[go: up one dir, main page]

WO2012032974A1 - Ｒｆｉｄモジュールおよびｒｆｉｄデバイス - Google Patents

Ｒｆｉｄモジュールおよびｒｆｉｄデバイス Download PDF

Info

Publication number
WO2012032974A1
WO2012032974A1 PCT/JP2011/069689 JP2011069689W WO2012032974A1 WO 2012032974 A1 WO2012032974 A1 WO 2012032974A1 JP 2011069689 W JP2011069689 W JP 2011069689W WO 2012032974 A1 WO2012032974 A1 WO 2012032974A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
inductance
inductance element
rfid
rfid module
filter circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2011/069689
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
椿信人
谷口勝己
加藤登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2011552116A priority Critical patent/JP5062372B2/ja
Priority to CN2011800164415A priority patent/CN102823146A/zh
Priority to GB1214216.2A priority patent/GB2496713A/en
Publication of WO2012032974A1 publication Critical patent/WO2012032974A1/ja
Priority to US13/603,627 priority patent/US20120325916A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/09—Filters comprising mutual inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/42—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns
    • H03H7/425—Balance-balance networks
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/02—Transmitters
    • H04B1/04—Circuits
    • H04B1/0475—Circuits with means for limiting noise, interference or distortion
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B5/00—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems
    • H04B5/70—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes
    • H04B5/77—Near-field transmission systems, e.g. inductive or capacitive transmission systems specially adapted for specific purposes for interrogation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks

Definitions

  • the present invention relates to an RFID module used in, for example, an RFID (Radio Frequency Identification) system and an RFID device provided therein.
  • RFID Radio Frequency Identification
  • an RFID system in which an RFID tag and a reader / writer communicate with each other in a non-contact manner and information is transmitted between the RFID tag and the reader / writer is known.
  • the RFID tag includes an RFIC element in which ID information is written and an antenna for transmitting and receiving an RF signal.
  • a filter for removing harmonic components generated in the RFIC element may be provided between the RFIC element and the antenna.
  • a matching circuit configured by a capacitor or a coil between the RFIC element and the antenna. Is inserted.
  • FIG. 1 the configuration of the IC module disclosed in Patent Document 1 is shown in FIG.
  • a reader / writer transmission circuit By connecting an antenna to each input / output terminal of these circuit modules, the reader / writer is configured to perform non-contact communication with an external card IC.
  • a filter is inserted between the reader / writer transmission circuit and the reader / writer transmission / reception antenna.
  • JP 2004-145449 A JP 2001-188890 A JP 2009-027291 A
  • the filter for removing harmonic components generated in the above-mentioned RFIC element is composed of a low-pass filter composed of a capacitor and an inductor, but an inductor having a relatively large inductance value is required. As a result, the size of RFID tags has increased.
  • an object of the present invention is to provide an RFID module and an RFID device that are provided with a filter circuit for removing harmonic components of an RFIC element but are not enlarged as a whole.
  • An RFID module of the present invention includes an RFIC element having a first input / output terminal and a second input / output terminal, a first inductance element connected to the first input / output terminal, and the second input / output terminal A filter circuit for removing harmonic components of the RFIC element, and a radiating element connected to the filter circuit, and the first inductance The element and the second inductance element are magnetically coupled to each other.
  • the coupling coefficient between the first inductance element and the second inductance element is preferably 0.7 or more from the viewpoint of miniaturization.
  • An inductance element and a capacitance element, or a matching circuit including an inductance element or a capacitance element may be provided between the filter circuit and the radiation element.
  • the first inductance element is configured by a first multilayer coil element in which a plurality of loop-shaped conductors are stacked
  • the second inductance element is a second multilayer in which a plurality of loop-shaped conductors are stacked.
  • the winding axis of the loop-shaped conductor of the first multilayer coil element and the winding axis of the loop-shaped conductor of the second multilayer coil element overlap each other on substantially the same straight line. Is desirable. With this structure, the amount of magnetic flux passing through the inside of each loop conductor is maximized, so that the coupling coefficient can be further increased and the filter inductor can be further downsized.
  • the coupling coefficient can be further increased.
  • the inductor of the filter can be further downsized.
  • the first inductance element and the second inductance element are built in a multilayer substrate formed by laminating a plurality of magnetic layers. With this structure, the coupling coefficient can be further increased, and the filter inductor can be further downsized.
  • the inductance element or the capacitance element of the matching circuit is mounted, for example, on the surface of the multilayer substrate. With this structure, the matching circuit can be provided on the whole with almost no increase in size.
  • a booster element that is coupled to the radiating element via an electromagnetic field to receive or transmit a radio signal.
  • the radiating element is composed of a coiled conductor, and the coiled conductor and the booster element are electromagnetically coupled to each other.
  • the radiating element is preferably built in the multilayer substrate. With this structure, it is possible to provide a radiating element with almost no overall increase in size.
  • the RFID device of the present invention is provided between the RFIC element having the first input / output terminal and the second input / output terminal and the radiating element, and the configuration of the filter portion is as described above.
  • (11) it is preferable to include an inductance element and a capacitance element, or a matching circuit including an inductance element or a capacitance element, connected to the radiation element side of the filter circuit.
  • the inductor of the filter circuit for removing the harmonic component of the RFIC element can be reduced in size, and a small RFID module and RFID device can be configured.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an IC module disclosed in Patent Document 1.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of the RFID module 101 according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a view showing a state in which the filter circuit 20 shown in FIG. 2 is built in a multilayer substrate formed by laminating a plurality of magnetic layers
  • FIG. 3A is a perspective view seen through the internal conductor layer.
  • FIG. 3 and FIG. 3 (B) are perspective views in which it is enlarged and displayed in the thickness direction.
  • FIG. 4 is a plan view of each conductor layer of the multilayer substrate.
  • FIG. 5 is a diagram showing a connection relationship of via conductors connecting the conductor layers of the multilayer substrate.
  • FIG. 6A is a perspective view schematically showing the arrangement relationship between the first inductance element L1 and the second inductance element L2 shown in FIG. 3, and FIG. 6B is a diagram of a comparative example thereof.
  • 7A is a plan view of the RFID device 50 shown in FIG. 2, and FIG. 7B is a bottom view thereof.
  • FIG. 8 is a configuration diagram of the RFID module 101 using the RFID device 50.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the resonance frequency on the RFID tag side and the communication limit distance.
  • 10A and 10B are diagrams showing the configuration of the filter circuit portion of the RFID device according to the second embodiment.
  • FIG. 10A is a perspective view of the internal conductor layer seen through, and FIG. It is the perspective view expanded and displayed.
  • FIG. 10A is a perspective view of the internal conductor layer seen through, and FIG. It is the perspective view expanded and displayed.
  • FIG. 10A is a perspective view of the internal conductor layer seen through, and FIG. It is the perspective view
  • FIG. 11 is a perspective view schematically showing the arrangement relationship between the first inductance element L1 and the second inductance element L2 shown in FIG.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of the RFID module 103 according to the third embodiment.
  • 13A is a plan view of the RFID device 50 shown in FIG. 12, and
  • FIG. 13B is a cross-sectional view thereof.
  • FIG. 14 is a configuration diagram of the RFID module 103 using the RFID device 50.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a current flowing through the coil conductor of the coupling radiating element 40C and a current flowing through the booster electrode 62 of the booster element 60.
  • FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the resonance frequency on the RFID tag side and the communication limit distance.
  • FIG. 17 is an exploded perspective view of the RFID module 104 according to the fourth embodiment.
  • 18A and 18B are diagrams showing two configurations of the RFID device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 2 is a circuit diagram of the RFID module 101 according to the first embodiment.
  • the RFID module 101 includes an RFIC element 10, a filter circuit 20, a matching circuit 30, and a radiating element 40.
  • the filter circuit 20 and the matching circuit 30 constitute an RFID device 50.
  • the RFID circuit 50 is configured by the filter circuit 20 and the matching circuit 30, but the RFID device 50 may be configured by only the filter circuit 20.
  • the RFIC element 10 is composed of a semiconductor integrated circuit, and includes a first transmission terminal Tx1, a second transmission terminal Tx2, and a reception terminal Rx.
  • the transmission signal is balanced and output at the first transmission terminal Tx1 and the second transmission terminal Tx2.
  • the reception signal is input unbalanced at the reception terminal Rx.
  • the first transmission terminal Tx1 and the second transmission terminal Tx2 correspond to a “first input / output terminal” and a “second input / output terminal” recited in the claims.
  • the filter circuit 20 includes a first inductance element L1, a second inductance element L2, and a capacitor C1.
  • the first end of the first inductance element L1 is connected to the first transmission terminal Tx1 of the RFIC element 10
  • the first end of the second inductance element L2 is connected to the second transmission terminal Tx2 of the RFIC element 10
  • the first inductance element The second ends of L1 and the second inductance element L2 are connected to both ends of the capacitor C1.
  • the filter circuit 20 removes harmonic components contained in the transmission signal of the RFIC element 10.
  • the matching circuit 30 includes capacitors C2, C3, and C4.
  • the first end of the capacitor C2 is connected to the first output end of the filter circuit 20
  • the first end of the capacitor C3 is connected to the second output end of the filter circuit 20
  • the second ends of the capacitors C2 and C3 are connected to the capacitor C4. Connected to both ends.
  • the radiating element 40 is, for example, a loop coil antenna.
  • the first inductance element L1 and the second inductance element L2 have the same inductance.
  • the first inductance element L1 and the second inductance element L2 are magnetically coupled to each other so as to strengthen the magnetic flux.
  • the inductance of the first inductance element L1 in the uncoupled state is L10
  • the inductance of the second inductance element L2 in the uncoupled state is L20
  • the mutual inductance of both is M
  • the coupling coefficient is k
  • the coupling When the inductance of the first inductance element L1 in the connected state is denoted by L1
  • the inductance of the second inductance element L2 in the coupled state is denoted by L2, the inductance is connected between Tx1 and Tx2 and the capacitor C1.
  • the inductances L10 and L20 necessary for setting the value to 800 nH are 432 nH. That is, the size can be reduced by about 0.54 times.
  • the length of the loop conductor required to obtain the required inductance can be shortened, and the DC resistance can be reduced accordingly.
  • the matching circuit 30 impedance-matches the filter circuit 20 and the radiating element 40 with the three capacitors C2, C3, and C4.
  • the reception terminal Rx of the RFIC element 10 and one end of the capacitor C1 are connected, and a reception signal is input to the reception terminal Rx.
  • the RFIC element 10 outputs a balanced 13.56 MHz rectangular wave signal from the transmission terminals Tx1 and Tx2.
  • the radiating element 40 is driven via the filter circuit 20 and the matching circuit 30, and a 13.56 MHz magnetic field is radiated from the radiating element 40.
  • the RFID tag receives the magnetic field signal and receives power, and changes the impedance of the wireless IC in the RFID tag based on its own ID, and the RFID tag side
  • the impedance of the antenna resonance circuit is changed (ASK modulation).
  • ASK modulation The impedance of the antenna resonance circuit is changed (ASK modulation).
  • the RFID tag responds with an ID by reflection of energy.
  • the RFIC element 10 receives the ASK-modulated response signal and decodes the ID.
  • the 13.56 MHz drive voltage (current) is ASK modulated.
  • the RFID tag receives data and commands from the RFIC element 10 by decoding the received carrier intensity change.
  • FIG. 3 is a diagram showing a state in which the filter circuit 20 shown in FIG. 2 is built in a multilayer substrate formed by laminating a plurality of magnetic layers.
  • 3A is a perspective view of the internal conductor layer seen through
  • FIG. 3B is a perspective view of the enlarged view in the thickness direction.
  • 4 is a plan view of each conductor layer of the multilayer substrate
  • FIG. 5 is a diagram showing a connection relationship of via conductors connecting the conductor layers.
  • the (a) layer is the lowermost layer, and the (k) layer is the uppermost layer.
  • the via conductor is represented by a thin straight line.
  • the first inductance element L1 is a first laminated coil element in which a plurality of loop-shaped conductors are laminated and helically wound inside the multilayer substrate MB.
  • the second inductance element L ⁇ b> 2 is configured by a second laminated coil element that is configured, and in which a plurality of loop-shaped conductors are laminated and helically wound.
  • Terminal electrodes P21A, P21B, P22A, and P22B are formed on the upper surface of the multilayer substrate MB.
  • Terminal electrodes P11 and P12 are formed on the lower surface of the multilayer substrate MB.
  • These terminal electrodes correspond to the portions indicated by the same reference numerals in the circuit shown in FIG.
  • a chip capacitor corresponding to the capacitor C1 is mounted on the terminal electrodes P21B and P22B. Further, the chip capacitors corresponding to the capacitors C2 and C3 are mounted so that one end thereof is connected to the terminal electrodes P21A and P22A, respectively.
  • the RFIC element 10 is connected to the terminal electrodes P11 and P12.
  • FIG. 6A is a perspective view showing a simplified arrangement relationship between the first inductance element L1 and the second inductance element L2 shown in FIG.
  • FIG. 6B is a diagram of the comparative example.
  • the first inductance element L1 is composed of a first laminated coil element in which a plurality of loop-shaped conductors are laminated
  • the second inductance element L2 is a second one in which a plurality of loop-shaped conductors are laminated.
  • the winding axis of the loop conductor of the first multilayer coil element and the winding axis of the loop conductor of the second multilayer coil element overlap each other on substantially the same straight line. That is, it is in a coaxial relationship.
  • the opening surface of the first multilayer coil element and the opening surface of the second multilayer coil element overlap.
  • the loop conductor of the first multilayer coil element and the loop conductor of the second multilayer coil element are alternately laminated. ing. With such a loop-shaped conductor arrangement, the coupling coefficient k between the first inductance element L1 and the second inductance element L2 is about 0.85.
  • the first laminated coil element constituting the first inductance element L1 and the second laminated coil element constituting the second inductance element L2 are juxtaposed side by side. Then, the coupling coefficient k between the first inductance element L1 and the second inductance element L2 is substantially zero.
  • FIG. 7A is a plan view of the RFID device 50 shown in FIG. 2, and FIG. 7B is a bottom view thereof.
  • chip capacitors C1, C2, C3, C41, C42, and ESD protection elements E1, E2 are mounted on the upper surface of the multilayer substrate MB, respectively.
  • capacitors C1, C2, and C3 correspond to elements indicated by the same reference numerals in FIG.
  • the capacitors C41 and C42 are connected in parallel and correspond to the capacitor C4 in FIG.
  • the ESD protection elements E1 and E2 are disposed between the radiating element 40 shown in FIG. 2 and the ground.
  • connection terminals (2) and (3) of the transmission terminals Tx1 and Tx2 As shown in FIG. 7B, on the lower surface of the multilayer substrate MB, the connection terminals (2) and (3) of the transmission terminals Tx1 and Tx2, the connection terminal (4) of the reception terminal Rx, and the connection of the radiation element 40 Terminals (6) and (7), ground terminals (5) and (8), and an NC terminal (1) are formed.
  • the size required to obtain the required inductance can be reduced, and the multilayer The size of the substrate MB can be reduced, and the size of the RFID device 50 can be reduced.
  • the first and second inductance elements are reduced in size by strongly coupling the elements, and the first and second inductance elements are built in the multilayer substrate so that the respective winding axes are substantially collinear.
  • FIG. 8 is a configuration diagram of the RFID module 101 using the RFID device 50. Since the RFID device 50 is reduced in size, it can be disposed close to the RFIC element 10 and the RFID module 101 can be reduced in size.
  • FIG. 9 is a diagram showing the relationship between the resonance frequency on the RFID tag side and the communication limit distance.
  • the correspondence relationship between the characteristic curves A, B, and C and the values of the elements of the filter circuit 20 and the matching circuit 30 is as follows.
  • the RFID device having the characteristic curve A can communicate in a frequency band of 13 MHz to 16.4 MHz (frequency band 3.4 MHz).
  • the RFID device having the characteristic curve B can communicate in a frequency band of 12.7 MHz to 16.9 MHz (frequency band 4.2 MHz).
  • the RFID device of the characteristic curve C which is a comparative example, can communicate in the frequency band of 13.6 MHz to 16 MHz (frequency band 2.4 MHz).
  • the RFID device having the characteristic curve A has a relatively narrow bandwidth but a large communication limit distance, so that it can be used as an RFID device giving priority to the communication distance.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating a configuration of a filter circuit unit of the RFID device according to the second embodiment.
  • FIG. 10A is a perspective view of the internal conductor layer seen through
  • FIG. 10B is a perspective view of the enlarged display in the thickness direction.
  • the first inductance element L1 is composed of a first multilayer coil element in which a plurality of loop-shaped conductors are stacked and helically wound inside the multilayer substrate MB.
  • the second inductance element L2 is composed of a second laminated coil element in which a plurality of loop conductors are laminated and helically wound.
  • Terminal electrodes P21A, P21B, P22A, and P22B are formed on the upper surface of the multilayer substrate MB.
  • Terminal electrodes P11 and P12 are formed on the lower surface of the multilayer substrate MB. These terminal electrodes correspond to the portions indicated by the same reference numerals in the circuit shown in FIG.
  • FIG. 11 is a perspective view schematically showing the arrangement relationship between the first inductance element L1 and the second inductance element L2 shown in FIG.
  • the first inductance element L1 is composed of a first laminated coil element in which a plurality of loop-shaped conductors are laminated
  • the second inductance element L2 is a second laminated coil element in which a plurality of loop-shaped conductors are laminated.
  • the winding axis of the loop-shaped conductor of the first multilayer coil element and the winding axis of the loop-shaped conductor of the second multilayer coil element are overlapped on substantially the same straight line.
  • the first laminated coil element and the second laminated coil element are laminated in a state of being wound individually.
  • the two laminated coil elements may be laminated so as to be wound individually.
  • the coupling coefficient k between the first inductance element L1 and the second inductance element L2 is about 0.7.
  • FIG. 12 is a circuit diagram of the RFID module 103 according to the third embodiment.
  • the RFID module 103 includes an RFID device 50 and a booster element 60.
  • the RFIC element 10 is connected to the RFID device 50.
  • the RFID device 50 includes a filter circuit 20, a matching circuit 30, and a coupling radiation element 40C.
  • the filter circuit 20, the matching circuit 30, and the coupling radiating element 40C constitute the RFID device 50.
  • the filter circuit 20 and the coupling radiating element 40C constitute the RFID device 50. Also good.
  • the RFIC element 10 is composed of a semiconductor integrated circuit, and includes a first transmission terminal Tx1, a second transmission terminal Tx2, and a reception terminal Rx.
  • the transmission signal is balanced and output at the first transmission terminal Tx1 and the second transmission terminal Tx2.
  • the reception signal is input unbalanced at the reception terminal Rx.
  • the first transmission terminal Tx1 and the second transmission terminal Tx2 correspond to a “first input / output terminal” and a “second input / output terminal” recited in the claims.
  • the filter circuit 20 includes a first inductance element L1, a second inductance element L2, and a capacitor C1.
  • the first end of the first inductance element L1 is connected to the first transmission terminal Tx1 of the RFIC element 10
  • the first end of the second inductance element L2 is connected to the second transmission terminal Tx2 of the RFIC element 10
  • the first inductance element The second ends of L1 and the second inductance element L2 are connected to both ends of the capacitor C1.
  • the filter circuit 20 removes harmonic components contained in the transmission signal of the RFIC element 10.
  • the matching circuit 30 includes capacitors C2, C3, and C4.
  • the first end of the capacitor C2 is connected to the first output end of the filter circuit 20
  • the first end of the capacitor C3 is connected to the second output end of the filter circuit 20
  • the second ends of the capacitors C2 and C3 are connected to the capacitor C4. Connected to both ends.
  • the coupling radiating element 40C is, for example, a loop coil conductor.
  • the first inductance element L1 and the second inductance element L2 have the same inductance.
  • the first inductance element L1 and the second inductance element L2 are magnetically coupled to each other so as to strengthen the magnetic flux.
  • the coupling radiating element 40C is magnetically coupled to the booster element 60.
  • the booster element 60 is combined with the coupling radiating element 40C and acts as a radiating element for the outside.
  • This third embodiment is the same as the configuration of the RFID module 101 of the first embodiment except that the coupling radiating element 40C and the booster element 60 are provided.
  • FIG. 13A is a plan view of the RFID device 50 shown in FIG. 12, and FIG. 13B is a sectional view thereof. However, the cross-sectional view of FIG. 13B shows the enlarged thickness direction.
  • chip capacitors C1, C2, C3, C41, C42, and ESD protection elements E1, E2 are mounted on the upper surface of the multilayer substrate MB, respectively.
  • the capacitors C1, C2, and C3 correspond to elements indicated by the same reference numerals in FIG.
  • the capacitors C41 and C42 are connected in parallel and correspond to the capacitor C4 in FIG.
  • the ESD protection elements E1 and E2 are disposed between the coupling radiation element 40C shown in FIG. 12 and the ground.
  • the coupling radiating element 40C is laminated on the filter circuit 20 and the matching circuit 30.
  • FIG. 14 is an exploded perspective view of the RFID module 103 using the RFID device 50.
  • the RFID module 103 is configured by mounting the RFID device 50 on the booster element 60.
  • the booster element 60 includes an insulating base 61 and a booster electrode 62 formed on the upper surface thereof.
  • the booster electrode 62 is a “C” -shaped conductor film, and is disposed opposite to the coupling radiating element in the RFID device 50.
  • the booster element 60 includes, in plan view, a conductor region that overlaps with the coupling radiating element, a conductor opening (non-conductor region) CA that overlaps with the coil opening of the coupling radiating element, and an outer edge of the conductor region and the conductor opening CA. And a slit portion SL connected to each other.
  • a two-dot chain line in FIG. 14 indicates a region where the RFID device 50 is mounted.
  • FIG. 15 is a diagram showing a current flowing through the coil conductor of the coupling radiating element 40C and a current flowing through the booster electrode 62 of the booster element 60, respectively. However, these currents are currents in a state where the coupling radiating element is stacked on the booster element 60.
  • the coil conductor of the coupling radiating element 40C and the booster electrode 62 mainly couple the magnetic field electromagnetically.
  • the current EC3 and the currents EC21 to EC25 contribute to radiation. That is, the coupling radiating element 40C and the booster element 60 act as an antenna.
  • FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the resonance frequency on the RFID tag side and the communication limit distance.
  • the correspondence relationship between the characteristic curves A, B, and C and the values of the elements of the filter circuit 20 and the matching circuit 30 is as follows.
  • the RFID device having the characteristic curve A can communicate in a frequency band of 13 MHz to 16.4 MHz (frequency band 3.4 MHz).
  • the RFID device having the characteristic curve B can communicate in a frequency band of 12.7 MHz to 16.9 MHz (frequency band 4.2 MHz).
  • the RFID device of the characteristic curve C which is a comparative example, can communicate in the frequency band of 13.6 MHz to 16 MHz (frequency band 2.4 MHz).
  • the RFID device having the characteristic curve A has a relatively narrow bandwidth but a large communication limit distance, so that it can be used as an RFID device giving priority to the communication distance.
  • FIG. 17 is an exploded perspective view of the RFID module 104 according to the fourth embodiment.
  • the RFID module 104 includes a booster element 70 and an RFID device 50.
  • the booster element 70 includes an insulating base 71, a booster coil pattern 72 formed on the upper surface thereof, and a booster coil pattern 73 formed on the lower surface.
  • the booster coil patterns 72 and 73 are also illustrated in a state separated from the insulating base 71.
  • the RFID device 50 is the same as that shown in the third embodiment.
  • the RFID device 50 is mounted on the insulating base 71 so that the coil of the coupling radiating element incorporated in the RFID device 50 and the booster coil patterns 72 and 73 are magnetically coupled.
  • you may comprise a booster element with a conductor coil pattern.
  • FIGS. 18A and 18B are diagrams showing two configurations of the RFID device according to the fifth embodiment.
  • the coupling radiating element 40C is arranged in a positional relationship overlapping the filter circuit 20 and the matching circuit 30 in the multilayer substrate in plan view.
  • the coupling radiating element 40C is arranged on the side of the filter circuit 20 and the matching circuit 30.
  • the loop surface of the coupling radiating element 40C is arranged in parallel to the plane of the multilayer substrate.
  • the coil axis direction of the coupling radiating element 40C is arranged in parallel to the plane of the multilayer substrate.
  • the coupling radiating element 40C may be formed on the side of the filter circuit 20 and the matching circuit 30.
  • each of the embodiments described above an example in which the plurality of loop conductors are quadrangular or elliptical (oval) in plan view is shown, but the plurality of loop conductors are circular or octagonal in plan view. Or other polygonal shape may be sufficient.
  • Each layer of the multilayer substrate may be a non-magnetic dielectric layer as necessary.
  • the booster element 60 is used as an antenna
  • the booster element 70 is used as an antenna. It is also possible to provide this radiating conductor together with the booster element as an antenna.
  • the matching circuit may be constituted by not only the capacitance element but also only the inductance element or the capacitance element and the inductance element as necessary.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

　ＲＦＩＤモジュール（１０１）は、ＲＦＩＣ素子（１０）、フィルタ回路（２０）、整合回路（３０）、および放射素子（４０）を備えている。このうちフィルタ回路（２０）と整合回路（３０）とでＲＦＩＤデバイス（５０）が構成されている。フィルタ回路（２０）は第１インダクタンス素子（Ｌ１）、第２インダクタンス素子（Ｌ２）およびコンデンサ（Ｃ１）とで構成されている。第１インダクタンス素子（Ｌ１）と第２インダクタンス素子（Ｌ２）とはそれぞれのインダクタンスが等しく、両者は磁束を強め合うように互いに磁気的に強く結合している。この構成により、ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路を備えながらも全体に大型化しないようにしたＲＦＩＤモジュールおよびＲＦＩＤデバイスを構成する。

Description

ＲＦＩＤモジュールおよびＲＦＩＤデバイス
　本発明は、例えばＲＦＩＤ（Radio Frequency Identification）システムに用いられるＲＦＩＤモジュールおよびそれに備えられるＲＦＩＤデバイスに関する。
　物品の管理システムとして、ＲＦＩＤタグとリーダライタとが非接触方式で通信し、ＲＦＩＤタグとリーダライタとの間で情報を伝達するＲＦＩＤシステムが知られている。ＲＦＩＤタグは、ＩＤ情報が書き込まれたＲＦＩＣ素子とＲＦ信号を送受するためのアンテナとで構成されている。
　このようなＲＦＩＤタグにおいては、例えば特許文献１に開示されているように、ＲＦＩＣ素子とアンテナの間に、ＲＦＩＣ素子にて生じた高調波成分を除去するためのフィルタが設けられることがある。また、ＲＦＩＣ素子とアンテナとの間のインピーダンス整合を図るために、例えば特許文献２や特許文献３に開示されているように、ＲＦＩＣ素子とアンテナとの間にコンデンサやコイルによって構成された整合回路が挿入される。
　ここで、特許文献１に開示されているＩＣモジュールの構成を図１に示す。このＩＣモジュール内には、リーダ／ライタ送信回路と、リーダ／ライタ受信回路と、カードＩＣ回路が配設されている。そして、これらの回路モジュールの各入出力端子にアンテナを接続することにより、リーダ／ライタは外部のカードＩＣとの間で非接触通信を行なうように構成されている。そして、リーダ／ライタ送信回路とリーダ／ライタ送受信用アンテナとの間にフィルタが挿入されている。
特開２００４－１４５４４９号公報 特開２００１－１８８８９０号公報 特開２００９－０２７２９１号公報
　前述のＲＦＩＣ素子にて生じた高調波成分を除去するためのフィルタは、コンデンサとインダクタとで組まれたローパスフィルタによって構成されるが、比較的大きなインダクタンス値のインダクタが必要であるため、インダクタ部分が大型化し、ＲＦＩＤタグの大型化を招いていた。
　そこで、この発明の目的は、ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路を備えながらも全体に大型化しないようにしたＲＦＩＤモジュールおよびＲＦＩＤデバイスを提供することにある。
（１）本発明のＲＦＩＤモジュールは、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁気結合していることを特徴としている。
（２）前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との結合係数は小型化の観点から０．７以上であることが望ましい。
（３）前記フィルタ回路と前記放射素子との間には、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えてもよい。
（４）前記第１インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、前記第２インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および前記第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっていることが望ましい。この構造により、各ループ状導体の内側を通る磁束の量が最大となるため、結合係数をより高めることができ、フィルタのインダクタをより小型化できる。
（５）前記第１の積層型コイル素子の前記ループ状導体と前記第２の積層型コイル素子の前記ループ状導体とは交互に積層される構造にすれば、結合係数をより高めることができ、フィルタのインダクタをより小型化できる。
（６）前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されていることが望ましい。この構造により、結合係数をより高めることができ、フィルタのインダクタをより小型化できる。
（７）前記整合回路の前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子は、例えば前記多層基板の表面に搭載される。この構造により、全体に殆ど大型化することなく整合回路を設けることができる。
（８）必要に応じて、前記放射素子に電磁界を介して結合されて無線信号の受信または送信を行うブースター素子をさらに備えることが好ましい。
（９）（８）において、前記放射素子はコイル状導体で構成され、このコイル状導体と前記ブースター素子とは互いに電磁界結合していることが好ましい。
（１０）（８）または（９）において、前記放射素子は前記多層基板に内蔵されていることが好ましい。この構造により、全体に殆ど大型化することなく放射素子を設けることができる。
（１１）本発明のＲＦＩＤデバイスは、第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、放射素子との間に設けられ、フィルタ部分の構成を前述のとおりとする。
（１２）（１１）において、前記フィルタ回路の前記放射素子側に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えていることが好ましい。
　本発明によれば、ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路のインダクタを小型化でき、小型のＲＦＩＤモジュールおよびＲＦＩＤデバイスが構成できる。
図１は特許文献１に開示されているＩＣモジュールの構成を示す図である。 図２は第１の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０１の回路図である。 図３は、図２に示したフィルタ回路２０が、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵された状態を示す図であり、図３（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図３（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。 図４は多層基板の各導体層の平面図である。 図５は多層基板の各導体層間を繋ぐビア導体の接続関係を示す図である。 図６（Ａ）は図３に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図、図６（Ｂ）はその比較例の図である。 図７（Ａ）は、図２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図７（Ｂ）はその下面図である。 図８は、ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０１の構成図である。 図９はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。 図１０は第２の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスのフィルタ回路部の構成を示す図であり、図１０（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図１０（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。 図１１は、図１０に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図である。 図１２は第３の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０３の回路図である。 図１３（Ａ）は、図１２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図１３（Ｂ）はその断面図である。 図１４は、ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０３の構成図である。 図１５は、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に流れる電流およびブースター素子６０のブースター電極６２に流れる電流をそれぞれ示す図である。 図１６はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。 図１７は第４の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０４の分解斜視図である。 図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は第５の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスの二つの構成を示す図である。
　《第１の実施形態》
　図２は第１の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０１の回路図である。このＲＦＩＤモジュール１０１は、ＲＦＩＣ素子１０、フィルタ回路２０、整合回路３０、および放射素子４０を備えている。また、フィルタ回路２０と整合回路３０とでＲＦＩＤデバイス５０を構成している。
　なお、第１の実施形態ではフィルタ回路２０と整合回路３０とでＲＦＩＤデバイス５０を構成しているが、フィルタ回路２０のみでＲＦＩＤデバイス５０を構成してもよい。
　ＲＦＩＣ素子１０は半導体集積回路で構成されていて、第１送信端子Ｔｘ１、第２送信端子Ｔｘ２および受信端子Ｒｘを備えている。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２とで送信信号を平衡出力する。また、受信端子Ｒｘで受信信号を不平衡入力する。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２は、特許請求の範囲に記載の「第１入出力端子」と「第２入出力端子」に相当する。
　フィルタ回路２０は第１インダクタンス素子Ｌ１、第２インダクタンス素子Ｌ２およびコンデンサＣ１で構成されている。第１インダクタンス素子Ｌ１の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第１送信端子Ｔｘ１に接続され、第２インダクタンス素子Ｌ２の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第２送信端子Ｔｘ２に接続され、第１インダクタンス素子Ｌ１および第２インダクタンス素子Ｌ２の第２端がコンデンサＣ１の両端に接続されている。このフィルタ回路２０はＲＦＩＣ素子１０の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
　整合回路３０はコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４で構成されている。コンデンサＣ２の第１端はフィルタ回路２０の第１出力端に接続され、コンデンサＣ３の第１端はフィルタ回路２０の第２出力端に接続され、コンデンサＣ２，Ｃ３の第２端がコンデンサＣ４の両端に接続されている。
　放射素子４０は例えばループ状コイルアンテナである。
　前記第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２はそれぞれのインダクタンスが等しい。また、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２は、磁束を強め合うように互いに磁気的に結合している。ここで、結合していない状態での第１インダクタンス素子Ｌ１のインダクタンスをＬ１０、結合していない状態での第２インダクタンス素子Ｌ２のインダクタンスをＬ２０、両者の相互インダクタンスをＭ、結合係数をｋ、結合している状態での第１のインダクタンス素子Ｌ１のインダクタンスをＬ１、結合している状態での第２のインダクタンス素子Ｌ２のインダクタンスをＬ２で表すと、Ｔｘ１，Ｔｘ２とコンデンサＣ１との間に接続されているインダクタの実効インダクタンスＬは、
　Ｌ＝Ｌ１０＋Ｌ２０＋２Ｍ
　　＝Ｌ１０＋Ｌ２０＋２ｋ×√（Ｌ１０＊Ｌ２０）
　Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ／２
で表される。
　例えば結合係数ｋ＝０のときにＬ１，Ｌ２の必要なインダクタンスＬ１０，Ｌ２０が８００ｎＨであるとすると（Ｌ１＝Ｌ２＝Ｌ１０＝Ｌ２０＝８００ｎＨ）、結合係数ｋ＝０．８５のときにＬ１，Ｌ２を８００ｎＨとするのに必要なインダクタンスＬ１０，Ｌ２０は４３２ｎＨである。すなわち約０．５４倍に小型化できる。また、必要なインダクタンスを得るに要するループ状導体の長さを短縮化でき、その分、直流抵抗を低減できる。
　整合回路３０は、３つのコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４によって、フィルタ回路２０と放射素子４０とをインピーダンス整合させる。
　ＲＦＩＣ素子１０の受信端子ＲｘとコンデンサＣ１の一方端とは接続されていて、受信信号が受信端子Ｒｘに入力される。
　ＲＦＩＣ素子１０は送信端子Ｔｘ１，Ｔｘ２から１３．５６ＭＨｚの矩形波信号を平衡出力する。これにより、フィルタ回路２０および整合回路３０を介して放射素子４０が駆動され、放射素子４０から１３．５６ＭＨｚの磁界が放射される。この放射素子４０にＲＦＩＤタグが近接していると、そのＲＦＩＤタグは前記磁界信号を受けて電力を受電するとともに自身のＩＤに基づいてＲＦＩＤタグ内の無線ＩＣのインピーダンスを変化させ、ＲＦＩＤタグ側のアンテナ共振回路のインピーダンスを変化させる（ＡＳＫ変調する）。このことにより、ＲＦＩＤタグはエネルギーの反射によってＩＤを応答することになる。
　ＲＦＩＣ素子１０は前記ＡＳＫ変調された応答信号を受けてＩＤを復号化する。ＲＦＩＣ素子１０側からデータやコマンドを送信する場合には、前記１３．５６ＭＨｚの駆動電圧（電流）をＡＳＫ変調する。ＲＦＩＤタグは受信した搬送波の強度変化を復号化することによりＲＦＩＣ素子１０からのデータやコマンドを受信することになる。
　図３は、図２に示したフィルタ回路２０が、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵された状態を示す図である。図３（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図３（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。また、図４は多層基板の各導体層の平面図、図５は各導体層間を繋ぐビア導体の接続関係を示す図である。
　図４、図５において（ａ）層は最下層、（ｋ）層は最上層である。また、図５においてビア導体を細線の直線で表している。
　図３（Ｂ）等に表れているように、多層基板ＭＢの内部に、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第１の積層型コイル素子で第１インダクタンス素子Ｌ１が構成され、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第２の積層型コイル素子で第２インダクタンス素子Ｌ２が構成されている。
　多層基板ＭＢの上面には端子電極Ｐ２１Ａ，Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ａ，Ｐ２２Ｂが形成されている。また、多層基板ＭＢの下面には端子電極Ｐ１１，Ｐ１２が形成されている。これらの端子電極は図２に示した回路中に同符号で示した箇所にそれぞれ対応している。後に示すように、コンデンサＣ１に相当するチップコンデンサが端子電極Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ｂに搭載される。また、コンデンサＣ２，Ｃ３に相当するチップコンデンサの一方端が端子電極Ｐ２１Ａ，Ｐ２２Ａにそれぞれ接続されるように搭載される。端子電極Ｐ１１，Ｐ１２にはＲＦＩＣ素子１０が接続される。
　図６（Ａ）は図３に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図である。図６（Ｂ）はその比較例の図である。本発明では、第１インダクタンス素子Ｌ１は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、第２インダクタンス素子Ｌ２は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている。すなわち同軸関係にある。そのため、平面視したとき、第１の積層型コイル素子の開口面と第２の積層型コイル素子の開口面が重なる。さらに、図３（Ｂ）、図６（Ａ）に示した例では、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体と前記第２の積層型コイル素子のループ状導体とは交互に積層されている。このようなループ状導体の配置によって、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２の結合係数ｋは約０．８５となる。
　比較例である図６（Ｂ）のように、第１インダクタンス素子Ｌ１を構成する第１の積層型コイル素子と、第２インダクタンス素子Ｌ２を構成する第２の積層型コイル素子とが横並びで並置されると、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との結合係数ｋはほぼ０である。
　図７（Ａ）は、図２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図７（Ｂ）はその下面図である。図７（Ａ）に表れているように、多層基板ＭＢの上面にチップコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４１，Ｃ４２、ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２がそれぞれ実装されている。ここでコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は図２の図中に同符号で示した素子にそれぞれ対応する。また、コンデンサＣ４１，Ｃ４２は並列接続されていて、図２におけるコンデンサＣ４に対応する。ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２は図２に示した放射素子４０とグランドとの間に配置される。
　図７（Ｂ）に表れているように、多層基板ＭＢの下面には、送信端子Ｔｘ１，Ｔｘ２の接続端子(2)(3)、受信端子Ｒｘの接続端子(4)、放射素子４０の接続端子(6)(7)、グランド端子(5)(8)、ＮＣ端子(1)が形成されている。
　図３に示した第１のインダクタンス素子Ｌ１と第２のインダクタンス素子Ｌ２は結合係数ｋが約０．８５と、強く結合しているので、必要なインダクタンスを得るに要するサイズを小型化でき、多層基板ＭＢのサイズを小さくでき、ＲＦＩＤデバイス５０のサイズを小さくできる。第１インダクタンス素子Ｌ１および第２インダクタンス素子Ｌ２をチップインダクタで構成した場合には、１５ｍｍ×６ｍｍ＝９０ｍｍ2程度のサイズを要するが、第１の実施形態によれば、第１、第２のインダクタンス素子を強く結合させることで小型化した上に、第１、第２のインダクタンス素子を多層基板にそれぞれの巻回軸がほぼ同一直線上に重なるように内蔵して第１、第２のインダクタンス素子を強く結合させることで小型化し、さらにチップコンデンサなどの素子を多層基板上に実装したことにより、３．２ｍｍ×２．５ｍｍ＝８ｍｍ2となって、面積比が１／１０以下となった。
　図８は、前記ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０１の構成図である。ＲＦＩＤデバイス５０が小型化されたことにより、これをＲＦＩＣ素子１０に近接配置でき、ＲＦＩＤモジュール１０１を小型化できる。
　図９はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。特性曲線Ａ，Ｂ，Ｃとフィルタ回路２０および整合回路３０の各素子の値との対応関係は次のとおりである。
　特性曲線［Ａ］
　Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
　Ｃ１：６５ｐＦ
　Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
　特性曲線［Ｂ］
　Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
　Ｃ１：６５ｐＦ
　Ｃ２，Ｃ３：２３ｐＦ
　特性曲線［Ｃ］
　Ｌ１，Ｌ２：５６０ｎＨ
　Ｃ１：９０ｐＦ
　Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
　７５ｍｍ以内の通信距離範囲で通信することを条件にすると、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３ＭＨｚ～１６．４ＭＨｚ（周波数帯域３．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１２．７ＭＨｚ～１６．９ＭＨｚ（周波数帯域４．２ＭＨｚ）の範囲で通信できる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３．６ＭＨｚ～１６ＭＨｚ（周波数帯域２．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。
　このように、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは帯域幅が比較的狭いが通信限界距離が大きいので、通信距離優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは通信限界距離が比較的短いが帯域幅が広いので、帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスに比較して通信距離および帯域幅ともに拡大できることが分かる。特に、前記帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスの場合、帯域幅は４．２ＭＨｚ／２．４ＭＨｚ＝１．７５倍にも拡大できる。
《第２の実施形態》
　図１０は第２の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスのフィルタ回路部の構成を示す図である。図１０（Ａ）は内部導体層を透視した斜視図、図１０（Ｂ）はそれを厚み方向に拡大表示した斜視図である。図１０（Ｂ）に表れているように、多層基板ＭＢの内部に、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第１の積層型コイル素子で第１インダクタンス素子Ｌ１が構成され、複数のループ状導体が積層されてヘリカル状に巻回された第２の積層型コイル素子で第２インダクタンス素子Ｌ２が構成されている。
　多層基板ＭＢの上面には端子電極Ｐ２１Ａ，Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ａ，Ｐ２２Ｂが形成されている。また、多層基板ＭＢの下面には端子電極Ｐ１１，Ｐ１２が形成されている。これらの端子電極は図２に示した回路中に同符号で示した箇所にそれぞれ対応している。
　図１１は、図１０に示した第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２との配置関係を簡略化して表した斜視図である。
　第１インダクタンス素子Ｌ１は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、第２インダクタンス素子Ｌ２は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている。但し、図３に示した例と異なり、前記第１の積層型コイル素子と第２の積層型コイル素子は個別に巻回した状態で積層されている。
　このように、二つの積層型コイル素子を個別に巻回するように積層してもよい。このようなループ状導体の配置によって、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２の結合係数ｋは約０．７となる。
　なお、第１、第２のインダクタンス素子同士の結合係数を大きくするためには、
　・第１の積層型コイル素子を構成するループ状導体のループ面と第２の積層型コイル素子を構成するループ状導体のループ面の対向面積率を大きくする。
　・磁性体層の厚みを薄くする（隣接するループ状導体の間隔を狭くする）。
　・透磁率の大きな磁性体層を用いる。
ことが有効である。
《第３の実施形態》
　図１２は第３の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０３の回路図である。ＲＦＩＤモジュール１０３は、ＲＦＩＤデバイス５０とブースター素子６０とで構成されている。ＲＦＩＤデバイス５０にはＲＦＩＣ素子１０が接続される。
　ＲＦＩＤデバイス５０は、フィルタ回路２０、整合回路３０および結合用放射素子４０Ｃを備えている。なお、第３の実施形態ではフィルタ回路２０、整合回路３０および結合用放射素子４０ＣでＲＦＩＤデバイス５０を構成しているが、フィルタ回路２０と結合用放射素子４０ＣとでＲＦＩＤデバイス５０を構成してもよい。
　ＲＦＩＣ素子１０は半導体集積回路で構成されていて、第１送信端子Ｔｘ１、第２送信端子Ｔｘ２および受信端子Ｒｘを備えている。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２とで送信信号を平衡出力する。また、受信端子Ｒｘで受信信号を不平衡入力する。第１送信端子Ｔｘ１と第２送信端子Ｔｘ２は、特許請求の範囲に記載の「第１入出力端子」と「第２入出力端子」に相当する。
　フィルタ回路２０は第１インダクタンス素子Ｌ１、第２インダクタンス素子Ｌ２およびコンデンサＣ１で構成されている。第１インダクタンス素子Ｌ１の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第１送信端子Ｔｘ１に接続され、第２インダクタンス素子Ｌ２の第１端はＲＦＩＣ素子１０の第２送信端子Ｔｘ２に接続され、第１インダクタンス素子Ｌ１および第２インダクタンス素子Ｌ２の第２端がコンデンサＣ１の両端に接続されている。このフィルタ回路２０はＲＦＩＣ素子１０の送信信号に含まれる高調波成分を除去する。
　整合回路３０はコンデンサＣ２，Ｃ３，Ｃ４で構成されている。コンデンサＣ２の第１端はフィルタ回路２０の第１出力端に接続され、コンデンサＣ３の第１端はフィルタ回路２０の第２出力端に接続され、コンデンサＣ２，Ｃ３の第２端がコンデンサＣ４の両端に接続されている。
　結合用放射素子４０Ｃは例えばループ状コイル導体である。
　前記第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２はそれぞれのインダクタンスが等しい。また、第１インダクタンス素子Ｌ１と第２インダクタンス素子Ｌ２は、磁束を強め合うように互いに磁気的に結合している。
　結合用放射素子４０Ｃはブースター素子６０に磁気的に結合する。ブースター素子６０は結合用放射素子４０Ｃと結合して外部に対する放射素子として作用する。
　この第３の実施形態は、結合用放射素子４０Ｃおよびブースター素子６０を備えた点以外は第１の実施形態のＲＦＩＤモジュール１０１の構成と同じである。
　図１３（Ａ）は、図１２に示したＲＦＩＤデバイス５０の平面図、図１３（Ｂ）はその断面図である。但し、図１３（Ｂ）の断面図は厚み方向を拡大して表している。図１３（Ａ）に表れているように、多層基板ＭＢの上面にチップコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４１，Ｃ４２、ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２がそれぞれ実装されている。ここでコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は図１２の図中に同符号で示した素子にそれぞれ対応する。また、コンデンサＣ４１，Ｃ４２は並列接続されていて、図１２におけるコンデンサＣ４に対応する。ＥＳＤ保護素子Ｅ１，Ｅ２は図１２に示した結合用放射素子４０Ｃとグランドとの間に配置される。
　図１３（Ｂ）に表れているように、結合用放射素子４０Ｃは、フィルタ回路２０および整合回路３０に対して積層形成されている。
　図１４は、前記ＲＦＩＤデバイス５０を用いたＲＦＩＤモジュール１０３の分解斜視図である。このＲＦＩＤモジュール１０３は、ブースター素子６０にＲＦＩＤデバイス５０が搭載されることによって構成される。ブースター素子６０は、絶縁基材６１とその上面に形成されたブースター電極６２とで構成されている。ブースター電極６２は“Ｃ”字型の導体膜であり、ＲＦＩＤデバイス５０内の結合用放射素子と対向配置される。ブースター素子６０は、平面視で、結合用放射素子と重なる導体領域、結合用放射素子のコイル開口部と重なる導体開口部（非導体領域）ＣＡ、及び導体領域の外縁と導体開口部ＣＡとの間を連接するスリット部ＳＬとを有する。図１４中の二点差線はＲＦＩＤデバイス５０を搭載する領域を示している。
　図１５は、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に流れる電流およびブースター素子６０のブースター電極６２に流れる電流をそれぞれ示す図である。但し、これらの電流は、ブースター素子６０に結合用放射素子を積層した状態での電流である。
　図１５に示すように、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に電流ＥＣ３が流れると、このコイル導体から生じる磁束がブースター電極６２に鎖交しようとするので、その磁束を遮るようにブースター電極６２に、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体に流れる電流の向きとは反対方向の電流が生じる。導体開口部ＣＡの周囲に流れる電流は、スリット部ＳＬの周囲を通り、ブースター電極６２の周囲に沿うように流れる。ブースター電極６２の周囲に沿うように電流が流れることで、磁界の放射エリアが広がり、ブースター電極６２は、磁界を増幅するブースターとしての役割を果たす。このように、結合用放射素子４０Ｃのコイル導体とブースター電極６２とは磁界を主として電磁界結合する。
　前記電流ＥＣ３と電流ＥＣ２１～ＥＣ２５が放射に寄与する。すなわち、結合用放射素子４０Ｃとブースター素子６０がアンテナとして作用する。
　図１６はＲＦＩＤタグ側の共振周波数と通信限界距離との関係を示す図である。特性曲線Ａ，Ｂ，Ｃとフィルタ回路２０および整合回路３０の各素子の値との対応関係は次のとおりである。
　特性曲線［Ａ］
　Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
　Ｃ１：６５ｐＦ
　Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
　特性曲線［Ｂ］
　Ｌ１，Ｌ２：８００ｎＨ
　Ｃ１：６５ｐＦ
　Ｃ２，Ｃ３：２３ｐＦ
　特性曲線［Ｃ］
　Ｌ１，Ｌ２：５６０ｎＨ
　Ｃ１：９０ｐＦ
　Ｃ２，Ｃ３：１８ｐＦ
　８５ｍｍ以内の通信距離範囲で通信することを条件にすると、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３ＭＨｚ～１６．４ＭＨｚ（周波数帯域３．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１２．７ＭＨｚ～１６．９ＭＨｚ（周波数帯域４．２ＭＨｚ）の範囲で通信できる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスは、周波数帯域が１３．６ＭＨｚ～１６ＭＨｚ（周波数帯域２．４ＭＨｚ）の範囲で通信できる。
　このように、特性曲線ＡのＲＦＩＤデバイスは帯域幅が比較的狭いが通信限界距離が大きいので、通信距離優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。また、特性曲線ＢのＲＦＩＤデバイスは通信限界距離が比較的短いが帯域幅が広いので、帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスとして用いることができる。比較例である特性曲線ＣのＲＦＩＤデバイスに比較して通信距離および帯域幅ともに拡大できることが分かる。特に、前記帯域幅優先のＲＦＩＤデバイスの場合、帯域幅は４．２ＭＨｚ／２．４ＭＨｚ＝１．７５倍にも拡大できる。
《第４の実施形態》
　図１７は第４の実施形態に係るＲＦＩＤモジュール１０４の分解斜視図である。このＲＦＩＤモジュール１０４は、ブースター素子７０とＲＦＩＤデバイス５０とで構成されている。ブースター素子７０は、絶縁基材７１、その上面に形成されたブースターコイルパターン７２および下面に形成されたブースターコイルパターン７３で構成されている。図１７においては、ブースターコイルパターン７２，７３についても絶縁基材７１から分離した状態で図示している。
　ＲＦＩＤデバイス５０は第３の実施形態で示したものと同じである。このＲＦＩＤデバイス５０に内蔵されている結合用放射素子のコイルとブースターコイルパターン７２，７３とが磁気的に結合するように、ＲＦＩＤデバイス５０は絶縁基材７１に搭載される。
　このように導体コイルパターンでブースター素子を構成してもよい。
《第５の実施形態》
　第５の実施形態では、結合用放射素子４０Ｃの別の構成例を示す。図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）は第５の実施形態に係るＲＦＩＤデバイスの二つの構成を示す図である。第３の実施形態では、平面視で、多層基板内にフィルタ回路２０および整合回路３０と重なる位置関係に結合用放射素子４０Ｃを配置した。図１８（Ａ）、図１８（Ｂ）の例では、フィルタ回路２０および整合回路３０の側方に結合用放射素子４０Ｃを配置している。図１８（Ａ）の例では、結合用放射素子４０Ｃのループ面を多層基板の平面に対して平行に配置している。図１８（Ｂ）の例では、結合用放射素子４０Ｃのコイル軸方向を多層基板の平面に対して平行に配置している。
　このように、結合用放射素子４０Ｃをフィルタ回路２０および整合回路３０の側方に形成してもよい。
《他の実施形態》
　以上に示した各実施形態では、複数のループ状導体が平面視で四角形または楕円形（長円形）である例を示したが、複数のループ状導体は平面視で円形や八角形であってもよいし、他の多角形状であってもよい。
　また、多層基板の各層は必要に応じて非磁性体の誘電体層であってもよい。
　また、図１４に示したＲＦＩＤモジュール１０３ではブースター素子６０を、図１７に示したＲＦＩＤモジュール１０４ではブースター素子７０を、それぞれアンテナとして用いたが、これらのブースター素子と電磁界結合する放射導体をさらに設けて、この放射導体をブースター素子とともにアンテナとして作用させてもよい。
　さらに、整合回路はキャパシタンス素子だけでなく、必要に応じてインダクタンス素子のみまたはキャパシタンス素子とインダクタンス素子で構成してもよい。
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…コンデンサ
Ｃ４１，Ｃ４２…コンデンサ
ＣＡ…導体開口部
Ｅ１，Ｅ２…ＥＳＤ保護素子
Ｌ１…第１のインダクタンス素子
Ｌ２…第２のインダクタンス素子
ＭＢ…多層基板
Ｐ１１，Ｐ１２…端子電極
Ｐ２１Ａ，Ｐ２１Ｂ，Ｐ２２Ａ，Ｐ２２Ｂ…端子電極
Ｒｘ…受信端子
ＳＬ…スリット部
Ｔｘ１，Ｔｘ２…送信端子
１０…ＲＦＩＣ素子
２０…フィルタ回路
３０…整合回路
４０…放射素子
４０Ｃ…結合用放射素子
５０…ＲＦＩＤデバイス
６０，７０…ブースター素子
６１，７１…絶縁基材
６２…ブースター電極
７２，７３…ブースターコイルパターン
１０１～１０４…ＲＦＩＤモジュール

Claims (12)

  1. 　第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、
    　前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路と、
    　前記フィルタ回路に接続された放射素子と、を有し、
    　前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁気結合していることを特徴とするＲＦＩＤモジュール。
  2. 　前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子との結合係数は０．７以上である、請求項１に記載のＲＦＩＤモジュール。
  3. 　前記フィルタ回路と前記放射素子との間に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１または２に記載のＲＦＩＤモジュール。
  4. 　前記第１インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第１の積層型コイル素子で構成され、前記第２インダクタンス素子は、複数のループ状導体が積層された第２の積層型コイル素子で構成され、前記第１の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸および前記第２の積層型コイル素子のループ状導体の巻回軸はほぼ同一直線上に重なっている、請求項１～３のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
  5. 　前記第１の積層型コイル素子の前記ループ状導体と前記第２の積層型コイル素子の前記ループ状導体とは交互に積層されている、請求項４に記載のＲＦＩＤモジュール。
  6. 　前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、複数の磁性体層を積層してなる多層基板に内蔵されている、請求項１～５のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
  7. 　前記整合回路の前記インダクタンス素子または前記キャパシタンス素子は、前記多層基板の表面に搭載されている、請求項６に記載のＲＦＩＤモジュール。
  8. 　前記放射素子に電磁界を介して結合されて無線信号の受信または送信を行うブースター素子をさらに備えた、請求項１～７のいずれかに記載のＲＦＩＤモジュール。
  9. 　前記放射素子はコイル状導体で構成され、このコイル状導体と前記ブースター素子とは互いに電磁界結合している、請求項８に記載のＲＦＩＤモジュール。
  10. 　前記放射素子は前記多層基板に内蔵されている、請求項８または９に記載のＲＦＩＤモジュール。
  11. 　第１入出力端子および第２入出力端子を有するＲＦＩＣ素子と、放射素子との間に設けられるＲＦＩＤデバイスであって、
    　前記第１入出力端子に接続された第１インダクタンス素子、および、前記第２入出力端子に接続されたた第２インダクタンス素子を含んで構成され、前記ＲＦＩＣ素子の高調波成分を除去するためのフィルタ回路を有し、前記第１インダクタンス素子と前記第２インダクタンス素子とは、互いに磁気結合していることを特徴とするＲＦＩＤデバイス。
  12. 　前記フィルタ回路の前記放射素子側に接続され、インダクタンス素子およびキャパシタンス素子、またはインダクタンス素子もしくはキャパシタンス素子を含んで構成される整合回路を備えた、請求項１１に記載のＲＦＩＤデバイス。
PCT/JP2011/069689 2010-09-06 2011-08-31 Ｒｆｉｄモジュールおよびｒｆｉｄデバイス Ceased WO2012032974A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011552116A JP5062372B2 (ja) 2010-09-06 2011-08-31 Ｒｆｉｄモジュールおよびｒｆｉｄデバイス
CN2011800164415A CN102823146A (zh) 2010-09-06 2011-08-31 Rfid模块及rfid器件
GB1214216.2A GB2496713A (en) 2010-09-06 2011-08-31 RFID module and RFID device
US13/603,627 US20120325916A1 (en) 2010-09-06 2012-09-05 Rfid module and rfid device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-199286 2010-09-06
JP2010199287 2010-09-06
JP2010199286 2010-09-06
JP2010-199287 2010-09-06

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/603,627 Continuation US20120325916A1 (en) 2010-09-06 2012-09-05 Rfid module and rfid device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012032974A1 true WO2012032974A1 (ja) 2012-03-15

Family

ID=45810576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/069689 Ceased WO2012032974A1 (ja) 2010-09-06 2011-08-31 Ｒｆｉｄモジュールおよびｒｆｉｄデバイス

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120325916A1 (ja)
JP (1) JP5062372B2 (ja)
CN (1) CN102823146A (ja)
GB (1) GB2496713A (ja)
WO (1) WO2012032974A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018012378A1 (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 株式会社村田製作所 コイルモジュール
CN107710628A (zh) * 2015-07-03 2018-02-16 株式会社村田制作所 前端模块
WO2018101285A1 (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 株式会社村田製作所 磁界結合素子、アンテナ装置および電子機器
JP2019009769A (ja) * 2017-06-26 2019-01-17 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2019017098A1 (ja) * 2017-07-21 2019-11-21 株式会社村田製作所 アンテナ結合素子、アンテナ装置および電子機器

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118379A1 (ja) * 2010-03-24 2011-09-29 株式会社村田製作所 Ｒｆｉｄシステム
CN108574471B (zh) * 2017-03-14 2021-11-23 珠海全志科技股份有限公司 用于射频功率放大电路的全集成谐波滤波器
DE102017207663A1 (de) * 2017-05-08 2018-11-08 Audi Ag Verfahren zur Herstellung einer Spulenanordnung
CN107623879A (zh) * 2017-08-31 2018-01-23 苏州惠华电子科技有限公司 一种基于ad/dc转换电路的rfid电子配线架
CN111293952B (zh) * 2020-02-27 2023-04-18 桂林电子科技大学 一种基于电感率模型的开关磁阻电机转矩控制系统和方法
CN112802838B (zh) * 2020-12-29 2023-04-28 长沙理工大学 一种宽带esd保护电路

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09294374A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Hitachi Ltd 電源回路
JP2002175920A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Murata Mfg Co Ltd 高周波用フィルタ素子
JP2005204038A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Fec Inc 識別タグのリーダライタ用アンテナ
JP2005277579A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Kyocera Corp 高周波モジュールおよびそれを用いた通信機器
JP2005306696A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁性フェライトおよびそれを用いたコモンモードノイズフィルタ並びにチップトランス
WO2009140220A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for adaptive tuning of wireless power transfer

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7306158B2 (en) * 2001-07-10 2007-12-11 American Express Travel Related Services Company, Inc. Clear contactless card
KR100382765B1 (ko) * 2001-06-15 2003-05-09 삼성전자주식회사 송수신용 수동소자와 그 집적모듈 및 그 제조방법
EP1324255B1 (en) * 2001-12-13 2007-11-14 Symbol Technologies, Inc. Range extension for RFID hand-held mobile computers
US7142596B2 (en) * 2004-06-17 2006-11-28 Vitesse Semiconductor Corporation Integrated circuit implementation for power and area efficient adaptive equalization
DE102006003379B4 (de) * 2006-01-24 2011-02-24 Infineon Technologies Ag Elektrisches Filter
CN104077622B (zh) * 2008-05-26 2016-07-06 株式会社村田制作所 无线ic器件系统及无线ic器件的真伪判定方法
CN201238076Y (zh) * 2008-07-03 2009-05-13 惠州市恒睿电子科技有限公司 一种高频射频识别读写器天线

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09294374A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Hitachi Ltd 電源回路
JP2002175920A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Murata Mfg Co Ltd 高周波用フィルタ素子
JP2005204038A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Fec Inc 識別タグのリーダライタ用アンテナ
JP2005277579A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Kyocera Corp 高周波モジュールおよびそれを用いた通信機器
JP2005306696A (ja) * 2004-04-26 2005-11-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁性フェライトおよびそれを用いたコモンモードノイズフィルタ並びにチップトランス
WO2009140220A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for adaptive tuning of wireless power transfer

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107710628A (zh) * 2015-07-03 2018-02-16 株式会社村田制作所 前端模块
CN107710628B (zh) * 2015-07-03 2020-08-04 株式会社村田制作所 前端模块
WO2018012378A1 (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 株式会社村田製作所 コイルモジュール
WO2018101285A1 (ja) * 2016-11-29 2018-06-07 株式会社村田製作所 磁界結合素子、アンテナ装置および電子機器
JPWO2018101285A1 (ja) * 2016-11-29 2019-01-17 株式会社村田製作所 磁界結合素子、アンテナ装置および電子機器
CN109643837A (zh) * 2016-11-29 2019-04-16 株式会社村田制作所 磁场耦合元件、天线装置以及电子设备
US10903571B2 (en) 2016-11-29 2021-01-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Magnetic field coupling element, antenna device, and electronic equipment
CN109643837B (zh) * 2016-11-29 2021-09-10 株式会社村田制作所 磁场耦合元件、天线装置以及电子设备
JP2019009769A (ja) * 2017-06-26 2019-01-17 株式会社村田製作所 弾性波装置
JPWO2019017098A1 (ja) * 2017-07-21 2019-11-21 株式会社村田製作所 アンテナ結合素子、アンテナ装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20120325916A1 (en) 2012-12-27
GB201214216D0 (en) 2012-09-19
GB2496713A (en) 2013-05-22
JPWO2012032974A1 (ja) 2014-01-20
JP5062372B2 (ja) 2012-10-31
CN102823146A (zh) 2012-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5062372B2 (ja) Ｒｆｉｄモジュールおよびｒｆｉｄデバイス
US9692128B2 (en) Antenna device and wireless communication device
US9997834B1 (en) Antenna device and communication terminal apparatus
US9865924B2 (en) Antenna device and communication terminal apparatus
JP5376060B2 (ja) アンテナ及びｒｆｉｄデバイス
US9558440B2 (en) Wireless IC device
JP5549787B2 (ja) アンテナ装置および通信端末装置
JP5737413B2 (ja) 通信端末装置
US10181637B2 (en) Antenna device and communication apparatus
WO2013183575A1 (ja) アンテナ装置および無線通信装置
US8770489B2 (en) Radio communication device
JP6156465B2 (ja) アンテナ装置および無線通信装置
JP2013141164A (ja) アンテナ装置および通信端末装置
JPWO2019176636A1 (ja) アンテナ装置、通信システム、及び電子機器
JP5655602B2 (ja) アンテナおよびｒｆｉｄデバイス
JP5672415B2 (ja) 通信端末装置
JP5884538B2 (ja) 表面実装型アンテナ

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180016441.5

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2011552116

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11823450

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 1214216

Country of ref document: GB

Kind code of ref document: A

Free format text: PCT FILING DATE = 20110831

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1214216.2

Country of ref document: GB

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11823450

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1