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WO2013007443A1 - Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements - Google Patents

Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements Download PDF

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WO2013007443A1
WO2013007443A1 PCT/EP2012/060210 EP2012060210W WO2013007443A1 WO 2013007443 A1 WO2013007443 A1 WO 2013007443A1 EP 2012060210 W EP2012060210 W EP 2012060210W WO 2013007443 A1 WO2013007443 A1 WO 2013007443A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer structure
electrode
light
layer
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2012/060210
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Britta GÖÖTZ
Erwin Lang
Thilo Reusch
Daniel-Steffen SETZ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to KR1020147003792A priority Critical patent/KR101650029B1/ko
Priority to US14/131,690 priority patent/US9105874B2/en
Publication of WO2013007443A1 publication Critical patent/WO2013007443A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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Definitions

  • the invention relates to light-emitting components and to methods for producing a light-emitting element
  • OLED Organic Light Emitting Diode
  • the OLEDs currently available for sale do not yet contain a device for compensating lateral
  • busbars are used, which provide primarily for a more even current distribution and cause as a side effect a slight improvement in the lateral temperature distribution, which is however insufficient.
  • Then Light emitting device provided.
  • Light emitting device may comprise a first
  • Electrode an organic electroluminescent
  • the electroluminescent layer structure and a mirror layer structure on or over the second electrode, wherein the mirror layer structure has a lateral thermal conductivity
  • the lateral thermal conductivity value is the sum of the individual lateral thermal conductivity values in various exemplary embodiments.
  • the light-emitting component may further comprise an optically translucent layer structure on or over the second electrode.
  • the mirror layer structure can be on or above the optical
  • translucent layer structure can be arranged translucent layer structure.
  • translucent or “translucent layer” can be understood in various embodiments that a layer is permeable to light
  • the light generated by the light emitting device for example one or more
  • Wavelength ranges for example, for light in one
  • Wavelength range of the visible light for example, at least in a partial region of the wavelength range of 380 nm to 780 nm.
  • the term "translucent layer” in various embodiments is to be understood to mean that substantially all of them are in one
  • Quantity of light is also coupled out of the structure (for example, layer), wherein a portion of the light can be scattered in this case
  • transparent or “transparent layer” can be understood in various embodiments that a layer is transparent to light
  • Wavelength range from 380 nm to 780 nm), wherein light coupled into a structure (for example a layer) is coupled out of the structure (for example layer) substantially without scattering or light conversion.
  • Embodiments as a special case of "translucent" to look at.
  • the optically translucent layer structure at least in a partial region of the wavelength range of the desired monochrome light or for the limited
  • the second electrode may be configured such that the optically translucent
  • Layer structure with the organic electroluminescent layer structure is optically coupled.
  • the respective electrode for example the first electrode and / or the second electrode, for example the cathode
  • the respective electrode for example the first electrode and / or the second electrode, for example the cathode
  • Then Light emitting device provided.
  • Light emitting device may comprise a mirror layer structure having a lateral thermal conductivity of
  • electroluminescent layer structure on or above the
  • the mirror layer structure may form a first electrode; and the electrode may form a second electrode.
  • Component further comprise a first electrode, which is arranged on or above the mirror layer structure.
  • the electrode may form a second electrode.
  • Component further comprise a first optically translucent layer structure between the mirror layer structure and the first electrode.
  • the first optically translucent layer structure can be any optically translucent layer structure.
  • the light emitting has light-scattering particles.
  • the light emitting has light-scattering particles.
  • Component further comprise an encapsulation layer structure on or over the second electrode.
  • Component further comprise a second optically translucent layer structure on or over the second electrode.
  • the second optically translucent layer structure may have light-scattering particles.
  • the mirror layer structure may have a layer thickness of at least 1 ⁇ m.
  • a method for producing a light emitting device may have a layer thickness of at least 1 ⁇ m.
  • the method may include forming a first electrode; making an organic one
  • electroluminescent layer structure on or above the first electrode; forming a second electrode on or over the organic electroluminescent layer structure; and forming a mirror layered structure over or over the second electrode, wherein the mirror layer structure
  • the method may further include forming an optically translucent layer structure on or over the second electrode.
  • the mirror layer structure can be on or above the optical
  • the method may include forming a
  • the mirror layer structure may form a first electrode and the electrode may form a second electrode.
  • the method may further
  • the method comprise forming a first electrode disposed on or above the mirror layer structure.
  • Electrode can form a second electrode.
  • the method may further
  • Layer structure between the mirror layer structure and the first electrode Layer structure between the mirror layer structure and the first electrode.
  • light-scattering particles may be present in the first optically translucent layer structure or the first optically translucent layer structure can be formed by them.
  • the method may further comprise forming an encapsulation layer structure on or over the second electrode.
  • the method may further comprise forming a second optically translucent layer structure on or over the second electrode.
  • light-scattering particles may be contained or formed in the second optically translucent layer structure.
  • the mirror layer structure can be formed with a layer thickness of at least 1 ⁇ m.
  • the light-emitting component can be set up or be used as an organic light-emitting diode or as an organic light-emitting transistor. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
  • FIG. 1 shows a cross-sectional view of a light-emitting device
  • Figure 2 is a cross-sectional view of a light emitter
  • Figure 3 is a cross-sectional view of a light-emitting device according to various embodiments.
  • FIGS. 4A to 4F show a light-emitting component according to FIG.
  • FIG. 5 shows a flowchart in which a method for the
  • FIG. 6 shows a flowchart in which a method for the
  • a light emitting device may be in different
  • Embodiments as an organic light emitting diode as an organic light emitting diode (organic light emitting diode, OLED) or be designed as an organic light emitting transistor.
  • the light emitting device may be in different
  • Embodiments be part of an integrated circuit. Furthermore, a plurality of light emitting
  • a backside mirror for (lateral) heat distribution is illustratively used in a light-emitting component, for example an organic light-emitting diode (OLED).
  • OLED organic light-emitting diode
  • Fig.l shows an organic light emitting diode 100 as a
  • the light emitting device 100 in the form of a
  • Organic light emitting diode 100 may include a substrate 102.
  • the substrate 102 may be used, for example, as a support for electronic elements or layers, for example
  • the substrate 102 may be glass, quartz, and / or a semiconductor material or any other suitable material or formed therefrom. Furthermore, the substrate 102 may be a
  • the plastic may be one or more polyolefins (eg, high or low density polyethylene (PE) or
  • the plastic may be polyvinyl chloride (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC),
  • PVC polyvinyl chloride
  • PS polystyrene
  • PC polycarbonate
  • the substrate 102 may comprise, for example, a metal foil, for example an aluminum foil, a stainless steel foil, a copper foil or a combination or a layer stack thereof.
  • the substrate 102 may include one or more of the above materials.
  • the substrate 102 may be made translucent.
  • the organic light emitting diode may be configured as a so-called top emitter and / or as a so-called bottom emitter.
  • a top emitter can be understood to mean an organic light-emitting diode in which the light is radiated upward from the organic light-emitting diode, for example, through the second electrode.
  • Under a bottom emitter can be understood in various embodiments, an organic light emitting diode, in which the light from the organic light emitting diode down,
  • a first electrode 104 (for example in the form of a first electrode layer 104) may be applied.
  • the first electrode 104 (also referred to below as lower electrode 104) may consist of a
  • Transparent conductive oxides are transparent, conductive materials, for example metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide,
  • binary metal oxygen compounds such as ZnO, SnO 2, or ⁇ 2 ⁇ 3 also include ternary metal oxygen compounds, such as AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s or
  • the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p-doped or n-doped.
  • Electrode 104 comprises a metal; For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm or Li, and
  • Electrode 104 may be formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa.
  • An example is one
  • ITO indium tin oxide
  • Electrode provide one or more of the following materials as an alternative or in addition to the materials mentioned above: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag; Networks off
  • Electrodes may comprise conductive polymers or transition metal oxides or conductive transparent oxides.
  • the first electrode 104 and the substrate 102 may be formed to be translucent or transparent. In this case, in the event that the first
  • Electrode 104 is formed of a metal, the first electrode 104, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example a
  • the first electrode 104 may have a layer thickness of greater than or equal to about 10 nm, for example, a layer thickness of greater than or equal to about 15 nm
  • the first electrode 104 a the first electrode 104 a
  • Layer thickness in a range of about 10 nm to about 25 nm for example, a layer thickness in a range of about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range of about 15 nm to about 18 nm.
  • the first electrode 104 has, for example, a layer thickness in a range of about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in one Range of about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range of
  • first electrode 104 transparent first electrode 104 and in the event that the first electrode 104 of, for example, a network of metallic nanowires, such as Ag, which may be combined with conductive polymers
  • the first electrode 104 for example, have a layer thickness in one
  • the first electrode 104 can also be configured opaque or reflective.
  • the first electrode 104 may be, for example, a
  • the first electrode 104 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the first electrode 104 may be a first electrical
  • a first electrical potential (provided by a power source (not shown) (for example a current source or a voltage source) can be applied.)
  • the first electrical potential may be applied to the substrate 102 and then indirectly to the first electrode 104.
  • the first electrical potential may be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • the light-emitting component 100 may be an organic electroluminescent layer structure 106 that on or above the first electrode 104
  • the organic electroluminescent layer structure 106 may include one or more emitter layers 108, such as with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole line layers 110. In various embodiments, alternatively or additionally, electron conduction layers (not shown) may be provided.
  • Light-emitting device 100 according to various aspects
  • organometallic compounds such as derivatives of polyfluorene, polythiophene and polyphenylene (eg 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylenevinylene) and metal complexes, for example iridium complexes such as blue-phosphorescent FIrPic (bis (3,5-difluoro-2- (bis 2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) -iridium III), green phosphorescent
  • non-polymeric emitters can be deposited by means of thermal evaporation, for example. Furthermore, can
  • Polymer emitters are used, which in particular by wet chemical methods, such as spin coating, are deposited.
  • the emitter materials may be suitably embedded in a matrix material. It should be noted that other suitable emitter materials are also provided in other embodiments.
  • light emitting device 100 may be selected so that light emitting device 100 emits white light.
  • the emitter layer (s) 108 may comprise a plurality of emitter materials of different colors (for example blue and yellow or blue, green and red)
  • the emitter layer (s) 108 may be constructed of multiple sublayers, such as a blue fluorescent emitter layer 108 or blue
  • phosphorescent emitter layer 108 By mixing the different colors, the emission of light can result in a white color impression.
  • a converter material in the beam path of the primary emission generated by these layers, which at least partially absorbs the primary radiation and emits secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not yet white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary Radiation produces a white color impression.
  • the organic electroluminescent layer structure 106 may generally include one or more electroluminescent layers.
  • the one or more electroluminescent pixels may be included in the organic electroluminescent layer structure 106 .
  • Layers may or may include organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small, non-polymeric molecules ("small molecules”), or a combination of these materials
  • organic electroluminescent layer structure 106 may include one or more electroluminescent layers configured as a hole transport layer 110, such that For example, in the case of an OLED an effective
  • the organic electroluminescent layer structure may include one or more functional layers referred to as
  • Electron transport layer is or are designed so that, for example, in the case of an OLED an effective
  • Electron injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region is made possible.
  • a material for the hole transport layer 110 can be any material for the hole transport layer 110 .
  • the one or more electroluminescent layers may or may not be referred to as
  • Hole transport layer 110 may be deposited on or over the first electrode 104, for example, deposited, and the emitter layer 108 may be on or above the
  • Hole transport layer 110 applied for example
  • the organic electroluminescent layer structure 106 ie
  • Hole transport layer (s) 110 and emitter layer (s) 108) have a layer thickness of at most about 1.5 ym
  • a layer thickness of at most approximately 1.2 ⁇ m for example a layer thickness of at most approximately 1 ⁇ m, for example a layer thickness of approximately approximately 800 nm, for example a layer thickness of at most approximately 500 nm, for example a layer thickness of approximately approximately 400 nm, for example a layer thickness of at most about 300 nm.
  • the organic electroluminescent layer structure 106 may include, for example have a stack of a plurality of directly superimposed organic light-emitting diodes (OLEDs), wherein each OLED may for example have a layer thickness of at most about 1.5 ym, for example a layer thickness of at most about 1.2 ym, for example a layer thickness of at most about 1 ym, For example, a layer thickness of at most about 800 nm, for example, a layer thickness of about 500 nm, for example, a layer thickness of about 400 nm, for example, a layer thickness of about 300 nm.
  • the organic electroluminescent layer structure 106 for example, a stack of three or four directly
  • Layer structure 106 may have a layer thickness of at most about 3 ym.
  • the light emitting device 100 may generally include other organic functional layers, for example
  • a second electrode 112 (for example in the form of a second electrode layer 112) may be applied.
  • Electrode 112 may comprise or be formed from the same materials as the first electrode 104, wherein
  • the second senor are suitable.
  • the second senor are suitable.
  • the second senor are suitable.
  • the second senor are suitable.
  • the second senor are suitable.
  • electrode 112 may have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm, for example one
  • a layer thickness of less than or equal to approximately 40 nm for example a layer thickness of less than or equal to approximately 35 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 30 nm, for example a layer thickness of less than or equal to approximately 25 nm,
  • a layer thickness of less than or equal to about 20 nm for example, a layer thickness of less than or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • the second electrode 112 may be formed in general or similar to the first electrode 104, or different from this.
  • the second electrode 112 may, in various embodiments, comprise one or more of the materials and the respective layer thickness (depending on whether the second electrode is reflective,
  • the second electrode 112 can be used as the anode, ie as
  • hole-injecting electrode may be formed or as
  • the second electrode 112 may have a second electrical connection, to which a second electrical connection
  • the second electrical potential may have a value such that the difference from the first electrical potential has a value in a range of about 1.5V to about 20V, for example, a value in a range of about 2.5V to about 15 V, for example, a value in a range of about 5 V to about 10 V.
  • an optically translucent layer structure 114 may be provided on or above the second electrode 112.
  • Optically translucent layer structure 114 may optionally include additional light-scattering particles.
  • the optically translucent layer structure 114 may
  • the optically translucent layer structure 114 is translucent, for example transparent, for radiation at least in a partial region of the wavelength range from 380 nm to 780 nm.
  • a mirror layer structure 116 is applied in various exemplary embodiments.
  • the optically translucent layer structure 114 and the mirror layer structure 116 together form an apparent to the microcavity of the light-emitting device 100, for example, the OLED, optically coupled (vivid so external) cavity, such as microcavity, for example with an optically active medium or a plurality of optically active
  • the mirror layer structure 116 has a layer thickness of at least 1 ⁇ m on. Furthermore, the mirror layer structure 116 may have a
  • optically translucent layer structure 114 of the "external" cavity is, for example, in this
  • the "external" cavity does not or only partially participate in the current transport through the OLED, in other words, there is no or only one
  • the “external" cavity may have two
  • Mirror or mirror layer structures 116 of which at least one translucent, transparent or
  • the translucent, transparent or semi-transparent mirror may be identical to the translucent, transparent or semitransparent second electrode 112 of the OLED microcavity (these embodiments are shown in the figures) but in alternative embodiments an additional translucent, transparent or semi-transparent mirror layer structure between the second electrode 112 and the optically translucent layer structure 114
  • Evaporation can be applied in vacuo, such as alpha-NPD or 1-TNATA.
  • vacuo such as alpha-NPD or 1-TNATA.
  • the organic matrix may be formed of or consist of polymeric materials which form, for example, an optically transparent polymeric matrix (epoxies, polymethylmethacrylate, PMMA, EVA, polyesters, polyurethanes, or the like), which may be obtained by means of a
  • an optically transparent polymeric matrix epoxies, polymethylmethacrylate, PMMA, EVA, polyesters, polyurethanes, or the like
  • wet chemical process for example spin-coating or printing
  • these materials may have additives to adjust the refractive index
  • the optically translucent layer structure 114 may include or be formed of an inorganic semiconductor material, such as SiN, S1O2, GaN, etc., which may be formed, for example, by a low temperature deposition process
  • the gas phase i.e., from the gas phase
  • the temperature of the gas phase i.e., at a temperature of less than or equal to about 100 ° C, for example.
  • Polymer additives may be provided.
  • Polymer matrix can thus be clearly achieved by mixing suitable additives into a normal-refractive polymer matrix.
  • suitable additives are, for example Titania or zirconia nanoparticles or compounds having titania or zirconia.
  • translucent layer structure 114 or be applied an electrically insulating layer
  • SiN for example, with a layer thickness in a range of about 30 nm to about 1.5 ym,
  • a layer thickness in a range of about 200 nm to about 1 ⁇ m to protect electrically unstable materials, for example, during one
  • barrier thin layer / thin-layer encapsulation it is optionally possible to form a barrier thin layer / thin-layer encapsulation.
  • a “barrier thin film” or a “barrier thin film” can be understood as meaning, for example, a layer or a layer structure which is suitable for providing a barrier to chemical
  • the barrier film is designed to be resistant to OLED-damaging substances such as
  • Suitable embodiments of the barrier thin film can be
  • the barrier thin film may be formed as a single layer (in other words, as a single layer).
  • the barrier thin film may be a plurality of each other have trained partial layers.
  • the barrier thin film may be formed as a layer stack (stack).
  • Barrier thin film or one or more sublayers of the barrier film may, for example, be formed by a suitable deposition process, e.g. by atomic layer deposition (ALD) according to an embodiment, e.g. one ALD deposition process.
  • ALD atomic layer deposition
  • PEALD plasma-enhanced atomic layer deposition
  • PECVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • plasmaless vapor deposition plasmaless vapor deposition
  • PLCVD Chemical Vapor Deposition
  • ALD atomic layer deposition process
  • a layer sequence comprising only ALD layers may also be referred to as "nanolaminate".
  • a barrier film comprising a plurality of sublayers, one or more sublayers of the barrier film by means of a deposition process other than one
  • Atomic layer deposition processes are deposited
  • the barrier film may, according to one embodiment, have a layer thickness of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm according to an embodiment, for example about 40 nm according to an embodiment.
  • all partial layers may have the same layer thickness.
  • Partial layers have a different layer thickness than one or more other of the sub-layers.
  • the barrier thin layer or the individual partial layers of the barrier thin layer can be designed according to an embodiment as a translucent or transparent layer.
  • the barrier film (or the individual sublayers of the barrier film) may be made of a translucent or transparent material (or material)
  • the barrier thin layer or in the case of a layer stack with a plurality of
  • Partial layers one or more of the partial layers of the
  • Silicon oxynitride indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum ⁇ doped zinc oxide, and mixtures and alloys
  • the optically translucent layer structure 114 may have a layer thickness
  • a layer thickness in a range of about 100 nm to about 100 ⁇ m
  • the optically translucent layer structure 114 may further include or be formed from or may be an adhesive, wherein the adhesive may optionally include additional scattering particles.
  • the optically translucent layer structure 114 (for example, the
  • Layer of adhesive have a layer thickness of greater than 1 ym, for example, a layer thickness of several ym.
  • Layer structure 114 is still an electrically insulating
  • SiN for example, having a layer thickness in a range of about 300 nm to about 1.5 ⁇ m, for example having a layer thickness in a range of about 500 nm to about 1 ⁇ m, to electrically unstable materials
  • Forming front-end-of-line processes compared to a back-end-of-line process applied externally on the self-finished light-emitting component cavity can be in the strong optical coupling of the optically translucent layer structure 114 to the plasmons in the OLED base contact (for example, the first electrode 104) or in the OLED cover contact (for example the second
  • the mirror layer structure 116 (or, if appropriate, the mirror layer structure that is on or above the second
  • translucent layer structure 114 can be provided) for the case of a desired high transmissivity one or more thin metal films (for example, Ag, Mg, Sm, Ca, as well as multiple layers and alloys of these materials).
  • the one or more metal films may each have a layer thickness in a range of about 10 nm to about 70 nm, for example, one
  • Layer thickness in a range of about 14 nm to about 30 nm, for example, a layer thickness
  • translucent layer structure 114 can be provided), as have been listed above for the second
  • doped metal-oxide compounds such as ITO, IZO or AZO be provided by means of a low-damage
  • the mirror layer structure 116 (or, if appropriate, the mirror layer structure which is on or above the second
  • translucent layer structure 114 may be provided) reflective or translucent or transparent or
  • Light emitting diode 100 as a top emitter and / or as a bottom Emitter is formed.
  • the materials may be selected from the materials as above for the first
  • Electrode have been listed.
  • the layer thicknesses can, depending on the desired formation of the organic compound
  • Light emitting diode 100 to be selected in the areas as described above for the first electrode.
  • the mirror layer structure 116 (or possibly the mirror layer structure, which may be provided on or above the second translucent electrode 112 below the optically translucent layer structure 114) may comprise one or more dielectric mirrors.
  • mirror layer structure 116 may be used for the mirror layer structure 116 (or optionally the mirror layer structure formed on or above the second electrode 112 below the optical
  • translucent layer structure 114 may be provided), as have been listed above for the second electrode 112.
  • doped metal-oxide compounds such as ITO, IZO or AZO be provided by means of a low-damage deposition technology
  • the mirror layer structure 116 may have the desired minimum lateral thermal conductivity value by appropriate selection of the
  • the mirror layer structure 116 may comprise a stack of several different metals with the same or different layer thicknesses.
  • the mirror layer structure 116 may include a layer of copper having a layer thickness in a region from about 10 nm to about 70 nm, for example with a layer thickness in a range from about 14 nm to about 30 nm, for example with a layer thickness in a range from about 15 nm to about 25 nm,
  • the mirror layer structure 116 may include a layer of copper having a layer thickness of about 3 ym, and additionally a layer of aluminum having a layer thickness of about 5 ym.
  • the mirror layer structure 116 may comprise a layer of aluminum with a layer thickness of approximately 2 ⁇ m, and additionally a layer of silver with a layer thickness of approximately 5 ⁇ m.
  • the mirror layer structure 116 may include a layer of copper having a layer thickness of approximately 3 ym, and additionally a layer of silver having a layer thickness of approximately 2 ym.
  • the mirror layer structure 116 may include one or more mirrors. If the mirror layer structure 116 has a plurality of mirrors, then the respective mirrors are separated from one another by means of a respective dielectric layer.
  • the one or more metal films of the mirror layer structure 116 may each have a layer thickness in a range of about 2 nm to about 1 mm, for example, a layer thickness in a range of about 200 nm to about 100 ⁇ m.
  • the organic light emitting diode 100 still has a layer thickness in a range of about 1 ym to about 10 ym. Furthermore, the organic light emitting diode 100 still has a layer thickness in a range of about 1 ym to about 10 ym. Furthermore, the organic light emitting diode 100 still has a layer thickness in a range of about 1 ym to about 10 ym. Furthermore, the organic light emitting diode 100 still need to have a layer thickness in a range of about 1 ym to about 10 ym. Furthermore, the organic light emitting diode 100 still has a layer thickness in a range of about 1 ym to about 10 ym. Furthermore, the organic light emitting diode 100 still has a layer thickness in a range of about 1 ym to about 10 ym. Furthermore, the organic light emitting diode 100 still has a layer thickness in a range of about 1 ym to about 10 ym. Furthermore, the organic light emitting diode 100 still has a layer
  • the external cavity is formed in the context of the front-end-of-line process.
  • a cover layer 118 for example a glass 118, may optionally be or be applied.
  • Light emitting device for example an OLED
  • an improved for example
  • this is achieved for example by using a transparent or semi-transparent cover contact (also referred to as the second
  • Electrode and / or optionally a thin-film encapsulation of the light-emitting component, for example the OLED. Furthermore, this can be achieved alternatively or additionally by means of lamination of a rear mirror with high reflectivity and high thermal conductivity by means of an optically translucent, for example, optically transparent
  • Adhesive there may be used, for example, epoxies, polymethyl methacrylate, PMMA, EVA, polyesters, polyurethanes, phenol-formaldehyde resin adhesives, silicones, silane-crosslinking polymer adhesives, polyimide adhesives; these adhesives may additionally contain refractive index adjustment additives.
  • the light is in various embodiments by the optically translucent, for example, optically
  • Electrode of the light-emitting device, for example the OLED, radiated (in this case that is
  • the back mirror i.e., in general, the mirror layer structure (e.g., the mirror layer structure 116) may in the simplest case have a
  • metals are used in various embodiments.
  • Electrode can be used such as Ag, Al or one or more metal alloys, which have a combination of high reflectivity and high thermal conductivity.
  • the reflectivity of the mirror layer structure (for example of the back mirror) can be increased and the corrosion thereof can be suppressed.
  • the translucent, for example transparent, cover contact on the light-emitting component, for example the OLED can be made of thin metal layers (for example Ag, Cu, Au, Sm, Ca, Ba, Mg or alloys thereof) or
  • TCO-thin metal TCO such as ITO-Ag-ITO
  • the mirror layer structure can be used together with the two (so-called TCO-thin metal TCO, such as ITO-Ag-ITO) exist or have this.
  • TCO-thin metal TCO such as ITO-Ag-ITO
  • the thermal conductivity of the mirror layer structure compensates for lateral temperature gradients in the light-emitting component, for example in the OLED.
  • the layer of the adhesive also referred to as
  • Adhesive layer can be embedded in various embodiments still light scattering particles, which contribute to a further improvement of the color angle distortion and the
  • Exemplary embodiments may be provided as light-scattering particles, for example scattered dielectric particles, such as, for example, metal oxides, such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • metal oxides such as e.g. Silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO 2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga20a)
  • Alumina, or titania may also be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate or glass hollow spheres.
  • metallic nanoparticles metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like may be provided as light-scattering particles.
  • Fig. 2 shows an organic light emitting diode 200 as a
  • the organic light-emitting diode 200 according to FIG. 2 is in many aspects similar to the organic light-emitting diode 100 according to FIG. 1, for which reason only the differences between the
  • the mirror layer structure 202 and the optically translucent layer structure 204 are not on or above the second one
  • Electrode 112 is formed, but below the first
  • Electrode 104
  • the power source is connected in these embodiments to the first electrical connection of the first electrode 104 and to the second electrical connection of the second electrode 112.
  • the organic light-emitting diode 200 according to FIG. 2 can be designed as a top emitter.
  • the organic light-emitting diode 200 according to Figure 2 illustratively a
  • Electrode 104 and second electrode 112) are semitranslucent in this embodiment, for example
  • an encapsulation layer structure 206 for example in the form of a thin-film encapsulation 206, is arranged on or above the second electrode 112. Furthermore, a layer 208 may be formed on or above the encapsulation layer structure 206 an adhesive (optionally with additional light-scattering particles), for example a second optically translucent layer structure 208 on or above the second
  • the substrate emitting is illustrative
  • Light-emitting device for example, the
  • Embodiments transmitted to a surface-emitting light-emitting component for example, a surface emitting OLED
  • a surface-emitting light-emitting component for example, a surface emitting OLED
  • the external metal mirror below the optically translucent for example, the external metal mirror below the optically translucent
  • the OLED may be arranged or be transparent, basic contact.
  • transparent cover contact for example, the second electrode
  • transparent cover contact for example, the second electrode
  • transparent cover contact for example, the second electrode
  • transparent cover contact for example, the second electrode
  • transparent cover contact for example, the second electrode
  • Substrate base Evaporating a sufficiently thick mirror layer structure, for example a sufficiently thick metal mirror, onto the substrate, applying a thick, optically translucent, for example transparent, layer or layer structure, followed by depositing the optically translucent,
  • Light-emitting device such as the OLED
  • the thick optically translucent for example
  • the deposition of a thick SiN layer by means of a CVD process (CVD: Chemical Vapor Deposition, chemical vapor deposition method from the gas phase).
  • CVD Chemical Vapor Deposition, chemical vapor deposition method from the gas phase.
  • the thick mirror layer structure such as the thick metal mirror, may be applied directly to the substrate while maintaining the bottom contact, i.e., the bottom contact.
  • the first electrode 302 of the thick metal mirror may be applied directly to the substrate while maintaining the bottom contact, i.e., the bottom contact.
  • Light emitting device 300 such as an OLED 300 form. Such a light emitting device 300 is shown in FIG. The remaining layer stack of the light-emitting
  • Component 300 according to FIG. 3 is identical to the layer stack of the light-emitting component 200 according to FIG.
  • FIGS. 4A to 4F show the light-emitting device 100 according to various embodiments at different times during its manufacture. The others
  • Light emitting devices 200, 300 may be used in any combination
  • FIG. 4A shows the light emitting device 100 at a first time 400 during its manufacture.
  • the first electrode 104 is applied to the substrate 102, for example, deposited, for example by means of a CVD method (chemical
  • CVD method can be used in various embodiments, a plasma-assisted chemical deposition method from the gas phase (plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD).
  • PE-CVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • the dielectric layer can be reduced as compared to a plasma-less CVD process.
  • This can be advantageous, for example, if the element, for example the one to be formed light-emitting electronic component, at one
  • the maximum temperature may be about 120 ° C, for example, in a light-emitting electronic component to be formed according to various embodiments, so that the temperature at which, for example, the dielectric layer is applied, may be less than or equal to 120 ° C and, for example, less than or equal to 80 ° C.
  • 4B shows the light emitting device 100 at a second time 402 during its manufacture.
  • the one or more hole conductive layers 110 become or become the first electrode 104
  • CVD chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition, physical vapor deposition, for example sputtering
  • Evaporation alternatively by means of a plating process; a Tauchabborgevons; a spin coating process; printing; doctoring; or spraying.
  • 4C shows the light emitting device 100 at a third time 404 during its manufacture.
  • the one or more emitter layers 108 will become or become one or more
  • CVD chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition, physical vapor deposition, such as sputtering, ion-assisted
  • Deposition process or thermal evaporation alternatively by means of a plating process; one Tauchabborgevons; a spin coating process; printing; doctoring; or spraying.
  • 4D shows the light emitting device 100 at a fourth time 406 during its manufacture.
  • the second electrode 112 will be attached to the one or more other organic functional layers (if present) or to the one or more
  • Emitter layers 108 applied, for example
  • CVD chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition, physical vapor deposition, such as sputtering, ion-assisted
  • 4E shows the light emitting device 100 at a fifth time 408 during its manufacture.
  • CVD chemical vapor deposition, chemical vapor deposition
  • PVD physical vapor deposition, physical vapor deposition, such as sputtering, ion-assisted
  • FIG. 4F shows the light emitting device 100 at a sixth time 410 during its manufacture.
  • the mirror layer structure 116 having the lateral thermal conductivity value described above is applied to the optically translucent layer structure 114, for example by means of a CVD method (chemical vapor deposition)
  • FIG. 5 shows a flowchart 500, in which a method for producing a light-emitting component according to FIG.
  • a first electrode is formed in 502, for example, on or above one
  • a mirror layer structure is formed on or above the second electrode, wherein the mirror layer structure has a lateral thermal conductivity of
  • FIG. 6 shows a flowchart 600, in which a method for producing a light-emitting component according to FIG.
  • an electrode may be formed on or over the organic electroluminescent layer structure.
  • An advantage of various embodiments may be seen in the possibility of a simple process that simultaneously improves the viewing-angle dependence of the emission color as well as the heat distribution within the light-emitting device, for example the OLED.
  • mirror layer structure which can also be referred to as a heat distribution layer
  • the Ag, Al levels) on the back glass the heat input into the OLED example in
  • the adhesive may include or may be a lamination adhesive.
  • light-scattering particles can be introduced into the adhesive.

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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Lichtemittierendes Bauelement (100) bereitgestellt, aufweisend: eine erste Elektrode (104); eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur (106) auf oder über der ersten Elektrode (104); eine zweite Elektrode (112) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106); und eine Spiegel-Schichtenstruktur (114) auf oder über der zweiten Elektrode (112), wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (114) einen lateralen Wärmeleitwert von mindestens 1 * 10-3 W/K aufweist.

Description

Beschreibung
Lichtemittierende Bauelemente und Verfahren zum Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements
Die Erfindung betrifft Lichtemittierende Bauelemente und Verfahren zum Herstellen eines Lichtemittierenden
Bauelements . Auf großflächigen organischen Leuchtdioden (Organic Light Emitting Diode, OLED) kommt es üblicherweise zu einer
deutlichen Ungleichverteilung von Temperatur und
Leuchtdichte. Durch die Ungleichverteilung ergibt sich einerseits ein unschönes Leuchtbild. Andererseits bewirken Helligkeits- und Temperaturspitzen für eine verstärkter
Alterung einzelner Bereiche der Leuchtfläche der OLED. Eine gleichmäßigere Temperaturverteilung kann die Homogenität des Leuchtbildes verbessern und die Lebensdauer der OLED erhöhen. Durch Mikrokavitätseffekte haben OLEDs eine Farbverschiebung des emittierten Lichtes über den Betrachtungswinkel. Diese ist aus Produktsicht unerwünscht.
Die derzeit käuflich erhältlichen OLEDs (beispielsweise die OLEDs mit der Bezeichnung ORBEOS der Firma Osram) enthalten bisher keine Vorrichtung zum Ausgleich von lateralen
Temperaturgradienten. Gegebenenfalls wird im Design einer herkömmlichen OLED auf so genannte Busbars zurückgegriffen, die in erster Linie für eine gleichmäßigere Stromverteilung sorgen und als Nebeneffekt eine leichte Verbesserung der lateralen Temperaturverteilung bewirken, die allerdings unzureichend ist.
Weiterhin ist bei einer organischen Leuchtdiode eine
Bauteilearchitektur mit Wärmeabfuhr über Strahlung bekannt bestehend aus einer thermischen Kontaktlage, einer Metallplatte und einer Strahlungsschicht (Cok et al . , Journal of the SID 13/10, 2005 Seiten 849 ff) .
Um dem Aspekt des Farbwinkelverzugs bei einer OLED zu
begegnen wurden bisher Ansätze verfolgt des Aufbringens von Streufilmen oder Streufolien, der Optimierung der
Schichtenfolge der OLED und der Erhöhung der optischen
Transparenz des Grundkontaktes. Weiterhin ist bei einer organischen Leuchtdiode bekannt, zur Verringerung des Farbwinkelverzugs eine Kombination aus einem semitransparenten Deckkontakt und einem rückseitig
aufgebrachten Spiegel (auch bezeichnet als entfernte Kavität, engl.: Remote Cavity) vorzusehen (Proc Int Disp Workshops - Vol 11, "White Multi-Photon Emission OLED without optical interference", Seiten 1293 bis 1296 (2004)).
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
Lichtemittierendes Bauelement bereitgestellt. Das
Lichtemittierende Bauelement kann aufweisen eine erste
Elektrode; eine organische elektrolumineszente
Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode; eine zweite Elektrode auf oder über der organischen
elektrolumineszenten Schichtenstruktur; und eine Spiegel- Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode, wobei die Spiegel-Schichtenstruktur eine lateralen Wärmeleitwert
-3
von mindestens 1 * 10 W/K aufweist. Unter einem lateralen Wärmeleitwert einer Schicht wird in verschiedenen
Ausführungsbeispielen das Produkt aus spezifischer
Wärmeleitfähigkeit des Schichtmaterials und Schichtdicke verstanden. Besteht die Spiegelschichtenstruktur aus mehreren Schichten, so ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen der laterale Wärmeleitwert die Summe der einzelnen lateralen Wärmleitwerte .
In einer Ausgestaltung kann das Lichtemittierende Bauelement ferner aufweisen eine optisch transluzente Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode. Die Spiegel- Schichtenstruktur kann auf oder über der optisch
transluzenten Schichtenstruktur angeordnet sein. Unter dem Begriff „transluzent" bzw. „transluzente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist,
beispielsweise für das von dem Lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise einer oder mehrerer
Wellenlängenbereiche, beispielsweise für Licht in einem
Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) . Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht" in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine
Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte
Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Licht hierbei gestreut werden kann
Unter dem Begriff „transparent" oder „transparente Schicht" kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist
(beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des
Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm) , wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird.
Somit ist „transparent" in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als Spezialfall von „transluzent" anzusehen .
Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes
elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte
Emissionsspektrum transluzent ist.
In einer Ausgestaltung kann die zweite Elektrode derart eingerichtet sein, dass die optisch transluzente
Schichtenstruktur mit der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur optisch gekoppelt ist.
Es ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen beispielsweise nur die jeweilige Elektrode (beispielswese erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode, beispielsweise die Kathode) als eine semitransparent ausgebildete Elektrode vorgesehen.
Auch wenn das Konzept der „Remote Cavity" an sich bekannt ist, so wird in verschiedenen Ausführungsbeispielen
anschaulich eine Spiegel-Schichtenstruktur mit einem
ausreichend hohen lateralen Wärmeleitwert vorgesehen, um die Wärmeverteilung in einem Lichtemittierenden Bauelement, beispielsweise einer OLED, zu verbessern. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird im Vergleich zum Stand der Technik die Kombination der optischen Funktion der transluzenten Schicht und Spiegelschichtenstruktur mit den Vorteilen der lateralen Wärmeverteilung in einer gemeinsamen
Schichtenstruktur bereitgestellt .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein
Lichtemittierendes Bauelement bereitgestellt. Das
Lichtemittierende Bauelement kann aufweisen eine Spiegel- Schichtenstruktur, die einen lateralen Wärmeleitwert von
-3
mindestens 1 * 10 W/K aufweist; eine organische
elektrolumineszente Schichtenstruktur auf oder über der
Spiegel-Schichtenstruktur; und eine Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur.
In einer Ausgestaltung kann die Spiegel-Schichtenstruktur eine erste Elektrode bilden; und die Elektrode kann eine zweite Elektrode bilden. In noch einer Ausgestaltung kann das Lichtemittierende
Bauelement ferner aufweisen eine erste Elektrode, die auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur angeordnet ist. Die Elektrode kann eine zweite Elektrode bilden.
In noch einer Ausgestaltung kann das Lichtemittierende
Bauelement ferner aufweisen eine erste optisch transluzente Schichtenstruktur zwischen der Spiegel-Schichtenstruktur und der ersten Elektrode.
Die erste optisch transluzente Schichtenstruktur kann
lichtstreuende Partikel aufweisen. In noch einer Ausgestaltung kann das Lichtemittierende
Bauelement ferner aufweisen eine Verkapselungs- Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode.
In noch einer Ausgestaltung kann das Lichtemittierende
Bauelement ferner aufweisen eine zweite optisch transluzente Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode.
Die zweite optisch transluzente Schichtenstruktur kann lichtstreuende Partikel aufweisen.
In noch einer Ausgestaltung kann die Spiegel- Schichtenstruktur eine Schichtdicke von mindestens 1 ym aufweisen . In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements
bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Bilden einer ersten Elektrode; ein Bilden einer organischen
elektrolumineszenten Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode; ein Bilden einer zweiten Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur; und ein Bilden einer Spiegel-Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode, wobei die Spiegel-Schichtenstruktur
-3
einen lateralen Wärmeleitwert von mindestens 1 * 10 W/K aufweist . In einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer optisch transluzenten Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode. Die Spiegel- Schichtenstruktur kann auf oder über der optisch
transluzenten Schichtenstruktur gebildet werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum
Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements
bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Bilden einer
Spiegel-Schichtenstruktur, die einen lateralen Wärmeleitwert
-3
von mindestens 1 * 10 W/K aufweist; ein Bilden einer organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur; und ein Bilden einer Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur .
In einer Ausgestaltung kann die Spiegel-Schichtenstruktur eine erste Elektrode bilden und die Elektrode kann eine zweite Elektrode bilden. In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner
aufweisen ein Bilden einer ersten Elektrode, die auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur angeordnet ist. Die
Elektrode kann eine zweite Elektrode bilden. In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner
aufweisen ein Bilden einer ersten optisch transluzenten
Schichtenstruktur zwischen der Spiegel-Schichtenstruktur und der ersten Elektrode. In noch einer Ausgestaltung können in der ersten optisch transluzenten Schichtenstruktur lichtstreuende Partikel enthalten sein oder kann die erste optisch transluzente Schichtenstruktur von diesen gebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer Verkapselungs-Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode.
In noch einer Ausgestaltung kann das Verfahren ferner aufweisen ein Bilden einer zweiten optisch transluzenten Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode.
In noch einer Ausgestaltung können in der zweiten optisch transluzenten Schichtenstruktur lichtstreuende Partikel enthalten sein oder gebildet werden.
In noch einer Ausgestaltung kann die Spiegel- Schichtenstruktur mit einer Schichtdicke von mindestens 1 ym gebildet werden. In noch einer Ausgestaltung kann das Lichtemittierende Bauelement eingerichtet sein oder werden als organische Leuchtdiode oder als ein organischer lichtemittierender Transistor . Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.
Es zeigen Figur 1 eine Querschnittsansicht eines Lichtemittierenden
Bauelements gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen;
Figur 2 eine Querschnittsansicht eines Lichtemittierenden
Bauelements gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen; Figur 3 eine Querschnittsansicht eines Lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen; Figuren 4A bis 4F ein Lichtemittierendes Bauelement gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verschiedenen Zeitpunkten während dessen Herstellung;
Figur 5 ein Ablaufdiagramm, in dem ein Verfahren zum
Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist; und
Figur 6 ein Ablaufdiagramm, in dem ein Verfahren zum
Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist.
In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische
Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird
Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da
Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl
verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.
Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe
"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.
Ein Lichtemittierendes Bauelement kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen als eine organische lichtemittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein organischer lichtemittierender Transistor ausgebildet sein. Das Lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen
Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von Lichtemittierenden
Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird anschaulich bei einem Lichtemittierenden Bauelement, beispielsweise einer organischen Leuchtdiode (engl.: Organic Light Emitting Diode, OLED) ein Rückseitenspiegel zur (lateralen) Wärmeverteilung verwendet .
Fig.l zeigt eine organische Leuchtdiode 100 als eine
Implementierung eines Lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen.
Das Lichtemittierende Bauelement 100 in Form einer
organischen Leuchtdiode 100 kann ein Substrat 102 aufweisen. Das Substrat 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise
Lichtemittierende Elemente, dienen. Beispielsweise kann das Substrat 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann das Substrat 102 eine
Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder
Polypropylen (PP) ) aufweisen oder daraus gebildet sein.
Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC) , Polystyrol (PS) , Polyester und/oder Polycarbonat (PC) ,
Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Weiterhin kann das Substrat 102 beispielsweise eine Metallfolie aufweisen, beispielsweise eine Aluminiumfolie, eine Edelstahlfolie, eine Kupferfolie oder eine Kombination oder einen Schichtenstapel daraus. Das Substrat 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. Das Substrat 102 kann transluzent ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode als ein so genannter Top-Emitter und/oder als ein so genannter Bottom-Emitter eingerichtet sein. Unter einem Top-Emitter kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine organische Leuchtdiode verstanden werden, bei der das Licht von der organischen Leuchtdiode nach oben, beispielsweise durch die zweite Elektrode, abgestrahlt wird. Unter einem Bottom-Emitter kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine organische Leuchtdiode verstanden werden, bei der das Licht von der organischen Leuchtdiode nach unten,
beispielsweise durch das Substrat und die erste Elektrode, abgestrahlt wird.
Auf oder über dem Substrat 102 kann eine erste Elektrode 104 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht 104) aufgebracht sein. Die erste Elektrode 104 (im Folgenden auch als untere Elektrode 104 bezeichnet) kann aus einem
elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben oder unterschiedlichen Metalls oder Metalle und/oder desselben oder unterschiedlicher TCOs . Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid,
Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoff erbindungen, wie beispielsweise ZnO, Sn02, oder Ιη2θ3 gehören auch ternäre MetallsauerstoffVerbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s oder
In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin
entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 104 ein Metall aufweisen; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, AI, Ba, In, Ag, Au, Mg, Ca, Sm oder Li, sowie
Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser
Materialien .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode 104 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine
Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste
Elektrode eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und - teilchen, beispielsweise aus Ag; Netzwerke aus
Kohlenstoff-Nanoröhren; Graphen-Teilchen und -Schichten; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Ferner können diese Elektroden leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder leitfähige transparente Oxide aufweisen .
Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Licht durch das Substrat abstrahlt, können die erste Elektrode 104 und das Substrat 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. In diesem Fall kann für den Fall, dass die erste
Elektrode 104 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 104 eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm.
Weiterhin kann für den Fall einer transluzenten oder
transparenten ersten Elektrode 104 und für den Fall, dass die erste Elektrode 104 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von
ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm.
Ferner kann für den Fall einer transluzenten oder
transparenten ersten Elektrode 104 und für den Fall, dass die erste Elektrode 104 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem
Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen- Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode 104 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem
Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm.
Für den Fall, dass das lichtemittierende Bauelement 100 Licht ausschließlich nach oben abstrahlt, kann die erste Elektrode 104 auch opak oder reflektierend eingerichtet sein. In diesem Fall kann die erste Elektrode 104 beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 50 nm.
Die erste Elektrode 104 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als elektroneninjizierend. Die erste Elektrode 104 kann einen ersten elektrischen
Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt) (beispielsweise eine Stromquelle oder eine Spannungsquelle) anlegbar ist. Alternativ kann das erste elektrische Potential an das Substrat 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode 104 zugeführt werden oder sein. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein .
Weiterhin kann das Lichtemittierende Bauelement 100 eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode 104
aufgebracht ist oder wird.
Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 kann eine oder mehrere Emitterschichten 108, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, enthalten, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten 110. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich Elektronenleitungsschichten (nicht dargestellt) vorgesehen sein.
Beispiele für Emittermaterialien, die in dem
Lichtemittierenden Bauelement 100 gemäß verschiedenen
Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht (en) 108
eingesetzt werden können, schließen organische oder
organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2,5- substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2- carboxypyridyl ) -iridium III), grün phosphoreszierendes
Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot
phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFg) (Tris [4, 4' -di-tert- butyl- (2, 2 ' ) -bipyridin] ruthenium (III) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p- tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA
( 9, 10-Bis [N, -di- (p-tolyl) -amino] anthracen) und rot
fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen) -2-methyl-6- j ulolidyl- 9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können
Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind.
Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind.
Die Emittermaterialien der Emitterschicht (en) 108 des
Lichtemittierenden Bauelements 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das Lichtemittierende Bauelement 100 Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht (en) 108 kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien
aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht (en) 108 auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht 108 oder blau
phosphoreszierenden Emitterschicht 108, einer grün
phosphoreszierenden Emitterschicht 108 und einer rot
phosphoreszierenden Emitterschicht 108. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.
Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 kann allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten
Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht- polymere Moleküle („small molecules") oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. Beispielsweise kann die
organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht 110 ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird.
Alternativ kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als
Elektronentransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive
Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. Als Material für die Lochtransportschicht 110 können
beispielsweise tertiäre Amine, Carbazoderivate, leitendes Polyanilin oder Polythylendioxythiophen verwendet werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als
elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die
Lochtransportschicht 110 auf oder über der ersten Elektrode 104 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, sein, und die Emitterschicht 108 kann auf oder über der
Lochtransportschicht 110 aufgebracht, beispielsweise
abgeschieden, sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 (also
beispielsweise die Summe der Dicken von
Lochtransportschicht (en) 110 und Emitterschicht (en) 108) eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 ym,
beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 beispielsweise einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten organischen Leuchtdioden (OLEDs) aufweisen, wobei jede OLED beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 ym, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur 106 beispielsweise einen Stapel von drei oder vier direkt
übereinander angeordneten OLEDs aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische elektrolumineszente
Schichtenstruktur 106 eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 3 ym.
Das Lichtemittierende Bauelement 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise
angeordnet auf oder über der einen oder mehreren
Emitterschichten 108 aufweisen, die dazu dienen, die
Funktionalität und damit die Effizienz des Lichtemittierenden Bauelements 100 weiter zu verbessern. Auf oder über der organischen elektrolumineszenten
Schichtenstruktur 106 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder mehreren weiteren organischen Funktionsschichten kann eine zweite Elektrode 112 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht 112) aufgebracht sein.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 112 die gleichen Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein wie die erste Elektrode 104, wobei in
verschiedenen Ausführungsbeispielen Metalle besonders
geeignet sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite
Elektrode 112 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm,
beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. Die zweite Elektrode 112 kann allgemein in ähnlicher Weise ausgebildet werden oder sein wie die erste Elektrode 104, oder unterschiedlich zu dieser. Die zweite Elektrode 112 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke (je nachdem, ob die zweite Elektrode reflektierend,
transluzent oder transparent ausgebildet werden soll) ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode 104 beschrieben. Bei diesen Schichtdicken ist die im Folgenden noch näher erläuterte zusätzliche Kavität optisch mit der von der einen oder mehreren elektrolumineszenten Schichtenstrukturen gebildeten Mikrokavität (en) gekoppelt. Die zweite Elektrode 112 kann als Anode, also als
löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als
Kathode, also als elektroneninjizierend.
Die zweite Elektrode 112 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches
Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten
elektrischen Potential) , bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 20 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 5 V bis ungefähr 10 V.
Auf oder über der zweiten Elektrode 112 kann eine optisch transluzente Schichtenstruktur 114 vorgesehen sein. Die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 kann optional zusätzliche lichtstreuende Partikel aufweisen.
Die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 kann
grundsätzlich aus einem beliebigen Material gebildet werden oder sein, beispielsweise einem dielektrischen Material, beispielsweise einem organischen Material, das beispielsweise eine organische Matrix bildet. In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 für Strahlung zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm transluzent, beispielsweise transparent. Auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur 114 ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Spiegel- Schichtenstruktur 116 aufgebracht. Die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 und die Spiegel-Schichtenstruktur 116 bilden gemeinsam anschaulich eine an die Mikrokavität des Lichtemittierenden Bauelements 100, beispielsweise der OLED, optisch angekoppelte (anschaulich also externe) Kavität, beispielsweise Mikrokavität, beispielsweise mit einem optisch aktiven Medium oder einer Mehrzahl von optisch aktiven
Medien .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die Spiegel- Schichtenstruktur 116 eine Schichtdicke von mindestens 1 ym auf. Weiterhin kann die Spiegel-Schichtenstruktur 116 einen
-3
lateralen Wärmeleitwert von mindestens 1 * 10 W/K
aufweisen . Die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 der „externen" Kavität wird dazu beispielsweise in diesem
Ausführungsbeispiel in Kontakt gebracht mit der transluzenten (transparenten oder semitransparenten) zweiten Elektrode 112 der OLED-Mikrokavität . Die „externe" Kavität nimmt nicht oder nur zu geringem Teil an dem Stromtransport durch die OLED teil, anders ausgedrückt, es fließt kein oder nur ein
vernachlässigbar kleiner elektrischer Strom durch die
„externe" Kavität und damit durch die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 und die Spiegel-Schichtenstruktur 116.
Wie oben schon dargelegt kann die „externe" Kavität, und dabei insbesondere die optisch transluzente Schichtenstruktur 114, in verschiedenen Ausführungsbeispielen mit einer
geeigneten organischen Matrix „gefüllt" sein oder von einer solchen gebildet sein. Die „externe" Kavität kann zwei
Spiegel oder Spiegel-Schichtenstrukturen 116 aufweisen, von denen mindestens einer transluzent , transparent oder
semitransparent ist. Der transluzente, transparente oder semitransparente Spiegel (oder die transluzente, transparente oder semitransparente Spiegel-Schichtenstruktur) kann mit der transluzenten, transparenten oder semitransparenten zweiten Elektrode 112 der OLED Mikrokavität identisch sein (diese Ausführungsbeispiele sind in den Figuren dargestellt; in alternativen Ausführungsbeispielen kann jedoch noch eine zusätzliche transluzente, transparente oder semitransparente Spiegel-Schichtenstruktur zwischen der zweiten Elektrode 112 und der optisch transluzenten Schichtenstruktur 114
vorgesehen sein) . Als Material für die organische Matrix können in
verschiedenen Ausführungsbeispielen niedermolekulare
organische Verbindungen („kleine" Moleküle, „small molecules") vorgesehen sein, die beispielsweise mittels
Verdampfens im Vakuum aufgebracht werden können, wie zum Beispiel alpha-NPD oder 1-TNATA. In alternativen
Ausführungsbeispielen kann die organische Matrix gebildet werden von oder bestehen aus polymeren Materialien, die beispielsweise eine optisch transparente polymere Matrix bilden (Epoxide, Polymethylmethacrylat , PMMA, EVA, Polyester, Polyurethane, oder dergleichen) , die mittels eines
nasschemischen Verfahrens (beispielsweise Aufschleudern oder Drucken) aufgebracht werden können. Zusätzlich können diese Materialien Additive zum Anpassen des Brechungsindex
enthalten. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann beispielsweise jedes organische Material für die organische Matrix verwendet werden, wie es auch in der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur 106 verwendet werden kann. Ferner kann in alternativen Ausführungsbeispielen die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 aufweisen oder gebildet werden von einem anorganischen Halbleitermaterial, beispielsweise SiN, S1O2, GaN, etc., die beispielsweise mittels eines Niedrigtemperatur-Abscheideverfahrens
(beispielsweise aus der Gasphase) (d.h. beispielsweise bei einer Temperatur von kleiner oder gleich ungefähr 100 °C) . In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die
Brechungsindizes der OLED-Funktionsschichten 106, 108, 110 und der optisch transluzente Schichtenstruktur 114 möglichst zueinander angepasst sein, wobei die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 auch hochbrechende Polymere aufweisen kann, beispielsweise Polyimide mit einem Brechungsindex von bis zu n = 1,7, oder Polyurethan mit einem Brechungsindex von bis zu n = 1,74.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können in den
Polymeren Additive vorgesehen sein. Eine hochbrechende
Polymermatrix kann somit anschaulich durch Einmischen von geeigneten Additiven in eine normalbrechende polymere Matrix erreicht werden. Geeignete Additive sind zum Beispiel Titanoxid- oder Zirkoniumoxid-Nanopartikel oder Verbindungen, die Titanoxid- oder Zirkoniumoxid aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten transluzenten Elektrode 112 und der optisch
transluzenten Schichtenstruktur 114 noch eine elektrisch isolierende Schicht aufgebracht werden oder sein,
beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 1,5 ym,
beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines
nasschemischen Prozesses. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann optional noch eine Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung gebildet werden .
Unter einer „Barrierendünnschicht" bzw. einem „Barriere- Dünnfilm" kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen
Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie
Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. Geeignete Ausgestaltungen der Barrierendünnschicht lassen sich
beispielsweise in den Patentanmeldungen DE 10 2009 014 543, DE 10 2008 031 405, DE 10 2008 048 472 und DE 2008 019 900 finden .
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. Die
Barrierendünnschicht oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z.B. mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD) ) gemäß einer Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD) ) oder eines
plasmalosen Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD) ) , oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition
(CVD) ) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z.B. eines
plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) ) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less
Chemical Vapor Deposition (PLCVD) ) , oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren.
Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen.
Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht, die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat" bezeichnet werden.
Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer
Barrierendünnschicht, die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem
Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden,
beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens . Die Barrierendünnschicht kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung.
Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. Gemäß einer anderen
Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der
Barrierendünnschicht unterschiedliche Schichtdicken
aufweisen. Mit anderen Worten kann mindestens eine der
Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten.
Die Barrierendünnschicht oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer
Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen .
Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von
Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der
Barrierendünnschicht eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus bestehen: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid
Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid,
Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium¬ dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen
derselben. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 ym, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 100 ym,
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 50 ym, beispielsweise 1 ym bis 25 ym. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 ferner einen Klebstoff aufweisen oder daraus gebildet werden oder sein, wobei das Klebstoff optional noch zusätzliche Streupartikel enthalten kann. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 (beispielsweise die
Schicht aus Klebstoff) eine Schichtdicke von größer als 1 ym aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren ym.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode 112 und der optisch transluzenten
Schichtenstruktur 114 noch eine elektrisch isolierende
Schicht aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 ym, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 ym, um elektrisch instabile Materialien zu
schützen, beispielsweise während eines nasschemischen
Prozesses . Ein möglicher Vorteil dieser Anordnung, die in verschiedenen Ausführungsbeispielen die „externe" Kavität noch in den
Front-End-of-Line-Prozessen bildet, gegenüber einer mittels eines Back-End-of-Line-Prozesses außen auf dem an sich fertiggestellten Lichtemittierenden Bauteil aufgebrachten Kavität kann in der starken optischen Ankopplung der optisch transluzenten Schichtenstruktur 114 an die Plasmonen in dem OLED-Grundkontakt (beispielsweise die erste Elektrode 104) oder in dem OLED-Deckkontakt (beispielsweise die zweite
Elektrode 112) gesehen werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel- Schichtenstruktur 116 (oder gegebenenfalls die Spiegel- Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten
transluzenten Elektrode 112 unterhalb der optisch
transluzenten Schichtenstruktur 114 vorgesehen sein kann) für den Fall einer gewünschten hohen Transmissivität eine oder mehrere dünne Metallfilme (beispielsweise Ag, Mg, Sm, Ca, sowie Mehrfachschichten und Legierungen dieser Materialien) aufweisen. Der eine oder die mehreren Metallfilme können (jeweils) eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise eine
Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 14 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke
aufweisen in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 25 nm. Es können für diesen Fall alle diejenigen Materialien verwendet werden für die Spiegel-Schichtenstruktur 116 (oder gegebenenfalls die Spiegel-Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten Elektrode 112 unterhalb der optisch
transluzenten Schichtenstruktur 114 vorgesehen sein kann) , wie sie oben aufgeführt worden sind für die zweite
transluzente Elektrode 112. So können beispielsweise auch dotierte metalloxidische Verbindungen wie ITO, IZO oder AZO vorgesehen sein, die mittels einer schädigungsarmen
Abscheidetechnologie abgeschieden werden können wie
beispielsweise mittels „Facial Target Sputtering" . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel- Schichtenstruktur 116 (oder gegebenenfalls die Spiegel- Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten
transluzenten Elektrode 112 unterhalb der optisch
transluzenten Schichtenstruktur 114 vorgesehen sein kann) reflektierend oder transluzent oder transparent oder
semitransparent sein, je nachdem, ob die organische
Leuchtdiode 100 als ein Top-Emitter und/oder als Bottom- Emitter ausgebildet ist. Die Materialien können ausgewählt sein aus den Materialien, wie sie oben für die erste
Elektrode aufgeführt worden sind. Auch die Schichtdicken können, je nach gewünschter Ausbildung der organischen
Leuchtdiode 100, gewählt werden in den Bereichen, wie sie für die erste Elektrode oben beschrieben worden sind. Alternativ oder zusätzlich kann die Spiegel-Schichtenstruktur 116 (oder gegebenenfalls die Spiegel-Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten transluzenten Elektrode 112 unterhalb der optisch transluzenten Schichtenstruktur 114 vorgesehen sein kann) einen oder mehrere dielektrische Spiegel aufweisen.
Es können für diesen Fall alle diejenigen Materialien
verwendet werden für die Spiegel-Schichtenstruktur 116 (oder gegebenenfalls die Spiegel-Schichtenstruktur, die auf oder über der zweiten Elektrode 112 unterhalb der optisch
transluzenten Schichtenstruktur 114 vorgesehen sein kann) , wie sie oben aufgeführt worden sind für die zweite Elektrode 112. So können beispielsweise auch dotierte metalloxidische Verbindungen wie ITO, IZO oder AZO vorgesehen sein, die mittels einer schädigungsarmen Abscheidetechnologie
abgeschieden werden können wie beispielsweise mittels „Facial Target Sputtering" . In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel- Schichtenstruktur 116 den gewünschten minimalen lateralen Wärmeleitwert aufweisen durch geeignete Auswahl der
Materialien der Spiegel-Schichtenstruktur 116 und/oder der Schichtdicke der einzelnen Schichten der Spiegel- Schichtenstruktur 116 oder der gesamten Spiegel- Schichtenstruktur 116.
Beispielsweise kann die Spiegel-Schichtenstruktur 116 aufweisen einen Stapel mehrerer unterschiedlicher Metalle mit der gleichen oder mit unterschiedlichen Schichtdicken. SO kann beispielsweise die Spiegel-Schichtenstruktur 116 eine Schicht aus Kupfer mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 14 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 25 nm,
aufweisen und zusätzlich eine Schicht aus Aluminium mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 14 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 25 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel-Schichtenstruktur 116 eine Schicht aus Kupfer mit einer Schichtdicke von ungefähr 3 ym und zusätzlich eine Schicht aus Aluminium mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 ym aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel-Schichtenstruktur 116 eine Schicht aus Aluminium mit einer Schichtdicke von ungefähr 2 ym und zusätzlich eine Schicht aus Silber mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 ym aufweisen. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Spiegel-Schichtenstruktur 116 eine Schicht aus Kupfer mit einer Schichtdicke von ungefähr 3 ym und zusätzlich eine Schicht aus Silber mit einer Schichtdicke von ungefähr 2 ym aufweisen .
Die Spiegel-Schichtenstruktur 116 kann einen oder mehrere Spiegel aufweisen. Weist die Spiegel-Schichtenstruktur 116 mehrere Spiegel auf, so sind die jeweiligen Spiegel mittels einer jeweiligen Dielektrikumsschicht voneinander getrennt.
Der eine oder die mehreren Metallfilme der Spiegel- Schichtenstruktur 116 können (jeweils) eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 2 nm bis ungefähr 1 mm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 100 ym,
beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 ym bis ungefähr 10 ym. Weiterhin kann die organische Leuchtdiode 100 noch
Verkapselungsschichten aufweisen, die beispielsweise im
Rahmen eines Back-End-of-Line-Prozesses aufgebracht werden können, wobei darauf hinzuweisen ist, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen die externe Kavität im Rahmes des Front-End-of-Line-Prozesses gebildet wird.
Ferner kann auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur 116 optional eine Deckschicht 118, beispielsweise ein Glas 118, aufgebracht sein oder werden.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein vereinfachter Aufbau und ein Front-End-of-Line-Prozess für ein
Lichtemittierendes Bauelement, beispielsweise eine OLED, bereitgestellt mit einer verbesserten, beispielsweise
optimierten (beispielsweise lateralen) Temperaturverteilung und einer verbesserten Blickwinkelabhängigkeit. In
verschiedenen Ausführungsbeispielen wird dies erreicht beispielsweise durch Verwendung eines transparenten oder semitransparenten Deckkontakts (auch bezeichnet als zweite
Elektrode) und/oder gegebenenfalls einer Dünnfilmverkapselung des Lichtemittierenden Bauelements, beispielsweise der OLED. Ferner kann dies erreicht werden alternativ oder zusätzlich mittels Auflaminierens eines Rückseitenspiegels mit hoher Reflektivität und hohem Wärmeleitwert mittels eines optisch transluzenten, beispielsweise optisch transparenten
Klebstoffs. Als Klebstoff kann beispielsweise verwendet werden Epoxide, Polymethylmethacrylat , PMMA, EVA, Polyester, Polyurethane Phenol-Formaldehydharz-Klebstoffe, Silicone, Silanvernetzende Polymerklebstoffe, Polyimidklebstoffe ; diese Klebstoffe können zusätzlich Additive zur Anpassung des Brechungsindex beinhalten.
Das Licht wird in verschiedenen Ausführungsbeispielen durch den optisch transluzenten, beispielsweise optisch
transparenten Grundkontakt (auch bezeichnet als erste
Elektrode) des Lichtemittierenden Bauelements, beispielsweise der OLED, abgestrahlt (in diesem Fall ist das
Lichtemittierende Bauelement eingerichtet als „Bottom- Emitter" . Der Rückseitenspiegel, d.h. allgemein die Spiegel- Schichtenstruktur (beispielsweise die Spiegel- Schichtenstruktur 116) kann im einfachsten Fall eine
Glasplatte aufweisen oder daraus bestehen, die mit einem Metall von ausreichender Schichtdicke (beispielsweise von einer Schichtdicke von mindestens 1 ym) bedampft wurde.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können Metalle
verwendet werden wie beispielsweise Ag, AI oder eine oder mehrere Metalllegierungen, die eine Kombination aus hoher Reflektivität und hohem Wärmeleitwert aufweisen.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen können mittels einer oder mehrerer zusätzlicher dielektrischen Schichten in der Spiegel-Schichtenstruktur die Reflektivität der Spiegel- Schichtenstruktur (beispielsweise des Rückseitenspiegels) erhöht und die Korrosion desselben unterdrückt werden.
Zusätzliche Schichten zur Verbesserung der Haftung bzw. der Prozessierbarkeit können in verschiedenen
Ausführungsbeispielen vorgesehen sein.
Der transluzente, beispielsweise transparente, Deckkontakt auf dem Lichtemittierenden Bauelement, beispielsweise der OLED, kann aus dünnen Metallschichten (beispielsweise Ag, Cu, Au, Sm, Ca, Ba, Mg, oder Legierungen davon) oder
transluzenten, beispielsweise transparenten elektrisch leitfähigen Metalloxiden (ITO, AZO, etc.) oder einer
Kombination aus den beiden (so genannte TCO-Dünnes Metall- TCO, wie beispielsweise ITO-Ag-ITO) bestehen oder diese aufweisen. Die Spiegel-Schichtenstruktur kann gemeinsam mit dem
Klebstoff und dem transluzenten, beispielsweise
transparenten, Deckkontakt der OLED eine passive (elektrisch nicht betriebene) externe optische Kavität bilden.
Durch Ankopplung der externen optischen Kavität an die OLED- Kavität kann der Farbwinkelverzug einer solchen OLED
verbessert werden. Durch die thermische Leitfähigkeit der Spiegel- Schichtenstruktur werden laterale Temperaturgradienten in dem Lichtemittierenden Bauelement, beispielsweise in der OLED, ausgeglichen . In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als
Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der
Auskoppeleffizienz führen können. In verschiedenen
Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z.B. Siliziumoxid (Si02), Zinkoxid (ZnO) , Zirkoniumoxid (Zr02), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga20a)
Aluminiumoxid, oder Titanoxid. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie ein Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel . Metalle wie Gold, Silber, Eisen- Nanopartikel , oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein.
Fig.2 zeigt eine organische Leuchtdiode 200 als eine
Implementierung eines Lichtemittierenden Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen . Die organische Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 ist in vielen Aspekten gleich der organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig.l, weshalb im Folgenden lediglich die Unterschiede der
organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig.l näher erläutert werden;
hinsichtlich der übrigen Elemente der organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 wird auf obige Ausführungen zu der
organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig.l verwiesen. Im Unterschied zu der organischen Leuchtdiode 100 gemäß Fig.l sind bei der organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 die Spiegel-Schichtenstruktur 202 und die optisch transluzente Schichtenstruktur 204 nicht auf oder über der zweiten
Elektrode 112 gebildet, sondern unterhalb der ersten
Elektrode 104.
Die Energiequelle ist in diesen Ausführungsbeispielen an den ersten elektrischen Anschluss der ersten Elektrode 104 und an den zweiten elektrischen Anschluss der zweiten Elektrode 112 angeschlossen.
Die organische Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 kann als Top- Emitter ausgebildet sein oder werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die organische Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 anschaulich eine
oberflächenemittierende OLED mit einem „Remote"-Cavity-Ansatz auf der Substratseite. Beide Kontakte (d.h. die erste
Elektrode 104 und die zweite Elektrode 112) sind in diesem Ausführungsbeispiel semitransluzent , beispielsweise
semitransparent .
Weiterhin ist in der organischen Leuchtdiode 200 gemäß Fig.2 eine Verkapselungs-Schichtenstruktur 206, beispielsweise in Form einer Dünnfilmverkapselung 206, auf oder über der zweiten Elektrode 112 angeordnet. Ferner kann auf oder über der Verkapselungs-Schichtenstruktur 206 eine Schicht 208 aus einem Klebstoff (optional mit zusätzlichen lichtstreuenden Partikeln) , beispielsweise eine zweite optisch transluzente Schichtenstruktur 208 auf oder über der zweiten
Elektrode 112.
Ferner kann auf oder über der zweiten optisch transluzente Schichtenstruktur 208 optional eine Deckschicht 118,
beispielsweise ein Glas 118, aufgebracht sein oder werden. Somit ist anschaulich das substratseitig emittierende
Lichtemittierende Bauelement (beispielsweise die
substratseitig emittierende OLED) in verschiedenen
Ausführungsbeispielen übertragen auf ein oberflächenseitig emittierendes Lichtemittierendes Bauelement (beispielsweise eine oberflächenseitig emittierende OLED) , wie es oder sie in Fig.2 oder Fig.3 dargestellt ist. Dabei kann der externe Metallspiegel unterhalb des optisch transluzenten,
beispielsweise transparenten, Grundkontaktes angeordnet werden oder sein. Das Licht verlässt die OLED in diesem Fall beispielsweise durch den optisch transluzenten,
beispielsweise transparenten Deckkontakt (beispielsweise die zweite Elektrode) und ist somit beispielsweise als Top- Emitter ausgebildet. Die Anordnung der Spiegel-Schichtenstruktur, beispielsweise des Metallspiegels, kann auf verschiedene Arten erfolgen, beispielsweise auf eine der folgenden Arten:
1) Aufbringen einer ausreichend dicken Spiegel- Schichtenstruktur, beispielsweise Metallschicht, und gegebenenfalls einer oder mehrerer dielektrischer
Hilfsschichten auf die Substratunterseite.
2) Aufkleben einer Spiegel-Schichtenstruktur,
beispielsweise einer Metallfolie, auf die
Substratunterseite . Aufdampfen einer ausreichend dicken Spiegel- Schichtenstruktur, beispielsweise eines ausreichend dicken Metallspiegels, auf das Substrat, Aufbringen einer dicken optisch transluzenten, beispielsweise transparenten Schicht oder Schichtenstruktur, gefolgt von einem Abscheiden des optisch transluzenten,
beispielsweise transparenten Grundkontakts des
Lichtemittierenden Bauelements, beispielsweise der OLED Die dicke optisch transluzente, beispielsweise
transparente Schicht oder Schichtenstruktur sollte eine möglichst glatte Oberfläche aufweisen. Aus diesem Grund kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen sein die Abscheidung einer dicken SiN-Schicht mittels eines CVD-Prozesses (CVD: Chemical Vapor Deposition, Chemisches Abscheideverfahren aus der Gasphase) . Diese Schicht kann den zusätzlichen Vorteil haben, dass sie einen sehr hohen Brechungsindex (beispielsweise ungefäh n = 1,8) besitzt, wodurch die Wirkung der externen passiven Kavität noch weiter verstärkt wird.
Bei den Prozessen gemäß 1.) und 2.) bildet die Spiegel- Schichtenstruktur gemeinsam mit dem Substrat und dem optisch transluzenten, beispielsweise transparenten Grundkontakt der OLED die externe passive Kavität.
In einem Grenzfall, in dem die externe passive Kavität extrem dünn ist oder sogar verschwindet, kann die dicke Spiegel- Schichtenstruktur, beispielsweise der dicke Metallspiegel, direkt auf das Substrat aufgebracht sein und gleichzeitig den unteren Kontakt, d.h. die erste Elektrode 302 des
Lichtemittierenden Bauelements 300, beispielsweise einer OLED 300, bilden. Ein solches Lichtemittierendes Bauelement 300 ist in Fig.3 dargestellt. Der restliche Schichtenstapel des Lichtemittierenden
Bauelements 300 gemäß Fig.3 ist gleich dem Schichtenstapel des Lichtemittierenden Bauelements 200 gemäß Fig.2. Fig.4A bis Fig.4F zeigen das Lichtemittierende Bauelement 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verschiedenen Zeitpunkten während dessen Herstellung. Die anderen
Lichtemittierenden Bauelemente 200, 300 können in
entsprechender Weise hergestellt werden.
Fig.4A zeigt das Lichtemittierende Bauelement 100 zu einem ersten Zeitpunkt 400 während dessen Herstellung.
Zu diesem Zeitpunkt wird die erste Elektrode 104 auf das Substrat 102 aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches
Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise
Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder
thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating- Verfahrens; eines Tauchabscheideverfahrens; eines
AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens; Rakelns; oder Sprühens .
Als CVD-Verfahren kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen ein plasmaünterstütztes chemisches Abscheideverfahren aus der Gasphase (plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD) eingesetzt werden. Dabei kann in einem Volumen über und/oder um das Element, auf das die aufzubringende Schicht
aufgebracht werden soll, herum ein Plasma erzeugt, wobei dem Volumen zumindest zwei gasförmige Ausgangsverbindungen zugeführt werden, die in dem Plasma ionisiert und zur
Reaktion miteinander angeregt werden. Durch die Erzeugung des Plasmas kann es möglich sein, dass die Temperatur, auf welche die Oberfläche des Elements aufzuheizen ist, um eine
Erzeugung beispielsweise der dielektrischen Schicht zu ermöglichen, im Vergleich zu einem plasmalosen CVD-Verfahren erniedrigt werden kann. Das kann beispielsweise von Vorteil sein, wenn das Element, beispielsweise das zu bildende lichtemittierende elektronische Bauelement, bei einer
Temperatur oberhalb einer Maximaltemperatur geschädigt werden würde. Die Maximaltemperatur kann beispielsweise bei einem zu bildenden lichtemittierenden elektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen etwa 120 °C betragen, so dass die Temperatur, bei der beispielsweise die dielektrische Schicht aufgebracht wird, kleiner oder gleich 120 °C und beispielsweise kleiner oder gleich 80 °C sein kann. Fig.4B zeigt das Lichtemittierende Bauelement 100 zu einem zweiten Zeitpunkt 402 während dessen Herstellung.
Zu diesem Zeitpunkt wird oder werden die eine oder mehreren Lochleitungsschichten 110 auf die erste Elektrode 104
aufgebracht, beispielsweise abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD- Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern,
ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder thermisches
Verdampfen), alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines Tauchabscheideverfahrens; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens; Rakelns; oder Sprühens. Fig.4C zeigt das Lichtemittierende Bauelement 100 zu einem dritten Zeitpunkt 404 während dessen Herstellung.
Zu diesem Zeitpunkt wird oder werden die eine oder mehreren Emitterschichten 108 auf die eine oder mehreren
Lochleitungsschichten 110 aufgebracht, beispielsweise
abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes
Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines Tauchabscheideverfahrens; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens; Rakelns; oder Sprühens.
Fig.4D zeigt das Lichtemittierende Bauelement 100 zu einem vierten Zeitpunkt 406 während dessen Herstellung.
Zu diesem Zeitpunkt wird die zweite Elektrode 112 auf die eine oder mehreren weitere organischen Funktionsschichten (wenn vorhanden) oder auf die eine oder mehreren
Emitterschichten 108 aufgebracht, beispielsweise
abgeschieden, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes
Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines
Tauchabscheideverfahrens; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating); Druckens; Rakelns; oder Sprühens.
Fig.4E zeigt das Lichtemittierende Bauelement 100 zu einem fünften Zeitpunkt 408 während dessen Herstellung.
Zu diesem Zeitpunkt wird die optisch transluzente
Schichtenstruktur 114 auf die zweite Elektrode 112
aufgebracht, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise Sputtern, ionenunterstütztes
Abscheideverfahren oder thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating-Verfahrens ; eines
Tauchabscheideverfahrens; eines AufSchleuderverfahrens (spin coating); Druckens; Rakelns; oder Sprühens.
Fig.4F zeigt das Lichtemittierende Bauelement 100 zu einem sechsten Zeitpunkt 410 während dessen Herstellung. Zu diesem Zeitpunkt wird die Spiegel-Schichtenstruktur 116 mit dem oben beschriebenen lateralen Wärmeleitwert auf die optisch transluzente Schichtenstruktur 114 aufgebracht, beispielsweise mittels eines CVD-Verfahrens (chemisches
Abscheiden aus der Gasphase, chemical vapor deposition) oder mittels eines PVD-Verfahrens (physikalisches Abscheiden aus der Gasphase, physical vapor deposition, beispielsweise
Sputtern, ionenunterstütztes Abscheideverfahren oder
thermisches Verdampfen) , alternativ mittels eines Plating- Verfahrens; eines Tauchabscheideverfahrens; eines
AufSchleuderverfahrens (spin coating) ; Druckens; Rakelns; oder Sprühens . Dann wird noch optional die Deckschicht 118 aufgebracht, womit das Lichtemittierende Bauelement 100 gemäß Fig.l fertiggestellt ist.
Fig.5 zeigt ein Ablaufdiagramm 500, in dem ein Verfahren zum Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist.
In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird in 502 eine erste Elektrode gebildet, beispielsweise auf oder über einem
Substrat. Ferner wird in 504 eine organische
elektrolumineszente Schichtenstruktur auf oder über der ersten Elektrode gebildet, und in 506 wird eine zweite transluzente Elektrode auf oder über der organischen
elektrolumineszenten Schichtenstruktur gebildet. Weiterhin wird in 508 eine Spiegel-Schichtenstruktur auf oder über der zweiten Elektrode gebildet, wobei die Spiegel- Schichtenstruktur einen lateralen Wärmeleitwert von
-3
mindestens 1 * 10 W/K aufweist. Fig.6 zeigt ein Ablaufdiagramm 600, in dem ein Verfahren zum Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements gemäß
verschiedenen Ausführungsbeispielen dargestellt ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird in 602 eine
Spiegel-Schichtenstruktur gebildet, die einen lateralen
-3
Wärmeleitwert von mindestens 1 * 10 W/K aufweist. Ferner wird in 604 eine organische elektrolumineszente
Schichtenstruktur auf oder über der Spiegel-Schichtenstruktur gebildet. In 606 kann eine Elektrode auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur gebildet werden .
Ein Vorteil verschiedener Ausführungsbeispiele kann in der Möglichkeit gesehen werden eines einfachen Prozesses, der gleichzeitig die Blickwinkelabhängigkeit der Emissionsfarbe als auch die Wärmeverteilung innerhalb des Lichtemittierenden Bauelements, beispielsweise der OLED, verbessert,
beispielsweise optimiert.
Durch das Aufbringen der Spiegel-Schichtenstruktur (die anschaulich auch als Wärmeverteilungsschicht bezeichnet werden kann) (in verschiedenen Ausführungsbeispielen
beispielsweise der Ag, Al-Spiegel) auf das Rückseitenglas kann der Wärmeeintrag in die OLED beispielsweise beim
direkten Aufdampfen einer dicken Aluminiumkathode vermieden werden .
In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff ein Laminations-Klebstoff aufweisen oder sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können lichtstreuende Partikel in den Klebstoff eingebracht werden.

Claims

Patentansprüche
1. Lichtemittierendes Bauelement (100), aufweisend:
• eine erste Elektrode (104);
· eine organische elektrolumineszente
Schichtenstruktur (106) auf oder über der ersten Elektrode (104);
• eine zweite transluzente Elektrode (112) auf oder über der organischen elektrolumineszenten
Schichtenstruktur (106); und
• eine Spiegel-Schichtenstruktur (116) auf oder über der zweiten Elektrode (104), wobei die Spiegel- Schichtenstruktur (116) einen lateralen
-3
Wärmeleitwert von mindestens 1 * 10 W/K aufweist.
2. Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend:
eine optisch transluzente Schichtenstruktur (114) zwischen der zweiten transluzenten Elektrode (112) und der Spiegel-Schichtstruktur (116).
3. Lichtemittierendes Bauelement (100) gemäß Anspruch 1 oder 2,
• wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (116) die zweite Elektrode bildet; und
• wobei die Elektrode (104) die erste Elektrode
bildet .
4. Lichtemittierendes Bauelement (200), aufweisend:
· eine Spiegel-Schichtenstruktur (202), die einen
-3 lateralen Wärmeleitwert von mindestens 1 * 10 W/K aufweist ;
• eine erste transluzente Elektrode (104);
• eine organische elektrolumineszente
Schichtenstruktur (106) auf oder über der Spiegel-
Schichtenstruktur (202); und • eine zweite Elektrode (112) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106) .
Lichtemittierendes Bauelement (200) gemäß Anspruch 4, ferner aufweisend:
eine optisch transluzente Schichtenstruktur (204) zwischen der Spiegel-Schichtstruktur (202) und der ersten transluzenten Elektrode (104);
Lichtemittierendes Bauelement (200, 300) gemäß einem der Ansprüche 3 bis 5,
• wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (202) eine erste Elektrode bildet; und
• wobei die Elektrode (112) eine zweite Elektrode
(112) bildet.
Lichtemittierendes Bauelement (100, 200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6,
wobei die optisch transluzente Schichtenstrukturen (114, 204) Streupartikel aufweist.
Lichtemittierendes Bauelement (100, 200) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, ferner aufweisend:
eine Verkapselungs-Schichtenstruktur (206) auf oder über der zweiten Elektrode (114) und/oder unter der ersten Elektrode .
Lichtemittierendes Bauelement (100, 200, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, ferner aufweisend:
eine zweite optisch transluzente Schichtenstruktur (208) auf oder über der zweiten Elektrode.
Lichtemittierendes Bauelement (100, 200, 300) gemäß Anspruch 9,
wobei die zweite optisch transluzente Schichtenstruktur (208) lichtstreuende Partikel aufweist. Lichtemittierendes Bauelement (100, 200, 300) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10,
wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (116, 202, 302) eine Schichtdicke von mindestens 1 ym aufweist.
Verfahren (500) zum Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements (100), das Verfahren aufweisend:
• Bilden (502) einer ersten Elektrode (104);
• Bilden (504) einer organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106) auf oder über der ersten Elektrode (104);
• Bilden (506) einer zweiten transluzenten Elektrode (112) auf oder über der organischen
elektrolumineszenten Schichtenstruktur (106); und
• Bilden (508) einer Spiegel-Schichtenstruktur (116) auf oder über der zweiten Elektrode (112), wobei die
Spiegel-Schichtenstruktur (116) einen lateralen
-3
Wärmeleitwert von mindestens 1 * 10 W/K aufweist.
Verfahren (500) gemäß Anspruch 12, ferner aufweisend:
• Bilden einer optisch transluzenten Schichtenstruktur (114) auf oder über der zweiten transluzenten
Elektrode (112) ;
• wobei die Spiegel-Schichtenstruktur (116) auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur (114) gebildet wird.
Verfahren (600) zum Herstellen eines Lichtemittierenden Bauelements (200, 300), das Verfahren aufweisend:
• Bilden (602) einer Spiegel-Schichtenstruktur (202,
302), die einen lateralen Wärmeleitwert von
-3
mindestens 1 * 10 W/K aufweist;
• Bilden einer transluzenten Elektrode (104);
• Bilden (604) einer organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (204) auf oder über der Spiegel- Schichtenstruktur (202, 302); und • Bilden (606) einer Elektrode (112) auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur (204) . 15. Verfahren (600) gemäß Anspruch 14, ferner aufweisend:
• Bilden einer optisch transluzenten Schichtenstruktur (204) auf oder über der Spiegel-Schichtstruktur (202) ;
• wobei die erste Elektrode (104) auf oder über der optisch transluzenten Schichtenstruktur (204) gebildet wird.
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US14/131,690 US9105874B2 (en) 2011-07-13 2012-05-31 Light-emitting components and method for producing a light-emitting component

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DE (1) DE102011079048B4 (de)
WO (1) WO2013007443A1 (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9299956B2 (en) * 2012-06-13 2016-03-29 Aixtron, Inc. Method for deposition of high-performance coatings and encapsulated electronic devices
FR2993707B1 (fr) * 2012-07-17 2015-03-13 Saint Gobain Electrode supportee transparente pour oled
DE102013111739B4 (de) * 2013-10-24 2024-08-22 Pictiva Displays International Limited Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102013112200B4 (de) * 2013-11-06 2017-01-05 Technische Universität Dresden Verfahren zum Herstellen eines elektrooptischen organischen Bauelementes
US9850329B2 (en) 2015-06-29 2017-12-26 Fina Technology, Inc. Farnesene-based polymers and liquid optically clear adhesive compositions incorporating the same
US10544241B2 (en) 2016-09-15 2020-01-28 Fina Technology, Inc. Farnesene-based macromonomers and methods of making and using the same
CN109659443B (zh) * 2017-10-10 2024-03-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和改善显示面板色偏的方法
US11825687B2 (en) * 2019-07-17 2023-11-21 The Regents Of The University Of Michigan Organic light emitting device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020043929A1 (en) * 2000-08-22 2002-04-18 Nec Corporation Organic electroluminescence device with an improved heat radiation structure
EP1406474A1 (de) * 2002-10-01 2004-04-07 Eastman Kodak Company Elektrolumineszente organische Vorrichtung mit verbesserter Lichtauskopplung
US20050110396A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive layer
US20050285518A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Eastman Kodak Company OLED display having thick cathode
US20050285520A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
US20060125387A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Masaya Adachi Light emitting device, lighting device, and display device having light emitting device
DE102008019900A1 (de) 2008-01-30 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008031405A1 (de) 2008-07-02 2010-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008048472A1 (de) 2008-09-23 2010-03-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6396864B1 (en) * 1998-03-13 2002-05-28 Jds Uniphase Corporation Thermally conductive coatings for light emitting devices
US20070222371A1 (en) * 2006-03-21 2007-09-27 Eastman Kodak Company Top-emitting OLED device with improved stability
US7982396B2 (en) * 2007-06-04 2011-07-19 Global Oled Technology Llc Light-emitting device with light-scattering particles and method of making the same
JP2010170969A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Asahi Glass Co Ltd 電極付き基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法
DE102009024411A1 (de) 2009-03-24 2010-09-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020043929A1 (en) * 2000-08-22 2002-04-18 Nec Corporation Organic electroluminescence device with an improved heat radiation structure
EP1406474A1 (de) * 2002-10-01 2004-04-07 Eastman Kodak Company Elektrolumineszente organische Vorrichtung mit verbesserter Lichtauskopplung
US20050110396A1 (en) * 2003-11-25 2005-05-26 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive layer
US20050285518A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Eastman Kodak Company OLED display having thick cathode
US20050285520A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
US20060125387A1 (en) * 2004-12-09 2006-06-15 Masaya Adachi Light emitting device, lighting device, and display device having light emitting device
DE102008019900A1 (de) 2008-01-30 2009-08-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008031405A1 (de) 2008-07-02 2010-01-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen elektronischen Bauelements und organisches elektronisches Bauelement
DE102008048472A1 (de) 2008-09-23 2010-03-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit Verkapselungsanordnung

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"White Multi-Photon Emission OLED without optical interference", PROC INT DISP WORKSHOPS, vol. 11, 2004, pages 1293 - 1296
COK ET AL., JOURNAL OF THE SID, 13 October 2005 (2005-10-13), pages 849 FF

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