[go: up one dir, main page]

WO2017154387A1 - 弾性波装置 - Google Patents

弾性波装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2017154387A1
WO2017154387A1 PCT/JP2017/002348 JP2017002348W WO2017154387A1 WO 2017154387 A1 WO2017154387 A1 WO 2017154387A1 JP 2017002348 W JP2017002348 W JP 2017002348W WO 2017154387 A1 WO2017154387 A1 WO 2017154387A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
switch
wave device
inductor
impedance matching
matching element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2017/002348
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
幸一郎 川▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2018504045A priority Critical patent/JP6708250B2/ja
Priority to CN201780014117.7A priority patent/CN108781065B/zh
Priority to KR1020187024585A priority patent/KR102116677B1/ko
Publication of WO2017154387A1 publication Critical patent/WO2017154387A1/ja
Priority to US16/124,224 priority patent/US10868518B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/006—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using switches for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H7/463—Duplexers
    • H03H7/465—Duplexers having variable circuit topology, e.g. including switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0458—Arrangements for matching and coupling between power amplifier and antenna or between amplifying stages
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/06—Receivers
    • H04B1/16—Circuits
    • H04B1/18—Input circuits, e.g. for coupling to an antenna or a transmission line

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device.
  • Patent Document 1 discloses an example of an elastic wave device having a plurality of duplexers.
  • This elastic wave device has a switch for switching a connection state between an antenna and a plurality of duplexers.
  • a matching circuit is connected between the antenna and the switch.
  • a surface mount type inductor element is connected between the switch and each duplexer in order to improve impedance matching.
  • an object of the present invention is to provide an acoustic wave device that can be reduced in size without causing deterioration of filter characteristics.
  • an impedance matching element having one end and the other end, a first switch terminal connected to the other end of the impedance matching element, and a plurality of second terminals
  • a substrate, and at least one inductor provided on the substrate and having an inductance smaller than that of the impedance matching element, wherein at least one second switch terminal and at least one multiplexer are provided. Are connected through the inductor.
  • the switch includes at least one capacitor connected between the first switch terminal and at least one of the multiplexers. In this case, it is possible to further reduce the size.
  • an impedance matching element having one end and the other end, a first switch terminal connected to the other end of the impedance matching element, and a plurality of first A switch for switching a connection state between the first switch terminal and the plurality of second switch terminals, and a plurality of multiplexers respectively connected to the plurality of second switch terminals.
  • the switch includes at least one capacitor connected between the first switch terminal and at least one of the multiplexers.
  • the acoustic wave device further includes: a substrate; and at least one inductor provided on the substrate and having an inductance smaller than that of the impedance matching element.
  • the second switch terminal and at least one of the multiplexers are connected via the inductor. In this case, it is possible to further reduce the size.
  • At least one of the inductors is a first inductor including a wiring pattern provided on the substrate. In this case, it is possible to further reduce the size.
  • the first inductor has a wiring pattern longer than a distance between the second switch terminal to which the first inductor is connected and the multiplexer. It is configured. In this case, it is possible to effectively reduce the size.
  • the first inductor includes a meander-shaped wiring pattern.
  • the acoustic wave device further includes at least one laminated substrate laminated on the substrate, and the first inductor is formed on the substrate and the laminated substrate. And a via electrode portion connected to the wiring pattern portion and penetrating through the multilayer substrate.
  • the first inductor includes a wiring pattern having a spiral shape provided on at least one of the substrate and the multilayer substrate.
  • At least one of the inductors is a second inductor that is a surface-mount type inductor component, and at least one of the multiplexers includes the second inductor. It is connected to the impedance matching element without being interposed. In this case, the Q value can be increased.
  • the impedance matching element, the switch, the inductor, and the plurality of multiplexers are provided on the substrate. In this case, it is possible to further reduce the size.
  • a substrate is further provided, and the impedance matching element, the switch, and the plurality of multiplexers are provided on the substrate. In this case, it is possible to further reduce the size.
  • At least one of the second switch terminals and at least one of the multiplexers are connected via a capacitor.
  • At least one of an inductor and a capacitor is connected between at least one of the second switch terminals, at least one of the multiplexers, and a ground potential. Yes.
  • the impedance matching element and the switch are connected via at least one of an inductor and a capacitor.
  • At least one of an inductor and a capacitor is connected between the impedance matching element and the switch and a ground potential.
  • the first switch terminal is connected to one second switch terminal.
  • the first switch terminal is connected to the plurality of second switch terminals.
  • the one end of the impedance matching element is connected to an antenna.
  • the impedance matching element is connected between the antenna and the first switch terminal.
  • the one end of the impedance matching element is connected to an amplifier.
  • the impedance matching element is connected between the amplifier and the first switch terminal.
  • the elastic wave device of the present invention it is possible to reduce the size without deteriorating the filter characteristics.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic front view of the acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of an elastic wave device of a first comparative example.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of an elastic wave device of a second comparative example.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an example of the shape of the wiring pattern in the first inductor according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the first inductor in the first modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the vicinity of the first inductor in the second modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic diagram showing the vicinity of the impedance matching element and the switch in the third modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic diagram showing the vicinity of the impedance matching element and the switch in the fourth modified example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a schematic diagram showing the vicinity of the impedance matching element and the switch in the fifth modification example of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to a sixth modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to a seventh modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to a first modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to a second modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic front view of the acoustic wave device according to the first embodiment.
  • the acoustic wave device 1 has a mounting substrate 3 as a substrate in the present invention.
  • first to fourth duplexers 2A to 2D are provided as first to fourth multiplexers.
  • the first to fourth duplexers 2A to 2D each have a reception filter and a transmission filter.
  • the first to fourth duplexers 2A to 2D are used, for example, for different Bands in a mobile phone.
  • the first duplexer 2A has an input terminal 2Aa and an output terminal 2Ab.
  • the input terminal 2Aa is a transmission terminal
  • the output terminal 2Ab is a reception terminal.
  • the second to fourth duplexers 2B to 2D also have input terminals 2Ba to 2Da and output terminals 2Bb to 2Db.
  • the acoustic wave device 1 has a terminal 4.
  • the terminal 4 is an antenna terminal connected to the antenna.
  • the terminal 4 is connected to an impedance matching element 5 which is a surface mount type (SMD type) inductor. More specifically, the impedance matching element 5 has one end and the other end.
  • the terminal 4 is connected to one end of the impedance matching element 5.
  • the impedance matching element 5 is a chip component.
  • the impedance matching element 5 is mounted on the mounting substrate 3 via, for example, solder.
  • the switch 6 includes a first switch terminal 6a and a plurality of second switch terminals 6bA to 6bD.
  • the first switch terminal 6 a is connected to the impedance matching element 5.
  • the plurality of second switch terminals 6bA to 6bD are connected to the first to fourth duplexers 2A to 2D through first to fourth wirings 9A to 9D, respectively.
  • the terminal 4, the impedance matching element 5, the switch 6, the first to fourth wirings 9A to 9D, and the first to fourth duplexers 2A to 2D are provided on the mounting substrate 3.
  • the acoustic wave device 1 includes first inductors 8aB and 8aD.
  • the first inductor 8aB is provided on the second wiring 9B.
  • the first inductor 8aD is provided on the fourth wiring 9D.
  • the inductances of the first inductors 8aB and 8aD are both smaller than the inductance of the impedance matching element 5.
  • the first inductors 8aB and 8aD are formed of a wiring pattern provided on the mounting substrate 3.
  • the first inductor 8aB is provided on the second wiring 9B means that the second switch terminal 6bB and the duplexer 2B are connected via the first inductor 8aB. It means that
  • the impedance matching element 5 and the first inductors 8aB and 8aD perform impedance matching on the antenna side of the first to fourth duplexers 2A to 2D.
  • no inductor is connected to the first and third wirings 9A and 9C.
  • the feature of this embodiment is the following configuration. 1) An impedance matching element 5 that is a surface mount type inductor component is connected between the terminal 4 and the switch 6. 2) The first inductors 8aB and 8aD having a smaller inductance than the impedance matching element 5 and made of a wiring pattern are provided on the second and fourth wirings 9B and 9D. Thereby, the acoustic wave device 1 can be downsized without causing deterioration of the filter characteristics. This will be described below.
  • the inductance required for impedance matching is 8 nH.
  • the inductance required for impedance matching in the second duplexer 2B is 10 nH.
  • the inductances required for impedance matching in the third and fourth duplexers 2C and 2D are 8 nH and 9 nH, respectively. These inductances are merely examples, and are not particularly limited.
  • the impedance matching element 5 is connected to the first to fourth duplexers 2A to 2D via the switch 6.
  • the impedance matching element 5 is an impedance matching element common to the first to fourth duplexers 2A to 2D.
  • the inductance of the impedance matching element 5 is 8 nH, which is an inductance required for impedance matching by the first and third duplexers 2A and 2C. Therefore, even if the first and third duplexers 2A and 2C are not connected to an inductor other than the impedance matching element 5, impedance matching can be improved.
  • the inductances of the first inductors 8aB and 8aD are 2 nH and 1 nH, respectively.
  • the second duplexer 2B is connected to the impedance matching element 5 via the first inductor 8aB.
  • the fourth duplexer 2D is connected to the impedance matching element 5 via the first inductor 8aD. Therefore, the impedance matching between the second and fourth duplexers 2B and 2D can be improved.
  • this embodiment is compared with the first and second comparative examples.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of an elastic wave device of a first comparative example.
  • the acoustic wave device 51 is different from the first embodiment in that no impedance matching element is connected between the terminal 4 and the switch 6.
  • second inductors 48bA to 48bD are connected between the switch 6 and the first to fourth duplexers 2A to 2D, which are all duplexers. This is also different from the first embodiment.
  • the second inductors 48bA to 48bD are surface mount type inductor components. Therefore, the inductor is larger than the inductor made of the wiring pattern provided on the mounting substrate 3. Since the same number of the second inductors 48bA to 48bD as the first to fourth duplexers 2A to 2D are provided, it is difficult to reduce the size of the acoustic wave device 51.
  • the inductors other than the impedance matching element 5 are each composed of a wiring pattern provided on the mounting substrate 3.
  • no inductor is connected between the first and third duplexers 2A and 2C and the switch 6. Therefore, it is possible to reduce the size of the acoustic wave device without causing deterioration of filter characteristics such as impedance matching.
  • FIG. 4 is a schematic diagram of an elastic wave device of a second comparative example.
  • the acoustic wave device 61 is different from the first embodiment in that an impedance matching element is not connected between the terminal 4 and the switch 6.
  • first inductors 8aA to 8aD are connected between the switch 6 and the first to fourth duplexers 2A to 2D, which are all duplexers. This is also different from the first embodiment.
  • impedance matching of the first to fourth duplexers 2A to 2D is performed only by the first inductors 8aA to 8aD made of the wiring pattern provided on the mounting substrate 3. As a result, the Q value deteriorates and the filter characteristics deteriorate.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment shown in FIG. 1 is a surface-mount type inductor component, and includes an impedance matching element 5 having a high Q value. Further, in the present embodiment, the inductances of the first inductors 8aB and 8aD are smaller than the inductance of the impedance matching element 5. Therefore, the acoustic wave device 1 can be reduced in size without causing deterioration of the filter characteristics due to the deterioration of the Q value.
  • impedance matching is performed only by the impedance matching element 5. Therefore, the filter characteristics are less likely to deteriorate.
  • the elastic wave apparatus 1 should just have at least 1 1st inductor.
  • the first inductor may be provided on all of the first to fourth wirings 9A to 9D.
  • each said element may be provided on a respectively different board
  • at least a part of the first to fourth wirings 9A to 9D may be provided on the substrate on which the first inductors 8aB and 8aD are provided.
  • the first inductors 8aB and 8aD are formed of a wiring pattern provided on the mounting substrate 3. More specifically, the first inductor 8aB is configured by a wiring pattern longer than the distance between the second switch terminal 6bB to which the first inductor 8aB is connected and the duplexer 2B. The first inductor 8aD is configured similarly.
  • FIG. 5 below shows an example of a wiring pattern constituting the first inductor 8aB.
  • FIG. 5 is a schematic plan view showing an example of the shape of the wiring pattern in the first inductor according to the first embodiment.
  • the first inductor 8aB may include a meander-shaped wiring pattern. Thereby, the impedance of the first inductor 8aB can be increased.
  • the first inductor 8aB may be configured by a wiring pattern that does not include a meander shape and is longer than the distance between the second switch terminal and the duplexer. In this case, for example, the first inductor 8aB may be formed of a wiring pattern including a bent portion.
  • the first inductor may be three-dimensionally formed. An example of this is shown below.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the first inductor in the first modification of the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the vicinity of the first inductor in the second modification example of the first embodiment.
  • the acoustic wave device has a laminated substrate 73 laminated on the mounting substrate 3.
  • the first inductor 78 a includes a plurality of wiring pattern portions 78 ⁇ / b> X provided on the multilayer substrate 73 and a plurality of wiring pattern portions 78 ⁇ / b> Z provided on the multilayer substrate 73.
  • the first inductor 78 a has a plurality of via electrode portions 78 Y that penetrate the multilayer substrate 73.
  • the wiring pattern portion 78X on the mounting substrate 3 and the wiring pattern portion 78Z on the multilayer substrate 73 are connected by a via electrode portion 78Y.
  • the vicinity of the end of the wiring pattern portion 78X on the mounting substrate 3 and the vicinity of the end of the wiring pattern portion 78Z on the multilayer substrate 73 are caused by the via electrode portion 78Y. It is connected.
  • the cross-sectional shape shown in FIG. 6 of the first inductor 78a is a meander shape.
  • the acoustic wave device may have a plurality of laminated substrates 73. In this case, a plurality of laminated substrates 73 may be laminated.
  • the wiring pattern portion 88X on the mounting substrate 3 has a spiral shape.
  • the wiring pattern portion 78Z provided on the multilayer substrate 73 may have a spiral shape.
  • the spiral shape may be three-dimensionally formed by connecting a plurality of wiring pattern portions 78Z by a plurality of via electrode portions 78Y. .
  • the first switch terminal 6a is connected to one second switch terminal among the plurality of second switch terminals 6bA to 6bD.
  • the first switch terminal 6a is connected to the two second switch terminals.
  • the first switch terminal 6a may be connected to two or more second switch terminals.
  • the size can be reduced without deteriorating the filter characteristics. it can.
  • a capacitor and ground potential described later are indicated by circuit symbols.
  • the impedance matching element 5 and the switch 6 are connected via an inductor 108. Further, a capacitor 107 is connected between the impedance matching element 5 and the switch 6 and the ground potential.
  • the inductor 108 is an inductor made of a wiring pattern provided on the mounting substrate 3, similarly to the first inductor.
  • the inductor 108 may be three-dimensionally formed as in the first to third modifications described above, or may be a surface mount inductor component.
  • the inductor 108 is preferably made of a wiring pattern provided on the mounting substrate 3. In this case, it is possible to effectively reduce the size of the acoustic wave device.
  • the impedance matching element 5 and the switch 6 are connected via a capacitor 107. Further, an inductor 108 is connected between the impedance matching element 5 and the switch 6 and the ground potential.
  • At least one of the inductor 108 and the capacitor 107 may be connected between the impedance matching element 5 and the switch 6. At least one of the inductor 108 and the capacitor 107 may be connected between the impedance matching element 5 and the switch 6 and the ground potential.
  • the second switch terminal 6bD and the duplexer 2D are connected via an inductor. Further, a capacitor 107 is connected between the second switch terminal 6bD and the duplexer 2D and the ground potential.
  • the second switch terminal 6bD and the duplexer 2D are connected via a capacitor 107. Further, an inductor 108 is connected between the second switch terminal 6bD and the duplexer 2D and the ground potential.
  • At least one second switch terminal that is not connected to the first inductor and the duplexer may be connected via the inductor 108.
  • at least one second switch terminal and the duplexer may be connected via a capacitor 107.
  • the capacitor 107 is connected between the second switch terminal 6bD that is not connected to the first inductor and the duplexer 2D.
  • At least one of the inductor 108 and the capacitor 107 is connected between the at least one second switch terminal and the at least one multiplexer and the ground potential. May be.
  • the inductor 108 may be connected between the second switch terminal and duplexer that are not connected to the first inductor and the ground potential.
  • the elastic wave device 1 of the present embodiment shown in FIG. 1 includes the first to fourth duplexers 2A to 2D as the first to fourth multiplexers.
  • the elastic wave device 1 may include, for example, a multiplexer in which the antenna end of the first duplexer 2A and the antenna end of the second duplexer 2B are connected.
  • the antenna ends of the first duplexer 2A and the second duplexer 2B may be commonly connected to the first inductor 8aB.
  • the impedance of the duplexer 2A to 2D on the antenna end side may be 50 ⁇ or may be other than 50 ⁇ .
  • the impedances of the input terminals 2Aa to 2Da and the output terminals 2Ab to 2Db of the duplexers 2A to 2D may be 50 ⁇ or may be other than 50 ⁇ . In any of the above cases, the impedance matching can be improved in the present embodiment.
  • FIG. 13 is a schematic diagram of an acoustic wave device according to the second embodiment.
  • the elastic wave device 11 is different from the first embodiment in that the switch 16 includes capacitors 17A and 17C and the number of first inductors.
  • the inductance of the impedance matching element 5 is also different from that of the first embodiment. Except for the above points, the acoustic wave device 11 has the same configuration as the acoustic wave device 1 of the first embodiment.
  • the capacitor 17A is connected between the first switch terminal 6a of the switch 16 and the first duplexer 2A.
  • the capacitor 17C is connected between the first switch terminal 6a and the third duplexer 2C.
  • the first inductor 8aB is provided only on the second wiring 9B.
  • the impedance of the impedance matching element 5 is 9 nH.
  • the capacity of the capacitor 17A corresponds to ⁇ 1 nH.
  • the capacity of the capacitor 17C corresponds to ⁇ 1 nH.
  • the inductance of the first inductor 8aB is 1 nH.
  • the inductances required for impedance matching by the first to fourth duplexers 2A to 2D are the same as those in the first embodiment.
  • the first duplexer 2A is connected to the impedance matching element 5 via the capacitor 17A, impedance matching can be improved.
  • the second and third duplexers 2B and 2C are connected to the impedance matching element 5 via the first inductor 8aB and the capacitor 17C, respectively, impedance matching can be improved.
  • the acoustic wave device 11 can be downsized without causing deterioration of the filter characteristics.
  • the switch 16 only needs to include at least one capacitor.
  • the first to fourth duplexers 2A to 2D have the inductance required for impedance matching, the inductance of the impedance matching element 5, and the capacitances of the capacitors 17A and 17C, so that the first modification of the second embodiment shown in FIG. It is good also as such a structure. Or it is good also as a structure like the 2nd modification of 2nd Embodiment shown in FIG.
  • the switch 16 includes capacitors 17A and 17C.
  • the inductor provided on the second wiring 9B is the second inductor 48bB which is a surface-mount type inductor component.
  • a plurality of second inductors may be provided. In this case, it is sufficient that at least one duplexer is connected to the impedance matching element 5 without passing through the second inductor. Even in this case, the number of surface-mount type inductor components can be reduced, and the acoustic wave device 41 can be downsized. In addition, the Q value can be increased.
  • FIG. 16 is a schematic diagram of an elastic wave device according to the third embodiment.
  • the terminal 4 is connected to the amplifier A indicated by a broken line instead of the antenna.
  • One end of the impedance matching element 5 is connected to the amplifier A via the terminal 4.
  • the switch 26 is connected to input terminals 2Aa to 2Da, which are terminals on the transmission filter side of the first to fourth duplexers 2A to 2D.
  • the output terminals 2Ab to 2Db which are terminals on the reception filter side, are not connected to the switch 26.
  • the switch 26 has a plurality of second switch terminals 26b connected to the input terminals 2Aa to 2Da, respectively.
  • the impedance matching element 5 and the first inductors 8aB and 8aD perform impedance matching on the amplifier A side of the transmission filters in the first to fourth duplexers 2A to 2D.
  • the first duplexer 2A has a common terminal 2Ac to which a transmission filter and a reception filter are connected in common.
  • the second to fourth duplexers 2B to 2D also have common terminals 2Bc to 2Dc.
  • the common terminals 2Ac to 2Dc are connected to the antenna.
  • the common terminals 2Ac to 2Dc may be connected to, for example, a switch that switches a connection state between the antenna and the common terminals 2Ac to 2Dc.
  • the elastic wave device 21 includes at least one duplexer and at least one first inductor connected between the switch 26. Therefore, the acoustic wave device 21 can be reduced in size without causing deterioration of impedance matching.
  • FIG. 17 is a schematic diagram of an elastic wave device according to the fourth embodiment.
  • This embodiment is different from the third embodiment in that output terminals 2Ab to 2Db, which are reception filter side terminals of the first to fourth duplexers 2A to 2D, are connected to the switch 26.
  • the input terminals 2Aa to 2Da are not connected to the switch 26.
  • the elastic wave device of the present embodiment has the same configuration as the elastic wave device 21 of the third embodiment.
  • the impedance matching element 5 and the first inductors 8aB and 8aD perform impedance matching on the amplifier A side of the reception filters in the first to fourth duplexers 2A to 2D.
  • the acoustic wave device can be downsized without causing deterioration of impedance matching.
  • the multiplexer is not limited to a duplexer, and may be a triplexer or the like.
  • Elastic wave device 48bA-48bD Second inductor 51 ... Elastic wave device 61 ... Elastic wave device 73 ... Multilayer substrate 78a ... First inductor 78X ... wiring pattern portion 78Y ... via electrode portion 78Z ... wiring pattern portion 88a ... first inductor 88X ... wiring pattern 96 ... Switch 107 ... capacitor 108 ... inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を図ることができる、弾性波装置を提供する。　弾性波装置１は、インピーダンス整合素子５と、インピーダンス整合素子５に接続されている第１のスイッチ端子６ａと、複数の第２のスイッチ端子６ｂＡ～６ｂＤとの接続状態を切り替えるスイッチ６と、複数の第２のスイッチ端子６ｂＡ～６ｂＤにそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサ（デュプレクサ２Ａ～２Ｄ）と、基板（実装基板３）と、基板（実装基板３）上に設けられており、インピーダンス整合素子５よりもインダクタンスが小さい、少なくとも１つのインダクタ（第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤ）とを備え、少なくとも１つの第２のスイッチ端子６ｂＢ，６ｂＤと、少なくとも１つのマルチプレクサ（デュプレクサ２Ｂ，２Ｄ）とが、第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤを介して接続されている。

Description

弾性波装置
　本発明は、弾性波装置に関する。
　従来、異なる周波数帯域を利用した複数の通信信号を共通アンテナで送受信する弾性波装置が各種提案されている。
　下記の特許文献１には、複数のデュプレクサを有する弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置は、アンテナと複数のデュプレクサとの接続状態を切り替えるスイッチを有する。アンテナとスイッチとの間には、整合回路が接続されている。スイッチと各デュプレクサとの間には、インピーダンス整合を改善するために、それぞれ表面実装型のインダクタ素子が接続されている。
国際公開第２０１２／０４３４３０号
　特許文献１の弾性波装置においては、スイッチと各デュプレクサとの間に、それぞれ表面実装型のインダクタ素子が接続されているため、小型化を図ることが困難であった。小型化のため、表面実装型のインダクタ素子を、実装基板上に設けられた配線パターンに置き換えたとしても、Ｑ値が劣化し、フィルタ特性が劣化する。
　そこで、本発明の目的は、フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を図ることができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置のある広い局面では、一方端と他方端とを有するインピーダンス整合素子と、前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第１のスイッチ端子と、複数の第２のスイッチ端子とを有し、前記第１のスイッチ端子と前記複数の第２のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、前記複数の第２のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサと、基板と、前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも１つのインダクタとを備え、少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとが、前記インダクタを介して接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記スイッチが、前記第１のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも１つのコンデンサを含む。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の広い局面では、一方端と他方端とを有するインピーダンス整合素子と、前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第１のスイッチ端子と、複数の第２のスイッチ端子とを有し、前記第１のスイッチ端子と前記複数の第２のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、前記複数の第２のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサとが備えられており、前記スイッチが、前記第１のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも１つのコンデンサを含む。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、基板と、前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも１つのインダクタとをさらに備え、少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとが、前記インダクタを介して接続されている。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記インダクタのうち少なくとも１つが、前記基板上に設けられた配線パターンを含む第１のインダクタである。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１のインダクタが接続されている前記第２のスイッチ端子と前記マルチプレクサとの距離よりも長い配線パターンにより、前記第１のインダクタが構成されている。この場合には、小型化を効果的に進めることができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１のインダクタが、ミアンダ状の形状の配線パターンを含む。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記基板上に積層された少なくとも１つの積層基板をさらに備え、前記第１のインダクタが、前記基板上及び前記積層基板上に形成された配線パターンからなる配線パターン部と、前記配線パターン部に接続されており、かつ前記積層基板を貫通しているビア電極部とを有する。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のインダクタが、前記基板及び前記積層基板のうち少なくとも一方に設けられたスパイラル状の形状の配線パターンを含む。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記インダクタのうち少なくとも１つが、表面実装型インダクタ部品である第２のインダクタであり、少なくとも１つの前記マルチプレクサが、前記第２のインダクタを介さずに前記インピーダンス整合素子に接続されている。この場合には、Ｑ値を高めることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ、前記インダクタ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、基板がさらに備えられており、前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている。この場合には、小型化をより一層進めることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子と少なくとも１つの前記マルチプレクサとが、コンデンサを介して接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子及び少なくとも１つの前記マルチプレクサとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子と前記スイッチとが、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方を介して接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子及び前記スイッチとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記スイッチにおいて、前記第１のスイッチ端子が１つの前記第２のスイッチ端子に接続される。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記スイッチにおいて、前記第１のスイッチ端子が前記複数の第２のスイッチ端子に接続される。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子の前記一方端がアンテナに接続される。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子が前記アンテナと前記第１のスイッチ端子の間に接続される。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子の前記一方端が増幅器に接続される。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記インピーダンス整合素子が前記増幅器と前記第１のスイッチ端子の間に接続される。
　本発明に係る弾性波装置によれば、フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を図ることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面図である。 図３は、第１の比較例の弾性波装置の模式図である。 図４は、第２の比較例の弾性波装置の模式図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における第１のインダクタにおける配線パターンの形状の一例を示す模式的平面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例における第１のインダクタ付近の模式的断面図である。 図７は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例における第１のインダクタ付近の模式的平面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例におけるインピーダンス整合素子及びスイッチ付近を示す模式図である。 図９は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例におけるインピーダンス整合素子及びスイッチ付近を示す模式図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態の第５の変形例におけるインピーダンス整合素子及びスイッチ付近を示す模式図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態の第６の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態の第７の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図１５は、本発明の第２の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の模式図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。 図１７は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の略図的正面図である。
　図１に示すように、弾性波装置１は、本発明における基板としての実装基板３を有する。実装基板３上には、第１～第４のマルチプレクサとしての第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄが設けられている。第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄは、それぞれ受信フィルタ及び送信フィルタを有する。第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄは、例えば、携帯電話機における互いに異なるＢａｎｄに用いられる。
　第１のデュプレクサ２Ａは、入力端子２Ａａ及び出力端子２Ａｂを有する。入力端子２Ａａは送信端子であり、出力端子２Ａｂは受信端子である。同様に、第２～第４のデュプレクサ２Ｂ～２Ｄも、入力端子２Ｂａ～２Ｄａ及び出力端子２Ｂｂ～２Ｄｂを有する。
　他方、弾性波装置１は、端子４を有する。本実施形態では、端子４は、アンテナに接続されるアンテナ端子である。端子４は、表面実装型（ＳＭＤ型）インダクタであるインピーダンス整合素子５に接続されている。より具体的には、インピーダンス整合素子５は、一方端と他方端とを有する。端子４は、インピーダンス整合素子５の一方端に接続されている。図２に示すように、インピーダンス整合素子５は、チップ部品である。インピーダンス整合素子５は、例えば、半田などを介して実装基板３上に実装されている。
　図１に戻り、インピーダンス整合素子５の他方端はスイッチ６に接続されている。スイッチ６は、第１のスイッチ端子６ａと、複数の第２のスイッチ端子６ｂＡ～６ｂＤとを有する。第１のスイッチ端子６ａが、インピーダンス整合素子５に接続されている。
　複数の第２のスイッチ端子６ｂＡ～６ｂＤは、それぞれ第１～第４の配線９Ａ～９Ｄを介して上記第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄに接続されている。本実施形態では、端子４、インピーダンス整合素子５、スイッチ６、第１～第４の配線９Ａ～９Ｄ及び第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄは、実装基板３上に設けられている。
　弾性波装置１は第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤを有する。第１のインダクタ８ａＢは第２の配線９Ｂ上に設けられている。第１のインダクタ８ａＤは第４の配線９Ｄ上に設けられている。第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤのインダクタンスは、いずれもインピーダンス整合素子５のインダクタンスよりも小さい。第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤは、実装基板３上に設けられた配線パターンからなる。なお、本明細書において、例えば、第１のインダクタ８ａＢが第２の配線９Ｂ上に設けられているとは、第２のスイッチ端子６ｂＢとデュプレクサ２Ｂとが第１のインダクタ８ａＢを介して接続されていることをいう。
　インピーダンス整合素子５及び第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤは、第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄの、アンテナ側におけるインピーダンス整合を行う。なお、本実施形態では、第１，第３の配線９Ａ，９Ｃ上には、インダクタは接続されていない。
　本実施形態の特徴は、以下の構成にある。１）端子４とスイッチ６との間に表面実装型インダクタ部品であるインピーダンス整合素子５が接続されていること。２）インピーダンス整合素子５よりもインダクタンスが小さく、かつ配線パターンからなる第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤが、第２，第４の配線９Ｂ，９Ｄ上に設けられていること。それによって、フィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置１の小型化を図ることができる。これを以下において説明する。
　本実施形態の第１のデュプレクサ２Ａにおいては、インピーダンス整合に要するインダクタンスは８ｎＨである。第２のデュプレクサ２Ｂにおいてインピーダンス整合に要するインダクタンスは１０ｎＨである。第３及び第４のデュプレクサ２Ｃ及び２Ｄにおいてインピーダンス整合に要するインダクタンスは、それぞれ８ｎＨ及び９ｎＨである。なお、これらのインダクタンスは一例であり、特に限定されない。
　インピーダンス整合素子５は、スイッチ６を介して第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄに接続されている。インピーダンス整合素子５は、第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄの共通のインピーダンス整合素子である。インピーダンス整合素子５のインダクタンスは、第１，第３のデュプレクサ２Ａ，２Ｃがインピーダンス整合に要するインダクタンスである８ｎＨである。よって、第１，第３のデュプレクサ２Ａ，２Ｃは、インピーダンス整合素子５以外のインダクタに接続されていなくとも、インピーダンス整合を良好とすることができる。
　第１のインダクタ８ａＢ及び８ａＤのインダクタンスはそれぞれ２ｎＨ及び１ｎＨである。第２のデュプレクサ２Ｂは、第１のインダクタ８ａＢを介してインピーダンス整合素子５に接続されている。第４のデュプレクサ２Ｄは、第１のインダクタ８ａＤを介してインピーダンス整合素子５に接続されている。よって、第２，第４のデュプレクサ２Ｂ，２Ｄのインピーダンス整合を良好とすることができる。
　以下において、本実施形態と第１，第２の比較例とを比較する。
　図３は、第１の比較例の弾性波装置の模式図である。
　弾性波装置５１は、端子４とスイッチ６との間にインピーダンス整合素子が接続されていない点で、第１の実施形態と異なる。弾性波装置５１においては、スイッチ６と、全てのデュプレクサである第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄとの間に、それぞれ第２のインダクタ４８ｂＡ～４８ｂＤが接続されている。この点においても、第１の実施形態と異なる。
　第２のインダクタ４８ｂＡ～４８ｂＤは、表面実装型インダクタ部品である。そのため、実装基板３上に設けられた配線パターンからなるインダクタよりも、大型のインダクタである。このような第２のインダクタ４８ｂＡ～４８ｂＤが第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄと同数設けられているため、弾性波装置５１の小型化を図ることは困難である。
　これに対して、図１に示す本実施形態においては、インピーダンス整合素子５以外のインダクタは、いずれも実装基板３上に設けられた配線パターンからなる。加えて、第１，第３のデュプレクサ２Ａ，２Ｃとスイッチ６との間にはインダクタは接続されていない。従って、インピーダンス整合などのフィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置の小型化を図ることができる。
　図４は、第２の比較例の弾性波装置の模式図である。
　弾性波装置６１は、端子４とスイッチ６との間にインピーダンス整合素子が接続されていない点で、第１の実施形態と異なる。弾性波装置６１においては、スイッチ６と、全てのデュプレクサである第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄとの間に、それぞれ第１のインダクタ８ａＡ～８ａＤが接続されている。この点においても、第１の実施形態と異なる。
　弾性波装置６１においては、実装基板３上に設けられた配線パターンからなる第１のインダクタ８ａＡ～８ａＤのみにより、第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄのインピーダンス整合を行っている。そのため、Ｑ値が劣化し、フィルタ特性が劣化する。
　これに対して、図１に示す本実施形態の弾性波装置１は、表面実装型インダクタ部品であり、Ｑ値が高いインピーダンス整合素子５を有する。さらに、本実施形態においては、インピーダンス整合素子５のインダクタンスよりも第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤのインダクタンスは小さい。よって、Ｑ値の劣化によるフィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置１の小型化を図ることができる。
　加えて、第１，第３のデュプレクサ２Ａ，２Ｃにおいては、インピーダンス整合素子５のみによりインピーダンス整合が行われている。よって、フィルタ特性がより一層劣化し難い。
　なお、弾性波装置１は、第１のインダクタを少なくとも１つ有していればよい。例えば、第１～第４の配線９Ａ～９Ｄ上の全てに、第１のインダクタが設けられていてもよい。
　上述したように、本実施形態では、端子４、インピーダンス整合素子５、スイッチ６、第１～第４の配線９Ａ～９Ｄ、第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤ及び第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄが実装基板３上に設けられている。なお、上記各素子は、それぞれ異なる基板上に設けられていてもよい。なお、この場合には、第１～第４の配線９Ａ～９Ｄの少なくとも一部が、第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤが設けられた基板上に設けられていればよい。
　上述したように、本実施形態では、第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤは実装基板３上に設けられた配線パターンからなる。より具体的には、第１のインダクタ８ａＢが接続されている第２のスイッチ端子６ｂＢとデュプレクサ２Ｂとの距離よりも長い配線パターンにより、第１のインダクタ８ａＢが構成されている。第１のインダクタ８ａＤも同様に構成されている。下記の図５に、第１のインダクタ８ａＢを構成している配線パターンの例を示す。
　図５は、第１の実施形態における第１のインダクタにおける配線パターンの形状の一例を示す模式的平面図である。
　図５に示すように、第１のインダクタ８ａＢは、ミアンダ状の形状の配線パターンを含んでいてもよい。これにより、第１のインダクタ８ａＢのインピーダンスを大きくすることができる。なお、必要とするインピーダンスが小さい場合は、ミアンダ状の形状などを含まず、かつ第２のスイッチ端子とデュプレクサとの距離よりも長い配線パターンにより第１のインダクタ８ａＢが構成されていてもよい。この場合には、例えば、第１のインダクタ８ａＢは、屈曲した部分を含む配線パターンからなっていてもよい。
　第１のインダクタは、立体的に形成されていてもよい。この例を、以下において示す。
　図６は、第１の実施形態の第１の変形例における第１のインダクタ付近の模式的断面図である。図７は、第１の実施形態の第２の変形例における第１のインダクタ付近の模式的平面図である。
　図６に示すように、第１の変形例においては、弾性波装置は、実装基板３上に積層されている積層基板７３を有する。第１のインダクタ７８ａは、積層基板７３上に設けられている複数の配線パターン部７８Ｘ及び積層基板７３上に設けられている複数の配線パターン部７８Ｚを有する。第１のインダクタ７８ａは、積層基板７３を貫通している複数のビア電極部７８Ｙを有する。実装基板３上の配線パターン部７８Ｘと積層基板７３上の配線パターン部７８Ｚとは、ビア電極部７８Ｙにより接続されている。より具体的には、第１の変形例においては、実装基板３上の配線パターン部７８Ｘの端部付近と、積層基板７３上の配線パターン部７８Ｚの端部付近とが、ビア電極部７８Ｙにより接続されている。これにより、第１のインダクタ７８ａの図６に示す断面形状がミアンダ状になっている。
　なお、第１のインダクタ７８ａが立体的に形成されている場合においては、積層基板７３上の配線パターン７８Ｚは、少なくとも１つ設けられていればよい。弾性波装置は積層基板７３を複数有していてもよい。この場合には、複数の積層基板７３が積層されていてもよい。
　図７に示すように、第２の変形例においては、実装基板３上の配線パターン部８８Ｘは、スパイラル状の形状を有する。なお、第１のインダクタ８８ａにおいては、積層基板７３上に設けられた配線パターン部７８Ｚがスパイラル状の形状であってもよい。あるいは、弾性波装置が積層基板７３を複数有する場合には、複数の配線パターン部７８Ｚが複数のビア電極部７８Ｙにより接続されることにより、スパイラル状の形状が立体的に形成されていてもよい。
　図１に戻り、本実施形態では、スイッチ６においては、第１のスイッチ端子６ａは複数の第２のスイッチ端子６ｂＡ～６ｂＤのうち１つの第２のスイッチ端子に接続される。他方、図８に示す第１の実施形態の第３の変形例では、スイッチ９６において、第１のスイッチ端子６ａは、２つの第２のスイッチ端子に接続される。このように、スイッチ６においては、第１のスイッチ端子６ａは２つ以上の第２のスイッチ端子に接続されてもよい。
　下記の図９～図１２に示す第１の実施形態の第４～第７の変形例においても、第１の実施形態と同様に、フィルタ特性の劣化を招くことなく、小型化を図ることができる。なお、図９～図１２においては、後述するコンデンサ及びグラウンド電位は回路記号により示す。
　図９に示す第４の変形例では、インピーダンス整合素子５とスイッチ６とが、インダクタ１０８を介して接続されている。さらに、インピーダンス整合素子５及びスイッチ６とグラウンド電位との間に、コンデンサ１０７が接続されている。
　本変形例では、インダクタ１０８は、上記第１のインダクタと同様に、実装基板３上に設けられた配線パターンからなるインダクタである。なお、インダクタ１０８は、上述した第１～第３の変形例のように、立体的に形成されていてもよく、あるいは、表面実装型インダクタ部品であってもよい。もっとも、インダクタ１０８は、実装基板３に設けられた配線パターンからなることが好ましい。この場合には、弾性波装置の小型化を効果的に進めることができる。
　図１０に示す第５の変形例では、インピーダンス整合素子５とスイッチ６とが、コンデンサ１０７を介して接続されている。さらに、インピーダンス整合素子５及びスイッチ６とグラウンド電位との間に、インダクタ１０８が接続されている。
　第４の変形例及び第５の変形例のように、インピーダンス整合素子５とスイッチ６との間には、インダクタ１０８及びコンデンサ１０７のうち少なくとも一方が接続されていてもよい。インピーダンス整合素子５及びスイッチ６とグラウンド電位との間には、インダクタ１０８及びコンデンサ１０７のうち少なくとも一方が接続されていてもよい。
　図１１に示す第６の変形例では、第２のスイッチ端子６ｂＤとデュプレクサ２Ｄとが、インダクタ１０８を介して接続されている。さらに、第２のスイッチ端子６ｂＤ及びデュプレクサ２Ｄとグラウンド電位との間に、コンデンサ１０７が接続されている。
　図１２に示す第７の変形例では、第２のスイッチ端子６ｂＤとデュプレクサ２Ｄとが、コンデンサ１０７を介して接続されている。さらに、第２のスイッチ端子６ｂＤ及びデュプレクサ２Ｄとグラウンド電位との間に、インダクタ１０８が接続されている。
　図１１に示した第６の変形例のように、上記第１のインダクタに接続されていない少なくとも１つの第２のスイッチ端子とデュプレクサとが、インダクタ１０８を介して接続されていてもよい。図１２に示した第７の変形例のように、少なくとも１つの第２のスイッチ端子とデュプレクサとが、コンデンサ１０７を介して接続されていてもよい。第７の変形例においては、コンデンサ１０７は、第１のインダクタに接続されていない第２のスイッチ端子６ｂＤとデュプレクサ２Ｄとの間に接続されている。
　第６の変形例及び第７の変形例のように、少なくとも１つの第２のスイッチ端子及び少なくとも１つのマルチプレクサとグラウンド電位との間には、インダクタ１０８及びコンデンサ１０７のうち少なくとも一方が接続されていてもよい。この場合、インダクタ１０８は、第１のインダクタに接続されていない第２のスイッチ端子及びデュプレクサと、グラウンド電位との間に接続されていればよい。
　上述したように、図１に示す本実施形態の弾性波装置１は、第１～第４のマルチプレクサとして、第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄを有する。なお、弾性波装置１は、例えば、第１のデュプレクサ２Ａのアンテナ端と第２のデュプレクサ２Ｂのアンテナ端とが接続されたマルチプレクサを有していてもよい。この場合には、第１のデュプレクサ２Ａ及び第２のデュプレクサ２Ｂのアンテナ端が第１のインダクタ８ａＢに共通接続されていてもよい。
　弾性波装置１においては、デュプレクサ２Ａ～２Ｄのアンテナ端側のインピーダンスは５０Ωであってもよく、あるいは、５０Ω以外であってもよい。同様に、デュプレクサ２Ａ～２Ｄの入力端子２Ａａ～２Ｄａ側及び出力端子２Ａｂ～２Ｄｂ側のインピーダンスは５０Ωであってもよく、あるいは、５０Ω以外であってもよい。上記のいずれの場合においても、本実施形態においては、インピーダンス整合を良好とすることができる。
　図１３は、第２の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
　弾性波装置１１は、スイッチ１６がコンデンサ１７Ａ，１７Ｃを含む点及び第１のインダクタの個数が、第１の実施形態と異なる。インピーダンス整合素子５のインダクタンスも第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置１１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
　コンデンサ１７Ａは、スイッチ１６の第１のスイッチ端子６ａと第１のデュプレクサ２Ａとの間に接続されている。コンデンサ１７Ｃは、第１のスイッチ端子６ａと第３のデュプレクサ２Ｃとの間に接続されている。第１～第４の配線９Ａ～９Ｄのうち、第２の配線９Ｂ上のみに、第１のインダクタ８ａＢが設けられている。
　本実施形態においては、インピーダンス整合素子５のインダクタンスは９ｎＨである。コンデンサ１７Ａの容量は－１ｎＨに相当する。コンデンサ１７Ｃの容量は－１ｎＨに相当する。第１のインダクタ８ａＢのインダクタンスは１ｎＨである。第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄがインピーダンス整合に要するインダクタンスは、第１の実施形態と同様である。
　第１のデュプレクサ２Ａは、コンデンサ１７Ａを介してインピーダンス整合素子５に接続されているため、インピーダンス整合を良好とすることができる。同様に、第２及び第３のデュプレクサ２Ｂ及び２Ｃは、それぞれ第１のインダクタ８ａＢ及びコンデンサ１７Ｃを介してインピーダンス整合素子５に接続されているため、インピーダンス整合を良好とすることができる。
　本実施形態においても、フィルタ特性の劣化を招くことなく、弾性波装置１１の小型化を図ることができる。
　なお、スイッチ１６は、少なくとも１つのコンデンサを含んでいればよい。
　第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄがインピーダンス整合に要するインダクタンス、インピーダンス整合素子５のインダクタンスやコンデンサ１７Ａ，１７Ｃの容量の値により、図１４に示す第２の実施形態の第１の変形例のような構成としてもよい。あるいは、図１５に示す第２の実施形態の第２の変形例のような構成としてもよい。
　図１４に示す第２の実施形態の第１の変形例の弾性波装置３１においては、インピーダンス整合素子５以外のインダクタは設けられていない。第２の実施形態と同様に、スイッチ１６はコンデンサ１７Ａ，１７Ｃを含む。
　図１５に示す第２の実施形態の第２の変形例では、第２の配線９Ｂ上に設けられているインダクタが、表面実装型インダクタ部品である第２のインダクタ４８ｂＢである。なお、第２のインダクタは複数設けられていてもよい。この場合には、少なくとも１つのデュプレクサが、第２のインダクタを介さずにインピーダンス整合素子５に接続されていればよい。この場合においても、表面実装型インダクタ部品の個数を減らすことができ、弾性波装置４１の小型化を図ることができる。加えて、Ｑ値を高めることもできる。
　図１６は、第３の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
　弾性波装置２１においては、端子４が、アンテナではなく、破線で示す増幅器Ａに接続される。インピーダンス整合素子５の一方端は、端子４を介して増幅器Ａに接続される。スイッチ２６には、第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄの送信フィルタ側の端子である、入力端子２Ａａ～２Ｄａが接続されている。他方、受信フィルタ側の端子である出力端子２Ａｂ～２Ｄｂは、スイッチ２６に接続されていない。なお、スイッチ２６は、入力端子２Ａａ～２Ｄａにそれぞれ接続されている複数の第２のスイッチ端子２６ｂを有する。
　本実施形態においては、インピーダンス整合素子５及び第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤは、第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄにおける送信フィルタの、増幅器Ａ側におけるインピーダンス整合を行う。
　第１のデュプレクサ２Ａは、送信フィルタと受信フィルタとが共通接続されている共通端子２Ａｃを有する。同様に、第２～第４のデュプレクサ２Ｂ～２Ｄも共通端子２Ｂｃ～２Ｄｃを有する。共通端子２Ａｃ～２Ｄｃは、アンテナに接続される。共通端子２Ａｃ～２Ｄｃは、例えば、アンテナと共通端子２Ａｃ～２Ｄｃの接続状態を切り替えるスイッチに接続されていてもよい。
　本実施形態においても、弾性波装置２１は、少なくとも１つのデュプレクサと、スイッチ２６との間に接続されている少なくとも１つの第１のインダクタを有する。従って、インピーダンス整合の劣化を招くことなく、弾性波装置２１の小型化を図ることができる。
　図１７は、第４の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
　本実施形態においては、スイッチ２６に第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄの受信フィルタ側の端子である、出力端子２Ａｂ～２Ｄｂが接続されている点において、第３の実施形態と異なる。なお、入力端子２Ａａ～２Ｄａは、スイッチ２６に接続されていない。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は、第３の実施形態の弾性波装置２１と同様の構成を有する。
　本実施形態においては、インピーダンス整合素子５及び第１のインダクタ８ａＢ，８ａＤは、第１～第４のデュプレクサ２Ａ～２Ｄにおける受信フィルタの、増幅器Ａ側におけるインピーダンス整合を行う。
　本実施形態においても、第３の実施形態と同様に、インピーダンス整合の劣化を招くことなく、弾性波装置の小型化を図ることができる。
　なお、本発明においては、マルチプレクサはデュプレクサに限定されず、トリプレクサなどであってもよい。
１，１Ａ～１Ｄ…弾性波装置
２Ａ～２Ｄ…第１～第４のデュプレクサ
２Ａａ～２Ｄａ…入力端子
２Ａｂ～２Ｄｂ…出力端子
２Ａｃ～２Ｄｃ…共通端子
３…実装基板
４…端子
５…インピーダンス整合素子
６…スイッチ
６ａ…第１のスイッチ端子
６ｂＡ～６ｂＤ…第２のスイッチ端子
８ａＡ～８ａＤ…第１のインダクタ
９Ａ～９Ｄ…第１～第４の配線
１１…弾性波装置
１６…スイッチ
１７Ａ，１７Ｃ…コンデンサ
２１…弾性波装置
２６…スイッチ
２６ｂ…第２のスイッチ端子
３１…弾性波装置
４１…弾性波装置
４８ｂＡ～４８ｂＤ…第２のインダクタ
５１…弾性波装置
６１…弾性波装置
７３…積層基板
７８ａ…第１のインダクタ
７８Ｘ…配線パターン部
７８Ｙ…ビア電極部
７８Ｚ…配線パターン部
８８ａ…第１のインダクタ
８８Ｘ…配線パターン部
９６…スイッチ
１０７…コンデンサ
１０８…インダクタ

Claims (22)

  1. 　一方端と他方端とを有するインピーダンス整合素子と、
    　前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第１のスイッチ端子と、複数の第２のスイッチ端子と、を有し、前記第１のスイッチ端子と前記複数の第２のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、
    　前記複数の第２のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサと、
    　基板と、
    　前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも１つのインダクタと、
    を備え、
    　少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとが、前記インダクタを介して接続されている、弾性波装置。
  2. 　前記スイッチが、前記第１のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも１つのコンデンサを含む、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　一方端と他方端とを有するインピーダンス整合素子と、
    　前記インピーダンス整合素子の前記他方端に接続されている第１のスイッチ端子と、複数の第２のスイッチ端子と、を有し、前記第１のスイッチ端子と前記複数の第２のスイッチ端子との接続状態を切り替えるスイッチと、
    　前記複数の第２のスイッチ端子にそれぞれ接続されている複数のマルチプレクサと、
    を備え、
    　前記スイッチが、前記第１のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとの間に接続されている、少なくとも１つのコンデンサを含む、弾性波装置。
  4. 　基板と、
    　前記基板上に設けられており、かつ前記インピーダンス整合素子よりもインダクタンスが小さい、少なくとも１つのインダクタと、
    をさらに備え、
    　少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子と、少なくとも１つの前記マルチプレクサとが、前記インダクタを介して接続されている、請求項３に記載の弾性波装置。
  5. 　前記インダクタのうち少なくとも１つが、前記基板上に設けられた配線パターンを含む第１のインダクタである、請求項１、２及び４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１のインダクタが接続されている前記第２のスイッチ端子と前記マルチプレクサとの距離よりも長い配線パターンにより、前記第１のインダクタが構成されている、請求項５に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第１のインダクタが、ミアンダ状の形状の配線パターンを含む、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記基板上に積層された少なくとも１つの積層基板をさらに備え、
    　前記第１のインダクタが、前記基板上及び前記積層基板上に形成された配線パターンからなる配線パターン部と、前記配線パターン部に接続されており、かつ前記積層基板を貫通しているビア電極部と、を有する、請求項５に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第１のインダクタが、前記基板及び前記積層基板のうち少なくとも一方に設けられたスパイラル状の形状の配線パターンを含む、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記インダクタのうち少なくとも１つが、表面実装型インダクタ部品である第２のインダクタであり、
    　少なくとも１つの前記マルチプレクサが、前記第２のインダクタを介さずに前記インピーダンス整合素子に接続されている、請求項１、２、４～９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  11. 　前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ、前記インダクタ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている、請求項１、２、４～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　基板をさらに備え、
    　前記インピーダンス整合素子、前記スイッチ及び前記複数のマルチプレクサが前記基板上に設けられている、請求項３に記載の弾性波装置。
  13. 　少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子と少なくとも１つの前記マルチプレクサとが、コンデンサを介して接続されている、請求項１～１２のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  14. 　少なくとも１つの前記第２のスイッチ端子及び少なくとも１つの前記マルチプレクサとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている、請求項１～１３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  15. 　前記インピーダンス整合素子と前記スイッチとが、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方を介して接続されている、請求項１～１４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  16. 　前記インピーダンス整合素子及び前記スイッチとグラウンド電位との間に、インダクタ及びコンデンサのうち少なくとも一方が接続されている、請求項１～１５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  17. 　前記スイッチにおいて、前記第１のスイッチ端子が１つの前記第２のスイッチ端子に接続される、請求項１～１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  18. 　前記スイッチにおいて、前記第１のスイッチ端子が前記複数の第２のスイッチ端子に接続される、請求項１～１６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  19. 　前記インピーダンス整合素子の前記一方端がアンテナに接続される、請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  20. 　前記インピーダンス整合素子が前記アンテナと前記第１のスイッチ端子の間に接続される、請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  21. 　前記インピーダンス整合素子の前記一方端が増幅器に接続される、請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  22. 　前記インピーダンス整合素子が前記増幅器と前記第１のスイッチ端子の間に接続される、請求項１～１８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
PCT/JP2017/002348 2016-03-08 2017-01-24 弾性波装置 Ceased WO2017154387A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018504045A JP6708250B2 (ja) 2016-03-08 2017-01-24 弾性波装置
CN201780014117.7A CN108781065B (zh) 2016-03-08 2017-01-24 弹性波装置
KR1020187024585A KR102116677B1 (ko) 2016-03-08 2017-01-24 탄성파 장치
US16/124,224 US10868518B2 (en) 2016-03-08 2018-09-07 Elastic wave device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016044126 2016-03-08
JP2016-044126 2016-03-08

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/124,224 Continuation US10868518B2 (en) 2016-03-08 2018-09-07 Elastic wave device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2017154387A1 true WO2017154387A1 (ja) 2017-09-14

Family

ID=59789220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/002348 Ceased WO2017154387A1 (ja) 2016-03-08 2017-01-24 弾性波装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10868518B2 (ja)
JP (1) JP6708250B2 (ja)
KR (1) KR102116677B1 (ja)
CN (1) CN108781065B (ja)
WO (1) WO2017154387A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110247669A (zh) * 2018-03-08 2019-09-17 株式会社村田制作所 复用器以及通信装置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102435743B1 (ko) * 2018-03-29 2022-08-24 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 고주파 모듈

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308538A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd インダクタ内蔵多層配線板
JP2005183890A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Taiyo Yuden Co Ltd 積層基板、複数種類の積層基板の設計方法、及び同時焼結積層基板
WO2012014643A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2013002089A1 (ja) * 2011-06-28 2013-01-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3900013B2 (ja) * 2001-07-30 2007-04-04 株式会社村田製作所 弾性表面波分波器、通信装置
JP4291164B2 (ja) 2004-01-08 2009-07-08 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波装置
KR100635268B1 (ko) * 2004-05-17 2006-10-19 삼성전자주식회사 인덕터가 내장된 필터, 듀플렉서 및 그 제조방법
JP2006310904A (ja) * 2005-04-26 2006-11-09 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 信号回路及びこれを備える情報処理装置
JP2007074698A (ja) * 2005-08-08 2007-03-22 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びラダー型フィルタ
JP5039290B2 (ja) * 2005-08-25 2012-10-03 太陽誘電株式会社 フィルタおよびアンテナ分波器
TW200713681A (en) * 2005-09-26 2007-04-01 Murata Manufacturing Co High-frequency front end module, and duplexer
US7339445B2 (en) * 2005-10-07 2008-03-04 Infineon Technologies Ag BAW duplexer without phase shifter
KR101009879B1 (ko) * 2006-05-08 2011-01-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터장치 및 듀플렉서
CN101197461A (zh) * 2006-12-08 2008-06-11 株式会社瑞萨科技 电子装置以及rf模块
CN102017408B (zh) * 2008-05-07 2014-04-30 株式会社村田制作所 弹性波滤波装置
WO2010004686A1 (ja) * 2008-07-10 2010-01-14 株式会社村田製作所 弾性波装置及びラダー型フィルタ装置
JP5451645B2 (ja) * 2009-01-29 2014-03-26 株式会社村田製作所 デュプレクサモジュール
JP5257719B2 (ja) * 2009-07-02 2013-08-07 株式会社村田製作所 無線通信用高周波回路及び無線通信機
JP2011087282A (ja) * 2009-09-15 2011-04-28 Murata Mfg Co Ltd 弾性境界波フィルタ及びそれを備える分波器
JP5071465B2 (ja) * 2009-11-11 2012-11-14 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JPWO2011089746A1 (ja) * 2010-01-20 2013-05-20 株式会社村田製作所 分波器
CN102725959B (zh) * 2010-01-28 2016-05-25 株式会社村田制作所 可调谐滤波器
CN102823130B (zh) * 2010-05-13 2014-12-10 株式会社村田制作所 弹性波装置
CN103155427B (zh) 2010-09-29 2015-11-25 株式会社村田制作所 高频模块
JP5310873B2 (ja) * 2010-11-09 2013-10-09 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
US8633781B2 (en) * 2010-12-21 2014-01-21 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Combined balun and impedance matching circuit
JP2012244551A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd デュプレクサの受信側フィルタ及びデュプレクサ
WO2013021626A1 (ja) * 2011-08-08 2013-02-14 パナソニック株式会社 フィルタモジュール
US9166558B2 (en) * 2011-11-28 2015-10-20 Skyworks Panasonic Filter Solutions Japan Co., Ltd. High-frequency filter
JP5933355B2 (ja) * 2012-06-12 2016-06-08 太陽誘電株式会社 フィルタ及びデュプレクサ
JP5597228B2 (ja) * 2012-07-11 2014-10-01 株式会社Ｎｔｔドコモ フロントエンド回路、インピーダンス調整方法
KR101644380B1 (ko) * 2012-08-30 2016-08-01 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 듀플렉서
JP5482972B1 (ja) * 2012-09-25 2014-05-07 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びデュプレクサ
JP5817795B2 (ja) * 2013-08-06 2015-11-18 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9621327B2 (en) * 2013-09-17 2017-04-11 Skyworks Solutions, Inc. Systems and methods related to carrier aggregation front-end module applications
GB2526197B (en) 2014-04-11 2020-11-18 Skyworks Solutions Inc Circuits and methods related to radio-frequency receivers having carrier aggregation
US9871646B2 (en) * 2015-09-30 2018-01-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Front-end circuitry for multiband frequency management
US10348339B2 (en) * 2016-10-28 2019-07-09 Avago Technologies International Sales Pte. Limited Switched multiplexer device selectively connecting multiple filter circuits to common node for carrier aggregation

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001308538A (ja) * 2000-04-26 2001-11-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd インダクタ内蔵多層配線板
JP2005183890A (ja) * 2003-12-24 2005-07-07 Taiyo Yuden Co Ltd 積層基板、複数種類の積層基板の設計方法、及び同時焼結積層基板
WO2012014643A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2013002089A1 (ja) * 2011-06-28 2013-01-03 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110247669A (zh) * 2018-03-08 2019-09-17 株式会社村田制作所 复用器以及通信装置
CN110247669B (zh) * 2018-03-08 2021-03-12 株式会社村田制作所 复用器以及通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP6708250B2 (ja) 2020-06-10
CN108781065B (zh) 2022-05-17
JPWO2017154387A1 (ja) 2018-11-29
KR102116677B1 (ko) 2020-05-29
CN108781065A (zh) 2018-11-09
US20190007019A1 (en) 2019-01-03
US10868518B2 (en) 2020-12-15
KR20180104722A (ko) 2018-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5262413B2 (ja) マルチバンドデュプレクサモジュール
US9356576B2 (en) Filter device
JP6439862B2 (ja) 高周波フィルタ、フロントエンド回路、および、通信機器
JP2013062556A (ja) マルチプレクサ
JP2007060411A (ja) 分波器
CN105453430A (zh) 高频模块
JP5768951B1 (ja) フィルタ装置
JP6411288B2 (ja) ラダー型フィルタ、分波器およびモジュール
US11239826B2 (en) Filter device
JP6708250B2 (ja) 弾性波装置
JP2023094017A (ja) フィルタ、マルチプレクサおよび通信用モジュール
JPWO2006040927A1 (ja) 分波器
JP5955095B2 (ja) 弾性波装置
JP4663770B2 (ja) 弾性波デバイス
US8400236B2 (en) Electronic component
WO2015098240A1 (ja) フィルタ装置およびデュプレクサ
JPWO2006040923A1 (ja) 分波器
WO2018003378A1 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
WO2017208856A1 (ja) 弾性波フィルタ装置
JP4656514B2 (ja) 平衡−不平衡変換回路及びこれを用いた高周波部品
JP6566170B2 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP5849660B2 (ja) フィルタ回路
JP2012156881A (ja) フィルタ及び電子部品
JP2013138054A (ja) 配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2018504045

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187024585

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020187024585

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 17762733

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 17762733

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1