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WO2013062091A1 - 電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品 - Google Patents

電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品 Download PDF

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Publication number
WO2013062091A1
WO2013062091A1 PCT/JP2012/077736 JP2012077736W WO2013062091A1 WO 2013062091 A1 WO2013062091 A1 WO 2013062091A1 JP 2012077736 W JP2012077736 W JP 2012077736W WO 2013062091 A1 WO2013062091 A1 WO 2013062091A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
copper alloy
less
electronic equipment
alloy
electronic devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/077736
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
牧　一誠
優樹 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Priority to KR1020147007137A priority Critical patent/KR101554833B1/ko
Priority to CN201280047170.4A priority patent/CN103842551B/zh
Priority to US14/349,937 priority patent/US9587299B2/en
Priority to EP12843355.4A priority patent/EP2772560B1/en
Publication of WO2013062091A1 publication Critical patent/WO2013062091A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Priority to US15/414,194 priority patent/US20170130309A1/en
Ceased legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/08—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of copper or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/02—Alloys based on copper with tin as the next major constituent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/05—Alloys based on copper with manganese as the next major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026—Alloys based on copper
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment

Definitions

  • the present invention relates to a copper alloy for electronic equipment suitable for electronic equipment components such as terminals, connectors, relays, and lead frames, a method for producing a copper alloy for electronic equipment, a copper alloy rolled material for electronic equipment, and a component for electronic equipment. .
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2011-237800 filed in Japan on October 28, 2011, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • a copper alloy excellent in springiness, strength, and conductivity is required as a material constituting electronic device parts.
  • a copper alloy used as an electronic device component such as a terminal, a connector, a relay, or a lead frame preferably has a high yield strength and a low Young's modulus. .
  • Patent Document 1 As a copper alloy used as an electronic device component such as a terminal, a connector, a relay, or a lead frame, for example, as shown in Patent Document 1, phosphor bronze containing Sn and P is widely used.
  • Patent Document 2 provides a Cu—Ni—Si alloy (so-called Corson alloy).
  • Corson alloy is a precipitation hardening type alloy in which Ni 2 Si precipitates are dispersed, and has relatively high electrical conductivity, strength, and stress relaxation resistance. For this reason, it is widely used as a terminal for automobiles and signal system small terminals, and has been actively developed in recent years.
  • a Cu—Mg alloy described in Non-Patent Document 2 a Cu—Mg—Zn—B alloy described in Patent Document 3, and the like have been developed.
  • the phosphor bronze described in Patent Document 1 tends to have a high stress relaxation rate at high temperatures.
  • the stress relaxation rate at high temperature is high, the contact pressure decreases during use in a high temperature environment, resulting in poor conduction. There is a risk. For this reason, it could not be used in a high temperature environment such as around the engine room of an automobile.
  • the Corson alloy disclosed in Patent Document 2 has a relatively high Young's modulus of 125 to 135 GPa.
  • the contact pressure fluctuation at the time of insertion is severe, and the elastic limit is easily set. This is not preferable because it may cause plastic deformation.
  • Non-Patent Document 2 and Patent Document 3 tend to have a high Young's modulus because an intermetallic compound is precipitated in the same manner as the Corson alloy. It was not preferable as a connector. Furthermore, in a Cu-Mg alloy, since many coarse intermetallic compounds are dispersed in the matrix, these intermetallic compounds are the starting point during bending, and cracks are likely to occur. There is a problem in that it is impossible to mold electronic device parts having various shapes.
  • An object of the present invention is to provide a copper alloy for electronic equipment suitable for electronic equipment parts such as a lead frame, a method for producing a copper alloy for electronic equipment, a copper alloy rolled material for electronic equipment, and an electronic equipment part.
  • the present inventors have conducted intensive research. As a result, in a work-hardening type copper alloy of a Cu—Mg supersaturated solid solution prepared by quenching a Cu—Mg alloy after forming a solution, a low Young The knowledge that it shows a rate, high proof stress, high electroconductivity, and the outstanding bending workability was acquired. Further, the present inventors have found that the stress relaxation resistance can be improved by performing an appropriate heat treatment after finishing in a copper alloy made of this Cu—Mg supersaturated solid solution.
  • the copper alloy for electronic equipment of the present invention is composed of a binary alloy of Cu and Mg, and Mg is 3.3 atomic% or more and 6.9 atoms. %, With the balance being substantially Cu and inevitable impurities, and the electrical conductivity ⁇ (% IACS), where the Mg concentration is X atomic%, ⁇ ⁇ ⁇ 1.7241 / ( ⁇ 0.0347 ⁇ X 2 + 0.6569 ⁇ X + 1.7) ⁇ ⁇ 100 and stress relaxation rate is 50% or less at 150 ° C. for 1000 hours. It is said.
  • the copper alloy for electronic devices of the present invention is made of a binary alloy of Cu and Mg, contains Mg in the range of 3.3 atomic% to 6.9 atomic%, with the balance being substantially Cu and It is considered as an inevitable impurity, and in scanning electron microscope observation, the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg having a particle size of 0.1 ⁇ m or more is 1 piece / ⁇ m 2 or less, and the stress relaxation rate is 150 ° C. , 50% or less in 1000 hours.
  • the copper alloy for electronic devices of the present invention is made of a binary alloy of Cu and Mg, contains Mg in the range of 3.3 atomic% to 6.9 atomic%, with the balance being substantially Cu and
  • ⁇ % IACS
  • the conductivity ⁇ is Mg concentration X atom%, ⁇ ⁇ 1.7241 / ( ⁇ 0.0347 ⁇ X 2 + 0.6569 ⁇ X + 1.7) ⁇ 100, and in observation with a scanning electron microscope, Cu and Mg having a particle diameter of 0.1 ⁇ m or more are contained.
  • the average number of intermetallic compounds as main components is 1 / ⁇ m 2 or less, and the stress relaxation rate is 50% or less at 150 ° C. for 1000 hours.
  • Mg is contained in the range of 3.3 atomic% to 6.9 atomic% of the solid solution limit or more, and the conductivity ⁇ is Mg.
  • the content is X atomic%, it is set within the range of the above formula, so that Mg is a supersaturated Cu—Mg solid solution in a supersaturated state in the parent phase.
  • Mg is contained in the range of 3.3 atomic% or more and 6.9 atomic% or less above the solid solution limit, and in observation with a scanning electron microscope, Cu and Mg having a particle diameter of 0.1 ⁇ m or more are contained.
  • the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg having a particle size of 0.1 ⁇ m or more was 10 ⁇ at a magnification of 50,000 times and a field of view of about 4.8 ⁇ m 2 using a field emission scanning electron microscope. Calculate by observing the visual field.
  • the particle size of the intermetallic compound containing Cu and Mg as the main components is the major axis of the intermetallic compound (the length of the straight line that can be drawn the longest in the grain under the condition of not contacting the grain boundary in the middle) and the minor axis (major axis and It is defined as an average value of the length of a straight line that can be drawn longest in a direction that intersects at right angles and does not contact the grain boundary in the middle.
  • the Young's modulus tends to be low.
  • the contact pressure at the time of insertion Since the fluctuation is suppressed and the elastic limit is wide, there is no risk of plastic deformation easily. Therefore, it is particularly suitable for electronic device parts such as terminals, connectors, relays, and lead frames.
  • Mg is supersaturated
  • the matrix phase is not dispersed with a large amount of coarse intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg, which are the starting points of cracking, and bending workability is improved. Will improve. Therefore, it is possible to mold electronic parts such as terminals, connectors, relays, and lead frames having complicated shapes. Further, since Mg is supersaturated, the strength can be improved by work hardening.
  • the stress relaxation rate is set to 50% or less at 150 ° C. and 1000 hours, even if it is used even in a high temperature environment, poor conduction due to a decrease in contact pressure Can be suppressed. Therefore, it can be applied as a material for electronic device parts used in a high temperature environment such as an engine room.
  • the Young's modulus E is 125 GPa or less and the 0.2% proof stress ⁇ 0.2 is 400 MPa or more. If the Young's modulus E is 125 GPa or less and the 0.2% proof stress ⁇ 0.2 is 400 MPa or more, the elastic energy coefficient ( ⁇ 0.2 2 / 2E) increases, and plastic deformation does not easily occur. It is particularly suitable for electronic parts such as terminals, connectors, relays and lead frames.
  • a method for producing a copper alloy for electronic equipment according to the present invention is a method for producing a copper alloy for electronic equipment that produces the above-described copper alloy for electronic equipment, comprising a binary alloy of Cu and Mg, and Mg, A finishing process for processing a copper material having a composition including 3.3 atomic% to 6.9 atomic% with the balance being substantially Cu and unavoidable impurities into a predetermined shape; and And a finish heat treatment step for performing heat treatment later.
  • this finish heat treatment step can improve the stress relaxation resistance.
  • the finish heat treatment step it is preferable to perform the heat treatment in a range of 200 ° C. to 800 ° C. Furthermore, it is preferable to cool the heated copper material to 200 ° C. or less at a cooling rate of 200 ° C./min or more. In this case, the stress relaxation resistance can be improved by the finish heat treatment step, and the stress relaxation rate can be reduced to 50% or less at 150 ° C. for 1000 hours.
  • the rolled copper alloy material for electronic equipment of the present invention is made of the above-described copper alloy for electronic equipment, and has a Young's modulus E of 125 GPa or less in the direction parallel to the rolling direction and 0.2% proof stress in the direction parallel to the rolling direction ⁇ 0. .2 is 400 MPa or more. According to the copper alloy rolled material for electronic equipment having this configuration, the elastic energy coefficient ( ⁇ 0.2 2 / 2E) is high and plastic deformation does not easily occur.
  • the above-described rolled copper alloy material for electronic equipment is preferably used as a copper material constituting terminals, connectors, relays, and lead frames.
  • the electronic device component of the present invention is characterized by comprising the above-described copper alloy for electronic devices.
  • the electronic device parts for example, terminals, connectors, relays, and lead frames
  • the electronic device parts having this configuration have a low Young's modulus and excellent stress relaxation resistance, and can be used even in a high temperature environment.
  • the present invention has a low Young's modulus, a high yield strength, a high conductivity, an excellent stress relaxation property, an excellent bending workability, and is suitable for electronic equipment components such as terminals, connectors and relays.
  • a copper alloy, a method for producing a copper alloy for electronic equipment, a rolled copper alloy material for electronic equipment, and a component for electronic equipment can be provided.
  • the copper alloy for electronic devices which is embodiment of this invention is demonstrated.
  • the copper alloy for electronic devices according to the present embodiment includes Mg in a range of 3.3 atomic% to 6.9 atomic%, and the remainder is composed of Cu and Mg binary alloy composed of only Cu and inevitable impurities.
  • ⁇ % IACS
  • the conductivity ⁇ (% IACS) is the Mg content X atom%, ⁇ ⁇ ⁇ 1.7241 / ( ⁇ 0.0347 ⁇ X 2 + 0.6569 ⁇ X + 1.7) ⁇ ⁇ 100.
  • the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg having a particle diameter of 0.1 ⁇ m or more is set to 1 piece / ⁇ m 2 or less.
  • the stress relaxation rate of the copper alloy for electronic devices of this embodiment is 50% or less in 150 degreeC and 1000 hours.
  • the stress relaxation rate was measured by applying a stress by a method according to the cantilevered screw type of JCBA-T309: 2004, the Japan Copper and Brass Association Technical Standard.
  • the copper alloy for electronic devices has a Young's modulus E of 125 GPa or less and a 0.2% proof stress ⁇ 0.2 of 400 MPa or more.
  • Mg is an element that has the effect of improving the strength and raising the recrystallization temperature without greatly reducing the electrical conductivity. Further, by dissolving Mg in the matrix, the Young's modulus can be kept low and excellent bending workability can be obtained.
  • the content of Mg is less than 3.3 atomic%, the effect cannot be achieved.
  • the Mg content exceeds 6.9 atomic%, an intermetallic compound containing Cu and Mg as main components remains when heat treatment is performed for solution treatment. There is a risk of cracking. For these reasons, the Mg content is set to 3.3 atomic% or more and 6.9 atomic% or less.
  • the Mg content is low, the strength is not sufficiently improved, and the Young's modulus cannot be kept sufficiently low.
  • Mg is an active element, when it is added excessively, there is a possibility that Mg oxide generated by reacting with oxygen is involved during melt casting. Therefore, it is more preferable that the Mg content is in the range of 3.7 atomic% to 6.3 atomic%.
  • Inevitable impurities include Sn, Zn, Al, Ni, Cr, Zr, Fe, Co, Ag, Mn, B, P, Ca, Sr, Ba, Sc, Y, rare earth elements, Hf, V, Nb, Ta, Mo, W, Re, Ru, Os, Se, Te, Rh, Ir, Pd, Pt, Au, Cd, Ga, In, Li, Si, Ge, As, Sb, Ti, Tl, Pb, Bi, S, O, C, Be, N, H, Hg, etc. are mentioned. These inevitable impurities are desirably 0.3% by mass or less in total in the binary alloy of Cu and Mg.
  • Sn is preferably less than 0.1% by mass and Zn is preferably less than 0.01% by mass. This is because when Sn is added in an amount of 0.1% by mass or more, precipitation of an intermetallic compound mainly composed of Cu and Mg is likely to occur, and when Zn is added in an amount of 0.01% by mass or more, melt casting is performed. This is because fumes are generated in the process and adhere to the furnace and mold members to deteriorate the surface quality of the ingot and the stress corrosion cracking resistance.
  • the manufacturing conditions are adjusted so that the electrical conductivity ⁇ is within the range of the above formula.
  • the conductivity ⁇ (% IACS) is It is preferable that ⁇ ⁇ ⁇ 1.7241 / ( ⁇ 0.0300 ⁇ X 2 + 0.6763 ⁇ X + 1.7) ⁇ ⁇ 100. In this case, since the amount of the intermetallic compound mainly composed of Cu and Mg is smaller, the bending workability is further improved.
  • the conductivity ⁇ is More preferably, it is within the range of ⁇ ⁇ ⁇ 1.7241 / ( ⁇ 0.0292 ⁇ X 2 + 0.6797 ⁇ X + 1.7) ⁇ ⁇ 100. In this case, since the amount of the intermetallic compound containing Cu and Mg as main components is smaller, bending workability is further improved.
  • the stress relaxation rate is 50% or less at 150 ° C. for 1000 hours.
  • the stress relaxation rate is preferably 30% or less at 150 ° C. and 1000 hours, and more preferably 20% or less at 150 ° C. and 1000 hours.
  • the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg having a particle diameter of 0.1 ⁇ m or more is 1 / ⁇ m 2. It is as follows. That is, almost no intermetallic compound mainly composed of Cu and Mg is precipitated, and Mg is dissolved in the matrix.
  • the solution formation is incomplete, or when an intermetallic compound mainly composed of Cu and Mg is precipitated after solution formation, a large amount of intermetallic compounds exist in a large size. It becomes a starting point of cracking, cracking occurs during processing, and bending workability is greatly deteriorated. Further, if the amount of the intermetallic compound containing Cu and Mg as main components is large, the Young's modulus increases, which is not preferable.
  • the intermetallic compound containing Cu and Mg as main components having a particle size of 0.1 ⁇ m or more is 1 / ⁇ m 2 or less in the alloy, that is, the intermetallic compound containing Cu and Mg as main components.
  • the number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg having a particle diameter of 0.05 ⁇ m or more is 1 / ⁇ m 2 or less in the alloy. More preferred.
  • the upper limit of the particle size of the intermetallic compound produced in the copper alloy of this invention is 5 micrometers, and it is more preferable that it is 1 micrometer.
  • the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg was observed using a field emission scanning electron microscope with 10 fields of view at a magnification of 50,000 times and a field of view of about 4.8 ⁇ m 2. The average value is calculated.
  • the particle size of the intermetallic compound containing Cu and Mg as the main components is the major axis of the intermetallic compound (the length of the straight line that can be drawn the longest in the grain under the condition of not contacting the grain boundary in the middle) and the minor axis (major axis and It is defined as an average value of the length of a straight line that can be drawn longest in a direction that intersects at right angles and does not contact the grain boundary in the middle.
  • crystal grain size is a factor that greatly affects the stress relaxation resistance.
  • the average crystal grain size is preferably in the range of 1 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the average crystal grain size is more preferably in the range of 2 ⁇ m to 50 ⁇ m, and further preferably in the range of 5 ⁇ m to 30 ⁇ m.
  • the processing rate of finishing process S06 mentioned later is high, it may become a process structure and it may become impossible to measure a crystal grain size. Therefore, it is preferable that the average crystal grain size at the stage before the finish processing step S06 (after the intermediate heat treatment step S05) be within the above range.
  • the processing rate corresponds to the rolling rate.
  • Mg Mg alone, Cu—Mg master alloy or the like can be used.
  • the molten copper is preferably so-called 4NCu having a purity of 99.99% by mass or more.
  • the melting step it is preferable to use a vacuum furnace or an atmosphere furnace in an inert gas atmosphere or a reducing atmosphere in order to suppress oxidation of Mg.
  • the copper alloy molten metal whose components are adjusted is poured into a mold to produce an ingot.
  • mass production it is preferable to use a continuous casting method or a semi-continuous casting method.
  • Heating step S02 Next, heat treatment is performed for homogenization and solution of the obtained ingot. Inside the ingot, there are intermetallic compounds and the like mainly composed of Cu and Mg generated by the concentration of Mg by segregation during the solidification process. Therefore, in order to eliminate or reduce these segregation and intermetallic compounds, etc., by performing a heat treatment to heat the ingot to 400 ° C. or more and 900 ° C. or less, Mg can be uniformly diffused in the ingot. Mg is dissolved in the matrix. In addition, it is preferable to implement this heating process S02 in a non-oxidizing or reducing atmosphere.
  • the heating temperature is set in the range of 400 ° C. or higher and 900 ° C. or lower. More preferably, it is 500 degreeC or more and 850 degrees C or less, More preferably, you may be 520 degreeC or more and 800 degrees C or less.
  • Rapid cooling step S03 And the copper raw material heated to 400 degreeC or more and 900 degrees C or less in heating process S02 is cooled by the cooling rate of 200 degrees C / min or more to the temperature of 200 degrees C or less.
  • This quenching step S03 suppresses precipitation of Mg dissolved in the matrix as an intermetallic compound containing Cu and Mg as main components.
  • Cu having a particle size of 0.1 ⁇ m or more
  • the average number of intermetallic compounds containing Mg as a main component is preferably 1 / ⁇ m 2 or less. That is, the copper material can be a Cu—Mg supersaturated solid solution.
  • the lower limit value of the cooling temperature is preferably ⁇ 100 ° C.
  • the upper limit value of the cooling rate is preferably 10,000 ° C./min. If the cooling temperature is below -100 ° C, the effect will not be improved and the cost will be increased. Even if the cooling rate exceeds 10,000 ° C / min, the effect will not be improved. Cost will rise.
  • the processing method for example, rolling when the final form is a plate or strip, drawing, extruding, groove rolling, etc. for a wire or bar, forging or pressing for a bulk shape. Can be adopted.
  • the copper material that has undergone the heating step S02 and the rapid cooling step S03 is cut as necessary, and surface grinding is performed as necessary to remove the oxide film and the like generated in the heating step S02, the rapid cooling step S03, and the like. Then, processing is performed into a predetermined shape.
  • the temperature condition in the intermediate processing step S04 is not particularly limited, but is preferably in the range of ⁇ 200 ° C. to 200 ° C. for cold or warm processing.
  • the processing rate is appropriately selected so as to approximate the final shape. However, in order to reduce the number of intermediate heat treatment steps S05 until the final shape is obtained, the processing rate is preferably set to 20% or more. Moreover, it is more preferable that the processing rate is 30% or more.
  • the upper limit of the processing rate is not particularly limited, but is preferably 99.9% from the viewpoint of preventing ear cracks.
  • the processing method is not particularly limited, but when the final shape is a plate or strip, it is preferable to employ rolling. It is preferable to employ extrusion or groove rolling in the case of a wire or bar, and forging or pressing in the case of a bulk shape. Further, S02 to S04 may be repeated for thorough solution.
  • intermediate heat treatment step S05 After the intermediate processing step S04, heat treatment is performed for the purpose of thorough solution, recrystallization structure, or softening for improving workability.
  • the heat treatment method is not particularly limited, but the heat treatment is preferably performed in a non-oxidizing atmosphere or a reducing atmosphere under conditions of 400 ° C. to 900 ° C. More preferably, it is 500 degreeC or more and 850 degrees C or less, More preferably, you may be 520 degreeC or more and 800 degrees C or less.
  • the intermediate heat treatment step S05 the copper material heated to 400 ° C. or more and 900 ° C. or less is cooled to a temperature of 200 ° C.
  • the cooling temperature in the intermediate heat treatment step S05 is more preferably 150 ° C. or less, and further preferably 100 ° C. or less.
  • the cooling rate is more preferably 300 ° C./min or more, and more preferably 1000 ° C./min or more.
  • the lower limit value of the cooling temperature is preferably ⁇ 100 ° C.
  • the upper limit value of the cooling rate is preferably 10000 ° C./min. If the cooling temperature is below -100 ° C, the effect will not be improved and the cost will be increased. Even if the cooling rate exceeds 10,000 ° C / min, the effect will not be improved. Cost will rise.
  • Such rapid cooling suppresses the precipitation of Mg dissolved in the matrix as an intermetallic compound containing Cu and Mg as main components.
  • the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg of 1 ⁇ m or more can be 1 / ⁇ m 2 or less. That is, the copper material can be a Cu—Mg supersaturated solid solution.
  • the copper material after the intermediate heat treatment step S05 is finished into a predetermined shape.
  • the temperature condition in the finishing process S06 is not particularly limited, but it is preferably performed at room temperature.
  • the processing rate is appropriately selected so as to approximate the final shape, but is preferably 20% or more in order to improve the strength by work hardening. Moreover, when aiming at the further improvement in intensity
  • the upper limit of the processing rate is not particularly limited, but is preferably 99.9% from the viewpoint of preventing ear cracks.
  • the processing method is not particularly limited, but when the final shape is a plate or strip, it is preferable to employ rolling. It is preferable to employ extrusion or groove rolling in the case of a wire or bar, and forging or pressing in the case of a bulk shape.
  • the heat treatment temperature is preferably in the range of 200 ° C to 800 ° C.
  • a cooling method cools the said copper raw material heated, such as water quenching, to 200 degrees C or less with the cooling rate of 200 degrees C / min or more.
  • the cooling temperature is more preferably 150 ° C. or less, and further preferably 100 ° C. or less.
  • the cooling rate is more preferably 300 ° C./min or more, and more preferably 1000 ° C./min or more.
  • the lower limit of the cooling temperature is preferably ⁇ 100 ° C.
  • the upper limit of the cooling rate is preferably 10000 ° C./min. If the cooling temperature is below -100 ° C, the effect will not be improved and the cost will be increased.
  • the cooling rate exceeds 10,000 ° C / min, the effect will not be improved. Cost will rise.
  • Such rapid cooling suppresses the precipitation of Mg dissolved in the matrix as an intermetallic compound containing Cu and Mg as main components.
  • the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg of 1 ⁇ m or more can be 1 / ⁇ m 2 or less. That is, the copper material can be a Cu—Mg supersaturated solid solution.
  • the above-described finishing processing step S06 and finishing heat treatment step S07 may be repeated.
  • the copper alloy for electronic devices which is this embodiment is produced.
  • the Young's modulus E shall be 125 GPa or less, and 0.2% yield strength (sigma) 0.2 shall be 400 Mpa or more.
  • the Young's modulus E of the copper alloy for electronic devices of the present embodiment is more preferably 100 to 125 GPa, and the 0.2% proof stress ⁇ 0.2 is more preferably 500 to 900 MPa.
  • the conductivity ⁇ (% IACS) is determined when the Mg content is X atom%. It is set within the range of ⁇ ⁇ 1.7241 / ( ⁇ 0.0347 ⁇ X 2 + 0.6569 ⁇ X + 1.7) ⁇ 100.
  • the copper alloy for electronic devices according to the present embodiment has a stress relaxation rate of 50% or less at 150 ° C. for 1000 hours.
  • Mg is 3.3 atomic% or more and 6.9 atoms or more which is not less than the solid solution limit.
  • % And the conductivity ⁇ (% IACS) is Mg content X atom%, It is set within the range of ⁇ ⁇ 1.7241 / ( ⁇ 0.0347 ⁇ X 2 + 0.6569 ⁇ X + 1.7) ⁇ 100.
  • the average number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg having a particle diameter of 0.1 ⁇ m or more is set to 1 / ⁇ m 2 or less.
  • the copper alloy for electronic devices according to this embodiment is a Cu—Mg supersaturated solid solution in which Mg is supersaturated in the matrix.
  • the Young's modulus tends to be low.
  • the contact pressure at the time of insertion Since the fluctuation is suppressed and the elastic limit is wide, there is no risk of plastic deformation easily. Therefore, it is particularly suitable for electronic device parts such as terminals, connectors, relays, and lead frames.
  • Mg is supersaturated, the matrix phase is not dispersed with a large amount of coarse intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg, which are the starting points of cracking, and bending workability is improved. Will improve. Therefore, it is possible to mold electronic device parts such as terminals, connectors, relays, and lead frames having complicated shapes. Furthermore, since Mg is super-saturated, the strength is improved by work hardening, and a relatively high strength can be obtained. Moreover, since it is set as the binary system alloy of Cu and Mg which consists of Cu, Mg, and an unavoidable impurity, the fall of the electrical conductivity by another element is suppressed and electrical conductivity can be made comparatively high.
  • the stress relaxation rate shall be 50% or less in 1000 degreeC and 1000 hours, even if it is a case where it is used also in a high temperature environment, it supplies with electricity by a contact pressure fall. The occurrence of defects can be suppressed. Therefore, it can be applied as a material for electronic device parts used in a high temperature environment such as an engine room.
  • the Young's modulus E is 125 GPa or less, and the 0.2% proof stress ⁇ 0.2 is 400 MPa or more. Therefore, the elastic energy coefficient ( ⁇ 0.2 2 / 2E) is Since it becomes high and does not easily undergo plastic deformation, it is particularly suitable for electronic equipment parts such as terminals, connectors, relays, and lead frames.
  • the ingot or the processed material that is a binary alloy of Cu and Mg having the above composition is heated to a temperature of 400 ° C. or higher and 900 ° C. or lower.
  • the solution treatment of Mg can be performed by the heating step S02.
  • the ingot or work material heated to 400 ° C. or more and 900 ° C. or less in the heating step S02 is provided with a rapid cooling step S03 that cools to 200 ° C.
  • the intermediate processing step S04 for processing the quenching material (Cu—Mg supersaturated solid solution)
  • the intermediate heat treatment step S05 is provided after the intermediate processing step S04 for the purpose of thorough solution, recrystallization structure or softening for improving the workability, the characteristics and workability should be improved. Can do.
  • the copper material heated to 400 ° C. or more and 900 ° C. or less is cooled to 200 ° C. or less at a cooling rate of 200 ° C./min or more. It is possible to suppress the precipitation of the intermetallic compound as the main component, and the copper material after quenching can be made into a Cu—Mg supersaturated solid solution.
  • the finishing process S06 for processing the strength improvement by work hardening and processing into a predetermined shape improvement of stress relaxation resistance and low temperature annealing hardening are performed.
  • the stress relaxation rate can be reduced to 50% or less at 1000C for 1000 hours. Further, it is possible to further improve the mechanical characteristics.
  • the stress relaxation rate was measured by applying a stress by a method according to the cantilevered screw type of JCBA-T309: 2004, the Japan Copper and Brass Association Technical Standard.
  • the copper alloy for electronic devices has a Young's modulus E of 125 GPa or less and a 0.2% proof stress ⁇ 0.2 of 400 MPa or more.
  • the copper alloy for electronic devices which is embodiment of this invention was demonstrated, this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
  • both the condition that “the intermetallic compound mainly composed of Cu and Mg having a particle diameter of 0.1 ⁇ m or more is 1 / ⁇ m 2 or less in the alloy” and “conductivity ⁇ ” are satisfied.
  • the copper alloy for electronic devices is shown, the copper alloy for electronic devices which satisfy
  • an example of a method for manufacturing a copper alloy for electronic devices has been described. However, the manufacturing method is not limited to this embodiment, and an existing manufacturing method may be selected as appropriate. Good.
  • a copper raw material made of oxygen-free copper (ASTM B152 C10100) having a purity of 99.99% by mass or more was prepared, charged in a high-purity graphite crucible, and melted at high frequency in an atmosphere furnace having an Ar gas atmosphere. .
  • Various additive elements were added to the obtained molten copper to prepare the component compositions shown in Tables 1 and 2, and poured into a carbon mold to produce an ingot.
  • the size of the ingot was about 20 mm thick x about 20 mm wide x about 100 to 120 mm long.
  • the obtained ingot was subjected to a heating process in which heating was performed for 4 hours under the temperature conditions shown in Tables 1 and 2 in an Ar gas atmosphere, followed by water quenching (cooling temperature 20 ° C. , Cooling rate 1500 ° C./min).
  • finish rolling was performed at the rolling rates shown in Tables 1 and 2 to produce strips having a thickness of 0.25 mm and a width of about 20 mm. Then, after finish rolling, finish heat treatment was performed in a salt bath under the conditions shown in the table, followed by water quenching (cooling temperature 20 ° C., cooling rate 1500 ° C./min) to create a strip for property evaluation. .
  • Crystal grain size after intermediate heat treatment The crystal grain size of the sample after the intermediate heat treatment shown in Tables 1 and 2 was measured. Each sample was mirror-polished and etched, photographed with an optical microscope so that the rolling direction was beside the photograph, and observed with a 1000 ⁇ field of view (about 300 ⁇ m ⁇ 200 ⁇ m). Next, according to the cutting method of JIS H 0501, the crystal grain size is drawn in 5 vertical and horizontal line segments, counting the number of crystal grains to be completely cut, and the average value of the cutting length is calculated. The crystal grain size was used.
  • test piece having a width of 10 mm and a length of 60 mm was taken from the strip for characteristic evaluation, and the electrical resistance was determined by a four-terminal method. Moreover, the dimension of the test piece was measured using the micrometer, and the volume of the test piece was calculated. And electrical conductivity was computed from the measured electrical resistance value and volume. In addition, the test piece was extract
  • Stress relaxation characteristics In the stress relaxation resistance test, stress was applied by a method according to the cantilevered screw method of Japan Copper and Brass Association Technical Standard JCBA-T309: 2004, and the residual stress ratio after holding for a predetermined time at a temperature of 150 ° C. was measured. . The measurement was performed using a stress relaxation measuring instrument / Keyence Corporation KL-30, LK-GD500, KZ-U3). Specifically, first, one end in the longitudinal direction of the test piece was fixed (fixed end) using a cantilever screw type deflection displacement load test jig. A test piece (width 10 mm ⁇ length 60 mm) was sampled from the strip for property evaluation so that its longitudinal direction was parallel to the rolling direction of the strip for property evaluation.
  • the tip of the deflection displacement load bolt was brought into contact with the free end (other end) in the longitudinal direction of the test piece in the vertical direction, and a load was applied to the free end in the longitudinal direction of the test piece.
  • the initial deflection displacement was set to 2 mm so that the maximum surface stress of the test piece was 80% of the proof stress, and the span length was adjusted.
  • the span length is perpendicular to the load direction of the deflection displacement load bolt from the fixed end of the test piece to the contact portion with the tip of the deflection displacement load bolt when initial deflection is applied to the test piece.
  • the maximum surface stress is determined by the following equation.
  • the residual stress rate (difference in permanent deflection displacement) was measured from a bending wrinkle after holding the specimen at a temperature of 150 ° C., which remained after cooling the test piece to room temperature, and the stress relaxation rate was evaluated.
  • the major axis of the intermetallic compound (the length of the straight line that can be drawn the longest in the grain without contact with the grain boundary in the middle) and the minor axis (in the direction perpendicular to the major axis, the grain in the middle The average value of the length of the straight line that can be drawn the longest under conditions that do not contact the boundary).
  • the density (piece / micrometer ⁇ 2 >) of the intermetallic compound which has a particle size of 0.1 micrometer or more and which has Cu and Mg as a main component was calculated
  • Bending was performed in accordance with four test methods of Japan Copper and Brass Association Technical Standard JCBA-T307: 2007.
  • a plurality of test pieces having a width of 10 mm and a length of 30 mm are taken from the strip for characteristic evaluation so that the rolling direction and the longitudinal direction of the test piece are parallel to each other, and a W type having a bending angle of 90 degrees and a bending radius of 0.25 mm.
  • the W-bending test was performed using the jig.
  • Tables 1, 2, 3, and 4 show the conditions and evaluation results.
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1 in which the Mg content was lower than the range of the present invention, the Young's modulus was high and insufficient. Moreover, in Comparative Examples 2 and 3 in which the Mg content is higher than the range of the present invention, large ear cracks occurred during cold rolling, and it was impossible to perform subsequent characteristic evaluation.
  • the Mg content is within the range of the present invention
  • Comparative Example 4 in which the finish heat treatment after finish rolling was not performed, the stress relaxation rate was 54%.
  • the comparative example 5 in which the Mg content is within the range of the present invention but the conductivity and the number of intermetallic compounds mainly composed of Cu and Mg are out of the range of the present invention, the proof stress and the bending workability. It is confirmed that it is inferior to.
  • the Young's modulus is set as low as 125 GPa or less, the 0.2% proof stress is 400 MPa or more, and the elasticity is excellent. Moreover, the stress relaxation rate is as low as 47% or less.
  • the present invention example it has a low Young's modulus, high proof stress, high conductivity, excellent stress relaxation property, excellent bending workability, and components for electronic equipment such as terminals, connectors and relays. It was confirmed that a copper alloy suitable for electronic equipment can be provided.

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Abstract

　この電子機器用銅合金は、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、σ≦｛１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下である。

Description

電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品
　本発明は、例えば端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品に関する。
　本願は、２０１１年１０月２８日に、日本に出願された特願２０１１－２３７８００号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　従来、電子機器や電気機器等の小型化にともない、これら電子機器や電気機器等に使用される端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品の小型化及び薄肉化が図られている。このため、電子機器用部品を構成する材料として、ばね性、強度、導電率の優れた銅合金が要求されている。特に、非特許文献１に記載されているように、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品として使用される銅合金としては、耐力が高く、かつ、ヤング率が低いものが望ましい。
　ここで、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品として使用される銅合金として、例えば特許文献１に示すように、ＳｎとＰとを含有するリン青銅が広く使用されている。
　また、例えば特許文献２には、Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ系合金（いわゆるコルソン合金）が提供されている。このコルソン合金は、Ｎｉ２Ｓｉ析出物を分散させる析出硬化型合金であり、比較的高い導電率と強度、耐応力緩和特性を有するものである。このため、自動車用端子や信号系小型端子用途として多用されており、近年、活発に開発が進んでいる。
　さらに、その他の合金として、非特許文献２に記載されているＣｕ－Ｍｇ合金、や、特許文献３に記載されているＣｕ－Ｍｇ－Ｚｎ－Ｂ合金等が開発されている。
特開平０１－１０７９４３号公報 特開平１１－０３６０５５号公報 特開平０７－０１８３５４号公報
野村幸矢、「コネクタ用高性能銅合金条の技術動向と当社の開発戦略」、神戸製鋼技報Ｖｏｌ．５４Ｎｏ．１（２００４）ｐ．２－８ 掘茂徳、他２名、「Ｃｕ－Ｍｇ合金における粒界型析出」、伸銅技術研究会誌Ｖｏｌ．１９（１９８０）ｐ．１１５－１２４
　しかしながら、特許文献１に記載された、りん青銅においては、高温での応力緩和率が高くなる傾向にある。ここで、オスタブがメスのばね接触部を押し上げて挿入される構造のコネクタにおいては、高温での応力緩和率が高いと、高温環境下での使用中に接圧低下が起こり、通電不良が発生するおそれがある。このため、自動車のエンジンルームの周辺等の高温環境下で使用することができなかった。
　また、特許文献２に開示されたコルソン合金では、ヤング率が１２５－１３５ＧＰａと比較的高い。ここで、オスタブがメスのばね接触部を押し上げて挿入される構造のコネクタにおいては、コネクタを構成する材料のヤング率が高いと、挿入時の接圧変動が激しいうえに、容易に弾性限界を超えて、塑性変形するおそれがあり好ましくない。
　さらに、非特許文献２及び特許文献３に記載されたＣｕ－Ｍｇ系合金では、コルソン合金と同様に金属間化合物を析出させていることから、ヤング率が高い傾向にあり、上述のように、コネクタとして好ましくないものであった。
　さらに、Ｃｕ－Ｍｇ系合金では、母相中に多くの粗大な金属間化合物が分散されていることから、曲げ加工時にこれらの金属間化合物が起点となって割れ等が発生しやすいため、複雑な形状の電子機器用部品を成形することができないといった問題があった。
　この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器部品を提供することを目的とする。
　この課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、Ｃｕ－Ｍｇ合金を溶体化後に急冷することによって作製したＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体の加工硬化型銅合金においては、低ヤング率、高耐力、高導電性、および、優れた曲げ加工性を示すとの知見を得た。また、このＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体からなる銅合金において、仕上加工後に適切な熱処理を実施することによって、耐応力緩和特性を向上させることが可能であるとの知見を得た。
　本発明は、かかる知見に基いてなされたものであって、本発明の電子機器用銅合金は、ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
　σ≦｛１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴としている。
　また、本発明の電子機器用銅合金は、ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴としている。
　さらに、本発明の電子機器用銅合金は、ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
　σ≦１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００の範囲内とされており、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされ、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴としている。
　上述の構成とされた電子機器用銅合金においては、Ｍｇを固溶限度以上の３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含有しており、かつ、導電率σが、Ｍｇの含有量をＸ原子％としたときに、上記式の範囲内に設定されていることから、Ｍｇが母相中に過飽和に固溶したＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とされていることになる。
　あるいは、Ｍｇを、固溶限度以上の３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含有しており、かつ、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされていることから、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の析出が抑制されており、Ｍｇが母相中に過飽和に固溶したＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とされていることになる。
　なお、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数は、電界放出型走査電子顕微鏡を用いて、倍率：５万倍、視野：約４．８μｍ２で１０視野の観察を行って算出する。
　また、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の粒径は、金属間化合物の長径（途中で粒界に接しない条件で粒内に最も長く引ける直線の長さ）と短径（長径と直角に交わる方向で、途中で粒界に接しない条件で最も長く引ける直線の長さ）の平均値とする。
　このようなＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体からなる銅合金では、ヤング率が低くなる傾向にあり、例えばオスタブがメスのばね接触部を押し上げて挿入されるコネクタ等に適用しても、挿入時の接圧変動が抑制され、かつ、弾性限界が広いために容易に塑性変形するおそれがない。よって、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に特に適している。
　また、Ｍｇが過飽和に固溶していることから、母相中には、割れの起点となる粗大なＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が多く分散されておらず、曲げ加工性が向上することになる。よって、複雑な形状の端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品等を成形することが可能となる。
　さらに、Ｍｇを過飽和に固溶させていることから、加工硬化によって強度を向上させることが可能となる。
　また、本発明の電子機器用銅合金においては、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下とされていることから、高温環境下でも使用した場合であっても接圧低下による通電不良の発生を抑制することができる。よって、エンジンルーム等の高温環境下で使用される電子機器用部品の素材として適用することができる。
　さらに、上述の電子機器用銅合金においては、ヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下、０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上、とされていることが好ましい。
　ヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下、かつ、０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上である場合には、弾性エネルギー係数（σ０．２ ２／２Ｅ）が高くなり、容易に塑性変形しなくなるため、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に特に適している。
　本発明の電子機器用銅合金の製造方法は、上述の電子機器用銅合金を製出する電子機器用銅合金の製造方法であって、ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部が実質的にＣｕ及び不可避不純物とされた組成の銅素材を所定の形状に加工する仕上加工工程と、この仕上加工工程の後に熱処理を実施する仕上熱処理工程と、を備えていることを特徴としている。
　この構成の電子機器用銅合金の製造方法によれば、上述の組成の銅素材を所定の形状に加工する仕上加工工程と、この仕上加工工程の後に熱処理を実施する仕上熱処理工程と、を備えているので、この仕上熱処理工程によって、耐応力緩和特性を向上させることができる。
　ここで、前記仕上熱処理工程では、２００℃超え８００℃以下の範囲で熱処理を実施することが好ましい。さらに、加熱された前記銅素材を、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で、２００℃以下にまで冷却することが好ましい。
　この場合、仕上熱処理工程によって、耐応力緩和特性を向上させることができ、応力緩和率を１５０℃、１０００時間で５０％以下とすることができる。
　本発明の電子機器用銅合金圧延材は、上述の電子機器用銅合金からなり、圧延方向に平行な方向におけるヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上とされていることを特徴としている。
　この構成の電子機器用銅合金圧延材によれば、弾性エネルギー係数（σ０．２ ２／２Ｅ）が高く、容易に塑性変形しない。
　また、上述の電子機器用銅合金圧延材は、端子、コネクタ、リレー、リードフレームを構成する銅素材として使用されることが好ましい。
　さらに、本発明の電子機器用部品は、上述の電子機器用銅合金からなることを特徴としている。
　この構成の電子機器用部品（例えば端子、コネクタ、リレー、リードフレーム）は、ヤング率が低く、かつ、耐応力緩和特性に優れているので、高温環境下でおいても使用することができる。
　本発明によれば、低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金、電子機器用銅合金の製造方法、電子機器用銅合金圧延材及び電子機器用部品を提供することができる。
Ｃｕ－Ｍｇ系状態図である。 本実施形態である電子機器用銅合金の製造方法のフロー図である。
　以下に、本発明の実施形態である電子機器用銅合金について説明する。
　本実施形態である電子機器用銅合金は、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみからなるＣｕとＭｇの２元系合金とされている。
　そして、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの含有量をＸ原子％としたときに、
　σ≦｛１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内とされている。
　また、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされている。
　そして、本実施形態の電子機器用銅合金の応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下とされている。ここで、応力緩和率は、日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ－Ｔ３０９：２００４の片持はりねじ式に準じた方法で応力を負荷して測定した。
　また、この電子機器用銅合金は、ヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下とされ、０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上とされている。
（組成）
　Ｍｇは、導電率を大きく低下させることなく、強度を向上させるとともに再結晶温度を上昇させる作用効果を有する元素である。また、Ｍｇを母相中に固溶させることにより、ヤング率が低く抑えられ、かつ、優れた曲げ加工性が得られる。
　ここで、Ｍｇの含有量が３．３原子％未満では、その作用効果を奏功せしめることはできない。一方、Ｍｇの含有量が６．９原子％を超えると、溶体化のために熱処理を行った際に、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が残存してしまい、その後の加工等で割れが発生してしまうおそれがある。
　このような理由から、Ｍｇの含有量を、３．３原子％以上６．９原子％以下に設定している。
　さらに、Ｍｇの含有量が少ないと、強度が十分に向上せず、かつ、ヤング率を十分に低く抑えることができない。また、Ｍｇは活性元素であることから、過剰に添加されることによって、溶解鋳造時に、酸素と反応して生成されたＭｇ酸化物を巻きこむおそれがある。したがって、Ｍｇの含有量を、３．７原子％以上６．３原子％以下の範囲とすることが、さらに好ましい。
　なお、不可避不純物としては、Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ａｇ，Ｍｎ，Ｂ，Ｐ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，希土類元素，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｄ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｌｉ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｔｉ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｓ，Ｏ，Ｃ，Ｂｅ，Ｎ，Ｈ，Ｈｇ等が挙げられる。これらの不可避不純物は、ＣｕとＭｇの２元系合金中、総量で０．３質量％以下であることが望ましい。特に、Ｓｎは０．１質量％未満、Ｚｎは０．０１質量％未満とすることが好ましい。これは、Ｓｎは０．１質量％以上添加されるとＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の析出が起こりやすくなるためであり、Ｚｎは０．０１質量％以上添加されると溶解鋳造工程においてヒュームが発生して炉やモールドの部材に付着して鋳塊の表面品質が劣化するとともに、耐応力腐食割れ性が劣化するためである。
（導電率σ）
　ＣｕとＭｇの２元系合金において、導電率σが、Ｍｇの含有量をＸ原子％としたとき、
　σ≦｛１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内である場合には、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物がほとんど存在しないことになる。
　すなわち、導電率σが上記式を超える場合には、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が多量に存在し、サイズも比較的大きいことから、曲げ加工性が大幅に劣化することになる。また、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が生成し、かつ、Ｍｇの固溶量が少ないことから、ヤング率も上昇してしまうことになる。よって、導電率σが、上記式の範囲内となるように、製造条件を調整することになる。
　なお、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、導電率σ（％ＩＡＣＳ）を、
　σ≦｛１．７２４１／（－０．０３００×Ｘ２＋０．６７６３×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内とすることが好ましい。この場合、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物がより少量であるために、曲げ加工性がさらに向上することになる。
　上述の作用効果をさらに確実に奏功せしめるためには、導電率σ（％ＩＡＣＳ）を、
　σ≦｛１．７２４１／（－０．０２９２×Ｘ２＋０．６７９７×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内とすることがさらに好ましい。この場合、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物がさらに少量であるために、曲げ加工性がさらに向上することになる。
（応力緩和率）
　本実施形態である電子機器用銅合金においては、上述のように、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下とされている。
　この条件における応力緩和率が低い場合には、高温環境下で使用した場合であっても永久変形を小さく抑えることができ、接圧の低下を抑制することができる。よって、本実施形態である電子機器用銅合金は、自動車のエンジンルーム周りのような高温環境下で使用される端子として適用することが可能となる。
　なお、応力緩和率は１５０℃、１０００時間で３０％以下とすることが好ましく、１５０℃、１０００時間で２０％以下とすることがさらに好ましい。
（組織）
　本実施形態である電子機器用銅合金においては、走査型電子顕微鏡で観察した結果、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされている。すなわち、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物がほとんど析出しておらず、Ｍｇが母相中に固溶しているのである。
　ここで、溶体化が不完全であったり、溶体化後にＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が析出することにより、サイズの大きい金属間化合物が多量に存在すると、これらの金属間化合物が割れの起点となり、加工時に割れが発生したり、曲げ加工性が大幅に劣化することになる。また、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の量が多いと、ヤング率が上昇することになるため、好ましくない。
　組織を調査した結果、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が合金中に１個／μｍ２以下の場合、すなわち、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が存在しないあるいは少量である場合、良好な曲げ加工性、低いヤング率が得られることになる。
　さらに、上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、粒径０．０５μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の個数が合金中に１個／μｍ２以下であることが、より好ましい。なお、本発明の銅合金中に生じる金属間化合物の粒径の上限値は５μｍであることが好ましく、１μｍであることがより好ましい。
　なお、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数は、電界放出型走査電子顕微鏡を用いて、倍率：５万倍、視野：約４．８μｍ２で１０視野の観察を行い、その平均値を算出する。
　また、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の粒径は、金属間化合物の長径（途中で粒界に接しない条件で粒内に最も長く引ける直線の長さ）と短径（長径と直角に交わる方向で、途中で粒界に接しない条件で最も長く引ける直線の長さ）の平均値とする。
（結晶粒径）
　結晶粒径は、耐応力緩和特性に大きな影響を与える因子であり、結晶粒径が必要以上に小さい場合には耐応力緩和特性が劣化することになる。また、結晶粒径が必要以上に大きい場合には曲げ加工性に悪影響を与えることになる。このため、平均結晶粒径は１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。なお、平均結晶粒径は２μｍ以上５０μｍ以下の範囲内とすることがより好ましく、さらに５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内とすることが好ましい。
　なお、後述する仕上加工工程Ｓ０６の加工率が高い場合には、加工組織となって結晶粒径を測定できなくなることがある。そこで、仕上加工工程Ｓ０６の前（中間熱処理工程Ｓ０５後）の段階での平均結晶粒径について、上述の範囲内とすることが好ましい。
　次に、このような構成とされた本実施形態である電子機器用銅合金の製造方法について、図２に示すフロー図を参照して説明する。
　なお、下記の製造方法において、加工工程として圧延を用いる場合、加工率は圧延率に相当する。
（溶解・鋳造工程Ｓ０１）
　まず、銅原料を溶解して得られた銅溶湯に、前述の元素を添加して成分調整を行い、銅合金溶湯を製出する。なお、Ｍｇの添加には、Ｍｇ単体やＣｕ－Ｍｇ母合金等を用いることができる。また、Ｍｇを含む原料を銅原料とともに溶解してもよい。また、本合金のリサイクル材及びスクラップ材を用いてもよい。
　ここで、銅溶湯は、純度が９９．９９質量％以上とされたいわゆる４ＮＣｕとすることが好ましい。また、溶解工程では、Ｍｇの酸化を抑制するために、真空炉、あるいは、不活性ガス雰囲気又は還元性雰囲気とされた雰囲気炉を用いることが好ましい。
　そして、成分調整された銅合金溶湯を鋳型に注入して鋳塊を製出する。なお、量産を考慮した場合には、連続鋳造法又は半連続鋳造法を用いることが好ましい。
（加熱工程Ｓ０２）
　次に、得られた鋳塊の均質化及び溶体化のために加熱処理を行う。鋳塊の内部には、凝固の過程においてＭｇが偏析で濃縮することにより発生したＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物等が存在することになる。そこで、これらの偏析及び金属間化合物等を消失又は低減させるために、鋳塊を４００℃以上９００℃以下にまで加熱する加熱処理を行うことで、鋳塊内において、Ｍｇを均質に拡散させたり、Ｍｇを母相中に固溶させたりするのである。なお、この加熱工程Ｓ０２は、非酸化性又は還元性雰囲気中で実施することが好ましい。
　ここで、加熱温度が４００℃未満では、溶体化が不完全となり、母相中にＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が多く残存するおそれがある。一方、加熱温度が９００℃を超えると、銅素材の一部が液相となり、組織や表面状態が不均一となるおそれがある。よって、加熱温度を４００℃以上９００℃以下の範囲に設定している。より好ましくは５００℃以上８５０℃以下、更に好ましくは５２０℃以上８００℃以下とする。
（急冷工程Ｓ０３）
　そして、加熱工程Ｓ０２において４００℃以上９００℃以下にまで加熱された銅素材を、２００℃以下の温度にまで、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却する。この急冷工程Ｓ０３により、母相中に固溶したＭｇがＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物として析出することを抑制し、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数を１個／μｍ２以下とすることが好ましい。すなわち、銅素材をＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とすることができるのである。冷却工程Ａ０３における、冷却温度の下限値は－１００℃であることが好ましく、冷却速度の上限値は１００００℃／ｍｉｎであることが好ましい。冷却温度が－１００℃を下回ると、効果の向上が見られない上にコストが上昇してしまうことになり、冷却速度が１００００℃／ｍｉｎを超えても、効果の向上が見られない上にコストが上昇してしまう。
　なお、粗加工の効率化と組織の均一化のために、前述の加熱工程Ｓ０２の後に熱間加工を実施し、この熱間加工の後に上述の急冷工程Ｓ０３を実施する構成としてもよい。この場合、加工方法に特に限定はなく、例えば最終形態が板や条の場合には圧延、線や棒の場合には線引きや押出や溝圧延等、バルク形状の場合には鍛造やプレス、を採用することができる。
（中間加工工程Ｓ０４）
　加熱工程Ｓ０２及び急冷工程Ｓ０３を経た銅素材を必要に応じて切断するとともに、加熱工程Ｓ０２及び急冷工程Ｓ０３等で生成された酸化膜等を除去するために必要に応じて表面研削を行う。そして、所定の形状へと加工を行う。
　なお、この中間加工工程Ｓ０４における温度条件は特に限定はないが、冷間又は温間加工となる－２００℃から２００℃の範囲内とすることが好ましい。また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、最終形状を得るまでの中間熱処理工程Ｓ０５の回数を減らすためには、２０％以上とすることが好ましい。また、加工率を３０％以上とすることがより好ましい。加工率の上限は特に限定されないが、耳割れ防止の観点から９９．９％であることが好ましい。加工方法は特に限定されないが、最終形状が板、条の場合は圧延を採用することが好ましい。線や棒の場合には押出や溝圧延、バルク形状の場合には鍛造やプレスを採用することが好ましい。さらに、溶体化の徹底のために、Ｓ０２～Ｓ０４を繰り返しても良い。
（中間熱処理工程Ｓ０５）
　中間加工工程Ｓ０４後に、溶体化の徹底、再結晶組織化または加工性向上のための軟化を目的として熱処理を実施する。
　ここで、熱処理の方法は特に限定はないが、好ましくは４００℃以上９００℃以下の条件で、非酸化雰囲気又は還元性雰囲気中で熱処理を行う。より好ましくは５００℃以上８５０℃以下、さらに好ましくは５２０℃以上８００℃以下とする。
　ここで、中間熱処理工程Ｓ０５においては、４００℃以上９００℃以下にまで加熱された銅素材を、２００℃以下の温度にまで、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で冷却する。中間熱処理工程Ｓ０５の冷却温度は、より好ましくは１５０℃以下であり、更に好ましくは１００℃以下である。冷却速度は３００℃／ｍｉｎ以上であることがより好ましく、１０００℃／ｍｉｎ以上であることがより好ましい。一方、中間熱処理工程Ｓ０５における、冷却温度の下限値は－１００℃であることが好ましく、冷却速度の上限値は１００００℃／ｍｉｎであることが好ましい。冷却温度が－１００℃を下回ると、効果の向上が見られない上にコストが上昇してしまうことになり、冷却速度が１００００℃／ｍｉｎを超えても、効果の向上が見られない上にコストが上昇してしまう。
　このように急冷することによって、母相中に固溶したＭｇがＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物として析出することが抑制されることになり、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が１個／μｍ２以下とすることができる。すなわち、銅素材をＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とすることができるのである。
（仕上加工工程Ｓ０６）
　中間熱処理工程Ｓ０５後の銅素材を所定の形状に仕上加工を行う。なお、この仕上加工工程Ｓ０６における温度条件は特に限定はないが、常温で行うことが好ましい。また、加工率は、最終形状に近似するように適宜選択されることになるが、加工硬化によって強度を向上させるためには、２０％以上とすることが好ましい。また、さらなる強度の向上を図る場合には、加工率を３０％以上とすることがより好ましい。加工率の上限は特に限定されないが、耳割れ防止の観点から９９．９％であることが好ましい。加工方法は特に限定されないが、最終形状が板、条の場合は圧延を採用することが好ましい。線や棒の場合には押出や溝圧延、バルク形状の場合には鍛造やプレスを採用することが好ましい。
（仕上熱処理工程Ｓ０７）
　次に、仕上加工工程Ｓ０６によって得られた加工材に対して、耐応力緩和特性の向上、及び、低温焼鈍硬化を行うために、又は、残留ひずみの除去のために、仕上熱処理を実施する。
　熱処理温度は、２００℃超え８００℃以下の範囲内とすることが好ましい。なお、この仕上熱処理工程Ｓ０７においては、溶体化されたＭｇが析出しないように、熱処理条件（温度、時間、冷却速度）を設定する必要がある。例えば２５０℃で１０秒～２４時間程度、３００℃で５秒～４時間程度、５００℃で０．１秒～６０秒程度とすることが好ましい。非酸化雰囲気又は還元性雰囲気中で行うことが好ましい。
　また、冷却方法は、水焼入など、加熱された前記銅素材を、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で、２００℃以下にまで冷却することが好ましい。冷却温度は、より好ましくは１５０℃以下であり、更に好ましくは１００℃以下である。冷却速度は３００℃／ｍｉｎ以上であることがより好ましく、１０００℃／ｍｉｎ以上であることがより好ましい。一方、冷却温度の下限値は－１００℃であることが好ましく、冷却速度の上限値は１００００℃／ｍｉｎであることが好ましい。冷却温度が－１００℃を下回ると、効果の向上が見られない上にコストが上昇してしまうことになり、冷却速度が１００００℃／ｍｉｎを超えても、効果の向上が見られない上にコストが上昇してしまう。
　このように急冷することにより、母相中に固溶したＭｇがＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物として析出することが抑制されることになり、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が１個／μｍ２以下とすることができる。すなわち、銅素材をＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とすることができるのである。
　さらに、上述の仕上加工工程Ｓ０６と仕上熱処理工程Ｓ０７とを、繰り返し実施してもよい。
　このようにして、本実施形態である電子機器用銅合金が製出されることになる。そして、本実施形態である電子機器用銅合金は、そのヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下、０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上とされている。本実施形態の電子機器用銅合金のヤング率Ｅは、より好ましくは１００～１２５ＧＰａであり、０．２％耐力σ０．２は、より好ましくは５００～９００ＭＰａである。
　また、導電率σ（％ＩＡＣＳ）は、Ｍｇの含有量をＸ原子％としたときに、
　σ≦１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００の範囲内に設定されることになる。
　さらに、仕上熱処理工程Ｓ０７によって、本実施形態である電子機器用銅合金は、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下とされている。
　以上のような構成とされた本実施形態である電子機器用銅合金によれば、ＣｕとＭｇの２元系合金において、Ｍｇを、固溶限度以上の３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含有しており、かつ、導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの含有量をＸ原子％としたときに、
　σ≦１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）×１００の範囲内に設定されている。さらに、走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が１個／μｍ２以下とされている。
　すなわち、本実施形態である電子機器用銅合金は、Ｍｇが母相中に過飽和に固溶したＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とされているのである。
　このようなＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体からなる銅合金では、ヤング率が低くなる傾向にあり、例えばオスタブがメスのばね接触部を押し上げて挿入されるコネクタ等に適用しても、挿入時の接圧変動が抑制され、かつ、弾性限界が広いために容易に塑性変形するおそれがない。よって、端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品に特に適している。
　また、Ｍｇが過飽和に固溶していることから、母相中には、割れの起点となる粗大なＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が多く分散されておらず、曲げ加工性が向上することになる。よって、複雑な形状の端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品を成形することが可能となる。
　さらに、Ｍｇを過飽和に固溶させていることから、加工硬化させることで、強度が向上することになり、比較的高い強度を有することが可能となる。
　また、ＣｕとＭｇと不可避不純物からなるＣｕとＭｇの２元系合金とされていることから、他の元素による導電率の低下が抑制され、導電率を比較的高くすることができる。
　そして、本実施形態である電子機器用銅合金においては、応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下とされているので、高温環境下でも使用した場合であっても接圧低下による通電不良の発生を抑制することができる。よって、エンジンルーム等の高温環境下で使用される電子機器用部品の素材として適用することができる。
　また、電子機器用銅合金においては、ヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下、０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上、とされていることから、弾性エネルギー係数（σ０．２ ２／２Ｅ）が高くなって容易に塑性変形しなくなるため、端子、コネクタ、リレー、リードフレームの電子機器用部品に特に適している。
　本実施形態である電子機器用銅合金の製造方法によれば、上述の組成のＣｕとＭｇの２元系合金とされた鋳塊または加工材を４００℃以上９００℃以下の温度にまで加熱する加熱工程Ｓ０２により、Ｍｇの溶体化を行うことができる。
　また、加熱工程Ｓ０２によって４００℃以上９００℃以下にまで加熱された鋳塊または加工材を、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で２００℃以下にまで冷却する急冷工程Ｓ０３を備えているので、冷却の過程でＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が析出することを抑制することが可能となり、急冷後の鋳塊または加工材をＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とすることができる。
　さらに、急冷材（Ｃｕ－Ｍｇ過飽和固溶体）に対して加工を行う中間加工工程Ｓ０４を備えているので、最終形状に近い形状を容易に得ることができる。
　また、中間加工工程Ｓ０４の後に、溶体化の徹底、再結晶組織化または加工性向上のための軟化を目的として中間熱処理工程Ｓ０５を備えているので、特性の向上及び加工性の向上を図ることができる。
　また、中間熱処理工程Ｓ０５においては、４００℃以上９００℃以下にまで加熱された銅素材を、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で２００℃以下にまで冷却するので、冷却の過程でＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が析出することを抑制することが可能となり、急冷後の銅素材をＣｕ－Ｍｇ過飽和固溶体とすることができる。
　そして、本実施形態である電子機器用銅合金の製造方法においては、加工硬化による強度向上および所定の形状に加工するための仕上加工工程Ｓ０６の後に、耐応力緩和特性の向上及び低温焼鈍硬化を行うために、又は、残留ひずみの除去のために熱処理を実施する仕上熱処理工程Ｓ０７を備えているので、応力緩和率を１５０℃、１０００時間で５０％以下とすることができる。また、さらなる機械特性の向上を図ることが可能となる。
　ここで、応力緩和率は、日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ－Ｔ３０９：２００４の片持はりねじ式に準じた方法で応力を負荷して測定した。
　また、この電子機器用銅合金は、ヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下とされ、０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上とされている。
　以上、本発明の実施形態である電子機器用銅合金について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
　また、上記実施形態では「粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物が合金中に１個／μｍ２以下」である条件と、「導電率σ」とを両方満たしている電子機器用銅合金が示されているが、何れか一方のみを満たした電子機器用銅合金であってもよい。
　例えば、上述の実施形態では、電子機器用銅合金の製造方法の一例について説明したが、製造方法は本実施形態に限定されることはなく、既存の製造方法を適宜選択して製造してもよい。
　以下に、本発明の効果を確認すべく行った確認実験の結果について説明する。
　純度９９．９９質量％以上の無酸素銅（ＡＳＴＭ　Ｂ１５２　Ｃ１０１００）からなる銅原料を準備し、これを高純度グラファイト坩堝内に装入して、Ａｒガス雰囲気とされた雰囲気炉内において高周波溶解した。得られた銅溶湯内に、各種添加元素を添加して表１、２に示す成分組成に調製し、カーボン鋳型に注湯して鋳塊を製出した。なお、鋳塊の大きさは、厚さ約２０ｍｍ×幅約２０ｍｍ×長さ約１００～１２０ｍｍとした。
　得られた鋳塊に対して、Ａｒガス雰囲気中において、表１、２に記載の温度条件で４時間の加熱を行う加熱工程を実施し、その後、水焼き入れを実施した（冷却温度２０℃、冷却速度１５００℃／ｍｉｎ）。
　熱処理後の鋳塊を切断するとともに、酸化被膜を除去するために表面研削を実施した。
その後、常温で、表１、２に記載された圧延率で中間圧延を実施した。そして、得られた条材に対して、表１，２に記載された温度の条件でソルトバス中で中間熱処理を実施した。その後、水焼入れを実施した（冷却温度２０℃、冷却速度１５００℃／ｍｉｎ）。
　次に、表１，２に示す圧延率で仕上圧延を実施し、厚さ０．２５ｍｍ、幅約２０ｍｍの条材を製出した。
　そして、仕上圧延後に、表に示す条件でソルトバス中で仕上熱処理を実施し、その後、水焼入れを実施し（冷却温度２０℃、冷却速度１５００℃／ｍｉｎ）、特性評価用条材を作成した。
（中間熱処理後の結晶粒径）
　表１，２に示す中間熱処理を行った後の試料について結晶粒径の測定を行った。各試料において、鏡面研磨及びエッチングを行い、光学顕微鏡にて、圧延方向が写真の横になるように撮影し、１０００倍の視野（約３００μｍ×２００μｍ）で観察を行った。つぎに結晶粒径をＪＩＳ　Ｈ　０５０１の切断法にしたがい、写真縦、横の所定長さの線分を５本ずつ引き、完全に切られる結晶粒数を数え、その切断長さの平均値を結晶粒径とした。
（加工性評価）
　加工性の評価として、前述の冷間圧延時における耳割れの有無を観察した。目視で耳割れが全くあるいはほとんど認められなかったものをＡ、長さ１ｍｍ未満の小さな耳割れが発生したものをＢ、長さ１ｍｍ以上３ｍｍ未満の耳割れが発生したものをＣ、長さ３ｍｍ以上の大きな耳割れが発生したものをＤ、耳割れに起因して圧延途中で破断したものをＥとした。
　なお、耳割れの長さとは、圧延材の幅方向端部から幅方向中央部に向かう耳割れの長さのことである。
　また、前述の特性評価用条材を用いて、機械的特性及び導電率を測定した。
（機械的特性）　
　特性評価用条材からＪＩＳ　Ｚ　２２０１に規定される１３Ｂ号試験片を採取し、ＪＩＳ　Ｚ　２２４１のオフセット法により、０．２％耐力σ０．２を測定した。なお、試験片は、特性評価用条材から圧延方向に平行な方向で採取した。
　ヤング率Ｅは、前述の試験片にひずみゲージを貼り付け、荷重－伸び曲線の勾配から求めた。
　なお、試験片は、引張試験の引張方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。
（導電率）
　特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍの試験片を採取し、４端子法によって電気抵抗を求めた。また、マイクロメータを用いて試験片の寸法測定を行い、試験片の体積を算出した。そして、測定した電気抵抗値と体積とから、導電率を算出した。なお、試験片は、その長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。
（耐応力緩和特性）
　耐応力緩和特性試験は、日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ－Ｔ３０９：２００４の片持はりねじ式に準じた方法によって応力を負荷し、１５０℃の温度で所定時間保持後の残留応力率を測定した。
　測定は、応力緩和測定機／キーエンス社製ＫＬ－３０，ＬＫ－ＧＤ５００，ＫＺ－Ｕ３）を用いて行った。
　詳しくは、まず、片持はりねじ式のたわみ変位負荷用試験ジグを用い、試験片の長手方向の一端を固定した（固定端）。
　試験片（幅１０ｍｍ×長さ６０ｍｍ）は、特性評価用条材からその長手方向が特性評価用条材の圧延方向に対して平行になるように採取した。
　次に、試験片の長手方向の自由端（他端）にたわみ変位負荷用ボルトの先端を鉛直方向に接触させ、試験片の長手方向の自由端に負荷をかけた。
　このとき、試験片の表面最大応力が耐力の８０％となるよう、初期たわみ変位を２ｍｍと設定し、スパン長さを調整した。スパン長さとは、試験片に初期たわみを与えた際の、試験片における前記固定端からたわみ変位負荷用ボルトの先端との接触部分までの、たわみ変位負荷用ボルトの負荷方向に対して垂直な方向の長さである。上記表面最大応力は次式で定められる。
　　表面最大応力（ＭＰａ）＝１．５Ｅｔδ０／ＬＳ ２
　ただし、
　　Ｅ：たわみ係数（ＭＰａ）
　　ｔ：試料の厚み（ｔ＝０．２５ｍｍ）
　　δ０：初期たわみ変位（２ｍｍ）
　　Ｌｓ：スパン長さ（ｍｍ）
である。
　初期たわみ変位を２ｍｍと設定した試験片を、恒温槽で１５０℃の温度で１０００ｈ保持した後、片持はりねじ式のたわみ変位負荷用試験ジグごと常温に取り出し、たわみ変位負荷用ボルトをゆるめて除荷をおこなった。
　試験片を常温まで冷却して残留した、１５０℃の温度で、１０００ｈ保持後の曲げ癖から、残留応力率（永久たわみ変位の差）を測定し、応力緩和率を評価した。なお応力緩和率は次式を用いて算出した。
　　応力緩和率（％）＝（δｔ／δ０）×１００
　ただし、
　　δｔ：１５０℃で１０００ｈ保持後の永久たわみ変位（ｍｍ）－常温で２４ｈ保持後の永久たわみ変位(ｍｍ)
　　δ０：初期たわみ変位（ｍｍ）
である。
（組織観察）
　各試料の圧延面に対して、鏡面研磨、イオンエッチングを行った。ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の析出状態を確認するため、ＦＥ－ＳＥＭ（電界放出型走査電子顕微鏡）を用い、1万倍の視野（約１２０μｍ２／視野）で観察を行った。
　次に、ＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の密度（個／μｍ２）を調査するために、金属間化合物の析出状態が特異ではない1万倍の視野（約１２０μｍ２／視野）を選び、その領域で、５万倍で連続した１０視野（約４．８μｍ２／視野）の撮影を行った。金属間化合物の粒径については、金属間化合物の長径（途中で粒界に接しない条件で粒内に最も長く引ける直線の長さ）と短径（長径と直角に交わる方向で、途中で粒界に接しない条件で最も長く引ける直線の長さ）の平均値とした。そして、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の密度（個／μｍ２）を求めた。
（曲げ加工性）
　日本伸銅協会技術標準ＪＣＢＡ－Ｔ３０７：２００７の４試験方法に準拠して曲げ加工を行った。
　圧延方向と試験片の長手方向が平行になるように、特性評価用条材から幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの試験片を複数採取し、曲げ角度が９０度、曲げ半径が０．２５ｍｍのＷ型の治具を用い、Ｗ曲げ試験を行った。
　そして、曲げ部の外周部を目視で確認し、破断した場合はＤ、一部のみ破断が起きた場合はＣ、破断が起きず微細な割れのみが生じた場合はＢ、破断や微細な割れを確認できない場合をＡとして判定を行った。
　条件、評価結果について、表１、２、３、４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
 
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
 
　Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも低い比較例１においては、ヤング率が高く不十分であった。
　また、Ｍｇの含有量が本発明の範囲よりも高い比較例２、３においては、冷間圧延時に大きな耳割れが発生し、その後の特性評価を実施することが不可能であった。
　また、Ｍｇの含有量が本発明の範囲であるが、仕上圧延後の仕上熱処理を実施しなかった比較例４においては、応力緩和率が５４％となった。
　さらに、Ｍｇの含有量が本発明の範囲であるが、導電率及びＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の個数が本発明の範囲から外れた比較例５においては、耐力と曲げ加工性に劣ることが確認される。
　さらに、Ｓｎ、Ｐを含有する銅合金、いわゆるりん青銅とされた従来例１，２においては、導電率が低く、かつ、応力緩和率が５０％を超えていた。
　これに対して、本発明例１－１４においては、いずれもヤング率が１２５ＧＰａ以下と低く設定され、０．２％耐力も４００ＭＰａ以上とされており、弾力性に優れている。また、応力緩和率も４７％以下と低くなっている。
　以上のことから、本発明例によれば、低ヤング率、高耐力、高導電性、優れた耐応力緩和特性、優れた曲げ加工性を有し、端子、コネクタやリレー等の電子機器用部品に適した電子機器用銅合金を提供することができることが確認された。

Claims (10)

  1. 　ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、前記２元系合金は、
    　Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみからなり、
    　導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
    　σ≦｛１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内とされ、
    　応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴とする電子機器用銅合金。
  2. 　ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、前記２元系合金は、
    　Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみからなり、
    　走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされ、
    　応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴とする電子機器用銅合金。
  3. 　ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、前記２元系合金は、
    　Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみからなり、
    　導電率σ（％ＩＡＣＳ）が、Ｍｇの濃度をＸ原子％としたときに、
    　σ≦｛１．７２４１／（－０．０３４７×Ｘ２＋０．６５６９×Ｘ＋１．７）｝×１００の範囲内とされており、
    　走査型電子顕微鏡観察において、粒径０．１μｍ以上のＣｕとＭｇを主成分とする金属間化合物の平均個数が、１個／μｍ２以下とされ、
    　応力緩和率が１５０℃、１０００時間で５０％以下であることを特徴とする電子機器用銅合金。
  4. 　請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金において、
    　ヤング率が１２５ＧＰａ以下、０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上とされていることを特徴とする電子機器用銅合金。
  5. 　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金を製出する電子機器用銅合金の製造方法であって、
    　ＣｕとＭｇの２元系合金からなり、Ｍｇを、３．３原子％以上６．９原子％以下の範囲で含み、残部がＣｕ及び不可避不純物のみとされた組成の銅素材を所定の形状に加工する仕上加工工程と、この仕上加工工程の後に熱処理を実施する仕上熱処理工程と、を備えていることを特徴とする電子機器用銅合金の製造方法。
  6. 　請求項５に記載の電子機器用銅合金の製造方法において、
    　前記仕上熱処理工程では、２００℃超え８００℃以下の範囲で熱処理を実施することを特徴とする電子機器用銅合金の製造方法。
  7. 　請求項６に記載の電子機器用銅合金の製造方法において、
    　前記仕上熱処理工程では、２００℃超え８００℃以下の範囲で熱処理を実施し、
    　その後に、加熱された前記銅素材を、２００℃／ｍｉｎ以上の冷却速度で、２００℃以下にまで冷却することを特徴とする電子機器用銅合金の製造方法。
  8. 　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金からなり、圧延方向に平行な方向におけるヤング率Ｅが１２５ＧＰａ以下、圧延方向に平行な方向における０．２％耐力σ０．２が４００ＭＰａ以上とされていることを特徴とする電子機器用銅合金圧延材。
  9. 　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金からなり、
    　端子、コネクタ、リレー、リードフレーム等の電子機器用部品を構成する銅素材として使用されることを特徴とする電子機器用銅合金圧延材。
  10. 　請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子機器用銅合金からなること特徴とする電子機器用部品。
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