WO2010089922A1

WO2010089922A1 - アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機

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Publication number: WO2010089922A1
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Inventors: 俊英津幡
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Publication date: 2010-08-12
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Abstract

　画素電極（１７ａ）に電気的に接続された容量電極（４７ａ）が設けられ、保持容量配線（１８ｐ）は、容量電極（４７ａ）と画素電極（１７ａ）との間の層に形成され、容量電極（４７ａ）と保持容量配線（１８ｐ）とが第１絶縁膜を介して重なるとともに、保持容量配線（１８ｐ）と画素電極（１７ａ）とが第２絶縁膜を介して重なっている。この構成により、アクティブマトリクス基板において、開口率を低下させることなく保持容量の値をより大きくすることができる。

Description

アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機

　本発明は、保持容量配線を備えるアクティブマトリクス基板およびこれを用いた液晶表示装置に関する。

　従来、液晶表示装置では、画素電極に印加された電圧を保持するため、保持容量配線を備え、画素電極との重なり部分に保持容量を形成する形態が提案されている。図３７には、この形態の一例を示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示している。この図に示す構成では、保持容量配線３８は走査信号線３２に並行して配され、保持容量配線３８と画素電極３９との重なり部分に保持容量が形成される。しかし、この構成では、保持容量配線３８は、走査信号線３２と同層に形成されるため、保持容量配線３８と画素電極３９との間には、走査信号線３２および保持容量配線３８の絶縁膜であるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の上に形成されるデータ信号線の絶縁膜である層間絶縁膜とが介在することになる。そのため、保持容量配線３８と画素電極３９との重なり部分に形成される保持容量の値を十分確保することができない。また、容量値を大きくするために保持容量配線３８の線幅を広くする形態も考えられるが、この形態では開口率が低下するという問題が生じる。

　そこで、このような問題を解決できる技術の一例として、特許文献１には、保持容量配線がデータ信号線に並行して配された液晶表示装置（図３８参照）が開示されている。

　図３８に示すように、特許文献１に記載のアクティブマトリクス基板では、保持容量配線８はゲート絶縁膜の上に形成され、保持容量配線８の上に層間絶縁膜が形成されているため、保持容量配線８と画素電極９との間には、層間絶縁膜のみが介在することになる。すなわち、図３７の構成と比較して、保持容量配線８と画素電極９との間の距離を、ゲート絶縁膜の膜厚分だけ小さくすることができる。そのため、保持容量配線と画素電極との重なり面積を、図３７および図３８の両構成で同一とした場合には、図３８の構成の方が保持容量の値を大きくすることができる。また、保持容量の値を両構成において同一とした場合には、図３８の構成の方が保持容量配線の線幅を細くすることができるため、開口率を大きくすることができる。

　このように、保持容量配線をデータ信号線に並行して配することにより、保持容量配線を走査信号線に並行して配する構成と比較して、開口率の低下を招くことなく保持容量の値を増大させることができる。

日本国公開特許公報「特開平６－１３０４１２号公報（１９９４年５月１３日公開）」

　しかしながら、図３８に示すアクティブマトリクス基板においても、保持容量の値をさらに増大させるためには、保持容量配線の線幅を広くする必要があり、開口率の低下は避けられない。近年の液晶表示装置では、表示品位のさらなる向上を図るためには、開口率の向上および保持容量の値の増大化をともに実現することが重要な要素となっている。

　本発明では、上記問題点に鑑み、アクティブマトリクス基板において、開口率を低下させることなく保持容量の値をより大きくすることができる構成を提案する。

　本アクティブマトリクス基板は、データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続されたトランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続された第１画素電極が設けられ、１つの画素領域に、上記第１画素電極に電気的に接続された第１容量電極が設けられ、上記保持容量配線は、上記第１容量電極と上記第１画素電極との間の層に形成され、上記第１容量電極と上記保持容量配線とが第１絶縁膜を介して重なるとともに、上記保持容量配線と上記第１画素電極とが第２絶縁膜を介して重なっていることを特徴としている。

　本発明のアクティブマトリクス基板では、保持容量は、上記第１容量電極と上記保持容量配線との重なり部分に形成される容量（第１容量）と、上記保持容量配線と上記第１画素電極との重なり部分に形成される容量（第２容量）とで構成される。これにより、従来（図３８参照）と比較して、保持容量の値を（第１容量分）大きくすることができる。

　また、上記構成では、保持容量配線が、第１容量電極と第１画素電極との間の層に形成されるため、上記第１容量を形成する第１容量電極を保持容量配線下に配することができる。そのため、従来（図３８参照）と比較して、開口率が低下することもない。

　このように、上記構成によれば、基板の厚み方向に２つの保持容量（第１および第２容量）を形成することができるため、従来と比較して、開口率を低下させることなく保持容量の値をより大きくすることができる。

本実施の形態１にかかる液晶パネルの構成を示す等価回路図である。図１の液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図２のＸ－Ｙ矢視断面図である。図１の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図１に示す液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。図２の他の具体例を示すＸ－Ｙ矢視断面図である。図１に示す液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。図７のＸ－Ｙ矢視断面図である。図１に示す液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。本実施の形態２にかかる液晶パネルの構成を示す等価回路図である。図１０の液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図１１のＸ１－Ｙ１矢視断面図である。図１１のＸ２－Ｙ２矢視断面図である。図１０の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図１０の液晶パネルを備えた液晶表示装置に図１４の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。図１０に示す液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。本実施の形態２にかかる液晶パネルの他の構成を示す等価回路図である。図１７の液晶パネルの一具体例を示す平面図である。本実施の形態２にかかる液晶パネルの他の構成を示す等価回路図である。図１９の液晶パネルを備えた液晶表示装置に図１４の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。図１９の液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図１０の液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。本実施の形態３にかかる液晶パネルの構成を示す等価回路図である。図１０の液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図２４のＸ－Ｙ矢視断面図である。図２４の液晶パネルを備えた液晶表示装置に図１４の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。本実施の形態３にかかる液晶パネルの他の構成を示す等価回路図である。図２７の液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図２８の液晶パネルを備えた液晶表示装置に図１４の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。本実施の形態３にかかる液晶パネルの他の構成を示す等価回路図である。図３０の液晶パネルの一具体例を示す平面図である。（ａ）は本液晶表示ユニットの構成を示す模式図であり、（ｂ）は本液晶表示装置の構成を示す模式図である。本液晶表示装置の全体構成を説明するブロック図である。本液晶表示装置の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の構成を示す分解斜視図である。従来の液晶パネルの構成を示す平面図である。従来の液晶パネルの構成を示す平面図である。マルチギャップ方式の液晶パネルの一例を示す断面図である。図２に示す液晶パネルをマルチギャップ方式にしたときの具体例を示す平面図である。図２に示す液晶パネルをマルチギャップ方式にしたときの他の具体例を示す平面図である。

　本発明にかかる実施の形態の例を、図１～３６、図３９～図４１を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜のため、以下では走査信号線の延伸方向を行方向とする。ただし、本液晶パネル（あるいはこれに用いられるアクティブマトリクス基板）を備えた液晶表示装置の利用（視聴）状態において、その走査信号線が横方向に延伸していても縦方向に延伸していてもよいことはいうまでもない。また、液晶パネルに形成される配向規制用構造物については、適宜省略記載している。

　〔実施の形態１〕
　図１は実施の形態１にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図１に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸する、データ信号線（１５ｘ・１５ｙ）および保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ）と、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）と、行および列方向に並べられた画素（１０１～１０４）と、共通電極（対向電極）ｃｏｍとを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。

　本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線と１本の走査信号線とが設けられる。１つの画素に１つの画素電極（第１画素電極）が設けられ、画素１０１に設けられた画素電極１７ａ、および画素１０２に設けられた画素電極１７ｃが一列に配されるともに、画素１０３に設けられた画素電極１７Ａ、および画素１０４に設けられた画素電極１７Ｃが一列に配され、画素電極１７ａと１７Ａ、画素電極１７ｃと１７Ｃが、それぞれ行方向に隣接している。

　画素１０１では、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａ１（第１容量）・Ｃｈａ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成されている。

　また、画素１０１と列方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７ｃが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｃを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｃ１（第１容量）・Ｃｈｃ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成されている。

　また、画素１０１と行方向に隣接する画素１０３では、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５ｙに接続され、画素電極１７Ａと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＡ１（第１容量）・ＣｈＡ２（第２容量）が形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成されている。

　図１の画素１０１の具体例を図２に示す。同図に示されるように、データ信号線１５ｘおよび走査信号線１６ｘの交差部近傍にトランジスタ１２ａが配され、両信号線（１５ｘ・１６ｘ）で画される画素領域に長方形形状の画素電極１７ａが設けられ、保持容量配線１８ｐが、画素領域を縦断するようにデータ信号線１５ｘと同層かつこれに並行して配されている。さらに、画素領域には、容量電極４７ａ（第１容量電極）が、平面的に視て、保持容量配線１８ｐと重なるように配されている。

　走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａが形成され、ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し電極２７ａに接続され、ドレイン引き出し電極２７ａはコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。

　容量電極４７ａは、走査信号線１６ｘと同層において保持容量配線１８ｐ下に形成され、ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）を介して保持容量配線１８ｐと重なるとともに、コンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。これにより、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈａ１（図１参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、層間絶縁膜（第２絶縁膜）を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈａ２（図１参照）が形成される。なお、他の画素の構成（各部材の形状および配置並びに接続関係）は画素１０１のそれと同じである。

　この構成によれば、画素１０１における保持容量の値は、容量電極４７ａおよび保持容量配線１８ｐ間に形成される保持容量Ｃｈａ１と、保持容量配線１８ｐおよび画素電極１７ａ間に形成される保持容量Ｃｈａ２との和（Ｃｈａ１＋Ｃｈａ２）になる。これに対して、従来の構成（例えば図３８に示す特許文献１の構成）では、図２の構成に当てはめると、画素１０１における保持容量の値は、保持容量配線１８ｐおよび画素電極１７ａ間に形成される保持容量Ｃｈａ２（第２容量）のみとなる。すなわち、本構成では、従来の構成と比較して、容量電極４７ａおよび保持容量配線１８ｐ間に形成される保持容量Ｃｈａ１（第１容量）分だけ容量値を増大させることができる。したがって、保持容量の値を変えることなく保持容量配線１８ｐおよび容量電極４７ａの幅を狭くして重なり面積を小さくすることにより開口率を高めたり、重なり面積を変えることなく（すなわち、開口率を変えることなく）保持容量の値を大きくしたりすることができる。

　図３は図２のＸ－Ｙ矢視断面図である。同図に示すように、本液晶パネルは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備えている。

　アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に、容量電極４７ａが形成され、これを覆うように無機ゲート絶縁膜２２（第１絶縁膜）が形成されている。なお、図示しないが、走査信号線もガラス基板３１上に形成される。無機ゲート絶縁膜２２の上層には、半導体層（ｉ層およびｎ＋層；図示せず）と、ｎ＋層に接するソース電極およびドレイン電極（ともに図示せず）と、ドレイン引き出し電極２７ａと、保持容量配線１８ｐとが形成され、これらを覆うように無機層間絶縁膜２５（第２絶縁膜）が形成されている。無機層間絶縁膜２５上には画素電極１７ａが形成され、さらに、画素電極１７ａを覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。

　ここで、コンタクトホール１１ａでは、無機層間絶縁膜２５が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ａとドレイン引き出し電極２７ａとが接続される。また、コンタクトホール１１１ａでは、無機層間絶縁膜２５および無機ゲート絶縁膜２２が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ａと容量電極４７ａとが電気的に接続される。そして、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとが無機ゲート絶縁膜２２を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈａ１（図１参照）が形成され、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、無機層間絶縁膜２５を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈａ２（図１参照）が形成される。

　なお、図３に示すように、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上に着色層１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜１９が形成されている。

　本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、順次走査が行われ、走査信号線１６ｘ，１６ｙが順次選択されることにより表示動作が行われる。図４は図１および図２に示す液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶは、隣接する２本のデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５ｙ）それぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙに供給されるゲートオンパルス信号、Ｖａ、ＶＡ、Ｖｃはそれぞれ、画素電極１７ａ、１７Ａ、１７ｃの電位を示している。

　この駆動方法では、図４に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２において、Ｆ１では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｃの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５ｙ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｃの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給する。

　また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｃの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５ｙ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｃの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給する。

　本液晶パネルでは、ゲート絶縁膜２２および層間絶縁膜２５それぞれに窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を用い、層間絶縁膜２５をゲート絶縁膜２２よりも薄く形成している。この点、ゲート絶縁膜２２の厚みは、トランジスタ特性に与える影響が大きく、開口率を向上させる、あるいは保持容量の値を大きくするといった上記効果のためにこの厚みを大きく変えることは好ましくない。一方、層間絶縁膜２５（チャネル保護膜）の厚みはトランジスタ特性に与える影響が比較的小さい。そこで、トランジスタ特性を保ちつつ上記効果を高めるためには、層間絶縁膜２５の厚みを小さくすることが好ましく、本液晶パネルのように、層間絶縁膜２５の厚みをゲート絶縁膜２２のそれよりも小さくすることが好ましい。なお、層間絶縁膜２５の厚みを大きくした場合には、トランジスタ特性を保ちつつ絶縁耐圧を向上させることができるという効果が得られる。このように、層間絶縁膜２５は、ゲート絶縁膜２２と比較して設計自由度が高いため、所望の膜厚に設定することができる。

　また、本液晶パネルでは、図５に示すように、平面的に視て、容量電極４７ａの横幅（行方向の幅）が、保持容量配線１８ｐの横幅よりも大きいことが好ましい。これにより、容量電極４７ａのアライメントが行方向にずれても保持容量の値が変動しにくくなる（アライメントずれに強い）という効果が得られる。

　また、本液晶パネルでは、容量電極４７ａが、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明電極層で形成されていることが好ましい。これにより、開口（透過）率の低下を抑えつつ保持容量の値を大きくすることができる。

　また、この構成では、容量電極４７ａの面積を変えても透過率を一定に維持することができるため、例えば、Ｒ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）画素ごとに液晶層の厚みを変えるマルチギャップ方式（図３９参照）の液晶パネルに好適である。マルチギャップ方式の液晶パネルでは、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素ごとに液晶容量が異なるため、トランジスタＯＦＦ時の引き込み電圧がＲ・Ｇ・Ｂ画素ごとに異なり、これに起因する焼き付きやフリッカが問題となっている。

　そこで、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとが重なり合う面積を、液晶層の厚みに応じてＲ・Ｇ・Ｂ画素間で互いに異ならせて、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素間で保持容量の値を変えることが望ましい。すなわち、図２の液晶パネルを図３９に示すようなマルチギャップ方式（Ｒ画素の液晶層の厚みｄＲ＞Ｇ画素の液晶層の厚みｄＧ＞Ｂ画素の液晶層の厚みｄＢ）とする場合には、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素ごとに保持容量の値を変える、具体的には、Ｒ画素の保持容量＞Ｇ画素の保持容量＞Ｂ画素の保持容量とすることが望ましい。これにより、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素の開口（透過）率を変えることなく液晶容量のばらつきを保持容量で補償することができ、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素間で上記引き込み電圧を揃えることができる。

　図４０には、図２の液晶パネルをマルチギャップ方式にしたときの具体例を示している。図４０に示すように、容量電極４７ｒはコンタクトホール１１１ｒを介して画素電極１７ｒに接続され、容量電極４７ｇはコンタクトホール１１１ｇを介して画素電極１７ｇに接続され、容量電極４７ｂはコンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続される。また、容量電極４７ｒ，４７ｇ，４７ｂは、透明電極層により形成されるとともに、隣接するＲＧＢ画素間でその長さが異なっている。具体的には、容量電極４７ｒ，４７ｇ，４７ｂは、それぞれの長さが、４７ｒ（Ｒ画素）＞４７ｇ（Ｇ画素）＞４７ｂ（Ｂ画素）の関係を満たすように形成されている。これにより、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素ごとに保持容量の値を変えることで、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素間で上記引き込み電圧を揃えることができる。また、容量電極は透明電極層で形成されているため、透過率の低下を招くことがなく、さらに、保持容量配線の幅を大きくすることなく保持容量の値を大きくすることができるため、開口率の低下を招くこともない。

　図４１には、図２の液晶パネルをマルチギャップ方式にしたときの他の具体例を示している。図４１に示すように、各画素の容量電極（４７ｒ・４７ｇ・４７ｂ）は、保持容量配線１８ｐの列方向に沿う２本のエッジの内側に各容量電極（４７ｒ・４７ｇ・４７ｂ）の列方向に沿う２本のエッジが位置するように形成されるとともに、それぞれの長さが、４７ｒ（Ｒ画素）＞４７ｇ（Ｇ画素）＞４７ｂ（Ｂ画素）の関係を満たすように形成されている。この構成においても、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素の開口（透過）率を変えることなく、Ｒ・Ｇ・Ｂ画素ごとに保持容量の値を変えることができるため、上記同様の効果を得ることができる。

　次に、本液晶パネルの製造方法について説明する。液晶パネルの製造方法には、アクティブマトリクス基板製造工程と、カラーフィルタ基板製造工程と、両基板を貼り合わせて液晶を充填する組み立て工程とが含まれる。

　以下に、アクティブマトリクス基板製造工程について説明する。

　まず、ガラス、プラスチックなどの基板上に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å～３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターンニングを行い、走査信号線、トランジスタのゲート電極（走査信号線がゲート電極を兼ねる場合もある）、およびゲートメタル層（容量電極４７ａ）を形成する。

　次いで、走査信号線などが形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁膜（厚さ３０００Å～５０００Å程度）を成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。例えば、窒化シリコンは成膜時の基板温度を３５０℃にして成膜する。

　続いて、ゲート絶縁膜上（基板全体）に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１０００Å～３０００Å）と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００Å～７００Å）とを連続して成膜し、その後、ＰＥＰ技術によってパターニングを行い、ゲート電極上に、真性アモルファスシリコン層とｎ＋アモルファスシリコン層とからなるシリコン積層体を島状に形成する。

　続いて、シリコン積層体が形成された基板全体に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å～３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターンニングを行い、データ信号線、トランジスタのソース電極・ドレイン電極、ドレイン引き出し電極、および保持容量配線を形成する。

　さらに、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、シリコン積層体を構成するｎ＋アモルファスシリコン層をエッチング除去し、トランジスタのチャネルを形成する。ここで、半導体層は、上記のようにアモルファスシリコン膜により形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜およびポリシリコン膜にレーザアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。これにより、半導体層内の電子の移動速度が速くなり、トランジスタ（ＴＦＴ）の特性を向上させることができる。

　次いで、データ信号線および保持容量配線などが形成された基板全体に、ＣＶＤ法により窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁膜（厚さ２０００Å～５０００Å）を成膜して、無機層間絶縁膜を形成する。例えば、窒化シリコンは成膜時の基板温度を２５０℃にして成膜する。

　その後、ＰＥＰ技術により層間絶縁膜、あるいは、層間絶縁膜およびゲート絶縁膜をエッチング除去して、各種コンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å～２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターニングし、画素電極を形成する。

　最後に、画素電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å～１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。以上のようにして、アクティブマトリクス基板が製造される。

　以下に、カラーフィルタ基板製造工程について説明する。

　まず、ガラス、プラスチックなどの基板上（基板全体）に、クロム薄膜、または黒色顔料を含有する樹脂を成膜した後にＰＥＰ技術によってパターンニングを行い、ブラックマトリクスを形成する。次いで、ブラックマトリクスの間隙に、顔料分散法などを用いて、赤、緑および青のカラーフィルタ層（厚さ２μｍ程度）をパターン形成する。

　続いて、カラーフィルタ層上の基板全体に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å程度）を成膜し、共通電極（ｃｏｍ）を形成する。

　最後に、共通電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å～１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。上記のようにして、カラーフィルタ基板を製造することができる。

　以下に、組み立て工程について、説明する。

　まず、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板の一方に、スクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、プラスチックまたはシリカからなる球状のスペーサーを散布する。

　次いで、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせ、シール材料を硬化させる。

　最後に、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板並びにシール材料で囲まれる空間に、減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射によって液晶材料を封止することで液晶層を形成する。以上のようにして、液晶パネルが製造される。

　本液晶パネルでは、図３の無機層間絶縁膜２５上にこれよりも厚い有機層間絶縁膜２６を設け、図６に示すように、チャネル保護膜（層間絶縁膜）を二層構造とすることもできる。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果が得られる。

　図６の無機層間絶縁膜２５、有機層間絶縁膜２６およびコンタクトホール１１ａ・１１１ａは例えば、以下のようにして形成することができる。すなわち、トランジスタやデータ信号線を形成した後、ＳｉＨ_４ガスとＮＨ_３ガスとＮ_２ガスとの混合ガスを用い、基板全面を覆うように、厚さ約３０００ÅのＳｉＮｘからなる無機層間絶縁膜２５（パッシベーション膜）をＣＶＤにて形成する。その後、厚さ約３μｍのポジ型感光性アクリル樹脂からなる有機層間絶縁膜２６をスピンコートやダイコートにて形成する。続いて、フォトリソグラフィーを行って有機層間絶縁膜２６の刳り貫き部分および各種のコンタクト用パターンを形成し、さらに、パターニングされた有機層間絶縁膜２６をマスクとし、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスを用いて、コンタクトホール１１ａの箇所では無機層間絶縁膜２５をドライエッチングし、コンタクトホール１１１ａの箇所では無機層間絶縁膜２５とゲート絶縁膜２２をドライエッチングする。具体的には、例えば、コンタクトホール１１ａの部分については有機絶縁膜をフォトリソグラフィー工程でハーフ露光とすることで現像完了時に有機層間絶縁膜が薄く残膜するようにしておく一方、コンタクトホール１１１ａの部分については上記フォトリソグラフィー工程でフル露光することで現像完了時に有機層間絶縁膜が残らないようにしておく。ここで、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスでドライエッチングを行えば、コンタクトホール１１ａの部分についてはまず（有機層間絶縁膜の）残膜が除去され、続いて無機層間絶縁膜２５が除去され、コンタクトホール１１１ａの部分については、まず有機層間絶縁膜下の無機層間絶縁膜２５が除去され、続いてゲート絶縁膜２２が除去されることになる。なお、有機層間絶縁膜２６は、例えば、ＳＯＧ（スピンオンガラス）材料からなる絶縁膜であってもよく、また、有機層間絶縁膜２６に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラック樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくとも１つが含まれていてもよい。

　図１の液晶パネルを図７のように構成することもできる。すなわち、容量電極４７ａをドレイン引き出し電極２７ａと重なる位置まで延伸させて、容量電極４７ａ、ドレイン引き出し電極２７ａ、および画素電極１７ａを、コンタクトホール１１ｓによって接続する。こうすれば、図２の２つのコンタクトホール（１１ａ・１１１ａ）を、１つのコンタクトホール（１１ｓ）にまとめることができる。コンタクトホール形成箇所はその段差ゆえに液晶配向が乱れ易く、これが視認されるおそれがあるが、上記のようにコンタクトホールを１つにまとめることで液晶配向が乱れる領域を減らし、表示品位を高めることができる。なお、このような液晶配向の乱れを遮光膜（例えば、ブラックマトリクス）で隠したり容量電極を広くすることで隠したりする場合には、コンタクトホールを１つにまとめることで遮光領域を減らし、開口率を高めることができる。

　図８は図７のＸ－Ｙ矢視断面図である。同図に示すように、コンタクトホール１１ｓでは、層間絶縁膜２５およびゲート絶縁膜２２が刳り貫かれ、これによって、容量電極４７ａとドレイン引き出し電極２７ａと画素電極１７ａとが接続される。なお、コンタクトホール１１ｓの形成箇所では、ドレイン引き出し電極２７ａを形成する前に、ゲート絶縁膜２２を例えばＰＥＰ技術によってエッチング除去しておくことになる。

　図１の液晶パネルを図９のように構成することもできる。すなわち、容量電極４７ａから引き出された容量引き出し電極４７１ａ，４７２ａを、データ信号線１５ｙと重なる位置まで延伸させる。これにより、容量引き出し電極４７１ａ，４７２ａのそれぞれの一部が、ゲート絶縁膜を介してデータ信号線１５ｙと重なることになる。こうすれば、データ信号線１５ｙに断線（Ｓ断）が発生した場合に、容量引き出し電極４７１ａ，４７２ａおよび容量電極４７ａを、データ信号線１５ｙの迂回路として機能させることができる。具体的には、データ信号線１５ｙで断線が発生した場合、容量引き出し電極４７１ａとデータ信号線１５ｙとが重なる箇所（Ｐ１）、および、容量引き出し電極４７２ａとデータ信号線１５ｙとが重なる箇所（Ｐ２）、をレーザによりメルト接続するとともに、画素電極１７ａのうち、容量電極４７ａとの接続箇所であるコンタクトホール１１１ａ内の部分をレーザ等により除去（トリミング）する。これにより、容量電極４７ａをデータ信号線１５ｙの迂回路として機能させることができる。

　〔実施の形態２〕
　図１０は実施の形態２にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図１０に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｘ・１５ｙ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）、行および列方向に並べられた画素（１０１～１０４）、保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。

　本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線と１本の走査信号線とが設けられ、１つの画素に２つの画素電極（第１および第２画素電極）が列方向に並べられて設けられており、画素１０１に設けられた２つの画素電極１７ａ・１７ｂ、および画素１０２に設けられた２つの画素電極１７ｃ・１７ｄが一列に配されるともに、画素１０３に設けられた２つの画素電極１７Ａ・１７Ｂ、および画素１０４に設けられた２つの画素電極１７Ｃ・１７Ｄが一列に配され、画素電極１７ａと１７Ａ、画素電極１７ｂと１７Ｂ、画素電極１７ｃと１７Ｃ、画素電極１７ｄと１７Ｄが、それぞれ行方向に隣接している。すなわち、本実施の形態２における液晶パネルは、１つの画素領域に複数の画素電極が設けられた画素分割方式の液晶パネルである。

　画素１０１では、画素電極１７ａ（第１画素電極）・１７ｂ（第２画素電極）が、結合容量Ｃａｂを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａ１（第１容量）・Ｃｈａ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｂが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成されている。

　また、画素１０１と列方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７ｃ・１７ｄが、結合容量Ｃｃｄを介して接続され、画素電極１７ｃが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｃを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｃ１（第１容量）・Ｃｈｃ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｄが形成され、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　また、画素１０１と行方向に隣接する画素１０３では、画素電極１７Ａ・１７Ｂが、結合容量ＣＡＢを介して接続され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５ｙに接続され、画素電極１７Ａと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＡ１（第１容量）・ＣｈＡ２（第２容量）が形成され、画素電極１７Ｂと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＢが形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成されている。

　本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、順次走査が行われ、走査信号線１６ｘ、１６ｙが順次選択される。例えば、走査信号線１６ｘが選択された場合には、画素電極１７ａがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ａを介して）接続される。ここで、画素電極１７ａと画素電極１７ｂとが結合容量Ｃａｂを介して結合されているため、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ａの電位をＶａ、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をＶｂとすれば、|Ｖａ|≧|Ｖｂ|（なお、例えば|Ｖｂ|は、Ｖｂとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）となるため、画素電極１７ａを含む副画素を明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を暗副画素とし、これら明副画素および暗副画素の面積階調によって中間調表示を行うことができる。これにより、本液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。

　図１０の画素１０１の具体例を図１１に示す。同図に示されるように、データ信号線１５ｘおよび走査信号線１６ｘの交差部近傍にトランジスタ１２ａが配され、両信号線（１５ｘ・１６ｘ）で画される画素領域に、長方形形状の画素電極１７ａ（第１画素電極）と長方形形状の画素電極１７ｂ（第２画素電極）とが列方向に並べられており、第１画素電極の外周をなす４辺のうち１辺と第２画素電極の外周をなす４辺のうち１辺とが隣接している。また、データ信号線１５ｘと同層かつこれに並行して列方向に延伸する保持容量配線１８ｐは、画素電極１７ａ・１７ｂと重なるように配されている。さらに、画素領域には、容量電極４７ａ（第１容量電極）が、列方向に延伸して、画素電極１７ａ・１７ｂの隣接する２辺の間隙と画素電極１７ａと画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｐとに重なるように配されている。

　走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａが形成され、ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し電極２７ａに接続され、ドレイン引き出し電極２７ａは、同層に形成された結合容量電極３７ａ（第２容量電極）に繋がるとともにコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、結合容量電極３７ａが層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂと重なっており、両者の重なり部分に画素電極１７ａ・１７ｂ間の結合容量Ｃａｂ（図１０参照）が形成される。

　容量電極４７ａは、走査信号線１６ｘと同層において保持容量配線１８ｐ下に形成され、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８ｐと重なるとともに、コンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。これにより、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈａ１（図１０参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈａ２（図１０参照）が形成される。さらに、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｂとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈｂ（図１０参照）が形成される。なお、他の画素の構成（各部材の形状および配置並びに接続関係）は画素１０１のそれと同じである。

　この構成によれば、画素１０１における画素電極１７ａの保持容量の値は、容量電極４７ａおよび保持容量配線１８ｐ間に形成される保持容量Ｃｈａ１（第１容量）と、保持容量配線１８ｐおよび画素電極１７ａ間に形成される保持容量Ｃｈａ２（第２容量）との和（Ｃｈａ１＋Ｃｈａ２）になる。したがって、画素分割方式の液晶パネルにおいて、保持容量の値を変えることなく保持容量配線１８ｐおよび容量電極４７ａの幅を狭くして重なり面積を小さくすることにより開口率を高めたり、重なり面積を変えることなく（すなわち、開口率を変えることなく）保持容量の値を大きくしたりすることができる。

　図１２および図１３は、図１１のＸ１－Ｙ１矢視断面図およびＸ２－Ｙ２矢視断面図である。これらの図に示すように、本液晶パネルは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備えている。

　図１２に示すように、アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に、走査信号線１６ｘが形成され、これを覆うように無機ゲート絶縁膜２２が形成されている。無機ゲート絶縁膜２２の上層には、半導体層２４（ｉ層およびｎ＋層）と、ｎ＋層に接する、ソース電極８ａおよびドレイン電極９ａと、ドレイン引き出し電極２７ａと、結合容量電極３７ａ（第２容量電極）とが形成され、これらを覆うように無機層間絶縁膜２５が形成されている。無機層間絶縁膜２５上には画素電極１７ａ・１７ｂが形成され、さらに、これら（画素電極１７ａ・１７ｂ）を覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。

　ここで、コンタクトホール１１ａでは、無機層間絶縁膜２５が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ａとドレイン引き出し電極２７ａとが接続される。また、ドレイン引き出し電極２７ａと同層で繋がる結合容量電極３７ａは、無機層間絶縁膜２５を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃａｂ（図１０参照）が形成される。

　また、図１３に示すように、アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に、容量電極４７ａが形成され、これを覆うように無機ゲート絶縁膜２２が形成されている。無機ゲート絶縁膜２２の上層には、ドレイン電極９ａ（図１３）に接続されるドレイン引き出し電極２７ａと、保持容量配線１８ｐとが形成され、これらを覆うように無機層間絶縁膜２５が形成されている。無機層間絶縁膜２５上には画素電極１７ａ・１７ｂが形成され、さらに、画素電極１７ａ・１７ｂを覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。

　ここで、コンタクトホール１１ａでは、上述したように、無機層間絶縁膜２５が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ａとドレイン引き出し電極２７ａとが接続される。また、コンタクトホール１１１ａでは、無機層間絶縁膜２５および無機ゲート絶縁膜２２が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ａと容量電極４７ａとが電気的に接続される。そして、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとが無機ゲート絶縁膜２２を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈａ１（図１０参照）が形成され、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、無機層間絶縁膜２５を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈａ２（図１０参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｂとが、無機層間絶縁膜２５を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈｂ（図１０参照）が形成される。

　なお、図１２および図１３に示すように、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上に着色層１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜１９が形成されている。なお、他の画素の構成（各部材の形状および配置並びに接続関係）は画素１０１のそれと同じである。

　この構成によれば、画素電極１７ａを含む副画素は明副画素（以下、「明」）、画素電極１７ｂを含む副画素は暗副画素（以下、「暗」）となる。

　図１４は図１０に示す液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶは、隣接する２本のデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５ｙ）それぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙに供給されるゲートオンパルス信号、Ｖａ・Ｖｂ、ＶＡ・ＶＢ、Ｖｃ・Ｖｄはそれぞれ、画素電極１７ａ・１７ｂ、１７Ａ・１７Ｂ、１７ｃ・１７ｄの電位を示している。

　この駆動方法では、図１４に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。

　具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２において、Ｆ１では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｃの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５ｙ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｃの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給する。これにより、図１４に示すように、|Ｖａ|≧|Ｖｂ|，|Ｖｃ|≧|Ｖｄ|，|ＶＡ|≧|ＶＢ|となり、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図１５（ａ）のようになる。

　また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択（例えば、走査信号線１６ｘ・１６ｙをこの順に選択）し、隣接する２本のデータ信号線の一方（例えば、データ信号線１５ｘ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ａの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７ｃの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、上記２本のデータ信号線の他方（例えば、データ信号線１５ｙ）には、１番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ａの書き込み期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、２番目の水平走査期間（例えば、画素電極１７Ｃの書き込み期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給する。これにより、図１４に示すように、|Ｖａ|≧|Ｖｂ|，|Ｖｃ|≧|Ｖｄ|，|ＶＡ|≧|ＶＢ|となり、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図１５（ｂ）のようになる。

　図１０の液晶パネルを図１６のように構成することもできる。すなわち、結合容量電極３７ａを、容量電極４７ａと同層において容量電極４７ａから延伸するように形成することにより、結合容量電極３７ａを、コンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ａと接続する。この構成では、結合容量電極３７ａと画素電極１７ｂとが、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して重なることによって、結合容量Ｃａｂ（図１０参照）が形成される。こうすれば、図１１に示す構成よりも、ドレイン引き出し電極２７ａを短縮することができるため、開口率を高めることができる。

　ここで、図１０の液晶パネルでは、１画素に設けられる２つの画素電極のうちトランジスタに近接する方を該トランジスタに接続しているが、これに限定されない。図１７のように、１画素に設けられる２つの画素電極のうちトランジスタから遠い方を該トランジスタに接続してもよい。図１７の画素１０１の具体例を図１８に示す。図１８の液晶パネルでは、データ信号線１５ｘおよび走査信号線１６ｘの交差部近傍にトランジスタ１２ａが配され、両信号線（１５ｘ・１６ｘ）で画される画素領域に、長方形形状の画素電極１７ａと長方形形状の画素電極１７ｂとが列方向に並べられており、第１画素電極の外周をなす４辺のうち１辺と第２画素電極の外周をなす４辺のうち１辺とが隣接している。また、データ信号線１５ｘと同層かつこれに並行して列方向に延伸する保持容量配線１８ｐは、画素電極１７ａ・１７ｂと重なるように配されている。さらに、画素領域には、容量電極４７ｂ（第１容量電極）が、平面的に視て、保持容量配線１８ｐと重なるように配されている。

　走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａが形成され、ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し電極２７ｂに接続され、ドレイン引き出し電極２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、結合容量電極３７ｂが層間絶縁膜を介して画素電極１７ａと重なっており、両者の重なり部分に画素電極１７ａ・１７ｂ間の結合容量Ｃａｂ（図１７参照）が形成される。

　容量電極４７ｂは、走査信号線１６ｘと同層において保持容量配線１８ｐ下に形成され、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８ｐと重なるとともに、コンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続される。これにより、容量電極４７ｂと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈｂ１（図１７参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｂとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈｂ２（図１７参照）が形成される。さらに、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈａ（図１７参照）が形成される。なお、他の画素の構成（各部材の形状および配置並びに接続関係）は画素１０１のそれと同じである。

　図１７の液晶パネルでは、画素電極１７ａを含む副画素は「暗」、画素電極１７ｂを含む副画素は「明」となる。

　図１０の液晶パネルを図１９に示す構成としてもよい。図１９では、行方向に隣り合う２つの画素の一方ではトランジスタに近接する方の画素電極を該トランジスタに接続し、他方ではトランジスタから遠い方の画素電極を該トランジスタに接続している。

　図１９の液晶パネルを備えた液晶表示装置においてデータ信号線１５ｘ・１５ｙを図１４のように駆動すると、フレームＦ１では、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「明」となり、全体としては、図２０（ａ）のようになる。また、フレームＦ２では、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は「明」となり、全体としては、図２０（ｂ）のようになる。

　図１９の液晶パネルによれば、明副画素同士が行方向に並んだり、暗副画素同士が行方向に並んだりすることがなくなるため、行方向のスジムラを低減することができる。

　図１９の画素１０１・１０３の具体例を図２１に示す。同図に示されるように、本液晶パネルの画素１０１は、上述した図１２の構成と同一であり、画素１０３は、上述した図１８の構成と同一であるため、詳細な説明は省略する。

　ここで、図１１に示した液晶パネルをＭＶＡ（マルチドメインバーティカルアライメント）構造とした場合を構成を図２２に示す。同図に示すように、画素電極１７ａに配向規制用のスリットＳ１～Ｓ４が設けられ、カラーフィルタ基板の画素電極１７ａに対応する部分に配向規制用のリブＬ１・Ｌ２が設けられ、画素電極１７ｂに配向規制用のスリットＳ５～Ｓ８が設けられ、カラーフィルタ基板の画素電極１７ｂに対応する部分に配向規制用のリブＬ３・Ｌ４が設けられる。なお、上記のような配向規制用のリブを設ける代わりに、カラーフィルタ基板の共通電極に配向規制用のスリットを設けてもよい。図２２に示したＭＶＡ構造は、実施の形態１および後述の実施の形態３の各液晶パネルにおいても適用可能であることはいうまでもない。

　また、実施の形態１で示した図５，６，７，９の各液晶パネルの構成は、本実施の形態２の各液晶パネルにおいても適用可能であることはいうまでもない。

　〔実施の形態３〕
　図２３は実施の形態３にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図２３に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｘ・１５ｙ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）、行および列方向に並べられた画素（１０１～１０４）、保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。

　本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線と１本の走査信号線とが設けられ、１つの画素に２つの画素電極（第１および第２画素電極）が行方向に並べられて設けられており、画素１０１に設けられた２つの画素電極１７ａ・１７ｂ、および画素１０３に設けられた２つの画素電極１７Ａ・１７Ｂが一行に配されるともに、画素１０２に設けられた２つの画素電極１７ｃ・１７ｄ、および画素１０４に設けられた２つの画素電極１７Ｃ・１７Ｄが一行に配され、画素電極１７ａと１７ｃ、画素電極１７ｂと１７ｄ、画素電極１７Ａと１７Ｃ、画素電極１７Ｂと１７Ｄが、それぞれ列方向に隣接している。すなわち、本実施の形態３における液晶パネルは、１つの画素領域に複数の画素電極が設けられた画素分割方式の液晶パネルである。

　また、画素１０１と列方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７ｃ・１７ｄが、結合容量Ｃｃｄを介して接続され、画素電極１７ｃが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｃを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｃ１（第１容量）・Ｃｈｃ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｄが形成され、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　本液晶パネルを備えた液晶表示装置では、順次走査が行われ、走査信号線１６ｘ、１６ｙが順次選択される。例えば、走査信号線１６ｘが選択された場合には、画素電極１７ａがデータ信号線１５ｘに（トランジスタ１２ａを介して）接続されされる。ここで、画素電極１７ａと画素電極１７ｂとが結合容量Ｃａｂを介して結合されているため、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ａの電位をＶａ、トランジスタ１２ａがＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をＶｂとすれば、|Ｖａ|≧|Ｖｂ|（なお、例えば|Ｖｂ|は、Ｖｂとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）となるため、画素電極１７ａを含む副画素を明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を暗副画素とし、これら明副画素および暗副画素の面積階調によって中間調表示を行うことができる。これにより、本液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。

　図２３の画素１０１～１０４の具体例を図２４に示す。以下では、画素１０１について説明する。同図に示されるように、データ信号線１５ｘおよび走査信号線１６ｘの交差部近傍にトランジスタ１２ａが配され、両信号線（１５ｘ・１６ｘ）で画される画素領域に、長方形形状の画素電極１７ａ（第１画素電極）と長方形形状の画素電極１７ｂ（第２画素電極）とが行方向に並べられており、第１画素電極の外周をなす４辺のうち１辺と第２画素電極の外周をなす４辺のうち１辺とが隣接している。また、データ信号線１５ｘと同層かつこれに並行して列方向に延伸する保持容量配線１８ｐは、画素電極１７ａ・１７ｂの隣接する２辺の間隙と、画素電極１７ａと、画素電極１７ｂとが重なるように配されている。さらに、画素領域には、容量電極４７ａ（第１容量電極）が、行方向に延伸して、画素電極１７ａ・１７ｂの隣接する２辺の間隙と画素電極１７ａと画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｐとに重なるように配されている。

　走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａが形成され、ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し電極２７ａに接続され、ドレイン引き出し電極２７ａは、コンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。

　容量電極４７ａは、走査信号線１６ｘと同層において保持容量配線１８ｐと一部が重なるように形成され、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８ｐと重なるとともに、コンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。これにより、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈａ１（図２３参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈａ２（図２３参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｂとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈｂ（図２３参照）が形成される。そして、容量電極４７ａがゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂと重なっており、両者の重なり部分に画素電極１７ａ・１７ｂ間の結合容量Ｃａｂ（図２３参照）が形成される。すなわち、容量電極４７ａは、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介した画素電極１７ｂとの重なり部において、結合容量電極として機能する。なお、他の画素の構成（各部材の形状および配置並びに接続関係）は画素１０１のそれと同じである。

　図２５は、図２４のＸ－Ｙ矢視断面図である。この図に示すように、本液晶パネルは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備えている。

　アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に、容量電極４７ａが形成され、これを覆うように無機ゲート絶縁膜２２が形成されている。なお、図示しないが、走査信号線もガラス基板３１上に形成される。無機ゲート絶縁膜２２の上層には、半導体層（ｉ層およびｎ＋層；図示せず）と、ｎ＋層に接するソース電極およびドレイン電極（ともに図示せず）と、ドレイン引き出し電極２７ａと、保持容量配線１８ｐとが形成され、これらを覆うように無機層間絶縁膜２５が形成されている。無機層間絶縁膜２５上には画素電極１７ａ・１７ｂが形成され、さらに、これら（画素電極１７ａ・１７ｂ）を覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。

　ここで、コンタクトホール１１ａでは、無機層間絶縁膜２５が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ａとドレイン引き出し電極２７ａとが接続される。また、コンタクトホール１１１ａでは、無機層間絶縁膜２５および無機ゲート絶縁膜２２が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ａと容量電極４７ａとが電気的に接続される。そして、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとが無機ゲート絶縁膜２２を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈａ１（図２３参照）が形成され、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、無機層間絶縁膜２５を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈａ２（図２３参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｂとが、無機層間絶縁膜２５を介して重なっており、これによって、保持容量Ｃｈｂ（図２３参照）が形成される。そして、容量電極４７ａと画素電極１７ｂとが、無機ゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５を介して重なっており、これによって、結合容量Ｃａｂ（図２３参照）が形成される。

　なお、図２５に示すように、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上に着色層１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜１９が形成されている。

　この構成によれば、画素電極１７ａを含む副画素は「明」、画素電極１７ｂを含む副画素は「暗」となる。

　本液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法は、実施の形態２における図１４のタイミングチャートで示した駆動方法と同一である。この駆動方法によれば、第１フレーム（Ｆ１）では、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（以下、「明」）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（以下、「暗」）となり、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２６（ａ）のようになる。

　また、第２フレーム（Ｆ２）では、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２６（ｂ）のようになる。

　本実施の形態３にかかる液晶パネルの他の構成を、図２７に示す。図２７に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｘ・１５ｙ・１５ｚ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）、行および列方向に並べられた画素（１０１～１０４）、保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備える。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。

　各画素１０１～１０４に設けられた画素電極（１７ａ・１７ｂ・１７ｃ・１７ｄ・１７Ａ・１７Ｂ・１７Ｃ・１７Ｄ）の配列は、図２３に示す本液晶パネルと同一である。

　画素１０１では、画素電極１７ａ・１７ｂが、結合容量Ｃａｂを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａ１（第１容量）・Ｃｈａ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｂが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成されている。

　また、画素１０１と列方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７ｃ・１７ｄが、結合容量Ｃｃｄを介して接続され、画素電極１７ｄが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｄを介してデータ信号線１５ｙに接続され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｄ１（第１容量）・Ｃｈｄ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｃが形成され、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　図２７の画素１０１は図２４の画素１０１と同一であるため、ここでは、画素１０２の具体例について、図２８を用いて説明する。図２８に示されるように、データ信号線１５ｙおよび走査信号線１６ｙの交差部近傍にトランジスタ１２ｄが配され、両信号線（１５ｙ・１６ｙ）で画される画素領域に、長方形形状の画素電極１７ｃ（第２画素電極）と長方形形状の画素電極１７ｄ（第１画素電極）とが行方向に並べられており、第１画素電極の外周をなす４辺のうち１辺と第２画素電極の外周をなす４辺のうち１辺とが隣接している。また、データ信号線１５ｙと同層かつこれに並行して列方向に延伸する保持容量配線１８ｐは、画素電極１７ｃ・１７ｄの隣接する２辺の間隙と、画素電極１７ｃと、画素電極１７ｄとが重なるように配されている。さらに、画素領域には、容量電極４７ｄ（第１容量電極）が、行方向に延伸して、画素電極１７ｃ・１７ｄの隣接する２辺の間隙と画素電極１７ｃと画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｐとに重なるように配されている。

　走査信号線１６ｙ上には、トランジスタ１２ｄのソース電極８ｄおよびドレイン電極９ｄが形成され、ソース電極８ｄはデータ信号線１５ｙに接続される。ドレイン電極９ｄはドレイン引き出し電極２７ｄに接続され、ドレイン引き出し電極２７ｄは、コンタクトホール１１ｄを介して画素電極１７ｄに接続される。

　容量電極４７ｄは、走査信号線１６ｙと同層において保持容量配線１８ｐと一部が重なるように形成され、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８ｐと重なるとともに、コンタクトホール１１１ｄを介して画素電極１７ｄに接続される。これにより、容量電極４７ｄと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈｄ１（図２７参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｄとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈｄ２（図２７参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈｃ（図２７参照）が形成される。そして、容量電極４７ｄがゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、両者の重なり部分に画素電極１７ｃ・１７ｄ間の結合容量Ｃｃｄ（図２７参照）が形成される。すなわち、容量電極４７ｄは、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介した画素電極１７ｃとの重なり部において、結合容量電極として機能する。

　この構成において実施の形態２における図１５のタイミングチャートで示した駆動方法を適用すると、第１フレーム（Ｆ１）では、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は明副画素（以下、「明」）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素（以下、「暗」）となり、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素は「明」となり、画素電極１７Ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２９（ａ）のようになる。

　また、第２フレーム（Ｆ２）では、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は「暗」となり、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素は「暗」、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素は「明」となり、画素電極１７Ａ（プラス極性）を含む副画素は「明」、画素電極１７Ｂ（プラス極性）を含む副画素は「暗」となり、全体としては、図２９（ｂ）のようになる。

　この構成によれば、図２３に示した液晶パネルの構成と同様、保持容量の値を変えることなく開口率を高めたり、重なり面積を変えることなく（すなわち、開口率を変えることなく）保持容量の値を大きくしたりすることができる。また、明副画素同士が行方向に並んだり、暗副画素同士が行方向に並んだりすることがなくなるため、行方向のスジムラを低減することができる。

　本実施の形態３にかかる液晶パネルの他の構成を、図３０に示す。図３０に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｘ・１５ｙ・１５ｚ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）、行および列方向に並べられた画素（１０１～１０４）、保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備える。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。

　画素１０１では、画素電極１７ａ・１７ｂが、結合容量Ｃａｂ１・Ｃａｂ２を介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａ１（第１容量）・Ｃｈａ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｂ１・Ｃｈｂ２が形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成されている。

　また、画素１０１と列方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７ｃ・１７ｄが、結合容量Ｃｃｄ１・Ｃｃｄ２を介して接続され、画素電極１７ｄが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｄを介してデータ信号線１５ｙに接続され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｄ１（第１容量）・Ｃｈｄ２（第２容量）が形成され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｃ１・Ｃｈｃ２が形成され、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　また、画素１０１と行方向に隣接する画素１０３では、画素電極１７Ａ・１７Ｂが、結合容量ＣＡＢ１・ＣＡＢ２を介して接続され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５ｙに接続され、画素電極１７Ａと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＡ１（第１容量）・ＣｈＡ２（第２容量）が形成され、画素電極１７Ｂと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＢ１・Ｃｈｂ２が形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成されている。

　図３０の画素１０１の具体例を図３１に示す。同図に示されるように、データ信号線１５ｘおよび走査信号線１６ｘの交差部近傍にトランジスタ１２ａが配され、両信号線（１５ｘ・１６ｘ）で画される画素領域に、長方形形状の画素電極１７ａ（第１画素電極）と長方形形状の画素電極１７ｂ（第２画素電極）とが行方向に並べられており、第１画素電極の外周をなす４辺のうち１辺と第２画素電極の外周をなす４辺のうち１辺とが隣接している。また、データ信号線１５ｘと同層かつこれに並行して列方向に延伸する保持容量配線１８ｐは、画素電極１７ａ・１７ｂの隣接する２辺の間隙と、画素電極１７ａと、画素電極１７ｂとが重なるように配されている。さらに、画素領域には、容量電極４７ａ（第１容量電極）が、行方向に延伸して、画素電極１７ａ・１７ｂの隣接する２辺の間隙と画素電極１７ａと画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｐとに重なるように配されるとともに、容量電極４７ｂ（第３容量電極）が、容量電極４７ａと並行して行方向に延伸して、画素電極１７ａ・１７ｂの隣接する２辺の間隙と画素電極１７ａと画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｐとに重なるように配されている。

　容量電極４７ａは、走査信号線１６ｘと同層において保持容量配線１８ｐ下に形成され、列方向に延伸した部分（特に幅広の部分）がゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８ｐと重なるとともに、コンタクトホール１１１ａを介して画素電極１７ａに接続される。これにより、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈａ１（図３０参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ａとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈａ２（図３０参照）が形成される。そして、容量電極４７ａの行方向に延伸した部分がゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂと重なっており、両者の重なり部分に画素電極１７ａ・１７ｂ間の結合容量Ｃａｂ１（図３０参照）が形成される。すなわち、容量電極４７ａは、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介した画素電極１７ｂとの重なり部において、結合容量電極として機能する。

　容量電極４７ｂは、列方向に延伸した部分（特に幅広の部分）がゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８ｐと重なるとともに、コンタクトホール１１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続される。これにより、容量電極４７ｂと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈｂ１（図３０参照）が形成される。また、保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｂとが、層間絶縁膜を介して重なっており、両者の重なり部分に保持容量Ｃｈｂ２（図３０参照）が形成される。そして、容量電極４７ｂの行方向に延伸した部分がゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介して画素電極１７ａと重なっており、両者の重なり部分に画素電極１７ａ・１７ｂ間の結合容量Ｃａｂ２（図３０参照）が形成される。すなわち、容量電極４７ｂは、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜を介した画素電極１７ａとの重なり部において、結合容量電極として機能する。

　この構成によれば、図２４に示す液晶パネルよりも、画素電極１７ａの保持容量の値を、容量電極４７ａの列方向に延伸した部分に相当する分だけ大きくすることができる。また、容量電極４７ｂが設けられているため、画素電極１７ａ・１７ｂの結合容量の値、および、画素電極１７ｂの保持容量の値を大きくすることができる。

　また、図３１の液晶パネルでは、画素電極１７ａと画素電極１７ｂとを、並列する２つの結合容量（Ｃａｂ１・Ｃａｂ２）によって接続（容量結合）しているため、例えば、図３１のＰで、容量電極４７ａと画素電極１７ｂとが（製造工程等において）短絡してしまった場合には、容量電極４７ａを、コンタクトホール１１１ａおよび短絡箇所の間でレーザ切断する修正工程を行うことにより、画素電極１７ａ・１７ｂの容量結合を維持することができる。さらに、製造工程等でコンタクトホール１１１ａが形成不良となった場合でも、画素電極１７ａ・１７ｂの容量結合を維持することができる。なお、容量電極４７ｂと画素電極１７ａとが短絡した場合には、容量電極４７ｂを、コンタクトホール１１１ｂおよび短絡箇所の間でレーザ切断すればよい。

　なお、容量電極４７ａと保持容量配線１８ｐあるいは画素電極１７ｂとが短絡してしまった場合に、画素電極１７ａのうちコンタクトホール１１１ａ内の部分をレーザ等により除去（トリミング）して画素電極１７ａと容量電極４７ａとを電気的に切り離すことによっても、画素電極１７ａ・１７ｂの容量結合を維持することができる。

　よって、上記構成によれば、液晶パネルやこれに用いられるアクティブマトリクス基板の製造歩留まりを高めることができる。

　また、図３１の液晶パネルでは、容量電極４７ａ・４７ｂは、容量電極４７ａを、画素１０１における保持容量配線１８ｐ上の点を中心として１８０°回転させると容量電極４７ｂに略一致する形状をなして、保持容量配線１８ｐおよび画素電極１７ａ・１７ｂに重なっている。そのため、画素電極１７ａ・１７ｂのアライメントが容量電極４７ａ・４７ｂに対して行方向にずれた場合でも、容量電極４７ａおよび画素電極１７ｂの重なり面積と、容量電極４７ｂおよび画素電極１７ａの重なり面積とが補償し合うこととなり、２つの結合容量（Ｃａｂ１・Ｃａｂ２）の総量が変化しにくいというメリットがある。

　なお、実施の形態１で示した図５，６，７，９の各液晶パネルの構成は、本実施の形態３の各液晶パネルにおいても適用可能であることはいうまでもない。

　ここで、上記実施の形態１～３では、保持容量配線がデータ信号線と同層に形成されている構成を有する液晶パネルについて説明したが、本液晶パネルはこれに限定されるものではなく、保持容量配線がデータ信号線と別層に形成されていてもよい。例えば、ゲート絶縁膜を２層構造とし、この間に保持容量配線が形成されている構成としてもよく、また、層間絶縁膜を２層構造とし、この間に保持容量配線が形成されている構成としてもよい。これらの構成によれば、保持容量配線の延伸方向を自由に設定することができるため、例えば、保持容量配線が走査信号線に並行して配されている構成とすることもできる。

　すなわち、本液晶パネルは、少なくとも、保持容量配線（１８ｐ）が、第１画素電極（１７ａ）に電気的に接続された第１容量電極（４７ａ）と、第１画素電極（１７ａ）との間の層に形成され、第１容量電極（４７ａ）と保持容量配線（１８ｐ）とが第１絶縁膜（ゲート絶縁膜、もしくは、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜）を介して重なるとともに、保持容量配線（１８ｐ）と第１画素電極（１７ａ）とが第２絶縁膜（層間絶縁膜、もしくは、ゲート絶縁膜および層間絶縁膜）を介して重なっている構成であれば良い。

　最後に、本発明の液晶表示ユニットおよび液晶表示装置の構成例について説明する。上記各実施の形態では、以下のようにして、本液晶表示ユニットおよび液晶表示装置を構成する。すなわち、本液晶パネルの両面に、２枚の偏光板Ａ・Ｂを、偏光板Ａの偏光軸と偏光板Ｂの偏光軸とが互いに直交するように貼り付ける。なお、偏光板には必要に応じて、光学補償シート等を積層してもよい。次に、図３２（ａ）に示すように、ドライバ（ゲートドライバ２０２、ソースドライバ２０１）を接続する。ここでは、一例として、ドライバをＴＣＰ（Tape Career Package）方式による接続について説明する。まず、液晶パネルの端子部にＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）を仮圧着する。ついで、ドライバが乗せられたＴＣＰをキャリアテープから打ち抜き、パネル端子電極に位置合わせし、加熱、本圧着を行う。その後、ドライバＴＣＰ同士を連結するための回路基板２０３（ＰＷＢ：Printed Wiring Board）とＴＣＰの入力端子とをＡＣＦで接続する。これにより、液晶表示ユニット２００が完成する。その後、図３２（ｂ）に示すように、液晶表示ユニットの各ドライバ（２０１・２０２）に、回路基板２０３を介して表示制御回路２０９を接続し、照明装置（バックライトユニット）２０４と一体化することで、液晶表示装置２１０となる。

　なお、本願でいう「電位の極性」とは、基準となる電位以上（プラス）あるいは基準となる電位以下（マイナス）を意味する。ここで、基準となる電位は、共通電極（対向電極）の電位であるＶｃｏｍ（コモン電位）であってもその他任意の電位であってもよい。

　図３３は、本液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、本液晶表示装置は、表示部（液晶パネル）と、ソースドライバ（ＳＤ）と、ゲートドライバ（ＧＤ）と、表示制御回路とを備えている。ソースドライバはデータ信号線を駆動し、ゲートドライバは走査信号線を駆動し、表示制御回路は、ソースドライバおよびゲートドライバを制御する。

　表示制御回路は、外部の信号源（例えばチューナ）から、表示すべき画像を表すデジタルビデオ信号Ｄｖと、当該デジタルビデオ信号Ｄｖに対応する水平同期信号ＨＳＹおよび垂直同期信号ＶＳＹと、表示動作を制御するための制御信号Ｄｃとを受け取る。また、表示制御回路は、受け取ったこれらの信号Ｄｖ，ＨＳＹ，ＶＳＹ，Ｄｃに基づき、そのデジタルビデオ信号Ｄｖの表す画像を表示部に表示させるための信号として、データスタートパルス信号ＳＳＰと、データクロック信号ＳＣＫと、チャージシェア信号ｓｈと、表示すべき画像を表すデジタル画像信号ＤＡ（ビデオ信号Ｄｖに対応する信号）と、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰと、ゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号（走査信号出力制御信号）ＧＯＥとを生成し、これらを出力する。

　より詳しくは、ビデオ信号Ｄｖを内部メモリで必要に応じてタイミング調整等を行った後に、デジタル画像信号ＤＡとして表示制御回路から出力し、そのデジタル画像信号ＤＡの表す画像の各画素に対応するパルスからなる信号としてデータクロック信号ＳＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づき１水平走査期間毎に所定期間だけハイレベル（Ｈレベル）となる信号としてデータスタートパルス信号ＳＳＰを生成し、垂直同期信号ＶＳＹに基づき１フレーム期間（１垂直走査期間）毎に所定期間だけＨレベルとなる信号としてゲートスタートパルス信号ＧＳＰを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づきゲートクロック信号ＧＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹおよび制御信号Ｄｃに基づきチャージシェア信号ｓｈ、ならびにゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥを生成する。

　上記のようにして表示制御回路において生成された信号のうち、デジタル画像信号ＤＡ、チャージシェア信号ｓｈ、信号電位（データ信号電位）の極性を制御する信号ＰＯＬ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、およびデータクロック信号ＳＣＫは、ソースドライバに入力され、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰとゲートクロック信号ＧＣＫとゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとは、ゲートドライバに入力される。

　ソースドライバは、デジタル画像信号ＤＡ、データクロック信号ＳＣＫ、チャージシェア信号ｓｈ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、および極性反転信号ＰＯＬに基づき、デジタル画像信号ＤＡの表す画像の各走査信号線における画素値に相当するアナログ電位（信号電位）を１水平走査期間毎に順次生成し、これらのデータ信号をデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）に出力する。

　ゲートドライバは、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとに基づき、ゲートオンパルス信号を生成し、これらを走査信号線に出力し、これによって走査信号線を選択的に駆動する。

　上記のようにソースドライバおよびゲートドライバにより表示部（液晶パネル）のデータ信号線および走査信号線が駆動されることで、選択された走査信号線に接続されたトランジスタ（ＴＦＴ）を介して、データ信号線から画素電極に信号電位が書き込まれる。これにより各副画素の液晶層に電圧が印加され、これによってバックライトからの光の透過量が制御され、デジタルビデオ信号Ｄｖの示す画像が各副画素に表示される。

　次に、本液晶表示装置をテレビジョン受信機に適用するときの一構成例について説明する。図３４は、テレビジョン受信機用の液晶表示装置８００の構成を示すブロック図である。液晶表示装置８００は、液晶表示ユニット８４と、Ｙ／Ｃ分離回路８０と、ビデオクロマ回路８１と、Ａ／Ｄコンバータ８２と、液晶コントローラ８３と、バックライト駆動回路８５と、バックライト８６と、マイコン（マイクロコンピュータ）８７と、階調回路８８とを備えている。なお、液晶表示ユニット８４は、液晶パネルと、これを駆動するためのソースドライバおよびゲートドライバとで構成される。

　上記構成の液晶表示装置８００では、まず、テレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖが外部からＹ／Ｃ分離回路８０に入力され、そこで輝度信号と色信号に分離される。これらの輝度信号と色信号は、ビデオクロマ回路８１にて光の３原色に対応するアナログＲＧＢ信号に変換され、さらに、このアナログＲＧＢ信号はＡ／Ｄコンバータ８２により、デジタルＲＧＢ信号に変換される。このデジタルＲＧＢ信号は液晶コントローラ８３に入力される。また、Ｙ／Ｃ分離回路８０では、外部から入力された複合カラー映像信号Ｓｃｖから水平および垂直同期信号も取り出され、これらの同期信号もマイコン８７を介して液晶コントローラ８３に入力される。

　液晶表示ユニット８４には、液晶コントローラ８３からデジタルＲＧＢ信号が、上記同期信号に基づくタイミング信号と共に所定のタイミングで入力される。また、階調回路８８では、カラー表示の３原色Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの階調電位が生成され、それらの階調電位も液晶表示ユニット８４に供給される。液晶表示ユニット８４では、これらのＲＧＢ信号、タイミング信号および階調電位に基づき内部のソースドライバやゲートドライバ等により駆動用信号（データ信号＝信号電位、走査信号等）が生成され、それらの駆動用信号に基づき、内部の液晶パネルにカラー画像が表示される。なお、この液晶表示ユニット８４によって画像を表示するには、液晶表示ユニット内の液晶パネルの後方から光を照射する必要があり、この液晶表示装置８００では、マイコン８７の制御の下にバックライト駆動回路８５がバックライト８６を駆動することにより、液晶パネルの裏面に光が照射される。上記の処理を含め、システム全体の制御はマイコン８７が行う。なお、外部から入力される映像信号（複合カラー映像信号）としては、テレビジョン放送に基づく映像信号のみならず、カメラにより撮像された映像信号や、インターネット回線を介して供給される映像信号なども使用可能であり、この液晶表示装置８００では、様々な映像信号に基づいた画像表示が可能である。

　液晶表示装置８００でテレビジョン放送に基づく画像を表示する場合には、図３５に示すように、液晶表示装置８００にチューナ部９０が接続され、これによって本テレビジョン受像機６０１が構成される。このチューナ部９０は、アンテナ（不図示）で受信した受信波（高周波信号）の中から受信すべきチャンネルの信号を抜き出して中間周波信号に変換し、この中間周波数信号を検波することによってテレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖを取り出す。この複合カラー映像信号Ｓｃｖは、既述のように液晶表示装置８００に入力され、この複合カラー映像信号Ｓｃｖに基づく画像が該液晶表示装置８００によって表示される。

　図３６は、本テレビジョン受像機の一構成例を示す分解斜視図である。同図に示すように、本テレビジョン受像機６０１は、その構成要素として、液晶表示装置８００の他に第１筐体８０１および第２筐体８０６を有しており、液晶表示装置８００を第１筐体８０１と第２筐体８０６とで包み込むようにして挟持した構成となっている。第１筐体８０１には、液晶表示装置８００で表示される画像を透過させる開口部８０１ａが形成されている。また、第２筐体８０６は、液晶表示装置８００の背面側を覆うものであり、当該表示装置８００を操作するための操作用回路８０５が設けられると共に、下方に支持用部材８０８が取り付けられている。

　本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を技術常識に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。

　上記構成によれば、保持容量は、上記第１容量電極と上記保持容量配線との重なり部分に形成される容量（第１容量）と、上記保持容量配線と上記第１画素電極との重なり部分に形成される容量（第２容量）とで構成される。これにより、従来（図３８参照）と比較して、保持容量の値を（第１容量分）大きくすることができる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極は上記走査信号線と同層に形成されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記保持容量配線は上記データ信号線と同層に形成されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記保持容量配線は列方向に延伸する構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第２絶縁膜の厚さは上記第１絶縁膜の厚さ以下である構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１絶縁膜は、少なくともゲート絶縁膜を含んで構成され、上記第２絶縁膜は、少なくとも層間絶縁膜を含んで構成されていてもよい。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１絶縁膜はゲート絶縁膜である構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第２絶縁膜は上記トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜である構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極は、平面的に視ると、行方向の幅が上記保持容量配線の行方向の幅よりも広い構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、隣り合う画素領域間で、液晶層の厚みが互いに異なっており、上記第１容量電極と上記保持容量配線とが重なり合う面積が、上記液晶層の厚みに応じて、隣り合う画素領域間で互いに異なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極から引き出された容量引き出し電極の一部が、上記第１絶縁膜を介して上記データ信号線と重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、さらに、上記第１画素電極に容量を介して接続された第２画素電極を備える構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１画素電極に電気的に接続された第２容量電極を備え、上記第２容量電極と上記第２画素電極とが上記第２絶縁膜を介して重なることによって、上記第２容量電極および上記第２画素電極間に上記容量が形成されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極に電気的に接続された第２容量電極を備え、上記第２容量電極と上記第２画素電極とが上記第１および第２絶縁膜を介して重なることによって、上記第２容量電極および上記第２画素電極間に上記容量が形成されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２画素電極が列方向に並べられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２画素電極が行方向に並べられている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、列方向に隣り合う２つの画素領域の一方では、上記トランジスタが、隣接する２つのデータ信号線の一方に接続され、上記２つの画素領域の他方では、上記トランジスタが、上記２つのデータ信号線の他方に接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記２つの画素領域の一方に設けられた上記第１画素電極と、他方に設けられた上記第２画素電極とが列方向に隣接する構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記保持容量配線は列方向に延伸し、上記第１および第２画素電極並びにそれらの間隙と重なっている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極および上記走査信号線と同層に形成された第３容量電極を備え、コンタクトホールを介して上記第１画素電極に接続された上記第１容量電極が、上記保持容量配線下を経て上記第２画素電極下に到る一方、コンタクトホールを介して上記第２画素電極に接続された上記第３容量電極が、上記保持容量配線下を経て上記第１画素電極下に到る構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第３容量電極が互いに点対称あるいは線対称となるように形成されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極は、透明電極層からなる構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１画素電極と上記第１容量電極とが、上記第１および第２絶縁膜を貫くコンタクトホールによって接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記トランジスタの一方の導通電極から引き出されたドレイン引き出し電極と、上記第１画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、上記第１画素電極と上記第１容量電極とが上記コンタクトホールとは異なるコンタクトホールを介して接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極と、上記トランジスタの一方の導通電極から引き出されたドレイン引き出し電極と、上記第１画素電極とが、上記第１および第２絶縁膜を貫く同一のコンタクトホールによって接続されている構成とすることもできる。

　本アクティブマトリクス基板では、上記ドレイン引き出し電極には、上記コンタクトホールの開口部、および、上記第１容量電極に重なる刳り貫き部あるいは切り欠き部が設けられている構成とすることもできる。

　本液晶パネルは上記アクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする。また、本液晶表示ユニットは、上記液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする。また、本液晶表示装置は、上記液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする。また、本テレビジョン受像機は、上記液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えることを特徴とする。

　本発明のアクティブマトリクス基板およびこれを備えた液晶パネルは、例えば液晶テレビに好適である。

　１０１～１０４　画素
　１２ａ・１２ｃ・１２Ａ・１２Ｃ　トランジスタ
　１５ｘ・１５ｙ・１５ｚ　データ信号線
　１６ｘ・１６ｙ　走査信号線
　１７ａ・１７ｂ・１７ｃ・１７ｄ　画素電極
　１７Ａ・１７Ｂ・１７Ｃ・１７Ｄ　画素電極
　１８ｐ・１８ｑ　保持容量配線
　２２　無機ゲート絶縁膜（第１絶縁膜、第２絶縁膜）
　２５　無機層間絶縁膜（第１絶縁膜、第２絶縁膜）
　２６　有機層間絶縁膜
　４０　液晶層
　３７ａ　結合容量電極（第２容量電極）
　４７ａ　容量電極（第１容量電極）
　４７ｂ　容量電極（第３容量電極）
　８４　液晶表示ユニット
　６０１　テレビジョン受像機
　８００　液晶表示装置

Claims

　データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続されたトランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記トランジスタを介して上記データ信号線に接続された第１画素電極が設けられ、
　１つの画素領域に、上記第１画素電極に電気的に接続された第１容量電極が設けられ、
　上記保持容量配線は、上記第１容量電極と上記第１画素電極との間の層に形成され、
　上記第１容量電極と上記保持容量配線とが第１絶縁膜を介して重なるとともに、上記保持容量配線と上記第１画素電極とが第２絶縁膜を介して重なっていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極は上記走査信号線と同層に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記保持容量配線は上記データ信号線と同層に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記保持容量配線は列方向に延伸することを特徴とする請求項１～３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第２絶縁膜の厚さは上記第１絶縁膜の厚さ以下であることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１絶縁膜は、少なくともゲート絶縁膜を含んで構成され、
　上記第２絶縁膜は、少なくとも層間絶縁膜を含んで構成されていることを特徴とする請求項１～５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１絶縁膜はゲート絶縁膜であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第２絶縁膜は上記トランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜であることを特徴とする請求項１～７のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極は、平面的に視ると、行方向の幅が上記保持容量配線の行方向の幅よりも広いことを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　隣り合う画素領域間で、液晶層の厚みが互いに異なっており、
　上記第１容量電極と上記保持容量配線とが重なり合う面積が、上記液晶層の厚みに応じて、隣り合う画素領域間で互いに異なっていることを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極から引き出された容量引き出し電極の一部が、上記第１絶縁膜を介して上記データ信号線と重なっていることを特徴とする請求項１～１０のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　さらに、上記第１画素電極に容量を介して接続された第２画素電極を備えることを特徴とする請求項１～１１のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１画素電極に電気的に接続された第２容量電極を備え、
　上記第２容量電極と上記第２画素電極とが上記第２絶縁膜を介して重なることによって、上記第２容量電極および上記第２画素電極間に上記容量が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極に電気的に接続された第２容量電極を備え、
　上記第２容量電極と上記第２画素電極とが上記第１および第２絶縁膜を介して重なることによって、上記第２容量電極および上記第２画素電極間に上記容量が形成されていることを特徴とする請求項１２に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１および第２画素電極が列方向に並べられていることを特徴とする請求項１２～１４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１および第２画素電極が行方向に並べられていることを特徴とする請求項１２～１４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　列方向に隣り合う２つの画素領域の一方では、上記トランジスタが、隣接する２つのデータ信号線の一方に接続され、上記２つの画素領域の他方では、上記トランジスタが、上記２つのデータ信号線の他方に接続されていることを特徴とする請求項１６に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記２つの画素領域の一方に設けられた上記第１画素電極と、他方に設けられた上記第２画素電極とが列方向に隣接することを特徴とする請求項１７に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記保持容量配線は列方向に延伸し、上記第１および第２画素電極並びにそれらの間隙と重なっていることを特徴とする請求項１６に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極および上記走査信号線と同層に形成された第３容量電極を備え、
　コンタクトホールを介して上記第１画素電極に接続された上記第１容量電極が、上記保持容量配線下を経て上記第２画素電極下に到る一方、コンタクトホールを介して上記第２画素電極に接続された上記第３容量電極が、上記保持容量配線下を経て上記第１画素電極下に到ることを特徴とする請求項１９に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１および第３容量電極が互いに点対称あるいは線対称となるように形成されていることを特徴とする請求項２０に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極は、透明電極層からなることを特徴とする請求項１～２１のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１画素電極と上記第１容量電極とが、上記第１および第２絶縁膜を貫くコンタクトホールによって接続されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記トランジスタの一方の導通電極から引き出されたドレイン引き出し電極と、上記第１画素電極とがコンタクトホールを介して接続され、上記第１画素電極と上記第１容量電極とが上記コンタクトホールとは異なるコンタクトホールを介して接続されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記第１容量電極と、上記トランジスタの一方の導通電極から引き出されたドレイン引き出し電極と、上記第１画素電極とが、上記第１および第２絶縁膜を貫く同一のコンタクトホールによって接続されていることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
　上記ドレイン引き出し電極には、上記コンタクトホールの開口部、および、上記第１容量電極に重なる刳り貫き部あるいは切り欠き部が設けられていることを特徴とする請求項２５に記載のアクティブマトリクス基板。
　請求項１～２６のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする液晶パネル。
　請求項２７に記載の液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする液晶表示ユニット。
　請求項２８に記載の液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
　請求項２９に記載の液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えることを特徴とするテレビジョン受像機。