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WO2012114687A1 - 電子機器及びその製造方法 - Google Patents

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WO2012114687A1
WO2012114687A1 PCT/JP2012/001035 JP2012001035W WO2012114687A1 WO 2012114687 A1 WO2012114687 A1 WO 2012114687A1 JP 2012001035 W JP2012001035 W JP 2012001035W WO 2012114687 A1 WO2012114687 A1 WO 2012114687A1
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WO
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substrate
liquid crystal
crystal display
electronic device
alignment mark
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Ceased
Application number
PCT/JP2012/001035
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English (en)
French (fr)
Inventor
角田　行広
瞬 南園
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to US13/985,929 priority Critical patent/US20130321719A1/en
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    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing

Definitions

  • the present invention relates to an electronic device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an electronic device including a horizontal electric field type liquid crystal display device mounted with a touch panel and a manufacturing method thereof.
  • a horizontal electric field type liquid crystal display device includes, for example, a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) substrate provided as an electrode substrate, and a color filter provided as an electrodeless substrate so as to face the TFT substrate.
  • TFT thin film transistor
  • display is performed by adjusting the transmittance of light transmitted through the liquid crystal layer for each sub-pixel which is the minimum unit of an image.
  • Patent Document 1 includes a liquid crystal display panel provided with a pair of transparent substrates so as to face each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, and a backlight unit for transmitting light to the display surface of the liquid crystal display panel.
  • a translucent conductive layer is formed in at least the pixel formation region on the surface opposite to the liquid crystal layer of the transparent substrate of the liquid crystal display panel far from the backlight unit. Accordingly, it is described that even when a high potential such as static electricity is applied from the outside of the surface of the liquid crystal display panel, it is possible to prevent the occurrence of display abnormality.
  • an alignment mark is provided at an end of a TFT substrate or a CF substrate, and the alignment mark is optically read, thereby liquid crystal The position of the display device is recognized, and the touch panel and the liquid crystal display device are accurately aligned.
  • an electronic apparatus equipped with a horizontal electric field type liquid crystal display device equipped with a touch panel for example, conductivity for connecting a transparent conductive film provided on a CF substrate and a ground terminal provided on a TFT substrate.
  • the alignment mark may be contaminated.
  • the alignment mark cannot be read optically accurately, and it becomes difficult to accurately align the liquid crystal display device and the touch panel.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object thereof is to accurately align a touch panel and a horizontal electric field type liquid crystal display device.
  • the present invention provides an inflow suppressing portion for suppressing inflow of the conductive paste to the alignment mark between the conductive member made of the conductive paste and the alignment mark. is there.
  • an electronic apparatus includes a first substrate having a terminal region provided with a ground terminal, a second substrate provided to face the first substrate in a state where the terminal region is exposed, A liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate, and provided in a frame shape between the first substrate and the second substrate.
  • the liquid crystal layer is bonded to the first substrate and the second substrate and A sealing material for sealing, and a transparent conductive film provided on a surface opposite to the liquid crystal layer of the second substrate and connected to the ground terminal via a conductive member made of a conductive paste,
  • a horizontal electric field type liquid crystal display device that performs display by forming an electric field in a direction along the surface of the first substrate with respect to the layer, and a touch panel provided on the second substrate side of the liquid crystal display device,
  • the liquid crystal of the first substrate or the second substrate An electronic device provided with an alignment mark for aligning the liquid crystal display device and the touch panel on the side, wherein the conductive paste with respect to the alignment mark is between the conductive member and the alignment mark.
  • An inflow suppressing portion for suppressing inflow is provided.
  • the ground terminal provided on the first substrate and the transparent conductive film provided on the second substrate are connected via the conductive member, the transparent conductive film provided on the second substrate.
  • display defects due to charging such as a decrease in contrast and display unevenness are suppressed.
  • the conductive member made of the conductive paste and the alignment mark provided on the first substrate or the second substrate in order to align the liquid crystal display device and the touch panel the conductive paste with respect to the alignment mark Since the inflow suppressing part for suppressing the inflow is provided, the movement of the conductive paste to the alignment mark side is limited.
  • the alignment mark can be read optically accurately.
  • the position of the liquid crystal display device is accurately recognized, so that the touch panel and the horizontal electric field type liquid crystal display device can be accurately aligned.
  • the inflow suppression part may be formed of an insulating resin.
  • the inflow suppressing portion is formed of the insulating resin, for example, the resin or the first substrate and the first substrate filled from the outside so as to cover the alignment mark on the first substrate or the second substrate.
  • the inflow suppression part is specifically formed using a sealing material or the like that bonds the two substrates together.
  • the alignment mark may be provided inside the sealing material, and the inflow suppressing portion may be formed by a part of the sealing material.
  • the inflow suppressing portion is formed by a part of the sealing material, an increase in the manufacturing process is suppressed and the inflow suppressing portion is formed.
  • the sealing material may be extended around the alignment mark, and the inflow suppressing portion may be formed by an extended portion of the sealing material.
  • the inflow suppressing portion is formed by the extended portion of the seal material, an increase in the manufacturing process is suppressed and the inflow suppressing portion is formed.
  • the electronic device manufacturing method includes a first substrate having a terminal region provided with a ground terminal, and a second substrate provided so as to face the first substrate with the terminal region exposed.
  • a liquid crystal layer provided between the first substrate and the second substrate, and a frame shape provided between the first substrate and the second substrate, and the first substrate and the second substrate are bonded to each other and A sealing material for sealing the liquid crystal layer is provided, an alignment mark is provided on the liquid crystal layer side of the first substrate or the second substrate, and an electric field is applied to the liquid crystal layer in a direction along the surface of the first substrate.
  • a liquid crystal display panel manufacturing process for manufacturing a liquid crystal display panel to be a horizontal electric field type liquid crystal display device formed and displayed, and a transparent conductive film on the surface of the liquid crystal display panel opposite to the liquid crystal layer of the second substrate Forming transparent conductive Forming a conductive paste between the grounding terminal and the transparent conductive film, and then curing the conductive paste to form a conductive member, whereby the ground terminal and the transparent conductive film are connected to each other; After connecting and recognizing the position of the manufactured liquid crystal display device by optically reading the alignment mark by forming a conductive member forming step for manufacturing the liquid crystal display device, the liquid crystal display device and the touch panel And a touch panel mounting step for fixing the liquid crystal display device and the touch panel to each other, wherein the alignment mark and the conductive member are formed before the conductive member forming step.
  • a flow forming an inflow suppressing part for suppressing the inflow of the conductive paste to the alignment mark between Characterized in that it comprises a suppression portion forming step.
  • the ground terminal provided on the first substrate and the transparent conductive film provided on the second substrate are connected via the conductive member.
  • an electronic apparatus including a horizontal electric field type liquid crystal display device in which a transparent conductive film provided on two substrates is grounded and a touch panel is mounted, display defects due to charging such as a decrease in contrast and display unevenness are suppressed.
  • the inflow suppressing part forming step performed before the conductive member forming step the first substrate or the liquid crystal display device and the touch panel are aligned in order to align the region where the conductive member obtained by curing the conductive paste is formed.
  • the inflow suppressing part for suppressing the inflow of the conductive paste to the alignment mark is formed between the alignment mark provided on the second substrate, the movement of the conductive paste toward the alignment mark is limited. Therefore, in the conductive member forming process, the contamination of the alignment mark by the conductive paste is suppressed, so that the alignment mark is optically accurately read in the touch panel mounting process. Accordingly, since the position of the liquid crystal display device is accurately recognized in the touch panel mounting step, the touch panel and the horizontal electric field type liquid crystal display device can be accurately aligned.
  • the inflow suppressing portion may be formed on the first substrate or the second substrate provided with the alignment mark.
  • the inflow suppressing part forming step since the inflow suppressing part is formed on the first substrate or the second substrate provided with the alignment mark, the alignment mark and the inflow suppressing part are formed on the same substrate. An inflow suppressing portion is formed in the vicinity of the mark with high accuracy.
  • the liquid crystal display panel manufacturing step may include the inflow suppressing portion forming step, and the inflow suppressing portion may be a part of the sealing material or an extended portion.
  • the inflow suppressing part is a part of the sealing material or an extended part, an increase in the manufacturing process is suppressed and the inflow suppressing part is formed.
  • the sealing material may be drawn on the first substrate or the second substrate provided with the alignment mark.
  • the inflow suppressing portion is formed by drawing the sealing material in the liquid crystal display panel manufacturing process, for example, the movement of the dispenser for discharging the sealing material when drawing the sealing material
  • An inflow suppression part is formed only by changing the route.
  • the inflow suppressing part for suppressing the inflow of the conductive paste to the alignment mark is provided between the conductive member made of the conductive paste and the alignment mark, the touch panel and the horizontal electric field type The liquid crystal display device can be accurately aligned.
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device constituting the electronic apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a first side view of the electronic apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a second side view of the electronic apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view of a TFT substrate constituting the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the TFT substrate along the line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of a CF substrate constituting the liquid crystal display device according to the first embodiment.
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device constituting the electronic apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a first side view of the electronic apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a second side view of the electronic apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is a plan view of a liquid crystal display device constituting the electronic apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 9 is a first side view of the electronic apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 10 is a second side view of the electronic apparatus according to the second embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the second embodiment.
  • FIG. 12 is an explanatory diagram illustrating a part of the manufacturing process of the electronic device according to the second embodiment in a plan view.
  • FIG. 13 is a plan view of a liquid crystal display device constituting the electronic apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 14 is a first side view of the electronic apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 15 is a second side view of the electronic apparatus according to the third embodiment.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the third embodiment.
  • FIG. 17 is an explanatory diagram illustrating a part of the manufacturing process of the electronic device according to the third embodiment in
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid crystal display device 70a constituting the electronic apparatus of the present embodiment.
  • 2 is a first side view of the electronic device 80a including the liquid crystal display device 70a as viewed from the lower side in FIG. 1
  • FIG. 3 is a second side view of the electronic device 80a as viewed from the right side in FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the substrate end portion of the liquid crystal display device 70a.
  • 5 is a plan view of the TFT substrate 30a constituting the liquid crystal display device 70a
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the TFT substrate 30a taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the CF substrate 40a constituting the liquid crystal display device 70a.
  • the electronic device 80a includes a liquid crystal display device 70a having a liquid crystal display panel 50a, and a touch panel 75 provided on the liquid crystal display device 70a via an adhesive layer 71a.
  • the liquid crystal display panel 50a includes a TFT substrate 30a provided as a first substrate, a CF substrate 40a provided as a second substrate so as to face the TFT substrate 30a, and a TFT substrate.
  • the liquid crystal layer 45 provided between 30a and the CF substrate 40a, the TFT substrate 30a and the CF substrate 40a are bonded to each other, and a sealing material 46a provided in a frame shape for enclosing the liquid crystal layer 45 (see FIG. 1). ).
  • the liquid crystal display device 70a includes a liquid crystal display panel 50a, a transparent conductive film 51 provided on the surface of the liquid crystal display panel 50a opposite to the liquid crystal layer 45 of the CF substrate 40a, A front polarizing plate 52 provided on the surface of the display panel 50a on the CF substrate 40a side via a transparent conductive film 51, a back polarizing plate 53 provided on the surface of the liquid crystal display panel 50a on the TFT substrate 30a side, and a liquid crystal display
  • the panel 50a includes a backlight unit 60a provided through a back polarizing plate 53.
  • the TFT substrate 30 a includes an insulating substrate 10 a, a plurality of gate lines 14 provided on the insulating substrate 10 so as to extend in parallel to each other, and a direction orthogonal to the gate lines 14.
  • a plurality of source lines 16 provided so as to extend in parallel to each other, a plurality of TFTs 5 provided for each crossing portion of each gate line 14 and each source line 16, that is, for each sub-pixel, and each TFT 5 are covered.
  • the planarizing film 17 provided in such a manner, a plurality of capacitor lines 18 provided on the planarizing film 17 so as to extend in parallel with each other in the extending direction of each gate line 14, and so as to cover each capacitive line 18.
  • the capacitor insulating film 19 provided on the capacitor insulating film 19 is provided in a T-shape for each sub-pixel, and is connected to each TFT 5 and is provided so as to cover each pixel electrode 20. Alignment film And a not shown).
  • the pixel electrode 20 constitutes the auxiliary capacitor 6 by overlapping with the capacitor line 18 through the capacitor insulating film 19.
  • the capacitor line 18 includes a pair of counter electrodes 18 a protruding sideways in an L shape so as to extend between the source line 16 and the pixel electrode 20 in each sub-pixel. ing.
  • a terminal region T is provided in a portion exposed from the CF substrate 40a, and the terminal region T has a ground terminal 21a grounded directly or indirectly.
  • a driver 55 to which each gate line 14 and each source line 16 are connected is provided. 2 to 4, the ground terminal 21a is exaggerated so as to protrude from the surface of the display region (the region inside the sealing material 46a) of the TFT substrate 30a. Since it is formed using at least one conductive layer constituting the TFT substrate 30a, it does not protrude from the surface of the display region.
  • the TFT 5 is provided on the insulating substrate 10a via the base coat film 11, and includes a source region 12a, a drain region 12b, a channel region 12c, and an LDD (Lightly Doped Drain) region 12d.
  • the interlayer insulating film 15 and a source electrode 16a and a drain electrode 16b provided on the interlayer insulating film 15 so as to be separated from each other are provided.
  • the gate electrode 14 a is a protruding portion to the side of each gate line 14.
  • the source electrode 16a is a portion protruding to the side of each source line 16 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 6, the source electrode 16 a is connected to the source region 12 a of the semiconductor layer 12 through an opening 15 a formed in the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 15.
  • the drain electrode 16 b is connected to the drain region 12 b of the semiconductor layer 12 through the opening 15 b formed in the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 15.
  • the drain electrode 16b is connected to the pixel electrode 20 through an opening 17a formed in the planarizing film 17 and an opening 19a formed in the interlayer insulating film 19, as shown in FIGS. Yes.
  • the CF substrate 40a includes an insulating substrate 10b, a black matrix 31 provided in a frame shape on the insulating substrate 10b and in a lattice shape in the frame, and between the lattices of the black matrix 31.
  • the overcoat film 33 On the overcoat film 33, the red layer 32r, the green layer 32g, and the blue layer 32b that are provided, the overcoat film 33 that is provided so as to cover the black matrix 31, the red layer 32r, the green layer 32g, and the blue layer 32b.
  • a plurality of photo spacers (not shown) provided in a columnar shape and an alignment film (not shown) provided so as to cover the overcoat film 33 are provided.
  • a portion formed in a frame shape of the black matrix 31 is a right triangle in a plan view as an alignment mark for aligning the liquid crystal display device 70 a and the touch panel 75.
  • a pair of shaped openings 31c are provided.
  • the CF substrate 40a on which three colored layers of R (red), G (green), and B (blue) are arranged is illustrated. However, colored layers of four or more colors such as RGB + Y (yellow) are used. An arrayed CF substrate may be used.
  • a part of the end portion of the surface of the transparent conductive film 51 provided on the CF substrate 40a, the side surface that follows, and the surface of the ground terminal 21a are formed on the transparent conductive film 51 and the ground terminal 21a.
  • a conductive member 54 made of a conductive paste such as a silver paste is provided.
  • a resin layer 47 made of a transparent insulating resin is formed outside the sealing material 46a with respect to the openings 31c of the black matrix 31 as shown in FIGS.
  • the inflow suppressing part for suppressing the inflow of the conductive paste it is provided so as to cover the opening 31c.
  • the resin layer 47 made of a transparent insulating resin is exemplified.
  • the resin layer 47 covers the entire opening 31c of the black matrix 31, for example, so that the opening 31c is optically accurate. If it can be read, it may be colored.
  • the liquid crystal layer 45 is composed of, for example, a nematic liquid crystal material in which a liquid crystal compound having a positive dielectric anisotropy and a liquid crystal compound having a negative dielectric anisotropy are mixed to cancel the dielectric anisotropy. Has been.
  • the touch panel 75 includes, for example, a transparent electrode (not shown) provided in a rectangular shape on an insulating substrate, and four lead wires (not shown) drawn from four corners of the transparent electrode, respectively, and has a capacitance.
  • a touch panel of the system is configured.
  • the capacitive touch panel 75 is exemplified, but the touch panel 75 may be another type touch panel such as a resistive film type, for example.
  • the backlight unit 60a includes, for example, a thin housing (not shown) whose upper surface is open, a flat light guide plate (not shown) provided inside the housing, and a plate provided on the lower surface of the light guide plate.
  • a thin reflection sheet (not shown)
  • a light source such as a fluorescent lamp provided inside the housing and disposed on the side of the light guide plate, and provided inside the housing so as to surround the light source
  • a reflector (not shown) arranged in a vertically-divided cylindrical shape
  • an optical sheet such as a lens sheet or a diffusion sheet provided on the upper surface of the light guide plate.
  • a linear light source such as a fluorescent lamp is exemplified as the light source.
  • the light source may be a plurality of LEDs (Light-Emitting-Diode).
  • the electronic device 80a having the above configuration forms an electric field in the liquid crystal layer 45 in the direction (lateral direction) along the surface of the TFT substrate 30a via the pixel electrode 20 and the counter electrode 18a, thereby the liquid crystal layer 45 for each subpixel. For example, when the surface of the touch panel 75 is touched with a fingertip, the capacitance changes between the transparent electrode of the touch panel 75 and the fingertip. The touched position is detected.
  • the manufacturing method of the present embodiment includes a TFT substrate manufacturing process, a CF substrate manufacturing process, and a liquid crystal display panel manufacturing process including a substrate bonding process (including an inflow suppressing portion forming process), a transparent conductive film forming process, A conductive member forming step and a touch panel attaching step;
  • a base coat film 11 is formed on an insulating substrate 10a such as a glass substrate by depositing an inorganic insulating film such as a silicon oxide film (thickness of about 100 nm) by, for example, plasma CVD (Chemical Vapor Deposition). To do.
  • the amorphous silicon is formed by laser annealing, solid phase growth, or the like.
  • the film is transformed into a polysilicon film, and the semiconductor layer 12 is formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the polysilicon film.
  • an inorganic insulating film (13) such as a silicon oxide film (having a thickness of about 100 nm) is formed on the entire substrate on which the semiconductor layer 12 has been formed, for example, by plasma CVD.
  • the gate line 14 and the gate electrode 14a are formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the laminated metal film.
  • phosphorus or boron impurities are implanted into the semiconductor layer 12 using the gate electrode 14a as a mask.
  • a resist larger in plan view than the gate electrode 14a is formed on the gate electrode 14a, and phosphorus or boron impurities are implanted into the semiconductor layer 12 using the resist as a mask.
  • a channel region 12c is formed in a portion overlapping the gate electrode 14aa of the semiconductor layer 12, and an LDD region 12d having a relatively low impurity concentration is formed in the portions covered with the resist on both outer sides thereof.
  • a source region 12a and a drain region 12b having a relatively high impurity concentration are formed in the portions not covered by the resist on both outer sides.
  • the substrate on which the source region 12a, drain region 12b, channel region 12c and LDD region 12d are formed is heated to about 650 ° C. to 700 ° C. to activate the implanted impurities.
  • an inorganic insulating film (15) such as a silicon oxide film (thickness of about 150 nm to 500 nm) is formed on the entire substrate on which the impurity is activated by, for example, plasma CVD, and the inorganic
  • the openings 15a and 15b are formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the insulating film (15) and the laminated insulating film of the inorganic insulating film (13) formed previously, thereby forming gates.
  • An insulating film 13 and an interlayer insulating film 15 are formed.
  • a titanium film (thickness of about 100 nm), an aluminum film (thickness of about 500 nm), and a titanium film (thickness of about 100 nm) are formed on the entire substrate on which the gate insulating film 13 and the interlayer insulating film 15 are formed by, for example, sputtering. ) And the like are sequentially formed, and the source line 16, the source electrode 16a, and the drain electrode 16b are formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the laminated metal film.
  • the substrate on which the source line 16, the source electrode 16 a and the drain electrode 16 b are formed is heated to about 400 ° C. to 500 ° C. in a hydrogen atmosphere to terminate dangling bonds (unbonded hands) of the semiconductor layer 12. .
  • an acrylic photosensitive resin is applied to a thickness of about 2 ⁇ m on the entire substrate with the dangling bonds of the semiconductor layer 12 terminated by, for example, a spin coating method or a slit coating method. Then, the planarization film 17 having the opening 17a is formed by performing exposure, development, and baking.
  • a transparent conductive film such as an ITO (IndiumInTin Oxide) film (thickness of about 100 nm) is formed on the entire substrate on which the planarizing film 17 has been formed, for example, by sputtering.
  • the capacitor line 18 and the counter electrode 18a are formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning.
  • an inorganic insulating film such as a silicon oxide film (with a thickness of about 150 nm to 500 nm) is formed on the entire substrate on which the capacitor line 18 and the counter electrode 18a are formed, for example, by plasma CVD, and the inorganic By performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the insulating film, the capacitor insulating film 19 having the opening 19a is formed.
  • the pixel electrode 20 is formed by performing etching and resist peeling cleaning.
  • a polyimide resin film is applied to the entire substrate on which the pixel electrode 20 is formed, for example, by a printing method, and then the coating film is baked and rubbed to form a thickness of the alignment film. It is formed to about 100 nm.
  • the TFT substrate 30a can be manufactured as described above.
  • the ground terminal 21a on the TFT substrate 30a is formed using at least one of the steps of forming the gate line 14, the source line 16, the capacitor line 18 and the pixel electrode 20.
  • ⁇ CF substrate manufacturing process First, an acrylic photosensitive resin in which fine particles such as carbon are dispersed is applied to the entire substrate of the insulating substrate 10b such as a glass substrate by, for example, a spin coat method or a slit coat method, By performing exposure, development, and baking, the black matrix 31 having the opening 31c is formed to a thickness of about 2 ⁇ m.
  • an acrylic photosensitive resin colored red, green, or blue is applied to the entire substrate on which the black matrix 31 is formed, for example, by spin coating or slit coating, and the coating film is applied to the coating film.
  • a colored layer of the selected color for example, the red layer 32r
  • the same process is repeated for the other two colors to form the other two colored layers (for example, the green layer 32g and the blue layer 32b) with a thickness of about 2 ⁇ m.
  • an overcoat film 33 is formed by forming an organic insulating film such as an acrylic resin on the substrate on which the red layer 32r, the green layer 32g, and the blue layer 32b are formed, for example, by spin coating or slit coating. Is formed to a thickness of about 1 ⁇ m.
  • a photosensitive resin is applied to the entire substrate on which the overcoat film 33 has been formed, for example, by spin coating or slit coating, and the coating film is exposed, developed, and baked to obtain a photo
  • the spacer is formed to a thickness of about 4 ⁇ m.
  • a polyimide resin film is applied to the entire substrate on which the photospacer is formed, for example, by a printing method, and then the coating film is baked and rubbed to obtain a thickness of the alignment film. It is formed to about 100 nm.
  • the CF substrate 40a can be manufactured.
  • a seal material 46a made of UV (ultraviolet) curing and thermosetting resin is drawn on the surface of the CF substrate 40a manufactured in the CF substrate manufacturing process in a frame shape using a dispenser, A liquid crystal material is dropped inside the material 46a.
  • the CF substrate 40a onto which the liquid crystal material has been dropped and the TFT substrate 30a produced in the TFT substrate production step are bonded together under reduced pressure, and then the bonded body is released to atmospheric pressure. By pressing, the surface and the back surface of the bonded body are pressurized.
  • the sealing material 46a is hardened by heating the bonding body.
  • the unnecessary part is removed by dividing the bonding body which hardened the sealing material 46a, for example by dicing.
  • a low-viscosity epoxy resin or acrylic resin is injected using an injection jig such as a syringe, By curing the injected resin, the resin layer 47 is formed as an inflow suppressing portion (inflow suppressing portion forming step).
  • the liquid crystal display panel 50a can be manufactured as described above.
  • Transparent conductive film formation process A transparent conductive film 51 such as an ITO film (thickness of about 100 nm) is formed on the surface of the liquid crystal display panel 50a manufactured in the liquid crystal display panel manufacturing process on the CF substrate 40a side by, for example, a vapor deposition method.
  • Conductive member formation process First, between the ground terminal 21a on the TFT substrate 30a and the transparent conductive film 51 on the CF substrate 40a in the liquid crystal display panel 50a in which the transparent conductive film 51 is formed in the transparent conductive film formation step, for example, silver paste or the like
  • the conductive paste is placed using a needle-shaped coating jig and then heated to about 80 ° C. to cure the conductive paste, thereby forming the conductive member 54, and the ground terminal 21 a and the transparent conductive film. 51 are connected to each other.
  • the front polarizing plate 52 and the back polarizing plate 53 are respectively attached to the front and back surfaces of the liquid crystal display panel 50a on which the conductive member 54 is formed.
  • the backlight unit 60a is attached, whereby the liquid crystal display device 70a is mounted. Make it.
  • an adhesive layer 71a is formed by applying an adhesive to the surface of the front polarizing plate 49a of the liquid crystal display device 70a manufactured in the conductive member forming step.
  • the opening 31c (alignment mark) of the black matrix 31 formed on the CF substrate 40a of the liquid crystal display device 70a on which the adhesive layer 71a is formed is optically measured using, for example, a CCD (Charge Coupled Device) camera.
  • the liquid crystal display device 70a and the touch panel 75 are aligned, and the liquid crystal display device 70a and the touch panel 75 are aligned via the adhesive layer 71a. To fix each other.
  • the electronic device 80a of this embodiment can be manufactured.
  • the transparent conductive material provided on the ground terminal 21a provided on the TFT substrate 30a and the CF substrate 40a by performing the conductive member forming step. Since the film 51 is connected via the conductive member 54, the transparent conductive film 51 provided on the CF substrate 40a is grounded, and the electronic apparatus includes the horizontal electric field type liquid crystal display device 70a on which the touch panel 75 is mounted. In 80a, display defects due to charging such as a decrease in contrast and display unevenness can be suppressed.
  • the CF is aligned in order to align the region where the conductive member 54 obtained by curing the conductive paste is formed with the liquid crystal display device 70a and the touch panel 75. Since the resin layer 47 is formed between the opening 31c (of the black matrix 31) provided as an alignment mark on the substrate 40a as an inflow suppressing portion for suppressing the inflow of the conductive paste to the opening 31c, The movement of the conductive paste toward the opening 31c can be restricted. Therefore, since the contamination of the opening 31c due to the conductive paste can be suppressed in the conductive member forming process, the opening 31c can be optically accurately read in the touch panel mounting process.
  • the position of the liquid crystal display device 70a can be accurately recognized, so that the touch panel 75 and the horizontal electric field type liquid crystal display device 70a can be accurately aligned and touched.
  • the electronic device 80a with high position detection accuracy can be provided.
  • FIG. 8 is a plan view of a liquid crystal display device 70b constituting the electronic apparatus of the present embodiment.
  • 9 is a first side view of the electronic device 80b including the liquid crystal display device 70b as viewed from the lower side in FIG. 8
  • FIG. 10 is a second side view of the electronic device 80b as viewed from the right side in FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the substrate end of the liquid crystal display device 70b.
  • FIG. 12 is explanatory drawing which shows a part of manufacturing process of the electronic device 80b with a plane.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • the electronic device 80a that forms the inflow suppression portion using the resin filled from the outside and the manufacturing method thereof are exemplified, but in this embodiment, the electronic device that forms the inflow suppression portion using the sealing material.
  • the device 80b and the manufacturing method thereof will be exemplified.
  • the electronic device 80b includes a liquid crystal display device 70b having a liquid crystal display panel 50b, and a touch panel 75 provided on the liquid crystal display device 70b via an adhesive layer 71a.
  • the liquid crystal display panel 50b includes a TFT substrate 30b provided as a first substrate, a CF substrate 40b provided as a second substrate so as to face the TFT substrate 30b, and a TFT substrate.
  • the liquid crystal layer 45 provided between 30b and the CF substrate 40b, the TFT substrate 30b and the CF substrate 40b are adhered to each other, and a sealing material 46b provided in a frame shape for enclosing the liquid crystal layer 45 (see FIG. 8). ).
  • the liquid crystal display device 70b includes a liquid crystal display panel 50b, a transparent conductive film 51 provided on the surface of the liquid crystal display panel 50b opposite to the liquid crystal layer 45, and a liquid crystal display panel 50b.
  • a front polarizing plate 52 provided on the surface of the display panel 50b on the CF substrate 40b side via a transparent conductive film 51, a back polarizing plate 53 provided on the surface of the liquid crystal display panel 50b on the TFT substrate 30b side, and a liquid crystal display
  • the panel 50b includes a backlight unit 60b provided via a back polarizing plate 53.
  • the TFT substrate 30b is only provided with an alignment mark 21b in a region overlapping the CF substrate 40b outside the display region, and the other configuration is the TFT substrate 30a of the first embodiment. Is essentially the same.
  • the CF substrate 40b is not provided with a black matrix in a region overlapping with the alignment mark 21b on the TFT substrate 30b and its periphery, and the other configuration is the CF substrate 40a of the first embodiment. Is essentially the same.
  • a sealing material 46b that encloses and encloses the liquid crystal layer 45 in a frame shape is extended, and the extended portion is an alignment on the TFT substrate 30b. It surrounds the mark 21b and functions as an inflow suppressing part for suppressing the inflow of the conductive paste to the alignment mark 21b.
  • the sealing material 46b has a large annular portion formed relatively large so as to surround the display region, and a small annular portion formed relatively small so as to surround the alignment mark 21b. It is formed in the shape of figure 8.
  • the backlight unit 60 b is substantially the same as the backlight unit 60 a of the first embodiment, except that the housing with the upper surface opened is formed high. It has become.
  • the electronic device 80b having the above configuration forms an electric field in the direction (lateral direction) along the surface of the TFT substrate 30b on the liquid crystal layer 45 via the pixel electrode 20 and the counter electrode 18a, thereby causing the liquid crystal layer 45 to be provided for each subpixel.
  • the capacitance changes between the transparent electrode of the touch panel 75 and the fingertip. The touched position is detected.
  • the manufacturing method of the present embodiment includes a TFT substrate manufacturing process, a CF substrate manufacturing process, and a liquid crystal display panel manufacturing process including a substrate bonding process (including an inflow suppressing portion forming process), a transparent conductive film forming process, A conductive member forming step and a touch panel attaching step;
  • the TFT substrate 30b is formed by using at least one of the steps of forming the gate line 14, the source line 16, the capacitor line 18, and the pixel electrode 20 in the TFT substrate manufacturing process of Embodiment 1 described above. Therefore, the description of the TFT substrate manufacturing process of this embodiment is omitted.
  • the CF substrate 40b can be manufactured by changing the shape of the black matrix 31 in the CF substrate manufacturing process of the first embodiment, description of the CF substrate manufacturing process of the present embodiment is omitted.
  • the transparent conductive film formation process, the conductive member formation process, and the touch panel attachment process of the present embodiment are substantially the same as the transparent conductive film formation process, the conductive member formation process, and the touch panel attachment process of the first embodiment, Those descriptions are omitted. Therefore, below, the board
  • a sealing material 46b made of, for example, a combination resin of UV curing and thermosetting is applied to the surface of the TFT substrate 30b fabricated in the TFT substrate fabrication process using a dispenser. After drawing in a letter shape, a liquid crystal material (not shown) is dropped inside the sealing material 46b (the large annular portion).
  • the TFT substrate 30b onto which the liquid crystal material is dropped and the CF mother substrate 40bm manufactured in the CF substrate manufacturing process are bonded together under reduced pressure as shown in FIG.
  • the front and back surfaces of the bonded body are pressurized.
  • the CF mother substrate 40bm is a CF substrate 40b before the discarded substrate W described later is removed by cutting.
  • the sealing material 46b is cured by heating the bonded body, and an inflow suppressing portion is formed by an extended portion of the sealing material 46b. (Inflow suppression part formation process).
  • the bonded substrate obtained by curing the sealing material 46b is divided by, for example, dicing to remove the discarded substrate W.
  • the CF mother substrate 40bm is divided on the sealing material 46b.
  • the liquid crystal display panel 50b can be manufactured as described above.
  • the transparent conductive film forming step and the conductive member forming step are performed, and the alignment mark 21b on the TFT substrate 30b constituting the liquid crystal display device 70b is optically read to perform the touch panel attaching step.
  • the electronic device 80b of the present embodiment can be manufactured.
  • the transparent conductive material provided on the ground terminal 21a provided on the TFT substrate 30b and the CF substrate 40b by performing the conductive member forming step. Since the film 51 is connected via the conductive member 54, the transparent conductive film 51 provided on the CF substrate 40b is grounded, and the electronic apparatus includes the horizontal electric field type liquid crystal display device 70b on which the touch panel 75 is mounted. In 80b, display defects due to charging such as a decrease in contrast and display unevenness can be suppressed.
  • the TFT is used to align the region where the conductive member 54 obtained by curing the conductive paste is formed with the liquid crystal display device 70b and the touch panel 75. Since the sealing material 46b that also functions as an inflow suppressing portion for suppressing the inflow of the conductive paste to the alignment mark 21b is formed between the alignment mark 21b provided on the substrate 30b, the alignment mark 21b of the conductive paste. The movement to the side can be restricted. Therefore, since the contamination of the alignment mark 21b due to the conductive paste can be suppressed in the conductive member forming step, the alignment mark 21b can be optically accurately read in the touch panel mounting step.
  • the position of the liquid crystal display device 70b can be accurately recognized, so that the touch panel 75 and the horizontal electric field type liquid crystal display device 70b can be accurately aligned and touched.
  • the electronic device 80b having high position detection accuracy can be provided.
  • the inflow suppressing portion (seal material 46b) is formed on the TFT substrate 30b provided with the alignment mark 21b. And the inflow suppression part (seal material 46b) is formed on the same substrate, and the inflow suppression part (seal material 46b) can be accurately formed in the vicinity of the alignment mark 21b.
  • the liquid crystal display panel manufacturing process includes the inflow suppressing part forming process, and the inflow suppressing part is an extended part of the sealing material 46b, and thus the manufacturing process is increased.
  • the inflow suppressing part (46b) can be formed, and the material for forming the inflow suppressing part (46b) is difficult to adhere on the ground terminal 21a, and the good connection on the ground terminal 21a is achieved. A state can be secured.
  • the inflow suppressing portion (46b) is formed by drawing the sealing material 46b in the liquid crystal display panel manufacturing process.
  • the inflow suppressing part (46b) can be formed simply by changing the movement path of the dispenser for discharging the sealing material 46b.
  • FIG. 13 is a plan view of a liquid crystal display device 70c constituting the electronic apparatus of the present embodiment.
  • 14 is a first side view of an electronic device 80c including the liquid crystal display device 70c as viewed from the lower side in FIG. 13, and
  • FIG. 15 is a second side view of the electronic device 80c as viewed from the right side in FIG.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view of the substrate end of the liquid crystal display device 70c.
  • FIG. 17 is explanatory drawing which shows a part of manufacturing process of the electronic device 80c by a plane.
  • the electronic device 80c includes a liquid crystal display device 70c having a liquid crystal display panel 50c, and a touch panel 75 provided on the liquid crystal display device 70c via a double-sided tape 71b.
  • the liquid crystal display panel 50c includes a TFT substrate 30a provided as a first substrate, a CF substrate 40a provided as a second substrate so as to face the TFT substrate 30a, and a TFT substrate.
  • the liquid crystal layer 45 provided between 30a and the CF substrate 40a, the TFT substrate 30a and the CF substrate 40a are bonded to each other, and a sealing material 46c provided in a frame shape for enclosing the liquid crystal layer 45 (see FIG. 13). ).
  • the liquid crystal display device 70c includes a liquid crystal display panel 50c, a transparent conductive film 51 provided on the surface of the liquid crystal display panel 50c opposite to the liquid crystal layer 45 of the CF substrate 40a, A front polarizing plate 52 provided on the surface of the display panel 50c on the CF substrate 40a side via a transparent conductive film 51, a back polarizing plate 53 provided on the surface of the liquid crystal display panel 50c on the TFT substrate 30a side, and a liquid crystal display
  • the panel 50c includes a backlight unit 60b provided through a back polarizing plate 53.
  • liquid crystal display panel 50c liquid crystal display device 70c
  • a black matrix in which a part of a sealing material 46c enclosing and enclosing the liquid crystal layer 45 in a frame shape is provided as an alignment mark on the CF substrate 30a. It surrounds the opening 31c of 31 and functions as an inflow suppressing part for suppressing the inflow of the conductive paste to the opening 31c.
  • the electronic device 80c having the above configuration forms an electric field in the direction (lateral direction) along the surface of the TFT substrate 30a on the liquid crystal layer 45 via the pixel electrode 20 and the counter electrode 18a, thereby liquid crystal layer 45 for each subpixel.
  • the capacitance changes between the transparent electrode of the touch panel 75 and the fingertip. The touched position is detected.
  • the manufacturing method of the present embodiment includes a TFT substrate manufacturing process, a CF substrate manufacturing process, and a liquid crystal display panel manufacturing process including a substrate bonding process (including an inflow suppressing portion forming process), a transparent conductive film forming process, A conductive member forming step and a touch panel attaching step;
  • the TFT substrate manufacturing process, the CF substrate manufacturing process, the transparent conductive film forming process, the conductive member forming process, and the touch panel attaching process of the present embodiment are the TFT substrate manufacturing process, CF substrate manufacturing process, and transparent conductive film of the first embodiment. Since it is substantially the same as the film forming process, the conductive member forming process, and the touch panel mounting process, description thereof is omitted. Therefore, below, the board
  • a sealing material 46c made of a combined resin of UV curing and thermosetting is formed on the surface of the TFT substrate 30a manufactured in the TFT substrate manufacturing process using a dispenser. Then, a liquid crystal material (not shown) is dropped inside the sealing material 46c.
  • the TFT substrate 30a onto which the liquid crystal material is dropped and the CF mother substrate 40am manufactured in the CF substrate manufacturing process are bonded together under reduced pressure, as shown in FIG.
  • the front and back surfaces of the bonded body are pressurized.
  • the CF mother substrate 40am is a CF substrate 40a before the discarded substrate W described later is removed by cutting.
  • the sealing material 46c is cured by heating the bonded body, and an inflow suppressing portion is formed by a part of the sealing material 46c (inflow). Suppression part formation process).
  • the bonded substrate obtained by curing the sealing material 46c is divided by, for example, dicing to remove the discarded substrate W.
  • the CF mother substrate 40am (and the TFT mother substrate) is divided on the sealing material 46c.
  • the liquid crystal display panel 50c can be manufactured as described above.
  • the transparent conductive film forming step and the conductive member forming step are performed, and the touch panel mounting step is performed using the double-sided tape 71b, thereby manufacturing the electronic device 80c of the present embodiment. Can do.
  • the transparent conductive material provided on the ground terminal 21a provided on the TFT substrate 30a and the CF substrate 40a by performing the conductive member forming step. Since the film 51 is connected via the conductive member 54, the transparent conductive film 51 provided on the CF substrate 40a is grounded, and the electronic apparatus includes the horizontal electric field type liquid crystal display device 70c on which the touch panel 75 is mounted. In 80c, display defects due to charging such as a decrease in contrast and display unevenness can be suppressed.
  • the CF is aligned in order to align the region where the conductive member 54 obtained by curing the conductive paste is formed with the liquid crystal display device 70c and the touch panel 75.
  • a sealing material 46c that also functions as an inflow suppressing portion for suppressing the inflow of the conductive paste to the opening 31c is formed. Therefore, the movement of the conductive paste toward the opening 31c can be restricted. Therefore, since the contamination of the opening 31c due to the conductive paste can be suppressed in the conductive member forming process, the opening 31c can be optically accurately read in the touch panel mounting process.
  • the position of the liquid crystal display device 70c is accurately recognized, so that the touch panel 75 and the horizontal electric field type liquid crystal display device 70c can be accurately aligned, and the position of the touched position can be determined.
  • An electronic device 80c with high detection accuracy can be provided.
  • the liquid crystal display panel manufacturing process includes the inflow suppressing part forming process, and the inflow suppressing part is a part of the sealing material 46c, an increase in the manufacturing process is suppressed.
  • the inflow suppressing part (46c) can be formed.
  • the inflow suppression part (46c) is formed by drawing the sealing material 46c in the liquid crystal display panel manufacturing process, the sealing material 46c is drawn. At this time, the inflow suppressing part (46c) can be formed only by changing the movement path of the dispenser for discharging the sealing material 46c.
  • the manufacturing method for attaching the touch panel to the liquid crystal display device including the backlight unit is exemplified. However, after the touch panel is attached to the liquid crystal display device to which the backlight unit is not yet attached, the backlight unit is attached. May be attached.
  • the electronic device grounded on one side of the terminal region is illustrated, but the electronic device may be grounded on both sides of the terminal region.
  • the technique for aligning the liquid crystal display device and the touch panel is illustrated.
  • the present invention can also be applied to a technique related to the alignment of the liquid crystal display device and a protective plate for protecting the liquid crystal display device. it can.
  • the TFT substrate using the TFT electrode connected to the pixel electrode as the drain electrode has been exemplified.
  • the present invention is applied to the TFT substrate called the source electrode. Can also be applied.
  • the present invention can accurately align the touch panel and the horizontal electric field type liquid crystal display device. Therefore, the present invention is useful for an electronic apparatus including the horizontal electric field type liquid crystal display device on which the touch panel is mounted. It is.
  • T terminal area 21a Ground terminal 21b Alignment marks 30a, 30b TFT substrate (first substrate) 31c Opening (alignment mark) 40a, 40b CF substrate (second substrate) 45 Liquid crystal layer 46a Sealing material 46b, 46c Sealing material (inflow suppressing part) 47 Resin layer (inflow suppression part) 50a-50c Liquid crystal display panel 51 Transparent conductive film 54 Conductive member (conductive paste) 70a to 70c Liquid crystal display devices 80a to 80c Electronic equipment

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Abstract

　接地端子（２１ａ）が設けられた端子領域（Ｔ）を有する第１基板（３０ａ）、第１基板（３０ａ）に対向するように設けられた第２基板（４０ａ）、第１基板（３０ａ）及び第２基板（４０ａ）の間に設けられた液晶層（４５）、並びに第２基板（４０ａ）の液晶層（４５）と反対側の表面に設けられ、接地端子（２１ａ）に導電性ペーストからなる導電部材（５４）を介して接続された透明導電膜（５１）を備えた横電界方式の液晶表示装置（７０ａ）と、液晶表示装置（７０ａ）の第２基板側（４０ａ）に設けられたタッチパネルとを備え、第１基板（３０ａ）又は第２基板（４０ａ）の液晶層（４５）側にアライメントマーク（３１ｃ）が設けられた電子機器であって、導電部材（５４）とアライメントマーク（３１ｃ）との間には、アライメントマーク（３１ｃ）に対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部（４７）が設けられている。

Description

電子機器及びその製造方法
　本発明は、電子機器及びその製造方法に関し、特に、タッチパネルが搭載された横電界方式の液晶表示装置を備えた電子機器及びその製造方法に関するものである。
　横電界方式の液晶表示装置は、例えば、電極基板として設けられた薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、「ＴＦＴ」とも称する）基板と、ＴＦＴ基板に対向するように無電極基板として設けられたカラーフィルター（Color Filter、以下、「ＣＦ」とも称する）基板と、ＴＦＴ基板及びＣＦ基板の間に設けられた液晶層とを備え、液晶層に横方向（基板表面に沿う方向）の電界を印加することにより、画像の最小単位である各副画素毎に液晶層を透過する光の透過率を調整して、表示を行うように構成されている。
　例えば、特許文献１には、液晶層を介して互いに対向するように一対の透明基板が設けられた液晶表示パネルと、液晶表示パネルの表示面に光を透過させるためのバックライトユニットとを備えた横電界方式の液晶表示装置において、バックライトユニットに対して遠い側の液晶表示パネルの透明基板の液晶層と反対側の面における少なくとも画素形成領域に透光性を有する導電層を形成することにより、液晶表示パネルの表面の外部から静電気などの高い電位が加わった場合にあっても、表示の異常の発生を防止できるようになることが記載されている。
特開平９－１０５９１８号公報
　近年、液晶表示装置を備えた電子機器では、例えば、液晶表示装置の表示画面に表示されたアイコンなどにタッチパネルを介して触れることにより入力操作を行うタッチパネルが搭載された電子機器が注目されている。そして、タッチパネルが搭載された液晶表示装置を備えた電子機器では、高精細な表示画面に対して、種々の細かい入力操作をタッチパネルを介して行うことが多くなっているので、タッチパネルと液晶表示装置とを正確に位置合わせした状態で互いに固定する必要がある。そのため、タッチパネルが搭載された液晶表示装置を備えた電子機器を製造する際には、例えば、ＴＦＴ基板又はＣＦ基板の端部にアライメントマークを設け、そのアライメントマークを光学的に読み取ることにより、液晶表示装置の位置を認識して、タッチパネルと液晶表示装置とを正確に位置合わせすることになる。
　ところで、横電界方式の液晶表示装置では、外部からの静電気により、ノーマリーブラックの表示モードにおいて黒浮きによるコントラストが低下したり、ノーマリーホワイトの表示モードにおいて表示むらが発生したりするおそれがあるので、特許文献１と同様に、例えば、ＣＦ基板の観察者側の表面に透明導電膜を設けると共に、その透明導電膜をＴＦＴ基板上の接地された接地端子に導電性ペーストを介して接続することにより、帯電を抑制することが多い。
　ここで、タッチパネルが搭載された横電界方式の液晶表示装置を備えた電子機器では、例えば、ＣＦ基板に設けられた透明導電膜とＴＦＴ基板に設けられた接地端子とを接続するための導電性ペーストが、ＴＦＴ基板又はＣＦ基板におけるアライメントマークが設けられた領域に流入することにより、アライメントマークが汚れてしまうおそれがある。そうなると、アライメントマークを光学的に正確に読み取ることができなくなるので、液晶表示装置とタッチパネルとを正確に位置合わせすることが困難になってしまう。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、タッチパネルと横電界方式の液晶表示装置とを正確に位置合わせすることにある。
　上記目的を達成するために、本発明は、導電性ペーストからなる導電部材とアライメントマークとの間に、アライメントマークに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部を設けるようにしたものである。
　具体的に本発明に係る電子機器は、接地端子が設けられた端子領域を有する第１基板、上記端子領域が露出する状態で上記第１基板に対向するように設けられた第２基板、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層、上記第１基板及び第２基板の間に枠状に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着すると共に上記液晶層を封入するためのシール材、並びに上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に設けられ、上記接地端子に導電性ペーストからなる導電部材を介して接続された透明導電膜を備え、上記液晶層に対し、上記第１基板の表面に沿う方向に電界を形成して表示を行う横電界方式の液晶表示装置と、上記液晶表示装置の上記第２基板側に設けられたタッチパネルとを備え、上記第１基板又は第２基板の上記液晶層側に上記液晶表示装置と上記タッチパネルとを位置合わせするためのアライメントマークが設けられた電子機器であって、上記導電部材と上記アライメントマークとの間には、該アライメントマークに対する上記導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部が設けられていることを特徴とする。
　上記の構成によれば、第１基板に設けられた接地端子と第２基板に設けられた透明導電膜とが導電部材を介して接続されているので、第２基板に設けられた透明導電膜が接地され、タッチパネルが搭載された横電界方式の液晶表示装置を備えた電子機器において、コントラストの低下や表示むらなどの帯電による表示不良が抑制される。ここで、導電性ペーストからなる導電部材と、液晶表示装置とタッチパネルとを位置合わせするために第１基板又は第２基板に設けられたアライメントマークとの間には、アライメントマークに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部が設けられているので、導電性ペーストのアライメントマーク側への移動が制限される。そのため、導電性ペーストによるアライメントマークの汚染が抑制されるので、アライメントマークが光学的に正確に読み取られる。これにより、液晶表示装置の位置が正確に認識されるので、タッチパネルと横電界方式の液晶表示装置とを正確に位置合わせすることが可能になる。
　上記流入抑制部は、絶縁性樹脂により形成されていてもよい。
　上記の構成によれば、流入抑制部が絶縁性樹脂により形成されているので、例えば、第１基板又は第２基板上のアライメントマークを覆うように外部から充填された樹脂や第１基板及び第２基板を互いに接着するシール材などを用いて流入抑制部が具体的に形成される。
　上記アライメントマークは、上記シール材の内側に設けられ、上記流入抑制部は、上記シール材の一部分により形成されていてもよい。
　上記の構成によれば、流入抑制部がシール材の一部分により形成されているので、製造工程の増加を抑制して、流入抑制部が形成される。
　上記シール材は、上記アライメントマークの周囲に延長され、上記流入抑制部は、上記シール材の延長された部分により形成されていてもよい。
　上記の構成によれば、流入抑制部がシール材の延長された部分により形成されているので、製造工程の増加を抑制して、流入抑制部が形成される。
　また、本発明に係る電子機器の製造方法は、接地端子が設けられた端子領域を有する第１基板、上記端子領域が露出する状態で上記第１基板に対向するように設けられた第２基板、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層、並びに上記第１基板及び第２基板の間に枠状に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着すると共に上記液晶層を封入するためのシール材を備え、上記第１基板又は第２基板の上記液晶層側にアライメントマークが設けられ、上記液晶層に対し、上記第１基板の表面に沿う方向に電界を形成して表示を行う横電界方式の液晶表示装置となる液晶表示パネルを作製する液晶表示パネル作製工程と、上記液晶表示パネルにおける上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、上記接地端子と上記透明導電膜との間に導電性ペーストを配置した後に、該導電性ペーストを硬化させて、導電部材を形成することにより、上記接地端子及び透明導電膜を互いに接続して、上記液晶表示装置を作製する導電部材形成工程と、上記アライメントマークを光学的に読み取ることにより、上記作製された液晶表示装置の位置を認識した後に、該液晶表示装置と上記タッチパネルとを位置合わせして、該液晶表示装置及びタッチパネルを互いに固定するタッチパネル取付工程とを備えた電子機器の製造方法であって、上記導電部材形成工程の前に、上記アライメントマークと上記導電部材が形成される領域との間に、該アライメントマークに対する上記導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部を形成する流入抑制部形成工程を備えることを特徴とする。
　上記の方法によれば、導電部材形成工程を行うことにより、第１基板に設けられた接地端子と第２基板に設けられた透明導電膜とが導電部材を介して接続されているので、第２基板に設けられた透明導電膜が接地され、タッチパネルが搭載された横電界方式の液晶表示装置を備えた電子機器において、コントラストの低下や表示むらなどの帯電による表示不良が抑制される。ここで、導電部材形成工程の前に行う流入抑制部形成工程では、導電性ペーストを硬化させた導電部材が形成される領域と、液晶表示装置とタッチパネルとを位置合わせするために第１基板又は第２基板に設けられたアライメントマークとの間に、アライメントマークに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部を形成するので、導電性ペーストのアライメントマーク側への移動が制限される。そのため、導電部材形成工程において、導電性ペーストによるアライメントマークの汚染が抑制されるので、タッチパネル取付工程において、アライメントマークが光学的に正確に読み取られる。これにより、タッチパネル取付工程において、液晶表示装置の位置が正確に認識されるので、タッチパネルと横電界方式の液晶表示装置とを正確に位置合わせすることが可能になる。
　上記流入抑制部形成工程では、上記アライメントマークが設けられた第１基板又は第２基板に上記流入抑制部を形成してもよい。
　上記の方法によれば、流入抑制部形成工程では、アライメントマークが設けられた第１基板又は第２基板に流入抑制部を形成するので、アライメントマーク及び流入抑制部が同一基板に形成され、アライメントマークの近傍に流入抑制部が精度よく形成される。
　上記液晶表示パネル作製工程は、上記流入抑制部形成工程を含み、上記流入抑制部は、上記シール材の一部分又は延長された部分であってもよい。
　上記の方法によれば、流入抑制部がシール材の一部分又は延長された部分であるので、製造工程の増加を抑制して、流入抑制部が形成される。
　上記液晶表示パネル作製工程では、上記アライメントマークが設けられた第１基板又は第２基板に上記シール材を描画してもよい。
　上記の方法によれば、液晶表示パネル作製工程において、シール材を描画することにより、流入抑制部が形成されるので、例えば、シール材を描画する際にシール材を吐出するためのディスペンサの移動経路を変更するだけで、流入抑制部が形成される。
　本発明によれば、導電性ペーストからなる導電部材とアライメントマークとの間に、アライメントマークに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部が設けられているので、タッチパネルと横電界方式の液晶表示装置とを正確に位置合わせすることができる。
図１は、実施形態１に係る電子機器を構成する液晶表示装置の平面図である。 図２は、実施形態１に係る電子機器の第１の側面図である。 図３は、実施形態１に係る電子機器の第２の側面図である。 図４は、実施形態１に係る液晶表示装置の断面図である。 図５は、実施形態１に係る液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の平面図である。 図６は、図５中のVI－VI線に沿ったＴＦＴ基板の断面図である。 図７は、実施形態１に係る液晶表示装置を構成するＣＦ基板の断面図である。 図８は、実施形態２に係る電子機器を構成する液晶表示装置の平面図である。 図９は、実施形態２に係る電子機器の第１の側面図である。 図１０は、実施形態２に係る電子機器の第２の側面図である。 図１１は、実施形態２に係る液晶表示装置の断面図である。 図１２は、実施形態２に係る電子機器の製造工程の一部を平面で示す説明図である。 図１３は、実施形態３に係る電子機器を構成する液晶表示装置の平面図である。 図１４は、実施形態３に係る電子機器の第１の側面図である。 図１５は、実施形態３に係る電子機器の第２の側面図である。 図１６は、実施形態３に係る液晶表示装置の断面図である。 図１７は、実施形態３に係る電子機器の製造工程の一部を平面で示す説明図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図７は、本発明に係る電子機器及びその製造方法の実施形態１を示している。具体的に、図１は、本実施形態の電子機器を構成する液晶表示装置７０ａの平面図である。また、図２は、図１中の下側からみた液晶表示装置７０ａを備えた電子機器８０ａの第１の側面図であり、図３は、図１中の右側からみた電子機器８０ａの第２の側面図である。また、図４は、液晶表示装置７０ａの基板端部の断面図である。また、図５は、液晶表示装置７０ａを構成するＴＦＴ基板３０ａの平面図であり、図６は、図５中のVI－VI線に沿ったＴＦＴ基板３０ａの断面図である。また、図７は、液晶表示装置７０ａを構成するＣＦ基板４０ａの断面図である。
　電子機器８０ａは、図２及び図３に示すように、液晶表示パネル５０ａを有する液晶表示装置７０ａと、液晶表示装置７０ａに粘着層７１ａを介して設けられたタッチパネル７５とを備えている。
　液晶表示パネル５０ａは、図２～図４に示すように、第１基板として設けられたＴＦＴ基板３０ａと、ＴＦＴ基板３０ａに対向するように第２基板として設けられたＣＦ基板４０ａと、ＴＦＴ基板３０ａ及びＣＦ基板４０ａの間に設けられた液晶層４５と、ＴＦＴ基板３０ａ及びＣＦ基板４０ａを互いに接着すると共に、液晶層４５を封入するために枠状に設けられたシール材４６ａ（図１参照）とを備えている。
　液晶表示装置７０ａは、図１～図４に示すように、液晶表示パネル５０ａと、液晶表示パネル５０ａのＣＦ基板４０ａの液晶層４５と反対側の表面に設けられた透明導電膜５１と、液晶表示パネル５０ａのＣＦ基板４０ａ側の表面に透明導電膜５１を介して設けられた表偏光板５２と、液晶表示パネル５０ａのＴＦＴ基板３０ａ側の表面に設けられた裏偏光板５３と、液晶表示パネル５０ａに裏偏光板５３を介して設けられたバックライトユニット６０ａとを備えている。
　ＴＦＴ基板３０ａは、図５及び図６に示すように、絶縁基板１０ａと、絶縁基板１０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１４と、各ゲート線１４と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１６と、各ゲート線１４及び各ソース線１６の交差部分毎、すなわち、各副画素毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ＴＦＴ５を覆うように設けられた平坦化膜１７と、平坦化膜１７上に各ゲート線１４の延びる方向に互いに平行に延びるように設けられた複数の容量線１８と、各容量線１８を覆うように設けられた容量絶縁膜１９と、容量絶縁膜１９上に各副画素にＴ字状に設けられ、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続された複数の画素電極２０と、各画素電極２０を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。ここで、画素電極２０は、図５に示すように、容量絶縁膜１９を介して容量線１８に重なることにより、補助容量６を構成している。また、容量線１８は、図５に示すように、各副画素において、ソース線１６と画素電極２０との間にそれぞれ延びるようにＬ字状に側方に突出した一対の対向電極１８ａを備えている。
　ＴＦＴ基板３０ａでは、図１～図４に示すように、ＣＦ基板４０ａから露出する部分に端子領域Ｔが設けられ、端子領域Ｔには、直接的に又は間接的に接地された接地端子２１ａ、及び各ゲート線１４及び各ソース線１６が接続されたドライバー５５が設けられている。なお、図２～図４では、接地端子２１ａがＴＦＴ基板３０ａの表示領域（シール材４６ａの内側の領域）の表面から突出しているように誇張して図示されているが、接地端子２１ａは、ＴＦＴ基板３０ａを構成する少なくとも１つの導電層を用いて形成されるので、表示領域の表面から突出しているわけではない。
　ＴＦＴ５は、図５及び図６に示すように、絶縁基板１０ａ上にベースコート膜１１を介して設けられ、ソース領域１２ａ、ドレイン領域１２ｂ、チャネル領域１２ｃ及びＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域１２ｄを有する半導体層１２と、半導体層１２を覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上にチャネル領域１２ｃに重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように設けられた層間絶縁膜１５と、層間絶縁膜１５上に互いに離間するように設けられたソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂとを備えている。
　ゲート電極１４ａは、図５に示すように、各ゲート線１４の側方への突出部分である。
　ソース電極１６ａは、図５に示すように、各ソース線１６の側方への突出した部分である。また、ソース電極１６ａは、図６に示すように、ゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１５に形成された開口部１５ａを介して半導体層１２のソース領域１２ａに接続されている。
　ドレイン電極１６ｂは、図６に示すように、ゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１５に形成された開口部１５ｂを介して半導体層１２のドレイン領域１２ｂに接続されている。また、ドレイン電極１６ｂは、図５及び図６に示すように、平坦化膜１７に形成された開口部１７ａ及び層間絶縁膜１９に形成された開口部１９ａを介して画素電極２０に接続されている。
　ＣＦ基板４０ａは、図７に示すように、絶縁基板１０ｂと、絶縁基板１０ｂ上に枠状に且つその枠内に格子状に設けられたブラックマトリクス３１と、ブラックマトリクス３１の各格子間にそれぞれ設けられた赤色層３２ｒ、緑色層３２ｇ及び青色層３２ｂと、ブラックマトリクス３１、赤色層３２ｒ、緑色層３２ｇ及び青色層３２ｂを覆うように設けられたオーバーコート膜３３と、オーバーコート膜３３上に柱状に設けられた複数のフォトスペーサ（不図示）と、オーバーコート膜３３を覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。ここで、ブラックマトリクス３１の枠状に形成された部分には、図１及び図４に示すように、液晶表示装置７０ａとタッチパネル７５とを位置合わせするためのアライメントマークとして、平面視で直角三角形状の一対の開口部３１ｃが設けられている。なお、本実施形態では、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色の着色層が配列されたＣＦ基板４０ａを例示したが、ＲＧＢ＋Ｙ（黄）などの４色以上の着色層が配列されたＣＦ基板であってもよい。
　ＣＦ基板４０ａに設けられた透明導電膜５１の表面の端部の一部分、それに続く側面、及び接地端子２１ａの表面には、図１～図４に示すように、透明導電膜５１及び接地端子２１ａを互いに接続するために、銀ペーストなどの導電性ペーストからなる導電部材５４が設けられている。そして、ＴＦＴ基板３０ａ及びＣＦ基板４０ａの間には、シール材４６ａの外側において、図１～図４に示すように、透明な絶縁性樹脂からなる樹脂層４７がブラックマトリクス３１の開口部３１ｃに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部として、その開口部３１ｃを覆うように設けられている。なお、本実施形態では、透明な絶縁性樹脂からなる樹脂層４７を例示したが、樹脂層４７は、例えば、ブラックマトリクス３１の開口部３１ｃ全体を覆うことにより、開口部３１ｃを光学的に正確に読み取ることができれば、着色されていてもよい。
　液晶層４５は、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶化合物と負の誘電率異方性を有する液晶化合物とを混合して誘電率異方性を相殺したネマチックの液晶材料などにより構成されている。
　タッチパネル７５は、例えば、絶縁基板上に矩形状に設けられた透明電極（不図示）と、透明電極の４隅からそれぞれ引き出された４本の引出配線（不図示）とを備え、静電容量方式のタッチパネルを構成している。なお、本実施形態では、静電容量方式のタッチパネル７５を例示したが、タッチパネル７５は、例えば、抵抗膜方式などの他の方式のタッチパネルであってもよい。
　バックライトユニット６０ａは、例えば、上面が開口した薄型の筐体（不図示）と、筐体の内部に設けられた平板状の導光板（不図示）と、導光板の下面に設けられた板状の反射シート（不図示）と、筐体の内部に設けられ、導光板の側方に配置された蛍光ランプなどの光源（不図示）と、筐体の内部に設けられ、光源を囲むように縦割りの円筒状に配置されたリフレクター（不図示）と、導光板の上面に設けられたレンズシートや拡散シートなどの光学シート（不図示）とを備えている。なお、本実施形態では、光源として、蛍光ランプなどの線状光源を例示したが、光源は、複数のＬＥＤ（Light Emitting Diode）であってもよい。
　上記構成の電子機器８０ａは、画素電極２０及び対向電極１８ａを介して液晶層４５にＴＦＴ基板３０ａの表面に沿う方向（横方向）に電界を形成することにより、各副画素毎に液晶層４５を透過する光の透過率を調整して表示を行うと共に、例えば、タッチパネル７５の表面が指先でタッチされることにより、タッチパネル７５の透明電極と指先との間での静電容量の変化に基づいて、タッチされた位置を検出するように構成されている。
　次に、本実施形態の電子機器８０ａを製造する方法について説明する。なお、本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、及び（流入抑制部形成工程を含む）基板貼合工程を有する液晶表示パネル作製工程と、透明導電膜形成工程と、導電部材形成工程と、タッチパネル取付工程とを備える。
　<<液晶表示パネル作製工程>>
　<ＴＦＴ基板作製工程>
　まず、ガラス基板などの絶縁基板１０ａ上に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、酸化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）などの無機絶縁膜を成膜することにより、ベースコート膜１１を形成する。
　続いて、ベースコート膜１１が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を成膜した後に、レーザアニール法や固相成長法などにより、そのアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に変成させ、そのポリシリコン膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、半導体層１２を形成する。
　そして、半導体層１２が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）などの無機絶縁膜（１３）を成膜する。
　さらに、無機絶縁膜（１３）が成膜された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、窒化タンタル膜（厚さ５０ｎｍ程度）及びタングステン膜（厚さ３５０ｎｍ程度）などを順に成膜した後に、その積層金属膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、ゲート線１４及びゲート電極１４ａを形成する。
　続いて、ゲート電極１４ａをマスクとして、半導体層１２にリン又はホウ素の不純物を注入する。
　その後、ゲート電極１４ａ上にゲート電極１４ａよりも平面視で大きいレジストを形成し、そのレジストをマスクとして半導体層１２にリン又はホウ素の不純物を注入する。これらの不純物の注入により、半導体層１２のゲート電極１４ａａに重なる部分にチャネル領域１２ｃが形成され、その両外側の上記レジストに覆われている部分に不純物濃度が相対的に低いＬＤＤ領域１２ｄが形成され、その両外側の上記レジストに覆われていない部分に不純物濃度が相対的に高いソース領域１２ａ及びドレイン領域１２ｂが形成される。なお、半導体層１２に不純物としてリンが注入された場合には、電子がチャネル電流のキャリアとなるｎ型のポリシリコンＴＦＴが形成され、半導体層１２に不純物としてホウ素が注入された場合には、正孔がチャネル電流のキャリアとなるｐ型のポリシリコンＴＦＴが形成される。
　さらに、上記レジストを除去した後に、ソース領域１２ａ、ドレイン領域１２ｂ、チャネル領域１２ｃ及びＬＤＤ領域１２ｄが形成された基板を６５０℃～７００℃程度に加熱して、注入された不純物を活性化させる。
　続いて、上記不純物を活性化させた基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、例えば、酸化シリコン膜（厚さ１５０ｎｍ～５００ｎｍ程度）などの無機絶縁膜（１５）を成膜して、その無機絶縁膜（１５）及び先に成膜した無機絶縁膜（１３）の積層絶縁膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、開口部１５ａ及び１５ｂを形成して、ゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１５を形成する。
　そして、ゲート絶縁膜１３及び層間絶縁膜１５が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）、アルミニウム膜（厚さ５００ｎｍ程度）及びチタン膜（厚さ１００ｎｍ程度）などを順に成膜した後に、その積層金属膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、ソース線１６、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂを形成する。
　さらに、ソース線１６、ソース電極１６ａ及びドレイン電極１６ｂが形成された基板を水素雰囲気中で４００℃～５００℃程度に加熱して、半導体層１２のダングリングボンド（未結合手）を終端化する。
　その後、半導体層１２のダングリングボンドを終端化させた基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、アクリル系の感光性樹脂を厚さ２μｍ程度に塗布し、その塗布膜に対して、露光、現像及び焼成を行うことにより、開口部１７ａを有する平坦化膜１７を形成する。
　続いて、平坦化膜１７が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜（厚さ１００ｎｍ程度）などの透明導電膜を成膜した後に、その透明導電膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、容量線１８及び対向電極１８ａを形成する。
　そして、容量線１８及び対向電極１８ａが形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、例えば、酸化シリコン膜（厚さ１５０ｎｍ～５００ｎｍ程度）などの無機絶縁膜を成膜して、その無機絶縁膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、開口部１９ａを有する容量絶縁膜１９を形成する。
　さらに、容量絶縁膜１９が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜（厚さ１００ｎｍ程度）などの透明導電膜を成膜した後に、その透明導電膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、画素電極２０を形成する。
　最後に、画素電極２０が形成された基板全体に、例えば、印刷法により、ポリイミドの樹脂膜を塗布した後に、その塗布膜に対して、焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜を厚さ１００ｎｍ程度に形成する。
　以上のようにして、ＴＦＴ基板３０ａを製造することができる。なお、ＴＦＴ基板３０ａ上の接地端子２１ａは、ゲート線１４、ソース線１６、容量線１８及び画素電極２０を形成する工程の少なくとも１つを利用して形成される。
　<ＣＦ基板作製工程>
　まず、ガラス基板などの絶縁基板１０ｂの基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、カーボンなどの微粒子が分散されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布膜に対して、露光、現像及び焼成を行うことにより、開口部３１ｃを有するブラックマトリクス３１を厚さ２μｍ程度に形成する。
　続いて、ブラックマトリクス３１が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、赤、緑又は青に着色されたアクリル系の感光性樹脂を塗布し、その塗布膜に対して、露光、現像及び焼成を行うことにより、選択した色の着色層（例えば、赤色層３２ｒ）を厚さ２μｍ程度に形成する。さらに、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層（例えば、緑色層３２ｇ及び青色層３２ｂ）を厚さ２μｍ程度に形成する。
　さらに、赤色層３２ｒ、緑色層３２ｇ及び青色層３２ｂが形成された基板上に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、アクリル樹脂などの有機絶縁膜を成膜することにより、オーバーコート膜３３を厚さ１μｍ程度に形成する。
　その後、オーバーコート膜３３が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、感光性樹脂を塗布し、その塗布膜に対して、露光、現像及び焼成を行うことにより、フォトスペーサを厚さ４μｍ程度に形成する。
　最後に、上記フォトスペーサが形成された基板全体に、例えば、印刷法により、ポリイミドの樹脂膜を塗布した後に、その塗布膜に対して、焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜を厚さ１００ｎｍ程度に形成する。
　以上のようにして、ＣＦ基板４０ａを作製することができる。
　<基板貼合工程>
　まず、例えば、ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ基板４０ａの表面に、ＵＶ（ultraviolet）硬化及び熱硬化の併用型樹脂などからなるシール材４６ａをディスペンサを用いて枠状に描画した後に、シール材４６ａの内側に液晶材料を滴下する。
　続いて、上記液晶材料が滴下されたＣＦ基板４０ａと、上記ＴＦＴ基板作製工程で作製されたＴＦＴ基板３０ａとを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。
　そして、上記貼合体に挟持されたシール材４６ａにＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材４６ａを硬化させる。
　さらに、シール材４６ａを硬化させた貼合体を、例えば、ダイシングにより分断することにより、その不要な部分を除去する。
　最後に、上記不要な部分が除去された貼合体におけるＴＦＴ基板３０ａ及びＣＦ基板４０ａの間に、例えば、低粘性のエポキシ樹脂やアクリル樹脂などをシリンジなどの注入治具を用いて注入して、その注入された樹脂を硬化させることにより、流入抑制部として、樹脂層４７を形成する（流入抑制部形成工程）。
　以上のようにして、液晶表示パネル５０ａを作製することができる。
　<<透明導電膜形成工程>>
　上記液晶表示パネル作製工程で作製された液晶表示パネル５０ａのＣＦ基板４０ａ側の表面に、例えば、蒸着法により、ＩＴＯ膜（厚さ１００ｎｍ程度）などの透明導電膜５１を形成する。
　<<導電部材形成工程>>
　まず、上記透明導電膜形成工程で透明導電膜５１が形成された液晶表示パネル５０ａにおけるＴＦＴ基板３０ａ上の接地端子２１ａとＣＦ基板４０ａ上の透明導電膜５１との間に、例えば、銀ペーストなどの導電性ペーストを針状の塗布治具を用いて配置した後に、８０℃程度に加熱して、導電性ペーストを硬化させることにより、導電部材５４を形成して、接地端子２１ａ及び透明導電膜５１を互いに接続する。
　続いて、導電部材５４が形成された液晶表示パネル５０ａの表面及び裏面に、表偏光板５２及び裏偏光板５３をそれぞれ貼り付ける。
　さらに、表偏光板５２及び裏偏光板５３が貼り付けられた液晶表示パネル５０ａにおけるＴＦＴ基板４０ａの端子領域Ｔにドライバー５５を実装した後に、バックライトユニット６０ａを取り付けることにより、液晶表示装置７０ａを作製する。
　<<タッチパネル取付工程>>
　まず、上記導電部材形成工程で作製された液晶表示装置７０ａの表偏光板４９ａの表面に接着剤を塗布することにより、粘着層７１ａを形成する。
　続いて、粘着層７１ａが形成された液晶表示装置７０ａのＣＦ基板４０ａに形成されたブラックマトリクス３１の開口部３１ｃ（アライメントマーク）を、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラを用いて、光学的に読み取ることにより、液晶表示装置７０ａの位置を認識した後に、液晶表示装置７０ａとタッチパネル７５とを位置合わせして、その位置合わせされた状態で液晶表示装置７０ａ及びタッチパネル７５を粘着層７１ａを介して互いに固定する。
　以上のようにして、本実施形態の電子機器８０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の電子機器８０ａ及びその製造方法によれば、導電部材形成工程を行うことにより、ＴＦＴ基板３０ａに設けられた接地端子２１ａとＣＦ基板４０ａに設けられた透明導電膜５１とが導電部材５４を介して接続されているので、ＣＦ基板４０ａに設けられた透明導電膜５１が接地され、タッチパネル７５が搭載された横電界方式の液晶表示装置７０ａを備えた電子機器８０ａにおいて、コントラストの低下や表示むらなどの帯電による表示不良を抑制することができる。ここで、導電部材形成工程の前に行う流入抑制部形成工程では、導電性ペーストを硬化させた導電部材５４が形成される領域と、液晶表示装置７０ａとタッチパネル７５とを位置合わせするためにＣＦ基板４０ａにアライメントマークとして設けられた（ブラックマトリクス３１の）開口部３１ｃとの間に、開口部３１ｃに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部として樹脂層４７を形成するので、導電性ペーストの開口部３１ｃ側への移動を制限することができる。そのため、導電部材形成工程において、導電性ペーストによる開口部３１ｃの汚染を抑制することができるので、タッチパネル取付工程において、開口部３１ｃを光学的に正確に読み取ることができる。これにより、タッチパネル取付工程において、液晶表示装置７０ａの位置を正確に認識することができるので、タッチパネル７５と横電界方式の液晶表示装置７０ａとを正確に位置合わせすることができると共に、タッチされた位置の検出精度が高い電子機器８０ａを提供することができる。
　《発明の実施形態２》
　図８～図１２は、本発明に係る電子機器及びその製造方法の実施形態２を示している。具体的に、図８は、本実施形態の電子機器を構成する液晶表示装置７０ｂの平面図である。また、図９は、図８中の下側からみた液晶表示装置７０ｂを備えた電子機器８０ｂの第１の側面図であり、図１０は、図８中の右側からみた電子機器８０ｂの第２の側面図である。また、図１１は、液晶表示装置７０ｂの基板端部の断面図である。また、図１２は、電子機器８０ｂの製造工程の一部を平面で示す説明図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１では、外部から充填された樹脂を用いて流入抑制部を形成する電子機器８０ａ及びその製造方法を例示したが、本実施形態では、シール材を用いて流入抑制部を形成する電子機器８０ｂ及びその製造方法を例示する。
　電子機器８０ｂは、図９及び図１０に示すように、液晶表示パネル５０ｂを有する液晶表示装置７０ｂと、液晶表示装置７０ｂに粘着層７１ａを介して設けられたタッチパネル７５とを備えている。
　液晶表示パネル５０ｂは、図９～図１１に示すように、第１基板として設けられたＴＦＴ基板３０ｂと、ＴＦＴ基板３０ｂに対向するように第２基板として設けられたＣＦ基板４０ｂと、ＴＦＴ基板３０ｂ及びＣＦ基板４０ｂの間に設けられた液晶層４５と、ＴＦＴ基板３０ｂ及びＣＦ基板４０ｂを互いに接着すると共に、液晶層４５を封入するために枠状に設けられたシール材４６ｂ（図８参照）とを備えている。
　液晶表示装置７０ｂは、図８～図１１に示すように、液晶表示パネル５０ｂと、液晶表示パネル５０ｂのＣＦ基板４０ｂの液晶層４５と反対側の表面に設けられた透明導電膜５１と、液晶表示パネル５０ｂのＣＦ基板４０ｂ側の表面に透明導電膜５１を介して設けられた表偏光板５２と、液晶表示パネル５０ｂのＴＦＴ基板３０ｂ側の表面に設けられた裏偏光板５３と、液晶表示パネル５０ｂに裏偏光板５３を介して設けられたバックライトユニット６０ｂとを備えている。
　ＴＦＴ基板３０ｂは、図８及び図１１に示すように、表示領域の外側のＣＦ基板４０ｂと重なる領域にアライメントマーク２１ｂが設けられているだけで、その他の構成が上記実施形態１のＴＦＴ基板３０ａと実質的に同じになっている。
　ＣＦ基板４０ｂは、図７に示すように、ＴＦＴ基板３０ｂ上のアライメントマーク２１ｂと重なる領域及びその周辺に、ブラックマトリクスが設けられていないだけで、その他の構成が上記実施形態１のＣＦ基板４０ａと実質的に同じになっている。
　液晶表示パネル５０ｂ（液晶表示装置７０ｂ）では、図８に示すように、液晶層４５を枠状に囲んで封入するシール材４６ｂが延長され、その延長された部分が、ＴＦＴ基板３０ｂ上のアライメントマーク２１ｂを囲み、アライメントマーク２１ｂに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部として機能している。ここで、シール材４６ｂは、表示領域を囲むように相対的に大きく形成された大環状部と、アライメントマーク２１ｂを囲むように相対的に小さく形成された小環状部とを有し、全体で８の字状に形成されている。
　バックライトユニット６０ｂは、図９及び図１０に示すように、上面が開口した筐体が高く形成されているだけで、その他の構成が上記実施形態１のバックライトユニット６０ａと実質的に同じになっている。
　上記構成の電子機器８０ｂは、画素電極２０及び対向電極１８ａを介して液晶層４５にＴＦＴ基板３０ｂの表面に沿う方向（横方向）に電界を形成することにより、各副画素毎に液晶層４５を透過する光の透過率を調整して表示を行うと共に、例えば、タッチパネル７５の表面が指先でタッチされることにより、タッチパネル７５の透明電極と指先との間での静電容量の変化に基づいて、タッチされた位置を検出するように構成されている。
　次に、本実施形態の電子機器８０ｂを製造する方法について説明する。なお、本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、及び（流入抑制部形成工程を含む）基板貼合工程を有する液晶表示パネル作製工程と、透明導電膜形成工程と、導電部材形成工程と、タッチパネル取付工程とを備える。ここで、ＴＦＴ基板３０ｂは、上記実施形態１のＴＦＴ基板作製工程において、ゲート線１４、ソース線１６、容量線１８及び画素電極２０を形成する工程の少なくとも１つを利用して、アライメントマーク２１ｂを形成することにより、作製することができるので、本実施形態のＴＦＴ基板作製工程の説明を省略する。また、ＣＦ基板４０ｂは、上記実施形態１のＣＦ基板作製工程において、ブラックマトリクス３１の形状を変更することにより、作製することができるので、本実施形態のＣＦ基板作製工程の説明を省略する。また、本実施形態の透明導電膜形成工程、導電部材形成工程及びタッチパネル取付工程は、上記実施形態１の透明導電膜形成工程、導電部材形成工程及びタッチパネル取付工程と実質的に同じであるので、それらの説明を省略する。そのため、以下では、図１２を用いて、液晶表示パネル作製工程の基板貼合工程について説明する。
　<基板貼合工程>
　まず、ＴＦＴ基板作製工程で作製されたＴＦＴ基板３０ｂの表面に、図１２（ａ）に示すように、例えば、ＵＶ硬化及び熱硬化の併用型樹脂などからなるシール材４６ｂをディスペンサを用いて８の字状に描画した後に、シール材４６ｂ（の大環状部）の内側に液晶材料（不図示）を滴下する。
　続いて、上記液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板３０ｂと、上記ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ母基板４０ｂｍとを、図１２（ｂ）に示すように、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。なお、ＣＦ母基板４０ｂｍは、後述する捨て基板Ｗを分断により除去する前のＣＦ基板４０ｂである。
　さらに、上記貼合体に挟持されたシール材４６ｂにＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材４６ｂを硬化させ、シール材４６ｂの延長された部分により流入抑制部を形成する（流入抑制部形成工程）。
　最後に、シール材４６ｂを硬化させた貼合体を、図１２（ｃ）に示すように、例えば、ダイシングにより分断することにより、捨て基板Ｗを除去する。なお、捨て基板Ｗを除去する際には、ＣＦ母基板４０ｂｍをシール材４６ｂ上で分断する。
　以上のようにして、液晶表示パネル５０ｂを作製することができる。
　引き続いて、上記実施形態１と同様に、透明導電膜形成工程及び導電部材形成工程を行い、液晶表示装置７０ｂを構成するＴＦＴ基板３０ｂ上のアライメントマーク２１ｂを光学的に読み取って、タッチパネル取付工程を行うことにより、本実施形態の電子機器８０ｂを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の電子機器８０ｂ及びその製造方法によれば、導電部材形成工程を行うことにより、ＴＦＴ基板３０ｂに設けられた接地端子２１ａとＣＦ基板４０ｂに設けられた透明導電膜５１とが導電部材５４を介して接続されているので、ＣＦ基板４０ｂに設けられた透明導電膜５１が接地され、タッチパネル７５が搭載された横電界方式の液晶表示装置７０ｂを備えた電子機器８０ｂにおいて、コントラストの低下や表示むらなどの帯電による表示不良を抑制することができる。ここで、導電部材形成工程の前に行う流入抑制部形成工程では、導電性ペーストを硬化させた導電部材５４が形成される領域と、液晶表示装置７０ｂとタッチパネル７５とを位置合わせするためにＴＦＴ基板３０ｂに設けられたアライメントマーク２１ｂとの間に、アライメントマーク２１ｂに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部としても機能するシール材４６ｂを形成するので、導電性ペーストのアライメントマーク２１ｂ側への移動を制限することができる。そのため、導電部材形成工程において、導電性ペーストによるアライメントマーク２１ｂの汚染を抑制することができるので、タッチパネル取付工程において、アライメントマーク２１ｂを光学的に正確に読み取ることができる。これにより、タッチパネル取付工程において、液晶表示装置７０ｂの位置を正確に認識することができるので、タッチパネル７５と横電界方式の液晶表示装置７０ｂとを正確に位置合わせすることができると共に、タッチされた位置の検出精度が高い電子機器８０ｂを提供することができる。
　また、本実施形態の電子機器８０ｂの製造方法によれば、流入抑制部形成工程では、アライメントマーク２１ｂが設けられたＴＦＴ基板３０ｂに流入抑制部（シール材４６ｂ）を形成するので、アライメントマーク２１ｂ及び流入抑制部（シール材４６ｂ）が同一基板に形成され、アライメントマーク２１ｂの近傍に流入抑制部（シール材４６ｂ）を精度よく形成することができる。
　また、本実施形態の電子機器８０ｂの製造方法によれば、液晶表示パネル作製工程が流入抑制部形成工程を含み、流入抑制部がシール材４６ｂの延長された部分であるので、製造工程の増加を抑制して、流入抑制部（４６ｂ）を形成することができると共に、接地端子２１ａ上に流入抑制部（４６ｂ）を形成するための材料が付着し難くなり、接地端子２１ａ上の良好な接続状態を確保することができる。
　また、本実施形態の電子機器８０ｂの製造方法によれば、液晶表示パネル作製工程において、シール材４６ｂを描画することにより、流入抑制部（４６ｂ）を形成するので、シール材４６ｂを描画する際にシール材４６ｂを吐出するためのディスペンサの移動経路を変更するだけで、流入抑制部（４６ｂ）を形成することができる。
　《発明の実施形態３》
　図１３～図１７は、本発明に係る電子機器及びその製造方法の実施形態３を示している。具体的に、図１３は、本実施形態の電子機器を構成する液晶表示装置７０ｃの平面図である。また、図１４は、図１３中の下側からみた液晶表示装置７０ｃを備えた電子機器８０ｃの第１の側面図であり、図１５は、図１３中の右側からみた電子機器８０ｃの第２の側面図である。また、図１６は、液晶表示装置７０ｃの基板端部の断面図である。また、図１７は、電子機器８０ｃの製造工程の一部を平面で示す説明図である。
　上記実施形態２では、シール材の延長された部分により流入抑制部を形成する電子機器８０ａ及びその製造方法を例示したが、本実施形態では、シール材の一部分により流入抑制部を形成する電子機器８０ｃ及びその製造方法を例示する。
　電子機器８０ｃは、図１４及び図１５に示すように、液晶表示パネル５０ｃを有する液晶表示装置７０ｃと、液晶表示装置７０ｃに両面テープ７１ｂを介して設けられたタッチパネル７５とを備えている。
　液晶表示パネル５０ｃは、図１４～図１６に示すように、第１基板として設けられたＴＦＴ基板３０ａと、ＴＦＴ基板３０ａに対向するように第２基板として設けられたＣＦ基板４０ａと、ＴＦＴ基板３０ａ及びＣＦ基板４０ａの間に設けられた液晶層４５と、ＴＦＴ基板３０ａ及びＣＦ基板４０ａを互いに接着すると共に、液晶層４５を封入するために枠状に設けられたシール材４６ｃ（図１３参照）とを備えている。
　液晶表示装置７０ｃは、図１３～図１６に示すように、液晶表示パネル５０ｃと、液晶表示パネル５０ｃのＣＦ基板４０ａの液晶層４５と反対側の表面に設けられた透明導電膜５１と、液晶表示パネル５０ｃのＣＦ基板４０ａ側の表面に透明導電膜５１を介して設けられた表偏光板５２と、液晶表示パネル５０ｃのＴＦＴ基板３０ａ側の表面に設けられた裏偏光板５３と、液晶表示パネル５０ｃに裏偏光板５３を介して設けられたバックライトユニット６０ｂとを備えている。
　液晶表示パネル５０ｃ（液晶表示装置７０ｃ）では、図１３に示すように、液晶層４５を枠状に囲んで封入するシール材４６ｃの一部分が、ＣＦ基板３０ａ上にアライメントマークとして設けられたブラックマトリクス３１の開口部３１ｃを囲み、その開口部３１ｃに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部として機能している。
　上記構成の電子機器８０ｃは、画素電極２０及び対向電極１８ａを介して液晶層４５にＴＦＴ基板３０ａの表面に沿う方向（横方向）に電界を形成することにより、各副画素毎に液晶層４５を透過する光の透過率を調整して表示を行うと共に、例えば、タッチパネル７５の表面が指先でタッチされることにより、タッチパネル７５の透明電極と指先との間での静電容量の変化に基づいて、タッチされた位置を検出するように構成されている。
　次に、本実施形態の電子機器８０ｃを製造する方法について説明する。なお、本実施形態の製造方法は、ＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、及び（流入抑制部形成工程を含む）基板貼合工程を有する液晶表示パネル作製工程と、透明導電膜形成工程と、導電部材形成工程と、タッチパネル取付工程とを備える。ここで、本実施形態のＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、透明導電膜形成工程、導電部材形成工程及びタッチパネル取付工程は、上記実施形態１のＴＦＴ基板作製工程、ＣＦ基板作製工程、透明導電膜形成工程、導電部材形成工程及びタッチパネル取付工程と実質的に同じであるので、それらの説明を省略する。そのため、以下では、図１７を用いて、液晶表示パネル作製工程の基板貼合工程について説明する。
　<基板貼合工程>
　まず、ＴＦＴ基板作製工程で作製されたＴＦＴ基板３０ａの表面に、図１７（ａ）に示すように、例えば、ＵＶ硬化及び熱硬化の併用型樹脂などからなるシール材４６ｃをディスペンサを用いて枠状に描画した後に、シール材４６ｃの内側に液晶材料（不図示）を滴下する。
　続いて、上記液晶材料が滴下されたＴＦＴ基板３０ａと、上記ＣＦ基板作製工程で作製されたＣＦ母基板４０ａｍとを、図１７（ｂ）に示すように、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。なお、ＣＦ母基板４０ａｍは、後述する捨て基板Ｗを分断により除去する前のＣＦ基板４０ａである。
　さらに、上記貼合体に挟持されたシール材４６ｃにＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材４６ｃを硬化させ、シール材４６ｃの一部により流入抑制部を形成する（流入抑制部形成工程）。
　最後に、シール材４６ｃを硬化させた貼合体を、図１７（ｃ）に示すように、例えば、ダイシングにより分断することにより、捨て基板Ｗを除去する。なお、捨て基板Ｗを除去する際には、シール材４６ｃ上でＣＦ母基板４０ａｍ（及びＴＦＴ母基板）を分断する。
　以上のようにして、液晶表示パネル５０ｃを作製することができる。
　引き続いて、上記実施形態１と同様に、透明導電膜形成工程及び導電部材形成工程を行い、両面テープ７１ｂを用いて、タッチパネル取付工程を行うことにより、本実施形態の電子機器８０ｃを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の電子機器８０ｃ及びその製造方法によれば、導電部材形成工程を行うことにより、ＴＦＴ基板３０ａに設けられた接地端子２１ａとＣＦ基板４０ａに設けられた透明導電膜５１とが導電部材５４を介して接続されているので、ＣＦ基板４０ａに設けられた透明導電膜５１が接地され、タッチパネル７５が搭載された横電界方式の液晶表示装置７０ｃを備えた電子機器８０ｃにおいて、コントラストの低下や表示むらなどの帯電による表示不良を抑制することができる。ここで、導電部材形成工程の前に行う流入抑制部形成工程では、導電性ペーストを硬化させた導電部材５４が形成される領域と、液晶表示装置７０ｃとタッチパネル７５とを位置合わせするためにＣＦ基板４０ａにアライメントマークとして設けられた（ブラックマトリクス３１の）開口部３１ｃとの間に、開口部３１ｃに対する導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部としても機能するシール材４６ｃを形成するので、導電性ペーストの開口部３１ｃ側への移動を制限することができる。そのため、導電部材形成工程において、導電性ペーストによる開口部３１ｃの汚染を抑制することができるので、タッチパネル取付工程において、開口部３１ｃを光学的に正確に読み取ることができる。これにより、タッチパネル取付工程において、液晶表示装置７０ｃの位置が正確に認識されるので、タッチパネル７５と横電界方式の液晶表示装置７０ｃとを正確に位置合わせすることができると共に、タッチされた位置の検出精度が高い電子機器８０ｃを提供することができる。
　また、本実施形態の電子機器８０ｃの製造方法によれば、液晶表示パネル作製工程が流入抑制部形成工程を含み、流入抑制部がシール材４６ｃの一部分であるので、製造工程の増加を抑制して、流入抑制部（４６ｃ）を形成することができる。
　また、本実施形態の電子機器８０ｃの製造方法によれば、液晶表示パネル作製工程において、シール材４６ｃを描画することにより、流入抑制部（４６ｃ）が形成されるので、シール材４６ｃを描画する際にシール材４６ｃを吐出するためのディスペンサの移動経路を変更するだけで、流入抑制部（４６ｃ）を形成することができる。
　なお、上記各実施形態では、バックライトユニットを備えた液晶表示装置にタッチパネルを取り付ける製造方法を例示したが、バックライトユニットがまだ取り付けられていない液晶表示装置にタッチパネルを取り付けた後に、バックライトユニットを取り付けてもよい。
　また、上記各実施形態では、端子領域の片側で接地された電子機器を例示したが、電子機器は、端子領域の両側で接地されてもよい。
　また、上記各実施形態では、液晶表示装置とタッチパネルとの位置合わせにおける技術を例示したが、本発明は、液晶表示装置とそれを保護する保護板との位置合わせに関する技術にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極としたＴＦＴ基板を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶＴＦＴ基板にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、タッチパネルと横電界方式の液晶表示装置とを正確に位置合わせすることができるので、タッチパネルが搭載された横電界方式の液晶表示装置を備えた電子機器について有用である。
Ｔ　　　　端子領域
２１ａ　　接地端子
２１ｂ　　アライメントマーク
３０ａ，３０ｂ　　ＴＦＴ基板（第１基板）
３１ｃ　　開口部（アライメントマーク）
４０ａ，４０ｂ　　ＣＦ基板（第２基板）
４５　　　液晶層
４６ａ　　シール材
４６ｂ，４６ｃ　　シール材（流入抑制部）
４７　　　樹脂層（流入抑制部）
５０ａ～５０ｃ　　液晶表示パネル
５１　　　透明導電膜
５４　　　導電部材（導電性ペースト）
７０ａ～７０ｃ　　液晶表示装置
８０ａ～８０ｃ　　電子機器

Claims (8)

  1. 　接地端子が設けられた端子領域を有する第１基板、上記端子領域が露出する状態で上記第１基板に対向するように設けられた第２基板、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層、上記第１基板及び第２基板の間に枠状に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着すると共に上記液晶層を封入するためのシール材、並びに上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に設けられ、上記接地端子に導電性ペーストからなる導電部材を介して接続された透明導電膜を備え、上記液晶層に対し、上記第１基板の表面に沿う方向に電界を形成して表示を行う横電界方式の液晶表示装置と、
    　上記液晶表示装置の上記第２基板側に設けられたタッチパネルとを備え、
    　上記第１基板又は第２基板の上記液晶層側に上記液晶表示装置と上記タッチパネルとを位置合わせするためのアライメントマークが設けられた電子機器であって、
    　上記導電部材と上記アライメントマークとの間には、該アライメントマークに対する上記導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部が設けられていることを特徴とする電子機器。
  2. 　請求項１に記載された電子機器において、
    　上記流入抑制部は、絶縁性樹脂により形成されていることを特徴とする電子機器。
  3. 　請求項１又は２に記載された電子機器において、
    　上記アライメントマークは、上記シール材の内側に設けられ、
    　上記流入抑制部は、上記シール材の一部分により形成されていることを特徴とする電子機器。
  4. 　請求項１又は２に記載された電子機器において、
    　上記シール材は、上記アライメントマークの周囲に延長され、
    　上記流入抑制部は、上記シール材の延長された部分により形成されていることを特徴とする電子機器。
  5. 　接地端子が設けられた端子領域を有する第１基板、上記端子領域が露出する状態で上記第１基板に対向するように設けられた第２基板、上記第１基板及び第２基板の間に設けられた液晶層、並びに上記第１基板及び第２基板の間に枠状に設けられ、該第１基板及び第２基板を互いに接着すると共に上記液晶層を封入するためのシール材を備え、上記第１基板又は第２基板の上記液晶層側にアライメントマークが設けられ、上記液晶層に対し、上記第１基板の表面に沿う方向に電界を形成して表示を行う横電界方式の液晶表示装置となる液晶表示パネルを作製する液晶表示パネル作製工程と、
    　上記液晶表示パネルにおける上記第２基板の上記液晶層と反対側の表面に透明導電膜を形成する透明導電膜形成工程と、
    　上記接地端子と上記透明導電膜との間に導電性ペーストを配置した後に、該導電性ペーストを硬化させて、導電部材を形成することにより、上記接地端子及び透明導電膜を互いに接続して、上記液晶表示装置を作製する導電部材形成工程と、
    　上記アライメントマークを光学的に読み取ることにより、上記作製された液晶表示装置の位置を認識した後に、該液晶表示装置と上記タッチパネルとを位置合わせして、該液晶表示装置及びタッチパネルを互いに固定するタッチパネル取付工程とを備えた電子機器の製造方法であって、
    　上記導電部材形成工程の前に、上記アライメントマークと上記導電部材が形成される領域との間に、該アライメントマークに対する上記導電性ペーストの流入を抑制するための流入抑制部を形成する流入抑制部形成工程を備えることを特徴とする電子機器の製造方法。
  6. 　請求項５に記載された電子機器の製造方法において、
    　上記流入抑制部形成工程では、上記アライメントマークが設けられた第１基板又は第２基板に上記流入抑制部を形成することを特徴とする電子機器の製造方法。
  7. 　請求項６に記載された電子機器の製造方法において、
    　上記液晶表示パネル作製工程は、上記流入抑制部形成工程を含み、
    　上記流入抑制部は、上記シール材の一部分又は延長された部分であることを特徴とする電子機器の製造方法。
  8. 　請求項７に記載された電子機器の製造方法において、
    　上記液晶表示パネル作製工程では、上記アライメントマークが設けられた第１基板又は第２基板に上記シール材を描画することを特徴とする電子機器の製造方法。
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