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WO2014106891A1 - 無線通信装置、及び、電子装置 - Google Patents

無線通信装置、及び、電子装置 Download PDF

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WO2014106891A1
WO2014106891A1 PCT/JP2013/050010 JP2013050010W WO2014106891A1 WO 2014106891 A1 WO2014106891 A1 WO 2014106891A1 JP 2013050010 W JP2013050010 W JP 2013050010W WO 2014106891 A1 WO2014106891 A1 WO 2014106891A1
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WO
WIPO (PCT)
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resonator
housing
substrate
wireless communication
resonance
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2013/050010
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English (en)
French (fr)
Inventor
利宏 志村
洋二 大橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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Priority to JP2014555404A priority patent/JP6048513B2/ja
Publication of WO2014106891A1 publication Critical patent/WO2014106891A1/ja
Priority to US14/746,099 priority patent/US9620851B2/en
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Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/24—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set
    • H01Q1/241—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM
    • H01Q1/242—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use
    • H01Q1/243—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles with receiving set used in mobile communications, e.g. GSM specially adapted for hand-held use with built-in antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/48—Earthing means; Earth screens; Counterpoises
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    • H01Q13/10—Resonant slot antennas
    • H01Q13/106—Microstrip slot antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q7/00—Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q9/00—Electrically-short antennas having dimensions not more than twice the operating wavelength and consisting of conductive active radiating elements
    • H01Q9/04—Resonant antennas
    • H01Q9/0407—Substantially flat resonant element parallel to ground plane, e.g. patch antenna

Definitions

  • the present invention relates to a wireless communication device and an electronic device.
  • AV Analog Visual
  • a case case of an AV device provided with a first window frame for millimeter-wave communication, and the first window frame are attached to the first case.
  • an AV device including a first window that passes a millimeter wave signal see, for example, Patent Document 1.
  • This AV apparatus is provided in the housing case between the semiconductor chip with an antenna, which is located inside the first window and radiates a millimeter-wave signal, and between the first window and the semiconductor chip with an antenna. And a dielectric waveguide or a waveguide realized by a waveguide groove.
  • the millimeter wave signal radiated from the semiconductor chip with antenna is radiated to the outside through the waveguide and the first window.
  • the conventional AV device When performing conventional wireless communication with other AV devices, the conventional AV device radiates the millimeter wave signal radiated from the semiconductor chip with the antenna to the outside through the waveguide and the first window as described above. Therefore, the transmission efficiency of wireless communication was low.
  • an object is to provide a wireless communication device and an electronic device with good transmission efficiency.
  • a wireless communication apparatus includes a first housing having a first opening, a second housing that is disposed to face the first housing, and that is opened to face the first opening.
  • a first resonance having a second housing having an opening and a first resonator, the first resonator being disposed inside the first housing such that the first resonator faces outward from the first opening.
  • An apparatus and a second resonator, and the second resonator is disposed inside the second casing so as to face outward from the second opening and to face the first resonator.
  • a second resonance device is disposed inside the second casing so as to face outward from the second opening and to face the first resonator.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a wireless communication device 100 and an electronic device 500 according to a first embodiment.
  • 3 is a diagram showing a cross section of a waveguide of a resonance device of radio communication apparatus 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a resonance device 120A of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. It is a figure which shows the variation of the plane pattern of the 1st surface and the 2nd surface of 120 A of resonance apparatuses.
  • 6 is a diagram illustrating a resonance device 120A1 of a wireless communication device 100 according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A1 of the wireless communication device 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A2 of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A3 of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A4 of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A1 of the wireless communication device 100 according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A2 of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A3 of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A4 of the
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a structure of a substrate 140A4 of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. It is a figure which shows the cross-section of the radio
  • 6 is a diagram showing a wireless communication device 100 according to a modification of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a wireless communication device 200 and an electronic device 520 according to Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a plan view showing a resonator 121A and an attenuation unit 210A of a resonance device 220A of a wireless communication device 200A of Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a plan view illustrating an exemplary configuration of an attenuation unit 210A of a wireless communication device 200A according to Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a wireless communication device 300 and an electronic device 530 according to Embodiment 3.
  • FIG. 10 shows a wireless communication apparatus 300 according to a modification of the third embodiment.
  • 6 is a diagram illustrating a resonance device 320A of a wireless communication device 300 according to Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a resonance device 320A of a wireless communication device 300 according to Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a resonance device 320A of a wireless communication device 300 according to Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a resonance device 320A of a wireless communication device 300 according to Embodiment 3.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a resonance device 320A of a wireless communication device 300 according to Embodiment 3.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a wireless communication device 100 and an electronic device 500 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a cross section of the waveguide of the resonance device of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • the wireless communication device 100 includes wireless communication devices 100A and 100B.
  • the wireless communication device 100A includes a housing 110A and a resonance device 120A.
  • the wireless communication device 100B includes a housing 110B and a resonance device 120B.
  • the electronic device 500 of the first embodiment includes an electronic device 500A and an electronic device 500B.
  • the electronic device 500A includes a wireless communication device 100A, a substrate 130A, a substrate 140A, and a circuit device 150A.
  • the electronic device 500B includes a wireless communication device 100B, a substrate 130B, a substrate 140B, and a circuit device 150B.
  • substrate 140A are handled as a component of the electronic apparatus 500A here, the board
  • the substrate 130B and the substrate 140B are handled as components of the electronic device 500B, but the substrate 130B and the substrate 140B may be handled as components of the wireless communication device 100B. That is, the wireless communication device 100B may be handled as including the housing 110B, the resonance device 120B, the substrate 130B, and the substrate 140B.
  • the housings 110A and 110B are, for example, metal housings, and have wall portions 110A1 and 110B1, respectively.
  • the casings 110A and 110B are arranged side by side with the wall portions 110A1 and 110B1 being close to each other and substantially parallel to each other.
  • the housing 110A is an example of a first housing, and the housing 110B is an example of a second housing.
  • the wall portion 110A1 is an example of a first wall portion, and the wall portion 110B1 is an example of a second wall portion.
  • the housings 110A and 110B have openings 110A2 and 110B2 formed in the walls 110A1 and 110B1, respectively.
  • the opening 110A2 is an example of a first opening
  • the opening 110B2 is an example of a second opening.
  • FIG. 1 shows a state in which the waveguides 122A and 122B of the resonance devices 120A and 120B are fitted in the openings 110A2 and 110B2, respectively.
  • the openings 110A2 and 110B2 are rectangular openings in a plan view that matches the cross-sectional shape of the waveguides 122A and 122B.
  • FIG. 1 shows only the wall 110A1 in which the opening 110A2 is formed among the walls of the housing 110A.
  • the housing 110A includes the resonance device 120A, the substrates 130A and 140A, and the circuit device 150A. It is formed so as to surround (incorporate).
  • FIG. 1 shows only the wall 110B1 in which the opening 110B2 is formed among the walls of the housing 110B.
  • the housing 110B includes the resonance device 120B, the substrates 130B and 140B, and the circuit device 150B. Is formed so as to surround (internally).
  • the resonance devices 120A and 120B are fitted in the openings 110A2 and 110B2, respectively.
  • the resonance device 120A includes a resonance substrate 121A, a waveguide 122A, and a resonance substrate 123A.
  • the resonance device 120B includes a resonance substrate 121B, a waveguide 122B, and a resonance substrate 123B.
  • the resonance device 120A is an example of a first resonance device
  • the resonance device 120B is an example of a second resonance device.
  • the waveguide 122A is an example of a first waveguide
  • the waveguide 122B is an example of a second waveguide.
  • the resonance device 120A is fitted into the opening 110A2 so that the resonator 121A1 of the resonance substrate 121A faces the outside of the housing 110A from the opening 110A2. Since the waveguide 122A of the resonance device 120A has a rectangular cross section, the opening 110A2 is opened in a rectangular shape in accordance with the cross-sectional shape of the waveguide 122A.
  • the resonator 121A1 is an example of a first resonator.
  • the radiation surface of the resonator 121A1 is located outside the housing 110A rather than the surface located inside the housing 110A of the wall 110A1. That is, the resonator 121A1 is disposed so that the radiation surface is located outside the housing 110A with respect to the inner wall surface 110A11 of the housing 110A.
  • the resonance device 120B is fitted into the opening 110B2 so that the resonator 121B1 of the resonance substrate 121B faces the outside of the housing 110B from the opening 110B2. Since the waveguide 122B of the resonance device 120B has a rectangular cross section, the opening 110B2 is opened in a rectangular shape in accordance with the cross-sectional shape of the waveguide 122B.
  • the resonator 121B1 is an example of a second resonator.
  • the radiation surface of the resonator 121B1 is located outside the housing 110B rather than the surface located inside the housing 110B of the wall portion 110B1.
  • the resonator 121B1 is disposed so that the radiation surface is positioned outside the housing 110B with respect to the inner wall surface 110B11 of the housing 110B1.
  • the resonant substrate 121A includes a resonator 121A1, a resonator 121A2, and an insulating layer 121A3.
  • the resonator 121A1 is formed on the surface of the insulating layer 121A3 opposite to the surface connected to the waveguide 122A, and the resonator 121A2 is formed on the surface of the insulating layer 121A3 connected to the waveguide 122A.
  • the resonators 121A1 and 121A2 are formed, for example, by patterning a copper foil attached to the front and back surfaces of the insulating layer 121A3.
  • the resonant substrate 121A transmits electromagnetic waves between the resonators 121A1 and 121A2.
  • the resonant substrate 121B includes a resonator 121B1, a resonator 121B2, and an insulating layer 121B3.
  • the resonator 121B1 is formed on the surface of the insulating layer 121B3 opposite to the surface connected to the waveguide 122B, and the resonator 121B2 is formed on the surface connected to the waveguide 122B of the insulating layer 121B3.
  • the resonators 121B1 and 121B2 are formed, for example, by patterning a copper foil attached to the front and back surfaces of the insulating layer 121B3.
  • the resonant substrate 121B transmits electromagnetic waves between the resonators 121B1 and 121B2.
  • the waveguides 122A and 122B are constructed of, for example, a metal film molded into a rectangular tube having a cross section as shown in FIG. Or, for example, as shown in FIGS. 2 (B), (C), (D), and (E), the waveguide has an octagonal shape in which the four corners of the outside or inside of the rectangular tube are deformed to 45 degrees obliquely. It is also possible to use a rectangular tube whose outer or inner four corners are deformed into an arc shape. Such a rounded shape makes it easier to form or fit into the housing opening.
  • the metal film for example, a copper foil or a metal foil made of aluminum can be used.
  • a metal layer may be formed on the inner surface of a rectangular tubular or deformed rectangular resin member.
  • a hollow waveguide shape having only a metal layer without an internal resin may be used.
  • the metal layer may be a metal layer made of copper or aluminum, for example.
  • the waveguide 122A is connected to the metal layers of the resonator 121A2 and the resonator 123A2, and is held at the same potential as the metal layers of the resonator 121A2 and the resonator 123A2.
  • the waveguide 122B is connected to the metal layers of the resonator 121B2 and the resonator 123B2, and is held at the same potential as the metal layers of the resonator 121B2 and the resonator 123B2.
  • the detailed configuration will be described later with reference to FIG.
  • One end (the lower end in FIG. 1) of the waveguide 122A is connected to the resonator 121A2 of the resonance substrate 121A, and the other end (the upper terminal in FIG. 1) is the resonance of the resonance substrate 123A. Connected to the device 123A2.
  • the waveguide 122A forms a waveguide between the resonator 121A2 and the resonator 123A2.
  • the cross section of the waveguide 122A parallel to the resonance substrates 121A and 123A is rectangular.
  • the waveguide 122A transmits electromagnetic waves between the resonant substrates 121A and 123A.
  • one end (the upper end in FIG. 1) of the waveguide 122B is connected to the resonator 121B2 of the resonant substrate 121B, and the other end (the lower terminal in FIG. 1) is connected to the resonant substrate. It is connected to the 123B resonator 123B2.
  • the waveguide 122B forms a waveguide between the resonator 121B2 and the resonator 123B2.
  • the cross section of the waveguide 122B parallel to the resonance substrates 121B and 123B is rectangular.
  • the waveguide 122B transmits electromagnetic waves between the resonant substrates 121B and 123B.
  • the resonant substrate 123A includes a resonator 123A1, a resonator 123A2, and an insulating layer 123A3.
  • the resonator 123A1 is formed on the surface of the insulating layer 123A3 opposite to the surface connected to the waveguide 122A, and the resonator 123A2 is formed on the surface of the insulating layer 123A3 connected to the waveguide 122A.
  • the resonator 123A1 is an example of a third resonator.
  • the resonators 123A1 and 123A2 are formed, for example, by patterning a copper foil attached to the front and back surfaces of the insulating layer 123A3.
  • the resonant substrate 123A transmits electromagnetic waves between the resonators 123A1 and 123A2.
  • the resonator 123A1 transmits electromagnetic waves to and from the resonator 141A of the substrate 140A.
  • the resonant substrate 123B includes a resonator 123B1, a resonator 123B2, and an insulating layer 123B3.
  • the resonator 123B1 is formed on the surface of the insulating layer 123B3 opposite to the surface connected to the waveguide 122B, and the resonator 123B2 is formed on the surface of the insulating layer 123B3 connected to the waveguide 122B.
  • the resonator 123B1 is an example of a fourth resonator.
  • the resonators 123B1 and 123B2 are formed, for example, by patterning a copper foil attached to the front and back surfaces of the insulating layer 123B3.
  • the resonant substrate 123B transmits electromagnetic waves between the resonators 123B1 and 123B2.
  • the resonator 123B1 transmits electromagnetic waves between the resonator 141B of the substrate 140B.
  • the substrates 130A and 130B are disposed inside the housings 110A and 110B, respectively, and the substrates 140A and 140B are mounted thereon.
  • the boards 130A and 130B are larger than the boards 140A and 140B, for example, printed boards (PCB: Printed Circuit Circuit Board) according to the FR-4 (Flame Retardant Type 4) standard, etc. It includes a plurality of wiring layers disposed on the back surface.
  • the boards 140A and 140B are mounted on the boards 130A and 130B in the housings 110A and 110B, respectively.
  • the boards 140A and 140B are printed boards conforming to the FR-4 standard, for example.
  • the substrate 140A includes a resonator 141A, wiring layers 142A and 143A, and an insulating layer 144A.
  • the resonator 141A and the wiring layers 142A and 143A are formed by patterning a copper foil attached to the front surface and the back surface of the insulating layer 144A.
  • the resonator 141A transmits electromagnetic waves to and from the resonator 123A1 of the resonance substrate 123A.
  • the wiring layers 142A and 143A are held at the ground potential.
  • a circuit device 150A is mounted on the wiring layer 142A via solder balls 151A.
  • the substrate 140A is connected to the substrate 130A via the wiring layer 143A.
  • the substrate 140B includes a resonator 141B, wiring layers 142B and 143B, and an insulating layer 144B.
  • the resonator 141B and the wiring layers 142B and 143B are formed by patterning a copper foil attached to the front surface and the back surface of the insulating layer 144B.
  • the resonator 141B transmits electromagnetic waves to and from the resonator 123B1 of the resonance substrate 123B.
  • the wiring layers 142B and 143B are held at the ground potential.
  • the circuit device 150B is mounted on the wiring layer 142B via the solder balls 151B.
  • the substrate 140B is connected to the substrate 130B through the wiring layer 143B.
  • the circuit devices 150A and 150B are flip-chip mounted on the substrates 140A and 140B by being connected to the substrates 140A and 140B via the solder balls 151A and 151B and being fixed by the underfill materials 152A and 152B, respectively.
  • the circuit devices 150A and 150B are connected to the resonators 141A and 141B via the transmission paths of the substrates 140A and 140B, respectively.
  • the circuit devices 150A and 150B are, for example, a transceiver for wireless communication, a transceiver such as a video signal, or an arithmetic processing device that performs predetermined arithmetic processing, and the signals radiated from the resonance devices 120A and 120B, respectively. Output.
  • signals can be transmitted and received between the resonator 121A1 of the wireless communication device 100A and the circuit device 150A of the electronic device 500A including the wireless communication device 100A.
  • signals can be transmitted and received between the resonator 121B1 of the wireless communication device 100B and the circuit device 150B of the electronic device 500B including the wireless communication device 100B.
  • the circuit device 150A and Signals can be transmitted to and received from 150B.
  • the resonance device 120A included in the wireless communication device 100 of the first embodiment will be described with reference to FIG. 3 and FIG. Since the resonance devices 120A and 120B shown in FIG. 1 have the same configuration, the resonance device 120A will be described here.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating the resonance device 120A of the wireless communication device 100 according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing variations of the planar pattern of the first surface and the second surface of the resonance device 120A.
  • the resonance device 120A shown in FIG. 3 is the same as the resonance device 120A shown in FIG.
  • the resonance device 120A includes a resonance substrate 121A, a waveguide 122A, and a resonance substrate 123A.
  • the first surface is a surface opposite to the surface to which the waveguide 122A of the resonance substrate 121A is connected, and a surface opposite to the surface to which the waveguide 122A of the resonance substrate 123A is connected.
  • the resonator 121A1 is formed on the first surface
  • the resonator 123A1 is formed on the first surface.
  • the second surface represents a surface to which the waveguide 122A of the resonance substrate 121A is connected and a surface to which the waveguide 122A of the resonance substrate 123A is connected. That is, in the resonant substrate 121A shown in FIG. 3, the resonator 121A2 is formed on the second surface, and in the resonant substrate 123A shown in FIG. 3, the resonator 123A2 is formed on the second surface. Become.
  • 4A to 4E show variations of the planar patterns of the first and second surfaces of the resonant substrates 121A and 123A.
  • the insulating layer 180C shown in FIGS. 4A to 4E corresponds to the insulating layer 121A3 of the resonant substrate 121A or the insulating layer 123A3 of the resonant substrate 123A.
  • the first surface shown in the upper stage represents a planar pattern of the first surfaces of the resonance substrates 121A and 123A
  • the second surface shown in the lower stage represents the first surfaces of the resonance substrates 121A and 123A. Represents a single plane pattern.
  • FIGS. 4A to 4E the metal film is shown in white and the insulator is shown in gray.
  • the first surface may be provided with a resonator in which a rectangular metal patch 180A in a plan view is formed on one surface of an octagonal insulating layer 180C in a plan view.
  • the second surface may be a resonator in which a pair of slots 180B are formed in a metal layer 180D formed on the entire other surface of the insulating layer 180C.
  • the slot 180B on the second surface is a pair of elongated holes formed in the metal layer 180D formed on the entire surface of the insulating layer 180C, and is a portion where the metal layer 180D is not formed.
  • the interval between the pair of slots 180B is set to a half length ( ⁇ / 2) of the wavelength ⁇ at the communication frequency.
  • the length of the slot 180B in the longitudinal direction is preferably different from the half length ( ⁇ / 2) of the wavelength ⁇ at the communication frequency.
  • the width of each of the pair of slots 180B may be set to an appropriate width according to the radiation characteristics of the resonators 121A2 and 123A2.
  • the length of the side in the vertical direction of the metal patch 180A on the first surface in the drawing may be set to a length ( ⁇ / 2) that is half the wavelength ⁇ at the communication frequency, for example.
  • the length of the side in the vertical direction of the metal patch 180A on the first surface in the drawing is a length corresponding to the interval between the slots 180B on the second surface.
  • the length of the side in the figure of the metal patch 180A on the first surface may be different from the half length ( ⁇ / 2) of the wavelength ⁇ at the communication frequency.
  • center point of the metal patch 180A in plan view and the center point of the pair of slots 180B in plan view coincide.
  • the resonator 121A1 of the resonance substrate 121A or the resonator 123A1 of the resonance substrate 123A is a resonance in which the metal patch 180A is formed on the insulating layer 180C as shown in the first surface of FIG. It may be a vessel.
  • the resonator 121A2 of the resonance substrate 121A or the resonator 123A2 of the resonance substrate 123A has a slot 180B in the metal layer 180D formed on the entire surface of the insulating layer 180C, as shown on the second surface of FIG. It may be a resonator in which is formed.
  • the metal layer 180D may be handled as a ground element.
  • one end (upper end in FIG. 1) and the other end (lower end in FIG. 1) of the waveguide 122A are both connected to the metal layer 180D.
  • a metal layer may not be formed on the first surface.
  • the first surface is covered with the insulating layer 180C, and there is no resonator on the first surface.
  • the second surface may be a resonator in which a pair of slots 180B are formed in a metal layer 180D formed on the entire other surface of the insulating layer 180C, as in FIG.
  • the insulating layer 180C may be formed on one surface as shown in the first surface of FIG.
  • the first surface of the resonance substrate 123A may not be provided with the resonator 123A1, and the insulating layer 180C may be formed over the entire surface as shown in the first surface of FIG.
  • the resonator 121A2 of the resonance substrate 121A or the resonator 123A2 of the resonance substrate 123A has a slot 180B in the metal layer 180D formed on the entire surface of the insulating layer 180C, as shown in the second surface of FIG. It may be a resonator in which is formed.
  • one end (upper end in FIG. 1) and the other end (lower end in FIG. 1) of the waveguide 122A are both connected to the metal layer 180D.
  • the resonance substrate 121A is separated from the resonance substrate 123A by the resonator 121A2 on the second surface. Electromagnetic waves will be transmitted.
  • the resonance substrate 123A when there is no resonator on the first surface of the resonance substrate 123A, the resonance substrate 123A is separated from the resonance substrate 121A by the resonator 123A2 on the second surface. Will transmit electromagnetic waves.
  • a metal layer may not be formed on the first surface.
  • the first surface is covered with the insulating layer 180C as in FIG. 4B, and there is no resonator on the first surface.
  • the second surface may be a resonator formed by surrounding the metal patch 180E formed on the other surface of the insulating layer 180C with a ground element 180F.
  • the metal patch 180E on the second surface is a rectangular metal patch formed in the center of the other surface of the insulating layer 180C in plan view, and is the same as the metal patch 180A shown on the first surface in FIG. Has a shape.
  • the ground element 180F is formed around the metal patch 180E on the other surface of the insulating layer 180C, and has an opening 180F1 concentric with the metal patch 180E.
  • the ground element 180F may be held at a ground potential, a predetermined reference potential, or an arbitrary potential of a floating potential.
  • the metal patch 180E on the second surface has, for example, one of the length of the side in the vertical direction in the figure and the length of the side in the horizontal direction in the figure is half the wavelength ⁇ at the communication frequency. What is necessary is just to set to ((lambda) / 2). In this case, the length of one of the other sides is preferably different from the half length ( ⁇ / 2) of the wavelength ⁇ at the communication frequency.
  • center point of the metal patch 180E in plan view and the center point of the ground element 180F in plan view coincide with each other.
  • the gap where the metal patch 180E on the second surface and the insulating layer 180C of the ground element 180F are visible is preferably equal to the slot width in FIG.
  • the insulating layer 180C may be formed on one surface as shown in the first surface of FIG.
  • the first surface of the resonance substrate 123A may not be provided with the resonator 123A1, and the insulating layer 180C may be formed over the entire surface as shown in the first surface of FIG.
  • the resonator 121A2 of the resonant substrate 121A or the resonator 123A2 of the resonant substrate 123A has a metal patch 180E and a ground element on the other surface of the insulating layer 180C, as shown on the second surface of FIG.
  • positioned by concentric rectangular shape may be sufficient.
  • one end (upper end in FIG. 1) and the other end (lower end in FIG. 1) of the waveguide 122A are both connected to the ground element 180F.
  • the resonance substrate 121A transmits electromagnetic waves to and from the resonance substrate 123A by the resonator 121A2 on the second surface. Will do.
  • the resonance substrate 123A when there is no resonator on the first surface of the resonance substrate 123A, the resonance substrate 123A is separated from the resonance substrate 121A by the resonator 123A2 on the second surface. Electromagnetic waves will be transmitted.
  • the first surface is provided with a resonator in which a pair of elongated rectangular metal patches 180G are formed on one surface of an octagonal insulating layer 180C in plan view. May be.
  • the second surface may be a resonator in which a pair of slots 180B are formed in a metal layer 180D formed on the entire other surface of the insulating layer 180C.
  • the pair of metal patches 180G on the first surface is formed in a direction 90 degrees different from the slot 180B on the second surface in plan view. That is, the pair of metal patches 180G and the slot 180B are formed to be orthogonal to each other in plan view.
  • the length in the longitudinal direction of the pair of metal patches 180G may be set to a length ( ⁇ / 2) that is half the wavelength ⁇ at the communication frequency, for example.
  • the width of each of the pair of metal patches 180G may be set to an appropriate width according to the radiation characteristics of the resonators 121A1 and 123A1.
  • the slot 180B on the second surface is the same as the slot 180B shown in FIG.
  • the resonator 121A1 of the resonance substrate 121A or the resonator 123A1 of the resonance substrate 123A forms a pair of metal patches 180G on the insulating layer 180C as shown in the first surface of FIG. It may be a resonator.
  • the resonator 121A2 of the resonant substrate 121A or the resonator 123A2 of the resonant substrate 123A has a slot 180B in the metal layer 180D formed on the entire surface of the insulating layer 180C, as shown on the second surface of FIG. It may be a resonator in which is formed.
  • one end (upper end in FIG. 1) and the other end (lower end in FIG. 1) of the waveguide 122A are both connected to the ground element 180F.
  • a metal layer may not be formed on the first surface.
  • the first surface is covered with the insulating layer 180C in the same manner as in FIGS. 4B and 4C.
  • the second surface may be covered with the insulating layer 180C without forming a metal layer.
  • the thickness of the insulating layer 180C may be set to a length ( ⁇ / 2) that is half the wavelength ⁇ at the communication frequency.
  • the resonator 121A1 of the resonant substrate 121A or the resonator 123A1 of the resonant substrate 123A has a thickness that is half the wavelength ⁇ (see FIG. 4E).
  • a resonator in which an insulating layer 180C set to ⁇ / 2) is formed on one surface may be used.
  • the resonator 121A2 of the resonance substrate 121A or the resonator 123A2 of the resonance substrate 123A has a thickness ( ⁇ / 2) that is half the wavelength ⁇ , as shown on the second surface of FIG.
  • a resonator in which the insulating layer 180C set in (1) is formed on one surface may be used.
  • one end (upper end in FIG. 1) and the other end (lower end in FIG. 1) of the waveguide 122A are both connected to the insulating layer 180C.
  • the plane patterns of the first surface and the second surface of the resonance substrates 121A and 123A of the resonance device 120A of the wireless communication device 100 according to the first embodiment are, for example, as shown in (A) to (E) of FIG. A plane pattern as shown can be obtained.
  • the plane patterns of the first and second surfaces of the resonance substrates 121B and 123B of the resonance device 120B of the wireless communication apparatus 100 are the plane patterns of the first and second surfaces of the resonance substrates 121A and 123A of the resonance device 120A. The same can be done.
  • the plane patterns of the first and second surfaces of the resonance substrates 121A and 123A of the resonance device 120A and the plane patterns of the first and second surfaces of the resonance substrates 121B and 123B may be different from each other. .
  • the plane patterns of the first and second surfaces of the resonance substrates 121A and 123A of the resonance device 120A and the plane patterns of the first and second surfaces of the resonance substrates 121B and 123B are shown in FIG.
  • the resonator is not limited to the pattern shown in (E), and may be a resonator having another pattern.
  • first surface and the second surface of the resonance substrate 123A of the resonance device 120A shown in FIG. 3 can be changed, for example, by using vias as shown in FIG.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a resonance device 120A1 of the wireless communication device 100 according to the modification of the first embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing variations of the planar pattern of the first surface and the second surface of the resonance substrate 123A of the resonance device 120A1 shown in FIG.
  • the resonance device 120A1 shown in FIG. 5 includes a resonance substrate 121A, a waveguide 122A, and a resonance substrate 123A.
  • the resonance substrate 121A and the waveguide 122A shown in FIG. 5 are the same as the resonance substrate 121A and the waveguide 122A of the resonance device 120A shown in FIG. 3, respectively.
  • a resonant substrate 123A shown in FIG. 5 has a configuration in which a ground element 123A12 is added to the first surface of the resonant substrate 123A shown in FIG.
  • the resonator 123A1 includes a metal patch 123A11 and a ground element 123A12 formed around the metal patch 123A11 in plan view.
  • the resonator 123A2 includes a metal patch 123A21 and a ground element 123A22 formed around the metal patch 123A21 in plan view.
  • the ground element 123A22 of the resonator 123A2 is connected to the ground element 123A12 of the resonator 123A1 by a via 123A4.
  • the planar pattern of the first surface and the second surface of the resonant substrate 123A will be described with reference to FIG.
  • the insulating layer 180C shown in FIGS. 6A to 6C corresponds to the insulating layer 123A3 of the resonant substrate 123A.
  • the first surface shown in the upper part shows a planar pattern of the first surface of the resonance substrate 123A.
  • the second surface shown in the lower stage shows a planar pattern of the second surface of the resonance substrate 123A.
  • the metal film is shown in white and the insulator is shown in gray.
  • the first surface has a rectangular metal patch 190A1 in a plan view, an octagonal annular ground element 190A2 in a plan view, and one of an octagonal insulating layer 190C in a plan view.
  • a resonator formed on the surface may be provided.
  • the second surface may be a resonator in which a pair of slots 190B are formed in a metal layer 190D formed on the entire other surface of the insulating layer 190C.
  • ground element 190A2 on the first surface and the metal layer 190D on the second surface may be connected by the via 190G.
  • the length of the vertical side in the drawing of the metal patch 190A1 on the first surface may be set to, for example, a length ( ⁇ / 2) half of the wavelength ⁇ at the communication frequency. This is the same as the metal patch 180A shown in FIG.
  • the slot 190B on the second surface is a pair of elongated holes formed in the metal layer 190D formed on the entire surface of the insulating layer 190C, and is a portion where the metal layer 190D is not formed.
  • the length, interval, and width of the slot 190B are the same as the length, interval, and width of the slot 180B shown in FIG.
  • the resonator 123A1 of the resonance substrate 123A may be a resonator in which the metal patch 190A1 and the ground element 190A2 are formed on the insulating layer 190C as shown in the first surface of FIG. .
  • the resonator 123A2 of the resonance substrate 123A may be a resonator in which a slot 190B is formed in a metal layer 190D formed on the entire surface of the insulating layer 190C, as shown on the second surface in FIG. .
  • ground element 190A2 on the first surface and the metal layer 190D on the second surface may be connected by the via 190G.
  • one end (the upper end in FIG. 1) of the waveguide 122A is connected to the metal layer 190D.
  • the metal layer 190D may be handled as a ground element.
  • the octagonal annular ground element 190A2 in the plan view may be formed on one surface of the octagonal insulating layer 190C in the plan view on the first surface.
  • the planar pattern shown on the first surface in FIG. 6B is obtained by adding a ground element 190A2 to the planar pattern shown in FIG. For this reason, the resonator does not exist in the plane pattern shown on the first surface in FIG.
  • the second surface may be a resonator in which a pair of slots 190B are formed in a metal layer 190D formed on the entire other surface of the insulating layer 190C.
  • ground element 190A2 on the first surface and the metal layer 190D on the second surface may be connected by the via 190G.
  • the resonator 123A1 may have a configuration in which the metal patch 190A1 is removed from the first surface shown in FIG.
  • the ground element 190A2 is formed on the insulating layer 190C on the first surface of the resonance substrate 123A without providing the resonator 123A1, as shown in the first surface of FIG. 6B. Also good.
  • the resonator 123A2 of the resonance substrate 123A is a resonator in which a slot 190B is formed in a metal layer 190D formed on the other surface of the insulating layer 190C, as shown on the second surface of FIG. 6B. There may be.
  • the ground element 190A2 and the metal layer 190D may be connected by a via 190G.
  • the via 190G corresponds to the via 123A4 illustrated in FIG.
  • one end (the upper end in FIG. 1) of the waveguide 122A is connected to the metal layer 190D.
  • the metal layer 190D may be handled as a ground element.
  • the resonance substrate 123A when there is no resonator on the first surface of the resonance substrate 123A, the resonance substrate 123A is separated from the resonance substrate 121A by the resonator 123A2 on the second surface. Electromagnetic waves will be transmitted.
  • the second surface may be a resonator formed by surrounding a metal patch 190E formed on the other surface of the insulating layer 190C with a ground element 190F. .
  • the metal patch 190E on the second surface is a rectangular metal patch formed in the center of the other surface of the insulating layer 190C in a plan view, and is the same as the metal patch 180E shown on the second surface in FIG. Has a shape.
  • the ground element 190F is formed around the metal patch 190E on the other surface of the insulating layer 190C, and has an opening 190F1 concentric with the metal patch 190E.
  • the length of the side of the metal patch 190E on the second surface may be the same as the length of the side of the metal patch 180E shown in FIG.
  • one end (the upper end in FIG. 1) of the waveguide 122A is connected to the ground element 190F.
  • the first surface of the resonance substrate 123A is not provided with the resonator 123A1 and the ground element 190A2 is formed on the insulating layer 190C as shown in the first surface of FIG. Good.
  • a metal patch 190E and a ground element 190F are concentrically arranged on the other surface of the insulating layer 190C.
  • the resonator formed by this may be sufficient.
  • the ground element 190A2 and the ground element 190F may be connected by the via 190G.
  • the via 190G corresponds to the via 123A4 illustrated in FIG.
  • the resonance substrate 123A when there is no resonator on the first surface of the resonance substrate 123A, the resonance substrate 123A is separated from the resonance substrate 121A by the resonator 123A2 on the second surface. Electromagnetic waves will be transmitted.
  • the structure of the boards 140A and 140B of the wireless communication apparatus 100 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. Since the substrates 140A and 140B have the same configuration, the substrate 140A will be described here.
  • FIGS. 7 to 11 are diagrams illustrating the structures of the substrates 140A1 to 140A4 of the wireless communication apparatus 100 according to the first embodiment.
  • the substrate 140A shown in FIG. 1 may be any one of the substrates 140A1 to 140A4 shown in FIGS. 7 to 11, for example. 7 to 11, (A) is a plan view, and (B) is a view showing a cross section taken along arrows A1-A1 to A4-A4 in (A).
  • solder ball 151 and the underfill material 152A are omitted for easy understanding of the structure. 7 to 11, an XYZ coordinate system that is an orthogonal coordinate system is defined as shown. 7 to 11, the metal film is shown in white and the insulator is shown in gray.
  • the solder balls 151 may be metal bumps.
  • the substrate 140A1 includes a resonator 141A1, wiring layers 142A1, 143A1, an insulating layer 144A1, a via 145A1, a coplanar line (Coplanar wave guide (CPW)) 146A1, and a connection path 147A1.
  • CPW Coplanar wave guide
  • the resonator 141A1 is a rectangular metal patch in plan view, and a coplanar line 146A1 is connected to the center of the side on the negative side in the X-axis via a connection path 147A1.
  • the connection path 147A1 is a portion that penetrates into the metal patch of the rectangular resonator 141A1 in plan view.
  • the connection path 147A1 is formed for impedance matching between the coplanar line 146A1 and the resonator 141A1.
  • the resonator 141A1 is formed together with the coplanar line 146A1, the connection path 147A1, and the wiring layer 142A1, for example, by patterning a copper foil formed on the surface on the Z-axis positive direction side of the insulating layer 144A1.
  • the wiring layer 142A1 is held at the ground potential and functions as a ground element.
  • the wiring layer 142A1 surrounds the resonator 141A1 in a plan view on the surface on the Z-axis positive direction side of the insulating layer 144A1, and is formed along both sides of the coplanar line 146A1.
  • the wiring layer 142A1 is also formed in a portion located below the circuit device 150A. That is, the wiring layer 142A1 is formed so as to cover substantially the entire surface excluding the resonator 141A1 and the coplanar line 146A1. The wiring layer 142A1 is connected to the wiring layer 143A1 through the via 145A1. The wiring layers 142A1 and 143A1 are held at the ground potential.
  • the wiring layer 143A1 is formed on the entire surface of the insulating layer 144A1 on the Z axis negative direction side.
  • the wiring layer 143A1 is connected to the wiring layer 142A1 by the via 145A1, and is held at the ground potential.
  • the insulating layer 144A1 is, for example, an insulating layer in which glass fiber is impregnated with an epoxy resin when the substrate 140A1 is a printed circuit board conforming to the FR-4 standard.
  • the inner wiring layer of the insulating layer 144A1 is not shown, an inner wiring layer may be formed in the insulating layer 144A1.
  • the via 145A1 connects the wiring layers 142A1 and 143A1.
  • a large number of vias 145A1 are formed so as to connect the wiring layers 142A1 and 143A1 over the whole in a plan view.
  • the via 145A1 is formed around the rectangular resonator 141A1 in a plan view, on both sides of the coplanar line 146A1, on the lower side of the circuit device 150A, and so on.
  • the mark 145 indicates that the via 145A1 is formed to the ends of the wiring layer 142A1 on the Y axis positive direction side and the Y axis negative direction side.
  • the vias 145A1 are not formed in the regions indicated by the broken frame on the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the circuit device 150A because the terminals of the circuit device 150A are formed.
  • the pitch of the vias 145A1 formed in this manner is set so that, for example, the interval between adjacent vias 145A1 is less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the coplanar line 146A1 has an end on the X-axis positive direction side connected to the resonator 141A1, and an end on the X-axis negative direction side connected to a terminal of the circuit device 150A via the bump 151A1.
  • the coplanar line 146A1 is an example of a first transmission line.
  • the coplanar line formed on the substrate 140B similarly to the coplanar line 146A1 is an example of a second transmission line.
  • the coplanar line 146A1 is a transmission line having a characteristic impedance of 50 ⁇ , and is provided to suppress a decrease in signal transmission efficiency between the resonator 141A1 and the circuit device 150A.
  • the coplanar line 146A1 is formed on the central axis extending in the X-axis direction of the substrate 140A1, and for example, by patterning a copper foil formed on the surface on the Z-axis positive direction side of the insulating layer 144A1, the resonator 141A1 and wiring layer 142A1 are formed.
  • the coplanar line 146A1 exists in a section where the wiring layer 142A1 exists on the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side in the X-axis direction.
  • the end portion on the X axis positive direction side of the coplanar line 146A1 is connected to the resonator 141A1 through the connection path 147A1.
  • connection path 147A1 is a portion that penetrates into the metal patch of the rectangular resonator 141A1 in plan view.
  • the connection path 147A1 is formed for impedance matching between the coplanar line 146A1 and the resonator 141A1.
  • the connection path 147A1 can be regarded as a part of the resonator 141A1.
  • the transmission path realized by the coplanar line 146A1 is formed between the resonator 141A1 and the circuit device 150A.
  • a signal input to the resonator 141A1 is transmitted to the circuit device 150A via the connection path 147A1 and the coplanar line 146A1.
  • FIG. 8 (B) is a cross-sectional view taken along the line A2-A2 of (A).
  • the cross section taken along the line A2-A2 is a cross section on the central axis extending in the X-axis direction of the substrate 140A2 shown in FIG.
  • the substrate 140A2 includes a resonator 141A2, wiring layers 142A21, 142A22, 143A2, an insulating layer 144A2, vias 145A21, 145A22, a coplanar line 146A21, a microstrip line 146A22, a coplanar line 146A23, and a connection path 147A2.
  • a resonator 141A2 wiring layers 142A21, 142A22, 143A2, an insulating layer 144A2, vias 145A21, 145A22, a coplanar line 146A21, a microstrip line 146A22, a coplanar line 146A23, and a connection path 147A2.
  • the coplanar line 146A21, the microstrip line 146A22, and the coplanar line 146A23 are examples of the first transmission path.
  • a coplanar line, a microstrip line, and a coplanar line formed on the substrate 140B are examples of the second transmission path.
  • the resonator 141A2 is a rectangular metal patch in a plan view, and a coplanar line 146A23 is connected to the center of the side on the X axis negative direction side via a connection path 147A2.
  • the connection path 147A2 is a portion that penetrates into the metal patch of the rectangular resonator 141A2 in plan view.
  • the connection path 147A2 is formed for impedance matching between the coplanar line 146A23 and the resonator 141A2.
  • the resonator 141A2 is formed by, for example, patterning a copper foil formed on the surface of the insulating layer 144A2 on the positive side in the Z-axis so that the coplanar line 146A21, the microstrip line 146A22, the coplanar line 146A23, the connection path 147A2, and the wiring layer 142A21 and 142A22 are formed.
  • the wiring layer 142A21 is formed on the lower side of the circuit device 150A, the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the circuit device 150A, and the X-axis positive direction side of the circuit device 150A.
  • the wiring layer 142A21 is connected to the wiring layer 143A2 through the via 145A21.
  • the wiring layers 142A21 and 143A2 are held at the ground potential.
  • the wiring layer 142A22 is held at the ground potential and functions as a ground element.
  • the wiring layer 142A22 is separated from the wiring layer 142A21.
  • the wiring layer 142A22 is not formed in the section where the microstrip line 146A22 is formed in the X-axis direction.
  • the wiring layer 142A22 surrounds the resonator 141A2 in plan view on the surface on the Z-axis positive direction side of the insulating layer 144A2, and is formed along both sides of the coplanar line 146A23.
  • the wiring layer 142A22 is connected to the wiring layer 143A2 through the via 145A22.
  • the wiring layer 143A2 is formed on the entire surface of the insulating layer 144A2 on the Z axis negative direction side.
  • the wiring layer 143A2 is connected to the wiring layer 142A21 by the via 145A21 and is connected to the wiring layer 142A22 by the via 145A22, and is held at the ground potential.
  • the insulating layer 144A2 is, for example, an insulating layer obtained by impregnating glass fiber with an epoxy resin when the substrate 140A2 is a printed circuit board conforming to the FR-4 standard.
  • an inner wiring layer of the insulating layer 144A2 is not shown, but an inner wiring layer may be formed in the insulating layer 144A2.
  • the via 145A21 connects the wiring layer 142A21 and the wiring layer 143A2.
  • the via 145A21 connects the wiring layers 142A21 and 143A2 even on the lower side of the circuit device 150A.
  • a number of vias 145A21 are formed so as to connect the wiring layer 142A21 and the wiring layer 143A2 over the whole in a plan view.
  • the vias 145A21 are not formed in the regions indicated by the broken frame on the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the circuit device 150A because the terminals of the circuit device 150A are formed.
  • the pitch of the vias 145A21 formed in this way is set so that, for example, the interval between adjacent vias 145A21 is less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the via 145A22 is formed between the wiring layer 142A22 and the wiring layer 143A2, so that the via 145A22 is formed around the rectangular resonator 141A2 in plan view and on both sides of the coplanar line 146A23.
  • the pitch of the vias 145A22 formed in this way is set so that, for example, the interval between adjacent vias 145A22 is less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the end of the X-axis positive direction side of the coplanar line 146A21 is connected to the microstrip line 146A22, and the end of the X-axis negative direction side is connected to the terminal of the circuit device 150A via the bump 151A2.
  • the coplanar line 146A21 is a transmission line having a characteristic impedance of 50 ⁇ , and is provided to suppress a decrease in signal transmission efficiency between the microstrip line 146A22 and the circuit device 150A.
  • the coplanar line 146A21 is formed on the central axis extending in the X-axis direction of the substrate 140A2.
  • the coplanar line 126A21 is formed by, for example, patterning a copper foil formed on the surface on the Z-axis positive direction side of the insulating layer 144A2, thereby microstrip line 146A22, coplanar line 146A23, connection path 147A2, resonator 141A2, and wiring layer 142A21 and 142A22 are formed.
  • the coplanar line 146A21 is sandwiched between the Y axis positive direction side and the Y axis negative direction side by the wiring layer 142A21.
  • the end of the X-axis negative direction side of the microstrip line 146A22 is connected to the coplanar line 146A21, and the end of the X-axis positive direction side is connected to the coplanar line 146A23.
  • the microstrip line 146A22 is a transmission line having a characteristic impedance of 50 ⁇ , and is provided to suppress a decrease in signal transmission efficiency between the coplanar line 146A21 and the coplanar line 146A23.
  • the coplanar line 146A23 has an end on the X-axis positive direction side connected to the resonator 141A2 via the connection path 147A2, and an end on the X-axis negative direction side connected to the microstrip line 146A22.
  • the coplanar line 146A23 is a transmission line having a characteristic impedance of 50 ⁇ , and is provided to suppress a decrease in signal transmission efficiency between the resonator 141A2 and the microstrip line 146A22.
  • the coplanar line 146A23 is formed on the central axis extending in the X-axis direction of the substrate 140A2.
  • the coplanar line 146A23 is formed by patterning a copper foil formed on the surface on the positive side of the Z-axis of the insulating layer 144A2, thereby coplanar line 146A21, microstrip line 146A22, connection path 147A2, resonator 141A2, and wiring layer 142A21 and 142A22 are formed.
  • the coplanar line 146A23 exists in a section where the wiring layer 142A2 exists on the Y axis positive direction side and the Y axis negative direction side in the X axis direction.
  • the end portion on the X axis positive direction side of the coplanar line 146A23 is connected to the resonator 141A2 via the connection path 147A2.
  • connection path 147A2 is a portion that penetrates into the metal patch of the rectangular resonator 141A2 in plan view.
  • the connection path 147A2 is formed for impedance matching between the coplanar line 146A23 and the resonator 141A2.
  • the connection path 147A2 can be regarded as a part of the resonator 141A2.
  • the transmission path realized by the coplanar line 146A21, the microstrip line 146A22, and the coplanar line 146A23 is formed between the resonator 141A2 and the circuit device 150A.
  • a signal output from the circuit device 150A via the bump 151A2 is transmitted to the resonator 141A2 via the coplanar line 146A21, the microstrip line 146A22, the coplanar line 146A23, and the connection path 147A2.
  • the signal input to the resonator 141A2 is transmitted to the circuit device 150A via the connection path 147A2, the coplanar line 146A23, the microstrip line 146A22, and the coplanar line 146A21.
  • FIG. 9 shows a cross section taken along line A3-A3 of (A).
  • the cross section taken along the line A3-A3 is a cross section on the central axis extending in the X-axis direction of the substrate 140A3 shown in FIG.
  • the substrate 140A3 includes a resonator 141A3, wiring layers 142A3 and 143A3, an insulating layer 144A3, a via 145A3, a coplanar line 146A31, a microstrip line 146A32, and a connection path 147A3.
  • the coplanar line 146A31 and the microstrip line 146A32 are examples of the first transmission line.
  • a coplanar line and a microstrip line formed on the substrate 140B are examples of the second transmission path.
  • a substrate 140A3 shown in FIG. 9 has a configuration in which the wiring layer 142A22 and the via 145A22 are removed from the substrate 140A2 shown in FIG.
  • the resonator 141A3 is a rectangular metal patch in plan view, and a microstrip line 146A32 is connected to the center of the side on the negative side in the X-axis via a connection path 147A3.
  • the connection path 147A3 is a portion that penetrates into the metal patch of the rectangular resonator 141A3 in plan view.
  • the connection path 147A3 is formed for impedance matching between the microstrip line 146A32 and the resonator 141A3.
  • the resonator 141A3 is formed together with the coplanar line 146A31, the microstrip line 146A32, the connection path 147A3, and the wiring layer 142A3, for example, by patterning a copper foil formed on the surface on the positive side in the Z-axis direction of the insulating layer 144A3.
  • the wiring layer 142A3 is provided under the circuit device 150A, the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the circuit device 150A, and the X-axis positive direction side of the circuit device 150A. And formed.
  • the wiring layer 142A3 is connected to the wiring layer 143A3 through the via 145A3.
  • the wiring layers 142A3 and 143A3 are held at the ground potential.
  • the wiring layer 143A3 is formed on the entire surface of the insulating layer 144A3 on the Z-axis negative direction side, like the wiring layer 143A2 shown in FIG.
  • the wiring layer 143A3 is connected to the wiring layer 142A3 through the via 145A3 and is held at the ground potential.
  • the insulating layer 144A3 is, for example, an insulating layer obtained by impregnating glass fiber with an epoxy resin when the substrate 140A3 is a printed circuit board conforming to the FR-4 standard.
  • an inner wiring layer of the insulating layer 144A3 is not shown, but an inner wiring layer may be formed in the insulating layer 144A3.
  • the via 145A3 connects the wiring layer 142A3 and the wiring layer 143A3 in the same manner as the via 145A2 shown in FIG.
  • the via 145A3 connects the wiring layers 142A3 and 143A3 even on the lower side of the circuit device 150A.
  • a large number of vias 145A3 are formed so as to connect the wiring layer 142A3 and the wiring layer 143A3 over the whole in a plan view.
  • the vias 145A3 are not formed in the regions indicated by the dashed frames on the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the circuit device 150A because the terminals of the circuit device 150A are formed.
  • the pitch of the vias 145A3 formed in this manner is set so that, for example, the interval between adjacent vias 145A3 is less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the coplanar line 146A31 is connected to the microstrip line 146A32 at the end on the X-axis positive direction side, and the end on the negative X-axis side via the bump 151A3. It is connected to the terminal 150A.
  • the coplanar line 146A31 is a transmission line having a characteristic impedance of 50 ⁇ , and is provided to suppress a decrease in signal transmission efficiency between the microstrip line 146A32 and the circuit device 150A.
  • the coplanar line 146A31 is formed on the central axis extending in the X-axis direction of the substrate 140A3.
  • the coplanar line 126A21 is formed together with the microstrip line 146A32, the connection path 147A3, the resonator 141A3, and the wiring layer 142A3, for example, by patterning a copper foil formed on the surface on the positive side in the Z-axis direction of the insulating layer 144A3.
  • the coplanar line 146A31 is sandwiched between the Y axis positive direction side and the Y axis negative direction side by the wiring layer 142A3.
  • the end of the X-strip negative direction side of the microstrip line 146A32 is connected to the coplanar line 146A31, and the end of the X-axis positive direction is connected to the connection path 147A3.
  • the microstrip line 146A32 is a transmission line having a characteristic impedance of 50 ⁇ , and is provided to suppress a decrease in signal transmission efficiency between the coplanar line 146A31 and the connection line 147A3.
  • connection path 147A3 is a portion that penetrates into the metal patch of the rectangular resonator 141A3 in plan view.
  • the connection path 147A3 is formed for impedance matching between the microstrip line 146A32 and the resonator 141A3.
  • the connection path 147A3 can be regarded as a part of the resonator 141A3.
  • the transmission path realized by the coplanar line 146A31 and the microstrip line 146A32 is formed between the resonator 141A3 and the circuit device 150A.
  • a signal output from the circuit device 150A via the bump 151A3 is transmitted to the resonator 141A3 through the coplanar line 146A31, the microstrip line 146A32, and the connection path 147A3.
  • the signal input to the resonator 141A3 is transmitted to the circuit device 150A via the connection path 147A3, the microstrip line 146A32, and the coplanar line 146A31.
  • the substrate 140A4 includes a resonator 141A4, wiring layers 142A4 and 143A4, an insulating layer 144A4, vias 145A41 and 145A42, and a pad 146A4.
  • FIG. 11 shows the substrate 140A4 in a state where the circuit device 150A shown in FIG. 10 is removed.
  • the resonator 141A4 has a pair of slots formed in the wiring layer 142A4.
  • the pair of slots of the resonator 141A4 extends in the Y-axis direction and is spaced apart in the X-axis direction.
  • the length in the Y-axis direction of the pair of slots of the resonator 141A4 is set to an appropriate width in accordance with the radiation characteristics, and the distance between the pair of slots is set to the half length ( ⁇ / 2) is preferable.
  • the width of each of the pair of slots of the resonator 141A4 may be set to an appropriate width in accordance with the radiation characteristics of the resonator 141A4, and is preferably narrower than the thickness of the insulating layer 144A.
  • the resonator 141A4 is formed together with the wiring layer 142A4 and the pad 146A4, for example, by patterning a copper foil formed on the surface on the positive side in the Z-axis direction of the insulating layer 144A4.
  • the wiring layer 142A4 is held at the ground potential.
  • the wiring layer 142A4 is formed on the surface of the insulating layer 144A4 on the positive side in the Z-axis direction, excluding the pair of slots of the resonator 141A4 and the pad 146A4.
  • the wiring layer 142A4 is connected to the wiring layer 143A4 through the via 145A41.
  • the wiring layers 142A4 and 143A4 are held at the ground potential.
  • the wiring layer 142A4 is formed together with the resonator 141A4 and the pad 146A4 by patterning a copper foil formed on the surface on the positive side in the Z-axis direction of the insulating layer 144A4.
  • the wiring layer 143A4 is formed on the entire surface of the insulating layer 144A4 on the Z axis negative direction side.
  • the wiring layer 143A4 is connected to the wiring layer 142A4 through the via 145A41 and is held at the ground potential.
  • the wiring layer 143A4 is connected to the pad 146A4 by the via 145A42.
  • the insulating layer 144A4 is, for example, an insulating layer obtained by impregnating glass fiber with an epoxy resin when the substrate 140A4 is a printed circuit board conforming to the FR-4 standard.
  • an inner wiring layer of the insulating layer 144A4 is not shown, but an inner wiring layer may be formed in the insulating layer 144A4.
  • the via 145A41 connects the wiring layers 142A4 and 143A4.
  • a large number of vias 145A41 are formed so as to connect the wiring layers 142A4 and 143A4 over the whole in a plan view.
  • the via 145A41 is not formed between the resonator 141A4 and the pad 146A4.
  • a portion of the wiring layer 142A4 that is located between the resonator 141A4 and the pad 146A4 in plan view and is not connected to the via 145A41 is referred to as a waveguide portion 142A41.
  • the waveguide portion 142A41 and the corresponding portion of the wiring layer 143A4 constitute the waveguide 147A4.
  • the via 145A41 is formed on the entire surface of the wiring layer 142A4 in plan view, excluding the waveguide portion 142A41 and the area indicated by the broken-line frame on the Y-axis positive direction side and Y-axis negative direction side of the circuit device 150A. .
  • the "-" marks on the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side indicate that the via 145A41 is formed to the ends of the wiring layer 142A4 on the Y-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side. .
  • the vias 145A41 are not formed because the terminals of the circuit device 150A are formed.
  • the pitch of the vias 145A41 thus formed is set so that, for example, the interval between the adjacent vias 145A41 is less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the via 145A42 connects the pad 146A4 and the wiring layer 143A4.
  • the pad 146A4 is formed at a position corresponding to the position of the terminal of the circuit device 150A, and the end on the X axis negative direction side is connected to the terminal of the circuit device 150A by the bump 151A4.
  • the end of the pad 146A4 on the X axis positive direction side is connected to the wiring layer 143A4 by a via 145A42.
  • the pad 146A4 is a rectangular pad that is long in the X-axis direction and short in the Y-axis direction in plan view.
  • the pad 146A4 is surrounded on all sides by the wiring layer 142A4.
  • the pad 146A4 is formed together with the resonator 141A4 and the wiring layer 142A4 by patterning a copper foil formed on the surface of the insulating layer 144A4 on the Z axis positive direction side. Is done.
  • the via 145A42 and the pad 146A4 function as a resonator and radiate a signal transmitted from the circuit device 150A into the waveguide 147A4.
  • the waveguide 147A4 is located between the resonator 141A4 and the pad 146A4 in a plan view in the wiring layer 142A4, and the waveguide 142A41 that is a portion to which the via 145A41 is not connected, and the waveguide in the wiring layer 143A4. This is a transmission path constructed by a portion corresponding to 142A41.
  • the waveguide 147A4 is an example of a first transmission line.
  • the waveguide formed on the substrate 140B is an example of the second transmission path.
  • the waveguide 147A4 can transmit electromagnetic waves bidirectionally between the via 145A42 connected to the pad 146A4 and the resonator 141A4.
  • a signal output from the circuit device 150A through the bump 151A1 is transmitted by the waveguide 147A4 through the pad 146A4 and the via 145A42.
  • the signal input to the resonator 141A4 is transmitted to the via 145A442 through the waveguide 247A4, and is transmitted to the circuit device 150A through the pad 146A4 and the bump 151A4.
  • the substrates 140A and 140B of the wireless communication device 100 are connected between the circuit device 150A and the resonator 141A by the transmission paths of the substrates 140A1 to 140A4 described with reference to FIGS.
  • the signal transmission is possible between the circuit device 150B and the resonator 141B.
  • a signal is transmitted between the resonator 121A1 and the circuit device 150A by transmitting a signal between the resonator 123A1 of the resonator 120A described with reference to FIGS. 3 and 4 and the resonator 141A. be able to.
  • a signal can be transmitted between the resonator 121B1 and the circuit device 150B by transmitting a signal between the resonator 123B1 of the resonance device 120B and the resonator 141B.
  • wireless communication is performed between the resonator 121A1 of the resonance device 120A and the resonator 121B1 of the resonance device 120B in a state where the wireless communication devices 100A and 100B are arranged close to each other.
  • signals can be transmitted and received between the circuit devices 150A and 150B.
  • the distance between the resonators 121A1 and 121B1 is set, for example, to a distance of about half ( ⁇ / 2) or one quarter ( ⁇ / 4) or less of the wavelength ( ⁇ ) at the communication frequency of wireless communication. do it. This is the distance given as a neighborhood solution.
  • the resonators 121A1 and 121B1 can be coupled, and efficient signal transmission can be performed between the resonators 121A and 121B. it can.
  • the wireless communication apparatus 100 when the wireless communication apparatus 100 according to the first embodiment performs data communication at a transmission rate of 1 Gbps, the communication frequency band is required to be about 1 GHz, and the carrier wave frequency is a millimeter wave band sufficiently higher than the communication frequency band.
  • the communication used is advantageous.
  • the distance between the resonators 121A1 and 121B1 is, for example, several millimeters to several tens of millimeters. This should be set to a degree.
  • the resonator 121A is located outside the wall 110A1 of the housing 110A
  • the resonator 121B is located outside the wall 110B1 of the housing 110B.
  • the electromagnetic wave (signal) radiated from the resonator 121A1 reaches the resonator 121B1 without being blocked by the surrounding structure or the like.
  • the electromagnetic wave (signal) radiated from the resonator 121B1 reaches the resonator 121A1 without being blocked by surrounding structures or the like.
  • electromagnetic waves are efficiently transmitted between the wireless communication device 100A having the resonator 121A1 and the wireless communication device 100B having the resonator 121B1. It can be carried out.
  • the wireless communication apparatus 100 it is possible to provide the wireless communication apparatus 100 with good transmission efficiency. Further, according to Embodiment 1, it is possible to provide radio communication apparatuses 100A and 100B with good transmission efficiency.
  • FIG. 12 is a diagram showing a cross-sectional structure of the wireless communication device 10 of the comparative example.
  • the wireless communication device 10 of the comparative example includes housings 11A and 11B, substrates 12A and 12B, antenna modules 13A1, 13A2, 13B1, and 13B2, and modules 14A1 to 14A4 and 14B1 to 14B4.
  • the wireless communication device 10 of the comparative example does not perform wireless communication between the casings 110A and 110B by the resonators 121A1 and 123A1 and the like as in the wireless communication device 100 of the first embodiment, but the antenna modules 13A1 and 13A2 , 13B1 and 13B2 are used to perform wireless communication between the casings 11A and 11B.
  • the casings 11A and 11B are, for example, metal casings, and have openings 11A1, 11A2, 11B1, and 11B2, respectively.
  • the casings 11A and 11B are arranged close to each other in parallel.
  • Boards 12A and 12B are disposed inside the casings 11A and 11B, respectively.
  • the boards 12A and 12B are, for example, printed boards (PCB: Printed Circuit Circuit Board) conforming to the FR-4 (Flame Retardant Type 4) standard, and have a plurality of wiring layers disposed on the front surface, the inner layer, and the back surface. Including.
  • PCB printed Circuit Circuit Board
  • FR-4 Freme Retardant Type 4
  • the antenna modules 13A1 and 13A2 include at least an antenna and are mounted on the substrate 12A to emit or receive electromagnetic waves.
  • the antenna modules 13B1 and 13B2 have at least antennas mounted on the substrate 12B, and emit or receive electromagnetic waves.
  • the antenna modules 13A1, 13A2, 13B1, and 13B2 are patch antennas, for example, and radiate electromagnetic waves radially from the radiation surface.
  • the antenna modules 13A1, 13A2, 13B1, and 13B2 are referred to as antennas.
  • the modules 14A1 to 14A4 and 14B1 to 14B4 are, for example, circuit devices that generate communication signals and the like, and transmit signals to and from the antennas 13A1, 13A2, 13B1, and 13B2 via the boards 12A and 12B. Do.
  • the antenna 13A2 and the antenna 13B2 are arranged in the opening 11A2.
  • 11B2 can transmit and receive electromagnetic waves.
  • the wireless communication device 10 can perform wireless communication between the antenna 13A2 and the antenna 13B2.
  • the antenna 13A2 is offset to the inside of the housing 11A from the opening 11A2 of the housing 11A.
  • the antenna 13B2 is offset to the inside of the housing 11A from the opening 11A2 of the housing 11A.
  • the distance between the antennas 13A2 and 13B2 is not a short distance as given by the neighborhood solution, but is a longer distance, for example, about 10 times the wavelength.
  • the electromagnetic waves indicated by the arrows ⁇ 1 and ⁇ 2 are radiated from the antenna 13B2 through the opening 11B2 to the outside of the housing 11B, but do not pass through the opening 11A2 of the housing 11A, and the housings 11A and 11B. Propagates horizontally between them.
  • electromagnetic waves indicated by arrows ⁇ 3 and ⁇ 4 are radiated from the antenna 13B2 and propagate through the inside of the housing 11B without passing through the opening 11B2.
  • the reflected wave of the electromagnetic wave indicated by the arrow ⁇ 4 is also generated as indicated by the dashed arrow. Since this reflected wave has a delay, it directly affects the direct wave ⁇ .
  • the wireless communication device 10 shown in FIG. 12 has a transmission efficiency higher than that of the wireless communication device 100 of Embodiment 1 (see FIG. 1). Not good.
  • FIG. 13 is a diagram showing a wireless communication apparatus 100 according to a modification of the first embodiment.
  • a recess 110A3 and a recess 110B3 are formed in the wall 110A1 of the housing 110A and the wall 110B1 of the housing 110B, respectively.
  • the recess 110A3 is an example of a first recess
  • the recess 110B3 is an example of a second recess.
  • the concave portions 110A3 and 110B3 are portions recessed from the wall portions 110A1 and 110B1 to the inside of the housings 110A and 110B, respectively.
  • the openings 110A2 and 110B2 are formed in the recesses 110A3 and 110B3.
  • the distance between the wall 110A1 of the housing 110A and the wall 110B1 of the housing 110B is very short, and a distance necessary for wireless communication cannot be secured between the resonator 121A1 and the resonator 121B1. Even in this case, a longer distance can be secured between the resonator 121A1 and the resonator 121B1 by providing the recesses 110A3 and 110B3.
  • the offset amount of the recesses 110A3 and 110B3 with respect to the wall portions 110A1 and 110B is the contact between the resonator 121A1 and the resonator 121B1.
  • the length may be set appropriately.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing wireless communication apparatus 200 and electronic apparatus 520 of the second embodiment.
  • the wireless communication device 200 according to the second embodiment is obtained by replacing the resonance devices 120A and 120B of the wireless communication device 100 according to the first embodiment with resonance devices 220A and 220B.
  • Resonance devices 220A and 220B have a configuration in which attenuation units 210A and 210B are added to resonance devices 120A and 120B of wireless communication device 100 of the first embodiment.
  • the electronic device 520 of the second embodiment is obtained by replacing the wireless communication device 100 included in the electronic device 500 of the first embodiment with the wireless communication device 200 of the second embodiment.
  • wireless communication device 200 includes wireless communication devices 200A and 200B
  • electronic device 520 includes electronic devices 520A and 520B.
  • FIG. 15 will be used in addition to FIG.
  • FIG. 15 is a plan view showing the resonator 121A and the attenuation unit 210A of the resonance device 220A of the wireless communication device 200A of the second embodiment.
  • the resonance device 220A includes an attenuation unit 210A, a resonance substrate 221A, a waveguide 122A, and a resonance substrate 123A.
  • the resonance device 220B includes an attenuation unit 210B, a resonance substrate 221B, a waveguide 122B, and a resonance substrate 123B.
  • the resonant substrate 221A includes a resonator 121A1, a resonator 221A2, and an insulating layer 221A3.
  • the insulating layer 221A3 is larger in plan view than the insulating layer 121A3 of the first embodiment.
  • the resonator 221A2 includes the ground element 221A21 connected to the waveguide 122A and the ground of the resonator 121A2 of the first embodiment. Larger than the element.
  • an attenuation portion 210A is formed around the resonator 121A1 of the insulating layer 221A3.
  • the attenuation unit 210A may be handled as a component of the resonance substrate 221A.
  • the resonant substrate 221B includes a resonator 121B1, a resonator 221B2, and an insulating layer 221B3.
  • the insulating layer 221B3 is larger in plan view than the insulating layer 121B3 of the first embodiment.
  • the resonator 221B2 includes a ground element 221B21 connected to the waveguide 122B, and the ground of the resonator 121B2 of the first embodiment. Larger than the element.
  • an attenuation portion 210B is formed around the resonator 121B1 of the insulating layer 221B3.
  • the attenuation unit 210B may be handled as a component of the resonance substrate 221B.
  • the attenuation part 210A is a rectangular annular member formed concentrically around the resonator 121A1 on one surface (the lower surface in FIG. 14) of the insulating layer 221A3.
  • the attenuating portion 210A is a member that attenuates electromagnetic waves and is formed so as to surround the four sides of the resonator 121A1.
  • the attenuation unit 210A is a member having an electrical resistance, for example.
  • the attenuation unit 210A is an example of a first attenuation unit.
  • the attenuator 210A attenuates or disappears a component propagating in a planar shape from the resonator 121A1 without reaching the resonator 121B1 facing the resonator 121A1 among the electromagnetic waves radiated from the resonator 121A1.
  • the attenuation unit 210A converts the electromagnetic wave propagating from the resonator 121A1 in the lateral direction (plane direction) into thermal energy or the like with resistance, and attenuates or disappears.
  • the attenuating unit 210A only needs to attenuate the electromagnetic wave propagating from the resonator 121A1 in the lateral direction (plane direction) to a power level that does not cause an adverse effect on the surroundings without completely disappearing.
  • FIG. 16 is a plan view showing an exemplary configuration of the attenuation unit 210A of the wireless communication apparatus 200A of the second embodiment.
  • the attenuation part 210A includes, for example, a plurality of metal resonance pattern units 210A1 formed in a rectangular annular region around the resonator 121A1 on one surface (the lower surface in FIG. 14) of the insulating layer 221A3. It is.
  • the metal resonance pattern unit 210A1 is formed concentrically around the resonator 121A1 on one surface (the lower surface in FIG. 14) of the insulating layer 221A3, and the distance between the centers of each metal resonance pattern unit 210A1 is the same length. It is arranged periodically. A resonance pattern in which a metal layer is formed is arranged in the metal resonance pattern unit 210A1.
  • FIG. 16 shows 128 metal resonance pattern units 210A1.
  • the 128 metal resonance pad pattern units 210A1 are periodically patterned in a lattice shape as shown in FIG.
  • the resonators of the metal resonance pattern unit 210A1 are periodically arranged to function to attenuate and absorb electromagnetic waves in a desired frequency band, that is, in the wireless carrier frequency band.
  • a metal pattern periodically arranged to suppress transmission at a specific frequency is also called an EBG (Electromagnetic Band-Gap) structure.
  • EBG Electromagnetic Band-Gap
  • Such a metal resonance pattern unit 210A1 is formed by, for example, lasing a rectangular annular metal layer formed concentrically around the resonator 121A1 on one surface (the lower surface in FIG. 14) of the insulating layer 221A3 by laser processing or the like. It can form by dividing
  • the metal resonance pattern unit 210A1 is realized by, for example, copper foil or aluminum foil.
  • the metal resonance pattern unit 210A1 is made of copper foil, for example, etching or laser processing of a copper foil formed in a concentric rectangular shape around the resonator 121A1 on one surface (the lower surface in FIG. 14) of the insulating layer 221A3 It can be formed by patterning with the above.
  • This copper foil may be the same as the copper foil for forming the resonator 121A1.
  • the metal resonance pattern unit 210A1 is made of aluminum foil
  • the aluminum foil is deposited by vapor deposition or the like in a rectangular annular region around the resonator 121A1 on one surface (the lower surface in FIG. 14) of the insulating layer 221A3.
  • aluminum foil can be formed by patterning by laser processing or the like.
  • the attenuation unit 210A formed in the resonance device 220A has been described with reference to FIGS. 15 and 16, but the same applies to the attenuation unit 210B formed in the resonance device 220B.
  • the attenuation unit 210B is an example of a second attenuation unit.
  • the wireless communication device 200 of the second embodiment similar to the wireless communication device 100 of the first embodiment, the wireless communication device 200A having the resonator 121A1 and the wireless communication device 200B having the resonator 121B1 It is possible to efficiently transmit electromagnetic waves (signals).
  • the radio communication apparatus 200 As described above, according to the second embodiment, it is possible to provide the radio communication apparatus 200 with good transmission efficiency. Further, according to Embodiment 2, it is possible to provide radio communication apparatuses 200A and 200B with good transmission efficiency.
  • the electronic device 520 including the wireless communication device 200 (200A, 200B) with good transmission efficiency.
  • radio communication apparatus 200 of the second embodiment when electromagnetic waves propagate from between resonators 121A1 and 121B1 between housings 110A and 110B, attenuation units 210A and 210B. Can attenuate the electromagnetic wave.
  • the radio communication apparatus 200 it is possible to provide the radio communication apparatus 200 with good transmission efficiency and better communication performance.
  • the wall 110A1 of the housing 110A and the wall 110B1 of the housing 110B is about an integral multiple of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, the wall It is possible to suppress the occurrence of resonance between the portions 110A1 and 110B1.
  • the wireless communication device 200 with further improved communication performance by suppressing the occurrence of resonance between the wall portions 110A1 and 110B1.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing wireless communication apparatus 300 and electronic apparatus 530 according to Embodiment 3.
  • the wireless communication device 300 according to the third embodiment is obtained by replacing the resonance devices 120A and 120B and the substrates 140A and 140B of the wireless communication device 100 according to the first embodiment with the resonance devices 320A and 320B and the substrates 340A and 340B.
  • Resonance devices 320A and 320B are different from resonance devices 120A and 120B of the first embodiment in that they are mounted on substrates 340A and 340B, respectively.
  • the electronic device 530 of the third embodiment is obtained by replacing the wireless communication device 100 included in the electronic device 500 of the first embodiment with the wireless communication device 300 of the third embodiment.
  • the wireless communication device 300 includes wireless communication devices 300A and 300B.
  • the wireless communication device 300A includes a housing 310A and a resonance device 320A.
  • the wireless communication device 300B includes a housing 310B and a resonance device 320B.
  • the electronic device 530 of Embodiment 3 includes an electronic device 530A and an electronic device 530B.
  • the electronic device 530A includes a wireless communication device 300A, a substrate 130A, a substrate 340A, and a circuit device 150A.
  • the electronic device 530B includes a wireless communication device 300B, a substrate 130B, a substrate 340B, and a circuit device 150B.
  • substrate 340A are handled as a component of the electronic device 530A here, the board
  • the board 130B and the board 340B are handled as components of the electronic device 530B here, the board 130B and the board 340B may be handled as components of the wireless communication apparatus 300B. That is, the wireless communication device 300B may be handled as including the housing 310B, the resonance device 320B, the substrate 130B, and the substrate 340B.
  • the housings 310A and 310B are, for example, metal housings, and have wall portions 310A1 and 310B1, respectively.
  • the casings 310A and 310B are arranged side by side with the wall portions 310A1 and 310B1 in proximity to each other and in a substantially parallel state.
  • the housing 310A is an example of a first housing
  • the housing 310B is an example of a second housing.
  • the wall portion 310A1 is an example of a first wall portion
  • the wall portion 310B1 is an example of a second wall portion.
  • the casings 310A and 310B have openings 310A2 and 310B2 formed in the walls 310A1 and 310B1, respectively.
  • the opening 310A2 is an example of a first opening
  • the opening 310B2 is an example of a second opening.
  • the openings 310A2 and 310B2 are rectangular openings in plan view. From the opening 310A2, the resonator 321A2 of the resonance device 320A faces the outside of the housing 310A through the insulating layer 321A3. Further, from the opening 310B2, the resonator 321B2 of the resonance device 320B faces the outside of the housing 310B via the insulating layer 321B3.
  • the sizes of the openings of the openings 310A2 and 310B2 in plan view are equal to or larger than the sizes of the resonance substrates 321A and 321B of the resonance devices 320A and 320B, respectively.
  • the size of the openings 310A2 and 310B2 in plan view may be set as appropriate so as not to interfere with electromagnetic wave radiation of the resonant substrates 321A and 321B.
  • FIG. 17 shows only the wall portion 310A1 in which the opening 310A2 is formed among the wall portions of the housing 310A.
  • the housing 310A includes the resonance device 320A, the substrates 130A and 340A, and the circuit device 150A. It is formed so as to surround (incorporate).
  • FIG. 17 shows only the wall portion 310B1 in which the opening 310B2 is formed among the wall portions of the housing 310B.
  • the housing 310B includes the resonance device 320B, the substrates 130B and 340B, and the circuit device 150B. Is formed so as to surround (internally).
  • the resonance devices 320A and 320B are mounted on the substrates 340A and 340B, respectively.
  • the resonance device 320A includes a resonance substrate 321A and a waveguide 322A.
  • the resonance device 320B includes a resonance substrate 321B and a waveguide 322B.
  • the resonance device 320A is an example of a first resonance device, and the resonance device 320B is an example of a second resonance device.
  • the waveguide 322A is an example of a first waveguide, and the waveguide 322B is an example of a second waveguide.
  • the resonance device 320A is mounted on the substrate 140A so that the resonator 321A2 of the resonance substrate 321A faces the outside of the housing 310A from the opening 310A2.
  • the waveguide 322A of the resonance device 320A may have a rectangular cross section, or may have a cross-sectional shape corresponding to FIG.
  • the resonator 321A2 is an example of a first resonator.
  • the resonance device 320B is mounted on the substrate 140B so that the resonator 321B2 of the resonance substrate 321B faces the outside of the housing 310B from the opening 310B2.
  • the waveguide 322B of the resonance device 320B may have a rectangular cross section, or may have a cross sectional shape corresponding to FIG.
  • the resonator 321B2 is an example of a second resonator.
  • the resonant substrate 321A has a first surface 321A1, a resonator 321A2, and an insulating layer 321A3.
  • the first surface 321A1 is a surface opposite to the surface connected to the waveguide 322A of the insulating layer 321A3, and the resonator 321A2 is formed on the surface connected to the waveguide 322A of the insulating layer 321A3. Yes.
  • the first surface 321A1 is, for example, the same as the first surface in FIG. 4B, and the insulating layer 321A3 occupies the entire surface, and there is no resonator.
  • the resonator 321A2 is formed, for example, by patterning a copper foil attached to the front and back surfaces of the insulating layer 321A3.
  • the resonant substrate 321A transmits electromagnetic waves by the resonator 321A2.
  • the radiation surface of the resonator 321A2 is located outside the housing 310A inside the opening 310A2 than the surface located inside the housing 310A of the wall portion 310A1.
  • the resonator 321A2 is disposed so that the radiation surface is located outside the housing 310A with respect to the inner surface of the housing 310A.
  • the resonant substrate 321B has a first surface 321B1, a resonator 321B2, and an insulating layer 321B3.
  • the first surface 321B1 is a surface opposite to the surface connected to the waveguide 322B of the insulating layer 321B3, and the resonator 321B2 is formed on the surface connected to the waveguide 322B of the insulating layer 321B3. Yes.
  • the first surface 321B1 occupies the entire surface of the insulating layer 321B3 as in the first surface of FIG. 4B, and there is no resonator.
  • the resonator 321B2 is formed, for example, by patterning a copper foil attached to the front surface and the back surface of the insulating layer 321B3.
  • the resonant substrate 321B transmits electromagnetic waves by the resonator 321B2.
  • the radiation surface of the resonator 321B2 is located outside the housing 310B inside the opening 310B2 rather than the surface located inside the housing 310B of the wall portion 310B1.
  • the resonator 321B2 is disposed such that the radiation surface is located outside the housing 310B with respect to the inner surface of the housing 310B.
  • the waveguides 322A and 322B are constructed of, for example, a metal film molded into a rectangular tube, or, for example, (B), (C), (D), and (E) of FIG. A modified rectangular shape as shown in FIG.
  • the metal film for example, a copper foil or a metal foil made of aluminum can be used. Since the inner surfaces of the waveguides 322A and 322B only have to be covered with a metal layer, a metal layer may be formed on the inner surface of a rectangular tubular or deformed rectangular resin member. Alternatively, a hollow waveguide shape having only a metal layer without an internal resin may be used.
  • the metal layer may be a metal layer made of copper or aluminum, for example.
  • the waveguides 322A and 322B have a configuration in which end portions 322A1 and 322B1 are added to the waveguides 122A and 122B of the first embodiment, respectively.
  • Each of the end portions 322A1 and 322B1 is a rectangular annular metal layer, and has a rectangular opening in plan view.
  • the waveguide 322A One end (the lower end in FIG. 17) of the waveguide 322A is connected to the resonator 321A2 of the resonance substrate 321A, and the end 322A1 at the other end (the upper terminal in FIG. 17) is soldered.
  • the ball 351A is connected to the wiring layer 342A of the substrate 340A.
  • the solder ball 351A may be a metal bump.
  • a plurality of solder balls 351A are arranged along a rectangular annular cross section of the waveguide 322A in plan view.
  • the interval between the adjacent solder balls 351A is set to be less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the waveguide 322A forms a waveguide between the resonator 321A2 and the resonator 341A of the substrate 340A.
  • the cross section of the waveguide 322A parallel to the resonance substrate 321A is rectangular.
  • the waveguide 322A transmits electromagnetic waves between the resonant substrate 321A and the resonator 341A of the substrate 340A.
  • one end (the upper end in FIG. 17) of the waveguide 322B is connected to the resonator 321B2 of the resonance substrate 321B, and the end 322B1 at the other end (the lower terminal in FIG. 17).
  • the end 322B1 at the other end are connected to the wiring layer 342B of the substrate 340B by solder balls 351B.
  • a plurality of solder balls 351B are arranged along a rectangular annular cross section of the waveguide 322B in plan view.
  • the interval between the adjacent solder balls 351B is set to be less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the waveguide 322B forms a waveguide between the resonator 321B2 and the resonator 341B of the substrate 340B.
  • the cross section of the waveguide 322B parallel to the resonance substrate 321B is rectangular.
  • the waveguide 322B transmits electromagnetic waves between the resonant substrate 321B and the resonator 341B of the substrate 340B.
  • the substrates 130A and 130B are disposed inside the casings 310A and 310B, respectively, and the substrates 340A and 340B are mounted thereon.
  • the substrates 340A and 340B are mounted on the substrates 130A and 130B inside the housings 310A and 310B, respectively.
  • the boards 340A and 340B are, for example, printed boards conforming to the FR-4 standard.
  • the substrate 340A is an example of a first substrate
  • the substrate 340B is an example of a second substrate.
  • the substrate 340A includes a resonator 341A, wiring layers 342A and 343A, an insulating layer 344A, and a via 345A.
  • the resonator 341A and the wiring layers 342A and 343A are formed by patterning a copper foil attached to the front surface and the back surface of the insulating layer 344A.
  • the resonator 341A transmits electromagnetic waves to and from the resonator 321A2 of the resonance device 320A.
  • the wiring layers 342A and 343A are held at the ground potential.
  • a circuit device 150A is mounted on the wiring layer 342A via the solder ball 151A, and an end 322A1 of the waveguide 322A is connected via the solder ball 351A.
  • the substrate 340A is connected to the substrate 130A through the wiring layer 343A.
  • the substrate 340B includes a resonator 341B, wiring layers 342B and 343B, an insulating layer 344B, and a via 345B.
  • the resonator 341B and the wiring layers 342B and 343B are formed by patterning a copper foil attached to the front surface and the back surface of the insulating layer 344B.
  • the resonator 341B transmits electromagnetic waves to and from the resonator 321B2 of the resonance device 320B.
  • the wiring layers 342B and 343B are held at the ground potential.
  • the circuit device 150B is mounted on the wiring layer 342B via the solder ball 151B, and the end 322B1 of the waveguide 322B is connected via the solder ball 351B.
  • the substrate 340B is connected to the substrate 130B through the wiring layer 343B.
  • the circuit devices 150A and 150B are flip-chip mounted on the substrates 340A and 340B by being connected to the substrates 340A and 340B via solder balls 151A and 151B, respectively, and being fixed by the underfill materials 152A and 152B.
  • the circuit devices 150A and 150B are connected to the resonators 341A and 341B via the transmission lines of the substrates 340A and 340B, respectively.
  • the configuration of the transmission paths of the circuit devices 150A and 150B is the same as that shown in any of FIGS. 7 to 11 in the first embodiment.
  • signals can be transmitted and received between the resonator 321A2 of the wireless communication device 300A and the circuit device 150A of the electronic device 530A including the wireless communication device 300A.
  • signals can be transmitted and received between the resonator 321B2 of the wireless communication device 300B and the circuit device 150B of the electronic device 530B including the wireless communication device 300B.
  • Electromagnetic waves can be efficiently transmitted to and from 150B.
  • the radio communication apparatus 300 As described above, according to the third embodiment, it is possible to provide the radio communication apparatus 300 with good transmission efficiency. Moreover, according to Embodiment 3, it is possible to provide radio communication apparatuses 300A and 300B with good transmission efficiency. Further, according to Embodiment 3, it is possible to provide electronic devices 530, 530A, and 530B with good transmission efficiency.
  • the transmission efficiency of electromagnetic waves is improved because the radiation surfaces of the resonators 321A2 and 321B2 that perform communication between the wireless communication devices 300A and 300B are the housing 310A, This is because the wall portions 310A1 and 310B1 of the 310B are located outside the inner wall surfaces 310A11 and 310B11.
  • the radiating surfaces of the resonators 321A2 and 321B2 are positioned outside the inner wall surfaces 310A11 and 310B11 of the wall portions 310A1 and 310B1, respectively, there is no object that blocks the electromagnetic waves between the resonators 321A2 and 321B2. .
  • the radio communication apparatus 300 according to Embodiment 3 can obtain good transmission efficiency of electromagnetic waves.
  • the resonators 321A2 and 321B2 are close enough to obtain a neighborhood solution.
  • the radiation surfaces of the resonators 321A2 and 321B2 are positioned outside the housings 310A and 310B inside the openings 310A2 and 310B2 and outside the inner wall surfaces 310A11 and 310B11 of the housing 310A, respectively.
  • the form is shown.
  • the radiation surfaces of the resonators 321A2 and 321B2 May be located inside the casings 310A and 310B with respect to the inner wall surfaces 310A11 and 310B11.
  • the positional relationship between the resonator 321A2 and the opening 310A2 can be defined so that the electromagnetic wave radiated from the resonator 321A2 is radiated from the opening 310A2 to the outside of the housing 310A without being reflected by the inner wall surface 310A11.
  • the radiation surface of the resonator 321A2 may be located inside the housing 310A with respect to the inner wall surface 310A11.
  • the positional relationship between the resonator 321B2 and the opening 310B2 is defined so that the electromagnetic wave radiated from the resonator 321B2 is radiated from the opening 310B2 to the outside of the housing 310B without being reflected by the inner wall surface 310B11.
  • the radiation surface of the resonator 321B2 may be located inside the housing 310B with respect to the inner wall surface 310B11.
  • FIG. 18 is a diagram illustrating a wireless communication apparatus 300 according to a modification of the third embodiment.
  • a wireless communication device 300C according to a modification of the third embodiment is obtained by adding resonance substrates 323A and 323B to the resonance devices 320A and 320B of the wireless communication device 200 according to the second embodiment.
  • the wireless communication device 300C includes wireless communication devices 300D and 300E.
  • an electronic device 530C includes an electronic device 530D and an electronic device 530E.
  • a resonance device 320A shown in FIG. 18 includes a resonance substrate 321A, a waveguide 322A, and a resonance substrate 323A.
  • a resonance device 320A shown in FIG. 18 includes a resonance substrate 323A instead of the end 322A1 of the resonance device 320A shown in FIG.
  • the resonant substrate 323A includes a ground element 323A11, a resonator 323A2, an insulating layer 323A3, and a via 323A4.
  • the resonant substrate 323A is connected to the other end (the upper terminal in FIG. 17) of the waveguide 322A.
  • the ground element 323A11 on the first surface 323A1 is connected to the wiring layer 342A via the solder ball 351A.
  • the solder ball 351A may be a metal bump.
  • the resonator 323A2 transmits an electromagnetic wave between the resonator 321A2 and the resonator 341A via the waveguide 322A.
  • the ground element 323A11 is formed on the first surface 323A1 which is one surface (the upper surface in FIG. 18), and the resonator 323A2 is formed on the other surface (the lower surface in FIG. 18). Is formed.
  • a via 323A4 is formed in the insulating layer 323A3.
  • the via 323A4 is connected to the solder ball 351A via the ground element 323A11 around the first surface 323A1, whereby the waveguide 322A is held at the ground potential.
  • the resonance device 320B shown in FIG. 18 includes a resonance substrate 321B, a waveguide 322B, and a resonance substrate 323B.
  • a resonance device 320B shown in FIG. 18 includes a resonance substrate 323B instead of the end 322B1 of the resonance device 320B shown in FIG.
  • the resonant substrate 323B includes a ground element 323B11, a resonator 323B2, an insulating layer 323B3, and a via 323B4.
  • the resonant substrate 323B is connected to the other end (the lower terminal in FIG. 17) of the waveguide 322B.
  • the ground element 323B11 side of the first surface 323B1 is connected to the wiring layer 342B via the solder balls 351B.
  • the resonator 323B2 transmits an electromagnetic wave between the resonator 321B2 and the resonator 341B via the waveguide 322B.
  • the ground element 323B11 is formed on the first surface 323B1 which is one surface (the lower surface in FIG. 18), and the resonator 323B2 is formed on the other surface (the upper surface in FIG. 18). Is formed.
  • a via 323B4 is formed in the insulating layer 323B3.
  • the via 323B4 is connected to the solder ball 351B via the ground element 323B11 around the first surface 323B1, whereby the waveguide 322B is held at the ground potential.
  • FIGS. 19 to 22 are diagrams showing a resonance device 320A of the wireless communication device 300 according to the third embodiment.
  • 20 and 22 are bottom views, and FIGS. 19 and 21 are cross-sectional views.
  • 19 and 21 the resonance device 320A and the substrate 140A are shown upside down from FIG. 19 to 22, an XYZ coordinate system, which is an orthogonal coordinate system, is defined as shown.
  • the resonance device 320A includes a resonance substrate 321A, a waveguide 322A, and a resonance substrate 323A.
  • the substrate 340A includes a resonator 341A, wiring layers 342A and 343A, an insulating layer 344A, and a via 345A.
  • the resonant substrate 321A has a resonator 321A2 and an insulating layer 321A3.
  • the resonator 321A2 may have a configuration like the second surface shown in FIG.
  • the first surface 321A1 is the surface of the insulating layer 321A3.
  • the resonator 321A2 may have a configuration like the second surface shown in FIG.
  • the resonant substrate 323A includes a ground element 323A11, a resonator 323A2, an insulating layer 323A3, and a via 323A4.
  • the resonator 323A2 may be configured as shown on the second surface of FIG. 4A or FIG. 4C, for example.
  • the first surface 323A1 is the surface of the insulating layer 323A3.
  • first surface 323A1 and the ground element 323A11 may be configured as shown in FIG. 20, for example.
  • the center of the first surface 323A1 is the surface of the insulating layer 323A3, and has an octagonal annular ground element 323A11 around it.
  • the ground element 323A11 is connected to the resonator 323A2 via the via 323A4. As shown in FIG. 20, there are a plurality of vias 323A4, and the interval between adjacent vias 323A4 is set to be less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, more preferably, ⁇ / 4 or less.
  • the wiring layers 342A and 343A of the substrate 340A are connected by vias 345A, and the wiring layer 342A is connected to the ground layer of the substrate 130 (see FIG. 18) via the vias 345A and the wiring layers 343A. Is held at the ground potential.
  • a plurality of solder balls 351A are arranged along the rectangular annular cross section of the waveguide 322A in plan view.
  • the interval between the adjacent solder balls 351A is set to be less than half of the wavelength ⁇ at the communication frequency of wireless communication, and more preferably ⁇ / 4 or less.
  • the plurality of arranged solder balls 351A may be a plurality of arranged metal bumps.
  • a plurality of vias 323A4 are formed in the insulating layer 323A3 of the resonant substrate 323A, the ground element 323A11 and the resonator 323A2 are connected by the via 323A4, and the ground element 323A11 and the resonator 341A are connected by the solder ball 351A.
  • the resonance device 320A and the transmission path of the substrate 340 can be connected.
  • the transmission efficiency is good as in the wireless communication device 300 shown in FIG. Can be realized.
  • the resonator 323A may include a larger number of vias 323A4 so as to be arranged in two rows on the inner peripheral side and the outer peripheral side.
  • the wireless communication device 300C may include a larger number of solder balls 351A so as to be arranged in two rows on the inner peripheral side and the outer peripheral side.
  • the board 340A of the wireless communication device 300C may include a larger number of vias 345A.

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Abstract

　伝送効率の良好な無線通信装置、及び、電子装置を提供する。　無線通信装置は、第１開口部を有する第１筐体と、前記第１筐体に対向して配置され、前記第１開口部に対向して開口される第２開口部を有する第２筐体と、第１共振器を有し、前記第１共振器が前記第１開口部から外側を向くように前記第１筐体の内部に配設される第１共振装置と、第２共振器を有し、前記第２共振器が前記第２開口部から外側を向くとともに前記第１共振器に対向するように、前記第２筐体の内部に配設される第２共振装置とを含む。

Description

無線通信装置、及び、電子装置
　本発明は、無線通信装置、及び、電子装置に関する。
　従来より、ミリ波通信機能を内蔵するＡＶ(Audio Visual)機器において、ミリ波通信用の第１の窓枠が設けられたＡＶ機器の筐体ケースと、前記第１の窓枠に取り付けられ、ミリ波信号を通過する第１の窓とを含むＡＶ機器がある（例えば、特許文献１参照）。
　このＡＶ機器は、前記第１の窓の内部に位置し、ミリ波信号を放射するアンテナ付半導体チップと、前記第１の窓と、前記アンテナ付半導体チップとの間の前記筐体ケースに設けられた誘電体導波路又は導波路溝で実現される導波路とをさらに含む。
　このＡＶ機器では、前記アンテナ付半導体チップから放射されたミリ波信号は、前記導波路及び前記第１の窓を介して外部に放射される。
特開２００７－１８０７４２号公報
　従来のＡＶ機器は、他のＡＶ機器と無線通信を行う際に、上述のように、アンテナ付半導体チップから放射されるミリ波信号を、導波路及び第１の窓を介して外部に放射するため、無線通信の伝送効率が低かった。
　そこで、伝送効率の良好な無線通信装置、及び、電子装置を提供することを目的とする。
　本発明の実施の形態の無線通信装置は、第１開口部を有する第１筐体と、前記第１筐体に対向して配置され、前記第１開口部に対向して開口される第２開口部を有する第２筐体と、第１共振器を有し、前記第１共振器が前記第１開口部から外側を向くように前記第１筐体の内部に配設される第１共振装置と、第２共振器を有し、前記第２共振器が前記第２開口部から外側を向くとともに前記第１共振器に対向するように、前記第２筐体の内部に配設される第２共振装置とを含む。
　伝送効率の良好な無線通信装置、及び、電子装置を提供することができる。
実施の形態１の無線通信装置１００と電子装置５００を示す断面図である。 実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置の導波管の断面を示す図である。 実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａを示す図である。 共振装置１２０Ａの第一面と第二面の平面パターンのバリエーションを示す図である。 実施の形態１の変形例の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａ１を示す図である。 図４に示す共振装置１２０Ａ１の共振基板１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンのバリエーションを示す図である。 実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ１の構造を示す図である。 実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ２の構造を示す図である。 実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ３の構造を示す図である。 実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ４の構造を示す図である。 実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ４の構造を示す図である。 比較例の無線通信装置１０の断面構造を示す図である。 実施の形態１の変形例の無線通信装置１００を示す図である。 実施の形態２の無線通信装置２００と電子装置５２０を示す断面図である。 実施の形態２の無線通信装置２００Ａの共振装置２２０Ａの共振器１２１Ａ及び減衰部２１０Ａを示す平面図である 実施の形態２の無線通信装置２００Ａの減衰部２１０Ａの例示的な構成を示す平面図である。 実施の形態３の無線通信装置３００と電子装置５３０を示す断面図である。 実施の形態３の変形例による無線通信装置３００を示す図である。 実施の形態３の無線通信装置３００の共振装置３２０Ａを示す図である。 実施の形態３の無線通信装置３００の共振装置３２０Ａを示す図である。 実施の形態３の無線通信装置３００の共振装置３２０Ａを示す図である。 実施の形態３の無線通信装置３００の共振装置３２０Ａを示す図である。
　以下、本発明の無線通信装置、及び、電子装置を適用した実施の形態について説明する。
　＜実施の形態１＞
　図１は、実施の形態１の無線通信装置１００と電子装置５００を示す断面図である。図２は、実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置の導波管の断面を示す図である。
　実施の形態１の無線通信装置１００は、無線通信装置１００Ａ、１００Ｂを含む。無線通信装置１００Ａは、筐体１１０Ａと共振装置１２０Ａを含む。無線通信装置１００Ｂは、筐体１１０Ｂと共振装置１２０Ｂを含む。
　実施の形態１の電子装置５００は、電子装置５００Ａと電子装置５００Ｂを含む。電子装置５００Ａは、無線通信装置１００Ａ、基板１３０Ａ、基板１４０Ａ、及び回路装置１５０Ａを含む。同様に、電子装置５００Ｂは、無線通信装置１００Ｂ、基板１３０Ｂ、基板１４０Ｂ、及び回路装置１５０Ｂを含む。
　なお、ここでは、基板１３０Ａと基板１４０Ａを電子装置５００Ａの構成要素として取り扱うが、基板１３０Ａと基板１４０Ａは、無線通信装置１００Ａの構成要素として取り扱ってもよい。すなわち、無線通信装置１００Ａが、筐体１１０Ａ、共振装置１２０Ａ、基板１３０Ａ、及び基板１４０Ａを含むものとして取り扱ってもよい。
　同様に、ここでは、基板１３０Ｂと基板１４０Ｂを電子装置５００Ｂの構成要素として取り扱うが、基板１３０Ｂと基板１４０Ｂは、無線通信装置１００Ｂの構成要素として取り扱ってもよい。すなわち、無線通信装置１００Ｂが、筐体１１０Ｂ、共振装置１２０Ｂ、基板１３０Ｂ、及び基板１４０Ｂを含むものとして取り扱ってもよい。
　筐体１１０Ａ、１１０Ｂは、例えば、金属製の筐体であり、それぞれ、壁部１１０Ａ１、１１０Ｂ１を有する。筐体１１０Ａ及び１１０Ｂは、壁部１１０Ａ１と１１０Ｂ１とを近接させるとともに、略平行にした状態で、並べて配設される。筐体１１０Ａは第１筐体の一例であり、筐体１１０Ｂは第２筐体の一例である。壁部１１０Ａ１は第１壁部の一例であり、壁部１１０Ｂ１は第２壁部の一例である。
　筐体１１０Ａ、１１０Ｂは、それぞれ、壁部１１０Ａ１、１１０Ｂ１に形成される開口部１１０Ａ２、１１０Ｂ２を有する。開口部１１０Ａ２は第１開口部の一例であり、開口部１１０Ｂ２は第２開口部の一例である。
　図１には、開口部１１０Ａ２、１１０Ｂ２に、それぞれ、共振装置１２０Ａ、１２０Ｂの導波管１２２Ａ、１２２Ｂが嵌め込まれている状態を示す。開口部１１０Ａ２、１１０Ｂ２は、導波管１２２Ａ、１２２Ｂの断面形状に合わせた平面視で矩形状の開口部である。
　なお、図１には、筐体１１０Ａの壁部のうち、開口部１１０Ａ２が形成される壁部１１０Ａ１のみを示すが、筐体１１０Ａは、共振装置１２０Ａ、基板１３０Ａ、１４０Ａ、及び回路装置１５０Ａを囲む（内蔵する）ように形成されている。同様に、図１には、筐体１１０Ｂの壁部のうち、開口部１１０Ｂ２が形成される壁部１１０Ｂ１のみを示すが、筐体１１０Ｂは、共振装置１２０Ｂ、基板１３０Ｂ、１４０Ｂ、及び回路装置１５０Ｂを囲む（内蔵する）ように形成されている。
　共振装置１２０Ａ、１２０Ｂは、それぞれ、開口部１１０Ａ２、１１０Ｂ２に嵌め込まれている。共振装置１２０Ａは、共振基板１２１Ａ、導波管１２２Ａ、及び共振基板１２３Ａを含む。同様に、共振装置１２０Ｂは、共振基板１２１Ｂ、導波管１２２Ｂ、及び共振基板１２３Ｂを含む。共振装置１２０Ａは第１共振装置の一例であり、共振装置１２０Ｂは第２共振装置の一例である。導波管１２２Ａは第１導波管の一例であり、導波管１２２Ｂは第２導波管の一例である。
　共振装置１２０Ａは、開口部１１０Ａ２から共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ１が筐体１１０Ａの外側を向くように、開口部１１０Ａ２に嵌め込まれている。共振装置１２０Ａの導波管１２２Ａは、矩形状の断面を有するため、開口部１１０Ａ２は導波管１２２Ａの断面形状に合わせて矩形状に開口されている。共振器１２１Ａ１は第１共振器の一例である。
　共振器１２１Ａ１の放射面は、壁部１１０Ａ１の筐体１１０Ａの内側に位置する面よりも、筐体１１０Ａの外側に位置する。すなわち、共振器１２１Ａ１は、放射面が筐体１１０Ａの内壁面１１０Ａ１１よりも筐体１１０Ａの外側に位置するように配設されている。
　これは、共振器１２１Ａ１から放射される電磁波が筐体１１０Ａの内部を伝搬せず、筐体１１０Ａの外部を伝搬するようにするためである。
　同様に、共振装置１２０Ｂは、開口部１１０Ｂ２から共振基板１２１Ｂの共振器１２１Ｂ１が筐体１１０Ｂの外側を向くように、開口部１１０Ｂ２に嵌め込まれている。共振装置１２０Ｂの導波管１２２Ｂは、矩形状の断面を有するため、開口部１１０Ｂ２は導波管１２２Ｂの断面形状に合わせて矩形状に開口されている。共振器１２１Ｂ１は第２共振器の一例である。
　共振器１２１Ｂ１の放射面は、壁部１１０Ｂ１の筐体１１０Ｂの内側に位置する面よりも、筐体１１０Ｂの外側に位置する。すなわち、共振器１２１Ｂ１は、放射面が筐体１１０Ｂ１の内壁面１１０Ｂ１１よりも筐体１１０Ｂの外側に位置するように配設されている。
　これは、共振器１２１Ｂ１から放射される電磁波が筐体１１０Ｂの内部を伝搬せず、筐体１１０Ｂの外部を伝搬するようにするためである。
　共振基板１２１Ａは、共振器１２１Ａ１、共振器１２１Ａ２、及び絶縁層１２１Ａ３を有する。共振器１２１Ａ１は、絶縁層１２１Ａ３の導波管１２２Ａに接続される面とは反対側の面に形成されており、共振器１２１Ａ２は、絶縁層１２１Ａ３の導波管１２２Ａに接続される面に形成されている。
　共振器１２１Ａ１と１２１Ａ２は、例えば、絶縁層１２１Ａ３の表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。共振基板１２１Ａは、共振器１２１Ａ１と１２１Ａ２との間で電磁波を伝送する。
　同様に、共振基板１２１Ｂは、共振器１２１Ｂ１、共振器１２１Ｂ２、及び絶縁層１２１Ｂ３を有する。共振器１２１Ｂ１は、絶縁層１２１Ｂ３の導波管１２２Ｂに接続される面とは反対側の面に形成されており、共振器１２１Ｂ２は、絶縁層１２１Ｂ３の導波管１２２Ｂに接続される面に形成されている。
　共振器１２１Ｂ１と１２１Ｂ２は、例えば、絶縁層１２１Ｂ３の表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。共振基板１２１Ｂは、共振器１２１Ｂ１と１２１Ｂ２との間で電磁波を伝送する。
　導波管１２２Ａ、１２２Ｂは、例えば、図２の（Ａ）に示すような断面をした矩形管状に成型した金属膜で構築される。または、例えば、導波管は図２の（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示すように、矩形管状の外部または内部の四隅を斜め４５度に変形させ八角形にしたもの、または、矩形管状の外部または内部の四隅を円弧状に変形させたものでもよい。このように角がとれた形にすることで、形成しやすくなる、または、筐体開口部に嵌めやすくなる。金属膜としては、例えば、銅箔又はアルミニウム製の金属箔を用いることができる。導波管１２２Ａ、１２２Ｂは、内面が金属層で覆われていればよいため、矩形管状または変形矩形状の樹脂部材の内表面に金属層を形成したものであってもよい。または、内部樹脂は無く金属層のみの空洞導波管形状でもよい。金属層は、例えば、銅又はアルミニウム製の金属層であればよい。　導波管１２２Ａは、共振器１２１Ａ２及び共振器１２３Ａ２の金属層に接続され、共振器１２１Ａ２及び共振器１２３Ａ２の金属層と同電位に保持される。同様に、導波管１２２Ｂは、共振器１２１Ｂ２及び共振器１２３Ｂ２の金属層に接続され、共振器１２１Ｂ２及び共振器１２３Ｂ２の金属層と同電位に保持される。なお、詳細な構成は、図４を用いて後述する。
　導波管１２２Ａの一端（図１中の下側の端部）は、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ２に接続されており、他端（図１中の上側の端子）は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２に接続されている。導波管１２２Ａは、共振器１２１Ａ２と共振器１２３Ａ２との間に導波路を形成する。
　導波管１２２Ａの共振基板１２１Ａ、１２３Ａに平行な断面は、矩形状である。導波管１２２Ａは、共振基板１２１Ａと１２３Ａとの間で、電磁波を伝送する。
　同様に、導波管１２２Ｂの一端（図１中の上側の端部）は、共振基板１２１Ｂの共振器１２１Ｂ２に接続されており、他端（図１中の下側の端子）は、共振基板１２３Ｂの共振器１２３Ｂ２に接続されている。導波管１２２Ｂは、共振器１２１Ｂ２と共振器１２３Ｂ２との間に導波路を形成する。
　導波管１２２Ｂの共振基板１２１Ｂ、１２３Ｂに平行な断面は、矩形状である。導波管１２２Ｂは、共振基板１２１Ｂと１２３Ｂとの間で、電磁波を伝送する。
　共振基板１２３Ａは、共振器１２３Ａ１、共振器１２３Ａ２、及び絶縁層１２３Ａ３を有する。共振器１２３Ａ１は、絶縁層１２３Ａ３の導波管１２２Ａに接続される面とは反対側の面に形成されており、共振器１２３Ａ２は、絶縁層１２３Ａ３の導波管１２２Ａに接続される面に形成されている。共振器１２３Ａ１は第３共振器の一例である。
　共振器１２３Ａ１と１２３Ａ２は、例えば、絶縁層１２３Ａ３の表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。共振基板１２３Ａは、共振器１２３Ａ１と１２３Ａ２との間で電磁波を伝送する。また、共振器１２３Ａ１は、基板１４０Ａの共振器１４１Ａとの間で電磁波を伝送する。
　同様に、共振基板１２３Ｂは、共振器１２３Ｂ１、共振器１２３Ｂ２、及び絶縁層１２３Ｂ３を有する。共振器１２３Ｂ１は、絶縁層１２３Ｂ３の導波管１２２Ｂに接続される面とは反対側の面に形成されており、共振器１２３Ｂ２は、絶縁層１２３Ｂ３の導波管１２２Ｂに接続される面に形成されている。共振器１２３Ｂ１は第４共振器の一例である。
　共振器１２３Ｂ１と１２３Ｂ２は、例えば、絶縁層１２３Ｂ３の表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。共振基板１２３Ｂは、共振器１２３Ｂ１と１２３Ｂ２との間で電磁波を伝送する。また、共振器１２３Ｂ１は、基板１４０Ｂの共振器１４１Ｂとの間で電磁波を伝送する。
　基板１３０Ａ、１３０Ｂは、それぞれ、筐体１１０Ａ、１１０Ｂの内部に配設され、基板１４０Ａ、１４０Ｂが実装される。基板１３０Ａ、１３０Ｂは、基板１４０Ａ、１４０Ｂよりも大きい基板であり、例えば、ＦＲ－４（Flame Retardant Type 4）規格等に準じたプリント基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）であり、表面、内層、及び裏面に配設される複数の配線層を含む。
　基板１４０Ａ、１４０Ｂは、それぞれ、筐体１１０Ａ、１１０Ｂの内部において、基板１３０Ａ、１３０Ｂに実装される。基板１４０Ａ、１４０Ｂは、例えば、ＦＲ－４規格等に準じたプリント基板である。
　基板１４０Ａは、共振器１４１Ａ、配線層１４２Ａ、１４３Ａ、及び絶縁層１４４Ａを有する。共振器１４１Ａ、配線層１４２Ａ、１４３Ａは、絶縁層１４４Ａの表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。
　共振器１４１Ａは、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ１との間で電磁波を伝送する。配線層１４２Ａ、１４３Ａは、グランド電位に保持される。配線層１４２Ａには、半田ボール１５１Ａを介して回路装置１５０Ａが実装される。基板１４０Ａは、配線層１４３Ａを介して基板１３０Ａに接続されている。
　同様に、基板１４０Ｂは、共振器１４１Ｂ、配線層１４２Ｂ、１４３Ｂ、及び絶縁層１４４Ｂを有する。共振器１４１Ｂ、配線層１４２Ｂ、１４３Ｂは、絶縁層１４４Ｂの表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。
　共振器１４１Ｂは、共振基板１２３Ｂの共振器１２３Ｂ１との間で電磁波を伝送する。配線層１４２Ｂ、１４３Ｂは、グランド電位に保持される。配線層１４２Ｂには、半田ボール１５１Ｂを介して回路装置１５０Ｂが実装される。基板１４０Ｂは、配線層１４３Ｂを介して基板１３０Ｂに接続されている。
　回路装置１５０Ａ、１５０Ｂは、それぞれ、基板１４０Ａ、１４０Ｂに半田ボール１５１Ａ、１５１Ｂを介して接続され、アンダーフィル材１５２Ａ、１５２Ｂによって固定されることにより、基板１４０Ａ、１４０Ｂにフリップチップ実装されている。回路装置１５０Ａ、１５０Ｂは、それぞれ、基板１４０Ａ、１４０Ｂの伝送路を介して、共振器１４１Ａ、１４１Ｂに接続されている。
　回路装置１５０Ａ、１５０Ｂは、例えば、無線通信用の送受信機、映像信号等の送受信機、又は、所定の演算処理を行う演算処理装置等であり、それぞれ、共振装置１２０Ａ、１２０Ｂから放射する信号を出力する。
　以上のような実施の形態１の無線通信装置１００では、無線通信装置１００Ａの共振器１２１Ａ１と、無線通信装置１００Ａを含む電子装置５００Ａの回路装置１５０Ａとの間で信号の送受信が可能である。
　また、無線通信装置１００Ｂの共振器１２１Ｂ１と、無線通信装置１００Ｂを含む電子装置５００Ｂの回路装置１５０Ｂとの間で信号の送受信が可能である。
　従って、無線通信装置１００Ａと１００Ｂが近接して配置された状態で、共振装置１２０Ａの共振器１２１Ａ１と、共振装置１２０Ｂの共振器１２１Ｂ１との間で、無線通信を行うことにより、回路装置１５０Ａと１５０Ｂとの間で、信号の送受信が可能になる。
　次に、図３及び図４を用いて、実施の形態１の無線通信装置１００に含まれる共振装置１２０Ａについて説明する。図１に示す共振装置１２０Ａと１２０Ｂとは同様の構成を有するため、ここでは、共振装置１２０Ａについて説明する。
　図３は、実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａを示す図である。図４は、共振装置１２０Ａの第一面と第二面の平面パターンのバリエーションを示す図である。
　図３に示す共振装置１２０Ａは、図１に示す共振装置１２０Ａと同一である。共振装置１２０Ａは、共振基板１２１Ａ、導波管１２２Ａ、及び共振基板１２３Ａを有する。
　ここで、第一面とは、共振基板１２１Ａの導波管１２２Ａが接続される面とは反対側の面と、共振基板１２３Ａの導波管１２２Ａが接続される面とは反対側の面とを表す。すなわち、図３に示す共振基板１２１Ａでは、第一面に共振器１２１Ａ１が形成されていることになり、図３に示す共振基板１２３Ａでは、第一面に共振器１２３Ａ１が形成されていることになる。
　また、第二面とは、共振基板１２１Ａの導波管１２２Ａが接続される面と、共振基板１２３Ａの導波管１２２Ａが接続される面とを表す。すなわち、図３に示す共振基板１２１Ａでは、第二面に共振器１２１Ａ２が形成されていることになり、図３に示す共振基板１２３Ａでは、第二面に共振器１２３Ａ２が形成されていることになる。
　図４の（Ａ）～（Ｅ）には、共振基板１２１Ａと１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンのバリエーションを示す。
　ここで、図４の（Ａ）～（Ｅ）に示す絶縁層１８０Ｃは、共振基板１２１Ａの絶縁層１２１Ａ３、又は、共振基板１２３Ａの絶縁層１２３Ａ３に対応する。
　図４の（Ａ）～（Ｅ）において、上段に示す第一面は、共振基板１２１Ａと１２３Ａの第一面の平面パターンを表し、下段に示す第二面は、共振基板１２１Ａと１２３Ａの第一面の平面パターンを表す。
　なお、図４の（Ａ）～（Ｅ）では、金属膜を白抜きで示し、絶縁体をグレーで示す。
　図４の（Ａ）に示すように、第一面には、平面視で矩形のメタルパッチ１８０Ａを、平面視で八角形の絶縁層１８０Ｃの一方の面に形成した共振器を設けてもよい。また、第二面は、絶縁層１８０Ｃの他方の面の全体に形成した金属層１８０Ｄに、一対のスロット１８０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　第二面のスロット１８０Ｂは、絶縁層１８０Ｃの全面に形成した金属層１８０Ｄに形成された一対の細長い穴であり、金属層１８０Ｄが形成されていない部分である。一対のスロット１８０Ｂの間隔は、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）に設定される。スロット１８０Ｂの長手方向の長さは、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）と異なる長さであるのが好ましい。一対のスロット１８０Ｂの各々の幅は、共振器１２１Ａ２、１２３Ａ２の放射特性に応じて適切な幅に設定すればよい。
　なお、第一面のメタルパッチ１８０Ａの図中の縦方向の辺の長さは、例えば、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）に設定すればよい。第一面のメタルパッチ１８０Ａの図中の縦方向の辺の長さは、第二面のスロット１８０Ｂの間隔に相当する長さである。第一面のメタルパッチ１８０Ａの図中の横方向の辺の長さは、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）と異なる長さであればよい。
　また、平面視におけるメタルパッチ１８０Ａの中心点と、平面視における一対のスロット１８０Ｂの中心点とは一致していることが好ましい。
　以上のように、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ１、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ１は、図４の（Ａ）の第一面に示すように、絶縁層１８０Ｃにメタルパッチ１８０Ａを形成した共振器であってもよい。
　また、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ２、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図４の（Ａ）の第二面に示すように、絶縁層１８０Ｃの全面に形成した金属層１８０Ｄにスロット１８０Ｂを形成した共振器であってもよい。金属層１８０Ｄは、グランドエレメントとして取り扱ってもよい。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）及び他端（図１中の下端）は、ともに金属層１８０Ｄに接続される。
　また、図４の（Ｂ）に示すように、第一面には金属層を形成しなくてもよい。この場合は、第一面は絶縁層１８０Ｃによって覆われており、第一面には共振器は存在しないことになる。また、第二面は、図４の（Ａ）と同様に、絶縁層１８０Ｃの他方の面の全体に形成した金属層１８０Ｄに、一対のスロット１８０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　以上のように、共振基板１２１Ａの第一面には共振器１２１Ａ１を設けずに、図４の（Ｂ）の第一面に示すように、絶縁層１８０Ｃが一面に形成されていてもよい。また、共振基板１２３Ａの第一面には共振器１２３Ａ１を設けずに、図４の（Ｂ）の第一面に示すように、絶縁層１８０Ｃが一面に形成されていてもよい。
　また、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ２、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図４の（Ｂ）の第二面に示すように、絶縁層１８０Ｃの全面に形成した金属層１８０Ｄにスロット１８０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）及び他端（図１中の下端）は、ともに金属層１８０Ｄに接続される。
　また、図４の（Ｂ）に示すように、共振基板１２１Ａの第一面に共振器が存在しない場合には、共振基板１２１Ａは第二面の共振器１２１Ａ２によって、共振基板１２３Ａとの間で電磁波を伝送することになる。
　同様に、図４の（Ｂ）に示すように、共振基板１２３Ａの第一面に共振器が存在しない場合には、共振基板１２３Ａは第二面の共振器１２３Ａ２によって、共振基板１２１Ａとの間で電磁波を伝送することになる。
　また、図４の（Ｃ）に示すように、第一面には金属層を形成しなくてもよい。この場合は、第一面は、図４の（Ｂ）と同様に、絶縁層１８０Ｃによって覆われており、第一面には共振器は存在しないことになる。
　また、第二面は、絶縁層１８０Ｃの他方の面に形成したメタルパッチ１８０Ｅの周囲をグランドエレメント１８０Ｆで囲むことによって形成した共振器であってもよい。
　第二面のメタルパッチ１８０Ｅは、絶縁層１８０Ｃの他方の面の中央部に形成した平面視で矩形のメタルパッチであり、図４の（Ａ）の第一面に示すメタルパッチ１８０Ａと同様の形状を有する。
　また、グランドエレメント１８０Ｆは、絶縁層１８０Ｃの他方の面のメタルパッチ１８０Ｅの周囲に形成されており、メタルパッチ１８０Ｅと同心矩形状の開口部１８０Ｆ１を有する。なお、ここでは、グランドエレメント１８０Ｆと称すが、グランドエレメント１８０Ｆは、グランド電位、所定の基準電位、又は浮遊電位の任意の電位に保持されていてよい。
　第二面のメタルパッチ１８０Ｅは、例えば、図中の縦方向の辺の長さ、又は、図中の横方向の辺の長さのいずれか一方が、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）に設定すればよい。この場合に、いずれか他方の辺の長さは、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）と異なる長さであるのが好ましい。
　また、平面視におけるメタルパッチ１８０Ｅの中心点と、平面視におけるグランドエレメント１８０Ｆの中心点とは一致していることが好ましい。
　また、第二面のメタルパッチ１８０Ｅとグランドエレメント１８０Ｆの絶縁層１８０Ｃが見えている隙間は、図４の（Ｂ）のスロットの幅と同等であることが好ましい。
　以上のように、共振基板１２１Ａの第一面には共振器１２１Ａ１を設けずに、図４の（Ｃ）の第一面に示すように、絶縁層１８０Ｃが一面に形成されていてもよい。また、共振基板１２３Ａの第一面には共振器１２３Ａ１を設けずに、図４の（Ｃ）の第一面に示すように、絶縁層１８０Ｃが一面に形成されていてもよい。
　また、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ２、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図４の（Ｃ）の第二面に示すように、絶縁層１８０Ｃの他方の面にメタルパッチ１８０Ｅとグランドエレメント１８０Ｆが同心矩形状に配設されることによって形成された共振器であってもよい。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）及び他端（図１中の下端）は、ともにグランドエレメント１８０Ｆに接続される。
　図４（Ｃ）に示すように、共振基板１２１Ａの第一面に共振器が存在しない場合には、共振基板１２１Ａは第二面の共振器１２１Ａ２によって、共振基板１２３Ａとの間で電磁波を伝送することになる。
　同様に、図４（Ｃ）に示すように、共振基板１２３Ａの第一面に共振器が存在しない場合には、共振基板１２３Ａは第二面の共振器１２３Ａ２によって、共振基板１２１Ａとの間で電磁波を伝送することになる。
　図４の（Ｄ）に示すように、第一面には、平面視で細長い長方形の一対のメタルパッチ１８０Ｇを、平面視で八角形の絶縁層１８０Ｃの一方の面に形成した共振器を設けてもよい。また、第二面は、絶縁層１８０Ｃの他方の面の全体に形成した金属層１８０Ｄに、一対のスロット１８０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　第一面の一対のメタルパッチ１８０Ｇは、第二面のスロット１８０Ｂとは、平面視で９０度異なる方向に形成されている。すなわち、平面視で、一対のメタルパッチ１８０Ｇとスロット１８０Ｂとは直交するように形成される。
　一対のメタルパッチ１８０Ｇの長手方向の長さは、例えば、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）に設定すればよい。また、一対のメタルパッチ１８０Ｇの各々の幅は、共振器１２１Ａ１、１２３Ａ１の放射特性に応じて適切な幅に設定すればよい。また、平面視における一対のメタルパッチ１８０Ｇの中心点と、平面視における一対のスロット１８０Ｂの中心点とは一致していることが好ましい。
　第二面のスロット１８０Ｂは、図４の（Ａ）に示すスロット１８０Ｂと同様である。
　以上のように、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ１、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ１は、図４の（Ｄ）の第一面に示すように、絶縁層１８０Ｃに一対のメタルパッチ１８０Ｇを形成した共振器であってもよい。
　また、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ２、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図４の（Ｄ）の第二面に示すように、絶縁層１８０Ｃの全面に形成した金属層１８０Ｄにスロット１８０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）及び他端（図１中の下端）は、ともにグランドエレメント１８０Ｆに接続される。
　図４の（Ｅ）に示すように、第一面には金属層を形成しなくてもよい。この場合は、第一面は、図４の（Ｂ）、（Ｃ）と同様に、絶縁層１８０Ｃによって覆われる。また、第二面にも金属層を形成せずに、絶縁層１８０Ｃによって覆われていてもよい。
　また、図４の（Ｅ）の場合は、絶縁層１８０Ｃの厚さを、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）に設定すればよい。
　以上のように、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ１、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ１は、図４の（Ｅ）の第一面に示すように、厚さが波長λの半分の長さ（λ／２）に設定された絶縁層１８０Ｃが一面に形成された共振器であってもよい。
　また、共振基板１２１Ａの共振器１２１Ａ２、又は、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図４の（Ｅ）の第二面に示すように、厚さが波長λの半分の長さ（λ／２）に設定された絶縁層１８０Ｃが一面に形成された共振器であってもよい。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）及び他端（図１中の下端）は、ともに絶縁層１８０Ｃに接続される。
　以上のように、実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａの共振基板１２１Ａ、１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンは、例えば、図４の（Ａ）～（Ｅ）に示すような平面パターンにすることができる。
　また、無線通信装置１００の共振装置１２０Ｂの共振基板１２１Ｂ、１２３Ｂの第一面と第二面の平面パターンは、共振装置１２０Ａの共振基板１２１Ａ、１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンと同様にすることができる。
　なお、共振装置１２０Ａの共振基板１２１Ａ、１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンと、共振基板１２１Ｂ、１２３Ｂの第一面と第二面の平面パターンとは、それぞれ、異なっていてもよい。
　また、共振装置１２０Ａの共振基板１２１Ａ、１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンと、共振基板１２１Ｂ、１２３Ｂの第一面と第二面の平面パターンとは、図４の（Ａ）～（Ｅ）に示すパターンの共振器に限定されず、他のパターンの共振器であってもよい。
　また、図３に示す共振装置１２０Ａの共振基板１２３Ａの第一面と第二面とは、例えば、図５に示すようにビアを用いることによって変更することができる。
　図５は、実施の形態１の変形例の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａ１を示す図である。また、図６は、図５に示す共振装置１２０Ａ１の共振基板１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンのバリエーションを示す図である。
　図５に示す共振装置１２０Ａ１は、共振基板１２１Ａ、導波管１２２Ａ、及び共振基板１２３Ａを有する。図５に示す共振基板１２１Ａと導波管１２２Ａは、それぞれ、図３に示す共振装置１２０Ａの共振基板１２１Ａと導波管１２２Ａと同様である。
　図５に示す共振装置１２０Ａ１は、図３に示す共振装置１２０Ａとは、共振基板１２３Ａの構成が異なる。
　図５に示す共振基板１２３Ａは、共振器１２３Ａ１、１２３Ａ２、絶縁層１２３Ａ３、及びビア１２３Ａ４を有する。図５に示す共振基板１２３Ａは、図３に示す共振基板１２３Ａの第一面にグランドエレメント１２３Ａ１２を加えた構成を有する。
　図５に示すように、共振器１２３Ａ１は、メタルパッチ１２３Ａ１１と、平面視でメタルパッチ１２３Ａ１１の周囲に形成されるグランドエレメント１２３Ａ１２とを有する。また、共振器１２３Ａ２は、メタルパッチ１２３Ａ２１と、平面視でメタルパッチ１２３Ａ２１の周囲に形成されるグランドエレメント１２３Ａ２２とを有する。
　共振器１２３Ａ２のグランドエレメント１２３Ａ２２は、ビア１２３Ａ４によって共振器１２３Ａ１のグランドエレメント１２３Ａ１２に接続されている。
　次に、図６を用いて、共振基板１２３Ａの第一面と第二面の平面パターンについて説明する。ここで、図６の（Ａ）～（Ｃ）に示す絶縁層１８０Ｃは、共振基板１２３Ａの絶縁層１２３Ａ３に対応する。
　図６の（Ａ）～（Ｃ）において、上段に示す第一面は、共振基板１２３Ａの第一面の平面パターンを示す。また、下段に示す第二面は、共振基板１２３Ａの第二面の平面パターンを示す。
　なお、図６の（Ａ）～（Ｃ）では、金属膜を白抜きで示し、絶縁体をグレーで示す。
　図６の（Ａ）に示すように、第一面には、平面視で矩形のメタルパッチ１９０Ａ１と平面視で八角形の環状のグランドエレメント１９０Ａ２を、平面視で八角形の絶縁層１９０Ｃの一方の面に形成した共振器を設けてもよい。
　また、第二面は、絶縁層１９０Ｃの他方の面の全体に形成した金属層１９０Ｄに、一対のスロット１９０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　また、第一面のグランドエレメント１９０Ａ２と、第二面の金属層１９０Ｄとは、ビア１９０Ｇによって接続すればよい。
　第一面のメタルパッチ１９０Ａ１の図中の縦方向の辺の長さは、例えば、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）に設定すればよい。これは、図４の（Ａ）に示すメタルパッチ１８０Ａと同様である。また、平面視におけるメタルパッチ１９０Ａ１の中心点と、平面視における一対のスロット１９０Ｂの中心点とは一致していることが好ましい。
　第二面のスロット１９０Ｂは、絶縁層１９０Ｃの全面に形成した金属層１９０Ｄに形成された一対の細長い穴であり、金属層１９０Ｄが形成されていない部分である。スロット１９０Ｂの長さ、間隔、及び幅は、図４の（Ａ）に示すスロット１８０Ｂの長さ、間隔、及び幅と同様である。
　以上のように、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ１は、図６の（Ａ）の第一面に示すように、絶縁層１９０Ｃにメタルパッチ１９０Ａ１とグランドエレメント１９０Ａ２を形成した共振器であってもよい。
　また、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図６の（Ａ）の第二面に示すように、絶縁層１９０Ｃの全面に形成した金属層１９０Ｄにスロット１９０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　また、第一面のグランドエレメント１９０Ａ２と、第二面の金属層１９０Ｄとは、ビア１９０Ｇによって接続すればよい。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）は、金属層１９０Ｄに接続される。なお、金属層１９０Ｄをグランドエレメントとして取り扱ってもよい。
　なお、図６（Ａ）に示す第一面と第二面とを入れ替えてもよい。
　また、図６の（Ｂ）に示すように、第一面には平面視で八角形の環状のグランドエレメント１９０Ａ２だけを平面視で八角形の絶縁層１９０Ｃの一方の面に形成してもよい。図６の（Ｂ）の第一面に示す平面パターンは、図４の（Ｂ）に示す平面パターンにグランドエレメント１９０Ａ２を追加したものである。このため、図６の（Ｂ）の第一面に示す平面パターンでは、共振器は存在しないことになる。
　また、第二面は、絶縁層１９０Ｃの他方の面の全体に形成した金属層１９０Ｄに、一対のスロット１９０Ｂを形成した共振器であってもよい。
　また、第一面のグランドエレメント１９０Ａ２と、第二面の金属層１９０Ｄとは、ビア１９０Ｇによって接続すればよい。
　すなわち、共振器１２３Ａ１は、図６の（Ｂ）に示す第一面から、メタルパッチ１９０Ａ１を取り除いた構成であってもよい。
　以上のように、共振基板１２３Ａの第一面には、図６の（Ｂ）の第一面に示すように、共振器１２３Ａ１を設けずに、絶縁層１９０Ｃにグランドエレメント１９０Ａ２が形成されていてもよい。
　また、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図６の（Ｂ）の第二面に示すように、絶縁層１９０Ｃの他方の面に形成された金属層１９０Ｄにスロット１９０Ｂが形成された共振器であってもよい。グランドエレメント１９０Ａ２と金属層１９０Ｄとは、ビア１９０Ｇによって接続されて入ればよい。ビア１９０Ｇは、図５に示すビア１２３Ａ４に対応する。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）は、金属層１９０Ｄに接続される。なお、金属層１９０Ｄをグランドエレメントとして取り扱ってもよい。
　また、図６の（Ｂ）に示すように、共振基板１２３Ａの第一面に共振器が存在しない場合には、共振基板１２３Ａは第二面の共振器１２３Ａ２によって、共振基板１２１Ａとの間で電磁波を伝送することになる。
　なお、図６（Ｂ）に示す第一面と第二面とを入れ替えてもよい。
　また、図６の（Ｃ）に示すように、第二面は、絶縁層１９０Ｃの他方の面に形成したメタルパッチ１９０Ｅの周囲をグランドエレメント１９０Ｆで囲むことによって形成した共振器であってもよい。
　第二面のメタルパッチ１９０Ｅは、絶縁層１９０Ｃの他方の面の中央部に形成した平面視で矩形のメタルパッチであり、図４の（Ｃ）の第二面に示すメタルパッチ１８０Ｅと同様の形状を有する。
　また、グランドエレメント１９０Ｆは、絶縁層１９０Ｃの他方の面のメタルパッチ１９０Ｅの周囲に形成されており、メタルパッチ１９０Ｅと同心矩形状の開口部１９０Ｆ１を有する。
　第二面のメタルパッチ１９０Ｅの辺の長さは、図４の（Ｃ）に示すメタルパッチ１８０Ｅの辺の長さと同様であればよい。また、平面視におけるメタルパッチ１９０Ｅの中心点と、平面視におけるグランドエレメント１９０Ｆの中心点とは一致していることが好ましい。
　この場合、導波管１２２Ａの一端（図１中の上端）は、グランドエレメント１９０Ｆに接続される。
　以上のように、共振基板１２３Ａの第一面は、図６の（Ｃ）の第一面に示すように、共振器１２３Ａ１を設けずに、絶縁層１９０Ｃにグランドエレメント１９０Ａ２が形成されていてもよい。
　また、共振基板１２３Ａの共振器１２３Ａ２は、図６の（Ｃ）の第二面に示すように、絶縁層１９０Ｃの他方の面にメタルパッチ１９０Ｅとグランドエレメント１９０Ｆが同心矩形状に配設されることによって形成された共振器であってもよい。グランドエレメント１９０Ａ２とグランドエレメント１９０Ｆとは、ビア１９０Ｇによって接続されていればよい。ビア１９０Ｇは、図５に示すビア１２３Ａ４に対応する。
　また、図６の（Ｃ）に示すように、共振基板１２３Ａの第一面に共振器が存在しない場合には、共振基板１２３Ａは第二面の共振器１２３Ａ２によって、共振基板１２１Ａとの間で電磁波を伝送することになる。
　なお、図６（Ｃ）に示す第一面と第二面とを入れ替えてもよい。
　次に、図７乃至図１１を用いて、実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ、１４０Ｂの構造について説明する。基板１４０Ａと１４０Ｂは、同様の構成を有するため、ここでは基板１４０Ａについて説明する。
　図７乃至図１１は、実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ１～１４０Ａ４の構造を示す図である。図１に示す基板１４０Ａは、例えば、図７乃至図１１に示す基板１４０Ａ１～１４０Ａ４のうちのいずれかであればよい。図７乃至図１１において（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）におけるＡ１－Ａ１～Ａ４－Ａ４矢視断面を示す図である。
　なお、図７乃至図１１では、構造を分かり易くするために、半田ボール１５１とアンダーフィル材１５２Ａ（図１参照）を省略する。また、図７乃至図１１では、図示するように直交座標系であるＸＹＺ座標系を定義する。また、図７乃至図１１では、金属膜を白抜きで示し、絶縁体をグレーで示す。また、半田ボール１５１は、メタルバンプでもよい。
　図７に示すように、基板１４０Ａ１は、共振器１４１Ａ１、配線層１４２Ａ１、１４３Ａ１、絶縁層１４４Ａ１、ビア１４５Ａ１、コプレーナ線路（コプレーナウェイブガイド（ＣＰＷ：Coplanar Waveguide））１４６Ａ１、及び接続路１４７Ａ１を有する。
　共振器１４１Ａ１は、平面視で矩形のメタルパッチであり、Ｘ軸負方向側の辺の中央に、接続路１４７Ａ１を介して、コプレーナ線路１４６Ａ１が接続されている。接続路１４７Ａ１は、平面視で矩形の共振器１４１Ａ１のメタルパッチの内部にまで入り込んでいる部分である。接続路１４７Ａ１は、コプレーナ線路１４６Ａ１と共振器１４１Ａ１とのインピーダンス整合をとるために形成される。
　共振器１４１Ａ１は、例えば、絶縁層１４４Ａ１のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、コプレーナ線路１４６Ａ１、接続路１４７Ａ１、及び配線層１４２Ａ１とともに形成される。
　配線層１４２Ａ１はグランド電位に保持され、グランドエレメントとして機能する。
　配線層１４２Ａ１は、絶縁層１４４Ａ１のＺ軸正方向側の面において、平面視で共振器１４１Ａ１を取り囲むとともに、コプレーナ線路１４６Ａ１の両脇に沿うように形成されている。
　また、配線層１４２Ａ１は、回路装置１５０Ａの下側に位置する部分にも形成されている。すなわち、配線層１４２Ａ１は、共振器１４１Ａ１とコプレーナ線路１４６Ａ１とを除いた略全面を覆うように形成されている。また、配線層１４２Ａ１は、ビア１４５Ａ１を介して、配線層１４３Ａ１に接続されている。配線層１４２Ａ１と１４３Ａ１は、グランド電位に保持される。
　配線層１４３Ａ１は、絶縁層１４４Ａ１のＺ軸負方向側の面の全面に形成されている。配線層１４３Ａ１は、ビア１４５Ａ１によって配線層１４２Ａ１と接続されており、グランド電位に保持される。
　絶縁層１４４Ａ１は、基板１４０Ａ１がＦＲ－４規格に準じたプリント基板である場合は、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁層である。ここでは、絶縁層１４４Ａ１の内層の配線層を示さないが、絶縁層１４４Ａ１には、内層の配線層が形成されていてもよい。
　ビア１４５Ａ１は、配線層１４２Ａ１と１４３Ａ１とを接続する。平面視で配線層１４２Ａ１と１４３Ａ１とを全体にわたって接続するように、多数のビア１４５Ａ１が形成されている。
　ビア１４５Ａ１は、平面視で矩形の共振器１４１Ａ１の周囲、コプレーナ線路１４６Ａ１の両脇、回路装置１５０Ａの下側等に形成されており、Ｙ軸正方向側とＹ軸負方向側に"～"の印を示すのは、ビア１４５Ａ１が配線層１４２Ａ１のＹ軸正方向側とＹ軸負方向側の端部まで形成されることを示す。
　なお、回路装置１５０ＡのＹ軸正方向側とＹ軸負方向側に破線の枠で示す領域には、回路装置１５０Ａの端子等が形成されるため、ビア１４５Ａ１は形成されない。
　このように多数形成されるビア１４５Ａ１のピッチは、例えば、隣り合うビア１４５Ａ１同士の間隔が、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、コプレーナ線路１４６Ａ１を介して回路装置１５０Ａと共振器１４１Ａ１との間で伝送される電磁波を、コプレーナ線路１４６Ａ１によって実現される伝送路に閉じこめるためである。すなわち、電磁波がコプレーナ線路１４６Ａ１から漏れ出て、絶縁層１４４Ａ１内に伝送することがないようにするためである。
　コプレーナ線路１４６Ａ１は、Ｘ軸正方向側の端部が共振器１４１Ａ１に接続され、Ｘ軸負方向側の端部がバンプ１５１Ａ１を介して、回路装置１５０Ａの端子に接続されている。コプレーナ線路１４６Ａ１は、第１伝送路の一例である。また、コプレーナ線路１４６Ａ１と同様に基板１４０Ｂに形成されるコプレーナ線路は、第２伝送路の一例である。
　コプレーナ線路１４６Ａ１は、特性インピーダンスが５０Ωの伝送路であり、共振器１４１Ａ１と回路装置１５０Ａとの間における信号の伝送効率の低下を抑制するために設けられている。
　コプレーナ線路１４６Ａ１は、基板１４０Ａ１のＸ軸方向に延伸する中心軸上に形成されており、例えば、絶縁層１４４Ａ１のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、共振器１４１Ａ１と配線層１４２Ａ１とともに形成される。
　コプレーナ線路１４６Ａ１は、Ｘ軸方向において、Ｙ軸正方向側とＹ軸負方向側に配線層１４２Ａ１が存在する区間に存在する。
　このため、コプレーナ線路１４６Ａ１のＸ軸正方向側の端部は、接続路１４７Ａ１を介して、共振器１４１Ａ１に接続されている。
　接続路１４７Ａ１は、平面視で矩形の共振器１４１Ａ１のメタルパッチの内部にまで入り込んでいる部分である。接続路１４７Ａ１は、コプレーナ線路１４６Ａ１と共振器１４１Ａ１とのインピーダンス整合をとるために形成される。なお、接続路１４７Ａ１は、共振器１４１Ａ１の一部として捉えることができる。
　以上、図７に示すような基板１４０Ａ１では、共振器１４１Ａ１と回路装置１５０Ａとの間には、コプレーナ線路１４６Ａ１によって実現される伝送路が形成されている。
　このため、回路装置１５０Ａからバンプ１５１Ａ１を介して出力される信号は、コプレーナ線路１４６Ａ１及び接続路１４７Ａ１を経て、共振器１４１Ａ１に伝送される。
　また、共振器１４１Ａ１に入力される信号は、接続路１４７Ａ１及びコプレーナ線路１４６Ａ１を経て、回路装置１５０Ａに伝送される。
　次に、図８に示す基板１４０Ａ２について説明する。
　図８において、（Ｂ）は（Ａ）のＡ２－Ａ２矢視断面を示す。Ａ２－Ａ２矢視断面は、（Ａ）に示す基板１４０Ａ２のＸ軸方向に伸延する中心軸上の断面である。
　図８に示すように、基板１４０Ａ２は、共振器１４１Ａ２、配線層１４２Ａ２１、１４２Ａ２２、１４３Ａ２、絶縁層１４４Ａ２、ビア１４５Ａ２１、１４５Ａ２２、コプレーナ線路１４６Ａ２１、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、コプレーナ線路１４６Ａ２３、及び接続路１４７Ａ２を有する。
　コプレーナ線路１４６Ａ２１、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、コプレーナ線路１４６Ａ２３は、第１伝送路の一例である。また、同様に基板１４０Ｂに形成されるコプレーナ線路、マイクロストリップライン、コプレーナ線路は、第２伝送路の一例である。
　共振器１４１Ａ２は、平面視で矩形のメタルパッチであり、Ｘ軸負方向側の辺の中央に、接続路１４７Ａ２を介して、コプレーナ線路１４６Ａ２３が接続されている。接続路１４７Ａ２は、平面視で矩形の共振器１４１Ａ２のメタルパッチの内部にまで入り込んでいる部分である。接続路１４７Ａ２は、コプレーナ線路１４６Ａ２３と共振器１４１Ａ２とのインピーダンス整合をとるために形成される。
　共振器１４１Ａ２は、例えば、絶縁層１４４Ａ２のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、コプレーナ線路１４６Ａ２１、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、コプレーナ線路１４６Ａ２３、接続路１４７Ａ２、及び配線層１４２Ａ２１、１４２Ａ２２とともに形成される。
　配線層１４２Ａ２１は、回路装置１５０Ａの下側と、回路装置１５０ＡのＹ軸正方向側及びＹ軸負方向側と、回路装置１５０ＡのＸ軸正方向側とに形成される。配線層１４２Ａ２１は、ビア１４５Ａ２１を介して、配線層１４３Ａ２に接続されている。配線層１４２Ａ２１と１４３Ａ２は、グランド電位に保持される。
　配線層１４２Ａ２２はグランド電位に保持され、グランドエレメントとして機能する。
　配線層１４２Ａ２２は、配線層１４２Ａ２１とは分離されている。配線層１４２Ａ２２は、Ｘ軸方向において、マイクロストリップライン１４６Ａ２２が形成されている区間には形成されていない。
　配線層１４２Ａ２２は、絶縁層１４４Ａ２のＺ軸正方向側の面において、平面視で共振器１４１Ａ２を取り囲むとともに、コプレーナ線路１４６Ａ２３の両脇に沿うように形成されている。配線層１４２Ａ２２は、ビア１４５Ａ２２を介して、配線層１４３Ａ２に接続されている。
　配線層１４３Ａ２は、絶縁層１４４Ａ２のＺ軸負方向側の面の全面に形成されている。配線層１４３Ａ２は、ビア１４５Ａ２１によって配線層１４２Ａ２１と接続されるとともに、ビア１４５Ａ２２によって配線層１４２Ａ２２と接続されており、グランド電位に保持される。
　絶縁層１４４Ａ２は、基板１４０Ａ２がＦＲ－４規格に準じたプリント基板である場合は、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁層である。ここでは、絶縁層１４４Ａ２の内層の配線層を示さないが、絶縁層１４４Ａ２には、内層の配線層が形成されていてもよい。
　ビア１４５Ａ２１は、配線層１４２Ａ２１と配線層１４３Ａ２とを接続する。ビア１４５Ａ２１は、回路装置１５０Ａの下側においておいても配線層１４２Ａ２１と１４３Ａ２とを接続する。平面視で配線層１４２Ａ２１と配線層１４３Ａ２とを全体にわたって接続するように、多数のビア１４５Ａ２１が形成されている。
　なお、回路装置１５０ＡのＹ軸正方向側とＹ軸負方向側に破線の枠で示す領域には、回路装置１５０Ａの端子等が形成されるため、ビア１４５Ａ２１は形成されない。
　このように多数形成されるビア１４５Ａ２１のピッチは、例えば、隣接するビア１４５Ａ２１同士の間隔が、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、コプレーナ線路１４６Ａ２１で伝送される電磁波をコプレーナ線路１４６Ａ２１によって実現される伝送路に閉じこめるためである。すなわち、電磁波がコプレーナ線路１４６Ａ２１から漏れ出ることがないようにするためである。
　ビア１４５Ａ２２は、配線層１４２Ａ２２と配線層１４３Ａ２との間に形成されることにより、平面視で矩形の共振器１４１Ａ２の周囲と、コプレーナ線路１４６Ａ２３の両脇とに形成されている。
　このように多数形成されるビア１４５Ａ２２のピッチは、例えば、隣接するビア１４５Ａ２２同士の間隔が、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、コプレーナ線路１４６Ａ２３で伝送される電磁波をコプレーナ線路１４６Ａ２３によって実現される伝送路に閉じこめるためである。すなわち、電磁波がコプレーナ線路１４６Ａ２３から漏れ出ることがないようにするためである。
　コプレーナ線路１４６Ａ２１は、Ｘ軸正方向側の端部がマイクロストリップライン１４６Ａ２２に接続され、Ｘ軸負方向側の端部がバンプ１５１Ａ２を介して、回路装置１５０Ａの端子に接続されている。コプレーナ線路１４６Ａ２１は、特性インピーダンスが５０Ωの伝送路であり、マイクロストリップライン１４６Ａ２２と回路装置１５０Ａとの間における信号の伝送効率の低下を抑制するために設けられている。
　コプレーナ線路１４６Ａ２１は、基板１４０Ａ２のＸ軸方向に延伸する中心軸上に形成されている。コプレーナ線路１２６Ａ２１は、例えば、絶縁層１４４Ａ２のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、コプレーナ線路１４６Ａ２３、接続路１４７Ａ２、共振器１４１Ａ２、及び配線層１４２Ａ２１、１４２Ａ２２とともに形成される。
　コプレーナ線路１４６Ａ２１は、配線層１４２Ａ２１によってＹ軸正方向側とＹ軸負方向側が挟まれている。
　マイクロストリップライン１４６Ａ２２は、Ｘ軸負方向側の端部がコプレーナ線路１４６Ａ２１に接続され、Ｘ軸正方向側の端部がコプレーナ線路１４６Ａ２３に接続されている。
　マイクロストリップライン１４６Ａ２２は、特性インピーダンスが５０Ωの伝送路であり、コプレーナ線路１４６Ａ２１とコプレーナ線路１４６Ａ２３との間における信号の伝送効率の低下を抑制するために設けられている。
　コプレーナ線路１４６Ａ２３は、Ｘ軸正方向側の端部が接続路１４７Ａ２を介して共振器１４１Ａ２に接続され、Ｘ軸負方向側の端部がマイクロストリップライン１４６Ａ２２に接続されている。
　コプレーナ線路１４６Ａ２３は、特性インピーダンスが５０Ωの伝送路であり、共振器１４１Ａ２とマイクロストリップライン１４６Ａ２２との間における信号の伝送効率の低下を抑制するために設けられている。
　コプレーナ線路１４６Ａ２３は、基板１４０Ａ２のＸ軸方向に延伸する中心軸上に形成されている。コプレーナ線路１４６Ａ２３は、例えば、絶縁層１４４Ａ２のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、コプレーナ線路１４６Ａ２１、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、接続路１４７Ａ２、共振器１４１Ａ２、及び配線層１４２Ａ２１、１４２Ａ２２とともに形成される。
　コプレーナ線路１４６Ａ２３は、Ｘ軸方向において、Ｙ軸正方向側とＹ軸負方向側に配線層１４２Ａ２が存在する区間に存在する。
　このため、コプレーナ線路１４６Ａ２３のＸ軸正方向側の端部は、接続路１４７Ａ２を介して、共振器１４１Ａ２に接続されている。
　接続路１４７Ａ２は、平面視で矩形の共振器１４１Ａ２のメタルパッチの内部にまで入り込んでいる部分である。接続路１４７Ａ２は、コプレーナ線路１４６Ａ２３と共振器１４１Ａ２とのインピーダンス整合をとるために形成される。なお、接続路１４７Ａ２は、共振器１４１Ａ２の一部として捉えることができる。
　以上、図８に示すような基板１４０Ａ２では、共振器１４１Ａ２と回路装置１５０Ａとの間には、コプレーナ線路１４６Ａ２１、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、コプレーナ線路１４６Ａ２３によって実現される伝送路が形成されている。
　このため、回路装置１５０Ａからバンプ１５１Ａ２を介して出力される信号は、コプレーナ線路１４６Ａ２１、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、コプレーナ線路１４６Ａ２３、及び接続路１４７Ａ２を経て、共振器１４１Ａ２に伝送される。
　また、共振器１４１Ａ２に入力される信号は、接続路１４７Ａ２、コプレーナ線路１４６Ａ２３、マイクロストリップライン１４６Ａ２２、及びコプレーナ線路１４６Ａ２１を経て、回路装置１５０Ａに伝送される。
　次に、図９に示す基板１４０Ａ３について説明する。
　図９において、（Ｂ）は（Ａ）のＡ３－Ａ３矢視断面を示す。Ａ３－Ａ３矢視断面は、（Ａ）に示す基板１４０Ａ３のＸ軸方向に伸延する中心軸上の断面である。
　図９に示すように、基板１４０Ａ３は、共振器１４１Ａ３、配線層１４２Ａ３、１４３Ａ３、絶縁層１４４Ａ３、ビア１４５Ａ３、コプレーナ線路１４６Ａ３１、マイクロストリップライン１４６Ａ３２、及び接続路１４７Ａ３を有する。
　コプレーナ線路１４６Ａ３１とマイクロストリップライン１４６Ａ３２は、第１伝送路の一例である。また、同様に基板１４０Ｂに形成されるコプレーナ線路とマイクロストリップラインは、第２伝送路の一例である。
　図９に示す基板１４０Ａ３は、図８に示す基板１４０Ａ２から、配線層１４２Ａ２２とビア１４５Ａ２２とを取り除いたような構成を有する。
　共振器１４１Ａ３は、平面視で矩形のメタルパッチであり、Ｘ軸負方向側の辺の中央に、接続路１４７Ａ３を介して、マイクロストリップライン１４６Ａ３２が接続されている。接続路１４７Ａ３は、平面視で矩形の共振器１４１Ａ３のメタルパッチの内部にまで入り込んでいる部分である。接続路１４７Ａ３は、マイクロストリップライン１４６Ａ３２と共振器１４１Ａ３とのインピーダンス整合をとるために形成される。
　共振器１４１Ａ３は、例えば、絶縁層１４４Ａ３のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、コプレーナ線路１４６Ａ３１、マイクロストリップライン１４６Ａ３２、接続路１４７Ａ３、及び配線層１４２Ａ３とともに形成される。
　配線層１４２Ａ３は、図８に示す配線層１４２Ａ２と同様に、回路装置１５０Ａの下側と、回路装置１５０ＡのＹ軸正方向側及びＹ軸負方向側と、回路装置１５０ＡのＸ軸正方向側とに形成される。配線層１４２Ａ３は、ビア１４５Ａ３を介して、配線層１４３Ａ３に接続されている。配線層１４２Ａ３と１４３Ａ３は、グランド電位に保持される。
　配線層１４３Ａ３は、図８に示す配線層１４３Ａ２と同様に、絶縁層１４４Ａ３のＺ軸負方向側の面の全面に形成されている。配線層１４３Ａ３は、ビア１４５Ａ３によって配線層１４２Ａ３と接続され、グランド電位に保持される。
　絶縁層１４４Ａ３は、図８に示す絶縁層１４４Ａ２と同様に、基板１４０Ａ３がＦＲ－４規格に準じたプリント基板である場合は、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁層である。ここでは、絶縁層１４４Ａ３の内層の配線層を示さないが、絶縁層１４４Ａ３には、内層の配線層が形成されていてもよい。
　ビア１４５Ａ３は、図８に示すビア１４５Ａ２と同様に、配線層１４２Ａ３と配線層１４３Ａ３とを接続する。ビア１４５Ａ３は、回路装置１５０Ａの下側においておいても配線層１４２Ａ３と１４３Ａ３とを接続する。平面視で配線層１４２Ａ３と配線層１４３Ａ３とを全体にわたって接続するように、多数のビア１４５Ａ３が形成されている。
　なお、回路装置１５０ＡのＹ軸正方向側とＹ軸負方向側に破線の枠で示す領域には、回路装置１５０Ａの端子等が形成されるため、ビア１４５Ａ３は形成されない。
　このように多数形成されるビア１４５Ａ３のピッチは、例えば、隣接するビア１４５Ａ３同士の間隔が、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、コプレーナ線路１４６Ａ３１で伝送される電磁波をコプレーナ線路１４６Ａ３１によって実現される伝送路に閉じこめるためである。すなわち、電磁波がコプレーナ線路１４６Ａ３１から漏れ出ることがないようにするためである。
　コプレーナ線路１４６Ａ３１は、図８に示すコプレーナ線路１４６Ａ２１と同様に、Ｘ軸正方向側の端部がマイクロストリップライン１４６Ａ３２に接続され、Ｘ軸負方向側の端部がバンプ１５１Ａ３を介して、回路装置１５０Ａの端子に接続されている。コプレーナ線路１４６Ａ３１は、特性インピーダンスが５０Ωの伝送路であり、マイクロストリップライン１４６Ａ３２と回路装置１５０Ａとの間における信号の伝送効率の低下を抑制するために設けられている。
　コプレーナ線路１４６Ａ３１は、基板１４０Ａ３のＸ軸方向に延伸する中心軸上に形成されている。コプレーナ線路１２６Ａ２１は、例えば、絶縁層１４４Ａ３のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、マイクロストリップライン１４６Ａ３２、接続路１４７Ａ３、共振器１４１Ａ３、及び配線層１４２Ａ３とともに形成される。
　コプレーナ線路１４６Ａ３１は、配線層１４２Ａ３によってＹ軸正方向側とＹ軸負方向側が挟まれている。
　マイクロストリップライン１４６Ａ３２は、Ｘ軸負方向側の端部がコプレーナ線路１４６Ａ３１に接続され、Ｘ軸正方向側の端部が接続路１４７Ａ３に接続されている。
　マイクロストリップライン１４６Ａ３２は、特性インピーダンスが５０Ωの伝送路であり、コプレーナ線路１４６Ａ３１と接続路１４７Ａ３との間における信号の伝送効率の低下を抑制するために設けられている。
　接続路１４７Ａ３は、平面視で矩形の共振器１４１Ａ３のメタルパッチの内部にまで入り込んでいる部分である。接続路１４７Ａ３は、マイクロストリップライン１４６Ａ３２と共振器１４１Ａ３とのインピーダンス整合をとるために形成される。なお、接続路１４７Ａ３は、共振器１４１Ａ３の一部として捉えることができる。
　以上、図９に示すような基板１４０Ａ３では、共振器１４１Ａ３と回路装置１５０Ａとの間には、コプレーナ線路１４６Ａ３１、マイクロストリップライン１４６Ａ３２によって実現される伝送路が形成されている。
　このため、回路装置１５０Ａからバンプ１５１Ａ３を介して出力される信号は、コプレーナ線路１４６Ａ３１、マイクロストリップライン１４６Ａ３２、及び接続路１４７Ａ３を経て、共振器１４１Ａ３に伝送される。
　また、共振器１４１Ａ３に入力される信号は、接続路１４７Ａ３、マイクロストリップライン１４６Ａ３２、及びコプレーナ線路１４６Ａ３１を経て、回路装置１５０Ａに伝送される。
　次に、図１０及び図１１に示す基板１４０Ａ４について説明する。
　図１０に示すように、基板１４０Ａ４は、共振器１４１Ａ４、配線層１４２Ａ４、１４３Ａ４、絶縁層１４４Ａ４、ビア１４５Ａ４１、１４５Ａ４２、及びパッド１４６Ａ４を有する。図１１には、図１０に示す回路装置１５０Ａを取り除いた状態における基板１４０Ａ４を示す。
　共振器１４１Ａ４は、配線層１４２Ａ４に形成される一対のスロットを有する。共振器１４１Ａ４の一対のスロットは、Ｙ軸方向に延伸しており、Ｘ軸方向に離間して形成される。
　共振器１４１Ａ４の一対のスロットのＹ軸方向の長さは、放射特性に応じて適切な幅に設定し、それに合わせて一対のスロットの間隔は、通信周波数における波長λの半分の長さ（λ／２）に設定するのが好ましい。また、
共振器１４１Ａ４の一対のスロットの各々の幅は、共振器１４１Ａ４の放射特性に応じて適切な幅に設定すればよく、好ましくは、絶縁層１４４Ａの厚みより狭い方がよい。
　共振器１４１Ａ４は、例えば、絶縁層１４４Ａ４のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、配線層１４２Ａ４及びパッド１４６Ａ４とともに形成される。
　配線層１４２Ａ４はグランド電位に保持される。配線層１４２Ａ４は、絶縁層１４４Ａ４のＺ軸正方向側の面のうち、共振器１４１Ａ４の一対のスロットとパッド１４６Ａ４とを除く部分に形成されている。
　また、配線層１４２Ａ４は、ビア１４５Ａ４１を介して、配線層１４３Ａ４に接続されている。配線層１４２Ａ４と１４３Ａ４は、グランド電位に保持される。
　配線層１４２Ａ４は、絶縁層１４４Ａ４のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、共振器１４１Ａ４、及びパッド１４６Ａ４とともに形成される。
　配線層１４３Ａ４は、絶縁層１４４Ａ４のＺ軸負方向側の面の全面に形成されている。配線層１４３Ａ４は、ビア１４５Ａ４１によって配線層１４２Ａ４と接続されており、グランド電位に保持される。
　また、配線層１４３Ａ４は、ビア１４５Ａ４２によってパッド１４６Ａ４に接続されている。
　絶縁層１４４Ａ４は、基板１４０Ａ４がＦＲ－４規格に準じたプリント基板である場合は、例えば、ガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁層である。ここでは、絶縁層１４４Ａ４の内層の配線層を示さないが、絶縁層１４４Ａ４には、内層の配線層が形成されていてもよい。
　ビア１４５Ａ４１は、配線層１４２Ａ４と１４３Ａ４とを接続する。平面視で配線層１４２Ａ４と１４３Ａ４とを全体にわたって接続するように、多数のビア１４５Ａ４１が形成されている。
　ただし、ビア１４５Ａ４１は、共振器１４１Ａ４とパッド１４６Ａ４との間には形成されない。ここで、配線層１４２Ａ４のうち、平面視で共振器１４１Ａ４とパッド１４６Ａ４との間に位置し、ビア１４５Ａ４１が接続されない部分を導波部１４２Ａ４１と称す。導波部１４２Ａ４１と、配線層１４３Ａ４の対応する部分とは、導波管１４７Ａ４を構築する。
　ビア１４５Ａ４１は、平面視で配線層１４２Ａ４の全面から、導波部１４２Ａ４１と回路装置１５０ＡのＹ軸正方向側とＹ軸負方向側に破線の枠で示す領域とを除いた部分に形成される。Ｙ軸正方向側とＹ軸負方向側に"～"の印を示すのは、ビア１４５Ａ４１が配線層１４２Ａ４のＹ軸正方向側とＹ軸負方向側の端部まで形成されることを示す。
　回路装置１５０ＡのＹ軸正方向側とＹ軸負方向側に破線の枠で示す領域には、回路装置１５０Ａの端子等が形成されるため、ビア１４５Ａ４１は形成されない。
　このように多数形成されるビア１４５Ａ４１のピッチは、例えば、隣接するビア１４５Ａ４１同士の間隔が、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、導波管１４７Ａ４を介して回路装置１５０Ａと共振器１４１Ａ４との間で伝送される電磁波を導波管１４７Ａ４に閉じこめるためである。すなわち、電磁波が導波管１４７Ａ４から漏れ出ることがないようにするためである。
　ビア１４５Ａ４２は、パッド１４６Ａ４と配線層１４３Ａ４とを接続する。
　パッド１４６Ａ４は、回路装置１５０Ａの端子の位置に合わせた位置に形成されており、Ｘ軸負方向側の端部がバンプ１５１Ａ４によって回路装置１５０Ａの端子に接続される。また、パッド１４６Ａ４のＸ軸正方向側の端部は、ビア１４５Ａ４２によって配線層１４３Ａ４に接続される。
　パッド１４６Ａ４は、平面視で、Ｘ軸方向に長く、Ｙ軸方向に短い矩形状のパッドである。パッド１４６Ａ４は、配線層１４２Ａ４によって四方が囲まれており、例えば、絶縁層１４４Ａ４のＺ軸正方向側の面に形成される銅箔をパターニングすることにより、共振器１４１Ａ４、及び配線層１４２Ａ４とともに形成される。
　ビア１４５Ａ４２とパッド１４６Ａ４は、共振器として機能し、回路装置１５０Ａから伝送される信号を、導波管１４７Ａ４内に放射する。
　導波管１４７Ａ４は、配線層１４２Ａ４のうち、平面視で共振器１４１Ａ４とパッド１４６Ａ４との間に位置し、ビア１４５Ａ４１が接続されない部分である導波部１４２Ａ４１と、配線層１４３Ａ４のうち導波部１４２Ａ４１に対応する部分とによって構築される伝送路である。
　導波管１４７Ａ４は、第１伝送路の一例である。また、同様に基板１４０Ｂに形成される導波管は、第２伝送路の一例である。
　導波管１４７Ａ４は、パッド１４６Ａ４に接続されるビア１４５Ａ４２と、共振器１４１Ａ４との間で、電磁波を双方向に伝送することができる。
　このため、回路装置１５０Ａからバンプ１５１Ａ１を介して出力される信号は、パッド１４６Ａ４及びビア１４５Ａ４２を経て、導波管１４７Ａ４によって伝送される。
　また、共振器１４１Ａ４に入力される信号は、導波管２４７Ａ４を経てビア１４５Ａ４４２まで伝送され、パッド１４６Ａ４及びバンプ１５１Ａ４を経て、回路装置１５０Ａに伝送される。
　以上、実施の形態１の無線通信装置１００の基板１４０Ａ、１４０Ｂは、図７乃至図１１を用いて説明した基板１４０Ａ１～１４０Ａ４が有する伝送路により、回路装置１５０Ａと共振器１４１Ａとの間、及び、回路装置１５０Ｂと共振器１４１Ｂとの間で、信号の伝送が可能である。
　また、図３及び図４を用いて説明した共振装置１２０Ａの共振器１２３Ａ１と、共振器１４１Ａとの間で信号を伝送することにより、共振器１２１Ａ１と回路装置１５０Ａとの間で信号を伝送することができる。
　同様に、共振装置１２０Ｂの共振器１２３Ｂ１と、共振器１４１Ｂとの間で信号を伝送することにより、共振器１２１Ｂ１と回路装置１５０Ｂとの間で信号を伝送することができる。
　従って、図１に示すように、無線通信装置１００Ａと１００Ｂが近接して配置された状態で、共振装置１２０Ａの共振器１２１Ａ１と、共振装置１２０Ｂの共振器１２１Ｂ１との間で、無線通信を行うことにより、回路装置１５０Ａと１５０Ｂとの間で、信号の送受信が可能になる。
　ここで、共振器１２１Ａ１と１２１Ｂ１との間の距離は、例えば、無線通信の通信周波数における波長（λ）の半分（λ／２）又は四分の１（λ／４）以下程度の距離に設定すればよい。これは、近傍解として与えられる距離である。
　このように共振器１２１Ａ１と１２１Ｂ１とを近接させて対向させることにより、共振器１２１Ａ１と１２１Ｂ１とを結合させることができ、共振器１２１Ａと１２１Ｂとの間で効率的な信号の伝送を行うことができる。
　実施の形態１の無線通信装置１００が、例えば、１Ｇｂｐｓの伝送速度でデータ通信を行う場合には、通信周波数帯域は１ＧＨｚ程度が必要となり、搬送波周波数は通信周波数帯域よりも十分高いミリ波帯を用いた通信が有利となる。実施の形態１の無線通信装置１００がミリ波帯を用いて１Ｇｂｐｓ以上の伝送速度でデータ通信を行う場合には、共振器１２１Ａ１と１２１Ｂ１との間の距離は、例えば、数ミリから数十ミリ程度に設定すればよいことになる。
　また、共振器１２１Ａは筐体１１０Ａの壁部１１０Ａ１よりも外側に位置しており、共振器１２１Ｂは筐体１１０Ｂの壁部１１０Ｂ１よりも外側に位置している。
　このため、共振器１２１Ａ１から放射される電磁波（信号）は、周囲の構造物等に遮られることなく、共振器１２１Ｂ１に到達する。同様に、共振器１２１Ｂ１から放射される電磁波（信号）は、周囲の構造物等に遮られることなく、共振器１２１Ａ１に到達する。
　従って、実施の形態１の無線通信装置１００によれば、共振器１２１Ａ１を有する無線通信装置１００Ａと、共振器１２１Ｂ１を有する無線通信装置１００Ｂとの間で、効率的に電磁波（信号）の伝送を行うことができる。
　このように、実施の形態１によれば、伝送効率の良好な無線通信装置１００を提供することができる。また、実施の形態１によれば、伝送効率の良好な無線通信装置１００Ａ、１００Ｂを提供することができる。
　また、実施の形態１によれば、伝送効率の良好な無線通信装置１００（１００Ａ、１００Ｂ）を含む電子装置５００を提供することができる。
　ここで、図１２を用いて、比較例の無線通信装置１０、２０について説明する。
　図１２は、比較例の無線通信装置１０の断面構造を示す図である。
　比較例の無線通信装置１０は、筐体１１Ａ、１１Ｂ、基板１２Ａ、１２Ｂ、アンテナモジュール１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ｂ１、１３Ｂ２、及びモジュール１４Ａ１～１４Ａ４、１４Ｂ１～１４Ｂ４を含む。
　比較例の無線通信装置１０は、実施の形態１の無線通信装置１００のように共振器１２１Ａ１、１２３Ａ１等によって筐体１１０Ａ、１１０Ｂの間での無線通信を行うのではなく、アンテナモジュール１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ｂ１、１３Ｂ２を用いて、筐体１１Ａ、１１Ｂの間での無線通信を行う。
　筐体１１Ａ、１１Ｂは、例えば、金属製の筐体であり、それぞれ、開口部１１Ａ１、１１Ａ２、１１Ｂ１、１１Ｂ２を有する。筐体１１Ａ、１１Ｂは、近接して平行に配列されている。筐体１１Ａ、１１Ｂの内部には、それぞれ、基板１２Ａ、１２Ｂが配設される。
　基板１２Ａ、１２Ｂは、例えば、ＦＲ－４（Flame Retardant Type 4）規格等に準じたプリント基板（ＰＣＢ：Printed Circuit Board）であり、表面、内層、及び裏面に配設される複数の配線層を含む。
　アンテナモジュール１３Ａ１、１３Ａ２は、少なくともアンテナを含み基板１２Ａに実装され、電磁波の放射又は受信を行う。同様に、アンテナモジュール１３Ｂ１、１３Ｂ２は少なくともアンテナを、基板１２Ｂに実装され、電磁波の放射又は受信を行う。アンテナモジュール１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ｂ１、１３Ｂ２は、例えば、パッチアンテナであり、放射面から放射状に電磁波を放射する。以下、アンテナモジュール１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ｂ１、１３Ｂ２をアンテナと呼ぶ。
　モジュール１４Ａ１～１４Ａ４、１４Ｂ１～１４Ｂ４は、例えば、通信用の信号等を生成する回路装置等であり、基板１２Ａ、１２Ｂを介して、アンテナ１３Ａ１、１３Ａ２、１３Ｂ１、１３Ｂ２との間で信号の伝送を行う。
　例えば、図１２に示すように、筐体１１Ａ、１１Ｂが近接して、開口部１１Ａ２と１１Ｂ２とを対向させた状態で配設されている状態では、アンテナ１３Ａ２とアンテナ１３Ｂ２とが、開口部１１Ａ２及び１１Ｂ２を介して、電磁波の送受信を行うことができる。
　すなわち、無線通信装置１０は、アンテナ１３Ａ２とアンテナ１３Ｂ２との間で無線通信を行うことができる。
　しかし、アンテナ１３Ａ２は筐体１１Ａの開口部１１Ａ２よりも筐体１１Ａの内側にオフセットしており、同様に、アンテナ１３Ｂ２は筐体１１Ａの開口部１１Ａ２よりも筐体１１Ａの内側にオフセットしている。また、アンテナ１３Ａ２と１３Ｂ２との間の距離は、近傍解で与えられるような短い距離ではなく、もっと長い距離であり、例えば、波長の１０倍程度の長さである。
　このため、図１２に示す無線通信装置１０のアンテナ１３Ｂ２からアンテナ１３Ａ２に向けて電磁波を放射すると、矢印αで示すようにアンテナ１３Ａ２に向かう電磁波の他に、矢印β１～β４で示すように、アンテナ１３Ａ２に到達しない電磁波が生じる。これは、電磁波は、アンテナ１３Ｂ２から放射状に放射されるからである。
　矢印β１、β２で示す電磁波は、アンテナ１３Ｂ２から開口部１１Ｂ２を通過して筐体１１Ｂの外側に放射されるが、筐体１１Ａの開口部１１Ａ２を通過せずに、筐体１１Ａと１１Ｂとの間を横方向に伝搬する。
　また、矢印β３、β４で示す電磁波は、アンテナ１３Ｂ２から放射され、開口部１１Ｂ２を通過せずに筐体１１Ｂの内部を伝搬する。このとき、破線の矢印で示すように、矢印β４で示す電磁波の反射波も生じる。この反射波は遅延が生じているため直接波αに悪影響を及ぼす。
　矢印β１～β４で示す電磁波は、アンテナ１３Ｂ２からアンテナ１３Ａ２に伝送されないため、図１２に示す無線通信装置１０は、実施の形態１の無線通信装置１００（図１参照）に比べて、伝送効率が良好ではない。
　これは、アンテナ１３Ｂ２とアンテナ１３Ｂ２とを離間して対向させた構成では、アンテナ１３Ｂ２が放射する電磁波が放射状に拡がり、相手側のアンテナ１３Ａ２に届く電磁波は、アンテナ１３Ｂ２から放射される電磁波のごく一部であるからである。
　なお、これは、アンテナ１３Ａ２からアンテナ１３Ｂ２に向けて電磁波を伝送する場合においても同様である。
　図１３は、実施の形態１の変形例の無線通信装置１００を示す図である。図１３に示す無線通信装置１００は、筐体１１０Ａの壁部１１０Ａ１と、筐体１１０Ｂの壁部１１０Ｂ１とに、それぞれ、凹部１１０Ａ３と、凹部１１０Ｂ３が形成されている。凹部１１０Ａ３は第１凹部の一例であり、凹部１１０Ｂ３は第２凹部の一例である。
　凹部１１０Ａ３、１１０Ｂ３は、それぞれ、壁部１１０Ａ１、１１０Ｂ１から筐体１１０Ａ、１１０Ｂの内側に凹んだ部分である。開口部１１０Ａ２、１１０Ｂ２は、凹部１１０Ａ３、１１０Ｂ３に形成されている。
　このため、筐体１１０Ａの壁部１１０Ａ１と、筐体１１０Ｂの壁部１１０Ｂ１との間の距離が非常に短い場合であっても、図１３に示すように、共振器１２１Ａ１と共振器１２１Ｂ１とが接触しないようにすることができる。
　また、筐体１１０Ａの壁部１１０Ａ１と、筐体１１０Ｂの壁部１１０Ｂ１との間の距離が非常に短く、共振器１２１Ａ１と共振器１２１Ｂ１との間に無線通信に必要な距離が確保できないような場合においても、凹部１１０Ａ３、１１０Ｂ３を設けることにより、共振器１２１Ａ１と共振器１２１Ｂ１との間に、より長い距離を確保することができる。
　なお、凹部１１０Ａ３、１１０Ｂ３の壁部１１０Ａ１、１１０Ｂに対するオフセット量（壁部１１０Ａ１、１１０Ｂの表面と、凹部１１０Ａ３、１１０Ｂ３の表面との段差の寸法）は、共振器１２１Ａ１と共振器１２１Ｂ１との接触を避けるため、又は、共振器１２１Ａ１と共振器１２１Ｂ１との間の距離を確保するために、適切な長さに設定すればよい。
　＜実施の形態２＞
　図１４は、実施の形態２の無線通信装置２００と電子装置５２０を示す断面図である。
　実施の形態２の無線通信装置２００は、実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａ、１２０Ｂを共振装置２２０Ａ、２２０Ｂに置き換えたものである。共振装置２２０Ａ、２２０Ｂは、実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａ、１２０Ｂに、減衰部２１０Ａ、２１０Ｂを追加した構成を有する。
　また、実施の形態２の電子装置５２０は、実施の形態１の電子装置５００に含まれる無線通信装置１００を実施の形態２の無線通信装置２００に置き換えたものである。実施の形態２では、無線通信装置２００は、無線通信装置２００Ａ、２００Ｂを含み、電子装置５２０は、電子装置５２０Ａ、５２０Ｂを含む。
　上記以外の構成は、実施の形態１の無線通信装置１００及び電子装置５００と同様であるため、同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。また、以下では、図１４に加えて、図１５も用いて説明を行う。
　図１５は、実施の形態２の無線通信装置２００Ａの共振装置２２０Ａの共振器１２１Ａ及び減衰部２１０Ａを示す平面図である。
　図１４に示すように、共振装置２２０Ａは、減衰部２１０Ａ、共振基板２２１Ａ、導波管１２２Ａ、及び共振基板１２３Ａを有する。共振装置２２０Ｂは、減衰部２１０Ｂ、共振基板２２１Ｂ、導波管１２２Ｂ、及び共振基板１２３Ｂを有する。
　共振基板２２１Ａは、共振器１２１Ａ１、共振器２２１Ａ２、及び絶縁層２２１Ａ３を有する。絶縁層２２１Ａ３は、実施の形態１の絶縁層１２１Ａ３よりも平面視で大きく、同様に、共振器２２１Ａ２は、導波管１２２Ａに接続されるグランドエレメント２２１Ａ２１が実施の形態１の共振器１２１Ａ２のグランドエレメントよりも大きい。
　平面視で、絶縁層２２１Ａ３の共振器１２１Ａ１の周囲には減衰部２１０Ａが形成されている。ここで、減衰部２１０Ａは、共振基板２２１Ａの構成要素として取り扱ってもよい。
　共振基板２２１Ｂは、共振器１２１Ｂ１、共振器２２１Ｂ２、及び絶縁層２２１Ｂ３を有する。絶縁層２２１Ｂ３は、実施の形態１の絶縁層１２１Ｂ３よりも平面視で大きく、同様に、共振器２２１Ｂ２は、導波管１２２Ｂに接続されるグランドエレメント２２１Ｂ２１が実施の形態１の共振器１２１Ｂ２のグランドエレメントよりも大きい。
　平面視で、絶縁層２２１Ｂ３の共振器１２１Ｂ１の周囲には減衰部２１０Ｂが形成されている。ここで、減衰部２１０Ｂは、共振基板２２１Ｂの構成要素として取り扱ってもよい。
　図１５に示すように、減衰部２１０Ａは、絶縁層２２１Ａ３の一方の面（図１４における下面）の共振器１２１Ａ１の周囲に同心矩形状に形成される矩形環状の部材である。
　減衰部２１０Ａは、電磁波を減衰させる部材であり、共振器１２１Ａ１の四方を囲むように形成されている。減衰部２１０Ａは、例えば、電気な抵抗を有する部材である。減衰部２１０Ａは第１減衰部の一例である。
　減衰部２１０Ａは、共振器１２１Ａ１から放射状に放射される電磁波のうち、共振器１２１Ａ１に対向する共振器１２１Ｂ１に到達せずに、共振器１２１Ａ１から平面状に伝播する成分を減衰又は消失させるために設けられている。すなわち、減衰部２１０Ａは、共振器１２１Ａ１から横方向（平面方向）に伝播する電磁波を抵抗で熱エネルギー等に変換し、減衰又は消失させる。なお、減衰部２１０Ａは、共振器１２１Ａ１から横方向（平面方向）に伝播する電磁波を完全に消失させなくても、周囲に悪影響を生じさせない程度の電力レベルに減衰させることができればよい。
　図１６は、実施の形態２の無線通信装置２００Ａの減衰部２１０Ａの例示的な構成を示す平面図である。
　図１６に示すように、減衰部２１０Ａは、例えば、絶縁層２２１Ａ３の一方の面（図１４における下面）の共振器１２１Ａ１の周囲の矩形環状の領域内に形成される複数のメタル共振パターンユニット２１０Ａ１である。
　メタル共振パターンユニット２１０Ａ１は、絶縁層２２１Ａ３の一方の面（図１４における下面）の共振器１２１Ａ１の周囲に同心矩形状に形成され、各々のメタル共振パターンユニット２１０Ａ１の中心間の距離は同じ長さとなっており周期的に配置させている。メタル共振パターンユニット２１０Ａ１には金属層の形成された共振パターンが配置されている。
　図１６には、１２８個のメタル共振パターンユニット２１０Ａ１を示す。１２８個のメタル共振パッドパターンユニット２１０Ａ１同士は、図１６に示すように、格子状に周期的にパターニングされている。メタル共振パターンユニット２１０Ａ１の共振器が周期的に配置されることによって、所望の周波数帯域、すちわち、無線搬送周波数帯域において、電磁波を減衰吸収させる機能を成す。このように金属パターンを周期的に配置させ、特定の周波数の伝送を抑制させるものはEBG( Electromagnetic Band-Gap)構造ともよばれている。
　このようなメタル共振パターンユニット２１０Ａ１は、例えば、絶縁層２２１Ａ３の一方の面（図１４における下面）の共振器１２１Ａ１の周囲に同心矩形状に形成される矩形環状の金属層をレーザー加工等によって格子状に分断することによって形成することができる。メタル共振パターンユニット２１０Ａ１は、例えば、銅箔又はアルミ箔等によって実現される。
　メタル共振パターンユニット２１０Ａ１が銅箔製である場合は、例えば、絶縁層２２１Ａ３の一方の面（図１４における下面）の共振器１２１Ａ１の周囲に同心矩形状に形成される銅箔をエッチングまたはレーザー加工等によってパターニングすることによって形成することができる。この銅箔は、共振器１２１Ａ１を形成するための銅箔と同一のものであってよい。
　また、メタル共振パターンユニット２１０Ａ１がアルミ箔製である場合は、例えば、絶縁層２２１Ａ３の一方の面（図１４における下面）の共振器１２１Ａ１の周囲の矩形環状の領域内に、蒸着等によってアルミ箔を形成した後に、アルミ箔をレーザー加工等によってパターニングすることによって形成することができる。
　なお、ここでは、図１５及び図１６を用いて、共振装置２２０Ａに形成される減衰部２１０Ａについて説明したが、共振装置２２０Ｂに形成される減衰部２１０Ｂについても同様である。減衰部２１０Ｂは第２減衰部の一例である。
　従って、実施の形態２の無線通信装置２００によれば、実施の形態１の無線通信装置１００と同様に、共振器１２１Ａ１を有する無線通信装置２００Ａと、共振器１２１Ｂ１を有する無線通信装置２００Ｂとの間で、効率的に電磁波（信号）の伝送を行うことができる。
　このように、実施の形態２によれば、伝送効率の良好な無線通信装置２００を提供することができる。また、実施の形態２によれば、伝送効率の良好な無線通信装置２００Ａ、２００Ｂを提供することができる。
　また、実施の形態２によれば、伝送効率の良好な無線通信装置２００（２００Ａ、２００Ｂ）を含む電子装置５２０を提供することができる。
　また、実施の形態２の無線通信装置２００によれば、共振器１２１Ａ１と共振器１２１Ｂ１との間から、筐体１１０Ａと筐体１１０Ｂとの間に電磁波が伝播した場合に、減衰部２１０Ａ、２１０Ｂで電磁波を減衰させることができる。
　このため、実施の形態２によれば、伝送効率が良好であるとともに、通信性能がより良好な無線通信装置２００を提供することができる。
　また、例えば、筐体１１０Ａの壁部１１０Ａ１と、筐体１１０Ｂの壁部１１０Ｂ１との間の間隔が、無線通信の通信周波数における波長λの約整数倍の長さであるような場合に、壁部１１０Ａ１と１１０Ｂ１との間で共振が生じるようなことを抑制することができる。
　このため、実施の形態２によれば、壁部１１０Ａ１と１１０Ｂ１との間における共振の発生を抑制することにより、通信性能をより改善した無線通信装置２００を提供することができる。
　＜実施の形態３＞
　図１７は、実施の形態３の無線通信装置３００と電子装置５３０を示す断面図である。
　実施の形態３の無線通信装置３００は、実施の形態１の無線通信装置１００の共振装置１２０Ａ、１２０Ｂと基板１４０Ａ、１４０Ｂを共振装置３２０Ａ、３２０Ｂと基板３４０Ａ、３４０Ｂに置き換えたものである。共振装置３２０Ａ、３２０Ｂは、それぞれ、基板３４０Ａ、３４０Ｂに実装されている点が実施の形態１の共振装置１２０Ａ、１２０Ｂと異なる。
　また、実施の形態３の電子装置５３０は、実施の形態１の電子装置５００に含まれる無線通信装置１００を実施の形態３の無線通信装置３００に置き換えたものである。
　上記以外の構成は、実施の形態１の無線通信装置１００及び電子装置５００と同様であるため、同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　実施の形態３の無線通信装置３００は、無線通信装置３００Ａ、３００Ｂを含む。無線通信装置３００Ａは、筐体３１０Ａと共振装置３２０Ａを含む。無線通信装置３００Ｂは、筐体３１０Ｂと共振装置３２０Ｂを含む。
　実施の形態３の電子装置５３０は、電子装置５３０Ａと電子装置５３０Ｂを含む。電子装置５３０Ａは、無線通信装置３００Ａ、基板１３０Ａ、基板３４０Ａ、及び回路装置１５０Ａを含む。同様に、電子装置５３０Ｂは、無線通信装置３００Ｂ、基板１３０Ｂ、基板３４０Ｂ、及び回路装置１５０Ｂを含む。
　なお、ここでは、基板１３０Ａと基板３４０Ａを電子装置５３０Ａの構成要素として取り扱うが、基板１３０Ａと基板３４０Ａは、無線通信装置３００Ａの構成要素として取り扱ってもよい。すなわち、無線通信装置３００Ａが、筐体３１０Ａ、共振装置３２０Ａ、基板１３０Ａ、及び基板３４０Ａを含むものとして取り扱ってもよい。
　同様に、ここでは、基板１３０Ｂと基板３４０Ｂを電子装置５３０Ｂの構成要素として取り扱うが、基板１３０Ｂと基板３４０Ｂは、無線通信装置３００Ｂの構成要素として取り扱ってもよい。すなわち、無線通信装置３００Ｂが、筐体３１０Ｂ、共振装置３２０Ｂ、基板１３０Ｂ、及び基板３４０Ｂを含むものとして取り扱ってもよい。
　筐体３１０Ａ、３１０Ｂは、例えば、金属製の筐体であり、それぞれ、壁部３１０Ａ１、３１０Ｂ１を有する。筐体３１０Ａ及び３１０Ｂは、壁部３１０Ａ１と３１０Ｂ１とを近接させるとともに、略平行にした状態で、並べて配設される。筐体３１０Ａは第１筐体の一例であり、筐体３１０Ｂは第２筐体の一例である。壁部３１０Ａ１は第１壁部の一例であり、壁部３１０Ｂ１は第２壁部の一例である。
　筐体３１０Ａ、３１０Ｂは、それぞれ、壁部３１０Ａ１、３１０Ｂ１に形成される開口部３１０Ａ２、３１０Ｂ２を有する。開口部３１０Ａ２は第１開口部の一例であり、開口部３１０Ｂ２は第２開口部の一例である。
　開口部３１０Ａ２、３１０Ｂ２は、平面視で矩形状の開口部である。開口部３１０Ａ２からは、共振装置３２０Ａの共振器３２１Ａ２が絶縁層３２１Ａ３を介して筐体３１０Ａの外方を向いている。また、開口部３１０Ｂ２からは、共振装置３２０Ｂの共振器３２１Ｂ２が絶縁層３２１Ｂ３を介して筐体３１０Ｂの外方を向いている。
　開口部３１０Ａ２、３１０Ｂ２の開口の平面視での大きさは、それぞれ、共振装置３２０Ａ、３２０Ｂの共振基板３２１Ａ、３２１Ｂの大きさ以上であることが望ましい。なお、開口部３１０Ａ２、３１０Ｂ２の開口の平面視での大きさは、それぞれ、共振基板３２１Ａ、３２１Ｂの電磁波の放射の妨げにならないように適宜設定すればよい。
　なお、図１７には、筐体３１０Ａの壁部のうち、開口部３１０Ａ２が形成される壁部３１０Ａ１のみを示すが、筐体３１０Ａは、共振装置３２０Ａ、基板１３０Ａ、３４０Ａ、及び回路装置１５０Ａを囲む（内蔵する）ように形成されている。同様に、図１７には、筐体３１０Ｂの壁部のうち、開口部３１０Ｂ２が形成される壁部３１０Ｂ１のみを示すが、筐体３１０Ｂは、共振装置３２０Ｂ、基板１３０Ｂ、３４０Ｂ、及び回路装置１５０Ｂを囲む（内蔵する）ように形成されている。
　共振装置３２０Ａ、３２０Ｂは、それぞれ、基板３４０Ａ、３４０Ｂに実装されている。共振装置３２０Ａは、共振基板３２１Ａ、及び導波管３２２Ａを含む。同様に、共振装置３２０Ｂは、共振基板３２１Ｂ、及び導波管３２２Ｂを含む。共振装置３２０Ａは第１共振装置の一例であり、共振装置３２０Ｂは第２共振装置の一例である。導波管３２２Ａは第１導波管の一例であり、導波管３２２Ｂは第２導波管の一例である。
　共振装置３２０Ａは、開口部３１０Ａ２から共振基板３２１Ａの共振器３２１Ａ２が筐体３１０Ａの外側を向くように、基板１４０Ａに実装されている。共振装置３２０Ａの導波管３２２Ａは、矩形状の断面を有する、または、実施形態１と同様な図２に相当する断面形状でもよい。共振器３２１Ａ２は第１共振器の一例である。
　同様に、共振装置３２０Ｂは、開口部３１０Ｂ２から共振基板３２１Ｂの共振器３２１Ｂ２が筐体３１０Ｂの外側を向くように、基板１４０Ｂに実装されている。共振装置３２０Ｂの導波管３２２Ｂは、矩形状の断面を有する、または、実施形態１と同様な図２に相当する断面形状でもよい。共振器３２１Ｂ２は第２共振器の一例である。
　共振基板３２１Ａは、第一面３２１Ａ１、共振器３２１Ａ２、及び絶縁層３２１Ａ３を有する。第一面３２１Ａ１は、絶縁層３２１Ａ３の導波管３２２Ａに接続される面とは反対側の面であり、共振器３２１Ａ２は、絶縁層３２１Ａ３の導波管３２２Ａに接続される面に形成されている。
　第一面３２１Ａ１は、例えば、図４の（Ｂ）の第一面と同様に、絶縁層３２１Ａ３が全面を占めており、共振器は存在しない。
　共振器３２１Ａ２は、例えば、絶縁層３２１Ａ３の表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。共振基板３２１Ａは、共振器３２１Ａ２によって電磁波を伝送する。
　共振器３２１Ａ２の放射面は、開口部３１０Ａ２の内部において、壁部３１０Ａ１の筐体３１０Ａの内側に位置する面よりも、筐体３１０Ａの外側に位置する。すなわち、共振器３２１Ａ２は、放射面が筐体３１０Ａの内面よりも筐体３１０Ａの外側に位置するように配設されている。
　これは、共振器３２１Ａ２から放射される電磁波が筐体３１０Ａの内部を伝搬せず、筐体３１０Ａの外部を伝搬するようにするためである。
　同様に、共振基板３２１Ｂは、第一面３２１Ｂ１、共振器３２１Ｂ２、及び絶縁層３２１Ｂ３を有する。第一面３２１Ｂ１は、絶縁層３２１Ｂ３の導波管３２２Ｂに接続される面とは反対側の面であり、共振器３２１Ｂ２は、絶縁層３２１Ｂ３の導波管３２２Ｂに接続される面に形成されている。
　第一面３２１Ｂ１は、例えば、図４の（Ｂ）の第一面と同様に、絶縁層３２１Ｂ３が全面を占めており、共振器は存在しない。
　共振器３２１Ｂ２は、例えば、絶縁層３２１Ｂ３の表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。共振基板３２１Ｂは、共振器３２１Ｂ２によって電磁波を伝送する。
　共振器３２１Ｂ２の放射面は、開口部３１０Ｂ２の内部において、壁部３１０Ｂ１の筐体３１０Ｂの内側に位置する面よりも、筐体３１０Ｂの外側に位置する。すなわち、共振器３２１Ｂ２は、放射面が筐体３１０Ｂの内面よりも筐体３１０Ｂの外側に位置するように配設されている。
　これは、共振器３２１Ｂ２から放射される電磁波が筐体３１０Ｂの内部を伝搬せず、筐体３１０Ｂの外部を伝搬するようにするためである。
　導波管３２２Ａ、３２２Ｂは、例えば、矩形管状に成型した金属膜で構築される、または、例えば、実施形態１と同等な図２の（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）に示すような変形矩形状でもよい。金属膜としては、例えば、銅箔又はアルミニウム製の金属箔を用いることができる。導波管３２２Ａ、３２２Ｂは、内面が金属層で覆われていればよいため、矩形管状または変形矩形状の樹脂部材の内表面に金属層を形成したものであってもよい。または、内部樹脂は無く金属層のみの空洞導波管形状でもよい。金属層は、例えば、銅又はアルミニウム製の金属層であればよい。導波管３２２Ａ、３２２Ｂは、それぞれ、実施の形態１の導波管１２２Ａ、１２２Ｂに端部３２２Ａ１、３２２Ｂ１を付け加えた構成を有する。端部３２２Ａ１、３２２Ｂ１は、それぞれ、矩形環状の金属層であり、平面視で、矩形状の開口部を有する。
　導波管３２２Ａの一端（図１７中の下側の端部）は、共振基板３２１Ａの共振器３２１Ａ２に接続されており、他端（図１７中の上側の端子）の端部３２２Ａ１は、半田ボール３５１Ａによって基板３４０Ａの配線層３４２Ａに接続されている。半田ボール３５１Ａはメタルバンプでもよい。
　半田ボール３５１Ａは、平面視では導波管３２２Ａの矩形環状の断面に沿って複数配列されている。隣り合う半田ボール３５１Ａ同士の間隔は、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、電磁波が導波管３２２Ａと基板３４０Ａの伝送路との接続部から外部に漏れ出ないようにするためである。
　導波管３２２Ａは、共振器３２１Ａ２と基板３４０Ａの共振器３４１Ａとの間に導波路を形成する。
　導波管３２２Ａの共振基板３２１Ａに平行な断面は、矩形状である。導波管３２２Ａは、共振基板３２１Ａと基板３４０Ａの共振器３４１Ａとの間で、電磁波を伝送する。
　同様に、導波管３２２Ｂの一端（図１７中の上側の端部）は、共振基板３２１Ｂの共振器３２１Ｂ２に接続されており、他端（図１７中の下側の端子）の端部３２２Ｂ１は、半田ボール３５１Ｂによって基板３４０Ｂの配線層３４２Ｂに接続されている。
　半田ボール３５１Ｂは、平面視では導波管３２２Ｂの矩形環状の断面に沿って複数配列されている。隣り合う半田ボール３５１Ｂ同士の間隔は、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、電磁波が導波管３２２Ｂと基板３４０Ｂの伝送路との接続部から外部に漏れ出ないようにするためである。
　導波管３２２Ｂは、共振器３２１Ｂ２と基板３４０Ｂの共振器３４１Ｂとの間に導波路を形成する。
　導波管３２２Ｂの共振基板３２１Ｂに平行な断面は、矩形状である。導波管３２２Ｂは、共振基板３２１Ｂと基板３４０Ｂの共振器３４１Ｂとの間で、電磁波を伝送する。
　基板１３０Ａ、１３０Ｂは、それぞれ、筐体３１０Ａ、３１０Ｂの内部に配設され、基板３４０Ａ、３４０Ｂが実装される。
　基板３４０Ａ、３４０Ｂは、それぞれ、筐体３１０Ａ、３１０Ｂの内部において、基板１３０Ａ、１３０Ｂに実装される。基板３４０Ａ、３４０Ｂは、例えば、ＦＲ－４規格等に準じたプリント基板である。基板３４０Ａは第１基板の一例であり、基板３４０Ｂは第２基板の一例である。
　基板３４０Ａは、共振器３４１Ａ、配線層３４２Ａ、３４３Ａ、絶縁層３４４Ａ、及びビア３４５Ａを有する。共振器３４１Ａ、配線層３４２Ａ、３４３Ａは、絶縁層３４４Ａの表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。
　共振器３４１Ａは、共振装置３２０Ａの共振器３２１Ａ２との間で電磁波を伝送する。配線層３４２Ａ、３４３Ａは、グランド電位に保持される。配線層３４２Ａには、半田ボール１５１Ａを介して回路装置１５０Ａが実装されるとともに、半田ボール３５１Ａを介して導波路３２２Ａの端部３２２Ａ１が接続されている。基板３４０Ａは、配線層３４３Ａを介して基板１３０Ａに接続されている。
　同様に、基板３４０Ｂは、共振器３４１Ｂ、配線層３４２Ｂ、３４３Ｂ、絶縁層３４４Ｂ、及びビア３４５Ｂを有する。共振器３４１Ｂ、配線層３４２Ｂ、３４３Ｂは、絶縁層３４４Ｂの表面及び裏面に貼り付けられる銅箔をパターニングすることによって形成される。
　共振器３４１Ｂは、共振装置３２０Ｂの共振器３２１Ｂ２との間で電磁波を伝送する。配線層３４２Ｂ、３４３Ｂは、グランド電位に保持される。配線層３４２Ｂには、半田ボール１５１Ｂを介して回路装置１５０Ｂが実装されるとともに、半田ボール３５１Ｂを介して導波路３２２Ｂの端部３２２Ｂ１が接続されている。基板３４０Ｂは、配線層３４３Ｂを介して基板１３０Ｂに接続されている。
　回路装置１５０Ａ、１５０Ｂは、それぞれ、基板３４０Ａ、３４０Ｂに半田ボール１５１Ａ、１５１Ｂを介して接続され、アンダーフィル材１５２Ａ、１５２Ｂによって固定されることにより、基板３４０Ａ、３４０Ｂにフリップチップ実装されている。回路装置１５０Ａ、１５０Ｂは、それぞれ、基板３４０Ａ、３４０Ｂの伝送路を介して、共振器３４１Ａ、３４１Ｂに接続されている。回路装置１５０Ａ、１５０Ｂの伝送路の構成は、実施の形態１で図７乃至図１１のいずれかに示す構成と同様である。
　以上のような実施の形態３の無線通信装置３００では、無線通信装置３００Ａの共振器３２１Ａ２と、無線通信装置３００Ａを含む電子装置５３０Ａの回路装置１５０Ａとの間で信号の送受信が可能である。
　また、無線通信装置３００Ｂの共振器３２１Ｂ２と、無線通信装置３００Ｂを含む電子装置５３０Ｂの回路装置１５０Ｂとの間で信号の送受信が可能である。
　従って、無線通信装置３００Ａと３００Ｂが近接して配置された状態で、共振装置３２０Ａの共振器３２１Ａ２と、共振装置３２０Ｂの共振器３２１Ｂ２との間で、無線通信を行うことにより、回路装置１５０Ａと１５０Ｂとの間で、効率的に電磁波（信号）の伝送を行うことができる。
　このように、実施の形態３によれば、伝送効率の良好な無線通信装置３００を提供することができる。また、実施の形態３によれば、伝送効率の良好な無線通信装置３００Ａ、３００Ｂを提供することができる。また、実施の形態３によれば、伝送効率の良好な電子装置５３０、５３０Ａ、５３０Ｂを提供することができる。
　実施の形態３の無線通信装置３００で、電磁波の伝送効率が良好になるのは、無線通信装置３００Ａと３００Ｂの間で通信を行う共振器３２１Ａ２と３２１Ｂ２の放射面が、それぞれ、筐体３１０Ａ、３１０Ｂの壁部３１０Ａ１、３１０Ｂ１の内壁面３１０Ａ１１、３１０Ｂ１１よりも外側に位置しているからである。
　共振器３２１Ａ２と３２１Ｂ２の放射面が、それぞれ、壁部３１０Ａ１、３１０Ｂ１の内壁面３１０Ａ１１、３１０Ｂ１１よりも外側に位置していることにより、共振器３２１Ａ２と３２１Ｂ２との間に電磁波を遮るものが存在しない。
　このため、実施の形態３の無線通信装置３００では、電磁波の良好な伝送効率を得ることができる。
　また、実施の形態３の無線通信装置３００では、共振器３２１Ａ２と３２１Ｂ２との間を近傍解が得られる程度に近接させている。
　このため、共振器３２１Ａ２と３２１Ｂ２から電磁波が放射状に放射されても、伝送中の損失が少なく、殆どすべての電磁波を共振器３２１Ａ２と３２１Ｂ２との間で伝送することができる。
　なお、図１７には、共振器３２１Ａ２、３２１Ｂ２の放射面が、それぞれ、開口部３１０Ａ２、３１０Ｂ２の内部において、筐体３１０Ａの内壁面３１０Ａ１１、３１０Ｂ１１よりも、筐体３１０Ａ、３１０Ｂの外側に位置する形態を示す。
　しかしながら、共振器３２１Ａ２、３２１Ｂ２からそれぞれ放射される電磁波が開口部３１０Ａ２、３１０Ｂ２を通過し、内壁面３１０Ａ１１、３１０Ｂ１１で筐体３１０Ａ、３１０Ｂの内部に反射されない場合は、共振器３２１Ａ２、３２１Ｂ２の放射面は、内壁面３１０Ａ１１、３１０Ｂ１１よりも筐体３１０Ａ、３１０Ｂの内側に位置してもよい。
　すなわち、共振器３２１Ａ２から放射される電磁波が内壁面３１０Ａ１１で反射されずに、開口部３１０Ａ２から筐体３１０Ａの外部に放射されるように、共振器３２１Ａ２と開口部３１０Ａ２との位置関係を規定できる場合は、共振器３２１Ａ２の放射面は、内壁面３１０Ａ１１よりも筐体３１０Ａの内側に位置してもよい。
　同様に、共振器３２１Ｂ２から放射される電磁波が内壁面３１０Ｂ１１で反射されずに、開口部３１０Ｂ２から筐体３１０Ｂの外部に放射されるように、共振器３２１Ｂ２と開口部３１０Ｂ２との位置関係を規定できる場合は、共振器３２１Ｂ２の放射面は、内壁面３１０Ｂ１１よりも筐体３１０Ｂの内側に位置してもよい。
　ここで、図１８を用いて、実施の形態３の変形例による無線通信装置３００について説明する。
　図１８は、実施の形態３の変形例による無線通信装置３００を示す図である。
　実施の形態３の変形例の無線通信装置３００Ｃは、実施の形態２の無線通信装置２００の共振装置３２０Ａ、３２０Ｂに、共振基板３２３Ａ、３２３Ｂを追加したものである。無線通信装置３００Ｃは、無線通信装置３００Ｄ、３００Ｅを含む。
　また、実施の形態３の変形例の電子装置５３０Ｃは、電子装置５３０Ｄと電子装置５３０Ｅを含む。
　上記以外の構成は、実施の形態３の無線通信装置３００及び電子装置５３０と同様であるため、同様の構成要素には同一符号を付し、その説明を省略する。
　図１８に示す共振装置３２０Ａは、共振基板３２１Ａ、導波管３２２Ａ、及び共振基板３２３Ａを含む。図１８に示す共振装置３２０Ａは、図１７に示す共振装置３２０Ａの端部３２２Ａ１の代わりに、共振基板３２３Ａを含むものである。
　共振基板３２３Ａは、グランドエレメント３２３Ａ１１、共振器３２３Ａ２、絶縁層３２３Ａ３、及びビア３２３Ａ４を含む。共振基板３２３Ａは、導波管３２２Ａの他端（図１７中の上側の端子）に接続されている。
　共振基板３２３Ａは、第一面３２３Ａ１のグランドエレメント３２３Ａ１１が半田ボール３５１Ａを介して配線層３４２Ａに接続されている。半田ボール３５１Ａはメタルバンプでもよい。
　共振器３２３Ａ２は、導波管３２２Ａを介して、共振器３２１Ａ２との間で電磁波を伝送するとともに、共振器３４１Ａとの間で電磁波を伝送する。
　絶縁層３２３Ａ３には、一方の面（図１８中の上側の面）である第一面３２３Ａ１にグランドエレメント３２３Ａ１１が形成され、他方の面（図１８中の下側の面）に共振器３２３Ａ２が形成されている。絶縁層３２３Ａ３には、ビア３２３Ａ４が形成されている。
　ビア３２３Ａ４が第一面３２３Ａ１の周囲にあるグランドエレメント３２３Ａ１１を介して半田ボール３５１Ａに接続されることにより、導波管３２２Ａはグランド電位に保持される。
　なお、共振基板３２３Ａの詳細な構成については後述する。
　同様に、図１８に示す共振装置３２０Ｂは、共振基板３２１Ｂ、導波管３２２Ｂ、及び共振基板３２３Ｂを含む。図１８に示す共振装置３２０Ｂは、図１７に示す共振装置３２０Ｂの端部３２２Ｂ１の代わりに、共振基板３２３Ｂを含むものである。
　共振基板３２３Ｂは、グランドエレメント３２３Ｂ１１、共振器３２３Ｂ２、絶縁層３２３Ｂ３、及びビア３２３Ｂ４を含む。共振基板３２３Ｂは、導波管３２２Ｂの他端（図１７中の下側の端子）に接続されている。
　共振基板３２３Ｂは、第一面３２３Ｂ１のグランドエレメント３２３Ｂ１１側が半田ボール３５１Ｂを介して配線層３４２Ｂに接続されている。
　共振器３２３Ｂ２は、導波管３２２Ｂを介して、共振器３２１Ｂ２との間で電磁波を伝送するとともに、共振器３４１Ｂとの間で電磁波を伝送する。
　絶縁層３２３Ｂ３には、一方の面（図１８中の下側の面）である第一面３２３Ｂ１にグランドエレメント３２３Ｂ１１が形成され、他方の面（図１８中の上側の面）に共振器３２３Ｂ２が形成されている。絶縁層３２３Ｂ３には、ビア３２３Ｂ４が形成されている。
　ビア３２３Ｂ４が第一面３２３Ｂ１の周囲にあるグランドエレメント３２３Ｂ１１を介して半田ボール３５１Ｂに接続されることにより、導波管３２２Ｂはグランド電位に保持される。
　なお、共振基板３２３Ｂの詳細な構成については後述する。
　次に、図１９乃至図２２を用いて、実施の形態３の無線通信装置３００の共振装置３２０Ａについて説明する。
　図１９乃至図２２は、実施の形態３の無線通信装置３００の共振装置３２０Ａを示す図である。図２０及び図２２は底面図、図１９及び図２１は断面図である。なお、図１９及び図２１では、共振装置３２０Ａと基板１４０Ａとを図１８とは天地逆に示す。また、図１９乃至図２２では、図示するように直交座標系であるＸＹＺ座標系を定義する。
　図１９に示すように、共振装置３２０Ａは、共振基板３２１Ａ、導波管３２２Ａ、及び共振基板３２３Ａを含む。また、基板３４０Ａは、共振器３４１Ａ、配線層３４２Ａ、３４３Ａ、絶縁層３４４Ａ、及びビア３４５Ａを含む。
　共振基板３２１Ａは、共振器３２１Ａ２、及び絶縁層３２１Ａ３を有する。共振器３２１Ａ２は、例えば、図４の（Ｂ）に示す第二面のような構成であればよい。第一面３２１Ａ１は絶縁層３２１Ａ３の表面である。また、共振器３２１Ａ２は、例えば、図４の（Ｃ）に示す第二面のような構成であればよい。
　共振基板３２３Ａは、グランドエレメント３２３Ａ１１、共振器３２３Ａ２、絶縁層３２３Ａ３、及びビア３２３Ａ４を有する。共振器３２３Ａ２は、例えば、図４の（Ａ）又は（Ｃ）の第二面に示すような構成であればよい。第一面３２３Ａ１は絶縁層３２３Ａ３の表面である。
　また、第一面３２３Ａ１及びグランドエレメント３２３Ａ１１は、例えば、図２０に示すような構成であればよい。第一面３２３Ａ１は、中央が絶縁層３２３Ａ３の表面であり、周囲に八角形の環状のグランドエレメント３２３Ａ１１を有する。
　グランドエレメント３２３Ａ１１は、ビア３２３Ａ４を介して共振器３２３Ａ２に接続されている。ビア３２３Ａ４は、図２０に示すように複数あり、隣り合うビア３２３Ａ４同士の間隔は、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。
　これは、電磁波が第一面３２３Ａ１と共振器３２３Ａ２との間の絶縁層３２３Ａ３からＸＹ平面の面方向において外部に漏れ出ないようにするためである。
　また、基板３４０Ａの配線層３４２Ａと３４３Ａとはビア３４５Ａで接続されており、配線層３４２Ａは、ビア３４５Ａ、配線層３４３Ａを介して、基板１３０（図１８参照）のグランド層に接続されることによってグランド電位に保持される。
　また、上述のように、半田ボール３５１Ａは、平面視では導波管３２２Ａの矩形環状の断面に沿って複数配列されている。隣り合う半田ボール３５１Ａ同士の間隔は、無線通信の通信周波数における波長λの半分未満、より好ましくは、λ／４以下になるように設定される。複数配列された半田ボール３５１Ａは、複数配列されたメタルバンプでもよい。
　これは、電磁波が第一面３２３Ａ１と基板３４０Ａの共振器３４１Ａとの接続部から外部に漏れ出ないようにするためである。
　従って、共振基板３２３Ａの絶縁層３２３Ａ３に複数のビア３２３Ａ４を形成し、ビア３２３Ａ４でグランドエレメント３２３Ａ１１と共振器３２３Ａ２とを接続するとともに、半田ボール３５１Ａでグランドエレメント３２３Ａ１１と共振器３４１Ａとを接続することにより、共振装置３２０Ａと基板３４０の伝送路とを接続することができる。
　従って、共振装置３２０Ａのように、基板１４０の側に共振基板３２３Ａを含む構成の無線通信装置３００Ｃ（図１８参照）においても、図１７に示す無線通信装置３００と同様に、良好な伝送効率の実現することができる。
　また、図２２に示すように、共振器３２３Ａは、内周側と外周側の２列で配列されるように、さらに多くの数のビア３２３Ａ４を含んでもよい。同様に、無線通信装置３００Ｃは、内周側と外周側の２列で配列されるように、さらに多くの数の半田ボール３５１Ａを含んでもよい。また、無線通信装置３００Ｃの基板３４０Ａは、さらに多くの数のビア３４５Ａを含んでもよい。
　このように、より多くのビア３２３Ａ４、半田ボール３５１Ａ、又はビア３４５Ａを設ける場合は、無線通信装置３００Ｃから電磁波の漏洩をより効果的に抑制することができ、より良好な伝送特性を得ることができる。
　以上、本発明の例示的な実施の形態の無線通信装置、及び、電子装置について説明したが、本発明は、具体的に開示された実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
　１００、１００Ａ、１００Ｂ　無線通信装置
　１１０Ａ、１１０Ｂ　筐体
　１１０Ａ１、１１０Ｂ１　壁部
　１１０Ａ２、１１０Ｂ２　開口部
　１１０Ａ３、１１０Ｂ３　凹部
　１２０Ａ、１２０Ｂ　共振装置
　１２１Ａ、１２１Ｂ　共振基板
　１２１Ａ１、１２１Ａ２、１２１Ｂ１、１２１Ｂ２　共振器
　１２１Ａ３、１２１Ｂ３　絶縁層
　１２２Ａ、１２２Ｂ　導波管
　１２３Ａ、１２３Ｂ　共振基板
　１２３Ａ１、１２３Ａ２、１２３Ｂ１、１２３Ｂ２　共振器
　１２３Ａ３、１２３Ｂ３　絶縁層
　１３０Ａ、１３０Ｂ　基板
　１４０Ａ、１４０Ｂ　基板
　１４１Ａ、１４１Ｂ　共振器
　１４２Ａ、１４３Ａ、１４２Ｂ、１４３Ｂ　配線層
　１４４Ａ、１４４Ｂ　絶縁層
　１５０Ａ、１５０Ｂ　回路装置
　２００、２００Ａ、２００Ｂ　無線通信装置
　２１０Ａ、２１０Ｂ　減衰部
　２２０Ａ、２２０Ｂ　共振装置
　２２１Ａ、２２１Ｂ　共振基板
　２２１Ａ２、２２１Ｂ２　共振器
　２２１Ａ３、２２１Ｂ３　絶縁層
　３００、３００Ａ、３００Ｂ　無線通信装置
　３１０Ａ、３１０Ｂ　筐体
　３２０Ａ、３２０Ｂ　共振装置
　３２１Ａ、３２１Ｂ　共振基板
　３２１Ａ２、３２１Ｂ２　共振器
　３２２Ａ、３２２Ｂ　導波管
　３４０Ａ、３４０Ｂ　基板
　５００、５００Ａ、５００Ｂ、５２０、５２０Ａ、５２０Ｂ、５３０、５３０Ａ、５３０Ｂ　電子装置

Claims (11)

  1. 　第１開口部を有する第１筐体と、
    　前記第１筐体に対向して配置され、前記第１開口部に対向して開口される第２開口部を有する第２筐体と、
    　第１共振器を有し、前記第１共振器が前記第１開口部から外側を向くように前記第１筐体の内部に配設される第１共振装置と、
    　第２共振器を有し、前記第２共振器が前記第２開口部から外側を向くとともに前記第１共振器に対向するように、前記第２筐体の内部に配設される第２共振装置と
    　を含む、無線通信装置。
  2. 　前記第１開口部は、前記第１筐体の前記第２筐体に対向する第１壁部に形成されており、前記第１共振装置は、前記第１開口部に差し込まれた状態で、前記第１共振器が前記第１壁部に固定される、又は、
    　前記第２開口部は、前記第２筐体の前記第１筐体に対向する第２壁部に形成されており、前記第２共振装置は、前記第２開口部に差し込まれた状態で、前記第２共振器が前記第２壁部に固定される、請求項１記載の無線通信装置。
  3. 　前記第１壁部は、前記第１筐体の内側に凹んだ第１凹部を有し、前記第１開口部は前記第１凹部に形成される、又は、
    　前記第２壁部は、前記第２筐体の内側に凹んだ第２凹部を有し、前記第２開口部は前記第２凹部に形成される、請求項２記載の無線通信装置。
  4. 　前記第１共振器の放射面は、前記第１開口部内において、前記第１壁部の前記第１筐体の内側に位置する面よりも、前記第１筐体の外側に位置する、又は、
    　前記第２共振器の放射面は、前記第２開口部内において、前記第２壁部の前記第２筐体の内側に位置する面よりも、前記第２筐体の外側に位置する、請求項1乃至３のいずれか一項記載の無線通信装置。
  5. 　前記第１共振装置は、前記第１筐体の内部に配設される第１基板に実装されることにより、前記第１共振器が前記第１開口部から外側を向くように前記第１筐体の内部に配設される、又は、
    　前記第２共振装置は、前記第２筐体の内部に配設される第２基板に実装されることにより、前記第２共振器が前記第２開口部から外側を向くように前記第２筐体の内部に配設される、請求項１記載の無線通信装置。
  6. 　前記第１開口部は、前記第１筐体の前記第２筐体に対向する第１壁部に形成されており、前記第１共振器の放射面は、前記第１開口部内において、前記第１壁部の前記第１筐体の内側に位置する面よりも、前記第１筐体の外側に位置する、又は、
    　前記第２開口部は、前記第２筐体の前記第１筐体に対向する第２壁部に形成されており、前記第２共振器の放射面は、前記第２開口部内において、前記第２壁部の前記第２筐体の内側に位置する面よりも、前記第２筐体の外側に位置する、請求項５記載の無線通信装置。
  7. 　前記第１共振装置は、前記第１共振器に接続されるとともに、前記第１筐体の内部に配設される第１伝送路に接続される第１導波管をさらに有する、又は、
    　前記第２共振装置は、前記第２共振器に接続されるとともに、前記第２筐体の内部に配設される第２伝送路に接続される第２導波管をさらに有する、請求項１乃至６のいずれか一項記載の無線通信装置。
  8. 　前記第１共振装置は、前記第１導波管の前記第１共振器が接続される端部とは反対側の端部に接続される第３共振器をさらに有し、前記第１導波管は前記第３共振器を介して前記第１伝送路に接続される、又は、
    　前記第２共振装置は、前記第２導波管の前記第２共振器が接続される端部とは反対側の端部に接続される第４共振器をさらに有し、前記第２導波管は前記第４共振器を介して前記第２伝送路に接続される、請求項７記載の無線通信装置。
  9. 　前記第１共振装置は、前記第１基板に、半田ボール又はメタルバンプを介して実装される、又は、
    　前記第２共振装置は、前記第２基板に、半田ボール又はメタルバンプを介して実装される、請求項５又は６記載の無線通信装置。
  10. 　平面視で前記第１共振部の周囲に配設され、電磁波を減衰させる第１減衰部と、
    　平面視で前記第２共振部の周囲に配設され、電磁波を減衰させる第２減衰部と
    　をさらに含む、請求項１乃至９のいずれか一項記載の無線通信装置。
  11. 　第１開口部を有する第１筐体と、
    　前記第１筐体に対向して配置され、前記第１開口部に対向して開口される第２開口部を有する第２筐体と、
    　第１共振器を有し、前記第１共振器が前記第１開口部から外側を向くように前記第１筐体の内部に配設される第１共振装置と、
    　第２共振器を有し、前記第２共振器が前記第２開口部から外側を向くとともに前記第１共振器に対向するように、前記第２筐体の内部に配設される第２共振装置と、
    　前記第１筐体の内部に配設され、前記第１共振装置に接続される第１伝送路を有する第１基板と、
    　前記第２筐体の内部に配設され、前記第２共振装置に接続される第２伝送路を有する第１基板と、
    　前記第１基板に実装されるとともに、前記第１伝送路に接続される、第１処理部と、
    　前記第２基板に実装されるとともに、前記第２伝送路に接続される、第２処理部と
    　を含む、電子装置。
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