[go: up one dir, main page]

WO2012020062A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Download PDF

Info

Publication number
WO2012020062A1
WO2012020062A1 PCT/EP2011/063788 EP2011063788W WO2012020062A1 WO 2012020062 A1 WO2012020062 A1 WO 2012020062A1 EP 2011063788 W EP2011063788 W EP 2011063788W WO 2012020062 A1 WO2012020062 A1 WO 2012020062A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
protective layer
semiconductor chip
optoelectronic component
hydrophobic groups
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/EP2011/063788
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Karl Weidner
Johann Ramchen
Axel Kaltenbacher
Walter Wegleiter
Bernd Barchmann
Gertrud KRÄUTER
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to US13/816,196 priority Critical patent/US20130193470A1/en
Publication of WO2012020062A1 publication Critical patent/WO2012020062A1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/84—Coatings, e.g. passivation layers or antireflective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/852—Encapsulations
    • H10H20/854—Encapsulations characterised by their material, e.g. epoxy or silicone resins
    • H10W70/60—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/01—Manufacture or treatment
    • H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
    • H10H20/0362—Manufacture or treatment of packages of encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • H10W74/40—

Definitions

  • LED chips such as light emitting diode (LED) chips, may have reduced power due to
  • Contamination of the surface of the semiconductor chip is formed. For example, a portion of the light generated in an LED chip due to absorption of the emitted light by contamination on the surface of the chip
  • Absorption losses which come about through structural conditions in the shape of an LED component, can be reduced, for example, by applying a reflection coating on the substrate of an LED chip. This allows absorption losses through the substrate
  • This measure can be further optimized by means of a planar backfilling reaching up to the upper edge of the chip or casting or embedding of the chip in highly reflective potting material, for example silicone filled with 10 O 2.
  • a problem with this measure is the contamination of the chip surface due to overflow of the chip surface Casting material or by spraying during processing
  • Another object is to provide a method of providing a device including a semiconductor chip whose surface is free from contamination.
  • An optoelectronic component which comprises a substrate, at least one radiation-emitting element
  • Semiconductor chip which is arranged on the substrate, and a potting, which is disposed laterally surrounding the semiconductor chip on the substrate comprises.
  • the diameter of the substrate can thus be greater than the diameter of the semiconductor chip, so that the encapsulation can be arranged on the substrate and around the semiconductor chip.
  • Potting material may include, for example, silicone filled with T1O2.
  • the optoelectronic component can furthermore have a
  • Partial regions is arranged on the semiconductor chip and has an outer surface facing away from the semiconductor chip.
  • the protective layer may comprise a material containing hydrophobic groups which, on the surface of the chip arranged, have the consequence that the surface is not wetted.
  • Substrate remote, and not enclosed by the encapsulated side through the protective layer is present.
  • the device can have a first and second
  • Semiconductor chip may be disposed within a housing.
  • the arrangement of the protective layer "on” the semiconductor chip means that the protective layer is arranged on the side of the semiconductor chip which faces away from the substrate.This arrangement can take place directly on the semiconductor chip, but the term “on” also encompasses the arrangement of the semiconductor chip
  • Protective layer on a further layer or layer sequence which in turn can be arranged on the side facing away from the substrate side of the semiconductor chip.
  • Such a further layer may comprise, for example, a radiation conversion layer.
  • the protective layer makes it possible to provide a encapsulation enclosing the semiconductor chip on the side, which can be designed to be highly reflective of the radiation emitted by the semiconductor chip, without the surface of the encapsulation layer
  • Subareas include
  • the component can thus have an optimized coupling-out efficiency as well as reduced absorption losses.
  • Hydrophobic groups can each have at least one
  • the hydrophobic groups may be contained in a chain-shaped molecule.
  • the material of the protective layer is any material of the protective layer.
  • the material of the protective layer may further contain silane groups which may be functionalized. These can be at the end of a molecular chain, for example a Hydrocarbon chain, may be present, where the CF3 group is not present.
  • a functionalized silane group may form a covalent bond with the semiconductor chip surface or the surface of other layers or layer sequences which may be present on the semiconductor chip, and thus fix the protective layer on the semiconductor chip or on other layers. Is not a silane group
  • the attachment of the protective layer on the semiconductor chip or on other layers may be present, the attachment of the protective layer on the semiconductor chip or on other layers also by
  • the material of the protective layer is therefore at least partially PTFE-like, that is, it contains polytetrafluoroethylene
  • PTFE PTFE similar fluorocarbons, which may contain CF 3 groups, whereby the hydrophobic property is effected.
  • the protective layer may have a thickness selected from the range of 1 to 10 nm.
  • the protective layer may be present in one or more monolayers. One or a few monolayers of the material of the protective layer contain sufficient free volume to increase the mobility of the hydrophobic groups within the material
  • the hydrophobic groups may be on the outer surface of the
  • Protective layer may be present.
  • the protective layer may not be wettable.
  • the non-wettability of the protective layer is also given to the potting material, the first favorably
  • Semiconductor chip is arranged. Thus, there is no or at least a reduced wetting of the side facing away from the substrate side of the semiconductor chip with potting material and a contamination of the semiconductor chip with
  • Non-wettability of the protective layer is determined by the
  • the outer surface of the protective layer may further be at least partially free of hydrophobic groups. Then the protective layer can be wettable. "Free" means in this
  • hydrophobic groups are folded by a short thermal treatment at least partially into the interior of the protective layer, whereby the wettability of the surface increases.
  • materials with relatively low surface tension such as silicones,
  • the outer surface of the protective layer is at least partially free of hydrophobic groups, these may be present within the protective layer or at the interface between the protective layer and the semiconductor chip or between the protective layer and a layer or layer sequence applied to the semiconductor chip.
  • the outer surface of the protective layer is therefore wettable further layers and / or elements of the component,
  • a lens can be applied to the protective layer.
  • Other layers that are applied may comprise conversion layers and layers for protection against environmental or mechanical influences.
  • the wettability of the protective layer, whose hydrophobic groups are not present on the outer surface of the protective layer, may further delaminate the further layers and / or elements of the protective layer applied to the protective layer
  • Component can be prevented.
  • the semiconductor chip may comprise an LED chip.
  • the optoelectronic device is an LED device that can serve to emit visible light.
  • a conversion layer may be present between the semiconductor chip, for example the LED chip, and the protective layer.
  • the conversion layer may be light of a first wavelength transmitted from the semiconductor chip,
  • an LED chip is emitted to convert into a second, different from the first wavelength and thus the overall color impression of the emitted light of
  • the conversion layer can
  • a chip level conversion (CLC) layer include.
  • the protective layer may be formed so that it is removable. For example, it may be soluble in solvents or sensitive to plasma treatments. Thus, the protective layer can be removed, for example, after the potting material is applied and no contamination by potting material can arise more. Applying further layers and / or further elements of the component directly on the semiconductor chip or on a layer, such as a conversion layer, on the
  • the method may include the steps of A) providing a
  • Process step B) applied a non-wettable protective layer, before in step C) a casting laterally of the semiconductor chip on the substrate, the
  • Semiconductor chip has, is applied. This prevents contamination of the semiconductor chip by the non-wettable protective layer, since any splashes of the
  • Substrate remote side of the semiconductor chip allows.
  • the protective layer is wettable, whereby further layers and / or further elements of the Component can be applied to the semiconductor chip.
  • Other layers can be a conversion layer or
  • Layers for protection against environmental or mechanical influences include.
  • Other elements of the device can be any material of the device.
  • a lens for example, comprise a lens.
  • Process step B) also a conversion layer in a process step AI) are applied. Then the
  • Protective layer applied to the conversion layer and thus protects the conversion layer against possible contamination with potting material.
  • the removal of the hydrophobic groups in process step D) can be carried out by detaching the protective layer from the semiconductor chip. If a conversion layer is present on the semiconductor chip, detachment of the protective layer from the
  • the detachment in process step D) can be carried out, for example, by a plasma treatment or by a chemical treatment.
  • a plasma treatment can, for example, by means of a CF4 or a SFg plasma or by a REE (reactive ion) plasma.
  • Chemical detachment can be carried out, for example, by solvents, for example fluorinated hydrocarbons.
  • a detachment of the protective layer causes the
  • Non - wettability of the protective layer does not need to be reversed to further layers and / or elements of the
  • Semiconductor chips can be effectively prevented with potting material.
  • the removal of the hydrophobic groups in process step D) can be effected by heating the protective layer to a temperature which is selected from the range 160 ° C to 170 ° C.
  • the semiconductor chip and the substrate can be heated.
  • the heating can be carried out for a short time, for example a few minutes.
  • Hydrophobic groups can therefore enter the interior of the
  • Protective layer with the conversion layer On the outside surface The protective layer remain in both cases, organic radicals that produce the wettability of the protective layer.
  • the inward folding is effected by molecular movements enabled by chain mobility.
  • the hydrophobic groups at least partially fold inwards. Even if not all hydrophobic groups are folded inwards, the wettability of the surface can be sufficiently increased so that further layers can be applied to the surface.
  • hydrophobic groups can be contained in chain-like molecules and, for example, perfluorinated ones
  • the folding of the hydrophobic groups can be achieved by folding in or folding the chain-shaped molecules of the
  • the protective layer may comprise a thickness consisting of
  • Range 1 to 10 nm is selected. This thickness can be one or a few monolayers of the material of the
  • Protective layer correspond.
  • One or a few monolayers of the material of the protective layer contain sufficient free volume that the mobility of the hydrophobic groups within the material.
  • hydrophobic groups can also after cooling the
  • the protective layer can be applied in process step B) by a process selected from a group comprising jetting, spraying and stamping.
  • Jetting or stamping can target the protective layer
  • the protective layer can be applied, for example, only at the edge of the side facing away from the substrate side of the semiconductor chip, whereby the majority of the chip surface remains free of protective layer. Wetting of the chip surface by potting material, for example silicone, which is filled with T1O2, is prevented.
  • potting material for example silicone, which is filled with T1O2
  • Subareas of the semiconductor chip can be applied.
  • semiconductor chip encloses laterally, the protective layer can either be removed again or made wettable by a temperature treatment.
  • semiconductor chips can be enclosed up to their upper edge by highly reflective potting material by means of a robust and cost-effective method, which leads to an optimized coupling-out efficiency.
  • Figure 1 is a schematic side view of an optoelectronic
  • Figure 2 is a schematic side view of an alternative
  • Figure 3 is a schematic side view of a protective layer
  • Figure 1 shows the schematic side view of a
  • Optoelectronic device on the example of an LED device comprises the substrate 10, which has two vias, through which the first
  • Semiconductor chips 40 in this example an LED chip, possible.
  • the semiconductor chip 40 is enclosed by a potting 70 laterally.
  • the potting 70 may optionally be located within a housing 60.
  • a conversion layer 50 may be arranged on the semiconductor chip 40.
  • Conversion layer 50 has a side facing away from the substrate, on which the protective layer 80 is disposed.
  • the arrangement, not shown here, of the protective layer 80 directly on the semiconductor chip 40 is also possible.
  • the protective layer 80 contains hydrophobic groups which are present on the outer surface 80a of the protective layer 80 when the protective layer 80 is applied. This is the result
  • the encapsulation 70 may be a highly reflective material, for example a silicone, the Ti02 _ contains particles comprising.
  • the substrate 10 has a larger area than that
  • Semiconductor chip can be applied around on the substrate. After application of the potting 70, the
  • Protective layer 80 are treated so that at least partially no hydrophobic groups are present on the outer surface 80a of the protective layer at least partially.
  • the protective layer 80 is wettable, so that further layers and / or elements such as a lens, can be applied.
  • the hydrophobic groups of the protective layer comprise PFTE-type compounds, for example perfluorinated ones
  • the first and second contacts shown here are CPHF contacts (CPHF: compact planar high flux).
  • FIG. 2 shows a further embodiment of an optoelectronic component. All reference symbols are to be understood as in FIG.
  • the protective layer 80 is applied only in edge regions of the surface of the semiconductor chip 40. This can be done for example by jetting or
  • stamping the material of the protective layer 80 done.
  • a large part of the surface of the semiconductor chip 40 or of the conversion layer 50 remains free of material of the protective layer. Nevertheless, due to the non-wettability of the protective layer 80, contamination of the semiconductor chip 40 or of the conversion layer 50 by potting material which sprays during application or overflows over the edge of the semiconductor chip 40 is prevented.
  • the conversion layer 50 is not present on the semiconductor chip 40, it can be applied to the protective layer 80 as soon as it is cured by a temperature treatment
  • the protective layer 80 of FIGS. 1 or 2 may be peeled off (not shown here).
  • a detachment can be achieved, for example, by a plasma or by a chemical treatment,
  • Figure 3 shows a schematic side view of a
  • Protective layer 80 This contains chain-shaped molecules 81 and hydrophobic groups 82, which on the left side of Figure 3 are all on the outer surface 80a (indicated by the
  • the protective layer 80 is located on a surface 85.
  • the hydrophobic groups 82 can at least partially fold into the interior of the protective layer 80, as a result of which the outer surface 80a is largely free of hydrophobic groups and therefore wettable.
  • Embodiments limited, but leaves more

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das eine Schutzschicht (80) umfasst, die ein Material aufweist, das hydrophobe Gruppen enthält. Weiterhin wird ein Verfahren angegeben, mit dem ein optoelektronisches Bauelement hergestellt werden kann, und bei dem eine Schutzschicht (80), die hydrophobe Gruppen aufweist, aufgebracht wird.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
Es wird ein optoelektronisches Bauelement mit einer
Schutzschicht angegeben sowie ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, bei dem eine
Schutzschicht aufgebracht wird.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2010 033 963.6, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Halbleiterchips, beispielsweise Leuchtdioden (LED) -Chips, können eine verminderte Leistung aufweisen, die durch
Kontaminierung der Oberfläche des Halbleiterchips entsteht. So kann beispielsweise ein Anteil des in einem LED-Chip erzeugten Lichtes aufgrund Absorption des emittierten Lichts durch Kontaminierungen auf der Oberfläche des Chips
verlorengehen .
Absorptionsverluste, die durch konstruktive Gegebenheiten in der Formgebung eines LED-Bauelements zustande kommen, können beispielsweise durch Aufbringen einer Reflexionsbeschichtung auf dem Substrat eines LED-Chips vermindert werden. Damit lassen sich Absorptionsverluste durch das Substrat
reduzieren. Weiter optimieren lässt sich diese Maßnahme durch eine flächige, bis an die Chipoberkante reichende Verfüllung beziehungsweise eines Vergusses oder die Einbettung des Chips in hochreflektives Vergussmaterial, zum Beispiel mit 1O2 gefülltes Silikon. Ein Problem bei dieser Maßnahme stellt die Kontaminierung der Chip-Oberfläche durch Überlaufen des Vergussmaterials oder durch Spritzer bei der Prozessierung
Aufgabe einer Aus führungs form der Erfindung ist es, ein Bauelement bereitzustellen, das weitgehend frei von
Kontaminierungen an der Chipoberfläche ist und somit eine verbesserte Leistung aufweist. Eine weitere Aufgabe ist es, ein Verfahren bereitzustellen, mit dem ein Bauelement enthaltend einen Halbleiterchip, dessen Oberfläche frei von Kontaminierungen ist, bereitzustellen. Diese Aufgaben werden durch ein Bauelement und ein Verfahren gemäß den Ansprüchen und 9 gelöst. Weitere Aus führungs formen des Bauelements beziehungsweise des Verfahrens sind Gegenstand abhängiger Ansprüche .
Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben, das ein Substrat, zumindest einen Strahlungsemittierenden
Halbleiterchip, der auf dem Substrat angeordnet ist, und einen Verguss, der auf dem Substrat den Halbleiterchip seitlich umschließend angeordnet ist, umfasst. Der
Durchmesser des Substrats kann somit größer sein als der Durchmesser des Halbleiterchips, so dass der Verguss auf dem Substrat und um den Halbleiterchip herum angeordnet werden kann. Vergussmaterial kann beispielsweise Silikon, das mit T1O2 gefüllt ist, umfassen.
Das optoelektronische Bauelement kann weiterhin eine
Schutzschicht aufweisen, die ganzflächig oder in
Teilbereichen auf dem Halbleiterchip angeordnet ist und eine von dem Halbleiterchip abgewandte Außenfläche aufweist. Die Schutzschicht kann ein Material aufweisen, das hydrophobe Gruppen enthält, die, auf der Oberfläche des Chips angeordnet, zur Folge haben, dass die Oberfläche nicht benetzt wird.
„Ganzflächig" bedeutet in diesem Zusammenhang, dass die
Schutzschicht den Halbleiterschicht auf der von dem Substrat abgewandten, und nicht von dem Verguss umschlossenen Seite vollständig bedeckt. „In Teilbereichen" bedeutet
dementsprechend, dass keine vollständige, sondern nur eine teilweise Bedeckung des Halbleiterchips auf der von dem
Substrat abgewandten, und nicht von dem Verguss umschlossenen Seite durch die Schutzschicht vorliegt.
Weiterhin kann das Bauelement eine erste und zweite
Kontaktierung aufweisen, die elektrisch leitend mit dem
Halbleiterchip verbunden sind. Der Verguss und der
Halbleiterchip können innerhalb eines Gehäuses angeordnet sein .
Die Anordnung der Schutzschicht „auf" dem Halbleiterchip bedeutet, dass die Schutzschicht auf der von dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet ist. Diese Anordnung kann direkt auf dem Halbleiterchip erfolgen. Der Ausdruck „auf" umfasst jedoch auch die Anordnung der
Schutzschicht auf einer weiteren Schicht oder Schichtenfolge, die ihrerseits auf der von dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet sein können. Eine solche weitere Schicht kann beispielsweise eine Strahlungskonversionsschicht umfassen . Die folgenden Ausführungen über die Schutzschicht, die auf der von dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterchips angeordnet ist, beziehen sich auch auf von dem Substrat abgewandte Seiten anderer Schichten oder Schichtenfolgen, die zwischen dem Halbleiterchip und der Schutzschicht vorhanden sein können, auch wenn diese Schichten oder Schichtenfolgen nicht explizit erwähnt werden.
Die Schutzschicht ermöglicht es, einen den Halbleiterchip seitlich umschließenden Verguss, der hochreflektiv für von dem Halbleiterchip emittierte Strahlung ausgestaltet sein kann, bereitzustellen, ohne dass die Oberfläche des
Halbleiterchips von Vergussmaterial kontaminiert wird. Die Kontaminierung wird dadurch verhindert, dass die
Schutzschicht ganzflächig oder in Teilbereichen auf dem
Halbleiterchip vorhanden ist. Teilbereiche umfassen
vorzugsweise die an den Verguss angrenzenden Ränder der von dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterchips.
Damit wird zum einen die Absorption von dem Halbleiterchip emittierter Strahlung durch das Substrat durch das
Vorhandensein des hochreflektiven Vergusses verhindert, andererseits eine Absorption durch Kontaminierung mit
Vergussmaterial der Halbleiterchipoberfläche vermieden. Das Bauelement kann also eine optimierte Auskoppeleffizienz sowie verminderte Absorptionsverluste aufweisen.
Hydrophobe Gruppen können jeweils zumindest einen
perfluorierten Kohlenstoff enthalten. Die hydrophoben Gruppen können in einem kettenförmigen Molekül enthalten sein.
Beispielsweise kann das Material der Schutzschicht
substituierte oder unsubstituierte Kohlenstoffwasserketten aufweisen, an deren einem Ende eine CF -Gruppe vorhanden ist.
Das Material der Schutzschicht kann weiterhin Silangruppen, die funktionalisiert sein können, enthalten. Diese können an dem Ende einer Molekülkette, beispielsweise einer Kohlenwasserstoffkette, vorhanden sein, an der nicht die CF3- Gruppe vorhanden ist. Eine funktionalisierte Silangruppe kann mit der Halbleiterchip-Oberfläche oder der Oberfläche anderer Schichten oder Schichtenfolgen, die auf dem Halbleiterchip vorhanden sein können, eine kovalente Bindung eingehen, und somit die Schutzschicht auf dem Halbleiterchip oder auf anderen Schichten befestigen. Ist keine Silangruppe
vorhanden, kann die Befestigung der Schutzschicht auf dem Halbleiterchip oder auf anderen Schichten auch durch
Wasserstoffbrückenbindungen oder Van-der-Waals- Wechselwirkungen zustande kommen.
Das Material der Schutzschicht ist also zumindest teilweise PTFE-artig, das heißt, es enthält Polytetrafluorethylen
(PTFE) ähnliche Fluorkohlenwasserstoffe, die CF3-Gruppen enthalten können, wodurch die hydrophobe Eigenschaft bewirkt wird .
Die Schutzschicht kann eine Dicke aufweisen, die aus dem Bereich 1 bis 10 nm ausgewählt ist. Die Schutzschicht kann in einer oder mehreren Monolagen vorhanden sein. Eine oder einige wenige Monolagen des Materials der Schutzschicht enthalten ausreichend freies Volumen, um die Beweglichkeit der hydrophoben Gruppen innerhalb des Materials zu
ermöglichen.
Die hydrophoben Gruppen können an der Außenfläche der
Schutzschicht vorhanden sein. Die Schutzschicht kann nicht benetzbar sein. Wenn die hydrophoben Gruppen an der
Außenfläche der Schutzschicht vorhanden sind, bewirken sie die Nichtbenetzbarkeit der Schutzschicht, die somit abweisend gegenüber anderen Materialien wirkt. Die Nichtbenetzbarkeit der Schutzschicht ist auch gegenüber dem Vergussmaterial gegeben, das günstigerweise erst
aufgebracht wird, nachdem die Schutzschicht auf dem
Halbleiterchip angeordnet wird. Somit findet keine oder zumindest eine verminderte Benetzung der von dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterchips mit Vergussmaterial statt und eine Kontaminierung des Halbleiterchips mit
Vergussmaterial wird verhindert oder vermindert. Die
Nichtbenetzbarkeit der Schutzschicht wird durch die
hydrophoben Gruppen und dadurch erzielte niedrige
Oberflächenenergie ermöglicht.
Die Außenfläche der Schutzschicht kann weiterhin zumindest teilweise frei von hydrophoben Gruppen sein. Dann kann die Schutzschicht benetzbar sein. „Frei" bedeutet in diesem
Zusammenhang, dass hydrophobe Gruppen durch eine kurze thermische Behandlung zumindest teilweise in das Innere der Schutzschicht geklappt sind, wodurch die Benetzbarkeit der Oberfläche ansteigt. So können beispielsweise Materialien mit relativ niedriger Oberflächenspannung, wie Silikone,
aufgebracht werden, ohne dass es zu einer Delamination kommt.
Wenn die Außenfläche der Schutzschicht zumindest teilweise frei von hydrophoben Gruppen ist, können diese innerhalb der Schutzschicht oder an der Grenzfläche zwischen Schutzschicht und Halbleiterchip bzw. zwischen Schutzschicht und einer auf dem Halbleiterchip aufgebrachten Schicht oder Schichtenfolge vorhanden sein Damit ist die Außenfläche der Schutzschicht benetzbar, womit weitere Schichten und/oder Elemente des Bauelements,
beispielsweise eine Linse, auf die Schutzschicht aufgebracht werden können. Weitere Schichten, die aufgebracht werden, können Konversionsschichten und Schichten zum Schutz vor Umwelt- oder mechanischen Einflüssen umfassen. Durch die Benetzbarkeit der Schutzschicht, deren hydrophobe Gruppen nicht an der Außenfläche der Schutzschicht vorhanden sind, kann weiterhin ein Delaminieren der auf der Schutzschicht aufgebrachten weiteren Schichten und/oder Elemente des
Bauelements verhindert werden.
Der Halbleiterchip kann einen LED-Chip umfassen. Dann ist das Optoelektronische Bauelement ein LED-Bauelement, das zur Emission von sichtbarem Licht dienen kann.
Zwischen dem Halbleiterchip, beispielsweise dem LED-Chip, und der Schutzschicht kann weiterhin eine Konversionsschicht vorhanden sein. Die Konversionsschicht kann Licht einer ersten Wellenlänge, das von dem Halbleiterchip,
beispielsweise einem LED-Chip emittiert wird, in eine zweite, von der ersten unterschiedliche Wellenlänge konvertieren und somit den Gesamtfarbeindruck des emittierten Lichts des
Bauelements verändern. Die Konversionsschicht kann
beispielsweise eine Chip-level-conversion (CLC) -Schicht umfassen .
Die Schutzschicht kann so ausgeformt sein, dass sie ablösbar ist. Beispielsweise kann sie in Lösungsmitteln löslich sein, oder sensitiv gegenüber Plasmabehandlungen sein. Damit kann die Schutzschicht beispielsweise abgelöst werden, nachdem die das Vergussmaterial aufgebracht ist und keine Kontaminierung durch Vergussmaterial mehr entstehen kann. Ein Aufbringen weiterer Schichten und/oder weiterer Elemente des Bauelements direkt auf den Halbleiterchip oder auch auf eine Schicht, beispielsweise eine Konversionsschicht, die auf dem
Halbleiterchip vorhanden ist, wird somit ermöglicht. Es wird weiterhin ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben. Das Verfahren kann die Verfahrensschritte A) Bereitstellen eines
strahlungsemittierenden Halbleiterchips, der auf einem
Substrat angeordnet ist, B) Aufbringen einer Schutzschicht auf den Halbleiterchip, wobei die Schutzschicht eine von dem Halbleiterchip abgewandte Außenfläche und zumindest an der Außenfläche hydrophobe Gruppen aufweist, C) Aufbringen eines Vergusses auf das Substrat, der den Halbleiterchip seitlich umschließt, und D) Entfernen der hydrophoben Gruppen von der Außenfläche der Schutzschicht oder von dem Bauelement.
Durch das Aufbringen der Schutzschicht, die an ihrer
Außenfläche hydrophobe Gruppen aufweist, wird im
Verfahrensschritt B) eine nicht benetzbare Schutzschicht aufgebracht, bevor im Verfahrensschritt C) ein Verguss seitlich des Halbleiterchips auf dem Substrat, das
günstigerweise einen größeren Durchmesser als der
Halbleiterchip aufweist, aufgebracht wird. Damit wird eine Kontaminierung des Halbleiterchips durch die nicht benetzbare Schutzschicht verhindert, da etwaige Spritzer des
Vergussmaterials oder ein Überlaufen des Vergussmaterials über den Halbleiterchip hinweg keine Benetzung des
Halbleiterchips mit Vergussmaterial nach sich zieht.
Dies wird sowohl durch ein Aufbringen der Schutzschicht auf die vollständige Oberfläche des Halbleiterchips als auch auf Teilbereiche, beispielsweise Randbereiche der von dem
Substrat abgewandten Seite des Halbleiterchips ermöglicht.
Durch das Entfernen der hydrophoben Gruppen im
Verfahrensschritt D) wird die Schutzschicht benetzbar, wodurch weitere Schichten und/oder weitere Elmente des Bauelements auf den Halbleiterchip aufgebracht werden können. Weitere Schichten können eine Konversionsschicht oder
Schichten zum Schutz vor Umwelt- oder mechanischen Einflüssen umfassen. Weitere Elemente des Bauelements können
beispielsweise eine Linse umfassen. Auf dem Halbleiterchip kann vor dem Aufbringen einer Schutzschicht im
Verfahrensschritt B) auch eine Konversionsschicht in einem Verfahrensschritt AI) aufgebracht werden. Dann wird die
Schutzschicht auf die Konversionsschicht aufgebracht und schützt somit die Konversionsschicht vor einer möglichen Kontaminierung mit Vergussmaterial.
Mit diesem Verfahren wird also eine Schutzschicht mit einer reversiblen Nichtbenetzbarkeit aufgebracht, wodurch das umkomplizierte Aufbringen weiterer Schichten und/oder
Elemente und ein gleichzeitiger Schutz vor Kontaminierung mit Vergussmaterial ermöglicht wird. Durch die Nichtbenetzbarkeit der Schutzschicht wird die Kontaminierung mit Vergussmaterial verhindert oder vermindert, wodurch Absorptionsverluste der emittierten Strahlung des Halbleiterchips vermieden werden können. Dadurch wird das Aufbringen des Vergussmaterials robuster und schneller, was sich auf niedrigere Prozesskosten auswirken kann.
Das Entfernen der hydrophoben Gruppen im Verfahrensschritt D) kann durch Ablösen der Schutzschicht von dem Halbleiterchip erfolgen. Ist auf dem Halbleiterchip eine Konversionsschicht vorhanden, kann ein Ablösen der Schutzschicht von der
Konversionsschicht erfolgen.
Das Ablösen im Verfahrensschritt D) kann beispielsweise durch eine Plasmabehandlung oder durch eine chemische Behandlung erfolgen. Eine Plasmabehandlung kann beispielsweise mittels eines CF4- oder eines SFg-Plasmas beziehungsweise durch ein REE (reactive ion) -Plasma durchgeführt werden. Eine
chemische Ablösung kann beispielsweise durch Lösungsmittel, beispielsweise fluorierte Kohlenwasserstoffe, erfolgen. Ein Ablösen der Schutzschicht bewirkt, dass die
Nichtbenetzbarkeit der Schutzschicht nicht rückgängig gemacht werden muss, um weitere Schichten und/oder Elemente des
Bauelements aufbringen zu können. Die Ablösung erfolgt erst, nachdem das Vergussmaterial seitlich des Halbleiterchips aufgebracht wurde, sodass die Kontaminierung des
Halbleiterchips mit Vergussmaterial wirksam verhindert werden kann .
Das Entfernen der hydrophoben Gruppen im Verfahrensschritt D) kann durch Erhitzen der Schutzschicht auf eine Temperatur, die aus dem Bereich 160°C bis 170°C ausgewählt ist, erfolgen. Dabei können auch der Halbleiterchip und das Substrat erhitzt werden. Das Erhitzen kann für kurze Zeit, beispielsweise einige Minuten, durchgeführt werden.
Während des Erhitzens können die hydrophoben Gruppen
zumindest teilweise von der Außenfläche der Schutzschicht in Richtung des Inneren der Schutzschicht klappen. Die
hydrophoben Gruppen können also in das Innere der
Schutzschicht und/oder bis zur Grenzfläche der Schutzschicht mit dem Halbleiterchip bzw. der Grenzfläche der Schutzschicht mit einer Schicht, die auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, klappen . Ist auf dem Halbleiterchip eine Konversionsschicht vorhanden, so erfolgt das Klappen der hydrophoben Gruppen in das Innere der Schutzschicht und/oder bis zur Grenzfläche der
Schutzschicht mit der Konversionsschicht. Auf der Außenfläche der Schutzschicht verbleiben in beiden Fällen organische Reste, die die Benetzbarkeit der Schutzschicht herstellen. Das Klappen nach innen wird durch Molekülbewegungen, die durch die Kettenbeweglichkeit ermöglicht sind, bewirkt. Die hydrophoben Gruppen klappen zumindest teilweise nach innen. Auch wenn nicht alle hydrophoben Gruppen nach innen geklappt sind, kann die Benetzbarkeit der Oberfläche ausreichend erhöht sein, so dass weitere Schichten auf die Oberfläche aufgebracht werden können.
Die hydrophoben Gruppen können in kettenförmigen Molekülen enthalten sein und beispielsweise perfluorierte
Kohlenwasserstoffe umfassen, wie es oben für die
Schutzschicht des optoelektronischen Bauelements beschrieben wurde. Das Klappen der hydrophoben Gruppen kann durch ein Einklappen oder Falten der kettenförmigen Moleküle des
Materials der Schutzschicht erfolgen.
Somit können auf die benetzbar gemachte Schutzschicht weitere Schichten und/oder Elemente des Bauelements aufgebracht werden, und ein Delaminieren dieser Schichten oder Elemente vermieden werden.
Folgeprozesse nach dem Aufbringen des Vergusses können also unter Verbleib der Schutzschicht auf dem Halbleiterchip erfolgen, da deren Benetzbarkeit hergestellt ist.
Die Schutzschicht kann eine Dicke umfassen, die aus dem
Bereich 1 bis 10 nm ausgewählt ist. Diese Dicke kann einer oder einigen wenigen Monolagen des Materials der
Schutzschicht entsprechen. Eine oder einige wenige Monolagen des Materials der Schutzschicht enthalten genügend freies Volumen, das die Beweglichkeit der hydrophoben Gruppen innerhalb des Materials ermöglicht. Die eingeklappten
hydrophoben Gruppen können auch nach Abkühlen der
Schutzschicht bzw. des Bauelements nicht mehr an die
Außenfläche der Schutzschicht zurück klappen. Die
Benetzbarkeit der Schutzschicht ist somit stabilisiert.
Die Schutzschicht kann im Verfahrensschritt B) durch ein Verfahren aufgebracht werden, dass ausgewählt ist aus einer Gruppe, die Jetten, Sprühen und Stempeln umfasst. Durch
Jetten oder Stempeln kann die Schutzschicht gezielt
aufgebracht werden, beispielsweise nur in Teilbereichen der Oberfläche des Halbleiterchips. Somit kann die Schutzschicht beispielsweise nur am Rand der von dem Substrat abgewandten Seite des Halbleiterchips aufgebracht werden, wodurch der Großteil der Chipoberfläche frei von Schutzschicht bleibt. Ein Benetzen der Chipoberfläche durch Vergussmaterial, beispielsweise Silikon, das mit T1O2 gefüllt ist, wird verhindert . Es wird also ein Verfahren bereitgestellt, bei dem die
Schutzschicht vollständig, also ganzflächig, oder auf
Teilbereiche des Halbleiterchips aufgebracht werden kann.
Nach dem Aufbringen des Vergussmaterials, das den
Halbleiterchip seitlich umschließt, kann die Schutzschicht entweder wieder entfernt oder durch eine Temperaturbehandlung benetzbar gemacht werden. Somit können Halbleiterchips bis an ihre Oberkante von hochreflektivem Vergussmaterial mittels eines robusten und kostengünstigen Verfahrens umschlossen werden, was zu einer optimierten Auskoppeleffizienz führt. Die Kontaminierung des Halbleiterchips beziehungsweise gegebenenfalls der Konversionsschicht auf dem Halbleiterchip, mit hochreflektivem Vergussmaterial wird unterbunden, wodurch keine oder verminderte Absorptionsverluste auftreten.
Im Folgenden wird anhand der Figurenbeschreibung einige
Aus führungs formen Erfindung näher erläutert.
Figur 1 schematische Seitenansicht eines optoelektronischen
Bauelements ,
Figur 2 schematische Seitenansicht einer alternativen
Aus führungs form eines optoelektronischen Bauelements .
Figur 3 schematische Seitenansicht einer Schutzschicht
Figur 1 zeigt die schematische Seitenansicht eines
optoelektronischen Bauelements am Beispiel eines LED- Bauelements. Das Bauelement umfasst das Substrat 10, das zwei Durchkontaktierungen aufweist, durch die die erste
Kontaktierung 20 und die zweite Kontaktierung 30
hindurchgeführt werden. Mit den beiden Kontaktierungen ist die elektrische Kontaktierung von zwei Seiten des
Halbleiterchips 40, in diesem Beispiel ein LED-Chip, möglich.
Der Halbleiterchip 40 ist von einem Verguss 70 seitlich umschlossen. Der Verguss 70 kann sich optional innerhalb eines Gehäuses 60 befinden. Auf dem Halbleiterchip 40 kann eine Konversionsschicht 50 angeordnet sein. Die
Konversionsschicht 50 weist eine von dem Substrat abgewandte Seite auf, auf der die Schutzschicht 80 angeordnet ist. Die hier nicht gezeigte Anordnung der Schutzschicht 80 direkt auf dem Halbleiterchip 40 ist ebenso möglich. Die Schutzschicht 80 enthält hydrophobe Gruppen, die beim Aufbringen der Schutzschicht 80 an der Außenfläche 80a der Schutzschicht 80 vorhanden sind. Dadurch ist die
Schutzschicht nicht benetzbar und verhindert somit eine
Kontaminierung des Halbleiterchips 40 mit Vergussmaterial, wenn der Verguss 70 nach dem Aufbringen der Schutzschicht 80 erfolgt. Der Verguss 70 kann ein hochreflektives Material, beispielsweise ein Silikon, das Ti02_Partikel enthält, umfassen .
Das Substrat 10 weist eine größere Fläche auf als der
Halbleiterchip 40, sodass der Verguss 70 um den
Halbleiterchip herum auf dem Substrat aufgebracht werden kann. Nach dem Aufbringen des Vergusses 70 kann die
Schutzschicht 80 so behandelt werden, dass an der Außenfläche 80a der Schutzschicht zumindest teilweise keine hydrophoben Gruppen mehr vorhanden sind. Damit ist die Schutzschicht 80 benetzbar, so dass weitere Schichten und/oder Elemente wie beispielsweise eine Linse, aufgebracht werden können.
Die hydrophoben Gruppen der Schutzschicht umfassen PFTE- artige Verbindungen, beispielsweise perfluorierte
Kohlenwasserstoffe. Die Bindung der Schutzschicht 80 an die Oberfläche des Halbleiterchips beziehungsweise der
Konversionsschicht erfolgt kovalent, durch
Wasserstoffbrückenbindungen oder durch Van-der-Waals- WechselWirkungen .
Die hier gezeigte erste und zweite Kontaktierung sind CPHF- Kontakte (CPHF: compact planar high flux) . Alternative
Kontaktierungen, beispielsweise mittels Bonddraht, die hier nicht gezeigt sind, sind ebenso denkbar. Figur 2 zeigt eine weitere Aus führungs form eines optoelektronischen Bauelements. Sämtliche Bezugszeichen sind wie in Figur 1 zu verstehen. Hier ist die Schutzschicht 80 nur in Randbereichen der Oberfläche des Halbleiterchips 40 aufgebracht. Dies kann beispielsweise durch Jetten oder
Stempeln des Materials der Schutzschicht 80 geschehen. In dieser Aus führungs form bleibt ein Großteil der Oberfläche des Halbleiterchips 40 beziehungsweise der Konversionsschicht 50 frei von Material der Schutzschicht. Dennoch wird durch die Nichtbenetzbarkeit der Schutzschicht 80 eine Kontamination des Halbleiterchips 40 beziehungsweise der Konversionsschicht 50 durch Vergussmaterial, das beim Aufbringen spritzt oder über den Rand des Halbleiterchips 40 hinweg überläuft, verhindert .
Ist die Konversionsschicht 50 nicht auf dem Halbleiterchip 40 vorhanden, kann sie auf die Schutzschicht 80 aufgebracht werden, sobald diese durch eine Temperaturbehandlung
benetzbar gemacht wurde.
Die Schutzschicht 80 der Figuren 1 oder 2 kann, nachdem der Verguss 70 aufgebracht wurde, alternativ auch abgelöst werden (hier nicht gezeigt) . Eine Ablösung kann beispielsweise durch ein Plasma oder durch eine chemische Behandlung,
beispielsweise mittels eines Lösungsmittels, erfolgen. Nach Ablösen der Schutzschicht 80 kann auf die Oberfläche des Halbleiterchips 40 oder der Konversionsschicht 50 weitere Schichten und/oder Elemente des Bauelements (hier nicht gezeigt) aufgebracht werden. Solche Schichten umfassen
Konversionsschichten, oder Schichten zum Schutz vor
mechanischen oder Umwelteinflüssen. Ein Element, das noch aufgebracht werden könnte, wäre beispielsweise eine Linse (hier nicht gezeigt) . Figur 3 zeigt eine schematische Seitenansicht einer
Schutzschicht 80. Diese enthält kettenförmige Moleküle 81 und hydrophobe Gruppen 82, die auf der linken Seite der Figur 3 alle an der Außenfläche 80a (angedeutet durch die
gestrichelte Linie) der Schutzschicht 80 angeordnet sind. Die Schutzschicht befindet sich auf einer Oberfläche 85. Durch Temperatureinwirkung T können die hydrophoben Gruppen 82 zumindest teilweise in das Innere der Schutzschicht 80 klappen, womit die Außenfläche 80a weitgehend frei von hydrophoben Gruppen und damit benetzbar ist.
Die Erfindung ist nicht auf die hier gezeigten
Ausführungsbeispiele beschränkt, sondern lässt weitere
Aus führungs formen sowie Kombinationen davon zu.

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement, umfassend
- ein Substrat (40) ,
- zumindest einen Strahlungsemittierenden Halbleiterchip (40), der auf dem Substrat (10) angeordnet ist,
- einen Verguss (70), der auf dem Substrat (10) den
Halbleiterchip (40) seitlich umschließend angeordnet ist, und - eine Schutzschicht (80), die vollständig oder in
Teilbereichen auf dem Halbleiterchip (40) angeordnet ist und eine von dem Halbleiterchip (40) abgewandte Außenfläche (80a) aufweist,
wobei die Schutzschicht (80) ein Material aufweist, das hydrophobe Gruppen enthält.
2. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die hydrophoben Gruppen jeweils zumindest einen perfluorierten Kohlenstoff enthalten.
3. Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schutzschicht (80) eine Dicke aufweist, die aus dem Bereich 1 bis 10 nm ausgewählt ist .
4. Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, wobei die hydrophoben Gruppen an der Außenfläche (80a) der Schutzschicht (80) vorhanden sind und die Schutzschicht (80) nicht benetzbar ist.
5. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Außenfläche (80a) der Schutzschicht (80) zumindest teilweise frei von hydrophoben Gruppen ist und die Schutzschicht (80) benetzbar ist.
6. Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, wobei der Halbleiterchip (40) einen LED-Chip umfasst.
7. Optoelektronisches Bauelement nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei zwischen dem LED-Chip (40) und der
Schutzschicht (80) eine Konversionsschicht (50) angeordnet ist .
8. Optoelektronisches Bauelement nach einem der
vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schutzschicht (80) ablösbar ist.
9. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen
Bauelements mit den Verfahrensschritten
A) Bereitstellen eines Strahlungsemittierenden
Halbleiterchips (40), der auf einem Substrat (10) angeordnet ist,
B) Aufbringen einer Schutzschicht (80) auf den Halbleiterchip (40), wobei die Schutzschicht (80) eine von dem
Halbleiterchip (40) abgewandte Außenfläche (80a) und
zumindest an der Außenfläche (80a) hydrophobe Gruppen
aufweist,
C) Aufbringen eines Vergusses (70) auf das Substrat (10), der den Halbleiterchip (40) seitlich umschließt,
D) Entfernen der hydrophoben Gruppen von der Außenfläche (80a) der Schutzschicht (80) oder von dem Bauelement.
10. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei der Verfahrensschritt D) durch Ablösen der Schutzschicht (80) von dem Halbleiterchip (40) erfolgt.
11. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Schutzschicht (80) durch eine Plasmabehandlung oder durch eine chemische Behandlung abgelöst wird.
12. Verfahren nach Anspruch 9, wobei im Verfahrensschritt D) die Schutzschicht (80) auf eine Temperatur, die aus dem Bereich 160°C bis 170°C ausgewählt ist, erhitzt wird.
13. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die hydrophoben Gruppen von der Außenfläche (80a) der
Schutzschicht (80) in Richtung des Inneren der Schutzschicht (80) klappen.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei die Schutzschicht (80) im Verfahrensschritt B) durch ein
Verfahren aufgebracht wird, das ausgewählt ist aus einer Gruppe, die Jetten, Sprühen und Stempeln umfasst.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei die Schutzschicht (80) im Verfahrensschritt B) auf Teilbereiche oder ganzflächig auf den Halbleiterchip (40) aufgebracht wird .
PCT/EP2011/063788 2010-08-11 2011-08-10 Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements Ceased WO2012020062A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/816,196 US20130193470A1 (en) 2010-08-11 2011-08-10 Optoelectronic Component and Method for Producing an Optoelectronic Component

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010033963.6 2010-08-11
DE102010033963A DE102010033963A1 (de) 2010-08-11 2010-08-11 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012020062A1 true WO2012020062A1 (de) 2012-02-16

Family

ID=44587795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2011/063788 Ceased WO2012020062A1 (de) 2010-08-11 2011-08-10 Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130193470A1 (de)
DE (1) DE102010033963A1 (de)
WO (1) WO2012020062A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2606510B1 (de) * 2010-08-17 2017-05-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102010033963A1 (de) 2010-08-11 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
DE102011113428A1 (de) 2011-09-14 2013-03-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
DE102012102420B4 (de) * 2012-03-21 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
DE102012113003A1 (de) * 2012-12-21 2014-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil
DE102013202910A1 (de) * 2013-02-22 2014-09-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102013202906A1 (de) * 2013-02-22 2014-08-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
DE102016208489A1 (de) * 2016-05-18 2017-11-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil
DE102016113490A1 (de) * 2016-07-21 2018-01-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Plättchen für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE112018008090B4 (de) * 2018-10-22 2025-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauelementen undoptoelektronisches halbleiterbauelement
US11239397B2 (en) * 2019-12-11 2022-02-01 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Breathable and waterproof micro light emitting diode display
US12027649B2 (en) 2019-12-11 2024-07-02 Mikro Mesa Technology Co., Ltd. Breathable micro light emitting diode display
DE102021127919A1 (de) 2021-10-27 2023-04-27 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Herstellungsverfahren und optoelektronisches halbleiterbauteil

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5972556A (en) * 1995-09-14 1999-10-26 Agfa-Gevaert N.V. Thermographic and photothermographic materials for producing lithographic printing elements and processes therefor
US20070045800A1 (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Brian King Opto-coupler with high reverse breakdown voltage and high isolation potential
WO2010035206A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Coated light emitting device and method for coating thereof
US20100176417A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package structure and method for fabricating the same
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
DE102010033963A1 (de) 2010-08-11 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5888850A (en) * 1997-09-29 1999-03-30 International Business Machines Corporation Method for providing a protective coating and electronic package utilizing same
US6794751B2 (en) * 2001-06-29 2004-09-21 Intel Corporation Multi-purpose planarizing/back-grind/pre-underfill arrangements for bumped wafers and dies
EP2154713B1 (de) * 2008-08-11 2013-01-02 Sensirion AG Verfahren zur Herstellung einer Messvorrichtung mit einer Spannungsverminderungsschicht
DE102008057350A1 (de) * 2008-11-14 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20120164818A1 (en) * 2010-12-28 2012-06-28 Central Glass Company, Limited Process for Cleaning Wafers

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5972556A (en) * 1995-09-14 1999-10-26 Agfa-Gevaert N.V. Thermographic and photothermographic materials for producing lithographic printing elements and processes therefor
US20070045800A1 (en) * 2005-08-19 2007-03-01 Brian King Opto-coupler with high reverse breakdown voltage and high isolation potential
WO2010035206A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Coated light emitting device and method for coating thereof
US20100176417A1 (en) * 2009-01-15 2010-07-15 Everlight Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package structure and method for fabricating the same
US20100181582A1 (en) * 2009-01-22 2010-07-22 Intematix Corporation Light emitting devices with phosphor wavelength conversion and methods of manufacture thereof
DE102010033963A1 (de) 2010-08-11 2012-02-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2606510B1 (de) * 2010-08-17 2017-05-03 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements

Also Published As

Publication number Publication date
DE102010033963A1 (de) 2012-02-16
US20130193470A1 (en) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012020062A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112015005762B4 (de) Lichtemittierende Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102015105990B4 (de) Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
DE112016000533B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und Halbleiterbauelement
DE102015112538B4 (de) Optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
EP1911104B1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen und dünnfilm-halbleiterbauelement
DE102010031945A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
WO2015071109A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauelementen und optoelektronisches halbleiterbauelement
WO2015074824A1 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauelementen und optoelektronisches halbleiterbauelement
DE102013113469A1 (de) Flip-chip-wafer-level-baueinheit und diesbezügliche verfahren
DE102014100772B4 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
WO2014041165A1 (de) Verfahren zur fixierung einer matrixfreien elektrophoretisch abgeschiedenen schicht auf einem halbleiterchip für die herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauelements und strahlungsemittierendes halbleiterbauelement
WO2016087656A1 (de) Konversionselement, optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung von konversionselementen
DE102006019118B4 (de) Bauelement mit optischer Markierung und Verfahren zur Herstellung
DE102016103059A1 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
WO2017016953A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements und ein bauelement
EP2486604B1 (de) Kontaktierung eines optoelektronischen halbleiterbauteils durch konversionselement
DE102013106309A1 (de) Vorrichtungskontakt, Gehäuse einer elektrischen Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Gehäuses einer elektrischen Vorrichtung
DE102013101598B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102011014845B4 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauteils
EP2132792B1 (de) Verfahren zum herstellen eines lumineszenzdiodenchips und lumineszenzdiodenchip
WO2011026456A1 (de) Optoelektronisches modul aufweisend zumindest einen ersten halbleiterkörper mit einer strahlungsaustrittsseite und einer isolationsschicht und verfahren zu dessen herstellung
DE112020000393B4 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE102019109586A1 (de) Elektronisches bauelement und verfahren zur montage eines elektronischen bauelements
WO2020038723A1 (de) Optoelektronisches bauteil und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauteils

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11752139

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13816196

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11752139

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1