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WO2013125078A1 - 有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 - Google Patents

有機ｅｌデバイスの製造装置及び製造方法 Download PDF

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WO2013125078A1
WO2013125078A1 PCT/JP2012/073114 JP2012073114W WO2013125078A1 WO 2013125078 A1 WO2013125078 A1 WO 2013125078A1 JP 2012073114 W JP2012073114 W JP 2012073114W WO 2013125078 A1 WO2013125078 A1 WO 2013125078A1
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WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
vapor deposition
base material
layer
vacuum chamber
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2012/073114
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English (en)
French (fr)
Inventor
山本　悟
良平 垣内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL device manufacturing apparatus for manufacturing an organic EL (electroluminescence) device, and also relates to an organic EL device manufacturing method.
  • a roll-to-roll process is known as a method for manufacturing an organic EL device.
  • Such a roll-to-roll process is performed as follows. That is, the belt-shaped base material wound up in a roll is continuously fed out and conveyed, and the vaporized material is discharged toward the base material on which the vapor deposition source is conveyed, and the discharged vaporized material is the base material. Vapor deposition on the deposition surface. Thereby, the constituent layer of the organic EL element is formed on the substrate. Then, a base material is wound up in roll shape (refer patent document 1).
  • the vaporized material discharged from one vapor deposition source is directly vapor deposited on the substrate, and the vaporized materials discharged from a plurality of vapor deposition sources are mixed and vapor deposited on the substrate.
  • a method hereinafter also referred to as “co-evaporation”.
  • co-evaporation it is necessary to align each vapor deposition source so that the vaporized material discharged from each vapor deposition source mixes well on the substrate.
  • the present invention provides a manufacturing apparatus and a manufacturing method of an organic EL device that can be easily co-deposited on a base material hung on the outer peripheral portion of a rotating roller. Let it be an issue.
  • the organic EL device manufacturing apparatus includes a rotating roller on which a base material is hung on an outer peripheral portion, a plurality of vapor deposition sources that discharge vaporized material for vapor deposition on the base material, and a discharge from the plurality of vapor deposition sources. And a mixer that discharges the mixed vaporized material toward the substrate, the mixer being movable and mixed so as to change a separation distance from the substrate. A nozzle portion for discharging the vaporized material is provided.
  • the organic EL device manufacturing apparatus further includes a vacuum chamber that houses the rotating roller and places the inside partitioned by a wall in a vacuum state, and each of the vapor deposition sources includes the vacuum It is fixed to the wall of the chamber, and the mixer may be disposed inside the vacuum chamber.
  • the organic EL device manufacturing apparatus further includes an operation tool for operating the nozzle unit so as to move.
  • the operation tool is disposed inside the vacuum chamber and disposed in the nozzle unit.
  • a connection mechanism for connection is a connection mechanism for connection.
  • the organic EL device manufacturing method according to the present invention is characterized in that an organic EL device is manufactured using the organic EL device manufacturing apparatus.
  • FIG. 1 is an overall perspective view of an organic EL device manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 shows the principal part top view of the manufacturing apparatus of the organic EL device which concerns on the same embodiment.
  • FIG. 3 shows an enlarged view of the essential part in FIG. 2 of the organic EL device manufacturing apparatus according to the embodiment.
  • FIG. 4 shows the principal part internal side side view of the manufacturing apparatus of the organic EL device which concerns on the same embodiment.
  • FIG. 5 is an overall cross-sectional view of the organic EL device manufactured by the organic EL device manufacturing apparatus according to the embodiment.
  • FIG. 6 shows the principal part internal view side view of the manufacturing apparatus of the organic EL device which concerns on the same embodiment.
  • an organic EL device manufacturing apparatus (hereinafter also simply referred to as “manufacturing apparatus”) 1 according to the present embodiment is transported with a transport apparatus 2 that transports a strip-shaped substrate 81 in the longitudinal direction. And a vapor deposition device 3 that vapor-deposits a vaporized material on a vapor deposition surface 811 that is one surface of the substrate 81.
  • the manufacturing apparatus 1 is not shown in FIG. 1 (see FIG. 2), the vacuum chamber 4 that accommodates the apparatuses 2 and 3 by a plurality of vacuum chambers 41 that make the interior partitioned by the wall portion 411 into a vacuum state. Is provided.
  • the conveyance device 2 includes a base material supply unit 21 that feeds and supplies a strip-shaped base material 81 wound in a roll shape, and a plurality of rotating rollers that support the base material 81 by the base material 81 being hung on the outer peripheral portion. 22 to 28 and a base material recovery unit 29 that winds and recovers the base material 81 in a roll shape.
  • the base material supply unit 21, the rotating rollers 22 to 28, and the base material recovery unit 29 are individually accommodated in the vacuum chambers 41 (see FIG. 2).
  • the base material 81 is conveyed in the state which turned the vapor deposition surface 811 to the side from beginning to end.
  • the plurality of rotating rollers 22 to 28 include first to third can rollers 22 to 24 that support the base material 81 when the base material 81 is vapor-deposited by the vapor deposition device 3, and the base material supply unit 21.
  • the first conveyance roller 25 that conveys the base material 81 from the first to the first can roller 22, and the second conveyance that conveys the base material 81 from the first can roller 22 to the second can roller 23.
  • a fourth transport roller 28 for transporting the material 81.
  • the vapor deposition apparatus 3 includes a first vapor deposition section 31 that vaporizes a vaporized material toward the base material 81 supported by the first can roller 22 and a base material 81 supported by the second can roller 23.
  • a second vapor deposition section 32 that vaporizes the vaporized material toward the substrate, and a third vapor deposition section 33 that vaporizes the vaporized material toward the base material 81 supported by the third can roller 24.
  • the vapor deposition units 31 to 33 are lateral vapor deposition units arranged on the sides of the can rollers 22 to 24.
  • the first vapor deposition section 31 vaporizes and discharges the vaporized material, thereby forming an anode layer vapor deposition source 311 for forming an anode layer 82 (see FIG. 5) on the vapor deposition surface 811 of the base material 81, and an anode layer vapor deposition source 311.
  • An edge cover vapor deposition source 312 that forms an edge cover 83 (see FIG. 5) that covers the periphery of the anode layer 82 by being disposed further downstream and vaporizing and discharging the vaporized material.
  • Each of the vapor deposition sources 311 and 312 has an opening of a discharge portion disposed on a side portion in order to discharge the vaporized material in a lateral direction.
  • Each of the vapor deposition sources 311 and 312 is disposed so as to face the vapor deposition surface 811 of the substrate 81.
  • the vapor deposition sources 311 and 312 are arranged at positions close to the base material 81. Specifically, the vapor deposition sources 311 and 312 are arranged at positions where the distance (shortest distance) between the opening of the discharge portion of each vapor deposition source 311 and 312 and the base material 81 is 10 mm or less.
  • each vapor deposition source 311 and 312 heats and vaporizes the material accommodated in the inside by a heating part (not shown and numbered).
  • the vaporized material (vaporized material) is discharged toward the vapor deposition surface 811 of the substrate 81 from the opening of the discharge portion.
  • the second vapor deposition section 32 vaporizes and discharges the vaporized material, thereby forming a positive hole injection layer vapor deposition source 321 that forms a positive hole injection layer 841 (see FIG. 5) on the vapor deposition surface 811 of the substrate 81,
  • a hole transport layer deposition source 322 which is disposed downstream of the hole injection layer deposition source 321 and forms a hole transport layer 842 (see FIG. 5) by vaporizing and discharging the vaporized material;
  • a light emitting layer deposition source 323 is disposed downstream of the source 322 and forms a light emitting layer 843 (see FIG. 5) by vaporizing and discharging the vaporized material.
  • the second vapor deposition section 32 is disposed downstream of the light emitting layer vapor deposition source 323, and vaporizes and discharges the vaporized material, thereby forming the electron transport layer vapor deposition source 324 that forms the electron transport layer 844 (see FIG. 5). And an electron injection layer deposition source 325 that forms an electron injection layer 845 (see FIG. 5) by vaporizing and discharging the vaporized material. That is, the second vapor deposition section 32 forms five organic EL layer constituting layers constituting the organic EL layer 84 (see FIG. 5).
  • each of the vapor deposition sources 321 to 325 an opening of the discharge part is arranged on the side part in order to discharge the vaporized material in the horizontal direction.
  • Each of the vapor deposition sources 321 to 325 is disposed so as to face the vapor deposition surface 811 of the substrate 81.
  • the vapor deposition sources 321 to 325 are arranged at positions close to the base material 81. Specifically, the vapor deposition sources 321 to 325 are arranged at positions where the distances (shortest distance) between the openings of the discharge portions of the vapor deposition sources 321 to 325 and the base material 81 are 10 mm or less.
  • each of the vapor deposition sources 321 to 325 heats and vaporizes the material accommodated therein by a heating unit (not shown or numbered).
  • the vaporized material (vaporized material) is discharged from the opening of the discharge portion toward the vapor deposition surface 811 of the substrate 81.
  • the 3rd vapor deposition part 33 vaporizes and discharges a vaporization material, and forms the cathode layer 85 (refer FIG. 5) in the vapor deposition surface 811 of the base material 81,
  • a sealing layer vapor deposition source 333 for forming (see FIG. 5).
  • the third vapor deposition unit 33 mixes the vaporized materials discharged from the first and second cathode layer vapor deposition sources 331 and 332, and uses the mixed vaporized material as a base material.
  • a mixer 334 is provided for discharging toward 81.
  • the third vapor deposition unit 33 includes an operation tool 335 for operating the mixer 334.
  • the vapor deposition sources 331 to 333 are fixed to a flange-shaped fixing portion 411a provided on the wall portion 411 of the vacuum chamber 41. Discharge units 331 a to 333 a at the tip of each of the vapor deposition sources 331 to 333 are arranged inside the vacuum chamber 41. The base end portions of the respective vapor deposition sources 331 to 333 are disposed outside the vacuum chamber 41. In addition, each of the vapor deposition sources 331 to 333 heats and vaporizes the material accommodated therein by a heating unit (not shown or numbered). The vapor deposition sources 331 to 333 discharge the vaporized material (vaporized material) from the openings of the discharge units 331a to 333a.
  • each of the vapor deposition sources 331 to 333 has the openings of the discharge portions 331a to 333a arranged on the side portions so as to discharge the vaporized material in the lateral direction.
  • Each of the vapor deposition sources 331 to 333 is moved in the radial direction of the can roller 24 by the movable mechanisms 331b to 333b, so that the discharge portions 331a to 333b can be brought into contact with and separated from the base material 81 (can roller 24).
  • the sealing layer deposition source 333 is disposed so as to face the deposition surface 811 of the substrate 81. Further, the sealing layer vapor deposition source 333 is arranged at a position close to the base material 81. Specifically, the sealing layer vapor deposition source 333 is disposed at a position where the distance (shortest distance) between the opening of the discharge portion 333a of the sealing layer vapor deposition source 333 and the base material 81 is 10 mm or less.
  • the mixer 334 includes a pair of vapor deposition source connection portions 334a and 334a connected to the discharge portions 331a and 332a of the first and second cathode layer vapor deposition sources 331 and 332, and vaporization discharged from the vapor deposition sources 331 and 332, respectively.
  • a nozzle connecting portion 334d for connecting to 334c.
  • the mixer 334 is disposed inside the vacuum chamber 41.
  • the nozzle portion 334c is disposed such that the opening is disposed on the side and opposed to the vapor deposition surface 811 of the substrate 81 in order to discharge the vaporized material in the lateral direction.
  • the nozzle portion 334 c is disposed at a position close to the base material 81.
  • the nozzle part 334c is arranged at a position where the distance (shortest distance) between the opening of the nozzle part 334c and the base material 81 is 10 mm or less.
  • the nozzle connecting portion 334d is formed with elasticity so that it can be deformed. Specifically, the nozzle connection portion 334d is formed to expand and contract in the direction in which the nozzle portion 334c and the base material 81 face each other (the radial direction of the can roller 24). The nozzle connecting portion 334d expands and contracts to move the nozzle portion 334c, so that the separation distance between the nozzle portion 334c and the base material 81 (the outer peripheral portion of the can roller 24) can be changed. In the present embodiment, the nozzle connection portion 334d is formed in a bellows shape.
  • the operation tool 335 is disposed inside the vacuum chamber 41 and connected to the nozzle unit 334c, the operation unit 335b disposed outside the vacuum chamber 41 and operated, and the operation unit 335b are operated.
  • a connecting mechanism 335c for connecting the connecting portion 335a and the operating portion 335b is provided so that the connecting portion 335a moves.
  • each vacuum chamber 41 is depressurized by a vacuum generator 42, and the interior is in a vacuum state.
  • Adjacent vacuum chambers 41 and 41 communicate with each other through a communication portion 43 for sequentially transporting the base material 81 in each vacuum chamber 41.
  • the vacuum chambers 41 and 41 are configured so as to maintain a vacuum state inside each.
  • the configuration of the manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment is as described above. Next, the configuration of the organic EL device 8 manufactured by the manufacturing apparatus 1 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
  • the organic EL device 8 includes a substrate 81, an anode layer 82, an edge cover 83 that covers the periphery of the anode layer 82, and a five-layer laminate so as to prevent the anode layer 82 and the cathode layer 85 from contacting each other.
  • the organic EL layer 84, the cathode layer 85, and the sealing layer 86 that covers the layers 82, 84, 85 are provided to prevent the layers 82, 84, 85 from coming into contact with air.
  • Each size (width, thickness, length) of the substrate 81 can be appropriately set according to the size of the organic EL element 80 formed on the substrate 81, the configuration of the manufacturing apparatus 1, and the like. It is not limited.
  • the thickness of each of the layers 82, 84 to 86 and the edge cover 83 is usually designed to be several nanometers to several tens of nanometers, but is appropriately designed according to the constituent layer forming material to be used, light emission characteristics, and the like. There is no particular limitation.
  • a flexible material that is not damaged when transported is used as the forming material of the base material 81.
  • a material for example, a metal material such as stainless steel, copper, aluminum or titanium, a non-metallic inorganic material such as thin film glass, a polyimide resin, a polyester resin, an epoxy resin, a polyurethane resin, a polystyrene resin, a polyethylene resin, or a polyamide resin
  • synthetic resin materials that are thermosetting resins and thermoplastic resins.
  • the material for forming the anode layer 82 examples include gold, silver, and aluminum.
  • the anode layer 82 according to the present embodiment employs a configuration composed of one anode layer constituent layer, it is not limited to such a configuration.
  • the anode layer may be formed from one or more anode layer constituent layers.
  • Examples of the material for forming the edge cover 83 include silicon oxide (SiO x ), molybdenum trioxide (MoO 3 ), and vanadium pentoxide (V 2 O 5 ).
  • the organic EL layer 84 is a five-layer laminate composed of five organic EL layer constituent layers.
  • the five organic EL layer constituting layers are a hole injection layer 841, a hole transport layer 842, a light emitting layer 843, an electron transport layer 844, and an electron injection layer 845 in this order from the anode layer 82 side.
  • the hole injection layer 841 for example, copper phthalocyanine (CuPc), 4,4′-bis [N-4- (N, N-di-m-tolylamino) phenyl] -N-phenylamino] biphenyl ( DNTPD) and HAT-CN.
  • CuPc copper phthalocyanine
  • DNTPD 4,4′-bis [N-4- (N, N-di-m-tolylamino) phenyl] -N-phenylamino] biphenyl
  • HAT-CN HAT-CN
  • the hole transport layer 842 for example, 4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl ( ⁇ -NPD), N, N′-diphenyl-N, N Examples include '-bis (3-methylphenyl) -1,1'biphenyl-4,4'diamine (TPD).
  • the light-emitting layer 843 for example, 4,4′-N, N′-dicarbazonylbiphenyl doped with tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) or iridium complex (Ir (ppy) 3) ( CBP) and the like.
  • Examples of the material for forming the electron injection layer 844 include lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), and lithium oxide (Li 2 O).
  • the electron transport layer 845 for example, tris (8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3), bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato-aluminum (BAlq), OXD-7 (1 , 3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl]) benzene, lithium fluoride (LiF) and the like.
  • the organic EL layer 84 employs a configuration including five organic EL layer configuration layers, the configuration is not limited thereto.
  • the organic EL layer only needs to be formed of one or more organic EL layer constituent layers.
  • the layer configuration is not particularly limited.
  • the material for forming the cathode layer 85 examples include alloys containing magnesium (Mg) and silver (Ag), lithium fluoride (LiF), and the like.
  • the cathode layer 85 is formed as an Mg—Ag alloy layer.
  • the cathode layer 85 according to the present embodiment employs a configuration composed of one cathode layer constituent layer, but is not limited to such a configuration.
  • the cathode layer only needs to be formed of one or more cathode layer constituent layers.
  • Examples of the material for forming the sealing layer 86 include molybdenum trioxide (MoO 3 ), silicon oxynitride (SiNO x ), oxygen-containing silicon carbide (SiOC), and the like.
  • Examples of SiO x include SiO 2
  • examples of SiNO x include SiNO.
  • the mixer 334 when the pair of vapor deposition sources 331 and 332 ejects a vaporizing material for vapor deposition on the base material 81, the mixer 334 has the vapor deposition source connection portion.
  • the vaporizing material discharged from the pair of vapor deposition sources 331 and 332 connected by 334a is mixed by the mixing unit 334b.
  • the mixer 334 performs co-evaporation by discharging the mixed vaporized material from the nozzle portion 334 c toward the base material 81 hung on the outer peripheral portion of the can roller (rotating roller) 24.
  • the nozzle portion 334 c of the mixer 334 moves by pushing and pulling the operation portion 335 b.
  • the separation distance of the nozzle part 334c and the base material 81 can be changed. Therefore, the position of the nozzle part 334c with respect to the vapor deposition surface 811 of the base material 81 can be easily adjusted.
  • the nozzle portion 334c when the conveyance of the base material 81 is stopped, the nozzle portion 334c positioned in the vicinity of the base material 81 due to the radiant heat from the base material 81 having a high temperature (for example, 200 ° C. to 300 ° C.). There is a problem of damage. In order to solve such a problem, the nozzle portion 334 c can be easily separated from the base material 81. In this way, it is possible to easily co-deposit the base material 81 hung on the outer peripheral portion of the can roller (rotating roller) 24.
  • a high temperature for example, 200 ° C. to 300 ° C.
  • the vacuum chamber 41 is in a vacuum state inside the compartment defined by the wall portion 411 and houses a can roller (rotating roller) 24 therein. is doing.
  • the pair of vapor deposition sources 331 and 332 are fixed to the wall portion 411 of the vacuum chamber 41, and the mixer 334 is disposed inside the vacuum chamber 41.
  • the vaporization material discharged from each vapor deposition source 331,332 is discharged from the nozzle part 334c in a short time after mixing.
  • the connecting portion 335 a of the operation tool 335 is disposed inside the vacuum chamber 41. Further, the connecting portion 335a is connected to the nozzle portion 334c. The operation unit 335 b of the operation tool 335 is disposed outside the vacuum chamber 41. And if the operation part 335b is operated, the connection part 335a will move by the connection mechanism 335c which connects the connection part 335a and the operation part 335b.
  • the nozzle unit 334c disposed inside the vacuum chamber 41 can be moved. Therefore, the position of the nozzle part 334c with respect to the vapor deposition surface 811 of the base material 81 can be adjusted more easily.
  • the manufacturing apparatus and manufacturing method of the organic EL device according to the present invention are not limited to the above-described embodiments, and various changes can be made without departing from the scope of the present invention. . Moreover, it is needless to say that configurations, methods, and the like according to various modifications described below may be arbitrarily selected and employed in the configurations, methods, and the like according to the above-described embodiments.
  • the configuration in which the nozzle connection portion 334d of the mixer 334 is formed in a bellows shape has been described, but the configuration is not limited thereto.
  • the nozzle connection portion 334d may have a multi-tube structure and may be configured to expand and contract as each tube slides.
  • the nozzle connecting portion 334d may be configured as a flexible tube having flexibility. In short, what is necessary is just a structure which can change the separation distance of the nozzle part 334c and the base material 81 by the nozzle part 334c moving with respect to the mixing part 334b.
  • the configuration in which the nozzle portion 334c of the mixer 334 moves by pushing, pulling, or operating the operation portion 335b has been described. It is not limited to such a configuration.
  • the connection mechanism 335c moves the coupling unit 335a in the horizontal direction, and thus the nozzle unit 334c may move so as to change the separation distance from the base material 81. .
  • the operation tool 335 rotates the operation unit 335b when finely adjusting the position of the nozzle unit 334c when starting the manufacture.
  • a configuration in which the operation unit 335b is pulled may be employed.
  • the operation tool 335 rotates the operation unit 335b to move the nozzle unit 334c in the horizontal direction by about 1 mm per rotation, while the operation unit 335b is pushed or pulled in the horizontal direction.
  • the nozzle unit 334c may be moved in the horizontal direction by the amount that the operation unit 335b is moved in the horizontal direction.
  • Deposition source 331 a, 332 a, 333 a... Discharge section, 331 b, 332 b, 333 b... Movable mechanism, 334 ... mixer, 334 a. 4c ... Nozzle connection part, 335 ... operation tool, 335a ... connection part, 335b ... operation part, 335c ... connection mechanism, 411 ... wall part, 411a ... fixed part, 811 ... vapor deposition surface, 841 ... hole injection layer, 842 ... Hole transport layer, 843 ... Light emitting layer, 844 ... Electron transport layer, 845 ... Electron injection layer

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Abstract

　回転ローラの外周部に掛けられている基材に対して、容易に共蒸着することができる有機ＥＬの製造装置及び製造方法を提供する。本発明は、外周部に基材が掛けられる回転ローラと、前記基材に蒸着させるための気化材料を吐出する複数の蒸着源と、前記複数の蒸着源から吐出された気化材料を混合し、混合した気化材料を前記基材に向けて吐出する混合器とを備える。混合器は、前記基材との離間距離を変更するように移動可能で且つ混合した気化材料を吐出するノズル部を備える。

Description

有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法 関連出願の相互参照
　本願は、日本国特願２０１２－０３５１６２号の優先権を主張し、引用によって本願明細書の記載に組み込まれる。
　本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッサンス）デバイスを製造するための有機ＥＬデバイスの製造装置に関し、また、有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。
　従来、有機ＥＬデバイスの製造方法として、ロールｔｏロールプロセスが知られている。斯かるロールｔｏロールプロセスは、以下のように行われる。すなわち、ロール状に巻き取られた帯状の基材を連続的に繰り出して搬送し、そして、蒸着源が搬送されている基材に向けて気化材料を吐出し、吐出された気化材料が基材の蒸着面に蒸着する。これによって、基材に有機ＥＬ素子の構成層が形成される。その後、基材はロール状に巻き取られる（特許文献１参照）。
日本国特開２００８－２８７９９６号公報
　ところで、基材に気化材料を蒸着させるのに、一つの蒸着源から吐出した気化材料をそのまま基材に蒸着させる方式と、複数の蒸着源から吐出した気化材料を混合して基材に蒸着させる方式（以下、「共蒸着」ともいう）とが存在している。そして、共蒸着において、各蒸着源から吐出した気化材料が基材上で上手く混合するように、各蒸着源の位置を合わせる必要があるが、回転ローラの外周部に掛けられている基材に対して、各蒸着源の位置を合わせることは、非常に煩雑である。
　よって、本発明は、斯かる事情に鑑み、回転ローラの外周部に掛けられている基材に対して、容易に共蒸着することができる有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法を提供することを課題とする。
　本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置は、外周部に基材が掛けられる回転ローラと、前記基材に蒸着させるための気化材料を吐出する複数の蒸着源と、前記複数の蒸着源から吐出された気化材料を混合し、混合した気化材料を前記基材に向けて吐出する混合器とを備え、該混合器は、前記基材との離間距離を変更するように移動可能で且つ混合した気化材料を吐出するノズル部を備えることを特徴とする。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置においては、前記回転ローラを内部に収容し、壁部で区画された内部を真空状態にする真空チャンバをさらに備え、前記各蒸着源は、前記真空チャンバの壁部に固定され、前記混合器は、前記真空チャンバの内部に配置されてもよい。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置においては、前記ノズル部を移動するように操作するための操作具を備え、該操作具は、前記真空チャンバの内部に配置され且つ前記ノズル部に連結される連結部と、前記真空チャンバの外部に配置され、操作される操作部と、該操作部が操作されることにより前記連結部が移動するように、前記連結部と前記操作部とを接続する接続機構とを備えてもよい。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、前記の有機ＥＬデバイスの製造装置を用いて有機ＥＬデバイスを製造することを特徴とする。
図１は、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の全体斜視図を示す。 図２は、同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の要部平面図を示す。 図３は、同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の図２における要部内視拡大図を示す。 図４は、同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の要部内視側面図を示す。 図５は、同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置で製造された有機ＥＬデバイスの全体断面図を示す。 図６は、同実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の要部内視側面図を示す。
　以下に、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置の一実施形態について図１～図６を参照して説明する。
　図１に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置（以下、単に「製造装置」ともいう）１は、帯状の基材８１を長手方向に搬送する搬送装置２と、搬送される基材８１の一方側の面である蒸着面８１１に気化材料を蒸着させる蒸着装置３とを備える。また、製造装置１は、図１で示していないが（図２参照）、壁部４１１で区画された内部を真空状態にする複数の真空チャンバ４１によって各装置２，３を収容する真空室４を備える。
　搬送装置２は、ロール状に巻かれた帯状の基材８１を繰り出して供給する基材供給部２１と、外周部に基材８１が掛けられることで、基材８１を支持する複数の回転ローラ２２～２８と、基材８１をロール状に巻き取って回収する基材回収部２９とを備える。そして、基材供給部２１、各回転ローラ２２～２８及び基材回収部２９は、それぞれ個別に各真空チャンバ４１の内部に収容されている（図２参照）。なお、基材８１は、終始、蒸着面８１１を側方に向けた状態で搬送されている。
　また、複数の回転ローラ２２～２８には、基材８１が蒸着装置３で蒸着される際に、基材８１を支持する第１～第３のキャンローラ２２～２４と、基材供給部２１から第１のキャンローラ２２に向けて基材８１を搬送する第１の搬送ローラ２５と、第１のキャンローラ２２から第２のキャンローラ２３に向けて基材８１を搬送する第２の搬送ローラ２６と、第２のキャンローラ２３から第３のキャンローラ２４に向けて基材８１を搬送する第３の搬送ローラ２７と、第３のキャンローラ２４から基材回収部２９に向けて基材８１を搬送する第４の搬送ローラ２８と、が設けられている。
　蒸着装置３は、第１のキャンローラ２２に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第１の蒸着部３１と、第２のキャンローラ２３に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第２の蒸着部３２と、第３のキャンローラ２４に支持されている基材８１に向けて気化材料を蒸着させる第３の蒸着部３３とを備える。なお、各蒸着部３１～３３は、各キャンローラ２２～２４の側方に配置される横向き蒸着部である。
　第１の蒸着部３１は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に陽極層８２（図５参照）を形成する陽極層蒸着源３１１と、陽極層蒸着源３１１より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、陽極層８２の周縁を覆うエッジカバー８３（図５参照）を形成するエッジカバー蒸着源３１２とを備える。
　各蒸着源３１１，３１２は、横向きに気化材料を吐出すべく、吐出部の開口が側部に配置される。各蒸着源３１１，３１２は、基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。また、各蒸着源３１１，３１２は、基材８１に対して近接する位置に配置されている。具体的には、各蒸着源３１１，３１２の吐出部の開口と基材８１との間の距離（最短距離）が１０ｍｍ以下となる位置に、各蒸着源３１１，３１２が配置されている。
　そして、各蒸着源３１１，３１２は、加熱部（図示及び採番していない）により、内部に収容された材料を加熱して気化させる。そして、気化された材料（気化材料）は、吐出部の開口から基材８１の蒸着面８１１に向けて吐出される。
　第２の蒸着部３２は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に正孔注入層８４１（図５参照）を形成する正孔注入層蒸着源３２１と、正孔注入層蒸着源３２１より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、正孔輸送層８４２（図５参照）を形成する正孔輸送層蒸着源３２２と、正孔輸送層蒸着源３２２より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、発光層８４３（図５参照）を形成する発光層蒸着源３２３とを備える。
　また、第２の蒸着部３２は、発光層蒸着源３２３より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、電子輸送層８４４（図５参照）を形成する電子輸送層蒸着源３２４と、電子輸送層蒸着源３２４より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、電子注入層８４５（図５参照）を形成する電子注入層蒸着源３２５とを備える。即ち、第２の蒸着部３２は、有機ＥＬ層８４（図５参照）を構成する五層の有機ＥＬ層構成層を形成する。
　各蒸着源３２１～３２５は、横向きに気化材料を吐出すべく、吐出部の開口が側部に配置される。各蒸着源３２１～３２５は、基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。また、各蒸着源３２１～３２５は、基材８１に対して近接する位置に配置されている。具体的には、各蒸着源３２１～３２５の吐出部の開口と基材８１との間の距離（最短距離）が１０ｍｍ以下となる位置に、各蒸着源３２１～３２５が配置されている。
　そして、各蒸着源３２１～３２５は、加熱部（図示及び採番していない）により、内部に収容された材料を加熱して気化させる。そして、気化された材料（気化材料）は吐出部の開口から基材８１の蒸着面８１１に向けて吐出される。
　第３の蒸着部３３は、気化材料を気化させて吐出することにより、基材８１の蒸着面８１１に陰極層８５（図５参照）を形成する第１及び第２の陰極層蒸着源３３１，３３２と、第２の陰極層蒸着源３３２より下流に配置され、気化材料を気化させて吐出することにより、各層８２，８４，８５が空気と接触することを防止させるための封止層８６（図５参照）を形成する封止層蒸着源３３３とを備える。
　また、第３の蒸着部３３は、図２～図４に示すように、第１及び第２の陰極層蒸着源３３１，３３２から吐出された気化材料を混合し、混合した気化材料を基材８１に向けて吐出する混合器３３４を備えている。さらに、第３の蒸着部３３は、混合器３３４を操作するための操作具３３５を備えている。
　各蒸着源３３１～３３３は、真空チャンバ４１の壁部４１１に設けられるフランジ状の固定部４１１ａに固定されている。そして、各蒸着源３３１～３３３の先端部の吐出部３３１ａ～３３３ａは、真空チャンバ４１の内部に配置される。各蒸着源３３１～３３３の基端部は、真空チャンバ４１の外部に配置される。また、各蒸着源３３１～３３３は、加熱部（図示及び採番していない）により、内部に収容された材料を加熱して気化させる。各蒸着源３３１～３３３は、気化させた材料（気化材料）を吐出部３３１ａ～３３３ａの開口から吐出する。
　さらに、各蒸着源３３１～３３３は、横向きに気化材料を吐出すべく、吐出部３３１ａ～３３３ａの開口が側部に配置されている。なお、各蒸着源３３１～３３３は、可動機構３３１ｂ～３３３ｂにより、キャンローラ２４の径方向に移動することで、吐出部３３１ａ～３３３ｂを基材８１（キャンローラ２４）に対して接離できる。
　封止層蒸着源３３３は、基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。また、封止層蒸着源３３３は、基材８１に対して近接する位置に配置されている。具体的には、封止層蒸着源３３３の吐出部３３３ａの開口と基材８１との間の距離（最短距離）が１０ｍｍ以下となる位置に、封止層蒸着源３３３が配置されている。
　混合器３３４は、第１及び第２の陰極層蒸着源３３１，３３２の吐出部３３１ａ，３３２ａに接続される一対の蒸着源接続部３３４ａ，３３４ａと、各蒸着源３３１，３３２から吐出された気化材料を混合する混合部３３４ｂと、混合した気化材料を基材８１に向けて吐出するノズル部３３４ｃと、混合部３３４ｂで混合した気化材料をノズル部３３４ｃに送るために、混合部３３４ｂとノズル部３３４ｃとを接続するノズル接続部３３４ｄとを備えている。そして、混合器３３４は、真空チャンバ４１の内部に配置されている。
　ノズル部３３４ｃは、横向きに気化材料を吐出すべく、開口が側部に配置され且つ基材８１の蒸着面８１１と対向するように配置されている。また、ノズル部３３４ｃは、基材８１に対して近接する位置に配置されている。具体的には、ノズル部３３４ｃの開口と基材８１との間の距離（最短距離）が１０ｍｍ以下となる位置に、ノズル部３３４ｃが配置されている。
　ノズル接続部３３４ｄは、変形できるように弾性を有して形成されている。具体的には、ノズル接続部３３４ｄは、ノズル部３３４ｃと基材８１とが対面する方向（キャンローラ２４の径方向）において、伸縮するように形成されている。そして、ノズル接続部３３４ｄが伸縮することにより、ノズル部３３４ｃが移動するため、ノズル部３３４ｃと基材８１（キャンローラ２４の外周部）との離間距離が変更できる。なお、本実施形態においては、ノズル接続部３３４ｄは、蛇腹状に形成されている。
　操作具３３５は、真空チャンバ４１の内部に配置され且つノズル部３３４ｃに連結される連結部３３５ａと、真空チャンバ４１の外部に配置され、操作される操作部３３５ｂと、操作部３３５ｂが操作されることにより連結部３３５ａが移動するように、連結部３３５ａと操作部３３５ｂとを接続する接続機構３３５ｃとを備える。そして、操作部３３５ｂがキャンローラ２４の径方向に移動するように操作されると、ノズル接続部３３４ｄが伸縮することにより、ノズル部３３４ｃが基材８１と対面する方向で移動する。
　各真空チャンバ４１は、真空発生装置４２により、内部が減圧され、内部が真空状態にされている。隣接する真空チャンバ同士４１，４１は、基材８１が各真空チャンバ４１内を順次搬送されるための連通部４３を介して、連通されている。真空チャンバ４１，４１は、各内部の真空状態が保つように構成されている。
　本実施形態に係る製造装置１の構成については以上の通りである。次に、本実施形態に係る製造装置１で製造される有機ＥＬデバイス８の構成について、図５を参酌して説明する。
　有機ＥＬデバイス８は、基材８１と、陽極層８２と、陽極層８２と陰極層８５とが接触することを防止すべく、陽極層８２の周囲を覆うエッジカバー８３と、五層の積層体である有機ＥＬ層８４と、陰極層８５と、各層８２，８４，８５が空気と接触することを防止すべく、各層８２，８４，８５を覆う封止層８６とを備えている。
　なお、基材８１の各サイズ（幅、厚み、長さ）は、基材８１に形成される有機ＥＬ素子８０の大きさや、製造装置１の構成等に応じて適宜設定することができ、特に限定されるものではない。また、各層８２，８４～８６及びエッジカバー８３の厚みは、通常、数ｎｍ～数十ｎｍ程度になるように設計されるが、用いる構成層形成材料や、発光特性等に応じて適宜設計されるものであり、特に限定されない。
　基材８１の形成材料として、搬送される際に損傷しないような可撓性を有する材料が用いられる。このような材料として、例えば、ステンレス、銅、アルミニウム又はチタンといった金属材料や、薄膜ガラスといった非金属無機材料や、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂又はポリアミド樹脂といった熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂である合成樹脂材料が挙げられる。
　陽極層８２の形成材料として、金、銀、アルミニウムなどを挙げることができる。なお、本実施形態に係る陽極層８２は、一つの陽極層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、陽極層は、一つ以上の陽極層構成層から形成されていればよい。
　エッジカバー８３の形成材料として、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、五酸化バナジウム（Ｖ2Ｏ5）等が挙げられる。
　有機ＥＬ層８４は、五つの有機ＥＬ層構成層から構成された五層の積層体である。そして、五つの有機ＥＬ層構成層は、陽極層８２側から順に、正孔注入層８４１、正孔輸送層８４２、発光層８４３、電子輸送層８４４及び電子注入層８４５である。
　正孔注入層８４１の形成材料として、例えば、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、４，４’－ビス［Ｎ－４－（Ｎ，Ｎ－ジ－ｍ－トリルアミノ）フェニル］－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（ＤＮＴＰＤ）、ＨＡＴ－ＣＮ等が挙げられる。
　正孔輸送層８４２の形成材料として、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ］ビフェニル（α－ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’―ビス（３－メチルフェニル）－１，１’ビフェニル－４，４’ジアミン（ＴＰＤ）等が挙げられる。
　発光層８４３の形成材料として、例えば、トリス（８－ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、イリジウム錯体（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）をドープした４，４’－Ｎ，Ｎ’－ジカルバゾニルビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。
　電子注入層８４４の形成材料として、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）等が挙げられる。
　電子輸送層８４５の形成材料として、例えば、トリス（８－ハイドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）－４－フェニルフェノラト－アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ＯＸＤ－７（１，３－ビス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル］）ベンゼン、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。
　なお、本実施形態に係る有機ＥＬ層８４は、五つの有機ＥＬ層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、有機ＥＬ層は、一つ以上の有機ＥＬ層構成層から形成されていればよい。具体的には、有機ＥＬ層は、少なくとも発光層８４３を備えていれば、その層構成は特に限定されるものではない。
　陰極層８５の形成材料としては、マグネシウム（Ｍｇ）、銀（Ａｇ）等を含む合金や、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。そして、本実施形態においては、陰極層８５は、Ｍｇ－Ａｇ合金層として形成されている。なお、本実施形態に係る陰極層８５は、一つの陰極層構成層からなる構成を採用したが、斯かる構成に限られない。例えば、陰極層は、一つ以上の陰極層構成層から形成されていればよい。
　封止層８６の形成材料としては、三酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化窒化ケイ素（ＳｉＮＯx）、酸素含有炭化ケイ素（ＳｉＯＣ）等が挙げられる。なお、ＳｉＯxとしては、例えば、ＳｉＯ2等が挙げられ、ＳｉＮＯxとしては、例えば、ＳｉＮＯ等が挙げられる。
　以上より、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１によれば、一対の蒸着源３３１，３３２が基材８１に蒸着させるための気化材料を吐出すると、混合器３３４は、蒸着源接続部３３４ａで接続している一対の蒸着源３３１，３３２から吐出された気化材料を混合部３３４ｂで混合する。そして、混合器３３４は、キャンローラ（回転ローラ）２４の外周部に掛けられている基材８１に向けて、混合した気化材料をノズル部３３４ｃから吐出することで、共蒸着する。
　また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１によれば、図６に示すように、操作部３３５ｂを押したり引いたり操作することで、混合器３３４のノズル部３３４ｃが移動する。これにより、ノズル部３３４ｃが基材８１に接離するため、ノズル部３３４ｃと基材８１との離間距離が変更できる。したがって、基材８１の蒸着面８１１に対するノズル部３３４ｃの位置を容易に調整することができる。
　また、例えば、基材８１の搬送が停止している際には、高温（例えば、２００℃～３００℃）である基材８１からの放射熱により、基材８１の近傍に位置するノズル部３３４ｃが損傷するという問題がある。斯かる問題を解消すべく、ノズル部３３４ｃを基材８１から容易に離反することもできる。このようにして、キャンローラ（回転ローラ）２４の外周部に掛けられている基材８１に対して、容易に共蒸着することができる。
　また、本実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１によれば、真空チャンバ４１は、壁部４１１で区画された内部を真空状態にすると共に、その内部にキャンローラ（回転ローラ）２４を収容している。そして、一対の蒸着源３３１，３３２は、真空チャンバ４１の壁部４１１にそれぞれ固定されていると共に、混合器３３４は、真空チャンバ４１の内部に配置されている。
　これにより、混合部３３４が真空チャンバ４１の外部に配置している場合と比較して、各蒸着源３３１，３３２から吐出された気化材料は、混合してから短い時間でノズル部３３４ｃから吐出される。
　また、本実施形態に係る有機ＥＬの製造装置１によれば、操作具３３５の連結部３３５ａは、真空チャンバ４１の内部に配置されている。さらに、連結部３３５ａは、ノズル部３３４ｃに連結されている。また、操作具３３５の操作部３３５ｂは、真空チャンバ４１の外部に配置されている。そして、操作部３３５ｂが操作されると、連結部３３５ａと操作部３３５ｂとを接続する接続機構３３５ｃにより、連結部３３５ａが移動する。
　これにより、真空チャンバ４１の外部で操作部３３５ｂを操作することで、真空チャンバ４１の内部に配置されているノズル部３３４ｃを移動することができる。したがって、基材８１の蒸着面８１１に対するノズル部３３４ｃの位置を、さらに容易に調整することができる。
　なお、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置及び製造方法は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。また、下記する各種の変更例に係る構成や方法等を任意に選択して、上記した実施形態に係る構成や方法等に採用してもよいことは勿論である。
　上記実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１及び製造方法においては、混合器３３４のノズル接続部３３４ｄが蛇腹状に形成される構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、ノズル接続部３３４ｄは、多重管構造であって且つ各管同士がスライドすることで伸縮するような構成でもよい。また、ノズル接続部３３４ｄは、可撓性を有するフレキシブルチューブのような構成でもよい。要するに、ノズル部３３４ｃが混合部３３４ｂに対して移動することで、ノズル部３３４ｃと基材８１との離間距離を変更できるような構成であればよい。
　また、上記実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１及び製造方法においては、操作部３３５ｂを押したり引いたり操作することで、混合器３３４のノズル部３３４ｃが移動する構成を説明したが、斯かる構成に限られない。例えば、操作部３３５ｂが回転されることにより、接続機構３３５ｃが連結部３３５ａを水平方向に移動し、それ故、ノズル部３３４ｃが基材８１との離間距離を変更するように移動する構成でもよい。
　また、本発明に係る有機ＥＬデバイスの製造装置１及び製造方法においては、操作具３３５は、製造を開始する際に、ノズル部３３４ｃの位置を微調整する際には、操作部３３５ｂを回転し、基材８１の搬送が停止している際には、操作部３３５ｂを引くように操作される構成でもよい。
　例えば、操作具３３５は、操作部３３５ｂを回転されることで、一回転当たり、ノズル部３３４ｃを水平方向に１ｍｍ程度移動させる一方、操作部３３５ｂを水平方向に押したり引いたりされることで、操作部３３５ｂを水平方向に移動された量だけ、ノズル部３３４ｃを水平方向に移動するような構成でもよい。
　１…有機ＥＬデバイスの製造装置、２…搬送装置、４…真空室、８…有機ＥＬデバイス、２１…基材供給部、２２，２３，２４…回転ローラ（キャンローラ）、２５，２６，２７，２８…回転ローラ（搬送ローラ）、２９…基材回収部、３…蒸着装置、３１，３２，３３…蒸着部、４１…真空チャンバ、４２…真空発生装置、４３…連通部、８０…有機ＥＬ素子、８１…基材、８２…陽極層、８３…エッジカバー、８４…有機ＥＬ層、８５…陰極層、８６…封止層、３１１，３１２，３２１，３２２，３２３，３２４，３２５，３３１，３３２，３３３…蒸着源、３３１ａ，３３２ａ，３３３ａ…吐出部、３３１ｂ，３３２ｂ，３３３ｂ…可動機構、３３４…混合器、３３４ａ…蒸着源接続部、３３４ｂ…混合部、３３４ｃ…ノズル部、３３４ｃ…ノズル接続部、３３５…操作具、３３５ａ…連結部、３３５ｂ…操作部、３３５ｃ…接続機構、４１１…壁部、４１１ａ…固定部、８１１…蒸着面、８４１…正孔注入層、８４２…正孔輸送層、８４３…発光層、８４４…電子輸送層、８４５…電子注入層

Claims (4)

  1. 　外周部に基材が掛けられる回転ローラと、前記基材に蒸着させるための気化材料を吐出する複数の蒸着源と、前記複数の蒸着源から吐出された気化材料を混合し、混合した気化材料を前記基材に向けて吐出する混合器とを備え、
    　該混合器は、前記基材との離間距離を変更するように移動可能で且つ混合した気化材料を吐出するノズル部を備えることを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造装置。
  2. 　前記回転ローラを内部に収容し、壁部で区画された内部を真空状態にする真空チャンバをさらに備え、
    　前記各蒸着源は、前記真空チャンバの壁部に固定され、
    　前記混合器は、前記真空チャンバの内部に配置される請求項１に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
  3. 　前記ノズル部を移動するように操作するための操作具を備え、
    　該操作具は、前記真空チャンバの内部に配置され且つ前記ノズル部に連結される連結部と、前記真空チャンバの外部に配置され、操作される操作部と、該操作部が操作されることにより前記連結部が移動するように、前記連結部と前記操作部とを接続する接続機構とを備える請求項２に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置。
  4. 　請求項１～３の何れか１項に記載の有機ＥＬデバイスの製造装置を用いて有機ＥＬデバイスを製造することを特徴とする有機ＥＬデバイスの製造方法。
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