WO2011122540A1 - レーザ装置 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a laser device in which a laser element such as a semiconductor laser element and an optical component such as an optical fiber are combined.
- LD semiconductor laser
- the laser light emission surface of the semiconductor laser element and the tip of the optical fiber are accurately positioned so that more laser light emitted from the semiconductor laser element is introduced into the optical fiber. Align. It is important to maintain the aligned state.
- a laser / diode assembly described in Patent Document 1 has been proposed.
- a laser diode chip referred to herein as a “semiconductor laser element”
- an optical fiber are mounted on the same base.
- the semiconductor laser element and the optical fiber are both fixed on the pedestal using soldering so that the laser light emitting surface of the semiconductor laser element is aligned with the tip of the optical fiber. It has become.
- a multimode semiconductor laser element that oscillates in a plurality of waveguide modes is used as a semiconductor laser element of a light source.
- the output light from the multimode semiconductor laser element is output from the end of the waveguide having a width of 10 micrometers to several hundred micrometers.
- the divergence angle of laser light emitted from such a multimode semiconductor laser element is the full width at half maximum (FWHM; Full Width at Half Maximum) in the longitudinal direction of the emission surface (direction orthogonal to the active layer of the semiconductor laser element). Generally, it is about 40 °. In addition, the full width at half maximum in the lateral direction of the exit surface is generally about 10 ° (see, for example, Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2). That is, the spread of the laser beam in the vertical direction is larger than the spread in the horizontal direction.
- the tip of the optical fiber is formed in a wedge shape, and a lens function is imparted to the tip.
- JP 2000-124538 A (published on April 28, 2000)
- the temperature of the fiber fixing part may rise, and the pedestal below the fiber fixing part may expand. Due to such local expansion of the pedestal, the position of the optical fiber may change, and the optical coupling rate between the semiconductor laser element and the optical fiber may decrease. That is, the laser light introduced into the core portion of the optical fiber is further reduced.
- the decrease in the laser light introduced into the core portion of the optical fiber is an increase in the laser light absorbed in the fiber fixing portion described above.
- the temperature of the fiber fixing portion is increased. Will rise further and local expansion of the pedestal will be accelerated.
- Such local expansion of the pedestal further promotes a decrease in the optical coupling rate between the semiconductor laser element and the optical fiber, and further increases the temperature of the fiber fixing portion.
- the laser light emitted from the semiconductor laser element has a larger spread in the vertical direction than a spread in the horizontal direction of the emission surface. For this reason, when there is a positional shift of the optical fiber in the vertical direction, the decrease in the optical coupling rate between the semiconductor laser element and the optical fiber becomes more remarkable.
- the present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to suppress heat generation and melting of the fiber fixing portion for fixing the optical fiber, and to reduce the optical coupling ratio between the semiconductor laser element and the optical fiber. It is providing the laser apparatus which can suppress this.
- a laser apparatus includes an optical fiber having a laser element having an emission surface for emitting laser light and a tip portion disposed so as to face the emission surface of the laser element. And a support member that supports the optical fiber, and the support member includes a first main surface on which the fiber fixing portion is disposed, and a support member that supports the optical fiber.
- a flat plate-like portion including a second main surface on the opposite side of the first main surface, and fixed to the heat radiating member, and connected to the flat plate-like portion on either end side of the flat plate-like portion.
- a columnar portion that faces the second main surface and the heat radiating member while being spatially separated from each other.
- the support member that supports the optical fiber includes a flat plate-like portion that fixes the optical fiber, and a columnar portion that is fixed to the heat dissipation member.
- the member is spatially separated. By doing so, the thickness of the support member located under the fiber fixing portion for fixing the optical fiber can be reduced.
- the support member below the fiber fixing portion In the thickness direction of the plate-like portion due to the thermal expansion of the support member below the fiber fixing portion, compared with the case where the support member below the fiber fixing portion is directly fixed to the heat radiating member. The amount of fiber misalignment can be reduced.
- the laser device of the present invention includes a laser element having an emission surface for emitting laser light, an optical fiber having a tip portion disposed so as to face the emission surface of the laser element, and the optical fiber fixed by soldering.
- a support member that supports the optical fiber, and the support member has a first main surface on which the fiber fixing portion is disposed, and an opposite side of the first main surface.
- FIG. 2 is a three-sided view showing an optical fiber support member of the laser device of FIG. 1, wherein (a) is a plan view seen from the Z-axis direction of FIG. 1, and (b) is a side view seen from the X-axis direction of FIG. (C) is the side view seen from the Y-axis direction of FIG. It is a figure which shows the optical fiber support member of said laser apparatus, and its peripheral part. It is a figure which shows the conventional optical fiber support member and its peripheral part.
- FIG. 6 is a three-view diagram illustrating a first modification of the optical fiber support member of the laser device in FIG.
- FIGS. 1 to 4 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 4 as follows.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a laser device 100 according to an embodiment of the present invention.
- 2 is a three-sided view showing the optical fiber support member 5 shown in FIG. 1.
- FIG. 2 (a) is a plan view seen from the Z-axis direction of FIG. 1
- FIG. 1 is a side view seen from the X-axis direction of FIG. 1
- FIG. 2C is a side view seen from the Y-axis direction of FIG.
- the laser device 100 includes a pedestal 1, a semiconductor laser element (laser element) 2, a laser element support member 3, an optical fiber 4, and an optical fiber support member ( Support member) 5, bonding film 6, bonding pad (fiber fixing portion) 7, solder 8, and metal coating member 9.
- the base 1 has, for example, a rectangular parallelepiped shape.
- the base 1 can arrange
- the pedestal 1 has a laser element support member 3 and an optical fiber support member 5 bonded to the upper surface (main surface), and heat generated from the semiconductor laser element 2 is conducted to the pedestal 1 through the laser element support member 3.
- heat generated from the optical fiber 4 and heat generated from a bonding pad described later are conducted to the base 1 through the optical fiber support member 5.
- the base 1 is usually fixed on a heat sink or a temperature adjustment block in order to dissipate heat conducted to the base 1 through the laser element support member 3 and the optical fiber support member 5 in this way.
- the base 1 is fixed to such a heat sink and a temperature adjustment block, and serves as a heat radiating member for radiating heat conducted from the laser element support member 3 and the optical fiber support member 5. Moreover, the base 1 is normally formed using copper in consideration of such heat dissipation and its manufacturing cost.
- the semiconductor laser element 2 is connected to a laser driving device (not shown), and a driving current is input from the laser driving device.
- the semiconductor laser element 2 has an emission surface 2 a that emits laser light, and the emission surface 2 a is disposed so as to face the tip portion 4 a of the optical fiber 4.
- the semiconductor laser element 2 oscillates when a drive current is input from the drive device, and emits laser light from the emission surface 2a by the oscillation.
- a multimode semiconductor laser element that outputs multimode light is used as the semiconductor laser element 2.
- a semiconductor material constituting such a multimode semiconductor laser element for example, InGaAs, AlGaAs, or InGaAsP can be used.
- the laser beam emitted from the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 that outputs multimode light is also the spread angle of the laser beam in the Z-axis direction (first direction) on the emission surface 2a.
- the full width at half maximum (FWHM) is about 40 °
- the full width at half maximum of the spread angle of the laser beam in the X-axis direction (second direction) on the emission surface 2a is about 10 °. That is, the spread of the laser light of the semiconductor laser element 2 is larger in the YZ plane than in the XY plane.
- the X-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 refers to a direction parallel to the plane on which the active layer of the semiconductor laser element 2 extends on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2.
- the Z-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 refers to a direction orthogonal to the plane on which the active layer of the semiconductor laser element 2 extends on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2.
- the laser light of the semiconductor laser element 2 has a large spread in the Z-axis direction on the emission surface 2a, so that the optical fiber 4 is displaced in the Z-axis direction on the emission surface 2a. This is because more laser light is not introduced into the core portion of the optical fiber 4 as compared with the positional deviation of the optical fiber 4 in the X-axis direction of the emission surface 2a.
- the fluctuation of the optical coupling ratio between the multimode semiconductor laser element 2 and the optical fiber 4 is insensitive to the positional deviation of the optical fiber 4 in the X-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2, It can be said that the position of the optical fiber 4 in the Z-axis direction on the emission surface 2a of the multimode semiconductor laser element 2 is very sensitive.
- the positional deviation of the optical fiber 4 in the X-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 is allowed to about 10 ⁇ m, Only about 1 to 3 ⁇ m is allowed for the positional deviation of the optical fiber 4 in the Z-axis direction on the emission surface 2 a of the semiconductor laser element 2.
- the present invention greatly affects the fluctuation of the optical coupling rate between the semiconductor laser element 2 and the optical fiber 4, and the optical fiber 4 in the Z-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 is affected. It suppresses misalignment.
- the lower surface of the laser element support member 3 is bonded to the pedestal 1, while the semiconductor laser element 2 is disposed on the upper surface.
- the laser element support member 3 supports the arrangement of the semiconductor laser element 2 above the pedestal 1, and at the same time, suppresses distortion due to thermal expansion and deformation of the pedestal 1 from being directly conducted to the semiconductor laser element 2. .
- the laser element support member 3 conducts heat generated when the semiconductor laser element 2 emits laser light to the pedestal 1, and heat generated from the semiconductor laser element 2 is radiated to the atmosphere through the pedestal 1. It will be. As a result, the temperature rise of the semiconductor laser element 2 during laser oscillation is suppressed, and the semiconductor laser element 2 is stably oscillated.
- a material constituting the laser element supporting member 3 for example, CuW, AlN, SiC, BeO, Si, cubic boron nitride, diamond can be used.
- the optical fiber 4 is for conducting laser light emitted from the semiconductor laser element 2 to the outside of the laser device 100. Laser light emitted from the semiconductor laser element 2 is introduced into the optical fiber 4 through the tip portion 4a.
- the tip 4a of the optical fiber 4 has a wedge shape as shown in FIG. As described above, the spread of the laser light of the semiconductor laser element 2 is larger in the Z-axis direction than in the X-axis direction on the emission surface 2a.
- the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 is formed at the tip 4a where the laser beam is incident. It is necessary to refract the laser beam spreading in the Z-axis direction and guide it to the core portion of the optical fiber 4.
- the optical fiber 4 is processed so that the tip portion 4a has a wedge shape, and the lens function is imparted to the tip portion 4a by the processing.
- the laser light spreading in the Z-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 is refracted when being incident on the tip 4a having a wedge shape and having a lens function, and is introduced into the optical fiber 4. It will be.
- the tip 4a of the optical fiber 4 is disposed so as to face the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 as shown in FIG. Then, the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 and the distal end portion 4a of the optical fiber 4 are maximized so that the laser light introduced into the core portion of the optical fiber 4 out of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 becomes maximum. Are aligned with each other.
- the semiconductor laser element 2 and the optical fiber 4 are arranged at a position where the optical coupling rate between the semiconductor laser element 2 and the core portion of the optical fiber 4 is maximized.
- the optical fiber 4 in the laser device 100 includes a triple structure including a core portion, a cladding portion outside the core portion, and a covering portion covering them.
- the alignment between the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 and the tip 4a of the optical fiber 4 is specifically performed by the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 being the optical fiber 4. This means that the optical axis of the laser light emitted from the semiconductor laser element 2 and the optical axis of the core part of the optical fiber 4 are aligned so that the core part is introduced to the maximum.
- coated part of the optical fiber 4 is removed from the front-end
- a metal covering member 9 is formed on the outer periphery of the clad portion of the quartz material.
- the coating part is likely to be damaged when the solder is melted. This is because the position variation of 4 increases.
- the metal covering member 9 and the bonding pad 7 are not in direct contact with each other and are usually separated from each other by several tens to 100 micrometers.
- the optical fiber 4 may be a multimode fiber that can be optically coupled to the multimode semiconductor laser element 2 described above.
- the core portion preferably has a diameter of 50 micrometers or more, and is 105 micrometers. More preferably. Of course, it is preferable to increase the diameter of the core portion of the optical fiber 4 as the output of the semiconductor laser device 2 increases. For example, depending on the output level of the semiconductor laser element 2, the diameter of the core of the optical fiber 4 may be about 1000 micrometers.
- the optical fiber support member 5 is bonded to the base 1 with its lower surface sandwiching the bonding film 6, while the optical fiber 4 is disposed so as to sandwich the bonding pad 7 on its upper surface.
- the optical fiber support member 5 supports the arrangement of the optical fiber 4 above the base 1.
- the optical fiber support member 5 is configured using a non-insulating material having a high thermal conductivity.
- the optical fiber support member 5 may be made of a non-insulating material having a high thermal conductivity such as Ni, Mo, Si, CuW, AlN, or Cu.
- the thermal conductivity of the non-insulating material as described above is 90 W / m ⁇ K (Ni), 147 W / m ⁇ K (Mo), 160 W / m ⁇ K (Si), and 200 W / m ⁇ K, respectively.
- non-insulating materials include, for example, Ni-ceramic, SiC (257 W / m ⁇ K), BeO (285 W / m ⁇ K), cubic boron nitride (Cubic boron nitride, 1300 W / m ⁇ K). Diamond (2200 W / m ⁇ K) can be used.
- the thermal conductivity of such a non-insulating material is preferably 50 W / m ⁇ K or more.
- heat insulating material having low thermal conductivity with respect to such a non-insulating material for example, silica (1 W / m ⁇ K), Macor (2 W / m ⁇ K), Zirconia (3 W / m ⁇ K) Etc.
- the base fiber 1 can efficiently conduct heat generated when the optical fiber 4 conducts the laser light. Can do.
- the non-insulating material constituting the optical fiber support member 5 is not limited to the materials described above.
- the optical fiber support member 5 may be made of a non-insulating material having a higher thermal conductivity than a heat insulating material such as glass having extremely low thermal conductivity.
- the optical fiber support member 5 includes a beam portion (flat plate portion) 5 a having the above-described upper surface on which the optical fiber 4 is disposed, and a column having the above-described lower surface joined to the base 1. Part (columnar part) 5b. And the column part 5b is arrange
- the beam portion 5a and the column portion 5b are integrally formed.
- the optical fiber support member 5 is divided into two portions, that is, the beam portion 5a and the column portion 5b. .
- the beam portion 5a has a flat plate shape, and the column portion 5b has a rectangular parallelepiped shape. Therefore, as shown in FIG. 2C, the side surface of the optical fiber support member 5 viewed from the Y-axis direction in FIG. 1 is L-shaped.
- Such a structure of the optical fiber support member 5 having an L-shaped side surface can be called a cantilever structure.
- the optical fiber support member 5 having such a cantilever structure greatly affects the fluctuation of the optical coupling rate between the semiconductor laser element 2 and the optical fiber 4 as described above. It is possible to produce an effect that the positional deviation of the optical fiber 4 in the Z-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 can be suppressed. This effect will be described in detail later.
- the beam portion 5a and the column portion 5b are separately formed without integrally forming the beam portion 5a and the column portion 5b, and then separately formed as described above. Of course, they may be integrated so as to be L-shaped.
- the column part 5b has the above-mentioned lower surface joined to the base 1.
- a bonding film 6 is sandwiched between the lower surface of the column part 5 b and the pedestal 1.
- the bonding film 6 is for fixing the column portion 5b to the base 1 using a soldering material such as solder, and for example, a two-layer structure film made of Ni film (upper layer) / Au film (lower layer) is used. be able to.
- the beam portion 5a has the upper surface on which the optical fiber 4 is disposed.
- a bonding pad 7 is sandwiched between the upper surface of the beam portion 5 a and the optical fiber 4.
- the bonding pad 7 is used for fixing the optical fiber 4 to the upper surface of the beam portion 5a by using solder.
- the bonding pad 7 is formed of, for example, a Ni film (upper layer) / Au film (lower layer).
- a layer structure film can be used.
- solder 8 for example, solder having a melting point of about 100 ° C. to 350 ° C. or eutectic solder may be used. More specifically, if solder 8 is eutectic solder of 63% tin (Sn) -37% lead (Pb), indium (In) alloy solder, tin (Sn) -silver (Ag) solder, or the like. Good. In particular, from the viewpoint of lead-free, gold (Au) -tin (Sn) eutectic solder is preferable.
- the metal covering member 9 is arranged around a part of the optical fiber 4 so as to surround the optical fiber 4.
- the metal covering member 9 is desirably present for bonding the optical fiber 4 and the solder 8 when the optical fiber 4 and the bonding pad 7 are bonded using the solder 8. This is because, as described above, the outside of the optical fiber 4 is a clad portion made of glass and is not suitable for joining with solder. Therefore, the metal covering member 9 as described above is separately arranged, and the optical fiber 4 and the solder 8 are joined via the metal covering member 9.
- optical fiber support member 5 As described above, in the present invention, the cantilever structure of the optical fiber support member 5 greatly affects the fluctuation of the optical coupling rate between the semiconductor laser element 2 and the optical fiber 4. The effect that the positional deviation in the Z-axis direction of the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 can be suppressed can be achieved.
- FIG. 3 is a view showing the optical fiber support member 5 of FIGS. 1 and 2 and its peripheral portion.
- the optical fiber support member 5 includes the beam portion 5a and the column portion 5b.
- the beam portion 5a includes one main surface (first main surface) on which the bonding pad 7 to which the optical fiber 4 is fixed by the solder 8 is disposed, and the other main surface on the opposite side (first main surface). 2nd main surface). Further, as described above, the beam portion 5a has a flat plate shape, and is connected to the column portion 5b on one end side located in the longitudinal direction. The other main surface of the beam portion 5 a faces the pedestal 1.
- the column part 5b is arrange
- the column part 5b is connected with the beam part 5a in the one end part side along the transversal direction of the beam part 5a, and opposes the other main surface of the beam part 5a, separating the base 1 spatially.
- the beam portion 5a is arranged and supported above the base 1.
- both the beam portion 5a and the column portion 5b are made of a non-insulating material having a high thermal conductivity as described above.
- the height of the optical fiber 4 with respect to the base 1 is H.
- the thickness of the optical fiber support member 5 located below the bonding pad 7 to which the optical fiber 4 is fixed that is, the thickness of the beam portion 5a is H1 which is a value thinner than the height H of the optical fiber 4.
- this configuration is referred to as “configuration 1”.
- the thickness of the bonding film 6 and the bonding pad 7 is ignored, and the height of the optical fiber 4 is determined only by the thickness of the optical fiber support member 5.
- configuration 2 the distance to the column portion 5b based on the position of the bonding pad 7 is L (hereinafter, this configuration is referred to as “configuration 2”).
- the optical fiber support member 5 includes the configurations 1 and 2 to suppress the positional deviation of the optical fiber 4 in the Z-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 as described above. It can be done.
- the thickness H1 of the optical fiber support member 5 positioned below the bonding pad 7 is thinner than the height H of the optical fiber 4 that is originally required. . For this reason, the amount of positional deviation of the optical fiber 4 in the Z-axis direction due to the thermal expansion of the optical fiber support member 5 can be reduced below the bonding pad 7.
- the bonding pad 207 and the optical fiber 204 disposed on the optical fiber support member 205 are fixed by solder 208.
- the height H of the optical fiber 204 is the thickness of the optical fiber support member 205 itself.
- the optical fiber support member 205 uses a heat insulating material, and is an environment in which heat below the optical fiber 204 is difficult to dissipate.
- the distance between the bonding pad 7 that generates heat by the irradiation of the laser beam and the column portion 5b can be separated by a distance L, so that the thermal expansion of the column portion 5b due to the heat generated from the bonding pad 7 is achieved. Can be suppressed.
- the height H of the optical fiber 4 is the thickness H itself of the column part 5b as shown in FIG. Therefore, if the thermal expansion of the column portion 5b due to heat generated from the bonding pad 7 is large, the positional shift of the optical fiber 4 occurs although the positional shift is not as large as the conventional one.
- the bonding pad 7 and the column part 5b are separated from each other by a distance L, and heat is radiated from the surface of the optical fiber support member 5, so that the column part 5b is enlarged by heat generated from the bonding pad 7. Suppresses thermal expansion.
- the amount of positional deviation of the optical fiber 4 can be greatly reduced as compared with the conventional case.
- the laser light emitted from the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 is irradiated with the laser light that is not introduced into the optical fiber 4. Even if heat is generated from the bonding pad 7 to which the optical fiber 4 is fixed, the thickness of the beam portion 5a that is the optical fiber support member 5 below the bonding pad 7 is reduced, and the thermal conductivity is increased. The thermal expansion of the beam portion 5a due to heat generated from the bonding pad 7 is suppressed. As a result, the amount of displacement of the optical fiber 4 in the Z-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 can be reduced.
- the column part 5b which is the optical fiber support member 5 disposed on the base 1 is separated from the bonding pad 7 and the thermal conductivity of the column part b is increased, the column part due to heat generated from the bonding pad 7 is used. The thermal expansion of 5b is suppressed. As a result, the amount of displacement of the optical fiber 4 in the Z-axis direction on the emission surface 2a of the semiconductor laser element 2 can be reduced.
- FIG. 5 shows a schematic configuration of Modification 1 of the optical fiber support member 5 of the laser apparatus 100 according to the above-described embodiment.
- FIG. 5 is a three-plane view showing a first modification of the optical fiber support member 5 shown in FIG. 1, and FIG. 5 (a) is a plan view of the first modification seen from the Z-axis direction in FIG.
- FIG. 5B is a side view of the first modification viewed from the X-axis direction of FIG. 1
- FIG. 5C is the first modification of the first modification viewed from the Y-axis direction of FIG. It is a side view.
- the beam portion 5a of the optical fiber support member 5 is replaced with a beam portion 15a having an opening G in the beam portion 5a. It is a point.
- the beam portion 15a has an L-shaped arm portion 18 having an opening G, and is provided with a column portion 15b on the end side, and two column portions. 15b is provided on each of two end portions located in the longitudinal direction of the beam portion 15a.
- both of the two column portions 15 b are bonded to the base 1 via the bonding film 16.
- the column part 15b, the bonding film 16 and the bonding pad 17 are the same as the column part 5b, the bonding film 6 and the bonding pad 7 of the optical fiber support member 5, respectively.
- the beam portion 15 a is the same as the beam portion 5 a of the optical fiber support member 5 except that the opening portion G is provided and the arm portion 18 is provided.
- the beam portion 15a has the opening G, so that the column portion 15b is positioned in the longitudinal direction of the beam portion 15a while the beam portion 15a maintains the cantilever structure. It is provided on the part side. By doing so, the parallelism between the beam portion 15a and the pedestal 1 can be made easier than in the above embodiment.
- FIG. 6 shows a schematic configuration of Modification 2 of the optical fiber support member 5 of the laser apparatus 100 according to the above-described embodiment.
- 6 is a three-view diagram illustrating a second modification of the optical fiber support member 5 illustrated in FIG. 1.
- FIG. 6A is a plan view of the second modification as viewed from the Z-axis direction in FIG. 6 (b) is a side view of Modification 2 as seen from the X-axis direction of FIG. 1, and
- FIG. 6 (c) is of Modification 2 as seen from the Y-axis direction of FIG. It is a side view.
- the difference between the optical fiber support member according to Modification 2 and the optical fiber support member 5 is that the column portion 5b of the optical fiber support member 5 is replaced with a column portion 25b using the same member as the base 1. It is.
- the column portion 25b and the pedestal 1 By integrally forming the column portion 25b and the pedestal 1, it is not necessary to separately prepare the column portion 25b, and the beam portion 25a can be formed in a simple flat plate shape.
- the integral molding of the column portion 25b and the pedestal 1 can be easily performed, for example, by cutting or pressing when the pedestal 1 is manufactured. If it does so, the process for producing the pillar part 25b will become unnecessary.
- the beam portion 25a can be formed into a flat plate shape that can be easily manufactured, the process required for the manufacture is simplified, and a high machining accuracy is not required for the cutting process used for the manufacture.
- the production cost of the optical fiber support member can be reduced.
- the bonding film 26 and the bonding pad 27 are the same as the bonding film 6 and the bonding pad 7 of the optical fiber support member 5, respectively.
- solder is used for the bonding film 26, and the thickness of the solder is usually about 5 ⁇ m to 30 ⁇ m. In FIG. 6, the thickness of the bonding film 26 is schematically shown for easy viewing of the drawing.
- a laser device includes a laser element having an emission surface for emitting laser light, an optical fiber having a tip portion disposed so as to face the emission surface of the laser element, and the optical fiber.
- a support member for supporting the optical fiber comprising: a first main surface on which the fiber fixing unit is disposed; and the first main surface.
- a flat plate-like portion including a second main surface on the opposite side of the flat plate-like portion and fixed to the heat radiating member, and connected to the flat plate-like portion on either end side of the flat plate-like portion. And a columnar portion facing the main surface and the heat radiating member while being spatially separated.
- the support member that supports the optical fiber includes a flat plate-like portion that fixes the optical fiber, and a columnar portion that is fixed to the heat dissipation member.
- the member is spatially separated. By doing so, the thickness of the support member located under the fiber fixing portion for fixing the optical fiber can be reduced.
- the support member below the fiber fixing portion In the thickness direction of the plate-like portion due to the thermal expansion of the support member below the fiber fixing portion, compared with the case where the support member below the fiber fixing portion is directly fixed to the heat radiating member. The amount of fiber misalignment can be reduced.
- the support member is preferably made of a non-insulating material.
- the temperature of the support member below the fiber fixing portion is lower than when a heat insulating material is used for the member supporting the fiber.
- the columnar part is connected to the flat part on one end side located in the longitudinal direction of the flat part, and the fiber fixing part is the other end part located in the longitudinal direction of the flat part. It is preferable to arrange on the side.
- the fiber fixing portion that generates heat by the irradiation of the laser light that has not been introduced into the core portion of the optical fiber, and the columnar portion are in the longitudinal direction of the plate-like portion. It will be separated by the length.
- the fiber fixing part and the columnar part are separated from each other to suppress the thermal expansion of the columnar part due to heat generated from the fiber fixing part. By doing so, the amount of optical fiber misalignment can be further reduced.
- the optical fiber is preferably fixed to the fiber fixing portion so that the extending direction from the columnar portion of the flat plate portion and the extending direction of the optical fiber are orthogonal to each other.
- the optical fiber is fixed to the fiber fixing portion so that the extending direction from the columnar portion of the flat plate portion and the extending direction of the optical fiber are orthogonal to each other, the longitudinal direction of the flat plate portion and the optical fiber extend.
- the direction is orthogonal.
- the flat plate portion When thermal expansion of the flat plate-like portion occurs due to heat generation from the fiber fixing portion, the flat plate portion extends in the longitudinal direction, but the longitudinal direction of the flat plate portion and the direction in which the optical fiber extends are orthogonal to each other.
- the tip portion of the optical fiber fixed to the fiber fixing portion is displaced in the longitudinal direction of the flat plate portion.
- the positional deviation of the tip of the optical fiber can be set in the lateral direction of the emission surface of the laser element, which is the direction in which the spread of the laser light is small, so that the optical coupling rate between the laser element and the optical fiber is reduced. It can be suppressed more.
- the heat generation and melting of the fiber fixing portion for fixing the optical fiber can be suppressed, and the optical coupling rate between the laser element and the optical fiber can be more effectively prevented.
- the laser element is arranged so that the one direction matches the thickness direction of the flat plate portion.
- the direction in which the spread of the laser beam has a greater influence on the positional deviation of the optical fiber and the thickness direction of the flat plate portion can be matched.
- the flat plate portion and the columnar portion are separate bodies.
- each of the flat plate portion and the columnar portion can be formed into a shape that is easy to manufacture, such as a flat plate shape or a rectangular parallelepiped shape. Therefore, when such a shape is realized by cutting, high processing accuracy is not required, and the production cost can be reduced.
- the flat plate portion and the columnar portion are integrally formed.
- the flat plate portion and the columnar portion can be produced at a time. Therefore, each manufacturing process is simplified, and each manufacturing cost can be reduced.
- the columnar part and the heat radiating member are integrally formed.
- the flat plate portion can be formed into a shape that is easy to manufacture.
- the columnar part can be produced simultaneously with the heat dissipation member. For this reason, it is not necessary to perform cutting with high processing accuracy for the plate-like portion, and the manufacturing process is simplified for the columnar portion. Therefore, the manufacturing cost of each can be reduced.
- the present invention can be applied to a laser device in which a laser element such as a semiconductor laser element and an optical component such as an optical fiber are combined.
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Abstract
光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下を抑制することができるレーザ装置(100)を提供する。レーザ装置(100)は、レーザ光を出射する出射面(2a)を有する半導体レーザ素子(2)と、半導体レーザ素子(2)の出射面(2a)に対向するように配置された先端部(4a)を有する光ファイバ(4)と、光ファイバ(4)を半田(8)により固定する接合パッド(7)を有し、光ファイバ(4)を支持する光ファイバ支持部材(5)とを備え、光ファイバ支持部材(5)は、接合パッド(7)が配置された第1の主面と、第1の主面の反対側にある第2の主面とを含む梁部と、台座(1)に固定されており、梁部のいずれかの端部側において梁部と連結して第2の主面と台座(1)とを空間的に離間させつつ対向させている柱部と、を有している。
Description
本発明は、半導体レーザ素子等のレーザ素子と光ファイバ等の光部品とを組み合わせたレーザ装置に関するものである。
近年、半導体レーザ(LD;Laser Diode)素子を用いたレーザ装置が商品化され、光通信の分野に普及している。このようなレーザ装置は、半導体レーザ素子と、光ファイバとを高い光結合率で光結合するように組み合わせ、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光が、その先端部から光ファイバに導入される。
このため、このようなレーザ装置においては、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光がより多く光ファイバに導入されるよう、半導体レーザ素子のレーザ光の出射面と光ファイバの先端部とを正確に位置合わせする。そして、その位置合わせした状態を保持することが重要な事柄となる。
上で述べたような、半導体レーザ素子と光ファイバとを組み合わせたレーザ装置として、例えば特許文献1に記載されたレーザ・ダイオード組立体が提案されている。そのレーザ・ダイオード組立体では、レーザ・ダイオード・チップ(ここでは、「半導体レーザ素子」と呼ぶ)と、光ファイバとが、同一の台座上に搭載されている。
そして、半導体レーザ素子と光ファイバは共に半田付けを用いてその台座上に固着されており、半導体レーザ素子のレーザ光の出射面と光ファイバの先端部との位置合わせした状態が保持されるようになっている。
特に、高い光強度が必要とされるレーザ装置では、光源の半導体レーザ素子として、複数の導波モードで発振するマルチモードの半導体レーザ素子が用いられる。マルチモード半導体レーザ素子からの出力光は、10マイクロメートルから数百マイクロメートルの幅の導波路端から出力される。
このようなマルチモード半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の広がり角は、その出射面の縦方向(半導体レーザ素子の活性層に直交する方向)の半値全幅(FWHM;Full Width at Half Maximum)が40°程度となるのが一般的である。また、その出射面の横方向の半値全幅が10°程度となるのが一般的である(例えば、非特許文献1、非特許文献2を参照)。すなわち、レーザ光は横方向の広がりよりも縦方向の広がりのほうが大きくなっている。
このため、上記の非特許文献1、非特許文献2に記載されたように、光ファイバの先端部をくさび形状に形成し、その先端部にレンズ機能を付与する。そうすることにより、縦方向に大きく広がるレーザ光を効率よく、光ファイバに光結合させ、より多くのレーザ光を光ファイバのコア部に導入することが一般的に行なわれている。
Xiaodong Zeng and Yuying An, Coupling light from a laser diode into a multimode fiber, APPLIED OPTICS, Optical Society of America, August 2003, Vol. 42, No. 22
Min-Ching Lin et al., High-Power Laser Module with High Coupling Wedge-Shaped Fiber, Opto-Electronics and Communications Conference, 2008 and the 2008 Australian Conference on Optical Fiber Technology, OECC/ACOFT 2008, Joint conference of the Volume, Issue, 7-10 July 2008 Pages 1-2.
ところで、上記の特許文献1に記載されたレーザ・ダイオード組立体では、上で述べた縦方向に広がるレーザ光のうち、光ファイバのコア部に導入されなかったレーザ光の一部は、光ファイバを台座に固着するためのファイバ固定部に吸収されることになる。そのため、ファイバ固定部が発熱することになる。
その結果、そのファイバ固定部の温度が上昇し、ファイバ固定部下方の台座が膨張する場合がある。このような台座の局所的な膨張により、光ファイバの位置が変化し、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合率が低下する場合がある。すなわち、光ファイバのコア部に導入されるレーザ光をさらに減少させることになる。
このような光ファイバのコア部に導入されるレーザ光の減少は、言いかえれば、上で述べたファイバ固定部に吸収されるレーザ光が増加することであり、その結果、ファイバ固定部の温度がさらに上昇し、台座の局所的な膨張がより加速されることになる。
そして、このような局所的な台座の膨張は、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下を一層進めることとなり、ファイバ固定部のさらなる温度上昇を招くことになる。
このような悪循環は、最終的には、ファイバ固定部の発熱により半田の溶融を引き起こし、延いては、レーザ・ダイオード組立体の動作を阻害してしまうというおそれがあった。
さらに、近年の半導体レーザ素子の高出力化に伴い、上で述べたような悪循環がより助長される方向に進むのは必至である。特に、その出力が1Wを超えるような高出力半導体レーザを用いる場合は、その影響がより顕著になる。
したがって、このような悪循環を引き起こさないためには、光ファイバを固着するためのファイバ固定部の発熱や溶融に対する実装信頼性の向上が強く望まれている。
特に、上で述べたように、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光は、その出射面の横方向の広がりよりも縦方向の広がりのほうが大きい。このため、その縦方向における光ファイバの位置ずれがあった場合、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下は、より顕著となってしまう。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、半導体レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下を抑制することができるレーザ装置を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明に係るレーザ装置は、レーザ光を出射する出射面を有するレーザ素子と、前記レーザ素子の前記出射面に対向するように配置された先端部を有する光ファイバと、前記光ファイバを半田により固定するファイバ固定部を有し、前記光ファイバを支持する支持部材と、を備え、前記支持部材は、前記ファイバ固定部が配置された第1の主面と、前記第1の主面の反対側にある第2の主面とを含む平板状部と、放熱部材に固定されており、前記平板状部のいずれかの端部側において前記平板状部と連結して前記第2の主面と前記放熱部材とを空間的に離間させつつ対向させている柱状部と、を有している。
上記のレーザ装置では、光ファイバを支持する支持部材は、光ファイバを固定する平板状部と、放熱部材に固定された柱状部とを有しており、その柱状部は、平板状部と放熱部材とを空間的に離間させている。そうすることにより、光ファイバを固定するためのファイバ固定部下方に位置する支持部材の厚みを薄くすることができる。
このため、レーザ素子の出射面から出射されたレーザ光のうち、光ファイバのコア部に導入されなかったレーザ光の照射によるファイバ固定部の発熱が始まっても、そのファイバ固定部下方の支持部材の厚みが厚い場合、すなわち、ファイバ固定部下方の支持部材が放熱部材に直接固定されている場合と比較して、ファイバ固定部下方の支持部材の熱膨張による、平板状部の厚み方向における光ファイバの位置ずれの量を減少させることができる。
したがって、光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下を抑制することができる。
本発明のレーザ装置は、レーザ光を出射する出射面を有するレーザ素子と、前記レーザ素子の前記出射面に対向するように配置された先端部を有する光ファイバと、前記光ファイバを半田により固定するファイバ固定部を有し、前記光ファイバを支持する支持部材とを備え、前記支持部材は、前記ファイバ固定部が配置された第1の主面と、前記第1の主面の反対側にある第2の主面とを含む平板状部と、放熱部材に固定されており、前記平板状部のいずれかの端部側において前記平板状部と連結して前記第2の主面と前記放熱部材とを空間的に離間させつつ対向させている柱状部と、を有している。
それゆえ、光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下を抑制することができるレーザ装置を提供することができるという効果を奏する。
本発明の一実施形態について図1~図4に基づいて説明すれば、以下の通りである。
(レーザ装置100)
先ず、図1および図2に基づき、本発明の一実施形態であるレーザ装置100の構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態におけるレーザ装置100を説明するための模式的な断面図である。また、図2は、図1に示した光ファイバ支持部材5を示す三面図であり、図2の(a)は、図1のZ軸方向から見た平面図、図2の(b)は、図1のX軸方向から見た側面図、図2の(c)は、図1のY軸方向から見た側面図である。
先ず、図1および図2に基づき、本発明の一実施形態であるレーザ装置100の構成について説明する。図1は、本発明の一実施形態におけるレーザ装置100を説明するための模式的な断面図である。また、図2は、図1に示した光ファイバ支持部材5を示す三面図であり、図2の(a)は、図1のZ軸方向から見た平面図、図2の(b)は、図1のX軸方向から見た側面図、図2の(c)は、図1のY軸方向から見た側面図である。
図1および図2に示すように、本実施形態におけるレーザ装置100は、台座1と、半導体レーザ素子(レーザ素子)2と、レーザ素子支持部材3と、光ファイバ4と、光ファイバ支持部材(支持部材)5と、接合膜6と、接合パッド(ファイバ固定部)7と、半田8と、金属被覆部材9と、を備えている。
台座1は、例えば直方体形状を有している。そして、例えば、台座1は、その上部にパッケージ等の封止体(図示省略)を配置することができる。そうすることにより、その封止体と台座1とから、半導体レーザ素子2と光ファイバ4とを閉じ込めるための空間を形成することができる。
台座1は、その上面(主面)に、レーザ素子支持部材3と光ファイバ支持部材5とが接合されており、半導体レーザ素子2から発生する熱はレーザ素子支持部材3を通して台座1に伝導される。
同様に、光ファイバ4から発生する熱や、後述する接合パッドから発生する熱は、光ファイバ支持部材5を通して台座1に伝導される。
台座1は、このようにしてレーザ素子支持部材3や光ファイバ支持部材5を介して、台座1に伝導してくる熱を放熱するために通常、ヒートシンク上あるいは温度調整ブロック上に固定される。
すなわち、台座1は、そのようなヒートシンク、温度調整ブロックに固定され、レーザ素子支持部材3や光ファイバ支持部材5から伝導してくる熱を放熱するための放熱部材となる。また、台座1は、このような放熱性や、その製造コストを考慮して、通常、銅を用いて形成される。
半導体レーザ素子2は、レーザ駆動装置(図示省略)に接続されており、そのレーザ駆動装置から駆動電流が入力される。半導体レーザ素子2は、レーザ光を出射する出射面2aを有しており、その出射面2aは光ファイバ4の先端部4aに対向するように配置されている。半導体レーザ素子2は、駆動装置から駆動電流が入力されることで発振し、その発振により出射面2aからレーザ光を出射する。
本実施形態に係るレーザ装置100において、半導体レーザ素子2として、マルチモード光を出力するマルチモード半導体レーザ素子を用いている。このようなマルチモード半導体レーザ素子を構成する半導体材料としては、例えばInGaAsやAlGaAs、InGaAsPを用いることができる。
背景技術で述べたように、マルチモード光を出力する半導体レーザ素子2の出射面2aから出射されるレーザ光も、出射面2a上におけるZ軸方向(第1の方向)のレーザ光の広がり角の半値全幅(FWHM)が40°程度、出射面2a上におけるX軸方向(第2の方向)のレーザ光の広がり角の半値全幅が10°程度となっている。すなわち、半導体レーザ素子2のレーザ光の広がりはXY面内よりもYZ面内のほうが大きくなっている。
なお、半導体レーザ素子2の出射面2a上におけるX軸方向とは、半導体レーザ素子2の出射面2a上において、半導体レーザ素子2の活性層が延在する平面に平行な方向のことをいう。また、半導体レーザ素子2の出射面2a上におけるZ軸方向とは、半導体レーザ素子2の出射面2a上において、半導体レーザ素子2の活性層が延在する平面と直交する方向のことをいう。
このことは、半導体レーザ素子2の出射面2aと光ファイバ4の先端部4aとの位置合わせにおいて、出射面2a上のX軸方向よりもZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれのほうが、後述する半導体レーザ素子2と光ファイバ4との光結合率を、より大きく低下させてしまうことを意味する。
なぜなら、上で述べたように、半導体レーザ素子2のレーザ光は、出射面2a上のZ軸方向の広がりが大きいため、出射面2aのZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれが生じた場合、出射面2aのX軸方向における光ファイバ4の位置ずれと比較して、より多くのレーザ光が光ファイバ4のコア部に導入されないことになってしまうからである。
したがって、マルチモード半導体レーザ素子2と光ファイバ4との光結合率の変動は、半導体レーザ素子2の出射面2a上のX軸方向における光ファイバ4の位置ずれに対しては鈍感である一方、マルチモード半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれに対しては非常に敏感であるといえる。
光ファイバ4の先端部4aが持つレンズ機能の程度によるものの、例えば、半導体レーザ素子2の出射面2a上のX軸方向における光ファイバ4の位置ずれに対しては10μm程度まで許容される一方、半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれに対しては1~3μm程度しか許容されない。
後述するように、本発明は、半導体レーザ素子2と光ファイバ4との光結合率の変動に大きく影響を及ぼしてしまう、半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれを抑制するものである。
レーザ素子支持部材3は、その下面が台座1に接合される一方、その上面に半導体レーザ素子2が配置されている。レーザ素子支持部材3は、台座1の上方における、半導体レーザ素子2の配置を支持すると同時に、台座1の熱膨張や変形による歪みが半導体レーザ素子2に直接伝導してしまうことを抑制している。
また、レーザ素子支持部材3は、半導体レーザ素子2がレーザ光を出射する際に発生する熱を台座1に伝導させており、半導体レーザ素子2からの発熱は台座1を通して大気中に放熱されることになる。それにより、レーザ発振の際における半導体レーザ素子2の温度上昇が抑制されることになり、半導体レーザ素子2の発振が安定的に行なわれることになる。レーザ素子支持部材3を構成する材料としては、例えばCuW、AlN、SiC、BeO、Si、立方晶窒化ホウ素(Cubic boron nitride)、ダイヤモンド(Diamond)を用いることができる。
光ファイバ4は、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光をレーザ装置100の外部に伝導するためのものである。光ファイバ4には、その先端部4aを通して、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光が導入されることになる。
光ファイバ4の先端部4aは、図1に示すように、くさび形状を有している。上で述べたように、半導体レーザ素子2のレーザ光の広がりは、出射面2a上のX軸方向よりもZ軸方向のほうが大きくなっている。
このため、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光を、より効率よく光ファイバ4のコア部に光結合させるために、レーザ光が入射される先端部4aにおいて、半導体レーザ素子2の出射面2aのZ軸方向に広がるレーザ光を屈折させて光ファイバ4のコア部に導く必要がある。
そこで、光ファイバ4は、その先端部4aがくさび形状となるように加工され、その加工により、先端部4aにレンズ機能が付与されている。
そして、半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向に広がるレーザ光は、レンズ機能が付与された、くさび形状を有する先端部4aに入射する際に屈折し、光ファイバ4に導入されることになる。
また、光ファイバ4の先端部4aは、図1に示すように、半導体レーザ素子2の出射面2aに対向するように配置されている。そして、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光のうち、光ファイバ4のコア部に導入されるレーザ光が最大となるように、半導体レーザ素子2の出射面2aと光ファイバ4の先端部4aとの間における位置合わせが行なわれている。
すなわち、半導体レーザ素子2と光ファイバ4とは、半導体レーザ素子2と光ファイバ4のコア部とにおける光結合率が最大となる位置に配置されている。
本実施形態に係るレーザ装置100における光ファイバ4は、コア部と、そのコア部の外側のクラッド部と、それらを覆う被覆部の3重構造を備える。上で述べたような、半導体レーザ素子2の出射面2aと光ファイバ4の先端部4aとの間における位置合わせは、具体的には、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光が光ファイバ4のコア部に最大限導入されるよう、半導体レーザ素子2から出射されるレーザ光の光軸と光ファイバ4のコア部の光軸とを調心することを意味する。
なお、図1に示す光ファイバ4の先端から接合パッド7にかけては、光ファイバ4の被覆部が除去されている。この被覆部が除去されたクラッド部の半田8で固定される領域においては、石英材料のクラッド部の外周に金属被覆部材9が形成されている。これは、一般に樹脂材料等で形成された被覆部の上から固定すると、半田溶融時に被覆部が損傷する可能性が高いことに加え、柔らかい被覆部を介して固定した場合、固定後の光ファイバ4の位置変動が大きくなるためである。なお、金属被覆部材9と接合パッド7とは直接接触しておらず、通常、数十~100マイクロメートル程度離れている。
また、光ファイバ4は、上で述べたマルチモードの半導体レーザ素子2と光結合可能なマルチモードファイバを用いればよく、そのコア部の直径は50マイクロメートル以上であることが好ましく、105マイクロメートル以上であることがより好ましい。もちろん、半導体レーザ素子2の高出力化が進むにつれて、光ファイバ4のコア部の直径を大きくすることが好ましい。例えば、半導体レーザ素子2の出力の大きさによっては、光ファイバ4のコア部の直径が1000マイクロメートル程度になる場合もある。
光ファイバ支持部材5は、その下面が接合膜6を挟むようにして台座1に接合される一方、その上面に接合パッド7を挟むようにして光ファイバ4が配置されている。光ファイバ支持部材5は、台座1の上方における、光ファイバ4の配置を支持している。
光ファイバ支持部材5は、高い熱伝導率を有する非断熱材料を用いて構成されている。光ファイバ支持部材5は、例えばNiや、Mo、Si、CuW、AlN、Cu等の高い熱伝導率を有する非断熱材料を用いればよい。例えば、上で述べたような非断熱材料の熱伝導率はそれぞれ、90W/m・K(Ni)、147W/m・K(Mo)、160W/m・K(Si)、200W/m・K(CuW、AlN)、400W/m・K(Cu)である。また、それら以外の非断熱材料としては、例えば、Ni-ceramic、SiC(257W/m・K)、BeO(285W/m・K)、立方晶窒化ホウ素(Cubic boron nitride、1300W/m・K)、ダイヤモンド(Diamond)(2200W/m・K)を用いることができる。このような非断熱材料が持つ熱伝導率としては50W/m・K以上であることが好ましい。
一方、このような非断熱材料に対し、低い熱伝導率を有する断熱材料としては、例えば、シリカ(1W/m・K)、Macor(2W/m・K)、Zirconia(3W/m・K)等が挙げられる。
光ファイバ支持部材5は、このような高熱伝導性の非断熱材料を用いて構成されていることから、光ファイバ4がレーザ光を伝導させる際に発生する熱を台座1に効率よく伝導させることができる。
もちろん、光ファイバ支持部材5を構成する非断熱材料は、上で述べたような材料に限られるものではない。要は、光ファイバ支持部材5は、熱伝導性が極めて低いガラス等の断熱材料よりも高い熱伝導率を有する非断熱材料を用いていればよい。
そして、接合パッド7からの発熱は台座1を通してヒートシンクに放熱されることになる。それにより、レーザ光伝導の際における光ファイバ4の温度上昇が抑制されることになり、光ファイバ4の配置が安定的に支持されることになる。
また、光ファイバ支持部材5は、図2に示すように、光ファイバ4が配置される上記の上面を有する梁部(平板状部)5aと、台座1に接合される上記の下面を有する柱部(柱状部)5bとから構成されている。そして、その柱部5bは、梁部5aの長手方向に位置する一方の端部側に配置されている。梁部5aと柱部5bとは一体成形されており、ここでは、説明の都合上、光ファイバ支持部材5を2つの部分、つまり、上記の梁部5aと柱部5bとに分けるものとする。
梁部5aは、平板形状を有しており、柱部5bは、直方体形状を有している。このため、図2の(c)に示すように、光ファイバ支持部材5の図1のY軸方向から見た側面がL字形状となっている。このようなL字形状の側面を持つ光ファイバ支持部材5の構造は、片持ち梁構造と呼ぶことができる。
本発明は、光ファイバ支持部材5をこのような片持ち梁構造とすることにより、上で述べたように、半導体レーザ素子2と光ファイバ4との光結合率の変動に大きく影響を及ぼしてしまう位置ずれ、すなわち、半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれを抑制することができるという効果を奏することができる。この効果に関しては、後で詳しく説明する。
なお、上で述べたように梁部5aと柱部5bとを一体成形せずに、別体である梁部5aと柱部5bを、各々別々に成形し、その後、上で述べたようなL字形状となるように、それらを一体化してももちろん構わない。
柱部5bは、台座1に接合される上記の下面を有している。そして、柱部5bのその下面と台座1との間には接合膜6が挟み込まれている。その接合膜6は、台座1に柱部5bを、半田などのろう材を用いて固着するためのものであり、例えばNi膜(上層)/Au膜(下層)からなる2層構造膜を用いることができる。接合膜6にこのような2層構造膜を介して半田などのろう材で固定することにより上で述べた光ファイバ4からの発熱を台座1に効率よく伝導させることができるとともに、柱部5bを台座1に確実に固着することができる。
一方、梁部5aは、光ファイバ4が配置される上記の上面を有している。そして、梁部5aの上面と光ファイバ4との間には接合パッド7が挟み込まれている。その接合パッド7は、梁部5aの上面に光ファイバ4を、半田を用いて固着するためのものであり、接合膜6と同様、例えばNi膜(上層)/Au膜(下層)からなる2層構造膜を用いることができる。接合パッド7にこのような2層構造膜を用いることで、上で述べた光ファイバ4からの発熱を梁部5aに効率よく伝導させることができるとともに、光ファイバ4を梁部5aに確実に固着することができる。
さらに、光ファイバ4を梁部5aの上面に配置する際において、光ファイバ4は梁部5aの接合パッド7に半田8により固定されている。半田8としては例えば、融点が100℃~350℃程度の半田や共晶半田を用いればよい。より具体的には、半田8としてスズ(Sn)63%‐鉛(Pb)37%の共晶半田や、インジウム(In)合金半田、あるいはスズ(Sn)‐銀(Ag)半田等を用いればよい。特に、鉛フリー化の観点からは、金(Au)-スズ(Sn)共晶半田が好ましい。
また、図1に示すように、金属被覆部材9が、光ファイバ4の一部の周囲に光ファイバ4を取り囲むようにして配置されている。その金属被覆部材9は、光ファイバ4と接合パッド7とを半田8を用いて接合する際、光ファイバ4と半田8との接合を行なうために存在することが望ましいものである。なぜなら、光ファイバ4の外側は、上で述べたように、ガラスで作製されたクラッド部であり、半田との接合に適していないからである。そこで、上で述べたような金属被覆部材9を別途配置し、その金属被覆部材9を介して、光ファイバ4と半田8との接合を行なっている。
(光ファイバ支持部材5)
上で述べたように、本発明においては、光ファイバ支持部材5を片持ち梁構造とすることにより、半導体レーザ素子2と光ファイバ4との光結合率の変動に大きく影響を及ぼしてしまう、半導体レーザ素子2の出射面2aのZ軸方向における位置ずれを抑制することができるという効果を奏することができる。
上で述べたように、本発明においては、光ファイバ支持部材5を片持ち梁構造とすることにより、半導体レーザ素子2と光ファイバ4との光結合率の変動に大きく影響を及ぼしてしまう、半導体レーザ素子2の出射面2aのZ軸方向における位置ずれを抑制することができるという効果を奏することができる。
以下、光ファイバ支持部材5の構成および上記の効果について、さらに詳しく説明する。
図3は、図1および図2の光ファイバ支持部材5およびその周辺部を示す図である。図3において、上で述べたように、光ファイバ支持部材5は、梁部5aと、柱部5bとから構成されている。
具体的には、梁部5aは、光ファイバ4が半田8により固定された接合パッド7が配置された一方の主面(第1の主面)と、その反対側にある他方の主面(第2の主面)とを含んでいる。また、梁部5aは、上で述べたように、平板状の形状を有しており、その長手方向に位置する一方の端部側において柱部5bと連結している。そして、梁部5aの他方の主面は台座1と対向している。
一方、柱部5bは、上で述べたように、台座1上で固定するように配置されている。そして、柱部5bは、梁部5aの短手方向に沿った一方の端部側において梁部5aと連結し、梁部5aの他方の主面を台座1とを空間的に離間させつつ対向させ、梁部5aを台座1の上方において配置し、支持している。
さらに、それら梁部5aおよび柱部5bはともに、上で述べたように、高熱伝導率を有する非断熱材料を用いている。
このような梁部5aと柱部5bとが連結されている、非断熱材料からなる光ファイバ支持部材5においては、先ず、台座1を基準とする光ファイバ4の高さがHであるのに対し、光ファイバ4が固着された接合パッド7の下方に位置する、光ファイバ支持部材5の厚み、すなわち、梁部5aの厚みは光ファイバ4の高さHよりも薄い値であるH1となっている(以下、この構成を「構成1」呼ぶ)。なお、ここでは、接合膜6および接合パッド7の厚みについて無視し、光ファイバ4の高さは光ファイバ支持部材5の厚みのみで決まるものとする。
次に、接合パッド7の位置を基準とする柱部5bまでの距離がLとなっている(以下、この構成を「構成2」と呼ぶ)。
光ファイバ支持部材5は、それら構成1および構成2を備えることにより、上で述べたような、半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれを抑制することができるものである。
すなわち、先ず、上記の構成1においては、接合パッド7の下方に位置する光ファイバ支持部材5の厚みH1が、本来必要とされる光ファイバ4の高さHと比較して、薄くなっている。このため、接合パッド7の下方においては、光ファイバ支持部材5の熱膨張による、光ファイバ4の上記のZ軸方向への位置ずれの量を減少させることができる。
一方、上記の特許文献1に記載された従来のレーザ・ダイオード組立体においては、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光のうち、光ファイバのコア部に導入されなかったレーザ光が光ファイバ下方の台座を局所的に膨張させ、その結果、光ファイバの位置を大きく変化させていた。
例えば、図4に示す従来の構成においては、光ファイバ支持部材205上に配置された接合パッド207と光ファイバ204とが半田208により固定されている。そして、光ファイバ204の高さHは、光ファイバ支持部材205の厚みそのものとなっている。さらに、光ファイバ支持部材205は、断熱材料を用いており、光ファイバ204の下方における熱は放熱されにくい環境である。
このため、一旦、光ファイバ204のコア部に導入されなかったレーザ光の照射による光ファイバ204の発熱が始まると、その熱が光ファイバ204の下方の光ファイバ支持部材205を膨張させ、その膨張による光ファイバ204の位置ずれを招いてしまう。
その結果、光ファイバ204に導入されないレーザ光の量を増大させるという、悪循環に陥ってしまう。
これに対し、図3に示した光ファイバ支持部材5の構成においては、光ファイバ4のコア部に導入されなかったレーザ光の照射による接合パッド7の発熱が始まっても、接合パッド7下方の光ファイバ支持部材5の厚みが薄くなっているので、その熱膨張による光ファイバ4のZ軸方向への位置ずれの量は、従来と比較して、大きく減少することになる。
さらに、図3に示した光ファイバ支持部材5の構成においては、光ファイバ支持部材5が非断熱材料を用いているので、光ファイバ4からの発熱は、図3のA、B、Cで示す矢印の向きに沿って、光ファイバ支持部材5の内部を伝導して、台座1から効率よく放熱される。
このため、接合パッド7の下方における光ファイバ支持部材5の熱膨張を抑制することができるので、従来と比べて、光ファイバ4のZ軸方向への位置ずれの量を大きく減少させることができる。
次に、上記の構成2においては、レーザ光の照射により発熱する接合パッド7と柱部5bとの間を距離Lだけ離すことができるので、接合パッド7からの発熱による柱部5bの熱膨張を抑制することができる。
すなわち、光ファイバ4の高さHは、図3に示したように、柱部5bの厚みHそのものである。したがって、仮に、接合パッド7からの発熱による柱部5bの熱膨張が大きければ、従来の程の位置ずれの大きさではないものの、光ファイバ4の位置ずれは生じてしまう。
そこで、上記の構成2においては、接合パッド7と柱部5bとを距離Lだけ離し、光ファイバ支持部材5の表面からの放熱を行なうことにより、接合パッド7からの発熱によって柱部5bが大きく熱膨張することを抑制する。
そうすることにより、光ファイバ4の位置ずれの量を従来と比べて大きく減少させることができる。
以上説明したように、本発明の一実施形態に係るレーザ装置100によれば、半導体レーザ素子2の出射面2aから出射されるレーザ光のうち、光ファイバ4に導入されないレーザ光の照射により、光ファイバ4が固着された接合パッド7からの発熱が生じても、接合パッド7の下方における光ファイバ支持部材5である梁部5aの厚みを薄くし、その熱伝導率を高くしているので、接合パッド7からの発熱による梁部5aの熱膨張が抑制される。その結果、半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれの量を減少させることができる。
さらに、台座1上に配置された、光ファイバ支持部材5である柱部5bを接合パッド7から引き離し、柱部bの熱伝導率を高くしているので、接合パッド7からの発熱による柱部5bの熱膨張が抑制され。その結果、半導体レーザ素子2の出射面2a上のZ軸方向における光ファイバ4の位置ずれの量を減少させることができる。
(変形例1)
図5に、上記の一実施形態に係るレーザ装置100の光ファイバ支持部材5の変形例1の概略構成を示す。図5は、図1に示した光ファイバ支持部材5の変形例1を示す三面図であり、図5の(a)は、図1のZ軸方向から見た上記の変形例1の平面図、図5の(b)は、図1のX軸方向から見た上記の変形例1の側面図、図5の(c)は、図1のY軸方向から見た上記の変形例1の側面図である。
図5に、上記の一実施形態に係るレーザ装置100の光ファイバ支持部材5の変形例1の概略構成を示す。図5は、図1に示した光ファイバ支持部材5の変形例1を示す三面図であり、図5の(a)は、図1のZ軸方向から見た上記の変形例1の平面図、図5の(b)は、図1のX軸方向から見た上記の変形例1の側面図、図5の(c)は、図1のY軸方向から見た上記の変形例1の側面図である。
本変形例1に係る光ファイバ支持部材と上記の光ファイバ支持部材5と異なる点は、光ファイバ支持部材5の梁部5aを、その梁部5aに開口部Gを設けた梁部15aに置き換えた点である。梁部15aは、開口部Gを有することにより、図5(a)に示すように、L字形状のアーム部18を備えており、その端部側において柱部15bが設け、2つの柱部15bをそれぞれ、梁部15aの長手方向に位置する2つの端部側に設けている。また、2つの柱部15bのいずれについても、接合膜16を介して台座1と接合されている。
柱部15b、接合膜16および接合パッド17はそれぞれ、光ファイバ支持部材5の柱部5b、接合膜6および接合パッド7と同一である。また、梁部15aは、開口部Gを設け、アーム部18を備えた以外、光ファイバ支持部材5の梁部5aと同一である。
本変形例1によっても、上記の一実施形態の光ファイバ支持部材5と同様の効果を得ることができる。
さらに、本変形例1によれば、梁部15aが開口部Gを有することにより、梁部15aが片持ち梁構造を保ちながら,柱部15bを梁部15aの長手方向に位置する2つの端部側に設けている。そうすることにより、上記の実施形態よりも、梁部15aと台座1との並行度を出し易くすることができる。
(変形例2)
図6に、上記の一実施形態に係るレーザ装置100の光ファイバ支持部材5の変形例2の概略構成を示す。図6は、図1に示した光ファイバ支持部材5の変形例2を示す三面図であり、図6の(a)は、図1のZ軸方向から見た上記の変形例2の平面図、図6の(b)は、図1のX軸方向から見た上記の変形例2の側面図、図6の(c)は、図1のY軸方向から見た上記の変形例2の側面図である。
図6に、上記の一実施形態に係るレーザ装置100の光ファイバ支持部材5の変形例2の概略構成を示す。図6は、図1に示した光ファイバ支持部材5の変形例2を示す三面図であり、図6の(a)は、図1のZ軸方向から見た上記の変形例2の平面図、図6の(b)は、図1のX軸方向から見た上記の変形例2の側面図、図6の(c)は、図1のY軸方向から見た上記の変形例2の側面図である。
本変形例2に係る光ファイバ支持部材と上記の光ファイバ支持部材5と異なる点は、光ファイバ支持部材5の柱部5bを、台座1と同一の部材を用いた柱部25bに置き換えた点である。
柱部25bと台座1とを一体成形することにより、柱部25bを別途作製する必要が無くなり、さらに、梁部25aを単純な平板形状で成形することが可能となる。柱部25bと台座1との一体成形は、例えば、台座1を作製する際、切削加工やプレス加工により容易に行なうことができる。そうすれば、柱部25bを作製するための工程が不要となる。
また、梁部25aは、その作製が容易な平板形状にすることができるので、作製に要する工程が簡素化され、その作製に用いられる切削工程に高い加工精度が要求されることも無い。
このようにして本変形例2によれば、光ファイバ支持部材の作製コストを低減することができる。
なお、接合膜26および接合パッド27はそれぞれ、光ファイバ支持部材5の接合膜6および接合パッド7と同一である。接合膜26は、例えば、半田を用いるが、その半田の厚さは通常、5μm~30μm程度である。なお、図6では、図面の見易さのため、接合膜26の厚さを模式的に示している。
本変形例2によっても、上記の一実施形態の光ファイバ支持部材5と同様の効果を得ることができる。
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
なお、本発明は、以下のようにも表現することができる。すなわち、本発明に係るレーザ装置は、レーザ光を出射する出射面を有するレーザ素子と、前記レーザ素子の前記出射面に対向するように配置された先端部を有する光ファイバと、前記光ファイバを半田により固定するファイバ固定部を有し、前記光ファイバを支持する支持部材と、を備え、前記支持部材は、前記ファイバ固定部が配置された第1の主面と、前記第1の主面の反対側にある第2の主面とを含む平板状部と、放熱部材に固定されており、前記平板状部のいずれかの端部側において前記平板状部と連結して前記第2の主面と前記放熱部材とを空間的に離間させつつ対向させている柱状部と、を有している。
上記のレーザ装置では、光ファイバを支持する支持部材は、光ファイバを固定する平板状部と、放熱部材に固定された柱状部とを有しており、その柱状部は、平板状部と放熱部材とを空間的に離間させている。そうすることにより、光ファイバを固定するためのファイバ固定部下方に位置する支持部材の厚みを薄くすることができる。
このため、レーザ素子の出射面から出射されたレーザ光のうち、光ファイバのコア部に導入されなかったレーザ光の照射によるファイバ固定部の発熱が始まっても、そのファイバ固定部下方の支持部材の厚みが厚い場合、すなわち、ファイバ固定部下方の支持部材が放熱部材に直接固定されている場合と比較して、ファイバ固定部下方の支持部材の熱膨張による、平板状部の厚み方向における光ファイバの位置ずれの量を減少させることができる。
したがって、光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下を抑制することができる。
前記支持部材は、非断熱材料からなることが好ましい。
この場合、支持部材に非断熱材料を用いているので、ファイバ固定部からの発熱は、支持部材を伝導して、台座から効率よく放熱される。
このため、ファイバを支持する部材に断熱材料を用いた場合と比較して、ファイバ固定部下方の支持部材の温度が低くなる。
これにより、ファイバを支持する部材に断熱材料を用いた場合と比較して、支持部材の熱膨張による光ファイバの位置ずれの量を減少させることができる。
したがって、光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、レーザ素子と光ファイバとの光結合率が低下することをより効果的に防止することができる。
前記柱状部は、前記平板状部の長手方向に位置する一方の端部側において前記平板状部と連結するとともに、前記ファイバ固定部は、前記平板状部の長手方向に位置する他方の端部側に配置されていることが好ましい。
この場合、レーザ素子の出射面から出射されたレーザ光のうち、光ファイバのコア部に導入されなかったレーザ光の照射により発熱するファイバ固定部と、柱状部とは平板状部の長手方向の長さだけ離れることになる。
このため、ファイバ固定部と、柱状部との間の距離を大きくすることができるので、ファイバ固定部からの発熱による柱状部の熱膨張を抑制することができる。
すなわち、ファイバ固定部と柱状部とを大きく離間させ、ファイバ固定部からの発熱によって柱状部が大きく熱膨張することを抑制する。そうすることにより、光ファイバの位置ずれの量をより減少させることができる。
したがって、光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、レーザ素子と光ファイバとの光結合率が低下することをより効果的に防止することができる。
前記光ファイバは、前記平板状部の柱状部からの延伸方向と前記光ファイバの延伸方向とが直交するように前記ファイバ固定部に固定されていることが好ましい。
この場合、光ファイバが平板状部の柱状部からの延伸方向と光ファイバの延伸方向が直交するようにファイバ固定部に固定されているので、平板状部の長手方向と光ファイバが延在する方向とが直交することになる。
ファイバ固定部からの発熱によって平板状部の熱膨張が生じると、平板状部はその長手方向に伸びることになるが、平板状部の長手方向と光ファイバが延在する方向とが直交するので、ファイバ固定部に固定された光ファイバの先端部は平板状部の長手方向に変位する。
このため、光ファイバの先端部の位置ずれを、レーザ光の広がりの小さい方向であるレーザ素子の出射面の横方向とすることができるので、レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下をより抑制することができる。
なぜなら、平板状部の長手方向と光ファイバが延在する方向とを平行にすると、光ファイバの先端部の位置ずれがレーザ光の出射方向となる。レーザ出射方向(図1ではY軸方向)へのファイバ位置変位による結合効率の低下は、レーザ素子の出射面の横方向(図1ではX軸方向)への変位よりも大きいので、レーザ素子と光ファイバとの光結合率の低下が大きくなってしまうからである。
したがって、光ファイバを固着するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、レーザ素子と光ファイバとの光結合率が低下することをより効果的に防止することができる。
前記レーザ素子の出射面上において第1の方向および当該第1の方向に直交する第2の方向を設定したときに、前記第1および第2の方向のうちいずれか一方の方向におけるレーザ光の広がりが他方の方向におけるレーザ光の広がりよりも大きい場合において、前記一方の方向と前記平板状部の厚み方向とが一致するように、前記レーザ素子が配置されていることが好ましい。
この場合、光ファイバの位置ずれに、より大きな影響を与える、レーザ光の広がりの大きい方向と、平板状部の厚み方向とを一致させることができる。
このため、レーザ光の広がりの大きい方向と、光ファイバの位置ずれの量を減少させることができる方向とを一致させることができるので、レーザ光の広がりの大きい方向における光ファイバの位置ずれの量を減少させることができる。
したがって、光ファイバを固定するためのファイバ固定部の発熱や溶融を抑制し、レーザ素子と光ファイバとの光結合率が低下することをより効果的に防止することができる。
前記平板状部と前記柱状部とは、別体であることが好ましい。
この場合、平板状部と柱状部の各々は、平板形状や直方体形状といった、作製が容易な形状にすることができる。それゆえ、そのような形状を切削加工により実現する場合、高い加工精度が不要となり、各々の作製コストを削減することができる。
前記平板状部と前記柱状部とは、一体成形されていることが好ましい。
この場合、平板状部と柱状部とを一度に作製することができる。それゆえ、各々の作製工程が簡素化され、各々の作製コストを削減することができる。
前記柱状部と前記放熱部材とは、一体成形されていることが好ましい。
この場合、平板状部は、作製が容易な形状にすることができる。一方、柱状部は放熱部材と同時に作製することができる。このため、平板状部については高い加工精度により切削加工を行なう必要が無くなり、柱状部については作製工程が簡素化される。それゆえ、各々の作製コストを削減することができる。
本発明は、半導体レーザ素子等のレーザ素子と光ファイバ等の光部品とを組み合わせたレーザ装置に適用できる。
1 台座(放熱部材)
2 半導体レーザ素子(レーザ素子)
2a 出射面
3 レーザ素子支持部材
4、204 光ファイバ
4a 先端部
5、205 光ファイバ支持部材(支持部材)
5a、15a 梁部(平板状部)
5b、15b 柱部(柱状部)
6、16 接合膜
7、17、207 接合パッド(ファイバ固定部)
8、208 半田
9 金属被覆部材
18 アーム部
100 レーザ装置
2 半導体レーザ素子(レーザ素子)
2a 出射面
3 レーザ素子支持部材
4、204 光ファイバ
4a 先端部
5、205 光ファイバ支持部材(支持部材)
5a、15a 梁部(平板状部)
5b、15b 柱部(柱状部)
6、16 接合膜
7、17、207 接合パッド(ファイバ固定部)
8、208 半田
9 金属被覆部材
18 アーム部
100 レーザ装置
Claims (8)
- レーザ光を出射する出射面を有するレーザ素子と、
前記レーザ素子の前記出射面に対向するように配置された先端部を有する光ファイバと、
前記光ファイバを半田により固定するファイバ固定部を有し、前記光ファイバを支持する支持部材と、を備え、
前記支持部材は、
前記ファイバ固定部が配置された第1の主面と、前記第1の主面の反対側にある第2の主面とを含む平板状部と、
放熱部材に固定されており、前記平板状部のいずれかの端部側において前記平板状部と連結して前記第2の主面と前記放熱部材とを空間的に離間させつつ対向させている柱状部と、を有していることを特徴とするレーザ装置。 - 前記支持部材は、非断熱材料からなることを特徴とする請求項1に記載のレーザ装置。
- 前記柱状部は、前記平板状部の長手方向に位置する一方の端部側において前記平板状部と連結するとともに、
前記ファイバ固定部は、前記平板状部の長手方向に位置する他方の端部側に配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザ装置。 - 前記光ファイバは、前記平板状部の柱状部からの延伸方向と光ファイバの延伸方向が直交するように前記ファイバ固定部に固定されていることを特徴とする請求項3に記載のレーザ装置。
- 前記レーザ素子の出射面上において第1の方向および当該第1の方向に直交する第2の方向を設定したときに、前記第1および第2の方向のうちいずれか一方の方向におけるレーザ光の広がりが他方の方向におけるレーザ光の広がりよりも大きい場合において、
前記一方の方向と前記平板状部の厚み方向とが一致するように、前記レーザ素子が配置されていることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のレーザ装置。 - 前記平板状部と前記柱状部とは、別体であることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のレーザ装置。
- 前記平板状部と前記柱状部とは、一体成形されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のレーザ装置。
- 前記柱状部と前記放熱部材とは、一体成形されていることを特徴とする請求項1~5のいずれか1項に記載のレーザ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011800163395A CN102844943A (zh) | 2010-03-31 | 2011-03-28 | 激光装置 |
| EP11762764.6A EP2555351A4 (en) | 2010-03-31 | 2011-03-28 | Laser device |
| JP2012508300A JP5511944B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-28 | レーザ装置 |
| US13/628,944 US8687663B2 (en) | 2010-03-31 | 2012-09-27 | Laser device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010084165 | 2010-03-31 | ||
| JP2010-084165 | 2010-03-31 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US13/628,944 Continuation US8687663B2 (en) | 2010-03-31 | 2012-09-27 | Laser device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011122540A1 true WO2011122540A1 (ja) | 2011-10-06 |
Family
ID=44712236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2011/057589 Ceased WO2011122540A1 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-28 | レーザ装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8687663B2 (ja) |
| EP (1) | EP2555351A4 (ja) |
| JP (1) | JP5511944B2 (ja) |
| CN (1) | CN102844943A (ja) |
| WO (1) | WO2011122540A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012114785A1 (ja) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | 株式会社フジクラ | ファイバマウント装置、及び、それを用いた光モジュール、及び、光モジュールの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5810153B2 (ja) * | 2011-04-13 | 2015-11-11 | 株式会社フジクラ | 光モジュールの製造方法 |
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| JPWO2011122540A1 (ja) | 2013-07-08 |
| CN102844943A (zh) | 2012-12-26 |
| JP5511944B2 (ja) | 2014-06-04 |
| EP2555351A1 (en) | 2013-02-06 |
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| US8687663B2 (en) | 2014-04-01 |
| US20130022067A1 (en) | 2013-01-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201180016339.5 Country of ref document: CN |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
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|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012508300 Country of ref document: JP |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
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