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WO2011120598A8 - Procédé pour la production de lingots de silicium de qualité convenant pour la fabrication de semi-conducteurs, creusets réutilisables et leur procédé de fabrication - Google Patents

Procédé pour la production de lingots de silicium de qualité convenant pour la fabrication de semi-conducteurs, creusets réutilisables et leur procédé de fabrication Download PDF

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WO2011120598A8
WO2011120598A8 PCT/EP2010/065465 EP2010065465W WO2011120598A8 WO 2011120598 A8 WO2011120598 A8 WO 2011120598A8 EP 2010065465 W EP2010065465 W EP 2010065465W WO 2011120598 A8 WO2011120598 A8 WO 2011120598A8
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WO
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manufacturing
production
grade silicon
reusable
semiconductor grade
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PCT/EP2010/065465
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English (en)
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WO2011120598A1 (fr
Inventor
Kai Johansen
Stein Julsrud
Tyke Laurence Naas
Gero Wolfgang Neuroth
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REC Wafer Norway AS
Original Assignee
REC Wafer Norway AS
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Publication date
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Abstract

Cette invention porte sur un procédé pour la production de lingots de silicium de qualité convenant pour la fabrication de semi-conducteurs, dont le silicium de qualité solaire, sur des creusets réutilisables employés dans le procédé et sur un procédé pour la fabrication des creusets réutilisables, le procédé étant caractérisé en ce que les lingots de silicium sont produits dans des creusets réutilisables constitués de composite de carbure de silicium renforcé par des fibres de carbone qui a un coefficient de dilatation thermique inférieur à 4 x 10-6 K-1 à des températures au-dessus de 400°C et inférieur à 3 x 10-6 K-1 à des températures au-dessous de 400°C et une conductivité thermique d'au moins 5 W/mK à des températures de 25°C à 1 500°C.
PCT/EP2010/065465 2010-03-30 2010-10-14 Procédé pour la production de lingots de silicium de qualité convenant pour la fabrication de semi-conducteurs, creusets réutilisables et leur procédé de fabrication Ceased WO2011120598A1 (fr)

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