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WO2017150676A1 - 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2017150676A1
WO2017150676A1 PCT/JP2017/008314 JP2017008314W WO2017150676A1 WO 2017150676 A1 WO2017150676 A1 WO 2017150676A1 JP 2017008314 W JP2017008314 W JP 2017008314W WO 2017150676 A1 WO2017150676 A1 WO 2017150676A1
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WO
WIPO (PCT)
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adhesive tape
meth
pressure
sensitive adhesive
semiconductor
Prior art date
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PCT/JP2017/008314
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English (en)
French (fr)
Inventor
知親 富永
克彦 堀米
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Lintec Corp
Original Assignee
Lintec Corp
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Publication date
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Priority to KR1020227005038A priority patent/KR102543780B1/ko
Priority to JP2018503403A priority patent/JP7149487B2/ja
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    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor processing adhesive tape that is used by being attached to a semiconductor wafer when a semiconductor device is manufactured by a prior dicing method, and a semiconductor device manufacturing method using the adhesive tape.
  • the thickness is generally adjusted by grinding the back surface of the semiconductor wafer. Also, after forming a groove having a predetermined depth from the front surface side of the wafer, grinding may be performed from the back surface side of the wafer, and a method called a tip dicing method may be used in which chips are separated into pieces by the grinding. In the first dicing method, the back surface grinding of the wafer and the chip singulation can be performed at the same time, so that a thin chip can be efficiently manufactured.
  • the tip dicing method is provided with a modified layer inside the wafer with a laser, There is also a method in which chips are separated into pieces by pressure or the like during back grinding.
  • the back grind sheet used in the prior dicing method is a pressure-sensitive adhesive sheet comprising a base material and a pressure-sensitive adhesive layer provided on one surface of the base material, and further provided with a buffer layer on the other surface side of the base material. It has been known. By providing a buffer layer, the back grind sheet can alleviate vibrations generated during grinding of the wafer back surface.
  • the semiconductor wafer is fixed to the table by adsorbing the surface of the wafer provided with the back grind sheet to the chuck table during back grinding, but the buffer layer causes unevenness due to foreign matter etc. existing on the table. Absorption is also possible.
  • the back grind sheet prevents cracking of the semiconductor wafer, chipping of the chip, and the like that occur during back grinding by the action of the buffer layer described above.
  • Patent Document 1 in the pressure-sensitive adhesive sheet having the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, and the buffer layer as described above, the thickness of the base material is set to 10 to 150 ⁇ m, and the Young's modulus is set to 1000 to 30000 MPa.
  • a pressure-sensitive adhesive sheet is disclosed in which the thickness of the buffer layer is 5 to 80 ⁇ m and the tan ⁇ maximum value of the dynamic viscoelasticity is 0.5 or more.
  • Patent Document 1 discloses that by using this pressure-sensitive adhesive sheet as a back grind sheet, chipping and discoloration of the chip can be prevented when a semiconductor chip is manufactured by the prior dicing method.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and chipping or breakage occurs in a semiconductor chip even in the case of manufacturing a thinned and miniaturized semiconductor chip in the prior dicing method. It is an object to provide an adhesive tape for semiconductor processing capable of preventing the above.
  • the present inventors when manufacturing a semiconductor chip thinned and miniaturized by the tip dicing method, when grinding the back surface of the semiconductor wafer, and The semiconductor chip was found to be chipped or damaged when the adhesive tape was peeled from the semiconductor chip. Then, in the tip dicing method, in order to prevent chipping or breakage of the semiconductor chip that occurs when the semiconductor wafer is ground into individual chips and when the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip, the tape of the adhesive tape is used. We found that it is important to set the peeling force of the adhesive tape to the semiconductor wafer below a predetermined value while setting the total thickness and the thickness ratio of the base material to the buffer layer within a certain range, and completed the following invention. I let you.
  • the present invention provides the following (1) to (13). (1) In a step of grinding a back surface of a semiconductor wafer in which a groove is formed on the surface of the semiconductor wafer or a modified region is formed on the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is separated into semiconductor chips by the grinding.
  • the tape total thickness of the semiconductor processing adhesive tape is 160 ⁇ m or less, and the ratio (D2 / D1) of the buffer layer thickness (D2) to the substrate thickness (D1) is 0.7 or less,
  • a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing having a peeling force of 1000 mN / 50 mm or less with respect to a semiconductor wafer.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms, and a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.
  • the buffer layer has a urethane (meth) acrylate (a1), a polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms, and a polymerizable compound having a functional group
  • the tip dicing method it is possible to prevent chipping or breakage of the semiconductor chip that occurs when the semiconductor wafer is ground into individual chips and when the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip. .
  • weight average molecular weight (Mw) is a value in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) method, and specifically based on the method described in the examples. It is a measured value.
  • GPC gel permeation chromatography
  • the adhesive tape for semiconductor processing of the present invention (hereinafter also simply referred to as “adhesive tape”) includes a base material, a buffer layer provided on one surface of the base material, and the other surface of the base material (that is, the buffer layer is A pressure-sensitive adhesive layer provided on a surface opposite to the provided surface).
  • the pressure-sensitive adhesive tape is used by being attached to the surface of a semiconductor wafer via a pressure-sensitive adhesive layer in the tip dicing method. That is, as will be described later, the adhesive tape has a groove formed on the surface of the semiconductor wafer or a modified region formed on the semiconductor wafer.
  • the back surface of the semiconductor wafer is ground and the semiconductor wafer is turned into a semiconductor chip by grinding. In the step of dividing into pieces, the wafer is used by being attached to the surface of a semiconductor wafer.
  • the total thickness of the adhesive tape is 160 ⁇ m or less, and the ratio (D2 / D1) of the buffer layer thickness (D2) to the substrate thickness (D1) is 0.7 or less.
  • the peeling force of the adhesive tape to the semiconductor wafer is 1000 mN / 50 mm or less.
  • the semiconductor wafer is ground and separated into chips, and It is possible to prevent chipping or breakage of the semiconductor chip that occurs when the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip.
  • the total thickness of the adhesive tape is larger than 160 ⁇ m, it becomes difficult to reduce the peeling force while appropriately maintaining the adhesive performance of the adhesive layer and the shock absorbing performance of the buffer layer. Therefore, when the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip, a load is applied to the semiconductor chip, and chip chipping is likely to occur.
  • the total thickness of the tape is preferably 155 ⁇ m or less, and more preferably 145 ⁇ m or less from the viewpoint of lowering the peeling force.
  • 40 micrometers or more are preferable and, as for tape total thickness, it is more preferable that it is 55 micrometers or more.
  • the tape total thickness means the total thickness of the layers that are attached to the semiconductor wafer and contained in the adhesive tape when the semiconductor wafer is ground. Therefore, when a release sheet that is detachably attached to the adhesive tape is provided, the thickness of the release sheet is not included in the total thickness.
  • the total thickness of the adhesive tape is the total thickness of the base material, the adhesive layer, and the buffer layer.
  • the thickness ratio (D2 / D1) is greater than 0.7, the ratio of highly rigid parts in the adhesive tape decreases, so that the semiconductor wafer and the semiconductor chip are not easily held by the base material. This makes it difficult to reduce vibration during grinding. Therefore, in the case of dividing into small and thin semiconductor chips by the tip dicing method, even if an appropriate material for the buffer layer is selected, the semiconductor chip generated when the chips are separated by back grinding. Chipping is difficult to prevent.
  • the thickness ratio (D2 / D1) is preferably 0.10 to 0.70 in order to improve the buffering performance of the pressure-sensitive adhesive tape by reducing the chip chipping and setting the buffer layer to an appropriate thickness. More preferably, it is 0.13 to 0.66.
  • the peeling force of the adhesive tape with respect to the semiconductor wafer is greater than 1000 mN / 50 mm, the semiconductor chip is likely to be chipped when the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip.
  • the peeling force of the adhesive tape is preferably 970 mN / 50 mm or less, and more preferably 850 mN / 50 mm or less.
  • the peeling force of the adhesive tape is not particularly limited, but is preferably 300 mN / 50 mm or more, and more preferably 450 mN / 50 mm or more in order to improve the adhesiveness of the adhesive tape to the semiconductor wafer or semiconductor chip. More preferred.
  • the peeling force of an adhesive tape is force required when peeling an adhesive tape from a semiconductor wafer, after sticking the adhesive layer surface of an adhesive tape to a semiconductor wafer, as shown in the Example mentioned later.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed of an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive as will be described later
  • the peeling is measured after the pressure-sensitive adhesive tape attached to the semiconductor wafer is irradiated with energy rays and the pressure-sensitive adhesive layer is cured. It is power.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed from a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive, the peel force is measured in the same manner with respect to the pressure-sensitive adhesive tape before irradiation with energy rays.
  • Examples of the base material of the adhesive tape include various resin films. Specifically, polyethylene such as low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), and high density polyethylene (HDPE), polypropylene, polybutene Polyolefins such as polybutadiene, polymethylpentene, ethylene-norbornene copolymer, norbornene resin; ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester copolymer Polyethylene chloride such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymer; Polyester such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, wholly aromatic polyester; Polyurethane, polyimide, polyamide, Polycarbonate, fluororesin, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene
  • the base material may be a single-layer film of a resin film made of one or two or more resins selected from these resins, or a laminated film in which two or more of these resin films are laminated.
  • the base material is preferably a rigid base material having a Young's modulus of 1000 MPa or more, more preferably 1800 to 30000 MPa, and further preferably 2500 to 6000 MPa.
  • a rigid base material having a high Young's modulus is used as the base material, even when the total tape thickness is reduced as described above, the holding performance to the semiconductor wafer or the semiconductor chip by the adhesive tape is increased, and vibration during back grinding is performed. By suppressing the above, it becomes easy to prevent chipping or breakage of the semiconductor chip.
  • the Young's modulus is in the above range, it is possible to reduce the stress when the adhesive tape is peeled from the semiconductor chip, and it is easy to prevent chip chipping or breakage that occurs when the tape is peeled. Furthermore, it is possible to improve the workability when attaching the adhesive tape to the semiconductor wafer.
  • the rigid base having a Young's modulus of 1000 MPa or more it may be appropriately selected from the above-mentioned resin films, but polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyesters such as wholly aromatic polyester, polyimide,
  • the film include polyamide, polycarbonate, polyacetal, modified polyphenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, and biaxially stretched polypropylene.
  • a film containing at least one selected from a polyester film, a polyamide film, a polyimide film, and a biaxially stretched polypropylene film is preferable, a polyester film is more preferable, and a polyethylene terephthalate film is further preferable.
  • the thickness (D1) of the substrate is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, and even more preferably 20 to 105 ⁇ m.
  • the thickness of the base material is preferably 110 ⁇ m or less, more preferably 15 to 110 ⁇ m, and even more preferably 20 to 105 ⁇ m.
  • the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst and the like as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.
  • at least one surface of the substrate may be subjected to an adhesion treatment such as a corona treatment in order to improve adhesion with at least one of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the base material may have the above-described resin film and an easy-adhesion layer coated on at least one surface of the resin film.
  • the composition containing a polyester-type resin, a urethane-type resin, a polyester urethane-type resin, an acrylic resin etc. is mentioned.
  • the easy-adhesion layer forming composition may contain a crosslinking agent, a photopolymerization initiator, an antioxidant, a softening agent (plasticizer), a filler, an antirust agent, a pigment, a dye, and the like, if necessary. Good.
  • the thickness of the easy adhesion layer is preferably 0.01 to 10 ⁇ m, more preferably 0.03 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the easy adhesion layer is smaller than the thickness of the base material and the material is soft, the influence on the Young's modulus is small.
  • the Young's modulus of the base material is a resin film even when the easy adhesion layer is provided. Is substantially the same as the Young's modulus.
  • the buffer layer relieves vibrations caused by grinding of the semiconductor wafer and prevents the semiconductor wafer from being cracked or chipped.
  • the semiconductor wafer to which the adhesive tape is attached is disposed on the vacuum table during back grinding, but the adhesive tape is easily held on the vacuum table by providing a buffer layer.
  • the buffer layer of the present invention preferably has a storage elastic modulus at 23 ° C. of 100 to 1500 MPa, and more preferably 200 to 1200 MPa. Further, the stress relaxation rate of the buffer layer is preferably 70 to 100%, more preferably 78 to 98%.
  • the buffer layer has a storage elastic modulus and stress relaxation rate within the above ranges, the unevenness of fine foreign matter sandwiched between the semiconductor wafer to which the adhesive tape is stuck and the chuck table, and the grinding stone generated during back grinding The effect that the buffer layer absorbs vibration and impact is enhanced. Therefore, as described above, even when the thickness ratio (D2 / D1) is 0.7 or less and the thickness of the buffer layer is thin, chip chipping that occurs during back surface grinding can be easily prevented.
  • the maximum value of tan ⁇ of dynamic viscoelasticity at ⁇ 5 to 120 ° C. of the buffer layer is preferably 0.7 or more, more preferably 0.8 or more, still more preferably Is 1.0 or more.
  • the upper limit of the maximum value of tan ⁇ is not particularly limited, but is usually 2.0 or less. If the maximum value of tan ⁇ of the buffer layer is 0.7 or more, the effect of the buffer layer absorbing the vibration and impact of the grindstone that occurs during back grinding is enhanced. Therefore, in the tip dicing method, even if the semiconductor wafer or the separated semiconductor chip is ground until it becomes extremely thin, chipping at the corners of the chip can be easily prevented.
  • tan ⁇ is called loss tangent and is defined as “loss elastic modulus / storage elastic modulus”, and is a value measured by a response to a stress such as tensile stress or torsional stress applied to an object by a dynamic viscoelasticity measuring apparatus. Specifically, it means a value measured by the method described in the examples.
  • the thickness (D2) of the buffer layer is preferably 8 to 40 ⁇ m, and more preferably 10 to 35 ⁇ m.
  • the buffer layer can appropriately buffer the vibration during back surface grinding.
  • a buffer layer is a layer formed from the composition for buffer layer formation containing an energy-beam polymeric compound. Since the buffer layer contains the energy ray polymerizable compound, the buffer layer can be cured by being irradiated with the energy rays. “Energy rays” refer to ultraviolet rays, electron beams, and the like, and preferably ultraviolet rays are used. More specifically, the composition for forming a buffer layer includes urethane (meth) acrylate (a1) and a polymerizable compound (a2) having an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms. It is preferable.
  • the composition for buffer layer formation contains these two components, the elastic modulus of the buffer layer, the stress relaxation rate of the buffer layer, and the maximum value of tan ⁇ are easily within the above-described ranges.
  • the composition for buffer layer formation contains the polymeric compound (a3) which has a functional group in addition to the said (a1) and (a2) component from these viewpoints.
  • the buffer layer forming composition preferably further contains a photopolymerization initiator, and does not impair the effects of the present invention.
  • other additives and resin components may be contained.
  • the urethane (meth) acrylate (a1) is a compound having at least a (meth) acryloyl group and a urethane bond, and has a property of being polymerized and cured by irradiation with energy rays.
  • Urethane (meth) acrylate (a1) is a polymer such as an oligomer.
  • the mass average molecular weight (Mw) of the component (a1) is preferably 1,000 to 100,000, more preferably 2,000 to 60,000, still more preferably 3,000 to 20,000. Further, the number of (meth) acryloyl groups (hereinafter also referred to as “number of functional groups”) in the component (a1) may be monofunctional, bifunctional, or trifunctional or more, but is preferably monofunctional or bifunctional. .
  • Component (a1) can be obtained, for example, by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyol compound with a polyvalent isocyanate compound. In addition, you may use a component (a1) individually or in combination of 2 or more types.
  • the polyol compound used as a raw material for the component (a1) is not particularly limited as long as it is a compound having two or more hydroxy groups.
  • Specific examples of the polyol compound include alkylene diol, polyether type polyol, polyester type polyol, and polycarbonate type polyol. Among these, a polyester type polyol is preferable.
  • the polyol compound may be a bifunctional diol, a trifunctional triol, or a tetrafunctional or higher polyol, but is preferably a bifunctional diol, and more preferably a polyester type diol.
  • polyvalent isocyanate compound examples include aliphatic polyisocyanates such as tetramethylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate; isophorone diisocyanate, norbornane diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4′-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2 , 4'-diisocyanate, ⁇ , ⁇ '-diisocyanate dimethylcyclohexane, etc .; 4,4'-diphenylmethane diisocyanate, tolylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, tolidine diisocyanate, tetramethylene xylylene diisocyanate, naphthalene- And aromatic diisocyanates such as 1,5-diisocyanate.
  • a urethane (meth) acrylate (a1) can be obtained by reacting a (meth) acrylate having a hydroxy group with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting the above-described polyol compound with a polyvalent isocyanate compound.
  • the (meth) acrylate having a hydroxy group is not particularly limited as long as it is a compound having a hydroxy group and a (meth) acryloyl group in at least one molecule.
  • the (meth) acrylate having a hydroxy group examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxycyclohexyl (meth).
  • Acrylate 5-hydroxycyclooctyl (meth) acrylate, 2-hydroxy-3-phenyloxypropyl (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, etc.
  • Hydroxy-alkyl (meth) acrylates hydroxy-group-containing (meth) acrylamides such as N-methylol (meth) acrylamide; vinyl alcohol, vinyl phenol, bisphenol
  • the reaction product obtained by the diglycidyl ester of Nord A (meth) acrylic acid is reacted, and the like.
  • hydroxyalkyl (meth) acrylate is preferable, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is more preferable.
  • the conditions for reacting the terminal isocyanate urethane prepolymer and the (meth) acrylate having a hydroxy group are preferably the conditions of reacting at 60 to 100 ° C. for 1 to 4 hours in the presence of a solvent and a catalyst added as necessary.
  • the content of the component (a1) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by weight, more preferably 20 to 60% by weight, based on the total amount (100% by weight) of the buffer layer forming composition. More preferably, it is 25 to 55% by mass, and still more preferably 30 to 50% by mass.
  • Component (a2) is a polymerizable compound having an alicyclic group or heterocyclic group having 6 to 20 ring atoms and is preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group.
  • the number of ring-forming atoms of the alicyclic group or heterocyclic group contained in the component (a2) is preferably 6 to 20, more preferably 6 to 18, still more preferably 6 to 16, and still more preferably 7 to 12. It is.
  • Examples of the atoms forming the ring structure of the heterocyclic group include a carbon atom, a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom.
  • the number of ring-forming atoms means the number of atoms constituting the ring itself of a compound having a structure in which atoms are bonded in a ring, and atoms that do not form a ring (for example, hydrogen atoms bonded to atoms forming the ring)
  • an atom included in a substituent when the ring is substituted with a substituent is not included in the number of ring-forming atoms.
  • Specific components (a2) include, for example, isobornyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxy (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, And alicyclic group-containing (meth) acrylates such as adamantane (meth) acrylate; heterocyclic group-containing (meth) acrylates such as tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate and morpholine (meth) acrylate; In addition, you may use a component (a2) individually or in combination of 2 or more types. Among these, alicyclic group-containing (meth) acrylate is preferable, and isobornyl (meth) acrylate is more preferable.
  • the content of the component (a2) in the buffer layer forming composition is preferably 10 to 70% by weight, more preferably 20 to 60% by weight, based on the total amount (100% by weight) of the buffer layer forming composition. More preferably, it is 25 to 55% by mass, and still more preferably 30 to 50% by mass.
  • Component (a3) is a polymerizable compound containing a functional group such as a hydroxyl group, an epoxy group, an amide group, or an amino group, and more preferably a compound having at least one (meth) acryloyl group.
  • the component (a3) has good compatibility with the component (a1), and the viscosity of the composition for forming a buffer layer can be easily adjusted to an appropriate range.
  • the elastic modulus and tan ⁇ of the buffer layer formed from the composition can be easily set in the above-described ranges, and the buffer performance is improved even if the buffer layer is relatively thin.
  • the component (a3) include a hydroxyl group-containing (meth) acrylate, an epoxy group-containing compound, an amide group-containing compound, and an amino group-containing (meth) acrylate.
  • Examples of the hydroxyl group-containing (meth) acrylate include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxy Examples include butyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and phenylhydroxypropyl (meth) acrylate.
  • Examples of the epoxy group-containing compound include glycidyl (meth) acrylate, methyl glycidyl (meth) acrylate, and allyl glycidyl ether.
  • epoxy such as glycidyl (meth) acrylate and methyl glycidyl (meth) acrylate is used.
  • Group-containing (meth) acrylates are preferred.
  • amide group-containing compounds include (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, N-butyl (meth) acrylamide, N-methylol (meth) acrylamide, N-methylolpropane (meth) acrylamide, N -Methoxymethyl (meth) acrylamide, N-butoxymethyl (meth) acrylamide and the like.
  • Examples of amino group-containing (meth) acrylates include primary amino group-containing (meth) acrylates, secondary amino group-containing (meth) acrylates, and tertiary amino group-containing (meth) acrylates.
  • a hydroxyl group-containing (meth) acrylate is preferable, and a hydroxyl group-containing (meth) acrylate having an aromatic ring such as phenylhydroxypropyl (meth) acrylate is more preferable.
  • the content of the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is intended to make the elastic modulus and stress relaxation rate of the buffer layer easy to be within the above-mentioned ranges and to improve the film formability of the composition for forming a buffer layer.
  • the total amount (100% by mass) of the buffer layer forming composition is preferably 5 to 40% by mass, more preferably 7 to 35% by mass, still more preferably 10 to 30% by mass, and still more preferably 13%. To 25% by mass.
  • the content ratio [(a2) / (a3)] of the component (a2) and the component (a3) in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.5 to 3.0, more preferably 1. It is 0 to 3.0, more preferably 1.3 to 3.0, and still more preferably 1.5 to 2.8.
  • the composition for forming a buffer layer may contain other polymerizable compounds other than the components (a1) to (a3) as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • examples of other polymerizable compounds include alkyl (meth) acrylates having an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms; styrene, hydroxyethyl vinyl ether, hydroxybutyl vinyl ether, N-vinylformamide, N-vinylpyrrolidone, N-vinylcaprolactam Vinyl compounds such as: and the like.
  • the content of the other polymerizable compound in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, and still more preferably 0 to 2% by mass.
  • the composition for forming a buffer layer preferably further contains a photopolymerization initiator from the viewpoint of shortening the polymerization time by light irradiation and reducing the amount of light irradiation.
  • a photopolymerization initiator include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphinoxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one
  • benzoin benzoin methyl ether
  • benzoin ethyl ether benzoin isopropyl ether
  • benzyl phenyl sulfide Tetramethylthiuram monosulfide
  • azobisisobutyronitrile dibenzyl, diacetyl, 8-chloroanthraquinone, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine oxide, etc.
  • These photopolymerization initiators can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photopolymerization initiator in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.05 to 15 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts per 100 parts by mass of the total amount of the energy beam polymerizable compound. Part by mass, more preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the composition for forming a buffer layer may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, and dyes.
  • the content of each additive in the composition for forming a buffer layer is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the energy beam polymerizable compound, More preferably, it is 0.1 to 3 parts by mass.
  • the composition for forming a buffer layer may contain a resin component as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the resin component include polyene / thiol resins, polyolefin resins such as polybutene, polybutadiene, and polymethylpentene, and thermoplastic resins such as styrene copolymers.
  • the content of these resin components in the composition for forming a buffer layer is preferably 0 to 20% by mass, more preferably 0 to 10% by mass, still more preferably 0 to 5% by mass, and still more preferably 0 to 2%. % By mass.
  • the pressure-sensitive adhesive layer preferably has an elastic modulus at 23 ° C. of 0.10 to 0.50 MPa.
  • a circuit or the like is formed on the surface of the semiconductor wafer and is usually uneven.
  • Adhesive tape has an elastic modulus within the above range, so that when it is attached to a wafer surface with irregularities, the irregularities on the wafer surface and the pressure-sensitive adhesive layer are in sufficient contact, and the adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer is appropriate. Can be demonstrated. Therefore, it becomes possible to securely fix the adhesive tape to the semiconductor wafer and to appropriately protect the wafer surface during back grinding. From these viewpoints, the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is more preferably 0.12 to 0.35 MPa.
  • the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer means the elastic modulus before curing by irradiation with energy rays when the pressure-sensitive adhesive layer is formed from an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, and is determined by the measurement method of the examples described later. It is the value of the storage elastic modulus obtained by measurement.
  • the thickness (D3) of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 70 ⁇ m or less, more preferably less than 40 ⁇ m, further preferably 35 ⁇ m or less, and particularly preferably 30 ⁇ m or less.
  • the thickness (D3) is preferably 5 ⁇ m or more, and more preferably 10 ⁇ m or more.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed of, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive, a urethane-based pressure-sensitive adhesive, a rubber-based pressure-sensitive adhesive, a silicone-based pressure-sensitive adhesive, etc., and an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable. Moreover, it is preferable that an adhesive layer is formed from an energy-beam curable adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive layer is formed from an energy-ray curable pressure-sensitive adhesive, so that the elastic modulus at 23 ° C. is set within the above range before curing by irradiation with energy rays, and the peeling force is 1000 mN / 50 mm after curing. It can be easily set as follows.
  • the energy ray curable adhesive examples include an energy ray curable adhesive containing an energy ray curable compound other than an adhesive resin in addition to a non-energy ray curable adhesive resin (also referred to as “adhesive resin I”).
  • An agent composition hereinafter also referred to as “X-type pressure-sensitive adhesive composition” can be used.
  • an energy ray curable adhesive an energy ray curable adhesive resin (hereinafter also referred to as “adhesive resin II”) in which an unsaturated group is introduced into a side chain of a non-energy ray curable adhesive resin.
  • An adhesive composition that is contained as a main component and does not contain an energy ray curable compound other than an adhesive resin may be used.
  • an energy ray curable pressure-sensitive adhesive an energy ray curable material containing an energy ray curable compound other than the pressure sensitive resin in addition to the X type and Y type combined type, that is, the energy ray curable pressure sensitive resin II.
  • An adhesive composition (hereinafter, also referred to as “XY-type adhesive composition”) may be used.
  • the pressure-sensitive adhesive may be formed from a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition that does not cure even when irradiated with energy.
  • the non-energy ray curable adhesive composition contains at least the non-energy ray curable adhesive resin I, but does not contain the energy ray curable adhesive resin II and the energy ray curable compound described above. is there.
  • adhesive resin is used as a term indicating one or both of the above-mentioned adhesive resin I and adhesive resin II.
  • specific examples of the adhesive resin include acrylic resins, urethane resins, rubber resins, and silicone resins. Acrylic resins are preferable.
  • acrylic adhesive in which an acrylic resin is used as the adhesive resin will be described in more detail.
  • the acrylic polymer (b) is used for the acrylic resin.
  • the acrylic polymer (b) is obtained by polymerizing a monomer containing at least an alkyl (meth) acrylate, and includes a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate.
  • Examples of the alkyl (meth) acrylate include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, and the alkyl group may be linear or branched.
  • alkyl (meth) acrylate examples include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) methacrylate, 2-ethylhexyl (meth) ) Acrylate, n-octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate and the like.
  • Alkyl (meth) acrylates may be used alone or in combination of two or more.
  • an acrylic polymer (b) contains the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate whose carbon number of an alkyl group is 4 or more from a viewpoint of improving the adhesive force of an adhesive layer.
  • the alkyl (meth) acrylate preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 4 to 6 carbon atoms.
  • the alkyl (meth) acrylate whose carbon number of an alkyl group is 4 or more is an alkyl acrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 4 or more carbon atoms is based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b) (hereinafter also simply referred to as “monomer total amount”). Thus, it is preferably 40 to 98% by mass, more preferably 45 to 95% by mass, and still more preferably 50 to 90% by mass.
  • the acrylic polymer (b) A copolymer containing a structural unit derived from an alkyl (meth) acrylate having 1 to 3 carbon atoms is preferred.
  • the alkyl (meth) acrylate is preferably an alkyl (meth) acrylate having 1 or 2 carbon atoms, more preferably methyl (meth) acrylate, and most preferably methyl methacrylate.
  • the alkyl (meth) acrylate having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferably 1 to 30% by mass, more preferably 3 to 26% by mass, based on the total amount of monomers. More preferably, it is 6 to 22% by mass.
  • the acrylic polymer (b) preferably has a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the alkyl (meth) acrylate.
  • the functional group of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, and an epoxy group.
  • the functional group-containing monomer reacts with a crosslinking agent described later to become a crosslinking starting point, or reacts with an unsaturated group-containing compound to introduce an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer (b). Is possible.
  • Examples of the functional group-containing monomer include a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, and an epoxy group-containing monomer. These monomers may be used alone or in combination of two or more. Among these, a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer are preferable, and a hydroxyl group-containing monomer is more preferable.
  • hydroxyl group-containing monomer examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 3-hydroxybutyl (meth) ) Acrylates, hydroxyalkyl (meth) acrylates such as 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, and unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol.
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids such as (meth) acrylic acid and crotonic acid; ethylenically unsaturated dicarboxylic acids such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid and citraconic acid, and anhydrides thereof. , 2-carboxyethyl methacrylate and the like.
  • the functional group monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 3 to 32% by mass, and still more preferably 6 to 30% by mass, based on the total amount of monomers constituting the acrylic polymer (b).
  • the acrylic polymer (b) is derived from a monomer copolymerizable with the above acrylic monomers such as styrene, ⁇ -methylstyrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, acrylamide and the like.
  • a structural unit may be included.
  • the acrylic polymer (b) can be used as a non-energy ray curable adhesive resin I (acrylic resin).
  • a resin obtained by reacting a functional group of the acrylic polymer (b) with a compound having a photopolymerizable unsaturated group also referred to as an unsaturated group-containing compound.
  • An unsaturated group containing compound is a compound which has both the substituent which can be couple
  • Examples of the photopolymerizable unsaturated group include a (meth) acryloyl group, a vinyl group, and an allyl group, and a (meth) acryloyl group is preferable.
  • Examples of the substituent that the unsaturated group-containing compound can bind to the functional group include an isocyanate group and a glycidyl group. Therefore, examples of the unsaturated group-containing compound include (meth) acryloyloxyethyl isocyanate, (meth) acryloyl isocyanate, glycidyl (meth) acrylate, and the like.
  • the unsaturated group-containing compound preferably reacts with a part of the functional group of the acrylic polymer (b), specifically, 50 to 98 mol of the functional group of the acrylic polymer (b).
  • % Is preferably reacted with an unsaturated group-containing compound, more preferably 55 to 93 mol%.
  • Mw weight average molecular weight of the acrylic resin is preferably 300,000 to 1,600,000, more preferably 400,000 to 1,400,000, still more preferably 500,000 to 1,200,000.
  • the energy ray-curable compound contained in the X-type or XY-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably a monomer or oligomer having an unsaturated group in the molecule and capable of being polymerized and cured by irradiation with energy rays.
  • energy ray curable compounds include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4- Polyvalent (meth) acrylate monomers such as butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, epoxy ( And oligomers such as (meth) acrylate.
  • trimethylolpropane tri (meth) acrylate pentaerythritol (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate
  • urethane (meth) acrylate oligomers are preferable from the viewpoint of relatively high molecular weight and difficulty in reducing the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the molecular weight of the energy ray curable compound (weight average molecular weight in the case of an oligomer) is preferably 100 to 12000, more preferably 200 to 10,000, still more preferably 400 to 8000, and still more preferably 600 to 6000.
  • the content of the energy ray curable compound in the X-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 40 to 200 parts by mass, more preferably 50 to 150 parts by mass, and still more preferably 60 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin. 90 parts by mass.
  • the content of the energy ray-curable compound in the XY-type pressure-sensitive adhesive composition is preferably 1 to 30 parts by mass, more preferably 2 to 20 parts by mass, and still more preferably based on 100 parts by mass of the adhesive resin. Is 3 to 15 parts by mass.
  • the adhesive resin is energy ray curable, so even if the content of the energy ray curable compound is small, it is possible to sufficiently reduce the peeling force after irradiation with energy rays. It is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition preferably further contains a crosslinking agent.
  • a crosslinking agent reacts with the functional group derived from the functional group monomer which adhesive resin has, for example, and bridge
  • the crosslinking agent include: tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, and the like, and isocyanate-based crosslinking agents such as adducts thereof; epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether; hexa [1- (2-methyl) -aziridinyl ] Aziridine type crosslinking agents such as triphosphatriazine; Chelate type crosslinking agents such as aluminum chelate; These crosslinking agents may be used alone or in combination of two or more.
  • an isocyanate-based crosslinking agent is preferable from the viewpoints of increasing cohesive force and improving adhesive force, and availability.
  • the blending amount of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.03 to 7 parts by mass, and still more preferably 0 with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin from the viewpoint of promoting the crosslinking reaction. .05 to 4 parts by mass.
  • an adhesive composition when an adhesive composition is energy-beam curable, it is preferable that an adhesive composition contains a photoinitiator further.
  • the photopolymerization initiator include benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphinoxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones.
  • These photopolymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
  • the blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 10 parts by weight, more preferably 0.03 to 5 parts by weight, still more preferably 0.05 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the adhesive resin. It is.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may contain other additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, and dyes.
  • the amount of the additives is preferably 0.01 to 6 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin.
  • the adhesive composition may be further diluted with an organic solvent from the viewpoint of improving applicability to a substrate or a release sheet to form a solution of the adhesive composition.
  • organic solvent examples include methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, isopropanol and the like.
  • the organic solvent used at the time of the synthesis of the adhesive resin may be used as it is, or other than the organic solvent used at the time of synthesis so that the solution of the pressure-sensitive adhesive composition can be uniformly applied.
  • One or more organic solvents may be added.
  • a release sheet may be attached to the surface of the adhesive tape.
  • the release sheet is attached to at least one of the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive tape and the surface of the buffer layer.
  • the release sheet is attached to these surfaces to protect the adhesive layer and the buffer layer.
  • the release sheet is detachably attached to the adhesive tape, and is peeled off and removed from the adhesive tape before the adhesive tape is used (that is, before grinding the wafer back surface).
  • a release sheet having at least one surface subjected to a release treatment is used, and specifically, a release sheet coated on the surface of the release sheet substrate may be used.
  • a resin film is preferable, and examples of the resin constituting the resin film include polyester resin films such as polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, and polyethylene naphthalate resin, polypropylene resin, polyethylene resin, and the like. Polyolefin resin and the like.
  • the release agent include rubber elastomers such as silicone resins, olefin resins, isoprene resins, and butadiene resins, long chain alkyl resins, alkyd resins, and fluorine resins.
  • the thickness of the release sheet is not particularly limited, but is preferably 10 to 200 ⁇ m, more preferably 20 to 150 ⁇ m.
  • a manufacturing method of the adhesive tape of this invention It can manufacture by a well-known method.
  • a buffer layer provided on a release sheet and an adhesive layer provided on the release sheet are bonded to both surfaces of the substrate, and the release sheet is attached to both surfaces of the buffer layer and the adhesive layer. Tapes can be manufactured.
  • the release sheets attached to both surfaces of the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer may be appropriately peeled and removed before using the pressure-sensitive adhesive tape.
  • the buffer layer-forming composition or the pressure-sensitive adhesive is directly applied on the release sheet by a known application method.
  • a buffer layer or a pressure-sensitive adhesive layer can be formed by forming a film and irradiating the coating film with energy rays or drying by heating.
  • the buffer layer forming composition and the adhesive may be directly applied to both surfaces of the substrate to form the buffer layer and the adhesive layer.
  • the buffer layer forming composition or the pressure-sensitive adhesive is directly applied to one surface of the substrate to form the buffer layer and the pressure-sensitive adhesive layer, and on the other surface of the substrate, An adhesive layer or a buffer layer provided on the release sheet may be bonded.
  • Examples of the coating method for the buffer layer forming composition and the pressure-sensitive adhesive include spin coating, spray coating, bar coating, knife coating, roll coating, blade coating, die coating, and gravure coating. It is done. Moreover, in order to improve applicability
  • the composition for forming a buffer layer contains an energy ray polymerizable compound
  • the buffer layer may be cured by a single curing process, or may be performed in multiple steps.
  • the coating film on the release sheet may be completely cured to form a buffer layer, and then bonded to the base material.
  • a semi-cured buffer layer forming film is formed without completely curing the coating film.
  • the buffer layer may be formed by irradiating energy rays again to be completely cured.
  • an ultraviolet-ray is preferable.
  • the coating film of the composition for forming a buffer layer may be exposed, but the coating film is covered with a release sheet or a substrate, and an energy ray is irradiated in a state where the coating film is not exposed. It is preferable to cure.
  • the pressure-sensitive adhesive tape according to the present invention is used when the back surface of the wafer is ground by being attached to the surface of the semiconductor wafer in the tip dicing method. More specifically, the semiconductor device Used in the manufacturing method.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes at least the following steps 1 to 4.
  • Step 1 Attaching the above adhesive tape to the surface of the semiconductor wafer
  • Step 2 Forming a groove from the front side of the semiconductor wafer, or forming a modified region inside the semiconductor wafer from the front or back surface of the semiconductor wafer
  • Step 3 A semiconductor wafer having an adhesive tape attached to the surface and having the groove or the modified region formed thereon is ground from the back side, and separated into a plurality of chips starting from the groove or the modified region.
  • Process Step 4 A process of peeling an adhesive tape from a singulated semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips)
  • step 1 the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention is attached to the surface of a semiconductor wafer via a pressure-sensitive adhesive layer.
  • This step may be performed before step 2 described later, but may be performed after step 2.
  • step 1 when forming a modified region in a semiconductor wafer, it is preferable to perform step 1 before step 2.
  • step 1 is performed after step 2. That is, the pressure-sensitive adhesive tape is affixed in step 1 to the surface of the wafer having the grooves formed in step 2 described later.
  • the semiconductor wafer used in this manufacturing method may be a silicon wafer, a wafer of gallium / arsenic, or a glass wafer.
  • the thickness of the semiconductor wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 ⁇ m.
  • a semiconductor wafer usually has a circuit formed on the surface thereof. Formation of the circuit on the wafer surface can be performed by various methods including conventionally used methods such as an etching method and a lift-off method.
  • a groove is formed from the front surface side of the semiconductor wafer, or a modified region is formed in the semiconductor wafer from the front surface or the back surface of the semiconductor wafer.
  • the groove formed in this step is a groove having a depth shallower than the thickness of the semiconductor wafer.
  • the groove can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing apparatus or the like. Further, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductor chips along the groove in step 3 to be described later.
  • the modified region is a brittle portion of the semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is destroyed by thinning the semiconductor wafer or applying grinding force due to grinding in the grinding process. This is a region that is a starting point for singulation.
  • step 2 the groove and the modified region are formed along a dividing line when the semiconductor wafer is divided into semiconductor chips in step 3 to be described later.
  • the modified region is formed by laser irradiation focused on the inside of the semiconductor wafer, and the modified region is formed inside the semiconductor wafer. Laser irradiation may be performed from the front side or the back side of the semiconductor wafer.
  • the semiconductor wafer is irradiated with the laser through the adhesive tape.
  • the semiconductor wafer to which the adhesive tape is applied and the groove or the modified region is formed is placed on the chuck table and is sucked and held by the chuck table. At this time, the surface of the semiconductor wafer is adsorbed by being arranged on the table side.
  • step 3 the back surface of the semiconductor wafer on the chuck table is ground to divide the semiconductor wafer into a plurality of semiconductor chips.
  • the back surface grinding is performed so that the semiconductor wafer is thinned at least to a position reaching the bottom of the groove.
  • the groove becomes a notch penetrating the wafer, and the semiconductor wafer is divided by the notch and separated into individual semiconductor chips.
  • the grinding surface may reach the modified region by grinding, but does not have to reach the modified region strictly.
  • the semiconductor wafer may be ground to a position close to the modified region so that the semiconductor wafer is broken and separated into semiconductor chips starting from the modified region.
  • the actual singulation of the semiconductor chip may be performed by applying a zip-up tape described later and then stretching the dip-up tape.
  • the shape of the separated semiconductor chip may be a square or may be an elongated shape such as a rectangle.
  • the thickness of the individual semiconductor chip is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 ⁇ m, more preferably 10 to 45 ⁇ m.
  • the size of the individual semiconductor chip is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 50 mm 2 , more preferably less than 30 mm 2 , and even more preferably less than 10 mm 2 .
  • the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing is peeled from the separated semiconductor wafer (that is, a plurality of semiconductor chips).
  • This step is performed, for example, by the following method.
  • a pick-up tape is affixed to the back side of the separated semiconductor wafer, and the position and orientation are adjusted so that pick-up is possible.
  • the ring frame disposed on the outer peripheral side of the wafer is also bonded to the pick-up tape, and the outer peripheral edge of the pickup tape is fixed to the ring frame.
  • a wafer and a ring frame may be bonded to the pickup tape at the same time, or may be bonded at different timings.
  • the adhesive tape is peeled off from the plurality of semiconductor chips fixed on the pickup tape.
  • a plurality of semiconductor chips on the pickup tape are picked up and fixed on a substrate or the like to manufacture a semiconductor device.
  • a pickup tape is not specifically limited, For example, it is comprised by the adhesive sheet provided with the adhesive layer provided in the one surface of the base material and the base material.
  • the measurement method and evaluation method in the present invention are as follows. [Mass average molecular weight (Mw)] Using a gel permeation chromatograph (product name “HLC-8020” manufactured by Tosoh Corporation), measurement was performed under the following conditions, and values measured in terms of standard polystyrene were used.
  • a test buffer layer was prepared in the same manner as the buffer layer of the comparative example.
  • a dynamic viscoelastic device product name “Rheobibron DDV-II-EP1” manufactured by Orientec Co., Ltd.
  • Loss modulus and storage modulus were measured at a frequency of 11 Hz and in a temperature range of ⁇ 20 to 150 ° C.
  • the value of “loss elastic modulus / storage elastic modulus” at each temperature was calculated as tan ⁇ of the temperature, and the maximum value of tan ⁇ in the range of ⁇ 5 to 120 ° C. was defined as “maximum value of tan ⁇ of the buffer layer”.
  • Stress relaxation rate of buffer layer A test buffer layer was prepared on a release sheet in the same manner as described above, and cut into 15 mm ⁇ 140 mm to form a sample. Using a universal tensile tester (Autograph AG-10kNIS manufactured by SHIMADZU), hold both ends 20mm of the sample, pull at a speed of 200mm / min, and stress A (N / m2) when stretched 10% and tape The stress B (N / m 2) 1 minute after the stretching stop was measured. From the values of these stresses A and B, (AB) / A ⁇ 100 (%) was calculated as the stress relaxation rate.
  • the pressure-sensitive adhesive tape with the pressure-sensitive adhesive layer cured by ultraviolet irradiation was peeled off at a peeling speed of 4 mm / sec and a peeling angle of 180 ° using a universal testing machine (trade name “Tensilon” manufactured by A & D), and the peeling force was measured. . In addition, this test was done on room temperature (23 degreeC) and 50% RH conditions.
  • the total thickness of the pressure-sensitive adhesive tape, the thickness of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, and the buffer layer were measured using a constant pressure thickness measuring instrument (PG-02, manufactured by Teclock Corporation). At this time, arbitrary 10 points were measured, and an average value was calculated.
  • the total thickness of an adhesive tape is the value which measured the thickness of the adhesive tape with a peeling sheet, and subtracted the thickness of the peeling sheet from the thickness.
  • the thickness of the buffer layer is a value obtained by subtracting the thickness of the base material from the thickness of the base material with the buffer layer.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is a value obtained by subtracting the thickness of the buffer layer and the base material from the total thickness of the pressure-sensitive adhesive tape.
  • Chip crack test 2 First, an adhesive tape was attached to the surface of a silicon wafer having a diameter of 12 inches (30.48 cm). Next, a lattice-shaped modified region was formed on the silicon wafer using a laser saw from the surface opposite to the surface to which the adhesive tape was applied. The lattice size was 1 mm square. Then, it grind
  • dicing tape Lintec Co., Ltd., “D-821HS”.
  • the diced chips were observed with a digital microscope, the presence or absence of chip cracks at each chip angle was observed, the chip crack occurrence rate at 700 chips was measured, and evaluated according to the following evaluation criteria.
  • the adhesive tape with chips that have been separated into pieces is irradiated with ultraviolet light (conditions: 230 mW / cm 2 , 380 mJ / cm 2 ) from the tape side with a dicing tape mounter (trade name “RAD-2700”, manufactured by Lintec Corporation).
  • the adhesive was cured.
  • a dicing tape manufactured by Lintec Corporation, trade name “D-821HS”
  • D-821HS a jig called a ring frame used in the pickup process was also attached to the pickup tape.
  • the cured adhesive tape was peeled off in the RAD-2700 apparatus.
  • the obtained silicon wafer with an adhesive tape was separated into individual pieces having a thickness of 30 ⁇ m and a chip size of 1 mm square by back grinding.
  • the adhesive tape with chips that have been separated into pieces is irradiated with ultraviolet light (conditions: 230 mW / cm 2 , 380 mJ / cm 2 ) from the tape side with a dicing tape mounter (trade name “RAD-2510” manufactured by Lintec Corporation)
  • the adhesive was cured.
  • a pickup tape manufactured by Lintec Corporation, trade name “D-821HS” was attached from the chip side. At this time, the ring frame used in the pickup process was also attached to the pickup tape.
  • the cured adhesive tape was peeled off in the RAD-2510 apparatus. 700 chips after peeling off the adhesive tape were observed through a dicing tape with a digital microscope (trade name “VE-9800”, manufactured by Keyence Corporation), and the incidence of chip cracks was measured. A numerical value obtained by subtracting the occurrence rate in the chip crack test 1 from the same occurrence rate was defined as the occurrence rate of the peeling evaluation 1 and evaluated according to the following evaluation criteria. OK: less than 1.0%, NG: 1.0% or more
  • Example 1 (1) Synthesis of Urethane Acrylate-Based Oligomer A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a polyester diol and isophorone diisocyanate is reacted with 2-hydroxyethyl acrylate to obtain a bifunctional compound having a mass average molecular weight (Mw) of 5000. A urethane acrylate oligomer (UA-1) was obtained.
  • buffer layer forming composition 40 parts by mass of the urethane acrylate oligomer (UA-1) synthesized above, 40 parts by mass of isobornyl acrylate (IBXA), and 20 parts by mass of phenylhydroxypropyl acrylate (HPPA)
  • IBXA isobornyl acrylate
  • HPPA phenylhydroxypropyl acrylate
  • 2.0 parts by weight of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (product name “Irgacure 184”, manufactured by BASF) as a photopolymerization initiator and 0.2 parts by weight of a phthalocyanine pigment are blended, and a buffer layer A forming composition was prepared.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive composition obtained above on the release-treated surface of a release sheet (trade name: SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation) whose release sheet substrate is a polyethylene terephthalate film is dried.
  • a release sheet (trade name: SP-PET 381031 manufactured by Lintec Corporation) whose release sheet substrate is a polyethylene terephthalate film is dried.
  • This adhesive layer was affixed to the other surface of the base material with a buffer layer to obtain an adhesive tape with a release sheet.
  • the elastic modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer was 0.15 MPa.
  • the storage elastic modulus of the buffer layer was 250 MPa
  • the stress relaxation rate was 90%
  • the maximum value of tan ⁇ was 1.24.
  • Examples 2 to 8, Comparative Examples 1 to 15 It implemented similarly to Example 1 except the point which changed the thickness of the base material, the buffer layer, and the adhesive layer as described in Table 1. In each example and comparative example, a polyethylene terephthalate film having the same Young's modulus as in Example 1 was used as the base material.
  • the total thickness of the adhesive tape was 160 ⁇ m or less, the thickness ratio (D2 / D1) was 0.7 or less, and the peeling force was 1000 mN / 25 mm or less.
  • the results of the peeling evaluation were good, and in the tip dicing method, chip chipping was less likely to occur when grinding the back surface of the semiconductor wafer and when peeling the adhesive tape.
  • Comparative Examples 1 to 10 since the thickness of the buffer layer was increased and the thickness ratio (D2 / D1) was greater than 0.7, the chipping occurrence rate increased in the chipping test, and the semiconductor wafer Chipping of the semiconductor chip was likely to occur during the backside grinding of the.

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Abstract

本発明の半導体加工用粘着テープは、半導体ウエハ表面に溝が形成され、又は改質領域が形成された半導体ウエハの裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用される半導体加工用粘着テープであって、基材と、前記基材の一方の面に設けられる緩衝層と、前記基材の他方の面に設けられる粘着剤層とを備え、半導体加工用粘着テープのテープ総厚が１６０μｍ以下であり、かつ前記緩衝層の厚さ（Ｄ２）の基材の厚さ（Ｄ１）に対する比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以下であるとともに、半導体ウエハに対する剥離力が１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下である。

Description

半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法
　本発明は、先ダイシング法により半導体装置を製造する際に、半導体ウエハに貼付して使用する半導体加工用粘着テープ、及びその粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
　各種電子機器の小型化、多機能化が進む中、それらに搭載される半導体チップも同様に、小型化、薄型化が求められている。チップの薄型化のために、半導体ウエハの裏面を研削して厚さ調整を行うことが一般的である。また、ウエハの表面側から所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削を行い、その研削によりチップを個片化する先ダイシング法と呼ばれる工法を利用することもある。先ダイシング法では、ウエハの裏面研削と、チップの個片化を同時に行うことができるので、薄型チップを効率よく製造することが可能である。また、先ダイシング法には、上述のように、ウエハ表面側から所定深さの溝を形成した後、ウエハ裏面側から研削する方法のほかに、レーザーでウエハ内部に改質層を設け、ウエハ裏面研削時の圧力等でチップの個片化を行う方法もある。
　従来、半導体ウエハの裏面研削時には、ウエハ表面の回路を保護し、また、半導体ウエハ及び個片化された半導体チップを固定しておくために、ウエハ表面にバックグラインドシートと呼ばれる粘着テープを貼付するのが一般的である。先ダイシング法において使用するバックグラインドシートとしては、基材と、基材の一方の面に設けた粘着剤層とを備える粘着シートにおいて、基材の他方の面側にさらに緩衝層を設けたものが知られている。
　バックグラインドシートは、緩衝層を設けることで、ウエハ裏面研削時に生じる振動を緩和することが可能である。また、半導体ウエハは、裏面研削時、バックグラインドシートを設けたウエハ表面側がチャックテーブルに吸着されることで、該テーブルに固定されるが、緩衝層によって、テーブル上に存在する異物等による凹凸を吸収することも可能である。バックグラインドシートは、以上の緩衝層の作用によって、裏面研削時に生じる半導体ウエハの割れや、チップの欠け等を防止している。
　また、特許文献１では、上記したような基材、粘着剤層、及び緩衝層を有する粘着シートにおいて、基材の厚さを１０～１５０μｍとし、かつそのヤング率を１０００～３００００ＭＰａとするとともに、緩衝層の厚さを５～８０μｍとし、かつその動的粘弾性のｔａｎδ最大値を０．５以上とした粘着シートが開示されている。特許文献１には、この粘着シートをバックグラインドシートとして使用することで、先ダイシング法により半導体チップを製造する際に、チップの欠け及び変色を防止できることが開示されている。
特開２００５－３４３９９７号公報
　しかし、近年、半導体チップの薄型化及び小型化の要求はさらに高まりつつあり、例えば、厚さ５０μｍ未満のものや、０．５ｍｍ角程度の半導体チップを製造することも求められるようになってきている。このように小型化及び薄型化された半導体チップを製造する際には、特許文献１に記載されるように、基材のヤング率及び緩衝層のｔａｎδ最大値を調整しつつ、基材及び緩衝層それぞれの厚さを一定の範囲に設定するのみでは、半導体チップの欠けや亀裂等の破損（チップクラック）を抑制することが難しいことがある。特に、研削後のウエハ表面から、表面保護テープを剥離する際に、前述のような小型化及び薄型化された半導体チップに大きな負荷がかかりチップ破損の原因になることが分かった。
　本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであり、先ダイシング法において、薄型化及び小型化された半導体チップを製造するような場合であっても、半導体チップに欠けや破損が生じるのを防止することが可能な半導体加工用粘着テープを提供することを課題とする。
　本発明者らは、半導体チップに欠けや破損が生じるメカニズムについて考察した結果、先ダイシング法により薄型化かつ小型化された半導体チップを製造する場合には、半導体ウエハの裏面を研削するとき、及び、半導体チップから粘着テープを剥離するときに、半導体チップに欠けや破損が生じていることを突きとめた。そして、先ダイシング法において、半導体ウエハを研削してチップに個片化するとき、及び粘着テープを半導体チップから剥離するときに生じる半導体チップの欠けや破損を防止するためには、粘着テープのテープ総厚、及び基材と緩衝層の厚さ比を一定範囲に設定しつつ、半導体ウエハに対する粘着テープの剥離力を所定値以下にすることが肝要であることを見出し、以下の本発明を完成させた。
　本発明は、以下の（１）～（１３）を提供する。
（１）半導体ウエハ表面に溝が形成され、又は半導体ウエハに改質領域が形成された半導体ウエハの裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用される半導体加工用粘着テープであって、
　基材と、前記基材の一方の面に設けられる緩衝層と、前記基材の他方の面に設けられる粘着剤層とを備え、
　半導体加工用粘着テープのテープ総厚が１６０μｍ以下であり、かつ前記緩衝層の厚さ（Ｄ２）の基材の厚さ（Ｄ１）に対する比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以下であるとともに、半導体ウエハに対する剥離力が１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下である半導体加工用粘着テープ。
（２）前記基材のヤング率が１０００ＭＰａ以上である上記（１）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（３）前記基材の厚さ（Ｄ１）が、１１０μｍ以下である上記（１）又は（２）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（４）前記基材が少なくともポリエチレンテレフタレートフィルムを有する上記（１）～（３）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（５）前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される上記（１）～（４）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（６）前記粘着剤層の２３℃における弾性率が０．１０～０．５０ＭＰａである上記（１）～（５）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（７）前記粘着剤層の厚さ（Ｄ３）が、７０μｍ以下である上記（１）～（６）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（８）前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位と、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位と、官能基含有モノマー由来の構成単位とを有するアクリル系樹脂を含む粘着剤組成物から形成される上記（１）～（７）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（９）前記緩衝層の２３℃における貯蔵弾性率が１００～１５００ＭＰａである上記（１）～（８）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（１０）前記緩衝層の応力緩和率が７０～１００％である上記（１）～（９）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（１１）前記緩衝層が、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２）、及び官能基を有する重合性化合物（ａ３）を含む緩衝層形成用組成物から形成される上記（１）～（１０）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
（１２）成分（ａ２）が、脂環基含有（メタ）アクリレートであるとともに、成分（ａ３）が、水酸基含有（メタ）アクリレートである上記（１１）に記載の半導体加工用粘着テープ。
（１３）上記（１）～（１２）のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
　半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
　前記半導体加工用粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は改質領域を起点として、複数のチップに個片化させる工程と、
　前記複数のチップから半導体加工用粘着テープを剥離する工程と、
　を備える半導体装置の製造方法。
　本発明においては、先ダイシング法において、半導体ウエハを研削してチップに個片化するとき、及び粘着テープを半導体チップから剥離するときに生じる半導体チップの欠けや破損を防止することが可能である。
　次に、本発明についてさらに詳細に説明する。
　なお、本明細書において、「重量平均分子量（Ｍｗ）」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定されるポリスチレン換算の値であり、具体的には実施例に記載の方法に基づいて測定した値である。
　また、例えば「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の双方を示す語として用いており、他の類似用語についても同様である。
　本発明の半導体加工用粘着テープ（以下、単に「粘着テープ」ともいう）は、基材と、基材の一方の面に設けられる緩衝層と、基材の他方の面（すなわち、緩衝層が設けられた面とは反対側の面）に設けられる粘着剤層とを備えるものである。
　粘着テープは、先ダイシング法において、粘着剤層を介して半導体ウエハの表面に貼付されて使用されるものである。すなわち、粘着テープは、後述するように、半導体ウエハ表面に溝が形成され、又は半導体ウエハに改質領域が形成された、半導体ウエハの裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用されるものである。
　本発明の粘着テープは、粘着テープのテープ総厚が１６０μｍ以下であり、かつ緩衝層の厚さ（Ｄ２）の基材の厚さ（Ｄ１）に対する比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以下であるとともに、粘着テープの半導体ウエハに対する剥離力が１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下となるものである。本発明では、このように、テープ総厚、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）、及び剥離力のいずれも所定の値にすることで、半導体ウエハを研削してチップに個片化するとき、及び粘着テープを半導体チップから剥離するときに生じる半導体チップの欠けや破損を防止することが可能になる。
　一方で、粘着テープのテープ総厚を１６０μｍより大きくすると、粘着剤層の粘着性能及び緩衝層の衝撃吸収性能を適切に維持しつつ剥離力を小さくすることが難しくなる。そのため、粘着テープを半導体チップから剥離する際に、半導体チップに負荷が掛かり、チップ欠けが生じやすくなる。
　また、テープ総厚は、剥離力をより低くする観点から、１５５μｍ以下であることが好ましく、１４５μｍ以下であることがより好ましい。また、粘着剤層、基材、及び緩衝層を適度な厚さとし、それぞれの機能を適切に発揮させるために、テープ総厚は、４０μｍ以上が好ましく、５５μｍ以上であることがより好ましい。
　なお、本明細書において、テープ総厚とは、半導体ウエハに貼付され、半導体ウエハを研削する際に、粘着テープに含有される層の合計厚さを意味する。したがって、粘着テープに剥離可能に貼付された剥離シートが設けられる場合には、その剥離シートの厚さは総厚に含まれない。通常、粘着テープの総厚は、基材と、粘着剤層と、緩衝層の合計厚さである。
　また、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）が、０．７より大きいと、粘着テープにおいて、剛性の高い部分の割合が少なくなるため、半導体ウエハや半導体チップは、基材により適切に保持されにくくなり、研削時の振動が低減しにくくなる。したがって、先ダイシング法により、小型かつ薄型の半導体チップに個片化するような場合に、緩衝層の材料に適切なものを選択しても、裏面研削により個片化する際に生じる半導体チップの欠けが防止されにくくなる。
　チップ欠けを低減させつつ、緩衝層を適切な厚さとして粘着テープの緩衝性能を良好にするために、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）は、０．１０～０．７０であることが好ましく、０．１３～０．６６であることがより好ましい。
　さらに、半導体ウエハに対する粘着テープの剥離力が、１０００ｍＮ／５０ｍｍより大きくなると、粘着テープを半導体チップから剥離する際に、半導体チップに欠けが生じやすくなる。
　ここで、粘着テープ剥離時のチップ欠けをより適切に防止するためには、上記粘着テープの剥離力は、９７０ｍＮ／５０ｍｍ以下が好ましく、８５０ｍＮ／５０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、粘着テープの剥離力は、特に限定されないが、粘着テープの半導体ウエハ又は半導体チップに対する接着性を良好とするために、３００ｍＮ／５０ｍｍ以上であることが好ましく、４５０ｍＮ／５０ｍｍ以上であることがより好ましい。
　なお、粘着テープの剥離力とは、後述する実施例で示すとおり、粘着テープの粘着剤層表面を半導体ウエハに貼付した後、粘着テープを半導体ウエハから剥離する際に要する力である。ただし、後述するように粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、半導体ウエハに貼付された粘着テープにエネルギー線を照射し、粘着剤層を硬化した後に測定される剥離力である。一方で、粘着剤層が非エネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線照射前の粘着テープに対して、剥離力を同様に測定したものである。
　次に、本発明の粘着テープの各部材の構成をさらに詳細に説明する。
［基材］
　粘着テープの基材としては、各種の樹脂フィルムが挙げられ、具体的には、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）等のポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン－ノルボルネン共重合体、ノルボルネン樹脂等のポリオレフィン；エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のエチレン系共重合体；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等のポリ塩化ビニル；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル；ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、フッ素樹脂、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、アクリル系重合体などから選ばれる１種以上からなる樹脂フィルムが挙げられる。またこれらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムのような変性フィルムも用いられる。基材は、これら樹脂から選ばれる１種又は２種以上の樹脂からなる樹脂フィルムの単層フィルムであってもよく、これらの樹脂フィルムを２種以上積層した積層フィルムであってもよい。
　また、基材は、ヤング率が１０００ＭＰａ以上である剛性基材であることが好ましく、より好ましくは１８００～３００００ＭＰａ、さらに好ましくは２５００～６０００ＭＰａである。
　このように、基材としてヤング率が高い剛性基材を使用すると、上記のようにテープ総厚を小さくしても、粘着テープによる半導体ウエハ又は半導体チップに対する保持性能が高まり、裏面研削時の振動等を抑制することで、半導体チップの欠けや破損を防止しやすくなる。また、ヤング率が上記範囲であることで、粘着テープを半導体チップから剥離する際の応力を小さくすることが可能になり、テープ剥離時に生じるチップ欠けや破損を防止しやすくなる。さらに、粘着テープを半導体ウエハに貼付する際の作業性も良好とすることが可能である。
　ここで、ヤング率が１０００ＭＰａ以上の剛性基材としては、上記した樹脂フィルムの中から適宜選択すればよいが、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、全芳香族ポリエステル等のポリエステル、ポリイミド、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリアセタール、変性ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、二軸延伸ポリプロピレン等のフィルムが挙げられる。
　これら樹脂フィルムの中でも、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、二軸延伸ポリプロピレンフィルムから選ばれる１種以上を含むフィルムが好ましく、ポリエステルフィルムを含むことがより好ましく、ポリエチレンテレフタレートフィルムを含むことがさらに好ましい。
　基材の厚さ（Ｄ１）は、１１０μｍ以下であることが好ましく、１５～１１０μｍであることがより好ましく、２０～１０５μｍであることがさらに好ましい。基材の厚さを１１０μｍ以下とすることで、粘着テープのテープ総厚、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）、及び粘着テープの剥離力を上記した所定の値に調製しやすくなる。また、１５μｍ以上とすることで、基材が粘着テープの支持体としての機能を果たしやすくなる。
　また、基材には、本発明の効果を損なわない範囲において、可塑剤、滑剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、フィラー、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、触媒等を含有させてもよい。また、基材は、透明なものであっても、不透明なものであってもよく、所望により着色又は蒸着されていてもよい。
　また、基材の少なくとも一方の表面には、緩衝層及び粘着剤層の少なくとも一方との密着性を向上させるために、コロナ処理等の接着処理を施してもよい。また、基材は、上記した樹脂フィルムと、樹脂フィルムの少なくとも一方の表面に被膜された易接着層とを有しているものでもよい。
　易接着層を形成する易接着層形成用組成物としては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステルウレタン系樹脂、アクリル系樹脂等を含む組成物が挙げられる。易接着層形成用組成物には、必要に応じて、架橋剤、光重合開始剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等を含有してもよい。
　易接着層の厚さとしては、好ましくは０．０１～１０μｍ、より好ましくは０．０３～５μｍである。なお、易接着層の厚さは、基材の厚さに対して小さく、材質も柔らかいため、ヤング率に与える影響は小さく、基材のヤング率は、易接着層を有する場合でも、樹脂フィルムのヤング率と実質的に同一である。
［緩衝層］
　緩衝層は、半導体ウエハの研削による振動を緩和して、半導体ウエハに割れ及び欠けが生じることを防止する。また、粘着テープを貼付した半導体ウエハは、裏面研削時に、真空テーブル上に配置されるが、粘着テープは緩衝層を設けたことで、真空テーブルに適切に保持されやすくなる。
　本発明の緩衝層は、２３℃における貯蔵弾性率が１００～１５００ＭＰａであることが好ましく、２００～１２００ＭＰａであることがより好ましい。また、緩衝層の応力緩和率は、７０～１００％が好ましく、７８～９８％であることがより好ましい。
　緩衝層が、上記範囲内の貯蔵弾性率及び応力緩和率を有することで、粘着テープが貼付された半導体ウエハとチャックテーブルの間に挟み込んでしまった微細異物の凹凸や、裏面研削時に生じる砥石の振動や衝撃を緩衝層が吸収する効果が高くなる。そのため、上記のように、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以下となり緩衝層の厚みが薄い場合でも、裏面研削時に生じるチップ欠けを防止しやすくなる。
　緩衝層の－５～１２０℃における動的粘弾性のｔａｎδの最大値（以下、単に「ｔａｎδの最大値」ともいう）は、好ましくは０．７以上、より好ましくは０．８以上、更に好ましくは１．０以上である。なお、ｔａｎδの最大値の上限は、特に限定されないが、通常、２．０以下である。
　緩衝層のｔａｎδの最大値が０．７以上であれば、裏面研削時に生じる砥石の振動や衝撃を緩衝層が吸収する効果が高くなる。そのため、先ダイシング法において、半導体ウエハ又は個片化された半導体チップを、極薄になるまで研削しても、チップの角等において欠けが生じたりすることを防止しやすくなる。
　なお、ｔａｎδは損失正接と呼ばれ、「損失弾性率／貯蔵弾性率」で定義され、動的粘弾性測定装置により対象物に与えた引張り応力やねじり応力等の応力に対する応答によって測定される値であり、具体的には実施例に記載の方法により測定された値を意味する。
　緩衝層の厚さ（Ｄ２）は、８～４０μｍであることが好ましく、１０～３５μｍであることがさらに好ましい。緩衝層の厚さを８μｍ以上とすることで、緩衝層が裏面研削時の振動を適切に緩衝できるようになる。また、４０μｍ以下であることで、テープ総厚、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）を上記した所定の値に調製しやすくなる。
　緩衝層は、エネルギー線重合性化合物を含む緩衝層形成用組成物から形成される層であることが好ましい。緩衝層は、エネルギー線重合性化合物を含むことで、エネルギー線が照射されることで硬化することが可能になる。なお、「エネルギー線」とは、紫外線、電子線等を指し、好ましくは紫外線を使用する。
　また、緩衝層形成用組成物は、より具体的には、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２）を含むことが好ましい。緩衝層形成用組成物は、これら２成分を含有することで、緩衝層の弾性率、緩衝層の応力緩和率、及びｔａｎδの最大値を上記した範囲内としやすくなる。また、緩衝層形成用組成物は、これら観点から、上記（ａ１）及び（ａ２）成分に加えて、官能基を有する重合性化合物（ａ３）を含有することがより好ましい。
　また、緩衝層形成用組成物は、上記（ａ１）及び（ａ２）又は（ａ１）～（ａ３）成分に加えて、光重合開始剤を含有することがさらに好ましく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤や樹脂成分を含有してもよい。
　以下、緩衝層形成用組成物中に含まれる各成分について詳細に説明する。
（ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１））
　ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）としては、少なくとも（メタ）アクリロイル基及びウレタン結合を有する化合物であり、エネルギー線照射により重合硬化する性質を有するものである。ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）は、オリゴマー等のポリマーである。
　成分（ａ１）の質量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００～１００，０００、より好ましくは２，０００～６０，０００、更に好ましくは３，０００～２０，０００である。また、成分（ａ１）中の（メタ）アクリロイル基数（以下、「官能基数」ともいう）としては、単官能、２官能、もしくは３官能以上でもよいが、単官能又は２官能であることが好ましい。
　成分（ａ１）は、例えば、ポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得ることができる。なお、成分（ａ１）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　成分（ａ１）の原料となるポリオール化合物は、ヒドロキシ基を２つ以上有する化合物であれば特に限定されない。具体的なポリオール化合物としては、例えば、アルキレンジオール、ポリエーテル型ポリオール、ポリエステル型ポリオール、ポリカーボネート型ポリオール等が挙げられる。これらの中でも、ポリエステル型ポリオールが好ましい。
　なお、ポリオール化合物としては、２官能のジオール、３官能のトリオール、４官能以上のポリオールのいずれであってもよいが、２官能のジオールが好ましく、ポリエステル型ジオールがより好ましい。
　多価イソシアネート化合物としては、例えば、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族系ポリイソシアネート類；イソホロンジイソシアネート、ノルボルナンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、ω，ω’－ジイソシアネートジメチルシクロヘキサン等の脂環族系ジイソシアネート類；４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、トリジンジイソシアネート、テトラメチレンキシリレンジイソシアネート、ナフタレン－１，５－ジイソシアネート等の芳香族系ジイソシアネート類等が挙げられる。
　これらの中でも、イソホロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートが好ましい。
　上述のポリオール化合物と、多価イソシアネート化合物とを反応させて得られる末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させてウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）を得ることができる。ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、少なくとも１分子中にヒドロキシ基及び（メタ）アクリロイル基を有する化合物であれば、特に限定されない。
　具体的なヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、５－ヒドロキシシクロオクチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェニルオキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド等のヒドロキシ基含有（メタ）アクリルアミド；ビニルアルコール、ビニルフェノール、ビスフェノールＡのジグリシジルエステルに（メタ）アクリル酸を反応させて得られる反応物等が挙げられる。
　これらの中でも、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　末端イソシアネートウレタンプレポリマー及びヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させる条件としては、必要に応じて添加される溶剤、触媒の存在下、６０～１００℃で、１～４時間反応させる条件が好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ１）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは１０～７０質量％、より好ましくは２０～６０質量％、更に好ましくは２５～５５質量％、より更に好ましくは３０～５０質量％である。
（環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２））
　成分（ａ２）は、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物であり、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。この成分（ａ２）を用いることで、得られる緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させることができる。
　成分（ａ２）が有する脂環基又は複素環基の環形成原子数は、好ましくは６～２０であるが、より好ましくは６～１８、更に好ましくは６～１６、より更に好ましくは７～１２である。当該複素環基の環構造を形成する原子としては、例えば、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
　なお、環形成原子数とは、原子が環状に結合した構造の化合物の当該環自体を構成する原子の数を表し、環を構成しない原子（例えば、環を構成する原子に結合した水素原子）や、当該環が置換基によって置換される場合の置換基に含まれる原子は環形成原子数には含まない。
　具体的な成分（ａ２）としては、例えば、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシ（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、アダマンタン（メタ）アクリレート等の脂環基含有（メタ）アクリレート；テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、モルホリン（メタ）アクリレート等の複素環基含有（メタ）アクリレート；等が挙げられる。
　なお、成分（ａ２）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、脂環基含有（メタ）アクリレートが好ましく、イソボルニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）の含有量は、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは１０～７０質量％、より好ましくは２０～６０質量％、更に好ましくは２５～５５質量％、より更に好ましくは３０～５０質量％である。
（官能基を有する重合性化合物（ａ３））
　成分（ａ３）は、水酸基、エポキシ基、アミド基、アミノ基等の官能基を含有する重合性化合物であり、さらには、少なくとも１つの（メタ）アクリロイル基を有する化合物であることが好ましい。
　成分（ａ３）は、成分（ａ１）との相溶性が良好であり、緩衝層形成用組成物の粘度を適度な範囲に調整しやすくなる。また、当該組成物から形成される緩衝層の弾性率やｔａｎδの値を上記した範囲としやすくなり、緩衝層を比較的薄くしても緩衝性能が良好になる。
　成分（ａ３）としては、例えば、水酸基含有（メタ）アクリレート、エポキシ基含有化合物、アミド基含有化合物、アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　水酸基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　エポキシ基含有化合物としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート、アリルグリシジルエーテル等が挙げられ、これらの中では、グリシジル（メタ）アクリレート、メチルグリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリレートが好ましい。
　アミド基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ－メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ－ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド等が挙げられる。
　アミノ基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、第１級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第２級アミノ基含有（メタ）アクリレート、第３級アミノ基含有（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　これらの中でも、水酸基含有（メタ）アクリレートが好ましく、フェニルヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート等の芳香環を有する水酸基含有（メタ）アクリレートがより好ましい。
　なお、成分（ａ３）は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中の成分（ａ３）の含有量は、緩衝層の弾性率及び応力緩和率を上述の範囲としやすくし、かつ、緩衝層形成用組成物の成膜性を向上させるために、緩衝層形成用組成物の全量（１００質量％）に対して、好ましくは５～４０質量％、より好ましくは７～３５質量％、更に好ましくは１０～３０質量％、より更に好ましくは１３～２５質量％である。
　また、緩衝層形成用組成物中の成分（ａ２）と成分（ａ３）との含有量比〔（ａ２）／（ａ３）〕は、好ましくは０．５～３．０、より好ましくは１．０～３．０、更に好ましくは１．３～３．０、より更に好ましくは１．５～２．８である。
（成分（ａ１）～（ａ３）以外の重合性化合物）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、上記の成分（ａ１）～（ａ３）以外のその他の重合性化合物を含有してもよい。
　その他の重合性化合物としては、例えば、炭素数１～２０のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート；スチレン、ヒドロキシエチルビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、Ｎ－ビニルホルムアミド、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のビニル化合物：等が挙げられる。なお、これらのその他の重合性化合物は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　緩衝層形成用組成物中のその他の重合性化合物の含有量は、好ましくは０～２０質量％、より好ましくは０～１０質量％、更に好ましくは０～５質量％、より更に好ましくは０～２質量％である。
（光重合開始剤）
　緩衝層形成用組成物には、緩衝層を形成する際、光照射による重合時間を短縮させ、また、光照射量を低減させる観点から、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　緩衝層形成用組成物中の光重合開始剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０５～１５質量部、より好ましくは０．１～１０質量部、更に好ましくは０．３～５質量部である。
（その他の添加剤）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、緩衝層形成用組成物中の各添加剤の含有量は、エネルギー線重合性化合物の合計量１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部、より好ましくは０．１～３質量部である。
（樹脂成分）
　緩衝層形成用組成物には、本発明の効果を損なわない範囲において、樹脂成分を含有してもよい。樹脂成分としては、例えば、ポリエン・チオール系樹脂や、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、及びスチレン系共重合体等の熱可塑性樹脂等が挙げられる。
　緩衝層形成用組成物中のこれらの樹脂成分の含有量は、好ましくは０～２０質量％、より好ましくは０～１０質量％、更に好ましくは０～５質量％、より更に好ましくは０～２質量％である。
［粘着剤層］
　粘着剤層は、２３℃における弾性率が０．１０～０．５０ＭＰａであるものが好ましい。半導体ウエハの表面には、回路等が形成され通常凹凸がある。粘着テープは、弾性率が上記範囲内となることで、凹凸があるウエハ表面に貼付される際、ウエハ表面の凹凸と粘着剤層とを十分に接触させ、かつ粘着剤層の接着性を適切に発揮させることが可能になる。そのため、粘着テープの半導体ウエハへの固定を確実に行い、かつ裏面研削時にウエハ表面を適切に保護することが可能になる。これらの観点から、粘着剤層の弾性率は、０．１２～０．３５ＭＰａであることがより好ましい。なお、粘着剤層の弾性率とは、粘着剤層がエネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線照射による硬化前の弾性率を意味し、後述する実施例の測定法により測定されて得た貯蔵弾性率の値である。
　粘着剤層の厚さ（Ｄ３）は、７０μｍ以下が好ましく、４０μｍ未満であることがより好ましく、３５μｍ以下がさらに好ましく、３０μｍ以下が特に好ましい。また、厚さ（Ｄ３）は、５μｍ以上が好ましく、１０μｍ以上がさらに好ましい。粘着剤層をこのように薄くすると、テープ総厚を上記したように１６０μｍ以下としやすくなる。また、粘着テープにおいて、剛性の低い部分の割合を少なくすることができるため、裏面研削時に生じる半導体チップの欠けを一層防止しやすくなる。
　粘着剤層は、例えば、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤等から形成されるが、アクリル系粘着剤が好ましい。
　また、粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることが好ましい。粘着剤層は、エネルギー線硬化性粘着剤から形成されることで、エネルギー線照射による硬化前には、２３℃における弾性率を上記範囲に設定しつつ、硬化後においては剥離力を１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下に容易に設定することが可能になる。
　エネルギー線硬化性粘着剤としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（「粘着性樹脂Ｉ」ともいう）に加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「Ｘ型の粘着剤組成物」ともいう）が使用可能である。また、エネルギー線硬化性粘着剤として、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂の側鎖に不飽和基を導入したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（以下、「粘着性樹脂II」ともいう）を主成分として含み、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物を含まない粘着剤組成物（以下、「Ｙ型の粘着剤組成物」ともいう）も使用してもよい。
　さらに、エネルギー線硬化性粘着剤としては、Ｘ型とＹ型の併用型、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着性樹脂IIに加え、粘着性樹脂以外のエネルギー線硬化性化合物も含むエネルギー線硬化性粘着剤組成物（以下、「ＸＹ型の粘着剤組成物」ともいう）を使用してもよい。
　これらの中では、ＸＹ型の粘着剤組成物を使用することが好ましい。ＸＹ型のものを使用することで、硬化前においては十分な粘着特性を有する一方で、硬化後においては、半導体ウエハに対する剥離力を十分に低くすることが可能である。
　ただし、粘着剤としては、エネルギー性を照射しても硬化しない非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物から形成してもよい。非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物は、少なくとも非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉを含有する一方、上記したエネルギー線硬化性の粘着性樹脂II及びエネルギー線硬化性化合物を含有しないものである。
　なお、以下の説明において“粘着性樹脂”は、上記した粘着性樹脂Ｉ及び粘着性樹脂IIの一方又は両方を指す用語として使用する。具体的な粘着性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン系樹脂等が挙げられるが、アクリル系樹脂が好ましい。
　以下、粘着性樹脂として、アクリル系樹脂が使用されるアクリル系粘着剤についてより詳述に説明する。
　アクリル系樹脂には、アクリル系重合体（ｂ）が使用される。アクリル系重合体（ｂ）は、少なくともアルキル（メタ）アクリレートを含むモノマーを重合して得たものであり、アルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む。アルキル（メタ）アクリレートとしては、アルキル基の炭素数が１～２０のものが挙げられ、アルキル基は直鎖であってもよいし、分岐であってもよい。アルキル（メタ）アクリレートの具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ－プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）メタクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ－オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート等が挙げられる。アルキル（メタ）アクリレートは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、粘着剤層の粘着力を向上させる観点から、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含むことが好ましい。該アルキル（メタ）アクリレートの炭素数としては、好ましくは４～１２、更に好ましくは４～６である。また、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アルキルアクリレートであることが好ましい。
　アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレートは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量（以下単に“モノマー全量”ともいう）に対して、好ましくは４０～９８質量％、より好ましくは４５～９５質量％、更に好ましくは５０～９０質量％である。
　アクリル系重合体（ｂ）は、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位に加えて、粘着剤層の弾性率や粘着特性を調整するために、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位を含む共重合体であることが好ましい。なお、該アルキル（メタ）アクリレートは、炭素数１又は２のアルキル（メタ）アクリレートであることが好ましく、メチル（メタ）アクリレートがより好ましく、メチルメタクリレートが最も好ましい。アクリル系重合体（ｂ）において、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレートは、モノマー全量に対して、好ましくは１～３０質量％、より好ましくは３～２６質量％、更に好ましくは６～２２質量％である。
　アクリル系重合体（ｂ）は、上記したアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位に加えて、官能基含有モノマー由来の構成単位を有することが好ましい。官能基含有モノマーの官能基としては、水酸基、カルボキシ基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。官能基含有モノマーは、後述の架橋剤と反応し、架橋起点となったり、不飽和基含有化合物と反応して、アクリル系重合体（ｂ）の側鎖に不飽和基を導入させたりすることが可能である。
　官能基含有モノマーとしては、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマー、アミノ基含有モノマー、エポキシ基含有モノマー等が挙げられる。これらのモノマーは、単独で又は２種以上組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、水酸基含有モノマー、カルボキシ基含有モノマーが好ましく、水酸基含有モノマーがより好ましい。
　水酸基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；ビニルアルコール、アリルアルコール等の不飽和アルコール等が挙げられる。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸、クロトン酸等のエチレン性不飽和モノカルボン酸；フマル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和ジカルボン酸及びその無水物、２－カルボキシエチルメタクリレート等が挙げられる。
　官能基モノマーは、アクリル系重合体（ｂ）を構成するモノマー全量に対して、好ましくは１～３５質量％、より好ましくは３～３２質量％、更に好ましくは６～３０質量％である。
　また、アクリル系重合体（ｂ）は、上記以外にも、スチレン、α－メチルスチレン、ビニルトルエン、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、アクリロニトリル、アクリルアミド等の上記のアクリル系モノマーと共重合可能なモノマー由来の構成単位を含んでもよい。
　上記アクリル系重合体（ｂ）は、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂Ｉ（アクリル系樹脂）として使用することができる。また、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂としては、上記アクリル系重合体（ｂ）の官能基に、光重合性不飽和基を有する化合物（不飽和基含有化合物ともいう）を反応させたものが挙げられる。
　不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基と結合可能な置換基、及び光重合性不飽和基の双方を有する化合物である。光重合性不飽和基としては、（メタ）アクリロイル基、ビニル基、アリル基等が挙げられるが、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
　また、不飽和基含有化合物が有する、官能基と結合可能な置換基としては、イソシアネート基やグリシジル基等が挙げられる。したがって、不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　また、不飽和基含有化合物は、アクリル系重合体（ｂ）の官能基の一部に反応することが好ましく、具体的には、アクリル系重合体（ｂ）が有する官能基の５０～９８モル％に、不飽和基含有化合物を反応させることが好ましく、５５～９３モル％反応させることがより好ましい。このように、エネルギー線硬化性アクリル系樹脂において、官能基の一部が不飽和基含有化合物と反応せずに残存することで、架橋剤によって架橋されやすくなる。
　なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは３０万～１６０万、より好ましくは４０万～１４０万、更に好ましくは５０万～１２０万である。
（エネルギー線硬化性化合物）
　Ｘ型又はＸＹ型の粘着剤組成物に含有されるエネルギー線硬化性化合物としては、分子内に不飽和基を有し、エネルギー線照射により重合硬化可能なモノマー又はオリゴマーが好ましい。
　このようなエネルギー線硬化性化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレートモノマー、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート，ポリエーテル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート等のオリゴマーが挙げられる。
　これらの中でも、比較的分子量が高く、粘着剤層の弾性率を低下させにくい観点から、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。
　エネルギー線硬化性化合物の分子量（オリゴマーの場合は重量平均分子量）は、好ましくは１００～１２０００、より好ましくは２００～１００００、更に好ましくは４００～８０００、より更に好ましくは６００～６０００である。
　Ｘ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは４０～２００質量部、より好ましくは５０～１５０質量部、更に好ましくは６０～９０質量部である。
　一方で、ＸＹ型の粘着剤組成物におけるエネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは１～３０質量部、より好ましくは２～２０質量部、更に好ましくは３～１５質量部である。ＸＹ型の粘着剤組成物では、粘着性樹脂が、エネルギー線硬化性であるため、エネルギー線硬化性化合物の含有量が少なくても、エネルギー線照射後、十分に剥離力を低下させることが可能である。
（架橋剤）
　粘着剤組成物は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。架橋剤は、例えば粘着性樹脂が有する官能基モノマー由来の官能基に反応して、粘着性樹脂同士を架橋するものである。架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等、及びそれらのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤；ヘキサ〔１－（２－メチル）－アジリジニル〕トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤；アルミニウムキレート等のキレート系架橋剤；等が挙げられる。これらの架橋剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、凝集力を高めて粘着力を向上させる観点、及び入手し易さ等の観点から、イソシアネート系架橋剤が好ましい。
　架橋剤の配合量は、架橋反応を促進させる観点から、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～７質量部、更に好ましくは０．０５～４質量部である。
（光重合開始剤）
　また、粘着剤組成物がエネルギー線硬化性である場合には、粘着剤組成物は、さらに光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤を含有することで、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線でも、粘着剤組成物の硬化反応を十分に進行させることができる。
　光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン化合物、アセトフェノン化合物、アシルフォスフィノキサイド化合物、チタノセン化合物、チオキサントン化合物、パーオキサイド化合物、さらには、アミンやキノン等の光増感剤等が挙げられ、より具体的には、例えば、１－ヒドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロルニトリル、ジベンジル、ジアセチル、８－クロールアンスラキノン、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシド等が挙げられる。
　これらの光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　光重合開始剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～１０質量部、より好ましくは０．０３～５質量部、更に好ましくは０．０５～５質量部である。
（その他の添加剤）
　粘着性組成物は、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の添加剤を含有してもよい。その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填剤、防錆剤、顔料、染料等が挙げられる。これらの添加剤を配合する場合、添加剤の配合量は、粘着性樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～６質量部である。
　また、粘着性組成物は、基材や剥離シートへの塗布性を向上させる観点から、更に有機溶媒で希釈して、粘着性組成物の溶液の形態としてもよい。
　有機溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサン、ｎ－ヘキサン、トルエン、キシレン、ｎ－プロパノール、イソプロパノール等が挙げられる。
　なお、これらの有機溶媒は、粘着性樹脂の合成時に使用された有機溶媒をそのまま用いてもよいし、該粘着剤組成物の溶液を均一に塗布できるように、合成時に使用された有機溶媒以外の１種以上の有機溶媒を加えてもよい。
［剥離シート］
　粘着テープの表面には、剥離シートが貼付されていてもよい。剥離シートは、具体的には、粘着テープの粘着剤層の表面、及び緩衝層の表面の少なくとも一方に貼付される。剥離シートは、これら表面に貼付されることで粘着剤層及び緩衝層を保護する。剥離シートは、剥離可能に粘着テープに貼付されており、粘着テープが使用される前（すなわち、ウエハ裏面研削前）には、粘着テープから剥離されて取り除かれる。
　剥離シートは、少なくとも一方の面が剥離処理をされた剥離シートが用いられ、具体的には、剥離シート用基材の表面上に剥離剤を塗布したもの等が挙げられる。
　剥離シート用基材としては、樹脂フィルムが好ましく、当該樹脂フィルムを構成する樹脂としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂フィルム、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン樹脂等が挙げられる。剥離剤としては、例えば、シリコーン系樹脂、オレフィン系樹脂、イソプレン系樹脂、ブタジエン系樹脂等のゴム系エラストマー、長鎖アルキル系樹脂、アルキド系樹脂、フッ素系樹脂等が挙げられる。
　剥離シートの厚さは、特に制限ないが、好ましくは１０～２００μｍ、より好ましくは２０～１５０μｍである。
（粘着テープの製造方法）
　本発明の粘着テープの製造方法としては、特に制限はなく、公知の方法により製造することができる。
　例えば、剥離シート上に設けた緩衝層と、剥離シート上に設けた粘着剤層とを、基材の両面それぞれに貼り合わせ、緩衝層及び粘着剤層の両表面に剥離シートが貼付された粘着テープを製造することができる。緩衝層及び粘着剤層の両表面に貼付される剥離シートは、粘着テープの使用前に適宜剥離して除去すればよい。
　剥離シート上に緩衝層又は粘着剤層を形成する方法としては、剥離シート上に緩衝層形成用組成物又は粘着剤（粘着剤組成物）を、公知の塗布方法にて、直接塗布して塗布膜を形成し、この塗布膜にエネルギー線を照射し、又は加熱乾燥することで、緩衝層又は粘着剤層を形成することができる。
　また、基材の両面それぞれに、緩衝層形成用組成物及び粘着剤（粘着剤組成物）それぞれを直接塗布して、緩衝層及び粘着剤層を形成してもよい。さらには、基材の一方の面に、緩衝層形成用組成物又は粘着剤（粘着剤組成物）を直接塗布して緩衝層及び粘着剤層を形成するとともに、基材の他方の面に、剥離シート上に設けた粘着剤層又は緩衝層を貼り合せてもよい。
　緩衝層形成用組成物及び粘着剤の塗布方法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法、ナイフコート法、ロールコート法、ブレードコート法、ダイコート法、グラビアコート法等が挙げられる。また、塗布性を向上させるために、緩衝層形成用組成物や粘着剤組成物に対して有機溶媒を配合し、溶液の形態として、剥離シート上に塗布してもよい。
　緩衝層形成用組成物がエネルギー線重合性化合物を含む場合、緩衝層形成用組成物の塗布膜に対して、エネルギー線を照射することで硬化させ、緩衝層を形成することが好ましい。緩衝層の硬化は、一度の硬化処理で行ってもよいし、複数回に分けて行ってもよい。例えば、剥離シート上の塗布膜を完全に硬化させて緩衝層を形成した後に基材に貼り合わせてもよく、当該塗布膜を完全に硬化させずに半硬化の状態の緩衝層形成膜を形成し、当該緩衝層形成膜を基材に貼り合わせた後、再度エネルギー線を照射して完全に硬化させて緩衝層を形成してもよい。当該硬化処理で照射するエネルギー線としては、紫外線が好ましい。なお、硬化する際は、緩衝層形成用組成物の塗布膜が暴露された状態でもよいが、剥離シートや基材で塗布膜が覆われ、塗布膜が暴露されない状態でエネルギー線を照射して硬化することが好ましい。
［半導体装置の製造方法］
　本発明の粘着テープは、上記したように、先ダイシング法において、半導体ウエハの表面に貼付してウエハの裏面研削が行われる際に使用されるものであるが、より具体的には、半導体装置の製造方法において使用される。
　本発明の半導体装置の製造方法は、具体的には、以下の工程１～工程４を少なくとも備える。
工程１：上記の粘着テープを、半導体ウエハの表面に貼付する工程
工程２：半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程
工程３：粘着テープが表面に貼付され、かつ上記溝又は改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、溝又は改質領域を起点として、複数のチップに個片化させる工程
工程４：個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、粘着テープを剥離する工程
以下、上記半導体装置の製造方法の各工程を詳細に説明する。
（工程１）
　工程１では、半導体ウエハ表面に、本発明の粘着テープを粘着剤層を介して貼付する。本工程は、後述する工程２の前に行われてもよいが、工程２の後に行ってもよい。例えば、半導体ウエハに改質領域を形成する場合には、工程１を工程２の前に行うことが好ましい。一方で、半導体ウエハ表面に、ダイシング等により溝を形成する場合には、工程２の後に工程１を行う。すなわち、後述する工程２で形成した溝を有するウエハの表面に、本工程１にて粘着テープを貼付することになる。
　本製造方法で用いられる半導体ウエハはシリコンウエハであってもよいし、またガリウム・砒素などのウエハや、ガラスウエハであってもよい。半導体ウエハの研削前の厚さは特に限定されないが、通常は５００～１０００μｍ程度である。また、半導体ウエハは、通常、その表面に回路が形成されている。ウエハ表面への回路の形成は、エッチング法、リフトオフ法などの従来汎用されている方法を含む様々な方法により行うことができる。
（工程２）
　工程１では、半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面又は裏面から半導体ウエハの内部に改質領域を形成する。
　本工程で形成される溝は、半導体ウエハの厚さより浅い深さの溝である。溝の形成は、従来公知のウエハダイシング装置等を用いてダイシングにより行うことが可能である。また、半導体ウエハは、後述する工程３において、溝に沿って複数の半導体チップに分割される。
　また、改質領域は、半導体ウエハにおいて、脆質化された部分であり、研削工程における研削によって、半導体ウエハが薄くなったり、研削による力が加わったりすることにより半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化される起点となる領域である。すなわち、工程２において溝及び改質領域は、後述する工程３において、半導体ウエハが分割されて半導体チップに個片化される際の分割線に沿うように形成される。
　改質領域の形成は、半導体ウエハの内部に焦点を合わせたレーザーの照射により行い、改質領域は、半導体ウエハの内部に形成される。レーザーの照射は、半導体ウエハの表面側から行っても、裏面側から行ってもよい。なお、改質領域を形成する態様において、工程２を工程１の後に行いウエハ表面からレーザー照射を行う場合、粘着テープを介して半導体ウエハにレーザーを照射することになる。
　粘着テープが貼付され、かつ溝又は改質領域を形成した半導体ウエハは、チャックテーブル上に載せられ、チャックテーブルに吸着されて保持される。この際、半導体ウエハは、表面側がテーブル側に配置されて吸着される。
（工程３）
　工程1及び工程２の後、チャックテーブル上の半導体ウエハの裏面を研削して、半導体ウエハを複数の半導体チップに個片化する。
　ここで、裏面研削は、半導体ウエハに溝が形成される場合には、少なくとも溝の底部に至る位置まで半導体ウエハを薄くするように行う。この裏面研削により、溝は、ウエハを貫通する切り込みとなり、半導体ウエハは切り込みにより分割されて、個々の半導体チップに個片化される。
　一方、改質領域が形成される場合には、研削によって研削面（ウエハ裏面）は、改質領域に至ってもよいが、厳密に改質領域まで至らなくてもよい。すなわち、改質領域を起点として半導体ウエハが破壊されて半導体チップに個片化されるように、改質領域に近接する位置まで研削すればよい。例えば、半導体チップの実際の個片化は、後述するビップアップテープを貼付してからビップアップテープを延伸することで行ってもよい。
　個片化された半導体チップの形状は、方形でもよいし、矩形等の細長形状となっていてもよい。また、個片化された半導体チップの厚さは特に限定されないが、好ましくは５～１００μｍ程度であるが、より好ましくは１０～４５μｍである。また、個片化された半導体チップの大きさは、特に限定されないが、チップサイズが好ましくは５０ｍｍ2未満、より好ましくは３０ｍｍ2未満、さらに好ましくは１０ｍｍ2未満である。
　本発明の粘着テープを使用すると、このように薄型及び／又は小型の半導体チップであっても、裏面研削時（工程３）、及び粘着テープ剥離時（工程４）に半導体チップに欠けが生じることが防止される。
（工程４）
　次に、個片化された半導体ウエハ（すなわち、複数の半導体チップ）から、半導体加工用粘着テープを剥離する。本工程は、例えば、以下の方法により行う。
　まず、粘着テープの粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される場合には、エネルギー線を照射して粘着剤層を硬化する。次いで、個片化された半導体ウエハの裏面側に、ピックアップテープを貼付し、ピックアップが可能なように位置及び方向合わせを行う。この際、ウエハの外周側に配置したリングフレームもピックアープテープに貼り合わせ、ピックアップテープの外周縁部をリングフレームに固定する。ピックアップテープには、ウエハとリングフレームを同時に貼り合わせてもよいし、別々のタイミングで貼り合わせてもよい。次いで、ピックアップテープ上に固定された複数の半導体チップから粘着テープを剥離する。
　その後、ピックアップテープ上にある複数の半導体チップをピックアップし基板等の上に固定化して、半導体装置を製造する。
　なお、ピックアップテープは、特に限定されないが、例えば、基材と、基材の一方の面に設けられた粘着剤層を備える粘着シートによって構成される。
　以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。
　本発明における測定方法、評価方法は以下のとおりである。
［質量平均分子量（Ｍｗ）］
　ゲル浸透クロマトグラフ装置（東ソー株式会社製、製品名「ＨＬＣ－８０２０」）を用いて、下記の条件下で測定し、標準ポリスチレン換算にて測定した値を用いた。
（測定条件）
・カラム：「ＴＳＫ　ｇｕａｒｄ　ｃｏｌｕｍｎ　ＨＸＬ－Ｈ」「ＴＳＫ　ｇｅｌ　ＧＭＨＸＬ（×２）」「ＴＳＫ　ｇｅｌ　Ｇ２０００ＨＸＬ」（いずれも東ソー株式会社製）
・カラム温度：４０℃
・展開溶媒：テトラヒドロフラン
・流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
［基材のヤング率］
　試験速度２００ｍｍ／分でＪＩＳＫ－７１２７（１９９９）に準拠して、基材のヤング率を測定した。
［緩衝層の弾性率、及びｔａｎδの最大値］
　基材の代わりに、剥離シート（リンテック株式会社製、商品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」、厚さ：３８μｍ）を用い、かつ、得られる緩衝層の厚さを２００μｍとした以外は、後述する実施例、比較例の緩衝層と同様の方法で、試験用緩衝層を作製した。試験用緩衝層上の剥離シートを除去した後、所定の大きさに切断した試験片を用いて、動的粘弾性装置（オリエンテック社製、商品名「Ｒｈｅｏｖｉｂｒｏｎ　ＤＤＶ－ＩＩ－ＥＰ１」）により、周波数１１Ｈｚで、温度範囲－２０～１５０℃における、損失弾性率及び貯蔵弾性率を測定した。
　各温度の「損失弾性率／貯蔵弾性率」の値を、その温度のｔａｎδとして算出し、－５～１２０℃の範囲におけるｔａｎδの最大値を、「緩衝層のｔａｎδの最大値」とした。
［緩衝層の応力緩和率］
　上記と同様に試験用緩衝層を剥離シート上に作製し、１５ｍｍ×１４０ｍｍにカットしてサンプルを形成した。万能引張試験機（ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製オートグラフＡＧ－１０ｋＮＩＳ）を用いて、このサンプルの両端２０ｍｍを掴み、毎分２００ｍｍの速度で引っ張り、１０％伸張したときの応力Ａ（Ｎ／ｍ２）と、テープの伸張停止から１分後の応力Ｂ（Ｎ／ｍ２）とを測定した。これらの応力Ａ、Ｂの値から、（Ａ－Ｂ）／Ａ×１００（％）を応力緩和率として算出した。
［粘着剤層の弾性率］
　粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製、装置名「ＤＹＮＡＭＩＣ　ＡＮＡＬＹＺＥＲ　ＲＤＡII」）を用いて、実施例及び比較例で用いた粘着剤組成物の溶液から形成された単層の粘着剤層を積層させて得た直径８ｍｍ×厚さ３ｍｍサイズのサンプルを、１Ｈｚで２３℃の環境下で貯蔵弾性率Ｇ’をねじりせん断法により測定し、得られた値を粘着剤層の弾性率とした。
［剥離力測定］
　実施例、比較例で得られた剥離シート付粘着テープを長さ２５０ｍｍ、幅５０ｍｍに裁断し、剥離シートを剥がして、粘着テープを２ｋｇのゴムロールを用いて８インチのシリコンミラーウエハに貼付した。２０分静置した後、紫外線照射装置（リンテック株式会社製、商品名「ＲＡＤ－２０００」）で照度２３０ｍＷ／ｃｍ2、光量３８０ｍＪ／ｃｍ2の条件でテープ側から紫外線照射を行った。紫外線照射により、粘着剤層が硬化した粘着テープを万能試験機（エーアンドディー社製、商品名「テンシロン」）により、剥離速度４ｍｍ／ｓｅｃ、剥離角度１８０°で剥離し、剥離力を測定した。なお、本試験は、室温（２３℃）、５０％ＲＨ条件下で行った。
［粘着テープの厚さ測定］
定圧厚さ測定器(テクロック社製、ＰＧ－０２)により粘着テープの総厚、基材、粘着剤層、及び緩衝層の厚さを測定した。この際、任意の１０点を測定し、平均値を算出した。
　なお、本実施例において、粘着テープの総厚は、剥離シート付き粘着テープの厚さを測定し、その厚さから剥離シートの厚さを減じた値である。さらに、緩衝層の厚さは、緩衝層付き基材の厚さから、基材の厚さを減じた値である。また、粘着剤層の厚さは、粘着テープ総厚から緩衝層及び基材の厚さを減じた値である。
（性能評価）
［チッピング試験１］
　直径１２インチ（３０．４８ｃｍ）のシリコンウエハのウエハ表面から溝を形成し、その後粘着テープをウエハ表面に貼付して、裏面研削によりウエハを個片化する、先ダイシング法により厚さ３０μｍ、チップサイズ１ｍｍ角のチップに個片化した。その後粘着テープを剥離せず、ウエハ研削面から個片化されたチップの角部分をデジタル顕微鏡（株式会社キーエンス製　ＶＥ－９８００）により観察し、各チップの角のチッピングの有無を観察し、７００チップにおけるチッピング発生率を測定し、以下の評価基準で評価した。
　　　　　Ａ：１．０％未満、Ｂ：１．０～２．０％、Ｃ：２．０％超
［チップクラック試験２］
　まず、直径１２インチ（３０．４８ｃｍ）のシリコンウエハ表面に粘着テープを貼付した。次に、粘着テープを貼付した面の反対側の面からレーザーソーを用い、シリコンウエハに格子状の改質領域を形成した。なお、格子サイズは１ｍｍ角とした。続いて、裏面研削装置を用いて、厚みが３０μｍになるまで研削し、１ｍｍ角のチップに個片化した。研削工程後にエネルギー線照射を行い、粘着テープの貼付面の反対面にダイシングテープ（リンテック株式会社、商品名「Ｄ－８２１ＨＳ」）を貼付後、粘着テープを剥離せずに、ダイシングテープ越しに個片化されたチップをデジタル顕微鏡により観察し、各チップ角のチップクラックの有無を観察し、７００チップにおけるチップクラック発生率を測定し、以下の評価基準で評価した。
　　　　　Ａ：１．０％未満、Ｂ：１．０～２．０％、Ｃ：２．０％超
［剥離評価１］
　実施例、比較例で得られた剥離シート付粘着テープを、剥離シートを剥がしつつテープラミネーター（リンテック株式会社製、商品名「ＲＡＤ－３５１０」）にセットし、先ダイシング法によりウエハ表面に溝を形成した１２インチのシリコンウエハ（厚み７６０μｍ）に次の条件で貼付した。
　　　ロール高さ：０ｍｍ　　　　ロール温度：２３℃（室温）
　　　テーブル温度：２３℃（室温）
　得られた粘着テープ付シリコンウエハは、裏面研削（先ダイシング法）により厚さ３０μｍ、チップサイズ１ｍｍ角に個片化した。個片化済みのチップ付き粘着テープをダイシングテープマウンター（リンテック株式会社製、商品名「ＲＡＤ－２７００」）にてテープ側から紫外線照射（条件：２３０ｍＷ／ｃｍ2、３８０ｍＪ／ｃｍ2）を行い、粘着剤を硬化させた。その後、同じくＲＡＤ－２７００装置内で、チップ側からダイシングテープ（リンテック株式会社製、商品名「Ｄ－８２１ＨＳ」）を貼付した。この際、ピックアップ工程で使用するリングフレームと呼ばれる治具も合わせてピックアップテープに貼付した。次に、ＲＡＤ－２７００装置内にて、硬化済みの粘着テープを剥離した。粘着テープ剥離後のチップ７００個をダイシングテープ越しに、デジタル顕微鏡（株式会社キーエンス製、商品名「ＶＥ－９８００」）で観察して、チップの欠けの発生率を測定した。同発生率からチッピング試験１での発生率を差し引いた数値を剥離評価１の発生率とし、以下の評価基準で評価した。
　　　　　ＯＫ：１．０％未満、ＮＧ：１．０％以上
［剥離評価２］
実施例、比較例で得られた剥離シート付粘着テープを、剥離シートを剥がしつつテープラミネーター（リンテック株式会社製、商品名「ＲＡＤ－３５１０」）により、１２インチ（３０．４８ｃｍ）のシリコンウエハ（厚み７６０μｍ）に次の条件で貼付した。
　　　ロール高さ：０ｍｍ　　　　ロール温度：２３℃（室温）
　　　テーブル温度：２３℃（室温）
次に、テープを貼付した面の反対側の面からレーザーソーによりレーザー照射を行い、ウエハに格子状の改質領域を形成した。なお、格子サイズは１ｍｍ角とした。得られた粘着テープ付シリコンウエハは、裏面研削により厚さ３０μｍ、チップサイズ１ｍｍ角に個片化した。個片化済みのチップ付き粘着テープをダイシングテープマウンター（リンテック株式会社製、商品名「ＲＡＤ－２５１０」）にてテープ側から紫外線照射（条件：２３０ｍＷ／ｃｍ2、３８０ｍＪ／ｃｍ2）を行い、粘着剤を硬化させた。その後、同じくＲＡＤ－２５１０装置内で、チップ側からピックアップテープ（リンテック株式会社製、商品名「Ｄ－８２１ＨＳ」）を貼付した。この際、ピックアップ工程で使用するリングフレームも合わせてピックアップテープに貼付した。次に、ＲＡＤ－２５１０装置内にて、硬化済みの粘着テープを剥離した。粘着テープ剥離後のチップ７００個をダイシングテープ越しに、デジタル顕微鏡（株式会社キーエンス製、商品名「ＶＥ－９８００」）で観察して、チップクラックの発生率を測定した。同発生率からチップクラック試験１での発生率を差し引いた数値を剥離評価１の発生率とし、以下の評価基準で評価した。
　　　　　ＯＫ：１．０％未満、ＮＧ：１．０％以上
　なお、以下の実施例、及び比較例の質量部は全て固形分値である。
［実施例１］
（１）ウレタンアクリレート系オリゴマーの合成
　ポリエステルジオールと、イソホロンジイソシアネートを反応させて得られた末端イソシアネートウレタンプレポリマーに、２－ヒドロキシエチルアクリレートを反応させて、質量平均分子量（Ｍｗ）５０００の２官能のウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）を得た。
（２）緩衝層形成用組成物の調製
　上記で合成したウレタンアクリレート系オリゴマー（ＵＡ－１）４０質量部、イソボルニルアクリレート（ＩＢＸＡ）４０質量部、及びフェニルヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＰＡ）２０質量部を配合し、さらに光重合開始剤としての１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製、製品名「イルガキュア１８４」）２．０質量部、及びフタロシアニン系顔料０．２質量部を配合し、緩衝層形成用組成物を調製した。
（３）粘着剤組成物の調製
　ブチルアクリレート（ＢＡ）５２質量部、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２０質量部、及び２－ヒドロキシエチルアクリレート（ＨＥＡ）２８質量部を共重合して得たアクリル系重合体（ｂ）に、アクリル系重合体（ｂ）の全水酸基のうち９０モル％の水酸基に付加するように、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）を反応させて、エネルギー線硬化性のアクリル系樹脂（Ｍｗ：５０万）を得た。
　このエネルギー線硬化性のアクリル系樹脂１００質量部に、エネルギー線硬化性化合物である多官能ウレタンアクリレート（商品名．シコウＵＴ－４３３２、日本合成化学工業株式会社製）６重量部、イソシアネート系架橋剤（トーヨーケム株式会社製、商品名：ＢＨＳ－８５１５）を固形分基準で０．３７５質量部、ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキシドからなる光重合開始剤１重量部を添加し、溶剤で希釈することにより粘着剤組成物の塗工液を調整した。
（４）粘着テープの作製
　基材としての厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ヤング率：２５００ＭＰａ）の一方の面に、上記で得た緩衝層形成用組成物を塗工し、かつ照度１６０ｍＷ／ｃｍ2、照射量５００ｍＪ／ｃｍ2の条件で紫外線照射をすることで緩衝層形成用組成物を硬化させて、厚さ１３μｍの緩衝層を得た。
　また、剥離シート基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである剥離シート（リンテック株式会社製、商品名：ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１）の剥離処理面に、上記で得た粘着剤組成物の塗工液を乾燥後の厚さが２０μｍとなるように塗工し、加熱乾燥させて、剥離シート上に粘着剤層を形成した。この粘着剤層を、緩衝層付き基材の他方の面に貼付して、剥離シート付き粘着テープを得た。
　なお、粘着剤層の２３℃における弾性率は、０．１５ＭＰａであった。また、緩衝層の貯蔵弾性率は２５０ＭＰａ、応力緩和率は９０％、ｔａｎδの最大値は１．２４であった。
［実施例２～８、比較例１～１５］
　基材、緩衝層、及び粘着剤層の厚さを表１に記載されるように変更した点を除いて実施例１と同様に実施した。
　なお、各実施例及び比較例において基材としては、実施例１と同様のヤング率を有するポリエチレンテレフタレートフィルムを使用した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 表中の“－”は未実施であることを示す。
　以上のように、実施例１～８においては、粘着テープのテープ総厚が１６０μｍ以下、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以下、剥離力が１０００ｍＮ／２５ｍｍ以下であったため、チッピング試験、及び剥離評価の結果が良好であり、先ダイシング法において、半導体ウエハの裏面研削時、及び粘着テープの剥離時にチップ欠けが生じにくくなった。
　それに対して、比較例１～１０では、緩衝層の厚さが大きくなって、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７より大きかったため、チッピング試験において、チッピング発生率が高くなり、半導体ウエハの裏面研削時に半導体チップの欠けが生じやすくなった。さらには、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）が大きくなると、剥離力も大きくなる傾向があり、比較例３、４に示すように、粘着テープ剥離時に半導体チップに欠けが生じる可能性も高くなった。
　また、比較例１１～１３では、粘着テープのテープ総厚が大きかったため、剥離力が大きくなり、粘着テープ剥離時に半導体ウエハに欠けが生じた。さらに、比較例１４では、厚さ比（Ｄ２／Ｄ１）、及び粘着テープのテープ総厚のいずれも大きかったため、半導体ウエハの裏面研削時及び粘着テープ剥離時の両方で、半導体ウエハの欠け等が生じた。比較例１５でも、テープ総厚が大きいため、同様にチップ欠け等が生じた。

Claims (13)

  1. 　半導体ウエハ表面に溝が形成され、又は半導体ウエハに改質領域が形成された半導体ウエハの裏面を研削して、その研削により半導体ウエハを半導体チップに個片化する工程において、半導体ウエハの表面に貼付されて使用される半導体加工用粘着テープであって、
    　基材と、前記基材の一方の面に設けられる緩衝層と、前記基材の他方の面に設けられる粘着剤層とを備え、
    　半導体加工用粘着テープのテープ総厚が１６０μｍ以下であり、かつ前記緩衝層の厚さ（Ｄ２）の基材の厚さ（Ｄ１）に対する比（Ｄ２／Ｄ１）が０．７以下であるとともに、半導体ウエハに対する剥離力が１０００ｍＮ／５０ｍｍ以下である半導体加工用粘着テープ。
  2. 　前記基材のヤング率が１０００ＭＰａ以上である請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ。
  3. 　前記基材の厚さ（Ｄ１）が、１１０μｍ以下である請求項１又は２に記載の半導体加工用粘着テープ。
  4. 　前記基材が少なくともポリエチレンテレフタレートフィルムを有する請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  5. 　前記粘着剤層が、エネルギー線硬化性粘着剤から形成される請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  6. 　前記粘着剤層の２３℃における弾性率が０．１０～０．５０ＭＰａである請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  7. 　前記粘着剤層の厚さ（Ｄ３）が、７０μｍ以下である請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  8. 　前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が４以上であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位と、アルキル基の炭素数が１～３であるアルキル（メタ）アクリレート由来の構成単位と、官能基含有モノマー由来の構成単位とを有するアクリル系樹脂を含む粘着剤組成物から形成される請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  9. 　前記緩衝層の２３℃における貯蔵弾性率が１００～１５００ＭＰａである請求項１～８のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  10. 　前記緩衝層の応力緩和率が７０～１００％である請求項１～９のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  11. 　前記緩衝層が、ウレタン（メタ）アクリレート（ａ１）、環形成原子数６～２０の脂環基又は複素環基を有する重合性化合物（ａ２）、及び官能基を有する重合性化合物（ａ３）を含む緩衝層形成用組成物から形成される請求項１～１０のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープ。
  12. 　成分（ａ２）が、脂環基含有（メタ）アクリレートであるとともに、成分（ａ３）が、水酸基含有（メタ）アクリレートである請求項１１に記載の半導体加工用粘着テープ。
  13. 　請求項１～１２のいずれか１項に記載の半導体加工用粘着テープを、前記半導体ウエハの表面に貼付する工程と、
    　半導体ウエハの表面側から溝を形成し、又は半導体ウエハの表面若しくは裏面から半導体ウエハ内部に改質領域を形成する工程と、
    　前記半導体加工用粘着テープが表面に貼付され、かつ前記溝又は改質領域が形成された半導体ウエハを、裏面側から研削して、前記溝又は改質領域を起点として複数のチップに個片化させる工程と、
    　前記複数のチップから半導体加工用粘着テープを剥離する工程と、
    　を備える半導体装置の製造方法。
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