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WO2016181646A1 - 金属化フィルムコンデンサ - Google Patents

金属化フィルムコンデンサ Download PDF

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Publication number
WO2016181646A1
WO2016181646A1 PCT/JP2016/002283 JP2016002283W WO2016181646A1 WO 2016181646 A1 WO2016181646 A1 WO 2016181646A1 JP 2016002283 W JP2016002283 W JP 2016002283W WO 2016181646 A1 WO2016181646 A1 WO 2016181646A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
electrode
slit
aluminum
metallized film
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2016/002283
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正仁 佐野
喜也 永田
田中 哲夫
小川 一夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to DE112016002158.5T priority Critical patent/DE112016002158T5/de
Priority to US15/553,255 priority patent/US10083794B2/en
Priority to CN201680016372.0A priority patent/CN107408456B/zh
Priority to JP2017517612A priority patent/JP6748851B2/ja
Publication of WO2016181646A1 publication Critical patent/WO2016181646A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/015Special provisions for self-healing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/008Selection of materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/14Organic dielectrics
    • H01G4/18Organic dielectrics of synthetic material, e.g. derivatives of cellulose
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/228Terminals
    • H01G4/252Terminals the terminals being coated on the capacitive element
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02TCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO TRANSPORTATION
    • Y02T10/00Road transport of goods or passengers
    • Y02T10/60Other road transportation technologies with climate change mitigation effect
    • Y02T10/70Energy storage systems for electromobility, e.g. batteries

Definitions

  • the present invention relates to a metallized film capacitor used for various electronic equipment, electrical equipment, industrial equipment, automobile electrical equipment and the like.
  • Metallized film capacitors are generally classified into those using metal foil as an electrode and those using vapor-deposited metal provided on a dielectric film as an electrode.
  • the metalized film capacitor which uses the metal vapor deposition electrode which consists of vapor deposition metal as an electrode has a small volume which an electrode occupies compared with what uses metal foil, and can achieve weight reduction.
  • the metal deposition electrode is evaporated and scattered by the short circuit energy to insulate and insulate, and the function of the capacitor is restored. High reliability against breakdown due to recovery performance. For these reasons, metal vapor deposition electrodes have been widely used.
  • FIG. 10 is a top view of the metallized film 100 used in the metallized film capacitor disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. 10 is a top view of the metallized film 100 used in the metallized film capacitor disclosed in Patent Document 1.
  • the metallized film 100 includes a dielectric film 101 and a metal vapor-deposited electrode 102 formed by vapor-depositing metal on the surface of the dielectric film 101.
  • the metal vapor deposition electrode 102 is divided into a non-divided electrode portion 104 and a divided electrode portion 106 by a slit 103 extending in the longitudinal direction of the dielectric film 101 (left and right direction in FIG. 10).
  • the inside of the divided electrode unit 106 is divided into a plurality of small divided electrode units 105.
  • the non-divided electrode portion 104 and the divided electrode portion 106 are electrically connected by a fuse 107 provided in the slit 103.
  • the adjacent subdivided electrode portions 105 are electrically connected to each other by a fuse 108.
  • the fuse 107 or the fuse 108 is cut by the current flowing into the small divided electrode part 105.
  • the subdivided electrode portion 105 including the insulation defect portion is electrically disconnected, and defects such as a short circuit of the metallized film capacitor can be prevented in advance.
  • the conventional metallized film capacitor realizes the self-safety function by the fuse 107 and the fuse 108 provided in the metallized film 100.
  • Patent Document 2 discloses a metallized film capacitor using an aluminum core zinc layer.
  • the metallized film capacitor includes a dielectric film, a first metal film electrode provided on the surface of the dielectric film, and a second metal film electrode facing the first metal film electrode through the dielectric film.
  • the first metal film electrode is connected to the first large electrode portion and the second large electrode portion provided in the slit, the first large electrode portion and the second large electrode portion separated from each other by the slit. Fuse.
  • the first metal film electrode has an aluminum part containing substantially only aluminum and an aluminum core zinc part mainly containing zinc and further containing aluminum.
  • the aluminum core zinc part is disposed at least around the fuse.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of a metallized film capacitor according to Embodiment 1.
  • FIG. 1B is a plan view of a metallized film of the metallized film capacitor in Embodiment 1.
  • FIG. 2 is a plan view of another metallized film in the first embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view of a metallized film of the metallized film capacitor according to the second embodiment.
  • FIG. 4 is a plan view of a metallized film of the metallized film capacitor according to the third embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view of another metallized film of the metallized film capacitor according to the third embodiment.
  • FIG. 6 is a plan view of still another metallized film of the metallized film capacitor according to the third embodiment.
  • FIG. 7 is a plan view of a metallized film of the metallized film capacitor according to the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view of another metallized film of the metallized film capacitor according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9 is a plan view of the metallized film of the metallized film capacitor according to the fifth embodiment.
  • FIG. 10 is a plan view of a metallized film of a conventional metallized film capacitor.
  • FIG. 1A is a cross-sectional view of the metallized film capacitor 1 in Embodiment 1, and conceptually shows the structure of the metallized film capacitor 1.
  • the metallized film capacitor 1 includes a capacitor element 91 and external electrodes 4 a and 4 b provided on both end faces 91 a and 91 b of the capacitor element 91.
  • Capacitor element 91 includes metallized film 2 and metallized film 3 stacked on metallized film 2.
  • the metallized films 2 and 3 are wound.
  • the external electrodes 4a and 4b are metallicon electrodes.
  • FIG. 1B is a plan view of the metallized film 2.
  • the metallized film 2 has a dielectric film 5 and a metal film electrode 6 provided on the surface 5 a of the dielectric film 5.
  • a polypropylene film having a thickness of 2.8 ⁇ m is used.
  • a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a polyphenyl sulfide film, a polystyrene film, or the like having an appropriate thickness may be used. Further, the thickness may be changed as appropriate.
  • the metal film electrode 6 has an aluminum portion 6a substantially made of aluminum and an aluminum core zinc portion 6b mainly containing zinc and further containing aluminum.
  • the aluminum portion 6 a is formed by evaporating a vapor deposition material formed of aluminum to scatter aluminum metal vapor and depositing the metal vapor on the surface 5 a of the dielectric film 5.
  • the aluminum part 6a in Embodiment 1 is formed of the vapor deposition material formed with aluminum, it is substantially made of only aluminum, that is, the component constituting the aluminum part 6a is of course the largest proportion of aluminum. Occupy.
  • the aluminum portion 6a is formed using a vapor deposition material formed of aluminum. However, for example, a small amount of metal other than aluminum such as magnesium may be added to the vapor deposition material. Further, the aluminum portion 6a may contain a small amount of impurities other than aluminum or a metal added intentionally.
  • the aluminum portion 6a may be formed by simultaneously depositing a plurality of vapor deposition materials. That is, a small amount of metal other than aluminum and aluminum may be vaporized at the same time to form the aluminum portion 6a with a plurality of metal vapors including aluminum metal vapor. However, even in this case, it is necessary to appropriately adjust the amount of each vapor deposition material so that aluminum accounts for the largest proportion of the components constituting the aluminum portion 6a.
  • End portions 5c and 5d opposite to each other in the width direction D1 of the dielectric film 5 constitute end portions 2c and 2d opposite to each other in the width direction D1 of the metallized film 2, respectively.
  • the metallized films 2 and 3 overlapped with each other are wound in a longitudinal direction D2 perpendicular to the width direction D1 around a winding axis extending in the width direction D1.
  • An insulating margin 7 where the metal film electrode 6 does not exist is provided at the end 2 d of the metallized film 2.
  • the surface 5 a of the dielectric film 5 is exposed from the metal film electrode 6.
  • the insulation margin 7 ensures insulation between the metal film electrode 6 and the external electrode 4b.
  • the metallized film 3 has the same configuration as the metallized film 2. That is, the metallized film 3 includes the dielectric film 8 and the metal film electrode 9 having the same configuration as the dielectric film 5 and the metal film electrode 6 of the metallized film 2, respectively. Therefore, the metal film electrode 9 has an aluminum part and an aluminum core zinc part.
  • the metallized film 3 is provided with an insulation margin 10 similar to the insulation margin 7 of the metallized film 2.
  • the capacitor element 91 is formed by overlappingly winding the metallized film 2 and the metallized film 3 so as to be slightly shifted along the winding axis extending in the width direction D1. At this time, the metallized films 2 and 3 are wound with the respective insulation margin 7 and the insulation margin 10 disposed so as to be opposite to each other in the width direction D1.
  • the metallized film capacitor 1 is completed by spraying zinc on both ends of the capacitor element 91 thus produced in the width direction D1 to form the external electrodes 4a and 4b. As shown in FIG. 1A, the metal film electrode 6 of the metallized film 2 is not in contact with the external electrode 4b by the insulation margin 7.
  • the metal film electrode 9 of the metallized film 3 is not in contact with the external electrode 4 a due to the insulation margin 10.
  • condenser element 91 of the metallized film capacitor 1 in Embodiment 1 although the metallized films 2 and 3 are wound, you may laminate
  • the metal film electrode 9 is shown in FIG. 1A apart from the surface 5b opposite to the surface 5a of the dielectric film 5 of the metallized film 3. Actually, the metallized film 3 is in contact with the surface 5 b of the dielectric film 5.
  • the metallized film capacitor 1 has one of the metal film electrode 6 of the metallized film 2 and the metal film electrode 9 of the metallized film 3 functioning as a positive electrode and the other functioning as a negative electrode. Specifically, when the metallized film capacitor 1 is connected to an external device, of the metal film electrode 6 and the metal film electrode 9, the metal film electrode connected to the positive electrode side of the external device functions as a positive electrode. The metal film electrode connected to the negative electrode side of the device functions as a negative electrode.
  • the structure of the metallized film 2 and the metallized film 3 will be described in detail with a focus on the aluminum core zinc part 6b.
  • the metallized film 3 has the same configuration as that of the metallized film 2, only the configuration of the metallized film 2 will be described below.
  • the metal film electrode 6 formed on the surface of the dielectric film 5 has an aluminum portion 6a and an aluminum core zinc portion 6b.
  • the aluminum core zinc portion 6b is electrically continuous with the aluminum portion 6a.
  • the aluminum core zinc part 6b is formed by evaporating a deposition material formed of zinc on a core made of aluminum.
  • an aluminum layer having the same components as the aluminum part 6a is formed at the same time as the aluminum part 6a at the position where the aluminum core zinc part 6b is disposed, and then the aluminum layer is overlaid with zinc. Formed by vapor deposition.
  • an aluminum layer is once formed on substantially the entire surface of the surface 5a of the dielectric film 5 where the metal film electrode 6 is to be formed, zinc is deposited and deposited only at a predetermined position, so that aluminum is formed at the predetermined position.
  • a nuclear zinc portion 6b is disposed.
  • the metal film electrode 6 in which the aluminum portion 6a is disposed at a portion other than the predetermined position is completed.
  • the aluminum core zinc portion 6b is formed by further overlapping the zinc layer on the aluminum layer.
  • the aluminum and zinc are passed over time. Move between the aluminum layer and the zinc layer by diffusion or the like, and are mixed.
  • the portion of the aluminum core zinc portion 6b that contacts the dielectric film 5 contains a relatively large amount of aluminum, and the opposite portion of the dielectric film 5 contains a larger amount of zinc. Therefore, the aluminum core zinc portion 6b is not clearly divided into an aluminum layer and a zinc layer.
  • FIG. 1A in order to show the structure of the metallized film 2 simply, the boundary between the aluminum part 6a and the aluminum core zinc part 6b is clearly shown, but in actuality, between the aluminum part 6a and the aluminum core zinc part 6b. However, each component moves to each other by diffusion or the like. Therefore, in reality, the boundary between the aluminum portion 6a and the aluminum core zinc portion 6b is not always clearly shown.
  • the aluminum layer for forming the aluminum portion 6a and the aluminum core zinc portion 6b only the portion of the aluminum layer where the aluminum core zinc portion 6b is formed may be locally thinner than the other portions. .
  • the supply rate of the aluminum vapor deposition material that is, the rate of feeding the aluminum wire is slowed down to reduce the amount of aluminum metal particles generated per unit time. The method of doing is mentioned.
  • the aluminum layer may be formed thin by other methods.
  • the aluminum core zinc part 6b is also formed with zinc and aluminum which are metals, it functions as an electrode of the metallized film capacitor 1 similarly to the aluminum part 6a.
  • the slit 12 is a portion where the metal film electrode 6 does not exist and the surface 5 a of the dielectric film 5 is exposed from the metal film electrode 6.
  • oil is applied in advance to the positions where the slits 12 on the dielectric film 5 are to be formed, and the metal particles of the vapor deposition material adhere to the positions during the vapor deposition step. By preventing it, the slit 12 is formed.
  • the metal film electrode 6 is divided into three large electrode portions 13 arranged in the width direction D1 of the dielectric film 5 by the slit 12.
  • Each of the three large electrode portions 13 is divided into a plurality of small electrode portions 15 by slits 14 arranged in the width direction D1 of the dielectric film 5.
  • the slit 14 is formed by applying oil to the dielectric film 5 before the vapor deposition step.
  • the metallized film 2 has three large electrode portions 13, but may have two large electrode portions 13, or four or more large electrode portions 13.
  • the small electrode portion 15 has a rectangular shape, but is not limited thereto, and may have another shape such as a rhombus.
  • the plurality of small electrode portions 15 need not have the same shape, and may have different shapes.
  • the fuse 16 provided in the slit 12 electrically connects the large electrode portions 13 adjacent to each other. More precisely, among the plurality of small electrode portions 15 constituting each of the large electrode portions 13, the small electrode portions 15 adjacent to each other in the width direction D1 are electrically connected by the fuse 16.
  • the oil for forming the slit 12 is not applied to the portion where the fuse 16 is provided in the portion where the slit 12 is formed, and the fuse 16 is formed by attaching metal particles to the portion in the vapor deposition process.
  • the aluminum core zinc portion 6b is provided around the fuse 16 as shown in FIGS. 1A and 1B. As shown in FIG. 1B, the aluminum core zinc portion 6 b may be provided in the fuse 16. Specifically, as shown in FIG. 1B, the aluminum core zinc portions 6b are provided on both sides of the slit 12 so as to face the slit 12 and extend straight along the slit 12 in the longitudinal direction D2. In Embodiment 1, the aluminum core zinc part 6b is formed in the range of about 2 mm from both ends of the slit 12.
  • Aluminum is used as the material of the metal deposition electrode 102 of the conventional metallized film capacitor disclosed in Patent Document 1.
  • a metallized film capacitor using aluminum as the metal vapor deposition electrode 102 is a commercial power source such as AC 100V for general household appliances, or a circuit before smoothing of a single-phase rectifier circuit of an inverter, that is, between voltage waveform peaks.
  • a circuit having a large potential difference Vp ⁇ p so-called “electrode receding”, in which oxidation is generated and promoted particularly from the end portion of the metal deposition electrode 102 due to corona discharge, may result in a decrease in capacity.
  • the capacity is likely to decrease due to electrode retreat.
  • the metallized film capacitor 1 can suppress the capacity reduction by the aluminum core zinc portion 6b.
  • the aluminum core zinc portion 6b provided in the periphery of the fuse 16 contains zinc that is not easily oxidized. Therefore, electrode receding does not easily occur and progress in the portion of the metal film electrode 6 around the fuse 16 provided with the aluminum core zinc portion 6b. As a result, it is possible to prevent the fuse 16 from being cut due to electrode retreat, and to suppress a decrease in capacity. Therefore, the metallized film capacitor 1 can maintain characteristics over a long period of time and is excellent in reliability.
  • the entire metal film electrode is composed of an aluminum core zinc layer. Since zinc has a higher ionization tendency than aluminum, it reacts with external moisture and oxygen and is easily oxidized. When zinc is oxidized, the film resistance value of the entire metal film electrode increases and tan ⁇ may increase. Therefore, it is not preferable to use zinc over the entire metal film electrode. Also, since zinc is inferior in self-healing performance compared to aluminum, if zinc is used for the entire metal film electrode, the high self-healing performance of aluminum cannot be fully utilized, and the reliability as a metallized film capacitor is reduced. There is a risk that.
  • an aluminum core zinc portion 6 b is selectively disposed in a part of the metal film electrode 6. For this reason, the metallized film capacitor 1 can suppress the capacity
  • the aluminum core zinc portions 6 b are provided on both sides of the slit 12 along the slit 12.
  • the electrode retraction of the metal film electrode 6 occurs not only in the peripheral portion of the fuse 16 but also in the peripheral portion of the slit 12.
  • aluminum core zinc parts 6 b are provided on both sides of the slit 12 to suppress electrode retreat in the metal film electrode 6 around the slit 12. Therefore, the metallized film capacitor 1 according to the first embodiment can further suppress the capacity reduction.
  • a method for producing the metallized film 2 having the aluminum core zinc portion 6b provided along the slit 12 will be briefly described below. In the following description, the entire process for producing the metallized film 2 is not described, but only the process of forming the aluminum core zinc portion 6b along the slit 12 will be described.
  • an aluminum layer is formed on the surface 5a of the dielectric film 5 by continuously conveying the dielectric film 5 in the longitudinal direction D2 over the vapor port from which the metal vapor of aluminum is released. .
  • the aluminum core zinc part 6b is formed by spraying the metal vapor
  • An aluminum portion 6a is formed in a portion of the aluminum layer other than a predetermined position where zinc metal vapor is sprayed.
  • a steam port for discharging the metal vapor of zinc at a position corresponding to the slit 12.
  • zinc metal vapor is continuously discharged from the vapor port, and this metal vapor is sprayed onto the aluminum layer, whereby the aluminum core zinc portion 6b can be formed along the slit 12.
  • FIG. 2 is a plan view of another metallized film 71 of the metallized film capacitor 1 according to the first embodiment.
  • the same reference numerals are assigned to the same parts as those of the metallized film 2 shown in FIG. 1A.
  • the aluminum core zinc portion 6 b faces the slits 12 and 14 and is disposed along the slits 12 and 14.
  • Electrode retraction also occurs at the metal film electrode 6 portions on both sides of the slit 14.
  • the capacity reduction of the metallized film capacitor 1 can be further suppressed.
  • the manufacturing method of arranging the aluminum core zinc portion 6b along the slit 12 is the same as the manufacturing method described above. Further, in order to form the aluminum core zinc portion 6 b along the slit 14, first, another vapor port of zinc having a width equal to the length of the slit 14 is prepared, and the vapor is aligned with the position of the slit 14. Place the mouth. When the dielectric film 5 is transported in the longitudinal direction D2, the shutter of the steam port is opened when the slit 14 passes through the upper part of the steam port, and the shutter of the steam port is closed at other times. By depositing zinc on the dielectric film 5 continuously conveyed while repeating the opening and closing operation of the shutter, the aluminum core zinc portion 6 b can be selectively disposed along the slit 14.
  • both the metallized film 2 and the metallized film 3 have the aluminum nucleus zinc part 6b, it is not restricted to this, either of the metallized films 2 and 3
  • the aluminum core zinc portion 6b may be formed only on one metallized film 2.
  • FIG. 3 is a plan view of the metallized film 21 of the metallized film capacitor according to the second embodiment.
  • the same reference numerals are given to the same portions as those of the metallized film 2 in Embodiment 1 shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the metallized film capacitor in the second embodiment differs from the metallized film capacitor 1 in the first embodiment in the position of the aluminum core zinc portion 6b.
  • the metallized film 3 has the same configuration as the metallized film 21.
  • the metallized film 21 is provided with an aluminum core zinc portion 6 b only around the fuse 16.
  • the aluminum core zinc portion 6 b is provided only in the fuse 16 and a substantially circular portion centering on the fuse 16.
  • the aluminum core zinc portion 6 b is provided only in the periphery of the fuse 16 and the fuse 16 that cause this significant capacity reduction, and is provided along the slit 12 and the slit 14. It is not done.
  • the portion where the aluminum core zinc portion 6b is disposed is limited only to the fuse 16 and the periphery of the fuse 16 which are the main causes of the capacity reduction of the metallized film capacitor.
  • the proportion of aluminum on 5 is as large as possible. Therefore, the metallized film capacitor according to Embodiment 2 further effectively has the high self-healing performance of aluminum.
  • the zinc vapor port shutter provided at a position corresponding to the position of the fuse 16 is opened and closed when the fuse 16 passes in the zinc vapor deposition process. To do.
  • FIG. 4 is a plan view of the metallized film 31 of the metallized film capacitor according to the third embodiment.
  • the same reference numerals are assigned to the same parts as those of the metallized film 2 in the first embodiment shown in FIGS. 1A and 1B.
  • the metallized film 3 has the same configuration as the metallized film 31.
  • the metallized film 31 in the third embodiment has a metal film electrode 34 provided on the surface 5a of the dielectric film 5 instead of the metal film electrode 6 of the metallized film 2 in the first embodiment.
  • a slit 33 is provided at the approximate center in the width direction D ⁇ b> 1 of the dielectric film 5.
  • the metal film electrode 34 is divided into a non-divided electrode portion 35 and a divided electrode portion 36 arranged in the width direction D 1 of the dielectric film 5.
  • the non-divided electrode portion 35 is disposed continuously in the longitudinal direction D2 of the dielectric film 5, and has a long side extending in the longitudinal direction D2 and a short side extending in the width direction D1.
  • the non-divided electrode portion 35 is in direct contact with the external electrode 4a. Therefore, the current flowing from the external device to the metallized film capacitor first flows into the non-divided electrode portion 35 via the external electrode 4a.
  • the divided electrode portion 36 is divided into a plurality of small electrode portions 39 in a grid pattern by two slits 37 extending straight in the longitudinal direction D2 and a plurality of slits 38 extending straight in the width direction D1. Is done.
  • Each of the plurality of small electrode portions 39 has a rectangular shape.
  • the plurality of small electrode portions 39 are arranged via the slits 38 that are straight in the longitudinal direction D2. Three columns each composed of a plurality of small electrode portions 39 and separated by the slits 37 are arranged in the width direction D1.
  • each of the plurality of small electrode portions 39 has a rectangular shape, but may have another shape such as a rhombus.
  • the plurality of small electrode portions 39 need not have the same shape, and may have different shapes.
  • three rows each composed of a plurality of small electrode portions 39 arranged in the longitudinal direction D2 are arranged in the width direction D1, but not limited to this, a plurality of rows arranged in the longitudinal direction D2 are arranged.
  • Two rows each composed of the small electrode portions 39 may be arranged in the width direction D1, or four or more rows each composed of a plurality of small electrode portions 39 arranged in the longitudinal direction D2 are arranged in the width direction D1. May be.
  • the non-divided electrode part 35 and the divided electrode part 36 are electrically connected through fuses 40 provided in the plurality of slits 33. Specifically, among the plurality of small electrode portions 39 in each of the plurality of rows constituting the divided electrode portion 36, the small electrode portion 39 constituting the row closest to the non-divided electrode portion 35 is the non-divided electrode portion 35.
  • the fuse 40 is connected.
  • the small electrode portions 39 adjacent to each other in the width direction D1 are connected to each other by a fuse 41 provided in the slit 37.
  • the current flowing from the external device to the metallized film capacitor first flows into the non-divided electrode portion 35 and then flows through the fuse 40 to the small electrode portion 39 in the row closest to the non-divided electrode portion 35. Then, the current flowing through the small electrode portions 39 in the column closest to the non-divided electrode portion 35 finally flows into the small electrode portions 39 in the column farthest from the non-divided electrode portion 35 through the fuse 41.
  • the aluminum core zinc portion 34 b is disposed in the fuse 40 and the periphery of the fuse 40.
  • the slit 33 is provided on the both sides of the slit 33 so as to face the slit 33 and to extend straight along the slit 33 in the longitudinal direction D2.
  • the aluminum core zinc part 34b is arrange
  • the aluminum portion 34a is disposed in a portion of the metal film electrode 34 other than the aluminum core zinc portion 34b, that is, a portion other than the portion including both ends of the slit 33 between the non-divided electrode portion 35 and the divided electrode portion 36.
  • the aluminum part 34a and the aluminum core zinc part 34b have the same structure as the aluminum part 6a and the aluminum core zinc part 6b in the first embodiment.
  • the metallized film capacitor using the metallized film 31 according to the third embodiment can prevent the fuse 40 from being cut by suppressing electrode receding in the vicinity of the fuse 40, and can suppress a decrease in capacitance. it can.
  • the non-divided electrode portion 35 occupies substantially half the area of the surface 5a of the dielectric film 5, and the slit 33 is formed at the approximate center in the width direction D1 of the surface 5a of the dielectric film 5. Is provided. In this configuration, when two metallized films are overlaid to form a capacitor element, the respective slits 33 of the metallized film overlap each other or are located very close to each other.
  • the fuses 40 arranged in the slits 33 of the two metallized films have a high density of current flowing together, and are likely to generate heat. Therefore, the capacitor element according to the third embodiment has a remarkable temperature rise at the central portion, and oxidation degradation is easily promoted at this location. That is, as shown in FIG. 4, in the metallized film 31 in which the slit 33 and the fuse 40 are arranged at the approximate center in the width direction D1 of the dielectric film 5, electrode retraction around the fuse 40 is suppressed, and the fuse 40 is It is particularly important to keep the initial state as much as possible, and the selective provision of the aluminum core zinc portion 34b is particularly useful for the metallized film 31 of the third embodiment.
  • the aluminum core zinc portion 34 b is provided on both sides of the slit 33 along the slit 33. Therefore, the electrode retreat of the metal film electrode 34 around the slit 33 can be suppressed, and the capacity reduction can be further suppressed.
  • the method similar to the method of forming the aluminum nucleus zinc part 6b along the slit 12 of the metallized film 2 in Embodiment 1 is used. Can do.
  • FIG. 5 is a plan view of another metallized film 31a according to the third embodiment.
  • the same reference numerals are assigned to the same portions as those of the metallized film 31 shown in FIG.
  • the aluminum core zinc portion 34 b faces the slit 33 and is provided along the slit 33, and further faces the slit 37 and is provided along the slit 37.
  • FIG. 6 is a plan view of still another metallized film 31b according to the third embodiment.
  • the aluminum core zinc portion 34 b is provided along the slits 33, 37, 38 so as to face the slit 33, the slit 37, and the slit 38.
  • electrode receding at the metal film electrode 34 at both ends of the slit 38 can also be suppressed, and the capacity reduction of the metallized film capacitor in the third embodiment can be further suppressed.
  • the same method as the method for forming the aluminum core zinc portion 6b along the slit 14 of the metallized film 2 in the first embodiment is used. Can do.
  • the slit 33 is provided in the approximate center of the dielectric film 5 in the width direction D1, and the area of approximately half of the surface 5a of the dielectric film 5 is divided into electrode portions. 36 occupies. Not only this but the position which provides the slit 33 may be changed, and the area which the division
  • FIG. 7 is a plan view of a metallized film 51 used in the metallized film capacitor according to the fourth embodiment.
  • the same reference numerals are assigned to the same portions as those of the metallized film 31 in the third embodiment shown in FIG.
  • the positions where the metallized film 31 according to the third embodiment and the aluminum core zinc portion 34b are provided are different.
  • the metallized film 3 (FIG. 1A) has the same configuration as the metallized film 51.
  • the metallized film 51 is provided with the aluminum core zinc part 34b only in the fuse 40 and the periphery of the fuse 40.
  • the aluminum core zinc portion 34 b is provided in a substantially circular portion centering on the fuse 40.
  • the aluminum core zinc portion 34 b is provided only in the fuse 40 that causes a significant capacity reduction, and the aluminum core zinc portion 34 b is provided along the slit 33, the slit 37, and the slit 38.
  • the formation of the aluminum core zinc portion 34b is limited only to the position that is the main cause of the decrease in the capacitance of the metallized film capacitor, and the proportion of aluminum on the dielectric film 5 is increased as much as possible, so A metallized film capacitor having effective recovery performance is obtained.
  • the amount of current flowing in depending on the fuse 40 may locally increase. If the thickness is reduced due to electrode retraction, the fuse 40 is easily cut, and as a result, the capacity is reduced. Therefore, keeping the fuse 40 in the initial state is important for the metallized film 51 having the electrode pattern in the fourth embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view of another metallized film 51a according to the fourth embodiment.
  • the aluminum core zinc portion 34 b is provided on the fuse 40 and the periphery of the fuse 40, and further provided on the fuse 41 and the periphery of the fuse 41. With this configuration, it is possible to suppress electrode retraction generated in the fuse 41.
  • FIG. 9 is a plan view of a metallized film 61 used in the metallized film capacitor according to the fifth embodiment.
  • the same reference numerals are assigned to the same portions as those of the metallized film 31 in the third embodiment shown in FIG.
  • the other metallized film 3 has the same configuration as that of the metallized film 61.
  • the metallized film 61 in the fifth embodiment has a metal film electrode 62 provided on the surface 5a of the dielectric film 5 instead of the metal film electrode 34 of the metallized film 31 in the third embodiment.
  • the metal film electrode 62 has the same structure as the non-divided electrode part 35, the divided electrode part 36, the slits 33, 37, 38 and the fuses 40, 41 of the metal film electrode 34 of the metallized film 31 in the third embodiment.
  • the divided electrode portion 64, the divided electrode portion 63, slits 66, 68, and 69 and fuses 65 and 65a are provided.
  • the fuse 65 connects the divided electrode portion 63 and the non-divided electrode portion 64.
  • the entire divided electrode portion 63 is formed of the aluminum core zinc portion 62b among the divided electrode portion 63 and the non-divided electrode portion 64 of the metal film electrode 62. More specifically, an aluminum core zinc portion 62 b is formed at the end along the slit 66 facing the slit 66 of the divided electrode portion 63, the fuse 65, and the non-divided electrode portion 64.
  • the end portion along the slit 66 of the non-divided electrode portion 64 is a region extending from the left end of the slit 66 shown in FIG. 9 to about 2 mm and extending straight along the slit 66 in the longitudinal direction D2.
  • the portion other than the end portion along the slit 66 of the non-divided electrode portion 64 is constituted by an aluminum portion 62a substantially made of only aluminum.
  • the slit 66, the slit 68, and the slit 69 are each surrounded by the aluminum core zinc portion 62b, and the aluminum core zinc portion 62b is disposed in all the portions where the electrode retreat may occur.
  • the electrode retreat of the metallized film 61 can be generally suppressed, and the capacity reduction of the metallized film capacitor can be suppressed.
  • the vapor port is adjusted so that the metal vapor of zinc is emitted to the portion where the aluminum core zinc portion 62b is provided, that is, approximately half of the width direction D1.
  • the aluminum core zinc part 62b of the metallized film 61 in the fifth embodiment can be formed by continuously spraying a metal vapor of zinc on a portion corresponding to substantially half of the width direction D1. Therefore, it is not necessary to control the opening / closing of the deposition port shutter with high accuracy, and the deposition apparatus can be controlled relatively easily. Therefore, the metallized film capacitor in Embodiment 5 has high productivity. Moreover, the dispersion
  • a pair of metallized films having metal film electrodes formed on only one surface 5a of the dielectric film 5 are overlaid.
  • a metallized film capacitor may be constituted using the double-sided metallized film which formed the metal film electrode in each of both surfaces 5a and 5b of dielectric film 5.
  • This metallized film capacitor is manufactured by winding a double-sided metallized film together with a laminated film for insulating opposing metal film electrodes.
  • the aluminum core zinc part is disposed on the metal film electrodes on both surfaces or one of the surfaces of the double-sided metallized film.
  • the metallized film capacitor according to the present invention can maintain characteristics over a long period of time and has excellent reliability, it is useful for electronic and electrical equipment in a wide range of fields such as for automobile electrical equipment.

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Abstract

金属化フィルムコンデンサは、誘電体フィルムと、誘電体フィルムの表面に設けられた第1の金属膜電極と、誘電体フィルムを介して第1の金属膜電極に対向する第2の金属膜電極とを有する。第1の金属膜電極は、スリットにより互いに分離された第1の大電極部と第2の大電極部と、スリットに設けられて第1の大電極部と第2の大電極部とに接続されたヒューズとを有する。第1の金属膜電極は、実質的にアルミニウムのみを含有するアルミニウム部と、亜鉛を主に含有してアルミニウムをさらに含有するアルミニウム核亜鉛部とを有する。アルミニウム核亜鉛部は少なくともヒューズの周辺に配置されている。

Description

金属化フィルムコンデンサ
 本発明は、各種電子機器、電気機器、産業機器や自動車の電装用等に使用される金属化フィルムコンデンサに関する。
 金属化フィルムコンデンサは、一般に金属箔を電極に用いるものと、誘電体フィルム上に設けた蒸着金属を電極に用いるものとに大別される。中でも、蒸着金属よりなる金属蒸着電極を電極とする金属化フィルムコンデンサは、金属箔を用いるものに比べて電極の占める体積が小さく小型軽量化が図れる。さらに、金属蒸着電極は、絶縁欠陥部で短絡が生じた場合に、短絡のエネルギーで欠陥部周辺の金属蒸着電極が蒸発・飛散して絶縁化し、コンデンサの機能が回復する金属蒸着電極特有の自己回復性能により絶縁破壊に対する信頼性が高い。これらのことから、金属蒸着電極は従来から広く用いられている。
 図10は特許文献1に開示されている金属化フィルムコンデンサに用いる金属化フィルム100の上面図である。
 図10に示すように、金属化フィルム100は、誘電体フィルム101と、誘電体フィルム101の表面に金属を蒸着することで形成された金属蒸着電極102とを有する。金属蒸着電極102は、誘電体フィルム101の長手方向(図10の左右方向)に延びるスリット103により、非分割電極部104と分割電極部106とに分割されている。分割電極部106の内部は複数の小分割電極部105に分割されている。
 非分割電極部104と分割電極部106とは、スリット103内に設けられたヒューズ107により電気的に接続されている。互いに隣り合う小分割電極部105はヒューズ108により互いに電気的に接続されている。
 金属化フィルム100を用いた従来の金属化フィルムコンデンサにおいていずれかの小分割電極部105に絶縁欠陥部が発生した場合、小分割電極部105に流れ込む電流によりヒューズ107あるいはヒューズ108が切断される。この結果、絶縁欠陥部を含む小分割電極部105が電気的に切り離され、金属化フィルムコンデンサの短絡等の欠陥を未然に防ぐことができる。
 このように、従来の金属化フィルムコンデンサは、金属化フィルム100に設けられたヒューズ107、ヒューズ108により、自己保安機能を実現している。
 特許文献2は、アルミニウム核亜鉛層を用いた金属化フィルムコンデンサを開示している。
特開2013-219400号公報 特開平10-189382号公報
 金属化フィルムコンデンサは、誘電体フィルムと、誘電体フィルムの表面に設けられた第1の金属膜電極と、誘電体フィルムを介して第1の金属膜電極に対向する第2の金属膜電極とを有する。第1の金属膜電極は、スリットにより互いに分離された第1の大電極部と第2の大電極部と、スリットに設けられて第1の大電極部と第2の大電極部とに接続されたヒューズとを有する。第1の金属膜電極は、実質的にアルミニウムのみを含有するアルミニウム部と、亜鉛を主に含有してアルミニウムをさらに含有するアルミニウム核亜鉛部とを有する。アルミニウム核亜鉛部は少なくともヒューズの周辺に配置されている。
図1Aは実施形態1における金属化フィルムコンデンサの断面図である。 図1Bは実施形態1における金属化フィルムコンデンサの金属化フィルムの平面図である。 図2は実施形態1における他の金属化フィルムの平面図である。 図3は実施形態2における金属化フィルムコンデンサの金属化フィルムの平面図である。 図4は実施形態3における金属化フィルムコンデンサの金属化フィルムの平面図である。 図5は実施形態3における金属化フィルムコンデンサの他の金属化フィルムの平面図である。 図6は実施形態3における金属化フィルムコンデンサのさらに他の金属化フィルムの平面図である。 図7は実施形態4における金属化フィルムコンデンサの金属化フィルムの平面図である。 図8は実施形態4における金属化フィルムコンデンサの他の金属化フィルムの平面図である。 図9は実施形態5における金属化フィルムコンデンサの金属化フィルムの平面図である。 図10は従来の金属化フィルムコンデンサの金属化フィルムの平面図である。
 (実施形態1)
 図1Aは実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1の断面図であり、金属化フィルムコンデンサ1の構造を概念的に示す。
 金属化フィルムコンデンサ1は、コンデンサ素子91と、コンデンサ素子91の両端面91a、91bに設けられた外部電極4a、4bとを備える。コンデンサ素子91は、金属化フィルム2と、金属化フィルム2に重ねられた金属化フィルム3とを有する。金属化フィルム2、3は巻回されている。実施の形態1では、外部電極4a、4bはメタリコン電極である。図1Bは金属化フィルム2の平面図である。
 金属化フィルム2は、誘電体フィルム5と、誘電体フィルム5の表面5aに設けられた金属膜電極6とを有する。
 誘電体フィルム5としては、厚み2.8μmのポリプロピレンフィルムを用いている。誘電体フィルム5としては、これ以外にも適当な厚みのポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリフェニルサルファイドフィルム、ポリスチレンフィルムなどを用いてもよい。また、厚みも適宜変更してよい。
 金属膜電極6は、実質的にアルミニウムよりなるアルミニウム部6aと、亜鉛を主に含有してアルミニウムをさらに含有するアルミニウム核亜鉛部6bを有する。アルミニウム部6aは、アルミニウムにて形成された蒸着材料を蒸発させてアルミニウムの金属蒸気を飛散させ、この金属蒸気を誘電体フィルム5の表面5aに付着させることで形成される。このように、実施形態1におけるアルミニウム部6aはアルミニウムにて形成された蒸着材料にて形成されるので、実質的にアルミニウムのみよりなる、すなわちアルミニウム部6aを構成する成分はもちろんアルミニウムが最も大きい割合を占める。なお、このように実施形態1において、アルミニウム部6aはアルミニウムにて形成された蒸着材料を用いて形成されるが、例えばこの蒸着材料にマグネシウム等のアルミニウム以外の金属を少量添加してもよい。また、アルミニウム部6aにはアルミニウムあるいは意図して添加した金属以外の不純物が僅かながら含まれることもあり得る。
 また、アルミニウム部6aは複数の蒸着材料を同時に蒸着して形成してもよい。すなわち、アルミニウムとアルミニウム以外の少量の金属を同時に蒸発させ、アルミニウムの金属蒸気を含む複数の金属蒸気にてアルミニウム部6aを形成してもよい。ただし、この場合においても、アルミニウム部6aを構成する成分の中ではアルミニウムが最も大きい割合を占めるべく、各蒸着材料の量を適宜調整する必要がある。
 誘電体フィルム5の幅方向D1で互いに反対側の端部5c、5dは、金属化フィルム2の幅方向D1で互いに反対側の端部2c、2dをそれぞれ構成する。互いに重ねあわされた金属化フィルム2、3は、幅方向D1に延びる巻回軸を中心に幅方向D1と直角の長手方向D2に巻回されている。
 金属化フィルム2の端部2dには金属膜電極6が存在しない絶縁マージン7が設けられている。絶縁マージン7においては、誘電体フィルム5の表面5aが金属膜電極6から露出している。絶縁マージン7は金属膜電極6と外部電極4bとの絶縁を確保する。
 金属化フィルム3は金属化フィルム2と同様の構成を有する。すなわち、金属化フィルム3は、金属化フィルム2の誘電体フィルム5と金属膜電極6とそれぞれ同様の構成を有する誘電体フィルム8と金属膜電極9とを有する。したがって、金属膜電極9はアルミニウム部、アルミニウム核亜鉛部を有する。また、金属化フィルム3には金属化フィルム2の絶縁マージン7と同様の絶縁マージン10が設けられている。
 金属化フィルム2と金属化フィルム3とを幅方向D1に延びる巻回軸に沿って僅かにずれて配置されるように重ね合わせ巻回することでコンデンサ素子91が形成される。この際、夫々の絶縁マージン7と絶縁マージン10が幅方向D1で互いに逆方向に位置するように配置して金属化フィルム2、3が巻回される。このようにして作製したコンデンサ素子91の幅方向D1の両端に亜鉛を溶射し外部電極4a、4bを形成することで金属化フィルムコンデンサ1が完成する。なお、図1Aに示すように、金属化フィルム2の金属膜電極6は絶縁マージン7により外部電極4bと接触していない。同様に、金属化フィルム3の金属膜電極9は、絶縁マージン10により外部電極4aと接触していない。なお、実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1のコンデンサ素子91では金属化フィルム2、3は巻回されているが、巻回されずに積層されていてもよい。なお、金属化フィルム2、3の構造を示すために金属膜電極9は、図1Aでは金属化フィルム3の誘電体フィルム5の表面5aの反対側の表面5bから離れて記載されているが、実際には金属化フィルム3の誘電体フィルム5の表面5bに当接している。
 金属化フィルムコンデンサ1は、実使用時において金属化フィルム2の金属膜電極6と金属化フィルム3の金属膜電極9のいずれか一方が正極として機能し、他方が負極として機能する。具体的には、金属化フィルムコンデンサ1が外部機器に接続された際、金属膜電極6と金属膜電極9のうち、外部機器の正極側に接続された金属膜電極が正極として機能し、外部機器の負極側に接続された金属膜電極が負極として機能する。
 以下、アルミニウム核亜鉛部6bを中心に、金属化フィルム2および金属化フィルム3の構成について詳述する。ただし、金属化フィルム3は金属化フィルム2と同様の構成を有するので、以下では金属化フィルム2の構成のみを説明する。
 金属化フィルム2において、誘電体フィルム5の表面に形成された金属膜電極6は、アルミニウム部6aとアルミニウム核亜鉛部6bとを有している。アルミニウム核亜鉛部6bは図1Aに示すように、アルミニウム部6aと電気的に連続している。アルミニウム核亜鉛部6bは、アルミニウムよりなる核に、亜鉛にて形成された蒸着材料を蒸着することで形成される。実施形態1におけるアルミニウム核亜鉛部6bは、アルミニウム核亜鉛部6bを配置する位置にアルミニウム部6aと同時にアルミニウム部6aと同じ成分を有するアルミニウム層を一旦形成し、その後、そのアルミニウム層に亜鉛を重ねて蒸着することで形成される。すなわち、誘電体フィルム5の表面5aの金属膜電極6を形成する部分の略全面にアルミニウム層を一旦形成した後、所定の位置のみに亜鉛を重ねて蒸着することで、その所定の位置にアルミニウム核亜鉛部6bが配置される。所定の位置以外の部位にアルミニウム部6aが配置された金属膜電極6が完成する。このようにアルミニウム核亜鉛部6bは、アルミニウムの層の上にさらに亜鉛の層を重ねて形成することで作製されるが、最終製品としての金属化フィルムコンデンサ1においては、時間を経てアルミニウムと亜鉛とが拡散等によりアルミニウムの層と亜鉛の層の間を移動し、入り混じった状態となっている。より正確には、このアルミニウム核亜鉛部6bの誘電体フィルム5に当接する部分はアルミニウムが比較的多く含有し、誘電体フィルム5の反対側の部分は亜鉛をより多く含有する。したがって、アルミニウム核亜鉛部6bでは明確にアルミニウムの層と亜鉛の層に分かれていない。
 また、図1Aにおいては金属化フィルム2の構成を簡便に示すため、アルミニウム部6aとアルミニウム核亜鉛部6bの境界を明確に示すが、実際にはアルミニウム部6aとアルミニウム核亜鉛部6bとの間でもそれぞれの成分が拡散等により互いに移動する。したがって、現実的にはアルミニウム部6aとアルミニウム核亜鉛部6bの境界は明確に示されるとは限らない。
 なお、アルミニウム部6aとアルミニウム核亜鉛部6bを形成するためのアルミニウム層を形成するに際して、そのアルミニウム層のアルミニウム核亜鉛部6bを形成する部分のみ他の部分と比べ局部的に薄くしてもよい。薄いアルミニウム層を形成する方法としては、例えば、薄いアルミニウム層を形成したい位置のみアルミニウムの蒸着材料の供給速度すなわちアルミニウム線材を送る速度を遅くしてアルミニウムの金属粒子の単位時間あたりの発生量を少なくする方法が挙げられる。これ以外の方法でアルミニウム層を薄く形成してもよい。
 なお、アルミニウム核亜鉛部6bも金属である亜鉛およびアルミニウムで形成されたものであることから、アルミニウム部6aと同様に金属化フィルムコンデンサ1の電極として機能する。
 次に、アルミニウム核亜鉛部6bを形成する位置について説明する。
 実施形態1における金属化フィルム2では、図1Bに示すように、長手方向D2に真直ぐ延びる2本のスリット12が設けられている。スリット12は金属膜電極6が存在せず、誘電体フィルム5の表面5aが金属膜電極6から露出する部位である。金属膜電極6を形成する蒸着工程の前に、誘電体フィルム5上のスリット12を形成する位置にオイルを予め塗布し、蒸着工程の際に蒸着材料の金属粒子がその位置に付着することを防ぐことで、スリット12が形成される。スリット12により、金属膜電極6は誘電体フィルム5の幅方向D1に配列された3つの大電極部13に分割される。3つの大電極部13のそれぞれは誘電体フィルム5の幅方向D1に配列されたスリット14により複数の小電極部15に分割される。スリット14もスリット12と同様に、蒸着工程の前に誘電体フィルム5にオイルを塗布しておくことで形成される。なお、実施形態1では金属化フィルム2は3つの大電極部13を有するが、2つの大電極部13、あるいは4つ以上の大電極部13を有していてもよい。実施形態1において、小電極部15は矩形状を有するが、これに限らず菱形等の他の形状を有していてもよい。また、複数の小電極部15の形状は同じである必要はなく、互いに異なる形状を有していてもよい。
 スリット12内に設けられたヒューズ16は互いに隣り合う大電極部13を電気的に接続する。より厳密には、大電極部13のそれぞれを構成する複数の小電極部15のうち、幅方向D1に互いに隣り合う小電極部15がヒューズ16で電気的に接続されている。スリット12を形成するためのオイルを、スリット12を形成する部分のうちヒューズ16を設ける部位には塗布せず、蒸着工程でその部位に金属粒子を付着させることでヒューズ16が形成される。
 アルミニウム核亜鉛部6bは、図1Aと図1Bに示すようにヒューズ16の周辺に設けられている。図1Bに示すように、アルミニウム核亜鉛部6bはヒューズ16に設けられていてもよい。具体的には、図1Bに示すように、アルミニウム核亜鉛部6bはスリット12に面しスリット12に沿って長手方向D2に真直ぐ延びるようにスリット12の両側に設けられている。実施形態1においては、スリット12の両端から2mm程度の範囲においてアルミニウム核亜鉛部6bが形成されている。
 以下、実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1の効果について説明する。
 特許文献1に開示されている従来の金属化フィルムコンデンサの金属蒸着電極102の材料としてはアルミニウムが用いられる。
 金属蒸着電極102としてアルミニウムを用いた金属化フィルムコンデンサが、一般家電機器用として交流100Vのような商用電源や、あるいはインバータの単相整流回路の平滑化前の回路、すなわち電圧波形のピーク間の電位差Vp-pが大きい回路において使用された場合、コロナ放電により金属蒸着電極102の特に端部から酸化が発生、促進する、いわゆる「電極後退」が発生し、容量が減少する場合が有る。
 特に、ヒューズ107の周辺部分においてこの電極後退が発生してヒューズ107が電気的に切断されてしまった場合、ヒューズ107を介して電流が供給される小分割電極部105の全てが電気的に切り離され、容量が大幅に減少する。
 このように、特に金属蒸着電極がアルミニウムにて形成され、かつヒューズを備えた金属化フィルムコンデンサにおいては、電極後退により容量減少を招きやすい。
 まず、実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1はアルミニウム核亜鉛部6bにより容量減少を抑制することができる。ヒューズ16の周辺に設けられたアルミニウム核亜鉛部6bは、酸化が進行しにくい亜鉛を含有する。したがって、アルミニウム核亜鉛部6bが設けられたヒューズ16の周辺の金属膜電極6の部分において電極後退が発生、進行しにくい。その結果、電極後退を原因としたヒューズ16の切断を防止することができ、容量減少を抑制できる。したがって、金属化フィルムコンデンサ1は長期に亘って特性を維持することができ、信頼性に優れている。
 例えば、特許文献2で開示されている従来の金属化フィルムコンデンサでは、金属膜電極全体がアルミニウム核亜鉛層で構成されている。亜鉛はアルミニウムに比べてイオン化傾向が大きいので、外部の水分や酸素と反応し、酸化し易い。亜鉛が酸化すると、金属膜電極全体としての膜抵抗値が大きくなってtanδが上昇する虞があるので、金属膜電極全体に亘って亜鉛を用いることは好ましくない。また、亜鉛はアルミニウムに比べて自己回復性能に劣るため、金属膜電極全体に亜鉛を用いると、アルミニウムの有する高い自己回復性能を十分に活かしきれず、金属化フィルムコンデンサとしての信頼性が低下してしまう虞がある。
 実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1においては、金属膜電極6の一部分に選択的にアルミニウム核亜鉛部6bが配置されている。このため、金属化フィルムコンデンサ1は、アルミニウムの有する高い自己回復性能を保持しつつ、さらに電極後退による容量減少を抑制できる。
 実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1では、アルミニウム核亜鉛部6bはスリット12に沿ってスリット12の両側に設けられている。
 金属膜電極6の電極後退はヒューズ16の周辺の部分のみでなく、スリット12の周辺の部分においても発生する。実施形態1においてはスリット12の両側においてアルミニウム核亜鉛部6bを設け、スリット12周辺の金属膜電極6における電極後退を抑制している。したがって、実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1は容量減少をさらに抑制できる。
 スリット12に沿って設けられたアルミニウム核亜鉛部6bを有する金属化フィルム2の製造方法について以下に簡単に説明する。なお、以下では、金属化フィルム2作製のための全工程を説明するのではなく、スリット12に沿うようにアルミニウム核亜鉛部6bを形成する工程に絞って説明する。
 まず、蒸着工程においては、アルミニウムの金属蒸気が放出される蒸気口の上に誘電体フィルム5を連続的に長手方向D2に搬送することで誘電体フィルム5の表面5aにアルミニウム層が形成される。その後、アルミニウム層の所定の位置に、亜鉛の金属蒸気を吹き付けることでアルミニウム核亜鉛部6bが形成される。アルミニウム層のうち亜鉛の金属蒸気が吹き付けられた所定の位置以外の部分にアルミニウム部6aが形成される。スリット12に沿うように選択的にアルミニウム核亜鉛部6bを設けるためには、スリット12に対応する位置に亜鉛の金属蒸気を放出する蒸気口を配置するとよい。そして、この蒸気口から連続的に亜鉛の金属蒸気を放出し、この金属蒸気をアルミニウム層の上に吹き付けることで、スリット12に沿うようにアルミニウム核亜鉛部6bを形成することができる。
 図2は実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1の他の金属化フィルム71の平面図である。図2において、図1Aに示す金属化フィルム2と同じ部分には同じ参照番号を付す。図2に示す金属化フィルム71では、アルミニウム核亜鉛部6bは、スリット12、14に面してスリット12、14に沿って配置されている。
 スリット14の両側の金属膜電極6部分においても電極後退は発生する。スリット14の両側にスリット14に沿ってアルミニウム核亜鉛部6bを配置することで、金属化フィルムコンデンサ1の容量減少をさらに抑制することができる。
 スリット12、14に沿ってアルミニウム核亜鉛部6bを配置した金属化フィルム71の製造方法について簡単に説明する。
 スリット12に沿うようにしてアルミニウム核亜鉛部6bを配置する製造方法は上述の製造方法と同様である。さらに、スリット14に沿うようにしてアルミニウム核亜鉛部6bを形成するためには、まずスリット14の長さと同等の幅の亜鉛の別の蒸気口を準備し、スリット14の位置に合わせてその蒸気口を配置する。誘電体フィルム5を長手方向D2に搬送する際に、この蒸気口の上部をスリット14が通過する時点にこの蒸気口のシャッターを開き、その時点以外では蒸気口のシャッターを閉じる。このシャッターの開閉動作を繰り返しながら連続的に搬送される誘電体フィルム5に亜鉛を蒸着することで、スリット14に沿うように選択的にアルミニウム核亜鉛部6bを配置することができる。
 なお、実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1においては、金属化フィルム2、金属化フィルム3のいずれにおいてもアルミニウム核亜鉛部6bを有するが、これに限らず、金属化フィルム2、3のいずれか一方の金属化フィルム2にのみアルミニウム核亜鉛部6bを形成してもよい。
 (実施形態2)
 図3は実施形態2における金属化フィルムコンデンサの金属化フィルム21の平面図である。図3において、図1Aと1Bに示す実施形態1における金属化フィルム2と同じ部分には同じ参照番号を付す。実施形態2における金属化フィルムコンデンサは、実施形態1における金属化フィルムコンデンサ1とアルミニウム核亜鉛部6bの位置が異なる。実施形態2における金属化フィルムコンデンサでは、金属化フィルム3も金属化フィルム21と同様の構成を有する。
 図3に示すように、金属化フィルム21はヒューズ16の周辺にのみアルミニウム核亜鉛部6bが設けられている。具体的には、図3においてアルミニウム核亜鉛部6bは、ヒューズ16と、ヒューズ16を中心とする略円形状の部分にのみ設けられている。ヒューズ16で電極後退が発生した場合、この電極後退が発生したヒューズ16を介して電流が供給される複数の小電極部15の全てが電気的に切り離されてしまい、大幅に金属化フィルムコンデンサの容量が減少する。図3に示す金属化フィルム21では、アルミニウム核亜鉛部6bは、この大幅な容量減少の原因となるヒューズ16とヒューズ16の周辺のみに設けられており、スリット12やスリット14に沿っては設けられていない。すなわち、実施形態2における金属化フィルムコンデンサでは、アルミニウム核亜鉛部6bを配置する部位を金属化フィルムコンデンサの容量減少の主な原因となるヒューズ16と、ヒューズ16の周辺のみに留め、誘電体フィルム5上のアルミニウムが占める割合をできる限り多くしている。したがって、実施形態2における金属化フィルムコンデンサは、アルミニウムの有する高い自己回復性能をさらに有効的に有する。
 ヒューズ16の周辺にのみアルミニウム核亜鉛部6bを配置するには、亜鉛の蒸着工程において、ヒューズ16の位置に対応する位置に設けた亜鉛の蒸気口のシャッターを、ヒューズ16が通過する時点で開閉する。
 (実施形態3)
 図4は実施形態3における金属化フィルムコンデンサの金属化フィルム31の平面図である。図4において、図1Aと1Bに示す実施形態1における金属化フィルム2と同じ部分には同じ参照番号を付す。実施形態3における金属化フィルムコンデンサでは、金属化フィルム3も金属化フィルム31と同様の構成を有する。
 実施形態3における金属化フィルム31は、実施形態1における金属化フィルム2の金属膜電極6の代わりに、誘電体フィルム5の表面5aに設けられた金属膜電極34を有する。図4に示すように、実施形態3における金属化フィルム31では、誘電体フィルム5の幅方向D1の略中央にスリット33が設けられている。スリット33により、金属膜電極34は誘電体フィルム5の幅方向D1に配列された非分割電極部35と分割電極部36とに分割される。
 非分割電極部35は、図4に示すように、誘電体フィルム5の長手方向D2に連続して配置されており、長手方向D2に延びる長辺と、幅方向D1に延びる短辺とを有する矩形状を有する一枚の大きな電極である。さらに、非分割電極部35は外部電極4aと直接接触している。したがって、外部機器から金属化フィルムコンデンサに流れる電流は、まず外部電極4aを介して非分割電極部35に流れ込む。
 分割電極部36は、図4に示すように、長手方向D2に真直ぐ延びる2本のスリット37と、幅方向D1に真直ぐ延びる複数のスリット38とにより、複数の小電極部39に格子状に分割される。複数の小電極部39のそれぞれは矩形状を有する。実施形態3においては、複数の小電極部39は、長手方向D2に真直ぐスリット38を介して配列されている。複数の小電極部39よりそれぞれなりかつスリット37で区切られている3つの列が幅方向D1に配列されている。なお、実施形態3においては、複数の小電極部39のそれぞれは矩形状を有するが、菱形等の他の形状を有していてもよい。また、複数の小電極部39は同じ形状を有している必要もなく、互いに異なる形状を有していてもよい。実施形態3においては、長手方向D2に配列された複数の小電極部39よりそれぞれなる3つの列が幅方向D1に配列されているが、これに限らず、長手方向D2に配列された複数の小電極部39よりそれぞれなる2つの列が幅方向D1に配列されていてもよく、あるいは長手方向D2に配列された複数の小電極部39よりそれぞれなる4つ以上の列が幅方向D1に配列されていてもよい。
 非分割電極部35と分割電極部36は複数のスリット33に設けられたヒューズ40を介して電気的に接続されている。具体的には、分割電極部36を構成する複数の列のそれぞれでの複数の小電極部39のうち非分割電極部35に最も近い列を構成する小電極部39が非分割電極部35とヒューズ40にて接続されている。
 さらに、幅方向D1に互いに隣り合う小電極部39はスリット37に設けられたヒューズ41にて互いに接続されている。
 すなわち、実使用においては、外部機器から金属化フィルムコンデンサに流れる電流は、まず非分割電極部35に流れ込み、次いでヒューズ40を通じて非分割電極部35に最も近い列の小電極部39に流れる。そして、非分割電極部35に最も近い列の小電極部39に流れた電流は、ヒューズ41を通じて最終的に非分割電極部35から最も遠い列の小電極部39に流れ込む。
 このような構成の金属化フィルム31において、アルミニウム核亜鉛部34bはヒューズ40と、ヒューズ40の周辺とに配置されている。具体的には、図4に示すように、スリット33に面してスリット33に沿って長手方向D2に真直ぐにかつスリット33の両側に設けられている。実施形態3においては、スリット33の両側から2mm程度の範囲においてアルミニウム核亜鉛部34bが配置されている。
 アルミニウム部34aは、金属膜電極34のうち、上記アルミニウム核亜鉛部34b以外、すなわち非分割電極部35と分割電極部36とのスリット33の両端を含む部分以外の部位に配置されている。なお、アルミニウム部34aならびにアルミニウム核亜鉛部34bは実施形態1におけるアルミニウム部6aならびにアルミニウム核亜鉛部6bと同様の構造を有する。
 この構成により、実施形態3における金属化フィルム31を用いた金属化フィルムコンデンサは、ヒューズ40の周辺における電極後退を抑制してヒューズ40の切断を防止することができ、容量減少を抑制することができる。また、実施形態3における金属化フィルム31では、誘電体フィルム5の表面5aの略半分の面積を非分割電極部35が占め、誘電体フィルム5の表面5aの幅方向D1の略中央にスリット33が設けられている。この構成においては、コンデンサ素子を形成するために2枚の金属化フィルムを重ね合わせた際に、金属化フィルムのそれぞれのスリット33が互いに重なり合うか、非常に近い位置に位置する。ここで、2枚の金属化フィルムのスリット33に配置されたヒューズ40は共に流れる電流の密度が高く、発熱し易い。したがって、実施形態3におけるコンデンサ素子はその中央部において温度上昇が顕著に見られ、この箇所において酸化劣化が促進され易い。すなわち、図4に示すように誘電体フィルム5の幅方向D1の略中央にスリット33およびヒューズ40が配置された金属化フィルム31においては、ヒューズ40の周辺の電極後退を抑制し、ヒューズ40をできる限り初期の状態に保つことが特に重要であり、アルミニウム核亜鉛部34bを選択的に設けることは実施形態3の金属化フィルム31に特に有用である。
 また、実施形態3においては、アルミニウム核亜鉛部34bはスリット33に沿ってスリット33の両側に設けられている。これにより、スリット33の周辺の金属膜電極34の電極後退を抑制することができ、容量減少をさらに抑制できる。
 なお、スリット33に沿ってアルミニウム核亜鉛部34bを形成する際には、実施の形態1における金属化フィルム2のスリット12に沿ったアルミニウム核亜鉛部6bを形成した方法と同様の方法を用いることができる。
 図5は実施形態3における他の金属化フィルム31aの平面図である。図5において、図4に示す金属化フィルム31と同じ部分には同じ参照番号を付す。図5に示す金属化フィルム31aでは、アルミニウム核亜鉛部34bはスリット33に面してスリット33に沿って設けられ、さらにスリット37に面してスリット37に沿って設けられている。
 この構成により、ヒューズ41において発生する電極後退も抑制することができる。さらに、スリット37の両端の金属膜電極34における電極後退も抑制することができ、実施形態3における金属化フィルムコンデンサの容量減少をさらに抑制することができる。
 なお、スリット37に沿うようにアルミニウム核亜鉛部34bを形成するに際しては、実施の形態1における金属化フィルム2のスリット12に沿ってアルミニウム核亜鉛部6bを形成した方法と同様の方法を用いることができる。
 図6は実施形態3におけるさらに他の金属化フィルム31bの平面図である。図6において、図5に示す金属化フィルム31aと同じ部分には同じ参照番号を付す。図6に示す金属化フィルム31bでは、アルミニウム核亜鉛部34bは、スリット33とスリット37とスリット38とに面してスリット33、37、38に沿って設けられている。
 この構成により、スリット38の両端の金属膜電極34における電極後退も抑制することができ、実施形態3における金属化フィルムコンデンサの容量減少をさらに抑制することができる。
 なお、スリット38に沿ってアルミニウム核亜鉛部34bを形成するに際しては、実施の形態1における金属化フィルム2のスリット14に沿うようにアルミニウム核亜鉛部6bを形成した方法と同様の方法を用いることができる。
 また、実施形態3における金属化フィルム31、31a、31bでは、スリット33が誘電体フィルム5の幅方向D1の略中央に設けられ、誘電体フィルム5の表面5aの略半分の面積を分割電極部36が占める。これに限らずスリット33を設ける位置を変更し、分割電極部36が誘電体フィルム5上を占める面積は適宜変更しても構わない。
 (実施形態4)
 図7は、実施形態4における金属化フィルムコンデンサに用いる金属化フィルム51の平面図である。図7において、図4に示す実施形態3における金属化フィルム31と同じ部分には同じ参照番号を付す。実施形態4における金属化フィルムコンデンサでは実施形態3の金属化フィルム31とアルミニウム核亜鉛部34bを設ける位置が異なる。実施形態3における金属化フィルムコンデンサでは、金属化フィルム3(図1A)も金属化フィルム51と同様の構成を有する。
 図7に示すように、金属化フィルム51はヒューズ40とヒューズ40周辺とにのみアルミニウム核亜鉛部34bが設けられている。具体的には、アルミニウム核亜鉛部34bはヒューズ40を中心とする略円形状の部分に設けられている。ヒューズ40にて電極後退が発生した場合、電極後退が発生したヒューズ40を介して電流が供給される複数の小電極部39の全てが電気的に切り離されてしまい、大幅に金属化フィルムコンデンサの容量が減少する。図7に示す金属化フィルム51では、大幅な容量減少の原因となるヒューズ40のみにアルミニウム核亜鉛部34bを設け、スリット33、スリット37、スリット38に沿ってはアルミニウム核亜鉛部34bは設けられていない。すなわち、アルミニウム核亜鉛部34bの形成は金属化フィルムコンデンサの容量減少の主な原因となる位置のみに留め、誘電体フィルム5上のアルミニウムが占める割合をできる限り多くして、アルミニウムの有する高い自己回復性能を有効的に有する金属化フィルムコンデンサが得られる。
 また、図4に示す実施形態3における金属化フィルム31と同様、金属化フィルム51においても、ヒューズ40によっては流れ込む電流の量が局所的に多くなる場合があり、このような箇所のヒューズ40が電極後退により細くなっているとヒューズ40が容易に切断され、この結果、容量減少を招いてしまう。したがって、ヒューズ40を初期の状態に保ち続けることは実施形態4における電極パターンを有する金属化フィルム51にとって重要である。
 図8は実施形態4における他の金属化フィルム51aの平面図である。図8において、図7に示す金属化フィルム51と同じ部分には同じ参照番号を付す。図8に示す金属化フィルム51aでは、アルミニウム核亜鉛部34bはヒューズ40とヒューズ40の周辺とに設けられ、さらに、ヒューズ41とヒューズ41の周辺とにも設けられている。この構成により、ヒューズ41において発生する電極後退も抑制することができる。
 なお、ヒューズ40、41とヒューズ40、41の周辺とにアルミニウム核亜鉛部34bを形成する際には、実施の形態2におけるヒューズ16の周辺にアルミニウム核亜鉛部6bを形成した方法と同様の方法を用いることができる。
 (実施形態5)
 図9は実施形態5における金属化フィルムコンデンサに用いる金属化フィルム61の平面図である。図9において、図4に示す実施形態3における金属化フィルム31と同じ部分には同じ参照番号を付す。実施形態5における金属化フィルムコンデンサでは、他方の金属化フィルム3(図1A参照)も金属化フィルム61と同様の構成を有する。
 実施形態5における金属化フィルム61は、実施形態3における金属化フィルム31の金属膜電極34の代わりに、誘電体フィルム5の表面5aに設けられた金属膜電極62を有する。金属膜電極62は、実施形態3における金属化フィルム31の金属膜電極34の非分割電極部35と分割電極部36とスリット33、37、38とヒューズ40、41とそれぞれ同様の構造を有する非分割電極部64と分割電極部63とスリット66、68、69とヒューズ65、65aを有する。ヒューズ65は分割電極部63と非分割電極部64とを接続する。金属化フィルム61においては、金属膜電極62の分割電極部63と非分割電極部64とのうち、分割電極部63全体がアルミニウム核亜鉛部62bにて形成されている。より詳細には、分割電極部63と、ヒューズ65と、非分割電極部64のスリット66に面してスリット66に沿った端部にアルミニウム核亜鉛部62bが形成されている。非分割電極部64のスリット66に沿った端部は、図9に示すスリット66の左端から2mm程度までの幅で、スリット66に沿って長手方向D2に連続して真直ぐ延びる領域である。一方で、非分割電極部64のスリット66に沿った端部以外の部位は実質的にアルミニウムのみよりなるアルミニウム部62aで構成されている。
 この構成により、スリット66、スリット68、スリット69が夫々アルミニウム核亜鉛部62bで囲まれることになり、電極後退が発生する可能性のある部位全てにアルミニウム核亜鉛部62bが配置される。この結果、金属化フィルム61の電極後退を全般的に抑制することができ、金属化フィルムコンデンサの容量減少を抑制できる。
 また、金属化フィルム61を上述の構成にする際には、蒸着工程において、アルミニウム核亜鉛部62bを設ける部位、すなわち幅方向D1の略半分に亜鉛の金属蒸気を放出するように蒸気口を調整する。実施形態5における金属化フィルム61のアルミニウム核亜鉛部62bは、幅方向D1の略半分に相当する部位に連続的に亜鉛の金属蒸気を吹き付けることで形成できる。したがって、蒸着口のシャッターの開閉を高精度に制御する必要がなく、蒸着装置を比較的容易に制御できる。したがって、実施形態5における金属化フィルムコンデンサは生産性が高い。また、作製された夫々の金属化フィルムコンデンサ間の特性のばらつきも小さく、実施形態5における金属化フィルムコンデンサは安定した品質にて供給され得る。
 なお、各実施形態における金属化フィルムコンデンサでは、誘電体フィルム5の片方の表面5aにのみ金属膜電極が形成された一対の金属化フィルムが重ね合わされている。これに限らず誘電体フィルム5の両方の表面5a、5bのそれぞれに金属膜電極を形成した両面金属化フィルムを用いて金属化フィルムコンデンサを構成してもよい。この金属化フィルムコンデンサは、対向する金属膜電極どうしを絶縁するための合わせフィルムとともに両面金属化フィルムを巻回することで作製される。この場合、アルミニウム核亜鉛部は、両面金属化フィルムの両面あるいはいずれか一方の面の金属膜電極に配置される。
 本発明による金属化フィルムコンデンサは長期に亘って特性を維持でき優れた信頼性を有しているので、自動車の電装用など、広い分野での電子、電気機器に有用である。
1  金属化フィルムコンデンサ
2  金属化フィルム(第1の金属化フィルム)
3  金属化フィルム(第2の金属化フィルム)
4a  外部電極(第1の外部電極)
4b  外部電極(第2の外部電極)
5  誘電体フィルム
6  金属膜電極(第1の金属膜電極)
6a  アルミニウム部
6b  アルミニウム核亜鉛部
7  絶縁マージン
8  誘電体フィルム
9  金属膜電極(第2の金属膜電極)
10  絶縁マージン
12  スリット(第1のスリット)
13  大電極部(第1の大電極部、第2の大電極部)
14  スリット(第2のスリット)
15  小電極部
16  ヒューズ(第1のヒューズ、第2のヒューズ)
21  金属化フィルム
31  金属化フィルム
33  スリット(第1のスリット)
34  金属膜電極(第1の金属膜電極)
34a  アルミニウム部
34b  アルミニウム核亜鉛部
35  非分割電極部
36  分割電極部
37  スリット(第2のスリット)
38  スリット(第3のスリット)
39  小電極部
40  ヒューズ
41  ヒューズ
51  金属化フィルム
61  金属化フィルム
62  金属膜電極
62a  アルミニウム部
62b  アルミニウム核亜鉛部
63  分割電極部
64  非分割電極部
65  ヒューズ
66  スリット(第1のスリット)
68  スリット(第2のスリット)
69  スリット(第3のスリット)

Claims (13)

  1.    誘電体フィルムと、
       前記誘電体フィルムの表面に設けられた第1の金属膜電極と、
       前記誘電体フィルムを介して前記第1の金属膜電極に対向する第2の金属膜電極と、
    を有するコンデンサ素子と、
    前記コンデンサ素子に設けられて前記第1の金属膜電極に接続された第1の外部電極と、
    前記コンデンサ素子に設けられて前記第2の金属膜電極に接続された第2の外部電極と、
    を備え、
    前記第1の金属膜電極は、
       第1のスリットにより互いに分離された第1の大電極部と第2の大電極部と、
       前記第1のスリットに設けられて前記第1の大電極部と前記第2の大電極部とに接続された第1のヒューズと、
    を有し、
    前記第1の金属膜電極は、実質的にアルミニウムのみを含有するアルミニウム部と、亜鉛を主に含有してアルミニウムをさらに含有するアルミニウム核亜鉛部とを有し、
    前記アルミニウム核亜鉛部は少なくとも前記第1のヒューズの周辺に配置されている、金属化フィルムコンデンサ。
  2. 前記アルミニウム核亜鉛部は、前記第1スリットに面して前記第1スリットの両側に配置されている、請求項1に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  3. 前記アルミニウム核亜鉛部は前記ヒューズに直接繋がっている、請求項2に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  4. 前記第2の大電極部は、
       複数の第2のスリットにより互いに分離された複数の小電極部と、
       前記複数の第2のスリットにそれぞれ設けられて、前記複数の小電極部のうち前記複数の第2のスリットを介して互いに対向する複数の小電極部を接続する複数の第2のヒューズと、
    を有し、
    前記アルミニウム核亜鉛部は、前記複数の第2スリットに面して前記第2スリットの両側に配置されている、請求項1または2に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  5. 前記アルミニウム核亜鉛部は前記複数の第2のヒューズに直接繋がっている、請求項4に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  6. 前記アルミニウム核亜鉛部は前記第1のヒューズの周辺にのみ配置されている、請求項1に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  7.    誘電体フィルムと、
       前記誘電体フィルムの表面に設けられた第1の金属膜電極と、
       前記誘電体フィルムを介して前記第1の金属膜電極に対向する第2の金属膜電極と、
    を有するコンデンサ素子と、
    前記コンデンサ素子に設けられて前記第1の金属膜電極に接続された第1の外部電極と、
    前記コンデンサ素子に設けられて前記第2の金属膜電極に接続された第2の外部電極と、
    を備え、
    前記第1の金属膜電極は、
       前記第1の外部電極に繋がる非分割電極部と、
       第1のスリットにより前記非分割電極部から分離する分割電極部と、
       前記第1のスリットに設けられて前記非分割電極部と前記分割電極部とを接続する第1のヒューズと、
    を有し、
    前記第1の金属膜電極は、実質的にアルミニウムのみよりなるアルミニウム部と、亜鉛を主に含有してアルミニウムをさらに含有するアルミニウム核亜鉛部とを有し、
    前記分割電極部は、互いに分割された複数の小電極部を有し、
    前記アルミニウム核亜鉛部は少なくとも前記第1のヒューズの周辺に配置されている、金属化フィルムコンデンサ。
  8. 前記アルミニウム核亜鉛部は前記第1スリットに面して前記第1スリットの両側に配置されている、請求項7に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  9. 前記分割電極部の前記複数の小電極部は第2のスリットにより互いに分割されており、
    前記アルミニウム核亜鉛部は前記第1のスリットと前記第2のスリットに面して前記第1のスリットと前記第2のスリットとのそれぞれの両側に配置されている、請求項7または8に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  10. 前記分割電極部の前記複数の小電極部は前記第2のスリットにより前記誘電体フィルムの幅方向に互いに分割され、かつ第3のスリットにより前記誘電体フィルムの長手方向に分割されており、
    前記アルミニウム核亜鉛部は前記第1のスリットと前記第2のスリットと前記第3のスリットとに面して前記第1のスリットと前記第2のスリットと前記第3のスリットとのそれぞれの両側に配置されている、請求項7から9のいずれか一項に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  11. 前記アルミニウム核亜鉛部は、前記第1のヒューズの周辺にのみ配置されている、請求項7に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  12. 前記分割電極部は、前記複数の小電極部を互いに接続する第2のヒューズをさらに有し、
    前記アルミニウム核亜鉛部は、前記第1のヒューズと前記第2のヒューズの周辺にのみに配置されている、請求項7に記載の金属化フィルムコンデンサ。
  13.    誘電体フィルムと、
       前記誘電体フィルムの表面に設けられた第1の金属膜電極と、
       前記誘電体フィルムを介して前記第1の金属膜電極に対向する第2の金属膜電極と、
    を有するコンデンサ素子と、
    前記コンデンサ素子に設けられて前記第1の金属膜電極に接続された第1の外部電極と、
    前記コンデンサ素子に設けられて前記第2の金属膜電極に接続された第2の外部電極と、
    を備え、
    前記第1の金属膜電極は、
       前記第1の外部電極に繋がる非分割電極部と、
       第1のスリットにより前記非分割電極部から分離する分割電極部と、
       前記第1のスリットに設けられて前記非分割電極部と前記分割電極部とを接続する第1のヒューズと、
    を有し、
    前記第1の金属膜電極は、実質的にアルミニウムよりなるアルミニウム部と、亜鉛を主に含有しアルミニウムをさらに含有するアルミニウム核亜鉛部とを有し、
    前記アルミニウム核亜鉛部は、前記非分割電極部の前記第1スリットに面する端部と、前記分割電極部と、前記第1のヒューズとを構成し、
    前記アルミニウム部は、前記非分割電極部の前記端部以外の部分を構成する、金属化フィルムコンデンサ。
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