WO2016017569A1

WO2016017569A1 - 液晶表示素子

Info

Publication number: WO2016017569A1
Application number: PCT/JP2015/071211
Authority: WO
Inventors: 小川　真治; 芳典岩下; 根岸　真; 浩充貴志
Original assignee: DIC Corp; Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Current assignee: DIC Corp
Priority date: 2014-07-28
Filing date: 2015-07-27
Publication date: 2016-02-04
Anticipated expiration: 2017-01-28
Also published as: US10031384B2; US20170255048A1; JP6143146B2; TWI664274B; TW201610113A; JPWO2016017569A1

Abstract

「課題」　本発明が解決しようとする課題は、誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、低温でのネマチック相安定性、γ１等の液晶表示素子としての諸特性及び表示素子の焼き付き特性を悪化させること無く、ＦＦＳモードの液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能な、誘電率異方性が負の液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供する。「解決手段」ｎ型液晶組成物を用いたＦＦＳ型の液晶表示素子を提供することにより課題を解決する。

Description

液晶表示素子

　本願発明は、誘電率異方性が負のネマチック晶組成物を用い、高透過率、高開口率に特徴を有するＦＦＳモードの液晶表示装置に関する。

　表示品質が優れていることから、アクティブマトリクス方式液晶表示素子が、携帯端末、液晶テレビ、プロジェクタ、コンピューター等の市場に出されている。アクティブマトリクス方式は、画素毎にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）あるいはＭＩＭ（メタル・インシュレータ・メタル）等が使われており、この方式に用いられる液晶化合物あるいは液晶組成物は、高電圧保持率であることが重要視されている。また、更に広い視角特性を得るためにＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ　Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ：垂直配向）モード、ＩＰＳ（Ｉｎ　Ｐｌａｎｅ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ｂｅｎｄ，　Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードと組み合わせた液晶表示素子や、より明るい表示を得るためにＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ　Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モードの反射型の液晶表示素子が提案されている。この様な液晶表示素子に対応するために、現在も新しい液晶化合物あるいは液晶組成物の提案がなされている。

　現在スマートホン用の液晶ディスプレイとしては、高品位で、視覚特性に優れるＩＰＳモードの液晶表示素子の一種であるフリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置（Ｆｒｉｎｇｅ　Ｆｉｅｌｄ　Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ　ｍｏｄｅ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ；ＦＦＳモード液晶表示装置）が広く用いられている（特許文献１、特許文献２参照）。ＦＦＳモードは、ＩＰＳモードの低い開口率及び透過率を改善するため導入された方式であり、用いられている液晶組成物としては、低電圧化がし易いことから誘電率異方性が正のｐ型液晶組成物を用いた材料が広く用いられている。また、ＦＦＳモードの用途の大部分が携帯端末であるため、さらなる省電力化の要求は強く液晶素子メーカはＩＧＺＯを用いたアレイの採用等盛んな開発が続いている。

　一方、現在ｐ型材料を用いている液晶材料を、誘電率異方性が負のｎ型材料とすることによっても、透過率を改善することが可能となる（特許文献３参照）。これは、ＦＦＳモードがＩＰＳモードとは異なり完全な平行電界を生じるわけでは無く、ｐ型材料を用いた場合は画素電極に近い液晶分子はフリンジの電界に沿って液晶分子の長軸が傾くため透過率が悪化することによる。これに対しｎ型液晶組成物を用いた場合には、ｎ型組成物の分極方向が分子短軸方向にあることから、フリンジ電界の影響は、液晶分子を長軸に沿って回転させるのみで分子長軸は平行配列が維持されるため、透過率の低下は生じない。

　しかし、ｎ型液晶組成物はＶＡ用液晶組成物としては一般的であるが、ＶＡモードとＦＦＳモードでは、配向の方向、電界の向き、必要とされる光学特性のいずれの点を取っても異なる。さらに、ＦＦＳモードの液晶表示素子は、後述するように電極の構造に特徴を有し、ＶＡモードでは二つの基板の双方に電極を有するのに対して、ＦＦＳモードではアレイ基板のみに電極を有している。そのため、焼き付きや滴下痕といった、従来の技術から効果の予測のつけにくい課題については、全く知見が無い状態である。従って、単純にＶＡ用に使用される液晶組成物を転用しても、今日求められるような高性能な液晶表示素子を構成することは困難であり、ＦＦＳモードに最適化したｎ型液晶組成物の提供が求められている。

特開平１１－２０２３５６号公報特開２００３－２３３０８３号公報特開２００２－３１８１２号公報

　本発明の課題は、誘電率異方性（Δε）、粘度（η）、ネマチック相－等方性液体の転移温度（Ｔ_ＮＩ）、低温でのネマチック相安定性、回転粘度（γ_１）等の液晶表示素子としての諸特性に優れ、ＦＦＳモードの液晶表示素子に用いることにより優れた表示特性を実現可能なｎ型液晶組成物を用いた液晶表示素子を提供することにある。

　本願発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討し、ＦＦＳモードの液晶表示素子に最適な種々の液晶組成物の構成を検討した結果、二つの特徴的構造を有する液晶化合物を含有する液晶組成物の有用性を見出し本願発明の完成に至った。

　本願発明は、以下の（１）～（９）の液晶表示素子を提供する。

　（１）　対向に配置された第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶縁基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、
前記第１基板上に、透明導電性材料からなる共通電極と、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる画素電極とを各画素毎に有し、
前記液晶層と、前記第１基板と第２基板のそれぞれの間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、各配向膜の配向方向は平行であり、
前記画素電極と共通電極とはこれらの電極間にフリンジ電界を形成するために、前記画素電極と共通電極との間の電極間距離：Ｒが前記第１の基板と第２の基板との距離：Ｇより小さく、
前記共通電極は、前記第１基板のほぼ全面に、前記画素電極より第１基板に近い位置に配置され、
前記液晶組成物が、負の誘電率異方性を有し、ネマチック相－等方性液体の転移温度が６０℃以上であり、誘電率異方性の絶対値が２以上であり、一般式（Ｉ）

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合二つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、及び、下記一般式（ＩＩ）

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数４～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数３～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｍは０、１又は２を表すが、ｍが２の場合二つのＢは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する液晶表示素子。

　（２）　前記一般式（Ｉ）で表される化合物として、下記一般式（ＩＩＩ）

（式中、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^６は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する請求項１記載の液晶表示素子。

　（３）　下記一般式（ＩＶ）

（式中Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^１及びＡ^１はそれぞれ独立して、1,4-シクロヘキシレン基、1,4-フェニレン基又はテトラヒドロピラン－2,5－ジイル基を表すが、Ａ^１又は／及びＡ^１が1,4-フェニレン基を表す場合、該1,4-フェニレン基中の1つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｚ¹及びＺ²はそれぞれ独立して単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、
ｎ^１及びｎ^２はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ^１+ｎ^２は１～３であり、Ａ¹、Ａ²、Ｚ¹及び／又はＺ²が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよいが、ｎ^１が１又は２でありｎ^２が０でありＡ^１の少なくとも１つが1,4-シクロへキシレン基でありすべてのＺ¹が単結合である化合物を除く。）で表される化合物を1種以上含有する請求項１記載の液晶表示素子。

　（４）　一般式（ＩＶ）で表される化合物として次の一般式（ＩＶａ１）及び一般式（ＩＶａ２）

（式中、Ｒ^７ａ１及びＲ^７ａ２、Ｒ^８ａ１及びＲ^８ａ２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
ｎ^ａ２は０又は１を表し、Ａ^１ａ２は１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表し、一般式（ＩＶａ１）及び一般式（ＩＶａ２）中の１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
で表される化合物群の中から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する請求項３に記載の液晶組成物。

　（５）　前記画素電極が櫛形であるか又は、スリットを有する請求項１記載の液晶表示素子。

　（６）　電極間距離（Ｒ）が０である請求項１記載の液晶表示素子。

　（７）　網目状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスライン、前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタを含む層上に形成された第１の配向層を表面に有する第１の基板と、
　前記第１の基板の近傍領域に設けられ、かつ第１の電極と離間して設けられる第２電極および前記薄膜トランジスタに接続された前記第１の電極と、
　前記第１の基板と対向して設けられる第２の配向層を表面に有する第２の基板と、
　前記第１の配向層および前記第２の配向層同士向かい合うよう離間して配置され、かつ両配向層間に充填されたジフルオロベンゼン基を含む化合物を含有するｎ型液晶組成物からなる液晶層と、
　前記第１の電極および第２の電極が設けられている前記第１の基板の近傍領域以外の領域に第３の電極を有する、液晶表示素子。

　（８）前記ジフルオロベンゼン基を含む化合物は、下記一般式（ＩＶ）：

（式中Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^１及びＡ^１はそれぞれ独立して、１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａ^１又は／及びＡ^１が１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、
ｎ^１及びｎ^２はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ^１＋ｎ^２は１～３であり、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１及び／又はＺ^２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよいが、ｎ^１が１又は２でありｎ^２が０でありＡ^１の少なくとも１つが１，４－シクロへキシレン基でありすべてのＺ^１が単結合である化合物を除く。）で表される化合物を１種以上含有する、（７）記載の液晶表示素子。

　（９）　前記ｎ型液晶組成物は、ネマチック相－等方性液体の転移温度が６０℃以上であり、誘電率異方性の絶対値が２以上であり、一般式（Ｉ）：

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合二つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、及び／または下記一般式（ＩＩ）

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数４～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数３～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｍは０、１又は２を表すが、ｍが２の場合二つのＢは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する、（７）または（８）に記載の液晶表示素子。

　本発明のＦＦＳモードの液晶表示素子は高速応答性に優れ、表示不良の発生が少ない特徴を有し、優れた表示特性を有する。本発明の液晶表示素子は、液晶ＴＶ、モニター等の表示素子に有用である。

　本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子において、３電極構造の場合、第３電極から生じる電界により配向ムラを低減することができ、透過率が向上する。

本発明の液晶表示素子の構成の一例を模式的に示す図図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図配向膜４により誘起された液晶の配向方向を模式的に示す図図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域の他の例を拡大した平面図図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した他の例の断面図図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した他の例の断面図図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した他の例の断面図図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した他の例の断面図

　前述の通り、本願発明は、ＦＦＳモードの液晶表示素子に最適なｎ型液晶組成物を見出したものである。

　本発明に係る液晶表示素子の第１の実施形態は、ｎ型ＦＦＳモードの液晶表示素子であって、対向に配置された第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶縁基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、前記第１基板上に、透明導電性材料からなる第１の電極と、マトリクス状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタと、該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる第２の電極とを各画素毎に有し、前記液晶層と、前記第１基板と第２基板のそれぞれの間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、各配向膜の配向方向は平行であり、前記第１の電極と第２の電極とはこれらの電極間にフリンジ電界を形成するために、前記第１の電極と第２の電極との間の電極間距離：Ｒが前記第１の基板と第２の基板との距離：Ｇより小さく、前記第２の電極は、前記第１の電極より第１基板に近い位置に配置される構成である。また、前記第２の電極は、第１基板のほぼ全面に形成されることが好ましい。さらに前記第１の電極は画素電極であり、かつ第２の電極は共通電極であることが好ましい。また、液晶層はｎ型液晶組成物から構成されていることが好ましい。また電極間距離Ｒは、基板と水平成分の距離をいう。

　また、本発明に係る液晶表示素子の第２の実施形態は、網目状（またはマトリックス状）に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスライン、前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを含む層上に形成された第１の配向層を表面に有する第１の基板と、前記第１の基板の近傍領域に設けられ、かつ第１の電極と離間して設けられる第２電極および前記薄膜トランジスタに接続された前記第１の電極と、前記第１の基板と対向して設けられる第２の配向層を表面に有する第２の基板と、前記第１の配向層および前記第２の配向層同士向かい合うよう離間して配置され、かつ両配向層間に充填されたジフルオロベンゼン基を含む化合物を含有するｎ型液晶組成物からなる液晶層と、前記第１の電極および第２の電極が設けられている前記第１の基板の近傍領域以外の領域に第３の電極を有することが好ましい。

　すなわち、上記の第１の実施形態における液晶表示素子では、一方の基板上に第１の電極と第２の基板とが形成された構造であるが、第２の実施形態における液晶表示素子では、前記第１の電極および第２の電極が設けられている前記第１の基板の近傍領域以外の領域に第３の電極を有する構成である。この第３の電極を有すると、第１の電極と第２の電極間に存在する電気力線以外に、第１の電極と第３の電極間および／または第２の電極と第３の電極間に電気力線が形成されるため、この電気力線によって、液晶分子の配向ムラを低減することができると考えられる。特に、ｎ型液晶組成物は、液晶分子の長軸方向と直行する方向が電気力線に沿うため、例えば、第１の電極と第３の電極間および／または第２の電極と第３の電極間に形成される電気力線ベクトルに、液晶層の厚み方向（第１の基板と第２の基板とを結ぶ方向）成分が含まれると、液晶分子の厚み方向の配向ムラを低減することができると考えられる。

　ここで、第３の電極が設けられている第１の基板（または第２の基板）の近傍領域以外の領域とは、当該第３の電極が第１の基板上または第２の基板上のいずれにも設けられていてもよく、また、第１の電極と第２の電極が設けられている第１の基板（または第２の基板）の近傍以外の領域であれば当該第３の電極を設けてもよく、第１の電極と第２の電極との最短距離（Ｌ^１－２）より、第１の電極と第３の電極との最短距離（Ｌ^１－３）または第２の電極と第３の電極との最短距離（Ｌ^２－３）が長い条件を満たす領域に、第１の電極、第２の電極および第３の電極が設けられていることが好ましい。また、第１の基板の近傍領域以外の領域とは、具体的には、第１の基板から約１μｍ以上離間している領域を言う。

　本発明に係る第２の実施形態における液晶表示素子においては、第１の電極、第２の電極および第３の電極を備えているが、第４の電極、第５の電極をさらに備えてもよい。また、本発明に係る液晶表示素子において、第１の電極、第２の電極および第３の電極を含む３つ以上の電極のうち、１つ以上の画素電極と１つ以上の共通電極とを備えていればよい。したがって、例えば、第１の電極が画素電極、第２の電極が共通電極であれば、第３の電極は画素電極または共通電極のどちらでもよい。

　本発明に係る第２の実施形態における液晶表示素子においては、第１の電極と第２の電極間に印加する電圧より第１の電極と第３の電極間に印加する電圧または第２の電極と第３の電極間に印加する電圧が小さいことが好ましい。これにより液晶分子のスイッチング方向以外の方向の配向ムラを低減することができる。

　以下、まず、本発明における液晶組成物の実施の態様について説明する。
（液晶層）
　本発明における液晶組成物は、第１成分として一般式（Ｉ）で表される化合物を１種または２種以上含有する。

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合二つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）
　一般式（Ｉ）で表される化合物の合計含有量は、組成物全体の含有量の内、下限値としては５質量％が好ましく、１０質量％がより好ましく、１５質量％が更に好ましく、２０質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては６５質量％が好ましく、５５質量％がより好ましく、５０質量％が更に好ましく、４７質量％が特に好ましく、４５質量％が最も好ましい。

　一般式（Ｉ）で表される化合物としては、具体的には、例えば下記一般式（Ｉ－ａ）から一般式（Ｉ－ｅ）で表される化合物群で表される化合物が挙げられる。

（式中、Ｒ^１１～Ｒ^１５及びＲ^２１～Ｒ^２５は、それぞれ独立して炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表す。）
　一般式（Ｉ－ａ）～一般式（Ｉ－ｅ）で表される化合物群から選ばれる化合物は、１種～１０種含有することが好ましく、１種～８種含有することが特に好ましく、１種～５種含有することが特に好ましく、２種以上の化合物を含有することも好ましい。

　Ｒ^１１～Ｒ^１５及びＲ^２１～Ｒ^２５は、それぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基又は炭素原子数２～８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基又は炭素原子数２～５のアルコキシ基を表すことがより好ましく、アルケニル基を表す場合は次に記載する式（ｉ）～式（ｉｖ）

（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
で表される構造が好ましい。

　又、Ｒ^１１及びＲ^２１、Ｒ^１２及びＲ^２２、Ｒ^１３及びＲ^２３、Ｒ^１４及びＲ^２４、Ｒ^１５及びＲ^２５は同一でも異なっていても良いが、異なった置換基を表すことが好ましい。

　これらの点から、例えば、一般式（Ｉ）で表される化合物として、下記一般式（ＩＩＩ）

（式中、Ｒ^５は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ^６は炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数２～５のアルケニル基、炭素原子数１～４のアルコキシ基を表す。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有することが好ましい。

　一般式（ＩＩＩ）で表される化合物は、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　一般式（ＩＩＩ）で表される化合物を含有する場合は、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては５質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、２０質量％が更に好ましく、２３質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、５５質量％が更に好ましく、５２質量％が特に好ましく、５０質量％が最も好ましい。より具体的には、応答速度を重視する場合には下限値としては２０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、３５質量％が更に好ましく、３８質量％が特に好ましく、３５質量％が最も好ましく、上限値としては７０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、５５質量％が更に好ましく、５２質量％が特に好ましく、５０質量％が最も好ましく、より駆動電圧を重視する場合には下限値としては５質量％が好ましく、１５質量％がより好ましく、２０質量％が更に好ましく、２３質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましく、上限値としては６０質量％が好ましく、５０質量％がより好ましく、４５質量％が更に好ましく、４２質量％が特に好ましく、４０質量％が最も好ましい。一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の割合は、液晶組成物における一般式（Ｉ）で表される化合物の合計含有量の内、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物の含有量が下限値としては６０質量％が好ましく、７０質量％がより好ましく、７５質量％が更に好ましく、７８質量％が特に好ましく、８０質量％が最も好ましく、上限値としては９０質量％が好ましく、９５質量％がより好ましく、９７質量％が更に好ましく、９９質量％が特に好ましく、１００質量％が好ましい。

　また、一般式（ＩＩＩ）で表される化合物以外の一般式（Ｉ－ａ）から一般式（Ｉ－ｅ）で表される化合物としては、より具体的には次に記載する化合物が好ましい。

　これらの中でも、式（ＩＩＩ－ａ２）、式（ＩＩＩ－ｂ２）、式（Ｉ－ａ１）～式（Ｉ－ａ６）、式（Ｉ－ｂ２）、式（Ｉ－ｂ６）、式（Ｉ－ｄ１）、式（Ｉ－ｄ２）、式（Ｉ－ｄ）、式（Ｉ－ｅ２）、式（Ｉ－ｅ９）で表される化合物が好ましい。

　本発明における液晶組成物は、第２成分として一般式（ＩＩ）で表される化合物を１種または２種以上含有することが好ましい。

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数４～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数３～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し（シクロヘキサン環の１以上の炭素原子を酸素原子に置き換えてもよい）、ｍは０、１又は２を表すが、ｍが２の場合二つのＢは同一であっても異なっていてもよい。）
　一般式（ＩＩ）で表される化合物で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては１０質量％が好ましく、２０質量％がより好ましく、２５質量％が更に好ましく、２８質量％が特に好ましく、３０質量％が最も好ましく、上限値としては８５質量％が好ましく、７５質量％がより好ましく、７０質量％が更に好ましく、６７質量％が特に好ましく、６５質量％が最も好ましい。

　一般式（ＩＩ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＩａ）～一般式（ＩＩｅ）

（式中、Ｒ^３１～Ｒ^３４及びＲ^４１～Ｒ^４４は一般式（ＩＩ）におけるＲ^３及びＲ^４と同じ意味を表す）で表される化合物群の中から少なくとも１種以上選ばれることが好ましいが、２種以上選ばれることがより好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－８）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－４）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩａ－１）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物が更に好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物は、下限値としては２質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、上限値としては４５質量％が好ましく、３５質量％がより好ましく、３０質量％が更に好ましく、２７質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ－１）～式（ＩＩａ－４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＩａ－１）、式（ＩＩａ－２）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ－１）　、式（ＩＩａ－２）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩａ）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩａ－１）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩａ－１）及び式（ＩＩａ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－７）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－４）、式（ＩＩｂ－７）、式（ＩＩｂ－８）および式（ＩＩｂ－９）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－３）、式（ＩＩｂ－７）、式（ＩＩｂ－８）および式（ＩＩｂ－９）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＩｂ－１）、式（ＩＩｂ－３）、式（ＩＩｂ－７）、式（ＩＩｂ－８）および式（ＩＩｂ－９）で表される化合物が特に好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－４）で表される化合物の含有量が、（ＩＩｂ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を３種使用する場合には、（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ－１）～式（ＩＩｂ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩｂ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｂ）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＩｂ－１）及び式（ＩＩｂ－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｂ－１）及び式（ＩＩｂ－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｃ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｃ－１）～（ＩＩｃ－４）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＩｃ－１）又は式（ＩＩｃ－２）で表される化合物が好ましい。

　一般式（ＩＩｃ）で表される化合物を２種以上使用する場合には、式（ＩＩｃ－１）及び式（ＩＩｃ－２）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＩｃ－１）及び式（ＩＩｃ－２）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＩｃ）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＩｄ）または一般式（ＩＩｅ）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＩｄ－１）～（ＩＩｄ－４）および式（ＩＩｅ－１）～（ＩＩｅ－４）で表される化合物が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において一般式（ＩＩｄ）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において一般式（ＩＩｅ）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

　本発明の組成物は、一般式（ＩＶ）で表される化合物を含有することが好ましい。ただし、一般式（ＩＶ）で表される化合物は、一般式（ＩＩ）で表される化合物を除くものとする。

（式中Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａ^１又は／及びＡ^２が１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、また、シクロヘキサン環の炭素原子（－ＣＨ_２－）の１つ以上が酸素原子に置換されてもよく、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、ｎ^１及びｎ^２はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ^１＋ｎ^２は１～３であり、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１及び／又はＺ^２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよいが、ｎ^１が１又は２でありｎ^２が０でありＡ^１の少なくとも１つが１，４－シクロへキシレン基でありすべてのＺ^１が単結合である化合物を除く。）
　一般式（ＩＶ）で表される化合物の液晶組成物中の含有率として、下限値としては２質量％が好ましく、３質量％がより好ましく、４質量％が更に好ましく、５質量％が特に好ましく、上限値としては４５質量％が好ましく、３５質量％がより好ましく、３０質量％が更に好ましく、２７質量％が特に好ましく、２５質量％が最も好ましい。

　一般式（ＩＶ）において、Ｒ^７及びＲ^８は、結合する環構造がシクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時はアルキル基又はアルケニル基であることが好ましく、ベンゼンである時はアルキル基、アルコキシ基又はアルケニル基であることが好ましい。シクロヘキサン又はテトラヒドロピランである時は、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。また、一般式（ＩＶ）において、Ｒ^７及びＲ^８は、結合する環構造がベンゼンである時は、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数１～８のアルコキシ基を表すことが好ましく、炭素原子数３～５のアルキル基又は炭素原子数２～４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数３又は５のアルキル基又は炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことがより好ましく、炭素原子数２又は４のアルコキシ基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましい。

　表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。アルケニル基としては次に記載する式（ｉ）～式（ｉｖ）

　Ａ^１及びＡ^２はそれぞれ独立して、１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基が好ましい。

　Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して粘度の低減を重視する場合には単結合が好ましく、Δεの絶対値を大きくすることを重視する場合には－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又は－ＣＦ_２Ｏ－が好ましく、酸素原子が２，３－ジフルオロベンゼン－１，４－ジイル基に連結するように配置されることが好ましい。

　ｎ^１＋ｎ^２は２以下が好ましく、粘度の低減を重視する場合には１が好ましく、Ｔ_ｎｉを重視する場合やΔｎの増大を重視する場合には２が好ましい。

　一般式（ＩＶ）で表される化合物は次に記載する一般式（ＩＶａ１）～（ＩＶａ４）

（式中、Ｒ^７ａ１、Ｒ^７ａ２、Ｒ^７ａ３およびＲ^７ａ４ならびにＲ^８ａ１、Ｒ^８ａ２、Ｒ^８ａ３およびＲ^８ａ４はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、Ｚ^１はそれぞれ独立して、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、
ｎ^ａ２は０又は１を表し、Ａ^１ａ２は１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表し、一般式（ＩＶａ１）及び一般式（ＩＶａ２）中の１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。）
で表される化合物群の中から選ばれることが好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物は具体的には次に記載する式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－９）

で表される化合物が好ましいが、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－４）および式（ＩＶａ１－９）で表される化合物がより好ましく、式（ＩＶａ１－１）及び式（ＩＶａ１－３）で表される化合物が更に好ましく、式（ＩＶａ１－１）で表される化合物が特に好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物を４種以上使用する場合には、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－４）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－４）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物を３種使用する場合には、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＶａ１－１）～式（ＩＶａ１－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ１）で表される化合物を２種使用する場合には、式（ＩＶａ１－１）及び式（ＩＶａ１－３）で表される化合物を組み合わせて使用することが好ましく、式（ＩＶａ１－１）及び式（ＩＶａ１－３）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ１）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ２）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＩＶａ２－１）～一般式（ＩＶａ２－９）

（式中、Ｒ^７は一般式（ＩＶ）におけるＲ^７と同じ意味を表し、Ｒ^８は一般式（ＩＶ）におけるＲ^８と同じ意味を表す。）
で表される化合物が好ましい。

　一般式（ＩＶａ２）で表される化合物を使用する場合には、式（ＩＶａ２－１）で表される化合物を使用することが好ましいが、式（ＩＶａ２－１）で表される化合物の含有量が、一般式（ＩＶａ２）で表される化合物中の５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、８５質量％以上であることが特に好ましく、９０質量％以上であることが最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ２）におけるＲ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表すが、炭素原子数１～８のアルキル基又は炭素原子数２～８のアルケニル基を表すことが好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基又は炭素原子数２～５のアルケニル基を表すことがより好ましく、炭素原子数２～５のアルキル基を表すことが更に好ましく、直鎖であることが好ましく、Ｒ^７及びＲ^８が共にアルキル基である場合には、それぞれの炭素原子数は異なっている方が好ましい。

　更に詳述すると、Ｒ^７がプロピル基を表しＲ^８がエチル基を表す化合物又はＲ^７がブチル基を表しＲ^８がエチル基を表す化合物が好ましい。

　一般式（ＩＶａ３）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＩＶａ３－１）～一般式（ＩＶａ３－８）

で表される化合物が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において一般式（ＩＶａ３）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

　一般式（ＩＶａ４）で表される化合物は具体的には次に記載する一般式（ＩＶａ４－１）～一般式（ＩＶａ４－１２）

で表される化合物が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において一般式（ＩＶａ４）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

　本発明に係る液晶組成物は、以下の一般式（Ｖ）で表される化合物を含むことが好ましい。

（上記一般式（Ｖ）中、Ｒ^３Ｖ及びＲ^４Ｖはそれぞれ独立的して、炭素原子数１～１０のアルキル基、炭素原子数１～１０のアルコキシ基、炭素原子数２～８のアルケニル基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数１～９のアルコキシ基、炭素原子数２～６のアルケニル基又は炭素原子数２～６のアルケニルオキシ基がより好ましく、炭素原子数２～７のアルコキシ基が更に好ましい。表示素子の応答速度の改善を重視する場合はアルケニル基が好ましく、電圧保持率等の信頼性を重視する場合にはアルキル基が好ましい。）
　また、上記一般式（Ｖ）において、Ｒ^３Ｖ及びＲ^４Ｖの合計の炭素原子数は４～１２個が好ましい。

　当該一般式（Ｖ）で表される化合物としては、以下の化合物が好ましい。

　本発明に係る液晶組成物において一般式（Ｖ）で表される化合物の含有量は、下限値としては１質量％が好ましく、２質量％がより好ましく、上限値としては１５質量％が好ましく、１２質量％がより好ましく、１０質量％が更に好ましく、８質量％が特に好ましく、７質量％が最も好ましい。

　本願における１，４－シクロヘキシル基はトランス－１，４－シクロヘキシル基であることが好ましい。

　本発明における液晶組成物は、一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物を必須の成分とするものであるが、更に一般式（ＩＶ）で表される化合物（ただし、一般式（ＩＩ）で表される化合物を除く）を含有することができる。液晶組成物中に含有する式（Ｉ）、式（ＩＩ）、及び一般式（ＩＶ）で表される化合物の合計含有量は、８０～１００質量％が好ましく、８５～１００質量％がより好ましく、９０～１００質量％が更に好ましく、９５～１００質量％が特に好ましく、９７～１００質量％が最も好ましい。

　本願液晶組成物中に含有する一般式（Ｉ）及び一般式（ＩＩ）で表される化合物の合計含有量は下限値としては５５質量％が好ましく、６５質量％がより好ましく、７０質量％が更に好ましく、７３質量％が特に好ましく、７５質量％が最も好ましく、上限値としては８５質量％が好ましく、９０質量％がより好ましく、９２質量％が更に好ましく、９４質量％が特に好ましく、９５質量％が最も好ましい。

　本願発明の液晶組成物は、分子内に過酸（－ＣＯ－ＯＯ－）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。

　液晶組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５質量％以下とすることが好ましく、３質量％以下とすることがより好ましく、１質量％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。

　分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を多くすることが好ましく、分子内の環構造がすべて６員環である化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して８０質量％以上とすることが好ましく、９０質量％以上とすることがより好ましく、９５質量％以上とすることが更に好ましく、実質的に分子内の環構造がすべて６員環である化合物のみで液晶組成物を構成することが最も好ましい。

　液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　液晶組成物の酸化による劣化を抑えるためには、連結基として－ＣＨ＝ＣＨ－を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、当該化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　粘度の改善及びＴ_ＮＩの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２－メチルベンゼン－１，４－ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２－メチルベンゼン－１，４－ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　本発明の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２～５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４～５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。また、液晶組成物の安定性を重視する場合には、側鎖としてアルケニル基を有しかつ２，３－ジフルオロベンゼン－１，４－ジイル基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、当該化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０質量％以下とすることが好ましく、５質量％以下とすることがより好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。

　本発明における液晶組成物の誘電率異方性Δεの値は負の誘電率異方性を有し、誘電率異方性の絶対値は２以上である。誘電率異方性Δεの値は、２５℃において、－２．０から－６．０であることが好ましく、－２．５から－５．０であることがより好ましく、－２．５から－４．０であることが特に好ましいが、更に詳述すると、応答速度を重視する場合には－２．５～－３．４であることが好ましく、駆動電圧を重視する場合には－３．４～－４．０であることが好ましい。

　本発明における液晶組成物の屈折率異方性Δｎの値は、２５℃において、０．０８から０．１３であることが好ましいが、０．０９から０．１２であることがより好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１２であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。

　また、本発明に係る液晶組成物は、他の成分として誘電異方性が正の化合物を含んでいてもよく、例えば、下記式（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種を含んでいてもよい。

（上記式（ｃ３）中、Ｒ^３は一般式（ＩＩ）と同一であるのでここでは省略する。）
　式（ｃ１）、（ｃ２）および（ｃ３）で表される化合物を含む場合、それぞれの含有量は液晶組成物中、１～２０質量％が好ましく、２～１０質量％がより好ましく、３～７質量％が更に好ましい。

　本発明における液晶組成物の回転粘度（γ_１）は１５０以下が好ましく、１３０以下がより好ましく、１２０以下が特に好ましい。

　本発明における液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。

（式中、γ_１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。

　本発明における液晶組成物のネマチック相－等方性液体相転移温度（Ｔ_ｎｉ）は、６０℃以上であり、好ましくは７５℃以上であり、より好ましくは８０℃以上であり、さらに好ましくは９０℃以上である。

　本発明の液晶組成物は、１０^１２（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０^１３（Ω・ｍ）が好ましく、１０^１４（Ω・ｍ）以上がより好ましい。

　本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、用途に応じて、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤などを含有しても良いが、液晶組成物の化学的な安定性が求められる場合には塩素原子をその分子内に有さないことが好ましく、液晶組成物の紫外線などの光に対する安定性が求められる場合にはナフタレン環などに代表される共役長が長く紫外領域に吸収ピークが存在する縮合環等をその分子内に有さないことが望ましい。

　本発明に係る液晶表示素子に使用される液晶組成物の好適な組成例としては、後述の実施例以外に例えば以下の態様が挙げられる。例えば、応答速度を重視する場合において、本発明に係る液晶組成物の第１態様は、一般式（ＩＩＩ）が１～５５質量％と、一般式（Ｉ－ｄ）が０～１５質量％と、一般式（Ｉ－ｅ）が０～１０質量％と、一般式（ＩＩａ）が０～３０質量％と、一般式（ＩＩｂ）が０～３０質量％と、一般式（ＩＩｃ）が０～２５質量％と、一般式（ＩＩｅ）または（ＩＩｄ）が０～１５質量％と、一般式（ＩＶａ１）が０～２０質量％と、一般式（ＩＶａ２）が０～２０質量％と、一般式（ＩＶａ３）が０～２０質量％と、一般式（ＩＶａ４）が０～２０質量％と、を含み、かつこれらの化学式で液晶組成物の８０～１００質量を構成していることが好ましい。
（液晶表示素子）
　上記のような本発明の液晶組成物は、ＦＦＳモードの液晶表示素子に適用される。以下、図１～９を参照にして、本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子の例を説明する。

　図１は、液晶表示素子の構成を模式的に示す図である。図１では、説明のために便宜上各構成要素を離間して記載している。本発明に係る液晶表示素子１０の構成は、図１に記載するように、対向に配置された第１の透明絶縁基板２と、第２の透明絶縁基板７との間に挟持された液晶組成物（または液晶層５）を有するＦＦＳモードの液晶表示素子であって、該液晶組成物として前記本発明の液晶組成物を用いたことに特徴を有するものである。第１の透明絶縁基板２は、液晶層５側の面に電極層３が形成されている。また、液晶層５と、第１の透明絶縁基板２及び第２の透明絶縁基板８のそれぞれの間に、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４を有し、該液晶組成物中の液晶分子は、電圧無印加時に前記基板２，７に対して略平行になるように配向されている。図１および図３に示すように、前記第２の基板２および前記第１の基板８は、一対の偏光板１，８により挟持されてもよい。さらに、図１では、前記第２の基板７と配向膜４との間にカラーフィルタ６が設けられている。

　すなわち、本発明に係る液晶表示素子１０は、（必要により）第１の偏光板１と、第１の基板２と、薄膜トランジスタを含む電極層３と、配向膜４と、液晶組成物を含む液晶層５と、配向膜４と、カラーフィルタ６と、第２の基板７と、（必要により）第２の偏光板８と、が順次積層された構成である。第１の基板２と第２の基板７はガラス又はプラスチックの如き柔軟性をもつ透明な材料を用いることができ、一方はシリコン等の不透明な材料でも良い。２枚の基板２、７は、周辺領域に配置されたエポキシ系熱硬化性組成物等のシール材及び封止材によって貼り合わされていて、その間には基板間距離を保持するために、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子等の粒状スペーサーまたはフォトリソグラフィー法により形成された樹脂からなるスペーサー柱が配置されていてもよい。

　図２は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図である。図３は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図である。図２に示すように、第１の基板２の表面に形成されている薄膜トランジスタを含む電極層３は、走査信号を供給するための複数のゲートバスライン２６と表示信号を供給するための複数のデータバスライン２５とが、互いに交差してマトリクス状に配置されている。なお、図２には、一対のゲートバスライン２６及び一対のデータバスライン２５のみが示されている。

　複数のゲートバスライン２６と複数のデータバスライン２５とにより囲まれた領域により、液晶表示装置の単位画素が形成され、該単位画素内には、画素電極２１及び共通電極２２が形成されている。ゲートバスライン２６とデータバスライン２５が互いに交差している交差部近傍には、ソース電極２７、ドレイン電極２４およびゲート電極２８を含む薄膜トランジスタが設けられている。この薄膜トランジスタは、画素電極２１に表示信号を供給するスイッチ素子として、画素電極２１と連結している。また、ゲートバスライン２６と並行して、共通ライン２９が設けられる。この共通ライン２９は、共通電極２２に共通信号を供給するために、共通電極２２と連結している。

　薄膜トランジスタの構造の好適な一態様は、例えば、図３で示すように、基板２表面に形成されたゲート電極１１と、当該ゲート電極１１を覆い、且つ前記基板２の略全面を覆うように設けられたゲート絶縁層１２と、前記ゲート電極１１上に対向するよう前記ゲート絶縁層１２の表面に形成された半導体層１３と、前記半導体層１７の表面の一部を覆うように設けられた保護膜１４と、前記保護層１４および前記半導体層１３の一方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたドレイン電極１６と、前記保護膜１４および前記半導体層１３の他方の側端部を覆い、かつ前記基板２表面に形成された前記ゲート絶縁層１２と接触するように設けられたソース電極１７と、前記ドレイン電極１６および前記ソース電極１７を覆うように設けられた絶縁保護層１８と、を有している。ゲート電極１１の表面にゲート電極との段差を無くす等の理由により陽極酸化被膜（図示せず）を形成してもよい。

　前記半導体層１３には、アモルファスシリコン、多結晶ポリシリコンなどを用いることができるが、ＺｎＯ、ＩＧＺＯ（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）、ＩＴＯ等の透明半導体膜を用いると、光吸収に起因する光キャリアの弊害を抑制でき、素子の開口率を増大する観点からも好ましい。

　さらに、ショットキー障壁の幅や高さを低減する目的で半導体層１３とドレイン電極１６またはソース電極１７との間にオーミック接触層１５を設けても良い。オーミック接触層には、ｎ型アモルファスシリコンやｎ型多結晶ポリシリコン等のリン等の不純物を高濃度に添加した材料を用いることができる。

　ゲートバスライン２６やデータバスライン２５、共通ライン２９は金属膜であることが好ましく、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ又はその合金がより好ましく、Ａｌ又はその合金の配線を用いる場合が特に好ましい。また、絶縁保護層１８は、絶縁機能を有する層であり、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、ケイ素酸窒化膜等で形成される。

　図２及び図３に示す実施の形態では、共通電極２２はゲート絶縁層１２上に形成された平板状の電極であり、一方、画素電極２１は共通電極２２を覆う絶縁保護層１８上に形成された櫛形の電極である。すなわち、共通電極２２は画素電極２１よりも第１の基板２に近い位置に配置され、これらの電極は絶縁保護層１８を介して互いに重なりあって配置される。画素電極２１と共通電極２２は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電性材料により形成される。画素電極２１と共通電極２２が透明導電性材料により形成されるため、単位画素面積で開口される面積が大きくなり、開口率及び透過率が増加する。

　画素電極２１と共通電極２２とは、これらの電極間にフリンジ電界を形成するために、画素電極２１と共通電極２２との間の電極間距離：Ｒが、第１の基板２と第２の基板７との距離：Ｇより小さくなるように形成されている。ここで、電極間距離：Ｒは各電極間の基板に水平方向の距離を表す。図３には、平板状の共通電極２２と櫛形の画素電極２１とが重なり合っているため、電極間距離：Ｒ＝０となる例が示されており、電極間距離：Ｒが第１の基板２と第２の基板７との距離（すなわち、セルギャップ）：Ｇよりも小さくなるため、フリンジの電界Ｅが形成される。したがって、ＦＦＳ型の液晶表示素子は、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向に形成される水平方向の電界と、放物線状の電界を利用することができる。画素電極２１の櫛状部分の電極幅：ｌ、及び、画素電極２１の櫛状部分の間隙の幅：ｍは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に形成することが好ましい。

　カラーフィルタ６は、光の漏れを防止する観点で、薄膜トランジスタおよびストレイジキャパシタ２３に対応する部分にブラックマトリックス（図示せず）を形成することが好ましい。

　電極層３、及び、カラーフィルタ６上には、液晶層５を構成する液晶組成物と直接当接してホモジニアス配向を誘起する一対の配向膜４が設けられている。配向膜４は、例えば、ラビング処理されたポリイミド膜であり、各配向膜の配向方向は平行である。ここで、図４を用いて、本実施形態における配向膜４のラビング方向（液晶組成物の配向方向）について説明する。図４は、配向膜４により誘起された液晶の配向方向を模式的に示す図である。本発明においては、負の誘電率異方性を有する液晶組成物が用いられる。したがって、画素電極２１の櫛形を形成するラインに対して垂直な方向（水平電界が形成される方向）をｘ軸としたときに、該ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね０～４５°となるように配向されることが好ましい。図３に示す例では、ｘ軸と液晶分子３０の長軸方向とのなす角θが、概ね０°の例が示されている。このように液晶の配向方向を誘起するのは、液晶表示装置の最大透過率を高めるためである。

　また、偏光板１及び偏光板８は、各偏光板の偏光軸を調整して視野角やコントラストが良好になるように調整することができ、それらの透過軸がノーマリブラックモードで作動するように、互いに直行する透過軸を有することが好ましい。特に、偏光板１及び偏光板８のうちいずれかは、液晶分子３０の配向方向と平行な透過軸を有するように配置することが好ましい。また、コントラストが最大になるように液晶の屈折率異方性Δｎとセル厚ｄとの積を調整することが好ましい。更に、視野角を広げるための位相差フィルムも使用することもできる。

　上記のような構成のＦＦＳ型の液晶表示装置１０は、薄膜ＴＦＴを介して画素電極２１に画像信号（電圧）を供給することで、画素電極２１と共通電極２２との間にフリンジ電界を生じさせ、この電界によって液晶を駆動する。すなわち、電圧を印加しない状態では、液晶分子３０は、その長軸方向が、配向膜４の配向方向と平行になるように配置している。電圧を印加すると、画素電極２１と共通電極２２との間に放物線形の電界の等電位線が画素電極２１と共通電極２２の上部にまで形成され、液晶層５内の液晶分子３０は、形成された電界に沿って液晶層５内を回転する。本発明では、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いるため、液晶分子３０の長軸方向が、発生した電界方向に直行するように回転する。画素電極２１の近くに位置する液晶分子３０はフリンジ電界の影響を受けやすいものの、負の誘電率異方性を有する液晶分子３０は分極方向が分子の短軸にあることから、その長軸方向が配向膜４に対して直行する方向に回転することはなく、液晶層５内の全ての液晶分子３０の長軸方向は、配向膜４に対して平行方向を維持できる。したがって、正の誘電率異方性を有する液晶分子３０を用いたＦＦＳ型の液晶表示素子に比べて、優れた透過率特性を得ることができる。

　図１～図４を用いて説明したＦＦＳ型の液晶表示素子は一例であって、本発明の技術的思想から逸脱しない限りにおいて、他の様々な形態で実施することが可能である。例えば、図５は、図１における基板２上に形成された電極層３のＩＩ線で囲まれた領域を拡大した平面図の他の例である。図５に示すように、画素電極２１がスリットを有する構成としてもよい。また、スリットのパターンを、ゲートバスライン２６又はデータバスライン２５に対して傾斜角を持つようにして形成してもよい。

　また、図６は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。図６に示す例では、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との電極間距離はＲ＝αとなる。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁膜１２上に形成されている例が示されていたが、図６に示されるように、共通電極２２を第１の基板２上に形成して、ゲート絶縁膜１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。

　図７は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。図７は、図６の構成と比較して第２の基板７側に突起１２４と第３の電極１２３とが設けられている点が相違する。当該突起１２４はスペーサーであってもよく有機材料または無機材料で構成されている。また、図７では、当該突起１２４を第２の基板７側に設けているが、第１の基板２上に第２の基板７方向に突出させて設けてもよい。また、突起１２４の先端は液晶層５中に存在しているが、当該突起１２４の先端が配向膜４や絶縁膜１８に当接してもよい。また、ここでは第３の電極１２３は共通電極であることが好ましい。さらに、図７では、ブラックマトリックスの位置に併せて突起１２４をＴＦＴ上に形成しているが、ＴＦＴの真上に突起１２４を形成しなくてもよい。

　この図７に示すように、第２の基板側に第３の電極１２３として共通電極を設けることで、厚み方向の電気力線を形成し、液晶層５における厚み方向の配向ムラを低減できると考えられる。

　図７に示す例では、櫛形あるいはスリットを有する共通電極２２を用いており、画素電極２１と共通電極２２との電極間距離はＲ＝αとなる。さらに、図３では共通電極２２がゲート絶縁膜１２上に形成されている例が示されていたが、図６に示されるように、共通電極２２を第１の基板２上に形成して、ゲート絶縁膜１２を介して画素電極２１を設けるようにしてもよい。画素電極２１の電極幅：ｌ、共通電極２２の電極幅：ｎ、及び、電極間距離：Ｒは、発生する電界により液晶層５内の液晶分子が全て駆動され得る程度の幅に適宜調整することが好ましい。

　図８は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。図８は、図３の構成と比較して第２の基板７側に第３の電極１２３とが設けられている点が相違する。当該第３の電極１２３は、図２で示すような櫛形または図５で示すような切欠き部を備える構造である。また、ここでは第３の電極１２３は共通電極であることが好ましい。第２の基板側に第３の電極１２３として共通電極を設けることで、厚み方向の電気力線Ｅ’を形成し、液晶層５における厚み方向の配向ムラを低減できると考えられる。

　図９は、図２におけるＩＩＩ－ＩＩＩ線方向に図１に示す液晶表示素子を切断した断面図の他の例である。図８は、図３の構成と比較して第１の基板２と対向する基板側に第１の基板と同様のＴＦＴを備えた電極基板を貼りあわせた構造であり、カラーフィルタを含む保護層１２６と保護層１９の点が異なる。換言すると、図３の構成である、偏光層１と、第１基板２と、電極層３と、保護層１９と、配向膜４とを順次積層させた一対の積層体を、ＴＦＴが重なるように貼りあわせた構成であって、かつ片側の保護層１９をカラーフィルタを含む樹脂にした構造が図９である。

　この構成では、電極が４つ存在する。すなわち、共通電極２２が上下存在し、画素電極２１が上下存在する。片側にのみ電極を構成させた素子に比較して、液晶層の液晶を効率的に利用することができる。

　本発明に係るＦＦＳモードの液晶表示素子は、特定の液晶組成物を用いているため、高速応答と表示不良の抑制を両立させることができる。

　また、ＦＦＳモードの液晶表示素子は、第１の基板２と第２の基板７との間に液晶層５を注入する際、例えば、真空注入法又は滴下注入（ＯＤＦ：Ｏｎｅ　Ｄｒｏｐ　Ｆｉｌｌ）法等の方法が行われるが、本願発明においては、ＯＤＦ法において、液晶組成物を基板に滴下した際の滴下痕の発生を抑えることができる。なお、滴下痕とは、黒表示した場合に液晶組成物を滴下した痕が白く浮かび上がる現象と定義する。

　滴下痕の発生は、注入される液晶材料に大きな影響を受けるものであるが、さらに、表示素子の構成によってもその影響は避けられない。ＦＦＳモードの液晶表示素子においては、表示素子中に形成される薄膜トランジスター、及び、櫛形やスリットを有する画素電極２１等は、薄い配向膜４、あるいは薄い配向膜４と薄い絶縁保護層１８等しか液晶組成物を隔てる部材が無いことから、イオン性物質を遮断しきれない可能性が高く、電極を構成する金属材料と液晶組成物の相互作用による滴下痕の発生を避けることができなかったが、ＦＦＳ型の液晶表示素子において本願発明の液晶組成物を組み合わせて用いることにより、効果的に滴下痕の発生が抑えられる。

　また、ＯＤＦ法による液晶表示素子の製造工程においては、液晶表示素子のサイズに応じて最適な液晶注入量を滴下する必要があるが、本願発明の液晶組成物は、例えば、液晶滴下時に生じる滴下装置内の急激な圧力変化や衝撃に対する影響が少なく、長時間にわたって安定的に液晶を滴下し続けることが可能であるため、液晶表示素子の歩留まりを高く保持することもできる。特に、最近流行しているスマートフォンに多用される小型液晶表示素子は、最適な液晶注入量が少ないために最適値からのずれを一定範囲内に制御すること自体が難しいが、本願発明の液晶組成物を用いることにより、小型液晶表示素子においても安定した液晶材料の吐出量を実現できる。

　以下に実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。

　実施例中、測定した特性は以下の通りである。

　Ｔ_ＮＩ　：ネマチック相－等方性液体相転移温度（℃）
　Δｎ　：２５℃における屈折率異方性
　Δε　：２５℃における誘電率異方性
　η　　：２０℃における粘度（ｍＰａ・ｓ）
　γ_１　：２５℃における回転粘度（ｍＰａ・ｓ)
ＶＨＲ：周波数６０Ｈｚ，印加電圧１Ｖの条件下で６０℃における電圧保持率（％）
　焼き付き　：
　液晶表示素子の焼き付き評価は、表示エリア内に所定の固定パターンを１０００時間表示させた後に、全画面均一な表示を行ったときの固定パターンの残像のレベルを目視にて以下の４段階評価で行った。

　◎残像無し
　○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
　△残像有り許容できないレベル
　×残像有りかなり劣悪
　滴下痕　：
　液晶表示装置の滴下痕の評価は、全面黒表示した場合における白く浮かび上がる滴下痕を目視にて以下の４段階評価で行った。

　◎残像無し
　○残像ごく僅かに有るも許容できるレベル
　△残像有り許容できないレベル
　×残像有りかなり劣悪
プロセス適合性　：
　プロセス適合性は、ＯＤＦプロセスにおいて、定積計量ポンプを用いて１回に５０ｐＬずつ液晶を滴下することを１０００００回行い、次の「０～１００回、１０１～２００回、２０１～３００回、・・・・９９９０１～１０００００回」の各１００回ずつ滴下された液晶量の変化を以下の４段階で評価した。

　◎変化が極めて小さい（安定的に液晶表示素子を製造できる）
　○変化が僅かに有るも許容できるレベル
　△変化が有り許容できないレベル（斑発生により歩留まりが悪化）
　×変化が有りかなり劣悪（液晶漏れや真空気泡が発生）
　低温での溶解性：
　低温での溶解性評価は、液晶組成物を調製後、２ｍＬのサンプル瓶に液晶組成物を１ｇ秤量し、これに温度制御式試験槽の中で、次を１サイクル「－２０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→昇温（０．１℃／毎分）→２０℃（１時間保持）→降温（－０．１℃／毎分）→０℃（１時間保持）→降温（－０．１℃／毎分）→－２０℃」として温度変化を与え続け、目視にて液晶組成物からの析出物の発生を観察し、以下の４段階評価を行った。

　◎６００時間以上析出物が観察されなかった。

　○３００時間以上析出物が観察されなかった。

　△１５０時間以内に析出物が観察された。

　×７５時間以内に析出物が観察された。
尚、実施例において化合物の記載について以下の略号を用いる。
（配向ムラ）
　偏光顕微鏡で観察する以外の方法として、電気光学特性測定における透過率コントラスト比が向上しているか否かで配向ムラを測定することができる。
（側鎖）
　－ｎ　　　　－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状アルキル基
　－Ｏｎ　　　－ＯＣ_ｎＨ_２ｎ＋１　炭素原子数ｎの直鎖状アルコキシ基
　－Ｖ　　　　－ＣＨ＝ＣＨ_２　ビニル基
　－Ｖｎ　　　－ＣＨ＝Ｃ－Ｃ_ｎＨ_２ｎ＋１　炭素原子数（ｎ＋１）の１－アルケン
　左側も同様
（連結基）
　－ＣＦ_２Ｏ－　　　　－ＣＦ_２－Ｏ－
　－ＯＣＦ_２－　　　　－Ｏ－ＣＦ_２－
　－１Ｏ－　　　　　－ＣＨ_２－Ｏ－
　－Ｏ１－　　　　　－Ｏ－ＣＨ_２－
　－ＣＯＯ－　　　　－ＣＯＯ－
（環構造）

　（実施例１（液晶組成物１））
　次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．０μｍで、第一の基板及び第二の基板に電極層を有するＦＦＳモードの液晶表示素子を作製した。液晶組成物の注入は、滴下法にて行い、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った。

　尚、含有量の左側の記号は、上記化合物の略号の記載である。

　液晶組成物１は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な７５．６℃のＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。

　（実施例２（液晶組成物２））
　液晶組成物１と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物２を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物２は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例３（液晶組成物３））
　液晶組成物１，２と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物３）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物３を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物３は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物３を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（比較例１～３）
　液晶組成物１～３を用いて、ＴＶ用として一般的であるセル厚３．５μｍの垂直配向液晶表示素子（ＶＡモードの液晶表示素子）を作製した。

　実施例１～３においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例１～３においてそれぞれ作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。なお、実施例１～３及び比較例１～３の液晶表示素子における透過率は、それぞれのモードにおける液晶組成物注入前の素子の透過率を１００％とした際の値である。

　液晶組成物１～３を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例１～３）は、それぞれ同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例１～３）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

　液晶分子が基板に対して平行に配向し、且つ、フリンジの電界が生じるＦＦＳモードの液晶表示素子においては、液晶分子が基板に対して垂直に配向し、且つ、垂直に電界が生じるＶＡモードの液晶表示素子とは異なった液晶の基本特性が求められる。液晶組成物１～３が本願必須成分である一般式(I）及び一般式(II)の化合物を含有することにより、液晶表示素子としての基本的特性を損なうこと無く、FFSモードの大きな特徴である透過率の向上を達成したものである。一方、FFSモードのこれらの差異により、焼き付きや滴下痕といった効果については、従来の知見からは予測のつけにくいものとなっている。本発明の液晶表示素子においては、これらの点についても良好な特性を示している。

　（実施例４（液晶組成物４））
　組成物１～３と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物４）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物４は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物４を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製したところ、実施例１～３と同等の優れた表示特性を示した。

　（実施例５（液晶組成物５））
　液晶組成物１～４と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物５）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物５は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物５を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製したところ、実施例１～３と同等の優れた表示特性を示した。

　（実施例６（液晶組成物６））
　液晶組成物１～５と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物６）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物６は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物６を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製したところ、実施例１～３と同等の優れた表示特性を示した。

　（実施例７（液晶組成物７））
　液晶組成物１～６と同等のΔｎの値を有し、より高いＴ_ＮＩ及びΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物７）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物７を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物７は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物７を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例８（液晶組成物８））
　液晶組成物７と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物８）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。　液晶組成物８を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物８は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物８を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例９（液晶組成物９））
　液晶組成物７，８と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物９）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物９を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物９は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物９を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（比較例４～６）
　液晶組成物７～９を用いて、比較例１～３と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

　実施例７～９においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例４～６においてそれぞれ作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

　液晶組成物７～９を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例７～９）は、それぞれ同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例４～６）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

　（実施例１０（液晶組成物１０））
　液晶組成物７～９と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１０）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１０は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１０を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例１１（液晶組成物１１））
　液晶組成物７～１０と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１１は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１１を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例１２（液晶組成物１２））
　液晶組成物７～１１と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１２）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１２は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１２を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例１３（液晶組成物１３））
　液晶組成物７～１２と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１３）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１３は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１３を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例１４（液晶組成物１４））
　液晶組成物７～１３と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１４）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１４は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１４を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例１５（液晶組成物１５））
　次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１５）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物１５を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物１５は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な８５．３℃のＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。

　（実施例１６（液晶組成物１６））
　液晶組成物１５と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１６）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物１６を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物１６は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な液晶相温度範囲を有し、大きい誘電率異方性の絶対値を有し、低い粘性及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１６を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例１７（液晶組成物１７））
　液晶組成物１５，１６と同等のＴＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１７）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物１７を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物１７は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１７を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（比較例７～９）
　液晶組成物１５～１７を用いて、比較例１～３と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

　実施例１５～１７においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例７～９においてそれぞれ作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

　液晶組成物１５～１７を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例１５～１７）は、それぞれ同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例７～９）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

　液晶分子が基板に対して平行に配向し、且つ、フリンジの電界が生じるＦＦＳモードの液晶表示素子においては、液晶分子が基板に対して垂直に配向し、且つ、垂直に電界が生じるＶＡモードの液晶表示素子とは異なった液晶の基本特性が求められる。液晶組成物１５～１７が本願必須成分を含有することにより、液晶表示素子としての基本的特性を損なうこと無く、ＦＦＳモードの大きな特徴である透過率の向上を達成したものである。一方、ＦＦＳモードのこれらの差異により、焼き付きや滴下痕といった効果については、従来の知見からは予測のつけにくいものとなっている。本発明の液晶表示素子においては、これらの点についても良好な特性を示している。

　（実施例１８（液晶組成物１８））
　組成物１５～１７と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１８）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１８は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１８を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製したところ、実施例１５～１７と同等の優れた表示特性を示した。

　（実施例１９（液晶組成物１９））
　液晶組成物１５～１８と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物１９）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物１９は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物１９を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製したところ、実施例１５～１７と同等の優れた表示特性を示した。

　（実施例２０（液晶組成物２０））
　液晶組成物１５～１９と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２０）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物２０は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２０を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製したところ、実施例１５～１７と同等の優れた表示特性を示した。

　（実施例２１（液晶組成物２１））
　液晶組成物１５～２０と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物２１を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物２１は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２１を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例２２（液晶組成物２２））
　液晶組成物１５～２１と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２２）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物２２を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物２２は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２２を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例２３（液晶組成２３））
　液晶組成物１５～２２と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２３）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物２３は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２３を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（比較例１０～１２）
　液晶組成物２１～２３を用いて、比較例１～３と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

　実施例２１～２３においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例１０～１２においてそれぞれ作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

　液晶組成物２１～２３を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例２１～２３）は、それぞれ同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例１０～１２）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

　（実施例２４（液晶組成物２４））
　液晶組成物１５～２３と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２４）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物２４は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２４を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例２５（液晶組成物２５））
　液晶組成物１５～２４と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物２５は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２５を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。

　（実施例２６（液晶組成物２６））
　液晶組成物１５～２５と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２６）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。

　液晶組成物２６は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２６を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、優れた評価結果を示した。
（実施例２７～３５（液晶組成物２７～３５））
　次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物２７～３５）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物２７～３５を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物２７～３５は、ＴＶ用液晶組成物として実用的な範囲のＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物２７～３５を用いて、ＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、電圧保持率、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、極めて優れた評価結果を示した。

　（比較例１３～２１）
　液晶組成物２７～３５を用いて、比較例１～３と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

　実施例２７～３５においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例１３～２１においてそれぞれ作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

　（実施例３６～４１（液晶組成物３６～４１））
　液晶組成物２７～３５と同等のＴ_ＮＩ、同等のΔｎの値及び同等のΔεの値を有するように設計した次に示す組成を有する液晶組成物（液晶組成物３６～４１）を調製し、その物性値を測定した。この結果を次の表に示す。液晶組成物３６～４１を用いて、実施例１と同様にＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性の評価を行った結果を同じ表に示す。

　液晶組成物３６～４１は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物３６～４１を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、電圧保持率、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、ＴＶ用液晶組成物として実用的な評価結果を示した。

　（比較例２２～２７）
　液晶組成物３６～４１を用いて、比較例１と同様のＶＡモードの液晶表示素子を作製した。

　実施例３６～４１においてそれぞれ作製したＦＦＳモードの液晶表示素子と、比較例２２～２７において作成したＶＡモードの液晶表示素子について、透過率、コントラスト比、応答速度の比較を行った。その結果を次に示す。

　液晶組成物３６～４１を用いて作製されたＦＦＳモードの表示素子（実施例３６～４１）は、同じ液晶組成物を用いて作成されたＶＡモードの液晶表示素子（比較例２２～２７）に比べ、最高透過率、コントラスト比及び応答速度いずれにおいても優れた特性を示した。

　（実施例４２～４４（液晶組成物４２～４４））

　液晶組成物４２～４４は、ＴＶ用液晶組成物として実用的なＴ_ＮＩを有し、大きいΔεの絶対値を有し、低いη及び最適なΔｎを有していることが解る。液晶組成物４２～４４を用いて、実施例１と同様のＦＦＳモードの液晶表示素子を作製し前述の方法により、電圧保持率、焼き付き、滴下痕、プロセス適合性及び低温での溶解性を評価したところ、ＴＶ用液晶組成物として実用的な評価結果を示した。

　（実施例４５）
　ＴＶ用として一般的であるセル厚３．０μｍで、第１の基板にＴＦＴ電極層を有し、かつ第２の基板に櫛形の共通電極を有するＦＦＳモードの液晶表示素子を作製した（図８の構成）。また、液晶組成物１～４４について滴下法にて行い、当該液晶セルを駆動させながら偏光顕微鏡で観察した結果、配向ムラが実施例１の液晶セルと比較して低減していることが確認された。

１，８　偏光板
２　第１の基板
３　第２の電極層
４　配向膜
５　液晶層
６　カラーフィルタ
７　第２の基板（電極を表面に形成されている場合も含む）
１０　液晶表示素子
１１　ゲート電極
１２　ゲート絶縁膜
１３　半導体層
１４　絶縁層
１５　オーミック接触層
１６　ドレイン電極
１７　ソース電極
１８　絶縁保護層
１９　（絶縁）保護膜
２１　第１の電極の一例として画素電極
２２　第２の電極の一例として共通電極
２３　ストレイジキャパシタ
２５　データバスライン
２７　ソースバスライン
２９　共通ライン
１２３　　　　　第３の電極
１２４　　　　　突起部
１２６　カラーフィルタを含む樹脂層

Claims

　対向に配置された第１の透明絶縁基板と、第２の透明絶縁基板と、前記第１の基板と第２の基板との間に液晶組成物を含有する液晶層を挟持し、
　前記第１基板上に、透明導電性材料からなる第１の電極と、網目状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスラインと、
前記ゲートバスラインとデータバスラインとの交差部に設けられる薄膜トランジスタと、
該トランジスタにより駆動され透明導電性材料からなる第２の電極と、を各画素毎に有し、
前記液晶層と、前記第１基板と第２基板のそれぞれの間にホモジニアス配向を誘起する配向膜層を有し、各配向膜の配向方向は平行であり、前記第１の電極と第２の電極とはこれらの電極間にフリンジ電界を形成するために、前記第１の電極と第２の電極との間の電極間距離：Ｒが前記第１の基板と第２の基板との距離：Ｇより小さく、前記第２の電極は、前記第１の電極より第１基板に近い位置に配置される、液晶表示素子。
　網目状に配置される複数個のゲートバスライン及びデータバスライン、前記ゲートバスラインと前記データバスラインとの各交差部に設けられる薄膜トランジスタと、
　前記薄膜トランジスタを含む層上に形成された第１の配向層を表面に有する第１の基板と、
　前記第１の基板の近傍領域に設けられ、かつ第１の電極と離間して設けられる第２電極および前記薄膜トランジスタに接続された前記第１の電極と、
　前記第１の基板と対向して設けられる第２の配向層を表面に有する第２の基板と、
　前記第１の配向層および前記第２の配向層同士向かい合うよう離間して配置され、かつ両配向層間に充填されたジフルオロベンゼン基を含む化合物を含有するｎ型液晶組成物からなる液晶層と、
　前記第１の電極および第２の電極が設けられている前記第１の基板の近傍領域以外の領域に第３の電極を有する、請求項１に記載の液晶表示素子。
　前記ジフルオロベンゼン基を含む化合物は、下記一般式（ＩＶ）：

（式中Ｒ^７及びＲ^８はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよく、該アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基中のメチレン基は酸素原子が連続して結合しない限り酸素原子で置換されていてもよく、カルボニル基が連続して結合しない限りカルボニル基で置換されていてもよく、
Ａ^１及びＡ^１はそれぞれ独立して、１，４－シクロヘキシレン基、１，４－フェニレン基又はテトラヒドロピラン－２，５－ジイル基を表すが、Ａ^１又は／及びＡ^１が１，４－フェニレン基を表す場合、該１，４－フェニレン基中の１つ以上の水素原子はフッ素原子に置換されていてもよく、
Ｚ^１及びＺ^２はそれぞれ独立して単結合、－ＯＣＨ_２－、－ＯＣＦ_２－、－ＣＨ_２Ｏ－、又はＣＦ_２Ｏ－を表し、
ｎ^１及びｎ^２はそれぞれ独立して、０、１、２又は３を表すが、ｎ^１＋ｎ^２は１～３であり、Ａ^１、Ａ^２、Ｚ^１及び／又はＺ^２が複数存在する場合にはそれらは同一であっても異なっていてもよいが、ｎ^１が１又は２でありｎ^２が０でありＡ^１の少なくとも１つが１，４－シクロへキシレン基でありすべてのＺ^１が単結合である化合物を除く。）で表される化合物を１種以上含有する請求項１または２記載の液晶表示素子。
　前記ｎ型液晶組成物は、ネマチック相－等方性液体の転移温度が６０℃以上であり、誘電率異方性の絶対値が２以上であり、一般式（Ｉ）：

（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ独立して、炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ａは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｋは１又は２を表すが、ｋが２の場合二つのＡは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物、および／または、下記一般式（ＩＩ）

（式中、Ｒ^３は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数２～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数２～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｒ^４は炭素原子数１～８のアルキル基、炭素原子数４～８のアルケニル基、炭素原子数１～８のアルコキシ基又は炭素原子数３～８のアルケニルオキシ基を表し、Ｂは１，４－フェニレン基又はトランス－１，４－シクロヘキシレン基を表し、ｍは０、１又は２を表すが、ｍが２の場合二つのＢは同一であっても異なっていてもよい。）で表される化合物群から選ばれる少なくとも１種類の化合物を含有する、請求項１～３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。