射鏡を含む
    　請求項１に記載の発光素子。
  5. 　前記第１反射鏡と蛍光体層との間に配置され、前記蛍光体層による波長変換により生成された光を反射する第２反射層を更に備えた
    　請求項４に記載の発光素子。
  6. 　前記蛍光体層の側面を覆うとともに、前記反射面のうち前記開口部と対向する箇所を覆わないように形成された第３反射層を更に備えた
    　請求項１に記載の発光素子。
  7. 　前記第３反射層は、金属を含む材料で構成された放熱体である
    　請求項６に記載の発光素子。
  8. 　前記蛍光体層の側面を覆うとともに、前記第１反射層とともに前記第１反射鏡から漏れ出た光と、前記蛍光体層による波長変換により生成された光とを前記積層体側に反射するように形成された第４反射層を更に備えた
    　請求項１に記載の発光素子。
  9. 　前記第４反射層は、金属を含む材料で構成された放熱体である
    　請求項８に記載の発光素子。
  10. 　当該発光素子は、前記蛍光体層の側面から光出力ができるように構成されている
    　請求項１に記載の発光素子。
  11. 　前記蛍光体層は、前記第２反射層に接している
    　請求項５に記載の発光素子。
  12. 　前記蛍光体層は、樹脂層または空気層を介して前記第２反射層と対向配置されている
    　請求項５に記載の発光素子。
  13. 　前記蛍光体層は、前記第１反射鏡に接している
    　請求項１に記載の発光素子。
  14. 　前記蛍光体層は、樹脂層または空気層を介して前記第１反射鏡と対向配置されている
    　請求項１に記載の発光素子。
  15. 　複数の発光素子を備え、
    　各前記発光素子は、
    　活性層と、前記活性層を挟み込む第１半導体層および第２半導体層とを含む積層体と、
    　開口部を有する電流狭窄層と、
    　前記積層体および前記開口部を挟み込む、前記第１半導体層側の凹面状の第１反射鏡および前記第２半導体層側の第２反射鏡と、
    　前記第１反射鏡と所定の間隙を介して対向する位置に配置された第１反射層と、
    　前記第１反射鏡と前記第１反射層との間に配置され、前記第１反射鏡から漏れ出た光を波長変換する蛍光体層と
    　を有する
    　発光装置。
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