WO2015141504A1 - 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a radiation sensitive resin composition, a resist pattern forming method, a radiation sensitive acid generator and a compound.
- a resist pattern forming method by photolithography is used to form structures of various electronic devices such as semiconductor devices and liquid crystal devices.
- a radiation sensitive resin composition or the like is used for this resist pattern formation.
- the radiation sensitive resin composition generates an acid in the exposed area by irradiation with radiation such as deep ultraviolet rays and electron beams, and the catalytic action of this acid causes a difference in the dissolution rate in the developer between the exposed area and the unexposed area.
- the resist pattern is formed on the substrate.
- the radiation-sensitive resin composition is required to improve resolution and rectangularity of the cross-sectional shape of the resist pattern.
- the types and molecular structures of polymers, acid generators, and other components used in the composition have been studied in detail, and further their combinations have been studied in detail (Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-125907). JP-A-8-146610 and JP-A-2000-298347).
- the present invention has been made on the basis of the circumstances as described above, and the purpose thereof is LWR performance, CDU performance, resolution, rectangularity of a cross-sectional shape, depth of focus, exposure margin, MEEF performance and sensitivity (
- LWR performance and the like the radiation-sensitive resin composition excellent in “LWR performance and the like”.
- the invention made to solve the above problems is a polymer having a structural unit containing an acid-dissociable group (hereinafter also referred to as “structural unit (I)”) (hereinafter also referred to as “[A] polymer”). And a radiation sensitive acid generator (hereinafter also referred to as “[B] acid generator”), wherein the radiation sensitive acid generator contains a compound represented by the following formula (A): It is a resin composition.
- R x represents a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members, and —O—, —COO—, —OCOO between the carbon and carbon of the alicyclic hydrocarbon group.
- R t and R y are bonded to the same carbon atom on the ring structure of the alicyclic hydrocarbon group and the aliphatic heterocyclic group, or bonded to two carbon atoms adjacent to each other.
- R S is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon having 1 to 20 carbon atoms Or a monovalent oxyhydrocarbon group having a carbon number of 1 ⁇ 20 .R t, the .R y is a carbon atom, is .k a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms, 1 to 3
- the plurality of R x may be the same or different, and the plurality of R y may be the same or different.
- R F1 , R F2 and R F3 are independent of each other.
- Another invention made in order to solve the above-mentioned problems comprises a step of forming a resist film, a step of exposing the resist film, and a step of developing the exposed resist film, It is the resist pattern formation method formed with a conductive resin composition.
- Still another invention made to solve the above problems is a radiation-sensitive acid generator comprising a compound represented by the above formula (A).
- Still another invention made to solve the above problems is a compound represented by the above formula (A).
- the “alicyclic hydrocarbon group” means a hydrocarbon group containing only an alicyclic structure and not containing an aromatic ring structure, and includes a monocyclic alicyclic hydrocarbon group and a polycyclic alicyclic hydrocarbon. Includes both groups.
- the “aliphatic heterocyclic group” refers to a group that does not include an aromatic ring structure but includes only a ring structure that includes a carbon atom and atoms other than carbon atoms as ring-constituting atoms.
- the “hydrocarbon group” includes a chain hydrocarbon group, an alicyclic hydrocarbon group, and an aromatic hydrocarbon group.
- the “hydrocarbon group” may be a saturated hydrocarbon group or an unsaturated hydrocarbon group.
- chain hydrocarbon group refers to a hydrocarbon group that does not include a cyclic structure but includes only a chain structure, and includes both a linear hydrocarbon group and a branched hydrocarbon group.
- Aromatic hydrocarbon group refers to a hydrocarbon group containing an aromatic ring structure as a ring structure. However, it is not necessary to be composed only of an aromatic ring structure, and a part thereof may include a chain structure or an alicyclic structure.
- Organic group refers to a group containing at least one carbon atom.
- the radiation-sensitive resin composition and the resist pattern forming method of the present invention while exhibiting excellent depth of focus, exposure margin, MEEF performance, and sensitivity, LWR performance, CDU performance, resolution, and rectangular shape in cross section A resist pattern having excellent properties can be formed.
- the radiation sensitive acid generator of this invention can be used suitably as a component of the said radiation sensitive resin composition.
- the compound of the present invention can be suitably used as the radiation sensitive acid generator. Therefore, these can be suitably used for manufacturing processes of semiconductor devices, for which miniaturization is expected to progress further in the future.
- the radiation sensitive resin composition contains a [A] polymer and a [B] acid generator.
- the radiation-sensitive resin composition has, as a suitable component, an acid generator other than the above [B] acid generator (hereinafter also referred to as “[B ′] other acid generator”), [D]. It may contain a nitrogen atom-containing compound (hereinafter also referred to as “[D] compound”), [E] fluorine atom-containing polymer and [F] solvent, and within the range not impairing the effects of the present invention.
- An optional component may be contained. Hereinafter, each component will be described.
- the polymer is a polymer having the structural unit (I).
- the acid-dissociable group of the [A] polymer in the exposed portion is dissociated by the acid generated from the [B] acid generator or the like upon irradiation with radiation, so that the exposed portion and the unexposed portion are exposed. And a difference in solubility in the developer occurs, and as a result, a resist pattern can be formed.
- the “acid-dissociable group” refers to a group that replaces a hydrogen atom such as a carboxy group or a hydroxy group and dissociates by the action of an acid.
- the polymer is at least selected from the group consisting of a structural unit represented by the following formula (3-1) and a structural unit represented by (3-2) in addition to the structural unit (I).
- One type hereinafter also referred to as “structural unit (II)”
- structural unit (III) a structural unit represented by the following formula (4)
- structural unit (I) to You may have other structural units other than (III).
- the polymer may have one or more of each structural unit. Hereinafter, each structural unit will be described.
- the structural unit (I) is a structural unit containing an acid dissociable group.
- Examples of the structural unit (I) include a structural unit represented by the following formula (2-1) (hereinafter also referred to as “structural unit (I-1)”), and a structure represented by the following formula (2-2).
- a unit hereinafter also referred to as “structural unit (I-2)”).
- R 8 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
- Y 1 is a monovalent acid dissociable group.
- R 8 ′ is a hydrogen atom or a methyl group.
- Y 2 is a monovalent acid dissociable group.
- R 8 is preferably a hydrogen atom or a methyl group, more preferably a methyl group, from the viewpoint of copolymerization of the monomer that gives the structural unit (I-1).
- the monovalent acid-dissociable group represented by Y preferably a group represented by the following formula (Y-1).
- R e1 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
- R e2 and R e3 are each independently a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, or these groups are An alicyclic structure having 3 to 20 ring members composed of carbon atoms bonded to each other and bonded thereto is represented.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R e1 include a chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms. And an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.
- Examples of the monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R e1 , R e2 and R e3 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an i-propyl group, and n-butyl.
- Group, alkyl group such as i-butyl group, sec-butyl group, t-butyl group and n-pentyl group; Alkenyl groups such as ethenyl group, propenyl group, butenyl group, pentenyl group;
- Examples include alkynyl groups such as ethynyl group, propynyl group, butynyl group, and pentynyl group.
- an alkyl group is preferable, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, a methyl group, an ethyl group, and an i-propyl group are more preferable, and an ethyl group is particularly preferable.
- Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by R e1 , R e2 and R e3 include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a cyclooctyl group.
- a monocyclic cycloalkyl group A polycyclic cycloalkyl group such as a norbornyl group, an adamantyl group, a tricyclodecyl group, a tetracyclododecyl group; A monocyclic cycloalkenyl group such as a cyclopropenyl group, a cyclobutenyl group, a cyclopentenyl group, a cyclohexenyl group; And polycyclic cycloalkenyl groups such as a norbornenyl group and a tricyclodecenyl group.
- a monocyclic cycloalkyl group and a polycyclic cycloalkyl group are preferable, and a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group are more preferable.
- Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms represented by R e1 include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, a mesityl group, a naphthyl group, a methylnaphthyl group, an anthryl group, and a methylanthryl group.
- Aryl groups such as groups; Examples include aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group, and anthrylmethyl group.
- Examples of the alicyclic structure having 3 to 20 ring members composed of the carbon atoms to which R e2 and R e3 are combined with each other include a cyclopropane structure, a cyclobutane structure, a cyclopentane structure, a cyclohexane structure, a cyclooctane structure, etc.
- a monocyclic cycloalkane structure of Polycyclic cycloalkane structures such as norbornane structure, adamantane structure, tricyclodecane structure and tetracyclododecane structure;
- Monocyclic cycloalkene structures such as cyclopropene structure, cyclobutene structure, cyclopentene structure, cyclohexene structure, cyclooctene structure; Examples thereof include polycyclic cycloalkene structures such as a norbornene structure, a tricyclodecene structure, and a tetracyclododecene structure.
- a monocyclic cycloalkane structure and a polycyclic cycloalkane structure are preferable, a monocyclic cycloalkane structure having 5 to 8 carbon atoms and a polycyclic cycloalkane structure having 7 to 12 carbon atoms are more preferable, A cyclopentane structure, a cyclohexane structure, a cyclooctane structure, a norbornane structure and an adamantane structure are more preferred, and a cyclopentane structure and an adamantane structure are particularly preferred.
- Examples of the group represented by the formula (Y-1) include carbon atoms to which R e1 is a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, and R e2 and R e3 are combined with each other.
- An alicyclic structure having 3 to 20 ring members composed of atoms, R e1 is a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and R e2 and R e3 are 1 to C atoms 10 is preferably a monovalent chain hydrocarbon group, R e1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R e2 and R e3 are combined with each other and constituted by carbon atoms to which they are bonded.
- R e1 is a cycloalkyl group having 3 to 20 carbon atoms
- R e2 and R e3 are alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms
- R e1 is an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
- More preferred are 1-ethyl-1-cyclopentyl group, 2-ethyl-2-adamantyl group, 2-methyl-2-adamantyl group and 2-adamantyl-2-propyl group.
- R 8 ′ is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of the copolymerizability of the monomer giving the structural unit (I-2).
- the monovalent acid-dissociable group represented by Y 2 preferably a group represented by the following formula (Y-2).
- R e4 , R e5 and R e6 are each independently a hydrogen atom, a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent group having 3 to 20 carbon atoms.
- R e4 , R e5 and R e6 are not simultaneously hydrogen atoms.
- Examples of the monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R e4 , R e5 and R e6 include groups similar to those exemplified as R e1 , R e2 and R e3 above. Can be mentioned. Among these, an alkyl group is preferable, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, a methyl group, an ethyl group, and an n-propyl group are more preferable, and a methyl group is particularly preferable.
- Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by R e4 , R e5 and R e6 include groups similar to those exemplified as R e1 , R e2 and R e3 above. Is mentioned. Among these, a monocyclic cycloalkyl group and a polycyclic cycloalkyl group are preferable, and a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, a norbornyl group, and an adamantyl group are more preferable.
- Examples of the monovalent oxy-chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R e4 , R e5 and R e6 include, for example, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group, n- Alkoxy groups such as butoxy, i-butoxy, sec-butoxy, t-butoxy and n-pentyloxy; Alkenyloxy groups such as ethenyloxy group, propenyloxy group, butenyloxy group, pentenyloxy group; Examples include alkynyloxy groups such as ethynyloxy group, propynyloxy group, butynyloxy group, and pentynyloxy group. Among these, an alkoxy group is preferable, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms is preferable, and a methoxy group, an ethoxy group, and an n-propoxy group are more preferable.
- Examples of the monovalent oxyalicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by R e4 , R e5 and R e6 include a cyclopropyloxy group, a cyclobutyloxy group, a cyclopentyloxy group and a cyclohexyloxy group.
- a monocyclic cycloalkyloxy group such as cyclooctyloxy group;
- a polycyclic cycloalkyloxy group such as a norbornyloxy group, an adamantyloxy group, a tricyclodecyloxy group, a tetracyclododecyloxy group;
- a monocyclic cycloalkenyloxy group such as a cyclopropenyloxy group, a cyclobutenyloxy group, a cyclopentenyloxy group, a cyclohexenyloxy group; Examples thereof include polycyclic cycloalkenyloxy groups such as norbornenyloxy group and tricyclodecenyloxy group.
- a monocyclic cycloalkyloxy group and a polycyclic cycloalkyloxy group are preferable, and a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, a norbornyloxy group, and an adamantyloxy group are more preferable.
- Examples of the group represented by the formula (Y-2) include a group in which R e4 , R e5 and R e6 are monovalent chain hydrocarbon groups, and R e4 and R e5 are monovalent chain hydrocarbon groups. And R e6 is a monovalent oxy chain hydrocarbon group, R e4 is a monovalent chain hydrocarbon group, and R e5 and R e6 are monovalent oxy chain hydrocarbon groups, A group in which R e4 , R e5 and R e6 are alkyl groups, a group in which R e4 and R e5 are alkyl groups and R e6 is an alkoxy group, and a group in which R e4 is an alkyl group and R e5 and R e6 are alkoxy groups Are more preferable, and groups in which R e4 , R e5 and R e6 are alkyl groups are more preferable, and a t-butyl group, a t-pentyl group,
- Examples of the structural unit (I) include structural units represented by the following formulas (2-1-1) to (2-1-8) as the structural unit (I-1); Examples of the structural unit (I-2) include structural units represented by the following formulas (2-2-1) to (2-2-3).
- R 8 has the same meaning as in the above formula (2-1).
- R e1 , R e2 and R e3 have the same meaning as in the above formula (Y-1).
- j is each independently an integer of 1 to 3.
- R 8 ′ has the same meaning as in the above formula (2-2).
- the structural unit (I) is preferred, and the above formulas (2-1-2), (2-1-3), (2-1-5) and (2-1-6) are preferred. ), More preferably a group containing a cyclopentane structure and a group containing an adamantane structure, a structural unit derived from 1-ethyl-1-cyclopentyl (meth) acrylate, 2-ethyl-2- Particularly preferred are structural units derived from adamantyl (meth) acrylate, structural units derived from 2-methyl-2-adamantyl (meth) acrylate, and structural units derived from 2-adamantyl-2-propyl (meth) acrylate.
- the content rate of structural unit (I) As a minimum of the content rate of structural unit (I), 10 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, 20 mol% is more preferable, 25 mol% is further more preferable, 30 mol% % Is particularly preferred. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 90 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, 70 mol% is more preferable, and 60 mol% is further more preferable. By making the content rate of structural unit (I) into the said range, the LWR performance of the said radiation sensitive resin composition etc. can be improved more.
- the structural unit (II) includes a structural unit represented by the following formula (3-1) (hereinafter also referred to as “structural unit (II-1)”) and a structural unit represented by the following formula (3-2) ( Hereinafter, it is at least one selected from the group consisting of “structural unit (II-2)”.
- R 14 represents a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
- E 1 is a single bond, —CO—O—, —CO—NH— or —CO—O— (CH 2 ) i —CO—O—.
- i is an integer of 1 to 6.
- R 15 is a non-acid dissociable group containing a polar group.
- R 14 ′ is a hydrogen atom or a methyl group.
- R a and R b are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxy group, or a monovalent organic group.
- u is an integer of 1 to 3.
- R 15a and R 15b are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, a hydroxy group, or a monovalent organic group.
- R 14 is preferably a hydrogen atom and a methyl group, more preferably a methyl group, from the viewpoint of the copolymerizability of the monomer that provides the structural unit (II-1).
- E 1 is preferably —CO—O— from the viewpoint of the copolymerizability of the monomer giving the structural unit (II-1).
- Examples of the polar group in the non-acid dissociable group represented by R 15 and containing a polar group include monovalent groups such as a hydroxy group, a carboxy group, a cyano group, a sulfo group, a mercapto group, and an amino group (a ); A carbonyl group, —O—, —S—, —NR′—a divalent group (b) formed by combining these, and the like.
- R ′ is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
- Examples of the group containing a non-acid dissociable and polar group represented by R 15 include a part or all of hydrogen atoms of a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, the monovalent group (a ), A group containing the above divalent group (b) between part or all of the carbon-carbon of a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent hydrocarbon having 1 to 20 carbon atoms, Examples include a group in which part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group are substituted with the monovalent group (a) and the divalent group (b) is contained between some or all of the carbon-carbons. It is done.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include, for example, a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, Examples thereof include 6-20 monovalent aromatic hydrocarbon groups.
- Examples of the monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms include groups similar to those exemplified as R e1 , R e2 and R e3 in the above formula (Y-1).
- Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include the same groups as those exemplified as R e1 , R e2 and R e3 in the formula (Y-1).
- Examples of the monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms include the same groups as those exemplified as R e1 in the above formula (Y-1).
- R 15 examples include a group having a lactone structure, a group having a cyclic carbonate structure, a group having a sultone structure, and a group having a hydroxy group.
- Examples of the group having a lactone structure include a butyrolactone-yl group, a norbornanelactone-yl group, and a 5-oxo-4-oxatricyclo [4.3.1.1 3,8 ] undecan-yl group. .
- Examples of the group having a cyclic carbonate structure include an ethylene carbonate-ylmethyl group.
- Examples of the group having a sultone structure include groups having a sultone structure such as a propane sultone-yl group and a norbornane sultone-yl group.
- Examples of the group having a hydroxy group include a hydroxyadamantyl group, a dihydroxyadamantyl group, a trihydroxyadamantyl group, and a hydroxyethyl group.
- R 14 ′ is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of copolymerizability of the monomer giving the structural unit (II-2).
- Examples of the monovalent organic group represented by R a , R b , R 15a, and R 15b include monovalent chain hydrocarbon groups having 1 to 20 carbon atoms and monovalent fats having 3 to 20 carbon atoms.
- R ′′ represents a hydrogen atom or a monovalent group. Is an organic group.
- U is preferably 1 or 2, and more preferably 1.
- Examples of the structural unit (II) include structural units represented by the following formulas (3-1-1) to (3-1-14) as the structural unit (II-1);
- Examples of the structural unit (II-2) include a structural unit represented by the following formula (3-2-1), a structural unit represented by (3-2-2), and the like.
- R 14 has the same meaning as in the above formula (3-1).
- R 14 ′ has the same meaning as in the above formula (3-2).
- structural units represented by the above formulas (3-1-1), (3-1-3), (3-1-5) and (3-1-12) are preferable.
- the lower limit of the content ratio of the structural unit (II) is 0.5 mol% with respect to all the structural units constituting the [A] polymer.
- 1 mol% is more preferable, 20 mol% is further more preferable, and 35 mol% is especially preferable.
- 90 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, 80 mol% is more preferable, and 70 mol% is further more preferable.
- the structural unit (III) is a structural unit represented by the following formula (4).
- the radiation sensitive resin composition increases the sensitivity because the polymer [A] has the structural unit (III). Can do.
- R 15 is hydrogen atom or a methyl group.
- R 16 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
- v is an integer of 0 to 3.
- the plurality of R 8s may be the same or different.
- w is an integer of 1 to 3. However, v + w is 5 or less.
- R 15 is preferably a hydrogen atom from the viewpoint of the copolymerizability of the monomer giving the structural unit (III).
- Examples of the monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms represented by R 16 include a monovalent chain hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms and a monovalent alicyclic carbon group having 3 to 20 carbon atoms.
- R" represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. It is. Among these, a monovalent chain hydrocarbon group is preferable, an alkyl group is more preferable, and a methyl group is more preferable.
- V is preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 and 1, and even more preferably 0.
- W is preferably 1 or 2, and more preferably 1.
- Examples of the structural unit (III) include structural units represented by the following formulas (4-1) to (4-4).
- R 15 has the same meaning as in the above formula (4).
- the structural unit represented by the above formula (4-1) and the structural unit represented by (4-2) are preferable, and the structural unit represented by the above formula (4-1) is more preferable.
- the lower limit of the proportion of the structural unit (III) is preferably 1 mol% with respect to all the structural units constituting the [A] polymer, 10 mol% is more preferable, 30 mol% is further more preferable, and 50 mol% is especially preferable.
- the said content rate 90 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, 80 mol% is more preferable, and 75 mol% is further more preferable.
- the structural unit (III) is obtained by polymerizing a monomer in which the hydrogen atom of the —OH group of hydroxystyrene is substituted with an acetyl group or the like, and then subjecting the obtained polymer to a hydrolysis reaction in the presence of an amine. Or the like.
- the polymer may have a structural unit other than the structural units (I) to (III).
- the other structural unit include a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester containing a non-dissociable monovalent alicyclic hydrocarbon group.
- a content rate of another structural unit 20 mol% or less is preferable with respect to all the structural units which comprise a [A] polymer, and 10 mol% or less is more preferable.
- the polymer can be synthesized according to a conventional method such as radical polymerization. For example, (1) a method in which a solution containing a monomer and a radical initiator is dropped into a reaction solvent or a solution containing a monomer to cause a polymerization reaction, (2) a solution containing the monomer and a radical initiator A method in which a polymerization reaction is carried out by dropping each of the contained solutions into a reaction solvent or a monomer-containing solution, and (3) a plurality of types of solutions containing each monomer and a solution containing a radical initiator, A method in which a polymerization reaction is carried out by dropping each of the compounds in a solution containing a reaction solvent or a monomer, (4) a method in which a solution containing a monomer and a radical initiator is polymerized in a solvent-free or reaction solvent, etc. It is preferable to synthesize.
- the monomer amount in the dropped monomer solution is 30 mol with respect to the total amount of monomers used for polymerization. % Or more, more preferably 50 mol% or more, and even more preferably 70 mol% or more.
- the reaction temperature in these methods may be appropriately determined depending on the initiator type. As a minimum of reaction temperature, 30 ° C is preferred, 40 ° C is more preferred, and 50 ° C is still more preferred. Moreover, as an upper limit of reaction temperature, 150 degreeC is preferable and 140 degreeC is more preferable.
- the dropping time varies depending on the reaction temperature, the type of initiator, the monomer to be reacted, and the like. As a minimum of dropping time, 30 minutes are preferred, 45 minutes are more preferred, and 1 hour is still more preferred. Moreover, as an upper limit of dripping time, 8 hours are preferable, 6 hours are more preferable, and 5 hours are further more preferable. Furthermore, the total reaction time including the dropping time also varies depending on the conditions as well as the dropping time. As a minimum of total reaction time, 30 minutes are preferred, 45 minutes are more preferred, and 1 hour is still more preferred. Further, the upper limit of the total reaction time is preferably 12 hours, and more preferably 10 hours.
- radical initiator used in the polymerization examples include azobisisobutyronitrile (AIBN), 2,2′-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2′-azobis ( 2-cyclopropylpropionitrile), 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate), dimethyl 2,2′-azobisiso Azo radical initiators such as butyrate; And peroxide radical initiators such as benzoyl peroxide, t-butyl hydroperoxide and cumene hydroperoxide. Of these, AIBN and dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate) are preferred. In addition, you may use a radical initiator individually or in combination of 2 or more types.
- any solvent other than a solvent that inhibits polymerization (nitrobenzene having a polymerization inhibiting effect, mercapto compound having a chain transfer effect, etc.) and capable of dissolving the monomer may be used. It can. Examples thereof include alcohols, ethers, ketones, amides, esters / lactones, nitriles, and mixed solvents thereof. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
- the polymer obtained by the polymerization reaction is preferably recovered by a reprecipitation method. That is, after the polymerization reaction is completed, the polymer is recovered as a powder by introducing the polymerization solution into a reprecipitation solvent.
- a reprecipitation solvent alcohols or alkanes may be used alone or in combination of two or more.
- the polymer can be recovered by removing low molecular components such as monomers and oligomers by a liquid separation operation, a column operation, an ultrafiltration operation, or the like.
- the lower limit of polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) by GPC (Gel Permeation Chromatography) of the polymer is preferably 1,000, more preferably 2,000, still more preferably 3,000, and 5,000. Particularly preferred.
- Mw polystyrene conversion weight average molecular weight
- 50,000 are preferable, 40,000 are more preferable, 30,000 is further more preferable, 20,000 is especially preferable.
- the Mw of the polymer is less than the lower limit, the heat resistance of the resist pattern formed from the radiation-sensitive resin composition may be reduced.
- the Mw of the polymer exceeds the above upper limit, the developability of the radiation-sensitive resin composition may be deteriorated.
- the lower limit of the ratio (Mw / Mn, degree of dispersion) of Mw to the number average molecular weight (Mn) in terms of polystyrene by GPC of the polymer is preferably 1.
- the upper limit of the Mw ratio (Mw / Mn, degree of dispersion) is preferably 5, more preferably 3, and even more preferably 2.5.
- the lower limit of the content of the polymer is preferably 70% by mass, more preferably 80% by mass, and still more preferably 85% by mass with respect to the total solid content in the radiation-sensitive resin composition.
- the acid generator includes a compound represented by the following formula (A) (hereinafter also referred to as “compound (A)”).
- the said radiation sensitive resin composition is excellent in LWR performance etc. by containing a [B] acid generator with a [A] polymer.
- R x represents a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members, and —O—, —COO—, —OCOO between the carbon and carbon of the alicyclic hydrocarbon group.
- R t and R y are bonded to the same carbon atom on the ring structure of the alicyclic hydrocarbon group and the aliphatic heterocyclic group, or bonded to two carbon atoms adjacent to each other.
- R S is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
- R t is a carbon atom.
- R y is a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms.
- k is an integer of 1 to 3. When k is 2 or more, the plurality of R x may be the same or different, and the plurality of R y may be the same or different.
- R F1 , R F2 and R F3 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
- i is an integer of 0 to 9. However, when i is 0, k is 1 or 2.
- the plurality of R F1 may be the same or different, and the plurality of R F2 may be the same or different.
- R F3 is plural, the plurality of R F3 may be the same or different. However, at least one of one or more R F1 , one or more R F2 and one or more R F3 is a fluorine atom or a perfluoroalkyl group.
- M + is a monovalent radiation-sensitive onium cation.
- the radiation sensitive resin composition is an acid generator that generates an acid stronger than the acid generated by the compound (A) in addition to, for example, the [B] acid generator (for example, [B′1] other acid generator described later, etc.) In the unexposed area, the [B] acid generator functions as a trap for the acid generated from the acid generator.
- the [B] acid generator for example, [B′1] other acid generator described later, etc.
- the radiation-sensitive resin composition generates an acid generator that generates a weaker acid than the acid generated by the compound (A) in addition to, for example, the [B] acid generator (for example, [B′2] other acid generator described later, etc.)
- the [B] acid generator functions as a substance that generates an acid that acts to dissociate the acid-dissociable group of the [A] polymer by irradiation with radiation. Demonstrate.
- the radiation-sensitive resin composition exhibits the above-described effect by including the [B] acid generator is not necessarily clear, but can be inferred as follows, for example. That is, the [B] acid generator has a rigid structure because it does not contain a polar group such as a carbonyl group between SO 3 - and the bulky alicyclic structure. Excellent resistance. Therefore, the [B] acid generator has moderate rigidity and moderate bulk, and as a result, the diffusion of acid generated from the [B] acid generator is moderately shortened. Furthermore, since the [B] acid generator has the above structure, it is excellent in transparency and sensitivity. As a result, the LWR performance and the like of the radiation sensitive resin composition can be improved.
- the [B] acid generator has a rigid structure because it does not contain a polar group such as a carbonyl group between SO 3 - and the bulky alicyclic structure. Excellent resistance. Therefore, the [B] acid generator has moderate rigidity and moderate bulk, and as a result, the diffusion of acid generated from the [B
- Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members represented by R x include monocyclic cycloalkanes such as cyclopentane-1,1-diyl group and cyclohexane-1,1-diyl group.
- Monocyclic cycloalkene-1,1-diyl groups such as cyclopentene-1,1-diyl group, cyclohexene-1,1-diyl group;
- a polycyclic cycloalkane-1,1-diyl group such as a norbornane-1,1-diyl group and a tricyclodecane-1,1-diyl group;
- a polycyclic cycloalkene-1,1-diyl group such as a norbornene-1,1-diyl group;
- Monocyclic cycloalkane-1,2-diyl groups such as cyclopentane-1,2-diyl group and cyclohexane-1,2-diyl group;
- Monocyclic cycloalkene-1,2-diyl groups such as cyclopentene-1,2-diyl group, cyclohexene-1,2-diyl group;
- the alicyclic hydrocarbon group represented by R x is preferably a monocyclic cycloalkanediyl group, a monocyclic cycloalkenediyl group, a polycyclic cycloalkanediyl group or a polycyclic cycloalkenediyl group, and a cyclopentanediyl group.
- Cyclohexanediyl group, cyclohexenediyl group, norbornanediyl group and norbornenediyl group are more preferable, and cyclopentanediyl group, cyclohexanediyl group, norbornanediyl group and norbornenediyl group are more preferable.
- cyclic ether structures such as an oxacyclohexane structure
- Lactone structures such as butyrolactone structure, valerolactone structure, cyclohexanelactone structure, norbornane lactone structure
- Cyclic carbonate structures such as ethylene carbonate structures
- Cyclic ketone structures such as oxocyclohexane structures
- Cyclic sulfide structures such as thiacyclohexane structures
- Sultone structures such as norbornane sultone structures
- Cyclic urethane structures such as oxazolidinone structures
- a group containing a cyclic silyl structure such as
- the aliphatic heterocyclic group represented by R x is preferably a group containing a cyclic ether structure, a lactone structure, a cyclic carbonate structure and a sultone structure, and includes an oxacyclohexane structure, an oxanorbornane structure, a butyrolactone structure, a norbornanelactone structure, ethylene
- a group containing a carbonate structure, a thianorbornane structure and a norbornane sultone structure is more preferred, and a group containing an oxacyclohexane structure, an oxanorbornane structure, a butyrolactone structure and a thianorbornane structure is more preferred.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and the aliphatic heterocyclic group represented by R x include, for example, 1 carbon atom. And a straight chain or branched chain hydrocarbon group having 20 to 20 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, and an aromatic hydrocarbon group having 6 to 20 carbon atoms.
- Examples of the chain hydrocarbon group include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group and a pentyl group; an alkenyl group such as an ethenyl group, a propenyl group, a butenyl group and a pentenyl group; an ethynyl group and a propynyl group Alkynyl groups such as butynyl group and pentynyl group.
- Examples of the alicyclic hydrocarbon group include monocyclic cycloalkyl groups such as a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, and a cyclohexyl group; and a wide variety such as a norbornyl group, an adamantyl group, a tricyclodecyl group, and a tetracyclododecyl group.
- Ring cycloalkyl groups monocyclic cycloalkenyl groups such as cyclopropenyl, cyclobutenyl, cyclopentenyl, and cyclohexenyl; polycyclic cycloalkenyl groups such as norbornenyl and tricyclodecenyl .
- aromatic hydrocarbon group examples include aryl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group and anthryl group; aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group, naphthylmethyl group and anthrylmethyl group. It is done.
- Examples of the monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms that replaces part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R x include, for example, a methoxy group Primary or secondary alkoxy groups such as ethoxy group, n-propoxy group, i-propoxy group and n-butoxy group; cycloalkyloxy groups such as cyclopentyloxy group and cyclohexyloxy group; phenoxy group and benzyloxy group And oxyaromatic hydrocarbon groups.
- halogen atom that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R x include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. It is done.
- Examples of the group that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R x include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and a pentyl group. And an cycloalkyl group such as a cyclopentyl group and a cyclohexyl group are preferred. Among these, a cyclohexyl group and a methyl group are more preferable.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R S include the same groups as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms exemplified as the substituent for R x . Can be mentioned.
- Examples of the monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms represented by R S include the same groups as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms exemplified as the substituent for R x . Is mentioned.
- R t is a carbon atom bonded to the carbon atom to which R x , R F3 and R F1 and R F2 are bonded.
- k is 3, it is bonded to the carbon atom to which R x and R F1 and R F2 are bonded.
- Examples of the monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms represented by R y include, for example, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms, a carbon-carbon boundary of this hydrocarbon group, or a terminal on the bond side. And a group (g) containing a divalent heteroatom-containing group, a group obtained by substituting a part or all of the hydrogen atoms of the hydrocarbon group and group (g) with a monovalent heteroatom-containing group, and the like.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include a linear or branched chain hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms and an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms. And an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms.
- R y is preferably a linear or branched chain hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms and an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms.
- heteroatoms possessed by the monovalent and divalent heteroatom-containing groups include oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, silicon atoms, and phosphorus atoms.
- oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, silicon atoms, and phosphorus atoms examples include oxygen atoms, sulfur atoms, nitrogen atoms, silicon atoms, and phosphorus atoms.
- an oxygen atom, a sulfur atom, and a nitrogen atom are preferable, and an oxygen atom is more preferable.
- Examples of the divalent heteroatom-containing group include —O—, —CO—, —CS—, —NR′— and a combination thereof.
- R ′ is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms.
- Examples of the monovalent heteroatom-containing group include a hydroxy group, a carboxy group, a sulfanyl group (—SH), an amino group, and a cyano group.
- R y is preferably a group (g), more preferably —O—, —CO—, —NR′— or a combination thereof as a hetero atom, —O—, —CO— or a combination thereof. Is more preferable.
- K is preferably 1 or 2.
- Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R F1 , R F2 and R F3 include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and a butyl group.
- Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R F1 , R F2 and R F3 include a trifluoromethyl group and a trifluoroethyl group.
- a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group and a trifluoromethyl group are preferable, and a hydrogen atom, a trifluoromethyl group and a fluorine atom are more preferable.
- R F1, R F2 and R F3 is attached to a carbon atom adjacent is a fluorine atom or a perfluoroalkyl group
- SO 3 - - SO 3 binds to a carbon atom adjacent to the More preferably, both R F1 and R F2 or a plurality of R F3 are a fluorine atom or a perfluoroalkyl group, and both R F1 and R F2 bonded to a carbon atom adjacent to SO 3 — or a plurality of R F3 Is more preferably a fluorine atom.
- I is preferably an integer of 0 to 4, more preferably 0 to 2, and still more preferably 0 and 1.
- the monovalent radiation-sensitive onium cation represented by M + is a cation that is decomposed by the action of radiation. In the exposed portion, sulfonic acid is generated from protons generated by the decomposition of the radiation-sensitive onium cation and the sulfonate anion of the compound (A).
- examples of the monovalent radiation-sensitive onium cation represented by M + include elements such as S, I, O, N, P, Cl, Br, F, As, Se, Sn, Sb, Te, and Bi.
- radiation sensitive onium cations examples of the cation containing S (sulfur) as an element include a sulfonium cation and a tetrahydrothiophenium cation.
- Examples of the cation containing I (iodine) as an element include an iodonium cation.
- an iodonium cation examples include an iodonium cation.
- a sulfonium cation represented by the following formula (X-1) and an iodonium cation represented by the following formula (X-2) are preferable, and a sulfonium cation represented by the following formula (X-1) is more preferable. preferable.
- R 9 , R 10 and R 11 are each independently a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring.
- monovalent aromatic hydrocarbon group having membered 6 ⁇ 12, -OSO 2 -R a or -SO 2 -R B or where the ring structure formed by two or more binding of these groups To express.
- R A and R B are each independently a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted monovalent alicyclic group having 5 to 25 ring members.
- It is a hydrocarbon group or a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 ring members.
- p, q, and r are each independently an integer of 0 to 5.
- the plurality of R 9 to R 11 , R A and R B the plurality of R 9 may be the same or different, the plurality of R 10 may be the same or different, and the plurality of R 11 may be the same.
- the plurality of R A may be the same or different, and the plurality of R B may be the same or different.
- R 12 and R 13 are each independently a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted ring member having 6 to monovalent aromatic hydrocarbon group of 12, representing the cyclic structure formed by two or more binding of either a -OSO 2 -R C or -SO 2 -R D, or their groups.
- R C and R D each independently represent a substituted or unsubstituted linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a substituted or unsubstituted monovalent alicyclic group having 5 to 25 ring members.
- It is a hydrocarbon group or a substituted or unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 12 ring members.
- s and t are each independently an integer of 0 to 5.
- the plurality of R 12 may be the same or different
- the plurality of R 13 may be the same or different
- the plurality of R C may be the same They may be different
- the plurality of RDs may be the same or different.
- Examples of the unsubstituted linear alkyl group represented by R 9 to R 13 include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, and an n-butyl group.
- Examples of the unsubstituted branched alkyl group represented by R 9 to R 13 include an i-propyl group, an i-butyl group, a sec-butyl group, and a t-butyl group.
- Examples of the unsubstituted aromatic hydrocarbon group represented by R 9 to R 13 include aryl groups such as phenyl group and naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group and phenethyl group.
- Examples of the substituent that may be substituted for the hydrogen atom of the alkyl group and aromatic hydrocarbon group include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom, a hydroxy group, a carboxy group, and a cyano group. Nitro group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, alkoxycarbonyloxy group, acyl group, acyloxy group and the like. Among these, a halogen atom is preferable and a fluorine atom is more preferable.
- R 9 to R 13 include an unsubstituted linear or branched alkyl group, a fluorinated alkyl group, an unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group, —OSO 2 —R ′′ and —SO 2 —.
- R ′′ is preferable, a fluorinated alkyl group and an unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group are more preferable, and a fluorinated alkyl group is more preferable.
- R ′′ is an unsubstituted monovalent alicyclic hydrocarbon group or an unsubstituted monovalent aromatic hydrocarbon group.
- p, q and r are preferably integers of 0 to 2, more preferably 0 and 1, and still more preferably 0.
- s and t are preferably integers of 0 to 2, more preferably 0 and 1, and still more preferably 0.
- Examples of the compound (A) include the following compound (1) and compound (1 ′).
- R t , R y , R F1 , R F2 , R F3 , k, i and M + are as defined in the above formula (A).
- R 1 is a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members together with the carbon atom to which the group is bonded, and —O—, —COO—, —— between the carbon and carbon of the alicyclic hydrocarbon group.
- R S is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
- Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members formed by the above R 1 and the carbon atom to which the group is bonded include divalent alicyclic hydrocarbons having 3 to 20 ring members exemplified as the above R x. Examples thereof include the same groups as the cyclic hydrocarbon group.
- cyclopentane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexene-1,2-diyl group, norbornane-1,2-diyl group, tricyclodecane-1,2-diyl group And norbornene-1,2-diyl group is preferred, and cyclohexane-1,2-diyl group, norbornane-1,2-diyl group, tricyclodecane-1,2-diyl group and norbornene-1,2-diyl group are preferred. More preferred.
- aliphatic heterocyclic group containing-or a combination thereof examples include the same groups as the aliphatic heterocyclic group exemplified as R x above. Of these, groups containing —O—, —COO—, —S— and combinations thereof are preferred, and groups containing —O— and —S— are more preferred.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R 1 include the R x Groups similar to those exemplified as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by Can be mentioned. Of these, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and pentyl group and cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group are preferable. Among these, a cyclohexane group and a methyl group are more preferable.
- Examples of the monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R 1 include the R groups similar to those exemplified as the monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by x Etc.
- Examples of the halogen atom that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R 1 include, for example, the alicyclic hydrocarbon group represented by R x above. And groups similar to those exemplified as the halogen atom for substituting part or all of the hydrogen atoms of the aliphatic heterocyclic group.
- Examples of the compound (1) include compounds represented by the following formula (1-1) (hereinafter also referred to as “compound (1-1)”).
- R t , R F1 , R F2 , R F3 , i and M + are as defined in the above formula (1).
- R h represents a carbon atom to which this group is bonded together with a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members or a part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. A group constituting a group substituted with a monovalent hydrocarbon group.
- R 2 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms.
- X is —O— or —NR 3 —.
- R 3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms.
- Y is a single bond or a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
- Compound (1-1) is obtained by changing R y of compound (1) to —Y—CO—X—R 2 .
- the compound (1-1) has an appropriate polarity, and the diffusion of the acid generated from the compound can be shortened more appropriately. As a result, the LWR performance and the like of the radiation sensitive resin composition are further improved.
- Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members formed by the R h and the carbon atom to which the group is bonded include divalent alicyclic hydrocarbons having 3 to 20 ring members exemplified as the above R x. Examples thereof include the same groups as the cyclic hydrocarbon group.
- cyclopentane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexene-1,2-diyl group, norbornane-1,2-diyl group, tricyclodecane-1,2-diyl group And norbornene-1,2-diyl group is preferred, and cyclohexane-1,2-diyl group, norbornane-1,2-diyl group, tricyclodecane-1,2-diyl group and norbornene-1,2-diyl group are preferred. More preferred.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group represented by R h include, for example, the alicyclic represented by R x above. Examples thereof include the same groups as those exemplified as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the formula hydrocarbon group. Of these, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and pentyl group and cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group are preferable. Among these, a cyclohexyl group and a methyl group are more preferable.
- Examples of the monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms represented by R 2 and R 3 include those having 1 to 29 carbon atoms among monovalent organic groups having 1 to 30 carbon atoms exemplified as R y. Etc.
- R 2 is preferably a monovalent chain hydrocarbon group or a monovalent alicyclic hydrocarbon group, more preferably an alkyl group, a monocyclic cycloalkyl group or a polycyclic cycloalkyl group.
- an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a monocyclic cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms are more preferable, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a cyclohexyl group are particularly preferable, and an ethyl group is further particularly preferable.
- R 3 is preferably a hydrogen atom.
- X is preferably -O-.
- Examples of the divalent chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by Y include, for example, groups obtained by removing one hydrogen atom from the chain hydrocarbon groups exemplified as the above R 2 and R 3 And groups having 1 to 10 carbon atoms.
- a single bond, a methanediyl group and an ethanediyl group are preferable, a single bond and a methanediyl group are more preferable, and a single bond is more preferable.
- Examples of the compound (1-1) include a compound represented by the following formula (1-a) (hereinafter also referred to as “compound (1-a)”), a compound represented by the following formula (1-b) ( Hereinafter, also referred to as “compound (1-b)”, a compound represented by the following formula (1-c) (hereinafter also referred to as “compound (1-c)”), represented by the following formula (1-d): (Hereinafter also referred to as “compound (1-d)”) and the like.
- R t , R 2 , X, Y, R F1 , R F2 , R F3 , i and M + are as defined in the above formula (1-1). is there.
- R 4 to R 7 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members.
- m is an integer of 1 to 10.
- a is an integer of 0 to (2m + 2).
- b is an integer of 0 to 8.
- the plurality of R 5 may be the same or different.
- c is an integer of 0 to 8.
- the plurality of R 6 may be the same or different.
- d is an integer of 0-6.
- the plurality of R 7 may be the same or different.
- Each A is independently —CH 2 —, —CH 2 CH 2 —, —O— or —S—.
- Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 4 to R 7 include those having 1 to 10 carbon atoms among the groups exemplified as R F1 and R F2 above. Among these, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, a methyl group, an ethyl group and a propyl group are more preferable, a methyl group and an ethyl group are further preferable, and a methyl group is particularly preferable.
- Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by the above R 4 to R 7 include the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms exemplified as the above Re1. The same group etc. are mentioned. Among these, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group are preferable, and a cyclohexyl group is more preferable.
- M in the above formula (1-a) is preferably an integer of 2 to 8, more preferably an integer of 3 to 6, further preferably 4 and 5, and particularly preferably 4.
- a to d are preferably integers of 0 to 3, more preferably 0 to 2, still more preferably 0 and 1, and particularly preferably 0.
- —CH 2 —, —O—, and —S— are preferable.
- Examples of the compound (1-a) include compounds represented by the following formulas (1-a-1) to (1-a-8) (hereinafter referred to as “compounds (1-a-1) to (1-a-8)”). ⁇ 8) ”), and the compound (1-b) includes, for example, compounds represented by the following formulas (1-b-1) to (1-b-9) (hereinafter referred to as“ compound (1-b-9) ”).
- compounds (1-c-1) to (1-c-15) examples include compounds represented by the following formulas (1-c-1) to (1-c-15) ( Hereinafter, “compounds (1-c-1) to (1-c-15)”) and the compound (1-d) are exemplified by the following formulas (1-d-1) to (1-d- 5) (hereinafter also referred to as “compounds (1-d-1) to (1-d-5)”) and the like.
- M + is a monovalent radiation-sensitive onium cation.
- compounds (1-a-1) to (1-a-5), compounds (1-b-1) to (1-b-9), compounds (1-c-1), (1 -C-3), (1-c-5) to (1-c-15) and compounds (1-d-1) to (1-d-5) are preferred, and compounds (1-a-1), Compounds (1-c-3), (1-c-5) to (1-c-15) and compound (1-d-2) are more preferred.
- the compound (1-1) is also represented by the following formula (1-1-a) (hereinafter also referred to as “compound (1-1-a)”).
- Examples of the compound (1-1-a) include the following compound (1-a ′), the following compound (1-b ′), the following compound (1-c ′), the following compound (1-d ′) and the like. Can be mentioned.
- M + has the same meaning as in the above formula (A).
- R ha represents a carbon atom to which this group is bonded together with a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members or a part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
- R 2a is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms.
- R f1 and R f2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
- n is an integer of 1 to 10.
- the plurality of R f1 may be the same or different, and the plurality of R f2 may be the same or different.
- at least one of one or more R f1 and one or more R f2 is a fluorine atom or a perfluoroalkyl group.
- X ′ is —O— or —NR 3a —.
- R 3a is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms.
- Y ′ is a single bond or a divalent chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
- Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members formed by the above R ha and the carbon atom to which this group is bonded include, for example, two bonds exemplified as R x that form a ring structure. Examples thereof include the same groups as the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members present on the adjacent carbon atom.
- cyclopentane-1,2-diyl group, cyclohexane-1,2-diyl group, cyclohexene-1,2-diyl group, norbornane-1,2-diyl group, tricyclodecane-1,2-diyl Group and norbornene-1,2-diyl group are preferred, cyclohexane-1,2-diyl group, norbornane-1,2-diyl group, tricyclodecane-1,2-diyl group and norbornene-1,2-diyl group Is more preferable.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms that replaces part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group represented by R ha include, for example, the alicyclic represented by R x above. Examples thereof include the same groups as those exemplified as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the formula hydrocarbon group. Of these, alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and pentyl group and cycloalkyl groups such as cyclopentyl group and cyclohexyl group are preferable. Among these, a cyclohexyl group and a methyl group are more preferable.
- Examples of the monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms represented by R 2a and R 3a include, for example, those having 1 to 29 carbon atoms among the monovalent organic groups having 1 to 30 carbon atoms exemplified as R y above. And the like.
- R 2a is preferably a monovalent chain hydrocarbon group or a monovalent alicyclic hydrocarbon group, more preferably an alkyl group, a monocyclic cycloalkyl group or a polycyclic cycloalkyl group.
- an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms and a monocyclic cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms are more preferable, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a cyclohexyl group are particularly preferable, and an ethyl group is further particularly preferable.
- R 3a is preferably a hydrogen atom.
- X ′ is preferably —O—.
- Examples of the divalent chain hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms represented by Y ′ above include carbons among groups in which one hydrogen atom is removed from the chain hydrocarbon group exemplified as R y above. Examples thereof include groups of 1 to 10.
- a single bond, a methanediyl group and an ethanediyl group are preferable, a single bond and a methanediyl group are more preferable, and a single bond is more preferable.
- Examples of the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R f1 and R f2 include the same groups as the alkyl groups exemplified as R F1 and R F2 .
- Examples of the fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms represented by R f1 and R f2 include the same groups as the fluorinated alkyl groups exemplified as R F1 and R F2 .
- R f1 and R f2 are preferably a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group and a trifluoromethyl group, more preferably a hydrogen atom, a trifluoromethyl group and a fluorine atom.
- R f1 and R f2 bonded to a carbon atom adjacent to SO 3 — is a fluorine atom or a perfluoroalkyl group, and R f1 bonded to a carbon atom adjacent to SO 3 — and More preferably, both R f2 are fluorine atoms or perfluoroalkyl groups, and it is further more preferable that both R f1 and R f2 bonded to the carbon atom adjacent to SO 3 — are fluorine atoms.
- N is preferably an integer of 1 to 5, more preferably 1 to 3, and still more preferably 1 and 2.
- R 2a , X ′, Y ′, R f1 , R f2 , n and M + are as defined in the above formula (1-1-a). is there.
- R 4a to R 7a are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members.
- m ′ is an integer of 1 to 10.
- a ′ is an integer of 0 to (2m ′ + 2).
- the plurality of R 4a may be the same or different.
- b ′ is an integer of 0 to 8.
- the plurality of R 5a may be the same or different.
- c ′ is an integer of 0 to 8.
- d ′ is an integer of 0 to 6.
- a ′ is independently —CH 2 —, —CH 2 CH 2 —, —O— or —S—.
- Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms represented by R 4a to R 7a include those having 1 to 10 carbon atoms among the groups exemplified as R F1 and R F2 .
- an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, a methyl group, an ethyl group and a propyl group are more preferable, a methyl group and an ethyl group are further preferable, and a methyl group is particularly preferable.
- Examples of the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms represented by the above R 4a to R 7a include the monovalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms exemplified as the above R e1. The same group etc. are mentioned. Among these, a cyclopentyl group and a cyclohexyl group are preferable, and a cyclohexyl group is more preferable.
- M ′ in the above formula (1-a ′) is preferably an integer of 2 to 8, more preferably an integer of 3 to 6, further preferably 4 and 5, and particularly preferably 4.
- a ′ to d ′ are preferably integers of 0 to 3, more preferably 0 to 2, still more preferably 0 and 1, and particularly preferably 0. .
- a ′ is preferably —CH 2 —, —O—, or —S—.
- Examples of the compound (1-a ′) include compounds represented by the above formulas (1-a-1) to (1-a-8), and examples of the compound (1-b ′) include those represented by the formula (1-a ′). Examples of the compounds represented by 1-b-1) to (1-b-9) and the compound (1-c ′) include those represented by the above formulas (1-c-1) to (1-c-15). Examples of the compound represented by the formula and the compound (1-d ′) include compounds represented by the above formulas (1-d-1) to (1-d-5).
- compounds (1-a-1) to (1-a-5), compounds (1-b-1) to (1-b-9), compounds (1-c-1), (1 -C-3), (1-c-5) to (1-c-15) and compounds (1-d-1) to (1-d-5) are preferred, and compounds (1-a-1), Compounds (1-c-3), (1-c-5) to (1-c-15) and compound (1-d-2) are more preferred.
- R 1 ′ is a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members together with the carbon atom to which this group is bonded, and —O—, —COO— between the carbon and carbon of the alicyclic hydrocarbon group, An aliphatic heterocyclic group containing —OCOO—, —S—, —SO 2 O—, —NHCOO—, —SiR S 2 — or a combination thereof, or the above alicyclic hydrocarbon group and the above aliphatic heterocyclic group A part or all of the hydrogen atoms possessed by —OH, —CN, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom, or a combination thereof
- Examples of the divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members constituted by R 1 ′ and the carbon atom to which the group is bonded include, for example, a divalent alicyclic hydrocarbon having 3 to 20 ring members exemplified as R x Examples thereof include the same groups as the cyclic hydrocarbon group.
- cyclopentane-1,1-diyl group, cyclohexane-1,1-diyl group, cyclopentene-1,1-diyl group, cyclohexene-1,1-diyl group, norbornane-1,1-diyl group and A norbornene-1,1-diyl group is preferred, and a cyclopentane-1,1-diyl group and a cyclohexane-1,1-diyl group are more preferred.
- Examples of the aliphatic heterocyclic group containing 2- or a combination thereof include the same groups as the aliphatic heterocyclic group exemplified as R x above. Of these, groups containing —O—, —COO—, —S— and combinations thereof are preferred, and groups containing —O— and —COO— are more preferred.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R 1 ′ include, for example, R groups similar to those exemplified as the monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by x , etc. Is mentioned.
- Examples of the monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R 1 ′ include, for example, The same groups as those exemplified as the monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms for substituting part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R x Groups and the like.
- Examples of the halogen atom that substitutes part or all of the hydrogen atoms of the alicyclic hydrocarbon group and aliphatic heterocyclic group represented by R 1 ′ include, for example, the alicyclic hydrocarbon represented by R x above. Examples thereof include the same groups as those exemplified as the halogen atom for substituting part or all of the hydrogen atoms of the group and the aliphatic heterocyclic group.
- Examples of the compound (1 ′) include a compound represented by the compound (1′-a) (hereinafter also referred to as “compound (1′-a)”) or a compound represented by the compound (1′-b) ( Hereinafter, also referred to as “compound (1′-b)”) and the like.
- R t , R 1 ′, R F1 , R F2 , R F3 , k, i, and M + are the same as those in the formula (1 ′).
- R 2 ′ is independently a monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms.
- Compound (1′-a) is obtained by changing R y of compound (1 ′) to —OCO—R 2 ′
- Compound (1′-b) is obtained by changing R y of compound (1 ′) -O-R 2 '.
- the compound (1′-a) and the compound (1′-b) have appropriate polarity, and the diffusion of the acid generated from the compound is prevented. Can be made reasonably short. As a result, the LWR performance and the like of the radiation sensitive resin composition are further improved.
- Examples of the monovalent organic group having 1 to 29 carbon atoms represented by R 2 ′ include those having 1 to 29 carbon atoms among monovalent organic groups having 1 to 30 carbon atoms exemplified as R y. Can be mentioned.
- Examples of R 2 ′ include a chain hydrocarbon group having 1 to 29 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon group having 3 to 29 carbon atoms, an aliphatic heterocyclic group, and an aromatic group having 6 to 29 carbon atoms.
- Examples of the compound (1′-a) include compounds represented by the following formulas (1′-a-1) to (1′-a-7) (hereinafter referred to as “compound (1′-a-1) to (Also referred to as (1′-a-7) ”), the compound (1′-b) is, for example, a compound represented by the following formulas (1′-b-1) to (1′-b-10) ( And the like (hereinafter also referred to as “compounds (1′-b-1) to (1′-b-10)”). As another example, the compound (1 ′) is, for example, a compound represented by the following formulas (1′-c-1) to (1′-c-5) (hereinafter referred to as “compound (1′-c-1)”). To (1′-c-5) ”) and the like.
- M + is a monovalent radiation-sensitive onium cation.
- compounds (1′-a-1) to (1′-a-4), compounds (1′-b-1) to (1′-b-6) and compounds (1′-c— 1) to (1′-c-5) are preferred, and the compound (1′-a-1), the compound (1′-a-4), the compound (1′-b-3), (1′-b—) 6), compounds (1′-c-2) and (1′-c-5) are more preferred.
- the compound (A) can be synthesized by a method represented by the following reaction scheme. That is, (A) a step of reacting the following compound (ia) with an alkali metal dithionite represented by E 2 S 2 O 4 to obtain a sulfinate represented by the following formula (ib): (B) a step of reacting the sulfinate (ib) with hydrogen peroxide to obtain a sulfonate represented by the following formula (ic); and (C) the sulfonate (i- c) and an onium salt represented by M + Y — can be synthesized by a method for synthesizing a compound.
- a reaction scheme That is, (A) a step of reacting the following compound (ia) with an alkali metal dithionite represented by E 2 S 2 O 4 to obtain a sulfinate represented by the following formula (ib): (B) a step of reacting the sulfinate (ib) with hydrogen peroxide to
- R x is a divalent alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 ring members, and —O—, —COO—, —OCOO— between the carbon and carbon of the alicyclic hydrocarbon group,
- An aliphatic heterocyclic group containing -S-, -SO 2 O-, -NHCOO-, -SiR S 2 -or a combination thereof, or a hydrogen atom possessed by the alicyclic hydrocarbon group and the aliphatic heterocyclic group A group in which part or all of is substituted with —OH, —CN, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a halogen atom, or a combination thereof.
- R t and R y are bonded to the same carbon atom on the ring structure of the alicyclic hydrocarbon group and the aliphatic heterocyclic group, or bonded to two carbon atoms adjacent to each other.
- R S is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent oxyhydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
- R t is a carbon atom.
- R y is a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms.
- k is an integer of 1 to 3. When k is 2 or more, the plurality of R x may be the same or different, and the plurality of R y may be the same or different.
- R F1 , R F2 and R F3 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
- i is an integer of 0 to 9. However, when i is 0, k is 1 or 2.
- the plurality of R F1 may be the same or different, and the plurality of R F2 may be the same or different.
- R F3 is plural, the plurality of R F3 may be the same or different. However, at least one of one or more R F1 , one or more R F2 and one or more R F3 is a fluorine atom or a perfluoroalkyl group.
- M + is a monovalent radiation-sensitive onium cation.
- Z is a halogen atom.
- E + is an alkali metal ion.
- Y ⁇ is a monovalent anion.
- step (A) the compound (ia) and the alkali metal dithionite represented by E 2 S 2 O 4 are reacted in an organic solvent in the presence of a base such as sodium bicarbonate. To obtain the sulfinate (ib).
- the sulfinate (ic) is obtained by reacting the sulfinate (ib) with hydrogen peroxide.
- the sulfonate (ic) and the onium salt represented by M + Y ⁇ are reacted in a solvent such as dichloromethane / water, for example. ) Is obtained.
- the produced compound (A) can be isolated by purification by solvent washing, recrystallization or the like.
- the lower limit of the content of the acid generator is preferably 0.2 parts by weight, more preferably 0.5 parts by weight, and even more preferably 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the polymer [A]. 2 parts by mass is particularly preferred. Moreover, as an upper limit of content, 30 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, 20 mass parts is more preferable, 15 mass parts is further more preferable, and 10 mass parts is especially preferable. [B] By making content of an acid generator into the said range, the LWR performance of the said radiation sensitive resin composition etc. can be improved more.
- the acid generator may contain an acid generator other than the compound (A).
- the acid generators may be used alone or in combination of two or more.
- the other acid generator is a radiation sensitive acid generator other than the [B] acid generator.
- Other acid generators include, for example, a radiation-sensitive onium cation and an anion having SO 3 ⁇ and having two fluorine atoms bonded to the carbon atom adjacent to the SO 3 ⁇ .
- a compound (hereinafter also referred to as “[B′1] other acid generator”), a radiation-sensitive onium cation, SO 3 — , a carbon atom adjacent to this SO 3 — , a hydrogen atom, alkyl group or a compound consisting of an anion of fluorinated alkyl group having 1 to 20 carbon atoms are bonded in the 20, and the radiation-sensitive onium cations, COO - compound comprising a anion having a (hereinafter, these "[B '2] Other acid generators ”, [B′1] other acid generators and [B′2] radiation sensitive acid generators other than other acid generators (hereinafter referred to as“ [B′3 And other acid generators ”).
- [B′1] According to another acid generator, the acid generated by exposure dissociates the acid dissociable group of the [A] polymer, and as a result, the solubility of the [A] polymer in the developer is increased.
- the resist pattern can be changed.
- Other acid generators exhibit a high acid scavenging function due to the basicity of SO 3 — or COO — in the unexposed area, but the SO generated by the protons generated in the exposed area. Since 3 ⁇ becomes SO 3 H and COO ⁇ becomes COOH, and its acid trapping function is lowered, it functions as an acid diffusion control agent.
- Other acid generators may be used alone or in combination of two or more.
- Other acid generators and [B'2] other acid generators include, for example, onium salt compounds such as sulfonium salts, tetrahydrothiophenium salts, and iodonium salts.
- Other acid generator and [B′2] other acid generator are preferably those having a monovalent radiation-sensitive onium cation and a monovalent anion.
- Examples of other acid generators include N-sulfonyloxyimide compounds, oxime sulfonate compounds, halogen-containing compounds, and diazoketone compounds.
- Examples of the sulfonium salt that can be used as another acid generator include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium nonafluoro-n-butanesulfonate, and triphenylsulfonium perfluoro-n-octanesulfonate.
- Examples of the tetrahydrothiophenium salt that can be used as the other acid generator [B′1] include 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothio, and the like.
- Examples of the iodonium salt that can be used as another acid generator include diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, diphenyliodonium perfluoro-n-octanesulfonate, and bis. (4-t-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium nonafluoro-n-butanesulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium perfluoro-n-octanesulfonate, etc. Can be mentioned.
- [B′1] other acid generators are preferably onium salt compounds, more preferably sulfonium salts, more preferably triphenylsulfonium salts, and triphenylsulfonium 2- (adamantan-1-ylcarbonyl).
- Examples of the sulfonium salt that can be used as another acid generator include triphenylsulfonium salicylate, triphenylsulfonium 10-camphorsalicylate, and the like.
- Examples of the tetrahydrothiophenium salts that can be used as other acid generators include 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophenium salicylate, 4-hydroxy-1-naphthyltetrahydrothiophene.
- 10-camphorsulfonate 1- (1-naphthylacetomethyl) tetrahydrothiophenium salicylate, 1- (1-naphthylacetomethyl) tetrahydrothiophenium 10-camphorsulfonate, 1- (3,5-dimethyl- 4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium salicylate, 1- (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl) tetrahydrothiophenium 10-camphorsulfonate, and the like.
- Examples of the iodonium salt that can be used as other acid generators include diphenyliodonium salicylate, diphenyliodonium 10-camphorsulfonate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium salicylate, bis (4-t-butylphenyl) iodonium 10-camphorsulfonate and the like.
- Other acid generators are preferably onium salt compounds, more preferably sulfonium salts, more preferably triphenylsulfonium salts, and particularly preferably triphenylsulfonium salicylate and triphenylsulfonium 10-camphorsulfonate. .
- N-sulfonyloxyimide compounds such as N- (trifluoromethanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboxyl.
- imide N- (nonafluoro-n-butanesulfonyloxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, and the like.
- the radiation sensitive resin composition contains [B ′] other acid generator
- content of [B ′] other acid generator is preferably 0.5 parts by weight, more preferably 1 part by weight, and still more preferably 2 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the [A] polymer.
- 30 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, 20 mass parts is more preferable, and 10 mass parts is further more preferable.
- a compound is a compound containing a nitrogen atom.
- the [D] compound can moderately shorten the diffusion of the acid generated from the [B] acid generator and [B ′] other acid generators.
- the said radiation sensitive resin composition can improve LWR performance etc. more by further containing a [D] compound.
- Examples of the [D] compound include amine compounds, amide group-containing compounds, urea compounds, nitrogen-containing heterocyclic compounds, and the like.
- Examples of the amine compound include mono (cyclo) alkylamines such as n-pentylamine and cyclohexylamine; di (cyclo) alkylamines such as di-n-pentylamine and dicyclohexylamine; tri-n-pentylamine and tricyclohexyl.
- Tri (cyclo) alkylamines such as amines; Substituted alkylanilines such as 2,6-dii-propylaniline and 2,6-din-propylaniline or derivatives thereof; ethylenediamine, N, N, N ′, N ′ -Tetramethylethylenediamine, tetramethylenediamine, hexamethylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminodiphenylamine, 2,2-bis (4-aminophenyl Propane, 2- (3-aminophenyl) -2- (4-aminophenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2- (3-hydroxyphenyl) propane, 2- (4-aminophenyl) -2 -(4-hydroxyphenyl) propane, 1,4-bis (1
- amide group-containing compound examples include Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds such as Nt-butoxycarbonyl-4-hydroxypiperidine; and Nt-butoxycarbonyl-4-hydroxypiperidine-containing amino compounds.
- Nt-butoxycarbonyl group-containing amino compounds such as Nt-butoxycarbonyl-4-hydroxypiperidine; and Nt-butoxycarbonyl-4-hydroxypiperidine-containing amino compounds.
- -Amyloxycarbonyl group-containing amino compounds formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, propionamide, benzamide, pyrrolidone, N-methylpyrrolidone, N -Acetyl-1-adamantylamine, isocyanuric acid tris (2-hydroxyethyl) and the like.
- urea compound examples include urea, methylurea, 1,1-dimethylurea, 1,3-dimethylurea, 1,1,3,3-tetramethylurea, 1,3-diphenylurea, tri-n-butylthiourea. Etc.
- nitrogen-containing heterocyclic compound examples include imidazoles such as 2-phenylimidazole; pyridines; piperazines; pyrazine, pyrazole, pyridazine, quinosaline, purine, pyrrolidine, piperidine, piperidineethanol, 3-piperidino-1,2- Propanediol, morpholine, 4-methylmorpholine, 1- (4-morpholinyl) ethanol, 4-acetylmorpholine, 3- (N-morpholino) -1,2-propanediol, 1,4-dimethylpiperazine, 1,4- And diazabicyclo [2.2.2] octane, N- (undecan-1-ylcarbonyloxyethyl) morpholine, and the like.
- nitrogen-containing heterocyclic compounds and amine compounds are preferable, and N- (undecan-1-ylcarbonyloxyethyl) morpholine, 2,6-di-propylaniline, and tri-n-pentylamine are more preferable.
- the said radiation sensitive resin composition contains a [D] compound
- 0.1 mass part is preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, 0 More preferably, 5 parts by mass.
- 30 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, 20 mass parts is more preferable, and 10 mass parts is further more preferable.
- [D] By making content of a compound into the said range, the LWR performance of the said radiation sensitive resin composition etc. can be improved further.
- a fluorine atom containing polymer is a polymer containing a fluorine atom.
- the radiation sensitive resin composition further contains [E] fluorine atom-containing polymer in addition to [A] polymer, so that [E] fluorine atom-containing polymer is unevenly distributed on the surface layer of the resist film to be formed.
- the hydrophobicity of the resist film surface can be improved.
- the substance elution suppression from the resist film is excellent, and the receding contact angle between the resist film and the immersion liquid can be sufficiently increased, enabling faster scanning. Become.
- the fluorine atom-containing polymer is not particularly limited, but (1) the polymer itself is insoluble in the developer and becomes alkali-soluble by the action of acid, and (2) itself is soluble in the developer.
- [E] As an aspect of the fluorine atom-containing polymer, for example, a structure in which a fluorinated alkyl group is bonded to the main chain; A structure in which a fluorinated alkyl group is bonded to the side chain; Examples include a structure in which a fluorinated alkyl group is bonded to the main chain and the side chain.
- Monomers that give a structure in which a fluorinated alkyl group is bonded to the main chain include, for example, ⁇ -trifluoromethyl acrylate compounds, ⁇ -trifluoromethyl acrylate compounds, ⁇ , ⁇ -trifluoromethyl acrylate compounds, one or more types And compounds in which the hydrogen atom of the vinyl moiety is substituted with a fluorinated alkyl group such as a trifluoromethyl group.
- Examples of the monomer that gives a structure in which a fluorinated alkyl group is bonded to the side chain include those in which the side chain of an alicyclic olefin compound such as norbornene is a fluorinated alkyl group or a derivative thereof, acrylic acid or methacrylic acid.
- An ester compound in which the side chain is a fluorinated alkyl group or a derivative group thereof, and a compound in which the side chain of one or more olefins (site not including a double bond) is a fluorinated alkyl group or a derivative group thereof can be used.
- Monomers that give a structure in which a fluorinated alkyl group is bonded to the main chain and side chain include, for example, ⁇ -trifluoromethyl acrylic acid, ⁇ -trifluoromethyl acrylic acid, ⁇ , ⁇ -trifluoromethyl acrylic acid, etc.
- an alicyclic olefin compound shows the compound in which a part of ring is a double bond.
- the fluorine atom-containing polymer may have other structural units other than the structural unit (f1) and the structural unit (f2).
- the [E] fluorine atom containing polymer may contain 1 type, or 2 or more types of each structural unit.
- each structural unit will be described in detail.
- the structural unit (f1) is a structural unit represented by the following formula (7).
- R f3 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group or a trifluoromethyl group.
- R f4 is a substituted or unsubstituted monovalent fluorinated chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or a substituted or unsubstituted monovalent fluorinated alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms. .
- Examples of the monovalent fluorinated chain hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms include a fluoromethyl group, a trifluoromethyl group, a trifluoroethyl group, a pentafluoro-n-propyl group, and a hexafluoro-i-propyl group. And nonafluoro-n-butyl group.
- Examples of the monovalent fluorinated alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms include a fluorocyclopentyl group, a difluorocyclopentyl group, a cyclopentyldifluoropropyl group, a perfluorocyclohexyl group, a cyclohexyldifluoromethyl group, and a perfluorocycloheptyl group.
- Examples of the monomer that gives the structural unit (f1) include trifluoromethyl (meth) acrylate, 2,2,2-trifluoroethyl (meth) acrylate, perfluoroethyl (meth) acrylate, perfluoro n-propyl ( (Meth) acrylate, perfluoro i-propyl (meth) acrylate, perfluoro n-butyl (meth) acrylate, perfluoro i-butyl (meth) acrylate, perfluoro t-butyl (meth) acrylate, perfluorocyclohexyl (meth) Acrylate, 2- (1,1,1,3,3,3-hexafluoro) propyl (meth) acrylate, 1- (2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoro) pentyl ( (Meth) acrylate, 1- (2,2,3,3,4,4,5,5-octafluoro) he Sil (me
- the structural unit (f1) is preferably a structural unit represented by the following formula (7-1) or a structural unit represented by (7-2).
- R f3 has the same meaning as in the above formula (7).
- a structural unit (f1) As a minimum of the content rate of a structural unit (f1), 10 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, and 20 mol% is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 70 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, and 50 mol% is more preferable.
- the structural unit (f2) is a structural unit represented by the following formula (8).
- R f5 is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.
- R f6 is a (y + 1) -valent linking group.
- X 1 is a divalent linking group having a fluorine atom.
- R f7 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.
- y is an integer of 1 to 3. However, when y is 2 or 3, the plurality of X 1 may be the same or different, and the plurality of R f7 may be the same or different.
- Examples of the (y + 1) -valent linking group represented by R f6 include linear or branched hydrocarbon groups having 1 to 30 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 30 carbon atoms, 6-30 aromatic hydrocarbon groups, or these groups combined with one or more groups selected from the group consisting of oxygen atom, sulfur atom, ether group, ester group, carbonyl group, imino group and amide group Groups.
- the (y + 1) -valent linking group may have a substituent.
- Examples of the linear or branched hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms include (y + 1) hydrocarbon groups such as methane, ethane, propane, butane, pentane, hexane, heptane, decane, icosane, triacontane and the like. And a group excluding individual hydrogen atoms.
- Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 30 carbon atoms include, for example, monocyclic saturated hydrocarbons such as cyclopropane, cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, cycloheptane, cyclooctane, cyclodecane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, and the like; As monocyclic unsaturated hydrocarbons, cyclobutene, cyclopentene, cyclohexene, cycloheptene, cyclooctene, cyclodecene, cyclopentadiene, cyclohexadiene, cyclooctadiene, cyclodecadiene, etc .; As polycyclic saturated hydrocarbons, bicyclo [2.2.1] heptane, bicyclo [2.2.2] octane, tricyclo [5.2.1.0 2,6 ] decan
- aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms examples include aromatic hydrocarbon groups such as benzene, naphthalene, phenanthrene, anthracene, tetracene, pentacene, pyrene, picene, toluene, xylene, ethylbenzene, mesitylene, cumene ( and y + 1) groups excluding hydrogen atoms.
- Examples of the divalent linking group having a fluorine atom represented by X 1 include a C 1-20 divalent chain hydrocarbon group having a fluorine atom.
- Examples of the divalent chain hydrocarbon group include groups represented by the following formulas (X1-1) to (X1-6).
- X 1 is preferably a group represented by the above formula (X1-1) or a group represented by the formula (X1-2), more preferably a group represented by the formula (X1-2).
- Examples of the monovalent organic group represented by R f7 include linear or branched hydrocarbon groups having 1 to 30 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon groups having 3 to 30 carbon atoms, and 6 to 6 carbon atoms. 30 aromatic hydrocarbon groups, or a combination of these groups and one or more groups selected from the group consisting of oxygen, sulfur, ether, ester, carbonyl, imino and amide groups, etc. Is mentioned.
- Examples of the structural unit (f2) include a structural unit represented by the following formula (8-1), a structural unit represented by the following formula (8-2), and the like.
- R f6 is a divalent linear, branched or cyclic saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms.
- R f5 , X 1 and R f7 have the same meaning as in the above formula (8).
- R f5 , X 1 , R f7 and y are as defined in the above formula (8).
- y is 2 or 3
- the plurality of X 1 may be the same or different
- the plurality of R f7 may be the same or different.
- Examples of the structural units represented by the above formulas (8-1) and (8-2) include structural units represented by the following formulas (8-1-1) to (8-1-3), And a structural unit represented by (8-2-1).
- R f5 has the same meaning as the formula (8).
- the structural unit (f2) is preferably a structural unit represented by the above formula (8-1), and more preferably a structural unit represented by the above formula (8-1-3).
- Examples of the monomer that gives the structural unit (f2) include (meth) acrylic acid [2- (1-ethyloxycarbonyl-1,1-difluoro-n-butyl)] ester, (meth) acrylic acid (1, 1,1-trifluoro-2-trifluoromethyl-2-hydroxy-3-propyl) ester, (meth) acrylic acid (1,1,1-trifluoro-2-trifluoromethyl-2-hydroxy-4- Butyl) ester, (meth) acrylic acid (1,1,1-trifluoro-2-trifluoromethyl-2-hydroxy-5-pentyl) ester, (meth) acrylic acid 2- ⁇ [5- (1 ′, 1 ′, 1′-trifluoro-2′-trifluoromethyl-2′-hydroxy) propyl] bicyclo [2.2.1] heptyl ⁇ ester and the like. Of these, (meth) acrylic acid [2- (1-ethyloxycarbonyl-1,1-difluoro-n-butyl)
- a structural unit (f2) As a minimum of the content rate of a structural unit (f2), 30 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, and 50 mol% is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 90 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, and 80 mol% is more preferable.
- the fluorine atom-containing polymer may contain other structural units other than the structural unit (f1) and the structural unit (f2). Examples of other structural units include the structural unit (I) of [A] polymer.
- the lower limit of the content ratio of the other structural units is 5 mol with respect to all the structural units constituting the [E] fluorine atom-containing polymer. % Is preferable, 10 mol% is more preferable, and 20 mol% is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content rate, 90 mol% is preferable with respect to all the structural units which comprise a [E] fluorine atom containing polymer, 80 mol% is more preferable, and 70 mol% is further more preferable.
- the said radiation sensitive resin composition contains a [E] fluorine atom containing polymer
- a [E] fluorine atom containing polymer As a minimum of content of a [E] fluorine atom containing polymer, it is 0 with respect to 100 mass parts of [A] polymers. 1 part by mass is preferable, and 1 part by mass is more preferable. Moreover, as an upper limit of the said content, 20 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of [A] polymers, 15 mass parts is more preferable, 10 mass parts is further more preferable, 6 mass parts is especially preferable. [E] If the content of the fluorine atom-containing polymer exceeds the above upper limit, the water repellency of the resist film surface becomes too high and development failure may occur.
- the fluorine atom content of the fluorine atom-containing polymer is preferably larger than the fluorine atom content of the [A] polymer.
- the fluorine atom content in the fluorine atom-containing polymer is larger than that of the [A] polymer, the [E] fluorine atom-containing polymer can be effectively unevenly distributed on the surface layer of the resist film.
- the water repellency of the resist film surface formed by the radiation sensitive resin composition containing the A] polymer and the [E] fluorine atom-containing polymer can be further increased.
- the lower limit of the difference between the fluorine atom content of the fluorine atom-containing polymer and the fluorine atom content of the [A] polymer is preferably 1% by mass, and more preferably 3% by mass. Moreover, as a minimum of the fluorine atom content rate of [E] fluorine atom containing polymer, 1 mass% is preferable, 3 mass% is more preferable, 5 mass% is further more preferable, 10 mass% is especially preferable.
- the fluorine atom content (% by mass) can be calculated from the structure of a polymer obtained by 13 C-NMR.
- a fluorine atom-containing polymer can be produced, for example, by polymerizing a monomer corresponding to each predetermined structural unit in a suitable polymerization solvent using a radical polymerization initiator.
- radical polymerization initiator examples include those similar to the radical polymerization initiator used in the method for synthesizing [A] polymer.
- polymerization solvent examples include those similar to the polymerization solvent used in the method for synthesizing the polymer [A].
- the lower limit of the reaction temperature in the polymerization is preferably 40 ° C, more preferably 50 ° C. Moreover, as an upper limit of the said reaction temperature, 150 degreeC is preferable and 120 degreeC is more preferable.
- the lower limit of the reaction time is preferably 1 hour. Moreover, as an upper limit of reaction time, 48 hours are preferable and 24 hours are more preferable.
- the lower limit of Mw of the fluorine atom-containing polymer is preferably 1,000, more preferably 2,000, and still more preferably 3,000. Further, the upper limit of the Mw is preferably 50,000, more preferably 30,000, and further preferably 10,000. [E] When Mw of the fluorine atom-containing polymer is less than 1,000, a sufficient receding contact angle may not be obtained. On the other hand, when Mw exceeds 50,000, the developability of the resist tends to decrease.
- the lower limit of the ratio (Mw / Mn) between Mw and Mn of the fluorine atom-containing polymer is preferably 1. Moreover, as an upper limit of the said ratio (Mw / Mn), 5 are preferable and 3 is more preferable.
- the radiation-sensitive resin composition may contain a [F] solvent in order to dissolve or disperse the [A] polymer, the [B] acid generator, and other components as necessary.
- the [F] solvent include alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, ether solvents, ester solvents, and the like. [F] You may use a solvent individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
- alcohol solvent examples include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol, sec-butanol, tert-butanol, n-pentanol, iso-pentanol, 2-methylbutanol, sec-pentanol, tert-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol, 2-ethylhexanol , Sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec -und
- ketone solvent examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-iso-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, methyl-n.
- a chain ketone solvent such as hexyl ketone, di-iso-butyl ketone, trimethylnonanone, 2,4-pentanedione, acetonyl acetone, diacetone alcohol, acetophenone;
- Examples thereof include cyclic ketone solvents such as cyclopentanone, cyclohexanone, cycloheptanone, cyclooctanone, and methylcyclohexanone.
- amide solvents examples include chain forms such as N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, and N-methylpropionamide.
- cyclic amide solvents such as N-methylpyrrolidone and N, N′-dimethylimidazolidinone.
- ether solvent examples include chain ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, and diphenyl ether; Examples include cyclic ether solvents such as tetrahydrofuran and tetrahydropyran.
- ester solvent examples include methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, iso-propyl acetate, n-butyl acetate, iso-butyl acetate, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, and acetic acid.
- Acetate solvents such as 3-methoxybutyl, methylpentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methyl cyclohexyl acetate, n-nonyl acetate, glycol diacetate, methoxytriglycol acetate; Acetic acid ethylene glycol monomethyl ether, acetic acid ethylene glycol monoethyl ether, acetic acid diethylene glycol monomethyl ether, acetic acid diethylene glycol monoethyl ether, acetic acid diethylene glycol mono-n-butyl ether, acetic acid propylene glycol monomethyl ether, acetic acid propylene glycol monoethyl ether, acetic acid propylene glycol monopropyl ether
- Acetate solvents of polyhydric alcohol partial ethers such as ether, propylene glyco
- ketone solvents and ester solvents are preferable, and as the ketone solvent, a cyclic ketone solvent is more preferable, and cyclohexanone is more preferable.
- ester solvent an acetate solvent of a polyhydric alcohol partial ether is more preferable, and propylene glycol monomethyl ether acetate is more preferable.
- the uneven distribution accelerator can be used to efficiently apply the [E] fluorine atom-containing polymer to the resist film surface when the radiation-sensitive resin composition contains the [E] fluorine atom-containing polymer. This component is unevenly distributed.
- the radiation-sensitive resin composition contains [G] an uneven distribution accelerator, the [E] fluorine atom-containing polymer can be effectively unevenly distributed on the resist film surface, and as a result, [E] fluorine The amount of the atom-containing polymer used can be reduced.
- Examples of the uneven distribution promoter include lactone compounds, carbonate compounds, nitrile compounds, polyhydric alcohols, and the like. You may use an uneven distribution promoter individually by 1 type or in combination of 2 or more types.
- lactone compound examples include ⁇ -butyrolactone, valerolactone, mevalonic lactone, norbornane lactone, and the like.
- Examples of the carbonate compound include propylene carbonate, ethylene carbonate, butylene carbonate, vinylene carbonate and the like.
- nitrile compound examples include succinonitrile.
- polyhydric alcohol examples include glycerin.
- lactone compounds are preferred, and ⁇ -butyrolactone is more preferred.
- the said radiation sensitive resin composition contains [G] uneven distribution accelerator
- As a minimum of content of [G] uneven distribution accelerator 5 mass parts with respect to 100 mass parts of [A] polymers Is preferable, 10 masses is more preferable, and 20 mass parts is further more preferable.
- the upper limit of the content is preferably 300 parts by mass, more preferably 100 parts by mass, and still more preferably 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the [A] polymer.
- the radiation-sensitive resin composition includes other optional components such as other radiation-sensitive acid generators, surfactants, alicyclic skeleton-containing compounds, and sensitizers. It may contain components. Other optional components may be used alone or in combination of two or more. Further, the content of other optional components can be appropriately determined according to the purpose.
- the radiation-sensitive resin composition includes [A] polymer, [B] acid generator, [B ′] other acid generator, [D] compound, [E] fluorine atom-containing polymer and [F] It can be prepared by mixing each optional component such as a solvent in a predetermined ratio.
- the lower limit of the solid content concentration of the radiation-sensitive resin composition is preferably 0.1% by mass, more preferably 0.5% by mass, and even more preferably 1% by mass. Moreover, as an upper limit of the said solid content density
- the resist pattern forming method includes a step of forming a resist film (hereinafter also referred to as “resist film forming step”), a step of exposing the resist film (hereinafter also referred to as “exposure step”), and the exposed resist.
- a step of developing the film (hereinafter also referred to as “developing step”) is provided, and the resist film is formed of the radiation-sensitive resin composition.
- a resist film is formed using the above-described radiation-sensitive resin composition of the present invention.
- coating method for example, appropriate application
- the substrate include a silicon wafer and a wafer coated with aluminum.
- the solvent in the coating film is volatilized by pre-baking (PB) as necessary.
- PB pre-baking
- the upper limit of the average film thickness is preferably 500 nm.
- the temperature of PB 60 degreeC is preferable and 80 degreeC is more preferable.
- 140 degreeC is preferable and 80 degreeC is more preferable.
- the lower limit of the PB time is preferably 5 seconds, and more preferably 10 seconds.
- 600 second is preferable and 300 second is more preferable.
- an organic or inorganic antireflection film can be formed on the substrate to be used.
- a protective film can also be provided, for example on a coating film.
- an immersion protective film may be provided on the resist film, for example, in order to avoid direct contact between the immersion medium and the resist film.
- the resist film formed in the resist film forming step is exposed.
- this exposure is performed by irradiating radiation through a mask having a predetermined pattern through an immersion medium such as water.
- the radiation include electromagnetic waves such as visible light, ultraviolet light, far ultraviolet light, EUV (wavelength 13.5 nm), X-rays, and ⁇ -rays; and charging such as electron beams and ⁇ -rays, depending on the line width of the target pattern. It is appropriately selected from particle beams and the like.
- the [A] polymer of the radiation-sensitive resin composition has the structural unit (I-1), far ultraviolet rays are preferable, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), KrF excimer laser light, etc. (Wavelength 248 nm) is more preferable, and ArF excimer laser light is more preferable.
- the [A] polymer of the said radiation sensitive resin composition has a structural unit (I-2), an electron beam and EUV are preferable.
- PEB Post Exposure Bake
- the dissociation reaction of the acid dissociable group in the exposed portion of the resist film can be smoothly advanced.
- 50 degreeC is preferable and 80 degreeC is more preferable.
- 180 degreeC is preferable and 130 degreeC is more preferable.
- the lower limit of the PEB time is preferably 5 seconds, and more preferably 10 seconds.
- 600 second is preferable and 300 second is more preferable.
- the resist film exposed in the exposure step is developed.
- the developer used for the development include an alkali developer and an organic solvent developer. Thereby, a predetermined resist pattern is formed.
- alkali developer examples include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methyl Diethylamine, ethyldimethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), pyrrole, piperidine, choline, 1,8-diazabicyclo- [5.4.0] -7-undecene, 1,5-diazabicyclo- [ 4.3.0] -5-nonene and an alkaline aqueous solution in which at least one alkaline compound is dissolved.
- TMAH tetramethylammonium hydroxide
- organic solvent developer examples include alcohol solvents such as methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, iso-butanol and sec-butanol; Ether solvents such as diethyl ether, dipropyl ether, dibutyl ether, tetrahydrofuran, dioxane, diphenyl ether, anisole; Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone; Amide solvents such as N, N′-dimethylimidazolidinone, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide; Examples thereof include ester solvents such as diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, n-propyl acetate, iso-propyl acetate, and n-butyl acetate.
- These developers may be used alone or in combination of two or more.
- the substrate is washed with water or the like and dried.
- the radiation sensitive acid generator of this invention consists of a compound represented by the said Formula (A). Since the said radiation sensitive acid generator has the above-mentioned characteristic, the LWR performance etc. of the radiation sensitive resin composition containing this can be improved.
- the compound of the present invention is represented by the above formula (A). Since the said compound has the said structure, it can be used suitably as the said radiation sensitive acid generator.
- the radiation-sensitive acid generator and the compound are described in the section [B] Acid generator of the radiation-sensitive resin composition described above.
- the dripping start was set as the polymerization reaction start time, and the polymerization reaction was carried out for 6 hours.
- the polymerization solution was cooled with water and cooled to 30 ° C. or lower.
- the polymerization solution cooled in 400 g of methanol was added, and the precipitated white powder was separated by filtration.
- the filtered white powder was washed twice with 80 g of methanol, filtered, and dried at 50 ° C. for 17 hours to synthesize a white powdery polymer (A-1) (15.2 g, yield 76). %).
- Mw of the polymer (A-1) was 7,300, and Mw / Mn was 1.53.
- the content ratio of each structural unit derived from the compound (M-1), the compound (M-2) and the compound (M-3) was 34.3 mol% and 45. 1 mol% and 20.6 mol%.
- Mw of the polymer (A-4) was 7,500, and Mw / Mn was 1.90.
- the content of each structural unit derived from p-hydroxystyrene and the compound (M-5) was 65.4 mol% and 34.6 mol%, respectively.
- the polymerization solution was cooled with water and cooled to 30 ° C. or lower.
- the operation of adding 100 g of hexane and stirring to recover the acetonitrile layer was repeated three times.
- the solvent By replacing the solvent with propylene glycol monomethyl ether acetate, a solution containing 60.1 g of the polymer (E-1) was obtained (yield 60%).
- Mw of the polymer (E-1) was 15,000, and Mw / Mn was 1.90.
- the content of each structural unit derived from the compound (M-11) and the compound (M-12) was 70.3 mol% and 29.7 mol%, respectively.
- Example 21 (Preparation of radiation-sensitive resin composition (J-1)) [A] 100 parts by mass of (A-1) as a polymer, [C] 2.3 parts by mass of (c′-1) as an acid diffusion controller, [B] (H-1) as an acid generator 8.5 parts by mass, (E-1) 3 parts by mass as a fluorine atom-containing polymer, (F-1) 2,240 parts by mass and (f-2) 960 parts by mass as a [F] solvent, [G] 30 parts by mass of (g-1) as an uneven distribution promoter was mixed and filtered through a membrane filter having a pore size of 0.2 ⁇ m to prepare a radiation sensitive resin composition (J-1).
- Example 22 to 46 and Comparative Examples 1 to 6 Preparation of radiation-sensitive resin compositions (J-2) to (J-26) and (J-27) to (J-32)) Each radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 21 except that the components of the types and contents shown in Table 2 and Table 3 were used.
- Example 47 to 57 and Comparative Examples 7 to 11 Preparation of radiation-sensitive resin compositions (J-33) to (J-43) and (J-44) to (J-48)) Each radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 21 except that the components having the types and contents shown in Table 4 below were used.
- a negative resist pattern was prepared in the same manner as in the resist pattern formation (1) except that n-butyl acetate was used in place of the TMAH aqueous solution and the organic solvent was developed and no washing with water was performed. Formed.
- Each radiation-sensitive resin composition was evaluated by measuring the resist patterns formed using the above-mentioned radiation-sensitive resin compositions (J-1) to (J-48) according to the following methods. The results are shown in Tables 5-8. A scanning electron microscope (Hitachi High-Technologies “CG-4100”) was used for measuring the resist pattern.
- LWR performance The resist pattern resolved at the optimum exposure dose was observed from above the pattern using the scanning electron microscope. A total of 50 line widths were measured at arbitrary points, and a 3-sigma value was obtained from the distribution of the measured values, and this was defined as LWR performance. The LWR performance indicates that the smaller the value, the smaller the backlash of the line. The LWR performance was evaluated as “A (good)” when 5.0 nm or less and “B (defective)” when exceeding 5.0 nm.
- CDU performance The resist pattern resolved at the optimum exposure dose was observed from above the pattern using the scanning electron microscope.
- the line width is measured at 20 points in the range of 400 nm, the average value is obtained, the average value is measured at a total of 500 points, and the 3 sigma value is obtained from the distribution of the measured values, which is taken as the CDU performance. .
- the CDU performance indicates that the smaller the value, the smaller the line width variation in a long cycle.
- the CDU performance was evaluated as “A (good)” when it was 1.5 nm or less, and “B (bad)” when it exceeded 1.5 nm.
- the line width of the resist pattern formed using a mask pattern having line widths of 51 nm, 53 nm, 55 nm, 57 nm, and 59 nm is plotted on the vertical axis, and the size of the mask pattern is defined as the vertical axis.
- the slope of the straight line when plotted on the horizontal axis was calculated and used as the MEEF performance.
- the MEEF performance indicates that the closer the value is to 1, the better the mask reproducibility.
- the MEEF performance was evaluated as “A (good)” when 1.30 or less, and “B (defective)” when it exceeded 1.30.
- Example 58 (Preparation of radiation-sensitive resin composition (J-49)) [A] 100 parts by weight of (A-4) as a polymer, [C] 2.3 parts by weight of (c′-1) as an acid diffusion controller, [B] (H-1) as an acid generator By mixing 8.5 parts by mass and (f-1) 2,240 parts by mass and (f-2) 1,830 parts by mass as a [F] solvent, and filtering through a membrane filter having a pore size of 0.2 ⁇ m, A radiation resin composition (J-49) was prepared.
- Example 59 to 74 and Comparative Examples 12 and 13 Preparation of Radiation Sensitive Resin Compositions (J-50) to (J-65) and (J-66) and (J-67)) Each radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 58 except that the components having the types and contents shown in Table 9 below were used.
- Example 75 to 83 and Comparative Examples 14 and 15 Preparation of Radiation Sensitive Resin Compositions (J-68) to (J-76) and (J-77) and (J-78)
- Each radiation-sensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 58 except that the components having the types and contents shown in Table 10 below were used.
- a negative resist pattern was prepared in the same manner as in the resist pattern formation (3) except that n-butyl acetate was used instead of the TMAH aqueous solution and the organic solvent was developed and no washing with water was performed. Formed.
- the radiation-sensitive resin composition and the resist pattern forming method of the present invention while exhibiting excellent depth of focus, exposure margin, MEEF performance, and sensitivity, LWR performance, CDU performance, resolution, and rectangular shape in cross section A resist pattern having excellent properties can be formed.
- the radiation sensitive acid generator of this invention can be used suitably as a component of the said radiation sensitive resin composition.
- the compound of the present invention can be suitably used as the radiation sensitive acid generator. Therefore, these can be suitably used for manufacturing processes of semiconductor devices, which are expected to be further miniaturized in the future.
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Abstract
本発明は、酸解離性基を含む構造単位を有する重合体、及び感放射線性酸発生剤を含有し、上記感放射線性酸発生剤が下記式(A)で表される化合物を含む感放射線性樹脂組成物である。式(A)中、Rxは、脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-を含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子を-OH、-CN、炭化水素基、オキシ炭化水素基、ハロゲン原子で置換した基であり、Rt及びRyは、Rxの環構造上の同一炭素原子又は互いに隣接する2つの炭素原子にそれぞれ結合している。M+は、感放射線性オニウムカチオンである。
Description
本発明は、感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物に関する。
半導体デバイス、液晶デバイス等の各種電子デバイスの構造の形成には、フォトリソグラフィーによるレジストパターン形成方法が用いられている。このレジストパターン形成には、例えば感放射線性樹脂組成物等が用いられる。上記感放射線性樹脂組成物は、遠紫外線、電子線等の放射線の照射により露光部に酸を発生させ、この酸の触媒作用により露光部と未露光部との現像液に対する溶解速度に差を生じさせ、基板上にレジストパターンを形成させるものである。
現在では、より波長の短いレーザー光や電子線の使用及び液浸露光装置等により、レジストパターンの加工技術の微細化が図られている。これに伴い、かかる感放射線性樹脂組成物には、解像性及びレジストパターンの断面形状の矩形性を向上させることが要求される。この要求に対し、組成物に用いられる重合体、酸発生剤、その他の成分の種類や分子構造が詳細に検討され、さらにその組み合わせについても詳細に検討されている(特開平11-125907号公報、特開平8-146610号公報及び特開2000-298347号公報参照)。
このような中、最近では、50nm以下の線幅のレジストパターンを形成することが要求されている。上記解像性及び断面形状の矩形性の要求はさらに高まり、またレジストパターンの線幅のバラつきを示すLWR(Line Width Roughness)性能及びCDU(Critical Dimension Uniformity)性能に優れることにより、高精度なパターンを得ること、さらに焦点深度、露光余裕度、マスクエラー許容度を表す指標であるMEEF(Mask Error Enhancement Factor)性能及び感度に優れ、プロセス安定性を向上させることも求められている。しかし、上記従来の感放射線性樹脂組成物ではこれらの要求を満足させることはできていない。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、LWR性能、CDU性能、解像性、断面形状の矩形性、焦点深度、露光余裕度、MEEF性能及び感度(以下、「LWR性能等」ともいう)に優れる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
上記課題を解決するためになされた発明は、酸解離性基を含む構造単位(以下、「構造単位(I)」ともいう)を有する重合体(以下、「[A]重合体」ともいう)、及び感放射線性酸発生剤(以下、「[B]酸発生剤」ともいう)を含有し、上記感放射線性酸発生剤が、下記式(A)で表される化合物を含む感放射線性樹脂組成物である。
上記課題を解決するためになされた別の発明は、レジスト膜を形成する工程、上記レジスト膜を露光する工程、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程を備え、上記レジスト膜を当該感放射線性樹脂組成物により形成するレジストパターン形成方法である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、上記式(A)で表される化合物からなる感放射線性酸発生剤である。
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、上記式(A)で表される化合物である。
ここで「脂環式炭化水素基」とは、脂環構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基をいい、単環の脂環式炭化水素基及び多環の脂環式炭化水素基の両方を含む。「脂肪族複素環基」とは、芳香環構造を含まず、環構成原子として炭素原子及び炭素原子以外の原子を含む環構造のみを含む基をいう。「炭化水素基」とは、鎖状炭化水素基、脂環式炭化水素基及び芳香族炭化水素基が含まれる。この「炭化水素基」は、飽和炭化水素基でも不飽和炭化水素基でもよい。「鎖状炭化水素基」とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基をいい、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の両方を含む。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として芳香環構造を含む炭化水素基をいう。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環構造を含んでいてもよい。「有機基」とは、少なくとも1個の炭素原子を含む基をいう。
本発明の感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法によれば、優れた焦点深度、露光余裕度、MEEF性能及び感度を発揮しつつ、LWR性能、CDU性能、解像性及び断面形状の矩形性に優れるレジストパターンを形成することができる。本発明の感放射線性酸発生剤は、当該感放射線性樹脂組成物の成分として好適に用いることができる。本発明の化合物は、当該感放射線性酸発生剤として好適に用いることができる。従って、これらは、今後ますます微細化が進行することが予想される半導体デバイスの製造プロセス等に好適に用いることができる。
<感放射線性樹脂組成物>
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生剤を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として、上記[B]酸発生剤以外の他の酸発生剤(以下、「[B’]他の酸発生体」ともいう)、[D]窒素原子含有化合物(以下、「[D]化合物」ともいう)、[E]フッ素原子含有重合体及び[F]溶媒を含有していてもよく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生剤を含有する。また、当該感放射線性樹脂組成物は、好適成分として、上記[B]酸発生剤以外の他の酸発生剤(以下、「[B’]他の酸発生体」ともいう)、[D]窒素原子含有化合物(以下、「[D]化合物」ともいう)、[E]フッ素原子含有重合体及び[F]溶媒を含有していてもよく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
<[A]重合体>
[A]重合体は、構造単位(I)を有する重合体である。当該感放射線性樹脂組成物によれば、放射線の照射により[B]酸発生剤等から生じる酸により露光部の[A]重合体の酸解離性基が解離して、露光部と未露光部とで現像液に対する溶解性に差異が生じ、その結果、レジストパターンを形成することができる。「酸解離性基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基等の水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基をいう。[A]重合体は、構造単位(I)以外にも、後述する下記式(3-1)で表される構造単位及び(3-2)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種(以下、「構造単位(II)」ともいう)、後述する下記式(4)で表される構造単位(以下、「構造単位(III)」ともいう)及び上記構造単位(I)~(III)以外のその他の構造単位を有していてもよい。[A]重合体は、各構造単位を1種又は2種以上有していてもよい。以下、各構造単位について説明する。
[A]重合体は、構造単位(I)を有する重合体である。当該感放射線性樹脂組成物によれば、放射線の照射により[B]酸発生剤等から生じる酸により露光部の[A]重合体の酸解離性基が解離して、露光部と未露光部とで現像液に対する溶解性に差異が生じ、その結果、レジストパターンを形成することができる。「酸解離性基」とは、カルボキシ基、ヒドロキシ基等の水素原子を置換する基であって、酸の作用により解離する基をいう。[A]重合体は、構造単位(I)以外にも、後述する下記式(3-1)で表される構造単位及び(3-2)で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも1種(以下、「構造単位(II)」ともいう)、後述する下記式(4)で表される構造単位(以下、「構造単位(III)」ともいう)及び上記構造単位(I)~(III)以外のその他の構造単位を有していてもよい。[A]重合体は、各構造単位を1種又は2種以上有していてもよい。以下、各構造単位について説明する。
[構造単位(I)]
構造単位(I)は、酸解離性基を含む構造単位である。構造単位(I)としては、例えば下記式(2-1)で表される構造単位(以下、「構造単位(I-1)」ともいう)、下記式(2-2)で表される構造単位(以下、「構造単位(I-2)」ともいう)等が挙げられる。
構造単位(I)は、酸解離性基を含む構造単位である。構造単位(I)としては、例えば下記式(2-1)で表される構造単位(以下、「構造単位(I-1)」ともいう)、下記式(2-2)で表される構造単位(以下、「構造単位(I-2)」ともいう)等が挙げられる。
上記式(2-1)中、R8は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Y1は、1価の酸解離性基である。
上記式(2-2)中、R8’は、水素原子又はメチル基である。Y2は、1価の酸解離性基である。
上記式(2-2)中、R8’は、水素原子又はメチル基である。Y2は、1価の酸解離性基である。
上記R8としては、構造単位(I-1)を与える単量体の共重合性の観点から、水素原子及びメチル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記Y1で表される1価の酸解離性基としては、下記式(Y-1)で表される基が好ましい。
上記式(Y-1)中、Re1は、炭素数1~20の1価の炭化水素基である。Re2及びRe3は、それぞれ独立して炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基若しくは炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基であるか、又はこれらの基が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3~20の脂環構造を表す。
上記Re1で表される炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば炭素数1~20の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
上記Re1、Re2及びRe3で表される炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基としては、例えば
メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基等のアルキル基;
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等のアルキニル基等が挙げられる。
これらの中で、アルキル基が好ましく、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びi-プロピル基がさらに好ましく、エチル基が特に好ましい。
メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-プロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基等のアルキル基;
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等のアルケニル基;
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等のアルキニル基等が挙げられる。
これらの中で、アルキル基が好ましく、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びi-プロピル基がさらに好ましく、エチル基が特に好ましい。
上記Re1、Re2及びRe3で表される炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基;
ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の多環のシクロアルキル基;
シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;
ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環のシクロアルケニル基等が挙げられる。
これらの中で、単環のシクロアルキル基及び多環のシクロアルキル基が好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基がより好ましい。
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等の単環のシクロアルキル基;
ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の多環のシクロアルキル基;
シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;
ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環のシクロアルケニル基等が挙げられる。
これらの中で、単環のシクロアルキル基及び多環のシクロアルキル基が好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基がより好ましい。
上記Re1で表される炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基としては、例えば
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、メチルアントリル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、メチルナフチル基、アントリル基、メチルアントリル基等のアリール基;
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等のアラルキル基等が挙げられる。
Re2及びRe3が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3~20の脂環構造としては、例えば
シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、シクロオクタン構造等の単環のシクロアルカン構造;
ノルボルナン構造、アダマンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等の多環のシクロアルカン構造;
シクロプロペン構造、シクロブテン構造、シクロペンテン構造、シクロヘキセン構造、シクロオクテン構造等の単環のシクロアルケン構造;
ノルボルネン構造、トリシクロデセン構造、テトラシクロドデセン構造等の多環のシクロアルケン構造等が挙げられる。
これらの中で、単環のシクロアルカン構造及び多環のシクロアルカン構造が好ましく、炭素数5~8の単環のシクロアルカン構造及び炭素数7~12の多環のシクロアルカン構造がより好ましく、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、シクロオクタン構造、ノルボルナン構造及びアダマンタン構造がさらに好ましく、シクロペンタン構造及びアダマンタン構造が特に好ましい。
シクロプロパン構造、シクロブタン構造、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、シクロオクタン構造等の単環のシクロアルカン構造;
ノルボルナン構造、アダマンタン構造、トリシクロデカン構造、テトラシクロドデカン構造等の多環のシクロアルカン構造;
シクロプロペン構造、シクロブテン構造、シクロペンテン構造、シクロヘキセン構造、シクロオクテン構造等の単環のシクロアルケン構造;
ノルボルネン構造、トリシクロデセン構造、テトラシクロドデセン構造等の多環のシクロアルケン構造等が挙げられる。
これらの中で、単環のシクロアルカン構造及び多環のシクロアルカン構造が好ましく、炭素数5~8の単環のシクロアルカン構造及び炭素数7~12の多環のシクロアルカン構造がより好ましく、シクロペンタン構造、シクロヘキサン構造、シクロオクタン構造、ノルボルナン構造及びアダマンタン構造がさらに好ましく、シクロペンタン構造及びアダマンタン構造が特に好ましい。
上記式(Y-1)で表される基としては、Re1が炭素数1~10の1価の鎖状炭化水素基であり、かつRe2及びRe3が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3~20の脂環構造を表すもの、Re1が炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基であり、かつRe2及びRe3が炭素数1~10の1価の鎖状炭化水素基であることが好ましく、Re1が炭素数1~10のアルキル基であり、かつRe2及びRe3が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数3~20のシクロアルカン構造を表すもの、Re1が炭素数3~20のシクロアルキル基であり、かつRe2及びRe3が炭素数1~10のアルキル基であることがより好ましく、Re1が炭素数1~4のアルキル基であり、かつRe2及びRe3が互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に構成される環員数5~8の単環のシクロアルカン構造又は環員数7~12の多環のシクロアルカン構造を表すものがさらに好ましく、1-エチル-1-シクロペンチル基、2-エチル-2-アダマンチル基、2-メチル-2-アダマンチル基及び2-アダマンチル-2-プロピル基が特に好ましい。
上記R8’としては、構造単位(I-2)を与える単量体の共重合性の観点から、水素原子が好ましい。
上記Y2で表される1価の酸解離性基としては、下記式(Y-2)で表される基が好ましい。
上記式(Y-2)中、Re4、Re5及びRe6は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数1~20のオキシ鎖状炭化水素基又は炭素数3~20のオキシ脂環式炭化水素基である。但し、Re4、Re5及びRe6が同時に水素原子である場合はない。
上記Re4、Re5及びRe6で表される炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基としては、例えば上記Re1、Re2及びRe3として例示したものと同様の基等が挙げられる。
これらの中で、アルキル基が好ましく、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びn-プロピル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
これらの中で、アルキル基が好ましく、炭素数1~4のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びn-プロピル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
上記Re4、Re5及びRe6で表される炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば上記Re1、Re2及びRe3として例示したものと同様の基等が挙げられる。
これらの中で、単環のシクロアルキル基及び多環のシクロアルキル基が好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基がより好ましい。
これらの中で、単環のシクロアルキル基及び多環のシクロアルキル基が好ましく、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基がより好ましい。
上記Re4、Re5及びRe6で表される炭素数1~20の1価のオキシ鎖状炭化水素基としては、例えば
メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基等のアルコキシ基;
エテニルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
エチニルオキシ基、プロピニルオキシ基、ブチニルオキシ基、ペンチニルオキシ基等のアルキニルオキシ基等が挙げられる。
これらの中で、アルコキシ基が好ましく、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基及びn-プロポキシ基がさらに好ましい。
メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基、i-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基等のアルコキシ基;
エテニルオキシ基、プロペニルオキシ基、ブテニルオキシ基、ペンテニルオキシ基等のアルケニルオキシ基;
エチニルオキシ基、プロピニルオキシ基、ブチニルオキシ基、ペンチニルオキシ基等のアルキニルオキシ基等が挙げられる。
これらの中で、アルコキシ基が好ましく、炭素数1~4のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基及びn-プロポキシ基がさらに好ましい。
上記Re4、Re5及びRe6で表される炭素数3~20の1価のオキシ脂環式炭化水素基としては、例えば
シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロオクチルオキシ基等の単環のシクロアルキルオキシ基;
ノルボルニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、トリシクロデシルオキシ基、テトラシクロドデシルオキシ基等の多環のシクロアルキルオキシ基;
シクロプロペニルオキシ基、シクロブテニルオキシ基、シクロペンテニルオキシ基、シクロヘキセニルオキシ基等の単環のシクロアルケニルオキシ基;
ノルボルネニルオキシ基、トリシクロデセニルオキシ基等の多環のシクロアルケニルオキシ基等が挙げられる。
これらの中で、単環のシクロアルキルオキシ基及び多環のシクロアルキルオキシ基が好ましく、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ノルボルニルオキシ基及びアダマンチルオキシ基がより好ましい。
シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、シクロオクチルオキシ基等の単環のシクロアルキルオキシ基;
ノルボルニルオキシ基、アダマンチルオキシ基、トリシクロデシルオキシ基、テトラシクロドデシルオキシ基等の多環のシクロアルキルオキシ基;
シクロプロペニルオキシ基、シクロブテニルオキシ基、シクロペンテニルオキシ基、シクロヘキセニルオキシ基等の単環のシクロアルケニルオキシ基;
ノルボルネニルオキシ基、トリシクロデセニルオキシ基等の多環のシクロアルケニルオキシ基等が挙げられる。
これらの中で、単環のシクロアルキルオキシ基及び多環のシクロアルキルオキシ基が好ましく、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ノルボルニルオキシ基及びアダマンチルオキシ基がより好ましい。
上記式(Y-2)で表される基としては、Re4、Re5及びRe6が1価の鎖状炭化水素基である基、Re4及びRe5が1価の鎖状炭化水素基かつRe6が1価のオキシ鎖状炭化水素基である基、Re4が1価の鎖状炭化水素基かつRe5及びRe6が1価のオキシ鎖状炭化水素基である基が好ましく、Re4、Re5及びRe6がアルキル基である基、Re4及びRe5がアルキル基かつRe6がアルコキシ基である基並びにRe4がアルキル基かつRe5及びRe6がアルコキシ基である基がより好ましく、Re4、Re5及びRe6がアルキル基である基がさらに好ましく、t-ブチル基、t-ペンチル基、t-ヘキシル基及びt-ヘプチル基が特に好ましい。
上記構造単位(I)としては、例えば
構造単位(I-1)として、下記式(2-1-1)~(2-1-8)で表される構造単位等;
構造単位(I-2)として、下記式(2-2-1)~(2-2-3)で表される構造単位等が挙げられる。
構造単位(I-1)として、下記式(2-1-1)~(2-1-8)で表される構造単位等;
構造単位(I-2)として、下記式(2-2-1)~(2-2-3)で表される構造単位等が挙げられる。
上記式(2-1-1)~(2-1-8)中、R8は、上記式(2-1)と同義である。Re1、Re2及びRe3は、上記式(Y-1)と同義である。jは、それぞれ独立して、1~3の整数である。
上記式(2-2-1)~(2-2-3)中、R8’は上記式(2-2)と同義である。
上記式(2-2-1)~(2-2-3)中、R8’は上記式(2-2)と同義である。
構造単位(I)としては、構造単位(I-1)が好ましく、上記式(2-1-2)、(2-1-3)、(2-1-5)及び(2-1-6)で表される構造単位がより好ましく、シクロペンタン構造を含む基及びアダマンタン構造を含む基がさらに好ましく、1-エチル-1-シクロペンチル(メタ)アクリレートに由来する構造単位、2-エチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレートに由来する構造単位、2-メチル-2-アダマンチル(メタ)アクリレートに由来する構造単位及び2-アダマンチル-2-プロピル(メタ)アクリレートに由来する構造単位が特に好ましい。
構造単位(I)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、10モル%が好ましく、20モル%がより好ましく、25モル%がさらに好ましく、30モル%が特に好ましい。また、上記含有割合の上限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、90モル%が好ましく、70モル%がより好ましく、60モル%がさらに好ましい。構造単位(I)の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能等をより向上させることができる。
[構造単位(II)]
構造単位(II)は、下記式(3-1)で表される構造単位(以下、「構造単位(II-1)」ともいう)及び下記式(3-2)で表される構造単位(以下、「構造単位(II-2)」ともいう)からなる群より選ばれる少なくとも1種である。[A]重合体が構造単位(II)を有することで、[B]酸発生剤は[A]重合体中での分散性を向上させることができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物は、LWR性能等をより向上させることができる。また、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンの基板への密着性を向上させることができる。
構造単位(II)は、下記式(3-1)で表される構造単位(以下、「構造単位(II-1)」ともいう)及び下記式(3-2)で表される構造単位(以下、「構造単位(II-2)」ともいう)からなる群より選ばれる少なくとも1種である。[A]重合体が構造単位(II)を有することで、[B]酸発生剤は[A]重合体中での分散性を向上させることができる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物は、LWR性能等をより向上させることができる。また、当該感放射線性樹脂組成物から形成されるレジストパターンの基板への密着性を向上させることができる。
上記式(3-1)中、R14は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。E1は、単結合、-CO-O-、-CO-NH-又は-CO-O-(CH2)i-CO-O-である。iは、1~6の整数である。R15は、非酸解離性でかつ極性基を含む基である。
上記式(3-2)中、R14’は、水素原子又はメチル基である。Ra及びRbは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は1価の有機基である。uは、1~3の整数である。uが2以上の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよく、複数のRbは同一でも異なっていてもよい。R15a及びR15bは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は1価の有機基である。
上記式(3-2)中、R14’は、水素原子又はメチル基である。Ra及びRbは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は1価の有機基である。uは、1~3の整数である。uが2以上の場合、複数のRaは同一でも異なっていてもよく、複数のRbは同一でも異なっていてもよい。R15a及びR15bは、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、ヒドロキシ基又は1価の有機基である。
構造単位(II-1)において、
上記R14としては、構造単位(II-1)を与える単量体の共重合性の観点から、水素原子及びメチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。
上記R14としては、構造単位(II-1)を与える単量体の共重合性の観点から、水素原子及びメチル基が好ましく、メチル基がさらに好ましい。
上記E1としては、構造単位(II-1)を与える単量体の共重合性の観点から、-CO-O-が好ましい。
上記R15で表される非酸解離性でかつ極性基を含む基における極性基としては、例えばヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、スルホ基、メルカプト基、アミノ基等の1価の基(a);カルボニル基、-O-、-S-、-NR’-これらを組み合わせてなる2価の基(b)等が挙げられる。R’は、水素原子又は炭素数1~20の1価の炭化水素基である。
上記R15で表される非酸解離性かつ極性基を含む基としては、例えば炭素数1~20の1価の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部を上記1価の基(a)で置換した基、炭素数1~20の1価の炭化水素基の一部又は全部の炭素-炭素間に上記2価の基(b)を含む基、炭素数1~20の1価の炭化水素基が有する水素原子の一部又は全部を上記1価の基(a)で置換し、かつ一部又は全部の炭素-炭素間に上記2価の基(b)を含む基等が挙げられる。
上記炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
上記炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基としては、例えば上記式(Y-1)におけるRe1、Re2及びRe3として例示したものと同様の基等が挙げられる。
上記炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば上記式(Y-1)におけるRe1、Re2及びRe3として例示したものと同様の基等が挙げられる。
上記炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基としては、例えば上記式(Y-1)におけるRe1として例示したものと同様の基等が挙げられる。
上記炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基としては、例えば上記式(Y-1)におけるRe1、Re2及びRe3として例示したものと同様の基等が挙げられる。
上記炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、例えば上記式(Y-1)におけるRe1、Re2及びRe3として例示したものと同様の基等が挙げられる。
上記炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基としては、例えば上記式(Y-1)におけるRe1として例示したものと同様の基等が挙げられる。
上記R15としては、ラクトン構造を有する基、環状カーボネート構造を有する基、スルトン構造を有する基、ヒドロキシ基を有する基等が挙げられる。
上記ラクトン構造を有する基としては、例えばブチロラクトン-イル基、ノルボルナンラクトン-イル基、5-オキソ-4-オキサトリシクロ[4.3.1.13,8]ウンデカン-イル基等が挙げられる。
環状カーボネート構造を有する基としては、例えばエチレンカーボネート-イルメチル基等が挙げられる。
スルトン構造を有する基としては、例えばプロパンスルトン-イル基、ノルボルナンスルトン-イル基等のスルトン構造を有する基等が挙げられる。
ヒドロキシ基を有する基としては、例えばヒドロキシアダマンチル基、ジヒドロキシアダマンチル基、トリヒドロキシアダマンチル基、ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
環状カーボネート構造を有する基としては、例えばエチレンカーボネート-イルメチル基等が挙げられる。
スルトン構造を有する基としては、例えばプロパンスルトン-イル基、ノルボルナンスルトン-イル基等のスルトン構造を有する基等が挙げられる。
ヒドロキシ基を有する基としては、例えばヒドロキシアダマンチル基、ジヒドロキシアダマンチル基、トリヒドロキシアダマンチル基、ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
構造単位(II-2)において、
上記R14’としては、構造単位(II-2)を与える単量体の共重合性の観点から、水素原子が好ましい。
上記R14’としては、構造単位(II-2)を与える単量体の共重合性の観点から、水素原子が好ましい。
上記Ra、Rb、R15a及びR15bで表される1価の有機基としては、例えば炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基、これらの基が有する水素原子の一部又は全部を置換基で置換した基、これらの基の炭素-炭素間に、-CO-、-CS-、-O-、-S-若しくは-NR”-又はこれらのうちの2種以上を組み合わせた基を含む基等が挙げられる。R”は、水素原子又は1価の有機基である。
uとしては、1及び2が好ましく、1がより好ましい。
構造単位(II)としては、例えば
構造単位(II-1)として下記式(3-1-1)~(3-1-14)で表される構造単位等;
構造単位(II-2)として下記式(3-2-1)で表される構造単位、(3-2-2)で表される構造単位等が挙げられる。
構造単位(II-1)として下記式(3-1-1)~(3-1-14)で表される構造単位等;
構造単位(II-2)として下記式(3-2-1)で表される構造単位、(3-2-2)で表される構造単位等が挙げられる。
上記式(3-1-1)~(3-1-14)中、R14は、上記式(3-1)と同義である。
上記式(3-2-1)及び(3-2-2)中、R14’は、上記式(3-2)と同義である。
上記式(3-2-1)及び(3-2-2)中、R14’は、上記式(3-2)と同義である。
これらの中で、上記式(3-1-1)、(3-1-3)、(3-1-5)及び(3-1-12)で表される構造単位が好ましい。
[A]重合体が構造単位(II)を含有する場合、構造単位(II)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、0.5モル%が好ましく、1モル%がより好ましく、20モル%がさらに好ましく、35モル%が特に好ましい。また、上記含有割合の上限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、90モル%が好ましく、80モル%がより好ましく、70モル%がさらに好ましい。構造単位(II)の含有割合を上記範囲とすることで、[B]酸発生剤の[A]重合体中における分散性がより向上し、その結果、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能等の性能をさらに向上させることができる。
[構造単位(III)]
構造単位(III)は、下記式(4)で表される構造単位である。照射する放射線として、KrFエキシマレーザー光、EUV、電子線等を用いる場合には、当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体が構造単位(III)を有することで、感度を高めることができる。
構造単位(III)は、下記式(4)で表される構造単位である。照射する放射線として、KrFエキシマレーザー光、EUV、電子線等を用いる場合には、当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体が構造単位(III)を有することで、感度を高めることができる。
上記式(4)中、R15は水素原子又はメチル基である。R16は、炭素数1~20の1価の有機基である。vは、0~3の整数である。R16が複数の場合、複数のR8は同一でも異なっていてもよい。wは、1~3の整数である。但し、v+wは5以下である。
上記R15としては、構造単位(III)を与える単量体の共重合性の観点から、水素原子が好ましい。
上記R16で表される炭素数1~20の1価の有機基としては、例えば炭素数1~20の1価の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の1価の芳香族炭化水素基、これらの基が有する水素原子の一部又は全部を置換基で置換した基、これらの基の炭素-炭素間に、-CO-、-CS-、-O-、-S-若しくは-NR”-又はこれらのうちの2種以上を組み合わせた基を含む基等が挙げられる。R”は、水素原子又は1価の有機基である。これらの中で、1価の鎖状炭化水素基が好ましく、アルキル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
vとしては0~2の整数が好ましく、0及び1がより好ましく、0がさらに好ましい。
wとしては、1及び2が好ましく、1がより好ましい。
構造単位(III)としては、例えば下記式(4-1)~(4-4)で表される構造単位等が挙げられる。
上記式(4-1)~(4-4)中、R15は、上記式(4)と同義である。
これらの中で、上記式(4-1)で表される構造単位及び(4-2)で表される構造単位が好ましく、上記式(4-1)で表される構造単位がより好ましい。
[A]重合体が構造単位(III)を含有する場合、構造単位(III)の含有割合の下限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、1モル%が好ましく、10モル%がより好ましく、30モル%がさらに好ましく、50モル%が特に好ましい。また、上記含有割合の上限としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、90モル%が好ましく、80モル%がより好ましく、75モル%がさらに好ましい。構造単位(III)の含有割合を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物は、感度をより向上させることができる。
なお、構造単位(III)は、ヒドロキシスチレンの-OH基の水素原子をアセチル基等で置換した単量体を重合した後、得られた重合体を、アミン存在下で加水分解反応を行うこと等により形成することができる。
[他の構造単位]
[A]重合体は、上記構造単位(I)~(III)以外の他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位としては、例えば非解離性の1価の脂環式炭化水素基を含む(メタ)アクリル酸エステルに由来する構造単位等が挙げられる。他の構造単位の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、20モル%以下が好ましく、10モル%以下がより好ましい。
[A]重合体は、上記構造単位(I)~(III)以外の他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位としては、例えば非解離性の1価の脂環式炭化水素基を含む(メタ)アクリル酸エステルに由来する構造単位等が挙げられる。他の構造単位の含有割合としては、[A]重合体を構成する全構造単位に対して、20モル%以下が好ましく、10モル%以下がより好ましい。
<[A]重合体の合成方法>
[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。例えば(1)単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(2)単量体を含有する溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(3)各々の単量体を含有する複数種の溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(4)単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を無溶媒中や反応溶媒中で重合反応させる方法等で合成することが好ましい。
[A]重合体は、ラジカル重合等の常法に従って合成することができる。例えば(1)単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(2)単量体を含有する溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(3)各々の単量体を含有する複数種の溶液とラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法、(4)単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を無溶媒中や反応溶媒中で重合反応させる方法等で合成することが好ましい。
なお、単量体溶液に対して、単量体溶液を滴下して反応させる場合、滴下される単量体溶液中の単量体量は、重合に用いられる単量体総量に対して30モル%以上であることが好ましく、50モル%以上であることがより好ましく、70モル%以上であることがさらに好ましい。
これらの方法における反応温度は開始剤種によって適宜決定すればよい。反応温度の下限としては、30℃が好ましく、40℃がより好ましく、50℃がさらに好ましい。また、反応温度の上限としては、150℃が好ましく、140℃がより好ましい。滴下時間は、反応温度、開始剤の種類、反応させる単量体等の条件によって異なる。滴下時間の下限としては、30分が好ましく、45分がより好ましく、1時間がさらに好ましい。また、滴下時間の上限としては、8時間が好ましく、6時間がより好ましく、5時間がさらに好ましい。さらに、滴下時間を含む全反応時間も、滴下時間と同様に条件により異なる。全反応時間の下限としては、30分が好ましく、45分がより好ましく、1時間がさらに好ましい。また、全反応時間の上限としては、12時間が好ましく、10時間がより好ましい。
上記重合に使用されるラジカル開始剤としては、例えばアゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、2,2’-アゾビス(4-メトキシ-2,4-ジメチルバレロニトリル)、2,2’-アゾビス(2-シクロプロピルプロピオニトリル)、2,2’-アゾビス(2,4-ジメチルバレロニトリル)、ジメチル2,2’-アゾビス(2-メチルプロピオネート)、ジメチル2,2’-アゾビスイソブチレート等のアゾ系ラジカル開始剤;
ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤などが挙げられる。これらの中で、AIBN及びジメチル2,2’-アゾビス(2-メチルプロピオネート)が好ましい。なお、ラジカル開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物系ラジカル開始剤などが挙げられる。これらの中で、AIBN及びジメチル2,2’-アゾビス(2-メチルプロピオネート)が好ましい。なお、ラジカル開始剤は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
反応溶媒としては、重合を阻害する溶媒(重合禁止効果を有するニトロベンゼン、連鎖移動効果を有するメルカプト化合物等)以外の溶媒であって、その単量体を溶解可能な溶媒であれば使用することができる。例えばアルコール類、エーテル類、ケトン類、アミド類、エステル・ラクトン類、ニトリル類及びその混合溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
重合反応により得られた重合体は、再沈殿法により回収することが好ましい。すなわち重合反応終了後、重合液を再沈溶媒に投入することにより、目的の重合体を粉体として回収する。再沈溶媒としては、アルコール類やアルカン類等を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、再沈殿法の他に、分液操作やカラム操作、限外ろ過操作等により、単量体、オリゴマー等の低分子成分を除去して、重合体を回収することもできる。
[A]重合体のGPC(Gel Permeation Chromatography)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)の下限としては、1,000が好ましく、2,000がより好ましく、3,000がさらに好ましく、5,000が特に好ましい。また、上記ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)の上限としては、50,000が好ましく、40,000がより好ましく、30,000がさらに好ましく、20,000が特に好ましい。[A]重合体のMwが上記下限未満であると、当該感放射線性樹脂組成物から形成されたレジストパターンの耐熱性が低下するおそれがある。[A]重合体のMwが上記上限を超えると、当該感放射線性樹脂組成物の現像性が低下するおそれがある。
[A]重合体のGPCによるポリスチレン換算数平均分子量(Mn)に対するMwの比(Mw/Mn、分散度)の下限としては、1が好ましい。また、上記Mwの比(Mw/Mn、分散度)の上限としては、5が好ましく、3がより好ましく、2.5がさらに好ましい。
[A]重合体の含有量の下限としては、当該感放射線性樹脂組成物中の全固形分に対して、70質量%が好ましく、80質量%がより好ましく、85質量%がさらに好ましい。
<[B]酸発生剤>
[B]酸発生剤は、下記式(A)で表される化合物(以下、「化合物(A)」ともいう)を含む。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体と共に[B]酸発生剤を含有することで、LWR性能等に優れる。
[B]酸発生剤は、下記式(A)で表される化合物(以下、「化合物(A)」ともいう)を含む。当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体と共に[B]酸発生剤を含有することで、LWR性能等に優れる。
上記式(A)中、Rxは、環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基であり、Rt及びRyは、上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基の環構造上の同一炭素原子に結合するか又は互いに隣接する2つの炭素原子にそれぞれ結合している。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。Rtは、炭素原子である。Ryは、炭素数1~30の1価の有機基である。kは、1~3の整数である。kが2以上の場合、複数のRxは同一でも異なっていてもよく、複数のRyは同一でも異なっていてもよい。RF1、RF2及びRF3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。iは、0~9の整数である。但し、iが0の場合、kは1又は2である。iが2以上の場合、複数のRF1は同一でも異なっていてもよく、複数のRF2は同一でも異なっていてもよい。RF3が複数の場合、複数のRF3は同一でも異なっていてもよい。但し、1若しくは複数のRF1、1若しくは複数のRF2及び1若しくは複数のRF3のうちの少なくともいずれかはフッ素原子又はパーフルオロアルキル基である。M+は、1価の感放射線性オニウムカチオンである。
化合物(A)は、アニオンの-SO3
-が露光部においてSO3Hに変わってスルホン酸を発生する。当該感放射線性樹脂組成物が、例えば[B]酸発生剤以外に化合物(A)が発生する酸より強い酸を発生する酸発生剤(例えば後述する[B’1]他の酸発生剤等が挙げられる)等を含有する場合は、未露光部においては[B]酸発生剤は、酸発生剤から発生する酸を捕捉するものとして機能を発揮する。当該感放射線性樹脂組成物が、例えば[B]酸発生剤以外に化合物(A)が発生する酸より弱い酸を発生する酸発生剤(例えば後述する[B’2]他の酸発生剤等が挙げられる)等を含有する場合は、露光部においては[B]酸発生剤は、放射線の照射により[A]重合体の酸解離性基を解離させる作用をする酸を発生するものとして機能を発揮する。
当該感放射線性樹脂組成物が[B]酸発生剤を含有することで上記効果を奏する理由については、必ずしも明確ではないが、例えば以下のように推察することができる。すなわち、[B]酸発生剤は、SO3
-と嵩高い脂環構造との間にカルボニル基等の極性基を含まないので、剛直な構造を有しており、そのため、耐熱性、ドライエッチング耐性に優れている。従って、[B]酸発生剤は、適度な剛直性と適度な嵩高さを有しており、その結果、この[B]酸発生剤から生じる酸の拡散が適度に短くなる。さらに、[B]酸発生剤は上記構造を有しているので、透明性に優れ、また感度にも優れる。これらの結果、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能等を向上させることができる。
上記Rxで表される環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば
シクロペンタン-1,1-ジイル基、シクロヘキサン-1,1-ジイル基等の単環シクロアルカン-1,1-ジイル基;
シクロペンテン-1,1-ジイル基、シクロヘキセン-1,1-ジイル基等の単環シクロアルケン-1,1-ジイル基;
ノルボルナン-1,1-ジイル基、トリシクロデカン-1,1-ジイル基等の多環シクロアルカン-1,1-ジイル基;
ノルボルネン-1,1-ジイル基等の多環シクロアルケン-1,1-ジイル基;
シクロペンタン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基等の単環シクロアルカン-1,2-ジイル基;
シクロペンテン-1,2-ジイル基、シクロヘキセン-1,2-ジイル基等の単環シクロアルケン-1,2-ジイル基;
ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基等の多環シクロアルカン-1,2-ジイル基;
ノルボルネン-1,2-ジイル基等の多環シクロアルケン-1,2-ジイル基などが挙げられる。
シクロペンタン-1,1-ジイル基、シクロヘキサン-1,1-ジイル基等の単環シクロアルカン-1,1-ジイル基;
シクロペンテン-1,1-ジイル基、シクロヘキセン-1,1-ジイル基等の単環シクロアルケン-1,1-ジイル基;
ノルボルナン-1,1-ジイル基、トリシクロデカン-1,1-ジイル基等の多環シクロアルカン-1,1-ジイル基;
ノルボルネン-1,1-ジイル基等の多環シクロアルケン-1,1-ジイル基;
シクロペンタン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基等の単環シクロアルカン-1,2-ジイル基;
シクロペンテン-1,2-ジイル基、シクロヘキセン-1,2-ジイル基等の単環シクロアルケン-1,2-ジイル基;
ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基等の多環シクロアルカン-1,2-ジイル基;
ノルボルネン-1,2-ジイル基等の多環シクロアルケン-1,2-ジイル基などが挙げられる。
上記Rxで表される脂環式炭化水素基としては、単環シクロアルカンジイル基、単環シクロアルケンジイル基、多環シクロアルカンジイル基及び多環シクロアルケンジイル基が好ましく、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、シクロヘキセンジイル基、ノルボルナンジイル基及びノルボルネンジイル基がより好ましく、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基及びノルボルネンジイル基がさらに好ましい。
上記Rxで表される脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基としては、例えば
オキサシクロヘキサン構造等の環状エーテル構造;
ブチロラクトン構造、バレロラクトン構造、シクロヘキサンラクトン構造、ノルボルナンラクトン構造等のラクトン構造;
エチレンカーボネート構造等の環状カーボネート構造;
オキソシクロヘキサン構造等の環状ケトン構造;
チアシクロヘキサン構造等の環状スルフィド構造;
ノルボルナンスルトン構造等のスルトン構造;
オキサゾリジノン構造等の環状ウレタン構造;
環状シロキサン構造等の環状シリル構造を含む基などが挙げられる。
オキサシクロヘキサン構造等の環状エーテル構造;
ブチロラクトン構造、バレロラクトン構造、シクロヘキサンラクトン構造、ノルボルナンラクトン構造等のラクトン構造;
エチレンカーボネート構造等の環状カーボネート構造;
オキソシクロヘキサン構造等の環状ケトン構造;
チアシクロヘキサン構造等の環状スルフィド構造;
ノルボルナンスルトン構造等のスルトン構造;
オキサゾリジノン構造等の環状ウレタン構造;
環状シロキサン構造等の環状シリル構造を含む基などが挙げられる。
上記Rxで表される脂肪族複素環基としては、環状エーテル構造、ラクトン構造、環状カーボネート構造及びスルトン構造を含む基が好ましく、オキサシクロヘキサン構造、オキサノルボルナン構造、ブチロラクトン構造、ノルボルナンラクトン構造、エチレンカーボネート構造、チアノルボルナン構造及びノルボルナンスルトン構造を含む基がより好ましく、オキサシクロヘキサン構造、オキサノルボルナン構造、ブチロラクトン構造及びチアノルボルナン構造を含む基がさらに好ましい。
上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば炭素数1~20の直鎖状又は分枝鎖状の鎖状炭化水素基、炭素数3~20の脂環式炭化水素基、炭素数6~20の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
上記鎖状炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基;エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等のアルケニル基;エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等のアルキニル基などが挙げられる。
上記脂環式炭化水素基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の単環のシクロアルキル基;ノルボルニル基、アダマンチル基、トリシクロデシル基、テトラシクロドデシル基等の多環のシクロアルキル基;シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の単環のシクロアルケニル基;ノルボルネニル基、トリシクロデセニル基等の多環のシクロアルケニル基などが挙げられる。
上記芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基、アントリルメチル基等のアラルキル基などが挙げられる。
上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、i-プロポキシ基、n-ブトキシ基等の1級又は2級のアルコキシ基;シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルキルオキシ基;フェノキシ基、ベンジルオキシ基等のオキシ芳香族炭化水素基等が挙げられる。
上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換するハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基及びシクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が好ましい。これらの中で、シクロヘキシル基及びメチル基がより好ましい。
上記RSで表される炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば上記Rxにおける置換基として例示した炭素数1~20の1価の炭化水素基と同様の基等が挙げられる。
上記RSで表される炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基としては、例えば上記Rxにおける置換基として例示した炭素数1~20の1価の炭化水素基と同様の基等が挙げられる。
上記Rtは、Rx、RF3並びにRF1及びRF2が結合する炭素原子に結合する炭素原子であり、kが3の場合、Rx並びにRF1及びRF2が結合する炭素原子に結合する炭素原子である。
上記Ryで表される炭素数1~30の1価の有機基としては、例えば炭素数1~30の1価の炭化水素基、この炭化水素基の炭素-炭素間又は結合手側の末端に2価のヘテロ原子含有基を含む基(g)、上記炭化水素基及び基(g)が有する水素原子の一部又は全部を1価のヘテロ原子含有基で置換した基等が挙げられる。
上記炭素数1~30の1価の炭化水素基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分枝鎖状の鎖状炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
上記Ryとしては、炭素数1~30の直鎖状又は分枝鎖状の鎖状炭化水素基及び炭素数3~30の脂環式炭化水素基が好ましい。
上記1価及び2価のヘテロ原子含有基が有するヘテロ原子としては、例えば酸素原子、硫黄原子、窒素原子、ケイ素原子、リン原子等が挙げられる。これらの中で、酸素原子、硫黄原子及び窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
上記2価のヘテロ原子含有基としては、例えば-O-、-CO-、-CS-、-NR’-及びこれらを組み合わせた基等が挙げられる。R’は、水素原子又は炭素数1~30の1価の炭化水素基である。
上記1価のヘテロ原子含有基としては、例えばヒドロキシ基、カルボキシ基、スルファニル基(-SH)、アミノ基、シアノ基等が挙げられる。
上記Ryとしては基(g)が好ましく、ヘテロ原子として-O-、-CO-、-NR’-及びこれらを組み合わせた基がより好ましく、-O-、-CO-及びこれらを組み合わせた基がさらに好ましい。
kとしては、1及び2が好ましい。
上記RF1、RF2及びRF3で表される炭素数1~20のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が挙げられる。
上記RF1、RF2及びRF3で表される炭素数1~20のフッ素化アルキル基としては、例えばトリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基等が挙げられる。
これらの中で、水素原子、フッ素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、トリフルオロメチル基及びフッ素原子がより好ましい。
SO3
-に隣接する炭素原子に結合するRF1、RF2及びRF3のうちの少なくともいずれかがフッ素原子又はパーフルオロアルキル基であることが好ましく、SO3
-に隣接する炭素原子に結合するRF1及びRF2の両方又は複数のRF3がフッ素原子又はパーフルオロアルキル基であることがより好ましく、SO3
-に隣接する炭素原子に結合するRF1及びRF2の両方又は複数のRF3がフッ素原子であることがさらに好ましい。
iとしては、0~4の整数が好ましく、0~2がより好ましく、0及び1がさらに好ましい。
上記M+で表される1価の感放射線性オニウムカチオンは、放射線の作用により分解するカチオンである。露光部では、この感放射線性オニウムカチオンの分解により生成するプロトンと、上記化合物(A)のスルホネートアニオンとからスルホン酸を生じる。例えば上記M+で表される1価の感放射線性オニウムカチオンとしては、例えばS、I、O、N、P、Cl、Br、F、As、Se、Sn、Sb、Te、Bi等の元素を含む感放射線性オニウムカチオンが挙げられる。元素としてS(イオウ)を含むカチオンとしては、例えばスルホニウムカチオン、テトラヒドロチオフェニウムカチオン等が挙げられ、元素としてI(ヨウ素)を含むカチオンとしては、ヨードニウムカチオン等が挙げられる。これらの中で、下記式(X-1)で表されるスルホニウムカチオン及び下記式(X-2)で表されるヨードニウムカチオンが好ましく、下記式(X-1)で表されるスルホニウムカチオンがより好ましい。
上記式(X-1)中、R9、R10及びR11は、それぞれ独立して置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基、-OSO2-RA若しくは-SO2-RBであるか、又はこれらの基のうちの2つ以上の結合により構成される環構造を表す。RA及びRBは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数5~25の1価の脂環式炭化水素基又は置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基である。p、q及びrは、それぞれ独立して、0~5の整数である。R9~R11、RA及びRBがそれぞれ複数の場合、複数のR9は同一でも異なっていてもよく、複数のR10は同一でも異なっていてもよく、複数のR11は同一でも異なっていてもよく、複数のRAは同一でも異なっていてもよく、複数のRBは同一でも異なっていてもよい。
上記式(X-2)中、R12及びR13は、それぞれ独立して置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基、-OSO2-RC若しくは-SO2-RDであるか、又はこれらの基のうちの2つ以上の結合により構成される環構造を表す。RC及びRDは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数5~25の1価の脂環式炭化水素基又は置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基である。s及びtは、それぞれ独立して、0~5の整数である。R12、R13、RC及びRDがそれぞれ複数の場合、複数のR12は同一でも異なっていてもよく、複数のR13は同一でも異なっていてもよく、複数のRCは同一でも異なっていてもよく、複数のRDは同一でも異なっていてもよい。
上記R9~R13で表される非置換の直鎖状のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n-プロピル基、n-ブチル基等が挙げられる。
上記R9~R13で表される非置換の分岐状のアルキル基としては、例えばi-プロピル基、i-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基等が挙げられる。
上記R9~R13で表される非置換の芳香族炭化水素基としては、例えばフェニル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基などが挙げられる。
上記アルキル基及び芳香族炭化水素基が有する水素原子を置換していてもよい置換基としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、アルコキシカルボニルオキシ基、アシル基、アシロキシ基等が挙げられる。これらの中で、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。
上記R9~R13としては、非置換の直鎖状又は分岐状のアルキル基、フッ素化アルキル基、非置換の1価の芳香族炭化水素基、-OSO2-R”及び-SO2-R”が好ましく、フッ素化アルキル基及び非置換の1価の芳香族炭化水素基がより好ましく、フッ素化アルキル基がさらに好ましい。R”は、非置換の1価の脂環式炭化水素基又は非置換の1価の芳香族炭化水素基である。
上記式(X-1)におけるp、q及びrとしては、0~2の整数が好ましく、0及び1がより好ましく、0がさらに好ましい。
上記式(X-2)におけるs及びtとしては、0~2の整数が好ましく、0及び1がより好ましく、0がさらに好ましい。
上記式(X-2)におけるs及びtとしては、0~2の整数が好ましく、0及び1がより好ましく、0がさらに好ましい。
化合物(A)としては、例えば下記化合物(1)、化合物(1’)等が挙げられる。
[化合物(1)]
化合物(1)は、下記式(1)で表される。
化合物(1)は、下記式(1)で表される。
上記式(1)中、Rt、Ry、RF1、RF2、RF3、k、i及びM+は、上記式(A)と同義である。R1は、この基が結合する炭素原子と共に環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基を構成する基である。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。
上記R1とこの基が結合する炭素原子とが構成する環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば上記Rxとして例示した環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基と同様の基等が挙げられる。これらのうちシクロペンタン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、シクロヘキセン-1,2-ジイル基、ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基及びノルボルネン-1,2-ジイル基が好ましく、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基及びノルボルネン-1,2-ジイル基がより好ましい。
上記R1で表される上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基としては、例えば上記Rxとして例示した脂肪族複素環基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、-O-、-COO-、-S-及びこれらの組み合わせを含む基が好ましく、-O-及び-S-を含む基がより好ましい。
上記R1で表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基及びシクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が好ましい。これらの中で、シクロヘキサン基及びメチル基がより好ましい。
上記R1で表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。
上記R1で表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換するハロゲン原子としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換するハロゲン原子として例示した基と同様の基等が挙げられる。
[化合物(1-1)]
化合物(1)としては、例えば下記式(1-1)(以下、「化合物(1-1)」ともいう)で表される化合物等が挙げられる。
化合物(1)としては、例えば下記式(1-1)(以下、「化合物(1-1)」ともいう)で表される化合物等が挙げられる。
上記式(1-1)中、Rt、RF1、RF2、RF3、i及びM+は、上記式(1)と同義である。Rhは、この基が結合する炭素原子と共に環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基又は上記脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部を炭素数1~20の1価の炭化水素基で置換した基を構成する基である。R2は、水素原子又は炭素数1~29の1価の有機基である。Xは、-O-又は-NR3-である。R3は、水素原子又は炭素数1~29の1価の有機基である。Yは、単結合又は炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基である。
化合物(1-1)は、化合物(1)のRyを、-Y-CO-X-R2としたものである。このように極性を有する基を含むことで、化合物(1-1)は適度な極性を有することになり、化合物から生じる酸の拡散をより適度に短くできる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能等がより向上する。
上記Rhとこの基が結合する炭素原子とが構成する環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えば上記Rxとして例示した環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基と同様の基等が挙げられる。これらのうちシクロペンタン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、シクロヘキセン-1,2-ジイル基、ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基及びノルボルネン-1,2-ジイル基が好ましく、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基及びノルボルネン-1,2-ジイル基がより好ましい。
上記Rhで表される脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基及びシクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が好ましい。これらの中で、シクロヘキシル基及びメチル基がより好ましい。
上記R2及びR3で表される炭素数1~29の1価の有機基としては、例えばRyとして例示した炭素数1~30の1価の有機基のうち炭素数1~29のもの等が挙げられる。
上記R2としては、これらの中で、1価の鎖状炭化水素基及び1価の脂環式炭化水素基が好ましく、アルキル基、単環のシクロアルキル基及び多環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数1~5のアルキル基及び炭素数3~8の単環のシクロアルキル基がさらに好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基及びシクロヘキシル基が特に好ましく、エチル基がさらに特に好ましい。
上記R3としては、水素原子が好ましい。
上記Xとしては、-O-が好ましい。
上記Yで表される炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基としては、例えば上記R2及びR3として例示した鎖状炭化水素基から1個の水素原子を除いた基のうち、炭素数1~10の基等が挙げられる。
これらの中で、単結合、メタンジイル基及びエタンジイル基が好ましく、単結合及びメタンジイル基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
[化合物(1-a)~(1-d)]
化合物(1-1)としては、例えば下記式(1-a)で表される化合物(以下、「化合物(1-a)」ともいう)、下記式(1-b)で表される化合物(以下、「化合物(1-b)」ともいう)、下記式(1-c)で表される化合物(以下、「化合物(1-c)」ともいう)、下記式(1-d)で表される化合物(以下、「化合物(1-d)」ともいう)等が挙げられる。
化合物(1-1)としては、例えば下記式(1-a)で表される化合物(以下、「化合物(1-a)」ともいう)、下記式(1-b)で表される化合物(以下、「化合物(1-b)」ともいう)、下記式(1-c)で表される化合物(以下、「化合物(1-c)」ともいう)、下記式(1-d)で表される化合物(以下、「化合物(1-d)」ともいう)等が挙げられる。
上記式(1-a)~(1-d)中、Rt、R2、X、Y、RF1、RF2、RF3、i及びM+は、上記式(1-1)と同義である。R4~R7は、それぞれ独立して、炭素数1~10のアルキル基又は環員数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。mは、1~10の整数である。aは、0~(2m+2)の整数である。aが2以上の場合、複数のR4は同一でも異なっていてもよい。bは、0~8の整数である。bが2以上の場合、複数のR5は同一でも異なっていてもよい。cは、0~8の整数である。cが2以上の場合、複数のR6は同一でも異なっていてもよい。dは、0~6の整数である。dが2以上の場合、複数のR7は同一でも異なっていてもよい。Aは、それぞれ独立して-CH2-、-CH2CH2-、-O-又は-S-である。
上記R4~R7で表される炭素数1~10のアルキル基としては、例えば上記RF1及びRF2として例示した基のうち、炭素数1~10のもの等が挙げられる。これらの中で、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びプロピル基がより好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
上記R4~R7で表される炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、上記Re1として例示した炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい。
上記式(1-a)におけるmとしては、2~8の整数が好ましく、3~6の整数がより好ましく、4及び5がさらに好ましく、4が特に好ましい。
上記式(1-a)~(1-d)におけるa~dとしては、0~3の整数が好ましく、0~2がより好ましく、0及び1がさらに好ましく、0が特に好ましい。
上記Aとしては、-CH2-、-O-、-S-が好ましい。
上記化合物(1-a)としては、例えば下記式(1-a-1)~(1-a-8)で表される化合物(以下、「化合物(1-a-1)~(1-a-8)」ともいう)、上記化合物(1-b)としては、例えば下記式(1-b-1)~(1-b-9)で表される化合物(以下、「化合物(1-b-1)~(1-b-9)」ともいう)、上記化合物(1-c)としては、例えば下記式(1-c-1)~(1-c-15)で表される化合物(以下、「化合物(1-c-1)~(1-c-15)」ともいう)、上記化合物(1-d)としては、例えば下記式(1-d-1)~(1-d-5)で表される化合物(以下、「化合物(1-d-1)~(1-d-5)」ともいう)等が挙げられる。
上記式(1-a-1)~(1-a-8)、式(1-b-1)~(1-b-9)、式(1-c-1)~(1-c-15)及び式(1-d-1)~(1-d-5)中、M+は、1価の感放射線性オニウムカチオンである。
これらの中で、化合物(1-a-1)~(1-a-5)、化合物(1-b-1)~(1-b-9)、化合物(1-c-1)、(1-c-3)、(1-c-5)~(1-c-15)及び化合物(1-d-1)~(1-d-5)が好ましく、化合物(1-a-1)、化合物(1-c-3)、(1-c-5)~(1-c-15)及び化合物(1-d-2)がより好ましい。
[化合物(1-1-a)]
なお、化合物(1-1)は、下記式(1-1-a)(以下、「化合物(1-1-a)」ともいう)でも表される。また化合物(1-1-a)としては、例えば下記化合物(1-a’)、下記化合物(1-b’)、下記化合物(1-c’)、下記化合物(1-d’)等が挙げられる。
なお、化合物(1-1)は、下記式(1-1-a)(以下、「化合物(1-1-a)」ともいう)でも表される。また化合物(1-1-a)としては、例えば下記化合物(1-a’)、下記化合物(1-b’)、下記化合物(1-c’)、下記化合物(1-d’)等が挙げられる。
上記式(1-1-a)中、M+は、上記式(A)と同義である。Rhaは、この基が結合する炭素原子と共に環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基又は上記脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部を炭素数1~20の1価の炭化水素基で置換した基を構成する基である。R2aは、水素原子又は炭素数1~29の1価の有機基である。Rf1及びRf2は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。nは、1~10の整数である。nが2以上の場合、複数のRf1は同一でも異なっていてもよく、複数のRf2は同一でも異なっていてもよい。但し、1若しくは複数のRf1及び1若しくは複数のRf2のうちの少なくともいずれかはフッ素原子又はパーフルオロアルキル基である。X’は、-O-又は-NR3a-である。R3aは、水素原子又は炭素数1~29の1価の有機基である。Y’は、単結合又は炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基である。
上記Rhaとこの基が結合する炭素原子とが構成する環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えばRxとして例示した2つの結合手が環構造を形成する互いに隣接する炭素原子上に存在する環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、シクロペンタン-1,2-ジイル基、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、シクロヘキセン-1,2-ジイル基、ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基及びノルボルネン-1,2-ジイル基が好ましく、シクロヘキサン-1,2-ジイル基、ノルボルナン-1,2-ジイル基、トリシクロデカン-1,2-ジイル基及びノルボルネン-1,2-ジイル基がより好ましい。
Rhaで表される上記脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基及びシクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基が好ましい。これらの中で、シクロヘキシル基及びメチル基がより好ましい。
上記R2a及びR3aで表される炭素数1~29の1価の有機基としては、例えば上記Ryとして例示した炭素数1~30の1価の有機基のうち炭素数1~29のもの等が挙げられる。上記R2aとしては、これらの中で、1価の鎖状炭化水素基及び1価の脂環式炭化水素基が好ましく、アルキル基、単環のシクロアルキル基及び多環のシクロアルキル基がより好ましく、炭素数1~5のアルキル基及び炭素数3~8の単環のシクロアルキル基がさらに好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基及びシクロヘキシル基が特に好ましく、エチル基がさらに特に好ましい。
上記R3aとしては、水素原子が好ましい。
上記X’としては、-O-が好ましい。
上記Y’で表される炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基としては、例えば上記Ryとして例示した鎖状炭化水素基から1個の水素原子を除いた基のうち、炭素数1~10の基等が挙げられる。
これらの中で、単結合、メタンジイル基及びエタンジイル基が好ましく、単結合及びメタンジイル基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
上記Rf1及びRf2で表される炭素数1~20のアルキル基としては、例えば上記RF1及びRF2として例示したアルキル基と同様の基等が挙げられる。
上記Rf1及びRf2で表される炭素数1~20のフッ素化アルキル基としては、例えば上記RF1及びRF2として例示したフッ素化アルキル基と同様の基等が挙げられる。
上記Rf1及びRf2としては、これらの中で、水素原子、フッ素原子、メチル基及びトリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、トリフルオロメチル基及びフッ素原子がより好ましい。
SO3
-に隣接する炭素原子に結合するRf1及びRf2のうちの少なくともいずれかがフッ素原子又はパーフルオロアルキル基であることが好ましく、SO3
-に隣接する炭素原子に結合するRf1及びRf2両方がフッ素原子又はパーフルオロアルキル基であることがより好ましく、SO3
-に隣接する炭素原子に結合するRf1及びRf2両方がフッ素原子であることがさらに好ましい。
nとしては、1~5の整数が好ましく、1~3がより好ましく、1及び2がさらに好ましい。
[化合物(1-a’)~(1-d’)]
上記化合物(1-a’)は下記式(1-a’)で表され、上記化合物(1-b’)は下記式(1-b’)で表され、上記化合物(1-c’)は下記式(1-c’)で表され、上記化合物(1-d’)は下記式(1-d’)で表される。
上記化合物(1-a’)は下記式(1-a’)で表され、上記化合物(1-b’)は下記式(1-b’)で表され、上記化合物(1-c’)は下記式(1-c’)で表され、上記化合物(1-d’)は下記式(1-d’)で表される。
上記式(1-a’)~(1-d’)中、R2a、X’、Y’、Rf1、Rf2、n及びM+は、上記式(1-1-a)と同義である。R4a~R7aは、それぞれ独立して、炭素数1~10のアルキル基又は環員数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。m’は、1~10の整数である。a’は、0~(2m’+2)の整数である。a’が2以上の場合、複数のR4aは同一でも異なっていてもよい。b’は、0~8の整数である。b’が2以上の場合、複数のR5aは同一でも異なっていてもよい。c’は、0~8の整数である。c’が2以上の場合、複数のR6aは同一でも異なっていてもよい。d’は、0~6の整数である。d’が2以上の場合、複数のR7aは同一でも異なっていてもよい。A’は、それぞれ独立して-CH2-、-CH2CH2-、-O-又は-S-である。
上記R4a~R7aで表される炭素数1~10のアルキル基としては、例えば上記RF1及びRF2として例示した基のうち、炭素数1~10のもの等が挙げられる。これらの中で、炭素数1~5のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基及びプロピル基がより好ましく、メチル基及びエチル基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。
上記R4a~R7aで表される炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基としては、上記Re1として例示した炭素数3~20の1価の脂環式炭化水素基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましく、シクロヘキシル基がより好ましい。
上記式(1-a’)におけるm’としては、2~8の整数が好ましく、3~6の整数がより好ましく、4及び5がさらに好ましく、4が特に好ましい。
上記式(1-a’)~(1-d’)におけるa’~d’としては、0~3の整数が好ましく、0~2がより好ましく、0及び1がさらに好ましく、0が特に好ましい。
上記A’としては、-CH2-、-O-、-S-が好ましい。
上記化合物(1-a’)としては、例えば上記式(1-a-1)~(1-a-8)で表される化合物、上記化合物(1-b’)としては、例えば上記式(1-b-1)~(1-b-9)で表される化合物、上記化合物(1-c’)としては、例えば上記式(1-c-1)~(1-c-15)で表される化合物、上記化合物(1-d’)としては、例えば上記式(1-d-1)~(1-d-5)で表される化合物等が挙げられる。
これらの中で、化合物(1-a-1)~(1-a-5)、化合物(1-b-1)~(1-b-9)、化合物(1-c-1)、(1-c-3)、(1-c-5)~(1-c-15)及び化合物(1-d-1)~(1-d-5)が好ましく、化合物(1-a-1)、化合物(1-c-3)、(1-c-5)~(1-c-15)及び化合物(1-d-2)がより好ましい。
[化合物(1’)]
化合物(1’)は、下記式(1’)で表される。
化合物(1’)は、下記式(1’)で表される。
上記式(1’)中、Rt、Ry、RF1、RF2、RF3、k、i及びM+は、上記式(A)と同義である。R1’は、この基が結合する炭素原子と共に環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基を構成する基である。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。
上記R1’とこの基が結合する炭素原子とが構成する環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基としては、例えばRxとして例示した環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、シクロペンタン-1,1-ジイル基、シクロヘキサン-1,1-ジイル基、シクロペンテン-1,1-ジイル基、シクロヘキセン-1,1-ジイル基、ノルボルナン-1,1-ジイル基及びノルボルネン-1,1-ジイル基が好ましく、シクロペンタン-1,1-ジイル基及びシクロヘキサン-1,1-ジイル基がより好ましい。
上記R1’で表される上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基としては、例えば上記Rxとして例示した脂肪族複素環基と同様の基等が挙げられる。これらのうち、-O-、-COO-、-S-及びこれらの組み合わせを含む基が好ましく、-O-及び-COO-を含む基がより好ましい。
上記R1’で表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価の炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。
上記R1’で表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換する炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基として例示した基と同様の基等が挙げられる。
上記R1’で表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換するハロゲン原子としては、例えば上記Rxで表される脂環式炭化水素基及び脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を置換するハロゲン原子として例示した基と同様の基等が挙げられる。
[化合物(1’-a)及び化合物(1’-b)]
化合物(1’)としては、例えば化合物(1’-a)で表される化合物(以下、「化合物(1’-a)」ともいう)又は化合物(1’-b)で表される化合物(以下、「化合物(1’-b)」ともいう)等が挙げられる。
化合物(1’)としては、例えば化合物(1’-a)で表される化合物(以下、「化合物(1’-a)」ともいう)又は化合物(1’-b)で表される化合物(以下、「化合物(1’-b)」ともいう)等が挙げられる。
式(1’-a)及び(1’-b)中、Rt、R1’、RF1、RF2、RF3、k、i及びM+は、上記式(1’)と同義である。R2’は、それぞれ独立して、炭素数1~29の1価の有機基である。
化合物(1’-a)は、化合物(1’)のRyを、-OCO-R2’としたものであり、化合物(1’-b)は、化合物(1’)のRyを、-O-R2’としたものである。このように極性を有する-OCO-又は-O-を含むことで、化合物(1’-a)及び化合物(1’-b)は適度な極性を有することになり、化合物から生じる酸の拡散をより適度に短くできる。その結果、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能等がより向上する。
上記R2’で表される炭素数1~29の1価の有機基としては、例えばRyとして例示した炭素数1~30の1価の有機基のうち炭素数1~29のもの等が挙げられる。上記R2’としては、炭素数1~29の鎖状炭化水素基、置換又は非置換の炭素数3~29の脂環式炭化水素基、脂肪族複素環基及び炭素数6~29の芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数1~29の鎖状炭化水素基、炭素数3~29の脂環式炭化水素基及びアダマンタン―2,2―ジオキシ基で置換された脂環式炭化水素基がより好ましい。
上記化合物(1’-a)としては、例えば下記式(1’-a-1)~(1’-a-7)で表される化合物(以下、「化合物(1’-a-1)~(1’-a-7)」ともいう)、上記化合物(1’-b)としては、例えば下記式(1’-b-1)~(1’-b-10)で表される化合物(以下、「化合物(1’-b-1)~(1’-b-10)」ともいう)等が挙げられる。その他の例として上記化合物(1’)は、例えば下記式(1’-c-1)~(1’-c-5)で表される化合物(以下、「化合物(1’-c-1)~(1’-c-5)」ともいう)等が挙げられる。
上記式(1’-a-1)~(1’-a-7)、式(1’-b-1)~(1’-b-10)及び式(1’-c-1)~(1’-c-5)中、M+は、1価の感放射線性オニウムカチオンである。
これらの中で、化合物(1’-a-1)~(1’-a-4)、化合物(1’-b-1)~(1’-b-6)及び化合物(1’-c-1)~(1’-c-5)が好ましく、化合物(1’-a-1)、化合物(1’-a-4)、化合物(1’-b-3)、(1’-b-6)、化合物(1’-c-2)及び(1’-c-5)がより好ましい。
上記化合物(A)は、下記反応スキームで表される方法により合成できる。すなわち、
(A)下記化合物(i-a)とE2S2O4で表される亜ジチオン酸アルカリ金属とを反応させ、下記式(i-b)で表されるスルフィン酸塩を得る工程、
(B)上記スルフィン酸塩(i-b)と過酸化水素とを反応させて下記式(i-c)で表されるスルホン酸塩を得る工程、及び
(C)上記スルホン酸塩(i-c)とM+Y―で表されるオニウム塩とを反応させる工程を備える化合物の合成方法により合成することができる。
(A)下記化合物(i-a)とE2S2O4で表される亜ジチオン酸アルカリ金属とを反応させ、下記式(i-b)で表されるスルフィン酸塩を得る工程、
(B)上記スルフィン酸塩(i-b)と過酸化水素とを反応させて下記式(i-c)で表されるスルホン酸塩を得る工程、及び
(C)上記スルホン酸塩(i-c)とM+Y―で表されるオニウム塩とを反応させる工程を備える化合物の合成方法により合成することができる。
上記式スキーム中、Rxは、環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS
2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基であり、Rt及びRyは、上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基の環構造上の同一炭素原子に結合するか又は互いに隣接する2つの炭素原子にそれぞれ結合している。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。Rtは、炭素原子である。Ryは、炭素数1~30の1価の有機基である。kは、1~3の整数である。kが2以上の場合、複数のRxは同一でも異なっていてもよく、複数のRyは同一でも異なっていてもよい。RF1、RF2及びRF3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。iは、0~9の整数である。但し、iが0の場合、kは1又は2である。iが2以上の場合、複数のRF1は同一でも異なっていてもよく、複数のRF2は同一でも異なっていてもよい。RF3が複数の場合、複数のRF3は同一でも異なっていてもよい。但し、1若しくは複数のRF1、1若しくは複数のRF2及び1若しくは複数のRF3のうちの少なくともいずれかはフッ素原子又はパーフルオロアルキル基である。M+は、1価の感放射線性オニウムカチオンである。Zは、ハロゲン原子である。E+は、アルカリ金属イオンである。Y-は、1価のアニオンである。
上記(A)工程において、上記化合物(i-a)とE2S2O4で表される亜ジチオン酸アルカリ金属とを、例えば炭酸水素ナトリウム等の塩基存在下、有機溶媒中で反応させることにより、上記スルフィン酸塩(i-b)が得られる。
上記(B)工程において、上記スルフィン酸塩(i-b)と過酸化水素とを反応させ、上記スルホン酸塩(i-c)が得られる。
続いて、上記(C)工程において、上記スルホン酸塩(i-c)とM+Y-で表されるオニウム塩とを例えばジクロロメタン/水等の溶媒中で反応させることにより、上記化合物(A)が得られる。生成した化合物(A)は、溶媒洗浄、再結晶等により精製することにより単離することができる。
[B]酸発生剤の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、0.2質量部が好ましく、0.5質量部がより好ましく、1質量部がさらに好ましく、2質量部が特に好ましい。また、含有量の上限としては、[A]重合体100質量部に対して、30質量部が好ましく、20質量部がより好ましく、15質量部がさらに好ましく、10質量部が特に好ましい。[B]酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能等をより向上させることができる。また、[B]酸発生剤は、化合物(A)以外の他の酸発生剤を含んでいてもよい。[B]酸発生剤中の化合物(A)の含有率の下限としては、50質量%が好ましく、70質量%がより好ましく、90質量%がさらに好ましい。また、上記含有率の上限としては、100質量%が好ましい。[B]酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
<[B’]他の酸発生剤>
[B’]他の酸発生剤は、[B]酸発生剤以外の感放射線性酸発生剤である。[B’]他の酸発生剤としては、例えば感放射線性オニウムカチオンと、SO3 -を有しこのSO3 -に隣接する炭素原子に2個のフッ素原子が結合しているアニオンとからなる化合物(以下、「[B’1]他の酸発生剤」ともいう)、感放射線性オニウムカチオンと、SO3 -を有しこのSO3 -に隣接する炭素原子に水素原子、炭素数1~20のアルキル基若しくは炭素数1~20のフッ素化アルキル基が結合しているアニオンとからなる化合物、感放射線性オニウムカチオンと、COO-を有するアニオンとからなる化合物(以下、これらを「[B’2]他の酸発生剤」ともいう)、[B’1]他の酸発生剤及び[B’2]他の酸発生剤以外の感放射線性酸発生剤(以下、「[B’3]他の酸発生剤」ともいう)等が挙げられる。[B’1]他の酸発生剤によれば、露光により発生した酸が[A]重合体が有する酸解離性基を解離させ、その結果、[A]重合体の現像液に対する溶解性が変化しレジストパターンを形成することができる。また、[B’2]他の酸発生剤は、未露光部においてはSO3 -又はCOO-が有する塩基性による高い酸捕捉機能が発揮されるが、露光部では発生したプロトンにより、そのSO3 -がSO3Hに、COO-がCOOHになり、その酸捕捉機能が低下するので、酸拡散制御剤として機能する。[B’]他の酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[B’]他の酸発生剤は、[B]酸発生剤以外の感放射線性酸発生剤である。[B’]他の酸発生剤としては、例えば感放射線性オニウムカチオンと、SO3 -を有しこのSO3 -に隣接する炭素原子に2個のフッ素原子が結合しているアニオンとからなる化合物(以下、「[B’1]他の酸発生剤」ともいう)、感放射線性オニウムカチオンと、SO3 -を有しこのSO3 -に隣接する炭素原子に水素原子、炭素数1~20のアルキル基若しくは炭素数1~20のフッ素化アルキル基が結合しているアニオンとからなる化合物、感放射線性オニウムカチオンと、COO-を有するアニオンとからなる化合物(以下、これらを「[B’2]他の酸発生剤」ともいう)、[B’1]他の酸発生剤及び[B’2]他の酸発生剤以外の感放射線性酸発生剤(以下、「[B’3]他の酸発生剤」ともいう)等が挙げられる。[B’1]他の酸発生剤によれば、露光により発生した酸が[A]重合体が有する酸解離性基を解離させ、その結果、[A]重合体の現像液に対する溶解性が変化しレジストパターンを形成することができる。また、[B’2]他の酸発生剤は、未露光部においてはSO3 -又はCOO-が有する塩基性による高い酸捕捉機能が発揮されるが、露光部では発生したプロトンにより、そのSO3 -がSO3Hに、COO-がCOOHになり、その酸捕捉機能が低下するので、酸拡散制御剤として機能する。[B’]他の酸発生剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[B’1]他の酸発生剤及び[B’2]他の酸発生剤としては、例えばスルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩等のオニウム塩化合物等が挙げられる。[B’1]他の酸発生剤及び[B’2]他の酸発生剤としては、1価の感放射線性オニウムカチオン及び1価のアニオンを有するものが好ましい。
[B’3]他の酸発生剤としては、例えばN-スルホニルオキシイミド化合物、オキシムスルホネート化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物等が挙げられる。
上記[B’1]他の酸発生剤として用いることができる上記スルホニウム塩としては例えばトリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、シクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジシクロヘキシル2-オキソシクロヘキシルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、2-オキソシクロヘキシルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム2-(アダマンタン-1-イル)-1,1-ジフルオロエタン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム4-(アダマンタン-1-イルカルボニルオキシ)-1,1,2,2-テトラフルオロブタン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウム2-(アダマンタン-1-イルカルボニルオキシ)-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウムノルボルナンスルトン-2-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム3-(ピペリジン-1-イルスルホニル)-1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン-1-スルホネート等が挙げられる。
上記[B’1]他の酸発生剤として用いることができる上記テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-(1-ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-(1-ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-(1-ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等が挙げられる。
上記[B’1]他の酸発生剤として用いることができる上記ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムノナフルオロ-n-ブタンスルホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムパーフルオロ-n-オクタンスルホネート等が挙げられる。
[B’1]他の酸発生剤としては、これらの中で、オニウム塩化合物が好ましく、スルホニウム塩がより好ましく、トリフェニルスルホニウム塩がさらに好ましく、トリフェニルスルホニウム2-(アダマンタン-1-イルカルボニルオキシ)-1,1,3,3,3-ペンタフルオロプロパン-1-スルホネート、トリフェニルスルホニウムノルボルナンスルトン-2-イルオキシカルボニルジフルオロメタンスルホネート及びトリフェニルスルホニウム3-(ピペリジン-1-イルスルホニル)-1,1,2,2,3,3-ヘキサフルオロプロパン-1-スルホネートが特に好ましい。
[B’2]他の酸発生剤として用いることができる上記スルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムサリチレート、トリフェニルスルホニウム10-カンファーサリチレート等が挙げられる。
[B’2]他の酸発生剤として用いることができる上記テトラヒドロチオフェニウム塩としては、例えば4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウムサリチレート、4-ヒドロキシ-1-ナフチルテトラヒドロチオフェニウム10-カンファースルホネート、1-(1-ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウムサリチレート、1-(1-ナフチルアセトメチル)テトラヒドロチオフェニウム10-カンファースルホネート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムサリチレート、1-(3,5-ジメチル-4-ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。
[B’2]他の酸発生剤として用いることができる上記ヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムサリチレート、ジフェニルヨードニウム10-カンファースルホネート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウムサリチレート、ビス(4-t-ブチルフェニル)ヨードニウム10-カンファースルホネート等が挙げられる。
[B’2]他の酸発生剤としては、オニウム塩化合物が好ましく、スルホニウム塩がより好ましく、トリフェニルスルホニウム塩がさらに好ましく、トリフェニルスルホニウムサリチレート及びトリフェニルスルホニウム10-カンファースルホネートが特に好ましい。
[B’3]他の酸発生剤としては、例えば
N-スルホニルオキシイミド化合物として、N-(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。
N-スルホニルオキシイミド化合物として、N-(トリフルオロメタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド、N-(ノナフルオロ-n-ブタンスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト-5-エン-2,3-ジカルボキシイミド等が挙げられる。
当該感放射線性樹脂組成物が[B’]他の酸発生剤を含有する場合、当該感放射線性樹脂組成物の感度及び現像性の観点から、[B’]他の酸発生剤の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、0.5質量部が好ましく、1質量部がより好ましく、2質量部がさらに好ましい。また、上記含有量の上限としては、[A]重合体100質量部に対して、30質量部が好ましく、20質量部がより好ましく、10質量部がさらに好ましい。
<[D]化合物>
[D]化合物は、窒素原子を含む化合物である。[D]化合物は、[B]酸発生剤や[B’]他の酸発生剤から発生した酸の拡散を適度に短くすることができる。当該感放射線性樹脂組成物は、[D]化合物をさらに含有することで、LWR性能等をより向上させることができる。[D]化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[D]化合物は、窒素原子を含む化合物である。[D]化合物は、[B]酸発生剤や[B’]他の酸発生剤から発生した酸の拡散を適度に短くすることができる。当該感放射線性樹脂組成物は、[D]化合物をさらに含有することで、LWR性能等をより向上させることができる。[D]化合物は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[D]化合物としては、例えばアミン化合物、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等が挙げられる。
上記アミン化合物としては、例えばn-ペンチルアミン、シクロヘキシルアミン等のモノ(シクロ)アルキルアミン類;ジn-ペンチルアミン、ジシクロヘキシルアミン等のジ(シクロ)アルキルアミン類;トリn-ペンチルアミン、トリシクロヘキシルアミン等のトリ(シクロ)アルキルアミン類;2,6-ジi-プロピルアニリン、2,6-ジn-プロピルアニリン等の置換アルキルアニリン又はその誘導体;エチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノベンゾフェノン、4,4’-ジアミノジフェニルアミン、2,2-ビス(4-アミノフェニル)プロパン、2-(3-アミノフェニル)-2-(4-アミノフェニル)プロパン、2-(4-アミノフェニル)-2-(3-ヒドロキシフェニル)プロパン、2-(4-アミノフェニル)-2-(4-ヒドロキシフェニル)プロパン、1,4-ビス(1-(4-アミノフェニル)-1-メチルエチル)ベンゼン、1,3-ビス(1-(4-アミノフェニル)-1-メチルエチル)ベンゼン、ビス(2-ジメチルアミノエチル)エーテル、ビス(2-ジエチルアミノエチル)エーテル、1-(2-ヒドロキシエチル)-2-イミダゾリジノン、2-キノキサリノール、N,N,N’,N’-テトラキス(2-ヒドロキシプロピル)エチレンジアミン、N,N,N’,N’’N’’-ペンタメチルジエチレントリアミン等が挙げられる。
上記アミド基含有化合物としては、例えばN-t-ブトキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等のN-t-ブトキシカルボニル基含有アミノ化合物;N-t-アミロキシカルボニル-4-ヒドロキシピペリジン等のN-t-アミロキシカルボニル基含有アミノ化合物;ホルムアミド、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、N-メチルピロリドン、N-アセチル-1-アダマンチルアミン、イソシアヌル酸トリス(2-ヒドロキシエチル)等が挙げられる。
上記ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、1,1-ジメチルウレア、1,3-ジメチルウレア、1,1,3,3-テトラメチルウレア、1,3-ジフェニルウレア、トリ-n-ブチルチオウレア等が挙げられる。
上記含窒素複素環化合物としては、例えば2-フェニルイミダゾール等のイミダゾール類;ピリジン類;ピペラジン類;ピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、ピペリジンエタノール、3-ピペリジノ-1,2-プロパンジオール、モルホリン、4-メチルモルホリン、1-(4-モルホリニル)エタノール、4-アセチルモルホリン、3-(N-モルホリノ)-1,2-プロパンジオール、1,4-ジメチルピペラジン、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、N-(ウンデカン-1-イルカルボニルオキシエチル)モルホリン等が挙げられる。
これらの中で、含窒素複素環化合物及びアミン化合物が好ましく、N-(ウンデカン-1-イルカルボニルオキシエチル)モルホリン、2,6-ジi-プロピルアニリン及びトリn-ペンチルアミンがより好ましい。
当該感放射線性樹脂組成物が[D]化合物を含有する場合、[D]化合物の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部が好ましく、0.5質量部がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、[A]重合体100質量部に対して、30質量部が好ましく、20質量部がより好ましく、10質量部がさらに好ましい。[D]化合物の含有量を上記範囲とすることで、当該感放射線性樹脂組成物のLWR性能等をさらに向上させることができる。
<[E]フッ素原子含有重合体>
[E]フッ素原子含有重合体は、フッ素原子を含む重合体である。当該感放射線性樹脂組成物が、[A]重合体に加えて[E]フッ素原子含有重合体をさらに含有することで、形成されるレジスト膜の表層に[E]フッ素原子含有重合体が偏在化し、その結果、レジスト膜表面の疎水性を向上させることができる。これにより、液浸露光を行う場合等に、レジスト膜からの物質溶出抑制性に優れると共に、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分高くすることができ、より高速なスキャンが可能になる。
[E]フッ素原子含有重合体は、フッ素原子を含む重合体である。当該感放射線性樹脂組成物が、[A]重合体に加えて[E]フッ素原子含有重合体をさらに含有することで、形成されるレジスト膜の表層に[E]フッ素原子含有重合体が偏在化し、その結果、レジスト膜表面の疎水性を向上させることができる。これにより、液浸露光を行う場合等に、レジスト膜からの物質溶出抑制性に優れると共に、レジスト膜と液浸液との後退接触角を十分高くすることができ、より高速なスキャンが可能になる。
[E]フッ素原子含有重合体としては特に限定されないが、(1)それ自体は現像液に不溶で、酸の作用によりアルカリ可溶性となる重合体、(2)それ自体が現像液に可溶であり、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する重合体、(3)それ自体は現像液に不溶で、アルカリの作用によりアルカリ可溶性となる重合体、(4)それ自体が現像液に可溶であり、アルカリの作用によりアルカリ可溶性が増大する重合体等が挙げられる。
[E]フッ素原子含有重合体の態様としては、例えば
主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;
側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;
主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造等が挙げられる。
主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;
側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造;
主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造等が挙げられる。
主鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリレート化合物、β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、α,β-トリフルオロメチルアクリレート化合物、1種類以上のビニル部位の水素原子がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物等が挙げられる。
側鎖にフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばノルボルネン等の脂環式オレフィン化合物の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導基であるもの、アクリル酸又はメタクリル酸の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導基であるエステル化合物、1種類以上のオレフィンの側鎖(二重結合を含まない部位)がフッ素化アルキル基やその誘導基であるもの等が挙げられる。
主鎖と側鎖とにフッ素化アルキル基が結合した構造を与える単量体としては、例えばα-トリフルオロメチルアクリル酸、β-トリフルオロメチルアクリル酸、α,β-トリフルオロメチルアクリル酸等の側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導基であるエステル化合物、1種類以上のビニル部位の水素原子がトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換された化合物の側鎖をフッ素化アルキル基やその誘導基で置換したもの、1種類以上の脂環式オレフィン化合物の二重結合に結合している水素原子をトリフルオロメチル基等のフッ素化アルキル基で置換し、かつ側鎖がフッ素化アルキル基やその誘導基であるもの等が挙げられる。なお、脂環式オレフィン化合物とは、環の一部が二重結合である化合物を示す。
[E]フッ素原子含有重合体としては、下記式(7)で表される構造単位(以下、「構造単位(f1)」ともいう)及び/又は下記式(8)で表される構造単位(以下、「構造単位(f2)」ともいう)を有することが好ましい。また、[E]フッ素原子含有重合体は、構造単位(f1)及び構造単位(f2)以外の他の構造単位を有してもよい。なお、[E]フッ素原子含有重合体は、各構造単位を1種又は2種以上含んでいてもよい。以下、各構造単位について詳述する。
[構造単位(f1)]
構造単位(f1)は下記式(7)で表される構造単位である。
構造単位(f1)は下記式(7)で表される構造単位である。
上記式(7)中、Rf3は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。Rf4は、置換若しくは非置換の炭素数1~6の1価のフッ素化鎖状炭化水素基又は置換若しくは非置換の炭素数4~20の1価のフッ素化脂環式炭化水素基である。
上記炭素数1~6の1価のフッ素化鎖状炭化水素基としては、例えばフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、ペンタフルオロ-n-プロピル基、ヘキサフルオロ-i-プロピル基、ノナフルオロ-n-ブチル基等が挙げられる。
上記炭素数4~20の1価のフッ素化脂環式炭化水素基としては、例えばフルオロシクロペンチル基、ジフルオロシクロペンチル基、シクロペンチルジフルオロプロピル基、パーフルオロシクロヘキシル基、シクロヘキシルジフルオロメチル基、パーフルオロシクロヘプチル基等が挙げられる。
構造単位(f1)を与える単量体としては、例えばトリフルオロメチル(メタ)アクレート、2,2,2-トリフルオロエチル(メタ)アクリレート、パーフルオロエチル(メタ)アクリレート、パーフルオロn-プロピル(メタ)アクリレート、パーフルオロi-プロピル(メタ)アクリレート、パーフルオロn-ブチル(メタ)アクリレート、パーフルオロi-ブチル(メタ)アクリレート、パーフルオロt-ブチル(メタ)アクリレート、パーフルオロシクロヘキシル(メタ)アクリレート、2-(1,1,1,3,3,3-ヘキサフルオロ)プロピル(メタ)アクリレート、1-(2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ)ペンチル(メタ)アクリレート、1-(2,2,3,3,4,4,5,5-オクタフルオロ)ヘキシル(メタ)アクリレート、パーフルオロシクロヘキシルメチル(メタ)アクリレート、1-(2,2,3,3,3-ペンタフルオロ)プロピル(メタ)アクリレート、1-(2,2,3,3,4,4,4-ヘプタフルオロ)ペンタ(メタ)アクリレート、1-(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-ヘプタデカフルオロ)デシル(メタ)アクリレート、1-(5-トリフルオロメチル-3,3,4,4,5,6,6,6-オクタフルオロ)ヘキシル(メタ)アクリレート等が挙げられる。
構造単位(f1)としては、下記式(7-1)で表される構造単位、(7-2)で表される構造単位が好ましい。
上記式(7-1)及び(7-2)中、Rf3は、上記式(7)と同義である。
これらの中で、式(7-1)で表される構造単位が好ましい。
構造単位(f1)の含有割合の下限としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、10モル%が好ましく、20モル%がより好ましい。また、上記含有割合の上限としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、70モル%が好ましく、50モル%がより好ましい。
[構造単位(f2)]
構造単位(f2)は、下記式(8)で表される構造単位である。
構造単位(f2)は、下記式(8)で表される構造単位である。
上記式(8)中、Rf5は、水素原子、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基である。Rf6は、(y+1)価の連結基である。X1は、フッ素原子を有する2価の連結基である。Rf7は、水素原子又は1価の有機基である。yは、1~3の整数である。但し、yが2又は3の場合、複数のX1は同一であっても異なっていてもよく、複数のRf7は同一であっても異なっていてもよい。
上記Rf6で表される(y+1)価の連結基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基が挙げられる。また、上記(y+1)価の連結基は、置換基を有していてもよい。
上記炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基としては、例えばメタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、デカン、イコサン、トリアコンタン等の炭化水素基から(y+1)個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
上記炭素数3~30の脂環式炭化水素基としては、例えば
単環式飽和炭化水素として、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等;
単環式不飽和炭化水素として、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等;
多環式飽和炭化水素として、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタン等;
多環式不飽和炭化水素として、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等から(y+1)個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
単環式飽和炭化水素として、シクロプロパン、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、シクロデカン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン等;
単環式不飽和炭化水素として、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロデセン、シクロペンタジエン、シクロヘキサジエン、シクロオクタジエン、シクロデカジエン等;
多環式飽和炭化水素として、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン、ビシクロ[2.2.2]オクタン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デカン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデカン、アダマンタン等;
多環式不飽和炭化水素として、ビシクロ[2.2.1]ヘプテン、ビシクロ[2.2.2]オクテン、トリシクロ[5.2.1.02,6]デセン、トリシクロ[3.3.1.13,7]デセン、テトラシクロ[6.2.1.13,6.02,7]ドデセン等から(y+1)個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
上記炭素数6~30の芳香族炭化水素基としては、例えばベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ピレン、ピセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、クメン等の芳香族炭化水素基から(y+1)個の水素原子を除いた基等が挙げられる。
上記X1で表されるフッ素原子を有する2価の連結基としては、例えばフッ素原子を有する炭素数1~20の2価の鎖状炭化水素基等が挙げられる。上記2価の鎖状炭化水素基としては、例えば下記式(X1-1)~(X1-6)で表される基等が挙げられる。
X1としては、上記式(X1-1)で表される基、式(X1-2)で表される基が好ましく、式(X1-2)で表される基がより好ましい。
上記Rf7で表される1価の有機基としては、例えば炭素数1~30の直鎖状又は分岐状の炭化水素基、炭素数3~30の脂環式炭化水素基、炭素数6~30の芳香族炭化水素基、又はこれらの基と酸素原子、硫黄原子、エーテル基、エステル基、カルボニル基、イミノ基及びアミド基からなる群より選ばれる1種以上の基とを組み合わせた基等が挙げられる。
上記構造単位(f2)としては、例えば下記式(8-1)で表される構造単位、下記式(8-2)で表される構造単位等が挙げられる。
上記式(8-1)中、Rf6は、炭素数1~20の2価の直鎖状、分岐状又は環状の飽和若しくは不飽和の炭化水素基である。Rf5、X1及びRf7は、上記式(8)と同義である。
上記式(8-2)中、Rf5、X1、Rf7及びyは、上記式(8)と同義である。但し、yが2又は3の場合、複数のX1は同一であっても異なっていてもよく、複数のRf7は同一であっても異なっていてもよい。
上記式(8-2)中、Rf5、X1、Rf7及びyは、上記式(8)と同義である。但し、yが2又は3の場合、複数のX1は同一であっても異なっていてもよく、複数のRf7は同一であっても異なっていてもよい。
上記式(8-1)及び式(8-2)で表される構造単位としては、例えば下記式(8-1-1)~(8-1-3)で表される構造単位、下記式(8-2-1)で表される構造単位等が挙げられる。
上記式(8-1-1)~(8-1-3)及び式(8-2-1)中、Rf5は上記式(8)と同義である。
構造単位(f2)としては、上記式(8-1)で表される構造単位が好ましく、上記式(8-1-3)で表される構造単位がより好ましい。
構造単位(f2)を与える単量体としては、例えば(メタ)アクリル酸[2-(1-エチルオキシカルボニル-1,1-ジフルオロ-n-ブチル)]エステル、(メタ)アクリル酸(1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-3-プロピル)エステル、(メタ)アクリル酸(1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-4-ブチル)エステル、(メタ)アクリル酸(1,1,1-トリフルオロ-2-トリフルオロメチル-2-ヒドロキシ-5-ペンチル)エステル、(メタ)アクリル酸2-{[5-(1’,1’,1’-トリフルオロ-2’-トリフルオロメチル-2’-ヒドロキシ)プロピル]ビシクロ[2.2.1]ヘプチル}エステル等が挙げられる。これらの中で、(メタ)アクリル酸[2-(1-エチルオキシカルボニル-1,1-ジフルオロ-n-ブチル)]エステルが好ましい。
構造単位(f2)の含有割合の下限としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、30モル%が好ましく、50モル%がより好ましい。また、上記含有割合の上限としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、90モル%が好ましく、80モル%がより好ましい。
[他の構造単位]
[E]フッ素原子含有重合体は、構造単位(f1)、構造単位(f2)以外の他の構造単位を含んでいてもよい。他の構造単位としては、例えば[A]重合体の構造単位(I)等が挙げられる。
[E]フッ素原子含有重合体は、構造単位(f1)、構造単位(f2)以外の他の構造単位を含んでいてもよい。他の構造単位としては、例えば[A]重合体の構造単位(I)等が挙げられる。
[E]フッ素原子含有重合体が他の構造単位を含有する場合、他の構造単位の含有割合の下限としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、5モル%が好ましく、10モル%がより好ましく、20モル%がさらに好ましい。また、上記含有割合の上限としては、[E]フッ素原子含有重合体を構成する全構造単位に対して、90モル%が好ましく、80モル%がより好ましく、70モル%がさらに好ましい。
当該感放射線性樹脂組成物が[E]フッ素原子含有重合体を含有する場合、[E]フッ素原子含有重合体の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、0.1質量部が好ましく、1質量部がより好ましい。また、上記含有量の上限としては、[A]重合体100質量部に対して、20質量部が好ましく、15質量部がより好ましく、10質量部がさらに好ましく、6質量部が特に好ましい。[E]フッ素原子含有重合体の含有量が上記上限を超えると、レジスト膜表面の撥水性が高くなり過ぎて現像不良が起こる場合がある。
[E]フッ素原子含有重合体のフッ素原子含有率としては、[A]重合体のフッ素原子含有率よりも大きいことが好ましい。[E]フッ素原子含有重合体におけるフッ素原子含有率が[A]重合体よりも大きいと、[E]フッ素原子含有重合体は、レジスト膜の表層により効果的に偏在化することができ、[A]重合体及び[E]フッ素原子含有重合体を含有する感放射線性樹脂組成物により形成されたレジスト膜表面の撥水性をより高めることができる。[E]フッ素原子含有重合体のフッ素原子含有率と、[A]重合体のフッ素原子含有率との差の下限としては、1質量%が好ましく、3質量%がより好ましい。また、[E]フッ素原子含有重合体のフッ素原子含有率の下限としては、1質量%が好ましく、3質量%がより好ましく、5質量%がさらに好ましく、10質量%が特に好ましい。なお、このフッ素原子含有率(質量%)は、13C-NMRにより重合体の構造を求め、その構造から算出することができる。
<[E]フッ素原子含有重合体の合成方法>
[E]フッ素原子含有重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な重合溶媒中で重合することにより製造できる。
[E]フッ素原子含有重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な重合溶媒中で重合することにより製造できる。
上記ラジカル重合開始剤としては、例えば[A]重合体の合成方法で用いたラジカル重合開始剤と同様のもの等が挙げられる。上記重合溶媒としては、例えば[A]重合体の合成方法で用いた重合溶媒と同様のもの等が挙げられる。
上記重合における反応温度の下限としては、40℃が好ましく、50℃がより好ましい。また、上記反応温度の上限としては、150℃が好ましく、120℃がより好ましい。反応時間の下限としては、1時間が好ましい。また、反応時間の上限としては、48時間が好ましく、24時間がより好ましい。
[E]フッ素原子含有重合体のMwの下限としては、1,000が好ましく、2,000がより好ましく、3,000がさらに好ましい。また、上記Mwの上限としては、50,000が好ましく、30,000がより好ましく、10,000がさらに好ましい。[E]フッ素原子含有重合体のMwが1,000未満の場合、十分な後退接触角を得ることができない場合がある。一方、Mwが50,000を超えると、レジストとした際の現像性が低下する傾向にある。
[E]フッ素原子含有重合体のMwとMnとの比(Mw/Mn)の下限としては、1が好ましい。また、上記比(Mw/Mn)の上限としては、5が好ましく、3がより好ましい。
<[F]溶媒>
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体、[B]酸発生剤及び必要に応じてその他の成分を溶解又は分散させるために、[F]溶媒を含有してもよい。[F]溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒等が挙げられる。[F]溶媒は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体、[B]酸発生剤及び必要に応じてその他の成分を溶解又は分散させるために、[F]溶媒を含有してもよい。[F]溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒等が挙げられる。[F]溶媒は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
アルコール系溶媒としては、例えば
メタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
メタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、n-ペンタノール、iso-ペンタノール、2-メチルブタノール、sec-ペンタノール、tert-ペンタノール、3-メトキシブタノール、n-ヘキサノール、2-メチルペンタノール、sec-ヘキサノール、2-エチルブタノール、sec-ヘプタノール、3-ヘプタノール、n-オクタノール、2-エチルヘキサノール、sec-オクタノール、n-ノニルアルコール、2,6-ジメチル-4-ヘプタノール、n-デカノール、sec-ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec-テトラデシルアルコール、sec-ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5-トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2-プロピレングリコール、1,3-ブチレングリコール、2,4-ペンタンジオール、2-メチル-2,4-ペンタンジオール、2,5-ヘキサンジオール、2,4-ヘプタンジオール、2-エチル-1,3-ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ-2-エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒などが挙げられる。
上記ケトン系溶媒としては、例えば
アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等の鎖状ケトン系溶媒、;
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒などが挙げられる。
アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル-iso-ブチルケトン、メチル-n-ペンチルケトン、エチル-n-ブチルケトン、メチル-n-ヘキシルケトン、ジ-iso-ブチルケトン、トリメチルノナノン、2,4-ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等の鎖状ケトン系溶媒、;
シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン系溶媒などが挙げられる。
上記アミド系溶媒としては、例えば
N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒;
N-メチルピロリドン、N,N’-ジメチルイミダゾリジノン等の環状アミド系溶媒などが挙げられる。
N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルプロピオンアミド等の鎖状アミド系溶媒;
N-メチルピロリドン、N,N’-ジメチルイミダゾリジノン等の環状アミド系溶媒などが挙げられる。
上記エーテル系溶媒としては、例えば
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等の鎖状エーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒などが挙げられる。
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジフェニルエーテル等の鎖状エーテル系溶媒;
テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等の環状エーテル系溶媒などが挙げられる。
上記エステル系溶媒としては、例えば
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール等の酢酸エステル系溶媒;
酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル等の多価アルコール部分エーテルの酢酸エステル系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等の炭酸エステル系溶媒;
アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等のその他のカルボン酸のエステル系溶媒などが挙げられる。
酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル、酢酸iso-ブチル、酢酸sec-ブチル、酢酸n-ペンチル、酢酸sec-ペンチル、酢酸3-メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2-エチルブチル、酢酸2-エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n-ノニル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール等の酢酸エステル系溶媒;
酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ-n-ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル等の多価アルコール部分エーテルの酢酸エステル系溶媒;
ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート等の炭酸エステル系溶媒;
アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸iso-アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ-n-ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチル、乳酸n-アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等のその他のカルボン酸のエステル系溶媒などが挙げられる。
これらの中で、ケトン系溶媒、エステル系溶媒が好ましく、上記ケトン系溶媒としては、環状ケトン系溶媒がより好ましく、シクロヘキサノンがさらに好ましい。上記エステル系溶媒としては、多価アルコール部分エーテルの酢酸エステル系溶媒がより好ましく、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルがさらに好ましい。
<[G]偏在化促進剤>
[G]偏在化促進剤は、当該感放射線性樹脂組成物が[E]フッ素原子含有重合体を含有する場合等に、[E]フッ素原子含有重合体を、より効率的にレジスト膜表面に偏在化させる成分である。当該感放射線性樹脂組成物が[G]偏在化促進剤を含有することで、[E]フッ素原子含有重合体をレジスト膜表面により効果的に偏在化させることができ、結果として[E]フッ素原子含有重合体の使用量を少なくすることができる。[G]偏在化促進剤としては、例えばラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。偏在化促進剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[G]偏在化促進剤は、当該感放射線性樹脂組成物が[E]フッ素原子含有重合体を含有する場合等に、[E]フッ素原子含有重合体を、より効率的にレジスト膜表面に偏在化させる成分である。当該感放射線性樹脂組成物が[G]偏在化促進剤を含有することで、[E]フッ素原子含有重合体をレジスト膜表面により効果的に偏在化させることができ、結果として[E]フッ素原子含有重合体の使用量を少なくすることができる。[G]偏在化促進剤としては、例えばラクトン化合物、カーボネート化合物、ニトリル化合物、多価アルコール等が挙げられる。偏在化促進剤は、1種単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記ラクトン化合物としては、例えばγ-ブチロラクトン、バレロラクトン、メバロニックラクトン、ノルボルナンラクトン等が挙げられる。
上記カーボネート化合物としては、例えばプロピレンカーボネート、エチレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ビニレンカーボネート等が挙げられる。
上記ニトリル化合物としては、例えばスクシノニトリル等が挙げられる。
上記多価アルコールとしては、例えばグリセリン等が挙げられる。
これらの中で、ラクトン化合物が好ましく、γ-ブチロラクトンがより好ましい。
当該感放射線性樹脂組成物が[G]偏在化促進剤を含有する場合、[G]偏在化促進剤の含有量の下限としては、[A]重合体100質量部に対して、5質量部が好ましく、10質量がより好ましく、20質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、[A]重合体100質量部に対して、300質量部が好ましく、100質量部がより好ましく、70質量部がさらに好ましい。
<その他の任意成分>
当該感放射線性樹脂組成物は、上記[A]~[G]成分以外にも、他の感放射線性酸発生剤、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等のその他の任意成分を含有していてもよい。その他の任意成分は、各成分を1種単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。また、その他の任意成分の含有量は、その目的に応じて適宜決定することができる。
当該感放射線性樹脂組成物は、上記[A]~[G]成分以外にも、他の感放射線性酸発生剤、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等のその他の任意成分を含有していてもよい。その他の任意成分は、各成分を1種単独で又は2種以上組み合わせて用いてもよい。また、その他の任意成分の含有量は、その目的に応じて適宜決定することができる。
<感放射線性樹脂組成物の調製方法>
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体、[B]酸発生剤、必要に応じて[B’]他の酸発生剤、[D]化合物、[E]フッ素原子含有重合体及び[F]溶媒等の各任意成分を所定割合で混合することにより調製できる。
当該感放射線性樹脂組成物は、[A]重合体、[B]酸発生剤、必要に応じて[B’]他の酸発生剤、[D]化合物、[E]フッ素原子含有重合体及び[F]溶媒等の各任意成分を所定割合で混合することにより調製できる。
当該感放射線性樹脂組成物の固形分濃度の下限としては0.1質量%が好ましく、0.5質量%がより好ましく、1質量%がさらに好ましい。また、上記固形分濃度の上限としては50質量%が好ましく、30質量%がより好ましく、10質量%がさらに好ましい。
<レジストパターンの形成方法>
当該レジストパターン形成方法は、レジスト膜を形成する工程(以下、「レジスト膜形成工程」ともいう)、上記レジスト膜を露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)を備え、上記レジスト膜を当該感放射線性樹脂組成物により形成する。以下、各工程について説明する。
当該レジストパターン形成方法は、レジスト膜を形成する工程(以下、「レジスト膜形成工程」ともいう)、上記レジスト膜を露光する工程(以下、「露光工程」ともいう)、及び上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「現像工程」ともいう)を備え、上記レジスト膜を当該感放射線性樹脂組成物により形成する。以下、各工程について説明する。
[レジスト膜形成工程]
本工程では、上述の本発明の感放射線性樹脂組成物を用い、レジスト膜を形成する。塗布方法としては特に限定されないが、例えば回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段を採用することができる。基板としては、例えばシリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウエハ等が挙げられる。具体的には、得られるレジスト膜が所定の厚さになるように当該組成物を塗布した後、必要に応じてプレベーク(PB:prebake)することで塗膜中の溶媒を揮発させる。塗膜の平均膜厚の下限としては、10nmが好ましい。また、上記平均膜厚の上限としては、500nmが好ましい。PBの温度の下限としては、60℃が好ましく、80℃がより好ましい。また、上記温度の上限としては、140℃が好ましく、80℃がより好ましい。PBの時間の下限としては、5秒が好ましく、10秒がより好ましい。また、上記時間の上限としては、600秒が好ましく、300秒がより好ましい。
本工程では、上述の本発明の感放射線性樹脂組成物を用い、レジスト膜を形成する。塗布方法としては特に限定されないが、例えば回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の塗布手段を採用することができる。基板としては、例えばシリコンウエハ、アルミニウムで被覆されたウエハ等が挙げられる。具体的には、得られるレジスト膜が所定の厚さになるように当該組成物を塗布した後、必要に応じてプレベーク(PB:prebake)することで塗膜中の溶媒を揮発させる。塗膜の平均膜厚の下限としては、10nmが好ましい。また、上記平均膜厚の上限としては、500nmが好ましい。PBの温度の下限としては、60℃が好ましく、80℃がより好ましい。また、上記温度の上限としては、140℃が好ましく、80℃がより好ましい。PBの時間の下限としては、5秒が好ましく、10秒がより好ましい。また、上記時間の上限としては、600秒が好ましく、300秒がより好ましい。
当該レジストパターン成形方法においては、感放射線性樹脂組成物の潜在能力を最大限に引き出すため、例えば使用される基板上に有機系又は無機系の反射防止膜を形成しておくこともできる。また、環境雰囲気中に含まれる塩基性不純物等の影響を防止するため、例えば塗膜上に保護膜を設けることもできる。また、液浸露光を行う場合は、液浸媒体とレジスト膜との直接的な接触を避けるため、例えばレジスト膜上に液浸用保護膜を設けてもよい。
[露光工程]
本工程では、上記レジスト膜形成工程で形成されたレジスト膜を露光する。この露光は、場合によっては、水等の液浸媒体を介し、所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射することにより行う。上記放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、EUV(波長13.5nm)、X線、γ線等の電磁波;電子線、α線等の荷電粒子線等から適宜選択される。これらの中で、当該感放射線性樹脂組成物の[A]重合体が構造単位(I-1)を有する場合等は、遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)がより好ましく、ArFエキシマレーザー光がさらに好ましい。また、当該感放射線性樹脂組成物の[A]重合体が構造単位(I-2)を有する場合等は、電子線、EUVが好ましい。
本工程では、上記レジスト膜形成工程で形成されたレジスト膜を露光する。この露光は、場合によっては、水等の液浸媒体を介し、所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射することにより行う。上記放射線としては、目的とするパターンの線幅に応じて、例えば可視光線、紫外線、遠紫外線、EUV(波長13.5nm)、X線、γ線等の電磁波;電子線、α線等の荷電粒子線等から適宜選択される。これらの中で、当該感放射線性樹脂組成物の[A]重合体が構造単位(I-1)を有する場合等は、遠紫外線が好ましく、ArFエキシマレーザー光(波長193nm)、KrFエキシマレーザー光(波長248nm)がより好ましく、ArFエキシマレーザー光がさらに好ましい。また、当該感放射線性樹脂組成物の[A]重合体が構造単位(I-2)を有する場合等は、電子線、EUVが好ましい。
また、露光後にPEB(Post Exposure Bake)を行うことが好ましい。PEBを行うことで、レジスト膜の露光された部位における酸解離性基の解離反応を円滑に進行させることができる。PEBの温度の下限としては、50℃が好ましく、80℃がより好ましい。また、上記温度の上限としては、180℃が好ましく、130℃がより好ましい。PEBの時間の下限としては、5秒が好ましく、10秒がより好ましい。また、上記時間の上限としては、600秒が好ましく、300秒がより好ましい。
[現像工程]
本工程では、上記露光工程で露光されたレジスト膜を現像する。この現像に用いる現像液としては、例えばアルカリ現像液、有機溶媒現像液等が挙げられる。これにより、所定のレジストパターンが形成される。
本工程では、上記露光工程で露光されたレジスト膜を現像する。この現像に用いる現像液としては、例えばアルカリ現像液、有機溶媒現像液等が挙げられる。これにより、所定のレジストパターンが形成される。
上記アルカリ現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、けい酸ナトリウム、メタけい酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n-プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ-n-プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、エチルジメチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)、ピロール、ピペリジン、コリン、1,8-ジアザビシクロ-[5.4.0]-7-ウンデセン、1,5-ジアザビシクロ-[4.3.0]-5-ノネン等のアルカリ性化合物の少なくとも1種を溶解したアルカリ性水溶液などが挙げられる。
上記有機溶媒現像液としては、例えば
メタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール等のアルコール系溶媒;
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、アニソール等のエーテル系溶媒;
アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン等のケトン系溶媒;
N,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒;
ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル等のエステル系溶媒などが挙げられる。
メタノール、エタノール、n-プロパノール、iso-プロパノール、n-ブタノール、iso-ブタノール、sec-ブタノール等のアルコール系溶媒;
ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジフェニルエーテル、アニソール等のエーテル系溶媒;
アセトン、メチルエチルケトン、メチル-n-プロピルケトン、メチル-n-ブチルケトン等のケトン系溶媒;
N,N’-ジメチルイミダゾリジノン、N-メチルホルムアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒;
ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸iso-プロピル、酢酸n-ブチル等のエステル系溶媒などが挙げられる。
これらの現像液は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、現像後は、水等で洗浄し、乾燥することが一般的である。
<感放射線性酸発生剤>
本発明の感放射線性酸発生剤は、上記式(A)で表される化合物からなる。当該感放射線性酸発生剤は、上述の特性を有しているので、これを含有する感放射線性樹脂組成物のLWR性能等を向上させることができる。
本発明の感放射線性酸発生剤は、上記式(A)で表される化合物からなる。当該感放射線性酸発生剤は、上述の特性を有しているので、これを含有する感放射線性樹脂組成物のLWR性能等を向上させることができる。
<化合物>
本発明の化合物は、上記式(A)で表される。当該化合物は、上記構造を有するので、当該感放射線性酸発生剤として好適に用いることができる。
本発明の化合物は、上記式(A)で表される。当該化合物は、上記構造を有するので、当該感放射線性酸発生剤として好適に用いることができる。
当該感放射線性酸発生剤及び当該化合物については、上述の感放射線性樹脂組成物の[B]酸発生剤の項で説明している。
以下、本発明の実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例に制限されるものではない。なお、実施例及び比較例における各測定は、下記の方法により行った。
[重量平均分子量(Mw)及び数平均分子量(Mn)]
GPCカラム(東ソー社の「G2000HXL」:2本、東ソー社の「G3000HXL」:1本、東ソー社の「G4000HXL」:1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、試料濃度:1.0質量%、試料注入量:100μL、カラム温度:40℃、検出器:示差屈折計の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定した。また、分散度(Mw/Mn)は、Mw及びMnの測定結果より算出した。
GPCカラム(東ソー社の「G2000HXL」:2本、東ソー社の「G3000HXL」:1本、東ソー社の「G4000HXL」:1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶媒:テトラヒドロフラン、試料濃度:1.0質量%、試料注入量:100μL、カラム温度:40℃、検出器:示差屈折計の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)により測定した。また、分散度(Mw/Mn)は、Mw及びMnの測定結果より算出した。
[13C-NMR分析]
核磁気共鳴装置(日本電子社の「JNM-ECX400」)を用い、測定溶媒として重クロロホルムを使用して、各重合体における各構造単位の含有割合(モル%)を求める分析を行った。
核磁気共鳴装置(日本電子社の「JNM-ECX400」)を用い、測定溶媒として重クロロホルムを使用して、各重合体における各構造単位の含有割合(モル%)を求める分析を行った。
<化合物の合成>
[実施例1](化合物(H-1)の合成)
300mLの三口フラスコにブロモジフルオロ酢酸エチル(A)25.4g(125mmol)を入れ、窒素置換を行い、ジエチルエーテル120mLを加え攪拌した。-78℃にてグリニャール試薬(B-1)25.8g(138mmol)を20分かけて滴下し、滴下終了後、-78℃で3時間攪拌した。1規定の塩酸150mLを加えて反応をクエンチした後、水層をジエチルエーテル150mLで3回抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、不溶物を濾過で除去後、濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(C-1)12.1g(収率40%)を得た。
[実施例1](化合物(H-1)の合成)
300mLの三口フラスコにブロモジフルオロ酢酸エチル(A)25.4g(125mmol)を入れ、窒素置換を行い、ジエチルエーテル120mLを加え攪拌した。-78℃にてグリニャール試薬(B-1)25.8g(138mmol)を20分かけて滴下し、滴下終了後、-78℃で3時間攪拌した。1規定の塩酸150mLを加えて反応をクエンチした後、水層をジエチルエーテル150mLで3回抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、不溶物を濾過で除去後、濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(C-1)12.1g(収率40%)を得た。
次いで、200mLの三口フラスコに水素化ナトリウム1.20g(50mmol)を入れ、窒素置換を行い、テトラヒドロフラン100mLを加え攪拌した。0℃にてジエチルホスホノ酢酸エチル33.6g(150mmol)及び化合物(C-1)12.1g(50.0mmol)を加え、0℃で1時間攪拌した後、室温で3時間攪拌を行った。飽和塩化アンモニウム水溶液150mLを加え攪拌した後、水層をテトラヒドロフラン150mLで3回抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、不溶物を濾過で除去後、濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(D-1)13.2g(収率85%)を得た。
次いで、200mLの三口フラスコに化合物(D-1)13.2g(42.5mmol)を入れ、窒素置換を行い、ヘプタン100mLとシクロペンタジエン3.09g(46.8mmol)を加え8時間還流を行った。室温まで冷却後、濃縮を行い、カラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(E-1)14.7g(収率92%)を得た。
500mLの三口フラスコに化合物(E-1)14.7g(39.1mmol)を入れ、窒素置換を行い、アセトニトリル200mLを加え攪拌した。炭酸水素ナトリウム9.85g(117mmol)と亜ジチオンサンナトリウム13.6g(78.2mmol)とを120gの水に溶解させたものを加えた後、65℃で4時間撹拌し、化合物(F-1)を生成させた。室温まで冷却した後に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液100mLで2回洗浄した。有機層に30%過酸化水素水溶液13.3g(117mmol)とタングステン酸ナトリウム二水和物0.903g(2.74mmol)とを加え、55℃にて6時間撹拌し、化合物(G-1)を生成させた。室温に冷却した後、亜硫酸ナトリウム水溶液150mLで過剰の過酸化水素をクエンチし、有機層を回収した。溶媒留去した後にトリフェニルスルホニウムクロリド11.7g(39.1mmol)、ジクロロメタン250mL及び水125mLを加え室温にて8時間撹拌した。有機層を3回水洗した後、溶媒を留去することにより化合物(H-1)19.2g(収率86%)を得た。
500mLの三口フラスコに化合物(E-1)14.7g(39.1mmol)を入れ、窒素置換を行い、アセトニトリル200mLを加え攪拌した。炭酸水素ナトリウム9.85g(117mmol)と亜ジチオンサンナトリウム13.6g(78.2mmol)とを120gの水に溶解させたものを加えた後、65℃で4時間撹拌し、化合物(F-1)を生成させた。室温まで冷却した後に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液100mLで2回洗浄した。有機層に30%過酸化水素水溶液13.3g(117mmol)とタングステン酸ナトリウム二水和物0.903g(2.74mmol)とを加え、55℃にて6時間撹拌し、化合物(G-1)を生成させた。室温に冷却した後、亜硫酸ナトリウム水溶液150mLで過剰の過酸化水素をクエンチし、有機層を回収した。溶媒留去した後にトリフェニルスルホニウムクロリド11.7g(39.1mmol)、ジクロロメタン250mL及び水125mLを加え室温にて8時間撹拌した。有機層を3回水洗した後、溶媒を留去することにより化合物(H-1)19.2g(収率86%)を得た。
[実施例2](化合物(H-2)の合成)
50mLの三口フラスコにPd-C(10%)70mg及び酢酸エチル15mLを加え水素置換を行った。合成例1と同様の操作を行うことにより得た化合物(E-1)3.77g(10.0mmol)を10mLの酢酸エチルに溶解し、シリンジでフラスコ内に加えた。室温で40時間撹拌した後、セライト濾過にてPd-Cを除去し溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィで精製することにより、水素付加体(E-2)を3.30g(収率87%)得た。
50mLの三口フラスコにPd-C(10%)70mg及び酢酸エチル15mLを加え水素置換を行った。合成例1と同様の操作を行うことにより得た化合物(E-1)3.77g(10.0mmol)を10mLの酢酸エチルに溶解し、シリンジでフラスコ内に加えた。室温で40時間撹拌した後、セライト濾過にてPd-Cを除去し溶媒を留去した。カラムクロマトグラフィで精製することにより、水素付加体(E-2)を3.30g(収率87%)得た。
次いで、100mLの三口フラスコに上記得られた(E-2)3.30g(8.70mmol)を入れ、窒素置換を行い、アセトニトリル50mLを加え攪拌した。炭酸水素ナトリウム2.19g(26.1mmol)と亜ジチオンサンナトリウム2.68g(15.4mmol)とを35gの水に溶解させたものを加えた後、65℃で4時間撹拌し、化合物(F-2)を生成させた。室温まで冷却した後に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液40mLで2回洗浄した。有機層に30質量%過酸化水素水溶液2.96g(26.1mmol)とタングステン酸ナトリウム二水和物0.201g(0.609mmol)とを加え、55℃にて6時間撹拌し、化合物(G-2)を生成させた。室温に冷却した後、亜硫酸ナトリウム水溶液40mLで過剰の過酸化水素をクエンチし、有機層を回収した。溶媒留去した後にトリフェニルスルホニウムクロリド2.60g(8.70mmol)、ジクロロメタン60mL及び水30mLを加え室温にて8時間撹拌した。有機層を3回水洗した後、溶媒を留去することにより化合物(H-2)を4.17g(収率83%)得た。
[実施例3~14](化合物(H-3)~(H-14)の合成)
前駆体を適宜選択し、実施例2と同様の操作を行うことによって、下記式(H-3)~(H-14)で表される化合物を合成した。
前駆体を適宜選択し、実施例2と同様の操作を行うことによって、下記式(H-3)~(H-14)で表される化合物を合成した。
[実施例15](化合物(H-15)の合成)
1Lの三口フラスコにマグネシウム21.9g(0.9mol)を入れ、窒素置換を行い、ジエチルエーテル200mLを加え攪拌した。ジブロモペンタン(A-2)69.0g(0.3mol)を1時間かけて滴下し、滴下終了後、2時間還流を行いグリニャール試薬(B-2)を調製した。室温まで冷却後、ブロモジフルオロ酢酸エチル121.8g(0.6mol)を2時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液100mLを加えて反応をクエンチした後、有機層を3回水洗した。更に、硫酸マグネシウムで乾燥し、不溶物を濾過で除去後、濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(C-2)22.9g(収率33%)を得た。
1Lの三口フラスコにマグネシウム21.9g(0.9mol)を入れ、窒素置換を行い、ジエチルエーテル200mLを加え攪拌した。ジブロモペンタン(A-2)69.0g(0.3mol)を1時間かけて滴下し、滴下終了後、2時間還流を行いグリニャール試薬(B-2)を調製した。室温まで冷却後、ブロモジフルオロ酢酸エチル121.8g(0.6mol)を2時間かけて滴下し、滴下終了後、室温で2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液100mLを加えて反応をクエンチした後、有機層を3回水洗した。更に、硫酸マグネシウムで乾燥し、不溶物を濾過で除去後、濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(C-2)22.9g(収率33%)を得た。
次いで、500mLの三口フラスコにジメチルアミノピリジン2.44g(20mmol)及び化合物(C-2)22.9g(100mmol)を入れ、窒素置換を行い、テトラヒドロフラン200mL及びトリエチルアミン15.2g(150mmol)を加え攪拌した。0℃にてシクロヘキサンカルボニルクロリド14.7g(100mmol)を加えた後、室温で5時間攪拌を行った。飽和炭酸水素ナトリウム水溶液150mLを加えて反応をクエンチした後、水層をジクロロメタン150mLで3回抽出した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥し、不溶物を濾過で除去後、濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(D-2)21.8g(収率64%)を得た。
次いで、500mLの三口フラスコに化合物(D-2)21.8g(64.3mmol)を入れ、窒素置換を行い、アセトニトリル200mLを加え攪拌した。炭酸水素ナトリウム16.2g(193mmol)と亜ジチオンサンナトリウム22.4g(128mmol)とを150gの水に溶解させたものを加えた後、65℃で4時間撹拌し、化合物(E-3)を生成させた。室温まで冷却した後に飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液100mLで2回洗浄した。有機層に30%過酸化水素水溶液21.9g(193mmol)とタングステン酸ナトリウム二水和物1.48g(4.50mmol)とを加え、55℃にて6時間撹拌し、化合物(F-3)を生成させた。室温に冷却した後、亜硫酸ナトリウム水溶液150mLで過剰の過酸化水素をクエンチし、有機層を回収した。溶媒留去した後にトリフェニルスルホニウムクロリド19.2g(64.3mmol)、ジクロロメタン300mL及び水150mLを加え室温にて8時間撹拌した。有機層を3回水洗した後、硫酸マグネシウムで乾燥し不溶物を濾過で除去後、濃縮した。濃縮液をカラムクロマトグラフィで精製することにより、化合物(H-15)17.4g(収率45%)を得た。
[実施例16~20](化合物(H-16)~(H-20)の合成)
前駆体を適宜選択し、実施例15と同様の操作を行うことによって、下記式(H-2)~(H-20)で表される化合物を合成した。
前駆体を適宜選択し、実施例15と同様の操作を行うことによって、下記式(H-2)~(H-20)で表される化合物を合成した。
<[A]重合体及び[E]重合体の合成>
各実施例及び比較例における各重合体の合成で用いた単量体を以下に示す。
各実施例及び比較例における各重合体の合成で用いた単量体を以下に示す。
[合成例1](重合体(A-1)の合成)
化合物(M-1)7.97g(35モル%)、化合物(M-2)7.44g(45モル%)及び化合物(M-3)4.49g(20モル%)を2-ブタノン40gに溶解し、ラジカル開始剤としてのAIBN0.80g(化合物の合計に対して5モル%)を添加して単量体溶液を調製した。次いで20gの2-ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末を濾別した。濾別した白色粉末を80gのメタノールで2回洗浄した後、濾別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A-1)を合成した(15.2g、収率76%)。重合体(A-1)のMwは7,300であり、Mw/Mnは1.53であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物(M-1)、化合物(M-2)及び化合物(M-3)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ34.3モル%、45.1モル%、及び20.6モル%であった。
化合物(M-1)7.97g(35モル%)、化合物(M-2)7.44g(45モル%)及び化合物(M-3)4.49g(20モル%)を2-ブタノン40gに溶解し、ラジカル開始剤としてのAIBN0.80g(化合物の合計に対して5モル%)を添加して単量体溶液を調製した。次いで20gの2-ブタノンを入れた100mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。400gのメタノール中に冷却した重合溶液を投入し、析出した白色粉末を濾別した。濾別した白色粉末を80gのメタノールで2回洗浄した後、濾別し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A-1)を合成した(15.2g、収率76%)。重合体(A-1)のMwは7,300であり、Mw/Mnは1.53であった。また、13C-NMR分析の結果、化合物(M-1)、化合物(M-2)及び化合物(M-3)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ34.3モル%、45.1モル%、及び20.6モル%であった。
[合成例2及び3](重合体(A-2)及び(A-3)の合成)
表1に示す種類及び使用量の化合物を用いた以外は、合成例1と同様の操作を行うことによって重合体(A-2)及び(A-3)を合成した。
表1に示す種類及び使用量の化合物を用いた以外は、合成例1と同様の操作を行うことによって重合体(A-2)及び(A-3)を合成した。
[合成例4](重合体(A-4)の合成)
化合物(M-4)55.0g(65モル%)及び化合物(M-5)45.0g(35モル%)、ラジカル開始剤としてのAIBN4g並びにt-ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、16時間共重合させた。重合反応終了後、重合溶液を1,000gのn-ヘキサン中に滴下して、重合体を凝固精製した。次いで上記重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、更に、メタノール150g、トリエチルアミン34g及び水6gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応終了後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A-4)を得た(65.7g、収率77%)。重合体(A-4)のMwは7,500であり、Mw/Mnは1.90であった。13C-NMR分析の結果、p-ヒドロキシスチレン及び化合物(M-5)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ65.4モル%及び34.6モル%であった。
化合物(M-4)55.0g(65モル%)及び化合物(M-5)45.0g(35モル%)、ラジカル開始剤としてのAIBN4g並びにt-ドデシルメルカプタン1gを、プロピレングリコールモノメチルエーテル100gに溶解した後、窒素雰囲気下、反応温度を70℃に保持して、16時間共重合させた。重合反応終了後、重合溶液を1,000gのn-ヘキサン中に滴下して、重合体を凝固精製した。次いで上記重合体に、再度プロピレングリコールモノメチルエーテル150gを加えた後、更に、メタノール150g、トリエチルアミン34g及び水6gを加えて、沸点にて還流させながら、8時間加水分解反応を行った。反応終了後、溶媒及びトリエチルアミンを減圧留去し、得られた重合体をアセトン150gに溶解した後、2,000gの水中に滴下して凝固させ、生成した白色粉末をろ過し、50℃で17時間乾燥させて白色粉末状の重合体(A-4)を得た(65.7g、収率77%)。重合体(A-4)のMwは7,500であり、Mw/Mnは1.90であった。13C-NMR分析の結果、p-ヒドロキシスチレン及び化合物(M-5)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ65.4モル%及び34.6モル%であった。
[合成例5](重合体(E-1)の合成)
化合物(M-11)82.2g(70モル%)及び化合物(M-12)17.8g(30モル%)を2-ブタノン200gに溶解し、ラジカル開始剤としてのAIBN0.46gを添加して単量体溶液を調製した。次いで100gの2-ブタノンを入れた500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。アセトニトリル400gに溶媒を置換した後、ヘキサン100gを加えて撹拌しアセトニトリル層を回収する作業を3回繰り返した。溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに置換することで、重合体(E-1)を60.1g含む溶液を得た(収率60%)。重合体(E-1)のMwは15,000であり、Mw/Mnは1.90であった。13C-NMR分析の結果、化合物(M-11)及び化合物(M-12)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ70.3モル%及び29.7モル%であった。
化合物(M-11)82.2g(70モル%)及び化合物(M-12)17.8g(30モル%)を2-ブタノン200gに溶解し、ラジカル開始剤としてのAIBN0.46gを添加して単量体溶液を調製した。次いで100gの2-ブタノンを入れた500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、攪拌しながら80℃に加熱し、上記調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却した。アセトニトリル400gに溶媒を置換した後、ヘキサン100gを加えて撹拌しアセトニトリル層を回収する作業を3回繰り返した。溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに置換することで、重合体(E-1)を60.1g含む溶液を得た(収率60%)。重合体(E-1)のMwは15,000であり、Mw/Mnは1.90であった。13C-NMR分析の結果、化合物(M-11)及び化合物(M-12)に由来する各構造単位の含有割合は、それぞれ70.3モル%及び29.7モル%であった。
<感放射線性樹脂組成物の調製>
上記化合物(H-1)~(H-20)以外の、下記実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物の調製に用いた[B]その他の酸発生剤、[C]酸拡散抑制剤、[D]化合物、[F]溶媒及び[G]偏在化促進剤を以下に示す。
上記化合物(H-1)~(H-20)以外の、下記実施例及び比較例の感放射線性樹脂組成物の調製に用いた[B]その他の酸発生剤、[C]酸拡散抑制剤、[D]化合物、[F]溶媒及び[G]偏在化促進剤を以下に示す。
[[B]その他の酸発生剤]
下記式(b’-1)で表される化合物。
下記式(b’-1)で表される化合物。
[[C]酸拡散制御剤]
下記式(c’-1)~(c’-2)で表される化合物。
下記式(c’-1)~(c’-2)で表される化合物。
[[F]溶媒]
f-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
f-2:シクロヘキサノン
f-1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
f-2:シクロヘキサノン
[[G]偏在化促進剤]
g-1:γ-ブチロラクトン
g-1:γ-ブチロラクトン
[実施例21](感放射線性樹脂組成物(J-1)の調製)
[A]重合体としての(A-1)100質量部、[C]酸拡散制御剤としての(c’-1)2.3質量部、[B]酸発生剤としての(H-1)8.5質量部、[E]フッ素原子含有重合体としての(E-1)3質量部、[F]溶媒としての(f-1)2,240質量部及び(f-2)960質量部並びに[G]偏在化促進剤としての(g-1)30質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過することにより感放射線性樹脂組成物(J-1)を調製した。
[A]重合体としての(A-1)100質量部、[C]酸拡散制御剤としての(c’-1)2.3質量部、[B]酸発生剤としての(H-1)8.5質量部、[E]フッ素原子含有重合体としての(E-1)3質量部、[F]溶媒としての(f-1)2,240質量部及び(f-2)960質量部並びに[G]偏在化促進剤としての(g-1)30質量部を混合し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過することにより感放射線性樹脂組成物(J-1)を調製した。
[実施例22~46及び比較例1~6](感放射線性樹脂組成物(J-2)~(J-26)及び(J-27)~(J-32)の調製)
下記表2及び表3に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例21と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
下記表2及び表3に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例21と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
[実施例47~57及び比較例7~11](感放射線性樹脂組成物(J-33)~(J-43)及び(J-44)~(J-48)の調製)
下記表4に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例21と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
下記表4に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例21と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
<レジストパターンの形成(1)>
12インチのシリコンウエハー表面に、スピンコーター(CLEAN TRACK ACT12、東京エレクトロン社)を使用して、下層反射防止膜形成用組成物(ARC66、ブルワーサイエンス社)を塗布した後、205℃で60秒間加熱することにより平均膜厚105nmの下層反射防止膜を形成した。この下層反射防止膜上に、上記スピンコーターを使用して上記調製した各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後、23℃で30秒間冷却し、平均膜厚90nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置(NSR-S610C、NIKON社)を用い、NA=1.3、ダイポール(シグマ0.977/0.782)の光学条件にて、40nmラインアンドスペース(1L1S)マスクパターンを介して露光した。露光後、90℃で60秒間PEBを行った。その後、アルカリ現像液として2.38質量%のTMAH水溶液を用いてアルカリ現像し、水で洗浄し、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。このレジストパターン形成の際、ターゲット寸法が40nmの1対1ラインアンドスペースのマスクを介して形成した線幅が、線幅40nmの1対1ラインアンドスペースに形成される露光量を最適露光量とした。
12インチのシリコンウエハー表面に、スピンコーター(CLEAN TRACK ACT12、東京エレクトロン社)を使用して、下層反射防止膜形成用組成物(ARC66、ブルワーサイエンス社)を塗布した後、205℃で60秒間加熱することにより平均膜厚105nmの下層反射防止膜を形成した。この下層反射防止膜上に、上記スピンコーターを使用して上記調製した各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後、23℃で30秒間冷却し、平均膜厚90nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜を、ArFエキシマレーザー液浸露光装置(NSR-S610C、NIKON社)を用い、NA=1.3、ダイポール(シグマ0.977/0.782)の光学条件にて、40nmラインアンドスペース(1L1S)マスクパターンを介して露光した。露光後、90℃で60秒間PEBを行った。その後、アルカリ現像液として2.38質量%のTMAH水溶液を用いてアルカリ現像し、水で洗浄し、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。このレジストパターン形成の際、ターゲット寸法が40nmの1対1ラインアンドスペースのマスクを介して形成した線幅が、線幅40nmの1対1ラインアンドスペースに形成される露光量を最適露光量とした。
<レジストパターンの形成(2)>
上記TMAH水溶液の代わりに酢酸n-ブチルを用いて有機溶媒現像し、かつ水での洗浄を行わなかった以外は、上記レジストパターンの形成(1)と同様に操作して、ネガ型のレジストパターンを形成した。
上記TMAH水溶液の代わりに酢酸n-ブチルを用いて有機溶媒現像し、かつ水での洗浄を行わなかった以外は、上記レジストパターンの形成(1)と同様に操作して、ネガ型のレジストパターンを形成した。
<評価>
上記各感放射線性樹脂組成物(J-1)~(J-48)を用いて形成したレジストパターンについて、下記方法に従って測定することにより、各感放射線性樹脂組成物を評価した。その結果を表5~8に示す。なお、レジストパターンの測長には走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社の「CG-4100」)を用いた。
上記各感放射線性樹脂組成物(J-1)~(J-48)を用いて形成したレジストパターンについて、下記方法に従って測定することにより、各感放射線性樹脂組成物を評価した。その結果を表5~8に示す。なお、レジストパターンの測長には走査型電子顕微鏡(日立ハイテクノロジーズ社の「CG-4100」)を用いた。
[LWR性能]
上記最適露光量において解像されるレジストパターンを、上記走査型電子顕微鏡を用いてパターン上部から観察した。線幅を任意のポイントで計50点測定し、その測定値の分布から3シグマ値を求め、これをLWR性能とした。LWR性能は、その値が小さいほどラインのガタつきが小さく良いことを示す。LWR性能は、5.0nm以下の場合は「A(良好)」と、5.0nmを超える場合は「B(不良)」と評価した。
上記最適露光量において解像されるレジストパターンを、上記走査型電子顕微鏡を用いてパターン上部から観察した。線幅を任意のポイントで計50点測定し、その測定値の分布から3シグマ値を求め、これをLWR性能とした。LWR性能は、その値が小さいほどラインのガタつきが小さく良いことを示す。LWR性能は、5.0nm以下の場合は「A(良好)」と、5.0nmを超える場合は「B(不良)」と評価した。
[解像性]
上記最適露光量において解像される最小のレジストパターンの寸法を測定し、この測定値を解像性とした。解像性は、その値が小さいほどより微細なパターンを形成でき良いことを示す。解像性は、30nm以下の場合は「A(良好)」と、30nmを超える場合は「B(不良)」と評価した。
上記最適露光量において解像される最小のレジストパターンの寸法を測定し、この測定値を解像性とした。解像性は、その値が小さいほどより微細なパターンを形成でき良いことを示す。解像性は、30nm以下の場合は「A(良好)」と、30nmを超える場合は「B(不良)」と評価した。
[断面形状の矩形性]
上記最適露光量において解像されるレジストパターンの断面形状を観察し、レジストパターンの高さ方向での中間での線幅Lb及びレジストパターンの上部での線幅Laを測定した。断面形状の矩形性は、その値が1に近いほど、レジストパターンがより矩形であり良いことを示す。断面形状の矩形性は、0.90≦(La/Lb)≦1.14である場合は「A(良好)」と、(La/Lb)<0.90又は1.14<(La/Lb)である場合は「B(不良)」と評価した。
上記最適露光量において解像されるレジストパターンの断面形状を観察し、レジストパターンの高さ方向での中間での線幅Lb及びレジストパターンの上部での線幅Laを測定した。断面形状の矩形性は、その値が1に近いほど、レジストパターンがより矩形であり良いことを示す。断面形状の矩形性は、0.90≦(La/Lb)≦1.14である場合は「A(良好)」と、(La/Lb)<0.90又は1.14<(La/Lb)である場合は「B(不良)」と評価した。
[焦点深度]
上記最適露光量において解像されるレジストパターンにおいて、深さ方向にフォーカスを変化させた際の寸法を観測し、ブリッジや残渣が無いままパターン寸法が基準の90%~110%に入る深さ方向の余裕度を測定し、この測定値を焦点深度とした。焦点深度は、その値が大きいほど、焦点の位置が変動した際に得られるパターンの寸法の変動が小さく、デバイス作製時の歩留まりを高くすることができる。焦点深度は、45nm以上の場合は「A(良好)」と、45nm未満の場合は「B(不良)」と評価した。
上記最適露光量において解像されるレジストパターンにおいて、深さ方向にフォーカスを変化させた際の寸法を観測し、ブリッジや残渣が無いままパターン寸法が基準の90%~110%に入る深さ方向の余裕度を測定し、この測定値を焦点深度とした。焦点深度は、その値が大きいほど、焦点の位置が変動した際に得られるパターンの寸法の変動が小さく、デバイス作製時の歩留まりを高くすることができる。焦点深度は、45nm以上の場合は「A(良好)」と、45nm未満の場合は「B(不良)」と評価した。
[露光余裕度]
上記最適露光量を含む露光量の範囲において、露光量を1mJ/cm2ごとに変えて、それぞれレジストパターンを形成し、上記走査型電子顕微鏡を用いて、それぞれの線幅を測定した。得られた線幅と露光量の関係から、線幅が44nmとなる露光量E(44)、及び線幅が36nmとなる露光量E(36)を求め、露光余裕度=(E(36)-E(44))×100/(最適露光量)の式から露光余裕度(%)を算出した。露光余裕度は、その値が大きいほど、露光量が変動した際に得られるパターンの寸法の変動が小さく、デバイス作製時の歩留まりを高くすることができる。露光余裕度は、10%以上の場合は「A(良好)」と、10%未満の場合は「B(不良)」と評価した。
上記最適露光量を含む露光量の範囲において、露光量を1mJ/cm2ごとに変えて、それぞれレジストパターンを形成し、上記走査型電子顕微鏡を用いて、それぞれの線幅を測定した。得られた線幅と露光量の関係から、線幅が44nmとなる露光量E(44)、及び線幅が36nmとなる露光量E(36)を求め、露光余裕度=(E(36)-E(44))×100/(最適露光量)の式から露光余裕度(%)を算出した。露光余裕度は、その値が大きいほど、露光量が変動した際に得られるパターンの寸法の変動が小さく、デバイス作製時の歩留まりを高くすることができる。露光余裕度は、10%以上の場合は「A(良好)」と、10%未満の場合は「B(不良)」と評価した。
[CDU性能]
上記最適露光量において解像されるレジストパターンを、上記走査型電子顕微鏡を用いてパターン上部から観察した。400nmの範囲で線幅を20点測定してその平均値を求め、その平均値を任意のポイントで計500点測定し、その測定値の分布から3シグマ値を求め、これをCDU性能とした。CDU性能は、その値が小さいほど長周期での線幅のバラつきが小さく良いことを示す。CDU性能は、1.5nm以下の場合は「A(良好)」と、1.5nmを超える場合は「B(不良)」と評価した。
上記最適露光量において解像されるレジストパターンを、上記走査型電子顕微鏡を用いてパターン上部から観察した。400nmの範囲で線幅を20点測定してその平均値を求め、その平均値を任意のポイントで計500点測定し、その測定値の分布から3シグマ値を求め、これをCDU性能とした。CDU性能は、その値が小さいほど長周期での線幅のバラつきが小さく良いことを示す。CDU性能は、1.5nm以下の場合は「A(良好)」と、1.5nmを超える場合は「B(不良)」と評価した。
[MEEF性能]
上記最適露光量において解像されるレジストパターンにおいて、線幅が51nm、53nm、55nm、57nm、59nmとなるマスクパターンを用いて形成されたレジストパターンの線幅を縦軸に、マスクパターンのサイズを横軸にプロットしたときの直線の傾きを算出し、これをMEEF性能とした。MEEF性能は、その値が1に近いほどマスク再現性が良好であることを示す。MEEF性能は、1.30以下の場合は「A(良好)」と、1.30を超える場合は「B(不良)」と評価した。
上記最適露光量において解像されるレジストパターンにおいて、線幅が51nm、53nm、55nm、57nm、59nmとなるマスクパターンを用いて形成されたレジストパターンの線幅を縦軸に、マスクパターンのサイズを横軸にプロットしたときの直線の傾きを算出し、これをMEEF性能とした。MEEF性能は、その値が1に近いほどマスク再現性が良好であることを示す。MEEF性能は、1.30以下の場合は「A(良好)」と、1.30を超える場合は「B(不良)」と評価した。
表5~8の結果から明らかなように、実施例では、いずれもLWR性能、解像性、断面形状の矩形性、焦点深度、露光余裕度、CDU性能、及びMEEF性能が良好であったのに対し、比較例では各特性が実施例に比べて劣っていた。
[実施例58](感放射線性樹脂組成物(J-49)の調製)
[A]重合体としての(A-4)100質量部、[C]酸拡散制御剤としての(c’-1)2.3質量部、[B]酸発生剤としての(H-1)8.5質量部並びに[F]溶媒としての(f-1)2,240質量部及び(f-2)1,830質量部を配合し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過することにより感放射線性樹脂組成物(J-49)を調製した。
[A]重合体としての(A-4)100質量部、[C]酸拡散制御剤としての(c’-1)2.3質量部、[B]酸発生剤としての(H-1)8.5質量部並びに[F]溶媒としての(f-1)2,240質量部及び(f-2)1,830質量部を配合し、孔径0.2μmのメンブランフィルターでろ過することにより感放射線性樹脂組成物(J-49)を調製した。
[実施例59~74並びに比較例12及び13](感放射線性樹脂組成物(J-50)~(J-65)並びに(J-66)及び(J-67)の調製)
下記表9に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例58と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
下記表9に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例58と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
[実施例75~83並びに比較例14及び15](感放射線性樹脂組成物(J-68)~(J-76)並びに(J-77)及び(J-78)の調製)
下記表10に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例58と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
下記表10に示す種類及び含有量の各成分を用いた以外は、実施例58と同様に操作して、各感放射線性樹脂組成物を調製した。
<レジストパターンの形成(3)>
8インチのシリコンウエハー表面にスピンコーター(CLEAN TRACK ACT8、東京エレクトロン社)を使用して、表9及び表10に記載の各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後、23℃で30秒間冷却し、平均膜厚50nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜に、簡易型の電子線描画装置(日立製作所社、型式「HL800D」、出力:50KeV、電流密度:5.0A/cm2)を用いて電子線を照射した。照射後、120℃で60秒間PEBを行った。その後、アルカリ現像液として2.38質量%のTMAH水溶液を用いて23℃で30秒間現像し、水で洗浄し、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。
8インチのシリコンウエハー表面にスピンコーター(CLEAN TRACK ACT8、東京エレクトロン社)を使用して、表9及び表10に記載の各感放射線性樹脂組成物を塗布し、90℃で60秒間PBを行った。その後、23℃で30秒間冷却し、平均膜厚50nmのレジスト膜を形成した。次に、このレジスト膜に、簡易型の電子線描画装置(日立製作所社、型式「HL800D」、出力:50KeV、電流密度:5.0A/cm2)を用いて電子線を照射した。照射後、120℃で60秒間PEBを行った。その後、アルカリ現像液として2.38質量%のTMAH水溶液を用いて23℃で30秒間現像し、水で洗浄し、乾燥してポジ型のレジストパターンを形成した。
<レジストパターンの形成(4)>
上記TMAH水溶液の代わりに酢酸n-ブチルを用いて有機溶媒現像し、かつ水での洗浄を行わなかった以外は、上記レジストパターンの形成(3)と同様に操作して、ネガ型のレジストパターンを形成した。
上記TMAH水溶液の代わりに酢酸n-ブチルを用いて有機溶媒現像し、かつ水での洗浄を行わなかった以外は、上記レジストパターンの形成(3)と同様に操作して、ネガ型のレジストパターンを形成した。
<評価>
上記各感放射線性樹脂組成物(J-49)~(J-78)を用いて形成したレジストパターンについて、上記実施例と同様の評価を実施した。結果を下記表11及び表12に示す。
上記各感放射線性樹脂組成物(J-49)~(J-78)を用いて形成したレジストパターンについて、上記実施例と同様の評価を実施した。結果を下記表11及び表12に示す。
表11及び表12の結果から明らかなように、実施例では、いずれもLWR性能、解像性、断面形状の矩形性、焦点深度、露光余裕度、CDU性能が良好であったのに対し、比較例では、各特性が実施例に比べて劣っていた。
本発明の感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法によれば、優れた焦点深度、露光余裕度、MEEF性能及び感度を発揮しつつ、LWR性能、CDU性能、解像性及び断面形状の矩形性に優れるレジストパターンを形成することができる。本発明の感放射線性酸発生剤は、当該感放射線性樹脂組成物の成分として好適に用いることができる。本発明の化合物は、当該感放射線性酸発生剤として好適に用いることができる。従って、これらは、今後ますます微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造プロセス等に好適に用いることができる。
Claims (12)
- 酸解離性基を含む構造単位を有する重合体、及び
感放射線性酸発生剤
を含有し、
上記感放射線性酸発生剤が、下記式(A)で表される化合物を含む感放射線性樹脂組成物。
(式(A)中、Rxは、環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS 2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基であり、Rt及びRyは、上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基の環構造上の同一炭素原子に結合するか又は互いに隣接する2つの炭素原子にそれぞれ結合している。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。Rtは、炭素原子である。Ryは、炭素数1~30の1価の有機基である。kは、1~3の整数である。kが2以上の場合、複数のRxは同一でも異なっていてもよく、複数のRyは同一でも異なっていてもよい。RF1、RF2及びRF3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。iは、0~9の整数である。但し、iが0の場合、kは1又は2である。iが2以上の場合、複数のRF1は同一でも異なっていてもよく、複数のRF2は同一でも異なっていてもよい。RF3が複数の場合、複数のRF3は同一でも異なっていてもよい。但し、1若しくは複数のRF1、1若しくは複数のRF2及び1若しくは複数のRF3のうちの少なくともいずれかはフッ素原子又はパーフルオロアルキル基である。M+は、1価の感放射線性オニウムカチオンである。) - 上記式(A)で表される化合物が、下記式(1)で表される化合物である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
(式(1)中、Rt、Ry、RF1、RF2、RF3、k、i及びM+は、上記式(A)と同義である。R1は、この基が結合する炭素原子と共に環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS 2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基を構成する基である。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。) - 上記式(1)で表される化合物が、下記式(1-1)で表される化合物である請求項2に記載の感放射線性樹脂組成物。
(式(1-1)中、Rt、RF1、RF2、RF3、i及びM+は、上記式(1)と同義である。Rhは、この基が結合する炭素原子と共に環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基又は上記脂環式炭化水素基が有する水素原子の一部若しくは全部を炭素数1~20の1価の炭化水素基で置換した基を構成する基である。R2は、水素原子又は炭素数1~29の1価の有機基である。Xは、-O-又は-NR3-である。R3は、水素原子又は炭素数1~29の1価の有機基である。Yは、単結合又は炭素数1~10の2価の鎖状炭化水素基である。) - 上記式(1-1)で表される化合物が、下記式(1-a)で表される化合物、下記式(1-b)で表される化合物、下記式(1-c)で表される化合物又は下記式(1-d)で表される化合物である請求項3に記載の感放射線性樹脂組成物。
(式(1-a)~(1-d)中、Rt、R2、X、Y、RF1、RF2、RF3、i及びM+は、上記式(1-1)と同義である。R4~R7は、それぞれ独立して、炭素数1~10のアルキル基又は環員数3~20の1価の脂環式炭化水素基である。mは、1~10の整数である。aは、0~(2m+2)の整数である。aが2以上の場合、複数のR4は同一でも異なっていてもよい。bは、0~8の整数である。bが2以上の場合、複数のR5は同一でも異なっていてもよい。cは、0~8の整数である。cが2以上の場合、複数のR6は同一でも異なっていてもよい。dは、0~6の整数である。dが2以上の場合、複数のR7は同一でも異なっていてもよい。Aは、それぞれ独立して-CH2-、-CH2CH2-、-O-又は-S-である。) - 上記式(A)で表される化合物が、下記式(1’)で表される化合物である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
(式(1’)中、Rt、Ry、RF1、RF2、RF3、k、i及びM+は、上記式(A)と同義である。R1’は、この基が結合する炭素原子と共に環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS 2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基を構成する基である。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。) - 上記式(A)におけるSO3 -に隣接する炭素原子に結合するRF1、RF2及びRF3のうちの少なくともいずれかがフッ素原子又はパーフルオロアルキル基である請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
- 上記式(A)におけるM+の感放射線性オニウムカチオンが、下記式(X-1)で表されるカチオン又は下記式(X-2)で表されるカチオンである請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物。
(式(X-1)中、R9、R10及びR11は、それぞれ独立して置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基、-OSO2-RA若しくは-SO2-RBであるか、又はこれらの基のうちの2つ以上の結合により構成される環構造を表す。RA及びRBは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数5~25の1価の脂環式炭化水素基又は置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基である。p、q及びrは、それぞれ独立して、0~5の整数である。R9~R11、RA及びRBがそれぞれ複数の場合、複数のR9は同一でも異なっていてもよく、複数のR10は同一でも異なっていてもよく、複数のR11は同一でも異なっていてもよく、複数のRAは同一でも異なっていてもよく、複数のRBは同一でも異なっていてもよい。
式(X-2)中、R12及びR13は、それぞれ独立して置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基、-OSO2-RC若しくは-SO2-RDであるか、又はこれらの基のうちの2つ以上の結合により構成される環構造を表す。RC及びRDは、それぞれ独立して、置換若しくは非置換の炭素数1~12の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、置換若しくは非置換の環員数5~25の1価の脂環式炭化水素基又は置換若しくは非置換の環員数6~12の1価の芳香族炭化水素基である。s及びtは、それぞれ独立して、0~5の整数である。R12、R13、RC及びRDがそれぞれ複数の場合、複数のR12は同一でも異なっていてもよく、複数のR13は同一でも異なっていてもよく、複数のRCは同一でも異なっていてもよく、複数のRDは同一でも異なっていてもよい。) - レジスト膜を形成する工程、
上記レジスト膜を露光する工程、及び
上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を備え、
上記レジスト膜を請求項1に記載の感放射線性樹脂組成物により形成するレジストパターン形成方法。 - 下記式(A)で表される化合物からなる感放射線性酸発生剤。
(式(A)中、Rxは、環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS 2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基であり、Rt及びRyは、上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基の環構造上の同一炭素原子に結合するか又は互いに隣接する2つの炭素原子にそれぞれ結合している。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。Rtは、炭素原子である。Ryは、炭素数1~30の1価の有機基である。kは、1~3の整数である。kが2以上の場合、複数のRxは同一でも異なっていてもよく、複数のRyは同一でも異なっていてもよい。RF1、RF2及びRF3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。iは、0~9の整数である。但し、iが0の場合、kは1又は2である。iが2以上の場合、複数のRF1は同一でも異なっていてもよく、複数のRF2は同一でも異なっていてもよい。RF3が複数の場合、複数のRF3は同一でも異なっていてもよい。但し、1若しくは複数のRF1、1若しくは複数のRF2及び1若しくは複数のRF3のうちの少なくともいずれかはフッ素原子又はパーフルオロアルキル基である。M+は、1価の感放射線性オニウムカチオンである。) - 下記式(A)で表される化合物。
(式(A)中、Rxは、環員数3~20の2価の脂環式炭化水素基、上記脂環式炭化水素基の炭素-炭素間に-O-、-COO-、-OCOO-、-S-、-SO2O-、-NHCOO-、-SiRS 2-若しくはこれらの組み合わせを含む脂肪族複素環基、又は上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基が有する水素原子の一部若しくは全部を-OH、-CN、炭素数1~20の1価の炭化水素基、炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基、ハロゲン原子若しくはこれらの組み合わせで置換した基であり、Rt及びRyは、上記脂環式炭化水素基及び上記脂肪族複素環基の環構造上の同一炭素原子に結合するか又は互いに隣接する2つの炭素原子にそれぞれ結合している。RSは、水素原子、炭素数1~20の1価の炭化水素基又は炭素数1~20の1価のオキシ炭化水素基である。Rtは、炭素原子である。Ryは、炭素数1~30の1価の有機基である。kは、1~3の整数である。kが2以上の場合、複数のRxは同一でも異なっていてもよく、複数のRyは同一でも異なっていてもよい。RF1、RF2及びRF3は、それぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、炭素数1~20のアルキル基又は炭素数1~20のフッ素化アルキル基である。iは、0~9の整数である。但し、iが0の場合、kは1又は2である。iが2以上の場合、複数のRF1は同一でも異なっていてもよく、複数のRF2は同一でも異なっていてもよい。RF3が複数の場合、複数のRF3は同一でも異なっていてもよい。但し、1若しくは複数のRF1、1若しくは複数のRF2及び1若しくは複数のRF3のうちの少なくともいずれかはフッ素原子又はパーフルオロアルキル基である。M+は、1価の感放射線性オニウムカチオンである。)
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109824492A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-05-31 | 上海应用技术大学 | 一种运用格氏试剂合成单氟溴代丙酮衍生物的方法 |
| JP2019172650A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 三菱ケミカル株式会社 | (メタ)アクリル酸エステルおよびその製造方法 |
| JP2021155427A (ja) * | 2016-02-29 | 2021-10-07 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| US11156917B2 (en) * | 2017-03-31 | 2021-10-26 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6938946B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2021-09-22 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7249093B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2023-03-30 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP6668831B2 (ja) * | 2016-03-04 | 2020-03-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、レジストパターン形成方法、感放射線性酸発生剤及び化合物 |
| JP6922510B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2021-08-18 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP2018189759A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| KR102707717B1 (ko) | 2018-05-28 | 2024-09-19 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법, 그리고, 화합물 및 산 발생제 |
| JP7178800B2 (ja) * | 2018-05-28 | 2022-11-28 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| KR102673929B1 (ko) | 2018-05-28 | 2024-06-10 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP2019207300A (ja) * | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| KR102710876B1 (ko) | 2018-05-28 | 2024-09-27 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
| JP7101541B2 (ja) | 2018-05-28 | 2022-07-15 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| WO2020066824A1 (ja) * | 2018-09-25 | 2020-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010250063A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Fujifilm Corp | 感活性光線または感放射線樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
| WO2012070548A1 (ja) * | 2010-11-26 | 2012-05-31 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及び化合物 |
| WO2012090959A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及び化合物 |
| JP2014224984A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-12-04 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び重合体 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5564402B2 (ja) * | 2010-10-29 | 2014-07-30 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物、酸発生剤 |
| JP6194236B2 (ja) * | 2013-11-26 | 2017-09-06 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、並びに、電子デバイス |
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002710A patent/JP6569221B2/ja active Active
- 2015-03-06 WO PCT/JP2015/056753 patent/WO2015141504A1/ja not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010250063A (ja) * | 2009-04-15 | 2010-11-04 | Fujifilm Corp | 感活性光線または感放射線樹脂組成物、及び該組成物を用いたパターン形成方法 |
| WO2012070548A1 (ja) * | 2010-11-26 | 2012-05-31 | Jsr株式会社 | 感放射線性組成物及び化合物 |
| WO2012090959A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及び化合物 |
| JP2014224984A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-12-04 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び重合体 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021155427A (ja) * | 2016-02-29 | 2021-10-07 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| JP7147927B2 (ja) | 2016-02-29 | 2022-10-05 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
| US11156917B2 (en) * | 2017-03-31 | 2021-10-26 | Fujifilm Corporation | Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for manufacturing electronic device |
| JP2019172650A (ja) * | 2018-03-27 | 2019-10-10 | 三菱ケミカル株式会社 | (メタ)アクリル酸エステルおよびその製造方法 |
| JP7052612B2 (ja) | 2018-03-27 | 2022-04-12 | 三菱ケミカル株式会社 | (メタ)アクリル酸エステルおよびその製造方法 |
| CN109824492A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-05-31 | 上海应用技术大学 | 一种运用格氏试剂合成单氟溴代丙酮衍生物的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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