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WO2010125623A1 - 表示装置 - Google Patents

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WO2010125623A1
WO2010125623A1 PCT/JP2009/007106 JP2009007106W WO2010125623A1 WO 2010125623 A1 WO2010125623 A1 WO 2010125623A1 JP 2009007106 W JP2009007106 W JP 2009007106W WO 2010125623 A1 WO2010125623 A1 WO 2010125623A1
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安松拓人
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    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Definitions

  • the deformation preventing member may be formed of one type selected from the group consisting of glass, hard plastic, and metal.
  • the organic EL display device 1 includes a plastic substrate 2 having a film-like flexibility (flexibility) made of a colorless and transparent resin film deposited at room temperature.
  • a material for forming the plastic substrate 2 for example, an organic material such as polyparaxylene resin, acrylic resin, or polyimide resin can be used.
  • an organic EL layer 8 is formed on the first electrode 7.
  • the organic EL layer 8 includes a hole transport layer and a light emitting layer.
  • the hole transport layer is not limited as long as the hole injection efficiency is good.
  • organic materials such as a triphenylamine inducer, a polyparaphenylene vinylene (PPV) inducer, and a polyfluorene derivative can be used.
  • the organic EL display element 11 is formed by the first electrode 7, the organic EL layer 8 having a light emitting layer and the second electrode 10 formed on the organic EL layer 8 while being formed on the first electrode 7. It is configured.
  • the removal of the glass substrate 50 may not be peeling by laser light irradiation.
  • the glass substrate 50 may be removed using a polishing and etching apparatus.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

　有機ＥＬ表示装置（１）は、可撓性を有するプラスチック基板（２）と、プラスチック基板（２）上に形成された有機ＥＬ表示素子（１１）とを備える。また、有機ＥＬ表示装置（１）は、表示領域（２１）と、表示領域（２１）の周辺に設けられた額縁領域（２２）とを有する。そして、表示領域（２１）に、表示領域（２１）の変形を防止するための変形防止部材（２８）が設けられている。

Description

表示装置
　本発明は、有機ＥＬ表示装置等の表示装置に関する。
　近年、ディスプレイ分野では、フレキシブル性、耐衝撃性や軽量性の点でガラス基板に比べて大きなメリットのあるプラスチック基板等を用いた表示装置が非常に注目を浴びており、ガラス基板のディスプレイでは不可能であった新たなディスプレイが創出される可能性を秘めている。
　薄型の表示装置のような薄膜デバイスを形成する場合は、別に準備した支持基板上に薄膜デバイスを形成しておき、それを所望の基板上へ転写する技術が提案されている。
　より具体的には、まず、ガラス基板上に分離層（光吸収層）を形成した後、被転写層である薄膜デバイス層を形成する。この薄膜デバイス層は、ポリシリコン層を備える表示装置用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）素子を有している。次いで、薄膜デバイス層を、接着層を介して合成樹脂からなる転写体（即ち、プラスチック基板）に接合（接着）する。次いで、ガラス基板の裏面からレーザ光を照射した後、ガラス基板を分離層から剥離する。そして、残存している分離層を除去することにより、薄膜デバイス層を転写体に転写している（例えば、特許文献１参照）。
　また、同様に、ガラス基板上に有機ＥＬ層を形成した後、有機ＥＬ層を、接着剤層を介してプラスチック基板に接着し、ガラス基板の裏面からレーザ光を照射した後、ガラス基板を剥離することにより、有機ＥＬ層をプラスチック基板に転写した表示装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
特開平１０－１２５９３１号公報 特開平２００４－３４９１５２号公報
　しかし、一般に、プラスチック基板は、ヤング率が小さいため、特に、熱プロセスを経ると熱膨張差による応力が発生し、プラスチック基板を用いた表示装置の表示領域に反りやうねり等の変形が発生するという問題があった。また、この変形を抑制するために、プラスチック基板の厚みを大きくする必要があるが、プラスチック基板の厚みを大きくすると、表示装置の薄型化、及び軽量化を図ることができないという問題があった。
　そこで、本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、反りやうねり等の変形の発生を効果的に抑制することができるとともに、小型化、薄型化、及び軽量化を図ることができる表示装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の表示装置は、可撓性を有するプラスチック基板と、プラスチック基板上に形成された表示素子とを備え、表示領域と、表示領域の周辺に設けられた額縁領域とを有する。そして、表示領域に、表示領域の変形を防止するための変形防止部材が設けられている。
　同構成によれば、表示領域の剛性が向上するため、表示領域に反りやうねり等の変形が発生するのを効果的に防止することが可能になる。
　また、表示領域の周辺に設けられた額縁領域においては、変形防止部材が設けられておらず、可撓性を有するプラスチック基板が設けられている。従って、表示領域の周辺に設けられた額縁領域を折り曲げることが可能になるため、平面視において、表示領域の周辺の額縁領域をなくすことが可能になる。従って、表示面の額縁が殆どない狭額縁の表示装置を提供することが可能になる。
　また、上記従来技術とは異なり、プラスチック基板の厚みを大きくする必要がなくなるため、表示装置の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。
　また、本発明の表示装置は、変形防止部材の厚みが、０．０５～０．３ｍｍであっても良い。
　同構成によれば、表示領域の剛性を十分に確保した状態で、表示装置全体の厚みが大きくなるという不都合を防止して、表示装置の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。
　また、本発明の表示装置は、変形防止部材が、ガラス、硬質プラスチック、及び金属からなる群より選ばれる１種により形成されていても良い。
　同構成によれば、安価かつ汎用性のある材料により、変形防止部材を形成することが可能になる。
　また、本発明の表示装置は、表示素子上に接着剤層が設けられるとともに、変形防止部材が、接着剤層を介して設けられていても良い。
　同構成によれば、簡単な構成で、表示領域に変形防止部材を設けることが可能になる。
　また、本発明の表示装置は、変形の発生を効果的に防止することができるとともに、表示装置の小型化、薄型化、及び軽量化を図ることができるという優れた特性を備えている。従って、また、本発明の表示装置は表示素子に、有機ＥＬ表示素子を使用した表示装置に好適に使用できる。
　本発明によれば、変形の発生を効果的に防止することができるとともに、狭額縁化、薄型化、及び軽量化を図ることができる表示装置を提供することが可能になる。
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域を折り曲げた状態を示す平面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
　以下、本発明の実施形態に係る表示装置を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。また、本実施形態においては、表示装置として、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
　図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図であり、図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。また、図３は、図１のＢ－Ｂ断面図であり、図４は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域を折り曲げた状態を示す平面図である。
　図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、例えば、複数の画素等で構成される表示領域２１と表示領域２１の周辺に設けられた額縁領域２２とを備えている。
　また、図１～図３に示すように、この額縁領域２２には、ドライバ部２３が設けられた駆動回路領域２４と、表示領域２１から引き出された配線端子２５が設けられた端子領域２６が規定されている。
　また、図１、図２に示すように、端子領域２６には、配線端子２５に接続された電子部品である集積回路チップ（または、ＩＣチップ）２７が設けられている。
　また、有機ＥＬ表示装置１は、室温で蒸着された無色透明の樹脂膜で構成されたフィルム状の可撓性（フレキシビリティー）を有するプラスチック基板２を備える。このプラスチック基板２を形成する材料としては、例えば、ポリパラキシレン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機材料を用いることができる。
　また、プラスチック基板２の厚みとしては、３～２０μｍが好ましい。これは、厚みが３μｍ未満の場合は、十分な機械的強度が得られない場合があり、また、２０μｍよりも大きい場合は、有機ＥＬ表示装置１の柔軟性が低下する場合があるからである。
　また、プラスチック基板２上には、第１のＴＦＴ素子４等を備えた表示素子層が形成されている。この表示素子層は、プラスチック基板２上に形成された第１のＴＦＴ素子４と、第１のＴＦＴ素子４を覆うように設けられたＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜等の層間絶縁膜５と、層間絶縁膜５を貫通して第１のＴＦＴ素子４に電気的に接続されたメタル配線６により構成されている。また、メタル配線６は、さらに層間絶縁膜５上に延長されて、有機ＥＬ表示素子１１の第１電極７と、端子領域２６に設けられる配線端子２５を構成している。また、層間絶縁膜５上には、各画素（領域）２０を区画する絶縁膜（または、バンク）９が形成されている。この絶縁膜９を形成する材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、メタリル系樹脂、またはノボラック系樹脂等の絶縁性の樹脂材料が挙げられる。なお、層間絶縁膜５の厚みは、例えば、０．５～１μｍとすることができる。また、絶縁膜９の厚みは、例えば、３～５μｍとすることができる。
　有機ＥＬ表示装置１は、第１電極７側から発光を取り出すボトムエミッション型であるため、発光の取り出し効率を向上する観点から、第１電極７は、例えば、ＩＴＯや、ＳｎＯ２等の高い仕事関数を有し、かつ、光透過率の高い材料の薄膜により構成することが好ましい。
　また、図２、図３に示すように、第１電極７上には、有機ＥＬ層８が形成されている。有機ＥＬ層８は、ホール輸送層と発光層とからなる。ホール輸送層は、ホール注入効率が良いものであれば、何ら限定されるものではない。ホール輸送層の材料としては、例えば、トリフェニルアミン誘動体、ポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘動体、ポリフルオレン誘導体などの有機材料等を用いることができる。
　発光層は、特に限定されるものではなく、例えば、８－ヒドロキシキノリロール誘動体、チアゾール誘動体、ベンズオキサゾール誘動体等を用いることができる。また、これらの材料のうち２種以上を組み合わせたり、ドーパント材料などの添加剤を組み合わせてもよい。
　なお、有機ＥＬ層８をホール輸送層と発光層との２層構造としているが、何らこの構成に限定されるものではない。即ち、有機ＥＬ層８は、発光層のみからなる単層構造であっても構わない。また、有機ＥＬ層８を、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、及び、電子輸送層のうちの１層または２層以上と、発光層とにより構成してもよい。
　また、、有機ＥＬ層８及び絶縁膜９上には、第２電極１０が形成されている。第２電極１０は、有機ＥＬ層８に電子を注入する機能を有する。第２電極１０は、例えば、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｅ又はＣｕ等の薄膜により構成することができるが、何らこれに限定されるものではない。
　そして、第１電極７と、第１電極７上に形成されるとともに、発光層を有する有機ＥＬ層８と、有機ＥＬ層８上に形成された第２電極１０とにより有機ＥＬ表示素子１１が構成されている。
　また、有機ＥＬ表示装置１では、第１電極７は有機ＥＬ層８にホールを注入する機能を有し、また、第２電極１０は有機ＥＬ層８に電子を注入する機能を有する。第１電極７と、第２電極１０とからそれぞれ注入されたホールと電子とが有機ＥＬ層８で再結合することにより、有機ＥＬ層８が発光する仕組みとなっている。また、基体層２及び第１電極７は光透過性に、第２電極１０は光反射性に構成されており、発光は第１電極７及び基体層２を透過して有機ＥＬ層８から取り出される仕組みとなっている（ボトムエミッション方式）。
　また、図２に示すように、集積回路チップ２７には、接続用の端子２７ａが設けられており、配線端子２５と端子２７ａを接続することにより、集積回路チップ２７が配線端子２５を介して第１のＴＦＴ４と接続され、集積回路チップ２７が実装される構成となっている。
　また、第１のＴＦＴ素子４は、例えば、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴであり、アモルファスシリコンをチャネルとするものである。この第１のＴＦＴ素子４は、非晶質であるために、ポリシリコンを用いたＴＦＴ素子に比し、電子等のキャリア移動度が低いが、大画面（即ち、大きな表示領域）を有する表示装置を提供することが可能になる。
　また、図３に示すように、駆動回路領域２４には、ドライバ部２３の能動素子である第２のＴＦＴ素子４１が形成されている。また、ドライバ部２３には、層間絶縁膜５を貫通して第２のＴＦＴ素子４１に電気的に接続されたメタル配線４３が形成されており、当該メタル配線４３を介して、第１のＴＦＴ素子４と第２のＴＦＴ素子４１間、及び隣接して設けられた第２のＴＦＴ素子４１間が接続されている。
　ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１においては、図１～図３に示すように、表示領域２２に、当該表示領域２２の変形を防止するための変形防止部材２８を設けている点に特徴がある。
　このような構成により、有機ＥＬ表示装置１における表示領域２２の剛性を向上させることができるため、当該表示領域２２に反りやうねり等の変形が発生するのを効果的に防止することが可能になる。
　また、図１に示すように、表示領域２１の周辺に設けられた額縁領域２２においては、変形防止部材２８が設けられておらず、フィルム状の可撓性を有するプラスチック基板２が設けられている構成となっている。従って、図２に示すように、表示領域２１の周縁部２１ａを境界として、額縁領域２２に規定された端子領域２６を図中の矢印Ｘの方向に折り曲げることが可能になる。また、同様に、図３に示すように、表示領域２１の周縁部２１ａを境界として、額縁領域２２に規定された駆動回路領域２４を図中の矢印Ｙの方向に折り曲げることが可能になる。即ち、表示領域２１の周辺に設けられた額縁領域２２を折り曲げることが可能になるため、図４に示すように、平面視において、表示領域２１の周辺の額縁領域２２をなくすことが可能になる。
　また、上記従来技術とは異なり、プラスチック基板の厚みを大きくする必要がなくなるため、有機ＥＬ表示装置１の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。
　この変形防止部材２８は、図２、図３に示すように、表示領域２１において、有機ＥＬ表示素子１１（即ち、第２電極１０）上に設けられた接着剤層２９を介して、積層される構成となっている。なお、変形防止部材２８は、その全面が接着剤層２９を介して設けられる構成としても良く、変形防止部材２８の一部が接着剤層２９を介して設けられる構成としても良い。
　また、変形防止部材２８を形成する材料としては、表示領域２２の変形を防止することができるものでれば、特に限定はされず、例えば、ガラス、硬質プラスチック、金属等を使用することができる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、アルカリガラス等を使用することができる。また、硬質プラスチックとしては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン等を使用することができ、金属としては、例えば、ＳＵＳやアルミニウム等を使用することができる。なお、変形防止部材２８の厚みとしては、０．０５～０．３ｍｍが好ましい。これは、厚みが０．０５ｍｍ未満の場合は、表示領域の剛性を十分に向上できない場合があるからであり、また、０．３ｍｍよりも大きい場合は、有機ＥＬ表示装置１全体の厚みが大きくなる場合があるからである。
　また、接着剤層２９を構成する接着剤としては、特に限定されず、かかる接着剤としては、例えば、エポキシ樹脂系、ブチラール樹脂系、アクリル樹脂系などの、各種の樹脂系の接着剤が挙げられる。
　次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法について説明する。なお、以下に示す製造方法は単なる例示であり、本発明に係る有機ＥＬ表示装置１は以下に示す方法により製造されたものに限定されるものではない。図５～図１４は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。より具体的には、図６、図８、図１０、図１１、及び図１３は、図１のＡ－Ａ断面方向における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図であり、図７、図９、図１２、及び図１４は、図１のＢ－Ｂ断面方向における有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
　まず、図５に示すように、支持基板として、例えば、厚みが０．７ｍｍ程度のガラス基板５０を準備する。
　次に、図５に示すように、ガラス基板５０上に、例えば、耐熱温度（又は、ガラス転移温度）が４００℃以上で、熱膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以下の樹脂材料で形成された犠牲膜５１を、例えば、０．１～１μｍ程度の厚みで形成する。このような条件を満たす犠牲膜５１の樹脂材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂を用いることができる。なお、この犠牲膜５１は、ガラス基板５０の剥離を良好に行うためのものである。
　次いで、透過型の表示素子の場合は、犠牲膜５１上に、透明の樹脂膜で構成されたフィルム状の基体層２を、例えば、５μｍ程度の厚みで形成する。基体層２を形成する樹脂材料としては、ポリイミド系樹脂、フルオレン系エポキシ樹脂及びフッ素系樹脂を用いることができる。また、基体層２は、犠牲膜５１の表面上に樹脂を塗布することにより形成する。なお、反射型の表示素子の場合やトップエミッション自発光型の表示素子の場合は、犠牲膜５１を形成する樹脂材料と同じ樹脂材料を用いて基体層２を形成することにより、犠牲膜を省く構成としても良い。
　続いて、図６に示すように、プラスチック基板２上に、金属膜や半導体膜等の形成、及びパターニング等を行い、画素２０のスイッチング素子である第１のＴＦＴ素子４を形成する。なお、この際、図７に示すように、ドライバ部２３において、プラスチック基板２上に、金属膜や半導体膜等の形成、及びパターニング等を行い、当該ドライバ部２３の能動素子である第２のＴＦＴ素子４１を形成する。
　次に、図６、図７に示すように、第１のＴＦＴ素子４、及び第２のＴＦＴ素子４１を形成したプラスチック基板２上に、例えば、ＳｉＯ２膜やＳｉＮ膜等を用いて、層間絶縁膜５を、厚みが１～２μｍ程度となるように形成する。
　続いて、図６、図７に示すように、層間絶縁膜５の表面から第１のＴＦＴ素子４までコンタクトホールを設け、ＩＴＯ等の透明導電材料によって第１のＴＦＴ素子４と電気的に接続するメタル配線６を形成し、さらにパターニング等によって、例えば、１５０ｎｍ程度の厚みを有する第１電極７及び配線端子２５を形成する。また、図７に示すように、層間絶縁膜５の表面から第２のＴＦＴ素子４１までコンタクトホールを設け、ＩＴＯ等の透明導電材料によって第１のＴＦＴ素子４及び第２のＴＦＴ素子４と電気的に接続されるメタル配線４３を形成する。
　次に、図６、図７に示すように、層間絶縁膜５上に、例えば、３μｍ程度の厚みを有する絶縁膜９を形成後、第１電極７に対応する部分をエッチングにより除去する。
　次いで、図６、図７に示すように、第１電極７上にホール輸送層と発光層とを形成することにより、有機ＥＬ層８を設ける。ホール輸送層としては、まず、溶剤にホール輸送材料である有機高分子材料を溶解、または分散させたホール輸送材料塗料を、例えば、インクジェット法等により露出している第１電極７上に供給する。その後、焼成処理を施すことによりホール輸送層を形成する。次に、発光層としては、溶剤に発光材料である有機高分子材料を溶解、または分散させた有機発光材料塗料を、例えば、インクジェット法等によりホール輸送層を覆うように供給する。その後、焼成処理を施すことにより発光層を形成する。
　続いて、図６、図７に示すように、絶縁膜９及び有機ＥＬ層８上に、スパッタ法等によりＭｇ、Ｌｉ、Ｃａ、Ａｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｃｅ、またはＣｕ等を用いて第２電極１０を形成する。第２電極１０の厚みは、例えば１５０ｎｍ程度とする。これにより、第１電極７と、第１電極７上に形成されるとともに、発光層を有する有機ＥＬ層８と、有機ＥＬ層８上に形成された第２電極１０とにより構成される有機ＥＬ素子１１が形成される。
　次に、図８、図９に示すように、表示領域２１において、第２電極１０上に、例えば、エポキシ樹脂系の接着剤層２９を形成するとともに、当該接着剤層２９上に、例えば、ガラスにより形成された変形防止部材２８を設ける。
　次に、図１０に示すように、端子領域２６において、集積回路チップ２７の端子２７ａと配線端子２５を接続することにより、集積回路チップ２７を実装して、集積回路チップ２７と第１のＴＦＴ４とを接続する。
　次いで、図１１、図１２に示すように、ガラス基板５０側からレーザ光（図１１、図１２における矢印）を照射することにより、ガラス基板５０を剥離させる。
　ここで、ガラス基板５０の除去は、レーザ光照射による剥離でなくても良い。例えば、研磨及びエッチング装置を用いてガラス基板５０を除去しても良い。
　次に、図１３、図１４に示すように、ガラス基板５０を除去したことにより剥き出しとなった犠牲膜５１をプラズマエッチングにより除去する。ここで、犠牲膜５１の除去は、プラズマエッチングに限らず、例えば、マイクロ波プラズマエッチングにより行っても良い。なお、反射型の表示素子の場合やトップエミッション自発光型の表示素子の場合は、犠牲膜５１をエッチングする必要はない。
　以上の方法により、図１～図３に示す有機ＥＬ表示装置１が作製される。
　以上に説明した本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
　（１）本実施形態においては、有機ＥＬ表示装置１の表示領域２１に、表示領域２１の変形を防止するための変形防止部材２８を設ける構成としている。従って、表示領域２１の剛性が向上するため、表示領域２１に反りやうねり等の変形が発生するのを効果的に防止することが可能になる。
　（２）また、表示領域２１の周辺に設けられた額縁領域２２においては、可撓性を有するプラスチック基板２が設けられているが、変形防止部材２８は設けられていない。従って、表示領域２１の周辺に設けられた額縁領域２２を折り曲げることが可能になるため、平面視において、表示領域２１の周辺の額縁領域２２をなくすことが可能になる。従って、表示面の額縁が殆どない狭額縁の有機ＥＬ表示装置１を提供することが可能になる。
　（３）また、上記従来技術とは異なり、プラスチック基板の厚みを大きくする必要がなくなるため、表示装置１の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。
　（４）本実施形態においては、変形防止部材２８の厚みを、０．０５～０．３ｍｍに設定する構成としている。従って、表示領域２１の剛性を十分に確保した状態で、有機ＥＬ表示装置１全体の厚みが大きくなるという不都合を防止して、有機ＥＬ表示装置１の薄型化、及び軽量化を図ることが可能になる。
　（５）本実施形態においては、変形防止部材２８を、ガラス、硬質プラスチック、及び金属からなる群より選ばれる１種により形成する構成としている。従って、安価かつ汎用性のある材料により、変形防止部材２８を形成することが可能になる。
　（６）本実施形態においては、有機ＥＬ表示素子１１上に接着剤層２９が設けられるとともに、変形防止部材２８を、接着剤層２９を介して設ける構成としている。従って、簡単な構成で、表示領域２１に変形防止部材２８を設けることが可能になる。
　なお、上記実施形態は以下のように変更しても良い。
　実装された集積回路チップ２７を絶縁保護するとともに、当該集積回路チップ２７の剥離を防止するとの観点から、集積回路チップ２７をエポキシ樹脂等により形成された封止部材（不図示）により封止する構成としても良い。
　上記本実施形態、表示装置として有機ＥＬ（organic electro luminescence）に係るものについて示したが、表示装置は、ＬＣＤ（liquid crystal display；液晶表示ディスプレイ）、電気泳動（electrophoretic）、ＰＤ（plasma display；プラズマディスプレイ）、ＰＡＬＣ（plasma addressed liquid crystal display；プラズマアドレス液晶ディスプレイ）、無機ＥＬ（inorganic electro luminescence）、ＦＥＤ（field emission display；電界放出ディスプレイ）、又は、ＳＥＤ（surface-conduction electron-emitter display；表面電界ディスプレイ）等に係る表示装置であってもよい。
　以上説明したように、本発明は、有機ＥＬ表示装置等の表示装置について有用である。
　１　　有機ＥＬ表示装置
　２　　プラスチック基板
　１１　　有機ＥＬ表示素子
　２１　　表示領域
　２２　　額縁領域
　２８　　変形防止部材
　２９　　接着剤層

Claims (5)

  1. 　可撓性を有するプラスチック基板と、前記プラスチック基板上に形成された表示素子とを備え、表示領域と、該表示領域の周辺に設けられた額縁領域とを有する表示装置であって、
    　前記表示領域に、該表示領域の変形を防止するための変形防止部材が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　前記変形防止部材の厚みが、０．０５～０．３ｍｍであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記変形防止部材が、ガラス、硬質プラスチック、及び金属からなる群より選ばれる１種により形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記表示素子上に接着剤層が設けられるとともに、前記変形防止部材が、前記接着剤層を介して設けられていることを特徴とする請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
  5. 　前記表示素子が、有機ＥＬ表示素子であることを特徴とする請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3404732A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-21 GIO Optoelectronics Corp. Electronic device and manufacturing method thereof

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040474A (ja) * 2000-07-20 2002-02-06 Samsung Electronics Co Ltd 可撓性印刷回路基板を有する液晶表示装置
JP2004103471A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子
JP2004103526A (ja) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子
JP2004103525A (ja) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd 表示体
JP2005284252A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Samsung Sdi Co Ltd 平板ディスプレイ装置
WO2007144995A1 (ja) * 2006-06-15 2007-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置及びその製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002040474A (ja) * 2000-07-20 2002-02-06 Samsung Electronics Co Ltd 可撓性印刷回路基板を有する液晶表示装置
JP2004103471A (ja) * 2002-09-11 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子
JP2004103526A (ja) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子
JP2004103525A (ja) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd 表示体
JP2005284252A (ja) * 2004-03-29 2005-10-13 Samsung Sdi Co Ltd 平板ディスプレイ装置
WO2007144995A1 (ja) * 2006-06-15 2007-12-21 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3404732A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-21 GIO Optoelectronics Corp. Electronic device and manufacturing method thereof
CN108962914A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 启耀光电股份有限公司 电子装置与其制造方法
US10403650B2 (en) 2017-05-19 2019-09-03 Gio Optoelectronics Corp. Electronic device and manufacturing method thereof
CN108962914B (zh) * 2017-05-19 2021-07-30 启耀光电股份有限公司 电子装置与其制造方法

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