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WO2016190303A1 - ガラス基板、および積層基板 - Google Patents

ガラス基板、および積層基板 Download PDF

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WO2016190303A1
WO2016190303A1 PCT/JP2016/065308 JP2016065308W WO2016190303A1 WO 2016190303 A1 WO2016190303 A1 WO 2016190303A1 JP 2016065308 W JP2016065308 W JP 2016065308W WO 2016190303 A1 WO2016190303 A1 WO 2016190303A1
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WO
WIPO (PCT)
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glass substrate
substrate
glass
less
main surface
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2016/065308
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
優 塙
周平 野村
和孝 小野
暢彦 竹下
圭輔 花島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to JP2017520713A priority patent/JP6601493B2/ja
Priority to CN202310166382.4A priority patent/CN116199432A/zh
Priority to KR1020237009971A priority patent/KR102651767B1/ko
Priority to KR1020177034039A priority patent/KR102515348B1/ko
Publication of WO2016190303A1 publication Critical patent/WO2016190303A1/ja
Priority to US15/822,859 priority patent/US10515864B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US16/555,702 priority patent/US11114356B2/en
Priority to US17/367,762 priority patent/US11715673B2/en
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Definitions

  • the present invention relates to a glass substrate and a laminated substrate.
  • the degree of integration is increasing while miniaturization is progressing. Accordingly, there is an increasing demand for packaging technology for devices having a high degree of integration.
  • the conventional semiconductor assembly process after the wafer-state glass substrate and the silicon-containing substrate are cut, the glass substrate and the silicon-containing substrate are bonded together, and die bonding, wire bonding, molding, etc. A series of assembly processes is performed.
  • Patent Document 1 proposes a supporting glass substrate used for a wafer level package.
  • the present invention provides a glass substrate in which bubbles do not easily enter in the step of bonding a glass substrate and a substrate containing silicon.
  • the glass substrate of the present invention is a glass substrate on which a laminated substrate is formed by being laminated with a substrate containing silicon, wherein the warp of the glass substrate is 2 to 300 ⁇ m, and the inclination angle due to the warp is 0.0004. It is characterized by being -0.12 °.
  • the laminated substrate of the present invention is formed by laminating the glass substrate and a substrate containing silicon. In the present specification, unless otherwise specified, the content of each component in the glass substrate and the method for producing the same is expressed as a mole percentage based on the oxide.
  • the glass substrate according to one embodiment of the present invention has a warp of 2 to 300 ⁇ m and an inclination angle due to the warp of 0.0004 to 0.12 °. Therefore, in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon, Since it can be bonded together while letting out the air, it is difficult for bubbles to enter and it is easy to join the substrates together.
  • FIG. 1A and 1B show a glass substrate according to an embodiment of the present invention to be bonded to a substrate containing silicon
  • FIG. 1A is a cross-sectional view before bonding
  • FIG. It is sectional drawing after bonding.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a glass substrate according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of a glass substrate according to an embodiment of the present invention.
  • 4A and 4B show a glass substrate and a support member according to an embodiment of the present invention of a deflection amount measuring device, FIG. 4A is a top view, and FIG. 4B is a cross-sectional view. is there.
  • FIG. 1A and 1B are cross-sectional views of a glass substrate according to an embodiment of the present invention, which is bonded to a substrate containing silicon.
  • a glass substrate G1 shown in FIG. 1A is bonded to, for example, an atmosphere of 200 ° C. to 400 ° C. with a substrate 10 containing silicon and a resin 20 interposed therebetween, as shown in FIG.
  • a laminated substrate 30 is obtained.
  • the substrate 10 containing silicon for example, a wafer (for example, a silicon wafer), a wafer on which an element is formed, a substrate in which a chip from which an element has been cut out is molded in a resin, or the like is used.
  • the resin 20 can withstand a temperature of 200 to 400 ° C., for example.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention is suitable as a supporting glass substrate for a fan-out type wafer level package. Further, it is suitable as a glass substrate for image sensors such as MEMS, CMOS, and CIS, which is effective in miniaturizing elements by a wafer level package, a holed substrate for glass interposer (GIP), and a support glass for semiconductor back grinding.
  • image sensors such as MEMS, CMOS, and CIS
  • GIP glass interposer
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a glass substrate G1 according to an embodiment of the present invention.
  • the “warp” refers to a reference line G1D of the glass substrate G1 and the glass substrate G1 in an arbitrary cross section passing through the center of the main surface G1F of the glass substrate G1 and orthogonal to the main surface G1F of the glass substrate G1.
  • the difference C between the maximum value B and the minimum value A of the vertical distance from the center line G1C.
  • intersection line between the arbitrary cross section orthogonal to the main surface G1F of the glass substrate G1 is defined as a bottom line G1A.
  • An intersection line between the arbitrary cross section orthogonal to the other main surface G1G of the glass substrate G1 is defined as an upper line G1B.
  • the center line G1C is a line connecting the centers in the thickness direction of the glass substrate G1. The center line G1C is calculated by obtaining a midpoint of the bottom line G1A and the top line G1B with respect to the laser irradiation direction described later.
  • the reference line G1D is obtained as follows. First, the bottom line G1A is calculated based on a measurement method that cancels the influence of its own weight. A straight line is obtained from the bottom line G1A by the method of least squares. The obtained straight line is the reference line G1D. A known method is used as a measurement method for canceling the influence due to its own weight.
  • one main surface G1F of the glass substrate G1 is supported at three points, the laser beam is irradiated to the glass substrate G1 by a laser displacement meter, the one main surface G1F of the glass substrate G1 and another one from an arbitrary reference plane The height of the main surface G1G is measured.
  • the glass substrate G1 is inverted, the three points of the main surface G1G opposite to the three points supporting the main surface G1F are supported, one main surface G1F of the glass substrate G1 from any reference plane, and other points
  • the height of one main surface G1G is measured.
  • the height of the main surface G1F is measured as described above.
  • the height of the main surface G1G is measured at a position corresponding to the measurement point of the main surface G1F.
  • the height of the main surface G1G is measured before inversion.
  • the height of the main surface G1F is measured at a position corresponding to the measurement point of the main surface G1G.
  • the warpage is measured by, for example, a laser displacement meter.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention is characterized in that the warpage is 2 to 300 ⁇ m. If the warpage is 2 ⁇ m or more, bubbles are unlikely to enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the warp is preferably 4 ⁇ m or more, more preferably 6 ⁇ m or more, and even more preferably 8 ⁇ m or more. If the warpage is 300 ⁇ m or less, the glass substrate and the silicon-containing substrate can be easily bonded to each other because the alignment with the substrate containing silicon (ease of conforming to the silicon-containing substrate) is good. Further, when used as a support glass for semiconductor back grinding, if the warpage is 300 ⁇ m or less, it is difficult to break when polished.
  • the warp is preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 100 ⁇ m or less, and even more preferably 50 ⁇ m or less.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the glass substrate G1 according to one embodiment of the present invention, and represents the same cross section as FIG.
  • the “inclination angle due to warpage” refers to the relationship between the reference line G1D and the center line G1C in any cross section that passes through the center of the main surface G1F of the glass substrate G1 and is orthogonal to the main surface G1F of the glass substrate G1.
  • the angle ⁇ formed by the tangent line G1E is the maximum.
  • the inclination angle due to warpage is 0.0004 ° or more, bubbles are unlikely to enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the inclination angle due to warpage is preferably 0.0008 ° or more, more preferably 0.001 ° or more, and further preferably 0.0015 ° or more.
  • the inclination angle due to warpage is 0.12 ° or less, the alignment with the substrate containing silicon is good, so that the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded together.
  • the inclination angle due to warpage is preferably 0.06 ° or less, more preferably 0.04 ° or less, and further preferably 0.02 ° or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a product W ⁇ ⁇ W of warpage W (unit: ⁇ m) and an inclination angle ⁇ W (unit: °) due to warpage of 0.0008 to 36. If W ⁇ ⁇ W is 0.0008 or more, bubbles are unlikely to enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon. W ⁇ ⁇ W is more preferably 0.01 or more, and further preferably 0.1 or more.
  • W ⁇ theta W is 36 or less, because a good consistency with the substrate comprising silicon, easy bonding a substrate comprising a glass substrate and the silicon.
  • W ⁇ ⁇ W is preferably 20 or less, and more preferably 10 or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has an area of one main surface of 70 to 2000 cm 2 . If the area of one main surface of the glass substrate is 70 cm 2 or more, a silicon-containing substrate including a large number of silicon elements can be disposed, and productivity is increased in the process of laminating the glass substrate and the silicon-containing substrate. Will improve.
  • the area of one main surface is more preferably 80 cm 2 or more, further preferably 170 cm 2 or more, particularly preferably 300 cm 2 or more, and most preferably 700 cm 2 or more.
  • the glass substrate can be easily handled, and damage due to contact with a substrate containing silicon, a peripheral member, or the like can be suppressed.
  • Area of the one main surface is more preferably 1700 cm 2 or less, still more preferably 1000 cm 2 or less, still more preferably 800 cm 2 or less, particularly preferably 750 cm 2 or less.
  • the shape of the glass substrate of one embodiment of the present invention is preferably circular. If it is circular, lamination with a substrate containing silicon is easy. In particular, lamination with a substrate containing circular silicon is easy.
  • the circular shape is not limited to a perfect circle but includes a case where a dimensional difference from a perfect circle having the same diameter is 50 ⁇ m or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention is not limited to a circle, but may be a rectangle or a notch at the end of the glass substrate.
  • a part of the outer periphery may be a straight line. If it is a rectangle, many glass substrates can be obtained compared with the case of the circle of the same area.
  • the diameter is preferably 3 inches or more. If the diameter is 3 inches or more, a silicon-containing substrate including a large number of silicon elements can be disposed, and productivity is improved in a process of laminating a glass substrate and a silicon-containing substrate.
  • the diameter is more preferably 4 inches or more, more preferably 6 inches or more, still more preferably 8 inches or more, and particularly preferably 10 inches or more.
  • the diameter is preferably 18 inches or less. If the diameter is 18 inches or less, handling of the glass substrate is facilitated, and damage due to contact with a substrate containing silicon or a peripheral member can be suppressed.
  • the diameter is more preferably 13 inches or less, further preferably 12.5 inches or less, and particularly preferably 12.1 inches or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a thickness of 2.0 mm or less.
  • a thickness is 2.0 mm or less, a laminated substrate obtained by bonding a glass substrate and a substrate containing silicon can be reduced in size (thin).
  • the thickness is more preferably 1.5 mm or less, further preferably 1.0 mm or less, and particularly preferably 0.8 mm or less.
  • the thickness is preferably 0.1 mm or more. If the thickness is 0.1 mm or more, damage due to contact with a substrate containing silicon, a peripheral member, or the like can be suppressed. Moreover, the self-weight deflection of the glass substrate can be suppressed.
  • the thickness is more preferably 0.2 mm or more, and further preferably 0.3 mm or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a thickness deviation of 1 to 15 ⁇ m. If the plate thickness deviation is 1 ⁇ m or more, bubbles are unlikely to enter in the step of bonding the glass substrate and the silicon-containing substrate.
  • the plate thickness deviation is more preferably 1.5 ⁇ m or more, and further preferably 2 ⁇ m or more. If the plate thickness deviation is 15 ⁇ m or less, the glass substrate and the silicon-containing substrate can be easily bonded together because the alignment with the substrate containing silicon is good.
  • the plate thickness deviation is more preferably 12 ⁇ m or less, further preferably 10 ⁇ m or less, and particularly preferably 5 ⁇ m or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention tends to warp when the area is large.
  • the warp is preferably 4 to 300 ⁇ m. If the diameter is 12 inches and the warp is 4 ⁇ m or more, bubbles are difficult to enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the warp is preferably 6 ⁇ m or more, more preferably 8 ⁇ m or more, and even more preferably 10 ⁇ m or more.
  • the warp is more preferably 200 ⁇ m or less, further preferably 100 ⁇ m or less, and particularly preferably 50 ⁇ m or less.
  • the warp is preferably 3 to 200 ⁇ m. If the diameter is 8 inches and the warp is 3 ⁇ m or more, bubbles are difficult to enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the diameter is 8 inches and the warp is preferably 4 ⁇ m or more, more preferably 5 ⁇ m or more, and even more preferably 6 ⁇ m or more.
  • the warp is 200 ⁇ m or less, the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded to each other because the alignment with the substrate containing silicon is good. Further, when used as a support glass for semiconductor back grinding, if the warp is 200 ⁇ m or less, it is difficult to break when polished.
  • the warpage is more preferably 100 ⁇ m or less, further preferably 50 ⁇ m or less, and particularly preferably 40 ⁇ m or less.
  • the warp is preferably 2 to 100 ⁇ m.
  • the diameter is 6 inches and the warpage is 2 ⁇ m or more, bubbles are not easily formed in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • a 6-inch diameter circular warp is preferably 3 ⁇ m or more, more preferably 4 ⁇ m or more, and even more preferably 5 ⁇ m or more.
  • warpage is 100 ⁇ m or less, the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded to each other because the alignment with the substrate containing silicon is good. Further, when used as a support glass for semiconductor back grinding, if the warp is 100 ⁇ m or less, it is difficult to break when polished. In a circular glass substrate having a diameter of 6 inches, warpage is more preferably 50 ⁇ m or less, and further preferably 30 ⁇ m or less.
  • the value W / D obtained by dividing the warpage W (unit: ⁇ m) by the diameter D (unit: inch) is preferably 0.33 to 25. . If W / D is 0.33 or more, it is difficult for bubbles to enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon. W / D is more preferably 0.4 or more, further preferably 0.6 or more, and particularly preferably 0.8 or more.
  • W / D is 25 or less, the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded to each other because the alignment with the substrate containing silicon is good. Further, when used as a support glass for semiconductor back grinding, if W / D is 25 or less, it is difficult to break when polished. W / D is more preferably 20 or less, further preferably 10 or less, and particularly preferably 5 or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a Young's modulus of 65 GPa or more. If Young's modulus is 65 GPa or more, the curvature and the crack of the glass substrate which generate
  • the Young's modulus is more preferably 70 GPa or more, further preferably 75 GPa or more, and particularly preferably 80 GPa or more.
  • the Young's modulus is preferably 100 GPa or less. If the Young's modulus is 100 GPa or less, the glass can be prevented from becoming brittle, and chipping during cutting and dicing of the glass substrate can be suppressed.
  • the Young's modulus is more preferably 90 GPa or less, and further preferably 87 GPa or less.
  • the glass substrate is perpendicular to one main surface of the glass substrate, the cross-sectional shape passing through the center of gravity of the one main surface is concave, and the cross section passing through the center of gravity of the one main surface.
  • the cross section orthogonal to the one main surface is convex.
  • arbitrary orthogonal XY axes are provided on one main surface.
  • the cross section when the glass is cut along the X axis is preferably concave, and the cross section along the Y axis is preferably convex.
  • the glass substrate is perpendicular to one main surface of the glass substrate, the cross-sectional shape passing through the center of gravity of the one main surface is concave, and the cross section passing through the center of gravity of the one main surface.
  • the cross section orthogonal to the one main surface is concave.
  • arbitrary orthogonal XY axes are provided on one main surface.
  • the cross section when the glass is cut along the X axis is preferably concave, and the cross section along the Y axis is preferably concave.
  • FIG. 4A is a top view showing the deflection amount measuring apparatus 100
  • FIG. 4B is a cross-sectional view showing the deflection amount measuring apparatus 100.
  • FIG. 4A and 4B show a state in which the support member 110 constituting the deflection amount measuring apparatus 100 supports the glass substrate G1.
  • the deflection amount S is the height level J of the upper surface of the support member 110 when the four points of the main surface G1F of the glass substrate G1 are supported by the support member 110 (the upper surface of the support member 110 and one of the glass substrates G1). It is the maximum value V of the amount of change in the vertical direction of the main surface G1F from the contact point with the main surface G1F.
  • the four points to be supported are positions where the distance E from the end of the glass substrate G1 is 10 mm and the perpendicular distance H to a line passing through the center F of the other main surface G1G of the glass substrate G1 is 30 mm.
  • S ⁇ T 3 is 0.0001 to 6 is preferable.
  • S ⁇ T 3 is more preferably 0.0005 or more, and further preferably 0.001 or more.
  • S ⁇ T 3 is 6 or less, the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded together because the alignment with the substrate containing silicon is good.
  • S ⁇ T 3 is more preferably 1 or less, further preferably 0.1 or less, and particularly preferably 0.01 or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a deflection amount of 0.1 to 5 mm. If the amount of deflection is 0.1 mm or more, bubbles are difficult to enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the deflection amount is more preferably 0.2 mm or more, further preferably 0.3 mm or more, and particularly preferably 0.5 mm or more.
  • the amount of deflection is 5 mm or less, the glass substrate and the substrate containing silicon are easily bonded to each other because the alignment with the substrate containing silicon is good.
  • the amount of deflection is more preferably 3 mm or less, further preferably 2 mm or less, and particularly preferably 1 mm or less.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has an average coefficient of thermal expansion at 50 to 350 ° C. of 30 to 120 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • a heat treatment step is required.
  • the temperature of the laminated substrate obtained by bonding the substrate containing silicon and the glass substrate at a temperature of 200 ° C. to 400 ° C. is lowered to room temperature.
  • a large residual strain residual deformation
  • the glass substrate according to an embodiment of the present invention is used as a fan-out type wafer level package
  • a substrate containing silicon is stacked on the glass substrate, and the resin is in contact with the glass substrate and the substrate containing silicon. It is formed.
  • the thermal expansion coefficient of the resin also causes residual strain. If the average thermal expansion coefficient at 50 ° C. to 350 ° C. is 30 to 120 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), the residual strain generated in the silicon containing substrate in the heat treatment step of bonding the silicon containing substrate and the glass substrate. Can be reduced.
  • the average thermal expansion coefficient of 50 ° C. to 350 ° C. is an average heat whose temperature range for measuring the thermal expansion coefficient is 50 ° C. to 350 ° C. measured by the method defined in JIS R3102 (1995). Expansion coefficient.
  • the average coefficient of thermal expansion at 50 ° C. to 350 ° C. may be 31 to 50 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), may be 32 to 40 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), and may be 32 to 36 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.) or 34 to 36 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • the average coefficient of thermal expansion at 50 ° C. to 350 ° C. is 50 to 80 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), the residual strain generated in the silicon-containing substrate and resin in the heat treatment step is small.
  • the average thermal expansion coefficient at 50 to 350 ° C. is 80 to 120 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), the residual strain generated in the resin and wiring is small.
  • the average coefficient of thermal expansion at 50 ° C. to 350 ° C. may be 85 to 100 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), or 90 to 95 ( ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.).
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a light shielding film formed on the main surface of the glass substrate.
  • a light shielding film formed on the main surface of the glass substrate.
  • the glass substrate of one Embodiment of this invention is the following composition. SiO 2 : 50 to 75%, Al 2 O 3 : 0 to 16%, B 2 O 3 : 0 to 15%, MgO: 0 to 18%, CaO: 0 to 13%, SrO: 0 to 11%, BaO: 0 to 15%, Na 2 O: 0 to 17%, K 2 O: 0 to 15%
  • SiO 2 is a component that forms a glass skeleton.
  • the content of SiO 2 is 50% or more, heat resistance, chemical durability, and weather resistance are good. Further, when the content of SiO 2 is 50% or more, conducted from the laminated substrate 30 after removing the glass substrate G1, etching tends to as cleaning and recycling.
  • the content of SiO 2 is 75% or less, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high, and the meltability becomes good.
  • the content of SiO 2 is more preferably 60 to 70%, further preferably 64 to 68%.
  • Al 2 O 3 is not an essential component, but by containing it, the weather resistance, heat resistance and chemical durability are improved, and the Young's modulus is increased. If the content of Al 2 O 3 is 16% or less, the viscosity at the time of melting the glass will not be too high, the meltability will be good, and devitrification will be difficult.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably 3 to 14%, further preferably 6 to 14%.
  • B 2 O 3 is not an essential component, by containing it, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high, the meltability becomes good, and devitrification becomes difficult. If the content of B 2 O 3 is 15% or less, the glass transition temperature can be increased and the Young's modulus is increased.
  • the content of B 2 O 3 is more preferably 0 to 12%, further preferably 3 to 6%.
  • MgO is not an essential component, but when it is contained, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high, the meltability is improved, the weather resistance is improved, and the Young's modulus is increased. If the content of MgO is 18% or less, devitrification becomes difficult.
  • the content of MgO is more preferably from 0 to 10%, further preferably from 4 to 9.5%, particularly preferably from 6 to 9%.
  • CaO is not an essential component, but by containing CaO, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high, the meltability is improved, and the weather resistance is improved. If the content of CaO is 13% or less, devitrification becomes difficult.
  • the content of CaO is more preferably 0 to 10%, further preferably 4 to 8%.
  • SrO is not an essential component, but by containing SrO, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high, the meltability is improved, and the weather resistance is improved.
  • SrO content is 11% or less, devitrification is difficult.
  • the content of SrO is more preferably 0 to 8%, further preferably 0.5 to 3%.
  • BaO is not an essential component, but when it is contained, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high, the meltability is improved, and the weather resistance is improved. If the content of BaO is 15% or less, devitrification becomes difficult.
  • the content of BaO is more preferably 0 to 9.5%, and further preferably 0 to 3%.
  • Na 2 O is not an essential component, but by containing it, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high and the meltability becomes good.
  • the content of Na 2 O is 17% or less, the weather resistance is improved.
  • the content of Na 2 O is more preferably 15% or less, and further preferably 10% or less.
  • Na 2 O is not substantially contained in order to prevent alkali ions from diffusing into the substrate containing silicon.
  • substantially free of Na 2 O means that it does not contain Na 2 O at all, or may contain Na 2 O as an impurity inevitably mixed in production.
  • K 2 O is not an essential component, by containing it, the viscosity at the time of melting the glass does not become too high and the meltability becomes good.
  • the content of K 2 O is more preferably 13% or less, and further preferably 10% or less.
  • K 2 O is not substantially contained in order to prevent alkali ions from diffusing into the substrate containing silicon.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a total content of MgO, CaO, SrO, and BaO of 7% or more. If the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO is 7% or more, devitrification becomes difficult.
  • the total content of MgO, CaO, SrO, and BaO is more preferably 7.5% or more, and further preferably 8.0% or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention may contain SnO 2 , SO 3 , Cl, F and the like as a fining agent.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention has improved ZnO, Li 2 O, WO 3 , Nb 2 for improving weather resistance, solubility, devitrification, ultraviolet shielding, infrared shielding, ultraviolet transmission, infrared transmission, and the like.
  • O 5 , V 2 O 5 , Bi 2 O 3 , MoO 3 , P 2 O 5 , Ga 2 O 3 , I 2 O 5 , In 2 O 5 , Ge 2 O 5 and the like may be contained.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention may contain ZrO 2 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 , TiO 2 , SnO 2 in a total amount of 2% or less in order to improve chemical durability. Preferably it is 1% or less, more preferably 0.5% or less.
  • Y 2 O 3 , La 2 O 3 and TiO 2 contribute to the improvement of the Young's modulus of the glass.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably contains substantially no As 2 O 3 or Sb 2 O 3 in consideration of environmental load. In consideration of stable float forming, it is preferable that ZnO is not substantially contained.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has ⁇ -OH of 0.05 to 0.65 mm ⁇ 1 .
  • ⁇ -OH is an index indicating the water content in the glass substrate of one embodiment of the present invention, and by making ⁇ -OH 0.05 mm ⁇ 1 or more, clarity can be improved. By making ⁇ -OH 0.65 mm ⁇ 1 or less, the heat resistance can be improved.
  • beta-OH is more preferably 0.1 ⁇ 0.55 mm -1, more preferably 0.15 ⁇ 0.5 mm -1, particularly preferably 0.17 ⁇ 0.45 mm -1.
  • T 3500 cm -1 is a wave number (wave number) 3500cm transmittance -1 (%)
  • T 4000 cm -1 is the transmittance of the wave number 4000cm -1 (%)
  • t is The thickness (mm) of the glass substrate.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a density of 2.60 g / cm 3 or less. If the density is 2.60 g / cm 3 or less, the glass substrate is lightweight. Moreover, the deflection
  • the density is preferably 2.20 g / cm 3 or more. If the density is 2.20 g / cm 3 or more, the Vickers hardness of the glass is increased, and the glass surface can be hardly damaged. More preferably the density is 2.30 g / cm 3 or more, still more preferably 2.40 g / cm 3 or more, particularly preferably 2.45 g / cm 3 or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a glass transition point (hereinafter also referred to as Tg) of 700 ° C. or higher. If Tg is 700 degreeC or more, the dimensional change of a glass substrate can be restrained few at a heat processing process. Tg is more preferably 720 ° C. or higher, and further preferably 740 ° C. or higher.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a transmittance at a wavelength of 250 nm of 10% or more.
  • the glass substrate is peeled from the laminated substrate. If the transmittance at a wavelength of 250 nm in the glass substrate is 10% or more, the ultraviolet rays applied to the resin increase, and the glass substrate is easily peeled from the laminated substrate.
  • the transmittance of the glass substrate at a wavelength of 250 nm is more preferably 15% or more, and further preferably 20% or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a transmittance at a wavelength of 300 nm of 45% or more. If the transmittance of the glass substrate at a wavelength of 300 nm is 45% or more, the ultraviolet rays applied to the resin increase, and the glass substrate is easily peeled from the laminated substrate.
  • the transmittance of the glass substrate at a wavelength of 300 nm is more preferably 50% or more, further preferably 55% or more, and particularly preferably 60% or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a transmittance at a wavelength of 350 nm of 45% or more. If the transmittance of the glass substrate at a wavelength of 350 nm is 45% or more, the ultraviolet rays applied to the resin increase, and the glass substrate is easily peeled from the laminated substrate.
  • the transmittance at a wavelength of 350 nm is more preferably 50% or more, further preferably 55% or more, and particularly preferably 60% or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has a defect of 10 pc / cm 2 or less, such as bubbles and foreign matters having a diameter of 200 ⁇ m or more. If the defect having a diameter of 200 ⁇ m or more is 10 pcs / cm 2 or less, the light irradiated in the bonding step is not blocked and bonding is easy.
  • the defect having a diameter of 200 ⁇ m or more is more preferably 2 pcs / cm 2 or less, and it is particularly preferable that there is no defect having a diameter of 200 ⁇ m or more.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention preferably has 10 pc / cm 2 or less of defects such as bubbles and foreign matters having a diameter of 20 ⁇ m or more. If the defect having a diameter of 20 ⁇ m or more is 10 pcs / cm 2 or less, the light irradiated in the bonding process is not blocked and bonding is easy.
  • the defect having a diameter of 20 ⁇ m or more is more preferably 2 pcs / cm 2 or less, and it is particularly preferable that there is no defect having a diameter of 20 ⁇ m or more.
  • the laminated substrate according to an embodiment of the present invention is formed by laminating the glass substrate and a substrate containing silicon. Since the glass substrate and the silicon-containing substrate are formed by being stacked, bubbles are hardly generated in the step of bonding the glass substrate and the silicon-containing substrate.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention preferably has a thickness of 0.5 to 3 mm. If the thickness is 0.5 mm or more, damage due to contact with peripheral members and the like can be suppressed.
  • the thickness is more preferably 1.0 mm or more, and further preferably 1.3 mm or more. If the thickness is 3 mm or less, the size can be reduced.
  • the thickness is more preferably 2.5 mm or less, and further preferably 2.0 mm or less.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention may be formed by laminating a laminated substrate in which two or more glass substrates are laminated (hereinafter also referred to as a glass laminated substrate) and a substrate containing silicon.
  • a glass laminated substrate in which two or more glass substrates are laminated
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention is used as, for example, a support glass for semiconductor back grinding, if the number of glass substrates is one, the glass substrate is polished to obtain the thickness of the glass substrate (of the laminated substrate). Adjust the thickness.
  • the laminated substrate of one embodiment of the present invention is formed by laminating a glass laminated substrate and a substrate containing silicon, by peeling the glass substrate from the glass laminated substrate without polishing the glass substrate, The thickness of the entire laminated substrate can be adjusted.
  • the amount of deflection of a glass substrate having an arbitrary thickness is larger than the amount of deflection of a glass laminated substrate obtained by laminating two glass substrates having a half thickness of the glass substrate.
  • the warp of the glass substrate in the laminated substrate is preferably 200 ⁇ m or less.
  • the laminated substrate if the warp of the glass substrate is 200 ⁇ m or less, the laminated substrate can be easily conveyed.
  • the warp of the glass substrate is more preferably 100 ⁇ m or less, and even more preferably 50 ⁇ m or less.
  • the warp of the glass substrate in the laminated substrate is determined by the same method as the warp of the glass substrate alone. When the surface of the glass substrate is supported at three points, the laser is irradiated from the surface of the glass substrate.
  • raw materials are prepared so that the composition of the glass plate to be obtained is obtained, the raw materials are continuously charged into a melting furnace, and preferably heated to about 1450 to 1650 ° C. to obtain molten glass.
  • halides such as chlorides can be used.
  • fine platinum particles may elute into the molten glass and be mixed as foreign matter in the resulting glass plate. Has an effect of preventing the elution of the platinum foreign matter.
  • strontium nitrate As the nitrate, strontium nitrate, barium nitrate, magnesium nitrate, calcium nitrate and the like can be used. More preferably, strontium nitrate is used.
  • the clarification step is a step of removing bubbles from the molten glass obtained in the melting step.
  • a defoaming method using reduced pressure may be applied.
  • the glass substrate in the present invention can be used SO 3 and SnO 2 as a fining agent.
  • the SO 3 source is preferably a sulfate of at least one element selected from Al, Mg, Ca, Sr, Ba, Na and K, and preferably an alkaline earth metal or an alkali metal sulfate.
  • CaSO 4 .2H 2 O, SrSO 4 , BaSO 4 and Na 2 SO 4 are particularly preferable because of their remarkable effect of increasing bubbles.
  • Halogens such as Cl and F are preferably used as the clarifying agent in the defoaming method using reduced pressure.
  • the Cl source is preferably a chloride of at least one element selected from Al, Mg, Ca, Sr, Ba, Na and K, more preferably an alkaline earth metal or an alkali metal chloride.
  • SrCl 2 .6H 2 O, BaCl 2 .2H 2 O, and NaCl are particularly preferable because they have a remarkable effect of enlarging bubbles and have low deliquescence.
  • the F source, Al, Mg, Ca is preferably at least one element of fluoride selected from Sr and Ba, more preferably a fluoride of an alkaline earth metal, among others, CaF 2 is The action of increasing the solubility of the glass raw material is remarkably preferable.
  • a float method is used in which molten glass is poured over molten metal to form a glass ribbon.
  • the glass ribbon is gradually cooled, cut into a glass plate, and then cut into a predetermined shape and size to obtain the glass substrate of one embodiment of the present invention.
  • the glass substrate of one embodiment of the present invention includes, for example, a slow cooling rate at the center of the glass ribbon in the width direction of the glass ribbon and a slow cooling rate at the ends of the glass ribbon in the forming step and the slow cooling step.
  • the warpage can be set to 2 to 300 ⁇ m, and the inclination angle due to the warpage can be set to 0.0004 to 0.12 °. Further, in the forming process and the slow cooling process, the local cooling of the glass ribbon and the difference between the temperature at the center of the glass ribbon in the width direction of the glass ribbon and the temperature at the end of the glass ribbon are increased. As a result, the inclination angle due to warpage or warpage can be increased.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the present invention includes modifications and improvements as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the molten glass when manufacturing the glass substrate of one embodiment of the present invention, may be formed into a plate shape by applying a fusion method, a roll-out method, a press molding method, or the like in the molding step.
  • the raw material is prepared so as to have the target composition of the glass substrate, the platinum crucible containing the raw material is put into an electric furnace, and preferably heated to about 1450 to 1650 ° C. A stirrer is inserted and stirred for 1 to 3 hours to obtain molten glass.
  • molten glass is poured into, for example, a carbon plate to form a plate.
  • the plate-like glass is gradually cooled to room temperature, and after cutting, a glass substrate is obtained.
  • Examples 1 to 18 are examples, and examples 19 to 21 are comparative examples.
  • Various glass raw materials such as silica sand are prepared so as to have the glass composition (target composition) shown in Tables 1 and 2, and sulfate is represented by SO 3 in terms of mass percentage on an oxide basis with respect to 100% of the raw material of the target composition.
  • SO 3 sulfate
  • 0.01 to 1%, F 0.16%, and Cl 1% were added and melted by heating at a temperature of 1550 to 1650 ° C. for 3 hours using a platinum crucible. In melting, a platinum stirrer was inserted and stirred for 1 hour to homogenize the glass.
  • the molten glass is poured out into a carbon plate shape and formed into a plate shape, and then the plate glass is put into an electric furnace having a temperature of about Tg + 50 ° C., and the electric furnace is cooled at a cooling rate R (° C./min). Was cooled to room temperature.
  • the density (unit: g / cm 3 ), average thermal expansion coefficient (unit: ⁇ 10 ⁇ 7 / ° C.), glass transition point Tg (unit: ° C.), Young's modulus (unit: GPa), T 2 of the obtained glass (Unit: ° C), T 4 (unit: ° C), devitrification temperature (unit: ° C), and transmittance (unit:%) were measured and shown in Tables 1 and 2.
  • the values in parentheses in the table are obtained by calculation.
  • the residual amount of Fe 2 O 3 in the glass was 50 to 200 ppm, and the residual amount of SO 3 was 10 to 500 ppm.
  • the measuring method of each physical property is shown below.
  • T 4 The viscosity was measured using a rotational viscometer, and the temperature T 4 (° C.) at 10 4 dPa ⁇ s was measured.
  • T 4 The devitrification temperature of the glass is that the crushed glass particles are put in a platinum dish, heat treated for 17 hours in an electric furnace controlled at a constant temperature, and crystals are precipitated inside the glass by observation with an optical microscope after the heat treatment. It is an average value of the maximum temperature at which the crystal is deposited and the minimum temperature at which no crystal is deposited.
  • Transmittance The obtained glass was mirror-polished to a thickness of 1 mm, and the transmittance at a wavelength of 300 nm was measured with a spectrophotometer.
  • various glass raw materials such as silica sand are prepared so as to have the glass compositions shown in Tables 1 and 2, and sulfate is converted to SO 3 in terms of oxide-based mass percentage with respect to 100% of the raw material of the target composition.
  • sulfate is converted to SO 3 in terms of oxide-based mass percentage with respect to 100% of the raw material of the target composition.
  • the molten glass was formed into a plate shape, slowly cooled, and cut. Furthermore, it cut
  • the warp and the inclination angle were adjusted by adjusting the temperature at the center of the glass ribbon in the width direction of the glass ribbon orthogonal to the direction of travel of the glass ribbon and the temperature at the end of the glass ribbon.
  • Example 1 In the glass substrates of Examples 1 to 18, in the forming process and the slow cooling process, the difference between the temperature at the center of the glass ribbon in the width direction of the glass ribbon and the temperature at the end of the glass ribbon is increased. did. In the glass substrates of Examples 19 to 20, the difference between the temperature at the center of the glass ribbon in the width direction of the glass ribbon and the temperature at the end of the glass ribbon that intersects the direction of travel of the glass ribbon in the forming process and the slow cooling process is shown in Example 1. It was made smaller than that for producing 18 glass substrates.
  • Example 21 in the glass substrate of Example 21, in the forming process and the slow cooling process, the difference between the temperature at the center of the glass ribbon in the width direction of the glass ribbon and the temperature at the end of the glass ribbon that intersects the direction of travel of the glass ribbon is shown in Examples 1-18. It was made larger than when producing a glass substrate. Thickness T (unit: mm), diameter D (unit: inch), area of one main surface (unit: cm 2 ), thickness deviation (unit: ⁇ m), warpage (unit: ⁇ m) ), The deflection amount S (unit: ⁇ m) was measured and shown in Tables 1 and 2. In addition, an inclination angle due to warpage was obtained, and it was shown whether the inclination angle was within a range of 0.0004 to 0.12 °. The values in parentheses in the table are obtained by calculation. The measuring method of each physical property is shown below.
  • the plate thickness of the glass substrate was measured with a spectral interference laser displacement meter (manufactured by Keyence).
  • the diameter of the glass substrate was measured with calipers.
  • the thickness of the glass substrate was measured at intervals of 3 mm with a non-contact laser displacement meter (Nanometro manufactured by Kuroda Seiko Co., Ltd.), and the thickness deviation was calculated.
  • the heights of the two main surfaces of the glass substrate were measured at 3 mm intervals with a non-contact laser displacement meter (Nanometro manufactured by Kuroda Seiko), and the warpage was calculated by the method described with reference to FIG.
  • (Deflection) The amount of deflection was measured by a non-contact laser displacement meter (Nanometro manufactured by Kuroda Seiko Co., Ltd.) by the method described with reference to FIG.
  • the glass substrates of Examples 1 to 18 had a warp of 2 ⁇ m or more and an inclination angle due to the warp was within a range of 0.0004 to 0.12 °. Therefore, the glass substrates of Examples 1 to 18 are less likely to have bubbles in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the glass substrates of Examples 19 to 20 had a warp of less than 2 ⁇ m and an inclination angle due to the warp of less than 0.0004 °. Therefore, in the glass substrates of Examples 19 to 20, bubbles easily enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon.
  • the warp of the glass substrate of Example 21 exceeds 300 ⁇ m. Therefore, the glass substrate of Example 21 has poor compatibility with the substrate containing silicon, and it is difficult to bond the glass substrate and the substrate containing silicon together.
  • a glass substrate in which bubbles do not easily enter in the step of bonding the glass substrate and the substrate containing silicon. Further, it can be suitably used as a supporting glass substrate for a fan-out type wafer level package. Further, it can be suitably used as a glass substrate for image sensors such as MEMS, CMOS, CIS, etc., which is effective in miniaturizing elements by a wafer level package, a glass interposer (GIP) perforated substrate, and a support glass for semiconductor back grinding.
  • GIP glass interposer
  • Substrate 20 Resin 30 Multilayer substrate G1 Glass substrate

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Abstract

本発明はガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくいガラス基板を提供する。本発明は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板が形成されるガラス基板であって、前記ガラス基板の反りが２～３００μｍであり、前記反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であるガラス基板に関する。

Description

ガラス基板、および積層基板
　本発明は、ガラス基板、および積層基板に関する。
　半導体デバイスの分野では、デバイスの集積度が増加される一方、小型化が進んでいる。それに伴い、高集積度を有するデバイスのパッケージング技術への要望が高まっている。これまでの半導体組立工程では、ウェハ状態のガラス基板とシリコンを含む基板とをそれぞれ切断した後に、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板とを貼り合わせて、ダイボンディング、ワイヤーボンディング、およびモールディングなどの一連の組立工程を行っている。
　近年、ウェハ状態で、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる組立工程を行った後に切断を行うウェハレベルパッケージ技術が脚光を浴びている。例えば、特許文献１には、ウェハレベルパッケージに用いる支持ガラス基板が提案されている。
国際公開第２０１５／０３７４７８号
　ウェハレベルパッケージでは、表面が平滑なガラス基板を用いると、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、前記ガラス基板と前記シリコンを含む基板との間の空気が抜けにくく、泡として残りやすい。泡のある部分は、基板同士を接合しにくい。
　そこで、本発明は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくいガラス基板を提供する。
　本発明のガラス基板は、シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板が形成されるガラス基板であって、前記ガラス基板の反りが２～３００μｍであり、前記反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であることを特徴とする。
　また、本発明の積層基板は、上記ガラス基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成されることを特徴とする。
　なお、本明細書において、特に明記しない限りは、ガラス基板およびその製造方法における各成分の含有量は酸化物基準のモル百分率で表す。
　本発明の一態様に係るガラス基板は、反りが２～３００μｍであり、前記反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であるため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、空気を外に出しながら貼り合わせできるために泡が入りにくく、基板同士を接合しやすい。
図１（Ａ）及び（Ｂ）は、シリコンを含む基板と貼り合わせる本発明の一実施形態に係るガラス基板を表し、図１（Ａ）は貼り合わせ前の断面図、図１（Ｂ）は貼り合わせ後の断面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係るガラス基板の断面図である。 図３は、本発明の一実施形態に係るガラス基板の断面図である。 図４（Ａ）及び（Ｂ）は、たわみ量測定装置の本発明の一実施形態に係るガラス基板と支持部材を表し、図４（Ａ）は上面図、図４（Ｂ）は断面図である。
　以下、本発明の一実施形態について図を参照して詳細に説明する。
　図１（Ａ）及び（Ｂ）は、シリコンを含む基板と貼り合わせる、本発明の一実施形態に係るガラス基板の断面図である。図１（Ａ）に表されるガラス基板Ｇ１は、シリコンを含む基板１０と、樹脂２０を間に介して、例えば、雰囲気２００℃～４００℃の温度で貼り合わされ、図１（Ｂ）に表される積層基板３０が得られる。シリコンを含む基板１０として、例えば、ウェハ（例えばシリコンウェハ）、素子が形成されたウェハ、ウェハから素子が切り出されたチップが樹脂にモールドされた基板などが用いられる。樹脂２０は、例えば、２００～４００℃の温度に耐えられるものである。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラス基板として好適である。また、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の穴開け基板、および半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適である。
　図２は、本発明の一実施形態に係るガラス基板Ｇ１の断面図である。「反り」とは、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆの中心を通り、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆに対して直交する任意の断面において、ガラス基板Ｇ１の基準線Ｇ１Ｄとガラス基板Ｇ１の中心線Ｇ１Ｃとの垂直方向の距離の最大値Ｂと最小値Ａとの差Ｃである。
　前記直交する任意の断面とガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆとの交線を、底線Ｇ１Ａとする。前記直交する任意の断面とガラス基板Ｇ１の他の一の主表面Ｇ１Ｇとの交線を、上線Ｇ１Ｂとする。ここで、中心線Ｇ１Ｃは、ガラス基板Ｇ１の板厚方向の中心を結んだ線である。中心線Ｇ１Ｃは、底線Ｇ１Ａと上線Ｇ１Ｂとの後述するレーザ照射の方向に対しての中点を求めることにより算出される。
　基準線Ｇ１Ｄは、以下のように求められる。まず、自重の影響をキャンセルする測定方法のもとに、底線Ｇ１Ａを算出する。該底線Ｇ１Ａから、最小自乗法により直線を求める。求められた直線が、基準線Ｇ１Ｄである。自重による影響をキャンセルする測定方法としては公知の方法が用いられる。
　例えば、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆを３点支持し、レーザ変位計によりガラス基板Ｇ１にレーザを照射し、任意の基準面からの、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆおよび他の一の主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。
　次に、ガラス基板Ｇ１を反転させ、主表面Ｇ１Ｆを支持した３点に対向する主表面Ｇ１Ｇの３点を支持し、任意の基準面からの、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆおよび他の一の主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。
　反転前後における各測定点の高さの平均を求めることで自重による影響がキャンセルされる。例えば、反転前に、上述のとおり、主表面Ｇ１Ｆの高さを測定する。ガラス基板Ｇ１を反転後、主表面Ｇ１Ｆの測定点に対応する位置で、主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。同様に、反転前に、主表面Ｇ１Ｇの高さを測定する。ガラス基板Ｇ１を反転後、主表面Ｇ１Ｇの測定点に対応する位置で、主表面Ｇ１Ｆの高さを測定する。
　反りは、例えば、レーザ変位計により測定される。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、反りが２～３００μｍであることを特徴とする。反りが２μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。反りは４μｍ以上が好ましく、６μｍ以上がより好ましく、８μｍ以上であればさらに好ましい。反りが３００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板との整合性（シリコンを含む基板に対する沿いやすさ）がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが３００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。反りは、２００μｍ以下であることが好ましく、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であればさらに好ましい。
　上記した数値範囲を示す「～」とは、その前後に記載された数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。特段の定めがない限り、以下本明細書においても「～」は、同様の意味をもって使用される。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であることを特徴とする。図３は、本発明の一実施形態に係るガラス基板Ｇ１の断面図であり、図２と同じ断面を表す。
　「反りによる傾斜角度」とは、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆの中心を通り、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆに対して直交する任意の断面において、基準線Ｇ１Ｄと中心線Ｇ１Ｃの接線Ｇ１Ｅとのなす角度θが最大となる角度である。
　反りによる傾斜角度が０．０００４°以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。反りによる傾斜角度は、０．０００８°以上であることが好ましく、０．００１°以上であることがより好ましく、０．００１５°以上であることがさらに好ましい。
　反りによる傾斜角度が０．１２°以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。反りによる傾斜角度は、０．０６°以下であることが好ましく、０．０４°以下であることがより好ましく、０．０２°以下であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、反りＷ（単位：μｍ）と反りによる傾斜角度θＷ（単位：°）との積Ｗ×θＷが０．０００８～３６であることが好ましい。Ｗ×θＷが０．０００８以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。Ｗ×θＷは０．０１以上がより好ましく、０．１以上がさらに好ましい。
　Ｗ×θＷが３６以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。Ｗ×θＷは２０以下が好ましく、１０以下がより好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、一の主表面の面積が７０～２０００ｃｍ２であることが好ましい。ガラス基板の一の主表面の面積が７０ｃｍ２以上であれば、多数のシリコン素子を含む、シリコンを含む基板を配置することができ、ガラス基板とシリコンを含む基板とを積層させる工程において生産性が向上する。一の主表面の面積は８０ｃｍ２以上であることがより好ましく、１７０ｃｍ２以上であることがさらに好ましく、３００ｃｍ２以上であることが特に好ましく、７００ｃｍ２以上であることが最も好ましい。
　一の主表面の面積が２０００ｃｍ２以下であればガラス基板の取り扱いが容易になり、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。一の主表面の面積は、１７００ｃｍ２以下であることがより好ましく、１０００ｃｍ２以下であることがさらに好ましく、８００ｃｍ２以下であることがさらに好ましく、７５０ｃｍ２以下であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板の形状は、円形であることが好ましい。円形であれば、シリコンを含む基板との積層が容易である。特に、円形のシリコンを含む基板との積層が容易である。ここで、円形とは真円に限らず、直径が同一の真円からの寸法差が５０μｍ以下である場合を含む。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、円形に限らず、矩形であってもよいし、ガラス基板の端にノッチがあってもよい。円形の場合、外周の一部が直線であってもよい。矩形であれば、同一面積の円形の場合と比べて、多くの枚数のガラス基板を得ることができる。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、円形である場合において、直径は３インチ以上であることが好ましい。直径が３インチ以上であれば、多数のシリコン素子を含む、シリコンを含む基板を配置することができ、ガラス基板とシリコンを含む基板とを積層させる工程において生産性が向上する。直径は４インチ以上がより好ましく、６インチ以上がより好ましく、８インチ以上がさらに好ましく、１０インチ以上が特に好ましい。
　また、直径は１８インチ以下であることが好ましい。直径が１８インチ以下であれば、ガラス基板の取り扱いが容易になり、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。直径は１３インチ以下がより好ましく、１２．５インチ以下がさらに好ましく、１２．１インチ以下が特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、厚さが２．０ｍｍ以下であることが好ましい。厚さが２．０ｍｍ以下であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせた積層基板を小型（薄型）にすることができる。厚さは、１．５ｍｍ以下であることがより好ましく、１．０ｍｍ以下であることがさらに好ましく、０．８ｍｍ以下であることが特に好ましい。
　また、厚さは、０．１ｍｍ以上であることが好ましい。厚さが０．１ｍｍ以上であれば、シリコンを含む基板や周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。また、ガラス基板の自重たわみを抑えることができる。厚さは、０．２ｍｍ以上であることがより好ましく、０．３ｍｍ以上であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、板厚偏差が１～１５μｍであることが好ましい。板厚偏差が１μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。板厚偏差は、１．５μｍ以上がより好ましく、２μｍ以上がさらに好ましい。板厚偏差が１５μｍ以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。板厚偏差は、１２μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、５μｍ以下が特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、面積が大きいと反りが大きくなりやすい。本発明の一実施形態のガラス基板は、直径１２インチの円形である場合において、反りは４～３００μｍであることが好ましい。直径１２インチの円形で反りが４μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。直径１２インチの円形である場合において、反りは、６μｍ以上が好ましく、８μｍ以上がより好ましく、１０μｍ以上であればさらに好ましい。
　また、直径１２インチの円形であるガラス基板において反りは３００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが３００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。直径１２インチの円形のガラス基板において、反りは２００μｍ以下がより好ましく、１００μｍ以下がさらに好ましく、５０μｍ以下であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、直径８インチの円形である場合において、反りは３～２００μｍであることが好ましい。直径８インチの円形で反りが３μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。直径８インチの円形で反りは、４μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、６μｍ以上であればさらに好ましい。
　また、直径８インチの円形であるガラス基板において、反りは２００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが２００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。直径８インチの円形のガラス基板において、反りは１００μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましく、４０μｍ以下であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、直径６インチの円形である場合において、反りは２～１００μｍであることが好ましい。直径６インチの円形で反りが２μｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。直径６インチの円形で反りは、３μｍ以上が好ましく、４μｍ以上がより好ましく、５μｍ以上であればさらに好ましい。
　また、直径６インチの円形であるガラス基板において、反りは１００μｍ以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、反りが１００μｍ以下であれば、研磨したときに割れにくい。直径６インチの円形のガラス基板において、反りは５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、円形である場合において、反りＷ（単位：μｍ）を直径Ｄ（単位：インチ）で除した値Ｗ／Ｄは０．３３～２５であることが好ましい。Ｗ／Ｄが０．３３以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。Ｗ／Ｄは０．４以上であることがより好ましく、０．６以上であることがさらに好ましく、０．８以上であることが特に好ましい。
　また、Ｗ／Ｄが２５以下であれば、シリコンを含む基板と整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。また、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いた場合に、Ｗ／Ｄが２５以下であれば、研磨したときに割れにくい。Ｗ／Ｄは２０以下であることがより好ましく、１０以下であることがさらに好ましく、５以下であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ヤング率が６５ＧＰａ以上であることが好ましい。ヤング率が６５ＧＰａ以上であれば、ガラス基板を製造する際の徐冷工程において発生するガラス基板の反りや割れを抑制することができる。また、シリコンを含む基板等との接触による破損を抑制することができる。ヤング率は７０ＧＰａ以上であることがより好ましく、７５ＧＰａ以上であることがさらに好ましく、８０ＧＰａ以上であることが特に好ましい。
　また、ヤング率は、１００ＧＰａ以下であることが好ましい。ヤング率が１００ＧＰａ以下であれば、ガラスが脆くなることを抑制し、ガラス基板の切削、ダイシング時の欠けを抑えることができる。ヤング率は９０ＧＰａ以下であることがより好ましく、８７ＧＰａ以下であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の一の主表面に直交し、一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、上記一の主表面の重心を通り上記断面と上記一の主表面とに直交する断面が凸形であることが好ましい。具体的には、一の主表面上に、任意の直交するＸＹ軸を設ける。Ｘ軸に沿ってガラスを切断した時の断面は凹型であり、Ｙ軸に沿った断面は凸型であることが好ましい。そのような形状であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。ガラス基板を製造する成形工程および徐冷工程において、ガラスリボンの板厚方向の温度差を大きくすることにより、そのような形状にしやすい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の一の主表面に直交し、一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、上記一の主表面の重心を通り上記断面と上記一の主表面とに直交する断面が凹形であることが好ましい。具体的には、一の主表面上に、任意の直交するＸＹ軸を設ける。Ｘ軸に沿ってガラスを切断した時の断面は凹型であり、Ｙ軸に沿った断面は凹型であることが好ましい。そのような形状であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。ガラス基板を製造する成形工程および徐冷工程において、ガラスリボンの板厚方向の温度差を小さくすることにより、そのような形状にしやすい。
　図４（Ａ）は、たわみ量測定装置１００を表した上面図であり、図４（Ｂ）は、たわみ量測定装置１００を表した断面図である。図４（Ａ）、図４（Ｂ）は、たわみ量測定装置１００を構成する支持部材１１０が、ガラス基板Ｇ１を支持した状態を表している。たわみ量Ｓは、ガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆの４点を支持部材１１０により支持したときの、支持部材１１０の上面の高さレベルＪ（支持部材１１０の上面とガラス基板Ｇ１の一の主表面Ｇ１Ｆとの接触点）からの主表面Ｇ１Ｆの鉛直方向の変化量の最大値Ｖである。支持する４点は、ガラス基板Ｇ１の端からの距離Ｅが１０ｍｍ、かつ、ガラス基板Ｇ１の他の一の主表面Ｇ１Ｇの中心Ｆを通る線への垂線の距離Ｈが３０ｍｍの位置である。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板のたわみ量をＳ（単位：ｍｍ）、ガラス基板の厚さをＴ（単位：ｍｍ）としたときに、Ｓ×Ｔ３が０．０００１～６であることが好ましい。Ｓ×Ｔ３が０．０００１以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。Ｓ×Ｔ３は０．０００５以上であることがより好ましく、０．００１以上であることがさらに好ましい。
　また、Ｓ×Ｔ３は６以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。Ｓ×Ｔ３は１以下であることがより好ましく、０．１以下がさらに好ましく、０．０１以下であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、たわみ量が０．１～５ｍｍであることが好ましい。たわみ量が０．１ｍｍ以上であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。たわみ量は０．２ｍｍ以上であることがより好ましく、０．３ｍｍ以上であることがさらに好ましく、０．５ｍｍ以上であることが特に好ましい。
　また、たわみ量が５ｍｍ以下であれば、シリコンを含む基板との整合性がよいため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしやすい。たわみ量は３ｍｍ以下がより好ましく、２ｍｍ以下がさらに好ましく、１ｍｍ以下であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３０～１２０（×１０－７／℃）であることが好ましい。シリコンを含む基板とガラス基板とを貼り合わせるには、熱処理工程を必要とする。熱処理工程では、例えば、２００℃～４００℃の温度でシリコンを含む基板とガラス基板とを貼り合わせた積層基板を室温まで降温させる。このとき、ガラス基板とシリコンを含む基板の熱膨張係数に差があると、熱膨張の違いによりシリコンを含む基板に大きな残留歪（残留変形）が発生する原因となる。
　また、本発明の一実施形態のガラス基板は、ファンアウト型のウェハレベルパッケージとして用いる場合は、ガラス基板上にシリコンを含む基板が積層され、ガラス基板およびシリコンを含む基板に接するように樹脂が形成される。このような場合、樹脂の熱膨張係数も、残留歪の発生原因となる。５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３０～１２０（×１０－７／℃）であれば、シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程で、シリコンを含む基板に発生する残留歪を小さくすることができる。
　ここで、５０℃～３５０℃の平均熱膨張係数とは、ＪＩＳ　Ｒ３１０２（１９９５年）で規定されている方法で測定した、熱膨張係数を測定する温度範囲が５０℃～３５０℃である平均熱膨張係数である。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３０～５０（×１０－７／℃）であれば、熱処理工程でシリコンを含む基板に発生する残留ひずみが小さい。５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３１～５０（×１０－７／℃）であってもよく、３２～４０（×１０－７／℃）であってもよく、３２～３６（×１０－７／℃）であってもよく、３４～３６（×１０－７／℃）であってもよい。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が５０～８０（×１０－７／℃）であれば、熱処理工程でシリコンを含む基板と樹脂に発生する残留ひずみが小さい。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が８０～１２０（×１０－７／℃）であれば、樹脂や配線に発生する残留ひずみが小さい。
　５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数は８５～１００（×１０－７／℃）であってもよく、９０～９５（×１０－７／℃）であってもよい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス基板の主表面に遮光膜が形成されることが好ましい。ガラス基板の主表面に遮光膜が形成されることで、ガラス基板や積層基板の検査工程において、ガラス基板や積層基板の位置を検出しやすい。位置はガラス基板や積層基板に光を照射することによる反射光で特定される。ガラス基板は光を透過しやすいため、ガラス基板の主表面に遮光膜を形成することにより反射光が強くなり、位置を検出しやすい。遮光膜はＴｉを含むことが好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、下記の組成であることが好ましい。
　　　ＳｉＯ２　：５０～７５％、
　　　Ａｌ２Ｏ３　：０～１６％、
　　　Ｂ２Ｏ３　　：０～１５％、
　　　ＭｇＯ　　：０～１８％、
　　　ＣａＯ　　：０～１３％、
　　　ＳｒＯ　　：０～１１％、
　　　ＢａＯ　　：０～１５％、
　　　Ｎａ２Ｏ　　：０～１７％、
　　　Ｋ２Ｏ　　：０～１５％
　ＳｉＯ２はガラスの骨格を形成する成分である。ＳｉＯ２の含有量が５０％以上であれば、耐熱性、化学的耐久性、耐候性が良好となる。また、ＳｉＯ２の含有量が５０％以上であれば、積層基板３０からガラス基板Ｇ１を剥離した後に行う、洗浄やリサイクル処理としてのエッチング処理がしやすい。
　ＳｉＯ２の含有量が７５％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。ＳｉＯ２の含有量は、６０～７０％がより好ましく、６４～６８％がさらに好ましい。
　Ａｌ２Ｏ３は必須成分ではないが、含有することにより耐候性、耐熱性、化学的耐久性が良好となり、ヤング率が高くなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量が１６％以下であれば、ガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、３～１４％がより好ましく、６～１４％がさらに好ましい。
　Ｂ２Ｏ３は必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、失透しにくくなる。Ｂ２Ｏ３の含有量が１５％以下であれば、ガラス転移温度を高くすることができ、ヤング率が高くなる。Ｂ２Ｏ３の含有量は、０～１２％がより好ましく、３～６％がさらに好ましい。
　ＭｇＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上し、ヤング率が高くなる。ＭｇＯの含有量が、１８％以下であれば、失透しにくくなる。ＭｇＯの含有量は、０～１０％がより好ましく、４～９．５％がさらに好ましく、６～９％が特に好ましい。
　ＣａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＣａＯの含有量が１３％以下であれば、失透しにくくなる。ＣａＯの含有量は、０～１０％がより好ましく、４～８％がさらに好ましい。
　ＳｒＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＳｒＯの含有量が１１％以下であれば、失透しにくくなる。ＳｒＯの含有量は、０～８％がより好ましく、０．５～３％がさらに好ましい。
　ＢａＯは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となり、耐候性が向上する。ＢａＯの含有量が１５％以下であれば、失透しにくくなる。ＢａＯの含有量は、０～９．５％がより好ましく、０～３％がさらに好ましい。
　Ｎａ２Ｏは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。Ｎａ２Ｏの含有量が１７％以下であれば、耐候性が向上する。Ｎａ２Ｏの含有量は、１５％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。
　シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコンを含む基板に拡散しないようにするためには、Ｎａ２Ｏを実質的に含まないことが好ましい。ここで、Ｎａ２Ｏを実質的に含まないとは、Ｎａ２Ｏを全く含まないこと、またはＮａ２Ｏを製造上不可避的に混入した不純物として含んでいてもよいことを意味する。
　Ｋ２Ｏは必須成分ではないが、含有することによりガラス溶解時の粘性が高くなり過ぎずに溶融性が良好となる。Ｋ２Ｏの含有量が１５％以下であれば、耐候性が向上する。Ｋ２Ｏの含有量は、１３％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。
　シリコンを含む基板とガラス基板を貼り合わせる熱処理工程において、アルカリイオンがシリコンを含む基板に拡散しないようにするためには、Ｋ２Ｏを実質的に含まないことが好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が、７％以上であることが好ましい。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量が７％以上であれば、失透しにくくなる。ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯの合計含有量は７．５％以上であることがより好ましく、８．０％以上であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、清澄剤としてＳｎＯ２、ＳＯ３、Ｃｌ、およびＦなどを含有させてもよい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、耐候性、溶解性、失透性、紫外線遮蔽、赤外線遮蔽、紫外線透過、赤外線透過等の改善のために、ＺｎＯ、Ｌｉ２Ｏ、ＷＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｖ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３、ＭｏＯ３、Ｐ２Ｏ５、Ｇａ２Ｏ３、Ｉ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ５、Ｇｅ２Ｏ５等を含有させてもよい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、化学的耐久性向上のため、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２を合量で２％以下含有させてもよく、好ましくは１％以下、より好ましくは０．５％以下で含有させる。これらのうちＹ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３およびＴｉＯ２は、ガラスのヤング率向上にも寄与する。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、環境負荷を考慮すると、Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３を実質的に含有しないことが好ましい。また、安定してフロート成形することを考慮すると、ＺｎＯを実質的に含有しないことが好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、β－ＯＨが０．０５～０．６５ｍｍ－１であることが好ましい。β－ＯＨは本発明の一実施形態のガラス基板の中の水分含有量を示す指標であり、β－ＯＨを０．０５ｍｍ－１以上にすることによって、清澄性を向上させることができる。β－ＯＨを０．６５ｍｍ－１以下にすることによって、耐熱性を高めることができる。
　β－ＯＨは、０．１～０．５５ｍｍ－１がより好ましく、０．１５～０．５ｍｍ－１がさらに好ましく、０．１７～０．４５ｍｍ－１が特に好ましい。
　ここで、β－ＯＨは、以下の式により求められた値である。
　　β－ＯＨ（ｍｍ－１）＝－ｌｏｇ１０（Ｔ３５００ｃｍ－１／Ｔ４０００ｃｍ－１）／ｔ
　上記式において、Ｔ３５００ｃｍ－１は、波数（ｗａｖｅ　ｎｕｍｂｅｒ）３５００ｃｍ－１の透過率（％）であり、Ｔ４０００ｃｍ－１は、波数４０００ｃｍ－１の透過率（％）であり、ｔは、ガラス基板の厚さ（ｍｍ）である。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。密度が２．６０ｇ／ｃｍ３以下であれば、ガラス基板が軽量である。また、ガラス基板の自重によるたわみを低減することができる。密度は２．５５ｇ／ｃｍ３以下であることがより好ましく、２．５０ｇ／ｃｍ３以下であることがさらに好ましい。
　密度は、２．２０ｇ／ｃｍ３以上であることが好ましい。密度が２．２０ｇ／ｃｍ３以上であれば、ガラスのビッカース硬度が高くなり、ガラス表面に傷をつき難くすることができる。密度は２．３０ｇ／ｃｍ３以上であることがより好ましく、２．４０ｇ／ｃｍ３以上であることがさらに好ましく、２．４５ｇ／ｃｍ３以上であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、ガラス転移点（以下、Ｔｇとも記す）が７００℃以上であることが好ましい。Ｔｇが７００℃以上であれば、熱処理工程でガラス基板の寸法変化を少なく抑えることができる。Ｔｇは７２０℃以上であることがより好ましく、７４０℃以上であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、波長２５０ｎｍの透過率が１０％以上であることが好ましい。紫外線がガラス基板を通して樹脂に照射されることにより、ガラス基板が積層基板から剥離される。ガラス基板における波長２５０ｎｍの透過率が１０％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。ガラス基板における波長２５０ｎｍの透過率は１５％以上であることがより好ましく、２０％以上であることがさらに好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、波長３００ｎｍの透過率が４５％以上であることが好ましい。ガラス基板における波長３００ｎｍの透過率が４５％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。ガラス基板における波長３００ｎｍの透過率は５０％以上であることがより好ましく、５５％以上であることがさらに好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、波長３５０ｎｍの透過率が４５％以上であることが好ましい。ガラス基板における波長３５０ｎｍの透過率が４５％以上であれば、樹脂に照射される紫外線が多くなり、ガラス基板が積層基板から容易に剥離される。波長３５０ｎｍの透過率は５０％以上であることがより好ましく、５５％以上であることがさらに好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、径２００μｍ以上の泡や異物などの欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることが好ましい。径２００μｍ以上の欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であれば、貼り合わせる工程で照射する光が遮られず、ボンディングしやすい。径２００μｍ以上の欠点は２ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることがより好ましく、径２００μｍ以上の欠点はないことが特に好ましい。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、径２０μｍ以上の泡や異物などの欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることが好ましい。径２０μｍ以上の欠点が１０ｐｃｓ／ｃｍ２以下であれば、ボンディング工程で照射する光が遮られず、ボンディングしやすい。径２０μｍ以上の欠点は２ｐｃｓ／ｃｍ２以下であることがより好ましく、径２０μｍ以上の欠点はないことが特に好ましい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、上記ガラス基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成される。上記ガラス基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成されるため、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、厚さが０．５～３ｍｍであることが好ましい。厚さが０．５ｍｍ以上であれば、周辺部材等との接触による破損を抑制することができる。厚さは、１．０ｍｍ以上がより好ましく、１．３ｍｍ以上がさらに好ましい。厚さが３ｍｍ以下であれば、小型化できる。厚さは、２．５ｍｍ以下がより好ましく、２．０ｍｍ以下がさらに好ましい。
　本発明の一実施形態の積層基板は、ガラス基板が２枚以上積層された積層基板（以下、ガラス積層基板とも記す）とシリコンを含む基板とが積層されて形成されてもよい。本発明の一実施形態の積層基板を、例えば、半導体バックグラインド用のサポートガラスとして用いる場合において、ガラス基板が１枚であればガラス基板を研磨することにより、ガラス基板の厚さ（積層基板の厚さ）を調整する。本発明の一実施形態の積層基板が、ガラス積層基板とシリコンを含む基板とが積層されて形成されていれば、ガラス基板を研磨しなくてもガラス積層基板からガラス基板を剥離することによって、積層基板全体の厚さを調整することができる。
　また、任意の厚さのガラス基板のたわみ量は、該ガラス基板の半分の厚さのガラス基板を２枚積層したガラス積層基板のたわみ量よりも大きい。ガラス基板の厚さとガラス基板の積層枚数を調整することにより、ガラス積層基板のたわみ量を調整することができる。
　本発明の一実施形態の積層基板は、積層基板において、ガラス基板の反りが２００μｍ以下であることが好ましい。積層基板において、ガラス基板の反りが２００μｍ以下であれば、積層基板を搬送しやすい。積層基板において、ガラス基板の反りは、１００μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であればさらに好ましい。積層基板におけるガラス基板の反りは、上記したガラス基板単体の反りと同様の方法によって求められる。ガラス基板の面を３点支持するときは、ガラス基板の面からレーザを照射させる。
　次に、本発明の一実施形態のガラス基板の製造方法について説明する。
　本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、溶解、清澄、成形、および徐冷工程を経る。
　溶解工程は、得られるガラス板の組成となるように原料を調製し、原料を溶解炉に連続的に投入し、好ましくは１４５０～１６５０℃程度に加熱して溶融ガラスを得る。
　原料には酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、場合により塩化物などのハロゲン化物なども使用できる。溶解や清澄工程で溶融ガラスが白金と接触する工程がある場合、微小な白金粒子が溶融ガラス中に溶出し、得られるガラス板中に異物として混入してしまう場合があるが、硝酸塩原料の使用はこの白金異物の溶出を防止する効果がある。
　硝酸塩としては、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウムなどを使用できる。硝酸ストロンチウムを使用することがより好ましい。
　原料粒度も溶け残りが生じない程度の数百ミクロンの大きな粒径の原料から、原料搬送時の飛散が生じない、二次粒子として凝集しない程度の数ミクロン程度の小さな粒径の原料まで適宜使用できる。造粒体の使用も可能である。含水量、β－ＯＨ、Ｆｅの酸化還元度またはレドックス［Ｆｅ２＋／（Ｆｅ２＋＋Ｆｅ３＋）］などの溶解条件も適宜調整、使用できる。
　清澄工程は、上記溶解工程で得られた溶融ガラスから泡を除く工程である。清澄工程としては、減圧による脱泡法を適用してもよい。また、本発明におけるガラス基板は、清澄剤としてＳＯ３やＳｎＯ２を用いることができる。
　ＳＯ３源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種の元素の硫酸塩であることが好ましく、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属の硫酸塩であることがより好ましく、中でも、ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＳｒＳＯ４、ＢａＳＯ４およびＮａ２ＳＯ４が、泡を大きくする作用が著しく、特に好ましい。
　減圧による脱泡法における清澄剤としてはＣｌやＦなどのハロゲンを使用するのが好ましい。Ｃｌ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種の元素の塩化物であることが好ましく、アルカリ土類金属あるいはアルカリ金属の塩化物であることがより好ましく、中でも、ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ、ＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ、およびＮａＣｌが、泡を大きくする作用が著しく、かつ潮解性が小さいため、特に好ましい。
　Ｆ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種の元素のフッ化物であることが好ましく、アルカリ土類金属のフッ化物であることがより好ましく、中でも、ＣａＦ２がガラス原料の溶解性を大きくする作用が著しく、特に好ましい。
　成形工程として、溶融ガラスを溶融金属上に流して板状にしてガラスリボンを得るフロート法が適用される。
　徐冷工程として、ガラスリボンを徐冷し、ガラス板に切り出した後、所定の形状、大きさに切断することで本発明の一実施形態のガラス基板を得る。
　本発明の一実施形態のガラス基板は、例えば、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の徐冷速度とガラスリボン端部の徐冷速度との差を大きくすることにより、反りや反りによる傾斜角度を大きくすることができる。
　徐冷速度の調整により、反りを２～３００μｍ、反りによる傾斜角度を０．０００４～０．１２°とすることができる。また、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボンの局所的な冷却や、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を大きくすることにより、反りや反りによる傾斜角度を大きくすることができる。
　以上説明した本実施形態のガラス基板にあっては、反りが２～３００μｍであり、反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。
　本発明は上記実施形態に限定されない。本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良等は本発明に含まれる。
　例えば、本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、成形工程で、フュージョン法やロールアウト法、プレス成形法などを適用して溶融ガラスを板状にしてもよい。
　また、本発明の一実施形態のガラス基板を製造する場合、白金坩堝を用いてもよい。白金坩堝を用いた場合、溶解工程は、ガラス基板の目標組成となるように原料を調製し、原料を入れた白金坩堝を電気炉に投入し、好ましくは１４５０～１６５０℃程度に加熱して白金スターラーを挿入し１～３時間撹拌し溶融ガラスを得る。
　成形工程は、溶融ガラスを例えばカーボン板状に流し出し板状にする。徐冷工程は、板状のガラスを室温状態まで徐冷し、切断後、ガラス基板を得る。
　以下、実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されない。
　例１～１８は実施例であり、例１９～２１は比較例である。表１、２に示すガラス組成（目標組成）となるように珪砂等の各種のガラス原料を調合し、目標組成の原料１００％に対し、酸化物基準の質量百分率表示で、硫酸塩をＳＯ３換算で０．０１～１％、Ｆを０．１６％、Ｃｌを１％添加し、白金坩堝を用いて１５５０～１６５０℃の温度で３時間加熱し溶融した。溶融にあたっては、白金スターラーを挿入し１時間攪拌しガラスの均質化を行った。次いで溶融ガラスをカーボン板状に流し出して板状に成形した後、板状のガラスをＴｇ＋５０℃程度の温度の電気炉に入れ、冷却速度Ｒ（℃／分）で電気炉を降温させ、ガラスが室温になるまで冷却した。
　得られたガラスの密度（単位：ｇ／ｃｍ３）、平均熱膨張係数（単位：×１０－７／℃）、ガラス転移点Ｔｇ（単位：℃）、ヤング率（単位：ＧＰａ）、Ｔ２（単位：℃）、およびＴ４（単位：℃）、失透温度（単位：℃）、透過率（単位：％）を測定し、表１、２に示した。なお、表中のかっこ書きした値は、計算により求めたものである。ガラス中のＦｅ２Ｏ３残存量は５０～２００ｐｐｍ、ＳＯ３残存量は１０～５００ｐｐｍであった。以下に各物性の測定方法を示す。
　（平均熱膨張係数）
　ＪＩＳ　Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて５０～３５０℃の平均熱膨張係数を測定した。
　（ガラス転移点Ｔｇ）
　ＪＩＳ　Ｒ３１０３－３（２００１年）に規定されている方法に従い、ＴＭＡを用いて測定した。
　（密度）
　泡を含まない約２０ｇのガラス塊をアルキメデス法によって測定した。
　（ヤング率）
　厚さ０．５～１０ｍｍのガラスについて、超音波パルス法により測定した。
　（Ｔ２）
　回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０２ｄＰａ・ｓとなるときの温度Ｔ２（℃）を測定した。
　（Ｔ４）
　回転粘度計を用いて粘度を測定し、１０４ｄＰａ・ｓとなるときの温度Ｔ４（℃）を測定した。
　（失透温度）
　ガラスの失透温度は、白金製皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の光学顕微鏡観察によって、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。
　（透過率）
　得られたガラスを厚さ１ｍｍに鏡面研磨し、波長３００ｎｍにおける透過率を分光光度計により測定した。
　次に、表１、２に示すガラス組成となるように珪砂等の各種のガラス原料を調合し、目標組成の原料１００％に対し、酸化物基準の質量百分率表示で、硫酸塩をＳＯ３換算で０．０１～１％、ガラス溶融装置を用いて１５５０～１６５０℃の温度で溶融し、脱泡、均質化を行った。次いで溶融ガラスを板状に成形、徐冷し、切断した。さらに、表１、２に示す直径となるように円形に切断し、ガラス基板を得た。成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度を調整することにより、反りや傾斜角度を調整した。
　例１～１８のガラス基板にあっては、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を大きくした。
　例１９～２０のガラス基板にあっては、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に交わるガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を例１～１８のガラス基板を作製するときよりも小さくした。
　例２１のガラス基板にあっては、成形工程および徐冷工程において、ガラスリボン進行方向に交わるガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度との差を例１～１８のガラス基板を作製するときよりも大きくした。
　得られたガラス基板の厚さＴ（単位：ｍｍ）、直径Ｄ（単位：インチ）、一の主表面の面積（単位：ｃｍ２）、板厚偏差（単位：μｍ）、反り（単位：μｍ）、たわみ量Ｓ（単位：μｍ）を測定し、表１、２に示した。また、反りによる傾斜角度を求め、該傾斜角度が０．０００４～０．１２°の範囲内にあるかを示した。なお、表中のかっこ書きした値は、計算により求めたものである。以下に各物性の測定方法を示す。
　（厚さ）
　ガラス基板の板厚を分光干渉レーザ変位計（キーエンス製）により測定した。
　（直径）
　ガラス基板の直径をノギスにより測定した。
　（面積）
　ガラス基板の一の主表面を非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により１ｍｍ間隔で測定し、面積を算出した。
　（板厚偏差）
　ガラス基板の板厚を非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により３ｍｍ間隔で測定し、板厚偏差を算出した。
　（反り）
　ガラス基板の２つの主表面の高さを非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により３ｍｍ間隔で測定し、上記図２を用いて説明した方法により反りを算出した。
　（たわみ量）
　非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により上記図４を用いて説明した方法によりたわみ量を測定した。
　（反りによる傾斜角度）
　ガラス基板の２つの主表面の高さを非接触レーザ変位計（黒田精工製ナノメトロ）により３ｍｍ間隔で測定し、上記図３を用いて説明した方法により傾斜角度を算出した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　例１～１８のガラス基板は、反りが２μｍ以上で、反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°の範囲内であった。したがって、例１～１８のガラス基板は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくい。
　例１９～２０のガラス基板は、反りが２μｍ未満で、反りによる傾斜角度が０．０００４°未満であった。したがって、例１９～２０のガラス基板は、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りやすい。
　例２１のガラス基板は、反りが３００μｍを超える。したがって、例２１のガラス基板は、シリコンを含む基板との整合性が悪く、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせしにくい。
　本発明を特定の態様を用いて詳細に説明したが、本発明の意図と範囲を離れることなく様々な変更および変形が可能であることは、当業者にとって明らかである。なお本出願は、２０１５年５月２８日付で出願された日本特許出願（特願２０１５－１０９２００）に基づいており、その全体が引用により援用される。
　本発明によれば、ガラス基板とシリコンを含む基板とを貼り合わせる工程において、泡が入りにくいガラス基板を提供できる。また、ファンアウト型のウェハレベルパッケージ用の支持ガラス基板として好適に利用できる。また、ウェハレベルパッケージによる素子の小型化が有効なＭＥＭＳ、ＣＭＯＳ、ＣＩＳ等のイメージセンサ用のガラス基板、ガラスインターポーザ（ＧＩＰ）の穴開け基板、および半導体バックグラインド用のサポートガラスとして好適に利用できる。
１０　基板
２０　樹脂
３０　積層基板
Ｇ１　ガラス基板

Claims (14)

  1. 　シリコンを含む基板と積層されることにより積層基板が形成されるガラス基板であって、前記ガラス基板の反りが２～３００μｍであり、前記反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であるガラス基板。
  2. 　前記ガラス基板の一の主表面の面積が７０～２０００ｃｍ２である請求項１に記載のガラス基板。
  3. 　前記ガラス基板の形状が円形である請求項１または２に記載のガラス基板。
  4. 　前記ガラス基板のヤング率が６５ＧＰａ以上である請求項１～３のいずれか１項に記載のガラス基板。
  5. 　前記ガラス基板の一の主表面に直交し、前記一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、前記一の主表面の重心を通り前記断面と前記一の主表面とに直交する断面が凸形である請求項１～４のいずれか１項に記載のガラス基板。
  6. 　前記ガラス基板の一の主表面に直交し、前記一の主表面の重心を通る断面の形状が凹形であり、前記一の主表面の重心を通り前記断面と前記一の主表面とに直交する断面が凹形である請求項５に記載のガラス基板。
  7. 　前記ガラス基板が、酸化物基準のモル百分率表示で
    　　　ＳｉＯ２　：５０～７５％、
    　　　Ａｌ２Ｏ３　：０～１６％、
    　　　Ｂ２Ｏ３　　：０～１５％、
    　　　ＭｇＯ　　：０～１８％、
    　　　ＣａＯ　　：０～１３％、
    　　　ＳｒＯ　　：０～１１％、
    　　　ＢａＯ　　：０～１５％、
    　　　Ｎａ２Ｏ　　：０～１７％、
    　　　Ｋ２Ｏ　　：０～１５％
    を含む請求項１～６のいずれか１項に記載のガラス基板。
  8. 　前記ガラス基板のβ－ＯＨが０．０５～０．６５ｍｍ－１である請求項１～７のいずれか１項に記載のガラス基板。
  9. 　前記ガラス基板の板厚偏差が１～１５μｍである請求項１～８のいずれか１項に記載のガラス基板。
  10. 　前記ガラス基板の５０℃～３５０℃での平均熱膨張係数が３０～１２０（×１０－７／℃）である請求項１～９のいずれか１項に記載のガラス基板。
  11. 　前記ガラス基板の主表面に遮光膜が形成される請求項１～１０のいずれか１項に記載のガラス基板。
  12. 　請求項１～１１のいずれか１項に記載のガラス基板とシリコンを含む基板とが積層された積層基板。
  13. 　前記ガラス基板が２枚以上積層された請求項１２に記載の積層基板。
  14. 　前記積層基板において、前記ガラス基板の反りが２００μｍ以下である請求項１２または１３に記載の積層基板。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018188336A (ja) * 2017-05-08 2018-11-29 Ａｇｃ株式会社 積層ガラス、積層基板および積層基板の製造方法
WO2019021911A1 (ja) * 2017-07-26 2019-01-31 Ａｇｃ株式会社 半導体パッケージ用支持ガラス
WO2019151316A1 (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 Ａｇｃ株式会社 光学ガラスおよび光学部品
KR20190120323A (ko) * 2017-02-28 2019-10-23 코닝 인코포레이티드 내 스크래치성 필름 및 그 제조방법
JP2019199400A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ 電子部品における板ガラスの使用
JPWO2019021672A1 (ja) * 2017-07-26 2020-05-28 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
JPWO2019151321A1 (ja) * 2018-01-31 2021-01-28 Ａｇｃ株式会社 反射防止膜付ガラス基板及び光学部品
WO2021019654A1 (ja) * 2019-07-29 2021-02-04 Ａｇｃ株式会社 支持ガラス基板
JP2021514921A (ja) * 2018-02-22 2021-06-17 コーニング インコーポレイテッド Ｈｆエッチング後に低い粗さを有する無アルカリホウケイ酸塩ガラス
WO2022215628A1 (ja) * 2021-04-06 2022-10-13 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板の製造方法及びガラス基板
WO2023026770A1 (ja) * 2021-08-24 2023-03-02 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板、積層体、積層体の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP2023169966A (ja) * 2022-05-18 2023-12-01 トヨタ自動車株式会社 固体電池
JP2024038064A (ja) * 2018-05-18 2024-03-19 ショット アクチエンゲゼルシャフト 板ガラス、その製造方法およびその使用

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102651767B1 (ko) * 2015-05-28 2024-03-28 에이지씨 가부시키가이샤 유리 기판 및 적층 기판
WO2018051987A1 (ja) * 2016-09-16 2018-03-22 旭硝子株式会社 ガラス基板、および積層基板
CN111741936B (zh) * 2018-12-21 2023-05-05 Ａｇｃ株式会社 层叠体和层叠体的制造方法
JP7540440B2 (ja) * 2019-07-25 2024-08-27 Ａｇｃ株式会社 積層部材
JP7537434B2 (ja) * 2019-07-25 2024-08-21 Ａｇｃ株式会社 積層部材
EP4038456A4 (en) * 2019-10-01 2023-11-01 Corning Incorporated METHOD FOR PRODUCING GLASS-POLYMER STACKS FOR HOLOGRAPHIC OPTICAL STRUCTURE
US20230212061A1 (en) * 2020-05-28 2023-07-06 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Support glass substrate and laminated substrate using same
WO2021251247A1 (ja) * 2020-06-10 2021-12-16 Ａｇｃ株式会社 積層部材
WO2022030390A1 (ja) * 2020-08-06 2022-02-10 Ａｇｃ株式会社 積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法
TW202237395A (zh) * 2021-01-20 2022-10-01 日商Ａｇｃ股份有限公司 積層構件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014025068A2 (ja) * 2012-08-09 2014-02-13 日本電気硝子株式会社 強化ガラスの製造方法及び強化ガラス基板
WO2015037478A1 (ja) * 2013-09-12 2015-03-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4420024C2 (de) * 1994-06-09 1996-05-30 Heraeus Quarzglas Halbzeug in Form eines Verbundkörpers für ein elektronisches oder opto-elektronisches Halbleiterbauelement
US5937312A (en) * 1995-03-23 1999-08-10 Sibond L.L.C. Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator wafers
KR100303111B1 (ko) * 1995-07-19 2001-12-17 순페이 야마자끼 반도체 장치 제조 방법 및 제조 장치
JP4051805B2 (ja) * 1999-03-25 2008-02-27 旭硝子株式会社 露光装置およびフォトマスク
US20020127821A1 (en) * 2000-12-28 2002-09-12 Kazuyuki Ohya Process for the production of thinned wafer
US7176528B2 (en) * 2003-02-18 2007-02-13 Corning Incorporated Glass-based SOI structures
JPWO2004090967A1 (ja) * 2003-04-02 2006-07-06 株式会社Sumco 半導体ウェーハ用熱処理治具
US20050233548A1 (en) * 2003-07-23 2005-10-20 Kazuhisa Arai Method for fabricating semiconductor wafer
JP4416108B2 (ja) * 2003-11-17 2010-02-17 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの製造方法
US20060179879A1 (en) * 2004-12-29 2006-08-17 Ellison Adam J G Adjusting expansivity in doped silica glasses
KR20080113192A (ko) * 2006-03-27 2008-12-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리 제조 방법
WO2008125543A2 (en) * 2007-04-17 2008-10-23 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method for reducing the thickness of substrates
US8263497B2 (en) * 2009-01-13 2012-09-11 International Business Machines Corporation High-yield method of exposing and contacting through-silicon vias
JPWO2010087483A1 (ja) * 2009-02-02 2012-08-02 旭硝子株式会社 半導体デバイス部材用ガラス基板および半導体デバイス部材用ガラス基板の製造方法
WO2010119792A1 (ja) * 2009-04-15 2010-10-21 住友電気工業株式会社 基板、薄膜付き基板、半導体装置、および半導体装置の製造方法
JP2011044426A (ja) * 2009-07-24 2011-03-03 Nippon Electric Glass Co Ltd 太陽電池用導電膜付ガラス基板
KR20120046735A (ko) * 2009-08-07 2012-05-10 아사히 가라스 가부시키가이샤 광학 부재용 합성 석영 유리
JP5761025B2 (ja) * 2009-10-19 2015-08-12 旭硝子株式会社 基板用ガラス板、その製造方法およびｔｆｔパネルの製造方法
JP5656080B2 (ja) * 2010-03-23 2015-01-21 日本電気硝子株式会社 ガラス基板の製造方法
US9227295B2 (en) * 2011-05-27 2016-01-05 Corning Incorporated Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer
JP5887946B2 (ja) * 2012-01-18 2016-03-16 旭硝子株式会社 電子デバイスの製造方法、およびガラス積層体の製造方法
US8901576B2 (en) * 2012-01-18 2014-12-02 International Business Machines Corporation Silicon photonics wafer using standard silicon-on-insulator processes through substrate removal or transfer
KR102027957B1 (ko) * 2012-04-27 2019-10-02 에이지씨 가부시키가이샤 무알칼리 유리 및 그의 제조 방법
US20140127857A1 (en) * 2012-11-07 2014-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Carrier Wafers, Methods of Manufacture Thereof, and Packaging Methods
CN105121371A (zh) * 2013-04-29 2015-12-02 康宁公司 光伏模块封装
WO2014181790A1 (ja) * 2013-05-07 2014-11-13 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルム積層体
CN113929298A (zh) * 2015-05-18 2022-01-14 日本电气硝子株式会社 无碱玻璃基板
KR102651767B1 (ko) * 2015-05-28 2024-03-28 에이지씨 가부시키가이샤 유리 기판 및 적층 기판

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014025068A2 (ja) * 2012-08-09 2014-02-13 日本電気硝子株式会社 強化ガラスの製造方法及び強化ガラス基板
WO2015037478A1 (ja) * 2013-09-12 2015-03-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020510549A (ja) * 2017-02-28 2020-04-09 コーニング インコーポレイテッド 耐引掻性フイルムおよびその製造方法
KR102535815B1 (ko) * 2017-02-28 2023-05-24 코닝 인코포레이티드 내 스크래치성 필름 및 그 제조방법
KR20190120323A (ko) * 2017-02-28 2019-10-23 코닝 인코포레이티드 내 스크래치성 필름 및 그 제조방법
JP2018188336A (ja) * 2017-05-08 2018-11-29 Ａｇｃ株式会社 積層ガラス、積層基板および積層基板の製造方法
JP2024153929A (ja) * 2017-07-26 2024-10-29 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
JP7538483B2 (ja) 2017-07-26 2024-08-22 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
JP2023076509A (ja) * 2017-07-26 2023-06-01 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
JPWO2019021672A1 (ja) * 2017-07-26 2020-05-28 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
JPWO2019021911A1 (ja) * 2017-07-26 2020-07-30 Ａｇｃ株式会社 半導体パッケージ用支持ガラス
CN110944953A (zh) * 2017-07-26 2020-03-31 Ａｇｃ株式会社 半导体封装用支承玻璃
WO2019021911A1 (ja) * 2017-07-26 2019-01-31 Ａｇｃ株式会社 半導体パッケージ用支持ガラス
JP7265224B2 (ja) 2017-07-26 2023-04-26 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板
JPWO2019151321A1 (ja) * 2018-01-31 2021-01-28 Ａｇｃ株式会社 反射防止膜付ガラス基板及び光学部品
EP3747841A4 (en) * 2018-01-31 2021-10-27 Agc Inc. GLASS SUBSTRATE WITH AN ANTIREFLEX LAYER AND OPTICAL COMPONENT
WO2019151316A1 (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 Ａｇｃ株式会社 光学ガラスおよび光学部品
JP7222360B2 (ja) 2018-01-31 2023-02-15 Ａｇｃ株式会社 反射防止膜付ガラス基板及び光学部品
US11964904B2 (en) 2018-01-31 2024-04-23 AGC Inc. Glass substrate with antireflection film, and optical member
JPWO2019151316A1 (ja) * 2018-01-31 2021-01-28 Ａｇｃ株式会社 光学ガラスおよび光学部品
JP2021514921A (ja) * 2018-02-22 2021-06-17 コーニング インコーポレイテッド Ｈｆエッチング後に低い粗さを有する無アルカリホウケイ酸塩ガラス
JP7489318B2 (ja) 2018-02-22 2024-05-23 コーニング インコーポレイテッド Ｈｆエッチング後に低い粗さを有する無アルカリホウケイ酸塩ガラス
JP2024038064A (ja) * 2018-05-18 2024-03-19 ショット アクチエンゲゼルシャフト 板ガラス、その製造方法およびその使用
JP7522540B2 (ja) 2018-05-18 2024-07-25 ショット アクチエンゲゼルシャフト 電子部品における板ガラスの使用
JP7650344B2 (ja) 2018-05-18 2025-03-24 ショット アクチエンゲゼルシャフト 板ガラス、その製造方法およびその使用
JP2019199400A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ 電子部品における板ガラスの使用
CN114222722A (zh) * 2019-07-29 2022-03-22 Ａｇｃ株式会社 支承玻璃基板
CN114222722B (zh) * 2019-07-29 2024-02-23 Ａｇｃ株式会社 支承玻璃基板
US11021389B2 (en) 2019-07-29 2021-06-01 AGC Inc. Supporting glass substrate
JP2021020840A (ja) * 2019-07-29 2021-02-18 Ａｇｃ株式会社 支持ガラス基板
WO2021019654A1 (ja) * 2019-07-29 2021-02-04 Ａｇｃ株式会社 支持ガラス基板
JPWO2022215628A1 (ja) * 2021-04-06 2022-10-13
WO2022215628A1 (ja) * 2021-04-06 2022-10-13 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板の製造方法及びガラス基板
JP7719339B2 (ja) 2021-04-06 2025-08-06 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板の製造方法及びガラス基板
WO2023026770A1 (ja) * 2021-08-24 2023-03-02 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板、積層体、積層体の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP2023169966A (ja) * 2022-05-18 2023-12-01 トヨタ自動車株式会社 固体電池
JP7586139B2 (ja) 2022-05-18 2024-11-19 トヨタ自動車株式会社 固体電池

Also Published As

Publication number Publication date
TW202142516A (zh) 2021-11-16
CN107614452A (zh) 2018-01-19
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JP6601493B2 (ja) 2019-11-06
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KR20230044547A (ko) 2023-04-04
US11114356B2 (en) 2021-09-07

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