WO2012074101A1

WO2012074101A1 - 高周波信号線路及び電子機器

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Publication number: WO2012074101A1
Application number: PCT/JP2011/077931
Authority: WO
Inventors: 加藤　登; 茂多胡; 佐々木　純; 栗田　淳一; 怜佐々木
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-12-03
Filing date: 2011-12-02
Publication date: 2012-06-07
Anticipated expiration: 2013-06-03
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Abstract

　容易に曲げることができると共に、信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる高周波信号線路及び電子機器を提供することである。　誘電体素体１２は、保護層１４及び誘電体シート１８ａ～１８ｃが積層されてなり、かつ、表面及び裏面を有する。信号線２０は、誘電体素体１２に設けられている線状の導体である。グランド導体２２は、誘電体素体１２に設けられ、かつ、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向しており、信号線２０に沿って連続的に延在している。グランド導体２４は、誘電体素体１２に設けられ、かつ、信号線２０を挟んでグランド導体２２と対向しており、複数の開口３０が信号線２０に沿って並ぶように設けられている。信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する誘電体素体１２の表面が、バッテリーパック２０６に対して接触する。

Description

高周波信号線路及び電子機器

　本発明は、高周波信号線路及び電子機器に関し、より特定的には、信号線及び該信号線に対向するグランド導体を備えている高周波信号線路及び電子機器に関する。

　高周波回路間を接続するための高周波線路としては、同軸ケーブルが一般的に用いられる。同軸ケーブルは、曲げ等の変形が容易であり、かつ、安価であることから広く用いられている。

　ところで、近年、移動体通信端末等の高周波機器の小型化が進んでいる。そのため、高周波機器において、円形の断面形状を有する同軸ケーブルを配置するスペースを確保することが困難になってきている。そこで、ストリップラインが可撓性の積層体内に形成された高周波信号線路が用いられることがある。

　トリプレート型のストリップラインは、信号線がグランド導体により挟まれた構造を有している。該高周波信号線路の積層方向の厚みは、同軸ケーブルの直径よりも小さいので、高周波信号線路は、同軸ケーブルの収容が不可能である小さなスペースに収容可能である。

　また、前記高周波信号線路に関連する発明としては、特許文献１に記載のフレキシブル基板が知られている。特許文献１に記載のフレキシブル基板では、グランド導体に開口部が設けられており、全面に形成されたグランド導体で挟まれたストリップラインと比較して容易に曲げることができるように構成されている。

　しかしながら、特許文献１に記載のフレキシブル基板では、開口からフレキシブル基板の外部に電磁界が漏れるおそれがある。そのため、フレキシブル基板の周囲に誘電体や金属体等の物品が設けられていると、フレキシブル基板の信号線と物品との間で電磁界結合が発生する。その結果、フレキシブル基板の信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれてしまうおそれがある。

特開２００７－１２３７４０号公報

　そこで、本発明の目的は、容易に曲げることができると共に、信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる高周波信号線路及び電子機器を提供することである。

　本発明の一形態に係る高周波信号線路は、絶縁体層が積層されてなり、かつ、第１の主面及び第２の主面を有する積層体と、前記積層体に設けられている線状の信号線と、前記積層体に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して前記信号線と対向しているグランド導体であって、前記信号線に沿って連続的に延在する第１のグランド導体と、前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向しているグランド導体であって、複数の開口が前記信号線に沿って並ぶように設けられている第２のグランド導体と、を備えており、前記信号線に関して前記第１のグランド導体側に位置する前記第１の主面が、物品に対する接触面となること、を特徴とする。

　本発明のその他の形態に係る高周波信号線路は、第１の主面及び第２の主面を有する素体と、前記素体に設けられている線状の信号線と、前記素体において前記信号線よりも前記第１の主面側に設けられ、かつ、前記信号線と対向している第１のグランド導体と、前記素体において前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向しており、該信号線に沿って開口が設けられている第２のグランド導体と、前記第１の主面上に設けられている接着層と、前記接着層に対して剥離可能に貼り付けられているカバー層と、を備えていること、を特徴とする。

　本発明の一形態に係る電子機器は、高周波信号線路と、物品と、を備えており、前記高周波信号線路は、前記カバー層が剥離されて露出した前記接着剤を介して前記物品に固定されること、を特徴とする。

　本発明によれば、容易に曲げることができると共に、信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることを抑制できる。

本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。図１の高周波信号線路の断面構造図である。高周波信号線路の断面構造図である。高周波信号線路のコネクタの外観斜視図及び断面構造図である。高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。図６（ａ）のＣにおける断面構造図である。第１の実施形態の第１の変形例に係る取り付け方法によって高周波信号線路をバッテリーパックに固定した際の断面構造図である。第１の実施形態の第２の変形例に係る取り付け方法によって高周波信号線路をバッテリーパックに固定した際の断面構造図である。第１の実施形態の第３の変形例に係る取り付け方法が適用された電子機器内部の外観斜視図である。第１の実施形態の第１の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。図１１の高周波信号線路をｚ軸方向から透視した図である。第１の実施形態の第１の変形例に係る高周波信号線路の一部を抜き出したときの等価回路図である。第１の実施形態の第２の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第１の実施形態の第４の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第１の実施形態の第５の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。図１７の高周波信号線路をｚ軸方向から透視した図である。第１の実施形態の第６の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。図１９の高周波信号線路をｚ軸方向から透視した図である。本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。図２１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。図２１の高周波信号線路の断面構造図である。高周波信号線路の断面構造図である。電子機器２００の断面構造図である。高周波信号線路をバッテリーパックに貼り付ける際の断面構造図である。第２の実施形態の第１の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第２の実施形態の第２の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第２の実施形態の第４の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第２の実施形態の第５の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第２の実施形態の第６の変形例に係る高周波信号線路の積層体の分解図である。第２の実施形態の第７の変形例に係る高周波信号線路の外観斜視図である。図３３の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。図３３の高周波信号線路の断面構造図である。第２の実施形態の第８の変形例に係る高周波信号線路の外観斜視図である。図３６の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。図３６の高周波信号線路の断面構造図である。第２の実施形態の第９の変形例に係る高周波信号線路の外観斜視図である。図３９の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。図３９の高周波信号線路の断面構造図である。第２の実施形態の第１０の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。

（第１の実施形態）
　以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
　以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１の高周波信号線路１０の断面構造図である。図４は、高周波信号線路１０の断面構造図である。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図及び断面構造図である。図１ないし図５において、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

　高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０は、図１ないし図３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、グランド導体２２，２４、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

　誘電体素体１２は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示す保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ～１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

　線路部１２ａは、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも広い。

　誘電体シート１８は、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも厚い。例えば、誘電体シート１８ａ～１８ｃの積層後において、厚さＴ１は５０～３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１５０μｍである。また、厚さＴ２は１０～１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

　また、誘電体シート１８ａは、線路部１８ａ－ａ及び接続部１８ａ－ｂ，１８ａ－ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ－ａ及び接続部１８ｂ－ｂ，１８ｂ－ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｃは、線路部１８ｃ－ａ及び接続部１８ｃ－ｂ，１８ｃ－ｃにより構成されている。線路部１８ａ－ａ，１８ｂ－ａ，１８ｃ－ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ－ｂ，１８ｂ－ｂ，１８ｃ－ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ－ｃ，１８ｂ－ｃ，１８ｃ－ｃは、接続部１２ｃを構成している。

　外部端子１６ａは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ－ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図１及び図２に示すように、接続部１８ａ－ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

　信号線２０は、図２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｂの表面をｘ軸方向に延在している。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０の線幅は、例えば１００～５００μｍである。本実施形態では、信号線２０の線幅は２４０μｍである。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられ、より詳細には、誘電体素体１２の表面に最も近い誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。グランド導体２２には、実質的に開口が設けられていない。すなわち、グランド導体２２は、線路部１２ａにおける信号線２０に沿ってｘ軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、グランド導体２２は線路部１２ａを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体２２の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　また、グランド導体２２は、線路部２２ａ、端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ－ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ－ｂの表面に設けられ、外部端子１６ａの周囲を囲む矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、線路部１８ａ－ｃの表面に設けられ、外部端子１６ｂの周囲を囲む環状の矩形状をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

　グランド導体２４（第２のグランド導体）は、図２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりもｚ軸方向の負方向側に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂ，１８ｃ間に設けられている。グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ｂを介して信号線２０と対向している。すなわち、グランド導体２４は、信号線２０を挟んでグランド導体２２と対向している。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　また、グランド導体２４は、線路部２４ａ、端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｃ－ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。そして、線路部２４ａは、導体層が形成されていない複数の開口３０と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図２及び図４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状をなしており、信号線２０と重なっている。これにより、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０とブリッジ部６０と交互に重なっている。また、開口３０は、等間隔に並んでいる。

　端子部２４ｂは、線路部１８ｃ－ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、線路部１８ｃ－ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。

　以上のように、信号線２０は、ｚ軸方向の両側から誘電体層１８ａ，１８ｂを介してグランド導体２２，２４によって挟まれている。すなわち、信号線２０及びグランド導体２２，２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ～３００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。一方、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、図４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ～１００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、厚みＴ１は厚みＴ２よりも大きくなるように設計されている。

　以上のように、厚みＴ１を厚みＴ２よりも大きくすることで、グランド導体２２と信号線２０間に発生する静電容量が小さくなり、所定のインピーダンス（例えば５０Ω）とするための信号線２０の線幅を広くできる。これにより伝送ロスを小さくできるので、高周波信号線路の電気特性の向上が図れる。本実施形態では、グランド導体２２と信号線２０の間に発生する静電容量がインピーダンス設計の主であり、グランド導体２４は信号の輻射を小さくするためのグランド導体としてインピーダンス設計している。すなわち、グランド導体２２と信号線２０とで特性インピーダンスを高く設定（例えば７０Ω）し、グランド導体２４を付加することによって高周波信号線路の一部に低インピーダンスが低くなる領域（例えば３０Ω）を設けることにより、高周波信号線路全体のインピーダンスが所定のインピーダンス（例えば５０Ω）になるように設計している。

　ビアホール導体ｂ１は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ－ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部とを接続している。ビアホール導体ｂ２は、誘電体シート１８ａの接続部１８ａ－ｃをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部とを接続している。これにより、信号線２０は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。ビアホール導体ｂ１，ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２はそれぞれ、誘電体シート１８ａ，１８ｂの線路部１８ａ－ａ，１８ｂ－ａをｚ軸方向に貫通しており、線路部１８ａ－ａ，１８ｂ－ａに複数ずつ設けられている。そして、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、互いに接続されることにより１本のビアホール導体を構成しており、グランド導体２２とグランド導体２４とを接続している。ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている。これにより、保護層１４は、グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。

　また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ－ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

　接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ－ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ～Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａのｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ～Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

　接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ－ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ～Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅのｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅのｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅのｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ～Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。

　コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。

　コネクタ１００ｂは、図１及び図５に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６及び中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板に円筒が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。

　外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ～Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。

　中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。

　以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、グランド導体２２，２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。

　高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図６は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向及びｚ軸方向から平面視した図である。図７は、図６（ａ）のＣにおける断面構造図である。

　電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。

　回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

　レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨｚの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を電気的、物理的に接続している。

　ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４の表面）は、図７に示すように、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２の表面とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の（ｘ軸方向に連続的に延在する）グランド導体２２が位置している。

（高周波信号線路の製造方法）
　以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図２を参照しながら説明する。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。

　まず、表面の全面に銅箔が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８を準備する。誘電体シート１８の銅箔の表面は、例えば、防錆のための亜鉛鍍金が施されることにより、平滑化されている。誘電体シート１８は、２０μｍ～８０μｍの厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、１０μｍ～２０μｍである。

　次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す外部端子１６及びグランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの銅箔上に、図２に示す外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）及びグランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジストを除去する。これにより、図２に示すような、外部端子１６及びグランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成される。

　次に、フォトリソグラフィ工程により、図２に示す信号線２０を誘電体シート１８ｂの表面に形成する。また、フォトリソグラフィ工程により、図２に示すグランド導体２４を誘電体シート１８ｃの表面に形成する。なお、これらのフォトリソグラフィ工程は、外部端子１６及びグランド導体２２を形成する際のフォトリソグラフィ工程と同様であるので、説明を省略する。

　次に、誘電体シート１８ａ，１８ｂのビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２が形成される位置に対して、裏面側からレーザービームを照射して、貫通孔を形成する。その後、誘電体シート１８ａ，１８ｂに形成した貫通孔に対して、導電性ペーストを充填する。

　次に、グランド導体２２、信号線２０及びグランド導体２４がストリップライン構造をなすように、誘電体シート１８ａ～１８ｃをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねる。そして、誘電体シート１８ａ～１８ｃに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、誘電体シート１８ａ～１８ｃを軟化させて圧着・一体化するとともに、貫通孔に充填された導電性ペーストを固化して、図２に示すビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２を形成する。なお、各誘電体シート１８は、熱圧着に代えてエポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。また、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２は、誘電体シート１８を一体化した後に、貫通孔を形成し、貫通孔に導電性ペーストを充填するかめっき膜を形成することによって形成されてもよい。

　最後に、樹脂（レジスト）ペーストを塗布することにより、誘電体シート１８ａ上に保護層１４を形成する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。

（効果）
　以上のように構成された高周波信号線路１０によれば、グランド導体２４に複数の開口３０が設けられているので、高周波信号線路１０を容易に曲げることができる。

　また、高周波信号線路１０によれば、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれることを抑制できる。より詳細には、特許文献１に記載のフレキシブル基板では、開口からフレキシブル基板の外部に電磁界が漏れるおそれがある。そのため、フレキシブル基板の周囲に誘電体や金属体等が設けられていると、フレキシブル基板の信号線と誘電体や金属体等との間で電磁界結合が発生する。その結果、フレキシブル基板の信号線の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれてしまうおそれがある。

　一方、高周波信号線路１０では、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する誘電体素体１２の表面が、バッテリーパック２０６に対して接触しており、グランド導体２４側に位置する誘電体素体１２の表面はバッテリーパックなどの物品（金属体）からは離れた非接触面になっている。すなわち、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、開口３０が設けられたグランド導体２４ではなく、実質的に開口が設けられていないグランド導体２２が設けられている。これにより、信号線２０とバッテリーパック２０６との間で電磁界結合が発生することが抑制される。その結果、高周波信号線路１０では、信号線２０の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。すなわち、通信端末のような電子機器において、その筐体内に設けられる搭載部品や電子部品との間、あるいは筐体とそれら部品との間に狭い隙間（空間）しかない場合であっても、グランド導体２２側を物品（金属体）への接触面として、高周波信号線路１０をこの隙間に配置することができるので、高周波信号線路の位置変動による特性変動を抑制しつつ、電子部品や筐体による影響を受けにくい高周波信号線路が得られる。特に、高周波信号線路１０のように接着剤等により物品（金属体）に固定されていると、さらに確実に位置変動による特性変動を抑制できる。

　また、高周波信号線路１０によれば、以下の理由によっても、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能である。高周波信号線路１０の特性インピーダンスＺは、√（Ｌ／Ｃ）で表される。Ｌは、高周波信号線路１０の単位長さ当たりのインダクタンス値である。Ｃは、高周波信号線路の単位長さ当たりの容量値である。高周波信号線路１０は、Ｚが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）となるように設計される。

　ここで、高周波信号線路１０を容易に曲げることができるようにするためには、高周波信号線路１０のｚ軸方向の厚み（以下、単に厚みと称す）を薄くすることが考えられる。ところが、高周波信号線路１０の厚みを薄くすると、信号線２０とグランド導体２２，２４との距離が小さくなり、容量値Ｃが大きくなってしまう。その結果、特性インピーダンスＺが所定の特性インピーダンスよりも小さくなってしまう。

　そこで、信号線２０のｙ軸方向の線幅（以下、単に線幅と称す）を細くして、信号線２０のインダクタンス値Ｌを大きくすると共に、信号線２０とグランド導体２２，２４との対向面積を小さくして、容量値Ｃを小さくすることが考えられる。

　しかしながら、細い線幅の信号線２０を精度良く形成することは困難である。また、信号線２０の線幅を細くすると伝送ロスが大きくなり、電気特性が劣化してしまう。

　そこで、高周波信号線路１０では、開口３０がグランド導体２４に設けられている。これにより、信号線２０とグランド導体２４との対向面積が小さくなり、容量値Ｃが小さくなる。その結果、高周波信号線路１０において、特性インピーダンスＺを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、容易に曲げることができるようになる。

　また、高周波信号線路１０によれば、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂ，１８ｃ間に設けられている。これにより、グランド導体２４は、誘電体素体１２の裏面において露出しない。そのため、誘電体素体１２の裏面に他の物品が配置されたとしても、グランド導体２４と他の物品とが直接に対向しないので、信号線２０の特性インピーダンスの変動が抑制される。

（変形例に係る取り付け方法）
　以下に、第１の変形例に係る取り付け方法について説明する。図８は、第１の変形例に係る取り付け方法によって高周波信号線路１０をバッテリーパック２０６に固定した際の断面構造図である。

　第１の変形例に係る取り付け方法では、グランド導体２２は、バッテリーパック２０６に対して電気的に接続されている。より詳細には、保護層１４には、開口Ｏｐが設けられている。これにより、グランド導体２２の一部は、保護層１４の開口Ｏｐを介して露出している。そして、開口Ｏｐにはんだや導電性接着剤が配置されて接続導体２１２が形成されることによって、グランド導体２４は、バッテリーパック２０６に対して電気的に接続されると共に固定されている。

　以上のような取り付け方法が適用された高周波信号線路１０では、グランド導体２２，２４は、端子部２２ｂ，２２ｃを介して接地電位に保たれるのに加えて、金属物品であるバッテリーパック２０６を介して接地電位に保たれるようになる。よって、グランド導体２２，２４は、より安定して接地電位に保たれるようになる。このような金属物品としては、バッテリーパックに限らず、プリント配線基板（例えばグランド端子）や金属ケースなどでもよい。

　次に、第２の変形例に係る取り付け方法について説明する。図９は、第２の変形例に係る取り付け方法によって高周波信号線路１０をバッテリーパック２０６に固定した際の断面構造図である。

　第２の変形例に係る取り付け方法では、高周波信号線路１０は、バッテリーパック２０６の表面に沿って曲げられた状態で取り付けられている。高周波信号線路１０は、容易に変形させることが可能であるので、バッテリーパック２０６に沿って曲げることが可能である。

　以下に、第３の変形例に係る取り付け方法について説明する。図１０は、第３の変形例に係る取り付け方法が適用された電子機器２００内部の外観斜視図である。

　図６に示す高周波信号線路１０は、曲げられることなく、バッテリーパック２０６のｚ軸方向の負方向側の面上をｘ軸方向に延在している。

　一方、図１０に示す高周波信号線路１０では、接続部１２ｂ，１２ｃは、線路部１２ａに対して曲げられている。これにより、高周波信号線路１０は、バッテリーパック２０６のｙ軸方向の正方向側の側面上をｘ軸方向に延在している。高周波信号線路１０は容易に曲げることができるため、このような配置が容易に実現できる。

（第１の実施形態の第１の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１１は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの積層体１２の分解図である。図１２は、図１１の高周波信号線路１０ａをｚ軸方向から透視した図である。図１３は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの一部を抜き出したときの等価回路図である。

　高周波信号線路１０と高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状である。以下に、かかる相違点を中心に、高周波信号線路１０ａの構成について説明する。

　グランド導体２４は、複数の開口３０と複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図１２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっており、信号線２０に関して線対称な形状をなしている。すなわち、信号線２０は、開口３０のｙ軸方向の中央を横切っている。

　更に、信号線２０が延在している方向（ｘ軸方向）における開口３０の中央を通過する直線Ａであって、信号線２０に直交する（すなわち、ｙ軸方向に延びる）直線Ａに関して、線対称な形状をなしている。以下により詳細に説明する。

　ｘ軸方向における開口３０の中央を含む領域を領域Ａ１と定義する。また、ブリッジ部６０に対応する領域を領域Ａ２と定義する。また、領域Ａ１と領域Ａ２との間に位置する領域を領域Ａ３と称す。領域Ａ３は、領域Ａ１のｘ軸方向の両隣に位置しており、領域Ａ１と領域Ａ２のそれぞれに隣接している。領域Ａ２のｘ軸方向の長さ（つまりブリッジ部６０の長さ）は、例えば、２５～２００μｍである。本実施形態では、領域Ａ２のｘ軸方向の長さは、１００μｍである。

　直線Ａは、図１２に示すように、ｘ軸方向における領域Ａ１の中央を通過している。そして、領域Ａ１における開口３０の信号線２０に直交する方向（ｙ軸方向）の幅Ｗ１は、領域Ａ３における開口３０のｙ軸方向の幅Ｗ２よりも広い。すなわち、開口３０は、ｘ軸方向における開口３０の中央付近において、開口３０のその他の部分よりも幅が広くなる形状であって、直線Ａに関して線対称な形状をなしている。そして、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている領域が領域Ａ１であり、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている領域が領域Ａ３である。よって、開口３０の領域Ａ１，Ａ３の境界には段差が存在している。幅Ｗ１は、例えば、５００～１５００μｍである。本実施形態では、幅Ｗ１は、９００μｍである。また、幅Ｗ２は、例えば、２５０～７５０μｍである。本実施形態では、幅Ｗ２は、４８０μｍである。

　また、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１は、例えば、１～５ｍｍである。本実施形態では、長さＧ１は、３ｍｍである。ここで、長さＧ１は、開口３０における最大幅である幅Ｗ１よりも長い。そして、長さＧ１は、幅Ｗ１よりも２倍以上であることが好ましい。

　また、グランド導体２４において、隣り合う開口３０の間には、開口が設けられていない。より詳細には、隣り合う開口３０に挟まれている領域Ａ２内には、一様に導体層（ブリッジ部６０）が広がっており、開口が存在しない。

　以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動する。より詳細には、開口３０は、領域Ａ１において幅Ｗ１を有しており、領域Ａ３において幅Ｗ１よりも小さな幅Ｗ２を有している。そのため、領域Ａ１における信号線２０とグランド導体２４との距離は、領域Ａ３における信号線２０とグランド導体２４との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ１における信号線２０に発生する磁界の強度が、領域Ａ３における信号線２０に発生する磁界の強度よりも大きくなり、領域Ａ１におけるインダクタンス成分が大きくなる。つまり、領域Ａ１においてはＬ性が支配的になる。

　更に、領域Ａ２には、ブリッジ部６０が設けられている。そのため、領域Ａ３における信号線２０とグランド導体２４との距離は、領域Ａ２における信号線２０とグランド導体２４との距離よりも大きい。これにより、領域Ａ２における信号線２０に発生する静電容量が、領域Ａ３における信号線２０に発生する静電容量よりも大きくなることに加えて、領域Ａ２における磁界強度が領域Ａ３における磁界強度より小さくなる。つまり、領域Ａ２においてはＣ性が支配的になる。

　以上より、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１において、最大値Ｚ１となっている。すなわち、開口３０は、信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置において、幅Ｗ１を有している。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３において、中間値Ｚ３となっている。すなわち、開口３０は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置において、幅Ｗ２を有している。また、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２において、最小値Ｚ２となっている。

　これにより、高周波信号線路１０は、図１３に示す回路構成を有する。より詳細には、領域Ａ１では、信号線２０とグランド導体２４との間に殆ど静電容量が発生しないので、主に、信号線２０のインダクタンスＬ１によって特性インピーダンスＺ１が発生する。また、領域Ａ２では、信号線２０とグランド導体２４との間に大きな静電容量Ｃ３が発生しているので、主に、静電容量Ｃ３によって特性インピーダンスＺ２が発生する。また、領域Ａ３では、信号線２０とグランド導体２４との間に静電容量Ｃ３よりも小さな静電容量Ｃ２が発生しているので、信号線２０のインダクタンスＬ２及び静電容量Ｃ２によって特性インピーダンスＺ３が発生している。また、特性インピーダンスＺ３は、例えば、５５Ωである。特性インピーダンスＺ１は、特性インピーダンスＺ３よりも高く、例えば、７０Ωである。特性インピーダンスＺ２は、特性インピーダンスＺ３よりも低く、例えば、３０Ωである。また、高周波信号線路１０全体の特性インピーダンスは、５０Ωである。

　高周波信号線路１０ａによれば、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動している。これにより、高周波信号線路１０ａの薄型化が実現できるとともに、薄型であるにもかかわらず、信号線２０の電極幅が広げられるので、信号線２０およびグランド導体２２、２４において高周波電流の流れる電極部分の表面積を拡大することができ、高周波信号の伝送損失が小さくなる。また、図１２に示すように、１周期（領域Ａ１と２つの領域Ａ２と領域Ａ３）の長さＡＬが１～５ｍｍほどと短いので、より高周波域まで不要輻射の抑制と伝送損失の改善ができる。また、領域Ａ１の両端に領域Ａ３を置くことで信号線２０を流れる電流によって生じる強い磁界を領域Ａ２に直接伝えないため領域Ａ２のグランド電位が安定し、グランド導体２４のシールド効果が保たれる。これにより不要輻射の発生が抑制できる。その結果、高周波信号線路１０ａでは、信号線２０とグランド導体２２、２４との距離を小さくしたとしても信号線２０の線幅を広くでき、特性インピーダンスを保ったまま伝送損失が小さく、不要輻射の小さい高周波信号線路１０ａの薄型化を図ることが可能となる。よって、高周波信号線路１０ａを容易に曲げることが可能となり、高周波信号線路１０ａを湾曲させて用いることが可能となる。

　また、高周波信号線路１０ａによれば、グランド導体２４におけるグランド電位の安定化にともなう伝送ロスの低減、さらにはシールド特性の向上ができる。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、領域Ａ１における開口３０の幅Ｗ１は、領域Ａ３における開口３０の幅Ｗ２よりも広い。これにより、高周波信号線路１０ａでは、領域Ａ１内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも高くなる。また、領域Ａ２内に位置している信号線２０の磁界エネルギーは、領域Ａ３内に位置している信号線２０の磁界エネルギーよりも低くなる。よって、信号線２０の特性インピーダンスが、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ１、Ｚ３、Ｚ２・・・の順に繰り返し変動するようになる。よって、信号線２０において、ｘ軸方向に隣り合う部分における磁界エネルギーの変動が緩やかになる。その結果、単位構造（領域Ａ１～Ａ３）の境界において磁界エネルギーが小さくなり、グランド導体のグランド電位の変動が抑制され、不要輻射の発生および高周波信号の伝送損失が抑制される。言い換えると、領域Ａ３によって、ブリッジ部６０における不要インダクタンス成分の発生を抑制することができ、その結果、ブリッジ部６０と信号線２０との間の相互インダクタンス成分を小さくすることができ、グランド電位も安定化できる。ゆえに、薄型であって、グランド導体に比較的大きな開口３０を有しているにもかかわらず、不要輻射を低減できるとともに、高周波信号の伝送損失を小さくすることができる。

　また、ブリッジ部６０の延伸方向にビアホール導体Ｂ１を配置することで、さらにブリッジ部６０における不要インダクタンス成分の発生を抑制できる。特に、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１（すなわち、ブリッジ部６０間の長さ）は領域Ａ１における開口部の幅Ｗ１よりも長くすることで、開口３０の面積をできるだけ大きくして所定の特性インピーダンスを達成しつつも、不要輻射の発生を抑えることができる。

　また、開口３０は、信号線２０が延在している方向（ｘ軸方向）に周期的に配置される構造の単位構造をなしている。これにより、開口３０内における信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性を開口３０のｘ軸方向の長さにより決定することができる。すなわち、信号線２０の特性インピーダンスの周波数特性は、開口３０の長さＧ１が短くなるほど、より高周波域まで拡大できる。開口３０の長さＧ１が長くなるほど領域Ａ１の幅Ｗ１を狭くし開口３０を細くすることができる。そのため、不要輻射を小さくし、伝送損失を小さくできるので、高周波信号線路１０ａのインピーダンス特性の広帯域化、安定化が図られる。

　また、以下の理由によっても、高周波信号線路１０ａを湾曲して用いることが可能である。高周波信号線路１０では、領域Ａ１は、開口３０のｙ軸方向の幅が最も大きくなっているので最も撓みやすい。一方、領域Ａ２は、開口３０が設けられていないので最も撓みにくい。そのため、高周波信号線路１０ａが曲げられて用いられる場合には、領域Ａ１が曲げられ、領域Ａ２が殆ど曲げられない。そこで、高周波信号線路１０ａでは、誘電体シート１８よりも変形しにくいビアホール導体Ｂ１，Ｂ２は領域Ａ２に設けられている。これにより、領域Ａ１を容易に曲げることが可能となる。

　なお、高周波信号線路１０ａでは、信号線２０とグランド導体２２との距離Ｔ１の大きさ、及び、信号線２０とグランド導体２４との距離Ｔ２の大きさを調整することによっても、所定の特性インピーダンスを得ることができる。

　また、高周波信号線路１０ａでは、以下に説明する理由により、信号線２０が延在している方向における開口３０の長さＧ１は、幅Ｗ１よりも長い。より詳細には、高周波信号線路１０における高周波信号の伝送モードは、ＴＥＭモードである。ＴＥＭモードでは、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して、電界及び磁界が直交して形成される。すなわち、磁界は、信号線２０を中心に円を描くように発生し、電界は、信号線２０からグランド導体２２，２４に向かって放射状に発生する。ここで、グランド導体２２に開口３０が設けられると、磁界は、円形を描くので、開口３０においてわずかに半径が大きくなるように膨らむだけで、高周波信号線路１０ａ外へと大きく漏れない。一方、電界の一部が高周波信号線路１０ａ外へ放射する。したがって、高周波信号線路１０ａの不要輻射では、電界放射が大きな割合を示している。

　ここで、電界は、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交しているので、開口３０のｙ軸方向の幅Ｗ１が大きくなると、開口３０から放射される電界の量が多く（不要輻射が増加）なってしまう。一方で、幅Ｗ１は大きくするほど高周波伝送線路１０ａの特性インピーダンスを高くすることができるが、高周波伝送線路１０ａは、高周波信号の伝送方向（ｘ軸方向）に対して直交する方向に信号線２０からその線幅のおよそ３倍離れた距離で電界がほぼなくなるため、それ以上幅Ｗ１を広げても特性インピーダンスをさらに高くすることができない。したがって、幅Ｗ１が大きくなるほど不要輻射が増加することを考慮すると、必要以上に幅Ｗ１を広げることは好ましくない。さらに、幅Ｗ１が高周波信号の波長の１／２近くに達するとスロットアンテナとして電磁波が輻射されてしまい、さらに不要輻射が増加してしまう。

　一方、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１は、その長さが長くなるほど信号線２０のグランド導体２２との対向面積を減少させることができることから、信号線２０の線幅を広くすることが可能となる。これにより、信号線２０における高周波抵抗値を小さくすることができるという利点を有する。

　また、長さＧ１が幅Ｗ１よりも大きい場合、グランド導体２２における反電流（渦電流）の高周波抵抗値が小さくなる。

　以上から、長さＧ１は幅Ｗ１よりも長くすることが好ましく、好ましくは２倍以上とすることが好ましい。ただし、開口３０のｘ軸方向の長さＧ１が高周波信号の波長の１／２に近くなると、スロットアンテナとして開口３０から電磁波が輻射されることから長さＧ１は、波長に対して十分に短い必要があることは考慮すべきである。

（第１の実施形態の第２の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１４は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの積層体１２の分解図である。

　高周波信号線路１０ｂと高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状である。より詳細には、高周波信号線路１０ａの開口３０のｙ軸方向の幅は、図１１に示すように、段階的、非連続的に変化していた。これに対して、高周波信号線路１０ｂの開口３０のｙ軸方向の幅は、連続的に変化している。より詳細には、開口３０のｙ軸方向の幅は、ｘ軸方向において開口３０の中央から離れるにしたがって連続的に小さくなっている。これにより、信号線２０の磁界エネルギーおよび特性インピーダンスは、連続的に変化するようになる。

　なお、高周波信号線路１０ｂでは、図１４に示すように、領域Ａ１は、直線Ａを中心として設けられており、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている部分を含む領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ１内において最大値Ｚ１となっている。また、領域Ａ２は、開口３０間に設けられており、ブリッジ部６０が設けられている領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ２内において最小値Ｚ２となっている。また、領域Ａ３は、領域Ａ１と領域Ａ２とに挟まれており、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている部分を含む領域である。したがって、信号線２０の特性インピーダンスは、領域Ａ３内において中間値Ｚ３となっている。

　ここで、領域Ａ１は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている部分を含んでいればよく、領域Ａ３は、開口３０のｙ軸方向の幅がＷ２となっている部分を含んでいればよい。よって、本実施形態では、領域Ａ１と領域Ａ３との境界は、特に、明確に定まっているわけではない。そこで、領域Ａ１と領域Ａ３との境界としては、例えば、開口３０のｙ軸方向の幅が、（Ｗ１＋Ｗ２）／２となっている位置が挙げられる。

　以上のような構成を有する高周波信号線路１０ｂにおいても、高周波信号線路１０と同様に、湾曲して用いることができ、不要輻射を低減でき、更に、信号線２０内における伝送損失を抑制できる。

（第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１５は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの積層体１２の分解図である。

　高周波信号線路１０ｃと高周波信号線路１０ａとの相違点は、グランド導体４０，４２の有無である。より詳細には、高周波信号線路１０ｃでは、誘電体シート１８ｂの表面上にグランド導体４０，４２が設けられている。グランド導体４０は、信号線２０よりもｙ軸方向の正方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４０は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を介してグランド導体２２，２４に接続されている。また、グランド導体４２は、信号線２０よりもｙ軸方向の負方向側において、ｘ軸方向に延在している長方形状の導体である。グランド導体４２は、ビアホール導体Ｂ１，Ｂ２を介してグランド導体２２，２４に接続されている。

　以上のような高周波信号線路１０ｃでは、信号線２０のｙ軸方向の両側にもグランド導体４０，４２が設けられているので、信号線２０からｙ軸方向の両側へと不要輻射が漏れることが抑制される。

（第１の実施形態の第４の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１６は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの積層体１２の分解図である。

　高周波信号線路１０ｄと高周波信号線路１０ａとの相違点は、開口３０の形状と開口４４ａ，４４ｂの形状とが異なっている点である。より詳細には、開口４４ａ，４４ｂは、開口３０がｙ軸方向の正方向側と負方向側とに２つに分断された形状をなしている。高周波信号線路１０ｄでは、開口４４ａ，４４ｂの間をｘ軸方向に延在する線状導体４６が設けられている。線状導体４６は、グランド導体２４の一部を構成しており、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。

　以上のような高周波信号線路１０ｄでは、複数の開口４４ａが、信号線２０に沿って並ぶように設けられていると共に、複数の開口４４ｂが、信号線２０に沿って並ぶように設けられている。これにより、領域Ａ１における信号線２０の特性インピーダンスは、最大値Ｚ１となっている。また、領域Ａ３における信号線２０の特性インピーダンスは、中間値Ｚ３となっている。また、領域Ａ２における信号線２０の特性インピーダンスは、最小値Ｚ２となっている。

　なお、高周波信号線路１０ｄにおいて、線状導体４６の線幅は、図１６に示すように、信号線２０の線幅よりも細いものとした。そのため、信号線２０は、ｚ軸方向平面視で線状導体４６からはみ出している。しかしながら、線状導体４６の線幅は、信号線２０よりも広くてもよい。そして、信号線２０は、線状導体４６からはみ出していなくてもよい。すなわち、開口４４ａ，４４ｂは、必ずしも、信号線２０に重なっていなくてもよい。同様に、開口３０は、信号線２０と重なっていなくてもよい。高周波信号線路１０ｄでは、線状導体４６およびグランド導体２２，２４に流れる高周波電流の向きと信号線２０に流れる高周波電流の向きとは逆になるので、信号線２０が線状導体４６からはみ出していても不要輻射の抑制効果は高周波信号線路１０より大きくなる。

（第１の実施形態の第５の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第６の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１７は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｅの積層体１２の分解図である。図１８は、図１７の高周波信号線路１０ｅをｚ軸方向から透視した図である。

　高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第１の相違点は、ブリッジ部６０における信号線２０の線幅が、信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置における信号線２０の線幅よりも細い点である。高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第２の相違点は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置）と信号線２０の特性インピーダンスが最大値Ｚ１となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１である位置）との間において開口３０がテーパー状をなしている点である。高周波信号線路１０ｅと高周波信号線路１０ａとの第３の相違点は、信号線２０の特性インピーダンスが中間値Ｚ３となる位置（すなわち、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置）とブリッジ部６０との間において開口３０がテーパー状をなしている点である。

　まず、高周波信号線路１０ｅにおける領域Ａ１～Ａ３の定義について図１８を参照しながら説明する。領域Ａ１は、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ１となっている領域である。領域Ａ２は、ブリッジ部６０に対応する領域である。領域Ａ３は、領域Ａ１と領域Ａ２とに挟まれており、開口３０において、ｙ軸方向の幅が幅Ｗ２となっている領域を含む領域である。

　第１の相違点について説明する。図１７及び図１８に示すように、信号線２０の領域Ａ２における線幅は、線幅Ｗｂである。一方、信号線２０の領域Ａ１における信号線２０の線幅は、線幅Ｗｂよりも太い線幅Ｗａである。線幅Ｗａは、例えば、１００～５００μｍである。本実施形態では、線幅Ｗａは、３５０μｍである。線幅Ｗｂは、例えば、２５～２５０μｍである。本実施形態では、線幅Ｗｂは、１００μｍである。このように、領域Ａ２における信号線２０の線幅が、領域Ａ１における信号線２０の線幅よりも細くなることにより、信号線２０とブリッジ部６０とが重なる面積が小さくなる。その結果、信号線２０とブリッジ部６０との間に発生する浮遊容量が低減されるようになる。更に、開口３０と重なっている部分の信号線２０の線幅は、線幅Ｗａであるので、かかる部分の信号線２０のインダクタンス値の増加が抑制される。更に、信号線２０の全体の線幅が細くなっているのではなく、信号線２０の線幅が部分的に細くなっているので、信号線２０の抵抗値の増加が抑制される。

　また、信号線２０は、線幅が変化する部分においてテーパー状をなしている。これにより、信号線２０の線幅が変化する部分における抵抗値の変動が緩やかになり、信号線２０の線幅が変化する部分において高周波信号の反射が発生することが抑制される。

　第２の相違点について説明する。開口３０は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置と開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ１である位置との間においてテーパー状をなしている。すなわち、領域Ａ３のｘ軸方向の端部がテーパー状をなしている。これにより、グランド導体２４に流れる電流の損失が低減される。

　第３の相違点について説明する。開口３０は、開口３０のｙ軸方向の幅が幅Ｗ２である位置とブリッジ部６０との間において開口３０がテーパー状をなしている。これにより、ブリッジ部６０のｙ軸方向の両端がテーパー状をなすようになる。よって、ブリッジ部６０のｘ軸方向の線幅は、信号線２０と重なっている部分においてその他の部分よりも細くなる。その結果、ブリッジ部６０と信号線２０との間に発生する浮遊容量が低減される。また、ブリッジ部６０の全体の線幅が細くなっているのではなく、ブリッジ部６０の線幅が部分的に細くなっているので、ブリッジ部６０の抵抗値及びインダクタンス値の増加が抑制される。

（第１の実施形態の第６の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第６の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図１９は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｆの積層体１２の分解図である。図２０は、図１９の高周波信号線路１０ｆをｚ軸方向から透視した図である。

　高周波信号線路１０ｆと高周波信号線路１０ａとの相違点は、浮遊導体５０が設けられている点である。より詳細には、高周波信号線路１０ｆは、誘電体シート１８ｄ及び浮遊導体５０を更に備えている。誘電体シート１８ｄは、誘電体シート１８ｃのｚ軸方向の負方向側に積層される。

　浮遊導体５０は、図１９及び図２０に示すように、長方形状をなす導体層であって、誘電体シート１８ｄの表面上に設けられている。これにより、浮遊導体５０は、グランド導体２４に関して信号線２０の反対側に設けられている。

　また、浮遊導体５０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０及びグランド導体２４に対向している。浮遊導体５０のｙ軸方向の幅Ｗ３は、領域Ａ１における開口３０の幅Ｗ１よりも細く、領域Ａ３における開口３０の幅Ｗ２よりも太い。これにより、ブリッジ部６０は、浮遊導体５０により覆われている。

　また、浮遊導体５０は、信号線２０やグランド導体２４等の導体層と電気的に接続されておらず、浮遊電位となっている。浮遊電位は、信号線２０とグランド導体２４との間の電位である。

　ところで、高周波信号線路１０ｆでは、浮遊導体５０が信号線２０と対向することによって、信号線２０と浮遊導体５０との間に浮遊容量が発生しても、信号線２０の特性インピーダンスが変動しにくい。より詳細には、浮遊導体５０は、信号線２０やグランド導体２２，２４と電気的に接続されていないため、浮遊電位となっている。そのため、信号線２０と浮遊導体５０との間の浮遊容量と、浮遊導体５０とグランド導体２４との間の浮遊容量とは、直列接続されていることになる。

　ここで、浮遊導体５０の幅Ｗ３は、領域Ａ１における開口３０の幅Ｗ１よりも細く、領域Ａ３における開口３０の幅Ｗ２よりも太い。そのため、グランド導体２４と浮遊導体５０とが対向する面積は小さく、グランド導体２４と浮遊導体５０との間の浮遊容量も小さい。したがって、直列接続されている信号線２０と浮遊導体５０との間の浮遊容量と、浮遊導体５０とグランド導体２４との間の浮遊容量との合成容量は、小さくなる。したがって、浮遊導体５０が設けられることによって、信号線２０の特性インピーダンスに発生する変動も小さい。

（第２の実施形態）
　以下に、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路及び電子機器について図面を参照しながら説明する。

（高周波信号線路の構成）
　以下に、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図２１は、本発明の第２の実施形態に係る高周波信号線路１０ｇの外観斜視図である。図２２は、図２１の高周波信号線路１０ｇの誘電体素体１２の分解図である。図２３は、図２１の高周波信号線路１０ｇの断面構造図である。図２４は、高周波信号線路１０ｇの断面構造図である。図２１ないし図２４において、高周波信号線路１０ｇの積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０ｇの長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。

　高周波信号線路１０ｇは、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられる。高周波信号線路１０ｇは、図２１ないし図２３に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６（１６ａ，１６ｂ）、信号線２０、グランド導体２２，２４、接着層７０、カバーシート７２、ビアホール導体ｂ１，ｂ２，Ｂ１，Ｂ２及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。

　誘電体素体１２は、図２１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２２に示す保護層１４及び誘電体シート（絶縁体層）１８（１８ａ～１８ｃ）がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。また、誘電体素体１２は、可撓性を有し、２つの主面を有している。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面（第１の主面）称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面（第２の主面）と称す。

　誘電体シート１８は、ｚ軸方法から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている絶縁体層である。誘電体シート１８は、ポリイミドや液晶ポリマー等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。誘電体シート１８ａの厚さＴ１は、図２４に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＴ２よりも厚い。例えば、誘電体シート１８ａ～１８ｃの積層後において、厚さＴ１は５０μｍ～３００μｍである。本実施形態では、厚さＴ１は１５０μｍである。また、厚さＴ２は１０μｍ～１００μｍである。本実施形態では、厚さＴ２は５０μｍである。以下では、誘電体シート１８のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。

　外部端子１６ａは、図２１及び図２２に示すように、接続部１８ａ－ｂの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ｂは、図２１及び図２２に示すように、接続部１８ａ－ｃの表面の中央近傍に設けられている矩形状の導体である。外部端子１６ａ，１６ｂは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、金めっきが施されている。

　信号線２０は、図２２に示すように、誘電体素体１２内に設けられている線状導体であり、誘電体シート１８ｂの表面をｘ軸方向に延在している。信号線２０の両端はそれぞれ、ｚ軸方向から平面視したときに、外部端子１６ａ，１６ｂと重なっている。信号線２０の線幅は、例えば１００μｍ～５００μｍである。本実施形態では、信号線２０の線幅は２４０μｍである。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　グランド導体２２（第１のグランド導体）は、図２２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりも第１の主面側（すなわち、ｚ軸方向の正方向側）に設けられ、より詳細には、誘電体素体１２の表面に最も近い誘電体シート１８ａの表面に設けられている。グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。グランド導体２２において、信号線２０と対向している部分には、開口が設けられていない。すなわち、グランド導体２２は、線路部１２ａにおける信号線２０に沿ってｘ軸方向に連続的に延在する電極、所謂ベタ状の電極である。ただし、グランド導体２２は線路部１２ａを完全に覆っている必要はなく、例えば、誘電体シート１８の熱可塑性樹脂が熱圧着される際に発生するガスを逃がすためにグランド導体２２の所定の位置に微小な穴などが設けられるものであってもよい。グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　グランド導体２４（第２のグランド導体）は、図２２に示すように、誘電体素体１２内において信号線２０よりも第２の主面側（すなわち、ｚ軸方向の負方向側）に設けられ、より詳細には、誘電体シート１８ｃの表面に設けられている。これにより、グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂ，１８ｃ間に設けられている。グランド導体２４は、誘電体シート１８ｃの表面においてｘ軸方向に延在しており、誘電体シート１８ｂを介して信号線２０と対向している。すなわち、グランド導体２４は、信号線２０を挟んでグランド導体２２と対向している。グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。

　また、グランド導体２４は、線路部２４ａ、端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｃ－ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に延在している。そして、線路部２４ａは、導体層が形成されていない複数の開口３０と導体層が形成されている部分である複数のブリッジ部６０とが交互に信号線２０に沿って設けられることにより、はしご状をなしている。開口３０は、図２２及び図２４に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状をなしており、信号線２０と重なっている。これにより、信号線２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、開口３０とブリッジ部６０と交互に重なっている。また、開口３０は、等間隔に並んでいる。

　以上のように、信号線２０は、ｚ軸方向の両側から誘電体層１８ａ，１８ｂを介してグランド導体２２，２４によって挟まれている。すなわち、信号線２０及びグランド導体２２，２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、図２４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＴ１と略等しく、例えば、５０μｍ～３００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２２との間隔は、１５０μｍである。一方、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、図２４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＴ２と略等しく、例えば、１０μｍ～１００μｍである。本実施形態では、信号線２０とグランド導体２４との間隔は、５０μｍである。すなわち、厚みＴ１は厚みＴ２よりも大きくなるように設計されている。

　また、保護層１４は、図２２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ－ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。

　接着層７０は、絶縁性接着剤からなる層であり、誘電体素体１２の第１の主面上に設けられている。より詳細には、接着層７０は、誘電体素体１２の保護層１４の線路部１４ａ上においてｘ軸方向に延在するように設けられている。カバーシート７２は、接着層７０に対して剥離可能に貼り付けられている可撓性のシートである。以上のような接着層７０及びカバーシート７２は、例えば、カバーシート付きの粘着テープにより構成される。

　コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成については説明を行ったので省略する。

　高周波信号線路１０ｇは、以下に図５、図６及び図２５を参照して説明するように用いられる。図２５は、電子機器２００の断面構造図である。

　電子機器２００は、高周波信号線路１０ｇ、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（物品）２０６及び筐体２１０を備えている。

　回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が絶縁体により覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。

　レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨｚの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０ｇは、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を電気的及び物理的に接続している。

　高周波信号線路１０ｇは、図２５に示すように、カバーシート７２が剥離されて露出した接着層７０を介してバッテリーパック２０６に固定されている。誘電体素体１２の表面は、信号線２０に関してグランド導体２２側に位置する主面である。よって、信号線２０とバッテリーパック２０６との間には、ベタ状の（ｘ軸方向に連続的に延在する）グランド導体２２が位置している。

　なお、高周波信号線路１０ｇは、バッテリーパック２０６に貼り付けられているが、プリント配線基板や電子機器の筐体等に貼り付けられていてもよい。また、バッテリーパック１０ｇの表面は、絶縁体により覆われているとしたが、金属等の導電体により覆われていてもよい。

　以下に、高周波信号線路１０ｇのバッテリーパック２０６への貼り付け型の一例について図面を参照しながら説明する。図２６は、高周波信号線路１０ｇをバッテリーパック２０６に貼り付ける際の断面構造図である。

　まず、図２１に示すように、カバーシート７２の一部を接着層７０から剥離する。そして、露出した接着層７０をバッテリーパック２０６に貼り付ける。

　次に、図２６に示すように、カバーシート７２を引っ張って接着層７０から剥離しながら、接着層７０をバッテリーパック２０６に貼り付けていく。このように、高周波信号線路１０ｇは、バッテリーパック２０６に対して、シールを貼り付ける要領で貼り付けられる。なお、図２６では、グランド導体２２，２４および信号線２０の構成を一部省略して図示している。

（効果）
　以上のように構成された高周波信号線路１０ｇによれば、狭いスペースにおいて物品に固定することができる。より詳細には、高周波信号線路１０ｇでは、高周波信号線路１０ｇを固定するための固定金具及びねじ等の部品が不要である。その結果、電子機器の狭いスペースに高周波信号線路１０ｇを固定することが可能となる。更に、高周波信号線路１０ｇの固定にねじが用いられないので、バッテリーパック２０６に孔が形成されなくて済む。

　また、高周波信号線路１０ｇでは、図２６に示すように、カバーシート７２を引っ張って接着層７０から剥離しながら、接着層７０をバッテリーパック２０６に貼り付けていく。すなわち、高周波信号線路１０ｇは、バッテリーパック２０６に対して、シールを貼り付ける要領で貼り付けられる。よって、高周波信号線路１０ｇでは、特許文献１に記載の同軸ケーブルの固定構造のようなねじ止め工程が不要である。よって、高周波信号線路１０ｇをバッテリーパック２０６に対して容易に固定することが可能となる。

　また、高周波信号線路１０ｇでは、固定金具及びねじ等の部品が不要であるので、信号線路２０と固定金具及びねじ等との間で浮遊容量が発生しない。そのため、高周波信号線路１０ｇの特性インピーダンスが所定の特性インピーダンスからずれることが抑制される。

（第２の実施形態の第１の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の実施形態の第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図２７は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ｈの積層体１２の分解図である。

　図２７に示す高周波信号線路１０ｈのように、高周波信号線路１０ａにおいて、接着層７０及びカバーシート７２が設けられていてもよい。

（第２の実施形態の第２の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の実施形態の第２の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図２８は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｉの積層体１２の分解図である。

　図２８に示す高周波信号線路１０ｉのように、高周波信号線路１０ｂにおいて、接着層７０及びカバーシート７２が設けられていてもよい。

（第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図２９は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｊの積層体１２の分解図である。

　図２９に示す高周波信号線路１０ｊのように、高周波信号線路１０ｃにおいて、接着層７０及びカバーシート７２が設けられていてもよい。

（第２の実施形態の第４の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の実施形態の第４の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図３０は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｋの積層体１２の分解図である。

　図３０に示す高周波信号線路１０ｋのように、高周波信号線路１０ｄにおいて、接着層７０及びカバーシート７２が設けられていてもよい。

（第２の実施形態の第５の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の実施形態の第５の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図３１は、第５の変形例に係る高周波信号線路１０ｌの積層体１２の分解図である。

　図３１に示す高周波信号線路１０ｌのように、高周波信号線路１０ｅにおいて、接着層７０及びカバーシート７２が設けられていてもよい。

（第２の実施形態の第６の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の実施形態の第６の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図３２は、第６の変形例に係る高周波信号線路１０ｍの積層体１２の分解図である。

　図３２に示す高周波信号線路１０ｍのように、高周波信号線路１０ｆにおいて、接着層７０及びカバーシート７２が設けられていてもよい。

（第２の実施形態の第７の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第２の実施形態の第７の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図３３は、第７の変形例に係る高周波信号線路１０ｎの外観斜視図である。図３４は、図３３の高周波信号線路１０ｎの誘電体素体１２の分解図である。図３５は、図３３の高周波信号線路１０ｎの断面構造図である。

　高周波信号線路１０ｎと高周波信号線路１０ｇとの相違点は、接着層７０が一部に設けられておらず、パッド７４が設けられている点である。より詳細には、図３３及び図３４に示すように、保護層１４の線路部１４ａ及び接着層７０の一部が存在していない。そして、保護層１４の線路部１４ａ及び接着層７０が存在していない部分には、はんだ等により構成されたパッド７４が設けられている。パッド７４は、グランド導体２２上に設けられており、グランド導体２２と接続されている。

　以上のように構成された高周波信号線路１０ｎは、図３５に示すように、接着層７０を介して、表面が金属カバーに覆われたバッテリーパック２０６に固定される。この際、パッド７４は、バッテリーパック２０６の金属カバーに接触している。これにより、グランド導体２２は、パッド７４を介してバッテリーパック２０６の金属カバーに電気的に接続される。そして、金属カバーが接地電位に保たれていれば、グランド導体２２は、コネクタ１００ａ，１００ｂを介して接地電位に保たれるのに加えて、金属カバーを介しても接地電位に保たれるようになる。すなわち、グランド導体２２の電位がより安定して接地電位に近づくようになる。

　なお、パッド７４は、バッテリーパック２０６の金属カバーの代わりに、電子機器の金属筐体やプリント配線基板のランドに接触してもよい。

（第２の実施形態の第８の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第８の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図３６は、第８の変形例に係る高周波信号線路１０ｏの外観斜視図である。図３７は、図３６の高周波信号線路１０ｏの誘電体素体１２の分解図である。図３８は、図３６の高周波信号線路１０ｏの断面構造図である。

　高周波信号線路１０ｏと高周波信号線路１０ｇとの相違点は、接着層７０が導電性接着剤である点である。より詳細には、図３６及び図３７に示すように、保護層１４の線路部１４ａの一部が設けられていない。これにより、グランド導体２２は、誘電体素体１２の第１の主面上に設けられている。更に、線路部１４ａが設けられていない部分に接着層７０及びカバーシート７２が設けられている。これにより、接着層７０は、グランド導体２２上に設けられており、グランド導体２２と接続されている。

　以上のように構成された高周波信号線路１０ｏは、図３８に示すように、接着層７０を介して、表面に金属カバー（導電部）が設けられたバッテリーパック２０６に固定される。この際、接着層７０は、バッテリーパック２０６の金属カバーに接触している。これにより、グランド導体２２は、接着層７０を介してバッテリーパック２０６の金属カバーに電気的に接続される。そして、金属カバーが接地電位に保たれていれば、グランド導体２２は、コネクタ１００ａ，１００ｂを介して接地電位に保たれるのに加えて、金属カバーを介しても接地電位に保たれるようになる。すなわち、グランド導体２２の電位がより安定して接地電位に近づくようになる。

（第２の実施形態の第９の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第９の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図３９は、第９の変形例に係る高周波信号線路１０ｐの外観斜視図である。図４０は、図３９の高周波信号線路１０ｐの誘電体素体１２の分解図である。図４１は、図３９の高周波信号線路１０ｐの断面構造図である。

　高周波信号線路１０ｐと高周波信号線路１０ｏとの相違点は、図３９及び図４０に示すように、接着層７０及びカバーシート７２が２つに分離されている点である。

　以上のように構成された高周波信号線路１０ｐは、図４１に示すように、接着層７０を介して、ランド（導電部）３０７を有するプリント配線基板３０６に固定される。ランド３０７は、Ｃｕ等の下地電極３０８にめっき３０９が施されることにより構成されている。接着層７０は、ランド３０７に接触している。これにより、グランド導体２２は、接着層７０を介してランド３０７に電気的に接続される。そして、ランド３０７が接地電位に保たれていれば、グランド導体２２は、コネクタ１００ａ，１００ｂを介して接地電位に保たれるのに加えて、ランド３０７を介しても接地電位に保たれるようになる。すなわち、グランド導体２２の電位がより安定して接地電位に近づくようになる。

　また、接着層７０が複数に分離されているので、高周波信号線路１０ｐが貼り付けられる際に、高周波信号線路１０ｐにしわやたるみが発生することが抑制される。なお、２つの接着層の両方が接地電位に保たれるようにランドなどの物品に接触する方が好ましいが、いずれか一方のみが接地電位に保たれていてもよいし、いずれも接地されていなくても構わない。

（第２の実施形態の第１０の変形例に係る高周波信号線路）
　以下に、第１０の変形例に係る高周波信号線路について図面を参照しながら説明する。図４２は、第１０の変形例に係る高周波信号線路１０ｑの誘電体素体１２の分解図である。

　高周波信号線路１０ｑと高周波信号線路１０ｏとの相違点は、グランド導体２４が誘電体シート１８ｂの裏面に設けられている点である。具体的には、誘電体シート１８ｂの表面には、信号線２０が設けられており、誘電体シート１８ｂの裏面には、グランド導体２４が設けられている。そして、高周波信号線路１０ｑには、誘電体シート１８ｃは設けられておらず、保護層１５が設けられている。

　以上のように構成された高周波信号線路１０ｑでは、誘電体シート１８が２枚だけしか用いられないので、高周波信号線路１０ｑの作製が容易である。

（その他の実施形態）
　本発明に係る高周波信号線路は、前記実施形態に係る高周波信号線路１０，１０ａ～１０ｑに限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

　なお、高周波信号線路１０，１０ａ～１０ｑでは、複数の開口３０は、同じ形状を有している。しかしながら、複数の開口３０の一部の形状が、その他の複数の開口３０の形状と異なっていてもよい。例えば、複数の開口３０の内の所定の開口３０以外の開口３０のｘ軸方向における長さは、該所定の開口３０のｘ軸方向における長さよりも長くてもよい。これにより、所定の開口３０が設けられている領域において、高周波信号線路１０，１０ａ～１０ｑを容易に曲げることが可能となる。

　なお、高周波信号線路１０，１０ａ～１０ｑに示した構成を組み合わせてもよい。

　また、高周波信号線路１０ａ～１０ｑでは、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ３、最小値Ｚ２の順に減少するように変動していた。しかしながら、信号線２０の特性インピーダンスは、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、一方のブリッジ部６０から他方のブリッジ部６０に近づくにしたがって、最小値Ｚ２、中間値Ｚ３、最大値Ｚ１の順に増加した後に、最大値Ｚ１、中間値Ｚ４、最小値Ｚ２の順に減少するように変動してもよい。すなわち、中間値Ｚ３と中間値Ｚ４とが異なっていてもよい。例えば、開口３０，３１，４４ａ，４４は直線Ａを介して線対称ではない形状であってもよい。ただし、中間値Ｚ４は、最小値Ｚ２よりも大きくかつ、最大値Ｚ１よりも小さい必要がある。

　また、隣り合う２つのブリッジ部６０間において、最小値Ｚ２の値は異なっていてもよい。すなわち、高周波信号線路１０ａ～１０ｑが全体として所定の特性インピーダンスに合わせられていれば全ての最小値Ｚ２の値が同じである必要はない。ただし、一方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ３よりも低い必要があり、他方のブリッジ部６０側の最小値Ｚ２は中間値Ｚ４よりも低い必要がある。

　また、接着層７０及びカバーシート７２は、誘電体素体１２の第２の主面に更に設けられていてもよい。

　以上のように、本発明は、高周波信号線路及び電子機器に有用であり、特に、狭いスペースにおいて物品に固定することができる点において優れている。

１０，１０ａ～１０ｑ　高周波信号線路
１２　誘電体素体
１４，１５　保護層
１６ａ，１６ｂ　外部端子
１８ａ～１８ｄ　誘電体シート
２０　信号線
２２，２４，４０，４２　グランド導体
３０　開口
７０　接着層
７２　カバーシート
１００ａ，１００ｂ　コネクタ
１０２　コネクタ本体
１０４，１０６　外部端子
１０８　中心導体
１１０　外部導体
２００　電子機器
２０２ａ，２０２ｂ　回路基板
２０４ａ，２０４ｂ　レセプタクル
２０６　バッテリーパック
２１０　筐体
２１２　接続導体
３０６　プリント配線基板
３０７　ランド

Claims

　絶縁体層が積層されてなり、かつ、第１の主面及び第２の主面を有する積層体と、
　前記積層体に設けられている線状の信号線と、
　前記積層体に設けられ、かつ、前記絶縁体層を介して前記信号線と対向しているグランド導体であって、前記信号線に沿って連続的に延在する第１のグランド導体と、
　前記積層体に設けられ、かつ、前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向しているグランド導体であって、複数の開口が前記信号線に沿って並ぶように設けられている第２のグランド導体と、
　を備えており、
　前記信号線に関して前記第１のグランド導体側に位置する前記第１の主面が、物品に対する接触面であること、
　を特徴とする高周波信号線路。
　前記第１の主面は、前記物品に対して固定されること、
　を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
　前記物品は、金属物品であって、
　前記第１のグランド導体は、前記物品に対して電気的に接続されていること、
　を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記第１のグランド導体は、前記第１の主面に最も近い前記絶縁体層上に設けられており、
　前記第２のグランド導体は、前記絶縁体層間に設けられていること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記積層体は、前記第１のグランド導体を覆う保護層を、更に有していること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記積層体に取り付けられ、かつ、前記信号線に電気的に接続されている信号端子及び前記第１のグランド導体及び前記第２のグランド導体に電気的に接続されているグランド端子を有しているコネクタを、
　更に備えていること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記複数の開口は、等間隔に並んでいること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記第２のグランド導体は、前記複数の開口とブリッジ部とが交互に前記信号線に沿って設けられることにより、はしご状をなしており、
　前記信号線の特性インピーダンスは、隣り合う２つの前記ブリッジ部間において一方の前記ブリッジ部から他方の前記ブリッジ部に近づくにしたがって、最小値、第１の中間値、最大値の順に増加した後に最大値、第２の中間値、最小値の順に減少するように変動していること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記積層体は、可撓性を有していること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記第１の主面上に設けられている接着層と、
　前記接着層に対して剥離可能に貼り付けられているカバー層と、
　を更に備えており、
　前記カバー層が剥離されて露出した前記接着層を介して前記物品に対して固定されること、
　を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の高周波信号線路。
　前記第１のグランド導体は、前記第１の主面上に設けられており、
　前記接着層は、導電性接着剤により構成されていると共に、前記第１のグランド導体上に設けられていること、
　を特徴とする請求項１０に記載の高周波信号線路。
　前記物品には、導電部が設けられており、
　前記第１のグランド導体は、前記導電部に対して前記接着層を介して電気的に接続されること、
　を特徴とする請求項１１に記載の高周波信号線路。
　請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の高周波信号線路と、
　前記高周波信号線路の前記第１の主面が接触する前記物品と、
　を備えること、
　を特徴とする電子機器。
　第１の主面及び第２の主面を有する素体と、
　前記素体に設けられている線状の信号線と、
　前記素体において前記信号線よりも前記第１の主面側に設けられ、かつ、前記信号線と対向している第１のグランド導体と、
　前記素体において前記信号線を挟んで前記第１のグランド導体と対向しており、該信号線に沿って開口が設けられている第２のグランド導体と、
　前記第１の主面上に設けられている接着層と、
　前記接着層に対して剥離可能に貼り付けられているカバー層と、
　を備えていること、
　を特徴とする高周波信号線路。
　請求項１４に記載の高周波信号線路と、
　物品と、
　を備えており、
　前記高周波信号線路は、前記カバー層が剥離されて露出した前記接着剤を介して前記物品に固定されること、
　を特徴とする電子機器。