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WO2012157629A1 - マスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 - Google Patents

マスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法 Download PDF

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WO2012157629A1
WO2012157629A1 PCT/JP2012/062373 JP2012062373W WO2012157629A1 WO 2012157629 A1 WO2012157629 A1 WO 2012157629A1 JP 2012062373 W JP2012062373 W JP 2012062373W WO 2012157629 A1 WO2012157629 A1 WO 2012157629A1
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WO
WIPO (PCT)
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substrate
mask blank
main surface
mask
mark
Prior art date
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Application number
PCT/JP2012/062373
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English (en)
French (fr)
Inventor
佐々木　達也
貴仁 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
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Priority to KR1020137031095A priority patent/KR101874504B1/ko
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Ceased legal-status Critical Current

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    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/02—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by features of form at particular places, e.g. in edge regions
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    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24488—Differential nonuniformity at margin

Definitions

  • the present invention relates to a mask blank substrate, a mask blank, a reflective mask blank, a transfer mask, a reflective mask, and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a mask blank glass substrate (also referred to as a mask blank substrate) having a polishing step of polishing the surface of a mask blank glass substrate using a polishing liquid containing polishing abrasive grains. It is disclosed. This technique is characterized in that the abrasive grains contain colloidal silica abrasive grains produced by hydrolyzing an organosilicon compound, and the polishing liquid contains colloidal silica abrasive grains and is neutral. Yes.
  • Patent Document 2 discloses a concavo-convex shape measuring step for measuring the concavo-convex shape on the glass substrate surface for mask blank and a convexity of a convex portion existing on the glass substrate surface based on the measurement result obtained in the concavo-convex shape measuring step.
  • a flatness control step for controlling the flatness of the glass substrate surface to a predetermined reference value or less by performing local processing on the convex portion under processing conditions according to the convexity, and a flatness control step
  • a polishing step of polishing the surface of the glass substrate on which local processing has been performed and a technique of a method for manufacturing a glass substrate for a mask blank is disclosed.
  • This technique is a method in which acid treatment is performed on a glass substrate surface that has been subjected to local processing after the flatness control step and before the polishing step.
  • the technique of said patent document 2 has an uneven
  • This preparation process includes at least a rough polishing process for rough polishing both surfaces of the mask blank substrate and a precision polishing process for precisely polishing both surfaces of the rough mask mask substrate. Is called.
  • a polishing liquid containing cerium oxide having relatively large abrasive grains is used in the rough polishing process, and a polishing liquid containing colloidal silica having relatively small abrasive grains is used in the precision polishing process.
  • the main surface has an oblique cross-sectional shape at the corner (also referred to as a corner) of the rectangular mask blank substrate.
  • Substrate marks that are cut off also called notch marks
  • Patent Document 3 discloses a mask blank transparent substrate that requires a predetermined optical characteristic, and is formed by cutting a predetermined corner portion into an oblique cross-section, and the shape is determined according to the optical characteristic.
  • a technique for a transparent substrate for a mask blank characterized by having a substrate mark is disclosed.
  • Patent Document 4 discloses a substantially rectangular photomask substrate, and at the corner portion of the rectangle, three surfaces of the main surface and the two end surfaces forming the corner portion are cut into an oblique cross section. There has been disclosed a photomask substrate technology characterized by having at least one notch mark and the notch mark having an asymmetric shape with respect to a diagonal line including the corner portion of the photomask substrate.
  • Patent Documents 1 to 4 are techniques related to the present invention, they do not suggest any problems related to the substrate mark and how to solve the problems.
  • the present invention has been proposed in order to solve the above-described problems.
  • a mask capable of eliminating the adverse effect on the flatness due to the substrate mark having an oblique cross section and improving the flatness. It is an object of the present invention to provide a blank substrate, a mask blank, a reflective mask blank, a transfer mask, a reflective mask, and a method for manufacturing them.
  • the mask blank substrate of the present invention is formed between two main surfaces, four side surfaces, an R surface formed between adjacent side surfaces, and the main surface and the side surfaces.
  • the distance from the boundary with the main surface or the chamfered surface to the boundary between the substrate mark and the R surface is less than 1.5 mm. More preferably, the substrate mark has a configuration in which an inclination angle with respect to the main surface is larger than 45 degrees and smaller than 90 degrees.
  • the mask blank substrate of the present invention is a thin plate having two main surfaces, four side surfaces, an R surface formed between adjacent side surfaces, and a chamfered surface formed between the main surface and the side surfaces.
  • the substrate mark is formed on a main surface side opposite to a main surface side on which a thin film having a transfer pattern is formed.
  • the mask blank of this invention has the structure characterized by providing the thin film for forming a transfer pattern on the main surface of the said board
  • the reflective mask blank of the present invention comprises a multilayer reflective film and an absorber film that is a thin film for forming a transfer pattern on the main surface of the mask blank substrate. is doing.
  • the transfer mask of the present invention has a configuration in which a transfer pattern is formed on the thin film of the mask blank.
  • the reflective mask of the present invention has a configuration characterized in that a transfer pattern is formed on the absorber film of the reflective mask blank.
  • a substrate mark forming step of forming a substrate mark having an oblique cross section over the main surface or chamfered surface and the R surface, and both main surfaces of the substrate are polished and polished.
  • a polishing step of polishing using a polishing liquid containing grains, and the substrate mark has a distance from the boundary between the substrate mark and the main surface or the chamfered surface to the boundary between the substrate mark and the R surface.
  • the manufacturing method of the mask blank substrate formed to be less than 1.5 mm is obtained. More preferably, the substrate mark is formed so that an inclination angle with respect to the main surface is larger than 45 degrees and smaller than 90 degrees.
  • a thin plate-like substrate having two main surfaces, four side surfaces, an R surface formed between adjacent side surfaces, and a chamfered surface formed between the main surface and the side surfaces.
  • a substrate mark forming step for forming a substrate mark having an oblique cross section on the chamfered surface and the R surface, and both main surfaces of the substrate are polished using a polishing liquid containing abrasive grains.
  • a polishing step wherein the substrate mark has a boundary between the substrate mark and the main surface or chamfered surface on a boundary between the main surface and the chamfered surface or a boundary between the main surface and the chamfered surface.
  • a method for manufacturing a mask blank substrate which is located on the outer peripheral side and has an inclination angle with respect to the main surface larger than 45 degrees and smaller than 90 degrees, is obtained.
  • the substrate mark is formed on the main surface side opposite to the main surface side on which the thin film having the transfer pattern is formed.
  • the manufacturing method of the mask blank of this invention is provided with the thin film for forming a transfer pattern on the main surface of the said board
  • the method for producing a reflective mask blank of the present invention comprises a multilayer reflective film and an absorber film that is a thin film for forming a transfer pattern on the main surface of the mask blank substrate. Is the method.
  • the manufacturing method of the transfer mask of this invention is a method characterized by forming a thin film pattern in the thin film of the mask blank obtained by the said mask blank manufacturing method.
  • the reflective mask manufacturing method of the present invention is characterized in that a transfer pattern is formed on the absorber film of the mask blank.
  • the mask blank substrate, the mask blank, the reflective mask blank, the transfer mask, the reflective mask, and the manufacturing method thereof according to the present invention in the polishing process, there is an adverse effect on the flatness due to the substrate mark having an oblique section. It can be eliminated and the flatness can be improved.
  • FIG. 1A and 1B are schematic views for explaining a substrate mark of a mask blank substrate according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. (C) shows a BB cross-sectional view
  • 2A and 2B are schematic views for explaining a substrate mark of a mask blank substrate according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view
  • FIG. (C) shows a DD cross-sectional view.
  • FIG. 3 shows the result of measuring the surface shape of the main surface of the mask blank substrate according to Example 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic enlarged cross-sectional view of the main part of the mask blank substrate according to Example 1 of the present invention.
  • FIG. 5 shows the result of measuring the surface shape of the main surface of the mask blank substrate according to Comparative Example 1 of the present invention.
  • FIG. 6 shows the result of measuring the surface shape of the main surface of the mask blank substrate according to Comparative Example 2 of the present invention.
  • FIG. 7 shows the result of measuring the surface shape of the main surface of the mask blank substrate according to Comparative Example 3 of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic view for explaining a substrate mark of a mask blank substrate related to the present invention, (a) shows a plan view, (b) shows an enlarged view of E part, (C) shows an FF cross-sectional view.
  • FIG. 9 is a schematic view of a main part of a mask blank substrate for explaining the problem of the present invention.
  • FIG. 9A is an enlarged cross-sectional view when an ultra-precision polishing process is started, and FIG. Shows an enlarged cross-sectional view after finishing the ultra-precision polishing process.
  • FIG. 10 shows the result of measuring the surface shape of the main surface of the mask blank substrate according to Example 2 of the present invention.
  • FIG. 11 shows the result of measuring the surface shape of the main surface of the mask blank substrate according to Example 3 of the present invention.
  • FIG. 8 is a schematic view for explaining a substrate mark of a mask blank substrate related to the present invention, (a) shows a plan view, (b) shows an enlarged view of E part, (C) shows an FF cross-sectional view.
  • a mask blank substrate 101 shown in FIG. 8 is an example of a mask blank substrate having a rectangular shape on a plane. Here, the rectangular shape includes not only a rectangular shape but also a square shape.
  • an R surface 102 is formed at a corner formed by two adjacent side surfaces 110, and between the main surfaces 111 and 112 and the side surface 110 (including the R surface 102).
  • a chamfered surface 103 is formed.
  • a substrate mark 104 is formed at a corner portion on the back side main surface 112 (a main surface opposite to the main surface on which a thin film for forming a transfer pattern is formed).
  • the material of the mask blank substrate 101 is not particularly limited as long as it is used as a mask blank.
  • synthetic quartz glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, aluminoborosilicate glass, soda lime glass In addition to the alkali-free glass, low thermal expansion glass such as SiO 2 —TiO 2 glass is also used for the substrate used for the reflective mask in particular.
  • a mask blank substrate 101 having a side length of about 152 mm (6 inches) and a thickness of about 6.35 mm (0.25 inches) is widely used.
  • the shape and thickness of the mask blank substrate 101 are not particularly limited.
  • the R surfaces 102 are curved surfaces formed at the four corners of the mask blank substrate 101, and the radius of curvature is usually 2.5 ⁇ 0.5 mm.
  • an annular chamfered surface 103 is formed between each of the peripheral surfaces of the main surfaces 111 and 112 and the side surface 110 (including the R surface 102).
  • the chamfered surface 103 is an inclined surface (also referred to as a C surface) inclined by about 45 °, and usually has a chamfering width of 0.4 to 0.6 mm.
  • the mask blank substrate 101 has the substrate mark 104 formed on the main surface 112 on the back side, but is not limited thereto.
  • the substrate mark 104 is formed at the upper right corner in FIG. 8, and includes a main surface 112, an R surface 102, a side surface 110 following the R surface 102, and the main surface 112 and the side surface 110 (including the R surface 102).
  • An oblique cross section (one oblique cross section) formed on the chamfered surface 103 therebetween is formed.
  • the substrate mark 104 includes a linear boundary 141 intersecting with the main surface 112 (that is, a boundary 141 between the substrate mark 104 and the main surface 112) and a linear boundary intersecting with the R surface 102 (that is, the substrate mark). 104 and the R surface 102).
  • a distance W 0 from the boundary 141 between the substrate mark 104 and the main surface 112 to the boundary between the substrate mark 104 and the R surface 102 (this distance W 0 is a distance on a virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112.
  • the maximum value of the distance from an arbitrary point on the boundary 141 to the boundary between the substrate mark 104 and the R plane 102 in the direction orthogonal to the line of the boundary 141 is approximately).
  • the maximum height H 0 in the side surface direction to the boundary between the substrate mark 104 and the R surface 102 with reference to a virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112 is about 1 mm in this example,
  • the inclination angle ⁇ 0 of the substrate mark 104 with respect to the main surface 112 is about 25 °.
  • a substrate mark 104 is formed at one corner.
  • the substrate mark 104 is formed at a plurality of corners according to the material, and the material is identified based on the number and position of the formed substrate mark 104.
  • the substrate mark 104 is usually formed by a grinding process using a diamond grindstone or the like, and is further subjected to a mirror finish so that dirt is not attached in a cleaning process or the like.
  • FIG. 9 is a schematic view of the main part of the mask blank substrate, in which (a) shows an enlarged cross-sectional view of the main surfaces 111 and 112 when the ultraprecision polishing process is started, and (b) The expanded sectional view after complete
  • polishing process is shown.
  • the mask blank substrate 101 is sandwiched between a pair of opposing polishing pads 21 provided in a double-side polishing apparatus.
  • a polishing liquid (not shown) containing colloidal silica is supplied to the polishing pad 21, and a predetermined pressure is applied in the vertical direction.
  • the polishing pad 21 is usually an ultra-soft polisher (suede type).
  • the mask blank substrate 101 sandwiched between the polishing pads 21 revolves and rotates while being held by a carrier (not shown), and the main surfaces 111 and 112 are simultaneously polished.
  • the main surface 112 presses the lower polishing pad 21, so that the main surface 112 is outside the boundary 141 and below the substrate mark 104 that is not pressed by the substrate 101 of the polishing pad 21.
  • the convex part 211 which consists of the polishing pad 21 shown in FIG.
  • the boundary 141 where the stress is concentrated comes into contact with the convex portion 211, and the boundary 141 tries to get over the convex portion 211. Presumed to be polished. For this reason, the vicinity of the boundary 141 of the main surface 112 is in a state of being excessively polished as compared with other regions of the main surface 112.
  • the mask blank substrate 101 polished for a predetermined time has a large edge sagging portion 106 in the vicinity of the R surface 102 of the main surface 112 on which the substrate mark 104 is formed. End up.
  • the raised portion 105 is formed conversely.
  • the region where the edge sag portion 106 and the raised portion 105 were formed substantially corresponded, and h 01 ⁇ h 02 .
  • FIG. 1A and 1B are schematic views for explaining a substrate mark of a mask blank substrate according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. (C) shows a BB cross-sectional view.
  • a mask blank substrate 1 of the present embodiment has a configuration in which a substrate mark 4 having an oblique cross section is formed.
  • the mask blank substrate 1 is different from the mask blank substrate 101 described above in that a substrate mark 4 having a different cross-sectional shape and size is formed instead of the substrate mark 104.
  • the other configuration of the present embodiment is almost the same as that of the mask blank substrate 101. Therefore, in FIG. 1, the same components as those in FIG. 8 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the substrate mark 4 is formed at the upper right corner in substantially the same manner as the substrate mark 104.
  • the substrate mark 4 includes a linear boundary 41 intersecting with the main surface 112 (that is, a boundary 41 between the substrate mark 4 and the main surface 112) and a linear boundary intersecting with the R surface 102 (that is, the substrate mark). 4 and the R surface 102).
  • this distance W 1 is a distance on a virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112.
  • the maximum value of the distance from an arbitrary point on the boundary 41 to the boundary between the substrate mark 4 and the R plane 102 in the direction orthogonal to the line of the boundary 41 is less than 1.5 mm. It is.
  • the distance W 1 is preferably 1.4mm or less.
  • the maximum value H 1 of the height in the side surface direction up to the boundary between the substrate mark 4 and the R surface 102 with reference to the virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112 is not particularly limited.
  • H 1 is preferably set to 1.2 mm or more, and more preferably 1.5 mm or more.
  • the maximum height H 1 of the substrate marks 4 in the case of the mask blank substrate with a thickness of 6.35 mm it is desirable to exceed 18% of the thickness, it is more desirable that 24% or more.
  • the surface shape of the substrate mark 4 is preferably a shape (axisymmetric shape) having high symmetry with respect to a diagonal line B passing through the R surface 102 of the substrate.
  • both the main surfaces 111 and 112 are required to have a high level of surface roughness. For this reason, it is necessary to perform a polishing process on the main surface of the substrate after the grinding process.
  • the edge sag advances from the boundary 41 toward the center of the main surface, and the edge sag portion 106 is formed after the polishing process ( (See FIG. 9B). If the distance W 1 is set to 1.5 mm or more, the edge sag portion 106 formed after the polishing process proceeds too far toward the center of the main surface 112.
  • the raised portion 105 is formed on the main surface 111 so as to correspond to the edge sag portion 106, an adverse effect on the flatness of the main surface 111 is increased.
  • the distance W 1 is less than 1.5 mm, the advance of the edge sag portion 106 toward the center side of the main surface 112 and further the progress of the ridge 105 toward the center side of the main surface 111 are minimized.
  • the flatness of the main surface 111 after the polishing process can be set to a predetermined value or less.
  • the mask blank substrate of the present invention includes any of a light transmissive transfer mask used in light transmissive lithography and a mask blank serving as an original plate, a reflective mask used in reflective lithography and a reflective mask blank serving as an original plate. It is also applicable to.
  • a substrate used for a reflective mask is required to have a very high level of flatness and surface roughness of the main surface. For example, the flatness in a corner area of 132 mm ⁇ 132 mm with respect to the center of the main surface (a position on the main surface 111 that is moved inward by 10 mm from the position of the side surface 110 and a region closer to the center than that position) It is necessary to be 0.05 ⁇ m or less. Further, the surface roughness of the main surface needs to be not more than 0.15 nm in terms of the root-mean-square roughness Rq in a 10 ⁇ m ⁇ 10 ⁇ m square area.
  • the substrate after the polishing step often cannot satisfy the required high flatness.
  • a substrate satisfying the above-mentioned flatness is manufactured by measuring the main surface shape of the substrate after the polishing step and locally processing the convex portion of the main surface.
  • the longer the time for performing the local processing the greater the degree of deterioration of the surface roughness of the main surface that is improved by the polishing process.
  • it is important to define the shape of the substrate mark so that the flatness of the substrate after the polishing step can satisfy the above numerical values, or even if not, the flatness of the substrate is closer to the standard.
  • a reflective mask is provided with a conductive film made of a conductive material on a main surface 112 opposite to a main surface 111 on which a multilayer reflective film is formed.
  • the entire surface of the conductive film is fixed by electrostatic chucking on a flat chuck stage.
  • the main surface 112 is also required to have a high flatness equal to or higher than the predetermined value, and it is important to define the shape of the substrate mark that suppresses the progress toward the center of the edge sag portion of the main surface 112. is there.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the substrate mark 4 with respect to the main surface 112 is preferably greater than 45 ° and less than 90 °. More preferably, the inclination angle theta 1 of the may be less than 60 ° or 90 °.
  • the distance W 1 of the may be less than 1.0 mm.
  • the progress of the edge sag portion 106 toward the center of the main surface 112 and further the progress of the raised portion 105 toward the center of the main surface 111 can be further minimized, and the main surfaces 111 and 112 can be minimized.
  • the time required for local processing can be reduced even if the range in which the flatness of the film can be made below the predetermined value is expanded (for example, a 142 mm ⁇ 142 mm in-corner region with the center of the main surface as a reference). Can do.
  • the boundary 41 of the substrate mark 4 is preferably substantially orthogonal to the diagonal line B passing through the R surface 102 of the substrate. By configuring in this way, the distribution of the edge sag portion 106 of the main surface 112 after the polishing process can tend to have higher line symmetry with respect to the diagonal B.
  • the mask blank substrate 1 on which the substrate mark 4a and the substrate mark 4b are formed can further improve the flatness.
  • Each dimension, such as a substrate mark 4 is not limited to the above dimensions, distance W 1 as long as they satisfy the condition that it is less than 1.5 mm, is set to an appropriate size.
  • the distance W 1 of the substrate mark 4 in this first embodiment regardless of the length of one side of the substrate forming the substrate mark 4 (one side is greater than 6 inches, e.g. A substrate having a rectangular main surface having a length of 8 inches or more, a substrate having a rectangular main surface having a side smaller than 6 inches, for example, a length of 5 inches or less)
  • the center side region a region closer to the center than the position
  • the method for manufacturing a mask blank substrate according to the present embodiment includes a substrate mark forming step for forming a substrate mark 4 having an oblique section on the mask blank substrate 1 and both surfaces of the mask blank substrate 1 including abrasive grains.
  • the method includes a polishing step of polishing using a polishing liquid.
  • the substrate mark forming process First, the substrate mark forming process, the mask blank substrate 1, the distance W 1 of the to less than 1.5 mm, the substrate mark 4 is formed (see FIG. 1).
  • the substrate mark 4 is usually formed by grinding using a diamond grindstone or the like, and is further subjected to mirror finishing so that dirt is not attached in a cleaning process or the like.
  • the polishing step the mask blank substrate 1 on which the substrate mark 4 is formed is subjected to polishing using a double-side polishing apparatus (for example, the double-side polishing apparatus described in Patent Document 1).
  • the polishing process usually includes rough polishing process and precision polishing process using a polishing liquid containing cerium oxide, and super-precision polishing process using a polishing liquid containing colloidal silica. Processing is applied.
  • the above double-side polishing apparatus is not illustrated, it is a planetary gear system, and is engaged with the sun gear, the internal gear arranged concentrically on the outer side, the sun gear and the internal gear, and the sun gear and the internal gear.
  • a carrier that revolves and rotates according to the rotation of the gear, an upper surface plate and a lower surface plate that can hold the mask blank substrate 1 held by the carrier, to which a polishing pad is attached, and an upper surface plate and a lower surface plate,
  • a polishing liquid supply section for supplying a polishing liquid is provided between the two.
  • a mask blank substrate 1 held by a carrier is sandwiched between an upper surface plate and a lower surface plate, and a polishing liquid is supplied between the polishing pad of the upper and lower surface plates and the mask blank substrate 1.
  • the carrier revolves and rotates in accordance with the rotation of the sun gear and the internal gear, and simultaneously polishes both the main surfaces 111 and 112 of the mask blank substrate 1.
  • the mask blank substrate 1 that has been subjected to polishing processing (particularly, ultra-precision polishing processing) is formed with the raised portion 105 and the edge sag portion 106 as described above because the substrate mark 4 is formed under the above conditions. It is possible to effectively eliminate such adverse effects (see FIG. 9) and achieve high flatness.
  • the polishing process of this embodiment (this process corresponds to a preparation process in Patent Document 2). After that, there are cases where an uneven shape measuring step and a flatness control step are performed. Even in such a case, the polishing process of the present embodiment capable of realizing high flatness is effective, and reduces the work load (load for performing local polishing) in the flatness control process. And productivity can be improved.
  • the polishing process is performed using a planetary gear type double-side polishing apparatus, but the polishing apparatus is not limited to this. For example, another type of double-side polishing apparatus or single-side polishing is performed. You may use the single-side polish apparatus which performs.
  • the adverse effect on the flatness due to the substrate mark 4 having an oblique cross section is eliminated in the polishing process. Flatness can be improved.
  • FIG. 2A and 2B are schematic views for explaining a substrate mark of a mask blank substrate according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 2A is a plan view
  • FIG. (C) shows a DD cross-sectional view.
  • the mask blank substrate 1 c of this embodiment is different from the mask blank substrate 1 described above in that a substrate mark 4 c is formed instead of the substrate mark 4.
  • the other configuration of the present embodiment is almost the same as that of the mask blank substrate 1. Therefore, in FIG. 2, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
  • the substrate mark 4c is also formed at the upper right corner in the same manner as the substrate mark 4 in the case of FIG. 2, but the chamfered surface 103 between the main surface 112 and the side surface 110 (including the R surface 102), and the R surface 102 is an oblique cross section (one oblique cross section) formed over the area 102.
  • the substrate mark 4c includes a curved boundary 41c that intersects the chamfered surface 103 (that is, a boundary 41c between the substrate mark 4c and the chamfered surface 103), and a linear boundary that intersects the R surface 102 (that is, the substrate mark). 4c and the R surface 102), and the boundary 41c is formed so as to be located on the outer peripheral side with respect to the boundary between the main surface 112 and the chamfered surface 103.
  • this distance W 2 is a virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112. This is the maximum value of the distance from any point on the boundary 41c to the boundary between the substrate mark 4c and the R plane 102 in the direction perpendicular to the line (tangent) of the boundary 41c. Is about 0.3 mm.
  • the maximum height H 2 in the side surface direction up to the boundary between the substrate mark 4c and the R surface 102 with reference to a virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112 is about 1.1 mm, and the main surface inclination angle theta 2 of the substrate marks 4c for 112 is about 75 °. Accordingly, the substrate mark 4c satisfies the conditions such inclination angle theta 2 is greater than 90 ° than 45 °. That is, the maximum H 2 of the substrate mark 4c according to this embodiment is 17% or more of the thickness (6.35 mm).
  • the substrate mark 4c is formed so as to be located on the boundary between the main surface 112 and the chamfered surface 103 or on the outer peripheral side with respect to the boundary between the main surface 112 and the chamfered surface 103.
  • the difference from the other corners where the substrate mark 4c is not formed is substantially eliminated. be able to.
  • the difference between the corner portions of the main surface 112 related to the edge sag portion 106 can be eliminated, the difference between the corner portions related to the raised portion 105 generated on the opposite main surface 111 is also substantially eliminated. Can do.
  • both the main surfaces 111 and 112 after the polishing step can be set to a predetermined value or more by the above effect. Since the difference between the corners related to the raised portion 105 of the main surface 111 and the difference between the corners related to the edge sag portion 106 of the main surface 112 are substantially eliminated, both the main surfaces 111 and 112 are linear. A surface shape having high symmetry and point symmetry can be obtained.
  • the substrate mark 4c has the effects as described above, by setting the conditions as shown in the second embodiment, regardless of the length of one side of the substrate on which the substrate mark 4c is formed (one side is 6 inches).
  • a substrate having a rectangular main surface with a length of 8 inches or more, or a rectangular main surface with a side length of less than 6 inches, for example, 5 inches or less In the main surface 111 of the substrate, a position moved to the center side of the main surface 111 by 10 mm from the position of the side surface 110 viewed from the main surface 111 side, and a region closer to the center than the position (hereinafter referred to as the center)
  • the flatness can be set to a predetermined value or more.
  • the flatness of a predetermined value or more can be achieved on the main surface 112 on the opposite side.
  • both the main surfaces 111 and 112 can have a surface shape with high line symmetry and point symmetry.
  • the processing time is required even when the local processing is performed on the convex portions of the main surfaces 111 and 112. Can be greatly shortened. Furthermore, it is possible to suppress deterioration of the surface roughness of the main surfaces 111 and 112 due to local processing.
  • the substrate mark 4 can be a surface extending in the thickness direction, and the visibility is improved. be able to. More preferably, the inclination angle theta 2 of the may be less than 60 ° or 90 °.
  • the manufacturing method of the mask blank substrate 1c differs from the manufacturing method of the above-described embodiment in that a substrate mark 4c having a different inclination angle is formed instead of the substrate mark 4.
  • the manufacturing method of the present embodiment is substantially the same as the manufacturing method of the above-described embodiment, and the flatness of the mask blank substrate 1c can be further improved.
  • the mask blank substrate 1c and the manufacturing method thereof according to the present embodiment substantially the same effects as those of the above-described embodiment can be obtained, and the adverse effect on the flatness caused by the substrate mark 4c can be almost certainly eliminated. In addition, it is possible to realize a further excellent high flatness of the mask blank substrate 1c.
  • the mask blank of this embodiment is configured to include a thin film for forming a transfer pattern on the main surface 111 of the mask blank substrate 1, 1c of each of the first and second embodiments described above.
  • This mask blank can achieve excellent high flatness by using the mask blank substrates 1 and 1c.
  • a thin film formed on a light transmissive mask blank is a thin film that causes an optical change with respect to exposure light (light emitted from an exposure light source) used when transferring to a transfer target.
  • a light shielding film For example, a light shielding film , A halftone phase shift film, and a light semi-transmissive film.
  • the light-shielding film has an optical density (for example, optical density of 3.0 or more, 2.5 or more, etc.) of a predetermined value or higher with respect to exposure light, and has a function of shielding exposure light.
  • a mask blank using a light-shielding film as a thin film for forming a transfer pattern is mainly used when a binary transfer mask or an engraved Levenson mask is manufactured.
  • the light shielding film is not limited to a single layer structure, and includes a structure in which a light shielding layer mainly having a light shielding function and an antireflection layer mainly having a function of reducing the reflectance with respect to exposure light are laminated.
  • Examples of materials applicable to the light shielding film include a material containing Cr, a material containing a transition metal and silicon, and a material containing Ta.
  • the material containing Cr include Cr metal or a Cr compound containing one or more elements selected from N, C, O, F, and H in Cr.
  • the material containing transition metal and silicon include transition metal silicide composed of transition metal and silicon, or transition metal silicide compound containing one or more elements selected from C, N, O, and B in addition to transition metal silicide. can give.
  • the transition metal is preferably a metal or alloy selected from Mo, Ta, Hf, Zr, Cr, Ti, V, Ni, Fe, Nb, W, Ru, Rh, Pd, and Ag.
  • the material containing Ta include Ta metal and Ta compounds containing one or more elements selected from B, C, N, and O in Ta.
  • the halftone phase shift film is a film that transmits the exposure light with a predetermined transmittance and generates a predetermined phase difference with respect to the exposure light transmitted through the light transmitting portion where the film is not formed. It has a function of causing a phase shift effect between the exposure light transmitted through the film and the exposure light transmitted through the light transmission portion.
  • a mask blank using a halftone phase shift film as a thin film for forming a transfer pattern is mainly used for producing a halftone phase shift mask.
  • Examples of the material applicable to the halftone phase shift film include a material containing a transition metal and silicon.
  • Examples of the material containing a transition metal and silicon include a transition metal silicide compound containing one or more elements selected from C, N, O, and B in addition to a transition metal silicide composed of a transition metal and silicon.
  • the transition metal is the same as that of the light shielding film.
  • the light semi-transmissive film transmits the exposure light with a predetermined transmittance, but has a phase difference that does not substantially cause a phase shift effect between the exposure light transmitted through the film and the exposure light transmitted through the light transmission part. It is a film that does not cause phase difference.
  • a mask blank using a light semi-transmissive film as a thin film for forming a transfer pattern is mainly used when an enhancer type phase shift mask is manufactured.
  • a material applicable to the light semi-transmissive film a material containing a transition metal and silicon is preferable like the halftone phase shift film.
  • the light transmissive mask blank has g-line (wavelength: 436 nm), i-line (wavelength: 365 nm), KrF (wavelength: 246 nm), ArF (wavelength: 193 nm), F2 (wavelength: 157 nm) as an exposure light source. Is used. Further, the light shielding film, the halftone phase shift film, and the light semi-transmissive film can be formed by a sputtering method such as DC sputtering, RF sputtering, or ion beam sputtering.
  • a sputtering method such as DC sputtering, RF sputtering, or ion beam sputtering.
  • the manufacturing method of the mask blank of this embodiment is enumerated above on the mask blank substrates 1 and 1c obtained by the manufacturing method of the mask blank substrate of the first and second embodiments described above.
  • This is a method for forming a thin film to be a transferred pattern.
  • excellent high flatness can be realized by using the mask blank substrates 1 and 1c.
  • a mask blank having excellent high flatness can be provided.
  • the reflective mask blank of this embodiment includes a multilayer reflective film that reflects exposure light at a high reflectance on the main surface 111 of the mask blank substrate 1, 1c of each of the first and second embodiments described above.
  • the multilayer reflection film has a function of absorbing exposure light and includes at least an absorber film that is a thin film for forming a transfer pattern.
  • the reflective mask blank of this embodiment includes a configuration in which a protective film and a buffer film are provided between the multilayer reflective film and the absorber film.
  • the reflective mask blank of this embodiment also includes a configuration in which a conductive film having conductivity is provided on the main surface 112 opposite to the main surface 111 on which a multilayer reflective film or the like is formed.
  • the multilayer reflective film has one cycle of a stack of a low refractive index layer made of a material having a low refractive index with respect to exposure light and a high refractive index layer made of a material with a high refractive index, and this is a plurality of cycles (at least 20 cycles or more, (Preferably 40 cycles or more).
  • EUV Extreme Ultra Violet
  • a Si layer is preferable for the low refractive index layer
  • Mo is preferable for the high refractive index layer.
  • the absorber film is a thin film for forming a transfer pattern and is required to have high absorption performance with respect to exposure light.
  • a material containing Ta is suitable as a material for forming the absorber film.
  • Ta metal, Ta and B, Hf, Zr, Nb, Pt, W, Au, Re, Os, and Ta compound consisting of one or more elements selected from Si, Ta metal and Ta compound examples thereof include materials containing one or more elements selected from N, O, and C.
  • the protective film protects the multilayer reflective film during dry etching when a transfer pattern is formed on the absorber film, and the multilayer from the cleaning process performed on the reflective mask during and after the reflective mask manufacturing process. It mainly has a role of protecting the reflective film.
  • the material applicable to the protective film include a material containing Ru and a material containing Si.
  • the materials containing Ru, Ru metal, an alloy with one or more metals selected from Ru, Nb, Zr, Mo, Ti, and La are preferable.
  • the buffer film is made of a material resistant to the etching gas used when dry-etching the absorber film, but after the transfer pattern is formed on the absorber film, dry etching using the absorber pattern as a mask Is patterned.
  • the material for forming the buffer film is not resistant to the etching gas used when dry-etching the buffer film itself. It is required not to do damage.
  • the buffer film is preferably a material containing Cr. Specifically, Cr metal or a Cr compound containing one or more elements selected from N, C, O, F, and H in Cr can be used.
  • the conductive film is a film required when electrostatically chucking the produced reflective mask on the mask stage of the exposure apparatus when electrostatically chucking the substrate on the rotary stage when forming the multilayer reflective film. In terms of its role, conductivity is required. Suitable materials for this conductive film include materials containing Cr and materials containing Ta. Specifically, the material containing Cr includes Cr metal or Cr compound containing one or more elements selected from N, C, O, F, and H in Cr. In addition, the Ta-containing material includes Ta metal or Ta compound containing one or more elements selected from B, C, N, and O in Ta.
  • the multilayer reflective film, absorber film, protective film, buffer film, and conductive film can be formed by a sputtering method such as DC sputtering, RF sputtering, or ion beam sputtering.
  • the mask blank substrate is not required to have a high transmittance for exposure light. .
  • the substrate is required to be formed of a material having a low thermal expansion coefficient.
  • the substrate made of a material having a low thermal expansion coefficient include amorphous glass such as SiO 2 —TiO 2 glass and quartz glass, and crystallized glass on which ⁇ -quartz solid solution is precipitated.
  • the reflective mask blank manufacturing method of the present embodiment exposes the mask blank substrates 1, 1c obtained by the mask blank substrate manufacturing methods of the first and second embodiments described above.
  • This is a method of forming at least a multilayer reflective film that reflects light with a high reflectance and an absorber film that has a function of absorbing exposure light on the multilayer reflective film and is a thin film for forming a transfer pattern.
  • excellent high flatness can be realized by using the mask blank substrates 1 and 1c.
  • a mask blank having excellent high flatness can be provided.
  • the transfer mask of this embodiment has a configuration in which a transfer pattern is formed on the above-described mask blank thin film. This transfer mask can realize excellent high flatness by using the above-described mask blank.
  • the transfer mask manufacturing method of the present embodiment is a method of forming a transfer pattern on the thin film of the mask blank obtained by the mask blank manufacturing method of the above-described embodiment. That is, the transfer mask manufacturing method usually includes a step of preparing a mask blank obtained by the above-described mask blank manufacturing method, and a resist film is formed on the thin film by a spin coating method or the like. A pattern forming process of forming a desired resist pattern by exposing and drawing the transfer pattern and developing, and a thin film pattern forming process of forming a transfer pattern on the thin film by masking the resist pattern and etching the thin film Have.
  • the transfer mask manufacturing method excellent high flatness can be realized by using the mask blank substrates 1 and 1c.
  • the transfer mask of this embodiment is applied to the binary transfer mask, the digging Levenson phase shift mask, the halftone phase shift mask, the enhancer phase shift mask, and the like.
  • the reflective mask of this embodiment has a configuration in which a transfer pattern is formed on the absorber film of the reflective mask blank described above. This reflective mask can realize excellent high flatness by using the above-described reflective mask blank.
  • the reflective mask manufacturing method of the present embodiment is a method for forming a transfer pattern on the absorber film of the reflective mask blank obtained by the reflective mask blank manufacturing method of the above-described embodiment. That is, the reflective mask manufacturing method usually includes a step of preparing the reflective mask blank obtained by the above-described reflective mask blank manufacturing method, and a resist film is formed on the absorber film by a spin coat method or the like. Then, a transfer pattern is exposed and drawn on the resist film, and a pattern forming process for forming a desired resist pattern through development processing and the like, and the resist pattern is masked, and the absorber film is removed by etching to form an absorber film. And an absorber pattern forming step for forming a transfer pattern.
  • a substrate made of TiO 2 —SiO 2 having a low thermal expansion coefficient, having a substantially square planar shape, a length of about 152 mm (6 inches) on one side, and a thickness of 6.35 mm (0.25 inches) 1c was prepared.
  • the R surface 102, the chamfered surface 103, and the substrate mark 4c were formed on the substrate 1c (see FIG. 2).
  • the R surface 102 is a curved surface formed at the four corners of the substrate 1c and has a radius of curvature of 2.5 mm.
  • the chamfered surface 103 is formed on the periphery of the main surface 111 and the main surface 112, and has a chamfer width of 0.5 mm.
  • the substrate 1c has the main surface 111 on the side on which the multilayer reflective film and the absorber film are formed, and the main surface 112 on the side on which the conductive film is formed.
  • the substrate mark 4c is formed in the upper right corner and the lower left corner in FIG. 2, and is an oblique cross section obtained by cutting off the R surface 102 and the chamfered surface 103 between the main surface 112 and the side surface 110 (including the R surface 102). (One oblique section).
  • the substrate mark 4 c has a curved boundary 41 c that intersects the chamfered surface 103, and is formed so as to be positioned on the outer peripheral side from the boundary between the main surface 112 and the chamfered surface 103.
  • this distance W 2 is a distance on a virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112.
  • the maximum height H 2 in the side surface direction up to the boundary between the substrate mark 4c and the R surface 102 with reference to the virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112 is about 1.5 mm, and the main surface the inclination angle theta 2 of the substrate marks 4c for 112 was about 75 °. That is, the maximum value of H 2 height of the substrate mark 4c shown is not less than 23% of the thickness (6.35 mm).
  • the substrate mark 4c was formed by grinding using a diamond grindstone or the like, and finished with a mirror finish. Subsequently, the substrate 1c was ground by a double-sided lapping device.
  • the substrate 1c on which the substrate mark 4c was formed was subjected to polishing (rough polishing, precision polishing, and ultra-precision polishing) using the above-described double-side polishing apparatus.
  • polishing rough polishing, precision polishing, and ultra-precision polishing
  • the processing load and polishing time were adjusted as appropriate.
  • Polishing liquid Cerium oxide (average particle size 2 to 3 ⁇ m) + water Polishing pad: Hard polisher (urethane pad)
  • the substrate 1c was immersed in the cleaning tank (ultrasonic application) in order to remove the abrasive grains adhering to the substrate 1c, and cleaning was performed.
  • Polishing liquid Colloidal silica (average particle size 30 to 200 nm) + water Polishing pad: Super soft polisher (suede type)
  • the substrate 1c was immersed in a cleaning tank containing a cleaning solution containing hydrofluoric acid and silicic acid (ultrasonic application) to perform cleaning.
  • the surface shape (flatness) of the main surface 111 of the cleaned substrate 1c was measured with an optical interference type flatness measuring device (UltraFLAT200M manufactured by Corning TROPEL).
  • the measured surface shape distribution of the main surface 111 is shown in FIG.
  • the surface shape distribution in FIG. 3 is a 142 mm ⁇ 142 mm in-corner region based on the center of the main surface 111 of the substrate (the same applies to each comparative example hereinafter).
  • the flatness in the 132 mm ⁇ 132 mm square region with respect to the center of the main surface 111 of the substrate 1c was about 0.065 ⁇ m, which was a good result. Further, in the surface shape distribution of the main surface 111 in FIG.
  • the shapes in the vicinity of the R surface 102 at the four corners of the substrate 1 c are all slightly convex (the raised portions 5 are generated).
  • the variation in height of the convex shape between the corners was very small (see FIG. 4).
  • the surface shape distribution on the main surface 112 side was measured in the same manner, the shape of the four corners of the substrate 1c in the vicinity of the R surface 102 had some fringed portions 6 between the four corners.
  • the variation in the height level of the edge portion 6 was very small.
  • the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region with respect to the center of the main surface 112 was also good as with the main surface 111.
  • both the main surfaces 111 and 112 have a flatness in a corner area of 132 mm ⁇ 132 mm with respect to the center of the main surface 111 (main surface 112) as EUV light.
  • the flatness in the 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region required for a mask blank substrate for producing a reflective mask blank using exposure light as the exposure light is not satisfied. Therefore, a local processing step was performed in order to satisfy the desired flatness. Specifically, first, based on the data of the surface shape distribution of the main surfaces 111 and 112 measured previously, the position of the convex portion to be locally processed and the required processing amount were calculated in order to satisfy the desired flatness. .
  • the substrate 1c was set and information on the position of the convex portion and the required processing amount was input to an MRF processing apparatus that performs local processing using a magnetic fluid, and local processing was performed on the main surfaces 111 and 112.
  • the time required for processing can be greatly reduced as compared with the case of a substrate having a conventional substrate mark shape.
  • polishing including colloidal silica abrasive grains is used, and the surface roughness is recovered by a double-side polishing apparatus (Rq is 0.15 nm or less). Polishing was performed for a short time. The time required for recovering the surface roughness could be shortened as compared with the case of the substrate having the conventional substrate mark shape. Finally, a predetermined cleaning process or the like was performed to obtain a mask blank substrate 1c that can be used for manufacturing a reflective mask blank.
  • a CrN film having a thickness of 30 nm was formed as a conductive film on the main surface 112 of the obtained mask blank substrate 1c by a sputtering method.
  • the conductive film was not formed in the outer peripheral region (at least the chamfered surface 103) of the main surface 112.
  • the mask blank substrate 1c on which the conductive film was formed was electrostatically chucked on the rotary stage of the ion beam sputtering apparatus, and a Si / Mo multilayer reflective film was formed by ion beam sputtering.
  • a protective film made of RuNb was formed to a thickness of 2.5 nm on the Si film of the multilayer reflective film. Further, an absorber film having a laminated structure of a lower layer made of TaN and an upper layer made of TaO was formed on the protective film to obtain a reflective mask blank.
  • a resist film for electron beam exposure was formed on the absorber film of the obtained reflective mask blank by spin coating.
  • the resist film was subjected to electron beam drawing and development treatment to form a resist pattern having a transfer pattern.
  • dry etching with CF 4 gas was performed to form a transfer pattern on the absorber film.
  • dry etching with Cl 2 gas was performed using the resist pattern and the upper transfer pattern as a mask to form a transfer pattern in the lower layer of the absorber film.
  • the resist pattern was peeled off and a predetermined cleaning process was performed to obtain a reflective mask.
  • the obtained reflective mask was fixed to a mask stage of an exposure apparatus with an electrostatic chuck, and exposure transfer using EUV light as exposure light was performed on the resist film on the semiconductor wafer.
  • a predetermined development process or the like was performed on the resist film after exposure and transfer, and using this resist film as a mask, dry etching was performed on the thin film on the semiconductor wafer to form a circuit pattern.
  • the circuit pattern formed on the semiconductor wafer was observed with a TEM, it was confirmed that the circuit pattern was formed with high accuracy. This result is largely due to the high flatness of the reflective mask substrate 1c used.
  • Comparative Example 1 is different from Example 1 in that the substrate mark 104 described above is formed instead of forming the substrate mark 4.
  • the processing conditions such as the polishing process of the comparative example are almost the same as those in the first embodiment. Therefore, the detailed description of the same contents as in the first embodiment is omitted.
  • the substrate marks 104 are formed at the upper right corner and the lower left corner in FIG. 8, and are the main surface 112, the R surface 102, the two side surfaces 110 following the R surface 102, the main surface 112 and the side surfaces 110 (R surface).
  • the oblique section (one oblique section) was cut off from the chamfered surface 103 between the two.
  • the substrate mark 104 has a line-shaped boundary 141 intersecting the main surface 112, and the substrate mark 104 is perpendicular to the diagonal line passing through the R plane 102 when viewed from above. Formed. Further, a distance W 0 from the boundary 141 between the substrate mark 104 and the main surface 112 to the boundary between the substrate mark 104 and the R surface 102 (this distance W 0 is a distance on a virtual plane including the vicinity of the central portion of the main surface 112. The maximum value of the distance from an arbitrary point on the boundary 141 to the boundary between the substrate mark 104 and the R surface 102 in the direction orthogonal to the line of the boundary 141) is about 3.0 mm. It was.
  • the main surface The inclination angle ⁇ 0 of the substrate mark 104 with respect to 112 was set to about 22 °. That is, the maximum value H 0 of the height is less than 19% with respect to the thickness of the substrate.
  • the substrate mark 104 was formed by a grinding process using a diamond grindstone or the like, and finished with a mirror finish. Subsequently, the substrate 101 was ground by a double-sided lapping apparatus.
  • the substrate 101 on which the substrate mark 104 is formed is polished using the double-side polishing apparatus (rough polishing processing, precision polishing processing, and ultra-precision polishing processing) as in the first embodiment. ). Subsequently, in order to remove the abrasive grains adhering to the substrate 101 after the ultra-precision polishing step, the glass substrate is immersed in a cleaning tank containing a cleaning solution containing hydrofluoric acid and silicic acid (ultrasonic application) to perform cleaning. went.
  • the surface shape (flatness) of the cleaned substrate 101 was measured with an optical interference type flatness measuring device (UltraFLAT200M manufactured by Corning TROPEL).
  • the measured surface shape distribution of the main surface 111 is shown in FIG.
  • the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm square area with respect to the center of the main surface 111 of the substrate 101 was about 0.168 ⁇ m, which was a rather bad result.
  • the shape in the vicinity of the two corners of the R surface 102 where the substrate mark 104 of the substrate 101 is formed is the vicinity of the two corners of the R surface 102 where the substrate mark is not formed.
  • the shape is larger and higher (the raised portion 105 is generated).
  • the variation in height of the convex shape between the four corners is very large.
  • the surface shape distribution on the main surface 112 side was also measured in the same manner.
  • the shape near the R surface 102 at the two corners where the substrate mark 104 is formed is compared with the shape near the R surface 102 at the other two corners.
  • There was a large margin and the variation in the height level of the marginal portion 106 between the four corners was very large.
  • the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region with respect to the center of the main surface 112 was not as good as that of the main surface 111.
  • the comparative example 2 has the substrate mark 104 formed on all four corners in FIG. 8 and the boundary 141 between the substrate mark 104 and the main surface 112.
  • the only difference is that the value H 0 is about 1.1 mm and the inclination angle ⁇ 0 of the substrate mark 104 with respect to the main surface 112 is about 25 °. That is, the maximum value H 0 of the height of the substrate mark 104 in Comparative Example 2 is 17% or more of the thickness of the substrate.
  • the surface shape (flatness) of the cleaned substrate 101 was measured with an optical interference type flatness measuring apparatus (UltraFLAT200M manufactured by Corning TROPEL).
  • the measured surface shape distribution of the main surface 111 is shown in FIG.
  • the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm square area with respect to the center of the main surface 111 of the substrate 101 was about 0.116 ⁇ m.
  • the shapes near the R surface 102 at the four corners of the substrate 101 are all convex (the raised portions 105 are generated).
  • the height variation of the convex shape was very small.
  • the surface shape distribution on the main surface 112 side was also measured in the same manner. However, the shapes near the R surface 102 at the four corners of the substrate 1c all had the fringe portion 106, but the edge between the four corners. The variation in the height level of the drooping portion 106 was very small. However, both the main surfaces 111 and 112 had better flatness in the corner area of 132 mm ⁇ 132 mm than that of Comparative Example 1, but were not as good as those of Example 1.
  • the comparative example 3 differs from the comparative example 2 in that the substrate marks 104 are formed only at the upper right corner and the lower left corner in FIG.
  • the surface shape (flatness) of the cleaned substrate 101 was measured with an optical interference type flatness measuring device (UltraFLAT200M manufactured by Corning TROPEL).
  • the measured surface shape distribution of the main surface 111 is shown in FIG.
  • the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm square area with respect to the center of the main surface 111 of the substrate 101 was about 0.111 ⁇ m.
  • the shape in the vicinity of the two corners of the R surface 102 where the substrate mark 104 of the substrate 101 is formed is the vicinity of the two corners of the R surface 102 where the substrate mark is not formed.
  • the shape is larger and higher (the raised portion 105 is generated).
  • the surface shape distribution on the main surface 112 side was also measured in the same manner.
  • the shape near the R surface 102 at the two corners where the substrate mark 104 is formed is compared with the shape near the R surface 102 at the other two corners.
  • the main surfaces 111 and 112 had better flatness in the 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region than Comparative Example 1, the results were not as good as those of Example 1.
  • the distance W 1 from the boundary 41 between the substrate mark 4 and the main surface 112 to the boundary between the substrate mark 4 and the R surface 102 is about 0.9 mm, and the main surface 112
  • the maximum value H 1 of the height in the side surface direction up to the boundary between the substrate mark 4 and the R surface 102 with reference to the virtual plane including the vicinity of the central portion of the substrate mark 4 is about 2.0 mm, and the substrate mark 4 with respect to the main surface 112 different angle of inclination theta 1, only in that the approximately 66 °. That is, the maximum value H 1 of the height of the substrate mark 4 is 31% or more.
  • the surface shape (flatness) of the cleaned substrate 1 was measured with an optical interference type flatness measuring device (UltraFLAT200M manufactured by Corning TROPEL).
  • the measured surface shape distribution of the main surface 111 is shown in FIG.
  • the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm square area with respect to the center of the main surface 111 of the substrate 1 was about 0.075 ⁇ m.
  • the shapes in the vicinity of the R surface 102 at the four corners of the substrate 1 are somewhat convex, but the height of the convex shape is between the four corners. The variation was very small.
  • the surface shape distribution on the main surface 112 side was also measured in the same manner. However, the shapes near the R surface 102 at the four corners of the substrate 1 were somewhat edged, but the edge between the four corners The variation in the height level of the nose was very small. Further, the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region with respect to the center of the main surface 112 was also good as with the main surface 111.
  • both the main surfaces 111 and 112 have a flatness in a corner area of 132 mm ⁇ 132 mm with respect to the center of the main surface 111 (main surface 112) as EUV light.
  • the flatness in the 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region required for a mask blank substrate for producing a reflective mask blank using exposure light as the exposure light is not satisfied. Therefore, in order to satisfy the desired flatness, a local processing step was performed in the same procedure as in Example 1. The time required for the local processing can be greatly shortened as compared with the case of the substrate having the conventional substrate mark shape.
  • the reflective mask blank of Example 2 was obtained by the same procedure as in Example 1 using the obtained mask blank substrate 1. Furthermore, using the obtained reflective mask blank, a reflective mask of Example 2 was obtained by the same procedure as in Example 1.
  • the obtained reflective mask of Example 2 was fixed to the mask stage of the exposure apparatus with an electrostatic chuck, and exposure transfer using EUV light as exposure light was performed on the resist film on the semiconductor wafer.
  • a predetermined development process or the like was performed on the resist film after exposure and transfer, and using this resist film as a mask, dry etching was performed on the thin film on the semiconductor wafer to form a circuit pattern.
  • the circuit pattern formed on the semiconductor wafer was observed with a TEM, it was confirmed that the circuit pattern was formed with high accuracy. This result is largely due to the high flatness of the substrate 1 of the reflective mask used.
  • the distance W 1 from the boundary 41 between the substrate mark 4 and the main surface 112 to the boundary between the substrate mark 4 and the R surface 102 is about 1.4 mm, compared to the first embodiment.
  • the maximum value H 1 of the height in the side surface direction up to the boundary between the substrate mark 4 and the R surface 102 with respect to the virtual plane including the vicinity of the center of the substrate mark 4 is about 1.5 mm, and the substrate mark 4 with respect to the main surface 112 different angle of inclination theta 1, only in that the approximately 47 °.
  • the maximum value H 1 height of the substrate mark 4 according to Example 3 is 23% or more.
  • the surface shape (flatness) of the cleaned substrate 1 was measured with an optical interference type flatness measuring device (UltraFLAT200M manufactured by Corning TROPEL).
  • the measured surface shape distribution of the main surface 111 is shown in FIG.
  • the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm square area with respect to the center of the main surface 111 of the substrate 1 was about 0.080 ⁇ m.
  • the shapes in the vicinity of the R surface 102 at the four corners of the substrate 1 are somewhat convex, but the height of the convex shape is between the four corners. The variation was very small.
  • the surface shape distribution on the main surface 112 side was also measured in the same manner. However, the shapes near the R surface 102 at the four corners of the substrate 1 were somewhat edged, but the edge between the four corners The variation in the height level of the nose was very small. Further, the flatness in a 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region with respect to the center of the main surface 112 was also good as with the main surface 111.
  • both the main surfaces 111 and 112 have a flatness in a corner area of 132 mm ⁇ 132 mm with respect to the center of the main surface 111 (main surface 112) as EUV light.
  • the flatness in the 132 mm ⁇ 132 mm in-corner region required for a mask blank substrate for producing a reflective mask blank using exposure light as the exposure light is not satisfied. Therefore, in order to satisfy the desired flatness, a local processing step was performed in the same procedure as in Example 1. The time required for the local processing can be greatly shortened as compared with the case of the substrate having the conventional substrate mark shape.
  • the reflective mask blank of Example 3 was obtained by the same procedure as in Example 1 using the obtained mask blank substrate 1. Further, using the obtained reflective mask blank, a reflective mask of Example 3 was obtained by the same procedure as in Example 1.
  • the obtained reflective mask of Example 3 was fixed to the mask stage of the exposure apparatus with an electrostatic chuck, and exposure transfer using EUV light as exposure light was performed on the resist film on the semiconductor wafer. A predetermined development process or the like was performed on the resist film after exposure and transfer, and using this resist film as a mask, dry etching was performed on the thin film on the semiconductor wafer to form a circuit pattern.
  • the circuit pattern formed on the semiconductor wafer was observed with a TEM, it was confirmed that the circuit pattern was formed with high accuracy. This result is largely due to the high flatness of the substrate 1 of the reflective mask used.
  • the mask blank substrate, the mask blank, the reflective mask blank, the transfer mask, the reflective mask, and the manufacturing method of the mask blank according to the present invention have been described with reference to the preferred embodiments.
  • the mask blank according to the present invention has been described.
  • Substrate, mask blank, reflective mask blank, transfer mask, reflective mask, and manufacturing method thereof are not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. It goes without saying that it is possible.
  • the mask blank substrates 1 and 1c are formed with the substrate marks 4 and 4c having one oblique section at one corner, but the present invention is not limited to this.
  • a substrate mark having two or more oblique sections may be formed at one corner, and may be used in combination with a film mark or the like. Thereby, identification ability can be improved. Furthermore, in the above-described embodiments and examples, a square mask blank substrate having a side length of 152 mm and a thickness of 6.35 mm has been described, but the present invention is not limited to this, and the rectangular mask blank substrate is also not limited thereto. The same applies.

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Abstract

　研磨加工において、斜断面からなる基板マークによる平坦度への悪影響を排除し、平坦度を向上させることができるマスクブランク用基板、マスクブランク及び転写マスク、並びに、それらの製造方法の提供を目的とする。　マスクブランク用基板１は、斜断面からなる基板マーク４が形成され、主表面１１２に対する基板マーク４の傾斜角が、４５°よりも大きく９０°未満であり、主表面１１２と基板マーク４の境界からマスクブランク用基板１の外周までの距離Ｗ１が、１．５ｍｍ未満である。

Description

マスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法
　本発明は、マスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法に関する。
　近年、超ＬＳＩデバイスの高密度化や高精度化に伴い、超ＬＳＩデバイスの製造に用いられるマスクブランク用基板、マスクブランク、転写マスクなどに要求される基板表面の精細化及び平坦化に対する要求は年々厳しくなる傾向にある。特に、露光光源の波長が短くなるにしたがって、基板表面の形状精度（平坦性）や品質（欠陥サイズ）に対する要求が厳しくなっており、きわめて平坦度が高く、かつ、微小欠陥がないマスクブランク用基板などが求められている。また、露光光を反射する反射型マスクに用いられるマスクブランク用基板の場合においては、基板表面の形状精度や品質に対する要求が特に厳しい。
　上記の要求に応えるために、様々な技術が開発されている。
　たとえば、特許文献１には、マスクブランク用ガラス基板表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有するマスクブランク用ガラス基板（マスクブランク用基板とも呼ばれる。）の製造方法が開示されている。
　この技術は、研磨砥粒が、有機ケイ素化合物を加水分解することで生成したコロイダルシリカ砥粒を含むことや、研磨液が、コロイダルシリカ砥粒を含むものであるとともに、中性であることを特徴としている。
　また、特許文献２には、マスクブランク用ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、ガラス基板表面に存在する凸部位の凸度を特定するとともに、この凸度に応じた加工条件で凸部位に局所加工を施すことにより、ガラス基板表面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、平坦度制御工程の後、局所加工が施されたガラス基板表面を研磨する研磨工程と、を有するマスクブランク用ガラス基板の製造方法の技術が開示されている。この技術は、平坦度制御工程の後で、かつ、研磨工程の前に、局所加工が施されたガラス基板表面に、酸処理を施す方法である。
　また、上記の特許文献２の技術は、凹凸形状測定工程や平坦度制御工程などを有しており、凹凸形状測定工程の前に、準備工程を有している。
　この準備工程は、少なくとも、マスクブランク用基板の両面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨されたマスクブランク用基板の両面を精密研磨する精密研磨工程とを有し、段階的な研磨が行われる。この際、たとえば、粗研磨工程では、比較的研磨砥粒の大きい酸化セリウムを含む研磨液が使用され、精密研磨工程では、比較的研磨砥粒の小さいコロイダルシリカを含む研磨液が使用される。
　また、従来、マスクブランク用基板では、基板の種類や基板の表裏を判別できるようにするため、矩形のマスクブランク用基板のコーナー部（角部とも呼ばれる。）において、主表面を斜断面状に切り落としてなる基板マーク（あるいは、ノッチマークとも呼ばれる。）が利用されてきた。
　上記した基板マークに関連する様々な技術が開発されている。
　たとえば、特許文献３には、所定の光学特性が要求されるマスクブランク用透明基板であって、所定のコーナー部を斜断面状に切り落として形成され、その形状が光学特性に応じて定められた基板マークを有することを特徴とするマスクブランク用透明基板の技術が開示されている。
　また、特許文献４には、略矩形のフォトマスク用基板であって、該矩形のコーナー部において、主表面と該コーナー部を形成する２つの端面との３面を斜断面状に切り落としてなるノッチマークを少なくとも１以上有し、該ノッチマークが、該フォトマスク用基板の該コーナー部を含む対角線に対し非対称形状であることを特徴とするフォトマスク用基板の技術が開示されている。
特開２００４－９８２７８号公報 特開２００４－３１００６７号公報 特開２００６－７８９９１号公報 特開２０００－３５６８４９号公報
　従来、基板マークは、上記の特許文献４、段落0004に記載されているように、「マスク用基板の品質に直接影響するものではない」と考えられていた。しかし、本発明者は、マスクブランク用基板の平坦度を向上させる研究において、斜断面からなる基板マークが、研磨加工において、平坦度へ悪影響を及ぼしているという新たな事実を見出した。
　すなわち、斜断面からなる基板マークの形成されたマスクブランク用基板に対し、両面研磨装置（たとえば、上記特許文献１に記載した両面研磨装置）を用いて、粗研磨工程、精密研磨工程、及び、コロイダルシリカを含む研磨液を使用する超精密研磨工程を施したところ、基板マークの形成された裏面（裏側の主表面）のコーナー部近傍において、縁ダレが発生し、また、該コーナー部近傍に対応する表面（転写パターンを有する薄膜が形成される側の主表面）において、隆起が発生するといった問題が見出された。
　なお、特許文献１～４の技術は、本発明に関連する技術ではあるものの、上記基板マークに関する課題及びこの課題を解決することについて全く示唆していない。
　本発明は、以上のような問題を解決するために提案されたものであり、研磨加工において、斜断面からなる基板マークによる平坦度への悪影響を排除し、平坦度を向上させることができるマスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、および反射型マスク、並びにそれらの製造方法の提供を目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明のマスクブランク用基板は、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界から該基板マークと前記Ｒ面との境界までの距離が１．５ｍｍ未満である構成を有している。
　更に望ましくは、前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とする構成を有している。
　本発明のマスクブランク用基板は、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さい構成を有している。
　また、前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されていることを特徴とする構成を有している。
　また、本発明のマスクブランクは、前記マスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を備えることを特徴とする構成を有している。
　さらに、本発明の反射型マスクブランクは、前記マスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を備えることを特徴とする構成を有している。
　また、本発明の転写マスクは、前記マスクブランクの薄膜に転写パターンが形成されたことを特徴とする構成を有している。
　さらに、本発明の反射型マスクは、前記反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンが形成されたことを特徴とする構成を有している。
　上記目的を達成するため、本発明によれば、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界から該基板マークと前記Ｒ面との境界までの距離が１．５ｍｍ未満に形成されているマスクブランク用基板の製造方法が得られる。
　更に望ましくは、前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されている。
　本発明によれば、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されているマスクブランク用基板の製造方法が得られる。
　また、前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されている。
　また、本発明のマスクブランクの製造方法は、前記マスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を備えることを特徴とする方法である。
　さらに、本発明の反射型マスクブランクの製造方法は、前記マスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を備えることを特徴とする方法である。
　また、本発明の転写マスクの製造方法は、前記マスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの薄膜に薄膜パターンを形成することを特徴とする方法である。
　さらに、本発明の反射型マスクの製造方法は、前記マスクブランクの吸収体膜に転写パターンが形成されたことを特徴とする方法である。
　本発明のマスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法によれば、研磨加工において、斜断面からなる基板マークによる平坦度への悪影響を排除し、平坦度を向上させることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態にかかるマスクブランク用基板の基板マークを説明するための概略図であり、（ａ）は平面図を示しており、（ｂ）はＡ部拡大図を示しており、（ｃ）はＢ－Ｂ断面図を示している。 図２は、本発明の第２の実施形態にかかるマスクブランク用基板の基板マークを説明するための概略図であり、（ａ）は平面図を示しており、（ｂ）はＣ部拡大図を示しており、（ｃ）はＤ－Ｄ断面図を示している。 図３は、本発明の実施例１にかかるマスクブランク用基板における主表面の表面形状を測定した結果を示している。 図４は、本発明の実施例１にかかるマスクブランク用基板の要部の概略拡大断面図を示している。 図５は、本発明の比較例１にかかるマスクブランク用基板における主表面の表面形状を測定した結果を示している。 図６は、本発明の比較例２にかかるマスクブランク用基板における主表面の表面形状を測定した結果を示している。 図７は、本発明の比較例３にかかるマスクブランク用基板における主表面の表面形状を測定した結果を示している。 図８は、本発明に関連するマスクブランク用基板の基板マークを説明するための概略図であり、（ａ）は平面図を示しており、（ｂ）はＥ部拡大図を示しており、（ｃ）はＦ－Ｆ断面図を示している。 図９は、本発明の課題を説明するためのマスクブランク用基板の要部の概略図であり、（ａ）は超精密研磨工程を開始した際の拡大断面図を示しており、（ｂ）は超精密研磨工程を終了した後の拡大断面図を示している。 図１０は、本発明の実施例２にかかるマスクブランク用基板における主表面の表面形状を測定した結果を示している。 図１１は、本発明の実施例３にかかるマスクブランク用基板における主表面の表面形状を測定した結果を示している。
　本発明に関連するマスクブランク用基板及び基板マークについて、図面を参照して説明する。図８は、本発明に関連するマスクブランク用基板の基板マークを説明するための概略図であり、（ａ）は平面図を示しており、（ｂ）はＥ部拡大図を示しており、（ｃ）はＦ－Ｆ断面図を示している。
　図８に示されたマスクブランク用基板１０１は、平面上において矩形形状を有するマスクブランク用基板の例を示している。ここでは、矩形形状は、長方形形状だけでなく、正方形形状をも含むものとする。図示されたマスクブランク用基板１０１には、隣接する２つの側面１１０によって形成されるコーナー部にＲ面１０２が形成され、主表面１１１，１１２と側面１１０（Ｒ面１０２を含む）との間に面取り面１０３が形成されている。また、裏側の主表面１１２（転写パターンを形成するための薄膜が成膜される側の主表面とは反対側の主表面）側のコーナー部には、基板マーク１０４が形成されている。
　マスクブランク用基板１０１の材料は、マスクブランクとして用いられるものであれば、特に限定されるものではなく、たとえば、合成石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス、無アルカリガラスのほか、特に反射型マスクに用いられる基板には、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２ガラス等の低熱膨張ガラスなども用いられる。
　また、マスクブランク用基板１０１は、一辺の長さが約１５２ｍｍ（６インチ）、厚さが６．３５ｍｍ（０．２５インチ）前後のものが広く用いられている。ただし、マスクブランク用基板１０１の形状、厚さなどは、特に限定されるものではない。
　Ｒ面１０２は、マスクブランク用基板１０１の四隅に形成された湾曲面であり、曲率半径は、通常、２．５±０．５ｍｍである。
　また、主表面１１１，１１２の各周縁には、側面１１０（Ｒ面１０２を含む）との間に環状の面取り面１０３が形成されている。この面取り面１０３は、約４５°傾斜した斜面（Ｃ面とも呼ばれる。）であり、通常、面取り幅は０．４～０．６ｍｍである。
　なお、マスクブランク用基板１０１は、裏側の主表面１１２に基板マーク１０４が形成されるが、これに限定されるものではない。
　基板マーク１０４は、図８では右上の角に形成されており、主表面１１２と、Ｒ面１０２と、Ｒ面１０２に続く側面１１０と、主表面１１２および側面１１０（Ｒ面１０２を含む）の間の面取り面１０３とにかかって形成された斜断面（一つの斜断面）形状としている。
　この基板マーク１０４は、主表面１１２と交差する線状の境界１４１（すなわち、基板マーク１０４と主表面１１２との境界１４１）、及び、Ｒ面１０２と交差する線状の境界（すなわち、基板マーク１０４とＲ面１０２との境界）を有している。また、基板マーク１０４と主表面１１２との境界１４１から基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの距離Ｗ０（この距離Ｗ０は、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面上の距離であって、境界１４１の任意の点から、境界１４１の線に対して直交する方向における、基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの距離の最大値である。）を、この例では約２．４ｍｍとしている。また、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ０を、この例では約１ｍｍとしてあり、主表面１１２に対する基板マーク１０４の傾斜角θ０は、約２５°である。
　図８のマスクブランク用基板１０１では、一つの角に基板マーク１０４が形成されている。しかし、材料などに応じて、複数の角に基板マーク１０４を形成し、この形成した基板マーク１０４の数量や位置などによって、材料を識別することも行われる。基板マーク１０４は、通常、ダイヤモンド砥石等を使用した研削加工により形成され、さらに、洗浄工程等で汚れが付着しないように、鏡面加工の仕上げが施される。
　ここで、一般的なマスクブランク用基板１０１における縁ダレや隆起の問題について、図面を参照して説明する。図９は、マスクブランク用基板の要部の概略図であり、（ａ）は主表面１１１，１１２に対して超精密研磨工程を開始した際の拡大断面図を示しており、（ｂ）は超精密研磨工程を終了した後の拡大断面図を示している。
　図９（ａ）において、マスクブランク用基板１０１は、両面研磨装置に設けられた対向する一対の研磨パッド２１に挟まれている。研磨パッド２１には、コロイダルシリカを含む研磨液（図示せず）が供給されており、また、上下方向に所定の圧力が加えられている。また、研磨パッド２１は、通常、超軟質ポリシャ（スウェードタイプ）が用いられる。
　研磨パッド２１に挟まれたマスクブランク用基板１０１は、キャリア（図示せず）に保持された状態で、公転及び自転し、主表面１１１，１１２に対して、同時に研磨工程が行われる。
　このとき、主表面１１２が、下側の研磨パッド２１を押圧することによって、境界１４１より外側であって、研磨パッド２１の基板１０１によって押圧されていない領域である基板マーク１０４の下方に、破線で示す研磨パッド２１からなる凸部２１１が発生する。また、マスクブランク用基板１０１は、上記の状態で公転及び自転するので、応力が集中している境界１４１が、凸部２１１と接触し、境界１４１が凸部２１１を乗り越えようとする状態で、研磨されると推察される。このため、主表面１１２の境界１４１の近傍は、主表面１１２の他の領域よりも過度に研磨される状態になってしまう。
　所定の時間だけ研磨されたマスクブランク用基板１０１は、図９（ｂ）に示すように、基板マーク１０４の形成された主表面１１２のＲ面１０２の近傍において、大きく縁ダレ部１０６が形成されてしまう。一方、Ｒ面１０２の近傍に対応する主表面１１１（主表面１１２の縁ダレ部１０６が形成された領域に対応する主表面１１１）においては、逆に隆起部１０５が形成されてしまう。
　縁ダレ部１０６は、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面に対して、０．１μｍ以上のへこみ量ｈ０１を有しており、また、隆起部１０５は、主表面１１１の中央部付近を含む仮想平面に対して、０．１μｍ以上の突出量ｈ０２を有していた。さらに、縁ダレ部１０６及び隆起部１０５は、おおむね、Ｒ面１０２から半径Ｒ（Ｒ＝約５～１５ｍｍ）以内の領域に形成されていた。
　ここで、縁ダレ部１０６及び隆起部１０５の形成された領域は、ほぼ対応しており、かつ、ｈ０１≒ｈ０２であった。これは、主表面１１２側に縁ダレ部１０６が形成され始めると、縁ダレ部１０６と下側の研磨パッド２１との間に隙間が生じ、下側の圧力が低下し、上側の研磨パッド２１から掛かる主表面１１１側に対する圧力が下側に逃げやすくなり、この結果、上側の研磨レートが低下する現象によるものと、推察される。
［マスクブランク用基板及びその製造方法の第１の実施形態］
　図１は、本発明の第１の実施形態にかかるマスクブランク用基板の基板マークを説明するための概略図であり、（ａ）は平面図を示しており、（ｂ）はＡ部拡大図を示しており、（ｃ）はＢ－Ｂ断面図を示している。
　図１において、本実施形態のマスクブランク用基板１は、斜断面からなる基板マーク４が形成された構成を有している。
　また、マスクブランク用基板１は、上述したマスクブランク用基板１０１と比べると、基板マーク１０４の代わりに、断面形状及び寸法の異なる基板マーク４を形成した点で相違している。なお、本実施形態の他の構成は、マスクブランク用基板１０１とほぼ同様である。
　したがって、図１において、図８と同様の構成部分については同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
（基板マーク）
　基板マーク４は、図１の場合も基板マーク１０４とほぼ同様に右上の角に形成されており、主表面１１２と、Ｒ面１０２と、Ｒ面１０２に続く２つの側面１１０と、主表面１１２および側面１１０（Ｒ面１０２を含む）の間の面取り面１０３とにかかって形成された斜断面（一つの斜断面）形状を有している。
　この基板マーク４は、主表面１１２と交差する線状の境界４１（すなわち、基板マーク４と主表面１１２との境界４１）、及び、Ｒ面１０２と交差する線状の境界（すなわち、基板マーク４とＲ面１０２との境界）を有している。また、基板マーク４と主表面１１２との境界４１から基板マーク４とＲ面１０２との境界までの距離Ｗ１（この距離Ｗ１は、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面上の距離であって、境界４１の任意の点から、境界４１の線に対して直交する方向における、基板マーク４とＲ面１０２との境界までの距離の最大値である。）は、１．５ｍｍ未満である。なお、この距離Ｗ１は、好ましくは１．４ｍｍ以下である。
　主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク４とＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ１は、特に限定されない。基板マーク４を視認し易くすることを考慮する場合、Ｈ１を１．２ｍｍ以上とすることが好ましく、１．５ｍｍ以上であるとより好ましい。換言すれば、基板マーク４の最大高さＨ１は、厚さ６．３５ｍｍのマスクブランク用基板の場合、厚さの１８％を越えることが望ましく、２４％以上であることが更に望ましい。
　また、この基板マーク４の表面形状は、基板のＲ面１０２を通る対角線Ｂに対して対称性が高い形状（線対称な形状）であることが好ましい。基板マーク４の表面形状の対称性が高いと、研磨工程で研磨した後の主表面１１１および主表面１１２の表面形状の対称性が高くなる傾向がある。
　マスクブランク用基板の場合、主表面１１１，１１２はともに高水準の表面粗さが求められる。このため、研削工程後の基板の主表面に対して研磨工程を行う必要がある。前記の説明の通り、主表面に対して研磨工程を行った場合、縁ダレが境界４１から主表面の中心側に向かって進行していき、研磨工程後に縁ダレ部１０６が形成されてしまう（図９（ｂ）参照）。上記の距離Ｗ１を１．５ｍｍ以上とすると、研磨工程後に形成されてしまう縁ダレ部１０６が主表面１１２の中心側に進行しすぎてしまう。さらに、縁ダレ部１０６に対応するように主表面１１１に隆起部１０５が形成されるため、主表面１１１の平坦度への悪影響が大きくなってしまう。上記の距離Ｗ１を、１．５ｍｍ未満とすると、縁ダレ部１０６の主表面１１２の中心側への進行、さらには隆起部１０５の主表面１１１の中心側への進行を最小限にとどめることができ、研磨工程後の主表面１１１の平坦度を所定値以下とすることが可能となる。
　本発明のマスクブランク用基板は、光透過型リソグラフィで用いられる光透過型の転写マスクおよびその原版となるマスクブランク、反射型リソグラフィで用いられる反射型マスクおよびその原版となる反射型マスクブランクのいずれにおいても適用可能である。特に、反射型マスクに用いられる基板は、主表面の平坦度、表面粗さともに非常に高い水準が求められている。たとえば、主表面の中心を基準とする１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域（主表面１１１における、側面１１０の位置から１０ｍｍだけ内側に移動した位置およびその位置よりも中央側の領域）での平坦度が０．０５μｍ以下である必要がある。また、主表面の表面粗さについては、１０μｍ×１０μｍの角内領域での自乗平方根平均粗さＲｑで０．１５ｎｍ以下である必要がある。
　通常、研磨工程後の基板は、上記の求められる高い平坦度を満たせない場合が多い。このため、従来、研磨工程後の基板の主表面形状を測定し、主表面の凸部分を局所加工することで上記の平坦度を満たす基板を製造している。しかし、主表面上の凸部分の領域が多いほど、あるいは凸部分の高さが高いほど局所加工の加工時間が掛ってしまう。また、通常、局所加工を行う時間が長くなるほど、研磨加工で良好にした主表面の表面粗さが悪化する度合いが大きくなる。これらのことから、研磨工程後の基板の平坦度が、上記の数値を満たせるように、また、満たせないとしてもより近い水準になるように、基板マークの形状を規定することは重要である。
　通常、反射型マスクは、多層反射膜が形成される主表面１１１とは反対側の主表面１１２に導電性材料からなる導電膜が設けられる。そして、反射型マスクを露光装置にセットするときは、その導電膜の全面を平面のチャックステージに静電チャックすることで固定する。このため、主表面１１２にも前記の所定値以上の高い平坦度が求められており、主表面１１２の縁ダレ部の中心側への進行を抑制する基板マークの形状を規定することは重要である。
　一方、光透過型の転写マスクの場合においても、反射型マスクほどではないが、パターンを形成する薄膜を設ける側の主表面１１１には高い平坦度が求められており、上記のように基板マーク４の形状を規定することは重要である。
　主表面１１２に対する基板マーク４の傾斜角θ１は、４５°よりも大きく９０°未満とすることが好ましい。より好ましくは、上記の傾斜角θ１を６０°以上９０°未満とするとよい。このような構成とすることで、基板マーク４を厚さ方向に広がる面とすることができ、目視性を向上させることができる。
　また、より好ましくは、上記の距離Ｗ１を１．０ｍｍ未満とするとよい。このようにすると、縁ダレ部１０６の主表面１１２の中心側への進行、さらには隆起部１０５の主表面１１１の中心側への進行をより最小限にとどめることができ、主表面１１１、１１２の平坦度を上記所定値以下とすることが可能な範囲を拡大（例えば、主表面の中心を基準とする１４２ｍｍ×１４２ｍｍの角内領域など）しても、局所加工に要する時間を低減することができる。
　さらに、基板マーク４の境界４１は、基板のＲ面１０２を通る対角線Ｂに対して略直交することが望ましい。このように構成することで、研磨工程後における主表面１１２の縁ダレ部１０６の分布を対角線Ｂに対する線対称性が高くなる傾向にできる。
　また、図１（ｃ）に二点鎖線で示す基板マーク４ａは、上記の距離Ｗ１を約０．９ｍｍとし、かつ、傾斜角θ１を約６０°としてある。さらに、図１（ｃ）に破線で示す基板マーク４ｂは、上記の距離Ｗ１を約０．９ｍｍとし、かつ、傾斜角θ１を約７０°としてある。これら基板マーク４ａや基板マーク４ｂの形成されたマスクブランク用基板１は、上述したように、より平坦度を向上させることができる。
　なお、基板マーク４などの各寸法は、上記の寸法に限定されるものではなく、距離Ｗ１が１．５ｍｍ未満であるという条件を満足する限り、適宜の寸法に設定される。
　基板マーク４の距離Ｗ１をこの第１の実施形態で示したような条件とすることにより、基板マーク４を形成する基板の一辺の長さに関係なく（一辺が６インチよりも大きい、例えば、８インチあるいはそれ以上の長さを有する矩形状の主表面を有する基板や、一辺が６インチよりも小さい、例えば５インチあるいはそれ以下の長さを有する矩形状の主表面を有する基板等）、基板の主表面１１１における、主表面１１１側から見た側面１１０の位置から１０ｍｍだけ主表面１１１の中央側に移動した位置およびその位置よりも中央側の領域（以下、中央側領域という。）で、基板マーク４に起因して生じる隆起部１０５や縁ダレ部１０６の中央側領域への進行を最小限にとどめることができる。その結果、研磨工程後における主表面１１１および主表面１１２の中央側領域の平坦度を大幅に向上させることができる。
　次に、上記マスクブランク用基板１の製造方法について説明する。
　本実施形態のマスクブランク用基板の製造方法は、マスクブランク用基板１に、斜断面からなる基板マーク４を形成する基板マーク形成工程と、マスクブランク用基板１の両面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程を有する方法としてある。
（基板マーク形成工程）
　まず、基板マーク形成工程において、マスクブランク用基板１は、上記の距離Ｗ１を１．５ｍｍ未満とするように、基板マーク４が形成される（図１参照）。
　また、基板マーク４は、通常、ダイヤモンド砥石等を使用した研削加工により形成され、さらに、洗浄工程等で汚れが付着しないように、鏡面加工の仕上げが施される。
（研磨工程）
　次に、研磨工程において、基板マーク４の形成されたマスクブランク用基板１に対し、両面研磨装置（たとえば、上記特許文献１に記載した両面研磨装置）を用いて、研磨加工が施される。
　なお、研磨加工は、通常、酸化セリウムを含む研磨液を使用する粗研磨加工及び精密研磨加工、並びに、コロイダルシリカを含む研磨液を使用する超精密研磨加工を有しており、段階的に研磨加工が施される。
　上記の両面研磨装置は、図示してないが、遊星歯車方式であり、太陽歯車、その外方に同心円状に配置される内歯歯車、太陽歯車と内歯歯車に噛み合い、太陽歯車や内歯歯車の回転に応じて公転及び自転するキャリア、このキャリアに保持されたマスクブランク用基板１を研磨パッドが貼着された挟持可能な上定盤と下定盤、及び、上定盤と下定盤との間に研磨液を供給する研磨液供給部などを備えている。
　この両面研磨装置は、キャリアに保持されたマスクブランク用基板１を上定盤と下定盤とで挟持し、上下定盤の研磨パッドとマスクブランク用基板１との間に研磨液を供給しながら太陽歯車や内歯歯車の回転に応じて、キャリアが公転及び自転し、マスクブランク用基板１の両主表面１１１，１１２を同時に研磨加工する。
　研磨加工（特に、超精密研磨加工）の施されたマスクブランク用基板１は、基板マーク４を上記条件で形成していることにより、上述したように、隆起部１０５や縁ダレ部１０６が形成されるといった悪影響（図９参照）を効果的に排除でき、高平坦度を実現することができる。
　また、マスクブランク用基板１の製造方法によっては、上述した特許文献２に記載してあるように、本実施形態の研磨工程（この工程は、特許文献２においては、準備工程に相当する。）の後に、凹凸形状測定工程や平坦度制御工程を行う場合がある。このような場合であっても、高平坦度を実現することができる本実施形態の研磨工程は、有効であり、平坦度制御工程における作業負荷（局所的に研磨加工を行う負荷）を低減することができ、生産性などを向上させることができる。
　なお、本実施形態では、遊星歯車方式の両面研磨装置を使って研磨加工を行っているが、研磨装置はこれに限定されるものではなく、たとえば、他の方式の両面研磨装置や片面ずつ研磨を行う片面研磨装置を使用してもよい。
　以上説明したように、本実施形態のマスクブランク用基板１及びその製造方法によれば、研磨加工において、斜断面からなる基板マーク４による平坦度への悪影響を排除し、マスクブランク用基板１の平坦度を向上させることができる。
［マスクブランク用基板及びその製造方法の第２の実施形態］
　図２は、本発明の第２の実施形態にかかるマスクブランク用基板の基板マークを説明するための概略図であり、（ａ）は平面図を示しており、（ｂ）はＣ部拡大図を示しており、（ｃ）はＤ－Ｄ断面図を示している。
　図２において、本実施形態のマスクブランク用基板１ｃは、上述したマスクブランク用基板１と比べると、基板マーク４の代わりに、基板マーク４ｃを形成した点などが相違する。なお、本実施形態の他の構成は、マスクブランク用基板１とほぼ同様としてある。
　したがって、図２において、図１と同様の構成部分については同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。
（基板マーク）
　基板マーク４ｃは、図２の場合も基板マーク４とほぼ同様に右上の角に形成されているが、主表面１１２および側面１１０（Ｒ面１０２を含む）の間の面取り面１０３と、Ｒ面１０２とにかかって形成された斜断面（一つの斜断面）形状としてある。
　この基板マーク４ｃは、面取り面１０３と交差する曲線状の境界４１ｃ（すなわち、基板マーク４ｃと面取り面１０３との境界４１ｃ）、及び、Ｒ面１０２と交差する線状の境界（すなわち、基板マーク４ｃとＲ面１０２との境界）を有しており、境界４１ｃが、主表面１１２と面取り面１０３との境界よりも外周側に位置するように形成されている。
　ここでは一例として、基板マーク４ｃと面取り面１０３との境界４１ｃから基板マーク４ｃとＲ面１０２との境界までの距離Ｗ２（この距離Ｗ２は、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面上の距離であって、境界４１ｃの任意の点から、境界４１ｃの線（接線）に対して直交する方向における、基板マーク４ｃとＲ面１０２との境界までの距離の最大値である。）を、約０．３ｍｍとしている。また、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク４ｃとＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ２を、約１．１ｍｍとし、主表面１１２に対する基板マーク４ｃの傾斜角θ２は、約７５°である。したがって、基板マーク４ｃは、傾斜角θ２が４５°よりも大きく９０°未満であるといった条件を満足する。即ち、この実施形態に係る基板マーク４ｃの最大Ｈ２は、厚さ（６．３５ｍｍ）の１７％以上である。
　上記の基板マーク４ｃは、主表面１１２と面取り面１０３との境界上、または、主表面１１２と面取り面１０３との境界よりも外周側に位置するように形成されているので、基板マーク４ｃが形成されていることによる研磨工程時における主表面１１２の中心側への縁ダレ部１０６の進行について、基板マーク４ｃが形成されていない他の角部との間での差を実質的になくすることができる。また、主表面１１２の縁ダレ部１０６に関する各角部間での差をなくすことができることにより、反対側の主表面１１１で生じる隆起部１０５に関する各角部間での差も実質的になくすことができる。さらに、前記の効果により、研磨工程後の主表面１１１，１１２ともに平坦度を所定値以上とすることが可能となる。主表面１１１の隆起部１０５に関する各角部間での差や、主表面１１２の縁ダレ部１０６に関する各角部間での差がともに実質的になくなることから、主表面１１１、１１２がともに線対称性、点対称性の高い表面形状とすることが可能となる。
　基板マーク４ｃは、上記のような効果を有するため、この第２の実施形態で示すような条件とすることにより、基板マーク４ｃを形成する基板の一辺の長さに関係なく（一辺が６インチよりも大きい、例えば、８インチあるいはそれ以上の長さを有する矩形状の主表面を有する基板や、一辺が６インチよりも小さい、例えば５インチあるいはそれ以下の長さを有する矩形状の主表面を有する基板等）、基板の主表面１１１における、主表面１１１側から見た側面１１０の位置から１０ｍｍだけ主表面１１１の中央側に移動した位置およびその位置よりも中央側の領域（以下、中央側領域という。）で、平坦度を所定値以上とすることができる。また、反対側の主表面１１２においても所定値以上の平坦度とすることができる。さらに、主表面１１１、１１２がともに線対称性、点対称性の高い表面形状とすることが可能となる。
　また、特に反射型マスクに用いられるマスクブランクス用基板に求められる前記平坦度の所定値を満たすために、主表面１１１、１１２の凸部分に対して前記の局所加工を行う場合においても、加工時間を大幅に短縮することができる。さらに、局所加工を行うことによる主表面１１１、１１２の表面粗さが悪化することを抑制することもできる。
　また、主表面１１２に対する基板マーク４の傾斜角θ２を、４５°よりも大きく９０°未満とすることにより、基板マーク４を厚さ方向に広がる面とすることができ、目視性を向上させることができる。より好ましくは、上記の傾斜角θ２を６０°以上９０°未満とするとよい。
　また、マスクブランク用基板１ｃの製造方法は、上述した実施形態の製造方法と比べると、基板マーク４の代わりに、傾斜角の異なる基板マーク４ｃを形成した点などが相違する。この相違点を除くと、本実施形態の製造方法は、上述した実施形態の製造方法とほぼ同様であり、マスクブランク用基板１ｃの平坦度をさらに向上させることができる。
　このように、本実施形態のマスクブランク用基板１ｃ及びその製造方法によれば、上述した実施形態とほぼ同様の効果を奏するとともに、基板マーク４ｃに起因する平坦度への悪影響をほぼ確実に排除でき、マスクブランク用基板１ｃのさらに優れた高平坦度を実現することができる。
［マスクブランク及びその製造方法の実施形態］
　本実施形態のマスクブランクは、上述した第１および第２の各実施形態のマスクブランク用基板１、１ｃの主表面１１１上に、転写パターンを形成するための薄膜を備えた構成としてある。このマスクブランクは、マスクブランク用基板１、１ｃを用いることにより、優れた高平坦度を実現することができる。
　光透過型のマスクブランクに形成される薄膜は、被転写体に転写するときに使用される露光光（露光光源から発せられる光）に対し、光学的変化をもたらす薄膜であり、たとえば、遮光膜、ハーフトーン位相シフト膜、光半透過膜などが挙げられる。遮光膜は、露光光に対する所定値以上の光学濃度（例えば、光学濃度３．０以上、２．５以上等）を有し、露光光を遮光する機能を有する。転写パターンを形成する薄膜に遮光膜を用いたマスクブランクは、バイナリ型転写マスクや掘込レベンソン型マスクを作製する場合に主に用いられる。遮光膜は、単層構造に限らず、遮光機能の主体とする遮光層と露光光に対する反射率を低減する機能を主体とする反射防止層を積層した構造も含まれる。遮光膜に適用可能な材料としては、Ｃｒを含有する材料、遷移金属とケイ素を含有する材料、Ｔａを含有する材料などがある。
　前記のＣｒを含有する材料としては、具体的には、Ｃｒ金属あるいは、ＣｒにＮ、Ｃ、Ｏ、Ｆ、Ｈから選ばれる１以上の元素を含有するＣｒ化合物があげられる。遷移金属とケイ素を含有する材料としては、遷移金属とケイ素からなる遷移金属シリサイドあるいは、遷移金属シリサイドのほかにＣ、Ｎ、Ｏ、Ｂから選ばれる１以上の元素を含有する遷移金属シリサイド化合物があげられる。また、前記の遷移金属としては、Ｍｏ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから選ばれる金属または合金であることが好ましい。Ｔａを含有する材料としては、Ｔａ金属あるいは、ＴａにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏから選ばれる１以上の元素を含有するＴａ化合物があげられる。
　ハーフトーン位相シフト膜は、露光光を所定の透過率で透過させ、かつ、この膜が形成されていない光透過部を透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる膜であり、この膜を透過する露光光と光透過部を透過する露光光との間で位相シフト効果を生じさせる機能を有する。転写パターンを形成する薄膜にハーフトーン位相シフト膜を用いたマスクブランクは、ハーフトーン位相シフトマスクを作製する場合に主に用いられる。ハーフトーン位相シフト膜に適用可能な材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料などがある。遷移金属とケイ素を含有する材料としては、遷移金属とケイ素からなる遷移金属シリサイドのほかにＣ、Ｎ、Ｏ、Ｂから選ばれる１以上の元素を含有する遷移金属シリサイド化合物があげられる。なお、遷移金属については、遮光膜の場合と同様である。
　光半透過膜は、露光光を所定の透過率で透過させるが、この膜を透過する露光光と光透過部を透過する露光光との間で位相シフト効果が実質的に生じない位相差を生じさせるか、あるいは位相差が生じない膜である。転写パターンを形成する薄膜に光半透過膜用いたマスクブランクは、エンハンサ型位相シフトマスクを作製する場合に主に用いられる。光半透過膜に適用可能な材料としては、ハーフトーン位相シフト膜と同様、遷移金属とケイ素を含有する材料が好ましい。
　なお、光透過型のマスクブランクは、露光光源として、ｇ線（波長：４３６ｎｍ）、ｉ線（波長：３６５ｎｍ）、ＫｒＦ（波長：２４６ｎｍ）、ＡｒＦ（波長：１９３ｎｍ）、Ｆ２（波長：１５７ｎｍ）が使用される。
　また、上記の遮光膜、ハーフトーン位相シフト膜、光半透過膜は、たとえば、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、イオンビームスパッタなどのスパッタリング法で形成することができる。
　次に、本実施形態のマスクブランクの製造方法は、上述した第１および第２の実施形態のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板１、１ｃの上に、前記に列挙した転写パターンとなる薄膜を形成する方法としてある。このマスクブランクの製造方法によれば、マスクブランク用基板１、１ｃを用いることにより、優れた高平坦度を実現することができる。
　以上説明したように、本実施形態のマスクブランク及びその製造方法によれば、優れた高平坦度を有するマスクブランクを提供することができる。
［反射型マスクブランク及びその製造方法の実施形態］
　本実施形態の反射型マスクブランクは、上述した第１および第２の各実施形態のマスクブランク用基板１、１ｃの主表面１１１上に、露光光を高反射率で反射する多層反射膜と、多層反射膜上に露光光を吸収する機能を有し、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を少なくとも備えた構成である。本実施形態の反射型マスクブランクは、多層反射膜と吸収体膜との間に、保護膜やバッファ膜を備える構成も含む。また、本実施形態の反射型マスクブランクは、多層反射膜等が形成されている主表面１１１とは反対側の主表面１１２に、導電性を有する導電膜を備える構成も含む。
　多層反射膜は、露光光に対して低屈折率の材料からなる低屈折率層と高屈折率の材料からなる高屈折率層の積層を１周期とし、これを複数周期（少なくとも２０周期以上、好ましくは４０周期以上）積層した膜構造を有する。露光光に、波長１３．５ｎｍ前後のＥＵＶ（Extreme Ultra Violet）光を適用する場合においては、低屈折率層にはＳｉ層が好ましく、高屈折率層にはＭｏが好ましい。
　吸収体膜は、転写パターンを形成するための薄膜であり、露光光に対して高い吸収性能が求められる。露光光がＥＵＶ光の場合、吸収体膜を形成する材料としては、Ｔａを含有する材料が好適である。具体的には、Ｔａ金属のほか、ＴａとＢ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｐｔ、Ｗ、Ａｕ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｓｉから選ばれる１以上の元素からなるＴａ化合物、Ｔａ金属やＴａ化合物に、Ｎ、Ｏ、Ｃから選ばれる１以上の元素を含有する材料などがあげられる。
　保護膜は、吸収体膜に転写パターンを形成するときのドライエッチング時に多層反射膜を保護する役割や、反射型マスクの作製プロセス時や作成後の反射型マスクに対して行われる洗浄プロセスから多層反射膜を保護する役割を主に有する。保護膜に適用可能な材料としては、Ｒｕを含有する材料、Ｓｉを含有する材料などが挙げられる。Ｒｕを含有する材料の中でも、Ｒｕ金属、ＲｕにＮｂ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｌａから選ばれる１以上の金属との合金などが好ましい。
　バッファ膜は、吸収体膜をドライエッチングする際に用いられるエッチングガスに対して耐性を有する材料からなるが、吸収体膜に転写パターンが形成された後、その吸収体パターンをマスクとするドライエッチングでパターニングされるものである。バッファ膜を形成する材料には、吸収体膜をドライエッチングする際に用いられるエッチングガスに対して耐性を有することのほかに、バッファ膜自体をドライエッチングするときのエッチングガスが、多層反射膜にダメージを与えないことが求められる。吸収膜がＴａ系材料の場合においては、バッファ膜には、Ｃｒを含有する材料が好ましい。具体的には、Ｃｒ金属あるいは、ＣｒにＮ、Ｃ、Ｏ、Ｆ、Ｈから選ばれる１以上の元素を含有するＣｒ化合物が挙げられる。
　導電膜は、多層反射膜を成膜するときに回転ステージに基板を静電チャックするとき、作製された反射型マスクを露光装置のマスクステージに静電チャックする際に必要とされる膜であり、その役割上、導電性が求められる。この導電膜に好適な材料としては、Ｃｒを含有する材料、Ｔａを含有する材料が挙げられる。具体的には、Ｃｒを含有する材料では、Ｃｒ金属あるいは、ＣｒにＮ、Ｃ、Ｏ、Ｆ、Ｈから選ばれる１以上の元素を含有するＣｒ化合物がある。また、Ｔａを含有する材料では、Ｔａ金属あるいは、ＴａにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏから選ばれる１以上の元素を含有するＴａ化合物がある。
　なお、上記の多層反射膜、吸収体膜、保護膜、バッファ膜、導電膜は、たとえば、ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ、イオンビームスパッタなどのスパッタリング法で形成することができる。
　なお、この反射型マスクブランクの場合においては、反射型のリソグラフィで用いられる反射型マスクを作製するためのものであるため、このマスクブランク用基板には、露光光に対する高い透過率は求められない。その代り、露光時に多層反射膜から発生する熱の影響が大きいため、基板は熱膨張係数が低い材料で形成されることが求められる。熱膨張係数が低い材料からなる基板としては、ＳｉＯ2－ＴｉＯ2系ガラス、石英ガラスなどのアモルファスガラスや、β－石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどが挙げられる。
　次に、本実施形態の反射型マスクブランクの製造方法は、上述した第１および第２の実施形態のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板１、１ｃの上に、露光光を高反射率で反射する多層反射膜と、多層反射膜上に露光光を吸収する機能を有し、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を少なくとも形成する方法としてある。この反射型マスクブランクの製造方法によれば、マスクブランク用基板１、１ｃを用いることにより、優れた高平坦度を実現することができる。
　以上説明したように、本実施形態の反射型マスクブランク及びその製造方法によれば、優れた高平坦度を有するマスクブランクを提供することができる。
［転写マスク及びその製造方法の実施形態］
　本実施形態の転写マスクは、上述したマスクブランクの薄膜に転写パターンが形成された構成としてある。この転写マスクは、上述したマスクブランクを用いることにより、優れた高平坦度を実現することができる。
　次に、本実施形態の転写マスクの製造方法は、上述した実施形態のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成する方法としてある。
　すなわち、転写マスクの製造方法は、通常、上記のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクを準備する工程と、薄膜上にスピンコート法等によってレジスト膜を成膜し、レジスト膜に対して転写パターンを露光描画し、現像処理等を経て所望のレジストパターンを形成するパターン形成工程と、レジストパターンをマスクして、薄膜をエッチング除去して薄膜に転写パターンを形成する薄膜パターン形成工程とを有する。
　この転写マスクの製造方法によれば、マスクブランク用基板１、１ｃを用いることにより、優れた高平坦度を実現することができる。
　なお、本実施形態の転写マスクは、前記のバイナリ型転写マスク、掘込レベンソン位相シフトマスク、ハーフトーン位相シフトマスク、エンハンサ型位相シフトマスクなどに適用される。
［反射型マスク及びその製造方法の実施形態］
　本実施形態の反射型マスクは、上述した反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンが形成された構成としてある。この反射型マスクは、上述した反射型マスクブランクを用いることにより、優れた高平坦度を実現することができる。
　次に、本実施形態の反射型マスクの製造方法は、上述した実施形態の反射型マスクブランクの製造方法によって得られた反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成する方法としてある。
　すなわち、反射型マスクの製造方法は、通常、上記の反射型マスクブランクの製造方法によって得られた反射型マスクブランクを準備する工程と、吸収体膜上にスピンコート法等によってレジスト膜を成膜し、レジスト膜に対して転写パターンを露光描画し、現像処理等を経て所望のレジストパターンを形成するパターン形成工程と、レジストパターンをマスクして、吸収体膜をエッチング除去して吸収体膜に転写パターンを形成する吸収体パターン形成工程とを有する。
　この反射型マスクの製造方法によれば、マスクブランク用基板１、１ｃを用いることにより、優れた高平坦度を実現することができる。
＜実施例１＞
　最初に、低熱膨張係数を有するＴｉＯ２－ＳｉＯ２からなり、平面形状がほぼ正方形であり、一辺の長さが約１５２ｍｍ（６インチ）、厚さが６．３５ｍｍ（０．２５インチ）の基板１ｃを準備した。
　基板マーク形成工程において、基板１ｃに、Ｒ面１０２、面取り面１０３及び基板マーク４ｃを形成した(図２参照)。Ｒ面１０２は、基板１ｃの四隅に形成された湾曲面であり、曲率半径を２．５ｍｍとした。また、面取り面１０３は、主表面１１１及び主表面１１２の周縁に形成され、面取り幅０．５ｍｍとした。なお、基板１ｃは、主表面１１１を多層反射膜や吸収体膜が形成される側とし、主表面１１２を導電成膜が形成される側とした。
　基板マーク４ｃは、図２でいう右上の角及び左下の角に形成され、Ｒ面１０２と、主表面１１２および側面１１０（Ｒ面１０２を含む）の間の面取り面１０３とを切り落とした斜断面（一つの斜断面）とした。なお、基板マーク４ｃは、面取り面１０３と交差する曲線状の境界４１ｃを有しており、主表面１１２と面取り面１０３との境界より外周側に位置するように形成した。
　また、基板マーク４ｃと面取り面１０３との境界４１ｃから基板マーク４ｃとＲ面１０２との境界までの距離Ｗ２（この距離Ｗ２は、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面上の距離であって、境界４１ｃの任意の点から、境界４１ｃの線（接線）に対して直交する方向における、基板マーク４ｃとＲ面１０２との境界までの距離の最大値である。）を、約０．４ｍｍとした。また、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク４ｃとＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ２を、約１．５ｍｍとし、主表面１１２に対する基板マーク４ｃの傾斜角θ２を、約７５°とした。即ち、図示された基板マーク４ｃの高さの最大値Ｈ２は、厚さ（６．３５ｍｍ）の２３％以上である。
　また、基板マーク４ｃは、ダイヤモンド砥石等を使用した研削加工により形成され、鏡面加工の仕上げを施した。
　続いて、基板１ｃに、両面ラッピング装置によって研削加工を施した。
　次に、研磨工程において、基板マーク４ｃの形成された基板１ｃに対し、上述した両面研磨装置を用いて、研磨加工（粗研磨加工、精密研磨加工、及び、超精密研磨加工）を施した。
（１）粗研磨工程
　研削加工を施した基板１ｃを、両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で粗研磨工程を行った。この研磨を１０回行い合計１００枚の基板１ｃの粗研磨工程を行った。
なお、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。
　研磨液：酸化セリウム（平均粒径２～３μｍ）＋水
　研磨パッド：硬質ポリシャ（ウレタンパッド）
　粗研磨工程後、基板１ｃに付着した研磨砥粒を除去するため、基板１ｃを洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。
（２）精密研磨工程
　粗研磨加工を施した基板１ｃを、両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で精密研磨工程を行った。この研磨を１０回行い合計１００枚の基板１ｃの精密研磨工程を行った。なお、加工荷重、研磨時間は適宜調整して行った。
　研磨液：酸化セリウム（平均粒径１μｍ）＋水
　研磨パッド：軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
　精密研磨工程後、基板１ｃに付着した研磨砥粒を除去するため、基板１ｃを洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。
（３）超精密研磨工程
　精密研磨加工を施した基板１ｃを、両面研磨装置に１０枚セットし、以下の研磨条件で超精密研磨工程を行った。この研磨を１０回行い合計１００枚の基板１ｃの超精密研磨工程を行った。なお、加工荷重、研磨時間は必要な平坦度（所望の平坦度：０．１μｍ以下）となるように適宜調整して行った。
　研磨液：コロイダルシリカ（平均粒径３０～２００ｎｍ）＋水
　研磨パッド：超軟質ポリシャ（スウェードタイプ）
　超精密研磨工程後、基板１ｃに付着した研磨砥粒を除去するため、基板１ｃを、フッ酸およびケイフッ酸を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。
（測定結果）
　洗浄された基板１ｃの主表面１１１の表面形状（平坦度）を光学干渉式の平坦度測定装置（Ｃｏｒｎｉｎｇ　ＴＲＯＰＥＬ社製　ＵｌｔｒａＦＬＡＴ２００Ｍ）で測定した。測定した主表面１１１の表面形状分布を図３に示す。図３の表面形状分布は、基板の主表面１１１の中心を基準とした１４２ｍｍ×１４２ｍｍの角内領域のものである（以下、各比較例においても同様。）。基板１ｃの主表面１１１の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、約０．０６５μｍであり、良好な結果であった。
　また、図３の主表面１１１の表面形状分布では、基板１ｃの４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも多少凸形状となっている（隆起部５が発生している）が、４隅の間で凸形状の高さのバラツキは非常に小さかった（図４参照）。なお、主表面１１２側の表面形状分布も同様に測定したが、基板１ｃの４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも多少縁だれ部６は発生していたが、４隅の間で縁だれ部６の高さレベルのバラツキは非常に小さかった。また、主表面１１２の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度も主表面１１１と同様、良好であった。
　基板１ｃの表面形状分布の測定結果は良好ではあるが、主表面１１１，１１２ともに、主表面１１１（主表面１１２）の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度が、ＥＵＶ光を露光光とする反射型マスクブランクを製造するためのマスクブランク用基板に求められる１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度０．０５μｍ以下を満たしていない。そこで、所望の平坦度を満たすために、局所加工工程を行った。具体的には、まず、先に測定した主表面１１１，１１２の各表面形状分布のデータを基に、所望の平坦度を満たすために局所加工すべき凸部の位置および必要加工量を算出した。次に、磁性流体を用いて局所加工を行うＭＲＦ加工装置に、基板１ｃをセットおよび凸部位の位置および必要加工量の情報を入力し、主表面１１１，１１２に対して局所加工を行った。加工に要した時間は、従来の基板マーク形状を有する基板の場合に比べて、大幅に短縮できていた。
　次に、局所加工後の基板１ｃの主表面１１１，１１２に対して、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨を用い、両面研磨装置で表面粗さを回復（Ｒｑで０．１５ｎｍ以下）するための極短時間の研磨を行った。表面粗さを回復させるのに要した時間は、従来の基板マーク形状を有する基板の場合に比べて、やはり短縮できていた。最後に、所定の洗浄処理等を行い、反射型マスクブランクの製造に使用可能なマスクブランク用基板１ｃを得た。
　次に、得られたマスクブランク用基板１ｃの主表面１１２に導電膜としてＣｒＮ膜をスパッタリング法により膜厚３０ｎｍで成膜した。このとき、主表面１１２の外周領域(少なくとも面取り面１０３）には導電膜を形成しないようにした。次に、イオンビームスパッタ装置の回転ステージに導電膜の形成されたマスクブランク用基板１ｃを静電チャックさせ、イオンビームスパッタ法によりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を成膜した。具体的には、主表面１１１側からＳｉ膜４．２ｎｍ、Ｍｏ膜２．８ｎｍを１周期として４０周期成膜し、最後に、Ｓｉ膜を４ｎｍ成膜した。次に、多層反射膜のＳｉ膜上にＲｕＮｂからなる保護膜を２．５ｎｍの膜厚で成膜した。さらに、保護膜上にＴａＮからなる下層とＴａＯからなる上層の積層構造の吸収体膜を成膜し、反射型マスクブランクを得た。
　次に、得られた反射型マスクブランクの吸収体膜上に、電子線露光用のレジスト膜をスピンコート法で成膜した。レジスト膜に対して電子線描画および現像処理を行い、転写パターンを有するレジストパターンを形成した。レジストパターンをマスクとして、ＣＦ４ガスによるドライエッチングを行い吸収体膜の上層に転写パターンを形成した。さらに、レジストパターンおよび上層の転写パターンをマスクとして、Ｃｌ２ガスによるドライエッチングを行い、吸収体膜の下層に転写パターンを形成した。さらに、レジストパターンを剥離、所定の洗浄処理を行い、反射型マスクを得た。
　得られた反射型マスクを露光装置のマスクステージに静電チャックで固定し、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して、ＥＵＶ光を露光光とする露光転写を行った。露光転写後のレジスト膜に対し、所定の現像処理等を行い、このレジスト膜をマスクとし、半導体ウェハ上の薄膜に対してドライエッチングを行い、回路パターンを形成した。半導体ウェハ上に形成された回路パターンをＴＥＭ観察したところ、高い精度で形成されていることが確認された。この結果は、使用した反射型マスクの基板１ｃが高い平坦度を有していることによるところが大きい。
＜比較例１＞
　比較例１は、実施例１と比べると、基板マーク４を形成する代わりに、上述した基板マーク１０４を形成した点が相違する。なお、比較例の研磨工程等の加工条件等は、実施例１とほぼ同様としてある。
　したがって、実施例１と同様な内容については、その詳細な説明を省略する。
　基板マーク１０４は、図８でいう右上の角及び左下の角に形成され、主表面１１２と、Ｒ面１０２と、Ｒ面１０２に続く２つの側面１１０と、主表面１１２および側面１１０（Ｒ面１０２を含む）の間の面取り面１０３とを切り落とした斜断面（一つの斜断面）とした。なお、基板マーク１０４は、主表面１１２と交差する線分状の境界１４１を有しており、この境界１４１が、上方から見ると、Ｒ面１０２を通る対角線と直交するように、基板マーク１０４を形成した。
　また、基板マーク１０４と主表面１１２との境界１４１から基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの距離Ｗ０（この距離Ｗ０は、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面上の距離であって、境界１４１の任意の点から、境界１４１の線に対して直交する方向における、基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの距離の最大値である。）を、約３．０ｍｍとした。また、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ０を、約１．２ｍｍとし、主表面１１２に対する基板マーク１０４の傾斜角θ０を、約２２°とした。即ち、高さの最大値Ｈ０は基板の厚さに対して１９％未満である。
　また、基板マーク１０４は、ダイヤモンド砥石等を使用した研削加工により形成され、鏡面加工の仕上げを施した。
　続いて、基板１０１に、両面ラッピング装置によって研削加工を施した。
　次に、研磨工程において、基板マーク１０４の形成された基板１０１に対し、実施例１と同様に、両面研磨装置を用いて、研磨加工（粗研磨加工、精密研磨加工、及び、超精密研磨加工）を施した。
　続いて、超精密研磨工程後、基板１０１に付着した研磨砥粒を除去するため、ガラス基板を、フッ酸およびケイフッ酸を含む洗浄液が入った洗浄槽に浸漬（超音波印加）し、洗浄を行った。
（測定結果）
　洗浄された基板１０１の表面形状（平坦度）を光学干渉式の平坦度測定装置（Ｃｏｒｎｉｎｇ　ＴＲＯＰＥＬ社製　ＵｌｔｒａＦＬＡＴ２００Ｍ）で測定した。測定した主表面１１１の表面形状分布を図５に示す。基板１０１の主表面１１１の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、約０．１６８μｍであり、かなりよくない結果であった。
　また、図５の主表面１１１の表面形状分布では、基板１０１の基板マーク１０４が形成されている２隅のＲ面１０２近傍の形状が、基板マークが形成されていない２隅のＲ面１０２近傍の形状に比べて、大きく高い凸形状となっている（隆起部１０５が発生している）。４隅の間で凸形状の高さのバラツキは非常に大きい。なお、主表面１１２側の表面形状分布も同様に測定したが、基板マーク１０４が形成されている２隅のＲ面１０２近傍の形状が、他の２隅のＲ面１０２近傍の形状に比べて、大きく縁だれており、４隅の間で縁だれ部１０６の高さレベルのバラツキも非常に大きかった。また、主表面１１２の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度も主表面１１１と同様よくなかった。
＜比較例２＞
　比較例２は、比較例１と比べると、基板マーク１０４を図８でいう４角の全てに形成した点と、基板マーク１０４と主表面１１２との境界１４１から基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの距離Ｗ０を、約２．４ｍｍとし、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク１０４とＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ０を、約１．１ｍｍとし、主表面１１２に対する基板マーク１０４の傾斜角θ０を、約２５°とした点のみ異なる。即ち、比較例２における基板マーク１０４の高さの最大値Ｈ０は、基板の厚さの１７％以上である。
（測定結果）
　比較例１と同様の研磨工程が行われた後、洗浄された基板１０１の表面形状（平坦度）を光学干渉式の平坦度測定装置（Ｃｏｒｎｉｎｇ　ＴＲＯＰＥＬ社製　ＵｌｔｒａＦＬＡＴ２００Ｍ）で測定した。測定した主表面１１１の表面形状分布を図６に示す。基板１０１の主表面１１１の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、約０．１１６μｍであった。
　また、図６の主表面１１１の表面形状分布では、基板１０１の４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも凸形状となっている（隆起部１０５が発生している）が、４隅の間で凸形状の高さのバラツキは非常に小さかった。なお、主表面１１２側の表面形状分布も同様に測定したが、基板１ｃの４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも縁だれ部１０６は発生していたが、４隅の間で縁だれ部１０６の高さレベルのバラツキは非常に小さかった。しかし、主表面１１１、１１２ともに１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、比較例１よりは良好であるが、実施例１と比べるとよくない結果であった。
＜比較例３＞
　比較例３は、比較例２と比べると、基板マーク１０４を図８でいう右上の角及び左下の角にのみ形成した点が異なる。
（測定結果）
　比較例２と同様の研磨工程が行われた後、洗浄された基板１０１の表面形状（平坦度）を光学干渉式の平坦度測定装置（Ｃｏｒｎｉｎｇ　ＴＲＯＰＥＬ社製　ＵｌｔｒａＦＬＡＴ２００Ｍ）で測定した。測定した主表面１１１の表面形状分布を図７に示す。基板１０１の主表面１１１の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、約０．１１１μｍであった。
　また、図７の主表面１１１の表面形状分布では、基板１０１の基板マーク１０４が形成されている２隅のＲ面１０２近傍の形状が、基板マークが形成されていない２隅のＲ面１０２近傍の形状に比べて、大きく高い凸形状となっている（隆起部１０５が発生している）。４隅の間で凸形状の高さのバラツキは大きい。なお、主表面１１２側の表面形状分布も同様に測定したが、基板マーク１０４が形成されている２隅のＲ面１０２近傍の形状が、他の２隅のＲ面１０２近傍の形状に比べて、大きく縁だれており、４隅の間で縁だれ部１０６の高さレベルのバラツキも大きかった。さらに、主表面１１１、１１２ともに１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、比較例１よりは良好であるが、実施例１と比べるとよくない結果であった。
＜実施例２＞
　実施例２は、実施例１と比べると、基板マーク４と主表面１１２との境界４１から基板マーク４とＲ面１０２との境界までの距離Ｗ１を、約０．９ｍｍとし、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク４とＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ１を、約２．０ｍｍとし、主表面１１２に対する基板マーク４の傾斜角θ１を、約６６°とした点のみ異なる。即ち、基板マーク４の高さの最大値Ｈ１は、３１％以上である。
（測定結果）
　実施例１と同様の研磨工程が行われた後、洗浄された基板１の表面形状（平坦度）を光学干渉式の平坦度測定装置（Ｃｏｒｎｉｎｇ　ＴＲＯＰＥＬ社製　ＵｌｔｒａＦＬＡＴ２００Ｍ）で測定した。測定した主表面１１１の表面形状分布を図１０に示す。基板１の主表面１１１の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、約０．０７５μｍであった。
　また、図１０の主表面１１１の表面形状分布では、基板１の４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも多少凸形状となっているが、４隅の間で凸形状の高さのバラツキは非常に小さかった。なお、主表面１１２側の表面形状分布も同様に測定したが、基板１の４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも多少縁だれ部は発生していたが、４隅の間で縁だれ部の高さレベルのバラツキは非常に小さかった。また、主表面１１２の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度も主表面１１１と同様、良好であった。
　基板１の表面形状分布の測定結果は良好ではあるが、主表面１１１，１１２ともに、主表面１１１（主表面１１２）の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度が、ＥＵＶ光を露光光とする反射型マスクブランクを製造するためのマスクブランク用基板に求められる１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度０．０５μｍ以下を満たしていない。そこで、所望の平坦度を満たすために、実施例１と同様の手順で局所加工工程を行った。局所加工に要した時間は、従来の基板マーク形状を有する基板の場合に比べて、大幅に短縮できていた。
　次に、局所加工後の基板１の主表面１１１，１１２に対して、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨を用い、両面研磨装置で表面粗さを回復（Ｒｑで０．１５ｎｍ以下）するための極短時間の研磨を行った。表面粗さを回復させるのに要した時間は、従来の基板マーク形状を有する基板の場合に比べて、やはり短縮できていた。最後に、所定の洗浄処理等を行い、反射型マスクブランクの製造に使用可能なマスクブランク用基板１を得た。
　次に、得られたマスクブランク用基板１を用い、実施例１と同様の手順により、実施例２の反射型マスクブランクを得た。さらに、得られた反射型マスクブランクを用い、実施例１と同様の手順により、実施例２の反射型マスクを得た。得られた実施例２の反射型マスクを露光装置のマスクステージに静電チャックで固定し、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して、ＥＵＶ光を露光光とする露光転写を行った。露光転写後のレジスト膜に対し、所定の現像処理等を行い、このレジスト膜をマスクとし、半導体ウェハ上の薄膜に対してドライエッチングを行い、回路パターンを形成した。半導体ウェハ上に形成された回路パターンをＴＥＭ観察したところ、高い精度で形成されていることが確認された。この結果は、使用した反射型マスクの基板１が高い平坦度を有していることによるところが大きい。
＜実施例３＞
　実施例３は、実施例１と比べると、基板マーク４と主表面１１２との境界４１から基板マーク４とＲ面１０２との境界までの距離Ｗ１を、約１．４ｍｍとし、主表面１１２の中央部付近を含む仮想平面を基準とする、基板マーク４とＲ面１０２との境界までの側面方向における高さの最大値Ｈ１を、約１．５ｍｍとし、主表面１１２に対する基板マーク４の傾斜角θ１を、約４７°とした点のみ異なる。実施例３に係る基板マーク４の高さの最大値Ｈ１は、２３％以上である。
（測定結果）
　実施例１と同様の研磨工程が行われた後、洗浄された基板１の表面形状（平坦度）を光学干渉式の平坦度測定装置（Ｃｏｒｎｉｎｇ　ＴＲＯＰＥＬ社製　ＵｌｔｒａＦＬＡＴ２００Ｍ）で測定した。測定した主表面１１１の表面形状分布を図１１に示す。基板１の主表面１１１の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度は、約０．０８０μｍであった。
　また、図１１の主表面１１１の表面形状分布では、基板１の４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも多少凸形状となっているが、４隅の間で凸形状の高さのバラツキは非常に小さかった。なお、主表面１１２側の表面形状分布も同様に測定したが、基板１の４隅のＲ面１０２近傍の形状は、いずれも多少縁だれ部は発生していたが、４隅の間で縁だれ部の高さレベルのバラツキは非常に小さかった。また、主表面１１２の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度も主表面１１１と同様、良好であった。
　基板１の表面形状分布の測定結果は良好ではあるが、主表面１１１，１１２ともに、主表面１１１（主表面１１２）の中心を基準とした１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度が、ＥＵＶ光を露光光とする反射型マスクブランクを製造するためのマスクブランク用基板に求められる１３２ｍｍ×１３２ｍｍの角内領域における平坦度０．０５μｍ以下を満たしていない。そこで、所望の平坦度を満たすために、実施例１と同様の手順で局所加工工程を行った。局所加工に要した時間は、従来の基板マーク形状を有する基板の場合に比べて、大幅に短縮できていた。
　次に、局所加工後の基板１の主表面１１１，１１２に対して、コロイダルシリカ砥粒を含む研磨を用い、両面研磨装置で表面粗さを回復（Ｒｑで０．１５ｎｍ以下）するための極短時間の研磨を行った。表面粗さを回復させるのに要した時間は、従来の基板マーク形状を有する基板の場合に比べて、やはり短縮できていた。最後に、所定の洗浄処理等を行い、反射型マスクブランクの製造に使用可能なマスクブランク用基板１を得た。
　次に、得られたマスクブランク用基板１を用い、実施例１と同様の手順により、実施例３の反射型マスクブランクを得た。さらに、得られた反射型マスクブランクを用い、実施例１と同様の手順により、実施例３の反射型マスクを得た。得られた実施例３の反射型マスクを露光装置のマスクステージに静電チャックで固定し、半導体ウェハ上のレジスト膜に対して、ＥＵＶ光を露光光とする露光転写を行った。露光転写後のレジスト膜に対し、所定の現像処理等を行い、このレジスト膜をマスクとし、半導体ウェハ上の薄膜に対してドライエッチングを行い、回路パターンを形成した。半導体ウェハ上に形成された回路パターンをＴＥＭ観察したところ、高い精度で形成されていることが確認された。この結果は、使用した反射型マスクの基板１が高い平坦度を有していることによるところが大きい。
　以上、本発明のマスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法について、好ましい実施形態などを示して説明したが、本発明に係るマスクブランク用基板、マスクブランク、反射型マスクブランク、転写マスク、及び反射型マスク、並びにそれらの製造方法は、上述した実施形態などにのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
　例えば、マスクブランク用基板１、１ｃは、一つの角部に一つの斜断面からなる基板マーク４、４ｃを形成してあるが、これに限定されるものではなく、たとえば、図示してないが、一つの角部に二つ以上の斜断面からなる基板マークを形成してもよく、さらに、膜マークなどと併用してもよい。これにより、識別能力を向上させることができる。
　更に、上記した実施形態及び実施例では、一辺の長さ152ｍｍで厚さ6.35ｍｍの正方形マスクブランク用基板について説明したが、本発明は何等これに限定されることなく、長方形マスクブランク基板にも同様に適用できる。
１、１ｃ、１０１　マスクブランク用基板
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、１０４　基板マーク
５、１０５　隆起部
６、１０６　縁ダレ部
２１　研磨パッド
４１、１４１　境界
１０２　Ｒ面
１０３　面取り面
１１０　側面
１１１，１１２　主表面
２１１　凸部

Claims (16)

  1. 　２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、
    　前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、
    　前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界から該基板マークと前記Ｒ面との境界までの距離が１．５ｍｍ未満であることを特徴とするマスクブランク用基板。
  2. 　前記基板マークは、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板。
  3. 　２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、
    　前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、
    　前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とするマスクブランク用基板。
  4. 　前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板。
  5. 　請求項１から４のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を備えることを特徴とするマスクブランク。
  6. 　請求項１から４のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を備えることを特徴とする反射型マスクブランク。
  7. 　請求項５に記載のマスクブランクの薄膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする転写マスク。
  8. 　請求項６に記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスク。
  9. 　２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、
    　前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、
    　前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界から該基板マークと前記Ｒ面との境界までの距離が１．５ｍｍ未満に形成されていることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
  10. 　前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項９記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  11. 　２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、
    　前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、
    　前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されていることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
  12. 　前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されていることを特徴とする請求項９から１１のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法。
  13. 　上記請求項９から１２のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を設けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
  14. 　上記請求項９から１２のいずれか一項に記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を設けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
  15. 　上記請求項１３に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
  16. 　上記請求項１４に記載の反射型マスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
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