WO2013073068A1 - 銀銅合金粒子の製造方法 - Google Patents

Abstract

　銀銅合金粒子の製造方法を提供する。　銀イオン、銅イオン及び還元剤を流体中で混合し、銀銅合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法を提供する。上記の製造方法は、還元剤として少なくとも２種類の還元剤を用いることにより、銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御することを特徴とする。また、上記の製造方法は、還元剤として少なくとも２種類の還元剤を用い、銀イオン、銅イオン及び少なくとも２種類の還元剤を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる薄膜流体中で混合し、混合した後の流体のpＨを、８～１３としたことを特徴とする。

Description

銀銅合金粒子の製造方法

　本発明は、銀銅合金粒子の製造方法に関する。

　近年、導電性ペーストや導電性インク、導電性微細配線などに用いる材料、または一酸化炭素や窒素酸化物（ＮＯ_Ｘ）の還元触媒や鉛フリーはんだなどに用いる材料として、銀と銅の合金粒子が注目されている。銀銅合金粒子中の銀と銅の割合によって特性を制御できる可能性があり、例えば比抵抗や耐酸化性に優れる銀と、銀のマイグレーションを抑制するための銅とを合金化させた、主に銀からなる銀銅合金粒子や、マグネットワイヤなどの配線用材料として、主に銅からなる銀銅合金粒子についても注目されている。さらに、銀、銅それぞれにおける抗菌性にも注目されており、その他宝飾の用途など多くの応用が期待されているため、銀銅合金については、産業界において広い範囲で求められている材料である。上記マイグレーションは、多くの金属で発生するが、銀のマイグレーションは早く発生することが知られており、銅などの他の金属と合金化することでマイグレーションの発生を遅らせることができると言われている。しかし、一般的に銀と銅の合金は共晶型であるため、上記銅の持つ酸化し易い性質の抑制や銀のマイグレーションの抑制など、銀銅合金として期待された特性が十分に発揮できていない場合が多い。

　銀と銅の合金粒子の製造方法としては、特許文献１または特許文献２、特許文献３のような液相還元法やアトマイズ法などがあるが、上記いずれの方法において作製された銀銅合金もコアシェル型であるか、または共晶体を含むものであり、実質的に共晶体を含まない銀銅合金粒子及びその製造方法についてはこれまで開示されていない。特許文献１においては、銀コア銀銅シェルナノ微粒子が開示されており、シェルを構成する銀銅合金について、電子顕微鏡観察とエネルギー分散型蛍光Ｘ線測定を組み合わせた元素分析組成分析から述べられているが、シェル部分における銀と銅、それぞれのマッピングが開示されていないなど、銀と銅が固溶体化していることについては疑問が残る。また、特許文献４には銅粒子表面に銀を被着して得られた銀被着銅粉を、非酸化性雰囲気中１５０～６００℃の温度で熱処理することで、銀を銅粒子に拡散させて得られた銀拡散銅粉が記載されている。しかし、金属銀の銅粒子表面からの拡散によって銀拡散銅粉を製造するため、銅粒子の中心部にまで銀を拡散させることは難しく、その粒子全体において、共晶体を含まない状態とすることが難しいだけで無く、ペーストとしては粒子径が大きすぎる。さらに、銀拡散銅粉の分析方法についても、熱処理によって銅粒子表面に単体として存在した金属銀が、表面観察（ＳＥＭ観察）によって確認できなくなっただけに過ぎず、粒子の中心部には単体の銅が存在している可能性もある。

　その他、金属銀と金属銅とを高温で固溶させた状態からから急冷することで、銀銅合金粒子の部分固溶体を得る方法などもあるが、高いエネルギーを必要とするため、自ずとコストが大きくなりやすいなどの問題がある。

　本願出願人の出願である特許文献５において、銀銅合金粒子の製造方法が提供されたが、実施例で示された製造方法で得られた粒子を分析すると、共晶体が混在する銀銅合金粒子であった。

特開２０１１－０６８９３６号公報 特開２００６－１８３１１０号公報 特開２０００－１４４２０３号公報 特開２００８－０５７０４４号公報 国際公開ＷＯ２００９／００８３９０号パンフレット

　本発明はこのことに鑑み、上記銅の持つ酸化し易い性質の抑制や銀のマイグレーションの抑制など、銀銅合金として期待される特性を発揮するのに影響がある共晶体の量を制御することができる銀銅合金粒子の製造方法を提供することを課題とする。

　本発明は、少なくとも銀イオン、銅イオン及び還元剤を流体中で混合し、銀銅を含む合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、前記還元剤として２種類以上の還元剤を用いることにより、前記銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御することを特徴とする銀銅合金粒子の製造方法を提供することにより、上記の課題を解決する。

　また、本発明は、前記銀銅合金粒子は、銀銅合金に含まれる銅の濃度が０．１ｗｔ％から９９．９４ｗｔ％である固体銀銅合金、好ましくは、０．２ｗｔ％から９９．９０ｗｔ％、さらに好ましくは１ｗｔ％～９９ｗｔ％である固体銀銅合金であり、前記流体は、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる薄膜流体であるものとして実施できる。

　また、本発明は、前記の少なくとも２種類の還元剤を用いることによって、銀と銅との還元速度を制御することにより、前記銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御するものとして実施できる。

　また、本発明は、少なくとも銀イオン、銅イオン及び還元剤を流体中で混合し、銀銅を含む含む合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、前記還元剤として少なくとも２種類の還元剤を用いるものであり、前記銀イオン、前記銅イオン及び前記の少なくとも２種類の還元剤を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる薄膜流体中で混合するものであり、上記混合した後の流体のpＨを、８～１３としたことを特徴とする銀銅合金粒子の製造方法を提供する。
　また、本発明は、上記混合した後の流体のpＨを、１１～１３とすることで共晶体を含まない銀銅合金を析出させるものとして実施できる。

　また、本発明は、前記銀イオンと前記銅イオンが、前記還元剤に対して、実質的に同時に混合されるものとして実施できる。
　また、本発明は、前記還元剤の全てが、前記銀イオンと前記銅イオンに対して、実質的に同時に混合されるものとして実施できる。
　本発明において、「実質的に同時に混合される」とは、前記銀イオンと前記銅イオンと前記還元剤との全てが同時に混合される場合と、前記銀イオンと前記銅イオンが予め混合された状態で、前記還元剤に対して混合される場合とを含む。還元剤が複数種類の場合には、これらの還元剤同士を別々に供給して同時に混合する場合と、これらの還元剤を予め混合しておく場合とを含む。

　また、本発明は、前記銀銅合金粒子は、粒子径が５０ｎｍ以下であるものとして実施できる
　また、本発明は、前記銀銅合金粒子は、単結晶であるものとして実施できる。

　また、本発明は、銀イオンと銅イオンとを含む流体と、前記少なくとも２種の還元剤を含む流体とを混合するものとして実施できる。
　また、本発明は、前記少なくとも２種類の還元剤が、ヒドラジン類またはアミン類から選ばれる、少なくとも２種類の還元剤であるものとして実施できる。
　また、本発明は、前記少なくとも２種類の還元剤が、ヒドラジン一水和物及びジメチルアミノエタノールであるものとして実施できる。
　なお、前記銀イオン、前記銅イオンに加えて、錫イオンを加えるなど、３元系、４元系の合金であってもよい。

　本発明は、前記還元剤として２種類以上の還元剤を用いることにより、前記銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御するものであり、これによって、銅の持つ酸化し易い性質の抑制や銀のマイグレーションの抑制などと言った合金の持つ特性を種々変更制御して、目的の銀銅合金を生産することができる。
　また、本発明は、上記に加えて、銀イオン、銅イオン及び少なくとも２種類の還元剤を上記の薄膜流体中で混合するものであり、混合した後の流体のpＨを調整することによって、共晶体を含まない銀銅合金粒子を生産することができる。

本発明の実施の形態に係る流体処理装置の略断面図である。 （Ａ）は図１に示す流体処理装置の第１処理用面の略平面図であり、（Ｂ）は同装置の処理用面の要部拡大図である。 （Ａ）は同装置の第２導入部の断面図であり、（Ｂ）は同第２導入部を説明するための処理用面の要部拡大図である。 実施例２において作製された銀銅合金微粒子の、（Ａ）ＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ像、（Ｂ）ＥＤＳマッピング結果（Ａｇ）、（Ｃ）：ＥＤＳマッピング結果（Ｃｕ）である。 実施例４において作製された銀銅合金微粒子の、（Ａ）ＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ像、（Ｂ）ＥＤＳマッピング結果（Ａｇ）、（Ｃ）：ＥＤＳマッピング結果（Ｃｕ）である。 実施例８において作製された銀銅合金微粒子の、（Ａ）ＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ像、（Ｂ）ＥＤＳマッピング結果（Ａｇ）、（Ｃ）：ＥＤＳマッピング結果（Ｃｕ）である。 一般的なＡｇ－Ｃｕ系合金平衡状態図である。 実施例８において作製された銀銅合金微粒子のＨＲＴＥＭ像及びそのＨＲＴＥＭ像の銀銅合金微粒子におけるＳＴＥＭ－ＥＤＳ分析点（４点）である。 実施例８において作製された銀銅合金微粒子の、図８に示したＳＴＥＭ－ＥＤＳ各分析点にて測定したＥＤＳ分析結果である。 実施例１０において作製された銀銅合金粒子のＴＥＭ像である。 実施例６において作製された銀銅合金粒子のＴＥＭ像である。 実施例１０において作製された銀銅合金粒子のＨＲＴＥＭ像及びそのＨＲＴＥＭ像の銀銅合金微粒子におけるＴＥＭ－ＥＤＳ分析点（５点）を示す。 実施例１０において作製された銀銅合金微粒子の、図１２に示したＴＥＭ－ＥＤＳ各分析点にて測定したＥＤＳ分析結果である。 実施例２，４，１０において作製された銀銅合金粒子の乾燥粉体を用いて行ったＸＲＤ測定結果並びに上記銀銅合金粒子の乾燥粉体を３００℃、３０分で熱処理した熱処理粉体を用いて行ったＸＲＤ測定結果である。 実施例７において作製された銀銅合金粒子のＴＥＭ像である。 実施例３において作製された銀銅合金粒子のＴＥＭ像である。 実施例４において作製された銀銅合金粒子の低倍率におけるＴＥＭ像である。 Vegard則から求めたＡｇＣｕ固溶体の格子定数、ならびに急冷凝固にて作製されたAgCu固溶体での格子定数のCu比率に対する変化を示す図である。 実施例１０において作製された銀銅合金粒子の乾燥粉体を３００℃、３０分で熱処理した熱処理後の銀銅合金粒子のＴＥＭ像である。 実施例２，４，１０において作製された銀銅合金粒子の乾燥粉体並びに実施例１０の銀銅合金粒子の乾燥粉体を３００℃、３０分で熱処理した熱処理後の銀銅合金粒子を用いて行ったＤＳＣ測定結果である。 実施例１３において作製された錫銀銅合金粒子のＴＥＭ像である。

　以下に、本発明の実施の形態の一例について、具体的に説明する。

（銀銅合金、実質的に共晶体の存在しない銀銅合金及びその粒子）
　本発明は、前記還元剤として２種類以上の還元剤を用いることにより、前記銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御するようにした銀銅合金粒子の製造方法である。特にＡｇ－Ｃｕ系合金平衡状態図（一例として、一般的なＡｇ－Ｃｕ系合金平衡状態図を図７に示す。）における、固相α＋βの領域の銀と銅との割合（重量比及びモル比）における固体銀銅合金の製法である。一般的にこの領域（銀に含まれる銅の濃度が０．１ｗｔ％から９９．９４ｗｔ％の領域）において銀と銅は共晶体を形成するが、本発明においてはこの領域においても、共晶体を含まない非共晶構造の量を変化させることを提案するものである。これによって銀のマイグレーション、特に銀のイオン化によって発生するイオンマイグレーションの抑制の程度を制御できる。本発明を実施することによって、共晶体を含まない非共晶構造を主体とする銀銅合金も製造することもでき、逆に、多くの共晶体を含む銀銅合金も製造することができる。なお、本発明における非共晶構造としては、固溶体やアモルファス等が挙げられる。

　銀銅合金中の共晶体の存在（量）に関する分析方法は特に限定されないが、顕微分析が好ましく、特に微小領域について、銀と銅との分布状態や、重量比またはモル比を分析できる分析手法が好ましい。例えば、透過型電子顕微鏡観察下でのエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＴＥＭ－ＥＤＳ）または走査型電子顕微鏡観察下でのエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＳＥＭ－ＥＤＳ）、高分解能ＴＥＭ（ＨＲＴＥＭ）、高角散乱環状暗視野走査透過顕微鏡法（ＨＡＡＤＦ－ＳＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）を用いた元素マッピング、走査透過型電子顕微鏡観察下でのエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＳＴＥＭ－ＥＤＳ）などが挙げられる。その他の分析方法であっても良いが、銀銅合金が共晶体を含まない非共晶構造であることの証明のためには、顕微分析が好ましい。本発明における共晶体の存在しない非共晶構造を主体とする銀銅合金として、図４、図５及び図６に示すＳＴＥＭ―ＨＡＡＤＦ像（図４（Ａ）、図５（Ａ）及び図６（Ａ））、及びそれらに対するＥＤＳマッピング結果（図４（Ｂ）（Ｃ）、図５（Ｂ）（Ｃ）及び図６（Ｂ）（Ｃ）。それぞれ、（Ｂ）はＡｇのマッピング結果であり、（Ｃ）はＣｕのマッピング結果である。）のような銀銅合金粒子が挙げられる。

　図４に示す銀銅合金粒子については、銀銅合金粒子粉体のＩＣＰ分析結果においてはＡｇ：Ｃｕ＝８５．５：１４．５（モル比）であり、言い換えると、銀銅合金に含まれる銅の濃度が９．０８ｗｔ％である。また、図５に示す銀銅合金粒子については、銀銅合金粒子粉体のＩＣＰ分析結果においてはＡｇ：Ｃｕ＝６９．９：３０．１（モル比）であり、言い換えると、銀銅合金に含まれる銅の濃度が２０．２３ｗｔ％である。図６に示す銀銅合金粒子については、銀銅合金粒子粉体のＩＣＰ分析結果においてはＡｇ：Ｃｕ＝９５．０：５．０（モル比）であり、言い換えると、銀銅合金に含まれる銅の濃度が３．０１ｗｔ％である。上記の銀銅合金は、全てＡｇ－Ｃｕ系合金平衡状態図において、固相α＋βの領域である銀と銅との割合であるが、それぞれのＥＤＳマッピング結果に見られるように、銀と銅が一つの粒子において明らかに偏析している様子は確認されず、銀のみの領域または銅のみの領域は確認できない。さらに図８に、図６に示した銀銅合金粒子（Ａｇ：Ｃｕ＝９５.０：５.０（モル比））のＨＲＴＥＭ像、並びにその粒子における直径０．２ｎｍのビーム径による、ＳＴＥＭ－ＥＤＳ分析点（４点）、並びに図９に図８に示した各分析点にて分析したＥＤＳ分析結果を示す。本発明に係る銀銅合金は、STEM-EDS分析を用いた直径０．２nmのビーム径による微小範囲分析を行った結果、分析点の５０％以上で、銀と銅とのモル比が、ICP分析結果によって得られた銀と銅とのモル比の±３０％以内で検出されることが望ましいが、図９に示した分析結果より、分析点の５０％以上で、STEM-EDS分析における銀と銅とのモル比が、ICP分析結果によって得られた銀と銅とのモル比の±３０％以内で検出されており、これを満たしている。もしも、銀銅合金粒子において共晶体を含む場合、Ａｇが１００％、あるいはＣｕが１００％の分析点が多数検出されるはずである。つまり上記銀銅合金粒子が共晶体を含まない銀銅合金であることがわかる。また、図１２に、銀銅合金粒子（Ａｇ：Ｃｕ＝５０．３：４９．７（モル比））のＨＲＴＥＭ像、並びにその粒子における直径５ｎｍのビーム径による、ＴＥＭ－ＥＤＳ分析点（５点）、並びに図１３に図１２に示した各分析点にて測定したＥＤＳ分析結果を示す。本発明に係る銀銅合金は、TEM-EDS分析を用いた直径５nmのビーム径による微小範囲分析を行った結果、分析点の５０％以上で、銀と銅とのモル比が、ICP分析結果によって得られた銀と銅とのモル比の±３０％以内で検出されことが望ましいが、図１３に示した分析結果より、分析点の５０％以上で、TEM-EDS分析における銀と銅とのモル比が、ICP分析結果によって得られた銀と銅とのモル比の±３０％以内で検出されており、これを満たしている。また、図１０に示す銀銅合金粒子（Ａｇ：Ｃｕ＝５０．３：４９．７（モル比）、銀に含まれる銅の濃度が３６．７９ｗｔ％）においては、格子縞（結晶格子の干渉縞）が一方向に観測され、図１０に示す銀銅合金粒子が単結晶であることがわかる。本発明においては上記のような分析を、直径５０ｎｍ以下の領域において行うことが好ましい。また、本発明において、上記ＥＤＳ分析（エネルギー分散型Ｘ線分光分析）を用いる場合のビーム径は、用いる装置の能力などによって異なるが、例えば２５ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ、さらに好ましくは５nmであることが好ましい。また分析装置によっては０．５ｎｍであることがより好ましく、０．２nmであることがより好ましい。本発明における実施例においては、TEM-EDS分析の場合にビーム径を５nm、STEM-EDS分析の場合にビーム径を０．２nmとして実施した。

　EDSの分析方法について、その分析箇所の決定については特に限定されないが、複数箇所について行うことが好ましく、分析の対象が粒子である場合には、複数個の粒子についてそれぞれEDS分析を行っても良いし、単独の粒子における、複数の箇所をEDS分析しても良い。例えば、粒子径が５nmであって、EDSのビーム径が５nmである場合には、複数個の粒子についてEDS分析を行う方法を用いても良いし、EDS分析におけるビームの照射位置を若干変更することによって、単独の粒子における、複数の箇所をEDS分析しても良い。また、粒子径が５nmであって、EDSのビーム径が０．２nmである場合に、単独の粒子における、複数の箇所をEDS分析しても良い。本発明においては単独の粒子における、複数の箇所をEDS分析する方法が、より好ましい。
　EDS分析箇所の数については特に限定されないが、３箇所以上が好ましく、より好ましくは１０個以上、さらに好ましくは２５個以上が好ましい。

　本発明においては、TEM―EDS分析またはSTEM－EDS分析を用いた上記のビーム径による微小範囲分析を行った結果、銀と銅とのモル比が、ICP分析結果によって得られた銀と銅とのモル比の±３０％以内、好ましくは２０％以内、より好ましくは１０％以内で検出される分析点の数と、全体の分析点の数との比率を、前記還元剤として２種類以上の還元剤を用いることにより、制御することができる。例えば、全分析点における５０％以上、好ましくは６５％以上、より好ましくは８０％以上というように、該当する分析点の数を変化させることができる。

　このような分析が可能な装置としては特に限定されないが、例えば、透過型電子顕微鏡観察下でのエネルギー分散型Ｘ線分光分析（ＴＥＭ－ＥＤＳ）が可能な装置として、エネルギー分散型Ｘ線分析装置、ＪＥＤ－２３００（ＪＥＯＬ製）を備えた、透過型電子顕微鏡、ＪＥＭ－２１００（ＪＥＯＬ製）や、ｒ－ＴＥＭ　ＥＤＳ検出器（アメテック社製）を備えた高分解能分析電子顕微鏡、Ｔｉｔａｎ８０－３００（ＦＥＩ社製）などが挙げられる。

（銀と銅の比率）
　本発明における銀銅合金に含まれる銀と銅の比率（モル比）については特に限定されない。銀のモル比の方が高い銀銅合金でも良いし、銅のモル比の方が高い銀銅合金でも良い。また、本出願においては、上記銀銅合金に含まれる銀と銅のモル比に関係なく、銀と銅とからなる合金を銀銅合金と記載する。

（銀銅合金粒子：粒子径）
　本発明における銀銅合金は、その粒子径が５０nｍ以下の銀銅合金粒子であることが好ましい。より好ましくは粒子径が２５ｎｍ以下の銀銅合金であり、さらに好ましくは１０ｎｍ以下の銀銅合金粒子である。その理由は、ナノメートルサイズの粒子が、量子サイズ効果によって低融点化・低温焼結性といった特異的物性を示すためである。例えば、近年のナノテクノロジーの進展とともに塗布焼成のプロセスによってもプラスチック基板上に回路形成できる材料として、ナノ粒子を用いた電子回路形成用の導電性ペースト等が必要とされており、上記特異的物性によってその要求を満足できることなどが挙げられる。本発明においては、各図に示した銀銅合金を含め、得られる銀銅合金において、その粒子径が５０nm以下であり、２５nm以下並びに１０nm以下の銀銅合金粒子もあった。
　また、本発明に係る銀銅合金は、乾式での熱処理を要しない銀銅合金粒子である。　
　なお、多くの合金がそうであるように、本発明の銀銅合金にあっても微量の不純物を含むこともあり、本発明は、その銀銅合金中に、意図的に若しくは意図せずに、銀又は銅以外の元素を含めることを許容するものである。

（銀銅合金粒子の製造方法１：概要）
　上記銀銅合金粒子の製造方法としては、銀イオン、銅イオン及び還元剤を流体中で混合し、銀銅合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、前記還元剤として少なくとも２種類の還元剤を用いることが好ましい。また、上記に加えて、前記銀イオン、前記銅イオン及び前記の少なくとも２種類の還元剤を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる薄膜流体中で混合するものであり、上記混合した後の流体のpＨを調整することが好ましい。このように還元剤として少なくとも２種類の還元剤を用いることによって、銀及び銅の析出時間を制御でき、実質的に銀と銅を同時に析出させることができるため、銀銅合金として析出させられる利点がある。また、銀と銅の析出のタイミングを変化させることによって、種々の特性をもった銀銅合金を製造することができる。
　さらに、銀イオン及び銅イオンを含む流体と、還元剤を含む流体とを混合し、銀銅合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、上記還元剤を含む流体に、少なくとも２種類の還元剤を含むことが好ましい。また、銀イオンを含む流体と、銅イオンを含む流体と、還元剤を含む流体とを混合し、銀銅合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、上記還元剤を含む流体に、少なくとも２種類の還元剤を含むものとしても実施できる。このように還元剤を含む流体として少なくとも２種類の還元剤を含むことによって、銀及び銅の析出時間を制御でき、実質的に銀と銅を同時に析出させることができるため、銀銅合金として析出させられる利点がある。また、銀と銅の析出のタイミングを変化させることによって、種々の特性をもった銀銅合金を製造することができる。
　還元剤を１種類しか用いない場合には、銀及び銅の析出時間を制御することが難しいが、２種類を用いることで、上記の制御が実質的に可能となり、共晶体を全く含まないものであると分析できる粒子も製造出来るものである。

　また、銀イオン及び銅イオンを含む流体と、還元剤を含む流体とを混合し、銀銅合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、上記還元剤を含む流体として、還元剤を少なくとも１種類含む第１還元剤流体と、第１還元剤流体に用いられた還元剤とは異なる還元剤を少なくとも１種類含む第２還元剤流体との２種類の流体を用いてもよく、さらに、上記の銀銅合金粒子の製造方法において、銀イオンを含む流体と、銅イオンを含む流体と、上記第１還元剤流体と、上記第２還元剤流体とを混合しても実施できる。

（銀銅合金粒子の製造方法２：銀イオン及び銅イオンを含む流体、銀イオンを含む流体と銅イオンを含む流体）
　上記銀イオン及び銅イオンを含む流体、または銀イオンを含む流体と銅イオンを含む流体としては、特に限定されないが、銀イオン及び銅イオンを含む溶液、または銀イオンを含む溶液と銅イオンを含む溶液が好ましい。作製方法としては銀または銅の金属単体を塩酸や硝酸、王水などに溶解する方法や、銀または銅の化合物を溶媒に溶解させる方法などが挙げられる。また、銀単体または銀化合物と、銅単体または銅化合物とを一度に溶媒に溶解して銀イオン及び銅イオンを含む流体を作製してもよいし、銀単体または銀化合物を溶媒に溶解した銀溶液と、銅単体または銅化合物を溶媒に溶解した銅溶液とを混合して銀イオン及び銅イオンを含む流体を作製してもよい。

（化合物）
　上記銀または銅の化合物としては、特に限定されないが、一例として銀または銅の塩、酸化物、窒化物、炭化物、錯体、有機塩、有機錯体、有機化合物などが挙げられる。銀または銅の塩としては、特に限定されないが、硝酸塩や亜硝酸塩、硫酸塩や亜硫酸塩、蟻酸塩や酢酸塩、リン酸塩や亜リン酸塩、次亜リン酸塩や塩化物、オキシ塩やアセチルアセトナート塩などが挙げられる。その他の化合物としては銀または銅のアルコキシドが挙げられる。

（溶媒）
　上記の銀単体または銀化合物、及び／又は、銅単体または銅化合物を溶媒に混合、好ましくは溶解（または分子分散）して本発明を実施する事が可能である。また、上記銀単体または銀化合物、及び／又は、銅単体または銅化合物は、目的によって単数、または複数を選択して実施できる。上記銀単体または銀化合物、及び／又は、銅単体または銅化合物を溶解させるための溶媒としては、例えば、水や有機溶媒、またはそれらの複数からなる混合溶媒が挙げられる。前記水としては、水道水やイオン交換水、純水や超純水、ＲＯ水などが挙げられ、有機溶媒としては、アルコール化合物溶媒、アミド化合物溶媒、ケトン化合物溶媒、エーテル化合物溶媒、芳香族化合物溶媒、二硫化炭素、脂肪族化合物溶媒、ニトリル化合物溶媒、スルホキシド化合物溶媒、ハロゲン化合物溶媒、エステル化合物溶媒、イオン性液体、カルボン酸化合物、スルホン酸化合物などが挙げられる。上記の溶媒はそれぞれ単独で使用しても良く、または複数以上を混合して使用しても良い。

（酸性物質及び塩基性物質）
　その他、上記溶媒に塩基性物質または酸性物質を混合または溶解しても実施できる。塩基性物質としては、水酸化ナトリウムや水酸化カリウムなどの金属水酸化物、ナトリウムメトキシドやナトリウムイソプロポキシドのような金属アルコキシド、さらにトリエチルアミンやジエチルアミノエタノール、ジエチルアミンなどのアミン系化合物などが挙げられる。酸性物質としては、王水、塩酸、硝酸、発煙硝酸、硫酸、発煙硫酸などの無機酸や、ギ酸、酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、トリクロロ酢酸などの有機酸が挙げられる。これらの塩基性物質または酸性物質は、上記の通り各種溶媒と混合しても実施できるし、それぞれ単独でも使用できる。

（溶媒の詳しい説明）
　上記の溶媒についてさらに詳しく説明すると、アルコール化合物溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ－プロパノール、１－メトキシ－２－プロパノールなどが挙げられ、さらにｎ－ブタノールなどの直鎖アルコール、２－ブタノール、ｔｅｒｔ－ブタノール等の分枝状アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール等の多価アルコールや、プロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。ケトン化合物溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。エーテル化合物溶媒としては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどが挙げられる。芳香族化合物溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンが挙げられる。脂肪族化合物溶媒としては、例えば、ヘキサンなどが挙げられる。ニトリル化合物溶媒としては、例えば、アセトニトリルなどが挙げられる。スルホキシド化合物溶媒としては、例えば、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキド、ヘキサメチレンスルホキシド、スルホランなどが挙げられる。ハロゲン化合物溶媒としては、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエチレン、ヨードホルムなどが挙げられる。エステル化合物溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、２－（１－メトキシ）プロピルアセテートなどが挙げられる。イオン性液体としては、例えば、１－ブチル－３－メチルイミダゾリウムとＰＦ６－（ヘキサフルオロリン酸イオン）との塩などが挙げられる。アミド化合物溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、１－メチル－２－ピロリドン、２－ピロリジノン、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン、２－ピロリジノン、ε－カプロラクタム、ホルムアミド、Ｎ－メチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ－メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチルプロパンアミド、ヘキサメチルホスホリックトリアミドなどが挙げられる。カルボン酸化合物としては、例えば、２，２－ジクロロプロピオン酸、スクアリン酸などが挙げられる。スルホン酸化合物としては、例えば、メタンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、クロロスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸などが挙げられる。

（還元剤）
　上記還元剤としては、特に限定されないが、銀及び／または銅のイオンを還元することができる還元剤の全てが使用可能である。一例を挙げると、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素リチウムなどのヒドリド系還元剤や、ホルマリンやアセトアルデヒド等のアルデヒド類、亜硫酸塩類、蟻酸、蓚酸、コハク酸、アスコルビン酸等のカルボン酸類あるいはラクトン類、エタノール、ブタノール、オクタノール等の脂肪族モノアルコール類、ターピネオール等の脂環族モノアルコール類等のモノアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール等の脂肪族ジオール類、グリセリン、トリメチロールプロパン等の多価アルコール類、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のポリエーテル類、ジエタノールアミンやモノエタノールアミン等のアルカノールアミン類、ハイドロキノン、レゾルシノール、アミノフェノール、ブドウ糖、あるいはクエン酸ナトリウム、次亜塩素酸またはその塩、遷移金属のイオン（チタンや鉄のイオンなど）やヒドラジン類やアミン類などが挙げられる。

（還元剤：ヒドラジン類またはアミン類）
　本発明においては、上記還元剤の内少なくとも２種類を使用し、銀と銅の還元速度、または銀と銅の析出時間を制御することが好ましく、ヒドラジン類またはアミン類から選ばれる少なくとも２種を選択して用いることがより好ましく、ヒドラジン類から少なくとも１種及びアミン類から少なくとも１種を選択して用いることがさらに好ましい。上記ヒドラジン類としては、特に限定されないが、ヒドラジン、ヒドラジン一水和物、炭酸ヒドラジン、硫酸ヒドラジニウム、フェニルヒドラジン、１-メチル-１-フェニルヒドラジン、１,１-ジフェニルヒドラジン塩酸塩などが挙げられる。アミン類としては、特に限定されないが、式：Ｒ^ａＮＨ_２；Ｒ^ａＲ^ｂＮＨ；またはＲ^ａＲ^ｂＲ^ｃＮ；［式中、Ｒ^ａ，Ｒ^ｂおよびＲ^ｃは同一またはそれぞれ異なる置換基を示し、Ｒ^ａおよびＲ^ｂは互いに結合して隣接する窒素原子と環状アミノを形成していてもよい。］で表される化合物またはその塩などが挙げられる。一例を挙げると、トリエチルアミンやトリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノールなどが挙げられる。

（銀銅合金粒子の製造方法３：ｐH）
　本発明においては、少なくとも２種類の還元剤を含む流体と、銀イオン及び銅イオンを含む流体とを混合することで、銀銅合金を作製することを特徴とする銀銅合金粒子の製造方法であるが、上記少なくとも２種類の還元剤を含む流体と、銀イオン及び銅イオンを含む流体とを混合した後の流体のpＨが、７～１４であることが好ましく、８～１３であることがより好ましく、さらに好ましくは１１～１３である。混合した後の流体のｐHが７以下である場合には、銀イオンまたは銅イオンの還元が不十分となり易く、また銀と銅の還元速度を制御することが難しくなりやすいため、銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御することが難しくなる。また、混合した後の流体のpＨが１４よりも大きい場合には、銀や銅の酸素を含む化合物、例えば水酸化物や酸化物が発生しやすくなり、銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御することが難しくなる。また上記pＨの領域においても、還元剤が１種類の場合には、銀銅合金粒子中における共晶体の量を制御することが困難である。特に、上記少なくとも２種類の還元剤を含む流体と、銀イオン及び銅イオンを含む流体とを混合した後の流体のｐＨが１１～１３の範囲である場合には、作製される銀銅合金粒子における銀と銅の均一性が高くなりやすく、複数の粒子のそれぞれについても、個々の粒子内においても銀と銅の均一性が高くなりやすいため、好ましい。

（ｐＨ調製：銀及び銅のイオンを含む流体または銀イオンを含む流体と銅のイオンを含む流体、還元剤を含む流体、混合後の流体）
　本発明における上記pＨの調製方法については特に限定されない。少なくとも２種類の還元剤を含む流体と、銀イオン及び銅イオンを含む流体とを混合した流体のpＨが、上記pＨの範囲となるように、銀イオン及び銅のイオンを含む流体と、還元剤を含む流体のpＨを調整すること、または銀イオン及び銅のイオンを含む流体と、還元剤を含む流体の流量を変更によって実施できる。ｐＨ調整の方法については、特に限定されないが、各流体に上記酸性物質または塩基性物質を含んでも実施できるし、用いる銀または銅の化合物の種類や還元剤の種類、または濃度によって変更することも可能である。本発明における上記少なくとも２種類の還元剤を含む流体と、銀イオン及び銅イオンを含む流体との混合後の流体以外の各流体におけるｐＨについては特に限定されない。目的とする銀銅合金粒子における銀と銅のモル比や粒子径、または結晶性などによって適宜変更することが可能である。

（還元剤を含む流体）
　上記還元剤を含む流体は、上記の還元剤を含むものであり、上記の還元剤が液体の状態、または溶媒に混合され、溶解または分子分散された状態であることが好ましい。上記溶媒については特に限定されない。先述した溶媒を目的に応じて用いることが可能である。上記の還元剤を含む流体には、分散液やスラリーなどの状態のものも含んでも実施できる。　　

　また、上記還元剤を含む流体としては、上述のように、少なくとも２種類の還元剤を含む流体を用いることが好ましいが、上記還元剤を含む流体として、還元剤を少なくとも１種類含む第１還元剤流体と、第１還元剤流体に用いられた還元剤とは異なる還元剤を少なくとも１種類含む第２還元剤流体との２種類の流体を用いてもよい。

（温度）
　本発明における各流体における温度については特に限定されない。目的とする銀銅合金粒子における銀と銅のモル比や粒子径、または結晶性などによって適宜変更することが可能である。

（分散剤等）
　また、本発明においては、目的や必要に応じて各種分散剤や界面活性剤を用いる事ができる。特に限定されないが、界面活性剤及び分散剤としては一般的に用いられる様々な市販品や、製品または新規に合成したものなどを使用できる。一例として、陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤や、各種ポリマーなどの分散剤などを挙げることができる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

　上記の界面活性剤及び分散剤は、上記銀イオン及び銅イオンを含む流体もしくは銀イオンを含む流体と銅のイオンを含む流体、または還元剤を含む流体、またはその両方に含まれていてもよい。また、上記の界面活性剤及び分散剤は、銀イオン及び銅イオンを含む流体とも銀イオンを含む流体と銅のイオンを含む流体とも還元剤を含む流体とも異なる第３の流体に含まれていてもよい。特に分散性の向上のために、上記分散剤などは、予め上記の還元剤を含む流体、または銀と銅のイオンを含む流体もしくは銀イオンを含む流体と銅のイオンを含む流体の少なくとも何れか一方に導入しておくことが好ましい。

（流体処理装置）
　本発明においては、上記銀イオン及び銅イオンを含む流体と、還元剤を含む流体とを、本願出願人の出願である、特許文献５に記載された流体処理装置を用いて混合し、銀銅合金粒子を析出させることが好ましい。以下、図面を用いて上記流体処理装置の実施の形態について説明する。

（装置の説明）
　図１～図３に示す流体処理装置は、特許文献５に記載の装置と同様であり、接近・離反可能な少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する処理用部における処理用面の間で被処理物を処理するものであって、被処理流動体のうちの第１の被処理流動体である第１流体を処理用面間に導入し、前記第１流体を導入した流路とは独立し、処理用面間に通じる開口部を備えた別の流路から被処理流動体のうちの第２の被処理流動体である第２流体を処理用面間に導入して処理用面間で上記第１流体と第２流体を混合・攪拌して処理を行う装置である。なお、図１においてＵは上方を、Ｓは下方をそれぞれ示しているが、本発明において上下前後左右は相対的な位置関係を示すに止まり、絶対的な位置を特定するものではない。図２（Ａ）、図３（Ｂ）においてＲは回転方向を示している。図３（Ｂ）においてＣは遠心力方向（半径方向）を示している。

　この装置は、被処理流動体として少なくとも２種類の流体を用いるものであり、そのうちで少なくとも１種類の流体については被処理物を少なくとも１種類含むものであり、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面を備え、これらの処理用面の間で上記の各流体を合流させて薄膜流体とするものであり、当該薄膜流体中において上記の被処理物を処理する装置である。この装置は、上述のとおり、複数の被処理流動体を処理することができるが、単一の被処理流動体を処理することもできる。

　この流体処理装置は、対向する第１及び第２の、２つの処理用部１０，２０を備え、少なくとも一方の処理用部が回転する。両処理用部１０，２０の対向する面が、夫々処理用面となる。第１処理用部１０は第１処理用面１を備え、第２処理用部２０は第２処理用面２を備える。

　両処理用面１，２は、被処理流動体の流路に接続され、被処理流動体の流路の一部を構成する。この両処理用面１，２間の間隔は、適宜変更して実施することができるが、通常は、１ｍｍ以下、例えば０．１μｍから５０μｍ程度の微小間隔に調整される。これによって、この両処理用面１，２間を通過する被処理流動体は、両処理用面１，２によって強制された強制薄膜流体となる。

　この装置を用いて複数の被処理流動体を処理する場合、この装置は、第１の被処理流動体の流路に接続され、当該第１被処理流動体の流路の一部を形成すると共に、第１被処理流動体とは別の、第２被処理流動体の流路の一部を形成する。そして、この装置は、両流路を合流させて、処理用面１，２間において、両被処理流動体を混合し、反応させるなどの流体の処理を行なう。なお、ここで「処理」とは、被処理物が反応する形態に限らず、反応を伴わずに混合・分散のみがなされる形態も含む。

　具体的に説明すると、上記の第１処理用部１０を保持する第１ホルダ１１と、第２処理用部２０を保持する第２ホルダ２１と、接面圧付与機構と、回転駆動機構と、第１導入部ｄ１と、第２導入部ｄ２と、流体圧付与機構ｐとを備える。

　図２（Ａ）へ示す通り、この実施の形態において、第１処理用部１０は、環状体であり、より詳しくはリング状のディスクである。また、第２処理用部２０もリング状のディスクである。第１、第２処理用部１０、２０の材質は、金属、カーボンの他、セラミックや焼結金属、耐磨耗鋼、サファイア、その他金属に硬化処理を施したものや、硬質材をライニングやコーティング、メッキなどを施工したものを採用することができる。この実施の形態において、両処理用部１０，２０は、互いに対向する第１、第２の処理用面１、２の少なくとも一部が鏡面研磨されている。
　この鏡面研磨の面粗度は、特に限定されないが、好ましくはＲａ０．０１～１．０μｍ、より好ましくはＲａ０．０３～０．３μｍとする。

　少なくとも一方のホルダは、電動機などの回転駆動機構（図示せず）にて、他方のホルダに対して相対的に回転することができる。図１の５０は、回転駆動機構の回転軸を示しており、この例では、この回転軸５０に取り付けられた第１ホルダ１１が回転し、この第１ホルダ１１に支持された第１処理用部１０が第２処理用部２０に対して回転する。もちろん、第２処理用部２０を回転させるようにしてもよく、双方を回転させるようにしてもよい。また、この例では、第１、第２ホルダ１１、２１を固定しておき、この第１、第２ホルダ１１、２１に対して第１、第２処理用部１０、２０が回転するようにしてもよい。

　第１処理用部１０と第２処理用部２０とは、少なくとも何れか一方が、少なくとも何れか他方に、接近・離反可能となっており、両処理用面１，２は、接近・離反できる。

　この実施の形態では、第１処理用部１０に対して、第２処理用部２０が接近・離反するもので、第２ホルダ２１に設けられた収容部４１に、第２処理用部２０が出没可能に収容されている。但し、これとは、逆に、第１処理用部１０が、第２処理用部２０に対して接近・離反するものであってもよく、両処理用部１０，２０が互いに接近・離反するものであってもよい。

　この収容部４１は、第２処理用部２０の、主として処理用面２側と反対側の部位を収容する凹部であり、平面視において、円を呈する、即ち環状に形成された、溝である。この収容部４１は、第２処理用部２０を回転させ得る十分なクリアランスを持って、第２処理用部２０を収容する。なお、第２処理用部２０は軸方向に平行移動のみが可能なように配置してもよいが、上記クリアランスを大きくすることにより、第２処理用部２０は、収容部４１に対して、処理用部２０の中心線を、上記収容部４１の軸方向と平行の関係を崩すように傾斜して変位できるようにしてもよく、さらに、第２処理用部２０の中心線と収容部４１の中心線とが半径方向にずれるように変位できるようにしてもよい。
　このように、３次元的に変位可能に保持するフローティング機構によって、第２処理用部２０を保持することが望ましい。

　上記の被処理流動体は、各種のポンプや位置エネルギーなどによって構成される流体圧付与機構ｐによって圧力が付与された状態で、第１導入部ｄ１と、第２導入部ｄ２から両処理用面１、２間に導入される。この実施の形態において、第１導入部ｄ１は、環状の第２ホルダ２１の中央に設けられた通路であり、その一端が、環状の両処理用部１０、２０の内側から、両処理用面１、２間に導入される。第２導入部ｄ２は、第１の被処理流動体と反応させる第２の被処理流動体を処理用面１，２へ供給する。この実施の形態において、第２導入部ｄ２は、第２処理用部２０の内部に設けられた通路であり、その一端が、第２処理用面２にて開口する。流体圧付与機構ｐにより加圧された第１の被処理流動体は、第１導入部ｄ１から、両処理用部１０，２０の内側の空間に導入され、第１処理用面１と第２処理用面２との間を通り、両処理用部１０，２０の外側に通り抜けようとする。これらの処理用面１，２間において、第２導入部ｄ２から流体圧付与機構ｐにより加圧された第２の被処理流動体が供給され、第１の被処理流動体と合流し、混合、攪拌、乳化、分散、反応、晶出、晶析、析出などの種々の流体処理がなされ、両処理用面１，２から、両処理用部１０，２０の外側に排出される。なお、減圧ポンプにより両処理用部１０，２０の外側の環境を負圧にすることもできる。

　上記の接面圧付与機構は、第１処理用面１と第２処理用面２とを接近させる方向に作用させる力を、処理用部に付与する。この実施の形態では、接面圧付与機構は、第２ホルダ２１に設けられ、第２処理用部２０を第１処理用部１０に向けて付勢する。

　前記の接面圧付与機構は、第１処理用部１０の第１処理用面１と第２処理用部２０の第２処理用面２とが接近する方向に押す力（以下、接面圧力という）を発生させるための機構である。この接面圧力と、流体圧力などの両処理用面１、２間を離反させる力との均衡によって、ｎｍ単位ないしμｍ単位の微小な膜厚を有する薄膜流体を発生させる。言い換えれば、上記力の均衡によって、両処理用面１、２間の間隔を所定の微小間隔に保つ。

　図１に示す実施の形態において、接面圧付与機構は、上記の収容部４１と第２処理用部２０との間に配位される。具体的には、第２処理用部２０を第１処理用部１０に近づく方向に付勢するスプリング４３と、空気や油などの付勢用流体を導入する付勢用流体導入部４４とにて構成され、スプリング４３と上記付勢用流体の流体圧力とによって、上記の接面圧力を付与する。このスプリング４３と上記付勢用流体の流体圧力とは、いずれか一方が付与されるものであればよく、磁力や重力などの他の力であってもよい。この接面圧付与機構の付勢に抗して、流体圧付与機構ｐにより加圧された被処理流動体の圧力や粘性などによって生じる離反力によって、第２処理用部２０は、第１処理用部１０から遠ざかり、両処理用面間に微小な間隔を開ける。このように、この接面圧力と離反力とのバランスによって、第１処理用面１と第２処理用面２とは、μｍ単位の精度で設定され、両処理用面１，２間の微小間隔の設定がなされる。上記離反力としては、被処理流動体の流体圧や粘性と、処理用部の回転による遠心力と、付勢用流体導入部４４に負圧を掛けた場合の当該負圧、スプリング４３を引っ張りスプリングとした場合のバネの力などを挙げることができる。この接面圧付与機構は、第２処理用部２０ではなく、第１処理用部１０に設けてもよく、双方に設けてもよい。

　上記の離反力について、具体的に説明すると、第２処理用部２０は、上記の第２処理用面２と共に、第２処理用面２の内側（即ち、第１処理用面１と第２処理用面２との間への被処理流動体の進入口側）に位置して当該第２処理用面２に隣接する離反用調整面２３を備える。この例では、離反用調整面２３は、傾斜面として実施されているが、水平面であってもよい。被処理流動体の圧力が、離反用調整面２３に作用して、第２処理用部２０を第１処理用部１０から離反させる方向への力を発生させる。従って、離反力を発生させるための受圧面は、第２処理用面２と離反用調整面２３とになる。

　さらに、この図１の例では、第２処理用部２０に近接用調整面２４が形成されている。この近接用調整面２４は、離反用調整面２３と軸方向において反対側の面（図１においては上方の面）であり、被処理流動体の圧力が作用して、第２処理用部２０を第１処理用部１０に接近させる方向への力を発生させる。

　なお、第２処理用面２及び離反用調整面２３に作用する被処理流動体の圧力、即ち流体圧は、メカニカルシールにおけるオープニングフォースを構成する力として理解される。処理用面１，２の接近・離反の方向、即ち第２処理用部２０の出没方向（図１においては軸方向）と直交する仮想平面上に投影した近接用調整面２４の投影面積Ａ１と、当該仮想平面上に投影した第２処理用部２０の第２処理用面２及び離反用調整面２３との投影面積の合計面積Ａ２との、面積比Ａ１／Ａ２は、バランス比Ｋと呼ばれ、上記オープニングフォースの調整に重要である。このオープニングフォースについては、上記バランスライン、即ち近接用調整面２４の面積Ａ１を変更することで、被処理流動体の圧力、即ち流体圧により調整できる。
　摺動面の実面圧Ｐ、即ち、接面圧力のうち流体圧によるものは次式で計算される。
　Ｐ＝Ｐ１×（Ｋ－ｋ）＋Ｐｓ

　ここでＰ１は、被処理流動体の圧力即ち流体圧を示し、Ｋは上記のバランス比を示し、ｋはオープニングフォース係数を示し、Ｐｓはスプリング及び背圧力を示す。

　このバランスラインの調整により摺動面の実面圧Ｐを調整することで処理用面１，２間を所望の微小隙間量にし、被処理流動体による流動体膜を形成させ、生成物などの処理された被処理物を微細とし、また、均一な反応処理を行うのである。
　なお、図示は省略するが、近接用調整面２４を離反用調整面２３よりも広い面積を持ったものとして実施することも可能である。

　被処理流動体は、上記の微小な隙間を保持する両処理用面１，２によって強制された薄膜流体となり、環状の両処理用面１、２の外側に移動しようとする。ところが、第１処理用部１０は回転しているので、混合された被処理流動体は、環状の両処理用面１，２の内側から外側へ直線的に移動するのではなく、環状の半径方向への移動ベクトルと周方向への移動ベクトルとの合成ベクトルが被処理流動体に作用して、内側から外側へ略渦巻き状に移動する。

　尚、回転軸５０は、鉛直に配置されたものに限定するものではなく、水平方向に配位されたものであってもよく、傾斜して配位されたものであってよい。被処理流動体は両処理用面１，２間の微細な間隔にて処理がなされるものであり、実質的に重力の影響を排除できるからである。また、この接面圧付与機構は、前述の第２処理用部２０を変位可能に保持するフローティング機構と併用することによって、微振動や回転アライメントの緩衝機構としても機能する。

　第１、第２処理用部１０、２０は、その少なくともいずれか一方を、冷却或いは加熱して、その温度を調整するようにしてもよく、図１では、第１、第２処理用部１０、２０に温調機構（温度調整機構）Ｊ１，Ｊ２を設けた例を図示している。また、導入される被処理流動体を冷却或いは加熱して、その温度を調整するようにしてもよい。これらの温度は、処理された被処理物の析出のために用いることもでき、また、第１、第２処理用面１、２間における被処理流動体にベナール対流若しくはマランゴニ対流を発生させるために設定してもよい。

　図２に示すように、第１処理用部１０の第１処理用面１には、第１処理用部１０の中心側から外側に向けて、即ち径方向について伸びる溝状の凹部１３を形成して実施してもよい。この凹部１３の平面形状は、図２（Ｂ）へ示すように、第１処理用面１上をカーブして或いは渦巻き状に伸びるものや、図示はしないが、真っ直ぐ外方向に伸びるもの、Ｌ字状などに屈曲あるいは湾曲するもの、連続したもの、断続するもの、枝分かれするものであってもよい。また、この凹部１３は、第２処理用面２に形成するものとしても実施可能であり、第１及び第２の処理用面１，２の双方に形成するものとしても実施可能である。この様な凹部１３を形成することによりマイクロポンプ効果を得ることができ、被処理流動体を第１及び第２の処理用面１，２間に吸引することができる効果がある。

　この凹部１３の基端は第１処理用部１０の内周に達することが望ましい。この凹部１３の先端は、第１処理用面１の外周面側に向けて伸びるもので、その深さ（横断面積）は、基端から先端に向かうにつれて、漸次減少するものとしている。
　この凹部１３の先端と第１処理用面１の外周面との間には、凹部１３のない平坦面１６が設けられている。
　前述の第２導入部ｄ２の開口部ｄ２０を第２処理用面２に設ける場合は、対向する上記第１処理用面１の平坦面１６と対向する位置に設けることが好ましい。

　この開口部ｄ２０は、第１処理用面１の凹部１３からよりも下流側（この例では外側）に設けることが望ましい。特に、マイクロポンプ効果によって導入される際の流れ方向が処理用面間で形成されるスパイラル状で層流の流れ方向に変換される点よりも外径側の平坦面１６に対向する位置に設置することが望ましい。具体的には、図２（Ｂ）において、第１処理用面１に設けられた凹部１３の最も外側の位置から、径方向への距離ｎを、約０．５ｍｍ以上とするのが好ましい。特に、流体中から微粒子を析出させる場合には、層流条件下にて複数の被処理流動体の混合と、微粒子の析出が行なわれることが望ましい。開口部ｄ２０の形状は、図２（Ｂ）や図３（Ｂ）に示すように円形状であってもよく、図示しないが、リング状ディスクである処理用面２の中央の開口を取り巻く同心円状の円環形状であってもよい。また、開口部を円環形状とした場合、その円環形状の開口部は連続していてもよいし、不連続であってもよい。

　この第２導入部ｄ２は方向性を持たせることができる。例えば、図３（Ａ）に示すように、上記の第２処理用面２の開口部ｄ２０からの導入方向が、第２処理用面２に対して所定の仰角（θ１）で傾斜している。この仰角（θ１）は、０度を超えて９０度未満に設定されており、さらに反応速度が速い反応の場合には１度以上４５度以下で設置されるのが好ましい。

　また、図３（Ｂ）に示すように、上記の第２処理用面２の開口部ｄ２０からの導入方向が、上記の第２処理用面２に沿う平面において、方向性を有するものである。この第２流体の導入方向は、処理用面の半径方向の成分にあっては中心から遠ざかる外方向であって、且つ、回転する処理用面間における流体の回転方向に対しての成分にあっては順方向である。言い換えると、開口部ｄ２０を通る半径方向であって外方向の線分を基準線ｇとして、この基準線ｇから回転方向Ｒへの所定の角度（θ２）を有するものである。この角度（θ２）についても、０度を超えて９０度未満に設定されることが好ましい。

　この角度（θ２）は、流体の種類、反応速度、粘度、処理用面の回転速度などの種々の条件に応じて、変更して実施することができる。また、第２導入部ｄ２に方向性を全く持たせないこともできる。

　上記の被処理流動体の種類とその流路の数は、図１の例では、２つとしたが、１つであってもよく、３つ以上であってもよい。図１の例では、第２導入部ｄ２から処理用面１，２間に第２流体を導入したが、この導入部は、第１処理用部１０に設けてもよく、双方に設けてもよい。また、一種類の被処理流動体に対して、複数の導入部を用意してもよい。また、各処理用部に設けられる導入用の開口部は、その形状や大きさや数は特に制限はなく適宜変更して実施し得る。また、上記第１及び第２の処理用面間１、２の直前或いはさらに上流側に導入用の開口部を設けてもよい。

　なお、処理用面１，２間にて上記処理を行う事が出来れば良いので、上記とは逆に、第１導入部ｄ１より第２流体を導入し、第２導入部ｄ２より第１流体を導入するものであっても良い。つまり、各流体における第１、第２という表現は、複数存在する流体の第ｎ番目であるという、識別のための意味合いを持つに過ぎないものであり、第３以上の流体も存在し得る。

　上記装置においては、析出・沈殿または結晶化のような処理が、図１に示すように、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１、２の間で強制的に均一混合しながら起こる。処理された被処理物の粒子径や単分散度は処理用部１０、２０の回転数や流速、処理用面１，２間の距離や、被処理流動体の原料濃度、または被処理流動体の溶媒種等を適宜調整することにより、制御することができる。

　以下、上記の装置を用いて行う銀銅合金粒子の製造方法の具体的な態様について、一例を説明する。
　上記の銀銅合金粒子の析出反応は、本願の図１に示す装置の、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１，２間で強制的に均一混合しながら起こる。

　まず、一つの流路である第１導入部ｄ１より、第１流体として少なくとも銀イオン及び銅イオンを含む流体を、接近・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面１，２間に導入して、この処理用面間に第１流体から構成された薄膜流体である第１流体膜を作る。

　次いで別流路である第２導入部ｄ２より、第２流体として少なくとも２種類の還元剤を含む流体を、上記処理用面１，２間に作られた第１流体膜に直接導入する。

　上記のように、被処理流動体の供給圧と回転する処理用面の間にかかる圧力との圧力バランスによって距離を固定された処理用面１，２間にて、第１流体と第２流体とが混合され、銀銅合金粒子の析出反応を行う事が出来る。

　なお、処理用面１，２間にて上記反応を行う事が出来れば良いので、上記とは逆に、第１導入部ｄ１より第２流体を導入し、第２導入部ｄ２より第１流体を導入するものであっても良い。つまり、各流体における第１、第２という表現は、複数存在する流体の第ｎ番目であるという、識別のための意味合いを持つに過ぎないものであり、第３以上の流体も存在し得る。

　銀のマイグレーションは、銀がイオン化し、その銀イオンが水に含まれる水酸基（ＯＨ^－）イオンと反応して水酸化銀となる可逆反応を繰り返しながら固体中を移動して銀として析出、偏析する現象であると言われているが、上記に示した装置を用いることによって、銀銅合金における格子欠陥の少ない緻密な結晶粒子を作製できるため、これまで以上にマイグレーションを抑制可能な銀銅合金粒子を作製できることも利点である。

　前述のように、第１導入部ｄ１、第２導入部ｄ２以外に第３導入部を処理装置に設けることもできるが、この場合にあっては、例えば各導入部から、第１流体として銀イオンを含む流体、第２流体として銅イオンを含む流体、第３流体として少なくとも２種類の還元剤を含む流体をそれぞれ別々に処理装置に導入することが可能である。そうすると、各流体の濃度や圧力を個々に管理することができ、銀銅合金粒子の析出反応をより精密に制御することができる。同じく、第１導入部ｄ１、第２導入部ｄ２以外に、第３導入部と第４導入部を処理装置に設けることもできるが、この場合にあっては、例えば各導入部から、第１流体として銀イオンを含む流体、第２流体として銅イオンを含む流体、第３流体として還元剤を少なくとも１種類含む第１還元剤流体、第４流体として第１還元剤流体に用いられた還元剤とは異なる還元剤を少なくとも１種類含む第２還元剤流体をそれぞれ別々に処理装置に導入することが可能である。なお、各導入部へ導入する被処理流動体（第１流体～第４流体）の組み合わせは、任意に設定できる。第５以上の導入部を設けた場合も同様であって、このように処理装置へ導入する流体を細分化できる。この場合、還元剤を含む流体と合流するまでに銀イオンを含む流体と銅イオンを含む流体とが合流していることが望ましく、また、銀イオン及び銅イオンを含む流体と合流するまでに第１還元剤流体と第２還元剤流体とが合流していることが望ましい。

　さらに、第１、第２流体等の被処理流動体の温度を制御したり、第１流体と第２流体等との温度差（即ち、供給する各被処理流動体の温度差）を制御することもできる。供給する各被処理流動体の温度や温度差を制御するために、各被処理流動体の温度（処理装置、より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前の温度）を測定し、処理用面１，２間に導入される各被処理流動体の加熱又は冷却を行う機構を付加して実施することも可能である。

　以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。しかし、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
　尚、以下の実施例において、「中央から」というのは、図１に示す処理装置の「第１導入部ｄ１から」という意味であり、第１流体は、第１導入部ｄ１から導入される、前述の第１被処理流動体を指し、第２流体は、図１に示す処理装置の第２導入部ｄ２から導入される、前述の第２被処理流動体を指す。

（ＴＥＭ－ＥＤＳ分析）
　ＴＥＭ－ＥＤＳ分析による、銀銅合金粒子中の銀及び銅の元素マッピング及び定量には、エネルギー分散型Ｘ線分析装置、ＪＥＤ－２３００（ＪＥＯＬ製）を備えた、透過型電子顕微鏡、ＪＥＭ－２１００（ＪＥＯＬ製）を用いた。直径５nmのビーム径を用いて分析し、銀銅合金粒子中の銀と銅とのモル比を算出した。具体的には、得られた銀銅合金粒子それぞれに１０箇所の分析箇所を設け、さらにその分析箇所において、それぞれの分析点にて銀と銅とのモル比を算出し、その平均値を用いた。

（ＳＴＥＭ－ＥＤＳ分析）
　ＳＴＥＭ－ＥＤＳ分析による、銀銅合金粒子中の銀及び銅の元素マッピング及び定量には、ｒ－ＴＥＭ　ＥＤＳ検出器（アメテック社製）を備えた高分解能分析電子顕微鏡、Ｔｉｔａｎ８０－３００（ＦＥＩ社製）を用いた。直径０．２nmのビーム径を用いて分析し、銀銅合金粒子中の銀と銅とのモル比を算出した。具体的には、得られた銀銅合金粒子それぞれに１０箇所の分析箇所を設け、さらにその分析箇所において、それぞれの分析点にて銀と銅とのモル比を算出し、その平均値を用いた。

（ＩＣＰ分析）
　誘導結合プラズマ発光分光分析（ＩＣＰ）による、銀銅合金粒子の乾燥粉体中に含まれる銀と銅の定量には、島津製作所製のＩＣＰ８１００を用いた。

（ＸＲＤ測定）
　Ｘ線回折測定には、粉末Ｘ線回折測定装置Ｘ‘Ｐｅｒｔ ＰＲＯ ＭＰＤ（ＸＲＤ　スペクトリス PANalytical事業部製）を使用した。測定条件は，Ｃｕ対陰極，管電圧４５ｋＶ，管電流４０ｍＡ，走査速度１．６°／ｍｉｎである。また解析にはＨｉｇｈ Ｓｃｏｒｅ Ｐｌｕｓソフトウエアを用いた。Ｒｉｅｔｖｅｌｔ解析及びＷｉｌｌｉａｍｓｏｎ―Ｈａｌｌ法においてＰｓｅｕｄｏ Ｖｏｉｇｔ関数を使用し，非対称性を加えて計算をした。

（ｐH測定）
　ｐH測定には、pＨ試験紙またはpＨメーター（HORIBA製、型番D-51）を用いた。

（ＤＳＣ測定）
　示差走査熱量計（ＤＳＣ）測定には、示差走査熱量計（島津製作所製，ＤＳＣ―６０）を用いた。サンプル試料セルはアルミクリンプセル(φ5.8 mm x t 1.5 mm)、参照試料にはαアルミナを使用し測定試料は5 mg用いた。測定条件はN₂フロー(30 ml/min.)、室温～４００℃の温度範囲、昇温速度２０ ℃/min.である。

　実施例１～１２として、中央から第１流体として銀イオン及び銅イオンを含む流体または還元剤を含む流体を、供給圧力=０．５０ＭＰａＧで送液しながら、第２流体として、銀イオン及び銅イオンを含む流体または還元剤を含む流体のうち、第１流体とは異なる流体を処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。銀銅合金粒子分散液が処理用面１，２間より吐出された。吐出された銀銅合金粒子分散液を遠心分離処理（２００００Ｇ）し、銀銅合金粒子を沈降させ、上澄み液を除去した後に、メタノールにて洗浄する作業を３回行い、得られたウェットケーキを２５℃の条件で大気圧にて乾燥し、銀銅合金粒子の乾燥粉体を作製した。また、銀銅合金粒子の粒子径の確認は、ＴＥＭ観察によって行い、その一次粒子径を判断した。ＴＥＭ観察の観察条件としては、観察倍率を５万倍以上とし、３箇所の平均値を用いた。表１に第１流体の処理条件、表２に第２流体の処理条件、及び表３に処理用面１の回転数と、処理用面１，２間より吐出された銀銅合金粒子分散液（吐出液）のｐH、ＳＴＥＭ－ＥＤＳまたはＴＥＭ－ＥＤＳ測定結果により得られた銀銅合金粒子における銀と銅の比率（モル比）、ＳＴＥＭ－EDSとＴＥＭ－ＥＤＳ分析における、銀のみ（銀１００％）または銅のみ（銅１００％）が検出される分析点（表３では測定点と表記）の有無、銀銅合金粒子の乾燥粉体を用いて行ったＩＣＰ分析結果による銀銅合金粒子における銀と銅のモル比を示す。表１、２における、略記号は、ＥＧ：エチレングリコール、ＡｇＮＯ_３：硝酸銀、Ｃｕ（ＮＯ_３）_２・３Ｈ_２Ｏ：硝酸銅三水和物、ＨＭＨ：ヒドラジン一水和物、ＤＭＡＥ：ジメチルアミノエタノール、ＰＶＰ：ポロビニルピロリドン、ＫＯＨ：水酸化カリウム、ＮａＢＨ_４：水素化ホウ素ナトリウム、ＭｅＯＨ：メタノール、ＳＫ０８：チオカルコール０８（花王製界面活性剤）、ＰＷ：純水、Ｃｕ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_２・Ｈ_２Ｏ：酢酸銅一水和物である。また、図４に実施例２において得られた銀銅合金粒子のＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ像（Ａ）及びＥＤＳマッピング結果（（Ｂ）：Ａｇ、（Ｃ）：Ｃｕ）、及び図５に実施例４において得られた銀銅合金粒子のＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ像（Ａ）及びＥＤＳマッピング結果（（Ｂ）：Ａｇ、（Ｃ）：Ｃｕ）、図６に実施例８において得られた銀銅合金粒子のＳＴＥＭ－ＨＡＡＤＦ像（Ａ）及びＥＤＳマッピング結果（（Ｂ）：Ａｇ、（Ｃ）：Ｃｕ）を示す。図８に実施例８において得られた銀銅合金粒子のＨＲＴＥＭ像及びＳＴＥＭ－ＥＤＳ分析点（４点）を示し、図８に示した各分析点にて分析したＥＤＳ分析結果を図９に示す。図１２に実施例１０において得られた銀銅合金粒子のＨＲＴＥＭ像及びＴＥＭ－ＥＤＳ分析点（５点）を示し、図１２に示した各分析点にて測定したＥＤＳ分析結果を図１３に示す。図１０に実施例１０で得られた銀銅合金粒子のＴＥＭ像、及び図１１に実施例６で得られた銀銅合金粒子のＴＥＭ像、及び図１５に実施例７で得られた銀銅合金粒子のＴＥＭ像、及び図１６に実施例３で得られた銀銅合金粒子のＴＥＭ像、図１７に実施例４において得られた銀銅合金粒子の低倍率におけるＴＥＭ像を示す。
　また、実施例２，４，１０で得られたそれぞれの銀銅合金粒子の乾燥粉体並びにそれらの銀銅合金粒子の乾燥粉体を300℃で熱処理した熱処理粉体のXRD測定結果を図１４に示す。実施例２，４，１０で得られたそれぞれの銀銅合金粒子の乾燥粉体を３００℃で３０分加熱したものを熱処理粉体とした。以下、実施例で得られた銀銅合金粒子の乾燥粉体を熱処理前（又は未処理）の銀銅合金粒子、実施例で得られた銀銅合金粒子の乾燥粉体を上記の条件で熱処理したものを熱処理後の銀銅合金粒子と記載する。比較の為に参照試料として、試薬のAgとCuの回折パターンを合わせて示す。実施例において作製した熱処理前の銀銅合金粒子の回折線は、広幅化していることが伺える。また実施例において作製した熱処理前の銀銅合金粒子は、いずれも参照試料として用いたAgの回折位置に近いことが分かる。その回折パターンから、作製した熱処理前の銀銅合金粒子はFCC構造のAgが母構造であると考えられた。FCC構造のAgの[111]である38.2 °付近に見られるピークについて、実施例において作製した熱処理前の銀銅合金粒子のピークは銀銅合金粒子中のCuの比率が増加するにつれてわずかに高角度側にシフトしていることが確認された。更に、実施例で得られたそれぞれの銀銅合金粒子の乾燥粉体を300℃、３０分で熱処理することで、熱処理後の銀銅合金粒子のそれぞれの回折ピークが鋭くなり，FCC構造のCuの回折ピークと一致するピークを含む、ＣｕとAgとの混合体へと回折パターンが分離したように見られた。Cuの回折ピークと一致する熱処理後の銀銅合金粒子のピークは、銀銅合金粒子中のCuの比率が増加するにつれて（実施例２，４，１０の順に），その相対強度が強くなった。　
　図１４に示すXRD測定結果を元にRietvelt解析及びWilliamson-Hall法を用いて求めた格子定数，結晶子サイズ並びに歪みについて表４に示す。上記の熱処理した熱処理後の銀銅合金粒子については、AgとCuの二相として解析を行った。実施例において作製した熱処理前の銀銅合金粒子については、いずれもAgの格子定数[4.086(Å)]（文献１：R. K. Linde: In Partial Fulfillment of the Requirements For the Degree of Doctor of Philosophy, California Institute of Technology , 1964）と比較して格子定数が大きくなっている。また、上記の方法で求めた熱処理前の銀銅合金粒子の結晶子サイズはおよそ5-6 nm程度であり，歪んでいることが示唆された。
　また、格子定数の変化について、図１８に、Vegard則から求めたAgCu固溶体の格子定数，ならびに急冷凝固にて作製されたAgCu固溶体の格子定数のCu比率に対する変化を比較した（文献１）。実施例において作製した熱処理前の銀銅合金粒子についても、銀銅合金粒子中のCuの比率が増加するにつれて、その格子定数は小さくなる傾向が見られた。熱処理後の銀銅合金粒子の格子定数は, 表４に示した様にAgとCu[3.615(Å)] （文献１）の格子定数とほぼ一致した。
　また、上記のXRD測定結果から得られた、熱処理後の銀銅合金粒子中に含まれる銀と銅の定量結果を表５に示す。表３に示した、熱処理前の銀銅合金粒子におけるAg：Cuモル比率とほぼ一致する値が得られた。図１９に代表例として実施例１０について熱処理後の銀銅合金粒子のTEM写真を示す。この写真から明らかな様に、熱処理後においても粒子径は10-20 nm程度であり，熱処理前後での銀銅合金粒子の粒子径の変化は見られなかった。またTEM-EDS分析を用いて独立に存在している銀銅合金粒子の定量分析を行い、熱処理前後での銀銅合金粒子におけるAg:Cu比率の変化がないことを確認している。よって熱処理後の銀銅合金粒子は、同一粒子中でAgとCuは相分離、つまり明らかに共晶体が発生しているものと考えられる。言い換えると、熱処理前の銀銅合金粒子が、共晶体を含まない固溶体であることがわかる。
　図２０に実施例２，４，１０において作製された銀銅合金粒子の乾燥粉体並びに実施例１０の銀銅合金粒子の乾燥粉体を３００℃、３０分で熱処理した熱処理後の銀銅合金粒子のDSC測定結果を示す。第１流体または第２流体に含まれるPVPによる保護膜の形成が考えられるため、DSC測定結果にPVPのＤＳＣ測定結果を合わせて示した。測定範囲において、PVPについては、特にピークは確認されなかった。実施例において作製した銀銅合金粒子については、200-350 ℃付近に非常にブロードな発熱ピークが確認された。これは固溶したAg-Cu末端の分解と粒成長によるものと考えられる（文献２：H.W.Sheng， G.Wilde， E. Ma : Acta. Materialia，50，475(2002)、文献３：Klassen T，Herr U, Averback RS. : Acta. Mater.，49，453(1997))。また、表４に示した様に、熱処理後の銀銅合金粒子のXRD測定結果から求められる結晶子サイズは大きくなっており，歪みは小さくなっていることが示唆される。また、熱処理後の銀銅合金粒子をＤＳＣ測定しても特にピークは見られず、不可逆的な変化が起こっていることがわかった。よって300℃、３０分の熱処理によって、熱処理前の銀銅合金粒子を構成する固溶体相が分解し、粒成長しながらAgとCuがそれぞれで結晶化したものと考えられる。
　以上の結果から、実施例において作製した銀銅合金粒子は、銀と銅とがナノレベルで固溶した銀銅合金粒子であることが示された。

　以上より、実施例１～１２においては、銀イオン及び銅イオンを含む流体と、少なくとも２種類の還元剤としてヒドラジン一水和物とジメチルアミノエタノール（DMAE）とを、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面間にできる薄膜流体中で混合する事よって、好ましくは、上記混合した後の流体のpＨを８以上とすることによって、共晶体を含まない銀銅合金粒子を作製できる事がわかった。

(錫銀銅合金の製造)
　実施例１３として、中央から第１流体として銀イオン、銅イオン、及び錫イオン（Sn）を含む流体を、供給圧力=０．３０ＭＰａＧで送液しながら、第２流体として、還元剤を含む流体を処理用面１，２間に導入し、第１流体と第２流体とを薄膜流体中で混合した。第１流体並びに第２流体の送液温度は、第１流体と第２流体のそれぞれの温度を処理装置導入直前（より詳しくは、処理用面１，２間に導入される直前）にて測定した。錫銀銅合金粒子分散液が処理用面１，２間より吐出された。吐出された錫銀銅合金粒子分散液を遠心分離処理（２１０００Ｇ）し、錫銀銅合金粒子を沈降させ、上澄み液を除去した後に、メタノールにて洗浄する作業を３回行い、得られたウェットケーキを２５℃の条件で－０．０９５MPaGにて乾燥し、錫銀銅合金粒子の乾燥粉体を作製した。また、錫銀銅合金粒子の粒子径の確認は、ＴＥＭ観察によって行い、その一次粒子径を判断した。ＴＥＭ観察の観察条件としては、観察倍率を５万倍以上とし、３箇所の平均値を用いた。表６に第１流体の処理条件、表７に第２流体の処理条件、及び表８に処理用面１の回転数と、処理用面１，２間より吐出された錫銀銅合金粒子分散液（吐出液）のｐH、ＴＥＭ－ＥＤＳ測定結果により得られた錫銀銅合金粒子における錫と銀と銅の比率（モル比）、ＴＥＭ－ＥＤＳ分析における、錫のみ、銀のみ（銀１００％）または銅のみ（銅１００％）が検出される分析点（表８では測定点と表記）の有無、錫銀銅合金粒子の乾燥粉体を用いて行ったＩＣＰ分析結果による錫銀銅合金粒子における錫と銀と銅のモル比を示す。表６、７における、略記号は、ＥＧ：エチレングリコール、ＡｇＮＯ_３：硝酸銀、Ｃｕ（ＮＯ_３）_２・３Ｈ_２Ｏ：硝酸銅三水和物、ＨＭＨ：ヒドラジン一水和物、ＤＭＡＥ：ジメチルアミノエタノール、ＰＶＰ：ポロビニルピロリドン、ＫＯＨ：水酸化カリウム、ＮａＢＨ_４：水素化ホウ素ナトリウム、ＰＷ：純水、Ｃｕ（ＣＨ_３ＣＯＯ）_２・Ｈ_２Ｏ：酢酸銅一水和物、ＳｎＣｌ_４：塩化錫、Ｔ．Ａ．：酒石酸、ＮＨ_３：アンモニアである。

　以上より、実施例１３においては、錫イオン、銀イオン及び銅イオンを含む流体と、少なくとも２種類の還元剤を含む流体（水素化ホウ素ナトリウム、並びに本件においてはエチレングリコールまたはＰＶＰを還元剤として作用させた）とを、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面間にできる薄膜流体中で混合する事よって、好ましくは、上記混合した後の流体のpＨを８以上とすることによって、共晶体を含まない銀銅合金粒子を作製できる事がわかった。また実施例１３の組成比（錫：銀：銅＝９６．５：３：０．５（重量比）、２９．２：１：０．２８（モル比））は、一般的にはんだに用いることが可能な合金である。一般的なはんだの融点は２１７℃であるが、実施例１３において作製した合金は、ＤＳＣ測定の結果（装置：示差走査熱量：DSC-60（島津製作所）、昇温速度：10℃/min（40℃-230℃）、雰囲気：窒素試料量：5.4mg）、吸熱ピークの開始温度が195.68℃であること並びに、融点降下を確認した。実施例１３において得られた粒子のＴＥＭ写真を図２１に示す。

　　１　　　第１処理用面
　　２　　　第２処理用面
　　１０　　第１処理用部
　　１１　　第１ホルダ
　　２０　　第２処理用部
　　２１　　第２ホルダ
　　ｄ１　　第１導入部
　　ｄ２　　第２導入部
　　ｄ２０　開口部

Claims (13)

1. 　少なくとも銀イオン、銅イオン及び還元剤を流体中で混合し、銀銅を含む合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、
   前記還元剤として少なくとも２種類の還元剤を用いることにより、前記銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御することを特徴とする銀銅合金粒子の製造方法。
2. 　前記銀銅合金粒子は、銀銅合金に含まれる銅の濃度が０．１ｗｔ％から９９．９４ｗｔ％である固体銀銅合金であり、
   前記流体は、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる薄膜流体であることを特徴とする請求項１記載の銀銅合金粒子の製造方法。
3. 　前記の少なくとも２種類の還元剤を用いることによって、銀と銅との還元速度を制御することにより、前記銀銅合金粒子中の共晶体の量を制御することを特徴とする請求項１又は２記載の銀銅合金粒子の製造方法。
4. 　少なくとも銀イオン、銅イオン及び還元剤を流体中で混合し、銀銅を含む合金を析出させる銀銅合金粒子の製造方法において、
   前記還元剤として少なくとも２種類の還元剤を用いるものであり、
   前記銀イオン、前記銅イオン及び前記の少なくとも２種類の還元剤を、対向して配設された、接近・離反可能な、少なくとも一方が他方に対して相対的に回転する少なくとも２つの処理用面の間にできる薄膜流体中で混合するものであり、
   上記混合した後の流体のpＨを、８～１３としたことを特徴とする銀銅合金粒子の製造方法。
5. 　上記混合した後の流体のpＨを、１１～１３とすることで共晶体を含まない銀銅合金を析出させることを特徴とする請求項４に記載の銀銅合金粒子の製造方法。
6. 　前記銀イオンと前記銅イオンが、前記還元剤に対して、実質的に同時に混合されることを特徴とする請求項１～５の何れかに記載の銀銅合金粒子の製造方法。
7. 　前記還元剤の全てが、前記銀イオンと前記銅イオンに対して、実質的に同時に混合されることを特徴とする請求項６の何れかに記載の銀銅合金粒子の製造方法。
8. 　前記銀銅合金粒子は、粒子径が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～７のいずれかに記載の銀銅合金粒子の製造方法。
9. 　前記銀銅合金粒子は、単結晶であることを特徴とする請求項１～８のいずれかに記載の銀銅合金粒子の製造方法。
10. 　銀イオンと銅イオンとを含む流体と、前記少なくとも２種の還元剤を含む流体とを混合することを特徴とする請求項１～９のいずれかに記載の銀銅合金粒子の製造方法。
11. 　前記少なくとも２種類の還元剤が、ヒドラジン類またはアミン類から選ばれる、少なくとも２種類の還元剤であることを特徴とする請求項１～１０のいずれか記載の銀銅合金粒子の製造方法。
12. 　前記少なくとも２種類の還元剤が、ヒドラジン一水和物及びジメチルアミノエタノールである事を特徴とする請求項１～１０のいずれかに記載の銀銅合金粒子の製造方法。
13. 　前記銀イオン、前記銅イオン及び前記還元剤に加えて、錫イオンを前記流体中で混合することを特徴とする請求項１～１２のいずれかに記載の銀銅合金粒子の製造方法。

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