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WO2016072361A1 - 回路基板およびその製造方法 - Google Patents

回路基板およびその製造方法 Download PDF

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WO2016072361A1
WO2016072361A1 PCT/JP2015/080743 JP2015080743W WO2016072361A1 WO 2016072361 A1 WO2016072361 A1 WO 2016072361A1 JP 2015080743 W JP2015080743 W JP 2015080743W WO 2016072361 A1 WO2016072361 A1 WO 2016072361A1
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WO
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circuit board
liquid crystal
crystal polymer
temperature
thermoplastic liquid
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PCT/JP2015/080743
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English (en)
French (fr)
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健 ▲高▼橋
崇裕 中島
小野寺　稔
原　哲也
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Kuraray Co Ltd
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Kuraray Co Ltd
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Priority to JP2016557743A priority patent/JP6632541B2/ja
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    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1194—Thermal treatment leading to a different chemical state of a material, e.g. annealing for stress-relief, aging

Definitions

  • the present invention relates to a laminated circuit board excellent in interlayer adhesion and solder heat resistance and a method for manufacturing the same.
  • a circuit board usually has a substrate made of an insulating material and a layer (hereinafter referred to as a conductor layer) made of a conductive material formed on the substrate, and a circuit is formed by the conductor layer. .
  • Various electronic components are installed on a circuit board by a process such as soldering.
  • circuit boards used in small electronic devices such as mobile phones
  • development of circuit boards using flexible resin materials as insulating substrates has been promoted due to demands for miniaturization and thinning.
  • Multilayer circuit boards having conductor layers are also widely used.
  • thermoplastic liquid crystal polymer films have attracted attention as flexible insulating materials.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film is formed on the surface of the insulating layer of the conductor circuit board, the bonding sheet for bonding the conductor circuits formed on the surface of the substrate (hereinafter referred to as unit circuit board), and the surface of the circuit layer. Used for formed coverlay film. Since these thermoplastic liquid crystal polymer films are bonded to each other by thermocompression heating under pressure, a laminated substrate can be formed without using an adhesive.
  • Patent Document 1 includes a first step in which a thermoplastic liquid crystal polymer film having a predetermined molecular orientation and a metal sheet are pressure-bonded between heated rolls under tension and a first step.
  • a method for producing a metal-clad laminate for a circuit board comprising a second step of heat-treating the obtained laminate at a melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer film or higher.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film is subjected to physical polishing or softening treatment by ultraviolet irradiation to form an adhesive surface, and this adhesive surface is formed into a circuit on a substrate on which a conductor circuit is formed.
  • a manufacturing method of a multilayer circuit board is described in which thermocompression bonding is performed facing the surface.
  • Patent Document 1 discloses that a thermoplastic liquid crystal polymer film having a predetermined degree of molecular orientation is bonded to a metal sheet under tension, and then heated at a temperature equal to or higher than the melting point of the film, thereby achieving isotropic and dimensional stability. Although an excellent metal-clad laminate is obtained, nothing is described regarding solder heat resistance and dimensional stability when two or more thermoplastic liquid crystal polymer films are laminated and thermocompression bonded.
  • Patent Document 2 states that by applying a softening treatment to the surface of a thermoplastic liquid crystal polymer film, the adhesiveness can be improved without performing a surface roughening treatment using chemicals or plasma, and solder resistance and dimensional stability are also improved. Although it can be obtained, since it is necessary to form an adhesive surface by polishing or ultraviolet irradiation, it is not a method suitable for mass production of a laminated circuit board, and restrictions on the design of the laminated structure also increase.
  • An object of the present invention is to provide a circuit board excellent in interlayer adhesion and solder heat resistance and a manufacturing method thereof by a simple method using heat treatment. It is another object of the present invention to provide a circuit board and a method for manufacturing the circuit board that are excellent in interlayer adhesion and solder heat resistance, and have small dimensional changes in the manufacturing process.
  • a first configuration of the present invention is a circuit board manufacturing method, Preparing a plurality of at least one thermoplastic liquid crystal polymer film; Forming a conductor layer on one or both sides of the film in at least one of the plurality of films to form a unit circuit board; and Laminating the plurality of films including the unit circuit board to form a laminate; A thermocompression bonding step in which the laminate is heated and integrated under pressure to a first temperature at which interlayer adhesion occurs (adhesion temperature); The thermoplastic liquid crystal polymer film having the lowest melting point among the thermoplastic liquid crystal polymer films constituting the main body of the plurality of films at a temperature lower than the first temperature after the heating at the first temperature.
  • Heating at a second temperature lower than the melting point and performing a structure control heat treatment for a predetermined time It is a manufacturing method of a circuit board.
  • the structure control heat treatment is a heat treatment performed to control the molecular structure of the thermoplastic liquid crystal polymer in the film.
  • the second temperature is a temperature at which the molecular structure of the thermoplastic liquid crystal polymer in the film can be controlled by heat treatment.
  • the structure control heat treatment may be performed as a post-heating step of interlayer adhesion at the first temperature in the thermocompression bonding step. That is, the step of performing the structure control heat treatment is included in the thermocompression bonding step, and may be a step of performing the structure control heat treatment while pressurizing the laminate.
  • the laminated body in the thermocompression bonding step, may be heated to the first temperature while being pressurized, held at the temperature for a predetermined time, then cooled to the second temperature, and the structure control heat treatment may be performed for the predetermined time.
  • First temperature during the thermocompression bonding is in the laminate, if the melting point is the melting point of the lowest of the thermoplastic liquid crystal polymer film and Tm L, for example (Tm L -35) ⁇ a (Tm L +20) °C
  • the second temperature during the structure control heat treatment may be (first temperature ⁇ 10) ° C. or less. Further, from the first temperature to the second temperature, cooling may be performed at a cooling rate of 1 to 8 ° C./min, and cooling may be preferably performed at a cooling rate of 2 to 8 ° C./min.
  • the structure control heat treatment time at the second temperature may be 15 minutes to 90 minutes.
  • the thermocompression treatment time at the first temperature may be 15 minutes to 60 minutes.
  • the bonding temperature (first temperature) at the time of thermocompression bonding may be 270 to 320 ° C. and / or the temperature of the structure control heat treatment (second temperature) is 260 to 290 ° C. Also good.
  • the press pressure during thermocompression bonding may be 5 MPa or less.
  • the laminate may be a laminate of a plurality of unit circuit boards having a thermoplastic liquid crystal polymer film and a conductor layer formed on at least one surface thereof.
  • it may include one or a plurality of unit circuit boards and one or a plurality of thermoplastic liquid crystal polymer films (a thermoplastic liquid crystal polymer film having no conductor layer formed on the surface).
  • a unit circuit board (second unit circuit board) composed of a thermoplastic liquid crystal polymer film and a conductor layer formed on one surface thereof may be directly laminated.
  • two unit circuit boards each composed of a thermoplastic liquid crystal polymer film and a conductor layer formed on one or both sides thereof are composed of a thermoplastic liquid crystal polymer film. It may be laminated via a bonding sheet.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film after preparing a thermoplastic liquid crystal polymer film, before forming a conductor layer, after forming a thermoplastic liquid crystal polymer film and a conductor layer on one or both sides thereof and before forming a laminate, and In at least one stage selected from the stage before the pressurization after the laminate is formed, it is held for a predetermined time at a temperature of 100 to 200 ° C. in the air or in an inert atmosphere and / or held for a predetermined time at a vacuum degree of 1500 Pa or less. By doing so, deaeration treatment may be performed.
  • a second configuration of the present invention is a circuit board manufactured by the method according to the present invention, and has a laminated structure having a plurality of thermoplastic liquid crystal polymer films and at least one conductor layer, At least a part of the laminated structure is a circuit board including a structure in which a conductor layer on which a circuit is processed is sandwiched between two thermoplastic liquid crystal polymer films.
  • the circuit board may be a multilayer circuit board including two or more conductor layers.
  • circuit board manufacturing method of the present invention it is possible to provide a circuit board having excellent solder heat resistance and peeling resistance, and further to provide a circuit board having excellent dimensional stability during heat treatment.
  • thermocompression bonding process in a prior art. It is a conceptual diagram which shows the thermal history of the thermocompression bonding process with structure control heat processing concerning one Embodiment of this invention.
  • 1 is a schematic cross-sectional view of a multilayer circuit board according to an embodiment of the present invention. It is a schematic cross section of a multilayer circuit board according to another embodiment of the present invention.
  • the method for manufacturing the circuit board of the present invention includes: Preparing a plurality of at least one thermoplastic liquid crystal polymer film; Forming a conductor layer on one or both sides of the film in at least one of the plurality of films to form a unit circuit board; and Laminating the plurality of films including the unit circuit board to form a laminate; A thermocompression bonding step of heating and integrating the laminate to a first temperature at which interlayer adhesion occurs under pressure; The thermoplastic liquid crystal polymer film having the lowest melting point among the thermoplastic liquid crystal polymer films constituting the main body of the plurality of films at a temperature lower than the first temperature after the heating at the first temperature. Performing a structural control heat treatment for a predetermined time at a second temperature lower than the melting point, It is a manufacturing method of a circuit board.
  • the circuit board according to the present invention is a circuit board manufactured by the method according to the present invention.
  • the present inventors have compared the use of a high processing temperature in the thermocompression bonding process when manufacturing the multilayer circuit board. It was found that a high interlayer adhesion, that is, a high interlayer peel strength, can be obtained, but the dimensional stability and solder heat resistance are reduced when the maximum temperature reached during thermocompression is increased. In order to solve this problem, the inventors conducted further research and differed from the method in which the laminated material in the conventional thermocompression bonding process was monotonously cooled from the highest temperature, and thus the first method for performing interlayer adhesion.
  • the structure control heat treatment is further performed at a predetermined temperature after being held at a predetermined temperature, a laminated circuit board having excellent interlayer peel strength while maintaining high solder heat resistance can be obtained, and further, the dimensional stability of the circuit board Has also been found to improve, and reached the present invention.
  • the method according to the present invention will be described more specifically.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film The thermoplastic liquid crystal polymer film constituting the film body is formed from a liquid crystalline polymer that can be melt-molded.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer is a polymer that can form an optically anisotropic melt phase, and is not particularly limited in terms of its chemical structure as long as it is a liquid crystal polymer that can be melt-molded.
  • a thermoplastic liquid crystal polyester or a thermoplastic liquid crystal polyester amide having an amide bond introduced therein may be used.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer may be a polymer in which an aromatic polyester or an aromatic polyester amide is further introduced with an isocyanate-derived bond such as an imide bond, a carbonate bond, a carbodiimide bond, or an isocyanurate bond.
  • an isocyanate-derived bond such as an imide bond, a carbonate bond, a carbodiimide bond, or an isocyanurate bond.
  • thermoplastic liquid crystal polymer used in the present invention include known thermoplastic liquid crystal polyesters and thermoplastic liquid crystal polyester amides derived from the compounds (1) to (4) listed below and derivatives thereof. Can be mentioned. However, it goes without saying that there is an appropriate range of combinations of various raw material compounds in order to form a polymer capable of forming an optically anisotropic melt phase.
  • Aromatic or aliphatic dihydroxy compounds (see Table 1 for typical examples)
  • Aromatic diamine, aromatic hydroxyamine or aromatic aminocarboxylic acid (see Table 4 for typical examples)
  • a polymer containing p-hydroxybenzoic acid and / or 6-hydroxy-2-naphthoic acid as at least a repeating unit is preferable.
  • at least one aromatic hydroxycarboxylic acid selected from the group consisting of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid and 4,4 ′ A repeating unit of at least one aromatic diol selected from the group consisting of dihydroxybiphenyl and hydroquinone and at least one aromatic dicarboxylic acid selected from the group consisting of terephthalic acid, isophthalic acid and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid Polymers containing are preferred.
  • the repeating unit (A) of p-hydroxybenzoic acid is used.
  • At least one aromatic hydroxycarboxylic acid (C) selected from the group consisting of p-hydroxybenzoic acid and 6-hydroxy-2-naphthoic acid, and 4,4′-dihydroxy At least one aromatic diol (D) selected from the group consisting of biphenyl and hydroquinone, and at least one aromatic dicarboxylic acid (E) selected from the group consisting of terephthalic acid, isophthalic acid and 2,6-naphthalenedicarboxylic acid.
  • optical anisotropy at the time of melting referred to in the present invention can be recognized by, for example, placing a sample on a hot stage, heating and heating in a nitrogen atmosphere, and observing transmitted light of the sample.
  • thermoplastic liquid crystal polymer preferably has a melting point (hereinafter referred to as Tm 0 ) in the range of 260 to 360 ° C., more preferably Tm 0 of 270 to 350 ° C.
  • the thermoplastic liquid crystal polymer may be a thermoplastic polymer such as polyethylene terephthalate, modified polyethylene terephthalate, polyolefin, polycarbonate, polyarylate, polyamide, polyphenylene sulfide, polyether ether ketone, and fluororesin within a range not impairing the effects of the present invention.
  • Various additives may be added. Moreover, you may add a filler as needed.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film used in the present invention can be obtained by extruding a thermoplastic liquid crystal polymer. Any extrusion molding method can be applied as long as the direction of the rigid rod-like molecules of the thermoplastic liquid crystal polymer can be controlled, but the known T-die method, laminate stretching method, inflation method and the like are industrially advantageous.
  • the inflation method and the laminate stretching method stress is applied not only to the machine axis direction of the film (or machine processing direction: hereinafter abbreviated as MD direction) but also to the direction orthogonal to this (hereinafter abbreviated as TD direction).
  • MD direction machine processing direction
  • TD direction direction orthogonal to this
  • the melt sheet extruded from the T-die is not only in the MD direction of the film but also in the TD.
  • the melt sheet extruded from the T-die may be stretched in the MD direction and then stretched in the TD direction.
  • a predetermined draw ratio (corresponding to a draw ratio in the MD direction: also referred to as a drawdown ratio) and a blow ratio (in the TD direction) are applied to the cylindrical sheet melt-extruded from the ring die.
  • the film may be stretched at a ratio corresponding to the draw ratio (also referred to as blow-up ratio).
  • the draw ratio of such extrusion molding may be, for example, about 1.0 to 10, preferably about 1.2 to 7, more preferably about 1 as the draw ratio (or draw ratio) in the MD direction. It may be about 3-7. Further, the draw ratio (or blow ratio) in the TD direction may be, for example, about 1.5 to 20, preferably about 2 to 15, and more preferably about 2.5 to 14.
  • the ratio of the respective stretching ratios in the MD direction and the TD direction may be, for example, 2.6 or less, preferably about 0.4 to 2.5.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film may be stretched as necessary after being extruded.
  • the stretching method itself is known, and either biaxial stretching or uniaxial stretching may be adopted, but biaxial stretching is preferred because it is easier to control the degree of molecular orientation.
  • a known uniaxial stretching machine, simultaneous biaxial stretching machine, sequential biaxial stretching machine or the like can be used.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film may be known or conventional heat treatment to adjust the melting point and / or the thermal expansion coefficient of the thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • the heat treatment conditions can be appropriately set according to the purpose.
  • the melting point (Tm 0 ) of the liquid crystal polymer is ⁇ 10 ° C. or higher (for example, about Tm 0 ⁇ 10 to Tm 0 + 30 ° C., preferably about Tm 0 to Tm 0 + 20 ° C.)
  • the melting point (Tm) of the thermoplastic liquid crystal polymer film may be increased by heating for several hours.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film thus obtained has excellent dielectric properties, gas barrier properties, low hygroscopicity, and the like, and therefore can be suitably used as a circuit board material.
  • the melting point (Tm) of the thermoplastic liquid crystal polymer film can be selected within the range of about 200 to 400 ° C., preferably about 250 to 360 ° C., for the purpose of obtaining the desired heat resistance and processability of the film. Preferably, it may be about 260 to 350 ° C. (for example, 260 to 340 ° C.).
  • the thermoplastic liquid crystal polymer film used in the present invention may have any thickness. However, when used for a high-frequency transmission line, the thicker the film, the smaller the transmission loss. Therefore, it is preferable to increase the thickness as much as possible.
  • the film thickness is preferably in the range of 10 to 500 ⁇ m, more preferably in the range of 10 to 300 ⁇ m, still more preferably 10 to 200 ⁇ m (for example, 15 to 200 ⁇ m) is more preferable.
  • the thickness of the film is too thin, the rigidity and strength of the film are reduced. Therefore, a method of obtaining an arbitrary thickness by laminating films having a film thickness in the range of 10 to 200 ⁇ m may be used.
  • the conductor layer is formed on one side or both sides of the thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • the conductor layer is formed of at least a conductive metal, and a circuit is formed on the conductor layer using a known circuit processing method.
  • a known method can be used as a method for forming a conductor layer on an insulating substrate made of a thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • a metal layer may be deposited, and a metal layer can be formed by electroless plating or electrolytic plating.
  • a layer may be formed.
  • a metal foil (for example, copper foil) may be pressure bonded to the surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film by thermocompression bonding.
  • the metal constituting the conductor layer is preferably a metal used for electrical connection, and can include various metals such as copper, gold, silver, nickel, and aluminum, preferably copper. (For example, 98 mass% or more) An alloy composed of these metals may be included.
  • metal foil is preferable, and copper foil is more preferably used.
  • the copper foil is not particularly limited as long as it is a copper foil that can be used in a circuit board, and may be a rolled copper foil or an electrolytic copper foil.
  • thermocompression bonding of the metal foil can be performed by applying a pressure of about 3 to 5 MPa at a temperature of about 270 to 320 ° C., for example.
  • the atmosphere is preferably an inert gas atmosphere or a vacuum condition of a pressure of 1500 Pa or less.
  • a vacuum hot press apparatus, a heating roll facility, or the like can be used.
  • the thickness of the conductor layer is preferably in the range of 1 to 50 ⁇ m, for example, and more preferably in the range of 10 to 35 ⁇ m.
  • Circuit processing is performed on at least one conductor layer.
  • a method for forming a circuit using a conductor layer metal layer
  • a known method for example, an etching method by a photofabrication method
  • a circuit may be formed by etching a metal layer (metal foil) on a thermoplastic liquid crystal polymer film by a subtractive method.
  • a circuit may be formed on the seed layer formed on the thermoplastic liquid crystal polymer film by plating using a semi-additive method (in this case, the thickness of the seed layer may be less than 1 ⁇ m).
  • the conductor circuit may be formed only on one side of the thermoplastic liquid crystal polymer film, or may be formed on both sides.
  • An oxidation-resistant film may be formed on the surface of the conductor layer.
  • a silane coupling agent may be attached to the surface of the conductor layer or the oxidation-resistant film on the conductor layer.
  • the deaeration treatment can be performed by i) heating at a temperature of 100 to 200 ° C. and / or ii) holding under a vacuum condition of 1500 Pa or less.
  • the deaeration may be performed by maintaining the temperature at a room temperature to about 200 ° C. with a vacuum degree of 1500 Pa or less.
  • the deaeration treatment may be performed before forming the conductor layer on the surface of the thermoplastic liquid crystal polymer film, after forming the conductor layer, and at least one or all of the stages before thermocompression bonding after film lamination. .
  • the degassing by heating the thermoplastic liquid crystal polymer film may be performed under normal pressure.
  • the holding time at a temperature in the range of 100 ° C. or more and 200 ° C. or less may be, for example, about 30 minutes to 4 hours, more preferably about 1 to 3 hours.
  • an inert gas atmosphere it is preferable to use an inert gas atmosphere.
  • Deaeration under vacuum conditions may be performed using a degree of vacuum of 1500 Pa or less, preferably 1300 Pa or less, more preferably 1100 Pa or less.
  • degassing may be performed at normal temperature (around 20 ° C., for example, 10 to 30 ° C.), but may be performed while heating to about 200 ° C. For example, you may heat to about 100-200 degreeC.
  • Degassing under vacuum conditions may be performed for about 30 minutes to 3 hours.
  • thermoplastic liquid crystal polymer films including at least one thermoplastic liquid crystal polymer film having a conductor circuit formed on at least one surface are laminated in accordance with a desired multilayer circuit board design to form a laminate.
  • Lamination may be performed outside the apparatus of the thermocompression bonding apparatus (for example, a vacuum hot press apparatus) or in the apparatus.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film serving as a bonding sheet may be disposed and laminated between the two unit circuit boards. Moreover, you may arrange
  • thermoplastic liquid crystal polymer films to be laminated may have the same melting point or different melting points.
  • a unit circuit board in which a conductor layer is formed on one or both surfaces of a high melting thermoplastic liquid crystal polymer film and a low melting thermoplastic liquid crystal polymer film used as a bonding sheet or coverlay may be laminated.
  • the difference between the melting point (Tm H ) of the thermoplastic liquid crystal polymer film having the highest melting point and the melting point (Tm L ) of the thermoplastic liquid crystal polymer film having the lowest melting point is 70 ° C. or less (0 to 70 ° C.).
  • Tm H ⁇ Tm L for example, two types of thermoplastic liquid crystal polymer films having a difference in melting point (Tm H ⁇ Tm L ) of about 20 to 60 ° C. may be used.
  • thermocompression bonding step is performed in which the laminate is heated and integrated while being pressurized.
  • Thermocompression bonding can be performed, for example, using equipment such as a vacuum hot press apparatus, heating roll lamination, and double belt press.
  • the laminate is heated and integrated to a first temperature at which interlayer adhesion occurs under pressure.
  • the laminated body may be integrated by further heating to a first temperature at which interlayer bonding occurs, and maintaining for a predetermined time.
  • the pressure applied to the laminate in the thermocompression bonding step may be 5 MPa or less, for example, 0.5 to 2.5 MPa, preferably 0.7 to 2 MPa.
  • the first temperature can be appropriately set according to the melting point of the film.
  • the first temperature during heating may be (Tm L ⁇ 35) to (Tm L +20) ° C., preferably (Tm L ⁇ 20) to (Tm L +20) ° C. More preferably, it may be (Tm L ⁇ 10) to (Tm L +20) ° C., more preferably (Tm L ⁇ 5) to (Tm L +20) ° C., more preferably It may be Tm L to (Tm L +15) ° C.
  • a temperature of 270 to 320 ° C. may be used as the first temperature (adhesion temperature) at the time of thermocompression bonding.
  • the temperature may preferably be 280 to 310 ° C, more preferably 290 to 300 ° C.
  • the first temperature can be appropriately selected in the above temperature range as long as interlayer adhesion occurs, but is preferably the highest temperature in the thermal history of the thermocompression bonding step.
  • the holding time at the bonding temperature may be about 15 to 60 minutes, preferably about 20 to 50 minutes, more preferably about 20 to 40 minutes.
  • the temperature is about 100 to 180 ° C. for a predetermined time, for example, about 5 to 30 minutes.
  • preheating may be performed for about 10 to 20 minutes. By performing preheating, it becomes possible to improve the filling of the circuit.
  • the thermocompression bonding is preferably performed under vacuum conditions (for example, atmospheric pressure 1500 Pa or less).
  • the structure control heat treatment is performed by heating at a second temperature (structure control heat treatment temperature) lower than the first temperature and lower than the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer film having the lowest melting point.
  • the structure control heat treatment may be performed as a separate process from the thermocompression bonding process after the thermocompression bonding process. Or you may adjust so that it may hold
  • the pressure applied to the laminate in the structure control heat treatment may be 5 MPa or less, for example, a pressure of 0.5 to 2.5 MPa.
  • the second temperature is not particularly limited as long as it is lower than the first temperature and lower than the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer film having the lowest melting point.
  • (first temperature ⁇ 10) ° C. hereinafter, it may be (first temperature ⁇ 20) ° C. or less.
  • the second temperature may be (Tm L ⁇ 30) to (Tm L ⁇ 10) ° C. in relation to the melting point (Tm L ) of the film, and preferably (Tm L ⁇ 30) to (T Tm L ⁇ 15) ° C.
  • the second temperature may be 250 to 300 ° C., and preferably 260 to 290 ° C.
  • the structure control heat treatment time may be about 15 minutes to 90 minutes, and is preferably about 30 to 60 minutes.
  • the processing time is too short, the effect of the structure control heat treatment cannot be obtained, and if the processing time is too long, the production efficiency of the circuit board decreases.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing a thermal history in a conventional thermocompression bonding process.
  • the laminated body is heated while applying a predetermined pressure, and is maintained in a predetermined temperature range for a certain time when the preheat temperature is reached.
  • heating is performed to a first temperature (adhesion temperature) at which bonding between layers is performed, and adhesion processing is performed by holding in a predetermined temperature range for a predetermined time, and then cooling is performed to release a pressure to obtain a laminated circuit board.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram showing a thermal history when the structure control heat treatment is performed in the thermocompression bonding process as one embodiment of the present invention.
  • the laminate is heated while applying a predetermined pressure, and is maintained in a predetermined temperature range for a certain period of time when the preheat temperature is reached.
  • the structure is heated to a first temperature at which interlayer bonding occurs, held for a predetermined time in a predetermined temperature range, then cooled to a second temperature, and maintained at this temperature for a predetermined time.
  • the substrate is cooled and the pressure is released to obtain a laminated circuit board.
  • the heating from the preheating temperature to the first temperature and / or the cooling from the first temperature to the second temperature is, for example, a rate condition of about 1 to 8 ° C./min, preferably about 2 to 8 ° C./min. You may go on.
  • the strain at the interface is relieved, and as a result, it is possible to improve the interlayer adhesion strength even between liquid crystal polymer films that have conventionally been difficult to improve interlayer adhesion.
  • the first temperature is higher than the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer film in the heat bonding step, the crystallinity of the film having a melting point lower than the first temperature is lowered.
  • the structure control heat treatment at a predetermined temperature, it is possible to improve the heat resistance because the portion that has become amorphous at the bonding temperature recrystallizes.
  • the circuit board having excellent solder heat resistance and interlayer adhesion can be manufactured by the method described above. Moreover, the circuit board obtained by the method of the present invention can reduce the dimensional change rate relative to the raw material film. The circuit board thus formed is used by mounting electronic parts after forming a conduction path by a general method.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the basic structure of an embodiment of a circuit board according to the present invention.
  • the multilayer circuit board 10 has a bondingless structure without a bonding sheet, and includes a first thermoplastic liquid crystal polymer film 1, a second thermoplastic liquid crystal polymer film 2, and a conductor layer (for example, copper foil) 4.
  • the circuit pattern is formed on the conductor layer on the upper surface of the first thermoplastic liquid crystal polymer film 1. If necessary, circuits may also be formed on the conductor layer 4 on the lower surface of the first thermoplastic liquid crystal polymer film 1 and the upper surface of the second thermoplastic liquid crystal polymer film 2.
  • the first thermoplastic liquid crystal polymer film 1 and the second thermoplastic liquid crystal polymer film 2 may be composed of the same thermoplastic liquid crystal polymer film having the same melting point, but from the thermoplastic liquid crystal polymer film having different melting points. It may be configured. In the drawing, a configuration having two thermoplastic liquid crystal polymer films is shown. However, even if one or more unit circuit boards each composed of a thermoplastic liquid crystal polymer film and a conductor layer formed on one surface thereof are laminated. In addition, a coverlay (not shown) may be further laminated.
  • FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the basic structure of another embodiment of the circuit board according to the present invention.
  • the multilayer circuit board 20 has a bonding structure having a bonding sheet, and includes a first thermoplastic liquid crystal polymer film 1, a second thermoplastic liquid crystal polymer film 2, a third thermoplastic liquid crystal polymer film 3, and a conductor.
  • a circuit pattern is formed on at least the conductor layer on the upper surface of the first thermoplastic liquid crystal polymer film 1. If necessary, circuits may also be formed on the lower layer of the first thermoplastic liquid crystal polymer film 1 and the conductor layer 4 on the upper surface of the third thermoplastic liquid crystal polymer film 3.
  • the second thermoplastic liquid crystal polymer film 2 has a melting point different from those of the first thermoplastic liquid crystal polymer film 1 and the third thermoplastic liquid crystal polymer film 3 and is used as a bonding sheet.
  • the melting points of the first thermoplastic liquid crystal polymer film and the third thermoplastic liquid crystal polymer film may be the same or different.
  • a configuration having three thermoplastic liquid crystal polymer films is shown.
  • a unit circuit board comprising a thermoplastic liquid crystal polymer film and a conductor layer formed on one side thereof is formed from a thermoplastic liquid crystal polymer film.
  • One or more layers may be laminated with or without a bonding sheet, and a coverlay (not shown) may be further laminated.
  • a multilayer circuit board may be formed by combining the bondingless structure shown in FIG. 3 and the bonding structure shown in FIG.
  • the circuit board of the present invention is manufactured by the method according to the present invention including the above-described structure control heat treatment step, it has excellent solder heat resistance and interlayer adhesion, as well as excellent dimensional stability.
  • Example 1 Rolled copper foil (manufactured by JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd., BHYX-T-12) on both sides of a thermoplastic liquid crystal polymer film (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-Z, thickness 50 ⁇ m) having a melting point of 335 ° C. Composition of copper foil / thermoplastic liquid crystal polymer film / copper foil, using a vacuum hot press machine, setting the heating plate to 300 ° C., and pressing for 10 minutes under a pressure of 4 MPa. A first unit circuit board was prepared.
  • a rolled copper foil (manufactured by JX Nippon Mining & Metals, BHYX-T-12) is applied to one side of a thermoplastic liquid crystal polymer film (manufactured by Kuraray Co., Ltd., CT-F, thickness 50 ⁇ m) having a melting point of 285 ° C. , Thickness 12 ⁇ m), using a vacuum hot press machine, set the heating plate at 275 ° C., press the pressure for 10 minutes under the pressure of 4 MPa, the first of the configuration of the copper foil / thermoplastic liquid crystal polymer film Two unit circuit boards were produced. Next, circuit processing was performed on the copper foil on one side of the first unit circuit board by a chemical etching method.
  • thermoplastic liquid crystal polymer film (CT-Z, CT-F) used as a material in the above-described manufacturing process of the laminate is a square having a side parallel to the MD direction and the TD direction at the time of film production and having a side of 30 cm. A thing was used.
  • the MD direction (machine direction) is the film running direction (winding direction) during film processing
  • the TD direction (transverse direction) is the direction perpendicular to this (film width direction).
  • Lamination of the first unit circuit board and the second unit circuit board was performed so that the MD direction and the TD direction of the upper and lower thermoplastic liquid crystal polymer films were matched.
  • Thermocompression bonding and structural control heat treatment were performed using a vacuum hot press apparatus. At this time, after pre-heat treatment at 150 ° C. for 10 minutes under a vacuum of 1300 Pa and a pressure of 1.5 MPa, the temperature was raised to 290 ° C. (first temperature) at a heating rate of 5 ° C./min. It was held at the bonding temperature for 30 minutes, and then the temperature was lowered to 265 ° C. (second temperature) at a cooling rate of 5 ° C./min, and a structure control heat treatment was performed for 60 minutes. After the structure control heat treatment, after cooling to room temperature, the pressure was released and the vacuum was vented to obtain the circuit board of Example 1.
  • Example 2 A circuit board of Example 2 was obtained using the same materials and production conditions as in Example 1 except that the bonding temperature when thermocompression bonding the laminate was 295 ° C.
  • the bonding temperature when thermocompression bonding the laminate was 295 ° C.
  • an area of 25 cm ⁇ 25 cm is selected before stacking, and a total of 25 markings are performed in 5 rows in the MD direction and 5 rows in the TD direction. It was. The interval between the opposing rows was 5 cm, and the punch holes in each row were opposed to each other in the MD direction and the TD direction.
  • Example 3 A circuit board of Example 3 was obtained using the same materials and production conditions as in Example 1 except that the bonding temperature when thermocompression bonding the laminate was 300 ° C.
  • Example 4 Before thermocompression bonding of the laminate, heat treatment is performed under the conditions of atmospheric pressure, 0 MPa press pressure, 100 ° C., and 1 hour (first degassing step: degassing step under heating), and then vacuum The same materials and production conditions as in Example 1 were used except that the degree was heated at 100 ° C. for 1 hour at a pressure of 1000 Pa and 0 MPa (second degassing step: degassing step under vacuum).
  • first degassing step degassing step under heating
  • second degassing step degassing step under vacuum
  • Comparative Example 1 A circuit board of Comparative Example 1 was obtained using the same materials and production conditions as in Example 1 except that the substrate was held at an adhesion temperature of 290 ° C. for 30 minutes and then cooled to room temperature without performing structural control heat treatment.
  • Comparative Example 2 A circuit board of Comparative Example 2 was obtained using the same materials and production conditions as in Example 2 except that it was held at an adhesion temperature of 295 ° C. for 30 minutes and then cooled to room temperature without performing structure control heat treatment. On the second unit circuit board, marking was performed in the same manner as in Example 2 before lamination.
  • Comparative Example 3 A circuit board of Comparative Example 3 was obtained using the same materials and production conditions as in Example 3 except that it was held at an adhesion temperature of 300 ° C. for 30 minutes and then cooled to room temperature without performing structure control heat treatment.
  • Comparative Example 4 A circuit board of Comparative Example 4 was obtained using the same materials and production conditions as in Example 1 except that the structure control heat treatment was performed at 310 ° C. after holding at an adhesion temperature of 290 ° C. for 30 minutes.
  • Table 7 summarizes the heat treatment conditions of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 in the hot press apparatus.
  • the dimensional change rate of the circuit board after pressure bonding (after structural control heat treatment in Example 2) with respect to the state of the laminate before pressing was measured.
  • a dimensional change rate was calculated by measuring a distance between markings at 25 locations in the MD direction and the TD direction using a three-dimensional measuring device, and an average value in each direction was obtained.
  • the copper foil of the outer layer (the uppermost layer and the lowermost layer of the circuit board) of each sample is removed by chemical etching using (ferric chloride solution), washed with water, dried, and then the hole interval in the MD direction and the TD direction. was measured and the dimensional change rate with respect to the laminate before pressurization was measured, and the average value in each direction was obtained.
  • each circuit board sample was heated in an oven (FJ-630 manufactured by ADVANTEC Co., Ltd.) at 150 ° C. for 30 minutes. After heating, the hole spacing in the MD and TD directions The dimensional change rate before and after heating was measured. The results are shown in Table 9.
  • Example 1 where the temperature of the bonding process in the crimping process was 290 ° C., the peel strength showed a relatively low value of 0.67 kN / m, whereas after the bonding process at 290 ° C., the structure control heat treatment was performed.
  • Example 1 a high peel strength exceeding 0.8 kN / m was obtained, and it was confirmed that the adhesion between the layers was improved by the structure control heat treatment.
  • Example 2 and Comparative Example 2 and Example 3 and Comparative Example 3 it was confirmed that the adhesive strength was improved by the structure control heat treatment.
  • Example 3 In Comparative Example 3 in which the temperature of the bonding process in the crimping process was 300 ° C., the peel strength was relatively high, but the result of the solder heat resistance test was unacceptable. On the other hand, in Example 3 in which the structure control heat treatment was performed after bonding at 300 ° C., in addition to exhibiting high peel strength, the solder heat resistance was satisfactory.
  • Example 2 in which the structure control heat treatment was performed after the bonding process at 295 ° C. showed excellent dimensional stability. After removing the copper foil on the surface layer, the dimensional change rate was small in both the MD direction and the TD direction even before and after baking (heat treatment at 150 ° C. for 30 minutes) performed to confirm the dimensional change rate due to thermal shrinkage. On the other hand, in Comparative Example 2 in which the dimensional change rate was examined for comparison, a relatively large dimensional change was confirmed in both the TD direction and the MD direction before and after removing the surface copper foil and before and after the baking treatment. It can be interpreted that the improvement of the dimensional stability in the examples contributes to the relaxation of strain at the bonding interface by the structure control heat treatment.
  • Comparative Example 4 performed at 310 ° C., which is higher than 285 ° C., which is the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer film having the lowest melting point among the used thermoplastic liquid crystal polymer films, causes resin flow. Further, in the solder float test, swelling occurred and the solder heat resistance was not sufficient. By comparison with Example 1, it is considered that the temperature in the structure control heat treatment step contributes to the solder heat resistance, and the crystallinity is lowered by being higher than the melting point of the thermoplastic liquid crystal polymer film. Therefore, it can be interpreted as inferior in solder heat resistance.

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Abstract

　層間接着性および半田耐熱性に優れる回路基板とその製造方法を提供する。少なくとも一種の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを複数準備する工程と、前記複数のフィルムの少なくとも一枚においてフィルムの片面または両面上に導体層を形成してユニット回路基板とする工程と、前記ユニット回路基板を含む前記複数のフィルムを積層して積層体を形成する工程と、前記積層体を加圧下で、層間接着が生じる第１の温度まで加熱して一体化する熱圧着工程と、前記第１の温度での加熱後、前記積層体を前記第１の温度より低温かつ、前記複数の熱可塑性液晶ポリマーフィルムのうち、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より低温の第２の温度で加熱して所定時間構造制御熱処理を行う工程とを含む、製造方法により、回路基板の製造を行う。

Description

回路基板およびその製造方法 関連出願
　本願は２０１４年１１月７日出願の特願２０１４－２２７３２１の優先権を主張するものであり、その全体を参照により本出願の一部をなすものとして引用する。
　本発明は、層間接着性および半田耐熱性に優れる積層回路基板とその製造方法に関する。
　情報処理機器、通信機器等の電子機器は、一般に回路基板を内蔵している。回路基板は通常、絶縁性の材料で形成された基板と、基板上に形成された導電材料からなる層（以下、導体層と記載する）を有し、この導体層により回路が形成されている。各種の電子部品は、はんだ付け等の処理によって、回路基板に設置される。
　携帯電話などの小型電子機器に使用される回路基板においては、小型化、薄型化の要求から、フレキシブルな樹脂材料を絶縁性基板とする回路基板の開発が進められており、近年では、複数の導体層を有する多層回路基板も広く用いられている。
　フレキシブルな絶縁材料として、近年、熱可塑性液晶ポリマーフィルムが注目されている。積層基板において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、導体回路基板の絶縁基材、基材表面に導体回路が形成された基板（以下、ユニット回路基板という）同士を接合するボンディングシート、回路層の表面に形成されるカバーレイフィルム等に使用される。これらの熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、加圧下で加熱する熱圧着により相互に接合されるので、接着剤を用いることなく、積層基板を構成することができる。
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムを絶縁基材とする積層回路基板の改良は種々進められている。例えば、特許文献１には、所定の分子配向度を有する熱可塑性液晶ポリマーフィルムと金属シートを、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを緊張状態下で加熱ロール間で圧着させる第１工程と、第１工程で得られた積層板を、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点以上で加熱処理する第２工程とを備えた回路基板用金属張積層板の製造方法が記載されている。
　特許文献２では、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の表面に対し、物理的研磨または紫外線照射による軟化処理を施して接着面を形成し、この接着面を導体回路が形成された基板の回路形成面に対向させて熱圧着を行う、多層回路基板の製造方法が記載されている。
特開２０００－３４３６１０号公報 特開２０１０－１０３２６９号公報
　特許文献１は、所定の分子配向度を有する熱可塑性液晶ポリマーフィルムを緊張状態下で金属シートを圧着させた後、フィルムの融点以上の温度で加熱することにより、等方性および寸法安定性に優れた金属張積層板が得られるとしているが、二以上の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを積層して熱圧着した場合の半田耐熱性や寸法安定性に関しては何も記載していない。
　特許文献２は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの表面に軟化処理を施すことにより、薬品やプラズマを用いた表面粗化処理を施すことなく、接着性を向上できるとし、耐はんだ性や寸法安定性も得られるとしているが、研磨や紫外線照射による接着面の形成を必要とすることから、積層回路基板の大量生産に適した方法ではなく、また積層構造の設計上の制約も大きくなる。
　本発明は、熱処理を利用した簡便な方法によって、層間接着性および半田耐熱性にすぐれた回路基板とその製造方法を提供することを目的とする。さらに本発明は、層間接着性および半田耐熱性にすぐれるとともに、製造工程における寸法変化が小さい、回路基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の第１の構成は、回路基板の製造方法であって、
　少なくとも一種の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを複数準備する工程と、
　前記複数のフィルムの少なくとも一枚においてフィルムの片面または両面上に導体層を形成してユニット回路基板とする工程と、
　前記ユニット回路基板を含む前記複数のフィルムを積層して積層体を形成する工程と、
　前記積層体を加圧下で、層間接着が生じる第１の温度（接着温度）まで加熱して一体化する熱圧着工程と、
　前記第１の温度での加熱後、前記積層体を前記第１の温度より低温かつ、前記複数のフィルムの本体を構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムのうち、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より低温の第２の温度で加熱して所定時間構造制御熱処理を行う工程とを含む、
　回路基板の製造方法である。ここで、構造制御熱処理は、フィルム中の熱可塑性液晶ポリマーの分子構造を制御するために行われる熱処理である。また、第２の温度は、フィルム中の熱可塑性液晶ポリマーの分子構造を熱処理により制御することができる温度である。
　上記方法において、複数のフィルムは、融点が同じである、好ましくは同種類の熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなるものであってもよく、融点の異なる複数種の熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなるものであってもよい。導体層（導電体層）は、金属箔からなるものでもよく、例えば銅箔からなるものであってもよい。導体層の形成は、例えば、熱可塑性液晶ポリマーフィルムに金属箔（例えば銅箔）を熱圧着することにより行うことができる。
　前記方法において、構造制御熱処理は、熱圧着工程において第１の温度による層間接着の後熱工程として行ってもよい。すなわち前記構造制御熱処理を行う工程が、前記熱圧着工程に含まれており、積層体を加圧しながら構造制御熱処理を行う工程であってもよい。この場合、熱圧着工程において、積層体を加圧しながら第１の温度まで加熱し、該温度で所定時間保持した後、第２の温度まで冷却し、所定時間構造制御熱処理を行ってもよい。
　前記熱圧着時の第１の温度は、積層体中、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点をＴｍＬとした場合、例えば（ＴｍＬ－３５）～（ＴｍＬ＋２０）℃であってもよく、および／または、構造制御熱処理時の第２の温度が、（第１の温度－１０）℃以下であってもよい。また、第１の温度から第２の温度までは、１～８℃／分の冷却速度で冷却を行ってもよく、好ましくは２～８℃／分の冷却速度で冷却を行ってもよい。
　例えば、第２の温度での構造制御熱処理時間が１５分～９０分であってもよい。さらに、第１の温度での熱圧着処理時間は、１５分～６０分であってもよい。
　前記方法において、熱圧着時の接着温度（第１の温度）は２７０～３２０℃であってもよく、および／または、構造制御熱処理の温度（第２の温度）が２６０～２９０℃であってもよい。熱圧着時のプレス圧は５ＭＰａ以下であってもよい。
　前記方法において、前記積層体は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその少なくとも一面に形成された導体層を有する、ユニット回路基板を複数積層したものであってもよい。あるいは、一、または複数のユニット回路基板と、一または複数の熱可塑性液晶ポリマーフィルム単体（導体層が表面に形成されていない熱可塑性液晶ポリマーフィルム）を含むものであってもよい。
　例えば、前記方法で形成される前記積層体の一部において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面または両面上に形成された導体層からなるユニット回路基板（第一のユニット回路基板）の上に、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面に形成された導体層からなるユニット回路基板（第二のユニット回路基板）が直接積層されていてもよい。
　前記方法で形成される前記積層体の一部において、それぞれが熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面または両面上に形成された導体層からなる二枚のユニット回路基板が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなるボンディングシートを介して積層されていてもよい。
　前記方法において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備した後、導体層を形成する前の段階、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面または両面に導体層を形成した後で積層体形成前の段階、および前記積層体形成後加圧前の段階から選択される少なくとも一つの段階において、大気中または不活性雰囲気中１００～２００℃の温度で所定時間保持、および／または気圧１５００Ｐａ以下の真空度で所定時間保持することにより脱気処理を行ってもよい。
　本発明の第２の構成は、前記の本発明にかかる方法で製造された回路基板であって、複数の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、少なくとも一層の導体層とを有する積層構造を有し、前記積層構造の少なくとも一部は回路が加工された導体層が二枚の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの層間にはさまれる構造を含む回路基板である。この回路基板は、２層以上の導体層を含む多層回路基板であってもよい。
　なお、請求の範囲および／または明細書および／または図面に開示された少なくとも２つの構成要素のどのような組み合わせも、本発明に含まれる。特に、請求の範囲に記載された請求項の２つ以上のどのような組み合わせも本発明に含まれる。
　本発明にかかる回路基板の製造方法によれば、半田耐熱性および耐剥離性ともにすぐれた回路基板を提供でき、さらに熱処理時の寸法安定性にもすぐれる回路基板を提供できる。
　この発明は、添付の図面を参考にした以下の好適な実施形態の説明からより明瞭に理解されるであろう。しかしながら、実施形態および図面は単なる図示および説明のためのものであり、この発明の範囲を定めるために利用されるべきでない。この発明の範囲は添付の請求の範囲によって定まる。添付図面において、複数の図面における同一の参照番号は、同一部分を示す。
従来技術における熱圧着工程の熱履歴を示す概念図である。 本発明の一実施形態にかかる、構造制御熱処理を伴う熱圧着工程の熱履歴を示す概念図である。 本発明の一実施形態に係る多層回路基板の模式断面図である。 本発明の別の実施形態に係る多層回路基板の模式断面図である。
　本発明の回路基板の製造方法は、
　少なくとも一種の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを複数準備する工程と、
　前記複数のフィルムの少なくとも一枚においてフィルムの片面または両面上に導体層を形成してユニット回路基板とする工程と、
　前記ユニット回路基板を含む前記複数のフィルムを積層して積層体を形成する工程と、
　前記積層体を加圧下で、層間接着が生じる第１の温度まで加熱して一体化する熱圧着工程と、
　前記第１の温度での加熱後、前記積層体を前記第１の温度より低温かつ、前記複数のフィルムの本体を構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムのうち、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より低温の第２の温度で所定時間構造制御熱処理を行う工程とを含む、
　回路基板の製造方法である。
　本発明にかかる回路基板は、前記の本発明に係る方法で製造された回路基板である。
　本発明者等は、高い層間接着性および半田耐熱性を有する積層回路基板を開発すべく鋭意研究を行った結果、積層回路基板を作製する際の熱圧着工程において、高い処理温度を用いると比較的高い層間接着性、すなわち高い層間ピール強度は得られるが、熱圧着時の最高到達温度を高くすると、寸法安定性および半田耐熱性が低下することがわかった。発明者等はこの問題を解決するため、さらに研究を行い、従来の熱圧着工程において積層された材料を最高到達温度から単調に冷却していた方法とは異なり、層間接着を行うための第１の温度で所定時間保持した後、さらに所定温度で構造制御熱処理を行うと、高い半田耐熱性を保持したまま層間ピール強度にもすぐれた積層回路基板が得られること、さらに回路基板の寸法安定性も改善することを知見し、本発明に到達した。
　以下、上記本発明にかかる方法に関し、より具体的に説明する。
（熱可塑性液晶ポリマーフィルム）
　フィルム本体を構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、溶融成形できる液晶性ポリマーから形成される。この熱可塑性液晶ポリマーは、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーであって、溶融成形できる液晶性ポリマーであれば特にその化学的構成については特に限定されるものではないが、例えば、熱可塑性液晶ポリエステル、又はこれにアミド結合が導入された熱可塑性液晶ポリエステルアミドなどを挙げることができる。
　また熱可塑性液晶ポリマーは、芳香族ポリエステルまたは芳香族ポリエステルアミドに、更にイミド結合、カーボネート結合、カルボジイミド結合やイソシアヌレート結合などのイソシアネート由来の結合等が導入されたポリマーであってもよい。
　本発明に用いられる熱可塑性液晶ポリマーの具体例としては、以下に例示する（１）から（４）に分類される化合物およびその誘導体から導かれる公知の熱可塑性液晶ポリエステルおよび熱可塑性液晶ポリエステルアミドを挙げることができる。ただし、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーを形成するためには、種々の原料化合物の組合せには適当な範囲があることは言うまでもない。
（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化合物（代表例は表１参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸（代表例は表２参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
（３）芳香族ヒドロキシカルボン酸（代表例は表３参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
  
（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例は表４参照）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
  
　これらの原料化合物から得られる液晶ポリマーの代表例として表５および６に示す構造単位を有する共重合体を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
  
　これらの共重合体のうち、ｐ―ヒドロキシ安息香酸および／または６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸を少なくとも繰り返し単位として含む重合体が好ましく、特に、（ｉ）ｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸との繰り返し単位を含む重合体、（ｉｉ）ｐ－ヒドロキシ安息香酸および６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸と、４，４’－ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオールと、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６－ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸との繰り返し単位を含む重合体が好ましい。
　例えば、（ｉ）の重合体では、熱可塑性液晶ポリマーが、少なくともｐ－ヒドロキシ安息香酸と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸との繰り返し単位を含む場合、繰り返し単位（Ａ）のｐ－ヒドロキシ安息香酸と、繰り返し単位（Ｂ）の６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸とのモル比（Ａ）／（Ｂ）は、液晶ポリマー中、（Ａ）／（Ｂ）＝１０／９０～９０／１０程度であるのが望ましく、より好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝５０／５０～８５／１５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ａ）／（Ｂ）＝６０／４０～８０／２０程度であってもよい。
　また、（ｉｉ）の重合体の場合、ｐ－ヒドロキシ安息香酸および６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）と、４，４’－ジヒドロキシビフェニルおよびヒドロキノンからなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジオール（Ｄ）と、テレフタル酸、イソフタル酸および２，６－ナフタレンジカルボン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種の芳香族ジカルボン酸（Ｅ）の、液晶ポリマーにおける各繰り返し単位のモル比は、芳香族ヒドロキシカルボン酸（Ｃ）：前記芳香族ジオール（Ｄ）：前記芳香族ジカルボン酸（Ｅ）＝３０～８０：３５～１０：３５～１０程度であってもよく、より好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝３５～７５：３２．５～１２．５：３２．５～１２．５程度であってもよく、さらに好ましくは、（Ｃ）：（Ｄ）：（Ｅ）＝４０～７０：３０～１５：３０～１５程度であってもよい。
　また、芳香族ジオールに由来する繰り返し構造単位と芳香族ジカルボン酸に由来する繰り返し構造単位とのモル比は、（Ｄ）／（Ｅ）＝９５／１００～１００／９５であることが好ましい。この範囲をはずれると、重合度が上がらず、機械強度が低下する傾向がある。
　なお、本発明にいう溶融時における光学的異方性とは、例えば試料をホットステージにのせ、窒素雰囲気下で昇温加熱し、試料の透過光を観察することにより認定できる。
　熱可塑性液晶ポリマーとして好ましいものは、融点（以下、Ｔｍ０と称す）が２６０～３６０℃の範囲のものであり、さらに好ましくはＴｍ０が２７０～３５０℃のものである。
　前記熱可塑性液晶ポリマーには、本発明の効果を損なわない範囲内で、ポリエチレンテレフタレート、変性ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルエーテルケトン、フッ素樹脂等の熱可塑性ポリマー、各種添加剤を添加してもよい。また、必要に応じて充填剤を添加してもよい。
　本発明に使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。熱可塑性液晶ポリマーの剛直な棒状分子の方向を制御できる限り、任意の押出成形法が適用できるが、周知のＴダイ法、ラミネート体延伸法、インフレーション法などが工業的に有利である。特にインフレーション法やラミネート体延伸法では、フィルムの機械軸方向（または機械加工方向：以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられ、ＭＤ方向とＴＤ方向における分子配向性、誘電特性などを制御したフィルムを得ることができる。
　押出成形では、配向を制御するために、延伸処理を伴うのが好ましく、例えば、Ｔダイ法による押出成形では、Ｔダイから押出した溶融体シートを、フィルムのＭＤ方向だけでなく、これとＴＤ方向の双方に対して同時に延伸してもよいし、またはＴダイから押出した溶融体シートを一旦ＭＤ方向に延伸し、ついでＴＤ方向に延伸してもよい。
　また、インフレーション法による押出成形では、リングダイから溶融押出された円筒状シートに対して、所定のドロー比（ＭＤ方向の延伸倍率に相当する：ドローダウン比ともいう）およびブロー比（ＴＤ方向の延伸倍率に相当する：ブローアップ比ともいう）で延伸してもよい。
　このような押出成形の延伸倍率は、ＭＤ方向の延伸倍率（またはドロー比）として、例えば、１．０～１０程度であってもよく、好ましくは１．２～７程度、さらに好ましくは１．３～７程度であってもよい。また、ＴＤ方向の延伸倍率（またはブロー比）として、例えば、１．５～２０程度であってもよく、好ましくは２～１５程度、さらに好ましくは２．５～１４程度であってもよい。
　ＭＤ方向とＴＤ方向とのそれぞれの延伸倍率の比（ＴＤ方向／ＭＤ方向）は、例えば、２．６以下、好ましくは０．４～２．５程度であってもよい。
　また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムには、押出成形した後に、必要に応じて延伸を行ってもよい。延伸方法自体は公知であり、二軸延伸、一軸延伸のいずれを採用してもよいが、分子配向度を制御することがより容易であることから、二軸延伸が好ましい。また、延伸は、公知の一軸延伸機、同時二軸延伸機、逐次二軸延伸機などが使用できる。
　また、必要に応じて、公知または慣用の熱処理を行い、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点および／または熱膨張係数を調整してもよい。熱処理条件は目的に応じて適宜設定でき、例えば、液晶ポリマーの融点（Ｔｍ０）－１０℃以上（例えば、Ｔｍ０－１０～Ｔｍ０＋３０℃程度、好ましくはＴｍ０～Ｔｍ０＋２０℃程度）で数時間加熱することにより、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（Ｔｍ）を上昇させてもよい。
　このようにして得られた熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、優れた誘電特性、ガスバリア性、低吸湿性などを有しているため、回路基板材料として好適に用いることができる。
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（Ｔｍ）は、フィルムの所望の耐熱性および加工性を得る目的において、２００～４００℃程度の範囲内で選択することができ、好ましくは２５０～３６０℃程度、より好ましくは２６０～３５０℃程度（例えば、２６０～３４０℃）であってもよい。
　本発明において使用される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、任意の厚みであってもよい。ただし、高周波伝送線路に使用する場合は、フィルムの厚みが厚いほど伝送損失が小さくなるので、できるだけ厚みを厚くするのが好ましい。電気絶縁層として熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いる場合、そのフィルムの膜厚は、１０～５００μｍの範囲内にあることが好ましく、より好ましくは１０～３００μｍの範囲内、さらに好ましくは１０～２００μｍ（例えば、１５～２００μｍ）の範囲内がより好ましい。フィルムの厚さが薄過ぎる場合には、フィルムの剛性や強度が小さくなることから、フィルム膜厚１０～２００μｍの範囲のフィルムを積層させて任意の厚みを得る方法を使用してもよい。
（導体層の形成）
　導体層は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの片面、または両面に形成される。
　導体層は、少なくとも導電性を有する金属から形成され、この導体層に公知の回路加工方法を用いて回路が形成される。熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなる絶縁性基材上に導体層を形成する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば金属層を蒸着してもよく、無電解めっき、電解めっきにより、金属層を形成してもよい。また、金属箔（例えば銅箔）を熱圧着により、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの表面に圧着してもよい。
　導体層を構成する金属は、電気的接続に使用されるような金属が好適であり、銅、金、銀、ニッケル、アルミニウムなどの各種金属、好ましくは銅を挙げることができ、また実質的に（例えば、９８質量％以上）これらの金属で構成される合金を含んでいてもよい。
　これらの金属のうち、金属箔が好ましく、銅箔がより好ましく用いられる。銅箔は、回路基板において用い得る銅箔であれば、特に限定されず、圧延銅箔、電解銅箔のいずれであってもよい。
　金属箔の熱圧着は、例えば２７０～３２０℃程度の温度で、３～５ＭＰａ程度の圧力を加えることにより、行うことができる。その際、雰囲気は不活性ガス雰囲気または気圧１５００Ｐａ以下の真空条件とすることが好ましい。熱圧着には、例えば、真空熱プレス装置や加熱ロール設備等を用いることができる。
　導体層の厚さは、例えば、１～５０μｍの範囲内が好ましく、１０～３５μｍの範囲内がより好ましい。
　少なくとも１層の導体層に対しては、回路加工がおこなわれる。導体層（金属層）を用いて回路を形成する方法としては、公知の方法（例えばフォトファブリケーション法によりエッチング法）を用いることができる。例えば、サブトラクティブ法により、熱可塑性液晶ポリマーフィルム上の金属層（金属箔）をエッチング加工して回路を形成してもよい。あるいは、熱可塑性液晶ポリマーフィルム上に形成されたシード層上にセミアディティブ法によるめっき加工で回路を形成してもよい（この場合、シード層の厚みは１μｍ未満でもよい）。導体回路は、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの片面のみに形成されてもよく、両面に形成されてもよい。
　導体層の表面に耐酸化性の皮膜を形成していてもよい。また導体層と熱可塑性液晶ポリマーフィルムの接着性を向上させるため、導体層または導体層上の耐酸化性被膜の表面にシランカップリング剤を付着させてもよい。
（脱気処理）
　必要に応じ、積層体を構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムについて、脱気処理を行ってもよい。脱気処理は、ｉ）温度１００～２００℃での加熱、および／またはｉｉ）１５００Ｐａ以下の真空条件での保持により行うことができる。
　例えば、１００～２００℃での加熱による脱気処理を行った後、１５００Ｐａ以下の真空度で常温～２００℃程度の温度に保持して脱気してもよい。
　脱気処理は、熱可塑性液晶ポリマーフィルム表面上に導体層を形成する前、導体層を形成した後、フィルム積層後の熱圧着前の各段階の少なくとも一つまたはすべての段階において行ってもよい。
　熱可塑性液晶ポリマーフィルムの加熱による脱気は、常圧下で行ってもよい。１００℃以上、２００℃以下の範囲の温度での保持時間は、例えば３０分～４時間、より好ましくは１時間～３時間程度でもよい。導体層を形成した熱可塑性液晶ポリマーフィルムの脱気を行う場合には、不活性ガス雰囲気を用いることが好ましい。
　真空条件下での脱気は、気圧１５００Ｐａ以下の真空度を用いればよく、好ましくは１３００Ｐａ以下、より好ましくは１１００Ｐａ以下を用いればよい。真空条件下で脱気を行う場合、常温（２０℃前後、例えば１０～３０℃）で脱気してもよいが、２００℃程度まで加熱しながら行ってもよい。例えば、１００～２００℃程度に加熱してもよい。真空条件下の脱気は、３０分～３時間程度行えばよい。
　なお、真空条件下の脱気は、積層体を形成後、加圧前に行ってもよい。
（積層工程）
　積層工程では、少なくとも一面上に導体回路が形成された熱可塑性液晶ポリマーフィルムを少なくとも一枚含む、複数の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを所望の多層回路基板の設計に従い積層して積層体とする。積層は熱圧着装置の装置（例えば、真空熱プレス装置）外で行ってもよいし、前記装置内において行ってもよい。
　積層においては、導体層を有するユニット回路基板を２以上積層してもよい。また二枚のユニット回路基板の間に、ボンディングシートとなる熱可塑性液晶ポリマーフィルムを配して積層してもよい。また積層体の最上層および／または最下層には、カバーレイとなる熱可塑性液晶ポリマーフィルムを配置してもよい。
　積層される熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、融点が同じものでもよく、融点が異なるものを用いてもよい。例えば、高融点の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの一面または両面上に導体層を形成したユニット回路基板と、ボンディングシートまたはカバーレイとして用いられる低融点熱可塑性液晶ポリマーフィルムとを積層してもよい。
　積層体において、融点が最高の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（ＴｍＨ）と、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点（ＴｍＬ）との差は７０℃以下（０～７０℃）であることが好ましい。ＴｍＨ≠ＴｍＬの場合、例えば、融点の差（ＴｍＨ－ＴｍＬ）が２０～６０℃程度の二種類の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを用いてもよい。
（熱圧着工程）
　ついで、積層体を加圧しながら加熱して一体化する熱圧着工程を行う。熱圧着は、例えば、真空熱プレス装置、加熱ロール積層、ダブルベルトプレスなどの設備等を用いて行うことができる。
　熱圧着では、積層体を加圧下で、層間接着が生じる第１の温度まで加熱して一体化させる。好ましくは、熱圧着は、所定温度で予熱を行った後、層間の接合が生じる第１の温度までさらに加熱し、所定時間保持して積層体を一体化させてもよい。
　熱圧着工程で積層体に加える圧力は、５ＭＰａ以下、例えば０．５～２．５ＭＰａ、好ましくは０．７～２ＭＰａの圧力であってもよい。
　第１の温度はフィルムの融点に応じて適宜設定できる。加熱時の第１の温度（接着温度）は、（ＴｍＬ－３５）～（ＴｍＬ＋２０）℃であってもよく、好ましくは（ＴｍＬ－２０）～（ＴｍＬ＋２０）℃であってもよく、より好ましくは（ＴｍＬ－１０）～（ＴｍＬ＋２０）℃であってもよく、さらに好ましくは（ＴｍＬ－５）～（ＴｍＬ＋２０）℃であってもよく、さらに好ましくはＴｍＬ～（ＴｍＬ＋１５）℃であってもよい。例えば、熱圧着時の第１の温度（接着温度）では２７０～３２０℃の温度を用いてもよい。好ましくは２８０～３１０℃の温度であってもよく、より好ましくは２９０～３００℃の温度であってもよい。
　また、第１の温度は、層間接着が生じる限り、上記の温度範囲において適宜選択することが可能であるが、熱圧着工程の熱履歴における最高温度であるのが好ましい。
　接着温度での保持時間は１５分～６０分程度、好ましくは２０～５０分間程度、さらに好ましくは２０～４０分間程度行われてもよい。
　熱圧着工程において、積層体を加圧しながら、加熱する際、層間接着が生じる第１の温度に到達する前に、例えば、１００～１８０℃程度の温度で所定時間、例えば、５～３０分程度、好ましくは１０～２０分程度予熱してもよい。予熱を行うことにより、回路の充填性を向上することが可能となる。
　上記の熱圧着は、真空条件下（例えば気圧１５００Ｐａ以下）で行うことが好ましい。なお、積層体を加圧する前に、脱気工程で記載したように、真空条件下での脱気を行ってもよい。例えば、真空条件下での脱気では、常温～２００℃程度の範囲内の温度で所定時間保持してもよい。
（構造制御熱処理）
　次いで、第１の温度より低温、かつ融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より低い第２の温度（構造制御熱処理温度）で加熱して構造制御熱処理を行う。構造制御熱処理は、熱圧着工程の後に熱圧着工程とは別工程として行ってもよい。または、熱圧着工程の熱履歴において第１の温度で所定時間保持した後に、続けて第２の温度で所定時間保持するように調整してもよい。その場合、構造制御熱処理において、積層体に加える圧力は、５ＭＰａ以下、例えば０．５～２．５ＭＰａの圧力であってもよい。
　第２の温度は、第１の温度より低い温度であり、かつ融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より低い温度であれば特に限定されないが、例えば、（第１の温度－１０）℃以下、好ましくは（第１の温度－２０）℃以下であってもよい。さらに、第２の温度は、フィルムの融点（ＴｍＬ）との関係において、（ＴｍＬ－３０）～（ＴｍＬ－１０）℃であってもよく、好ましくは（ＴｍＬ－３０）～（ＴｍＬ－１５）℃であってもよい。例えば、第２の温度は、２５０～３００℃であってもよく、好ましくは２６０～２９０℃であってもよい。
　構造制御熱処理時間は、１５分～９０分程度であってもよく、３０～６０分程度であることが好ましい。処理時間が短すぎる場合、構造制御熱処理の効果は得られず、処理時間が長すぎると、回路基板の生産効率が低下する。分子構造を制御しやすくする観点から、構造制御熱処理中は、例えば、８℃以内、好ましくは５℃以内、特に好ましくは３℃以内に温度範囲を保持するのが好ましい。
　図１は、従来の熱圧着工程における熱履歴を示す概念図である。従来法では、積層体に所定の圧力を加えながら、加熱し、予熱温度に到達した段階で、一定時間、所定の温度範囲で保持する。次いで層間の接合が生じる第１の温度（接着温度）まで加熱し、所定時間、所定の温度範囲で保持して接着処理を行った後、冷却し、圧力を開放して積層回路基板を得ている。
　これに対し、図２は、本発明の一実施形態として、熱圧着工程で構造制御熱処理を行う場合の熱履歴を示す概念図である。この場合、積層体に所定の圧力を加えながら、加熱し、予熱温度に到達した段階で、一定時間、所定の温度範囲で保持する。次いで所定の圧力を加えながら、層間の接合が生じる第１の温度まで加熱し、所定時間、所定の温度範囲で保持した後、第２の温度まで冷却し、この温度で所定時間保持して構造制御熱処理を行った後、冷却し、圧力を開放して積層回路基板を得る。
　なお、予熱温度から第１の温度までの加熱、および／または第１の温度から第２の温度までの冷却は、例えば１～８℃／分、好ましくは２～８℃／分程度の速度条件で行ってもよい。
　構造制御熱処理を行うことにより、界面の歪が緩和され、その結果、従来層間接着性の向上が困難であった液晶ポリマーフィルム同士であっても、層間接着強度を改善することが可能となる。また、熱接着工程において第１の温度が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より高温である場合、前記第１の温度よりも低い融点を有するフィルムでは、その結晶性が低下してしまう。しかしながら、所定温度で構造制御熱処理を行うことにより、接着温度でアモルファス化した部分が再度結晶化するためか、耐熱性を向上することが可能となる。
　上記に説明した方法によって、半田耐熱性、および層間接着性にすぐれた回路基板を製造できる。また、上記本発明の方法で得られる回路基板は、原料フィルムに対する寸法変化率を小さくすることが可能である。このようにして形成された回路基板は、一般的手法により導通路を形成したのち、電子部品を実装して使用される。
（回路基板）
　本発明に係る回路基板は、上記に説明した方法により形成される。
　図３は、本発明にかかる回路基板の一実施形態の基本構造を示す模式断面図である。多層回路基板１０は、ボンディングシートを有さないボンディングレス構造を有しており、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルム２、および導体層（例えば銅箔）４からなり、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１の上面の導体層には、回路パターンが形成されている。必要に応じ、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１の下面、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルム２の上面の導体層４にも回路が形成されていてもよい。第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１と第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルム２は、同じ融点をもつ、同一の熱可塑性液晶ポリマーフィルムから構成されてもよいが、融点の異なる熱可塑性液晶ポリマーフィルムから構成されていてもよい。図面では、２枚の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを有する構成を示しているが、さらに熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、その片面に形成された導体層からなる、ユニット回路基板が一以上積層されていてもよく、さらにカバーレイ（図示せず）が積層されていてもよい。
　図４は、本発明にかかる回路基板の他の実施形態の基本構造を示す模式断面図である。多層回路基板２０は、ボンディングシートを有するボンディング構造を有しており、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１、第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルム２、第３の熱可塑性液晶ポリマーフィルム３、および導体層（例えば銅箔）４からなり、少なくとも第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１の上面の導体層には、回路パターンが形成されている。必要に応じ、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１の下面、第３の熱可塑性液晶ポリマーフィルム３の上面の導体層４にも回路が形成されていてもよい。第２の熱可塑性液晶ポリマーフィルム２は、第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルム１、第３の熱可塑性液晶ポリマーフィルム３とは異なる融点をもち、ボンディングシートとして用いられる。第１の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと第３の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点は同じであってもよく、異なっていてもよい。図面では、３枚の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを有する構成を示しているが、さらに熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、その片面に形成された導体層からなる、ユニット回路基板が、熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなるボンディングシートを介してまたは介さずに、一以上積層されていてもよく、さらにカバーレイ（図示せず）が積層されていてもよい。
　図示しないが、さらに別の実施形態として、図３に示すボンディングレス構造と、図４に示すボンディング構造を組み合わせて多層回路基板を形成してもよい。
　本発明の回路基板は、上述の構造制御熱処理工程を含む本発明に係る方法によって製造されるため、半田耐熱性および層間接着性にすぐれるとともに、寸法安定性もすぐれたものとなる。
　以下、実施例により本発明をより詳細に説明するが、本発明は本実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例及び比較例においては、下記の方法により各種物性を測定した。
［耐熱性試験（半田耐熱性）］
　ＩＰＣ－ＴＭ－６５０　２．４．１３の半田フロート試験に準じて２８８℃の半田浴を用いた。実施例で作製した回路基板から３ｃｍ×３ｃｍのサンプルを採取して６０秒半田浴に置いたのち、取り出して第二のユニット回路基板のフィルム面と第一のユニット回路基板に積層された回路面との間を剥離し、層間の銅箔における凹凸の有無を目視にて確認した。目視で明瞭に凹凸が観察される場合には不合格、目視したかぎりでは凹凸が観察されない場合にはさらに接着したフィルム層間（すなわち、第一のユニット回路基板と第二のユニット回路基板の熱可塑性液晶ポリマーフィルムが直接接触している箇所）を剥離し、剥離したフィルム表面にふくれや凹みなどの外観異常がない場合を合格とした。
［隣接する回路基板材料間の接着強度の測定方法］
　ＪＩＳ　Ｃ５０１６－１９９４に準拠して、毎分５０ｍｍの速度で、隣接する回路基板材料間において、一方を、他方に対し９０°の方向に引きはがしながら、引っ張り試験機[日本電産シンポ(株)製、デジタルフォースゲージＦＧＰ-２]により、引きはがし強さを測定し、得られた値を接着強度（ピール強度）とした。
［実施例１］
　融点３３５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｚ、厚さ５０μｍ）の両面に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を３００℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間、圧着して、銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルム／銅箔の構成の第一のユニット回路基板を作製した。
　別に融点２８５℃の熱可塑性液晶ポリマーフィルム（（株）クラレ製、ＣＴ－Ｆ、厚さ５０μｍ）の片面に対して、圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属（株）製、ＢＨＹＸ－Ｔ－１２、厚さ１２μｍ）を重ね合わせ、真空熱プレス装置を用いて、加熱盤を２７５℃に設定し、４ＭＰａの圧力下、１０分間、圧着して、銅箔／熱可塑性液晶ポリマーフィルムの構成の第二のユニット回路基板を作製した。
　次いで、第一のユニット回路基板の片面の銅箔に化学エッチング法により回路加工を行った。
　次いで、第一のユニット回路基板の回路加工面の上に第二のユニット回路基板のフィルム面を積層して積層体とした。
　なお、積層体の上記の製造工程で材料とした熱可塑性液晶ポリマーフィルム（ＣＴ－Ｚ、ＣＴ－Ｆ）は、フィルム作成時のＭＤ方向とＴＤ方向に平行な辺を有する一辺が３０ｃｍの正方形のものを用いた。なおＭＤ方向（machine direction）は、フィルム加工時のフィルムの走行方向（巻き取り方向）、ＴＤ方向（transverse direction）は、これに垂直な方向（フィルムの幅方向）である。第一のユニット回路基板と、第二のユニット回路基板の積層は、上下の熱可塑性液晶ポリマーフィルムのＭＤ方向、ＴＤ方向がそれぞれ一致するように行った。
　真空熱プレス装置を用いて熱圧着および構造制御熱処理を行った。その際、真空度１３００Ｐａ、１．５ＭＰａの圧力下、１５０℃で１０分間の予熱処理を行ったのち、加熱速度５℃／分で温度を２９０℃（第１の温度）に昇温し、この接着温度で３０分間保持し、その後、冷却速度５℃／分で２６５℃（第２の温度）まで温度を下げて６０分間構造制御熱処理を行った。構造制御熱処理後、常温まで冷却した後、圧力を開放し、真空をベントして実施例１の回路基板を得た。
［実施例２］
　積層体を熱圧着する際の接着温度を２９５℃とする以外は、実施例１と同じ材料、製造条件を用い、実施例２の回路基板を得た。なお、寸法変化率の確認に用いるため、第二のユニット回路基板では、積層前に２５ｃｍ×２５ｃｍの領域を選択し、ＭＤ方向に５列、ＴＤ方向に５列、計２５個のマーキングを行った。対向する列の間隔は５ｃｍとし、各列のパンチ孔はＭＤ方向、ＴＤ方向に対向するようにした。
［実施例３］
　積層体を熱圧着する際の接着温度を３００℃とする以外は、実施例１と同じ材料、製造条件を用い、実施例３の回路基板を得た。
［実施例４］
　積層体を熱圧着する前に、大気圧下、０ＭＰａのプレス圧、１００℃、１時間の条件で加熱処理を行い（第一の脱気工程：加熱下での脱気工程）、次いで、真空度を１０００Ｐａ、０ＭＰａの圧力下１００℃で１時間加熱する（第二の脱気工程：真空下での脱気工程）脱気処理を行う以外は、実施例１と同じ材料、製造条件を用い、実施例４の回路基板を得る場合、脱気工程により層間接着性が向上するとともに、構造制御熱処理により半田耐熱性が向上すると推測される。
［比較例１］
　接着温度２９０℃で３０分保持した後、構造制御熱処理を行わずに常温まで冷却する以外は、実施例１と同じ材料、製造条件を用い、比較例１の回路基板を得た。
［比較例２］
　接着温度２９５℃で３０分保持した後、構造制御熱処理を行わずに常温まで冷却する以外は、実施例２と同じ材料、製造条件を用い、比較例２の回路基板を得た。第２のユニット回路基板では、積層前に実施例２と同様にマーキングを行った。
［比較例３］
　接着温度３００℃で３０分保持した後、構造制御熱処理を行わずに常温まで冷却する以外は、実施例３と同じ材料、製造条件を用い、比較例３の回路基板を得た。
［比較例４］
　接着温度２９０℃で３０分保持した後、構造制御熱処理を３１０℃で行うこと以外は、実施例１と同じ材料、製造条件を用い、比較例４の回路基板を得た。
　熱プレス装置における実施例１～３、比較例１～４の熱処理条件をまとめたものを表７に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　実施例１～３、比較例１～４での回路基板から０．５ｃｍ×１０ｃｍのサンプルを採取し、上述の条件で、第１のユニット回路基板と、第２のユニット回路基板の層間のピール強度の測定を行った。また別に３ｃｍ×３ｃｍのサンプルを採取し、上述の方法で半田耐熱性試験を行った。それらの結果を表８に示す。
　別に実施例２、比較例２の回路基板について、加圧前の積層体の状態に対する圧着後（実施例２では構造制御熱処理後）の回路基板の寸法変化率を測定した。測定には３次元測定器を用いてＭＤ方向、ＴＤ方向でそれぞれ２５箇所、マーキングの間隔を測長して寸法変化率を計算し、各方向での平均値を求めた。
　次いで、各試料の外層（回路基板の最上層と最下層）の銅箔を（塩化第二鉄溶液）を用いた化学エッチングにより除去し、水洗、乾燥後、ＭＤ方向、ＴＤ方向での孔間隔を測長して加圧前の積層体に対する寸法変化率を測定し、各方向での平均値を求めた。
　次いで、ＩＰＣ-ＴＭ－６５０規格２．２４メソッドＡに準じ、各回路基板サンプルをオーブン（ＡＤＶＡＮＴＥＣ社製ＦＪ－６３０）で１５０℃、３０分加熱し、加熱後にＭＤ方向、ＴＤ方向での孔間隔を測長して加熱前後の寸法変化率を測定した。
　上記の結果を表９に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
　圧着工程における接合処理の温度が２９０℃の比較例１では、ピール強度は０．６７ｋＮ／ｍという比較的低い数値を示したのに対し、２９０℃で接合処理したのちに、構造制御熱処理を行った実施例１では、０．８ｋＮ／ｍを超える高いピール強度が得られ、構造制御熱処理により、層間の接着性が向上していることが確認された。実施例２と比較例２、実施例３と比較例３の対比においても、構造制御熱処理による接着強度の改善が確認できた。
　圧着工程における接合処理の温度が３００℃の比較例３では、ピール強度は比較的高い値を示すものの、半田耐熱性試験の結果は不合格であった。これに対し、３００℃で接合処理したのちに、構造制御熱処理を行った実施例３では、高いピール強度を示すことに加え、半田耐熱性も満足のいくものであった。
　２９５℃で接合処理を行った後、構造制御熱処理を行った実施例２は、すぐれた寸法安定性を示した。表層の銅箔を除去した後、熱収縮による寸法変化率を確認するために行ったベーク処理（１５０℃で３０分の熱処理）の前後でも、ＭＤ方向、ＴＤ方向ともに寸法変化率が小さかった。これに対し、対比のため寸法変化率を調べた比較例２では、表層銅箔を除去した前後、およびベーク処理の前後において、ＴＤ方向、ＭＤ方向ともに比較的大きな寸法変化が確認された。実施例における寸法安定性の向上には、構造制御熱処理による接合界面での歪みの緩和が寄与しているものと解釈できる。
　構造制御熱処理において、使用した熱可塑性液晶ポリマーフィルムのうち、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点である２８５℃より高い温度である３１０℃で行った比較例４は、樹脂フローが発生し、さらに半田フロート試験において、膨れが発生し、半田耐熱性は十分でなかった。実施例１との比較により、半田耐熱性には、構造制御熱処理工程における温度が寄与しているものと考えられ、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より高温であったことにより、その結晶性が低下してしまったため、半田耐熱性に劣っていると解釈できる。
　以上のとおり、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の追加、変更または削除が可能であり、そのようなものも本発明の範囲内に含まれる。
　１０，２０…多層回路基板
　１，２，３…熱可塑性液晶ポリマーフィルム
　４…導体層

Claims (11)

  1. 　回路基板の製造方法であって、
    　少なくとも一種の熱可塑性液晶ポリマーフィルムを複数準備する工程と、
    　前記複数のフィルムの少なくとも一枚においてフィルムの片面または両面上に導体層を形成してユニット回路基板とする工程と、
    　前記ユニット回路基板を含む前記複数のフィルムを積層して積層体を形成する工程と、
    　前記積層体を加圧下で、層間接着が生じる第１の温度まで加熱して一体化する熱圧着工程と、
    　前記第１の温度での加熱後、前記積層体を前記第１の温度より低温かつ、前記複数の熱可塑性液晶ポリマーフィルムのうち、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点より低温の第２の温度で加熱して所定時間構造制御熱処理を行う工程とを含む、
    　回路基板の製造方法。
  2. 　請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、前記構造制御熱処理を行う工程が、前記熱圧着工程に含まれており、積層体を加圧しながら、構造制御熱処理を行う、回路基板の製造方法。
  3. 　請求項１または２に記載の回路基板の製造方法であって、積層体中、融点が最低の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点をＴｍＬとした場合、熱圧着時の第１の温度が（ＴｍＬ－３５）～（ＴｍＬ＋２０）℃であり、構造制御熱処理時の第２の温度が、（第１の温度－１０）℃以下である、回路基板の製造方法。
  4. 　請求項１から３のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法であって、第２の温度での構造制御熱処理時間が１５分～９０分である、回路基板の製造方法。
  5. 　請求項１から４のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法であって、第１の温度から第２の温度まで、１～８℃／分で冷却する、回路基板の製造方法。
  6. 　請求項１から５のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法であって、熱圧着時の第１の温度が２７０～３２０℃であり、構造制御熱処理時の第２の温度が２６０～２９０℃である、回路基板の製造方法。
  7. 　請求項１から６のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法であって、前記積層体の一部において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面または両面上に形成された導体層からなるユニット回路基板の上に、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面に形成された導体層からなるユニット回路基板を直接積層する、回路基板の製造方法。
  8. 　請求項１から６のいずれか一項に記載の回路基板の製造方法であって、前記積層体の一部において、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面または両面上に形成された導体層からなるユニット回路基板二枚を、熱可塑性液晶ポリマーフィルムからなるボンディングシートを介して積層する、回路基板の製造方法。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法であって、前記導体層を形成する工程において、金属箔を熱可塑性液晶ポリマーフィルム本体に熱圧着する、回路基板の製造方法。
  10. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法であって、熱可塑性液晶ポリマーフィルムを準備した後、導体層を形成する前の段階、熱可塑性液晶ポリマーフィルムとその片面または両面に導体層を形成した後で積層体形成前の段階、および前記積層体形成後加圧前の段階から選択される少なくとも一つの段階において、大気中または不活性雰囲気中１００～２００℃の温度で所定時間保持、および／または気圧１５００Ｐａ以下の真空度で所定時間保持することによる脱気処理を行う、回路基板の製造方法。
  11. 　請求項１～１０のいずれか１項に記載の方法によって製造された回路基板であって、複数の熱可塑性液晶ポリマーフィルムと、少なくとも一枚の導体層とを有する積層構造を有し、前記積層構造の少なくとも一部に、回路が加工された導体層が二枚の熱可塑性液晶ポリマーフィルムの層間にはさまれる構造を含む回路基板。
     
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019130825A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 セイコーエプソン株式会社 プリントヘッド
JPWO2020013106A1 (ja) * 2018-07-10 2021-08-19 デンカ株式会社 熱可塑性液晶ポリマーフィルム、その製造方法およびフレキシブル銅張積層板
JP2022022917A (ja) * 2020-06-27 2022-02-07 プロマティック株式会社 積層体の製造方法
JP2022070936A (ja) * 2019-04-23 2022-05-13 株式会社クラレ 熱可塑性液晶ポリマーフィルム、積層体、および成形体、ならびにそれらの製造方法
JP2022157367A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 フレキシブル回路基板
KR20220162062A (ko) 2021-05-31 2022-12-07 후지필름 가부시키가이샤 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
KR20220162063A (ko) 2021-05-31 2022-12-07 후지필름 가부시키가이샤 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
JP2023034584A (ja) * 2021-08-31 2023-03-13 富士フイルム株式会社 ポリマーフィルム、積層体
JP7589907B1 (ja) 2023-09-04 2024-11-26 合同会社ニスティ 金属張積層体の製造方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112016000328T5 (de) * 2015-01-13 2017-10-19 Ube Exsymo Co., Ltd. Flexible Verbundplatte und mehrschichtige Leiterplatte
JP6871910B2 (ja) * 2016-03-08 2021-05-19 株式会社クラレ 金属張積層板の製造方法および金属張積層板
JP6590113B2 (ja) * 2017-03-06 2019-10-16 株式会社村田製作所 金属張積層板、回路基板、および多層回路基板
CN108012468B (zh) * 2017-12-21 2019-08-02 四川九洲电器集团有限责任公司 一种氰酸酯树脂石英布多层印制板的层压及加工工艺
CN112867593B (zh) * 2018-10-18 2022-11-01 株式会社可乐丽 热塑性液晶聚合物结构体的制造方法
KR102758307B1 (ko) * 2018-10-29 2025-01-21 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 금속장 적층판의 제조 방법
CN120555073A (zh) 2019-04-12 2025-08-29 佳胜科技股份有限公司 改质液晶高分子的制作方法及液晶高分子组合物
TWI756536B (zh) * 2019-04-12 2022-03-01 佳勝科技股份有限公司 改質液晶高分子的製作方法、液晶高分子組合物及改變液晶高分子之熔點的方法
JP7576030B2 (ja) * 2019-07-17 2024-10-30 住友化学株式会社 溶着成形体の製造方法、溶着成形体及びパイプ
US11917753B2 (en) 2019-09-23 2024-02-27 Ticona Llc Circuit board for use at 5G frequencies
CN110881241A (zh) * 2019-11-27 2020-03-13 珠海元盛电子科技股份有限公司 一种高频低损耗无胶层fpc及其生产工艺
CN212046250U (zh) * 2020-02-20 2020-12-01 瑞声科技(沭阳)有限公司 液晶聚合物复合层结构
JP7618390B2 (ja) * 2020-04-22 2025-01-21 東洋鋼鈑株式会社 金属積層フィルム及びその製造方法
CN112087861A (zh) * 2020-08-28 2020-12-15 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 一种多层lcp电路板
CN112159545B (zh) * 2020-09-04 2021-12-21 瑞声新能源发展(常州)有限公司科教城分公司 液晶聚合物薄膜的热处理方法及改性液晶聚合物薄膜
JP7507502B2 (ja) * 2022-03-24 2024-06-28 佳勝科技股▲ふん▼有限公司 多層基板
KR102798468B1 (ko) * 2022-09-06 2025-04-23 주식회사 엔트리얼즈 다층 인쇄회로기판 제조방법
CN117183347B (zh) * 2023-11-06 2024-02-20 紫晶电子材料(杭州)有限公司 液晶聚合物薄膜及其制造方法及柔性电路板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11309803A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kuraray Co Ltd 多層積層板とその製造方法および多層実装回路基板
JP2000263577A (ja) * 1999-03-18 2000-09-26 Kuraray Co Ltd 金属箔積層板の製造方法および金属箔積層板
JP2007515069A (ja) * 2003-12-17 2007-06-07 ワールド・プロパティーズ・インコーポレイテッド 回路、多層回路およびその製造法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5719354A (en) * 1994-09-16 1998-02-17 Hoechst Celanese Corp. Monolithic LCP polymer microelectronic wiring modules
JP4216433B2 (ja) 1999-03-29 2009-01-28 株式会社クラレ 回路基板用金属張積層板の製造方法
JP2006137011A (ja) * 2004-11-10 2006-06-01 Kuraray Co Ltd 金属張積層体およびその製造方法
JP2010103269A (ja) 2008-10-23 2010-05-06 Kuraray Co Ltd 多層回路基板およびその製造方法
KR102082536B1 (ko) * 2012-09-20 2020-02-27 주식회사 쿠라레 회로 기판 및 그 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11309803A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Kuraray Co Ltd 多層積層板とその製造方法および多層実装回路基板
JP2000263577A (ja) * 1999-03-18 2000-09-26 Kuraray Co Ltd 金属箔積層板の製造方法および金属箔積層板
JP2007515069A (ja) * 2003-12-17 2007-06-07 ワールド・プロパティーズ・インコーポレイテッド 回路、多層回路およびその製造法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3217775A4 *

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019130825A (ja) * 2018-01-31 2019-08-08 セイコーエプソン株式会社 プリントヘッド
JP7483318B2 (ja) 2018-01-31 2024-05-15 セイコーエプソン株式会社 プリントヘッド
JPWO2020013106A1 (ja) * 2018-07-10 2021-08-19 デンカ株式会社 熱可塑性液晶ポリマーフィルム、その製造方法およびフレキシブル銅張積層板
JP7330968B2 (ja) 2018-07-10 2023-08-22 デンカ株式会社 熱可塑性液晶ポリマーフィルム、その製造方法およびフレキシブル銅張積層板
JP2022070936A (ja) * 2019-04-23 2022-05-13 株式会社クラレ 熱可塑性液晶ポリマーフィルム、積層体、および成形体、ならびにそれらの製造方法
JP7312461B2 (ja) 2020-06-27 2023-07-21 プロマティック株式会社 積層体の製造方法
JP2022022917A (ja) * 2020-06-27 2022-02-07 プロマティック株式会社 積層体の製造方法
JP2022157367A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 フレキシブル回路基板
JP7633071B2 (ja) 2021-03-31 2025-02-19 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 フレキシブル回路基板
KR20220162063A (ko) 2021-05-31 2022-12-07 후지필름 가부시키가이샤 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
KR20220162062A (ko) 2021-05-31 2022-12-07 후지필름 가부시키가이샤 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
US12160949B2 (en) 2021-05-31 2024-12-03 Fujifilm Corporation Wiring board and method for manufacturing wiring board
JP2023034584A (ja) * 2021-08-31 2023-03-13 富士フイルム株式会社 ポリマーフィルム、積層体
JP7702310B2 (ja) 2021-08-31 2025-07-03 富士フイルム株式会社 ポリマーフィルム、積層体
JP7589907B1 (ja) 2023-09-04 2024-11-26 合同会社ニスティ 金属張積層体の製造方法
JP2025036137A (ja) * 2023-09-04 2025-03-14 合同会社ニスティ 金属張積層体の製造方法

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Publication number Publication date
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