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WO2018141382A1 - Anlage und verfahren zum betreiben einer anlage - Google Patents

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Publication number
WO2018141382A1
WO2018141382A1 PCT/EP2017/052173 EP2017052173W WO2018141382A1 WO 2018141382 A1 WO2018141382 A1 WO 2018141382A1 EP 2017052173 W EP2017052173 W EP 2017052173W WO 2018141382 A1 WO2018141382 A1 WO 2018141382A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
local
control units
units
central
drive units
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2017/052173
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Markus Holz
Ulrich Bihr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss SMT GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss SMT GmbH filed Critical Carl Zeiss SMT GmbH
Priority to CN201780085276.6A priority Critical patent/CN110291462B/zh
Priority to PCT/EP2017/052173 priority patent/WO2018141382A1/de
Publication of WO2018141382A1 publication Critical patent/WO2018141382A1/de
Priority to US16/520,047 priority patent/US10838307B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70141—Illumination system adjustment, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of illumination system
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes

Definitions

  • the present invention relates to an installation, for example a lithography ⁇ system or a multi-mirror system, and a method of operating a plant.
  • the system or lithography system comprises a radiation source for generating radiation, a plurality of optical components for guiding the radiation in the system, a plurality of actuator sensor devices for the optical components and a control device for actuating the actuator sensor devices.
  • Microlithography is used to fabricate microstructured devices such as integrated circuits.
  • the microlithography phie farming is performed with a lithography system, which has a loading ⁇ lighting system and a projection system.
  • the image of an illuminated by the illumination system mask (reticle) is in this case (a silicon wafer z. B.) projected by the Pro ⁇ jetechnischssystems was bonded to a photosensitive layer (photoresist) be ⁇ -coated and which is arranged in the image plane of the projection system substrate to the Mask structure on the lichtempfind ⁇ Liche coating of the substrate to transfer.
  • EUV lithography systems are currently escape ⁇ oped which light having a wavelength in the range of 0.1 nm to 30 nm, from ⁇ particular from 4 nm to 6 nm, use.
  • reflective optics that is, mirrors
  • refractive optics that is, lenses
  • beamforming and beam projection should be performed in a vacuum.
  • the mirrors can z. B.
  • these actuators are assigned, which the driven via a control circuit ⁇ .
  • a control circuit ⁇ As part of the control loop apparatus for monitoring the tilt angle of a ⁇ respective mirror is provided.
  • WO 2009/100856 A1 discloses a faceted mirror for a projection exposure apparatus of a lithography system which has a large number of individually displaceable individual mirrors. To ensure the optical Qua ⁇ formality a projection exposure apparatus, a very precise Po is the displaceable individual mirrors sitioning necessary.
  • displaceable individual mirror actuator devices are used for the displacement of the individual mirrors and sensor devices for determining the positions of the individual mirror.
  • the actuator means and the sensor means comprise a vacuum arranged in the housing of the lithography tool
  • An horremrich ⁇ processing is used.
  • This drive means is adapted for driving the plurality of actuator means and sensor means in the vacuum housing of the Litho ⁇ graphiestrom.
  • an object of the present invention is to provide an improved system, for example an improved lithography system.
  • a system which comprises a radiation source for generating radiation, a plurality of optical components for guiding the radiation in the system, a number Nl of arrangements with Nl> 1, each of the Nl arrangements comprising at least one actuator sensor device, which is associated with one of the optical components, a plurality N2 of local control units for controlling the number Nl of Anordnun ⁇ gen, with N2> 2 and a number N3 of the central drive units to at ⁇ control of the N2 local control units, with N3> 1, includes.
  • the system is in particular a multi-mirror system or a multi-mirror array (MMA) or a lithography system.
  • the distributed control of the Aktor7Sensor devices by means of the local control units and the central control units makes it possible to distribute the heat generated by the control. As a result, heat spots, for example in the vacuum housing of the lithography system, are avoided and the heat distribution is harmonized and optimized.
  • the N2 local control units and N3 central control units provide redundant control options for the actuator / sensor devices of the NI arrangements. Then enters a single error in one of the drive units, so the redundant control can be used to ⁇ , so as to avoid a failure of the system and / or the lifetime of the plant is shortened in the defective state.
  • the arrangement with a number of AktorVSensor- devices may also be referred to as a group of Aktor7Sensor- devices.
  • the optical component can be, for example, a mirror, in particular ⁇ sondere a micro-mirror, that a mirror having a side length of we ⁇ niger than 1 mm, or a lens action.
  • the optical component is in particular displaceable.
  • the mirror or micro-mirror may be a component part ei ⁇ ner LearnLite- arrangement (multi-mirror array MMA).
  • the MMA is more than 100, in particular more than 1,000, in particular about 10,000, especially before ⁇ Trains t include more than 100,000 of such mirrors. In particular, these may be mirrors for reflection of EUV radiation.
  • the optical component may be part of a facet mirror, re insbesonde ⁇ a field facet mirror, a beam shaping and illumination system of the lithography system in particular.
  • the optical component is arranged in particular in an evacuable chamber or a vacuum housing.
  • this may evacuable chamber Pa and in particular egg ⁇ NEN pressure of less than 50 Pa, in particular less than 20 Pa, in particular less than 10 Pa, in particular less than 5 to be evacuated.
  • this pressure in particular the partial pressure of hydrogen in the evakuierba ⁇ ren chamber.
  • the radiation source is in particular an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 0.1 nm and 30 nm, preferably between 4 and 6 nm. It can be a plasma source, for example a GDPP source (plasma generation by gas discharge, gas Discharge Produced Plasma) or an LPP source (plasma generation by laser, laser-produced plasma). Other EUV radiation sources, for example based on a synchronous tone or on a free electron laser (FEL), are also possible.
  • EUV radiation sources for example based on a synchronous tone or on a free electron laser (FEL), are also possible.
  • the radiation generated by the radiation source can comprise high-energy photons.
  • high-energy photons from the radiation source in particular EUV photons, can lead to the generation of a plasma, in particular a hydrogen plasma.
  • argon (Ar) or helium (He) can be used as purge gas.
  • Ar argon
  • He helium
  • Sauer ⁇ material (0) and nitrogen (N) are used as admixtures.
  • the respective unit for example the local control unit or the central control unit, can be implemented in terms of hardware. In a hard ware ⁇ technical implementation of the respective unit can be configured as a device or as part of a device, such as a computer or a microprocessor- ⁇ sor or a control computer or as an embedded system.
  • each of the local control units is such N2 coupled to each of the N3 central drive units, that each of the N2 local control units can be controlled by each of the N3 central AnSteu ⁇ erritten. This results in redundant control options with N2 local arrival control units through each of the N3 central drive units, insbesonde ⁇ re N3> 2.
  • each of the N2 local driving ⁇ units is connected to at least two of Nl assemblies 2 ⁇ N2 ⁇ Nl.
  • each of the N2 local driving ⁇ units connected to Nl> 2, by means of a respective connection with each actuator / sensor device of a specific one of the arrays Nl.
  • Each local drive unit is connected by a link to each actuator / sensor device of one of the devices or groups. This results in redundant control options. Furthermore, this means a clear assignment of local control unit to the Aktor7Sensor-
  • each of the Nl arrangements ⁇ means of a primary association with one of the N2 local control units and by means of a secondary connection with another of the N2 local AnSteu ⁇ erritten or connected to one of N3 central drive units, with Nl>.
  • Each array is connected by a primary connection with a local An ⁇ control unit and by means of a secondary connection with another loka- len drive unit or connected to one of the central control units. In this way redundant connections between the devices and the local control units or the central control units will create ge ⁇ .
  • Embodiments are possible in which, in a faultless case, only the primary connections are used and the secondary connections are shared only in the faulty case. However, embodiments are also carried out in detail in the following, possible in which in an error-free case, both the primary as well as the compounds sekundä ⁇ ren connections are used, for example for error masking.
  • the Aktor7Sensor- device as an actuator means for moving the optical component, as a sensor means for determining a position of the optical component or as an actuator and sensor means for displacing the optical component and for determining a Position of the optical component is formed.
  • the arrangement is a Mehrfachspie- gel arrangement comprising a plurality of mirrors N4, with a depending ⁇ is assigned at least one device of the Aktor7Sensor- N4 mirrors (with N4> 2).
  • the tree is based in particular on a rooted tree, the root of the local control units, the internal node and the orders or the Aktor7Sensor- devices form the leaves at wel ⁇ chem the central control unit.
  • the tree structure is a direct connection and thus low latency times between the central drive units and the drive units Loka ⁇ len as well as between the local control units and the devices with their Aktor7Sensor facilities.
  • the N3 central AnSteuereinhei ⁇ th and N2 local control units are connected in a ring structure.
  • the ring structure may also be referred to as a ring or a logical ring.
  • the ring structure has particular advantages in terms of complexity of Ver ⁇ wiring in the connected units, here the N3 central AnSteuereinhei ⁇ th and the N2 local control units.
  • the N2 local control units are adapted to map a common functionality for the Nl arrangements in ⁇ nergur the plant.
  • the imaged together by the local control units N2 functionali ⁇ ty is formed for example as a data processing of the data from and to the arrangements of N2.
  • the functionality can also be designed as a voltage supply of the Nl arrangements.
  • control units in particular the N2 local control units, synchronize with one another.
  • a global clock or a hierarchical clock is used for clock distribution.
  • the Synchroni ⁇ zation using synchronization messages is possible.
  • the Nl are assemblies N2 Loka ⁇ len drive units and the central N3 driving units disposed in a vacuum environmentally housing of the plant. It is an external Thomasstelleneinrich ⁇ processing for exchanging data and / or for power supply by the Vaku ⁇ for housing a respective internal interface of the central arrival N3 Control units coupled such that the N2 local AnSteuerüen against ⁇ over the external interface device, regardless of the number N2 are visible as a single drive unit. Characterized in that the local control units externally, ie in particular to the external interface means as a single drive unit can be seen, the external control of the local control units interpreting ⁇ Lich simplified. For example, it can easily add more local control units. However, drive units can also be removed. The external controllability via the external interface device in both cases advantageously does not change due to the visibility as a single drive unit.
  • the N2 local actuators comprise a first subset of active local actuators and a second subset of inactive local actuators which are switchable to an active state in the event of an error.
  • the N3 center ⁇ eral drive units preferably comprise a first subset of the active center ⁇ eral drive units and a second subset of inactive central drive units, which switching in case of a fault in an active state are ⁇ bar.
  • the first subsets and the second subsets are configurable at ⁇ play, via the external interface device. For example, this makes it possible to set the number of active local control units in the first subset . It can be set to the first subset via the external interface device, the assignment of local driving ⁇ units. The same applies to the configurability of the second subset.
  • at least a subset of the local control units N2 includes both active and redundant I ⁇ resources te, in an error-free case, idle resources that are switchable to an active state in a case of error.
  • at least one of the N3 Untermen- ge central drive units both active resources and re ⁇ dant, in a fault-free case, idle resources that are switchable to an active state in an error ⁇ case.
  • resources computing resources Speicherres- in this respect are resources and / or energy supply resources such as Stromversor ⁇ supply resources, meant.
  • At least a subset of the N2 local control units is reconfigurable in the event of an error.
  • At least a subset of the N3 central control units can be reconfigured in the event of an error.
  • reconfigurability means in particular that an existing software version of the local control unit is newly parameterized.
  • the leg ⁇ hold, for example, that certain parameters of the software to the local control unit ⁇ be changed.
  • the external interface device can be used on wel ⁇ che the user of the system reconfiguration can make.
  • the reconfiguration can in particular be automatic, for example in the case of automatic error detection.
  • error detection may be automatic and reconfiguration is accomplished by user input.
  • the error detection can be done by a user interaction and then the downstream reconfiguration can be done by another user interaction.
  • at least a subset of the N2 local control units can be reprogrammed in the event of an error.
  • At least a subset of the N3 central control units can be reprogrammed in the event of an error.
  • reprogrammability means that the software version of the control unit is exchanged or changed in parts. Consequently, a best ⁇ rising software of the control unit is replaced by a new software.
  • the new software can be loaded in particular by means of the central interface device to the respective control unit.
  • the reprogramming can in particular be automatic, for example in the event of an error detection. Al ⁇ tively the error detection can be performed automatically and the Reprogrammie ⁇ tion is caused by user input. As another alternative, the error detection can be performed by a user interaction and the subsequent reprogramming can be accomplished by a further user interaction ⁇ action.
  • the N2 local Anêtein- units include a first subset of active local control units, and a second subset of redundant local control units, which are activated in an error-free case, so that the active local AnSteu ⁇ erritten and the redundant local control units are adapted for Starbucksmaskie ⁇ tion.
  • masking can be used by a majority vote. Furthermore, can be used in the Hyundaimas ⁇ k ist advantageously error correction codes or checksums.
  • the lithography system is an EUV lithography system.
  • the radiation source is an EUV radiation source which is adapted to generate an EUV radiation with a réelle ⁇ voted repetition frequency.
  • the optical component is a mirror.
  • the optical component is a single mirror gel of a field facet mirror of a beam shaping and illumination system of the lithography system.
  • the optical component is a single Spie ⁇ gel of a pupil facet mirror of a beam shaping anduploadsssys ⁇ tems of the lithography tool.
  • the individual mirrors are electromagnetically by means of a respective actuator device or actuator device having a plurality, in particular electrostatically ar ⁇ beitenden actuators displaceable, in particular positioned.
  • the actuators can be produced in a batch process as a microelectromechanical system (MEMS).
  • MEMS microelectromechanical system
  • WO 2010/049 076 AI the content of which is referred to.
  • DE 10 2013 209 442 Al the content of which is referred to.
  • the system comprises a radiation source for generating a radiation, a plurality of optical components for guiding the radiation in the system and a number Nl of arrangements, with Nl> 1, wherein each of the Nl arrangements at least one Aktor7Sensor
  • the method comprises the following steps Driving the number Nl of arrangements by means of a plurality N2 of local control units, with N2> 2, and
  • a computer program product which causes on a program-controlled device, the operation of a plant of the above it ⁇ läuterten method.
  • a computer program product such as a computer program means, for example, as a storage medium, such as memory card, USB stick, CD-ROM, DVD, or in the form of a downloadable file provided by a server in ei ⁇ nem network or delivered. This can be done, for example, in a wireless communication network by the transmission of a ent ⁇ speaking file with the computer program product or program Computerpro ⁇ agent.
  • FIG. 1 shows a schematic view of an EUV lithography system
  • FIG. 2 shows a schematic view of a first embodiment of a control device for a lithography system!
  • FIG. 3 shows a schematic view of a second embodiment of a control device for a lithography system!
  • FIG. 4 shows a schematic view of the second embodiment of the drive device for a lithography system according to FIG. 3 in the event of a fault
  • Fig. 5 shows an embodiment of a method for operating a plant.
  • EUV stands for "extreme Ultravio ⁇ lett” (Engl .: extreme ultraviolet, EUV), and denotes a wavelength of the Ar ⁇ beitslichts between 0.1 and 30 nm.
  • the beam shaping andcovssys ⁇ system 102 and projection system 104 are shown in provided a vacuum housing 137, wherein each vacuum housing by means of a not further Darge ⁇ presented evacuation device is evacuated.
  • the vacuum housing are surrounded by a non-illustrated machine room. In this Maschi ⁇ nenraum and electrical controls and the like may be provided .
  • the EUV lithography apparatus 100 comprises a EUV radiation source or the EUV light source 106A.
  • the EUV light source 106a may, for example, a Plas ⁇ mattle be provided, which radiation in the EUV range 108A (extremely ULT ra violet range), ie, for example, in the wavelength range of 0.1 nm to 30 nm from ⁇ send.
  • the EUV radiation 108A is collimated and the desired operating wavelength is filtered out of the EUV radiation 108A.
  • the erzeug- by the EU V- light source 106A te EUV radiation 108A has a relatively low transmissivity by air, which is why the beam guide spaces in the beam shaping and illuminating ⁇ system is evacuated and 102 in the projection system 104th
  • the beamforming and illumination system 102 shown in FIG. 1 has five mirrors 110, 112, 114, 116, 118.
  • the EUV radiation 108A is applied to the photomask (Engl .: reticle) directed 120th
  • the photomask 120 is likewise designed as a reflective optical element and can be arranged outside the systems 102, 104.
  • the EUV radiation 108A can be directed onto the photomask 120 by means of a mirror 136.
  • the photomask 120 has a structure that is reduced by a projection system 104 onto a wafer 122 or the like.
  • the projection system 104 has six mirrors M1-M6 for imaging the photomask 120 onto the wafer 122.
  • individual mirrors Ml - M6 of the projection system 104 symmetrical to the optical axis 124 of projection system 104 ⁇ be disposed.
  • the number of mirrors of the EUV lithography system 100 is not be ⁇ limited to the number shown. It can also be provided more or less mirror.
  • the mirrors M1-M6 are usually curved on their front side for beam shaping.
  • the EUV lithography tool 100 of the Figure 1 is a Anberichtvor ⁇ device 10, which for the control of the optical components 110, 112, 114, 116, 118, Ml -. Is set M6.
  • the driving device can be arranged in the beam forming and ⁇ lighting system 102 and / or in the projection system 104th
  • the drive device 10 has a number Nl of arrays 210-260, a plurality N2 of local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460, and a number N3 of centralized control units 510, 520. Details of the driving device 10 will be explained in detail below with reference to FIGS. 2 to 4.
  • FIG. 2 shows a schematic view of a first embodiment of a drive device 10
  • FIG. 3 shows a schematic view of a second embodiment of a drive device 10 for a Lithographiean ⁇ position 100.
  • the two embodiments of the drive device 10 of FIGS. 2 and 3 have the following Features in common:
  • the drive device 10 comprises a number Nl of arrangements, with Nl> 1, wherein each of the Nl arrangements 210 - 260 at least one Aktor7Sensor- device 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N comprises, which is one of the optical components 110, 112, 114, 116, supplied ⁇ assigns 118th
  • the Akto sensor device 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N is for example an actuator means for Ver ⁇ storage of the optical component 110, 112, 114, 116, 118, a sensor means for detecting a position of the optical component 110, 112, 114, 116, 118 or an actuator and sensor means for displacing the optical component 110, 112, 114, 116, 118 and for detecting a position of the optical component 110, 11
  • each of the two embodiments of the drive apparatus 10 includes a plurality N2 local An Kunststoffem whatsoever 410., 420, 430, 440, 450, 460 for controlling the number Nl of arrays 210 - with N2> 2. Except ⁇ comprises 260, each of the embodiments of the 10 is a drive device at ⁇ number N3 of the central drive units 510, 520 for driving the local N2 driving units 410, 420, 430, 440, 450, 460, with N3> 1.
  • Nl, N2, N3 in particular natural numbers.
  • Each of the N2 local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460 is the ⁇ art with each of the N3 central drive units 510 are coupled 520 to each of the N2 local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460 is controllable by each of the N3 central control units 510, 520. Further, each of the N2 local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460 to ⁇ least two of the Nl arrays 210 -. Connected 260, with 2 ⁇ N2 ⁇ Nl In the following, the different details of the two embodiments of the Drive device 10 of FIGS. 2 and 3 received.
  • the central drive unit 510, the six individual drive units 410, 420, 430, 440, 450, 460 and the 6 * N arrangements 210 - 260 of Fig. 2 are arranged in a tree structure B. .
  • the tree structure structural ⁇ B of Figure 2 is based on a rooted tree in which the central control unit 510, the root, the local control units 410-460 in the Neren ⁇ node and the arrays 210-260 form the leaves.
  • the local drive unit 410 is connected to all Aktor7Sensor- devices 311 - 31N of the first assembly 210 by means of the connections 611 - 61N.
  • FIG. 3 shows a schematic view of a second embodiment of a control device 10 for a lithography system 100.
  • each of the assemblies comprises de ⁇ 210-260 N Aktor7Sensor- devices 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N.
  • 260 same or different be ⁇ Lich - Without limiting the All ⁇ wickedness N can for all arrangements 210th
  • the N3 central drive units 510, 520 and the N2 local AnSteuereinhei ⁇ th 410, 420, 430, 440, 450, 460 of FIG. 3 are connected in a ring structure R MITEI ⁇ Nander.
  • Each of the arrays Nl 210-260 is connected by a primary connection 610-660 with one of the local N2 An Kunststoffem chart 410, 420, 430, 440, 450, 460 and by means of a secondary connection 710- 760 with another of the N2 Loka ⁇ len Anmaschineemnism 410 , 420, 430, 440, 450, 460 or with one of the N3 centra ⁇ len drive units 510, 520 connected.
  • redundant connections can be arrival between the arrays 210-260 and the local An Strukturein ⁇ units 410, 420, 430, 440, 450, 460 respectively provided to the central An Tavernein ⁇ units 510, 520th
  • the N2 local drive units 410, 420, 430, 440, 450, 460 may include a first subset of active local drive units and a second subset of active local drive units. te subset of inactive local control units, which are switchable in an error in an active state.
  • the N2 central drive units 510, 520 comprise a first subset of the active central control units, and a second subset of inactive central drive units, which stood in a case of error in an active to ⁇ can be switched.
  • At least a subset of the N2 local An ⁇ control units 410, 420, 430, 440, 450, 460 both active resources as well as redundant, in an error-free case, idle resources that are switchable to an active state in a Def ⁇ Hi or include.
  • preference ⁇ also will comprise at least a subset of N3 central drive units 510, 520 both active resources as well as redundant, in an error-free case, in ⁇ active resources include, which stood in a case of error in an active feed can be switched.
  • At least a subset of the N2 local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460 can be reconfigurable or reprogrammable in the event of an error. Accordingly, at least a subset of N3 central drive units 510, be Reconfigure ⁇ bar or reprogrammable in case of an error 520th
  • N2 local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460 a first subset of active local control units, and a second subset of redundant local control units umfas ⁇ sen, which are activated in an error-free case, so that the acti ⁇ ven local control units and the redundant local control units are adapted for error masking.
  • the Nl are assemblies 210-260, the 520 in the local arranged N2 An Kunststoffein ⁇ units 410, 420, 430, 440, 450, 460 and the N3 central drive units 510, vacuum housing 137 of the system 110th
  • the central drive units 510, 520 preferably each an inter ⁇ ne interface means 511, 521.
  • the internal interface devices 511, 521 are connected to an external interface device 800 to the DATAOUT ⁇ exchange and / or for power supply by the vacuum housing 137 DER art coupled, the N2 local drive units 410, 420, 430, 440, 450, 460 are visible to the external interface device 800 as a single drive unit.
  • the external interface ⁇ device 800 is indicated in Fig. 3 only with the data communication arrows of the internal interface devices 511, 521 externally. Characterized in that the N2 local An Georgem whatsoever 410, 420, 430, 440, 450, 460 ge ⁇ geninate the external interface unit 800 are unit visible as a single actuation, the external control of the local control units 410, 420, 430, 440, 450 , 460 clearly simplified. As a result, more local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460 can also be added or removed in a simple manner. The external controllability via the external interface device 800 does not change because of the view ⁇ bility as a single control unit accordingly.
  • FIG. 4 shows a schematic view of the second embodiment of the on-control device 10 according to FIG. 3 in the event of an error.
  • the local control unit 430 is accessiblefal ⁇ len.
  • reference numeral XI shows this primary failure of the defective local control unit 430. Due to the initial failure of the local Ansteu ⁇ eratti 430, the assembly 230 can be driven no longer from their primary connection 630th This lack of control over the primary Verbin ⁇ extension 630 is characterized by a cross with the reference numeral X2.
  • the assembly 220 can be driven no longer from their primary connection 620th
  • This lack of control over the pri ⁇ mare link 620 is again identified by means of a cross with the strainszei ⁇ chen X2.
  • the driving unit 410 the control of the arrangement 220 via the secondary connection 720 and the control unit 510 the control of the arrangement 210 via the secondary connection 710.
  • the control unit 510 can take over the control of the arrangement 210 in addition to its other tasks, since it has additional resources, which are not required in faultless operation.
  • the chain of the receiving control units can be Erwei ⁇ tern on more than 10 control units, and in particular more than 20 drive units.
  • 5 shows an embodiment of a method for operating a system 100.
  • the system 100 is, for example, an EUV lithography system as shown in FIG.
  • the system 100 includes a radiation source 106A to He generation ⁇ a radiation, a plurality of optical components 110, 112, 114, 116, 118 for guiding the radiation in the system 100 and a number Nl of arrays 210-260, with Nl> 1 wherein each of the NI devices 210-260 has at least one Akto sensor device 311-31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N associated with one of the optical components 110, 112, 114, 116, 118.
  • the method of FIG. 5 comprises the following steps S1 and S2:
  • step Sl the number Nl of arrays 210-260 is controlled by means of a plurality ⁇ N2 of local control units 410, 420, 430, 440, 450, 460, with N2>. 2
  • step S2 the N2 local control units 410, 420, 430, 440, 450 are 460, with N3> 1.
  • the present invention was applied by a number N3 of the central drive units 510, angesteu ert ⁇ 520 with reference to embodiments beschrie ⁇ ben, it is versatile modifiable. LIST OF REFERENCE NUMBERS

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Abstract

Es wird eine Anlage (100) vorgeschlagen, welche eine Strahlungsquelle (106A) zur Erzeugung einer Strahlung, eine Mehrzahl von optischen Bauelementen (110, 112, 114, 116, 118) zur Führung der Strahlung in der Anlage (100), eine Anzahl N1 von Anordnungen (210 - 260), mit N1 ≥ 1, wobei jede der N1 Anordnungen (210 - 260) zumindest eine Aktor-/Sensor- Einrichtung (311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N) umfasst, welche einem der optischen Bauelemente (110, 112, 114, 116, 118) zugeordnet ist, eine Mehrzahl N2 von lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) zum Ansteuern der Anzahl N1 von Anordnungen (210 - 260), mit N2 ≥ 2, und eine Anzahl N3 von zentralen Ansteuereinheiten (510, 520) zum Ansteuern der N2 lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460), mit N3 ≥ 1, aufweist. Dadurch werden Wärmespots vermieden, die Wärmeverteilung wird harmonisiert und optimiert. Ferner werden redundante Ansteuermöglichkeiten für die Aktor-/Sensoreinrichtungen geschaffen, die im Fehlerfall die Verfügbarkeit der Anlage erhöhen.

Description

ANLAGE UND VERFAHREN ZUM BETREIBEN EINER ANLAGE
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anlage, beispielsweise eine Lithographie¬ anlage oder ein Mehrfachspiegelsystem, und ein Verfahren zum Betreiben einer Anlage. Die Anlage oder Lithographieanlage umfasst eine Strahlungsquelle zur Erzeugung einer Strahlung, eine Mehrzahl von optischen Bauelementen zur Führung der Strahlung in der Anlage, eine Mehrzahl von Aktor7Sensor- Einrichtungen für die optischen Bauelemente und eine Ansteuereinrichtung zum Ansteuern der Aktor7Sensor- Einrichtungen.
Die Mikrolithographie wird zur Herstellung mikro strukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise, angewendet. Der Mikrolithogra- phieprozess wird mit einer Lithographieanlage durchgeführt, welche ein Be¬ leuchtungssystem und ein Projektions System aufweist. Das Bild einer mittels des Beleuchtungssystems beleuchteten Maske (Retikel) wird hierbei mittels des Pro¬ jektionssystems auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) be¬ schichtetes und in der Bildebene des Projektionssystems angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfind¬ liche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
Getrieben durch das Streben nach immer kleineren Strukturen bei der Herstel¬ lung integrierter Schaltungen werden derzeit EUV-Lithographieanlagen entwi¬ ckelt, welche Licht mit einer Wellenlänge im Bereich von 0,1 nm bis 30 nm, ins¬ besondere von 4 nm bis 6 nm, verwenden. Bei solchen EUV-Lithographieanlagen müssen wegen der hohen Absorption der meisten Materialien von Licht dieser Wellenlänge reflektierende Optiken, das heißt Spiegel, anstelle von— wie bisher — brechenden Optiken, das heißt Linsen, eingesetzt werden. Aus gleichem Grund ist die Strahlformung und Strahlprojektion in einem Vakuum durchzuführen. Die Spiegel können z. B. an einem Tragrahmen (engl.: force frame) befestigt und wenigstens teilweise manipulierbar oder verkippbar ausgestaltet sein, um eine Bewegung eines jeweiligen Spiegels in bis zu sechs Freiheitsgraden und damit eine hochgenaue Positionierung der Spiegel zueinander, insbesondere im pm- Bereich, zu ermöglichen. Somit können etwa im Betrieb der Lithographieanlage auftretende Änderungen der optischen Eigenschaften, z. B. infolge von thermi¬ schen Einflüssen, ausgeregelt werden.
Für das Bewegen der Spiegel, insbesondere in den sechs Freiheitsgraden, sind diesen Aktuatoren zugeordnet, welche über einen Regelkreis angesteuert wer¬ den. Als Teil des Regelkreises ist eine Vorrichtung zur Überwachung des Kipp¬ winkels eines jeweiligen Spiegels vorgesehen.
Beispielsweise aus der WO 2009/100856 AI ist ein Facettenspiegel für eine Pro- jektionsbelichtungsanlage einer Lithographieanlage bekannt, welcher eine Viel¬ zahl von individuell verlagerbaren Einzelspiegeln aufweist. Um die optische Qua¬ lität einer Projektionsbelichtungsanlage sicherzustellen, ist eine sehr präzise Po- sitionierung der verlagerbaren Einzelspiegel notwendig.
Zur Positionierung der verlagerbaren Einzelspiegel werden Aktor- Einrichtungen zur Verlagerung der Einzelspiegel sowie Sensor- Einrichtungen zur Bestimmung der Positionen der Einzelspiegel verwendet.
Zur Ansteuerung der Aktor- Einrichtungen und der Sensor- Einrichtungen wird eine im Vakuum- Gehäuse der Lithographieanlage angeordnete Ansteueremrich¬ tung eingesetzt. Diese Ansteuereinrichtung ist zur Ansteuerung der Vielzahl der Aktor- Einrichtungen und Sensor- Einrichtungen in dem Vakuum- Gehäuse der Litho¬ graphieanlage eingerichtet.
Allerdings ist eine solche zentrale Ansteuereinrichtung in dem Vakuum- Gehäuse der Lithographieanlage eine große Wärmequelle, was wiederum zu hohen lokalen Anforderungen an die Kühlung und dem mit der Kühlung verbundenen Energie¬ verbrauch führt. Hierbei ist zu beachten, dass beispielsweise EUV- Lithographieanlagen eine hohe Positionsstabilität der Spiegel erfordern. Eine jede Art einer Vibration ist daher kritisch, beispielsweise verursacht durch den Fluss eines Kühlmittels, zum Beispiel Wasser, zum Kühlen der zentralen Steu¬ ereinrichtung. Des Weiteren bedingt eine aktive Kompensation solcher Vibratio- nen eine große Regelbandbreite, welche wiederum große Rechenkapazitäten der zentralen Ansteuereinrichtung bedingt. Solche notwendigen großen Rechenkapa¬ zitäten bedingen wiederum einen erhöhten Energieaufwand und damit einen er¬ höhten Aufwand an Kühlung. Ein weiterer Nachteil der zentralen Ansteuereinheit liegt darin, dass ein Ausfall dieser einen zentralen Ansteuereinrichtung einen sofortigen Ausfall des Systems verursacht. Aufgrund der notwenigen Anordnung der zentralen Ansteuereinrich¬ tung im Vakuum- Gehäuse der Lithographieanlage ist auch die Reparaturzeit bei einem solchen Einzelfehler sehr hoch.
Vor diesem Hintergrund besteht eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, eine verbesserte Anlage, beispielsweise eine verbesserte Lithographieanlage, zu schaffen. Demgemäß wird eine Anlage vorgeschlagen, welche eine Strahlungsquelle zur Erzeugung einer Strahlung, eine Mehrzahl von optischen Bauelementen zur Führung der Strahlung in der Anlage, eine Anzahl Nl von Anordnungen, mit Nl > 1, wobei jede der Nl Anordnungen zumindest eine Aktor7Sensor- Einrichtung umfasst, welche einem der optischen Bauelemente zugeordnet ist, eine Mehrzahl N2 von lokalen AnSteuereinheiten zum Ansteuern der Anzahl Nl von Anordnun¬ gen, mit N2 > 2, und eine Anzahl N3 von zentralen AnSteuereinheiten zum An¬ steuern der N2 lokalen AnSteuereinheiten, mit N3 > 1, umfasst.
Die Anlage ist insbesondere ein Mehrfachspiegelsystem oder eine Vielspiegel- Anordnung (Multi-Mirror Array, MMA) oder eine Lithographieanlage. Durch die verteilte Ansteuerung der Aktor7Sensor- Einrichtungen mittels der lokalen AnSteuereinheiten und der zentralen AnSteuereinheiten ist es möglich, die durch die Ansteuerung entstehende Wärme zu verteilen. Dadurch werden Wärmespots, beispielsweise im Vakuum- Gehäuse der Lithographieanlage, ver- mieden und die Wärmeverteilung wird harmonisiert und optimiert.
Des Weiteren ergeben die N2 lokalen AnSteuereinheiten und N3 zentralen An- steuereinheiten redundante Ansteuermöglichkeiten für die Aktor- /Sensoreinrichtungen der Nl Anordnungen. Tritt dann ein Einzelfehler bei einer der Ansteuereinheiten auf, so kann die redundante Ansteuerung verwendet wer¬ den, so dass ein Ausfall der Anlage vermieden und/oder die Standzeit der Anlage im defekten Zustand verkürzt wird.
Die Anordnung mit einer Anzahl von AktorVSensor- Einrichtungen kann auch als Gruppe von Aktor7Sensor- Einrichtungen bezeichnet werden.
Bei dem optischen Bauteil kann es sich beispielsweise um einen Spiegel, insbe¬ sondere um einen Mikrospiegel, d.h. einen Spiegel mit einer Seitenlänge von we¬ niger als 1 mm, oder um eine Linse handeln. Das optische Bauteil ist insbesonde- re verlagerbar. Der Spiegel oder Mikrospiegel kann insbesondere Bestandteil ei¬ ner Vielspiegel- Anordnung (Multi-Mirror Array, MMA) sein. Das MMA kann über 100, insbesondere über 1.000, insbesondere über 10.000, besonders bevor¬ zugt über 100.000 derartiger Spiegel umfassen. Es kann sich insbesondere um Spiegel zur Reflexion von EUV- Strahlung handeln.
Das optische Bauteil kann insbesondere Teil eines Facettenspiegels, insbesonde¬ re eines Feldfacettenspiegels, eines Strahlformungs- und Beleuchtungssystems der Lithographieanlage sein. Dabei ist das optische Bauteil insbesondere in einer evakuierbaren Kammer oder einem Vakuum- Gehäuse angeordnet. Beim Betrieb der Lithographieanlage kann diese evakuierbare Kammer insbesondere auf ei¬ nen Druck von weniger als 50 Pa, insbesondere weniger als 20 Pa, insbesondere weniger als 10 Pa, insbesondere weniger als 5 Pa evakuiert werden. Hierbei gibt dieser Druck insbesondere den Partialdruck von Wasserstoff in der evakuierba¬ ren Kammer an.
Die Strahlungsquelle ist insbesondere eine EUV- Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 0,1 nm und 30 nm, bevorzugt zwischen 4 und 6 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP- Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, Gas Discharge Produced Plasma) oder um eine LPP- Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, La- ser-Produced Plasma) handeln. Auch andere EUV- Strahlungsquellen, beispiels- weise basierend auf einem Synchronton oder auf einem freien Elektronenlaser (Free Electron Laser, FEL), sind möglich.
Die von der Strahlungsquelle erzeugte Strahlung kann energiereiche Photonen umfassen. Insbesondere können hochenergetische Photonen von der Strahlungs- quelle, insbesondere EUV- Photonen, zur Erzeugung eines Plasmas, insbesondere eines Wasserstoffplasmas, führen. Alternativ können Argon (Ar) oder Helium (He) als Spülgas verwendet werden. Dabei können dann beispielsweise Sauer¬ stoff (0) und Stickstoff (N) als Beimischungen eingesetzt werden. Die jeweilige Einheit, zum Beispiel die lokale Ansteuereinheit oder die zentrale Ansteuereinheit, kann hardwaretechnisch implementiert sein. Bei einer hard¬ waretechnischen Implementierung kann die jeweilige Einheit als Vorrichtung oder als Teil einer Vorrichtung, zum Beispiel als Computer oder als Mikroprozes¬ sor oder als Steuerrechner oder als Embedded System ausgebildet sein.
Gemäß einer Ausführungsform ist eine jede der N2 lokalen AnSteuereinheiten derart mit einer jeden der N3 zentralen AnSteuereinheiten gekoppelt, dass eine jede der N2 lokalen AnSteuereinheiten von einer jeden der N3 zentralen AnSteu¬ ereinheiten ansteuerbar ist. Dadurch ergeben sich redundante Ansteuermöglichkeiten der N2 lokalen An- steuereinheiten durch eine jede der N3 zentralen AnSteuereinheiten, insbesonde¬ re mit N3 > 2. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine jede der N2 lokalen AnSteuer¬ einheiten mit zumindest zwei der Nl Anordnungen verbunden, mit 2 < N2 < Nl.
Durch die Verbindung oder Kopplung einer jeden der N2 lokalen AnSteuereinhei¬ ten mit zumindest zwei der Nl Anordnungen ergeben sich redundante Ansteu- ermöglichkeiten für die Nl Anordnungen beziehungsweise derer Aktor7Sensor- Einrichtungen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine jede der N2 lokalen AnSteuer¬ einheiten, mit Nl > 2, mittels einer jeweiligen Verbindung mit einer jeden Aktor- /Sensor-Einrichtung einer bestimmten der Nl Anordnungen verbunden.
Jede lokale Ansteuereinheit ist mittels einer Verbindung mit jeder Aktor- /Sensor-Einrichtung einer der Anordnungen oder Gruppen verbunden. Hierdurch ergeben sich redundante Ansteuermöglichkeiten. Des Weiteren ist hierdurch eine eindeutige Zuordnung von lokaler Ansteuereinheit zu den Aktor7Sensor-
Einrichtungen einer bestimmten Gruppe oder Anordnung gegeben. Die jeweilige Verbindung kann eine Datenverbindung und/oder eine Spannungsversorgungs- verbindung sein. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist eine jede der Nl Anordnungen mit¬ tels einer primären Verbindung mit einer der N2 lokalen AnSteuereinheiten und mittels einer sekundären Verbindung mit einer weiteren der N2 lokalen AnSteu¬ ereinheiten oder mit einer der N3 zentralen AnSteuereinheiten verbunden, mit Nl > 1.
Jede Anordnung ist mittels einer primären Verbindung mit einer lokalen An¬ steuereinheit und mittels einer sekundären Verbindung mit einer weiteren loka- len Ansteuereinheit oder mit einer der zentralen AnSteuereinheiten verbunden. Hierdurch werden redundante Anbindungen zwischen den Anordnungen und den lokalen AnSteuereinheiten beziehungsweise zentralen AnSteuereinheiten ge¬ schaffen.
Es sind Ausführungsformen möglich, bei welchen in einem fehlerlosen Fall nur die primären Verbindungen genutzt werden und die sekundären Verbindungen nur im fehlerbehafteten Fall mitgenutzt werden. Allerdings sind auch, wie im Folgenden detailliert ausgeführt, Ausführungsformen möglich, bei welchen in einem fehlerlosen Fall sowohl die primären Verbindungen als auch die sekundä¬ ren Verbindungen genutzt werden, beispielsweise zur Fehlermaskierung.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Aktor7Sensor- Einrichtung als eine Aktor- Einrichtung zur Verlagerung des optischen Bauteils, als eine Sensor- Einrichtung zum Ermitteln einer Position des optischen Bauteils oder als eine Aktor- und Sensor- Einrichtung zum Verlagern des optischen Bauteils und zum Ermitteln einer Position des optischen Bauteils ausgebildet.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Anordnung eine Mehrfachspie- gel- Anordnung, welche eine Mehrzahl N4 von Spiegeln umfasst, wobei einem je¬ den der N4 Spiegeln zumindest eine Aktor7Sensor- Einrichtung zugeordnet ist (mit N4 > 2).
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die zentrale Ansteuereinheit (mit N3 = l), die N2 lokalen AnSteuereinheiten und die Nl Anordnungen in einer Baumstruktur verbunden.
Die Baumstruktur basiert insbesondere auf einem gewurzelten Baum, bei wel¬ chem die zentrale Ansteuereinheit die Wurzel, die lokalen AnSteuereinheiten die inneren Knoten und die Anordnungen oder die Aktor7Sensor- Einrichtungen die Blätter bilden. Vorteilhafterweise ergibt die Baumstruktur eine direkte Verbindung und somit geringe Latenz-Zeiten zwischen den zentralen AnSteuereinheiten und den loka¬ len AnSteuereinheiten sowie zwischen den lokalen AnSteuereinheiten und den Anordnungen mit ihren Aktor7Sensor-Einrichtungen.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die N3 zentralen AnSteuereinhei¬ ten und die N2 lokalen AnSteuereinheiten in einer Ringstruktur verbunden.
Die Ringstruktur kann auch als Ring oder logischer Ring bezeichnet werden. Die Ringstruktur hat insbesondere Vorteile hinsichtlich der Komplexität der Ver¬ drahtung bei den verbundenen Einheiten, hier den N3 zentralen AnSteuereinhei¬ ten und den N2 lokalen AnSteuereinheiten.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die N2 lokalen AnSteuereinheiten dazu eingerichtet, gemeinsam eine Funktionalität für die Nl Anordnungen in¬ nerhalb der Anlage abzubilden.
Die gemeinsam durch die N2 lokalen AnSteuereinheiten abgebildete Funktionali¬ tät ist zum Beispiel als Datenverarbeitung der Daten von und zu den N2 Anord- nungen ausgebildet. Die Funktionalität kann auch als Spannungsversorgung der Nl Anordnungen ausgebildet sein.
Insbesondere synchronisieren sich die AnSteuereinheiten, insbesondere die N2 lokalen AnSteuereinheiten, zueinander. Beispielsweise wird zur Taktverteilung ein globaler Takt oder ein hierarchischer Takt verwendet. Auch die Synchroni¬ sierung über Synchronisationsnachrichten ist möglich.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform sind die Nl Anordnungen, die N2 loka¬ len AnSteuereinheiten und die N3 zentralen AnSteuereinheiten in einem Vaku- um- Gehäuse der Anlage angeordnet. Dabei ist eine externe Schnittstelleneinrich¬ tung zum Datenaustausch und/oder zur Spannungsversorgung durch das Vaku¬ um-Gehäuse mit einer jeweiligen internen Schnittstelle der N3 zentralen An- Steuereinheiten derart gekoppelt, dass die N2 lokalen AnSteuereinheiten gegen¬ über der externen Schnittstelleneinrichtung unabhängig von der Anzahl N2 als eine einzige Ansteuereinheit sichtbar sind. Dadurch, dass die lokalen AnSteuereinheiten nach extern, das heißt insbesondere zu der externen Schnittstelleneinrichtung, als eine einzige Ansteuereinheit sichtbar sind, ist die externe Ansteuerung der lokalen AnSteuereinheiten deut¬ lich vereinfacht. Es können beispielsweise hierdurch auf einfache Weise mehr lokale AnSteuereinheiten hinzugefügt werden. Es können aber auch Ansteuer- einheiten weggenommen werden. Die externe Ansteuerbarkeit über die externe Schnittstelleneinrichtung ändert sich in beiden Fällen aufgrund der Sichtbarkeit als eine einzige Ansteuereinheit vorteilhaferweise nicht.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfassen die N2 lokalen Ansteuerein- heiten eine erste Untermenge von aktiven lokalen AnSteuereinheiten und eine zweite Untermenge von inaktiven lokalen AnSteuereinheiten, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind. Dabei umfassen die N3 zent¬ ralen Ansteuereinheiten vorzugsweise eine erste Untermenge von aktiven zent¬ ralen Ansteuereinheiten und eine zweite Untermenge von inaktiven zentralen Ansteuereinheiten, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schalt¬ bar sind.
Hierdurch ergeben sich klare Zuordnungen für die Ansteuerung der Anordnun¬ gen in einem fehlerlosen Fall und in einem fehlerbehafteten Fall. Insbesondere sind die ersten Untermengen und die zweiten Untermengen konfigurierbar, bei¬ spielsweise über die externe Schnittstelleneinrichtung. Beispielsweise kann hierdurch die Zahl der aktiven lokalen Ansteuereinheiten in der ersten Unter¬ menge eingestellt werden. Es kann auch die Zuordnung der lokalen Ansteuer¬ einheiten zu der ersten Untermenge über die externe Schnittstelleneinrichtung eingestellt werden. Entsprechendes gilt für die Konfigurierbarkeit der zweiten Untermenge. Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst zumindest eine Untermenge der N2 lokalen AnSteuereinheiten sowohl aktive Ressourcen als auch redundan¬ te, in einem fehlerlosen Fall inaktive Ressourcen, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind. Dabei umfasst zumindest eine Untermen- ge der N3 zentralen AnSteuereinheiten sowohl aktive Ressourcen als auch re¬ dundante, in einem fehlerlosen Fall inaktive Ressourcen, welche in einem Fehler¬ fall in einen aktiven Zustand schaltbar sind.
Mit den Ressourcen sind hierbei insbesondere Rechenressourcen, Speicherres- sourcen und/oder Energiebereitstellungsressourcen, beispielsweise Stromversor¬ gungsressourcen, gemeint.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist zumindest eine Untermenge der N2 lokalen AnSteuereinheiten in einem Fehlerfall rekonfigurierbar.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist zumindest eine Untermenge der N3 zentralen AnSteuereinheiten in einem Fehlerfall rekonfigurierbar.
Vorliegend bedeutet Rekonfigurierbarkeit insbesondere, dass ein bestehender Softwarestand der lokalen Ansteuereinheit neu parametrisiert wird. Das bein¬ haltet beispielsweise, dass bestimmte Parameter der Software der lokalen An¬ Steuereinheit geändert werden. Für diese Änderung oder Rekonfiguration kann insbesondere die externe Schnittstelleneinrichtung verwendet werden, über wel¬ che der Benutzer der Anlage die Rekonfiguration vornehmen kann.
Die Rekonfiguration kann insbesondere automatisch, beispielsweise bei einer automatischen Fehlerdetektion, erfolgen. Alternativ kann die Fehlerdetektion automatisch erfolgen und die Rekonfiguration wird durch eine Benutzereingabe bewirkt. Als eine weitere Alternative kann die Fehlerdetektion durch eine Be- nutzerinteraktion erfolgen und dann kann die nachgeschaltete Rekonfiguration durch eine weitere Benutzerinteraktion erfolgen. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist zumindest eine Untermenge der N2 lokalen AnSteuereinheiten in einem Fehlerfall reprogrammierbar.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist zumindest eine Untermenge der N3 zentralen AnSteuereinheiten in einem Fehlerfall reprogrammierbar.
Reprogrammierbarkeit bedeutet vorliegend, dass der Softwarestand der Ansteu- ereinheit ausgetauscht oder in Teilen geändert wird. Folglich wird eine beste¬ hende Software der Ansteuereinheit durch eine neue Software ersetzt. Die neue Software kann insbesondere mittels der zentralen Schnittstelleneinrichtung auf die jeweilige Ansteuereinheit aufgespielt werden. Die Reprogrammierung kann insbesondere automatisch, beispielsweise bei einer Fehlerdetektion, erfolgen. Al¬ ternativ kann die Fehlerdetektion automatisch erfolgen und die Reprogrammie¬ rung wird durch eine Benutzereingabe bewirkt. Als eine weitere Alternative kann die Fehlerdetektion durch eine Benutzerinteraktion erfolgen und dann kann die nachgeschaltete Reprogrammierung durch eine weitere Benutzerinter¬ aktion bewirkt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfassen die N2 lokalen Ansteuerein- heiten eine erste Untermenge von aktiven lokalen AnSteuereinheiten und eine zweite Untermenge von redundanten lokalen AnSteuereinheiten, welche auch in einem fehlerlosen Fall aktiv geschaltet sind, so dass die aktiven lokalen AnSteu¬ ereinheiten und die redundanten lokalen AnSteuereinheiten zur Fehlermaskie¬ rung eingerichtet sind.
Bei der Fehlermaskierung kann beispielsweise eine Maskierung durch einen Mehrheitsentscheid verwendet werden. Des Weiteren können bei der Fehlermas¬ kierung vorteilhafterweise Fehlerkorrekturcodes oder Checksummen verwendet werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Lithographieanlage eine EUV- Lithographieanlage. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist die Strahlungsquelle eine EUV- Strahlungsquelle, welche zur Erzeugung einer EUV- Strahlung mit einer vorbe¬ stimmten Repetitionsfrequenz eingerichtet ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische Bauteil ein Spiegel.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische Bauteil ein Einzelspie¬ gel eines Feldfacettenspiegels eines Strahlformungs- und Beleuchtungssystems der Lithographieanlage.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das optische Bauteil ein Einzelspie¬ gel eines Pupillenfacettenspiegels eines Strahlformungs- und Beleuchtungssys¬ tems der Lithographieanlage.
Die Einzelspiegel sind jeweils mittels einer Aktuator- Einrichtung oder Aktor- Einrichtung mit mehreren elektromagnetisch, insbesondere elektrostatisch ar¬ beitenden Aktuatoren verlagerbar, insbesondere positionierbar. Die Aktuatoren lassen sich in einem Batch-Prozess als mikroelektromechanisches System (Micro- Electro-Mechanical System, MEMS) herstellen. Für Details wird hierzu auf das Dokument WO 2010/049 076 AI verwiesen, dessen Inhalt in Bezug genommen wird. Zur Ausbildung des Feldfacettenspiegels sowie zur Ausbildung des Pupil¬ lenfacettenspiegels wird auf die DE 10 2013 209 442 AI verwiesen, deren Inhalt in Bezug genommen wird.
Außerdem wird ein Verfahren zum Betreiben einer Anlage, beispielsweise einer Lithographieanlage, vorgeschlagen. Die Anlage umfasst eine Strahlungsquelle zur Erzeugung einer Strahlung, eine Mehrzahl von optischen Bauelementen zur Führung der Strahlung in der Anlage und eine Anzahl Nl von Anordnungen, mit Nl > 1, wobei jede der Nl Anordnungen zumindest eine Aktor7Sensor-
Einrichtung, welche einem der optischen Bauelemente zugeordnet ist, aufweist. Das Verfahren weist die folgenden Schritte auf Ansteuern der Anzahl Nl von Anordnungen mittels einer Mehrzahl N2 von lokalen AnSteuereinheiten, mit N2 > 2, und
Ansteuern der N2 lokalen AnSteuereinheiten mittels einer Anzahl N3 von zentralen AnSteuereinheiten, mit N3 > 1.
Die für die vorgeschlagene Anlage beschriebenen Ausführungsformen und
Merkmale gelten für das vorgeschlagene Verfahren entsprechend.
Weiterhin wird ein Computerprogrammprodukt vorgeschlagen, welches auf einer programmgesteuerten Einrichtung das Betreiben einer Anlage des wie oben er¬ läuterten Verfahrens veranlasst.
Ein Computerprogrammprodukt, wie z.B. ein Computerprogramm-Mittel, kann beispielsweise als Speichermedium, wie z.B. Speicherkarte, USB-Stick, CD-ROM, DVD, oder auch in Form einer herunterladbaren Datei von einem Server in ei¬ nem Netzwerk bereitgestellt oder geliefert werden. Dies kann zum Beispiel in einem drahtlosen Kommunikationsnetzwerk durch die Übertragung einer ent¬ sprechenden Datei mit dem Computerprogrammprodukt oder dem Computerpro¬ gramm-Mittel erfolgen.
Weitere mögliche Implementierungen der Erfindung umfassen auch nicht expli¬ zit genannte Kombinationen von zuvor oder im Folgenden bezüglich der Ausfüh¬ rungsbeispiele beschriebenen Merkmale oder Ausführungsformen. Dabei wird der Fachmann auch Einzelaspekte als Verbesserungen oder Ergänzungen zu der jeweiligen Grundform der Erfindung hinzufügen.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Aspekte der Erfindung sind Gegen¬ stand der Unteransprüche sowie der im Folgenden beschriebenen Ausführungs¬ beispiele der Erfindung. Im Weiteren wird die Erfindung anhand von bevorzug- ten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigelegten Figuren näher erläutert. Fig. 1 zeigt eine schematische Ansicht einer EUV- Lithographieanlage!
Fig. 2 zeigt eine schematische Ansicht einer ersten Ausführungsform einer An- steuervorrichtung für eine Lithographieanlage!
Fig. 3 zeigt eine schematische Ansicht einer zweiten Ausführungsform einer An- steuervorrichtung für eine Lithographieanlage!
Fig. 4 zeigt eine schematische Ansicht der zweiten Ausführungsform der Ansteu- ervorrichtung für eine Lithographieanlage gemäß Fig. 3 in einem Fehlerfall; und
Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Betreiben einer Anlage.
In den Figuren sind gleiche oder funktionsgleiche Elemente mit denselben Be_ zugszeichen versehen worden, sofern nichts anderes angegeben ist. Ferner sollte beachtet werden, dass die Darstellungen in den Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgerecht sind.
Fig. 1 zeigt eine schematische Ansicht einer EUV- Lithographieanlage 100 als beispielhafte Anlage, welche ein Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 und ein Projektionssystem 104 umfasst. Dabei steht EUV für„extremes Ultravio¬ lett" (Engl.: extreme ultraviolett, EUV) und bezeichnet eine Wellenlänge des Ar¬ beitslichts zwischen 0,1 und 30 nm. Das Strahlformungs- und Beleuchtungssys¬ tem 102 und das Projektionssystem 104 sind jeweils in einem Vakuum- Gehäuse 137 vorgesehen, wobei jedes Vakuum- Gehäuse mit Hilfe einer nicht näher darge¬ stellten Evakuierungsvorrichtung evakuiert wird. Die Vakuum- Gehäuse sind von einem nicht näher dargestellten Maschinenraum umgeben. In diesem Maschi¬ nenraum können auch elektrische Steuerungen und dergleichen vorgesehen sein. Die EUV-Lithographieanlage 100 weist eine EUV- Strahlungsquelle oder EUV- Lichtquelle 106A auf. Als EUV- Lichtquelle 106A kann beispielsweise eine Plas¬ maquelle vorgesehen sein, welche Strahlung 108A im EUV- Bereich (extrem ult- ra violetten Bereich), also z.B. im Wellenlängenbereich von 0,1 nm bis 30 nm aus¬ senden. Im Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV- Strahlung 108A gebündelt und die gewünschte Betriebswellenlänge aus der EUV-Strahlung 108A herausgefiltert. Die von der EU V- Lichtquelle 106A erzeug- te EUV-Strahlung 108A weist eine relativ niedrige Transmissivität durch Luft auf, weshalb die Strahlführungsräume im Strahlformungs- und Beleuchtungs¬ system 102 und im Projektionssystem 104 evakuiert sind.
Das in Fig. 1 dargestellte Strahlformungs- und Beleuchtungssystem 102 weist fünf Spiegel 110, 112, 114, 116, 118 auf. Nach dem Durchgang durch das Strahl¬ formungs- und Beleuchtungssystem 102 wird die EUV-Strahlung 108A auf die Photomaske (Engl.: reticle) 120 geleitet. Die Photomaske 120 ist ebenfalls als re- flektives optisches Element ausgebildet und kann außerhalb der Systeme 102, 104 angeordnet sein. Weiter kann die EUV-Strahlung 108A mittels eines Spie- gels 136 auf die Photomaske 120 gelenkt werden. Die Photomaske 120 weist eine Struktur auf, welche mittels des Projektionssystems 104 verkleinert auf einen Wafer 122 oder dergleichen abgebildet wird.
Das Projektionssystem 104 weist sechs Spiegel Ml - M6 zur Abbildung der Pho- tomaske 120 auf den Wafer 122 auf. Dabei können einzelne Spiegel Ml - M6 des Projektionssystems 104 symmetrisch zur optischen Achse 124 des Projektions¬ systems 104 angeordnet sein. Es sollte beachtet werden, dass die Anzahl der Spiegel der EUV- Lithographieanlage 100 nicht auf die dargestellte Anzahl be¬ schränkt ist. Es können auch mehr oder weniger Spiegel vorgesehen sein. Des Weiteren sind die Spiegel Ml - M6 i.d.R. an ihrer Vorderseite zur Strahlformung gekrümmt.
Ferner umfasst die EUV- Lithographieanlage 100 der Fig. 1 eine Ansteuervor¬ richtung 10, welche zur Ansteuerung der optischen Bauelemente 110, 112, 114, 116, 118, Ml - M6 eingerichtet ist. Die Ansteuervorrichtung kann in dem Strahl¬ formungs- und Beleuchtungssystem 102 und/oder in dem Projektionssystem 104 angeordnet sein. Insbesondere weist die Ansteuervorrichtung 10 eine Anzahl Nl von Anordnungen 210 - 260, eine Mehrzahl N2 von lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 und eine Anzahl N3 von zentralen Ansteueremheiten 510, 520 auf. Details zu der Ansteuervorrichtung 10 werden mit Bezug auf die Fig. 2 bis 4 im Folgenden detailliert erläutert.
Dabei zeigt die Fig. 2 eine schematische Ansicht einer ersten Ausführungsform einer Ansteuervorrichtung 10 und die Fig. 3 eine schematische Ansicht einer zweiten Ausführungsform einer Ansteuervorrichtung 10 für eine Lithographiean¬ lage 100. Die beiden Ausführungsformen der Ansteuervorrichtung 10 der Fig. 2 und 3 haben folgende Eigenschaften gemeinsam:
Die Ansteuervorrichtung 10 umfasst eine Anzahl Nl von Anordnungen, mit Nl > 1, wobei jede der Nl Anordnungen 210 - 260 zumindest eine Aktor7Sensor- Einrichtung 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N umfasst, welche einem der optischen Bauelemente 110, 112, 114, 116, 118 zuge¬ ordnet ist. Die Akto Sensor- Einrichtung 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N ist beispielsweise eine Aktor- Einrichtung zur Ver¬ lagerung des optischen Bauteils 110, 112, 114, 116, 118, eine Sensor- Einrichtung zum Ermitteln einer Position des optischen Bauteils 110, 112, 114, 116, 118 oder eine Aktor- und Sensor- Einrichtung zum Verlagern des optischen Bauteils 110, 112, 114, 116, 118 und zum Ermitteln einer Position des optischen Bauteils 110, 112, 114, 116, 118.
Ferner umfasst jede der beiden Ausführungsformen der Ansteuervorrichtung 10 eine Mehrzahl N2 von lokalen Ansteueremheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 zum Ansteuern der Anzahl Nl von Anordnungen 210 - 260, mit N2 > 2. Außer¬ dem umfasst jede der Ausführungsformen der Ansteuervorrichtung 10 eine An¬ zahl N3 von zentralen AnSteuereinheiten 510, 520 zum Ansteuern der N2 lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460, mit N3 > 1. Dabei sind Nl, N2, N3 insbesondere natürliche Zahlen. Eine jede der N2 lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 ist der¬ art mit einer jeden der N3 zentralen AnSteuereinheiten 510, 520 gekoppelt, dass eine jede der N2 lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 von einer jeden der N3 zentralen AnSteuereinheiten 510, 520 ansteuerbar ist. Ferner ist eine jede der N2 lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 mit zu¬ mindest zwei der Nl Anordnungen 210 - 260 verbunden, mit 2 < N2 < Nl. Im Folgenden wird auf die unterschiedlichen Details der beiden Ausführungsformen der Ansteuervorrichtung 10 der Fig. 2 und 3 eingegangen. Gemäß Fig. 2 umfasst die Ansteuervorrichtung 10 eine zentrale Ansteuereinheit 510 (N3 = 1), sechs lokale AnSteuereinheiten 410 - 460 (N2 =6) und 6 · N Aktor- /Sensor- Einrichtungen 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N. Ohne Einschränkung der Allgemeinheit sind in der Ausführungsform der Fig. 2 N2 = 6 und Nl = 6 · N. Die zentrale Ansteuereinheit 510, die sechs lcr kalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 und die 6 · N Anordnungen 210 - 260 der Fig. 2 sind in einer Baumstruktur B angeordnet. Die Baumstruk¬ tur B der Fig. 2 basiert auf einem gewurzelten Baum, bei welchem die zentrale Ansteuereinheit 510 die Wurzel, die lokalen AnSteuereinheiten 410 - 460 die in¬ neren Knoten und die Anordnungen 210 - 260 die Blätter bilden.
Eine jede der N2 (N2 = 6) lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 der Fig. 2 ist mittels einer jeweiligen Verbindung 611, 61N; 661, 66N mit einer jeden Akto Sensor- Einrichtung 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N einer bestimmten der Nl Anordnungen 210 - 260 verbun- den. So ist beispielsweise die lokale Ansteuereinheit 410 mit allen Aktor7Sensor- Einrichtungen 311 - 31N der ersten Anordnung 210 mittels der Verbindungen 611 - 61N verbunden.
Fig. 3 zeigt eine schematische Ansicht einer zweiten Ausführungsform einer An- Steuervorrichtung 10 für eine Lithographieanlage 100. In der zweiten Ausführungsform der Ansteuervorrichtung 10 der Fig. 3 sind zwei zentrale AnSteuereinheiten 510, 520 (N3 = 2), sechs lokale AnSteuereinheiten 410 - 460 (N2 = 6), sechs Anordnungen 210 - 260 (Nl =6) und eine Mehrzahl N4 von Akto Sensor- Einrichtungen 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N (N4 = Nl · N) vorgesehen. In dem Beispiel der Fig. 3 umfasst je¬ de der Anordnungen 210 - 260 N Aktor7Sensor- Einrichtungen 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N. Ohne Einschränkung der All¬ gemeinheit kann N für alle Anordnungen 210 - 260 gleich oder auch unterschied¬ lich sein.
Die N3 zentralen AnSteuereinheiten 510, 520 und die N2 lokalen AnSteuereinhei¬ ten 410, 420, 430, 440, 450, 460 der Fig. 3 sind in einer Ringstruktur R mitei¬ nander verbunden. Jede der Nl Anordnungen 210 - 260 ist mittels einer primären Verbindung 610 - 660 mit einer der N2 lokalen Ansteueremheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 und mittels einer sekundären Verbindung 710— 760 mit einer weiteren der N2 loka¬ len Ansteueremheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 oder mit einer der N3 zentra¬ len Ansteuereinheiten 510, 520 verbunden. Hierdurch werden redundante An- bindungen zwischen den Anordnungen 210 - 260 und den lokalen Ansteuerein¬ heiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 beziehungsweise den zentralen Ansteuerein¬ heiten 510, 520 geschaffen.
Es sind Ausführungen möglich, bei welchen in einem fehlerlosen Fall nur die primären Verbindungen 610— 660 genutzt werden und die sekundären Verbin¬ dungen 710 - 760 nur im fehlerbehafteten Fall mitgenutzt werden. Allerdings sind auch Ausführungsformen möglich, bei welchen in einem fehlerlosen Fall so¬ wohl die primären Verbindungen 610— 660 als auch die sekundären Verbindun¬ gen 710 - 760 genutzt werden. Details hierzu ergeben sich aus dem Folgenden:
Beispielsweise können die N2 lokalen Ansteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 eine erste Untermenge von aktiven lokalen Ansteuereinheiten und eine zwei- te Untermenge von inaktiven lokalen AnSteuereinheiten umfassen, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind. Dabei können auch die N2 zentralen AnSteuereinheiten 510, 520 eine erste Untermenge von aktiven zentralen AnSteuereinheiten und eine zweite Untermenge von inaktiven zentra- len Ansteuereinheiten umfassen, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zu¬ stand schaltbar sind.
Alternativ oder zusätzlich kann zumindest eine Untermenge der N2 lokalen An¬ Steuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 sowohl aktive Ressourcen als auch redundante, in einem fehlerlosen Fall inaktive Ressourcen, welche in einem Feh¬ lerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind, umfassen. Dabei kann vorzugs¬ weise auch zumindest eine Untermenge der N3 zentralen Ansteuereinheiten 510, 520 sowohl aktive Ressourcen als auch redundante, in einem fehlerlosen Fall in¬ aktive Ressourcen, umfassen, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zu- stand schaltbar sind.
Alternativ oder zusätzlich kann zumindest eine Untermenge der N2 lokalen An¬ Steuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 in einem Fehlerfall rekonfigurierbar oder reprogrammierbar sein. Entsprechend kann zumindest eine Untermenge der N3 zentralen Ansteuereinheiten 510, 520 in einem Fehlerfall rekonfigurier¬ bar oder reprogrammierbar sein.
Des Weiteren ist es möglich, dass die N2 lokalen Ansteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 eine erste Untermenge von aktiven lokalen Ansteuereinheiten und eine zweite Untermenge von redundanten lokalen Ansteuereinheiten umfas¬ sen, welche auch in einem fehlerlosen Fall aktiv geschaltet sind, so dass die akti¬ ven lokalen Ansteuereinheiten und die redundanten lokalen Ansteuereinheiten zur Fehlermaskierung eingerichtet sind. Insbesondere sind die Nl Anordnungen 210 - 260, die N2 lokalen Ansteuerein¬ heiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 und die N3 zentralen Ansteuereinheiten 510, 520 in dem Vakuum- Gehäuse 137 der Anlage 110 angeordnet. Des Weiteren um- fassen die zentralen AnSteuereinheiten 510, 520 vorzugsweise jeweils eine inter¬ ne Schnittstelleneinrichtung 511, 521. Die internen Schnittstelleneinrichtungen 511, 521 sind mit einer externen Schnittstelleneinrichtung 800 zum Datenaus¬ tausch und/oder zur Spannungsversorgung durch das Vakuum- Gehäuse 137 der- art gekoppelt, dass die N2 lokalen Ansteueremheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 gegenüber der externen Schnittstelleneinrichtung 800 als eine einzige Ansteuer- einheit sichtbar sind. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist die externe Schnitt¬ stelleneinrichtung 800 in der Fig. 3 nur mit den Datenkommunikationspfeilen von den internen Schnittstelleneinrichtungen 511, 521 nach extern angedeutet. Dadurch, dass die N2 lokalen Ansteueremheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 ge¬ genüber der externen Schnittstelleneinrichtung 800 als eine einzige Ansteuer- einheit sichtbar sind, ist die externe Ansteuerung der lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 deutlich vereinfacht. Es können auch hierdurch auf einfache Weise mehr lokale Ansteueremheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 hin- zugefügt werden oder auch weggenommen werden. Die externe Steuerbarkeit über die externe Schnittstelleneinrichtung 800 ändert sich aufgrund der Sicht¬ barkeit als eine einzige Ansteuereinheit demnach nicht.
In Fig. 4 ist eine schematische Ansicht der zweiten Ausführungsform der An- Steuervorrichtung 10 gemäß Fig. 3 in einem Fehlerfall dargestellt. In dem Bei¬ spiel der Fig. 4 wird angenommen, dass die lokale Ansteuereinheit 430 ausgefal¬ len ist. Hierzu zeigt das Bezugszeichen XI diesen primären Ausfall der defekten lokalen Ansteuereinheit 430. Aufgrund des initialen Ausfalls der lokalen Ansteu¬ ereinheit 430 kann die Anordnung 230 nicht mehr über ihre primäre Verbindung 630 angesteuert werden. Diese fehlende Ansteuerung über die primäre Verbin¬ dung 630 ist mittels eines Kreuzes mit dem Bezugszeichen X2 gekennzeichnet. Zur Kompensation des Ausfalls der Ansteuereinheit 430 übernimmt die Ansteu¬ ereinheit 420 die Ansteuerung der Anordnung 230 über die sekundäre Verbin¬ dung 730. In der Folge kann die Anordnung 220 nicht mehr über ihre primäre Verbindung 620 angesteuert werden. Diese fehlende Ansteuerung über die pri¬ märe Verbindung 620 ist wiederum mittels eines Kreuzes mit dem Bezugszei¬ chen X2 gekennzeichnet. Nach dem gleichen Prinzip übernimmt die Ansteuer- einheit 410 die Ansteuerung der Anordnung 220 über die sekundäre Verbindung 720 und die Ansteuereinheit 510 die Ansteuerung der Anordnung 210 über die sekundäre Verbindung 710. Die Ansteuereinheit 510 kann die Ansteuerung der Anordnung 210 zusätzlich zu ihren sonstigen Aufgaben übernehmen, da sie über zusätzliche Ressourcen verfügt, die im fehlerlosen Betriebsfall nicht benötigt werden. Die Kette der übernehmenden AnSteuereinheiten lässt sich auf mehr als 10 AnSteuereinheiten, insbesondere auf mehr als 20 AnSteuereinheiten erwei¬ tern. Fig. 5 zeigt eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Betreiben einer Anlage 100. Die Anlage 100 ist beispielsweise eine wie in der Fig. 1 dargestellte EUV- Lithographieanlage. Die Anlage 100 umfasst eine Strahlungsquelle 106A zur Er¬ zeugung einer Strahlung, eine Mehrzahl von optischen Bauelementen 110, 112, 114, 116, 118 zur Führung der Strahlung in der Anlage 100 und eine Anzahl Nl von Anordnungen 210 - 260, mit Nl > 1, wobei jede der Nl Anordnungen 210 - 260 zumindest eine Akto Sensor- Einrichtung 311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N, welche einem der optischen Bauelemente 110, 112, 114, 116, 118 zugeordnet ist, aufweist. Das Verfahren der Fig. 5 umfasst die folgenden Schritte Sl und S2:
In Schritt Sl wird die Anzahl Nl von Anordnungen 210 - 260 mittels einer Mehrzahl N2 von lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 ange¬ steuert, mit N2 > 2.
In Schritt S2 werden die N2 lokalen AnSteuereinheiten 410, 420, 430, 440, 450, 460 mittels einer Anzahl N3 von zentralen AnSteuereinheiten 510, 520 angesteu¬ ert, mit N3 > 1. Obwohl die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen beschrie¬ ben wurde, ist sie vielfältig modifizierbar. BEZUGSZEICHENLISTE
10 Ansteuervorrichtung
100 Lithographieanlage
102 Strahlformungs- und Beleuchtungssystem
104 Proj ektions System
106A Strahlungsquelle, EUV- Lichtquelle
108A EUV- Strahlung
110 Spiegel
112 Spiegel
114 Spiegel
116 Spiegel
118 Spiegel
120 Photomaske
122 Wafer
124 optische Achse des Projektionssystems
136 Spiegel
137 Vakuum- Gehäuse
210 - 260 Anordnung
311 - 31N Aktor7Sensor- Einrichtung
321 - 32N Aktor7Sensor- Einrichtung
331 - 33N Aktor7Sensor- Einrichtung
341 - 34N Aktor7Sensor- Einrichtung
351 - 35N Aktor7Sensor- Einrichtung
361 - 36N Aktor7Sensor- Einrichtung
410 - 440 lokale Ansteuereinheit
510, 520 zentrale Ansteuereinheit
511 interne Schnittstelleneinrichtung
521 interne Schnittstelleneinrichtung
610 - 660 primäre Verbindung
710 - 760 sekundäre Verbindung
800 externe Schnittstelleneinrichtung B Baum struktur
M1-M6 Spiegel
R Ringstruktur
Sl, S2 Verfahrensschritt
XI primärer Ausfall
X2 sekundärer Ausfall

Claims

PATENTANSPRÜCHE
1. Anlage (100), mit:
einer Strahlungsquelle (106A) zur Erzeugung einer Strahlung,
einer Mehrzahl von optischen Bauelementen (110, 112, 114, 116, 118) zur Führung der Strahlung in der Anlage (100),
einer Anzahl Nl von Anordnungen (210 - 260), mit Nl > 1, wobei jede der Nl Anordnungen (210 - 260) zumindest eine Aktor7Sensor- Einrichtung (311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N) umfasst, welche einem der optischen Bauelemente (110, 112, 114, 116, 118) zugeordnet ist,
einer Mehrzahl N2 von lokalen AnSteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) zum Ansteuern der Anzahl Nl von Anordnungen (210 - 260), mit N2 > 2, und
einer Anzahl N3 von zentralen AnSteuereinheiten (510, 520) zum Ansteuern der N2 lokalen AnSteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460), mit N3 > 1, wobei die Nl Anordnungen (210 - 260), die N2 lokalen AnSteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) und die N3 zentralen AnSteuereinheiten (510, 520) in einem Vakuum- Gehäuse (137) der Anlage (100) angeordnet sind, wobei eine externe Schnittstelleneinrichtung (800) zum Datenaustausch und/oder zur Span- nungsversorgung durch das Vakuum- Gehäuse (137) mit einer jeweiligen inter¬ nen Schnittstelleneinrichtung (511, 521) der N3 zentralen AnSteuereinheiten (510, 520) derart gekoppelt ist, dass die N2 lokalen AnSteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) gegenüber der externen Schnittstelleneinrichtung (800) un¬ abhängig von ihrer Anzahl N2 als eine einzige Ansteuereinheit sichtbar sind.
2. Anlage gemäß Anspruch 1, wobei eine jede der N2 lokalen Ansteuereinhei- ten (410, 420, 430, 440, 450, 460) derart mit einer jeden der N3 zentralen An- steuereinheiten (510, 520) gekoppelt ist, dass eine jede der N2 lokalen Ansteuer- einheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) von einer jeden der N3 zentralen Ansteu- ereinheiten (510, 520) ansteuerbar ist.
3. Anlage gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei eine jede der N2 lokalen Ansteu- ereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) mit zumindest zwei der Nl Anordnun¬ gen (210 - 260) verbunden ist, mit 2 < N2 < Nl.
4. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei, mit Nl > 2, eine jede der N2 lokalen AnSteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) mittels einer je¬ weiligen Verbindung (611, 61N, 661, 66N) mit einer jeden Aktor7Sensor- Einrichtung (311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N) einer bestimmten der Nl Anordnungen (210— 260) verbunden ist.
5. Anlage gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei eine jede der Nl Anordnungen (210 - 260) mittels einer primären Verbindung (610 - 660) mit einer der N2 loka¬ len Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) und mittels einer sekundä¬ ren Verbindung (710— 760) mit einer weiteren der N2 lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) oder mit einer der N3 zentralen Ansteuereinheiten (510, 520) verbunden ist, mit Nl > 1.
6. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Aktor7Sensor- Einrichtung (311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N) als eine Aktor- Einrichtung zur Verlagerung des optischen Bauteils (110, 112, 114, 116, 118), als eine Sensor- Einrichtung zum Ermitteln einer Position des op¬ tischen Bauteils (110, 112, 114, 116, 118) oder als eine Aktor- und Sensor- Einrichtung zum Verlagern des optischen Bauteils (110, 112, 114, 116, 118) und zum Ermitteln einer Position des optischen Bauteils (110, 112, 114, 116, 118) ausgebildet ist.
7. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Anlage (100) als ein Mehrfachspiegelsystem oder als eine Lithographieanlage, insbesondere als eine EUV- Lithographieanlage, ausgebildet ist.
8. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei, mit N3 = 1, die zentrale Ansteuereinheit (510), die N2 lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) und die Nl Anordnungen (210 - 260) in einer Baumstruktur (B) verbunden sind.
9. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei die N3 zentralen An- Steuereinheiten (510, 520) und die N2 lokalen AnSteuereinheiten (410, 420, 430,
440, 450, 460) in einer Ringstruktur (R) verbunden sind.
10. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die N2 lokalen AnSteu¬ ereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) eine erste Untermenge von aktiven kr kalen AnSteuereinheiten und eine zweite Untermenge von inaktiven lokalen An- steuereinheiten, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind, umfassen, wobei die N3 zentralen AnSteuereinheiten (510, 520) eine erste Untermenge von aktiven zentralen AnSteuereinheiten und eine zweite Unter¬ menge von inaktiven zentralen AnSteuereinheiten, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind, umfassen.
11. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei zumindest eine Un¬ termenge der N2 lokalen Ansteueremheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) sowohl aktive Ressourcen als auch redundante, in einem fehlerlosen Fall inaktive Res- sourcen, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind, um¬ fassen, wobei zumindest eine Untermenge der N3 zentralen AnSteuereinheiten (510, 520) sowohl aktive Ressourcen als auch redundante, in einem fehlerlosen Fall inaktive Ressourcen, welche in einem Fehlerfall in einen aktiven Zustand schaltbar sind, umfassen.
12. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei zumindest eine Un¬ termenge der N2 lokalen Ansteueremheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) in ei¬ nem Fehlerfall rekonfigurierbar oder reprogrammierbar ist, und wobei zumin¬ dest eine Untermenge der N3 zentralen AnSteuereinheiten (510, 520) in einem Fehlerfall rekonfigurierbar oder reprogrammierbar ist.
13. Anlage gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei die N2 lokalen AnSteu¬ ereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) eine erste Untermenge von aktiven lo¬ kalen AnSteuereinheiten und eine zweite Untermenge von redundanten lokalen Ansteuereinheiten umfassen, welche auch in einem fehlerlosen Fall aktiv ge- schaltet sind, so dass die aktiven lokalen Ansteuereinheiten und die redundanten lokalen Ansteuereinheiten zur Fehlermaskierung eingerichtet sind.
14. Verfahren zum Betreiben einer Anlage (100) aufweisend eine Strahlungs¬ quelle (106A) zur Erzeugung einer Strahlung, einer Mehrzahl von optischen Bauelementen (110, 112, 114, 116, 118) zur Führung der Strahlung in der Anlage (100), und einer Anzahl Nl von Anordnungen (210— 260), mit Nl > 1, wobei jede der Nl Anordnungen (210 - 260) zumindest eine Aktor7Sensor- Einrichtung (311 - 31N; 321 - 32N, 331 - 33N; 341 - 34N; 351 - 35N; 361 - 36N), welche einem der optischen Bauelemente (110, 112, 114, 116, 118) zugeordnet ist, umfasst, mit: Ansteuern (Sl) der Anzahl Nl von Anordnungen (210 - 260) mittels einer Mehrzahl N2 von lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460), mit N2 > 2, und
Ansteuern (S2) der N2 lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) mittels einer Anzahl N3 von zentralen Ansteuereinheiten (510, 520), mit N3 > 1, wobei die Nl Anordnungen (210 - 260), die N2 lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) und die N3 zentralen Ansteuereinheiten (510, 520) in einem Vakuum- Gehäuse (137) der Anlage (100) angeordnet sind, wobei eine externe Schnittstelleneinrichtung (800) zum Datenaustausch und/oder zur Span¬ nungsversorgung durch das Vakuum- Gehäuse (137) mit einer jeweiligen inter- nen Schnittstelleneinrichtung (511, 521) der N3 zentralen Ansteuereinheiten (510, 520) derart gekoppelt ist, dass die N2 lokalen Ansteuereinheiten (410, 420, 430, 440, 450, 460) gegenüber der externen Schnittstelleneinrichtung (800) un¬ abhängig von ihrer Anzahl N2 als eine einzige Ansteuereinheit sichtbar sind.
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