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WO2017118574A1 - Verfahren zur herstellung von organischen leuchtdioden und organische leuchtdiode - Google Patents

Verfahren zur herstellung von organischen leuchtdioden und organische leuchtdiode Download PDF

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Publication number
WO2017118574A1
WO2017118574A1 PCT/EP2016/082116 EP2016082116W WO2017118574A1 WO 2017118574 A1 WO2017118574 A1 WO 2017118574A1 EP 2016082116 W EP2016082116 W EP 2016082116W WO 2017118574 A1 WO2017118574 A1 WO 2017118574A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
organic
encapsulation
stack
insulation layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2016/082116
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Michael Popp
Richard Baisl
Christoph KEFES
Johannes Rosenberger
Andrew Ingle
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Oled GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled GmbH filed Critical Osram Oled GmbH
Publication of WO2017118574A1 publication Critical patent/WO2017118574A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Definitions

  • the method produces an organic light-emitting diode, OLED for short. This means that the light emitted by the light-emitting diode during operation is generated completely or predominantly in organic materials.
  • the method comprises the step of providing a carrier substrate.
  • the carrier substrate may be mechanically rigid or mechanically flexible. Furthermore, the carrier substrate
  • the carrier substrate is a glass plate, a glass sheet, a ceramic or a
  • Protective layers and / or frits include or be reflective, about a metal foils designed.
  • the carrier substrate in the organic light-emitting diode also acts as protection against environmental influences. In accordance with at least one embodiment, this includes
  • Carrier substrate a main side, which is adapted to carry functional layers of the organic light emitting diode.
  • the main page is smooth and / or even
  • a mean roughness of the main page is
  • Carrier substrate is in particular adapted to a light emission of light from the organic light emitting diode and can with a roughening to improve a
  • the main side is coated with an electrical insulation layer.
  • the main page is preferably structured and largely or completely coated. Full surface does not exclude that small-area edge regions of the carrier substrate, in which the carrier substrate is attached, for example, during coating, not coated.
  • insulation layer The following is the term insulation layer
  • the senor is composed. According to at least one embodiment, the senor is composed. According to at least one embodiment, the senor is composed. According to at least one embodiment, the
  • Insulation layer produced from an electrically insulating material.
  • the insulating layer is particularly preferably an inorganic layer.
  • the insulating layer may be made of a nitride or oxynitride such as SiNCO x .
  • Insulation layer partially or completely over
  • Atomic layer deposition via molecular layer deposition, MLD for short, and / or via chemical vapor deposition, CVD short prepared.
  • ALD Atomic layer deposition
  • MLD molecular layer deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • Insulation layer applied a mask layer.
  • the mask layer is in particular a photoresist. This may mean that a material of the mask layer is first applied over the entire surface of the insulating layer, then exposed and subsequently partially removed again. After completion of the mask layer, this partially covers the insulation layer. In this case, a region of the carrier substrate which is intended to generate light is preferably free of the mask layer. Likewise, metallic patterns, which have already been applied and / or structured, can be partially or completely covered by the mask layer.
  • Insulation layer removed in places. Here is the
  • Insulation layer structured on the basis of the mask layer.
  • an organic layer stack is applied.
  • the layer stack is configured to generate the light to be emitted during operation of the finished organic light-emitting diode.
  • the layer stack comprises one or more active zones in which radiation is generated by charge carrier recombination.
  • the layer stack is pumped in normal operation, preferably via direct current.
  • Insulation layer and the stack of layers in the direction parallel to the main page, directly on each other and thus touch each other.
  • Layer stack preferably in a common plane parallel to the main page.
  • a superfluous material of the layer stack is removed together with the mask layer.
  • the material for the layer stack is preferably only in those areas from which the insulation layer was previously removed.
  • an encapsulation is applied in order to protect the layer stack from environmental influences such as moisture or oxygen.
  • Encapsulation may be a so-called
  • Isolation layer can be the encapsulation of several components
  • Layers be composed. With regard to the materials and the manufacturing methods for the encapsulation, the same applies as described above for the insulating layer.
  • the encapsulation is applied in a form-fitting manner. That is, between the
  • the method for producing an organic light-emitting diode is set up and comprises at least the following steps, particularly preferably in the order given:
  • Photoresists for electrical insulation of an edge region of the layer stack may occur. Also, adhesion between the thin film encapsulant and the corresponding functional layers can be found in conventional organic ones
  • the insulation layer and the layer stack have the same thickness. This applies in particular with a tolerance of at most 50% or 25% or 10% or 2% of an average thickness of the layer stack in the finished organic light-emitting diode.
  • the insulating layer and the insulating layer have the same thickness.
  • Insulation layer made thin. This may mean that a thickness of the insulating layer is at most 20% or 10% or 5% of a thickness of the layer stack.
  • the insulation layer is then at least 10 nm and / or at most 100 nm or 20 nm thick.
  • a first and / or a second current supply for the layer stack is generated.
  • the at least one power supply is to
  • the power supply lines are preferably each composed of several components.
  • the first power supply comprises a transparent electrically conductive
  • This layer is in particular from a
  • transparent conductive oxide short TCO, as generated by ITO.
  • it can be a light-permeable, thin metal layer, for example made of aluminum or silver and having a thickness of at most 25 nm or 15 nm. This layer is preferably in direct contact with the layer stack and is preferably flat, so that this layer over the entire layer stack
  • the first comprises
  • a metallic contact structure which may have multiple sub-layers. These contact structures preferably do not directly adjoin the layer stack and can, as viewed in plan view of the main side, be located completely next to the layer stack.
  • the contact structure can be directly on the transparent electrically conductive layer
  • Insulation layer between the contact structure and the
  • the second power supply comprises a power supply line, in particular a
  • This power supply is preferably close to the main side, for example, at a distance from the main side of at most 0.5 ym or
  • the power supply line is applied in particular directly to a subregion of the transparent electrically conductive layer of the first power supply, wherein this
  • Part of the remaining areas of the first power supply is preferably electrically isolated.
  • the second power supply comprises a surface part.
  • the surface part can be designed to translucent or mirror. Prefers is the surface part in direct, over the entire area in contact with one side of the stack of layers, which faces away from the main page. Thus, the layer stack can be located completely between the surface part and the carrier substrate.
  • the second power supply comprises at least one electrical feedthrough.
  • the one or more vias extend from the power supply line in the direction away from the main side through the insulation layer to the surface part.
  • Through-connection may consist of one or more metals and is preferably ohmic conductive, as can also apply to all other parts of the first and / or second power supply.
  • the encapsulation is applied directly and over the whole area to the surface part of the second
  • the surface part covers the insulation layer in particular only partially.
  • the encapsulation is preferably directly on the insulating layer. In the direction parallel to the main page and in the direction away from the layer stack, the
  • the plated-through hole and the surface part are preferably produced together in the same method step, for example by vapor deposition. It can be a material for the feedthrough and the surface part only
  • Insulation layer generates at least one opening.
  • Opening is intended to be partially or completely filled by the via and optionally also by a material of the encapsulant.
  • the opening which penetrates the insulation layer preferably completely in the direction of the main side passes through
  • the opening or openings may be created prior to applying the masking layer.
  • Encapsulation can be created.
  • the layer stack in regions or all around, in the direction parallel to
  • Power supply preferably only partially covered by the surface part, seen in plan view of the main page.
  • Material produced or comprise at least one common material This common material of the insulating layer and the encapsulation preferably adjoins one another directly. As a result, a good adhesion of the encapsulation on the insulating layer is possible. According to at least one embodiment, the
  • Insulation layer and / or the encapsulation translucent are insulating layers and / or the encapsulation translucent.
  • the insulating layer and / or the insulating layer are insulating layers and / or the
  • Insulation layer on a greater thickness than the
  • Insulation layer at least 0.1 ym and / or at most 1 ym.
  • a thickness of the encapsulation is preferably at least 10 nm or 20 nm and / or at most 0.5 ym or 0.2 ym.
  • the removal of the insulation layer takes place dry-chemically. It is possible that the removal of the insulating layer in the same
  • Reaction chamber is performed as the application of the layer stack. So it can remove the
  • Insulation layer from those for the layer stack
  • This area is, in particular, a side of the transparent, electrically conductive layer of the first power supply which faces away from the main side.
  • the encapsulation is applied continuously. That specifically means that
  • Encapsulation does not have to over-form any steps having a height of 50% or more or 25% or more or 10% or more of an average thickness of the encapsulant. This is particularly possible because the insulating layer and the
  • Layer stacks have substantially the same thicknesses. Thus, potential demolition edges and leaks in the encapsulation can be avoided.
  • Isolation layer has a smaller thickness than that
  • organic light emitting diode is specified.
  • the organic light-emitting diode is preferably produced by a method as stated in connection with one or more of the above-mentioned embodiments. Features for the method are therefore also disclosed for the organic light emitting diode and vice versa.
  • the organic light emitting diode comprises a carrier substrate having a main side.
  • An encapsulation is located on a side facing away from the main side of the insulating layer and the layer stack.
  • the insulation layer and the layer stack lie in the same plane, in particular parallel to the main side, have the same thickness with a tolerance of at most 25% of an average thickness of the layer stack, do not overlap with each other, and directly follow each other in a direction parallel to the main side.
  • the invention also relates to a further method for producing an organic optoelectronic component.
  • organic optoelectronic components are finding increasing popularity.
  • organic light-emitting diodes OLEDs
  • organic solar cells are also increasingly used.
  • An organic optoelectronic component for example an OLED, may comprise an anode and a cathode and, between them, an organic functional layer system.
  • the organic functional layer system may include one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, a charge carrier pair generation layer structure of two or more each
  • CGL Charge pair generation charge generating layer
  • HTL hole transport layer
  • - ETL electron transport layer
  • Segments for example, a length of 50 ym to 1 ym and / or a distance of less than 10 ym
  • Buffer and / or barrier layers for example HMDSO layers, Paryllene layers, MLD / ALD layer sequences, thick CVD layers, for example greater than 5 ⁇ m.
  • process times and / or cleaning times are very long and incompatible with short cycle times and / or internal stresses in the corresponding thick layers are too high.
  • Another approach is the
  • An object of the invention is to provide a further method for producing an organic optoelectronic component, which can be carried out quickly, easily and / or inexpensively and / or which contributes to the fact that the
  • An object is achieved according to an aspect of the invention by a further method for producing an organic optoelectronic component, in which: a substrate having a first electrode layer is provided; a protective layer structure over the entire surface on the first
  • Electrode layer is formed; a first shadow mask having at least one recess on which
  • Protective layer structure is removed in the region of the recess by means of etching; in the region of the recess in which the protective layer structure has been removed, an organic functional layer structure is formed without first removing the first shadow mask; the first
  • Shadow mask is removed and a second electrode layer over the organic functional layer structure
  • the patterning of the protective layer structure by means of the shadow mask and the formation of the organic functional layer structure by means of the shadow mask without an intermediate removal of the shadow mask allows both processes to be carried out in a process chamber without having to remove the substrate with the corresponding layers from the process chamber, and that the shadow mask while forming the organic
  • Layer structure are arranged very precisely to each other, which is not possible so precisely with a conventional method. This makes it possible to form particularly small segments and / or form the segments so that they are only a very small distance from each other. This generally contributes to the fact that the individual segments from the outside not very good or not at all with the naked eye
  • Shadow mask or on a renewed elaborate alignment of the first shadow mask for forming the organic functional layer structure for example, with a costly alignment device omitted. It should be noted that even with a very complex and costly alignment of the corresponding shadow mask, such precision can not be achieved as if the shadow mask is not removed and is not rearranged. In other words, that's not removing the
  • organic optoelectronic device particularly fast, very easy and particularly inexpensive to be performed.
  • the method for producing the organic optoelectronic component contributes to the fact that the organic optoelectronic component has a long life
  • Protective layer structure introduced into a process chamber, in which there is a negative pressure relative to an environment of the process chamber.
  • the first shadow mask is placed in the process chamber on the protective layer structure.
  • Forming the organic functional layer structure becomes the substrate with the structured one
  • Process chamber would have been removed. In other words, this is not removal of the substrate with the layers of the
  • the process chamber can have different sub-chambers into which the substrate can be moved with the corresponding layers and which can be completely or partially separated from one another and in which optionally different negative pressures can prevail.
  • the sub-chambers may optionally be interconnected by means of suitable locks, so that the substrate with the corresponding layers not from the
  • Process chamber must be removed when it comes from one
  • Part chamber is brought to the other sub-chamber.
  • Electrode layer formed an encapsulation.
  • Encapsulation helps to prevent dirt, such as particles, and / or harmful substances, such as air and / or moisture, from coming into contact with the body organic functional layer structure and / or the first and / or second electrode layer come.
  • Process chamber to a vacuum having a pressure of lO ⁇ mbar or less.
  • the negative pressure in the process chamber can be in a range, for example, from 10 -5 mbar to 500 mbar, for example from 10 -5 mbar to 1 mbar. According to a development is used in the etching of
  • Substrate is introduced into the process chamber and / or when the protective layer structure is formed.
  • the first electrode layer has a first electrode, which has ITO and / or TCO, and at least one contact section, which has a metallization and / or contacting. This helps to make the process simple, quick and / or cost effective.
  • the first shadow mask has a plurality of recesses and during the etching, the
  • the organic functional layer structure is formed by means of vapor deposition. This helps to make the process simple, quick and / or cost effective. In particular, this contributes to the fact that the organic functional
  • the protective layer structure has a first planarization layer and / or a first planarization layer
  • Protective layer structure unfolds a particularly high protective effect. If the first planarization layer and the first barrier layer are formed, then
  • the first barrier layer may be formed over the first planarization layer.
  • the substrate has a carrier on which the first electrode layer is formed. This can contribute to the method for producing the organic optoelectronic component being particularly easy to carry out.
  • the carrier is formed of an electrically insulating material, this can enable the first electrode layer to be electrically insulated from an environment of the organic optoelectronic component.
  • the encapsulation has a second barrier layer, a second planarization layer over the second barrier layer and / or a third barrier layer over the second planarization layer. This helps to ensure that the encapsulation is particularly high
  • optoelectronic component is particularly well protected against ingress of air and / or moisture.
  • the first shadow mask has webs which delimit the recesses in the lateral direction and which have a width in a range from 1 ⁇ m to 100 ⁇ m, for example from 5 ⁇ m to 50 ⁇ m, for example from 10 ⁇ m to 20 ⁇ m.
  • the entirety of the webs forms the shadow mask.
  • the shadow mask can only have equal wide webs or the shadow mask can have different widths of webs.
  • the shadow mask in the area in which the protective layer structure is to be removed and / or in which the organic functional
  • Layer structure to be formed have very thin webs, for example, with a width in the
  • the shadow mask can outside these areas, for example, at one edge of the
  • Shadow mask for example, with a width of 0.1 mm to 10 mm.
  • Protective layer structure after forming the organic functional layer structure and after removing the first shadow mask the remaining protective layer structure thicker than the organic functional layer structure.
  • Protective layer structure after forming the organic functional layer structure and after removing the first shadow mask, the remaining protective layer structure thinner than the organic functional layer structure. According to a development after etching of the
  • Protective layer structure after forming the organic functional layer structure and after removing the first shadow mask, the remaining protective layer structure is the same thickness as the organic functional one
  • Aspect A Further method for producing an organic optoelectronic component (10), in which
  • a protective layer structure (40, 42) is formed over the entire surface of the first electrode layer (14),
  • Recess (48) is removed by etching
  • the first shadow mask (46) is removed and a second electrode layer (52) is formed over the organic functional layer structure (22).
  • Protective layer structure (40, 42) is arranged, and after forming the organic functional layer structure (22) the substrate with the structured
  • the functional layer structure (22) is removed from the process chamber, and before or after removal of the substrate from the process chamber, the first shadow mask (46) is removed.
  • Aspect C) A further method according to one of the preceding aspects, wherein an encapsulation (54, 56, 58) is formed over the second electrode layer (52).
  • Aspect D) Another method according to any one of the preceding aspects, wherein the negative pressure in the process chamber
  • Aspect F) A further method according to any one of the preceding aspects, wherein the substrate having the protective layer structure (40, 42) is cleaned prior to introduction into the process chamber.
  • Aspect G A further method according to one of the preceding aspects, wherein the first electrode layer (14) comprises a first electrode (20) comprising ITO and / or TCO, and at least one contact portion (32, 34) having a metallization and / or Having contact.
  • Aspect H A further method according to any one of the preceding aspects, wherein the first shadow mask (46) has a plurality of recesses (48) and during etching
  • a plurality of recesses (48) is removed and subsequently the organic functional layer structure (22) is formed in the respective recesses (48) and remote areas of the protective layer structure (40, 42).
  • Layer structure (22) is formed by vapor deposition.
  • Aspect J) A further method according to one of the preceding aspects, wherein the protective layer structure (40, 42) comprises a first planarization layer (40) and / or a first planarization layer (40)
  • Aspect K) A further method according to one of the preceding aspects, wherein the substrate has a carrier (12) on which the first electrode layer (14) is formed.
  • Aspect L) A further method according to one of the preceding aspects, wherein the encapsulation (54, 56, 58) has a second barrier layer (54), a second planarization layer (56) over the second barrier layer (54) and / or a third barrier layer (58 ) over the second planarization layer (56).
  • Aspect M A method according to any one of the preceding aspects, wherein the first shadow mask (46) has webs bounding the recesses (48) in the lateral direction and having a width in a range of 1 ym to 100 ym, for example 5 ym to 50 ym, for example from 10 ym to 20 ym.
  • Aspect N A further method according to any preceding aspect, wherein after the etching of the protective layer structure (40, 42), after the formation of the organic functional layer structure (22) and after the removal of the first shadow mask (46), the remaining protective layer structure (40, 42) is thicker than the organic functional one
  • Aspect O Another method according to any one of aspects A) to M), wherein after the etching of the protective layer structure (40, 42), after forming the organic functional
  • Aspect P Further method according to one of the aspects A) to M), in which after the etching of the protective layer structure (40, 42), after forming the organic functional
  • Layer structure (22) and after removing the first shadow mask (46), the remaining protective layer structure (40, 42) is the same thickness as the organic functional layer structure (22).
  • Figure 1 is a schematic sectional view of a
  • FIGS. 1 to 13 are schematic sectional views of
  • Figure 14 is a schematic sectional view of a
  • Figure 15 is a side sectional view of a
  • Figure 16 is a side sectional view of an embodiment of an organic compound
  • FIG. 17 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 16 in a second state during the method for producing the organic optoelectronic element
  • FIG. 18 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 17 in a third state during the method of FIG
  • FIG. 19 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 18 in a fourth state during the method for producing the organic optoelectronic element
  • FIG. 20 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 19 in a fifth state during the method for producing the organic optoelectronic component
  • FIG. 21 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 20 in a sixth state during the method of FIG Producing the organic optoelectronic component,
  • FIG. 22 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 21 in a seventh state during the method for producing the organic optoelectronic component.
  • FIG. 23 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 22 in an eighth state during the method for producing the organic optoelectronic element Component,
  • FIG. 24 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 23 in a ninth state during the method for producing the organic optoelectronic component,
  • FIG. 25 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 24 in a tenth state during the process for producing the organic optoelectronic device
  • FIG. 26 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 25 in an eleventh state during the method for
  • FIG. 27 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 26 in a twelfth state during the method for producing the organic optoelectronic component,
  • FIG. 28 is a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 27 in a thirteenth state during the method for producing the organic optoelectronic element
  • FIG. 29 shows a side sectional view of the organic optoelectronic component according to FIG. 28 with a dirt particle
  • Figure 30 is a side sectional view of a
  • FIG. 31 shows a schematic sequence of a
  • Figure 32 is a schematic flow of a conventional
  • FIG. 33 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG.
  • FIG. 34 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG.
  • FIG. 35 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG.
  • FIG. 36 shows a detailed lateral sectional illustration of an alternative exemplary embodiment of the organic optoelectronic component in the ninth state during the method for producing the organic optoelectronic component
  • FIG. 37 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG.
  • FIG. 38 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG Producing the organic optoelectronic component,
  • FIG. 39 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG.
  • FIG. 40 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG.
  • FIG. 41 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the ninth state during the method of FIG.
  • FIG. 42 shows a detailed side sectional view of an alternative exemplary embodiment of the organic optoelectronic component in the tenth state during the method for producing the organic optoelectronic component
  • Figure 43 is a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device in the tenth state during the process for producing the organic optoelectronic
  • the organic light emitting diode 1 shown.
  • On a substrate 2 with a main side 20 is an electrically conductive, radiation-transmissive layer which is divided into two regions 3a, 6d.
  • the first power supply 3 further comprises a metallic contact structure 3b, via which the layer 3a external
  • a second power supply 6 includes a particular metallic power supply line 6a, which is applied to the area 6d. Over a
  • Through-hole 6b is a surface part 6c of the second
  • the layer stack 5 is located between the surface part 6c and the layer 3a. In the direction parallel to the main side 20 is located directly next to the layer stack 5, an insulating layer 4. The insulating layer 4 is partially covered by the surface portion 6c. An encapsulation 7, in particular a so-called thin-film encapsulation, is applied directly over the entire surface of the insulating layer 4 and the surface part 6c. In Figure 1, the encapsulation 7 and the insulating layer 4 are separated by a dotted line from each other. The encapsulation 7 and the insulation layer 4 are preferred from the same material or from the same
  • the insulating layer 4 is slightly thinner than the layer stack 5. Differing from the illustration in FIG. 1, the insulating layer 4, which in particular covers a region between the contact structures 3b and
  • a thickness of the layer stack 5 is usually at least 0.2 ym and / or at most 1 ym.
  • a protective layer 11 is optionally applied to the encapsulation 7.
  • the protective layer 11 can also serve as a planarization layer.
  • the protective layer 11 is made of a
  • the protective layer 11 may be formed homogeneously from a single material or from several different materials, even in individual partial layers.
  • the contact structure 3b is locally applied to the layer 3a.
  • the power supply line 6a is applied to the layer 6d.
  • the layers 3a, 6d are electrically separated from one another by a gap which extends to the main side 20.
  • the layer 6d may also be removed in the region of the power supply line 6a.
  • the power supply line 6a and the power supply line 6a may also be removed in the region of the power supply line 6a.
  • Contact structure 3b may each comprise a plurality of metal layers, in particular a layer sequence Mo / Al / Mo or Cr / Al / Cr or Ag / Mg or Ag / Al. The same can be said for the
  • the first power supply 3 is in this case designed, for example, as an anode and the second power supply 6 as a cathode.
  • Insulation layer 4 applied, such as by means of ALD, MLD or CVD.
  • the insulating layer 4 is produced in particular from a metal oxide and / or a nitride, for example a silicon-containing nitride.
  • an opening 46 for the through-connection 6b can optionally be produced, see FIG. 3B. Notwithstanding the representation in FIGS. 2 to 13, the opening 46 and the contact 6b can also be made later, in particular after the method step of FIG. 11.
  • the mask layer 8 covers only a part of the insulating layer 4. Specifically, the contact structures 3b and the power supply line 6a become
  • the gap between the layers 3a, 6d is partially or completely covered by the mask layer 8.
  • the opening 46 can be partially or completely filled by a material for the mask layer 8, in particular a photoresist.
  • FIG. 5 shows that the insulation layer 4 in areas not covered by the mask layer 8 is completely removed, so that the layer 3a, in particular
  • the removal of the insulating layer 4 is preferably carried out by
  • the layer stack 5 and the insulation layer 4 can be positioned relative to one another exactly and with only negligible tolerances.
  • the mask layer 8 and unnecessary material for the layer stack 5 are removed.
  • the layer stack 5 remains in a slightly greater thickness on the carrier substrate 2 than the insulating layer 4.
  • a further mask layer 9 is applied, which leaves the layer stack 5 and the opening 46 completely free and partially covers the insulation layer 4.
  • the surface part 6c and the via 6b are produced, preferably together in a single process step.
  • FIG. 11 it can be seen that the entire surface of the encapsulation 7 rests on the surface part 6 c and the insulation layer 4
  • the encapsulation 7 has no larger steps
  • the insulating layer 4 serves as a planarization with respect to the layer stack 5 and the surface portion 6c preferably has only a small thickness of, for example, at most 0.2 ym or 0.15 ym. As a result, a particularly dense encapsulation 7 can be achieved. Because the
  • Insulation layer 4 and the encapsulation 7 may be formed of the same material, is also a good adhesion of the encapsulation 7 on the insulating layer 4th
  • the protective layer 11 is applied to the encapsulation 7.
  • the protective layer 11 is applied to the organic light emitting diode 1 of Figure 1, optionally the protective layer 11, the
  • organic light emitting diode 1 may be a
  • Area light source with a single coherent light emitting area act as shown in the figures. Notwithstanding this, there may be a plurality of regions which emit electrical light to controllable light.
  • the power supply lines 3, 6 are to be designed accordingly.
  • FIG. 13A shows that dirt particles 12 can deposit after the application of the insulation layer 4.
  • Such dirt particles 12 can be a quality of
  • FIG. 14 shows a modification 1 '.
  • this modification no insulation layer according to the figures 1 to 13 is present. Instead, it's an organic one
  • the encapsulation 7 undergoes a relatively large step at an edge of the layer stack 5. As a result, the encapsulation 7 may be impaired.
  • the layer stack 5 partially covers the insulation material 10, so that also a size of a luminous area
  • the thin-film encapsulation 7 is defined on the upper electrode, in a structure without
  • an additional particle load can be achieved by the generation of the insulation layer 4 in a substrate generation process, in particular by saving a mask process. Particles can be removed in the in-situ etching process directly before the organic deposition, so that the insulating layer 4 in the region of
  • Layer stack 5 can simultaneously act as a sacrificial layer and / or particle trapping layer.
  • structured masks are also multiple times
  • the insulating layer 4 can be processed at elevated temperatures in the range from 200 ° C. to 300 ° C., so that it can be produced significantly more densely than the upper encapsulation 7, during the production of which temperatures of at most approximately 100 ° C. may be present so as not to admit the layer stack 5
  • An organic optoelectronic component may emit an organic electromagnetic radiation
  • Electromagnetic radiation absorbing device may be, for example, an organic solar cell.
  • Component may in various embodiments, an organic electromagnetic radiation emitting
  • the radiation can be formed.
  • the radiation can be formed.
  • Component for example, as an organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode, OLED) or as an organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode, OLED) or as an organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode, OLED) or as an organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode, OLED) or as an organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode, OLED) or as OLED.
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • organic light emitting transistor The organic light-emitting component can be used in
  • FIG. 15 shows an exemplary embodiment of an organic optoelectronic component 101, the organic one
  • Optoelectronic component 101 has a carrier 121.
  • the carrier 121 may be translucent or transparent.
  • the carrier 121 serves as a carrier element for
  • the carrier 121 may
  • the carrier 121 may be a plastic film or a laminate having one or more plastic films
  • the carrier 121 may be mechanically rigid or mechanically flexible.
  • On the carrier 121 is an opto-electronic
  • Layer structure has a first electrode layer 14 having a first contact portion 16, a second Contact portion 18 and a first electrode 201 has.
  • the carrier 121 having the first electrode layer 14 may also be referred to as a substrate.
  • a barrier layer not shown, for example, a barrier thin film may be formed between the carrier 121 and the first electrode layer 14.
  • the first electrode 201 is separated from the first contact portion 16 by means of an electrical insulation barrier 21
  • the second contact portion 18 is connected to the first electrode 201 of the optoelectronic
  • the first electrode 201 may be formed as an anode or as a cathode.
  • the first electrode 201 may be translucent or transparent
  • the first electrode 201 has a
  • electrically conductive material for example metal and / or a conductive transparent oxide (TCO) or a layer stack of several layers comprising metals or TCOs.
  • TCO conductive transparent oxide
  • electrode 201 may comprise a layer stack of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • the first electrode 201 may comprise, alternatively or in addition to the mentioned materials: networks
  • Metallic nanowires and particles for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting
  • the first electrode 201 is an organic compound
  • the organic functional layer structure 22 may, for example, have one, two or more partial layers.
  • the organic functional layer structure 22 may include a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, a
  • Hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer.
  • the hole conductivity is larger than the electron conductivity.
  • the hole transport layer serves to transport the holes.
  • the electron conductivity is larger than that
  • the electron transport layer serves to transport the electrons.
  • the organic functional layer structure 22 may be one, two or more
  • the second electrode 23 may be formed according to any one of the configurations of the first electrode 201, wherein the first electrode 201 and the second electrode 23 may be the same or different.
  • the first electrode 201 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure.
  • the second electrode 23 is corresponding to the first one Electrode as the cathode or anode of the optoelectronic
  • the optoelectronic layer structure is an electrically and / or optically active region.
  • the active region is, for example, the region of the optoelectronic component 101 in which electric current flows for the operation of the organic optoelectronic component 101 and / or in which electromagnetic radiation is generated or absorbed.
  • a getter structure (not shown) may be arranged on or above the active area.
  • the getter layer can be translucent, transparent or opaque.
  • the getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area.
  • an encapsulation layer structure 24 of the optoelectronic layer structure is formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure.
  • Encapsulation layer structure 24 may be formed as a barrier layer, for example as a barrier thin layer.
  • the encapsulation layer structure 24 may also be referred to as
  • Thin-layer encapsulation may be referred to.
  • Encapsulation layer structure 24 provides a barrier to chemical contaminants, particularly water (moisture) and oxygen.
  • the encapsulant layer structure 24 may be in the form of a single layer, a layer stack, or a single layer
  • Encapsulation layer structure 24 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, Titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride,
  • Indium tin oxide Indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof. If necessary, the first
  • a first recess is above the first contact portion 16
  • Encapsulation layer structure 24 is formed. In the first recess of the encapsulation layer structure 24, a first contact region 32 is exposed and in the second
  • Contact region 32 serves for electrically contacting the first contact section 16 and the second contact region 34 serves for electrically contacting the second
  • encapsulation layer structure 24 is a
  • Adhesive layer 36 is formed.
  • the adhesive layer 36 comprises, for example, an adhesive, for example an adhesive, for example a laminating adhesive, a lacquer and / or a resin.
  • the adhesive layer 36 may
  • particles that scatter electromagnetic radiation such as light-scattering particles.
  • the adhesive layer 36 serves for fastening of the covering body 38 on the encapsulation layer structure 24.
  • the covering body 38 has, for example, plastic, glass and / or metal.
  • the cover body 38 may be formed substantially of glass and a thin
  • Metal layer such as a metal foil, and / or a graphite layer, such as a graphite laminate, have on the glass body.
  • the cover body 38 serves to protect the organic optoelectronic component 101,
  • cover body 38 for distributing and / or
  • the glass of the covering body 38 can serve as protection against external influences, and the metal layer of the covering body 38 can serve for distributing and / or dissipating the heat arising during operation of the organic optoelectronic component 101.
  • the organic optoelectronic component 101 is
  • optoelectronic component 101 a plurality of lateral
  • the segments of the organic optoelectronic component 101 are partial regions of the organic optoelectronic component 101 that are completely or partially separated in the lateral direction, but which can have the same or similar structure, in particular the same or similar layer sequence, in the vertical direction.
  • the segments or one or more subsets of the segments can be controlled the same and / or together and or be the same or at least similar.
  • the segments may represent one serve homogeneous luminous surface.
  • the segments may be at least partially independent of one another
  • an inhomogeneous luminous area can thereby be displayed, for example images, symbols, numbers or letters can be displayed.
  • the segments are so small in this embodiment and arranged so close to each other in the lateral direction that they are not recognizable in the sectional view shown in Figure 15 as independent segments and therefore are not shown.
  • a method for producing an organic optoelectronic component 101 which, for example, is shown in FIG. 15, is explained with reference to FIGS. 16 to 28
  • Optoelectronic device 101 may correspond.
  • the organic optoelectronic component 101 is in the individual states of the organic optoelectronic
  • Fig. 16 shows a side sectional view of a
  • Embodiment of an organic optoelectronic device 101 for example, the above
  • Fig. 17 shows a side sectional view of the
  • organic optoelectronic component 101 according to FIG. 16 in a second state during the method for
  • the first electrode layer 14 is formed on the carrier 121.
  • Electrode layer 14 may, for example, in a
  • a vapor deposition or by means of a printing process on the support 121 are formed.
  • the carrier 121 may be omitted and the first electrode layer 14 may be so stable
  • the first electrode layer 14 may be formed as a metal foil or as a metal sheet.
  • Fig. 18 shows a side sectional view of
  • the first planarization layer 40 may
  • the first planarization layer 40 preferably comprises an electrically insulating material.
  • the first planarization layer 40 comprises a resist, a resin, for example a synthetic resin,
  • Fig. 19 shows a side sectional view of the
  • a first barrier layer 42 is formed on the first planarization layer 40.
  • the first barrier layer 42 may, for example, be formed all over the surface on the first planarization layer 40.
  • the first barrier layer 42 preferably comprises an electrically insulating material.
  • the first barrier layer 42 comprises a resist, a resin, for example a synthetic resin, and / or a lacquer.
  • Barrier layer 42 form a protective layer structure of the organic optoelectronic component 101.
  • the protective layer structure may be only the first one
  • Planarization layer 40 or the first barrier layer 42 in which case can be dispensed with the first barrier layer 42 and the first planarization layer 40. From the protective layer structure are subsequently electrically insulating separation areas between the segments of the
  • Fig. 20 shows a side sectional view of the
  • organic optoelectronic component 101 in a fifth state during the method for
  • Protective layer structure is preferably introduced into a process chamber in which a negative pressure relative to the environment of Process chamber prevails.
  • the substrate having the protective layer structure may be first introduced into the process chamber and cleaned in the process chamber. There may be a vacuum in the process chamber.
  • the negative pressure in the process chamber can be 10 "4 mbar or less
  • Range are for example from 10 ⁇ 10 to 500 mbar
  • Fig. 21 shows a side sectional view of the
  • organic optoelectronic component 101 in a sixth state during the method for
  • a shadow mask 461 is arranged on the protective layer structure, in particular on the first barrier layer 42.
  • the shadow mask 461 was placed in the process chamber on the protective layer structure
  • the shadow mask 461 has a plurality of recesses 48, which in the lateral direction of webs of the
  • Shadow mask 461 are limited.
  • the shadow mask 461 may be formed, for example, net-like.
  • the webs may for example be designed and arranged so that the recesses 48 are formed in plan view, for example, quadrangular or hexagonal.
  • the lands may have a width in a range from 1 ym to 100 ym, for example from 5 ym to 50 ym, for example from 10 ym to 20 ym.
  • the entirety of the webs forms the shadow mask 461.
  • the shadow mask 461 can only have equal width webs or the shadow mask 461 can have webs of different widths.
  • the shadow mask 461 may be located in an area where subsequently the Protective layer structure is removed and / or the organic functional layer structure is formed, have very thin webs, for example, with a width in the aforementioned areas, and the shadow mask 461 outside these areas, for example, at an edge of the shadow mask 461 have significantly broader webs,
  • Shadow mask 461 for example, with a width of 0.1 mm to 10 mm.
  • Fig. 22 shows a side sectional view of the
  • organic optoelectronic component 101 in a seventh state during the method for
  • the protective layer structure in particular the first planarization layer 40 and the first barrier layer 42 in the recesses 48 is removed.
  • the protective layer structure was removed in a chemical or physical etching process, with the shadow mask 461 lying vertically beneath
  • Shadow mask 461 preferably not removed from the process chamber. Alternatively, after arranging the
  • Shadow mask 461 removed from the process chamber and / or be placed again in the process chamber or other process chamber.
  • Fig. 23 shows a side sectional view of
  • organic material is formed in the recesses 48 above the first electrode layer 14 and over the webs of the shadow mask 461.
  • the organic material 50 in the recesses 48 forms the organic functional layer structure 22 of the organic optoelectronic
  • the substrate with the protective layer structure and the shadow mask 461 was not removed from the process chamber.
  • the shadow mask 461 did not become
  • Fig. 24 shows a side sectional view of the
  • the shadow mask 461 with the organic material 50 deposited thereon is of the
  • FIG. 25 is a side sectional view of the organic optoelectronic component 101 according to FIG. 24 in a tenth state during the method for producing the organic optoelectronic component 101.
  • a second electrode layer 52 is over the organic material 50 and the protective layer structure, in particular the first one Planarmaschines Mrs 40 and the first barrier layer 42, formed. From the second
  • Electrode layer 52, the second electrode 23 may be formed.
  • the first electrode 201 may be formed by the first electrode layer 14.
  • the protective layer structure forms separation regions between the segments of the organic optoelectronic device 101 such that the organic material 50 of one segment is spatially and electrically isolated in the lateral direction from the organic material 50 of another segment.
  • the individual segments are over the first electrode layer 14 and the second
  • Electrode layer 52 is electrically connected together. This makes it possible to control all segments of the organic optoelectronic component 101 the same and / or together.
  • the individual segments may be electrically separated from each other.
  • the first electrode layer 14 and / or the second electrode layer 52 may be subdivided into individual separate segments. This allows for individual segments or groups of segments independently of other segments or groups of segments.
  • Fig. 26 shows a side sectional view of the
  • a second barrier layer 54 is formed over the second electrode layer 52.
  • Barrier layer 54 may be, for example, the same
  • Material may be formed as the first barrier layer 42, wherein the second barrier layer 54 is the same or
  • the second barrier layer 54 may be made in the same way as the first one
  • FIG. 27 shows a side sectional view of the second barrier layer 54
  • organic optoelectronic component 101 according to FIG. 26 in a twelfth state during the method for
  • planarleiterstik 56 formed over the second barrier layer 54.
  • the second planarization layer 56 may be of the same material as the first
  • Planarleiterstik 40 may be formed, wherein the second planarization layer 56 may be the same or different as the first planarization layer 40 may be formed.
  • the second planarization layer 56 may be made in the same way as the first one
  • Planarleiterstik 40 wherein the second Planarmaschines slaughter 56 may be the same or different as the first planarization layer 40 may be formed.
  • FIG. 28 is a side sectional view of FIG.
  • Barrier layer 58 formed over the second planarization layer 56.
  • the third barrier layer 58 can be
  • Barrier layer 42 may be formed, wherein the third
  • Barrier layer 58 may be the same or different as the first barrier layer 42 may be formed.
  • Barrier layer 58 can be produced, for example, in the same way as first barrier layer 42, wherein third barrier layer 58 can be formed the same or differently as first barrier layer 42.
  • Planarization layer 56 and / or the third barrier layer 58 form an encapsulation, in particular the
  • FIG. 29 is a side sectional view of FIG.
  • FIG. 28 shows an organic optoelectronic component 101 according to FIG. 28 with a second dirt particle 60 which is in the process of forming the organic functional layer structure 22, the second electrode 23 and / or the encapsulation in the
  • the encapsulant may have a first thick Dl in a range of, for example, 0.1 ym to 10 ym, for example, from 1 ym to 5 ym, for example, of approximately 2 ym.
  • the second electrode layer 52 and the second barrier layer 54 may together have a second thickness D2 in a range of, for example, 100 nm to 500 nm, for example, 150 nm to 300 nm, for example, about 200 nm.
  • the separation areas may have a width Bl in a range of for example 1 ym to 50 ym, for example from 3 ym to 20 ym, for example from 5 ym to 10 ym. The width Bl of the separation regions is compared with the second thickness D2 of the second electrode layer 52 and the second one
  • Barrier layer 54 is relatively large, whereby a relatively long diffusion path for the impurities is provided by the segment with the second dirt particle 60 to a neighboring segment. Due to the long diffusion path it is very unlikely that the impurities in the
  • Penetrate neighboring segment If it does, it takes at least a very long time for the impurities to penetrate into the neighboring segment.
  • Fig. 30 shows a side sectional view of a
  • FIG. 31 shows a schematic sequence of a
  • FIG. 31 essential steps of the method explained with reference to FIGS. 16 to 28 are emphasized among one another in order to explain significant advantages of this method.
  • FIG. 31 shows the method steps illustrated with reference to FIGS. 21, 22 and 23, which show that the shadow mask 461 is used as an etch stop for structuring the protective layer structure, in particular the first planarization layer 40 and the second barrier layer 42 and subsequently, without being removed in between, as
  • Structure mask is used to form the organic functional layer structure 22. On the one hand, this causes the structure of the organic functional
  • Layer structure 22 is very good to the structure of
  • Protective layer structure fits, and on the other hand, that the substrate with the protective layer structure during this
  • FIG. 32 shows a schematic sequence of a conventional masking process, in particular in comparison to the corresponding steps of FIG.
  • Embodiment of the masking process In the conventional masking process, after patterning the protective layer structure, the substrate with the
  • the first shadow mask 461 is again placed on the substrate, preferably so that the ridges of the first shadow mask 461 come to rest directly on the protective layer structure, which, however, is never quite precisely possible.
  • the webs of the second shadow mask 62 come to rest laterally next to the structures of the protective layer structure.
  • Material 50 should be formed. This can subsequently lead to further errors, in particular when forming the subsequent layers. In addition, this may cause the affected segment, adjacent segments and / or even the entire conventional organic
  • Fig. 32 there is shown a case in which the second
  • Shadow mask 62 lateral to the structures of the
  • FIG. 33 shows a detailed side sectional view of the embodiment of the organic optoelectronic component 101 in the ninth state during the method for producing the organic optoelectronic component 101.
  • FIG. 33 shows that a thickness of the
  • Protective layer structure in particular a common thickness of the first planarization layer 40 and the first
  • Organic optoelectronic device 101 may correspond to the steps explained above with reference to Figures 16 to 28, or at least to these
  • Optoelectronic component 101 From Figure 34 shows that the thickness of the protective layer structure, in particular the common thickness of the first planarization layer 40 and the first barrier layer 42, is the same as the thickness of the organic material 50 and / or the organic
  • Organic optoelectronic device 101 may correspond to the steps explained above with reference to Figures 16 to 28, or at least to these
  • 35 shows a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device 101 in the ninth state during the process for producing the organic
  • Optoelectronic component 101 From Figure 35 shows that the thickness of the protective layer structure, in particular the common thickness of the first planarization layer 40 and the first barrier layer 42, is greater than the thickness of the organic material 50 and / or organic
  • Organic optoelectronic device 101 may correspond to the steps explained above with reference to Figures 16 to 28, or at least to these
  • FIG. 36 shows a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device 101 in the ninth state during the process for producing the organic
  • Optoelectronic component 101 It can be seen from FIG. 36 that the thickness of the protective layer structure, which in this case is formed exclusively by the first planarization layer 40 or the first barrier layer 42, is smaller than the thickness of the organic material 50 and / or the organic functional layer structure 22.
  • the thickness of the protective layer structure which in this case is formed exclusively by the first planarization layer 40 or the first barrier layer 42, is the same as the thickness of the organic material 50 and / or the organic functional one Layer structure 22.
  • Optoelectronic component 101 It can be seen from FIG. 38 that the thickness of the protective layer structure, which in this case is formed exclusively by the first planarization layer 40 or the first barrier layer 42, is greater than the thickness of the organic material 50 and / or the organic functional layer structure 22.
  • Fig. 39 shows a side sectional view of the
  • the organic optoelectronic device 101 in the ninth state during the process for producing the organic optoelectronic device 101.
  • the organic optoelectronic device 101 has relatively wide separation areas, for example, with the previously discussed width Bl.
  • Organic optoelectronic device 101 may correspond to the steps explained above with reference to Figures 16 to 28, or at least to these
  • FIG. 39 in which an exemplary width of the separation regions is illustrated, may be as shown in FIGS. 33 to 38
  • Protective layer structure formed separating regions having the width shown in Figure 39 have the thicknesses or layer sequences shown in Figures 33 to 38.
  • FIG. 40 shows a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic device 101 in the ninth state during the process for producing the organic
  • Optoelectronic component 101 has a relatively wide separation area, for example with the width Bl explained above, and a relatively thin separation area. In other words, the separation areas
  • Shadow mask 461 can be realized.
  • the steps of the method for producing the organic optoelectronic component 101 which have led to the ninth state and the subsequent steps until the completion of the organic optoelectronic component 101 may correspond to the steps explained above with reference to FIGS. 16 to 28 or at least to these
  • Example different widths of the separation areas are illustrated, with the in Figs. 33 to 38 shown embodiments, in which the thickness of the protective layer structure is illustrated, are combined. In particular, those of the
  • Protective layer structure formed separating regions having the widths shown in Figure 40 have the thicknesses or layer sequences shown in Figures 33 to 38.
  • optoelectronic component 101 has a relatively thin
  • the method for producing the organic optoelectronic component 101, which led to the ninth state, and the subsequent steps until the completion of the organic optoelectronic component 101 may correspond to the steps explained above with reference to FIGS. 16 to 28 or at least to these
  • Protective layer structure formed separating regions having the width shown in Figure 41 have the thicknesses or layer sequences shown in Figures 33 to 38.
  • 42 shows a detailed side sectional view of an alternative embodiment of the organic optoelectronic component 101 in the tenth state during the method for producing the organic optoelectronic component 101.
  • Electrode layer 52 is structured such that the
  • Protective layer structure remains free of the material of the second electrode layer 52.
  • the first shadow mask 461 may remain arranged over the protective layer structure until the second electrode layer 52 is formed.
  • Electrode layer 52 are formed with a further shadow mask and / or the substrate with the
  • corresponding layers may be removed from the process chamber prior to forming the second electrode layer 52.
  • Protective layer structure corresponds to the thickness of the organic functional layer structure 22 and the second
  • Electrode layer 52 is over the entire surface, in particular as a completely closed area, over the organic functional layer structure 22 and the
  • the embodiments explained above can be combined with one another.
  • the above-explained organic optoelectronic component 101 basically has a plurality of the illustrated segments and
  • Second electrode layer 52
  • Second barrier layer 54
  • Second planarization layer 56
  • Third barrier layer 58
  • Second dirt particle 60
  • Second shadow mask 62

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

Das Verfahren ist zur Herstellung von organischen Leuchtdioden (1) eingerichtet und umfasst die folgenden Schritte: -Bereitstellen eines Trägersubstrats (2) mit einer Hauptseite (20), -Beschichten der Hauptseite (20) mit einer elektrischen Isolationsschicht (4), -Aufbringen einer Maskenschicht (8) auf die Isolationsschicht (4), -stellenweises Entfernen der Isolationsschicht (4), vorgegeben durch die Maskenschicht (8), -Aufbringen eines organischen Schichtenstapels (5) zur Lichterzeugung, sodass sich die Maskenschicht (8) zwischen dem Schichtenstapel (5) und der verbliebenen Isolationsschicht (4) befindet und sodass die Isolationsschicht (4) und der Schichtenstapel (5) in Richtung parallel zur Hauptseite (20) direkt aufeinander folgen, -Entfernen der Maskenschicht (8) zusammen mit überflüssigem Material des Schichtenstapels (5), und -formschlüssiges Aufbringen einer Verkapselung (7).

Description

Beschreibung
Verfahren zur Herstellung von organischen Leuchtdioden und organische Leuchtdiode
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von organischen
Leuchtdioden angegeben. Darüber hinaus wird eine organische Leuchtdiode angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren
anzugeben, mit dem organische Leuchtdioden mit einer
effizienten Verkapselung herstellbar sind.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Bevorzugte
Weiterbildungen sind Gegenstand der übrigen Ansprüche.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird mit dem Verfahren eine organische Leuchtdiode, kurz OLED, hergestellt. Dies bedeutet, das von der Leuchtdiode im Betrieb emittierte Licht wird vollständig oder überwiegend in organischen Materialien erzeugt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Bereitstellens eines Trägersubstrats. Das Trägersubstrat kann mechanisch starr oder auch mechanisch flexibel sein. Weiterhin kann das Trägersubstrat
lichtdurchlässig, entweder klarsichtig oder milchig trüb, oder auch lichtundurchlässig, insbesondere reflektierend, sein. Bevorzugt handelt es sich bei dem Trägersubstrat um eine Glasplatte, eine Glasfolie, eine Keramik oder eine
Kunststofffolie . Ebenso kann das Trägersubstrat
Schutzschichten und/oder Fritten beinhalten oder auch reflektierend, etwa aus einer Metallfolien, gestaltet sein. Insbesondere wirkt das Trägersubstrat in der organischen Leuchtdiode auch als Schutz gegen Umwelteinflüsse. Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das
Trägersubstrat eine Hauptseite, die dazu eingerichtet ist, funktionelle Schichten der organischen Leuchtdiode zu tragen. Insbesondere ist die Hauptseite glatt und/oder eben
gestaltet. Eine mittlere Rauheit der Hauptseite liegt
bevorzugt bei höchstens 50 nm oder 20 nm. Eine dieser
Hauptseite gegenüberliegende, weitere Hauptseite des
Trägersubstrats ist insbesondere zu einer Lichtabstrahlung von Licht aus der organischen Leuchtdiode heraus eingerichtet und kann mit einer Aufrauhung zur Verbesserung einer
Lichtauskopplung versehen sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Hauptseite mit einer elektrischen Isolationsschicht beschichtet. Dabei wird die Hauptseite bevorzugt strukturiert und größtenteils oder ganzflächig beschichtet. Ganzflächig schließt nicht aus, dass kleinflächige Randbereiche des Trägersubstrats, in denen das Trägersubstrat beispielsweise während des Beschichtens befestigt ist, nicht beschichtet werden. Hier und im
Folgenden wird jeweils der Begriff Isolationsschicht
verwendet. Dies schließt nicht aus, dass die
Isolationsschicht aus mehreren Teilschichten, die
alternierend abwechselnd aufeinanderfolgen können,
zusammengesetzt ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die
Isolationsschicht aus einem elektrisch isolierenden Material erzeugt. Bei der Isolationsschicht handelt es sich besonders bevorzugt um eine anorganische Schicht. Beispielsweise ist die Isolationsschicht aus einem Metalloxid wie einem
Aluminiumoxid, einem Titanoxid oder einem Zirkoniumoxid gefertigt. Ebenso kann die Isolationsschicht aus einem Nitrid oder Oxinitrid wie SiNCOx erzeugt sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die
Isolationsschicht teilweise oder vollständig über
Atomlagenabscheidung, kurz ALD, über Moleküllagenabscheidung, kurz MLD, und/oder über chemische Gasphasenabscheidung, kurz CVD, hergestellt. Hierdurch sind sehr dichte, insbesondere gegenüber Wasserdampf und Sauerstoff undurchlässig Schichten erzeugbar, die auch Schutz vor Umweltchemikalien bietet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird auf die
Isolationsschicht eine Maskenschicht aufgebracht. Bei der Maskenschicht handelt es sich insbesondere um einen Fotolack. Dies kann bedeuten, dass ein Material der Maskenschicht erst ganzflächig auf die Isolationsschicht aufgebracht wird, anschließend belichtet und nachfolgend teilweise wieder entfernt wird. Nach Fertigstellen der Maskenschicht bedeckt diese die Isolationsschicht teilweise. Dabei ist ein Bereich des Trägersubstrats, der zu einer Lichterzeugung vorgesehen ist, bevorzugt frei von der Maskenschicht. Ebenso können von der Maskenschicht metallische Muster, die bereits aufgebracht und/oder strukturiert wurden, teilweise oder vollständig bedeckt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die
Isolationsschicht stellenweise entfernt. Dabei wird die
Isolationsschicht anhand der Maskenschicht strukturiert.
Insbesondere verbleiben nur solche Gebiete der
Isolationsschicht an dem Trägersubstrat, in denen die
Maskenschicht vorhanden ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein organischer Schichtenstapel aufgebracht. Der Schichtenstapel ist dazu eingerichtet, im Betrieb der fertigen organischen Leuchtdiode das zu emittierende Licht zu erzeugen. Der Schichtenstapel umfasst hierzu eine oder mehrere aktive Zonen, in denen über Ladungsträgerrekombination Strahlung erzeugt wird. Mit anderen Worten wird der Schichtenstapel im bestimmungsgemäßen Betrieb elektrisch, bevorzugt über Gleichstrom, gepumpt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der
Schichtenstapel ganzflächig auf die Hauptseite aufgebracht, insbesondere in gleicher Weise wie die Isolationsschicht. Dies kann bedeuten, dass nach dem Aufbringen des
Schichtenstapels sich die Maskenschicht zwischen der
verbliebenen Isolationsschicht und dem Material für den
Schichtenstapel befindet.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform folgen die
Isolationsschicht und der Schichtenstapel, in Richtung parallel zur Hauptseite, direkt aufeinander und berühren sich somit. Dabei liegen die Isolationsschicht und der
Schichtenstapel bevorzugt in einer gemeinsamen Ebene parallel zur Hauptseite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird ein überflüssiges Material des Schichtenstapel zusammen mit der Maskenschicht entfernt. Nach diesem Verfahrensschritt befindet sich das Material für den Schichtenstapel bevorzugt nur noch in solchen Gebieten, aus denen zuvor die Isolationsschicht entfernt wurde. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird eine Verkapselung aufgebracht, um den Schichtenstapel vor Umwelteinflüssen wie Feuchtigkeit oder Sauerstoff zu schützen. Bei der
Verkapselung kann es sich um eine so genannte
Dünnfilmverkapselung, kurz TFE, handeln. Wie auch die
Isolationsschicht kann die Verkapselung aus mehreren
Schichten zusammengesetzt sein. Hinsichtlich der Materialien und der Herstellungsmethoden für die Verkapselung gilt das gleiche wie vorangehend zur Isolationsschicht beschrieben.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Verkapselung formschlüssig aufgebracht. Das heißt, zwischen der
Verkapselung und der Hauptseite bestehen dann
bestimmungsgemäß keine Hohlräume oder Zwischenräume. Dies schließt nicht zwingend aus, dass herstellungsbedingt
vernachlässigbar kleine Lücken mit einem mittleren
Durchmesser von höchstens 0,05 ym oder 0,02 ym oder 5 nm vorhanden sind. Die Verkapselung wird also unmittelbar auf die zur Hauptseite hin nächstgelegene funktionelle Schicht oder Schichten der organischen Leuchtdiode aufgebracht.
In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode eingerichtet und umfasst zumindest die folgenden Schritte, besonders bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge:
- Bereitstellen eines Trägersubstrats mit einer Hauptseite,
- Beschichten der Hauptseite mit einer elektrischen
IsolationsSchicht,
- Aufbringen einer Maskenschicht auf die Isolationsschicht, - stellenweises Entfernen der Isolationsschicht, vorgegeben durch die Maskenschicht,
- Aufbringen eines organischen Schichtenstapels zur
Lichterzeugung, sodass sich die Maskenschicht zwischen dem Schichtenstapel und der verbliebenen Isolationsschicht befindet und sodass die Isolationsschicht und der
Schichtenstapel (5) in Richtung parallel zur Hauptseite direkt aufeinander folgen,
- Entfernen der Maskenschicht zusammen mit überflüssigem Material des Schichtenstapels, und
- formschlüssiges Aufbringen einer Verkapselung .
Flächenlichtquellen wie organische Leuchtdioden werden vermehrt durch Dünnfilmverkapselungen vor Umwelteinflüssen geschützt, da diese kosteneffizient und großflächig
abgeschieden werden können. Insbesondere sind so zusätzliche Materialien zum Einfangen etwa von Feuchtigkeit, so genannte Getter, in einem Glasdeckelprozess vermeidbar. Zudem sind Dünnfilmverkapselungen sehr dünn. Die Dichtheit solcher Dünnfilmverkapselungen hängt neben den eigentlichen
Materialeigenschaften aber auch von gegebenenfalls
auftretenden Störungen ab: Dies sind etwa die Größe und Anzahl von Schmutzpartikeln, da diese unter Umständen nicht komplett stabil mit der Dünnfilmverkapselung umformt werden können. Ebenso können Schwierigkeiten vom Design her rühren, wenn etwa zwischen funktionellen Schichten der organischen Leuchtdiode zu große Höhenunterschiede oder Stufen bestehen, was insbesondere bei der Verwendung von organischen
Fotolacken zur elektrischen Isolation eines Randbereichs des Schichtenstapel auftreten kann. Auch kann eine Haftung zwischen der Dünnfilmverkapselung und den entsprechenden funktionellen Schichten bei herkömmlichen organischen
Leuchtdioden nur relativ gering sein. Durch das hier
beschriebene Verfahren werden diese Probleme vermindert oder vermieden . Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Isolationsschicht und der Schichtenstapel eine gleiche Dicke auf. Dies gilt insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 50 % oder 25 % oder 10 % oder 2 % einer mittleren Dicke des Schichtenstapel in der fertigen organischen Leuchtdiode. Mit anderen Worten sind die Isolationsschicht und der
Schichtenstapel gleich oder im Wesentlichen gleich dick.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die
Isolationsschicht dünn gestaltet. Dies kann bedeuten, dass eine Dicke der Isolationsschicht höchstens 20 % oder 10 % oder 5 % einer Dicke des Schichtenstapels beträgt.
Beispielsweise ist die Isolationsschicht dann mindestens 10 nm und/oder höchstens 100 nm oder 20 nm dick.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird eine erste und/oder eine zweite Stromzuführung für den Schichtenstapel erzeugt. Die zumindest eine Stromzuführung ist dazu
eingerichtet, Strom von externen Anschlussstellen der
Leuchtdiode zu dem Schichtenstapel hin zu leiten und in den Schichtenstapel einzuprägen. Die Stromzuführungen sind bevorzugt jeweils aus mehreren Komponenten zusammengesetzt.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die erste Stromzuführung eine transparente elektrisch leitfähige
Schicht. Diese Schicht ist insbesondere aus einem
transparenten leitfähigen Oxid, kurz TCO, wie ITO erzeugt. Alternativ kann es sich um eine Licht durch lässige, dünne Metallschicht handeln, beispielsweise aus Aluminium oder Silber und mit einer Dicke von höchstens 25 nm oder 15 nm. Diese Schicht steht bevorzugt in direktem Kontakt mit dem Schichtenstapel und ist bevorzugt flächig gestaltet, so dass sich diese Schicht über den gesamten Schichtenstapel
erstrecken kann, in Draufsicht auf die Hauptseite gesehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die erste
Stromzuführung eine metallische Kontaktstruktur, die mehrere Teilschichten aufweisen kann. Diese Kontaktstrukturen grenzt bevorzugt nicht direkt an den Schichtenstapel und kann sich, in Draufsicht auf die Hauptseite gesehen, vollständig neben dem Schichtenstapel befinden. Die Kontaktstruktur kann direkt auf der transparenten elektrisch leitfähigen Schicht
angebracht sein.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich die
Isolationsschicht zwischen der Kontaktstruktur und dem
Schichtenstapel, in Richtung parallel zur Hauptseite. Mit anderen Worten ist dann die Kontaktstrukturen durch die
Isolationsschicht vor einem direkten elektrischen Kontakt mit dem Schichtenstapel bewahrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die zweite Stromzuführung eine Stromzuleitung, insbesondere eine
metallische Stromzuleitung. Diese Stromzuleitung befindet sich bevorzugt nahe an der Hauptseite, beispielsweise in einem Abstand zur Hauptseite von höchstens 0,5 ym oder
0,2 ym. Die Stromzuleitung ist insbesondere direkt auf ein Teilgebiet der transparenten elektrisch leitfähigen Schicht der ersten Stromzuführung aufgebracht, wobei dieses
Teilgebiet vom restlichen Bereichen der ersten Stromzuführung bevorzugt elektrisch getrennt ist.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die zweite Stromzuführung einen Flächenteil. Der Flächenteil kann lichtdurchlässig oder auch spiegeln gestaltet sein. Bevorzugt steht der Flächenteil in direktem, ganzflächig im Kontakt zu einer Seite des Schichtenstapel, der der Hauptseite abgewandt ist. Somit kann sich der Schichtenstapel vollständig zwischen dem Flächenteil und dem Trägersubstrat befinden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die zweite Stromzuführung zumindest eine elektrische Durchkontaktierung. Die eine oder die mehreren Durchkontaktierungen reichen von der Stromzuleitung in Richtung weg von der Hauptseite durch die Isolationsschicht hindurch bis zum Flächenteil. Die
Durchkontaktierung kann aus einem oder mehreren Metallen bestehen und ist bevorzugt ohmsch leitend, wie dies auch für alle anderen Teile der ersten und/oder zweiten Stromzuführung gelten kann.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Verkapselung direkt und vollflächig auf den Flächenteil der zweiten
Stromzuführung aufgebracht. Dabei bedeckt der Flächenteil die Isolationsschicht insbesondere nur zum Teil. In Bereichen neben dem Flächenteil, in Draufsicht auf die Hauptseite gesehen, befindet sich die Verkapselung bevorzugt direkt auf der Isolationsschicht. In Richtung parallel zur Hauptseite und in Richtung weg von dem Schichtenstapel können die
Isolationsschicht und die Verkapselung bündig miteinander abschließen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die
Durchkontaktierung und der Flächenteil der zweiten
Stromzuführung anhand einer weiteren Maskenschicht auf den Schichtenstapel sowie auf die Isolationsschicht aufgebracht. Hierbei werden die Durchkontaktierung und der Flächenteil bevorzugt im selben Verfahrensschritt, beispielsweise durch ein Aufdampfen, gemeinsam erzeugt. Dabei kann ein Material für die Durchkontaktierung und den Flächenteil erst
ganzflächig aufgebracht werden, überschüssige Teile des Materials werden dann zusammen mit der weiteren Maskenschicht entfernt .
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird in der
Isolationsschicht mindestens eine Öffnung erzeugt. Die
Öffnung ist dazu vorgesehen, teilweise oder vollständig von der Durchkontaktierung und optional auch von einem Material der Verkapselung ausgefüllt zu werden. Beispielsweise wird die Öffnung, die die Isolationsschicht bevorzugt vollständig in Richtung hin zur Hauptseite durchdringt, durch
Laserablation erzeugt. Die Öffnung oder die Öffnungen können vor dem Aufbringen der Maskenschicht erzeugt werden.
Alternativ ist es möglich, dass die Öffnung und somit auch die Durchkontaktierung erst nach dem Erstellen der
Verkapselung erstellt werden.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der
Flächenteil der zweiten Stromzuführung den Schichtenstapel bereichsweise oder ringsum, in Richtung parallel zur
Hauptseite. Somit kann die Kontaktstrukturen der ersten
Stromzuführung bevorzugt nur zum Teil von dem Flächenteil bedeckt sein, in Draufsicht auf die Hauptseite gesehen.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Isolationsschicht und die Verkapselung aus dem gleichen
Material hergestellt oder umfassen zumindest ein gemeinsames Material. Bevorzugt grenzt dieses gemeinsame Material der Isolationsschicht und der Verkapselung direkt aneinander. Hierdurch ist eine gute Haftung der Verkapselung auf der Isolationsschicht möglich. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die
Isolationsschicht und/oder die Verkapselung lichtdurchlässig. Alternativ kann die Isolationsschicht und/oder die
Verkapselung lichtundurchlässig, insbesondere reflektierend, gestaltet sein. So ist es möglich, dass die Isolationsschicht und/oder die Verkapselung etwa als Bragg-Spiegel fungieren.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die
Isolationsschicht eine größere Dicke auf als die
Verkapselung. Beispielsweise liegt die Dicke der
Isolationsschicht bei mindestens 0,1 ym und/oder höchstens 1 ym. Demgegenüber beträgt eine Dicke der Verkapselung bevorzugt mindestens 10 nm oder 20 nm und/oder höchstens 0,5 ym oder 0,2 ym.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Entfernen der Isolationsschicht trockenchemisch. Dabei ist es möglich, dass das Entfernen der Isolationsschicht in derselben
Reaktionskammer durchgeführt wird wie das Aufbringen des Schichtenstapels. Es kann also das Entfernen der
Isolationsschicht aus den für den Schichtenstapel
vorgesehenen Gebieten gleichzeitig zum Reinigen der Fläche, auf die der Schichtenstapel nachfolgend aufgebracht wird, dienen. Bei dieser Fläche handelt es sich insbesondere um eine der Hauptseite abgewandte Seite der transparenten elektrisch leitfähigen Schicht der ersten Stromzuführung.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Bereich
zwischen der Verkapselung und der Hauptseite, mit Ausnahme des Schichtenstapels, frei von organischen Materialien hergestellt. Somit werden keine organischen Materialien zu einer elektrischen Isolation eines Randes des
Schichtenstapels verwendet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird die Verkapselung stufenlos aufgebracht. Das heißt speziell, dass die
Verkapselung keine Stufen mit einer Höhe von 50 % oder mehr oder 25 % oder mehr oder 10 % oder mehr einer mittleren Dicke der Verkapselung zu überformen hat. Dies ist insbesondere dadurch möglich, dass die Isolationsschicht und der
Schichtenstapel im Wesentlichen gleiche Dicken aufweisen. Somit sind potentielle Abrisskanten und Undichtigkeitsstellen in der Verkapselung vermeidbar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die
Isolationsschicht eine geringere Dicke auf als der
Schichtenstapel. Hierdurch ist erzielbar, dass ein Abstand zwischen der Verkapselung und der Hauptseite, in Richtung parallel zur Hauptseite und weg vom Schichtenstapel, monoton abnimmt .
Darüber hinaus wird eine organische Leuchtdiode angegeben. Die organische Leuchtdiode ist bevorzugt mit einem Verfahren hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale für das Verfahren sind daher auch für die organische Leuchtdiode offenbart und umgekehrt.
In mindestens einer Ausführungsform umfasst die organische Leuchtdiode ein Trägersubstrat mit einer Hauptseite. An der Hauptseite befinden sich ein organischer Schichtenstapel zur Lichterzeugung und eine anorganische, elektrisch isolierende Isolationsschicht. Eine Verkapselung befindet sich an einer der Hauptseite abgewandten Seite der Isolationsschicht und des Schichtenstapels. Dabei liegen die Isolationsschicht und der Schichtenstapel in derselben Ebene, insbesondere parallel zur Hauptseite, weisen mit einer Toleranz von höchstens 25 % einer mittleren Dicke des Schichtenstapels die gleiche Dicke auf, überlappen gegenseitig nicht und folgen in Richtung parallel zur Hauptseite direkt aufeinander.
Die Erfindung betrifft außerdem ein weiteres Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements.
Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis,
sogenannte organische optoelektronische Bauelemente, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise halten organische Leuchtdioden (Organic Light Emitting Diode - OLED) zunehmend Einzug in die Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquellen. Aber auch organische Solarzellen finden immer häufiger Verwendung.
Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode und dazwischen ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs- Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr
Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („Charge generating layer", CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschichten („hole transport layer" -HTL) , und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschichten („electron transport layer" - ETL) , um den Stromfluss zu richten.
Bei Flächenlichtquellen wird als Verkapselungstechnologie vermehrt die Dünnfilmverkapselung eingesetzt. Ein Problem dabei sind jedoch Partikel, die vor oder während dem
Ausbilden der entsprechenden Dünnfilmverkapselung auf einen Untergrund zum Ausbilden der Dünnfilmverkapselung und/oder in die Dünnfilmverkapselung gelangen. Derartige Partikel können dann ganz oder teilweise von der Dünnfilmverkapselung umformt werden. In Abhängigkeit von Größe und Anzahl der Partikel kann dies zu einer oder mehreren Undichtigkeiten führen. Dies trägt dazu bei, dass Feuchtigkeit und/oder Sauerstoff die Dünnschichtverkapselung und/oder gegebenenfalls eine oder mehrere Barriereschichten durchdringen können und sich entlang der Grenzflächen der entsprechenden Schichten lateral ungehindert ausbreiten können. Dadurch können mit der Zeit größer werdende dunkle Flecken auf der Leuchtfläche
entstehen, was zu einem Zerstören der Leuchtfläche und/oder zu einer reduzierten Lagerbeständigkeit führen kann.
Ein bereits bekannter Lösungsansatz ist, die OLED in Segmente zu unterteilen, die ab einem bestimmten Betrachtungsabstand nicht mehr als voneinander getrennt wahrnehmbar sind, so dass trotz der Segmentierung der OLED die Leuchtfläche als
geschlossene Leuchtfläche wahrgenommen wird. Derartige
Segmente können beispielsweise eine Längenausdehnung von 50 ym bis 1 ym und/oder einen Abstand von kleiner 10 ym
zueinander haben. Problematisch hierbei sind jedoch ein präzises Ausbilden und insbesondere ein präzises
Strukturieren der einzelnen Schichten derartig kleiner
Segmente und/oder Trennbereiche zwischen den einzelnen
Segmenten, insbesondere unter der Voraussetzung keine
zusätzlichen Diffusionspfade für Luft und/oder Feuchtigkeit in die Schichtenstruktur der OLED einzubauen. Beispielsweise ist bei der herkömmlichen Herstellung von OLEDs bei einer Maskierungsgenauigkeit von 100 ym eine exakte Strukturierung von vergrabenen Barriereschichten nicht möglich. Ein zusätzlicher oder alternativer Ansatz, das Problem mit den Partikeln in den Griff zu bekommen, sind sehr dicke
Buffer- und/oder Barriereschichten, beispielsweise HMDSO- Schichten, Paryllene-Schichten, MLD/ALD-Schichtfolgen, dicke CVD-Schichten, beispielsweise größer als 5 ym. Probleme hierbei sind, dass Prozesszeiten und/oder Reinigungszeiten sehr lang und nicht kompatibel mit kurzen Taktzeiten sind und/oder interne Verspannungen in den entsprechenden dicken Schichten zu hoch sind. Ein weiterer Ansatz ist die
Partikelreduktion, wobei nie alle Partikel vermeidbar sind. Ein Erhöhen oder Verstärken der Maßnahmen zur
Partikelreduktion erhöht die Kosten für die Herstellung der OLED.
Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein weiteres Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements bereitzustellen, das schnell, einfach und/oder kostengünstig durchführbar ist und/oder das dazu beiträgt, dass das
organische optoelektronische Bauelement eine lange
Lebensdauer und/oder hohe Lagerbeständigkeit hat.
Eine Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein weiteres Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements, bei dem: ein Substrat mit einer ersten Elektrodenschicht bereitgestellt wird; eine Schutzschichtenstruktur vollflächig auf der ersten
Elektrodenschicht ausgebildet wird; eine erste Schattenmaske, die mindestens eine Ausnehmung aufweist, auf der
Schutzschichtenstruktur angeordnet wird; die
Schutzschichtenstruktur im Bereich der Ausnehmung mittels Ätzens entfernt wird; im Bereich der Ausnehmung, in dem die Schutzschichtenstruktur entfernt wurde, eine organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet wird, ohne dass zuvor die erste Schattenmaske entfernt wird; die erste
Schattenmaske entfernt wird und eine zweite Elektrodenschicht über der organischen funktionellen Schichtenstruktur
ausgebildet wird.
Das Strukturieren der Schutzschichtenstruktur mittels der Schattenmaske und das Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur mittels der Schattenmaske ohne einem dazwischenliegenden Entfernen der Schattenmaske ermöglicht, dass beide Vorgänge in einer Prozesskammer durchgeführt werden können, ohne dass das Substrat mit den entsprechenden Schichten aus der Prozesskammer entfernt werden muss, und dass die Schattenmaske beim Ausbilden der organischen
funktionellen Schichtenstruktur genau dort angeordnet ist, wo sie angeordnet sein soll. Letzteres bewirkt, dass die
Schutzschichtenstruktur und die organische funktionelle
Schichtenstruktur sehr präzise zueinander angeordnet sind, was derart präzise mit einem herkömmlichen Verfahren nicht möglich ist. Dies ermöglicht, besonders kleine Segmente auszubilden und/oder die Segmente so auszubilden, dass sie nur einen sehr geringen Abstand voneinander haben. Dies trägt allgemein dazu bei, dass die einzelnen Segmente von außen nicht besonders gut oder mit bloßem Auge gar nicht
wahrgenommen werden können. Dies trägt bei einem Ausfall eines der Segmente dazu bei, dass ein Leuchtbild der
entsprechenden OLED nicht merklich verändert ist. Außerdem kann auf ein aufwändiges Ausrichten einer zweiten
Schattenmaske oder auf ein erneutes aufwändiges Ausrichten der ersten Schattenmaske zum Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur, beispielsweise mit einer kostspieligen Ausrichtungsvorrichtung, verzichtet werden. Dabei ist anzumerken, dass selbst bei einem sehr aufwändigen und kostspieligen Ausrichten der entsprechenden Schattenmaske nicht eine derartige Präzision erzielt werden kann, wie wenn die Schattenmaske nicht entfernt und nicht erneut angeordnet wird. In anderen Worten ist das nicht Entfernen der
Schattenmaske zwischen den Schritten des Ätzens der
Schutzschichtenstruktur und dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur an dem fertig gestellten organischen optoelektronischen Bauelements nachweisbar, indem überprüft wird, wie die genau die strukturierte
Schutzschichtenstruktur zu dem abgelagerten organischen
Material 50 passt.
Insgesamt kann so das Verfahren zum Herstellen des
organischen optoelektronischen Bauelements besonders schnell, besonders einfach und besonders kostengünstig durchgeführt werden. Außerdem trägt das Verfahren zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements dazu bei, dass das organische optoelektronische Bauelement eine lange
Lebensdauer und/oder hohe Lagerbeständigkeit hat.
Gemäß einer Weiterbildung wird das Substrat mit der
Schutzschichtenstruktur in eine Prozesskammer eingebracht, in der gegenüber einer Umgebung der Prozesskammer ein Unterdruck herrscht. Die erste Schattenmaske wird in der Prozesskammer auf der Schutzschichtenstruktur angeordnet. Nach dem
Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur wird das Substrat mit der strukturierten
Schutzschichtenstruktur und der organischen funktionellen Schichtenstruktur aus der Prozesskammer entfernt. Vor oder nach dem Entfernen des Substrats aus der Prozesskammer wird die erste Schattenmaske entfernt. Dies bewirkt, dass deutlich weniger Partikel in die Schichtenstruktur gelangen, als bei einem herkömmlichen Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements. Außerdem ist anzumerken, dass dadurch, dass das Substrat mit den
entsprechenden Schichten zwischen dem Ätzen der
Schutzschichtenstruktur und dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur nicht aus der Prozesskammer entfernt wird, ein derart geringer Grad an Verschmutzungen möglich ist, wie es nicht möglich wäre, wenn das Substrat mit den entsprechenden Geschichten zwischendurch aus der
Prozesskammer entfernt worden wäre. In anderen Worten ist das nicht Entfernen des Substrats mit den Schichten aus der
Prozesskammer zwischen den Schritten des Ätzens der
Schutzschichtenstruktur und dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur an dem fertig gestellten organischen optoelektronischen Bauelements nachweisbar, indem ein Grad der Verschmutzung zwischen den vermeintlich in der Prozesskammer hergestellten Schichten überprüft wird.
Die Prozesskammer kann zum Ausführen der einzelnen Schritte unterschiedliche Teilkammern aufweisen, in die das Substrat mit den entsprechenden Schichten verfahren werden kann und die ganz oder teilweise voneinander abgetrennt sein können und in denen optional unterschiedliche Unterdrücke herrschen können. Die die Teilkammern können gegebenenfalls mittels geeigneter Schleusen miteinander verbunden sein, sodass das Substrat mit den entsprechenden Schichten nicht aus der
Prozesskammer entfernt werden muss, wenn es von einer
Teilkammer zur anderen Teilkammer gebracht wird.
Gemäß einer Weiterbildung wird über der zweiten
Elektrodenschicht eine Verkapselung ausgebildet. Die
Verkapselung trägt dazu bei, zu verhindern, dass Schmutz, beispielsweise Partikel, und/oder schädliche Stoffe, wie beispielsweise Luft und/oder Feuchtigkeit, in Kontakt mit der organischen funktionellen Schichtenstruktur und/oder der ersten und/oder zweiten Elektrodenschicht kommen.
Gemäß einer Weiterbildung weist der Unterdruck in der
Prozesskammer ein Vakuum auf, das einen Druck von lO-^ mbar oder weniger aufweist. Der Unterdruck in der Prozesskammer kann in einem Bereich liegen beispielsweise von lO--'-'-' mbar bis 500 mbar, beispielsweise von 10-^ mbar bis 1 mbar. Gemäß einer Weiterbildung dient beim Ätzen der
Schutzschichtenstruktur die erste Elektrodenschicht als Ätzstoppschicht. Dies ermöglicht, auf das Ausbilden einer separaten Ätzstoppschicht verzichten zu können. Dies trägt dazu bei, dass das Verfahren einfach, schnell und/oder kostengünstig durchgeführt werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung wird das Substrat mit der
Schutzschichtenstruktur vor dem Einbringen in die
Prozesskammer gereinigt. Dies trägt dazu bei, dass besonders wenig Partikel auf dem Substrat angeordnet sind, wenn das
Substrat in die Prozesskammer eingebracht wird und/oder wenn die Schutzschichtenstruktur ausgebildet wird.
Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Elektrodenschicht eine erste Elektrode, die ITO und/oder TCO aufweist, und mindestens einen Kontaktabschnitt, der eine Metallisierung und/oder Kontaktierung aufweist, auf. Dies trägt dazu bei, dass das Verfahren einfach, schnell und/oder kostengünstig durchgeführt werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schattenmaske eine Mehrzahl von Ausnehmungen auf und beim Ätzen wird die
Schutzschichtenstruktur dementsprechend in der Mehrzahl der Ausnehmungen entfernt und nachfolgend wird die organische funktionelle Schichtenstruktur in den entsprechenden
Ausnehmungen und entfernten Bereichen der
Schutzschichtenstruktur ausgebildet. Dies ermöglicht, mit einer Schattenmaske eine Vielzahl von OLED-Segmenten
herzustellen .
Gemäß einer Weiterbildung wird die organische funktionelle Schichtenstruktur mittels Aufdampfens ausgebildet. Dies trägt dazu bei, dass das Verfahren einfach, schnell und/oder kostengünstig durchgeführt werden kann. Insbesondere trägt dies dazu bei, dass die organische funktionelle
Schichtenstruktur auf einfache Weise, besonders präzise ausgebildet werden kann.
Gemäß einer Weiterbildung weist die Schutzschichtenstruktur eine erste Planarisierungsschicht und/oder eine erste
Barriereschicht auf. Dies trägt dazu bei, dass die
Schutzschichtenstruktur eine besonders hohe Schutzwirkung entfaltet. Falls die erste Planarisierungsschicht und die erste Barriereschicht ausgebildet sind, so kann
beispielsweise die erste Barriereschicht über der ersten Planarisierungsschicht ausgebildet sein. Gemäß einer Weiterbildung weist das Substrat einen Träger auf, auf dem die erste Elektrodenschicht ausgebildet ist. Dies kann dazu beitragen, dass das Verfahren zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements besonders einfach durchführbar ist. Außerdem kann, falls der Träger aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, dies ermöglichen, die erste Elektrodenschicht gegenüber einer Umgebung des organischen optoelektronischen Bauelements elektrisch zu isolieren. Gemäß einer Weiterbildung weist die Verkapselung eine zweite Barriereschicht, eine zweite Planarisierungsschicht über der zweiten Barriereschicht und/oder eine dritte Barriereschicht über der zweiten Planarisierungsschicht auf. Dies trägt dazu bei, dass die Verkapselung eine besonders hohe
Verkapselungswirkung entfaltet. Insbesondere trägt eine derartige Verkapselung dazu bei, dass das organische
optoelektronische Bauelement besonders gut gegenüber einem Eindringen von Luft und/oder Feuchtigkeit geschützt ist.
Gemäß einer Weiterbildung weist die erste Schattenmaske Stege auf, die die Ausnehmungen in lateraler Richtung begrenzen und die eine Breite haben in einem Bereich von 1 ym bis 100 ym, beispielsweise von 5 ym bis 50 ym, beispielsweise von 10 ym bis 20 ym. Die Gesamtheit der Stege bildet die Schattenmaske. Die Schattenmaske kann ausschließlich gleich breite Stege haben oder die Schattenmaske kann unterschiedlich breite Stege haben. Beispielsweise kann die Schattenmaske in dem Bereich, in dem die Schutzschichtenstruktur entfernt werden soll und/oder in dem die organische funktionelle
Schichtenstruktur ausgebildet werden soll, sehr dünne Stege aufweisen, beispielsweise mit einer Breite in den
vorgenannten Bereichen, und die Schattenmaske kann außerhalb dieser Bereiche, beispielsweise an einem Rand der
Schattenmaske deutlich breitere Stege aufweisen,
beispielsweise zum mechanischen Stabilisieren der
Schattenmaske, beispielsweise mit einer Breite von 0,1 mm bis 10 mm.
Gemäß einer Weiterbildung ist nach dem Ätzen der
Schutzschichtenstruktur, nach dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur und nach dem Entfernen der ersten Schattenmaske die verbliebene Schutzschichtenstruktur dicker als die organische funktionelle Schichtenstruktur.
Gemäß einer Weiterbildung ist nach dem Ätzen der
Schutzschichtenstruktur, nach dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur und nach dem Entfernen der ersten Schattenmaske die verbliebene Schutzschichtenstruktur dünner als die organische funktionelle Schichtenstruktur. Gemäß einer Weiterbildung ist nach dem Ätzen der
Schutzschichtenstruktur, nach dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur und nach dem Entfernen der ersten Schattenmaske die verbliebene Schutzschichtenstruktur gleich dick wie die organische funktionelle
Schichtenstruktur.
Die Aspekte des weiteren Verfahrens lassen sich wie folgt zusammenfassen : Aspekt A) Weiteres Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements (10), bei dem
ein Substrat mit einer ersten Elektrodenschicht (14)
bereitgestellt wird,
eine Schutzschichtenstruktur (40, 42) vollflächig auf der ersten Elektrodenschicht (14) ausgebildet wird,
eine erste Schattenmaske (46), die mindestens eine Ausnehmung (48) aufweist, auf der Schutzschichtenstruktur (40, 42) angeordnet wird,
die Schutzschichtenstruktur (40, 42) im Bereich der
Ausnehmung (48) mittels Ätzens entfernt wird,
im Bereich der Ausnehmung (48), in dem die
Schutzschichtenstruktur (40, 42) entfernt wurde, eine
organische funktionelle Schichtenstruktur (22) ausgebildet wird, ohne dass zuvor die erste Schattenmaske (46) entfernt wird,
nachfolgend die erste Schattenmaske (46) entfernt wird und eine zweite Elektrodenschicht (52) über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet wird.
Aspekt B) Weiteres Verfahren nach Aspekt A) , beim dem das Substrat mit der Schutzschichtenstruktur (40, 42) in eine Prozesskammer eingebracht wird, in der gegenüber einer
Umgebung der Prozesskammer ein Unterdruck herrscht, und die erste Schattenmaske (46) in der Prozesskammer auf der
Schutzschichtenstruktur (40, 42) angeordnet wird, und nach dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) das Substrat mit der strukturierten
Schutzschichtenstruktur (40, 42) und der organischen
funktionellen Schichtenstruktur (22) aus der Prozesskammer entfernt wird, und vor oder nach dem Entfernen des Substrats aus der Prozesskammer die erste Schattenmaske (46) entfernt wird .
Aspekt C) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem über der zweiten Elektrodenschicht (52) eine Verkapselung (54, 56, 58) ausgebildet wird. Aspekt D) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem der Unterdruck in der Prozesskammer ein
Vakuum aufweist, das einen Druck von 10-^ mbar oder weniger aufweist . Aspekt E) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden
Aspekte, bei dem beim Ätzen der Schutzschichtenstruktur (40, 42) die erste Elektrodenschicht (14) als Ätzstoppschicht dient . Aspekt F) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem das Substrat mit der Schutzschichtenstruktur (40, 42) vor dem Einbringen in die Prozesskammer gereinigt wird.
Aspekt G) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem die erste Elektrodenschicht (14) eine erste Elektrode (20), die ITO und/oder TCO aufweist, und mindestens einen Kontaktabschnitt (32, 34), der eine Metallisierung und/oder Kontaktierung aufweist, aufweist.
Aspekt H) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem die erste Schattenmaske (46) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (48) aufweist und beim Ätzen die
Schutzschichtenstruktur (40, 42) dementsprechend in der
Mehrzahl der Ausnehmungen (48) entfernt wird und nachfolgend die organische funktionelle Schichtenstruktur (22) in den entsprechenden Ausnehmungen (48) und entfernten Bereichen der Schutzschichtenstruktur (40, 42) ausgebildet wird.
Aspekt I) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem die organische funktionelle
Schichtenstruktur (22) mittels Aufdampfens ausgebildet wird.
Aspekt J) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem die Schutzschichtenstruktur (40, 42) eine erste Planarisierungsschicht (40) und/oder eine erste
Barriereschicht (42) aufweist.
Aspekt K) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem das Substrat einen Träger (12) aufweist, auf dem die erste Elektrodenschicht (14) ausgebildet ist. Aspekt L) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem die Verkapselung (54, 56, 58) eine zweite Barriereschicht (54), eine zweite Planarisierungsschicht (56) über der zweiten Barriereschicht (54) und/oder eine dritte Barriereschicht (58) über der zweiten Planarisierungsschicht (56) aufweist.
Aspekt M) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekte, bei dem die erste Schattenmaske (46) Stege aufweist, die die Ausnehmungen (48) in lateraler Richtung begrenzen und die eine Breite haben in einem Bereich von 1 ym bis 100 ym, beispielsweise von 5 ym bis 50 ym, beispielsweise von 10 ym bis 20 ym.
Aspekt N) Weiteres Verfahren nach einem der vorstehenden Aspekt, bei dem nach dem Ätzen der Schutzschichtenstruktur (40, 42), nach dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) und nach dem Entfernen der ersten Schattenmaske (46) die verbliebene Schutzschichtenstruktur (40, 42) dicker ist als die organische funktionelle
Schichtenstruktur (22).
Aspekt O) Weiteres Verfahren nach einem der Aspekte A) bis M) , bei dem nach dem Ätzen der Schutzschichtenstruktur (40, 42), nach dem Ausbilden der organischen funktionellen
Schichtenstruktur (22) und nach dem Entfernen der ersten Schattenmaske (46) die verbliebene Schutzschichtenstruktur (40, 42) dünner ist als die organische funktionelle
Schichtenstruktur (22).
Aspekt P) Weiteres Verfahren nach einem der Aspekte A) bis M) , bei dem nach dem Ätzen der Schutzschichtenstruktur (40, 42), nach dem Ausbilden der organischen funktionellen
Schichtenstruktur (22) und nach dem Entfernen der ersten Schattenmaske (46) die verbliebene Schutzschichtenstruktur (40, 42) gleich dick ist wie die organische funktionelle Schichtenstruktur (22) .
Nachfolgend werden ein hier beschriebenes Verfahren und eine hier beschriebene organische Leuchtdiode unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher
erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß
dargestellt sein.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels einer hier beschriebenen organischen Leuchtdiode,
Figuren 2 bis 13 schematische Schnittdarstellungen von
Verfahrensschritten von hier beschriebenen
Verfahren zur Herstellung von hier beschriebenen organischen Leuchtdioden,
Figur 14 eine schematische Schnittdarstellungen einer
Abwandlung einer organischen Leuchtdiode, Figur 15 eine seitliche Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines organischen
optoelektronischen Bauelements, Figur 16 eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen
optoelektronischen Bauelements in einem ersten Zustand während eines Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements,
Figur 17 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 16 in einem zweiten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements ,
Figur 18 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 17 in einem dritten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements ,
Figur 19 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 18 in einem vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements , Figur 20 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 19 in einem fünften Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements ,
Figur 21 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 20 in einem sechsten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements ,
Figur 22 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 21 in einem siebten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements , Figur 23 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 22 in einem achten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements ,
Figur 24 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 23 in einem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements,
Figur 25 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 24 in einem zehnten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements ,
Figur 26 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 25 in einem elften Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements , Figur 27 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 26 in einem zwölften Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements,
Figur 28 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 27 in einem dreizehnten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements ,
Figur 29 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements gemäß Figur 28 mit einem Schmutzpartikel,
Figur 30 eine seitliche Schnittdarstellung eines
herkömmlichen organischen optoelektronischen Bauelements mit einem Schmutzpartikel,
Figur 31 einen schematischen Ablauf eines
Ausführungsbeispiels eines Maskierungsprozesses,
Figur 32 einen schematischen Ablauf eines herkömmlichen
Maskierungsprozesses,
Figur 33 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements , Figur 34 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements ,
Figur 35 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements , Figur 36 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements,
Figur 37 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements ,
Figur 38 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements ,
Figur 39 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements ,
Figur 40 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements ,
Figur 41 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements , Figur 42 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem zehnten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements,
Figur 43 eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements in dem zehnten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen
Bauelements .
In Figur 1 ist ein Ausführungsbeispiel einer hier
beschriebenen organischen Leuchtdiode 1 dargestellt. Auf einem Substrat 2 mit einer Hauptseite 20 befindet sich eine elektrisch leitfähige, strahlungsdurchlässige Schicht, die in zwei Bereiche 3a, 6d aufgeteilt ist. Auf dem Bereich 3a, der einer ersten Stromzuführung 3 angehört, befindet sich ein organischer Schichtenstapel 5 zur Erzeugung von Licht im Betrieb der organischen Leuchtdiode 1. Die erste Stromzuführung 3 umfasst ferner eine metallische Kontaktstruktur 3b, über die die Schicht 3a externen
elektrisch kontaktierbar ist. Eine zweite Stromzuführung 6 umfasst eine insbesondere metallische Stromzuleitung 6a, die auf dem Bereich 6d aufgebracht ist. Über eine
Durchkontaktierung 6b ist ein Flächenteil 6c der zweiten
Stromzuführung 6 elektrisch kontaktiert. Der Schichtenstapel 5 befindet sich zwischen dem Flächenteil 6c und der Schicht 3a . In Richtung parallel zur Hauptseite 20 befindet sich direkt neben dem Schichtenstapel 5 eine Isolationsschicht 4. Die Isolationsschicht 4 ist teilweise von dem Flächenteil 6c bedeckt. Auf der Isolationsschicht 4 und dem Flächenteil 6c ist ganzflächig eine Verkapselung 7, insbesondere eine so genannte Dünnfilmverkapselung, unmittelbar aufgebracht. In Figur 1 sind die Verkapselung 7 und die Isolationsschicht 4 durch eine Strichlinie voneinander zeichnerisch separiert. Bevorzugt sind die Verkapselung 7 und die Isolationsschicht 4 aus dem gleichen Material oder aus der gleichen
Materialkombination hergestellt.
Gemäß Figur 1 ist die Isolationsschicht 4 geringfügig dünner als der Schichtenstapel 5. Abweichend von der Darstellung in Figur 1 kann die Isolationsschicht 4, die insbesondere einen Bereich zwischen der Kontaktstrukturen 3b und dem
Schichtenstapel 5 vollständig ausfüllt, relativ zum
Schichtenstapel 5 gesehen dünn gestaltet sein und in diesem Fall eine Dicke von nur wenigen 10 nm aufweisen. Eine Dicke des Schichtenstapels 5 liegt üblicherweise bei mindestens 0,2 ym und/oder bei höchstens 1 ym.
Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen ist auf die Verkapselung 7 optional eine Schutzschicht 11 aufgebracht. Die Schutzschicht 11 kann auch als Planarisierungsschicht dienen. Zum Beispiel ist die Schutzschicht 11 aus einem
Acryl, einem Epoxid und/oder einem Kleber gefertigt, wobei die Schutzschicht 11 homogen aus einem einzigen Material oder aus mehreren verschiedenen Materialien, auch in einzelnen Teilschichten, gebildet sein kann.
In den Figuren 2 bis 13 ist ein Beispiel eines
Herstellungsverfahrens für eine solche organische Leuchtdiode 1 illustriert. Dabei sind die Figurenteile A jeweils
insbesondere auf die Gestaltung der ersten Stromzuführung 3 gerichtet und die Figurenteile P auf die Gestaltung der zweiten Stromzuführung 6. Es ist nicht zwingend erforderlich, dass die Verfahrensschritte der Figurenteile A und B
gleichzeitig miteinander ausgeführt werden, jedoch ist dies besonders bevorzugt der Fall. Gemäß Figur 2A wird auf der Schicht 3a lokal die Kontaktstruktur 3b aufgebracht. Entsprechend, siehe Figur 2B, wird die Stromzuleitung 6a auf die Schicht 6d aufgebracht. Die Schichten 3a, 6d sind durch einen Spalt, der bis zur Hauptseite 20 reicht, elektrisch voneinander separiert.
Optional kann die Schicht 6d im Bereich der Stromzuleitung 6a auch entfernt sein. Die Stromzuleitung 6a und die
Kontaktstruktur 3b können jeweils mehrere Metallschichten umfassen, insbesondere eine Schichtenfolge Mo/Al/Mo oder Cr/Al/Cr oder Ag/Mg oder Ag/Al. Entsprechendes kann für die
Durchkontaktierung 6b und/oder für den Flächenteil 6c gelten. Die erste Stromzuführung 3 ist hierbei beispielsweise als Anode und die zweite Stromzuführung 6 als Katode ausgeführt.
Gemäß der Figuren 3A und 3B wird ganzflächig die
Isolationsschicht 4 aufgebracht, etwa mittels ALD, MLD oder CVD. Die Isolationsschicht 4 wird insbesondere aus einem Metalloxid und/oder einem Nitrid, etwa einem siliziumhaltigen Nitrid, hergestellt.
Nach dem aufbringen der Isolationsschicht 4 kann optional, siehe Figur 3B, eine Öffnung 46 für die Durchkontaktierung 6b erzeugt werden. Abweichend von der Darstellung in den Figuren 2 bis 13 können die Öffnung 46 und die durch Kontaktierung 6b auch erst später, insbesondere nach dem Verfahrensschritt der Figur 11, gefertigt werden.
Gemäß Figur 4 wird eine Maskenschicht 8 auf der
Isolationsschicht 4 aufgebracht. Die Maskenschicht 8 bedeckt nur einen Teil der Isolationsschicht 4. Insbesondere werden die Kontaktstrukturen 3b und die Stromzuleitung 6a
vollständig von der Isolationsschicht 4 bedeckt. Bevorzugt ist auch der Spalt zwischen den Schichten 3a, 6d teilweise oder vollständig von der Maskenschicht 8 abgedeckt.
Abweichend von der Darstellung in Figur 4B kann die Öffnung 46 teilweise oder vollständig von einem Material für die Maskenschicht 8, insbesondere ein Fotolack, ausgefüllt werden.
In Figur 5 ist dargestellt, dass die Isolationsschicht 4 in nicht von der Maskenschicht 8 bedeckten Bereichen vollständig entfernt wird, so dass die Schicht 3a, insbesondere
ausschließlich die Schicht 3a, freigelegt wird. Das Entfernen der Isolationsschicht 4 erfolgt hierbei bevorzugt durch
Trockenätzung und/oder UHV-Ätzung, insbesondere
hinterscheidungsfrei bezüglich der Maskenschicht 8 und materialselektiv zur Schicht 3a.
Dieses Entfernen der Isolationsschicht 4 dient gleichzeitig als Reinigung der Schicht 3a für das nachfolgende aufbringen des organischen Schichtenstapels 5, siehe Figur 6. Die
Materialien für den Schichtenstapel 5 werden ganzflächig aufgebracht, insbesondere aufgedampft. Somit grenzt der
Schichtenstapel 5, in Richtung parallel zur Hauptseite 20, direkt an die Isolationsschicht 4, siehe auch die
ellipsenförmige Markierung in Figur 7A. Die Beschichtung mit dem Schichtenstapel 5 und das
Strukturieren der Isolationsschicht 4 erfolgt also mit derselben Maskenschicht 8. Somit sind der Schichtenstapel 5 und die Isolationsschicht 4 relativ zueinander exakt und mit nur vernachlässigbaren Toleranzen positionierbar.
Wie in Figur 7 gezeigt, werden die Maskenschicht 8 und überflüssiges Material für den Schichtenstapel 5 entfernt. Der Schichtenstapel 5 verbleibt in einer geringfügig größeren Dicke an dem Trägersubstrat 2 als die Isolationsschicht 4.
Gemäß Figur 8 wird eine weitere Maskenschicht 9 aufgebracht, die den Schichtenstapel 5 sowie die Öffnung 46 vollständig freilässt und die die Isolationsschicht 4 teilweise bedeckt.
Anhand der weiteren Maskenschicht 9 werden der Flächenteil 6c und die Durchkontaktierung 6b, bevorzugt gemeinsam in einem einzigen Verfahrensschritt, hergestellt.
Wie in Figur 10 dargestellt, werden nachfolgend die weitere Maskenschicht 9 sowie überschüssiges Material für den
Flächenteil 6c entfernt.
In Figur 11 ist zu sehen, dass ganzflächig die Verkapselung 7 auf den Flächenteil 6c und die Isolationsschicht 4
aufgebracht wird, insbesondere mittels ALD, MLD und/oder CVD. Dabei hat die Verkapselung 7 keine größeren Stufen zu
überwinden, da die Isolationsschicht 4 als Planarisierung hinsichtlich des Schichtenstapels 5 dient und der Flächenteil 6c bevorzugt nur eine geringe Dicke von beispielsweise höchstens 0,2 ym oder 0,15 ym aufweist. Hierdurch ist eine besonders dichte Verkapselung 7 erzielbar. Da die
Isolationsschicht 4 und die Verkapselung 7 aus dem gleichen Material gebildet sein können, ist auch eine gute Anhaftung der Verkapselung 7 auf der Isolationsschicht 4
gewährleistbar . Gemäß Figur 12 wird auf die Verkapselung 7 die Schutzschicht 11 aufgebracht. Um zur organische Leuchtdiode 1 der Figur 1 zu gelangen, werden optional die Schutzschicht 11, die
Verkapselung 7 und/oder die Isolationsschicht 4 im Bereich der Kontaktstrukturen 3b und der Stromzuleitung 6a nachfolgend entfernt.
Bei der organische Leuchtdiode 1 kann es sich um eine
Flächenlichtquelle mit einem einzigen zusammenhängenden Licht emittierenden Bereich handeln, wie in den Figuren gezeigt. Abweichend hiervon können mehrere, elektrisch einzeln an steuerbare Licht emittierende Bereiche vorhanden sein. Die Stromzuführungen 3, 6 sind entsprechend zu gestalten.
In Figur 13A ist gezeigt, dass sich nach dem Aufbringen der Isolationsschicht 4 Schmutzpartikel 12 ablagern können.
Solche Schmutzpartikel 12 können eine Qualität des
Schichtenstapels 5 und/oder der Verkapselung 7
beeinträchtigen. Durch das Ätzen der Isolationsschicht 4, siehe Figur 13B nach 13C können solche Schmutzpartikel 12 im Bereich des Schichtenstapels 5 entfernt werden. Dies ist insbesondere möglich, falls das Ätzen der Isolationsschicht 4 und das erzeugen des Schichtenstapels 5 im gleichen
Reaktionsvolumen erfolgt.
In Figur 14 ist eine Abwandlung 1' dargestellt. In dieser Abwandlung ist keine Isolationsschicht gemäß der Figuren 1 bis 13 vorhanden. Stattdessen ist ein organisches
Isolationsmaterial 10 an einem Randbereich des
Schichtenstapels 5 vorhanden. Die Verkapselung 7 erfährt eine relativ große Stufe an einem Rand des Schichtenstapels 5. Hierdurch kann die Verkapselung 7 beeinträchtigt sein. Zudem bedeckt der Schichtenstapel 5 das Isolationsmaterial 10 teilweise, so dass auch eine Größe einer Leuchtfläche
verringert wird, insbesondere da Positioniertoleranzen bezüglich der Stromzuführungen 3, 6, des Isolationsmaterials 10 und des Schichtenstapels 5 relativ zueinander zu beachten sind, die üblich im Bereich von 0,1 mm bis 0,6 mm liegen.
Mit dem hier beschriebenen Verfahren ist also eine exakte Positionierung der Verkapselung 7 und der Isolationsschicht 4 zum Schichtenstapel 5 durch in situ-Ätzung, insbesondere Trockenätzung, gegeben, so dass keine Berücksichtigung diesbezüglich im Design mehr notwendig ist, was eine aktive Leuchtfläche vergrößern kann. Außerdem ist eine definierte Abdeckung des organischen Schichtenstapels durch eine obere Elektrodenschicht, insbesondere den Flächenteil 6c,
ermöglicht. So liegt die Dünnfilmverkapselung 7 definiert auf der oberen Elektrode, bei einem Aufbau ohne
Isolationsschicht, siehe Figur 14, ist dies nicht möglich. Zudem sind Schwachstellen in den Barriereschichten 4, 7 durch die Vermeidung von unterschiedliche Dicken und großen
Höhenunterschiede reduzierbar. Weiterhin ist eine zusätzliche Partikelbelastung durch die Erzeugung der Isolationsschicht 4 in einem Substraterzeugungsprozess erreichbar, speziell durch Einsparung eines Maskenprozesses. Partikel können im in situ- Ätzprozess direkt vor der Organikabscheidung entfernt werden, so dass die Isolationsschicht 4 im Bereich des
Schichtenstapels 5 gleichzeitig als Opferschicht und/oder Partikelfangschicht wirken kann. Bei dem hier angegebenen Verfahren sind zudem strukturierte Masken mehrmalig
verwendbar oder auch nur einmalig verwendbar, mit/ohne in- situ-Reinigung durch zum Beispiel Trockenätzprozesse. Die Isolationsschicht 4 ist bei erhöhten Temperaturen im Bereich von 200 °C bis 300 °C prozessierbar, damit ist diese deutlich dichter herstellbar als die obere Verkapselung 7, bei deren Herstellung Temperaturen von höchstens ungefähr 100 °C vorliegen dürfen, um den Schichtenstapel 5 nicht zu
beeinträchtigen. Durch die Anpassung der Isolationsschicht 4 in der Dicke an den Schichtenstapel 5 ist eine optimierte Abdichtung möglich, ohne dass große Höhenunterschiede
vorliegen. Schließlich bestehen größere Freiheiten bei der elektrischen Kontaktierung, so kann diese seitlich oder auch durch Oberflächen erfolgen.
Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche
Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein organisches optoelektronisches Bauelement kann ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes
Bauelement oder ein organisches elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein organisches
elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine organische Solarzelle sein. Ein
organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes
Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes
Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender
Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann
beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das
organische elektromagnetische Strahlung emittierende
Bauelement beispielsweise als organische Licht emittierende Diode (Organic Light Emitting Diode, OLED) oder als
organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. Das organische lichtemittierende Bauelement kann in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von
lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein,
beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
Fig. 15 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements 101 das organische
optoelektronische Bauelement 101 weist einen Träger 121 auf. Der Träger 121 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 121 dient als Trägerelement für
elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
lichtemittierende Elemente. Der Träger 121 kann
beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Träger 121 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien
aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 121 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein. Auf dem Träger 121 ist eine optoelektronische
Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische
Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 201 aufweist. Der Träger 121 mit der ersten Elektrodenschicht 14 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Zwischen dem Träger 121 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine Barrieredünnschicht, ausgebildet sein.
Die erste Elektrode 201 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21
elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 201 der optoelektronischen
Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 201 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 201 kann transluzent oder transparent
ausgebildet sein. Die erste Elektrode 201 weist ein
elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste
Elektrode 201 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten . Die erste Elektrode 201 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus
metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden
Nanodrähten.
Über der ersten Elektrode 201 ist eine organische
funktionelle Schichtenstruktur 22 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine
Elektronentransportschicht und/oder eine
Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die
Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die
Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die
Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der
Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und
Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr
funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen .
Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 der optoelektronischen
Schichtenstruktur ausgebildet, die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 201 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 201 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 201 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen
Schichtenstruktur .
Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements 101, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des organischen optoelektronischen Bauelements 101 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet.
Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten
Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschichtenstruktur 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die
Verkapselungsschichtenstruktur 24 kann als Barriereschicht, beispielsweise als Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschichtenstruktur 24 kann auch als
Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die
Verkapselungsschichtenstruktur 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschichtenstruktur 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine
Schichtstruktur ausgebildet sein. Die
Verkapselungsschichtenstruktur 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid,
Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly (p-phenylenterephthalamid) , Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste
Barriereschicht auf dem Träger 121 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschichtenstruktur 24
ausgebildet sein. In der Verkapselungsschichtenstruktur 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der
Verkapselungsschichtenstruktur 24 und über dem zweiten
Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der
Verkapselungsschichtenstruktur 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschichtenstruktur 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten
Ausnehmung der Verkapselungsschichtenstruktur 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste
Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten
Kontaktabschnitts 18.
Über der Verkapselungsschichtenstruktur 24 ist eine
Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Haftmittelschicht 36 kann
beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel.
Über der Haftmittelschicht 36 ist ein Abdeckkörper 38
ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschichtenstruktur 24. Der Abdeckkörper 38 weist beispielsweise Kunststoff, Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne
Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des organischen optoelektronischen Bauelements 101,
beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder
Abführen von Hitze dienen, die in dem organischen
optoelektronischen Bauelement 101 erzeugt wird.
Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des organischen optoelektronischen Bauelements 101 entstehenden Wärme dienen.
Das organische optoelektronische Bauelement 101 ist
segmentiert. In anderen Worten weist das organische
optoelektronische Bauelement 101 mehrere lateral
nebeneinander angeordnete Segmente auf. Die Segmente des organischen optoelektronischen Bauelements 101 sind in lateraler Richtung ganz oder teilweise voneinander getrennte Teilbereiche des organischen optoelektronischen Bauelements 101, die jedoch in vertikaler Richtung den gleichen oder ähnlichen Aufbau, insbesondere die gleiche oder ähnliche Schichtenabfolge aufweisen können. Die Segmente oder eine oder mehrere Teilmengen der Segmente können gleich und/oder gemeinsam angesteuert werden und oder gleich oder zumindest ähnlich ausgebildet sein.
Beispielsweise können die Segmente zum Darstellen einer homogenen Leuchtfläche dienen. Alternativ dazu können die Segmente zumindest teilweise unabhängig voneinander
angesteuert werden oder unterschiedlich ausgebildet sein. Beispielsweise kann dadurch eine inhomogene Leuchtfläche dargestellt werden, beispielsweise können Bilder, Symbole, Ziffern oder Buchstaben dargestellt werden.
Die Segmente sind bei diesem Ausführungsbeispiel derart klein und in lateraler Richtung derart nah aneinander angeordnet, dass sie bei der in Figur 15 dargestellten Schnittdarstellung nicht als voneinander unabhängige Segmente erkennbar sind und daher auch nicht dargestellt sind. Nachfolgend wird mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 ein Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements 101 erläutert, das beispielsweise dem in Figur 15 gezeigten organischen
optoelektronischen Bauelement 101 entsprechen kann. Dabei ist das organische optoelektronische Bauelement 101 in den einzelnen Zuständen des organischen optoelektronischen
Bauelements 101 während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101 derart
vergrößert dargestellt, dass zumindest eines der Segmente vollständig und zwei der daran angrenzenden Segmente
teilweise sowie die Trennbereiche dazwischen erkennbar sind und dementsprechend dargestellt sind.
Fig. 16 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines
Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements 101, beispielsweise des im Vorhergehenden
erläuterten organischen optoelektronischen Bauelements 101, in einem ersten Zustand während eines Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem ersten Zustand ist der Träger 121 bereitgestellt. Fig. 17 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 16 in einem zweiten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem zweiten Zustand ist die erste Elektrodenschicht 14 auf dem Träger 121 ausgebildet. Die erste
Elektrodenschicht 14 kann beispielsweise in einem
Abscheideverfahren, einem Aufdampfprozess oder mittels eines Druckverfahrens auf dem Träger 121 ausgebildet werden.
Alternativ dazu kann auf dem Träger 121 verzichtet werden und die erste Elektrodenschicht 14 kann derart stabil
ausgestaltet sein bzw. ausgebildet werden, dass sie als
Trägerelement für das organische optoelektronische Bauelement 101 dient. Gegebenenfalls kann die erste Elektrodenschicht 14 als Metallfolie oder als Metallblech ausgebildet sein.
Fig. 18 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 17 in einem dritten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem dritten Zustand ist eine erste
Planarisierungsschicht 40 auf der ersten Elektrodenschicht 14 ausgebildet. Die erste Planarisierungsschicht 40 kann
beispielsweise vollflächig auf der ersten Elektrodenschicht 14 ausgebildet sein. Die erste Planarisierungsschicht 40 weist vorzugsweise ein elektrisch isolierendes Material auf. Beispielsweise weist die erste Planarisierungsschicht 40 einen Resist, ein Harz, beispielsweise ein Kunstharz,
und/oder einen Lack auf.
Fig. 19 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 18 in einem vierten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem vierten Zustand ist eine erste Barriereschicht 42 auf der ersten Planarisierungsschicht 40 ausgebildet. Die erste Barriereschicht 42 kann beispielsweise vollflächig auf der ersten Planarisierungsschicht 40 ausgebildet sein. Die erste Barriereschicht 42 weist vorzugsweise ein elektrisch isolierendes Material auf. Beispielsweise weist die erste Barriereschicht 42 einen Resist, ein Harz, beispielsweise ein Kunstharz, und/oder einen Lack auf.
Die erste Planarisierungsschicht 40 und die erste
Barriereschicht 42 bilden eine Schutzschichtenstruktur des organischen optoelektronischen Bauelements 101. Alternativ dazu kann die Schutzschichtenstruktur lediglich die erste
Planarisierungsschicht 40 oder die erste Barriereschicht 42 aufweisen, wobei dann auf die erste Barriereschicht 42 bzw. die erste Planarisierungsschicht 40 verzichtet werden kann. Von der Schutzschichtenstruktur werden nachfolgend elektrisch isolierende Trennbereiche zwischen den Segmenten des
organischen optoelektronischen Bauelements gebildet.
Fig. 20 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 19 in einem fünften Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem fünften Zustand ist ungewollt ein erster
Schmutzpartikel 44 auf die erste Barriereschicht 42 gelangt. In einem an den fünften Zustand anschließenden
Reinigungsschritt wird der erste Schmutzpartikel 44 entfernt. Direkt anschließend wird das Substrat mit der
Schutzschichtenstruktur vorzugsweise in eine Prozesskammer eingeführt, in der ein Unterdruck gegenüber der Umgebung der Prozesskammer herrscht. Alternativ dazu kann das Substrat mit der Schutzschichtenstruktur zuerst in die Prozesskammer eingeführt werden und in der Prozesskammer gereinigt werden. In der Prozesskammer kann ein Vakuum herrschen. Der
Unterdruck in der Prozesskammer kann 10"4 mbar oder weniger sein. Der Unterdruck in der Prozesskammer kann in einem
Bereich liegen beispielsweise von 10~10 bis 500 mbar,
beispielsweise von 10~4 mbar bis 1 mbar.
Fig. 21 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 20 in einem sechsten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In den sechsten Zustand ist eine Schattenmaske 461 auf der Schutzschichtenstruktur, insbesondere auf der ersten Barriereschicht 42, angeordnet. Die Schattenmaske 461 wurde in der Prozesskammer auf der Schutzschichtenstruktur
angeordnet. Die Schattenmaske 461 weist mehrere Ausnehmungen 48 auf, die in lateraler Richtung von Stegen der
Schattenmaske 461 begrenzt sind. Die Schattenmaske 461 kann beispielsweise netzartig ausgebildet sein. Die Stege können beispielsweise so ausgebildet und angeordnet sein, dass die Ausnehmungen 48 in Draufsicht beispielsweise viereckig oder sechseckig ausgebildet sind.
Die Stege können eine Breite haben in einem Bereich von 1 ym bis 100 ym, beispielsweise von 5 ym bis 50 ym, beispielsweise von 10 ym bis 20 ym. Die Gesamtheit der Stege bildet die Schattenmaske 461. Die Schattenmaske 461 kann ausschließlich gleich breite Stege haben oder die Schattenmaske 461 kann unterschiedlich breite Stege haben. Beispielsweise kann die Schattenmaske 461 in einem Bereich, in dem nachfolgend die Schutzschichtenstruktur entfernt wird und/oder die organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet wird, sehr dünne Stege aufweisen, beispielsweise mit einer Breite in den vorgenannten Bereichen, und die Schattenmaske 461 kann außerhalb dieser Bereiche, beispielsweise an einem Rand der Schattenmaske 461 deutlich breitere Stege aufweisen,
beispielsweise zum mechanischen Stabilisieren der
Schattenmaske 461, beispielsweise mit einer Breite von 0,1 mm bis 10 mm .
Fig. 22 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 21 in einem siebten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem siebten Zustand ist die Schutzschichtenstruktur, insbesondere die erste Planarisierungsschicht 40 und die erste Barriereschicht 42 in den Ausnehmungen 48 entfernt. Beispielsweise wurde die Schutzschichtenstruktur in einem chemischen oder physikalischen Ätzverfahren entfernt, wobei die Schattenmaske 461 die vertikal darunterliegenden
Teilbereiche der Schutzschichtenstruktur, insbesondere der ersten Planarisierungsschicht 40 und der ersten
Barriereschicht 42 geschützt hat, sodass diese nicht entfernt wurden. Die erste Elektrodenschicht 14 diente bei dem
Ätzverfahren als Ätzstoppschicht. Nach dem Anordnen der
Schattenmaske 461 und während des Ätzverfahrens wurde das Substrat mit der Schutzschichtenstruktur und der
Schattenmaske 461 vorzugsweise nicht aus der Prozesskammer entfernt. Alternativ dazu kann nach dem Anordnen der
Schattenmaske 461 und/oder während des Ätzverfahrens das Substrat mit der Schutzschichtenstruktur und der
Schattenmaske 461 aus der Prozesskammer entfernt und/oder erneut in der Prozesskammer oder einer anderen Prozesskammer angeordnet werden.
Fig. 23 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 22 in einem achten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem achten Zustand ist organisches Material in den Ausnehmungen 48 über der ersten Elektrodenschicht 14 und über den Stegen der Schattenmaske 461 ausgebildet. Das organische Material 50 in den Ausnehmungen 48 bildet die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 des organischen optoelektronischen
Bauelements 101. Nach dem Ätzverfahren und während des
Aufbringens des organischen Materials 50 wurde das Substrat mit der Schutzschichtenstruktur und der Schattenmaske 461 nicht aus der Prozesskammer entfernt. Außerdem wurde zwischen dem Durchführen des Ätzverfahrens und dem Aufbringen des organischen Materials 50 die Schattenmaske 461 nicht
entfernt, sodass die Schattenmaske 461 einerseits als
Ätzstoppschicht während des Ätzverfahrens und andererseits als Strukturmaske beim Ausbilden der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 22 dient, ohne zwischen diesen Schritten entfernt oder bewegt zu werden. Fig. 24 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 23 in einem neunten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem neunten Zustand ist die Schattenmaske 461 mit dem darauf abgelagerten organischen Material 50 von der
Schutzschichtenstruktur entfernt. Optional kann das Substrat mit dem organischen Material 50 und der
Schutzschichtenstruktur nun aus der Prozesskammer entnommen werden. Alternativ dazu können die nachfolgenden Schritte zusätzlich in der Prozesskammer durchgeführt werden,
beispielsweise ohne dass das Substrat mit den entsprechenden Schichten zuvor aus der Prozesskammer entnommen wird.
Fig. 25 eine seitliche Schnittdarstellung des organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 24 in einem zehnten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem zehnten Zustand ist eine zweite Elektrodenschicht 52 über dem organischen Material 50 und der Schutzschichtenstruktur, insbesondere der ersten Planarisierungsschicht 40 und der ersten Barriereschicht 42, ausgebildet. Von der zweiten
Elektrodenschicht 52 kann die zweite Elektrode 23 gebildet sein. Außerdem kann von der ersten Elektrodenschicht 14 die erste Elektrode 201 gebildet sein.
Die Schutzschichtenstruktur bildet Trennbereiche zwischen den Segmenten des organischen optoelektronischen Bauelements 101 derart, dass das organische Material 50 eines Segments in lateraler Richtung von dem organischen Material 50 eines anderen Segments räumlich und elektrisch isoliert ist. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel sind die einzelnen Segmente über die erste Elektrodenschicht 14 und die zweite
Elektrodenschicht 52 elektrisch miteinander verbunden. Dies ermöglicht, alle Segmente des organischen optoelektronischen Bauelements 101 gleich und/oder gemeinsam anzusteuern.
Alternativ dazu können die einzelnen Segmente elektrisch voneinander getrennt sein. Beispielsweise können die erste Elektrodenschicht 14 und/oder die zweite Elektrodenschicht 52 in einzelne voneinander getrennte Segmente unterteilt sein. Dies ermöglicht, einzelne Segmente oder Gruppen von Segmenten unabhängig von anderen Segmenten bzw. Gruppen von Segmenten anzusteuern .
Fig. 26 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 25 in einem elften Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem elften Zustand ist eine zweite Barriereschicht 54 über der zweiten Elektrodenschicht 52 ausgebildet. Die zweite
Barriereschicht 54 kann beispielsweise von dem gleichen
Material wie die erste Barriereschicht 42 gebildet sein, wobei die zweite Barriereschicht 54 gleich oder
unterschiedlich wie die erste Barriereschicht 42 ausgebildet sein kann. Die zweite Barriereschicht 54 kann beispielsweise auf die gleiche Weise hergestellt werden wie die erste
Barriereschicht 42, wobei die zweite Barriereschicht 54 gleich oder unterschiedlich wie die erste Barriereschicht 42 ausgebildet werden kann. Fig. 27 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 26 in einem zwölften Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem zwölften Zustand ist eine zweite
Planarisierungsschicht 56 über der zweiten Barriereschicht 54 ausgebildet. Die zweite Planarisierungsschicht 56 kann beispielsweise von dem gleichen Material wie die erste
Planarisierungsschicht 40 gebildet sein, wobei die zweite Planarisierungsschicht 56 gleich oder unterschiedlich wie die erste Planarisierungsschicht 40 ausgebildet sein kann. Die zweite Planarisierungsschicht 56 kann beispielsweise auf die gleiche Weise hergestellt werden wie die erste
Planarisierungsschicht 40, wobei die zweite Planarisierungsschicht 56 gleich oder unterschiedlich wie die erste Planarisierungsschicht 40 ausgebildet werden kann.
Fig. 28 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 27 in einem dreizehnten Zustand während des Verfahrens zum
Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. In dem dreizehnten Zustand ist eine dritte
Barriereschicht 58 über der zweiten Planarisierungsschicht 56 ausgebildet. Die dritte Barriereschicht 58 kann
beispielsweise von dem gleichen Material wie die erste
Barriereschicht 42 gebildet sein, wobei die dritte
Barriereschicht 58 gleich oder unterschiedlich wie die erste Barriereschicht 42 ausgebildet sein kann. Die dritte
Barriereschicht 58 kann beispielsweise auf die gleiche Weise hergestellt werden wie die erste Barriereschicht 42, wobei die dritte Barriereschicht 58 gleich oder unterschiedlich wie die erste Barriereschicht 42 ausgebildet werden kann. Die zweite Barriereschicht 54, die zweite
Planarisierungsschicht 56 und/oder die dritte Barriereschicht 58 bilden eine Verkapselung, insbesondere die
Verkapselungsschichtenstruktur 24. Fig. 29 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 gemäß Figur 28 mit einem zweiten Schmutzpartikel 60, der beim Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22, der zweiten Elektrode 23 und/oder der Verkapselung in die
Schichtenstruktur des organischen lichtemittierenden
optoelektronischen Bauelements 101 geraten ist. Entlang der Oberfläche des zweiten Schmutzpartikels 60 können
Verunreinigungen, wie beispielsweise Luft und/oder Feuchtigkeit, durch die Verkapselung hin zu der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 dringen. Aufgrund der von den Resten der ersten Planarisierungsschicht 40 und der ersten Barriereschicht 42 gebildeten Trennbereiche verbleiben die Verunreinigungen jedoch in dem Segment, in dem der zweite Schmutzpartikel 60 angeordnet ist.
Die Verkapselung kann eine erste dicke Dl in einem Bereich von beispielsweise 0,1 ym bis 10 ym, beispielsweise von 1 ym bis 5 ym, beispielsweise von ungefähr 2 ym aufweisen. Die zweite Elektrodenschicht 52 und die zweite Barriereschicht 54 können zusammen eine zweite Dicke D2 in einem Bereich von beispielsweise 100 nm bis 500 nm, beispielsweise von 150 nm bis 300 nm, beispielsweise von ungefähr 200 nm aufweisen. Die Trennbereiche können eine Breite Bl in einem Bereich von beispielsweise 1 ym bis 50 ym, beispielsweise von 3 ym bis 20 ym, beispielsweise von 5 ym bis 10 ym aufweisen. Die Breite Bl der Trennbereiche ist verglichen mit der zweiten Dicke D2 der zweiten Elektrodenschicht 52 und der zweiten
Barriereschicht 54 relativ groß, wodurch ein relativ langer Diffusionspfad für die Verunreinigungen von dem Segment mit dem zweiten Schmutzpartikel 60 zu einem Nachbarsegment geschaffen ist. Aufgrund des langen Diffusionspfades ist es sehr unwahrscheinlich, dass die Verunreinigungen in das
Nachbarsegment vordringen. Falls doch, dauert es zumindest sehr lang, bis die Verunreinigungen in das Nachbarsegment vordringen .
Fig. 30 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung eines
herkömmlichen organischen optoelektronischen Bauelements mit dem zweiten Schmutzpartikel 60. Auch bei dem herkömmlichen organischen optoelektronischen Bauelement können
Verunreinigungen entlang der Oberfläche des zweiten Schmutzpartikels 60 zu der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 22 vordringen. Da dieses herkömmliche organische optoelektronische Bauelement jedoch keine
Trennbereiche aufweist, können die Verunreinigungen,
insbesondere entlang der Grenzschichten zwischen den
Schichten, relativ schnell und relativ weit ungehindert vordringen, wodurch relativ große Teilbereiche des
herkömmlichen organischen optoelektronischen Bauelements beschädigt werden können.
Fig. 31 zeigt einen schematischen Ablauf eines
Ausführungsbeispiels eines Maskierungsprozesses. In Figur 31 sind wesentliche Schritte des mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Verfahrens untereinander herausgestellt, um wesentliche Vorteile dieses Verfahrens zu erläutern.
Insbesondere sind in Figur 31 die mit Bezug zu den Figuren 21, 22 und 23 dargestellten Verfahrensschritte gezeigt, aus denen hervorgeht, dass die Schattenmaske 461 zum Einen als Ätzstopp zum Strukturieren der Schutzschichtenstruktur, insbesondere der ersten Planarisierungsschicht 40 und der zweiten Barriereschicht 42, verwendet wird und zum Anderen nachfolgend, ohne dazwischen entfernt zu werden, als
Strukturmaske zum Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 verwendet wird. Dies bewirkt zum Einen, dass die Struktur der organischen funktionellen
Schichtenstruktur 22 ist sehr gut zu der Struktur der
Schutzschichtenstruktur passt, und zum Anderen, dass das Substrat mit der Schutzschichtenstruktur während dieser
Vorgänge nicht aus der Prozesskammer entfernt werden muss und so kein oder zumindest nur sehr wenig Schmutz auf das
Substrat und/oder die entsprechenden Schichten gelangen kann. Fig. 32 zeigt einen schematischen Ablauf eines herkömmlichen Maskierungsprozesses, insbesondere im Vergleich zu den in Figur 31 gezeigten entsprechenden Schritten des
Ausführungsbeispiels des Maskierungsprozesses. Bei dem herkömmlichen Maskierungsprozess wird nach dem Strukturieren der Schutzschichtenstruktur das Substrat mit der
strukturierten Schutzschichtenstruktur aus der Prozesskammer entfernt und die erste Schattenmaske 461 wird entfernt. Das Substrat mit der strukturierten Schutzschichtenstruktur und ohne erste Schattenmaske 461 wird gereinigt. Dann wird eine zweite Schattenmaske 62 auf dem Substrat angeordnet,
vorzugsweise so, dass die Stege der zweiten Schattenmaske 62 direkt auf der Schutzschichtenstruktur zu liegen kommen, was jedoch nie ganz präzise möglich ist. Alternativ dazu wird die erste Schattenmaske 461 erneut auf dem Substrat angeordnet, vorzugsweise so, dass die Stege der ersten Schattenmaske 461 direkt auf der Schutzschichtenstruktur zu liegen kommen, was jedoch auch nie ganz präzise möglich ist. Insbesondere kann es passieren, dass, wie beispielsweise in dem in Figur 32 gezeigten Fall, die Stege der zweiten Schattenmaske 62 lateral neben den Strukturen der Schutzschichtenstruktur zu liegen kommen. Da nachfolgend das organische Material 50 auf der zweiten Schattenmaske 62 ausgebildet wird und dann die zweite Schattenmaske 62 entfernt wird, entsteht eine
Ausnehmung in einem Bereich, wo eigentlich das organische
Material 50 ausgebildet sein sollte. Dies kann nachfolgend zu weiteren Fehlern führen, insbesondere beim Ausbilden der darauffolgenden Schichten. Außerdem kann dies dazu führen, dass das betroffene Segment, daran angrenzende Segmente und/oder sogar das gesamte herkömmliche organische
optoelektronische Bauelement nicht funktionstüchtig sind. In Figur 32 ist ein Fall gezeigt, in dem die zweite
Schattenmaske 62 lateral neben den Strukturen der
Schutzschichtenstruktur angeordnet wird, was zu den im vorstehenden erläuterten Problemen führen kann. Andere, ähnliche und/oder weitere Probleme können jedoch auch schon auftreten, wenn die zweite Schattenmaske 62 zwar noch auf den Strukturen der Schutzschichtenstruktur angeordnet ist, jedoch geringfügig zu diesen lateral versetzt ist. Fig. 33 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung des Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. Aus Figur 33 geht hervor, dass eine Dicke der
Schutzschichtenstruktur, insbesondere eine gemeinsame Dicke der ersten Planarisierungsschicht 40 und der ersten
Barriereschicht 42, geringer ist als eine Dicke des
organischen Materials 50 und/oder der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 22. Die Schritte des
Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen
korrespondieren .
Fig. 34 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101. Aus Figur 34 geht hervor, dass die Dicke der Schutzschichtenstruktur, insbesondere die gemeinsame Dicke der ersten Planarisierungsschicht 40 und der ersten Barriereschicht 42, gleich ist wie die Dicke des organischen Materials 50 und/oder der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 22. Die Schritte des
Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen
korrespondieren .
Fig. 35 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101. Aus Figur 35 geht hervor, dass die Dicke der Schutzschichtenstruktur, insbesondere die gemeinsame Dicke der ersten Planarisierungsschicht 40 und der ersten Barriereschicht 42, größer ist als die Dicke des organischen Materials 50 und/oder der organischen
funktionellen Schichtenstruktur 22. Die Schritte des
Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen
korrespondieren .
Fig. 36 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101. Aus Figur 36 geht hervor, dass die Dicke der Schutzschichtenstruktur, die in diesem Fall ausschließlich von der ersten Planarisierungsschicht 40 oder der ersten Barriereschicht 42 gebildet ist, kleiner ist als die Dicke des organischen Materials 50 und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22. Die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten
Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen korrespondieren.
Fig. 37 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101. Aus Figur 37 geht hervor, dass die Dicke der Schutzschichtenstruktur, die in diesem Fall ausschließlich von der ersten Planarisierungsschicht 40 oder der ersten Barriereschicht 42 gebildet ist, gleich groß ist wie die Dicke des organischen Materials 50 und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22. Die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten
Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen korrespondieren. Fig. 38 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101. Aus Figur 38 geht hervor, dass die Dicke der Schutzschichtenstruktur, die in diesem Fall ausschließlich von der ersten Planarisierungsschicht 40 oder der ersten Barriereschicht 42 gebildet ist, größer ist als die Dicke des organischen Materials 50 und/oder der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22. Die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten
Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen korrespondieren.
Fig. 39 zeigt eine seitliche Schnittdarstellung des
Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen
Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. Das organische optoelektronische Bauelement 101 weist relativ breite Trennbereiche auf, beispielsweise mit der im Vorhergehenden erläuterten Breite Bl . Die Schritte des
Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des
organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen
korrespondieren . Das in Figur 39 gezeigte Ausführungsbeispiel, in dem eine beispielhafte Breite der Trennbereiche veranschaulicht ist, kann mit den in den Figuren 33 bis 38 gezeigten
Ausführungsbeispielen, in denen die Dicke der
Schutzschichtenstruktur veranschaulicht ist, kombiniert werden. Insbesondere können die von der
Schutzschichtenstruktur gebildeten Trennbereiche mit der in Figur 39 gezeigten Breite die in den Figuren 33 bis 38 gezeigten Dicken oder Schichtenfolgen aufweisen.
Fig. 40 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101. Das organische
optoelektronische Bauelement 101 weist einen relativ breiten Trennbereich, beispielsweise mit der im Vorhergehenden erläuterten Breite Bl, und einen relativ dünnen Trennbereich auf. In anderen Worten können die Trennbereiche
unterschiedliche Breiten aufweisen, was beispielsweise mittels unterschiedlich breiter Stege der ersten
Schattenmaske 461 realisiert werden kann. Die Schritte des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen
korrespondieren .
Das in Figur 40 gezeigte Ausführungsbeispiel, in dem
beispielhafte unterschiedliche Breiten der Trennbereiche veranschaulicht sind, kann mit den in den Figuren 33 bis 38 gezeigten Ausführungsbeispielen, in denen die Dicke der Schutzschichtenstruktur veranschaulicht ist, kombiniert werden. Insbesondere können die von der
Schutzschichtenstruktur gebildeten Trennbereiche mit den in Figur 40 gezeigten Breiten die in den Figuren 33 bis 38 gezeigten Dicken oder Schichtenfolgen aufweisen.
Fig. 41 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem neunten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen
optoelektronischen Bauelements 101. Das organische
optoelektronische Bauelement 101 weist relativ dünne
Trennbereiche auf, beispielsweise dünner als die im
Vorhergehenden erläuterte Breite Bl . Die Schritte des
Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101, die zu dem neunten Zustand geführt haben und die nachfolgenden Schritte bis zur Fertigstellung des organischen optoelektronischen Bauelements 101 können den im Vorhergehenden mit Bezug zu den Figuren 16 bis 28 erläuterten Schritten entsprechen oder zumindest zu diesen
korrespondieren .
Das in Figur 41 gezeigte Ausführungsbeispiel, in dem eine beispielhafte relativ dünne Breite der Trennbereiche
veranschaulicht ist, kann mit den in den Figuren 33 bis 38 gezeigten Ausführungsbeispielen, in denen die Dicke der Schutzschichtenstruktur veranschaulicht ist, kombiniert werden. Insbesondere können die von der
Schutzschichtenstruktur gebildeten Trennbereiche mit der in Figur 41 gezeigten Breite die in den Figuren 33 bis 38 gezeigten Dicken oder Schichtenfolgen aufweisen. Fig. 42 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem zehnten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. Die zweite
Elektrodenschicht 52 ist derart strukturiert, dass die
Schutzschichtenstruktur frei von dem Material der zweiten Elektrodenschicht 52 bleibt. Beispielsweise kann die erste Schattenmaske 461 so lange über der Schutzschichtenstruktur angeordnet bleiben, bis die zweite Elektrodenschicht 52 ausgebildet ist. Optional kann zwischen dem Ausbilden der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und der zweiten Elektrodenschicht 52 das Substrat mit den
entsprechenden Schichten nicht aus der Prozesskammer
entnommen werden. Alternativ dazu kann die zweite
Elektrodenschicht 52 mit einer weiteren Schattenmaske ausgebildet werden und/oder das Substrat mit den
entsprechenden Schichten kann vor dem Ausbilden der zweiten Elektrodenschicht 52 aus der Prozesskammer entnommen werden.
Fig. 43 zeigt eine detaillierte seitliche Schnittdarstellung eines alternativen Ausführungsbeispiels des organischen optoelektronischen Bauelements 101 in dem zehnten Zustand während des Verfahrens zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements 101. Die Dicke der
Schutzschichtenstruktur entspricht der Dicke der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und die zweite
Elektrodenschicht 52 ist vollflächig, insbesondere als vollständig geschlossene Fläche, über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und der
Schutzschichtenstruktur ausgebildet . Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen
Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können die im Vorhergehenden erläuterten Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden. Außerdem weist das im Vorhergehenden erläuterte organische optoelektronische Bauelement 101 grundsätzlich eine Vielzahl der gezeigten Segmente und
Trennbereiche auf. Beispielsweise kann die gesamte
Leuchtfläche einer entsprechenden OLED eine Vielzahl
derartiger Segmente und Trennbereiche aufweisen.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Prioritäten der deutschen Patentanmeldungen 10 2016 100 917.2 und
10 2016 100 148.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Bezugs zeichenliste
1 organische Leuchtdiode
1 ' Abwandlung einer organischen Leuchtdiode
2 Trägersubstrat
20 Hauptseite des Trägersubstrats
3 erste Stromzuführung
3a lichtdurchlässig elektrisch leitfähige Schicht
3b metallische Kontaktstruktur
4 elektrische Isolationsschicht
46 Öffnung in der Isolationsschicht
5 organischer Schichtenstapel
6 zweite Stromzuführung
6a Stromzuleitung
6b Durchkontaktierung
6c Flächenteil
6d lichtdurchlässig elektrisch leitfähige Schicht
7 Verkapselung
8 Maskenschicht
9 weitere Maskenschicht
10 organisches Isolationsmaterial
11 Schutzschicht
12 Schmutzpartikel organisches optoelektronisches Bauelement 101 Träger 121 erste Elektrodenschicht 14 erster Kontaktabschnitt 16 zweiter Kontaktaufschnitt 18 erste Elektrode 201 Isolator 21 organische funktionelle Schichtenstruktur 22 zweite Elektrode 23 Verkapselung 24
Haftmittelschicht 36
Abdeckkörper 38
Planarisierungsschicht 40 erste Barriereschicht 42 erster Schmutzpartikel 44 erste Schattenmaske 461
Ausnehmung 48 organisches Material 50 zweite Elektrodenschicht 52 zweite Barriereschicht 54 zweite Planarisierungsschicht 56 dritte Barriereschicht 58 zweiter Schmutzpartikel 60 zweite Schattenmaske 62

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode (1) mit den nachfolgenden Schritten in der angegebenen Reihenfolge:
- Bereitstellen eines Trägersubstrats (2) mit einer Hauptseite (20) ,
- Beschichten der Hauptseite (20) mit einer
elektrischen Isolationsschicht (4),
- Aufbringen einer Maskenschicht (8) auf die
Isolationsschicht (4),
- stellenweises Entfernen der Isolationsschicht (4), vorgegeben durch die Maskenschicht (8),
- Aufbringen eines organischen Schichtenstapels (5) zur Lichterzeugung, sodass sich die Maskenschicht (8) zwischen dem Schichtenstapel (5) und der verbliebenen Isolationsschicht (4) befindet und sodass die
Isolationsschicht (4) und der Schichtenstapel (5) in Richtung parallel zur Hauptseite (20) direkt
aufeinander folgen,
- Entfernen der Maskenschicht (8) zusammen mit
überflüssigem Material des Schichtenstapels (5) , und
- formschlüssiges Aufbringen einer Verkapselung (7).
2. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
wobei die anorganische Isolationsschicht (4) und der
Schichtenstapel (5) die gleiche Dicke aufweisen, mit einer Toleranz von höchstens 25 % einer mittleren Dicke des Schichtenstapels (5) in der fertigen organischen Leuchtdiode (1), in derselben Ebene liegen und sich gegenseitig nicht überlappen. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine erste Stromzuführung (3) für den
Schichtenstapel (5) erzeugt wird,
wobei die erste Stromzuführung (3) eine transparente elektrisch leitfähige Schicht (3a) direkt an der
Hauptseite (20) und eine metallische Kontaktstruktur (3b) direkt auf der leitfähigen Schicht (3a) umfasst, wobei sich die Kontaktstruktur (3b) , in Draufsicht gesehen, vollständig neben dem Schichtenstapel (5) befindet und in Richtung parallel zur Hauptseite (20) sich die Isolationsschicht (4) zwischen der
Kontaktstruktur (3b) und dem Schichtenstapel (5) befindet .
Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
bei dem die erste Stromzuführung
(3) vor dem Aufbringen der Maskenschicht (8) erzeugt und fertiggestellt wird, wobei die Maskenschicht (8) nach dem Aufbringen die leitfähigen Schicht (3a) teilweise und die
Kontaktstruktur (3b) vollständig bedeckt.
Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine zweite Stromzuführung (6) für den
Schichtenstapel (5) erzeugt wird,
wobei die zweite Stromzuführung (6) eine metallische Stromzuleitung (6a) nahe der Hauptseite (20), eine Durchkontaktierung (6b) durch die Isolationsschicht
(4) hindurch weg von der Hauptseite (20) und einen
Flächenteil (6c) umfasst,
wobei sich der Schichtenstapel
(5) vollständig zwischen dem Flächenteil (6c) und dem Trägersubstrat (2)
befindet .
6. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch,
wobei die Verkapselung (7) direkt und vollflächig auf den Flächenteil (6c) aufgebracht wird und sich in
Bereichen neben dem Flächenteil (6c) direkt auf der Isolationsschicht (4) befindet.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 oder 6,
wobei der Flächenteil (6c) und die Durchkontaktierung (6b) im selben Verfahrensschritt gemeinsam anhand einer weiteren Maskenschicht (9) strukturiert aufgebracht werden .
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7,
bei dem vor dem Aufbringen der Maskenschicht (8) in der Isolationsschicht (4) mittels Laserablation eine
Öffnung (46) für die Durchkontaktierung (6b) erzeugt wird .
9. Verfahren nach Anspruch 4 und nach einem der Ansprüche 5 bis 8,
wobei der Flächenteil (6c) den Schichtenstapel (5) in Richtung parallel zur Hauptseite (20) überragt und die Kontaktstruktur (3b) teilweise bedeckt.
10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Isolationsschicht (4) und die Verkapselung (7) aus dem gleichen Material hergestellt werden und lichtdurchlässig sind,
wobei die Isolationsschicht (4) dicker als die
Verkapselung (7) ist.
11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem das Entfernen der Isolationsschicht (4) trockenchemisch erfolgt, in derselben Reaktionskammer durchgeführt wird wie das Aufbringen des
Schichtenstapels (5) und gleichzeitig zum Reinigen der Fläche, auf die der Schichtenstapel (5) aufgebracht wird, dient.
12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
wobei ein Bereich zwischen der Verkapselung (7) und der Hauptseite (20), mit Ausnahme des Schichtenstapels (5), frei von organischen Materialien hergestellt wird und die Verkapselung (7), mit einer Toleranz von höchstens 50 % einer mittleren Dicke der Verkapselung (7), stufenlos aufgebracht wird und die mittlere Dicke der Verkapselung (7) mindestens 20 nm und höchstens 1 ym beträgt .
13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
bei dem die Isolationsschicht (4) dünner als der
Schichtenstapel (5) ist und mittels
Atomlagenabscheidung, Moleküllagenabscheidung und/oder chemischer Gasphasenabscheidung erzeugt wird,
wobei sich zwischen der Hauptseite (20) und der
Verkapselung (7) keine Hohlräume mit einem mittleren
Durchmesser von mehr als 0,05 ym befinden.
14. Organische Leuchtdiode (1) mit
- einem Trägersubstrat (2) mit einer Hauptseite (20),
- einer anorganischen elektrischen Isolationsschicht (4),
- einem organischen Schichtenstapel (5) zur
Lichterzeugung, und
- einer Verkapselung (7) an einer der Hauptseite (20) abgewandten Seite der Isolationsschicht (4) und des Schichtenstapels (5) ,
wobei die Isolationsschicht (4) und der Schichtenstapel (5)
- in derselben Ebene liegen,
- die gleiche Dicke aufweisen, mit einer Toleranz von höchstens 25 % einer mittleren Dicke des
Schichtenstapels (5) ,
- sich gegenseitig nicht überlappen, und
- in Richtung parallel zur Hauptseite (20) direkt aufeinander folgen.
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