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WO2013161106A1 - 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置 - Google Patents

被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置 Download PDF

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WO2013161106A1
WO2013161106A1 PCT/JP2012/078875 JP2012078875W WO2013161106A1 WO 2013161106 A1 WO2013161106 A1 WO 2013161106A1 JP 2012078875 W JP2012078875 W JP 2012078875W WO 2013161106 A1 WO2013161106 A1 WO 2013161106A1
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WO
WIPO (PCT)
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substrate
processed
electrostatic chuck
voltage
processing container
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/078875
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English (en)
French (fr)
Inventor
雄洋 谷川
和基 茂山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
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Priority to EP12875448.8A priority patent/EP2843690B1/en
Priority to US14/387,654 priority patent/US9892951B2/en
Priority to KR1020147026974A priority patent/KR102036944B1/ko
Publication of WO2013161106A1 publication Critical patent/WO2013161106A1/ja
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Ceased legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H10P50/268—
    • H10P72/72—
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49998—Work holding

Definitions

  • the present invention relates to a method for controlling the adhesion of fine particles to a substrate to be processed and a processing apparatus for the substrate to be processed.
  • processing such as etching of a substrate to be processed and film formation on the substrate to be processed are performed in a processing apparatus.
  • processing such as etching and film formation on the substrate to be processed is performed by generating plasma of a processing gas in the processing container.
  • fine particles are generated in the processing container.
  • the fine particles are generated by a reaction between a member in the processing container such as an electrostatic chuck or an inner wall of the processing container and plasma of the processing gas.
  • Patent Document 1 describes a technique for removing fine particles by applying a voltage to a member in a processing container to scatter fine particles attached to the member.
  • a focus ring may be provided so as to surround the electrostatic chuck in order to make the processing on the substrate to be processed uniform.
  • the inventor of the present application has found that, in such a processing apparatus, if the substrate to be processed is cleaned before processing, and then the substrate to be processed is transported into the processing container, fine particles may adhere to the substrate to be processed. ing.
  • the method for controlling fine particle adhesion includes a step of applying a voltage to an electrostatic chuck for electrostatically adsorbing a substrate to be processed in the processing container before carrying the substrate to be processed into the processing container; And a step of carrying the substrate to be processed into the processing container after the step of applying a voltage to the electrostatic chuck. Further, in the step of applying a voltage to the electrostatic chuck, a voltage is applied to the electrostatic chuck so as to reduce a potential difference between a focus ring provided so as to surround the electrostatic chuck and the substrate to be processed.
  • the cause of the fine particles adhering to the substrate to be processed is that the fine particles may move from the focus ring to the substrate to be processed due to the potential difference between the focus ring and the substrate to be processed. Is heading. Therefore, in the method for controlling fine particle adhesion according to one aspect of the present invention, the potential difference between the focus ring and the substrate to be processed is reduced by applying a voltage to the electrostatic chuck. Thus, after the step of applying a voltage to the electrostatic chuck, when the substrate to be processed is carried into the processing container, the fine particles attached to the focus ring due to the potential difference between the focus ring and the substrate to be processed are To adhere to the substrate to be processed.
  • the fine particle adhesion control method further includes a step of cleaning the inside of the processing container in a state where the substrate to be processed is not accommodated in the processing container before the step of applying a voltage to the electrostatic chuck. obtain. Thereby, it is possible to reduce the adhesion of the fine particles remaining after the cleaning to the substrate to be processed.
  • a step of applying a voltage to the electrostatic chuck can be performed every time before the step of loading the substrate to be processed. In this way, by carrying out the step of applying a voltage to the electrostatic chuck before carrying a new substrate to be processed into the processing container, adhesion of fine particles to the substrate to be processed can be more reliably reduced.
  • the step of applying a voltage to the electrostatic chuck has an absolute value smaller than the absolute value of the voltage applied to the electrostatic chuck when the electrostatic chuck electrostatically attracts the substrate to be processed.
  • a negative voltage can be applied to the electrostatic chuck.
  • the fine particles in the processing container are often positively charged. Therefore, by applying a negative voltage and further setting the absolute value of the voltage to a value smaller than the absolute value of the voltage applied to the electrostatic chuck when performing electrostatic chucking, the fine particles adhere to the substrate to be processed. Can be further reduced.
  • a processing apparatus includes an electrostatic chuck provided in a processing container, a DC power source that applies a DC voltage to the electrostatic chuck, and a control unit that controls the DC power source.
  • the controller applies a voltage to the electrostatic chuck to reduce a potential difference between the focus ring provided to surround the electrostatic chuck and the substrate to be processed before the substrate to be processed is transferred into the processing container. Control the DC power supply.
  • the processing apparatus may further include a gas supply unit that supplies a cleaning gas into the processing container.
  • the control unit causes the gas supply unit to supply the cleaning gas before the substrate to be processed is carried into the processing container and before the voltage is applied by the DC power source. Thereby, the reaction by-product in the processing container can be removed by the cleaning gas excited by the plasma.
  • control unit may be configured to supply a direct current power supply so that a voltage that reduces a potential difference between the focus ring and the substrate to be processed is applied to the electrostatic chuck before the substrate to be processed is loaded. Can be controlled. In this way, by applying a voltage to the electrostatic chuck with a DC power supply before a new substrate to be processed is carried into the processing container, adhesion of fine particles to the substrate to be processed can be more reliably reduced. .
  • the voltage for reducing the potential difference between the focus ring and the substrate to be processed is an absolute value of the voltage applied to the electrostatic chuck when the substrate to be processed is electrostatically attracted by the electrostatic chuck. It can be a negative voltage having a smaller absolute value. In this way, by applying a negative voltage and further setting the absolute value of the voltage to a value smaller than the absolute value of the voltage applied to the electrostatic chuck when performing electrostatic adsorption, the fine particles with respect to the substrate to be processed are set. Can be further reduced.
  • adhesion of fine particles to a substrate to be processed can be reduced.
  • FIG. 1 It is sectional drawing which shows schematically the plasma processing apparatus which concerns on one Embodiment. It is the top view which looked at the slot board which concerns on one Embodiment from the axis X direction. It is a figure which shows the process of the control which the control part which concerns on one Embodiment performs. It is a figure which shows the state of each part in the processing space before and after carrying in of the to-be-processed base
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a plasma processing apparatus according to an embodiment.
  • the plasma processing apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a processing container 12, a stage 14, a microwave generator 16, an antenna 18, and a dielectric window 20.
  • the plasma processing apparatus 10 is a microwave plasma processing apparatus that generates plasma by microwaves from an antenna 18.
  • the plasma processing apparatus may be any plasma processing apparatus different from the microwave plasma processing apparatus.
  • a parallel plate electrode type plasma processing apparatus, an etching apparatus using plasma, a CVD apparatus using plasma, or the like can be used as an arbitrary plasma processing apparatus.
  • the processing container 12 defines a processing space S for performing plasma processing on the substrate W to be processed.
  • the processing container 12 may include a side wall 12a and a bottom 12b.
  • the side wall 12a has a substantially cylindrical shape extending in the axis X direction (that is, the extending direction of the axis X).
  • the bottom 12b is provided on the lower end side of the side wall 12a.
  • the bottom 12b is provided with an exhaust hole 12h for exhaust.
  • the upper end of the side wall 12a is open.
  • the upper end opening of the side wall 12 a is closed by the dielectric window 20.
  • An O-ring 21 may be interposed between the dielectric window 20 and the upper end portion of the side wall 12a.
  • the O-ring 21 ensures the sealing of the processing container 12 more reliably.
  • the side wall 12a is provided with a gate 12g for loading and unloading the substrate W to be processed.
  • the microwave generator 16 generates a microwave of 2.45 GHz, for example.
  • the plasma processing apparatus 10 further includes a tuner 22, a waveguide 24, a mode converter 26, and a coaxial waveguide 28. Note that the microwave generator 16, the tuner 22, the waveguide 24, the mode converter 26, the coaxial waveguide 28, the antenna 18, and the dielectric window 20 introduce energy for generating plasma into the processing space S. The introductory part is configured.
  • the microwave generator 16 is connected to the waveguide 24 via the tuner 22.
  • the waveguide 24 is, for example, a rectangular waveguide.
  • the waveguide 24 is connected to a mode converter 26, and the mode converter 26 is connected to the upper end of the coaxial waveguide 28.
  • the coaxial waveguide 28 extends along the axis X.
  • the coaxial waveguide 28 includes an outer conductor 28a and an inner conductor 28b.
  • the outer conductor 28a has a substantially cylindrical shape extending in the axis X direction.
  • the inner conductor 28b is provided inside the outer conductor 28a.
  • the inner conductor 28b has a substantially cylindrical shape extending along the axis X.
  • the microwave generated by the microwave generator 16 is guided to the mode converter 26 via the tuner 22 and the waveguide 24.
  • the mode converter 26 converts a microwave mode and supplies the microwave after the mode conversion to the coaxial waveguide 28. Microwaves from the coaxial waveguide 28 are supplied to the antenna 18.
  • the antenna 18 radiates a microwave for plasma excitation based on the microwave generated by the microwave generator 16.
  • the antenna 18 may include a slot plate 30, a dielectric plate 32, and a cooling jacket 34.
  • the slot plate 30 has a plurality of slots arranged in the circumferential direction around the axis X.
  • FIG. 2 is a plan view of the slot plate according to the embodiment as viewed from the direction of the axis X.
  • the slot plate 30 may be a slot plate constituting a radial line slot antenna.
  • the slot plate 30 is made of a metal disc having conductivity.
  • a plurality of slot pairs 30 a are formed in the slot plate 30.
  • Each slot pair 30a includes a slot 30b and a slot 30c extending in a direction intersecting or orthogonal to each other.
  • the plurality of slot pairs 30a are arranged at predetermined intervals in the radial direction, and are arranged at predetermined intervals in the circumferential direction.
  • the dielectric plate 32 is provided between the slot plate 30 and the lower surface of the cooling jacket 34.
  • the dielectric plate 32 is made of, for example, quartz and has a substantially disk shape.
  • the surface of the cooling jacket 34 may have conductivity.
  • the cooling jacket 34 cools the dielectric plate 32 and the slot plate 30.
  • a coolant channel is formed in the cooling jacket 34.
  • the lower end of the outer conductor 28 a is electrically connected to the upper surface of the cooling jacket 34.
  • the lower end of the inner conductor 28 b is electrically connected to the slot plate 30 through a hole formed in the cooling jacket 34 and the central portion of the dielectric plate 32.
  • the microwave from the coaxial waveguide 28 is propagated to the dielectric plate 32 and is introduced into the processing space S from the slot of the slot plate 30 through the dielectric window 20.
  • the dielectric window 20 has a substantially disc shape and is made of, for example, quartz.
  • the dielectric window 20 is provided between the processing space S and the antenna 18. In one embodiment, the dielectric window 20 is provided immediately below the antenna 18 in the axis X direction.
  • a conduit 36 passes through the inner hole of the inner conductor 28b of the coaxial waveguide 28.
  • the conduit 36 extends along the axis X and can be connected to a flow splitter 38.
  • the plasma processing apparatus 10 may further include an injector 41.
  • the injector 41 supplies the gas from the conduit 36 to the through hole 20 h formed in the dielectric window 20.
  • the gas supplied to the through hole 20 h of the dielectric window 20 is supplied to the processing space S.
  • the plasma processing apparatus 10 may further include a gas supply unit 42.
  • the gas supply unit 42 supplies gas from the periphery of the axis X to the processing space S between the stage 14 and the dielectric window 20.
  • the gas supply unit 42 may include a conduit 42a.
  • the conduit 42 a extends annularly around the axis X between the dielectric window 20 and the stage 14.
  • a plurality of gas supply holes 42b are formed in the conduit 42a.
  • the plurality of gas supply holes 42b are arranged in an annular shape and open toward the axis X, and supply the gas supplied to the conduit 42a toward the axis X.
  • the gas supply unit 42 is connected to the flow splitter 38 via a conduit 46.
  • the flow splitter 38 is connected to the conduit 36 and the gas supply unit 42.
  • the flow splitter 38 further includes an Ar gas source 38a, an HBr gas source 38b, an O 2 gas source 38c, a Cl 2 gas source 38d, an SF 6 gas source 38e, and an N 2 gas source 38e.
  • a gas source 38f of two gases is connected. These gas sources 38a to 38f are gas sources capable of controlling the supply and stop of gas supply and the gas flow rate.
  • the flow splitter 38 controls the flow ratio of the gas branched from the gas sources 38a to 38f to the conduit 36 and the gas supply unit 42.
  • the SF 6 gas and the O 2 gas are used in a cleaning process for removing reaction byproducts in the processing space S.
  • Ar gas, HBr gas, O 2 gas, and Cl 2 gas are used for plasma processing (for example, etching of polysilicon) of the substrate W to be processed.
  • the N 2 gas is used as a purge gas that replaces the gas in the processing container 12.
  • the gas types listed here are examples, and other types of gases can be used.
  • one or more gas sources different from the gas sources described above may be provided, and the processing on the substrate W to be processed may be performed by combining these gases.
  • the gas sources 38 c and 38 e constitute a gas supply unit that supplies a cleaning gas into the processing container 12.
  • the stage 14 is provided so as to face the dielectric window 20 in the axis X direction.
  • the stage 14 is provided so as to sandwich the processing space S between the dielectric window 20 and the stage 14.
  • a substrate W to be processed is placed on the stage 14.
  • the stage 14 may include a table 14 a, an electrostatic chuck 15, and a focus ring 17.
  • the base 14 a is supported by a cylindrical support portion 48.
  • the cylindrical support portion 48 is made of an insulating material and extends vertically upward from the bottom portion 12b.
  • a conductive cylindrical support 50 is provided on the outer periphery of the cylindrical support 48.
  • the cylindrical support portion 50 extends vertically upward from the bottom portion 12 b of the processing container 12 along the outer periphery of the cylindrical support portion 48.
  • An annular exhaust passage 51 is formed between the cylindrical support portion 50 and the side wall 12a.
  • An annular baffle plate 52 provided with a plurality of through holes is attached to the upper part of the exhaust passage 51.
  • An exhaust pipe 54 is connected to the exhaust hole 12h.
  • an exhaust device 56b is connected to the exhaust pipe 54 via a pressure regulator 56a.
  • the exhaust device 56b has a vacuum pump such as a turbo molecular pump.
  • the pressure adjuster 56a adjusts the pressure in the processing container 12 by adjusting the exhaust amount of the exhaust device 56b.
  • the exhaust device 56b can reduce the processing space S in the processing container 12 to a desired degree of vacuum.
  • the stand 14a also serves as a high-frequency electrode.
  • a high frequency power source 58 for RF bias is electrically connected to the base 14 a via a matching unit 60 and a power feeding rod 62.
  • the high frequency power supply 58 outputs a predetermined frequency suitable for controlling the energy of ions drawn into the substrate W to be processed, for example, high frequency power of 13.65 MHz at a predetermined power.
  • the matching unit 60 accommodates a matching unit for matching between the impedance on the high-frequency power source 58 side and the impedance on the load side such as electrodes, plasma, and the processing container 12.
  • This matching unit includes a blocking capacitor for generating a self-bias.
  • An electrostatic chuck 15 that is a holding member for holding the substrate to be processed W is provided on the upper surface of the table 14a.
  • the electrostatic chuck 15 holds the substrate W to be processed with an electrostatic attraction force.
  • a focus ring 17 that surrounds the periphery of the substrate to be processed W and the periphery of the electrostatic chuck 15 in an annular shape is provided.
  • the focus ring 17 is mounted on the table 14 a so as to surround the side end surface of the electrostatic chuck 15.
  • the focus ring 17 is made of, for example, silicon oxide (SiO 2 ) and is an annular plate.
  • the electrostatic chuck 15 has a substantially disk shape.
  • the electrostatic chuck 15 includes an electrode 15d and insulating films 15e and 15f formed of aluminum oxide (Al 2 O 3 ).
  • the electrode 15d is made of a conductive film, and is provided between the insulating film 15e and the insulating film 15f.
  • a high-voltage DC power supply 64 is electrically connected to the electrode 15d through a covered wire 68.
  • the electrostatic chuck 15 can hold the substrate to be processed W by a Coulomb force generated by a DC voltage applied from the DC power supply 64.
  • An annular refrigerant chamber 14g extending in the circumferential direction is provided inside the table 14a.
  • a refrigerant having a predetermined temperature for example, cooling water
  • the heat transfer gas of the electrostatic chuck 15, for example, He gas is supplied between the upper surface of the electrostatic chuck 15 and the rear surface of the substrate W to be processed via the gas supply pipe 74 according to the temperature of the refrigerant.
  • the plasma processing apparatus 10 may include a control unit 100 that controls each unit. Specifically, the control unit 100 supplies and stops the supply of gas from the gas sources 38a to 38f, controls the flow rate of the gas, controls the generation of microwaves by the microwave generator 16, and the high frequency for RF bias. Control of the power source 58, control of the DC power source 64 for applying a voltage to the electrostatic chuck 15, control of pressure reduction in the processing container 12 by the pressure regulator 56a and the exhaust device 56b, control of loading and unloading of the substrate W to be processed, etc. Do.
  • gas is supplied along the axis X into the processing space S from the through hole 20h of the dielectric window 20 through the conduit 36 and the through hole 41h of the injector 41. Further, gas is supplied from the gas supply unit 42 toward the axis X below the through hole 20h. Further, microwaves are introduced from the antenna 18 through the dielectric window 20 into the processing space S and / or the through hole 20 h. Thereby, plasma is generated in the processing space S and / or the through hole 20h. Thus, according to the plasma processing apparatus 10, plasma can be generated without applying a magnetic field. In the plasma processing apparatus 10, the substrate to be processed W placed on the stage 14 can be processed with plasma of a processing gas.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a control process performed by the control unit 100.
  • FIG. 4 is a diagram illustrating a state of each part from before the substrate to be processed W is loaded into the processing container 12 to immediately after the loading.
  • the state where the cleaning process is being performed is indicated by “ON”, and the state where the cleaning process is not being performed is indicated by “OFF”.
  • a state where the substrate W to be processed is not carried into the processing container 12 is indicated by “OFF”, and a state where the substrate W is carried into the processing container 12 is indicated by “ON”.
  • the control unit 100 controls the gas source 38 f to stop the supply of N 2 gas that has been supplied into the processing container 12 after the previous processing of the substrate W to be processed. (Time t1). Then, the controller 100 executes a cleaning process (step S101) for removing reaction byproducts in the processing container 12 (time t1 to t2) before carrying the substrate W to be processed into the processing container 12.
  • WLDC wafer less dry cleaning
  • a mixed gas of SF 6 and O 2 is used as a processing gas.
  • SF 6 and O 2 are supplied into the processing container 12 by the control unit 100 controlling the gas sources 38e and 38c.
  • the control unit 100 executes a voltage application step (step S102) for controlling the DC power source 64 and applying a voltage to the electrostatic chuck 15 before the substrate to be processed W is carried in (time t3).
  • a voltage is applied to the electrostatic chuck 15 so that a potential difference between the substrate W to be processed and the focus ring 17 carried into the processing container 12 in a later step is reduced.
  • the voltage application step is performed every time before the substrate to be processed W is carried into the processing container 12.
  • the pressure regulator 56a controls the pressure of the processing space S to, for example, 200 mTorr (26.7 Pa) based on the pressure of the processing space S measured by the pressure sensor. Also good.
  • the focus ring 17 is positively charged before the substrate to be processed W is loaded. This may occur, for example, when positive ions remaining when the plasma generated in the previous cleaning (WLDC processing) process disappears adhere to members in the processing container 12. Further, when the cleaning process is not performed, positive ions remaining when the plasma generated in the process such as the previous etching is extinguished may be caused by adhering to the member in the processing container 12. Further, the substrate to be processed W carried into the processing container 12 may be charged during the conveyance. Therefore, the control unit 100 controls the voltage value of the voltage applied to the electrostatic chuck 15 and the voltage application time so that the potential difference between the charged focus ring 17 and the substrate to be processed W is reduced.
  • the control unit 100 applies a minus several hundred volts to the electrostatic chuck 15 for one second.
  • the DC power supply 64 is controlled so as to be applied to.
  • a negative voltage having an absolute value smaller than the absolute value of the voltage applied to the electrostatic chuck 15 when performing electrostatic adsorption can be set.
  • a negative voltage is applied to the electrostatic chuck 15 in the voltage application step.
  • a positive voltage is applied to the electrostatic chuck 15.
  • the potential difference between the focus ring 17 and the substrate to be processed W can be reduced.
  • control unit 100 controls the gas source 38f to stop the supply of the N 2 gas into the processing container 12 and exhaust the processing container 12.
  • control unit 100 stops the exhaust in the processing container 12 and executes a loading process (step S103) for loading the substrate to be processed W into the processing container 12 (time t4).
  • control unit 100 controls an arm or the like that carries in the substrate to be processed W, and carries the substrate to be processed W onto the electrostatic chuck 15 in the processing container 12 through the gate 12g.
  • control unit 100 controls the gas sources 38a to 38d, and Ar gas, HBr gas, O 2 gas, and Cl 2 gas into the processing container 12 are controlled. Start supplying. And the control part 100 performs the plasma generation process (step S104) which act
  • the control unit 100 operates the high frequency power source 58 (time t6) to draw ions into the substrate to be processed W, and controls the DC power source 64 to attract and hold the substrate to be processed W by the electrostatic chuck 15.
  • the suction holding process (step S105) is executed (time t7).
  • the control unit 100 controls the DC power supply 64 so that a positive DC voltage is applied to the electrostatic chuck 15.
  • the substrate W to be processed may be attracted and held by the electrostatic chuck 15 at the same time when the microwave generator 16 is operated to generate plasma.
  • plasma processing for example, etching or the like
  • the control unit 100 controls the gas sources 38a to 38d to stop the supply of Ar gas, HBr gas, O 2 gas, and Cl 2 gas into the processing container 12. Then, the supply of N 2 gas into the processing container 12 is started by controlling the gas source 38f. Further, the control unit 100 stops the generation of the microwave by the microwave generator 16 and stops the output of the high frequency voltage by the high frequency power supply 58. Further, the control unit 100 stops the application of voltage to the electrostatic chuck 15 by controlling the DC power source 64, and releases the suction holding of the substrate W to be processed by the electrostatic chuck 15 (step S107).
  • FIG. 5 is a sequence diagram showing the operation timing of the microwave generator 16 and the DC power supply 64.
  • the horizontal axis represents time
  • the vertical axis represents the microwave output power (W) output from the microwave generator 16 for the dotted line
  • the DC voltage applied to the electrostatic chuck 15 by the DC power source 64 for the solid line. (V) is shown. Note that the value of the applied DC voltage shown in FIG. 5 is an example, and the present invention is not limited to this.
  • the control unit 100 controls the microwave generator 16 to output a microwave and generate plasma. Thereafter, as indicated by a solid line in the figure, the control unit 100 controls the DC power supply 64 to apply a DC voltage to the electrode 15d of the electrostatic chuck 15. It should be noted that since the substrate to be processed W is not attracted to the electrostatic chuck 15 before the application of the DC voltage to the electrode 15d of the electrostatic chuck 15 is performed, the temperature control is not sufficiently performed. For this reason, it is preferable that the output power of the microwave is lower than that at the time of processing so that the temperature of the substrate to be processed W does not increase due to the action of plasma.
  • the control unit 100 controls the microwave generator 16 to change the output power of the microwave.
  • the power value is reduced to a lower power value (not 0 W) than when processing is performed.
  • the control unit 100 controls the DC power supply 64 to stop the application of the DC voltage to the electrode 15d of the electrostatic chuck 15. Thereafter, the control unit 100 stops the microwave output from the microwave generator 16 and extinguishes the plasma.
  • the control unit 100 when the application of the DC voltage to the electrode 15d of the electrostatic chuck 15 is stopped, the control unit 100 once applies a voltage (for example, about ⁇ 2000 V) having a polarity opposite to that when the substrate W is attracted.
  • a voltage for example, about ⁇ 2000 V
  • the substrate W to be processed is easily removed.
  • the reverse polarity voltage is applied as necessary.
  • the sequence diagram shown in FIG. 5 can also be applied to control of RF power for plasma excitation in a parallel plate electrode type plasma processing apparatus.
  • Step S ⁇ b> 108 the control unit 100 executes an unloading step (Step S ⁇ b> 108) for unloading the substrate to be processed W from the processing container 12.
  • the control unit 100 controls an arm or the like that carries out the substrate to be processed W, and carries out the substrate to be processed W from the processing container 12 via the gate 12g.
  • step S101 After the unloading process, the process returns to the cleaning process (step S101) and the above-described processing is repeated.
  • the controller 100 applies a voltage to the focus ring 17 so that the potential difference between the focus ring 17 and the substrate to be processed W to be loaded is reduced before the substrate to be processed W is loaded.
  • the controller 100 applies a voltage to the focus ring 17 so that the potential difference between the focus ring 17 and the substrate to be processed W to be loaded is reduced before the substrate to be processed W is loaded.
  • the inventors of the present application perform plasma processing on the substrate to be processed W without performing the above-described voltage application step (step S102) (that is, conventional plasma processing), and the substrate to be processed W after processing is processed.
  • step S102 voltage application step
  • the substrate to be processed W after processing is processed.
  • the voltage application step is performed to reduce the potential difference between the substrate to be processed W and the focus ring 17, so that the fine particles that move from the focus ring 17 to the substrate to be processed W and adhere. And the fine particles adhering to the substrate to be processed W can be effectively reduced.
  • one substrate to be processed W is extracted every predetermined number (here, for example, every 25 substrates), and the substrate to be processed W that has been extracted is extracted.
  • the particles were counted.
  • the substrate to be processed W for counting fine particles may be a fine particle coefficient monitor substrate.
  • FIG. 6 shows the result of counting fine particles in one example.
  • the lot number is a number assigned to the target substrate W to be counted.
  • the fine particles adhering to the target substrate W to be counted were counted without performing the voltage application step.
  • FIG. 7 shows the counting result of the fine particles in the comparative example.
  • the same process as one Example was performed except not performing a voltage application process.
  • FIGS. 6 and 7 in one example (FIG. 6) in which the voltage application process is performed, it adheres to the substrate W to be counted as compared with the comparative example (FIG. 7) in which the voltage application process is not performed. The number of fine particles to be reduced was reduced.
  • YFO, ALOF, and SiOF may be generated when the side wall 12a, the electrostatic chuck 15, the focus ring 17, and the like are damaged by the processing gas used in the WLDC.
  • more ALOF is detected than in one embodiment. This is because particulate ALOF generated by the electrostatic chuck 15 being damaged by WLDC is deposited on the focus ring 17, and this ALOF is applied to the substrate W to be processed due to a potential difference between the substrate W to be processed and the focus ring 17. It is thought that it adhered.
  • the potential difference between the substrate to be processed W and the focus ring 17 is reduced, and the substrate moves from the focus ring 17 to the substrate to be processed W and adheres to the substrate to be processed W. It is considered that the particulate ALOF that is reduced is reduced.
  • FIG. 8 shows the number of fine particles adhering to the substrate to be processed W when the voltage applied to the electrostatic chuck 15 is changed, and the uneven distribution of fine particles on the substrate to be processed.
  • a substrate made of Bare Si was used as the substrate W to be processed.
  • an index indicating how much fine particles are concentrated and adhering to the vicinity of the edge of the substrate to be processed W was used. This index can be obtained by a known statistical method using a P test.
  • the bar graph indicates the number of fine particles adhering to the substrate to be processed W
  • the line graph indicates an index indicating the uneven distribution of the fine particles on the substrate to be processed.
  • the voltage values applied to the electrostatic chuck 15 were five types of ⁇ 2500V, ⁇ 1000V, ⁇ 500V, no voltage applied, and 500V, and each voltage was applied to the electrostatic chuck 15 for 1 second.
  • the electrostatic chuck 15 by applying a voltage of ⁇ 500 V to the electrostatic chuck 15, the number of fine particles adhering to the substrate W to be processed was minimized. That is, it is considered that the potential difference between the focus ring 17 and the substrate to be processed W is most reduced.
  • the potential difference between the focus ring 17 and the substrate to be processed W is reduced by applying a voltage to the electrostatic chuck 15.
  • the substrate to be processed W was carried into the processing container 12
  • the substrate was attached to the focus ring 17 due to a potential difference between the focus ring 17 and the substrate to be processed W. It is reduced that the fine particles move to the substrate to be processed W and adhere to the substrate to be processed W.
  • a step of cleaning the inside of the processing container 12 without containing the substrate to be processed W in the processing container 12 may be included. Thereby, it is possible to reduce the adhesion of the fine particles remaining after the cleaning to the substrate W to be processed.
  • the fine particles in the processing container 12 are often positively charged. Therefore, a negative voltage is applied to the electrostatic chuck 15, and the absolute value of the voltage is set to a value smaller than the absolute value of the voltage applied to the electrostatic chuck 15 when electrostatic chucking is performed. Thus, the adhesion of fine particles to the substrate to be processed W can be further reduced.
  • the focus ring may be made of silicon (Si) in addition to silicon oxide, depending on the type of processing gas.

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Abstract

　被処理基体を処理容器内に搬入する前に、該処理容器内において被処理基体を静電吸着する静電チャックに電圧を与える工程と、静電チャックに電圧を与える工程の後に、処理容器内に被処理基体を搬入する工程と、を含む。また、静電チャックに電圧を与える工程では、静電チャックを囲むように設けられたフォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減するよう、静電チャックに電圧が与えられる。

Description

被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置
　本発明は、被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、被処理基体の処理装置に関するものである。
　半導体製造プロセスでは、処理装置内において被処理基体のエッチングや被処理基体上への成膜といった処理が行われる。例えば、処理容器内において処理ガスのプラズマを発生させることにより、被処理基体に対するエッチング、成膜といった処理が行われる。
　このような被処理基体に対する処理が行われた後には、処理容器内に微粒子が発生する。微粒子は、例えば、静電チャック、処理容器内壁といった処理容器内の部材と処理ガスのプラズマとの反応によって生成される。
　処理容器内に発生した微粒子は被処理基体の処理や製造される半導体装置の性能に悪影響を与える。従って、被処理基体を処理するために処理容器内に搬入する前に処理容器内の微粒子を除去するクリーニングが従来から行われている。例えば、特許文献１には、処理容器内の部材に電圧を印加することにより、当該部材に付着した微粒子を飛散させて、微粒子を除去する技術が記載されている。
特開２００５－１０１５３９号公報
　被処理基体の処理装置では、被処理基体に対する処理を均一化するために、静電チャックを囲むようにフォーカスリングを設けることがある。本願発明者は、このような処理装置において、被処理基体の処理前にクリーニングを行い、その後に被処理基体を処理容器内に搬送すると、被処理基体に微粒子が付着することがあることを見いだしている。
　従って、本技術分野においては、被処理基体に対する微粒子の付着を低減することが必要となっている。
　本発明の一側面に係る微粒子付着の制御方法は、被処理基体を処理容器内に搬入する前に、該処理容器内において被処理基体を静電吸着する静電チャックに電圧を与える工程と、静電チャックに電圧を与える工程の後に、処理容器内に被処理基体を搬入する工程と、を含む。また、記静電チャックに電圧を与える工程では、静電チャックを囲むように設けられたフォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減するよう、静電チャックに電圧が与えられる。
　本願発明者は、被処理基体に微粒子が付着する原因は、フォーカスリングと被処理基体との電位差によって、フォーカスリングから被処理基体に微粒子が移動して被処理基体に付着することがあるということを見出している。そこで、本発明の一側面に係る微粒子付着の制御方法では、静電チャックに電圧を与えることにより、フォーカスリングと被処理基体との電位差を低減している。これにより、静電チャックに電圧を与える工程の後、処理容器内に被処理基体を搬入したときに、フォーカスリングと被処理基体との電位差によってフォーカスリングに付着していた微粒子が被処理基体側に移動して被処理基体に付着することを低減している。
　一実施形態に係る微粒子付着の制御方法は、静電チャックに電圧を与える工程の前に、処理容器内に被処理基体を収容していない状態で、処理容器の内部をクリーニングする工程を更に含み得る。これにより、クリーニングの後に残る微粒子が被処理基体に付着することを低減することができる。
　一実施形態に係る制御方法は、被処理基体を搬入する工程の前に毎回、静電チャックに電圧を与える工程が行われ得る。このように、処理容器内に新たに被処理基体を搬入する、その前に静電チャックに電圧を与える工程を行うことで、被処理基体に対する微粒子の付着をより確実に低減することができる。
　一実施形態に係る制御方法において、静電チャックに電圧を与える工程では、静電チャックが被処理基体を静電吸着するときに静電チャックに与えられる電圧の絶対値よりも小さい絶対値を有する負の電圧が静電チャックに与えられ得る。処理容器内の微粒子は、正に帯電していることが多い。そこで、負の電圧を与え、更に当該電圧の絶対値を、静電吸着を行うときに静電チャックに与えられる電圧の絶対値よりも小さい値に設定することで、被処理基体に対する微粒子の付着を更に低減することができる。
　本発明の他の一側面に係る処理装置は、処理容器内に設けられた静電チャックと、静電チャックに直流電圧を与える直流電源と、直流電源を制御する制御部と、を備える。制御部は、処理容器内に被処理基体が搬送される前に、静電チャックを囲むように設けられたフォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減する電圧が静電チャックに与えられるよう、直流電源を制御する。
　これにより、直流電源によって静電チャックに電圧が与えられた後、処理容器内に被処理基体を搬入したときに、フォーカスリングと被処理基体との電位差によってフォーカスリングに付着していた微粒子が被処理基体側に移動して被処理基体に付着することを低減している。
　一実施形態に係る処理装置は、処理容器内にクリーニングガスを供給するガス供給部を更に備え得る。制御部は、処理容器内に被処理基体が搬入される前であり、且つ、直流電源によって電圧が与えられる前に、ガス供給部にクリーニングガスを供給させる。これにより、プラズマにより励起されたクリーニングガスによって処理容器内の反応副生成物を除去することができる。
　一実施形態に係る処理装置において、制御部は、被処理基体が搬入される前に毎回、フォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減する電圧が静電チャックに与えられるよう、直流電源を制御し得る。このように、処理容器内に新たに被処理基体が搬入される、その前に直流電源によって静電チャックに電圧を与えることで、被処理基体に対する微粒子の付着をより確実に低減することができる。
　一実施形態に係る処理装置において、フォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減する電圧は、静電チャックによって被処理基体を静電吸着するときに静電チャックに与えられる電圧の絶対値よりも小さい絶対値を有する負の電圧とし得る。このように、負の電圧を与え、更に当該電圧の絶対値を、静電吸着を行うときに静電チャックに与えられる電圧の絶対値よりも小さい値に設定することで、被処理基体に対する微粒子の付着を更に低減することができる。
　以上説明したように、本発明の種々の側面及び実施形態によれば、被処理基体に対する微粒子の付着を低減することができる。
一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す断面図である。 一実施形態に係るスロット板を軸線Ｘ方向から見た平面図である。 一実施形態に係る制御部が行う制御の工程を示す図である。 処理空間内への被処理基体の搬入の前後における各部の状態を示す図である。 高周波電源及び直流電源の作動タイミングを表すシーケンス図である。 一実施例における微粒子の計数結果を示す図である。 比較例における微粒子の計数結果を示す図である。 静電チャックに印加する電圧を変化させた場合に被処理基体に付着する微粒子の数、及び被処理基体における微粒子の分布の偏りを示す図である。
　以下、図面を参照して、微粒子付着の制御方法を適用したプラズマ処理装置の種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
　図１は、一実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。図１に示すプラズマ処理装置１０は、処理容器１２、ステージ１４、マイクロ波発生器１６、アンテナ１８、及び誘電体窓２０を備えている。プラズマ処理装置１０は、アンテナ１８からのマイクロ波によりプラズマを発生させるマイクロ波プラズマ処理装置である。なお、プラズマ処理装置はマイクロ波プラズマ処理装置とは別の任意のプラズマ処理装置であってもよい。例えば、任意のプラズマ処理装置として、平行平板電極型のプラズマ処理装置、プラズマを用いたエッチング装置、或いは、プラズマを用いたＣＶＤ装置等を用いることができる。
　処理容器１２は、被処理基体Ｗにプラズマ処理を行うための処理空間Ｓを画成している。処理容器１２は、側壁１２ａ、及び、底部１２ｂを含み得る。側壁１２ａは、軸線Ｘ方向（即ち、軸線Ｘの延在方向）に延在する略筒形状を有している。底部１２ｂは、側壁１２ａの下端側に設けられている。底部１２ｂには、排気用の排気孔１２ｈが設けられている。側壁１２ａの上端部は開口している。
　側壁１２ａの上端部開口は、誘電体窓２０によって閉じられている。この誘電体窓２０と側壁１２ａの上端部との間にはＯリング２１が介在していてもよい。このＯリング２１により、処理容器１２の密閉がより確実なものとなる。側壁１２ａには、被処理基体Ｗの搬入及び搬出用のゲート１２ｇが設けられている。
　マイクロ波発生器１６は、例えば、２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生する。一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、チューナ２２、導波管２４、モード変換器２６、及び同軸導波管２８を更に備えている。なお、マイクロ波発生器１６、チューナ２２、導波管２４、モード変換器２６、同軸導波管２８、アンテナ１８、及び誘電体窓２０は、プラズマを発生させるためのエネルギーを処理空間Ｓに導入する導入部を構成している。
　マイクロ波発生器１６は、チューナ２２を介して導波管２４に接続されている。導波管２４は、例えば、矩形導波管である。導波管２４は、モード変換器２６に接続されており、当該モード変換器２６は、同軸導波管２８の上端に接続されている。
　同軸導波管２８は、軸線Ｘに沿って延びている。この同軸導波管２８は、外側導体２８ａ及び内側導体２８ｂを含んでいる。外側導体２８ａは、軸線Ｘ方向に延びる略円筒形状を有している。内側導体２８ｂは、外側導体２８ａの内部に設けられている。この内側導体２８ｂは、軸線Ｘに沿って延びる略円筒形状を有している。
　マイクロ波発生器１６によって発生されたマイクロ波は、チューナ２２及び導波管２４を介してモード変換器２６に導波される。モード変換器２６は、マイクロ波のモードを変換して、モード変換後のマイクロ波を同軸導波管２８に供給する。同軸導波管２８からのマイクロ波は、アンテナ１８に供給される。
　アンテナ１８は、マイクロ波発生器１６によって発生されるマイクロ波に基づいて、プラズマ励起用のマイクロ波を放射する。アンテナ１８は、スロット板３０、誘電体板３２、及び冷却ジャケット３４を含み得る。
　スロット板３０には、軸線Ｘを中心にして周方向に複数のスロットが配列されている。図２は、一実施形態に係るスロット板を軸線Ｘ方向から見た平面図である。一実施形態においては、図２に示すように、スロット板３０は、ラジアルラインスロットアンテナを構成するスロット板であり得る。スロット板３０は、導電性を有する金属製の円板から構成される。スロット板３０には、複数のスロット対３０ａが形成されている。各スロット対３０ａは、互いに交差又は直交する方向に延びるスロット３０ｂ及びスロット３０ｃを含んでいる。複数のスロット対３０ａは、径方向に所定の間隔で配置されており、また、周方向に所定の間隔で配置されている。
　誘電体板３２は、スロット板３０と冷却ジャケット３４の下側表面の間に設けられている。誘電体板３２は、例えば石英製であり、略円板形状を有している。冷却ジャケット３４の表面は、導電性を有し得る。冷却ジャケット３４は、誘電体板３２及びスロット板３０を冷却する。そのために、冷却ジャケット３４内には、冷媒用の流路が形成されている。この冷却ジャケット３４の上部表面には、外側導体２８ａの下端が電気的に接続されている。また、内側導体２８ｂの下端は、冷却ジャケット３４及び誘電体板３２の中央部分に形成された孔を通って、スロット板３０に電気的に接続されている。
　同軸導波管２８からのマイクロ波は、誘電体板３２に伝播され、スロット板３０のスロットから誘電体窓２０を介して、処理空間Ｓ内に導入される。誘電体窓２０は、略円板形状を有しており、例えば石英によって構成される。この誘電体窓２０は、処理空間Ｓとアンテナ１８との間に設けられており、一実施形態においては、軸線Ｘ方向においてアンテナ１８の直下に設けられている。
　一実施形態においては、同軸導波管２８の内側導体２８ｂの内孔には、導管３６が通っている。導管３６は、軸線Ｘに沿って延在しており、フロースプリッタ３８に接続され得る。
　一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、インジェクタ４１を更に備え得る。インジェクタ４１は、誘電体窓２０に形成された貫通孔２０ｈに導管３６からのガスを供給する。誘電体窓２０の貫通孔２０ｈに供給されたガスは、処理空間Ｓに供給される。
　一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、ガス供給部４２を更に備え得る。ガス供給部４２は、ステージ１４と誘電体窓２０との間において、軸線Ｘの周囲からガスを処理空間Ｓに供給する。ガス供給部４２は、導管４２ａを含み得る。導管４２ａは、誘電体窓２０とステージ１４との間において軸線Ｘを中心に環状に延在している。導管４２ａには、複数のガス供給孔４２ｂが形成されている。複数のガス供給孔４２ｂは、環状に配列されると共に軸線Ｘに向けて開口しており、導管４２ａに供給されたガスを軸線Ｘに向けて供給する。このガス供給部４２は、導管４６を介して、フロースプリッタ３８に接続されている。
　フロースプリッタ３８は、導管３６及びガス供給部４２に接続されている。また、フロースプリッタ３８は、更に、Ａｒガスのガス源３８ａ、ＨＢｒガスのガス源３８ｂ、Ｏ２ガスのガス源３８ｃ、Ｃｌ２ガスのガス源３８ｄ、ＳＦ６ガスのガス源３８ｅ、及び、Ｎ２ガスのガス源３８ｆが接続されている。これらのガス源３８ａ～３８ｆは、ガスの供給及び供給の停止、並びに、ガスの流量を制御可能なガス源である。フロースプリッタ３８は、各ガス源３８ａ～３８ｆから、導管３６及びガス供給部４２へ分岐するガスの流量比を制御する。
　なお、ＳＦ６ガス及びＯ２ガスは、処理空間Ｓ内の反応副生成物を除去するクリーニング工程で用いられる。Ａｒガス、ＨＢｒガス、Ｏ２ガス、及び、Ｃｌ２ガスは、被処理基体Ｗのプラズマ処理（例えば、ポリシリコンのエッチング）に用いられる。Ｎ２ガスは、処理容器１２内のガスを置換するパージ用のガスとして用いられる。ここで挙げたガス種は一例であり、他の種類のガスを用い得る。また、プラズマ処理の種類によっては、上述したガス源とは異なる一以上のガス源を設けて、これらのガスを組み合わせることで、被処理基体Ｗに対する処理を行ってもよい。なお、ガス源３８ｃ及び３８ｅは、処理容器１２内にクリーニングガスを供給するガス供給部を構成している。
　ステージ１４は、軸線Ｘ方向において誘電体窓２０と対面するように設けられている。このステージ１４は、誘電体窓２０と当該ステージ１４との間に処理空間Ｓを挟むように設けられている。ステージ１４上には、被処理基体Ｗが載置される。一実施形態においては、ステージ１４は、台１４ａ、静電チャック１５、及び、フォーカスリング１７を含み得る。
　台１４ａは、筒状支持部４８によって支持されている。筒状支持部４８は、絶縁性の材料で構成されており、底部１２ｂから垂直上方に延びている。また、筒状支持部４８の外周には、導電性の筒状支持部５０が設けられている。筒状支持部５０は、筒状支持部４８の外周に沿って処理容器１２の底部１２ｂから垂直上方に延びている。この筒状支持部５０と側壁１２ａとの間には、環状の排気路５１が形成されている。
　排気路５１の上部には、複数の貫通孔が設けられた環状のバッフル板５２が取り付けられている。排気孔１２ｈには、排気管５４が接続されている。また、排気管５４には、圧力調整器５６ａを介して排気装置５６ｂが接続されている。排気装置５６ｂは、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有している。圧力調整器５６ａは、排気装置５６ｂの排気量を調整して、処理容器１２内の圧力を調整する。排気装置５６ｂにより、処理容器１２内の処理空間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。
　台１４ａは、高周波電極を兼ねている。台１４ａには、マッチングユニット６０及び給電棒６２を介して、ＲＦバイアス用の高周波電源５８が電気的に接続されている。高周波電源５８は、被処理基体Ｗに引き込むイオンのエネルギーを制御するのに適した一定の周波数、例えば、１３．６５ＭＨｚの高周波電力を所定のパワーで出力する。マッチングユニット６０は、高周波電源５８側のインピーダンスと、主に電極、プラズマ、処理容器１２といった負荷側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を収容している。この整合器の中に自己バイアス生成用のブロッキングコンデンサが含まれている。
　台１４ａの上面には、被処理基体Ｗを保持するための保持部材である静電チャック１５が設けられている。静電チャック１５は、被処理基体Ｗを静電吸着力で保持する。静電チャック１５の径方向外側には、被処理基体Ｗの周囲及び静電チャック１５の周囲を環状に囲むフォーカスリング１７が設けられている。フォーカスリング１７は、静電チャック１５の側端面を囲むように台１４ａ上に搭載されている。フォーカスリング１７は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ２）製であり、環状板である。
　静電チャック１５は、略円板形状を有している。この静電チャック１５は、電極１５ｄと、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）で形成された絶縁膜１５ｅ及び１５ｆとを含んでいる。電極１５ｄは、導電膜によって構成されており、絶縁膜１５ｅと絶縁膜１５ｆとの間に設けられている。電極１５ｄには、被覆線６８を介して高圧の直流電源６４が電気的に接続されている。静電チャック１５は、直流電源６４から印加される直流電圧により発生するクーロン力によって、被処理基体Ｗを保持することができる。
　台１４ａの内部には、周方向に延びる環状の冷媒室１４ｇが設けられている。この冷媒室１４ｇには、チラーユニット（図示せず）より配管７０及び７２を介して所定の温度の冷媒、例えば、冷却水が循環供給される。冷媒の温度によって静電チャック１５の伝熱ガス、例えば、Ｈｅガスがガス供給管７４を介して静電チャック１５の上面と被処理基体Ｗの裏面との間に供給される。
　一実施形態においては、プラズマ処理装置１０は、各部の制御を行う制御部１００を備え得る。具体的には、制御部１００は、ガス源３８ａ～３８ｆによるガスの供給及び供給の停止、並びに、ガスの流量の制御、マイクロ波発生器１６によるマイクロ波の発生の制御、ＲＦバイアス用の高周波電源の５８の制御、静電チャック１５に電圧を印加する直流電源６４の制御、圧力調整器５６ａ及び排気装置５６ｂによる処理容器１２内の減圧制御、被処理基体Ｗの搬入及び搬出の制御等を行う。
　このように構成されたプラズマ処理装置１０では、導管３６及びインジェクタ４１の貫通孔４１ｈを介して、誘電体窓２０の貫通孔２０ｈから処理空間Ｓ内に軸線Ｘに沿ってガスが供給される。また、貫通孔２０ｈよりも下方において、ガス供給部４２から軸線Ｘに向けてガスが供給される。さらに、アンテナ１８から誘電体窓２０を介して処理空間Ｓ及び／又は貫通孔２０ｈ内にマイクロ波が導入される。これにより、処理空間Ｓ及び／又は貫通孔２０ｈにおいてプラズマが発生する。このように、プラズマ処理装置１０によれば、磁場を加えずに、プラズマを発生させることができる。このプラズマ処理装置１０では、ステージ１４上に載置された被処理基体Ｗを、処理ガスのプラズマによって処理することができる。
　以下、図３及び図４を参照して、制御部１００が行う制御の詳細について説明する。図３は、制御部１００が行う制御の工程を示す図である。図４は、処理容器１２内への被処理基体Ｗの搬入の前から搬入直後における各部の状態を示す図である。なお、図４において、クリーニング工程が行われている状態を「ＯＮ」で示し、クリーニング工程が行われていない状態を「ＯＦＦ」で示している。また、図４において、被処理基体Ｗが処理容器１２内に搬入されていない状態を「ＯＦＦ」で示し、処理容器１２内に搬入されている状態を「ＯＮ」で示している。
　図３及び図４に示すように、制御部１００は、ガス源３８ｆを制御し、前回の被処理基体Ｗの処理の終了後から処理容器１２内に供給されていたＮ２ガスの供給を停止する（時刻ｔ１）。そして、制御部１００は、処理容器１２内に被処理基体Ｗを搬入する前に、処理容器１２内の反応副生成物を除去するクリーニング工程（ステップＳ１０１）を実行する（時刻ｔ１～ｔ２）。このクリーニング工程では、反応副生成物の除去の一例として、ＷＬＤＣ（wafer　less　dry　cleaning）が実施される。このＷＬＤＣでは、処理ガスとして、例えば、ＳＦ６及びＯ２の混合ガスが用いられる。ＳＦ６及びＯ２は、制御部１００がガス源３８ｅ及び３８ｃを制御することで処理容器１２内に供給される。ＷＬＤＣでは、処理容器１２内において処理ガスのプラズマを発生させることにより、反応副生成物の除去や除電が行われる。なお、ＷＬＤＣによる除電では、処理容器１２内の各部を完全には除電することができず、各部が帯電した状態となる。このため、ＷＬＤＣ後においても、フォーカスリング１７と静電チャック１５との間で電位差が生じ得る。ＷＬＤＣ後に処理容器１２内の各部が帯電する仕組みについて、詳しくは後述する。クリーニング工程の後、制御部１００は、ガス源３８ｆを制御して、Ｎ２ガスの処理容器１２内への供給を開始する（時刻ｔ２）。
　次に、制御部１００は、被処理基体Ｗが搬入される前に、直流電源６４を制御して静電チャック１５に電圧を印加する電圧印加工程（ステップＳ１０２）を実行する（時刻ｔ３）。この電圧印加工程では、後の工程において処理容器１２内に搬入される被処理基体Ｗとフォーカスリング１７との電位差が低減されるように、静電チャック１５に電圧が印加される。また、電圧印加工程は、被処理基体Ｗが処理容器１２内に搬入される前に毎回行われる。なお、電圧印加工程を実行する際に、圧力センサにより測定される処理空間Ｓの圧力に基づいて、圧力調整器５６ａが、処理空間Ｓの圧力を例えば、２００ｍＴｏｒｒ（２６．７Ｐａ）に制御してもよい。
　ここで、被処理基体Ｗの搬入前において、フォーカスリング１７はプラスに帯電していると考えらえる。これは、例えば、前回のクリーニング（ＷＬＤＣ処理）工程において発生させたプラズマが消滅した際に残るプラスイオンが、処理容器１２内の部材に付着することによって生じ得る。また、クリーニング工程を行わない場合には、前回のエッチングといった処理において発生させたプラズマが消滅した際に残るプラスイオンが、処理容器１２内の部材に付着することによって生じ得る。また、処理容器１２内に搬入される被処理基体Ｗについても、搬送途中で帯電する場合もあり得る。そこで、制御部１００は、帯電するフォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差が低減されるように、静電チャック１５に対して印加する電圧の電圧値、及び電圧の印加時間を制御する。
　以下に、帯電したフォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差を低減するために、静電チャック１５に対して印加する電圧の電圧値、及び電圧の印加時間の具体例を示す。例えば、フォーカスリング１７の帯電電圧がプラス数百ボルトであり、被処理基体Ｗの帯電電圧がプラス数ボルトである場合、制御部１００は、マイナス数百ボルトの電圧を１秒間、静電チャック１５に印加されるように直流電源６４を制御する。この電圧印加工程を行うことにより、フォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差を低減することができる。また、静電チャック１５に印加される電圧として、静電吸着を行うときに静電チャック１５に与えられる電圧の絶対値よりも小さい絶対値を有する負の電圧を設定し得る。ここでは、一例として、電圧印加工程においてマイナスの電圧を静電チャック１５に印加するものとしたが、フォーカスリング１７がマイナスに帯電している場合には、静電チャック１５にプラスの電圧を印加して、フォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差を低減することもできる。
　静電チャック１５への電圧の印加が終了すると、制御部１００は、ガス源３８ｆを制御してＮ２ガスの処理容器１２内への供給を停止し、処理容器１２内の排気を行う。
　次に、制御部１００は、処理容器１２内の排気を停止し、処理容器１２内に被処理基体Ｗを搬入する搬入工程（ステップＳ１０３）を実行する（時刻ｔ４）。具体的には、制御部１００は、被処理基体Ｗの搬入を行うアーム等を制御し、ゲート１２ｇを介して、処理容器１２内の静電チャック１５上に被処理基体Ｗを搬入する。
　処理容器１２内に被処理基体Ｗが搬入された後、制御部１００は、ガス源３８ａ～３８ｄを制御し、処理容器１２内へのＡｒガス、ＨＢｒガス、Ｏ２ガス、及び、Ｃｌ２ガスの供給を開始する。そして、制御部１００は、マイクロ波発生器１６を作動（時刻ｔ５）させて処理容器１２内にプラズマを発生させるプラズマ発生工程（ステップＳ１０４）を実行する。
　次に、制御部１００は、高周波電源５８を作動（時刻ｔ６）させてイオンを被処理基体Ｗへ引き込むと共に、直流電源６４を制御して、静電チャック１５によって被処理基体Ｗを吸着保持する吸着保持工程（ステップＳ１０５）を実行する（時刻ｔ７）。ここで、制御部１００は、プラスの直流電圧が静電チャック１５に印加されるように直流電源６４を制御する。なお、マイクロ波発生器１６を作動させてプラズマを発生させるのと同時に、静電チャック１５によって被処理基体Ｗを吸着保持してもよい。以上の工程により、被処理基体Ｗに対してプラズマを用いたプラズマ処理（例えば、エッチング等）が行われる（ステップＳ１０６）。
　被処理基体Ｗに対するプラズマ処理が終了すると、制御部１００は、ガス源３８ａ～３８ｄを制御してＡｒガス、ＨＢｒガス、Ｏ２ガス、及び、Ｃｌ２ガスの処理容器１２内への供給を停止させ、ガス源３８ｆを制御して処理容器１２内へのＮ２ガスの供給を開始させる。また、制御部１００は、マイクロ波発生器１６によるマイクロ波の発生を停止させ、高周波電源５８による高周波電圧の出力を停止させる。また、制御部１００は、直流電源６４を制御することによって静電チャック１５に対する電圧の印加を停止し、静電チャック１５による被処理基体Ｗの吸着保持を解除（ステップＳ１０７）する。
　ここで、プラズマ発生工程から吸着解除工程までのマイクロ波発生器１６の制御、及び直流電源６４の制御の詳細について説明する。図５に、マイクロ波発生器１６及び直流電源６４の作動タイミングを表すシーケンス図を示す。図５において、横軸は時間、縦軸は点線についてはマイクロ波発生器１６から出力されるマイクロ波の出力電力（Ｗ）、実線については直流電源６４による静電チャック１５への印加直流電圧値（Ｖ）を表している。なお、図５に示す印加直流電圧の値は一例であり、これに限定されるものではない。
　図５に点線で示すように、まず、制御部１００はマイクロ波発生器１６を制御してマイクロ波を出力させ、プラズマを発生させる。その後、同図に実線で示すように、制御部１００は直流電源６４を制御して、静電チャック１５の電極１５ｄへの直流電圧の印加を行う。なお、静電チャック１５の電極１５ｄへの直流電圧の印加開始前は、被処理基体Ｗが静電チャック１５に吸着されていないため、その温度制御が充分に行われていない。このため、マイクロ波の出力電力は、処理を行う時に比べて低いパワーの電力とし、プラズマの作用によって、被処理基体Ｗの温度が上昇しないようにすることが好ましい。
　そして、マイクロ波の出力電力がプラズマ処理用の出力電力値となる時刻ｔａ～ｔｂの間に、プラズマ処理が行われる。プラズマ処理が終了した後、被処理基体Ｗを静電チャック１５から取り外す際も、図５に示すように、まず、制御部１００はマイクロ波発生器１６を制御し、マイクロ波の出力電力を、処理を行う時に比べて低いパワーの電力値（０Ｗではない）に下げる。そして、制御部１００は直流電源６４を制御し、静電チャック１５の電極１５ｄへの直流電圧の印加を停止する。その後、制御部１００は、マイクロ波発生器１６からのマイクロ波の出力を停止させてプラズマを消滅させる。なお、制御部１００は、静電チャック１５の電極１５ｄへの直流電圧の印加を停止する際に、一旦、被処理基体Ｗの吸着時とは逆極性の電圧（例えば－２０００Ｖ程度）を静電チャック１５の電極１５ｄへ印加して静電チャック１５の電荷を除去し、被処理基体Ｗを外し易くする。この逆極性の電圧の印加は、必要に応じて行われる。
　なお、図５に示したシーケンス図は、平行平板電極型のプラズマ処理装置におけるプラズマ励起用のＲＦ電力の制御にも適用可能である。
　図３に戻り、静電チャック１５による被処理基体Ｗの吸着保持の解除後、制御部１００は、処理容器１２内から被処理基体Ｗを搬出する搬出工程（ステップＳ１０８）を実行する。具体的には、制御部１００は、被処理基体Ｗの搬出を行うアーム等を制御し、ゲート１２ｇを介して、処理容器１２内から被処理基体Ｗを搬出する。
　搬出工程の後、クリーニング工程（ステップＳ１０１）に戻り、上述の処理を繰り返す。
　以上のように、被処理基体Ｗの搬入前に、フォーカスリング１７と搬入される被処理基体Ｗとの電位差が低減されるように、制御部１００がフォーカスリング１７に電圧を印加する。これにより、被処理基体Ｗが搬入されたときに、フォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差によって、フォーカスリング１７に付着していた微粒子が被処理基体Ｗの上面（加工面）に移動して被処理基体Ｗに付着することが抑制される。
　ここで、本願発明者らは、上述した電圧印加工程（ステップＳ１０２）を行わずに被処理基体Ｗに対してプラズマ処理を行い（即ち、従来のプラズマ処理）、処理後の被処理基体Ｗを観察すると、被処理基体Ｗに付着する微粒子が多い時は主として被処理基体Ｗのエッジ部近傍に微粒子が多く集まる傾向を見出した。これは、被処理基体Ｗが静電チャック１５に載置される際に、被処理基体Ｗのエッジ部を囲むように配置されたフォーカスリング１７に付着する微粒子が、フォーカスリング１７から被処理基体Ｗのエッジ部近傍の領域に移動して付着したものであると考え得る。即ち、フォーカスリング１７から被処理基体Ｗへ移動して被処理基体Ｗに付着する微粒子を減らすことで、被処理基体Ｗに付着する微粒子を効果的に低減することができると言える。
　そこで、本一実施形態においては、上述したように電圧印加工程を行い被処理基体Ｗとフォーカスリング１７との電位差を低減することで、フォーカスリング１７から被処理基体Ｗへ移動して付着する微粒子を減らすことができ、被処理基体Ｗに付着する微粒子を効果的に低減することができる。
　以下、上述のプラズマ処理装置１０を用いて被処理基体Ｗに対してプラズマ処理を行った後、被処理基体Ｗに付着する微粒子を計数した一実施例について説明する。なお、フォーカスリング１７の材料としてＳｉＯ２、静電チャック１５の材料としてＡｌ２Ｏ３を用いた。また、側壁１２ａとして、側壁１２ａを形成する基材の表面に、イットリア（Ｙ２Ｏ３）のコーティングが施されているものを用いた。また、クリーニング工程では、ＳＦ６及びＯ２の混合ガスを用いたＷＬＤＣを行った。
　また、順次プラズマ処理がされる複数枚の被処理基体Ｗのうち、所定の枚数毎（ここでは一例として、２５枚毎）に一枚の被処理基体Ｗを抜き出し、抜き出した被処理基体Ｗを微粒子の計数対象とした。なお、この微粒子の計数対象の被処理基体Ｗは、微粒子係数用のモニター基体とすることもできる。
　計数対象の被処理基体Ｗに付着した微粒子を、ＹＦＯ、ＡｌＯＦ、ＳｉＯＦ、及び、その他の物質の４種類に分類し、それぞれ計数した。図６に、一実施例における微粒子の計数結果を示す。図６において、ロットナンバーは、計数対象の被処理基体Ｗに割り振られた番号とする。また、比較例として、電圧印加工程を行わずに、計数対象の被処理基体Ｗに付着した微粒子を計数した。図７に、比較例における微粒子の計数結果を示す。なお、比較例において、電圧印加工程を行わない以外は一実施例と同じ工程を行った。
　図６及び図７に示すように、電圧印加工程を行った一実施例（図６）では、電圧印加工程を行わない比較例（図７）に対して、計数対象の被処理基体Ｗに付着する微粒子の数が低減された。
　ここで、計数される微粒子のうち、ＹＦＯ、ＡＬＯＦ、及び、ＳｉＯＦは、ＷＬＤＣで用いた処理ガスによって側壁１２ａ、静電チャック１５、及び、フォーカスリング１７等がダメージを受けることで生じ得る。また、比較例では、一実施例に対して、ＡＬＯＦが多く検出されている。これは、静電チャック１５がＷＬＤＣによってダメージを受けることで生じた微粒子状のＡＬＯＦがフォーカスリング１７に堆積し、このＡＬＯＦが被処理基体Ｗとフォーカスリング１７との電位差等によって被処理基体Ｗに付着したものと考えられる。これに対し、一実施例では、電圧印加工程を行うことで、被処理基体Ｗとフォーカスリング１７との電位差が低減され、フォーカスリング１７から被処理基体Ｗへ移動して被処理基体Ｗに付着する微粒子状のＡＬＯＦが低減されたものと考えられる。
　また、図７に示すように、比較例では、ロットナンバー３及び８の被処理基体Ｗにおいて、多くの微粒子状のＡＬＯＦが検出されている。これは、フォーカスリング１７の段差部分等に溜まったＡＬＯＦが、被処理基体Ｗが処理容器１２内に搬入された時に、被処理基体Ｗとフォーカスリング１７との電位差により、被処理基体Ｗ側にまとまって移動したものであると考えられる。このように、大量の微粒子が被処理基体Ｗに付着することは好ましくない。これに対し、図６に示す一実施例では、電圧印加工程を行うことで被処理基体Ｗとフォーカスリング１７との電位差が低減されるため、フォーカスリング１７から被処理基体Ｗへまとまって移動する微粒子状のＡＬＯＦが抑制されている。
　次に、被処理基体Ｗとフォーカスリング１７との電位差を低減するために静電チャック１５に印加する電圧について説明する。図８に、静電チャック１５に印加する電圧を変化させた場合に被処理基体Ｗに付着する微粒子の数、及び被処理基体における微粒子の分布の偏りを示す。ここでは、被処理基体Ｗとして、Ｂａｒｅ　Ｓｉから成る基体を用いた。また、被処理基体における微粒子の分布の偏りを表すものとして、被処理基体Ｗのエッジの近傍部分にどの程度の微粒子が集中して付着しているかを表す指標を用いた。この指標は、Ｐ検定を用いた既知の統計的手法で求めることができる。図８において、棒グラフが被処理基体Ｗに付着する微粒子の数を示し、折れ線グラフが被処理基体における微粒子の分布の偏りを表す指標を示している。静電チャック１５に印加する電圧値は、－２５００Ｖ、－１０００Ｖ、－５００Ｖ、電圧印加なし、５００Ｖの５種類とし、それぞれの電圧を１秒間、静電チャック１５に印加した。
　図８に示すように、静電チャック１５に電圧を印加しない場合と比較して、静電チャック１５に－５００及び－１０００Ｖを印加した場合に、被処理基体Ｗに付着する微粒子数、及び、被処理基体Ｗのエッジの近傍部分に付着する微粒子の数は少なくなった。即ち、０Ｖ未満から、－１０００Ｖ程度の電圧を静電チャック１５に印加することにより、フォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差が低減され、被処理基体Ｗに付着する微粒子の数が減ったものと考えられる。また、特に、－５００Ｖの電圧を静電チャック１５に印加することで、被処理基体Ｗに付着する微粒子の数が最も少なくなった。即ち、フォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差が最も低減されたと考えられる。
　以上のように本実施形態では、静電チャック１５に電圧を印加することにより、フォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差を低減している。これにより、静電チャック１５に電圧を与える工程の後、処理容器１２内に被処理基体Ｗを搬入したときに、フォーカスリング１７と被処理基体Ｗとの電位差によってフォーカスリング１７に付着していた微粒子が被処理基体Ｗ側に移動して被処理基体Ｗに付着することを低減している。
　また、静電チャック１５に電圧を印加する工程の前に、処理容器１２内に被処理基体Ｗを収容していない状態で、処理容器１２の内部をクリーニングする工程を含み得る。これにより、クリーニングの後に残る微粒子が被処理基体Ｗに付着することを低減することができる。
　処理容器１２内に新たに被処理基体Ｗを搬入する、その前に静電チャック１５に電圧を与える工程を行うことで、被処理基体Ｗに対する微粒子の付着をより確実に低減することができる。
　また、処理容器１２内の微粒子は、正に帯電していることが多い。そこで、静電チャック１５に対して、負の電圧を与え、更に当該電圧の絶対値を、静電吸着を行うときに静電チャック１５に与えられる電圧の絶対値よりも小さい値に設定することで、被処理基体Ｗに対する微粒子の付着を更に低減することができる。
　以上、種々の実施形態について説明したが、上述した実施形態に限定されることなく、種々の変形態様を構成可能である。例えば、フォーカスリングは酸化シリコンの他、処理ガスの種類によってはシリコン（Ｓｉ）製であってもよい。
　１０…プラズマ処理装置、１２…処理容器、１７…フォーカスリング、１５…静電チャック、３８ｃ，３８ｅ…ガス源（ガス供給部）、６４…直流電源、１００…制御部、Ｓ…処理空間、Ｗ…被処理基体。

Claims (8)

  1. 　被処理基体を処理容器内に搬入する前に、該処理容器内において被処理基体を静電吸着する静電チャックに電圧を与える工程と、
    　前記静電チャックに電圧を与える工程の後に、前記処理容器内に被処理基体を搬入する工程と、
    を含み、
    　前記静電チャックに電圧を与える工程では、前記静電チャックを囲むように設けられたフォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減するよう、前記静電チャックに電圧が与えられる、
    被処理基体に対する微粒子付着の制御方法。
  2. 　前記静電チャックに電圧を与える工程の前に、前記処理容器内に被処理基体を収容していない状態で、前記処理容器の内部をクリーニングする工程を更に含む、請求項１に記載の被処理基体に対する微粒子付着の制御方法。
  3. 　被処理基体を搬入する前記工程の前に毎回、前記静電チャックに電圧を与える工程が行われる、請求項１又は２に記載の被処理基体に対する微粒子付着の制御方法。
  4. 　前記静電チャックに電圧を与える工程では、前記静電チャックが被処理基体を静電吸着するときに前記静電チャックに与えられる電圧の絶対値よりも小さい絶対値を有する負の電圧が前記静電チャックに与えられる、請求項１～３のいずれか一項に記載の被処理基体に対する微粒子付着の制御方法。
  5. 　処理容器と、
    　前記処理容器内に設けられた静電チャックと、
    　前記静電チャックに直流電圧を与える直流電源と、
    　前記直流電源を制御する制御部と、
    を備え、
    　前記制御部は、前記処理容器内に被処理基体が搬送される前に、前記静電チャックを囲むように設けられたフォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減する電圧が前記静電チャックに与えられるよう、前記直流電源を制御する、
    処理装置。
  6. 　前記処理容器内にクリーニングガスを供給するガス供給部を更に備え、
    　前記制御部は、前記処理容器内に被処理基体が搬入される前であり、且つ、前記直流電源によって前記電圧が与えられる前に、前記ガス供給部に前記クリーニングガスを供給させる、
    請求項５に記載の処理装置。
  7. 　前記制御部は、被処理基体が搬入される前に毎回、前記フォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減する電圧が前記静電チャックに与えられるよう、前記直流電源を制御する、請求項５又は６に記載の処理装置。
  8. 　前記フォーカスリングと被処理基体との間の電位差を低減する電圧は、前記静電チャックによって被処理基体を静電吸着するときに前記静電チャックに与えられる電圧の絶対値よりも小さい絶対値を有する負の電圧である、請求項５～７のいずれか一項に記載の処理装置。
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