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WO2015002047A1 - 弾性表面波共振器及び弾性表面波フィルタ装置 - Google Patents

弾性表面波共振器及び弾性表面波フィルタ装置 Download PDF

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WO2015002047A1
WO2015002047A1 PCT/JP2014/066867 JP2014066867W WO2015002047A1 WO 2015002047 A1 WO2015002047 A1 WO 2015002047A1 JP 2014066867 W JP2014066867 W JP 2014066867W WO 2015002047 A1 WO2015002047 A1 WO 2015002047A1
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WO
WIPO (PCT)
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acoustic wave
idt
surface acoustic
terminal
resonator
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2014/066867
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English (en)
French (fr)
Inventor
尚志 木原
上坂　健一
中川　亮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Publication of WO2015002047A1 publication Critical patent/WO2015002047A1/ja
Priority to US14/985,589 priority patent/US20160118956A1/en
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
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    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
    • H10N30/80—Constructional details
    • H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals

Definitions

  • the present invention relates to a surface acoustic wave resonator formed by connecting a plurality of IDTs and a surface acoustic wave filter device including the surface acoustic wave resonator.
  • Patent Document 1 discloses an apparatus in which first and second resonators composed of BAW resonators are connected in series.
  • BAW resonator a pair of electrodes are arranged with the piezoelectric material in between in the c-axis or polarization axis direction of the piezoelectric material.
  • the electrodes in the same direction of the c-axis or the polarization axis are set to the same potential. Thereby, suppression of secondary distortion is achieved.
  • Patent Document 2 discloses a duplexer having a surface acoustic wave device in which a plurality of IDT electrodes are formed on a piezoelectric substrate.
  • a parallel resonant circuit is connected to the antenna terminal so as not to pass a specific frequency.
  • the resonance characteristic of the parallel resonance circuit prevents the input of a signal having a specific frequency such as a second-order distortion.
  • deterioration of reception characteristics and the like due to second-order distortion signals has become a problem with multiband.
  • a double wave of a transmission wave of a certain band may coincide with a reception band of another band.
  • a secondary distortion signal having a frequency twice that of the transmission wave is generated when the transmission wave is output.
  • this second-order distortion signal goes around the receiving circuit, the receiving characteristics are deteriorated.
  • Patent Document 1 does not disclose any secondary strain signal in a configuration using a surface acoustic wave in which an IDT electrode is disposed on a piezoelectric substrate.
  • Patent Document 2 in a conventional surface acoustic wave device, a method of connecting a parallel resonant circuit or the like for suppressing input of a signal of a specific frequency has been used. Such a method is effective when the frequency of the input distortion signal is within a specific frequency range attenuated by the parallel resonance circuit. However, it is not possible to suppress a distortion signal outside the preset frequency range.
  • An object of the present invention is to provide a surface acoustic wave resonator and a surface acoustic wave filter device having the surface acoustic wave resonator that can effectively suppress a distortion signal due to nonlinearity of acoustic vibration such as a secondary distortion signal. There is to do.
  • a surface acoustic wave resonator includes a first terminal, a second terminal, and first and second IDTs connected between the first terminal and the second terminal. .
  • a piezoelectric substrate and first and second IDT electrodes are provided.
  • the piezoelectric substrate has a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and a c-axis direction is inclined with respect to the first main surface and the second main surface. It is said that the direction is.
  • a first IDT electrode is formed on the first main surface of the piezoelectric substrate.
  • the first IDT electrode has first and second comb electrodes.
  • a second IDT electrode is formed on the first main surface of the piezoelectric substrate.
  • the second IDT electrode has third and fourth comb electrodes.
  • the direction of electric field application in the first IDT and the direction of electric field application in the second IDT are such that the c-axis is the same as that of the piezoelectric substrate.
  • the direction is opposite in the direction parallel to the projected c-axis projected onto the first main surface.
  • each of the first and second IDT electrodes has a plurality of electrode fingers, and the c-axis is projected onto the first main surface.
  • the c-axis extending direction has a component parallel to the extending direction of the plurality of electrode fingers in the first and second IDT electrodes.
  • the direction in which the projected c-axis extends is the same in the first and second IDT electrodes. It is parallel to the extending direction of the electrode fingers.
  • the first IDT and the second IDT are electrically connected in parallel.
  • the first IDT and the second IDT are electrically connected in series.
  • the first IDT and the second IDT are electrically connected, and are on the first main surface side of the piezoelectric substrate. Further, a wiring pattern provided at a position to suppress acoustic coupling of surface acoustic waves generated from the first IDT and the second IDT is further provided.
  • the first IDT and the second IDT are electrically connected, and the first main surface side of the piezoelectric substrate is the first surface.
  • a wiring pattern provided between one IDT and the second IDT is further provided.
  • the first IDT and the second IDT are arranged so as to be shifted in the electrode finger crossing width direction of the first IDT. ing.
  • a surface acoustic wave filter device includes a surface acoustic wave filter section including an inverting connection circuit including a surface acoustic wave resonator configured according to the present invention.
  • the surface acoustic wave filter section includes a ladder type filter section.
  • the surface acoustic wave filter device includes an antenna terminal and a transmission terminal, and the ladder filter unit is connected in series between the antenna terminal and the transmission terminal.
  • An arm at least two parallel arms connected to the series arm and a ground potential, a plurality of series arm resonators provided on the series arm, and at least one parallel arm resonance provided on each parallel arm.
  • a series arm resonator that is closest to the antenna terminal among the plurality of series arm resonators is configured by the inverting connection circuit, and of the at least two parallel arms,
  • a parallel arm resonator disposed in a near parallel arm is constituted by another inverting connection circuit.
  • the surface acoustic wave filter section includes a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter section.
  • the multiplexer according to the present invention has a common connection terminal, and a plurality of filters are connected in parallel to the connection common terminal, and at least one of the plurality of filters is configured according to the present invention. It consists of a filter device.
  • the direction of the electric field application in the first IDT and the direction of the electric field application in the second IDT are the c-axis obtained by projecting the c-axis onto the first main surface of the piezoelectric substrate. Therefore, the phase of the distortion signal in the first IDT is opposite to the phase of the distortion signal in the second IDT. Therefore, a distortion signal based on the nonlinearity of an acoustic signal such as a secondary distortion signal can be effectively suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a surface acoustic wave filter device having a surface acoustic wave resonator according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic side view showing the relationship between the c-axis and the electric field direction for the surface acoustic wave resonator according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view showing an example of the relationship between the c-axis of the piezoelectric substrate in the surface acoustic wave resonator and the direction of vibration to be excited.
  • FIG. 4 is a perspective view showing another example of the relationship between the c-axis of the piezoelectric substrate in the surface acoustic wave resonator and the direction of vibration to be excited.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of a surface acoustic wave resonator portion used in the surface acoustic wave filter device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between the secondary distortion generation frequency and the intensity of the secondary distortion signal in the embodiment and the comparative example of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram showing a circuit configuration of a duplexer as a surface acoustic wave filter device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing a circuit configuration of a duplexer as a surface acoustic wave filter device according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing a circuit configuration of a duplexer as a surface acoustic wave filter device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a circuit diagram showing a modification of the inverting connection circuit.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a circuit configuration of a duplexer as a surface acoustic wave filter device according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a diagram showing a circuit configuration of a ladder type filter according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing a circuit configuration of a ladder type filter according to the seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 shows a schematic diagram of a circuit configuration of a duplexer including a ladder type filter and a longitudinally coupled elastic resonator type filter as an eighth embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing measurement results of transmission characteristics in the eighth to tenth embodiments of the present invention and the comparative example.
  • FIG. 16 is a diagram showing measurement results of secondary intermodulation distortion in the eighth to tenth embodiments of the present invention and comparative examples.
  • FIG. 17 is a circuit diagram of a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter device as an eleventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic plan view showing a surface acoustic wave filter device according to a first embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 1 includes a piezoelectric substrate 2.
  • the piezoelectric substrate 2 to form a piezoelectric film having a piezoelectric property such as a piezoelectric single crystal such as LiTaO 3 or LiNbO 3 to LiTaO 3 or a piezoelectric single crystal such as LiNbO 3, or the non-piezoelectric substrate on a support which is constituted by a Composed of a composite structure.
  • the electrode structure shown in FIG. 1 is formed on the piezoelectric substrate 2.
  • This electrode structure has an input terminal 3 and an output terminal 4. Between the input terminal 3 and the output terminal 4, a plurality of IDT electrodes respectively constituting the series arm resonators S1 to S5 are connected in series. Further, IDT electrodes constituting the parallel arm resonators P1 and P2 are also formed. These series arm resonators S 1 to S 5 and the parallel arm resonators P 1 and P 2 are electrically connected by the wiring pattern 5. Thereby, a ladder-type filter unit is configured.
  • an inverting connection portion 6 is formed between the series arm resonator S 5 and the output terminal 4.
  • the inverting connection 6 includes a first IDT electrode 7 and a second IDT electrode 8. That is, the first and second IDTs are formed by forming the first and second IDT electrodes 7 and 8 on the piezoelectric substrate 2.
  • the first IDT electrode 7 includes first and second comb electrodes 7a and 7b having a plurality of electrode fingers that are interleaved with each other.
  • the second IDT electrode 8 includes third and fourth comb electrodes 8a and 8b each having a plurality of electrode fingers that are interleaved with each other.
  • the bus bar 9 to which the series arm resonator S5 and the first and second IDT electrodes 7 and 8 are connected constitutes a first terminal
  • the output terminal 4 is the second terminal. Will be configured. That is, the first IDT and the second IDT are connected between the first terminal and the second terminal. In the present embodiment, the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 are electrically connected in parallel.
  • the piezoelectric substrate 2 is made of the piezoelectric single crystal described above.
  • the c-axis is inclined from the lower surface side, which is the second main surface, toward the upper surface, which is the first main surface 2a.
  • the direction of the projected c-axis obtained by projecting the c-axis onto the first main surface 2a is the direction indicated by the arrow C.
  • the c-axis is in the direction indicated by the arrow C.
  • a general measurement method may be used. That is, when the crystal structure of the piezoelectric substrate is expressed as a hexagonal crystal, the angle of the c-axis of the piezoelectric substrate may be obtained by pole figure measurement in the ⁇ 001> orientation using XRD (X-ray diffraction).
  • XRD X-ray diffraction
  • the feature of this embodiment is that the electric field application direction in the first IDT electrode 7 and the electric field application direction in the second IDT electrode 8 are opposite to each other in a direction parallel to the arrow C. That is, in the first IDT electrode 7, the first comb electrode 7a is connected to the input side, and the second comb electrode 7b is connected to the output side. Specifically, the first comb electrode 7 a is connected to the bus bar 9 on the input side, and the second comb electrode 7 b is connected to the output terminal 4. Therefore, the arrow E1 indicating the direction of electric field application in the first IDT electrode 7 is in the same direction as the arrow C.
  • the fourth comb electrode 8b is connected to the bus bar 9 via the wiring pattern 5A.
  • the 3rd comb-tooth electrode 8a is connected to the output terminal 4 via the wiring pattern 5B. Therefore, the arrow E2 indicating the direction of electric field application is in the opposite direction to the arrow C.
  • the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 7 and 8 are applied to the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 7 and 8 by the wiring pattern 5A and the wiring pattern 5B, respectively.
  • Two IDT electrodes 8 are electrically connected in parallel.
  • the first comb electrode 7a of the first IDT electrode 7 positioned on the input terminal 3 side, and the fourth comb electrode 8b of the second IDT electrode 8 positioned on the output terminal 4 side Are electrically connected via the wiring pattern 5A.
  • the second comb electrode 7b of the first IDT electrode 7 located on the output terminal 4 side and the third comb electrode 8a located on the input terminal 3 side are electrically connected via the wiring pattern 5B. It is connected.
  • the wiring pattern 5B is located in the propagation direction of the surface acoustic wave generated from the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8, and the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 It is provided on the piezoelectric substrate 2 located between them. Therefore, there is an effect that the acoustic coupling between the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 can be suppressed.
  • the propagation path A of the surface acoustic wave generated from the first IDT electrode 7 and the propagation path B of the surface acoustic wave generated from the second IDT electrode 8 overlap each other, the propagation path A and the propagation path B are It is preferable that a wiring pattern 5B is provided on the piezoelectric substrate 2 that overlaps each other and is positioned between the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8. Furthermore, the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 are arranged at a distance in a direction perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave. This also has the effect of suppressing the longitudinal mode acoustic coupling between the IDT electrode 7 and the IDT electrode 8.
  • an input signal is given from the input terminal 3.
  • An output signal is taken out from the output terminal 4, but a secondary distortion signal may be generated.
  • the portion where the second order distortion signal is generated most is the IDT closest to the output terminal 4 in the ladder type filter unit. That is, it is an IDT constituting the series arm resonator S5.
  • the inverting connection portion 6 is connected between the series arm resonator S5 and the output terminal 4. Therefore, the generation of the second-order distortion signal can be effectively suppressed.
  • the configuration for canceling the secondary distortion signals in the inverting connection 6 will be described in more detail below.
  • FIG. 2 is a schematic side view showing a piezoelectric substrate portion 2A, which is a part of the piezoelectric substrate 2, taken out.
  • the arrow Co is the direction of the c-axis. That is, the arrow Co is directed from the second main surface 2b toward the first main surface 2a. However, the arrow Co extends in a direction inclined with respect to the first main surface 2a. The direction of the projected c-axis obtained by projecting this c-axis direction onto the first main surface 2a is the direction indicated by the arrow C in FIG.
  • the electric field application direction E1 is the same as the axial direction C in which the arrow Co is projected onto the first main surface 2a.
  • the electric field application direction E2 in the second IDT electrode 8 is opposite to the electric field application direction E1.
  • the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 that are electrically connected to each other are connected such that the direction of electric field application with respect to the direction of the c-axis of the piezoelectric substrate is reversed with respect to each other.
  • a connection circuit is formed.
  • the projected c-axis direction has a component parallel to the extending direction of the electrode fingers of the first and second IDT electrodes 7 and 8.
  • typical acoustic vibration components of a surface acoustic wave to be excited include those having vectors indicated by arrows H and V in FIGS.
  • FIG. 3 shows a 1-port surface acoustic wave resonator 101.
  • the 1-port surface acoustic wave resonator 101 has a piezoelectric substrate 102.
  • the c-axis direction is the direction indicated by the arrow Co in the figure
  • the horizontal component is the direction indicated by the arrow C.
  • the electrode fingers of the comb electrodes 103 and 104 extend in the same direction as the direction in which the arrow C extends.
  • a vibration component is generated in the direction indicated by the arrow H.
  • the vibration component in the direction of the arrow H has a vector in the same direction as the arrow C.
  • An example of such a vibration mode is a leaky wave.
  • a vibration component indicated by an arrow V is generated.
  • Such a vibration mode has a vector in the same direction as the vertical component of the c-axis.
  • a vibration mode having the vibration component V for example, a Rayleigh wave can be cited.
  • the acoustic vibration displacement is relative to the c-axis.
  • Asymmetric Due to the asymmetry of the acoustic vibration, a second-order distortion component is generated in the surface acoustic wave resonator and the surface acoustic wave filter.
  • acoustic vibration is caused by a voltage applied to the IDT electrode.
  • the direction of the electric field applied between the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 is reversed in the direction of the horizontal component of the c-axis. Therefore, the phase of the generated second-order distortion signal is also reversed. As a result, it is possible to cancel the secondary distortion signal in the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 and effectively suppress the generation of the secondary distortion signal.
  • an inverting connection portion 11 made of a surface acoustic wave resonator shown in FIG. 5 may be used instead of the inverting connection portion 6, an inverting connection portion 11 made of a surface acoustic wave resonator shown in FIG. 5 may be used.
  • first and second IDT electrodes 7 and 8 are formed on the piezoelectric substrate 2.
  • An arrow C indicates the axial direction when the c-axis of the piezoelectric substrate 2 is projected onto the first main surface 2a. That is, the horizontal component of the c-axis is the direction indicated by the arrow C.
  • the first IDT electrode 7 is connected to the first terminal 12 on the first main surface 2 a of the piezoelectric substrate 2.
  • the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 are electrically connected in series. That is, the first comb electrode 7 a is connected to the first terminal 12.
  • the second comb electrode 7 b is electrically connected to the third comb electrode 8 a of the second IDT electrode 8 by the wiring pattern 14.
  • the fourth comb electrode 8 b is electrically connected to the second terminal 13. Therefore, the first and second IDT electrodes 7 and 8 are connected in series between the first terminal 12 and the second terminal 13.
  • the extending direction of the electrode fingers of the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 is a direction parallel to the arrow C.
  • the direction E1 of electric field application in the first IDT electrode 7 is opposite to the arrow C.
  • the direction E2 of electric field application in the second IDT electrode 8 is the same as the arrow C. That is, in the direction in which the arrow C extends, the electric field application direction E2 and the electric field application direction E1 are opposite to each other.
  • the electric field application directions E1 and E2 extend along a direction in which a pair of electrode fingers facing each other extends.
  • the description regarding the direction of electric field application is the same.
  • the first and second IDT electrodes 7 and 8 may be electrically connected in series. Even in this case, the phase of the second-order distortion signal generated at the first IDT electrode 7 is opposite to the phase of the second-order distortion signal generated at the second IDT electrode 8. Therefore, the secondary distortion signal can be effectively suppressed.
  • the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 are shifted in the electrode finger crossing width direction of the first IDT electrode 7.
  • the secondary distortion signal due to the acoustic coupling between the surface acoustic waves of the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 can be more effectively suppressed.
  • the IDT electrodes 7 and 8 are arranged so that the positions thereof are shifted so as not to overlap each other in the electrode finger crossing width direction.
  • the IDT electrodes 7 and 8 do not overlap each other on the piezoelectric substrate 2 in the electrode finger crossing width direction.
  • the electrode finger crossing width is a dimension in a direction in which the electrode fingers extend in a region where adjacent electrode fingers are connected to different potentials and overlap in the surface acoustic wave propagation direction. Therefore, the electrode finger cross width direction is the direction in which the cross width extends, that is, the direction in which the electrode fingers extend.
  • the bus bar connected to the second comb-tooth electrode 7b and the bus bar connected to the fourth comb-tooth electrode 8b are not shared and are arranged at positions having a gap on the piezoelectric substrate 2. Therefore, there is an effect that the acoustic coupling in the transverse mode between the first IDT electrode 7 and the second IDT electrode 8 can be suppressed.
  • the amount of secondary distortion signal generated in a balanced duplexer having the surface acoustic wave filter device having the inverting connection portion 6 of the above embodiment as a transmission filter was measured.
  • the generation amount of the second-order distortion signal of a balanced duplexer similarly configured except that the inverting connection portion 6 is not provided was measured. The results are shown in FIG.
  • the intermodulation distortion (IMD) generation frequency on the horizontal axis in FIG. 6 indicates the second-order distortion signal generation frequency
  • the second-order IMD Rx + Tx on the vertical axis indicates the generation amount of the distortion signal, that is, the secondary that has entered the reception side from the transmission side Indicates the intensity of the distortion signal.
  • the intensity of the secondary distortion signal was about ⁇ 96 dBm.
  • the intensity of the secondary distortion signal is much lower, about -105 dBm. That is, it can be seen that the second distortion signal can be suppressed in the inverting connection portion 6.
  • the inverting connection part 6 is provided in the output terminal side, ie, the synthetic
  • FIG. 7 is a circuit diagram of a duplexer according to the second embodiment of the present invention.
  • the duplexer 21 has an antenna terminal 22.
  • a transmission filter Tx and a reception filter Rx are connected to a common connection terminal 23 serving as a combining end connected to the antenna terminal 22.
  • the transmission filter Tx has a ladder type filter unit.
  • This ladder type filter unit has a plurality of series arm resonators S in the series arm.
  • the first to fourth parallel arms are provided with parallel arm resonators P and P, respectively.
  • One end of the ladder filter unit is connected to a transmission terminal 24 as an input terminal.
  • the transmission filter Tx includes the ladder filter unit and the inverting connection unit 6.
  • the inversion connection part 6 is arrange
  • the projected c-axis is indicated by a solid line
  • the electric field application direction in the IDT is indicated by a broken line.
  • the series arm resonator S and the parallel arm resonator P are configured by forming IDT electrodes on a piezoelectric substrate, similarly to the surface acoustic wave filter device 1 shown in FIG. That is, the series arm resonator S and the parallel arm resonator P are composed of surface acoustic wave surface resonators. Also in the following third to sixth embodiments, the series arm resonator S and the parallel arm resonator P of the ladder filter unit are configured in the same manner.
  • the reception filter Rx is connected between the common connection terminal 23 and the first and second reception terminals 26 and 27. That is, the reception filter Rx includes a balanced type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 25 and an inverting connection unit 6.
  • the inverting connection portion 6 is connected to the input end side of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portion 25, that is, to the common connection terminal 23 side.
  • the inverting connection portion 6 is installed on the input end side, in the present embodiment, it is possible to more effectively suppress the second-order distortion signal even in the reception filter Rx.
  • FIG. 8 is a circuit diagram of a duplexer according to the third embodiment of the present invention.
  • the inverting connections 6A and 6A are provided in the transmission filter Tx and the reception filter Rx. That is, instead of the inverting connections 6 and 6 shown in FIG. 7, series connection type inverting connections 6A and 6A are used.
  • the other configuration of the duplexer 31 is the same as that of the duplexer 21. Accordingly, the same parts are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the power durability can be improved as compared with the case of the first embodiment.
  • FIG. 9 is a circuit diagram showing a duplexer 41 according to the fourth embodiment of the present invention.
  • inversion connecting portions 6C and 6C are further connected to the duplexer 21 shown in FIG.
  • the inverting connection portion 6C is connected in the first parallel arm closest to the common connection terminal 23 of the transmission filter Tx in FIG. 7, instead of the parallel arm resonators P and P, the inverting connection portion 6C is connected.
  • the inverting connection portion 6 ⁇ / b> C is configured similarly to the inverting connection portion 6.
  • the inverting connection portion 6C is connected between the receiving terminal side end of the inverting connection portion 6 and the ground potential.
  • the inverting connection portion 6C may be formed between the signal path and the ground potential, and in this case, the secondary distortion signal generated in the parallel arm can be suppressed. Therefore, it is possible to effectively suppress the generation of the secondary distortion signal in both the serial arm and the parallel arm.
  • the inverting connections 6C and 6C are connected between the signal path and the ground potential, but the inverting connection 6D shown in FIG. 10 may be used instead of the inverting connection 6C. That is, instead of the parallel connection type inverting connection portion 6C, as shown in FIG. 10, a series connection type inverting connection portion 6D may be used.
  • FIG. 11 is a circuit diagram showing a duplexer according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the duplexer 51 is configured in the same manner as the duplexer 21 of the second embodiment, except that the reception filter Rx is a ladder filter.
  • the reception filter Rx is configured by a ladder filter having a plurality of series arm resonators S and a plurality of parallel arm resonators P.
  • the inverting connection part 6 is formed in the input end side of the ladder type filter, ie, the common connection terminal 23 side.
  • the reception filter Rx may be configured by a ladder type filter unit.
  • the inverting connection 6 ⁇ / b> C may be used instead of one parallel arm in the transmission filter Tx and the reception filter Rx.
  • a series connection type inverting connection portion 6D may be used instead of the inverting connection portion 6C.
  • the inverting connection portion 6 provided in the series arm may be replaced by the series connection type inverting connection portion 6A shown in FIG. In that case, the power durability can be further improved.
  • FIG. 12 is a circuit diagram showing a surface acoustic wave filter device as a sixth embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 61 is not a duplexer but a ladder type filter having a first terminal 62 and a second terminal 63.
  • the circuit configuration of the surface acoustic wave filter device 61 is the same as that of the transmission filter Tx shown in FIG. Accordingly, the same parts are denoted by the same reference numerals and the description thereof is omitted.
  • the inversion connecting portion 6 is connected to a surface acoustic wave filter portion made of a ladder type filter. Therefore, the secondary distortion signal can be effectively suppressed.
  • the secondary distortion signal can be more effectively suppressed by using the first terminal 62 as an output terminal.
  • FIG. 13 is a circuit diagram showing a surface acoustic wave filter device according to a seventh embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 71 one of the parallel arm resonators P closest to the first terminal 62 of the surface acoustic wave filter device 61 shown in FIG. 12 is replaced by the inverting connection portion 6C.
  • the inverting connection portion 6C may be provided, and thereby the second-order distortion signal in the parallel arm can also be suppressed.
  • FIG. 14 is a circuit diagram showing a surface acoustic wave filter device 81 according to an eighth embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 81 is a duplexer used in Band5.
  • the surface acoustic wave filter device 81 includes a transmission filter 82 and a reception filter 83.
  • the pass band of the transmission filter that is, the transmission band, is located on the lower frequency side than the pass band of the reception filter, that is, the reception band.
  • the transmission filter 82 is a ladder type surface acoustic wave filter. One end of the transmission filter 82 is connected to the antenna terminal 84. The other end of the transmission filter 82 is connected to the transmission terminal 85.
  • the first terminal in the present invention is the antenna terminal 84, and the second terminal is the transmission terminal 85.
  • the transmission filter 82 includes a plurality of series arm resonators S provided on the series arm.
  • a parallel arm resonator P is connected to each of the plurality of parallel arms connected between the series arm and the ground potential.
  • An inductance L1 is connected between the parallel arm resonator P closest to the transmission terminal 85 and the ground potential.
  • the remaining parallel arm resonators P, P and a ground potential side end of an inverting connection 86 described later are connected in common.
  • An inductance L2 is connected between the commonly connected portion and the ground potential.
  • an inverting connection portion 87 formed by dividing the series arm resonator in parallel is provided on the side closest to the antenna terminal 84. Further, the inverting connection portion 86 described above is provided between the connection point between the inverting connection portion 87 and the series arm resonator S and the inductance L2.
  • the series arm resonator S and the parallel arm resonator P are both surface acoustic wave resonators.
  • the inversion connecting portions 86 and 87 are formed by dividing a surface acoustic wave resonator into two surface acoustic wave resonators in parallel.
  • the reception filter 83 has a longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 88.
  • a surface acoustic wave resonator 89 is connected between the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 88 and the antenna terminal 84.
  • the effect of the surface acoustic wave filter device 81 of the eighth embodiment was compared with the following ninth and tenth embodiments and comparative examples. The results are shown in FIG. 15 and FIG.
  • the inverting connection portion 86 provided on the parallel arm closest to the antenna terminal 84 in the surface acoustic wave filter device 81 is configured by a surface acoustic wave resonator that is not divided in parallel.
  • the other configuration is the same as that of the eighth embodiment, and the duplexer of the ninth embodiment is manufactured.
  • a duplexer was manufactured in the same manner as the surface acoustic wave filter device 81 except that the inversion connecting portions 86 and 87 were changed to surface acoustic wave resonators that were not divided in parallel.
  • FIG. 15 shows the surface acoustic wave filter device 81 of the eighth embodiment and the transmission characteristics of the ninth and tenth embodiments and the comparative example. From FIG. 15, it can be seen that there is no significant difference in transmission characteristics between the surface acoustic wave filter device 81 and the ninth and tenth embodiments and the comparative example.
  • the insertion loss in the transmission-side pass band that is, the high-frequency side portion in the transmission band, is lower by about 0.1 dB than in the ninth and tenth embodiments.
  • the insertion loss on the high frequency side in the transmission band is 0.05 dB lower, which is almost the same as the comparative example.
  • FIG. 16 is a diagram showing a second-order IMD response in the passband of 875 MHz to 890 MHz, that is, the reception band, in the surface acoustic wave filter device 81 and the ninth and tenth embodiments and the comparative example.
  • the ninth embodiment the occurrence of secondary IMD in this band is suppressed.
  • the response of the secondary IMD is small in the band of 890 MHz to 900 MHz, that is, on the high frequency side in the pass band.
  • the bands of 875 MHz to 887 MHz and 890 MHz to 900 MHz that is, the high band side in the pass band and the low band side of the pass band.
  • the response of the secondary IMD is small. Therefore, in the surface acoustic wave filter device 81 according to the eighth embodiment, the nonlinear signal generated due to the asymmetry of the crystal of the piezoelectric substrate is effectively reduced as compared with the ninth, tenth embodiments, and the comparative example. Can be suppressed.
  • the transmission signal is input from the transmission terminal to the transmission filter.
  • the received signal and noise enter the transmission filter from the antenna terminal.
  • the resonance frequency of the parallel arm resonator is located in the vicinity of the low band side at the low band side end of the pass band. Therefore, large electric power is applied to the series arm resonator in the vicinity of the low band side end of the pass band.
  • the anti-resonance frequency of the series arm resonator is located in the vicinity of the high band side end portion of the high band side of the pass band. Therefore, large electric power is applied to the parallel arm resonator in the vicinity of the high band side end of the pass band.
  • the inverting connection part 87 arranged in the series arm and the inverting connection part 86 arranged in the parallel arm are provided on the side close to the antenna terminal 84.
  • the inverting connections 86 and 87 have a polarity inversion structure in which surface acoustic wave resonators are divided in parallel. Therefore, it is considered that generation of secondary nonlinear signals is suppressed on both the high frequency side and low frequency side in the passband.
  • the inverting connection portions 87 and 86 are connected to the series arm resonator and the parallel arm resonator closest to the side edge of the antenna terminal 84 where secondary IMD is likely to occur, that is, the antenna terminal 84 side commonly connecting the transmission filter and the reception filter, respectively. Is provided. For this reason, it is considered that generation of secondary IMD can be effectively suppressed in a wide frequency band.
  • the ninth embodiment using the inverting connection portion 86 only for the parallel arm the tenth embodiment using the inverting connection portion 86 only for the serial arm, and no inverting connection portion.
  • the surface acoustic wave filter device 81 can suppress the generation of the second-order nonlinear signal over a wide frequency range without greatly reducing the insertion loss in the pass band of the transmission filter. Yes.
  • FIG. 17 is a circuit diagram showing a surface acoustic wave filter device according to an eleventh embodiment of the present invention.
  • the surface acoustic wave filter device 91 has an input terminal 92 and balanced output terminals 93 and 94.
  • the inverting connection portion 6 ⁇ / b> A is connected to the input end side of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portion 25. That is, the surface acoustic wave filter device 91 has the same circuit configuration as the reception filter Rx of the duplexer 31 shown in FIG.
  • the inverting connection portion 6A may be connected to the input end side of the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter portion 25. Thereby, the secondary distortion signal can be effectively suppressed.
  • a parallel connection type inverting connection portion 6 may be connected.
  • the inverting connection portion according to the present invention is appropriately provided on the input end side or the output end side of the surface acoustic wave filter unit. Can be connected. Thereby, the secondary distortion signal can be effectively suppressed.
  • the inverting connection part may be the series connection type or the parallel connection type.
  • the inverting connection portion may be connected to both the series arm and the parallel arm, and thereby the secondary distortion can be more effectively suppressed.
  • the present invention can be applied not only to a duplexer but also to other multiplexers such as a triplexer.
  • the resonator other than the inverting connection portion is not limited to the surface acoustic wave, and a bulk acoustic wave may be used.
  • the circuit configuration of the elastic wave filter unit in the elastic wave filter device is not limited to the ladder type and the longitudinally coupled resonator type.
  • Duplexer 22 ... Antenna terminal 23 ... Common connection terminal 24 ... Transmission terminal 25 ... Vertical coupling resonator type elastic surface Wave filter units 26, 27 ... second receiving terminal 31 ... duplexer 41 ... duplexer 51 ... duplexer 61 ... surface acoustic wave filter device 62 ... first terminal 63 ... second terminal 71 ... surface acoustic wave filter Device 81 ... surface acoustic wave filter device 82 ... transmission filter 83 ... reception filter 84 ... antenna terminal 85 ... transmission terminals 86, 87 ... inverted connection 88 ... vertically coupled resonator type surface acoustic wave filter 89 ... surface acoustic wave resonator 91 ...

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Abstract

　２次歪み信号のような音響信号の非線形性による歪み信号を効果的に抑制し得る弾性表面波共振器を提供する。　第１のＩＤＴを構成するための第１のＩＤＴ電極７と、第２のＩＤＴを構成するための第２のＩＤＴ電極８とが圧電基板２の第１の主面上に形成されており、圧電基板２におけるｃ軸を圧電基板２の第１の主面２ａに投影した軸方向において、第１のＩＤＴ電極７における電界印加方向と、第２のＩＤＴ電極８における電界印加方向とが逆向きとされている、弾性表面波共振器。

Description

弾性表面波共振器及び弾性表面波フィルタ装置
　本発明は、複数のＩＤＴを接続してなる弾性表面波共振器及び該弾性表面波共振器を備えた弾性表面波フィルタ装置に関する。
　携帯電話機器のデュプレクサなどにおいて、様々な帯域フィルタが用いられている。下記の特許文献１には、ＢＡＷ共振器からなる第１，第２の共振器を直列に接続してなる装置が開示されている。ＢＡＷ共振器では、圧電材料のｃ軸または分極軸方向において、該圧電材料を挟んで一対の電極が配置されている。特許文献１では、第１の共振器と第２の共振器とにおいて、ｃ軸または分極軸の同じ方向の電極同士が同電位とされている。それによって、２次歪みの抑制が図られている。
　他方、下記の特許文献２には、圧電基板上に複数のＩＤＴ電極が形成されている弾性表面波装置を有するデュプレクサが開示されている。ここでは、特定の周波数を通過させないように、アンテナ端子に並列共振回路が接続されている。並列共振回路の共振特性により、２次歪みのような特定の周波数の信号の入力が防止されている。
特開２００８－０８５９８９号公報 特開２００７－３３６４７９号公報
　携帯電話機などにおいては、マルチバンド化に伴って、２次歪み信号による受信特性等の劣化が問題となっている。例えば、あるバンドの送信波の２倍波が、他のバンドの受信帯域と一致することがある。この場合、弾性表面波装置を用いたデュプレクサでは、上記送信波を出力している際に、送信波の２倍の周波数の２次歪み信号が発生する。この２次歪み信号が受信回路に回り込むと、受信特性を劣化させることとなる。
　特許文献１に記載のＢＡＷ（バルク音響波）を用いた構成においては、上記構成により２次歪み信号の抑制が図られている。しかしながら、特許文献１では、圧電基板上にＩＤＴ電極を配置してなる弾性表面波を用いた構成における２次歪み信号については何ら開示されていない。
　他方、特許文献２に記載のように、従来の弾性表面波装置では、特定の周波数の信号の入力を抑制するための並列共振回路等を接続する方法が用いられていた。このような方法では、入力される歪み信号の周波数が、並列共振回路で減衰される特定の周波数範囲にあるときには効果を現す。しかしながら、あらかじめ設定した周波数範囲を外れた歪み信号を抑制することはできない。
　本発明の目的は、２次歪み信号のような音響振動の非線形性による歪み信号を効果的に抑制し得る、弾性表面波共振器及び該弾性表面波共振器を有する弾性表面波フィルタ装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性表面波共振器は、第１の端子と、第２の端子と、第１の端子と第２の端子との間に接続されている第１，第２のＩＤＴとを有する。本発明では、圧電基板と、第１及び第２のＩＤＴ電極とが備えられている。圧電基板は、第１の主面と第１の主面と対向する第２の主面とを有し、ｃ軸の方向が、第１の主面及び第２の主面に対して傾斜している方向とされている。前記第１のＩＤＴを構成するために、第１のＩＤＴ電極が前記圧電基板の第１の主面上に形成されている。第１のＩＤＴ電極は、第１，第２のくし歯電極を有する。前記第２のＩＤＴを構成するために第２のＩＤＴ電極が前記圧電基板の第１の主面上に形成されている。第２のＩＤＴ電極は、第３，第４のくし歯電極を有する。
　本発明では、前記第１の主面を平面視した場合に、前記第１のＩＤＴにおける電界印加の向きと、前記第２のＩＤＴにおける電界印加の向きとが、前記ｃ軸を前記圧電基板の第１の主面に投影した投影ｃ軸と平行な方向において逆向きとされている。
　本発明に係る弾性表面波共振器のある特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極はそれぞれ複数本の電極指を有し、前記ｃ軸を前記第１の主面に投影した投影ｃ軸の延びる方向が、前記第１，第２のＩＤＴ電極における前記複数本の電極指の延びる方向と平行な成分を有する。
　本発明に係る弾性表面波共振器の他の特定の局面では、前記ｃ軸を前記第１の主面に投影した場合、投影ｃ軸の延びる方向は、前記第１，第２のＩＤＴ電極における前記電極指の延びる方向と平行である。
　本発明に係る弾性表面波共振器の他の特定の局面では、前記第１のＩＤＴと、前記第２のＩＤＴとが、電気的に並列に接続されている。
　本発明に係る弾性表面波共振器のさらに別の特定の局面では、前記第１のＩＤＴと、前記第２のＩＤＴとが、電気的に直列に接続されている。
　本発明に係る弾性表面波共振器の別の特定の局面では、前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとを電気的に接続し、かつ前記圧電基板の第１の主面側であって、前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとから発生する弾性表面波の音響結合を抑制する位置に設けられている配線パターンがさらに備えられている。
　本発明に係る弾性表面波共振器の別の特定の局面では、前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとを電気的に接続し、かつ前記圧電基板の第１の主面側において前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとの間に設けられている配線パターンがさらに備えられている。
　本発明に係る弾性表面波共振器のさらに他の特定の局面では、前記第１のＩＤＴと、前記第２のＩＤＴとが、前記第１のＩＤＴの電極指交差幅方向においてずらされて配置されている。
　本発明に係る弾性表面波フィルタ装置は、本発明に従って構成されている弾性表面波共振器からなる反転接続回路を含む弾性表面波フィルタ部を備える。
　本発明に係る弾性表面波フィルタ装置のある特定の局面では、弾性表面波フィルタ部が、ラダー型フィルタ部を備えている。
　本発明に係る弾性表面波フィルタ装置の他の特定の局面では、アンテナ端子と送信端子とを有し、前記ラダー型フィルタ部は、前記アンテナ端子を前記送信端子との間に接続されている直列腕と、前記直列腕と接地電位とに接続される少なくとも２つの並列腕と、前記直列腕に設けられた複数の直列腕共振子と、前記各並列腕に設けられた少なくとも１つの並列腕共振子とを含み、前記複数の直列腕共振子のうち前記アンテナ端子にもっとも近い直列腕共振子が、前記反転接続回路により構成されており、前記少なくとも２つの並列腕のうち、前記アンテナ端子にもっとも近い並列腕に配置されている並列腕共振子が、もう１つの前記反転接続回路により構成されている。
　本発明に係る弾性表面波フィルタ装置の他の特定の局面では、前記弾性表面波フィルタ部が、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部を有する。
　本発明に係るマルチプレクサは、共通接続端子を有し、該接続共通端子に並列に複数のフィルタが接続されており、複数のフィルタのうち少なくとも１つのフィルタが本発明に従って構成されている弾性表面波フィルタ装置からなる。
　本発明に係る弾性表面波共振器では、第１のＩＤＴにおける電界印加の向きと、第２のＩＤＴにおける電界印加の向きとが、ｃ軸を圧電基板の第１の主面に投影したｃ軸と平行な方向において逆向きとされているため、第１のＩＤＴにおける歪み信号の位相と、第２のＩＤＴにおける歪み信号の位相が逆となる。そのため、２次歪み信号のような音響信号の非線形性に基づく歪み信号を効果的に抑制することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波共振器を有する弾性表面波フィルタ装置の模式的平面図である。 図２は、本発明の１実施形態における弾性表面波共振器についてのｃ軸と、電界方向との関係を示す模式的側面図である。 図３は、弾性表面波共振器における圧電基板のｃ軸と、励振される振動の方向との関係の一例を示す斜視図である。 図４は、弾性表面波共振器における圧電基板のｃ軸と、励振される振動の方向との関係の他の例を示す斜視図である。 図５は、本発明の第１の実施形態の弾性表面波フィルタ装置に用いられている弾性表面波共振器部分の模式的平面図である。 図６は、本発明の実施形態及び比較例における２次歪み発生周波数と、２次歪み信号との強度との関係を示す図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置としてのデュプレクサの回路構成を示す図である。 図８は、本発明の第３の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置としてのデュプレクサの回路構成を示す図である。 図９は、本発明の第４の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置としてのデュプレクサの回路構成を示す図である。 図１０は、反転接続回路の変形例を示す回路図である。 図１１は、本発明の第５の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置としてのデュプレクサの回路構成を示す図である。 図１２は、本発明の第６の実施形態としてのラダー型フィルタの回路構成を示す図である。 図１３は、本発明の第７の実施形態としてのラダー型フィルタの回路構成を示す図である。 図１４は、本発明の第８の実施形態としてのラダー型フィルタと縦結合弾性共振子型フィルタとを備えるデュプレクサの回路構成の概略図を示す。 図１５は、本発明の第８～第１０の実施形態と、比較例とにおける伝送特性の測定結果を示す図である。 図１６は、本発明の第８～第１０の実施形態と、比較例における２次相互変調ひずみの測定結果を示す図である。 図１７は、本発明の第１１の実施形態としての縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ装置の回路図である。
　以下、図面を参照しつつ本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置を示す模式的平面図である。
　弾性表面波フィルタ装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶、あるいは非圧電性の基板などで構成した担体上にＬｉＴａＯ３やＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶などの圧電性を有する圧電膜を形成した複合構造からなる。
　圧電基板２上に図１に示す電極構造が形成されている。この電極構造は、入力端子３と出力端子４とを有する。入力端子３と出力端子４との間に、直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５をそれぞれ構成している複数のＩＤＴ電極が直列に接続されている。また、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２を構成するＩＤＴ電極も形成されている。これらの直列腕共振子Ｓ１～Ｓ５と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２とが配線パターン５により電気的に接続されている。それによってラダー型フィルタ部が構成されている。
　圧電基板２上においては、直列腕共振子Ｓ５と出力端子４との間に、本発明の一実施形態となる反転接続部６が形成されている。反転接続部６は、第１のＩＤＴ電極７と、第２のＩＤＴ電極８とを有する。すなわち、圧電基板２上に、第１，第２のＩＤＴ電極７，８を形成することにより、第１，第２のＩＤＴが構成されている。
　第１のＩＤＴ電極７は、互いに間挿しあう複数本の電極指を有する第１，第２のくし歯電極７ａ，７ｂを備える。同様に、第２のＩＤＴ電極８も、互いに間挿しあう複数本の電極指を有する第３，第４のくし歯電極８ａ，８ｂを備える。反転接続部６では、直列腕共振子Ｓ５と第１，第２のＩＤＴ電極７，８とが接続されているバスバー９が第１の端子を構成しており、出力端子４が第２の端子を構成していることになる。すなわち、第１の端子と第２の端子との間に、第１のＩＤＴ及び第２のＩＤＴが接続されている。本実施形態では、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８とが電気的に並列に接続されている。
　上記圧電基板２は、前述した圧電単結晶からなる。ｃ軸は、第２の主面である下面側から第１の主面２ａである上面に向かって傾斜している。そして、ｃ軸を第１の主面２ａに投影した投影ｃ軸の向きは矢印Ｃで示す向きとなる。言い換えれば、圧電基板２を平面視した場合、ｃ軸は矢印Ｃで示す向きとなる。
　ここでｃ軸の測定方法は、一般的な測定方法を用いればよい。即ち、圧電基板の結晶構造を六方晶として表記したとき、ＸＲＤ（Ｘ―ｒａｙ　ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）を用いた＜００１＞方位の極点図測定により、圧電基板のｃ軸の角度を求めればよい。
　本実施形態の特徴は、第１のＩＤＴ電極７における電界印加方向と、第２のＩＤＴ電極８における電界印加方向が、矢印Ｃと平行な方向において、互いに逆向きとされていることにある。すなわち、第１のＩＤＴ電極７では、第１のくし歯電極７ａが入力側に、第２のくし歯電極７ｂが出力側に接続されている。具体的には、入力側のバスバー９に第１のくし歯電極７ａが接続されており、出力端子４に第２のくし歯電極７ｂが接続されている。よって、第１のＩＤＴ電極７における電界印加の向きを示す矢印Ｅ１は、矢印Ｃと同一方向である。
　これに対して、第２のＩＤＴ電極８では、第４のくし歯電極８ｂがバスバー９に配線パターン５Ａを介して接続されている。他方、第３のくし歯電極８ａが出力端子４に配線パターン５Ｂを介して接続されている。従って、電界印加の向きを示す矢印Ｅ２は、矢印Ｃと逆方向となる。
　本実施形態では、第１，第２のＩＤＴ電極７，８に上記のように互いに逆向きの電界が印加されるように、配線パターン５Ａ及び配線パターン５Ｂによって、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８とが電気的に並列に接続されている。具体的には、入力端子３側に位置する第１のＩＤＴ電極７の第１のくし歯電極７ａと、出力端子４側に位置する第２のＩＤＴ電極８の第４のくし歯電極８ｂとが配線パターン５Ａを介して電気的に接続されている。さらに、出力端子４側に位置する第１のＩＤＴ電極７の第２のくし歯電極７ｂと、入力端子３側に位置する第３のくし歯電極８ａとが配線パターン５Ｂを介して電気的に接続されている。従って、２次歪み信号が第１，第２のＩＤＴ電極７，８間で打ち消し合う。よって、２次歪み信号の発生を効果的に抑制することができる。さらに、配線パターン５Ｂが、第１のＩＤＴ電極７及び第２のＩＤＴ電極８から発生する弾性表面波の伝播方向上に位置し、かつ第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８との間に位置する圧電基板２上に設けられている。そのため、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８との音響結合が抑制できる効果を有する。さらに、第１のＩＤＴ電極７から発生する弾性表面波の伝搬路Ａと第２のＩＤＴ電極８から発生する弾性表面波の伝搬路Ｂとが互いに重なり合う場合、伝搬路Ａと伝搬路Ｂとが互いに重なり合い、かつ第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８と間に位置する圧電基板２上に、配線パターン５Ｂが設けられていることが好ましい。またさらに、弾性表面波の伝播方向に垂直な方向で第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８とが距離をもって配置されている。これによっても、ＩＤＴ電極７とＩＤＴ電極８との縦モードの音響結合が抑制できる効果を有する。
　より具体的には、弾性表面波フィルタ装置１では、入力端子３から入力信号が与えられる。出力端子４から出力信号が取り出されるが、２次歪み信号が発生することがある。この場合、２次歪み信号が最も大きく発生する部分は、ラダー型フィルタ部において出力端子４に最も近いＩＤＴである。すなわち、直列腕共振子Ｓ５を構成しているＩＤＴである。
　本実施形態では、上記反転接続部６が直列腕共振子Ｓ５と出力端子４との間に接続されている。従って、上記２次歪み信号の発生を効果的に抑制することができる。反転接続部６において２次歪み信号を打ち消し合う構成を、以下においてより詳細に説明する。
　図２は、圧電基板２の一部である圧電基板部分２Ａを取り出して示す模式的側面図である。圧電基板部分２Ａにおいて、矢印Ｃｏがｃ軸の向きである。すなわち矢印Ｃｏは、第２の主面２ｂから第１の主面２ａ側に向かっている。ただし、矢印Ｃｏは、第１の主面２ａと傾斜した方向に延びている。このｃ軸方向を第１の主面２ａに投影した投影ｃ軸の向きは、前述した図１の矢印Ｃで示す方向となる。
　他方、第１のＩＤＴ電極７においては、第１のくし歯電極７ａが入力側、第２のくし歯電極７ｂが出力側に接続されている。従って、電界印加の向きＥ１が、矢印Ｃｏを第１の主面２ａに投影した軸方向Ｃと同一方向となる。
　これに対して、図１で示すように、第２のＩＤＴ電極８における電界印加の向きＥ２は、上記電界印加の向きＥ１と逆向きである。本実施形態において、電気的に互いに接続される第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８とが、圧電基板のｃ軸の向きに対する電界印加の向きが互いに反転して接続されている反転接続回路が形成されている。
　よって、投影ｃ軸方向は、第１，第２のＩＤＴ電極７，８の電極指の延びる方向と平行な成分を有している。携帯電話で用いられる周波数帯では、励振される弾性表面波の代表的な音響振動成分としては、図３及び図４において矢印Ｈ，Ｖで示すベクトルを有するものが挙げられる。
　図３では、１ポート型弾性表面波共振子１０１が示されている。１ポート型弾性表面波共振子１０１は、圧電基板１０２を有する。圧電基板１０２では、ｃ軸の方向は図示の矢印Ｃｏで示す方向であり、その水平成分は矢印Ｃで示す向きとなる。くし歯電極１０３，１０４の電極指が矢印Ｃが延びる方向と同一方向に延びている。くし歯電極１０３は入力側、くし歯電極１０４は出力側となるようにして、弾性表面波共振子１０１を動作させた場合、矢印Ｈで示す方向に振動成分が発生する。この矢印Ｈの方向の振動成分は、矢印Ｃと同じ向きのベクトルを有する。このような振動モードとしては、例えばリーキー波が挙げられる。
　他方、図４に示す弾性表面波共振子１０１では、第１，第２のくし歯電極１０３，１０４間に上記と同様に電界を印加した場合、矢印Ｖで示す振動成分が発生する。このような振動モードは、ｃ軸の垂直方向成分と同じ向きのベクトルを有する。この振動成分Ｖを有する振動モードとしては、例えばレーリー波が挙げられる。
　図３及び図４に示したいずれの振動モードにおいても、ｃ軸が、圧電基板１０２の第１の主面に対する法線方向に対して傾斜している場合、音響振動変位はｃ軸に対して非対称となる。この音響振動の非対称性により、弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタでは、２次歪み成分が生じる。他方、音響振動は、ＩＤＴ電極に印加される電圧により生じる。
　上述した実施形態では、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８との間で印加される電界の向きがｃ軸の水平成分の方向において逆向きとされている。従って、発生する２次歪み信号の位相も逆となる。それによって、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８とにおいて、２次歪み信号を打ち消し合わせ、２次歪み信号の発生を効果的に抑制することが可能とされている。
　従って、上記反転接続部６に代えて、図５に示す弾性表面波共振子からなる反転接続部１１を用いてもよい。反転接続部１１では、圧電基板２上に、第１，第２のＩＤＴ電極７，８が形成されている。圧電基板２のｃ軸を第１の主面２ａに投影した場合の軸方向を矢印Ｃで示す。すなわち、ｃ軸の水平方向成分が矢印Ｃで示す方向となる。
　圧電基板２の第１の主面２ａ上において、第１のＩＤＴ電極７が第１の端子１２に接続されている。また、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８とは電気的に直列に接続されている。すなわち、第１のくし歯電極７ａが第１の端子１２に接続されている。第２のくし歯電極７ｂが配線パターン１４により、第２のＩＤＴ電極８の第３のくし歯電極８ａに電気的に接続されている。第４のくし歯電極８ｂが、第２の端子１３に電気的に接続されている。よって、第１の端子１２と第２の端子１３との間において、第１，第２のＩＤＴ電極７，８が直列に接続されている。
　ここでは、第１のＩＤＴ電極７及び第２のＩＤＴ電極８の電極指の延びる方向は矢印Ｃと平行な方向である。そして、第１の端子１２を入力端、第２の端子１３を出力端とした場合、第１のＩＤＴ電極７における電界印加の向きＥ１は矢印Ｃと逆方向となる。これに対して、第２のＩＤＴ電極８における電界印加の向きＥ２は、矢印Ｃと同じ向きとなる。すなわち、矢印Ｃが延びる方向において、電界印加の向きＥ２と電界印加の向きＥ１は逆向きとされている。
　なお、図５に示すように、電界印加の向きＥ１，Ｅ２は、互いに対向する１対の電極指が延びる方向に沿って延びる。以下の記載においても、電界印加の向きに関する説明は同様とする。
　このように、第１，第２のＩＤＴ電極７，８は電気的に直列に接続されていてもよい。その場合においても、第１のＩＤＴ電極７で生じた２次歪み信号の位相と、第２のＩＤＴ電極８で生じた２次歪み信号の位相とは逆になる。従って、２次歪み信号を効果的に抑制することができる。
　なお、図１～図５に示すように、第１のＩＤＴ電極７と、第２のＩＤＴ電極８とは、第１のＩＤＴ電極７の電極指交差幅方向においてずらされていることが好ましい。それによって、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８との弾性表面波が音響結合することによる２次歪み信号をより効果的に抑制し得る。さらに好ましくは、ＩＤＴ電極７，８は電極指交差幅方向において、互いに重ならないように位置をずらして配置されることが望ましい。さらに、図５に示すように、ＩＤＴ電極７，８は電極指交差幅方向において、圧電基板２上で互いに重なっていないことが望ましい。電極指交差幅とは、異なる電位に接続される、隣り合う電極指同士が弾性表面波伝播方向において重なり合っている領域の電極指の延びる方向の寸法をいう。従って、電極指交差幅方向は、該交差幅の延びる方向、すなわち電極指の延びる方向となる。第２のくし歯電極７ｂに接続されるバスバーと、第４のくし歯電極８ｂに接続されるバスバーとが、共用されずに、圧電基板２上で隙間を有する位置に配置されている。そのため、第１のＩＤＴ電極７と第２のＩＤＴ電極８との横モードの音響結合が抑制できる効果を有する。
　上記実施形態の反転接続部６を有する弾性表面波フィルタ装置を送信フィルタとして備えるバランス型デュプレクサにおける２次歪み信号の発生量を測定した。比較のために、上記反転接続部６を有しないことを除いては同様に構成されたバランス型デュプレクサの２次歪み信号の発生量を測定した。結果を図６に示す。
　図６の横軸の相互変調歪（ＩＭＤ）発生周波数は、２次歪み信号発生周波数を示し、縦軸の２次ＩＭＤ　Ｒｘ＋Ｔｘは、歪み信号の発生量すなわち送信側から受信側に侵入した２次歪み信号の強度を示す。
　図６から明らかなように、比較例では２次歪み信号の強度は－９６ｄＢｍ程度であった。これに対して、上記反転接続部６を有するデュプレクサでは、２次歪み信号の強度は－１０５ｄＢｍ程度と遙かに小さくなっていることがわかる。すなわち、上記反転接続部６において、２次歪み信号を抑制し得ることがわかる。
　特に、後述するようにデュプレクサでは、送信フィルタと受信フィルタとを接続する側の端部である合成端において２次歪み信号が発生しやすい。本実施形態では、図１に示すように、出力端子側、すなわち送信端子と反対側の合成端側に反転接続部６が設けられている。そのため、２次歪み信号の発生をより効果的に抑制することが可能とされている。
　図７は、本発明の第２の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。デュプレクサ２１はアンテナ端子２２を有する。アンテナ端子２２に接続される合成端としての共通接続端子２３に送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘが接続されている。
　送信フィルタＴｘは、ラダー型フィルタ部を有する。このラダー型フィルタ部は、複数の直列腕共振子Ｓを直列腕に有する。また、第１～第４の並列腕に、それぞれ、並列腕共振子Ｐ，Ｐが設けられている。ラダー型フィルタ部は、入力端子としての送信端子２４に一端が接続されている。
　ラダー型フィルタ部の他端は、反転接続部６を介して共通接続端子２３に接続されている。すなわち、送信フィルタＴｘは、上記ラダー型フィルタ部と反転接続部６とを有する。そして、反転接続部６が、第１の実施形態と同様に、送信端子２４と反対側である、出力端子側に配置されている。よって、送信フィルタＴｘにおける２次歪み信号の発生を効果的に抑制し得る。
　なお、図７及び後述の図８～図１４及び図１７においては、投影ｃ軸を実線で、ＩＤＴにおける電界印加方向を破線で示す。
　なお、上記直列腕共振子Ｓ及び並列腕共振子Ｐは、図１に示した弾性表面波フィルタ装置１と同様に、圧電基板上にＩＤＴ電極を形成することにより構成されている。すなわち、直列腕共振子Ｓ及び並列腕共振子Ｐは弾性表面波表面共振子からなる。以下の第３の実施形態～第６の実施形態においても、ラダー型フィルタ部の直列腕共振子Ｓ及び並列腕共振子Ｐは同様に構成されている。
　受信フィルタＲｘは、共通接続端子２３と第１，第２の受信端子２６，２７との間に接続されている。すなわち、受信フィルタＲｘは、バランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部２５と反転接続部６とを有する。ここでは、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部２５の入力端側に、すなわち共通接続端子２３側に反転接続部６が接続されている。受信フィルタＲｘでは、２次歪み信号が多く発生するのは、入力端側である。よって、反転接続部６が入力端側に設置されているため、本実施形態においては、受信フィルタＲｘにおいても２次歪み信号をより一層効果的に抑制することが可能とされている。
　図８は、本発明の第３の実施形態に係るデュプレクサの回路図である。第３の実施形態のデュプレクサ３１では、反転接続部６Ａ，６Ａが送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘにおいて設けられている。すなわち、図７に示した反転接続部６，６に代えて、直列接続型の反転接続部６Ａ，６Ａが用いられている。デュプレクサ３１のその他の構成はデュプレクサ２１と同様である。従って同一部分については同一参照番号を付することにより、その説明は省略する。
　デュプレクサ３１のように、直列接続型の反転接続部６Ａ，６Ａを用いてもよい。それによってデュプレクサ２１の場合と同様に、送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘにおける２次歪み信号の発生を効果的に抑制することができる。
　また、直列接続型の反転接続部６Ａを用いた場合、第１の実施形態の場合に比べて、耐電力性を高めることができる。
　図９は、本発明の第４の実施形態に係るデュプレクサ４１を示す回路図である。デュプレクサ４１では、図７に示したデュプレクサ２１に、さらに反転接続部６Ｃ，６Ｃが接続されている。
　より具体的には、図７における送信フィルタＴｘの共通接続端子２３に最も近い第１の並列腕において、並列腕共振子Ｐ，Ｐに代えて、反転接続部６Ｃが接続されている。この反転接続部６Ｃは、反転接続部６と同様に構成されている。受信フィルタＲｘにおいても、反転接続部６の受信端子側端部とグラウンド電位との間に反転接続部６Ｃが接続されている。
　このように、信号経路とグラウンド電位との間に、反転接続部６Ｃを形成してもよく、その場合には、並列腕で発生する２次歪み信号を抑制することができる。よって、直列腕及び並列腕の双方において２次歪み信号の発生を効果的に抑制することができる。
　デュプレクサ４１では、信号経路とグラウンド電位との間に反転接続部６Ｃ，６Ｃを接続したが、図１０に示す反転接続部６Ｄを反転接続部６Ｃの代わりに用いてもよい。すなわち、並列接続型の反転接続部６Ｃに代えて、図１０に示すように、直列接続型の反転接続部６Ｄを用いてもよい。
　図１１は、本発明の第５の実施形態に係るデュプレクサを示す回路図である。デュプレクサ５１では、受信フィルタＲｘがラダー型フィルタからなることを除いては、第２の実施形態のデュプレクサ２１と同様に構成されている。ここでは、受信フィルタＲｘが複数の直列腕共振子Ｓ及び複数の並列腕共振子Ｐを有するラダー型フィルタにより構成されている。そして、ラダー型フィルタの入力端側すなわち共通接続端子２３側に反転接続部６が形成されている。デュプレクサ５１のように受信フィルタＲｘをラダー型フィルタ部により構成してもよい。
　なお、本実施形態のデュプレクサ５１においても図９に示したデュプレクサ４１と同様に、送信フィルタＴｘ及び受信フィルタＲｘにおいて１つの並列腕に代えて反転接続部６Ｃを用いてもよい。さらに、反転接続部６Ｃではなく、直列接続型の反転接続部６Ｄを用いてもよい。
　また、直列腕に設けられている反転接続部６についても、図８に示した直列接続型の反転接続部６Ａによって置き換えられてもよい。その場合には、耐電力性をより一層高めることができる。
　図１２は、本発明の第６の実施形態としての弾性表面波フィルタ装置を示す回路図である。弾性表面波フィルタ装置６１は、デュプレクサではなく第１の端子６２と第２の端子６３とを有するラダー型フィルタである。この弾性表面波フィルタ装置６１の回路構成自体は、図７に示した送信フィルタＴｘと同様である。従って、同一部分については同一番号を付することによりその説明は省略する。本実施形態の弾性表面波フィルタ装置６１においても、反転接続部６がラダー型フィルタからなる弾性表面波フィルタ部に接続されている。よって、２次歪み信号を効果的に抑制することができる。好ましくは、第１の端子６２を出力端子とすることにより２次歪み信号をより、効果的に抑制することができる。
　図１３は、本発明の第７の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置を示す回路図である。弾性表面波フィルタ装置７１では、図１２に示した弾性表面波フィルタ装置６１の第１の端子６２に最も近い並列腕共振子Ｐの１つが反転接続部６Ｃにより置き換えられている。このように、反転接続部６Ｃを設けてもよく、それによって並列腕における２次歪み信号も抑制することができる。
　図１４は、本発明の第８の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置８１を示す回路図である。弾性表面波フィルタ装置８１は、Ｂａｎｄ５において用いられるデュプレクサである。弾性表面波フィルタ装置８１は、送信フィルタ８２と受信フィルタ８３とを有する。送信フィルタの通過帯域すなわち送信帯域は、受信フィルタの通過帯域すなわち受信帯域よりも低周波数側に位置している。
　送信フィルタ８２は、ラダー型弾性表面波フィルタにより構成されている。送信フィルタ８２の一端がアンテナ端子８４に接続されている。送信フィルタ８２の他端は送信端子８５に接続されている。ここで、本発明における第１の端子がアンテナ端子８４であり、第２の端子が送信端子８５である。
　上記送信フィルタ８２は、直列腕に設けられた複数の直列腕共振子Ｓを有する。また、直列腕と接地電位との間に接続されている複数の並列腕のそれぞれに、並列腕共振子Ｐが接続されている。送信端子８５にもっとも近い並列腕共振子Ｐと接地電位との間にインダクタンスＬ１が接続されている。残りの並列腕共振子Ｐ，Ｐと後述する反転接続部８６の接地電位側端部が共通接続されている。この共通接続されている部分と接地電位との間にインダクタンスＬ２が接続されている。
　直列腕においては、アンテナ端子８４にもっとも近い側に直列腕共振子が並列分割されて形成された反転接続部８７が設けられている。また、反転接続部８７と直列腕共振子Ｓとの間の接続点とインダクタンスＬ２との間に前述した反転接続部８６が設けられている。上記直列腕共振子Ｓ、並列腕共振子Ｐは、いずれも弾性表面波共振子からなる。また、反転接続部８６，８７は、弾性表面波共振子を二つの弾性表面波共振子に並列分割することにより形成されている。
　受信フィルタ８３は、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部８８を有する。縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部８８とアンテナ端子８４との間に弾性表面波共振子８９が接続されている。
　上記第８の実施形態の弾性表面波フィルタ装置８１の効果を、以下の第９，第１０の実施形態及び比較例と比較した。結果を図１５及び図１６に示した。
　第９の実施形態として、弾性表面波フィルタ装置８１におけるアンテナ端子８４にもっとも近い並列腕に設けられた反転接続部８６を、並列分割されていない弾性表面波共振子により構成した。その他の構成は上記第８の実施形態と同様として、第９の実施形態のデュプレクサを作製した。
　第１０の実施形態では、アンテナ端子８４に接続されている直列腕の反転接続部８７に代えて、並列分割されていない一つの弾性表面波共振子を用いたことを除いては、上記第８の実施形態と同様とした。
　比較例では、上記反転接続部８６，８７を、それぞれ、並列分割されていない弾性表面波共振子に変更したこと以外は、弾性表面波フィルタ装置８１と同様として、デュプレクサを作製した。
　図１５は、第８の実施形態の弾性表面波フィルタ装置８１と第９，第１０の実施形態及び比較例の伝送特性を示す。図１５から、弾性表面波フィルタ装置８１と、第９，第１０の実施形態及び比較例とでは、伝送特性にさほど差がないことがわかる。第８の実施形態の弾性表面波フィルタ装置では、送信側の通過帯域すなわち送信帯域内の高域側部分における挿入損失が、第９及び第１０の実施形態に比べると、０．１ｄＢ程度低くなっていることがわかる。比較例に比べると、弾性表面波フィルタ装置８１では、送信帯域内の高域側における挿入損失は０．０５ｄＢ低く、比較例とほぼ同等であった。
　図１６は、弾性表面波フィルタ装置８１と第９，第１０の実施形態及び比較例における、８７５ＭＨｚ～８９０ＭＨｚの通過帯域、すなわち受信帯域における２次のＩＭＤの応答を示す図である。比較例に比べ、第９の実施形態では、この帯域における２次のＩＭＤの発生が抑制されている。第１０の実施形態では、８９０ＭＨｚ～９００ＭＨｚの帯域、すなわち通過帯域内の高域側において、２次のＩＭＤの応答が小さくなっている。
　これに対して、第８の実施形態の弾性表面波フィルタ装置８１では、比較例に比べ、８７５ＭＨｚ～８８７ＭＨｚ及び８９０ＭＨｚ～９００ＭＨｚの帯域、すなわち通過帯域内の高域側及び通過帯域の低域側の双方において、２次のＩＭＤの応答が小さくなっている。よって、第８の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置８１では、第９，第１０の実施形態及び比較例に比べて、圧電基板の結晶の非対称性に起因して生じる非線形信号を効果的に抑制することができる。
　デュプレクサでは、送信信号が送信端子から送信フィルタに入力される。他方、アンテナ端子から受信信号及びノイズが送信フィルタに入ることとなる。ラダー型弾性表面波フィルタを有する送信フィルタでは、並列腕共振子の共振周波数が、通過帯域の低域側端部の低域側近傍に位置している。従って、通過帯域の低域側端部の近傍では、直列腕共振子に大きな電力が印加される。また、直列腕共振子の反共振周波数が、通過帯域の高域側端部の高域側近傍に位置している。従って、通過帯域の高域側端部の近傍では、並列腕共振子に大きな電力が印加されることになる。
　印加される電力が大きくなると、アンテナ端子から入力される信号の相互変調が生じる。そのため、通過帯域内の低域側部分では、直列腕共振子から大きな非線形信号が発生し、通過帯域の高域側では、並列腕共振子から大きな非線形信号が発生する。
　これに対して、上記弾性表面波フィルタ装置８１では、直列腕に配置された反転接続部８７及び並列腕に配置された反転接続部８６が、アンテナ端子８４に近い側に設けられている。この反転接続部８６，８７は、弾性表面波共振子は並列分割してなる、極性反転構造を有する。従って、通過帯域内の高域側及び低域側の双方において、２次の非線形信号の発生を抑制しているものと考えられる。さらに、２次のＩＭＤが生じやすいアンテナ端子８４側縁すなわち送信フィルタ及び受信フィルタを共通接続しているアンテナ端子８４側にもっとも近い直列腕共振子及び並列腕共振子にそれぞれ反転接続部８７，８６が設けられている。そのため、広い周波数帯域において、２次のＩＭＤの発生を効果的に抑制することが可能となったと考えられる。
　よって、図１６に示したように、並列腕にのみ反転接続部８６を用いた第９の実施形態、直列腕にのみ反転接続部８６を設けた第１０の実施形態、反転接続部を有しない比較例に比べ、上記弾性表面波フィルタ装置８１では、送信フィルタの通過帯域内の挿入損失を大きく低下させることなく、２次の非線形信号の発生を広い周波数範囲にわたり抑制することが可能とされている。
　図１７は、本発明の第１１の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置を示す回路図である。弾性表面波フィルタ装置９１は入力端子９２と、平衡出力端子９３，９４を有する。弾性表面波フィルタ装置９１では、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部２５の入力端側に反転接続部６Ａが接続されている。すなわち、弾性表面波フィルタ装置９１は、図８に示したデュプレクサ３１の受信フィルタＲｘと同様の回路構成を有する。
　このように、縦結合共振子型の弾性表面波フィルタ部２５の入力端側に反転接続部６Ａを接続してもよい。それにより２次歪み信号を効果的に抑制することができる。なお、反転接続部６Ａに代えて、並列接続型の反転接続部６を接続してもよい。
　上述してきた各実施形態から明らかなように、本発明に従って構成された弾性表面波フィルタ装置及びデュプレクサでは、弾性表面波フィルタ部の入力端側または出力端側に本発明に係る反転接続部を適宜接続することができる。それによって、２次歪み信号を効果的に抑制することができる。この場合、反転接続部は、上記直列接続型であってもよく、並列接続型であってもよい。また、ラダー型フィルタでは、直列腕及び並列腕の双方に反転接続部を接続してもよく、それによって２次歪みをより効果的に抑制することができる。
　なお、デュプレクサに限らず、トリプレクサなどの他のマルチプレクサにも本発明を適用することができる。また、反転接続部の以外の共振子は弾性表面波に限らず、バルク弾性波を用いてもよい。
　さらに、本発明によって弾性波フィルタ装置における弾性波フィルタ部の回路構成はラダー型及び縦結合共振子型に限定されるものではない。
１…弾性表面波フィルタ装置
２…圧電基板
２Ａ…圧電基板部分
２ａ…第１の主面
２ｂ…第２の主面
３…入力端子
４…出力端子
５…配線パターン
５Ａ…配線パターン
５Ｂ…配線パターン
６…反転接続部
６Ａ…反転接続部
６Ｃ…反転接続部
６Ｄ…反転接続部
７…第１のＩＤＴ電極
７ａ…くし歯電極
７ｂ…くし歯電極
８…第２のＩＤＴ電極
８ａ，８ｂ…くし歯電極
９…バスバー
１１…反転接続部
１２…第１の端子
１３…第２の端子
１４…配線パターン
２１…デュプレクサ
２２…アンテナ端子
２３…共通接続端子
２４…送信端子
２５…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
２６，２７…第２の受信端子
３１…デュプレクサ
４１…デュプレクサ
５１…デュプレクサ
６１…弾性表面波フィルタ装置
６２…第１の端子
６３…第２の端子
７１…弾性表面波フィルタ装置
８１…弾性表面波フィルタ装置
８２…送信フィルタ
８３…受信フィルタ
８４…アンテナ端子
８５…送信端子
８６，８７…反転接続部
８８…縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
８９…弾性表面波共振子
９１…弾性表面波フィルタ装置
９２…入力端子
９３，９４…平衡出力端子
Ｅ１…電界印加の向き
Ｅ２…電界印加の向き
Ｐ１，Ｐ２…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ５…直列腕共振子
１０１…１ポート型弾性表面波共振子
１０２…圧電基板
１０３…くし歯電極
１０４…くし歯電極

Claims (13)

  1. 　第１の端子と、第２の端子と、前記第１の端子と前記第２の端子との間に接続されている第１，第２のＩＤＴとを有する弾性表面波共振器であって、
    　第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、ｃ軸方向が、前記第１の主面及び前記第２の主面に対して傾斜する方向である圧電基板と、
    　前記第１のＩＤＴを構成するために、前記圧電基板の第１の主面側に形成されており、第１，第２のくし歯電極を有する第１のＩＤＴ電極と、
    　前記第２のＩＤＴを構成するために前記圧電基板の第１の主面側に形成されており、第３，第４のくし歯電極を有する第２のＩＤＴ電極とを備え、
    　前記圧電基板の前記第１の主面を平面視した場合に、前記第１のＩＤＴにおける電界印加の向きと、前記第２のＩＤＴにおける電界印加の向きとが、前記ｃ軸を前記圧電基板の前記第１の主面に投影した投影ｃ軸と平行な方向において、逆向きとされている、弾性表面波共振器。
  2. 　前記第１，第２のＩＤＴ電極はそれぞれ複数本の電極指を有し、前記ｃ軸を前記第１の主面に投影した投影ｃ軸の延びる方向が、前記第１，第２のＩＤＴ電極における前記複数本の電極指の延びる方向と平行な成分を有する、請求項１に記載の弾性表面波共振器。
  3. 　前記ｃ軸を前記第１の主面に投影した場合、前記投影ｃ軸の延びる方向が、前記第１，第２のＩＤＴ電極における前記電極指の延びる方向と平行である、請求項２に記載の弾性表面波共振器。
  4. 　前記第１のＩＤＴと、前記第２のＩＤＴとが、電気的に並列に接続されている、請求項１～３のいずれか1項に記載の弾性表面波共振器。
  5. 　前記第１のＩＤＴと、前記第２のＩＤＴとが、電気的に直列に接続されている、請求項１または２に記載の弾性表面波共振器。
  6. 　前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとを電気的に接続し、かつ前記圧電基板の第１の主面側であって、前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとから発生する弾性表面波の音響結合を抑制する位置に設けられている配線パターンをさらに備える、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性表面波共振器。
  7. 　前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとを電気的に接続し、かつ前記圧電基板の第１の主面側において前記第１のＩＤＴと前記第２のＩＤＴとの間に設けられている配線パターンをさらに備える、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性表面波共振器。
  8. 　前記第１のＩＤＴと、前記第２のＩＤＴとが、前記第１のＩＤＴの電極指交差幅方向においてずらされて配置されている、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性表面波共振器。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性表面波共振器からなる反転接続回路を含む弾性表面波フィルタ部を備える、弾性表面波フィルタ装置。
  10. 　前記弾性表面波フィルタ部が、ラダー型フィルタ部を備える、請求項９に記載の弾性表面波フィルタ装置。
  11. 　アンテナ端子と送信端子とを有し、
    　前記ラダー型フィルタ部は、前記アンテナ端子を前記送信端子との間に接続されている直列腕と、前記直列腕と接地電位とに接続される少なくとも２つの並列腕と、
    　前記直列腕に設けられた複数の直列腕共振子と、前記各並列腕に設けられた少なくとも１つの並列腕共振子とを含み、
    　前記複数の直列腕共振子のうち前記アンテナ端子にもっとも近い直列腕共振子が、前記反転接続回路により構成されており、
    　前記少なくとも２つの並列腕のうち、前記アンテナ端子にもっとも近い並列腕に配置されている並列腕共振子が、もう１つの前記反転接続回路により構成されている、請求項１０に記載の弾性表面波フィルタ装置。
  12. 　前記弾性表面波フィルタ部が、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部を有する、請求項９～１１のいずれか1項に記載の弾性表面波フィルタ装置。
  13. 　共通接続端子を有し、該接続共通端子に並列に複数のフィルタが接続されており、複数のフィルタのうち少なくとも１つのフィルタが請求項９～１２のいずれか１項に記載の弾性表面波フィルタ装置からなる、マルチプレクサ。
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