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WO2010010634A1 - 有機ｅｌ素子及びその製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ素子及びその製造方法 Download PDF

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WO2010010634A1
WO2010010634A1 PCT/JP2008/063444 JP2008063444W WO2010010634A1 WO 2010010634 A1 WO2010010634 A1 WO 2010010634A1 JP 2008063444 W JP2008063444 W JP 2008063444W WO 2010010634 A1 WO2010010634 A1 WO 2010010634A1
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WO
WIPO (PCT)
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organic
curable resin
resin layer
layer
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2008/063444
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English (en)
French (fr)
Inventor
秀男 竹添
史人 荒岡
旬紋 鄭
涼 西村
吾郎 須崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Institute of Technology NUC
Eneos Corp
Original Assignee
Tokyo Institute of Technology NUC
Nippon Oil Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Priority to KR1020117004333A priority patent/KR20110039362A/ko
Priority to PCT/JP2008/063444 priority patent/WO2010010634A1/ja
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    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to an organic EL element and a manufacturing method thereof.
  • Organic electroluminescence elements are used as self-luminous elements as video display devices such as displays and as surface light sources.
  • Such an organic EL element is generally produced by sequentially laminating a transparent electrode as an anode, an organic layer, and a metal electrode as a cathode on a transparent support substrate such as a glass substrate or a transparent plastic film. It is what is done. In this way, the electrons applied from the cathode and the holes supplied from the anode are recombined in the organic layer due to the voltage applied between the transparent electrode and the metal electrode, and excitons generated accordingly.
  • EL emits light when it shifts from the excited state to the ground state. The light emitted from the EL is transmitted through the transparent electrode and taken out from the transparent support substrate side.
  • the present invention has been made in view of the above-described problems of the prior art, and an object thereof is to provide an organic EL element having sufficient external extraction efficiency and a method for manufacturing the same.
  • the present inventors have obtained a transparent support substrate, a curable resin layer that is laminated on the transparent support substrate and has irregularities formed in a periodic arrangement on the surface, And a corrugated structure comprising a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode that are sequentially laminated on the curable resin layer so as to maintain the uneven shape formed on the surface of the curable resin layer.
  • a transparent support substrate a curable resin layer that is laminated on the transparent support substrate and has irregularities formed in a periodic arrangement on the surface
  • a corrugated structure comprising a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode that are sequentially laminated on the curable resin layer so as to maintain the uneven shape formed on the surface of the curable resin layer.
  • the organic EL element it has been found that sufficient external extraction efficiency can be achieved, and the present invention has been completed.
  • the method for producing an organic EL element having a corrugated structure of the present invention is a method for producing an organic EL element comprising a transparent support substrate, a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode, After applying the curable resin on the transparent support substrate and curing the curable resin while pressing the mother die, the mother die is removed, and irregularities are formed in a periodic arrangement on the transparent support substrate. Laminating a curable resin layer, On the curable resin layer, the transparent electrode, the organic layer, and the metal electrode are laminated such that the shape of the irregularities formed on the surface of the curable resin layer is maintained. Obtaining It is a method including.
  • the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sinusoidal waveform.
  • the matrix is Irradiating the surface of the polymer film formed on the substrate, which is made of a polymer whose volume is changed by light irradiation, with laser light, and forming irregularities in a periodic arrangement on the surface of the polymer film; and A step of attaching a matrix material on the polymer film and curing, and then removing the cured matrix material from the polymer film to obtain a matrix; It is preferable that it was obtained by the method of including.
  • the polymer whose volume is changed by light irradiation is an azobenzene polymer.
  • the matrix material is at least one material selected from the group consisting of silicon rubber, nickel, silicon, silicon carbide, tantalum, glassy carbon, quartz, and silica. Preferably there is.
  • the transparent electrode is preferably an electrode made of gold.
  • the pitch of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer is in the range of 10 to 1000 nm, and the height of the unevenness is in the range of 10 to 200 nm. Preferably there is.
  • the organic EL device having a corrugated structure of the present invention includes a transparent support substrate, a curable resin layer laminated on the transparent support substrate and having irregularities formed in a periodic arrangement on the surface, and the curable resin layer.
  • a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode are sequentially laminated on the curable resin layer so as to maintain the shape of the irregularities formed on the surface.
  • the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sinusoidal waveform.
  • the transparent electrode is preferably an electrode made of gold.
  • the pitch of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer is in the range of 10 to 1000 nm, and the height of the unevenness is in the range of 10 to 200 nm. preferable.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional side view showing a state in which a curable resin is applied on a transparent support substrate in a first step of forming a curable resin layer having irregularities formed in a periodic arrangement.
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional side view showing a state in which the curable resin is cured while pressing the mother die in the first step.
  • FIG. 1C is a schematic side cross-sectional view showing a state in which the matrix is removed from the curable resin layer in the first step.
  • FIG. 2A is a schematic sectional side view showing a state in which a curable resin layer is formed on a transparent support substrate in a second step of laminating a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode.
  • FIG. 1A is a schematic cross-sectional side view showing a state in which a curable resin is applied on a transparent support substrate in a first step of forming a curable resin layer having irregularities formed in a periodic arrangement.
  • FIG. 2B is a schematic side cross-sectional view showing a state where transparent electrodes are stacked in the second step.
  • FIG. 2C is a schematic cross-sectional side view showing a state where organic layers are stacked in the second step.
  • FIG. 2D is a schematic sectional side view showing a state where metal electrodes are stacked in the second step.
  • FIG. 3A is a schematic cross-sectional side view showing a state in which a polymer film is formed on a base material in a step of producing a matrix used in the present invention.
  • FIG. 3B is a schematic side cross-sectional view showing a state in which a matrix material is applied onto the polymer film in the process of manufacturing the matrix used in the present invention.
  • FIG. 3C is a schematic side sectional view showing a state in which the mother die is removed from the polymer film in the step of producing the mother die used in the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic diagram showing a preferred embodiment of a method for irradiating the azobenzene polymer film with laser light diffracted light.
  • FIG. 5 is a photograph showing an image in which the surface shape measurement result of the azobenzene polymer film after irradiation with the diffracted light of the laser beam is displayed on the display.
  • FIG. 6 is a photograph showing an image in which a surface observation result of the curable resin layer in Example 1 by an atomic force microscope is displayed on a display.
  • FIG. 7 is a graph showing the measurement result of the height distribution of the curable resin layer at the position of the line (indicated by 1 in FIG. 6) shown in the image of the surface observation result shown in FIG.
  • FIG. 8 is a graph showing the emission spectra of the organic EL elements obtained in Example 1 and Comparative Example 1.
  • FIG. 9A is a photograph showing an image in which the analysis result of the internal electric field distribution of the organic EL element in Test Example 1 (corresponding to the case where the cross-sectional shape of the curable resin layer has a rectangle) is displayed on the display.
  • FIG. 9B is a photograph showing an image in which the analysis result of the internal electric field distribution of the organic EL element in Test Example 1 (corresponding to the case where the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sine waveform) is displayed on the display.
  • the method for producing an organic EL element having a corrugated structure of the present invention is a method for producing an organic EL element comprising a transparent support substrate, a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode, After applying a curable resin on the transparent support substrate and curing the curable resin while pressing the mother die, the mother die is removed and irregularities are formed in a periodic arrangement on the transparent support substrate.
  • a step of laminating the cured curable resin layer (first step); On the curable resin layer, the transparent electrode, the organic layer, and the metal electrode are laminated such that the shape of the irregularities formed on the surface of the curable resin layer is maintained.
  • FIGS. 1A to 1C correspond to the first step
  • FIGS. 2A to 2D correspond to the second step
  • 3A to 3C are diagrams showing a preferred embodiment of a method for manufacturing a mother die used in the present invention.
  • a curable resin 2 ′ is applied on the transparent support substrate 1, and then, as shown in FIG. 1B, the curable resin 2 is pressed while pressing the mother die 21. 'Curing.
  • curable resin 2 ′ include epoxy resin, acrylic resin, urethane resin, melamine resin, urea resin, polyester resin, phenol resin, and cross-linked liquid crystal resin.
  • the coating amount of the curable resin 2 ′ is preferably set to an amount such that the average thickness of the curable resin layer 2 is in the range of 1 to 500 ⁇ m.
  • the conditions for curing the curable resin 2 ′ vary depending on the type of resin used.
  • the curing temperature is in the range of room temperature to 250 ° C.
  • the curing time is in the range of 0.5 minutes to 3 hours.
  • it may be cured by irradiating energy rays such as ultraviolet rays or electron beams, and the irradiation amount is preferably in the range of 20 mJ / cm 2 to 5 J / cm 2 .
  • a nanoimprint method may be used.
  • the mother die 21 is then removed from the curable resin layer 2 after curing.
  • a well-known method is employable suitably.
  • the curable resin layer 2 having irregularities formed in a periodic arrangement can be laminated on the transparent support substrate 1 (see FIG. 1C).
  • the pitch of the unevenness formed on the surface is preferably in the range of 10 to 1000 nm, and more preferably in the range of 100 to 1000 nm. If the concave / convex pitch is less than the lower limit, the pitch becomes too small with respect to the wavelength of visible light, so that necessary diffraction tends not to occur. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the diffraction angle tends to be small. Further, in such a curable resin layer 2, the height of the unevenness formed on the surface is preferably in the range of 10 to 1000 nm, and more preferably in the range of 10 to 200 nm.
  • the required diffraction tends not to occur because the height is too low for the wavelength of visible light.
  • the upper limit is exceeded, the electric field distribution inside the EL layer becomes non-uniform. There is a tendency that the breakdown and lifetime of the element are shortened due to the concentration of the electric field at a specific location.
  • the transparent electrode 3 is formed on the curable resin layer 2 and the shape of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer 2 is maintained. Laminate in this way.
  • the material for the transparent electrode 3 include indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and indium tin oxide (ITO) that is a composite thereof, gold, platinum, silver, and copper. Among these, ITO and gold are preferable from the viewpoint of balance between transparency and conductivity.
  • the thickness of the transparent electrode 3 is preferably in the range of 20 to 500 nm. If the thickness is less than the lower limit, the conductivity tends to be insufficient.
  • a known method such as a vapor deposition method or a sputtering method can be appropriately employed.
  • a vapor deposition method from the viewpoint of maintaining the shape of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer.
  • the organic layer 4 is laminated on the transparent electrode 3 so that the shape of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer 2 is maintained.
  • Such an organic layer 4 is a laminate of various organic thin films, for example, a laminate comprising an anode buffer layer 11, a hole transport layer 12, and an electron transport layer 13 as shown in FIG. 2C.
  • examples of the material of the anode buffer layer 11 include copper phthalocyanine and PEDOT.
  • Examples of the material for the hole transport layer 12 include derivatives such as triphenylamine, triphenyldiamine derivative (TPD), benzidine, pyrazoline, styrylamine, hydrazone, triphenylmethane, and carbazole. Furthermore, examples of the material for the electron transport layer 13 include an aluminum quinolinol complex (Alq), a phenanthroline derivative, an oxadiazole derivative, a triazole derivative, a phenylquinoxaline derivative, and a silole derivative.
  • Such an organic layer 4 is, for example, a laminate of a hole injection layer made of a triphenylamine derivative or the like and a light emitting layer made of a fluorescent organic solid such as anthracene, or such a light emitting layer.
  • a laminate with an electron injection layer made of a perylene derivative or the like, or a laminate with these hole injection layer, light emitting layer, and electron injection layer may be used.
  • a metal fluoride such as lithium fluoride (LiF) or Li 2 O 3 is formed on the transparent electrode 3 or the organic layer 4.
  • a layer made of a highly active alkaline earth metal such as a chemical compound, Ca, Ba, or Cs, or an organic insulating material may be provided.
  • the thicknesses of the anode buffer layer 11, the hole transport layer 12, and the electron transport layer 13 are preferably in the range of 1 to 50 nm, 5 to 200 nm, and 5 to 200 nm, respectively.
  • a known method such as a vapor deposition method or a sputtering method can be appropriately employed. Among these methods, it is preferable to employ a vapor deposition method from the viewpoint of maintaining the shape of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer.
  • the metal electrode 5 is laminated on the organic layer 4 so that the uneven shape formed on the surface of the curable resin layer 2 is maintained.
  • a material of such a metal electrode 5 a substance having a small work function can be appropriately used, and is not particularly limited. Examples thereof include aluminum, MgAg, MgIn, and AlLi.
  • the thickness of the metal electrode 5 is preferably in the range of 50 to 500 nm. If the thickness is less than the lower limit, the conductivity tends to decrease. On the other hand, if the thickness exceeds the upper limit, the uneven shape tends to be difficult to maintain.
  • a known method such as a vapor deposition method or a sputtering method can be appropriately employed.
  • a vapor deposition method from the viewpoint of maintaining the shape of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer.
  • an organic EL element of the present invention According to the method for manufacturing an organic EL element of the present invention as described above, it is possible to manufacture an organic EL element that can achieve sufficient external extraction efficiency. That is, in the method for producing an organic EL device of the present invention, as described above, the transparent electrode, the organic layer, and the metal electrode are maintained in the shape of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer. , Respectively. Therefore, according to such a method, an organic EL element in which a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode are laminated so as to have a corrugated structure can be obtained.
  • the transparent electrode, the organic layer, and the metal electrode each have a corrugated structure, so that the light generated in the organic layer is totally reflected at each interface, and the multiple reflections are suppressed inside the device. can do. Moreover, the light totally reflected at the interface between the transparent support substrate and the air can be re-emitted by the diffraction effect by the corrugated structure. Furthermore, since the transparent electrode, the organic layer, and the metal electrode each have a corrugated structure, the distance between the transparent electrode and the metal electrode is partially shortened. Therefore, compared to a case where the distance between the transparent electrode and the metal electrode is uniform, an increase in electric field strength can be expected at the time of voltage application, and the light emission efficiency of the organic EL element can also be improved. Thus, according to the method for manufacturing an organic EL element of the present invention, it is possible to manufacture an organic EL element that can achieve sufficient external extraction efficiency.
  • the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sine waveform.
  • the cross-sectional shape of the curable resin layer is a sinusoidal waveform
  • the electric field distribution inside the element becomes uniform when a voltage is applied to the organic EL element, compared to the case where the cross-sectional shape is a rectangular shape.
  • the cross-sectional shape is a rectangular shape.
  • the matrix 21 used in the method for producing the organic EL element of the present invention is not particularly limited as long as it has irregularities on the surface, and the material and production method thereof are not particularly limited. From the viewpoint that the cross-sectional shape is a sinusoidal waveform, it is preferable to use one obtained by the following method, for example. That is, the matrix 21 irradiates the surface of a polymer film formed on a base material, which is made of a polymer whose volume is changed by light irradiation, with laser light, and forms irregularities in a periodic arrangement on the surface of the polymer film.
  • a process (polymer film forming process), a process of attaching a matrix material on the polymer film and curing it, and then removing the cured matrix material from the polymer film to obtain a matrix (matrix mold forming process); It is preferable that it is obtained by the method of including.
  • a polymer film made of a polymer whose volume is changed by light irradiation is formed on a substrate.
  • the substrate 22 is not particularly limited, and for example, a material made of glass, plastic, or metal can be used as appropriate.
  • the polymer whose volume changes by light irradiation refers to a polymer whose volume expands or contracts when irradiated with light of a specific wavelength. Examples of such a polymer include a polymer that undergoes a photoisomerization reaction, and azobenzene is preferable because of its large volume change rate.
  • Examples of methods for forming the polymer film in this way include, for example, spin coating, dip coating, dropping, gravure printing, screen printing, letterpress printing, die coating, curtain coating, ink jet, and spraying.
  • a coating method, a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like can be employed.
  • the thickness of such a polymer film is preferably in the range of 1 to 500 ⁇ m, more preferably in the range of 5 to 200 ⁇ m.
  • the surface of the polymer film 23 is irradiated with laser light to form irregularities in a periodic arrangement on the surface of the polymer film 23 as shown in FIG. 3A.
  • the laser is not particularly limited, and for example, an argon laser, a He—Ne laser, a carbon dioxide laser, a YAG laser, and a dye laser can be used.
  • a method of irradiating the surface of the polymer film 23 with laser light in this way for example, (i) a method of diffracting laser light with a diffraction grating and irradiating the light, and (ii) direct irradiation of laser light Method (iii) A method of irradiating laser light through a mask can be employed. Among these methods, from the viewpoint of workability, a method of diffracting laser light with a diffraction grating and irradiating the light is preferable.
  • laser light (argon laser, wavelength: 488 nm) is first diffracted by a surface relief type diffraction grating and the polymer film 23 is irradiated with the diffracted light.
  • the laser light is diffracted, and the polymer film 23 is irradiated with the diffracted light.
  • further rotating the diffraction grating for example, 120 °
  • the laser light is diffracted and the polymer film 23 is irradiated with the diffracted light repeatedly.
  • the polymer film 23 is irradiated with laser light in accordance with the periodic arrangement, irregularities can be formed on the surface of the polymer film 23 with the periodic arrangement. For example, when the diffraction grating is rotated by 120 degrees, a hexagonal concave portion or convex portion is formed.
  • a mother mold material 21 ′ is attached on the polymer film 23 and cured.
  • matrix material 21 ' is not particularly limited, and examples thereof include inorganic substances such as nickel, silicon, silicon carbide, tantalum, glassy carbon, quartz, silica, etc .; silicon rubber, urethane rubber, norbornene resin, polycarbonate, polyethylene terephthalate , Resin compositions such as polystyrene, polymethyl methacrylate, acrylic, and liquid crystal polymer.
  • the method for attaching the matrix material 21 ′ in this way is not particularly limited.
  • vacuum deposition method spin coating method, spray coating method, dip coating method, dropping method, gravure printing method, screen printing method.
  • Various coating methods such as a relief printing method, a die coating method, a curtain coating method, an ink jet method, and a sputtering method can be employed.
  • the conditions for curing the matrix material 21 ′ vary depending on the type of the matrix material to be used.
  • the curing temperature is in the range of room temperature to 250 ° C.
  • the curing time is 0.5 minutes to 3 hours.
  • a range is preferable.
  • it may be cured by irradiating energy rays such as ultraviolet rays or electron beams, and the irradiation amount is preferably in the range of 20 mJ / cm 2 to 10 J / cm 2 .
  • a nanoimprint method may be used.
  • the matrix material 21 after curing is removed from the polymer film 23 to obtain the matrix 21 as shown in FIG. 3C.
  • the method for removing the matrix material 21 after curing from the polymer film 23 is not particularly limited, and a known method can be adopted as appropriate.
  • the organic EL device having a corrugated structure of the present invention includes a transparent support substrate, a curable resin layer laminated on the transparent support substrate and having irregularities formed in a periodic arrangement on the surface, and the curable resin layer.
  • a transparent electrode, an organic layer, and a metal electrode are sequentially laminated on the curable resin layer so as to maintain the shape of the irregularities formed on the surface.
  • Such an organic EL element can be obtained by the manufacturing method of the organic EL element of this invention mentioned above.
  • the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sinusoidal waveform.
  • the cross-sectional shape of the curable resin layer is a sinusoidal waveform
  • the electric field distribution inside the element becomes uniform when a voltage is applied to the organic EL element, compared to the case where the cross-sectional shape is a rectangular shape.
  • the cross-sectional shape is a rectangular shape.
  • the pitch of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer is preferably in the range of 10 to 1000 nm, and more preferably in the range of 100 to 1000 nm. If the concave / convex pitch is less than the lower limit, the pitch becomes too small with respect to the wavelength of visible light, so that necessary diffraction tends not to occur. On the other hand, if the upper limit is exceeded, the diffraction angle tends to be small. Furthermore, in the organic EL device of the present invention, the height of the unevenness formed on the surface of the curable resin layer is preferably in the range of 10 to 1000 nm, and more preferably in the range of 10 to 200 nm.
  • the required diffraction tends not to occur because the height is too low for the wavelength of visible light.
  • the upper limit is exceeded, the electric field distribution inside the EL layer becomes non-uniform. There is a tendency that the breakdown and lifetime of the element are shortened due to the concentration of the electric field at a specific location.
  • the same materials as those used in the above-described method for producing the organic EL element of the present invention are used. Things can be used.
  • Example 1 First, an azobenzene polymer was applied on the base material 22 by a spin coat method so that the film thickness became 0.8 ⁇ m, and an azobenzene polymer film 23 was formed. Thereafter, argon laser light was diffracted by a surface relief type diffraction grating, and the diffracted light was irradiated on the surface of the azobenzene polymer film 23. Next, after rotating the diffraction grating by 120 °, the laser light is diffracted, and the diffracted light is irradiated to the azobenzene polymer film 23. Then, after further rotating the diffraction grating by 120 °, the laser light is diffracted and the diffraction is performed.
  • the azobenzene polymer film 23 was irradiated with light (see FIG. 4). In this way, irregularities were formed in a periodic arrangement on the surface of the azobenzene polymer film 23 (see FIG. 3A). In addition, about the obtained azobenzene polymer film
  • silicon rubber product name “Elastosil RT601” manufactured by Wacker Chemi Co., Ltd.
  • silicon rubber product name “Elastosil RT601” manufactured by Wacker Chemi Co., Ltd.
  • the matrix 21 was obtained by removing from the azobenzene polymer film 23 (see FIGS. 3B and 3C).
  • a glass substrate 1 manufactured by Matsunami, product name “Micro slide glass”
  • a curable resin 2 ′ Norland Optical Adhesive, product name “NOA 61”
  • a curable resin is prepared on the glass substrate 1. 2 'was applied, and then the curable resin 2' was irradiated with ultraviolet rays for 1 hour while being pressed against the mother die 21 to be cured (see FIGS. 1A and 1B). Thereafter, the mother die 21 was removed from the cured curable resin layer 2 to form a curable resin layer 2 having irregularities formed in a periodic arrangement on the glass substrate 1 (see FIG. 1C).
  • corrugation currently formed in the surface of the curable resin layer 2 was 500 nm, and the height of the unevenness
  • corrugation was 50 nm.
  • surface observation was performed by atomic force microscope (AFM). The obtained results are shown in FIGS.
  • a transparent electrode 3 gold, thickness: 30 nm
  • an anode buffer layer 11 copper phthalocyanine, thickness: 10 nm
  • a hole transport layer 12 [N, N′-diphenyl-N, N ′ -Bis (3-methylphenyl) -1,1'-diphenyl-4,4'-diamine, thickness: 40 nm]
  • electron transport layer 13 (8-hydroxyquinoline aluminum, thickness: 60 nm), lithium fluoride layer (thickness) : 1 nm) and metal electrode 5 (aluminum, thickness: 150 nm) are laminated by vapor deposition so that the uneven shape formed on the surface of the curable resin layer 2 is maintained. (See FIGS. 2A to 2D).
  • Example 1 An organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the mother mold produced in Example 1 was not used and no irregularities were formed on the curable resin layer.
  • the emission spectra of the organic EL elements obtained in Example 1 and Comparative Example 1 were measured.
  • the emission spectrum was measured as follows. That is, a spectroscope (product name “USB-2000”, manufactured by Ocean Optics, Inc.) was installed at a distance of 7 cm from the device in a state where a voltage of 10 V was applied to the organic EL devices obtained in Example 1 and Comparative Example 1. Then, emission spectrum analysis was performed. The obtained result is shown in FIG. As is clear from the results shown in FIG. 8, it was confirmed that when the organic EL device of the present invention was used (Example 1), sufficient external extraction efficiency could be achieved.
  • FIG. 9A corresponds to the case where the cross-sectional shape of the curable resin layer has a rectangular shape
  • FIG. 9B corresponds to the case where the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sinusoidal waveform.
  • the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sinusoidal waveform
  • it is more organic than the case where the cross-sectional shape of the curable resin layer has a rectangular shape.
  • the electric field distribution inside the device tends to be uniform when a voltage is applied to the EL device. Therefore, it was confirmed that when the cross-sectional shape of the curable resin layer has a sine waveform, destruction of the organic EL element due to electric field concentration can be suppressed, and the life of the organic EL element can be extended.

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Abstract

　透明支持基板、透明電極、有機層及び金属電極を備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、 　前記透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を積層する工程と、 　前記硬化性樹脂層上に、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極を、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにしてそれぞれ積層して有機ＥＬ素子を得る工程と、 を含む、コルゲート構造を有する有機ＥＬ素子の製造方法。

Description

有機ＥＬ素子及びその製造方法
　本発明は、有機ＥＬ素子及びその製造方法に関する。
　有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は自発光素子として、ディスプレイ等の映像表示装置や面光源として用いられている。そして、このような有機ＥＬ素子は、一般的には、ガラス基板、透明プラスチックフィルム等の透明支持基板上に陽極である透明電極と、有機層と、陰極である金属電極を順に積層して作製されるものである。このように、透明電極と金属電極との間で印加された電圧により、陰極から供給された電子と陽極から供給されたホールとが有機層で再結合し、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際にＥＬ発光する。ＥＬ発光した光は透明電極を透過し、透明支持基板の側から外部に取り出される。
　しかしながら、このような有機ＥＬ素子においては、有機層で生じた光を外部に十分に取り出すことができないという問題があった。すなわち、有機層で生じた光のうちその多くは、素子の内部において多重反射を繰り返すうちに熱になって消えてしまうか、或いは、素子内部を導波し素子端部から出射してしまうため、十分な外部取り出し効率を達成することができないという問題があった。そのため、例えば、特開２００２－２６０８４５号公報（文献１）には、このような問題を解決するための技術が開示されているが、このような技術によっても、十分な外部取り出し効率を達成することができなかった。
　本発明は、上記従来技術の有する課題に鑑みてなされたものであり、十分な外部取り出し効率を有する有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、透明支持基板、前記透明支持基板上に積層されており表面に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層、並びに、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして前記硬化性樹脂層上に順次積層された透明電極、有機層及び金属電極を備え、コルゲート構造を有する有機ＥＬ素子によれば、十分な外部取り出し効率を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
　本発明のコルゲート構造を有する有機ＥＬ素子の製造方法は、透明支持基板、透明電極、有機層及び金属電極を備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、
　前記透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を積層する工程と、
　前記硬化性樹脂層上に、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極を、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにしてそれぞれ積層して有機ＥＬ素子を得る工程と、
を含む方法である。
　本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することが好ましい。
　本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記母型が、
　基材上に形成された、光照射により体積変化するポリマーからなるポリマー膜の表面にレーザー光を照射し、前記ポリマー膜の表面に周期的な配列で凹凸を形成する工程と、
　前記ポリマー膜上に母型材料を付着させ硬化させた後に、硬化後の母型材料を前記ポリマー膜から取り外して母型を得る工程と、
含む方法により得られたものであることが好ましい。
　また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記光照射により体積変化するポリマーが、アゾベンゼンポリマーであることが好ましい。
　さらに、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記母型材料が、シリコンゴム、ニッケル、ケイ素、炭化ケイ素、タンタル、グラッシーカーボン、石英及びシリカからなる群から選択される少なくとも一つの材料であることが好ましい。
　また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記透明電極が金からなる電極であることが好ましい。
　さらに、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸のピッチが１０～１０００ｎｍの範囲であり、且つ凹凸の高さが１０～２００ｎｍの範囲であることが好ましい。
　本発明のコルゲート構造を有する有機ＥＬ素子は、透明支持基板、前記透明支持基板上に積層されており表面に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層、並びに、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして前記硬化性樹脂層上に順次積層された透明電極、有機層及び金属電極を備えるものである。
　本発明の有機ＥＬ素子においては、前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することが好ましい。
　本発明の有機ＥＬ素子においては、前記透明電極が金からなる電極であることが好ましい。
　また、本発明の有機ＥＬ素子においては、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸のピッチが１０～１０００ｎｍの範囲であり、且つ凹凸の高さが１０～２００ｎｍの範囲であることが好ましい。
　本発明によれば、十分な外部取り出し効率を有する有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供することが可能となる。
図１Ａは、周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を形成する第１の工程において、透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布した状態を示す模式側断面図である。 図１Ｂは、前記第１の工程において、母型を押し付けつつ硬化性樹脂を硬化させた状態を示す模式側断面図である。 図１Ｃは、前記第１の工程において、母型を硬化性樹脂層から取り外した状態を示す模式側断面図である。 図２Ａは、透明電極、有機層及び金属電極を積層する第２の工程において、透明支持基板上に硬化性樹脂層が形成された状態を示す模式側断面図である。 図２Ｂは、前記第２の工程において、透明電極を積層した状態を示す模式側断面図である。 図２Ｃは、前記第２の工程において、有機層を積層した状態を示す模式側断面図である。 図２Ｄは、前記第２の工程において、金属電極を積層した状態を示す模式側断面図である。 図３Ａは、本発明で用いる母型を作製する工程において、基材上にポリマー膜を形成した状態を示す模式側断面図である。 図３Ｂは、本発明で用いる母型を作製する工程において、ポリマー膜上に母型材料を塗布した状態を示す模式側断面図である。 図３Ｃは、本発明で用いる母型を作製する工程において、母型をポリマー膜から取り外した状態を示す模式側断面図である。 図４は、レーザー光の回折光をアゾベンゼンポリマー膜に照射する方法の好適な一実施形態を示す模式図である。 図５は、レーザー光の回折光を照射した後のアゾベンゼンポリマー膜の共焦点顕微鏡による表面形状測定結果をディスプレイ上に表示した画像を示す写真である。 図６は、実施例１における硬化性樹脂層の原子間力顕微鏡による表面観察結果をディスプレイ上に表示した画像を示す写真である。 図７は、図６に示す表面観察結果の画像に示された線（図６中１で示す）の位置における硬化性樹脂層の高さ分布の測定結果を示すグラフである。 図８は、実施例１及び比較例１で得られた有機ＥＬ素子の発光スペクトルを示すグラフである。 図９Ａは、試験例１における有機ＥＬ素子の内部電界分布の解析結果（硬化性樹脂層の断面形状が矩形を有する場合に対応）をディスプレイ上に表示した画像を示す写真である。 図９Ｂは、試験例１における有機ＥＬ素子の内部電界分布の解析結果（硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有する場合に対応）をディスプレイ上に表示した画像を示す写真である。
　以下、図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
　先ず、本発明のコルゲート構造を有する有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。本発明のコルゲート構造を有する有機ＥＬ素子の製造方法は、透明支持基板、透明電極、有機層及び金属電極を備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、
　前記透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、前記母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を積層する工程（第１の工程）と、
　前記硬化性樹脂層上に、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極を、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにしてそれぞれ積層して有機ＥＬ素子を得る工程（第２の工程）と、
を含む方法である。
　以下、図１Ａ～図１Ｃ、図２Ａ～図２Ｄ、図３Ａ～図３Ｃを参照しながら本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。これらの図は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の好適な一実施形態を説明するための模式側断面図である。そして、図１Ａ～図１Ｃは第１の工程に対応し、図２Ａ～図２Ｄは第２の工程に対応する。また、図３Ａ～図３Ｃは本発明で用いる母型の作製方法の好適な一実施形態を示す図である。
　第１の工程においては、先ず、図１Ａに示すように、透明支持基板１上に硬化性樹脂２’を塗布し、その後、図１Ｂに示すように、母型２１を押し付けつつ硬化性樹脂２’を硬化させる。このような硬化性樹脂２’としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、架橋型液晶樹脂が挙げられる。また、硬化性樹脂２’の塗布量としては、硬化性樹脂層２の平均厚みが１～５００μｍの範囲となる量とすることが好ましい。さらに、硬化性樹脂２’を硬化させる条件としては、使用する樹脂の種類により異なるが、例えば、硬化温度が室温～２５０℃の範囲であり、硬化時間が０．５分～３時間の範囲であることが好ましい。また、紫外線や電子線のようなエネルギー線を照射することで硬化させる方法でもよく、照射量は２０ｍＪ／ｃｍ２～５Ｊ／ｃｍ２の範囲であることが好ましい。また、ナノインプリント法を用いてもよい。
　第１の工程においては、次いで、図１Ｃに示すように、硬化後の硬化性樹脂層２から母型２１を取り外す。このように硬化後の硬化性樹脂層２から母型２１を取り外す方法としては、特に限定されず、適宜公知の方法を採用することができる。そして、このようにして、透明支持基板１上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層２を積層することができる（図１Ｃ参照）。
　また、このような硬化性樹脂層２においては、表面に形成されている凹凸のピッチは１０～１０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１００～１０００ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸のピッチが前記下限未満では、可視光の波長に対しピッチが小さくなりすぎるため必要な回折が生じなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、回折角が小さくなる傾向にある。さらに、このような硬化性樹脂層２においては、表面に形成されている凹凸の高さは１０～１０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０～２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸の高さが前記下限未満では、可視光の波長に対し高さが低すぎるため必要な回折が生じなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、ＥＬ層内部の電界分布が不均一となり特定の箇所に電界が集中することによる素子の破壊や寿命が短くなる傾向にある。
　第２の工程においては、先ず、図２Ａ～図２Ｂに示すように、硬化性樹脂層２上に透明電極３を、硬化性樹脂層２の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして積層する。このような透明電極３の材料としては、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、金、白金、銀、銅が用いられる。これらの中でも、透明性と導電性の兼ね合いの観点から、ＩＴＯや金が好ましい。また、透明電極３の厚みとしては、２０～５００ｎｍの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が不十分となる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、透明性が不十分となり発光したＥＬ光を十分に外部に取り出せなくなる傾向にある。さらに、このように透明電極３を積層する方法としては、蒸着法、スパッター法等の公知の方法を適宜採用することができる。これらの方法の中でも、硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状を維持するという観点から、蒸着法を採用することが好ましい。
　第２の工程においては、次に、図２Ｃに示すように、透明電極３上に有機層４を、硬化性樹脂層２の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして積層する。このような有機層４は、種々の有機薄膜の積層体であり、例えば、図２Ｃに示すような陽極バッファー層１１、正孔輸送層１２、及び電子輸送層１３からなる積層体が挙げられる。ここで、陽極バッファー層１１の材料としては、例えば、銅フタロシアニン、ＰＥＤＯＴ等が挙げられる。また、正孔輸送層１２の材料としては、例えば、トリフェニルアミン、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）、ベンジジン、ピラゾリン、スチリルアミン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、カルバゾール等の誘導体が挙げられる。さらに、電子輸送層１３の材料としては、例えば、アルミニウムキノリノール錯体（Ａｌｑ）、フェナンスロリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体が挙げられる。また、このような有機層４は、例えば、トリフェニルアミン誘導体等からなる正孔注入層と、アントラセン等の蛍光性の有機固体からなる発光層との積層体や、或いはこのような発光層とペリレン誘導体等からなる電子注入層との積層体や、また或いはこれらの正孔注入層、発光層、及び電子注入層との積層体であってもよい。さらに、このような有機層４への電荷注入又は正孔注入を容易にするという観点から、透明電極３上或いは有機層４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、Ｌｉ２Ｏ３等の金属フッ化物、Ｃａ、Ｂａ、Ｃｓ等の活性の高いアルカリ土類金属、有機絶縁材料等からなる層を設けてもよい。
　また、このような有機層４が陽極バッファー層１１、正孔輸送層１２、及び電子輸送層１３からなる積層体である場合、硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状を維持するという観点から、陽極バッファー層１１、正孔輸送層１２、及び電子輸送層１３の厚みは、それぞれ１～５０ｎｍの範囲、５～２００ｎｍの範囲、及び５～２００ｎｍの範囲であることが好ましい。さらに、このように有機層４を積層する方法としては、蒸着法、スパッター法等の公知の方法を適宜採用することができる。これらの方法の中でも、硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状を維持するという観点から、蒸着法を採用することが好ましい。
　第２の工程においては、次いで、図２Ｄに示すように、有機層４上に金属電極５を、硬化性樹脂層２の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして積層する。このような金属電極５の材料としては、仕事関数の小さな物質を適宜用いることができ、特に限定されないが、例えば、アルミニウム、ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉが挙げられる。また、金属電極５の厚みとしては、５０～５００ｎｍの範囲であることが好ましい。厚みが前記下限未満では、導電性が低下する傾向にあり、他方、前記上限を超えると、凹凸形状の維持が困難となる傾向にある。さらに、このように金属電極５を積層する方法としては、蒸着法、スパッター法等の公知の方法を適宜採用することができる。これらの方法の中でも、硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状を維持するという観点から、蒸着法を採用することが好ましい。
　以上説明したような本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、十分な外部取り出し効率を達成することができる有機ＥＬ素子を製造することが可能となる。すなわち、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前述のように、透明電極、有機層及び金属電極が、硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、それぞれ積層される。そのため、このような方法によれば、透明電極、有機層及び金属電極がそれぞれコルゲート構造を有するように積層された有機ＥＬ素子を得ることができる。そして、このように、透明電極、有機層及び金属電極がそれぞれコルゲート構造を有することにより、有機層で生じた光が各界面において全反射してしまい、素子の内部において多重反射を繰り返すことを抑制することができる。また、透明支持基板と空気との界面において全反射してしまった光を、コルゲート構造による回折効果により再出射させることもできる。さらに、透明電極、有機層及び金属電極がそれぞれコルゲート構造を有することから、透明電極と金属電極との電極間距離が部分的に短くなっている。そのため、透明電極と金属電極との電極間距離が均一なものと比較して、電圧印加時において電界強度の増加を見込むことができ、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることもできる。このように、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法によれば、十分な外部取り出し効率を達成することができる有機ＥＬ素子を製造することが可能となる。
　また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することが好ましい。このように硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形である場合には、断面形状が矩形状の場合と比較して、有機ＥＬ素子に電圧をかけた際の素子内部の電界分布が均一となる傾向にある。そのため、このように硬化性樹脂層の断面形状を正弦波形とすることにより、電界集中による有機ＥＬ素子の破壊を抑制することができ、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができる。
　さらに、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に用いる母型２１としては、表面に凹凸が形成されているものであればよく、その材質や作製方法は特に限定されないが、前記硬化性樹脂層の断面形状を正弦波形とするという観点から、例えば以下のような方法により得られるものを用いることが好ましい。すなわち、母型２１は、基材上に形成された、光照射により体積変化するポリマーからなるポリマー膜の表面にレーザー光を照射し、前記ポリマー膜の表面に周期的な配列で凹凸を形成する工程（ポリマー膜形成工程）と、前記ポリマー膜上に母型材料を付着させ硬化させた後に、硬化後の母型材料を前記ポリマー膜から取り外して母型を得る工程（母型形成工程）と、含む方法により得られたものであることが好ましい。
　ポリマー膜形成工程においては、先ず、基材上に光照射により体積変化するポリマーからなるポリマー膜を形成する。基材２２としては特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチック、金属からなるものを適宜用いることができる。また、光照射により体積変化するポリマーは、特定の波長の光を照射した際に体積が膨張又は収縮するポリマーのことをいう。このようなポリマーとしては、光異性化反応を起こすポリマーが例示されるが、体積変化率の大きさからアゾベンゼンが好ましい。また、このようにポリマー膜を形成する方法としては、例えば、スピンコート法、ディップコート法、滴下法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、ダイコート法，カーテンコート法、インクジェット法、スプレーコート法、スパッター法、真空蒸着法等を採用することができる。さらに、このようなポリマー膜の厚みとしては、１～５００μｍの範囲であることが好ましく、５～２００μｍの範囲であることがより好ましい。
　ポリマー膜形成工程においては、次に、ポリマー膜２３の表面にレーザー光を照射し、図３Ａに示すように、ポリマー膜２３の表面に周期的な配列で凹凸を形成する。ここで、レーザーとしては特に限定されず、例えば、アルゴンレーザー、Ｈｅ－Ｎｅレーザー、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、色素レーザーを使用することができる。また、このようにポリマー膜２３の表面にレーザー光を照射する方法としては、例えば、（i）レーザー光を回折格子で回折させ、その光を照射する方法、（ii）レーザー光を直接照射する方法、（iii）レーザー光をマスクを介して照射する方法を採用することができる。これらの方法の中でも、作業性の観点から、レーザー光を回折格子で回折させ、その光を照射する方法が好ましい。
　そして、このようにポリマー膜２３の表面にレーザー光を所定の方法で照射することで、ポリマーが体積変化することにより、ポリマー膜２３の表面に周期的な配列で凹凸を形成することができる。より具体的には、先ず、表面レリーフ型等の回折格子でレーザー光（アルゴンレーザー、波長：４８８ｎｍ）を回折させ、その回折光をポリマー膜２３に照射する。次に、回折格子を回転させた（例えば１２０°）後にレーザー光を回折させ、その回折光をポリマー膜２３に照射する。その後、回折格子を更に回転させた（例えば１２０°）後にレーザー光を回折させ、その回折光をポリマー膜２３に照射することを繰り返す。
　このようにして、周期的な配列に従い、ポリマー膜２３にレーザー光が照射されることとなるため、ポリマー膜２３の表面に周期的な配列で凹凸を形成することができる。なお、例えば、回折格子を１２０度ずつ回転させた場合には、六角形状の凹部又は凸部が形成される。
　母型形成工程においては、先ず、図３Ｂに示すように、ポリマー膜２３上に母型材料２１’を付着させ硬化させる。このような母型材料２１’としては、特に限定されず、例えば、ニッケル、ケイ素、炭化ケイ素、タンタル、グラッシーカーボン、石英、シリカ等の無機物；シリコンゴム、ウレタンゴム、ノルボルネン樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル、アクリル、液晶ポリマー等の樹脂組成物が挙げられる。これらの母型材料の中でも、成形性、微細形状の追従性、型離れという観点から、シリコンゴム、ニッケル、ケイ素、炭化ケイ素、タンタル、グラッシーカーボン、石英、シリカが好ましく、シリコンゴム、ニッケル、石英がより好ましい。また、このように母型材料２１’を付着させる方法としては、特に限定されず、例えば、真空蒸着法；スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、滴下法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、凸版印刷法、ダイコート法，カーテンコート法、インクジェット法、スパッター法等の各種コート方法を採用することができる。また、母型材料２１’を硬化させる条件としては、使用する母型材料の種類により異なるが、例えば、硬化温度が室温～２５０℃の範囲であり、硬化時間が０．５分～３時間の範囲であることが好ましい。また、紫外線や電子線のようなエネルギー線を照射することで硬化させる方法でもよく、照射量は２０ｍＪ／ｃｍ２～１０Ｊ／ｃｍ２の範囲であることが好ましい。また、ナノインプリント法を用いてもよい。
　母型形成工程においては、その後、図３Ｃに示すように、硬化後の母型材料２１をポリマー膜２３から取り外して母型２１を得る。このように硬化後の母型材料２１をポリマー膜２３から取り外す方法としては、特に限定されず、適宜公知の方法を採用することができる。
　次に、本発明のコルゲート構造を有する有機ＥＬ素子について説明する。本発明のコルゲート構造を有する有機ＥＬ素子は、透明支持基板、前記透明支持基板上に積層されており表面に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層、並びに、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして前記硬化性樹脂層上に順次積層された透明電極、有機層及び金属電極を備えるものである。そして、このような有機ＥＬ素子は、前述した本発明の有機ＥＬ素子の製造方法により得ることができる。
　また、本発明の有機ＥＬ素子においては、前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することが好ましい。このように硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形である場合には、断面形状が矩形状の場合と比較して、有機ＥＬ素子に電圧をかけた際の素子内部の電界分布が均一となる傾向にある。そのため、このように硬化性樹脂層の断面形状を正弦波形とすることにより、電界集中による有機ＥＬ素子の破壊を抑制することができ、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができる。
　さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸のピッチは１０～１０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１００～１０００ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸のピッチが前記下限未満では、可視光の波長に対しピッチが小さくなりすぎるため必要な回折が生じなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、回折角が小さくなる傾向にある。さらに、本発明の有機ＥＬ素子においては、硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の高さは１０～１０００ｎｍの範囲であることが好ましく、１０～２００ｎｍの範囲であることがより好ましい。凹凸の高さが前記下限未満では、可視光の波長に対し高さが低すぎるため必要な回折が生じなくなる傾向にあり、他方、前記上限を超えると、ＥＬ層内部の電界分布が不均一となり特定の箇所に電界が集中することによる素子の破壊や寿命が短くなる傾向にある。
　また、本発明の有機ＥＬ素子にかかる透明支持基板、硬化性樹脂層、透明電極、有機層及び金属電極の材料としては、前述した本発明の有機ＥＬ素子の製造方法に用いたものと同様のものを用いることができる。
　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
　（実施例１）
　先ず、基材２２上にアゾベンゼンポリマーをスピンコート法により、膜厚が０．８μｍとなるように塗布し、アゾベンゼンポリマー膜２３を形成した。その後、表面レリーフ型回折格子でアルゴンレーザー光を回折させ、その回折光をアゾベンゼンポリマー膜２３の表面に照射した。次に、回折格子を１２０°回転させた後にレーザー光を回折させ、その回折光をアゾベンゼンポリマー膜２３に照射し、次いで、回折格子を更に１２０°回転させた後にレーザー光を回折させ、その回折光をアゾベンゼンポリマー膜２３に照射した（図４参照）。このようにして、アゾベンゼンポリマー膜２３の表面に周期的な配列で凹凸を形成した（図３Ａ参照）。なお、得られたアゾベンゼンポリマー膜２３について、共焦点顕微鏡による表面形状測定を行った。得られた結果を図５に示す。
　次に、アゾベンゼンポリマー膜２３上に母型材料２１’としてシリコンゴム（ワッカーケミ社製、製品名「Ｅｌａｓｔｏｓｉｌ　ＲＴ６０１」）を滴下法により塗布し、５０℃にて１時間加熱して硬化させ、その後、アゾベンゼンポリマー膜２３から取り外して母型２１を得た（図３Ｂ及び図３Ｃ参照）。
　そして、ガラス基板１（Ｍａｔｓｕｎａｍｉ社製、製品名「Ｍｉｃｒｏ　ｓｌｉｄｅ　ｇｌａｓｓ」）及び硬化性樹脂２’（Ｎｏｒｌａｎｄ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ａｄｈｅｓｉｖｅ社製、製品名「ＮＯＡ　６１」）を準備し、ガラス基板１上に硬化性樹脂２’を塗布し、その後、母型２１を押し付けつつ硬化性樹脂２’に紫外線を１時間照射して硬化させた（図１Ａ及び図１Ｂ参照）。その後、硬化後の硬化性樹脂層２から母型２１を取り外し、ガラス基板１上に周期的な配列で凹凸を形成された硬化性樹脂層２を形成した（図１Ｃ参照）。なお、硬化性樹脂層２の表面に形成されている凹凸のピッチは５００ｎｍであり、凹凸の高さは５０ｎｍであった。また、得られた硬化性樹脂層２について、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による表面観察を行った。得られた結果を図６及び図７に示す。
　次いで、硬化性樹脂層２上に透明電極３（金、厚み：３０ｎｍ）、陽極バッファー層１１（銅フタロシアニン、厚み：１０ｎｍ）、正孔輸送層１２［Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－１，１’－ジフェニル－４，４’－ジアミン、厚み：４０ｎｍ］、電子輸送層１３（８－ヒドロキシキノリンアルミニウム、厚み：６０ｎｍ）、フッ化リチウム層（厚み：１ｎｍ）、及び金属電極５（アルミニウム、厚み：１５０ｎｍ）を、硬化性樹脂層２の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして、それぞれ蒸着法により積層して有機ＥＬ素子を作製した（図２Ａ～図２Ｄ参照）。
　（比較例１）
　実施例１で作製した母型を用いずに、硬化性樹脂層に凹凸を形成しなかった以外は実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
　＜評価結果＞
　実施例１及び比較例１で得られた有機ＥＬ素子の発光スペクトルを測定した。なお、発光スペクトルは、以下のようにして測定した。すなわち、実施例１及び比較例１で得られた有機ＥＬ素子に１０Ｖの電圧を印加した状態で、素子より７ｃｍの距離に分光器（Ｏｃｅａｎ　Ｏｐｔｉｃｓ社製、製品名「ＵＳＢ－２０００」）を設置し、発光スペクトル解析を行った。得られた結果を図８に示す。図８に示した結果から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子を用いた場合（実施例１）は、十分な外部取り出し効率を達成できることが確認された。
　（試験例１）
　硬化性樹脂層２の断面形状が正弦波形を有する場合と、硬化性樹脂層２の断面形状が矩形を有する場合について、有機ＥＬ素子の内部電界分布をシミュレートした。具体的には、硬化性樹脂層に形成された凹凸のピッチを３００ｎｍとし、凹凸の高さを５０ｎｍとし、硬化性樹脂層２上に透明電極３、厚みが１１０ｎｍの有機層４及び金属電極５を、硬化性樹脂層２の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして積層した場合における有機ＥＬ素子の内部電界分布をそれぞれシミュレートした。得られた結果を図９Ａ及び図９Ｂに示す（図９Ａは硬化性樹脂層の断面形状が矩形を有する場合に対応し、図９Ｂは硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有する場合に対応する。）。図９Ａ及び図９Ｂに示した結果からも明らかなように、硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有する場合には、硬化性樹脂層の断面形状が矩形を有する場合と比較して、有機ＥＬ素子に電圧をかけた際の素子内部の電界分布が均一となる傾向にあることが確認された。したがって、硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有することにより、電界集中による有機ＥＬ素子の破壊を抑制することができ、有機ＥＬ素子の長寿命化を図ることができることが確認された。
　以上説明したように、本発明によれば、十分な外部取り出し効率を有する有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供することが可能となる。

Claims (11)

  1. 透明支持基板、透明電極、有機層及び金属電極を備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、
    　前記透明支持基板上に硬化性樹脂を塗布し、母型を押し付けつつ前記硬化性樹脂を硬化させた後、前記母型を取り外して、前記透明支持基板上に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層を積層する工程と、
    　前記硬化性樹脂層上に、前記透明電極、前記有機層及び前記金属電極を、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにしてそれぞれ積層して有機ＥＬ素子を得る工程と、
    を含む、コルゲート構造を有する有機ＥＬ素子の製造方法。
  2. 前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有する、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  3. 前記母型が、
    　基材上に形成された、光照射により体積変化するポリマーからなるポリマー膜の表面にレーザー光を照射し、前記ポリマー膜の表面に周期的な配列で凹凸を形成する工程と、
    　前記ポリマー膜上に母型材料を付着させ硬化させた後に、硬化後の母型材料を前記ポリマー膜から取り外して母型を得る工程と、
    含む方法により得られたものである、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  4. 前記光照射により体積変化するポリマーがアゾベンゼンポリマーである、請求項３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  5. 前記母型材料が、シリコンゴム、ニッケル、ケイ素、炭化ケイ素、タンタル、グラッシーカーボン、石英及びシリカからなる群から選択される少なくとも一つの材料である、請求項３に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  6. 前記透明電極が金からなる電極である、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  7. 前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸のピッチが１０～１０００ｎｍの範囲であり、且つ凹凸の高さが１０～２００ｎｍの範囲である、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
  8. 透明支持基板、前記透明支持基板上に積層されており表面に周期的な配列で凹凸が形成された硬化性樹脂層、並びに、前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸の形状が維持されるようにして前記硬化性樹脂層上に順次積層された透明電極、有機層及び金属電極を備える、コルゲート構造を有する有機ＥＬ素子。
  9. 前記硬化性樹脂層の断面形状が正弦波形を有する、請求項８に記載の有機ＥＬ素子。
  10. 前記透明電極が金からなる電極である、請求項８に記載の有機ＥＬ素子。
  11. 前記硬化性樹脂層の表面に形成されている凹凸のピッチが１０～１０００ｎｍの範囲であり、且つ凹凸の高さが１０～２００ｎｍの範囲である、請求項８に記載の有機ＥＬ素子。
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