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WO2016067873A1 - 弾性波装置及び弾性波モジュール - Google Patents

弾性波装置及び弾性波モジュール Download PDF

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WO2016067873A1
WO2016067873A1 PCT/JP2015/078582 JP2015078582W WO2016067873A1 WO 2016067873 A1 WO2016067873 A1 WO 2016067873A1 JP 2015078582 W JP2015078582 W JP 2015078582W WO 2016067873 A1 WO2016067873 A1 WO 2016067873A1
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WO
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band
filter
piezoelectric substrate
elastic wave
acoustic wave
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PCT/JP2015/078582
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French (fr)
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聡一 中村
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/1006—Non-printed filter

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device such as a band-pass filter and an elastic wave module.
  • Patent Document 1 shows an example of an acoustic wave device.
  • the elastic wave device of Patent Document 1 has two elastic wave elements.
  • an IDT electrode is formed on one main surface of the piezoelectric substrate.
  • the two acoustic wave elements are bonded via an intermediate layer so that the principal surfaces of the piezoelectric substrate on which the IDT electrodes are formed face each other.
  • External connection terminals are formed on the main surface outside one of the piezoelectric substrates.
  • Patent Document 2 In the elastic wave device described in Patent Document 2 below, two elastic wave elements are joined as in Patent Document 1.
  • the thickness of the piezoelectric substrate of each acoustic wave element is different.
  • External connection terminals are formed on the outer main surface of the piezoelectric substrate having a smaller thickness.
  • Patent Documents 1 and 2 the piezoelectric substrates are bonded to each other through an intermediate layer. Therefore, the distance between the acoustic wave element on which no external connection terminal is formed and the external connection terminal is large. Therefore, the ground impedance of the acoustic wave device was large. Therefore, the out-of-band attenuation of the acoustic wave device cannot be increased sufficiently.
  • An object of the present invention is to provide an elastic wave device and an elastic wave module having a large out-of-band attenuation.
  • An elastic wave device includes a first piezoelectric substrate having first and second main surfaces, a first piezoelectric substrate having first and second main surfaces, and a thickness greater than the thickness of the first piezoelectric substrate.
  • a first piezoelectric substrate having first and second main surfaces
  • a first piezoelectric substrate having first and second main surfaces
  • a thickness greater than the thickness of the first piezoelectric substrate On the first main surface of the second piezoelectric substrate and the plurality of first IDT electrodes formed on the first main surface of the first piezoelectric substrate
  • a first acoustic wave filter including the plurality of first IDT electrodes is formed on the first main surface, and the plurality of second IDTs are formed on the first main surface of the second piezoelectric substrate.
  • a second elastic wave filter including an electrode, wherein at least one of the plurality of external connection terminals is grounded;
  • the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate so that the first main surface of the first piezoelectric substrate and the first main surface of the second piezoelectric substrate face each other.
  • a piezoelectric substrate is joined via a support member, and the support member is provided so as to surround a portion where the first and second elastic wave filters are configured in a plan view.
  • the out-of-band attenuation of the elastic wave filter is larger than the out-of-band attenuation of the second elastic wave filter.
  • the out-of-band attenuation in the frequency band in the range of 0.85 times or more and 1.15 times or less of the center frequency of the pass band of the first elastic wave filter is larger than the out-of-band attenuation in the frequency band in the range of 0.85 times to 1.15 times the center frequency of the passband of the second elastic wave filter.
  • the ground impedance in the first elastic wave filter having a large out-of-band attenuation in the range can be reduced. As a result, the out-of-band attenuation can be increased.
  • the first elastic wave filter includes a first longitudinally coupled resonator type elastic wave filter
  • the second elastic wave filter includes a second vertical wave filter. It has a coupled resonator type acoustic wave filter, and the number of stages of the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter is larger than the number of stages of the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter. In this case, the out-of-band attenuation can be effectively increased.
  • the first elastic wave filter has a first ladder filter
  • the second elastic wave filter has a second ladder filter.
  • the number of elastic wave resonators included in the first ladder type filter is larger than the number of elastic wave resonators included in the second ladder type filter. In this case, the out-of-band attenuation can be effectively increased.
  • a first duplexer is formed on the first main surface of the first piezoelectric substrate, and the first duplexer is configured to be the first elastic member.
  • a second duplexer is configured on the main surface, and the second duplexer has a third bandpass filter as the second elastic wave filter, and a different passband from the third bandpass filter.
  • a fourth band-pass filter, and an attenuation amount in a frequency band corresponding to a pass band of the second band-pass filter of the first band-pass filter is the third band-pass filter.
  • the ground impedance of the first band-pass filter having a large attenuation in the frequency band can be reduced. Accordingly, it is possible to effectively increase the isolation characteristics of the quadplexer constituted by the first and second duplexers.
  • a first connection wiring that electrically connects the ground terminal and the first acoustic wave filter, the ground terminal, and the second And a second connection wiring that is electrically connected to the elastic wave filter, and the length of the first connection wiring is shorter than the length of the second connection wiring.
  • the ground impedance of the first elastic wave filter can be reduced. Accordingly, the out-of-band attenuation can be effectively increased.
  • the elastic wave module according to the present invention includes a mounting substrate and an elastic wave device configured according to the present invention mounted on the mounting substrate. Thereby, the out-of-band attenuation can be effectively increased.
  • FIG. 1 is a plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 3A and FIG. 3B are a circuit diagram of a first elastic wave filter and a circuit diagram of a second elastic wave filter in the first embodiment of the present invention.
  • 4 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG.
  • FIG. 6 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first elastic wave filter in the first embodiment of the present invention and the first comparative example.
  • FIG. 1 is a plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 3A and FIG. 3B are a circuit diagram of a first elastic wave filter and a circuit diagram of a second
  • FIG. 7 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the second elastic wave filter in the first embodiment of the present invention and the first comparative example.
  • FIG. 8 is a cross-sectional plan view showing the electrode configuration on the first main surface of the first piezoelectric substrate in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan sectional view showing an electrode configuration on the first main surface of the second piezoelectric substrate in the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 10 (a) to 10 (d) are circuit diagrams of first to fourth band-pass filters according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first band-pass filter in the second embodiment and the second comparative example of the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating the attenuation frequency characteristics of the third band-pass filter in the second embodiment and the second comparative example of the present invention.
  • FIGS. 13A to 13D are circuit diagrams of first to fourth band-pass filters in the third embodiment.
  • FIG. 14 is a front sectional view of an elastic wave module as a fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
  • the acoustic wave device 1 includes first and second acoustic wave elements 11A and 11B.
  • the first acoustic wave element 11A has a first piezoelectric substrate 2A.
  • the first piezoelectric substrate 2A has a first main surface 2Aa and a second main surface 2Ab facing the first main surface 2Aa.
  • the second acoustic wave element 11B has a second piezoelectric substrate 2B.
  • the second piezoelectric substrate 2B has first and second main surfaces 2Ba and 2Bb.
  • the thickness of the first piezoelectric substrate 2A is smaller than the thickness of the second piezoelectric substrate 2B.
  • the first and second piezoelectric substrates 2A and 2B are made of a piezoelectric single crystal such as LiTaO 3 or LiNbO 3 .
  • the first and second piezoelectric substrates 2A and 2B may be made of piezoelectric ceramics.
  • a plurality of first IDT electrodes 3A11 are formed on the first main surface 2Aa of the first piezoelectric substrate 2A.
  • a surface acoustic wave is excited by applying an AC voltage to the IDT electrode.
  • reflectors are respectively formed on both sides of each first IDT electrode 3A11 in the surface acoustic wave propagation direction.
  • a plurality of elastic wave resonators are formed.
  • the plurality of acoustic wave resonators are connected so as to constitute a ladder filter, as will be described later.
  • the first elastic wave filter is configured.
  • a plurality of second IDT electrodes 3B11 are formed on the first main surface 2Ba of the second piezoelectric substrate 2B.
  • a plurality of acoustic wave resonators are configured by the plurality of second IDT electrodes 3B11 and the plurality of reflectors.
  • the plurality of acoustic wave resonators are connected to each other to constitute a second acoustic wave filter.
  • the first and second IDT electrodes 3A11 and 3B11 are made of metal.
  • the IDT electrode may be composed of a single metal film or a laminate in which a plurality of metal films are laminated.
  • the out-of-band attenuation of the first elastic wave filter is larger than the out-of-band attenuation of the second elastic wave filter.
  • the first piezoelectric substrate 2A and the second piezoelectric substrate 2B are arranged such that the first main surface 2Aa of the first piezoelectric substrate 2A and the first main surface 2Ba of the second piezoelectric substrate 2B face each other. It is joined via the support member 4.
  • the support member 4 is provided so as to surround a portion where the first and second elastic wave filters are configured in plan view.
  • the support member 4 is made of an appropriate resin or solder.
  • a plurality of external connection terminals 5 are formed on the second main surface 2Ab of the first piezoelectric substrate 2A.
  • the plurality of external connection terminals 5 include ground terminals 5a and 5b.
  • via-hole electrodes 6a and 6b are formed so as to penetrate the first piezoelectric substrate 2A.
  • the upper ends of the via-hole electrodes 6a and 6b are electrically connected to the ground terminals 5a and 5b, respectively.
  • the lower end portions of the via-hole electrodes 6a and 6b are electrically connected to connection terminals 7Aa and 7Ab formed on the first main surface 2Aa of the first piezoelectric substrate 2A, respectively.
  • the connection terminals 7Aa and 7Ab are electrically connected to the first acoustic wave filter.
  • Connection terminals 7Ba and 7Bb are formed on the first main surface 2Ba of the second piezoelectric substrate 2B. Although not shown in FIG. 2, the connection terminals 7Ba and 7Bb are electrically connected to the second acoustic wave filter.
  • the connection terminal 7Ba is electrically connected to the connection terminal 7Aa through the connection wiring 8a.
  • the connection terminal 7Bb is electrically connected to the connection terminal 7Ab via the connection wiring 8b.
  • the wiring connecting the first acoustic wave filter and the ground potential is defined as the first connection wiring.
  • a wiring connecting the second acoustic wave filter and the ground potential is defined as a second connection wiring.
  • the connection terminal 7Aa, the via-hole electrode 6a, and the ground terminal 5a are the first connection wiring.
  • the connection terminal 7Ab, the via hole electrode 6b, and the ground terminal 5b are also the first connection wiring.
  • the connection terminal 7Ba, the connection wiring 8a, the connection terminal 7Aa, the via hole electrode 6a, and the ground terminal 5a are the second connection wiring.
  • the connection terminal 7Bb, the connection wiring 8b, the connection terminal 7Ab, the via hole electrode 6b, and the ground terminal 5b are also the second connection wiring.
  • the first and second acoustic wave filters are commonly connected to the ground potential.
  • the first connection wiring does not include the connection terminal 7Ba, the connection wiring 8a, the connection terminal 7Bb, and the connection wiring 8b. Therefore, the length of the first connection wiring is shorter than the length of the second connection wiring.
  • FIG. 3A is a circuit diagram of the first acoustic wave filter in the first embodiment
  • FIG. 3B is a circuit diagram of the second acoustic wave filter.
  • the first elastic wave filter 3A1 is a ladder type filter.
  • the first acoustic wave filter 3A1 includes series arm resonators S1 to S5 connected between the input terminal 9Aa and the output terminal 9Ab.
  • a parallel arm resonator P1 is connected between a connection point between the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P2 is connected between a connection point between the series arm resonator S2 and the series arm resonator S3 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P3 is connected between a connection point between the series arm resonator S3 and the series arm resonator S4 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P4 is connected between a connection point between the series arm resonator S4 and the series arm resonator S5 and the ground potential.
  • the second acoustic wave filter 3B1 is a ladder filter having a circuit configuration similar to that of the first acoustic wave filter 3A1, and includes an input terminal 9Ba, an output terminal 9Bb, series arm resonators S11 to S15, and parallel arm resonators P11 to P11. P14.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 2 and shows the electrode configuration of the first acoustic wave filter in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG. 2, and shows the electrode configuration of the second acoustic wave filter in the first embodiment.
  • each acoustic wave resonator has an IDT electrode and a reflector.
  • Each elastic wave resonator is indicated by a schematic symbol in which X is surrounded by a rectangular frame.
  • the parallel arm resonators P1 and P3 are electrically connected to the connection terminal 7Ab.
  • the parallel arm resonators P2 and P4 are electrically connected to the connection terminal 7Aa.
  • the parallel arm resonators P11 and P13 are electrically connected to the connection terminal 7Ba.
  • the parallel arm resonators P12 and P14 are electrically connected to the connection terminal 7Bb.
  • the parallel arm resonators P1, P3, P12, and P14 are commonly connected to the ground potential via connection terminals 7Ab and 7Bb.
  • the parallel arm resonators P2, P4, P11, and P13 are commonly connected to the ground potential via connection terminals 7Aa and 7Ba.
  • a feature of the present invention is that the first acoustic wave filter 3A1 is connected to the ground potential via the first connection wiring having a relatively short length, and is out of the band of the first acoustic wave filter 3A1.
  • the attenuation is larger than the out-of-band attenuation of the second elastic wave filter 3B1.
  • the out-of-band attenuation of the acoustic wave device 1 can be effectively increased. This will be described below.
  • the inventor of the present invention manufactured the elastic wave device of the first embodiment and the first comparative example, and examined the out-of-band attenuation.
  • the elastic wave device of the first comparative example has the same configuration as that of the first embodiment except for the arrangement of the first and second elastic wave filters. More specifically, a second acoustic wave filter is configured on the first main surface of the first piezoelectric substrate of the first acoustic wave element. A first acoustic wave filter is configured on the first main surface of the second piezoelectric substrate of the second acoustic wave element.
  • the pass band of the first elastic wave filter is 2400 MHz or more and 2482 MHz or less.
  • the pass band of the second elastic wave filter is not less than 1559 MHz and not more than 1608 MHz.
  • FIG. 6 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first elastic wave filter in the first embodiment and the first comparative example.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating attenuation frequency characteristics of the second elastic wave filter in the first embodiment and the first comparative example. A solid line shows the result of the first embodiment, and a broken line shows the result of the first comparative example.
  • the out-of-band attenuation at the frequency D of the first elastic wave filter of the present embodiment is 53.3 dB
  • the out-of-band attenuation at the frequency D of the first comparative example is 50.5 dB. is there. Therefore, it can be seen that in this embodiment, the out-of-band attenuation is increased by 2.8 dB compared to the first comparative example. The reason for this will be described below.
  • the wiring connecting the ground potential and the acoustic wave filter has a ground impedance.
  • the longer the wiring length the greater the ground impedance.
  • the first acoustic wave filter of this embodiment and the ground potential are connected via the first connection wiring.
  • the first acoustic wave filter of the first comparative example and the ground potential are connected via the second connection wiring.
  • the length of the first connection wiring is shorter than the length of the second connection wiring. Therefore, the ground impedance of the first connection wiring is smaller than the ground impedance of the second connection wiring. Therefore, the out-of-band attenuation of the first elastic wave filter of this embodiment can be increased.
  • the out-of-band attenuation at the frequency E of the second elastic wave filter of the present embodiment is 48.2 dB, and the out-of-band at the frequency E of the second elastic wave filter of the first comparative example.
  • the attenuation is 49.4 dB.
  • the out-of-band attenuation at the frequency E of the second elastic wave filter of the present embodiment is small.
  • the decrease is only 1.2 dB, which is smaller than the increase in the out-of-band attenuation of the first elastic wave filter.
  • the out-of-band attenuation of the second elastic wave filter can be effectively increased. Therefore, it can be seen that the out-of-band attenuation as the entire acoustic wave device can be effectively increased.
  • the maximum value of the out-of-band attenuation in the frequency band in the range of 0.85 times or more and 1.15 times or less of the center frequency of the passband of the first elastic wave filter is the pass of the second elastic wave filter It is desirable that it is larger than the out-of-band attenuation in the frequency band in the range of 0.85 times to 1.15 times the center frequency of the band. Thereby, the out-of-band attenuation amount as the entire elastic wave device can be effectively increased.
  • FIG. 8 is a plan sectional view showing an electrode configuration on the first main surface of the first piezoelectric substrate in the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a plan sectional view showing an electrode configuration on the first main surface of the second piezoelectric substrate in the second embodiment.
  • the elastic wave device 21 of the second embodiment has the same structure as that of the first embodiment except that the circuit configuration is different from that of the first embodiment.
  • a first duplexer 23 ⁇ / b> A is configured on the first main surface 2 ⁇ / b> Aa of the first piezoelectric substrate 2 ⁇ / b> A in the first elastic wave element 31 ⁇ / b> A of the elastic wave device 21.
  • the first duplexer 23A includes a first band-pass filter 23A1 as a first elastic wave filter and a second band-pass filter 23A2 having a different pass band from the first band-pass filter 23A1.
  • a second duplexer 23B is configured on the first main surface 2Ba of the second piezoelectric substrate 2B in the second acoustic wave element 31B.
  • the second duplexer 23B includes a third bandpass filter 23B1 and a fourth bandpass filter 23B2, which is a different passband from the third bandpass filter 23B1. That is, the acoustic wave device 21 is a quadplexer having first to fourth band-pass filters 23A1, 23A2, 23B1, and 23B2.
  • the first and third band pass filters 23A1 and 23B1 are reception filters
  • the second and fourth band pass filters 23A2 and 23B2 are transmission filters.
  • 10 (a) to 10 (d) are circuit diagrams of first to fourth band-pass filters in the second embodiment.
  • the first band-pass filter 23A1 has a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 30A.
  • Series arm resonators S21 and S22 are connected between the input terminal 29Aa and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 30A.
  • a parallel arm resonator P21 is connected between the connection point between the series arm resonator S21 and the series arm resonator S22 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P22 is connected between a connection point between the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 30A and the output terminal 29Ac and the ground potential.
  • the second bandpass filter 23A2 has series arm resonators S31 to S35 connected between the input terminal 29Aa and the output terminal 29Ab.
  • a parallel arm resonator P31 is connected between a connection point between the series arm resonator S31 and the series arm resonator S32 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P32 is connected between a connection point between the series arm resonator S32 and the series arm resonator S33 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P33 is connected between the connection point between the series arm resonator S33 and the series arm resonator S34 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P34 is connected between a connection point between the series arm resonator S34 and the series arm resonator S35 and the ground potential.
  • the third bandpass filter 23B1 has a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 30B.
  • a series arm resonator S41 is connected between the input terminal 29Ba and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 30B.
  • a parallel arm resonator P41 is connected between a connection point between the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 30B and the output terminal 29Bc and the ground potential.
  • the fourth band-pass filter 23B2 includes series arm resonators S51 to S53 connected between the input terminal 29Ba and the output terminal 29Bb.
  • a parallel arm resonator P51 is connected between a connection point between the input terminal 29Ba and the series arm resonator S51 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P52 is connected between the connection point between the series arm resonator S51 and the series arm resonator S52 and the ground potential.
  • a parallel arm resonator P53 is connected between a connection point between the series arm resonator S52 and the series arm resonator S53 and the ground potential.
  • the parallel arm resonators P21 and P22 are electrically connected to the connection terminal 27Ac.
  • the parallel arm resonators P31 and P33 are electrically connected to the connection terminal 27Aa.
  • the parallel arm resonators P32 and P34 are electrically connected to the connection terminal 27Ab.
  • the parallel arm resonator P41 is electrically connected to the connection terminal 27Bc.
  • the parallel arm resonators P51 and P53 are electrically connected to the connection terminal 27Ba.
  • the parallel arm resonator P52 is electrically connected to the connection terminal 27Bb.
  • the parallel arm resonators P21, P22, and P41 are commonly connected to the ground potential via connection terminals 27Ac and 27Bc.
  • the parallel arm resonators P31, P33, P51, and P53 are commonly connected to the ground potential via connection terminals 27Aa and 27Ba.
  • the parallel arm resonators P32, P34, and P52 are commonly connected to the ground potential via connection terminals 27Ab and 27Bb.
  • the inventor of the present invention manufactured the acoustic wave device in the second embodiment and the second comparative example, and examined the out-of-band attenuation. More specifically, the amount of attenuation in the frequency band corresponding to the pass band of the second band pass filter of the first band pass filter was examined. The attenuation amount of the frequency band corresponding to the pass band of the fourth band pass filter of the third band pass filter was evaluated.
  • the second comparative example has the same structure as that of the second embodiment except that the arrangement of the first to fourth band-pass filters is different. More specifically, the first and second band-pass filters are configured on the first main surface of the second piezoelectric substrate. The third and fourth band-pass filters are configured on the first main surface of the first piezoelectric substrate.
  • the pass band of the first band pass filter is 2110 MHz or more and 2170 MHz or less.
  • the pass band of the second band pass filter is 1920 MHz or more and 1980 MHz or less.
  • the pass band of the third band pass filter is 1805 MHz or more and 1880 MHz or less.
  • the pass band of the fourth band pass filter is not less than 1710 MHz and not more than 1785 MHz.
  • FIG. 11 is a diagram showing attenuation frequency characteristics of the first band-pass filter in the second embodiment and the second comparative example.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating the attenuation frequency characteristics of the third band-pass filter in the second embodiment and the second comparative example. A solid line shows the result of the second embodiment, and a broken line shows the result of the second comparative example.
  • the attenuation amount of the frequency band corresponding to the pass band of the second band pass filter of the first band pass filter in the present embodiment is 53.6 dB.
  • the attenuation amount of the frequency band corresponding to the pass band of the second band pass filter of the first band pass filter in the second comparative example is 51.6 dB. Therefore, it can be understood that the attenuation amount is increased by 2.0 dB in the present embodiment as compared with the second comparative example.
  • the attenuation amount of the frequency band corresponding to the pass band of the fourth band pass filter of the third band pass filter in the present embodiment is 48.0 dB.
  • the attenuation amount of the frequency band corresponding to the pass band of the fourth band-pass filter of the third band-pass filter in the second comparative example is 49.2 dB.
  • the attenuation amount of the third band-pass filter is smaller than that of the second comparative example, but the decrease of the attenuation amount is only 1.2 dB.
  • the decrease in the attenuation amount of the third band-pass filter is smaller than the increase in the attenuation amount in the first band-pass filter.
  • the number of elastic wave resonators included in the first bandpass filter 23A1 is larger than the number of elastic wave resonators included in the third bandpass filter 23B1.
  • the out-of-band attenuation of the first bandpass filter 23A1 is larger than the out-of-band attenuation of the third bandpass filter 23B1.
  • the ground impedance of the first band-pass filter 23A1 having a large out-of-band attenuation can be reduced. Accordingly, it is possible to effectively suppress the decrease in the out-of-band attenuation as the entire acoustic wave device 21.
  • FIGS. 13A to 13D are circuit diagrams of first to fourth band-pass filters in the third embodiment.
  • the third band-pass filter 23B1 in the second embodiment shown in FIG. 10 is used as the third band-pass filter 43B1. Furthermore, the arrangement of the first to fourth band-pass filters 23A1, 23A2, 43B1, 23B2 is different from that of the second embodiment. Except for the above configuration, the configuration is the same as that of the second embodiment.
  • the first and second band-pass filters 23A1 and 23A2 are configured on the first main surface of the second piezoelectric substrate.
  • the third and fourth band-pass filters 43B1 and 23B2 are configured on the first main surface of the first piezoelectric substrate having a thickness smaller than that of the second piezoelectric substrate.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter 50B of the third band pass filter 43B1 is configured in two stages. That is, the number of stages of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 50B is larger than the number of stages of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter 30A of the first bandpass filter 23A1.
  • the out-of-band attenuation of the third bandpass filter 43B1 is larger than the out-of-band attenuation of the first bandpass filter 23A1.
  • the third band-pass filter 43B1 since the third band-pass filter 43B1 is configured on the first piezoelectric substrate, it is possible to suppress a decrease in out-of-band attenuation of the third band-pass filter 43B1. Accordingly, it is possible to effectively increase the out-of-band attenuation as the entire acoustic wave device.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters 30A and 50B are composed of one stage and two stages, but the number of stages is not limited thereto.
  • a band pass filter having a large number of stages of longitudinally coupled resonator type acoustic wave filters may be configured on the first main surface of the first piezoelectric substrate having a thickness smaller than that of the second piezoelectric substrate.
  • FIG. 14 is a front cross-sectional view of an elastic wave module as a fourth embodiment.
  • the elastic wave module 61 has a mounting substrate 62.
  • the acoustic wave device 1 according to the first embodiment is mounted on the mounting substrate 62. More specifically, mounting terminals 65 a and 65 b are formed on the mounting substrate 62.
  • the ground terminals 5a and 5b of the acoustic wave device 1 are bonded to the mounting terminals 65a and 65b via bonding agents 68a and 68b made of solder or the like.
  • the plurality of external connection terminals other than the ground terminal of the acoustic wave device 1 are also joined to the plurality of mounting terminals of the mounting substrate 62.
  • a device 63 is also mounted on the elastic wave module 61. As described above, devices and elements other than the acoustic wave device 1 may be mounted on the acoustic wave module 61. Since the elastic wave module 61 includes the mounted elastic wave device 1, the out-of-band attenuation can be effectively increased.
  • mounting substrate 63 devices 65a and 65b ... mounting terminals 68a and 68b ... bonding agents S1 to S5, S11 to S15, S21, S22, S31 to S35, S41, S51 S53: Series arm resonators P1 to P4, P11 to P14, P21, P22, P31 to P34, P41, P51 to P53 ... Parallel arm resonators

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Abstract

　帯域外減衰量が大きい、弾性波装置及び弾性波モジュールを提供する。　弾性波装置１は、第１，第２の主面２Ａａ，２Ａｂを有する第１の圧電基板２Ａと、第１，第２の主面２Ｂａ，２Ｂｂを有し、かつ第１の圧電基板２Ａの厚みよりも厚みが大きい第２の圧電基板２Ｂと、第１の圧電基板２Ａの第２の主面２Ａｂ上に形成されているグラウンド端子５ａ，５ｂとを備える。第１の圧電基板２Ａの第１の主面２Ａａと第２の圧電基板２Ｂの第１の主面２Ｂａとが対向し合うように接合されている。第１の圧電基板２Ａの第１の主面２Ａａに第１の弾性波フィルタが構成されている。第２の圧電基板２Ｂの第１の主面２Ｂａに第２の弾性波フィルタが構成されている。第１の弾性波フィルタの帯域外減衰量が第２の弾性波フィルタの帯域外減衰量よりも大きい。

Description

弾性波装置及び弾性波モジュール
　本発明は、帯域通過型フィルタなどの弾性波装置及び弾性波モジュールに関する。
　近年、弾性波装置が携帯電話機の帯域通過型フィルタなどとして広く用いられている。
　下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が示されている。特許文献１の弾性波装置は２個の弾性波素子を有する。各弾性波素子では、圧電基板の一方の主面にＩＤＴ電極が形成されている。上記２個の弾性波素子は、ＩＤＴ電極が形成された圧電基板の主面同士が対向するように、中間層を介して接合されている。いずれか一方の圧電基板の外側の主面に、外部接続端子が形成されている。
　下記の特許文献２に記載されている弾性波装置では、特許文献１と同様に２個の弾性波素子が接合されている。特許文献２では、各弾性波素子の圧電基板の厚みが異なっている。厚みが小さい方の圧電基板の外側の主面に、外部接続端子が形成されている。
特表２００８－５４６２０７号公報 ＷＯ２０１１／１０２０４９
　しかしながら、特許文献１，２では、圧電基板同士が中間層を介して接合されている。そのため、外部接続端子が形成されていない弾性波素子と外部接続端子との距離は大きかった。よって、上記弾性波素子のグラウンドインピーダンスが大きかった。従って、弾性波装置の帯域外減衰量を充分に大きくすることができなかった。
　本発明の目的は、帯域外減衰量が大きい、弾性波装置及び弾性波モジュールを提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、第１，第２の主面を有する第１の圧電基板と、第１，第２の主面を有し、かつ前記第１の圧電基板の厚みよりも厚みが大きい第２の圧電基板と、前記第１の圧電基板の前記第１の主面上に形成されている複数の第１のＩＤＴ電極及び前記第２の圧電基板の前記第１の主面上に形成されている複数の第２のＩＤＴ電極と、前記第１の圧電基板の前記第２の主面上に形成されている複数の外部接続用端子とを備え、前記第１の圧電基板の前記第１の主面に前記複数の第１のＩＤＴ電極を含む第１の弾性波フィルタが構成されており、前記第２の圧電基板の前記第１の主面に前記複数の第２のＩＤＴ電極を含む第２の弾性波フィルタが構成されており、前記複数の外部接続用端子のうちの少なくとも１つがグラウンド端子であり、前記第１の圧電基板の前記第１の主面と前記第２の圧電基板の前記第１の主面とが対向し合うように、前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板とが支持部材を介して接合されており、前記支持部材が平面視において前記第１，第２の弾性波フィルタが構成されている部分を囲むように設けられており、前記第１の弾性波フィルタの帯域外減衰量が前記第２の弾性波フィルタの帯域外減衰量よりも大きい。
　本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の弾性波フィルタの通過帯域の中心周波数の０．８５倍以上、１．１５倍以下の範囲の周波数帯域における帯域外減衰量の最大値が前記第２の弾性波フィルタの通過帯域の中心周波数の０．８５倍以上、１．１５倍以下の範囲の周波数帯域における帯域外減衰量よりも大きい。この場合には、前記範囲における帯域外減衰量が大きい前記第１の弾性波フィルタにおけるグラウンドインピーダンスを低減することができる。それによって、帯域外減衰量を大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１の弾性波フィルタが第１の縦結合共振子型弾性波フィルタを有し、前記第２の弾性波フィルタが第２の縦結合共振子型弾性波フィルタを有し、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの段数が前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタの段数よりも大きい。この場合には、帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の弾性波フィルタが第１のラダー型フィルタを有し、前記第２の弾性波フィルタが第２のラダー型フィルタを有し、前記第１のラダー型フィルタが有する弾性波共振子の個数が、前記第２のラダー型フィルタが有する弾性波共振子の個数よりも大きい。この場合には、帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第１の圧電基板の前記第１の主面に第１のデュプレクサが構成されており、前記第１のデュプレクサが前記第１の弾性波フィルタとしての第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタと異なる通過帯域である第２の帯域通過型フィルタとを有し、前記第２の圧電基板の前記第１の主面に第２のデュプレクサが構成されており、前記第２のデュプレクサが前記第２の弾性波フィルタとしての第３の帯域通過型フィルタと、前記第３の帯域通過型フィルタと異なる通過帯域である第４の帯域通過型フィルタとを有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域における減衰量が、前記第３の帯域通過型フィルタの前記第４の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域における減衰量よりも大きい。この場合には、前記周波数帯域における減衰量が大きい前記第１の帯域通過型フィルタのグラウンドインピーダンスを低減することができる。従って、前記第１，第２のデュプレクサにより構成されているクアドプレクサのアイソレーション特性を効果的に大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記グラウンド端子と前記第１の弾性波フィルタとを電気的に接続している第１の接続配線と、前記グラウンド端子と前記第２の弾性波フィルタとを電気的に接続している第２の接続配線とをさらに備え、前記第１の接続配線の長さが前記第２の接続配線の長さよりも短い。この場合には、前記第１の弾性波フィルタのグラウンドインピーダンスを低減することができる。従って、帯域外減衰量を効果的大きくすることができる。
　本発明に係る弾性波モジュールは、実装基板と、前記実装基板上に実装されている本発明に従って構成されている弾性波装置とを備える。これによって、帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。
　本発明によれば、帯域外減衰量が大きい、弾性波装置及び弾性波モジュールを提供することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 図２は、図１中のＡ－Ａ線に沿う階段断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波フィルタの回路図及び第２の弾性波フィルタの回路図である。 図４は、図２中のＢ－Ｂ線に沿う断面図である。 図５は、図２中のＣ－Ｃ線に沿う断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態及び第１の比較例における第１の弾性波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図７は、本発明の第１の実施形態及び第１の比較例における第２の弾性波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図８は、本発明の第２の実施形態における第１の圧電基板の第１の主面上の電極構成を示す平面断面図である。 図９は、本発明の第２の実施形態における第２の圧電基板の第１の主面上の電極構成を示す平面断面図である。 図１０（ａ）～図１０（ｄ）は、本発明の第２の実施形態における第１～４の帯域通過型フィルタの回路図である。 図１１は、本発明の第２の実施形態及び第２の比較例における第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図１２は、本発明の第２の実施形態及び第２の比較例における第３の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。 図１３（ａ）～図１３（ｄ）は、第３の実施形態における第１～４の帯域通過型フィルタの回路図である。 図１４は、本発明の第４の実施形態としての弾性波モジュールの正面断面図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。図２は図１中のＡ－Ａ線に沿う階段断面図である。
　図２に示すように、弾性波装置１は、第１，第２の弾性波素子１１Ａ，１１Ｂを有する。第１の弾性波素子１１Ａは、第１の圧電基板２Ａを有する。第１の圧電基板２Ａは、第１の主面２Ａａと、第１の主面２Ａａと対向している第２の主面２Ａｂとを有する。第２の弾性波素子１１Ｂは、第２の圧電基板２Ｂを有する。第２の圧電基板２Ｂは、第１，２の主面２Ｂａ，２Ｂｂを有する。第１の圧電基板２Ａの厚みは第２の圧電基板２Ｂの厚みよりも小さい。第１，第２の圧電基板２Ａ，２Ｂは、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶からなる。なお、第１，第２の圧電基板２Ａ，２Ｂは、圧電セラミックスからなっていてもよい。
　第１の圧電基板２Ａの第１の主面２Ａａ上には、複数の第１のＩＤＴ電極３Ａ１１が形成されている。ＩＤＴ電極に交流電圧を印加することにより、弾性表面波が励振される。図示されていないが、各第１のＩＤＴ電極３Ａ１１の弾性表面波伝搬方向における両側に反射器がそれぞれ形成されている。それによって、複数の弾性波共振子が構成されている。上記複数の弾性波共振子は、後述するように、ラダー型フィルタを構成するように接続されている。それによって、第１の弾性波フィルタが構成されている。第２の圧電基板２Ｂの第１の主面２Ｂａには、複数の第２のＩＤＴ電極３Ｂ１１が形成されている。複数の第２のＩＤＴ電極３Ｂ１１及び複数の反射器により、複数の弾性波共振子が構成されている。上記複数の弾性波共振子が互いに接続されていることにより、第２の弾性波フィルタが構成されている。
　第１，第２のＩＤＴ電極３Ａ１１，３Ｂ１１は、金属からなる。ＩＤＴ電極は、単一の金属膜からなっていてもよく、複数の金属膜が積層された積層体であってもよい。
　なお、第１の弾性波フィルタの帯域外減衰量は第２の弾性波フィルタの帯域外減衰量よりも大きい。
　第１の圧電基板２Ａの第１の主面２Ａａと第２の圧電基板２Ｂの第１の主面２Ｂａとが対向し合うように、第１の圧電基板２Ａと第２の圧電基板２Ｂとが支持部材４を介して接合されている。支持部材４は、平面視において第１，第２の弾性波フィルタが構成されている部分を囲むように設けられている。支持部材４は、適宜の樹脂またははんだなどからなる。
　図１に示すように、第１の圧電基板２Ａの第２の主面２Ａｂ上には、複数の外部接続用端子５が形成されている。複数の外部接続用端子５は、グラウンド端子５ａ，５ｂを含む。
　図２に示すように、第１の圧電基板２Ａを貫通するように、ビアホール電極６ａ，６ｂが形成されている。ビアホール電極６ａ，６ｂの上端部は、グラウンド端子５ａ，５ｂにそれぞれ電気的に接続されている。ビアホール電極６ａ，６ｂの下端部は、第１の圧電基板２Ａの第１の主面２Ａａ上に形成されている接続用端子７Ａａ，７Ａｂにそれぞれ電気的に接続されている。図２には示されていないが、接続用端子７Ａａ，７Ａｂは、第１の弾性波フィルタに電気的に接続されている。
　第２の圧電基板２Ｂの第１の主面２Ｂａ上には、接続用端子７Ｂａ，７Ｂｂが形成されている。図２には示されていないが、接続用端子７Ｂａ，７Ｂｂは、第２の弾性波フィルタに電気的に接続されている。接続用端子７Ｂａは、接続用配線８ａを介して接続用端子７Ａａに電気的に接続されている。接続用端子７Ｂｂは、接続用配線８ｂを介して接続用端子７Ａｂに電気的に接続されている。
　ここで、第１の弾性波フィルタとグラウンド電位とを接続する配線を第１の接続配線とする。第２の弾性波フィルタとグラウンド電位とを接続する配線を第２の接続配線とする。図２に示すように接続用端子７Ａａ、ビアホール電極６ａ及びグラウンド端子５ａが第１の接続配線である。接続用端子７Ａｂ、ビアホール電極６ｂ及びグラウンド端子５ｂも第１の接続配線である。接続用端子７Ｂａ、接続用配線８ａ、接続用端子７Ａａ、ビアホール電極６ａ及びグラウンド端子５ａが第２の接続配線である。接続用端子７Ｂｂ、接続用配線８ｂ、接続用端子７Ａｂ、ビアホール電極６ｂ及びグラウンド端子５ｂも第２の接続配線である。すなわち、第１，第２の弾性波フィルタは、グラウンド電位に共通接続されている。上記のように、第１の接続用配線は、接続用端子７Ｂａ及び接続用配線８ａ並びに接続用端子７Ｂｂ及び接続用配線８ｂを含まない。よって、第１の接続用配線の長さは、第２の接続用配線の長さよりも短い。
　次に、本実施形態における第１，第２の弾性波フィルタの具体的な回路構成を説明する。
　図３（ａ）は、第１の実施形態における第１の弾性波フィルタの回路図であり、図３（ｂ）は、第２の弾性波フィルタの回路図である。
　第１の弾性波フィルタ３Ａ１は、ラダー型フィルタである。第１の弾性波フィルタ３Ａ１は、入力端子９Ａａと出力端子９Ａｂとの間に接続されている直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５を有する。直列腕共振子Ｓ１と直列腕共振子Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２と直列腕共振子Ｓ３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３と直列腕共振子Ｓ４との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４と直列腕共振子Ｓ５との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。
　第２の弾性波フィルタ３Ｂ１は、第１の弾性波フィルタ３Ａ１と同様の回路構成のラダー型フィルタであり、入力端子９Ｂａ、出力端子９Ｂｂ、直列腕共振子Ｓ１１～Ｓ１５及び並列腕共振子Ｐ１１～Ｐ１４を有する。
　図４は、図２中のＢ－Ｂ線に沿う断面図であり、第１の実施形態における第１の弾性波フィルタの電極構成を示す。図５は、図２中のＣ－Ｃ線に沿う断面図であり、第１の実施形態における第２の弾性波フィルタの電極構成を示す。前述したように、各弾性波共振子は、ＩＤＴ電極及び反射器を有する。なお、各弾性波共振子は、Ｘを矩形の枠で囲んだ略図的記号によって示している。
　並列腕共振子Ｐ１，Ｐ３は、接続用端子７Ａｂに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ２，Ｐ４は、接続用端子７Ａａに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ１１，Ｐ１３は、接続用端子７Ｂａに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ１２，Ｐ１４は、接続用端子７Ｂｂに電気的に接続されている。図２、図４及び図５に示すように、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ３，Ｐ１２，Ｐ１４は、接続用端子７Ａｂ，７Ｂｂを介してグラウンド電位に共通接続されている。並列腕共振子Ｐ２，Ｐ４，Ｐ１１，Ｐ１３は、接続用端子７Ａａ，７Ｂａを介してグラウンド電位に共通接続されている。
　本発明の特徴は、第１の弾性波フィルタ３Ａ１が、長さが相対的に短い第１の接続用配線を介してグラウンド電位に接続されており、かつ第１の弾性波フィルタ３Ａ１の帯域外減衰量が、第２の弾性波フィルタ３Ｂ１の帯域外減衰量よりも大きいことにある。それによって、弾性波装置１の帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。これを、以下において説明する。
　本発明の発明者は、第１の実施形態及び第１の比較例の弾性波装置を作製し、帯域外減衰量について検討した。
　第１の比較例の弾性波装置においては、第１，第２の弾性波フィルタの配置を除き、第１の実施形態と同様の構成を有する。より具体的には、第１の弾性波素子の第１の圧電基板の第１の主面には、第２の弾性波フィルタが構成されている。第２の弾性波素子の第２の圧電基板の第１の主面には、第１の弾性波フィルタが構成されている。
　ここで、第１の弾性波フィルタの通過帯域は、２４００ＭＨｚ以上、２４８２ＭＨｚ以下である。第２の弾性波フィルタの通過帯域は、１５５９ＭＨｚ以上、１６０８ＭＨｚ以下である。
　図６は、第１の実施形態及び第１の比較例における第１の弾性波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図７は、第１の実施形態及び第１の比較例における第２の弾性波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。実線は第１の実施形態の結果を示し、破線は第１の比較例の結果を示す。
　図６に示すように、本実施形態の第１の弾性波フィルタの周波数Ｄにおける帯域外減衰量は５３．３ｄＢであり、第１の比較例の周波数Ｄにおける帯域外減衰量は５０．５ｄＢである。よって、本実施形態では第１の比較例よりも帯域外減衰量が２．８ｄＢ増大していることがわかる。この理由を以下において説明する。
　グラウンド電位と弾性波フィルタとを接続している配線は、グラウンドインピーダンスを有する。上記配線の長さが長いほど、グラウンドインピーダンスは大きくなる。グラウンドインピーダンスが大きくなると、弾性波フィルタの帯域外減衰量は小さくなる。本実施形態の第１の弾性波フィルタとグラウンド電位とは、上記第１の接続用配線を介して接続されている。第１の比較例の第１の弾性波フィルタとグラウンド電位とは、上記第２の接続用配線を介して接続されている。上記第１の接続配線の長さは、上記第２の接続用配線の長さよりも短い。よって、第１の接続配線のグラウンドインピーダンスは第２の接続用配線のグラウンドインピーダンスよりも小さい。従って、本実施形態の第１の弾性波フィルタの帯域外減衰量を大きくすることができる。
　図７に示すように、本実施形態の第２の弾性波フィルタの周波数Ｅにおける帯域外減衰量は４８．２ｄＢであり、第１の比較例の第２の弾性波フィルタの周波数Ｅにおける帯域外減衰量は４９．４ｄＢである。上記と同様の理由により、本実施形態の第２の弾性波フィルタの周波数Ｅにおける帯域外減衰量は小さくなっている。しかしながら、上記減少は１．２ｄＢに留まっており、第１の弾性波フィルタの帯域外減衰量の増大よりも小さい。このように、第２の弾性波フィルタの帯域外減衰量を効果的に大きくし得ることがわかる。従って、弾性波装置全体としての帯域外減衰量を効果的に大きくし得ることがわかる。
　好ましくは、第１の弾性波フィルタの通過帯域の中心周波数の０．８５倍以上、１．１５倍以下の範囲の周波数帯域における帯域外減衰量の最大値が、第２の弾性波フィルタの通過帯域の中心周波数の０．８５倍以上、１．１５倍以下の範囲の周波数帯域における帯域外減衰量よりも大きいことが望ましい。それによって、弾性波装置全体としての帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。
　図８は、本発明の第２の実施形態における第１の圧電基板の第１の主面上の電極構成を示す平面断面図である。図９は、第２の実施形態における第２の圧電基板の第１の主面上の電極構成を示す平面断面図である。
　第２の実施形態の弾性波装置２１は、第１の実施形態と回路構成が異なる点を除いては、第１の実施形態と同様の構造を有する。
　弾性波装置２１の第１の弾性波素子３１Ａにおける第１の圧電基板２Ａの第１の主面２Ａａには、第１のデュプレクサ２３Ａが構成されている。第１のデュプレクサ２３Ａは、第１の弾性波フィルタとしての第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１及び第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１と異なる通過帯域である第２の帯域通過型フィルタ２３Ａ２を有する。第２の弾性波素子３１Ｂにおける第２の圧電基板２Ｂの第１の主面２Ｂａには、第２のデュプレクサ２３Ｂが構成されている。第２のデュプレクサ２３Ｂは、第３の帯域通過型フィルタ２３Ｂ１及び第３の帯域通過型フィルタ２３Ｂ１と異なる通過帯域である第４の帯域通過型フィルタ２３Ｂ２を有する。すなわち、弾性波装置２１は、第１～第４の帯域通過型フィルタ２３Ａ１，２３Ａ２，２３Ｂ１，２３Ｂ２を有するクアドプレクサである。第１，第３の帯域通過型フィルタ２３Ａ１，２３Ｂ１は、受信フィルタであり、第２，第４の帯域通過型フィルタ２３Ａ２，２３Ｂ２は、送信フィルタである。
　図１０（ａ）～図１０（ｄ）は、第２の実施形態における第１～４の帯域通過型フィルタの回路図である。
　第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１は、縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ａを有する。入力端子２９Ａａと縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ａとの間には、直列腕共振子Ｓ２１，Ｓ２２が接続されている。直列腕共振子Ｓ２１と直列腕共振子Ｓ２２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２１が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ａと出力端子２９Ａｃとの間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ２２が接続されている。
　第２の帯域通過型フィルタ２３Ａ２は、入力端子２９Ａａと出力端子２９Ａｂとの間に接続されている直列腕共振子Ｓ３１～Ｓ３５を有する。直列腕共振子Ｓ３１と直列腕共振子Ｓ３２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３１が接続されている。直列腕共振子Ｓ３２と直列腕共振子Ｓ３３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３３と直列腕共振子Ｓ３４との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３３が接続されている。直列腕共振子Ｓ３４と直列腕共振子Ｓ３５との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ３４が接続されている。
　第３の帯域通過型フィルタ２３Ｂ１は、縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ｂを有する。入力端子２９Ｂａと縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ｂとの間には、直列腕共振子Ｓ４１が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ｂと出力端子２９Ｂｃとの間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ４１が接続されている。
　第４の帯域通過型フィルタ２３Ｂ２は、入力端子２９Ｂａと出力端子２９Ｂｂとの間に接続されている直列腕共振子Ｓ５１～Ｓ５３を有する。入力端子２９Ｂａと直列腕共振子Ｓ５１との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ５１が接続されている。直列腕共振子Ｓ５１と直列腕共振子Ｓ５２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ５２が接続されている。直列腕共振子Ｓ５２と直列腕共振子Ｓ５３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ５３が接続されている。
　図８に示すように、並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２は、接続用端子２７Ａｃに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ３１，Ｐ３３は、接続用端子２７Ａａに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ３２，Ｐ３４は、接続用端子２７Ａｂに電気的に接続されている。図９に示すように、並列腕共振子Ｐ４１は、接続用端子２７Ｂｃに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ５１，Ｐ５３は、接続用端子２７Ｂａに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ５２は、接続用端子２７Ｂｂに電気的に接続されている。並列腕共振子Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ４１は、接続用端子２７Ａｃ，２７Ｂｃを介してグラウンド電位に共通接続されている。並列腕共振子Ｐ３１，Ｐ３３，Ｐ５１，Ｐ５３は、接続用端子２７Ａａ，２７Ｂａを介してグラウンド電位に共通接続されている。並列腕共振子Ｐ３２，Ｐ３４，Ｐ５２は、接続用端子２７Ａｂ，２７Ｂｂを介してグラウンド電位に共通接続されている。
　次に、本発明の発明者は、第２の実施形態及び第２の比較例における弾性波装置を作製し、帯域外減衰量について検討した。より具体的には、第１の帯域通過型フィルタの第２の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の減衰量について検討した。第３の帯域通過型フィルタの第４の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の減衰量を評価した。
　第２の比較例は、第１～第４の帯域通過型フィルタの配置が異なることを除き、第２の実施形態と同様の構造を有する。より具体的には、第１，第２の帯域通過型フィルタは第２の圧電基板の第１の主面に構成されている。第３，第４の帯域通過型フィルタは第１の圧電基板の第１の主面に構成されている。
　ここで、第１の帯域通過型フィルタの通過帯域は、２１１０ＭＨｚ以上、２１７０ＭＨｚ以下である。第２の帯域通過型フィルタの通過帯域は、１９２０ＭＨｚ以上、１９８０ＭＨｚ以下である。第３の帯域通過型フィルタの通過帯域は、１８０５ＭＨｚ以上、１８８０ＭＨｚ以下である。第４の帯域通過型フィルタの通過帯域は、１７１０ＭＨｚ以上、１７８５ＭＨｚ以下である。
　図１１は、第２の実施形態及び第２の比較例における第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。図１２は、第２の実施形態及び第２の比較例における第３の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。実線は第２の実施形態の結果を示し、破線は第２の比較例の結果を示す。
　図１１に示すように、本実施形態における第１の帯域通過型フィルタの第２の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の減衰量は、５３．６ｄＢである。第２の比較例における第１の帯域通過型フィルタの第２の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の減衰量は、５１．６ｄＢである。よって、本実施形態は第２の比較例よりも上記減衰量が２．０ｄＢ増大していることがわかる。
　図１２に示すように、本実施形態における第３の帯域通過型フィルタの第４の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の減衰量は、４８．０ｄＢである。第２の比較例における第３の帯域通過型フィルタの第４の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域の減衰量は、４９．２ｄＢである。第３の帯域通過型フィルタの上記減衰量は第２の比較例よりも小さくなっているが、上記減衰量の減少は１．２ｄＢに留まっている。第３の帯域通過型フィルタの上記減衰量の減少は、第１の帯域通過型フィルタにおける上記減衰量の増大よりも小さい。このように、第１，第２のデュプレクサにおける第１，第３の帯域通過型フィルタの上記減衰量の減少を効果的に抑制し得ることがわかる。従って、弾性波装置のアイソレーション特性を効果的に改善し得ることがわかる。
　図１０に示すように、第３の帯域通過型フィルタ２３Ｂ１が有する弾性波共振子の個数よりも第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１が有する弾性波共振子の個数は大きい。この場合、第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１の帯域外減衰量は第３の帯域通過型フィルタ２３Ｂ１の帯域外減衰量よりも大きい。本実施形態では、帯域外減衰量が大きい第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１のグラウンドインピーダンスを減少させることができる。従って、弾性波装置２１全体としての帯域外減衰量の減少も効果的に抑制することができる。
　図１３（ａ）～図１３（ｄ）は、第３の実施形態における第１～第４の帯域通過型フィルタの回路図である。
　本実施形態は、図１０に示した第２の実施形態における第３の帯域通過型フィルタ２３Ｂ１を第３の帯域通過型フィルタ４３Ｂ１としている。さらに、第２の実施形態と、第１～第４の帯域通過型フィルタ２３Ａ１，２３Ａ２，４３Ｂ１，２３Ｂ２の配置が異なる。上記の構成を除き、第２の実施形態と同様の構成を有する。
　より具体的には、第１，第２の帯域通過型フィルタ２３Ａ１，２３Ａ２は第２の圧電基板の第１の主面に構成されている。第３，第４の帯域通過型フィルタ４３Ｂ１，２３Ｂ２は、第２の圧電基板よりも厚みが小さい第１の圧電基板の第１の主面に構成されている。第３の帯域通過型フィルタ４３Ｂ１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５０Ｂは、２段で構成されている。すなわち、縦結合共振子型弾性波フィルタ５０Ｂの段数は、第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１の縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ａの段数よりも大きい。この場合、第３の帯域通過型フィルタ４３Ｂ１の帯域外減衰量は、第１の帯域通過型フィルタ２３Ａ１の帯域外減衰量よりも大きい。本実施形態では、第３の帯域通過型フィルタ４３Ｂ１が第１の圧電基板に構成されているため、第３の帯域通過型フィルタ４３Ｂ１の帯域外減衰量の減少を抑制することができる。従って、弾性波装置全体としての帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。
　なお、本実施形態では、縦結合共振子型弾性波フィルタ３０Ａ及び５０Ｂは１段及び２段で構成されているが、上記段数には限られない。縦結合共振子型弾性波フィルタの段数が大きい帯域通過型フィルタが、第２の圧電基板より厚みが小さい第１の圧電基板の第１の主面に構成されていればよい。
　図１４は、第４の実施形態としての弾性波モジュールの正面断面図である。
　弾性波モジュール６１は、実装基板６２を有する。実装基板６２には、第１の実施形態の弾性波装置１が実装されている。より具体的には、実装基板６２上には、実装用端子６５ａ，６５ｂが形成されている。実装用端子６５ａ，６５ｂに、はんだなどからなる接合剤６８ａ，６８ｂを介して弾性波装置１のグラウンド端子５ａ，５ｂが接合されている。図示されていないが、弾性波装置１のグラウンド端子以外の上記複数の外部接続用端子も、実装基板６２の複数の実装用端子に接合されている。弾性波モジュール６１には、装置６３も実装されている。このように、弾性波モジュール６１には、弾性波装置１以外の装置や素子が実装されていてもよい。弾性波モジュール６１は、実装された弾性波装置１を有するため、帯域外減衰量を効果的に大きくすることができる。
１…弾性波装置
２Ａ，２Ｂ…第１，第２の圧電基板
２Ａａ，２Ａｂ…第１，第２の主面
２Ｂａ，２Ｂｂ…第１，第２の主面
３Ａ１，３Ｂ１…第１，第２の弾性波フィルタ
３Ａ１１，３Ｂ１１…第１，第２のＩＤＴ電極
４…支持部材
５…外部接続用端子
５ａ，５ｂ…グラウンド端子
６ａ，６ｂ…ビアホール電極
７Ａａ，７Ａｂ，７Ｂａ，７Ｂｂ…接続用端子
８ａ，８ｂ…接続用配線
９Ａａ，９Ｂａ…入力端子
９Ａｂ，９Ｂｂ…出力端子
１０…縦結合共振子型弾性波フィルタ
１１Ａ，１１Ｂ…第１，第２の弾性波素子
２１…弾性波装置
２３Ａ，２３Ｂ…第１，第２のデュプレクサ
２３Ａ１，２３Ａ２，２３Ｂ１，２３Ｂ２…第１，第２，第３，第４の帯域通過型フィルタ
２７Ａａ，２７Ａｂ，２７Ｂａ，２７Ｂｂ，２７Ａｃ，２７Ｂｃ…接続用端子
２９Ａａ，２９Ｂａ…入力端子
２９Ａｂ，２９Ｂｂ…出力端子
３０Ａ，３０Ｂ…縦結合共振子型弾性波フィルタ
３１Ａ，３１Ｂ…第１，第２の弾性波素子
４３Ｂ１…第３の帯域通過型フィルタ
５０Ｂ…縦結合共振子型弾性波フィルタ
６１…弾性波モジュール
６２…実装基板
６３…装置
６５ａ，６５ｂ…実装用端子
６８ａ，６８ｂ…接合剤
Ｓ１～Ｓ５，Ｓ１１～Ｓ１５，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ３１～Ｓ３５，Ｓ４１，Ｓ５１～Ｓ５３…直列腕共振子
Ｐ１～Ｐ４，Ｐ１１～Ｐ１４，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ３１～Ｐ３４，Ｐ４１，Ｐ５１～Ｐ５３…並列腕共振子

Claims (7)

  1. 　第１，第２の主面を有する第１の圧電基板と、
    　第１，第２の主面を有し、かつ前記第１の圧電基板の厚みよりも厚みが大きい第２の圧電基板と、
    　前記第１の圧電基板の前記第１の主面上に形成されている複数の第１のＩＤＴ電極及び前記第２の圧電基板の前記第１の主面上に形成されている複数の第２のＩＤＴ電極と、
    　前記第１の圧電基板の前記第２の主面上に形成されている複数の外部接続用端子とを備え、
    　前記第１の圧電基板の前記第１の主面に前記複数の第１のＩＤＴ電極を含む第１の弾性波フィルタが構成されており、前記第２の圧電基板の前記第１の主面に前記複数の第２のＩＤＴ電極を含む第２の弾性波フィルタが構成されており、前記複数の外部接続用端子のうちの少なくとも１つがグラウンド端子であり、前記第１の圧電基板の前記第１の主面と前記第２の圧電基板の前記第１の主面とが対向し合うように、前記第１の圧電基板と前記第２の圧電基板とが支持部材を介して接合されており、前記支持部材が平面視において前記第１，第２の弾性波フィルタが構成されている部分を囲むように設けられており、前記第１の弾性波フィルタの帯域外減衰量が前記第２の弾性波フィルタの帯域外減衰量よりも大きい、弾性波装置。
  2. 　前記第１の弾性波フィルタの通過帯域の中心周波数の０．８５倍以上、１．１５倍以下の範囲の周波数帯域における帯域外減衰量の最大値が前記第２の弾性波フィルタの通過帯域の中心周波数の０．８５倍以上、１．１５倍以下の範囲の周波数帯域における帯域外減衰量よりも大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第１の弾性波フィルタが第１の縦結合共振子型弾性波フィルタを有し、前記第２の弾性波フィルタが第２の縦結合共振子型弾性波フィルタを有し、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタの段数が前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタの段数よりも大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１の弾性波フィルタが第１のラダー型フィルタを有し、前記第２の弾性波フィルタが第２のラダー型フィルタを有し、前記第１のラダー型フィルタが有する弾性波共振子の個数が、前記第２のラダー型フィルタが有する弾性波共振子の個数よりも大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１の圧電基板の前記第１の主面に第１のデュプレクサが構成されており、前記第１のデュプレクサが前記第１の弾性波フィルタとしての第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタと異なる通過帯域である第２の帯域通過型フィルタとを有し、前記第２の圧電基板の前記第１の主面に第２のデュプレクサが構成されており、前記第２のデュプレクサが前記第２の弾性波フィルタとしての第３の帯域通過型フィルタと、前記第３の帯域通過型フィルタと異なる通過帯域である第４の帯域通過型フィルタとを有し、前記第１の帯域通過型フィルタの前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域における減衰量が、前記第３の帯域通過型フィルタの前記第４の帯域通過型フィルタの通過帯域に相当する周波数帯域における減衰量よりも大きい、請求項１に記載の弾性波装置。
  6. 　前記グラウンド端子と前記第１の弾性波フィルタとを電気的に接続している第１の接続配線と、
    　前記グラウンド端子と前記第２の弾性波フィルタとを電気的に接続している第２の接続配線とをさらに備え、
    　前記第１の接続配線の長さが前記第２の接続配線の長さよりも短い、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　実装基板と、
    　前記実装基板上に実装されている請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置とを備える、弾性波モジュール。
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