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WO2012081592A1 - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置 Download PDF

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WO2012081592A1
WO2012081592A1 PCT/JP2011/078850 JP2011078850W WO2012081592A1 WO 2012081592 A1 WO2012081592 A1 WO 2012081592A1 JP 2011078850 W JP2011078850 W JP 2011078850W WO 2012081592 A1 WO2012081592 A1 WO 2012081592A1
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WO
WIPO (PCT)
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photoelectric conversion
conversion unit
slit
intermediate layer
conversion device
Prior art date
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Ceased
Application number
PCT/JP2011/078850
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English (en)
French (fr)
Inventor
山岡　義和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
Publication of WO2012081592A1 publication Critical patent/WO2012081592A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
    • H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
    • H10F19/35—Structures for the connecting of adjacent photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to a photoelectric conversion device.
  • a tandem photoelectric conversion device in which two upper and lower photoelectric conversion units 10 and 12 are stacked with an intermediate layer 14 in between is known.
  • One or more types of transparent conductive films are used for the intermediate layer 14 sandwiched between the upper and lower photoelectric conversion units 10 and 12.
  • a silver (Ag) back electrode 18 also serving as a back reflecting layer is formed on a part of the back electrode, and the back electrode 18 is formed on the transparent electrode layer 16 through a slit S2 formed to penetrate to the transparent electrode layer 16. Connected. Furthermore, it is divided into unit cells by the slit S3, and the unit cells are connected in series.
  • the end portion 14a of the intermediate layer 14 is exposed in the slit S3. Since the intermediate layer 14 is a relatively sparse film, moisture or the like may enter from the outside through the end portion 14a of the intermediate layer 14 and may adversely affect the power generation characteristics of the photoelectric conversion device.
  • the present invention includes a first photoelectric conversion unit, a second photoelectric conversion unit, an electrode provided on the second photoelectric conversion unit, and between the first photoelectric conversion unit and the second photoelectric conversion unit.
  • a photoelectric conversion device comprising a slit formed through the first photoelectric conversion unit, the second photoelectric conversion unit, and the intermediate layer, the end of the intermediate layer on the slit side Is a photoelectric conversion device having a higher density than the end portion.
  • the present invention provides a first photoelectric conversion unit, a second photoelectric conversion unit, an electrode provided on the second photoelectric conversion unit, a first photoelectric conversion unit, and a second photoelectric conversion unit.
  • An intermediate layer provided between the first photoelectric conversion unit, the second photoelectric conversion unit, and the intermediate layer, wherein a slit is formed, the photoelectric conversion device on the slit side of the intermediate layer.
  • the end portion is a photoelectric conversion device that is covered with a coating layer having a higher density than the intermediate layer.
  • the present invention also includes a photoelectric conversion unit, and a front electrode and a back electrode formed so as to sandwich the photoelectric conversion unit, along a slit dividing the photoelectric conversion unit, in the film thickness direction of the photoelectric conversion unit. It is a photoelectric conversion device provided with an extending gap.
  • the present invention can provide a photoelectric conversion device in which deterioration of power generation characteristics is suppressed.
  • the photoelectric conversion device 100 includes a substrate 20, a transparent electrode layer 22, a first photoelectric conversion unit 24, an intermediate layer 26, a second photoelectric conversion unit 28, and a back surface.
  • the electrode layer 30 is included.
  • FIG. 1 and FIG. 2 in order to clearly show the structure of the photoelectric conversion device 100, a part of the photoelectric conversion device 100 is enlarged and the ratio of each part is changed.
  • the transparent electrode layer 22 is formed on the substrate 20.
  • substrate 20 is comprised with the material which has translucency.
  • the substrate 20 can be, for example, a glass substrate, a plastic substrate, or the like.
  • the transparent electrode layer 22 is a transparent conductive film having translucency.
  • the transparent electrode layer 22 is doped with tin oxide (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), etc. with tin (Sn), antimony (Sb), fluorine (F), aluminum (Al), etc.
  • a film obtained by combining at least one kind or a plurality of kinds of the transparent conductive oxides (TCO) can be used.
  • the transparent electrode layer 22 is formed by, for example, a sputtering method or an MOCVD method (thermal CVD). It is also preferable to provide unevenness (texture structure) on one or both surfaces of the substrate 20 and the transparent electrode layer 22.
  • the first slit S1 is formed in the transparent electrode layer 22 and patterned into a strip shape.
  • the slit S1 can be formed by laser processing.
  • the transparent electrode layer 22 can be patterned into a strip shape using a YAG laser having a wavelength of 1064 nm, an energy density of 13 J / cm 2 , and a pulse frequency of 3 kHz.
  • the line width of the slit S1 is preferably 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the first photoelectric conversion unit 24 is formed on the transparent electrode layer 22.
  • the first photoelectric conversion unit 24 is an amorphous silicon solar cell.
  • the first photoelectric conversion unit 24 is formed by laminating amorphous silicon films in the order of p-type, i-type, and n-type from the substrate 20 side.
  • the first photoelectric conversion unit 24 can be formed by, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD).
  • CVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • an RF plasma CVD method of 13.56 MHz is preferably applied.
  • silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), carbon-containing gas such as methane (CH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), etc.
  • silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), carbon-containing gas such as methane (CH 4 ), diborane (B 2 H 6 ), etc.
  • the intermediate layer 26 is formed on the first photoelectric conversion unit 24.
  • the intermediate layer 26 is made of a light transmissive material. Specifically, it is preferable to use a transparent conductive oxide (TCO) such as silicon oxide (SiOx). In particular, silicon oxide (SiOx) doped with magnesium (Mg) or phosphorus (P) is preferably used.
  • TCO transparent conductive oxide
  • SiOx silicon oxide
  • Mg magnesium
  • P phosphorus
  • the film thickness of the intermediate layer 26 is preferably 10 nm or more and 200 nm or less.
  • the intermediate layer 26 can be formed by a DC sputtering method or a plasma CVD method.
  • the second photoelectric conversion unit 28 is formed on the intermediate layer 26.
  • the second photoelectric conversion unit 28 is a microcrystalline silicon solar cell.
  • the second photoelectric conversion unit 28 is formed by stacking microcrystalline silicon films in the order of p-type, i-type, and n-type from the substrate 20 side.
  • the second photoelectric conversion unit 28 can be formed by a plasma CVD method.
  • the plasma CVD method for example, an RF plasma CVD method of 13.56 MHz is preferably applied.
  • the second photoelectric conversion unit 28 includes silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ), carbon-containing gas such as methane (CH 4 ), diborane (B 2). It is formed by forming a film by plasma-forming a mixed gas obtained by mixing a p-type dopant-containing gas such as H 6 ), an n-type dopant-containing gas such as phosphine (PH 3 ), and a diluent gas such as hydrogen (H 2 ). be able to.
  • the film thickness of the i layer of the second photoelectric conversion unit 28 is preferably 1000 nm or more and 5000 nm or less.
  • a second slit S2 is formed and patterned into a strip shape.
  • the slit S ⁇ b> 2 is formed so as to penetrate the second photoelectric conversion unit 28, the intermediate layer 26, and the first photoelectric conversion unit 24 and reach the transparent electrode layer 22.
  • the slit S2 can be formed by, for example, laser processing. Although laser processing is not limited to this, it is preferable to use a wavelength of about 532 nm (second harmonic of a YAG laser). The energy density of laser processing may be set to 1 ⁇ 10 5 W / cm 2 , for example.
  • a slit S2 is formed by irradiating a YAG laser at a position 50 ⁇ m lateral from the position of the slit S1 formed in the transparent electrode layer 22.
  • the line width of the slit S2 is preferably 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • the back electrode layer 30 is formed on the second photoelectric conversion unit 28.
  • the back electrode layer 30 preferably has a structure in which a transparent conductive oxide (TCO) and a reflective metal are sequentially laminated.
  • TCO transparent conductive oxide
  • SnO 2 tin oxide
  • ZnO zinc oxide
  • ITO indium tin oxide
  • metals such as silver (Ag) and aluminum (Al), can be used.
  • the transparent conductive oxide (TCO) can be formed by, for example, a sputtering method or a CVD method.
  • the back electrode layer 30 is preferably about 1 ⁇ m in total. It is preferable to provide at least one of the back electrode layer 30 with unevenness for enhancing the light confinement effect.
  • the back electrode layer 30 is embedded in the slit S2, and the back electrode layer 30 and the transparent electrode layer 22 are electrically connected in the slit S2.
  • a third slit S3 is formed in the back electrode layer 30 and patterned into a strip shape.
  • the slit S ⁇ b> 3 is formed so as to penetrate the back electrode layer 30, the second photoelectric conversion unit 28, the intermediate layer 26, and the first photoelectric conversion unit 24 and reach the transparent electrode layer 22.
  • the slit S3 is formed at a position where the slit S2 is sandwiched between the slit S3 and the slit S1.
  • the slit S3 can be formed by laser processing.
  • the slit S3 is formed by irradiating YAG laser at a position 50 ⁇ m lateral from the position of the slit S2.
  • a YAG laser having an energy density of 0.7 J / cm 2 and a pulse frequency of 4 kHz is preferably used.
  • the line width of the slit S3 is preferably 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less. Further, a groove for separating the peripheral region and the power generation region is formed around the photoelectric conversion device 100 by laser processing.
  • a fourth slit S4 is formed in the back electrode layer 30 in the peripheral portion of the substrate 20, and a groove that separates the peripheral region and the power generation region is formed in the periphery of the photoelectric conversion device 100.
  • the slit S4 is formed so as to penetrate the back electrode layer 30, the second photoelectric conversion unit 28, the intermediate layer 26, the first photoelectric conversion unit 24, and the transparent electrode layer 22 and reach the substrate 20.
  • the slit S4 can be formed by laser processing. For example, it is preferable to use a YAG laser having a wavelength of 1064 nm, an energy density of 50 J / cm 2 , and a pulse frequency of 3 kHz.
  • the line width of the slit S4 is preferably 10 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less.
  • step S26 the end portion of the intermediate layer 26 exposed in the slits S3 and S4 is processed.
  • the processing here is processing in which the end portion 26a of the intermediate layer 26 exposed in the slits S3 and S4 has a higher density than that other than the end portion 26a.
  • Silane plasma can be generated, for example, by a 13.56 MHz RF plasma method.
  • Silane (SiH 4 ) is introduced into the evacuated processing chamber at a predetermined pressure and flow rate, and silane plasma is generated by applying RF power to parallel plate electrodes and the like.
  • silane plasma is generated by applying RF power to parallel plate electrodes and the like.
  • the substrate 20 on which the slits S3 are formed on the parallel plate electrodes the exposed surface in the slits S3 can be exposed to silane plasma.
  • silane (SiH 4 ) a silicon-containing gas such as disilane (Si 2 H 6 ) or dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) may be used.
  • the end portion 26a of the intermediate layer 26 thus processed becomes a denser and denser film than other portions of the intermediate layer 26 (portions not exposed in the slits S3 and S4). It is possible to suppress deterioration of photoelectric conversion characteristics due to moisture or the like entering from the portion 26a.
  • the back electrode layer 30 may be covered with a back sheet using a filler or the like and sealed.
  • the filler and the back sheet can be resin materials such as EVA and polyimide. Sealing can be performed by covering the back electrode layer 30 coated with the filler with a back sheet and applying pressure to the back sheet toward the back electrode layer 30 while heating to a temperature of about 150 ° C. Thereby, it is possible to further suppress the intrusion of moisture or the like into the power generation layer of the photoelectric conversion device 100.
  • the treatment for densifying the end portion 26a of the intermediate layer 26 is performed by using silane plasma.
  • the covering layer 32 is formed so as to cover the end portion 26 a of the intermediate layer 26.
  • the covering layer 32 is preferably an undoped silicon layer or an amorphous silicon layer. These layers have a denser and denser structure than the silicon oxide (SiOx) of the intermediate layer 26.
  • the coating layer 32 can be formed by, for example, plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD).
  • CVD plasma enhanced chemical vapor deposition
  • an RF plasma CVD method of 13.56 MHz is preferably applied.
  • a mixed gas obtained by mixing a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 ) and a diluent gas such as hydrogen (H 2 ) is formed into a plasma to form a film.
  • a silicon-containing gas such as silane (SiH 4 ), disilane (Si 2 H 6 ), dichlorosilane (SiH 2 Cl 2 )
  • a diluent gas such as hydrogen (H 2 )
  • the oxygen content per unit volume of the coating layer 32 is lower than the oxygen content per unit volume of the end portion 26 a of the intermediate layer 26. Further, in the observation with a transmission electron microscope, the coating layer 32 is observed as a structure having a higher density than the end portion 26 a of the intermediate layer 26.
  • the coating layer 32 formed in this way becomes a denser and denser film than the intermediate layer 26, and can suppress deterioration in photoelectric conversion characteristics due to intrusion of moisture or the like from the end portion 26a of the intermediate layer 26.
  • the transparent electrode layer 22 exposed in the back electrode layer 30 and the slits S3 and S4 is covered with the coating layer 32, and photoelectric conversion characteristics due to moisture and the like intruding into these regions through the slits S3 and S4. It is also possible to suppress the deterioration of.
  • the photoelectric conversion device 102 As shown in the cross-sectional view of FIG. 4, the photoelectric conversion device 102 according to the embodiment of the present invention has a substrate 20, a transparent electrode layer 22, a first photoelectric conversion unit 24, and an intermediate layer as in the first embodiment. 26, the 2nd photoelectric conversion unit 28, and the back surface electrode layer 30 are comprised.
  • the photoelectric conversion apparatus 102 according to the second embodiment is the same as the first embodiment except for the method of forming the second slit S2 in step S20 and the third slit S3 and the fourth slit S4 in step S24. Can be formed.
  • the region where the second slit S2 is formed is irradiated with the laser 40 from the substrate 20 side.
  • the laser 40 is preferably a second harmonic of a YAG laser having a wavelength of 532 nm.
  • the irradiation condition of the laser 40 is preferably a scan with a pulse width of 80 ns, a power density of 9.5 ⁇ 10 6 W / cm 2 and a processing speed of 800 mm / second.
  • the laser 40 is absorbed by the first photoelectric conversion unit 24 in the interface region with the transparent electrode layer 22, and the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28 are physically removed.
  • the second slit S2 is formed, and at the same time, the film of the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28 in the region near the second slit S2.
  • a gap G extending in the thickness direction is formed.
  • the region where the third slit S3 is formed is irradiated with the laser 42 from the substrate 20 side.
  • the laser 42 is preferably a second harmonic of a YAG laser having a wavelength of 532 nm. It is preferable that the laser 42 is irradiated with a pulse width of 80 ns, a power density of 9.5 ⁇ 10 6 W / cm 2 , and a processing speed of 800 mm / second.
  • the laser 42 is absorbed by the first photoelectric conversion unit 24 in the interface region with the transparent electrode layer 22, and the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28 are physically removed.
  • the third slit S3 is formed, and at the same time, the film of the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28 in the vicinity of the third slit S3.
  • a gap G extending in the thickness direction is formed.
  • the region where the fourth slit S4 is formed is also irradiated with the laser 44 from the substrate 20 side.
  • the laser 44 is preferably a YAG laser having a wavelength of 1064 nm.
  • the irradiation condition of the laser 44 it is preferable to scan with a pulse frequency of 3 kHz, a power density of 50 J / cm 2 and a processing speed of 800 mm / second.
  • the laser 44 is absorbed by the transparent electrode layer 22 in the interface region with the substrate 20, and the transparent electrode layer 22, the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28 are physically removed. Thereby, as shown in FIG. 5, at the same time as the fourth slit S4 is formed, the film of the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28 in the region near the fourth slit S4.
  • a gap G extending in the thickness direction is formed.
  • the gap G is formed along the extending direction of any of the second slit S2, the third slit S3, and the fourth slit S4, that is, the direction perpendicular to the plane of FIG. 4 and FIG.
  • the gap G is formed so as to extend in the film thickness direction of the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28.
  • the gap G is formed from the interface between the transparent electrode layer 22 and the first photoelectric conversion unit 24 to a position separated by 0.2 ⁇ m or more before the back electrode layer 30.
  • the width of the gap G is preferably 0.01 ⁇ m or more and 1 ⁇ m or less, for example, about 0.1 ⁇ m.
  • the gap G is considered to be an air layer formed in the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26 and the second photoelectric conversion unit 28. That is, the refractive index of the gap G is lower than the refractive indexes of the first photoelectric conversion unit 24, the intermediate layer 26, and the second photoelectric conversion unit 28. As shown by the arrows in FIG. The light traveling from the inside of the second photoelectric conversion unit 28 to any one of the second slit S2, the third slit S3, and the fourth slit S4 is reflected again inward in the gap G.

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

　第１光電変換ユニット２４と、第２光電変換ユニット２８と、第１光電変換ユニット２４と第２光電変換ユニット２８との間に設けられた中間層２６と、を備え、第１光電変換ユニット２４、第２光電変換ユニット２８及び中間層２６を貫いてスリットＳ３が形成され、中間層２６のスリットＳ３側の端部２６ａは、端部２６ａ以外よりも高い密度を有する構成とする。

Description

光電変換装置
　本発明は、光電変換装置に関する。
　図７に示すように、中間層１４を挟んで上部及び下部の２つの光電変換ユニット１０、１２を積層したタンデム型の光電変換装置が知られている。上部及び下部の光電変換ユニット１０、１２に挟まれる中間層１４には１種以上の透明導電膜が用いられる。また、裏面電極の一部には裏面反射層を兼ねる銀（Ａｇ）の裏面電極１８が形成され、透明電極層１６まで貫いて形成されたスリットＳ２を介して裏面電極１８が透明電極層１６に接続される。さらに、スリットＳ３によって、単位セルに分割され、単位セルが直列に接続された構成となっている。
特開２０１０－１４０９３５号公報
　ところで、スリットＳ３内には中間層１４の端部１４ａが露出している。中間層１４は、比較的疎な膜であるので、外部から中間層１４の端部１４ａを介して水分等が浸入し、光電変換装置の発電特性を低下させる等の悪影響を及ぼすおそれがある。
　また、図８の矢印で示すように、透明導電膜や裏面電極のテクスチャ等で散乱された光はスリットＳ３の側面を介して表面や裏面から漏れ出す。このように漏れだした光は発電に寄与しないので、光電変換装置の発電効率が低下する原因となる。
　本発明は、第１の光電変換ユニットと、第２の光電変換ユニットと、第２の光電変換ユニット上に設けられた電極と、第１の光電変換ユニットと第２の光電変換ユニットとの間に設けられた中間層と、を備え、第１の光電変換ユニット、第２の光電変換ユニット及び中間層を貫いてスリットが形成された光電変換装置であって、中間層のスリット側の端部は、端部以外よりも高い密度を有する、光電変換装置である。
　また、本発明は、第１の光電変換ユニットと、第２の光電変換ユニットと、第２の光電変換ユニット上に設けられた電極と、第１の光電変換ユニットと第２の光電変換ユニットとの間に設けられた中間層と、を備え、第１の光電変換ユニット、第２の光電変換ユニット及び中間層を貫いてスリットが形成された光電変換装置であって、中間層のスリット側の端部は、中間層よりも高い密度を有する被覆層で覆われている、光電変換装置である。
　また、本発明は、光電変換ユニットと、光電変換ユニットを挟むように形成された表面電極及び裏面電極と、を備え、光電変換ユニットを分割するスリット、に沿って光電変換ユニットの膜厚方向に延びるギャップが設けられている、光電変換装置である。
　本発明は、発電特性の劣化を抑制した光電変換装置を提供することができる。
第１の実施の形態における光電変換装置の構成を示す断面模式図である。 第１の実施の形態における光電変換装置の製造工程を示す図である。 本発明の変形例における光電変換装置の構成を示す断面模式図である。 第２の実施の形態における光電変換装置の構成を示す断面模式図である。 第２の実施の形態における光電変換装置の製造工程を示す図である。 第２の実施の形態における光電変換装置の作用を説明する図である。 従来の光電変換装置の構成を示す断面模式図である。 従来の光電変換装置の課題を説明する図である。
＜第１の実施の形態＞
　本発明の実施の形態における光電変換装置１００は、図１の断面図に示すように、基板２０、透明電極層２２、第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８及び裏面電極層３０を含んで構成される。
　以下、図２の製造工程図を参照して、光電変換装置１００の製造方法及びその構造について説明する。なお、図１及び図２では光電変換装置１００の構造を明確に示すために、光電変換装置１００の一部を拡大して示し、各部の比率を変えて示している。
　ステップＳ１０では、基板２０上に透明電極層２２を形成する。基板２０は、透光性を有する材料で構成する。基板２０は、例えば、ガラス基板、プラスチック基板等とすることができる。透明電極層２２は、透光性を有する透明導電膜とする。透明電極層２２は、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等に錫（Ｓｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、フッ素（Ｆ）、アルミニウム（Ａｌ）等をドープした透明導電性酸化物（ＴＣＯ）のうち少なくとも一種類又は複数種を組み合わせた膜を用いることができる。透明電極層２２は、例えば、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法（熱ＣＶＤ）により形成する。基板２０と透明電極層２２の一方又は両方の表面に凹凸（テクスチャ構造）を設けることも好適である。
　ステップＳ１２では、透明電極層２２に第１のスリットＳ１を形成して短冊状にパターニングする。スリットＳ１は、レーザ加工により形成することができる。例えば、波長１０６４ｎｍ、エネルギー密度１３Ｊ／ｃｍ2、パルス周波数３ｋＨｚのＹＡＧレーザを用いて透明電極層２２を短冊状にパターニングすることができる。スリットＳ１の線幅は１０μｍ以上２００μｍ以下とすることが好適である。
　ステップＳ１４では、透明電極層２２上に第１光電変換ユニット２４を形成する。本実施の形態では、第１光電変換ユニット２４は非晶質（アモルファス）シリコン太陽電池とする。第１光電変換ユニット２４は、基板２０側からｐ型、ｉ型、ｎ型の順にアモルファスシリコン膜を積層して形成する。第１光電変換ユニット２４は、例えば、プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）により形成することができる。プラズマＣＶＤ法は、例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することが好適である。このとき、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のシリコン含有ガス、メタン（ＣＨ4）等の炭素含有ガス、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）等のｐ型ドーパント含有ガス、フォスフィン（ＰＨ3）等のｎ型ドーパント含有ガス及び水素（Ｈ2）等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって、ｐ型、ｉ型、ｎ型のアモルファスシリコン膜を積層することができる。第１光電変換ユニット２４のｉ層の膜厚は１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好適である。
　ステップＳ１６では、第１光電変換ユニット２４上に中間層２６を形成する。中間層２６は、透光性を有する材料で構成する。具体的には、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を用いることが好適である。特に、マグネシウム（Ｍｇ）やリン（Ｐ）がドープされた酸化シリコン（ＳｉＯｘ）を用いることが好適である。中間層２６の膜厚は１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることが好適である。中間層２６は、ＤＣスパッタリング法又はプラズマＣＶＤ法により形成することができる。
　ステップＳ１８では、中間層２６上に第２光電変換ユニット２８を形成する。本実施の形態では、第２光電変換ユニット２８は微結晶シリコン太陽電池とする。第２光電変換ユニット２８は、基板２０側からｐ型、ｉ型、ｎ型の順に微結晶シリコン膜を積層して形成する。第２光電変換ユニット２８は、プラズマＣＶＤ法により形成することができる。プラズマＣＶＤ法は、例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することが好適である。第２光電変換ユニット２８は、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のシリコン含有ガス、メタン（ＣＨ4）等の炭素含有ガス、ジボラン（Ｂ2Ｈ6）等のｐ型ドーパント含有ガス、フォスフィン（ＰＨ3）等のｎ型ドーパント含有ガス及び水素（Ｈ2）等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって形成することができる。第２光電変換ユニット２８のｉ層の膜厚は１０００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下とすることが好適である。
　ステップＳ２０では、第２のスリットＳ２を形成して短冊状にパターニングする。スリットＳ２は、第２光電変換ユニット２８，中間層２６，第１光電変換ユニット２４を貫いて透明電極層２２に到達するように形成する。スリットＳ２は、例えば、レーザ加工により形成することができる。レーザ加工は、これに限定されるものではないが、波長約５３２ｎｍ（ＹＡＧレーザの第２高調波）を用いて行うことが好適である。レーザ加工のエネルギー密度は例えば１×１０5Ｗ／ｃｍ2とすればよい。透明電極層２２に形成したスリットＳ１の位置から５０μｍ横の位置にＹＡＧレーザを照射してスリットＳ２を形成する。スリットＳ２の線幅は、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることが好適である。
　ステップＳ２２では、第２光電変換ユニット２８上に裏面電極層３０を形成する。裏面電極層３０は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）と反射性金属とを順に積層した構造とすることが好適である。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）としては、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等、又は、これらに不純物をドープしたものが用いられる。例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）にアルミニウム（Ａｌ）を不純物としてドープしたものが用いられる。また、反射性金属としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属が使用できる。透明導電性酸化物（ＴＣＯ）は、例えば、スパッタリング法又はＣＶＤ法等により形成することができる。裏面電極層３０は、合わせて１μｍ程度の膜厚とすることが好適である。裏面電極層３０の少なくとも一方には、光閉じ込め効果を高めるための凹凸を設けることが好適である。
　裏面電極層３０は、スリットＳ２に埋め込まれ、スリットＳ２内で裏面電極層３０と透明電極層２２とが電気的に接続される。
　ステップＳ２４では、裏面電極層３０に第３のスリットＳ３を形成して短冊状にパターニングする。スリットＳ３は、裏面電極層３０，第２光電変換ユニット２８，中間層２６，第１光電変換ユニット２４を貫いて透明電極層２２に到達するように形成する。スリットＳ３は、スリットＳ１との間にスリットＳ２を挟む位置に形成する。スリットＳ３は、レーザ加工により形成することができる。例えば、スリットＳ２の位置から５０μｍ横の位置にＹＡＧレーザを照射してスリットＳ３を形成する。ＹＡＧレーザは、エネルギー密度０．７Ｊ／ｃｍ2、パルス周波数４ｋＨｚのものを用いることが好適である。スリットＳ３の線幅は、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることが好適である。さらに、レーザ加工により光電変換装置１００の周辺に周辺領域と発電領域とを分離する溝を形成する。
　また、基板２０の周辺部分における裏面電極層３０に第４のスリットＳ４を形成し、光電変換装置１００の周辺に周辺領域と発電領域とを分離する溝を形成する。スリットＳ４は、裏面電極層３０，第２光電変換ユニット２８，中間層２６，第１光電変換ユニット２４及び透明電極層２２を貫いて基板２０に到達するように形成する。スリットＳ４は、レーザ加工により形成することができる。例えば、波長１０６４ｎｍ、エネルギー密度５０Ｊ／ｃｍ2、パルス周波数３ｋＨｚのＹＡＧレーザを用いることが好適である。スリットＳ４の線幅は、１０μｍ以上２００μｍ以下とすることが好適である。
　ステップＳ２６では、スリットＳ３及びＳ４内に露出した中間層２６の端部に処理を施す。ここでの処理は、スリットＳ３及びＳ４内に露出した中間層２６の端部２６ａが端部２６ａ以外よりも高い密度となるような処理である。
　具体的には、スリットＳ３及びＳ４を形成した後にシランプラズマに曝す処理を行うことが好適である。
　シランプラズマは、例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦプラズマ法により生成することができる。真空排気された処理チャンバ内に、所定の圧力及び流量でシラン（ＳｉＨ4）を導入し、平行平板電極等にＲＦ電力を印加することによってシランプラズマを発生させる。平行平板電極に、スリットＳ３までを形成した基板２０を設置することによってスリットＳ３内の露出面をシランプラズマに曝すことができる。なお、シラン（ＳｉＨ4）の代りに、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のシリコン含有ガスを用いてもよい。
　このとき、化学式（１）で示されるような反応が起き、中間層２６の端部２６ａにおける酸化シリコン（ＳｉＯｘ）が還元されて、中間層２６の端部２６ａはより高密度なシリコン結合を有する領域となる。このとき、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）で分析すると、中間層２６の端部２６ａの単位体積当たりの酸素含有量は、中間層２６の端部２６ａ以外の部分の単位体積当たりの酸素含有量よりも低くなる。また、透過電子顕微鏡での観察では、中間層２６の端部２６ａは、中間層２６の端部２６ａ以外の部分よりも高密度の構造として観察される。
　　（化１）
ＳｉＨ4＋ＳｉＯｘ→Ｓｉ－Ｓｉ＋Ｈ2Ｏ↑　・・・（１）
　このように処理された中間層２６の端部２６ａは、中間層２６の他の部分（スリットＳ３及びＳ４内に露出していない部分）よりも高密度で緻密な膜となり、中間層２６の端部２６ａから水分等が浸入することによる光電変換特性の劣化を抑制することができる。
　さらに、充填材等を用いて裏面電極層３０をバックシートで覆って封止してもよい。充填材及びバックシートは、ＥＶＡ、ポリイミド等の樹脂材料とすることができる。充填材を塗布した裏面電極層３０上をバックシートで覆い、１５０℃程度の温度に加熱しつつ裏面電極層３０へ向かってバックシートに圧力を加えることによって封止を行うことができる。これによって、光電変換装置１００の発電層への水分等の浸入をより抑制することができる。
＜変形例＞
　上記実施の形態ではシランプラズマを利用することによって中間層２６の端部２６ａを高密度化する処理を行った。本変形例では、上記処理に代わって、又は上記処理に加えて、図３に示すように、中間層２６の端部２６ａを覆うように被覆層３２を形成する。
　被覆層３２は、ドープされていないシリコン層やアモルファスシリコン層とすることが好適である。これらの層は、中間層２６の酸化シリコン（ＳｉＯｘ）よりも高密度で緻密な構造を有する。
　被覆層３２は、例えば、プラズマ化学気相成長法（ＣＶＤ）により形成することができる。プラズマＣＶＤ法は、例えば、１３．５６ＭＨｚのＲＦプラズマＣＶＤ法を適用することが好適である。このとき、シラン（ＳｉＨ4）、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等のシリコン含有ガス及び水素（Ｈ2）等の希釈ガスを混合した混合ガスをプラズマ化して成膜を行うことによって、ドープされていないシリコン層やアモルファスシリコン層を積層することができる。
　このとき、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）で分析すると、被覆層３２の単位体積当たりの酸素含有量は、中間層２６の端部２６ａの単位体積当たりの酸素含有量よりも低くなる。また、透過電子顕微鏡での観察では、被覆層３２は、中間層２６の端部２６ａよりも高密度の構造として観察される。
　このように形成された被覆層３２は、中間層２６よりも高密度で緻密な膜となり、中間層２６の端部２６ａから水分等が浸入することによる光電変換特性の劣化を抑制することができる。また、裏面電極層３０やスリットＳ３及びＳ４内に露出していた透明電極層２２が被覆層３２で覆われ、スリットＳ３及びＳ４を介してこれらの領域に水分等が浸入することによる光電変換特性の劣化も抑制することができる。
＜第２の実施の形態＞
　本発明の実施の形態における光電変換装置１０２は、図４の断面図に示すように、第１の実施の形態と同様に、基板２０、透明電極層２２、第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８及び裏面電極層３０を含んで構成される。
　第２の実施の形態に係る光電変換装置１０２では、ステップＳ２０で第２のスリットＳ２並びにステップＳ２４の第３のスリットＳ３及び第４のスリットＳ４の形成方法以外は第１の実施の形態と同様に形成することができる。
　本実施の形態では、ステップＳ２０において、第２のスリットＳ２を形成する領域に対して基板２０側からレーザ４０を照射する。レーザ４０は、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザの２倍高調波とすることが好適である。レーザ４０の照射条件は、パルス幅８０ｎｓ、パワー密度９．５×１０6Ｗ／ｃｍ2で加工速度８００ｍｍ／秒で走査することが好適である。レーザ４０は透明電極層２２との界面領域で第１光電変換ユニット２４に吸収され、第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８が物理的に除去される。これにより、図５に示すように、第２のスリットＳ２が形成されると同時に、第２のスリットＳ２の近傍領域において第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８の膜厚方向に向けて延びるギャップＧが形成される。
　また、ステップＳ２４において、第３のスリットＳ３を形成する領域に対して基板２０側からレーザ４２を照射する。レーザ４２は、波長５３２ｎｍのＹＡＧレーザの２倍高調波とすることが好適である。レーザ４２の照射条件は、パルス幅８０ｎｓ、パワー密度９．５×１０6Ｗ／ｃｍ2で加工速度８００ｍｍ／秒で走査することが好適である。レーザ４２は透明電極層２２との界面領域で第１光電変換ユニット２４に吸収され、第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８が物理的に除去される。これにより、図５に示すように、第３のスリットＳ３が形成されると同時に、第３のスリットＳ３の近傍領域において第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８の膜厚方向に向けて延びるギャップＧが形成される。
　また、第４のスリットＳ４を形成する領域に対しても基板２０側からレーザ４４を照射する。レーザ４４は、波長１０６４ｎｍのＹＡＧレーザとすることが好適である。レーザ４４の照射条件は、パルス周波数３ｋＨｚ、パワー密度５０Ｊ／ｃｍ2で加工速度８００ｍｍ／秒で走査することが好適である。レーザ４４は基板２０との界面領域で透明電極層２２に吸収され、透明電極層２２、第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８が物理的に除去される。これにより、図５に示すように、第４のスリットＳ４が形成されると同時に、第４のスリットＳ４の近傍領域において第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８の膜厚方向に向けて延びるギャップＧが形成される。
　ギャップＧは、第２のスリットＳ２、第３のスリットＳ３、第４のスリットＳ４のいずれかの延設方向、すなわち図４及び図５の紙面垂直方向に沿って形成される。また、ギャップＧは、第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８の膜厚方向に向けて延びるように形成される。特に、ギャップＧは、透明電極層２２と第１光電変換ユニット２４との界面から始まり、裏面電極層３０の手前０．２μｍ以上離れた位置まで形成されることが好適である。また、第２のスリットＳ２、第３のスリットＳ３、第４のスリットＳ４のいずれかから０．１μｍ以上離れた位置から０．８μｍ以内の領域に形成されることが好適である。また、ギャップＧの幅は、０．０１μｍ以上１μｍ以下が好適であり、例えば、０．１μｍ程度となる。
　ギャップＧは、第１光電変換ユニット２４、中間層２６及び第２光電変換ユニット２８内に形成された空気の層であると考えられる。すなわち、ギャップＧの屈折率は第１光電変換ユニット２４、中間層２６及び第２光電変換ユニット２８の屈折率より低く、図６の矢印で示すように、第１光電変換ユニット２４、中間層２６及び第２光電変換ユニット２８の内部から第２のスリットＳ２、第３のスリットＳ３、第４のスリットＳ４のいずれかへ向かう光はギャップＧにおいて再び内側へ向かって反射される。ギャップＧがない従来の光電変換装置の場合、光電変換ユニットからスリットへ向かう光の一部が光電変換ユニットとスリット（ＥＶＡ等の充填材）との面で反射される。ギャップＧを設けることによって、第２のスリットＳ２、第３のスリットＳ３、第４のスリットＳ４のいずれかから漏れ出す光の量が従来の光電変換装置に比べて低減され、第１光電変換ユニット２４及び第２光電変換ユニット２８での変換効率が向上される。
　なお、上記実施の形態及び変形例において、基板２０の第４のスリットＳ４より外周部の透明電極層２２、第１光電変換ユニット２４、中間層２６、第２光電変換ユニット２８、裏面電極層３０をすべて取り除いた構成としてもよい。この場合でも、上記実施の形態及び変形例と同様の効果を得ることができる。
　１０　光電変換ユニット、１４　中間層、１４ａ　端部、１６　透明電極層、１８　裏面電極、２０　基板、２２　透明電極層、２４　光電変換ユニット、２６　中間層、２６ａ　端部、２８　光電変換ユニット、３０　裏面電極層、３２　被覆層、１００　光電変換装置。

Claims (9)

  1. 　第１の光電変換ユニットと、第２の光電変換ユニットと、前記第２の光電変換ユニット上に設けられた電極と、
    　前記第１の光電変換ユニットと前記第２の光電変換ユニットとの間に設けられた中間層と、を備え、
    　前記第１の光電変換ユニット、前記第２の光電変換ユニット、前記電極及び前記中間層を貫いてスリットが形成された光電変換装置であって、
    　前記中間層の前記スリット側の端部は、前記端部以外よりも高い密度を有することを特徴とする光電変換装置。
  2. 　請求項１に記載の光電変換装置であって、
    　前記中間層の前記端部は、前記中間層の前記端部以外よりも酸素の含有率が低いことを特徴とする光電変換装置。
  3. 　第１の光電変換ユニットと、第２の光電変換ユニットと、前記第２の光電変換ユニット上に設けられた電極と、
    　前記第１の光電変換ユニットと前記第２の光電変換ユニットとの間に設けられた中間層と、を備え、
    　前記第１の光電変換ユニット、前記第２の光電変換ユニット、前記電極及び前記中間層を貫いてスリットが形成された光電変換装置であって、
    　前記中間層の前記スリット側の端部は、前記中間層よりも高い密度を有する被覆層で覆われていることを特徴とする光電変換装置。
  4. 　請求項３に記載の光電変換装置であって、
    　前記被覆層は、ドープされていないシリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
  5. 　請求項３に記載の光電変換装置であって、
    　前記被覆層は、アモルファスシリコン層であることを特徴とする光電変換装置。
  6. 　光電変換ユニットと、
    　前記光電変換ユニットを挟むように形成された表面電極及び裏面電極と、
    　を備え、
    　前記光電変換ユニットを分割するスリットに沿って前記光電変換ユニットの膜厚方向に延びるギャップが設けられていることを特徴とする光電変換装置。
  7. 　請求項６に記載の光電変換装置であって、
    　前記ギャップは、前記表面電極と前記光電変換ユニットとの界面から前記裏面電極と前記光電変換ユニットとの界面方向に延び、前記裏面電極まで到達していないことを特徴とする光電変換装置。
  8. 　請求項６に記載の光電変換装置であって、
    　前記ギャップは、前記スリットから０．１μｍ以上離れ、０．８μｍ以内の範囲に設けられていることを特徴とする光電変換装置。
  9. 　請求項６に記載の光電変換装置であって、
    　前記ギャップは、０．０１μｍ以上１μｍ以下の幅であることを特徴とする光電変換装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237608A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd タンデム型薄膜太陽電池の製造方法
JP2006310694A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Kaneka Corp 集積化多接合薄膜光電変換装置
WO2009150980A1 (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 三菱電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP2010103170A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池の製造装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002237608A (ja) * 2001-02-08 2002-08-23 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd タンデム型薄膜太陽電池の製造方法
JP2006310694A (ja) * 2005-05-02 2006-11-09 Kaneka Corp 集積化多接合薄膜光電変換装置
WO2009150980A1 (ja) * 2008-06-09 2009-12-17 三菱電機株式会社 薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP2010103170A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 Mitsubishi Electric Corp 薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池の製造装置

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