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WO2015159804A1 - 積層体、導電性積層体、および電子機器 - Google Patents

積層体、導電性積層体、および電子機器 Download PDF

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WO2015159804A1
WO2015159804A1 PCT/JP2015/061144 JP2015061144W WO2015159804A1 WO 2015159804 A1 WO2015159804 A1 WO 2015159804A1 JP 2015061144 W JP2015061144 W JP 2015061144W WO 2015159804 A1 WO2015159804 A1 WO 2015159804A1
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WO
WIPO (PCT)
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tin oxide
indium tin
oxide layer
layer
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2015/061144
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
尚洋 眞下
和久 吉岡
富田　倫央
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2016513749A priority Critical patent/JPWO2015159804A1/ja
Publication of WO2015159804A1 publication Critical patent/WO2015159804A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides

Definitions

  • the present invention relates to a laminate, a conductive laminate, and an electronic device.
  • the transparent conductive film Since the transparent conductive film has conductivity and optical transparency, it is used as a transparent electrode, a dustproof film, and an electromagnetic wave shielding film. In recent years, a transparent conductive film has attracted attention as a capacitive touch panel electrode. An indium tin oxide film is preferably used as the transparent conductive film.
  • an indium tin oxide film pattern is formed by etching. For this reason, the indium tin oxide film is required to have good etching properties. In addition, the indium tin oxide film is required to have low etching pattern visibility so that the appearance of a touch panel or the like is improved. Furthermore, the indium tin oxide film is required to have optical transparency, electrical conductivity, durability against mechanical contact, and the like.
  • an indium tin oxide film As a method for producing an indium tin oxide film, a method of performing sputtering while heating a substrate is known. According to the above method, an indium tin oxide film that is crystalline and has good conductivity and durability can be produced. However, since it is crystalline, the etching property is not good.
  • an indium tin oxide film As a method for producing an indium tin oxide film, a method of performing sputtering at room temperature and a method of performing sputtering by introducing moisture are known. According to the above method, an indium tin oxide film that is amorphous and has good etching properties can be produced. However, since it is amorphous, conductivity and durability are not good.
  • a method in which an amorphous indium tin oxide film is formed, then etched and further heat-treated to form a crystalline indium tin oxide film.
  • etching property, electroconductivity, and durability become favorable.
  • such a method is referred to as a crystallization method.
  • the transmittance increases, so the visibility of the etching pattern decreases.
  • the crystallization method when the thickness is reduced, crystallization by heat treatment becomes difficult, so that conductivity and durability are not improved.
  • electroconductivity it can improve by making the content rate of the tin oxide in indium tin oxide high.
  • crystallization by heat treatment becomes difficult, and thus conductivity is not necessarily improved.
  • Patent Document 1 Conventionally, various manufacturing methods have been proposed as a method for manufacturing a transparent conductive film (for example, see Patent Document 1). Moreover, in order to suppress peeling between the base material and the transparent conductive film, it is known to provide a base layer between the base material and the transparent conductive film (see, for example, Patent Documents 2 and 3).
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a crystalline indium tin oxide layer can be obtained by heat treatment, and the visibility of an etching pattern formed on the indium tin oxide layer is also improved. It aims at providing the laminated body which can be reduced. Another object of the present invention is to provide a conductive laminate having a crystalline indium tin oxide layer and having low visibility of an etching pattern formed in the indium tin oxide layer. Furthermore, this invention aims at provision of the electronic device which has such an electroconductive laminated body.
  • the laminate of the present invention has a transparent substrate, an underlayer, and an indium tin oxide layer.
  • the underlayer is laminated on the transparent substrate and contains silicon, oxygen, and nitrogen.
  • the indium tin oxide layer is laminated on the base layer and is mainly made of amorphous indium tin oxide.
  • the laminated body of the present invention has the following reflectance difference ⁇ R of 1% or less by heat treatment at a heat treatment temperature of 150 ° C. and a heat treatment time of 30 minutes.
  • the reflectance difference ⁇ R is the average reflectance R 1 [%] at a wavelength of 480 nm or more and 650 nm or less at a position where the indium tin oxide layer exists, with the transparent substrate side being the light incident surface, and the indium tin oxide layer is It is the absolute value of the difference from the average reflectance R 2 [%] at a wavelength of 480 nm or more and 650 nm or less at a position where it does not exist.
  • the conductive laminate of the present invention has a transparent substrate, an underlayer, and an indium tin oxide layer.
  • the underlayer is laminated on the transparent substrate and contains silicon, oxygen, and nitrogen.
  • the indium tin oxide layer is laminated on the underlayer and is mainly made of crystalline indium tin oxide.
  • the following reflectance difference ⁇ R is 1% or less.
  • the reflectance difference ⁇ R is the average reflectance R 1 [%] at a wavelength of 480 nm or more and 650 nm or less at a position where the indium tin oxide layer exists, with the transparent substrate side being the light incident surface, and the indium tin oxide layer is It is the absolute value of the difference from the average reflectance R 2 [%] at a wavelength of 480 nm or more and 650 nm or less at a position where it does not exist.
  • the electronic device of the present invention has the conductive laminate of the present invention.
  • an underlayer containing silicon, oxygen, and nitrogen is disposed between the transparent substrate and the amorphous indium tin oxide layer.
  • This underlayer improves the crystallization of the indium tin oxide layer by heat treatment. Moreover, the visibility of the etching pattern formed in the indium tin oxide layer is also reduced by this base layer.
  • Sectional drawing which shows an example of the laminated body of this invention.
  • Sectional drawing which shows an example of the electroconductive laminated body of this invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the laminate of the present invention.
  • the stacked body 10 includes, for example, a transparent base material 11, an underlayer 12, and an amorphous indium tin oxide layer 13 in this order.
  • the indium tin oxide layer 13 becomes a crystalline indium tin oxide layer by heat treatment.
  • the transparent substrate 11 is, for example, polyolefin such as polyethylene or polypropylene, polyester such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate or polyethylene naphthalate, polyamide such as nylon 6 or nylon 66, polyimide, polyarylate, polycarbonate, polyacrylate or polyether. Sulphone, polysulfone, and unstretched or stretched plastic films of these copolymers are preferred.
  • the transparent base material 11 can also use another highly transparent plastic film and glass base material.
  • the transparent base material 11 may have a single layer structure or a laminated structure having two or more layers having different compositions.
  • a polyethylene terephthalate film is particularly preferable.
  • a hard coat layer, a primer layer, an undercoat layer, or the like may be provided on one or both surfaces of the transparent substrate 11.
  • the hard coat layer makes the transparent substrate 11 difficult to be damaged.
  • the primer layer improves the adhesion between the organic material and the inorganic material.
  • the undercoat layer is a refractive index adjusting layer or the like that reduces the visibility of the etching pattern formed on the indium tin oxide layer 13.
  • the transparent substrate 11 may be subjected to surface treatment such as easy adhesion treatment, plasma treatment, corona treatment and the like.
  • the thickness of the transparent substrate 11 is preferably 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, and more preferably 25 ⁇ m or more and 180 ⁇ m or less from the viewpoints of flexibility, durability, and the like.
  • the underlayer 12 is provided to promote crystallization of the indium tin oxide layer 13.
  • the underlayer 12 compared to a silicon oxide layer (SiO 2 layer), a silicon nitride layer (Si 3 N 4 layer), a magnesium fluoride layer (MgF 2 layer), an aluminum oxide layer (Al 2 O 3 layer), etc.
  • SiO 2 layer silicon oxide layer
  • Si 3 N 4 layer silicon nitride layer
  • MgF 2 layer magnesium fluoride layer
  • Al 2 O 3 layer aluminum oxide layer
  • crystallization can be greatly promoted.
  • the underlayer 12 contains silicon, oxygen, and nitrogen as essential components.
  • the ratio of each element can be appropriately selected according to the effect of promoting crystallization, the required refractive index, and the like.
  • another element may be included, for example, aluminum (Al) or carbon (C) may be included.
  • the underlayer 12 contains nitrogen, for example, resistance to alkalinity (hereinafter, also referred to as alkali resistance) is significantly increased as compared with an underlayer made of silicon oxide. Thereby, when passing through the process exposed to alkaline chemicals, such as an etching process, damage, such as film
  • the ratio of the number of molecules of N 2 / O 2 contained in the underlayer 12 is preferably 0.03 or more and 15 or less, and 0.05 or more and 10 The following is more preferable, and 0.07 to 5 is particularly preferable.
  • the ratio of the number of molecules can be measured by electron beam spectroscopic analysis or secondary ion mass spectrometry.
  • the refractive index of the underlayer 12 at a wavelength of 500 nm is preferably 1.48 or more, more preferably 1.49 or more.
  • the refractive index of the underlayer 12 at a wavelength of 500 nm is preferably 2.00 or less, more preferably 1.95 or less, and even more preferably 1.9 or less.
  • An arbitrary refractive index in the above range can be obtained by adjusting the ratio of silicon, oxygen, and nitrogen in the underlayer 12.
  • the refractive index of the entire constituent layer can be adjusted regardless of the refractive index of each layer (hereinafter also simply referred to as a constituent layer) constituting the laminate 10 excluding the base layer 12. Adjustment is easy.
  • the refractive index of the underlayer 12 is within the above range, the effect of reducing the visibility of the etching pattern formed on the indium tin oxide layer 13 is great.
  • the thickness of the underlayer 12 is preferably 1 nm or more. When the thickness is 1 nm or more, the effect of promoting crystallization of the indium tin oxide layer 13 is large. Moreover, when thickness is 1 nm or more, the effect of reducing the visibility of the etching pattern formed in the indium tin oxide layer 13 is large. From the viewpoint of promoting crystallization and reducing the visibility of the etching pattern, the thickness of the underlayer 12 is more preferably 3 nm or more, further preferably 5 nm or more, and particularly preferably 7 nm or more.
  • the thickness of the underlayer 12 is preferably 100 nm or less, more preferably 80 nm or less, and even more preferably 70 nm or less from the viewpoint of productivity.
  • the underlayer 12 may have a single layer structure or a laminated structure having two or more layers having different compositions.
  • the refractive index of the foundation layer 12 may be read as the refractive index of the foundation film layer 12 in contact with the indium oxide layer 13, and the thickness may be read as the entire film thickness of the foundation layer 12 of the lamination structure.
  • the indium tin oxide layer 13 is amorphous and becomes crystalline by heat treatment. Since it is amorphous, the etching property is improved. Moreover, durability becomes favorable by becoming crystalline by heat processing.
  • the indium tin oxide layer 13 may be patterned by etching to provide a portion 13a where the indium tin oxide layer 13 is present and a portion 13b where the indium tin oxide layer 13 is not present.
  • the indium tin oxide layer 13 may have a single layer structure, or may have a laminated structure having two or more layers having different compositions.
  • the indium tin oxide layer 13 is preferably in contact with the underlayer 12 because crystallization by heat treatment is good.
  • amorphous and crystalline materials can be distinguished by the resistance change rate.
  • the evaluation object is immersed in an HCl solution (concentration: 1.5 mol / L) for 5 minutes. From the sheet resistance before and after immersion, the rate of change in resistance (sheet resistance after immersion / sheet resistance before immersion) is determined. Those having a resistance change rate of 200% or less are crystalline, and those having a resistance change rate exceeding 200% are amorphous. When the resistance change rate is 200% or less, the crystalline portion and the amorphous portion are mixed, and when the resistance change rate is about 100%, the whole is almost crystallized.
  • the indium tin oxide layer 13 is mainly composed of indium tin oxide, which is an oxide of indium and tin.
  • examples of the oxide constituting the indium tin oxide include indium oxide, tin oxide, and a composite oxide of indium oxide and tin oxide.
  • the indium tin oxide preferably contains 5% by mass to 17% by mass of tin in terms of oxide (SnO 2 , the same applies hereinafter).
  • tin is contained in an amount of 5% by mass or more in terms of oxide, the sheet resistance when crystallized is lowered.
  • tin is contained in an amount of 17% by mass or less in terms of oxide, crystallization becomes easy.
  • the indium tin oxide preferably contains 6% by mass or more of tin in terms of oxide, more preferably 7% by mass or more, and particularly preferably 8% by mass or more. Further, the indium tin oxide preferably contains 15% by mass or less of tin in terms of oxide.
  • the indium tin oxide layer 13 is preferably made of only indium tin oxide, but can contain components other than indium tin oxide as necessary and within the limits not departing from the spirit of the present invention.
  • components other than indium tin oxide include oxides such as aluminum, zirconium, gallium, silicon, tungsten, zinc, titanium, magnesium, cerium, and germanium.
  • Content of components other than indium tin oxide layer 13 in indium tin oxide layer 13 is 10 mass% or less in the whole indium tin oxide layer 13, 5 mass% or less is preferable, and 3 mass% or less is more preferable. 1% by mass or less is particularly preferable.
  • the thickness of the indium tin oxide layer 13 is preferably 10 nm or more. When the thickness is 10 nm or more, crystallization is good and sheet resistance after crystallization is also low. From the viewpoint of crystallization and sheet resistance, the thickness is more preferably 15 nm or more. On the other hand, the thickness is preferably 40 nm or less because the film formation time is shortened and the transmittance is increased. From the viewpoint of film formation time, transmittance, and reflectance difference ⁇ R, the thickness is more preferably 35 nm or less, and further preferably 30 nm or less.
  • the indium tin oxide layer 13 is crystallized by heat treatment.
  • the heat treatment can usually be performed in the atmosphere.
  • the heat treatment temperature is preferably 100 ° C. or higher, and the heat treatment time is preferably 3 minutes or longer.
  • the heat treatment temperature is preferably 170 ° C. or less, and the heat treatment time is preferably 180 minutes or less.
  • the laminate 10 preferably has a reflectance difference ⁇ R of 1% or less when the indium oxide layer 13 is crystallized by heat treatment.
  • the heat treatment temperature is 150 ° C. and the heat treatment time is 30 minutes.
  • the reflectance difference ⁇ R after the heat treatment is 1% or less, the visibility of the etching pattern formed on the indium tin oxide layer 13 is sufficiently lowered.
  • the reflectance difference ⁇ R after the heat treatment is more preferably 0.7% or less.
  • the adjustment of the reflectance difference ⁇ R can be performed by adjusting the thickness and refractive index of each layer after the heat treatment, and in particular by adjusting the thickness and refractive index of the underlayer 12.
  • the refractive index of the underlayer 12 varies greatly depending on the proportion of the constituent elements. Thereby, the refractive index of the entire constituent layer can be easily adjusted regardless of the refractive index of the constituent layer excluding the base layer 12.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the conductive laminate 20.
  • the conductive laminate 20 is obtained by heat-treating the laminate 10.
  • the conductive laminate 20 includes, for example, a transparent substrate 11, an underlayer 12, and a crystalline indium tin oxide layer 21 in this order.
  • the transparent substrate 11 and the foundation layer 12 are the same as the transparent substrate 11 and the foundation layer 12 in the laminate 10.
  • the indium tin oxide layer 21 is crystalline, durability is improved.
  • the indium tin oxide layer 21 may be provided with a portion 21a where the indium tin oxide layer 21 exists and a portion 21b where the indium tin oxide layer 21 does not exist by pattern formation by etching. Examples of the etching pattern include a large number of transparent electrodes.
  • the indium tin oxide layer 21 is preferably in contact with the underlayer 12 because crystallization is good.
  • the indium tin oxide layer 21 is mainly composed of indium tin oxide, which is an oxide of indium and tin.
  • the oxide constituting the indium tin oxide include indium oxide, tin oxide, and a composite oxide of indium oxide and tin oxide.
  • the indium tin oxide layer 21 may have a single layer structure or a laminated structure having two or more layers having different compositions.
  • the specific resistance of the indium tin oxide layer 21 is preferably 2.8 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less. In the case of the said specific resistance, it becomes a thing suitable for an electronic device.
  • the specific resistance is preferably 2.4 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less, and more preferably 2.3 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ ⁇ cm or less.
  • the indium tin oxide preferably contains 5% by mass to 17% by mass of tin in terms of oxide. When tin is contained in an amount of 5% by mass or more in terms of oxide, the specific resistance is lowered. On the other hand, when tin is contained in an amount of 17% by mass or less in terms of oxide, crystallization is good.
  • the indium tin oxide preferably contains 6% by mass or more of tin in terms of oxide, more preferably 7% by mass or more, and particularly preferably 8% by mass or more. Further, the indium tin oxide preferably contains 15% by mass or less of tin in terms of oxide.
  • the indium tin oxide layer 21 is preferably composed only of indium tin oxide, but can contain components other than indium tin oxide as necessary and within the limits not departing from the spirit of the present invention.
  • components other than indium tin oxide include oxides such as aluminum, zirconium, gallium, silicon, tungsten, zinc, titanium, magnesium, cerium, and germanium.
  • Content of components other than indium tin oxide 21 in indium tin oxide layer 21 is 10 mass% or less in the whole indium tin oxide layer 21, 5 mass% or less is preferable, and 3 mass% or less is more preferable. 1% by mass or less is particularly preferable.
  • the thickness of the indium tin oxide layer 21 is preferably 10 nm or more. When the thickness is 10 nm or more, crystallization is improved and sheet resistance is reduced. From the viewpoint of crystallization and sheet resistance, the thickness is more preferably 15 nm or more. On the other hand, the thickness is preferably 40 nm or less because the film formation time is shortened and the transmittance is increased. From the viewpoint of film formation time, transmittance, and reflectance difference ⁇ R, the thickness is more preferably 35 nm or less, and further preferably 30 nm or less.
  • the conductive laminate 20 preferably has the following reflectance difference ⁇ R of 1% or less.
  • the reflectance difference ⁇ R is 1% or less, the visibility of the etching pattern formed on the indium tin oxide layer 21 is sufficiently low.
  • the reflectance difference ⁇ R is preferably 0.7% or less.
  • the reflectance difference ⁇ R is the average reflectance R 1 [%] at a wavelength of 480 nm or more and 650 nm or less at the position where the indium tin oxide layer 21 exists with the transparent substrate 11 side as the light incident surface, and indium tin oxide.
  • the underlayer 12 is preferably present from the viewpoint of the visibility of the etching pattern, alkali resistance, and scratch resistance.
  • the adjustment of the reflectance difference ⁇ R can be performed by adjusting the thickness, refractive index and the like of each layer, and particularly by adjusting the thickness and refractive index of the underlayer 12.
  • the refractive index of the underlayer 12 varies greatly depending on the proportion of the constituent elements. Thereby, the refractive index of the entire constituent layer can be easily adjusted regardless of the refractive index of the constituent layer excluding the base layer 12.
  • the conductive laminate 20 is preferably used for an electronic device, for example, an electronic device having a display unit and a touch panel arranged on the front surface of the display unit.
  • the conductive laminate 20 is used as a substrate having a transparent electrode in a touch panel.
  • the touch panel include a resistive film type that specifies a touch position by contacting upper and lower electrodes, and a capacitive coupling method that senses a change in capacitance.
  • the laminated body 10 can be manufactured by forming an indium tin oxide layer 13 after forming the base layer 12 on the transparent substrate 11.
  • the film forming method is not necessarily limited, and a sputtering method, an ion plating method, and a vacuum evaporation method can be applied, and the sputtering method is particularly preferable.
  • the underlayer 12 is formed by sputtering using, for example, a sputtering target mainly made of silicon. At this time, it is preferable to adjust the ratio of the introduced gas as follows.
  • the metal mode and the transition mode are states in which a film having absorption in visible light due to lack of oxygen is to be formed.
  • the proportion of oxygen gas is preferably 0.1% by volume or more, more preferably 0.3% by volume or more, and further preferably 0.5% by volume or more with respect to the total amount of argon gas and oxygen gas.
  • the proportion of oxygen gas is preferably 30% by volume or less, more preferably 20% by volume or less, and still more preferably 10% by volume or less with respect to the total amount of argon gas and oxygen gas.
  • the reaction mode is a state in which silicon, oxygen, and nitrogen react to form a film having transparency to visible light.
  • the proportion of nitrogen gas is preferably 30% by volume or more, more preferably 40% by volume or more, and still more preferably 45% by volume or more with respect to the total amount of argon gas and nitrogen gas.
  • the ratio of nitrogen gas is preferably less than 50% by volume, more preferably 49.7% by volume or less, and further preferably 49.5% by volume or less with respect to the total amount of argon gas and nitrogen gas.
  • the ratio of argon gas and oxygen gas is adjusted so as to be in the metal mode or transition mode, and further, argon gas, oxygen gas, and nitrogen gas are introduced. It is preferable to adjust the ratio of argon gas and nitrogen gas so that the reaction mode is achieved. According to such a method, it is possible to form the underlayer 12 having a large effect of promoting crystallization of the indium tin oxide layer 13.
  • the indium tin oxide layer 13 is formed by sputtering using a sputtering target made of indium tin oxide, for example. It is preferable that a sputtering target contains 5 mass% or more and 17 mass% or less of tin in oxide conversion in indium tin oxide.
  • the indium tin oxide in the sputtering target is preferably composed of a sintered body obtained by mixing and sintering tin oxide (SnO 2 ) and indium oxide (In 2 O 3 ).
  • the indium tin oxide layer 13 is formed, for example, by introducing a mixed gas in which oxygen gas is mixed in an amount of 0.5% by volume to 10% by volume, preferably 0.8% by volume to 6% by volume in argon gas. Sputtering is preferably performed. By performing sputtering while introducing such a mixed gas, it is possible to form a film that is amorphous, can be easily crystallized by heat treatment, and has low specific resistance after crystallization.
  • the conductive laminate 20 is obtained by heat-treating the laminate 10.
  • the heat treatment can usually be performed in the atmosphere.
  • the heat treatment temperature is preferably 100 ° C. or higher, and the heat treatment time is preferably 3 minutes or longer.
  • the heat treatment temperature is preferably 170 ° C. or less, and the heat treatment time is preferably 180 minutes or less.
  • Examples 1 to 5 are examples of the present invention, and examples 6 to 9 are comparative examples of the present invention. Note that the present invention is not limited to these examples. Moreover, the thickness of each layer is calculated
  • Example 1 As a transparent substrate, a polyethylene terephthalate film having a thickness of 100 ⁇ m was prepared by subjecting the surface to an easy adhesion treatment. On this transparent substrate, a silicon oxynitride film (SiO x N y film) was formed as a base layer. The thickness of the underlayer is 10 nm. The refractive index of the underlayer is 1.49. The refractive index is a value at a wavelength of 500 nm and was measured by ellipsometry.
  • the underlayer was formed as follows. First, using a boron-doped silicon target, argon gas and oxygen gas were introduced, and pre-sputtering was performed with a DC pulse power source. The ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas is 5% by volume. The sputtering state at this time is a metal mode or a transition mode.
  • Sputtering was continued while introducing argon gas, oxygen gas, and nitrogen gas under the above conditions to form an underlayer on the transparent substrate.
  • the thickness of the underlayer was adjusted by the sputtering rate and the conveyance speed of the transparent substrate.
  • an amorphous indium tin oxide layer having a thickness of 25 nm was formed on the underlayer to obtain a test piece.
  • the ITO layer is formed by using a target (10% by mass of tin oxide (SnO 2 )) and 90% by mass of indium oxide (In 2 O 3 ) made of indium tin oxide containing 10% by mass of tin in terms of oxide.
  • a target 10% by mass of tin oxide (SnO 2 )
  • indium oxide In 2 O 3
  • argon gas and oxygen gas were introduced, and sputtering was performed by a DC power source.
  • the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas is 1% by volume.
  • the thickness of the ITO layer was adjusted by the sputtering rate and the conveyance speed of the transparent substrate and the like.
  • Example 2 A base layer and an ITO layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base layer formation conditions were changed and the refractive index of the base layer was changed to 1.59.
  • the formation conditions of the underlayer are as follows. In the introduction of argon gas and oxygen gas during pre-sputtering, the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas was set to 2% by volume. The sputtering state at this time is a metal mode or a transition mode. In the subsequent introduction of argon gas, oxygen gas, and nitrogen gas during sputtering, the ratio of nitrogen gas to the total amount of argon gas and nitrogen gas was 48% by volume. Note that the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas was the same as in pre-sputtering. The state of sputtering at this time is a reaction mode.
  • Example 3 A base layer and an ITO layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base layer formation conditions were changed and the refractive index of the base layer was changed to 1.80.
  • the formation conditions of the underlayer are as follows. In the introduction of argon gas and oxygen gas during pre-sputtering, the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas was set to 1% by volume. The sputtering state at this time is a metal mode or a transition mode. In the subsequent introduction of argon gas, oxygen gas, and nitrogen gas during sputtering, the ratio of nitrogen gas to the total amount of argon gas and nitrogen gas was 49 vol%. Note that the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas was the same as in pre-sputtering. The state of sputtering at this time is a reaction mode.
  • Example 4 A base layer and an ITO layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base layer formation conditions were changed and the refractive index of the base layer was changed to 1.95.
  • the formation conditions of the underlayer are as follows. In the introduction of argon gas and oxygen gas at the time of pre-sputtering, the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas was set to 0.5% by volume. The sputtering state at this time is a metal mode or a transition mode. In the subsequent introduction of argon gas, oxygen gas, and nitrogen gas at the time of sputtering, the ratio of nitrogen gas to the total amount of argon gas and nitrogen gas was 49.5% by volume. Note that the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas was the same as in pre-sputtering. The state of sputtering at this time is a reaction mode.
  • Example 5 A base layer and an ITO layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the ITO layer was changed to 20 nm to obtain a test piece.
  • Example 6 A base layer and an ITO layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base layer was changed to a silicon oxide film (SiO 2 film) to obtain a test piece.
  • the SiO 2 film was formed by sputtering with a DC pulse power source using a boron-doped silicon target, introducing argon gas and oxygen gas. The ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas was 50% by volume. The state of sputtering at this time is a reaction mode.
  • the refractive index of the underlayer is 1.47.
  • Example 7 A base layer and an ITO layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base layer was changed to a silicon oxide film (Si 3 N 4 film) to obtain a test piece.
  • Si 3 N 4 film was formed by sputtering with a DC pulse power supply using a boron-doped silicon target and introducing argon gas and nitrogen gas. The ratio of nitrogen gas to the total amount of argon gas and nitrogen gas was 50% by volume. The state of sputtering at this time is a reaction mode.
  • the refractive index of the underlayer is 2.04.
  • Example 8 A base layer and an ITO layer were formed in the same manner as in Example 1 except that the base layer was changed to an aluminum oxide film (Al 2 O 3 film) to obtain a test piece.
  • the Al 2 O 3 film was formed by sputtering with a DC pulse power source using a pure aluminum target, introducing argon gas and nitrogen gas. The ratio of nitrogen gas to the total amount of argon gas and nitrogen gas was 50% by volume. The state of sputtering at this time is a reaction mode.
  • the refractive index of the underlayer is 2.04.
  • Example 9 A test piece was produced by forming an underlayer and an ITO layer in the same manner as in Example 6 except that the thickness of the ITO layer was changed to 20 nm.
  • the test piece of each example was heat-treated in air at 150 ° C. for 30 minutes.
  • the following evaluation was performed about the test piece after heat processing.
  • the results are shown in Table 1.
  • the flow ratio (oxygen) of Examples 1 to 5 is the ratio of oxygen gas to the total amount of argon gas and oxygen gas when introducing argon gas and oxygen gas during pre-sputtering.
  • the flow ratio (nitrogen) of Examples 1 to 5 is the ratio of nitrogen gas to the total amount of argon gas and nitrogen gas when argon gas, oxygen gas, and nitrogen gas are introduced during subsequent sputtering. is there.
  • composition analysis was performed by photoelectron spectroscopy for the underlayer 12 of Examples 1 to 5 in which the effect of reducing the sheet resistance was recognized.
  • the ratio of the number of molecules of N 2 / O 2 in the underlayer 12 of Examples 1 to 5 was 0.05 or more and 3.6 or less.
  • the molecular number ratio of N 2 / O 2 in Example 1 is 0.06
  • the molecular number ratio of N 2 / O 2 in Example 2 is 0.07
  • the molecular number ratio of N 2 / O 2 in Example 3 is 1
  • the ratio of N 2 / O 2 molecules in Example 4 and Example 4 was 3.6.
  • Example 10 is an example of the present invention
  • Example 11 is a comparative example of the present invention.
  • the transparent substrate was a polyethylene terephthalate film having a refractive index of 1.53 with respect to light having a wavelength of 500 nm and a thickness of 100 ⁇ m.
  • urethane acrylate containing a titanium oxide filler was laminated to a thickness of 1 ⁇ m as an undercoat layer.
  • the undercoat layer has a refractive index of 1.55 with respect to light having a wavelength of 500 nm.
  • a first silicon oxynitride layer having a refractive index of 1.70 with respect to light having a wavelength of 500 nm was laminated so as to have a thickness of 47 nm.
  • a second silicon oxynitride layer having a refractive index of 1.50 with respect to light having a wavelength of 500 nm was laminated on the first silicon oxynitride layer so as to have a thickness of 20 nm.
  • the base layer includes a first silicon oxynitride layer and a second silicon oxynitride layer.
  • An ITO layer having a refractive index of 1.83 with respect to light having a wavelength of 500 nm was laminated on the underlayer so as to have a thickness of 25 nm.
  • the reflectance difference ⁇ R was calculated for such a test piece.
  • the vacuum between the light source and the test piece and between the test piece and the measuring instrument is assumed to be a vacuum (refractive index is 1), and the angle between the normal of the surface of the test piece and the light traveling direction is zero. It was assumed that light was incident on the test piece from the transparent substrate side.
  • the portion of ITO layer for obtaining an average reflectivity R 2 is not present, it consisted of the transparent substrate and the underlayer. As a result, the reflectance difference ⁇ R was 0.02%.
  • Example 11 The test piece was the same as that of Example 10 except that the configuration of the underlayer was changed.
  • the underlayer was a silicon oxide layer having a refractive index of 1.47 with respect to light having a wavelength of 500 nm and a thickness of 30 nm.
  • the reflectance difference ⁇ R was calculated in the same manner as in Example 11, the reflectance difference ⁇ R was 1.35%.
  • SYMBOLS 10 Laminated body, 11 ... Transparent base material, 12 ... Underlayer, 13 ... Amorphous indium tin oxide layer, 20 ... Conductive laminated body, 21 ... Crystalline indium tin oxide layer.

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Abstract

　熱処理により結晶質のインジウムスズ酸化物層を得ることができ、かつインジウムスズ酸化物層に形成されたエッチングパターンの視認性を低下させることができる積層体を提供する。　積層体は、透明基材、下地層、およびインジウムスズ酸化物層を有する。下地層は、透明基材上に積層され、珪素、酸素、および窒素を含む。インジウムスズ酸化物層は、下地層上に積層され、非晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなる。積層体は、熱処理温度１５０℃かつ熱処理時間３０分の熱処理後の反射率差ΔＲが１％以下となる。反射率差ΔＲは、インジウムスズ酸化物層が存在する位置での平均反射率Ｒ１［％］と、インジウムスズ酸化物層が存在しない位置での平均反射率Ｒ２［％］との差の絶対値である。

Description

積層体、導電性積層体、および電子機器
　本発明は、積層体、導電性積層体、および電子機器に関する。
　透明導電膜は、導電性と光学的な透明性とを有することから、透明電極、防塵膜、電磁波遮蔽膜として使用されている。近年では、静電容量式のタッチパネル用電極として、透明導電膜が注目されている。透明導電膜として、インジウムスズ酸化物膜が好適に用いられる。
　静電容量式のタッチパネル用電極の場合、エッチングによりインジウムスズ酸化物膜のパターン形成が行われる。このため、インジウムスズ酸化物膜には、エッチング性が良好であることが求められる。また、インジウムスズ酸化物膜には、タッチパネル等としたときの外観が良好となるように、エッチングパターンの視認性が低いことが求められる。さらに、インジウムスズ酸化物膜には、光透過性、導電性、および機械的接触に対する耐久性等が求められる。
　インジウムスズ酸化物膜の製造方法として、基板を加熱しながらスパッタリングを行う方法が知られている。上記方法によれば、結晶質であり、導電性、耐久性が良好なインジウムスズ酸化物膜を製造できる。しかし、結晶質であることから、エッチング性が良好とならない。
　一方、インジウムスズ酸化物膜の製造方法として、室温でスパッタリングを行う方法、水分を導入してスパッタリングを行う方法が知られている。上記方法によれば、非晶質であり、エッチング性が良好であるインジウムスズ酸化物膜を製造できる。しかし、非晶質であることから、導電性、耐久性が良好とならない。
　このような課題を解決するために、非晶質のインジウムスズ酸化物膜を成膜した後、エッチングを行い、さらに熱処理を行って結晶質のインジウムスズ酸化物膜とする方法が知られている。上記方法によれば、エッチング性、導電性、耐久性が良好となる。以下、このような方法を結晶化法と記す。
　一般に、インジウムスズ酸化物膜については、厚さが薄くなるにつれて透過率が高くなることから、エッチングパターンの視認性が低くなる。しかし、結晶化法の場合、厚さが薄くなると熱処理による結晶化が困難となることから、導電性および耐久性が良好にならない。導電性については、インジウムスズ酸化物におけるスズ酸化物の含有割合を高くすることにより向上できる。しかし、スズ酸化物の含有割合がある程度まで高くなると、熱処理による結晶化が困難となるために必ずしも導電性が良好にならない。
　従来、透明導電膜の製造方法として、各種の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、基材と透明導電膜との剥離を抑制するために、基材と透明導電膜との間に下地層を設けることが知られている（例えば、特許文献２、３参照）。
特開２００９－２２４１５２号公報 特開２００２－１９７９２５号公報 特開２００５－０９３３１８号公報
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、熱処理により結晶質のインジウムスズ酸化物層を得ることができ、かつインジウムスズ酸化物層に形成されたエッチングパターンの視認性も低下させることができる積層体の提供を目的とする。また、本発明は、結晶質のインジウムスズ酸化物層を有し、かつインジウムスズ酸化物層に形成されたエッチングパターンの視認性も低い導電性積層体の提供を目的とする。さらに、本発明は、このような導電性積層体を有する電子機器の提供を目的とする。
　本発明の積層体は、透明基材、下地層、およびインジウムスズ酸化物層を有する。下地層は、透明基材上に積層され、珪素、酸素、および窒素を含む。インジウムスズ酸化物層は、下地層上に積層され、非晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなる。本発明の積層体は、熱処理温度１５０℃かつ熱処理時間３０分の熱処理により以下の反射率差ΔＲが１％以下となる。反射率差ΔＲは、透明基材側を光の入射面とし、インジウムスズ酸化物層が存在する位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ１［％］と、インジウムスズ酸化物層が存在しない位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ２［％］との差の絶対値である。
　本発明の導電性積層体は、透明基材、下地層、およびインジウムスズ酸化物層を有する。下地層は、透明基材上に積層され、珪素、酸素、および窒素を含む。インジウムスズ酸化物層は、下地層上に積層され、結晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなる。本発明の導電性積層体は、以下の反射率差ΔＲが１％以下である。反射率差ΔＲは、透明基材側を光の入射面とし、インジウムスズ酸化物層が存在する位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ１［％］と、インジウムスズ酸化物層が存在しない位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ２［％］との差の絶対値である。
　本発明の電子機器は、本発明の導電性積層体を有する。
　本発明では、透明基材と非晶質のインジウムスズ酸化物層との間に、珪素、酸素、および窒素を含む下地層が配置される。この下地層により、熱処理によるインジウムスズ酸化物層の結晶化が良好となる。また、この下地層により、インジウムスズ酸化物層に形成されたエッチングパターンの視認性も低下する。
本発明の積層体の一例を示す断面図。 本発明の導電性積層体の一例を示す断面図。
　図１は、本発明の積層体の一例を示す断面図である。
　積層体１０は、例えば、透明基材１１、下地層１２、および非晶質のインジウムスズ酸化物層１３をこの順に有する。ここで、インジウムスズ酸化物層１３は、熱処理により結晶質のインジウムスズ酸化物層となる。
（透明基材）
　透明基材１１は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ナイロン６、ナイロン６６等のポリアミド、ポリイミド、ポリアリレート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、これらの共重合体の無延伸または延伸されたプラスチックフィルムが好ましい。なお、透明基材１１には、透明性の高い他のプラスチックフィルム、ガラス基材を用いることもできる。透明基材１１は、単層構造でもよいし、２以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。透明基材１１としては、特に、ポリエチレンテレフタレートフィルムが好ましい。
　透明基材１１の一方または両方の表面には、ハードコート層、プライマー層、アンダーコート層等が設けられてもよい。ここで、ハードコート層は、透明基材１１に傷がつきにくくするものである。プライマー層は、有機材料と無機材料との付着力を向上させるものである。アンダーコート層は、インジウムスズ酸化物層１３に形成されたエッチングパターンの視認性を低下させる屈折率調整層等である。また、透明基材１１には、易接着処理、プラズマ処理、コロナ処理等の表面処理が施されてもよい。透明基材１１の厚さは、可撓性、耐久性等の観点から、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２５μｍ以上１８０μｍ以下がより好ましい。
（下地層）
　下地層１２は、インジウムスズ酸化物層１３の結晶化を促進するために設けられる。下地層１２によれば、酸化珪素層（ＳｉＯ２層）、窒化珪素層（Ｓｉ３Ｎ４層）、フッ化マグネシウム層（ＭｇＦ２層）、酸化アルミニウム層（Ａｌ２Ｏ３層）等に比べて、結晶化を大幅に促進できる。特に、インジウムスズ酸化物層１３の厚さが薄い場合、またはインジウムスズ酸化物層１３におけるスズの酸化物換算での割合が多い場合でも、良好に結晶化させることができる。
　下地層１２は、珪素、酸素、および窒素を必須成分として含む。なお、個々の元素の割合は、結晶化を促進する効果、必要とされる屈折率等に応じて適宜選択できる。また、さらに別の元素を含んでもよく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、炭素（Ｃ）を含んでもよい。
　下地層１２が窒素を含むことにより、例えば、酸化珪素からなる下地層に比べて大幅にアルカリ性に対する耐性（以下、アルカリ耐性ともいう）が高まる。これにより、エッチングプロセス等、アルカリ性の薬品中に暴露されるプロセスを経る際に、膜の剥離、欠点等のダメージを抑制することができる。また、下地層１２が窒素を含むことにより、例えば、酸化珪素からなる下地層に比べて硬質になる。これにより、積層体１０の耐擦傷性も向上する。
　インジウム酸化物層１３の熱処後の結晶性と抵抗値の観点から、下地層１２に含まれるＮ２／Ｏ２の分子数の比は０．０３以上１５以下が好ましく、０．０５以上１０以下がさらに好ましく、０．０７以上５以下が特に好ましい。分子数の比は、電子線分光解析や二次イオン質量分析法で測定できる。
　下地層１２の波長５００ｎｍでの屈折率は、１．４８以上が好ましく、１．４９以上がより好ましい。また、下地層１２の波長５００ｎｍでの屈折率は、２．００以下が好ましく、１．９５以下がより好ましく、１．９以下がさらに好ましい。上記した範囲の任意の屈折率は、下地層１２中の珪素、酸素、窒素の割合を調整することによって得られる。下地層１２の屈折率を調整することにより、下地層１２を除いた積層体１０を構成する各層（以下、単に構成層ともいう）の屈折率の大小にかかわらず、構成層全体の屈折率の調整が容易となる。下地層１２の屈折率が上記範囲内の場合、インジウムスズ酸化物層１３に形成されたエッチングパターンの視認性を低下させる効果が大きい。
　下地層１２の厚さは、１ｎｍ以上が好ましい。厚さが１ｎｍ以上の場合、インジウムスズ酸化物層１３の結晶化を促進する効果が大きい。また、厚さが１ｎｍ以上の場合、インジウムスズ酸化物層１３に形成されたエッチングパターンの視認性を低下させる効果が大きい。結晶化の促進およびエッチングパターンの視認性の低下の観点から、下地層１２の厚さは、３ｎｍ以上がより好ましく、５ｎｍ以上がさらに好ましく、７ｎｍ以上が特に好ましい。下地層１２の厚さは、生産性等の観点から、１００ｎｍ以下が好ましく、８０ｎｍ以下がより好ましく、７０ｎｍ以下がさらに好ましい。なお、下地層１２は、単層構造でもよいし、２以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。積層構造の場合は、下地層１２の屈折率は酸化インジウム層１３に接する下地膜層１２の屈折率、厚さは積層構造の下地層１２の全体の膜厚と読み替えればよい。
（インジウムスズ酸化物層）
　インジウムスズ酸化物層１３は、非晶質であり、熱処理により結晶質となる。非晶質であることから、エッチング性が良好となる。また、熱処理により結晶質となることで、耐久性も良好となる。インジウムスズ酸化物層１３には、エッチングによりパターン形成を行って、インジウムスズ酸化物層１３が存在する部分１３ａと、インジウムスズ酸化物層１３が存在しない部分１３ｂとを設けてもよい。なお、インジウムスズ酸化物層１３は、単層構造を有するものでもよいし、２以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。インジウムスズ酸化物層１３は、熱処理による結晶化が良好となることから、下地層１２に接触することが好ましい。
　なお、非晶質、結晶質は、抵抗変化率の大きさで区別できる。まず、ＨＣｌ溶液（濃度１．５ｍｏｌ／Ｌ）に評価対象物を５分間浸漬する。浸漬前後のシート抵抗から、抵抗変化率（浸漬後のシート抵抗／浸漬前のシート抵抗）を求める。抵抗変化率が２００％以下のものを結晶質とし、抵抗変化率が２００％を超えるものを非晶質とする。抵抗変化率が２００％以下では、結晶質部分と非結晶質部分とが混在した状態になっており、抵抗変化率が１００％程度では全体がほぼ結晶化している。
　インジウムスズ酸化物層１３は、インジウムおよびスズの酸化物であるインジウムスズ酸化物から主としてなる。インジウムスズ酸化物を構成する酸化物としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムと酸化スズの複合酸化物などが挙げられる。
　インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算（ＳｎＯ２、以下同様）で５質量％以上１７質量％以下含有することが好ましい。スズを酸化物換算で５質量％以上含有する場合、結晶化したときのシート抵抗が低くなる。一方、スズを酸化物換算で１７質量％以下含有する場合、結晶化が容易となる。インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で、６質量％以上含有することがより好ましく、７質量％以上含有することがさらに好ましく、８質量％以上含有することが特に好ましい。また、インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で、１５質量％以下含有することがより好ましい。
　インジウムスズ酸化物層１３は、インジウムスズ酸化物のみからなることが好ましいが、必要に応じて、かつ本発明の趣旨に反しない限度において、インジウムスズ酸化物以外の成分を含有できる。インジウムスズ酸化物以外の成分としては、例えば、アルミニウム、ジルコニウム、ガリウム、ケイ素、タングステン、亜鉛、チタン、マグネシウム、セリウム、ゲルマニウム等の酸化物が挙げられる。インジウムスズ酸化物層１３におけるインジウムスズ酸化物以外の成分の含有量は、インジウムスズ酸化物層１３の全体中、１０質量％以下であり、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が特に好ましい。
　インジウムスズ酸化物層１３の厚さは、１０ｎｍ以上が好ましい。厚さが１０ｎｍ以上の場合、結晶化が良好になるとともに、結晶化後のシート抵抗も低くなる。結晶化およびシート抵抗の観点から、厚さは１５ｎｍ以上がより好ましい。一方、成膜時間が短くなり、かつ透過率が高くなることから、厚さは、４０ｎｍ以下が好ましい。成膜時間、透過率、反射率差ΔＲの観点から、厚さは３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。
　インジウムスズ酸化物層１３は、熱処理により結晶化される。熱処理は、通常、大気中で行うことができる。インジウムスズ酸化物層１３の結晶化が良好となることから、熱処理温度は１００℃以上が好ましく、熱処理時間は３分以上が好ましい。一方、透明基材１１の損傷が抑制され、かつ生産性も良好となることから、熱処理温度は１７０℃以下が好ましく、熱処理時間は１８０分以下が好ましい。
　積層体１０は、熱処理によってインジウム酸化物層１３が結晶化したときの以下の反射率差ΔＲが１％以下になることが好ましい。熱処理条件としては、例えば、熱処理温度が１５０℃であり、熱処理時間が３０分である。熱処理後の反射率差ΔＲが１％以下になる場合、インジウムスズ酸化物層１３に形成されたエッチングパターンの視認性が十分に低下する。熱処理後の反射率差ΔＲは、０．７％以下がより好ましい。
　反射率差ΔＲは、熱処理後の積層体１０について、透明基材１１側を光の入射面とし、インジウムスズ酸化物層１３が存在する位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ１［％］と、インジウムスズ酸化物層１３が存在しない位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ２［％］との差の絶対値（ΔＲ＝｜Ｒ１－Ｒ２｜）である。インジウムスズ酸化物層１３が存在しない場合でも、エッチングパターンの視認性や、アルカリ耐性、耐擦傷性の観点から、下地層１２は存在することが好ましい。
　反射率差ΔＲの調整は、熱処理後の各層の厚さ、屈折率等の調整により行うことができ、特に下地層１２の厚さ、屈折率等の調整により行うことができる。既に説明したように、下地層１２は、構成元素の割合により、屈折率が大幅に変化する。これにより、下地層１２を除いた構成層の屈折率の大小にかかわらず、構成層全体の屈折率を容易に調整できる。
　次に、導電性積層体２０について説明する。
　図２は、導電性積層体２０の一例を示す断面図である。導電性積層体２０は、積層体１０を熱処理して得られる。導電性積層体２０は、例えば、透明基材１１、下地層１２、および結晶質のインジウムスズ酸化物層２１を順に有する。透明基材１１および下地層１２は、積層体１０における透明基材１１および下地層１２と同様である。
　インジウムスズ酸化物層２１は、結晶質であることから、耐久性が良好となる。インジウムスズ酸化物層２１には、エッチングによるパターン形成により、インジウムスズ酸化物層２１が存在する部分２１ａと、インジウムスズ酸化物層２１が存在しない部分２１ｂとが設けられていてもよい。エッチングパターンとしては、多数の透明電極等が挙げられる。インジウムスズ酸化物層２１は、結晶化が良好となることから、下地層１２に接触することが好ましい。
　インジウムスズ酸化物層２１は、インジウムおよびスズの酸化物であるインジウムスズ酸化物から主としてなる。インジウムスズ酸化物を構成する酸化物としては、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムと酸化スズの複合酸化物などが挙げられる。なお、インジウムスズ酸化物層２１は、単層構造でもよいし、２以上の組成が異なる層を有する積層構造でもよい。
　インジウムスズ酸化物層２１の比抵抗は、２．８×１０－４Ω・ｃｍ以下が好ましい。上記比抵抗の場合、電子機器に好適なものとなる。比抵抗は、２．４×１０－４Ω・ｃｍ以下が好ましく、２．３×１０－４Ω・ｃｍ以下がより好ましい。
　インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で５質量％以上１７量％以下含有することが好ましい。スズを酸化物換算で５質量％以上含有する場合、比抵抗が低くなる。一方、スズを酸化物換算で１７質量％以下含有する場合、結晶化が良好となる。インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で、６質量％以上含有することがより好ましく、７質量％以上含有することがさらに好ましく、８質量％以上含有することが特に好ましい。また、インジウムスズ酸化物は、スズを酸化物換算で、１５質量％以下含有することがより好ましい。
　インジウムスズ酸化物層２１は、インジウムスズ酸化物のみからなることが好ましいが、必要に応じて、かつ本発明の趣旨に反しない限度において、インジウムスズ酸化物以外の成分を含有できる。インジウムスズ酸化物以外の成分としては、例えば、アルミニウム、ジルコニウム、ガリウム、ケイ素、タングステン、亜鉛、チタン、マグネシウム、セリウム、ゲルマニウム等の酸化物が挙げられる。インジウムスズ酸化物層２１におけるインジウムスズ酸化物以外の成分の含有量は、インジウムスズ酸化物層２１の全体中、１０質量％以下であり、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が特に好ましい。
　インジウムスズ酸化物層２１の厚さは、１０ｎｍ以上が好ましい。厚さが１０ｎｍ以上の場合、結晶化が良好になるとともに、シート抵抗も低くなる。結晶化およびシート抵抗の観点から、厚さは１５ｎｍ以上がより好ましい。一方、成膜時間が短くなり、かつ透過率が高くなることから、厚さは、４０ｎｍ以下が好ましい。成膜時間、透過率、反射率差ΔＲの観点から、厚さは３５ｎｍ以下がより好ましく、３０ｎｍ以下がさらに好ましい。
　導電性積層体２０は、以下の反射率差ΔＲが１％以下であることが好ましい。反射率差ΔＲが１％以下の場合、インジウムスズ酸化物層２１に形成されたエッチングパターンの視認性が十分に低くなる。反射率差ΔＲは、０．７％以下が好ましい。
　反射率差ΔＲは、透明基材１１側を光の入射面とし、インジウムスズ酸化物層２１が存在する位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ１［％］と、インジウムスズ酸化物層２１が存在しない位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ２［％］との差の絶対値（ΔＲ＝｜Ｒ１－Ｒ２｜）である。インジウムスズ酸化物層２１が存在しない場合でも、エッチングパターンの視認性や、アルカリ耐性、耐擦傷性の観点から、下地層１２は存在することが好ましい。
　反射率差ΔＲの調整は、各層の厚さ、屈折率等の調整により行うことができ、特に下地層１２の厚さ、屈折率等の調整により行うことができる。既に説明したように、下地層１２は、構成元素の割合により、屈折率が大幅に変化する。これにより、下地層１２を除いた構成層の屈折率の大小にかかわらず、構成層全体の屈折率を容易に調整できる。
　導電性積層体２０は、電子機器に好適に用いられ、例えば、表示部とこの表示部の前面に配置されるタッチパネルとを有する電子機器に好適に用いられる。特に、導電性積層体２０は、タッチパネルにおける透明電極を有する基板として用いられる。タッチパネルとしては、上下の電極が接触することでタッチ位置を特定する抵抗膜式、静電容量の変化を感知する静電容量結合方式が挙げられる。
　次に、積層体１０、導電性積層体２０の製造方法について説明する。
　積層体１０は、透明基材１１上に、下地層１２を形成した後、インジウムスズ酸化物層１３を成膜して製造できる。成膜方法は、必ずしも限定されず、スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法を適用でき、特にスパッタリング法が好ましい。
　下地層１２は、例えば、珪素から主としてなるスパッタリングターゲットを用いたスパッタリングにより成膜する。この際、以下のように導入ガスの割合を調整することが好ましい。
　まず、アルゴンガスと酸素ガスとを導入して、プレスパッタリングを行うことが好ましい。この際、スパッタリングの状態が金属モードまたは遷移モードとなるように、アルゴンガスと酸素ガスとの割合を調整することが好ましい。ここで、金属モード、遷移モードは、酸素不足により可視光に吸収を有する膜が形成されるべき状態である。酸素ガスの割合は、アルゴンガスと酸素ガスとの合計量に対して、０．１体積％以上が好ましく、０．３体積％以上がより好ましく、０．５体積％以上がさらに好ましい。また、酸素ガスの割合は、アルゴンガスと酸素ガスとの合計量に対して、３０体積％以下が好ましく、２０体積％以下がより好ましく、１０体積％以下がさらに好ましい。
　次に、アルゴンガスと酸素ガスとの割合を上記割合に維持したまま窒素ガスを導入して、すなわち、アルゴンガス、酸素ガス、および窒素ガスを導入してスパッタリングを行うことが好ましい。この際、スパッタリングの状態が反応モードとなるように、アルゴンガスと窒素ガスとの割合を調整することが好ましい。反応モードは、珪素、酸素、および窒素が反応して、可視光に透明性を有する膜が成膜されるべき状態である。窒素ガスの割合は、アルゴンガスと窒素ガスとの合計量に対して、３０体積％以上が好ましく、４０体積％以上がより好ましく、４５体積％以上がさらに好ましい。また、窒素ガスの割合は、アルゴンガスと窒素ガスとの合計量に対して、５０体積％未満が好ましく、４９．７体積％以下がより好ましく、４９．５体積％以下がさらに好ましい。
　このように、アルゴンガスと酸素ガスとを導入したときに、金属モードまたは遷移モードとなるようにアルゴンガスと酸素ガスとの割合を調整し、さらに、アルゴンガス、酸素ガス、および窒素ガスを導入したときに、反応モードとなるようにアルゴンガスと窒素ガスとの割合を調整することが好ましい。このような方法によれば、インジウムスズ酸化物層１３の結晶化を促進する効果が大きい下地層１２を形成できる。
　インジウムスズ酸化物層１３は、例えば、インジウムスズ酸化物からなるスパッタリングターゲットを用い、スパッタリング法により成膜する。スパッタリングターゲットは、インジウムスズ酸化物中、スズを酸化物換算で５質量％以上１７質量％以下含有することが好ましい。スパッタリングターゲットにおけるインジウムスズ酸化物は、酸化スズ（ＳｎＯ２）と酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）とを混合し焼結された焼結体からなることが好ましい。
　インジウムスズ酸化物層１３の成膜は、例えば、アルゴンガスに、０．５体積％以上１０体積％以下、好ましくは０．８体積％以上６体積％以下の酸素ガスを混合した混合ガスを導入しながらスパッタリングを行うことが好ましい。このような混合ガスを導入しながらスパッタリングを行うことで、非晶質であり、熱処理による結晶化が容易で、結晶化後の比抵抗が低いものを成膜できる。
　導電性積層体２０は、積層体１０を熱処理して得られる。熱処理は、通常、大気中で行うことができる。インジウムスズ酸化物層１３の結晶化が良好となることから、熱処理温度は１００℃以上が好ましく、熱処理時間は３分以上が好ましい。一方、透明基材１１の損傷が抑制され、かつ生産性も良好となることから、熱処理温度は１７０℃以下が好ましく、熱処理時間は１８０分以下が好ましい。
　以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。例１～５が本発明の実施例、例６～９が本発明の比較例である。なお、本発明はこれらの例によって限定されない。また、各層の厚さは、光学特性、または成膜速度と基材の搬送速度とから求められるものであり、実際に測定されたものではない。
（例１）
　透明基材として、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に易接着処理が施されたものを用意した。この透明基材上に、下地層として酸窒化珪素膜（ＳｉＯｘＮｙ膜）を形成した。下地層の厚さは、１０ｎｍである。下地層の屈折率は、１．４９である。屈折率は、波長５００ｎｍでの値であり、エリプソメトリーにより測定した。
　なお、下地層は、以下のように形成した。まず、ボロンドープシリコンターゲットを用い、アルゴンガスおよび酸素ガスを導入して、ＤＣパルス電源によりプレスパッタリングを行った。アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合は５体積％である。このときのスパッタリングの状態は、金属モードまたは遷移モードである。
　その後、上記のアルゴンガスおよび酸素ガスに加えて、窒素ガスを導入した。この際、アルゴンガスおよび窒素ガスの合計量に対する窒素ガスの割合は４５体積％とした。なお、アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合はプレスパッタリングと同様（５体積％のまま）とした。このときのスパッタリングの状態は、反応モードである。
　アルゴンガス、酸素ガス、および窒素ガスを上記条件で導入しながらスパッタリングを継続して、透明基材上に下地層を形成した。下地層の厚さは、スパッタレートおよび透明基材の搬送速度により調整した。
　下地層の形成後、下地層上に厚さ２５ｎｍの非晶質のインジウムスズ酸化物層（ＩＴＯ層）を形成して試験片とした。ＩＴＯ層の形成は、スズを酸化物換算で１０質量％含有するインジウムスズ酸化物からなるターゲット（１０質量％の酸化スズ（ＳｎＯ２）と９０質量％の酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）とを混合して焼結させたターゲット）を用いて、アルゴンガスおよび酸素ガスを導入して、ＤＣ電源によりスパッタリングを行った。アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合は１体積％である。ＩＴＯ層の厚さは、スパッタレートおよび透明基材等の搬送速度により調整した。
（例２）
　下地層の形成条件を変更して、下地層の屈折率を１．５９に変更した以外は、例１と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片とした。なお、下地層の形成条件は以下の通りである。プレスパッタリング時のアルゴンガスおよび酸素ガスの導入では、アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合を２体積％とした。このときのスパッタリングの状態は、金属モードまたは遷移モードである。その後のスパッタリング時の、アルゴンガス、酸素ガス、および窒素ガスの導入では、アルゴンガスおよび窒素ガスの合計量に対する窒素ガスの割合を４８体積％とした。なお、アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合はプレスパッタリングと同様とした。このときのスパッタリングの状態は、反応モードである。
（例３）
　下地層の形成条件を変更して、下地層の屈折率を１．８０に変更した以外は、例１と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片とした。なお、下地層の形成条件は以下の通りである。プレスパッタリング時のアルゴンガスおよび酸素ガスの導入では、アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合を１体積％とした。このときのスパッタリングの状態は、金属モードまたは遷移モードである。その後のスパッタリング時の、アルゴンガス、酸素ガス、および窒素ガスの導入では、アルゴンガスおよび窒素ガスの合計量に対する窒素ガスの割合を４９体積％とした。なお、アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合はプレスパッタリングと同様とした。このときのスパッタリングの状態は、反応モードである。
（例４）
　下地層の形成条件を変更して、下地層の屈折率を１．９５に変更した以外は、例１と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片とした。なお、下地層の形成条件は以下の通りである。プレスパッタリング時のアルゴンガスおよび酸素ガスの導入では、アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合を０．５体積％とした。このときのスパッタリングの状態は、金属モードまたは遷移モードである。その後のスパッタリング時の、アルゴンガス、酸素ガス、および窒素ガスの導入では、アルゴンガスおよび窒素ガスの合計量に対する窒素ガスの割合を４９．５体積％とした。なお、アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合はプレスパッタリングと同様とした。このときのスパッタリングの状態は、反応モードである。
（例５）
　ＩＴＯ層の厚さを２０ｎｍに変更した以外は、例１と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片とした。
（例６）
　下地層を酸化珪素膜（ＳｉＯ２膜）に変更した以外は、例１と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片とした。なお、ＳｉＯ２膜の形成は、ボロンドープシリコンターゲットを用いて、アルゴンガスおよび酸素ガスを導入して、ＤＣパルス電源によりスパッタリングを行った。アルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合は５０体積％とした。このときのスパッタリングの状態は、反応モードである。下地層の屈折率は１．４７である。
（例７）
　下地層を酸化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）に変更した以外は、例１と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片とした。なお、Ｓｉ３Ｎ４膜の形成は、ボロンドープシリコンターゲットを用いて、アルゴンガスおよび窒素ガスを導入して、ＤＣパルス電源によりスパッタリングを行った。アルゴンガスおよび窒素ガスの合計量に対する窒素ガスの割合は５０体積％とした。このときのスパッタリングの状態は、反応モードである。下地層の屈折率は２．０４である。
（例８）
　下地層を酸化アルミニウム膜（Ａｌ２Ｏ３膜）に変更した以外は、例１と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片とした。なお、Ａｌ２Ｏ３膜の形成は、純アルミニウムターゲットを用いて、アルゴンガスおよび窒素ガスを導入して、ＤＣパルス電源によりスパッタリングを行った。アルゴンガスおよび窒素ガスの合計量に対する窒素ガスの割合は５０体積％とした。このときのスパッタリングの状態は、反応モードである。下地層の屈折率は２．０４である。
（例９）
　ＩＴＯ層の厚さを２０ｎｍに変更した以外は、例６と同様にして下地層およびＩＴＯ層を形成して試験片を製造した。
　次に、各例の試験片について、大気中、１５０℃、３０分間の熱処理を行った。熱処理後の試験片について、以下の評価を行った。結果を表１に示す。なお、表中、例１～５の流量比（酸素）は、プレスパッタリング時のアルゴンガスおよび酸素ガスの導入時のアルゴンガスおよび酸素ガスの合計量に対する酸素ガスの割合である。また、表中、例１～５の流量比（窒素）は、その後のスパッタリング時の、アルゴンガス、酸素ガス、および窒素ガスの導入時のアルゴンガスおよび窒素ガスの合計量に対する窒素ガスの割合である。
［シート抵抗、比抵抗］
　熱処理前と熱処理後の試験片を１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさに切断し、ホール効果測定システム（Nanometrics社、型式：ＨＬ５５００ＰＣ）を用いて、ＩＴＯ層のシート抵抗を測定した。このシート抵抗を用いて、下記式（１）によりＩＴＯ層の比抵抗を求めた。
　比抵抗［Ω・ｃｍ］＝シート抵抗値［Ω／□］×ＩＴＯ層の厚さ［ｃｍ］　　……（１）
［抵抗変化率］
　熱処理後の試験片をＨＣｌ溶液（濃度１．５ｍｏｌ／Ｌ）に５分間浸漬した。浸漬前後のＩＴＯ層のシート抵抗から、抵抗変化率（浸漬後のシート抵抗／浸漬前のシート抵抗×１００［％］）を求めた。抵抗変化率は、ＩＴＯ層が結晶質でエッチング速度が遅くなると１００％に近くなる。一方、抵抗変化率は、ＩＴＯ層が非晶質でエッチング速度が速くなると２００％を超えて大きくなる。なお、熱処理前の試験片についても、同様にしてＩＴＯ層の抵抗値変化率を測定した。その結果、いずれも抵抗変化率が２００％を超え、非晶質であることが確認された。なお、シート抵抗は、上記方法により測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　例１～５のように、珪素、酸素、および窒素を含む下地層を有する場合、熱処理後のＩＴＯ層の抵抗変化率が小さくなり、ＩＴＯ層が十分に結晶化している。また、上記下地層を有する場合、熱処理後のＩＴＯ層のシート抵抗も小さくなる。特に、例５のようにＩＴＯ層が薄い場合でも、ＩＴＯ層が十分に結晶化され、シート抵抗が小さくなる。また、上記下地層の場合、１．４９以上１．９５以下の広い範囲の屈折率が得られる。従って、ＩＴＯ層にエッチングパターンが形成されている場合、他の層と合わせてＩＴＯ層に形成されたエッチングパターンの視認性を低下させることが容易となる。
　さらに、シート抵抗を下げる効果が認められた例１～５の下地層１２を光電子分光分析で組成分析を行った。その結果、例１～５の下地層１２のＮ２/Ｏ２の分子数の比は０．０５以上かつ３．６以下であった。例えば、例１のＮ２/Ｏ２の分子数比は０．０６、例２のＮ２/Ｏ２の分子数比は０．０７、例３のＮ２/Ｏ２の分子数比は１．４、例４のＮ２/Ｏ２の分子数比は３．６であった。
　次に、下記の試験片を仮定して、ＩＴＯ層に形成されたエッチングパターンの視認性を計算により評価した。なお、例１０が本発明の実施例であり、例１１が本発明の比較例である。
（例１０）
　透明基材は、波長５００ｎｍの光に対する屈折率が１．５３で、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムとした。この透明基材上に、アンダーコート層として、酸化チタンフィラーを含有するウレタンアクリルレートを１μｍの厚さに積層した。アンダーコート層は、波長５００ｎｍの光に対する屈折率が１．５５である。
　このアンダーコート層上に、波長５００ｎｍの光に対する屈折率が１．７０である第１の酸窒化珪素層を厚さが４７ｎｍとなるように積層した。さらに、この第１の酸窒化珪素層上に、波長５００ｎｍの光に対する屈折率が１．５０である第２の酸窒化珪素層を厚さが２０ｎｍとなるように積層した。ここで、下地層は、第１の酸窒化珪素層と第２の酸窒化珪素層とから構成される。この下地層上に波長５００ｎｍの光に対する屈折率が１．８３のＩＴＯ層を厚さが２５ｎｍとなるように積層した。
　このような試験片について、反射率差ΔＲを計算した。計算は、光源と試験片との間、および試験片と測定器との間が真空（屈折率が１）であるとし、試験片の表面の法線と光の進行方向とのなす角度が０度で、試験片に対して透明基材側から光が入射すると仮定した。なお、平均反射率Ｒ２を求めるためのＩＴＯ層が存在しない部分は、透明基材と下地層とからなるものとした。その結果、反射率差ΔＲは０．０２％であった。
（例１１）
　下地層の構成を変更した以外は例１０と同様の試験片とした。下地層は、波長５００ｎｍの光に対する屈折率が１．４７であり、かつ厚さが３０ｎｍである酸化珪素層とした。例１１と同様に反射率差ΔＲを計算したところ、反射率差ΔＲは１．３５％であった。
　１０…積層体、１１…透明基材、１２…下地層、１３…非晶質のインジウムスズ酸化物層、２０…導電性積層体、２１…結晶質のインジウムスズ酸化物層。

Claims (9)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材上に積層され、珪素、酸素、および窒素を含む下地層と、
    　前記下地層上に積層され、非晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなるインジウムスズ酸化物層とを有し、
    　熱処理温度１５０℃かつ熱処理時間３０分の熱処理後、前記透明基材側を光の入射面としたとき、前記インジウムスズ酸化物層が存在する位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ１［％］と、前記インジウムスズ酸化物層が存在しない位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ２［％］との差の絶対値である反射率差ΔＲが１％以下となる積層体。
  2. 　前記下地層と前記インジウムスズ酸化物層とが接触する請求項１記載の積層体。
  3. 　前記インジウムスズ酸化物層は、４０ｎｍ以下の厚さを有する請求項１または２記載の積層体。
  4. 　前記インジウムスズ酸化物層は、スズを酸化物換算で５質量％以上１７質量％以下含有する請求項１乃至３のいずれか１項記載の積層体。
  5. 　透明基材と、
    　前記透明基材上に積層され、珪素、酸素、および窒素を含む下地層と、
    　前記下地層上に積層され、結晶質のインジウムスズ酸化物から主としてなるインジウムスズ酸化物層とを有し、
    　前記透明基材側を光の入射面としたとき、前記インジウムスズ酸化物層が存在する位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ１［％］と、前記インジウムスズ酸化物層が存在しない位置での波長４８０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下における平均反射率Ｒ２［％］との差の絶対値である反射率差ΔＲが１％以下である導電性積層体。
  6. 　前記下地層と前記インジウムスズ酸化物層とが接触する請求項５記載の積層体。
  7. 　前記インジウムスズ酸化物層は、４０ｎｍ以下の厚さを有する請求項５または６記載の導電性積層体。
  8. 　前記インジウムスズ酸化物層は、スズを酸化物換算で５質量％以上１７質量％以下含有する請求項５乃至７のいずれか１項記載の導電性積層体。
  9. 　請求項５乃至８のいずれか１項記載の導電性積層体を有する電子機器。
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