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WO2012133441A1 - 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法 Download PDF

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WO2012133441A1
WO2012133441A1 PCT/JP2012/057981 JP2012057981W WO2012133441A1 WO 2012133441 A1 WO2012133441 A1 WO 2012133441A1 JP 2012057981 W JP2012057981 W JP 2012057981W WO 2012133441 A1 WO2012133441 A1 WO 2012133441A1
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WO
WIPO (PCT)
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substrate
wafer
processing chamber
processing
chamber
Prior art date
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Application number
PCT/JP2012/057981
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English (en)
French (fr)
Inventor
塚本　秀之
徳信 赤尾
和弥 鍋田
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Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
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Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
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    • H10P72/3304—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H10P72/0434—
    • H10P72/18—

Definitions

  • the semiconductor manufacturing apparatus aims to improve the quality of the wafer, but on the other hand, high throughput processing is required. However, when the processed substrate is cooled as described above, there is a problem that the throughput is lowered.
  • a method of manufacturing a semiconductor device includes a step in which a transfer device provided in a transfer chamber places a substrate on a substrate support provided in a processing chamber; The supporting portion maintains the substrate at a position that is an odd multiple of a quarter wavelength of the microwave supplied from the microwave supply port from the surface opposite to the back surface of the substrate placed as described above, while maintaining the substrate in the processing chamber.
  • the robot support base is parallel to the arrangement direction of the process modules 10. 205 is configured to be slidable on 205.
  • FIG. 4 is a vertical sectional view of the process module 10 of FIG.
  • the process module 10 includes a processing chamber 101 provided with a refrigerant supply mechanism 114, a microwave generation mechanism 16, a gas supply mechanism 18, a gas discharge mechanism 22, and a wafer transfer mechanism 24. Yes.
  • the wafer is moved from the surface of the processing chamber cooling table 112 to a position of a quarter wavelength ( ⁇ / 4) of microwaves or an odd multiple of ⁇ / 4. 111 is placed.
  • the surface of the processing chamber cooling table 112 here refers to the surface of the processing chamber cooling table 112 that faces the back surface of the wafer 111. Since the electric field is strong at a position that is an odd multiple of ⁇ / 4, the wafer 111 can be efficiently heated by microwaves. In the present embodiment, for example, a microwave fixed at 5.8 GHz is used, and the wavelength of the microwave is 51.7 mm.
  • the refrigerant supply pipe 132 is provided with an open / close valve 133 that opens and closes the refrigerant supply pipe 132, a flow rate control device 134 that controls the refrigerant flow rate, and a refrigerant source 135 in order from the downstream.
  • the on-off valve 133 and the flow rate control device 134 are electrically connected to the control unit 40 and are controlled by the control unit 40.
  • the cooling unit includes the refrigerant flow path 131, the refrigerant supply rod 132, the opening / closing valve 133, the flow rate control device 134, and the refrigerant discharge pipe 136.
  • the substrate support unit is configured including the processing chamber cooling table 112, the substrate support pins 113, and the cooling unit.
  • a gas exhaust pipe 162 for exhausting the gas in the process chamber 110 is provided on the side wall of the process chamber 110.
  • the gas discharge pipe 162 is provided with a pressure adjustment valve 163 and a vacuum pump 164 as an exhaust device in order from the upstream side, and the pressure in the processing chamber 110 is adjusted by adjusting the opening degree of the pressure adjustment valve 163. Is adjusted to a predetermined value.
  • the gas exhaust pipe 162, the pressure adjustment valve 163, and the vacuum pump 164 constitute a gas exhaust unit.
  • the pressure adjustment valve 163 and the vacuum pump 164 are electrically connected to the control unit 40, and pressure control is performed by the control unit 40.
  • the wafers 111 transferred by the arms are placed on the substrate holding pads 211 provided in the respective frames 210 and stacked. At this time, the edge portion of each wafer 111 and the substrate holding pad 211 come into contact with each other. Note that the edge portion refers to a portion of the outer periphery of the substrate that is not used as a semiconductor device, and is also referred to as an exclusion area.
  • Step 5 After 7T from the start of Step 2, PM1 stops supplying microwaves. Next, the pedestal 114 is lowered so that the distance between the substrate support pin upper end 113a and the processing chamber cooling table 112 is reduced. In this way, the heated W1 is cooled (C (PM1)).
  • Step 8 (S8)>
  • the transfer robot 202 carries W4 taken out from the pod 301 into PM1, and carries out processed W1 from PM1.
  • the transport robot carrying the unloaded W1 moves / rotates in the front end module 20 and places W1 on the first frame 210a in the substrate platform 200 provided in the front end module.
  • Step 14 After a predetermined time (here, 3T) has elapsed from S11, the transfer robot 202 takes out W3 from the third frame 210c, moves / rotates in the front end module 20, and returns it to a predetermined position of the pod 301.
  • a predetermined time here, 3T
  • the high-k material has a higher dielectric constant ⁇ than silicon, which is the substrate material of the wafer 111.
  • the dielectric constant ⁇ of silicon is 9.6
  • the dielectric constant ⁇ of the HfO film that is a high-k film is 25,
  • the dielectric constant ⁇ of the ZrO film is 35. Therefore, when the wafer 111 on which the High-k film is formed is irradiated with microwaves, the High-k film can be selectively heated before silicon. Further, the effect of modifying the film is larger when high-power microwaves are irradiated. Therefore, when the high-power microwave is irradiated, the temperature of the High-k film can be rapidly increased.
  • the wind guide panel 213 is provided on the first frame 210a and the second frame 210b.
  • the wind guide panel 213 is formed in a plate shape, and guides the airflow 204 supplied from the ceiling of the front end module 20 between the wafers. By guiding the airflow 204 between the wafers, heat accumulation can be eliminated and the cooling rate can be maintained.
  • the wind guide panel 213a and the wind guide panel 213b are provided on the same surface of the substrate mounting portion, the wind guide panel 213a close to the supply source of the airflow 204 is more than the wind guide panel 213b.
  • the airflow 204 can be supplied to the wind guide panel 213b without obstructing the wind guide panel 213a. Therefore, the air flow can be efficiently conducted between the first frame 210a and the second frame 210b. Can be supplied.
  • a natural oxide film may be formed on the wafer surface.
  • the natural oxide film affects the heat treatment of the unprocessed wafer and the future processing of the processed wafer. Therefore, it is required to prevent the formation of the natural oxide film.
  • a natural oxide film is likely to be formed.
  • the inert gas supply unit 40 includes an inert gas supply system, an air introduction hole 406, a gas introduction switching valve 407, a gas exhaust switching valve 411, a gas circulation pipe 409 connecting the gas introduction switching valve 407 and the gas exhaust switching valve 411, An exhaust hole 207 is mainly provided.
  • the gas exhaust switching valve 411 is connected to a gas pipe 413, a gas exhaust pipe 414, and a gas circulation pipe 409.
  • the gas pipe 413 connects the front end module 20 and the gas exhaust switching valve 411, and exhausts the atmosphere of the front end module 20 to the gas exhaust switching valve 411.
  • the gas exhaust pipe 414 exhausts gas from the gas exhaust switching valve 411.
  • the gas circulation pipe 409 circulates the atmosphere exhausted from the front end module 20 to the gas introduction switching valve 407 in the high oxygen mode described later.
  • the gas circulation pipe 409 is provided with a fan 410 that sucks up the circulated atmosphere.
  • the second is a high oxygen concentration operation mode.
  • the high oxygen concentration operation mode is a mode used in a standby state in which wafer processing is not performed, such as before wafer processing is started or after one batch of wafer processing is completed.
  • the inside of the front end module 20 shifts to the low oxygen concentration state in a relatively short time, so that the high oxygen concentration is maintained.
  • the switching valve of the gas introduction switching valve 407 is switched to the inert gas introduction hole side.
  • the switching valve is controlled so as to close the air introduction hole 406 and introduce the inert gas from the inert gas introduction hole 405.
  • nitrogen gas is introduced into the front end module 20.
  • the switching valve of the gas exhaust switching valve 411 is switched to the exhaust side to exhaust the atmosphere in the front end module.
  • switching to the exhaust side means controlling the switching valve so as to block the gas circulation pipe 409.
  • the high oxygen concentration operation mode is implemented by instructing the shift to the wafer processing preparation completion mode in a state where the above-described maintenance is completed and the front end module 20 is closed. Nitrogen gas is introduced into the front end module 20 and the flow rate of the nitrogen gas is controlled so that the internal oxygen concentration becomes the target management oxygen concentration (for example, 1000 ppm). The high oxygen concentration operation mode is continued until the start of wafer transfer or the transition to the maintenance mode is instructed.
  • the target management oxygen concentration for example, 1000 ppm
  • the front end module 20 shifts to the high oxygen concentration operation mode when all wafer processing of all PODs mounted in the plurality of load ports 30-1 to 30-3 is completed and an instruction to stop wafer processing is given. Then, the flow rate of nitrogen gas is controlled to maintain the inside at the target management concentration in the high oxygen concentration operation mode. The high oxygen concentration operation mode is continued until the start of wafer processing is instructed again or the transition to the maintenance mode is instructed.
  • the processing chamber includes a supply unit that supplies microwaves into the processing chamber, a substrate support unit that supports the substrate and that can be moved up and down, and a stand that is provided in a position facing the back surface of the substrate, with the coolant supplied therein.
  • the substrate processing apparatus according to any one of appendices 1 to 3.
  • a transfer chamber having a transfer device for transferring the substrate between the processing chambers, a substrate mounting portion provided in the transfer chamber and configured to stack the substrates processed in the processing chamber, and provided in the transfer chamber
  • a substrate processing method comprising: a step of placing; and a step of placing the substrate on the substrate platform by the transfer device.

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Abstract

　複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、前記処理室に隣接され且つ前記載置台の間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送器を有する搬送室と、前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板を積層するよう構成する基板載置部と、前記搬送室に設けられ、前記積層された基板を冷却する冷却部とを有する基板処理装置を提供する。

Description

基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
  本発明は、基板上にＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等の半導体装置を製造する基板処理技術に係り、特に、半導体ウエハ（以下、ウエハという。）等の基板を処理し、基板を処理する基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法に関する。
　基板処理装置の一種である半導体製造装置は、少なくとも、基板を収納した基板運搬器としてのキャリア（ＰＯＤ）が載置されるキャリア載置台と、基板を処理する処理室と、キャリア載置台にあるキャリア内の基板を処理室まで搬送する搬送手段を備えた搬送室とで構成されている。
基板処理装置には、基板が複数搭載されたカセットでクリーンルーム内を搬送している。搬送された基板は、真空状態である処理室にて、例えば加熱処理される。クリーンルーム内は大気圧であるため、処理室とキャリア載置台の間に圧力を調整するためのロードロック室を有している。
このような半導体製造装置では、従来から、処理済みの基板を搬送手段が処理室から搬出しカセットに戻す際に、搬送手段及びキャリアに熱ダメージを与えないよう、処理済みのウエハが冷却されることがある。加熱されたウエハは、例えばロードロック室や、冷却室などで冷却される。
半導体製造装置では、ウエハの品質を向上させることを目的としているが、一方で高いスループット処理が求められている。 しかしながら、上記のように処理済み基板を冷却する場合、スループットが低下するという問題があった。
特開２００１－３４５２７９号公報
　そこで、本発明の目的は、ウエハの品質を向上すると共に、高いスループット処理を達成可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
　本発明に係る基板処理装置は、上記課題を解決するために、複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、前記処理室に隣接され且つ前記載置台の間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送器を有する搬送室と、前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板を積層するよう構成する基板載置部と、前記搬送室に設けられ、前記積層された基板を冷却する冷却部とを有する基板処理装置を提供するものである。
　本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記問題を解決するために、搬送室に設けられた搬送器が、基板を処理室内に設けられた基板支持部上に載置するステップと、前記基板支持部が、前記載置された基板の裏面と対向する面から、マイクロ波供給口から供給されるマイクロ波の１／４波長の奇数倍の位置に基板を維持しつつ、前記処理室内にマイクロ波を供給し、基板を加熱するステップと、所定の時間経過後、マイクロ波の供給を停止するステップと、前記搬送器が前記処理室から前記基板を搬出し、前記搬送室に設けられた基板載置部に基板を載置し、冷却部により基板を冷却するステップと　を有する半導体装置の製造方法を提供するものである。
　更には、本発明に係る基板処理方法は、上記問題を解決するために、複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、前記処理室に隣接され且つ前記載置台の間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送器を有する搬送室と、前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板を積層するよう構成する基板載置部と、前記搬送室に設けられ、前記積層された基板を冷却する冷却部とを有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記処理室で基板を処理するステップと、前記処理された基板を前記搬送器に移載するステップと、前記移載器が前記基板載置部に基板を載置するステップとを有する基板処方法を提供するものである。
　本発明によれば、ウエハの品質を向上すると共に、高いスループット処理を達成可能な基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側面を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置におけるウエハの搬送フローを説明する説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置のプロセスモジュールを説明する説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板載置部を説明する説明図である。 基板載置部とエアーフローの関係を説明する説明図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理シーケンスを説明する説明図である。 本発明の第二の実施形態に係る基板載置部を説明する説明図である。 本発明の第三の実施形態に係る基板載置部を説明する説明図である。 本発明の第四の実施形態に係る基板処理の側面を示す概略図である。
　図１、図２を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１を説明する。図１は、基板処理装置１を上面から見たときの構成概略図である。図２は、基板処理装置を側面から見たときの構成概略図である。
　本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、半導体を製造するために予め定められた（以下、「所定の」）処理を実行する半導体製造装置として構成されている。以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、マイクロ波を利用してウエハを加熱する装置として説明する。
　本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、少なくとも、ウエハ１１１に所定の処理を施す処理室としてのプロセスモジュール（ＰＭ；Ｐｒｏｃｅｓｓ　Ｍｏｄｕｌｅ）１０と、ウエハ１１１が搬送される搬送室としてのフロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ；Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ　Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　Ｍｏｄｕｌｅ）２０と、ウエハ１１１が収納された基板運搬容器（例えば、ＦＯＵＰ(Ｆｒｏｎｔ－Ｏｐｅｎｉｎｇ　Ｕｎｉｆｉｌｅｄ　Ｐｏｄ)。以下「ポッド」と記載）を装置外部の搬送装置と受渡しする容器載置台としてのロードポート（ＬＰ；Ｌｏａｄ　Ｐｏｒｔ）３０とによって構成される。
　プロセスモジュール１０及びロードポート３０は、少なくとも１つずつ設けられる。ここでは、プロセスモジュール１０及びロードポート３０が３つずつ設けられているが、この構成は一例であって、本発明の構成はこの構成に限定されない。
　また、制御手段としてのコントローラ４０は、所定のファイルを実行することにより、後述する搬送手段としての搬送ロボット２０２を制御し、プロセスモジュール１０、フロントエンドモジュール２０及びロードポート３０間においてウエハ１１１を搬送する。
　また、コントローラ４０は、所定のファイルを実行することにより、プロセスモジュール１０を構成する各種機構を制御し、プロセスモジュール１０内においてウエハ１１１を処理する。
　[プロセスモジュール１０]
　プロセスモジュール１０は、加熱処理（アニール）や、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相成長）及びＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子層堆積）などによる成膜、膜質改善などの処理をウエハ１１１に実施する。また、プロセスモジュール１０は、ウエハ１１１の処理方式に合わせて、後述するように、マイクロ波発生機構、冷媒供給機構、冷媒排出管、ガス供給機構、ガス排気機構及び温度制御機構などの機構を備える。
　プロセスモジュール１０は、ゲートバルブ（ＧＶ；Ｇａｔｅ　Ｖａｌｖｅ）１００を介して、フロントエンドモジュール２０と連通可能となっている。
　[フロントエンドモジュール２０]
　フロントエンドモジュール２０は、プロセスモジュール１０で処理された基板が載置される基板載置部２００、搬送器としての搬送ロボット２０２、ファン２０１を備える。
基板載置部２００は、フロントエンドモジュール２０を構成する空間の一角に設けられ、台２０３上に備えられる。台２０３は、搬送ロボット２０３を支えるロボット支持台２０５と重ならない位置に備えられており、ゲートバルブ１００やシャッタ３００を塞がないような位置に設けられている。
フロントエンドモジュール２０の天井には、ファン２０１が備えられている。ファン２０１は、天井から基板載置部２００、搬送ロボット２０２やフロントエンドモジュール２０の底に向けて除埃された大気を供給する。これによってエアーフロー２０４を形成する。
エアーフロー２０４を形成することで、フロントエンドモジュール２０内を常に清浄な大気状態とすると共に、フロントエンドモジュール２０内の埃等が巻き上がらないようにしている。
　搬送ロボット２０２は、プロセスモジュール１０とロードポート３０に搭載されたＰＯＤ３０１と、及び基板載置部２００の間でウエハ１１１を搬送する。 搬送ロボット２０２は、ウエハ１１１を保持する基板保持部としてのアームを上下に１つずつ備える。搬送ロボット２０２は、例えば、上アームの先に未処理ウエハ１１１を載せ、各プロセスモジュール１０に対して搬入するとともに、下アームの先に処理済みウエハ１１１を載せ、各プロセスモジュール１０から搬出すること（ウエハを入れ替えて搬送すること）ができるよう構成されている。
　搬送ロボット２０２は、ロボット支持台２０５に支持されている。
　ロボット２０２は、ゲートバルブ１００、基板載置部２００、シャッタ３００間でウエハ１１１を移載するため、アーム及びその支持軸が回転するよう構成される。
　更には、各ゲートバルブ１００－１からゲートバルブ１００－３、シャッタ３００－１からシャッタ３００－３、基板支持部２００の近傍に移動するため、プロセスモジュール１０の配列方向と並行に、ロボット支持台２０５上でスライド移動が可能となるよう構成される。
　フロントエンドモジュール２０の底部には、ファン２０１によって供給された大気を排気する排気管２０６が備えられている。排気管２０６には、上流からガス排出用バルブ２０７及びポンプ２０８が備えられ、フロントエンドモジュール２０内の雰囲気の排気を制御している。
　基板載置部２００は、プロセスモジュール１０で処理された処理済みのウエハ１１１を支持する。ウエハ１１１にはエアーフロー２０４が供給される。エアーフロー２０４を居給するファンはウエハ１１１を冷却する冷却部としても用いられ、加熱処理されたウエハ１１１はエアーフローによって冷却される。
なお、プロセスモジュール１０及び基板載置部２００は同じ数だけ設けられているが、本発明はこのような構成に限らず、プロセスモジュール１０の個数は、ウエハ１１１が搬送される時間に応じて適宜変更され得る。また、フロントエンドモジュール２０は、シャッタ３００を介して、ロードポート３０と連通可能となっている。
なお、排気管２０６、排出用バルブ２０７、ポンプ２０８を用いて、積極的に雰囲気を排気する替わりに、次のようにフロントエンドモジュール２０内の雰囲気を調整しても良い。
即ち、フロントエンドモジュール２０の底部に開口面積が調整可能な構造のスリットを設ける。このような構成の場合、外部からパーティクルが侵入するのを抑制するために、フロントエンドモジュール２０の内部が外部より加圧状態となるよう調整する。ファン２０１から供給されるエアーフローによって、雰囲気は底部のスリットから外部へ排出される。
　このような構成とすることで、より安価に装置を提供することが可能となる。
　[ロードポート３０]
　ロードポート３０は、基板収容器としてのポッドが載置される複数の載置台が設けられている。図１に示すように、ロードポート３０は、プロセスモジュール１０と同じ数だけ設けられているが、ロードポート３０をいくつ設けるかは、後述するウエハ搬送方式によって異なる。具体的には、振分方式によってウエハ１１１を搬送する場合には、ロードポート３０は少なくとも１つ設けられればよく、並列方式によってウエハ１１１を搬送する場合には、搬送先を記述した搬送レシピなどに応じて所定の数のロードポート３０が少なくとも設けられる。
　以下、図３を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１がウエハを搬送する方法を説明する。図２Ａは、一つのポッド３０１に収納されているウエハ１１１を各プロセスモジュール１０に１枚ずつ搬送する振分方式を説明するための図である。
 [振分方式]　　
　図３を参照して、振分方式によるウエハの搬送について説明する。ここでは、ロードポート（ＬＰ）３０－１～３０－３とプロセスモジュール（ＰＭ）１０－１～１０－３との間でウエハ１１１を搬送するものとする。
　まず、矢印Ａに示すように、ロードポート３０－１に載置されたポッドから(一枚目の)ウエハ１１１を取り出し、矢印Ｂに示すように、プロセスモジュール１０－１に搬入する。
　次に、矢印Ａに示すように、ロードポート３０－１に載置されたポッドから次の(二枚目の)ウエハ１１１を取り出し、矢印Ｃに示すように、プロセスモジュール１０－２に搬入する。
　さらに、矢印Ａに示すように、ロードポート３０－１に載置されたポッドから次の(三枚目の)ウエハ１１１を取り出し、矢印Ｄに示すように、プロセスモジュール１０－３に搬入する。
　プロセスモジュール１０－１～１０－３において処理されたウエハ１１１は、矢印Ｅのように、基板載置部２００へ載置され、エアーフローにより冷却される。
冷却されたウエハ１１１は順次取り出され、ロードポート３０－１のポッドに搬送される。
　続いて、図４を用いて、図１のプロセスモジュール１０についてさらに説明する。
　図４は、図１のプロセスモジュール１０の垂直断面図である。図４に示すように、プロセスモジュール１０は、処理室１０１に、冷媒供給機構１１４、マイクロ波発生機構１６、ガス供給機構１８、ガス排出機構２２及びウエハ搬送機構２４が備えられた構成となっている。
　[処理室] 図４は、本発明の第１実施形態に係るプロセスモジュール１０の垂直断面図である。処理室１１０は、半導体基板としてのウエハ１１１を処理する。マイクロ波供給部は、マイクロ波発生部１２０と導波路１２１と導波口１２２とを備える。
＜マイクロ波発生部＞  マイクロ波発生部１２０は、例えば、固定周波数のマイクロ波を発生する。マイクロ波発生部１２０としては、例えばマイクロトロン、クライストロン、ジャイロトロン等が用いられる。マイクロ波発生部１２０で発生したマイクロ波は、導波路１２１を介して、導波口１２２から処理室１１０内に輻射される。導波路１２１には、導波路１２１内部の反射電力を少なくするマッチング機構１２６が設けられる。  処理室１１０内に供給されたマイクロ波は、ウエハ１１１に向かって照射される。処理室１１０内のウエハ１１１に当たったマイクロ波はウエハ１１１に吸収され、ウエハ１１１はマイクロ波により誘電加熱される。　マイクロ波発生部１２０、導波路１２１、導波口１２２、マッチング機構１２６でマイクロ波供給部が構成される。
＜処理室＞  処理室１１０を形成する処理容器１１８は、処理室１１０とその外部とでマイクロ波が漏洩しないよう、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）など金属材料により構成されている。
＜基板支持部＞  処理室１１０内には、ウエハ１１１を支持する基板支持機構としての基板支持ピン１１３が設けられている。具体的には、ウエハ１１１は基板支持ピン１１３の上端で支持される。基板支持ピン１１３は、支持したウエハ１１１の中心と処理室１１０の中心とが垂直方向で略一致するように設けられている。
基板支持ピン１１３は、例えば石英やセラミックス、サファイア、又はテフロン（登録商標）等、伝熱性が低く、電気的に絶縁性が良好な材質で形成される。基板支持ピン１１３を低伝熱性材質とすることで、ウエハ１１１と基板支持ピン１１３が接触する部分から発生する熱逃げを防止している。局所的な熱逃げを防止することができるので、ウエハ面内を、均一に加熱することが可能となる。さらには、このような材質とすることで、基板支持ピン１１３そのものが加熱されることを抑制することができる。また、基板支持ピン１１３の加熱を防ぐことで、基板支持ピン１１３の熱変形を防ぐことができる。したがって、ウエハ１１１の高さを一定に維持することができるので、再現性良く均一にウエハを加熱することが可能となる。基板支持ピン１１３は、複数（本実施形態においては３本）で構成され、その上端でウエハ１１１を支持する。
　基板支持ピン１１３のそれぞれは台座１１４に搭載されている。台座１１４は図示しない位置制御機構を有しており、制御部４０が位置制御機構を制御することで、基板支持ピン１１３が上下に動くよう、更には特定の位置で基板支持ピンを停止するよう制御することができる。
　基板支持ピン１１３は、例えば処理室冷却台１１２の表面からウエハ１１１の距離を、マイクロ波の１／４波長（λ／４）、もしくはλ／４の奇数倍となるような位置にウエハを維持することができる。言い換えれば、基板支持ピン１１３の上端１１３ａの基板載置面と処理室冷却台１１２の表面との距離をマイクロ波の１／４波長（λ／４）の位置、もしくはλ／４の奇数倍の距離とすることができる。このような距離とすることで、基板上部から基板を通り抜けたマイクロ波がサセプタ表面にて反射され、再び基板表面に戻ってきた場合、反射されたマイクロ波の電位がピークとなる位置（波形の腹の位置）に基板が存在するので、加熱効率が良い。
また、基板支持ピン１１３は、導波口１２２と基板との距離をマイクロ波の１／４波長（λ／４）、もしくはλ／４の奇数倍とするような位置にウエハを維持することができる。言い換えれば、該対向面と基板支持ピン１１３の上端１１３ａの基板載置面との距離を、マイクロ波の１／４波長（λ／４）の位置、もしくはλ／４の奇数倍の距離とすることができる。このような距離とすることで、基板表面における高周波電界が最大になり、基板表面へマイクロ波エネルギーを効率良く入射することができる。
  基板支持ピン１１３の上端１１３ａより下方には、導電性且つ熱伝導性の高い材質で攻勢された基板冷却部としての基板支持台１２が設けられている。処理室冷却台１１２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）や窒化シリコン（ＳｉＣ）などの導電体により構成されている。処理室冷却台１１２は、上面から見た形がウエハ１１１の外径よりも大きい円形で、円盤状又は円柱状に形成されている。
  処理室冷却台１１２は導電体であるため、処理室冷却台１１２においてはマイクロ波の電位がゼロとなる。したがって、仮にウエハ１１１を処理室冷却台１１２に直接置いた場合、電界強度が弱いマイクロ波が照射されてしまう。そのため、マイクロ波エネルギーを効率良く入射することができない。
そこで、本実施形態では、基板支持ピン１１３を動かすことで、処理室冷却台１１２の表面からマイクロ波の１／４波長（λ／４）の位置、もしくはλ／４の奇数倍の位置にウエハ１１１を載置するようにする。ここでいう処理室冷却台１１２の表面とは、処理室冷却台１１２を構成する面の内、ウエハ１１１の裏面と対向する面を言う。λ／４の奇数倍の位置では電界が強いため、ウエハ１１１を効率良くマイクロ波で加熱することができる。本実施形態では、たとえば５．８ＧＨｚに固定したマイクロ波を使用し、マイクロ波の波長が５１．７ｍｍであるので、処理室冷却台１１２からウエハ１１１までの高さを１２．９ｍｍとしている。　更には、処理室冷却台１１２が導電体であるため、サセプタ表面にてマイクロ波エネルギーを消費することがないので、基板支持台からの反射波においてもウエハ１１１を効率良く加熱することができる。
＜冷却部＞  処理室冷却台１１２内には、ウエハ１１１を冷却するための冷媒を流す冷媒流路１３１が設けられている。本実施形態では、冷媒として水が使用されるが、この冷媒は冷却チラーなど他の冷媒を用いても良い。冷媒流路１３１は、処理室１１０の外部において、冷媒流路１３１へ冷媒を供給する冷媒供給管１３２と、冷媒流路１３１から冷媒を排出する冷媒排出管１３６に接続され、矢印の方向に冷媒が流れるよう構成されている。冷媒供給管１３２には、下流から順に、冷媒供給管１３２を開閉する開閉バルブ１３３、冷媒流量を制御する流量制御装置１３４、冷媒源１３５が設けられている。開閉バルブ１３３と流量制御装置１３４は、制御部４０と電気的に接続されており、制御部４０によって制御される。　冷媒流路１３１、冷媒供給菅１３２、開閉バルブ１３３、流量制御装置１３４、冷媒排出管１３６を冷却部が構成される。　ここで、処理室冷却台１１２と基板支持ピン１１３、冷却部を含めて、基板支持部が構成される。
＜温度検出器＞  処理室１１０内のウエハ１１１の上方には、ウエハ１１１の温度を検出する温度検出器１１５が設けられている。温度検出器１１４は、例えば、赤外線センサである。温度検出器１１４は、制御部４０に電気的に接続されている。温度検出器１１４によって検出されたウエハ１１１の温度が、所定の温度よりも高い場合、制御部４０は、ウエハ１１１の温度が所定の温度となるように、開閉バルブ１３３と流量制御装置１３４を制御して、冷媒流路１３１へ流す冷却水の流量を調節する。
＜ガス供給部＞ 　処理室１１０の側壁には、例えば窒素（Ｎ２）等のガスを供給するガス供給管１５２が設けられている。ガス供給管１５２には、上流から順に、ガス供給源１５５、ガス流量を調整する流量制御装置１５４、ガス流路を開閉するバルブ１５３が設けられており、このバルブ１５３を開閉することで、処理室１１０内にガス供給管１５２からガスが供給、又は供給停止される。ガス供給管１５２から供給されるガスは、ウエハ１１１を冷却したり、パージガスとして処理室１１０内のガスを押し出したりするのに用いられる。  ガス供給源１５５とガス供給管１５２と流量制御装置１５４とバルブ１５３で、ガス供給部が構成される。流量制御装置１５４とバルブ１５３は、制御部４０と電気的に接続されており、制御部４０により制御される。
＜ガス排出部＞  図１に示すように、処理室１１０の側壁には、処理室１１０内のガスを排気するガス排出管１６２が設けられている。ガス排出管１６２には、上流から順に、圧力調整バルブ１６３と、排気装置としての真空ポンプ１６４が設けられており、この圧力調整バルブ１６３の開度を調整することで、処理室１１０内の圧力が所定の値に調整される。  ガス排出管１６２と圧力調整バルブ１６３と真空ポンプ１６４で、ガス排出部が構成される。圧力調整バルブ１６３と真空ポンプ１６４は、制御部４０と電気的に接続されており、制御部４０により圧力制御される。
  図１に示すように、処理容器１１８の一側面には、処理室１１０の内外にウエハ１１１を搬送するためのウエハ搬送口１７１が設けられている。ウエハ搬送口１７１には、ゲートバルブ１００が設けられており、ゲートバルブ駆動部１７３がゲートバルブ１００を開けることにより、処理室１１０内とフロントエンドモジュール２０内とが連通するように構成されている。  フロントエンドモジュール２０内には、ウエハ１１１を搬送する搬送ロボット２０２が設けられている。ゲートバルブ１００を開くと、搬送ロボット２０２が処理室１１０内の基板を搬出する。
　＜基板載置部＞
　続いて、図５、図６を用いてフロントエンドモジュール内に備えられた基板載置部を説明する。
　図５（ａ）は基板載置部２００を上面（フロントエンドモジュール２０の天井面）から見た概略図である。点線はウエハが載置された場合の位置を示している。図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ－Ａ’の垂直断面図である。図６は図５の基板載置部におけるエアーフローの流れを説明する説明図である。図６（ａ）は基板載置部２００を上面（フロントエンドモジュール２０の天井面）から見た概略図であり、図５（ａ）を９０度回転させた図面である。図６の（ｂ）は図６（ａ）のＢ－Ｂ’の垂直断面図である。基板載置部２００を側面から見た図である。
いずれの図面もフレーム２１０の端部が開放されている部分がロボット支持台２０５方向に向いている。
　基板載置部２００は、複数の基板保持用パッド２１１を備えたフレーム２１０を、柱２１２に複数枚固定し、フレーム２１０を積み重ねるように構成する。フレーム２１０は中央と一端を開放するコの字形状で構成され、開口部分に搬送ロボットのアームが挿入される。
基板保持用パッド２１１は、フレーム２１０のそれぞれの辺に凸状に設ける。基板保持用パッドの材質は耐熱性材質とし、例えばアルミナセラミック、耐熱性樹脂、石英などを用いる。
複数のフレーム２１０（本実施例においては３枚）は、複数の支柱２１２によって、垂直方向に支持され、ウエハ１１１を垂直方向に複数枚搭載可能な構造としている。 アームによって搬送されたウエハ１１１は、それぞれのフレーム２１０に備えられた基板保持用パッド２１１に載置され、積層される。このとき、各ウエハ１１１のエッジ部と基板保持用パッド２１１が接触する。
尚、エッジ部とは、基板の外周であって、半導体装置として使用しない部分を言い、除外エリアとも呼ぶものである。
　基板載置部２００の上部には、図２に記載のように、ファン２０１が設けられている。そのため、このような構造とすることで、図６に記載のように、最も上に載置されたウエハ１１１ｃに対して、冷却部としてのファン２０１からエアーフロー２０４を効率良く供給することが可能となる。
また、フレーム２１０の一部を支柱２１２で支持するフレーム構造とすることで、それぞれの支柱２１２間からフレーム２１０間にエアーフローが流れ込むことが可能となる。更には、フレーム２１０をコの字状として、中央を開放した構造としている。このような構造とすることで、フレームが支持しているウエハの裏面及びその下に設けられたフレームに支持されたウエハの表面にエアーフロー２０４が回りこむため、冷却効率をより上げることができる。例えば、フレーム２１０ｂが支持しているウエハ１１１ｂの裏面とフレーム２１０ａが支持しているウエハ１１１ａの表面にエアーフロー２０４が流れ込む。
基板保持用パッド２１１を凸状とすることで、ウエハ１１１がフレーム２１０に接触することを防ぐ。接触を防ぐことで、基板裏面の傷の発生を防ぐ。更には、ウエハエッジ部に対しても、エアーフロー２０４の回り込みを促し、より冷却効率を上げている。
更には、耐熱性材質であるため、プロセスモジュール１０にて加熱処理されたウエハ１１１を支持しても熱変形が起きることが無い。そのため、温度の高い基板を載置しても、ウエハ裏面の損傷を防ぐことができる。
尚、ここではコの字状としたが、それに限らず、円状、八角形状などの多角形状でも良い。
　[処理シーケンス]
　続いて、本基板処理装置１の基板処理シーケンスについて、図７を用いて説明する。
　このシーケンスの説明では、ｎを整数とする。
　Ｗ１…Ｗｎ…Ｗ９は、プロセスモジュール１０にて処理される基板を示し、Ｗ１は１ロットの中の最初のウエハ、Ｗ２は２枚目のウエハ、Ｗｎはｎ枚目のウエハを指す。ここでは説明の便宜上、９枚のウエハであって、高誘電体膜を有するシリコン基板を対象として説明する。
　ＰＭ１はプロセスモジュールＰＭ１０－１、ＰＭ２はプロセスモジュールＰＭ１０－２、ＰＭ３はプロセスモジュールＰＭ１０－３を指す。
　ＣＳはクーリングステージ、即ち基板載置部２００を指す。ＣＳ１は基板載置部のうちファン２０１から最も遠い位置に設けられるフレーム２１０ａ（第一フレーム）を、ＣＳ２はフレーム２１０ａの重力方向上方に隣接する基板載置部のフレーム２１０ｂ（第二フレーム）を、ＣＳ３はフレーム２１０ｂの重力方向上方に隣接する基板載置部のフレーム２１０ｃ（第三フレーム）を指す。
　Ｔｒは、ウエハ１１１が搬送される状態である。Ｐは、プロセスモジュール１０でウエハ１１１が処理される状態である。Ｃは基板載置部２００でウエハ１１１が冷却されている状態である。
　Ｔｒ１は初期基板搬送である。初期搬送とは、搬送ロボット２０２がＷ１を搬送することを言う。 ここで、搬送とは、搬送ロボット２０２がウエハ１１１をプロセスモジュール１０へ搬入、もしくはプロセスモジュール１０から搬出することを言う。
Ｔｒ２はスワップ搬送である。スワップ搬送とは、搬送ロボット２０２がプロセスモジュール１０で処理したウエハ１１１（処理済みウエハ１１１）を搬出、これからプロセスモジュール１０で処理するウエハ１１１（未処理ウエハ１１１）を搬入し、更にフロントエンドモジュール２０の基板載置部２００に処理済みウエハ１１１を載置することを言う。
Ｔｒ３は基板返却搬送である。基板返却搬送とは、搬送ロボット２０２がＷｎをロードポート３０上のポッド３０１に戻すことを言う。 ここでは、この搬送時間を１Ｔとしている。
　Ｐ（ＰＭｎ）は、プロセスモジュールｎでウエハ１１１を処理することを言う。
　処理の具体例については後述する。
　本シーケンスは、全てのプロセスモジュールにて同じ処理をする場合を想定しており、ここでは処理時間を７Ｔとしている。 Ｃ（ＰＭｎ）は、プロセスモジュールｎで処理済みウエハ１１１を冷却する動作を言い、ここでは４Ｔとしている。
　続いて、ウエハ搬送シーケンスの詳細を説明する。ここでは、説明の便宜上、ウエハ１１１をウエハＷｎ（ｎ＝１,２・・・ｎ）とする。
＜ステップ１（Ｓ１）＞
　シャッタ３００が開放され、ロードポート上に載置されたポッド３０１に搭載された最初のウエハＷ１を搬送ロボット２０２が取り出す。搬送ロボット２０２は、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、Ｗ１をＰＭ１の基板支持ピン上端１１３ａへ載置する。
＜ステップ２（Ｓ２）＞
　搬送ロボット２０２は、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、ポッド３０１からＷ２を取り出す。搬送ロボット２０２は、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、Ｗ２をＰＭ２に搬入する。
　これと並行して、ＰＭ１の導波口１２２から処理室１１０にマイクロ波を供給し、Ｗ１の加熱を開始する。ここでは、所定の時間（例えば７Ｔ）マイクロ波を供給し、Ｗ１を加熱し続ける（Ｐ（ＰＭ１））。
＜ステップ３（Ｓ３）＞
　搬送ロボット２０２は、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、ポッド３０１からＷ３を取り出す。搬送ロボット２０２は、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、Ｗ３をＰＭ３に搬入する。
　これと並行して、ＰＭ２の導波口１２２から処理室１１０にマイクロ波を供給し、Ｗ２の加熱を開始する。ここでは、所定の時間（例えば７Ｔ）マイクロ波を供給し、加熱し続ける（Ｐ（ＰＭ２））。
＜ステップ４（Ｓ４）＞
　ＰＭ３の導波口１２２から処理室１１０にマイクロ波を供給し、Ｗ３の加熱を開始する。ここでは、所定の時間（例えば７Ｔ）マイクロ波を供給し、加熱し続ける（Ｐ（ＰＭ３））。
＜ステップ５（Ｓ５）＞
　ステップ２の開始から７Ｔ後、ＰＭ１ではマイクロ波の供給を停止する。次に基板支持ピン上端１１３ａと処理室冷却台１１２の距離を近づけるよう、台座１１４が下がる。このようにして、加熱されたＷ１を冷却する（Ｃ（ＰＭ１））。
＜ステップ６（Ｓ６）＞
　ステップ３の開始から７Ｔ後、ＰＭ２ではマイクロ波の供給を停止する。次に基板支持ピン上端１１３ａと処理室冷却台１１２の距離を近づけるよう、台座１１４が下がる。このようにして、加熱されたＷ２を冷却する（Ｃ（ＰＭ２））。
＜ステップ７（Ｓ７）＞
　ステップ４の開始から７Ｔ後、ＰＭ３ではマイクロ波の供給を停止する。次に基板支持ピン上端１１３ａと処理室冷却台１１２の距離を近づけるよう、台座１１４が下がる。このようにして、加熱されたＷ３を冷却する（Ｃ（ＰＭ３））。
＜ステップ８（Ｓ８）＞
　搬送ロボット２０２は、ポッド３０１から取り出したＷ４をＰＭ１に搬入し、処理済みのＷ１をＰＭ１から搬出する。搬出されたＷ１を搭載した搬送ロボットは、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、フロントエンドモジュール内に備えられた基板載置部２００の内、第一フレーム２１０ａにＷ１を載置する。
＜ステップ９（Ｓ９）＞ Ｗ１は、エアーフロー２０４が処理面に吹き付けられている状態である。冷却面積が大きいため、効率良くＷ１が冷却される（Ｃ（ＣＳ１））。
　搬送ロボット２０２は、ポッド３０１から取り出したＷ５をＰＭ２に搬入し、処理済みのＷ２をＰＭ２から搬出する。搬出されたＷ２を搭載した搬送ロボットは、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、フロントエンドモジュール内に備えられた基板載置部２００の内、第二フレーム２１０ｂにＷ２を載置する。
　また、これと並行して、ＰＭ１の導波口１２２から処理室１１０にマイクロ波を供給し、Ｗ４の加熱を開始する。ここでは、所定の時間（例えば７Ｔ）マイクロ波を供給し、加熱し続ける（Ｐ（ＰＭ１））。
＜ステップ１０（Ｓ１０）＞
　第一フレーム２１０ａとファン２０１の間にＷ２が存在するため、基板載置部２００の側面からＷ１の側面を経由してエアーフロー２０４が吹き付けられる。側面からエアーフローを供給することで、Ｗ１の冷却を継続する（Ｃ（ＣＳ１））。
　更には、エアーフロー２０４がＷ２の処理面に直接吹き付けられている状態のため、効率良くＷ２の冷却が可能となる（Ｃ（ＣＳ２））。
　搬送ロボット２０２は、ポッド３０１から取り出したＷ６をＰＭ３に搬入し、処理済みのＷ３をＰＭ３から搬出する。搬出されたＷ３を搭載した搬送ロボットは、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、フロントエンドモジュール内に備えられた基板載置部２００の内、第三フレーム２１０ｃにウエハＷ３を載置する。
　このとき、第二フレーム２１０ｂに載置されたＷ２は、第一フレーム２１０ａに載置されたＷ１は、基板載置部２００の側面から供給されるエアーフロー２０４によって、間接的に冷却される（Ｃ（ＣＳ２））。
　また、これと並行して、ＰＭ２の導波口１２２から処理室１１０にマイクロ波を供給し、Ｗ５の加熱を開始する。ここでは、所定の時間（例えば７Ｔ）マイクロ波を供給し、加熱し続ける（Ｐ（ＰＭ２））。
＜ステップ１１（Ｓ１１）＞ 第一フレーム２１０ａ、第二フレーム２１０ｂとファン２０１の間にＷ３が存在するため、基板載置部２００の側面を経由してＷ１、Ｗ２の側面にエアーフロー２０４が吹き付けられる。側面からエアーフローを供給することで、Ｗ１、Ｗ２の冷却を継続する（Ｃ（ＣＳ１）、Ｃ（ＣＳ２））。
　更には、エアーフロー２０４がＷ３の処理面に直接吹き付けられている状態のため、効率良くＷ３の冷却が可能となる（Ｃ（ＣＳ３））。 また、これと並行して、ＰＭ３の導波口１２２から処理室１１０にマイクロ波を供給し、Ｗ６の加熱を開始する。ここでは、所定の時間（例えば７Ｔ）マイクロ波を供給し、加熱し続ける（Ｐ（ＰＭ２））。
＜ステップ１２（Ｓ１２）＞
　Ｓ９から所定時間（ここでは３Ｔ）経過後、搬送ロボット２０２が第一フレーム２１０ａからＷ１を取り出し、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、ポッド３０１の所定の位置へ戻す。
＜ステップ１３（Ｓ１３）＞
　Ｓ１０から所定時間（ここでは３Ｔ）経過後、搬送ロボット２０２が第二フレーム２１０ｂからＷ２を取り出し、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、ポッド３０１の所定の位置へ戻す。
＜ステップ１４（Ｓ１４）＞
　Ｓ１１から所定時間（ここでは３Ｔ）経過後、搬送ロボット２０２が第三フレーム２１０ｃからＷ３を取り出し、フロントエンドモジュール２０内を移動/回転し、ポッド３０１の所定の位置へ戻す。
＜ステップ１５（Ｓ１５）からステップ３３（Ｓ３３）＞
　上記ステップと同様に、各プロセスモジュールでウエハを加熱処理し、各基板載置フレームで冷却処理を繰り返し、ポッド３０１の所定の位置へウエハを戻す。
　基板載置フレームの載置方法に関して、前述のように、加熱処理済みのウエハは、空いているフレームの内、より下層のフレームに載置するよう搬送される。
　更に、処理時間及び冷却時間を適切に調整することで、下層のフレームにウエハを載置する際には、上層のフレームにウエハを載置していない状態とする。
　具体的には、加熱されたｎ枚目のウエハを最下層（例えば第一フレーム２１０ａ）のフレームに載置した後、次に加熱されたｎ＋１枚目のウエハを、ｎ枚目のウエハを載置したフレームより更にファン２０１に近い位置に設けたられたフレーム（例えば第二フレーム２１０ｂ）に載置する。
　このように搬送/載置することで、ウエハを基板載置部に載置した際、ｎ＋１枚目のウエハがｎ番目のウエハの熱影響受けたとしても、エアーフローによる冷却効果を優先的に得ることができるため、ｎ＋１版眼のウエハの冷却時間を短くすることができる。
　[プロセスモジュールにおける加熱処理の具体例]
　続いて、プロセスモジュールにおける具体的な処理方法を説明する。 ＜窒素ガス置換工程＞
　ウエハ１１１が搬入された後、処理室１１０内を窒素（Ｎ２）雰囲気に置換する。ウエハ１１１を搬入すると処理室１１０の外の大気雰囲気が巻き込まれるので、この大気雰囲気中の水分や酸素がプロセスに影響しないように処理室１１０内のＮ２置換を行う。ガス排出管１６２から、真空ポンプ１６４により処理室１１０内のガス（雰囲気）を排出するとともに、ガス供給管１５２から、Ｎ２ガスを処理室１１０内に導入する。このとき、ガス供給用バルブ１５３を開閉することによって、処理室１１０内の圧力を所定の値（例えば大気圧）に調整する。
　なお、このガス置換工程は、ウエハ処理を開始する前の準備工程の一部として行われてもよい。この際、処理室冷却台１１２と基板支持ピン上端との距離を、マイクロ波の波長λの１／４の奇数倍の距離とする。即ち、処理室冷却台１１２の表面とそれに対向するウエハ１１１の裏面との距離をλ／４の奇数倍とする。
＜加熱処理工程＞
　次に、マイクロ波発生部１２０で発生させたマイクロ波を、導波口１２２から処理室１１０内に導入し、ウエハ１１１の表面に照射する。このマイクロ波照射により、ウエハ１１１の表面上のＨｉｇｈ－ｋ膜を１００～６００℃に加熱してＨｉｇｈ－ｋ膜を改質する。ここで、改質とは、例えばＨｉｇｈ－ｋ膜からＣやＨ等の不純物を離脱させて、緻密化し安定した絶縁体薄膜に改質することを言う(膜質改善)。
Ｈｉｇｈ－ｋ膜等の誘電体は、誘電率に応じてマイクロ波の吸収率が異なる。例えば、誘電率が高いほどマイクロ波を吸収しやすい性質を有する。ハイパワーのマイクロ波をウエハ１１１に照射し処理することにより、効率よくウエハ１１１上の誘電体膜が加熱され改質することができる。また、マイクロ波による加熱の特徴は、誘電率εと誘電正接ｔａｎδによる誘電加熱で、この物性値が異なる物質を同時に加熱することにより、加熱されやすい物質、すなわち、誘電率が高い方の物質だけ選択的に加熱できることである。
　ウエハ１１１の基板材料であるシリコンに比べ、Ｈｉｇｈ－ｋ材料は誘電率εが高いことが知られている。例えば、シリコンの誘電率εは９．６であるが、Ｈｉｇｈ－ｋ膜であるＨｆＯ膜の誘電率εは２５であり、ＺｒＯ膜の誘電率εは３５である。よって、Ｈｉｇｈ－ｋ膜を成膜したウエハ１１１にマイクロ波を照射すると、シリコンより先にＨｉｇｈ－ｋ膜を選択的に加熱することができる。また、ハイパワーのマイクロ波を照射する方が膜の改質効果が大きい。よって、ハイパワーのマイクロ波を照射すると、急速にＨｉｇｈ－ｋ膜の温度を上昇させることができる。
　マイクロ波によってＨｉｇｈ－ｋ膜を加熱し続けると、Ｈｉｇｈ－ｋ膜からシリコンウエハ１１１へ熱が伝達され、Ｈｉｇｈ－ｋ膜とは異なる膜も加熱されてしまうことが考えられる。
この場合、シリコンウエハが前の工程で処理された温度より高い温度となると、既に構築されているデバイスが崩れたり、膜の特性が変化することがある。そのため前の工程で処理された温度を超える温度で処理を想定することは難しい。
　そこで、本発明の実施形態では、マイクロ波を照射中に、冷媒流路１３１に冷却水を供給することにより、ウエハ１１１の温度上昇を抑制する。好ましくは、ウエハ１１１の温度が上限温度以下となるように、バルブを制御して、冷媒流路１３１へ流す冷却水の流量を調節する。このように、ウエハ１１１の処理温度を一定とすることにより、複数のウエハ１１１を処理した場合であっても、処理後のウエハ１１１の状態を均一にすることができる。
　また、加熱処理工程において、ガス供給用バルブ１５３を開いて、処理室１１０内にガス供給管１５２からＮ２ガスを導入するとともに、圧力調整バルブ１６３により処理室１１０内の圧力を所定の値（例えば大気圧）に調整しつつ、ガス排出管１６２から処理室１１０内のＮ２ガスを排出する。このようにして、加熱処理工程において、処理室１１０内を予め定められた圧力値に維持する。本実施形態では、周波数５．８ＧＨｚのマイクロ波をパワー１６００Ｗ、処理室１１０内の圧力を大気圧として５分間、加熱処理を行った。このようにして、所定時間、マイクロ波を導入して基板加熱処理を行った後、マイクロ波の導入を停止する。ここでは、ウエハ１１１を水平方向に回転させることなく加熱処理を行っているが、ウエハ１１１を回転させながら加熱処理を行ってもよい。
　＜プロセスモジュールにおける冷却工程＞ マイクロ波の供給を停止後、台座１１４を下降し、基板支持ピン１１３に載置されているとウエハ１１１と処理室冷却台１１２との距離を短くし、所定時間維持する。このときの距離は、例えば０．１ｍｍから０．５ｍｍとする。   このようにすることで、加熱されたウエハ１１１を急激に冷却することが可能となる。本来、加熱されたウエハ１１１を大気圧間で移動する場合、基板温度が降下するのに時間がかかり
生産性に支障が生じる恐れがある。そこで、急激に冷却し、温度降下時間を短縮することで、大気圧間を移動する場合でもスループットを高くすることが可能となる。
　さらには、急激に冷却することで、分子間の結合度を高めることが可能なので、分子間に不純物が混入することを抑制することができる。
　ここでは、例えば２００℃程度までウエハ１１１を冷却する。   
＜プロセスモジュールから基板を搬出する工程＞   加熱処理工程が終了すると、基板搬入工程に示した手順とは逆の手順により、加熱処理したウエハ１１１を処理室１１０からフロントエンドモジュール内へ搬送する。  
　なお、本発明の実施形態では、Ｎ２ガスを使用しているが、プロセス的、安全性に問題がなければ、熱伝達率の高い他のガス（例えば希釈Ｈｅガス）をＮ２ガスに追加し、ウエハの冷却効果を向上させてもよい。
　また、処理室１１０内における圧力調整用のガスと、ウエハ冷却用のガスとが異なる種類であってもよい。例えば、処理室１１０内における圧力調整にＮ２ガスを使用し、ウエハを冷却するために希釈Ｈｅガスを使用してもよい。
　このように、プロセスモジュール１０でウエハ１１１を冷却すると搬送ロボットのアームを高温に耐えうる材質とする必要がないので、基板処理装置を安価に製造することができ、更には搬送ロボットに関するメンテナンス周期を伸ばすことができる。
　また、プロセスモジュール１０から基板載置部２００までの間で、大気雰囲気における自然酸化膜などの付着を抑制することが可能となる。
　続いて、第二の実施形態を、図８を用いて説明する。
　第二の実施形態は、フロントエンドモジュール２０に備えられた基板載置部２００に、導風パネル２１３が追加されている点で、第一の実施形態と異なる。他の構成は第一の実施形態と同様である。
　プロセスモジュール１０で加熱処理されたウエハ１１１は熱を保持しているため、基板載置部２００でウエハ１１１を複数保持した際、ウエハ間で熱が溜まり、エアーフロー２０４が直接供給されないウエハ（例えば第一フレーム２１０ａ、第二フレーム２１０ｂに支持されたウエハ１１１）は、冷却速度が低下する恐れがあった。
そこで、導風パネル２１３を第一フレーム２１０ａ及び第二フレーム２１０ｂに設けた。導風パネル２１３は、板状で構成され、フロントエンドモジュール２０の天井から供給されるエアーフロー２０４をウエハ間に導く。エアーフロー２０４をウエハ間に導くことで、熱溜まりを排除することができ、冷却速度を維持することが可能となる。
具体的には、第二フレーム２１０ｂの端部に第一導風パネル２１３ａが、第三フレーム２１０ａの端部に第二導風パネル２１３ｂが設けられる。ここでいう端部とは搬送ロボット２０２の基板搭載アームが挿入されない箇所を言う。
　各導風パネル２１３は、エアーフロー２０４が供給される側に向かって折れ曲がった構成であり、エアーフロー２０４を受け止め、その流れをウエハ間に供給する。
図８（ｂ）に記載のように、導風パネル２１３ａと導風パネル２１３ｂを基板載置部の同一面に設ける場合、エアーフロー２０４の供給源に近い導風パネル２１３ａは導風パネル２１３ｂより小さい構造とする。このような構造とすると導風パネル２１３ａが邪魔することなく、導風パネル２１３ｂにエアーフロー２０４を供給することができるので、第一フレーム２１０ａと第二フレーム２１０ｂの間にもエアーフローを効率良く供給することができる。
　続いて、第三の実施形態を、図９を用いて説明する。
　第三の実施形態は、フロントエンドモジュール２０に備えられた基板載置部２００の基板載置フレーム２１０が階段状に配置されており、更に導風パネル２１３が追加されている点で異なる。他の構成は第一の実施形態と同様である。
　プロセスモジュール１０で加熱処理されたウエハ１１１は熱を保持しているため、基板載置部２００で複数のウエハ１１１を保持した際、ウエハ間で熱が溜まり、エアーフロー２０４が直接供給されないウエハ（例えば第一フレーム２１０ａ、第二フレーム２１０ｂに支持されたウエハ）は、冷却速度が低下する恐れがあった。
　そこで、導風パネル２１３を第二フレーム２１０ａ及び第三フレーム２１０ｂに設けた。更には、導風パネル２１３にエアーフロー２０４が供給されやすいよう、基板載置フレーム２１０を階段状に配置した。導風パネル２１３は、板状で構成され、フロントエンドモジュール２０の天井から供給されるエアーフロー２０４をウエハ間に導く。エアーフロー２０４をウエハ間に導くことで、熱溜まりを排除することができ、冷却速度を維持することが可能となる。
　具体的には、第二フレーム２１０ｂの端部であって、上部が開放している面に第一導風パネル２１３ａが設けられる。また、第一フレーム２１０ａの端部であって、上部が開放している面に第二導風パネル２１３ｂが設けられる。ここでいう端部とは搬送ロボット２０２の基板搭載アームが挿入されない箇所を言う。
　各導風パネル２１３は、エアーフロー２０４が供給される側に向かって折れ曲がった構成であり、エアーフロー２０４を受け止め、その流れをウエハ間に供給する。
　図８（ｂ）に記載のように、エアーフロー２０４の供給源に近い基板載置フレーム２１０とそれより遠い基板載置フレーム２１０とで、段差を設けている。 段差を設けることで、その段差部分にエアーフロー２０４が供給されやすくなり、ウエハ間にエアーフロー２０４を効率良く供給することができる。
　このようにフレームを階段状とすると、第二の実施形態と異なり、導風パネルの大きさを同じとすることができるので、第二の実施形態に比べて部品の共通化を図ることができるため、メンテナンス性に優れる。
　続いて、図１０を用いて、第四の実施形態を説明する。第四の実施形態は、第一の実施形態と比較し、第一の実施形態のフロントエンドモジュール２０に不活性ガス供給ユニット４０を設けた点、酸素濃度検出部４１２を有する点で異なる。
　第一の実施形態のように、フロントエンドモジュール２０が大気雰囲気の状態でウエハ１１１を搬送した場合、ウエハ表面に自然酸化膜が形成されることが考えられる。
　自然酸化膜が形成されると、未処理ウエハの加熱処理や、処理済ウエハの今後の処理に影響を及ぼすため、自然酸化膜の形成を防止することが求められている。
　特に、処理済ウエハはある程度加熱されている状態であるため、自然酸化膜が形成されやすい状況にあるため、より注意する必要がある。
　本実施例においては、不活性ガス供給ユニット４０をフロントエンドモジュール２０に設け、フロントエンドモジュール２０内でウエハ１１１を搬送する際、不活性ガス供給ユニット４０に不活性ガスを供給することで防止している。
　以下に具体例を説明する。
　不活性ガス供給ユニット４０は、不活性ガス供給系、エア導入孔４０６、ガス導入切替弁４０７、ガス排気切替弁４１１、ガス導入切替弁４０７とガス排気切替弁４１１を結ぶガス循環用配管４０９、排気孔２０７を主に有する。
　不活性ガス供給系は、上流から順に不活性ガス供給源４０２、ガス流量を調整する流量制御装置４０２、ガス流路を開閉するバルブ４０４が不活性ガス供給管に設けられている。このバルブ４０４を開閉することで、ガス導入切替弁４０７に不活性ガス導入孔４０５から不活性ガスを供給、又は供給停止する。
　ガス導入切替弁４０７には、大気が導入されるエア導入孔４０６、ガス循環用配管４０９、ガス供給管４０８が設けられている。ガス循環用配管４０９は、ガス配管４１３とガス排気切替弁４１１を経由して循環されたフロントエンドモジュール２０内の雰囲気が供給される。ガス供給管４０８はフロントエンドモジュール２０とガス供給切替弁を接続する。
　ガス排気切替弁４１１には、ガス配管４１３とガス排気管４１４とガス循環用配管４０９が接続されている。ガス配管４１３は、フロントエンドモジュール２０とガス排気切替弁４１１を接続するものであり、フロントエンドモジュール２０の雰囲気をガス排気切替弁４１１に排気する。ガス排気管４１４は、ガス排気切替弁４１１からガスを排気する。また、ガス循環用配管４０９は、後述する高酸素モードの際、フロントエンドモジュール２０から排気された雰囲気をガス導入切替弁４０７に循環させる。ガス循環用配管４０９には、循環される雰囲気を吸い上げるファン４１０が設けられている。
　続いて、本実施例に係る動作について説明する。 本実施例に係る装置では、メンテナンス時、ウエハ搬送時などで異なるモードを有している。
　一つ目は大気運用モードである。 大気運用モードはフロントエンドモジュール２０、プロセスモジュール１０、ロードポート３０等のメンテナンスを実施する場合に、長時間に渡り運転を停止したり、フロントエンドモジュール２０内への人の侵入が必要となる場合に使用する運用モードである。
　大気運用モードでは、次のように動作する。 このモードでは、ガス導入切替弁４０７の切替弁を大気側に切り替える。言い換えれば、不活性ガス導入孔４０５を塞ぎ、エア導入孔４０６から大気を導入するよう切替弁を制御する。
また、ガス排気切替弁４１１の切替弁を排気側に切替える。言い換えれば、ガス循環用配管４０９を塞ぎ、フロントエンドモジュール２０内の雰囲気をガス排気管４１４から排気するよう切替弁を制御する。
大気運用モードでは、フロントエンドモジュール２０内は通常の大気雰囲気となるため、酸素濃度は一般的な大気と同じ２０％以上が維持される。
　二つ目は高酸素濃度運用モードである。 通常、高酸素濃度運用モードはウエハ処理を開始する前や１バッチのウエハ処理が完了した後など、ウエハ処理をしていない待機状態の際に使用するモードである。ウエハの処理を実行する時フロントエンドモジュール２０内が低酸素濃度状態へ比較的短時間で移行するために高酸素濃度を維持する。
　高酸素濃度運用モードでは、ガス導入切替弁４０７の切替弁が不活性ガス導入孔側に切替わる。言い換えれば、エア導入孔４０６を塞ぎ、不活性ガス導入孔４０５から不活性ガスを導入するよう切替弁を制御する。更には、ガス排気切替弁４１１の切替弁を排気側に切替えてフロントエンドモジュール内の雰囲気を排気する。排気側に切り替えるとは、言い換えれば、ガス循環用配管４０９を塞ぐよう切替弁を制御することを言う。
　酸素濃度センサ４１２によりフロントエンドモジュール２０内の酸素濃度を監視して、目標の管理酸素濃度(例えば１０００ｐｐｍ)に到達すると窒素流量を減らすと共にガス排気切替弁４１１の切替弁を循環側に切替えて窒素ガス使用量を抑制して高酸素濃度雰囲気の状態を維持する。循環側に切り替えるとは、言い換えれば、ガス排気管４１４を塞ぐよう切替弁を制御することを言う。
　三つ目は低酸素濃度運用モードである。 低酸素濃度運用モードはウエハ処理やウエハ搬送を実行するモードである。フロントエンドモジュール２０内が低酸素濃度雰囲気の状態で搬送ロボット２０２が、プロセスモジュール１０とロードポート３０に搭載されたＰＯＤ３０１、及び基板載置部２００の間でウエハの搬送を実行する。
　高酸素濃度運用モードと同様に、ガス導入切替弁４０７の切替弁が不活性ガス導入孔側に切替わる。言い換えれば、エア導入孔４０６を塞ぎ、不活性ガス導入孔４０５から不活性ガスを導入するよう切替弁を制御する。これにより、フロントエンドモジュール２０内に窒素ガスが導入される。更には、ガス排気切替弁４１１の切替弁を排気側に切替えてフロントエンドモジュール内の雰囲気を排気する。排気側に切り替えるとは、言い換えれば、ガス循環用配管４０９を塞ぐよう切替弁を制御することを言う。
　酸素濃度センサ４１２によりフロントエンドモジュール２０内の酸素濃度を監視して、目標の酸素濃度(例えば２０ｐｐｍ)に到達すると窒素流量を制御して低酸素濃度雰囲気の状態を維持する。このようにして酸素濃度を抑えるので、ウエハ搬送中に自然酸化膜が形成されることを防ぐことができる。
　大気運用モードではフロントエンドモジュール２０内は通常の大気雰囲気となるため、酸素濃度は一般的な大気と同じ２０％以上となるが、高酸素濃度運用モードから大気運用モードへ移行する場合、フロントエンドモジュール２０内に大気を導入して酸素濃度が酸欠防止の安全閾値である１８．５％以上になったことを確認してフロントエンドモジュール２０の扉ロックを解除する安全機構を備えている。
　高酸素濃度運用モードは、前述のメンテナンス等が完了してフロントエンドモジュール２０の扉を閉めた状態でウエハ処理準備完了モードへの移行を指示することにより実施される。フロントエンドモジュール２０内に窒素ガスを導入して、内部の酸素濃度が目標の管理酸素濃度(例えば１０００ｐｐｍ)となる様に窒素ガスの流量を制御する。 高酸素濃度運用モードは、ウエハ搬送の開始、またはメンテナンスモードへの移行が指示されるまで継続される。
　低酸素濃度運用モードは、ウエハ搬送の開始が指示されることにより実施される。フロントエンドモジュール２０内に窒素ガスを導入して、内部の酸素濃度が目標の管理酸素濃度(例えば２０ｐｐｍ)となる様に窒素ガスの流量を制御する。 フロントエンドモジュール２０は内部が目標の管理酸素濃度になったことを確認してシャッタ３００を開状態にして、ロードポート３０に搭載されたＰＯＤ３０１と連通可能な状態とする。また、フロントエンドモジュール２０内部が目標の管理酸素濃度になったことを確認して、プロセスモジュール１０のゲートバルブ１００も開閉可能となる。更に基板載置部２００へのウエハの載置も可能となる。
　これにより、フロントエンドモジュール２０内が低酸素濃度雰囲気の状態で搬送ロボット２０２が、プロセスモジュール１０とロードポート３０に搭載されたＰＯＤ３０１、及び基板載置部２００の間でウエハ表面の自然酸化膜形成を防止して搬送を実行できる。ロードポート３０に搭載されたＰＯＤ３０１内部の全てのウエハ処理が完了して、ＰＯＤへの収納が完了するとシャッタ３００を閉状態にする。
　複数のロードポート３０－１～３０－３に搭載された全てのＰＯＤの全てのウエハ処理が完了して、ウエハ処理の停止が指示されることによりフロントエンドモジュール２０は高酸素濃度運用モードに移行して、窒素ガスの流量を制御して内部を高酸素濃度運用モード時の目標管理濃度に維持する。高酸素濃度運用モードは、再度ウエハ処理の開始が指示されるか、メンテナンスモードへの移行が指示されるまで継続される。
  本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種 々に変更が可能であることはいうまでもない。 上述の各実施形態では、ウエハに処理が施される場合について説明したが、処理対象はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。   
  また、本実施例のような高誘電率膜を有するウエハをアニール処理（結晶化制御、不純物低減、欠損酸素補給）する場合について説明したが、それに限らず、ベェアシリコン基板に注入している不純物の活性化、Ｐｏｌｙ－Ｓｉの活性化及び結晶化形状制御、Polymerのキュア、Ｃｕ配線のＧａｉｎ ｓｉｚｅ制御、Ｅｐｉ－Ｓｉ或いはＥｐｉ－ＳｉＧｅの欠陥修復、アモルファス或いはＰｏｌｙ構造を結晶化に応用。ＬＥＤプロセスにおいては、ＧａＮの結晶性改善などに基板処理装置及び基板製造方法に適応することができる。   
  また、本実施例ではマイクロ波周波数を固定して処理をしていたが、それに限らずマイクロ波の周波数が時間とともに変化（可変）する形態も可能である。その場合、基板支持台１２の表面からウエハ１１までの高さは、変化する周波数帯の代表周波数の波長から求めれば良い。たとえば５．８ＧＨｚ～７．０ＧＨｚまで変化する場合、代表周波数を変化する周波数帯のセンタ周波数とし、代表周波数６．４ＧＨｚの波長４６ｍｍより、基板支持台１２の表面からウエハ１１までの高さを１１．５ｍｍとすればよい。
更には、固定周波数の電源を複数設け、それぞれから異なる周波数のマイクロ波を切り替えて供給或いは同時に周波数が異なる複数のマイクロ波を供給し、処理するようにしてもよい。
　なお、本発明の説明として、マイクロ波を使ってウエハを処理するプロセスモジュールを説明したが、それに限るものではなく、電極を用いたプラズマ処理装置やヒータを用いた加熱装置などのプロセスモジュールでも良い。
　次に、本発明の好ましい他の実施形態を付記するが、本発明が以下の記載に限定されないことはいうまでもない。
＜付記１＞
　複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、前記処理室に隣接され且つ前記載置台の間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送器を有する搬送室と、前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板を積層するよう構成する基板載置部と、前記搬送室に設けられ、前記積層された基板を冷却する冷却部とを有する基板処理装置。
＜付記２＞
　前記冷却部は前記基板載置部の上部に設けられた付記１記載の基板処理装置。
＜付記３＞
　前記基板載置部は、基板端部を支持する支持部を有する付記１乃至２記載の基板処理装置。
＜付記４＞
　前記処理室は、マイクロ波を処理室内に供給する供給部と、前記基板を支持する上昇降可能な基板支持部と、冷媒が内部に供給され、前記基板の裏面と向かい合う位置に設けられた台とを有する付記１乃至３記載の基板処理装置。
＜付記５＞
　前記処理室内に設けられたリフターピンは、前記マイクロ波供給部からマイクロ波を供給している間、前記台の表面から前記供給されたマイクロ波周波数のλ/4の奇数倍の位置に基板を維持するよう制御される付記４記載の基板処理装置。
＜付記６＞
　前記処理室内に設けられたリフターピンは、前記マイクロ波供給処理の後、基板を下降させ、その後所定の時間を維持するよう制御する付記５記載の基板処理装置。
＜付記７＞
　搬送室に設けられた搬送器が、基板を処理室内に設けられた基板支持部上に載置するステップと、前記基板支持部が、前記載置された基板の裏面と対向する面から、マイクロ波供給口から供給されるマイクロ波の１／４波長の奇数倍の位置に基板を維持しつつ、前記処理室内にマイクロ波を供給し、基板を加熱するステップと、所定の時間経過後、マイクロ波の供給を停止するステップと、前記搬送器が前記処理室から前記基板を搬出し、前記搬送室に設けられた基板載置部に基板を載置し、冷却部により基板を冷却するステップと　を有する半導体装置の製造方法。
＜付記８＞
　複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、前記処理室に隣接され且つ前記載置台の間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送器を有する搬送室と、前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板を積層するよう構成する基板載置部と、前記搬送室に設けられ、前記積層された基板を冷却する冷却部とを有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記処理室で基板を処理するステップと、前記処理された基板を前記搬送器に移載するステップと、前記移載器が前記基板載置部に基板を載置するステップとを有する基板処方法。
１　　　　基板処理装置 １０　　　プロセスモジュール １００　　ゲートバルブ ２０　　　フロントエンドモジュール ２００　　基板載置部 ２０２　　搬送ロボット
３０　　　ロードポート ４０　　　コントローラ 

Claims (5)

  1. 　複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、前記処理室に隣接され且つ前記載置台の間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送器を有する搬送室と、前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板を積層するよう構成する基板載置部と、前記搬送室に設けられ、前記積層された基板を冷却する冷却部とを有する基板処理装置。
  2. 　前記冷却部は前記基板載置部の上部に設けられた請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記処理室は、マイクロ波を処理室内に供給する供給部と、前記基板を支持する上昇降可能な基板支持部と、冷媒が内部に供給され、前記基板の裏面と向かい合う位置に設けられた台とを有する請求項１または２記載の基板処理装置。
  4. 　搬送室に設けられた搬送器が、基板を処理室内に設けられた基板支持部上に載置するステップと、前記基板支持部が、前記載置された基板の裏面と対向する面から、マイクロ波供給口から供給されるマイクロ波の１／４波長の奇数倍の位置に基板を維持しつつ、前記処理室内にマイクロ波を供給し、基板を加熱するステップと、所定の時間経過後、マイクロ波の供給を停止するステップと、前記搬送器が前記処理室から前記基板を搬出し、前記搬送室に設けられた基板載置部に基板を載置し、冷却部により基板を冷却するステップと　を有する半導体装置の製造方法。
  5. 　複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、前記処理室に隣接され且つ前記載置台の間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送器を有する搬送室と、前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板を積層するよう構成する基板載置部と、前記搬送室に設けられ、前記積層された基板を冷却する冷却部とを有する基板処理装置を用いた基板処理方法であって、前記処理室で基板を処理するステップと、前記処理された基板を前記搬送器に移載するステップと、前記移載器が前記基板載置部に基板を載置するステップとを有する基板処方法。 
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