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WO2017089302A1 - Apparatus and method for the chemical treatment of a semiconductor substrate - Google Patents

Apparatus and method for the chemical treatment of a semiconductor substrate Download PDF

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Publication number
WO2017089302A1
WO2017089302A1 PCT/EP2016/078324 EP2016078324W WO2017089302A1 WO 2017089302 A1 WO2017089302 A1 WO 2017089302A1 EP 2016078324 W EP2016078324 W EP 2016078324W WO 2017089302 A1 WO2017089302 A1 WO 2017089302A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
fluid
substrate
pretreatment
semiconductor substrate
application
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2016/078324
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Peter Fath
Ihor Melnyk
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCT SOLUTIONS GmbH
Original Assignee
RCT SOLUTIONS GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCT SOLUTIONS GmbH filed Critical RCT SOLUTIONS GmbH
Priority to CN201680068483.6A priority Critical patent/CN108292616A/en
Publication of WO2017089302A1 publication Critical patent/WO2017089302A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H10P72/3202—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
    • H10F71/137—Batch treatment of the devices
    • H10P72/0414—
    • H10P72/0426—
    • H10P72/3314—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the invention relates to a device for the chemical treatment of a semiconductor substrate according to the preamble of claim 1.
  • the invention further relates to a method for the chemical treatment of a semiconductor substrate.
  • a device for the chemical treatment of a silicon substrate with a process medium is known.
  • the silicon substrate is first wetted in front of a process tank on a substrate top surface over its entire surface with a protective liquid.
  • the process medium which chemically treats the silicon substrate on the underside of the substrate is applied to a substrate underside of the silicon substrate above the process tank.
  • the protective liquid protects the substrate top from the process medium.
  • Protective liquid is again applied to the substrate top over the process tank to replace the protective liquid drained from the top of the substrate.
  • the disadvantage is that, on the one hand, the protective liquid drips down from the top side of the substrate, as a result of which the quality of the process medium is impaired and protective liquid must be replenished onto the substrate top side.
  • the substrate surface is not completely wetted by the protective liquid or remains wetted during the entire application of the process medium.
  • the invention has for its object to provide a device that allows a simple and economical chemical treatment of a semiconductor substrate.
  • a device having the features of claim 1. By means of the pretreatment device arranged upstream of the application devices in the transport direction, first of all a circulating fluid and the fluid to be applied, in particular the protective fluid to be applied, are created on the semiconductor substrate, so that the fluid subsequently applied to the substrate top side is held thereon.
  • the circumferential boundary region preferably rejects the fluid.
  • the circumferential boundary region is produced by means of the pretreatment device on the substrate end faces which connect the substrate top side to the substrate bottom side, and / or on the substrate top side.
  • the substrate upper side forms an interior of the boundary area into which the fluid can be introduced or applied in a simple manner.
  • the process fluid is preferably a process fluid.
  • the process liquid in particular contains hydrofluoric acid and / or nitric acid, so that the process fluid forms an etching solution.
  • the first application device is arranged above the process vessel of the second application device.
  • the device according to the invention can be used in particular for the chemical treatment of semiconductor wafers for the production of solar cells.
  • the protective fluid is applied in good time prior to treatment of the substrate bottom, but as late as possible above the process pool, so that the protective fluid as long as possible completely covers the substrate top within the boundary area, especially until the treatment with the process fluid is completed and / or the semiconductor substrate is no longer above the process pool.
  • the fluid to be applied is in particular a protective fluid.
  • the protective liquid is especially hydrous. If water or distilled water is used as the protective liquid, the boundary area is preferably made hydrophobic.
  • the fluid is formed as a treatment fluid, in particular as a treatment fluid
  • a chemical treatment of the substrate top side is also possible.
  • a treatment liquid the removal of an electrically inactive, heavily doped top layer of an emitter.
  • This top layer is also called “dead layer” designated.
  • the treatment fluid is designed in particular as an etching solution.
  • the etching solution is alkaline or acidic.
  • An apparatus ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate. Due to the distance A, the first application device is arranged near the first end of the process tank, ie at the beginning of the process tank. This ensures, on the one hand, that the fluid is applied to the substrate top in good time, in particular before the substrate bottom is treated with the process fluid, and, on the other hand, the application of the fluid is delayed as long as possible to allow the fluid to be absorbed during the treatment Substrate base does not retract from the corners of the interior, bounded by the boundary area. The retraction takes place for example due to the surface tension of the fluid. A subsequent metering of the fluid, in particular the Schutzflu- ids, by means of a downstream in the transport direction further application device is therefore not required.
  • An apparatus ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the cleaning device makes it possible in a simple manner to clean the substrate top side from a pretreatment fluid, in particular a pretreatment fluid.
  • a device according to claim 4 ensures a simple way of cleaning the substrate top.
  • the cleaning device has an application nozzle for applying the cleaning fluid to the substrate top side.
  • the cleaning fluid is in particular a cleaning fluid, for example water.
  • a device according to claim 5 ensures in a simple manner an economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the removal device the fluid can be applied in a simple manner to a cleaned substrate top side by means of the downstream first application device. As a result, both a protective fluid and a treatment fluid can be applied as the fluid.
  • the removal device comprises, for example, a roller which removes the cleaning fluid from the substrate top side due to a contact pressure. Furthermore, the removal device comprises, for example, a fan which removes the cleaning fluid from the substrate top side due to a fluid flow, in particular an air flow.
  • the removal means preferably comprises a catch basin disposed below the semiconductor substrates and collecting remote cleaning fluid.
  • a device ensures in a simple manner an economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the at least one position measuring sensor determines a transport position of the respective semiconductor substrate, which serves to control the first applicator device.
  • the at least one position-measuring sensor is arranged in particular in front of the cleaning device, and in particular in front of the pretreatment device, so that the cleaning device and the first application device are activated as a function of the determined transport position of the respective semiconductor substrate.
  • a position measuring sensor is arranged along the transport direction, with the cleaning device and / or the first application device being controlled as a function of the determined transport position and a determined transport speed.
  • a device ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the control device is preferably designed such that the application pump of the first application device and / or the cleaning device is switched on and off again depending on the determined transport position and the determined transport speed, so that the fluid and / or the cleaning fluid are applied exactly to the substrate top side becomes.
  • An apparatus according to claim 8 ensures a simple chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the pretreatment basin serves to form a liquid bath of the pretreatment fluid or the pretreatment liquid and / or for collecting the applied pretreatment fluid which drips off the semiconductor substrate.
  • the pretreatment fluid preferably has an erosive effect on the semiconductor substrate, wherein the boundary region is produced by the partial or layered removal of the semiconductor substrate.
  • the pretreatment fluid is a liquid etching solution.
  • a device ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the pretreatment liquid may be applied to the semiconductor substrate during transport so as to generate the restriction area.
  • the semiconductor substrate is wetted indirectly with the pretreatment liquid.
  • the pretreatment liquid for example the liquid etching solution
  • the pretreatment liquid moves because of her Surface tension automatically to the substrate end faces and wets them to form the circumferential boundary area.
  • the semiconductor substrate is transported by means of the transport rollers near a liquid bath of the pretreatment liquid, so that the substrate underside is wetted directly by the liquid bath.
  • the pretreatment liquid can automatically move to an edge region on the substrate upper side.
  • the formation of the boundary region thus takes place on the substrate end faces and optionally on the substrate top side.
  • the pretreatment liquid moves in particular by its surface tension and by a capillary effect, which results from the roughness of the substrate surface, automatically to the substrate end faces and possibly to the substrate top.
  • the substrate surface has an attractive effect on the pretreatment liquid before the pretreatment.
  • the substrate surface is especially hydrophilic before the pretreatment.
  • the pretreatment basin has a length such that a minimum exposure time of the pretreatment fluid or the pretreatment fluid is ensured at a desired transport speed.
  • the transport rollers arranged above the process tank preferably extend into the process tank, so that the process fluid is applied to the substrate underside of the semiconductor substrate during transport.
  • An apparatus ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the fill level control ensures that the pre-treatment liquid is applied in a simple manner.
  • the fill level is regulated so that the liquid level of the pretreatment liquid is below the bottom of the substrate, ie below the height of the substrate.
  • level of the transport rollers is that the transport rollers immerse at any time in the pre-treatment liquid.
  • the liquid level is less than a diameter of the transport rollers below the substrate bottom.
  • the liquid level is preferably 1 mm to 30 mm, in particular 5 mm to 25 mm and in particular 10 mm to 20 mm below the substrate underside.
  • the fill level is regulated so that the liquid level is 0 mm to 5 mm below the bottom of the substrate. This is sufficient to wet the substrate end face and possibly the substrate top side with the pretreatment liquid so that the boundary area is formed.
  • the temperature of the pretreatment liquid is in particular in a temperature range between 5 ° C and 25 ° C, preferably at room temperature.
  • the pretreatment liquid is in particular formed as an etching solution which has an acid concentration range between 0.1% by weight and 50% by weight, in particular 0.1% by weight and 5% by weight. Hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid and / or peroxophosphoric acid are used in particular as the acid.
  • the second application device preferably has a corresponding fill level control for the process fluid received in the process tank.
  • An apparatus ensures a simple and economical treatment of the semiconductor substrate.
  • the respective semiconductor substrate is transported horizontally in the transport direction.
  • the rotational speed of the transport rollers By regulating the rotational speed of the transport rollers, the transport speed of the semiconductor substrate in the transport direction is adjusted, so that at the highest possible transport speed nevertheless a sufficient exposure time of the pretreatment liquid is ensured to form the boundary region.
  • the rotational speed Gelung the transport speed of the respective semiconductor substrate exactly known, so that based on the transport speed and a single determined transport position, the first application device and / or the cleaning device is controlled, in particular switched on and off.
  • Another object of the present invention is to provide a method which enables a simple and economical chemical treatment of a semiconductor substrate.
  • the boundary region is produced in particular on the substrate end faces and / or on the substrate top side of the semiconductor substrate.
  • the boundary area formed laterally on the semiconductor substrate can be easily generated and is sufficient to hold the fluid on the substrate top.
  • the boundary region created at the substrate top effectively holds the fluid on the substrate top.
  • the boundary region is formed in particular in an edge region of the substrate top side.
  • the edge region is smaller than 2 mm, in particular smaller than 1, 5 mm, and in particular smaller than 1 mm, starting from a circumferential edge of the semiconductor substrate.
  • the pretreatment fluid corresponds to the process fluid. This simplifies the provision of the process fluid or the pretreatment fluid.
  • a method according to claim 13 ensures in a simple manner a cleaning of the substrate top.
  • the application of the cleaning fluid to the substrate top takes place in particular by means of an application nozzle.
  • the cleaning fluid is in particular a cleaning fluid, for example water.
  • a method according to claim 14 ensures in a simple manner an economical chemical treatment of the semiconductor substrate.
  • the fluid By removing the cleaning fluid, the fluid can be easily applied to a cleaned substrate top.
  • both a protective fluid and a treatment fluid can be applied as the fluid.
  • the removal takes place for example by means of a roller, which removes the cleaning fluid due to a contact pressure from the substrate top.
  • the removal takes place, for example, by means of a fan which removes the cleaning fluid from the substrate top side due to a fluid flow, in particular an air flow.
  • the removed cleaning fluid is collected below the semiconductor substrates, for example by means of a catch basin.
  • FIG. 2 is an enlarged view of the pretreatment device in a first mode of operation of the device
  • Fig. 3 is a plan view of the pretreatment device of FIG. 2
  • Fig. 4 is an enlarged view of the pretreatment device according to FIG. 2 in a second mode of operation.
  • a device 1 has a transport device 4 for the horizontal transport of semiconductor substrates 2 in a transport direction 3. Furthermore, the apparatus 1 comprises a pretreatment device 5, a first cleaning device 6, a removal device 7, a first application device 8, a second application device 9, a second cleaning device 10 and a drying device 1 1.
  • the pretreatment device 5 is in the transport direction 3 in front of the application devices 8 , 9 arranged.
  • the semiconductor substrates 2 are in particular formed as semiconductor wafers, preferably as silicon wafers.
  • the transport device 4 For transporting the semiconductor substrates 2, the transport device 4 has a plurality of transport rollers 12, which are arranged from the pretreatment device 5 along the transport direction 3 to the drying device 11.
  • the transport rollers 12 are rotationally driven by means of an electric drive motor 13 and a transmission mechanism, not shown.
  • a rotational speed ⁇ about a respective rotational axis 14 is measured by means of a speed measuring sensor 15.
  • a position measuring sensor 51 for determining a transport position xo of the respective semiconductor substrate 2 is furthermore arranged.
  • the pretreatment device 5 has a pretreatment basin 16 which serves to receive a pretreatment fluid 17.
  • the pretreatment Lung fluid 17 is formed as a liquid which is received as a liquid bath in the pre-treatment tank 16.
  • the pretreatment device 5 has a fill level measuring sensor 18.
  • the level measuring sensor 18 is arranged, for example, on the pretreatment basin 16.
  • the pretreatment basin 16 has, in the transport direction 3, a length which lies between 0.3 m and 1.5 m, in particular between 0.4 m and 1.2 m, and in particular between 0.5 m and 0.8 m.
  • the transport rollers 12 extend in the area of the pretreatment basin 16 into the pretreatment basin 16 and the pretreatment liquid 17 received therein.
  • the pretreatment device 5 has a reservoir 19 which is connected to the pretreatment basin 16 via a line 20 and a pump 21 ,
  • a level control 23 is implemented, which is in signal communication with the level sensor 18 and the pump 21. Furthermore, in the control device 22, a rotational speed control 24 is implemented for the transport rollers 12 which is in signal communication with the speed measuring sensor 15 and the drive motor 13. The level control 23 and the rotation speed control 24 are in particular part of the pretreatment device 5.
  • the first cleaning device 6 is arranged downstream of the pretreatment device 5 in the transport direction 3 and serves to remove the pretreatment liquid 14 and to clean the semiconductor substrates 2.
  • the cleaning device 6 has an application nozzle 25, which half of the transport rollers 12 and the semiconductor substrates 2 transported thereon is arranged.
  • the application nozzle 25 is used for applying a cleaning fluid 26 to the semiconductor substrates 2 and in particular the respective substrate top 27 of the semiconductor substrates 2.
  • the order nozzle 25 is connected via a line 28 and an associated application pump 29 with a reservoir 30.
  • the application pump 29 is in signal communication with the control device 22.
  • the cleaning fluid 26 is designed as a cleaning fluid.
  • the cleaning liquid 26 is water, especially distilled water.
  • the removal device 7 is arranged in the transport direction 3 after the first cleaning device 6.
  • the removal device 7 comprises a removal element 31 arranged above the transport rollers 12 and a collecting basin 32 arranged below the transport rollers 12.
  • the removal element 31 is designed, for example, as a roller which abuts against the substrate upper side 27 of the respective semiconductor substrate 2 with a contact pressure and which Cleaning liquid 26 presses from the substrate top 27 into the catch basin 32.
  • the removal element 31 is designed, for example, as a fan, which removes the cleaning liquid 26 from the substrate top 27 into the catch basin 32 by means of a fluid flow, in particular an air flow, directed onto the substrate top 27.
  • the application devices 8, 9 are arranged in the transport direction 3 after the removal device 7.
  • the first application device 8 is used to apply a fluid 33 to the respective substrate top side 27 of the semiconductor substrates 2.
  • the first application device 8 has an application nozzle 34, which is arranged above the transport rollers 12 and the semiconductor substrates 2 transported thereon.
  • the application nozzle 34 is connected via a line 35 and an associated application pump 36 with a reservoir 37.
  • the application pump 36 is in signal communication with the control device 22.
  • the fluid 33 is in particular formed as a liquid.
  • the second application device 9 serves to apply a process fluid 38 to a respective substrate bottom 39 of the semiconductor substrates 2.
  • the process fluid 38 is formed as a liquid, which is accommodated in a process tank 40.
  • the second application device 9 has a fill level measurement sensor 41, a reservoir 42 which is connected to the process tank 40 via a line 43 and a pump 44, and a fill level control 45.
  • the construction of the second application device 9 reference is made to the description of the pretreatment device 5.
  • the process tank 40 has a first end 46 and a downstream in the transport direction 3 second end 47, wherein the process tank 40 between the ends 46, 47 has a length L.
  • the first application device 8 in particular its application nozzle 34, is arranged above the process cover 40.
  • the application nozzle 34 has a distance A from the first end 46, where: 0.01 * L ⁇ A ⁇ 0.3 * L, in particular 0.05 * L ⁇ A ⁇ 0.25 * L, and in particular 0.1 ⁇ L ⁇ A ⁇ 0.2 ⁇ L.
  • the second cleaning device 10 and the downstream drying device 1 1 are arranged in the transport direction 3 after the application devices 8, 9.
  • the operation of the device 1 in a first mode of operation is as follows:
  • the pretreatment device 5 is used to generate a peripheral boundary region 48 on the respective semiconductor substrate 2, which delimits the subsequently to be applied by means of the first applicator 8 fluid 33 and the liquid to be applied on the substrate top 27, so that the liquid 33 on the substrate Top 27 is held.
  • the fill level h in the pretreatment basin 16 is regulated by means of the fill level control 23 so that the transport rolls 12 dip into the liquid bath from the pretreatment liquid 17.
  • the transport rollers 12 take during their rotation about the associated rotation axes 14 pretreatment liquid 17 from the liquid bath, so that the substrate bottoms 39 of the respective semiconductor substrate 2 is wetted indirectly by means of the transport rollers 12.
  • a distance d between a liquid level S of the pretreatment liquid 17 and the substrate bottom 39 is between 5 mm and 10 mm. From the substrate bottom 39, the pretreatment liquid 17 moves automatically to the peripheral substrate end faces 49th
  • the pretreatment liquid 17 is formed as an etching solution and has, in particular, hydrofluoric acid and / or nitric acid.
  • the concentration of hydrofluoric acid and / or nitric acid is between 0.1 wt .-% to 50 wt .-%, in particular 0.1 wt .-% to 5 wt .-%.
  • the temperature of the pre-treatment liquid 17 is between 7 ° C and 25 ° C, for example 20 ° C.
  • the exposure time of the pretreatment liquid 17 is set via the rotational speed ⁇ of the transport rollers 12 and / or the length of the pretreatment basin 16.
  • the pretreatment liquid 17 designed as an etching solution
  • an upper layer which attracts the pretreatment liquid 17 is etched away on the substrate end faces 49, so that a lower layer repelling the pretreatment liquid 17 is uncovered.
  • the lower layer which repels the pretreatment liquid 17 is made hydrophobic.
  • the respective semiconductor substrate 2 is subsequently transported to the first cleaning device 6, which applies the cleaning fluid 26 or the cleaning fluid to the substrate upper side 27 by means of the application nozzle 25.
  • the application pump 29 is switched on as a function of the determined transport position xo and the transport speed determined from the rotational speed ⁇ and then switched off again so that the cleaning fluid 26 is applied exclusively to the respective substrate top side 27.
  • the cleaning fluid 26 is subsequently removed again by means of the removal device 7 from the respective substrate top side 27, so that the pretreatment liquid 17 is rinsed off the substrate surface or the substrate top side 27.
  • the pre-treatment liquid 17 rinsed with the cleaning fluid 26 is collected and / or disposed below the transport rollers 12 in the collecting basin 32.
  • the cleaning fluid 26 is formed so as to be restricted by the restriction portion 48, so that the cleaning fluid is held on the substrate top surface 27. By the boundary region 48 only a rough dosage of the cleaning fluid 26 is required.
  • the respective semiconductor substrate 2 is transported to the applicators 8, 9.
  • the application nozzle 34 By means of the application nozzle 34, the fluid 33 or the liquid is applied to the substrate top 27.
  • the application pump 36 is switched on and off as a function of the determined transport position xo and the transport speed determined by the rotational speed .omega.
  • the control device 22 By means of the control device 22, so that the fluid 33 is applied exclusively to the respective substrate top 27.
  • the fluid 33 is designed, for example, as a protective fluid or as a protective fluid.
  • the protective liquid 33 is bounded by the boundary area 48 so that it is held on the substrate upper side 27. By limiting region 48, only a rough dosage of the protective liquid 33 is required. Because the application nozzle 34 is arranged above the process tank 40 and near the first end 46, the protective liquid 33 is applied on the one hand in good time before the treatment of the substrate bottom 39 with the process fluid 38 and on the other hand as late as possible, so that the protective liquid 33 During the treatment of the substrate underside 39, the substrate top 27 is completely covered and, in particular, does not withdraw automatically from the corners of the interior 50, for example because of the surface tension. A replenishment of the protective liquid 33 by means of a further application device is thus not required.
  • the protective liquid 33 is preferably formed as water, in particular distilled water. Due to the protective liquid 33 on the substrate top 27, the substrate top 27 will be subject to undesirable chemical treatment protected by the process fluid 38. By keeping the protective liquid 33 within the confinement region 48, it does not drip into the process tank 40 and contaminate or dilute the process liquid 38. This avoids re-metering the process liquid 38 to maintain the corrosive effect, thereby reducing the consumption of chemicals.
  • the fluid 33 is furthermore designed, for example, as a treatment fluid, in particular as a treatment fluid.
  • the treatment liquid 33 is preferably bounded by the boundary region 48, so that it is held on the substrate top 27. If the treatment liquid 33 corresponds to the process liquid 38, then a dripping off of the treatment liquid 33 is unproblematic anyway.
  • the treatment liquid 33 is preferably a liquid etching solution.
  • the fluid 33 is thus selected as a protective fluid or a treatment fluid, in particular a protective fluid or a treatment fluid.
  • a protective fluid or a treatment fluid must be introduced into the reservoir 37.
  • various treatment processes can thus be carried out by simply exchanging the fluid 33 contained in the reservoir 37.
  • the second applicator 9 brings by means of the transport rollers 12, the process fluid 38 and the process liquid on the substrate bottom 39 on.
  • the process liquid 38 is designed as an etching solution and contains hydrofluoric acid and / or nitric acid for the chemical treatment of the respective semiconductor substrate 2 on the substrate underside 39.
  • the pretreatment liquid 17 and the process liquid are 38 formed identical, so that only one etching solution must be kept. In particular, this etching solution can be kept in a common storage container 19, 42.
  • the level in the process tank 40 is controlled by means of the level measurement sensor 41, the pump 44 and the level control 45 according to the pretreatment device 5.
  • the respective semiconductor substrate 2 is cleaned in the cleaning device 10 and then dried in the drying device 11.
  • the respective chemically treated semiconductor substrate 2 is now available for further processing steps.
  • the operation of the device 1 in a second mode of operation is as follows:
  • the filling level h in the pretreatment basin 16 is regulated so that the pretreatment liquid 17 directly wets the substrate bottom 39 of the respective semiconductor substrate 2 directly and / or by meniscus formation.
  • the level h is controlled so that the liquid level S has a distance d between 0 mm and 5 mm. Due to the liquid level S, the substrate bottom 39 is thus wetted directly with the pretreatment liquid 17.
  • the pre-treatment liquid 17 automatically moves along the circumferential substrate end sides 49 to the substrate top 27. At the substrate top 27, the pre-treatment liquid 17 wets a circumferential edge region of 1 mm to 10 mm.
  • the pre-treatment liquid 17 etches the top layer at the substrate end faces 49 and partially in the edge region at the substrate top 27, so that the underlying bottom layer, which is repellent to the cleaning fluid 26 and the fluid 33 acts, is exposed. Due to the self-limiting etching process, the lower layer is exposed on the substrate upper side 27 only in a circumferential edge region of up to 1 mm, whereas in the remaining edge region the upper layer is only etched. The substrate end faces 49 and the exposed edge region on the substrate upper side 27 thus form the peripheral boundary region 48.
  • the respective pretreated semiconductor substrate 2 is subsequently transported to the first cleaning device 6 and to the removal device 7 and then to the application devices 8, 9.
  • the circumferential boundary region 48 in turn adjoins the cleaning fluid 26 and the fluid 33, in particular the protective liquid, on the substrate top side 27.
  • the device 1 according to the invention and the method according to the invention are particularly suitable for processing solar cells which have been textured, coated, thermally diffused, ion-implanted and / or thermally, wet-chemically and / or naturally oxidized.

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Abstract

An apparatus (1) for chemically treating a semiconductor substrate (2) has a pretreatment device (5) that is arranged, in a direction of travel (3) of the semiconductor substrate (2), upstream of a first deposition device (8) and of a second deposition device (9). The pretreatment device (5) is used for creating a peripheral boundary region on the semiconductor substrate (2) such that a fluid (33), deposited subsequently by means of the first deposition device (8), is contained and retained on a top face (27) of the substrate . The first deposition device (8) is located above a process basin (40) of the second deposition device (9) such that the fluid (33) entirely covers the top face (33) of the substrate during the treatment of the bottom face (39) of the substrate.

Description

Vorrichtung und Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats  Apparatus and method for the chemical treatment of a semiconductor substrate

Die vorliegende Patentanmeldung nimmt die Priorität der deutschen Pa- tentanmeldung DE 10 2015 223 227.1 in Anspruch, deren Inhalt durch Bezugnahme hierin aufgenommen wird. The present patent application claims the benefit of German Patent Application DE 10 2015 223 227.1, the content of which is incorporated herein by reference.

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfm- dung betrifft ferner ein Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats. The invention relates to a device for the chemical treatment of a semiconductor substrate according to the preamble of claim 1. The invention further relates to a method for the chemical treatment of a semiconductor substrate.

Aus der WO 201 1/047894 AI ist eine Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Silizium- Substrats mit einem Prozessmedium bekannt. Das Silizium- Substrat wird zunächst vor einem Prozessbecken an einer Substrat-Oberseite vollflächig mit einer Schutzflüssigkeit benetzt. Anschließend wird über dem Prozessbecken auf eine Substrat-Unterseite des Silizium-Substrats das Prozessmedium aufgebracht, das das Silizium-Substrat an der Substrat-Unterseite chemisch behandelt. Durch die Schutzflüssigkeit wird die Substrat-Oberseite vor dem Prozessmedium geschützt. Über dem Prozessbecken wird nochmals Schutzflüssigkeit auf die Substrat-Oberseite aufgebracht, um die von der Substrat-Oberseite abgelaufene Schutzflüssigkeit zu ersetzen. Nachteilig ist, dass einerseits die Schutzflüssigkeit von der Substrat-Oberseite herabtropft, wodurch die Qualität des Prozessmediums beeinträchtigt wird und Schutzflüssigkeit auf die Substrat-Oberseite nachdosiert werden muss. Andererseits ist nachteilig, dass bei einer gewünschten Minimierung des Herabtropfens der Schutzflüssigkeit die Substrat- Oberfläche nicht vollständig von der Schutzflüssigkeit benetzt ist bzw. während des gesamten Aufbringens des Prozessmediums benetzt bleibt. Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung zu schaffen, die eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung eines Halbleiter-Substrats ermöglicht. From WO 201 1/047894 Al a device for the chemical treatment of a silicon substrate with a process medium is known. The silicon substrate is first wetted in front of a process tank on a substrate top surface over its entire surface with a protective liquid. Subsequently, the process medium which chemically treats the silicon substrate on the underside of the substrate is applied to a substrate underside of the silicon substrate above the process tank. The protective liquid protects the substrate top from the process medium. Protective liquid is again applied to the substrate top over the process tank to replace the protective liquid drained from the top of the substrate. The disadvantage is that, on the one hand, the protective liquid drips down from the top side of the substrate, as a result of which the quality of the process medium is impaired and protective liquid must be replenished onto the substrate top side. On the other hand, it is disadvantageous that with a desired minimization of the dripping down of the protective liquid, the substrate surface is not completely wetted by the protective liquid or remains wetted during the entire application of the process medium. The invention has for its object to provide a device that allows a simple and economical chemical treatment of a semiconductor substrate.

Diese Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Durch die den Auftragseinrichtungen in der Transportrichtung vorgeordnete Vorbehandlungseinrichtung wird zunächst ein umlaufender und das aufzubringende Fluid, insbesondere das aufzubringende Schutzfluid, eingrenzender Begrenzungsbereich an dem Halbleiter-Substrat erzeugt, sodass das nachfolgend auf die Substrat-Oberseite aufgebrachte Fluid auf dieser gehalten wird. Der umlaufende Begrenzungsbereich weist vorzugsweise das Fluid ab. Der umlaufende Begrenzungsbereich wird mittels der Vorbehandlungseinrichtung an den Substrat-Stirnseiten, die die Substrat-Oberseite mit der Substrat-Unterseite verbinden, und/oder an der Substrat-Oberseite erzeugt. Durch den umlaufenden und das Fluid eingrenzenden Begrenzungsbereich bildet die Substrat-Oberseite einen Innenraum des Begrenzungsbereich aus, in den das Fluid in einfacher Weise eingebracht bzw. aufgebracht werden kann. Da der Begrenzungsbereich das Flu- id auf der Substrat-Oberseite hält, muss das Fluid lediglich grob dosiert werden. Weiterhin findet kein Herabtropfen des Fluids von der Substrat- Oberseite statt, sodass die Qualität des Prozessfluids durch das Fluid nicht beeinträchtigt wird. Ein Nachdosieren des Prozessfluids, was in einem erhöhten Verbrauch an Prozessfluid resultiert, ist somit nicht erforderlich, sodass die Vorrichtung eine hohe Wirtschaftlichkeit aufweist. Das Prozessfluid ist vorzugsweise eine Prozessflüssigkeit. Die Prozessflüssigkeit enthält insbesondere Fluorwasserstoffsäure und/oder Salpetersäure, sodass die Prozessflüssigkeit eine Ätzlösung ausbildet. Die erste Auftragseinrichtung ist oberhalb des Prozessbeckens der zweiten Auftragseinrichtung angeord- net, sodass das Fluid einerseits rechtzeitig auf die Substrat-Oberseite aufgebracht wird und andererseits während der Behandlung der Substrat- Unterseite mit dem Prozessfluid verhindert wird, dass sich das aufgebrachte Fluid aus den Ecken des Innenraums zurückzieht, beispielsweise infolge der Oberflächenspannung des aufgebrachten Fluids. Das Aufbringen des Fluids wird also so lange hinausgezögert, dass die Substrat-Oberseite innerhalb des Begrenzungsbereichs möglichst lange vollständig mit dem Fluid bedeckt ist, insbesondere bis die Behandlung der Substrat-Unterseite mit dem Prozessfluid beendet ist. Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann ins- besondere zur chemischen Behandlung von Halbleiter- Wafern für die Herstellung von Solarzellen eingesetzt werden. This object is achieved by a device having the features of claim 1. By means of the pretreatment device arranged upstream of the application devices in the transport direction, first of all a circulating fluid and the fluid to be applied, in particular the protective fluid to be applied, are created on the semiconductor substrate, so that the fluid subsequently applied to the substrate top side is held thereon. The circumferential boundary region preferably rejects the fluid. The circumferential boundary region is produced by means of the pretreatment device on the substrate end faces which connect the substrate top side to the substrate bottom side, and / or on the substrate top side. As a result of the peripheral boundary area delimiting the fluid, the substrate upper side forms an interior of the boundary area into which the fluid can be introduced or applied in a simple manner. Since the boundary area holds the fluid on the substrate top, the fluid only has to be roughly metered. Furthermore, there is no dripping of the fluid from the substrate top, so that the quality of the process fluid is not affected by the fluid. A replenishment of the process fluid, resulting in an increased consumption of process fluid is thus not required, so that the device has a high efficiency. The process fluid is preferably a process fluid. The process liquid in particular contains hydrofluoric acid and / or nitric acid, so that the process fluid forms an etching solution. The first application device is arranged above the process vessel of the second application device. net, so that the fluid is on the one hand applied in time to the substrate top and on the other hand, during the treatment of the substrate underside with the process fluid prevents the applied fluid from retreating from the corners of the interior, for example due to the surface tension of the applied fluid. The application of the fluid is therefore delayed so long that the substrate top side is completely covered with the fluid for as long as possible within the boundary area, in particular until the treatment of the substrate bottom with the process fluid has ended. The device according to the invention can be used in particular for the chemical treatment of semiconductor wafers for the production of solar cells.

Ist das Fluid als Schutzfluid ausgebildet, so wird das Schutzfluid rechtzeitig vor der Behandlung der Substrat-Unterseite aufgebracht, jedoch so spät wie möglich oberhalb des Prozessbeckens, sodass das Schutzfluid die Substrat-Oberseite innerhalb des Begrenzungsbereichs möglichst lange vollständig bedeckt, insbesondere bis die Behandlung mit dem Prozessfluid abgeschlossen ist und/oder das Halbleiter-Substrat sich nicht länger oberhalb des Prozessbeckens befindet. Das aufzubringende Fluid ist insbeson- dere eine Schutzflüssigkeit. Die Schutzflüssigkeit ist insbesondere wasserhaltig. Wird Wasser bzw. destilliertes Wasser als Schutzflüssigkeit verwendet, ist der Begrenzungsbereich vorzugsweise hydrophob ausgebildet. If the fluid is formed as a protective fluid, the protective fluid is applied in good time prior to treatment of the substrate bottom, but as late as possible above the process pool, so that the protective fluid as long as possible completely covers the substrate top within the boundary area, especially until the treatment with the process fluid is completed and / or the semiconductor substrate is no longer above the process pool. The fluid to be applied is in particular a protective fluid. The protective liquid is especially hydrous. If water or distilled water is used as the protective liquid, the boundary area is preferably made hydrophobic.

Ist das Fluid als Behandlungsfluid, insbesondere als Behandlungsflüssig- keit, ausgebildet, so ist auch eine chemische Behandlung der Substrat- Oberseite möglich. Beispielsweise erfolgt mittels einer Behandlungsflüssigkeit die Entfernung einer elektrisch inaktiven, stark dotierten obersten Schicht eines Emitters. Diese oberste Schicht wird auch als„dead layer" bezeichnet. Das Behandlungsfluid ist insbesondere als Ätzlösung ausgebildet. Die Ätzlösung ist alkalisch oder sauer. If the fluid is formed as a treatment fluid, in particular as a treatment fluid, then a chemical treatment of the substrate top side is also possible. For example, by means of a treatment liquid, the removal of an electrically inactive, heavily doped top layer of an emitter. This top layer is also called "dead layer" designated. The treatment fluid is designed in particular as an etching solution. The etching solution is alkaline or acidic.

Eine Vorrichtung nach Anspruch 2 gewährleistet eine einfache und wirt- schaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Aufgrund des Abstandes A ist die erste Auftragseinrichtung nahe dem ersten Ende des Prozessbeckens, also am Anfang des Prozessbeckens angeordnet. Hierdurch wird einerseits gewährleistet, dass das Fluid rechtzeitig, insbesondere vor der Behandlung der Substrat-Unterseite mit dem Prozessfluid, auf die Substrat-Oberseite aufgebracht wird und andererseits das Aufbringen des Fluids so lange wie möglich hinausgezögert wird, damit sich das Fluid während der Behandlung der Substrat-Unterseite nicht aus den Ecken des Innenraums, der durch den Begrenzungsbereich begrenzt ist, zurückzieht. Das Zurückziehen erfolgt beispielsweise aufgrund der Oberflächenspan- nung des Fluids. Ein Nachdosieren des Fluids, insbesondere des Schutzflu- ids, mittels einer in der Transportrichtung nachgeordneten weiteren Auftragseinrichtung ist somit nicht erforderlich. An apparatus according to claim 2 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate. Due to the distance A, the first application device is arranged near the first end of the process tank, ie at the beginning of the process tank. This ensures, on the one hand, that the fluid is applied to the substrate top in good time, in particular before the substrate bottom is treated with the process fluid, and, on the other hand, the application of the fluid is delayed as long as possible to allow the fluid to be absorbed during the treatment Substrate base does not retract from the corners of the interior, bounded by the boundary area. The retraction takes place for example due to the surface tension of the fluid. A subsequent metering of the fluid, in particular the Schutzflu- ids, by means of a downstream in the transport direction further application device is therefore not required.

Eine Vorrichtung nach Anspruch 3 gewährleistet eine einfache und wirt- schaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Die Reinigungseinrichtung ermöglicht in einfacher Weise das Reinigen der Substrat- Oberseite von einem Vorbehandlungsfluid, insbesondere einer Vorbehand- lungsflüssigkeit. Eine Vorrichtung nach Anspruch 4 gewährleistet in einfacher Weise eine Reinigung der Substrat-Oberseite. Die Reinigungseinrichtung weist insbesondere eine Auftragsdüse zum Aufbringen des Reinigungsfluids auf die Substrat-Oberseite auf. Das Reinigungsfluid ist insbesondere eine Reinigungsflüssigkeit, beispielsweise Wasser. Eine Vorrichtung nach Anspruch 5 gewährleistet in einfacher Weise eine wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch die Entfernungseinrichtung kann das Fluid mittels der nachgeordneten ersten Auftragseinrichtung in einfacher Weise auf eine gereinigte Substrat- Oberseite aufgebracht werden. Hierdurch kann als Fluid sowohl ein Schutzfluid als auch ein Behandlungsfluid aufgebracht werden. Die Entfernungseinrichtung umfasst beispielsweise eine Walze, die das Reinigungs- fluid aufgrund eines Anpressdrucks von der Substrat-Oberseite entfernt. Weiterhin umfasst die Entfernungseinrichtung beispielsweise ein Gebläse, das das Reinigungsfluid aufgrund eines Fluidstroms, insbesondere eines Luftstroms, von der Substrat-Oberseite entfernt. Die Entfernungseinrichtung umfasst vorzugsweise ein Auffangbecken, das unterhalb der Halbleiter-Substrate angeordnet ist und entferntes Reinigungsfluid auffängt. An apparatus according to claim 3 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate. The cleaning device makes it possible in a simple manner to clean the substrate top side from a pretreatment fluid, in particular a pretreatment fluid. A device according to claim 4 ensures a simple way of cleaning the substrate top. In particular, the cleaning device has an application nozzle for applying the cleaning fluid to the substrate top side. The cleaning fluid is in particular a cleaning fluid, for example water. A device according to claim 5 ensures in a simple manner an economical chemical treatment of the semiconductor substrate. By means of the removal device, the fluid can be applied in a simple manner to a cleaned substrate top side by means of the downstream first application device. As a result, both a protective fluid and a treatment fluid can be applied as the fluid. The removal device comprises, for example, a roller which removes the cleaning fluid from the substrate top side due to a contact pressure. Furthermore, the removal device comprises, for example, a fan which removes the cleaning fluid from the substrate top side due to a fluid flow, in particular an air flow. The removal means preferably comprises a catch basin disposed below the semiconductor substrates and collecting remote cleaning fluid.

Eine Vorrichtung nach Anspruch 6 gewährleistet in einfacher Weise eine wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Der mindestens eine Positionsmesssensor ermittelt eine Transportposition des jeweiligen Halbleiter-Substrats, die zur Ansteuerung der ersten Auftragsein- richtung dient. Der mindestens eine Positionsmesssensor ist insbesondere vor der Reinigungseinrichtung, und insbesondere vor der Vorbehandlungseinrichtung angeordnet, sodass die Reinigungseinrichtung und die erste Auftragseinrichtung in Abhängigkeit der ermittelten Transportposition des jeweiligen Halbleiter-Substrats angesteuert werden. Vorzugsweise ist ge- nau ein Positionsmesssensor entlang der Transportrichtung angeordnet, wobei die Reinigungseinrichtung und/oder die erste Auftragseinrichtung in Abhängigkeit der ermittelten Transportposition und einer ermittelten Transportgeschwindigkeit angesteuert werden. Eine Vorrichtung nach Anspruch 7 gewährleistet eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Die Steuereinrichtung ist vorzugsweise derart ausgebildet, dass die Auftragspumpe der ersten Auftragseinrichtung und/oder der Reinigungseinrichtung in Abhän- gigkeit der ermittelten Transportposition und der ermittelten Transportgeschwindigkeit eingeschaltet und wieder abgeschaltet wird, sodass das Fluid und/oder das Reinigungsfluid exakt auf die Substrat-Oberseite aufgebracht wird. Eine Vorrichtung nach Anspruch 8 gewährleistet eine einfache chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Das Vorbehandlungsbecken dient zur Ausbildung eines Flüssigkeitsbads des Vorbehandlungsfluids bzw. der Vorbehandlungsflüssigkeit und/oder zum Auffangen des aufgebrachten Vorbehandlungsfluids, das von dem Halbleiter-Substrat herabtropft. Das Vorbehandlungsfluid hat vorzugsweise eine abtragende Wirkung auf das Halbleiter-Substrat, wobei durch das teilweise bzw. schichtweise Abtragen des Halbleiter-Substrats der Begrenzungsbereich erzeugt wird. Vorzugsweise ist das Vorbehandlungsfluid eine flüssige Ätzlösung. Eine Vorrichtung nach Anspruch 9 gewährleistet eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Dadurch, dass die Transportrollen entlang des Vorbehandlungsbeckens angeordnet sind und sich in das Vorbehandlungsbecken erstrecken, kann die Vorbehandlungsflüssigkeit während des Transports auf das Halbleiter-Substrat derart aufgebracht werden, dass der Begrenzungsbereich erzeugt wird. Das Halbleiter-Substrat wird beispielsweise indirekt mit der Vorbehandlungsflüssigkeit benetzt. Hierzu wird die Vorbehandlungsflüssigkeit, beispielsweise die flüssige Ätzlösung, mittels der Transportrollen auf die Substrat-Unterseite aufgebracht. Die Vorbehandlungsflüssigkeit bewegt sich aufgrund ihrer Oberflächenspannung selbsttätig zu den Substrat-Stirnseiten und benetzt diese zur Ausbildung des umlaufenden Begrenzungsbereichs. Bei einer direkten Benetzung wird das Halbleiter-Substrat mittels der Transportrollen nahe einem Flüssigkeitsbad der Vorbehandlungsflüssigkeit transportiert, sodass die Substrat-Unterseite direkt durch das Flüssigkeitsbad benetzt wird. Aufgrund ihrer Oberflächenspannung und/oder aufgrund einer Meniskusbildung kann sich die Vorbehandlungsflüssigkeit selbsttätig bis zu einem Kantenbereich auf der Substrat-Oberseite bewegen. Die Ausbildung des Begrenzungsbereichs erfolgt somit an den Substrat-Stirnseiten und ggf. an der Substrat-Oberseite. Die Vorbehandlungsflüssigkeit bewegt sich insbesondere durch ihre Oberflächenspannung und durch einen Kapillareffekt, der durch die Rauhigkeit der Substrat-Oberfläche entsteht, selbsttätig zu den Substrat-Stirnseiten und ggf. zu der Substrat-Oberseite. Hierzu wirkt die Substrat-Oberfläche vor der Vorbehandlung anziehend auf die Vorbe- handlungsflüssigkeit. Die Substrat-Oberfläche ist vor der Vorbehandlung insbesondere hydrophil ausgebildet. Das Vorbehandlungsbecken weist eine Länge derart auf, dass bei einer gewünschten Transportgeschwindigkeit eine Mindesteinwirkdauer des Vorbehandlungsfluids bzw. der Vorbehandlungsflüssigkeit gewährleistet ist. In entsprechender Weise erstrecken sich vorzugsweise die über dem Prozessbecken angeordneten Transportrollen in das Prozessbecken, sodass die Prozessflüssigkeit während des Transports auf die Substrat-Unterseite des Halbleiter-Substrats aufgebracht wird. A device according to claim 6 ensures in a simple manner an economical chemical treatment of the semiconductor substrate. The at least one position measuring sensor determines a transport position of the respective semiconductor substrate, which serves to control the first applicator device. The at least one position-measuring sensor is arranged in particular in front of the cleaning device, and in particular in front of the pretreatment device, so that the cleaning device and the first application device are activated as a function of the determined transport position of the respective semiconductor substrate. Preferably, a position measuring sensor is arranged along the transport direction, with the cleaning device and / or the first application device being controlled as a function of the determined transport position and a determined transport speed. A device according to claim 7 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate. The control device is preferably designed such that the application pump of the first application device and / or the cleaning device is switched on and off again depending on the determined transport position and the determined transport speed, so that the fluid and / or the cleaning fluid are applied exactly to the substrate top side becomes. An apparatus according to claim 8 ensures a simple chemical treatment of the semiconductor substrate. The pretreatment basin serves to form a liquid bath of the pretreatment fluid or the pretreatment liquid and / or for collecting the applied pretreatment fluid which drips off the semiconductor substrate. The pretreatment fluid preferably has an erosive effect on the semiconductor substrate, wherein the boundary region is produced by the partial or layered removal of the semiconductor substrate. Preferably, the pretreatment fluid is a liquid etching solution. A device according to claim 9 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate. By arranging the transport rollers along the pretreatment basin and extending into the pretreatment basin, the pretreatment liquid may be applied to the semiconductor substrate during transport so as to generate the restriction area. For example, the semiconductor substrate is wetted indirectly with the pretreatment liquid. For this purpose, the pretreatment liquid, for example the liquid etching solution, is applied to the underside of the substrate by means of the transport rollers. The pretreatment liquid moves because of her Surface tension automatically to the substrate end faces and wets them to form the circumferential boundary area. In the case of direct wetting, the semiconductor substrate is transported by means of the transport rollers near a liquid bath of the pretreatment liquid, so that the substrate underside is wetted directly by the liquid bath. Due to its surface tension and / or due to a meniscus formation, the pretreatment liquid can automatically move to an edge region on the substrate upper side. The formation of the boundary region thus takes place on the substrate end faces and optionally on the substrate top side. The pretreatment liquid moves in particular by its surface tension and by a capillary effect, which results from the roughness of the substrate surface, automatically to the substrate end faces and possibly to the substrate top. For this purpose, the substrate surface has an attractive effect on the pretreatment liquid before the pretreatment. The substrate surface is especially hydrophilic before the pretreatment. The pretreatment basin has a length such that a minimum exposure time of the pretreatment fluid or the pretreatment fluid is ensured at a desired transport speed. In a corresponding manner, the transport rollers arranged above the process tank preferably extend into the process tank, so that the process fluid is applied to the substrate underside of the semiconductor substrate during transport.

Eine Vorrichtung nach Anspruch 10 gewährleistet eine einfache und wirt- schaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch die Füllstandsregelung wird in einfacher Weise das Aufbringen der Vorbe- handlungsflüssigkeit sichergestellt. Bei der indirekten Benetzung wird der Füllstand so geregelt, dass der Flüssigkeitspegel der Vorbehandlungsflüs- sigkeit derart unterhalb der Substrat-Unterseite, also unterhalb dem Höhen- niveau der Transportrollen liegt, dass die Transportrollen jederzeit in die Vorbehandlungsflüssigkeit eintauchen. Hierzu liegt der Flüssigkeitspegel weniger als einen Durchmesser der Transportrollen unterhalb der Substrat- Unterseite. Vorzugsweise liegt der Flüssigkeitspegel 1 mm bis 30 mm, ins- besondere 5 mm bis 25 mm und insbesondere 10 mm bis 20 mm unterhalb der Substrat-Unterseite. Bei einer direkten Benetzung wird der Füllstand so geregelt, dass der Flüssigkeitspegel 0 mm bis 5 mm unterhalb der Substrat- Unterseite liegt. Dies ist ausreichend, um die Substrat-Stirnseite und ggf. die Substrat-Oberseite mit der Vorbehandlungsflüssigkeit zu benetzen, so- dass der Begrenzungsbereich ausgebildet wird. Die Temperatur der Vorbehandlungsflüssigkeit liegt insbesondere in einem Temperaturbereich zwischen 5 °C und 25 °C, vorzugsweise bei Raumtemperatur. Die Vorbehandlungsflüssigkeit ist insbesondere als Ätzlösung ausgebildet, die einen Säure-Konzentrationsbereich zwischen 0,1 Gew.-% und 50 Gew.-%, insbeson- dere 0,1 Gew.-% und 5 Gew.-% hat. Als Säure dienen insbesondere Fluorwasserstoffsäure, Salpetersäure, Schwefelsäure und/oder Peroxophosphor- säure. Vorzugsweise weist die zweite Auftragseinrichtung eine entsprechende Füllstandsregelung für die in dem Prozessbecken aufgenommene Prozessflüssigkeit auf. An apparatus according to claim 10 ensures a simple and economical chemical treatment of the semiconductor substrate. The fill level control ensures that the pre-treatment liquid is applied in a simple manner. In the case of indirect wetting, the fill level is regulated so that the liquid level of the pretreatment liquid is below the bottom of the substrate, ie below the height of the substrate. level of the transport rollers is that the transport rollers immerse at any time in the pre-treatment liquid. For this purpose, the liquid level is less than a diameter of the transport rollers below the substrate bottom. The liquid level is preferably 1 mm to 30 mm, in particular 5 mm to 25 mm and in particular 10 mm to 20 mm below the substrate underside. In the case of direct wetting, the fill level is regulated so that the liquid level is 0 mm to 5 mm below the bottom of the substrate. This is sufficient to wet the substrate end face and possibly the substrate top side with the pretreatment liquid so that the boundary area is formed. The temperature of the pretreatment liquid is in particular in a temperature range between 5 ° C and 25 ° C, preferably at room temperature. The pretreatment liquid is in particular formed as an etching solution which has an acid concentration range between 0.1% by weight and 50% by weight, in particular 0.1% by weight and 5% by weight. Hydrofluoric acid, nitric acid, sulfuric acid and / or peroxophosphoric acid are used in particular as the acid. The second application device preferably has a corresponding fill level control for the process fluid received in the process tank.

Eine Vorrichtung nach Anspruch 1 1 gewährleistet eine einfache und wirtschaftliche Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch die Transporteinrichtung wird das jeweilige Halbleiter-Substrat in der Transportrichtung horizontal transportiert. Durch die Regelung der Rotationsgeschwindigkeit der Transportrollen wird die Transportgeschwindigkeit des Halbleiter- Substrats in der Transportrichtung eingestellt, sodass bei einer möglichst hohen Transportgeschwindigkeit dennoch eine ausreichende Einwirkdauer der Vorbehandlungsflüssigkeit zur Ausbildung des Begrenzungsbereichs sichergestellt ist. Insbesondere ist durch die Rotationsgeschwindigkeitsre- gelung die Transportgeschwindigkeit des jeweiligen Halbleiter-Substrats exakt bekannt, sodass anhand der Transportgeschwindigkeit und einer einzigen ermittelten Transportposition die erste Auftragseinrichtung und/oder die Reinigungseinrichtung ansteuerbar ist, insbesondere ein- und aus- schaltbar ist. An apparatus according to claim 1 1 ensures a simple and economical treatment of the semiconductor substrate. By the transport device, the respective semiconductor substrate is transported horizontally in the transport direction. By regulating the rotational speed of the transport rollers, the transport speed of the semiconductor substrate in the transport direction is adjusted, so that at the highest possible transport speed nevertheless a sufficient exposure time of the pretreatment liquid is ensured to form the boundary region. In particular, due to the rotational speed Gelung the transport speed of the respective semiconductor substrate exactly known, so that based on the transport speed and a single determined transport position, the first application device and / or the cleaning device is controlled, in particular switched on and off.

Der Erfindung liegt ferner die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, das eine einfache und wirtschaftliche chemische Behandlung eines Halbleiter-Substrats ermöglicht. Another object of the present invention is to provide a method which enables a simple and economical chemical treatment of a semiconductor substrate.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 12 gelöst. Die Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens entsprechen den bereits beschriebenen Vorteilen der erfindungsgemäßen Vorrichtung. Das erfindungsgemäße Verfahren kann insbesondere auch mit den Merkmalen der Ansprüche 1 bis 1 1 weitergebildet werden. Der Begrenzungsbereich wird insbesondere an den Substrat-Stirnseiten und/oder an der Substrat-Oberseite des Halbleiter-Substrats erzeugt. Der seitlich an dem Halbleiter-Substrat ausgebildete Begrenzungsbereich kann einfach erzeugt werden und ist ausreichend, um das Fluid auf der Substrat- Oberseite zu halten. Durch den an der Substrat-Oberseite erzeugten Begrenzungsbereich wird das Fluid wirkungsvoll auf der Substrat-Oberseite gehalten. Der Begrenzungsbereich wird insbesondere in einem Kantenbereich der Substrat-Oberseite ausgebildet. Der Kantenbereich ist ausgehend von einer umlaufenden Kante des Halbleiter-Substrats kleiner als 2 mm, insbesondere kleiner als 1 ,5 mm, und insbesondere kleiner als 1 mm. Vorzugsweise entspricht das Vorbehandlungsfluid dem Prozessfluid. Hierdurch wird das Vorhalten des Prozessfluids bzw. des Vorbehandlungsfluids vereinfacht. Ein Verfahren nach Anspruch 13 gewährleistet in einfacher Weise eine Reinigung der Substrat-Oberseite. Das Aufbringen des Reinigungsfluids auf die Substrat-Oberseite erfolgt insbesondere mittels einer Auftragsdüse. Das Reinigungsfluid ist insbesondere eine Reinigungsflüssigkeit, bei- spielsweise Wasser. This object is achieved by a method having the features of claim 12. The advantages of the method according to the invention correspond to the already described advantages of the device according to the invention. In particular, the method according to the invention can also be developed with the features of claims 1 to 11. The boundary region is produced in particular on the substrate end faces and / or on the substrate top side of the semiconductor substrate. The boundary area formed laterally on the semiconductor substrate can be easily generated and is sufficient to hold the fluid on the substrate top. The boundary region created at the substrate top effectively holds the fluid on the substrate top. The boundary region is formed in particular in an edge region of the substrate top side. The edge region is smaller than 2 mm, in particular smaller than 1, 5 mm, and in particular smaller than 1 mm, starting from a circumferential edge of the semiconductor substrate. Preferably, the pretreatment fluid corresponds to the process fluid. This simplifies the provision of the process fluid or the pretreatment fluid. A method according to claim 13 ensures in a simple manner a cleaning of the substrate top. The application of the cleaning fluid to the substrate top takes place in particular by means of an application nozzle. The cleaning fluid is in particular a cleaning fluid, for example water.

Ein Verfahren nach Anspruch 14 gewährleistet in einfacher Weise eine wirtschaftliche chemische Behandlung des Halbleiter-Substrats. Durch das Entfernen des Reinigungsfluids kann das Fluid in einfacher Weise auf eine gereinigte Substrat-Oberseite aufgebracht werden. Hierdurch kann als Fluid sowohl ein Schutzfluid als auch ein Behandlungsfluid aufgebracht werden. Das Entfernen erfolgt beispielsweise mittels einer Walze, die das Reinigungsfluid aufgrund eines Anpressdrucks von der Substrat-Oberseite entfernt. Weiterhin erfolgt das Entfernen beispielsweise mittels eines Geblä- ses, das das Reinigungsfluid aufgrund eines Fluidstroms, insbesondere eines Luftstroms, von der Substrat-Oberseite entfernt. Das entfernte Reinigungsfluid wird unterhalb der Halbleiter-Substrate beispielsweise mittels eines Auffangbeckens aufgefangen. Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels. Es zeigen: A method according to claim 14 ensures in a simple manner an economical chemical treatment of the semiconductor substrate. By removing the cleaning fluid, the fluid can be easily applied to a cleaned substrate top. As a result, both a protective fluid and a treatment fluid can be applied as the fluid. The removal takes place for example by means of a roller, which removes the cleaning fluid due to a contact pressure from the substrate top. Furthermore, the removal takes place, for example, by means of a fan which removes the cleaning fluid from the substrate top side due to a fluid flow, in particular an air flow. The removed cleaning fluid is collected below the semiconductor substrates, for example by means of a catch basin. Further features, advantages and details of the invention will become apparent from the following description of an embodiment. Show it:

Fig. 1 eine Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Halbleiter- Substrats, 1 shows a device for the chemical treatment of a semiconductor substrate,

Fig. 2 eine vergrößerte Darstellung der Vorbehandlungseinrichtung bei einer ersten Betriebsweise der Vorrichtung, Fig. 3 eine Draufsicht auf die Vorbehandlungseinrichtung gemäß Fig. 2, und 2 is an enlarged view of the pretreatment device in a first mode of operation of the device, Fig. 3 is a plan view of the pretreatment device of FIG. 2, and

Fig. 4 eine vergrößerte Darstellung der Vorbehandlungseinrichtung gemäß Fig. 2 bei einer zweiten Betriebsweise. Fig. 4 is an enlarged view of the pretreatment device according to FIG. 2 in a second mode of operation.

Eine Vorrichtung 1 weist zum horizontalen Transport von Halbleiter- Substraten 2 in einer Transportrichtung 3 eine Transporteinrichtung 4 auf. Weiterhin umfasst die Vorrichtung 1 eine Vorbehandlungseinrichtung 5, eine erste Reinigungseinrichtung 6, eine Entfernungseinrichtung 7, eine erste Auftragseinrichtung 8, eine zweite Auftragseinrichtung 9, eine zweite Reinigungseinrichtung 10 und eine Trocknungseinrichtung 1 1. Die Vorbehandlungseinrichtung 5 ist in der Transportrichtung 3 vor den Auftragseinrichtungen 8, 9 angeordnet. Die Halbleiter-Substrate 2 sind insbesondere als Halbleiter- Wafer, vorzugsweise als Silizium- Wafer ausgebildet. A device 1 has a transport device 4 for the horizontal transport of semiconductor substrates 2 in a transport direction 3. Furthermore, the apparatus 1 comprises a pretreatment device 5, a first cleaning device 6, a removal device 7, a first application device 8, a second application device 9, a second cleaning device 10 and a drying device 1 1. The pretreatment device 5 is in the transport direction 3 in front of the application devices 8 , 9 arranged. The semiconductor substrates 2 are in particular formed as semiconductor wafers, preferably as silicon wafers.

Zum Transport der Halbleiter-Substrate 2 weist die Transporteinrichtung 4 eine Vielzahl von Transportrollen 12 auf, die von der Vorbehandlungseinrichtung 5 entlang der Transportrichtung 3 bis zu der Trocknungseinrich- tung 1 1 angeordnet sind. Die Transportrollen 12 werden mittels eines elektrischen Antriebsmotors 13 und einer nicht näher dargestellten Übertragungsmechanik drehangetrieben. Eine Rotationsgeschwindigkeit ω um eine jeweilige Rotationsachse 14 wird mittels eines Geschwindigkeitsmesssensors 15 gemessen. Vor der Vorbehandlungseinrichtung 5 ist weiterhin ein Positionsmesssensor 51 zur Ermittlung einer Transportposition xo des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 angeordnet. For transporting the semiconductor substrates 2, the transport device 4 has a plurality of transport rollers 12, which are arranged from the pretreatment device 5 along the transport direction 3 to the drying device 11. The transport rollers 12 are rotationally driven by means of an electric drive motor 13 and a transmission mechanism, not shown. A rotational speed ω about a respective rotational axis 14 is measured by means of a speed measuring sensor 15. Before the pretreatment device 5, a position measuring sensor 51 for determining a transport position xo of the respective semiconductor substrate 2 is furthermore arranged.

Die Vorbehandlungseinrichtung 5 weist ein Vorbehandlungsbecken 16 auf, das zur Aufnahme eines Vorbehandlungsfluids 17 dient. Das Vorbehand- lungsfluid 17 ist als Flüssigkeit ausgebildet, die als Flüssigkeitsbad in dem Vorbehandlungsbecken 16 aufgenommen ist. Zur Messung eines Füllstandes h der Vorbehandlungsflüssigkeit 17 in dem Vorbehandlungsbecken 16 weist die Vorbehandlungseinrichtung 5 einen Füllstandsmesssensor 18 auf. Der Füllstandsmesssensor 18 ist beispielsweise an dem Vorbehandlungsbecken 16 angeordnet. The pretreatment device 5 has a pretreatment basin 16 which serves to receive a pretreatment fluid 17. The pretreatment Lung fluid 17 is formed as a liquid which is received as a liquid bath in the pre-treatment tank 16. For measuring a filling level h of the pretreatment liquid 17 in the pretreatment basin 16, the pretreatment device 5 has a fill level measuring sensor 18. The level measuring sensor 18 is arranged, for example, on the pretreatment basin 16.

Das Vorbehandlungsbecken 16 weist in der Transportrichtung 3 eine Länge auf, die zwischen 0,3 m und 1,5 m, insbesondere zwischen 0,4 m und 1,2 m, und insbesondere zwischen 0,5 m und 0,8 m liegt. Die Transportrollen 12 erstrecken sich im Bereich des Vorbehandlungsbeckens 16 in das Vorbehandlungsbecken 16 und die darin aufgenommene Vorbehandlungsflüssigkeit 17. Zur Regelung des Füllstandes h weist die Vorbehandlungseinrichtung 5 einen Vorratsbehälter 19 auf, der über eine Leitung 20 und eine Pumpe 21 mit dem Vorbehandlungsbecken 16 verbunden ist. The pretreatment basin 16 has, in the transport direction 3, a length which lies between 0.3 m and 1.5 m, in particular between 0.4 m and 1.2 m, and in particular between 0.5 m and 0.8 m. The transport rollers 12 extend in the area of the pretreatment basin 16 into the pretreatment basin 16 and the pretreatment liquid 17 received therein. To regulate the level h, the pretreatment device 5 has a reservoir 19 which is connected to the pretreatment basin 16 via a line 20 and a pump 21 ,

In einer Steuereinrichtung 22 der Vorrichtung 1 ist eine Füllstandsregelung 23 implementiert, die in Signalverbindung mit dem Füllstandsmesssensor 18 und der Pumpe 21 ist. Weiterhin ist in der Steuereinrichtung 22 eine Rotationsgeschwindigkeitsregelung 24 für die Transportrollen 12 implementiert, die in Signalverbindung mit dem Geschwindigkeitsmesssensor 15 und dem Antriebsmotor 13 ist. Die Füllstandsregelung 23 und die Rotati- onsgeschwindigkeitsregelung 24 sind insbesondere Teil der Vorbehandlungseinrichtung 5. In a control device 22 of the device 1, a level control 23 is implemented, which is in signal communication with the level sensor 18 and the pump 21. Furthermore, in the control device 22, a rotational speed control 24 is implemented for the transport rollers 12 which is in signal communication with the speed measuring sensor 15 and the drive motor 13. The level control 23 and the rotation speed control 24 are in particular part of the pretreatment device 5.

Die erste Reinigungseinrichtung 6 ist in der Transportrichtung 3 nach der Vorbehandlungseinrichtung 5 angeordnet und dient zum Entfernen der Vorbehandlungsflüssigkeit 14 und zum Reinigen der Halbleiter-Substrate 2. Die Reinigungseinrichtung 6 weist eine Auftragsdüse 25 auf, die ober- halb der Transportrollen 12 und der darauf transportierten Halbleiter- Substrate 2 angeordnet ist. Die Auftragsdüse 25 dient zum Aufbringen eines Reinigungsfluids 26 auf die Halbleiter-Substrate 2 und insbesondere die jeweilige Substrat-Oberseite 27 der Halbleiter-Substrate 2. Die Auf- tragsdüse 25 ist über eine Leitung 28 und eine zugehörige Auftragspumpe 29 mit einem Vorratsbehälter 30 verbunden. Die Auftragspumpe 29 ist in Signalverbindung mit der Steuereinrichtung 22. Das Reinigungsfluid 26 ist als Reinigungsflüssigkeit ausgebildet. Vorzugsweise ist die Reinigungsflüssigkeit 26 Wasser, insbesondere destilliertes Wasser. The first cleaning device 6 is arranged downstream of the pretreatment device 5 in the transport direction 3 and serves to remove the pretreatment liquid 14 and to clean the semiconductor substrates 2. The cleaning device 6 has an application nozzle 25, which half of the transport rollers 12 and the semiconductor substrates 2 transported thereon is arranged. The application nozzle 25 is used for applying a cleaning fluid 26 to the semiconductor substrates 2 and in particular the respective substrate top 27 of the semiconductor substrates 2. The order nozzle 25 is connected via a line 28 and an associated application pump 29 with a reservoir 30. The application pump 29 is in signal communication with the control device 22. The cleaning fluid 26 is designed as a cleaning fluid. Preferably, the cleaning liquid 26 is water, especially distilled water.

Die Entfernungseinrichtung 7 ist in der Transportrichtung 3 nach der ersten Reinigungseinrichtung 6 angeordnet. Die Entfernungseinrichtung 7 umfasst ein oberhalb der Transportrollen 12 angeordnetes Entfernungselement 31 und ein unterhalb der Transportrollen 12 angeordnetes Auffangbecken 32. Das Entfernungselement 31 ist beispielsweise als Walze ausgebildet, die mit einem Anpressdruck gegen die Substrat-Oberseite 27 des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 anliegt und die Reinigungsflüssigkeit 26 von der Substrat-Oberseite 27 in das Auffangbecken 32 drückt. Alternativ ist das Entfernungselement 31 beispielsweise als Gebläse ausgebildet, das die Reinigungsflüssigkeit 26 mittels eines auf die Substrat-Oberseite 27 gerichteten Fluidstroms, insbesondere eines Luftstroms, von der Substrat- Oberseite 27 in das Auffangbecken 32 entfernt. The removal device 7 is arranged in the transport direction 3 after the first cleaning device 6. The removal device 7 comprises a removal element 31 arranged above the transport rollers 12 and a collecting basin 32 arranged below the transport rollers 12. The removal element 31 is designed, for example, as a roller which abuts against the substrate upper side 27 of the respective semiconductor substrate 2 with a contact pressure and which Cleaning liquid 26 presses from the substrate top 27 into the catch basin 32. Alternatively, the removal element 31 is designed, for example, as a fan, which removes the cleaning liquid 26 from the substrate top 27 into the catch basin 32 by means of a fluid flow, in particular an air flow, directed onto the substrate top 27.

Die Auftragseinrichtungen 8, 9 sind in der Transportrichtung 3 nach der Entfernungseinrichtung 7 angeordnet. Die erste Auftragseinrichtung 8 dient zum Auftragen eines Fluids 33 auf die jeweilige Substrat-Oberseite 27 der Halbleiter-Substrate 2. Die erste Auftragseinrichtung 8 weist eine Auftragsdüse 34 auf, die oberhalb der Transportrollen 12 und der darauf transportierten Halbleiter-Substrate 2 angeordnet ist. Die Auftragsdüse 34 ist über eine Leitung 35 und eine zugehörige Auftragspumpe 36 mit einem Vorratsbehälter 37 verbunden. Die Auftragspumpe 36 ist in Signalverbindung mit der Steuereinrichtung 22. Das Fluid 33 ist insbesondere als Flüssigkeit ausgebildet. The application devices 8, 9 are arranged in the transport direction 3 after the removal device 7. The first application device 8 is used to apply a fluid 33 to the respective substrate top side 27 of the semiconductor substrates 2. The first application device 8 has an application nozzle 34, which is arranged above the transport rollers 12 and the semiconductor substrates 2 transported thereon. The application nozzle 34 is connected via a line 35 and an associated application pump 36 with a reservoir 37. The application pump 36 is in signal communication with the control device 22. The fluid 33 is in particular formed as a liquid.

Die zweite Auftragseinrichtung 9 dient zum Aufbringen eines Prozessflu- ids 38 auf eine jeweilige Substrat-Unterseite 39 der Halbleiter-Substrate 2. Das Prozessfluid 38 ist als Flüssigkeit ausgebildet, die in einem Prozessbecken 40 aufgenommen ist. Die zweite Auftragseinrichtung 9 weist entspre- chend der Vorbehandlungseinrichtung 5 einen Füllstandsmesssensor 41 , einen Vorratsbehälter 42, der über eine Leitung 43 und eine Pumpe 44 mit dem Prozessbecken 40 verbunden ist, und eine Füllstandsregelung 45 auf. Hinsichtlich des Aufbaus der zweiten Auftragseinrichtung 9 wird auf die Beschreibung der Vorbehandlungseinrichtung 5 verwiesen. The second application device 9 serves to apply a process fluid 38 to a respective substrate bottom 39 of the semiconductor substrates 2. The process fluid 38 is formed as a liquid, which is accommodated in a process tank 40. According to the pretreatment device 5, the second application device 9 has a fill level measurement sensor 41, a reservoir 42 which is connected to the process tank 40 via a line 43 and a pump 44, and a fill level control 45. With regard to the construction of the second application device 9, reference is made to the description of the pretreatment device 5.

Das Prozessbecken 40 weist ein erstes Ende 46 und ein in der Transportrichtung 3 nachgeordnetes zweites Ende 47 auf, wobei das Prozessbecken 40 zwischen den Enden 46, 47 eine Länge L hat. Die erste Auftragseinrichtung 8, insbesondere deren Auftragsdüse 34 ist oberhalb des Prozessbe- ckens 40 angeordnet. Die Auftragsdüse 34 hat von dem ersten Ende 46 einen Abstand A, wobei gilt: 0,01 · L < A < 0,3 · L, insbesondere 0,05 · L < A < 0,25 · L, und insbesondere 0,1 · L < A < 0,2 · L. The process tank 40 has a first end 46 and a downstream in the transport direction 3 second end 47, wherein the process tank 40 between the ends 46, 47 has a length L. The first application device 8, in particular its application nozzle 34, is arranged above the process cover 40. The application nozzle 34 has a distance A from the first end 46, where: 0.01 * L <A <0.3 * L, in particular 0.05 * L <A <0.25 * L, and in particular 0.1 · L <A <0.2 · L.

Die zweite Reinigungseinrichtung 10 und die nachgeordnete Trocknungs- einrichtung 1 1 sind in der Transportrichtung 3 nach den Auftragseinrichtungen 8, 9 angeordnet. The second cleaning device 10 and the downstream drying device 1 1 are arranged in the transport direction 3 after the application devices 8, 9.

Die Funktionsweise der Vorrichtung 1 ist in einer ersten Betriebsweise wie folgt: Die Vorbehandlungseinrichtung 5 dient zur Erzeugung eines umlaufenden Begrenzungsbereichs 48 an dem jeweiligen Halbleiter-Substrat 2, der das nachfolgend mittels der ersten Auftragseinrichtung 8 aufzubringende Fluid 33 bzw. die aufzubringenden Flüssigkeit auf der Substrat-Oberseite 27 eingrenzt, sodass die Flüssigkeit 33 auf der Substrat-Oberseite 27 gehalten wird. Hierzu wird der Füllstand h in dem Vorbehandlungsbecken 16 mittels der Füllstandsregelung 23 so geregelt, dass die Transportrollen 12 in das Flüssigkeitsbad aus der Vorbehandlungsflüssigkeit 17 eintauchen. Die Transportrollen 12 nehmen bei ihrer Rotation um die zugehörigen Rotationsachsen 14 Vorbehandlungsflüssigkeit 17 aus dem Flüssigkeitsbad mit, sodass die Substrat-Unterseiten 39 des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 mittels der Transportrollen 12 indirekt benetzt wird. Beispielsweise ist ein Abstand d zwischen einem Flüssigkeitspegel S der Vorbehandlungsflüssig- keit 17 und der Substrat-Unterseite 39 zwischen 5 mm und 10 mm. Von der Substrat-Unterseite 39 bewegt sich die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 selbsttätig zu den umlaufenden Substrat-Stirnseiten 49. The operation of the device 1 in a first mode of operation is as follows: The pretreatment device 5 is used to generate a peripheral boundary region 48 on the respective semiconductor substrate 2, which delimits the subsequently to be applied by means of the first applicator 8 fluid 33 and the liquid to be applied on the substrate top 27, so that the liquid 33 on the substrate Top 27 is held. For this purpose, the fill level h in the pretreatment basin 16 is regulated by means of the fill level control 23 so that the transport rolls 12 dip into the liquid bath from the pretreatment liquid 17. The transport rollers 12 take during their rotation about the associated rotation axes 14 pretreatment liquid 17 from the liquid bath, so that the substrate bottoms 39 of the respective semiconductor substrate 2 is wetted indirectly by means of the transport rollers 12. For example, a distance d between a liquid level S of the pretreatment liquid 17 and the substrate bottom 39 is between 5 mm and 10 mm. From the substrate bottom 39, the pretreatment liquid 17 moves automatically to the peripheral substrate end faces 49th

Die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 ist als Ätzlösung ausgebildet und weist insbesondere Fluorwasserstoffsäure und/oder Salpetersäure auf. Die Konzentration der Fluorwasserstoffsäure und/oder der Salpetersäure beträgt zwischen 0,1 Gew.-% bis 50 Gew.-%, insbesondere 0,1 Gew.-% bis 5 Gew.-%. Die Temperatur der Vorbehandlungsflüssigkeit 17 beträgt zwischen 7 °C und 25 °C, beispielsweise 20 °C. Die Einwirkdauer der Vorbe- handlungsflüssigkeit 17 wird über die Rotationsgeschwindigkeit ω der Transportrollen 12 und/oder die Länge des Vorbehandlungsbeckens 16 eingestellt. Durch die als Ätzlösung ausgebildete Vorbehandlungsflüssigkeit 17 wird an den Substrat-Stirnseiten 49 eine die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 anziehende obere Schicht abgeätzt, sodass eine die Vorbehandlungsflüssig- keit 17 abweisende untere Schicht freigelegt wird. Vorzugsweise ist die die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 abweisende untere Schicht hydrophob ausgebildet. Durch das Freilegen der unteren Schicht reißt der Kontakt zu der Vorbehandlungsflüssigkeit 17 selbsttätig ab, sodass die Ätzrate sinkt und der Ätzvorgang selbstständig stoppt. Durch den Ätzvorgang ist somit der umlaufende Begrenzungsbereich 48 an den Substrat-Stirnseiten 49 erzeugt worden, der einen Innenraum 50 an der Substrat-Oberseite 27 umlaufend begrenzt. The pretreatment liquid 17 is formed as an etching solution and has, in particular, hydrofluoric acid and / or nitric acid. The concentration of hydrofluoric acid and / or nitric acid is between 0.1 wt .-% to 50 wt .-%, in particular 0.1 wt .-% to 5 wt .-%. The temperature of the pre-treatment liquid 17 is between 7 ° C and 25 ° C, for example 20 ° C. The exposure time of the pretreatment liquid 17 is set via the rotational speed ω of the transport rollers 12 and / or the length of the pretreatment basin 16. By means of the pretreatment liquid 17 designed as an etching solution, an upper layer which attracts the pretreatment liquid 17 is etched away on the substrate end faces 49, so that a lower layer repelling the pretreatment liquid 17 is uncovered. Preferably, the lower layer which repels the pretreatment liquid 17 is made hydrophobic. By exposing the lower layer, the contact with the pretreatment liquid 17 breaks off automatically, so that the etching rate drops and the etching process automatically stops. As a result of the etching process, the encircling boundary region 48 has been produced on the substrate end faces 49, which circumscribes an inner space 50 on the substrate upper side 27.

Das jeweilige Halbleiter-Substrat 2 wird anschließend zu der ersten Reinigungseinrichtung 6 transportiert, die mittels der Auftragsdüse 25 das Rei- nigungsfluid 26 bzw. die Reinigungsflüssigkeit auf die Substrat-Oberseite 27 aufbringt. Die Auftragspumpe 29 wird in Abhängigkeit der ermittelten Transportposition xo und der aus der Rotationsgeschwindigkeit ω ermittelten Transportgeschwindigkeit eingeschaltet und anschließend wieder ausgeschaltet, sodass das Reinigungsfluid 26 ausschließlich auf die jeweilige Substrat-Oberseite 27 aufgebracht wird. Die Reinigungsfluid 26 wird anschließend mittels der Entfernungseinrichtung 7 von der jeweiligen Substrat-Oberseite 27 wieder entfernt, sodass die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 von der Substrat-Oberfläche bzw. der Substrat-Oberseite 27 abgespült wird. Die mit der Reinigungsfluid 26 abgespülte Vorbehandlungsflüssig- keit 17 wird unterhalb der Transportrollen 12 in dem Auffangbecken 32 gesammelt und/oder entsorgt. Die Reinigungsfluid 26 ist derart ausgebildet, dass dieses durch den Begrenzungsbereich 48 eingegrenzt wird, sodass das Reinigungsfluid auf der Substrat-Oberseite 27 gehalten wird. Durch den Begrenzungsbereich 48 ist lediglich eine grobe Dosierung des Reini- gungsfluids 26 erforderlich. The respective semiconductor substrate 2 is subsequently transported to the first cleaning device 6, which applies the cleaning fluid 26 or the cleaning fluid to the substrate upper side 27 by means of the application nozzle 25. The application pump 29 is switched on as a function of the determined transport position xo and the transport speed determined from the rotational speed ω and then switched off again so that the cleaning fluid 26 is applied exclusively to the respective substrate top side 27. The cleaning fluid 26 is subsequently removed again by means of the removal device 7 from the respective substrate top side 27, so that the pretreatment liquid 17 is rinsed off the substrate surface or the substrate top side 27. The pre-treatment liquid 17 rinsed with the cleaning fluid 26 is collected and / or disposed below the transport rollers 12 in the collecting basin 32. The cleaning fluid 26 is formed so as to be restricted by the restriction portion 48, so that the cleaning fluid is held on the substrate top surface 27. By the boundary region 48 only a rough dosage of the cleaning fluid 26 is required.

Anschließend wird das jeweilige Halbleiter- Substrat 2 zu den Auftragsein- richtungen 8, 9 transportiert. Mittels der Auftragsdüse 34 wird das Fluid 33 bzw. die Flüssigkeit auf die Substrat-Oberseite 27 aufgebracht. Hierzu wird die Auftragspumpe 36 in Abhängigkeit der ermittelten Transportposition xo und der aus der Rotationsgeschwindigkeit ω ermittelten Transportgeschwindigkeit mittels der Steuereinrichtung 22 ein- und ausgeschaltet, so- dass das Fluid 33 ausschließlich auf die jeweilige Substrat-Oberseite 27 aufgebracht wird. Subsequently, the respective semiconductor substrate 2 is transported to the applicators 8, 9. By means of the application nozzle 34, the fluid 33 or the liquid is applied to the substrate top 27. For this purpose, the application pump 36 is switched on and off as a function of the determined transport position xo and the transport speed determined by the rotational speed .omega. By means of the control device 22, so that the fluid 33 is applied exclusively to the respective substrate top 27.

Das Fluid 33 ist beispielsweise als Schutzfluid bzw. als Schutzflüssigkeit ausgebildet. Die Schutzflüssigkeit 33 wird durch den Begrenzungsbereich 48 eingegrenzt, sodass diese auf der Substrat-Oberseite 27 gehalten wird. Durch den Begrenzungsbereich 48 ist lediglich eine grobe Dosierung der Schutzflüssigkeit 33 erforderlich. Dadurch, dass die Auftragsdüse 34 oberhalb des Prozessbeckens 40 und nahe dem ersten Ende 46 angeordnet ist, wird die Schutzflüssigkeit 33 einerseits rechtzeitig vor der Behandlung der Substrat-Unterseite 39 mit dem Prozessfluid 38 aufgebracht und andererseits jedoch so spät wie möglich, sodass die Schutzflüssigkeit 33 während der Behandlung der Substrat-Unterseite 39 die Substrat-Oberseite 27 vollständig bedeckt und sich insbesondere nicht selbsttätig, beispielsweise infolge der Oberflächenspannung, aus den Ecken des Innenraums 50 zurück- zieht. Ein Nachdosieren der Schutzflüssigkeit 33 mittels einer weiteren Auftragseinrichtung ist somit nicht erforderlich. Die Schutzflüssigkeit 33 ist vorzugsweise als Wasser, insbesondere destilliertes Wasser ausgebildet. Aufgrund der Schutzflüssigkeit 33 auf der Substrat-Oberseite 27 wird die Substrat-Oberseite 27 vor einer unerwünschten chemischen Behandlung durch die Prozessflüssigkeit 38 geschützt. Dadurch, dass die Schutzflüssigkeit 33 innerhalb des Begrenzungsbereichs 48 gehalten wird, tropft diese nicht in das Prozessbecken 40 und verunreinigt bzw. verdünnt die Prozessflüssigkeit 38. Hierdurch wird ein Nachdosieren der Prozessflüssigkeit 38 zur Erhaltung der ätzenden Wirkung vermieden, wodurch der Chemikalienverbrauch sinkt. The fluid 33 is designed, for example, as a protective fluid or as a protective fluid. The protective liquid 33 is bounded by the boundary area 48 so that it is held on the substrate upper side 27. By limiting region 48, only a rough dosage of the protective liquid 33 is required. Because the application nozzle 34 is arranged above the process tank 40 and near the first end 46, the protective liquid 33 is applied on the one hand in good time before the treatment of the substrate bottom 39 with the process fluid 38 and on the other hand as late as possible, so that the protective liquid 33 During the treatment of the substrate underside 39, the substrate top 27 is completely covered and, in particular, does not withdraw automatically from the corners of the interior 50, for example because of the surface tension. A replenishment of the protective liquid 33 by means of a further application device is thus not required. The protective liquid 33 is preferably formed as water, in particular distilled water. Due to the protective liquid 33 on the substrate top 27, the substrate top 27 will be subject to undesirable chemical treatment protected by the process fluid 38. By keeping the protective liquid 33 within the confinement region 48, it does not drip into the process tank 40 and contaminate or dilute the process liquid 38. This avoids re-metering the process liquid 38 to maintain the corrosive effect, thereby reducing the consumption of chemicals.

Das Fluid 33 ist weiterhin beispielsweise als Behandlungsfluid, insbesondere als Behandlungsflüssigkeit ausgebildet. Die Behandlungsflüssigkeit 33 wird vorzugsweise durch den Begrenzungsbereich 48 eingegrenzt, sodass diese auf der Substrat-Oberseite 27 gehalten wird. Entspricht die Behandlungsflüssigkeit 33 der Prozessflüssigkeit 38, so ist ein Herabtropfen der Behandlungsflüssigkeit 33 ohnehin unproblematisch. Die Behandlungsflüssigkeit 33 ist vorzugsweise eine flüssige Ätzlösung. The fluid 33 is furthermore designed, for example, as a treatment fluid, in particular as a treatment fluid. The treatment liquid 33 is preferably bounded by the boundary region 48, so that it is held on the substrate top 27. If the treatment liquid 33 corresponds to the process liquid 38, then a dripping off of the treatment liquid 33 is unproblematic anyway. The treatment liquid 33 is preferably a liquid etching solution.

Je nach Bedarf ist das Fluid 33 somit als ein Schutzfluid oder ein Behandlungsfluid, insbesondere eine Schutzflüssigkeit oder eine Behandlungsflüssigkeit, gewählt. Hierzu muss in den Vorratsbehälter 37 entweder ein Schutzfluid oder ein Behandlungsfluid eingebracht werden. Mittels der Vorrichtung 1 können somit verschiedene Behandlungsprozesse durch einfachen Austausch des in dem Vorratsbehälter 37 enthaltenen Fluids 33 durchgeführt werden. Depending on requirements, the fluid 33 is thus selected as a protective fluid or a treatment fluid, in particular a protective fluid or a treatment fluid. For this purpose, either a protective fluid or a treatment fluid must be introduced into the reservoir 37. By means of the device 1, various treatment processes can thus be carried out by simply exchanging the fluid 33 contained in the reservoir 37.

Die zweite Auftragseinrichtung 9 bringt mittels der Transportrollen 12 das Prozessfluid 38 bzw. die Prozessflüssigkeit auf die Substrat-Unterseite 39 auf. Die Prozessflüssigkeit 38 ist als Ätzlösung ausgebildet und enthält Fluorwasserstoffsäure und/oder Salpetersäure zur chemischen Behandlung des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 an der Substrat-Unterseite 39. Vorzugsweise sind die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 und die Prozessflüssig- keit 38 identisch ausgebildet, sodass lediglich eine Ätzlösung vorgehalten werden muss. Insbesondere kann diese Ätzlösung in einem gemeinsamen Vorratsbehälter 19, 42 vorgehalten werden. Der Füllstand in dem Prozessbecken 40 wird mittels des Füllstandsmesssensors 41, der Pumpe 44 und der Füllstandsregelung 45 entsprechend der Vorbehandlungseinrichtung 5 geregelt. The second applicator 9 brings by means of the transport rollers 12, the process fluid 38 and the process liquid on the substrate bottom 39 on. The process liquid 38 is designed as an etching solution and contains hydrofluoric acid and / or nitric acid for the chemical treatment of the respective semiconductor substrate 2 on the substrate underside 39. Preferably, the pretreatment liquid 17 and the process liquid are 38 formed identical, so that only one etching solution must be kept. In particular, this etching solution can be kept in a common storage container 19, 42. The level in the process tank 40 is controlled by means of the level measurement sensor 41, the pump 44 and the level control 45 according to the pretreatment device 5.

Nach der chemischen Behandlung wird das jeweilige Halbleiter-Substrat 2 in der Reinigungseinrichtung 10 gereinigt und anschließend in der Trock- nungseinrichtung 1 1 getrocknet. Das jeweilige chemisch behandelte Halbleiter-Substrat 2 steht nun für weitere Bearbeitungsschritte zur Verfügung. After the chemical treatment, the respective semiconductor substrate 2 is cleaned in the cleaning device 10 and then dried in the drying device 11. The respective chemically treated semiconductor substrate 2 is now available for further processing steps.

Die Funktionsweise der Vorrichtung 1 ist in einer zweiten Betriebsweise wie folgt: The operation of the device 1 in a second mode of operation is as follows:

Im Unterschied zu der ersten Betriebsweise wird der Füllstand h in dem Vorbehandlungsbecken 16 so geregelt, dass die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 die Substrat-Unterseite 39 des jeweiligen Halbleiter-Substrats 2 direkt und/oder durch Meniskusbildung direkt benetzt. Der Füllstand h wird so geregelt, dass der Flüssigkeitspegel S einen Abstand d zwischen 0 mm und 5 mm hat. Durch den Flüssigkeitspegel S wird die Substrat-Unterseite 39 somit direkt mit der Vorbehandlungsflüssigkeit 17 benetzt. Die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 bewegt sich selbsttätig an den umlaufenden Substrat- Stirnseiten 49 entlang zu der Substrat-Oberseite 27. An der Substrat- Oberseite 27 benetzt die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 einen umlaufenden Randbereich von 1 mm bis 10 mm. Die Vorbehandlungsflüssigkeit 17 ätzt die obere Schicht an den Substrat-Stirnseiten 49 und teilweise in dem Randbereich an der Substrat-Oberseite 27 ab, sodass die darunter liegende untere Schicht, die auf das Reinigungsfluid 26 und das Fluid 33 abweisend wirkt, freigelegt wird. Aufgrund des selbstlimitierenden Ätzvorgangs wird an der Substrat-Oberseite 27 die untere Schicht lediglich in einem umlaufenden Kantenbereich von bis zu 1 mm freigelegt, wohingegen in dem restlichen Randbereich die obere Schicht nur angeätzt wird. Die Substrat- Stirnseiten 49 und der freigelegte Kantenbereich an der Substrat-Oberseite 27 bilden somit den umlaufenden Begrenzungsbereich 48 aus. In contrast to the first mode of operation, the filling level h in the pretreatment basin 16 is regulated so that the pretreatment liquid 17 directly wets the substrate bottom 39 of the respective semiconductor substrate 2 directly and / or by meniscus formation. The level h is controlled so that the liquid level S has a distance d between 0 mm and 5 mm. Due to the liquid level S, the substrate bottom 39 is thus wetted directly with the pretreatment liquid 17. The pre-treatment liquid 17 automatically moves along the circumferential substrate end sides 49 to the substrate top 27. At the substrate top 27, the pre-treatment liquid 17 wets a circumferential edge region of 1 mm to 10 mm. The pre-treatment liquid 17 etches the top layer at the substrate end faces 49 and partially in the edge region at the substrate top 27, so that the underlying bottom layer, which is repellent to the cleaning fluid 26 and the fluid 33 acts, is exposed. Due to the self-limiting etching process, the lower layer is exposed on the substrate upper side 27 only in a circumferential edge region of up to 1 mm, whereas in the remaining edge region the upper layer is only etched. The substrate end faces 49 and the exposed edge region on the substrate upper side 27 thus form the peripheral boundary region 48.

Das jeweilige vorbehandelte Halbleiter-Substrat 2 wird anschließend zu der ersten Reinigungseinrichtung 6 und zu der Entfernungseinrichtung 7 sowie anschließend zu den Auftragseinrichtungen 8, 9 transportiert. Der umlaufende Begrenzungsbereich 48 grenzt wiederum das Reinigungsfluid 26 und das Fluid 33, insbesondere die Schutzflüssigkeit, an der Substrat-Oberseite 27 ein. Hinsichtlich der weiteren Betriebsweise wird auf die Beschreibung der ersten Betriebsweise verwiesen. The respective pretreated semiconductor substrate 2 is subsequently transported to the first cleaning device 6 and to the removal device 7 and then to the application devices 8, 9. The circumferential boundary region 48 in turn adjoins the cleaning fluid 26 and the fluid 33, in particular the protective liquid, on the substrate top side 27. With regard to the further mode of operation, reference is made to the description of the first mode of operation.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung 1 und das erfindungsgemäße Verfahren eigenen sich insbesondere zur Bearbeitung von Solarzellen, die texturiert, beschichtet, thermisch diffundiert, ionenimplantiert und/oder thermisch, nasschemisch und/oder natürlich oxidiert wurden. The device 1 according to the invention and the method according to the invention are particularly suitable for processing solar cells which have been textured, coated, thermally diffused, ion-implanted and / or thermally, wet-chemically and / or naturally oxidized.

Claims

Patentansprüche claims 1. Vorrichtung zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats mit einer Transporteinrichtung (4) zum Transportieren eines Halblei- ter-Substrats (2) in einer Transportrichtung (3), 1. Apparatus for the chemical treatment of a semiconductor substrate with a transport device (4) for transporting a semiconductor substrate (2) in a transport direction (3), einer ersten Auftragseinrichtung (8) zum Aufbringen eines Fluids (33), insbesondere eines Schutzfluids, auf eine Substrat-Oberseite (27) des Halbleiter-Substrats (2), und  a first application device (8) for applying a fluid (33), in particular a protective fluid, to a substrate top side (27) of the semiconductor substrate (2), and einer zweiten Auftragseinrichtung (9) zum Aufbringen eines Pro- zessfluids (38) auf eine zu behandelnde Substrat-Unterseite (39) des Halbleiter-Substrats (2),  a second application device (9) for applying a process fluid (38) to a substrate underside (39) of the semiconductor substrate (2) to be treated, dadurch gekennzeichnet,  characterized, dass eine Vorbehandlungseinrichtung (5) zur Erzeugung eines umlaufenden und das aufzubringende Fluid (33) eingrenzenden Begren- zungsbereichs (48) an dem Halbleiter-Substrat (2) in der Transportrichtung (3) vor den Auftragseinrichtungen (8, 9) angeordnet ist, und dass die erste Auftragseinrichtung (8) oberhalb eines Prozessbeckens (40) der zweiten Auftragseinrichtung (9) angeordnet ist. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet,  in that a pretreatment device (5) for generating a circulating boundary region (48) delimiting the fluid (33) to be applied is arranged on the semiconductor substrate (2) in the transport direction (3) in front of the application devices (8, 9), and the first application device (8) is arranged above a process tank (40) of the second application device (9). 2. Apparatus according to claim 1, characterized in that dass das Prozessbecken (40) zwischen einem ersten Ende (46) und einem in der Transportrichtung (3) nachgeordneten zweiten Ende (47) eine Länge L hat und die erste Auftragseinrichtung (8) von dem ersten Ende (46) in der Transportrichtung (3) einen Abstand A hat, wobei gilt: 0,01 · L < A < 0,3 · L, insbesondere 0,05 · L < A < 0,25 · L, und insbesondere 0,1 · L < A < 0, the process basin (40) has a length L between a first end (46) and a second end (47) arranged downstream in the transport direction (3), and the first application device (8) extends from the first end (46) in the transport direction (3 ) has a distance A, where: 0.01 * L <A <0.3 * L, in particular 0.05 * L <A <0.25 * L, and in particular 0.1 * L <A <0, 2 · L. 2 · L. 3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Vorbehandlungseinrichtung (5) und den Auftragseinrichtungen (8, 9) eine Reinigungseinrichtung (6) zur Reinigung der Substrat-Oberseite (27) angeordnet ist. 3. Apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that in that a cleaning device (6) for cleaning the substrate upper side (27) is arranged between the pretreatment device (5) and the application devices (8, 9). 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, 4. Apparatus according to claim 3, characterized in that dass die Reinigungseinrichtung (6) zum Aufbringen eines Reinigungs- fluids (26) auf die Substrat-Oberseite (27) ausgebildet ist.  in that the cleaning device (6) is designed to apply a cleaning fluid (26) to the substrate top side (27). 5. Vorrichtung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, 5. Apparatus according to claim 4, characterized in that dass zwischen der Reinigungseinrichtung (6) und den Auftragseinrichtungen (8, 9) eine Entfernungseinrichtung (7) zum Entfernen eines Reinigungsfluids (26) von der Substrat-Oberseite (27) angeordnet ist.  in that a removal device (7) for removing a cleaning fluid (26) from the substrate upper side (27) is arranged between the cleaning device (6) and the application devices (8, 9). 6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekenn- zeichnet, 6. Device according to one of claims 1 to 5, characterized marked, dass mindestens ein Positionsmesssensor (51) zur Ermittlung einer Transportposition (xo) des Halbleiter-Substrats (2) vor der ersten Auftragseinrichtung (8), insbesondere vor der Vorbehandlungseinrichtung (5), angeordnet ist.  in that at least one position measuring sensor (51) for determining a transport position (xo) of the semiconductor substrate (2) is arranged in front of the first application device (8), in particular in front of the pretreatment device (5). 7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, 7. Apparatus according to claim 6, characterized in that dass eine Steuereinrichtung (22) derart ausgebildet ist, dass eine Auftragspumpe (29, 36) der ersten Auftragseinrichtung (8) und/oder der Reinigungseinrichtung (6) in Abhängigkeit der ermittelten Transport- position (xo) angesteuert wird.  in that a control device (22) is designed such that an application pump (29, 36) of the first application device (8) and / or the cleaning device (6) is actuated as a function of the determined transport position (xo). 8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Vorbehandlungseinrichtung (5) ein Vorbehandlungsbecken (16) für ein Vorbehandlungsfluid (17), insbesondere eine Vorbehand- lungsflüssigkeit, aufweist. 8. Device according to one of claims 1 to 7, characterized the pretreatment device (5) has a pretreatment basin (16) for a pretreatment fluid (17), in particular a pretreatment liquid. 9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, 9. Device according to one of claims 1 to 8, characterized dass die Transporteinrichtung (4) mehrere Transportrollen (12) aufweist, wobei die über dem Vorbehandlungsbecken (16) angeordneten Transportrollen (12) sich in das Vorbehandlungsbecken (16) erstre- cken.  the transport device (4) has a plurality of transport rollers (12), wherein the transport rollers (12) arranged above the pretreatment basin (16) extend into the pretreatment basin (16). 10. Vorrichtung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, 10. Apparatus according to claim 8 or 9, characterized in that dass die Vorbehandlungseinrichtung (5) eine Füllstandsregelung (23) für die in dem Vorbehandlungsbecken (16) aufgenommene Vorbe- handlungsflüssigkeit (17) aufweist.  the pretreatment device (5) has a fill level control (23) for the pretreatment liquid (17) received in the pretreatment basin (16). 1 1. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 9 bis 1 1, dadurch gekennzeichnet, 1 1. Device according to one of claims 9 to 1 1, characterized dass die Transporteinrichtung (4) eine Rotationsgeschwindigkeitsrege- lung (24) für die Transportrollen (12) aufweist.  the transport device (4) has a rotational speed control (24) for the transport rollers (12). 12. Verfahren zur chemischen Behandlung eines Halbleiter-Substrats mit folgenden Schritten: 12. A method of chemically treating a semiconductor substrate, comprising the steps of: Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats (2),  Providing a semiconductor substrate (2), - Erzeugen eines umlaufenden Begrenzungsbereichs (48) an dem - Generating a circumferential boundary region (48) on the Halbleiter- Substrat (2), der ein auf eine Substrat-Oberseite (27) aufzubringendes Fluid (33), insbesondere ein Schutzfluid, umgibt und eingrenzt, Aufbringen eines Fluids (33) auf die Substrat-Oberseite (27) in einen Innenraum (50) des Begrenzungsbereichs (48) oberhalb eines Prozessbeckens (40) mit einem Prozessfluid (38), und Semiconductor substrate (2) surrounding and confining a fluid (33) to be applied to a substrate top (27), in particular a protective fluid, Applying a fluid (33) to the substrate top (27) in an interior space (50) of the boundary region (48) above a process tank (40) with a process fluid (38), and Aufbringen des Prozessfluids (38) auf eine zu behandelnde Sub- strat-Unterseite (39).  Applying the process fluid (38) to a substrate underside (39) to be treated. 13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, 13. The method according to claim 12, characterized dass die Substrat-Oberseite (27) nach dem Erzeugen des Begrenzungsbereichs (48) gereinigt wird, insbesondere durch Aufbringen eines Reinigungsfluids (26).  in that the substrate top side (27) is cleaned after the production of the delimiting area (48), in particular by applying a cleaning fluid (26). 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, 14. The method according to claim 13, characterized dass das Reinigungsfluid (26) vor dem Aufbringen des Fluids (33) von der Substrat-Oberseite (27) entfernt wird.  the cleaning fluid (26) is removed from the substrate top (27) prior to the application of the fluid (33).
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