WO2011030802A1 - レーザ加工方法及びレーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工方法及びレーザ加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2011030802A1 WO2011030802A1 PCT/JP2010/065448 JP2010065448W WO2011030802A1 WO 2011030802 A1 WO2011030802 A1 WO 2011030802A1 JP 2010065448 W JP2010065448 W JP 2010065448W WO 2011030802 A1 WO2011030802 A1 WO 2011030802A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- cross
- cleaved
- depth
- line
- laser processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/04—Automatically aligning, aiming or focusing the laser beam, e.g. using the back-scattered light
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
- B23K26/0608—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/0604—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
- B23K26/0613—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis
- B23K26/0617—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams having a common axis and with spots spaced along the common axis
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0648—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/0652—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising prisms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/067—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing
- B23K26/0676—Dividing the beam into multiple beams, e.g. multifocusing into dependently operating sub-beams, e.g. an array of spots with fixed spatial relationship or for performing simultaneously identical operations
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
- C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
- C03B33/093—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam using two or more focussed radiation beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Definitions
- the present invention relates to a laser processing method and a laser processing apparatus for forming a modified region that is a starting point of cleaving by condensing and irradiating laser light along a cleaving line of a cleaved member.
- the processing method of dividing one pulse laser beam into three parts, adding a time difference, and then shifting the position to focus and irradiate is formed by connecting three spots in the direction of the planned cutting line, It is expected that the processing speed (relative movement speed of the optical axis of the condenser lens) can be increased. In addition, it is expected that the amount of shifting the focal position in the thickness direction can be increased by forming three spots connected in the thickness direction, and the processing speed in the thickness direction (relative movement speed in the thickness direction of the condenser lens) can be increased.
- the subsequent pulsed light depends on the pulsed light that was irradiated earlier. It is affected by the heat caused.
- the brittle material that is a member to be cut becomes a ductile material when heated to a temperature at which amorphous transition occurs, so even if the subsequent pulse light is irradiated in the vicinity of the region heated by the previous pulse light, the temperature Stress generation due to the difference is less likely to occur, and cracks are less likely to grow due to changes in material properties (for example, dissolution). As a result, the processing speed is not as high as expected.
- the laser light is collected even if the subsequent pulse light is irradiated in the vicinity of the region heated by the previous pulse light.
- the light is absorbed before reaching the light spot, and that sufficient energy does not reach the light condensing point, and that the position of the light condensing point is shifted. If the position of the focal point is shifted, the three spots are not connected in the thickness direction, and the amount by which the focal position is shifted in the thickness direction cannot be increased. As a result, the processing speed in the thickness direction (relative movement speed in the thickness direction of the condenser lens) decreases.
- This invention is made
- the laser processing method of the present invention made to solve the above-described problem is to focus the laser beam on the member to be cut by relatively moving the optical axis of the condenser lens along the planned cutting line of the member to be cut.
- Irradiation is a laser processing method for forming a modified region, which is a starting point of cleaving, in the cleaved member so as to follow the cleaved planned line, at a predetermined depth position from the surface of the cleaved member And simultaneously forming a plurality of cross-sectional focused spots at positions on a cross-section perpendicular to the optical axis of the condensing lens and parallel to the surface.
- One or a plurality of the internal modified regions having a desired shape are formed by forming a spot on a projected line of the planned cutting line to the cross section.
- another laser processing method of the present invention made to solve the above-mentioned problem is to cut the laser beam by relatively moving the optical axis of the condenser lens along the planned cutting line of the member to be cut.
- a laser processing method for forming a modified region which is a starting point of cleaving, on the inside of the cleaved member along the planned cleaving line by condensing and irradiating the member, and is formed from a surface of the cleaved member.
- a plurality of depth focused spots are simultaneously formed in the depth direction at the depth position, and at this time, at least one depth focused spot is selected from the plurality of depth focused spots.
- One or a plurality of the internal reforming regions having a desired shape are formed on the top.
- another laser processing method of the present invention made to solve the above-mentioned problem is to cut the laser beam by relatively moving the optical axis of the condenser lens along the planned cutting line of the member to be cut.
- a laser processing method for forming a modified region which is a starting point of cleaving, on the inside of the cleaved member along the planned cleaving line by condensing and irradiating the member, and is formed from a surface of the cleaved member.
- a plurality of cross-sectional focused spots are simultaneously formed at a position on the cross-section perpendicular to the optical axis of the condensing lens and parallel to the surface at a depth position of at least one of the plurality of cross-sectional focused spots.
- the depth of the light spot Characterized in that at least one depth focused spots formed on the optical axis of the condenser lens the desired shape internal reforming region one or more forms.
- the laser beam is preferably an ultrashort pulse laser beam.
- the figure connecting the plurality of cross-sectional focused spots is a triangle.
- the figure connecting the plurality of depth condensing spots may be a triangle.
- the figure connecting the plurality of cross-section focused spots is a parallelogram, and that two vertices forming an acute angle of the parallelogram are positioned on the projection line of the cleaved line to the cross section.
- the figure connecting the plurality of depth condensing spots may be a parallelogram, and two apexes forming an acute angle of the parallelogram may be positioned on the optical axis of the condensing lens.
- the internal modified region having the desired shape may be formed by using a combination of a spatial position on the cross section of the plurality of cross-section focused spots and an energy density of the focused spot.
- the inner modified region having the desired shape is formed by using a combination of a spatial position in a plane including the planned cutting line of the plurality of depth focused spots and an energy density of the focused spot. It is good to do so.
- the laser processing apparatus according to the present invention which has been made to solve the above-described problems, condenses the laser beam on the member to be cut by relatively moving the optical axis of the condenser lens along the planned cutting line of the member to be cut.
- Irradiation is a laser processing apparatus that forms a modified region that becomes a starting point of cleaving inside the cleaved member so as to follow the cleaved line, and a predetermined depth position from the surface of the cleaved member And simultaneously forming a plurality of cross-sectional focused spots at positions on a cross-section perpendicular to the optical axis of the condensing lens and parallel to the surface. At this time, at least one cross-sectional focused spot among the plurality of cross-sectional focused spots An optical system is provided for forming a spot on a projected line to the cross section of the line to be cut, and one or a plurality of the internal modified regions having a desired shape are formed.
- Another laser processing apparatus of the present invention which has been made to solve the above-described problems, is configured to cut the laser beam by relatively moving the optical axis of the condenser lens along the planned cutting line of the member to be cut.
- a laser processing apparatus that forms a modified region, which is a starting point of cleaving, on the inside of the cleaved member along the planned cleaving line by condensing and irradiating the member, and is predetermined from the surface of the cleaved member
- a plurality of depth focused spots are simultaneously formed in the depth direction at the depth position, and at this time, at least one depth focused spot is selected from the plurality of depth focused spots.
- An optical system is formed on the substrate, and one or a plurality of the internal modified regions having a desired shape are formed.
- Another laser processing apparatus of the present invention which has been made to solve the above-described problems, is configured to cut the laser beam by relatively moving the optical axis of the condenser lens along the planned cutting line of the member to be cut.
- a laser processing apparatus that forms a modified region, which is a starting point of cleaving, on the inside of the cleaved member along the planned cleaving line by condensing and irradiating the member, and is predetermined from the surface of the cleaved member
- a plurality of cross-sectional focused spots are simultaneously formed at a position on the cross-section perpendicular to the optical axis of the condensing lens and parallel to the surface at a depth position of at least one of the plurality of cross-sectional focused spots.
- the depth of the light spot At least one depth focused spots with an optical system for forming on the optical axis of the condenser lens, characterized by one or more forms the internal reforming area of the desired shape.
- a plurality of cross-section focused spots are simultaneously formed at positions on the cross-section that are perpendicular to the optical axis of the condenser lens and parallel to the surface at a predetermined depth position from the surface of the member to be cut, and the depth at the predetermined depth position. Since a plurality of depth condensing spots are also formed in the vertical direction at the same time, it is possible to increase both the processing speed in the cleaving line direction and the processing speed in the thickness direction. If the laser beam is an ultrashort pulse laser beam, the peak peak value of each laser beam pulse is sufficient for a certain threshold necessary for the amorphous phase transition even if one laser beam is split into multiple laser beams. There is.
- pulse irradiation is completed by the time a heat source is generated, and the pulse itself can be stably controlled by a desired heat source without being affected by heat. Since the figure connecting the plurality of cross-section focused spots is a triangle, the wedge effect works in one direction in the planned cutting line direction, and the processing speed in the planned cutting line direction can be further increased. Since the figure connecting the plurality of depth condensing spots is a triangle, the wedge effect works in one direction in the thickness direction, and the processing speed in the thickness direction can be further increased.
- a figure connecting a plurality of cross-section focused spots is a parallelogram, and two vertices forming an acute angle of the parallelogram are positioned on the projection line to the cross section of the planned cutting line, so both directions of the planned cutting line direction
- the wedge effect acts on the chamfer and can further increase the processing speed in the direction of the planned cutting line.
- the figure connecting a plurality of depth condensing spots is a parallelogram, and the two vertices forming the acute angle of the parallelogram are positioned on the optical axis of the condenser lens, so that the wedge effect is generated in both directions in the thickness direction.
- the working speed in the thickness direction can be further increased.
- the internal modified region having the desired shape can be formed.
- the wedge effect can be controlled freely.
- the internal modified region of the desired shape is formed, The wedge effect in the thickness direction can be freely controlled.
- FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a perspective view of the member to be cut 3 of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.
- FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1 for explaining a modification of the first embodiment.
- FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1 for explaining another modification of the first embodiment.
- FIG. 6 is a diagram illustrating an example of an optical system in the laser processing apparatus according to the first embodiment.
- FIG. 7 is a diagram showing a modification of the optical system of FIG.
- FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus according to the second embodiment.
- FIG. 1 is a schematic configuration diagram of the laser processing apparatus according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a perspective view of the member to be cut 3 of FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line
- FIG. 9 is a perspective view of the split member 3 of FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
- FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 9 for describing a modification of the second embodiment.
- FIG. 12 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 9 for explaining another modification of the second embodiment.
- FIG. 13 is a diagram illustrating an example of an optical system in the laser processing apparatus according to the second embodiment.
- FIG. 14 is a diagram showing a modification of the optical system of FIG.
- FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus according to the third embodiment.
- FIG. 16 is a perspective view of the split member 3 of FIG.
- FIG. 17 is a cross-sectional view taken along line AA and a cross-sectional view taken along line BB in FIG.
- FIG. 18 is a diagram illustrating an example of an optical system in the laser processing apparatus according to the third embodiment.
- FIG. 19 is a diagram showing a modification of the optical system of FIG.
- FIG. 20 is a diagram showing another modification of the optical system of FIG.
- FIG. 21 is a diagram showing another modification of the optical system of FIG.
- FIG. 22 is a heat source temperature distribution pattern immediately after the formation of two focused spots.
- FIG. 23 is a heat source temperature distribution pattern after 10 nsec when three focused spots are formed by changing the time difference ⁇ .
- FIG. 24 shows a heat source temperature distribution pattern and a stress distribution pattern when the interval between two focused spots (spot diameter: 2 ⁇ m) is 2 ⁇ m.
- FIG. 25 shows a heat source temperature distribution pattern and a stress distribution pattern when the interval between two focused spots (spot diameter: 2 ⁇ m) is 4 ⁇ m.
- FIG. 26 is a graph showing the relationship between the focused spot interval and the stress.
- FIG. 27 is a graph showing changes in stress over time.
- FIG. 28 is a diagram for explaining the spatial arrangement of the focused spots in the example and a transmission photograph of sapphire after laser processing.
- FIG. 29 is a diagram for explaining the spatial arrangement of focused spots in a comparative example, and a transmission photograph of sapphire after laser processing.
- FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus according to the first embodiment.
- 2 is a perspective view of the member to be cut 3 of FIG. 1
- FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG.
- the laser processing apparatus according to the present embodiment is orthogonal to the optical axis O of the condenser lens 21 and parallel to the surface 3a at a predetermined depth position Z0 from the surface 3a of the member 3 to be cut.
- a plurality of cross-section focused spots P0 and P1 are simultaneously formed on the cross-section 3b, and at this time, at least one of the plurality of cross-section focused spots P0 and P1 is cut into the section 3b of the planned cutting line S0.
- An optical system 2 formed on the projection line S1 is provided.
- Reference numeral 1 denotes a light source that repeatedly generates ultrashort pulse laser light having a wavelength transparent to the member 3 to be cut.
- the laser beam is absorbed by multiphotons at the condensing spot position of the member 3 to be cut such as silicon to form an internal modified region.
- the two focused spots P0 and P1 are formed on the projection line S1 onto the cross section 3b of the planned cutting line S0.
- a moving stage (not shown) in the X direction, two condensing spots P0 and P1 are sequentially formed on S1.
- the two focused spots P0 and P1 are in contact with each other or close to each other, as shown in FIG. 3A, they are merged within a short time into an elliptical heat source temperature distribution pattern e. Since the two focused spots P0 and P1 are on the projection line S1, the major axis of the elliptical heat source temperature distribution pattern e is also on the projection line S1. As a result, stress anisotropy, that is, stress that causes cracks to grow in the major axis direction is generated in the member to be cut 3, so that the interval between the next two spots P0 and P1 can be increased. That is, the feed speed in the X-axis direction of the moving stage (processing speed in the cleaving direction) can be increased.
- the interval between the two focused spots P0 and P1 may be widened to be a predetermined interval. Then, the two focused spots P0 and P1 are no longer merged, and become independent circular heat source temperature distribution patterns ⁇ 0 and ⁇ 1. A tensile stress acts between the independent circular heat source temperature distribution patterns ⁇ 0 and ⁇ 1, and the extension of cracks in the projection line S1 direction (cleaving direction) is promoted. Moreover, as shown in FIG.
- the figure connecting the four focused spots P0, P1, P2, and P3 draws a parallelogram, and the two vertices P0 and P3 forming the acute angle of the parallelogram are represented. It may be positioned on the projection line S1.
- the four focused spots P0, P1, P2, and P3 are fused to form a parallelogram heat source temperature distribution pattern g, the wedge effect acts on the left and right, and the processing speed in the cleaving direction can be further increased.
- “simultaneous” in the matter of simultaneously forming a plurality of focused spots in the present invention will be described.
- the melting region is local, the range for forming a ductile material is narrow, and the surrounding brittleness is maintained. As a result, the crack extends well when thermal stress is applied.
- the pulse width is long, the melting range is widened, so that crack extension due to ductile material is suppressed.
- the peak power is high, the temperature gradient becomes steep. Therefore, a large thermal stress is generated.
- the pulse width is long, the peak power is small, so that the temperature gradient becomes gentle and the heat input continues while diffusing heat, the temperature gradient becomes gentler, and thermal stress is less likely to occur.
- FIG. 22 and 23 are beam splitters, and 24 and 25 are mirrors.
- the laser light emitted from the light source 1 is divided into two by the beam splitter 22.
- the laser beam reflected by the beam splitter 22 is reflected by the mirror 24 and is incident on the condenser lens 21 with the optical axis O and ⁇ 0.
- the laser beam transmitted through the beam splitter 22 is further divided into two by the next beam splitter 23.
- the laser beam reflected by the beam splitter 23 is reflected by the mirror 25 and is incident on the condenser lens 21 with the optical axis O and ⁇ 1.
- the laser light transmitted through the beam splitter 22 travels on the optical axis O and enters the condenser lens 21.
- the laser beam incident on the optical axis O is condensed at the intersection of the projection line S1 and the optical axis O to become a condensing spot P0.
- the laser beam incident on the optical axis O and ⁇ 0 is condensed at a position X0 away from the condensing spot P0 on the projection line S1, and becomes a condensing spot P2.
- the laser beam incident on the optical axis O and ⁇ 1 is condensed at a position X1 away from the condensing spot P0 on the projection line S1 to become a condensing spot P1.
- the focal length of the condenser lens 21 is F
- X0 Ftan ⁇ 0
- X1 Ftan ⁇ 1 Therefore, by changing ⁇ , the intervals between the three focused spots P0, P1, and P2 can be changed.
- the optical system 2 of FIG. 6 although the optical paths of the laser beams forming the three focused spots P0, P1, and P2 are different, it is necessary to reduce the optical path difference so as to satisfy the above simultaneously. The optical path difference can be adjusted by using the optical delay medium. Next, modifications of the optical system 2 will be described. As the optical system 2, an optical system 20 shown in FIG. 7 can be used.
- a beam (first-order light) that has undergone wavelength shift and a beam (zero-order light) that does not cause wavelength shift are generated by an AOM (acousto-optic modulator) 202 and inserted into the grating pair 203.
- the optical path difference between the two beams is adjusted so as to satisfy the simultaneous conditions by the grating pair 203.
- the angle of incidence on the condenser lens 201 is changed by changing ⁇ by changing the sonic vibration frequency of the AOM 202, or by adjusting the number (pitch) and the order of the grating of the grating pair 203, and the X of the condensed spot. Change the position of the direction.
- FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus according to the second embodiment.
- 9 is a perspective view of the member 3 to be cut in FIG. 8
- FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
- the laser processing apparatus of this embodiment simultaneously forms a plurality of depth focused spots Q0 and Q1 in the depth direction at a predetermined depth Z0 position from the surface 3a of the member 3 to be cut.
- an optical system 2A that forms at least one depth condensing spot among the plurality of depth condensing spots Q0, Q1 on the optical axis O of the condensing lens 2A1.
- the condensed spot Q0 is formed at a depth of Z0 from the surface 3a on the optical axis O, and the condensed spot Q1 is deeper in the depth direction (Z direction) than the condensed spot Q0 on the optical axis O. Formed in position.
- a moving stage (not shown) in the X direction, two focused spots Q0 and Q1 are sequentially formed in the X direction.
- the two focused spots Q0 and Q1 Since the two focused spots Q0 and Q1 partially overlap, touch, or are close to each other, they are merged into an elliptical spot e as shown in FIG. Since the two focused spots Q0 and Q1 are on the optical axis O, the major axis of the elliptical spot e is also on the optical axis O. As a result, stress anisotropy, that is, stress that causes cracks to grow in the major axis direction (depth direction) is generated, and the distance in the depth direction for simultaneously forming different spots Q0 and Q1 in the depth direction is increased. can do. That is, the feed speed (processing speed in the thickness direction) of the moving stage in the Z-axis direction can be increased.
- the two focused spots Q0 and Q1 may be formed at a predetermined interval or more. Then, the two focused spots Q0 and Q1 are no longer merged, and become independent circular heat source temperature distribution patterns ⁇ 0 and ⁇ 1. A tensile stress acts between the independent circular heat source temperature distribution patterns ⁇ 0 and ⁇ 1, and the extension of cracks in the optical axis O direction (thickness direction) is promoted. Moreover, as shown in FIG. 11, you may form three condensing spots Q0, Q1, Q2 simultaneously.
- the energy density injected into Q0, Q1, and Q2 is set to E0, E1, and E2, and by satisfying E0> E1, E0> E2, the anisotropy of stress (wedge effect) is increased.
- the processing speed can be increased.
- FIG. 12A it is preferable that the figure connecting the three focused spots Q0, Q1, and Q2 draws a triangle.
- the three focused spots Q0, Q1, and Q2 are fused to form a triangular heat source temperature distribution pattern f, and the wedge effect can be applied upward. Further, as shown in FIG.
- FIG. 12B the figure connecting the four focused spots Q0, Q1, Q2, and Q3 draws a parallelogram, and two vertices Q0 and Q3 forming an acute angle of the parallelogram are obtained. It may be positioned on the optical axis O. Four condensing spots Q0, Q1, Q2, and Q3 are fused to form a parallelogram-shaped heat source temperature distribution pattern g, the wedge effect acts up and down, and the processing speed in the thickness direction can be further increased.
- An example of the optical system 2A in the laser processing apparatus of this embodiment is shown in FIG. In the figure, 2A2 and 2A3 are beam splitters, and 2A4 and 2A5 are mirrors. 2A6 is a relay lens.
- the laser light emitted from the light source 1 is divided into two by the beam splitter 2A2.
- the laser beam that has passed through the beam splitter 2A2 passes through the beam splitter 2A3 and enters the condenser lens 2A1.
- the laser beam reflected by the beam splitter 2A2 is converted into a laser beam having a divergence angle ⁇ by the relay optical system 2A6, then reflected by the beam splitter 2A3 and incident on the condenser lens 2A1.
- the laser light transmitted through the beam splitter 2A3 is condensed at the focal position of the condenser lens 2A1 as shown in FIG. 13B, and becomes a condensed spot Q0.
- the laser beam reflected by the beam splitter 2A3 is condensed below the condensed spot Q0 by Z1 and becomes a condensed spot Q1.
- the optical system 2A of FIG. 13 although the optical paths of the laser beams forming the two focused spots Q0 and Q1 are different, it is necessary to reduce the optical path difference by using an optical delay medium or the like so as to satisfy the above simultaneously. is there. Next, modifications of the optical system 2A will be described.
- optical systems 20A and 20B shown in FIG. 14 can be used.
- the condensing spot can be separated by using the multifocal lens 20A1 having different curvatures in the central portion and the peripheral portion.
- the method of separating the condensed spot in the Z direction is illustrated, but the condensed spot in the X direction can also be separated.
- the condensed spot in the Z direction can be separated by using a diffraction lens (Fresnel lens) 20B1.
- Resnel lens diffraction lens
- FIG. 15 is a schematic configuration diagram of a laser processing apparatus according to the third embodiment.
- 16 is a perspective view of the member 3 to be cut in FIG. 15
- FIG. 17A is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 16
- FIG. 17B is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG. .
- the laser processing apparatus of the present embodiment has a cross section perpendicular to the optical axis O of the condenser lens 2B1 and parallel to the surface 3a at a predetermined depth position Z0 from the surface 3a of the member 3 to be cut.
- a plurality of cross-sectional focused spots P0 and P1 are simultaneously formed on 3b, and at that time, at least one of the cross-sectional focused spots P0 and P1 is projected onto the cross-section 3b of the planned cutting line S0.
- a plurality of depth condensing spots Q0 and Q1 are simultaneously formed in the depth direction at a predetermined depth position Z0 on the line S1, and at this time, at least of the plurality of depth condensing spots Q0 and Q1
- An optical system 2B is provided that forms one depth condensing spot on the optical axis O of the condensing lens 2B1.
- the two condensing spots P0 and P1 are formed on the projection line S1 to the cross section (XY plane) 3b of the planned cutting line S0, and the condensing spot Q0 is from the surface 3a to Z0 on the optical axis O. It is formed at a depth, and the focused spot Q1 is formed on the optical axis O at a position deeper than the focused spot Q0 (from the surface 3a to (Z0 + Z1)). Since the two focused spots P0 and P1 are in contact with each other or close to each other, as shown in FIG. 17A, they are merged into an elliptical spot e1 within a short time.
- the major axis of the elliptical heat source temperature distribution pattern e1 is also on the projection line S1.
- stress anisotropy that is, stress that causes cracks to grow in the major axis direction is generated, and the interval between the next two spots P0 and P1 can be increased. Therefore, the feed speed (processing speed in the cleaving direction) of the moving stage in the X-axis direction can be increased.
- the two focused spots Q0 and Q1 partially overlap, touch, or are close to each other, as shown in FIG. 17B, they are merged within a short time to become an elliptical spot e2.
- the major axis of the elliptical heat source temperature distribution pattern e2 is also on the optical axis O.
- stress anisotropy that is, stress that causes cracks to grow in the major axis direction (depth direction) is generated, and the distance in the depth direction for simultaneously forming different spots Q0 and Q1 in the depth direction is increased. can do. That is, the amount by which the focal position is shifted in the thickness direction can be increased, and the processing speed in the thickness direction (relative movement speed in the thickness direction of the condenser lens) can be increased.
- An example of the optical system 2B in the laser processing apparatus of the present embodiment is shown in FIG.
- 2B2, 2B3, 2B4 and 2B5 are beam splitters
- 2B6, 2B7, 2B8 and 2B9 are mirrors
- 2B10 and 2B11 are relay lenses.
- the laser light emitted from the light source 1 is divided into two by the beam splitter 2B2, and one laser light is further divided by the beam splitter 2B3.
- the laser beam that has passed through the beam splitter 2B2 passes through the beam splitters 2B3, 2B4, and 2B5 and is incident on the condenser lens 2B1 to form a condensed spot P0 (Qo).
- the laser light reflected by the beam splitter 2B2 is converted into laser light having a divergence angle ⁇ by the relay lens 2B10.
- the light is reflected by the beam splitter 2B4 and is incident on the condensing lens 2B1 to form a condensing spot Q1.
- the divergence angle can be changed by changing the lens interval (distance in the Z direction) of the relay lens 2B10.
- the propagation direction of the laser light reflected by the beam splitter 2B3 is changed by the relay lens 2B11.
- the light beam is reflected by the beam splitter 2B5 and is incident on the condensing lens 2B1 from the direction that forms the optical axis O and ⁇ , thereby forming a condensing spot P1.
- the propagation direction can be changed by changing the tilt angle of the relay lens 2B11.
- the optical system 2B may be an optical system 2C as shown in FIG. Multiple-order diffracted light obtained by the diffraction grating 2C2 is independently reflected by the mirrors 2C3 to 2C7, and the return light is collected by the condenser lens 2C1.
- ⁇ i is an incident angle to the diffraction grating 2C2
- ⁇ t is an emission angle from the diffraction grating 2C2.
- the curvature of the reflecting surface of each of the mirrors 2C3 to 2C7 it becomes possible to change the divergence angle (or the constriction angle) when the return light is incident on the condenser lens 2C1, respectively.
- a desired spatially separated focused spot can be formed with respect to the direction.
- the intensity of each n-order light can be optimized to a desired intensity.
- the optical system 2B may be an optical system 2D as shown in FIG.
- One beam emitted from the light source 1 is expanded by the beam expander 2D2, and is incident on the glass rods 2D6 to 2D8 attached to the multiple apertures 2D3 to 2D5.
- the angle of the beam incident on the condensing lens 2D1 can be changed, and the position of the condensing spot in the X direction can be changed.
- the divergence angle (or the squeeze angle) when entering the condenser lens 2D1 is changed, and the position in the Z direction is changed. Can do.
- the divergence angle (or stenosis) when entering the condenser lens 2D1 is used.
- the angle can be changed, and the position in the Z direction can be changed.
- stacking hexagonal glass to form a fly-eye lens eliminates vignetting, which is more desirable because loss is suppressed.
- the intensity distribution between the focal points after the separation also conforms to that of Gaussian.
- the optical system 2B may be an optical system 2E as shown in FIG. Using a perforated axicon mirror pair 2E2, the beam emitted from the light source 1 is separated into a small beam at the center and a donut-shaped beam and collected by a condenser lens 2E1.
- the length of the delay medium 2E3 is set to be the same as that in the axicon mirror pair 2E2.
- the return optical path length is adjusted so that the effective optical path length in the delay medium 2E3 is aligned.
- [Simulation 1] A state in which a plurality of condensing spots formed simultaneously and in a short time by the laser processing apparatus of Embodiment 1 are merged within a short period of time to form one elliptical heat source temperature distribution pattern is “a numerical value of heat conduction by an internal cylindrical heat source array”. Simulation using "analysis model”. The main simulation conditions are as follows. Material to be cut: Sapphire Condensing spot formation depth Z0: 20 ⁇ m Condensing spot diameter: 2 ⁇ m Focus spot center interval: 2 ⁇ m Number of focused spots: 3 Laser pulse energy per focused spot: 0.25 ⁇ J The simulation result is shown in FIG. When about 10 ps passed after the laser pulse irradiation, an elliptical heat source temperature distribution pattern shown in FIG.
- FIG. 22B shows an elliptical heat source temperature distribution pattern that has passed 10 ns from FIG. The darkest area at the center was about 4000 ° K, the outer whitish area was about 1500 ° K, and the middle area was 2500 to 3000 ° K. From this simulation, it can be seen that when a plurality of laser pulses are focused and irradiated simultaneously, an elliptical heat source temperature distribution pattern appears almost instantaneously (after about 10 ps).
- FIG. 23 is a temperature distribution pattern of the heat source 10 nsec after the formation of the three condensing spots.
- FIG. 23A is a temperature distribution pattern of the heat source when the three condensing spots are formed with zero time difference.
- the temperature distribution pattern of the heat source when formed (d) is the temperature distribution pattern of the heat source when the center focused spot is delayed by 0.03 nsec from the focused spot on both sides, and (e) is the focused spot on both sides.
- FIGS. 24 and 25 respectively show the heat source temperature distribution pattern and the stress distribution pattern when the focused spot center interval is 2 ⁇ m and 4 ⁇ m (omitted when the focused spot center interval is 6 ⁇ m).
- FIG. 26 is a graph in which the maximum stress of the stress distribution pattern in FIG.
- 24 and the like is plotted on the vertical axis and the focused spot interval is plotted on the horizontal axis.
- 24 and 25 when the spot interval is 2 ⁇ m, it merges 20 ns after the heat source develops to become an elliptical heat source temperature distribution pattern, but when the spot interval is at least 4 ⁇ m, it is no longer fused. I understand.
- the spot interval is 2 ⁇ m, tensile stress is generated only outside the heat source, whereas when the spot interval is at least 4 ⁇ m or more, it is understood that tensile stress acts between the two circular heat sources.
- Curve A shows the stress in the Y direction and curve I shows the stress in the X direction.
- the tensile stress in the direction (Y direction) perpendicular to the major axis of the elliptical heat source temperature distribution pattern is in the major axis direction (X It can be seen that it is larger than the tensile stress in the direction).
- FIG. 27 also shows a stress curve C of the circular heat source. From this, it can be seen that immediately after the generation of the elliptical heat source temperature distribution pattern, a larger tensile stress acts than the circular heat source, but since the cooling speed is faster than the circular heat source, the tensile stress becomes smaller than the circular heat source after a predetermined time.
- Light source 1 Mode-locked fiber laser with the following specifications and performance (US Imra, model D1000) Center wavelength: 1045 nm Beam diameter: 4 mm Mode: Single (Gaussian) Pulse width: 700 fs Pulse energy: 10 ⁇ J (maximum) Repetition frequency: 100 kHz (maximum) Average power: 1000 mW (maximum) Condensing lens 21: objective lens for microscope (focal length: 4 mm, numerical aperture: 0.65) Condensing spot diameter: 2 ⁇ m Material to be cut 3: Sapphire Number of simultaneous focusing spots: 2 Focus spot center interval: 2 ⁇ m Stage scanning speed: 1000 mm / s (the interval between two converging spots adjacent to each other is 10 ⁇ m, see FIG.
- FIG. 28B is a transmission image obtained by internally processing sapphire. It can be seen that cracks extend cleanly in the cleaving direction from the two simultaneous focused spots.
- the processing conditions of the above example are the same as those of the above example except that the number of simultaneously focused spots is set to 1 and the stage scanning speed is set to 500 mm / s (spot interval is 5 ⁇ m, see FIG. 29A). The same processing conditions.
- FIG. 29B is a transmission image obtained by internally processing sapphire. It can be seen that an extra crack that does not contribute to cleaving occurs in a direction (crystal orientation) different from the direction in which the focused spots are connected.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
Description
また、一つのパルスレーザ光を三つに分割して時間差を付け(一つより二つ、二つより三つと遅延させ)、その後位置をずらして集光照射する加工法も知られている(例えば、特許文献2参照。)。
一つのパルスレーザ光を三つに分割して時間差を付け、その後位置をずらして集光照射する加工方法は、割断予定ライン方向に三つのスポットを繋げて形成することで、割断予定ライン方向の加工速度(集光レンズの光軸の相対移動速度)を高くできることが期待される。また、三つのスポットを厚み方向に繋げて形成することで焦点位置を厚み方向にずらす量を大きくでき、厚み方向の加工速度(集光レンズの厚み方向の相対移動速度)を高くできることが期待される。
しかしながら、時間差を付けて連続して照射される三つのパルス光のうち、最初に照射される一つ目のパルス光を除いて、後続のパルス光は、それより前に照射されたパルス光によって引き起こされる熱の影響を受けてしまう。すなわち、被割断部材である脆性材料はアモルファス転移が起こるような温度に熱せられると、延性材化するため、前のパルス光によって熱せられた領域付近に後続のパルス光が照射されても、温度差に伴う応力発生が生じにくくなると共に、材料物性の変化(例えば、溶解)が影響してクラックが成長し難くなる。その結果、期待されるほど程加工速度は高くならない。
また、被割断部材である脆性材料のレーザ光に対する屈折率や吸収係数も温度によって変化するため、前のパルス光によって熱せられた領域付近に後続のパルス光が照射されても、レーザ光が集光点に至るまでに吸収されてしまい、集光点に十分なエネルギーが到達しない問題や、集光点の位置がずれてしまう問題も有している。集光点の位置がずれると、三つのスポットが厚み方向に繋がらず、焦点位置を厚み方向にずらす量を大きくできない。その結果、厚み方向の加工速度(集光レンズの厚み方向の相対移動速度)が低下する。
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、加工速度が高く、エネルギー効率の高いレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを課題とする。
また、上記の課題を解決するためになされた本発明の別のレーザ加工方法は、集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工方法であって、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成して所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とする。
また、上記の課題を解決するためになされた本発明の別のレーザ加工方法は、集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工方法であって、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の断面集光スポットのうち少なくとも一つの断面集光スポットを前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に形成し、前記所定の深さ位置で深さ方向にも複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成して所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とする。
上記のレーザ加工方法において、前記レーザ光は、超短パルスレーザ光が好ましい。
また、上記のレーザ加工方法において、前記複数の断面集光スポットを結ぶ図形が三角形であるとよい。
また、前記複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が三角形であるとよい。
また、前記複数の断面集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に位置するようにするとよい。
また、前記複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記集光レンズの光軸上に位置するようにするとよい。
また、前記複数の断面集光スポットの前記断面上での空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成するようにするとよい。
また、前記複数の深さ集光スポットの前記割断予定ラインを含む面内の空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成するようにするとよい。
上記の課題を解決するためになされた本発明のレーザ加工装置は、集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工装置であって、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の断面集光スポットのうち少なくとも一つの断面集光スポットを前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に形成する光学系を備え、所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とする。
また、上記の課題を解決するためになされた本発明の別のレーザ加工装置は、集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工装置であって、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成する光学系を備え、所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とする。
また、上記の課題を解決するためになされた本発明の別のレーザ加工装置は、集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工装置であって、前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の断面集光スポットのうち少なくとも一つの断面集光スポットを前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に形成し、前記所定の深さ位置で深さ方向にも複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成する光学系を備え、所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とする。
被割断部材の表面から所定の深さ位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットを同時に形成するので、延性材化による応力発生の抑制や物性変化によるクラック伸展の抑制がなく、厚み方向の加工速度が高くなる。
被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、所定の深さ位置で深さ方向にも複数の深さ集光スポットを同時に形成するので、割断予定ライン方向の加工速度及び厚み方向の加工速度を共に高くすることができる。
レーザ光が超短パルスレーザ光であると、一つのレーザ光を複数に分岐しても各レーザ光のパルスのピーク尖頭値は、アモルファスの相転移に必要な一定の閾値に対して十分余裕がある。また、熱源が生成するまでにパルス照射が完了し、パルス自身が熱の影響を受けずに安定的に所望の熱源によるクラック制御ができる。
複数の断面集光スポットを結ぶ図形が三角形であるので、割断予定ライン方向の一方向に楔効果が働き、割断予定ライン方向の加工速度を一層高めることができる。
複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が三角形であるので、厚み方向の一方向に楔効果が働き、厚み方向の加工速度を一層高めることができる。
複数の断面集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に位置させるので、割断予定ライン方向の両方向に楔効果が働き、割断予定ライン方向の加工速度をより一層高めることができる。
複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記集光レンズの光軸上に位置させるので、厚み方向の両方向に楔効果が働き、厚み方向の加工速度をより一層高めることができる。
複数の断面集光スポットの前記断面上での空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで、前記所望の形状の前記内部改質領域を形成されるので、割断予定ライン方向の楔効果の働きが自由に制御され得る。
複数の深さ集光スポットの前記割断予定ラインを含む面内の空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで、前記所望の形状の前記内部改質領域が形成されので、厚み方向の楔効果の働きが自由に制御され得る。
図2は、図1の被割断部材3の斜視図である。
図3は、図1のA−A線断面図である。
図4は、実施形態1の変形態様を説明するための図1のA−A線断面図である。
図5は、実施形態1の別の変形態様を説明するための図1のA−A線断面図である。
図6は、実施形態1のレーザ加工装置における光学系の一例を示す図である。
図7は、図6の光学系の変形態様を示す図である。
図8は、実施形態2のレーザ加工装置の概略構成図である。
図9は、図8の被割断部材3の斜視図である。
図10は、図9のB−B線断面図である。
図11は、実施形態2の変形態様を説明するための図9のB−B線断面図である。
図12は、実施形態2の別の変形態様を説明するための図9のB−B線断面図である。
図13は、実施形態2のレーザ加工装置における光学系の一例を示す図である。
図14は、図13の光学系の変形態様を示す図である。
図15は、実施形態3のレーザ加工装置の概略構成図である。
図16は、図15の被割断部材3の斜視図である。
図17は、図16のA−A線断面図及びB−B線断面図である。
図18は、実施形態3のレーザ加工装置における光学系の一例を示す図である。
図19は、図18の光学系の変形態様を示す図である。
図20は、図18の光学系の別の変形態様を示す図である。
図21は、図18の光学系の別の変形態様を示す図である。
図22は、二つの集光スポット形成直後の熱源温度分布パターンである。
図23は、三つの集光スポットを時間差τを変えて形成した場合の10nsec後の熱源温度分布パターンである。
図24は、二つの集光スポット(スポット径:2μm)間隔が2μmの場合の熱源温度分布パターンと応力分布パターンである。
図25は、二つの集光スポット(スポット径:2μm)間隔が4μmの場合の熱源温度分布パターンと応力分布パターンである。
図26は、集光スポット間隔と応力の関係を示すグラフである。
図27は、応力の時間変化を示すグラフである。
図28は、実施例における集光スポットの空間配置を説明する図と、レーザ加工後のサファイアの透過写真である。
図29は、比較例における集光スポットの空間配置を説明する図と、レーザ加工後のサファイアの透過写真である。
O:光軸、
S0:割断予定ライン、
3:被割断部材
3a:表面
3b:断面
P0、P1、P2、P3:断面集光スポット
Q0、Q1、Q2、Q3:深さ集光スポット
2、20、2A、20A、20B、2B、2C、2D、2E:光学系
本発明を実施するための形態を図面に基づいて以下に詳しく説明する。
図1は、実施形態1のレーザ加工装置の概略構成図である。図2は、図1の被割断部材3の斜視図、図3は、図1のA−A線断面図である。
本実施形態のレーザ加工装置は、図1~図3に示すように、被割断部材3の表面3aから所定の深さ位置Z0で集光レンズ21の光軸Oと直交し表面3aと平行する断面3bの上に複数の断面集光スポットP0、P1を同時に形成し、その際、複数の断面集光スポットP0、P1のうち少なくとも一つの断面集光スポットを割断予定ラインS0の断面3bへの射影線S1上に形成する光学系2を備えている。
1は、被割断部材3に対し透明な波長を有する繰り返し超短パルスレーザ光を発生する光源である。光源1として、波長が1~2μm、パルス幅が10fs~20ps、繰り返し周波数が100kHz~10MHzのレーザ光を発生するErまたはYbをドープしたモードロックファイバーレーザを用いることで、ガラス、サファイア、水晶、シリコン等の被割断部材3の集光スポット位置でレーザ光が多光子吸収され内部改質領域が形成される。
本実施形態では、二つの集光スポットP0、P1が割断予定ラインS0の断面3bへの射影線S1上に形成される。図示しない移動ステージをX方向に移動させることで、二つの集光スポットP0、P1ペアがS1上に順次形成される。
二つの集光スポットP0、P1は、互いに接触あるいは近接しているので、図3(a)に示すように短時間内で融合して楕円状熱源温度分布パターンeになる。二つの集光スポットP0、P1が射影線S1上にあるので、楕円状熱源温度分布パターンeの長軸も射影線S1上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向にクラックを成長させる応力が被割断部材3内に発生するので、次の二つのスポットP0、P1を形成する間隔を大きくすることができる。すなわち、移動ステージのX軸方向への送り速度(割断方向の加工速度)を高くすることができる。
また、二つの集光スポットP0、P1は同時に形成されるので、集光点に十分なエネルギーが到達しない問題や、集光点の位置がずれてしまうといった問題がない。
次に、実施形態1の変形態様を説明する。図3(b)に示すように、二つの集光スポットP0、P1の間隔を広げて所定の間隔になるように形成してもよい。すると、もはや二つの集光スポットP0、P1は融合せず、独立した円形状熱源温度分布パターンγ0、γ1になる。独立した円形状熱源温度分布パターンγ0、γ1間には、引張応力が働き、射影線S1方向(割断方向)へのクラックの伸展が助長される。
また、図4に示すように、三つの集光スポットP0、P1、P2を同時に形成してもよい。このとき、P0、P1、P2に注入されるエネルギー密度をE0、E1、E2として、E0>E1、E0>E2を満たすようにすることで、応力の異方性(楔効果)が高まり、一層加工速度を高くすることができる。
また、図5(a)に示すように、三つの集光スポットP0、P1、P2を結ぶ図形が三角形を描くようにするとよい。三つの集光スポットP0、P1、P2が融合して三角形状熱源温度分布パターンfとなり、楔効果を左方向に作用させることができる。
また、図5(b)に示すように、四つの集光スポットP0、P1、P2、P3を結ぶ図形が平行四辺形を描くようにし、平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点P0、P3を射影線S1上に位置させてもよい。四つの集光スポットP0、P1、P2、P3が融合して平行四辺形状熱源温度分布パターンgとなり、楔効果が左右に作用し、割断方向の加工速度を一層高くすることができる。
ここで、本発明における複数の集光スポットを同時に形成する事項における「同時」について説明する。複数の集光スポットを空間的に異なる位置に全く同時に形成することは不可能であり、複数の集光スポットの間には自ずと時間幅(時間差)τがある。そこで、時間差τがどこまで許容されるかをシミュレーション実験で調べてみた(後述のシミュレーション2参照。)。その結果、被割断部材が典型的なサファイアの場合、τ=0.3nsecを得た。そこで、本発明では、0~サブnsecの範囲を「同時」と定義する。
本実施形態のように、超短パルスレーザ光を用いることで、熱の発生を極めて局所的に且つ非常に高温にできるため、本実施形態は次の二つのメリットを有する。
先ず、溶融領域が局所のため、延性材化する範囲が狭く、その周りの脆性が保たれる。その結果、熱応力が作用したときに良好にクラックが伸展する。パルス幅が長いと、溶融範囲が広がるため、延性材化によるクラック伸展の抑制がある。
次に、ピークパワーが高いため、温度勾配が急峻になる。したがって、大きな熱応力が発生する。パルス幅が長いと、ピークパワーが小さいため、温度勾配がなだらかになる上、熱拡散しながら入熱が続く状態となり、温度勾配はますますなだらかになり、熱応力が発生しにくくなる。
なお、複数のビームが同時に照射され且つ各スポットの間隔が波長の5倍程度以下と狭い場合、お互いのビームが干渉し合い、その程度に応じて強度分布が変動する可能性があるため、その影響を加味した加工を行う必要がある。したがって、意図した強度分布を維持し、より効率的に所望の熱源温度分布パターンを得るためには、各ビームをパルス幅程度の時間差を設けて照射するのことが望ましい。本実施形態のように、超短パルスレーザ光を用いることで、本発明で定義する「同時」の範囲の中でパルス幅程度の時間差を付けて照射することが可能になるため、時間的に前に照射されたパルスによって生じる熱の影響を回避できるメリットがある。
本実施形態のレーザ加工方法における光学系2としては、例えば、図6に示すものがある。図中22と23は、ビームスプリッタ、24と25はミラーである。
光源1から射出されたレーザ光は、ビームスプリッタ22で二つに分割される。ビームスプリッタ22で反射されたレーザ光は、ミラー24で反射されて集光レンズ21に光軸Oとθ0をなして入射される。ビームスプリッタ22を透過したレーザ光は、次のビームスプリッタ23でさらに二つに分割される。ビームスプリッタ23で反射されたレーザ光は、ミラー25で反射されて集光レンズ21に光軸Oとθ1をなして入射される。ビームスプリッタ22を透過したレーザ光は、光軸O上を進み集光レンズ21に入射される。
光軸O上を進んで入射されたレーザ光は、射影線S1と光軸Oの交点に集光され、集光スポットP0となる。光軸Oとθ0をなして入射されたレーザ光は、射影線S1上で集光スポットP0からX0離れた位置に集光され、集光スポットP2となる。光軸Oとθ1をなして入射されたレーザ光は、射影線S1上で集光スポットP0からX1離れた位置に集光され、集光スポットP1となる。
集光レンズ21の焦点距離をFとすると、
X0=Ftanθ0
X1=Ftanθ1
の関係があるので、θを変えることで三つの集光スポットP0、P1、P2の間隔を変えることができる。
なお、図6の光学系2では、三つの集光スポットP0、P1、P2を形成するレーザ光の光路が異なるが、上記の同時を満たすように光路差を小さくする必要がある。光遅延媒質を用いることで光路差を調整することができる。
次に、光学系2の変形態様を説明する。光学系2として、図7に示す光学系20を用いることができる。AOM(音響光学変調器)202によって波長シフトを起こしたビーム(1次光)と波長シフトを起こさないビーム(0次光)を生成し、グレーティングペア203に挿入する。グレーティングペア203によって同時を満たすように二つのビームの光路差が調整される。AOM202の音波振動数を変えることでθを変化させるか、またはグレーティングペア203の格子の本数(ピッチ)、次数を調整することによって集光レンズ201に入射する角度を変化させ、集光スポットのX方向の位置を変化させる。
外部からの電気信号によって、AOM202の音波振動数を変化させることで、集光スポットの位置を制御することができる。
(実施形態2)
図8は、実施形態2のレーザ加工装置の概略構成図である。図9は、図8の被割断部材3の斜視図、図10は、図9のB−B線断面図である。
本実施形態のレーザ加工装置は、図8~10に示すように、被割断部材3の表面3aから所定の深さZ0位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットQ0、Q1を同時に形成し、その際、複数の深さ集光スポットQ0、Q1のうち少なくとも一つの深さ集光スポットを集光レンズ2A1の光軸O上に形成する光学系2Aを備えている。
本実施形態では、集光スポットQ0が光軸O上の表面3aからZ0の深さに形成され、集光スポットQ1が光軸O上で集光スポットQ0より深さ方向(Z方向)に深い位置に形成される。図示しない移動ステージをX方向に移動させることで、二つの集光スポットQ0、Q1がX方向に順次形成される。
二つの集光スポットQ0、Q1は、一部重なる、接する或いは近接しているので、図10(a)に示すように融合して楕円状スポットeになる。二つの集光スポットQ0、Q1が光軸O上にあるので、楕円状スポットeの長軸も光軸O上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向(深さ方向)にクラックを成長させる応力が発生され、深さ方向に別のスポットQ0、Q1を同時に形成する深さ方向の間隔を大きくすることができる。すなわち、移動ステージのZ軸方向への送り速度(厚み方向の加工速度)を高くすることができる。
また、二つの集光スポットQ0、Q1は同時に形成されるので、集光点に十分なエネルギーが到達しない問題や、集光点の位置がずれてしまうといった問題がない。
次に、実施形態2の変形態様を説明する。図10(b)に示すように、二つの集光スポットQ0、Q1を所定の間隔以上あけて形成してもよい。すると、もはや二つの集光スポットQ0、Q1は融合せず、独立した円形状熱源温度分布パターンγ0、γ1になる。独立した円形状熱源温度分布パターンγ0、γ1間には、引張応力が働き、光軸O方向(厚さ方向)へのクラックの伸展が助長される。
また、図11に示すように、三つの集光スポットQ0、Q1、Q2を同時に形成してもよい。このとき、Q0、Q1、Q2に注入されるエネルギー密度をE0、E1、E2として、E0>E1、E0>E2を満たすようにすることで、応力の異方性(楔効果)が高まり、一層加工速度を高くすることができる。
また、図12(a)に示すように、三つの集光スポットQ0、Q1、Q2を結ぶ図形が三角形を描くようにするとよい。三つの集光スポットQ0、Q1、Q2が融合して三角形状熱源温度分布パターンfとなり、楔効果を上方向に作用させることができる。
また、図12(b)に示すように、四つの集光スポットQ0、Q1、Q2、Q3を結ぶ図形が平行四辺形を描くようにし、平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点Q0、Q3を光軸O上に位置させてもよい。四つの集光スポットQ0、Q1、Q2、Q3が融合して平行四辺形状熱源温度分布パターンgとなり、楔効果が上下に作用し、厚み方向の加工速度を一層高くすることができる。
本実施形態のレーザ加工装置における光学系2Aとしては、例えば、図13に示すものがある。図中2A2と2A3はビームスプリッタ、2A4と2A5はミラーである。2A6は、リレーレンズである。
光源1から射出されたレーザ光は、ビームスプリッタ2A2で二つに分割される。ビームスプリッタ2A2を透過したレーザ光は、ビームスプリッタ2A3を透過して集光レンズ2A1に入射される。ビームスプリッタ2A2で反射されたレーザ光は、リレー光学系2A6で拡がり角αのレーザ光に変換され、その後ビームスプリッタ2A3で反射されて集光レンズ2A1に入射される。
ビームスプリッタ2A3を透過したレーザ光は、図13(b)に示すように集光レンズ2A1の焦点位置に集光され、集光スポットQ0となる。ビームスプリッタ2A3で反射されたレーザ光は、集光スポットQ0よりZ1下方に集光され、集光スポットQ1となる。
ビームスプリッタ2A3で反射されたレーザ光の集光レンズ2A1でのビーム半径をRとすると、
Z1={RF/(R−Ftanα)}−F
の関係があるので、拡がり角αを変えることで、集光スポットQ0、Q1の間隔を変えることできる。
なお、図13の光学系2Aでは、二つの集光スポットQ0、Q1を形成するレーザ光の光路が異なるが、上記の同時を満たすように光遅延媒質等を用いて光路差を小さくする必要がある。
次に、光学系2Aの変形態様を説明する。光学系2Aとして、図14に示す光学系20A、20Bを用いることができる。
図14(a)に示すように、中心部と周辺部で曲率の異なる多焦点レンズ20A1を用いることで、集光スポットを分離することができる。図ではZ方向の集光スポットを分離する方法を例示しているが、X方向の集光スポットを分離することもできる。
また、図14(b)に示すように、回折レンズ(フレネルレンズ)20B1を用いることで、Z方向の集光スポットを分離できる。回折レンズ20B1の溝形状を調整することで各々の回折光による集光スポットの強度を調整できる。
(実施形態3)
図15は、実施形態3のレーザ加工装置の概略構成図である。図16は、図15の被割断部材3の斜視図、図17(a)は、図16のA−A線断面図、図17(b)は、図16のB−B線断面図である。
本実施形態のレーザ加工装置は、図15~17に示すように、被割断部材3の表面3aから所定の深さ位置Z0で集光レンズ2B1の光軸Oと直交し表面3aと平行する断面3bの上に複数の断面集光スポットP0、P1を同時に形成し、その際、複数の断面集光スポットP0、P1のうち少なくとも一つの断面集光スポットを割断予定ラインS0の断面3bへの射影線S1上に形成し、所定の深さ位置Z0で深さ方向にも複数の深さ集光スポットQ0、Q1を同時に形成し、その際、複数の深さ集光スポットQ0、Q1のうち少なくとも一つの深さ集光スポットを集光レンズ2B1の光軸O上に形成する光学系2Bを備えている。
本実施形態では、二つの集光スポットP0、P1が割断予定ラインS0の断面(XY平面)3bへの射影線S1上に形成され、集光スポットQ0が光軸O上で表面3aからZ0の深さに形成され、集光スポットQ1が光軸O上で集光スポットQ0より深い位置(表面3aから(Z0+Z1))に形成される。
二つの集光スポットP0、P1は、互いに接触あるいは近接しているので、図17(a)に示すように、短時間内に融合して楕円スポットe1になる。二つの集光スポットP0、P1が射影線S1上にあるので、楕円状熱源温度分布パターンe1の長軸も射影線S1上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向にクラックを成長させる応力が発生され、次の二つのスポットP0、P1を形成する間隔を大きくすることができる。したがって、移動ステージのX軸方向への送り速度(割断方向の加工速度)を高くすることができる。
また、二つの集光スポットQ0、Q1は、一部重なる、接する或いは近接しているので、図17(b)に示すように、短時間内に融合して楕円状スポットe2になる。二つの集光スポットQ0、Q1が光軸O上にあるので、楕円状熱源温度分布パターンe2の長軸も光軸O上にある。その結果、応力の異方性、すなわち、長軸方向(深さ方向)にクラックを成長させる応力が発生され、深さ方向に別のスポットQ0、Q1を同時に形成する深さ方向の間隔を大きくすることができる。すなわち、焦点位置を厚み方向にずらす量を大きくでき、厚み方向の加工速度(集光レンズの厚み方向の相対移動速度)を高くすることができる。
本実施形態のレーザ加工装置における光学系2Bとしては、例えば、図18に示すものがある。図中2B2、2B3、2B4、2B5はビームスプリッタ、2B6、2B7、2B8、2B9はミラー、2B10と2B11はリレーレンズである。
光源1から射出されたレーザ光は、ビームスプリッタ2B2で二つに分割され、一方のレーザ光はビームスプリッタ2B3でさらに分割される。
ビームスプリッタ2B2を透過したレーザ光は、ビームスプリッタ2B3、2B4、2B5を透過して集光レンズ2B1に入射され、集光スポットP0(Qo)を形成する。
ビームスプリッタ2B2で反射されたレーザ光は、リレーレンズ2B10で拡がり角αのレーザ光に変換さる。その後、ビームスプリッタ2B4で反射されて集光レンズ2B1に入射され、集光スポットQ1を形成する。なお、リレーレンズ2B10のレンズ間隔(Z方向の距離)を変えることで拡がり角を変えることができる。
ビームスプリッタ2B3で反射されたレーザ光は、リレーレンズ2B11で伝搬方向が変えられる。その後、ビームスプリッタ2B5で反射されて集光レンズ2B1に光軸Oとθをなす方向から入射され、集光スポットP1を形成する。なお、リレーレンズ2B11の倍率が高い場合は、リレーレンズ2B11の煽り角を変えることで伝搬方向をかえることができる。
なお、図18の光学系2Bでは、三つの集光スポットP0(Q0)、P1、Q1を形成するレーザ光の光路が異なるが、上記の同時を満たすように光路差を小さくする必要がある。
次に、光学系2Bの変形態様を説明する。光学系2Bを図19に示すような光学系2Cとしてもよい。回折格子2C2によって得られる複数次の回折光を独立にミラー2C3~2C7で反射させ、戻り光を集光レンズ2C1で集光する。
各n次光を独立に反射するミラー2C3~2C7を配置し、各ミラーの入射ビームに対する角度を調節することで、戻り光の集光レンズ2C1への入射角を各々変化させることが可能になり、集光スポットP0、P1が被割断部材3の割断予定ラインS0の断面(XY平面)への射影線S1上に形成される。
ミラー2C7の調節角αと集光レンズ2C1への入射角βとの間には
β=2αcosθt/cosθi
の関係があるので、αを調節することで入射角βを変えることができる。ここで、θiは回折格子2C2への入射角、θtは回折格子2C2からの射出角である。
また、各ミラー2C3~2C7の反射面の曲率を調整することで、戻り光の集光レンズ2C1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることが可能になり、Z方向に対して所望の空間的に分離された集光スポットを形成することができる。
回折格子2C2の格子形状を調節することで、各n次光の強度を所望の強度に最適化することができる。
また、光学系2Bを図20に示すような光学系2Dとしてもよい。光源1から射出される一つのビームがビームエキスパンダ2D2で拡げられ、多数のアパーチャ2D3~2D5に取り付けられたガラス棒2D6~2D8に入射される。ガラス棒2D6~2D8の射出側の端面角度を変えることで、集光レンズ2D1に入射するビームの角度を変化させ、集光スポットのX方向の位置を変化させることができる。
また、ガラス棒2D6~2D8の射出側端面の曲率を調整することで、集光レンズ2D1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させ、Z方向の位置を変化させることができる。あるいは、単なるガラス棒の代わりにセルフォックレンズ(径の外側に行くほど屈折率が小さくなる屈折率分布を有するレンズ)を用いることによって集光レンズ2D1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることができ、Z方向の位置を変化させることもできる。
アパーチャ2D3~2D5にガラス棒2D6~2D8を取り付ける代わりに、6角形のガラスをスタックさせてフライアイレンズのようにすればケラレ部分が無くなるため、ロスが抑えられてさらに望ましい。
通常のガウシアンビームでは、分離後の各焦点間の強度分布もガウシアンに準じたものになってしまう。各集光スポットの強度分布を均一にするためには、アパーチャ2D3~2D5の上流に、トップハット分布変換光学系を置いて各アパーチャに入射するビームの強度を等しくする必要がある。
さらに、光学系2Bを図21に示すような光学系2Eとしてもよい。穴あきアキシコンミラーペア2E2を用いて光源1から射出されるビームを中心の小さなビームとドーナツ型のビームに分離して、集光レンズ2E1で集光する。アキシコンミラーペア2E2内で折り返されたレーザ光と中心の穴から抜けるレーザ光の集光レンズ2E1への到達時間をそろえるために、遅延媒質2E3の長さは、アキシコンミラーペア2E2内での折り返しの光路長と、遅延媒質2E3内の実効光路長が揃うように調整されている。遅延媒質2E3の射出側端面角度を変えることで、集光レンズ2E1に入射するビームの角度を変化させ、集光スポットのX方向の位置を変化させることができる。また、遅延媒質2E3の射出側端面の曲率を調整することで、集光レンズに入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させ、Z方向の位置を変化させることができる。あるいは、遅延媒質2E3として単なる均一媒質の代わりにセルフォックレンズを用いることによって、集光レンズ2E1に入射する際の拡がり角(または、窄まり角)を各々変化させることができ、Z方向の位置を変化させることもできる。
次に、本発明のシミュレーション結果と実験結果を説明する。
〔シミュレーション1〕実施形態1のレーザ加工装置によって同時且つ複数形成される集光スポットが短時間内に融合して一つの楕円状熱源温度分布パターンになる様子が「内部円筒熱源列による熱伝導数値解析モデル」を使用してシミュレーションされた。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
集光スポット形成深さZ0:20μm
集光スポット径:2μm
集光スポット中心間隔:2μm
集光スポット数:3
集光スポット当たりのレーザパルスエネルギー:0.25μJ
シミュレーション結果を図22に示す。レーザパルスを照射後約10ps経過すると、図22(a)に示す楕円状熱源温度分布パターンが形成された。図22(b)は、図22(a)から10ns経過した楕円状熱源温度分布パターンを示している。中心の最も黒い領域は約4000°K、外側の白っぽい領域は約1500°K、中間領域は2500~3000°Kであった。
このシミュレーションから、レーザパルスが複数同時に集光照射されると、ほとんど瞬時(約10ps後)に融合して楕円状熱源温度分布パターンが発現することがわかる。
〔シミュレーション2〕三つの集光スポットを時間差ゼロ(τ=0)で形成した場合の熱源温度分布パターンの形状寸法と、時間差0.003nsec、0.03nsec、0.3nsecで形成した場合の熱源温度分布パターンの形状寸法とが、「内部円筒熱源列による熱伝導数値解析モデル」を使用してシミュレーションされた。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
集光スポット形成深さZ0:5μm
集光スポット径:2μm
集光スポット中心間隔:2μm
集光スポット数:3
集光スポットの時間差:0sec、0.003nsec、0.03nsec、0.3nsec
集光スポット当たりのレーザパルスエネルギー:1μJ
シミュレーション結果を図23に示す。図23は、三つの集光スポットを形成してから10nsec後の熱源の温度分布パターンであり、(a)は三つの集光スポットを時間差ゼロで形成した場合の熱源の温度分布パターン、(b)は真ん中の集光スポットを両側の集光スポットより0.003nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(c)は両側の集光スポットを真ん中の集光スポットより0.003nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(d)は真ん中の集光スポットを両側の集光スポットより0.03nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(e)は両側の集光スポットを真ん中の集光スポットより0.03nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(f)は真ん中の集光スポットを両側の集光スポットより0.3nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、(g)は両側の集光スポットを真ん中の集光スポットより0.3nsec遅らせて形成した場合の熱源の温度分布パターン、である。
図23より、本シミュレーションで最も大きく遅らせたτ=0.3nsecの場合の温度分布パターン(f)、(g)でもτ=0の場合の温度分布パターン(a)と形状及び寸法が同じであることがわかる。従って、複数の集光スポットをサファイアに形成する場合、複数の集光スポットの時間差が少なくとも0.3nsec以内であれば、同時に(時間差ゼロで)形成した場合と同じ形状寸法の熱源温度分布パターンが得られる。
〔シミュレーション3〕二つの集光スポット間隔を変化させた場合の熱源の温度分布パターンが「内部円筒熱源列による熱伝導数値解析モデル」を使用してシミュレーションされた。次に、その時の応力分布が「有限要素法による応力解析モデル」を使用して求められた。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
集光スポット形成深さZ0:20μm
集光スポット径:2μm
集光スポット中心間隔:2μm、4μm、6μm
集光スポット数:2
集光スポット当たりのレーザパルスエネルギー:1μJ
解析領域:5μm×10μm
要素:2次元4節点線形要素
要素数:5000
節点数:5151
初期温度:0℃
シミュレーション結果を図24~図26に示す。図24及び図25は、集光スポット中心間隔が2μm及び4μmの場合の熱源温度分布パターン及び応力分布パターンをそれぞれ示している(集光スポット中心間隔が6μmの場合は割愛)。図26は、図24等の応力分布パターンの最大応力を縦軸にとり、横軸に集光スポット間隔をとってグラフ化したものである。
図24及び図25からスポット間隔が2μmの場合は、熱源が発現してから20ns後には融合して楕円状熱源温度分布パターンになるが、スポット間隔が少なくとも4μm以上になると、もはや融合しなくなることがわかる。
また、スポット間隔が2μmの場合は、熱源の外側にのみ引張応力が発生するのに対し、スポット間隔が少なくとも4μm以上になると、二つの円形熱源の間に引張応力が働くことがわかる。
〔シミュレーション4〕実施形態1のレーザ加工装置によって発現した楕円状熱源温度分布パターンにより発生する応力が「有限要素法による応力解析モデル」を使用して求められた。
主なシミュレーション条件は、以下の通り。
被割断部材:サファイア
楕円状熱源の長径×短径:2μm×0.5μm
楕円状熱源当たりのレーザパルスエネルギー:1μJ
シミュレーション結果を図27に示す。レーザパルスを照射後約100ps後に熱源の中心温度が9843°Kに達し、その時(図27の横軸0ns時点)、最大応力を示した。曲線アがY方向の応力、曲線イがX方向の応力を示しているが、図27から楕円状熱源温度分布パターンの長軸と直交する方向(Y方向)の引張応力が長軸方向(X方向)の引張応力より大きいことがわかる。
図27には円熱源の応力曲線ウも示してある。これから楕円熱源温度分布パターン発生直後は、円熱源よりも大きな引張応力が作用するが、円熱源より冷却スピードが速いため、所定時間経過後は円熱源より引張応力が小さくなることもわかる。
これらのことから、最大応力が作用するタイミングで長軸と直交する方向の応力が被割断部材の破壊閾値を超え、一方、長軸方向の応力が被割断部材の破壊閾値以下であるような熱源温度分布パターンが生じるようにパルスレーザを集光照射することで、楕円の長軸方向にのみクラックを生じさせることが可能になる。
また、時間の経過とともに応力は減っていき、初期の、温度が高い状態のとき最も大きな応力が作用するので、クラックを生じる破壊応力が作用し得る限界時間までに楕円プロファイルを有する熱源を形成させておく必要があることが判る。
光源1:下記仕様・性能のモードロックファイバレーザ(米国イムラ社、モデルD1000)
中心波長 :1045nm
ビーム径 :4mm
モード :シングル(ガウシアン)
パルス幅 :700fs
パルスエネルギ:10μJ(最大)
繰り返し周波数:100kHz(最大)
平均パワー :1000mW(最大)
集光レンズ21:顕微鏡用対物レンズ(焦点距離:4mm、開口数:0.65)
集光スポット径:2μm
被割断部材3:サファイア
同時集光スポット数:2
集光スポット中心間隔:2μm
ステージ走査速度:1000mm/s(隣り合う二つの集光スポットの間隔が10μm、図28(a)参照。)
図28(b)は、サファイアを内部加工した透過像である。二つの同時集光スポットから割断方向にきれいにクラックが延びているのがわかる。
<比較例>
上記実施例の加工条件において、同時集光スポット数を1にしたこととステージ走査速度を500mm/s(スポット間隔が5μm、図29(a)参照。)にしたこと以外は、上記実施例と同じ加工条件である。
図29(b)は、サファイアを内部加工した透過像である。集光スポットを繋ぐ方向とは異なる方向(結晶方位)に、割断に寄与しない余分なクラックが発生していることがわかる。
Claims (15)
- 集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工方法であって、
前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の断面集光スポットのうち少なくとも一つの断面集光スポットを前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に形成して所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とするレーザ加工方法。 - 集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工方法であって、
前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成して所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とするレーザ加工方法。 - 集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工方法であって、
前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の断面集光スポットのうち少なくとも一つの断面集光スポットを前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に形成し、
前記所定の深さ位置で深さ方向にも複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成して所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記複数の断面集光スポットを結ぶ図形が三角形である請求項1または3に記載のレーザ加工方法。
- 前記複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が三角形である請求項2または3に記載のレーザ加工方法。
- 前記複数の断面集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に位置させる請求項1または3に記載のレーザ加工方法。
- 前記複数の深さ集光スポットを結ぶ図形が平行四辺形であり、前記平行四辺形の鋭角をなす二つの頂点を前記集光レンズの光軸上に位置させる請求項2または3に記載のレーザ加工方法。
- 前記複数の断面集光スポットの前記断面上での空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成する請求項1、3、4及び6のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記複数の深さ集光スポットの前記割断予定ラインを含む面内の空間位置と該集光スポットのエネルギー密度との組み合わせを用いることで前記所望の形状の前記内部改質領域を形成する請求項2、3、5及び7のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工装置であって、
前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の断面集光スポットのうち少なくとも一つの断面集光スポットを前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に形成する光学系を備え、所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とするレーザ加工装置。 - 集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工装置であって、
前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で深さ方向に複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成する光学系を備え、所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とするレーザ加工装置。 - 集光レンズの光軸を被割断部材の割断予定ラインに沿って相対的に移動させてレーザ光を被割断部材に集光照射することにより、割断の起点となる改質領域を前記被割断部材の内部に前記割断予定ラインに沿うように形成するレーザ加工装置であって、
前記被割断部材の表面から所定の深さ位置で前記集光レンズの光軸と直交し前記表面と平行する断面上の位置に複数の断面集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の断面集光スポットのうち少なくとも一つの断面集光スポットを前記割断予定ラインの前記断面への射影線上に形成し、前記所定の深さ位置で深さ方向にも複数の深さ集光スポットを同時に形成し、その際、前記複数の深さ集光スポットのうち少なくとも一つの深さ集光スポットを前記集光レンズの光軸上に形成する光学系を備え、所望の形状の前記内部改質領域を一つ或いは複数形成することを特徴とするレーザ加工装置。 - 前記光学系はビームスプリッタ、ミラー及び集光レンズを備え、
前記レーザ光を前記ビームスプリッタにより分割し、分割したレーザ光を前記ミラーにより反射させて光軸に対して所定角度θ0を成して前記集光レンズに入射させることにより、前記割断予定ラインに沿うよう複数の断面集光スポットを形成するようにした請求項10に記載のレーザ加工装置。 - 前記光学系は音響光学変調器、グレーティングペア及び集光レンズを備え、
前記レーザ光を前記音響光学変調器により波長シフトした1次光ビームと波長シフトを起こさない0次光ビームを生成し、前記グレーティングペアにより光路差を設けて、前記集光レンズに入射させることにより、前記割断予定ラインに沿うよう複数の断面集光スポットを形成するようにした請求項10に記載のレーザ加工装置。 - 前記光学系はビームスプリッタ、ミラー、リレーレンズ及び集光レンズを備え、
前記レーザ光を前記ビームスプリッタを介して前記集光レンズに入射させると共に、前記ビームスプリッタにより反射させたレーザ光を前記リレーレンズで広がり角αのレーザ光にして前記集光レンズに入射させることにより、深さ方向に複数の深さ集光スポットを形成するようにした請求項11に記載のレーザ加工装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/395,342 US20120223061A1 (en) | 2009-09-10 | 2010-09-01 | Laser processing method and laser processing device |
| CN201080045690.2A CN102574245B (zh) | 2009-09-10 | 2010-09-01 | 激光加工方法以及激光加工装置 |
| EP10815397.4A EP2476505B1 (en) | 2009-09-10 | 2010-09-01 | Laser processing method and laser processing device |
| KR1020127009116A KR101364384B1 (ko) | 2009-09-10 | 2010-09-01 | 레이저 가공 방법 및 레이저 가공 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009208789A JP5446631B2 (ja) | 2009-09-10 | 2009-09-10 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2009-208789 | 2009-09-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2011030802A1 true WO2011030802A1 (ja) | 2011-03-17 |
Family
ID=43732471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2010/065448 Ceased WO2011030802A1 (ja) | 2009-09-10 | 2010-09-01 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120223061A1 (ja) |
| EP (1) | EP2476505B1 (ja) |
| JP (1) | JP5446631B2 (ja) |
| KR (1) | KR101364384B1 (ja) |
| CN (1) | CN102574245B (ja) |
| TW (1) | TWI465309B (ja) |
| WO (1) | WO2011030802A1 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101309805B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2013-09-23 | 주식회사 이오테크닉스 | 인고트 절단 방법 |
| KR101345229B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2013-12-26 | 마이크로 인스펙션 주식회사 | 기판의 절단장치 |
| US20140150953A1 (en) * | 2011-07-25 | 2014-06-05 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Device and method for performing and monitoring a plastic laser transmission welding process |
| US20140251963A1 (en) * | 2011-09-16 | 2014-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining method and laser machining device |
| JP2020069531A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| WO2020090894A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| WO2020090905A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| CN112838053A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 三星电子株式会社 | 基板切割方法和制造半导体器件的方法 |
| JP2022099659A (ja) * | 2020-12-23 | 2022-07-05 | Dgshape株式会社 | 歯冠補綴物の製造方法 |
| CN115302101A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-08 | 厦门通富微电子有限公司 | 晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质 |
| CN117921213A (zh) * | 2024-03-24 | 2024-04-26 | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 | 控制切缝宽度的激光切割方法、装置及计算机设备 |
| US12275091B2 (en) | 2018-10-30 | 2025-04-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing apparatus and laser processing method |
Families Citing this family (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012223783A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Panasonic Corp | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP2013063454A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP5966468B2 (ja) * | 2012-03-15 | 2016-08-10 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置 |
| KR101582632B1 (ko) * | 2012-08-07 | 2016-01-05 | 한국기계연구원 | 프레넬 영역 소자를 이용한 기판 절단 방법 |
| JP6034097B2 (ja) * | 2012-08-28 | 2016-11-30 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| WO2014121261A1 (en) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | Newport Corporation | Method and apparatus for laser cutting transparent and semitransparent substrates |
| JP6161188B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2017-07-12 | 株式会社ブイ・テクノロジー | レーザ加工装置、レーザ加工方法 |
| WO2014156690A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP6062315B2 (ja) * | 2013-04-24 | 2017-01-18 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| FR3007678B1 (fr) | 2013-06-28 | 2015-07-31 | Essilor Int | Procede de fabrication d'une lentille ophtalmique comportant une etape de marquage laser pour realiser des gravures permanentes sur une surface de ladite lentille ophtalmique |
| JP6531885B2 (ja) * | 2013-10-07 | 2019-06-19 | 信越ポリマー株式会社 | 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 |
| KR101511646B1 (ko) * | 2013-12-17 | 2015-04-13 | 주식회사 엘티에스 | 기판 절단장치 |
| US10388098B2 (en) | 2014-02-07 | 2019-08-20 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Apparatus and method of processing anti-counterfeiting pattern, and apparatus and method of detecting anti-counterfeiting pattern |
| KR101659857B1 (ko) * | 2014-02-10 | 2016-09-26 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 가공 방법 및 이를 적용하는 레이저 시스템 |
| EP2965853B2 (en) | 2014-07-09 | 2020-03-25 | High Q Laser GmbH | Processing of material using elongated laser beams |
| EP2974822B1 (en) * | 2014-07-14 | 2017-08-16 | ASM Technology Singapore Pte Ltd. | Method of dicing thin semiconductor substrates |
| CN106471414B (zh) * | 2014-08-28 | 2019-06-07 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 光学镜头 |
| JP5902281B2 (ja) * | 2014-11-19 | 2016-04-13 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | レーザー加工装置 |
| EP3230784A1 (fr) | 2014-12-09 | 2017-10-18 | Bioaxial SAS | Procédé et dispositif de mesure optique |
| WO2016138367A1 (en) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Electro Scientific Industries, Inc. | Fast beam manipulation for cross-axis micromachining |
| CN104801851B (zh) * | 2015-03-31 | 2019-01-18 | 山西南烨立碁光电有限公司 | 硅基led芯片切割方法及其切割用分光器 |
| JP6521711B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2019-05-29 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP6680494B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2020-04-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP6715632B2 (ja) * | 2016-03-23 | 2020-07-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 |
| JP6625928B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2019-12-25 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP6632467B2 (ja) * | 2016-05-18 | 2020-01-22 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 |
| WO2017216603A1 (en) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | Evana Technologies, Uab | Laser processing method and a system for wafer dicing or cutting by use of a multi-segment focusing lens |
| FR3054152B1 (fr) * | 2016-07-25 | 2018-11-09 | Amplitude Systemes | Appareil et procede de decoupe de materiau par faisceau laser allonge non diffractif |
| EP3487656B1 (fr) | 2016-07-25 | 2021-08-11 | Amplitude | Procédé et appareil pour la découpe de matériaux par multi-faisceaux laser femtoseconde |
| FR3054151B1 (fr) * | 2016-07-25 | 2018-07-13 | Amplitude Systemes | Procede et appareil pour la decoupe de materiaux par multi-faisceaux laser femtoseconde |
| CN106271046B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-08-23 | 纳晶科技股份有限公司 | 激光刻蚀方法和装置、衬底电极及电致发光器件 |
| DE102016120244A1 (de) * | 2016-10-24 | 2018-04-26 | Cl Schutzrechtsverwaltungs Gmbh | Vorrichtung zur additiven Herstellung dreidimensionaler Objekte |
| TWI630974B (zh) * | 2016-11-02 | 2018-08-01 | 財團法人工業技術研究院 | 雷射系統及雷射炫彩加工方法 |
| KR20180055293A (ko) * | 2016-11-16 | 2018-05-25 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 가공 장치 및 방법 |
| CN110402179A (zh) * | 2017-03-03 | 2019-11-01 | 古河电气工业株式会社 | 焊接方法及焊接装置 |
| EP3412400A1 (en) * | 2017-06-09 | 2018-12-12 | Bystronic Laser AG | Beam shaper and use thereof, device for laser beam treatment of a workpiece and use thereof, method for laser beam treatment of a workpiece |
| JP7222991B2 (ja) * | 2017-11-29 | 2023-02-15 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子の製造方法 |
| DE102018126381A1 (de) | 2018-02-15 | 2019-08-22 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Einfügen einer Trennlinie in ein transparentes sprödbrüchiges Material, sowie verfahrensgemäß herstellbares, mit einer Trennlinie versehenes Element |
| JP7123652B2 (ja) * | 2018-06-20 | 2022-08-23 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
| JP7184455B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-12-06 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| US10814433B2 (en) * | 2018-11-13 | 2020-10-27 | Vertiled Co. Limited | Laser based system for cutting transparent and semi-transparent substrates |
| CN109536948A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-03-29 | 攀枝花市三圣机械制造有限责任公司 | 一种基于激光熔覆的半导体激光器系统 |
| CN113165109B (zh) * | 2018-12-21 | 2023-06-27 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
| CN109663915B (zh) * | 2018-12-28 | 2024-03-26 | 淮阴工学院 | 一种激光增材制造防裂的方法 |
| JP6712747B2 (ja) * | 2019-05-07 | 2020-06-24 | 信越ポリマー株式会社 | 内部加工層形成単結晶部材の製造方法 |
| JP6712746B2 (ja) * | 2019-05-07 | 2020-06-24 | 信越ポリマー株式会社 | 内部加工層形成単結晶部材およびその製造方法 |
| US20200406363A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Micro-LAM, Inc. | Optomechanical Tooling |
| TWI857094B (zh) * | 2019-07-18 | 2024-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 處理裝置及處理方法 |
| US11011424B2 (en) * | 2019-08-06 | 2021-05-18 | Applied Materials, Inc. | Hybrid wafer dicing approach using a spatially multi-focused laser beam laser scribing process and plasma etch process |
| JP7303080B2 (ja) * | 2019-09-11 | 2023-07-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| DE102019217021A1 (de) * | 2019-11-05 | 2021-05-06 | Photon Energy Gmbh | Laserschneidverfahren und zugehörige Laserschneidvorrichtung |
| JP7418139B2 (ja) * | 2019-12-03 | 2024-01-19 | 株式会社ディスコ | 被加工物の加工方法 |
| JP7386075B2 (ja) * | 2019-12-25 | 2023-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理システム |
| JP7479755B2 (ja) * | 2020-02-25 | 2024-05-09 | 株式会社ディスコ | チップの製造方法 |
| CN113059274A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-07-02 | 武汉帝尔激光科技股份有限公司 | 一种激光加工装置、加工方法和加工设备 |
| DE102021102387A1 (de) | 2021-02-02 | 2022-08-04 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Laserbearbeitung eines Werkstücks |
| US12313856B2 (en) * | 2021-04-08 | 2025-05-27 | Corning Incorporated | Real-time modification of line focus intensity distribution |
| CN112975113B (zh) * | 2021-04-20 | 2021-08-10 | 苏州德龙激光股份有限公司 | 非对称分束激光加工透明材料的装置及其方法 |
| DE102021120648B4 (de) * | 2021-08-09 | 2025-03-13 | Precitec Gmbh & Co. Kg | Optimierung des Schneidprozesses beim Laserschneiden eines Werkstücks |
| CN114406462B (zh) * | 2022-02-18 | 2024-08-13 | 江苏星链激光科技有限责任公司 | 一种激光焊接系统及其光斑轨迹控制方法 |
| DE102022114637A1 (de) | 2022-06-10 | 2023-12-21 | Trumpf Laser Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Verarbeiten mindestens eines Teilbereichs eines Schichtsystems |
| CN114879295B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-12-29 | 清华大学 | 一种二维光栅加工方法与二维光栅 |
| DE102023121144A1 (de) | 2023-08-08 | 2025-02-13 | Trumpf Laser Gmbh | Verfahren zum Trennen eines transparenten Werkstücks |
| CN119658175B (zh) * | 2025-02-20 | 2025-05-13 | 中国科学技术大学 | 适用于透明材料弧形边缘激光切割的光场生成方法、装置及设备 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111946A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング装置及びダイシング方法 |
| JP2005271563A (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Daitron Technology Co Ltd | 硬脆材料板体の分割加工方法及び装置 |
| JP2006167804A (ja) | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Canon Inc | レーザ割断方法およびレーザ割断装置 |
| JP2006187783A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| JP2007142000A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| JP2008080346A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sony Corp | レーザ加工装置及び加工方法 |
| JP2009021597A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多重ビームレーザー装置 |
| JP2009125777A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工装置 |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08108289A (ja) * | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ加工用光学装置 |
| US5883357A (en) * | 1996-03-25 | 1999-03-16 | Case Western Reserve University | Selective vacuum gripper |
| JPH10242617A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Murata Mfg Co Ltd | セラミックグリーンシートの加工方法及びレーザ加工装置 |
| US6191382B1 (en) * | 1998-04-02 | 2001-02-20 | Avery Dennison Corporation | Dynamic laser cutting apparatus |
| US6413839B1 (en) * | 1998-10-23 | 2002-07-02 | Emcore Corporation | Semiconductor device separation using a patterned laser projection |
| JP4659300B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
| US6676878B2 (en) * | 2001-01-31 | 2004-01-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Laser segmented cutting |
| WO2002090036A1 (en) * | 2001-05-10 | 2002-11-14 | Vanderbilt University | Method and apparatus for laser ablative modification of dielectric surfaces |
| JP2003200279A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-07-15 | Seiko Epson Corp | 基板の電気配線切断方法及びその装置、並びに電子デバイスの製造方法及びその装置 |
| US6720519B2 (en) * | 2001-11-30 | 2004-04-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System and method of laser drilling |
| WO2003076119A1 (fr) * | 2002-03-12 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procede de decoupe d'objet traite |
| US7605344B2 (en) * | 2003-07-18 | 2009-10-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method, laser beam machining apparatus, and laser beam machining product |
| WO2005008474A1 (en) * | 2003-07-23 | 2005-01-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device and method for composing codes |
| JP2005086175A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜、半導体薄膜チップ、電子管、及び光検出素子 |
| JP4471627B2 (ja) * | 2003-11-06 | 2010-06-02 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| JPWO2005084874A1 (ja) * | 2004-03-05 | 2008-01-17 | オリンパス株式会社 | レーザ加工装置 |
| JP4716663B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2011-07-06 | 株式会社リコー | レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び該加工装置又は加工方法により作製された構造体 |
| CA2479986A1 (fr) * | 2004-09-14 | 2006-03-14 | Vincent F. Treanton | Fabrication de guides d`onde optique par ablation laser |
| JP2006123228A (ja) * | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工方法およびレーザ加工装置 |
| US8093530B2 (en) * | 2004-11-19 | 2012-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Laser cutting apparatus and laser cutting method |
| US7508853B2 (en) * | 2004-12-07 | 2009-03-24 | Imra, America, Inc. | Yb: and Nd: mode-locked oscillators and fiber systems incorporated in solid-state short pulse laser systems |
| US20070196048A1 (en) * | 2006-01-12 | 2007-08-23 | Almantas Galvanauskas | Optical waveform shaping |
| CN101121220A (zh) * | 2006-08-11 | 2008-02-13 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 脆性材料基板切割方法 |
| US7674999B2 (en) * | 2006-08-23 | 2010-03-09 | Applied Materials, Inc. | Fast axis beam profile shaping by collimation lenslets for high power laser diode based annealing system |
| KR100899659B1 (ko) * | 2006-12-01 | 2009-05-27 | 한국전자통신연구원 | 패킷 스케줄러 및 패킷 스케줄링 방법 |
| JP5103054B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-12-19 | サイバーレーザー株式会社 | レーザによる加工方法およびレーザ加工装置 |
| WO2009084489A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
-
2009
- 2009-09-10 JP JP2009208789A patent/JP5446631B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-01 WO PCT/JP2010/065448 patent/WO2011030802A1/ja not_active Ceased
- 2010-09-01 EP EP10815397.4A patent/EP2476505B1/en not_active Not-in-force
- 2010-09-01 CN CN201080045690.2A patent/CN102574245B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-01 KR KR1020127009116A patent/KR101364384B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2010-09-01 US US13/395,342 patent/US20120223061A1/en not_active Abandoned
- 2010-09-09 TW TW099130502A patent/TWI465309B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004111946A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-04-08 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング装置及びダイシング方法 |
| JP2005271563A (ja) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Daitron Technology Co Ltd | 硬脆材料板体の分割加工方法及び装置 |
| JP2006167804A (ja) | 2004-11-19 | 2006-06-29 | Canon Inc | レーザ割断方法およびレーザ割断装置 |
| JP2006187783A (ja) * | 2005-01-05 | 2006-07-20 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザー加工装置 |
| JP2007142000A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-07 | Denso Corp | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
| JP2008080346A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Sony Corp | レーザ加工装置及び加工方法 |
| JP2009021597A (ja) * | 2007-07-10 | 2009-01-29 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 多重ビームレーザー装置 |
| JP2009125777A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Hitachi Via Mechanics Ltd | レーザ加工装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| See also references of EP2476505A4 * |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140150953A1 (en) * | 2011-07-25 | 2014-06-05 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Device and method for performing and monitoring a plastic laser transmission welding process |
| US9610729B2 (en) * | 2011-07-25 | 2017-04-04 | Lpkf Laser & Electronics Ag | Device and method for performing and monitoring a plastic laser transmission welding process |
| US20140251963A1 (en) * | 2011-09-16 | 2014-09-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining method and laser machining device |
| US9821408B2 (en) * | 2011-09-16 | 2017-11-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining method and laser machining device |
| KR101309805B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2013-09-23 | 주식회사 이오테크닉스 | 인고트 절단 방법 |
| KR101345229B1 (ko) * | 2012-03-02 | 2013-12-26 | 마이크로 인스펙션 주식회사 | 기판의 절단장치 |
| US11833611B2 (en) | 2018-10-30 | 2023-12-05 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser machining device |
| US11897056B2 (en) | 2018-10-30 | 2024-02-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing device and laser processing method |
| WO2020090894A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| WO2020090905A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| US12275091B2 (en) | 2018-10-30 | 2025-04-15 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing apparatus and laser processing method |
| TWI861024B (zh) * | 2018-10-30 | 2024-11-11 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 雷射加工裝置及雷射加工方法 |
| JP7120904B2 (ja) | 2018-10-30 | 2022-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP7120903B2 (ja) | 2018-10-30 | 2022-08-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| TWI837205B (zh) * | 2018-10-30 | 2024-04-01 | 日商濱松赫德尼古斯股份有限公司 | 雷射加工裝置及雷射加工方法 |
| JP2020069531A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| JP2020069530A (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
| CN112838053A (zh) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | 三星电子株式会社 | 基板切割方法和制造半导体器件的方法 |
| JP2022099659A (ja) * | 2020-12-23 | 2022-07-05 | Dgshape株式会社 | 歯冠補綴物の製造方法 |
| CN115302101A (zh) * | 2022-08-31 | 2022-11-08 | 厦门通富微电子有限公司 | 晶圆切割方法及装置、电子设备、存储介质 |
| CN117921213A (zh) * | 2024-03-24 | 2024-04-26 | 成都沃特塞恩电子技术有限公司 | 控制切缝宽度的激光切割方法、装置及计算机设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011056544A (ja) | 2011-03-24 |
| EP2476505A1 (en) | 2012-07-18 |
| TWI465309B (zh) | 2014-12-21 |
| JP5446631B2 (ja) | 2014-03-19 |
| TW201134592A (en) | 2011-10-16 |
| US20120223061A1 (en) | 2012-09-06 |
| EP2476505B1 (en) | 2016-11-16 |
| CN102574245B (zh) | 2014-11-12 |
| KR20120050521A (ko) | 2012-05-18 |
| CN102574245A (zh) | 2012-07-11 |
| EP2476505A4 (en) | 2012-07-18 |
| KR101364384B1 (ko) | 2014-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5446631B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
| JP7495471B2 (ja) | 透明な脆性材料に分割線を挿入するための方法および装置、ならびに本方法によって製造可能な、分割線が設けられた要素 | |
| CN107073655B (zh) | 基于激光加工平面晶体衬底的方法和设备 | |
| JP7188886B2 (ja) | 加工装置 | |
| KR101167236B1 (ko) | 레이저 스크라이브 가공 방법 | |
| US20190217420A1 (en) | Laser processing method and a system for wafer dicing or cutting by use of a multi-segment focusing lens | |
| JP2007245173A (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
| WO2018011618A1 (en) | Method and system for cleaving a substrate with a focused converging ring-shaped laser beam | |
| JP2006263819A (ja) | 非対称の放射線密度分布を有するレーザによる脆性材料を分断するための方法 | |
| JP2025186461A (ja) | ワークピースをレーザ加工するための装置及び方法 | |
| JP4736633B2 (ja) | レーザ照射装置 | |
| CN118043161A (zh) | 用于加工工件的装置和方法 | |
| CN117794874A (zh) | 用于激光加工工件的方法和设备 | |
| JP2004223796A (ja) | 脆性材料の割断加工方法 | |
| JP2014013833A (ja) | レーザ光整形装置およびレーザ光整形方法ならびにレーザ処理装置およびレーザ処理方法 | |
| JP7644828B2 (ja) | ワークピースをレーザ加工するための装置及び方法 | |
| JP5106130B2 (ja) | レーザビーム照射方法およびレーザビーム照射装置 | |
| KR101271104B1 (ko) | 다중 빔 사이에서 발생되는 v-형상의 미세-크랙을 이용한 레이저 스크라이빙 장치 및 레이저 스크라이빙 방법 | |
| JP7634683B2 (ja) | 材料を分離して面取りするデバイス及び方法 | |
| JP7634684B2 (ja) | 材料を分離するためのデバイス及び方法 | |
| CN109773330B (zh) | 基于匀化装置的激光输出系统及计算方法 | |
| JP2025537283A (ja) | ワークピースをレーザ加工するための方法及びデバイス | |
| CN116867598A (zh) | 用于激光加工工件的设备和方法 | |
| JP2025537758A (ja) | ワークピースを分離するための方法及びレーザシステム | |
| JP2008100412A (ja) | レーザ割断方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201080045690.2 Country of ref document: CN |
|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 10815397 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| REEP | Request for entry into the european phase |
Ref document number: 2010815397 Country of ref document: EP |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2010815397 Country of ref document: EP |
|
| ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20127009116 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
| WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13395342 Country of ref document: US |