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WO2012140050A3 - Verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauelements und licht emittierendes halbleiterbauelement - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines licht emittierenden halbleiterbauelements und licht emittierendes halbleiterbauelement Download PDF

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WO2012140050A3 PCT/EP2012/056536 EP2012056536W WO2012140050A3 WO 2012140050 A3 WO2012140050 A3 WO 2012140050A3 EP 2012056536 W EP2012056536 W EP 2012056536W WO 2012140050 A3 WO2012140050 A3 WO 2012140050A3
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Abstract

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements angegeben, bei dem ein Licht emittierender Halbleiterchip (2) auf einer Montagefläche (10) eines Trägers (1) angeordnet wird,bei dem der Halbleiterchip (2) an elektrische Kontaktbereiche (11, 12) auf der Montagefläche (10) elektrisch angeschlossen wird und bei dem eine Verkapselungsschicht (3) mittels Atomlagenabscheidung auf den Halbleiterchip (2) aufgebracht wird, wobei alle nach der Montage und dem elektrischen Anschluss freien Oberflächen des Halbleiterchips (2) mit einer Verkapselungsschicht (3) bedeckt werden. Weiterhin wird ein Licht emittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
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