[go: up one dir, main page]

WO2018179766A1 - 仮固定基板および電子部品の仮固定方法 - Google Patents

仮固定基板および電子部品の仮固定方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018179766A1
WO2018179766A1 PCT/JP2018/002371 JP2018002371W WO2018179766A1 WO 2018179766 A1 WO2018179766 A1 WO 2018179766A1 JP 2018002371 W JP2018002371 W JP 2018002371W WO 2018179766 A1 WO2018179766 A1 WO 2018179766A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
fixing
temporarily fixed
temporarily
fixed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2018/002371
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
野村　勝
杉夫 宮澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NGK Insulators Ltd
Original Assignee
NGK Insulators Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Insulators Ltd filed Critical NGK Insulators Ltd
Priority to KR1020197031681A priority Critical patent/KR102519901B1/ko
Priority to JP2018534891A priority patent/JP6430081B1/ja
Priority to CN201880015995.5A priority patent/CN110462804B/zh
Publication of WO2018179766A1 publication Critical patent/WO2018179766A1/ja
Priority to US16/585,526 priority patent/US20200027771A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H10P72/74—
    • H10W74/019—
    • H10W74/01—
    • H10P14/2922—
    • H10W72/071—
    • H10P72/7412—

Definitions

  • the present invention relates to a temporary fixing substrate having a fixing surface for adhering electronic components and temporarily fixing with a resin mold and a bottom surface on the opposite side of the fixing surface.
  • Patent Documents 1, 2, and 3 There are known methods for adhering and fixing an electronic component made of silicon or the like on a support substrate made of glass or ceramics.
  • Patent Documents 1, 2, and 3 an electronic component is bonded to a support substrate with a thermosetting resin and cooled to obtain a joined body.
  • an attempt is made to reduce the warpage of the joined body by adjusting the warpage of the support substrate.
  • the warpage of the support substrate is adjusted by changing the polishing method or removing the work-affected layer.
  • Patent Document 4 when a light-emitting diode is installed on the surface of a sapphire substrate, both one main surface and the other main surface of the sapphire substrate are lapped and polished, and then only one main surface is precisely processed by CMP or the like. Polishing is disclosed.
  • the present inventor has been studying bonding a large number of electronic components on a temporary fixing substrate made of glass or ceramics, and then temporarily fixing the electronic components with a resin mold. In this process, application of various support substrates as described in the prior art has been studied.
  • An object of the present invention is to suppress a mold defect due to a place on a temporarily fixed substrate and to improve a yield when a plurality of electronic components are fixed in a resin mold on the temporarily fixed substrate.
  • the present invention is a temporary fixing substrate comprising a fixing surface for bonding a plurality of electronic components and temporarily fixing with a resin mold, and a bottom surface on the opposite side of the fixing surface,
  • the temporarily fixed substrate When viewed in a cross section of the temporarily fixed substrate, the temporarily fixed substrate is warped so that the fixed surface has a convex shape upward from the temporarily fixed substrate, and the following expression (1) is satisfied. 0.45 ⁇ W 3/4 /W ⁇ 0.55 (1) (In Formula (1), The width of the fixed surface when viewed in the cross section of the temporarily fixed substrate is W, Let W 3/4 be the width of a region where the height of the fixed surface relative to the reference surface of warpage of the temporarily fixed substrate is 3/4 or more of the maximum height of the fixed surface relative to the reference surface. )
  • the present invention is a temporary fixing substrate having a fixing surface for bonding a plurality of electronic components and temporarily fixing with a resin mold, and a bottom surface on the opposite side of the fixing surface, the cross section of the temporary fixing substrate
  • the temporary fixing substrate is warped so that the fixing surface has a convex shape upward from the temporary fixing substrate, and a temporary fixing substrate satisfying the following formula (1) is prepared, and the temporary fixing substrate is fixed.
  • the electronic component is bonded to a surface and temporarily fixed by the resin mold.
  • the present inventor investigated the cause of mold failure depending on the location on the temporarily fixed substrate when fixing a plurality of electronic components on the temporarily fixed substrate in the resin mold. As a result, it has been found that mold defects are likely to occur at the peripheral edge and the center of the temporarily fixed substrate. If there is a mold failure at the periphery of the temporarily fixed substrate, a mold failure is less likely to occur at the center, and if a mold failure occurs at the center of the temporarily fixed substrate, a mold failure occurs at the periphery. It was hard to occur.
  • the present inventor has found that when an electronic component is bonded onto a temporarily fixed substrate and a liquid molding agent is poured, a filling failure of the molding agent is likely to occur locally. Then, attention was paid to the fine shape of the fixed surface (installation surface) of the temporarily fixed substrate. That is, the normal temporary fixing substrate is warped so as to be slightly convex toward the fixing surface, but this convex shape is a shape close to an arc.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state in which a temporarily fixed substrate 2 according to an embodiment of the present invention is installed on a surface plate 1.
  • FIG. 2 is a plan view showing a fixing surface of the temporary fixing substrate 2. It is a cross-sectional view showing a state where the temporarily fixed substrate 12 of the comparative example is installed on the surface plate 1.
  • A shows a state in which the adhesive 3 is provided on the fixing surface 2a of the temporary fixing substrate 2
  • (b) shows a state in which the electronic component 4 is bonded to the fixing surface 2a of the temporary fixing substrate 2
  • the bottom surface 2 b of the temporarily fixed substrate 2 is installed on the surface 1 a of the surface plate 1.
  • the fixing surface 2a of the temporary fixing substrate is provided on the opposite side of the bottom surface 2b.
  • T the thickness of the temporarily fixed substrate 2
  • the temporarily fixed substrate 2 is slightly warped upward
  • the fixed surface 2a is slightly convex toward the upper side.
  • the curvature is exaggerated for the sake of understanding.
  • the temporarily fixed substrate is warped and fixed so that the fixed surface 2a is convex upward from the temporarily fixed substrate 2 when viewed in a cross section of the temporarily fixed substrate 2.
  • the surface 2a satisfies the following formula (1). 0.45 ⁇ W 3/4 /W ⁇ 0.55 (1)
  • the temporarily fixed substrate 2 is installed on the surface 1 a of the surface plate 1.
  • the bottom surface 2b of the temporarily fixed substrate contacts the surface 1a, and the temporarily fixed substrate 2 is supported.
  • the temporarily fixed substrate is warped so as to be slightly convex upward.
  • the width of the fixed surface 2 a when viewed in a cross section of the temporarily fixed substrate 2 is defined as W.
  • a plane that passes through the point O where the distance between the fixed surface 2a of the temporarily fixed substrate 2 and the surface 1a of the surface plate 1 is minimum and is parallel to the surface 1a of the surface plate 1 is used as a reference for the warp of the temporarily fixed substrate 2. Let it be surface R.
  • the height of the fixed surface 2a with respect to the reference surface R is measured.
  • a point having a height of 0 is O
  • a point having the maximum height is P
  • a maximum value of the height is HP.
  • a point at which the height of the fixed surface 2a with respect to the reference surface R is 3/4 (H 3/4 ) of the maximum value HP is P 3/4
  • the height of the fixed surface 2a with respect to the reference surface R is the maximum value HP.
  • the width of a region that is equal to or greater than 3/4 (H 3/4 ) is W 3/4 .
  • W 3/4 / W when W 3/4 / W is set to 0.45 or more and 0.55 or less, when an electronic component is fixed on the temporarily fixed substrate with a resin mold, mold failure due to a place can be suppressed.
  • the reason for this is not clear, but is thought to be as follows.
  • W 3/4 / W is 0.50, which means that the shape of the fixed surface is a parabolic shape or a shape close to a parabola. With such a shape, it is considered that when the liquid molding agent is poured between the electronic components on the temporarily fixed substrate, the molding agent is appropriately disposed over the entire fixing surface, and molding defects are unlikely to occur.
  • W 3/4 / W is less than 0.45, mold defects frequently occur at the center portion of the fixing surface of the temporary fixing substrate, so that it is 0.45 or more, but 0.48 or more is more preferable.
  • W 3/4 / W exceeds 0.55, mold defects frequently occur at the peripheral portion of the fixed surface. Therefore, it is set to 0.55 or less, but more preferably 0.52 or less.
  • the fixed surface has a substantially parabolic shape.
  • FIG. 1 A method for measuring the height of the fixed surface from the reference surface will be described.
  • a temporarily fixed substrate is installed on the surface plate 1.
  • the fixing surface 2a of the temporary fixing substrate 2 is divided in eight directions. The direction is determined in increments of 45 ° with the notch being the reference point being 0 °.
  • measurement is performed toward four lines of “0 ° -180 °”, “45 ° -225 °”, “90 ° -270 °”, and “135 ° -315 °”.
  • each measurement point is set at equal intervals of 1 mm pitch for each line.
  • a laser displacement meter “(LK-H027K manufactured by Keyence Corporation)” is used for measuring the height of the fixed surface from the reference surface. Then, as described with reference to FIGS. 1 and 2, when the maximum height is HP, the number of measurement points at which the height is 3/4 ⁇ P or more is measured. Then, (the number of measurement points whose height is 3/4 ⁇ P or more) / (the number of all measurement points) is defined as (W 3/4 / W). In addition, when only 9 or less measurement points having a height of 3/4 ⁇ P or more are continuous, the measurement abnormal point is “number of measurement points having a height of 3/4 ⁇ P or more”. Not included.
  • the temporarily fixed substrate is warped so that the fixed surface of the temporarily fixed substrate when viewed in cross section forms a convex shape toward the side opposite to the bottom surface.
  • the convex figure means that a line segment connecting any two points on the outer contour line of the fixed surface is located inside the temporarily fixed substrate as viewed from the contour line of the fixed surface. Therefore, the case where a concave portion is provided on the fixed surface or a flat surface is provided is excluded.
  • the flat surface 13 is provided in the center part of the fixed surface 12a.
  • 12b is a bottom surface.
  • the line segment connecting the contour lines of the fixed surface does not enter the temporary fixed substrate and may be positioned on the flat surface 13, so that the fixed surface forms a convex figure toward the upper side. I can not say.
  • W 3/4 / W is 0.45 to 0.55.
  • a concave surface is provided in the fixed surface.
  • the ratio (HP / T) of the height of the fixed surface of the temporarily fixed substrate to the maximum thickness is preferably 0.1 to 0.5, more preferably 0.125 to 0.25. preferable.
  • the thickness T is preferably 0.3 mm to 3 mm, and more preferably 0.5 to 1.5.
  • the adhesive layer 3 is provided on the fixing surface 2 a of the temporary fixing substrate 2.
  • adhesives include double-sided tapes and hot melt adhesives.
  • various methods such as roll coating, spray coating, screen printing, and spin coating can be employed.
  • FIG. 4B a large number of electronic components 4 are placed on the temporary fixing substrate 2, and the adhesive layer is cured to form the adhesive layer 3A.
  • this hardening process is performed according to the property of an adhesive agent, a heating and ultraviolet irradiation can be illustrated.
  • a liquid resin molding agent is poured to cure the resin molding agent.
  • the electronic component 4 is fixed in the resin mold 6 as shown in FIG.
  • 6b is a resin that fills the gap 5 of the electronic component
  • 6a is a resin that covers the electronic component.
  • Examples of the mold resin used in the present invention include epoxy resins, polyimide resins, polyurethane resins, and urethane resins.
  • the electronic component and the mold resin are separated from the temporarily fixed substrate.
  • This separation method is not limited.
  • the electronic component and the resin mold can be separated from the temporarily fixed substrate by irradiating ultraviolet rays from the bottom surface 2b side of the temporarily fixed substrate.
  • the material of the temporarily fixed substrate is not particularly limited, but preferably has mechanical strength and durability against chemicals.
  • the temporarily fixed substrate is made of alumina, silicon nitride, aluminum nitride, or silicon oxide. These are easy to increase the density and have high durability against chemicals.
  • the material constituting the temporarily fixed substrate is translucent alumina.
  • a magnesium oxide powder having a purity of 99.9% or more (preferably 99.95% or more) and a magnesium oxide powder of 100 ppm or more and 300 ppm or less is added.
  • high-purity alumina powder include high-purity alumina powder manufactured by Daimei Chemical Co., Ltd.
  • the purity of the magnesium oxide powder is preferably 99.9% or more, and the average particle size is preferably 50 ⁇ m or less.
  • alumina powder it is preferable to add 200 to 800 ppm of zirconia (ZrO 2 ) and 10 to 30 ppm of yttria (Y 2 O 3 ) to the alumina powder as a sintering aid.
  • ZrO 2 zirconia
  • Y 2 O 3 yttria
  • the method for forming the temporarily fixed substrate is not particularly limited, and may be any method such as a doctor blade method, an extrusion method, or a gel cast method.
  • the base substrate is manufactured using a gel cast method.
  • a slurry containing a ceramic powder, a dispersion medium and a gelling agent is produced, and this slurry is cast and gelled to obtain a molded body.
  • a release agent is applied to the mold, the mold is assembled, and the slurry is cast.
  • the gel is cured in the mold to obtain a molded body, and the molded body is released from the mold. The mold is then washed.
  • the gel molded body is dried, preferably calcined in the air, and then calcined in hydrogen.
  • the sintering temperature during the main calcination is preferably 1700 to 1900 ° C., more preferably 1750 to 1850 ° C., from the viewpoint of densification of the sintered body.
  • an additional annealing treatment can be performed to correct the warp.
  • This annealing temperature is preferably within the maximum temperature ⁇ 100 ° C. during firing from the viewpoint of promoting the discharge of the sintering aid while preventing deformation and abnormal grain growth, and the maximum temperature is 1900 ° C. or less. More preferably it is.
  • the annealing time is preferably 1 to 6 hours.
  • a temporarily fixed substrate having a form as shown in FIG. 1 or FIG. 3 was produced. Specifically, first, a slurry in which the following components were mixed was prepared.
  • the slurry was cast in an aluminum alloy mold at room temperature and then left at room temperature for 1 hour. Subsequently, it was left to stand at 40 ° C. for 30 minutes, and after solidification proceeded, it was released from the mold. Furthermore, it was left to stand at room temperature and then at 90 ° C. for 2 hours to obtain a plate-like powder compact.
  • the obtained powder compact is calcined at 1100 ° C. in the air (preliminary firing), then fired at 1750 ° C. in an atmosphere of hydrogen 3: nitrogen 1 and then annealed under the same conditions to obtain a blank substrate. It was.
  • High-precision polishing was performed on the produced blank substrate. First, the shape was adjusted by double-sided lapping with green carbon, and then double-sided lapping with diamond slurry was performed. The particle size of diamond was 3 ⁇ m. Finally, CMP processing using SiO 2 abrasive grains and diamond abrasive grains was performed only on one side, and cleaning was performed to obtain a 12-inch temporarily fixed substrate.
  • the shape of the fixed surface when viewed in the cross section of the temporarily fixed substrate was changed as shown in Table 1.
  • a flat surface having a width of 50 mm was provided, and in Comparative Example 4, a recess having a width of 50 mm and a depth of 0.1 mm was provided.
  • the form of the fixed surface of the temporarily fixed substrate was controlled by the processing conditions of the single-side CMP.
  • Examples 1 to 3 of the present invention a high yield was obtained in the molding process.
  • the shape of the fixed surface is convex upward, but W 3/4 / W is as small as 0.43, a mold failure occurs in the central portion of the fixed surface, and the yield is high. Declined.
  • the shape of the fixed surface is convex upward, but W 3/4 / W is as large as 0.57, a mold failure occurs at the peripheral portion of the fixed surface, and the yield is high. Declined.
  • Comparative Example 3 a flat surface was provided at the center portion of the fixed surface, and a concave portion was provided in Comparative Example 4. However, in all cases, the yield was reduced.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

仮固定基板２は、複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面２ａと、固定面の反対側にある底面２ｂとを備える。仮固定基板２の横断面で見たときに固定面２ａが仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように仮固定基板が反っており、式（１）を満足する。 ０．４５　≦　Ｗ３／４／Ｗ　≦　０．５５　・・・　（１） （仮固定基板の横断面で見たときの固定面の幅をＷとし、仮固定基板の反りの基準面に対する固定面の高さが、基準面に対する固定面の高さの最大値の３／４以上になる領域の幅をＷ３／４とする。）

Description

仮固定基板および電子部品の仮固定方法
　本発明は、電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面と、前記固定面の反対側にある底面とを備える仮固定基板に関するものである。
　ガラスやセラミックスからなる支持基板上にシリコン等からなる電子部品を接着し、固定する方法が知られている（特許文献１、２、３）。これらの従来技術では、熱硬化性樹脂によって電子部品を支持基板に対して接着し、冷却することで接合体を得る。この場合、支持基板の反りを調節することで、接合体の反りを少なくすることを試みている。また、支持基板の反りは、研磨方法の変更や、加工変質層の除去によって調節している。
　また、特許文献４では、サファイア基板の表面に発光ダイオードを設置するのに際して、サファイア基板の一方の主面および他方の主面の両方をラッピング研磨した後、一方の主面だけをＣＭＰ等によって精密研磨することを開示している。
特開２０１１－０２３４３８ 特開２０１０－０５８９８９ 特許５３０４１１２ 特開２０１６－１３９７５１
　本発明者は、ガラスやセラミックスからなる仮固定基板上に多数の電子部品を接着し、次いで電子部品を樹脂モールドで仮固定することを検討していた。この過程で、従来技術に記載のような各種の支持基板の適用を検討してきた。
　しかし、複数の電子部品を仮固定基板上に接着した後樹脂モールドで仮固定する場合には、特有の問題が生じてくることがわかった。すなわち、仮固定基板上に複数の電子部品を接着した後、液状の樹脂モールド剤を流し込み、ついで加熱によって樹脂モールド剤を固化させて樹脂モールド中に複数の電子部品を固定する。そして、仮固定基板側から紫外線を照射することで、樹脂モールドと仮固定基板とを分割し、これによって複数の電子部品を樹脂モールドとともに仮固定基板から分離する。
　ところが、樹脂モールド中に複数の電子部品を仮固定する段階で、仮固定の状態が不良な電子部品が発生し、歩留りが低下することがあった。すなわち、液状の樹脂モールド剤を仮固定基板上に流し込み、電子部品の隙間に供給し、その状態で加熱して固化させるのであるが、仮固定基板の例えば外周部分に配置された電子部品が固定不良となったり、中心部に配置された電子部品が固定不良となったりして、全体に均一な固定状態を得ることが難しかった。このように、仮固定基板上の局所的な固定不良によって、歩留り低下を招くため、解決が必要である。
　本発明の課題は、仮固定基板上で複数の電子部品を樹脂モールド内に固定するのに際して、仮固定基板上の場所によるモールド不良を抑制し、歩留りを向上させることである。
　本発明は、複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面と、前記固定面の反対側にある底面とを備える仮固定基板であって、
　仮固定基板の横断面で見たときに固定面が仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように仮固定基板が反っており、下記式（１）を満足することを特徴とする。
 
　０．４５　≦　Ｗ３／４／Ｗ　≦　０．５５　・・・　（１）
 
（式（１）において、
　前記仮固定基板の前記横断面で見たときの前記固定面の幅をＷとし、
　前記仮固定基板の反りの基準面に対する前記固定面の高さが、前記基準面に対する前記固定面の高さの最大値の３／４以上になる領域の幅をＷ３／４とする。）
　また、本発明は、複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面と、固定面の反対側にある底面とを備える仮固定基板であって、仮固定基板の横断面で見たときに固定面が仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように仮固定基板が反っており、下記式（１）を満足する仮固定基板を準備し、仮固定基板の固定面に前記電子部品を接着し、前記樹脂モールドによって仮固定することを特徴とする。
 
　０．４５　≦　Ｗ３／４／Ｗ　≦　０．５５　・・・　（１）
 
（式（１）において、
　前記仮固定基板の前記横断面で見たときの前記固定面の幅をＷとし、
　前記仮固定基板の反りの基準面に対する前記固定面の高さが、前記基準面に対する前記固定面の高さの最大値の３／４以上になる領域の幅をＷ３／４とする。）
　本発明者は、仮固定基板上で複数の電子部品を樹脂モールド内に固定するのに際して、仮固定基板上の場所によってモールド不良が生ずる原因について調査した。この結果、仮固定基板の周縁部や中心部でモールド不良が生じやすいことを見いだした。そして、仮固定基板の周縁部においてモールド不良が生じていた場合には、中心部ではモールド不良が生じにくく、仮固定基板の中心部でモールド不良が生じていた場合には、周縁部ではモールド不良が生じにくかった。
　本発明者は、こうした現象を検討した結果、仮固定基板上に電子部品を接着して液状モールド剤を流し込んだときに、モールド剤の充填不良が局所的に生じやすいことを見いだした。そして、仮固定基板の固定面（設置面）の微細形状に着目した。すなわち、通常の仮固定基板は、固定面の方向に向かって僅かに凸となるように反っているが、この凸形状が円弧に近い形状であった。しかし、仮固定基板の横断面で見たときの固定面の形状を放物線または放物線に近い形状とすることで（すなわち上述した式（１）を満足する形状とすることで）、仮固定基板上における電子部品のモールド不良が生じにくくなり、モールド工程の歩留りが向上することを見いだし、本発明に到達した。
図１は、本発明の実施形態に係る仮固定基板２を定盤１上に設置した状態を示す横断面図である。 図２は、仮固定基板２の固定面を示す平面図である。 比較例の仮固定基板１２を定盤１上に設置した状態を示す横断面図である。 （ａ）は、仮固定基板２の固定面２ａに接着剤３を設けた状態を示し、（ｂ）は、仮固定基板２の固定面２ａに電子部品４を接着した状態を示し、（ｃ）は、電子部品４を樹脂モールド６によって仮固定した状態を示す。
　図１においては、定盤１の表面１ａ上に仮固定基板２の底面２ｂが設置されている。仮固定基板の固定面２ａは底面２ｂの反対側に設けられている。ここで、仮固定基板２の厚さはＴであるが、仮固定基板２は上側に向かって僅かに反っており、固定面２ａは上側に向かって僅かに凸形状となっている。ただし、図面では、理解のために湾曲を誇張して図示している。
　ここで、本発明においては、仮固定基板２の横断面で見たときに固定面２ａが仮固定基板２から上に向かって凸形状をなすように仮固定基板が反っており、かつ、固定面２ａが下記式（１）を満足する。
 
　０．４５　≦　Ｗ３／４／Ｗ　≦　０．５５　・・・　（１）
 
　仮固定基板２を定盤１の表面１ａ上に設置したものとする。仮固定基板の底面２ｂが表面１ａに接触し、仮固定基板２が支持される。この状態で、仮固定基板は上方に向かって僅かに凸となるように反っている。ここで、仮固定基板２の横断面で見たときの固定面２ａの幅をＷとする。また、仮固定基板２の固定面２ａと定盤１の表面１ａとの間隔が最小の点Ｏを通過し、かつ定盤１の表面１ａに平行な平面を、仮固定基板２の反りの基準面Ｒとする。
　そして、基準面Ｒに対する固定面２ａの高さを測定する。ここで、高さ０の点をＯとし、高さが最大の点をＰとし、高さの最大値をＨＰとする。また、基準面Ｒに対する固定面２ａの高さが最大値ＨＰの３／４（Ｈ３／４）となる点をＰ３／４とし、基準面Ｒに対する固定面２ａの高さが最大値ＨＰの３／４（Ｈ３／４）以上となる領域の幅をＷ３／４とする。
　この場合に、Ｗ３／４／Ｗを０．４５以上、０．５５以下とすることによって、仮固定基板上に電子部品を樹脂モールドで固定したときに、場所によるモールド不良を抑制できる。この理由は明確ではないが、次のように考えられる。固定面の形状が放物線形状であると、Ｗ３／４／Ｗが０．５０となるので、固定面の形状は放物線形状であるか、または放物線に近い形状であることを意味する。こうした形状になっていると、仮固定基板上の電子部品の間に液状のモールド剤を流し込むときに、モールド剤が固定面の全面にわたって適度に配置され、モールド不良が生じにくいものと考えられる。
　ここで、Ｗ３／４／Ｗが０．４５未満であると、仮固定基板の固定面の中心部でモールド不良が多発するので、０．４５以上とするが、０．４８以上が更に好ましい。また、Ｗ３／４／Ｗが０．５５を越えると、固定面の周縁部でモールド不良が多発するので、０．５５以下とするが、０．５２以下とすることが更に好ましい。特に好ましくは、固定面の形状が略放物線形状である。
　固定面の基準面からの高さの測定方法について述べる。
　図１に示すように定盤１上に仮固定基板を設置する。そして、図２に示すように、仮固定基板２の固定面２ａを８方向に向かって分割する。そして、基準点であるノッチ（notch）を0°として、45°刻みで方向を決める。そして、「0°-180°」「45°-225°」「90°-270°」「135°-315°」の４ラインに向かって測定を行う。具体的には、各ライン毎に、１ｍｍピッチの等間隔に各測定ポイントを設定する。測定ポイント数は、例えば１２インチ基板では、基板１枚あたり1200ポイント（=300ポイント×4ライン）になる。
　固定面の基準面からの高さの測定には、レーザ変位計「（LK-H027K　キーエンス社製）」を用いる。そして、図１、図２を参照しつつ説明したようにして、高さの最大値をＨＰとしたとき、高さが３／４×Ｐ以上となる測定点の数を計測する。そして、（高さが３／４×Ｐ以上となる測定点の数）／（全測定点の数）を（Ｗ３／４／Ｗ）とする。
　なお、高さが３／４×Ｐ以上となる測定点が９個以下しか連続していない場合には、測定異常点として、「高さが３／４×Ｐ以上となる測定点の数」に含めない。
　本発明では、横断面でみたときの仮固定基板の固定面が、底面と反対側に向かって凸図形をなすように仮固定基板が反っている。ここで、凸図形とは、固定面の外側輪郭線の任意の二点を結ぶ線分が、固定面の輪郭線から見て仮固定基板の内部に位置することを意味する。ゆえに、固定面に凹部が設けられていたり、平坦面が設けられている場合は除く。
　例えば、図３の仮固定基板１２においては、固定面１２ａの中心部分に平坦面１３が設けられている。１２ｂは底面である。この場合には、固定面の輪郭線を結ぶ線分が仮固定基板の内部に入らず、平坦面１３に位置することがあるので、固定面が上側に向かって凸図形をなしているとは言えない。この場合には、Ｗ３／４／Ｗが０．４５～０．５５の場合であっても、本発明の効果は得られないことがわかった。更に、固定面中に凹面が設けられている場合にも同様である。
　仮固定基板の固定面の高さの最大値の厚さに対する比率（ＨＰ／Ｔ）は、本発明の観点からは、０．１～０．５が好ましく、０．１２５～０．２５が更に好ましい。また、厚さＴは、０．３ｍｍ～３ｍｍが好ましく、０．５～１．５が更に好ましい。
　以下、仮固定基板上に電子部品を仮固定するプロセスについて述べる。まず、図４（ａ）に示すように、仮固定基板２の固定面２ａ上に接着剤層３を設ける。
　こうした接着剤としては、両面テープやホットメルト系の接着剤などを例示できる。また、接着剤層を仮固定基板上に設ける方法としては、ロール塗布、スプレー塗布、スクリーン印刷、スピンコートなど種々の方法を採用できる。
　次いで、図４（ｂ）に示すように、仮固定基板２上に多数の電子部品４を設置し、接着剤層を硬化させて接着層３Ａを形成する。この硬化工程は、接着剤の性質に合わせて行うが、加熱、紫外線照射を例示できる。
　次いで、液状の樹脂モールド剤を流し込み、樹脂モールド剤を硬化させる。これによって、図４（ｃ）に示すように、樹脂モールド６内に電子部品４を固定する。ただし、６ｂは、電子部品の隙間５を充填する樹脂であり、６ａは、電子部品を被覆する樹脂である。
　本発明で用いるモールド樹脂としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ウレタン系樹脂などが挙げられる。
　次いで、電子部品およびモールド樹脂を仮固定基板から分離する。この分離方法は限定されない。好ましくは、紫外線を仮固定基板の底面２ｂ側から照射することで、電子部品および樹脂モールドを仮固定基板から分離できる。
　仮固定基板の材質は特に限定されないが、機械的強度および薬品に対する耐久性を有することが好ましい。好適な実施形態においては、仮固定基板が、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウムまたは酸化珪素からなる。これらは緻密性を高くしやすく、薬品に対する耐久性が高い。
　好適な実施形態においては、仮固定基板を構成する材料が透光性アルミナである。この場合、好ましくは純度９９．９％以上（好ましくは９９．９５％以上）の高純度アルミナ粉末に対して、１００ｐｐｍ以上、３００ｐｐｍ以下の酸化マグネシウム粉末を添加する。このような高純度アルミナ粉末としては、大明化学工業株式会社製の高純度アルミナ粉体を例示できる。また、この酸化マグネシウム粉末の純度は９９．９％以上が好ましく、平均粒径は50μｍ以下が好ましい。
　また、好適な実施形態においては、焼結助剤として、アルミナ粉末に対して、ジルコニア（ＺｒＯ２）を２００～８００ｐｐｍ、イットリア（Ｙ２Ｏ３）を１０～３０ｐｐｍ添加することが好ましい。
　仮固定基板の成形方法は特に限定されず、ドクターブレード法、押し出し法、ゲルキャスト法など任意の方法であってよい。特に好ましくは、ベース基板をゲルキャスト法を用いて製造する。
　好適な実施形態においては、セラミック粉末、分散媒およびゲル化剤を含むスラリーを製造し、このスラリーを注型し、ゲル化させることによって成形体を得る。ここで、ゲル成形の段階では、型に離型剤を塗布し、型を組み、スラリーを注型する。次いで、ゲルを型内で硬化させて成形体を得、成形体を離型する。次いで型を洗浄する。
　次いで、ゲル成形体を乾燥し、好ましくは大気中で仮焼し、次いで、水素中で本焼成する。本焼成時の焼結温度は、焼結体の緻密化という観点から、１７００～１９００℃が好ましく、１７５０～１８５０℃が更に好ましい。
　また、焼成時に十分に緻密な焼結体を生成させた後に、更に追加でアニール処理を実施することで反り修正を行うことができる。このアニール温度は、変形や異常粒成長発生を防止しつつ、焼結助剤の排出を促進するといった観点から焼成時の最高温度±１００℃以内であることが好ましく、最高温度が１９００℃以下であることが更に好ましい。また、アニール時間は、１～６時間であることが好ましい。
　図１または図３に示すような形態の仮固定基板を作製した。
　具体的には、まず、以下の成分を混合したスラリーを調製した。
（原料粉末）
　・比表面積３．５～４．５ｍ２／ｇ、平均一次粒子径０．３５～０．４５μｍのα－アルミナ粉末　　　　　　　　　　　１００重量部
　・ＭｇＯ（マグネシア）　　　　　　　　　　０．０２５重量部
　・ＺｒＯ２（ジルコニア）　　　　　　　　　 ０．０４０重量部
　・Ｙ２Ｏ３（イットリア）　　　　　　　　　０．００１５重量部
（分散媒）
　・グルタル酸ジメチル　　　　　　　　　　　　　　２７重量部
　・エチレングリコール　　　　　　　　　　　　　０．３重量部
（ゲル化剤）
　・ＭＤＩ樹脂　　　　　　　　　　　　　　　　　　　４重量部
（分散剤）
　・高分子界面活性剤　　　　　　　　　　　　　　　　３重量部
（触媒）
　・Ｎ，Ｎ-ジメチルアミノヘキサノール　　　　　　０．１重量部
　このスラリーを、アルミニウム合金製の型に室温で注型の後、室温で１時間放置した。次いで４０℃で３０分放置し、固化を進めてから、離型した。さらに、室温、次いで９０℃の各々にて２時間放置して、板状の粉末成形体を得た。
　得られた粉末成形体を、大気中１１００℃で仮焼（予備焼成）の後、水素３：窒素１の雰囲気中１７５０℃で焼成を行い、その後、同条件でアニール処理を実施し、ブランク基板とした。
　作製したブランク基板に高精度研磨加工を実施した。まず、グリーンカーボンによる両面ラップ加工により形状を整えた後、ダイヤモンドスラリーによる両面ラップ加工を実施した。ダイヤモンドの粒径は３μｍとした。最後にＳｉＯ２砥粒とダイヤモンド砥粒によるＣＭＰ加工を片面のみ実施し、洗浄を実施し、１２インチの仮固定基板を得た。
　ただし、仮固定基板の横断面でみたときの固定面の形状は、表１に示すように変更した。特に、比較例３では、幅５０ｍｍの平坦面を設け、比較例４では、幅５０ｍｍ、深さ０．１ｍｍの凹部を設けた。
　なお、仮固定基板の固定面の形態は、片面CMPの加工条件によって制御した。
　次いで、仮固定基板上に接着剤（UV剥離テープ SELFA-SE（積水化学工業社製）を塗布し、２mm角の電子部品を７，５００個縦横に規則的に配置した。次いで２００℃で加熱して接着剤を硬化させた。次いで、モールド樹脂（R4212-2C（ナガセケムテックス社製）を流し込み、加熱することで硬化させ、電子部品を樹脂モールドで固定した。最終的に、モールド状態の良、不良を観測し、モールド工程の歩留りを算出した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　本発明の実施例１～３では、モールド工程で高い歩留りが得られた。
　比較例１では、固定面の形状が上に向かって凸図形をなしているが、しかしＷ３／４／Ｗが０．４３と小さく、固定面の中央部分でモールド不良が発生し、歩留りが低下した。
　比較例２では、固定面の形状が上に向かって凸図形をなしているが、しかしＷ３／４／Ｗが０．５７と大きく、固定面の周縁部分でモールド不良が発生し、歩留りが低下した。
　比較例３では、固定面の中央部分に平坦面を設け、比較例４では凹部を設けたが、いずれも歩留りが低下していた。

 

Claims (8)

  1. 　複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面と、前記固定面の反対側にある底面とを備える仮固定基板であって、
    　前記仮固定基板の横断面で見たときに前記固定面が前記仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように前記仮固定基板が沿っており、
    前記仮固定基板の前記横断面で見たときの前記固定面の幅をＷとし、
    　前記仮固定基板の反りの基準面に対する前記固定面の高さが、前記基準面に対する前記固定面の高さの最大値の３／４以上になる領域の幅をＷ３／４としたときに、
    　下記式（１）を満足することを特徴とする、仮固定基板。
     
    　０．４５　≦　Ｗ３／４／Ｗ　≦　０．５５　・・・　（１）
     
  2. 　前記仮固定基板の前記横断面で見たときの前記固定面の形状が略放物線状であることを特徴とする、請求項１記載の仮固定基板。
  3. 　前記仮固定基板がガラス、シリコンまたはセラミックスからなることを特徴とする請求項１または２記載の仮固定基板。
  4. 　前記仮固定基板が透光性アルミナからなることを特徴とする、請求項３記載の仮固定基板。
  5. 　複数の電子部品を接着し、樹脂モールドで仮固定するための固定面と、前記固定面の反対側にある底面とを備える仮固定基板であって、前記仮固定基板の横断面で見たときに前記固定面が前記仮固定基板から上に向かって凸形状をなすように前記仮固定基板が沿っており、
    前記仮固定基板の前記横断面で見たときの前記固定面の幅をＷとし、
    　前記仮固定基板の反りの基準面に対する前記固定面の高さが、前記基準面に対する前記固定面の高さの最大値の３／４以上になる領域の幅をＷ３／４としたときに、下記式（１）を満足する仮固定基板を準備し、前記仮固定基板の前記固定面に前記電子部品を接着し、前記樹脂モールドによって仮固定することを特徴とする、電子部品の仮固定方法。
     
    　０．４５　≦　Ｗ３／４／Ｗ　≦　０．５５　・・・　（１）
     
  6. 　前記仮固定基板の前記横断面で見たときの前記固定面の形状が略放物線状であることを特徴とする、請求項５記載の方法。
  7. 　前記仮固定基板がガラス、シリコンまたはセラミックスからなることを特徴とする、請求項５または６記載の方法。
  8. 　前記仮固定基板が透光性アルミナからなることを特徴とする、請求項７記載の方法。

     
PCT/JP2018/002371 2017-03-30 2018-01-26 仮固定基板および電子部品の仮固定方法 Ceased WO2018179766A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020197031681A KR102519901B1 (ko) 2017-03-30 2018-01-26 가고정 기판 및 전자 부품의 가고정 방법
JP2018534891A JP6430081B1 (ja) 2017-03-30 2018-01-26 仮固定基板および電子部品の仮固定方法
CN201880015995.5A CN110462804B (zh) 2017-03-30 2018-01-26 临时固定基板以及电子部件的临时固定方法
US16/585,526 US20200027771A1 (en) 2017-03-30 2019-09-27 Temporary-fixing substrate and method for temporarily fixing electronic component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017066812 2017-03-30
JP2017-066812 2017-03-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/585,526 Continuation US20200027771A1 (en) 2017-03-30 2019-09-27 Temporary-fixing substrate and method for temporarily fixing electronic component

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018179766A1 true WO2018179766A1 (ja) 2018-10-04

Family

ID=63674950

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/002371 Ceased WO2018179766A1 (ja) 2017-03-30 2018-01-26 仮固定基板および電子部品の仮固定方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20200027771A1 (ja)
JP (1) JP6430081B1 (ja)
KR (1) KR102519901B1 (ja)
CN (1) CN110462804B (ja)
TW (1) TWI770110B (ja)
WO (1) WO2018179766A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN120752734A (zh) 2023-03-17 2025-10-03 日本碍子株式会社 临时固定基板、以及临时固定基板的制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149991A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Kyocera Corp 回路モジュールの製造方法
JP2012062372A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。
US20160365319A1 (en) * 2015-06-11 2016-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer level package

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS525889A (en) 1975-07-04 1977-01-17 Asahi Glass Co Ltd Process for the preparation of an improved fluoropolymer containing io n-exchange groups
JP4154306B2 (ja) * 2003-09-29 2008-09-24 富士通株式会社 リジット基板を用いた半導体装置の製造方法
JP5304112B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-02 日本電気硝子株式会社 薄膜付きガラス基板の製造方法
US20100066683A1 (en) * 2008-09-17 2010-03-18 Shih-Chang Chang Method for Transferring Thin Film to Substrate
JP2011023438A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Nippon Electric Glass Co Ltd 基板接合体の製造方法
TWI630652B (zh) * 2014-03-17 2018-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. 基板處理裝置及使用基板處理裝置之基板處理方法
DE102014106100A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-05 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Vergleichmäßigen eines Substratstapels
US9475272B2 (en) * 2014-10-09 2016-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. De-bonding and cleaning process and system
JP6557960B2 (ja) * 2014-10-31 2019-08-14 日立化成株式会社 半導体装置製造用部材、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
EP3216049B1 (de) * 2014-11-05 2021-06-16 EV Group E. Thallner GmbH Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines produktsubstrats
KR102483237B1 (ko) * 2014-12-10 2022-12-30 가부시키가이샤 니콘 기판 겹침 장치 및 기판 겹침 방법
KR20160085967A (ko) * 2015-01-08 2016-07-19 삼성디스플레이 주식회사 곡면형 표시장치용 기판 및 이의 제조방법
JP2016139751A (ja) 2015-01-29 2016-08-04 住友金属鉱山株式会社 サファイア基板の研磨方法及び得られるサファイア基板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007149991A (ja) * 2005-11-28 2007-06-14 Kyocera Corp 回路モジュールの製造方法
JP2012062372A (ja) * 2010-09-14 2012-03-29 Nitto Denko Corp 半導体装置製造用耐熱性粘着テープ及びそのテープを用いた半導体装置の製造方法。
US20160365319A1 (en) * 2015-06-11 2016-12-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Wafer level package

Also Published As

Publication number Publication date
TW201838041A (zh) 2018-10-16
KR20190134682A (ko) 2019-12-04
US20200027771A1 (en) 2020-01-23
CN110462804A (zh) 2019-11-15
CN110462804B (zh) 2023-03-14
TWI770110B (zh) 2022-07-11
JPWO2018179766A1 (ja) 2019-04-04
JP6430081B1 (ja) 2018-11-28
KR102519901B1 (ko) 2023-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101142000B1 (ko) 정전척
JP2010016176A (ja) 試料保持具
JP4942364B2 (ja) 静電チャックおよびウェハ保持部材並びにウェハ処理方法
EP2930751A1 (en) Handle substrate for compound substrate for use with semiconductor
US9538653B2 (en) Insulating substrates including through holes
US7646580B2 (en) Electrostatic chuck and wafer holding member and wafer treatment method
JP6430081B1 (ja) 仮固定基板および電子部品の仮固定方法
US20200027755A1 (en) Temporary-fixing substrate and method for molding electronic component
TWI815002B (zh) 暫時固定基板、複合基板及電子構件的剝離方法
KR101642671B1 (ko) 반도체용 복합 기판의 핸들 기판 및 반도체용 복합 기판
JP7303081B2 (ja) 仮固定基板、複合基板および電子部品の剥離方法
JP7266036B2 (ja) 仮固定基板、仮固定方法および電子部品の製造方法
KR102270392B1 (ko) 웨이퍼 연마 헤드, 웨이퍼 연마 헤드의 제조방법 및 그를 구비한 웨이퍼 연마 장치
JP2023149989A (ja) 仮固定基板、仮固定基板の製造方法、および電子部品の仮固定方法
JP4795529B2 (ja) セラミック基板、薄膜回路基板およびセラミック基板の製造方法
JP2022048078A (ja) 複合焼結体、半導体製造装置部材および複合焼結体の製造方法
KR20250145080A (ko) 가고정 기판 및 가고정 기판의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018534891

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18774780

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20197031681

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18774780

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1