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WO2014119441A1 - 光電変換装置 - Google Patents

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WO2014119441A1
WO2014119441A1 PCT/JP2014/051212 JP2014051212W WO2014119441A1 WO 2014119441 A1 WO2014119441 A1 WO 2014119441A1 JP 2014051212 W JP2014051212 W JP 2014051212W WO 2014119441 A1 WO2014119441 A1 WO 2014119441A1
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WO
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layer
photoelectric conversion
semiconductor layer
conversion device
extraction electrode
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PCT/JP2014/051212
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English (en)
French (fr)
Inventor
順次 荒浪
敬太 黒須
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/93—Interconnections
    • H10F77/933—Interconnections for devices having potential barriers
    • H10F77/935—Interconnections for devices having potential barriers for photovoltaic devices or modules
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80—Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric conversion device including an extraction electrode for extracting output to the outside.
  • a thin film photoelectric conversion device 100 in which an electrode layer 103, a photoelectric conversion layer 104, and an upper electrode portion 111 are arranged in this order on a substrate 102 as shown in FIG.
  • the extraction electrode 106 is disposed directly on the electrode layer 103 by solder bonding or the like, and the end of the extraction electrode 106 is led out to the back side of the substrate 102.
  • the whole is sealed with the resin layer 107 and the sealing material 110, whereby the photoelectric conversion device 100 is obtained (see, for example, Japanese Patent Publication No. 2011-523228 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-96774).
  • the resin layer 107 may be peeled off from the electrode layer 103 due to the shrinkage of the resin layer 107 due to a temperature change in the environment where the photoelectric conversion device 100 is installed.
  • the resin layer 107 is peeled off from the electrode layer 103 in this way, the function of protecting the extraction electrode 106 by the resin layer 107 is lowered, and the extraction electrode 106 is gradually peeled off from the electrode layer 103, increasing the series resistance and photoelectric conversion. In some cases, the efficiency was lowered.
  • One object of the present invention is to provide a highly reliable photoelectric conversion device capable of maintaining good connection between the extraction electrode and the electrode layer and maintaining high photoelectric conversion efficiency.
  • the photoelectric conversion device includes a substrate, an electrode layer, a photoelectric conversion unit, a semiconductor layer, an extraction electrode, and a resin layer.
  • the electrode layer is disposed on the substrate and has a first region and a second region.
  • the photoelectric conversion unit is disposed on the first region of the electrode layer.
  • the semiconductor layer is disposed on the second region of the electrode layer, and extends in a strip shape in the first direction along the photoelectric conversion portion.
  • the extraction electrode extends along the first direction, and is arranged in a band shape from the upper surface of the semiconductor layer to the first side surface along the first direction of the semiconductor layer to the upper surface of the second region.
  • the resin layer covers the electrode layer, the photoelectric conversion unit, the semiconductor layer, and the extraction electrode and is attached to the semiconductor layer.
  • FIG. 1st Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention It is a top view of the edge vicinity in 1st Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention. It is a perspective view which shows the detail of the photoelectric conversion part in the photoelectric conversion apparatus of FIG. It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus of FIG. It is a top view of the edge part vicinity in 2nd Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention. It is sectional drawing of the photoelectric conversion apparatus of FIG. It is an expanded sectional view of the semiconductor layer and extraction electrode in 3rd Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention. It is an expanded sectional view of the semiconductor layer and extraction electrode in 4th Embodiment of the photoelectric conversion apparatus of this invention. It is sectional drawing of the edge part vicinity in the conventional photoelectric conversion apparatus.
  • FIG. 1 is a plan view of the vicinity of an edge portion in the first embodiment of the photoelectric conversion device of the present invention.
  • FIG. 2 is a perspective view illustrating details of the photoelectric conversion unit of the photoelectric conversion apparatus of FIG. 1. In FIG. 2, in order to make the details of the photoelectric conversion unit easy to understand, the extraction electrode and the resin layer are not shown.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the photoelectric conversion device of FIG.
  • substrate 2 supports a photoelectric conversion part.
  • a main material constituting the substrate 2 for example, glass, ceramics, resin, metal, or the like can be adopted.
  • the lower electrode layer 3 is a conductive layer disposed on one main surface (also referred to as an upper surface) of the substrate 2.
  • a main material constituting the lower electrode layer 3 various conductive metals such as Mo, Al, Ti, Ta, or Au can be employed.
  • the thickness of the lower electrode layer 3 should just be about 0.2 micrometer or more and about 1 micrometer or less, for example.
  • a method for forming the lower electrode layer 3 for example, a sputtering method or a vapor deposition method can be employed.
  • the lower electrode layer 3 includes a first region 3a in which a photoelectric conversion unit is provided, and a strip-shaped second region 3b that extends in the first direction (Y-axis direction) along the photoelectric conversion unit. ing.
  • the photoelectric conversion portion is a portion that performs photoelectric conversion, and is formed by stacking the photoelectric conversion layer 4 and the upper electrode portion 11 in this order.
  • the photoelectric conversion layer 4 is a layer that performs photoelectric conversion disposed on the first region 3 a of the lower electrode layer 3.
  • the photoelectric conversion layer 4 includes, for example, a first semiconductor layer (not shown) having a first conductivity type and a second semiconductor layer (not shown) having a second conductivity type different from the first conductivity type, in this order. It is laminated on the lower electrode layer 3.
  • the first semiconductor layer mainly contains a semiconductor having the first conductivity type, and absorbs light to generate an electric charge.
  • the semiconductor having the first conductivity type for example, a group I-III-VI compound semiconductor which is a chalcopyrite compound semiconductor can be applied.
  • the first conductivity type may be, for example, a p-type conductivity type.
  • the I-III-VI group compound semiconductor is a semiconductor mainly containing an I-III-VI group compound. Note that a semiconductor mainly containing an I-III-VI group compound means that the semiconductor contains 70 mol% or more of an I-III-VI group compound. Also in the following description, “mainly included” means “70 mol% or more included”.
  • Group I-III-VI compounds mainly consist of Group 11 elements (also referred to as Group IB elements), Group 13 elements (also referred to as Group III-B elements), and Group 16 elements (also referred to as Group VI-B elements). It is a compound contained in.
  • Examples of the I-III-VI group compound include Cu (In, Ga) Se 2 (also referred to as CIGS), Cu (In, Ga) (Se, S) 2 (also referred to as CIGSS), or CuInSe 2 (also referred to as CIS). Etc. may be employed.
  • Cu (In, Ga) Se 2 is a compound mainly containing Cu, In, Ga, and Se.
  • Cu (In, Ga) (Se, S) 2 is a compound mainly containing Cu, In, Ga, Se, and S.
  • the first semiconductor layer mainly contains CIGS. If the first semiconductor layer mainly contains an I-III-VI group compound semiconductor, the efficiency of photoelectric conversion by the first semiconductor layer can be improved even if the thickness of the first semiconductor layer is 10 ⁇ m or less. . For this reason, the thickness of the first semiconductor layer may be, for example, about 1 ⁇ m or more and about 3 ⁇ m or less.
  • a vacuum process such as a sputtering method or a vapor deposition method may be employed.
  • a process called a coating method or a printing method may be employed.
  • the coating method or the printing method is a process in which, for example, a solution containing a metal element mainly contained in the first semiconductor layer is applied on the lower electrode layer 3 and then dried and heat-treated.
  • the second semiconductor layer is disposed on one main surface (also referred to as an upper surface) of the first semiconductor layer, and mainly includes a semiconductor having a second conductivity type different from the first conductivity type of the first semiconductor layer.
  • semiconductors having different conductivity types are semiconductors having different conductive carriers.
  • the second conductivity type may be an n-type conductivity type, for example.
  • the conductivity type of the first semiconductor layer may be n-type, and the conductivity type of the second semiconductor layer may be p-type.
  • a heterojunction region is formed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. For this reason, in the photoelectric conversion element, photoelectric conversion may occur in the first semiconductor layer and the second semiconductor layer that form the heterojunction region.
  • the second semiconductor layer mainly includes a compound semiconductor.
  • the compound semiconductor included in the second semiconductor layer include CdS, In 2 S 3 , ZnS, ZnO, In 2 Se 3 , In (OH, S), (Zn, In) (Se, OH), or (Zn, Mg) O or the like can be employed. If the second semiconductor layer has a resistivity of 1 ⁇ ⁇ cm or more, the generation of leakage current can be reduced.
  • the thickness of the second semiconductor layer may be, for example, about 10 nm to about 200 nm. If the thickness of the second semiconductor layer is 100 nm or more and 200 nm or less, the second semiconductor layer is damaged when the conductive layer 11a of the upper electrode portion 11 is formed on the second semiconductor layer by a sputtering method or the like. Is unlikely to occur.
  • the second semiconductor layer may be a stacked body of a plurality of different compound semiconductor layers.
  • the upper electrode portion 11 is disposed on one main surface (also referred to as an upper surface) of the photoelectric conversion layer 4.
  • the upper electrode portion 11 includes, for example, a conductive layer 11a and a plurality of current collecting electrodes 11b, and is stacked on the photoelectric conversion layer 4 in this order.
  • the photoelectric conversion device 1 may be used so that light is incident on the photoelectric conversion layer 4 from the upper electrode portion 11 side, and conversely, from the lower electrode layer 3 side to the photoelectric conversion layer 4. It may be used so that light enters.
  • the photoelectric conversion device 1 it is assumed that light is incident on the photoelectric conversion layer 4 from the upper electrode portion 11 side. Therefore, in the photoelectric conversion device 1, the conductive layer 11 a is made of a transparent conductive film that can transmit light absorbed by the photoelectric conversion layer 4.
  • the conductive layer 11 a is disposed on one main surface (also referred to as an upper surface) of the photoelectric conversion layer 4.
  • the conductive layer 11 a is an electrode that extracts charges generated in the photoelectric conversion layer 4.
  • the conductive layer 11a may include what is called a window layer.
  • the conductive layer 11a has an n-type conductivity type, and mainly includes a semiconductor with a wide forbidden band width, a transparent, low electrical resistance. Examples of such a material include metal oxide semiconductors such as ZnO, In 2 O 3, and SnO 2 . These metal oxide semiconductors may contain any element of Al, B, Ga, In, F, and the like.
  • metal oxide semiconductor containing such an element examples include, for example, AZO (Aluminum Zinc Oxide), BZO (Boron Zinc Oxide), GZO (Gallium Zinc Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ITO (Indium). Tin Oxide) or FTO (Fluorine tin Oxide).
  • a sputtering method As a method for forming the conductive layer 11a, a sputtering method, a vapor deposition method, a chemical vapor deposition (CVD) method, or the like can be employed.
  • the thickness of the conductive layer 11a may be, for example, about 0.08 ⁇ m or more and about 2 ⁇ m or less.
  • the conductive layer 11a has an electrical resistivity of less than 1 ⁇ ⁇ cm and a sheet resistance of 50 ⁇ / ⁇ or less, electric charges are favorably taken out from the photoelectric conversion layer 4 through the conductive layer 11a. .
  • the plurality of collecting electrodes 11b are arranged on one main surface (hereinafter, also referred to as an upper surface) of the conductive layer 11a.
  • the plurality of collecting electrodes 11b play a role of collecting charges generated in the photoelectric conversion layer 4 and taken out in the conductive layer 11a.
  • the conductivity in the conductive layer 11a is supplemented.
  • the current collecting electrode 11b As a method for forming the current collecting electrode 11b, for example, a method in which a conductive paste is applied onto the upper surface of the conductive layer 11a and then dried to solidify the conductive paste can be employed.
  • the conductive paste can be produced, for example, by adding particles such as a conductive metal filler to a binder such as a resin.
  • the current collecting electrode 11b includes a large number of conductive particles, and the large number of particles come into contact with each other, so that good conductivity in the current collecting electrode 11b can be ensured.
  • the semiconductor layer 5 is disposed on the second region 3b of the lower electrode layer 3, and extends in a strip shape in the first direction (Y-axis direction) along the photoelectric conversion portion.
  • the semiconductor layer 5 may be made of a semiconductor material.
  • a part of the upper electrode portion 11 or the vicinity of the outer edge portion of the photoelectric conversion layer 4 is trimmed by laser or etching to separate a part thereof. It may be a site obtained by the above. Alternatively, it may be separately formed and provided. 2 and FIG. 3, a portion where the photoelectric conversion layer 4 and the conductive layer 11 a are separated is used as the semiconductor layer 5.
  • the semiconductor layer 5 may contain an oxide semiconductor from the viewpoint of enhancing the adhesion with the resin layer 7 having a polar group such as EVA.
  • the extraction electrode 6 has a function of extracting the output obtained by the photoelectric conversion layer 4 through the second region 3 b of the lower electrode layer 3 and guiding it to the outside of the photoelectric conversion device 1.
  • the extraction electrode 6 extends in a strip shape along the first direction (Y-axis direction), and extends from the upper surface of the semiconductor layer 5 along the first direction (Y-axis direction) of the semiconductor layer 5 as shown in FIG. It covers the first side surface (side surface opposite to the photoelectric conversion layer 4) and is arranged over the upper surface of the second region 3b.
  • the extraction electrode 6 is electrically connected to the second region 3b by welding, soldering, joining with a conductive adhesive, or the like. Further, the extraction electrode 6 may be in contact with the semiconductor layer 5 only, or may be welded, soldered, soldered with ultrasonic waves, or joined with a conductive adhesive to the semiconductor layer 5. It may be joined.
  • an extraction electrode 6 for example, a metal foil containing copper, silver, aluminum or the like having a thickness of about 0.3 to 2 mm can be used.
  • the extraction electrode 6 may be coated with solder in advance.
  • solder for example, when Sn—Pb-based eutectic solder is used as the coating material, the heating temperature for joining the extraction electrode 6 to the second region 3b may be 180 ° C. or more and 200 ° C. or less.
  • Sn—Ag—Cu Pb-free solder is used as the coating material, the heating temperature for joining the extraction electrode 6 to the second region 3b may be 200 ° C. or more and 220 ° C. or less.
  • the extraction electrode 6 is led out to the back side of the substrate 2 through a through hole 12 provided in the substrate 2 and extends to a terminal box (not shown).
  • the through hole 12 is formed to have a diameter of about 3 to 5 mm using, for example, a laser on the substrate 2.
  • the resin layer 7 mainly has a function of protecting the photoelectric conversion unit, and is disposed so as to cover the lower electrode layer 3, the photoelectric conversion unit, the semiconductor layer 5, and the extraction electrode 6.
  • the resin layer 7 is attached to the surface of the semiconductor layer 5 that is not covered with the extraction electrode 6 in the vicinity of the extraction electrode 6.
  • the connection between the extraction electrode 6 and the lower electrode layer 3 can be maintained satisfactorily.
  • a highly reliable photoelectric conversion device 1 that can maintain high photoelectric conversion efficiency is obtained.
  • the adherence of the resin layer to the lower electrode layer mainly containing metal is not so good. Therefore, in the conventional configuration in which the resin layer is attached to the lower electrode layer in the vicinity of the extraction electrode, the resin layer is easily peeled off from the lower electrode layer, and the bonding between the extraction electrode and the lower electrode layer can be maintained well. could not. On the other hand, the adherence of the resin layer to the semiconductor material is good.
  • the state in which the resin layer 7 is attached to the semiconductor layer 5 in the vicinity of the extraction electrode 6 can be maintained for a long time. From the above, even if the resin layer 7 contracts due to the temperature change in the environment where the photoelectric conversion device 1 is installed, the resin layer 7 is firmly attached to the semiconductor layer 5. Can be removed from the electrode layer 3.
  • the resin layer 7 may be adhered to both of the two side surfaces.
  • the resin layer 7 is deposited on the second side surface of the semiconductor layer 5 on the photoelectric conversion layer 4 side.
  • Examples of such a resin layer 7 include a resin mainly composed of copolymerized ethylene vinyl acetate (EVA). Note that EVA may contain a crosslinking agent such as triallyl isocyanurate in order to promote crosslinking of the resin.
  • EVA may contain a crosslinking agent such as triallyl isocyanurate in order to promote crosslinking of the resin.
  • the protection member 13 is placed on the photoelectric conversion unit via the resin layer 7 such as EVA.
  • the protection member 13 is a member for further protecting the photoelectric conversion unit, and is made of glass or the like.
  • the photoelectric conversion unit, the resin layer 7 and the protective member 13 are pressed and integrated while heating at a temperature of about 100 to 200 ° C. for about 15 to 60 minutes.
  • the sealing material 10 is disposed so as to surround the photoelectric conversion unit and the resin layer 7 in plan view of the substrate 2.
  • the sealing material 10 has a function of reducing entry of foreign matter entering the photoelectric conversion unit side. Such foreign matter includes moisture that enters from the outside.
  • the sealing material 10 is arrange
  • a precursor of the sealing material 10 is formed so as to surround the outer surface of the resin layer 7 on the outer peripheral side portion of the laminate of the substrate 2, the resin layer 7, and the protection member 13. Apply.
  • the precursor of the sealing material 10 is filled in a discharge device such as a dispenser, and a predetermined amount of precursor is discharged from the discharge port and applied to a predetermined region.
  • the precursor of the sealing material 10 may be provided on the outer surface of the resin layer 7 with a width of about 2 to 8 mm.
  • FIG. 4 is a plan view of the vicinity of the edge of the photoelectric conversion device 21.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the photoelectric conversion device 21 of FIG.
  • a strip-shaped second semiconductor layer 25 is provided on the opposite side of the semiconductor layer 5 from the photoelectric conversion portion with a gap from the semiconductor layer 5.
  • the extraction electrode 26 is disposed so that the end opposite to the semiconductor layer 5 covers the side surface of the second semiconductor layer 25 on the semiconductor layer 5 side and reaches the upper surface of the second semiconductor layer 25.
  • the resin layer 7 is attached to a portion of the second semiconductor layer 25 that is not covered with the extraction electrode 26.
  • the resin layer 7 can be applied not only to the semiconductor layer 5 but also to the semiconductor layer 25 with a high adhesion force. Connection can be maintained even better.
  • the semiconductor layer 25 may be made of a semiconductor material.
  • the vicinity of the outer edge portion of the upper electrode portion 11 or the photoelectric conversion layer 4 is trimmed by laser or etching. May be a site obtained by separating a part. Alternatively, it may be separately formed and provided. In FIG. 5, a portion where the photoelectric conversion layer 4 and the conductive layer 11 a are separated is used as the semiconductor layer 25.
  • FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor layer 35 and the extraction electrode 36 in the photoelectric conversion device 31.
  • the semiconductor layer 35 is formed of a laminate having at least a first layer and a second layer, and a part of the resin layer 7 enters 8 between the first layer and the second layer. is doing.
  • the resin layer 7 contracts due to a temperature change in the environment in which the photoelectric conversion device 31 is installed, the resin layer 7 is more firmly attached to the side surface of the semiconductor layer 35, and thus the extraction electrode 36. And the lower electrode layer 3 can be more favorably maintained.
  • the configuration of the photoelectric conversion device 31 can also be applied to the photoelectric conversion device 1 of the first embodiment or the photoelectric conversion device 21 of the second embodiment. In that case, the electrical reliability is further improved by these synergistic effects.
  • FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor layer 45 and the extraction electrode 46 in the photoelectric conversion device 41.
  • the semiconductor layer 45 has a plurality of open pores 9 on the side surface to which the resin layer 7 is adhered, and even if a part of the resin layer 7 penetrates into the open pores 9. Good.
  • the semiconductor layer 45 may also have a plurality of open pores 9 on the upper surface to which the resin layer 7 is applied.
  • the configuration of the photoelectric conversion device 41 is also applicable to the photoelectric conversion device 1 of the first embodiment, the photoelectric conversion device 21 of the second embodiment, or the photoelectric conversion device 31 of the third embodiment. In that case, the electrical reliability is further improved by these synergistic effects.
  • the extraction electrode 36 may be covered with solder, and a part of the solder may penetrate between the layers constituting the semiconductor layer 35.
  • the adhesive force between the extraction electrode 36 and the semiconductor layer 35 can be increased by solder, and the electrical connection between the extraction electrode 36 and the lower electrode layer 3 can be further increased. It can be maintained well.
  • the extraction electrode 46 is covered with solder and a part of the solder penetrates into the open pores 9 on the side surface on which the resin layer 7 of the semiconductor layer 45 is applied. Good. Further, part of the solder may also enter the open pores 9 on the upper surface of the semiconductor layer 45 where the resin layer 7 is deposited. As a result, in addition to the adhesion force of the resin layer 7 to the semiconductor layer 45, the adhesive force between the extraction electrode 46 and the semiconductor layer 45 can also be increased by solder, and the electrical connection between the extraction electrode 6 and the lower electrode layer 3 can be further increased. It can be maintained well.
  • a part of the extraction electrode 36 may penetrate between the layers constituting the semiconductor layer 35. That is, a part of the extraction electrode 36 melted when the extraction electrode 36 is joined to the lower electrode layer 3 by welding may penetrate into the space 8.
  • the adhesion force between the extraction electrode 36 and the semiconductor layer 35 can be increased, and the electrical connection between the extraction electrode 36 and the lower electrode layer 3 is further improved. Can be maintained.
  • a part of the extraction electrode 46 may enter the open pores 9 on the side surface where the resin layer 7 of the semiconductor layer 45 is attached.
  • a part of the extraction electrode 46 may also enter the open pores 9 on the upper surface of the semiconductor layer 45 where the resin layer 7 is deposited. That is, a part of the extraction electrode 46 melted when the extraction electrode 46 is joined to the lower electrode layer 3 by welding may enter the open pores 9.
  • the adhesive force between the extraction electrode 46 and the semiconductor layer 45 can be increased, and the electrical connection between the extraction electrode 46 and the lower electrode layer 3 is further improved. Can be maintained.
  • Photoelectric conversion device 3 Lower electrode layer 4: Photoelectric conversion layers 5, 25, 35, 45: Semiconductor layers 6, 26, 36, 46: Extraction electrode 7: Resin layer 8: Between layers 9: Open pore 11: Upper electrode part 11a: Conductive layer 11b: Current collecting electrode

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

　光電変換装置は、基板と、基板上に配置された、第１領域および第２領域を有する電極層と、第１領域上に配置された光電変換部と、第２領域上に配置された、光電変換部に沿って第１方向に延設されている帯状の半導体層と、第１方向に沿って延びており、半導体層の上面から半導体層の第１方向に沿った第１側面を覆って第２領域の上面にかけて配置された帯状の取出電極と、電極層、光電変換部、半導体層および取出電極を覆うとともに半導体層に被着した樹脂層とを有する。

Description

光電変換装置
　本発明は出力を外部に取り出すための取出電極を具備する光電変換装置に関する。
　従来の光電変換装置としては、例えば図８のような、基板１０２上に電極層１０３、光電変換層１０４および上部電極部１１１がこの順に配置されてなる薄膜型の光電変換装置１００がある。
　この光電変換装置１００において、取出電極１０６は電極層１０３上に直接半田接合等で配置され、取出電極１０６の端部は基板１０２の裏面側へ導出されている。
　そして、全体を樹脂層１０７および封止材１１０で封止することによって、光電変換装置１００とされている（例えば特表２０１１－５２３２２８号公報および特開２０１１－９６７７４号公報参照）。
　しかしながら、従来の光電変換装置１００において、樹脂層１０７の電極層１０３に対する被着力はあまり高いとは言えない。そのため、光電変換装置１００が設置される環境の温度変化による樹脂層１０７の収縮によって、樹脂層１０７が電極層１０３から剥がれることがあった。このように樹脂層１０７が電極層１０３から剥がれると、樹脂層１０７による取出電極１０６を保護する機能が低下し、取出電極１０６が電極層１０３から次第に剥がれてしまい、直列抵抗が増加して光電変換効率が低下してしまう場合があった。
　本発明の１つの目的は、取出電極と電極層との接続を良好に維持し、光電変換効率を高く維持できる信頼性の高い光電変換装置とすることにある。
　本発明の一態様に係る光電変換装置は、基板と、電極層と、光電変換部と、半導体層と、取出電極と、樹脂層とを有している。電極層は、基板上に配置されており、第１領域および第２領域を有している。光電変換部は、電極層の第１領域上に配置されている。半導体層は、電極層の第２領域上に配置されており、光電変換部に沿って第１方向に帯状に延設されている。取出電極は、第１方向に沿って延びており、半導体層の上面から半導体層の第１方向に沿った第１側面を覆って第２領域の上面にかけて帯状に配置されている。樹脂層は、電極層、光電変換部、半導体層および取出電極を覆うとともに半導体層に被着している。
本発明の光電変換装置の第１実施形態における縁部近傍の平面図である。 図１の光電変換装置における光電変換部の詳細を示す斜視図である。 図１の光電変換装置の断面図である。 本発明の光電変換装置の第２実施形態における縁部近傍の平面図である。 図４の光電変換装置の断面図である。 本発明の光電変換装置の第３実施形態における半導体層および取出電極の拡大断面図である。 本発明の光電変換装置の第４実施形態における半導体層および取出電極の拡大断面図である。 従来の光電変換装置における縁部近傍の断面図である。
　＜光電変換装置の第１実施形態の構成＞
　以下に、本発明の光電変換装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の光電変換装置の第１実施形態における縁部近傍の平面図である。図２は、図１の光電変換装置の光電変換部の詳細を示す斜視図である。なお、図２においては、光電変換部の詳細を分かりやすくするため、取出電極や樹脂層等を除いて示している。図３は、図１の光電変換装置の断面図である。
　（基板）
　基板２は、光電変換部を支持するものである。基板２を構成する主な材料としては、例えばガラス、セラミックス、樹脂または金属等が採用され得る。
　（下部電極層）
　下部電極層３は、基板２の一主面（上面とも言う）の上に配されている導電層である。下部電極層３を構成する主な材料としては、例えばＭｏ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａまたはＡｕ等の導電性を有する各種金属等が採用され得る。また、下部電極層３の厚さは、例えば０．２μｍ以上で且つ１μｍ以下程度であればよい。
　下部電極層３の形成方法としては、例えばスパッタリング法または蒸着法等が採用され得る。
　下部電極層３は、光電変換部が設けられている第１領域３ａと、光電変換部に沿って第１方向（Ｙ軸方向）に延設されている帯状の第２領域３ｂとを有している。
　（光電変換部）
　光電変換部は、光電変換を行なう部分であり、光電変換層４と上部電極部１１とがこの順に積層されて成る。
　（光電変換層）
　光電変換層４は、下部電極層３の第１領域３ａ上に配された光電変換を行なう層である。光電変換層４は、例えば第１導電型を有する第１半導体層（不図示）と、第１導電型とは異なる第２導電型を有する第２半導体層（不図示）とを備え、この順に下部電極層３上に積層されている。
　第１半導体層は、第１導電型を有する半導体を主に含んでおり、光を吸収して電荷を生じる。ここで、第１導電型を有する半導体としては、例えばカルコパイライト系の化合物半導体であるＩ－III－VI族化合物半導体等が適用され得る。なお、第１導電型は、例えばｐ型の導電型であればよい。I－III－VI族化合物半導体とは、Ｉ－III－VI族化合物を主に含む半導体である。なお、Ｉ－III－VI族化合物を主に含む半導体とは、半導体がＩ－III－VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含むことを言う。以下の記載においても、「主に含む」は「７０ｍｏｌ％以上含む」ことを意味する。Ｉ－III－VI族化合物は、１１族元素（Ｉ－Ｂ族元素とも言う）と１３族元素（III－Ｂ族元素とも言う）と１６族元素（VI－Ｂ族元素とも言う）とを主に含む化合物である。I－III－VI族化合物としては、例えばＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳとも言う）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（ＣＩＧＳＳとも言う）またはＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳとも言う）等が採用され得る。なお、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２は、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとを主に含む化合物である。また、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２は、ＣｕとＩｎとＧａとＳｅとＳとを主に含む化合物である。ここでは、第１半導体層が、ＣＩＧＳを主に含む。なお、第１半導体層がＩ－III－VI族化合物半導体を主に含んでいれば、第１半導体層の厚さが１０μｍ以下であっても、第１半導体層による光電変換の効率が高められる。このため、第１半導体層の厚さは、例えば１μｍ以上で且つ３μｍ以下程度であればよい。
　第１半導体層の形成方法としては、スパッタリング法または蒸着法等といった真空プロセスが採用され得る。また、第１半導体層の他の形成方法として、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスが採用されてもよい。塗布法あるいは印刷法とは、例えば第１半導体層に主に含まれる金属元素を含む溶液を下部電極層３の上に塗布し、その後、乾燥および熱処理を行なうプロセスである。
　第２半導体層は、第１半導体層の一主面（上面とも言う）の上に配されており、第１半導体層の第１導電型とは異なる第２導電型を有する半導体を主に含む。ここで、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。そして、第２導電型は、例えばｎ型の導電型であればよい。なお、第１半導体層の導電型がｎ型であり、第２半導体層の導電型がｐ型であってもよい。ここでは、第１半導体層と第２半導体層との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換素子では、ヘテロ接合領域を形成する第１半導体層と第２半導体層とにおいて光電変換が生じ得る。第２半導体層は、化合物半導体を主に含む。第２半導体層に含まれる化合物半導体としては、例えばＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）または（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が採用され得る。そして、第２半導体層が１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が低減され得る。
　第２半導体層の形成方法としては、例えば化学浴槽堆積（ＣＢＤ）法等が採用され得る。また、第２半導体層の厚さは、例えば１０ｎｍ以上で且つ２００ｎｍ以下程度であればよい。第２半導体層の厚さが１００ｎｍ以上で且つ２００ｎｍ以下であれば、第２半導体層の上に上部電極部１１の導電層１１ａがスパッタリング法等で形成される際に、第２半導体層においてダメージが生じ難い。なお、第２半導体層は複数の異なる化合物半導体層の積層体であってもよい。
　（上部電極部）
　上部電極部１１は、光電変換層４の一主面（上面とも言う）の上に配されている。そして、上部電極部１１は、例えば導電層１１ａと複数の集電電極１１ｂとを備え、この順に光電変換層４上に積み重ねられている。なお、光電変換装置１は、上部電極部１１側から光電変換層４に対して光が入射されるように用いられてもよく、反対に、下部電極層３側から光電変換層４に対して光が入射されるように用いられてもよい。光電変換装置１においては、上部電極部１１側から光電変換層４に対して光が入射されるものを想定している。よって、光電変換装置１において、導電層１１ａは光電変換層４が吸収する光を透過可能な透明導電膜から成る。
　導電層１１ａは、光電変換層４の一主面（上面とも言う）の上に配されている。導電層１１ａは、光電変換層４で生じた電荷を取り出す電極である。導電層１１ａには、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれてもよい。導電層１１ａは、ｎ型の導電型を有し、禁制帯幅が広く且つ透明で低い電気抵抗の半導体を主に含んでいる。このような材料としては、例えばＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３またはＳｎＯ２等の金属酸化物半導体等が挙げられる。これらの金属酸化物半導体には、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎまたはＦ等のうちの何れかの元素が含まれてもよい。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えばＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＢＺＯ（Boron Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＦＴＯ（Fluorine tin Oxide）等がある。
　導電層１１ａの形成方法としては、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等が採用され得る。導電層１１ａの厚さは、例えば０．０８μｍ以上で且つ２μｍ以下程度であればよい。ここで、導電層１１ａが、１Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、導電層１１ａを介して光電変換層４から電荷が良好に取り出される。
　複数の集電電極１１ｂは、導電層１１ａの一主面（以下、上面とも言う）の上に配されている。複数の集電電極１１ｂは、光電変換層４において発生して導電層１１ａにおいて取り出された電荷を集電する役割を担う。複数の集電電極１１ｂが配されていることで、導電層１１ａにおける導電性が補われる。
　集電電極１１ｂの形成方法としては、例えば導電性ペーストを導電層１１ａの上面の上に塗布した後に乾燥して該導電性ペーストを固化する方法が採用され得る。導電性ペーストは、例えば樹脂等のバインダーに導電性を有する金属フィラーなどの粒子を添加することで作製できる。この場合、集電電極１１ｂに導電性を有する多数の粒子が含まれており、この多数の粒子が相互に接触し合うことで、集電電極１１ｂにおける良好な導電性が確保され得る。
　（半導体層）
　半導体層５は下部電極層３の第２領域３ｂ上に配置されており、光電変換部に沿って第１方向（Ｙ軸方向）に帯状に延設されている。
　ここでいう半導体層５とは、半導体材料からなるものであればよいが、例えば上部電極部１１や光電変換層４の外縁部の近傍をレーザーやエッチングによってトリミングすることによって、一部を分離して得られた部位でもよい。あるいは、別途形成されて設けられたものであってもよい。図２および図３においては、光電変換層４および導電層１１ａが分離された部位を半導体層５として用いている。
　特に、ＥＶＡのような極性基を有する樹脂層７との密着力を高めるという観点からは、半導体層５は酸化物半導体を含んでいてもよい。
　（取出電極）
　取出電極６は、光電変換層４で得られた出力を下部電極層３の第２領域３ｂを介して取り出し、光電変換装置１の外部に導く機能を有している。
　取出電極６は、第１方向（Ｙ軸方向）に沿って帯状に延びており、図３に示すように、半導体層５の上面から半導体層５の第１方向（Ｙ軸方向）に沿った第１側面（光電変換層４とは反対側の側面）を覆って第２領域３ｂの上面にかけて配置されている。
　取出電極６は、第２領域３ｂに対して、溶接、半田付けまたは導電性接着材による接合等によって電気的に接続されている。また、取出電極６は、半導体層５に対して接触しているだけでもよく、あるいは半導体層５に対して、溶接、半田付け、超音波を伴った半田付けまたは導電性接着材による接合等によって接合されていてもよい。
　このような取出電極６としては、例えば厚み０．３～２ｍｍ程度の銅、銀またはアルミニウム等を含む金属箔を用いることができる。
　取出電極６は、予め半田がコーティングされていてもよい。例えばコーティング材としてＳｎ－Ｐｂ系の共晶半田が用いられる場合は、取出電極６を第２領域３ｂに接合する際の加熱温度は１８０℃以上で且つ２００℃以下であればよい。また、コーティング材としてＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系のＰｂフリー半田が用いられる場合は、取出電極６を第２領域３ｂに接合する際の加熱温度は２００℃以上で且つ２２０℃以下であればよい。
　取出電極６は、基板２に設けられた貫通孔１２を介して基板２の裏面側に導出され、端子ボックス（不図示）まで延びている。貫通孔１２は、例えば基板２にレーザーを用いて直径が３～５ｍｍ程度に形成される。
　（樹脂層）
　樹脂層７は、主として光電変換部を保護する機能を有しており、下部電極層３、光電変換部、半導体層５および取出電極６を覆うように配置されている。また、樹脂層７は、取出電極６の近傍において、半導体層５の取出電極６に覆われていない表面に被着している。
　このような構成によって、取出電極６と下部電極層３との接続を良好に維持することができる。その結果、光電変換効率を高く維持することができる信頼性の高い光電変換装置１となる。これは以下の理由による。つまり、金属を主として含む下部電極層に対する樹脂層の被着性はあまり良好ではない。そのため、取出電極の近傍において樹脂層が下部電極層に被着している従来の構成では、樹脂層が下部電極層から剥がれやすく、取出電極と下部電極層との接合を良好に維持することができなかった。これに対し、半導体材料に対する樹脂層の被着性は良好である。そのため、上記のような光電変換装置１では、樹脂層７が取出電極６の近傍において半導体層５に対して被着した状態を長期にわたって維持することができる。以上のことから、光電変換装置１が設置される環境の温度変化によって樹脂層７が収縮しても、樹脂層７が半導体層５に対して強固に被着していることで、取出電極６が電極層３から剥離することを低減できる。
　半導体層５に対する樹脂層７の被着には種々の形態が有り得る。例えば半導体層５の上面のうちの一部が取出電極６に覆われている場合であれば、半導体層５の上面のうちの取出電極６に覆われていない残部か、あるいは半導体層５の光電変換層４側の第２側面に樹脂層７が被着している。半導体層５に対する樹脂層７の被着力をより強固にするという観点からは、半導体層５の上面のうちの取出電極６に覆われていない残部、および半導体層５の光電変換層４側の第２側面の両方に樹脂層７が被着していてもよい。
　また、半導体層５の上面のうちの全部が取出電極６に覆われている場合であれば、半導体層５の光電変換層４側の第２側面に樹脂層７が被着している。
　このような樹脂層７としては、例えば共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、ＥＶＡには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれていてもよい。
　樹脂層７を形成する方法としては以下のような方法が挙げられる。まず、光電変換部上に、ＥＶＡなどの樹脂層７を介して保護部材１３を載置する。保護部材１３は光電変換部をさらに保護するための部材であり、ガラス等から成る。次いで、５０～１５０Ｐａ程度の減圧下において、１００～２００℃程度の温度で１５～６０分間程度加熱しながら光電変換部と樹脂層７と保護部材１３とを加圧一体化する。
　（封止材）
　封止材１０は、基板２を平面視して、光電変換部および樹脂層７を取り囲むように配置されている。封止材１０は、光電変換部側に入ってくる異物の浸入を低減する機能を有している。このような異物の中には、外部から浸入する水分も含まれる。また、封止材１０は、樹脂層７と接触するように配置されている。それゆえ、外部からの応力に対して略均一な剛性を維持することができる。
　封止材１０を形成する方法としては、基板２と樹脂層７と保護部材１３との積層体の外周側部分に、樹脂層７の外側面を取り囲むように、封止材１０の前駆体を塗布する。この塗布は、封止材１０の前駆体をディスペンサーなどの吐出装置に充填し、吐出口から所定量の前駆体を吐出して所定の領域に塗布すればよい。このとき、封止材１０の前駆体は、樹脂層７の外側面に２～８ｍｍ程度の幅で設ければよい。
　本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。以下に複数の変形例を示す。これらの変形例において、上記光電変換装置の第１実施形態と同じ構成のものには同じ符号を付している。
　＜光電変換装置の第２実施形態の構成＞
　本発明の光電変換装置の第２実施形態を図４および図５に示す。図４は、光電変換装置２１における縁部近傍の平面図である。図５は、図４の光電変換装置２１の断面図である。
　光電変換装置２１の下部電極層３の第２領域３ｂ上において、半導体層５の光電変換部とは反対側に、半導体層５に対して間をあけて帯状の第２半導体層２５が併設されている。また、取出電極２６は、半導体層５とは反対側の端部が第２半導体層２５の半導体層５側の側面を覆って第２半導体層２５の上面に達するように配置されている。そして、樹脂層７が第２半導体層２５の取出電極２６に覆われていない部位に被着している。
　このような構成によって、樹脂層７が半導体層５に対してだけでなく、半導体層２５に対しても高い被着力で被着することができ、取出電極２６と下部電極層３との電気的な接続をさらに良好に維持することができる。
　このような半導体層２５は、上記の半導体層５と同様に、半導体材料からなるものであればよく、例えば上部電極部１１や光電変換層４の外縁部の近傍をレーザーやエッチングによってトリミングすることによって、一部を分離して得られた部位でもよい。あるいは、別途形成されて設けられたものであってもよい。図５においては、光電変換層４および導電層１１ａが分離された部位を半導体層２５として用いている。
　＜光電変換装置の第３実施形態の構成＞
　本発明の光電変換装置の第３実施形態を図６に示す。図６は、光電変換装置３１における半導体層３５および取出電極３６の拡大断面図である。
　光電変換装置３１において、半導体層３５は少なくとも第１の層および第２の層を有する積層体からなり、樹脂層７の一部が第１の層と前記第２の層との間８に侵入している。
　これによって、光電変換装置３１が設置される環境の温度変化によって樹脂層７が収縮しても、樹脂層７が半導体層３５の側面に対してより強固に被着しているので、取出電極３６と下部電極層３との電気的な接続をさらに良好に維持することができる。
　なお、この光電変換装置３１の構成は、第１実施形態の光電変換装置１または第２実施形態の光電変換装置２１にも適用可能である。その場合には、これらの相乗効果でさらに電気的な信頼性が向上する。
　＜光電変換装置の第４実施形態の構成＞
　本発明の光電変換装置の第４実施形態を図７に示す。図７は、光電変換装置４１における半導体層４５および取出電極４６の拡大断面図である。
　また、光電変換装置４１において、半導体層４５は樹脂層７が被着されている側面に複数の開気孔９を有しており、樹脂層７の一部が開気孔９に侵入していてもよい。
　これによって、光電変換装置４１が設置される環境の温度変化によって樹脂層７が収縮しても、樹脂層７が半導体層４５に対してより強固に被着しているので、取出電極４６と下部電極層３との電気的な接続をさらに良好に維持することができる。
　また、半導体層４５は、樹脂層７が被着されている上面にも複数の開気孔９を有していてもよい。
　なお、この光電変換装置４１の構成は、第１実施形態の光電変換装置１、第２実施形態の光電変換装置２１または第３実施形態の光電変換装置３１にも適用可能である。その場合には、これらの相乗効果でさらに電気的な信頼性が向上する。
　＜光電変換装置の他の実施形態＞
　上記光電変換装置３１において、取出電極３６が半田で被覆されているとともにこの半田の一部が半導体層３５を構成する層の間８に侵入していてもよい。これによって、樹脂層７の半導体層３５に対する被着力に加え、半田によって取出電極３６と半導体層３５との接着力も高めることができ、取出電極３６と下部電極層３との電気的な接続をさらに良好に維持することができる。
　また、上記光電変換装置４１において、取出電極４６が半田で被覆されているとともにこの半田の一部が半導体層４５の樹脂層７が被着されている側面の開気孔９に侵入していてもよい。また、半導体層４５の樹脂層７が被着されている上面の開気孔９にも半田の一部が侵入していてもよい。これによって、樹脂層７の半導体層４５に対する被着力に加え、半田によって取出電極４６と半導体層４５との接着力も高めることができ、取出電極６と下部電極層３との電気的な接続をさらに良好に維持することができる。
　また、上記光電変換装置３１において、取出電極３６の一部が半導体層３５を構成する層の間８に侵入していてもよい。つまり、取出電極３６を溶接によって下部電極層３に接合する際に溶融した取出電極３６の一部が層の間８に侵入していてもよい。これによって、樹脂層７の半導体層３５に対する被着力に加え、取出電極３６と半導体層３５との接着力も高めることができ、取出電極３６と下部電極層３との電気的な接続をさらに良好に維持することができる。
　また、上記光電変換装置４１において、取出電極４６の一部が半導体層４５の樹脂層７が被着されている側面の開気孔９に侵入していてもよい。また、半導体層４５の樹脂層７が被着されている上面の開気孔９にも取出電極４６の一部が侵入していてもよい。つまり、取出電極４６を溶接によって下部電極層３に接合する際に溶融した取出電極４６の一部が開気孔９に侵入していてもよい。これによって、樹脂層７の半導体層４５に対する被着力に加え、取出電極４６と半導体層４５との接着力も高めることができ、取出電極４６と下部電極層３との電気的な接続をさらに良好に維持することができる。
１、２１、３１、４１：光電変換装置
３：下部電極層
４：光電変換層
５、２５、３５、４５：半導体層
６、２６、３６、４６：取出電極
７：樹脂層
８：層の間
９：開気孔
１１：上部電極部
　１１ａ：導電層
　１１ｂ：集電電極

Claims (8)

  1. 　基板と、
    該基板上に配置された、第１領域および第２領域を有する電極層と、
    前記第１領域上に配置された光電変換部と、
    前記第２領域上に配置された、前記光電変換部に沿って第１方向に延設されている帯状の半導体層と、
    前記第１方向に沿って延びており、前記半導体層の上面から前記半導体層の前記第１方向に沿った第１側面を覆って前記第２領域の上面にかけて配置された帯状の取出電極と、
    前記電極層、前記光電変換部、前記半導体層および前記取出電極を覆うとともに前記半導体層に被着した樹脂層と
    を有する光電変換装置。
  2. 　前記半導体層の前記第１側面とは反対側の第２側面に前記樹脂層が被着している、請求項１に記載の光電変換装置。
  3. 　前記半導体層は少なくとも第１の層および第２の層を有する積層体からなり、前記樹脂層の一部が前記第１の層と前記第２の層との間に侵入している、請求項２に記載の光電変換装置。
  4. 　前記半導体層は前記第２側面に開口する第２側面側開気孔を有しており、前記樹脂層の一部が前記第２側面側開気孔に侵入している、請求項２または３に記載の光電変換装置。
  5. 　前記半導体層は少なくとも第１の層および第２の層を有する積層体からなり、前記取出電極が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記第１の層と前記第２の層との間に侵入している、請求項１乃至４のいずれかに記載の光電変換装置。
  6. 　前記半導体層は前記第１側面に開口する第１側面側開気孔を有しており、前記取出電極が半田で被覆されているとともに該半田の一部が前記第１側面側開気孔に侵入している、請求項１乃至５のいずれかに記載の光電変換装置。
  7. 　前記半導体層は少なくとも第１の層および第２の層を有する積層体からなり、前記取出電極の一部が前記第１の層と前記第２の層との間に侵入している、請求項１乃至４のいずれかに記載の光電変換装置。
  8. 　前記半導体層は前記第１側面に開口する第１側面側開気孔を有しており、前記取出電極の一部が前記第１側面側開気孔に侵入している、請求項１乃至４のいずれかに記載の光電変換装置。
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