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WO2010092471A3 - Procédé et dispositif de revêtement de substrats plans avec des chalcogènes - Google Patents

Procédé et dispositif de revêtement de substrats plans avec des chalcogènes Download PDF

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WO2010092471A3
WO2010092471A3 PCT/IB2010/000280 IB2010000280W WO2010092471A3 WO 2010092471 A3 WO2010092471 A3 WO 2010092471A3 IB 2010000280 W IB2010000280 W IB 2010000280W WO 2010092471 A3 WO2010092471 A3 WO 2010092471A3
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chalcogen
chalcogens
forming
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PCT/IB2010/000280
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Immo KÖTSCHAU
Reinhard Lenz
Dieter Schmid
Robert Michael Hartung
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Centrotherm Photovoltaics AG
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Abstract

La présente invention concerne un procédé et un dispositif pour le revêtement de substrats plans avec des chalcogènes sous forme de couches minces. Cette invention vise à produire un revêtement rapide et économique de substrats plans avec des chalcogènes, comprenant l'élimination contrôlée et sans danger du chalcogène non condensé et un dispositif approprié pour mettre en oeuvre le procédé. Pour ce faire, on forme un bouchon de vapeur côté orifice d'entrée et côté orifice de sortie (6,7) pour la fermeture étanche à l'oxygène d'une chambre de traitement (5), on introduit, dans la chambre de traitement (5) un ou plusieurs substrats à recouvrir, lesdits substrats étant régulés en température à une température prédéterminée, on introduit un mélange de gaz vecteur/vapeur de chalcogène dans la chambre de traitement (5) qui comporte un passage de transport (4), au-dessus des substrats, on forme un flux du mélange gaz vecteur/vapeur de chalcogène dans le passage de transport (4) entre les bouchons de vapeur côté orifice d'entrée et côté orifice de sortie (6,7) et on forme une couche de chalcogène sur les substrats par dépôt physique en phase vapeur pendant un temps de maintien prédéterminé puis on élimine la vapeur de chalcogène qui ne s'est pas condensée sur les substrats en même temps que le gaz vecteur entre les bouchons de vapeur et enfin on enlève les substrats lorsque le temps de traitement est arrivé à son terme.
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