WO2016104713A1

WO2016104713A1 - 半導体装置用基板、半導体装置用配線部材及びそれらの製造方法、並びに、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法

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Abstract

【課題】半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さを均一にでき、更に外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が省略でき、半導体装置製造時の工程数を削減して、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を製造可能な半導体装置用基板、半導体装置用配線部材及びそれらの製造方法、並びに、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法の提供。【解決手段】金属板１上における所定部位に内部端子となる第１の貴金属めっき層１１が形成され、第１の貴金属めっき層の上に第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層１２が形成され、更に金属めっき層の上に部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層１４が形成され、第２の貴金属めっき層表面の金属板面からの高さＨ２が、第１の基金属めっき層表面の金属板面からの高さＨ１に比べて高くなっている。

Description

半導体装置用基板、半導体装置用配線部材及びそれらの製造方法、並びに、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法

　本発明は、半導体装置用基板、半導体装置用配線部材及びそれらの製造方法、並びに、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法に関する。

　従来、半導体装置用基板には、例えば、ＥＬＰ（Ｅｔｃｈｅｄ　Ｌｅａｄｌｅｓｓ　Ｐａｃｋａｇｅ）構造の配線を有する表面実装型の封止樹脂型半導体装置等の製造に用いられ、基板である金属板上に、内部端子、外部端子及び配線部を金属めっきで形成したタイプのものがある。
　そして、従来、このようなタイプの半導体装置用基板及び半導体装置用基板を用いた半導体装置は、例えば、次の特許文献１に記載されている。

　特許文献１に記載の半導体装置用基板は、金属板上に金属板側から外部端子部を有する外部端子面がめっき形成され、その上に中間層が同じ形状でめっき形成され、更にその上に内部端子部を有する内部端子面が同じ形状でめっき形成された半導体装置用基板が開示されている。この半導体装置用基板は、半導体素子と電気的接続される内部端子部を有する内部端子面が最上面となるように形成されており、金属板から最上面までの高さは、全体がほぼ同じ高さに形成される構成となっている。

　特許文献１に記載の半導体装置用基板は、半導体装置を製造する際には、外部端子面は金属板側の面に接し、内部端子面は金属板とは反対側の面を露出させた状態で用いる。詳しくは、半導体装置用基板の内部端子面側に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と内部端子部を接続後、半導体素子搭載部を樹脂で封止する。樹脂で封止後に金属板をエッチングによる溶解等により除去し、封止した樹脂の裏面に内部端子部、配線部及び外部端子部を有する、めっき形成部における外部接続面が露出した状態になるようにする。その後、露出した外部接続面全体を覆う樹脂を形成し、外部端子部のみが露出する開口部を形成している。

　しかし、金属板側から外部端子面を形成し、最上層に内部端子面をめっきにより形成すると実際の生産においては、めっき厚のばらつきが発生し、例えばめっきの厚さが約３０μｍの場合５～８μｍ程度の高低差が生じることから、半導体素子を搭載して内部端子部と電気的な接続を行う際に、半導体素子が傾いた状態で搭載されたり、電気的な接続において導通不良となる可能性がある。また、外部接続面全体を覆う樹脂を形成し、外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が必要となり、その分、半導体装置の生産性が悪くなる。

特開２００９－１６４５９４号公報

　このように、特許文献１に記載の半導体装置用基板では、最上層に半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さに生産時のばらつきによる高低差が生じ、搭載された半導体素子の傾きやボンディング等の接続不良によって最終的に導通不良となることから、本発明は、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さを均一にできる半導体素子用基板であり、更に外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が省略できる半導体素子用基板とすることで、半導体装置製造時の工程数を削減して、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を製造可能な半導体装置用基板及びその製造方法を提供することを目的としている。

　また、本発明は、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さを均一にできる半導体素子用配線部材であり、更に半導体装置の製造工程において金属板のエッチング除去や外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が省略できる半導体素子用配線部材とすることで、半導体装置製造時の工程数を削減して、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を製造可能な半導体装置用配線部材及びその製造方法を提供することを目的としている。

　また、本発明は、半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さのばらつきによる高低差を無くし、搭載する半導体素子の傾きを防止してボンディング等の接続不良によって最終的に導通不良となることを解消できる半導体装置の製造方法と、外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が省略できる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。

　上記の目的を達成するために、本発明による半導体装置用基板は、所定面上における所定部位に内部端子となるめっき層が形成され、前記内部端子となるめっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記所定面からの高さが、他のめっき層表面の該所定面からの高さに比べて高くなっていることを特徴としている。

　また、本発明の半導体装置用基板においては、好ましくは、前記内部端子となるめっき層が、金属板上における所定部位に形成された第１の貴金属めっき層からなり、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層が、前記金属めっき層の上に部分的に形成された第２の貴金属めっき層からなり、前記第２の貴金属めっき層表面の前記金属板面からの高さが、前記金属めっき層表面の前記金属板面からの高さに比べて高くなっている。

　また、本発明の半導体装置用基板においては、好ましくは、前記内部端子となるめっき層が、金属板上における所定部位に形成された第１の貴金属めっき層からなり、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層が、前記金属めっき層の上に部分的に形成された第２の貴金属めっき層からなり、更に前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成されている。

　また、本発明の半導体装置用基板においては、好ましくは、前記内部端子となるめっき層が、金属板上における所定部位に形成された第１の貴金属めっき層からなり、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、前記金属板および前記金属めっき層の上に、該金属めっき層における所定部位を開口させた永久レジストが形成され、前記外部端子となるめっき層が、前記永久レジストの開口部に位置する前記金属めっき層の上に形成された第２の貴金属めっき層からなる。

　また、本発明の半導体装置用基板においては、好ましくは、前記金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層との間に、該第２の貴金属めっき層と同一形状で第２の金属めっき層が形成されている。

　また、本発明の半導体装置用基板においては、好ましくは、前記金属板側から順に、前記第１の貴金属めっき層としてのＡｕめっき層、Ｐｄめっき層、前記金属めっき層および前記第２の金属めっき層としてのＮｉめっき層、前記第２の貴金属めっき層としてのＰｄめっき層、Ａｕめっき層が形成されている。

　また、本発明の半導体装置用基板においては、好ましくは、前記永久レジストは、前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させるための開口部を有して形成され、前記第２の貴金属めっき層の上面は、前記永久レジストの上面よりも下側に位置する。

　また、本発明による半導体装置用配線部材は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造された半導体装置用配線部材であって、前記内部端子となるめっき層が、樹脂層の一方の面における所定部位に下面を該樹脂層の一方の面と面一に露出させた状態で形成された第１の貴金属めっき層からなり、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層が、前記金属めっき層の上に部分的に上面を前記樹脂層の他方の面から露出させた状態で形成された第２の貴金属めっき層からなることを特徴としている。

　また、本発明の半導体装置用配線部材においては、好ましくは、前記金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層との間に、第２の貴金属めっき層と同一形状で第２の金属めっき層が形成されている。

　また、本発明の半導体装置用配線部材においては、好ましくは、前記樹脂層の一方の面側から順に、前記第１の貴金属めっき層としてのＡｕめっき層、Ｐｄめっき層、前記金属めっき層および前記第２の金属めっき層としてのＮｉめっき層、前記第２の貴金属めっき層としてのＰｄめっき層、Ａｕめっき層が形成されている。

　また、本発明による半導体装置用基板の製造方法は、金属板上にパターンＡの開口部を有するレジストマスクを形成する工程と、前記パターンＡの開口部に第１の貴金属めっき層を形成する工程と、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層を形成する工程と、前記レジストマスクを剥離する工程と、前記レジストマスクを剥離した後、前記金属めっき層の一部が露出するパターンＢの開口部を有する第２のレジストマスクを形成する工程と、前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成する工程、を有することを特徴としている。

　また、本発明の半導体装置用基板の製造方法においては、好ましくは、前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成した後、前記第２のレジストマスクを剥離する工程、を有する。

　また、本発明の半導体装置用基板の製造方法においては、好ましくは、前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成した後、前記第２のレジストマスクを剥離する工程と、前記第２のレジストマスクを剥離した後、前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に該第２の貴金属めっき層の上面を露出させるように樹脂層を形成する工程、を有する。

　また、本発明の半導体装置用基板の製造方法においては、好ましくは、前記第２のレジストマスクが、永久レジストからなる。

　また、本発明の半導体装置用基板の製造方法においては、好ましくは、前記第２の貴金属めっき層の上面は、前記第２のレジストマスクの上面よりも下側に位置する。

　また、本発明による半導体装置用配線部材の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板の製造方法を用いて製造する半導体装置用配線部材の製造方法であって、前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成した後、前記第２のレジストマスクを剥離する工程と、前記第２のレジストマスクを剥離した後、前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に該第２の貴金属めっき層の上面を露出させるように樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層を形成した後、前記金属板を除去する工程、を有することを特徴としている。

　また、本発明による半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記めっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記金属板面からの高さが、他のめっき層の前記金属板面からの高さに比べて高くなっている前記半導体装置用基板を用いて、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、前記金属板を除去して、形成されためっき層が前記樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、作製した前記配線部材に半導体素子を搭載する工程、を含むことを特徴としている。

　また、本発明による半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記めっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記金属板面からの高さが、他のめっき層の前記金属板面からの高さに比べて高くなっている前記半導体装置用基板に、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、前記金属板を除去して、形成されためっき層が前記樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、作製した前記配線部材の前記金属板側であった前記内部端子となるめっき層の面側に半導体素子を搭載する工程、を含むことを特徴としている。

　また、本発明による半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記めっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記金属板面からの高さが、他のめっき層の前記金属板面からの高さに比べて高くなっている前記半導体装置用基板に、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、前記金属板を除去して、形成されためっき層が前記樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、作製した前記配線部材の前記金属板側であった前記内部端子となるめっき層の面側に半導体素子を搭載して該半導体素子の電極と前記内部端子との導通を取る工程と、半導体素子搭載部分を樹脂封止する工程、を含むことを特徴としている。

　また、本発明による半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に所定の厚さで永久レジスト層が形成され、前記永久レジスト層内に、前記金属板に面して前記内部端子となるめっき層が形成され、前記内部端子となるめっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層の上面のみが前記永久レジスト上面の開口部から露出した半導体装置用基板から、前記金属板を除去して前記永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を作製する工程と、作製した前記配線部材の前記金属板を除去した側に半導体素子を搭載する工程、を含むことを特徴としている。

　また、本発明による半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に所定の厚さで永久レジスト層が形成され、前記永久レジスト層内に、所定のパターンで金属板側に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記内部端子となるめっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層の上面のみが前記永久レジスト上面の開口部から露出した半導体装置用基板から、前記金属板を除去して前記永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を準備する工程と、準備した前記配線部材の前記金属板を除去した側に半導体素子を搭載し、前記配線部材から露出している前記内部端子となるめっき層の部分に前記半導体素子の電極との接続を行う工程と、半導体素子搭載側を樹脂封止する工程、を含むことを特徴としている。

　また、本発明の半導体装置の製造方法においては、好ましくは、前記半導体装置用基板は、前記金属板上に所定のパターンで前記内部端子となる第１の貴金属めっき層が形成され、その上に前記第１の貴金属めっき層と同一形状で前記金属めっき層が形成され、前記金属めっき層の上に部分的に前記外部端子となる前記第２の貴金属めっき層が、又は前記金属めっき層の上に部分的に前記第２の金属めっき層と前記外部端子となる前記第２の貴金属めっき層が同一形状で、形成され、これらめっき層より厚く前記金属板上に前記永久レジストが形成されており、前記永久レジストの開口部から前記第２の貴金属めっき層の面が露出している。

　また、本発明の半導体装置の製造方法においては、好ましくは、前記内部端子となるめっき層と前記外部端子となるめっき層の間に、別の金属によるめっき層が形成されている。

　本発明によれば、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さを均一にできる半導体素子用基板であり、半導体装置製造時の工程数を削減して生産性を向上させることができる、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を製造可能な半導体装置用基板及びその製造方法が得られる。

　また、本発明によれば、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さを均一にできる半導体素子用配線部材であり、更に半導体装置の製造工程において金属板のエッチング除去や外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が省略できる半導体素子用配線部材とすることで、半導体装置製造時の工程数を削減して、信頼性の高い樹脂封止型半導体装置を製造可能な半導体装置用配線部材及びその製造方法が得られる。

　また、本発明によれば、半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さのばらつきによる高低差を無くし、搭載する半導体素子の傾きを防止してボンディング等の接続不良によって最終的に導通不良となることを解消できる半導体装置の製造方法と、外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が省略できる半導体装置の製造方法が得られる。

図１Ａ、図１Ｂは、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置用基板の構成を示す図で、図１Ａは外部端子側からみた平面図、図１Ｂは図１ＡのＡ－Ａ断面図である。図２Ａ～図２Ｉは、図１Ａ、図１Ｂに示す半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。図３Ａ～図３Ｅは、図２Ａ～図２Ｉの製造工程における半導体装置用基板の状態の変化を示す平面図である。図４Ａ～図４Ｇは、図２Ａ～図２Ｉに示す製造工程を経て製造された第１実施形態の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。図５Ａ、図５Ｂは、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置用基板の構成を示す図で、図５Ａは外部端子側からみた平面図、図５Ｂは図５ＡのＡ－Ａ断面図である。図６Ａ～図６Ｊ’は、図５Ａ、図５Ｂに示す半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。図７Ａ～図７Ｆは、図６Ａ～図６Ｊ’に示す製造工程を経て製造された第２実施形態の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。図８Ａ、図８Ｂは、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置用基板の構成を示す図で、図８Ａは外部端子側からみた平面図、図８Ｂは図８ＡのＡ－Ａ断面図である。図９Ａ～図９Ｊは、図８Ａ、図８Ｂに示す半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。図１０Ａ～図１０Ｇは、図９Ａ～図９Ｊに示す製造工程を経て製造された第３実施形態の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。図１１Ａ、図１１Ｂは、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置用配線部材の構成を示す図で、図１１Ａは外部端子側からみた平面図、図１１Ｂは図１１ＡのＡ－Ａ断面図である。図１２Ａ～図１２Ｋは、図１１Ａ、図１１Ｂに示す半導体装置用配線部材の製造工程を示す説明図である。図１３Ａ～図１３Ｅは、図１２Ａ～図１２Ｋに示す製造工程を経て製造された第４実施形態の半導体装置用配線部材を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。図１４Ａ～図１４Ｅは、比較例１にかかる従来の半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。図１５Ａ～図１５Ｃは、図１４Ａ～図１４Ｅの製造工程における半導体装置用基板の状態の変化を示す平面図である。図１６Ａ～図１６Ｌは、図１４Ａ～図１４Ｅに示す製造工程を経て製造された比較例１の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。図１７Ａ～図１７Ｄは、本発明の一実施例にかかる半導体装置の製造方法の工程を示した図で、図１７Ａ、図１７Ａ’は本実施例の半導体装置の製造に使用する半導体装置用基板の構成を示す説明図、図１７Ｂ、図１７Ｂ’は図１７Ａ、図１７Ａ’に示す半導体装置用基板に、外部端子部の面が露出するよう樹脂で封止した状態を示す説明図、図１７Ｃは図１７Ｂに示す半導体装置用基板から金属板を除去し、配線部材とした状態を示す説明図、図１７Ｄは図１７Ｃに示す配線部材の内部端子となるめっき層側に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と配線部材の内部端子部を接続し、半導体素子を搭載した側を樹脂封止した状態を示す説明図である。本発明の他の実施例にかかる半導体装置の製造方法に使用する配線部材の断面図である。図１８に示す配線部材の内部端子となるめっき層側に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と配線部材の内部端子部を接続し、半導体素子を搭載した側を樹脂封止した状態を示す説明図である。図２０Ａ～図２０Ｆは、図１８の実施例にかかる半導体装置の製造方法に使用する配線部材の製造方法の工程の一例を示す説明図である。

　実施形態の説明に先立ち、本発明の作用効果について説明する。
　本発明の半導体装置用基板は、所定面上における所定部位に内部端子となるめっき層が形成され、内部端子となるめっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、外部端子となるめっき層表面の所定面からの高さが、他のめっき層表面の所定面からの高さに比べて高くなっている。

　例えば、本発明の第１の形態の半導体装置用基板は、金属板を除去した後に半導体素子を搭載する半導体装置用基板であり、金属板上における所定部位に金属板側から内部端子となる第１の貴金属めっき層が形成され、第１の貴金属めっき層の上に第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、更に金属めっき層の上に部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成され、第２の貴金属めっき層表面の金属板面からの高さが、金属めっき層表面の金属板面からの高さに比べて高くなっている。

　本発明の第１の形態の半導体装置用基板のように、従来の半導体装置用基板において半導体装置の製造過程で設ける樹脂層の開口部に相当する部位に、内部端子及び配線部とは厚みの異なる外部端子を予め設けておけば、半導体装置の製造工程において内部端子及び配線部を樹脂で封止し、外部端子のみを露出させることが容易にできる。このため、従来の半導体装置用基板とは異なり半導体装置の製造過程で外部部材との接続面に開口部を有する絶縁層を設ける必要がなくなり、その分、半導体装置の製造時の工程数が減少し生産性が向上する。

　また、例えば、本発明の第２の形態の半導体装置用基板は、金属板を除去した後に半導体素子を搭載する半導体装置用基板であり、金属板上における所定部位に金属板側から内部端子となる第１の貴金属めっき層が形成され、第１の貴金属めっき層の上に第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、金属めっき層の上に部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成され、更に金属板および金属めっき層における第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成されている。

　本発明の第２の形態の半導体装置用基板のように、従来の半導体装置用基板において半導体装置の製造過程で設ける樹脂層の開口部に相当する部位に、内部端子及び配線部とは厚みの異なる外部端子を予め設け、内部端子及び配線部を樹脂で封止し、外部端子のみを露出させておけば、従来の半導体装置用基板とは異なり半導体装置の製造過程で外部部材との接続面に開口部を有する絶縁層を設ける必要がなくなり、その分、半導体装置の製造時の工程数が減少し生産性が向上する。

　また、例えば、本発明の第３の形態の半導体装置用基板は、金属板を除去した後に半導体素子を搭載する半導体装置用基板であり、金属板上における所定部位に金属板側から内部端子となる第１の貴金属めっき層が形成され、第１の貴金属めっき層の上に第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、金属板および金属めっき層の上に、金属めっき層における所定部位を開口させた永久レジストが形成され、更に、永久レジストの開口部に位置する金属めっき層の上に外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成されている。

　本発明の第３の形態の半導体装置用基板のように、従来の半導体装置用基板において半導体装置の製造過程で設ける樹脂を半導体装置用基板に永久レジストとして予め設けるとともに、永久レジストの開口部に、内部端子及び配線部とは厚みの異なる外部端子を予め設け、内部端子及び配線部を永久レジストで封止し、外部端子のみを露出させておけば、従来の半導体装置用基板とは異なり半導体装置の製造過程で外部部材との接続面に開口部を有する絶縁層を設ける必要がなくなり、半導体装置の製造時の工程数が減少し生産性が向上する。

　また、本発明の半導体装置用配線部材は、金属板が除去済みの半導体素子を搭載する半導体装置用配線部材であり、樹脂層の一方の面における所定部位に内部端子となる第１の貴金属めっき層が下面を樹脂層の一方の面と面一に露出させた状態で形成され、第１の貴金属めっき層の上に第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、更に金属めっき層の上に部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層が上面を樹脂層の他方の面から露出させた状態で形成されている。

　本発明の半導体装置用配線部材のように、従来の半導体装置用基板において半導体装置の製造過程で設ける樹脂層の開口部に相当する部位に、内部端子及び配線部とは厚みの異なる外部端子を予め設け、内部端子及び配線部を樹脂で封止し、樹脂層の他方の面から外部端子のみを露出させておけば、従来の半導体装置用基板とは異なり半導体装置の製造過程で外部部材との接続面に開口部を有する絶縁層を設ける必要がなくなり、その分、半導体装置の製造時の工程数が減少し生産性が向上する。

　これらの点について、詳述する。
　本件出願人は、試行錯誤の末、半導体装置を製造する際に用いる半導体装置用基板における内部端子と外部端子の電気的な接続面を、従来の半導体装置用基板とは逆にすることを着想した。
　即ち、従来の半導体装置用基板では、半導体装置を製造する際には、外部端子面は金属板側の面、内部端子面は金属板とは反対側の面を露出させた状態で用いるように構成されている。
　これに対し、本発明の第１～第３の形態の半導体装置用基板では、半導体装置を製造する際には、外部端子面は金属板とは反対側の面、内部端子面は金属板側の面を露出させた状態で用いる着想のもとに、内部端子及び配線部を構成するめっき層よりも外部端子を構成するめっき層を金属板から高くなるように構成する。
　また、本発明の第３の形態の半導体装置用基板では、そのために、金属板および内部端子となる金属めっき層の上に、金属めっき層における所定部位を開口させた永久レジストを形成し、更に、永久レジストの開口部に位置する金属めっき層の上に外部端子となる第２の貴金属めっき層を形成する。
　また、本発明の半導体装置用配線部材では、半導体装置を製造する際には、外部端子面は半導体装置用基板の製造時に用いる金属板とは反対側の面、内部端子面は半導体装置用基板の製造時に用いる金属板側の面を露出させた状態で用いる着想のもとに、内部端子及び配線部を構成するめっき層よりも外部端子を構成するめっき層を半導体装置用基板の製造時に用いる金属板から高くなるように構成する。

　例えば、本発明の第１の形態の半導体装置用基板における端子が設けられている側を樹脂で封止し、樹脂封止後に金属板をエッチングによる溶解等により除去すると、金属板除去後には、金属板を除去した側の内部端子となる第１の貴金属めっき層の面が金属板の表面に倣って段差のない（高低差１μｍ以下の）状態で露出することになる。
　また、例えば、本発明の第２、第３の形態の半導体装置用基板における金属板をエッチングによる溶解等により除去すると、金属板除去後には、金属板を除去した側の内部端子となる第１の貴金属めっき層の面が金属板の表面に倣って段差のない（高低差１μｍ以下の）状態で露出することになる。
　また、例えば、本発明の半導体装置用配線部材の製造時に用いる金属板をエッチングによる溶解等により除去すると、金属板除去後には、金属板を除去した側の内部端子となる第１の貴金属めっき層の面が金属板の表面に倣って段差のない（高低差１μｍ以下の）状態で露出することになる。この金属板は、リードフレーム等に使用される一般的な圧延材である。
　これらの金属板は、リードフレーム等に使用される一般的な圧延材である。
　ここで、従来の半導体装置用基板を用いた半導体装置と同様に、第１の貴金属めっき層上に半導体素子を搭載するが、第１の貴金属めっき層の面が段差のない状態で露出しているので、接続面は全体がフラットであるため、接続が安定する。
　この場合、外部端子は金属板側とは反対側の面を露出させる必要がある。

　そこで、本件出願人は、金属板上における、内部端子、外部端子及び配線部となる部位に貴金属めっき、金属めっきを施した後、従来の半導体装置用基板とは異なり、更に、外部端子となる部位のみに、さらに貴金属めっき（又は金属めっき及び貴金属めっき）を積み増して施すことで、内部端子、配線部とは高低差のある外部端子を形成させた本発明の第１の形態の半導体装置用基板を想到するに至った。

　また、本件出願人は、本発明の第１の形態の半導体装置用基板に対し、更に第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成された本発明の第２の形態の半導体装置用基板を想到するに至った。

　また、本件出願人は、本発明の第１の形態の半導体装置用基板を形成させるべく、金属板および内部端子となる金属めっき層の上に、金属めっき層における所定部位を開口させた永久レジストを形成し、更に、永久レジストの開口部に位置する金属めっき層の上に外部端子となる第２の貴金属めっき層を形成した本発明の第３の形態の半導体装置用基板を想到するに至った。

　また、本件出願人は、本発明の第１の形態の半導体装置用基板に対し、更に第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成され、金属板がエッチング除去された本発明の半導体装置用配線部材を想到するに至った。

　本発明の第１の形態の半導体装置用基板のように、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設ければ、その後の半導体装置の製造工程において樹脂等で内部端子及び配線部のみを封止し、外部端子のみを露出させることが可能となる。このため、従来の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において外部部材との接続面に開口部を形成する加工の必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。

　また、本発明の第２の形態の半導体装置用基板のように、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設け、樹脂で内部端子及び配線部のみを封止し、外部端子のみを露出させれば、従来の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において外部部材との接続面に開口部を形成する加工の必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。

　また、本発明の第３の形態の半導体装置用基板のように、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設け、永久レジストで内部端子及び配線部のみを封止し、外部端子のみを露出させれば、従来の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において外部部材との接続面に開口部を形成する加工の必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。

　また、本発明の半導体装置用配線部材のように、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設け、樹脂で内部端子及び配線部のみを封止し、外部端子のみを露出させた面を樹脂層の他方の面に設けるようにすれば、従来の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において金属板のエッチング除去や外部部材との接続面に開口部を形成する加工の必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。

　また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に内部端子となるめっき層が形成され、めっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、外部端子となるめっき層表面の金属板面からの高さが、他のめっき層の金属板面からの高さに比べて高くなっている半導体装置用基板を用いて、外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、金属板を除去して、形成されためっき層が樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、作製した配線部材に半導体素子を搭載する工程、を含む。

　また、本発明の半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に内部端子となるめっき層が形成され、めっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、外部端子となるめっき層表面の金属板面からの高さが、他のめっき層の金属板面からの高さに比べて高くなっている半導体装置用基板に、外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、金属板を除去して、形成されためっき層が樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、作製した配線部材の金属板側であった内部端子となるめっき層の面側に半導体素子を搭載する工程、を含む。

　また、本発明による半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に内部端子となるめっき層が形成され、めっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、外部端子となるめっき層表面の金属板面からの高さが、他のめっき層の金属板面からの高さに比べて高くなっている半導体装置用基板に、外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、金属板を除去して、形成されためっき層が樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、作製した配線部材の金属板側であった内部端子となるめっき層の面側に半導体素子を搭載して半導体素子の電極と内部端子との導通を取る工程と、半導体素子搭載部分を樹脂封止する工程、を含む。

　本発明の半導体装置の製造方法に用いる半導体装置用基板は、金属板を除去した後に半導体素子を搭載する配線部材となる半導体装置用基板であり、例えば、金属板上における所定部位に金属板側から内部端子となる第１の貴金属めっき層が形成され、第１の貴金属めっき層の上に第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、更に金属めっき層の上に部分的に第２の金属めっき層が形成され、第２の金属めっき層と同一形状で外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成されており、第２の貴金属めっき層表面の金属板面からの高さが、金属めっき層表面の金属板面からの高さに比べて高くなっている。
　この半導体装置用基板は、内部端子部及び配線部とは厚みの異なる外部端子部を予め設けられているために、半導体装置の製造工程において内部端子及び配線部を樹脂で封止し、外部端子のみを露出させることが容易にできる。このため、この半導体装置用基板を用いると、従来の半導体装置用基板とは異なり半導体装置の製造過程で外部部材との接続面に開口部を形成する工程が不必要となり、その分、半導体装置の製造時の工程数が減少し生産性が向上する。

　この点について、詳述する。
　上述したように、本件出願人は、試行錯誤の末、半導体装置を製造する際に用いる半導体装置用基板における内部端子と外部端子の電気的な接続面を、従来の半導体装置用基板とは逆にすることを着想した。
　即ち、従来の半導体装置用基板では、半導体装置を製造する際には、外部端子面は金属板側の面、内部端子面は金属板とは反対側の面を露出させた状態で用いるように構成されている。
　これに対し、本発明に使用する半導体装置用基板では、半導体装置を製造する際には、外部端子面は金属板とは反対側の面、内部端子面は金属板側の面を露出させた状態で用いるように形成され、内部端子部及び配線部を構成するめっき層よりも外部端子部を構成するめっき層を金属板から高くなるように構成されている。

　例えば、本発明の半導体装置の製造方法に使用する半導体装置用基板における端子が設けられている側を樹脂で封止し、樹脂封止後に金属板をエッチングによる溶解等により除去すると、金属板除去後には、金属板を除去した側の内部端子となる第１の貴金属めっき層の面が金属板の表面に倣って段差のない（高低差１μｍ以下の）状態で露出することになる。この金属板は、リードフレーム等に使用される入手可能な一般的な圧延材である。
　ここで、従来の半導体装置用基板を用いた半導体装置と同様に、第１の貴金属めっき層上に半導体素子を搭載するが、第１の貴金属めっき層の面が段差のない状態で露出しているので、接続する面は全体がフラットであるため、半導体素子が傾くことも無く、複数の内部端子部も均一な高さであるので半導体素子の電極とも接続が安定する。
　そして、外部端子部は金属板側とは反対側の面を露出させる必要があるが、金属板上における、内部端子部、外部端子部及び配線部となる部位に貴金属めっき、金属めっきを施した後、従来の半導体装置用基板とは異なり、更に、外部端子となる部位のみに、さらに金属めっき及び貴金属めっきを積み増して施すことで、内部端子部、配線部とは高低差のある外部端子を形成させた半導体装置用基板を用いることで外部端子部の面を露出させた樹脂層を容易に形成できると共に、外部端子部の面を露出させる工程を省略することができる。

　また、本発明の他の半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に所定の厚さで永久レジスト層が形成され、永久レジスト層内に、金属板に面して内部端子となるめっき層が形成され、内部端子となるめっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、外部端子となるめっき層の上面のみが永久レジスト上面の開口部から露出した半導体装置用基板から、金属板を除去して永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を作製する工程と、作製した配線部材の金属板を除去した側に半導体素子を搭載する工程、を含む。

　また、本発明の他の半導体装置の製造方法は、上記本発明の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、金属板上に所定の厚さで永久レジスト層が形成され、永久レジスト層内に、所定のパターンで金属板側に内部端子となるめっき層が形成され、内部端子となるめっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、外部端子となるめっき層の上面のみが永久レジスト上面の開口部から露出した半導体装置用基板から、金属板を除去して永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を準備する工程と、準備した配線部材の金属板を除去した側に半導体素子を搭載し、配線部材から露出している内部端子となるめっき層の部分に半導体素子の電極との接続を行う工程と、半導体素子搭載側を樹脂封止する工程、を含む。

　本発明の他の半導体装置の製造方法に用いる半導体装置用基板は、金属板を除去した後に半導体素子を搭載する配線部材となる半導体装置用基板であり、金属板上に所定の厚さで永久レジスト層が形成され、永久レジスト層内に、金属板上における所定部位に金属板側から内部端子となる第１の貴金属めっき層が形成され、第１の貴金属めっき層の上に第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、更に金属めっき層の上に部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成され、あるいは第２の貴金属めっき層と金属めっき層の間に第２の金属めっき層が第２の貴金属めっき層と同一形状で形成され、外部端子となるめっき層の上面のみが永久レジスト上面の開口部から露出した半導体装置用基板である。そしてこの金属板は、リードフレーム等に使用される入手可能な一般的な圧延材である。
　この半導体装置用基板から金属板を除去することで、永久レジスト層内に、金属板に面して内部端子となるめっき層が形成され、内部端子となるめっき層の一部に外部端子となるめっき層が形成され、反対の面側に外部端子となるめっき層の面のみが永久レジストの開口部から露出した、永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を得る。
　本発明の他の半導体装置の製造方法は、上記の配線部材を用いて、配線部材が金属板と接していた側に半導体素子を搭載して組み立てる。

　この永久レジストによりめっき層が固定された配線部材は、外部端子は金属板とは反対側の面、内部端子は金属板側の面を露出させた状態で用いるため、半導体素子を搭載する面は、金属板の表面に倣って段差のない（高低差１μｍ以下の）状態で形成された面の状態である。
　そして、本発明の他の半導体装置の製造方法では、この配線部材の半導体素子搭載面における内部端子となるめっき層上に半導体素子を搭載するが、内部端子となるめっき層の面が段差のない状態で露出しているので、接続する面は全体がフラットであるため、半導体素子が傾くことも無く、複数の内部端子部も均一な高さであるので半導体素子の電極とも接続が安定する。
　このように、本発明の他の半導体装置の製造方法では、この配線部材の金属板を除去した側に半導体素子を搭載することで、搭載する半導体素子の傾きを防止してボンディング等の接続不良によって最終的に導通不良となることを解消することができる。しかも、この配線部材は、外部端子側は、永久レジスト上面の開口部から外部端子の面のみが既に露出しているので、従来の半導体装置の製造方法のような外部端子部の面を露出させるための開口部を形成する工程が省略できる。

　以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。
第１実施形態
　図１Ａ、図１Ｂは本発明の第１実施形態にかかる半導体装置用基板の構成を示す図で、図１Ａは外部端子側からみた部分平面図、図１Ｂは図１ＡのＡ－Ａ断面図である。図２Ａ～図２Ｉは図１Ａ、図１Ｂに示す半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。図３は図２の製造工程における半導体装置用基板の状態の変化を示す平面図である。

　第１実施形態の半導体装置用基板は、図１Ｂに示すように、金属板１上における所定部位に内部端子となる第１の貴金属めっき層１１が形成され、第１の貴金属めっき層１１の上に第１の貴金属めっき層１１と同一形状で金属めっき層１２が形成され、更に金属めっき層１２の上に部分的に第２の金属めっき層１３が形成され、第２の金属めっき層１３の上に第２の金属めっき層１２と同一形状で外部端子となる第２の貴金属めっき層１４が形成されている。
　金属板１は、例えば、銅板で構成されている。
　第１の貴金属めっき層１１は、例えば、金属板１側から順に形成された、Ａｕめっき層１１ａと、Ｐｄめっき層１１ｂ上とで構成されている。
　金属めっき層１２、第２の金属めっき層１３は、例えば、Ｎｉめっき層で構成されている。
　第２の貴金属めっき層１４は、例えば、金属板１側から順に形成された、Ｐｄめっき層１４ａと、Ａｕめっき層１４ｂとで構成されている。
　そして、第２の貴金属めっき層１４の表面（即ち、Ａｕめっき層１４ｂの表面）の金属板１の面からの高さＨ２が、金属めっき層１２の表面の金属板１の面からの高さＨ１に比べて高くなっている。

　このように構成される第１実施形態の半導体装置用基板は、例えば、次のようにして製造できる。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、便宜上説明を省略する。
　まず、図２Ａに示すように、基板となる金属板の両面にレジストマスク用のドライフィルムレジストをラミネートする。このとき金属板には、図３Ａに示すように、めっき層は形成されていない。
　次に、図２Ｂに示すように、表面側のドライフィルムレジストに対しては、所定位置に、内部端子、配線部及び外部端子の基部を形成するパターン（ここではパターンＡとする）が形成されたガラスマスクを用いて、表面側を露光・現像するとともに、裏面側のドライフィルムレジストに対しては、全面を照射するガラスマスクを用いて裏面側を露光・現像する。そして、図２Ｃに示すように、表面にはパターンＡのレジストマスクを形成し、裏面には全面を覆うレジストマスクを形成する。なお、露光・現像は従来公知の方法により行う。例えば、ガラスマスクで覆った状態で紫外線を照射し、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたドライフィルムレジストの部位の現像液に対する溶解性を低下させて、それ以外の部分を除去することで、レジストマスクを形成する。なお、ここでは、レジストとしてネガ型のドライフィルムレジストを用いたが、レジストマスクの形成には、ネガ型の液状レジストを用いてもよい。さらには、ポジ型のドライフィルムレジスト又は液状レジストを用いて、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたレジストの部分の現像液に対する溶解性を増大させて、その部分を除去することでレジストマスクを形成するようにしてもよい。さらにまた、レジストマスクを形成するためのレジストとしては、ソルダーレジストを用いてもよい。
　次に、レジストマスクから露出している金属板の部位に、第１の貴金属めっき層１１として、例えば、Ａｕめっき層１１ａ、Ｐｄめっき層１１ｂの順で夫々所定の厚さとなるように、Ａｕめっき、Ｐｄめっきを夫々施す。
　次に、Ｐｄめっき層１１ｂの上に金属めっき層１２として、例えば、Ｎｉめっき層が貴金属めっき層と平面形状が同形状に形成されるように、Ｎｉめっきを施す。図２Ｄはこのときの状態を示している。

　次に、両面のレジストマスクを剥離する。図３Ｂは、このときの半導体装置用基板に施されたパターンＡのめっき層を示す図、図３Ｃは図３Ｂにおいて矩形で囲んだ一部の領域を拡大して示す図である。そして、剥離した両面に図２Ｅに示すように、ドライフィルムレジストをラミネートする。
　次に、図２Ｆに示すように、先に形成したＮｉめっき層の一部であって外部端子となる部位に重ねてめっき層を形成するためのパターン（ここではパターンＢとする）が形成されたガラスマスクを用いて、表面側を露光・現像するとともに、裏面側のレジストフィルムに対しては、全面を照射するガラスマスクを用いて裏面側を露光・現像する。そして、図２Ｇに示すように、表面にはパターンＢのレジストマスクを形成し、裏面には全面を覆うレジストマスクを形成する。
　次に、レジストマスクから露出している、金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３として、例えば、Ｎｉめっき層が形成されるように、Ｎｉめっきを施す。
　次に、第２の金属めっき層１３であるＮｉめっき層の表面に、第２の貴金属めっき層１４として、例えば、Ｐｄめっき層１４ａ、Ａｕめっき層１４ｂの順で夫々所定の厚さとなるように、Ｐｄめっき、Ａｕめっきを夫々施す。図２Ｈは、このときの状態を示している。なお、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層１４として、例えば、Ｐｄめっき層１４ａ、Ａｕめっき層１４ｂの順で夫々所定の厚さとなるように、Ｐｄめっき、Ａｕめっきを夫々施してもよい。
　次に、図２Ｉに示すように、両面のレジストマスクを剥離することで、本実施形態の半導体装置用基板が完成する。図３Ｄは、このときの半導体装置用基板に施されたパターンＢのめっき層を示す図、図３Ｅは図３Ｄにおいて矩形で囲んだ一部の領域を拡大して示す図である。

　このようにして製造された第１実施形態の半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造は次のようにして行う。図４Ａ～図４Ｇは図２Ａ～図２Ｉに示す製造工程を経て製造された第１実施形態の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
　まず、図４Ａに示す半導体装置用基板の金属板上で内部端子、配線部、外部端子に対応する各めっき層が突出した側に、図４Ｂに示すように、外部端子となる貴金属めっき層１４の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂で封止する。図４Ｂは、金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた半導体装置用基板を用いた場合における樹脂封止の状態を示している。金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設け、第２の金属めっき層１３の表面に第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた半導体装置用基板を用いた場合は、図４Ｂ’に示すように、樹脂封止したときに樹脂の面から貴金属めっき層１４が突出した状態となる。なお、以下の説明では、便宜上、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた半導体装置用基板を用いるものとする。なお、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた半導体装置用基板を用いた場合、樹脂封止の際には、端子パターンのめっきによる端子の高さの不均一さにより外部端子面に樹脂が回りこむことがある。その場合には、封止した樹脂の表面を研磨して外部端子面を露出させる。
　次に、半導体装置用基板の金属板に対してエッチングを施し、金属板を溶解等により除去する。これにより、内部端子、配線部、外部端子の表面が樹脂面から面一に露出する。図４Ｃは、このときの状態を示している。
　次に、半導体素子を金属板を除去したことで現れた内部端子面側に搭載し、半導体素子の電極を、樹脂面から面一に露出した内部端子と接続させる。この場合、フリップチップ方式では、図４Ｄに示すように、半導体素子の電極と内部端子とを接続させる。また、ワイヤー方式では、図４Ｅに示すように、半導体素子の電極と内部端子とをワイヤーで連結する。なお、第１実施形態の半導体装置用基板を用いて図４Ａ～図４Ｃに示す半導体装置の製造工程を経て露出した内部端子の表面が樹脂面と面一となるため、半導体素子を安定した状態で搭載できる。なお、ここでは、便宜上、半導体素子を固定するダイボンディングに関しては説明を省略する。
　次に、図４Ｆに示すように、半導体素子を搭載した面を樹脂で封止する。これにより、半導体装置が完成する。なお、図４Ａ～図４Ｆは、半導体装置用基板の上下方向を変えないで図示している。

　完成した半導体装置を、図４Ｆに示した向きとは上下方向の向きを反転させて外部部材に搭載する。この場合、外部端子のみが樹脂から露出していることで、外部部材に設けられた接続用端子と容易に接続できる。図４Ｇはこのときの状態を示している。

第２実施形態
　図５Ａ、図５Ｂは本発明の第２実施形態にかかる半導体装置用基板の構成を示す図で、図５Ａは外部端子側からみた部分平面図、図５Ｂは図５ＡのＡ－Ａ断面図である。図６Ａ～図６Ｊ’は図５Ａ、図５Ｂに示す半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。

　第２実施形態の半導体装置用基板は、図５Ｂに示すように、第１実施形態の半導体装置用基板と略同様の構成に加えて、更に金属板１および金属めっき層１２における第２の貴金属めっき層１４が形成されていない部位の上に第２の貴金属めっき層１４の上面を露出させた状態で樹脂層１５が形成されている。

　このように構成される第２実施形態の半導体装置用基板は、例えば、次のようにして製造できる。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、便宜上説明を省略する。
　基板となる金属板の両面へのレジストマスク用のドライフィルムレジストのラミネート（図６Ａ）から両面のレジストマスクの剥離（図６Ｉ）までの工程は、図２Ａ～図２Ｉに示した第１実施形態の半導体装置用基板の製造工程と略同じである。
　次に、図６Ｊに示すように、金属板における内部端子、配線部、外部端子に対応する各めっき層が突出した側に、外部端子となる貴金属めっき層１４の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂で封止する。図６Ｊは、金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いた場合における樹脂封止の状態を示している。金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設け、第２の金属めっき層１３の表面に第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いた場合は、図６Ｊ’に示すように、樹脂封止したときに樹脂の面から貴金属めっき層１４が突出した状態となる。なお、ここでは、便宜上、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いるものとする。なお、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いた場合、樹脂封止の際には、端子パターンのめっきによる端子の高さの不均一さにより外部端子面に樹脂が回りこむことがある。その場合には、封止した樹脂の表面を研磨して外部端子面を露出させる。これにより、本実施形態の半導体装置用基板が完成する。

　このようにして製造された第２実施形態の半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造は次のようにして行う。図７Ａ～図７Ｆは図６Ａ～図６Ｊ’に示す製造工程を経て製造された第２実施形態の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。図７Ａは、金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けて所定部位を樹脂封止した半導体装置用基板を示している。金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設け、第２の金属めっき層１３の表面に第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けて所定部位を樹脂封止した半導体装置用基板を用いる場合は、図７Ａ’に示すように、樹脂の面から貴金属めっき層１４が突出した状態となる。なお、以下の説明では、便宜上、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けて所定部位を樹脂封止した半導体装置用基板を用いるものとする。
　まず、図７Ａに示す半導体装置用基板の金属板に対してエッチングを施し、金属板を溶解等により除去する。これにより、内部端子、配線部、外部端子の表面が樹脂面から面一に露出する。図７Ｂは、このときの状態を示している。
　以下、半導体素子の内部素子面側への搭載（図７Ｃ、図７Ｄ）、半導体素子を搭載した面の樹脂封止（図７Ｅ）、完成した半導体装置の外部部材への搭載（図７Ｆ）の各工程は、図４Ｄ～図４Ｇに示した第１実施形態の半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造工程と略同じである。

第３実施形態
　図８Ａ、図８Ｂは本発明の第３実施形態にかかる半導体装置用基板の構成を示す図で、図８Ａは外部端子側からみた部分平面図、図８Ｂは図８ＡのＡ－Ａ断面図である。図９Ａ～図９Ｊは図８Ａ、図８Ｂに示す半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。

　第３実施形態の半導体装置用基板は、図８Ｂに示すように、金属板１および金属めっき層１１の上に、金属めっき層１１における所定部位を開口させた永久レジスト１６が形成され、永久レジスト１６の開口部に位置する金属めっき層１１の上に第２の金属めっき層１３が形成されている。その他の構成は、第１実施形態の半導体装置用基板と略同じである。

　このように構成される第３実施形態の半導体装置用基板は、例えば、次のようにして製造できる。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、便宜上説明を省略する。
　基板となる金属板の両面へのレジストマスク用のドライフィルムレジストのラミネート（図９Ａ）から第１の貴金属めっき層１１、金属めっき層１２の形成（図９Ｄ）までの工程は、図２Ａ～図２Ｄに示した第１実施形態の半導体装置用基板の製造工程と略同じである。

　次に、両面のレジストマスクを剥離する。そして、図９Ｅに示すように、めっき層を形成した表面側にフィルムタイプの永久レジストをラミネートし、裏面側に図９Ａで用いたのと同様のドライフィルムレジストをラミネートする。
　次に、図９Ｆに示すように、先に形成したＮｉめっき層の一部であって外部端子となる部位に重ねてめっき層を形成するためのパターン（ここではパターンＢとする）が形成されたガラスマスクを用いて、表面側を露光・現像するとともに、裏面側のレジストフィルムに対しては、全面を照射するガラスマスクを用いて裏面側を露光・現像する。そして、図９Ｇに示すように、表面にはパターンＢの永久レジストからなるレジストマスク（図８Ａ、図８Ｂに示す永久レジスト１６）を形成し、裏面には全面を覆うレジストマスクを形成する。
　次に、レジストマスクから露出している、金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３として、例えば、Ｎｉめっき層が形成されるように、Ｎｉめっきを施す。
　次に、第２の金属めっき層１３であるＮｉめっき層の表面に、第２の貴金属めっき層１４として、例えば、Ｐｄめっき層１４ａ、Ａｕめっき層１４ｂの順で夫々所定の厚さとなるように、Ｐｄめっき、Ａｕめっきを夫々施す。図９Ｈは、このときの状態を示している。なお、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層１４として、例えば、Ｐｄめっき層１４ａ、Ａｕめっき層１４ｂの順で夫々所定の厚さとなるように、Ｐｄめっき、Ａｕめっきを夫々施してもよい。図９Ｉは、このときの状態を示している。
　次に、図９Ｊに示すように、裏面のレジストマスクを剥離することで、本実施形態の半導体装置用基板が完成する。

　このようにして製造された第３実施形態の半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造は次のようにして行う。図１０Ａ～図１０Ｇは図９Ａ～図９Ｊに示す製造工程を経て製造された第３実施形態の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。
　まず、図１０Ａに示す半導体装置用基板の金属板に対してエッチングを施し、金属板を溶解等により除去する。これにより、内部端子、配線部、外部端子の表面が永久レジスト面から面一に露出する。図１０Ｂは、このときの状態を示している。
　次に、半導体素子を金属板を除去したことで現れた内部端子面側に搭載し、半導体素子の電極を、永久レジスト面から面一に露出した内部端子と接続させる。この場合、フリップチップ方式では、図１０Ｃに示すように、半導体素子の電極と内部端子とを接続させる。また、ワイヤー方式では、図１０Ｄに示すように、半導体素子の電極と内部端子とをワイヤーで連結する。なお、第３実施形態の半導体装置用基板を用いて図１０Ａ、図１０Ｂに示す半導体装置の製造工程を経て露出した内部端子の表面が永久レジスト面と面一となるため、半導体素子を安定した状態で搭載できる。なお、ここでは、便宜上、半導体素子を固定するダイボンディングに関しては説明を省略する。
　次に、図１０Ｅに示すように、半導体素子を搭載した面を樹脂で封止する。これにより、半導体装置が完成する。なお、図１０Ａ～図１０Ｅは、半導体装置用基板の上下方向を変えないで図示している。

　完成した半導体装置を、図１０Ｅに示した向きとは上下方向の向きを反転させて外部部材に搭載する。この場合、外部端子のみが永久レジストから露出していることで、外部部材に設けられた接続用端子と容易に接続できる。図１０Ｆはこのときの状態を示している。

第４実施形態
　図１１Ａ、図１１Ｂは本発明の第４実施形態にかかる半導体装置用配線部材の構成を示す図で、図１１Ａは外部端子側からみた部分平面図、図１１Ｂは図１１ＡのＡ－Ａ断面図である。図１２Ａ～図１２Ｋは図１１Ａ、図１１Ｂに示す半導体装置用配線部材の製造工程を示す説明図である。

　第４実施形態の半導体装置用配線部材は、図１１Ｂに示すように、樹脂層１５の一方の面１５ａにおける所定部位に内部端子となる第１の貴金属めっき層１１が下面を樹脂層１５の一方の面１５ａと面一に露出させた状態で形成され、第１の貴金属めっき層１１の上に第１の貴金属めっき層１１と同一形状で金属めっき層１２が形成され、金属めっき層１２の上に部分的に第２の金属めっき層１３が形成され、第２の金属めっき層１３の上に第２の金属めっき層１２と同一形状で外部端子となる第２の貴金属めっき層１４が上面を樹脂層１５の他方の面１５ｂから露出させた状態で形成されている。
　第１の貴金属めっき層１１は、例えば、樹脂層１５の一方の面１５ａ側から順に形成された、Ａｕめっき層１１ａと、Ｐｄめっき層１１ｂ上とで構成されている。
　金属めっき層１２、第２の金属めっき層１３は、例えば、Ｎｉめっき層で構成されている。
　第２の貴金属めっき層１４は、例えば、樹脂層１５の一方の面１５ａ側から順に形成された、Ｐｄめっき層１４ａと、Ａｕめっき層１４ｂとで構成されている。
　そして、第２の貴金属めっき層１４の表面（即ち、Ａｕめっき層１４ｂの表面）の樹脂層１５の一方の面１５ａからの高さＨ２が、金属めっき層１２の表面の樹脂層１５の一方の面１５ａからの高さＨ１に比べて高くなっている。

　このように構成される第４実施形態の半導体装置用配線部材は、例えば、次のようにして製造できる。なお、製造の各工程において実施される、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理等は、便宜上説明を省略する。
　基板となる金属板の両面へのレジストマスク用のドライフィルムレジストのラミネート（図１２Ａ）から両面のレジストマスクの剥離（図１２Ｉ）までの工程は、図２Ａ～図２Ｉに示した第１実施形態の半導体装置用基板の製造工程と略同じである。
　次に、図１２Ｊに示すように、金属板上で内部端子、配線部、外部端子に対応する各めっき層が突出した側に、外部端子となる貴金属めっき層１４の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂で封止する。図１２Ｊは、金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いた場合における樹脂封止の状態を示している。金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設け、第２の金属めっき層１３の表面に第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いた場合は、図１２Ｊ’に示すように、樹脂封止したときに樹脂の面から貴金属めっき層１４が突出した状態となる。なお、以下の説明では、便宜上、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いるものとする。なお、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けた金属板を用いた場合、樹脂封止の際には、端子パターンのめっきによる端子の高さの不均一さにより外部端子面に樹脂が回りこむことがある。その場合には、封止した樹脂の表面を研磨して外部端子面を露出させる。
　次に、半導体装置用基板の金属板に対してエッチングを施し、金属板を溶解等により除去し、図１２Ｋに示すように、内部端子、配線部、外部端子の表面を樹脂面から面一に露出させる。これにより、本実施形態の半導体装置用配線部材が完成する。

　このようにして製造された第４実施形態の半導体装置用配線部材を用いた半導体装置の製造は次のようにして行う。図１３Ａ～図１３Ｅは図１２Ａ～図１２Ｋに示す製造工程を経て製造された第４実施形態の半導体装置用配線部材を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す説明図である。図１３Ａは、金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けて所定部位を樹脂封止し、金属板を溶解除去した半導体装置用基板を示している。金属めっき層１２を構成するＮｉめっきの表面に、第２の金属めっき層１３を設け、第２の金属めっき層１３の表面に第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けて所定部位を樹脂封止し、金属板を溶解除去した半導体装置用基板を用いる場合は、図１３Ａ’に示すように、樹脂の面から貴金属めっき層１４が突出した状態となる。なお、以下の説明では、便宜上、第２の金属めっき層１３を設けずに、第２の貴金属めっき層である貴金属めっき層１４を設けて所定部位を樹脂封止し、金属板を溶解除去した半導体装置用基板を用いるものとする。
　まず、図１３Ａに示す半導体装置用配線部材の内部端子面側に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極を、樹脂面から面一に露出した内部端子と接続させる。この場合、フリップチップ方式では、図１３Ｂに示すように、半導体素子の電極と内部端子とを接続させる。また、ワイヤー方式では、図１３Ｃに示すように、半導体素子の電極と内部端子とをワイヤーで連結する。なお、第４実施形態の半導体装置用配線部材では、露出した内部端子の表面が樹脂面と面一になっているため、半導体素子を安定した状態で搭載できる。なお、ここでは、便宜上、半導体素子を固定するダイボンディングに関しては説明を省略する。
　次に、図１３Ｄに示すように、半導体素子を搭載した面を樹脂で封止する。これにより、半導体装置が完成する。なお、図１３Ａ～図１３Ｄは、半導体装置用配線部材の上下方向を変えないで図示している。

　完成した半導体装置を、図１３Ｄに示した向きとは上下方向の向きを反転させて外部部材に搭載する。この場合、外部端子のみが樹脂から露出していることで、外部部材に設けられた接続用端子と容易に接続できる。図１３Ｅはこのときの状態を示している。

比較例１
　次に、上記各実施形態の半導体装置用基板、半導体装置用配線部材の比較例として、従来の半導体装置用基板の構成を説明する。図１４Ａ～図１４Ｅは比較例１にかかる従来の半導体装置用基板の製造工程を示す説明図である。図１５Ａ～図１５Ｃは図１４Ａ～図１４Ｅの製造工程における半導体装置用基板の状態の変化を示す平面図である。

　比較例１の半導体装置用基板は、図１４Ｄに示すように、金属板上に形成される内部端子、配線部、外部端子の表面が、金属板の面から略同じ高さに形成されている。

　このように構成される比較例１の半導体装置用基板は、例えば、次のようにして製造される。
　図１４Ａ～図１４Ｄに示すように、半導体装置用基板となる金属板の両面へのレジストマスク用のドライフィルムレジストのラミネート、表面側及び裏面側におけるガラスマスクを用いた露光・現像によるパターンＡ及び全面のレジストマスクの形成、レジストマスクから露出している金属板の部位へのめっきまでは、図２Ａ～図２Ｄに示した第１実施形態の半導体装置用基板の製造工程と略同じである。
　比較例１の半導体装置用基板は、図１４Ｄの状態から両面のレジストマスクを剥離することによって完成し、図２Ｅ～図２Ｉに示した工程を経ない点で第１実施形態の半導体装置用基板の製造工程とは異なる。また、比較例１の半導体装置用基板は、図６Ｅ～図６Ｊに示した工程を経ない点で第２実施形態の半導体装置用基板の製造工程とは異なる。また、比較例１の半導体装置用基板は、図９Ｅ～図９Ｊに示した工程を経ない点で第３実施形態の半導体装置用基板の製造工程とは異なる。また、比較例１の半導体装置用基板は、図１２Ｅ～図１２Ｋに示した工程を経ない点で第４実施形態の半導体装置用配線部材の製造工程とは異なる。

　このようにして製造された比較例１の半導体装置用基板を用いた半導体装置の組立ては次のようにして行われる。図１６Ａ～図１６Ｌは図１４Ａ～図１４Ｅに示す製造工程を経て製造された比較例１の半導体装置用基板を用いた樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す説明図である。
　まず、図１６Ａ、図１６Ｂに示す半導体装置用基板の金属板における内部端子、配線部、外部端子となるめっき層が突出した側に、半導体素子を搭載し半導体素子の電極を内部端子と接続させる。この場合、フリップチップ方式では、図１６Ａに示すように、半導体素子の電極と内部端子とを接続させる。また、ワイヤー方式では、図１６Ｂに示すように、半導体素子の電極と内部端子とをワイヤーで連結する。なお、半導体素子を搭載する面は、めっき加工による形成された厚さのばらつきから高低差を有しているため安定した状態には搭載することが難しい。そこで、半導体素子を搭載する金属板と半導体素子との隙間にフィルム状やペースト状の接着材料を用いた接着層を設け、半導体素子を搭載した際に半導体素子と内部端子の一部が接触して半導体素子が傾くことが無いよう接着層を介して金属板に半導体素子を固定させる。
　次に、図１６Ｃに示すように、半導体素子を搭載した面を樹脂で封止する。
　次に、半導体装置用基板の金属板にエッチングを施し、金属板を溶解除去する。これにより、半導体装置の裏面側には内部端子、配線部、外部端子の表面が樹脂面から面一に露出する。図１６Ｄは、このときの状態を示している。
　次に、図１６Ｅに示すように、半導体装置の裏面側を樹脂で覆い、外部端子の一部の表面が露出するように、樹脂に開口部を加工して外部絶縁層を形成する。これにより、半導体装置が完成する。

　なお、外部絶縁層の形成は、次のようにして行われる。
　例えば、図１６Ｆに示す樹脂面から内部端子、配線部、外部端子の表面が面一に露出した側に、図１６Ｇに示すように、レジストマスク用の液状ソルダーレジストを塗布し、ガラス転移点を僅かに下回る温度で加熱しプレキュア（予備硬化）を行う（図１６Ｈ）。
　次に、図１６Ｉに示すように、外部端子となる部位に開口部を形成するためのパターンが形成されたガラスマスクを用いて、予備硬化したソルダーレジストを露光・現像する。そして、図１６Ｊに示すように、外部端子となる部位に開口部を形成するためのパターンのレジストマスクを形成する。その後、レジストマスクに対し最終的な強度を得るために更に加熱するポストキュアを行う（図１６Ｋ）。
　これにより、図１６Ｌに示す半導体装置が完成する。

　完成した半導体装置を外部部材に搭載する。この場合、外部端子がレジストマスクの開口面より内側で露出している。そこで、開口部に半田ボールを埋設することで外部部材の端子と電気的に接続させる。図１６Ｌは、このときの状態を示している。

第１実施形態と比較例１の半導体装置の比較
　このように、比較例１の半導体装置用基板では、外部端子と内部端子及び配線部を構成するめっき層の厚みが、ほぼ同じに形成されているため、その後の半導体装置の製造工程において、めっき層を埋設するための絶縁層を形成し、その絶縁層に外部端子と接続するための開口部を加工する必要があり、半導体装置の組立てにおける工程が増える結果、製造の遅延等を招き、生産性が悪化する。
　これに対し、第１実施形態の半導体装置用基板によれば、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設けたので、その後の半導体装置の製造工程において、樹脂等で内部端子及び配線部のみを封止し、外部端子のみを露出させることが可能となる。このため、比較例１の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において外部部材との接続面に開口部を加工する必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。

　また、比較例１の半導体装置用基板では、複数の内部端子の上面の高さは数μｍ（例えば５～８μｍ）の高低差を有するばらつきを持っためっき層で形成されるため、半導体素子を搭載して内部端子部と電気的な接続を行う際に、半導体素子が傾いた状態で搭載されたり、電気的な接続において導通不良となる。
　これに対し、第１実施形態の半導体装置用基板によれば、その後の半導体装置の製造工程において、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さが均一になるため、半導体素子と内部端子部との電気的な接続の信頼性が向上する。

第２実施形態と比較例１の半導体装置の比較
　また、第２実施形態の半導体装置用基板によれば、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設け、樹脂で内部端子及び配線部のみを封止し、外部端子のみを露出させたので、比較例１の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において外部部材との接続面に開口部を加工する必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。

　また、第２実施形態の半導体装置用基板によれば、第１実施形態の半導体装置用基板と同様、その後の半導体装置の製造工程において、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さが均一になるため、半導体素子と内部端子部との電気的な接続の信頼性が向上する。

第３実施形態と比較例１の半導体装置の比較
　また、第３実施形態の半導体装置用基板によれば、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設け、永久レジスト等で内部端子及び配線部のみを封止し、外部端子のみを露出させたので、比較例１の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において、外部部材との接続面に開口部を有する絶縁層を設ける必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。さらに、第３実施形態の半導体装置用基板によれば、金属板を除去した配線部材として出荷することもできる。そのようにすれば、半導体装置の製造時における金属板除去のためのエッチング工程も不要となり、生産性がより一層向上する。

　また、第３実施形態の半導体装置用基板によれば、第１実施形態の半導体装置用基板と同様、その後の半導体装置の製造工程において、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さが均一になるため、半導体素子と内部端子部との電気的な接続の信頼性が向上する。

第４実施形態と比較例１の半導体装置の比較
　また、第４実施形態の半導体装置用配線部材によれば、外部端子と、内部端子及び配線部とに高低差を設け、樹脂で内部端子及び配線部のみを封止し、樹脂層の他方の面から外部端子のみを露出させたので、比較例１の半導体装置用基板とは異なり、半導体装置の製造工程において金属板のエッチング除去や外部部材との接続面に開口部を加工する必要がなく、その分、工程数が減少し、生産性が向上する。

　また、第４実施形態の半導体装置用配線部材によれば、第１実施形態の半導体装置用基板と同様、その後の半導体装置の製造工程において、半導体素子を搭載する内部端子面および半導体素子と電気的接続をする内部端子部の高さが均一になるため、半導体素子と内部端子部との電気的な接続の信頼性が向上する。

実施例１
　次に、本発明の第１実施形態に対応する半導体装置用基板及びその製造方法の実施例を説明する。
　なお、各工程には、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理を実施するが一般的な処理であるので記載を省略する。
　まず、金属板として、リードフレーム材としても使用されている板厚０．１５ｍｍの銅材を用意した。
　レジストマスク形成工程においては、金属板の両面に、厚さ２５μｍのドライフィルムレジスト（旭化成製：ＡＱ－２５５８）をラミネートした（図２Ａ参照）。
　次に、表面側に所定の位置にめっきを形成するためのパターンＡが形成されたガラスマスクを用いて表面側のドライフィルムレジストに露光・現像を行い、めっきを形成する部分が開口されたレジストマスクを形成した（図２Ｂ、図２Ｃ参照）。裏面側のドライフィルムレジストに対しては、金属板の裏面全体を覆うレジストマスクを形成した。この露光・現像は従来工法と同様で、露光用のガラスマスクをドライフィルムレジストに密着させ、紫外線を照射することによって、パターンＡをドライフィルムレジストに露光し、炭酸ナトリウムにより現像を行なった。
　次のめっき工程では、形成したレジストマスクから露出している金属板に一般的なめっき前処理を行なった後、順にＡｕを０．００３μｍ以上、Ｐｄを０．０１μｍ以上、Ｎｉを６μｍ以上となるようにめっきを施した（図２Ｄ参照）。
　次に、両面のレジストマスクを剥離し、両面に同じドライフィルムレジストをラミネートした（図２Ｅ参照）。このとき、形成する第２の金属めっき層の厚さに応じてレジストの厚さを選定する必要があるが、本実施例では第２の金属めっき層を１５～４０μｍとなるよう形成するため表面側のみ厚さが５０μｍのレジストを用い、裏面側は厚さが２５μｍのレジストを用いた。
　そして、先に形成しためっき層の一部であって、外部端子となる部分に重ねてめっきを形成するためのパターンＢが形成されたガラスマスクを用いて露光・現像を行ってレジストマスクを形成した（図２Ｆ、図２Ｇ参照）。なお、裏面側は、前回のレジストマスク形成工程と同様、全体を覆うレジストマスクを形成した。
　次のめっき工程では、形成したレジストマスクから露出しているＮｉめっき面に順にＮｉを４０μｍ以上、Ｐｄを０．０１μｍ以上、Ａｕを０．００３μｍ以上となるようにめっきを施し（図２Ｈ参照）、次に、両面のレジストマスクを除去して、半導体装置用基板を作製した（図２Ｉ参照）。
　完成した半導体装置用基板の金属板における内部端子、配線部、外部端子に対応するめっき層が突出した側に、外部端子となる貴金属めっき層の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂で封止し（図４Ｂ参照）、次に、金属板（銅材）をエッチング除去し（図４Ｃ参照）、樹脂で固定されためっき層を配線として、金属板と接していた面側に半導体素子を搭載して内部端子と導通をとり（図４Ｄ参照）、半導体素子搭載部を樹脂封止することで外部端子の表面が樹脂の面から露出した状態の半導体装置を得た（図４Ｆ参照）。

実施例２
　次に、本発明の第２実施形態に対応する半導体装置用基板及びその製造方法の実施例を説明する。
　なお、各工程には、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理を実施するが一般的な処理であるので記載を省略する。
　実施例１と略同様に、金属板の用意、ドライフィルムレジストのラミネート（図６Ａ）から両面のレジストマスクの剥離（図６Ｉ）までの各工程を行った。
　次に、金属板における内部端子、配線部、外部端子に対応するめっき層が突出した側に、外部端子となる貴金属めっき層の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂で封止し（図６Ｊ参照）、半導体装置用基板を作製した。
　完成した半導体装置用基板の金属板（銅材）をエッチング除去し（図７Ｂ参照）、樹脂で固定されためっき層を配線として、金属板と接していた面側に半導体素子を搭載して内部端子と導通をとり（図７Ｃ参照）、半導体素子搭載部を樹脂封止することで外部端子の表面が樹脂の面から露出した状態の半導体装置を得た（図７Ｅ参照）。

実施例３
　次に、本発明の第３実施形態に対応する半導体装置用基板及びその製造方法の実施例を説明する。
　なお、各工程には、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理を実施するが一般的な処理であるので記載を省略する。
　実施例１と略同様に、金属板の用意、ドライフィルムレジストのラミネート（図９Ａ）からＡｕ、Ｐｄ、Ｎｉの順でのめっき（図９Ｄ）までの各工程を行った。
　次に、両面のレジストマスクを剥離し、先にめっき層を形成した表面側にフィルムタイプの永久レジスト（日立化成製：ＫＩ－１０００Ｔ４Ｆ）をラミネートし、裏面側は上記同様のドライフィルムレジストをラミネートした（図９Ｅ参照）。このとき、形成する第２の金属めっき層の厚さに応じて永久レジストの厚さを選定する必要があるが、本実施例では第２の金属めっき層を１５～４０μｍとなるよう形成するため厚さが５０μｍの永久レジストを用いた。また、裏面側は厚さが２５μｍのレジストを用いた。
　そして、先に形成しためっき層の一部であって、外部端子となる部分に重ねてめっきを形成するためのパターンＢが形成されたガラスマスクを用いて露光・現像を行ってレジストマスクを形成した（図９Ｆ、図９Ｇ参照）。なお、裏面側は、前回のレジストマスク形成工程と同様、全体を覆うレジストマスクを形成した。
　次のめっき工程では、形成したレジストマスクから露出しているＮｉめっき面に順にＰｄを０．０１μｍ以上、Ａｕを０．００３μｍ以上となるようにめっきを施した基板と、順にＮｉを１５μｍ以上、Ｐｄを０．０１μｍ以上、Ａｕを０．００３μｍ以上となるようにめっきを施した基板の２種類のめっきが施された基板を作り（図９Ｈ、図９Ｉ参照）、次に、夫々の基板の裏面のレジストマスクを除去して、２種類の半導体装置用基板を作製した（図９Ｊ参照）。
　完成した半導体装置用基板の金属板（銅材）をエッチング除去し（図１０Ｂ参照）、永久レジストで固定されためっき層を配線として、金属板と接していた面側に半導体素子を搭載して内部端子と導通をとり（図１０Ｃ参照）、樹脂封止することで外部端子の表面が永久レジストの面からほぼ面一に露出した状態（図１０Ｅ参照）と、永久レジストの面から凹となった状態（図１０Ｇに示すように、開口部に半田ボールを埋設することで外部部材の接続用端子と電気的に接続させることのできる状態）の２種類の半導体装置を得た。

実施例４
　次に、本発明の第４実施形態に対応する半導体装置用配線部材及びその製造方法の実施例を説明する。
　なお、各工程には、薬液洗浄や水洗浄等を含む前処理・後処理を実施するが一般的な処理であるので記載を省略する。
　実施例１と略同様に、金属板の用意、ドライフィルムレジストのラミネート（図１２Ａ）から両面のレジストマスクの剥離（図１２Ｉ）までの各工程を行った。
　次に、金属板における内部端子、配線部、外部端子に対応するめっき層が突出した側に、外部端子となる貴金属めっき層の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂で封止した（図１２Ｊ参照）。
　次に、金属板（銅材）をエッチング除去し、半導体装置用配線部材を作製した（図１２Ｋ参照）。
　完成した半導体装置用配線部材の樹脂で固定されためっき層を配線として、金属板と接していた面側に半導体素子を搭載して内部端子と導通をとり（図１３Ｃ参照）、半導体素子搭載部を樹脂封止することで外部端子の表面が樹脂の面から露出した状態の半導体装置を得た（図１３Ｅ参照）。

第５実施形態
　本実施形態の半導体装置の製造方法は、金属板上に内部端子となるめっき層が形成され、その上に同一形状で異なる金属のめっき層が形成され、更にその上に部分的にめっき層が形成され、部分的に形成されためっき層の上に同一形状で外部端子となるめっき層が形成され、外部端子となるめっき層表面が、他のめっき層に比べて金属板面からの高さが高くなっている半導体装置用基板を準備する。
　次にこの半導体装置用基板を用いて、半導体装置用基板の金属板上で内部端子部、配線部、外部端子部に対応するめっき層が突出した側に、外部端子部の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂で封止する。
　次に、半導体装置用基板の金属板を除去して、金属板と接していた面側にめっき層の面が樹脂面から面一に露出した配線部材を得る。
　次に、金属板を除去したことで現れためっき層側に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極を、樹脂面から面一に露出しためっき層の内部端子部と接続させる。
　次に、半導体素子を搭載した面側を樹脂で封止する。
　このような工程により、金属板の表面に倣って段差のない状態の面に半導体素子を搭載することができ、既に外部接続部が樹脂から露出した部材であることから、外部接続部を露出させる従来の加工工程を省略することができる。

実施例５
　図１７Ａ～図１７Ｄは本発明の第５実施形態に対応する実施例にかかる半導体装置の製造方法の工程を示した図で、図１７Ａ、図１７Ａ’は本実施例の半導体装置の製造に使用する半導体装置用基板の構成を示す説明図、図１７Ｂ、図１７Ｂ’は図１７Ａ、図１７Ａ’に示す半導体装置用基板に、外部端子部の面が露出するよう樹脂で封止した状態を示す説明図、図１７Ｃは図１７Ｂに示す半導体装置用基板から金属板を除去し、配線部材とした状態を示す説明図、図１７Ｄは図１７Ｃに示す配線部材の内部端子となるめっき層側に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と配線部材の内部端子部を接続し、半導体素子を搭載した側を樹脂封止した状態を示す説明図である。

　図１７Ａに示すように、本実施例の半導体装置の製造に用いるために準備する半導体装置用基板は、金属板１上における所定部位に内部端子となる第１の貴金属めっき層１１が形成され、第１の貴金属めっき層１１の上に第１の貴金属めっき層１１と同一形状で金属めっき層１２が形成され、更に金属めっき層１２の上に部分的に第２の金属めっき層１３が形成され、第２の金属めっき層１３の上に第２の金属めっき層１３と同一形状で外部端子となる第２の貴金属めっき層１４が形成されている。そして、外部端子となる第２の貴金属めっき層１４の表面は、他のめっき層に比べて金属板１表面からの高さが、高くなっている。
　金属板１は、例えば、銅板で構成されている。
　第１の貴金属めっき層１１は、例えば、金属板１側から順に形成された、Ａｕめっき層とＰｄめっき層とで構成されている。
　金属めっき層１２、第２の金属めっき層１３は、例えば、Ｎｉめっき層で構成されている。
　第２の貴金属めっき層１４は、例えば、金属板１側から順に形成された、Ｐｄめっき層とＡｕめっき層とで構成されている。
　そして、第２の貴金属めっき層１４の表面（即ち、Ａｕめっき層の表面）の金属板１の面からの高さを約４０μｍ、金属めっき層１２の表面の金属板１の面からの高さを約６μｍとした半導体装置用基板を本実施例の半導体装置の製造に用いた。
　なお、本実施例の変形例として、図１７Ａ’に示すように、金属めっき層１２の上に第２の金属めっき層１３が形成されず、金属めっき層１２の上に部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層１４が形成された半導体装置用基板を半導体装置の製造に用いてもよい。

　本実施例の半導体装置の製造に際しては、まず、図１７Ａに示した半導体装置用基板を用いて図１７Ｂに示すように半導体装置用基板の金属板上で内部端子部１－１、配線部１－２、外部端子部１－３に対応するめっき層が突出した側に、外部端子となる第２の貴金属めっき層１４の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂２０で封止する。なお、変形例として図１７Ａ’に示した半導体装置用基板を用いた場合における、半導体装置用基板の金属板上で内部端子部１－１、配線部１－２、外部端子部１－３に対応するめっき層が突出した側に、外部端子となる第２の貴金属めっき層１４の表面が露出するようにして、その他の部位を樹脂２０で封止した状態を図１７Ｂ’に示す。図１７Ａ’に示した半導体装置用基板を用いた場合は、樹脂封止の際には、端子パターンのめっきによる端子の高さの不均一さにより外部端子面に樹脂が回りこむことがある。その場合には、封止した樹脂の表面を研磨して外部端子面を露出させる。なお、以下の説明では、便宜上、図１７Ｂに示した半導体装置用基板を用いるものとする。
　次に、半導体装置用基板の金属板１に対してエッチングを施し、金属板１を溶解等により除去する。これにより、金属板１と接していた面側に内部端子部１－１、配線部１－２、外部端子部１－３の面が樹脂面から面一に露出した配線部材３０が得られる。図１７Ｃは、このときの状態を示している。

　次に、図１７Ｃに示した配線部材３０の下側を上側にひっくり返し、図１７Ｄに示すように、金属板１を除去したことで現れた内部端子面側に半導体素子４０を搭載し、半導体素子４０の電極を、樹脂２０の面から面一に露出した内部端子と接続させる。この場合、フリップチップ方式では、半導体素子４０の電極と内部端子とを接続させ、ワイヤー方式では、半導体素子４０の電極と内部端子とをワイヤーで連結する。なお、配線部材３０として露出した内部端子の表面が樹脂２０の面と面一となるため、搭載する半導体素子４０が傾くこと無く安定した状態で搭載できる。なお、ここでは、便宜上、半導体素子４０を固定するダイボンディングに関しては説明を省略する。
　次に、半導体素子４０を搭載した面側を樹脂４１で封止する。これにより、半導体装置が完成する。なお、複数の半導体装置を一括で封止する場合は、切断加工を行って個々の半導体装置が得られることになる。
　この時既に半導体装置の裏面側には外部接続端子が樹脂２０から露出した状態に形成されていることから、従来の半導体装置の製造方法におけるような樹脂で覆われた外部接続部を露出させる加工は不要となる。

　なお、本発明の半導体装置の製造方法に使用する半導体装置用基板は、例えば、実施例１に示した製造方法によって製造できる。

第６実施形態
　本実施形態の半導体装置の製造方法は、金属板上に形成されるめっき層より厚く所定の厚さで永久レジスト層が形成され、永久レジスト層内には、金属板上に内部端子となるめっき層が形成され、その上に同一形状で金属のめっき層が重ねて形成され、更にその上に、部分的に外部端子となるめっき層が形成され、あるいは部分的に金属のめっき層とその上に外部端子となるめっき層が形成されている半導体装置用基板から、金属板を除去することで得られる、永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を作製又は準備する工程と、配線部材の金属板と接していた側に半導体素子を搭載する工程と搭載した半導体素子の電極と配線部材の内部端子とを接続する工程と半導体素子を搭載した側を樹脂封止する工程を有している。
　このような工程により、金属板の表面に倣って段差のない状態の配線部材の面に半導体素子を搭載することができ、既に外部端子の面が永久レジストの開口部から露出した配線部材であることから、樹脂層の形成及び外部と接続する部分を露出させる従来の加工工程を省略することができる。

実施例６
　図１８は本発明の第６実施形態に対応する実施例にかかる半導体装置の製造方法に使用する配線部材の断面図である。図１９は図１８に示す配線部材の内部端子となるめっき層側に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と配線部材の内部端子部を接続し、半導体素子を搭載した側を樹脂封止した状態を示す説明図である。図２０Ａ～図２０Ｆは図１８の実施例にかかる半導体装置の製造方法に使用する配線部材の製造方法の工程の一例を示す説明図である。
　図１８に示すように、本実施例の半導体装置の製造に用いるために準備する配線部材３０は、内部端子となる第１の貴金属めっき層１１、第１の貴金属めっき層１１と同一形状で金属めっき層１２、更に金属めっき層１２に対して部分的に第２の金属めっき層１３が形成され、第２の金属めっき層１３と同一形状で外部端子となる第２の貴金属めっき層１４が形成されている。
　そして、図１８の上から順に、例えば第１の貴金属めっき層１１は、Ａｕめっき層とＰｄめっき層で構成され、金属めっき層１２はＮｉめっき層、第２の金属めっき層１３もＮｉめっき層で構成され、第２の貴金属めっき層１４は、Ｐｄめっき層とＡｕめっき層とで構成され、Ａｕめっき層が配線部材の表裏に露出している。図１８中、１－１は内部端子部、１－２は配線部、１－３は外部端子部、１６は永久レジストである。

　次にこの配線部材を用いて図１９に示すように内部端子となるめっき層（第１の貴金属めっき層）１１の面側に半導体素子４０を搭載し、半導体素子４０の電極を、永久レジスト１６の面から面一に露出した内部端子と接続させる。接続は、フリップチップ方式では、半導体素子４０の電極と内部端子とを接続させ、ワイヤー方式では、半導体素子４０の電極と内部端子とをワイヤーで連結する。なお、配線部材３０として露出した内部端子の表面が永久レジスト１６の面と面一となっているため、搭載する半導体素子４０が傾くこと無く安定した状態で搭載できる。なお、ここでは、便宜上、半導体素子４０を固定するダイボンディング等に関しては説明を省略する。
　次に、半導体素子４０を搭載した面側を樹脂４１で封止する。これにより、半導体装置が完成する。なお、複数の半導体装置を一括で封止する場合は、切断加工を行って個々の半導体装置が得られることになる。
　この時既に半導体装置の裏面側には外部接続端子が永久レジスト１６の開口部から露出した状態に形成されていることから、従来の半導体装置の製造方法において必要であった樹脂で覆い、覆われた外部接続部を露出させる加工は不要となる。

　なお本発明の半導体装置の製造方法に使用する配線部材３０は、例えば、次のようにして製造できる（図２０Ａ～図２０Ｆ参照）。
　まず、金属板１として、リードフレーム材としても使用されている、例えば板厚０．１５ｍｍの銅材を用意する。
　次に金属板１の両面に、例えば厚さ２５μｍのドライフィルムレジスト９をラミネートし、次に、表面側に所定の位置にめっきを形成するためのパターンＡが形成されたガラスマスクを用いて表面側のドライフィルムレジスト９に露光・現像を行い、めっきを形成する部分が開口されたレジストマスクを形成する。裏面側のドライフィルムレジスト９に対しては、金属板１の裏面全体を覆うレジストマスクを形成する。この露光・現像は従来工法と同様である。
　次のめっき工程では、形成したレジストマスクから露出している金属板１に一般的なめっき前処理を行なった後、順に第１の貴金属めっき層としてＡｕを０．００３μｍ以上、Ｐｄを０．０１μｍ以上、金属めっき層としてＮｉを６μｍ以上となるようにめっきを施す（図２０Ａ参照）。
　次に、両面のレジストマスクを剥離し（図２０Ｂ参照）、表面側には永久レジスト２０、裏面には前述と同じドライフィルムレジスト９をラミネートする。このとき、形成する第２の金属めっき層の厚さに応じて永久レジスト１６の厚さを選定する必要があるが、第２の金属めっき層を１５～３５μｍとなるよう形成するため表面側のみ厚さが４０μｍの永久レジスト１６を用い、裏面側は厚さが２５μｍレジスト９を用いる。
　そして、先に形成しためっき層の一部であって、外部端子となる部分に重ねてめっきを形成するためのパターンＢが形成されたガラスマスクを用いて露光・現像を行ってレジストマスクを形成する。裏面側は、前回と同様に全体を覆うレジストマスクを形成する。
　次に、形成したレジストマスクから露出している金属めっき層であるＮｉめっき面に順に第２の金属めっき層としてＮｉを３０μｍ以上、第２の貴金属めっき層としてＰｄを０．０１μｍ以上、Ａｕを０．００３μｍ以上となるようにめっきを施した（図２０Ｃ参照）後、裏面のレジストマスクを除去して永久レジスト１６を残し（図２０Ｄ参照）、金属板を除去することで、配線部材３０が得られる（図２０Ｅ参照）。
　なお、第２の金属めっきを省略し、金属めっき層であるＮｉめっき面に、第２の貴金属めっき層としてＰｄを０．０１μｍ以上、Ａｕを０．００３μｍ以上となるようにめっきを施しても良い。
　そして配線部材３０は、除去した金属板１側の面に半導体素子を搭載するために配線部材３０の下側を上側にひっくり返して使用する（図２０Ｆ参照）。

比較例２
　次に、比較例２として従来の半導体装置の製造方法について説明する。
　従来の半導体装置用基板は、本発明に使用する半導体装置用基板とは逆に金属板上に外部端子となるめっき層が形成され、同一形状でめっき層が重ねられ、上層に内部端子となるめっき層が形成されている。これらめっき層は、搭載する半導体素子の電極数に応じて複数個（本）のめっき層としてほぼ同じ高さに形成されている。
　この半導体装置等基板の内部端子の上に半導体素子を搭載し、半導体素子の電極と内部端子との接続を行う。
　しかし、めっき加工により厚さとして３０μｍ、４０μｍ等の高さを複数個形成すると、めっき生産時のばらつきとして５～８μｍ程度の高低差が生じるため、従来の半導体装置用基板は、金属板から内部端子上面までの高さに高低差が生じていることになる。
　そのため、半導半導体素子を搭載した際に、半導体素子に傾きが生じたり、半導体素子の電極と内部端子との接続において導通不良が発生する場合があった。

　半導体素子を搭載後、半導体素子を搭載した側を樹脂封止し、半導体装置用基板の金属板のみを除去する。
　金属板を除去したことで、樹脂の裏面側には金属板と接していた外部端子となるめっき層の面が現れることになる。
　そして、現れた外部端子面の一部を外部と接続するための外部端子部として使用するために、樹脂の裏面側全面を樹脂で覆い、次に、外部端子部のみが露出するよう覆った樹脂の一部を開口する加工を行い、外部端子部を露出させて半導体装置が完成する。多数個の半導体装置を一括して封止するタイプでは、切断加工を行って個々の半導体装置が完成する。

　以上、本発明の半導体装置用基板、半導体装置用配線部材及びそれらの製造方法、並びに、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法の実施形態及び実施例について説明したが、本発明の半導体装置用基板、半導体装置用配線部材は、上記実施形態及び実施例の構成に限定されるものではない。
　例えば、第１実施形態～第３実施形態の半導体装置用基板、第４実施形態の半導体装置用配線部材では、第１の貴金属めっき層にＡｕ、Ｐｄ、金属めっき層にＮｉ、第２の金属めっき層にＮｉ、第２の貴金属めっき層にＰｄ、Ａｕを用いたが、本発明の半導体装置用基板における第１の貴金属めっき層、金属めっき層（又は金属めっき層と第２の金属めっき層）、第２の貴金属めっき層の形成に用いるめっきの組み合わせは、これに限定されるものではなく、変形例として、次の表１に示すようなめっきを施した第１の貴金属めっき層、金属めっき層（又は金属めっき層と第２の金属めっき層）、第２の貴金属めっき層を組み合わせて、本発明の半導体装置用基板、半導体装置用配線部材を構成してもよい。なお表１では、めっきが各変形例において欄の上から順に施されるものとして示してある。

　本発明の半導体装置用基板、半導体装置用配線部材及びそれらの製造方法、並びに、半導体装置用基板を用いた半導体装置の製造方法は、表面実装型の封止樹脂型半導体装置を組み立てることが必要とされる分野に有用である。

１　　　　　　金属板
１－１　　　　内部端子部
１－２　　　　配線部
１－３　　　　外部端子部
９　　　　　　レジスト
１１　　　　　内部端子となるめっき層（第１の貴金属めっき層）
１１ａ　　　　Ａｕめっき層（第１の貴金属めっき層）
１１ｂ　　　　Ｐｄめっき層（第１の貴金属めっき層）
１２　　　　　Ｎｉめっき層（金属めっき層）
１３　　　　　Ｎｉめっき層（第２の金属めっき層）
１４　　　　　外部端子となるめっき層（第２の貴金属めっき層）
１４ａ　　　　Ｐｄめっき層（第２の貴金属めっき層）
１４ｂ　　　　Ａｕめっき層（第２の貴金属めっき層）
１５　　　　　樹脂層
１５ａ　　　　一方の面
１５ｂ　　　　他方の面
１６　　　　　永久レジスト
２０　　　　　樹脂
３０　　　　　配線部材
４０　　　　　半導体素子
４１　　　　　樹脂

Claims

　所定面上における所定部位に内部端子となるめっき層が形成され、前記内部端子となるめっき層の上に部分的に外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記所定面からの高さが、他のめっき層表面の該所定面からの高さに比べて高くなっていることを特徴とする半導体装置用基板。
　前記内部端子となるめっき層が、金属板上における所定部位に形成された第１の貴金属めっき層からなり、
　前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、
　前記外部端子となるめっき層が、前記金属めっき層の上に部分的に形成された第２の貴金属めっき層からなり、
　前記第２の貴金属めっき層表面の前記金属板面からの高さが、前記金属めっき層表面の前記金属板面からの高さに比べて高くなっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板。
　前記内部端子となるめっき層が、金属板上における所定部位に形成された第１の貴金属めっき層からなり、
　前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、
　前記外部端子となるめっき層が、前記金属めっき層の上に部分的に形成された第２の貴金属めっき層からなり、
　更に前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板。
　前記内部端子となるめっき層が、金属板上における所定部位に形成された第１の貴金属めっき層からなり、
　前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、
　前記金属板および前記金属めっき層の上に、該金属めっき層における所定部位を開口させた永久レジストが形成され、
　前記外部端子となるめっき層が、前記永久レジストの開口部に位置する前記金属めっき層の上に形成された第２の貴金属めっき層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用基板。
　前記金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層との間に、該第２の貴金属めっき層と同一形状で第２の金属めっき層が形成されていることを特徴とする請求項２～４のいずれかに記載の半導体装置用基板。
　前記金属板側から順に、前記第１の貴金属めっき層としてのＡｕめっき層、Ｐｄめっき層、前記金属めっき層および前記第２の金属めっき層としてのＮｉめっき層、前記第２の貴金属めっき層としてのＰｄめっき層、Ａｕめっき層が形成されていることを特徴とする請求項２～４のいずれかに記載の半導体装置用基板。
　前記永久レジストは、前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させるための開口部を有して形成され、
　前記第２の貴金属めっき層の上面は、前記永久レジストの上面よりも下側に位置することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置用基板。
　請求項１に記載に記載の半導体装置用基板を用いて製造された半導体装置用配線部材であって、
　前記内部端子となるめっき層が、樹脂層の一方の面における所定部位に下面を該樹脂層の一方の面と面一に露出させた状態で形成された第１の貴金属めっき層からなり、
　前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、
　前記外部端子となるめっき層が、前記金属めっき層の上に部分的に上面を前記樹脂層の他方の面から露出させた状態で形成された第２の貴金属めっき層からなることを特徴とする半導体装置用配線部材。
前記金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層との間に、第２の貴金属めっき層と同一形状で第２の金属めっき層が形成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置用配線部材。
　前記樹脂層の一方の面側から順に、前記第１の貴金属めっき層としてのＡｕめっき層、Ｐｄめっき層、前記金属めっき層および前記第２の金属めっき層としてのＮｉめっき層、前記第２の貴金属めっき層としてのＰｄめっき層、Ａｕめっき層が形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置用配線部材。
　金属板上にパターンＡの開口部を有するレジストマスクを形成する工程と、
　前記パターンＡの開口部に第１の貴金属めっき層を形成する工程と、
　前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層を形成する工程と、
　前記レジストマスクを剥離する工程と、
　前記レジストマスクを剥離した後、前記金属めっき層の一部が露出するパターンＢの開口部を有する第２のレジストマスクを形成する工程と、
　前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成する工程、
を有することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
　前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成した後、前記第２のレジストマスクを剥離する工程、を有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置用基板の製造方法。
　前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成した後、前記第２のレジストマスクを剥離する工程と、
　前記第２のレジストマスクを剥離した後、前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に該第２の貴金属めっき層の上面を露出させるように樹脂層を形成する工程、
を有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置用基板の製造方法。
　前記第２のレジストマスクが、永久レジストからなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置用基板の製造方法。
　前記第２の貴金属めっき層の上面は、前記第２のレジストマスクの上面よりも下側に位置することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置用基板の製造方法。
　請求項１１に記載の半導体装置用基板の製造方法を用いて製造する半導体装置用配線部材の製造方法であって、
　前記パターンＢの開口部に第２の貴金属めっき層或いは第２の金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層を形成した後、前記第２のレジストマスクを剥離する工程と、
　前記第２のレジストマスクを剥離した後、前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に該第２の貴金属めっき層の上面を露出させるように樹脂層を形成する工程と、
　前記樹脂層を形成した後、前記金属板を除去する工程、
を有することを特徴とする半導体装置用配線部材の製造方法。
　請求項１に記載の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、
　金属板上に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記めっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記金属板面からの高さが、他のめっき層の前記金属板面からの高さに比べて高くなっている前記半導体装置用基板を用いて、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、
　前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、前記金属板を除去して、形成されためっき層が前記樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、
　作製した前記配線部材に半導体素子を搭載する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　請求項１に記載の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、
　金属板上に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記めっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記金属板面からの高さが、他のめっき層の前記金属板面からの高さに比べて高くなっている前記半導体装置用基板に、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、
　前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、前記金属板を除去して、形成されためっき層が前記樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、
　作製した前記配線部材の前記金属板側であった前記内部端子となるめっき層の面側に半導体素子を搭載する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　請求項１に記載の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、
　金属板上に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記めっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層表面の前記金属板面からの高さが、他のめっき層の前記金属板面からの高さに比べて高くなっている前記半導体装置用基板に、前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成する工程と、
　前記外部端子となるめっき層表面が露出する樹脂層を形成した後、前記金属板を除去して、形成されためっき層が前記樹脂層により保持された配線部材を作製する工程と、
　作製した前記配線部材の前記金属板側であった前記内部端子となるめっき層の面側に半導体素子を搭載して該半導体素子の電極と前記内部端子との導通を取る工程と、
　半導体素子搭載部分を樹脂封止する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　請求項１に記載の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、
　金属板上に所定の厚さで永久レジスト層が形成され、前記永久レジスト層内に、前記金属板に面して前記内部端子となるめっき層が形成され、前記内部端子となるめっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層の上面のみが前記永久レジスト上面の開口部から露出した半導体装置用基板から、前記金属板を除去して前記永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を作製する工程と、
　作製した前記配線部材の前記金属板を除去した側に半導体素子を搭載する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　請求項１に記載の半導体装置用基板を用いて製造する半導体装置の製造方法であって、
　金属板上に所定の厚さで永久レジスト層が形成され、前記永久レジスト層内に、所定のパターンで金属板側に前記内部端子となるめっき層が形成され、前記内部端子となるめっき層の上に部分的に前記外部端子となるめっき層が形成され、前記外部端子となるめっき層の上面のみが前記永久レジスト上面の開口部から露出した半導体装置用基板から、前記金属板を除去して前記永久レジストによりめっき層が固定された配線部材を準備する工程と、
　準備した前記配線部材の前記金属板を除去した側に半導体素子を搭載し、前記配線部材から露出している前記内部端子となるめっき層の部分に前記半導体素子の電極との接続を行う工程と、
　半導体素子搭載側を樹脂封止する工程、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　前記半導体装置用基板は、前記金属板上に所定のパターンで前記内部端子となる第１の貴金属めっき層が形成され、その上に前記第１の貴金属めっき層と同一形状で前記金属めっき層が形成され、前記金属めっき層の上に部分的に前記外部端子となる前記第２の貴金属めっき層が、又は前記金属めっき層の上に部分的に前記第２の金属めっき層と前記外部端子となる前記第２の貴金属めっき層が同一形状で、形成され、
これらめっき層より厚く前記金属板上に前記永久レジストが形成されており、前記永久レジストの開口部から前記第２の貴金属めっき層の面が露出していることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
　前記内部端子となるめっき層と前記外部端子となるめっき層の間に、別の金属によるめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１７～２２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。