WO2012001728A1 - 有機el表示パネル、有機el表示パネルを備えた表示装置、および有機el表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

　基板と、前記基板上に形成された下部電極１０３と、前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記下部電極と離間した領域に形成された補助電極１０４と、前記基板の上方であって、前記下部電極の補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成された隔壁１０６と、前記下部電極の上方に形成された有機発光層１０８と、前記有機発光層上、前記隔壁上、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域、及び前記補助電極上に形成された電荷中間層１０９と、前記電荷中間層上に形成された上部電極１１０と、を含み、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚く、前記補助電極の側面は、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域に接触している有機EL表示パネル。

Description

有機EL表示パネル、有機EL表示パネルを備えた表示装置、および有機EL表示パネルの製造方法

　本発明は、有機EL表示パネル、有機EL表示パネルを備えた表示装置、および有機EL表示パネルの製造方法に関する。

　近年、研究・開発が進んでいる有機EL表示パネルは、有機材料の電界発光現象を利用した表示パネルである。同パネルは、下部電極（陽極）及び上部電極（陰極）の電極対の間に有機発光層が介挿された構造を有している。

　トップエミッション型の有機EL表示パネルでは、上部電極として光透過性の材料であるITO（酸化インジウムスズ）やIZO（酸化インジウム亜鉛）が一般的に利用される。これらは、例えば下部電極に利用されるAl（アルミニウム）等に比べ高抵抗であるため、有機EL表示パネルにおいて上部電極での電圧降下による輝度のばらつきが生じる。具体的には、上部電極の端子付近（有機EL表示パネルの端部）よりも当該端子から離れた部分（有機EL表示パネルの中央部）の方が暗くなる。特に近年、有機EL表示パネルの大型化が進んでおり、これに伴って、輝度のばらつきが顕著になっている。

　そこで、有機EL表示パネルにおいて、電圧降下による輝度のばらつきを軽減するために、上部電極に対して電圧供給を図る補助電極を配置する構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

　補助電極が配置された有機EL表示パネルの構成の一例について説明する。図１８は、補助電極が配置された有機EL表示パネル１０００の構成の一例を示す部分断面図である。図１８に示すように、有機EL表示パネル１０００では、TFT（薄膜トランジスタ）（不図示）等が形成された基板２０１上に平坦化層２０２が形成され、平坦化層２０２上で、かつ、当該平坦化層２０２表面に沿って互いに離れた位置に、下部電極２０３と補助電極２０４とが形成されている。有機EL表示パネル１０００においては、下部電極２０３が形成された領域が画素部１０００ａ、補助電極２０４が形成された領域が非画素部１０００ｂである。画素部１０００ａと非画素部１０００ｂとの間には、バンク２０６が形成されており、このバンク２０６は、下部電極２０３及び補助電極２０４の側部上面に乗り上げている。

　画素部１０００ａでは、バンク２０６で規定された領域内において、下部電極２０３上に、ホール輸送性を有する電荷中間層であるホール輸送層２０７、有機発光層２０８、電子輸送性を有する電荷中間層である電子輸送層２０９、および上部電極２１０が順に積層形成されている。電子輸送層２０９及び上部電極２１０は、バンク２０６を乗り越えて、隣接する非画素部１０００ｂにも連続して形成されている。非画素部１０００ｂでは、上部電極２１０が、電子輸送層２０９を介して、バンク２０６に覆われていない補助電極２０４の上面部分に接している。

　有機EL表示パネル１０００では、陰極２１０は封止層２１１で覆われている。

特開２００２－３５２９６３号公報

　ところで、補助電極２０４が電子輸送層２０９を介して上部電極２１０と接しているのは、製造プロセス及び製造コストを増やさないために表示パネル全体に一括して電子輸送層２０９を形成しているためであり、補助電極２０４と上部電極２１０との間に電子輸送層２０９が介在している技術的意義はない。むしろ、補助電極２０４の役割の観点から見ると、補助電極２０４上に形成された電子輸送層２０９は不要である。なぜなら、電子輸送層２０９は高抵抗の半導体材料であるため、補助電極２０４と上部電極２１０との間に電子輸送層２０９が介在していることにより、補助電極２０４と上部電極２１０との間の電気抵抗が高くなるからである。

　補助電極２０４と上部電極２１０との間の電気抵抗を低減させるために、有機EL表示パネルの製造プロセスにおいて、補助電極２０４上に電子輸送層２０９が形成されないようパターニングすることも考えられるが、この方法ではコストの上昇を招き、好ましくない。

　本発明は、補助電極上の電荷中間層を排除することなく、すなわち表示パネル全体に一括して電荷中間層を形成しつつ、上部電極に対する電圧供給を行う際の電気抵抗を低減した有機EL表示パネルを提供することを目的とする。

　上記課題を解決するために、本発明の一態様に係る有機EL表示パネルは、基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記下部電極と離間した領域に形成された補助電極と、前記基板の上方であって、前記下部電極の補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成された隔壁と、前記下部電極の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層上、前記隔壁上、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域、及び前記補助電極上に形成された電荷中間層と、前記電荷中間層上に形成された上部電極と、を含み、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚く、前記補助電極の側面は、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域に接触しているとした。

　本発明の一態様に係る有機EL表示パネルでは、隔壁が、前記下部電極の前記補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成されており、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域に電荷中間層が形成されている。

　したがって、前記補助電極の側面が前記隔壁に覆われずに、前記電荷中間層が補助電極の側面に接触することになる。

　また、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚くなっているので、前記補助電極の側面において前記電荷中間層から露出した領域が生じ、この領域に前記上部電極が直接接触している。

　前記補助電極の側面において、前記電荷中間層を介さずに前記上部電極と直接接触するので、補助電極上に電荷中間層が形成されていても、前記上部電極に電圧を供給する際の電気抵抗を低減することができる。

　上述のように、本態様に係る有機EL表示パネルでは、前記上部電極が前記補助電極の側面で接触する構成のため、補助電極上に形成される電荷中間層をパターニングにより排除することなく、すなわち、製造工程を増やすことなく、電気抵抗の低減を実現することができる。

実施の形態１の表示装置１の全体構成を模式的に示すブロック図である。 実施の形態１の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。 実施の形態１の有機EL表示パネル１０における陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１０６の配置関係を模式的に示す図である。 実施の形態１の有機EL表示パネル１０の製造工程の一例を示す図である。 実施の形態１の有機EL表示パネル１０の製造工程のうち図４に示す工程に後続する部分の一例を示す図である。 実施の形態１の有機EL表示パネル１０の製造工程のうち図５に示す工程に後続する部分の一例を示す図である。 スパッタ法を用いた陰極１１０の形成方法を示す図である。 変形例１－１の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。 変形例１－２の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図及び一部拡大図である。 変形例１－２の有機EL表示パネル１０の製造工程の一例を示す図である。 変形例１－３の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。 変形例１－４の有機EL表示パネル１０における陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１０６の配置関係を模式的に示す図である。 変形例１－４の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。 変形例１－５の有機EL表示パネル１０における陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１４１の配置関係を模式的に示す図である。 変形例１－５の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。 変形例１－６の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。 表示装置１の外観を示す外観斜視図である。 補助電極が配置された有機EL表示パネル１０００の構成の一例を示す部分断面図である。

　　［実施の態様］
　本発明の一態様である有機EL表示パネルは、基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記下部電極と離間した領域に形成された補助電極と、前記基板の上方であって、前記下部電極の補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成された隔壁と、前記下部電極の上方に形成された有機発光層と、前記有機発光層上、前記隔壁上、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域、及び前記補助電極上に形成された電荷中間層と、前記電荷中間層上に形成された上部電極と、を含み、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚く、前記補助電極の側面は、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域に接触しているとした。

　本発明の一態様に係る有機EL表示パネルでは、隔壁が、前記下部電極の前記補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成されており、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域に電荷中間層が形成されている。

　したがって、前記補助電極の側面が前記隔壁に覆われずに、前記電荷中間層が補助電極の側面に接触することになる。

　また、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚くなっているので、前記補助電極の側面において前記電荷中間層から露出した領域が生じ、この領域に前記上部電極が直接接触している。

　前記補助電極の側面において、前記電荷中間層を介さずに前記上部電極と直接接触するので、補助電極上に電荷中間層が形成されていても、前記上部電極に電圧を供給する際の電気抵抗を低減することができる。

　上述のように、本態様に係る有機EL表示パネルでは、前記上部電極が前記補助電極の側面で接触する構成のため、補助電極上に形成される電荷中間層をパターニングにより排除することなく、すなわち、製造工程を増やすことなく、電気抵抗の低減を実現することができる。

　ところで、例えばアルミニウム、あるいはアルミニウム合金は、電気抵抗が低いため、有機EL表示パネルの下部電極として好適であるが、前記下部電極をアルミニウム、あるいはアルミニウム合金で構成した場合、例えば製造工程で前記下部電極の側面や表面に、電気抵抗が高いアルミニウム酸化膜、あるいはアルミニウム合金酸化膜が形成される。

　そこで、本発明の別の態様として、前記補助電極は、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金で構成され、少なくとも、前記補助電極の側面の、前記電荷中間層から露出した領域には、前記補助電極の側面の酸化を防止する導電性金属酸化物膜が形成されているとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、少なくとも、前記補助電極の側面の、前記電荷中間層から露出した領域に前記導電性金属酸化物膜が形成されている。この導電性金属酸化物膜により、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金で構成された補助電極の側面の酸化を抑制することができる。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記上部電極は、前記補助電極の側面と、前記補助電極の側面に形成された電気抵抗が小さい導電性金属酸化物膜を介して電気的に接触することになるので、前記補助電極の側面における電気抵抗を低減することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記補助電極は、少なくともニッケル、あるいはコバルトのいずれか一方を含むアルミニウム合金で構成され、前記補助電極の側面には、前記アルミニウム合金に含まれるニッケル、あるいはコバルトを含む析出物が形成されているとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記補助電極の側面には、前記アルミニウム合金に含まれるニッケル、あるいはコバルトを含む析出物が形成されている。

　ここで、ニッケル、あるいはコバルトを含む析出物は、電気抵抗が低く、かつ、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金よりも酸化されにくい特性を有し、さらに、酸化された場合でも導電性を有する。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記上部電極は、前記補助電極の側面と、前記補助電極の側面に形成された電気抵抗が小さいニッケル、あるいはコバルトを含む析出物を介して電気的に接触することになるので、前記補助電極の側面における電気抵抗を低減することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記析出物は、粒子であるとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記析出物は、粒子である。前記補助電極の側面には、前記粒子が形成されているため、前記補助電極の側面は凹凸形状となる。これにより、前記上部電極と前記補助電極の側面との接触面積を増大させることができるので、前記上部電極と前記補助電極の側面との接触抵抗を低減することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記下部電極と前記補助電極との上面には第２電荷中間層が形成され、前記第２電荷中間層は、前記下部電極上において前記下部電極と前記有機発光層との間に介在し、前記補助電極上において前記補助電極と前記電荷中間層との間に介在しているとしてもよい。

　その際、前記第２電荷中間層はさらに、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在し、当該領域において前記第２電荷中間層上に前記電荷中間層が形成されており、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の合計膜厚より厚く、前記補助電極の側面は、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の積層部分から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の積層部分から露出した領域に接触しているとしてもよい。

　本発明の一態様に係る有機EL表示パネルでは、前記第２電荷中間層がさらに、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在しており、当該領域において前記第２電荷中間層上に前記電荷中間層が形成されている。

　したがって、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層が補助電極の側面に接触することになる。

　また、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の合計膜厚より厚くなっているので、前記補助電極の側面において前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層から露出した領域が生じ、この領域に前記上部電極が直接接触している。

　前記補助電極の側面において、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層を介さずに前記上部電極と直接接触するので、補助電極上に電荷中間層及び前記第２電荷中間層が形成されていても、前記上部電極に電圧を供給する際の電気抵抗を低減することができる。

　上述のように、本態様の有機EL表示パネルでは、前記上部電極が前記補助電極の側面で接触する構成のため、補助電極上に形成される電荷中間層及び前記第２電荷中間層をパターニングにより排除することなく、すなわち、製造工程を増やすことなく、電気抵抗の低減を実現することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記隔壁が形成された前記下部電極の側部は、前記下部電極の側面につらなる所定範囲内の前記下部電極の上面を含むとしてもよい。

　ここで、本発明の別の態様として、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域の厚さは、前記上部電極の膜厚より薄いとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域の厚さは、前記上部電極の膜厚より薄いので、前記上部電極は、前記補助電極の側面から上面にかけて途切れることなく形成されることになる。

　前記補助電極の側面における、前記電荷中間層から露出した全領域が前記上部電極と接触するので、前記上部電極に電圧を供給する際の電気抵抗をより一層低減することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域の厚さは、前記上部電極の膜厚より厚いとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域の厚さは、前記上部電極の膜厚より厚いので、前記上部電極の膜厚分の全てが前記補助電極の側面に接触することになる。したがって、より一層電気抵抗を低減することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記補助電極の側面と前記基板とがなす内角が９０度以上であるとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記補助電極の側面と前記基板とがなす内角が９０度以上であるので、前記電荷中間層が前記補助電極の側面で段切れしやすくなる。そのため、前記補助電極の側面において、前記電荷中間層から露出した領域を形成しやすくなる。すなわち、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域に、前記上部電極を接触させることが一層容易となる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記隔壁の側面と前記基板とがなす内角は９０度未満であるとしてもよい。

　ここで、本発明の別の態様として、前記補助電極の膜厚が、前記下部電極の膜厚より厚いとしてもよい。

　ところで、有機EL表示パネルにおいて、隔壁を、前記基板の上方であって、前記下部電極の補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成した場合には、前記補助電極の側部上面に乗り上げるように隔壁が形成された場合と比較し、前記隔壁が前記基板と接着する面積が減少してしまう。特に、有機EL表示パネルにおいて、輝度をさらに上昇させるために有機発光層の形成面積を拡大したいという要望があり、そうすると、前記隔壁と前記基板との接着面積はただでさえ減少し、前記隔壁の前記基板への密着強度が減少してしまう。このような理由から、有機発光層の形成面積を拡大し、さらに、隔壁を、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成した場合には、前記隔壁が前記基板から剥離する恐れが生じる。

　そこで、本発明の別の態様として、基板と、前記基板上に形成された第１下部電極と、前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記第１下部電極と離間した領域に形成された補助電極と、前記基板上であって、前記補助電極を挟んで前記第１下部電極の形成位置の反対側に、前記補助電極と離間して形成された第２下部電極と、前記基板の上方であって、前記第１下部電極の前記補助電極と対向する側の側部、前記補助電極の上部、および前記第２下部電極の前記補助電極と対向する側の側部にかけて形成された隔壁と、前記第１下部電極の上方に形成された第１有機発光層と、前記第２下部電極の上方に形成された第２有機発光層と、前記第１有機発光層上、前記隔壁上、及び前記第２有機発光層上に形成された電荷中間層と、前記電荷中間層上に形成された上部電極と、を含み、前記隔壁は、前記隔壁の上面に、前記補助電極の一部を露出する開口部を有し、露出された前記補助電極の一部は、少なくともその側面を含み、前記電荷中間層は、前記開口部から露出した前記補助電極上に形成され、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚く、前記開口部から露出した前記補助電極の側面は、前記電荷中間層から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に接触しているとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記基板の上方であって、前記第１下部電極の前記補助電極と対向する側の側部、前記補助電極の上部、および前記第２下部電極の前記補助電極と対向する側の側部にかけて形成された隔壁が、開口部を有する構成となっている。

　したがって、有機発光層の形成面積を拡大するため前記隔壁の幅を狭めた場合でも、前記隔壁が前記基板と接着する面積の減少を抑制することができるので、前記隔壁の前記基板への密着強度の減少を抑制することができる。その結果、前記隔壁が前記基板から剥離することを防止できる。

　また、前記開口部から露出した前記補助電極の側面が、前記電荷中間層から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に接触している。よって、前記上部電極に電圧を供給する際の電気抵抗を低減することができる。

　このように、隔壁が開口部を有し、この開口部において前記上部電極と前記補助電極の側面とが接する構成を採用することにより、前記隔壁と前記基板との接着面積の減少の抑制と、前記上部電極に電圧を供給する際の電気抵抗の低減とを両立することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記開口部によって露出される前記補助電極の一部は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域であり、前記開口部から露出した前記補助電極の前記第１下部電極側の領域の側面は、前記電荷中間層から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に接触しているとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記開口部によって露出される前記補助電極の一部は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域であるので、前記隔壁と前記基板との接着面積の減少を抑制することができる。また、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に前記上部電極が接触しているので、前記上部電極に電圧を供給する際の電気抵抗を低減することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記開口部によって露出される前記補助電極の一部は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域及び前記補助電極の前記第２下部電極側の領域であり、前記開口部から露出した前記補助電極の前記第１下部電極側の領域及び前記第２下部電極側の領域の各側面は、前記電荷中間層から露出した領域を有し、前記上部電極は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域及び前記第２下部電極側の領域の各側面であって前記電荷中間層から露出した領域に接触しているとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域及び前記第２下部電極側の領域が開口部から露出している。そして、これらの領域の側面が前記電荷中間層から露出した領域を有し、当該露出した各領域に前記上部電極が接触している。

　前記補助電極の両側面において前記上部電極と直接接触するので、より一層電気抵抗を低減することができる。

　ここで、本発明の別の態様として、上記本発明の一態様に係る有機EL表示パネルを備えた表示装置としてもよい。

　ここで、本発明の別の態様として、基板を準備する第１工程と、前記基板上に下部電極を形成する第２工程と、前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記下部電極と離間した領域に補助電極を形成する第３工程と、前記基板の上方であって、前記下部電極の補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけた領域に隔壁を形成する第４工程と、前記下部電極の上方に有機発光層を形成する第５工程と、前記有機発光層上、前記隔壁上、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域、及び前記補助電極上に電荷中間層を形成する第６工程と、前記電荷中間層上に上部電極を形成する第７工程と、を含み、前記補助電極の膜厚を、前記電荷中間層の形成予定膜厚より厚く形成し、前記補助電極の側面には、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層から露出した領域が形成され、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域に接触しているとしてもよい。

　ここで、本発明の別の態様として、前記上部電極は、スパッタ法で形成されるとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記上部電極は、スパッタ法で形成される。スパッタ法は、真空蒸着法やプラズマ蒸着法等と比較して、前記上部電極を構成する電極材料の、前記補助電極の側面への回り込みが良好であるので、前記補助電極の側面に前記上部電極を被着させやすくなる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記スパッタ法では、前記基板を配置するスパッタ装置内に、前記基板と対向配置した前記上部電極形成用のターゲット部材の前記基板と対向する面の裏面に、マグネット部材を配置し、前記マグネット部材を前記第７工程の際に前記ターゲット部材に対して移動走査しつつスパッタを行うとしてもよい。

　本態様の有機EL表示パネルでは、前記マグネット部材を前記第７工程のスパッタの際に、前記ターゲット部材に対して移動走査しつつ前記スパッタを行うことで、前記上部電極を形成する。したがって、スパッタ粒子が前記補助電極の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に入射する角度が、前記マグネットを移動走査しない場合の入射角度に比べて緩やかとなる。その結果、前記スパッタ粒子が、前記補助電極の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に入射しやすくなるので、より一層前記補助電極の側面に前記スパッタ粒子を被着させやすくすることができる。

　ここで、本発明の別の態様として、前記補助電極を、少なくともニッケル、あるいはコバルトのいずれか一方を含むアルミニウム合金で形成し、前記第３工程と前記第４工程との間に、前記補助電極を加熱することにより前記補助電極の側面に、ニッケル、あるいはコバルトを含む析出物を形成させる工程を設けるとしてもよい。

　ここで、本発明の別の態様として、前記第３工程と前記第４工程との間に、前記下部電極と前記補助電極との上面に第２電荷中間層を形成する工程を設け、前記第５工程において、前記有機発光層は前記第２電荷中間層上に形成され、前記第６工程において、前記電荷中間層は、前記有機発光層上、前記隔壁上、及び前記補助電極上に形成され、前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の合計膜厚より厚く形成され、前記補助電極の側面には、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層から露出した領域が形成され、前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層から露出した領域に接触しているとしてもよい。

　　［実施の形態１］
＜表示装置１の全体構成＞
　本実施の形態に係る表示装置１の全体構成について、図１を用い説明する。図１は、表示装置１の全体構成を模式的に示すブロック図である。

　図１に示すように、表示装置１は、有機EL表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。有機EL表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したトップエミッション型の有機EL表示パネルである。

　また、駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１～２４と制御回路２５とから構成されている。

　なお、実際の表示装置１では、有機EL表示パネル１０に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
＜有機EL表示パネル１０の構成＞
　（有機EL表示パネル１０の概略構成）
　有機EL表示パネル１０の構成について詳細に説明する。図２は、実施の形態１の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図（図３のＡ－Ａ’断面）である。図２に示すように、有機EL表示パネル１０では、TFT基板１０１のＺ軸方向上側の表面上に層間絶縁膜１０２が形成されている。有機EL表示パネル１０では、Ｘ－Ｙ平面において（図１および図３を参照）、画素部１０ａと非画素部１０ｂとが存在し、画素部１０ａにおいては層間絶縁膜１０２上に陽極１０３が形成され、非画素部１０ｂにおいては層間絶縁膜１０２上に補助電極１０４が形成されている。本実施の形態では、陽極１０３及び補助電極１０４は、同一材料から形成され、それらの膜厚も同一である。

　非画素部１０ｂに形成される補助電極１０４は、陰極１１０に対して電圧供給を図るものであり、この補助電極１０４により陰極１１０での電圧降下による輝度のばらつきを抑制している。また、補助電極１０４の側面と層間絶縁膜１０２とがなす内角ａｎｇ１は９０度以上になっている。

　陽極１０３及び補助電極１０４上、並びに層間絶縁膜１０２上で、かつ、陽極１０３と補助電極１０４との間の領域には、ホール注入層１０５が形成されている。

　ホール注入層１０５の役割は、ホール注入性を高めることであるので、その観点から見ると、ホール注入層１０５は、陽極１０３上にさえ存在すればよいが、製造プロセス及び製造コストを増やさないために、ホール注入層１０５は、パネル全体に一括して形成される。したがって、上述したように、陽極１０３上以外の領域にもホール注入層１０５が形成されている。

　陽極１０３及び補助電極１０４の間にはバンク１０６が形成されている。画素部１０ａにおいては、バンク１０６で規定されたホール注入層１０５上に、ホール輸送層１０７、有機発光層１０８、電子輸送層１０９、及び陰極１１０がこの順に形成されている。

　このうち、電子輸送層１０９と陰極１１０とは、バンク１０６の上面を乗り越え、非画素部１０ｂにも連続して形成されている。

　電子輸送層１０９の役割は、電子輸送性を高めることであるので、その観点から見ると、電子輸送層１０９は、有機発光層１０８上にさえ存在すればよいが、ホール注入層１０５を形成する場合と同様に、製造プロセス及び製造コストを増やさないために、電子輸送層１０９は、パネル全体に一括して形成される。したがって、上述したように、有機発光層１０８上以外の領域にも電子輸送層１０９が形成されている。

　電子輸送層１０９及び陰極１１０が非画素部１０ｂにも連続して形成されているため、補助電極１０４上面に形成されたホール注入層１０５上にも、電子輸送層１０９および陰極１１１がこの順に形成されている。

　陰極１１０上には封止層１１１が形成されている。

　（有機EL表示パネル１０の詳細な構成）
　続いて、有機EL表示パネル１０の詳細な構成について、非画素部１０ｂの構成を中心に説明する。

　　─バンク１０６の形成位置─
　上述したように、陽極１０３及び補助電極１０４の間にはバンク１０６が形成されているが、このバンク１０６の一端が陽極１０３の側部上面に乗り上げているのに対し、他端は、補助電極１０４に達しておらず、陽極１０３及び補助電極１０４の間に位置している。そのため、補助電極１０４の側面が、バンク１０６に覆われていない構成となっている。

　　─陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１０６の配置─
　有機EL表示パネル１０における陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１０６の配置について詳細に説明する。図３は、有機EL表示パネル１０における陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１０６の配置関係を模式的に示す図である。図３に示すように、本実施の形態に係る有機EL表示パネル１０では、バンク１０６は、Ｙ軸方向にライン状に複数形成されている（所謂、ラインバンク）。画素部に相当する部分では、Ｘ軸方向に隣接するバンク１０６間に陽極１０３が画素単位に形成され、非画素部に相当する部分では、Ｘ軸方向に隣接するバンク１０６間にライン状に補助電極１０４が形成されている。

　また、Ｘ軸方向に隣り合う３つのサブピクセルの組み合わせにより１画素（ピクセル）が構成され、補助電極１０４は画素毎に形成されている。

　図中の陽極１０３において、斜線で描かれた領域が、バンク１０６から露出している領域であり、破線で描かれた領域が、バンク１０６に覆われている領域である。図３からも明らかなように、陽極１０３の側部がバンク１０６に覆われているのに対し、補助電極１０４の側部にはバンク１０６が達しておらず、補助電極１０４の側部はバンク１０６に覆われていない。

　　─補助電極１０４とバンク１０６との間の領域─
　図２に戻って、上述したように、電子輸送層１０９及び陰極１１０は、画素部１０aだけではなく、非画素部１０ｂにも連続して形成されている。このため、バンク１０６と補助電極１０４との間のホール注入層１０５上にも電子輸送層１１０および陰極１１１がこの順に形成されている。ここで、補助電極１０４の膜厚は、ホール注入層１０５と電子輸送層１０９との合計膜厚よりも厚くなっている。ゆえに、バンク１０６に覆われていない補助電極１０４の側面には、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０９が接するとともに、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０９から露出した領域が存在し、その領域に陰極１１０が接触している。

　また、補助電極１０４の側面においてホール注入層１０５及び電子輸送層１０９から露出した部分の膜厚、すなわち露出した領域の厚さ方向の長さｔｈ１は、陰極１１０の膜厚より薄くなっている。ここでいう陰極１１０の膜厚は、電子輸送層１０８上で、かつ平坦な部分に形成された陰極１１０の膜厚（例えば、図２の膜厚ｔｈ１）である。

　露出した部分の膜厚が陰極１１０の膜厚より薄くなっているため、陰極１１０は、補助電極１０４の側面から上面にかけて途切れることなく形成されている。したがって、補助電極１０４の側面においてホール注入層１０５及び電子輸送層１０９から露出した全部分が陰極１１０と接触している。

　また、陰極１１１が、補助電極１０４の側面から上面にかけて連続して形成されているのに対し、電子輸送層１０９は、補助電極１０４の側面から上面にかけて不連続に形成（以下、「段切れ」という）されている。

　上述した構成によれば、補助電極１０４は、その上面において、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０９を介して陰極１１０と電気的に接続されているのと同時に、その側面において、陰極１１０と直接接続されている。

　補助電極１０４の側面において陰極１１０と直接接続されているため、陰極１１０に電圧供給する際の電気抵抗を低減することができる。

　例えば、補助電極１０４の幅が２０μｍ、その膜厚が２００ｎｍ、補助電極１０４と陰極１１０との接触面積が６．７Ｅ＋３μｍ²の場合では、補助電極１０４と陰極１１０との間の電気抵抗は、２．０Ｅ＋６Ω程度となるが、本実施の形態で示した構成とすることにより、補助電極１０４の側面において直接陰極１１０と接続されているため、電気抵抗を１／１０００ないし１／１００程度に低減できる。

　また、補助電極１０４の側面と層間絶縁膜１０２とがなす内角ａｎｇ１は９０度以上になっているので、電子輸送層１０９が補助電極１０４の側面で段切れしやすくなる。そのため、補助電極の側面において、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０９から露出した領域を形成しやすくなる。すなわち、補助電極１０４の側面であって、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０９から露出した領域に陰極１１０を接触させ易くなる。

　　─バンク１０６の他端の形成位置─
　バンク１０６の他端が陽極１０３及び補助電極１０４の間のどこに位置するのかについて、位置することが可能な範囲を説明する。まず、バンク１０６の他端を陽極１０３方向にどれだけ近づけることができるのかを説明すると、陽極１０３の側部は少なくともバンク１０６で覆われている必要がある。そのため、その条件を満たす範囲において、バンク１０６の他端を陽極１０３に近づけることができる。

　バンク１０６の他端を補助電極１０４方向にどれだけ近づけることができるのかを説明すると、バンク１０６の他端と補助電極１０４の側面とは接していてもよい。ただし、その場合には、補助電極１０４の側面に接している部分におけるバンク１０６の膜厚、ホール注入層１０５の膜厚、及び後述する電子輸送層１０９の合計膜厚が、補助電極１０４の膜厚より薄い必要がある。後述する陰極１１０と直接接するための領域が補助電極１０４の側面に必要だからである。

　また、バンク１０６の他端における側面と層間絶縁膜１０２とがなす内角ａｎｇ２は、９０度未満になっている。なお、図２では、バンク１０６の他端は、内角ａｎｇ２が９０度に近い状態で描かれているが、実際は３０度～６０度程度であり、非常に緩やかである。そのため、補助電極１０４の側面とバンク１０６の他端が接していたとしても、前述の合計膜厚が、補助電極１０４の膜厚より薄くなり得る。

　以下、有機EL表示パネル１０における各部の材料等について詳細に説明する。

　　＜各部構成＞
　TFT基板１０１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料の基板本体上に、TFT、配線部材、および前記TFTを被覆するパッシベーション膜など（図示せず）を形成した構成である。また、前記基板本体は有機樹脂フィルムであってもかまわない。

　層間絶縁膜１０２は、TFT基板１０１の表面段差を平坦に調整するために設けられ、ポリイミド系樹脂またはアクリル系樹脂等の絶縁材料で構成されている。

　陽極１０３及び補助電極１０４は、Ａｌ（アルミニウム）、あるいはアルミニウム合金で形成されている。なお、陽極１０３は、例えば、Ａｇ（銀）、銀とパラジウムと銅との合金、銀とルビジウムと金との合金、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等で形成されていても良い。本実施の形態１に係る有機EL表示パネル１０はトップエミッション型であるので、陽極１０３は、光反射性の材料で形成されていることが好ましい。また、補助電極１０４の幅は、１０－５０μｍ、その膜厚は５０－３００ｎｍであることが好ましい。

　ホール注入層１０５は、ＭｏＯｘ（酸化モリブデン）、ＷＯｘ（酸化タングステン）又はＭｏｘＷｙＯｚ（モリブデン－タングステン酸化物）で形成されている。なお、ホール注入層１０５は、ホール注入機能を果たす材料で形成されていれば良く、そのような材料としては、例えば、金属酸化物、金属窒化物又は金属酸窒化物が挙げられる。ホール注入層１０５の膜厚は、４０ｎｍ－８０ｎｍであることが好ましい。

　バンク１０６は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。有機材料の例として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。バンク１０６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、バンク１０６はエッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。

　ホール輸送層１０７は、有機発光層１０８からホール注入層１０５に電子が輸送されるのをブロックする機能や、有機発光層１０８に効率良くホールを運ぶ機能等を有する。

　ホール輸送層１０７は、例えば、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）や、ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物や、１，１－ビス[４－（ジ－Ｐ－トリルアミノ）フェニル]シクロヘキサン、４，４'，４"－トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'， Ｎ'－テトラキス（Ｐ－トリル）－Ｐ－フェニレンジアミン、１－（Ｎ，Ｎ－ジ－Ｐ－トリルアミノ）ナフタレン、４，４'－ビス（ジメチルアミノ）－２－２'－ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'， Ｎ'－テトラフェニル－４，４'－ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ'－ジフェニル－Ｎ、Ｎ'－ジ－ｍ－トリル－４、４'－ジアミノビフェニル、Ｎ－フェニルカルバゾールなどの芳香族第三級アミンや、４－ジ－Ｐ－トリルアミノスチルベン、４－（ジ－Ｐ－トリルアミノ）－４'－〔４－（ジ－Ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベンなどのスチルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリールアルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、ポリシラン誘導体や、ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマーや、スチリンアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系化合物や、ポリ－３，４エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、テトラジヘクシルフルオレニルフェニル（ＴＦＢ）、あるいは、ポリ３－メチルチオフェン（ＰＭｅＴ）といったポリチオフェン誘導体などの有機材料を用い形成されている。

　また、ホール輸送層１０７の形成には、上記の他にポリカーボネートなどの高分子中に低分子のホール輸送層用の有機材料を分散させた、高分子分散系材料を用いることもできる。また、ＭｏＯ₃、Ｖ₂Ｏ₅、ＷＯ₃、ＴｉＯ₂、ＳｉＯ₂、ＭｇＯなどの無機材料を用いることもできる。

　有機発光層１０８は、例えば、特開平５－１６３４８８号公報に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２－ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質で形成されることが好ましい。

　電子輸送層１０９は、陰極１１０から注入された電子を有機発光層１０８へ輸送する機能を有し、例えば、特開平５－１６３４８８号公報に記載のニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体で形成されることが好ましい。電子輸送層１０９の膜厚は、２０ｎｍ－８０ｎｍであることが好ましい。

　陰極１１０は、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）やＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等で形成される。有機EL表示パネル１０はトップエミッション型であるので、陰極１１０は、光透過性の材料で形成されることが好ましい。陰極１１０の膜厚は、１００ｎｍ程度であることが好ましい。

　封止層１１１は、有機発光層１０８等が水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＯ（酸化シリコン），ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素），ＳｉＯＣ（炭素含有酸化シリコン），ＡｌＮ（窒化アルミニウム），Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）等の材料で形成される。有機EL表示パネル１０はトップエミッション型であるので、封止層１１１は、光透過性の材料で形成されることが好ましい。

　　＜製造方法＞
　続いて、有機EL表示パネル１０の製造工程を例示する。図４－６は、有機EL表示パネル１０の製造工程の一例を示す図である。

　まず、図４（ａ）に示すように、TFT基板１０１上に層間絶縁膜１０２を形成する。

　次に、例えばスパッタリングによりＡｌ薄膜、あるいはアルミニウム合金薄膜を形成し、当該Ａｌ薄膜、あるいはアルミニウム合金薄膜を例えばフォトリソグラフィ及びエッチングでパターニングすることにより、図４（ｂ）に示すように、陽極１０３及び補助電極１０４を形成する。その際、後続する工程において形成されるホール注入層１０５及び電子輸送層１０８の形成予定膜厚の合計よりも、陽極１０３及び補助電極１０４の膜厚を厚く形成する。また、エッチング時のサイドエッチングのために、形成された補助電極１０４は、その側面と層間絶縁膜１０２とがなす内角が９０度以上になっている。

　なお、Ａｌ薄膜、あるいはアルミニウム合金薄膜は、真空蒸着等で形成しても良い。

　次に、図４（ｃ）に示すように、ＷＯｘ又はＭｏｘＷｙＯｚを含むターゲット組成物を用いて真空蒸着、スパッタリングなどの技術によりＷＯｘ又はＭｏｘＷｙＯｚのホール注入層１０５を形成する。

　次に、ホール注入層１０５上に絶縁性有機材料からなる膜を形成し、その上にフォトレジストを一様に塗布する。塗布したフォトレジストの上に、絶縁性有機材料層の一部を除去してホール注入層１０５の一部を露出させるための所定形状の開口部（形成すべきバンクのパターン）を持つマスクを重ねる。そして、マスクの上から感光させ、レジストパターンを形成する。その後は、余分な絶縁性有機材料及び未硬化のフォトレジストを水系もしくは非水系エッチング液（剥離剤）で洗い出す。これにより絶縁性有機材料のパターニングが完了する。その後、パターニングされた絶縁性有機材料の上のフォトレジスト（レジスト残渣）を純水で洗浄して除去する。以上でバンク１０６が完成する（図４（ｄ）参照）。バンク１０６は、その一端が陽極１０３に乗り上げており、他端が陽極１０３と補助電極１０４との間に位置している。

　次に、図５（ａ）に示すように、バンク１０６で区画された各領域内において、陽極１０３上にホール輸送層１０７を形成する。

　次に、図５（ｂ）に示すように、バンク１０６で区画された各領域内に例えばインクジェット法により有機EL材料を含む組成物インク（以下、単に「インク」という。）を滴下し、そのインクを乾燥させて有機発光層１０８を形成する。なお、有機発光層１０８は、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等により形成しても良い。

　次に、図５（ｃ）に示すように、例えば真空蒸着により電子輸送層１０９を形成する。補助電極１０４は、その側面と層間絶縁膜１０２とがなす内角が９０度以上になっているため、電子輸送層１０９は、段切れする。

　次に、図６（ａ）に示すように、陰極１１０となるＩＴＯ薄膜を形成する。ここで、陰極１１０の形成は、例えばスパッタ法によりなされる。図７は、スパッタ法を用いた陰極１１０の形成方法を示す図である。図７に示すように、スパッタ装置（不図示）内において、基板上方にターゲット部材１２２が固定されており、固定されたターゲット部材１２２上にマグネット１２１が配置されている。このマグネット１２１は、ターゲット部材１２２の表面に沿って移動（走査）する。ターゲット部材１２２と基板との間に電圧が印加されると、イオン１２３がターゲット部材１２２に衝突する。その際、イオン１２３は、マグネット１２１に引き付けられ、マグネット１２１下のターゲット部分に衝突する。衝突したイオンにより弾き出されたターゲットの粒子は、基板に付着する。弾き出されたターゲットの粒子には、基板に対して垂直方向に入射するものもあれば、斜め方向に入射するものもある。すなわち、マグネット１２１下のターゲット部分に発生する粒子群は、基板に対し所定の入射分布１２４を持つ。マグネット１２１が走査されることにより、このような入射分布を持つ粒子群がターゲット全体に発生するので、基板全体において当該基板に対して斜めから粒子が入射し易くなる。したがって、補助電極１０４の側面にＩＴＯが付着し易くなる。

　なお、マグネット１２１を用いない場合であっても、スパッタ法は、真空蒸着法やプラズマ蒸着法等に比べ、回り込みにより補助電極１０４の側面にＩＴＯが付着し易いが、マグネット１２１を用いることにより、基板に対する粒子の入射角度がより緩やかになる。そのため、補助電極１０４の側面に粒子がさらに入射し易くなり、より一層粒子が付着し易くなる。

　マグネット１２１の走査は、形成されるＩＴＯが所定の膜厚になるまで繰り返される。

　陰極１１０が形成されると、次に、図６（ｂ）に示すように、陰極１１０上に封止層１１１を形成する。

　本実施の形態に係る有機EL表示パネル１０の製造方法によれば、補助電極１０４の側面が陰極１１０と直接接触する構成のため、補助電極１０４上に形成されるホール注入層１０５及び電子輸送層１０９をパターニングにより排除することなく、すなわち、製造工程を増やすことなく、電気抵抗の低減を実現することができる。

　　［変形例１－１］
　補助電極１０４の表面に公知の導電性金属酸化物膜１３１を設けた一変形例について説明する。

　導電性金属酸化物膜１３１は、製造過程において陽極１０３及び補助電極１０４の形成直後に陽極１０３及び補助電極１０４が自然酸化するのを防止する保護層として機能する。導電性金属酸化物膜１３１の材料は、有機発光層１０８で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により形成されればよく、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどが好ましい。室温で成膜しても良好な導電性を得ることができるからである。

　図８は、変形例１－１の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。図８に示すように、導電性金属酸化物膜１３１は、陽極１０３とホール注入層１０５との間、補助電極１０４とホール注入層１０５との間に介在してこれらの接合性を良好にしている。また、導電性金属酸化物膜１３１は、陽極１０３及び補助電極１０４の上面から連続してそれらの側面にも形成されている。

　したがって、変形例１－１に係る有機EL表示パネル１０では、補助電極１０４の側面が、導電性金属酸化物膜１３１を介して陰極１１０と接している。導電性金属酸化物膜１３１は、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金の酸化物に比べ、電気抵抗が小さいので、補助電極１０４の側面における電気抵抗をより一層低減することができる。

　導電性金属酸化物膜１３１は、層間絶縁膜１０２上であって、陽極１０３及び補助電極１０４が形成されていない領域にも、それらの側面から連続する状態で形成されている。

　　［変形例１－２］
　補助電極１０４がニッケルを含むアルミニウム合金で形成された一変形例について説明する。

　本変形例においては、陽極１０３および補助電極１０４では、表面の少なくとも一部にニッケルが析出し、当該析出したニッケルの表面が酸化されて酸化ニッケル層が形成されている。

　図９は、変形例１－２の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図及び一部拡大図である。一部拡大図は、有機表示パネル１０の補助電極１０４の側面およびその周辺部分を抜き出して描いている。図９に示すように、主成分であるアルミニウム（Ａｌ）層１０４０側面の表面には、ニッケルを含む析出物が形成されている（析出ニッケル１０４１）。

　析出ニッケル１０４１は、電気抵抗が低く、かつ、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金よりも酸化されにくい特性を有し、さらに、酸化された場合でも導電性を有する。

　また、析出ニッケル１０４１は、補助電極１０４側面の表面全体に析出しているのではなく、表面の一部に析出した状態になっている。そして、析出ニッケル１０４１の表面の内、析出部分には、酸化ニッケル層１０４３が形成されている。

　また、アルミニウム層１０４０の表面であって、析出ニッケル１０４１が存在しない部分には、酸化アルミニウム層１０４２が形成されている。

　本変形例の有機EL表示パネル１０では、陰極１１０は、補助電極１０４の側面と、補助電極１０４の側面に形成された析出ニッケル１０４１を介して電気的に接触することになるので、補助電極１０４の側面における電気抵抗をより一層低減することができる。

　さらに、上述した析出ニッケル１０４１は、粒子である。ニッケル粒子が補助電極１０４の側面に形成されているため、補助電極１０４の側面は凹凸形状となる。これにより、陰極１１０と補助電極１０４の側面との接触面積を増大させることができ、陰極１１０と補助電極１０４の側面との接触抵抗を低減することができる。

　なお、析出ニッケル１０４１の表面に形成された酸化ニッケル層１０４３は、ホール注入性を有し、陽極１０３がホール注入性を備えることとなる。したがって、本変形例では、ホール注入層が別途形成されていない。

　遷移金属の酸化物層である酸化ニッケル層１０４３が、ホール注入性を有することについては、次に示す参考文献でも確認されている。

　（参考文献）「Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ｈｏｌｅ　ｉｎｊｅｃｔｉｏｎｓ　ｉｎ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｌｉｇｈｔ－ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｅｖｉｃｅｓ　ｂｙ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｎｇ　ｎｉｃｋｅｌ　ｏｘｉｄｅ　ｏｎ　ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ　ａｎｏｄｅ」、Ｉ－Ｍｉｎ　Ｃｈａｎ，Ｔｓｕｎｇ－Ｙｉ　Ｈｓｕ，ａｎｄ　Ｆｒａｎｋｌｉｎ　Ｃ．Ｈｏｎｇ、“２００２　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ　Ｐｈｙｓｉｃｓ、Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ、ｖｏｌｕｍｅ　８１，ｎｕｍｂｅｒ　１０”
　なお、補助電極１０４がコバルトを含むアルミニウム合金で形成された場合であっても、上述した内容と同様の効果を奏する。

　　＜製造方法＞
　続いて、本変形例の有機EL表示パネル１０の製造工程を例示する。図１０は、本変形例の有機EL表示パネル１０の製造工程の一例を示す図である。図１０（ａ）、（ｂ）は図４（ａ）、（ｂ）と同様であるため、ここではその説明を省略する。

　陽極１０３及び補助電極１０４形成後、陽極１０３及び補助電極１０４に対して、酸素雰囲気下で焼成を行う。焼成の条件は、焼成温度が２３０[℃]以上、焼成時間が３０[ｍｉｎ．]以上である。このように陽極１０３及び補助電極１０４を焼成することにより、図１０（ｃ）の一部拡大図に示すように、アルミニウム層１０４１の表面の一部にニッケルが析出し（析出ニッケル１０４２）、析出ニッケル１０４２の表面が酸化されて酸化ニッケル層１０４４が形成される。また、アルミニウム層１０４１の表面も酸化されて酸化アルミニウム層１０４３が形成され、焼成後の陽極１０３及び補助電極１０４が完成する。

　　［変形例１－３］
　補助電極１０４の膜厚を陽極１０３の膜厚より厚く形成した一変形例について説明する。図１１は、変形例１－３の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。図１１に示すように、補助電極１０４の膜厚は陽極１０３の膜厚より厚く形成されている。これにより、補助電極１０４の側面において、陰極１１０との接触面積を増大させることができるので、より一層電気抵抗を低減することができる。

　　［変形例１－４］
　図１２は、変形例１－４の有機EL表示パネル１０における陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１０６の配置関係を模式的に示す図である。図１２に示すように、変形例１－４の有機EL表示パネル１０では、Ｙ軸方向にライン状に複数のバンク１０６が形成され、画素部に相当する部分では、Ｘ軸方向に隣接するバンク１０６間に陽極１０３が画素単位に形成され、非画素部に相当する部分では、補助電極１０４がライン状に形成されている。これらの点については、図３と同様である。ただし、本変形例に係る有機EL表示パネル１０では、図１２に示すように、非画素部に相当する部分におけるバンク１０６が、その頂部に複数の開口部を有しており、各開口部から補助電極１０４の一部が露出している。図中の補助電極１０４において、斜線で描かれた領域が、バンク１０６から露出している領域を示し、破線で描かれた領域が、バンク１０６に覆われている領域を示している。図１２から明らかなように、各開口部から露出した補助電極１０４において、一方の側部上面にバンクが乗り上げているのに対し、他方の側部には、バンク１０６が達しておらず、他方の側部はバンク１０６に覆われていない。

　なお、ここでは、各開口部から露出した補助電極１０４において、当該補助電極１０４におけるどちらの側部上面にバンクが乗り上げているかを統一していないが、一方の側部の上面にバンク１０６が乗り上げる構成であってもよい。

　また、Ｙ軸方向に隣接する開口部間はバンク１０６に覆われている。

　続いて、図１３は、変形例１－４の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図（図３のＢ－Ｂ’断面）である。ここでは、図２との差異を中心に説明する。図１３に示すように、変形例１－４の有機EL表示パネル１０では、補助電極１０４の一方の側部上面にバンク１０６が乗り上げている。したがって、バンク１０６が乗り上げた側の側面においては、陰極１１０と直接接触することはできない。ただし、補助電極１０４の一方の側部上面にバンク１０６が乗り上げていることにより、バンク１０６とホール注入層１０５との接触面積を増大させることができる。

　したがって、例えば有機発光層１０８の形成面積を拡大するためバンク１０６の幅をＸ軸方向に狭めた場合でも、バンク１０６がホール注入層１０５と接着する面積の減少を抑制することができる。その結果、バンク１０６のホール注入層１０５への密着強度の減少を抑制することができるので、バンク１０６がホール注入層１０５から剥離することを防止することができる。

　一方、バンク１０６が乗り上げていない側の側面においては、これまで説明してきたように、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０９から露出している領域を有するので、当該領域にて陰極１１０と直接接触することができる。

　上述のように、補助電極１０４の両側面で陰極１１０と直接接触する場合と比較し、一方の側面で陰極１１０と接触する構成であるので電気抵抗は増大するものの、バンク１０６の幅を広くすることができる。

　したがって、バンク１０６とホール注入層１０５との接着面積の減少の抑制と、陰極１１０に電圧を供給する際の電気抵抗の低減とを両立することができる。

　　［変形例１－５］
　続いて、バンクの１０６の形態が相違する一変形例について説明する。

　図１４は、変形例１－５の有機EL表示パネル１０における陽極１０３、補助電極１０４、及びバンク１４１の配置関係を模式的に示す図である。

　図１４に示すように、本変形例に係る有機EL表示パネル１０のバンク１４１は、Ｘ軸方向に延伸する部分１４１ａとＹ軸方向に延伸する部分１４１ｂとが一体に形成された、所謂、ピクセルバンクとなっている。本変形例に係る有機EL表示パネル１０では、Ｘ軸方向に隣接するサブピクセルが部分１４１ｂで区画され、Ｙ軸方向に隣接するサブピクセルが部分１４１ａで区画される。部分１４１ａ及び部分１４１ｂで規定される各領域に陽極１０３が形成されている。非画素部に相当する部分では、補助電極１０４が画素毎にライン状に形成されている。そして、補助電極１０４に対応するように、画素単位でバンク１４１ｂがその頂部に複数の開口部を有し、各開口部から補助電極１０４の一部が露出している。図１４中の補助電極１０４において、図１２と同様に、斜線で描かれた領域が、バンク１０６から露出している領域を示し、破線で描かれた領域が、バンク１０６に覆われている領域を示している。図１４から明らかなように、部分１４１ａと部分１４１ｂとの交点部分から露出した補助電極１０４については、その両側部に部分１４１ｂが達しておらず、部分１４１ｂに覆われていない。

　一方、陽極１０３間の部分１４１ａから露出した補助電極１０４については、その両側部が部分１４１ａに覆われている。

　続いて、図１５は、変形例１－５の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図（図１４のＣ－Ｃ’断面）である。図１５に示すように、補助電極１０４の両側面がバンク１０６に覆われずに露出しており、当該露出している両側面は、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０８から露出した領域を有している。そして、その領域において、陰極１１０と直接接触する構成となっている。

　図１４における、陽極１０３間の部分１４１ａから露出した補助電極１０４の両側部が部分１４１ａに覆われているのに対し、図１４における部分１４１ａと部分１４１ｂとの交点部分から露出した補助電極１０４の両側面は、露出されており、陰極１１０と直接接触する。

　したがって、バンク１０６とホール注入層１０５との接着面積の減少の抑制と、陰極１１０に電圧を供給する際の電気抵抗の低減とを両立することができる。

　　［変形例１－６］
　補助電極１０４の側面であって、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０８から露出した領域の厚さが陰極１１０の膜厚より厚いとした一変形例について説明する。

　図１６は、変形例１－６の有機EL表示パネル１０の構成を示す部分断面図である。図１６に示すように、補助電極１０４の側面であって、ホール注入層１０５及び電子輸送層１０８から露出した領域の厚さｔｈ３が、陰極１１０の膜厚ｔｈ４より厚くなっている。

　このため、陰極１１０の膜厚分の全てが補助電極１０４の側面に接触することになる。したがって、より一層電気抵抗を低減することができる。
（補足）
　以上、本発明に係る有機EL表示パネル１０について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は上記実施の形態に限られないことは勿論である。
（１）上記実施の形態では、ホール注入層１０５を構成する材料としてＭｏＯｘ、ＷＯｘ又はＭｏｘＷｙＯｚを用いて説明しているが、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）以外の金属を用いた場合でも本実施の形態を適用することにより同様の効果を奏することができる。
（２）上記実施の形態では、表示装置１の外観を示さなかったが、例えば、図１７に示すような外観を有するものとすることができる。
（３）上記実施の形態において、バンク１０６が形成された陽極１０３の側部は、当該陽極１０３の側面につらなる所定範囲内の当該陽極１０３の上面を含む領域である。ここで、所定範囲について説明すると、陽極１０３の中央方向へは特に制限はない。ただし、有機発光層１０８の形成面積を確保する観点から、陽極１０３上面に形成されるバンク１０６の領域はなるべく小さいほうが望ましい。陽極１０３の側部方向へは、陽極１０３及びホール注入層１０５の側面が露出しないことを満たす範囲で、バンク１０６の形成位置を陽極１０３の側部方向に近づけることができる。ただし、フォトリソグラフィの精度を考慮し、たとえ形成位置がずれたとしても、陽極１０３及びホール注入層１０５の側面が露出しないことが保証される位置にバンク１０６を形成することが望ましい。
（４）上記変形例１－４では、補助電極１０４の一方の側部上面にバンク１０６が乗り上げており、他方の側部は、バンク１０６に覆われていない構成としたが、補助電極１０４の両側部がバンク１０６に覆われていない構成であってもよい。これにより、より一層電気抵抗を低減することができる。
（５）上記実施の形態及び上記各変形例をそれぞれ組み合わせるとしてもよい。

　本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に利用可能である。

１　　　　　表示装置
１０　　　　有機EL表示パネル
２０　　　　駆動制御部
２１－２４　駆動回路
２５　　　　制御回路
１０１　　　TFT基板
１０２　　　層間絶縁膜
１０３　　　陽極
１０４　　　補助電極
１０５　　　ホール注入層
１０６　　　バンク
１０７　　　ホール輸送層
１０８　　　有機発光層
１０９　　　電子輸送層
１１０　　　陰極
１１１　　　封止層

Claims (21)

1. 　基板と、
   　前記基板上に形成された下部電極と、
   　前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記下部電極と離間した領域に形成された補助電極と、
   　前記基板の上方であって、前記下部電極の補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけて形成された隔壁と、
   　前記下部電極の上方に形成された有機発光層と、
   　前記有機発光層上、前記隔壁上、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域、及び前記補助電極上に形成された電荷中間層と、
   　前記電荷中間層上に形成された上部電極と、を含み、
   　前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚く、
   　前記補助電極の側面は、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層から露出した領域を有し、
   　前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域に接触している
   　有機EL表示パネル。
2. 　前記補助電極は、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金で構成され、
   　少なくとも、前記補助電極の側面の、前記電荷中間層から露出した領域には、前記補助電極の側面の酸化を防止する導電性金属酸化物膜が形成されている
   　請求項１に記載の有機EL表示パネル。
3. 　前記補助電極は、少なくともニッケル、あるいはコバルトのいずれか一方を含むアルミニウム合金で構成され、
   　前記補助電極の側面には、前記アルミニウム合金に含まれるニッケル、あるいはコバルトを含む析出物が形成されている
   　請求項１に記載の有機EL表示パネル。
4. 　前記析出物は、粒子である
   　請求項３に記載の有機EL表示パネル。
5. 　前記下部電極と前記補助電極との上面には第２電荷中間層が形成され、
   　前記第２電荷中間層は、前記下部電極上において前記下部電極と前記有機発光層との間に介在し、
   　前記補助電極上において、前記補助電極と前記電荷中間層との間に介在している
   　請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の有機EL表示パネル。
6. 　前記第２電荷中間層はさらに、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在し、当該領域において前記第２電荷中間層上に前記電荷中間層が形成されており、
   　前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の合計膜厚より厚く、
   前記補助電極の側面は、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の積層部分から露出した領域を有し、
   　前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の積層部分から露出した領域に接触している
   　請求項５記載の有機EL表示パネル。
7. 　前記隔壁が形成された前記下部電極の側部は、前記下部電極の側面につらなる所定範囲内の前記下部電極の上面を含む
   　請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の有機EL表示パネル。
8. 　前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域の厚さは、前記上部電極の膜厚より薄い
   　請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の有機EL表示パネル。
9. 　前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域の厚さは、前記上部電極の膜厚より厚い
   　請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の有機EL表示パネル。
10. 　前記補助電極の側面と前記基板とがなす内角が９０度以上である
    　請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の有機EL表示パネル。
11. 　前記隔壁の側面と前記基板とがなす内角は９０度未満である
    　請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の有機EL表示パネル。
12. 　前記補助電極の膜厚が、前記下部電極の膜厚より厚い
    　請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の有機EL表示パネル。
13. 　基板と、
    　前記基板上に形成された第１下部電極と、
    　前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記第１下部電極と離間した領域に形成された補助電極と、
    　前記基板上であって、前記補助電極を挟んで前記第１下部電極の形成位置の反対側に、前記補助電極と離間して形成された第２下部電極と、
    　前記基板の上方であって、前記第１下部電極の前記補助電極と対向する側の側部、前記補助電極の上部、および前記第２下部電極の前記補助電極と対向する側の側部にかけて形成された隔壁と、
    　前記第１下部電極の上方に形成された第１有機発光層と、
    　前記第２下部電極の上方に形成された第２有機発光層と、
    　前記第１有機発光層上、前記隔壁上、及び前記第２有機発光層上に形成された電荷中間層と、
    　前記電荷中間層上に形成された上部電極と、を含み、
    　前記隔壁は、前記隔壁の上面に、前記補助電極の一部を露出する開口部を有し、
    　露出された前記補助電極の一部は、少なくともその側面を含み、
    　前記電荷中間層は、前記開口部から露出した前記補助電極上に形成され、
    　前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層の膜厚より厚く、
    　前記開口部から露出した前記補助電極の側面は、前記電荷中間層から露出した領域を有し、
    　前記上部電極は、前記補助電極の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に接触している
    　有機EL表示パネル。
14. 　前記開口部によって露出される前記補助電極の一部は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域であり、
    　前記開口部から露出した前記補助電極の前記第１下部電極側の領域の側面は、前記電荷中間層から露出した領域を有し、
    　前記上部電極は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域の側面であって前記電荷中間層から露出した領域に接触している
    　請求項１３記載の有機EL表示パネル。
15. 　前記開口部によって露出される前記補助電極の一部は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域及び前記補助電極の前記第２下部電極側の領域であり、
    　前記開口部から露出した前記補助電極の前記第１下部電極側の領域及び前記第２下部電極側の領域の各側面は、前記電荷中間層から露出した領域を有し、
    　前記上部電極は、前記補助電極の前記第１下部電極側の領域及び前記第２下部電極側の領域の各側面であって前記電荷中間層から露出した領域に接触している
    　請求項１３記載の有機EL表示パネル。
16. 　請求項１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の有機EL表示パネルを備えた
    　表示装置。
17. 　基板を準備する第１工程と、
    　前記基板上に下部電極を形成する第２工程と、
    　前記基板上であって、前記基板の主面に沿った方向に前記下部電極と離間した領域に補助電極を形成する第３工程と、
    　前記基板の上方であって、前記下部電極の補助電極と対向する側の側部から、前記下部電極と前記補助電極との間の所定位置にかけた領域に隔壁を形成する第４工程と、
    　前記下部電極の上方に有機発光層を形成する第５工程と、
    　前記有機発光層上、前記隔壁上、前記基板の上方で前記補助電極と前記隔壁との間の領域、及び前記補助電極上に電荷中間層を形成する第６工程と、
    　前記電荷中間層上に上部電極を形成する第７工程と、を含み、
    　前記補助電極の膜厚を、前記電荷中間層の形成予定膜厚より厚く形成し、
    　前記補助電極の側面には、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層から露出した領域が形成され、
    　前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層から露出した領域に接触している
    　有機EL表示パネルの製造方法。
18. 　前記上部電極は、スパッタ法で形成される
    　請求項１７に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
19. 　前記スパッタ法では、
    　前記基板を配置するスパッタ装置内に、前記基板と対向配置した前記上部電極形成用のターゲット部材の前記基板と対向する面の裏面に、マグネット部材を配置し、
    　前記マグネット部材を前記第７工程の際に前記ターゲット部材に対して移動走査しつつスパッタを行う
    　請求項１８に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
20. 　前記補助電極を、少なくともニッケル、あるいはコバルトのいずれか一方を含むアルミニウム合金で形成し、
    　前記第３工程と前記第４工程との間に、前記補助電極を加熱することにより前記補助電極の側面に、ニッケル、あるいはコバルトを含む析出物を形成させる工程を設ける
    　請求項１７記載の有機EL表示パネルの製造方法。
21. 　前記第３工程と前記第４工程との間に、前記下部電極と前記補助電極との上面に第２電荷中間層を形成する工程を設け、
    　前記第５工程において、前記有機発光層は前記第２電荷中間層上に形成され、
    　前記第６工程において、前記電荷中間層は、前記有機発光層上、前記隔壁上、及び前記補助電極上に形成され、
    　前記補助電極の膜厚は、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層の合計膜厚より厚く形成され、
    　前記補助電極の側面には、前記補助電極と前記隔壁との間の領域に存在する前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層から露出した領域が形成され、
    　前記上部電極は、前記補助電極の側面であって、前記電荷中間層及び前記第２電荷中間層から露出した領域に接触している
    　請求項１７ないし請求項２０のいずれか１項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。

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