WO2016009891A1

WO2016009891A1 - 有機半導体膜形成用組成物、及び、有機半導体素子の製造方法

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Publication number: WO2016009891A1
Application number: PCT/JP2015/069505
Authority: WO
Inventors: 悠史本郷
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2014-07-18
Filing date: 2015-07-07
Publication date: 2016-01-21
Anticipated expiration: 2017-01-18
Also published as: US20170117472A1; JPWO2016009891A1; JP6235143B2

Abstract

　得られる有機半導体膜の移動度及び膜均一性に優れる有機半導体膜形成用組成物を提供すること、また、有機半導体膜の移動度及び膜均一性に優れる有機半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。　本発明の有機半導体膜形成用組成物は、成分Ａとして、有機半導体と、成分Ｂとして、式Ｂ－１で表され、かつ、沸点が２００℃以上２４０℃以下である有機溶媒とを含むことを特徴とする。式Ｂ－１中、Ｒ^b1はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、ビニル基を表し、ｍは１～４の整数を表し、ｍが２以上の場合、複数存在するＲ^b1は同一でも異なっていてもよい。

Description

有機半導体膜形成用組成物、及び、有機半導体素子の製造方法

　本発明は、有機半導体膜形成用組成物、及び、有機半導体素子の製造方法に関する。

　軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（Radio Frequency Identifier、ＲＦタグ）等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機トランジスタが利用されている。
　有機半導体膜の作製方法としては、種々の方法が提案されている。例えば、有機半導体膜を形成する組成物としては、特許文献１及び２に記載された組成物が知られている。

特開２００７－２９４７１８号公報特開２０１３－２５４９４３号公報

　本発明が解決しようとする課題は、得られる有機半導体膜の移動度及び膜均一性に優れる有機半導体膜形成用組成物を提供することである。
　また、本発明が解決しようとする他の課題は、有機半導体膜の移動度及び膜均一性に優れる有機半導体素子の製造方法を提供することである。

　本発明の上記課題は、以下の＜１＞又は＜１５＞に記載の手段により解決された。好ましい実施態様である＜２＞～＜１４＞及び＜１６＞とともに以下に記載する。
　＜１＞　成分Ａとして、有機半導体と、成分Ｂとして、式Ｂ－１で表され、かつ、沸点が２００℃以上２４０℃以下である有機溶媒とを含むことを特徴とする有機半導体膜形成用組成物、

　式Ｂ－１中、Ｒ^b1はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、ビニル基を表し、ｍは１～４の整数を表し、ｍが２以上の場合、複数存在するＲ^b1は同一でも異なっていてもよい。

　＜２＞　式Ｂ－１中、Ｒ^b1がフッ素原子であり、ｍが１である、＜１＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜３＞　成分Ｂが１－フルオロナフタレンである、＜１＞又は＜２＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜４＞　成分Ａが縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜５＞　成分Ａが上記部分構造としてアントラセン環を含まない、＜４＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜６＞　上記縮合多環芳香族基中の環数が５又は６である、＜４＞又は＜５＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜７＞　上記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子が含まれる、＜４＞～＜６＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜８＞　成分Ａが、式１～式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、

　式１中、Ａ^1a及びＡ^1bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^1a～Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^1a～Ｒ^1fのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
　　－Ｌ^W－Ｒ^W　　　（Ｗ）
　式Ｗ中、Ｌ^Wは下記式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ－１～Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Wはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。

　式Ｌ－１～式Ｌ－２５中、＊はＲ^Wとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ－１、式Ｌ－２、式Ｌ－６及び式Ｌ－１３～式Ｌ－２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ－２０及び式Ｌ－２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ－２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
　式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ²ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式３中、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表す。Ｒ^3a～Ｒ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^3a～Ｒ^3hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０～２の整数を表し、Ｒ^4a～Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a～Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が上記式Ｗで表される基である場合はＲ^4e及びＲ^4fが表す上記式ＷにおいてＬ^Wは上記式Ｌ－２又は式Ｌ－３で表される二価の連結基である。
　式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ⁵ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^5a～Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a～Ｒ^5hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式６中、Ｘ^6a～Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6fのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g～Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
　式１０中、Ｒ^10a～Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a～Ｒ^10hのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁰ⁱを表し、Ｒ¹⁰ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式Ｗで表される基を表す。
　式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１４中、Ｘ^14a～Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１５中、Ｘ^15a～Ｘ^15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１６中、Ｘ^16a～Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表し、Ｒ^16a～Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a～Ｒ^16gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

　＜９＞　上記有機半導体が、上記式１～式９又は式１５で表される化合物を少なくとも１種を含む、＜８＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜１０＞　更に、成分Ｃとして高分子化合物を含有する、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜１１＞　成分Ｃの含有量が、組成物全質量に対して、０．０１～２．０質量％である、＜１０＞に記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜１２＞　２５℃における粘度が２～５０ｍＰａ・ｓである、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜１３＞　成分Ａの含有量が、組成物全質量に対して０．２～５質量％である、＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜１４＞　インクジェット印刷用、及び／又は、フレキソ印刷用である、＜１＞～＜１３＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物、
　＜１５＞　＜１＞～＜１４＞のいずれか１つに記載の有機半導体膜形成用組成物を基板上に付与する付与工程、及び、乾燥工程を含む有機半導体素子の製造方法、
　＜１６＞　上記付与工程が、インクジェット印刷又はフレキソ印刷にて行われる、＜１５＞に記載の有機半導体素子の製造方法。

　本発明によれば、得られる有機半導体膜の移動度及び膜均一性に優れる有機半導体膜形成用組成物を提供することができた。
　また、本発明によれば、有機半導体膜の移動度及び膜均一性に優れる有機半導体素子の製造方法を提供することができた。

本発明の有機半導体素子の一態様の断面模式図である。本発明の有機半導体素子の別の一態様の断面模式図である。実施例で使用したメタルマスクの平面図である。

　以下において、本発明の内容について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本願明細書において「～」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。また、本発明における有機ＥＬ素子とは、有機エレクトロルミネッセンス素子のことをいう。
　本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものとともに置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
　また、本明細書における化学構造式は、水素原子を省略した簡略構造式で記載する場合もある。
　本発明において、「移動度」との記載は、キャリア移動度を意味し、電子移動度及びホール移動度のいずれか、又は、双方を意味する。
　また、本発明において、「質量％」と「重量％」とは同義であり、「質量部」と「重量部」とは同義である。
　また、本発明において、好ましい態様の組み合わせは、より好ましい。

（有機半導体膜形成用組成物）
　本発明の有機半導体膜形成用組成物（以下、単に「組成物」ともいう。）は、成分Ａとして、有機半導体と、成分Ｂとして、式Ｂ－１で表され、かつ、沸点が２００℃以上２４０℃以下である有機溶媒とを含むことを特徴とする。
　本発明の有機半導体膜形成用組成物は、インクジェット印刷用、及び／又は、フレキソ印刷用として、特に好適に使用される。

　本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、有機半導体を特定の有機溶媒に溶解させた有機半導体膜形成用組成物を使用することにより、得られる有機半導体膜が移動度及び膜均一性に優れることを見出し、本発明を完成するに至った。
　詳細な効果の発現機構については不明であるが、本発明で使用する成分Ｂは、成分Ａの溶解性に優れるため、有機半導体の結晶化の際に膜均一性が高く、また、高い移動度が得られるものと推定される。また、本発明の組成物は印刷適性に優れるため、特に有機半導体膜を、フレキソ印刷、インクジェット印刷等の印刷により得る場合に効果を発揮する。

成分Ａ：有機半導体
　本発明の有機半導体膜形成用組成物は、成分Ａとして有機半導体を含有する。有機半導体としては特に限定されず、半導体として機能するものであれば、どのような有機化合物を選択してもよい。これらの中でも、成分Ｂに対する溶解性の観点から、縮合多環芳香族基を有する有機半導体が好ましい。

　本発明において、成分Ａは、縮合多環芳香族基を有し、上記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、上記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、上記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択される少なくともいずれか１つの構造を含む有機半導体（以下、「特定有機半導体」又は「成分Ａ－１」ともいう。）を含有することが好ましい。
　成分Ａ－１における縮合多環芳香族基中の部分構造には、アントラセン環は含まれないことが好ましい。アントラセン環を含有しない場合、その理由は不明であるが、得られる有機半導体膜の移動度及び膜均一性に優れる。
　なお、縮合多環芳香族基とは、芳香族環が複数縮合して得られる基である。
　芳香族環としては、芳香族炭化水素環（例えば、ベンゼン環）及び芳香族複素環（例えば、チオフェン環、フラン環、ピロール環、セレノフェン環、イミダゾール環）が挙げられる。

　成分Ａ－１中には、縮合多環芳香族基（縮合多環芳香族構造）が含まれるが、この基が主成分として含まれることが好ましい。ここで主成分とは、縮合多環芳香族基の分子量の含有量が、成分Ａの全分子量に対して、３０％以上であることを意図し、４０％以上であることが好ましい。上限は特に制限されないが、溶解性の点から、８０％以下であることが好ましい。
　縮合多環芳香族基は、複数の環が縮合して形成される環構造であり、芳香族性を示す。
　成分Ａ－１における縮合多環芳香族基中の環数は４以上であり、有機半導体としての移動度の観点から、４～９が好ましく、４～７がより好ましく、５又は６が更に好ましい。
　また、上記縮合多環芳香族基中、少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含み、有機半導体としての移動度の観点から、２～６つの環が上記原子を含むことが好ましく、２～４つの環が上記原子を含むことがより好ましい。
　また、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、上記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子を有することが好ましい。ヘテロ原子の種類は特に制限されず、Ｏ原子（酸素原子）、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｎ原子（窒素原子）、Ｓｅ原子（セレン原子）などが挙げられる。
　成分Ａ－１における縮合多環芳香族基中には、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造が含まれる。なお、上記部分構造としては、アントラセン環は含まれないことが好ましい。
　また、成分Ａ－１は、有機半導体としての移動度の観点から、チオフェン環構造及び／又はセレノフェン環構造を少なくとも有することが好ましく、チオフェン環構造を少なくとも有することがより好ましく、成分Ａ－１が有する複素環構造が全てチオフェン環構造であることが更に好ましい。

　上記縮合多環芳香族基としては、有機半導体としての移動度の観点から、部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択されたいずれか少なくとも１つの構造を含み、２つ以上のチオフェン環を含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基が好ましい。中でも、部分構造として、ベンゼン環を含み、２つ以上のチオフェン環とを含み、環数が４つ以上の縮合多環芳香族基がより好ましい。
　また、上記縮合多環芳香族基としては、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中のチオフェン環の数は、３つ以上が好ましく、３～５つがより好ましく、３～４つが更に好ましく、３つが特に好ましい。
　また、有機半導体としての移動度の観点から、上記縮合多環芳香族基中の環数は、４～６つが好ましく、５～６つがより好ましく、５つが更に好ましい。上記縮合多環芳香族基としては、２つのベンゼン環と、３つのチオフェン環とを含み、かつ、環数が５つである縮合多環芳香族基であることが特に好ましい。

　更に、縮合多環芳香族基としては、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１種の原子を含む環（複素環。好ましくは、チオフェン環）と、ベンゼン環とが交互に縮合（縮環）した基（縮合してなる基）が好ましく挙げられる。

　成分Ａ－１としては、有機半導体としての移動度の観点から、式１～式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式１～式１６のいずれかで表される１種以上の化合物であることがより好ましい。
　本発明の組成物中には、１種のみの成分Ａ－１が含まれていても、２種以上の成分Ａ－１が含まれていてもよい。

　式Ｌ－１～式Ｌ－２５中、＊はＲとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ－１、式Ｌ－２、式Ｌ－６及び式Ｌ－１３～式Ｌ－２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ－２０及び式Ｌ－２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ－２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
　式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ²ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式３中、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表す。Ｒ^3a～Ｒ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^3a～Ｒ^3hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０～２の整数を表し、Ｒ^4a～Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a～Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が上記式Ｗで表される基である場合はＲ^4e及びＲ^4fが表す上記式ＷにおいてＬ^Wは上記式Ｌ－２又は式Ｌ－３で表される二価の連結基である。

　式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ⁵ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^5a～Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a～Ｒ^5hのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式６中、Ｘ^6a～Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6fのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。
　式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが上記式Ｗで表される基である。

　式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g～Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は上記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
　式１０中、Ｒ^10a～Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a～Ｒ^10hのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁰ⁱを表し、Ｒ¹⁰ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は上記式Ｗで表される基を表す。
　式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

　式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１４中、Ｘ^14a～Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１５中、Ｘ^15a～Ｘ^15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。
　式１６中、Ｘ^16a～Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表し、Ｒ^16a～Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a～Ｒ^16gのうち少なくとも１つは上記式Ｗで表される基である。

－式１で表される化合物－

　式１において、Ａ^1a及びＡ^1bはそれぞれ独立に、Ｓ原子（硫黄原子）、Ｏ原子（酸素原子）又はＳｅ原子（セレン原子）を表す。Ａ^1a及びＡ^1bはＳ原子又はＯ原子であることが好ましい。また、Ａ^1a及びＡ^1bは互いに同一であっても異なっていてもよいが、互いに同一であることが好ましい。
　式１において、Ｒ^1a～Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^1a～Ｒ^1fのうち少なくとも１つが後述する式Ｗで表される基である。

　式１で表される化合物は、後述する式Ｗで表される基以外のその他の置換基を有していてもよい。
　式１のＲ^1a～Ｒ^1fがとりうる置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Ｘが挙げられる。置換基Ｘとしては、後述する式Ｗで表される基、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（－Ｂ（ＯＨ）₂）、ホスファト基（－ＯＰＯ（ＯＨ）₂）、スルファト基（－ＯＳＯ₃Ｈ）、その他の公知の置換基が挙げられる。なお、本明細書の式１～式１６においては、「置換基」としては、上記置換基Ｘが好ましく挙げられる。
　これらの中でも、後述する式Ｗで表される基以外の基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキニル基、アルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基が好ましく、フッ素原子、炭素数１～３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２～３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２～３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１～２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基、フェニル基がより好ましく、フッ素原子、炭素数１～３の置換又は無置換のアルキル基、炭素数２～３の置換又は無置換のアルキニル基、炭素数２～３の置換又は無置換のアルケニル基、炭素数１～２の置換又は無置換のアルコキシ基、置換又は無置換のメチルチオ基が特に好ましい。

　式１で表される化合物中において、Ｒ^1a～Ｒ^1fのうち、式Ｗで表される基以外のその他の置換基の個数は０～４であることが好ましく、０～２であることがより好ましく、０であることが特に好ましい。
　また、これら置換基は、更に上記置換基を有していてもよい。
　中でも、Ｒ^1c～Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２～３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２～３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１～２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

　次に、式Ｗで表される基について説明する。
　　－Ｌ^W－Ｒ^W　　　（Ｗ）
　式Ｗ中、Ｌは下記式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基、又は、二以上の下記式Ｌ－１～Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。

　式Ｌ－１～式Ｌ－２５中、＊はＲ^Wとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表す。より具体的には、例えば、式１で表される化合物においては、波線部分は式１で表される骨格を形成する環と結合する。なお、後述するように、式Ｗが他の化合物に含まれる場合、波線部分は各化合物の骨格を形成する環と結合する。
　なお、Ｌ^Wが式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基が２つ以上結合した二価の連結基を表す場合、一方の連結基の＊が、他方の連結基の波線部分と結合する。
　式Ｌ－１３～式Ｌ－２４におけるＲ’の結合位置及びＲ^Wとの結合位置＊は、芳香環又は複素芳香環上の任意の位置をとることができる。
　式Ｌ－１、式Ｌ－２、式Ｌ－６及び式Ｌ－１３～式Ｌ－２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。式Ｌ－２０及び式Ｌ－２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表す。式Ｌ－２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
　式Ｌ－１及び式Ｌ－２中のＲ’はそれぞれＬ^Wに隣接するＲ^Wと結合して縮合環を形成してもよい。

　これらの中でも、式Ｌ－１７～式Ｌ－２１、式Ｌ－２３及び式Ｌ－２４のいずれかで表される二価の連結基は、下記式Ｌ－１７Ａ～式Ｌ－２１Ａ、式Ｌ－２３Ａ及び式Ｌ－２４Ａで表される二価の連結基であることがより好ましい。

　ここで、置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、式Ｗにおける－Ｒ^W単独と解釈することもでき、式Ｗにおける－Ｌ^W－Ｒ^Wと解釈することもできる。
　本発明では、主鎖が炭素数Ｎ個の置換又は無置換のアルキル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で式Ｗにおける－Ｌ^W－Ｒ^Wと解釈することとし、具体的には「式ＷにおけるＬ^Wに相当する式Ｌ－１で表される基１個」と「式ＷにおけるＲ^Wに相当する主鎖が炭素数Ｎ－１個の置換又は無置換のアルキル基」とが結合した置換基として解釈する。例えば、炭素数８のアルキル基であるｎ－オクチル基が置換基の末端に存在する場合、２個のＲ’が水素原子である式Ｌ－１で表される基１個と、炭素数７のｎ－ヘプチル基とが結合した置換基として解釈する。
　一方、本発明では、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、あるいは、置換又は無置換のトリアルキルシリル基が置換基の末端に存在する場合は、置換基の末端から可能な限りの連結基を含めた上で、式ＷにおけるＲ^W単独と解釈する。例えば、－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）－ＯＣＨ₃基が置換基の末端に存在する場合、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが３のオリゴオキシエチレン基単独の置換基として解釈する。

　Ｌ^Wが式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した連結基を形成する場合、式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基の結合数は、２～４であることが好ましく、２又は３であることがより好ましい。

　式Ｌ－１、式Ｌ－２、式Ｌ－６及び式Ｌ－１３～式Ｌ－２４中の置換基Ｒ’としては、上記の式１のＲ^1a～Ｒ^1fがとりうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、式Ｌ－６中の置換基Ｒ’はアルキル基であることが好ましく、式Ｌ－６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基の炭素数は１～９であることが好ましく、４～９であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、５～９であることが更に好ましい。式Ｌ－６中のＲ’がアルキル基である場合は、アルキル基は直鎖アルキル基であることが、移動度を高めることができる観点から好ましい。
　式Ｌ－２０及び式Ｌ－２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Nとしては、上記の式１のＲ^1a～Ｒ^1fがとりうる置換基として例示したものを挙げることができる。その中でも、Ｒ^Nとしては、水素原子又はメチル基が好ましい。
　式Ｌ－２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表し、アルキル基であることが好ましい。Ｒ^siがとりうるアルキル基としては、特に制限はないが、Ｒ^siがとりうるアルキル基の好ましい範囲は、Ｒがトリアルキルシリル基である場合にトリアルキルシリル基がとりうるアルキル基の好ましい範囲と同様である。Ｒ^siがとりうるアルケニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルケニル基が好ましく、分枝アルケニル基であることがより好ましく、アルケニル基の炭素数は２～３であることが好ましい。Ｒ^siがとりうるアルキニル基としては、特に制限はないが、置換又は無置換のアルキニル基が好ましく、分枝アルキニル基であることがより好ましく、アルキニル基の炭素数は２～３であることが好ましい。

　Ｌ^Wは、式Ｌ－１～式Ｌ－５、式Ｌ－１３、式Ｌ－１７若しくは式Ｌ－１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ－１～式Ｌ－５、式Ｌ－１３、式Ｌ－１７若しくは式Ｌ－１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることが好ましく、式Ｌ－１、式Ｌ－３、式Ｌ－１３若しくは式Ｌ－１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ－１、式Ｌ－３、式Ｌ－１３若しくは式Ｌ－１８のいずれかで表される二価の連結基が２以上結合した二価の連結基であることがより好ましく、式Ｌ－１、式Ｌ－３、式Ｌ－１３若しくは式Ｌ－１８のいずれかで表される二価の連結基、又は、式Ｌ－３、式Ｌ－１３若しくは式Ｌ－１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ－１で表される二価の連結基とを結合した二価の連結基であることが特に好ましい。
　式Ｌ－３、式Ｌ－１３又は式Ｌ－１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ－１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基は、式Ｌ－１で表される二価の連結基がＲ^W側に結合することが好ましい。
　また、Ｌ^Wは、化学的安定性、キャリア輸送性の観点から式Ｌ－１で表される二価の連結基を含む二価の連結基であることが特に好ましく、式Ｌ－１で表される二価の連結基であることがより特に好ましく、Ｌ^Wが式Ｌ－１で表される二価の連結基であり、Ｒ^Wが置換又は無置換のアルキル基であることが最も好ましい。

　式Ｗにおいて、Ｒ^Wは置換又は無置換のアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基を表す。
　式Ｗにおいて、Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ－１で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Wは置換又は無置換のアルキル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基であることが好ましく、置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　式Ｗにおいて、Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ－２又は式Ｌ－４～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Wは置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　式Ｗにおいて、Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ－３で表される二価の連結基である場合は、Ｒ^Wは置換若しくは無置換のアルキル基、又は、置換若しくは無置換のトリアルキルシリル基であることが好ましい。

　Ｒ^Wが置換又は無置換のアルキル基の場合、炭素数は４～１７であることが好ましく、６～１４であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、６～１２であることが更に好ましい。Ｒが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。
　Ｒ^Wがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。
　これらの中でも、式ＷにおけるＲ^WとＬ^Wの組み合わせとしては、式１中、Ｌ^Wが式Ｌ－１で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖の炭素数７～１７のアルキル基であるか、あるいは、Ｌ^Wが式Ｌ－３、式Ｌ－１３又は式Ｌ－１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ－１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖のアルキル基であることが、移動度を高める観点から好ましい。
　Ｌ^Wが式Ｌ－１で表される二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖の炭素数７～１７のアルキル基である場合、Ｒ^Wが直鎖の炭素数７～１４のアルキル基であることが移動度を高める観点からより好ましく、直鎖の炭素数７～１２のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｌ^Wが式Ｌ－３、式Ｌ－１３又は式Ｌ－１８のいずれか１つで表される二価の連結基と式Ｌ－１で表される二価の連結基が結合した二価の連結基であり、かつ、Ｒ^Wが直鎖のアルキル基である場合、Ｒ^Wが直鎖の炭素数４～１７のアルキル基であることがより好ましく、直鎖の炭素数６～１４のアルキル基であることが化学的安定性、キャリア輸送性の観点からより好ましく、直鎖の炭素数６～１２のアルキル基であることが移動度を高める観点から特に好ましい。
　一方、有機溶媒への溶解度を高める観点からは、Ｒ^Wが分枝アルキル基であることが好ましい。
　Ｒ^Wが置換基を有するアルキル基である場合の置換基としては、ハロゲン原子などを挙げることができ、フッ素原子が好ましい。なお、Ｒ^Wがフッ素原子を有するアルキル基である場合はアルキル基の水素原子が全てフッ素原子で置換されてパーフルオロアルキル基を形成してもよい。ただし、Ｒ^Wは無置換のアルキル基であることが好ましい。

　Ｒ^Wがオキシエチレン基の繰り返し数が２以上のオリゴオキシエチレン基の場合、Ｒが表す「オリゴオキシエチレン基」とは本明細書中、－（ＯＣＨ₂ＣＨ₂）_v－ＯＹで表される基のことを言う（オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは２以上の整数を表し、末端のＹは、水素原子又は置換基を表す。）。なお、オリゴオキシエチレン基の末端のＹが水素原子である場合はヒドロキシ基となる。オキシエチレン単位の繰り返し数ｖは、２～４であることが好ましく、２～３であることがより好ましい。
　オリゴオキシエチレン基の末端のヒドロキシ基は封止されていること、すなわちＹが置換基を表すことが好ましい。この場合、ヒドロキシ基は、炭素数が１～３のアルキル基で封止されること、すなわち、Ｙが炭素数１～３のアルキル基であることが好ましく、Ｙがメチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが特に好ましい。

　Ｒ^Wが、シロキサン基、又は、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基の場合、シロキサン単位の繰り返し数は２～４であることが好ましく、２～３であることが更に好ましい。また、ケイ素原子（Ｓｉ原子）には、水素原子やアルキル基が結合することが好ましい。ケイ素原子にアルキル基が結合する場合、アルキル基の炭素数は１～３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基又は水素原子が結合してもよい。また、オリゴシロキサン基を構成するシロキサン単位はすべて同一であっても異なっていてもよいが、すべて同一であることが好ましい。

　Ｒ^Wに隣接するＬ^Wが式Ｌ－３で表される二価の連結基である場合、Ｒ^Wが置換又は無置換のトリアルキルシリル基であることも好ましい。Ｒ^Wが置換又は無置換のトリアルキルシリル基である場合は、その中でも、シリル基の置換基としては、置換又は無置換のアルキル基であれば特に制限はないが、分枝アルキル基であることがより好ましい。ケイ素原子に結合するアルキル基の炭素数は１～３であることが好ましく、例えば、メチル基やエチル基やイソプロピル基が結合することが好ましい。ケイ素原子には、同一のアルキル基が結合してもよく、異なるアルキル基が結合してもよい。Ｒ^Wがアルキル基上に更に置換基を有するトリアルキルシリル基である場合の置換基としては、特に制限はない。

　式Ｗにおいて、Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計は５～１８であることが好ましい。Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計が上記範囲の下限値以上であると、移動度が高くなり、駆動電圧が低くなる。Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計が上記範囲の上限値以下であると、有機溶媒に対する溶解性が高くなる。
　Ｌ^W及びＲ^Wに含まれる炭素数の合計は、５～１４であることが好ましく、６～１４であることがより好ましく、６～１２であることが更に好ましく、８～１２であることが特に好ましい。

　式１で表される化合物中において、Ｒ^1a～Ｒ^1fのうち、式Ｗで表される基の個数は１～４個であることが好ましく、１～２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。

　本発明では、式１において、Ｒ^1a及びＲ^1bのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基であることが好ましい。式１における置換位置として、これらの位置が好ましいのは、化合物の化学的安定性に優れ、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）準位、分子の膜中でのパッキングの観点からも好適であるためであると考えられる。特に、式１において、Ｒ^1a及びＲ^1bの２箇所を置換基とすることにより、高いキャリア濃度を得ることができる。
　また、式１において、Ｒ^1c～Ｒ^1fがそれぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、炭素数１～３の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２～３の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２～３の置換若しくは無置換のアルケニル基、炭素数１～２の置換若しくは無置換のアルコキシ基、又は、置換若しくは無置換のメチルチオ基であることが好ましい。

　本発明では、有機半導体膜の移動度の観点から、式１で表される化合物は、式１Ａで表される化合物であることが好ましい。

　式１Ａにおいて、Ａ^1a、Ａ^1b及びＲ^1b～Ｒ^1fの定義は、上述した式１中における定義と同義である。また、式１ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。

　式１で表される化合物は、有機半導体膜の移動度の観点から、式１Ｂで表される化合物であることが好ましい。

　式１Ｂにおいて、Ａ^1a、Ａ^1b及びＲ^1c～Ｒ^1fの定義は、上述した式１中における定義と同義である。また、式１ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式１Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

　式１で表される化合物は、有機半導体膜の移動度の観点から、式１Ｃで表される化合物であることが好ましい。

　式１Ｃにおいて、Ａ^1a、Ａ^1b及びＲ^1d～Ｒ^1fの定義は、上述した式１中における定義と同義である。また、式１ＣにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。Ｒ^Cはそれぞれ独立に、水素原子又はアリール基を表す。

　式１で表される化合物は、有機半導体膜の移動度の観点から、式１Ｄで表される化合物であることが好ましい。

　式１Ｄにおいて、Ａ^1a、Ａ^1b、Ｒ^1d及びＲ^1eの定義は、上述した式１中における定義と同義である。また、式１ＤにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式１Ｄにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。Ｒ^Dはそれぞれ独立に、水素原子又はアリール基を表す。

－式２で表される化合物－

　式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ（＞Ｎ－Ｒ²ⁱ）、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^2a及びＸ^2bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。
　Ｘ^2a及びＸ^2bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^2a及びＸ^2bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　Ｒ²ⁱは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数１～１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数１～４のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｒ²ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。

　式２中、Ａ^2aは、ＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bは、ＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ^2g及びＲ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^2aがＣＲ^2gであるか、Ａ^2bがＣＲ^2hであることが好ましく、Ａ^2aがＣＲ^2gであり、かつＡ^2bがＣＲ^2hであることがより好ましい。Ａ^2a及びＡ^2bは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
　式２において、Ｒ^2eとＲ^2gとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
　式２において、Ｒ^2fとＲ^2hとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

　式２中、Ｒ^2a～Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される置換基を表す。
　Ｒ^2a～Ｒ^2hがそれぞれ独立に、とりうる置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^2a～Ｒ^2hがそれぞれ独立に、とりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数１～１１のアルコキシ基、炭素数５～１２の複素環基、炭素数１～１２のアルキルチオ基、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å（＝０．３７ｎｍ）以下の基及び式Ｗで表される基が特に好ましく、式Ｗで表される基がより特に好ましい。

　式２で表される化合物中、Ｒ^2a～Ｒ^2hのうち、式Ｗで表される基は１～４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ^2a～Ｒ^2hのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^2e又はＲ^2fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。

　Ｒ^2a～Ｒ^2hのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

　Ｒ^2a～Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることが更に好ましい。
　ここで、連結基鎖長とはＣ（炭素原子）－Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６－３１Ｇ^*、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。

　Ｒ^2a～Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ^2a～Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ^2a～Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ^2a～Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ^2a～Ｒ^2hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　式２で表される化合物は、下記式２Ａ又は式２Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式２Ａで表される化合物であることが特に好ましい。

　式２Ａ中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2e、Ｒ^2g及びＲ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式２ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。

　式２Ｂ中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2d、Ｒ^2g及びＲ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式２ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式２Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

－式３で表される化合物

　式３において、Ｒ^3a～Ｒ^3f並びに後述するＲ^3g及びＲ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^3a～Ｒ^3hのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。
　Ｒ^3a～Ｒ^3hで表される置換基としては、上記置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^3a～Ｒ^3fがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、アルキルチオ基、又は、式Ｗで表される置換基が好ましく、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数１～１１のアルコキシ基、炭素数５～１２の複素環基、炭素数１～１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましい。

　式３において、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3g（＞Ｎ－Ｒ^3g）を表し、Ｒ^3gは水素原子又は置換基を表す。Ｘは、Ｓ原子、Ｏ原子であることが好ましい。式３において、Ｘ^3a及びＸ^3bは、同じであることが好ましい。
　Ｒ^3gは、水素原子、アルキル基、又は、アリール基であることが好ましく、炭素数１～１４のアルキル基であることがより好ましく、炭素数４～１２のアルキル基であることが特に好ましい。Ｒ^3gが上記の範囲の長鎖アルキル基であること、特に長鎖の直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。
　Ｒ^3gがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。

　式３において、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表し、ＣＲ^3hを表すことが好ましい。式３において、Ａ^3a及びＡ^3bは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。
　Ｒ^3hは連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^3hは、水素原子、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、水素原子、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが特に好ましい。
　Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、又は、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ^3hが炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。Ｒ^3hが表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　式３で表される化合物が、式３Ａ、式３Ｂ又は式３Ｃで表される化合物であることが好ましく、式３Ａ又は式３Ｂで表される化合物であることがより好ましく、高溶解性の観点からは、式３Ａで表される化合物であることが特に好ましく、一方で高移動度の観点からは、式３Ｂで表される化合物であることが特に好ましい。

　式３Ａにおいて、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表す。Ｒ^3a～Ｒ^3e、Ｒ^3g及びＲ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｒ^3eは式Ｗで表される基ではない。式３ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。

　式３Ｂにおいて、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表す。Ｒ^3a～Ｒ^3d、Ｒ^3g及びＲ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。式３ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式３Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

　式３Ｃにおいて、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表す。Ｒ^3a～Ｒ^3f及びＲ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。式３ＣにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式３Ｃにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

－式４で表される化合物－

　式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。
　Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが好ましく、Ｘ^4a及びＸ^4bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点からより好ましい。Ｘ^4a及びＸ^4bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^4a及びＸ^4bはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。

　式４中、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０～２の整数を表す。４ｐ及び４ｑがそれぞれ独立に、０又は１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、４ｐ＝４ｑ＝０又は４ｐ＝４ｑ＝１であることがより好ましい。

　式４中、Ｒ^4a～Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a～Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも一つは式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、Ｒ^4eとＲ^4fとが表す式Ｗにおいて、Ｌ^Wは上記式Ｌ－２又は式Ｌ－３で表される二価の連結基である。なお、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

　Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合は、すなわちＲ^4e及びＲ^4fのうちいずれか一方でも水素原子でもなくハロゲン原子でもない場合に相当する。
　Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ^4e及びＲ^4fが表す式Ｗにおいて、Ｌ^Wは上記式Ｌ－３で表される二価の連結基であることが好ましい。
　Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が式Ｗで表される基である場合、Ｒ^4e及びＲ^4fは、いずれも式Ｗで表される基であることが好ましい。
　なお、Ｒ^4e及びＲ^4fがともに水素原子又はハロゲン原子の場合、Ｒ^4a～Ｒ^4d、Ｒ^4g～Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ^4a～Ｒ^4d、Ｒ^4g～Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つ以上は式Ｗで表される基となる。

　式４中、Ｒ^4a～Ｒ^4k及びＲ^4mが表すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子を挙げることができ、フッ素原子、塩素原子又は臭素原子であることが好ましく、フッ素原子又は塩素原子であることがより好ましく、フッ素原子であることが特に好ましい。

　式４で表される化合物中、Ｒ^4a～Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、ハロゲン原子は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

　式４で表される化合物中、Ｒ^4a～Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、式Ｗで表される基は、１～４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ^4a～Ｒ^4k及びＲ^4mのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、式４中、Ｒ^4a、Ｒ^4d～Ｒ^4g、Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ^4b、Ｒ^4c、Ｒ^4h及びＲ⁴ⁱがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ^4b、Ｒ^4c、Ｒ^4h及びＲ⁴ⁱのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
　本発明では、Ｒ^4a、Ｒ^4c～Ｒ^4h及びＲ^4jがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基であることがより好ましい。
　本発明では、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4c及びＲ^4hがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^4c及びＲ^4hがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4b及びＲ⁴ⁱがともに水素原子又はハロゲン原子であることが更に好ましい。
　本発明では、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4c及びＲ^4hがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ^4c及びＲ^4hがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ^4b及びＲ⁴ⁱがともに水素原子又はハロゲン原子であることが特に好ましい。
　式４において、２以上のＲ^4a～Ｒ^4k及びＲ^4mは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

　式４で表される化合物は、下記式４Ａ又は式４Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度と高溶解性を両立する観点からは、式４Ａで表される化合物であることが特に好ましい。

　式４Ａ中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^4a、Ｒ^4c～Ｒ^4h及びＲ^4jはそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ^4b及びＲ⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基であり、ただし、式Ｗで表される基がアルキル基である場合は、式Ｗで表される基は、炭素数４以上１８以下の直鎖アルキル基又は炭素数４以上の分岐のアルキル基に限る。
　式４Ｂ中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^4a、Ｒ^4d～Ｒ^4g、Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ^4b、Ｒ^4c、Ｒ^4h及びＲ⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基を表し、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。

－式５で表される化合物－

　式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^5a及びＸ^5bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^5a及びＸ^5bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^5a及びＸ^5bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　Ｒ⁵ⁱは、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１～１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１～４のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｒ⁵ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。

　式５中、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ^5g及びＲ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。Ａ^5aがＣＲ^5gであるか、Ａ^5bがＣＲ^5hであることが好ましく、Ａ^5aがＣＲ^5gかつＡ^5bがＣＲ^5hであることがより好ましい。Ａ^5a及びＡ^5bは、同じであっても互いに異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

　式５において、Ｒ^5eとＲ^5gとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
　式５において、Ｒ^5eとＲ⁵ⁱとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
　式５において、Ｒ^5fとＲ^5hとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。
　式５において、Ｒ^5fとＲ⁵ⁱとは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。

　式５中、Ｒ^5a～Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a～Ｒ^5hのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
　なお、Ｒ^5a～Ｒ^5hで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

　式５で表される化合物中、Ｒ^5a～Ｒ^5hのうち、式Ｗで表される基は、１～４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ^5a～Ｒ^5hのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^5e又はＲ^5fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
　Ｒ^5a～Ｒ^5hのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

　Ｒ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、又は、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、又は、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　式５で表される化合物は、下記式５Ａ又は式５Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは式５Ａで表される化合物であることが特に好ましい。

　式５Ａ中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ａ^5aは、ＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表す。式５Ａ中のＡ^5a、Ａ^5b、Ｒ^5g及びＲ^5hは、式５中のＡ^5a、Ａ^5b、Ｒ^5g及びＲ^5hとそれぞれ同義である。
　式５Ａ中、Ｒ^5a～Ｒ^5e、Ｒ^5g及びＲ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5eは式Ｗで表される基ではない。
　式５Ａ中のＲ^5a～Ｒ^5e、Ｒ^5g及びＲ^5hが置換基を表す場合、この置換基の好ましい範囲は、式５中のＲ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の好ましい範囲と同様である。
　式５ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。

　式５Ｂ中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表す。Ａ^5aは、ＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表す。式５Ｂ中のＡ^5a、Ａ^5b、Ｒ^5g及びＲ^5hは、式５中のＡ^5a、Ａ^5b、Ｒ^5g及びＲ^5hとそれぞれ同義である。
　式５Ｂ中、Ｒ^5a～Ｒ^5d、Ｒ^5g及びＲ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。式５Ｂ中のＲ^5a～Ｒ^5d、Ｒ^5g及びＲ^5hが置換基を表す場合、この置換基の好ましい範囲は、式５中のＲ^5a～Ｒ^5hが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の好ましい範囲と同様である。
　式５ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式５Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

－式６で表される化合物－

　式６中、Ｘ^6a～Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表す。
　Ｘ^6a～Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^6a～Ｘ^6dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^６ａ～Ｘ^６ｄは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^6a～Ｘ^6dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、炭素数１～１４のアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１～４のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｒ^6gがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。

　式６中、Ｒ^6a～Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。
　なお、Ｒ^6a～Ｒ^6fで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
　これらの中でも、Ｒ^6a～Ｒ^6fがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、又は、アルキルチオ基、式Ｗで表される基が好ましく、炭素数１～１２のアルキル基、炭素数６～２０のアリール基、炭素数２～１２のアルケニル基、炭素数２～１２のアルキニル基、炭素数１～１１のアルコキシ基、炭素数５～１２の複素環基、炭素数１～１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基、又は、式Ｗで表される基が更に好ましく、式Ｗで表される基が特に好ましい。

　式６で表される化合物中、Ｒ^6a～Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基は、１～４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ^6a～Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^6c～Ｒ^6fであることが好ましく、Ｒ^6e又はＲ^6fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。

　Ｒ^6a～Ｒ^6fのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
　Ｒ^6a～Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^6a～Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ^6a～Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ^6a～Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ^6a～Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ^6a～Ｒ^6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　式６で表される化合物は、下記式６Ａ又は式６Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式６Ａで表される化合物であることが特に好ましい。

　式６Ａ中、Ｘ^6a～Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6c、Ｒ^6A及びＲ^6eはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6c、Ｒ^6A及びＲ^6eは、式Ｗで表される基ではなく、Ｒ^Wは炭素数５～１９のアルキル基を表し、Ｌ^Wは上記式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の上記式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。
　式６Ｂ中、Ｘ^6a～Ｘ^6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6a、Ｒ^6b、Ｒ^6B及びＲ^6Cはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^Wはそれぞれ独立に、炭素数５～１９のアルキル基を表し、Ｌ^Wはそれぞれ独立に、上記式Ｌ－１～式Ｌ－２５）のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の上記式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。
　なお、上記置換基としては、上述した置換基が挙げられる。

－式７で表される化合物－

　式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱ（＞Ｎ－Ｒ⁷ⁱ）を表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^7a～Ｘ^7dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^7a～Ｘ^7dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^7a～Ｘ^7dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^7a～Ｘ^7dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

　式７中、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
　なお、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
　なお、Ｒ⁷ⁱは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５～１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８～１０のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｒ⁷ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

　式７で表される化合物中、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１～４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^7d又はＲ^7hであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^7d及びＲ^7hがより好ましい。
　式７のＲ^7a～Ｒ⁷ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
　Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　式７で表される化合物は、下記式７Ａ又は式７Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式７Ｂで表される化合物であることが特に好ましい。

　式７Ａ中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ９を表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a～Ｒ^7g及びＲ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ただし、Ｒ^7dは式Ｗで表される基ではない。式７ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。
　式７Ｂ中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a～Ｒ^7c、Ｒ^7e～Ｒ^7g及びＲ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式７ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式７Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

－式８で表される化合物－

　式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表す。Ｘ^8a～Ｘ^8dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ^8a～Ｘ^8dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^8a～Ｘ^8dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^8a～Ｘ^8dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。

　式８中、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが式Ｗで表される基である。
　なお、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
　なお、Ｒ⁸ⁱは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５～１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８～１０のアルキル基であることが特に好ましい。
　Ｒ⁸ⁱがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。

　式８で表される化合物中、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１～４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^8c又はＲ^8gであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^8c及びＲ^8gがより好ましい。
　また、式８のＲ^8a～Ｒ⁸ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。

　Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０～３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０～２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
　Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
　Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
　Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
　Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。

　式８で表される化合物は、下記式８Ａ又は式８Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式８Ｂで表される化合物であることが特に好ましい。

　式８Ａ中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a～Ｒ^8f及びＲ^8hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ただし、Ｒ^8cは式Ｗで表される基ではない。式８ＡにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。
　式８Ｂ中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a、Ｒ^8b、Ｒ^8d～Ｒ^8f及びＲ^8hはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、式８ＢにおけるＬ^W及びＲ^Wの定義は、式Ｗ中の上記Ｌ^Wと及びＲ^Wとそれぞれ同義である。また、式８Ｂにおいて２つのＬ^W及び２つのＲ^Wはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。

－式９で表される化合物－

　式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表す。中でも、Ｓ原子が好ましい。
　Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g～Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される置換基を表す。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
　Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fは、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。なお、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。
　なお、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g～Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、Ｌ^Wは式Ｌ－３、式Ｌ－５、式Ｌ－７～式Ｌ－９、式Ｌ－１２～式Ｌ－２４のいずれかで表される基である。）を表すことが好ましい。中でも、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g～Ｒ^9jは、水素原子がより好ましい。
　なお、Ｌ^Wとしては、式Ｌ－３、式Ｌ－５、式Ｌ－１３、式Ｌ－１７及び式Ｌ－１８のいずれかで表される基であることが好ましい。
　Ｒ^9a～Ｒ⁹ⁱのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表すことが好ましい。

　式９で表される化合物中、Ｒ^9a～Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される置換基は、１～４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
　Ｒ^9a～Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ^9b又はＲ^9fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ^9b及びＲ^9fがより好ましい。
　また、式９のＲ^9a～Ｒ⁹ⁱのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

－式１０で表される化合物－

　式１０中、Ｒ^10a～Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a～Ｒ^10hのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。なお、Ｒ^10a～Ｒ^10hで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。
　中でも、Ｒ^10a～Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は置換基を表し、Ｒ^10a～Ｒ^10hのうち少なくとも１つは、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
　式１０のＲ^10a～Ｒ^10hは、Ｒ^10b及びＲ^10fのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることがより好ましく、Ｒ^10b及びＲ^10fのいずれもが、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることが更に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記群Ａから選ばれるヘテロアリールチオ基であることが特に好ましく、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又は下記式Ａ－１７、式Ａ－１８、式Ａ－２０で表されるヘテロアリールチオ基であることが最も好ましい。

　アリールチオ基としては、炭素数６～２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基又はフェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
　ヘテロアリールチオ基としては、３～１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５又は６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群Ａが特に好ましい。

　群Ａ中、Ｒ”及びＲ”^Nはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
　群Ａ中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。
　群Ａ中、Ｒ”^Nは、置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、又は、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が更に好ましく、炭素数１～４のアルキル基、炭素数１～４のアルキル基で置換されたフェニル基、又は、炭素数１～４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基が特に好ましい。

　アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１～２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２～１５がより好ましく、５～１０が特に好ましい。

　アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６～２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６～１５がより好ましく、８～１２が特に好ましい。

　アルキルアミノ基としては、炭素数１～２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２～１５がより好ましく、５～１０が特に好ましい。
　Ｒ^10a～Ｒ^10hのうち、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう。）は、０～４個であることが好ましく、０～２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。

　Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^x（＞Ｎ－Ｒ^x）を表す。Ｘ^10a及びＸ^10bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^10a及びＸ^10bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^10a及びＸ^10bは、いずれもＳ原子であることがより好ましい。
　Ｒ^xはそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表す。式Ｗで表される基の定義は上述の通りである。

－式１１で表される化合物－

　式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。

　式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^11a及びＸ^11bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^11a及びＸ^11bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　式１１のＲ^11a～Ｒ^11k及びＲ^11mは、Ｒ^11c及びＲ¹¹ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^11c及びＲ¹¹ⁱのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

－式１２で表される化合物－

　式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される置換基の定義は、上述の通りである。

　式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^12a及びＸ^12bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^12a及びＸ^12bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　式１２のＲ^12a～Ｒ^12k及びＲ^12mは、Ｒ^12c及びＲ¹²ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^12c及びＲ¹²ⁱのいずれもが、置換又は無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

－式１３で表される化合物－

　式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

　式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^13a及びＸ^13bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^13a及びＸ^13bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　式１３のＲ^13a～Ｒ^13k及びＲ^13mは、Ｒ^13c及びＲ¹³ⁱのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ^13c及びＲ¹³ⁱのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。

－式１４で表される化合物－

　式１４中、Ｘ^14a～Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
　なお、Ｒ^14a～Ｒ^14hの少なくとも１つが式Ｗで表される基であり、Ｒ^Wがアルキル基である場合には、Ｌ^Wは式Ｌ－２～式Ｌ－２５のいずれかで表される基であることが好ましい。

　式１４中、Ｘ^14a～Ｘ^14cのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^14a～Ｘ^14cは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^14a～Ｘ^14cはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　Ｒ^Wがアルキル基である場合のＬ^Wとしては、式Ｌ－２～式Ｌ－５、式Ｌ－１３、式Ｌ－１７、又は、式Ｌ－１８のいずれかで表される基が好ましく、式Ｌ－３、式Ｌ－１３、又は、式Ｌ－１８のいずれかで表される基がより好ましい。
　式１４のＲ^14a～Ｒ^14hは、Ｒ^14b及びＲ^14gのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^14b及びＲ^14gのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

－式１５で表される化合物－

　式１５中、Ｘ^15a～Ｘ^15dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。

　式１５中、Ｘ^15a～Ｘ^15dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^15a～Ｘ^15dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^15a～Ｘ^15dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　式１５のＲ^15a～Ｒ^15fは、Ｒ^15b及びＲ^15eのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^15b及びＲ^15eのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。

－式１６で表される化合物－

　式１６中、Ｘ^16a～Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表す。Ｒ^16a～Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a～Ｒ^16gのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
　なお、Ｒ^16c及びＲ^16fは、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基（ただし、Ｌ^Wは、式Ｌ－３、式Ｌ－５、式Ｌ－７～式Ｌ－９、式Ｌ－１２～式Ｌ－２４のいずれかで表される基である。）であることが好ましい。Ｒ^16a、Ｒ^16b、Ｒ^16d、Ｒ^16e及びＲ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表すことが好ましい。
　なお、式１６において、Ｌ^Wは、式Ｌ－３、式Ｌ－５、式Ｌ－７～式Ｌ－９、式Ｌ－１２～式Ｌ－２４のいずれかで表される基であり、Ｒ^16c及びＲ^16fが式Ｗで表される基の場合、式Ｌ－３、式Ｌ－５、式Ｌ－１３、式Ｌ－１７、式Ｌ－１８のいずれかで表される基であることが好ましい。

　式１６中、Ｘ^16a～Ｘ^16dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ^16a～Ｘ^16dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ^16a～Ｘ^16dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
　式１６のＲ^16a～Ｒ^16fは、Ｒ^16a及びＲ^16dのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ^16a及びＲ^16dのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
　また、Ｒ^16c及びＲ^16fは、水素原子であることが好ましい。

　成分Ａ－１は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、アルキル基を有することが好ましく、炭素数６～２０のアルキル基を有することがより好ましく、炭素数７～１４のアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
　また、成分Ａ－１は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、１つ以上のアルキル基を有することが好ましく、２～４つのアルキル基を有することがより好ましく、２つのアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。

　成分Ａ－１の合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。上記式１～式１６で表される化合物の合成方法としては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，１１６，　９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，　２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２－５１３４５９号公報、特開２０１１－４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１－６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２－３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１－２８０３（２００４）、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０－２０１２－０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４－６２６７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８－１６５５０などが挙げられる。

　なお、有機半導体における移動度の観点から、成分Ａは、式１～式９、式１４、又は、式１５のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含むことが好ましく、式１～式９、又は、式１５で表される化合物を少なくとも１種含むことがより好ましい。

　以下に成分Ａの好ましい具体例を示すが、これらに限定されないことは言うまでもない。

　成分Ａの分子量は、特に制限されないが、分子量が３，０００以下であることが好ましく、２，０００以下であることがより好ましく、１，０００以下であることが更に好ましく、８５０以下であることが特に好ましい。分子量を上記上限値以下とすることにより、溶媒への溶解性を高めることができる。一方で、薄膜の膜均一性の観点からは、分子量は３００以上であることが好ましく、３５０以上であることがより好ましく、４００以上であることが更に好ましい。

　本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ａの含有量は、組成物全質量に対して、０．０１～２０質量％であることが好ましく、０．０５～１０質量％であることがより好ましく、０．２～５質量％であることが更に好ましい。上記範囲であると、膜形成性に優れ、容易に有機半導体膜を形成することができる。

成分Ｂ：式Ｂ－１で表され、かつ、沸点が２００℃以上２４０℃以下である有機溶媒
　本発明の有機半導体膜形成用組成物は、成分Ｂとして、式Ｂ－１で表され、かつ、沸点が２００℃以上２４０℃以下である有機溶媒を含む。

　成分Ｂの沸点は、２００℃以上２４０℃以下である。沸点が２００℃未満であると、印刷適性や保存安定性に劣り、結果として膜均一性が劣化する。また、沸点が２４０℃を超えると、成分Ｂの乾燥が困難である。
　成分Ｂの沸点は、２００～２３０℃であることが好ましく、２０５℃～２２０℃であることが更に好ましい。
　成分Ｂの沸点は、１気圧（７６０ｍｍＨｇ、１．０１３×１０⁵Ｐａ）下で測定した沸点であり、常法に従って測定される。また、成分Ｂの沸点として、各種文献に記載の値を採用してもよい。
　なお、本発明において、成分Ｂは、１気圧、室温（２５℃）において、液体である。すなわち、成分Ｂの融点は、２５℃以下であり、２０℃以下であることが好ましく、１０℃以下であることがより好ましい。

　式Ｂ－１中、Ｒ^b1はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、ビニル基を表す。
　アルキル基としては、炭素数１～６のアルキル基が好ましく、炭素数１～３のアルキル基がより好ましく、メチル基又はエチル基が更に好ましく、メチル基が特に好ましい。
　アルコキシ基としては、炭素数１～６のアルコキシ基が好ましく、炭素数１～３のアルコキシ基がより好ましく、メトキシ基又はエトキシ基が更に好ましく、メトキシ基が特に好ましい。
　ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられるが、フッ素原子であることが好ましい。
　なお、上記アルキル基、アルコキシ基、及び、ビニル基は、無置換でも、置換基を有していてもよいが、無置換であることが好ましい。
　Ｒ^b1は、アルコキシ基又はハロゲン原子であることが好ましく、ハロゲン原子であることがより好ましい。
　式Ｂ－１中、ｍは１～４の整数を表す。ｍは、１又は２であることが好ましく、１であることが特に好ましい。
　式Ｂ－１中、Ｒ^b1がフッ素原子であり、ｍが１であることが好ましい。

　成分Ｂとしては、１－フルオロナフタレン（沸点：２１５℃）、２－フルオロナフタレン（沸点：２１１℃）、２，３－ジフルオロナフタレン（沸点：２０８℃）、２－メトキシナフタレン（沸点：２２８℃）が挙げられる。
　これらの中でも、１－フルオロナフタレンが特に好ましい。１－フルオロナフタレンは、電気陰性度が高いフッ素原子が置換しており、成分Ａの溶解性に特に優れる。

　成分Ｂは１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　本発明の組成物中の成分Ｂの含有量は、組成物の全質量に対して、８０～９９．９質量％であることが好ましく、９０～９９．５質量％であることがより好ましく、９５～９９．０質量％であることが更に好ましい。

　本発明において、成分Ｂと併用して、成分Ｂには該当しない、その他の溶媒を使用してもよい。
　その他の溶媒の含有量は、成分Ｂの組成物中の含有量を１００質量部としたとき、１００質量部未満であり、５０質量部以下であることが好ましく、２５質量部以下であることがより好ましく、１０質量部以下であることが更に好ましく、３質量部以下であることが特に好ましく、その他の溶媒を含有しないことが最も好ましい。

　その他の溶媒としては、公知の溶媒を用いることができる。
　具体的には、例えば、ヘキサン、オクタン、デカン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、１－メチルナフタレンなどの炭化水素系溶媒、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、１－メチル－２－ピロリドン、１－メチル－２－イミダゾリジノン等のアミドイミド系溶媒、ジメチルスルフォキサイドなどのスルホキシド系溶媒、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒が挙げられる。

　その他の溶媒は、１種単独で用いてもよく、複数組み合わせて用いてもよい。
　これらの中でも、その他の溶媒としては、炭化水素系溶媒、ハロゲン化炭化水素系溶媒及び／又はエーテル系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、ジクロロベンゼン又はアニソールがより好ましく、ｏ－ジクロロベンゼンが特に好ましい。

成分Ｃ：高分子化合物
　本発明の有機半導体膜形成用組成物は、成分Ｃとして高分子化合物を含有することが好ましい。
　高分子化合物の種類は特に制限されず、公知の高分子化合物が挙げられる。高分子化合物としては、ベンゼン環を有する高分子化合物（ベンゼン環基を有する単量体単位を有する高分子）が好ましい。ベンゼン環基を有する単量体単位の含有量は特に制限されないが、全単量体単位中、５０モル％以上が好ましく、７０モル％以上がより好ましく、９０モル％以上が更に好ましい。上限は特に制限されないが、１００モル％が挙げられる。
　上記高分子化合物としては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α－メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４－ビニルフェニル）、ポリ（４－メチルスチレン）などが挙げられる。
　なお、高分子化合物の数平均分子量は特に制限されないが、１万～２００万が好ましく、２万～６０万がより好ましい。なお、本発明において、数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）にて測定され、分子量既知のポリスチレンで換算される。

　成分Ｃは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
　成分Ｃの含有量は、有機半導体膜形成用組成物全質量に対して、０．００１～１０質量％であることが好ましく、０．００５～５．０質量％であることがより好ましく、０．０１～２．０質量％であることが更に好ましい。

＜その他の成分＞
　本発明の有機半導体膜形成用組成物には、成分Ａ～成分Ｃ以外に他の成分が含まれていてもよい。
　その他の成分としては、公知の添加剤等を用いることができる。
　本発明の有機半導体膜形成用組成物における成分Ａ～成分Ｃ以外の成分の含有量は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることが更に好ましく、０．１質量％以下であることが特に好ましい。上記範囲であると、膜形成性に優れ、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。

　本発明の有機半導体膜形成用組成物の製造方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、成分Ｂを含む溶媒中に所定量の成分Ａ及び必要に応じて成分Ｃを同時又は逐次に添加して、適宜撹拌処理を施すことにより、所望の組成物を得ることができる。

　本発明の有機半導体膜形成用組成物の粘度は、特に制限されないが、塗布性がより優れる点で、２５℃における粘度が１～１００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、２～５０ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、５～４０ｍＰａ・ｓであることが更に好ましく、１０～３０ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。
　粘度の測定方法としては、ＪＩＳ　Ｚ８８０３に準拠した測定方法であることが好ましい。

（有機半導体膜及び有機半導体素子、並びに、それらの製造方法）
　本発明の有機半導体膜及び本発明の有機半導体素子は、本発明の有機半導体膜形成用組成物を用いて製造されたものであることが好ましい。
　本発明の有機半導体膜形成用組成物を用いて有機半導体膜や有機半導体素子を製造する方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、組成物を所定の基材上に付与して、成分Ｂを含む溶媒を乾燥させる乾燥処理を施して、有機半導体膜を製造する方法が挙げられる。
　基材上に組成物を付与する方法は特に制限されず、公知の方法を採用でき、例えば、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法などが挙げられ、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。
　なお、フレキソ印刷法としては、フレキソ印刷版として感光性樹脂版を用いる態様が好適に挙げられる。上記の態様によって、組成物を基板上に印刷して、パターンを容易に形成することができる。
　中でも、本発明の有機半導体膜の製造方法、及び、本発明の有機半導体素子の製造方法は、本発明の有機半導体膜形成用組成物を基板上に付与する付与工程、及び、乾燥工程を含むことが好ましい。乾燥工程は、付与された有機半導体膜形成用組成物から溶媒を除去する工程であることが好ましい。

　上記乾燥工程における乾燥処理は、使用される成分Ａ及び成分Ｂを含む溶媒の種類により適宜最適な条件が選択される。中でも、得られる有機半導体の移動度及び膜均一性により優れ、また、生産性に優れる点で、加熱温度としては３０℃～１００℃が好ましく、４０℃～８０℃がより好ましい。加熱時間としては１０～３００分が好ましく、３０～１８０分がより好ましい。

　形成される有機半導体膜の膜厚は、特に制限されないが、得られる有機半導体の移動度及び膜均一性の観点から、１０～５００ｎｍが好ましく、３０～２００ｎｍがより好ましい。

　本発明の組成物より製造される有機半導体膜は、有機半導体素子に好適に使用することができ、有機トランジスタ（有機薄膜トランジスタ）に特に好適に使用することができる。
　有機半導体素子としては、特に制限はないが、複数端子の半導体素子であることが好ましく、２～５端子の有機半導体素子であることがより好ましく、２又は３端子の有機半導体素子であることが更に好ましい。
　また、有機半導体素子としては、光電機能を用いない素子であることが好ましい。なお、光電機能を積極的に使用する場合、有機物が光で劣化する可能性がある。
　２端子素子としては、整流用ダイオード、定電圧ダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーバリアダイオード、サージ保護用ダイオード、ダイアック、バリスタ、トンネルダイオード等が挙げられる。
　３端子素子としては、バイポーラトランジスタ、ダーリントントランジスタ、電界効果トランジスタ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、ユニジャンクショントランジスタ、静電誘導トランジスタ、ゲートターンサイリスタ、トライアック、静電誘導サイリスタ等が挙げられる。
　これらの中でも、整流用ダイオード、及び、トランジスタ類が好ましく挙げられ、電界効果トランジスタがより好ましく挙げられる。

　本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
　図１は、本発明の有機半導体素子（有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ））の一態様の断面模式図である。
　図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０のゲート電極２０側とは反対側の表面に接するソース電極４０及びドレイン電極４２と、ソース電極４０とドレイン電極４２との間のゲート絶縁膜３０の表面を覆う有機半導体膜５０と、各部材を覆う封止層６０とを備える。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムゲート－ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
　なお、図１においては、有機半導体膜５０が、上述した組成物より形成される膜に該当する。
　以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜及び封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。

＜基板＞
　基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
　基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。中でも、各デバイスへの適用性及びコストの観点から、ガラス基板又はプラスチック基板であることが好ましい。
　プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）など）又は熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
　セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
　ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。

＜ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極＞
　ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、タンタル、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ₂、ＳｎＯ₂、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。中でも、金属であることが好ましく、銀又はアルミニウムであることがより好ましい。
　ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の厚みは特に制限されないが、２０～２００ｎｍであることが好ましい。

　ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着又はスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布又は印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。

＜ゲート絶縁膜＞
　ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
　ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用することが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
　ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００～１，０００ｎｍであることが好ましい。

　ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着又はスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
　ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

＜有機半導体膜＞
　本発明における有機半導体膜は、本発明の有機半導体膜形成用組成物より形成される膜である。
　有機半導体膜の形成方法は特に制限されず、上述した組成物を、ソース電極、ドレイン電極、及び、ゲート絶縁膜上に付与して、必要に応じて乾燥処理を施すことにより、所望の有機半導体膜を形成することができる。

＜封止層＞
　本発明における有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えることが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
　封止層の厚みは特に制限されないが、０．２～１０μｍであることが好ましい。

　封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体膜とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。

　また、図２は、本発明の有機半導体素子（有機薄膜トランジスタ）の別の一態様の断面模式図である。
　図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、基板１０上に配置されたゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆うゲート絶縁膜３０と、ゲート絶縁膜３０上に配置された有機半導体膜５０と、有機半導体膜５０上に配置されたソース電極４０及びドレイン電極４２と、各部材を覆う封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０及びドレイン電極４２は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
　基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜及び封止層については、上述のとおりである。

　上記では図１及び２において、ボトムゲート－ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、及び、ボトムゲート－トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの態様について詳述したが、本発明の組成物はトップゲート－ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ、及び、トップゲート－トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタにも適用できる。
　なお、上述した有機薄膜トランジスタは、電子ペーパー、ディスプレイデバイスなどに好適に使用できる。

　以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。

（有機半導体膜形成用組成物の調製）
　表１に示す有機半導体（成分Ａ）、表１に示す有機溶媒（成分Ｂ）、及び、高分子化合物（成分Ｃ）としてポリ（α－メチルスチレン）（数平均分子量４０万、アルドリッチ社製）を、表１に示す所定比率（組成物全質量に対する質量比）で硝子バイヤルに秤量し、ミックスローター（アズワン（株）製）で１０分間撹拌混合した。０．５μｍメンブレンフィルターでろ過することで、有機半導体膜形成用組成物を得た。

（有機トランジスタの製造）
　以下の要領で、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機トランジスタを形成した。

＜ゲート電極形成＞
　無アルカリ硝子基板上（５ｃｍ×５ｃｍ）に、銀ナノインク（Ｈ－１　三菱マテリアル（株）製）をＤＭＰ２８３１（１ピコリットルヘッド）を用いたインクジェット印刷することにより、幅１００μｍ、膜厚１００ｎｍの配線パターンを形成し、その後、２００℃、９０分間、ホットプレート上、大気下で焼成することで、ゲート電極配線を形成した。

＜ゲート絶縁膜形成＞
　ポリビニルフェノール（Ｍｗ２５，０００、アルドリッチ社製）５質量部、及び、メラミン５質量部、ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート９０質量部を撹拌混合し、０．２μｍメンブレンフィルターでろ過することで、溶液を作製した。得られた溶液を、ゲート電極を作製した硝子基板上に滴下し、スピンコート（１，０００ｒｐｍ、１２０秒）により、コートし、１５０℃にて３０分加熱することで、膜厚５００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。

＜ソース電極及びドレイン電極形成＞
　上記絶縁膜コートされた基板中央上に、パターンを複数個有するメタルマスクを載せ、ＵＶオゾンを３０分照射することで、マスク開口部を親水処理表面に改質した。なお、メタルマスクには、光を遮断するマスク部と、開口部がある。改質部分周辺に、ＤＭＰ２８３１（１ピコリットルヘッド）を用いたインクジェット印刷により、チャネル長５０μｍ、チャネル幅３２０μｍのソース電極及びドレイン電極パターンを形成した。得られた基板をＮ₂雰囲気下（グローブボックス中、酸素濃度２０ｐｐｍ以下の環境）にて、ホットプレート上２００℃で９０分焼成することで、膜厚２００ｎｍのソース電極及びドレイン電極が形成された。

＜有機半導体膜の形成：フレキソ印刷法＞
　上記で作製した組成物（表１の組成物）をソース電極及びドレイン電極を形成した基板上に、フレキソ印刷法によりコートした。印刷装置として、フレキソ適性試験機Ｆ１（アイジーティ・テスティングシステムズ（株）製）を用い、フレキソ樹脂版として、ＡＦＰ　ＤＳＨ１．７０％（旭化成（株）製）／ベタ画像を用いた。版と基板間の圧は、６０Ｎ、搬送速度０．３ｍ／秒で印刷を行った後、そのまま、６０℃下で２時間乾燥することで、ソース電極及びドレイン電極間に有機半導体膜（膜厚：１００ｎｍ）を作製し、有機トランジスタを製造した。

＜有機半導体膜の形成：インクジェット印刷法＞
　上記で作製した組成物（表１の組成物）をソース電極及びドレイン電極を形成した基板上に、インクジェット法によりコートした。インクジェット装置としては、ＤMＰ２８３１（富士フイルムグラフィックシステムズ（株）製）、１０ｐＬヘッドを用い、吐出周波数５Ｈｚ、ドット間ピッチ（インクジェット印刷におけるドット（インク滴）間の距離）２０μｍでベタ膜を形成した。そのまま、６０℃下で２時間乾燥することで、ソース電極及びドレイン電極間に有機半導体膜を作製した。

（評価）
＜膜均一性＞
　上記のように、有機半導体膜形成用組成物をインクジェット印刷又はフレキソ印刷により付与し、乾燥を行うことにより得られた半導体膜を、膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）により任意の３箇所を選んで膜厚測定を行った。得られた３点の膜厚について、そのバラツキ評価を行った。バラツキの算出方法としては、得られた３点の膜厚の算術平均を求め、平均値Ｘとし、その後、平均値Ｘと各サンプルの膜厚の値との「差」の絶対値を算出して、その「差」の絶対値の平均値Ｙを算出して、（平均値Ｙ／平均値Ｘ）×１００にて、バラツキを求めた。
　評価基準は以下のとおりである。なお、実用上、ＡＡ～Ｂであることが好ましい。
　ＡＡ：膜厚バラツキ５％未満
　Ａ：膜厚バラツキ５％以上１０％未満
　Ｂ：膜厚バラツキ１０％以上２０％未満
　Ｃ：膜厚バラツキ２０％以上

＜電荷移動度＞
　上記のように、有機半導体膜形成用組成物をインクジェット印刷又はフレキソ印刷により付与し、乾燥を行うことにより得られた半導体膜について、半導体測定装置Ｂ２９００Ａ（アジレント社製）により５箇所のキャリア移動度測定を行い、その平均移動度を算出した。なお、このときの測定条件は以下の通りであった。
　　チャネル長Ｌ：２０μｍ
　　ドレイン電圧Ｖｄ：－１５Ｖ
　評価基準は以下の通りである。なお、実用上、ＡＡ～Ｂであることが好ましい。
　ＡＡ：平均移動度が０．７ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上
　Ａ：平均移動度が０．６ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上０．７ｃｍ²／Ｖ・ｓ未満
　Ｂ：平均移動度が０．５ｃｍ²／Ｖ・ｓ以上０．６ｃｍ²／Ｖ・ｓ未満
　Ｃ：平均移動度が０．５ｃｍ²／Ｖ・ｓ未満
　評価結果をまとめて表１に示す。

　表１中、ＩＪは、インクジェット印刷により有機半導体膜を形成したことを意味し、ＦＬは、フレキソ印刷により有機半導体膜を形成したことを意味する。また、ＢＰは沸点を意味する。
　表中の粘度は２５℃における測定値であり、ＪＩＳ　Ｚ８８０３に準拠した測定方法により測定した。
　また、表１中、「－」の記載は、当該成分を含有していないことを意味する。

　表１で使用した、各種材料は、以下の通りである。
（成分Ａ）
・有機半導体Ａ：ＯＳＣ－１５（下記構造）、合成品。合成法は、特開２００９－１９０９９９号公報に記載の方法に従った。

・有機半導体Ｂ：6,13-Bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene（略称：ＴＩＰＳ－ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）（製品番号：７１６００６、アルドリッチ社製）
・有機半導体Ｃ：9,9'-(4,4'-(Phenylphosphoryl)bis-(4,1-phenylene))bis(9H-carbazole)（製品番号：Ｌ５１２０９５、アルドリッチ社製）
・有機半導体Ｄ：ＯＳＣ－１４は、国際公開第２００５／０８７７８０号に記載された方法に準じて合成を行った。

（成分Ｂ）
・１－フルオロナフタレン（Ｆ０２１２、東京化成工業（株）製）
・２－フルオロナフタレン（４４２３４９、アルドリッチ社製）
・２－メトキシナフタレン（Ｍ０１１７、東京化成工業（株）製）
・１－メチルナフタレン（１３２－１００６５、和光純薬工業(株)製）
・１－クロロナフタレン（Ｃ０２１２、東京化成工業（株）製）
（成分Ｃ）
・ポリ（α－メチルスチレン）：数平均分子量４０万、アルドリッチ社製

　１０：基板、２０：ゲート電極、３０：ゲート絶縁膜、４０：ソース電極、４２：ドレイン電極、５０：有機半導体膜、５１：メタルマスク、５２：マスク部、５３，５４：開口部、６０：封止層、１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims

　成分Ａとして、有機半導体と、
　成分Ｂとして、式Ｂ－１で表され、かつ、沸点が２００℃以上２４０℃以下である有機溶媒とを含むことを特徴とする
　有機半導体膜形成用組成物。

　式Ｂ－１中、Ｒ^b1はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、又は、ビニル基を表し、ｍは１～４の整数を表し、ｍが２以上の場合、複数存在するＲ^b1は同一でも異なっていてもよい。
　式Ｂ－１中、Ｒ^b1がフッ素原子であり、ｍが１である、請求項１に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　成分Ｂが１－フルオロナフタレンである、請求項１又は２に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　成分Ａが縮合多環芳香族基を有し、前記縮合多環芳香族基中の環数が４以上であり、前記縮合多環芳香族基中の少なくとも２つの環が、硫黄原子、窒素原子、セレン原子及び酸素原子よりなる群から選択された少なくとも１つの原子を含み、前記縮合多環芳香族基中の部分構造として、ベンゼン環、ナフタレン環及びフェナントレン環よりなる群から選択された少なくともいずれか１つの構造を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　成分Ａが前記部分構造としてアントラセン環を含まない、請求項４に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記縮合多環芳香族基中の環数が５又は６である、請求項４又は５に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　前記縮合多環芳香族基中に少なくとも２つの複素環が含まれ、前記複素環中にそれぞれ１個のヘテロ原子が含まれる、請求項４～６のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　成分Ａが、式１～式１６のいずれかで表される化合物を少なくとも１種含む、請求項１～７のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。

　式１中、Ａ^1a及びＡ^1bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^1a～Ｒ^1fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^1a～Ｒ^1fのうち少なくとも１つが下記式Ｗで表される基である。
　　－Ｌ^W－Ｒ^W　　　（Ｗ）
　式Ｗ中、Ｌ^Wは下記式Ｌ－１～式Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ－１～Ｌ－２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、Ｒ^Wはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。

　式Ｌ－１～式Ｌ－２５中、＊はＲ^Wとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ－１、式Ｌ－２、式Ｌ－６及び式Ｌ－１３～式Ｌ－２４におけるＲ’はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｌ－２０及び式Ｌ－２４におけるＲ^Nは水素原子又は置換基を表し、式Ｌ－２５におけるＲ^siはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアルキニル基を表す。
　式２中、Ｘ^2a及びＸ^2bはそれぞれ独立に、ＮＲ²ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^2aはＣＲ^2g又はＮ原子を表し、Ａ^2bはＣＲ^2h又はＮ原子を表し、Ｒ²ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^2a～Ｒ^2hのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
　式３中、Ｘ^3a及びＸ^3bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＮＲ^3gを表し、Ａ^3a及びＡ^3bはそれぞれ独立に、ＣＲ^3h又はＮ原子を表す。Ｒ^3a～Ｒ^3hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^3a～Ｒ^3hのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
　式４中、Ｘ^4a及びＸ^4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０～２の整数を表し、Ｒ^4a～Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、かつ、Ｒ^4a～Ｒ^4j、Ｒ^4k及びＲ^4mのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基であり、ただし、Ｒ^4e及びＲ^4fのうち少なくとも一方が前記式Ｗで表される基である場合はＲ^4e及びＲ^4fが表す前記式ＷにおいてＬ^Wは前記式Ｌ－２又は式Ｌ－３で表される二価の連結基である。
　式５中、Ｘ^5a及びＸ^5bはそれぞれ独立に、ＮＲ⁵ⁱ、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ａ^5aはＣＲ^5g又はＮ原子を表し、Ａ^5bはＣＲ^5h又はＮ原子を表し、Ｒ⁵ⁱは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^5a～Ｒ^5hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^5a～Ｒ^5hのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
　式６中、Ｘ^6a～Ｘ^6dはそれぞれ独立に、ＮＲ^6g、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ^6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^6a～Ｒ^6fのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
　式７中、Ｘ^7a及びＸ^7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁷ⁱを表し、Ｘ^7b及びＸ^7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^7a～Ｒ⁷ⁱのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
　式８中、Ｘ^8a及びＸ^8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ⁸ⁱを表し、Ｘ^8b及びＸ^8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^8a～Ｒ⁸ⁱのうち少なくとも１つが前記式Ｗで表される基である。
　式９中、Ｘ^9a及びＸ^9bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ^9c、Ｒ^9d及びＲ^9g～Ｒ^9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は前記式Ｗで表される基を表し、Ｒ^9a、Ｒ^9b、Ｒ^9e及びＲ^9fはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
　式１０中、Ｒ^10a～Ｒ^10hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^10a～Ｒ^10hのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される置換基を表し、Ｘ^10a及びＸ^10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁰ⁱを表し、Ｒ¹⁰ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は前記式Ｗで表される基を表す。
　式１１中、Ｘ^11a及びＸ^11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹¹ⁿを表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^11a～Ｒ^11k、Ｒ^11m及びＲ¹¹ⁿのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
　式１２中、Ｘ^12a及びＸ^12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹²ⁿを表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^12a～Ｒ^12k、Ｒ^12m及びＲ¹²ⁿのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
　式１３中、Ｘ^13a及びＸ^13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹³ⁿを表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^13a～Ｒ^13k、Ｒ^13m及びＲ¹³ⁿのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
　式１４中、Ｘ^14a～Ｘ^14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ¹⁴ⁱを表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^14a～Ｒ¹⁴ⁱのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
　式１５中、Ｘ^15a～Ｘ^15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^15gを表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^15a～Ｒ^15gのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
　式１６中、Ｘ^16a～Ｘ^16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ^16gを表し、Ｒ^16a～Ｒ^16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ^16a～Ｒ^16gのうち少なくとも１つは前記式Ｗで表される基である。
　前記有機半導体が、前記式１～式９又は式１５で表される化合物を少なくとも１種を含む、請求項８に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　更に、成分Ｃとして高分子化合物を含有する、請求項１～９のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　成分Ｃの含有量が、組成物全質量に対して、０．０１～２．０質量％である、請求項１０に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　２５℃における粘度が２～５０ｍＰａ・ｓである、請求項１～１１のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　成分Ａの含有量が、組成物全質量に対して０．２～５質量％である、請求項１～１２のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　インクジェット印刷用、及び／又は、フレキソ印刷用である、請求項１～１３のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物。
　請求項１～１４のいずれか１項に記載の有機半導体膜形成用組成物を基板上に付与する付与工程、及び、乾燥工程を含む有機半導体素子の製造方法。
　前記付与工程が、インクジェット印刷又はフレキソ印刷にて行われる、請求項１５に記載の有機半導体素子の製造方法。