[go: up one dir, main page]

WO2016121575A1 - 電子部品の製造方法および電子部品 - Google Patents

電子部品の製造方法および電子部品 Download PDF

Info

Publication number
WO2016121575A1
WO2016121575A1 PCT/JP2016/051434 JP2016051434W WO2016121575A1 WO 2016121575 A1 WO2016121575 A1 WO 2016121575A1 JP 2016051434 W JP2016051434 W JP 2016051434W WO 2016121575 A1 WO2016121575 A1 WO 2016121575A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plating layer
electronic component
external electrode
component according
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2016/051434
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
英治 磯
伸一郎 泉
祥文 間木
冨岡　弘嗣
都美 河田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Toko Inc
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Toko Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd, Toko Inc filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to KR1020177021343A priority Critical patent/KR101975133B1/ko
Priority to CN201680007331.5A priority patent/CN107210129B/zh
Priority to JP2016571961A priority patent/JP6547762B2/ja
Priority to TW105102482A priority patent/TWI610602B/zh
Publication of WO2016121575A1 publication Critical patent/WO2016121575A1/ja
Priority to US15/661,739 priority patent/US11170935B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/12—Insulating of windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/02—Casings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/02—Casings
    • H01F27/022—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/32—Insulating of coils, windings, or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/005—Impregnating or encapsulating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/041—Printed circuit coils
    • H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/10—Connecting leads to windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/12—Insulating of windings
    • H01F41/125—Other insulating structures; Insulating between coil and core, between different winding sections, around the coil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/04—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets for manufacturing coils
    • H01F41/12—Insulating of windings
    • H01F41/127—Encapsulating or impregnating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/20—Arrangements for preventing discharge from edges of electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/224—Housing; Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/252—Terminals the terminals being coated on the capacitive element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type with magnetic core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors

Definitions

  • the present invention relates to an electronic component manufacturing method and an electronic component.
  • surface mount type electronic components such as multilayer ceramic capacitors are usually mounted on the surface of the chip body by a method such as reflow soldering. It is mounted by electrical and mechanical connection to the upper electrode.
  • Patent Document 1 insulates surfaces (both end surfaces, upper surface, and both side surfaces) other than a surface (lower surface) 101a facing a mounting target such as a substrate.
  • An electronic component 101 covered with a layer 130 has been proposed.
  • the lower surface 101a (see FIG. 12) of the electronic component 101 is fixed to the adhesive holding jig 140 as shown in FIGS.
  • the electronic component 101 is separated from the adhesive holding jig 140, so that a surface other than the lower surface of the electronic component 101 (A method for manufacturing an electronic component is shown in which both end surfaces, upper surface, and both side surfaces are covered with an insulating layer 130 and the lower surface is exposed.
  • the electronic component 101 configured as described above is mounted on the mounting substrate in such a posture that its lower surface faces the mounting substrate, thereby preventing the external electrode 120 from short-circuiting with other electronic components. It is said that high-density mounting with high reliability can be performed.
  • An object of the present invention is to provide an electronic component manufacturing method and an electronic component capable of manufacturing an electronic component capable of preventing a short circuit with the component.
  • a method for manufacturing an electronic component according to the present invention includes: Forming an insulating layer on the external electrode body so as to cover the external electrode body formed on the chip body constituting the electronic component; The insulating layer is irradiated with laser light having a larger absorption coefficient than the material constituting the surface of the external electrode main body, and the insulating layer located in the predetermined region is removed. And a step of exposing a predetermined region of the external electrode body.
  • the external electrode body is formed on the chip body, and is formed of an electrode body made of a conductive resin material, and metal plating formed so as to cover the electrode body. It is preferable that a layer is provided.
  • the electrode body of the external electrode body is formed of a conductive resin material
  • the electrode body made of the conductive resin material is covered with a metal plating layer that is difficult to absorb laser light.
  • the electrode body (resin electrode) is not removed in the step of removing the insulating layer located in the region, and the exposed region of the external electrode body can be formed in a desired shape.
  • the metal plating layer is a Ni plating layer.
  • the exposed region of the external electrode body can be formed in a desired shape, and the present invention can be made more effective.
  • the method for manufacturing an electronic component of the present invention further includes a step of forming a Sn plating layer so as to cover a region of the external electrode body exposed by removing the insulating layer.
  • the external electrode body may be formed from a material that does not contain a resin component.
  • the external electrode body formed from a material that does not include a resin component is, for example, a baked electrode (thick film electrode) formed by applying and baking a conductive paste containing metal particles and glass, a sputtering method, or vapor deposition. Examples thereof include a thin film electrode formed by a method or the like.
  • the method further includes a step of forming a coating plating layer so as to cover a region exposed by removing the insulating layer of the external electrode body.
  • the step of forming the coating plating layer includes a step of forming a Ni plating layer as a base layer and a step of forming a Sn plating layer as the outermost layer.
  • the chip body is made of a resin material and a composite material of metal powder
  • the external electrode main body includes a conductive material formed on the chip body and a metal plating layer formed so as to cover the conductive material.
  • the chip body is removed in the step of irradiating the laser beam to remove the insulating layer located in a predetermined region.
  • the exposed region of the external electrode body can be formed in a desired shape.
  • the metal plating layer is a Cu plating layer.
  • Cu is selected for the metal plating layer, so that it easily adheres to the conductive material during plating.
  • the metal plating layer is composed of a Cu plating layer and a Ni plating layer formed so as to cover the Cu plating layer.
  • a step of forming a Sn plating layer so as to cover a region exposed by removing the insulating layer of the external electrode main body is provided.
  • a step of forming an Ni plating layer as an underlayer and an Sn plating layer as an outermost layer so as to cover an area of the external electrode body exposed by removing the insulating layer is provided.
  • the Sn plating layer since the Sn plating layer is formed, it is possible to improve the bonding reliability when the electronic component is bonded to the mounting target using solder. Moreover, the Ni plating layer can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer and the Sn plating layer.
  • the insulating layer covering the region where the external electrode body of the electronic component is to be bonded directly or via a plating layer is provided. It is preferable to remove.
  • the insulating layer is applied to each of the external electrode main bodies formed at both ends of the chip body. It is preferable to irradiate so as to remove a plurality of locations apart.
  • bonding can be performed at a plurality of locations in each external electrode body, so that the posture during mounting of the electronic component can be stabilized.
  • the material constituting the insulating layer is a resin material.
  • the material constituting the insulating layer is a resin material
  • the laser light is easily absorbed by the resin material, so that the present invention can be made more effective.
  • a laser beam having a wavelength of 1.06 ⁇ m or more and 10.6 ⁇ m or less as the laser beam.
  • the laser beam When a laser beam having a wavelength of 1.06 ⁇ m or more and 10.6 ⁇ m or less is used as the laser beam, the laser beam is easily absorbed by the resin material, and the present invention can be more effectively presented.
  • the electronic component of the present invention is The chip body, An external electrode body provided on the chip body; An insulating layer covering the external electrode body so as to expose a predetermined region of the external electrode body; A coating plating layer that covers the predetermined region of the external electrode body and is exposed from the insulating layer.
  • the coating plating layer covers a predetermined region of the external electrode body, the coating plating layer can be provided in a desired region. Therefore, short-circuits with other electronic components can be prevented, and highly reliable and high-density mounting can be performed. Further, since the coating plating layer covers a predetermined region of the external electrode body and is exposed from the insulating layer, the surface of the coating plating layer is not covered with the insulating layer. Therefore, when the coating plating layer of the electronic component is mounted on the mounting target with the solder, the solder does not enter between the surface of the coating plating layer and the insulating layer, and the insulating layer is not destroyed.
  • the external electrode body is composed of an electrode body made of a conductive resin material provided on the chip body and a metal plating layer covering the electrode body.
  • the metal plating layer can prevent mutual diffusion between the electrode body and the coating plating layer.
  • the metal plating layer is a Ni plating layer
  • the coating plating layer is a Sn plating layer.
  • the metal plating layer is a Ni plating layer and the coating plating layer is a Sn plating layer, the metal plating layer can prevent mutual diffusion between the electrode body and the coating plating layer.
  • the external electrode body is made of a material that does not contain a resin component
  • the said coating plating layer is comprised from Ni plating layer and Sn plating layer which covers the said Ni plating layer.
  • the external electrode body is made of a material that does not contain a resin component
  • the coating plating layer is made up of a Ni plating layer and a Sn plating layer. Therefore, the Ni plating layer is composed of the external electrode body and the Sn plating layer. Mutual diffusion between the two can be prevented.
  • the chip body is made of a resin material and a composite material of metal powder
  • the external electrode body is composed of a conductive material provided on the chip body and a metal plating layer covering the conductive material.
  • the chip body is made of a resin material and a composite material of metal powder, but a metal plating layer can be provided on the chip body via a conductive material.
  • the metal plating layer is a Cu plating layer
  • the said coating plating layer is comprised from Ni plating layer and Sn plating layer which covers the said Ni plating layer.
  • the Ni plating layer can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer and the Sn plating layer. Since the Ni plating layer exists between the Cu plating layer and the Sn plating layer, it is possible to prevent whiskers generated in the lamination of the Cu plating layer and the Sn plating layer.
  • the metal plating layer is composed of a Cu plating layer and a Ni plating layer covering the Cu plating layer,
  • the coating plating layer is a Sn plating layer.
  • the Ni plating layer can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer and the Sn plating layer. Since the Ni plating layer exists between the Cu plating layer and the Sn plating layer, it is possible to prevent whiskers generated in the lamination of the Cu plating layer and the Sn plating layer.
  • the metal plating layer is composed of a Cu plating layer and a Ni plating layer covering the Cu plating layer,
  • the said coating plating layer is comprised from Ni plating layer and Sn plating layer which covers the said Ni plating layer.
  • the Ni plating layer can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer and the Sn plating layer. Since the Ni plating layer exists between the Cu plating layer and the Sn plating layer, it is possible to prevent whiskers generated in the lamination of the Cu plating layer and the Sn plating layer.
  • a predetermined region of the insulating layer is irradiated with laser light having a larger absorption coefficient in the insulating layer than the material constituting the surface of the electrode layer, and the insulating layer is removed.
  • a desired region of the insulating layer covering the external electrode can be reliably removed.
  • the exposed area of the external electrode which is the area to be bonded to the mounting target, can be formed in a desired shape, and an electronic component with high electrical and mechanical bonding reliability to the mounting target is ensured. In addition, it can be manufactured efficiently.
  • the step of forming the insulating layer in the step of forming the insulating layer, it is important to form the insulating layer so that the external electrode body is covered, and the external electrode body is reliably covered.
  • the surface of the chip body other than the external electrode main body may or may not be covered with the insulating layer.
  • it is desirable that the surface of the chip body is also covered with an insulating layer.
  • the external electrode main body is irradiated with laser light to remove the insulating layer, and after exposing a predetermined region of the external electrode main body, a metal plating layer is formed on the exposed region. It may be used as an external electrode through a step of forming the external electrode, and it may be used as an external electrode without performing a plating process after exposing a predetermined region of the external electrode body. May be.
  • the coating plating layer covers a predetermined region of the external electrode main body, so that the coating plating layer can be provided in a desired region. Therefore, short-circuits with other electronic components can be prevented, and highly reliable and high-density mounting can be performed.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. 1B shows the manufacturing method of the electronic component concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. 1B shows the manufacturing method of the electronic component concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. 1B shows the manufacturing method of the electronic component concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. is a figure which shows the manufacturing method of the electronic component concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. shows the manufacturing method of the electronic component concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. shows the manufacturing method of the electronic component concerning Embodiment 3 of this invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. shows the manufacturing method of the electronic component concerning Em
  • FIG. 4 is a view showing another electronic component according to Embodiments 1 to 3 of the present invention, where (a) is a perspective view of an L-shaped electrode, and (b) is a perspective view of a U-shaped electrode. It is a figure which shows the conventional electronic component. It is a figure which shows the manufacturing method of the conventional electronic component.
  • FIGS. 1A and 1B are views showing an electronic component 1 manufactured by the method for manufacturing an electronic component according to Embodiment 1 of the present invention.
  • the electronic component 1 includes a coil 13 formed by connecting a plurality of magnetic ceramic layers 11 and a plurality of internal conductors 12 stacked via the magnetic ceramic layers 11 through via conductors (not shown).
  • a pair of external electrodes 20 is disposed at both ends 10a of the chip body 10 including the two terminals 13a so as to be electrically connected to both ends 13a of the coil 13.
  • the external electrode 20 is formed so as to go from the end face 10a of the chip body 10 to part of the upper surface 10b, the lower surface 10c, and both side surfaces 10d of the chip body 10.
  • the electronic component 1 is entirely covered with an insulating layer 30 except for a region (lower surface region) R on the lower surface side, which is a surface of the external electrode 20 facing a circuit board to be mounted.
  • the external electrode 20 is (A) An electrode body 25a formed of a resin electrode in which conductive material particles (metal particles) are dispersed in a resin, which is formed on the surface of the chip body 10 so as to be electrically connected to the coil 13, and the entire surface of the electrode body 25a are covered.
  • An external electrode body 25 provided with a metal plating layer (Ni plating layer in this embodiment) 25b formed as described above,
  • An Sn plating layer b1 formed so as to cover the lower surface region (exposed region) R not covered by the insulating layer 30 of the external electrode main body 25.
  • the external electrode 20 exposed in the lower surface region R not covered with the insulating layer 30 (Sn plating layer constituting the surface of the external electrode) Mounting is performed by electrically and mechanically connecting b1) to a conductor (land pattern or the like) on the mounting target by a method such as reflow soldering. That is, here, the electrode body 25a formed on the chip body 10 is joined to the conductor on the mounting target via the metal plating layer (Ni plating layer) 25b and the Sn plating layer b1.
  • the shape of the lower surface region R that is not covered with the insulating layer 30 of the external electrode body 25 is not particularly limited, so that the electrical and mechanical joint reliability between the electronic component 1 and the mounting target can be ensured. Any shape can be used.
  • the electronic component 1 includes a chip body 10, an external electrode body 25 provided on the chip body 10, and an insulating layer that covers the external electrode body 25 so as to expose a predetermined region R of the external electrode body 25. 30 and a coating plating layer that covers a predetermined region R of the external electrode main body 25 and is exposed from the insulating layer 30.
  • the coating plating layer covers the predetermined region R of the external electrode body 25, the coating plating layer can be provided in a desired region. Therefore, short circuit with other electronic components 1 can be prevented, and high-density mounting with high reliability can be performed.
  • the coating plating layer covers the predetermined region R of the external electrode body 25 and is exposed from the insulating layer 30, the surface of the coating plating layer is not covered with the insulating layer 30. Therefore, when the electronic component 1 is mounted on a mounting target with solder, the solder does not enter between the surface of the coating plating layer and the insulating layer 30, and the insulating layer 30 is not destroyed. On the other hand, when at least a part of the surface of the coating plating layer is covered with the insulating layer 30, when the coating plating layer of the electronic component 1 is mounted on the mounting target by solder, There is a risk of breaking into the insulating layer 30 and destroying the insulating layer 30.
  • the external electrode body 25 includes an electrode body 25a provided on the chip body 10 and made of a conductive resin material, and a metal plating layer 25b covering the electrode body 25a. Thereby, the metal plating layer 25b can prevent mutual diffusion between the electrode main body 25a and the coating plating layer.
  • the metal plating layer 25b is a Ni plating layer, and the coating plating layer is a Sn plating layer b1. Thereby, the Ni plating layer can prevent mutual diffusion between the electrode body 25a (Ag metal particles) and the Sn plating layer b1.
  • the chip body 10 has a substantially rectangular parallelepiped shape including both end surfaces 10a, an upper surface 10b, a lower surface 10c, and both side surfaces 10d.
  • the external electrode body 25 is a five-sided electrode provided on the end face 10a, the upper face 10b, the lower face 10c, and both side faces 10d.
  • the Ni plating layer (metal plating layer 25b) covers the entire electrode body 25a. Thereby, as will be described later, when the insulating layer 30 in the predetermined region R is removed by a laser, the Ni plating layer prevents damage to the electrode main body 25a by the laser.
  • a Cu plating layer may be provided instead of the Ni plating layer, but the Ni plating layer is less susceptible to laser damage than the Cu plating layer.
  • the electronic component removes the insulating layer in a predetermined region, as described below, a step of forming a chip body, a step of forming an external electrode body, a step of forming an insulating layer, and the like. It is manufactured through a process and a process of forming a Sn plating layer.
  • a magnetic green sheet having an inner conductor pattern formed on the surface by applying a conductive paste, and an outer layer magnetic green sheet not having an inner conductor pattern are laminated and pressed in a predetermined order to form a laminated block. Then, the laminated block is cut, divided into individual chips, and then fired to form the chip body 10.
  • the chip body 10 has a substantially rectangular parallelepiped shape including both end surfaces 10a, an upper surface 10b, a lower surface 10c, and both side surfaces 10d, and the corner portion and the ridge portion are chamfered by a method such as barrel polishing and has a roundness. .
  • the magnetic body material which has a ferrite, a metal magnetic body, etc. as a main component can be used as a material which comprises a magnetic body green sheet.
  • the electrically conductive material which has Ag, Pd, Cu etc. as a main component can be used as a material which comprises an internal conductor pattern.
  • a conductive resin material is applied to both end faces 10a of the chip body 10 and cured to form the electrode body 25a.
  • the conductive resin material is composed of metal particles mainly composed of Ag or Cu and a resin material.
  • a plating process is performed to form a metal plating layer 25b so as to cover the electrode body 25a.
  • Ni electroplating is performed to form a Ni plating layer so as to cover the surface of the electrode body 25a.
  • the insulating layer 30 is formed on the entire surface of the chip body 10 including the external electrode body 25.
  • the insulating layer 30 can be formed by, for example, a method of immersing the chip body 10 in an insulating material (insulating paste or the like), applying the insulating material, and then drying.
  • the thickness of the insulating layer 30 is desirably 3 ⁇ m to 20 ⁇ m, for example.
  • a spray coating method, an electrodeposition coating method, a drum-type rotary coating method, or the like can be used as a method for applying the insulating paste.
  • a resin material having an insulating property and a material having a large laser light absorption coefficient is used as the material constituting the insulating layer 30.
  • a fluorine-based resin is used as a material constituting the insulating layer 30.
  • a resin material such as an epoxy resin or an acrylic resin, or a ceramic material that is an insulating material other than the resin material can be used.
  • the predetermined region (lower surface region) R of the insulating layer 30 is irradiated with the laser light L to be positioned in the lower surface region R.
  • the insulating layer 30 is removed. That is, the insulating layer 30 covering the external electrode body 25 in the lower surface region R is removed, and the external electrode body 25 is exposed on the lower surface 10c.
  • the shape of the lower surface region R that exposes the external electrode main body 25 can be made to be a shape suitable for various mounting objects by scanning the laser light L.
  • a YVO 4 laser having a wavelength of 1.06 ⁇ m is used as the type of laser that irradiates the laser beam L. Since the absorption coefficient of the YVO 4 laser light of the material constituting the surface (Ni plating layer) of the external electrode main body 25 is smaller than the absorption coefficient of the YVO 4 laser light of the insulating layer 30, insulation is performed when the laser light L is irradiated.
  • the layer 30 absorbs YVO 4 laser light, but the external electrode body 25 does not absorb YVO 4 laser light and reflects most of it. As a result, the external electrode main body 25 is not removed and only the insulating layer 30 is substantially removed.
  • the lower surface region R of the external electrode body 25 covered with the insulating layer 30 is exposed, and an exposed region of the external electrode body 25 is formed.
  • YVO 4 YVO 4
  • YAG laser, CO 2 laser, excimer laser, UV laser, etc. can be used as the type of laser.
  • the metal plating layer 25b of the external electrode main body 25 is composed of only the Ni plating layer.
  • an Sn plating layer is further formed so as to cover the Ni plating layer, and then the surface is insulated. It is also possible to form the layer 30. In that case, the step of forming the Sn plating layer after removing the predetermined region R of the insulating layer 30 can be omitted.
  • FIGS. 3A and 3B are views showing the electronic component 1 manufactured by the method for manufacturing an electronic component according to the second embodiment of the present invention.
  • the electronic component 1 is a resin electrode according to Embodiment 1 in that the external electrode body 25 is a baked electrode (thick film electrode) formed by applying and baking a conductive paste containing metal particles and glass.
  • the configuration of the electronic component 1 is different from that of the electronic component 1 including the external electrode main body 25 in which the surface of the electrode main body 25a is coated with a Ni plating layer.
  • the electronic component according to the second embodiment will be described.
  • the circuit board on which the external electrode 20 is mounted, etc. as in the case of the electronic component of the first embodiment described above.
  • the entire surface is covered with an insulating layer 30 except for a lower surface side region (lower surface region) R which is a surface opposite to the surface. That is, in the electronic component 1 of the second embodiment, the chip body 10 including the external electrode body 25 that is a baked electrode (thick film electrode) is directly covered with the insulating layer 30.
  • the electronic component 1 is entirely covered with an insulating layer 30 except for a region (lower surface region) R on the lower surface side, which is a surface of the external electrode 20 facing a circuit board to be mounted.
  • the external electrode 20 includes a Ni plating layer c1 that is a base layer directly formed on the surface of the external electrode body 25 in a lower surface region (exposed region) R that is not covered with the insulating layer 30, and a Ni plating layer c1. Is provided with an Sn plating layer c2 formed as the outermost layer.
  • Other configurations are the same as those of the electronic component 1 of the first embodiment.
  • the external electrode body 25 is made of a material that does not contain a resin component, as compared with the electronic component of the first embodiment, and the coating plating layer includes the Ni plating layer c1. And an Sn plating layer c2 covering the Ni plating layer c1.
  • the Ni plating layer c1 can prevent mutual diffusion between the external electrode main body 25 (Ag baking electrode) and the Sn plating layer c2.
  • the Ni plating layer c1 can improve mountability by making a NiSn alloy.
  • the Ni plating layer c1 covers only the predetermined region R of the external electrode main body 25 exposed from the insulating layer 30. That is, since the external electrode body 25 is a baked electrode that does not contain a resin component, the resin component of the external electrode body 25 does not fly when the insulating layer 30 in the predetermined region R is removed by a laser. Thereby, the Ni plating layer c1 can be provided only in the predetermined region R, not the entire external electrode body 25.
  • the external electrode main body 25 is formed by applying and baking a conductive paste containing metal particles mainly composed of Ag or Cu and glass on both end faces 10a of the chip body 10.
  • the external electrode main body 25 of Embodiment 2 is a baked electrode (thick film electrode) formed by applying and baking a conductive paste, and does not include a resin component.
  • the external electrode main body 25 which does not contain a resin component can be formed by other methods such as a sputtering method or a vapor deposition method in addition to the method of applying and baking the conductive paste described above.
  • the insulating layer 30 is formed on the entire surface of the chip body 10 including the external electrode body 25.
  • a resin material having a large absorption coefficient of the laser light L is used as in the first embodiment.
  • a predetermined region (lower surface region) R of the insulating layer 30 is irradiated with laser light L, and the insulating layer 30 located in the lower surface region R is removed. That is, the insulating layer 30 covering the external electrode body 25 in the lower surface region R is removed, and the external electrode body 25 is exposed on the lower surface 10c.
  • a Ni plating layer c1 is formed as a base layer on the surface of the external electrode body 25 exposed in the lower surface region R, and an Sn plating layer is formed as the outermost layer on the surface of the Ni plating layer c1.
  • c2 is formed.
  • FIGS. 5A and 5B are views showing an electronic component 1 manufactured by the method for manufacturing an electronic component according to Embodiment 3 of the present invention.
  • the third embodiment is different from the second embodiment in the configuration of the chip body and the external electrode body. This different configuration will be described below. Since other structures are the same as those of the second embodiment, description thereof is omitted.
  • the chip body 10 is made of a resin material and a composite material of metal powder.
  • the resin material is an organic insulating material made of, for example, an epoxy resin, bismaleimide, liquid crystal polymer, polyimide, or the like.
  • the metal powder is, for example, an FeSi alloy such as FeSiCr, an FeCo alloy, an Fe alloy such as NiFe, or an amorphous alloy thereof.
  • the external electrode main body 25 includes a conductive material 40 provided on the chip body 10 and a metal plating layer 50 covering the conductive material 40.
  • the conductive material 40 is a material that can be attached to the chip body 10 to impart conductivity, and examples thereof include transition metal ions, colloids containing them, conductive polymers, and graphite.
  • the conductive material 40 is at least one metal selected from the group consisting of palladium, tin, silver, and copper.
  • the metal plating layer 50 is a Cu plating layer.
  • the coating plating layer includes a Ni plating layer c1 and a Sn plating layer c2 that covers the Ni plating layer c1.
  • the Ni plating layer c1 can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer and the Sn plating layer c2. Since the Ni plating layer c1 exists between the Cu plating layer and the Sn plating layer c2, whiskers generated in the lamination of the Cu plating layer and the Sn plating layer c2 can be prevented. Further, the chip body 10 is made of a composite material of a resin material and a metal powder, but the metal plating layer 50 can be provided on the chip body 10 via a conductive material.
  • a part of the chip body 10 is covered with a mask 200 so that both end faces 10 a of the chip body 10 are exposed.
  • a conductive material 40 is formed on the both end surfaces 10 a side of the chip body 10.
  • the conductive solution is attached to both ends of the chip body 10, and the conductive properties are applied to both ends of the chip body 10. Material 40 is formed.
  • the mask 200 has a plurality of rectangular holes 200a, and the holes 200a are arranged in a matrix.
  • the mask 200 has a structure in which a core material 201 made of stainless steel is covered with a rubber 202 as shown in FIG. And each hole 200a is provided so that one main body 10 may be accommodated.
  • the size of the hole 200 a is smaller than that of the chip body 10.
  • the chip body 10 imparted with conductivity by the adhesion of the conductive material 40 is extracted from the mask 200. Then, the chip body 10 is immersed in a plating bath and subjected to electrolytic plating, and a metal plating layer 50 is formed at the end of the chip body 10 to which the conductive material 40 adheres, as shown in FIG.
  • the metal plating layer 50 is formed so as to cover the conductive material 40.
  • the metal plating layer 50 is a Cu plating layer. Therefore, since the metal plating layer 50 selects Cu, the metal plating layer 50 is likely to adhere to the conductive material 40 by plating during plating. In this way, the external electrode body 25 is formed from the conductive material 40 and the metal plating layer 50.
  • the insulating layer 30 is formed on the entire surface of the chip body 10 including the external electrode body 25.
  • a resin material having a large absorption coefficient of the laser light L is used as in the first embodiment.
  • a predetermined region (lower surface region) R of the insulating layer 30 is irradiated with laser light L, and the insulating layer 30 located in the lower surface region R is removed. That is, the insulating layer 30 covering the external electrode body 25 in the lower surface region R is removed, and the external electrode body 25 is exposed on the lower surface 10c. Therefore, since the resin material of the chip body 10 is covered with the metal plating layer 50 that is difficult to absorb the laser beam, the step of removing the insulating layer 30 located in the predetermined region R by irradiating the laser beam, The resin material of the chip body 10 is not removed, and the exposed region of the external electrode body 25 can be formed in a desired shape.
  • a Ni plating layer c1 is formed as a base layer on the surface of the external electrode body 25 exposed in the lower surface region R, and an Sn plating layer is formed as the outermost layer on the surface of the Ni plating layer c1.
  • c2 is formed. Therefore, since the Sn plating layer c2 is formed, it is possible to improve the bonding reliability when the electronic component 1 is bonded to a mounting target using solder. Further, the Ni plating layer c1 can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer and the Sn plating layer c2.
  • the Ni plating layer c1 exists between the Cu plating layer and the Sn plating layer c2, whiskers generated in the lamination of the Cu plating layer and the Sn plating layer c2 can be prevented. Thereby, the electronic component 1 having a structure as shown in FIG. 5 is obtained.
  • the metal plating layer 50 is comprised from the Cu plating layer 51 and the Ni plating layer 52 which covers the Cu plating layer 51, and a coating plating layer is Sn plating layer b1.
  • the Ni plating layer 52 covers the entire Cu plating layer 51, but may cover a portion corresponding to a predetermined region R of the Cu plating layer 51. Therefore, the Ni plating layer 52 can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer 51 and the Sn plating layer b1.
  • the metal plating layer 50 includes a Cu plating layer 51 and a Ni plating layer 52 formed so as to cover the Cu plating layer 51. Thereby, the Cu plating layer 51 is easily attached to the conductive material 40 by plating, and the Ni plating layer 52 protects the Cu plating layer 51.
  • the metal plating layer 50 includes a Cu plating layer 51 and a Ni plating layer 52 formed so as to cover the Cu plating layer 51.
  • the Sn plating layer b1 is formed so as to cover the region exposed by removing the insulating layer of the external electrode body.
  • Sn plating layer b1 is formed, when electronic component 1 is joined to a mounting object using solder, it becomes possible to improve joint reliability.
  • the metal plating layer 50 is composed of a Cu plating layer 51 and a Ni plating layer 52 covering the Cu plating layer 51, and the coating plating layer includes a Ni plating layer c1 and a Ni plating layer. And an Sn plating layer c2 covering the layer c1. Therefore, the Ni plating layers 52 and c1 can prevent mutual diffusion between the Cu plating layer 51 and the Sn plating layer c2.
  • the metal plating layer 50 includes a Cu plating layer 51 and a Ni plating layer 52 formed so as to cover the Cu plating layer 51.
  • the region (lower surface region) R from which the insulating layer 30 is removed is one each on one side and the other side of the pair of external electrodes 20 (that is, a total of two).
  • a plurality (two in FIG. 10B) are formed in the lower surface region R of one partial electrode 20, and the other external electrode is formed.
  • a plurality (two in FIG. 10B) may also be formed in the lower surface region R of 20. That is, the laser light is respectively applied to a plurality of locations (two or more locations) of the insulating layer covering one external electrode body and a plurality of locations (two locations or more) of the insulating layer covering the other external electrode body.
  • the insulating layer may be removed by irradiating at a distance. The same applies to the second and third embodiments.
  • the external electrode body 25 is a five-surface electrode provided on the end surface 10a, the upper surface 10b, the lower surface 10c, and both side surfaces 10d. As shown in FIG.
  • the external electrode main body 25 may be an L-shaped electrode provided on the end surface 10a and the lower surface 10c, or as shown in FIG. 11B, the external electrode main body 25 includes the end surface 10a, the upper surface 10b, and A U-shaped electrode provided on the lower surface 10c may be used.
  • the insulating layer 30 on the lower surface 10c side of the chip body 10 is removed, but the insulating layer 30 on the end surface 10a side can also be removed.
  • the insulating layer 30 on the end surface 10a side can also be removed. For example, by exposing a part of the external electrode 20 on the end surface 10a side, when the electronic component 1 is mounted on the mounting target, a region that can be joined also to the external electrode 20 on the end surface 10a side is formed. It is possible to improve the bonding reliability.
  • a multilayer inductor has been described as an example.
  • the present invention is not limited to a multilayer capacitor, a multilayer thermistor, a multilayer LC composite component, and a wound coil component wound with a conductive wire. It can be applied to various electronic components such as a noise filter.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)

Abstract

　電子部品の製造方法において、電子部品を構成するチップ素体上に形成された外部電極本体が被覆されるように、外部電極本体上に絶縁層を形成する工程と、外部電極本体の表面を構成する材料よりも絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、絶縁層の所定の領域に照射して、所定の領域に位置する絶縁層を除去し、外部電極本体の所定の領域を露出させる工程とを具備する。

Description

電子部品の製造方法および電子部品
　本発明は、電子部品の製造方法および電子部品に関する。
　例えば積層セラミックコンデンサなどの表面実装型の電子部品は、通常、チップ素体の表面に配設された外部電極を、リフローはんだ付けなどの方法で、実装対象である、電子機器を構成する回路基板上の電極などに、電気的、機械的に接続することにより実装されている。
　ところで、近年、この種の電子部品が実装される電子機器の小型化に伴って、電子部品の実装の高密度化が進み、電子部品の外部電極が他の電子部品などに接触してショートするという問題が発生するに至っている。
　このような問題を解決するために、特許文献１には、図１２に示すように、基板などの実装対象と対向する面（下面）１０１ａ以外の面（両端面、上面および両側面）を絶縁層１３０で覆った電子部品１０１が提案されている。
　そして、特許文献１には、電子部品１０１の製造方法として、図１３（ａ）～（ｃ）に示すように、電子部品１０１の下面１０１ａ（図１２参照）を粘着性保持治具１４０に固定し、外部電極１２０およびチップ素体１１０の表面に絶縁性樹脂１３０ａを塗布し固化させた後、電子部品１０１を粘着性保持治具１４０から分離することで、電子部品１０１の下面以外の面（両端面、上面および両側面）を絶縁層１３０で覆うとともに、下面を露出させるようにした電子部品の製造方法が示されている。
　そして、このように構成された電子部品１０１は、その下面が実装基板と対向するような姿勢で実装基板上に搭載することにより、外部電極１２０が他の電子部品などとショートすることを防止して、信頼性の高い、高密度実装を行うことができるとされている。
特開２０１３－２６３９２号公報
　しかし、特許文献１に開示されたような電子部品の製造方法では、電子部品１０１の下面側、すなわち粘着性保持基板１４０に当接させた領域のすべてが露出するような構成となってしまうので、電子部品１０１を実装基板に搭載する場合に、実装基板に接合する領域となる外部電極１２０の露出領域を所望の形状に形成することができないという問題がある。
　また、絶縁層となる樹脂に電子部品を浸漬して電子部品１０１の表面の全体に絶縁層１３０を形成した後、回転砥石などで一部の絶縁層１３０を除去する方法も考えられる。しかし、この方法では除去量の制御が困難であるため、絶縁層１３０の内側にある外部電極１２０も除去されてしまうという問題がある。
　本発明は、上記課題を解決するものであり、電子部品が備える外部電極を被覆する絶縁層の所望の領域を、外部電極にダメージを与えることなく確実に除去することが可能で、他の電子部品などとのショートを防止することが可能な電子部品を製造することが可能な電子部品の製造方法および電子部品を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため、本発明の電子部品の製造方法は、
　電子部品を構成するチップ素体上に形成された外部電極本体が被覆されるように、前記外部電極本体上に絶縁層を形成する工程と、
　前記外部電極本体の表面を構成する材料よりも前記絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、前記絶縁層の所定の領域に照射して、前記所定の領域に位置する前記絶縁層を除去し、前記外部電極本体の所定の領域を露出させる工程と
を具備することを特徴としている。
　本発明の電子部品の製造方法においては、前記外部電極本体が、前記チップ素体上に形成された、導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を被覆するように形成された金属めっき層とを備えたものであることが好ましい。
　外部電極本体の電極本体を導電性樹脂材料から形成した場合でも、導電性樹脂材料からなる電極本体が、レーザ光が吸収されにくい金属めっき層により被覆されているので、レーザ光を照射して所定の領域に位置する絶縁層を除去する工程で電極本体（樹脂電極）が除去されてしまうことがなく、外部電極本体の露出領域を所望の形状とすることができる。
　さらに、前記金属めっき層が、Ｎｉめっき層であることが好ましい。
　レーザ光がＮｉめっき層で吸収されにくくなるので、外部電極本体の露出領域を所望の形状に形成することができ、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
　さらに、本発明の電子部品の製造方法が、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えていることが好ましい。
　上記構成を備えることにより、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
　また、前記外部電極本体が、樹脂成分を含まない材料から形成されたものであってもよい。
　外部電極本体を、樹脂成分を含まない材料で形成した場合には、表面に金属めっき層を形成しなくてもレーザ光が吸収されにくくなるので、レーザ光を照射する前のめっき工程をなくし、工程を簡略化することができる。
　樹脂成分を含まない材料から形成された外部電極本体とは、例えば、金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することにより形成される焼付け電極（厚膜電極）や、スパッタ法や蒸着法などにより形成される薄膜電極などが例示される。
　さらに、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、被覆めっき層を形成する工程を備えていることが好ましい。
　上記構成を備えることにより、電子部品を実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
　さらに、前記被覆めっき層を形成する工程が、下地層としてＮｉめっき層を形成する工程と、最外層としてＳｎめっき層を形成する工程を備えていることが好ましい。
　上記構成を備えることにより、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
　さらに、前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
　前記外部電極本体は、前記チップ素体上に形成された導電性材料と、前記導電性材料を被覆するように形成された金属めっき層とから構成される。
　上記構成では、チップ素体の樹脂材料が、レーザ光が吸収されにくい金属めっき層により被覆されているので、レーザ光を照射して所定の領域に位置する絶縁層を除去する工程でチップ素体の樹脂材料が除去されてしまうことがなく、外部電極本体の露出領域を所望の形状とすることができる。
　さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層である。
　上記構成では、金属めっき層は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、導電性材料に付着しやすくなる。
　さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うように形成されたＮｉめっき層とから構成される。
　上記構成では、Ｃｕめっき層は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、導電性材料に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層を保護する。
　さらに、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えている。
　上記構成では、Ｓｎめっき層を形成するので、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
　さらに、前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、下地層としてＮｉめっき層と最外層としてＳｎめっき層とを形成する工程を備えている。
　上記構成では、Ｓｎめっき層を形成するので、電子部品を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。また、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。
　前記レーザ光の照射により、前記電子部品を実装対象上に搭載する場合において、前記電子部品の前記外部電極本体が直接またはめっき層を介して接合されるべき領域を被覆している前記絶縁層を除去することが好ましい。
　上記構成を備えることにより、電子部品と実装対象の電気的、機械的な接合信頼性を向上させることができ、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
　また、前記チップ素体の両端部のそれぞれに前記外部電極本体が形成されている場合において、前記レーザ光を、前記チップ素体の両端部に形成された前記外部電極本体それぞれについて、前記絶縁層の複数箇所を離間して除去するように照射することが好ましい。
　上記構成を備えることにより、電子部品を実装対象に接合する場合に、それぞれの外部電極本体における複数の箇所で接合ができるため、電子部品の実装時の姿勢を安定させることが可能になる。
　また、前記絶縁層を構成する材料が、樹脂材料であることが好ましい。
　絶縁層を構成する材料が樹脂材料である場合、レーザ光が樹脂材料に吸収されやすくなるので、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
　さらに、前記レーザ光として、波長が１．０６μｍ以上、１０．６μｍ以下のレーザ光を用いることが好ましい。
　レーザ光として、波長が１．０６μｍ以上、１０．６μｍ以下のレーザ光を用いた場合、レーザ光が樹脂材料に吸収されやすくなり、本発明をより実効あらしめることが可能になる。
　本発明の電子部品は、
　チップ素体と、
　前記チップ素体上に設けられた外部電極本体と、
　前記外部電極本体の所定の領域を露出させるように前記外部電極本体を覆う絶縁層と、
　前記外部電極本体の前記所定の領域を覆って、前記絶縁層から露出している被覆めっき層と
を備える。
　上記構成では、被覆めっき層は、外部電極本体の所定の領域を覆っているので、被覆めっき層を所望の領域に設けることができる。したがって、他の電子部品などとのショートを防止でき、信頼性の高い、高密度実装を行うことができる。
　また、被覆めっき層は、外部電極本体の所定の領域を覆って、絶縁層から露出しているので、被覆めっき層の表面は、絶縁層に覆われていない。したがって、電子部品の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層との間に入り込むことがなく、絶縁層を破壊しない。
　これに対して、被覆めっき層の表面の少なくとも一部を、絶縁層にて覆うと、電子部品の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層との間に入り込んで、絶縁層を破壊するおそれがある。
　さらに、前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられ導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を覆う金属めっき層とから構成される。
　上記構成では、外部電極本体は、電極本体と金属めっき層とから構成されるので、金属めっき層は、電極本体と被覆めっき層との間の相互拡散を防止できる。
　さらに、前記金属めっき層は、Ｎｉめっき層であり、前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である。
　上記構成では、金属めっき層は、Ｎｉめっき層であり、被覆めっき層は、Ｓｎめっき層であるので、金属めっき層は、電極本体と被覆めっき層との間の相互拡散を防止できる。
　さらに、前記外部電極本体は、樹脂成分を含まない材料から構成され、
　前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
　上記構成では、外部電極本体は、樹脂成分を含まない材料から構成され、被覆めっき層は、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層とから構成されるので、Ｎｉめっき層は、外部電極本体とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。
　さらに、前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
　前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられた導電性材料と、前記導電性材料を覆う金属めっき層とから構成される。
　上記構成では、チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなるが、チップ素体に導電性材料を介して金属めっき層を設けることができる。
　さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層であり、
　前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
　上記構成では、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との積層で発生するウィスカを防止できる。
　さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
　前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である。
　上記構成では、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との積層で発生するウィスカを防止できる。
　さらに、前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
　前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される。
　上記構成では、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層との積層で発生するウィスカを防止できる。
　本発明の電子部品の製造方法においては、電極層の表面を構成する材料よりも絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、絶縁層の所定の領域に照射して、絶縁層を除去するようにしているので、外部電極を被覆する絶縁層の所望の領域を確実に除去することが可能になる。
　その結果、実装対象に接合される領域となる外部電極の露出領域を、所望の形状に形成することが可能になり、実装対象との電気的、機械的な接合信頼性の高い電子部品を確実に、しかも効率よく製造することができるようになる。
　なお、本発明の電子部品の製造方法では、上記絶縁層を形成する工程において、外部電極本体が被覆されるように絶縁層を形成することが重要であり、外部電極本体が確実に被覆されるのであれば、外部電極本体以外のチップ素体の表面は、絶縁層により被覆されていてもよく、被覆されていなくてもよい。ただし、製造される電子部品の耐湿性や耐候性などを考慮すれば、チップ素体の表面も絶縁層により被覆されていることが望ましい。
　また、本発明の電子部品の製造方法において、上述の外部電極本体は、レーザ光を照射して絶縁層を除去し、外部電極本体の所定の領域を露出させた後に、露出領域に金属めっき層を形成する工程を経て、外部電極となるものであってもよく、また、外部電極本体の所定の領域を露出させた後に、特にめっき処理などを施すことなく、外部電極として用いられるものであってもよい。
　また、本発明の電子部品において、被覆めっき層は、外部電極本体の所定の領域を覆っているので、被覆めっき層を所望の領域に設けることができる。したがって、他の電子部品などとのショートを防止でき、信頼性の高い、高密度実装を行うことができる。
本発明の実施形態１にかかる電子部品の製造方法にて作製される電子部品を示す図であり、（ａ）は正面からみた場合の断面図、（ｂ）は底面図である。 本発明の実施形態１にかかる電子部品の製造方法を示す図である。 本発明の実施形態２にかかる電子部品の製造方法にて作製される電子部品を示す図であり、（ａ）は正面からみた場合の断面図、（ｂ）は底面図である。 本発明の実施形態２にかかる電子部品の製造方法を示す図である。 本発明の実施形態３にかかる電子部品の製造方法にて作製される電子部品を示す図であり、（ａ）は正面からみた場合の断面図、（ｂ）は底面図である。 本発明の実施形態３にかかる電子部品の製造方法を示す図である。 本発明の電子部品の製造方法に用いられるマスクを示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ－Ａ断面図である。 本発明の実施形態３にかかる電子部品の製造方法を示す図である。 本発明の実施形態３にかかる電子部品の異なる形態を示す図であり、（ａ）は他の形態の断面図、（ｂ）は別の形態の断面図である。 本発明の実施形態１にかかる電子部品の製造方法にて作製される他の電子部品を示す図であり、（ａ）は正面からみた場合の断面図、（ｂ）は底面図である。 本発明の実施形態１～３にかかる電子部品の他の電子部品を示す図であり、（ａ）はＬ字状電極の斜視図、（ｂ）はコ字状電極の斜視図である。 従来の電子部品を示す図である。 従来の電子部品の製造方法を示す図である。
　以下に、本発明の実施形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。なお、この実施形態では、電子部品として積層型インダクタを例に挙げて説明する。　
　［実施形態１］
　図１（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態１にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。
　電子部品１は、複数の磁性体セラミック層１１と、磁性体セラミック層１１を介して積層された複数の内部導体１２がビア導体（図示せず）により層間接続されることで形成されたコイル１３とを備えたチップ素体１０の両端１０ａに、コイル１３の両端部１３ａと導通するように一対の外部電極２０が配設された構造を有している。
　外部電極２０は、チップ素体１０の端面１０ａからチップ素体１０の上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄの一部に回り込むように形成されている。
　また、電子部品１は、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
　そして、外部電極２０は、
　（ａ）コイル１３と導通するようにチップ素体１０の表面に形成された、導電材料粒子（金属粒子）が樹脂に分散した樹脂電極からなる電極本体２５ａと、電極本体２５ａの表面全体を覆うように形成された金属めっき層（この実施形態ではＮｉめっき層）２５ｂとを備えた外部電極本体２５と、
　（ｂ）外部電極本体２５の上記絶縁層３０により覆われていない下面領域（露出領域）Ｒを被覆するように形成されたＳｎめっき層ｂ１とを備えている。
　このように構成された電子部品１を回路基板などの実装対象上に搭載する場合、絶縁層３０に覆われていない下面領域Ｒに露出した外部電極２０（外部電極の表面を構成するＳｎめっき層ｂ１）を、実装対象上の導体（ランドパターンなど）にリフローはんだ付けなどの方法で、電気的、機械的に接続することにより実装が行われる。
　すなわち、ここでは、チップ素体１０上に形成された電極本体２５ａが、金属めっき層（Ｎｉめっき層）２５ｂ、Ｓｎめっき層ｂ１を介して実装対象上の導体に接合される。なお、外部電極本体２５の絶縁層３０により被覆されていない下面領域Ｒの形状には、特別の制約はなく、電子部品１と実装対象との電気的、機械的な接合信頼性が確保できるような形状であればよい。
　要するに、電子部品１は、チップ素体１０と、チップ素体１０上に設けられた外部電極本体２５と、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを露出させるように外部電極本体２５を覆う絶縁層３０と、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆って、絶縁層３０から露出している被覆めっき層とを有する。
　上記構成では、被覆めっき層は、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆っているので、被覆めっき層を所望の領域に設けることができる。したがって、他の電子部品１などとのショートを防止でき、信頼性の高い、高密度実装を行うことができる。
　また、被覆めっき層は、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを覆って、絶縁層３０から露出しているので、被覆めっき層の表面は、絶縁層３０に覆われていない。したがって、電子部品１をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層３０との間に入り込むことがなく、絶縁層３０を破壊しない。
　これに対して、被覆めっき層の表面の少なくとも一部を、絶縁層３０にて覆うと、電子部品１の被覆めっき層をはんだにより実装対象に実装させるとき、はんだが、被覆めっき層の表面と絶縁層３０との間に入り込んで、絶縁層３０を破壊するおそれがある。
　外部電極本体２５は、チップ素体１０上に設けられ導電性樹脂材料からなる電極本体２５ａと、電極本体２５ａを覆う金属めっき層２５ｂとから構成される。これにより、金属めっき層２５ｂは、電極本体２５ａと被覆めっき層との間の相互拡散を防止できる。
　金属めっき層２５ｂは、Ｎｉめっき層であり、被覆めっき層は、Ｓｎめっき層ｂ１である。これにより、Ｎｉめっき層は、電極本体２５ａ（Ａｇ金属粒）とＳｎめっき層ｂ１との間の相互拡散を防止できる。
　チップ素体１０は、両端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄからなる略直方体形状である。外部電極本体２５は、端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄに設けられた、５面電極である。
　Ｎｉめっき層（金属めっき層２５ｂ）は、電極本体２５ａの全体を覆う。これにより、後述するように、所定の領域Ｒの絶縁層３０をレーザにより除去する際に、Ｎｉめっき層は、電極本体２５ａへのレーザのダメージを防止する。なお、Ｎｉめっき層の代わりにＣｕめっき層を設けてもよいが、Ｎｉめっき層の方が、Ｃｕめっき層に比べて、レーザのダメージをうけにくい。
　次に、図２（ａ）～（ｄ）を参照しつつ、上述した構成を有する電子部品の製造方法について説明する。
　なお、この実施形態では、電子部品は、以下に説明するような、チップ素体を形成する工程、外部電極本体を形成する工程、絶縁層を形成する工程、所定の領域の絶縁層を除去する工程、Ｓｎめっき層を形成する工程を経て製造される。
　（１）チップ素体の形成
　まず、導電性ペーストを塗布することにより形成された内部導体パターンを表面に備えた磁性体グリーンシート、および、内部導体パターンを備えていない外層用の磁性体グリーンシートを、所定の順序で積層、圧着することで積層ブロックを形成する。そしてこの積層ブロックをカットして、個々のチップに分割した後、焼成することにより、チップ素体１０を形成する。
　チップ素体１０は、両端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄからなる略直方体形状をしており、コーナー部および稜部がバレル研磨などの方法で面取りされ、丸みを有している。
　なお、磁性体グリーンシートを構成する材料としては、フェライト、金属磁性体などを主成分とする磁性体材料を用いることができる。また、内部導体パターンを構成する材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕなどを主成分とする導電材料を用いることができる。
　（２）外部電極本体の形成
　次に、チップ素体１０の両端面１０ａに導電性樹脂材料を塗布し、硬化させることにより電極本体２５ａを形成する。導電性樹脂材料は、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粒子と樹脂材料とにより構成されている。
　次に、めっき処理を行い、電極本体２５ａを被覆するように金属めっき層２５ｂを形成する。具体的には、Ｎｉ電解めっきを行って、電極本体２５ａの表面を覆うようにＮｉめっき層を形成する。なお、Ｎｉ電解めっきの前に、無電解めっきなどにより、下地となるめっき層を形成してもよい。
　（３）絶縁層の形成
　次に、図２（ｂ）に示すように、外部電極本体２５を含むチップ素体１０の表面全体に絶縁層３０を形成する。絶縁層３０は、例えば、チップ素体１０を絶縁材料（絶縁性ペーストなど）に浸漬する方法で、絶縁材料を塗布した後、乾燥させることにより形成することができる。
　絶縁層３０の厚みは、例えば、３μｍ～２０μｍとすることが望ましい。絶縁性ペーストを塗布する方法としては、スプレー塗布法、電着塗装法、ドラム式回転コーティング法などを用いることも可能である。
　絶縁層３０を構成する材料としては、絶縁性を有する樹脂材料で、かつ、レーザ光の吸収係数が大きい材料が用いられる。この実施形態では、絶縁層３０を構成する材料として、フッ素系樹脂が用いられている。なお、その他にも、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂材料や、樹脂材料以外の絶縁性を有する材料であるセラミック材料などを用いることができる。
　（４）所定領域の絶縁層の除去
　次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁層３０の所定の領域（下面領域）Ｒにレーザ光Ｌを照射して、下面領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する。すなわち、下面領域Ｒにおいて外部電極本体２５を被覆している絶縁層３０を除去し、下面１０ｃに外部電極本体２５を露出させる。
　外部電極本体２５を露出させる下面領域Ｒの形状は、レーザ光Ｌを走査させることで、種々の実装対象に適合した形状とすることができる。
　この実施形態では、レーザ光Ｌを照射するレーザの種類として、波長が１．０６μｍのＹＶＯ4レーザを用いている。外部電極本体２５の表面（Ｎｉめっき層）を構成する材料の、ＹＶＯ4レーザ光の吸収係数が、絶縁層３０のＹＶＯ4レーザ光の吸収係数より小さいので、レーザ光Ｌを照射した場合、絶縁層３０はＹＶＯ4レーザ光を吸収するが、外部電極本体２５はＹＶＯ4レーザ光を吸収せず、その大部分を反射する。その結果、外部電極本体２５は除去加工されず、実質的に絶縁層３０のみが除去加工されることになる。
　このレーザ光Ｌの照射によって、絶縁層３０に被覆されていた外部電極本体２５の下面領域Ｒが露出し、外部電極本体２５の露出領域が形成される。
　なお、レーザの種類としては、ＹＶＯ4以外にも、ＹＡＧレーザ、ＣＯ2レーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザなどを用いることが可能である。
　（５）Ｓｎめっき層の形成
　それから、図２（ｄ）に示すように、下面領域Ｒに露出した外部電極本体２５（Ｎｉめっき層）上に、Ｓｎめっき層ｂ１を形成する。
　これにより、図１に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
　なお、この実施形態１では、外部電極本体２５の金属めっき層２５ｂをＮｉめっき層のみにより構成したが、Ｎｉめっき層を被覆するように、さらにＳｎめっき層を形成したうえで、その表面に絶縁層３０を形成することも可能である。その場合、絶縁層３０の所定の領域Ｒを除去した後にＳｎめっき層を形成する工程を省略することができる。
　［実施形態２］
　図３（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態２にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。電子部品１は、外部電極本体２５が、金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することで形成された焼付け電極（厚膜電極）である点において、上記実施形態１の、樹脂電極からなる電極本体２５ａの表面をＮｉめっき層で被覆した外部電極本体２５を備えた電子部品１とは、その構成を異にしている。
　以下、この実施形態２にかかる電子部品について説明する。
　図３（ａ），（ｂ）に示すように、この実施形態２の電子部品１も、上述の実施形態１の電子部品の場合と同様に、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
　すなわち、実施形態２の電子部品１においては、焼付け電極（厚膜電極）である外部電極本体２５を備えたチップ素体１０が、絶縁層３０により直接に被覆されている。
　また、電子部品１は、外部電極２０の、実装対象である回路基板などと対向する面である下面側の領域（下面領域）Ｒを除いて、全体が絶縁層３０で覆われている。
　また、外部電極２０は、上記絶縁層３０により覆われていない下面領域（露出領域）Ｒに、外部電極本体２５の表面に直接形成された下地層であるＮｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１の表面に最外層として形成されたＳｎめっき層ｃ２を備えている。
　その他の構成は、上記実施形態１の電子部品１と場合と同様である。
　要するに、実施形態２の電子部品１は、上述の実施形態１の電子部品と比べて、外部電極本体２５は、樹脂成分を含まない材料から構成され、被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。これにより、Ｎｉめっき層ｃ１は、外部電極本体２５（Ａｇ焼付け電極）とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、ＮｉＳｎ合金を作ることで実装性を上げることができる。
　Ｎｉめっき層ｃ１は、絶縁層３０から露出した外部電極本体２５の所定の領域Ｒのみを覆う。つまり、外部電極本体２５は、樹脂成分を含まない焼付け電極であるので、所定の領域Ｒの絶縁層３０をレーザにより除去する際に、外部電極本体２５の樹脂成分が飛ぶことがない。これにより、Ｎｉめっき層ｃ１は、外部電極本体２５の全体でなく、所定の領域Ｒのみに設けることができる。
　次に、図４（ａ）～（ｄ）を参照しつつ、上述した構成を有する電子部品の製造方法について説明する。
　まず、図４（ａ）示すように、チップ素体１０の両端面１０ａに、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粒子とガラスを含む導電性ペーストを塗布、焼成することで外部電極本体２５を形成する。この実施形態２の外部電極本体２５は、上述のように、導電性ペーストを塗布、焼成することで形成された焼付け電極（厚膜電極）であって、樹脂成分を含まないものである。
　なお、樹脂成分を含まない外部電極本体２５は、上述の導電性ペーストを塗布、焼成する方法以外にも、例えば、スパッタ法や蒸着法などの他の方法によっても形成することができる。
　次に、図４（ｂ）に示すように、外部電極本体２５を備えたチップ素体１０の表面全体に絶縁層３０を形成する。
　なお、絶縁層３０を構成する材料としては、実施形態１と同様に、レーザ光Ｌの吸収係数が大きい樹脂材料が用いられる。
　次に、図４（ｃ）に示すように、絶縁層３０の所定の領域（下面領域）Ｒにレーザ光Ｌを照射して、下面領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する。すなわち、下面領域Ｒにおいて外部電極本体２５を被覆している絶縁層３０を除去し、下面１０ｃに外部電極本体２５を露出させる。
　それから、図４（ｄ）に示すように、下面領域Ｒに露出した外部電極本体２５の表面に、下地層としてＮｉめっき層ｃ１を形成し、Ｎｉめっき層ｃ１の表面に最外層としてＳｎめっき層ｃ２を形成する。
　これにより、図３に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
　［実施形態３］
　図５（ａ），（ｂ）は、本発明の実施形態３にかかる電子部品の製造方法により作製される電子部品１を示す図である。実施形態３は、実施形態２とは、チップ素体および外部電極本体の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、その他の構造は、実施形態２と同じであるため、その説明を省略する。
　チップ素体１０は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなる。樹脂材料は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。金属粉は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。
　外部電極本体２５は、チップ素体１０上に設けられた導電性材料４０と、導電性材料４０を覆う金属めっき層５０とから構成される。導電性材料４０は、チップ素体１０に付着して導電性を与えることができる材料であり、例えば、遷移金属のイオン、それらを含むコロイド、導電性高分子やグラファイト等が挙げられる。導電性材料４０は、例えば、パラジウム、スズ、銀、銅からなる群から選択される少なくとも１種の金属である。
　金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層である。被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。
　これにより、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
　また、チップ素体１０は樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなるが、チップ素体１０に導電性材料を介して金属めっき層５０を設けることができる。
　次に、電子部品１の製造方法について説明する。
　まず、図６に示すように、チップ素体１０の両端面１０ａ側が露出するように、チップ素体１０の一部をマスク２００で覆う。チップ素体１０の両端面１０ａ側に導電性を持たせるために、チップ素体１０の両端面１０ａ側に導電性材料４０を形成する。このとき、導電性材料４０を含有する導電性溶液にチップ素体１０を浸漬することで、チップ素体１０の両端部に導電性溶液を付着して、チップ素体１０の両端部に導電性材料４０を形成する。
　ここで、マスク２００は、図７（ａ）に示すように、複数の長方形状の孔２００ａを有し、孔２００ａは、マトリクス状に配列されている。マスク２００の構造は、図７（ｂ）に示すように、ステンレスからなる芯材２０１をゴム２０２により覆った構造である。そして、各孔２００ａは、一つの本体１０が収まるように設けられている。ただし、孔２００ａの大きさはチップ素体１０よりも小さい。
　そして、チップ素体１０を孔２００ａに挿入する際には、棒状の部材でマスク２００の一面側から、チップ素体１０を孔２００に押し込む。これにより、チップ素体１０の両端部を孔２００ａから露出することができる。なお、チップ素体１０の一方の端部を孔２００ａから露出させるようにしてもよい。
　その後、導電性材料４０の付着により導電性が付与されたチップ素体１０をマスク２００から抜き取る。そして、チップ素体１０をめっき浴に浸漬し電解めっき施して、図８（ａ）に示すように、チップ素体１０において導電性材料４０が付着した端部に金属めっき層５０を形成する。金属めっき層５０は、導電性材料４０を被覆するように形成される。
　金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層である。したがって、金属めっき層５０は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、めっきにより、導電性材料４０に付着しやすくなる。
　このようにして、導電性材料４０と金属めっき層５０とから、外部電極本体２５を形成する。
　次に、図８（ｂ）に示すように、外部電極本体２５を備えたチップ素体１０の表面全体に絶縁層３０を形成する。
　なお、絶縁層３０を構成する材料としては、実施形態１と同様に、レーザ光Ｌの吸収係数が大きい樹脂材料が用いられる。
　次に、図８（ｃ）に示すように、絶縁層３０の所定の領域（下面領域）Ｒにレーザ光Ｌを照射して、下面領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する。すなわち、下面領域Ｒにおいて外部電極本体２５を被覆している絶縁層３０を除去し、下面１０ｃに外部電極本体２５を露出させる。
　したがって、チップ素体１０の樹脂材料が、レーザ光が吸収されにくい金属めっき層５０により被覆されているので、レーザ光を照射して所定の領域Ｒに位置する絶縁層３０を除去する工程で、チップ素体１０の樹脂材料が除去されてしまうことがなく、外部電極本体２５の露出領域を所望の形状とすることができる。
　それから、図８（ｄ）に示すように、下面領域Ｒに露出した外部電極本体２５の表面に、下地層としてＮｉめっき層ｃ１を形成し、Ｎｉめっき層ｃ１の表面に最外層としてＳｎめっき層ｃ２を形成する。
　したがって、Ｓｎめっき層ｃ２を形成するので、電子部品１を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。また、Ｎｉめっき層ｃ１は、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
　これにより、図５に示すような構造を有する電子部品１が得られる。
　次に、実施形態３の他の形態を説明する。図５に示す電子部品１と異なる構成を説明する。
　図９（ａ）に示すように、金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うＮｉめっき層５２とから構成され、被覆めっき層は、Ｓｎめっき層ｂ１である。なお、金属めっき層５０において、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１の全体を覆っているが、Ｃｕめっき層５１の所定の領域Ｒに対応する部分を覆うようにしてもよい。
　したがって、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との間に存在するので、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｂ１との積層で発生するウィスカを防止できる。
　この電子部品１の製造方法を説明する。図８に示す電子部品１の製造方法と異なる方法を説明する。
　図８（ａ）において、金属めっき層５０を、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うように形成されたＮｉめっき層５２とから構成する。これにより、Ｃｕめっき層５１は、めっきにより、導電性材料４０に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１を保護する。
　図８（ｄ）において、外部電極本体の、絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層ｂ１を形成する。このように、Ｓｎめっき層ｂ１を形成するので、電子部品１を、はんだを用いて実装対象に接合する場合に、接合信頼性を向上させることが可能になる。
　次に、実施形態３の別の形態を説明する。図５に示す電子部品１と異なる構成を説明する。
　図９（ｂ）に示すように、金属めっき層５０は、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うＮｉめっき層５２とから構成され、被覆めっき層は、Ｎｉめっき層ｃ１と、Ｎｉめっき層ｃ１を覆うＳｎめっき層ｃ２とから構成される。
　したがって、Ｎｉめっき層５２，ｃ１は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との間の相互拡散を防止できる。Ｎｉめっき層５２，ｃ１は、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との間に存在するので、Ｃｕめっき層５１とＳｎめっき層ｃ２との積層で発生するウィスカを防止できる。
　この電子部品１の製造方法を説明する。図８に示す電子部品１の製造方法と異なる方法を説明する。
　図８（ａ）において、金属めっき層５０を、Ｃｕめっき層５１と、Ｃｕめっき層５１を覆うように形成されたＮｉめっき層５２とから構成する。これにより、Ｃｕめっき層５１は、Ｃｕを選択しているため、めっきの際に、導電性材料４０に付着しやすくなり、また、Ｎｉめっき層５２は、Ｃｕめっき層５１を保護する。その後、図８（ｂ）～（ｄ）にて説明した方法と同じ方法を行う。
　ここで、図８（ｃ）を参照して、外部電極本体２５の所定の領域Ｒを露出させるように所定の領域Ｒに対応する絶縁層３０をレーザ光で除去するとき、金属めっき層５０のＮｉめっき層５２は、レーザ光の熱で酸化する。そこで、この方法では、図８（ｄ）を参照して、被覆めっき層のＮｉめっき層ｃ１を再度施してから、Ｓｎめっき層ｃ２を行っている。
　なお、上述の実施形態１では、絶縁層３０を除去する領域（下面領域）Ｒが、一対の外部電極２０の、一方側および他方側においてそれぞれ一つずつ（すなわち、合計２個）とした場合を例にとって説明したが、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、一方の部電極２０の下面領域Ｒに複数個（図１０（ｂ）では２個）形成し、他方の外部電極２０の下面領域Ｒにも複数個（図１０（ｂ）では２個）形成するようにしてもよい。
　すなわち、レーザ光を、一方の外部電極本体を被覆している絶縁層の複数箇所（２箇所以上）と他方の外部電極本体を被覆している絶縁層の複数箇所（２箇所以上）に、それぞれ離間して照射し、絶縁層を除去するようにしてもよい。なお、実施形態２，３についても同様である。
　また、上記実施形態１～３では、外部電極本体２５は、端面１０ａ、上面１０ｂ、下面１０ｃおよび両側面１０ｄに設けられた、５面電極であるが、図１１（ａ）に示すように、外部電極本体２５は、端面１０ａおよび下面１０ｃに設けられた、Ｌ字状電極であってもよく、または、図１１（ｂ）に示すように、外部電極本体２５は、端面１０ａ、上面１０ｂおよび下面１０ｃに設けられた、コ字状電極であってもよい。
　また、上記実施形態１～３では、チップ素体１０の下面１０ｃ側の絶縁層３０を除去したが、端面１０ａ側の絶縁層３０も除去することもできる。
　例えば、外部電極２０の端面１０ａ側の一部を露出させることにより、電子部品１を実装対象に搭載した場合に、端面１０ａ側の外部電極２０にも接合可能な領域が形成され、実装対象との接合信頼性を向上させることができる。
　また、チップ素体１０の表面の全体を覆わずに、外部電極本体２５のみを覆うようにすることも可能である。
　なお、上記実施形態では、積層型インダクタを例に挙げて説明したが、本発明は、その他にも、積層型コンデンサ、積層型サーミスタ、積層型ＬＣ複合部品、導線を巻回した巻線コイル部品、ノイズフィルタなどの種々の電子部品に適用することが可能である。
　なお、本発明は、その他の点においても、上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
　１　　　　　　　電子部品
　１０　　　　　　チップ素体
　１０ａ　　　　　チップ素体の端面
　１０ｂ　　　　　チップ素体の上面
　１０ｃ　　　　　チップ素体の下面
　１０ｄ　　　　　チップ素体の側面
　１１　　　　　　磁性体セラミック層
　１２　　　　　　内部導体
　１３　　　　　　コイル
　１３ａ　　　　　コイルの端部
　２０　　　　　　外部電極
　２５　　　　　　外部電極本体
　２５ａ　　　　　電極本体
　２５ｂ　　　　　金属めっき層
　３０　　　　　　絶縁層
　４０　　　　　　導電性材料
　５０　　　　　　金属めっき層
　５１　　　　　　Ｃｕめっき層
　５２　　　　　　Ｎｉめっき層
　ｂ１　　　　　　（被覆めっき層の一例の）Ｓｎめっき層
　ｃ１　　　　　　（被覆めっき層の一例の）Ｎｉめっき層（下地層）
　ｃ２　　　　　　（被覆めっき層の一例の）Ｓｎめっき層（最外層）
　Ｌ　　　　　　　レーザ光
　Ｒ　　　　　　　所定の領域（絶縁層を除去する領域）

Claims (24)

  1. 　電子部品を構成するチップ素体上に形成された外部電極本体が被覆されるように、前記外部電極本体上に絶縁層を形成する工程と、
    　前記外部電極本体の表面を構成する材料よりも前記絶縁層の方が吸収係数の大きいレーザ光を、前記絶縁層の所定の領域に照射して、前記所定の領域に位置する前記絶縁層を除去し、前記外部電極本体の所定の領域を露出させる工程と
    を具備する、電子部品の製造方法。
  2. 　前記外部電極本体が、前記チップ素体上に形成された、導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を被覆するように形成された金属めっき層とを備えたものである、請求項１記載の電子部品の製造方法。
  3. 　前記金属めっき層が、Ｎｉめっき層である、請求項２記載の電子部品の製造方法。
  4. 　前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えている、請求項２または３記載の電子部品の製造方法。
  5. 　前記外部電極本体が、樹脂成分を含まない材料から形成されたものである、請求項１記載の電子部品の製造方法。
  6. 　前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、被覆めっき層を形成する工程を備えている、請求項５記載の電子部品の製造方法。
  7. 　前記被覆めっき層を形成する工程が、下地層としてＮｉめっき層を形成する工程と、最外層としてＳｎめっき層を形成する工程を備えている、請求項６記載の電子部品の製造方法。
  8. 　前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
    　前記外部電極本体は、前記チップ素体上に形成された導電性材料と、前記導電性材料を被覆するように形成された金属めっき層とから構成される、請求項１記載の電子部品の製造方法。
  9. 　前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層である、請求項８記載の電子部品の製造方法。
  10. 　前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うように形成されたＮｉめっき層とから構成される、請求項８記載の電子部品の製造方法。
  11. 　前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、Ｓｎめっき層を形成する工程を備えている、請求項１０記載の電子部品の製造方法。
  12. 　前記外部電極本体の、前記絶縁層を除去することで露出した領域を被覆するように、下地層としてＮｉめっき層と最外層としてＳｎめっき層とを形成する工程を備えている、請求項９または１０記載の電子部品の製造方法。
  13. 　前記レーザ光の照射により、前記電子部品を実装対象上に搭載する場合において、前記電子部品の前記外部電極本体が直接またはめっき層を介して接合されるべき領域を被覆している前記絶縁層を除去する、請求項１～１２のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
  14. 　前記チップ素体の両端部のそれぞれに前記外部電極本体が形成されている場合において、前記レーザ光を、前記チップ素体の両端部に形成された前記外部電極本体それぞれについて、前記絶縁層の複数箇所を離間して除去するように照射する、請求項１３記載の電子部品の製造方法。
  15. 　前記絶縁層を構成する材料が、樹脂材料である、請求項１～１４のいずれか一つに記載の電子部品の製造方法。
  16. 　前記レーザ光として、波長が１．０６μｍ以上、１０．６μｍ以下のレーザ光を用いる、請求項１５記載の電子部品の製造方法。
  17. 　チップ素体と、
    　前記チップ素体上に設けられた外部電極本体と、
    　前記外部電極本体の所定の領域を露出させるように前記外部電極本体を覆う絶縁層と、
    　前記外部電極本体の前記所定の領域を覆って、前記絶縁層から露出している被覆めっき層と
    を備える、電子部品。
  18. 　前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられ導電性樹脂材料からなる電極本体と、前記電極本体を覆う金属めっき層とから構成される、請求項１７記載の電子部品。
  19. 　前記金属めっき層は、Ｎｉめっき層であり、前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である、請求項１８記載の電子部品。
  20. 　前記外部電極本体は、樹脂成分を含まない材料から構成され、
    　前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される、請求項１７記載の電子部品。
  21. 　前記チップ素体は、樹脂材料および金属粉のコンポジット材料からなり、
    　前記外部電極本体は、前記チップ素体上に設けられた導電性材料と、前記導電性材料を覆う金属めっき層とから構成される、請求項１７記載の電子部品。
  22. 　前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層であり、
    　前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される、請求項２１記載の電子部品。
  23. 　前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
    　前記被覆めっき層は、Ｓｎめっき層である、請求項２１記載の電子部品。
  24. 　前記金属めっき層は、Ｃｕめっき層と、前記Ｃｕめっき層を覆うＮｉめっき層とから構成され、
    　前記被覆めっき層は、Ｎｉめっき層と、前記Ｎｉめっき層を覆うＳｎめっき層とから構成される、請求項２１記載の電子部品。
PCT/JP2016/051434 2015-01-30 2016-01-19 電子部品の製造方法および電子部品 Ceased WO2016121575A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177021343A KR101975133B1 (ko) 2015-01-30 2016-01-19 전자 부품의 제조 방법 및 전자 부품
CN201680007331.5A CN107210129B (zh) 2015-01-30 2016-01-19 电子部件的制造方法以及电子部件
JP2016571961A JP6547762B2 (ja) 2015-01-30 2016-01-19 電子部品の製造方法および電子部品
TW105102482A TWI610602B (zh) 2015-01-30 2016-01-27 電子零件之製造方法及電子零件
US15/661,739 US11170935B2 (en) 2015-01-30 2017-07-27 Manufacturing method for electronic component including electrode formed by removal of insulating layer by laser light

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015016807 2015-01-30
JP2015-016807 2015-01-30

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US15/661,739 Continuation US11170935B2 (en) 2015-01-30 2017-07-27 Manufacturing method for electronic component including electrode formed by removal of insulating layer by laser light

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016121575A1 true WO2016121575A1 (ja) 2016-08-04

Family

ID=56543192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/051434 Ceased WO2016121575A1 (ja) 2015-01-30 2016-01-19 電子部品の製造方法および電子部品

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11170935B2 (ja)
JP (1) JP6547762B2 (ja)
KR (1) KR101975133B1 (ja)
CN (1) CN107210129B (ja)
TW (1) TWI610602B (ja)
WO (1) WO2016121575A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018129499A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． キャパシタ部品
JP2018182210A (ja) * 2017-04-19 2018-11-15 株式会社村田製作所 コイル部品
JP2018182274A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 積層型キャパシタ
JP2019041032A (ja) * 2017-08-28 2019-03-14 Tdk株式会社 電子部品及びその製造方法
US10319527B2 (en) 2017-04-04 2019-06-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor
JP2020017621A (ja) * 2018-07-25 2020-01-30 株式会社村田製作所 コイルアレイ部品
JP2021082704A (ja) * 2019-11-19 2021-05-27 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
US11495396B2 (en) 2018-05-08 2022-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface mount inductor
JP2023036767A (ja) * 2016-09-08 2023-03-14 モダ－イノチップス シーオー エルティディー パワーインダクター
US11694834B2 (en) 2018-07-25 2023-07-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Coil array component
JP2023148899A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 株式会社村田製作所 コイル部品
US11929201B2 (en) 2018-03-30 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface mount inductor and method for manufacturing the same
WO2024202403A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
WO2025164093A1 (ja) * 2024-02-03 2025-08-07 Tdk株式会社 電子部品及びその製造方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020061391A (ja) * 2016-12-27 2020-04-16 株式会社村田製作所 電子部品への被覆素材の選択的被覆方法および電子部品の製造方法
JP6753423B2 (ja) * 2018-01-11 2020-09-09 株式会社村田製作所 積層コイル部品
KR102029577B1 (ko) 2018-03-27 2019-10-08 삼성전기주식회사 코일 부품
KR102016499B1 (ko) * 2018-04-10 2019-09-02 삼성전기주식회사 코일 부품
KR102064070B1 (ko) * 2018-04-25 2020-01-08 삼성전기주식회사 코일 부품
KR102068805B1 (ko) * 2018-09-06 2020-01-22 삼성전기주식회사 세라믹 전자 부품
CN109741939A (zh) * 2019-01-29 2019-05-10 维沃移动通信有限公司 一种陶瓷电容器和终端设备
JP7190937B2 (ja) * 2019-02-27 2022-12-16 京セラ株式会社 積層セラミック電子部品
KR102198533B1 (ko) * 2019-05-27 2021-01-06 삼성전기주식회사 코일 부품
KR102624876B1 (ko) * 2019-08-28 2024-01-15 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
JP7534846B2 (ja) 2019-11-15 2024-08-15 Tdk株式会社 電子部品
JP7169262B2 (ja) * 2019-12-27 2022-11-10 株式会社タムラ製作所 積層コア、電流検出器及び接合方法
KR102880984B1 (ko) * 2020-09-24 2025-11-04 삼성전기주식회사 적층형 커패시터 및 그 실장 기판
KR20220041508A (ko) * 2020-09-25 2022-04-01 삼성전기주식회사 코일 부품
KR102875816B1 (ko) * 2020-09-28 2025-10-22 삼성전기주식회사 코일 부품
US12315663B2 (en) * 2020-10-05 2025-05-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Inductor
KR102880983B1 (ko) * 2021-11-29 2025-11-04 삼성전기주식회사 세라믹 전자부품
KR20230102299A (ko) 2021-12-30 2023-07-07 삼성전기주식회사 세라믹 전자부품
KR20230103351A (ko) * 2021-12-31 2023-07-07 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
KR20230103056A (ko) 2021-12-31 2023-07-07 삼성전기주식회사 적층형 전자 부품
JP2023153689A (ja) * 2022-04-05 2023-10-18 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63115206U (ja) * 1987-01-22 1988-07-25
JP2012069779A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Tdk Corp 積層コンデンサ

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0782383B2 (ja) * 1986-10-31 1995-09-06 三菱電機株式会社 デ−タ入力装置
JP3139268B2 (ja) * 1994-03-30 2001-02-26 松下電器産業株式会社 チップインダクタ
CN100381026C (zh) * 1999-09-02 2008-04-09 伊比登株式会社 印刷布线板及其制造方法
TW447775U (en) * 2000-07-07 2001-07-21 Inpaq Technology Co Ltd Insulating structure of laminated chip type electronic device
JP3910907B2 (ja) * 2002-10-29 2007-04-25 新光電気工業株式会社 キャパシタ素子及びこの製造方法、半導体装置用基板、並びに半導体装置
JP2004193215A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Kitagawa Ind Co Ltd 電子部品及びその製造方法
JP2005327876A (ja) * 2004-05-13 2005-11-24 Tdk Corp コイル部品及びその製造方法
JP4483508B2 (ja) * 2004-07-27 2010-06-16 Ｔｄｋ株式会社 積層型電子部品の製造方法
JP4421436B2 (ja) * 2004-09-30 2010-02-24 太陽誘電株式会社 面実装コイル部品
TWI245323B (en) * 2005-04-15 2005-12-11 Inpaq Technology Co Ltd Glaze cladding structure of chip device and its formation method
US8571346B2 (en) * 2005-10-26 2013-10-29 Nvidia Corporation Methods and devices for defective pixel detection
EP1965397B1 (en) * 2005-12-22 2019-03-20 Namics Corporation Thermosetting conductive paste and multilayer ceramic component having external electrode which is formed by using such thermosetting conductive paste
EP1997115B8 (en) * 2006-03-10 2012-02-29 Joinset Co., Ltd Ceramic component element and method for manufacturing the same
JP2007300002A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Tdk Corp 電子部品
JP2009194096A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Murata Mfg Co Ltd 部品内蔵基板、及びそれを用いた部品パッケージ
JP4752901B2 (ja) * 2008-11-27 2011-08-17 株式会社村田製作所 電子部品及び電子部品内蔵基板
WO2010150602A1 (ja) * 2009-06-24 2010-12-29 株式会社村田製作所 電子部品及びその製造方法
JP5589891B2 (ja) * 2010-05-27 2014-09-17 株式会社村田製作所 セラミック電子部品及びその製造方法
JP5516501B2 (ja) * 2011-05-13 2014-06-11 株式会社村田製作所 電子部品
JP5770539B2 (ja) * 2011-06-09 2015-08-26 Tdk株式会社 電子部品及び電子部品の製造方法
JP2013026392A (ja) 2011-07-20 2013-02-04 Tdk Corp 電子部品及び電子部品の製造方法
CN103563020A (zh) * 2011-10-14 2014-02-05 株式会社村田制作所 电子部件
US9202640B2 (en) * 2011-10-31 2015-12-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic electronic component and manufacturing method thereof
CN104205267B (zh) * 2012-03-30 2017-05-31 太阳诱电株式会社 层叠陶瓷电容器
KR101525652B1 (ko) * 2012-05-04 2015-06-03 삼성전기주식회사 도전성 수지 조성물, 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법
KR101309326B1 (ko) * 2012-05-30 2013-09-16 삼성전기주식회사 적층 칩 전자부품, 그 실장 기판 및 포장체

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63115206U (ja) * 1987-01-22 1988-07-25
JP2012069779A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Tdk Corp 積層コンデンサ

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7499316B2 (ja) 2016-09-08 2024-06-13 モダ－イノチップス シーオー エルティディー パワーインダクター
JP2023036767A (ja) * 2016-09-08 2023-03-14 モダ－イノチップス シーオー エルティディー パワーインダクター
JP6992946B2 (ja) 2017-02-10 2022-01-13 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． キャパシタ部品
JP2018129499A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． キャパシタ部品
JP2018182274A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 積層型キャパシタ
JP7176814B2 (ja) 2017-04-04 2022-11-22 サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． 積層型キャパシタ
US10319527B2 (en) 2017-04-04 2019-06-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor
JP2019117942A (ja) * 2017-04-04 2019-07-18 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． 積層型キャパシタ
US10770234B2 (en) 2017-04-04 2020-09-08 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Multilayer capacitor
JP2018182210A (ja) * 2017-04-19 2018-11-15 株式会社村田製作所 コイル部品
US11195653B2 (en) 2017-04-19 2021-12-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Coil component
JP2019041032A (ja) * 2017-08-28 2019-03-14 Tdk株式会社 電子部品及びその製造方法
US11929201B2 (en) 2018-03-30 2024-03-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface mount inductor and method for manufacturing the same
US11495396B2 (en) 2018-05-08 2022-11-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface mount inductor
JP2020017621A (ja) * 2018-07-25 2020-01-30 株式会社村田製作所 コイルアレイ部品
JP7056437B2 (ja) 2018-07-25 2022-04-19 株式会社村田製作所 コイルアレイ部品
US11694834B2 (en) 2018-07-25 2023-07-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Coil array component
US11009574B2 (en) 2018-07-25 2021-05-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Coil array component
JP2021082704A (ja) * 2019-11-19 2021-05-27 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
JP7481064B2 (ja) 2019-11-19 2024-05-10 太陽誘電株式会社 セラミック電子部品およびその製造方法
JP2023148899A (ja) * 2022-03-30 2023-10-13 株式会社村田製作所 コイル部品
JP7687256B2 (ja) 2022-03-30 2025-06-03 株式会社村田製作所 コイル部品
WO2024202403A1 (ja) * 2023-03-30 2024-10-03 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品
WO2025164093A1 (ja) * 2024-02-03 2025-08-07 Tdk株式会社 電子部品及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11170935B2 (en) 2021-11-09
JP6547762B2 (ja) 2019-07-24
CN107210129B (zh) 2020-03-10
KR20170102919A (ko) 2017-09-12
JPWO2016121575A1 (ja) 2017-10-19
TW201628470A (zh) 2016-08-01
US20170323725A1 (en) 2017-11-09
KR101975133B1 (ko) 2019-05-03
TWI610602B (zh) 2018-01-01
CN107210129A (zh) 2017-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6547762B2 (ja) 電子部品の製造方法および電子部品
JP5472230B2 (ja) チップ部品構造体及び製造方法
JP6156345B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP5831498B2 (ja) コイル部品およびその製造方法
JP6512335B1 (ja) コイル部品及びその製造方法
JP5022392B2 (ja) ペーストバンプを用いた印刷回路基板の製造方法
JP2011192968A (ja) コンデンサ及びその製造方法
KR101474166B1 (ko) 칩 전자부품 및 그 제조방법
US10593466B2 (en) Electronic component and method for producing the same
JP5007746B2 (ja) 部品内蔵基板
US10902994B2 (en) Coil electronic component
CN108288534A (zh) 电感部件
CN108811320A (zh) 电子模块与电路板
JP6455561B2 (ja) 電子部品
JP6680075B2 (ja) 積層コイル部品
WO2022065027A1 (ja) コイル部品及びその製造方法
JP2021190618A (ja) 積層インダクタ部品
US9433108B2 (en) Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element
JP6489156B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
JP2005032931A (ja) 回路基板、回路基板の製造方法及び電子回路装置
JP2002299826A (ja) 多層プリント配線基板、半導体装置、及び、これらの製造方法
JPH0422115A (ja) セラミック電子部品及びその製造方法
JP2011049379A (ja) 電子部品およびその製造方法
KR101154352B1 (ko) 임베디드 인쇄회로기판용 부재 및 그 제조 방법 및 임베디드 인쇄회로기판용 부재를 이용한 임베디드 인쇄회로기판 제조 방법
JP2001326463A (ja) プリント配線板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16743179

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016571961

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20177021343

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16743179

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1