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WO2011077773A1 - 分波器 - Google Patents

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WO2011077773A1
WO2011077773A1 PCT/JP2010/060724 JP2010060724W WO2011077773A1 WO 2011077773 A1 WO2011077773 A1 WO 2011077773A1 JP 2010060724 W JP2010060724 W JP 2010060724W WO 2011077773 A1 WO2011077773 A1 WO 2011077773A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
wave filter
electrode
longitudinally coupled
acoustic wave
coupled resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2010/060724
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English (en)
French (fr)
Inventor
高田　俊明
清水　康宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2010549953A priority Critical patent/JP5170262B2/ja
Publication of WO2011077773A1 publication Critical patent/WO2011077773A1/ja
Priority to US13/487,432 priority patent/US8416036B2/en
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    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders or supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H9/0023—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output
    • H03H9/0028—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0085—Networks for transforming balanced signals into unbalanced signals and vice versa, e.g. baluns, or networks having balanced input and output using surface acoustic wave devices having four acoustic tracks
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    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes
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    • H03H9/46—Filters
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    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to a duplexer.
  • the present invention is connected between the ladder-type elastic wave filter unit connected between the antenna terminal and the transmission-side signal terminal, and between the antenna terminal and the first and second reception-side balanced signal terminals.
  • the present invention relates to a duplexer including a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit having a balanced-unbalanced conversion function.
  • Patent Document 1 a ladder-type elastic wave filter having high power durability is used as a transmission-side filter, and a longitudinally coupled resonator-type elastic wave having a balance-unbalance conversion function is used as a reception-side filter.
  • a duplexer using a filter is described.
  • a duplexer using a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter having a balanced-unbalanced conversion function as a receiving filter or a transmitting filter (hereinafter referred to as “balanced duplexer”). Therefore, it is required that the balance between the first and second balanced signal terminals is good. For this reason, it is necessary to arrange IDT electrodes, wirings, and the like so that the balance between the first and second balanced signal terminals is good, and the balance duplexer has a large restriction on the electrode structure. Therefore, it is difficult to reduce the size of the balanced duplexer.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a duplexer including a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit having a balanced-unbalanced conversion function, which has good balance. It is to provide a small duplexer.
  • the duplexer according to the present invention is a duplexer having an antenna terminal, a transmission-side signal terminal, and first and second reception-side balanced signal terminals.
  • a duplexer according to the present invention includes a wiring board, a ladder type acoustic wave filter chip, and a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip.
  • the wiring board has first and second main surfaces.
  • the ladder type acoustic wave filter chip is mounted on the first main surface of the wiring board.
  • the ladder-type elastic wave filter chip includes a piezoelectric substrate and a ladder-type elastic wave filter unit.
  • the ladder type elastic wave filter part is formed on the piezoelectric substrate.
  • the ladder-type elastic wave filter unit is connected between the antenna terminal and the transmission-side signal terminal.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is mounted on the first main surface of the wiring board.
  • the wiring board has an antenna-side back electrode and a first wiring.
  • the antenna-side back electrode is formed on the second main surface.
  • the antenna-side back electrode is connected to the antenna terminal.
  • the first wiring is connected to the antenna-side back electrode.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip includes a piezoelectric substrate, a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit, an antenna-side electrode pad, and a second wiring.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit is formed on a piezoelectric substrate.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit is connected between the antenna terminal and the first and second reception-side balanced signal terminals.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit has a balance-unbalance conversion function.
  • the antenna side electrode pad is formed on the piezoelectric substrate.
  • the antenna-side electrode pad is connected to the antenna-side back electrode through the first wiring.
  • the second wiring is formed on the piezoelectric substrate. The second wiring connects the antenna-side electrode pad and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit includes a first functional electrode unit and a second functional electrode unit.
  • the first functional electrode portion is connected between the second wiring and the first reception-side balanced signal terminal.
  • the second functional electrode portion is connected between the second wiring and the second reception-side balanced signal terminal.
  • the second wiring extends along the first direction.
  • the first functional electrode portion and the second functional electrode portion are arranged symmetrically with respect to the central axis along the first direction of the second wiring.
  • the ladder-type elastic wave filter chip has an elongated shape whose longitudinal direction is parallel to a second direction perpendicular to the first direction.
  • the “functional electrode portion” refers to an electrode portion involved in the propagation of elastic waves.
  • the “first wiring” refers to a portion extending in the in-plane direction among the electrodes connecting the antenna-side back electrode and the antenna-side electrode pad. That is, of the electrodes connecting the antenna-side back electrode and the antenna-side electrode pad, the via-hole electrode extending in the normal direction is not included in the first wiring.
  • the antenna-side electrode pad is provided at a position different from the antenna-side back electrode in plan view.
  • the first wiring is formed inside the wiring board or on the second main surface of the wiring board. According to this configuration, it is possible to suppress the occurrence of electromagnetic field coupling between the first wiring and the first or second functional electrode portion. Therefore, more excellent balance and isolation characteristics can be realized. Further, the accuracy required for the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is low, and a duplexer can be manufactured at a high yield rate.
  • the first wiring overlaps at least one of the first and second functional electrode portions in the first direction.
  • the first functional electrode unit includes a plurality of IDT electrodes provided along an elastic wave propagation direction parallel to the first direction.
  • a second longitudinally coupled resonator type having a longitudinally coupled resonator type filter part, and the second functional electrode part having a plurality of IDT electrodes provided along an elastic wave propagation direction parallel to the first direction.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit and the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit are arranged along the second direction. According to this configuration, the duplexer can be further downsized.
  • the first functional electrode unit is between the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit and the first reception-side balanced signal terminal.
  • the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit further includes a third longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit, and the second functional electrode unit includes a second longitudinally coupled resonator.
  • a fourth longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit cascaded to the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit between the second type acoustic wave filter unit and the second reception-side balanced signal terminal Furthermore, the first to fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units are arranged along the second direction.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections are arranged along the elastic wave propagation direction parallel to the second direction.
  • IDT electrodes, and at least part of the first functional electrode part is composed of the first and second IDT electrodes and part of the third IDT electrode. At least a part is constituted by the fourth and fifth IDT electrodes and the remaining part of the third IDT electrode.
  • the piezoelectric substrate of the ladder type filter and the piezoelectric substrate of the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter are integrally formed.
  • the ladder type filter unit and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit use a surface acoustic filter unit that uses a surface acoustic wave or a boundary acoustic wave. It is a boundary acoustic wave filter part.
  • the first functional electrode portion and the second functional electrode portion are arranged in the first direction of the second wiring connecting the antenna side electrode pad and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portion. It is arranged in line symmetry with respect to the central axis along. For this reason, a difference in parasitic capacitance that deteriorates the balance is unlikely to occur between the second wiring and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit.
  • the electrode structure has a special structure. Not restricted. Therefore, an electrode structure advantageous for miniaturization can be adopted. Therefore, according to the present invention, it is possible to achieve both a good balance and a reduction in size.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of the duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan perspective view of the ladder-type elastic wave filter chip in the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic plan perspective view of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the first substrate layer in the first embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the second substrate layer in the first embodiment.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of a third substrate layer in the first embodiment.
  • FIG. 8 is a schematic plan perspective view of the third substrate layer in the first embodiment.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of the duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan perspective view of the ladder-type elastic wave filter chip in the
  • FIG. 9 is a schematic plan view of the second substrate layer in the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a third substrate layer in the second embodiment.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of the first substrate layer in the third embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of the second substrate layer in the third embodiment.
  • FIG. 13 is a graph showing the isolation characteristics of the duplexer according to the first embodiment.
  • a graph indicated by a solid line represents an isolation characteristic when a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is mounted at a designed position.
  • a graph indicated by a dashed line represents an isolation characteristic when the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is shifted by 50 ⁇ m to the x2 side in the first direction.
  • a graph indicated by a dotted line represents an isolation characteristic when the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is shifted by 50 ⁇ m to the x1 side in the first direction.
  • FIG. 14 is a graph showing the isolation characteristics of the duplexer according to the second embodiment.
  • a graph indicated by a solid line represents an isolation characteristic when a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is mounted at a designed position.
  • a graph indicated by a dashed line represents an isolation characteristic when the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is shifted by 50 ⁇ m to the x2 side in the first direction.
  • a graph indicated by a dotted line represents an isolation characteristic when the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is shifted by 50 ⁇ m to the x1 side in the first direction.
  • FIG. 15 is a graph showing the isolation characteristics of the duplexer according to the third embodiment.
  • a graph indicated by a solid line represents an isolation characteristic when a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is mounted at a designed position.
  • a graph indicated by a dashed line represents an isolation characteristic when the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip is shifted by 50 ⁇ m to the x2 side in the first direction.
  • FIG. 16 is an equivalent circuit diagram of the duplexer according to the first modification.
  • FIG. 17 is a schematic cross-sectional view of a surface acoustic wave filter unit.
  • FIG. 18 is a schematic cross-sectional view of the boundary acoustic wave filter unit.
  • FIG. 19 is a schematic plan perspective view of a filter chip in the second modification.
  • duplexer 1 shown in FIG. 1 as an example.
  • the duplexer 1 is merely an example.
  • the duplexer according to the present invention is not limited to the duplexer 1.
  • the duplexer according to the present invention may be, for example, a duplexer other than the duplexer 1 or a triplexer.
  • the duplexer 1 of the present embodiment has a UMTS in which the pass band (Tx) of the transmission side filter is 880 to 915 MHz and the pass band (Rx) of the reception side filter is 925 to 960 MHz. It is a BAND8 duplexer.
  • the antenna matching circuit is provided separately from the duplexer 1.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic plan view of a ladder-type elastic wave filter chip according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic plan view of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip in the first embodiment.
  • the IDT electrode is schematically described by a rectangle or a rectangle with a diagonal line drawn. Further, in FIG. 2 and FIG. 16, drawing of the reflector is omitted.
  • the duplexer 1 includes a wiring board 10, a ladder type elastic wave filter chip 40, and a longitudinally coupled resonator type elastic wave filter chip 60.
  • the wiring board 10 has a first main surface 10a constituting a die attach surface and a second main surface 10b (see FIG. 8).
  • the ladder-type elastic wave filter chip 40 and the longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter chip 60 are mounted face-down on the first main surface 10a of the wiring board 10 via bump electrodes made of solder, Au, or the like. ing.
  • the ladder-type elastic wave filter chip 40 is provided with a ladder-type elastic wave filter unit 41.
  • the ladder-type elastic wave filter unit 41 constitutes a transmission-side filter unit. As shown in FIG. 2, the ladder-type elastic wave filter unit 41 is connected between the antenna terminal 11 and the transmission-side signal terminal 12.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is provided with a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61 constitutes a reception-side filter unit.
  • the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 61 is a so-called balanced type elastic wave filter unit having a balance-unbalance conversion function.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61 is connected between the antenna terminal 11 and the first and second reception-side balanced signal terminals 13a and 13b.
  • the inductor 14 is connected between the connection point between the ladder type elastic wave filter unit 41 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 61 and the antenna terminal 11 and the ground potential. Is connected.
  • the inductor 14 is an antenna matching antenna.
  • the ladder-type elastic wave filter chip 40 is formed in an elongated shape whose longitudinal direction is parallel to the second direction y. Specifically, the ladder-type acoustic wave filter chip 40 is formed in a rectangular shape whose longitudinal direction is parallel to the second direction y.
  • the ladder-type elastic wave filter chip 40 includes a piezoelectric substrate 42.
  • a ladder type acoustic wave filter unit 41 is formed on the piezoelectric substrate 42.
  • the ladder-type elastic wave filter unit 41 is seen through from the back side of the piezoelectric substrate 42.
  • the ladder-type elastic wave filter unit 41 is formed with a plurality of series arm resonators 43a to 43h.
  • the plurality of series arm resonators 43 a to 43 h are connected in series between the antenna terminal 11 and the transmission side signal terminal 12, and constitute a series arm 44. As shown in FIG.
  • one end of the series arm 44 is connected to the bump electrode 45 formed on the piezoelectric substrate 42, and the other end of the series arm 44 is connected to the bump electrode 46.
  • the bump electrode 45 is connected to the antenna terminal 11 via the wiring substrate 10 as will be described in detail later.
  • the bump electrode 46 is connected to the transmission-side signal terminal 12 through the wiring substrate 10.
  • an inductor 49c is connected in parallel to the series arm resonators 43g and 43h.
  • the inductor 49c is formed on the wiring board 10, and the series arm resonators 43g and 43h are connected to the inductor 49c via bump electrodes 46 and 50d shown in FIG.
  • parallel arm resonators 47a to 47c constituting parallel arms 48a to 48c are connected between the series arm 44 and the ground potential, respectively.
  • the parallel arm resonator 47a is connected to a bump electrode 50a formed on the piezoelectric substrate 42, and the bump electrode 50a is connected to the ground potential via the wiring substrate 10 as will be described later.
  • the parallel arm resonator 47b is connected to a bump electrode 50b formed on the piezoelectric substrate 42, and the bump electrode 50b is connected to the ground potential via the wiring substrate 10 as will be described later.
  • the parallel arm resonator 47c is connected to a bump electrode 50c formed on the piezoelectric substrate 42, and the bump electrode 50c is connected to the ground potential via the wiring substrate 10 as described later.
  • An inductor 49a is connected between the connection point between the parallel arm resonator 47a and the parallel arm resonator 47b and the ground potential.
  • An inductor 49b is connected between the parallel arm resonator 47c and the ground potential.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is formed in an elongated shape whose longitudinal direction is parallel to the second direction y. Specifically, the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is formed in a rectangular shape whose longitudinal direction is parallel to the second direction y.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 includes a piezoelectric substrate 62, a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61, an antenna-side electrode pad 63, a second wiring 64, And electrode pads 65 and 66.
  • Each of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61, the antenna-side electrode pad 63, the second wiring 64, and the electrode pads 65 and 66 is formed on the piezoelectric substrate 62.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61, the antenna-side electrode pad 63, the second wiring 64, and the electrode pads 65 and 66 are seen through from the back side of the piezoelectric substrate 62.
  • the second wiring 64 connects the antenna-side electrode pad 63 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61.
  • the antenna-side electrode pad 63 is a central portion of the piezoelectric substrate 62 in the second direction y, and is an end of the piezoelectric substrate 62 in the first direction x on the ladder-type elastic wave filter chip 40 side.
  • the antenna-side electrode pad 63 is connected to the antenna-side back surface electrode 17s via the first wiring 18 formed on the wiring board 10.
  • the electrode pad 65 is located at one end of the piezoelectric substrate 62 in the second direction y, while the electrode pad 66 is located at the other end of the piezoelectric substrate 62 in the second direction y. .
  • Each of the electrode pads 65 and 66 is located at the end of the piezoelectric substrate 62 opposite to the ladder-type elastic wave filter chip 40 in the first direction x.
  • the electrode pad 65 is connected to the first reception-side balanced signal terminal 13a via the wiring board 10.
  • the electrode pad 66 is connected to the second reception-side balanced signal terminal 13b through the wiring board 10.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61 includes first and second functional electrode units 67 and 68.
  • the first functional electrode portion 67 is connected between the second wiring 64 and the electrode pad 65.
  • the second functional electrode portion 68 is connected between the second wiring 64 and the electrode pad 66.
  • the first and second functional electrode portions 67 and 68 are configured by electrode portions that are involved in the propagation of elastic waves in the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter portion 61.
  • the first and second functional electrode portions 67 and 68 are configured by IDT electrodes and reflectors that constitute the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61.
  • the first functional electrode unit 67 includes first and third longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 69 and 71 and an acoustic wave resonator 73 as a series trap.
  • the acoustic wave resonator 73 is connected between the second wiring 64 and the first longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 69.
  • the first and third longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections 69 and 71 are cascade-connected between the second wiring 64 and the first reception side balanced signal terminal 13a.
  • Each of the first and third longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter units 69 and 71 includes three IDT electrodes arranged along a first direction x that is an elastic wave propagation direction, and the three IDT electrodes. Is provided with a pair of reflectors disposed on both sides in the first direction x.
  • the second functional electrode unit 68 includes second and fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 70 and 72 and an acoustic wave resonator 74 as a series trap.
  • the acoustic wave resonator 74 is connected between the second wiring 64 and the second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 70.
  • the second and fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections 70 and 72 are cascade-connected between the second wiring 64 and the second reception side balanced signal terminal 13b.
  • Each of the second and fourth longitudinally coupled resonator-type elastic wave filter units 70 and 72 includes three IDT electrodes arranged along a first direction x that is an elastic wave propagation direction, and the three IDT electrodes. Is provided with a pair of reflectors disposed on both sides in the first direction x.
  • the first functional electrode portion 67 and the second functional electrode portion 68 are arranged on the central axis C along the first direction x of the second wiring 64 extending along the first direction x. On the other hand, they are provided in line symmetry.
  • the first to fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter sections 69 to 72 are arranged along the second direction y.
  • the electrode pads 75 to 77 formed on the piezoelectric substrate 62 are ground electrode pads that are connected to the ground potential via the wiring substrate 10. Bump electrodes 63a, 65a, 66a, and 75a to 77a are provided on the electrode pads 63, 65, 66, and 75 to 77, respectively.
  • the material of the piezoelectric substrates 42 and 62 is not particularly limited.
  • the piezoelectric substrates 42 and 62 can be composed of, for example, a LiNbO 3 substrate, a LiTaO 3 substrate, or the like.
  • the material of various electrodes, such as an elastic resonator, an IDT electrode, a reflector, and wiring, is not specifically limited.
  • the electrode can be formed of a conductive material such as a metal such as Al, Pt, Au, Ag, Cu, Ti, Ni, Cr, and Pd, or an alloy containing one or more of these metals.
  • the electrode may be formed of a conductive film stack in which a plurality of conductive films are stacked.
  • the ladder type elastic wave filter unit 41 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 61 may be a surface acoustic wave filter unit using a surface acoustic wave.
  • the surface acoustic wave filter unit 80 includes a piezoelectric body 81 and an IDT electrode 82 formed on the piezoelectric body 81.
  • the ladder type elastic wave filter unit 41 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter unit 61 may be a boundary acoustic wave filter unit using a boundary acoustic wave. As shown in FIG.
  • the boundary acoustic wave filter unit 83 includes a piezoelectric body 84, a first medium 85 made of SiN or the like formed on the piezoelectric body 84, a first medium 85, and the piezoelectric body 84. And a second medium 86 made of SiO 2 or the like formed between the two. An IDT electrode 87 is formed between the piezoelectric body 84 and the second medium 86.
  • the wiring board 10 of this embodiment includes three substrate layers 15 (see FIG. 5), 16 (see FIG. 6), and 17 (see FIGS. 7 and 8) that are integrally fired by a ceramic integrated firing technique. It is comprised by.
  • FIG. 5 is a schematic plan view of the first substrate layer.
  • FIG. 6 is a schematic plan view of the second substrate layer.
  • FIG. 7 is a schematic plan view of the first main surface side of the third substrate layer.
  • FIG. 8 is a schematic plan perspective view in which the second main surface side is seen through from the first main surface side of the third substrate layer for convenience.
  • the first substrate layer 15 includes a main surface 15A.
  • the main surface 15 ⁇ / b> A constitutes the first main surface 10 a of the wiring board 10.
  • an electrode 15a connected to the bump electrode 45 shown in FIG. 3 is formed on the main surface 15A.
  • the electrode 15a is connected to an electrode 16a (see FIG. 6) formed on the main surface 16A of the second substrate layer 16 by a via hole electrode 15b penetrating the first substrate layer 15.
  • the electrode 16a is connected to an electrode 17e (see FIG. 7) formed on the first main surface 17A of the third substrate layer 17 by a via hole electrode 16b penetrating the second substrate layer 16.
  • the electrode 17e is an antenna-side back electrode 17s (see FIG. 8) formed on the second main surface 17B of the third substrate layer 17 by a via-hole electrode 17n penetrating the third substrate layer 17. )It is connected to the.
  • This antenna-side back electrode 17s constitutes the antenna terminal 11 shown in FIG.
  • an electrode 15g connected to the bump electrode 46 shown in FIG. 3 is formed on the main surface 15A.
  • the electrode 15g is connected to an electrode 16g (see FIG. 6) formed on the main surface 16A of the second substrate layer 16 by a via-hole electrode 15h penetrating the first substrate layer 15.
  • the electrode 16g is a transmission-side signal output electrode 17t (on the second main surface 17B of the third substrate layer 17 via the via-hole electrode 16h, the electrode 17g (see FIG. 7), and the via-hole electrode 17m ( (See FIG. 8).
  • the transmission side signal output electrode 17t constitutes the transmission side signal terminal 12 shown in FIG.
  • an electrode 15e connected to the bump electrodes 50a and 50b and an electrode 15c connected to the bump electrode 50c are formed on the main surface 15A of the first substrate layer 15.
  • the electrodes 15e and 15c are formed on the second main surface via the via hole electrodes 15f and 15d, the electrodes 16e and 16c (see FIG. 6), the via hole electrodes 16d and 16f, the electrode 17h (see FIG. 7), and the via hole electrode 17l. It is connected to a ground electrode 17w (see FIG. 8) formed on 17B.
  • the ground electrode 17w is connected to the ground potential.
  • an electrode 15k connected to the bump electrode 50e is formed on the main surface 15A of the first substrate layer 15.
  • This electrode 15k is also connected to the ground electrode 17w shown in FIG. 8 via the via-hole electrodes 15l1 to 15l3, the electrode 16k, the via-hole electrodes 16l1 and 16l2 (see FIG. 6), and the electrodes 17f, 17o, and 17p (see FIG. 7). It is connected.
  • the electrode 15i formed on the main surface 15A of the first substrate layer 15 and connected to the bump electrode 50d is connected to the electrode 16i shown in FIG. 6 via the via-hole electrode 15j. It is connected to the.
  • the electrode 16i is formed in a spiral shape and constitutes an inductor 49c shown in FIG.
  • the electrode 16i is connected to the electrode 17g shown in FIG. 7 through the via-hole electrode 16j. As described above, the electrode 17g is connected to the transmission-side signal output electrode 17t shown in FIG.
  • an electrode 15m connected to the antenna side electrode pad 63 via the bump electrode 63a is formed on the main surface 15A of the first substrate layer 15.
  • the electrode 15m is connected to an electrode 16m formed on the main surface 16A of the second substrate layer 16 through a via hole electrode 15n penetrating the first substrate layer 15.
  • the electrode 16m is connected to an electrode 17e (see FIG. 7) formed on the first main surface 17A of the third substrate layer 17 through a via-hole electrode 16n penetrating the second substrate layer 16. It is connected.
  • the electrode 17e is connected to the antenna-side back electrode 17s shown in FIG. 8 via the via-hole electrode 17n.
  • the antenna-side back electrode 17s and the antenna-side electrode pad 63 are composed of the electrode 15m, the via-hole electrode 15n, the electrode 16m, the via-hole electrode 16n, the electrode 17e, and the via-hole electrode 17n. It is connected.
  • the 1st wiring 18 is comprised by the electrode 17e extended in the surface direction.
  • the first wiring 18 is formed inside the wiring substrate 10 in this embodiment.
  • the first wiring 18 may be formed on the second main surface 10b of the wiring substrate 10 (the second main surface 17B of the third substrate layer 17), or the first wiring 18 of the wiring substrate 10 may be formed. It may be formed on one main surface 10a.
  • the first wiring 18 overlaps at least one of the first and second functional electrode portions 67 and 68 in the first direction x. ing. Specifically, the first wiring 18 does not overlap the first functional electrode portion 67 in the first direction x, but overlaps the second functional electrode portion 68 in the first direction x. Yes.
  • the antenna-side back electrode 17s shown in FIG. 8 and the antenna-side electrode pad 63 shown in FIG. 4 are provided at different positions in plan view.
  • the electrode 15o shown in FIG. 5 is connected to the electrode pad 66 shown in FIG. 4 via a bump electrode 66a.
  • the electrode 15o is connected to the ground electrode 17u shown in FIG. 8 via the via hole electrode 15p, the electrode 16o, the via hole electrode 16p (see FIG. 6), the electrode 17c and the via hole electrode 17j (see FIG. 7).
  • the ground electrode 17u is connected to the ground potential.
  • the electrode 15q shown in FIG. 5 is connected to the electrode pad 65 shown in FIG. 4 via a bump electrode 65a.
  • the electrode 15q is connected to the ground electrode 17v shown in FIG. 8 via the via hole electrode 15r, the electrode 16q, the via hole electrode 16r (see FIG. 6), the electrode 17i, and the via hole electrode 17j (see FIG. 7).
  • the ground electrode 17v is connected to the ground potential.
  • the electrodes 15u, 15s, 15w (see FIG. 5) connected to the electrode pads 75-77 shown in FIG. 4 via the bump electrodes 75a-77a are shown in FIG. 6 via the via-hole electrodes 15v, 15t, 15x. It is connected to the electrode 16s shown.
  • the electrode 16s is connected to the electrode 17b or the electrode 17d shown in FIG. 7 via the via-hole electrodes 16t1 to 16t4.
  • the electrode 17b is connected to the ground electrode 17w via the via-hole electrode 17k, and the electrode 17d is connected to the ground electrode 17w via the via-hole electrodes 17q and 17r.
  • FIG. 9 is a schematic plan view of the second substrate layer in the second embodiment.
  • FIG. 10 is a schematic plan view of a third substrate layer in the second embodiment.
  • the second embodiment has the same configuration as that of the first embodiment except for the routing of the first wiring 18.
  • the configuration of the first substrate layer 15 and the electrode structure on the second main surface 17B of the third substrate layer 17 are the same as those in the first embodiment.
  • FIGS. 1 to 5 and FIG. 8 are referred to in common with the first embodiment.
  • the electrode 16a and the electrode 16m are connected.
  • the electrode 16a and the electrode 16m are commonly connected to the electrode 17e shown in FIG. 10 via the via-hole electrode 16b. Therefore, in the present embodiment, the first wiring 18 is constituted by the electrodes 16a and 16m. Accordingly, in the first embodiment, the first wiring 18 is formed on the first main surface 17A of the third substrate layer 17, whereas in the second embodiment, the first wiring 18 is formed on the first main surface 17A.
  • the wiring 18 is formed on the main surface 16 A of the second substrate layer 16.
  • FIG. 11 is a schematic plan view of the first substrate layer in the third embodiment.
  • FIG. 12 is a schematic plan view of the second substrate layer in the third embodiment.
  • the third embodiment also has the same configuration as that of the first embodiment except for the routing of the first wiring 18.
  • FIGS. 1 to 4, 7 and 8 are referred to in common with the first embodiment.
  • the electrode 15a and the electrode 15m are connected.
  • the electrode 15a and the electrode 15m are commonly connected to the electrode 16a via the via-hole electrode 15b.
  • the 1st wiring 18 is comprised by the electrode 15a and the electrode 15m. Therefore, in the present embodiment, the first wiring 18 is formed on the main surface 15 ⁇ / b> A of the first substrate layer 15.
  • the first functional electrode portion 67 and the second functional electrode portion 68 have the first direction of the second wiring 64 extending along the first direction x. It is provided symmetrically about the central axis C along x. That is, the distance between the second wiring 64 and the first functional electrode portion 67 in the first direction x and the distance between the second wiring 64 and the second functional electrode portion 68 in the first direction x are as follows. Are equal. For this reason, even if a parasitic capacitance is generated between the second wiring 64 and the first and second functional electrode portions 67 and 68, the second wiring 64 and the first functional electrode portion 67 are not connected. And the parasitic capacitance generated between the second wiring 64 and the second functional electrode portion 68 is small.
  • the balance is unlikely to deteriorate. That is, a parasitic capacitance that deteriorates the balance between the first and second reception-side balanced signal terminals 13a and 13b (see FIG. 2) is unlikely to occur.
  • the second wiring 64 does not overlap the first and second functional electrode portions 67 and 68 in the first direction x. Accordingly, parasitic capacitance is unlikely to occur between the second wiring 64 and the first and second functional electrode portions 67 and 68.
  • the first functional electrode portion 67 and the second functional electrode portion 68 are in relation to the central axis C along the first direction x of the second wiring 64 extending along the first direction x.
  • the electrode structure is not particularly restricted from the standpoint of balance as long as it is provided in line symmetry. Therefore, an electrode structure advantageous for miniaturization can be adopted. Therefore, according to this embodiment, it is possible to achieve both good balance and miniaturization.
  • the duplexer 1 is It can be downsized.
  • the first functional electrode portion 67 and the second functional electrode portion 68 are arranged along the second direction y, whereby the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is formed in an elongated shape. It is said.
  • the duplexer 1 is miniaturized by arrange
  • the first and second embodiments than the case where the first wiring 18 is provided on the first main surface 10a of the wiring board 10 as in the third embodiment.
  • the first wiring 18 is preferably provided inside the wiring substrate 10 or on the second main surface 10b.
  • the isolation characteristics between the transmission side signal terminal 12 and the first and second reception side balanced signal terminals 13a and 13b were measured. The results are shown in Table 1 below and FIGS.
  • Table 1 shows actual values of isolation in the Tx band (880 to 915 MHz). In addition, the ability value of isolation is the minimum loss in the Tx band.
  • FIG. 13 is a graph showing the isolation characteristics of the duplexer according to the first embodiment.
  • FIG. 14 is a graph showing the isolation characteristics of the duplexer according to the second embodiment.
  • FIG. 15 is a graph showing the isolation characteristics of the duplexer according to the third embodiment.
  • graphs indicated by solid lines represent the isolation characteristics when the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is mounted at a designed position.
  • a graph indicated by a dashed line represents an isolation characteristic when the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is shifted by 50 ⁇ m to the x2 side in the first direction.
  • a graph indicated by a dotted line represents an isolation characteristic when the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is shifted by 50 ⁇ m to the x1 side in the first direction.
  • the first and second embodiments in which the first wiring 18 is located inside the wiring board 10 are compared. It can be seen that the duplexer according to the third embodiment is better than the duplexer according to the third embodiment in which the first wiring 18 is located on the first main surface 10 a of the wiring substrate 10. From this result, when the first wiring 18 is inside the wiring substrate 10, it is possible to suppress the occurrence of electromagnetic coupling between the first wiring 18 and the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 61. It turns out that the nature can be improved.
  • the duplexer according to the first embodiment in which the first wiring 18 is formed on the first main surface 17 ⁇ / b> A of the third substrate layer 17 is more It can be seen that the isolation characteristic is better than that of the duplexer according to the second embodiment in which one wiring 18 is formed on the main surface 16A of the second substrate layer 16. From this result, it can be seen that the isolation characteristic can be further improved by providing the first wiring 18 at a position away from the first main surface 10a of the wiring substrate 10.
  • the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter can be suppressed. Even when the mounting position shift of the chip 60 occurs, the isolation characteristic is unlikely to change. Therefore, the accuracy required for the mounting position of the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 60 is low, and a duplexer can be manufactured at a high yield rate.
  • this effect of suppressing the electromagnetic field coupling is an effect that is particularly prominent when the first functional electrode portion 67 and the second functional electrode portion 68 are independent with respect to propagation of elastic waves.
  • each of the first and second functional electrode portions 67 and 68 is constituted by two longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter portions each having three IDT electrodes.
  • each of the first and second functional electrode units may be configured by a single longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit having a plurality of IDT electrodes.
  • the first and second functional electrode portions are constituted by first to fifth IDT electrodes 91 to 95 formed in this order along the elastic wave propagation direction. May be. In the case shown in FIG.
  • the first functional electrode portion 67 is configured by the first IDT electrode 91, the second IDT electrode 92, and a part of the third IDT electrode 93.
  • the remaining part of the IDT electrode 93, the fourth IDT electrode 94, and the fifth IDT electrode 95 constitute a second functional electrode portion 68.
  • the piezoelectric substrate 42 and the piezoelectric substrate 62 are formed separately has been described.
  • the present invention is not limited to this configuration.
  • the piezoelectric substrate 42 and the piezoelectric substrate 62 may be integrally formed. That is, the ladder type elastic wave filter chip 40 and the longitudinally coupled resonator type elastic wave filter chip 60 may be integrally formed.
  • longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter chip 61 longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 62 ... piezoelectric substrate 3 ... Antenna side electrode pad 64 ... 2nd wiring 65, 66 ... Electrode pad 67 ... 1st functional electrode part 68 ... 2nd functional electrode part 69 ... 1st longitudinally coupled resonator type elastic wave filter part 70 ... Second longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 71 ... Third longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter unit 72 ... Fourth longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 73, 74 ... Acoustic wave resonators 75- 77 ...
  • Electrode pad 80 Surface acoustic wave filter unit 81 ... Piezoelectric member 82 ... IDT electrode 83 ... Boundary acoustic wave filter unit 84 ... Piezoelectric member 85 ... First medium 86 ... Second medium 87 ... IDT electrode 91 ... First IDT electrode 92 ... second IDT electrode 93 ... third IDT electrode 94 ... fourth IDT electrode 95 ... fifth IDT electrode

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Abstract

　平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部を備える分波器であって、バランス性が良好であり、かつ小型な分波器を提供する。　分波器１は、ラダー型弾性波フィルタチップ４０と、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０とを備えている。アンテナ側裏面電極１７ｓと、アンテナ側電極パッド６３とは、配線基板１０に設けられている第１の配線１８により接続されている。アンテナ側電極パッド６３と縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１とは、圧電基板６２上に形成されている第２の配線６４により接続されている。第２の配線６４は、第１の方向ｘに沿って延びており、かつ、圧電基板６２上に形成されている第１の機能電極部６７と第２の機能電極部６８とは、第２の配線６４の第１の方向に沿った中心軸Ｃに対して線対称に配置されている。

Description

分波器
　本発明は、分波器に関する。特には、本発明は、アンテナ端子と送信側信号端子との間に接続されているラダー型弾性波フィルタ部と、アンテナ端子と第１及び第２の受信側平衡信号端子との間に接続されている、平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを備える分波器に関する。
　近年、アンテナから送受信される送信信号と受信信号とを分波する分波器として、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を使用した弾性波分波器が広く用いられるようになってきている。
　例えば、下記の特許文献１には、送信側フィルタとして、高い耐電力性を有するラダー型弾性波フィルタを使用し、受信側フィルタとして、平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタを使用したデュプレクサが記載されている。
ＷＯ　２００７／１１６７６０　Ａ１号公報
　上記特許文献１に記載のように、平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタを受信側フィルタまたは送信側フィルタとして用いたデュプレクサ（以下、「バランス型デュプレクサ」とする。）では、第１及び第２の平衡信号端子間のバランス性が良好であることが求められる。このため、第１及び第２の平衡信号端子間のバランス性が良好となるように、ＩＤＴ電極や配線等を配置する必要があり、バランス型デュプレクサでは、電極構造の制約が大きかった。従って、バランス型デュプレクサでは、小型化が困難であった。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部を備える分波器であって、バランス性が良好であり、かつ小型な分波器を提供することにある。
　本発明に係る分波器は、アンテナ端子、送信側信号端子並びに第１及び第２の受信側平衡信号端子を有する分波器である。本発明に係る分波器は、配線基板と、ラダー型弾性波フィルタチップと、縦結合共振子型弾性波フィルタチップとを備えている。配線基板は、第１及び第２の主面を有する。ラダー型弾性波フィルタチップは、配線基板の第１の主面上に実装されている。ラダー型弾性波フィルタチップは、圧電基板と、ラダー型弾性波フィルタ部とを有する。ラダー型弾性波フィルタ部は、圧電基板の上に形成されている。ラダー型弾性波フィルタ部は、アンテナ端子と送信側信号端子との間に接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタチップは、配線基板の第１の主面上に実装されている。配線基板は、アンテナ側裏面電極と、第１の配線とを有する。アンテナ側裏面電極は、第２の主面上に形成されている。アンテナ側裏面電極は、アンテナ端子に接続されている。第１の配線は、アンテナ側裏面電極に接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタチップは、圧電基板と、縦結合共振子型弾性波フィルタ部と、アンテナ側電極パッドと、第２の配線とを有する。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、圧電基板上に形成されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、アンテナ端子と第１及び第２の受信側平衡信号端子との間に接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、平衡－不平衡変換機能を有する。アンテナ側電極パッドは、圧電基板上に形成されている。アンテナ側電極パッドは、第１の配線を介してアンテナ側裏面電極に接続されている。第２の配線は、圧電基板上に形成されている。第２の配線は、アンテナ側電極パッドと縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを接続している。縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、第１の機能電極部と、第２の機能電極部とを有する。第１の機能電極部は、第２の配線と第１の受信側平衡信号端子との間に接続されている。第２の機能電極部は、第２の配線と第２の受信側平衡信号端子との間に接続されている。第２の配線は、第１の方向に沿って延びている。第１の機能電極部と第２の機能電極部とは、第２の配線の第１の方向に沿った中心軸に対して線対称に配置されている。ラダー型弾性波フィルタチップは、長手方向が前記第１の方向と垂直な第２の方向に平行な細長形状である。
　なお、本発明において、「機能電極部」とは、弾性波の伝搬に関与する電極部をいう。
　本発明において、「第１の配線」は、アンテナ側裏面電極とアンテナ側電極パッドとを接続している電極のうち、面内方向に延びる部分をいうものとする。すなわち、アンテナ側裏面電極とアンテナ側電極パッドとを接続している電極のうち、法線方向に延びているビアホール電極などは、第１の配線に含まれないものとする。
　本発明に係る分波器のある特定の局面は、アンテナ側電極パッドは、平面視においてアンテナ側裏面電極と異なる位置に設けられている。
　本発明に係る分波器の他の特定の局面では、第１の配線は、配線基板の内部または配線基板の第２の主面上に形成されている。この構成によれば、第１の配線と第１または第２の機能電極部との間で電磁界結合が生じることを抑制できる。従って、より優れたバランス性及びアイソレーション特性を実現することができる。また、縦結合共振子型弾性波フィルタチップの実装位置に要求される精度が低く、高い良品率でデュプレクサを製造することができる。
　本発明に係る分波器の別の特定の局面では、第１の配線は、第１及び第２の機能電極部の少なくとも一方と記第１の方向において重なっている。
　本発明に係る分波器のさらに別の特定の局面では、第１の機能電極部は、第１の方向と平行な弾性波伝搬方向に沿って設けられた複数のＩＤＴ電極を有する第１の縦結合共振子型フィルタ部を有し、第２の機能電極部は、第１の方向と平行な弾性波伝搬方向に沿って設けられた複数のＩＤＴ電極を有する第２の縦結合共振子型フィルタ部を有し、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部と第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部とは、第２の方向に沿って配列されている。この構成によれば、分波器をさらに小型化し得る。
　本発明に係る分波器のまた他の特定の局面では、第１の機能電極部は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部と第１の受信側平衡信号端子との間において、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部に縦続接続されている第３の縦結合共振子型弾性波フィルタ部をさらに有し、第２の機能電極部は、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部と第２の受信側平衡信号端子との間において、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部に縦続接続されている第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部をさらに有し、第１～第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、第２の方向に沿って配列されている。
　本発明に係る分波器のまた別の特定の局面では、縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、第２の方向に平行な弾性波伝搬方向に沿って配列されている第１～第５のＩＤＴ電極を有し、第１の機能電極部の少なくとも一部は、第１及び第２のＩＤＴ電極と第３のＩＤＴ電極の一部とにより構成されており、第２の機能電極部の少なくとも一部は、第４及び第５のＩＤＴ電極と第３のＩＤＴ電極の残りの一部とにより構成されている。
　本発明に係る分波器のさらにまた他の特定の局面では、ラダー型フィルタの圧電基板と、縦結合共振子型弾性波フィルタの圧電基板とは、一体に形成されている。
　本発明に係る分波器のさらにまた別の特定の局面では、ラダー型フィルタ部及び縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性表面波を利用する弾性表面化フィルタ部または弾性境界波を利用する弾性境界波フィルタ部である。
　本発明では、第１の機能電極部と第２の機能電極部とが、アンテナ側電極パッドと縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを接続している第２の配線の第１の方向に沿った中心軸に対して線対称に配置されている。このため、第２の配線と縦結合共振子型弾性波フィルタ部との間に、バランス性を悪化させる寄生容量の差が生じ難い。また、第１の機能電極部と第２の機能電極部とが第２の配線の第１の方向に沿った中心軸に対して線対称に配置されている限りにおいて、電極構造は、特段の制約を受けない。従って、小型化に有利な電極構造を採用し得る。従って、本発明によれば、良好なバランス性の実現と、小型化との両立を図ることができる。
図１は、第１の実施形態に係るデュプレクサの略図的平面図である。 図２は、第１の実施形態に係るデュプレクサの等価回路図である。 図３は、第１の実施形態におけるラダー型弾性波フィルタチップの略図的平面透視図である。 図４は、第１の実施形態における縦結合共振子型弾性波フィルタチップの略図的平面透視図である。 図５は、第１の実施形態における第１の基板層の略図的平面図である。 図６は、第１の実施形態における第２の基板層の略図的平面図である。 図７は、第１の実施形態における第３の基板層の略図的平面図である。 図８は、第１の実施形態における第３の基板層の略図的平面透視図である。 図９は、第２の実施形態における第２の基板層の略図的平面図である。 図１０は、第２の実施形態における第３の基板層の略図的平面図である。 図１１は、第３の実施形態における第１の基板層の略図的平面図である。 図１２は、第３の実施形態における第２の基板層の略図的平面図である。 図１３は、第１の実施形態に係るデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。実線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップを設計通りの位置に実装した場合のアイソレーション特性を表す。一点破線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップの実装位置を、第１の方向のｘ２側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。点線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップの実装位置を、第１の方向のｘ１側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。 図１４は、第２の実施形態に係るデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。実線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップを設計通りの位置に実装した場合のアイソレーション特性を表す。一点破線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップの実装位置を、第１の方向のｘ２側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。点線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップの実装位置を、第１の方向のｘ１側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。 図１５は、第３の実施形態に係るデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。実線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップを設計通りの位置に実装した場合のアイソレーション特性を表す。一点破線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップの実装位置を、第１の方向のｘ２側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。点線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップの実装位置を、第１の方向のｘ１側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。 図１６は、第１の変形例に係るデュプレクサの等価回路図である。 図１７は、弾性表面波フィルタ部の略図的断面図である。 図１８は、弾性境界波フィルタ部の略図的断面図である。 図１９は、第２の変形例におけるフィルタチップの略図的平面透視図である。
　以下、本発明を実施した好ましい形態について、図１に示すデュプレクサ１を例に挙げて説明する。但し、デュプレクサ１は、単なる例示である。本発明に係る分波器は、デュプレクサ１に何ら限定されない。本発明に係る分波器は、例えば、デュプレクサ１以外のデュプレクサであってもよいし、トリプレクサなどであってもよい。
　なお、本実施形態のデュプレクサ１は、送信側フィルタの通過帯域（Ｔｘ）が８８０～９１５ＭＨｚであり、受信側フィルタの通過帯域（Ｒｘ）が９２５～９６０ＭＨｚのＵＭＴＳ
ＢＡＮＤ８のデュプレクサである。アンテナ整合回路は、デュプレクサ１とは別体
に設けられている。
　図１は、第１の実施形態に係るデュプレクサの略図的平面図である。図２は、第１の実施形態に係るデュプレクサの等価回路図である。図３は、第１の実施形態におけるラダー型弾性波フィルタチップの略図的平面図である。図４は、第１の実施形態における縦結合共振子型弾性波フィルタチップの略図的平面図である。
　なお、本明細書で参照する図面において、ＩＤＴ電極は、矩形または対角線が引かれた矩形により模式的に記載している。また、図２や図１６などにおいては、反射器の描画を省略している。
　図１に示すように、デュプレクサ１は、配線基板１０と、ラダー型弾性波フィルタチップ４０と、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０とを備えている。配線基板１０は、ダイアタッチ面を構成している第１の主面１０ａと、第２の主面１０ｂ（図８を参照）とを有する。ラダー型弾性波フィルタチップ４０と、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０とは、配線基板１０の第１の主面１０ａ上に、半田やＡｕなどからなるバンプ電極を介してフェースダウン実装されている。
　図２及び図３に示すように、ラダー型弾性波フィルタチップ４０には、ラダー型弾性波フィルタ部４１が設けられている。デュプレクサ１において、ラダー型弾性波フィルタ部４１は、送信側フィルタ部を構成している。図２に示すように、ラダー型弾性波フィルタ部４１は、アンテナ端子１１と、送信側信号端子１２との間に接続されている。
　一方、図２及び図４に示すように、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０には、縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１が設けられている。デュプレクサ１において、縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１は、受信側フィルタ部を構成している。縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１は、平衡－不平衡変換機能を有する所謂バランス型の弾性波フィルタ部である。図２に示すように、縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１は、アンテナ端子１１と、第１及び第２の受信側平衡信号端子１３ａ、１３ｂとの間に接続されている。
　なお、図２に示すように、ラダー型弾性波フィルタ部４１及び縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１と、アンテナ端子１１との間の接続点と、グラウンド電位との間には、インダクタ１４が接続されている。このインダクタ１４は、アンテナ整合用のインダクタである。
　次に、図１～図３を参照しながら、ラダー型弾性波フィルタチップ４０の構成について詳細に説明する。
　図１及び図３に示すように、ラダー型弾性波フィルタチップ４０は、長手方向が第２の方向ｙに平行な細長形状に形成されている。具体的には、ラダー型弾性波フィルタチップ４０は、長手方向が第２の方向ｙに平行な矩形状に形成されている。
　図３に示すように、ラダー型弾性波フィルタチップ４０は、圧電基板４２を備えている。この圧電基板４２の上に、ラダー型弾性波フィルタ部４１が形成されている。ここでは、便宜上、圧電基板４２の裏面側からラダー型弾性波フィルタ部４１を透視するように図示している。ラダー型弾性波フィルタ部４１は、複数の直列腕共振子４３ａ～４３ｈが形成されている。これら複数の直列腕共振子４３ａ～４３ｈは、アンテナ端子１１と送信側信号端子１２との間において直列に接続されており、直列腕４４を構成している。図３に示すように、直列腕４４の一方側端部は、圧電基板４２上に形成されているバンプ電極４５に接続されており、直列腕４４の他方側端部は、バンプ電極４６に接続されている。バンプ電極４５は、後に詳述するように、配線基板１０を介してアンテナ端子１１に接続されている。一方、バンプ電極４６は、配線基板１０を介して送信側信号端子１２に接続されている。
　なお、直列腕４４において、直列腕共振子４３ｇ、４３ｈには、インダクタ４９ｃが並列に接続されている。後述のように、このインダクタ４９ｃは、配線基板１０に形成されており、直列腕共振子４３ｇ、４３ｈは、図３に示すバンプ電極４６，５０ｄを介してインダクタ４９ｃに接続されている。
　図２及び図３に示すように、直列腕４４とグラウンド電位との間には、それぞれ並列腕４８ａ～４８ｃを構成している並列腕共振子４７ａ～４７ｃが接続されている。具体的には、並列腕共振子４７ａは、圧電基板４２上に形成されているバンプ電極５０ａに接続されており、バンプ電極５０ａは、後述のように、配線基板１０を介してグラウンド電位に接続されている。並列腕共振子４７ｂは、圧電基板４２上に形成されているバンプ電極５０ｂに接続されており、バンプ電極５０ｂは、後述のように、配線基板１０を介してグラウンド電位に接続されている。並列腕共振子４７ｃは、圧電基板４２上に形成されているバンプ電極５０ｃに接続されており、バンプ電極５０ｃは、後述のように、配線基板１０を介してグラウンド電位に接続されている。
　並列腕共振子４７ａと並列腕共振子４７ｂとの間の接続点と、グラウンド電位との間には、インダクタ４９ａが接続されている。また、並列腕共振子４７ｃとグラウンド電位との間には、インダクタ４９ｂが接続されている。
　次に、図１、図２及び図４を参照しながら、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０の構成について詳細に説明する。
　図１及び図４に示すように、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０は、長手方向が第２の方向ｙに平行な細長形状に形成されている。具体的には、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０は、長手方向が第２の方向ｙに平行な矩形状に形成されている。
　図４に示すように、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０は、圧電基板６２と、縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１と、アンテナ側電極パッド６３と、第２の配線６４と、電極パッド６５，６６とを有する。縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１と、アンテナ側電極パッド６３と、第２の配線６４と、電極パッド６５，６６とのそれぞれは、圧電基板６２上に形成されている。ここでは、便宜上、圧電基板６２の裏面側から縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１と、アンテナ側電極パッド６３と、第２の配線６４と、電極パッド６５，６６とを透視するように図示している。第２の配線６４は、アンテナ側電極パッド６３と縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１とを接続している。図１に示すように、アンテナ側電極パッド６３は、第２の方向ｙにおける圧電基板６２の中央部であって、第１の方向ｘにおける圧電基板６２のラダー型弾性波フィルタチップ４０側の端部に設けられている。アンテナ側電極パッド６３は、後述のように、配線基板１０に形成されている第１の配線１８を介してアンテナ側裏面電極１７ｓに接続されている。
　電極パッド６５は、第２の方向ｙにおける圧電基板６２の一方側端部に位置している一方、電極パッド６６は、第２の方向ｙにおける圧電基板６２の他方側端部に位置している。電極パッド６５，６６のそれぞれは、圧電基板６２の第１の方向ｘにおけるラダー型弾性波フィルタチップ４０とは反対側の端部に位置している。電極パッド６５は、配線基板１０を介して第１の受信側平衡信号端子１３ａに接続されている。一方、電極パッド６６は、配線基板１０を介して第２の受信側平衡信号端子１３ｂに接続されている。
　縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１は、第１及び第２の機能電極部６７，６８を備えている。第１の機能電極部６７は、第２の配線６４と、電極パッド６５との間に接続されている。一方、第２の機能電極部６８は、第２の配線６４と、電極パッド６６との間に接続されている。第１及び第２の機能電極部６７，６８は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１のうち、弾性波の伝搬に関与する電極部により構成されている。具体的には、本実施形態では、第１及び第２の機能電極部６７，６８は、縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１を構成するＩＤＴ電極や反射器により構成されている。
　第１の機能電極部６７は、第１及び第３の縦結合共振子型弾性波フィルタ部６９，７１と、直列トラップとしての弾性波共振子７３とを備えている。弾性波共振子７３は、第２の配線６４と第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部６９との間に接続されている。
　第１及び第３の縦結合共振子型弾性波フィルタ部６９，７１は、第２の配線６４と、第１の受信側平衡信号端子１３ａとの間において縦続接続されている。第１及び第３の縦結合共振子型弾性波フィルタ部６９，７１のそれぞれは、弾性波伝搬方向である第１の方向ｘに沿って配列された３つのＩＤＴ電極と、それら３つのＩＤＴ電極が設けられている領域の第１の方向ｘの両側に配置されている一対の反射器を備えている。
　同様に、第２の機能電極部６８は、第２及び第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部７０，７２と、直列トラップとしての弾性波共振子７４とを備えている。弾性波共振子７４は、第２の配線６４と第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部７０との間に接続されている。
　第２及び第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部７０，７２は、第２の配線６４と、第２の受信側平衡信号端子１３ｂとの間において縦続接続されている。第２及び第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部７０，７２のそれぞれは、弾性波伝搬方向である第１の方向ｘに沿って配列された３つのＩＤＴ電極と、それら３つのＩＤＴ電極が設けられている領域の第１の方向ｘの両側に配置されている一対の反射器を備えている。
　本実施形態では、第１の機能電極部６７と第２の機能電極部６８とが、第１の方向ｘに沿って延びる第２の配線６４の第１の方向ｘに沿った中心軸Ｃに対して線対称に設けられている。
　図１及び図４に示すように、本実施形態では、第１～第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部６９～７２は、第２の方向ｙに沿って配列されている。
　なお、圧電基板６２上に形成されている電極パッド７５～７７は、配線基板１０を介してグラウンド電位に接続されるグラウンド電極パッドである。また、電極パッド６３、６５、６６、７５～７７の上には、バンプ電極６３ａ、６５ａ、６６ａ、７５ａ～７７ａがそれぞれ設けられている。
　なお、本実施形態において、圧電基板４２，６２の材料は、特に限定されない。圧電基板４２，６２は、例えば、ＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板などにより構成することができる。また、本実施形態において、弾性共振子、ＩＤＴ電極、反射器及び配線等の各種電極の材料も特に限定されない。電極は、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｐｄなどの金属や、これらの金属の一種以上を含む合金などの導電材料により形成することができる。また、電極は、複数の導電膜が積層された導電膜積層体により形成されていてもよい。
　また、本実施形態において、ラダー型弾性波フィルタ部４１や縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１は、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタ部であってもよい。図１７に示すように、弾性表面波フィルタ部８０は、圧電体８１と、圧電体８１の上に形成されているＩＤＴ電極８２とを有する。また、ラダー型弾性波フィルタ部４１や縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１は、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタ部であってもよい。図１８に示すように、弾性境界波フィルタ部８３は、圧電体８４と、圧電体８４の上に形成されたＳｉＮなどからなる第１の媒質８５と、第１の媒質８５と圧電体８４との間に形成されたＳｉＯ２などからなる第２の媒質８６とを備えている。圧電体８４と第２の媒質８６との間にＩＤＴ電極８７が形成されている。
　次に、図５～図８を参照しながら、配線基板１０の構成について詳細に説明する。
　本実施形態の配線基板１０は、セラミック一体焼成技術により一体に焼成された３枚の基板層１５（図５を参照）、１６（図６を参照）及び１７（図７及び図８を参照）により構成されている。
　図５は、第１の基板層の略図的平面図である。図６は、第２の基板層の略図的平面図である。図７は、第３の基板層の第１の主面側の略図的平面図である。図８は、便宜上、第３の基板層の第１の主面側から第２の主面側を透視した略図的平面透視図である。
　図５に示すように、第１の基板層１５は、主面１５Ａを備えている。この主面１５Ａが、配線基板１０の第１の主面１０ａを構成している。
　図５に示すように、主面１５Ａの上には、図３に示すバンプ電極４５に接続されている電極１５ａが形成されている。電極１５ａは、第１の基板層１５を貫通しているビアホール電極１５ｂにより、第２の基板層１６の主面１６Ａの上に形成されている電極１６ａ（図６を参照）に接続されている。電極１６ａは、第２の基板層１６を貫通しているビアホール電極１６ｂによって、第３の基板層１７の第１の主面１７Ａ上に形成されている電極１７ｅ（図７を参照）に接続されている。電極１７ｅは、第３の基板層１７を貫通しているビアホール電極１７ｎにより、第３の基板層１７の第２の主面１７Ｂの上に形成されているアンテナ側裏面電極１７ｓ（図８を参照）に接続されている。このアンテナ側裏面電極１７ｓは、図２に示すアンテナ端子１１を構成している。
　図５に示すように、主面１５Ａ上には、図３に示すバンプ電極４６に接続されている電極１５ｇが形成されている。電極１５ｇは、第１の基板層１５を貫通しているビアホール電極１５ｈにより、第２の基板層１６の主面１６Ａ上に形成されている電極１６ｇ（図６を参照）に接続されている。電極１６ｇは、ビアホール電極１６ｈ、電極１７ｇ（図７を参照）及びビアホール電極１７ｍを介して、第３の基板層１７の第２の主面１７Ｂ上に形成されている送信側信号出力電極１７ｔ（図８を参照）に接続されている。この送信側信号出力電極１７ｔは、図２に示す送信側信号端子１２を構成している。
　図５に示すように、第１の基板層１５の主面１５Ａ上には、バンプ電極５０ａ、５０ｂに接続されている電極１５ｅと、バンプ電極５０ｃに接続されている電極１５ｃが形成されている。電極１５ｅ及び１５ｃは、ビアホール電極１５ｆ、１５ｄ、電極１６ｅ、１６ｃ（図６を参照）、ビアホール電極１６ｄ、１６ｆ、電極１７ｈ（図７を参照）、ビアホール電極１７ｌを介して、第２の主面１７Ｂ上に形成されているグラウンド電極１７ｗ（図８を参照）に接続されている。このグラウンド電極１７ｗは、グラウンド電位に接続されている。
　また、図５に示すように、第１の基板層１５の主面１５Ａ上には、バンプ電極５０ｅに接続されている電極１５ｋが形成されている。この電極１５ｋも、ビアホール電極１５ｌ１～１５ｌ３、電極１６ｋ、ビアホール電極１６ｌ１，１６ｌ２（図６を参照）、電極１７ｆ、１７ｏ、１７ｐ（図７を参照）を介して、図８に示すグラウンド電極１７ｗに接続されている。
　図５に示すように、第１の基板層１５の主面１５Ａの上に形成されており、バンプ電極５０ｄに接続されている電極１５ｉは、ビアホール電極１５ｊを介して、図６に示す電極１６ｉに接続されている。この電極１６ｉは、渦巻き状に形成されており、図２に示すインダクタ４９ｃを構成している。電極１６ｉは、ビアホール電極１６ｊを介して図７に示す電極１７ｇに接続されている。電極１７ｇは、上述の通り、図８に示す送信側信号出力電極１７ｔに接続されている。
　図５に示すように、第１の基板層１５の主面１５Ａ上には、アンテナ側電極パッド６３とバンプ電極６３ａを介して接続されている電極１５ｍが形成されている。電極１５ｍは、第１の基板層１５を貫通しているビアホール電極１５ｎを介して、第２の基板層１６の主面１６Ａ上に形成されている電極１６ｍに接続されている。この電極１６ｍは、第２の基板層１６を貫通しているビアホール電極１６ｎを介して第３の基板層１７の第１の主面１７Ａ上に形成されている電極１７ｅ（図７を参照）に接続されている。電極１７ｅは、上述の通り、ビアホール電極１７ｎを介して、図８に示すアンテナ側裏面電極１７ｓに接続されている。
　このように、本実施形態では、アンテナ側裏面電極１７ｓとアンテナ側電極パッド６３とは、電極１５ｍと、ビアホール電極１５ｎと、電極１６ｍと、ビアホール電極１６ｎと、電極１７ｅと、ビアホール電極１７ｎとによって接続されている。これらのうちで、面内方向に延びている電極１７ｅによって第１の配線１８が構成されている。
　第１の配線１８は、本実施形態では、配線基板１０の内部に形成されている。もっとも、第１の配線１８は、配線基板１０の第２の主面１０ｂ（第３の基板層１７の第２の主面１７Ｂ）の上に形成されていてもよいし、配線基板１０の第１の主面１０ａの上に形成されていてもよい。
　また、図４～図８を参照することにより、本実施形態においては、第１の配線１８は、第１及び第２の機能電極部６７，６８の少なくとも一方と、第１の方向ｘにおいて重なっている。具体的には、第１の配線１８は、第１の機能電極部６７とは、第１の方向ｘにおいて重なっておらず、第２の機能電極部６８と、第１の方向ｘにおいて重なっている。
　なお、図８に示すアンテナ側裏面電極１７ｓと、図４に示すアンテナ側電極パッド６３とは、平面視において、異なる位置に設けられている。
　図５に示す電極１５ｏは、図４に示す電極パッド６６にバンプ電極６６ａを介して接続されている。電極１５ｏは、ビアホール電極１５ｐ、電極１６ｏ及びビアホール電極１６ｐ（図６を参照）、電極１７ｃ及びビアホール電極１７ｊ（図７を参照）を介して、図８に示すグラウンド電極１７ｕに接続されている。グラウンド電極１７ｕは、グラウンド電位に接続されている。
　図５に示す電極１５ｑは、図４に示す電極パッド６５にバンプ電極６５ａを介して接続されている。電極１５ｑは、ビアホール電極１５ｒ、電極１６ｑ及びビアホール電極１６ｒ（図６を参照）、電極１７ｉ及びビアホール電極１７ｊ（図７を参照）を介して、図８に示すグラウンド電極１７ｖに接続されている。グラウンド電極１７ｖは、グラウンド電位に接続されている。
　図４に示す電極パッド７５～７７にバンプ電極７５ａ～７７ａを介して接続されている電極１５ｕ、１５ｓ、１５ｗ（図５を参照）は、ビアホール電極１５ｖ、１５ｔ、１５ｘを介して、図６に示す電極１６ｓに接続されている。電極１６ｓは、ビアホール電極１６ｔ１～１６ｔ４を介して図７に示す電極１７ｂまたは電極１７ｄに接続されている。電極１７ｂは、ビアホール電極１７ｋを介して、電極１７ｄは、ビアホール電極１７ｑ、１７ｒを介してグラウンド電極１７ｗに接続されている。
　次に、上記第１の実施形態とは、配線基板１０における電極構造のみが異なる第２及び第３の実施形態における配線基板１０について詳細に説明する。なお、以下の説明において、上記第１の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照し、説明を省略する。
　図９は、第２の実施形態における第２の基板層の略図的平面図である。図１０は、第２の実施形態における第３の基板層の略図的平面図である。
　第２の実施形態は、第１の配線１８の引き回し態様以外は、上記第１の実施形態と同様の構成を有している。第１の基板層１５の構成及び第３の基板層１７の第２の主面１７Ｂにおける電極構造は、上記第１の実施形態と同様である。本実施形態において、図１～図５及び図８を上記第１の実施形態と共通に参照する。
　本実施形態では、図９に示すように、電極１６ａと、電極１６ｍとが接続されている。そして、電極１６ａと電極１６ｍとが共通に、ビアホール電極１６ｂを介して図１０に示す電極１７ｅに接続されている。このため、本実施形態では、電極１６ａ、１６ｍによって第１の配線１８が構成されている。従って、上記第１の実施形態では、第１の配線１８は、第３の基板層１７の第１の主面１７Ａ上に形成されていたのに対して、第２の実施形態では、第１の配線１８は、第２の基板層１６の主面１６Ａ上に形成されている。
　図１１は、第３の実施形態における第１の基板層の略図的平面図である。図１２は、第３の実施形態における第２の基板層の略図的平面図である。
　第３の実施形態も、第１の配線１８の引き回し態様以外は、上記第１の実施形態と同様の構成を有している。本実施形態において、図１～図４、図７及び図８を上記第１の実施形態と共通に参照する。
　本実施形態では、図１１に示すように、電極１５ａと電極１５ｍとが接続されている。そして、電極１５ａと電極１５ｍとが共通に、ビアホール電極１５ｂを介して電極１６ａに接続されている。このため、本実施形態では、電極１５ａと電極１５ｍとによって第１の配線１８が構成されている。従って、本実施形態では、第１の配線１８は、第１の基板層１５の主面１５Ａ上に形成されている。
　上記第１～第３の実施形態では、第１の機能電極部６７と第２の機能電極部６８とが、第１の方向ｘに沿って延びている第２の配線６４の第１の方向ｘに沿った中心軸Ｃに対して線対称に設けられている。すなわち、第１の方向ｘにおける第２の配線６４と第１の機能電極部６７との距離と、第１の方向ｘにおける第２の配線６４と第２の機能電極部６８との距離とが等しくされている。このため、仮に第２の配線６４と第１，第２の機能電極部６７，６８との間に寄生容量が生じたとしても、第２の配線６４と第１の機能電極部６７との間で生じる寄生容量と、第２の配線６４と第２の機能電極部６８との間で生じる寄生容量との差が小さい。従って、バランス性が悪化しにくい。すなわち、第１及び第２の受信側平衡信号端子１３ａ、１３ｂ（図２を参照）間のバランス性を悪化させる寄生容量が生じ難い。特に本実施形態では、第２の配線６４は、第１及び第２の機能電極部６７，６８のいずれとも、第１の方向ｘにおいて重なっていない。従って、第２の配線６４と、第１及び第２の機能電極部６７，６８との間に寄生容量が生じ難い。
　そして、第１の機能電極部６７と第２の機能電極部６８とが、第１の方向ｘに沿って延びている第２の配線６４の第１の方向ｘに沿った中心軸Ｃに対して線対称に設けられている限りにおいて、バランス性の観点から、電極構造は、特段の制約を受けない。従って、小型化に有利な電極構造を採用し得る。従って、本実施形態によれば、良好なバランス性の実現と、小型化との両立を図ることができる。
　より具体的には、ラダー型弾性波フィルタチップ４０が長手方向を有する細長形状に形成されている場合、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０が細長形状となるような縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１の電極構造を採用し、ラダー型弾性波フィルタチップ４０と、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０とが、長手方向が互いに平行となるように配置することにより、デュプレクサ１を小型化することができる。
　例えば、本実施形態では、第１の機能電極部６７と第２の機能電極部６８とが第２の方向ｙに沿って配列することにより、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０を細長形状としている。そして、ラダー型弾性波フィルタチップ４０と縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０とのそれぞれを第２の方向ｙに長手方向が沿うように配置することにより、デュプレクサ１を小型化している。
　より高いバランス性を実現する観点からは、第３の実施形態のように、第１の配線１８を配線基板１０の第１の主面１０ａ上に設けるよりも、第１及び第２の実施形態のように、第１の配線１８を配線基板１０の内部または第２の主面１０ｂ上に設けることが好ましい。第１の配線１８を配線基板１０の内部または第２の主面１０ｂ上に設けることにより、第１の配線１８と縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１との間で、バランス性を悪化させるおそれのある電磁界結合が生じにくくなるためである。
　以下、この効果について、より詳細に説明する。
　第１～第３の実施形態に係るデュプレクサのそれぞれにおいて、送信側信号端子１２と、第１及び第２の受信側平衡信号端子１３ａ、１３ｂとの間のアイソレーション特性を測定した。結果を、下記の表１及び図１３～図１５に示す。
　表１は、Ｔｘ帯（８８０～９１５ＭＨｚ）におけるアイソレーションの実力値を示している。なお、アイソレーションの実力値とは、Ｔｘ帯における最小損失である。
　図１３は、第１の実施形態に係るデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。図１４は、第２の実施形態に係るデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。図１５は、第３の実施形態に係るデュプレクサのアイソレーション特性を表すグラフである。なお、図１３～図１５において、実線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０を設計通りの位置に実装した場合のアイソレーション特性を表す。一点破線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０の実装位置を、第１の方向のｘ２側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。点線で示すグラフは、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０の実装位置を、第１の方向のｘ１側に５０μｍずらした場合のアイソレーション特性を表す。
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　まず、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０の実装位置が所望の位置である場合を比較すると、第１の配線１８が配線基板１０の内部に位置している第１及び第２の実施形態に係るデュプレクサの方が、第１の配線１８が配線基板１０の第１の主面１０ａ上に位置している第３の実施形態に係るデュプレクサよりも良好であることが分かる。この結果から、第１の配線１８が配線基板１０の内部にある場合は、第１の配線１８と縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１との間の電磁界結合の発生を抑制でき、バランス性を高めることができることが分かる。
　さらに、図１３と図１４との比較により、第１の配線１８が第３の基板層１７の第１の主面１７Ａ上に形成されている第１の実施形態に係るデュプレクサの方が、第１の配線１８が第２の基板層１６の主面１６Ａ上に形成されている第２の実施形態に係るデュプレクサよりもアイソレーション特性が良好であることが分かる。この結果から、第１の配線１８を配線基板１０の第１の主面１０ａから離れた位置に設けることにより、よりアイソレーション特性を高められることが分かる。
　また、第１及び第２の実施形態では、第１の配線１８と縦結合共振子型弾性波フィルタ部６１との間の電磁界結合の発生が抑制できるため、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０の実装位置ずれが生じた場合でも、アイソレーション特性が変化しにくい。従って、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０の実装位置に要求される精度が低く、高い良品率でデュプレクサを製造することができる。
　なお、この電磁界結合を抑制できる効果は、第１の機能電極部６７と、第２の機能電極部６８とが弾性波の伝搬に関して独立している場合に特に顕著に表れる効果である。
　以下、上記実施形態の変形例について説明する。下記の変形例の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の機能で参照し、説明を省略する。
　上記実施形態では、第１及び第２の機能電極部６７，６８のそれぞれが、それぞれ３つのＩＤＴ電極を有する２つの縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されている場合について説明した。但し、本発明はこの構成に限定されない。例えば、第１及び第２の機能電極部のそれぞれは、複数のＩＤＴ電極を有するひとつの縦結合共振子型弾性波フィルタ部により構成されていてもよい。また、例えば図１６に示すように、第１及び第２の機能電極部が、弾性波伝搬方向に沿ってこの順番で形成されている第１～第５のＩＤＴ電極９１～９５により構成されていてもよい。図１６に示す場合は、第１のＩＤＴ電極９１と、第２のＩＤＴ電極９２と、第３のＩＤＴ電極９３の一部とにより第１の機能電極部６７が構成されており、第３のＩＤＴ電極９３の残りの一部と、第４のＩＤＴ電極９４と、第５のＩＤＴ電極９５とにより第２の機能電極部６８が構成されている。
　また、上記第１の実施形態では、圧電基板４２と圧電基板６２とが別体に形成されている場合について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図１９に示すように、圧電基板４２と圧電基板６２とは、一体に形成されていてもよい。すなわち、ラダー型弾性波フィルタチップ４０と、縦結合共振子型弾性波フィルタチップ６０とが一体に形成されていてもよい。
１…デュプレクサ
１０…配線基板
１０ａ…配線基板の第１の主面
１０ｂ…配線基板の第２の主面
１１…アンテナ端子
１２…送信側信号端子
１３ａ…第１の受信側平衡信号端子
１３ｂ…第２の受信側平衡信号端子
１４…インダクタ
１５…第１の基板層
１５Ａ…第１の基板層の主面
１５ａ、１５ｃ、１５ｅ、１５ｇ、１５ｉ、１５ｋ、１５ｍ、１５ｏ、１５ｑ、１５ｕ、１５ｓ、１５ｗ、１６ａ、１６ｃ、１６ｅ、１６ｇ、１６ｉ、１６ｋ、１６ｍ、１６ｏ、１６ｑ、１６ｓ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ、１７ｆ、１７ｇ、１７ｈ、１７ｉ、１７ｏ、１７ｐ…電極
１５ｂ、１５ｄ、１５ｆ、１５ｈ、１５ｊ、１５ｌ、１５ｎ、１５ｐ、１５ｒ、１５ｖ、１５ｔ、１５ｘ、１６ｂ、１６ｄ、１６ｆ、１６ｈ、１６ｊ、１６ｌ、１６ｎ、１６ｐ、１６ｒ、１６ｔ、１７ｊ、１７ｋ、１７ｌ、１７ｍ、１７ｎ、１７ｑ、１７ｒ…ビアホール電極
１６…第２の基板層
１６Ａ…第２の基板層の主面
１７…第３の基板層
１７Ａ…第３の基板層の第１の主面
１７Ｂ…第３の基板層の第２の主面
１７ｓ…アンテナ側裏面電極
１７ｔ…送信側信号出力電極
１７ｕ、１７ｖ、１７ｗ…グラウンド電極
１８…第１の配線
４０…ラダー型弾性波フィルタチップ
４１…ラダー型弾性波フィルタ部
４２…圧電基板
４３ａ～４３ｈ…直列腕共振子
４４…直列腕
４５、４６、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ、５０ｅ…バンプ電極
４７ａ～４７ｃ…並列腕共振子
４８ａ～４８ｃ…並列腕
４９ａ～４９ｃ…インダクタ
６０…縦結合共振子型弾性波フィルタチップ
６１…縦結合共振子型弾性波フィルタ部
６２…圧電基板
６３…アンテナ側電極パッド
６４…第２の配線
６５，６６…電極パッド
６７…第１の機能電極部
６８…第２の機能電極部
６９…第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
７０…第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
７１…第３の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
７２…第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部
７３、７４…弾性波共振子
７５～７７…電極パッド
８０…弾性表面波フィルタ部
８１…圧電体
８２…ＩＤＴ電極
８３…弾性境界波フィルタ部
８４…圧電体
８５…第１の媒質
８６…第２の媒質
８７…ＩＤＴ電極
９１…第１のＩＤＴ電極
９２…第２のＩＤＴ電極
９３…第３のＩＤＴ電極
９４…第４のＩＤＴ電極
９５…第５のＩＤＴ電極

Claims (9)

  1. 　アンテナ端子、送信側信号端子並びに第１及び第２の受信側平衡信号端子を有する分波器であって、
    　第１及び第２の主面を有する配線基板と、
    　前記配線基板の前記第１の主面上に実装されており、圧電基板と、前記圧電基板の上に形成されており、前記アンテナ端子と前記送信側信号端子との間に接続されているラダー型弾性波フィルタ部とを有するラダー型弾性波フィルタチップと、
    　前記配線基板の前記第１の主面上に実装されている縦結合共振子型弾性波フィルタチップとを備え、
    　前記配線基板は、前記第２の主面上に形成されており、前記アンテナ端子に接続されているアンテナ側裏面電極と、前記アンテナ側裏面電極に接続されている第１の配線とを有し、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタチップは、
    　圧電基板と、
    　前記圧電基板上に形成されており、前記アンテナ端子と前記第１及び第２の受信側平衡信号端子との間に接続されている、平衡－不平衡変換機能を有する縦結合共振子型弾性波フィルタ部と、
    　前記圧電基板上に形成されており、前記第１の配線を介して前記アンテナ側裏面電極に接続されているアンテナ側電極パッドと、
    　前記圧電基板上に形成されており、前記アンテナ側電極パッドと前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部とを接続している第２の配線とを有し、
    　前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、前記第２の配線と前記第１の受信側平衡信号端子との間に接続されている第１の機能電極部と、前記第２の配線と前記第２の受信側平衡信号端子との間に接続されている第２の機能電極部とを有し、
    　前記第２の配線は、第１の方向に沿って延びており、かつ、前記第１の機能電極部と前記第２の機能電極部とは、前記第２の配線の前記第１の方向に沿った中心軸に対して線対称に配置されており、
    　前記ラダー型弾性波フィルタチップは長手方向が前記第１の方向と垂直な第２の方向に平行な細長形状である分波器。
  2. 　前記アンテナ側電極パッドは、平面視において前記アンテナ側裏面電極と異なる位置に設けられている、請求項１に記載の分波器。
  3. 　前記第１の配線は、前記配線基板の内部または前記配線基板の第２の主面上に形成されている、請求項１または２に記載の分波器。
  4. 　前記第１の配線は、前記第１及び第２の機能電極部の少なくとも一方と前記第１の方向において重なっている、請求項１～３のいずれか一項に記載の分波器。
  5. 　前記第１の機能電極部は、前記第１の方向と平行な弾性波伝搬方向に沿って設けられた複数のＩＤＴ電極を有する第１の縦結合共振子型フィルタ部を有し、
    　前記第２の機能電極部は、前記第１の方向と平行な弾性波伝搬方向に沿って設けられた複数のＩＤＴ電極を有する第２の縦結合共振子型フィルタ部を有し、
    　前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部とは、前記第２の方向に沿って配列されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の分波器。
  6. 　前記第１の機能電極部は、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第１の受信側平衡信号端子との間において、前記第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ部に縦続接続されている第３の縦結合共振子型弾性波フィルタ部をさらに有し、
    　前記第２の機能電極部は、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部と前記第２の受信側平衡信号端子との間において、前記第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ部に縦続接続されている第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部をさらに有し、
    　前記第１～第４の縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、前記第２の方向に沿って配列されている、請求項５に記載の分波器。
  7. 　前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、前記第２の方向に平行な弾性波伝搬方向に沿って配列されている第１～第５のＩＤＴ電極を有し、
    　前記第１の機能電極部の少なくとも一部は、前記第１及び第２のＩＤＴ電極と前記第３のＩＤＴ電極の一部とにより構成されており、
    　前記第２の機能電極部の少なくとも一部は、前記第４及び第５のＩＤＴ電極と前記第３のＩＤＴ電極の残りの一部とにより構成されている、請求項１～４のいずれか一項に記載の分波器。
  8. 　前記ラダー型フィルタの圧電基板と、前記縦結合共振子型弾性波フィルタの圧電基板とは、一体に形成されている、請求項１～６のいずれか一項に記載の分波器。
  9. 　前記ラダー型フィルタ部及び前記縦結合共振子型弾性波フィルタ部は、弾性表面波を利用する弾性表面化フィルタ部または弾性境界波を利用する弾性境界波フィルタ部である、請求項１～８のいずれか一項に記載の分波器。
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